KR20230091818A - 유기 전계발광 물질 및 디바이스 - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 title description 105
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 137
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims abstract description 87
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims abstract description 16
- 125000002950 monocyclic group Chemical group 0.000 claims abstract description 4
- -1 amino, silyl Chemical group 0.000 claims description 86
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 75
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 53
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 44
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 44
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 42
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 41
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 38
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 claims description 38
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 37
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 claims description 33
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 32
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 31
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical compound [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 claims description 28
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 25
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 22
- TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N dibenzofuran Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3OC2=C1 TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 125000000392 cycloalkenyl group Chemical group 0.000 claims description 21
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims description 20
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 claims description 19
- 125000004404 heteroalkyl group Chemical group 0.000 claims description 19
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 150000003624 transition metals Chemical group 0.000 claims description 19
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 18
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 claims description 18
- 125000000592 heterocycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 18
- XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N quinoxaline Chemical compound N1=CC=NC2=CC=CC=C21 XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical compound C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 17
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 claims description 17
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 claims description 17
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 claims description 17
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 claims description 16
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 claims description 15
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims description 15
- 150000002527 isonitriles Chemical class 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Chemical compound C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 14
- 125000000475 sulfinyl group Chemical group [*:2]S([*:1])=O 0.000 claims description 14
- 125000000707 boryl group Chemical group B* 0.000 claims description 13
- FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 1-benzothiophene Chemical compound C1=CC=C2SC=CC2=C1 FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N Indole Chemical compound C1=CC=C2NC=CC2=C1 SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 125000003800 germyl group Chemical group [H][Ge]([H])([H])[*] 0.000 claims description 12
- AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N isoquinoline Chemical compound C1=NC=CC2=CC=CC=C21 AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 claims description 12
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 125000006413 ring segment Chemical group 0.000 claims description 12
- 125000004008 6 membered carbocyclic group Chemical group 0.000 claims description 11
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 11
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims description 10
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 claims description 9
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- WIUZHVZUGQDRHZ-UHFFFAOYSA-N [1]benzothiolo[3,2-b]pyridine Chemical compound C1=CN=C2C3=CC=CC=C3SC2=C1 WIUZHVZUGQDRHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 8
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical compound C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N Pyrimidine Chemical compound C1=CN=CN=C1 CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 claims description 7
- RFRXIWQYSOIBDI-UHFFFAOYSA-N benzarone Chemical compound CCC=1OC2=CC=CC=C2C=1C(=O)C1=CC=C(O)C=C1 RFRXIWQYSOIBDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 125000002993 cycloalkylene group Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 7
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 claims description 7
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical compound C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BAXOFTOLAUCFNW-UHFFFAOYSA-N 1H-indazole Chemical compound C1=CC=C2C=NNC2=C1 BAXOFTOLAUCFNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 1H-indene Chemical compound C1=CC=C2CC=CC2=C1 YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000001054 5 membered carbocyclic group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000005549 heteroarylene group Chemical group 0.000 claims description 6
- PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N indole Natural products CC1=CC=CC2=C1C=CN2 PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N indolenine Natural products C1=CC=C2CC=NC2=C1 RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- RDOWQLZANAYVLL-UHFFFAOYSA-N phenanthridine Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=NC2=C1 RDOWQLZANAYVLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- LFSXCDWNBUNEEM-UHFFFAOYSA-N phthalazine Chemical compound C1=NN=CC2=CC=CC=C21 LFSXCDWNBUNEEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N pyridazine Chemical compound C1=CC=NN=C1 PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- JWVCLYRUEFBMGU-UHFFFAOYSA-N quinazoline Chemical compound N1=CN=CC2=CC=CC=C21 JWVCLYRUEFBMGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- FNQJDLTXOVEEFB-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-benzothiadiazole Chemical compound C1=CC=C2SN=NC2=C1 FNQJDLTXOVEEFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GAMYYCRTACQSBR-UHFFFAOYSA-N 4-azabenzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=N1 GAMYYCRTACQSBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BPMFPOGUJAAYHL-UHFFFAOYSA-N 9H-Pyrido[2,3-b]indole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=N1 BPMFPOGUJAAYHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PFWJFKBTIBAASX-UHFFFAOYSA-N 9h-indeno[2,1-b]pyridine Chemical compound C1=CN=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 PFWJFKBTIBAASX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 3
- 125000002837 carbocyclic group Chemical group 0.000 claims description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 30
- 238000009472 formulation Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 144
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 62
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 33
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 32
- 235000019439 ethyl acetate Nutrition 0.000 description 31
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 26
- 239000000047 product Substances 0.000 description 26
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 22
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 19
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- IYYZUPMFVPLQIF-UHFFFAOYSA-N dibenzothiophene sulfoxide Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3SC2=C1 IYYZUPMFVPLQIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000013598 vector Substances 0.000 description 16
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 14
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 14
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 13
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 13
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 13
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 12
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 12
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 12
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 11
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 description 10
- 239000012267 brine Substances 0.000 description 10
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 10
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 10
- HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M sodium;chloride;hydrate Chemical compound O.[Na+].[Cl-] HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 10
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N Triphenylene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C2=C1 SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 8
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 8
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 125000005580 triphenylene group Chemical group 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 7
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 7
- DHFABSXGNHDNCO-UHFFFAOYSA-N dibenzoselenophene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3[se]C2=C1 DHFABSXGNHDNCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 7
- VVVPGLRKXQSQSZ-UHFFFAOYSA-N indolo[3,2-c]carbazole Chemical compound C1=CC=CC2=NC3=C4C5=CC=CC=C5N=C4C=CC3=C21 VVVPGLRKXQSQSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229960005544 indolocarbazole Drugs 0.000 description 7
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N acridine Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3N=C21 DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CUFNKYGDVFVPHO-UHFFFAOYSA-N azulene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC2=C1 CUFNKYGDVFVPHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 6
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 6
- WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N chrysene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=C3C4=CC=CC=C4C=CC3=C21 WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- RMBPEFMHABBEKP-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2C3=C[CH]C=CC3=CC2=C1 RMBPEFMHABBEKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 6
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 6
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- FVZVCSNXTFCBQU-UHFFFAOYSA-N phosphanyl Chemical group [PH2] FVZVCSNXTFCBQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 6
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BNRDGHFESOHOBF-UHFFFAOYSA-N 1-benzoselenophene Chemical compound C1=CC=C2[se]C=CC2=C1 BNRDGHFESOHOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000412 dendrimer Substances 0.000 description 5
- 229920000736 dendritic polymer Polymers 0.000 description 5
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 5
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 5
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 5
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000006615 aromatic heterocyclic group Chemical group 0.000 description 4
- 125000005605 benzo group Chemical group 0.000 description 4
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 4
- 238000004128 high performance liquid chromatography Methods 0.000 description 4
- 238000004895 liquid chromatography mass spectrometry Methods 0.000 description 4
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 4
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 4
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K tripotassium phosphate Chemical compound [K+].[K+].[K+].[O-]P([O-])([O-])=O LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- KTZQTRPPVKQPFO-UHFFFAOYSA-N 1,2-benzoxazole Chemical compound C1=CC=C2C=NOC2=C1 KTZQTRPPVKQPFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FLBAYUMRQUHISI-UHFFFAOYSA-N 1,8-naphthyridine Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CN=C21 FLBAYUMRQUHISI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WJFKNYWRSNBZNX-UHFFFAOYSA-N 10H-phenothiazine Chemical compound C1=CC=C2NC3=CC=CC=C3SC2=C1 WJFKNYWRSNBZNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- TZMSYXZUNZXBOL-UHFFFAOYSA-N 10H-phenoxazine Chemical compound C1=CC=C2NC3=CC=CC=C3OC2=C1 TZMSYXZUNZXBOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VEPOHXYIFQMVHW-XOZOLZJESA-N 2,3-dihydroxybutanedioic acid (2S,3S)-3,4-dimethyl-2-phenylmorpholine Chemical compound OC(C(O)C(O)=O)C(O)=O.C[C@H]1[C@@H](OCCN1C)c1ccccc1 VEPOHXYIFQMVHW-XOZOLZJESA-N 0.000 description 3
- OLGGLCIDAMICTA-UHFFFAOYSA-N 2-pyridin-2-yl-1h-indole Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C=C1C1=CC=CC=N1 OLGGLCIDAMICTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BCHZICNRHXRCHY-UHFFFAOYSA-N 2h-oxazine Chemical compound N1OC=CC=C1 BCHZICNRHXRCHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BWCDLEQTELFBAW-UHFFFAOYSA-N 3h-dioxazole Chemical compound N1OOC=C1 BWCDLEQTELFBAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N N-Butyllithium Chemical compound [Li]CCCC MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FBVBNCGJVKIEHH-UHFFFAOYSA-N [1]benzofuro[3,2-b]pyridine Chemical compound C1=CN=C2C3=CC=CC=C3OC2=C1 FBVBNCGJVKIEHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QZLAKPGRUFFNRD-UHFFFAOYSA-N [1]benzoselenolo[3,2-b]pyridine Chemical compound C1=CN=C2C3=CC=CC=C3[se]C2=C1 QZLAKPGRUFFNRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 3
- WCZVZNOTHYJIEI-UHFFFAOYSA-N cinnoline Chemical compound N1=NC=CC2=CC=CC=C21 WCZVZNOTHYJIEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 3
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LNJXVUXPFZKMNF-UHFFFAOYSA-K iridium(3+);trichloride;trihydrate Chemical compound O.O.O.Cl[Ir](Cl)Cl LNJXVUXPFZKMNF-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- QDLAGTHXVHQKRE-UHFFFAOYSA-N lichenxanthone Natural products COC1=CC(O)=C2C(=O)C3=C(C)C=C(OC)C=C3OC2=C1 QDLAGTHXVHQKRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CQDAMYNQINDRQC-UHFFFAOYSA-N oxatriazole Chemical compound C1=NN=NO1 CQDAMYNQINDRQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 3
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 3
- NQFOGDIWKQWFMN-UHFFFAOYSA-N phenalene Chemical compound C1=CC([CH]C=C2)=C3C2=CC=CC3=C1 NQFOGDIWKQWFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229950000688 phenothiazine Drugs 0.000 description 3
- CPNGPNLZQNNVQM-UHFFFAOYSA-N pteridine Chemical compound N1=CN=CC2=NC=CN=C21 CPNGPNLZQNNVQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- KTQYWNARBMKMCX-UHFFFAOYSA-N tetraphenylene Chemical group C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C2=C1 KTQYWNARBMKMCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N thiadiazole Chemical compound C1=CSN=N1.C1=CSN=N1 VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- DRKHIWKXLZCAKP-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-2-(2-bromophenyl)benzene Chemical group BrC1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1Br DRKHIWKXLZCAKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DESOHJJLLKXMAY-UHFFFAOYSA-N 2-[(4-chloroimidazo[4,5-c]pyridin-1-yl)methoxy]ethyl-trimethylsilane Chemical compound ClC1=NC=CC2=C1N=CN2COCC[Si](C)(C)C DESOHJJLLKXMAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940093475 2-ethoxyethanol Drugs 0.000 description 2
- QMEQBOSUJUOXMX-UHFFFAOYSA-N 2h-oxadiazine Chemical compound N1OC=CC=N1 QMEQBOSUJUOXMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MFELLNQJMHCAKI-UHFFFAOYSA-N 3,7-diethylnonane-4,6-dione Chemical compound CCC(CC)C(=O)CC(=O)C(CC)CC MFELLNQJMHCAKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GJCOSYZMQJWQCA-UHFFFAOYSA-N 9H-xanthene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3OC2=C1 GJCOSYZMQJWQCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HNJXYGUFBXLHNW-UHFFFAOYSA-N CC(C)(C)C1=CC(=CC2=C1C=CC=C2)B1OC(C)(C)C(C)(C)O1 Chemical compound CC(C)(C)C1=CC(=CC2=C1C=CC=C2)B1OC(C)(C)C(C)(C)O1 HNJXYGUFBXLHNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 208000033962 Fontaine progeroid syndrome Diseases 0.000 description 2
- 241000534944 Thia Species 0.000 description 2
- 239000012391 XPhos Pd G2 Substances 0.000 description 2
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000008346 aqueous phase Substances 0.000 description 2
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 2
- 230000003190 augmentative effect Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L caesium carbonate Chemical compound [Cs+].[Cs+].[O-]C([O-])=O FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910000024 caesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- RBHJBMIOOPYDBQ-UHFFFAOYSA-N carbon dioxide;propan-2-one Chemical compound O=C=O.CC(C)=O RBHJBMIOOPYDBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- RSLSVURFMXHEEU-UHFFFAOYSA-M chloropalladium(1+);dicyclohexyl-[3-[2,4,6-tri(propan-2-yl)phenyl]phenyl]phosphane;2-phenylaniline Chemical compound [Pd+]Cl.NC1=CC=CC=C1C1=CC=CC=[C-]1.CC(C)C1=CC(C(C)C)=CC(C(C)C)=C1C1=CC=CC(P(C2CCCCC2)C2CCCCC2)=C1 RSLSVURFMXHEEU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229940125904 compound 1 Drugs 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 2
- 238000002290 gas chromatography-mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 2
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 2
- ZCSHNCUQKCANBX-UHFFFAOYSA-N lithium diisopropylamide Chemical compound [Li+].CC(C)[N-]C(C)C ZCSHNCUQKCANBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- HZVOZRGWRWCICA-UHFFFAOYSA-N methanediyl Chemical compound [CH2] HZVOZRGWRWCICA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000001181 organosilyl group Chemical group [SiH3]* 0.000 description 2
- AZHVQJLDOFKHPZ-UHFFFAOYSA-N oxathiazine Chemical compound O1SN=CC=C1 AZHVQJLDOFKHPZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HXITXNWTGFUOAU-UHFFFAOYSA-N phenylboronic acid Chemical compound OB(O)C1=CC=CC=C1 HXITXNWTGFUOAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 description 2
- 238000001126 phototherapy Methods 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 229910000160 potassium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000011009 potassium phosphates Nutrition 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000011664 signaling Effects 0.000 description 2
- 238000010898 silica gel chromatography Methods 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 2
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 2
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 239000003981 vehicle Substances 0.000 description 2
- QCSLIRFWJPOENV-UHFFFAOYSA-N (2-fluorophenyl)boronic acid Chemical compound OB(O)C1=CC=CC=C1F QCSLIRFWJPOENV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical class C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- HWIATMHDQVGMFQ-UHFFFAOYSA-N 1,3-azaborinine Chemical compound B1=CC=CN=C1 HWIATMHDQVGMFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBUDOIAYABJUHQ-UHFFFAOYSA-N 1,4-azaborinine Chemical compound B1=CC=NC=C1 OBUDOIAYABJUHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPXKZEMBEZGUAH-UHFFFAOYSA-N 2-(chloromethoxy)ethyl-trimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)CCOCCl BPXKZEMBEZGUAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004493 2-methylbut-1-yl group Chemical group CC(C*)CC 0.000 description 1
- JWUJQDFVADABEY-UHFFFAOYSA-N 2-methyltetrahydrofuran Chemical compound CC1CCCO1 JWUJQDFVADABEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000005360 2-phenylpyridines Chemical class 0.000 description 1
- 125000003542 3-methylbutan-2-yl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- MRWWWZLJWNIEEJ-UHFFFAOYSA-N 4,4,5,5-tetramethyl-2-propan-2-yloxy-1,3,2-dioxaborolane Chemical compound CC(C)OB1OC(C)(C)C(C)(C)O1 MRWWWZLJWNIEEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFBRUNQKLYJRCA-UHFFFAOYSA-N 4-chloro-1-methylimidazo[4,5-c]pyridine Chemical compound N1=CC=C2N(C)C=NC2=C1Cl AFBRUNQKLYJRCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHJMLXBBZRWBPW-UHFFFAOYSA-N 4-chloro-1h-imidazo[4,5-c]pyridine Chemical compound ClC1=NC=CC2=C1N=CN2 DHJMLXBBZRWBPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001960 7 membered carbocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBZNQOXNXVLYRM-UHFFFAOYSA-N 8,14-dioxa-1-borapentacyclo[11.7.1.02,7.09,21.015,20]henicosa-2,4,6,9(21),10,12,15,17,19-nonaene Chemical compound C1=CC=CC=2OC=3C=CC=C4OC=5C=CC=CC5B(C34)C12 OBZNQOXNXVLYRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021638 Iridium(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 241001085205 Prenanthella exigua Species 0.000 description 1
- DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N Tetrahydropyran Chemical compound C1CCOCC1 DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101150049278 US20 gene Proteins 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 125000005073 adamantyl group Chemical group C12(CC3CC(CC(C1)C3)C2)* 0.000 description 1
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N alpha-Phenylpyridine Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- KCQLSIKUOYWBAO-UHFFFAOYSA-N azaborinine Chemical compound B1=NC=CC=C1 KCQLSIKUOYWBAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001556 benzimidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000003939 benzylamines Chemical class 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- BGECDVWSWDRFSP-UHFFFAOYSA-N borazine Chemical compound B1NBNBN1 BGECDVWSWDRFSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003636 chemical group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 150000004292 cyclic ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001559 cyclopropyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C1([H])* 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 125000004431 deuterium atom Chemical group 0.000 description 1
- 125000004987 dibenzofuryl group Chemical group C1(=CC=CC=2OC3=C(C21)C=CC=C3)* 0.000 description 1
- IYYZUPMFVPLQIF-ALWQSETLSA-N dibenzothiophene Chemical group C1=CC=CC=2[34S]C3=C(C=21)C=CC=C3 IYYZUPMFVPLQIF-ALWQSETLSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N gamma-Phenylpyridine Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=NC=C1 JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000001912 gas jet deposition Methods 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- VHHHONWQHHHLTI-UHFFFAOYSA-N hexachloroethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)C(Cl)(Cl)Cl VHHHONWQHHHLTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000009878 intermolecular interaction Effects 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- DLEDOFVPSDKWEF-UHFFFAOYSA-N lithium butane Chemical compound [Li+].CCC[CH2-] DLEDOFVPSDKWEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002678 macrocyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002480 mineral oil Substances 0.000 description 1
- 235000010446 mineral oil Nutrition 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002062 molecular scaffold Substances 0.000 description 1
- 125000001971 neopentyl group Chemical group [H]C([*])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000002829 nitrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000012074 organic phase Substances 0.000 description 1
- 238000013086 organic photovoltaic Methods 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical class 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005740 oxycarbonyl group Chemical group [*:1]OC([*:2])=O 0.000 description 1
- 230000037361 pathway Effects 0.000 description 1
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 1
- KBBSSGXNXGXONI-UHFFFAOYSA-N phenanthro[9,10-b]pyrazine Chemical compound C1=CN=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C2=N1 KBBSSGXNXGXONI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RIYPENPUNLHEBK-UHFFFAOYSA-N phenanthro[9,10-b]pyridine Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C2=N1 RIYPENPUNLHEBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 1
- 150000005359 phenylpyridines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003009 phosphonic acids Chemical class 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004585 polycyclic heterocycle group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004033 porphyrin derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000003548 sec-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000002198 surface plasmon resonance spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 210000000225 synapse Anatomy 0.000 description 1
- 125000001973 tert-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- RAOIDOHSFRTOEL-UHFFFAOYSA-N tetrahydrothiophene Chemical compound C1CCSC1 RAOIDOHSFRTOEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 description 1
- DANYXEHCMQHDNX-UHFFFAOYSA-K trichloroiridium Chemical compound Cl[Ir](Cl)Cl DANYXEHCMQHDNX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 125000001834 xanthenyl group Chemical group C1=CC=CC=2OC3=CC=CC=C3C(C12)* 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
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Abstract
식 I, 의 구조를 포함하는 제1 리간드 LA를 포함하는 화합물이 제공된다. 식 I에서, 모이어티 A, B, C 및 D는 각각 독립적으로 모노시클릭 고리 또는 멀티시클릭 융합 고리 시스템이고; X1 내지 X8은 각각 C 또는 N이고; 은 각각 독립적으로 단일 결합 또는 이중 결합을 나타내고; L1, L2, L3 및 L4는 각각 독립적으로 직접 결합 또는 연결기이고; R, R', R", RA, RB, RC 및 RD는 각각 수소 또는 일반 치환기이고; 임의의 2개의 인접한 R, R', R", RA, RB, RC 및 RD는 연결되거나 융합되어 고리를 형성할 수 있고; LA는 전이 금속 M에 배위 결합된다. 상기 화합물을 함유하는 배합물, OLED 및 소비자 제품도 제공된다.
Description
관련 출원에 대한 상호 참조
본 출원은 35 U.S.C. § 119(e) 하에서 2022년 9월 2일에 출원된 미국 가출원 번호 63/374,383, 2022년 8월 26일에 출원된 미국 가출원 번호 63/373,562, 2022년 8월 10일에 출원된 미국 가출원 번호 63/396,852, 2022년 7월 15일에 출원된 미국 가출원 번호 63/368,521, 2022년 7월 6일에 출원된 미국 가출원 번호 63/358,655, 2022년 6월 29일에 출원된 미국 가출원 번호 63/367,227, 2022년 6월 21일에 출원된 미국 가출원 번호 63/366,725, 2022년 6월 3일에 출원된 미국 가출원 번호 63/365,788, 2022년 4월 15일에 출원된 미국 가출원 번호 63/363,068, 2022년 4월 15일에 출원된 미국 가출원 번호 63/363,047 및 2021년 12월 16일에 출원된 63/265,495에 대한 우선권을 주장하며, 이들의 전체 내용은 인용에 의해 본원에 포함된다.
분야
본 개시내용은 일반적으로 유기금속 화합물 및 배합물, 그리고 유기 발광 다이오드 및 관련 전자 디바이스와 같은 디바이스에서 이미터로서 포함되는 이들의 다양한 용도에 관한 것이다.
유기 물질을 사용하는 광전자 디바이스는 여러 이유로 인하여 점차로 중요해지고 있다. 이와 같은 디바이스를 제조하는데 사용되는 다수의 물질들은 비교적 저렴하기 때문에, 유기 광전자 디바이스는 무기 디바이스에 비하여 비용 이점면에서 잠재성을 갖는다. 또한, 유기 물질의 고유한 특성, 예컨대 이의 가요성은 그 유기 물질이 가요성 기판 상에서의 제작과 같은 특정 적용예에 매우 적합하게 할 수 있다. 유기 광전자 디바이스의 예로는 유기 발광 다이오드/디바이스(OLED), 유기 광트랜지스터, 유기 광전지 및 유기 광검출기를 들 수 있다. OLED의 경우, 유기 물질은 통상의 물질에 비하여 성능 면에서의 이점을 가질 수 있다.
OLED는 디바이스에 전압을 인가할 때 광을 방출하는 유기 박막을 사용한다. OLED는 평면 패널 디스플레이, 조명 및 백라이팅과 같은 적용예의 용도에 있어 점차로 중요해지는 기술이다.
인광 방출 분자에 대한 하나의 적용예는 풀 컬러 디스플레이이다. 이러한 디스플레이에 대한 산업적 기준은 "포화" 색상으로 지칭되는 특정 색상을 방출하도록 조정된 픽셀을 필요로 한다. 특히, 이러한 기준은 포화 적색, 녹색 및 청색 픽셀을 필요로 한다. 대안적으로 OLED는 백색 광을 방출하도록 설계될 수 있다. 통상적인 액정 디스플레이에서, 백색 백라이트에서 나온 발광이 흡수 필터를 사용하여 여과되어 적색, 녹색 및 청색 발광을 생성한다. 동일한 기법이 또한 OLED에도 사용될 수 있다. 백색 OLED는 단일 발광층(EML) 디바이스 또는 스택 구조일 수 있다. 색상은 당업계에 주지된 CIE 좌표를 사용하여 측정될 수 있다.
테트라페닐렌 및 이들의 헤테로방향족 함유 유사체와 같은 연결된 방향족 마크로사이클을 OLED 도펀트의 화학 구조에 도입하면, 여기 상태 에너지를 크게 변화시키지 않으면서 분자간 상호작용(예를 들어, 평면 또는 유사-평면 착물의 적층)을 방해한다. 주로 sp2-혼성화된 원자 구성과 조합된 이러한 마크로사이클의 3차원성은 강한 화학 결합을 가진 강성 분자 스캐폴드를 유지하면서 입체 구조의 도입을 허용한다. 강성 3차원성은 또한 때때로 방출 파장을 변경할 수 있는 π-방향족 확장의 가능성을 배제한다.
일 양태에서, 본 개시내용은 하기 식 I의 구조를 포함하는 제1 리간드 LA를 포함하는 화합물을 제공한다:
식 I에서:
모이어티 A, B, C 및 D는 각각 독립적으로 모노시클릭 5원 또는 6원 카르보시클릭 또는 헤테로시클릭 고리, 또는 2개 이상의 5원 또는 6원 카르보시클릭 또는 헤테로시클릭 고리를 포함하는 멀티시클릭 융합 고리 시스템이고;
L1과 L3이 둘 다 직접 결합이거나 L2와 L4가 둘 다 직접 결합인 경우, 모이어티 A, B, C 및 D 중 적어도 하나는 고리 E의 일부인 5원 고리를 포함하고;
X1 내지 X8은 각각 독립적으로 C 또는 N이고;
L1, L2, L3 및 L4는 각각 독립적으로 직접 결합, BR, BRR', NR, PR, P(O)R, O, S, Se, C=O, C=S, C=Se, C=NR', C=CR'R", S=O, SO2, CR, CRR', SiRR', GeRR', 알킬렌, 시클로알킬, 아릴, 시클로알킬렌, 아릴렌, 헤테로아릴렌 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 링커이고;
RA, RB, RC 및 RD는 각각 독립적으로 일치환 내지 최대 허용가능한 치환, 또는 비치환을 나타내고;
R, R', R", RA, RB, RC 및 RD는 각각 독립적으로 수소이거나, 또는 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 헤테로시클로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 게르밀, 보릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르복실산, 에테르, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노, 셀레닐 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기이고;
임의의 2개의 인접한 R, R', R", RA, RB, RC 및 RD는 연결되거나 융합되어 고리를 형성할 수 있고;
LA는 전이 금속 M에 배위 결합되고;
M은 임의로 하나 이상의 다른 리간드에 배위 결합되고;
LA는 다른 리간드와 연결되어 2좌, 3좌, 4좌, 5좌 또는 6좌 리간드를 포함할 수 있다.
또 다른 양태에서, 본 개시내용은 본원에 기재된 식 I의 구조를 포함하는 제1 리간드 LA를 갖는 화합물을 포함하는 배합물을 제공한다.
또 다른 양태에서, 본 개시내용은 본원에 기재된 식 I의 구조를 포함하는 제1 리간드 LA를 갖는 화합물을 포함하는 유기층을 갖는 OLED를 제공한다.
또 다른 양태에서, 본 개시내용은 본원에 기재된 식 I의 구조를 포함하는 제1 리간드 LA를 갖는 화합물을 포함하는 유기층을 갖는 OLED를 포함하는 소비자 제품을 제공한다.
도 1은 유기 발광 디바이스를 도시한다.
도 2는 별도의 전자 수송층을 갖지 않는 역구조 유기 발광 디바이스를 도시한다.
도 3은 본 발명의 화합물 및 비교 화합물의 광발광(PL) 스펙트럼을 도시한다.
도 2는 별도의 전자 수송층을 갖지 않는 역구조 유기 발광 디바이스를 도시한다.
도 3은 본 발명의 화합물 및 비교 화합물의 광발광(PL) 스펙트럼을 도시한다.
A.
용어
달리 명시된 바가 없다면, 본원에서 사용된 이하의 용어들은 하기와 같이 정의된다:
본원에서 사용한 바와 같이, 용어 "유기"는 유기 광전자 디바이스를 제작하는 데 사용될 수 있는 고분자 물질뿐 아니라, 소분자 유기 물질도 포함한다. "소분자"는 중합체가 아닌 임의의 유기 물질을 지칭하며, "소분자"는 실제로 꽤 클 수도 있다. 소분자는 일부의 상황에서는 반복 단위를 포함할 수 있다. 예를 들면, 치환기로서 장쇄 알킬기를 사용하는 것은 "소분자" 유형으로부터 분자를 제외시키지 않는다. 소분자는 또한 예를 들면 중합체 주쇄 상에서의 펜던트 기로서 또는 주쇄의 일부로서 중합체에 혼입될 수 있다. 소분자는 또한 코어 모이어티 상에 생성된 일련의 화학적 셸로 이루어진 덴드리머의 코어 모이어티로서 작용할 수 있다. 덴드리머의 코어 모이어티는 형광 또는 인광 소분자 이미터일 수 있다. 덴드리머는 "소분자"일 수 있으며, OLED 분야에서 현재 사용되는 모든 덴드리머는 소분자인 것으로 여겨진다.
본원에서 사용한 바와 같이, "상단부"는 기판으로부터 가장 멀리 떨어졌다는 것을 의미하며, "하단부"는 기판에 가장 근접하다는 것을 의미한다. 제1층이 제2층의 "상부에 배치되는" 것으로 기재되는 경우, 제1층은 기판으로부터 멀리 떨어져 배치된다. 제1층이 제2층과 "접촉되어 있는" 것으로 명시되지 않는다면 제1층과 제2층 사이에는 다른 층이 존재할 수 있다. 예를 들면, 캐소드와 애노드의 사이에 다양한 유기층이 존재한다고 해도, 캐소드는 애노드의 "상부에 배치되는" 것으로 기재될 수 있다.
본원에서 사용한 바와 같이, "용액 가공성"은 용액 또는 현탁액 형태로 액체 매체에 용해, 분산 또는 수송될 수 있고/있거나 액체 매체로부터 증착될 수 있다는 것을 의미한다.
리간드가 발광 물질의 광활성 특성에 직접적으로 기여하는 것으로 여겨지는 경우, 리간드는 "광활성"으로서 지칭될 수 있다. 보조적 리간드가 광활성 리간드의 특성을 변경시킬 수 있을지라도, 리간드가 발광 물질의 광활성 특성에 기여하지 않는 것으로 여겨지는 경우, 리간드는 "보조적"인 것으로 지칭될 수 있다.
본원에서 사용한 바와 같이, 그리고 일반적으로 당업자가 이해하고 있는 바와 같이, 제1 에너지 준위가 진공 에너지 준위에 더 근접하는 경우, 제1 "최고 점유 분자 궤도"(HOMO) 또는 "최저 비점유 분자 궤도"(LUMO) 에너지 준위는 제2 HOMO 또는 LUMO 에너지 준위보다 "더 크거나" 또는 "더 높다". 이온화 전위(IP)가 진공 준위에 대하여 음의 에너지로서 측정되므로, 더 높은 HOMO 에너지 준위는 더 작은 절댓값을 갖는 IP(더 적게 음성인 IP)에 해당한다. 마찬가지로, 더 높은 LUMO 에너지 준위는 절댓값이 더 작은 전자 친화도(EA)(더 적게 음성인 EA)에 해당한다. 상단부에서 진공 준위를 갖는 통상의 에너지 준위 다이아그램에서, 물질의 LUMO 에너지 준위는 동일한 물질의 HOMO 에너지 준위보다 더 높다. "더 높은" HOMO 또는 LUMO 에너지 준위는 "더 낮은" HOMO 또는 LUMO 에너지 준위보다 상기 다이아그램의 상단부에 더 근접하게 나타난다.
본원에서 사용한 바와 같이, 그리고 일반적으로 당업자가 이해하는 바와 같이, 제1 일함수의 절댓값이 더 클 경우, 제1 일함수는 제2 일함수보다 "더 크거나" 또는 "더 높다". 일함수는 일반적으로 진공 준위에 대하여 음의 수로서 측정되므로, 이는 "더 높은" 일함수가 더 음성임을 의미한다. 상단부에서 진공 준위를 갖는 통상의 에너지 준위 다이아그램에서, "더 높은" 일함수는 진공 준위로부터 아래 방향으로 더 먼 것으로서 예시된다. 따라서, HOMO 및 LUMO 에너지 준위의 정의는 일함수와는 상이한 관례를 따른다.
용어 "할로", "할로겐" 및 "할라이드"는 상호교환적으로 사용되며, 불소, 염소, 브롬 및 요오드를 지칭한다.
용어 "아실"은 치환된 카르보닐 라디칼 (C(O)-Rs)을 지칭한다.
용어 "에스테르"는 치환된 옥시카르보닐 (-O-C(O)-Rs 또는 -C(O)-O-Rs) 라디칼을 지칭한다.
용어 "에테르"는 -ORs 라디칼을 지칭한다.
용어 "술파닐" 또는 "티오-에테르"는 상호교환적으로 사용되며, -SRs 라디칼을 지칭한다.
용어 "셀레닐"은 -SeRs 라디칼을 지칭한다.
용어 "술피닐"은 -S(O)-Rs 라디칼을 지칭한다.
용어 "술포닐"은 -SO2-Rs 라디칼을 지칭한다.
용어 "포스피노"는 -P(Rs)3 라디칼을 지칭하고, 각각의 Rs는 동일하거나 또는 상이할 수 있다.
용어 "실릴"은 -Si(Rs)3 라디칼을 지칭하고, 각각의 Rs는 동일하거나 또는 상이할 수 있다.
용어 "게르밀"은 -Ge(Rs)3 라디칼을 지칭하고, 각각의 Rs는 동일하거나 또는 상이할 수 있다.
용어 "보릴"은 -B(Rs)2 라디칼 또는 이의 루이스 부가물 -B(Rs)3 라디칼을 지칭하고, 여기서 Rs는 동일하거나 상이할 수 있다.
상기 각각에서, Rs는 수소이거나 또는 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 헤테로시클로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 치환기일 수 있다. 바람직한 Rs는 알킬, 시클로알킬, 아릴, 헤테로아릴, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된다.
용어 "알킬"은 직쇄 및 분지쇄 알킬 라디칼을 모두 지칭하고, 이를 포함한다. 바람직한 알킬기는 1 내지 15개의 탄소 원자를 함유하는 것으로서, 메틸, 에틸, 프로필, 1-메틸에틸, 부틸, 1-메틸프로필, 2-메틸프로필, 펜틸, 1-메틸부틸, 2-메틸부틸, 3-메틸부틸, 1,1-디메틸프로필, 1,2-디메틸프로필, 2,2-디메틸프로필 등을 포함한다. 추가로, 알킬기는 임의로 치환될 수 있다.
용어 "시클로알킬"은 단환, 다환, 및 스피로 알킬 라디칼을 지칭하고, 이를 포함한다. 바람직한 시클로알킬기는 3 내지 12개의 고리 탄소 원자를 함유하는 것으로서, 시클로프로필, 시클로펜틸, 시클로헥실, 비시클로[3.1.1]헵틸, 스피로[4.5]데실, 스피로[5.5]운데실, 아다만틸 등을 포함한다. 추가로, 시클로알킬기는 임의로 치환될 수 있다.
용어 "헤테로알킬" 또는 "헤테로시클로알킬"은 각각 헤테로원자에 의해 치환된 하나 이상의 탄소 원자를 갖는 알킬 또는 시클로알킬 라디칼을 지칭한다. 임의로, 하나 이상의 헤테로원자는 O, S, N, P, B, Si, 및 Se, 바람직하게는, O, S, 또는 N으로부터 선택된다. 추가로, 헤테로알킬 또는 헤테로시클로알킬기는 임의로 치환될 수 있다.
용어 "알케닐"은 직쇄 및 분지쇄 알켄 라디칼을 모두 지칭하고, 이를 포함한다. 알케닐기는 본질적으로 알킬 쇄에 하나 이상의 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 알킬기이다. 시클로알케닐기는 본질적으로 시클로알킬 고리 내에 하나 이상의 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 시클로알킬기이다. 본원에 사용되는 용어 "헤테로알케닐"은 헤테로원자에 의해 치환된 하나 이상의 탄소 원자를 갖는 알케닐 라디칼을 지칭한다. 임의로, 하나 이상의 헤테로원자는 O, S, N, P, B, Si, 및 Se, 바람직하게는, O, S, 또는 N으로부터 선택된다. 바람직한 알케닐, 시클로알케닐, 또는 헤테로알케닐기는 2 내지 15개의 탄소 원자를 함유하는 것이다. 추가로, 알케닐, 시클로알케닐, 또는 헤테로알케닐기는 임의로 치환될 수 있다.
용어 "알키닐"은 직쇄 및 분지쇄 알킨 라디칼을 모두 지칭하고, 이를 포함한다. 알키닐기는 본질적으로 알킬 쇄에 하나 이상의 탄소-탄소 삼중 결합을 포함하는 알킬기이다. 바람직한 알키닐기는 2 내지 15개의 탄소 원자를 함유하는 것이다. 추가로, 알키닐기는 임의로 치환될 수 있다.
용어 "아르알킬" 또는 "아릴알킬"은 상호교환적으로 사용되며, 아릴기로 치환된 알킬기를 지칭한다. 추가로, 아르알킬기는 임의로 치환될 수 있다.
용어 "헤테로시클릭기"는 하나 이상의 헤테로원자를 함유하는 방향족 및 비방향족 시클릭 라디칼을 지칭하고, 이를 포함한다. 임의로, 하나 이상의 헤테로원자는 O, S, N, P, B, Si, 및 Se, 바람직하게는, O, S, 또는 N으로부터 선택된다. 헤테로방향족 시클릭 라디칼은 또한 헤테로아릴과 상호교환적으로 사용될 수 있다. 바람직한 헤테로비방향족 시클릭기는 하나 이상의 헤테로원자를 포함하고, 모르폴리노, 피페리디노, 피롤리디노 등과 같은 시클릭 아민, 및 테트라히드로푸란, 테트라히드로피란, 테트라히드로티오펜 등과 같은 시클릭 에테르/티오-에테르를 포함하는 3 내지 7개의 고리 원자를 함유하는 것들이다. 추가로, 헤테로시클릭기는 임의로 치환될 수 있다.
용어 "아릴"은 단일 고리 방향족 히드로카르빌기 및 폴리시클릭 방향족 고리계를 모두 지칭하고, 이를 포함한다. 폴리시클릭 고리는 2개의 탄소가 두 인접 고리(이들 고리는 "융합됨")에 공통인 2개 이상의 고리를 가질 수 있으며, 여기서, 고리들 중 하나 이상은 방향족 히드로카르빌기이고, 예를 들면, 다른 고리들은 시클로알킬, 시클로알케닐, 아릴, 헤테로사이클 및/또는 헤테로아릴일 수 있다. 바람직한 아릴기는 6 내지 30개의 탄소 원자, 바람직하게는 6 내지 20개의 탄소 원자, 더 바람직하게는 6 내지 12개의 탄소 원자를 함유하는 것이다. 6개의 탄소, 10개의 탄소 또는 12개의 탄소를 가진 아릴기가 특히 바람직하다. 적합한 아릴기는 페닐, 비페닐, 트리페닐, 트리페닐렌, 테트라페닐렌, 나프탈렌, 안트라센, 페날렌, 페난트렌, 플루오렌, 피렌, 크리센, 페릴렌 및 아줄렌, 바람직하게는 페닐, 비페닐, 트리페닐, 트리페닐렌, 플루오렌 및 나프탈렌을 포함한다. 추가로, 아릴기는 임의로 치환될 수 있다.
용어 "헤테로아릴"은 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 단일 고리 방향족기 및 폴리시클릭 방향족 고리계를 지칭하고, 이를 포함한다. 헤테로원자는, 비제한적으로, O, S, N, P, B, Si, 및 Se를 포함한다. 다수의 경우에서, O, S, 또는 N이 바람직한 헤테로원자이다. 헤테로 단일 고리 방향족계는 바람직하게는 5 또는 6개의 고리 원자를 갖는 단일 고리이고, 상기 고리는 1 내지 6개의 헤테로원자를 가질 수 있다. 헤테로 폴리시클릭 고리계는 2개의 탄소가 두 인접 고리(이들 고리는 "융합됨")에 공통인 2개 이상의 고리를 가질 수 있으며, 여기서, 고리들 중 하나 이상은 헤테로아릴이고, 예를 들면, 다른 고리들은 시클로알킬, 시클로알케닐, 아릴, 헤테로사이클 및/또는 헤테로아릴일 수 있다. 헤테로 폴리시클릭 방향족 고리계는 폴리시클릭 방향족 고리계의 고리당 1 내지 6개의 헤테로원자를 가질 수 있다. 바람직한 헤테로아릴기는 3 내지 30개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 20개의 탄소 원자, 더 바람직하게는 3 내지 12개의 탄소 원자를 함유하는 것이다. 적합한 헤테로아릴기는 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 푸란, 티오펜, 벤조푸란, 벤조티오펜, 벤조셀레노펜, 카르바졸, 인돌로카르바졸, 피리딜인돌, 피롤로디피리딘, 피라졸, 이미다졸, 트리아졸, 옥사졸, 티아졸, 옥사디아졸, 옥사트리아졸, 디옥사졸, 티아디아졸, 피리딘, 피리다진, 피리미딘, 피라진, 트리아진, 옥사진, 옥사티아진, 옥사디아진, 인돌, 벤즈이미다졸, 인다졸, 인독사진, 벤즈옥사졸, 벤즈이속사졸, 벤조티아졸, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 신놀린, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 나프티리딘, 프탈라진, 프테리딘, 크산텐, 아크리딘, 페나진, 페노티아진, 페녹사진, 벤조푸로피리딘, 푸로디피리딘, 벤조티에노피리딘, 티에노디피리딘, 벤조셀레노페노피리딘 및 셀레노페노디피리딘, 바람직하게는 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 카르바졸, 인돌로카르바졸, 이미다졸, 피리딘, 트리아진, 벤즈이미다졸, 1,2-아자보린, 1,3-아자보린, 1,4-아자보린, 보라진 및 이의 아자-유사체를 포함한다. 추가로, 헤테로아릴기는 임의로 치환될 수 있다.
앞서 열거된 아릴 및 헤테로아릴기 중에서, 트리페닐렌, 나프탈렌, 안트라센, 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 카르바졸, 인돌로카르바졸, 이미다졸, 피리딘, 피라진, 피리미딘, 트리아진, 및 벤즈이미다졸의 기들, 및 이들 각각의 개개 아자-유사체가 특히 관심 대상이다.
본원에 사용되는 용어 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 헤테로시클로알킬, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아르알킬, 헤테로시클릭기, 아릴 및 헤테로아릴은 독립적으로 비치환되거나, 또는 독립적으로 하나 이상의 일반 치환기로 치환된다.
다수의 경우에서, 일반 치환기는 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 헤테로시클로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 게르밀, 보릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르복실산, 에테르, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 셀레닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
일부 경우에서, 바람직한 일반 치환기는 중수소, 불소, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 게르밀, 보릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 아릴, 헤테로아릴, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
일부 경우에서, 더 바람직한 일반 치환기는 중수소, 불소, 알킬, 시클로알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 아릴, 헤테로아릴, 술파닐, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
다른 경우에서, 가장 바람직한 일반 치환기는 중수소, 불소, 알킬, 시클로알킬, 아릴, 헤테로아릴, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
용어 "치환된" 및 "치환"은 관련된 위치, 예컨대 탄소 또는 질소에 결합되는 H 이외의 치환기를 나타낸다. 예를 들면, R1이 일치환을 나타내는 경우, 하나의 R1은 H 이외의 것이어야 한다(즉, 치환). 유사하게, R1이 이치환을 나타내는 경우, R1 중 2개는 H 이외의 것이어야 한다. 유사하게, R1이 무치환 또는 비치환을 나타내는 경우, R1은 예를 들어 벤젠의 탄소 원자 및 피롤의 질소 원자와 같이 고리 원자의 이용가능한 원자가에 대해 수소일 수 있거나, 또는 단순히 완전히 충전된 원자가를 갖는 고리 원자, 예컨대 피리딘의 질소 원자에 대해 아무 것도 나타내지 않을 수 있다. 고리 구조에서 가능한 최대수의 치환은 고리 원자에서 이용가능한 원자가의 총 개수에 따라 달라진다.
본원에서 사용한 바와 같이, "이들의 조합"은 해당되는 목록 중 하나 이상의 구성요소가 조합되어 본 기술분야의 당업자가 해당하는 목록으로부터 구상할 수 있는 공지되거나 또는 화학적으로 안정한 배열을 형성하는 것을 나타낸다. 예를 들면, 알킬 및 중수소는 조합되어 부분적 또는 전체적 중수소화된 알킬기를 형성할 수 있고; 할로겐 및 알킬은 조합되어 할로겐화된 알킬 치환기를 형성할 수 있고; 할로겐, 알킬, 및 아릴은 조합되어 할로겐화된 아릴알킬을 형성할 수 있다. 하나의 경우에서, 용어 치환은 열거된 기들 중의 2 내지 4개의 조합을 포함한다. 다른 경우에서, 용어 치환은 2 내지 3개의 기의 조합을 포함한다. 또 다른 경우에서, 용어 치환은 2개의 기의 조합을 포함한다. 치환기의 바람직한 조합은 수소 또는 중수소가 아닌 최대 50개의 원자를 함유하는 것이거나, 또는 수소 또는 중수소가 아닌 최대 40개의 원자를 포함하는 것이거나, 또는 수소 또는 중수소가 아닌 최대 30개의 원자를 포함하는 것이다. 다수의 경우에서, 치환기의 바람직한 조합은 수소 또는 중수소가 아닌 최대 20개의 원자를 포함할 것이다.
본원에 기재된 분절(fragment), 즉 아자-디벤조푸란, 아자-디벤조티오펜 등에서 "아자" 표기는 각각의 방향족 고리에서의 C-H 기 중 하나 이상이 질소 원자로 치환될 수 있다는 것을 의미하며, 예를 들면 아자트리페닐렌은 디벤조[f,h]퀴녹살린 및 디벤조[f,h]퀴놀린을 모두 포함하나, 이에 제한되지 않는다. 당업자는 전술된 아자-유도체의 다른 질소 유사체를 용이하게 고려할 수 있으며, 상기 모든 유사체는 본원에 기재된 용어들에 의해 포괄되는 것으로 의도된다.
본원에서 사용한 바와 같이, "중수소"는 수소의 동위원소를 지칭한다. 중수소화된 화합물은 본 기술분야에 공지된 방법을 사용하여 용이하게 제조될 수 있다. 예를 들면, 그 전문이 인용에 의해 본원에 포함된 미국특허 제8,557,400호, 특허공개번호 WO 2006/095951, 및 미국특허출원 공개번호 US 2011/0037057은 중수소-치환된 유기금속 착물의 제조를 기술하고 있다. 추가로 문헌[Ming Yan, et al., Tetrahedron 2015, 71, 1425-30] 및 문헌[Atzrodt et al., Angew. Chem. Int. Ed. (Reviews) 2007, 46, 7744-65]을 참조하며, 이들은 그 전문이 인용에 의해 본원에 포함되며, 각각 벤질 아민에서 메틸렌 수소의 중수소화 및 중수소로 방향족 고리 수소를 치환하기 위한 효율적인 경로를 기술하고 있다.
분자 분절이 치환기인 것으로 기재되거나 그렇지 않은 경우 또다른 모이어티에 부착되는 것으로 기술되는 경우, 이의 명칭은 분절(예를 들어, 페닐, 페닐렌, 나프틸, 디벤조푸릴)인 것처럼 또는 전체 분자(예를 들어, 벤젠, 나프탈렌, 디벤조푸란)인 것처럼 기재될 수 있는 것으로 이해되어야 한다. 본원에서 사용한 바와 같이, 이러한 치환기 또는 부착된 분절의 상이한 표기 방식은 동등한 것으로 간주된다.
일부 경우에, 인접 치환기의 쌍은 임의로 결합(연결)되거나 융합되어 고리가 될 수 있다. 바람직한 고리는 5원, 6원 또는 7원 카르보시클릭 또는 헤테로시클릭 고리이고, 치환기의 쌍에 의해 형성된 고리의 일부가 포화되는 경우 및 치환기의 쌍에 의해 형성된 고리의 일부가 불포화되는 경우를 모두 포함한다. 본원에 사용된 바와 같이, "인접"이란 안정한 융합된 고리계를 형성할 수 있는 한, 2개의 가장 근접한 치환가능한 위치, 예컨대 비페닐의 2, 2' 위치, 또는 나프탈렌의 1, 8 위치를 갖는 2개의 이웃하는 고리 상에, 또는 서로 옆에 있는 동일 고리 상에 관련된 2개의 치환기가 존재할 수 있다는 것을 의미한다.
B.
본 개시내용의 화합물
일 양태에서, 본 개시내용은 하기 식 I의 구조를 포함하는 제1 리간드 LA를 포함하는 화합물을 제공한다:
식 I에서:
모이어티 A, B, C 및 D는 각각 독립적으로 모노시클릭 5원 또는 6원 카르보시클릭 또는 헤테로시클릭 고리, 또는 2개 이상의 5원 또는 6원 카르보시클릭 또는 헤테로시클릭 고리를 포함하는 멀티시클릭 융합 고리 시스템이고;
L1과 L3이 둘 다 직접 결합이거나 L2와 L4가 둘 다 직접 결합인 경우, 모이어티 A, B, C 및 D 중 적어도 하나는 고리 E의 일부인 5원 고리를 포함하고;
X1 내지 X8은 각각 독립적으로 C 또는 N이고;
L1, L2, L3 및 L4는 각각 독립적으로 직접 결합, BR, BRR', NR, PR, P(O)R, O, S, Se, C=O, C=S, C=Se, C=NR', C=CR'R", S=O, SO2, CR, CRR', SiRR', GeRR', 알킬렌, 시클로알킬, 아릴, 시클로알킬렌, 아릴렌, 헤테로아릴렌 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 링커이고;
RA, RB, RC 및 RD는 각각 독립적으로 일치환 내지 최대 허용가능한 치환, 또는 비치환을 나타내고;
R, R', R", RA, RB, RC 및 RD는 각각 독립적으로 수소이거나, 또는 본원에 정의된 일반 치환기로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기이고;
임의의 2개의 인접한 R, R', R", RA, RB, RC 및 RD는 연결되거나 융합되어 고리를 형성할 수 있으며;
LA는 전이 금속 M에 배위 결합되고;
M은 임의로 하나 이상의 다른 리간드에 배위 결합되고;
LA는 다른 리간드와 연결되어, 2좌, 3좌, 4좌, 5좌 또는 6좌 리간드를 포함할 수 있다. 일부 실시양태에서, M은 모이어티 A, B, C 및 D 중 하나와 직접 결합을 형성한다. 일부 실시양태에서, M은 모이어티 A, B, C 및 D 중 정확히 하나와 직접 결합을 형성한다. 일부 실시양태에서, M은 모이어티 A, B, C 및 D 중 최대 하나와 직접 결합을 형성한다.
일부 실시양태에서, LA는 식 II, , 또는 식 III, 의 구조를 갖지 않으며, 여기서 X는 각각 독립적으로 C 또는 N이고, K는 직접 결합, O 및 S로 이루어진 군으로부터 선택되고; 고리 E는 8원, 9원 또는 10원 고리이다.
일부 실시양태에서, 직접 결합이 아닌 L1, L2, L3 또는 L4 각각에 대해, 고리 E의 일부인 L1, L2, L3 및 L4의 부분은 길이가 1 내지 3개의 원자이다.
일부 실시양태에서, R, R', R", RA, RB, RC 및 RD는 각각 독립적으로 수소이거나, 또는 본원에 정의된 바람직한 일반 치환기로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기이다. 일부 실시양태에서, R, R', R", RA, RB, RC 및 RD는 각각 독립적으로 수소이거나, 또는 본원에 정의된 더욱 바람직한 일반 치환기로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기이다. 일부 실시양태에서, R, R', R", RA, RB, RC 및 RD는 각각 독립적으로 수소이거나, 또는 본원에 정의된 가장 바람직한 일반 치환기로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기이다.
일부 실시양태에서, 모이어티 A, B, C 또는 D 중 정확히 하나의 모이어티는 금속에 대한 킬레이트 결합을 제공할 수 있다(직접 결합됨/킬레이트됨). 일부 실시양태에서, 2개의 인접한 모이어티가 직접 결합에 의해 연결된 경우 2개의 인접한 모이어티 A, B, C 및 D는 금속에 킬레이트 결합을 제공하지 않는다. 일부 실시양태에서, 고리 E가 11개 이하의 원자를 포함하고, 2개의 인접한 모이어티 A, B, C 및 D가 금속에 킬레이트되는 경우, 2개의 인접한 모이어티 사이의 링커는 직접 결합이 아니다.
일부 실시양태에서, 모이어티 A, B, C 및 D는 각각 독립적으로 페닐, 피리딘, 피리미딘, 피리다진, 피라진, 트리아진, 이미다졸, 피라졸, 피롤, 옥사졸, 푸란, 티오펜, 티아졸, 트리아졸, 나프탈렌, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 퀴나졸린, 벤조푸란, 아자-벤조푸란, 벤즈옥사졸, 아자-벤즈옥사졸, 벤조티오펜, 아자-벤조티오펜, 벤조티아졸, 아자-벤조티아졸, 벤조셀레노펜, 아자-벤조셀레노펜, 인덴, 아자-인덴, 인돌, 아자-인돌, 벤즈이미다졸, 아자-벤즈이미다졸, 카르바졸, 아자-카르바졸, 디벤조푸란, 아자-디벤조푸란, 디벤조티오펜, 아자-디벤조티오펜, 퀴녹살린, 프탈라진, 페난트렌, 페난트리딘, 플루오렌 및 아자-플루오렌으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
일부 실시양태에서, 모이어티 A, B, C 및 D는 각각 모노시클릭 고리이다. 일부 실시양태에서, 모이어티 A, B, C 및 D는 각각 독립적으로 페닐, 피리딘, 피리미딘, 피리다진, 피라진, 트리아진, 이미다졸, 피라졸, 피롤, 옥사졸, 푸란, 티오펜, 티아졸, 및 트리아졸로 이루어진 군으로부터 선택된다.
일부 실시양태에서, 모이어티 A, B, C 및 D 중 적어도 하나는 멀티시클릭 융합 고리 시스템이다. 일부 실시양태에서, 멀티시클릭 융합 고리 시스템은 각각 독립적으로 나프탈렌, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 퀴나졸린, 벤조푸란, 아자-벤조푸란, 벤즈옥사졸, 아자-벤즈옥사졸, 벤조티오펜, 아자-벤조티오펜, 벤조티아졸, 아자-벤조티아졸, 벤조셀레노펜, 아자-벤조셀레노펜, 인덴, 아자-인덴, 인돌, 아자-인돌, 벤즈이미다졸, 아자-벤즈이미다졸, 카르바졸, 아자-카르바졸, 디벤조푸란, 아자-디벤조푸란, 디벤조티오펜, 아자-디벤조티오펜, 퀴녹살린, 프탈라진, 페난트렌, 페난트리딘, 플루오렌, 및 아자-플루오렌으로 이루어진 군으로부터 선택된다. 일부 실시양태에서, 아자 변형체는 벤조 고리에 하나의 N을 포함한다. 일부 실시양태에서, 아자 변형체는 벤조 고리에 하나의 N을 포함하고 N은 금속 M에 결합된다.
일부 실시양태에서, 모이어티 A, B, C 및/또는 D는 각각 독립적으로 멀티시클릭 융합 고리 구조일 수 있다. 일부 실시양태에서, 모이어티 A, B, C 및/또는 D는 각각 독립적으로 적어도 3개의 융합 고리를 포함하는 멀티시클릭 융합 고리 구조일 수 있다. 일부 실시양태에서, 멀티시클릭 융합 고리 구조는 2개의 6원 고리 및 1개의 5원 고리를 갖는다. 그러한 일부 실시양태에서, 5원 고리는 금속 M에 배위 결합된 고리에 융합되고 제2 6원 고리는 5원 고리에 융합된다. 일부 실시양태에서, 모이어티 A, B, C 및/또는 D는 각각 독립적으로 디벤조푸란, 디벤조티오펜, 디벤조셀레노펜 및 이의 아자-변형체로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다. 이러한 일부 실시양태에서, 모이어티 A, B, C 및 D는 각각 독립적으로 O, S 또는 Se 원자의 오르토- 또는 메타-위치에서 중수소, 불소, 니트릴, 알킬, 시클로알킬, 아릴, 헤테로아릴, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기에 의해 추가로 치환될 수 있다. 일부 이러한 실시양태에서, 아자-변형체는 6-위치(O, S 또는 Se에 대한 오르토 위치)에 정확히 하나의 N 원자를 포함하고 7-위치(O, S 또는 Se에 대한 메타 위치)에 치환기를 포함한다.
일부 실시양태에서, 모이어티 A, B, C 및/또는 D는 각각 독립적으로 적어도 4개의 융합 고리를 포함하는 멀티시클릭 융합 고리 구조일 수 있다. 일부 실시양태에서, 멀티시클릭 융합 고리 구조는 3개의 6원 고리 및 1개의 5원 고리를 포함한다. 그러한 일부 실시양태에서, 5원 고리는 금속 M에 배위 결합된 고리에 융합되고, 제2 6원 고리는 5원 고리에 융합되고, 제3 6원 고리는 제2 6원 고리에 융합된다. 일부 이러한 실시양태에서, 제3 6원 고리는 중수소, 불소, 니트릴, 알킬, 시클로알킬, 아릴, 헤테로아릴 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기에 의해 추가로 치환된다.
일부 실시양태에서, 모이어티 A, B, C 및/또는 D는 각각 독립적으로 적어도 5개의 융합 고리를 포함하는 멀티시클릭 융합 고리 구조일 수 있다. 일부 실시양태에서, 멀티시클릭 융합 고리 구조는 4개의 6원 고리 및 1개의 5원 고리, 또는 3개의 6원 고리 및 2개의 5원 고리를 포함한다. 2개의 5원 고리를 포함하는 일부 실시양태에서, 5원 고리는 서로 융합된다. 2개의 5원 고리를 포함하는 일부 실시양태에서, 5원 고리는 적어도 하나의 6원 고리에 의해 분리된다. 하나의 5원 고리를 갖는 일부 실시양태에서, 5원 고리는 금속 M에 배위 결합된 고리에 융합되고, 제2 6원 고리는 5원 고리에 융합되고, 제3 6원 고리는 제2 6원 고리에 융합되고, 제4 6원 고리는 제3 6원 고리에 융합된다.
일부 실시양태에서, 모이어티 A, B, C 및/또는 D는 각각 독립적으로 상기 기재된 멀티시클릭 융합 고리의 아자 버전일 수 있다. 이러한 일부 실시양태에서, 모이어티 A, B, C 및/또는 D는 각각 독립적으로 정확히 하나의 아자 N 원자를 함유할 수 있다. 일부 이러한 실시양태에서, 모이어티 A, B, C 및/또는 D는 각각 정확히 2개의 아자 N 원자를 함유할 수 있으며, 이는 하나의 고리 또는 2개의 상이한 고리에 있을 수 있다. 이러한 일부 실시양태에서, 아자 N 원자를 갖는 고리는 금속 M 원자로부터 적어도 2개의 다른 고리에 의해 분리된다. 이러한 일부 실시양태에서, 아자 N 원자를 갖는 고리는 금속 M 원자로부터 적어도 3개의 다른 고리에 의해 분리된다. 일부 이러한 실시양태에서, 아자 N 원자의 오르토 위치는 각각 치환된다.
일부 실시양태에서, 모이어티 A, B, C 및 D 중 적어도 하나는 고리 E의 일부를 형성하는 5원 고리를 갖는다. 일부 실시양태에서, 5원 고리는 각각 독립적으로 이미다졸, 피라졸, 피롤, 옥사졸, 푸란, 티오펜, 티아졸 및 트리아졸로 이루어진 군으로부터 선택된다. 일부 실시양태에서, 5원 고리는 이미다졸이다.
일부 실시양태에서, X1-X2, X3-X4, X5-X6 및 X7-X8로부터 선택되는 적어도 한 쌍의 원자는 5원 고리의 일부이다.
일부 실시양태에서, 모이어티 A, B, C 및 D 중 정확히 하나는 고리 E의 일부를 형성하는 5원 고리를 갖는다. 일부 실시양태에서, X1-X2, X3-X4, X5-X6 및 X7-X8로부터 선택되는 정확히 한 쌍의 원자는 5원 고리의 일부이다.
일부 실시양태에서, 모이어티 A, B, C 및 D 중 3개는 고리 E의 일부를 형성하는 6원 고리를 갖고, 모이어티 A, B, C 및 D 중 하나는 고리 E의 일부를 형성하는 5원 고리를 갖는다.
일부 실시양태에서, L1, L2, L3 및 L4는 각각 직접 결합이다.
일부 실시양태에서, L1, L2, L3 및 L4 중 적어도 하나는 BR, BRR', NR, PR, P(O)R, O, S, Se, C=O, C=S, C=Se, C=NR', C=CR'R", S=O, SO2, CR, CRR', SiRR', GeRR', 알킬렌, 시클로알킬, 아릴, 시클로알킬렌, 아릴렌, 헤테로아릴렌, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 링커이다.
일부 실시양태에서, L1, L2, L3 또는 L4 중 적어도 하나는 BR, NR, PR 및 CR로 이루어진 군으로부터 선택된 링커이다. 일부 실시양태에서, L1, L2, L3 또는 L4 중 하나는 NR이고, 나머지는 모두 직접 결합이다. 이들 실시양태 중 일부에서, R과 RA, RB, RC 또는 RD 중 인접한 하나는 연결되어 융합 고리를 형성한다. 이들 실시양태 중 일부에서, R과 RA, RB, RC 또는 RD 중 인접한 하나는 연결되어 멀티시클릭 융합 고리 시스템을 형성한다.
일부 실시양태에서, L1, L2, L3 또는 L4 중 적어도 하나는 BRR', CRR', SiRR' 및 GeRR'로 이루어진 군으로부터 선택된 링커이다. 일부 실시양태에서, L1, L2, L3 및 L4 중 적어도 하나는 P(O)R, C=O, C=S, C=Se, C=NR', C=CR'R", S=O, 및 SO2로 이루어진 군으로부터 선택된 링커이다.
일부 실시양태에서, L1, L2, L3 또는 L4의 R 또는 R'는 RA, RB, RC 및 RD 중 인접한 하나에 연결되거나 융합되어 고리를 형성한다. 일부 이러한 실시양태에서, 형성된 고리는 5원 고리인 반면, 다른 실시양태에서, 형성된 고리는 6원 고리이다. 이러한 일부 실시양태에서, 형성된 고리는 아릴 고리이다. 일부 이러한 실시양태에서, 형성된 고리는 헤테로아릴 고리이다.
일부 실시양태에서, L1, L2, L3 및 L4 중 적어도 하나는 O, S, Se, C=O, C=S, C=Se, S=O, 및 SO2로 이루어진 군으로부터 선택된 링커이다.
일부 실시양태에서 고리 E는 8 내지 20개의 고리 원자를 갖는다. 본원에 사용된 바와 같이, "고리 원자"는 고리의 백본(즉, 고리 주변의 최단 경로를 정의하는 원자)을 의미한다.
일부 실시양태에서, 고리 E는 8 내지 10개의 고리 원자를 갖는다. 일부 실시양태에서, 고리 E는 8개의 고리 원자를 갖는다. 일부 실시양태에서, 고리 E는 9개의 고리 원자를 갖는다. 일부 실시양태에서, 고리 E는 10개의 고리 원자를 갖는다.
일부 실시양태에서, 고리 E는 카르보시클릭이다. 일부 실시양태에서, 고리 E는 헤테로시클릭이다.
일부 실시양태에서, 모이어티 A, B, C 또는 D 중 하나는 전이 금속 M에 직접 결합된다.
일부 실시양태에서, 고리 E의 일부를 형성하는 모이어티 A, B, C 또는 D 중 하나의 고리는 전이 금속 M에 직접 결합된다.
일부 실시양태에서, 고리 E의 일부를 형성하는 모이어티 A, B, C 또는 D의 고리가 금속 M에 직접 결합되고, 리간드 LA가 하기 LIST 1의 구조로 이루어진 군으로부터 선택된다:
여기서, RA' 및 RA"는 각각 독립적으로 수소이거나, 또는 본원에 정의된 일반 치환기로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기이고; 파선 결합은 전이 금속 M에 대한 직접 결합을 나타낸다.
RA, RA' 및 RA"는 존재하는 경우 상기 실시양태에서 모이어티 A에 결합된다는 것을 이해해야 한다. 일부 실시양태에서, 모이어티 B, C 및 D 중 적어도 하나는 독립적으로 LIST 1에 나타낸 바와 같은 모이어티 A의 구조로부터 선택될 수 있음을 또한 이해해야 한다. 일부 실시양태에서, 고리 E의 일부를 형성하지 않는 모이어티 A, B, C, 또는 D 중 하나의 고리는 전이 금속 M에 직접 결합된다. 일부 이러한 실시양태에서, 리간드 LA는 하기 LIST 2의 구조로 이루어진 군으로부터 선택된다:
여기서, RA'는 각각 독립적으로 수소이거나, 또는 본원에 정의된 일반 치환기로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기이고; 임의의 2개의 치환기는 연결되거나 융합되어 고리를 형성할 수 있고; 파선 결합은 전이 금속 M에 대한 직접 결합을 나타낸다.
RA 및 RA'는 존재하는 경우 상기 실시양태에서 모이어티 A에 결합된다는 것을 이해해야 한다.
일부 실시양태에서, RA, RB, RC 또는 RD 중 하나는 치환기이고 치환기는 전이 금속 M에 직접 결합된다.
일부 실시양태에서, 화합물은 하기 LIST 3의 구조로 이루어진 군으로부터 선택된다:
여기서, RQ는 일치환 내지 최대 허용가능한 치환, 또는 비치환을 나타내고;
여기서, RQ, RQ' 및 RQ"는 각각 독립적으로 수소이거나, 또는 본원에 정의된 일반 치환기로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기이고;
여기서, 임의의 2개의 치환기는 연결되거나 융합되어 고리를 형성할 수 있고;
일부 실시양태에서, X1 내지 X8은 각각 C이다.
일부 실시양태에서, X1 내지 X8 중 적어도 하나는 N이다. 일부 실시양태에서, X1 내지 X8 중 정확히 하나는 N이다.
일부 실시양태에서, 전이 금속 M은 Ir, Os, Rh, Re, Ru, Pt, Pd, Cu, Ag, 및 Au로 이루어진 군으로부터 선택된다. 일부 실시양태에서, 전이 금속 M은 Ir이다. 일부 실시양태에서, 전이 금속 M은 Pt 또는 Pd이다.
일부 실시양태에서, 리간드 LA는 하기 LIST 5의 구조로 이루어진 군으로부터 선택된다:
여기서, RG 및 RH는 각각 독립적으로 일치환 내지 최대 허용가능한 치환, 또는 비치환을 나타내고; R1, R2, R3, R4, RG, RG' 및 RH는 각각 독립적으로 수소이거나, 또는 본원에 정의된 일반 치환기로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기이고; 임의의 2개의 치환기가 연결되거나 융합되어 고리를 형성할 수 있다.
일부 실시양태에서, 리간드 LA는 LAi-(Rl)(Rm)(Rn)으로 이루어진 군으로부터 선택되며, 여기서 i는 1 내지 119의 정수이고, 여기서 l, m 및 n은 각각 독립적으로 1 내지 134의 정수이고, LA1-(R1)(R1)(R1) 내지 LA119-(R134)(R134)(R134)는 하기 LIST 6에 정의된 바와 같은 구조를 갖는다:
여기서, R1 내지 R134는 하기 LIST 7의 구조를 갖는다:
일부 실시양태에서, 화합물은 M(LA)p(LB)q(LC)r의 식을 가지며, 여기서 LB 및 LC는 각각 2좌 리간드이고; p는 1, 2 또는 3이고; q는 0, 1 또는 2이고; r은 0, 1 또는 2이고; p+q+r은 금속 M의 산화 상태이다.
일부 실시양태에서, 화합물은 Ir(LA)3, Ir(LA)(LB)2, Ir(LA)2(LB), Ir(LA)2(LC), 및 Ir(LA)(LB)(LC)로 이루어진 군으로부터 선택된 식을 갖고; LA, LB 및 LC는 서로 상이하다.
일부 실시양태에서, LB는 치환 또는 비치환된 페닐피리딘이고, LC는 치환 또는 비치환된 아세틸아세토네이트이다.
일부 실시양태에서, 화합물은 Pt(LA)(LB)의 식을 갖고; LA 및 LB는 동일하거나 상이할 수 있다. 이러한 일부 실시양태에서, LA 및 LB는 연결되어 4좌 리간드를 형성한다.
여기서, T는 B, Al, Ga 및 In으로 이루어진 군으로부터 선택되고;
여기서, K1'은 직접 결합이거나 NRe, PRe, O, S 및 Se로 이루어진 군으로부터 선택되고;
여기서, Y1 내지 Y13은 각각 독립적으로 탄소 및 질소로 이루어진 군으로부터 선택되고;
여기서, Y'는 BRe, NRe, PRe, O, S, Se, C=O, S=O, SO2, CReRf, SiReRf, 및 GeReRf로 이루어진 군으로부터 선택되고;
여기서, Re 및 Rf는 융합되거나 연결되어 고리를 형성할 수 있으며;
여기서, Ra, Rb, Rc 및 Rd는 각각 독립적으로 일치환 내지 최대 가능한 수의 치환, 또는 비치환을 나타낼 수 있고;
여기서, Ra1, Rb1, Rc1, Rd1, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, 및 Rf는 각각 독립적으로 수소이거나, 또는 본원에 정의된 일반 치환기로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기이고;
여기서, Ra1, Rb1, Rc1, Rd1, Ra, Rb, Rc, 및 Rd의 임의의 2개의 인접한 치환기는 융합되거나 연결되어 고리를 형성하거나 다좌 리간드를 형성할 수 있다.
여기서,
Ra', Rb', Rc', 및 Rd'는 각각 독립적으로 그의 관련 고리에 대한 무치환, 일치환, 또는 허용되는 최대수 이하의 치환을 나타내고; Ra1, Rb1, Rc1, Rd, Re, Rf, Ra', Rb', Rc', 및 Rd'는 각각 독립적으로 수소이거나, 또는 본원에 정의된 일반 치환기로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기이고; 임의의 2개의 Ra', Rb', Rc', Rd',Ra1, Rb1, Rc1, Rd, Re, 및 Rf는 융합되거나 연결되어 고리를 형성하거나 다좌 리간드를 형성할 수 있다.
일부 실시양태에서, 화합물은 식 Ir(LA)3, 식 Ir(LA)(LBk)2, 식 Ir(LA)2(LBk), 식 Ir(LA)2(LCj-I), 식 Ir(LA)2(LCj-II), 식 Ir(LA)(LBk)(LCj-I), 또는 식 Ir(LA)(LBk)(LCj-II)를 가질 수 있고, 여기서 LA는 본원에 정의된 바와 같은 식 I에 관한 리간드이고; LBk는 본원에서 정의되며; LCj-I 및 LCj-II는 각각 본원에 정의된다.
일부 실시양태에서, 화합물은 식 Ir(LA)3, Ir(LA)(LBk)2, Ir(LA)2(LBk), Ir(LA)2(LCj-I), 또는 Ir(LA)2(LCj-II)를 갖고,
여기서, LA는 본원에 기재된 임의의 LA에 따르고;
여기서, k는 1 내지 621의 정수이고;
여기서, j는 1 내지 1416의 정수이고;
여기서, LBk는 각각 하기 LIST 8에 정의된 구조를 갖고:
여기서, RD1 내지 RD246은 하기 LIST 10의 구조를 갖는다:
일부 실시양태에서, 화합물은 LBk가 다음 중 하나에 해당하는 화합물로만 이루어진 군으로부터 선택된다: LB264, LB265, LB266, LB267, LB268, LB269, LB270, LB271, LB272, LB273, LB274, LB275, LB276, LB277, LB278, LB279, LB280, LB281, LB283, LB285, LB287, LB297, LB300, LB335, LB338, LB352, LB354, LB368, LB369, LB370, LB375, LB376, LB377, LB379, LB380, LB382, LB385, LB386, LB387, LB394, LB395, LB396, LB397, LB398, LB399, LB400, LB401, LB402, LB403, LB410, LB411, LB412, LB417, LB425, LB427, LB430, LB431, LB432, LB434, LB440, LB444, LB445, LB446, LB447, LB449, LB450, LB451, LB452, LB454, LB455, LB457, LB460, LB462, LB463, LB469, LB471, LB484, LB485, LB487, LB488, LB490, LB491, LB493, LB494, LB496, LB497, LB499, LB500, LB502, LB503, LB505, LB506, LB508, LB509, LB511, LB512, LB514, LB515, LB517, LB518, LB520, LB521, LB523, LB524, LB540, LB541, LB542, LB543, LB544, LB547, LB549, LB550, LB551, LB554, LB555, LB557, LB559, 및 LB561.
일부 실시양태에서, 화합물은 LBk가 다음 중 하나에 해당하는 화합물로만 이루어진 군으로부터 선택된다: LB266, LB268, LB275, LB277, LB285, LB287, LB297, LB300, LB335, LB336, LB376, LB379, LB380, LB385, LB386, LB398, LB400, LB401, LB403, LB412, LB417, LB427, LB430, LB444, LB445, LB446, LB447, LB452, LB460, LB462, LB463, LB491, LB493, LB503, LB505, LB509, LB511, LB523, LB424, LB541, LB542, LB543, LB544, LB547, LB549, LB550, LB551, LB554, LB555, LB557, LB559, 및 LB561.
일부 실시양태에서, 화합물은 상응하는 R201 및 R202가 하기 구조 중 하나인 것으로 정의되는 LCj-I 또는 LCj-II 리간드를 갖는 화합물로만 이루어진 군으로부터 선택된다: RD1, RD3, RD4, RD5, RD9, RD10, RD17, RD18, RD20, RD22, RD37, RD40, RD41, RD42, RD43, RD48, RD49, RD50, RD54, RD55, RD58, RD59, RD78, RD79, RD81, RD87, RD88, RD89, RD93, RD116, RD117, RD118, RD119, RD120, RD133, RD134, RD135, RD136, RD143, RD144, RD145, RD146, RD147, RD149, RD151, RD154, RD155, RD161, RD175 RD190, RD193, RD200, RD201, RD206, RD210, RD214, RD215, RD216, RD218, RD219, RD220, RD227, RD237, RD241, RD242, RD245, 및 RD246.
일부 실시양태에서, 화합물은 상응하는 R201 및 R202가 하기 구조로부터 선택된 것 중 하나인 것으로 정의되는 LCj-I 또는 LCj-II 리간드를 갖는 화합물로만 이루어진 군으로부터 선택된다: RD1, RD3, RD4, RD5, RD9, RD10, RD17, RD22, RD43, RD50, RD78, RD116, RD118, RD133, RD134, RD135, RD136, RD143, RD144, RD145, RD146, RD149, RD151, RD154, RD155 RD190, RD193, RD200, RD201, RD206, RD210, RD214, RD215, RD216, RD218, RD219, RD220, RD227, RD237, RD241, RD242, RD245, 및 RD246.
일부 실시양태에서, 화합물은 LCj-I 리간드에 대해 하기 LIST 11의 구조 중 하나를 갖는 화합물로만 이루어진 군으로부터 선택된다:
일부 실시양태에서, 화합물은 하기 LIST 12의 구조로 이루어진 군으로부터 선택된다:
일부 실시양태에서, 화합물은 Pt(LA')(Ly)의 식을 갖는 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된다:
여기서, LA'는 하기 LIST 13에 나타낸 구조로 이루어진 군으로부터 선택되고:
여기서, Ly는 하기 LIST 14에 나타낸 구조로 이루어진 군으로부터 선택되고:
여기서, RA, RB, RC, RD, RE, RF, RG, 및 RH는 각각 독립적으로 일치환 내지 최대 가능한 치환, 또는 비치환이고;
여기서, R1, R2, R3, R4, RA, RA', RA", RB, RC, RD, RE, RF, RG, RG', RH, RX, 및 RY는 각각 독립적으로 하기 LIST 15의 구조로 이루어진 목록으로부터 선택된다:
일부 실시양태에서, 화합물은 Pt(LA')(Ly)의 식을 갖는 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된다:
여기서, LA'는 LA'i'-(Rl)(Rm)(Rn)으로 이루어진 군으로부터 선택되고, 여기서 i'는 1 내지 97의 정수이고, l, m 및 n은 각각 독립적으로 1 내지 132의 정수이고, LA'1-(R1)(R1)(R1) 내지 LA'97-(R132)(R132)(R132)는 각각 하기 LIST 16에 정의되고:
여기서, LY는 LYj'-(Rs)(Rt)(Ru)로 이루어진 군으로부터 선택되며, 여기서 j'는 1 내지 33의 정수이고, s, t 및 u는 각각 독립적으로 1 내지 132의 정수이고, LY1-(R1)(R1)(R1) 내지 LY33-(R132)(R132)(R132)는 각각 하기 LIST 17에 정의되고:
여기서, R1 내지 R132는 하기 LIST 18의 구조를 갖는다:
일부 실시양태에서, 화합물은 하기 LIST 19의 구조로 이루어진 군으로부터 선택된다:
일부 실시양태에서, 본원에 기재된 식 I의 구조를 포함하는 제1 리간드 LA를 갖는 화합물은 적어도 30% 중수소화, 적어도 40% 중수소화, 적어도 50% 중수소화, 적어도 60% 중수소화, 적어도 70% 중수소화, 적어도 80% 중수소화, 적어도 90% 중수소화, 적어도 95% 중수소화, 적어도 99% 중수소화, 또는 100% 중수소화될 수 있다. 본원에서 사용되는 바와 같이, 중수소화 백분율은 이의 일반적인 의미를 가지며 중수소 원자로 대체되는 가능한 수소 원자(예를 들어, 수소 또는 중수소인 위치)의 백분율을 포함한다.
본원에 정의된 Ir(LA)m(LB)n(LC)p의 식을 갖는 이종리간드성 화합물의 일부 실시양태에서, 리간드 LA는 제1 치환기 RI을 갖고, 여기서 제1 치환기 RI은 리간드 LA의 모든 원자 중에서 금속 M에서 가장 멀리 떨어져 있는 제1 원자 a-I을 갖는다. 추가로, 리간드 LB는, 존재하는 경우, 제2 치환기 RII를 갖고, 여기서 제2 치환기 RII는 리간드 LB의 모든 원자 중에서 금속 M으로부터 가장 멀리 떨어진 제1 원자 a-II를 갖는다. 또한, 리간드 LC는, 존재하는 경우, 제3 치환기 RIII을 갖고, 여기서 제3 치환기 RIII은 리간드 LC의 모든 원자 중에서 금속 M으로부터 가장 멀리 떨어진 제1 원자 a-III을 갖는다.
이러한 이종리간드성 화합물에서, 벡터 VD1, VD2 및 VD3은 다음과 같이 정의될 수 있다. VD1은 금속 M에서 제1 원자 a-I로의 방향을 나타내고 벡터 VD1은 제1 치환기 RI에서 금속 M과 제1 원자 a-I 사이의 직선 거리를 나타내는 값 D1을 갖는다. VD2는 금속 M에서 제1 원자 a-II로의 방향을 나타내고 벡터 VD2는 제2 치환기 RII에서 금속 M과 제1 원자 a-II 사이의 직선 거리를 나타내는 값 D2를 갖는다. VD3은 금속 M에서 제1 원자 a-III으로의 방향을 나타내고 벡터 VD3은 제3 치환기 RIII에서 금속 M과 제1 원자 a-III 사이의 직선 거리를 나타내는 값 D3을 갖는다.
이러한 이종리간드성 화합물에서, 반경 r을 갖는 구체는, 중심이 금속 M이고 반경 r이 구체가 치환기 RI, RII 및 RIII의 일부가 아닌 화합물의 모든 원자를 둘러쌀 수 있는 가장 작은 반경인 것으로 정의되고; 여기서 D1, D2 및 D3 중 적어도 하나는 반지름 r보다 적어도 1.5 Å만큼 더 크다. 일부 실시양태에서, D1, D2 및 D3 중 적어도 하나는 반지름 r보다 적어도 2.9, 3.0, 4.3, 4.4, 5.2, 5.9, 7.3, 8.8, 10.3, 13.1, 17.6, 또는 19.1 Å만큼 더 크다.
이러한 이종리간드성 화합물의 일부 실시양태에서, 화합물은 전이 쌍극자 모멘트 축을 갖고, 전이 쌍극자 모멘트 축과 벡터 VD1, VD2 및 VD3 사이의 각도가 정의되며, 여기서 전이 쌍극자 모멘트 축과 벡터 VD1, VD2 및 VD3 사이의 각도 중 적어도 하나는 40°미만이다. 일부 실시양태에서, 전이 쌍극자 모멘트 축과 벡터 VD1, VD2 및 VD3 사이의 각도 중 적어도 하나는 30°미만이다. 일부 실시양태에서, 전이 쌍극자 모멘트 축과 벡터 VD1, VD2 및 VD3 사이의 각도 중 적어도 하나는 20°미만이다. 일부 실시양태에서, 전이 쌍극자 모멘트 축과 벡터 VD1, VD2 및 VD3 사이의 각도 중 적어도 하나는 15°미만이다. 일부 실시양태에서, 전이 쌍극자 모멘트 축과 벡터 VD1, VD2 및 VD3 사이의 각도 중 적어도 하나는 10°미만이다. 일부 실시양태에서, 전이 쌍극자 모멘트 축과 벡터 VD1, VD2 및 VD3 사이의 각도 중 적어도 2개는 20°미만이다. 일부 실시양태에서, 전이 쌍극자 모멘트 축과 벡터 VD1, VD2 및 VD3 사이의 각도 중 적어도 2개는 15°미만이다. 일부 실시양태에서, 전이 쌍극자 모멘트 축과 벡터 VD1, VD2 및 VD3 사이의 각도 중 적어도 2개는 10°미만이다.
일부 실시양태에서, 전이 쌍극자 모멘트 축과 벡터 VD1, VD2 및 VD3 사이의 모든 3개의 각도는 20°미만이다. 일부 실시양태에서, 전이 쌍극자 모멘트 축과 벡터 VD1, VD2 및 VD3 사이의 모든 3개의 각도는 15°미만이다. 일부 실시양태에서, 전이 쌍극자 모멘트 축과 벡터 VD1, VD2 및 VD3 사이의 모든 3개의 각도는 10°미만이다.
이러한 이종리간드성 화합물의 일부 실시양태에서, 화합물은 0.33 이하의 수직 쌍극자비(VDR)를 갖는다. 이러한 이종리간드성 화합물의 일부 실시양태에서, 화합물은 0.30 이하의 VDR을 갖는다. 이러한 이종리간드성 화합물의 일부 실시양태에서, 화합물은 0.25 이하의 VDR을 갖는다. 이러한 이종리간드성 화합물의 일부 실시양태에서, 화합물은 0.20 이하의 VDR을 갖는다. 이러한 이종리간드성 화합물의 일부 실시양태에서, 화합물은 0.15 이하의 VDR을 갖는다. 당업자는 화합물의 전이 쌍극자 모멘트 축 및 화합물의 수직 쌍극자비라는 용어의 의미를 쉽게 이해할 것이다. 그럼에도 불구하고, 이들 용어의 의미는 미국 특허 번호 10,672,997에서 찾아볼 수 있으며, 이의 개시 내용은 그 전문이 참조로 본원에 포함된다. 미국 특허 번호 10,672,997에서는 VDR보다 화합물의 수평 쌍극자비(HDR)에 대해 논의하고 있다. 그러나, 당업자는 VDR = 1 - HDR임을 쉽게 이해한다.
C.
본 개시내용의 OLED 및 디바이스
또 다른 양태에서, 본 개시내용은 또한 본 개시내용의 상기 화합물 섹션에서 개시된 화합물을 함유하는 제1 유기층을 포함하는 OLED 디바이스를 제공한다.
일부 실시양태에서, OLED는 애노드; 캐소드; 및 애노드와 캐소드 사이에 배치된 유기층을 포함하고, 여기서 유기층은 본원에 기재된 식 I의 구조를 포함하는 제1 리간드 LA를 갖는 화합물을 포함한다.
일부 실시양태에서, 유기층은 발광층일 수 있고, 본원에 기재된 화합물은 발광 도펀트일 수 있거나 비발광 도펀트일 수 있다.
일부 실시양태에서, 발광층은 하나 이상의 양자점을 포함한다.
일부 실시양태에서, 유기층은 호스트를 더 포함할 수 있고, 호스트는 트리페닐렌 함유 벤조 융합 티오펜 또는 벤조 융합 푸란을 포함하며, 호스트 중의 임의의 치환기는 독립적으로 CnH2n+1, OCnH2n+1, OAr1, N(CnH2n+1)2, N(Ar1)(Ar2), CH=CH-CnH2n+1, C≡C-CnH2n+1, Ar1, Ar1-Ar2, 및 CnH2n-Ar1으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 비융합 치환기이거나, 또는 호스트는 치환기를 가지지 않으며, 여기서 n은 1 내지 10의 정수이고; Ar1 및 Ar2는 독립적으로 벤젠, 비페닐, 나프탈렌, 트리페닐렌, 카르바졸, 및 이들의 헤테로방향족 유사체로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
일부 실시양태에서, 유기층은 호스트를 더 포함할 수 있고, 호스트는 트리페닐렌, 카르바졸, 인돌로카르바졸, 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 5λ2-벤조[d]벤조[4,5]이미다조[3,2-a]이미다졸, 5,9-디옥사-13b-보라나프토[3,2,1-de]안트라센, 트리아진, 보릴, 실릴, 아자-트리페닐렌, 아자-카르바졸, 아자-인돌로카르바졸, 아자-디벤조티오펜, 아자-디벤조푸란, 아자-디벤조셀레노펜, 아자-5λ2-벤조[d]벤조[4,5]이미다조[3,2-a]이미다졸 및 아자-(5,9-디옥사-13b-보라나프토[3,2,1-de]안트라센)으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 화학기를 포함한다.
일부 실시양태에서, 호스트는 하기 화합물 및 이들의 조합으로 이루어진 HOST 군으로부터 선택될 수 있다:
일부 실시양태에서, 유기층은 호스트를 더 포함할 수 있고, 호스트는 금속 착물을 포함한다.
일부 실시양태에서, 발광층은 2개의 호스트, 즉 제1 호스트 및 제2 호스트를 포함할 수 있다. 일부 실시양태에서, 제1 호스트는 정공 수송 호스트이고, 제2 호스트는 전자 수송 호스트이다. 일부 실시양태에서, 제1 호스트 및 제2 호스트는 엑시플렉스를 형성할 수 있다.
일부 실시양태에서, 본원에 기재된 화합물은 증감제일 수 있으며; 디바이스는 억셉터를 더 포함할 수 있고, 억셉터는 형광 이미터, 지연 형광 이미터, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
또 다른 양태에서, 본 개시내용의 OLED는 또한 본 개시내용의 상기 화합물 섹션에서 개시된 화합물을 함유하는 발광 영역을 포함할 수 있다.
일부 실시양태에서, 발광 영역은 본원에 기재된 식 I의 구조를 포함하는 제1 리간드 LA를 갖는 화합물을 포함할 수 있다.
일부 실시양태에서, 애노드, 캐소드, 또는 유기 발광층 위에 배치된 새로운 층 중 적어도 하나는 강화층으로서 기능한다. 강화층은, 이미터 물질에 비방사적으로 결합하고 여기된 상태 에너지를 이미터 물질로부터 비방사 모드의 표면 플라즈몬 폴라리톤으로 전달하는 표면 플라즈몬 공명을 나타내는 플라즈몬 물질을 포함한다. 강화층은 유기 발광층으로부터 임계 거리 이내에 제공되며, 여기서 이미터 물질은 강화층의 존재로 인해 총 비방사성 붕괴 속도 상수와 총 방사성 붕괴 속도 상수를 가지며 임계 거리는 총 비방사성 붕괴 속도 상수가 총 방사성 붕괴 속도 상수와 동일한 곳이다. 일부 실시양태에서, OLED는 아웃커플링층을 더 포함한다. 일부 실시양태에서, 아웃커플링층은 유기 발광층의 반대측의 강화층 위에 배치된다. 일부 실시양태에서, 아웃커플링층은 강화층으로부터 발광층의 반대측에 배치되지만 여전히 강화층의 표면 플라즈몬 모드로부터 에너지를 아웃커플링한다. 아웃커플링층은 표면 플라즈몬 폴라리톤으로부터의 에너지를 산란시킨다. 일부 실시양태에서 이 에너지는 광자로서 자유 공간에 산란된다. 다른 실시양태에서, 에너지는 표면 플라즈몬 모드로부터 유기 도파로 모드, 기판 모드, 또는 다른 도파 모드와 같은 (이에 한정되지 않음) 디바이스의 다른 모드로 산란된다. 에너지가 OLED의 비자유 공간 모드로 산란되는 경우, 다른 아웃커플링 스킴을 통합하여 해당 에너지를 자유 공간으로 추출할 수 있다. 일부 실시양태에서, 강화층과 아웃커플링층 사이에 하나 이상의 개재층이 배치될 수 있다. 개재층(들)의 예는 유기, 무기, 페로브스카이 트, 산화물을 포함한 유전체 물질일 수 있고, 이들 물질의 스택 및/또는 혼합물을 포함할 수 있다.
강화층은 이미터 물질이 존재하는 매체의 유효 특성을 변경하여, 하기의 어느 것 또는 모두를 초래한다: 발광 속도 저하, 발광 라인 형상의 변경, 각도에 따른 발광 강도 변화, 이미터 물질의 안정성 변화, OLED의 효율 변화, 및 OLED 디바이스의 감소된 효율 롤-오프. 캐소드측, 애노드측, 또는 양측 모두에 강화층을 배치하면 앞서 언급한 효과 중 어느 것을 이용하는 OLED 디바이스가 생성된다. 본원에서 언급되고 도면에 도시된 각종 OLED 예에서 설명된 특정 기능성 층 외에도, 본 개시내용에 따른 OLED는 OLED에서 흔히 마련되는 임의의 다른 기능성 층을 포함할 수 있다.
강화층은 플라즈몬 물질, 광학 활성 메타물질, 또는 하이퍼볼릭 메타물질로 구성될 수 있다. 본원에서 사용시, 플라즈몬 물질은 전자기 스펙트럼의 가시 광선 또는 자외선 영역에서 유전 상수의 실수부가 0과 교차하는 물질이다. 일부 실시양태에서, 플라즈몬 물질은 적어도 하나의 금속을 포함한다. 이러한 실시양태에서 금속은 Ag, Al, Au, Ir, Pt, Ni, Cu, W, Ta, Fe, Cr, Mg, Ga, Rh, Ti, Ru, Pd, In, Bi, Ca, 이들 물질의 합금 또는 혼합물, 및 이들 물질의 스택 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 일반적으로, 메타물질은, 상이한 물질로 구성된 매체로서, 매체 전체가 그 물질 부분의 합과는 상이하게 작용하는 매체이다. 특히, 본 출원인은 광학 활성 메타물질을 음의 유전율과 음의 투과율을 모두 가진 물질로서 정의한다. 한편, 하이퍼볼릭 메타물질은 유전율 또는 투과율이 다른 공간 방향에 대해 다른 부호를 갖는 이방성 매체이다. 광학 활성 메타물질 및 하이퍼볼릭 메타물질은 매체가 빛의 파장 길이 규모에서 전파 방향으로 균일하게 나타나야 한다는 점에서 분산 브래그 반사경(Distributed Bragg Reflector, "DBR")과 같은 다른 많은 포토닉 구조와 엄격하게 구분된다. 당업자가 이해할 수 있는 용어를 사용하여: 전파 방향에서 메타물질의 유전 상수는 유효 매체 근사치로 설명될 수 있다. 플라즈몬 물질과 메타물질은 다양한 방식으로 OLED 성능을 향상시킬 수 있는 빛의 전파를 제어하는 방법을 제공한다.
일부 실시양태에서, 강화층은 평면층으로서 제공된다. 다른 실시양태에서, 강화층은, 주기적으로, 준-주기적으로, 또는 무작위로 배열되는 파장 사이즈의 피처, 또는 주기적으로, 준-주기적으로, 또는 무작위로 배열되는 서브파장 사이즈의 피처를 갖는다. 일부 실시양태에서, 파장 사이즈의 피처 및 서브파장 사이즈의 피처는 샤프한 엣지를 갖는다.
일부 실시양태에서, 아웃커플링층은, 주기적으로, 준-주기적으로, 또는 무작위로 배열되는 파장 사이즈의 피처, 또는 주기적으로, 준-주기적으로, 또는 무작위로 배열되는 서브파장 사이즈의 피처를 갖는다. 일부 실시양태에서, 아웃커플링층은 복수의 나노입자로 구성될 수 있으며 다른 실시양태에서 아웃커플링층은 물질 위에 배치된 복수의 나노입자로 구성된다. 이들 실시양태에서 아웃커플링은 복수의 나노입자의 사이즈를 변화시키는 것, 복수의 나노입자의 형상을 변화시키는 것, 복수의 나노입자의 물질을 변화시키는 것, 상기 물질의 두께를 조정하는 것, 복수의 나노입자 상에 배치된 상기 물질 또는 추가 층의 굴절률을 변화시키는 것, 강화층의 두께를 변화시키는 것, 및/또는 강화층의 물질을 변화시키는 것 중 적어도 하나에 의해 조정가능하다. 디바이스의 복수의 나노입자는 금속, 유전체 물질, 반도체 물질, 금속의 합금, 유전체 물질의 혼합물, 하나 이상의 물질의 스택 또는 층, 및/또는 1종의 물질의 코어로서, 상이한 종류의 물질의 쉘로 코팅된 코어 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 일부 실시양태에서, 아웃커플링층은, 금속이 Ag, Al, Au, Ir, Pt, Ni, Cu, W, Ta, Fe, Cr, Mg, Ga, Rh, Ti, Ru, Pd, In, Bi, Ca, 이들 물질의 합금 또는 혼합물, 및 이들 물질의 스택으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 나노입자로 구성된다. 복수의 나노입자는 그 위에 배치되는 추가 층을 가질 수 있다. 일부 실시양태에서, 발광의 편광은 아웃커플링층을 사용하여 조정될 수 있다. 아웃커플링층의 차원 및 주기성을 변화시킴으로써 공기에 우선적으로 아웃커플링되는 편광의 타입을 선택할 수 있다. 일부 실시양태에서 아웃커플링층은 또한 디바이스의 전극으로서 작용한다.
또 다른 양태에서, 본 개시내용은 또한 애노드; 캐소드; 및 애노드와 캐소드 사이에 배치된 유기층을 갖는 유기 발광 디바이스(OLED)를 포함하는 소비자 제품으로서, 상기 유기층은 본 개시내용의 상기 화합물 섹션에서 개시된 화합물을 포함할 수 있는 소비자 제품을 제공한다.
일부 실시양태에서, 소비자 제품은 애노드; 캐소드; 및 애노드와 캐소드 사이에 배치된 유기층을 갖는 OLED를 포함하고, 여기서 유기층은 본원에 기재된 식 I의 구조를 포함하는 제1 리간드 LA를 갖는 화합물을 포함할 수 있다.
일부 실시양태에서, 소비자 제품은 평면 패널 디스플레이, 컴퓨터 모니터, 의료용 모니터, 텔레비젼, 광고판, 실내 또는 실외 조명 및/또는 신호용 라이트, 헤드업 디스플레이, 완전 또는 부분 투명 디스플레이, 플렉시블 디스플레이, 레이저 프린터, 전화기, 휴대폰, 태블릿, 패블릿, 개인용 정보 단말기(PDA), 웨어러블 디바이스, 랩톱 컴퓨터, 디지털 카메라, 캠코더, 뷰파인더, 대각선이 2인치 미만인 마이크로 디스플레이, 3D 디스플레이, 가상 현실 또는 증강 현실 디스플레이, 차량, 함께 타일링된(tiled) 다중 디스플레이를 포함하는 비디오 월, 극장 또는 스타디움 스크린, 광요법 디바이스, 및 간판 중 하나일 수 있다.
일반적으로, OLED는 애노드와 캐소드 사이에 배치되어 이에 전기 접속되는 하나 이상의 유기층을 포함한다. 전류가 인가되면, 애노드는 유기층(들)에 정공을 주입하고, 캐소드는 전자를 주입한다. 주입된 정공 및 전자는 각각 반대로 하전된 전극을 향하여 이동한다. 전자와 정공이 동일한 분자상에 편재화될 경우, 여기된 에너지 상태를 갖는 편재화된 전자-정공 쌍인 "엑시톤"이 생성된다. 엑시톤이 광방출 메카니즘을 통해 이완될 경우 광이 방출된다. 일부의 경우에서, 엑시톤은 엑시머 또는 엑시플렉스 상에 편재화될 수 있다. 비-방사 메카니즘, 예컨대 열 이완이 또한 발생할 수 있으나, 일반적으로 바람직하지 않은 것으로 간주된다.
여러가지의 OLED 물질 및 구성은 미국특허 제5,844,363호, 제6,303,238호 및 제5,707,745호에 기재되어 있으며, 이들 특허 문헌은 그 전문이 인용에 의해 본원에 포함된다.
초기 OLED는 예를 들면 미국특허 제4,769,292호에 개시된 바와 같은 단일항 상태로부터 광("형광")을 방출하는 발광 분자를 사용하였으며, 상기 특허 문헌은 그 전문이 인용에 의해 포함된다. 형광 방출은 일반적으로 10 나노초 미만의 시간 프레임으로 발생한다.
보다 최근에는, 삼중항 상태로부터의 광("인광")을 방출하는 발광 물질을 갖는 OLED가 제시되었다. 문헌[Baldo et al., "Highly Efficient Phosphorescent Emission from Organic Electroluminescent Devices," Nature, vol. 395, 151-154, 1998; ("Baldo-I")] 및 문헌[Baldo et al., "Very high-efficiency green organic light-emitting devices based on electrophosphorescence," Appl. Phys. Lett., vol. 75, No. 3, 4-6 (1999) ("Baldo-II")]은 그 전문이 인용에 의해 포함된다. 인광은 인용에 의해 포함되는 미국특허 제7,279,704호의 컬럼 5-6에 보다 구체적으로 기재되어 있다.
도 1은 유기 발광 디바이스(100)를 나타낸다. 도면은 반드시 축척에 의하여 도시하지는 않았다. 디바이스(100)는 기판(110), 애노드(115), 정공 주입층(120), 정공 수송층(125), 전자 차단층(130), 발광층(135), 정공 차단층(140), 전자 수송층(145), 전자 주입층(150), 보호층(155), 캐소드(160) 및 배리어층(170)을 포함할 수 있다. 캐소드(160)는 제1 전도층(162) 및 제2 전도층(164)을 갖는 화합물 캐소드이다. 디바이스(100)는 기재된 순서로 층을 증착시켜 제작될 수 있다. 이들 다양한 층뿐 아니라, 예시 물질의 특성 및 기능은 인용에 의해 포함되는 미국특허 제7,279,704호의 컬럼 6-10에 보다 구체적으로 기재되어 있다.
이들 층 각각에 대한 더 많은 예도 이용 가능하다. 예를 들면 가요성이고 투명한 기판-애노드 조합이 미국특허 제5,844,363호에 개시되어 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 인용에 의해 포함된다. p-도핑된 정공 수송층의 한 예는 미국특허출원 공개공보 제2003/0230980호에 개시된 바와 같이, 50:1의 몰비로 m-MTDATA가 F4-TCNQ로 도핑된 것이 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 인용에 의해 포함된다. 발광 및 호스트 물질의 예는 미국특허 제6,303,238호(Thompson 등)에 개시되어 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 인용에 의해 포함된다. n-도핑된 전자 수송층의 예는 미국특허출원 공개공보 제2003/0230980호에 개시된 바와 같이, 1:1의 몰비로 Li로 도핑된 BPhen이고, 이 특허 문헌은 그 전문이 인용에 의해 포함된다. 그 전문이 인용에 의해 포함되는 미국특허 제5,703,436호 및 제5,707,745호에는, 적층된 투명, 전기전도성 스퍼터-증착된 ITO 층을 갖는 Mg:Ag와 같은 금속의 박층을 갖는 화합물 캐소드를 비롯한 캐소드의 예가 개시되어 있다. 차단층의 이론 및 용도는 미국특허 제6,097,147호 및 미국특허출원 공개공보 제2003/0230980호에 보다 구체적으로 기재되어 있으며, 이들 특허 문헌은 그 전문이 인용에 의해 포함된다. 주입층의 예는 미국특허출원 공개공보 제2004/0174116호에 제공되어 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 인용에 의해 포함된다. 보호층의 설명은 미국특허출원 공개공보 제2004/0174116호에서 찾아볼 수 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 인용에 의해 포함된다.
도 2는 역구조 OLED(200)를 나타낸다. 디바이스는 기판(210), 캐소드(215), 발광층(220), 정공 수송층(225) 및 애노드(230)를 포함한다. 디바이스(200)는 기재된 순서로 층을 증착시켜 제작될 수 있다. 가장 흔한 OLED 구성이 애노드의 위에 캐소드가 배치되어 있는 것이고, 디바이스(200)는 애노드(230)의 아래에 배치된 캐소드(215)를 갖고 있으므로, 디바이스(200)는 "역구조" OLED로 지칭될 수 있다. 디바이스(100)에 관하여 기재된 것과 유사한 물질이 디바이스(200)의 해당 층에 사용될 수 있다. 도 2는 디바이스(100)의 구조로부터 일부 층이 어떻게 생략될 수 있는지의 일례를 제공한다.
도 1 및 도 2에 도시된 단순 적층된 구조는 비제한적인 예로서 제공되며, 본 개시내용의 실시양태는 다양한 다른 구조와 관련하여 사용될 수 있는 것으로 이해된다. 기재된 특정한 물질 및 구조는 사실상 예시를 위한 것이며, 다른 물질 및 구조도 사용될 수 있다. 기능성 OLED는 기재된 다양한 층을 상이한 방식으로 조합하여 달성될 수 있거나, 또는 층은 디자인, 성능 및 비용 요인에 기초하여 전적으로 생략될 수 있다. 구체적으로 기재되지 않은 기타의 층도 또한 포함될 수 있다. 구체적으로 기재된 물질과 다른 물질을 사용할 수 있다. 본원에 제공된 다수의 예가 단일 물질을 포함하는 것으로 다양한 층을 기재하기는 하나, 물질의 조합, 예컨대 호스트와 도펀트의 혼합물, 또는 보다 일반적으로 혼합물을 사용할 수 있는 것으로 이해된다. 또한, 층은 다양한 하부층을 가질 수 있다. 본원에서 다양한 층에 제시된 명칭은 엄격하게 제한하고자 하는 것은 아니다. 예를 들면, 디바이스(200)에서, 정공 수송층(225)은 정공을 수송하고 정공을 발광층(220)에 주입하며, 정공 수송층 또는 정공 주입층으로서 기재될 수 있다. 한 실시양태에서, OLED는 캐소드와 애노드 사이에 배치된 "유기층"을 갖는 것으로 기재될 수 있다. 이러한 유기층은 단일 층을 포함할 수 있거나, 또는 예를 들면 도 1 및 도 2와 관련하여 기재된 바와 같은 상이한 유기 물질들의 복수의 층을 더 포함할 수 있다.
구체적으로 기재하지 않은 구조 및 물질, 예컨대 미국특허 제5,247,190호(Friend 등)에 개시된 바와 같은 중합체 물질을 포함하는 OLED(PLED)를 또한 사용할 수 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 인용에 의해 포함된다. 추가의 예로서, 단일 유기층을 갖는 OLED를 사용할 수 있다. OLED는 예를 들면 미국특허 제5,707,745호(Forrest 등)에 기재된 바와 같이 적층될 수 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 인용에 의해 본원에 포함된다. OLED 구조는 도 1 및 도 2에 도시된 단순 적층된 구조로부터 벗어날 수 있다. 예를 들면, 기판은 미국특허 제6,091,195호(Forrest 등)에 기재된 바와 같은 메사형(mesa) 구조 및/또는 미국특허 제5,834,893호(Bulovic 등)에 기재된 피트형(pit) 구조와 같은 아웃-커플링(out-coupling)을 개선시키기 위한 각진 반사면을 포함할 수 있으며, 이들 특허 문헌은 그 전문이 인용에 의해 본원에 포함된다.
반대의 의미로 명시하지 않는 한, 다양한 실시양태의 임의의 층은 임의의 적합한 방법에 의하여 증착될 수 있다. 유기층의 경우, 바람직한 방법으로는 미국특허 제6,013,982호 및 제6,087,196호(이 특허 문헌들은 그 전문이 인용에 의해 포함됨)에 기재된 바와 같은 열 증발, 잉크-제트, 미국특허 제6,337,102호(Forrest 등)(이 특허 문헌은 그 전문이 인용에 의해 포함됨)에 기재된 바와 같은 유기 기상 증착(OVPD) 및 미국특허 제7,431,968호(이 특허 문헌은 그 전문이 인용에 의해 포함됨)에 기재된 바와 같은, 유기 증기 제트 프린팅(OVJP, 유기 증기 제트 증착(OVJD)이라고도 지칭됨)에 의한 증착을 들 수 있다. 기타의 적합한 증착 방법은 스핀 코팅 및 기타의 용액 기반 공정을 포함한다. 용액 기반 공정은 질소 또는 불활성 분위기 중에서 실시되는 것이 바람직하다. 기타의 층의 경우, 바람직한 방법은 열 증발을 포함한다. 바람직한 패턴 형성 방법은 마스크를 통한 증착, 미국특허 제6,294,398호 및 제6,468,819호(이 특허 문헌들은 그 전문이 인용에 의해 포함됨)에 기재된 바와 같은 냉간 용접 및 잉크-제트 및 유기 증기 제트 프린팅(OVJP)과 같은 일부 증착 방법과 관련된 패턴 형성을 포함한다. 다른 방법들도 또한 사용될 수 있다. 증착시키고자 하는 물질은 특정한 증착 방법과 상용성을 갖도록 변형될 수 있다. 예를 들면, 분지형 또는 비분지형, 바람직하게는 3개 이상의 탄소를 포함하는 알킬 및 아릴기와 같은 치환기는 소분자에 사용되어 이의 용액 가공 처리 능력을 향상시킬 수 있다. 20개 이상의 탄소를 갖는 치환기를 사용할 수 있으며, 3개 내지 20개의 탄소가 바람직한 범위이다. 비대칭 물질은 더 낮은 재결정화 경향성을 가질 수 있기 때문에, 비대칭 구조를 갖는 물질은 대칭 구조를 갖는 물질보다 더 우수한 용액 가공성을 가질 수 있다. 덴드리머 치환기를 사용하여 소분자의 용액 가공 처리 능력을 향상시킬 수 있다.
본 개시내용의 실시양태에 따라 제작된 디바이스는 배리어층을 임의로 더 포함할 수 있다. 배리어층의 한 목적은 전극 및 유기층이 수분, 증기 및/또는 기체 등을 포함하는 환경에서 유해한 종에 대한 노출로 인하여 손상되지 않도록 보호하는 것이다. 배리어층은 엣지를 포함하는 디바이스의 임의의 기타 부분의 위에서, 전극 또는, 기판의 위에서, 아래에서 또는 옆에서 증착될 수 있다. 배리어층은 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다. 배리어층은 다양한 공지의 화학 기상 증착 기법에 의하여 형성될 수 있으며 복수의 상을 갖는 조성뿐 아니라 단일 상을 갖는 조성을 포함할 수 있다. 임의의 적합한 물질 또는 물질의 조합을 배리어층에 사용할 수 있다. 배리어층은 무기 또는 유기 화합물 또는 둘 다를 포함할 수 있다. 바람직한 배리어층은 미국특허 제7,968,146호, PCT 특허출원번호 PCT/US2007/023098 및 PCT/US2009/042829에 기재된 바와 같은 중합체 물질 및 비-중합체 물질의 혼합물을 포함하며, 이들 문헌은 그 전문이 인용에 의해 본원에 포함된다. "혼합물"로 간주되기 위해, 배리어층을 포함하는 전술한 중합체 및 비-중합체 물질은 동일한 반응 조건 하에서 및/또는 동일한 시간에 증착되어야만 한다. 중합체 대 비-중합체 물질의 중량비는 95:5 내지 5:95 범위 내일 수 있다. 중합체 및 비-중합체 물질은 동일한 전구체 물질로부터 생성될 수 있다. 한 예에서, 중합체 및 비-중합체 물질의 혼합물은 본질적으로 중합체 규소 및 무기 규소로 이루어진다.
본 개시내용의 실시양태에 따라 제작된 디바이스는 다양한 전자 제품 또는 중간 부품 내에 포함될 수 있는 광범위하게 다양한 전자 부품 모듈(또는 유닛) 내에 포함될 수 있다. 이러한 전자 제품 또는 중간 부품의 예는 최종 소비자 제품 생산자에 의해 사용될 수 있는 디스플레이 스크린, 발광 디바이스, 예컨대 개별 광원 디바이스 또는 조명 패널 등을 포함한다. 이러한 전자 부품 모듈은 임의로 구동 전자 장치 및/또는 동력원(들)을 포함할 수 있다. 본 개시내용의 실시양태에 따라 제작된 디바이스는 하나 이상의 전자 부품 모듈(또는 유닛)을 그 안에 포함하는 광범위하게 다양한 소비자 제품 내에 포함될 수 있다. OLED 내 유기층에 본 개시내용의 화합물을 포함하는 OLED를 포함하는 소비자 제품이 개시된다. 이러한 소비자 제품은 하나 이상의 광원(들) 및/또는 하나 이상의 어떤 종류의 영상 디스플레이를 포함하는 임의 종류의 제품을 포함할 것이다. 이러한 소비자 제품의 몇몇 예로는 평면 패널 디스플레이, 곡면 디스플레이, 컴퓨터 모니터, 의료용 모니터, 텔레비젼, 광고판, 실내 또는 실외 조명 및/또는 신호용 라이트, 헤드업 디스플레이, 완전 또는 부분 투명 디스플레이, 플렉시블 디스플레이, 롤러블 디스플레이, 폴더블 디스플레이, 스트레처블 디스플레이, 레이저 프린터, 전화기, 휴대폰, 태블릿, 패블릿, 개인용 정보 단말기(PDA), 웨어러블 디바이스, 랩톱 컴퓨터, 디지털 카메라, 캠코더, 뷰파인더, 마이크로 디스플레이(대각선이 2인치 미만인 디스플레이), 3D 디스플레이, 가상 현실 또는 증강 현실 디스플레이, 차량, 함께 타일링된 다중 디스플레이를 포함하는 비디오 월, 극장 또는 스타디움 스크린, 광요법 디바이스, 및 간판이 있다. 패시브 매트릭스 및 액티브 매트릭스를 비롯한 다양한 조절 메카니즘을 사용하여 본 개시내용에 따라 제작된 디바이스를 조절할 수 있다. 다수의 디바이스는 사람에게 안락감을 주는 온도 범위, 예컨대 18℃ 내지 30℃, 더욱 바람직하게는 실온(20℃ 내지 25℃)에서 사용하고자 하지만, 상기 온도 범위 밖의 온도, 예컨대 -40℃ 내지 +80℃에서도 사용될 수 있다.
OLED에 대한 더욱 상세한 내용 및 전술한 정의는, 미국특허 제7,279,704호에서 찾을 수 있으며, 이의 전문은 인용에 의해 본원에 포함된다.
본원에 기재된 물질 및 구조는 OLED 이외의 디바이스에서의 적용예를 가질 수 있다. 예를 들면, 기타의 광전자 디바이스, 예컨대 유기 태양 전지 및 유기 광검출기는 상기 물질 및 구조를 사용할 수 있다. 보다 일반적으로, 유기 디바이스, 예컨대 유기 트랜지스터는 상기 물질 및 구조를 사용할 수 있다.
일부 실시양태에서, OLED는 플렉시블, 롤러블, 폴더블, 스트레처블 및 곡면 특성으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 특성을 갖는다. 일부 실시양태에서, OLED는 투명 또는 반투명하다. 일부 실시양태에서, OLED는 탄소 나노튜브를 포함하는 층을 더 포함한다.
일부 실시양태에서, OLED는 지연 형광 이미터를 포함하는 층을 더 포함한다. 일부 실시양태에서, OLED는 RGB 픽셀 배열, 또는 화이트 플러스 컬러 필터 픽셀 배열을 포함한다. 일부 실시양태에서, OLED는 모바일 디바이스, 핸드 헬드 디바이스, 또는 웨어러블 디바이스이다. 일부 실시양태에서, OLED는 대각선이 10 인치 미만이거나 면적이 50 제곱인치 미만인 디스플레이 패널이다. 일부 실시양태에서, OLED는 대각선이 10 인치 이상이거나 면적이 50 제곱인치 이상인 디스플레이 패널이다. 일부 실시양태에서, OLED는 조명 패널이다.
일부 실시양태에서, 상기 화합물은 발광 도펀트일 수 있다. 일부 실시양태에서, 상기 화합물은 인광, 형광, 열 활성화 지연 형광, 즉, TADF(또한 E형 지연 형광으로도 지칭됨; 예를 들면 그 전문이 인용에 의해 본원에 포함되는 미국특허출원 제15/700,352호를 참조함), 삼중항-삼중항 소멸 또는 이들 과정의 조합을 통해 발광을 생성할 수 있다. 일부 실시양태에서, 발광 도펀트는 라세믹 혼합물일 수 있거나, 또는 하나의 거울상 이성질체가 농후할 수 있다. 일부 실시양태에서, 화합물은 동종리간드성(각 리간드가 동일)일 수 있다. 일부 실시양태에서, 화합물은 이종리간드성(적어도 하나의 리간드가 나머지와 상이)일 수 있다. 금속에 배위된 하나 초과의 리간드가 존재하는 경우, 리간드는 일부 실시양태에서 모두 동일할 수 있다. 일부 다른 실시양태에서는, 적어도 하나 리간드가 나머지 리간드와 상이하다. 일부 실시양태에서는, 모든 리간드가 서로 상이할 수 있다. 이것은 또한, 금속에 배위된 리간드가 그 금속에 배위된 다른 리간드와 연결되어 3좌, 4좌, 5좌, 또는 6좌 리간드를 형성할 수 있는 실시양태의 경우에도 해당된다. 따라서, 배위 리간드들이 함께 연결되는 경우, 모든 리간드가 일부 실시양태에서 동일할 수 있고, 연결되는 리간드 중 적어도 하나는 일부 다른 실시양태의 경우에 나머지 리간드(들)와 상이할 수 있다.
일부 실시양태에서, 화합물은 OLED에서 인광성 증감제로서 사용될 수 있고, 이때 OLED 내 하나 또는 복수의 층이 하나 이상의 형광 및/또는 지연 형광 이미터 형태의 억셉터를 함유한다. 일부 실시양태에서, 화합물은 증감제로서 사용되는 엑시플렉스의 하나의 성분으로서 사용될 수 있다. 인광성 증감제로서, 화합물은 억셉터로 에너지를 전달할 수 있어야 하고 억셉터는 에너지를 방출하거나 추가로 최종 이미터로 에너지를 전달한다. 억셉터 농도는 0.001% 내지 100%의 범위일 수 있다. 억셉터는 인광성 증감제와 동일한 층 또는 하나 이상의 상이한 층에 있을 수 있다. 일부 실시양태에서, 억셉터는 TADF 이미터이다. 일부 실시양태에서, 억셉터는 형광 이미터이다. 일부 실시양태에서, 발광은 증감제, 억셉터 및 최종 이미터 중 어느 것 또는 전부로부터 일어날 수 있다.
다른 양태에 따르면, 본원에 기재된 화합물을 포함하는 배합물이 또한 개시되어 있다.
본원에 개시된 OLED는 소비자 제품, 전자 부품 모듈 및 조명 패널 중 하나 이상에 포함될 수 있다. 유기층은 발광층일 수 있고, 상기 화합물은 일부 실시양태에서 발광 도펀트일 수 있고, 한편 상기 화합물은 다른 실시양태에서 비발광 도펀트일 수 있다.
본 개시내용의 또 하나의 다른 양태에서는, 본원에 개시된 신규 화합물을 포함하는 배합물이 기재된다. 배합물은 본원에 개시된 용매, 호스트, 정공 주입 물질, 정공 수송 물질, 전자 차단 물질, 정공 차단 물질, 및 전자 수송 물질로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상의 성분을 포함할 수 있다.
본 개시내용은 본 개시내용의 신규 화합물, 또는 이의 1가 또는 다가 변형체를 포함하는 임의의 화학 구조를 포함한다. 즉, 본 발명의 화합물, 또는 이의 1가 또는 다가 변형체는 더 큰 화학 구조의 일부일 수 있다. 그러한 화학 구조는 단량체, 중합체, 거대분자 및 초분자(초거대분자로도 알려짐)로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 본원에 사용된 바와 같이, "화합물의 1가 변형체"는 하나의 수소가 제거되고 나머지 화학 구조에 대한 결합으로 대체된 것을 제외하고는 화합물과 동일한 모이어티를 나타낸다. 본원에 사용된 바와 같이, "화합물의 다가 변형체"는 하나 초과의 수소가 제거되고 나머지 화학 구조에 대한 결합 또는 결합들로 대체된 것을 제외하고는 화합물과 동일한 모이어티를 나타낸다. 초분자의 경우, 본 발명의 화합물은 또한 공유 결합 없이 초분자 착물에 혼입될 수도 있다.
D.
본 개시내용의 화합물과 다른 물질의 조합
유기 발광 디바이스에서 특정 층에 대하여 유용한 것으로 본원에 기재된 물질은 디바이스에 존재하는 매우 다양한 기타 물질과의 조합으로 사용될 수 있다. 예를 들면, 본원에 개시된 발광 도펀트는 매우 다양한 호스트, 수송층, 차단층, 주입층, 전극 및 존재할 수 있는 기타 층과 결합되어 사용될 수 있다. 하기에 기재되거나 또는 언급된 물질은 본원에 개시된 화합물과의 조합에 유용할 수 있는 물질의 비제한적인 예시이며, 당업자는 조합에 유용할 수 있는 기타 물질을 식별하기 위해 문헌을 용이하게 참조할 수 있다.
a)
전도성 도펀트:
전하 수송층은 전도성 도펀트로 도핑되어 이의 전하 캐리어 밀도를 실질적으로 변화시킬 수 있고, 이는 결과적으로 이의 전도성을 변화시킬 것이다. 전도성은 매트릭스 물질에서 전하 캐리어를 생성시킴으로써 증가되며, 도펀트의 유형에 따라, 반도체의 페르미 준위에서의 변화가 또한 달성될 수 있다. 정공 수송층은 p형 전도성 도펀트로 도핑될 수 있고 n형 전도성 도펀트는 전자 수송층에서 사용된다.
본원에 개시된 물질과의 조합으로 OLED에서 사용될 수 있는 전도성 도펀트의 비제한적인 예시는 그 물질들을 개시하는 참조문헌과 함께 하기에 예시되어 있다: EP01617493, EP01968131, EP2020694, EP2684932, US20050139810, US20070160905, US20090167167, US2010288362, WO06081780, WO2009003455, WO2009008277, WO2009011327, WO2014009310, US2007252140, US2015060804, US20150123047, 및 US2012146012.
b) HIL/HTL:
본 개시내용에서 사용하고자 하는 정공 주입/수송 물질은 특정하게 제한되지 않으며, 통상적으로 정공 주입/수송 물질로서 사용되는 한 임의의 화합물을 사용할 수 있다. 물질의 비제한적인 예로는 프탈로시아닌 또는 포르피린 유도체; 방향족 아민 유도체; 인돌로카르바졸 유도체; 플루오로히드로카본을 포함하는 중합체; 전도성 도펀트를 갖는 중합체; 전도성 중합체, 예컨대 PEDOT/PSS; 포스폰산 및 실란 유도체와 같은 화합물로부터 유도된 자체조립 단량체; 금속 산화물 유도체, 예컨대 MoOx; p-형 반도체 유기 화합물, 예컨대 1,4,5,8,9,12-헥사아자트리페닐렌헥사카르보니트릴; 금속 착물 및 가교성 화합물을 들 수 있다.
HIL 또는 HTL에 사용된 방향족 아민 유도체의 비제한적인 예로는 하기 구조식을 들 수 있다:
각각의 Ar1 내지 Ar9는 벤젠, 비페닐, 트리페닐, 트리페닐렌, 나프탈렌, 안트라센, 페날렌, 페난트렌, 플루오렌, 피렌, 크리센, 페릴렌 및 아줄렌과 같은 방향족 탄화수소 시클릭 화합물로 이루어진 군; 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 푸란, 티오펜, 벤조푸란, 벤조티오펜, 벤조셀레노펜, 카르바졸, 인돌로카르바졸, 피리딜인돌, 피롤로디피리딘, 피라졸, 이미다졸, 트리아졸, 옥사졸, 티아졸, 옥사디아졸, 옥사트리아졸, 디옥사졸, 티아디아졸, 피리딘, 피리다진, 피리미딘, 피라진, 트리아진, 옥사진, 옥사티아진, 옥사디아진, 인돌, 벤즈이미다졸, 인다졸, 인독사진, 벤즈옥사졸, 벤즈이속사졸, 벤조티아졸, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 신놀린, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 나프티리딘, 프탈라진, 프테리딘, 크산텐, 아크리딘, 페나진, 페노티아진, 페녹사진, 벤조푸로피리딘, 푸로디피리딘, 벤조티에노피리딘, 티에노디피리딘, 벤조셀레노페노피리딘 및 셀레노페노디피리딘과 같은 방향족 헤테로시클릭 화합물로 이루어진 군; 및 방향족 탄화수소 시클릭 기 및 방향족 헤테로시클릭 기로부터 선택된 동일한 유형 또는 상이한 유형의 군이며 산소 원자, 질소 원자, 황 원자, 규소 원자, 인 원자, 붕소 원자, 쇄 구조 단위 및 지방족 시클릭 기 중 하나 이상을 통해 결합되거나 서로 직접 결합되는 2 내지 10개의 시클릭 구조 단위로 이루어진 군으로부터 선택된다. 각각의 Ar은 비치환될 수 있거나, 또는 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 헤테로시클로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르복실산, 에테르, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기로 치환될 수 있다.
한 양태에서, Ar1 내지 Ar9은 독립적으로 하기 화학식으로 이루어진 군으로부터 선택된다:
여기서 k는 1 내지 20의 정수이며; X101 내지 X108은 C(CH 포함) 또는 N이고; Z101은 NAr1, O 또는 S이고; Ar1은 상기 정의된 바와 동일한 기를 가진다.
HIL 또는 HTL에 사용된 금속 착물의 비제한적인 예는 하기 화학식을 들 수 있다:
여기서 Met는 금속이며, 40 초과의 원자량을 가질 수 있고; (Y101-Y102)는 2좌 리간드이고, Y101 및 Y102는 독립적으로 C, N, O, P 및 S로부터 선택되며; L101은 보조적 리간드이며; k'는 1 내지 금속에 부착될 수 있는 리간드 최대수의 정수값이고; k'+k"는 금속에 부착될 수 있는 리간드 최대수이다.
한 양태에서, (Y101-Y102)는 2-페닐피리딘 유도체이다. 또 다른 양태에서, (Y101-Y102)는 카르벤 리간드이다. 또 다른 양태에서, Met는 Ir, Pt, Os 및 Zn로부터 선택된다. 추가 양태에서, 금속 착물은 약 0.6 V 미만의 용액 중의 최소 산화 전위 대 Fc+/Fc 커플을 가진다.
본원에 개시된 물질과의 조합으로 OLED에서 사용될 수 있는 HIL 및 HTL 물질의 비제한적인 예시는 그 물질들을 개시하는 참조문헌과 함께 하기에 예시되어 있다: CN102702075, DE102012005215, EP01624500, EP01698613, EP01806334, EP01930964, EP01972613, EP01997799, EP02011790, EP02055700, EP02055701, EP1725079, EP2085382, EP2660300, EP650955, JP07-073529, JP2005112765, JP2007091719, JP2008021687, JP2014-009196, KR20110088898, KR20130077473, TW201139402, US06517957, US20020158242, US20030162053, US20050123751, US20060182993, US20060240279, US20070145888, US20070181874, US20070278938, US20080014464, US20080091025, US20080106190, US20080124572, US20080145707, US20080220265, US20080233434, US20080303417, US2008107919, US20090115320, US20090167161, US2009066235, US2011007385, US20110163302, US2011240968, US2011278551, US2012205642, US2013241401, US20140117329, US2014183517, US5061569, US5639914, WO05075451, WO07125714, WO08023550, WO08023759, WO2009145016, WO2010061824, WO2011075644, WO2012177006, WO2013018530, WO2013039073, WO2013087142, WO2013118812, WO2013120577, WO2013157367, WO2013175747, WO2014002873, WO2014015935, WO2014015937, WO2014030872, WO2014030921, WO2014034791, WO2014104514, WO2014157018.
c)
EBL:
전자 차단층(EBL)은 발광층을 떠나는 전자 및/또는 엑시톤의 수를 감소시키기 위해 사용될 수 있다. 디바이스 내의 이러한 차단층의 존재는 차단층이 없는 유사한 디바이스와 비교했을 때 상당히 더 높은 효율 및/또는 더 긴 수명을 유도할 수 있다. 또한, 차단층은 OLED의 원하는 영역에 발광을 국한시키기 위해 사용될 수 있다. 일부 실시양태에서, EBL 물질은 EBL 계면에 가장 가까운 이미터보다 더 높은 LUMO(진공 준위에 보다 가까움) 및/또는 더 높은 삼중항 에너지를 갖는다. 일부 실시양태에서, EBL 물질은 EBL 계면에 가장 가까운 호스트들 중 하나 이상보다 더 높은 LUMO(진공 준위에 보다 가까움) 및/또는 더 높은 삼중항 에너지를 갖는다. 한 양태에서, EBL에 사용되는 화합물은 이하에 기재된 호스트들 중 하나와 동일한 사용 분자 또는 작용기를 함유한다.
d)
호스트:
본 개시내용의 유기 EL 디바이스의 발광층은 바람직하게는 발광 물질로서 적어도 금속 착물을 포함하며, 도펀트 물질로서 금속 착물을 사용하는 호스트 물질을 포함할 수 있다. 호스트 물질의 예는 특별히 제한되지 않으며, 임의의 금속 착물 또는 유기 화합물은 호스트의 삼중항 에너지가 도펀트의 삼중항 에너지보다 더 크기만 하다면 사용될 수 있다. 삼중항 기준을 충족하는 한, 임의의 호스트 물질이 임의의 도펀트와 함께 사용될 수 있다.
호스트로서 사용되는 금속 착물의 예는 하기 화학식을 갖는 것이 바람직하다:
여기서 Met는 금속이고; (Y103-Y104)는 2좌 리간드이고, Y103 및 Y104는 독립적으로 C, N, O, P 및 S로부터 선택되며; L101은 또 다른 리간드이며; k'는 1 내지 금속에 부착될 수 있는 리간드의 최대 수의 정수값이고; k'+k"는 금속에 부착될 수 있는 리간드의 최대 수이다.
또 다른 양태에서, Met는 Ir 및 Pt로부터 선택된다. 추가 양태에서, (Y103-Y104)는 카르벤 리간드이다.
일 양태에서, 호스트 화합물은 방향족 탄화수소 시클릭 화합물, 예컨대 벤젠, 비페닐, 트리페닐, 트리페닐렌, 테트라페닐렌, 나프탈렌, 안트라센, 페날렌, 페난트렌, 플루오렌, 피렌, 크리센, 페릴렌 및 아줄렌으로 이루어진 군; 방향족 헤테로시클릭 화합물, 예컨대 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 푸란, 티오펜, 벤조푸란, 벤조티오펜, 벤조셀레노펜, 카르바졸, 인돌로카르바졸, 피리딜인돌, 피롤로디피리딘, 피라졸, 이미다졸, 트리아졸, 옥사졸, 티아졸, 옥사디아졸, 옥사트리아졸, 디옥사졸, 티아디아졸, 피리딘, 피리다진, 피리미딘, 피라진, 트리아진, 옥사진, 옥사티아진, 옥사디아진, 인돌, 벤즈이미다졸, 인다졸, 인독사진, 벤즈옥사졸, 벤즈이속사졸, 벤조티아졸, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 신놀린, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 나프티리딘, 프탈라진, 프테리딘, 크산텐, 아크리딘, 페나진, 페노티아진, 페녹사진, 벤조푸로피리딘, 푸로디피리딘, 벤조티에노피리딘, 티에노디피리딘, 벤조셀레노페노피리딘 및 셀레노페노디피리딘으로 이루어진 군; 및 방향족 탄화수소 시클릭 기 및 방향족 헤테로시클릭 기로부터 선택된 동일한 유형 또는 상이한 유형의 기이며 산소 원자, 질소 원자, 황 원자, 규소 원자, 인 원자, 붕소 원자, 쇄 구조 단위 및 지방족 시클릭 기 중 하나 이상을 통해 결합되거나 서로 직접 결합되는 2 내지 10개의 시클릭 구조 단위로 이루어진 군으로부터 선택된 군 중 적어도 하나를 함유한다. 각각의 기 내의 각 선택지는 비치환될 수 있거나 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 헤테로시클로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르복실산, 에테르, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기로 치환될 수 있다.
한 양태에서, 호스트 화합물은 분자에 하기 기들 중 하나 이상을 함유한다:
여기서 R101은 수소, 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 헤테로시클로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르복실산, 에테르, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되며, 아릴 또는 헤테로아릴인 경우, 상기 기술한 Ar과 유사한 정의를 갖는다. k는 0 내지 20 또는 1 내지 20의 정수이다. X101 내지 X108은 독립적으로 C(CH 포함) 또는 N으로부터 선택된다. Z101 및 Z102는 독립적으로 NR101, O 또는 S로부터 선택된다.
본원에 개시된 물질과의 조합으로 OLED에서 사용될 수 있는 호스트 물질의 비제한적인 예시는 그 물질들을 개시하는 참조문헌과 함께 하기에 예시되어 있다: EP2034538, EP2034538A, EP2757608, JP2007254297, KR20100079458, KR20120088644, KR20120129733, KR20130115564, TW201329200, US20030175553, US20050238919, US20060280965, US20090017330, US20090030202, US20090167162, US20090302743, US20090309488, US20100012931, US20100084966, US20100187984, US2010187984, US2012075273, US2012126221, US2013009543, US2013105787, US2013175519, US2014001446, US20140183503, US20140225088, US2014034914, US7154114, WO2001039234, WO2004093207, WO2005014551, WO2005089025, WO2006072002, WO2006114966, WO2007063754, WO2008056746, WO2009003898, WO2009021126, WO2009063833, WO2009066778, WO2009066779, WO2009086028, WO2010056066, WO2010107244, WO2011081423, WO2011081431, WO2011086863, WO2012128298, WO2012133644, WO2012133649, WO2013024872, WO2013035275, WO2013081315, WO2013191404, WO2014142472, US20170263869, US20160163995, US9466803,
e)
추가의
이미터:
하나 이상의 추가의 이미터 도펀트가 본 개시내용의 화합물과 결합하여 사용될 수 있다. 추가의 이미터 도펀트의 예는 특별히 한정되지 않으며, 이미터 물질로서 전형적으로 사용되는 한 임의의 화합물이 사용될 수 있다. 적합한 이미터 물질의 예는, 인광, 형광, 열 활성화 지연 형광, 즉, TADF(또한 E형 지연 형광으로도 지칭됨), 삼중항-삼중항 소멸 또는 이들 과정의 조합을 통해 발광을 일으킬 수 있는 화합물을 포함하지만, 이에 제한되지 않는다.
본원에 개시된 물질과의 조합으로 OLED에 사용될 수 있는 이미터 물질의 비제한적인 예시는 그 물질들을 개시하는 참조문헌과 함께 하기에 예시되어 있다: CN103694277, CN1696137, EB01238981, EP01239526, EP01961743, EP1239526, EP1244155, EP1642951, EP1647554, EP1841834, EP1841834B, EP2062907, EP2730583, JP2012074444, JP2013110263, JP4478555, KR1020090133652, KR20120032054, KR20130043460, TW201332980, US06699599, US06916554, US20010019782, US20020034656, US20030068526, US20030072964, US20030138657, US20050123788, US20050244673, US2005123791, US2005260449, US20060008670, US20060065890, US20060127696, US20060134459, US20060134462, US20060202194, US20060251923, US20070034863, US20070087321, US20070103060, US20070111026, US20070190359, US20070231600, US2007034863, US2007104979, US2007104980, US2007138437, US2007224450, US2007278936, US20080020237, US20080233410, US20080261076, US20080297033, US200805851, US2008161567, US2008210930, US20090039776, US20090108737, US20090115322, US20090179555, US2009085476, US2009104472, US20100090591, US20100148663, US20100244004, US20100295032, US2010102716, US2010105902, US2010244004, US2010270916, US20110057559, US20110108822, US20110204333, US2011215710, US2011227049, US2011285275, US2012292601, US20130146848, US2013033172, US2013165653, US2013181190, US2013334521, US20140246656, US2014103305, US6303238, US6413656, US6653654, US6670645, US6687266, US6835469, US6921915, US7279704, US7332232, US7378162, US7534505, US7675228, US7728137, US7740957, US7759489, US7951947, US8067099, US8592586, US8871361, WO06081973, WO06121811, WO07018067, WO07108362, WO07115970, WO07115981, WO08035571, WO2002015645, WO2003040257, WO2005019373, WO2006056418, WO2008054584, WO2008078800, WO2008096609, WO2008101842, WO2009000673, WO2009050281, WO2009100991, WO2010028151, WO2010054731, WO2010086089, WO2010118029, WO2011044988, WO2011051404, WO2011107491, WO2012020327, WO2012163471, WO2013094620, WO2013107487, WO2013174471, WO2014007565, WO2014008982, WO2014023377, WO2014024131, WO2014031977, WO2014038456, WO2014112450.
f)
HBL:
정공 차단층(HBL)은 발광층을 떠나는 정공 및/또는 엑시톤의 수를 감소시키기 위해 사용될 수 있다. 디바이스 내의 이러한 차단층의 존재는 차단층이 없는 유사한 디바이스와 비교했을 때 상당히 더 높은 효율 및/또는 더 긴 수명을 유도할 수 있다. 또한, 차단층은 OLED의 원하는 영역에 발광을 국한시키기 위해 사용될 수 있다. 일부 실시양태에서, HBL 물질은 HBL 계면에 가장 가까운 이미터보다 더 낮은 HOMO(진공 준위로부터 보다 먼) 및/또는 더 높은 삼중항 에너지를 갖는다. 일부 실시양태에서, HBL 물질은 HBL 계면에 가장 가까운 호스트들 중 하나 이상보다 더 낮은 HOMO(진공 준위로부터 보다 먼) 및/또는 더 높은 삼중항 에너지를 갖는다.
한 양태에서, HBL에 사용되는 화합물은 전술한 호스트와 동일한 사용 분자 또는 작용기를 함유한다.
또 다른 양태에서, HBL에 사용되는 화합물은 분자에 하기 기들 중 하나 이상을 함유한다:
여기서 k는 1 내지 20의 정수이며; L101은 또 다른 리간드이고, k'은 1 내지 3의 정수이다.
g)
ETL:
전자 수송층(ETL)은 전자를 수송할 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 전자 수송층은 고유하거나(도핑되지 않음) 또는 도핑될 수 있다. 도핑은 전도성을 향상시키는데 사용될 수 있다. ETL 물질의 예는 특별히 제한되지는 않으며, 통상적으로 전자를 수송하는데 사용되는 한 임의의 금속 착물 또는 유기 화합물이 사용될 수 있다.
한 양태에서, ETL에 사용되는 화합물은 분자에서 하기 기 중 하나 이상을 포함한다:
여기서 R101은 수소, 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 헤테로시클로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르복실산, 에테르, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되며, 아릴 또는 헤테로아릴인 경우, 상기 기술한 Ar과 유사한 정의를 가진다. Ar1 내지 Ar3는 상기 기술한 Ar과 유사한 정의를 가진다. k는 1 내지 20의 정수이다. X101 내지 X108은 C(CH 포함) 또는 N으로부터 선택된다.
또 다른 양태에서, ETL에 사용되는 금속 착물은 하기 화학식을 포함하나, 이에 제한되지 않는다:
여기서 (O-N) 또는 (N-N)은 원자 O, N 또는 N, N에 배위된 금속을 갖는 2좌 리간드이며; L101은 또 다른 리간드이며; k'은 1 내지 금속이 부착될 수 있는 리간드의 최대 수인 정수 값이다.
본원에 개시된 물질과의 조합으로 OLED에서 사용될 수 있는 ETL 물질의 비제한적인 예는, 그 물질들을 개시하는 참조문헌과 함께 하기에 예시되어 있다: CN103508940, EP01602648, EP01734038, EP01956007, JP2004-022334, JP2005149918, JP2005-268199, KR0117693, KR20130108183, US20040036077, US20070104977, US2007018155, US20090101870, US20090115316, US20090140637, US20090179554, US2009218940, US2010108990, US2011156017, US2011210320, US2012193612, US2012214993, US2014014925, US2014014927, US20140284580, US6656612, US8415031, WO2003060956, WO2007111263, WO2009148269, WO2010067894, WO2010072300, WO2011074770, WO2011105373, WO2013079217, WO2013145667, WO2013180376, WO2014104499, WO2014104535,
h)
전하 생성층(CGL):
탠덤형(tandem) 또는 적층형 OLED에서, CGL은 성능 면에서 필수적인 역할을 수행하며, 이는 각각 전자와 정공을 주입하기 위한 n-도핑된 층 및 p-도핑된 층으로 이루어진다. 전자와 정공은 CGL 및 전극으로부터 공급된다. CGL에서 소모된 전자와 정공은 각각 캐소드와 애노드로부터 주입된 전자와 정공에 의해 다시 채워지며; 그 후, 바이폴라 전류가 점차적으로 정상 상태에 도달한다. 통상의 CGL 물질은 수송층에서 사용되는 n 및 p 전도성 도펀트를 포함한다.
OLED 디바이스의 각 층에서 사용되는 임의의 상기 언급한 화합물들에서, 수소 원자는 부분적으로 또는 완전하게 중수소화될 수 있다. 중수소화되는 화합물의 최소 수소량은 30%, 40%, 50%, 60%, 70%, 80%, 90%, 95%, 99% 및 100%로 이루어진 군으로부터 선택된다. 따라서, 임의의 구체적으로 열거된 치환기, 예컨대, 비제한적으로, 메틸, 페닐, 피리딜 등은 이의 비중수소화, 부분 중수소화 및 완전 중수소화된 형태일 수 있다. 마찬가지로, 치환기 유형, 예컨대, 비제한적으로, 알킬, 아릴, 시클로알킬, 헤테로아릴 등은 또한 이의 비중수소화, 부분 중수소화 및 완전 중수소화된 형태일 수 있다.
본원에 기재된 다양한 실시양태는 단지 예시이며, 본 발명의 범위를 한정하려는 것이 아님을 이해해야 한다. 예를 들어, 본원에 기재된 다수의 물질 및 구조는 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않으면서 다른 물질 및 구조로 대체될 수 있다. 따라서, 특허 청구된 본 발명은 당업자에게 명백한 바와 같이, 본원에 기재된 특정 실시예 및 바람직한 실시양태로부터 유래하는 변형예를 포함할 수도 있다. 본 발명이 왜 효과가 있는지에 관한 다양한 이론을 한정하려는 의도는 없음을 이해하여야 한다.
E.
본 개시내용의 실험 섹션
a) 예시 화합물의 제조
건조된 250 mL 2구 둥근 바닥 플라스크에, N2 하에서 4-클로로-1H-이미다조[4,5-c]피리딘(2 g, 13.02 mmol) 및 무수 THF(85 mL)를 충전하고, 용액을 0℃로 냉각시켰다. NaH(미네랄 오일 중 60%, 0.677 g, 16.9 mmol)를 용액에 첨가하고 반응물을 0℃에서 30분 동안 교반했다. 용액에 (2-(클로로메톡시)에틸)트리메틸실란(3 mL, 16.9 mmol)을 첨가하고, 반응물을 4시간에 걸쳐 RT가 되도록 하였다. 주황색 용액을 수성 NH4Cl로 켄칭하고, 50 mL DCM으로 희석하고 추출했다. 수성 층을 50 mL DCM으로 2회 추출하고 합한 유기물을 염수로 세척하고, Na2SO4로 건조하고, 여과하고, 진공 하에 농축했다. 황색 잔류물을 EtOAc에 용해하고 100% EtOAc로 전처리된 220 g SiO2 컬럼에 습식 로딩했다. 생성물 4-클로로-1-((2-(트리메틸실릴)에톡시)메틸)-1H-이미다조[4,5-c]피리딘을, 100% EtOAc를 사용하여 용출하고 생성물 분획을 농축하여 황색 오일을 얻었다(2.897 g, 78% 수율).
100 mL Schlenk 플라스크에, 4-클로로-1-((2-(트리메틸실릴)에톡시)메틸)-1H-이미다조[4,5-c]피리딘(2.897 g, 10.21 mmol), 2-(4-(tert-부틸)나프탈렌-2-일)-4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보롤란(3.80 g, 12.25 mmol), Pd(PPh3)4(0.590 g, 0.510 mmol), 탄산칼륨(4.23 g, 30.6 mmol), 디옥산(30 mL) 및 물(10 mL)을 충전했다. 혼합물에 10분 동안 N2를 살포하고 반응물을 2시간 동안 100℃로 가열했는데, 이 시점에서 GCMS는 95% 전환율을 보였다. 반응물을 RT로 냉각시키고 150 mL EtOAc/물(1:1)로 희석하고 층을 분리했다. 수성 층을 2 x 100 mL EtOAc로 추출하고, 합한 유기물을 염수로 세척하고, Na2SO4로 건조하고, 여과하고, 진공 하에 농축했다. 잔류물을 셀라이트에 로딩하고 헵탄 중 30-40% EtOAc를 포함하는 1x220 g 및 1x330 g SiO2 컬럼을 통해 용출시켰다. 생성물 4-(4-(tert-부틸)나프탈렌-2-일)-1-((2-(트리메틸실릴)에톡시)메틸)-1H-이미다조[4,5-c]피리딘을 함유하는 분획을 농축하여 백색 고체를 얻었다(3.478 g, 79% 수율).
250 mL RBF를 진공 하에 건조시키고 여기에 4-(4-(tert-부틸)나프탈렌-2-일)-1-((2-(트리메틸실릴)에톡시)메틸)-1H-이미다조[4,5-c]피리딘(3.478 g, 8.06 mmol) 및 무수 THF(40 mL)를 충전하고 -78℃로 냉각시켰다. n-부틸리튬(헥산 중 1.6 M, 6 mL, 9.67 mmol)을 천천히 첨가하여 암적색 용액을 얻었다. 0.5시간 후, THF 중 디요오드 용액(2.454 g, 2 mL 무수 THF 중 9.67 mmol)을 반응물에 적가하고 반응물을 밤새 RT가 되도록 하였다. 혼합물을 수성 NaHCO3 및 Na2S2O3으로 켄칭하고 100 mL 1:1 EtOAc/물로 희석했다. 층을 분리하고 수성 층을 2x 75 mL EtOAc로 추출했다. 합한 유기물을 염수로 세척하고 Na2SO4로 건조하고 여과하고 진공 하에 농축했다. 잔류물을 헵탄 중 15% EtOAc에 용해시키고 헵탄 중 15% EtOAc로 전처리된 1x220 g 및 1x330 g SiO2 컬럼에 로딩했다. 생성물을 헵탄 중 15-25% EtOAc로 용출하고 생성물 4-(4-(tert-부틸)나프탈렌-2-일)-2-요오도-1-((2-(트리메틸실릴)에톡시)메틸)-1H-이미다조[4,5-c]피리딘을 함유하는 분획을 농축하여 백색 고체를 얻었다(3.533 g, 79% 수율).
격벽이 장착된 2 L 둥근 바닥 플라스크에, 톨루엔(300 mL), 물(200 mL) 및 에탄올(100 mL)을 첨가하고 25분 동안 질소로 격렬하게 버블링했다. 2,2'-디브로모비페닐(37.1 g, 117 mmol), (2-플루오로페닐)보론산(10.4 g, 72.8 mmol), 탄산칼륨(24.6 g, 177 mmol), 및 Pd(PPh3)4(4.29 g, 3.64 mmol)를 한번에 함께 첨가했다. 플라스크의 헤드스페이스를 3분 동안 질소로 퍼징하고, N2 벌룬을 부착하고, 반응 혼합물을 예열된 유조에서 85℃에서 17시간 동안 격렬하게 교반했다. 흑색 반응 혼합물을 17시간 후에 냉각시켰다. 혼합물을 EtOAc(200 mL)로 희석하고 수성상 및 유기상을 분리했다. 수성상을 EtOAc(200 mL)로 추출했다. 합한 유기물을 염수(100 mL)로 세척하고 MgSO4로 건조시켰다. 추가의 18.6 g의 2,2'-디브로모비페닐을 사용하여 절차를 반복하고 그에 따라 나머지 시약 및 용매를 스케일링한 다음, MgSO4에서 합한 조 물질을 여과하고 다크 오일로 농축하여 실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 부분적으로 정제하여, 70% 순도(합산 수율 41%)의 생성물 2-브로모-2"-플루오로-1,1':2',1"-터페닐 21.0 g을 얻고, 이를 추가 정제 없이 다음 단계에 사용했다.
온도계 및 격벽이 장착된 1 L 3구 둥근 바닥 플라스크에서, 무수 THF(400 mL) 중 2-브로모-2"-플루오로-1,1':2',1"-터페닐(21.0 g, 44.9 mmol)의 용액을 질소 하에서 제조하고 드라이 아이스-아세톤 배쓰에서 -75℃(내부 온도)로 냉각시켰다. 이어서, 헵탄 중 2.73 M n-BuLi 용액(21 mL, 57.3 mmol)을 주사기를 통해 45분에 걸쳐 첨가했다. 동일한 온도에서 1시간 10분 동안 교반했다. 무수 THF(15 mL) 중 2-이소프로폭시-4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보롤란(13.0 mL, 60.5 mmol)의 용액을 25분에 걸쳐 주사기를 통해 첨가하면서, 여전히 드라이 아이스-아세톤 배쓰에서 냉각시켰다. 질소 양압 하에서 같은 온도에서 20분간 교반했다. 그런 다음 배쓰를 제거하고, 혼합물을 20℃로 빠르게 가온하고 전체 4시간 동안 추가로 교반했다. EtOAc(150 mL) 및 DI 물(150 mL)을 첨가하고, 잠시 교반한 후 상을 분리했다. 수성 층을 EtOAc(100 mL)로 추출하고, 합한 유기물을 염수(100 mL)로 세척하고 MgSO4로 건조시켰다. 건조제를 여과하고 여액을 45℃에서 진공 농축하여 황색 오일을 얻었고, 이를 실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 2-(2"-플루오로-[1,1':2',1"-터페닐]-2-일)-4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보롤란을 회백색 고체, 11.8 g(67%), 순도 93.3%로서 얻었다.
100 mL Schlenk 플라스크에, 4-(4-(tert-부틸)나프탈렌-2-일)-2-요오도-1-((2-(트리메틸실릴)에톡시)메틸)-1H-이미다조[4,5-c]피리딘(1.875 g, 3.36 mmol), 2-(2"-플루오로-[1,1':2',1"-터페닐]-2-일)-4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보롤란(2.142 g, 5.72 mmol), 인산칼륨(3.57 g, 16.81 mmol), 디옥산(63 mL) 및 물(21 mL)을 충전했다. 혼합물에 10분 동안 N2를 살포하고 XPhos Pd G2(0.265 g, 0.336 mmol)를 N2 하에서 첨가했다. 반응물을 1시간 동안 95℃로 가열하였고, 이 시점에서 LCMS는 완전한 전환을 보였다. 반응물을 RT으로 냉각시키고 200 mL 1:1 EtOAc/물로 희석하고, 층을 분리했다. 수성 층을 2x 100 mL EtOAc로 추출하고, 합한 유기물을 염수로 세척하고, Na2SO4로 건조하고, 여과하고, 진공 하에 농축했다. 잔류물을 헵탄 중 20% EtOAc에 용해시키고 헵탄 중 20% EtOAc로 전처리된 2x330 g SiO2 컬럼 상에 로딩하고 헵탄 중 20-25% EtOAc로 용출시켰다. 생성물 4-(4-(tert-부틸)나프탈렌-2-일)-2-(2"-플루오로-[1,1':2',1"-터페닐]-2-일)-1-((2-(트리메틸실릴)에톡시)메틸)-1H-이미다조[4,5-c]피리딘을 함유하는 분획을 농축하여 회백색 고체를 얻었다(0.917 g, 40.2% 수율).
100 mL 둥근 바닥 플라스크에, 4-(4-(tert-부틸)나프탈렌-2-일)-2-(2"-플루오로-[1,1':2',1"-터페닐]-2-일)-1-((2-(트리메틸실릴)에톡시)메틸)-1H-이미다조[4,5-c]피리딘(0.816 g, 1.204 mmol), 에탄올(18 mL) 및 물(18 mL)을 충전하고 교반했다. 진한 HCl(9 mL, 296 mmol)을 첨가하고 혼합물을 격렬하게 교반하고 밤새 100℃로 가열했다. TLC는 출발 물질의 전체 소비를 보여준다. 반응물을 RT로 냉각시켜 무색 현탁액을 얻었다. 현탁액을 여과하고, 백색 고체, NMR에 의해 확인된 원하는 생성물 4-(4-(tert-부틸)나프탈렌-2-일)-2-(2"-플루오로-[1,1':2',1"-터페닐]-2-일)-1H-이미다조[4,5-c]피리딘을 EtOH 및 물로 조금씩 세척하고 진공 하에 건조시켰다(0.628 g, 95% 수율).
100 mL 둥근 바닥 플라스크에, 4-(4-(tert-부틸)나프탈렌-2-일)-2-(2"-플루오로-[1,1':2',1"-터페닐]-2-일)-1H-이미다조[4,5-c]피리딘(1.087 g, 1.985 mmol), 탄산세슘(3.5 g, 10.74 mmol) 및 DMSO(20 mL)를 충전하고 150℃로 가열했다. 밤새 가열한 후, LCMS는 55% 전환율을 보여준다. 반응물을 RT로 냉각시키고 추가 2 g(6.13 mmoL)의 탄산세슘 및 5 mL DMSO를 첨가하고, 반응물을 밤새 160℃로 가열하고, 이 시점에 반응물을 RT로 냉각시켰다. 혼합물을 100 mL EtOAc 및 200 mL 물로 희석하고 층을 분리했다. 수성 층을 3x100 mL EtOAc로 추출하고, 합한 유기물을 3x100 mL 염수로 세척하고, Na2SO4로 건조하고, 여과하고, 농축했다. 잔류물을 셀라이트에 로딩하고 헵탄 중 30-45% EtOAc를 포함하는 1x220 g 및 1x330 g SiO2 컬럼을 통해 용출했다. 생성물 14-(4-(tert-부틸)나프탈렌-2-일)트리벤조[c,e,g]피리도[3',4':4,5]이미다조[1,2-a]아조신을 함유하는 분획을 농축시켜 밝은 백색 고체를 얻었다(868 mg, 71% 수율, LCMS에 의한 순도 98.9%).
25 mL Schlenk 튜브에, 14-(4-(tert-부틸)나프탈렌-2-일)트리벤조[c,e,g]피리도[3',4':4,5]이미다조[1,2-a]아조신(1.5 g, 2.84 mmol), 이리듐(III) 클로라이드 삼수화물(0.467 g, 1.563 mmol), 2-에톡시에탄올(53 mL) 및 물(18 mL)을 충전했다. 혼합물에 10분 동안 N2를 살포하고 N2 하에서 밤새 100℃로 가열하여, HPLC에 의해 약 60% 전환되는 밝은 주황색 현탁액을 생성했다. 반응물을 RT로 냉각시키고 250 mg(0.708 mmol) 이리듐(III) 클로라이드 삼수화물을 첨가하고, 반응물을 다시 100℃로 밤새 가열했다. 반응물을 RT로 냉각하고, 50 mL의 물로 희석하고, 주황색 고체를 여과하고, 물로 세척하고, 진공에서 건조시켰다. 100 mL Schlenk 플라스크에, 주황색 고체 이량체 중간체, 3,7-디에틸노난-4,6-디온(0.770 ml, 3.928 mmol), 탄산칼륨(0.456 g, 3.928 mmol), DCM(16 mL) 및 MeOH(16 mL)를 충전하고, 혼합물에 10분 동안 N2를 살포하고 40℃에서 5시간 동안 교반하고, 이 시점에서 HPLC는 이량체의 완전한 소비를 나타냈다. 반응물을 진공 하에 농축시켰다. 잔류물을 셀라이트에 로딩하고 75-80% DCM을 사용하여 6x120 g SiO2 컬럼을 통해 용출했다. 생성물 분획을 농축하고 적황색 고체를 DCM/헵탄을 사용하여 재결정화하여 적황색 고체를 얻었다. 고체 본 발명의 화합물 I을 여과하고, 헵탄으로 세척하고, 진공에서 건조시켰다(403 mg, 21% 수율).
100 mL Schlenk 플라스크에, 4-클로로-1-메틸-1H-이미다조[4,5-c]피리딘(2 g, 11.93 mmol), 2-(4-(tert-부틸)나프탈렌-2-일)-4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보롤란(4.44 g, 14.32 mmol), 반응물 3(4.95 g, 35.8 mmol), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0)(0.690 g, 0.597 mmol), 디옥산(44.8 ml) 및 물(14.92 ml)을 충전하고 혼합물에 10분 동안 N2를 살포했다. 이어서 반응물을 밤새 100℃로 가열하였고, 이 시점에서 TLC 및 GCMS는 출발 물질의 완전한 소모를 나타내었다. 반응물을 RT로 냉각하고, 150 mL 1:1로 희석하고, 층을 분리했다. 수성 층을 2x100 mL EtOAc로 추출하고, 합한 유기물을 염수로 세척하고, Na2SO4로 건조하고, 디캔팅하고, 진공 하에 농축했다. 잔류물을 셀라이트에 로딩하고 헵탄 중 70-80% EtOAc를 포함하는 1x220 g 및 1x330 g SiO2 컬럼을 통해 용출했다. 생성물 분획을 농축하여 백색 고체, 4-(4-(tert-부틸)나프탈렌-2-일)-1-메틸-1H-이미다조[4,5-c]피리딘, 3.304 g, 88% 수율을 얻었다.
250 mL 둥근 바닥 플라스크를 진공 하에서 건조시키고, 여기에 4-(4-(tert-부틸)나프탈렌-2-일)-1-메틸-1H-이미다조[4,5-c]피리딘(3.304 g, 10.47 mmol) 및 무수 THF(56.6 ml)를 충전하고 -78℃로 냉각시키면서 교반했다. 5분 동안 교반한 후, 리튬 디이소프로필아미드(6.28 ml, 12.57 mmol, THF 중 2 M)를 적가했다. 혼합물을 -78℃에서 0.5시간 동안 교반하고, 이 시점에서 무수 THF(10 mL) 중 퍼클로로에탄(4.34 g, 18.33 mmol)을 천천히 첨가했다. 혼합물을 -78℃에서 1.5시간 동안 교반한 다음, 아이스 배쓰를 제거하고 반응물을 RT에서 3시간 동안 교반했다. 반응을 수성 NH4Cl로 켄칭하고, 100 mL 1:1 EtOAc/물로 희석하고, 층을 분리했다. 수성 층을 2x100 mL EtOAc로 추출하고, 합한 유기물을 염수로 세척하고, Na2SO4로 건조하고, 디캔팅하고, 진공 하에 농축했다. 잔류물을 셀라이트에 로딩하고 헵탄 중 75-85% EtOAc를 포함하는 1x220 g 및 1x330 g SiO2 컬럼을 통해 용출했다. 생성물 분획을 농축하여 백색 고체, 4-(4-(tert-부틸)나프탈렌-2-일)-2-클로로-1-메틸-1H-이미다조[4,5-c]피리딘, 1.363 g, 37% 수율을 얻었다.
100 mL Schlenk 플라스크에, 4-(4-(tert-부틸)나프탈렌-2-일)-2-클로로-1-메틸-1H-이미다조[4,5-c]피리딘(1.363 g, 3.90 mmol), 페닐보론산(0.570 g, 4.67 mmol), 인산칼륨(2.481 g, 11.69 mmol), 디옥산(32.5 ml) 및 물(6.49 ml)을 충전했다. 혼합물에 10분 동안 N2를 살포하고 XPhos Pd G2(0.153 g, 0.195 mmol)를 N2 하에서 첨가했다. 반응물을 2시간 동안 80℃로 가열하였고, 이 시점에서 LCMS는 완전한 전환율을 보였다. 반응물을 RT로 냉각시키고 100 mL 1:1 EtOAc/물로 희석하고, 층을 분리했다. 수성 층을 2x 75 mL EtOAc로 추출하고, 합한 유기물을 염수로 세척하고, Na2SO4로 건조하고, 여과하고, 진공 하에 농축했다. 잔류물을 셀라이트에 로딩하고 헵탄 중 80-90% EtOAc를 포함하는 4x120 g SiO2 컬럼을 통해 용출시켰다. 생성물 분획을 농축시켜 회백색 고체, 4-(4-(tert-부틸)나프탈렌-2-일)-1-메틸-2-페닐-1H-이미다조[4,5-c]피리딘, 1.471 g, 96% 수율을 얻었다.
250 mL 2구 둥근 바닥 플라스크에, 4-(4-(tert-부틸)나프탈렌-2-일)-1-메틸-2-페닐-1H-이미다조[4,5-c]피리딘(1.461 g, 3.73 mmol), 이리듐(III) 클로라이드(0.613 g, 2.052 mmol), 2-에톡시에탄올(56.0 ml) 및 물(18.66 ml)을 충전했다. 혼합물에 10분 동안 N2를 살포하고 N2 하에서 밤새 100℃로 가열하여, HPLC에 의해 약 60% 전환되는 밝은 주황색 현탁액을 생성했다. 반응물을 RT로 냉각시키고 300 mg(0.850 mmol) 이리듐(III) 클로라이드 삼수화물을 첨가하고, 반응물을 다시 100℃로 추가 2시간 동안 가열했다. 반응물을 RT로 냉각하고, 200 mL의 물로 희석하고, 주황색 고체를 여과하고, 물로 세척하고, 진공에서 건조시켰다. 250 mL 둥근 바닥 플라스크에, 주황색 고체 이량체, 3,7-디에틸노난-4,6-디온(0.792 ml, 3.40 mmol), 탄산칼륨(0.469 g, 3.40 mmol), DCM(34 mL) 및 MeOH(34 mL)를 충전하고, 혼합물에 10분 동안 N2를 살포하고 40℃에서 5시간 동안 교반하였고, 이 시점에서 HPLC는 이량체의 완전한 소모를 나타내었다. 반응물을 진공 하에 농축시켰다. 잔류물을 셀라이트에 로딩하고 75-100% DCM을 사용하여 6x120 g SiO2 컬럼을 통해 용출했다. 생성물 분획을 농축하고 적황색 고체를 DCM/헵탄을 사용하여 재결정화하여 적황색 고체를 얻었다. 고체 비교 화합물 I을 여과하고, 헵탄으로 세척하고, 진공에서 건조시켰다(478 mg, 30% 수율).
b) 광발광 데이터
방출 스펙트럼은 Synapse Plus CCD 검출기가 장착된 Horiba Fluorolog-3 분광형광계에서 수집하였다. 모든 샘플은 340 nm에서 여기되었다.
본 발명의 화합물 1 및 비교 화합물 1에 대한 삼중항 상태 에너지(T1)는 각각 607 nm 및 609 nm로 측정되었다. T1은 77 K에서 2-MeTHF에서 동결된 샘플의 게이트 방출 피크 높이의 20%에서 취한 방출 시작점에서 얻었다. 게이트 방출 스펙트럼은 10 밀리초의 플래시 지연과 50 밀리초의 수집 창을 가진 Xenon 플래시 램프가 장착된 Horiba Fluorolog-3 분광형광계에서 수집했다. 샘플은 300 nm에서 여기되었다.
[표 1]
일반적으로, 인광성 이미터 착물에 대한 FWHM은 넓다. 좁은 FWHM을 달성하는 것은 오랜 목표였다. FWHM이 좁을수록, 디스플레이 어플리케이션의 색 순도가 더 우수하다. 배경 정보로서, 이상적인 선 형상은 단일 파장(단선)이다. 과거 OLED 연구에서는, 선 형상을 좁히는 것이 천천히 나노미터 단위로 달성되었다. 본 발명의 화합물 I 및 비교 화합물 I 모두의 광발광(PL) 스펙트럼이 도 3에 도시되어 있다. PL 강도는 제1 방출 피크의 최대값으로 정규화되고 본 발명의 화합물의 방출 스펙트럼은 더 나은 비교를 위해 수동으로 2 nm 만큼 적색 이동된다. 두 화합물 모두 구조적 방출 프로파일을 나타낸다. 여기서 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 화합물 I은 비교 화합물 I보다 더 좁은 FWHM을 갖는다. 이 결과는 놀랍고 예상치 못한 것이고, 실험 오류에 기인할 수 있는 어떤 값도 넘어서며, 본 발명의 화합물 I의 리간드의 마크로시클릭 구조에 의해 부여된 분자 강성도 증가에 기인하는 것으로 간주된다. 본 발명 화합물 I(607 nm) 및 비교 화합물 I(609 nm)의 유사한 T1 값과 조합된 이 FWHM 결과는, 유기 전계발광 디바이스에서 본 발명 화합물 I이 비교 화합물 I보다 더 높은 색 순도를 가지지만 유사한 색점에서 작동할 것으로 예상할 수 있음을 보여준다.
Claims (15)
- 하기 식 I의 구조를 포함하는 제1 리간드 LA를 포함하는 화합물:
식 I
여기서,
모이어티 A, B, C 및 D는 각각 독립적으로 모노시클릭 5원 또는 6원 카르보시클릭 또는 헤테로시클릭 고리, 또는 2개 이상의 5원 또는 6원 카르보시클릭 또는 헤테로시클릭 고리를 포함하는 멀티시클릭 융합 고리 시스템이고;
L1과 L3이 둘 다 직접 결합이거나 L2와 L4가 둘 다 직접 결합인 경우, 모이어티 A, B, C 및 D 중 적어도 하나는 고리 E의 일부인 5원 고리를 포함하고;
X1 내지 X8은 각각 독립적으로 C 또는 N이고;
은 각각 독립적으로 중성 루이스 구조에서 단일 결합 또는 이중 결합을 나타내고;
L1, L2, L3 및 L4는 각각 독립적으로 직접 결합, BR, BRR', NR, PR, P(O)R, O, S, Se, C=O, C=S, C=Se, C=NR', C=CR'R", S=O, SO2, CR, CRR', SiRR', GeRR', 알킬렌, 시클로알킬, 아릴, 시클로알킬렌, 아릴렌, 헤테로아릴렌 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 링커이고;
RA, RB, RC 및 RD는 각각 독립적으로 일치환 내지 최대 허용가능한 치환, 또는 비치환을 나타내고;
R, R', R", RA, RB, RC 및 RD는 각각 독립적으로 수소이거나, 또는 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 헤테로시클로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 게르밀, 보릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르복실산, 에테르, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노, 셀레닐 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기이고;
임의의 2개의 인접한 R, R', R", RA, RB, RC 및 RD는 연결되거나 융합되어 고리를 형성할 수 있고;
LA는 전이 금속 M에 배위 결합되고;
M은 임의로 하나 이상의 다른 리간드에 배위 결합되고;
LA는 다른 리간드와 연결되어 2좌, 3좌, 4좌, 5좌 또는 6좌 리간드를 포함할 수 있고,
단, M은 모이어티 A, B, C 및 D 중 최대 하나와 직접 결합을 형성하고,
단, LA는 식 II, , 또는 식 III, 의 구조를 갖지 않고, 여기서 X는 각각 독립적으로 C 또는 N이고, K는 직접 결합, O 및 S로 이루어진 군으로부터 선택되고; 고리 E는 8원, 9원 또는 10원 고리이다. - 제1항에 있어서, 모이어티 A, B, C 및 D는 각각 모노시클릭 고리이거나; 모이어티 A, B, C 및 D 중 적어도 하나는 멀티시클릭 융합 고리 시스템이거나; 모이어티 A, B, C 및 D는 각각 독립적으로 페닐, 피리딘, 피리미딘, 피리다진, 피라진, 트리아진, 이미다졸, 피라졸, 피롤, 옥사졸, 푸란, 티오펜, 티아졸, 트리아졸, 나프탈렌, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 퀴나졸린, 벤조푸란, 아자-벤조푸란, 벤즈옥사졸, 아자-벤즈옥사졸, 벤조티오펜, 아자-벤조티오펜, 벤조티아졸, 아자-벤조티아졸, 벤조셀레노펜, 아자-벤조셀레노펜, 인덴, 아자-인덴, 인돌, 아자-인돌, 벤즈이미다졸, 아자-벤즈이미다졸, 카르바졸, 아자-카르바졸, 디벤조푸란, 아자-디벤조푸란, 디벤조티오펜, 아자-디벤조티오펜, 퀴녹살린, 프탈라진, 페난트렌, 페난트리딘, 플루오렌 및 아자-플루오렌으로 이루어진 군으로부터 선택되고/되거나; 고리 E는 8 내지 20개의 고리 원자를 갖고/갖거나; 고리 E는 카르보시클릭 또는 헤테로시클릭인 화합물.
- 제1항에 있어서, L1, L2, L3 및 L4는 각각 직접 결합이거나;
L1, L2, L3 및 L4 중 적어도 하나는 BR, BRR', NR, PR, P(O)R, O, S, Se, C=O, C=S, C=Se, C=NR', C=CR'R", S=O, SO2, CR, CRR', SiRR', GeRR', 알킬렌, 시클로알킬, 아릴, 시클로알킬렌, 아릴렌, 헤테로아릴렌 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 링커이고/이거나;
전이 금속 M은 Ir, Os, Rh, Re, Ru, Pt, Pd, Cu, Ag, 및 Au로 이루어진 군으로부터 선택되고/되거나;
X1 내지 X8은 각각 C이거나 X1 내지 X8 중 적어도 하나는 N인 화합물. - 제1항에 있어서, 리간드 LA는 하기로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 화합물:
여기서, RA' 및 RA"는 각각 독립적으로 수소이거나, 또는 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 헤테로시클로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 게르밀, 보릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르복실산, 에테르, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노, 셀레닐 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기이고;
파선 결합은 전이 금속 M에 대한 결합을 나타낸다. - 제1항에 있어서, 리간드 LA는 하기로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 화합물:
여기서, RA'는 각각 독립적으로 수소이거나, 또는 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 헤테로시클로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 게르밀, 보릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르복실산, 에테르, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노, 셀레닐 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 치환기이고;
임의의 2개의 치환기는 연결되거나 융합되어 고리를 형성할 수 있고;
파선 결합은 전이 금속 M에 대한 결합을 나타낸다. - 제1항에 있어서, 화합물은 하기로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 화합물:
여기서, Q는 직접 결합,
로 이루어진 군으로부터 선택되고,
여기서, RQ는 일치환 내지 최대 허용가능한 치환, 또는 비치환을 나타내고;
RQ, RQ' 및 RQ"는 각각 독립적으로 수소이거나, 또는 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 헤테로시클로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 게르밀, 보릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르복실산, 에테르, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노, 셀레닐 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기이고;
임의의 2개의 치환기는 연결되거나 융합되어 고리를 형성할 수 있고;
구조 Q의 파선 결합은 전이 금속 M에 대한 결합을 나타내고;
는 모이어티 A, B, C 또는 D에 대한 결합을 나타낸다. - 제1항에 있어서, 리간드 LA는 하기로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 화합물:
여기서, RG 및 RH는 각각 독립적으로 일치환 내지 최대 허용가능한 치환, 또는 비치환을 나타내고;
R1, R2, R3, R4, RG, RG' 및 RH는 각각 독립적으로 수소이거나, 또는 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 헤테로시클로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 게르밀, 보릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르복실산, 에테르, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노, 셀레닐 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기이고;
임의의 2개의 치환기는 연결되거나 융합되어 고리를 형성할 수 있다. - 제1항에 있어서, 화합물은 M(LA)p(LB)q(LC)r의 식을 갖고, 여기서 LB 및 LC는 각각 2좌 리간드이고; p는 1, 2 또는 3이고; q는 0, 1 또는 2이고; r은 0, 1 또는 2이고; p+q+r은 금속 M의 산화 상태이거나; 또는
화합물은 Ir(LA)3, Ir(LA)(LB)2, Ir(LA)2(LB), Ir(LA)2(LC), 및 Ir(LA)(LB)(LC)로 이루어진 군으로부터 선택되는 식을 갖고, LA, LB 및 LC가 서로 상이하거나; 또는
화합물은 Pt(LA)(LB)의 식을 갖고, LA 및 LB가 동일하거나 상이할 수 있는 것인 화합물. - 제9항에 있어서, LB 및 LC는 각각 독립적으로 하기로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 화합물:
여기서,
T는 B, Al, Ga 및 In으로 이루어진 군으로부터 선택되고;
K1'은 직접 결합이거나 NRe, PRe, O, S 및 Se로 이루어진 군으로부터 선택되고;
Y1 내지 Y13은 각각 독립적으로 탄소 및 질소로 이루어진 군으로부터 선택되고;
Y'는 B Re, N Re, P Re, O, S, Se, C=O, S=O, SO2, CReRf, SiReRf, 및 GeReRf로 이루어진 군으로부터 선택되고;
Re와 Rf는 융합되거나 연결되어 고리를 형성할 수 있고;
Ra, Rb, Rc 및 Rd는 각각 독립적으로 일치환 내지 최대 가능한 수의 치환, 또는 비치환을 나타낼 수 있고;
Ra1, Rb1, Rc1, Rd1, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, 및 Rf는 각각 독립적으로 수소이거나, 또는 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 헤테로시클로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 게르밀, 보릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르복실산, 에테르, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노, 셀레닐 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기이고;
Ra1, Rb1, Rc1, Rd1, Ra, Rb, Rc, 및 Rd 중 임의의 2개는 융합되거나 연결되어 고리를 형성하거나 다좌 리간드를 형성할 수 있다. - 제9항에 있어서, 화합물은 식 Ir(LA)3, Ir(LA)(LBk)2, Ir(LA)2(LBk), Ir(LA)2(LCj-I), 또는 Ir(LA)2(LCj-II)를 갖는 것인 화합물:
여기서, k는 1 내지 621의 정수이고;
j는 1 내지 1416의 정수이고;
LBk는 각각 하기 구조를 갖고:
LCj-I은 각각 식 에 기초한 구조를 갖고;
LCj-II는 각각 식 에 기초한 구조를 가지며, 여기서 LCj-I 및 LCj-II의 각각의 LCj에 대해, R201 및 R202는 각각 독립적으로 다음과 같이 정의되고:
여기서, RD1 내지 RD246은 하기 구조를 갖는다:
. - 제9항에 있어서, 화합물은 Pt(LA')(Ly)의 식을 갖는 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 화합물:
여기서, LA'는 하기로 이루어진 군으로부터 선택되고:
여기서, Ly는 하기로 이루어진 군으로부터 선택되고:
여기서, RA, RB, RC, RD, RE, RF, RG, 및 RH는 각각 독립적으로 일치환 내지 최대 가능한 치환, 또는 비치환이고;
R1, R2, R3, R4, RA, RA', RA", RB, RC, RD, RE, RF, RG, RG', RH, RX, 및 RY는 각각 독립적으로 하기로 이루어진 군으로부터 선택된다:
- 애노드;
캐소드; 및
애노드와 캐소드 사이에 배치되고, 하기 식 I의 구조를 포함하는 제1 리간드 LA를 포함하는 화합물을 포함하는 유기층
을 포함하는 유기 발광 디바이스:
식 I
여기서,
모이어티 A, B, C 및 D는 각각 독립적으로 모노시클릭 5원 또는 6원 카르보시클릭 또는 헤테로시클릭 고리, 또는 2개 이상의 5원 또는 6원 카르보시클릭 또는 헤테로시클릭 고리를 포함하는 멀티시클릭 융합 고리 시스템이고;
L1과 L3이 둘 다 직접 결합이거나 L2와 L4가 둘 다 직접 결합인 경우, 모이어티 A, B, C 및 D 중 적어도 하나는 고리 E의 일부인 5원 고리를 포함하고;
X1 내지 X8은 각각 독립적으로 C 또는 N이고;
은 각각 독립적으로 중성 루이스 구조에서 단일 결합 또는 이중 결합을 나타내고;
L1, L2, L3 및 L4는 각각 독립적으로 직접 결합, BR, BRR', NR, PR, P(O)R, O, S, Se, C=O, C=S, C=Se, C=NR', C=CR'R", S=O, SO2, CR, CRR', SiRR', GeRR', 알킬렌, 시클로알킬, 아릴, 시클로알킬렌, 아릴렌, 헤테로아릴렌 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 링커이고;
RA, RB, RC 및 RD는 각각 독립적으로 일치환 내지 최대 허용가능한 치환, 또는 비치환을 나타내고;
R, R', R", RA, RB, RC 및 RD는 각각 독립적으로 수소이거나, 또는 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 헤테로시클로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 게르밀, 보릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르복실산, 에테르, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노, 셀레닐 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기이고;
임의의 2개의 인접한 R, R', R", RA, RB, RC 및 RD는 연결되거나 융합되어 고리를 형성할 수 있고;
LA는 전이 금속 M에 배위 결합되고;
M은 임의로 하나 이상의 다른 리간드에 배위 결합되고;
LA는 다른 리간드와 연결되어 2좌, 3좌, 4좌, 5좌 또는 6좌 리간드를 포함할 수 있고,
단, M은 모이어티 A, B, C 및 D 중 최대 하나와 직접 결합을 형성하고,
단, LA는 식 II, , 또는 식 III, 의 구조를 갖지 않고, 여기서 X는 각각 독립적으로 C 또는 N이고, K는 직접 결합, O 및 S로 이루어진 군으로부터 선택되고; 고리 E는 8원, 9원 또는 10원 고리이다. - 애노드;
캐소드; 및
애노드와 캐소드 사이에 배치되고, 하기 식 I의 구조를 포함하는 제1 리간드 LA를 포함하는 화합물을 포함하는 유기층
을 포함하는 유기 발광 디바이스를 포함하는 소비자 제품:
식 I
여기서,
모이어티 A, B, C 및 D는 각각 독립적으로 모노시클릭 5원 또는 6원 카르보시클릭 또는 헤테로시클릭 고리, 또는 2개 이상의 5원 또는 6원 카르보시클릭 또는 헤테로시클릭 고리를 포함하는 멀티시클릭 융합 고리 시스템이고;
L1과 L3이 둘 다 직접 결합이거나 L2와 L4가 둘 다 직접 결합인 경우, 모이어티 A, B, C 및 D 중 적어도 하나는 고리 E의 일부인 5원 고리를 포함하고;
X1 내지 X8은 각각 독립적으로 C 또는 N이고;
은 각각 독립적으로 중성 루이스 구조에서 단일 결합 또는 이중 결합을 나타내고;
L1, L2, L3 및 L4는 각각 독립적으로 직접 결합, BR, BRR', NR, PR, P(O)R, O, S, Se, C=O, C=S, C=Se, C=NR', C=CR'R", S=O, SO2, CR, CRR', SiRR', GeRR', 알킬렌, 시클로알킬, 아릴, 시클로알킬렌, 아릴렌, 헤테로아릴렌 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 링커이고;
RA, RB, RC 및 RD는 각각 독립적으로 일치환 내지 최대 허용가능한 치환, 또는 비치환을 나타내고;
R, R', R", RA, RB, RC 및 RD는 각각 독립적으로 수소이거나, 또는 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 헤테로시클로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 게르밀, 보릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르복실산, 에테르, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노, 셀레닐 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기이고;
임의의 2개의 인접한 R, R', R", RA, RB, RC 및 RD는 연결되거나 융합되어 고리를 형성할 수 있고;
LA는 전이 금속 M에 배위 결합되고;
M은 임의로 하나 이상의 다른 리간드에 배위 결합되고;
LA는 다른 리간드와 연결되어 2좌, 3좌, 4좌, 5좌 또는 6좌 리간드를 포함할 수 있고,
단, M은 모이어티 A, B, C 및 D 중 최대 하나와 직접 결합을 형성하고,
단, LA는 식 II, , 또는 식 III, 의 구조를 갖지 않고, 여기서 X는 각각 독립적으로 C 또는 N이고, K는 직접 결합, O 및 S로 이루어진 군으로부터 선택되고; 고리 E는 8원, 9원 또는 10원 고리이다.
Applications Claiming Priority (24)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US202163265495P | 2021-12-16 | 2021-12-16 | |
US63/265,495 | 2021-12-16 | ||
US202263363068P | 2022-04-15 | 2022-04-15 | |
US202263363047P | 2022-04-15 | 2022-04-15 | |
US63/363,047 | 2022-04-15 | ||
US63/363,068 | 2022-04-15 | ||
US202263365788P | 2022-06-03 | 2022-06-03 | |
US63/365,788 | 2022-06-03 | ||
US202263366725P | 2022-06-21 | 2022-06-21 | |
US63/366,725 | 2022-06-21 | ||
US202263367227P | 2022-06-29 | 2022-06-29 | |
US63/367,227 | 2022-06-29 | ||
US202263358655P | 2022-07-06 | 2022-07-06 | |
US63/358,655 | 2022-07-06 | ||
US202263368521P | 2022-07-15 | 2022-07-15 | |
US63/368,521 | 2022-07-15 | ||
US202263396852P | 2022-08-10 | 2022-08-10 | |
US63/396,852 | 2022-08-10 | ||
US202263373562P | 2022-08-26 | 2022-08-26 | |
US63/373,562 | 2022-08-26 | ||
US202263374383P | 2022-09-02 | 2022-09-02 | |
US63/374,383 | 2022-09-02 | ||
US18/062,149 US20230192738A1 (en) | 2021-12-16 | 2022-12-06 | Organic electroluminescent materials and devices |
US18/062,149 | 2022-12-06 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20230091818A true KR20230091818A (ko) | 2023-06-23 |
Family
ID=86744352
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020220176253A KR20230091818A (ko) | 2021-12-16 | 2022-12-15 | 유기 전계발광 물질 및 디바이스 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230192738A1 (ko) |
KR (1) | KR20230091818A (ko) |
CN (1) | CN116265482A (ko) |
-
2022
- 2022-12-06 US US18/062,149 patent/US20230192738A1/en active Pending
- 2022-12-15 KR KR1020220176253A patent/KR20230091818A/ko unknown
- 2022-12-15 CN CN202211615845.2A patent/CN116265482A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN116265482A (zh) | 2023-06-20 |
US20230192738A1 (en) | 2023-06-22 |
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