KR20230090427A

KR20230090427A - Apparatus and method for manufacturing a display device

Info

Publication number: KR20230090427A
Application number: KR1020210178876A
Authority: KR
Inventors: 장철민; 김정곤; 허명수
Original assignee: 삼성디스플레이 주식회사
Priority date: 2021-12-14
Filing date: 2021-12-14
Publication date: 2023-06-22

Abstract

본 발명은 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법을 개시한다. 본 발명은, 제1하우징과, 상기 제1하우징에 연결되어 상기 제1하우징의 일면에서 상기 제1하우징의 타면으로 제1공정가스, 제2공정가스 및 퍼지가스를 각각 구분되도록 안내하는 복수개의 유입구와, 상기 제1하우징과 결합하며, 상기 각 유입구로 안내되는 상기 제1공정가스, 상기 제2공정가스 및 상기 퍼지가스 각각을 상기 제1하우징의 중앙부분에서 상기 제1하우징의 측면 부분으로 절곡하여 안내하여 상기 제1하우징의 측면에서 상기 피증착부재의 서로 다른 영역으로 분사하고, 상기 피증착부재의 일면을 따라 상기 제1하우징의 측면에서 상기 제1하우징의 중앙 부분으로 안내된 상기 제1공정가스, 상기 제2공정가스 및 상기 퍼지가스를 상기 제1하우징의 중앙부분으로 안내하는 노즐부와, 상기 제1하우징에 연결되며, 상기 제1공정가스, 상기 제2공정가스 및 상기 퍼지가스를 각각 외부로 안내하는 복수개의 배출구를 포함한다. The present invention discloses a manufacturing device and method for manufacturing a display device. In the present invention, a first housing, and a plurality of pluralities connected to the first housing and guiding a first process gas, a second process gas, and a purge gas to be distinguished from one side of the first housing to the other side of the first housing. An inlet coupled to the first housing, and each of the first process gas, the second process gas, and the purge gas guided to each of the inlets flows from the central portion of the first housing to the side portion of the first housing. Bending and guiding, spraying from the side of the first housing to different areas of the deposition member, and the agent guided from the side of the first housing to the central portion of the first housing along one surface of the deposition member. A nozzle unit for guiding the first process gas, the second process gas, and the purge gas to the central portion of the first housing, connected to the first housing, and the first process gas, the second process gas, and the purge gas It includes a plurality of outlets for guiding gas to the outside, respectively.

Description

Apparatus and method for manufacturing a display device

본 발명의 실시예들은 장치 및 방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법에 관한 것이다. Embodiments of the present invention relate to apparatuses and methods, and more particularly, to manufacturing apparatuses and methods of manufacturing display apparatuses.

이동성을 기반으로 하는 전자 기기가 폭 넓게 사용되고 있다. 이동용 전자 기기로는 모바일 폰과 같은 소형 전자 기기 이외에도 최근 들어 태블릿 PC가 널리 사용되고 있다.Electronic devices based on mobility are widely used. As a mobile electronic device, a tablet PC has recently been widely used in addition to a small electronic device such as a mobile phone.

이와 같은 이동형 전자 기기는 다양한 기능을 지원하기 위하여, 이미지 또는 영상과 같은 시각 정보를 사용자에게 제공하기 위하여 표시 장치를 포함한다. 최근, 표시 장치를 구동하기 위한 기타 부품들이 소형화됨에 따라, 표시 장치가 전자 기기에서 차지하는 비중이 점차 증가하고 있는 추세이며, 평평한 상태에서 소정의 각도를 갖도록 구부릴 수 있는 구조도 개발되고 있다.Such a mobile electronic device includes a display device to provide visual information such as an image or video to a user in order to support various functions. Recently, as other components for driving the display device have been miniaturized, the proportion of the display device in electronic devices has gradually increased, and a structure that can be bent to have a predetermined angle in a flat state has been developed.

일반적으로 표시 장치의 제조 시 다양한 층을 형성하는 경우 서로 다른 챔버에서 형성하거나 하나의 층을 형성하는 경우에도 하나의 공정을 수행하기 위하여 불연속적인 공정을 수행하여야 한다. 이러한 경우 제조장치의 구조가 복잡해지고 제조순서가 복잡해짐으로써 제조효율이 저하되고 제품의 품질이 저하되는 문제가 발생할 수 있다. 본 발명의 실시예들은 간단한 구조를 가지고 신속하게 표시 장치를 제조하는 것이 가능한 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법을 제공한다. In general, in the case of forming various layers in the manufacture of a display device, a discontinuous process must be performed to perform one process even in the case of forming in different chambers or forming one layer. In this case, as the structure of the manufacturing apparatus is complicated and the manufacturing sequence is complicated, manufacturing efficiency and product quality may be deteriorated. Embodiments of the present invention provide a display device manufacturing apparatus and a display device manufacturing method capable of quickly manufacturing a display device having a simple structure.

본 발명의 일 실시예는 제1하우징과, 상기 제1하우징에 연결되어 상기 제1하우징의 일면에서 상기 제1하우징의 타면으로 제1공정가스, 제2공정가스 및 퍼지가스를 각각 구분되도록 안내하는 복수개의 유입구와, 상기 제1하우징과 결합하며, 상기 각 유입구로 안내되는 상기 제1공정가스, 상기 제2공정가스 및 상기 퍼지가스 각각을 상기 제1하우징의 중앙부분에서 상기 제1하우징의 측면 부분으로 절곡하여 안내하여 상기 제1하우징의 측면에서 상기 피증착부재의 서로 다른 영역으로 분사하고, 상기 피증착부재의 일면을 따라 상기 제1하우징의 측면에서 상기 제1하우징의 중앙 부분으로 안내된 상기 제1공정가스, 상기 제2공정가스 및 상기 퍼지가스를 상기 제1하우징의 중앙부분으로 안내하는 노즐부와, 상기 제1하우징에 연결되며, 상기 제1공정가스, 상기 제2공정가스 및 상기 퍼지가스를 각각 외부로 안내하는 복수개의 배출구를 포함하는 표시 장치의 제조장치를 개시한다. An embodiment of the present invention is connected to the first housing and guides the first process gas, the second process gas, and the purge gas to be separated from one side of the first housing to the other side of the first housing. and a plurality of inlets coupled to the first housing, and each of the first process gas, the second process gas, and the purge gas guided to each inlet is directed from the central portion of the first housing to the first housing. Bending and guiding to the side portion, spraying from the side of the first housing to different areas of the deposition member, and guiding from the side of the first housing to the central portion of the first housing along one side of the deposition member. a nozzle unit for guiding the first process gas, the second process gas, and the purge gas to the center of the first housing; and connected to the first housing, the first process gas and the second process gas. and a plurality of outlets for guiding the purge gas to the outside.

본 실시예에 있어서, 상기 노즐부는, 노즐바디부와, 상기 노즐바디부와 연결되며 상기 노즐바디부의 내부를 복수개의 영역으로 구분하는 돌출부와, 상기 돌출부에 연결되며, 끝단이 상기 노즐바디부의 내면과 이격되도록 배치되며, 상기 돌출부가 구분하는 영역을 평면 상에서 차폐하는 가이드부를 포함할 수 있다. In this embodiment, the nozzle part is connected to the nozzle body part, a protrusion part connected to the nozzle body part and dividing the inside of the nozzle body part into a plurality of regions, and connected to the protrusion part, and the end thereof is connected to the inner surface of the nozzle body part. It is arranged to be spaced apart from, and may include a guide portion for shielding the area divided by the protrusion on a plane.

본 실시예에 있어서, 상기 가이드부의 끝단은 라운드질 수 있다. In this embodiment, the end of the guide portion may be rounded.

본 실시예에 있어서, 상기 돌출부의 측면 중 적어도 일부분은 라운드질 수 있다. In this embodiment, at least a portion of the side surface of the protrusion may be rounded.

본 실시예에 있어서, 상기 돌출부에 배치되어 상기 피증착부재로 분리가스를 분사하는 분리가스분사부를 더 포함할 수 있다. In this embodiment, a separation gas spraying unit disposed on the protruding portion to spray separation gas to the deposition member may be further included.

본 실시예에 있어서, 상기 노즐부에 대향하도록 배치되며, 상기 피증착부재가 안착하는 서셉터부를 더 포함할수 있다. In this embodiment, a susceptor portion disposed to face the nozzle portion and on which the deposition member is seated may further be included.

본 실시예에 있어서, 상기 제1하우징과 분리 가능하도록 결합하는 제2하우징을 포함할 수 있다. In this embodiment, it may include a second housing that is detachably coupled to the first housing.

본 실시예에 있어서, 상기 서셉터부의 하부에 아르곤가스를 공급하는 압력조절부를 더 포함할 수 있다. In this embodiment, a pressure control unit for supplying argon gas to the lower portion of the susceptor unit may be further included.

본 실시예에 있어서, 상기 서셉터부는 회전 가능할 수 있다. In this embodiment, the susceptor unit may be rotatable.

본 실시예에 있어서, 상기 노즐부의 적어도 일부분에 배치되는 플라즈마생성부를 더 포함할 수 있다. In this embodiment, a plasma generating unit disposed on at least a portion of the nozzle unit may be further included.

본 발명의 다른 실시예는, 서셉터부의 제1영역에서 제1공정가스를 상기 서셉터부의 측면에서 상기 서셉터부의 중앙부분으로 이동시키는 단계와, 상기 서셉터부를 회전시킨 후 상기 제1영역에 퍼지가스를 상기 서셉터부의 측면에서 상기 서셉터부의 중앙부분으로 이동시키는 단계와, 상기 서셉터부를 회전시킨 후 상기 제1영역에 제2공정가스를 상기 서셉터부의 측면에서 상기 서셉터부의 중앙부분으로 이동시키는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조방법을 개시한다. Another embodiment of the present invention includes the steps of moving a first process gas in the first region of the susceptor from the side surface of the susceptor to the center of the susceptor, rotating the susceptor, and then moving the first process gas to the first region. Moving a purge gas from a side surface of the susceptor unit to a central portion of the susceptor unit; rotating the susceptor unit and then supplying a second process gas to the first area from the side surface of the susceptor unit to the central portion of the susceptor unit; Disclosed is a method of manufacturing a display device comprising the step of moving to.

본 실시예에 있어서, 상기 제1공정가스, 상기 퍼지가스 및 상기 제2공정가스를 상기 서셉터부의 중앙부분에서 공급하여 상기 서셉터부의 측면으로 이동시키는 단계를 더 포함할 수 있다. In this embodiment, the step of supplying the first process gas, the purge gas, and the second process gas from the central portion of the susceptor unit and moving them to the side of the susceptor unit may be further included.

본 실시예에 있어서, 상기 제1공정가스를 상기 제1영역에 분사할 때 상기 퍼지가스는 제2영역에 분사하고, 상기 제2공정가스를 제3영역에 분사하는 단계를 더 포함할 수 있다. In this embodiment, the purge gas may further include injecting the purge gas into the second region and injecting the second process gas into the third region when the first process gas is injected into the first region. .

본 실시예에 있어서, 상기 제1영역, 상기 제2영역 및 상기 제3영역 중 서로 인접하는 2개의 영역을 구분하도록 분리가스를 서로 인접하는 2개의 영역 사이에 분사하는 단계를 더 포함할 수 있다.In this embodiment, the method may further include injecting a separation gas between two adjacent regions to separate the two adjacent regions among the first region, the second region, and the third region. .

본 실시에에 있어서, 상기 분리가스는 상기 서셉터부의 측면 방향에서 공급되어 상기 서셉터부를 향하여 분사될 수 있다. In this embodiment, the separation gas may be supplied from the lateral direction of the susceptor unit and injected toward the susceptor unit.

본 실시예에 있어서, 상기 제1공정가스, 상기 퍼지가스 및 상기 제2공정가스를 상기 서셉터부의 중앙 부분에서 상기 서셉터부의 상부로 이동시키는 단계를 더 포함할 수 있다. In this embodiment, the method may further include moving the first process gas, the purge gas, and the second process gas from a central portion of the susceptor unit to an upper portion of the susceptor unit.

본 실시예에 있어서, 상기 서셉터부의 하면에서 아르곤가스를 공급하는 단계를 더 포함할 수 있다. In this embodiment, the step of supplying argon gas from the lower surface of the susceptor unit may be further included.

본 실시예에 있어서, 상기 제1공정가스, 상기 퍼지가스 및 상기 제2공정가스는 상기 서셉터부의 측면에서 라운드진 경로를 따라 이동할 수 있다. In this embodiment, the first process gas, the purge gas, and the second process gas may move along a rounded path on the side of the susceptor unit.

본 실시예에 있어서, 상기 제1영역 또는 상기 제2영역 중 하나의 영역에서 플라즈마를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. In this embodiment, a step of forming plasma in one of the first region and the second region may be further included.

본 실시예에 있어서, 상기 서셉터부의 온도를 조절하는 단계를 더 포함할 수 있다. In this embodiment, the step of adjusting the temperature of the susceptor unit may be further included.

전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다. Other aspects, features and advantages other than those described above will become apparent from the following drawings, claims and detailed description of the invention.

이러한 일반적이고 구체적인 측면이 시스템, 방법, 컴퓨터 프로그램, 또는 어떠한 시스템, 방법, 컴퓨터 프로그램의 조합을 사용하여 실시될 수 있다.These general and specific aspects may be practiced using a system, method, computer program, or any combination of systems, methods, or computer programs.

본 발명의 실시예들에 관한 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법은 제조 시간을 단축시키는 것이 가능하다. 본 발명의 실시예들에 관한 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법은 다양한 층을 하나의 공간에서 형성하는 것이 가능하다. The display device manufacturing apparatus and display device manufacturing method according to the embodiments of the present invention can shorten the manufacturing time. In the display device manufacturing apparatus and the display device manufacturing method according to embodiments of the present invention, it is possible to form various layers in one space.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조장치를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 표시 장치의 제조장치의 일부를 보여주는 분해사시도이다.
도 3a는 도 2에 도시된 노즐부의 상면을 보여주는 사시도이다.
도 3b는 도 2에 도시된 노즐부의 하면을 보여주는 사시도이다.
도 3c는 도 2에 도시된 노즐부의 측면을 보여주는 단면사시도이다.
도 3d는 도 2에 도시된 노즐부의 일부를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 보여주는 평면도이다.
도 6은 도 5의 F-F´선을 따라 취한 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view of an apparatus for manufacturing a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an exploded perspective view showing a part of the manufacturing apparatus for the display device shown in FIG. 1 .
3A is a perspective view showing an upper surface of the nozzle unit shown in FIG. 2;
Figure 3b is a perspective view showing a lower surface of the nozzle unit shown in Figure 2;
Figure 3c is a cross-sectional perspective view showing a side of the nozzle unit shown in Figure 2;
3D is a cross-sectional view schematically showing a part of the nozzle unit shown in FIG. 2 .
4 is a cross-sectional view showing another embodiment of the present invention.
5 is a plan view illustrating a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line FF′ of FIG. 5 .

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다. Since the present invention can apply various transformations and have various embodiments, specific embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description. Effects and features of the present invention, and methods for achieving them will become clear with reference to the embodiments described later in detail together with the drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below and may be implemented in various forms.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, and when describing with reference to the drawings, the same or corresponding components are assigned the same reference numerals, and overlapping descriptions thereof will be omitted. .

이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다. In the following embodiments, terms such as first and second are used for the purpose of distinguishing one component from another component without limiting meaning.

이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.In the following examples, expressions in the singular number include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise.

이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다. In the following embodiments, terms such as include or have mean that features or components described in the specification exist, and do not preclude the possibility that one or more other features or components may be added.

이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다. In the following embodiments, when a part such as a film, region, component, etc. is said to be on or on another part, not only when it is directly above the other part, but also when another film, region, component, etc. is interposed therebetween. Including if there is

도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.In the drawings, the size of components may be exaggerated or reduced for convenience of explanation. For example, since the size and thickness of each component shown in the drawings are arbitrarily shown for convenience of description, the present invention is not necessarily limited to the illustrated bar.

이하의 실시예에서, x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.In the following embodiments, the x-axis, y-axis, and z-axis are not limited to the three axes of the Cartesian coordinate system, and may be interpreted in a broad sense including these. For example, the x-axis, y-axis, and z-axis may be orthogonal to each other, but may refer to different directions that are not orthogonal to each other.

어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.When an embodiment is otherwise implementable, a specific process sequence may be performed differently from the described sequence. For example, two processes described in succession may be performed substantially simultaneously, or may be performed in an order reverse to the order described.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조장치를 개략적으로 보여주는 단면도이다. 도 2는 도 1에 도시된 표시 장치의 제조장치의 일부를 보여주는 분해사시도이다.1 is a schematic cross-sectional view of an apparatus for manufacturing a display device according to an exemplary embodiment of the present invention. FIG. 2 is an exploded perspective view showing a part of the manufacturing apparatus for the display device shown in FIG. 1 .

도 1 및 도 2를 참고하면, 표시 장치의 제조장치(100)는 하우징(110), 노즐부(120), 서셉터부(130), 구동부(140), 유입구(미표기), 배출구(미표기) 및 압력조절부(170)를 포함할 수 있다. Referring to FIGS. 1 and 2 , the display device manufacturing apparatus 100 includes a housing 110, a nozzle unit 120, a susceptor unit 130, a driving unit 140, an inlet (not shown), and an outlet (not shown). And it may include a pressure control unit (170).

하우징(110)은 서로 분리 가능한 제1하우징(111)과 제2하우징(112)을 포함할 수 있다. 이때, 제1하우징(111)과 제2하우징(112) 사이에는 도면에 도시되어 있지 않지만 별도의 오링과 같은 실링부재가 배치될 수 있다. The housing 110 may include a first housing 111 and a second housing 112 that are separable from each other. At this time, although not shown in the drawing, a sealing member such as a separate O-ring may be disposed between the first housing 111 and the second housing 112 .

제1하우징(111)과 제2하우징(112)은 서로 결합하여 내부에 공간을 형성할 수 있다. 이때, 제1하우징(111) 또는 제2하우징(112)은 피증착부재를 인출하거나 삽입하는 입구부(112a)를 포함할 수 있다. 이때, 피증착부재는 기판, 기판 상에 일부 층이 배치된 디스플레이 기판, 웨이퍼 등 다양할 수 있다. 이러한 경우 입구부(112a)는 도면에 도시되어 있지는 않지만 별도의 게이트밸브 등을 통하여 개폐가 가능한 구조일 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여 입구부(112a)가 제2하우징(112)에 배치되고, 피증착부재는 기판 상에 일부 층이 배치된 디스플레이 기판인 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다. 예를 들면, 디스플레이 기판은 후술할 표시 장치에서 유기봉지층을 형성하지 않은 상태를 의미할 수 있다. The first housing 111 and the second housing 112 may be coupled to each other to form a space therein. In this case, the first housing 111 or the second housing 112 may include an inlet portion 112a through which the deposition member is drawn out or inserted. At this time, the deposition member may be various, such as a substrate, a display substrate having some layers disposed on the substrate, and a wafer. In this case, the inlet portion 112a may have a structure that can be opened and closed through a separate gate valve, although not shown in the drawings. Hereinafter, for convenience of description, a case in which the inlet portion 112a is disposed in the second housing 112 and the deposition member is a display substrate on which some layers are disposed will be described in detail. For example, the display substrate may refer to a state in which an organic encapsulation layer is not formed in a display device to be described later.

노즐부(120)는 제1하우징(111)에 결합할 수 있다. 이때, 노즐부(120)는 제1하우징(111)의 상부에서 공급되는 가스를 제1하우징(111)의 측면측으로 이동시킨 후 기판에 공급할 수 있다. 이러한 노즐부(120)는 제1하우징(111)과 결합하여 가스의 이동 유로를 형성할 수 있다. 예를 들면, 노즐부(120)의 상면과 제1하우징(111)의 하면은 가스가 이동하는 유로를 형성할 수 있다. The nozzle unit 120 may be coupled to the first housing 111 . At this time, the nozzle unit 120 may move the gas supplied from the top of the first housing 111 to the side surface of the first housing 111 and then supply the gas to the substrate. The nozzle unit 120 may be combined with the first housing 111 to form a flow path for gas. For example, the upper surface of the nozzle unit 120 and the lower surface of the first housing 111 may form a passage through which gas moves.

이러한 노즐부(120)는 노즐바디부(121), 돌출부(미표기) 및 가이드부(123)를 포함할 수 있다. 이와 관련하여서는 하기에서 상세히 설명하기로 한다.The nozzle unit 120 may include a nozzle body unit 121, a protrusion (not shown), and a guide unit 123. In this regard, it will be described in detail below.

서셉터부(130)는 승하강 가능하게 연결됨과 동시에 회전하는 것이 가능하다. 이때, 서셉터부(130)는 서셉터바디(131), 서셉터바디(131)와 연결된 연결부(132) 및 서셉터바디(131)에 배치되며, 기판이 안착하는 기판안착부(133)를 포함할 수 있다. 이때, 서셉터바디(131)의 표면은 인입되도록 형성되며, 기판안착부(133)는 서셉터부(130)의 인입된 표면에 배치될 수 있다. 또한, 기판안착부(133)는 기판을 고정시키도록 진공홀이 형성될 수 있다. The susceptor unit 130 is connected to be able to go up and down, and it is possible to rotate at the same time. At this time, the susceptor unit 130 is disposed on the susceptor body 131, the connection unit 132 connected to the susceptor body 131, and the susceptor body 131, and supports the substrate seating unit 133 on which the substrate is seated. can include At this time, the surface of the susceptor body 131 is formed to be retracted, and the substrate seating part 133 may be disposed on the retracted surface of the susceptor part 130 . In addition, a vacuum hole may be formed in the substrate seating portion 133 to fix the substrate.

기판안착부(133)의 형상은 다양할 수 있다. 예를 들면, 기판안착부(133)는 원형이거나 타원형, 다각형 형상일 수 있다. The shape of the substrate seating portion 133 may vary. For example, the substrate seating portion 133 may have a circular shape, an elliptical shape, or a polygonal shape.

상기와 같은 서셉터부(130)에는 서셉터부(130)의 온도를 가열시키도록 히터가 구비될 수 있다. 이때, 히터는 서셉터부(130) 내부에 삽입되거나 기판안착부(133)의 하부에 배치될 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여 히터는 서셉터부(130) 내부에 배치되며, 서로 이격되도록 배치된 복수개인 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다. A heater may be provided in the susceptor unit 130 as described above to heat the temperature of the susceptor unit 130 . In this case, the heater may be inserted into the susceptor unit 130 or disposed below the substrate seating unit 133 . Hereinafter, for convenience of description, a case in which a plurality of heaters are disposed inside the susceptor unit 130 and spaced apart from each other will be described in detail.

구동부(140)는 서셉터부(130)와 연결될 수 있으며, 서셉터부(130)를 승하강시킴과 동시에 서셉터부(130)를 회전시킬 수 있다. 구동부(140)는 연결부(132)와 연결될 수 있다. 이때, 구동부(140)는 실린더, 실린더와 연결되어 실린더를 회전시키는 모터를 포함할 수 있다. 다른 실시예로서 구동부(140)는 연결부와 연결되는 리니어모터와 리니어모터와 연결되어 리니어모터를 회전시키는 모터 등을 포함할 수 있다. 이러한 경우 구동부(140)는 상기에 한정되는 것은 아니며, 연결부(132)와 연결되어 연결부(132)를 선형운동 및 회전운동 중 적어도 하나의 운동을 수행시키는 모든 구조를 포함할 수 있다. The driving unit 140 may be connected to the susceptor unit 130 and may move the susceptor unit 130 up and down and rotate the susceptor unit 130 at the same time. The driving unit 140 may be connected to the connecting unit 132 . At this time, the driving unit 140 may include a cylinder and a motor connected to the cylinder to rotate the cylinder. As another embodiment, the drive unit 140 may include a linear motor connected to the connection unit and a motor connected to the linear motor to rotate the linear motor. In this case, the drive unit 140 is not limited to the above, and may include any structure that is connected to the connection unit 132 and performs at least one of a linear motion and a rotational motion of the connection unit 132 .

하우징(110)에는 공정가스 및 퍼지가스 중 적어도 하나를 공급하는 유입구를 포함할 수 있다. 이때, 유입구는 복수개 구비될 수 있다. 이러한 경우 복수개의 유입구 중 하나는 공정가스를 공급하고 복수개의 유입구 중 다른 하나는 퍼지가스를 공급할 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여 복수개의 유입구가 제1유입구(151), 제2유입구(152), 제3유입구(153)를 포함하는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다. The housing 110 may include an inlet for supplying at least one of a process gas and a purge gas. At this time, a plurality of inlets may be provided. In this case, one of the plurality of inlets may supply a process gas and the other of the plurality of inlets may supply a purge gas. Hereinafter, for convenience of description, a case in which the plurality of inlets include the first inlet 151 , the second inlet 152 , and the third inlet 153 will be described in detail.

상기와 같은 제1유입구(151)는 제1공정가스를 하우징(110)의 외부로부터 노즐부(120)로 안내할 수 있다. 또한, 제2유입구(152)는 제2공정가스를 하우징(110)의 외부로부터 노즐부(120)로 안내할 수 있다. 이러한 경우 제1공정가스와 제2공정가스는 서로 상이한 가스를 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1공정가스는 제1전구체를 포함할 수 있으며, 제2공정가스는 제2전구체를 포함할 수 있다. 제3유입구(153)는 퍼지가스를 하우징(110)의 외부에로부터 노즐부(120)로 안내할 수 있다. The first inlet 151 as described above may guide the first process gas from the outside of the housing 110 to the nozzle unit 120 . Also, the second inlet 152 may guide the second process gas from the outside of the housing 110 to the nozzle unit 120 . In this case, the first process gas and the second process gas may include different gases. For example, the first processing gas may include a first precursor, and the second processing gas may include a second precursor. The third inlet 153 may guide the purge gas from the outside of the housing 110 to the nozzle unit 120 .

상기와 같은 제1유입구(151) 내지 제3유입구(153)는 노즐부(120)와 하우징(110)으로 인하여 서로 구분되는 복수개의 영역에 각각 제1공정가스, 제2공정가스 및 퍼지가스를 안내할 수 있다. 이때, 제1유입구(151) 내지 제3유입구(153)는 하우징(110)의 중앙 부분 또는 노즐부(120)의 중앙 부분에 인접하도록 배치될 수 있다. The first inlet 151 to the third inlet 153 as described above supply the first process gas, the second process gas, and the purge gas to a plurality of areas separated from each other by the nozzle unit 120 and the housing 110, respectively. can guide you In this case, the first inlet 151 to the third inlet 153 may be disposed adjacent to the central portion of the housing 110 or the central portion of the nozzle unit 120 .

복수개의 유입구는 상기에 한정되는 것은 아니며 3개 이상 구비되는 것도 가능하다. 이러한 경우 각 유입구는 서로 구분되는 각 영역에 가스를 공급할 수 있다. The plurality of inlets is not limited to the above, and it is also possible to have three or more. In this case, each inlet can supply gas to each region separated from each other.

상기와 같은 같은 각 유입구에는 가스공급부가 각각 연결될 수 있다. 예를 들면, 제1유입구(151)는 제1공정가스를 공급하였다가 제1유입구(151)로 제1공정가스를 공급하는 제1가스공급부(154)가 연결될 수 있다. 또한, 제2유입구(152)는 제2공정가스를 공급하였다가 제2유입구(152)로 제2공정가스를 공급하는 제2가스공급부(155)가 연결될 수 있다. 제3유입구(153)는 제3공정가스를 공급하였다가 제3유입구(153)로 퍼지가스를 공급하는 제3가스공급부(미도시)가 연결될 수 있다.A gas supply unit may be connected to each inlet as described above. For example, the first inlet 151 may be connected to a first gas supply unit 154 that supplies a first process gas and then supplies the first process gas to the first inlet 151 . In addition, the second inlet 152 may be connected to a second gas supply unit 155 supplying a second process gas to the second inlet 152 after supplying the second process gas. The third inlet 153 may be connected to a third gas supply unit (not shown) that supplies a purge gas to the third inlet 153 after supplying a third process gas.

배출구는 제1하우징(111)의 중앙 부분에 배치되어 노즐부(120)를 통하여 기판의 상면을 따라 이동하는 가스를 외부로 배출할 수 있다. 이때, 배출구는 복수개 구비될 수 있다. 복수개의 배출구는 서로 구분되도록 배치될 수 있으며, 서로 다른 가스를 외부로 안내할 수 있다. 예를 들면, 복수개의 배출구는 제1배출구(161), 제2배출구(162) 및 제3배출구(미도시)를 포함할 수 있다. 이때, 제1배출구(161)는 제1공정가스를 하우징(110) 외부로 안내할 수 있으며, 제2배출구(162)는 제2공정가스를 하우징(110) 외부로 안내할 수 있다. 또한, 제3배출구(163)는 퍼지가스를 하우징(110) 외부로 안내할 수 있다. The outlet is disposed in the central portion of the first housing 111 to discharge gas moving along the upper surface of the substrate through the nozzle unit 120 to the outside. At this time, a plurality of outlets may be provided. A plurality of outlets may be disposed to be distinguished from each other, and may guide different gases to the outside. For example, the plurality of outlets may include a first outlet 161, a second outlet 162, and a third outlet (not shown). In this case, the first outlet 161 may guide the first process gas to the outside of the housing 110 , and the second outlet 162 may guide the second process gas to the outside of the housing 110 . Also, the third outlet 163 may guide the purge gas to the outside of the housing 110 .

상기와 같은 같은 각 배출구에는 각 가스를 외부로 배출시키는 가스배출부가 연결될 수 있다. 예를 들면, 가스배출부는 제1배출구(161)와 연결되어 제1배출구(161)를 통하여 제1공정가스를 외부로 배출시키는 제1가스배출부(164), 제2배출구(162)와 연결되어 제2배출구(162)를 통하여 제2공정가스를 외부로 배출시키는 제2가스배출부(165) 및 제3배출구(163)와 연결되어 제3배출구(163)를 통하여 퍼지가스를 외부로 배출시키는 제3가스배출부(미도시)를 포함할 수 있다. A gas discharge unit for discharging each gas to the outside may be connected to each outlet as described above. For example, the gas discharge unit is connected to the first discharge port 161 and connected to the first gas discharge unit 164 and the second discharge port 162 for discharging the first process gas to the outside through the first discharge port 161. is connected to the second gas outlet 165 and the third outlet 163 for discharging the second process gas to the outside through the second outlet 162 and discharges the purge gas to the outside through the third outlet 163 A third gas discharge unit (not shown) may be included.

상기와 같은 복수개의 배출구의 개수 및 각 배출구에 연결되는 가스배출부의 개수는 상기에 한정되는 것은 아니며 노즐부(120)와 제1하우징(111)에 의하여 구분되는 공간의 개수에 따라 결정될 수 있다.The number of the plurality of outlets and the number of gas outlets connected to each outlet are not limited to the above, and may be determined according to the number of spaces divided by the nozzle unit 120 and the first housing 111.

압력조절부(170)는 서셉터부(130)와 제2하우징(112)가 형성하는 하부 공간에 비활성기체를 공급하거나 비활성기체를 외부로 배출할 수 있다. 이때, 압력조절부(170)는 제2하우징(112)과 연결된 배관(171), 배관(171)과 연결된 펌프(172)를 포함할 수 있다. 이러한 경우 비활성기체는 아르곤을 포함할 수 있다. 이때, 도면에 도시되어 있지 않지만 압력조절부(170)는 비활성기체가 저장되는 저장부를 더 포함할 수 있다. The pressure controller 170 may supply inert gas to the lower space formed by the susceptor unit 130 and the second housing 112 or discharge the inert gas to the outside. At this time, the pressure regulator 170 may include a pipe 171 connected to the second housing 112 and a pump 172 connected to the pipe 171 . In this case, the inert gas may include argon. At this time, although not shown in the drawings, the pressure control unit 170 may further include a storage unit in which an inert gas is stored.

상기와 같은 표시 장치의 제조장치(100)는 상기의 경우 이외에도 도면에 도시되어 있지는 않지만 하우징(110)을 감싸도록 배치되는 별도의 챔버를 포함하는 것도 가능하다. 이때, 챔버는 하우징(110)을 완전히 차폐함으로써 제1하우징(111) 및 제2하우징(112)의 틈새를 통하여 가스가 유출되었을 때 챔버 외부로 유출되는 것을 방지할 수 있다. The manufacturing apparatus 100 of the display device as described above may include a separate chamber arranged to surround the housing 110, although not shown in the drawings, other than the above case. In this case, the chamber completely covers the housing 110 to prevent gas from flowing out of the chamber when leaking through the gap between the first housing 111 and the second housing 112 .

상기와 같은 표시 장치의 제조장치(100)는 디스플레이 기판 상에 다양한 층을 형성할 수 있다. 예를 들면, 표시 장치의 제조장치(100)는 디스플레이 기판 상에 실리콘나이트라이드, 산화알루미늄 등을 포함하는 층을 형성할 수 있다. The display device manufacturing apparatus 100 as described above may form various layers on a display substrate. For example, the apparatus 100 for manufacturing a display device may form a layer including silicon nitride, aluminum oxide, or the like on a display substrate.

상기와 같은 경우 디스플레이 기판이 서셉터부(130)에 배치된 후 디스플레이 기판의 일 영역에 제1공정가스를 공급할 수 있다. 또한, 일정시간 경과 후 서셉터부(130)를 회전하여 디스플레이 기판의 일 영역에 퍼지가스를 공급할 수 있다. 이후 서셉터부(130)를 회전하여 디스플레이 기판의 일 영역에 제2공정가스를 공급하여 하나의 막을 형성할 수 있다. 다시 서셉터부(130)를 회전하여 디스플레이 기판의 일 영역에 퍼지가스를 공급할 수 있다. In the above case, after the display substrate is disposed on the susceptor unit 130, the first process gas may be supplied to one region of the display substrate. In addition, the purge gas may be supplied to one region of the display substrate by rotating the susceptor unit 130 after a certain period of time has elapsed. Thereafter, the susceptor unit 130 may be rotated to supply a second process gas to one region of the display substrate to form one film. The purge gas may be supplied to one region of the display substrate by rotating the susceptor unit 130 again.

상기와 같은 경우 제1공정가스, 퍼지가스 및 제2공정가스는 제1유입구(151) 내지 제3유입구(153)를 통하여 노즐부(120)를 통하여 디스플레이 기판에 공급될 수 있다. 이러한 경우 제1가스공급부(154) 내지 제3가스공급부 각각은 제1공정가스, 퍼지가스 및 제2공정가스를 공급할 수 있다. 이후 제1공정가스, 퍼지가스 및 제2공정가스는 각각 제1배출구(161) 내지 제3배출구(163) 각각을 통하여 하우징(110) 외부로 안내될 수 있다. 이때, 제1가스배출부(164) 내지 제3가스배출부 각각은 제1공정가스, 퍼지가스 및 제2공정가스를 하우징(110) 외부로 배출시킬 수 있다. In the above case, the first process gas, the purge gas, and the second process gas may be supplied to the display substrate through the nozzle unit 120 through the first inlet 151 to the third inlet 153 . In this case, each of the first gas supply unit 154 to the third gas supply unit may supply the first process gas, the purge gas, and the second process gas. Thereafter, the first process gas, the purge gas, and the second process gas may be guided to the outside of the housing 110 through the first outlet 161 to the third outlet 163, respectively. At this time, each of the first gas discharge unit 164 to the third gas discharge unit may discharge the first process gas, the purge gas, and the second process gas to the outside of the housing 110 .

상기와 같은 경우 제1공정가스, 퍼지가스 및 제2공정가스는 하우징(110)의 중앙부분에서 공급되어 하우징(110)의 측면 부분으로 이동한 후 하우징(110)의 중앙 부분으로 다시 배출될 수 있다. 이러한 경우 서셉터부(130)의 히터는 서셉터부(130)의 온도를 공정온도에 대응되도록 가열할 수 있다. In the above case, the first process gas, the purge gas, and the second process gas may be supplied from the central portion of the housing 110, moved to the side portion of the housing 110, and then discharged back to the central portion of the housing 110. there is. In this case, the heater of the susceptor unit 130 may heat the temperature of the susceptor unit 130 to correspond to the process temperature.

상기와 같이 공정이 진행되는 동안 압력조절부(170)는 비활성기체를 서셉터부(130)의 하부로 공급할 수 있다. 이때, 비활성기체는 서셉터부(130)의 하부를 완전히 채움과 동시에 서셉터부(130)와 노즐부(120) 사이의 공간으로 이동할 수 있다. 이때, 노즐부(120)의 측면으로 공급되는 제1공정가스, 퍼지가스 및 제2공정가스 중 적어도 하나의 압력은 서셉터부(130) 하부를 완전히 채운 비활성가스의 압력보다 작게 형성됨으로써 노즐부(120)와 서셉터부(130) 사이의 공간으로 제1공정가스, 퍼지가스 및 제2공정가스가 배출되는 것을 최소화할 수 있다. While the process is in progress as described above, the pressure controller 170 may supply inert gas to the lower portion of the susceptor unit 130 . At this time, the inert gas may completely fill the lower portion of the susceptor unit 130 and move into a space between the susceptor unit 130 and the nozzle unit 120 . At this time, the pressure of at least one of the first process gas, the purge gas, and the second process gas supplied to the side of the nozzle unit 120 is smaller than the pressure of the inert gas completely filling the lower part of the susceptor unit 130, so that the nozzle unit Discharge of the first process gas, the purge gas, and the second process gas into the space between the susceptor unit 120 and the susceptor unit 130 can be minimized.

상기의 과정이 완료되면 디스플레이 기판은 하우징(110)의 외부로 인출되어 다른 층을 형성하기 위하여 다른 표시 장치의 제조장치로 이송될 수 있다.When the above process is completed, the display substrate may be taken out of the housing 110 and transferred to a manufacturing apparatus for another display device to form another layer.

따라서 표시 장치의 제조장치(100) 및 표시 장치의 제조방법은 제1공정가스, 퍼지가스 및 제2공정가스를 중앙 부분에서 공급하여 중앙부분에서 하우징(110)의 외부로 배출시킴으로써 간단한 구조를 통하여 공정을 수행하는 것이 가능하다. 또한, 표시 장치의 제조장치(100) 및 표시 장치의 제조방법은 제1공정가스, 퍼지가스 및 제2공정가스를 동시에 공급하면서 작동시키는 것이 가능하므로 제조 시간을 단축하는 것이 가능하다. Therefore, the display device manufacturing apparatus 100 and the display device manufacturing method have a simple structure by supplying the first process gas, the purge gas, and the second process gas from the central part and discharging them to the outside of the housing 110 from the central part. It is possible to carry out the process. In addition, since the display device manufacturing apparatus 100 and the display device manufacturing method can be operated while simultaneously supplying the first process gas, the purge gas, and the second process gas, it is possible to shorten the manufacturing time.

이하에서는 노즐부(120)의 구성에 대해서 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, the configuration of the nozzle unit 120 will be described in detail.

도 3a는 도 2에 도시된 노즐부의 상면을 보여주는 사시도이다. 도 3b는 도 2에 도시된 노즐부의 하면을 보여주는 사시도이다. 도 3c는 도 2에 도시된 노즐부의 측면을 보여주는 단면사시도이다. 도 3d는 도 2에 도시된 노즐부의 일부를 개략적으로 보여주는 단면도이다.3A is a perspective view showing an upper surface of the nozzle unit shown in FIG. 2; Figure 3b is a perspective view showing a lower surface of the nozzle unit shown in Figure 2; Figure 3c is a cross-sectional perspective view showing a side of the nozzle unit shown in Figure 2; 3D is a cross-sectional view schematically showing a part of the nozzle unit shown in FIG. 2 .

도 3a 내지 도 3d를 참고하면, 노즐부(120)는 노즐바디부(121), 제1돌출부(122), 가이드부(123) 및 제2돌출부(126)를 포함할 수 있다. Referring to FIGS. 3A to 3D , the nozzle part 120 may include a nozzle body part 121 , a first protrusion part 122 , a guide part 123 and a second protrusion part 126 .

노즐바디부(121)는 노즐부(120)의 측면을 정의할 수 있다. 이때, 노즐바디부(121)는 원형으로 형성될 수 있으며, 제1돌출부(122) 및 제2돌출부(126)와 연결될 수 있다. 이러한 경우 노즐바디부(121)는 일부가 절곡되도록 형성될 수 있다. 예를 들면, 노즐바디부(121)는 하면이 절곡되며 중앙 부분으로 돌출된 절곡부(121a)를 포함할 수 있다. 이러한 경우 노즐바디부(121)는 'L'자 형태일 수 있다. The nozzle body part 121 may define a side surface of the nozzle part 120 . At this time, the nozzle body 121 may be formed in a circular shape and may be connected to the first protrusion 122 and the second protrusion 126 . In this case, a portion of the nozzle body 121 may be bent. For example, the nozzle body portion 121 may include a bent portion 121a, the lower surface of which is bent and protrudes toward the central portion. In this case, the nozzle body 121 may have an 'L' shape.

제1돌출부(122)는 노즐바디부(121)와 연결될 수 있으며, 가이드부(123)와 연결될 수 있다. 이때, 제1돌출부(122)는 도 3a에 도시된 바와 같이 측면이 라운드지게 형성될 수 있다. 상기와 같은 제1돌출부(122)는 노즐부(120)를 복수개의 공간으로 구분할 수 있다. 구체적으로 제1돌출부(122)의 상면 및 노즐바디부(121)의 상면는 도 2에 도시된 제1하우징(111)의 하면에 접촉할 수 있고, 이로 인하여 노즐바디부(121), 가이드부(123), 제1하우징(111) 및 제1돌출부(122)는 서로 구분되는 복수개의 영역을 형성할 수 있다. 예를 들면, 노즐바디부(121), 가이드부(123), 제1하우징(111) 및 제1돌출부(122)는 제1공정가스(A)가 이동하는 제1영역(S1), 제2공정가스(B)가 이동하는 제2영역(S2) 및 제1영역(S1)과 제2영역(S2) 사이에 배치되며 퍼지가스(C)가 이동하는 제3영역(S3)을 정의할 수 있다. 이때, 제1영역(S1), 제2영역(S2) 및 제3영역(S3) 각각은 서로 독립된 공간일 수 있으며, 서로 혼합되지 않을 수 있다. The first protrusion 122 may be connected to the nozzle body 121 and may be connected to the guide part 123 . In this case, the first protrusion 122 may have a rounded side surface as shown in FIG. 3A. The first protrusion 122 as described above may divide the nozzle unit 120 into a plurality of spaces. Specifically, the upper surface of the first protrusion 122 and the upper surface of the nozzle body 121 may contact the lower surface of the first housing 111 shown in FIG. 123), the first housing 111 and the first protrusion 122 may form a plurality of regions that are distinguished from each other. For example, the nozzle body part 121, the guide part 123, the first housing 111 and the first protrusion part 122 are the first region S1 where the first process gas A moves, the second A second region S2 where the process gas B moves and a third region S3 disposed between the first region S1 and the second region S2 and where the purge gas C moves can be defined. there is. In this case, each of the first area S1 , the second area S2 , and the third area S3 may be spaces independent of each other and may not be mixed with each other.

가이드부(123)는 제1돌출부(122)와 연결될 수 있으며, 플레이트 형태로 형성될 수 있다. 이때, 가이드부(123)의 끝단은 노즐바디부(121)와 연결되지 않을 수 있다. 특히 가이드부(123)의 라운드진 끝단은 노즐바디부(121)와 이격됨으로써 공간을 형성할 수 있다. 이러한 공간을 통하여 제1공정가스(A), 제2공정가스(B) 및 퍼지가스(C)가 노즐바디부(121)의 하면으로 이동할 수 있다. 이러한 가이드부(123)의 끝단은 가이드부(123)의 두께 방향으로 라운드지게 형성될 수 있다. 이를 통하여 가이드부(123)의 끝단에서 가스가 원활하게 이동하도록 할 수 있으며, 압력이 급격하게 증가하는 것을 방지할 수 있다. The guide portion 123 may be connected to the first protrusion 122 and may be formed in a plate shape. At this time, the end of the guide part 123 may not be connected to the nozzle body part 121 . In particular, the rounded end of the guide part 123 may form a space by being spaced apart from the nozzle body part 121 . Through this space, the first process gas (A), the second process gas (B), and the purge gas (C) can move to the lower surface of the nozzle body part 121 . An end of the guide part 123 may be formed to be rounded in the thickness direction of the guide part 123 . Through this, it is possible to smoothly move the gas at the end of the guide part 123, and it is possible to prevent a sudden increase in pressure.

제2돌출부(126)는 제1돌출부(122)와 대향하도록 배치될 수 있다. 이때, 제2돌출부(126)는 제1돌출부(122)와 유사하게 서셉터부(130)와 공간을 형성할 수 있다. 이러한 경우 제2돌출부(126)는 서셉터부(130)의 상면과 접촉하지 않을 수 있다.The second protrusion 126 may be disposed to face the first protrusion 122 . At this time, the second protrusion 126 may form a space with the susceptor part 130 similarly to the first protrusion 122 . In this case, the second protrusion 126 may not contact the upper surface of the susceptor unit 130 .

상기와 같은 제1돌출부(122), 가이드부(123) 및 제2돌출부(126)가 서로 중첩되는 부분에는 분리가스가 공급되는 공급유로(122a)가 배치될 수 있다. 이때, 분리가스는 헬륨일 수 있다. A supply passage 122a through which separation gas is supplied may be disposed at a portion where the first protrusion 122, the guide portion 123, and the second protrusion 126 overlap each other. In this case, the separation gas may be helium.

노즐부(120)는 분리가스를 공급하여 분사하는 분리가스분사부(미표기)를 포함할 수 있다. 이때, 상기 분리가스분사는 공급유로(122a), 분리가스유입구(125) 및 분사홀(126a)을 포함할 수 있다. The nozzle unit 120 may include a separation gas spraying unit (not shown) that supplies and sprays separation gas. In this case, the separation gas injection may include a supply passage 122a, a separation gas inlet 125, and a spray hole 126a.

공급유로(122a)는 노즐바디부(121)에 형성된 분리가스유입구(125)와 연결될 수 있다. 이때, 공급유로(122a)는 제1돌출부(122)의 길이 방향을 따라 형성될 수 있으며, 분리가스유입구(125)에서 공급된 분리가스를 노즐부(120)의 측면에서 노즐부(120)의 중앙 쪽으로 이동시킬 수 있다. 이러한 경우 분리가스유입구(125)에는 분리가스를 공급하는 별도의 배관이 연결될 수 있다. The supply passage 122a may be connected to the separation gas inlet 125 formed in the nozzle body 121 . At this time, the supply passage 122a may be formed along the length direction of the first protrusion 122, and the separation gas supplied from the separation gas inlet 125 is passed through the nozzle unit 120 from the side of the nozzle unit 120. It can be moved towards the center. In this case, a separate pipe for supplying separation gas may be connected to the separation gas inlet 125 .

또한, 공급유로(122a)는 제2돌출부(126)를 따라 분리가스를 분사함으로써 가스 커튼을 형성하도록 하는 분사홀(126a)과 연결될 수 있다. 이때, 분사홀(126a)은 복수개 구비될 수 있으며, 제2돌출부(126)의 길이 방향을 따라 서로 이격되도록 배치될 수 있다. In addition, the supply passage 122a may be connected to a spray hole 126a to form a gas curtain by spraying the separation gas along the second protrusion 126 . In this case, a plurality of spray holes 126a may be provided, and may be arranged to be spaced apart from each other along the longitudinal direction of the second protrusion 126 .

상기와 같은 경우 서로 구분되는 가이드부(123) 각각에는 각 가스가 외부로 배출되는 배출홀이 형성될 수 있다. 예를 들면, 제1영역(S1)에 배치된 가이드부(123)를 관통하도록 제1배출홀(124a)이 형성되고, 제2영역(S2)에는 제2배출홀(124b)이 배치되며, 제3영역(S3)에는 제3배출홀(124c)이 배치될 수 있다. In the above case, a discharge hole through which each gas is discharged to the outside may be formed in each of the guide parts 123 that are distinguished from each other. For example, the first discharge hole 124a is formed to pass through the guide part 123 disposed in the first region S1, and the second discharge hole 124b is disposed in the second region S2, A third discharge hole 124c may be disposed in the third area S3.

이와 같은 제1배출홀(124a), 제2배출홀(124b) 및 제3배출홀(124c)은 각각 상기 도 2에서 설명한 제1배출구(161), 제2배출구(162) 및 제3배출구(163)와 연결됨으로써 가스를 외부로 안내할 수 있다. 또한, 제1배출홀(124a), 제2배출홀(124b) 및 제3배출홀(124c)은 각각 제1돌출부(122)의 상면까지 연장됨으로써 제1배출구(161), 제2배출구(162) 및 제3배출구(163) 각각과 완전히 연결될 수 있다. The first discharge hole 124a, the second discharge hole 124b, and the third discharge hole 124c are respectively the first discharge port 161, the second discharge port 162, and the third discharge port described in FIG. 2 ( 163), it is possible to guide the gas to the outside. In addition, the first discharge hole 124a, the second discharge hole 124b, and the third discharge hole 124c each extend to the upper surface of the first protrusion 122, thereby forming the first discharge port 161 and the second discharge port 162. ) and the third outlet 163 may be completely connected to each other.

상기와 같은 노즐부(120)의 작동을 살펴보면, 상기에서 설명한 바와 같이 공정이 진행되는 동안 제1공정가스(A), 제2공정가스(B) 및 퍼지가스(C) 각각은 제1유입구(151), 제2유입구(152) 및 제3유입구(153)를 통하여 공급될 수 있다. 이때, 제1공정가스(A), 제2공정가스(B) 및 퍼지가스(C)는 순차적으로 공급되는 것이 아닌 동시에 공급될 수 있다. Looking at the operation of the nozzle unit 120 as described above, during the process as described above, each of the first process gas (A), the second process gas (B) and the purge gas (C) enters the first inlet ( 151), it may be supplied through the second inlet 152 and the third inlet 153. In this case, the first process gas (A), the second process gas (B), and the purge gas (C) may be supplied simultaneously rather than sequentially.

제1공정가스(A), 제2공정가스(B) 및 퍼지가스(C)는 각각 제1영역(S1), 제2영역(S2) 및 제3영역(S3)에 공급될 수 있다. 이때, 제1영역(S1), 제2영역(S2), 제3영역(S3) 각각에는 서로 다른 디스플레이 기판이 배치될 수 있다. 다른 실시예로서 제1영역(S1), 제2영역(S2), 제3영역(S3)은 하나의 디스플레이 기판과 중첩되도록 배치되는 것도 가능하다. 또 다른 실시예로서 제1영역(S1), 제2영역(S2), 제3영역(S3) 중 적어도 하나는 복수개의 디스플레이 기판 중 적어도 하나와 중첩되도록 배치되는 것도 가능하다. The first process gas (A), the second process gas (B), and the purge gas (C) may be supplied to the first region S1, the second region S2, and the third region S3, respectively. In this case, different display substrates may be disposed in each of the first area S1 , the second area S2 , and the third area S3 . As another embodiment, the first region S1 , the second region S2 , and the third region S3 may be arranged to overlap one display substrate. As another embodiment, at least one of the first region S1 , the second region S2 , and the third region S3 may be disposed to overlap at least one of the plurality of display substrates.

상기와 같이 제1영역(S1), 제2영역(S2), 제3영역(S3) 각각에 제1공정가스(A), 제2공정가스(B) 및 퍼지가스(C) 각각이 공급되는 동안 서셉터부(130)가 회전할 수 있다. 이러한 경우 서셉터부(130)의 동일한 영역에는 제1공정가스(A), 퍼지가스(C), 제2공정가스(B) 및 퍼지가스(C)가 순차적으로 공급될 수 있다. 이를 통하여 서셉터부(130)에 배치된 디스플레이 기판 상에는 하나의 층이 형성될 수 있다. As described above, the first process gas (A), the second process gas (B), and the purge gas (C) are respectively supplied to the first region (S1), the second region (S2), and the third region (S3). During this time, the susceptor unit 130 may rotate. In this case, the first process gas (A), the purge gas (C), the second process gas (B), and the purge gas (C) may be sequentially supplied to the same region of the susceptor unit 130 . Through this, one layer may be formed on the display substrate disposed on the susceptor unit 130 .

상기와 같은 노즐부(120)는 상기에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 노즐부(120)는 도 3a 및 도 3b에 도시된 것과 같이 네개의 영역으로 구분되는 것이 아닌 8개의 영역으로 구분되는 것도 가능하다. 다른 실시예로서 노즐부(120)는 복수개의 영역으로 구분되고 복수개의 영역 중 하나에서 제1층을 형성하고, 복수개의 영역 중 다른 하나에서 제2층을 형성하는 것도 가능하다. 또 다른 실시예로서 노즐부(120)는 복수개의 영역으로 구분되고, 복수개의 영역 중 일부에서 제1층을 형성하고, 복수개의 영역 중 나머지에서 제2층을 형성하는 것도 가능하다. 또 다른 실시예로서 노즐부(120)는 복수개의 영역으로 구분되고, 복수개의 영역에서 적어도 3개의 층을 형성하는 것도 가능하다. 또 다른 실시예로서 노즐부(120)는 복수개의 영역 중 하나에 제1공정가스(A), 제2공정가스(B) 및 퍼지가스(C)를 공급하고, 복수개의 영역 중 다른 하나에 제3공정가스, 퍼지가스 및 제4공정가스를 공급할 수 있다. 이러한 경우 복수개의 영역 중 하나와 복수개의 영역 중 다른 하나는 서로 다른 층이 형성될 수 있다. 상기와 같은 경우 노즐부(120)는 하나의 층을 형성하기 위하여 제1공정가스, 퍼지가스, 제2공정가스 및 퍼지가스를 하나의 영역에 분사할 수 있다. The nozzle unit 120 as described above is not limited thereto. For example, the nozzle unit 120 may be divided into eight regions instead of four regions as shown in FIGS. 3A and 3B . As another embodiment, the nozzle unit 120 may be divided into a plurality of regions, and the first layer may be formed in one of the plurality of regions, and the second layer may be formed in another one of the plurality of regions. As another embodiment, the nozzle unit 120 may be divided into a plurality of regions, and the first layer may be formed in some of the plurality of regions, and the second layer may be formed in the remaining regions. As another embodiment, the nozzle unit 120 is divided into a plurality of regions, and at least three layers may be formed in the plurality of regions. As another embodiment, the nozzle unit 120 supplies the first process gas (A), the second process gas (B), and the purge gas (C) to one of a plurality of areas, and supplies the second process gas (C) to the other one of the plurality of areas. A third process gas, a purge gas, and a fourth process gas may be supplied. In this case, one of the plurality of regions and the other of the plurality of regions may be formed of different layers. In this case, the nozzle unit 120 may spray the first process gas, the purge gas, the second process gas, and the purge gas to one area to form one layer.

도 4는 본 발명의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.4 is a cross-sectional view showing another embodiment of the present invention.

도 4를 참고하면, 표시 장치의 제조장치(100)는 하우징(110), 노즐부(120), 서셉터부(130), 구동부(140), 유입구, 배출구 및 압력조절부(170)를 포함할 수 있다. 또한, 표시 장치의 제조장치(100)는 제1가스공급부(154), 제2가스공급부(155) 및 제3가스공급부(미도시)를 포함할 수 있다. 표시 장치의 제조장치(100)는 제1가스배출부(164), 제2가스배출부(165) 및 제3가스배출부(미도시)를 포함할 수 있다. 상기와 같은 경우 표시 장치의 제조장치(100)는 도 1에 도시된 표시 장치의 제조장치(100)와 유사하므로 이하에서는 차이점을 중심으로 상세히 설명하기로 한다. Referring to FIG. 4 , the display device manufacturing apparatus 100 includes a housing 110, a nozzle unit 120, a susceptor unit 130, a driving unit 140, an inlet, an outlet, and a pressure control unit 170. can do. Also, the apparatus 100 for manufacturing a display device may include a first gas supply unit 154 , a second gas supply unit 155 , and a third gas supply unit (not shown). The apparatus 100 for manufacturing a display device may include a first gas discharge unit 164 , a second gas discharge unit 165 , and a third gas discharge unit (not shown). In the above case, since the display device manufacturing apparatus 100 is similar to the display apparatus manufacturing apparatus 100 shown in FIG. 1 , differences will be described in detail below.

표시 장치의 제조장치(100)는 서셉터부(130)에 배치된 리프팅부(190)를 포함할 수 있다. 이때, 리프팅부(190)는 핀(191)과, 핀(191)과 연결되어 핀(191)을 선형 운동시키는 핀구동부(192)를 포함할 수 있다. 이때, 리프팅부(190)는 기판안착부(133)에 배치되어 디스플레이 기판의 안착이나 디스플레이 기판을 인출 시 디스플레이 기판을 지지하거나 디스플레이 기판을 승하강시킬 수 있다. 즉, 핀구동부(192)의 작동에 따라 핀(191)이 기판안착부(133)의 상면에서 돌출되거나 기판안착부(133) 내부로 삽입됨으로써 디스플레이 기판을 승하강시킬 수 있다. The apparatus 100 for manufacturing a display device may include a lifting part 190 disposed on the susceptor part 130 . At this time, the lifting unit 190 may include a pin 191 and a pin driver 192 connected to the pin 191 and linearly moving the pin 191 . At this time, the lifting part 190 is disposed on the board seating part 133 to support the display board or move the display board up and down when the display board is seated or the display board is pulled out. That is, as the pin 191 protrudes from the upper surface of the substrate seating portion 133 or is inserted into the substrate seating portion 133 according to the operation of the pin driver 192, the display substrate can be moved up and down.

표시 장치의 제조장치(100)는 플라즈마생성부(180)를 포함할 수 있다. 이때, 플라즈마생성부(180)는 노즐부(120)에 배치된 전극(181)과, 전극(181)과 연결되는 전원부(182)를 포함할 수 있다. The display device manufacturing apparatus 100 may include a plasma generating unit 180 . At this time, the plasma generating unit 180 may include an electrode 181 disposed on the nozzle unit 120 and a power supply unit 182 connected to the electrode 181 .

한편, 표시 장치의 제조장치(100)의 작동은 상기에서 설명한 바와 동일 또는 유사하게 형성될 수 있다. 예를 들면, 노즐부(120)는 복수개의 영역으로 구분되고 복수개의 영역에서는 서로 다른 층이 동시에 형성될 수 있다.Meanwhile, the operation of the apparatus 100 for manufacturing a display device may be formed in the same or similar manner as described above. For example, the nozzle unit 120 is divided into a plurality of regions, and different layers may be simultaneously formed in the plurality of regions.

도 3a를 참고하면, 제1영역(S1)에서는 제1공정가스, 퍼지가스 및 제2공정가스가 순차적으로 공급됨으로써 제1층을 형성할 수 있다. 반면 제2영역(S2)에서는 제3공정가스, 퍼지가스 및 제4공정가스가 순차적으로 공급되고 전원부(182)에서 전극(181)에 전류가 인가되면 제2영역(S2)과 서셉터부(130) 사이의 전위차로 인하여 제2영역(S2)에 배치된 가이드부(123)의 하면과 서셉터부(130) 사이에 플라즈마가 형성됨으로써 제2층이 형성될 수 있다. 또한, 상기와 같은 경우 서셉터부(130)가 회전하면 제1영역(S1)과 제2영역(S2) 하부에 배치된 서셉터부(130) 부분이 기존과 상이해짐으로써 디스플레이 기판에 서로 상이한 물질을 포함하는 층을 순차적으로 형성할 수 있다. Referring to FIG. 3A , in the first region S1 , a first layer may be formed by sequentially supplying a first process gas, a purge gas, and a second process gas. On the other hand, in the second region S2, the third process gas, the purge gas, and the fourth process gas are sequentially supplied, and when current is applied to the electrode 181 from the power supply unit 182, the second region S2 and the susceptor unit ( 130), plasma is formed between the lower surface of the guide part 123 disposed in the second region S2 and the susceptor part 130 due to a potential difference between the two regions, thereby forming a second layer. In addition, in the above case, when the susceptor part 130 rotates, the parts of the susceptor part 130 disposed below the first area S1 and the second area S2 become different from the conventional ones, so that the display substrate has different Layers containing materials may be sequentially formed.

다른 실시예로서 상기의 경우 이외에도 상기에서 설명한 것과 같이 제1공정가스를 노즐부(120)의 제1영역(S1)에 공급하고, 제2공정가스를 노즐부(120)의 제2영역(S2)으로 공급하면서 서셉터부(130)를 회전시켜 디스플레이 기판 상에 하나의 층을 형성하는 것도 가능하다. As another embodiment, in addition to the above cases, the first process gas is supplied to the first area S1 of the nozzle unit 120 as described above, and the second process gas is supplied to the second area S2 of the nozzle unit 120. ) It is also possible to form one layer on the display substrate by rotating the susceptor unit 130 while supplying.

또 다른 실시예로서 도 1에 도시된 구조와 도 4에 도시된 구조를 혼합하여 서로 다른 방식으로 서로 다른 층을 형성하는 것도 가능하다. As another embodiment, it is also possible to form different layers in different ways by mixing the structure shown in FIG. 1 and the structure shown in FIG. 4 .

또 다른 실시예로서 노즐부(120)의 하나의 영역을 복수개의 영역으로 구분하여 각 영역에 도 1에 도시된 구조를 적용하고, 노즐부(120)의 다른 영역를 복수개의 영영으로 구분하여 도 4에 도시된 구조를 적용하는 것도 가능하다. As another embodiment, one area of the nozzle unit 120 is divided into a plurality of areas, the structure shown in FIG. 1 is applied to each area, and another area of the nozzle unit 120 is divided into a plurality of areas, and FIG. 4 It is also possible to apply the structure shown in.

상기와 같은 경우 분리가스를 분사함으로써 서셉터부(130)를 복수개의 영역으로 구분하여 각 영역의 가스가 다른 영역의 가스와 혼합되는 것을 최소화할 수 있다. 또한, 압력조절부(170)는 서셉터부(130)의 하면에 비활성기체를 공급함으로써 서셉터부(130)의 테두리(또는 끝단)으로 공정에 사용되는 가스가 분사되는 것을 최소화할 수 있다. In the above case, by injecting separation gas, the susceptor unit 130 is divided into a plurality of regions, and mixing of gas in each region with gas in other regions can be minimized. In addition, the pressure control unit 170 can minimize the injection of gas used in the process to the rim (or end) of the susceptor unit 130 by supplying an inert gas to the lower surface of the susceptor unit 130 .

따라서 표시 장치의 제조장치(100)는 다양한 방식의 공정을 수행하는 구조를 하나의 장치에 형성하는 것이 가능하며 각 공정이 동시에 수행되더라도 각 공정이 다른 공정에 영향을 미치는 것을 최소화할 수 있다. Therefore, the apparatus 100 for manufacturing a display device can form a structure for performing various types of processes in one device, and even if each process is performed simultaneously, the influence of each process on other processes can be minimized.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 보여주는 평면도이다. 도 6은 도 5의 F-F´선을 따라 취한 단면도이다.5 is a plan view illustrating a display device according to an exemplary embodiment of the present invention. 6 is a cross-sectional view taken along line F-F′ of FIG. 5;

도 5 및 도 6을 참고하면, 표시 장치(20)는 기판(21) 상에서 표시 영역(DA)과 표시 영역(DA)의 외곽에 주변 영역(DPA)이 정의될 수 있다. 표시 영역(DA)에는 화소(Px)가 배치되고, 주변 영역(DPA)에는 전원 배선(미도시) 등이 배치될 수 있다. 이때, 화소(Px)는 표시 영역(DA)에 복수개 구비될 수 있다. 복수개의 화소(Px)는 서로 이격되도록 배치될 수 있다. 이러한 경우 복수개의 화소(Px) 중 일부, 복수개의 화소(Px) 중 다른 일부 및 복수개의 회소(Px) 중 나머지는 서로 상이한 색을 발광할 수 있다. 또한, 주변 영역(DPA)에는 패드부(PA)가 배치될 수 있다.Referring to FIGS. 5 and 6 , in the display device 20 , a display area DA and a peripheral area DPA outside the display area DA may be defined on the substrate 21 . A pixel Px may be disposed in the display area DA, and a power line (not shown) may be disposed in the peripheral area DPA. In this case, a plurality of pixels Px may be provided in the display area DA. The plurality of pixels Px may be arranged to be spaced apart from each other. In this case, some of the plurality of pixels Px, other parts of the plurality of pixels Px, and the rest of the plurality of pixels Px may emit different colors. In addition, a pad part PA may be disposed in the peripheral area DPA.

표시 장치(20)은 표시층(DISL)을 포함할 수 있다. 이때, 표시층(DISL)의 밀봉부재는 기판(21)에 배치되는 실링부와, 실링부와 연결되며 기판(21)과 대향하도록 배치되는 봉지기판(미도시)를 포함할 수 있다. 다른 실시예로써 표시층(DISL)의 밀봉부재는 표시층(DISL)의 적어도 일부분을 차폐하는 봉지층(E)을 포함할 수 있다. The display device 20 may include a display layer DISL. In this case, the sealing member of the display layer DISL may include a sealing portion disposed on the substrate 21 and a sealing substrate (not shown) connected to the sealing portion and disposed to face the substrate 21 . As another example, the sealing member of the display layer DISL may include an encapsulation layer E that shields at least a portion of the display layer DISL.

상기와 같은 표시층(DISL)은 기판(21) 상에 배치되는 박막 트랜지스터(TFT) 및 유기 발광 소자(28,OLED)를 포함할 수 있다. 이때, 기판(21)은 상기에서 설명한 것과 동일 또는 유사할 수 있다. The display layer DISL as described above may include a thin film transistor (TFT) and an organic light emitting device (OLED) 28 disposed on the substrate 21 . In this case, the substrate 21 may be the same as or similar to that described above.

기판(21) 상에 박막 트랜지스터(TFT)가 형성되고, 박막 트랜지스터(TFT)를 덮도록 패시베이션막(27)이 형성되며, 이 패시베이션막(27) 상에 유기 발광 소자(28)가 형성될 수 있다.A thin film transistor (TFT) may be formed on a substrate 21, a passivation film 27 may be formed to cover the thin film transistor (TFT), and an organic light emitting element 28 may be formed on the passivation film 27. there is.

기판(21)의 상면에는 유기화합물 및/또는 무기화합물로 이루어진 버퍼층(22)이 더 배치될 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(22)은 SiO_x(x≥1) 및/또는 SiN_x(x≥1)로 형성될 수 있다.A buffer layer 22 made of an organic compound and/or an inorganic compound may be further disposed on the upper surface of the substrate 21 . For example, the buffer layer 22 may be formed of SiO _x (x≥1) and/or SiN _x (x≥1).

이 버퍼층(22) 상에 소정의 패턴으로 배열된 활성층(23)이 형성된 후, 활성층(23)이 게이트 절연층(24)에 의해 매립된다. 활성층(23)은 소스 영역(23A)과 드레인 영역(23C)을 갖고, 그 사이에 채널 영역(23B)을 더 포함한다. After the active layer 23 arranged in a predetermined pattern is formed on the buffer layer 22, the active layer 23 is buried by the gate insulating layer 24. The active layer 23 has a source region 23A and a drain region 23C, and further includes a channel region 23B therebetween.

이러한 활성층(23)은 다양한 물질을 함유하도록 형성될 수 있다. 예를 들면, 활성층(23)은 비정질 실리콘 또는 결정질 실리콘과 같은 무기 반도체 물질을 함유할 수 있다. 다른 예로서 활성층(23)은 산화물 반도체를 함유할 수 있다. 또 다른 예로서, 활성층(23)은 유기 반도체 물질을 함유할 수 있다. This active layer 23 may be formed to contain various materials. For example, the active layer 23 may contain an inorganic semiconductor material such as amorphous silicon or crystalline silicon. As another example, the active layer 23 may contain an oxide semiconductor. As another example, the active layer 23 may contain an organic semiconductor material.

활성층(23)은 구동 TFT(미도시), 스위칭 TFT(미도시) 등 TFT 종류에 따라, 그 소스 영역(23A) 및 드레인 영역(23C)이 불순물에 의해 도핑 된다. The active layer 23 is doped with impurities in its source region 23A and drain region 23C according to the type of TFT, such as a driving TFT (not shown) or a switching TFT (not shown).

게이트 절연층(24)의 상면에는 활성층(23)과 대응되는 게이트 전극(25)과 이를 매립하는 층간 절연층(26)이 형성된다. A gate electrode 25 corresponding to the active layer 23 and an interlayer insulating layer 26 filling the gate electrode 25 are formed on the upper surface of the gate insulating layer 24 .

그리고, 층간 절연층(26)과 게이트 절연층(24)에 콘택홀(H1)을 형성한 후, 층간 절연층(26) 상에 소스 전극(27A) 및 드레인 전극(27B)을 각각 소스 영역(23A) 및 드레인 영역(23C)에 콘택되도록 형성한다. Then, after forming the contact hole H1 in the interlayer insulating layer 26 and the gate insulating layer 24, the source electrode 27A and the drain electrode 27B are respectively formed on the interlayer insulating layer 26 in the source region ( 23A) and the drain region 23C.

이렇게 형성된 상기 박막 트랜지스터의 상부로는 패시베이션막(27)이 형성되고, 이 패시베이션막(27) 상부에 유기 발광 소자(28, OLED)의 화소 전극(28A)이 형성된다. 이 화소 전극(28A)은 패시베이션막(27)에 형성된 비아 홀(H2)에 의해 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(27B) 또는 소스 전극(27A) 중 하나에 콘택된다. 상기 패시베이션막(27)은 무기물 및/또는 유기물, 단층 또는 2개 층 이상으로 형성될 수 있는 데, 하부 막의 굴곡에 관계없이 상면이 평탄하게 되도록 평탄화막으로 형성될 수도 있는 반면, 하부에 위치한 막의 굴곡을 따라 굴곡이 가도록 형성될 수 있다. A passivation film 27 is formed above the thin film transistor thus formed, and a pixel electrode 28A of an organic light emitting element 28 (OLED) is formed on the passivation film 27. The pixel electrode 28A is brought into contact with either the drain electrode 27B or the source electrode 27A of the thin film transistor TFT through a via hole H2 formed in the passivation film 27. The passivation film 27 may be formed of an inorganic material and/or organic material, a single layer, or two or more layers, and may be formed of a planarization film so that the upper surface is flat regardless of the curvature of the lower film. It may be formed so that the curve goes along the curve.

패시베이션막(27) 상에 화소 전극(28A)을 형성한 후에는 이 화소 전극(28A) 및 패시베이션막(27)을 덮도록 화소정의막(29)이 유기물 및/또는 무기물에 의해 형성되고, 화소정의막(29)의 개구영역을 통하여 화소 전극(28A)이 노출되도록 개구된다.After the pixel electrode 28A is formed on the passivation film 27, a pixel defining film 29 is formed of an organic material and/or an inorganic material so as to cover the pixel electrode 28A and the passivation film 27. The pixel electrode 28A is exposed through the opening region of the definition layer 29 .

이러한 화소 전극(28A)는 인듐주석산화물(ITO; indium tin oxide), 인듐아연산화물(IZO; indium zinc oxide), 아연산화물(ZnO; zinc oxide), 인듐산화물(In₂O₃: indium oxide), 인듐갈륨산화물(IGO; indium gallium oxide) 또는 알루미늄아연산화물(AZO; aluminum zinc oxide)와 같은 도전성 산화물을 포함할 수 있다. 화소 전극(28A)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr) 또는 이들의 화합물을 포함하는 반사막을 포함할 수 있다. 예컨대 화소 전극(28A)은 전술한 반사막의 위/아래에 ITO, IZO, ZnO 또는 In₂O₃로 형성된 막들을 갖는 구조를 가질 수 있다. 이 경우, 화소 전극(28A) 은 ITO/Ag/ITO로 적층된 구조를 가질 수 있다.These pixel electrodes 28A include indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), indium oxide (In ₂ O ₃ : indium oxide), A conductive oxide such as indium gallium oxide (IGO) or aluminum zinc oxide (AZO) may be included. The pixel electrode 28A is made of silver (Ag), magnesium (Mg), aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), gold (Au), nickel (Ni), neodymium (Nd), or iridium (Ir). , chromium (Cr), or a reflective film including a compound thereof. For example, the pixel electrode 28A may have a structure having films formed of ITO, IZO, ZnO, or In ₂ O ₃ above and below the reflective film. In this case, the pixel electrode 28A may have a stacked structure of ITO/Ag/ITO.

그리고, 화소 전극(28A) 상에 중간층(28B) 및 대향 전극(28C)이 형성된다. 대향 전극(28C)은 표시 영역(DA)의 전면에 형성될 수 있다. 이러한 경우 대향 전극(28C)은 중간층(28B), 화소정의막(29) 상에 형성될 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여 대향 전극(28C)이 중간층(28B), 화소정의막(29) 상에 형성되는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다. Then, an intermediate layer 28B and a counter electrode 28C are formed on the pixel electrode 28A. The counter electrode 28C may be formed on the entire surface of the display area DA. In this case, the counter electrode 28C may be formed on the intermediate layer 28B and the pixel defining layer 29 . Hereinafter, for convenience of description, a case in which the counter electrode 28C is formed on the intermediate layer 28B and the pixel defining layer 29 will be described in detail.

화소 전극(28A)은 애노드 전극의 기능을 하고, 대향 전극(28C)은 캐소오드 전극의 기능을 하는 데, 물론, 이들 화소 전극(28A)과 대향 전극(28C)의 극성은 반대로 되어도 무방하다. The pixel electrode 28A functions as an anode electrode and the counter electrode 28C functions as a cathode electrode. Of course, the polarities of the pixel electrode 28A and the counter electrode 28C may be reversed.

화소 전극(28A)과 대향 전극(28C)은 상기 중간층(28B)에 의해 서로 절연되어 있으며, 중간층(28B)에 서로 다른 극성의 전압을 가해 유기 발광층에서 발광이 이뤄지도록 한다.The pixel electrode 28A and the counter electrode 28C are insulated from each other by the intermediate layer 28B, and voltages of different polarities are applied to the intermediate layer 28B to emit light from the organic light emitting layer.

중간층(28B)은 유기 발광층을 구비할 수 있다. 선택적인 다른 예로서, 중간층(28B)은 유기 발광층(organic emission layer)을 구비하고, 그 외에 정공 주입층(hole injection layer) 및 정공 수송층(hole transport layer) 중 적어도 하나를 포함하는 제1 보조층과 전자 수송층(electron transport layer) 및 전자 주입층(electron injection layer) 중 적어도 하나 포함하는 제2 보조층 중 적어도 하나를 더 구비할 수 있다. 본 실시예는 이에 한정되지 아니하고, 중간층(28B)이 유기 발광층을 구비하고, 기타 다양한 기능층(미도시)을 더 구비할 수 있다. The intermediate layer 28B may include an organic emission layer. As another selective example, the intermediate layer 28B includes an organic emission layer and, in addition, a first auxiliary layer including at least one of a hole injection layer and a hole transport layer. and at least one of a second auxiliary layer including at least one of an electron transport layer and an electron injection layer. The present embodiment is not limited thereto, and the intermediate layer 28B may include an organic light emitting layer and may further include various other functional layers (not shown).

상기와 같은 중간층(28B)은 복수 개 구비될 수 있으며, 복수개의 중간층(28B)은 표시 영역(DA)을 형성할 수 있다. 이때, 복수개의 중간층(28B)은 표시 영역(DA) 내부에 서로 이격되도록 배치될 수 있다. A plurality of intermediate layers 28B may be provided, and the plurality of intermediate layers 28B may form the display area DA. In this case, the plurality of intermediate layers 28B may be disposed to be spaced apart from each other in the display area DA.

대향 전극(28C)은 일함수가 낮은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 대향 전극(28C)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금 등을 포함하는 (반)투명층을 포함할 수 있다. 또는, 대향 전극(28C)은 전술한 물질을 포함하는 (반)투명층 상에 ITO, IZO, ZnO 또는 In₂O₃과 같은 층을 더 포함할 수 있다. 대향 전극(28C)은 표시영역(DA)에 포함된 유기발광다이오드(OLED)들에 대응되도록 일체로 형성될 수 있다.The counter electrode 28C may include a conductive material having a low work function. For example, the counter electrode 28C is made of silver (Ag), magnesium (Mg), aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), gold (Au), nickel (Ni), neodymium (Nd), iridium ( Ir), chromium (Cr), lithium (Li), calcium (Ca), or a (semi)transparent layer including alloys thereof, and the like may be included. Alternatively, the counter electrode 28C may further include a layer such as ITO, IZO, ZnO, or In ₂ O ₃ on the (semi)transparent layer containing the above-described material. The counter electrode 28C may be integrally formed to correspond to the organic light emitting diodes (OLEDs) included in the display area DA.

대향 전극(28C) 상에는 유기물질을 포함하는 상부층이 형성될 수 있다. 상부층은 대향 전극(28C)을 보호하는 동시에 광추출 효율을 높이기 위해서 마련된 층일 수 있다. 상부층은 대향 전극(28C) 보다 굴절률이 높은 유기물질을 포함할 수 있다. 또는, 상부층은 굴절율이 서로 다른 층들이 적층되어 구비될 수 있다. 예컨대, 상부층은 고굴절률층/저굴절률층/고굴절률층이 적층되어 구비될 수 있다. 이 때, 고굴절률층의 굴절률은 1.7이상 일 수 있으며, 저굴절률층의 굴절률은 1.3이하 일 수 있다.An upper layer containing an organic material may be formed on the counter electrode 28C. The upper layer may be a layer provided to protect the counter electrode 28C and increase light extraction efficiency. The upper layer may include an organic material having a higher refractive index than the counter electrode 28C. Alternatively, the upper layer may be provided by stacking layers having different refractive indices. For example, the upper layer may be provided by stacking a high refractive index layer/low refractive index layer/high refractive index layer. At this time, the refractive index of the high refractive index layer may be 1.7 or more, and the refractive index of the low refractive index layer may be 1.3 or less.

상부층은 추가적으로 LiF를 포함할 수 있다. 또는, 상부층은 추가적으로 실리콘 산화물(SiO₂), 실리콘 질화물(SiN_x)와 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다. 이러한 상부층은 필요에 따라 생략하는 것도 가능하다. 다만, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 대향 전극(28C) 상에 상부층이 배치되는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다. The top layer may additionally contain LiF. Alternatively, the upper layer may additionally include an inorganic insulator such as silicon oxide (SiO ₂ ) or silicon nitride (SiN _x ). It is also possible to omit this upper layer if necessary. However, hereinafter, for convenience of description, a case in which an upper layer is disposed on the counter electrode 28C will be described in detail.

상기 상부층을 차폐하는 봉지층(E)은 표시영역 및 주변영역의 일부를 덮어, 외부의 습기 및 산소의 침투를 방지할 수 있다. 봉지층(E)은 적어도 하나의 유기봉지층과 적어도 하나의 무기봉지층을 구비할 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여 봉지층(E)은 상부층 상면에 순차적으로 적층되는 제1 무기봉지층, 유기봉지층 및 제2 무기봉지층을 포함하는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다. The encapsulation layer (E) for shielding the upper layer may cover a portion of the display area and the peripheral area to prevent penetration of external moisture and oxygen. The encapsulation layer (E) may include at least one organic encapsulation layer and at least one inorganic encapsulation layer. Hereinafter, for convenience of description, the case where the encapsulation layer E includes a first inorganic encapsulation layer, an organic encapsulation layer, and a second inorganic encapsulation layer sequentially stacked on the top surface of the upper layer will be described in detail.

상기와 같은 경우 제1 무기봉지층 대향 전극(28C)을 덮으며, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 및/또는 실리콘옥시나이트라이드 등을 포함할 수 있다. 이러한 상기 제1 무기봉지층은 그 하부의 구조물을 따라 형성되기에, 무기봉지층 상면이 평탄하지 않게 된다. 상기 유기봉지층은 이러한 상기 제1 무기봉지층을 덮는데, 상기 제1 무기봉지층과 달리 그 상면이 대략 평탄할 수 있다. 구체적으로, 상기 유기봉지층은 표시영역(DA)에 대응하는 부분에서는 상면이 대략 평탄할 수 있다. 이러한 상기 유기봉지층은 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리에틸렌설포네이트, 폴리옥시메틸렌, 폴리아릴레이트, 헥사메틸디실록산으로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상의 재료를 포함할 수 있다. 상기 제2 무기봉지층은 상기 유기봉지층을 덮으며, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 및/또는 실리콘옥시나이트라이드 등을 포함할 수 있다.In the above case, the first inorganic encapsulation layer covers the counter electrode 28C and may include silicon oxide, silicon nitride, and/or silicon oxynitride. Since the first inorganic encapsulation layer is formed along the lower structure, the upper surface of the inorganic encapsulation layer is not flat. The organic encapsulation layer covers the first inorganic encapsulation layer, and unlike the first inorganic encapsulation layer, an upper surface thereof may be substantially flat. Specifically, the top surface of the organic encapsulation layer may be substantially flat in a portion corresponding to the display area DA. The organic encapsulation layer may include one or more materials selected from the group consisting of polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polycarbonate, polyimide, polyethylene sulfonate, polyoxymethylene, polyarylate, and hexamethyldisiloxane. The second inorganic encapsulation layer covers the organic encapsulation layer and may include silicon oxide, silicon nitride, and/or silicon oxynitride.

상기와 같은 봉지층(E) 상에는 터치스크린층이 배치될 수 있다.A touch screen layer may be disposed on the encapsulation layer (E) as described above.

상기와 같은 봉지층(E) 중 유기봉지층, 각 절연층, 전극 중 적어도 하나는 상기에서 설명한 표시 장치의 장치의 제조장치 및 제조방법을 통하여 제조할 수 있다. Among the above encapsulation layer (E), at least one of the organic encapsulation layer, each insulating layer, and the electrode can be manufactured through the manufacturing apparatus and manufacturing method of the display device described above.

이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.As such, the present invention has been described with reference to one embodiment shown in the drawings, but this is merely exemplary, and those skilled in the art will understand that various modifications and variations of the embodiment are possible therefrom. Therefore, the true technical scope of protection of the present invention should be determined by the technical spirit of the appended claims.

100: 표시 장치의 제조장치
110: 하우징
120: 노즐부
121: 노즐바디부
122: 제1돌출부
125: 분리가스유입구
126: 제2돌출부
130: 서셉터부
131: 서셉터바디
132: 연결부
133: 기판안착부
140: 구동부
170: 압력조절부
180: 플라즈마생성부
190: 리프팅부
20: 표시 장치100: display device manufacturing device
110: housing
120: nozzle part
121: nozzle body
122: first protrusion
125: separation gas inlet
126: second protrusion
130: susceptor part
131: susceptor body
132: connection part
133: board seating part
140: driving unit
170: pressure control unit
180: plasma generating unit
190: lifting part
20: display device

Claims

a first housing;
a plurality of inlets connected to the first housing and guiding a first process gas, a second process gas, and a purge gas from one side of the first housing to the other side of the first housing, respectively;
The first process gas, the second process gas, and the purge gas, which are combined with the first housing and are guided to the respective inlets, are bent from the central portion of the first housing to the side portion of the first housing to be guided. The first process gas is injected from the side surface of the first housing to different regions of the deposition member, and guided from the side surface of the first housing to the central portion of the first housing along one surface of the deposition member, a nozzle unit guiding the second process gas and the purge gas to a central portion of the first housing; and
and a plurality of outlets connected to the first housing and guiding the first process gas, the second process gas, and the purge gas to the outside, respectively.

According to claim 1,
The nozzle part,
Nozzle body;
a protrusion connected to the nozzle body and dividing the inside of the nozzle body into a plurality of regions; and
and a guide part connected to the protrusion, having an end disposed to be spaced apart from an inner surface of the nozzle body part, and shielding a region divided by the protrusion on a plane.

According to claim 2,
An apparatus for manufacturing a display device in which an end of the guide portion is rounded.

According to claim 2,
At least a portion of the side surface of the protrusion is rounded.

According to claim 2,
The apparatus for manufacturing a display device further comprising: a separation gas spraying unit disposed on the protruding part and injecting a separation gas to the deposition member.

According to claim 2,
The apparatus for manufacturing a display device further comprising a susceptor portion disposed to face the nozzle portion and on which the deposition member is seated.

According to claim 6,
A manufacturing apparatus for a display device comprising: a second housing detachably coupled to the first housing.

According to claim 7,
The apparatus for manufacturing a display device further comprising a pressure control unit supplying argon gas to a lower portion of the susceptor unit.

According to claim 6,
The susceptor unit manufactures a rotatable display device.

According to claim 1,
The apparatus for manufacturing a display device further comprising a plasma generating unit disposed on at least a portion of the nozzle unit.

moving a first process gas from a side surface of the susceptor to a central portion of the susceptor in a first region of the susceptor;
moving the purge gas in the first area from the side surface of the susceptor to the center of the susceptor after rotating the susceptor; and
and moving a second process gas in the first area from a side surface of the susceptor to a central portion of the susceptor after rotating the susceptor.

According to claim 11,
The method of manufacturing a display device further comprising supplying the first process gas, the purge gas, and the second process gas from the central portion of the susceptor unit to a side surface of the susceptor unit.

According to claim 11,
and injecting the purge gas into a second region when the first process gas is injected into the first region, and injecting the second process gas into a third region.

According to claim 13,
The method of manufacturing a display device further comprising spraying a separation gas between two adjacent regions to separate the two adjacent regions among the first region, the second region, and the third region.

15. The method of claim 14,
The separation gas is supplied from the lateral direction of the susceptor and injected toward the susceptor.

According to claim 11,
and moving the first process gas, the purge gas, and the second process gas from a central portion of the susceptor unit to an upper portion of the susceptor unit.

According to claim 11,
The manufacturing method of the display device further comprising supplying argon gas from the lower surface of the susceptor unit.

According to claim 11,
The first process gas, the purge gas, and the second process gas move along a rounded path on a side surface of the susceptor unit.

According to claim 11,
The method of manufacturing a display device further comprising forming plasma in one of the first region and the second region.

According to claim 11,
The method of manufacturing the display device further comprising adjusting the temperature of the susceptor unit.