KR20230085848A - Light emitting element and amine compound for the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 아민 화합물 및 이를 포함한 발광 소자에 관한 것이며, 보다 상세하게는 정공 수송 영역에 신규한 아민 화합물을 포함하는 발광 소자에 관한 것이다. The present invention relates to an amine compound and a light emitting device including the same, and more particularly, to a light emitting device including a novel amine compound in a hole transport region.
최근, 영상 표시 장치로서, 유기 전계 발광 표시 장치(Organic Electroluminescence Display Device) 등의 개발이 왕성하게 이루어져 왔다. 유기 전계 발광 표시 장치 등은 제1 전극 및 제2 전극으로부터 주입된 정공 및 전자를 발광층에서 재결합시킴으로써, 발광층의 발광 재료를 발광시켜 표시를 실현하는 소위 자발광형의 발광 소자를 포함한 표시 장치이다.Recently, as an image display device, development of an organic electroluminescence display device or the like has been actively conducted. An organic electroluminescent display device or the like is a display device including a so-called self-luminous type light emitting element in which holes and electrons injected from a first electrode and a second electrode are recombinated in a light emitting layer to realize display by emitting light from a light emitting material in the light emitting layer.
발광 소자를 표시 장치에 응용함에 있어서는, 저 구동 전압화, 고 발광 효율화 및 장수명화가 요구되고 있으며, 이를 안정적으로 구현할 수 있는 발광 소자용 재료 개발이 지속적으로 요구되고 있다.In application of a light emitting device to a display device, low driving voltage, high luminous efficiency, and long lifespan are required, and development of a material for a light emitting device that can stably implement this is continuously required.
또한, 고효율 발광 소자를 구현하기 위해 발광층의 엑시톤 에너지의 확산 등을 억제하기 위한 정공 수송 영역의 재료에 대한 개발이 진행되고 있다.In addition, in order to implement a high-efficiency light emitting device, development of a material for a hole transport region for suppressing the diffusion of exciton energy in the light emitting layer is in progress.
본 발명의 목적은 우수한 발광 효율 및 장수명 특성을 나타내는 발광 소자를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a light emitting device exhibiting excellent luminous efficiency and long lifespan characteristics.
본 발명의 다른 목적은 고효율 및 장수명 특성을 갖는 발광 소자용 재료인 아민 화합물을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide an amine compound that is a material for a light emitting device having high efficiency and long lifespan characteristics.
일 실시예는 하기 화학식 1로 표시되는 아민 화합물을 제공한다.One embodiment provides an amine compound represented by Formula 1 below.
[화학식 1][Formula 1]
상기 화학식 1에서, R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 중수소 원자이고, a1은 0 이상 5 이하의 정수이고, a2는 0 이상 6 이하의 정수이고, a3은 0 이상 3 이하의 정수이고, a4는 0 이상 4 이하의 정수이고, n은 1 또는 2이며, L1 및 L2는 각각 독립적으로 직접 결합(direct linkage), 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 5 이상 30 이하의 헤테로아릴렌기이고, Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 40 이하의 아릴기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 5 이상 40 이하의 헤테로아릴기, 또는 하기 화학식 2 내지 화학식 5 중 어느 하나이고, 상기 Ar1 및 Ar2 중 적어도 하나는 하기 화학식 2 내지 화학식 5 중 어느 하나이다.In
[화학식 2] [Formula 2]
[화학식 3][Formula 3]
[화학식 4][Formula 4]
[화학식 5][Formula 5]
상기 화학식 2 내지 화학식 5에서, 는 상기 화학식 1의 L1 또는 L2와 결합되는 부분이고, R5 내지 R9는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 5 이상 30 이하의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 30 이하의 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 이상 30 이하의 알케닐기이거나, 또는 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성하고, a5, a7 및 a8은 각각 독립적으로 0 이상 7 이하의 정수이고, a6은 0 이상 9 이하의 정수이고, a9는 0 이상 8 이하의 정수이고, 상기 화학식 4에서, X는 O 또는 S이고, 상기 화학식 5에서, b는 0 또는 1이고, b가 1인 경우 Y는 직접 결합이다.In
상기 화학식 1에서, 상기 Ar1 및 Ar2 중 어느 하나가 화학식 2인 경우, 나머지 하나는 상기 화학식 2 또는 상기 화학식 3이거나, 상기 Ar1 및 Ar2 중 어느 하나가 화학식 3인 경우, 나머지 하나는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 40 이하의 아릴기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 5 이상 40 이하의 헤테로아릴기, 또는 상기 화학식 3 내지 상기 화학식 5 중 어느 하나이거나, 상기 Ar1 및 Ar2 중 어느 하나가 상기 화학식 4인 경우, 나머지 하나는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 40 이하의 아릴기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 5 이상 40 이하의 헤테로아릴기, 또는 상기 화학식 4 및 상기 화학식 5 중 어느 하나이거나, 또는 상기 Ar1 및 Ar2 중 어느 하나가 상기 화학식 5인 경우, 나머지 하나는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 40 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 5 이상 40 이하의 헤테로아릴기일 있다.In Formula 1, when either one of Ar 1 and Ar 2 is
상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1로 표시될 수 있다.
[화학식 1-1][Formula 1-1]
상기 화학식 1-1에서, R1 내지 R3, a1 내지 a3, L1, L2, Ar1 및 Ar2는 상기 화학식 1의 정의와 동일하다.In Formula 1-1, R 1 to R 3 , a1 to a3, L 1 , L 2 , Ar 1 and Ar 2 are the same as defined in
상기 화학식 1 및 화학식 1-1에서, L1 및 L2는 각각 독립적으로 직접 결합, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기일 수 있다.In Formula 1 and Formula 1-1, L 1 and L 2 may each independently be a direct bond or a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms.
상기 화학식 2는 하기 2-1 및 2-2 중 어느 하나로 표시될 수 있다.Chemical Formula 2 may be represented by any one of 2-1 and 2-2 below.
상기 2-1 및 2-2에서, R5i 및 R5j는 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기이고, a5i는 0 이상 3 이하의 정수이고, a5j는 0 이상 4 이하의 정수이다. In the above 2-1 and 2-2, R 5i and R 5j are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, or a substituted or unsubstituted aryl group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, and a5i is 0 or more and 3 or less is an integer of , and a5j is an integer of 0 or more and 4 or less.
상기 화학식 3은 하기 3-1 내지 3-3 중 어느 하나로 표시될 수 있다.Chemical Formula 3 may be represented by any one of the following 3-1 to 3-3.
상기 3-1 내지 3-3에서, R6i, R6j, R6k, R6l, R6k 및 R6m은 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기이고, a6i는 0 이상 4 이하의 정수이며, 상기 3-1에서, a6k는 0 이상 4 이하의 정수이고, 상기 3-2 및 3-3에서, a6l 0 이상 2 이하의 정수이고, 및 a6m은 0 이상 3 이하의 정수이다.In the above 3-1 to 3-3, R 6i , R 6j , R 6k , R 6l , R 6k and R 6m are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, or a substituted or unsubstituted ring having 6 or more carbon atoms and 30 is an aryl group below, a6i is an integer of 0 or more and 4 or less, in 3-1 above, a6k is an integer of 0 or more and 4 or less, and in 3-2 and 3-3, a6l is an integer of 0 or more and 2 or less; , and a6m are integers of 0 or more and 3 or less.
상기 화학식 4는 하기 4-1 내지 4-4 중 어느 하나로 표시될 수 있다.Chemical Formula 4 may be represented by any one of the following 4-1 to 4-4.
상기 4-1 내지 4-4에서, R7i 및 R7j는 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기이거나, 또는 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성하고, a7i는 0 이상 3 이하의 정수이고, a7j는 0 이상 4 이하의 정수이다. In the above 4-1 to 4-4, R 7i and R 7j are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, or a substituted or unsubstituted aryl group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or bonded to an adjacent group to A ring is formed, a7i is an integer of 0 or more and 3 or less, and a7j is an integer of 0 or more and 4 or less.
상기 화학식 5는 하기 5-1 내지 5-6 중 어느 하나로 표시될 수 있다.Chemical Formula 5 may be represented by any one of the following 5-1 to 5-6.
상기 5-1 내지 5-6에서 R8i, R8j, R9i 및 R9j는 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기이거나, 또는 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성하고, a8i는 0 이상 3 이하의 정수이고, a8j, a9i 및 a9j는 0 이상 4 이하의 정수이다. In the above 5-1 to 5-6, R 8i , R 8j , R 9i and R 9j are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, or a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 ring carbon atoms, or It combines with adjacent groups to form a ring, a8i is an integer of 0 or more and 3 or less, and a8j, a9i and a9j are integers of 0 or more and 4 or less.
일 실시예는 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 배치된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치되며, 상술한 일 실시예의 아민 화합물을 포함하는 적어도 하나의 기능층; 을 포함하는 발광 소자를 제공한다.One embodiment is a first electrode; a second electrode disposed on the first electrode; and at least one functional layer disposed between the first electrode and the second electrode and including the amine compound of one embodiment described above; It provides a light emitting device comprising a.
상기 적어도 하나의 기능층은 발광층, 상기 제1 전극과 상기 발광층 사이에 배치된 정공 수송 영역, 및 상기 발광층과 상기 제2 전극 사이에 배치된 전자 수송 영역을 포함하고, 상기 정공 수송 영역은 상기 아민 화합물을 포함할 수 있다.The at least one functional layer includes a light emitting layer, a hole transport region disposed between the first electrode and the light emitting layer, and an electron transport region disposed between the light emitting layer and the second electrode, wherein the hole transport region comprises the amine compounds may be included.
상기 정공 수송 영역은 정공 주입층, 정공 수송층, 및 전자 저지층 중 적어도 하나를 포함하고, 상기 정공 주입층, 상기 정공 수송층, 및 상기 전자 저지층 중 적어도 하나는 상기 아민 화합물을 포함할 수 있다.The hole transport region may include at least one of a hole injection layer, a hole transport layer, and an electron blocking layer, and at least one of the hole injection layer, the hole transport layer, and the electron blocking layer may include the amine compound.
상기 발광층은 하기 화학식 E-1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.The light emitting layer may include a compound represented by Formula E-1 below.
[화학식 E-1][Formula E-1]
화학식 E-1에서, R31 내지 R40은 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 티오기, 치환 또는 비치환된 옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 이상 10 이하의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이거나, 또는 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성하고, c 및 d는 각각 독립적으로 0 이상 5 이하의 정수이다.In Formula E-1, R 31 to R 40 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted silyl group, a substituted or unsubstituted thio group, a substituted or unsubstituted oxy group, or a substituted Or an unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms for ring formation, or a substituted or unsubstituted ring group. It is a heteroaryl group having 2 or more and 30 or less carbon atoms, or bonded to an adjacent group to form a ring, and c and d are each independently an integer of 0 to 5.
일 실시예의 발광 소자는 일 실시예의 아민 화합물을 포함하여 고효율 및 장수명 특성을 나타낼 수 있다.The light emitting device of one embodiment may exhibit high efficiency and long lifespan characteristics by including the amine compound of one embodiment.
일 실시예의 아민 화합물은 고효율 및 장수명의 개선된 발광 소자 특성 구현을 위한 재료로 사용될 수 있다.The amine compound of one embodiment may be used as a material for realizing improved characteristics of a light emitting device having high efficiency and long lifespan.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1의 I-I'선에 대응하는 부분을 나타낸 단면도이다.
도 3은 일 실시예의 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 4는 일 실시예의 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 5는 일 실시예의 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 6은 일 실시예의 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 7은 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 8은 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 9는 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 10은 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도이다.1 is a plan view illustrating a display device according to an exemplary embodiment.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a portion corresponding to the line II' of FIG. 1 .
3 is a schematic cross-sectional view of a light emitting device according to an embodiment.
4 is a schematic cross-sectional view of a light emitting device according to an embodiment.
5 is a schematic cross-sectional view of a light emitting device according to an embodiment.
6 is a schematic cross-sectional view of a light emitting device according to an embodiment.
7 is a cross-sectional view illustrating a display device according to an exemplary embodiment.
8 is a cross-sectional view illustrating a display device according to an exemplary embodiment.
9 is a cross-sectional view illustrating a display device according to an exemplary embodiment.
10 is a cross-sectional view illustrating a display device according to an exemplary embodiment.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Since the present invention may have various changes and various forms, specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the text. However, it should be understood that this is not intended to limit the present invention to the specific disclosed form, and includes all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention.
본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 “상에 있다”, “연결된다”, 또는 “결합된다”고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다. In this specification, when an element (or region, layer, section, etc.) is referred to as being “on,” “connected to,” or “coupled to” another element, it is directly placed/placed on the other element. It means that they can be connected/combined or a third component may be placed between them.
동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. “및/또는”은 연관된 구성요소들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.Like reference numerals designate like components. Also, in the drawings, the thickness, ratio, and dimensions of components are exaggerated for effective description of technical content. “And/or” includes any combination of one or more that the associated elements may define.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.Terms such as first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. These terms are only used for the purpose of distinguishing one component from another. For example, a first element may be termed a second element, and similarly, a second element may be termed a first element, without departing from the scope of the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise.
또한, “아래에”, “하측에”, “위에”, “상측에” 등의 용어는 도면에 도시된 구성요소들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.In addition, terms such as “below”, “lower side”, “above”, and “upper side” are used to describe the relationship between components shown in the drawings. The above terms are relative concepts and will be described based on the directions shown in the drawings.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. Terms such as "include" or "have" are intended to indicate that a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification exists, but that one or more other features, numbers, or steps are present. However, it should be understood that it does not preclude the possibility of existence or addition of operations, components, parts, or combinations thereof.
다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 갖는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 여기서 명시적으로 정의되지 않는 한 너무 이상적이거나 지나치게 형식적인 의미로 해석되어서는 안된다.Unless defined otherwise, all terms (including technical terms and scientific terms) used herein have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. In addition, terms such as terms defined in commonly used dictionaries should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related art, and unless explicitly defined herein, interpreted as too idealistic or too formal. It shouldn't be.
본 출원에서, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "상에” 또는 “상부에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "하에” 또는 “하부에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 또한, 본 출원에서 “상에” 배치된다고 하는 것은 상부뿐 아니라 하부에 배치되는 경우도 포함하는 것일 수 있다.In this application, when a part such as a layer, film, region, plate, etc. is said to be "on" or "above" another part, this is not only when it is "directly on" the other part, but also when there is another part in the middle. Also includes Conversely, when a part such as a layer, film, region, plate, etc. is said to be "under" or "below" another part, this includes not only being "directly under" the other part, but also the case where there is another part in between. . In addition, in the present application, being disposed “on” may include the case of being disposed not only on the upper part but also on the lower part.
본 명세서에서, "치환 또는 비치환된"은 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 아민기, 실릴기, 옥시기, 티오기, 설피닐기, 설포닐기, 카보닐기, 붕소기, 포스핀 옥사이드기, 포스핀 설파이드기, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 알콕시기, 탄화수소 고리기, 아릴기 및 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택되는 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 것을 의미할 수 있다. 또한, 상기 예시된 치환기 각각은 치환 또는 비치환된 것일 수 있다. 예를 들어, 바이페닐기는 아릴기로 해석될 수도 있고, 페닐기로 치환된 페닐기로 해석될 수도 있다.As used herein, “substituted or unsubstituted” means a deuterium atom, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, an amine group, a silyl group, an oxy group, a thio group, a sulfinyl group, a sulfonyl group, a carbonyl group, a boron group, a phosphine It may mean substituted or unsubstituted with one or more substituents selected from the group consisting of an oxide group, a phosphine sulfide group, an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an alkoxy group, a hydrocarbon ring group, an aryl group, and a heterocyclic group. In addition, each of the substituents exemplified above may be substituted or unsubstituted. For example, a biphenyl group may be interpreted as an aryl group or a phenyl group substituted with a phenyl group.
본 명세서에서, "인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성"한다는 인접하는 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄화수소 고리, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로 고리를 형성하는 것을 의미할 수 있다. 탄화수소 고리는 지방족 탄화수소 고리 및 방향족 탄화수소 고리를 포함한다. 헤테로 고리는 지방족 헤테로 고리 및 방향족 헤테로 고리를 포함한다. 탄화수소 고리 및 헤테로 고리는 단환 또는 다환일 수 있다. 또한, 서로 결합하여 형성된 고리는 다른 고리와 연결되어 스피로 구조를 형성하는 것일 수도 있다.In the present specification, “forming a ring by combining with adjacent groups” may mean forming a substituted or unsubstituted hydrocarbon ring or a substituted or unsubstituted heterocycle by combining with adjacent groups. Hydrocarbon rings include aliphatic hydrocarbon rings and aromatic hydrocarbon rings. Heterocycles include aliphatic heterocycles and aromatic heterocycles. Hydrocarbon rings and heterocycles may be monocyclic or polycyclic. In addition, rings formed by combining with each other may be connected to other rings to form a spiro structure.
본 명세서에서, "인접하는 기"는 해당 치환기가 치환된 원자와 직접 연결된 원자에 치환된 치환기, 해당 치환기가 치환된 원자에 치환된 다른 치환기, 또는 해당 치환기와 입체구조적으로 가장 인접한 치환기를 의미할 수 있다. 예컨대, 1,2-디메틸벤젠(1,2-dimethylbenzene)에서 2개의 메틸기는 서로 "인접하는 기"로 해석될 수 있고, 1,1-디에틸시클로펜테인(1,1-diethylcyclopentane)에서 2개의 에틸기는 서로 "인접하는 기"로 해석될 수 있다. 또한, 4,5-디메틸페난트렌(4,5-dimethylphenanthrene)에서 2개의 메틸기는 서로 "인접하는 기"로 해석될 수 있다.As used herein, "adjacent group" means a substituent substituted on an atom directly connected to the atom on which the substituent is substituted, another substituent substituted on the atom on which the substituent is substituted, or a substituent sterically closest to the substituent. can For example, two methyl groups in 1,2-dimethylbenzene can be interpreted as “adjacent groups” to each other, and 2 methyl groups in 1,1-diethylcyclopentane The two ethyl groups can be interpreted as "adjacent groups" to each other. In addition, two methyl groups in 4,5-dimethylphenanthrene can be interpreted as “adjacent groups” to each other.
본 명세서에서, 할로겐 원자의 예로는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 또는 요오드 원자가 있다.In this specification, examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom or an iodine atom.
본 명세서에서, 알킬기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리형일 수 있다. 알킬기의 탄소수는 1 이상 60 이하, 1 이상 50 이하, 1 이상 30 이하, 1 이상 20 이하, 1 이상 10 이하 또는 1 이상 6 이하일 수 있다. 알킬기의 예로는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, i-부틸기, 2- 에틸부틸기, 3, 3-디메틸부틸기, n-펜틸기, i-펜틸기, 네오펜틸기, t-펜틸기, 시클로펜틸기, 1-메틸펜틸기, 3-메틸펜틸기, 2-에틸펜틸기, 4-메틸-2-펜틸기, n-헥실기, 1-메틸헥실기, 2-에틸헥실기, 2-부틸헥실기, 시클로헥실기, 4-메틸시클로헥실기, 4-t-부틸시클로헥실기, n-헵틸기, 1-메틸헵틸기, 2,2-디메틸헵틸기, 2-에틸헵틸기, 2-부틸헵틸기, n-옥틸기, t-옥틸기, 2-에틸옥틸기, 2-부틸옥틸기, 2-헥실옥틸기, 3,7-디메틸옥틸기, 시클로옥틸기, n-노닐기, n-데실기, 아다만틸기, 2-에틸데실기, 2-부틸데실기, 2-헥실데실기, 2-옥틸데실기, n-운데실기, n-도데실기, 2-에틸도데실기, 2-부틸도데실기, 2-헥실도데실기, 2-옥틸도데실기, n-트리데실기, n-테트라데실기, n-펜타데실기, n-헥사데실기, 2-에틸헥사데실기, 2-부틸헥사데실기, 2-헥실헥사데실기, 2-옥틸헥사데실기, n-헵타데실기, n-옥타데실기, n-노나데실기, n-이코실기, 2-에틸이코실기, 2-부틸이코실기, 2-헥실이코실기, 2-옥틸이코실기, n-헨이코실기, n-도코실기, n-트리코실기, n-테트라코실기, n-펜타코실기, n-헥사코실기, n-헵타코실기, n-옥타코실기, n-노나코실기, 및 n-트리아콘틸기 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.In this specification, the alkyl group may be straight chain, branched chain or cyclic. The number of carbon atoms in the alkyl group may be 1 or more and 60 or less, 1 or more and 50 or less, 1 or more and 30 or less, 1 or more and 20 or less, 1 or more and 10 or less, or 1 or more and 6 or less. Examples of the alkyl group include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, s-butyl group, t-butyl group, i-butyl group, 2-ethylbutyl group, 3,3-dimethylbutyl group , n-pentyl group, i-pentyl group, neopentyl group, t-pentyl group, cyclopentyl group, 1-methylpentyl group, 3-methylpentyl group, 2-ethylpentyl group, 4-methyl-2-pentyl group , n-hexyl group, 1-methylhexyl group, 2-ethylhexyl group, 2-butylhexyl group, cyclohexyl group, 4-methylcyclohexyl group, 4-t-butylcyclohexyl group, n-heptyl group, 1 -Methylheptyl group, 2,2-dimethylheptyl group, 2-ethylheptyl group, 2-butylheptyl group, n-octyl group, t-octyl group, 2-ethyloctyl group, 2-butyloctyl group, 2-hexyl Siloctyl group, 3,7-dimethyloctyl group, cyclooctyl group, n-nonyl group, n-decyl group, adamantyl group, 2-ethyldecyl group, 2-butyldecyl group, 2-hexyldecyl group, 2-ox Tyldecyl group, n-undecyl group, n-dodecyl group, 2-ethyldodecyl group, 2-butyldodecyl group, 2-hexyldodecyl group, 2-octyldodecyl group, n-tridecyl group, n-tetradecyl group, n -Pentadecyl group, n-hexadecyl group, 2-ethylhexadecyl group, 2-butylhexadecyl group, 2-hexylhexadecyl group, 2-octylhexadecyl group, n-heptadecyl group, n-octadecyl group , n- nonadecyl group, n- icosyl group, 2-ethyl icosyl group, 2-butyl icosyl group, 2-hexyl icosyl group, 2-octyl icosyl group, n-henicosyl group, n- docosyl group, n-tricot practical group, n-tetracosyl group, n-pentacosyl group, n-hexacosyl group, n-heptacosyl group, n-octacosyl group, n-nonacosyl group, and n-triacontyl group; not limited to these
본 명세서에서, 탄화수소 고리기는 지방족 탄화수소 고리 또는 지방족 탄화수소 고리기와 방향족 탄화수소 고리기가 축합된 고리로부터 유도된 임의의 작용기 또는 치환기를 의미한다. 탄화수소 고리기의 고리 형성 탄소수는 5 이상 60 이하, 5 이상 30 이하, 또는 6 이상 30 이하일 수 있다.In the present specification, the hydrocarbon ring group refers to any functional group or substituent derived from an aliphatic hydrocarbon ring or a condensed ring of an aliphatic hydrocarbon ring group and an aromatic hydrocarbon ring group. The number of ring carbon atoms in the hydrocarbon ring group may be 5 or more and 60 or less, 5 or more and 30 or less, or 6 or more and 30 or less.
본 명세서에서, 아릴기는 방향족 탄화수소 고리로부터 유도된 임의의 작용기 또는 치환기를 의미한다. 아릴기는 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 아릴기의 고리 형성 탄소수는 6 이상 30 이하, 6 이상 20 이하, 또는 6 이상 15 이하일 수 있다. 아릴기의 예로는 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 바이페닐기, 터페닐기, 쿼터페닐기, 퀸크페닐기(quinquephenyl), 섹시페닐기, 트리페닐에닐기, 피레닐기, 벤조 플루오란테닐기, 크리세닐기 등을 예시할 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.In this specification, an aryl group means any functional group or substituent derived from an aromatic hydrocarbon ring. The aryl group may be a monocyclic aryl group or a polycyclic aryl group. The number of ring carbon atoms in the aryl group may be 6 or more and 30 or less, 6 or more and 20 or less, or 6 or more and 15 or less. Examples of the aryl group include a phenyl group, a naphthyl group, a fluorenyl group, anthracenyl group, a phenanthryl group, a biphenyl group, a terphenyl group, a quaterphenyl group, a quinquephenyl group, a sexyphenyl group, a triphenylenyl group, a pyrenyl group, and a benzo fluoro group. Although a lanthenyl group, a chrysenyl group, etc. can be illustrated, it is not limited to these.
본 명세서에서, 헤테로 고리기는 헤테로 원자로 B, O, N, P, Se, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 고리로부터 유도된 임의의 작용기 또는 치환기를 의미한다. 헤테로 고리기는 지방족 헤테로 고리기 및 방향족 헤테로 고리기를 포함한다. 방향족 헤테로 고리기는 헤테로아릴기일 수 있다. 지방족 헤테로 고리 및 방향족 헤테로 고리는 단환 또는 다환일 수 있다.In the present specification, the heterocyclic group refers to any functional group or substituent derived from a ring containing one or more of B, O, N, P, Se, Si and S as heteroatoms. Heterocyclic groups include aliphatic heterocyclic groups and aromatic heterocyclic groups. An aromatic heterocyclic group may be a heteroaryl group. Aliphatic heterocycles and aromatic heterocycles may be monocyclic or polycyclic.
헤테로고리기가 헤테로 원자를 2개 이상 포함할 경우, 2개 이상의 헤테로 원자는 서로 동일할 수도 있고, 상이할 수도 있다. 헤테로고리기는 단환식 헤테로고리기 또는 다환식 헤테로고리기일 수 있으며, 헤테로아릴기를 포함하는 개념이다. 헤테로고리기의 고리 형성 탄소수는 2 이상 60 이하, 2 이상 30 이하, 2 이상 20 이하, 또는 2 이상 10 이하일 수 있다.When the heterocyclic group includes two or more heteroatoms, the two or more heteroatoms may be identical to or different from each other. The heterocyclic group may be a monocyclic heterocyclic group or a polycyclic heterocyclic group, and is a concept including a heteroaryl group. The number of ring carbon atoms in the heterocyclic group may be 2 or more and 60 or less, 2 or more and 30 or less, 2 or more and 20 or less, or 2 or more and 10 or less.
본 명세서에서, 지방족 헤테로 고리기는 헤테로 원자로 B, O, N, P, Se, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 것일 수 있다. 지방족 헤테로 고리기의 고리 형성 탄소수는 2 이상 30 이하, 2 이상 20 이하, 또는 2 이상 10 이하일 수 있다. 지방족 헤테로 고리기의 예로는 옥시란기, 티이란기, 피롤리딘기, 피페리딘기, 테트라하이드로퓨란기, 테트라하이드로티오펜기, 티안기, 테트라하이드로피란기, 1,4-디옥산기 등이 있으나 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, the aliphatic heterocyclic group may include one or more of B, O, N, P, Se, Si, and S as heteroatoms. The number of ring carbon atoms in the aliphatic heterocyclic group may be 2 or more and 30 or less, 2 or more and 20 or less, or 2 or more and 10 or less. Examples of the aliphatic heterocyclic group include an oxirane group, a thirane group, a pyrrolidine group, a piperidine group, a tetrahydrofuran group, a tetrahydrothiophene group, a thian group, a tetrahydropyran group, a 1,4-dioxane group, and the like. There are, but are not limited to these.
본 명세서에서, 헤테로아릴기는 헤테로 원자로 B, O, N, P, Se, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 것일 수 있다. 헤테로아릴기가 헤테로 원자를 2개 이상 포함할 경우, 2개 이상의 헤테로 원자는 서로 동일할 수도 있고, 상이할 수도 있다. 헤테로아릴기는 단환식 헤테로고리기 또는 다환식 헤테로고리기일 수 있다. 헤테로아릴기의 고리 형성 탄소수는 2 이상 30 이하, 2 이상 20 이하, 또는 2 이상 10 이하일 수 있다. 헤테로아릴기의 예로는 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 피리딘기, 비피리딘기, 피리미딘기, 트리아진기, 트리아졸기, 아크리딜기, 피리다진기, 피라지닐기, 퀴놀린기, 퀴나졸린기, 퀴녹살린기, 페녹사진기, 프탈라진기, 피리도 피리미딘기, 피리도 피라진기, 피라지노 피라진기, 이소퀴놀린기, 인돌기, 카바졸기, N-아릴카바졸기, N-헤테로아릴카바졸기, N-알킬카바졸기, 벤조옥사졸기, 벤조이미다졸기, 벤조티아졸기, 벤조카바졸기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 티에노티오펜기, 벤조퓨란기, 페난트롤린기, 티아졸기, 이소옥사졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 티아디아졸기, 페노티아진기, 디벤조실롤기 및 디벤조퓨란기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, the heteroaryl group may include one or more of B, O, N, P, Se, Si, and S as heteroatoms. When the heteroaryl group includes two or more heteroatoms, the two or more heteroatoms may be identical to or different from each other. The heteroaryl group may be a monocyclic heterocyclic group or a polycyclic heterocyclic group. The number of ring carbon atoms in the heteroaryl group may be 2 or more and 30 or less, 2 or more and 20 or less, or 2 or more and 10 or less. Examples of the heteroaryl group include a thiophene group, a furan group, a pyrrole group, an imidazole group, a pyridine group, a bipyridine group, a pyrimidine group, a triazine group, a triazole group, an acridyl group, a pyridazine group, a pyrazinyl group, and a quinoline. group, quinazoline group, quinoxaline group, phenoxazine group, phthalazine group, pyrido pyrimidine group, pyrido pyrazine group, pyrazino pyrazine group, isoquinoline group, indole group, carbazole group, N-arylcarbazole group, N -Heteroarylcarbazole group, N-alkylcarbazole group, benzooxazole group, benzoimidazole group, benzothiazole group, benzocarbazole group, benzothiophene group, dibenzothiophene group, thienothiophene group, benzofuran group, phenan thiazoline group, thiazole group, isoxazole group, oxazole group, oxadiazole group, thiadiazole group, phenothiazine group, dibenzosilol group, dibenzofuran group, and the like, but are not limited thereto.
본 명세서에서, 아릴렌기는 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 헤테로아릴렌기는 2가기인 것을 제외하고는 전술한 헤테로아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다.In this specification, the description of the aryl group described above may be applied except that the arylene group is a divalent group. The description of the heteroaryl group described above can be applied except that the heteroarylene group is a divalent group.
본 명세서에서, 플루오레닐기는 치환될 수 있고, 치환기 2개가 서로 결합하여 스피로 구조를 형성할 수도 있다. 플루오레닐기가 치환되는 경우의 예시는 하기와 같다. 다만, 이에 의하여 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the fluorenyl group may be substituted, and two substituents may be bonded to each other to form a spiro structure. Examples of the case where the fluorenyl group is substituted are as follows. However, it is not limited thereto.
본 명세서에서, 실릴기는 알킬 실릴기 및 아릴 실릴기를 포함한다. 실릴기의 예로는 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 에틸디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.In this specification, the silyl group includes an alkyl silyl group and an aryl silyl group. Examples of the silyl group include a trimethylsilyl group, a triethylsilyl group, a t-butyldimethylsilyl group, an ethyldimethylsilyl group, a propyldimethylsilyl group, a triphenylsilyl group, a diphenylsilyl group, and a phenylsilyl group. Not limited.
본 명세서에서, 티오기는 알킬 티오기 및 아릴 티오기를 포함할 수 있다. 티오기는 상기 정의된 알킬기 또는 아릴기에 황 원자가 결합된 것을 의미할 수 있다. 티오기의 예로는 메틸티오기, 에틸티오기, 프로필티오기, 펜틸티오기, 헥실티오기, 옥틸티오기, 도데실티오기, 시클로펜틸티오기, 시클로헥실티오기, 페닐티오기, 나프틸티오기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다. In the present specification, the thio group may include an alkyl thio group and an aryl thio group. The thio group may mean that a sulfur atom is bonded to the above-defined alkyl group or aryl group. Examples of the thio group include methylthio group, ethylthio group, propylthio group, pentylthio group, hexylthio group, octylthio group, dodecylthio group, cyclopentylthio group, cyclohexylthio group, phenylthio group, and naphthylthio group. etc., but is not limited thereto.
본 명세서에서, 옥시기는 상기 정의된 알킬기 또는 아릴기에 산소 원자가 결합된 것을 의미할 수 있다. 옥시기는 알콕시기 및 아릴 옥시기를 포함할 수 있다. 알콕시기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄일 수 있다. 알콕시기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어 1 이상 60 이하, 1 이상 20 이하 또는 1 이상 10 이하인 것일 수 있다. 아릴 옥시기의 고리형성 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어 6 이상 60 이하, 6 이상 30 이하 또는 6 이상 20 이하인 것일 수 있다. 옥시기의 예로는 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 이소프로폭시, 부톡시, 펜틸옥시, 헥실옥시, 옥틸옥시, 노닐옥시, 데실옥시, 벤질옥시 등이 있으나, 이들에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the oxy group may mean that an oxygen atom is bonded to the above-defined alkyl group or aryl group. Oxy groups can include alkoxy groups and aryl oxy groups. An alkoxy group can be straight chain, branched chain or cyclic chain. The number of carbon atoms in the alkoxy group is not particularly limited, but may be, for example, 1 or more and 60 or less, 1 or more and 20 or less, or 1 or more and 10 or less. The number of ring carbon atoms in the aryloxy group is not particularly limited, but may be, for example, 6 or more and 60 or less, 6 or more and 30 or less, or 6 or more and 20 or less. Examples of the oxy group include methoxy, ethoxy, n-propoxy, isopropoxy, butoxy, pentyloxy, hexyloxy, octyloxy, nonyloxy, decyloxy, benzyloxy, etc., but are limited to these It is not.
본 명세서에서, 붕소기는 상기 정의된 알킬기 또는 아릴기에 붕소 원자가 결합된 것을 의미할 수 있다. 붕소기는 알킬 붕소기 및 아릴 붕소기를 포함한다. 붕소기의 예로는 트리메틸붕소기, 트리에틸붕소기, t-부틸디메틸붕소기, 트리페닐붕소기, 디페닐붕소기, 페닐붕소기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, a boron group may mean a boron atom bonded to an alkyl group or an aryl group defined above. Boron groups include alkyl boron groups and aryl boron groups. Examples of the boron group include, but are not limited to, trimethylboron, triethylboron, t-butyldimethylboron, triphenylboron, diphenylboron, and phenylboron.
본 명세서에서, 아민기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 이상 30 이하일 수 있다. 아민기는 알킬 아민기 및 아릴 아민기를 포함할 수 있다. 아민기의 예로는 메틸아민기, 디메틸아민기, 페닐아민기, 디페닐아민기, 나프틸아민기, 9-메틸-안트라세닐아민기, 트리페닐아민기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, the number of carbon atoms of the amine group is not particularly limited, but may be 1 or more and 30 or less. Amine groups may include alkyl amine groups and aryl amine groups. Examples of the amine group include, but are not limited to, a methylamine group, a dimethylamine group, a phenylamine group, a diphenylamine group, a naphthylamine group, a 9-methyl-anthracenylamine group, and a triphenylamine group.
본 명세서에서, 알킬티오기, 알킬설폭시기, 알킬아릴기, 알킬아미노기, 알킬 붕소기, 알킬 실릴기, 알킬 아민기 중 알킬기는 전술한 알킬기의 예시와 같다.In the present specification, among the alkylthio group, the alkylsulfoxy group, the alkylaryl group, the alkylamino group, the alkyl boron group, the alkylsilyl group, and the alkylamine group, the alkyl group is the same as the above-mentioned alkyl group.
본 명세서에서, 아릴옥시기, 아릴티오기, 아릴설폭시기, 아릴아미노기, 아릴 붕소기, 아릴 실릴기, 아릴 아민기 중의 아릴기는 전술한 아릴기의 예시와 같다In the present specification, the aryl group among the aryloxy group, arylthio group, arylsulfoxy group, arylamino group, aryl boron group, aryl silyl group, and aryl amine group is the same as the above-mentioned aryl group.
본 명세서에서, 직접 결합(direct linkage)은 단일 결합을 의미하는 것일 수 있다. 한편, 본 명세서에서 "" 및 "" 는 연결되는 위치를 의미한다. In this specification, direct linkage may mean a single linkage. On the other hand, in this specification " " and " " means the position to be connected.
이하에서는 도면들을 참조하여 일 실시예의 발광 소자에 대하여 설명한다.Hereinafter, a light emitting device according to an embodiment will be described with reference to the drawings.
도 1은 표시 장치(DD)의 일 실시예를 나타낸 평면도이다. 도 2는 일 실시예의 표시 장치(DD)의 단면도이다. 도 2는 도 1의 I-I'선에 대응하는 부분을 나타낸 단면도이다.1 is a plan view illustrating an exemplary embodiment of a display device DD. 2 is a cross-sectional view of a display device DD according to an exemplary embodiment. FIG. 2 is a cross-sectional view showing a portion corresponding to the line II' of FIG. 1 .
표시 장치(DD)는 표시 패널(DP) 및 표시 패널(DP) 상에 배치된 광학층(PP)을 포함할 수 있다. 표시 패널(DP)은 발광 소자(ED-1, ED-2, ED-3)를 포함할 수 있다. 표시 장치(DD)는 복수 개의 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)을 포함할 수 있다. 광학층(PP)은 표시 패널(DP) 상에 배치되어 외부광에 의한 표시 패널(DP)에서의 반사광을 제어할 수 있다. 광학층(PP)은 예를 들어, 편광층을 포함하는 것이거나 또는 컬러필터층을 포함하는 것일 수 있다. 한편, 도면에 도시된 바와 달리 일 실시예의 표시 장치(DD)에서 광학층(PP)은 생략될 수 있다.The display device DD may include a display panel DP and an optical layer PP disposed on the display panel DP. The display panel DP may include light emitting elements ED-1, ED-2, and ED-3. The display device DD may include a plurality of light emitting devices ED-1, ED-2, and ED-3. The optical layer PP may be disposed on the display panel DP to control reflected light from the display panel DP by external light. The optical layer PP may include, for example, a polarization layer or a color filter layer. Meanwhile, unlike shown in the drawing, the optical layer PP may be omitted in the display device DD according to an exemplary embodiment.
광학층(PP) 상에는 베이스 기판(BL)이 배치될 수 있다. 베이스 기판(BL)은 광학층(PP)이 배치되는 베이스 면을 제공하는 부재일 수 있다. 베이스 기판(BL)은 유리기판, 금속기판, 플라스틱기판 등일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 베이스 기판(BL)은 무기층, 유기층 또는 복합재료층일 수 있다. 또한, 도시된 것과 달리 일 실시예에서 베이스 기판(BL)은 생략될 수 있다.A base substrate BL may be disposed on the optical layer PP. The base substrate BL may be a member providing a base surface on which the optical layer PP is disposed. The base substrate BL may be a glass substrate, a metal substrate, or a plastic substrate. However, the embodiment is not limited thereto, and the base substrate BL may be an inorganic layer, an organic layer, or a composite material layer. Also, unlike the illustration, in one embodiment, the base substrate BL may be omitted.
일 실시예에 따른 표시 장치(DD)는 충전층(미도시)을 더 포함할 수 있다. 충전층(미도시)은 표시 소자층(DP-ED)과 베이스 기판(BL) 사이에 배치되는 것일 수 있다. 충전층(미도시)은 유기물층일 수 있다. 충전층(미도시)은 아크릴계 수지, 실리콘계 수지, 및 에폭시계 수지 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다.The display device DD according to an exemplary embodiment may further include a filling layer (not shown). The filling layer (not shown) may be disposed between the display element layer DP-ED and the base substrate BL. The filling layer (not shown) may be an organic material layer. The filling layer (not shown) may include at least one of an acrylic resin, a silicone resin, and an epoxy resin.
표시 패널(DP)은 베이스층(BS), 베이스층(BS) 상에 제공된 회로층(DP-CL) 및 표시 소자층(DP-ED)을 포함하는 것일 수 있다. 표시 소자층(DP-ED)은 화소 정의막(PDL), 화소 정의막(PDL) 사이에 배치된 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3), 및 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3) 상에 배치된 봉지층(TFE)을 포함할 수 있다. The display panel DP may include a base layer BS, a circuit layer DP-CL provided on the base layer BS, and a display element layer DP-ED. The display element layer DP-ED includes a pixel defining layer PDL, light emitting elements ED-1, ED-2, ED-3 disposed between the pixel defining layer PDL, and light emitting elements ED- 1, ED-2, ED-3) may include an encapsulation layer (TFE) disposed on.
베이스층(BS)은 표시 소자층(DP-ED)이 배치되는 베이스 면을 제공하는 부재일 수 있다. 베이스층(BS)은 유리기판, 금속기판, 플라스틱기판 등일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 베이스층(BS)은 무기층, 유기층 또는 복합재료층일 수 있다.The base layer BS may be a member providing a base surface on which the display element layer DP-ED is disposed. The base layer BS may be a glass substrate, a metal substrate, or a plastic substrate. However, the embodiment is not limited thereto, and the base layer BS may be an inorganic layer, an organic layer, or a composite material layer.
일 실시예에서 회로층(DP-CL)은 베이스층(BS) 상에 배치되고, 회로층(DP-CL)은 복수의 트랜지스터들(미도시)을 포함하는 것일 수 있다. 트랜지스터들(미도시)은 각각 제어 전극, 입력 전극, 및 출력 전극을 포함하는 것일 수 있다. 예를 들어, 회로층(DP-CL)은 표시 소자층(DP-ED)의 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)을 구동하기 위한 스위칭 트랜지스터 및 구동 트랜지스터를 포함하는 것일 수 있다. In one embodiment, the circuit layer DP-CL is disposed on the base layer BS, and the circuit layer DP-CL may include a plurality of transistors (not shown). Each of the transistors (not shown) may include a control electrode, an input electrode, and an output electrode. For example, the circuit layer DP-CL may include a switching transistor and a driving transistor for driving the light emitting devices ED-1, ED-2, and ED-3 of the display device layer DP-ED. can
발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3) 각각은 후술하는 도 3 내지 도 6에 따른 일 실시예의 발광 소자(ED)의 구조를 갖는 것일 수 있다. 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3) 각각은 제1 전극(EL1), 정공 수송 영역(HTR), 발광층(EML-R, EML-G, EML-B), 전자 수송 영역(ETR), 및 제2 전극(EL2)을 포함할 수 있다. Each of the light emitting devices ED-1, ED-2, and ED-3 may have a structure of the light emitting device ED according to an exemplary embodiment according to FIGS. 3 to 6 described later. Each of the light emitting devices ED-1, ED-2, and ED-3 includes a first electrode EL1, a hole transport region HTR, an emission layer EML-R, EML-G, and EML-B, and an electron transport region. (ETR), and a second electrode EL2.
도 2에서는 화소 정의막(PDL)에 정의된 개구부(OH) 내에 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)의 발광층(EML-R, EML-G, EML-B)이 배치되며, 정공 수송 영역(HTR), 전자 수송 영역(ETR) 및 제2 전극(EL2)은 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3) 전체에서 공통층으로 제공되는 실시예를 도시하였다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 도 2에 도시된 것과 달리 일 실시예에서 정공 수송 영역(HTR) 및 전자 수송 영역(ETR)은 화소 정의막(PDL)에 정의된 개구부(OH) 내부에 패턴닝 되어 제공되는 것일 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에서 발광 소자(ED-1, ED-2, ED-3)의 정공 수송 영역(HTR), 발광층(EML-R, EML-G, EML-B), 및 전자 수송 영역(ETR) 등은 잉크젯 프린팅법으로 패턴닝되어 제공되는 것일 수 있다.In FIG. 2 , the light emitting layers EML-R, EML-G, and EML-B of the light emitting devices ED-1, ED-2, and ED-3 are disposed in the opening OH defined in the pixel defining layer PDL. , and the hole transport region HTR, the electron transport region ETR, and the second electrode EL2 are provided as a common layer throughout the light emitting devices ED-1, ED-2, and ED-3. did However, the embodiment is not limited thereto, and unlike that shown in FIG. 2 , in an embodiment, the hole transport region HTR and the electron transport region ETR are inside the opening OH defined in the pixel defining layer PDL. It may be patterned and provided. For example, in one embodiment, the hole transport region (HTR) of the light emitting devices (ED-1, ED-2, ED-3), the light emitting layer (EML-R, EML-G, EML-B), and the electron transport region (ETR) and the like may be provided after being patterned by an inkjet printing method.
봉지층(TFE)은 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)을 커버하는 것일 수 있다. 봉지층(TFE)은 표시 소자층(DP-ED)을 밀봉하는 것일 수 있다. 봉지층(TFE)은 박막 봉지층일 수 있다. 봉지층(TFE)은 하나의 층 또는 복수의 층들이 적층된 것일 수 있다. 봉지층(TFE)은 적어도 하나의 절연층을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따른 봉지층(TFE)은 적어도 하나의 무기막(이하, 봉지 무기막)을 포함할 수 있다. 또한, 일 실시예에 따른 봉지층(TFE)은 적어도 하나의 유기막(이하, 봉지 유기막) 및 적어도 하나의 봉지 무기막을 포함할 수 있다.The encapsulation layer TFE may cover the light emitting elements ED-1, ED-2, and ED-3. The encapsulation layer TFE may encapsulate the display element layer DP-ED. The encapsulation layer TFE may be a thin film encapsulation layer. The encapsulation layer TFE may be a single layer or a plurality of layers stacked. The encapsulation layer TFE may include at least one insulating layer. The encapsulation layer TFE according to an embodiment may include at least one inorganic film (hereinafter referred to as an encapsulation inorganic film). Also, the encapsulation layer TFE according to an exemplary embodiment may include at least one organic layer (hereinafter referred to as an encapsulation organic layer) and at least one encapsulation inorganic layer.
봉지 무기막은 수분/산소로부터 표시 소자층(DP-ED)을 보호하고, 봉지 유기막은 먼지 입자와 같은 이물질로부터 표시 소자층(DP-ED)을 보호할 수 있다. 봉지 무기막은 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시 나이트라이드, 실리콘 옥사이드, 티타늄옥사이드, 또는 알루미늄옥사이드 등을 포함할 수 있고, 이에 특별히 제한되지 않는다. 봉지 유기막은 아크릴계 화합물, 에폭시계 화합물 등을 포함하는 것일 수 있다. 봉지 유기막은 광중합 가능한 유기물질을 포함하는 것일 수 있으며 특별히 제한되지 않는다.The encapsulation inorganic film may protect the display element layer DP-ED from moisture/oxygen, and the encapsulation organic film may protect the display element layer DP-ED from foreign substances such as dust particles. The encapsulating inorganic layer may include silicon nitride, silicon oxynitride, silicon oxide, titanium oxide, or aluminum oxide, but is not particularly limited thereto. The encapsulation organic layer may include an acrylic compound, an epoxy compound, and the like. The encapsulating organic layer may include a photopolymerizable organic material and is not particularly limited.
봉지층(TFE)은 제2 전극(EL2) 상에 배치되고, 개구부(OH)를 채우고 배치될 수 있다.The encapsulation layer TFE may be disposed on the second electrode EL2 and fill the opening OH.
도 1 및 도 2를 참조하면, 표시 장치(DD)는 비발광 영역(NPXA) 및 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)을 포함할 수 있다. 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 각각은 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3) 각각에서 생성된 광이 방출되는 영역일 수 있다. 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)은 평면 상에서 서로 이격된 것일 수 있다. Referring to FIGS. 1 and 2 , the display device DD may include a non-emission area NPXA and emission areas PXA-R, PXA-G, and PXA-B. Each of the light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B may be a region in which light generated by each of the light emitting elements ED-1, ED-2, and ED-3 is emitted. The light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B may be spaced apart from each other on a plane.
발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 각각은 화소 정의막(PDL)으로 구분되는 영역일 수 있다. 비발광 영역들(NPXA)은 이웃하는 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 사이의 영역들로 화소 정의막(PDL)과 대응하는 영역일 수 있다. 한편, 본 명세서에서 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 각각은 화소(Pixel)에 대응하는 것일 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)을 구분하는 것일 수 있다. 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)의 발광층(EML-R, EML-G, EML-B)은 화소 정의막(PDL)에 정의된 개구부(OH)에 배치되어 구분될 수 있다. Each of the light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B may be a region divided by a pixel defining layer PDL. The non-emission regions NPXA are regions between the neighboring emission regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B, and may correspond to the pixel defining layer PDL. Meanwhile, in the present specification, each of the light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B may correspond to a pixel. The pixel defining layer PDL may divide the light emitting devices ED-1, ED-2, and ED-3. The light-emitting layers EML-R, EML-G, and EML-B of the light-emitting elements ED-1, ED-2, and ED-3 are disposed in the opening OH defined in the pixel defining layer PDL to be distinguished. can
발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)은 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)에서 생성되는 광의 컬러에 따라 복수 개의 그룹으로 구분될 수 있다. 도 1 및 도 2에 도시된 일 실시예의 표시 장치(DD)에는 적색광, 녹색광, 및 청색광을 발광하는 3개의 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)을 예시적으로 도시하였다. 예를 들어, 일 실시예의 표시 장치(DD)는 서로 구분되는 적색 발광 영역(PXA-R), 녹색 발광 영역(PXA-G), 및 청색 발광 영역(PXA-B)을 포함할 수 있다.The light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B may be divided into a plurality of groups according to the color of light generated from the light emitting elements ED-1, ED-2, and ED-3. In the display device DD of an exemplary embodiment shown in FIGS. 1 and 2 , three light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B emitting red light, green light, and blue light are exemplarily shown. . For example, the display device DD according to an exemplary embodiment may include a red light emitting area PXA-R, a green light emitting area PXA-G, and a blue light emitting area PXA-B.
일 실시예에 따른 표시 장치(DD)에서 복수 개의 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)은 서로 상이한 파장 영역의 광을 방출하는 것일 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에서 표시 장치(DD)는 적색광을 방출하는 제1 발광 소자(ED-1), 녹색광을 방출하는 제2 발광 소자(ED-2), 및 청색광을 방출하는 제3 발광 소자(ED-3)를 포함할 수 있다. 즉, 표시 장치(DD)의 적색 발광 영역(PXA-R), 녹색 발광 영역(PXA-G), 및 청색 발광 영역(PXA-B)은 각각 제1 발광 소자(ED-1), 제2 발광 소자(ED-2), 및 제3 발광 소자(ED-3)에 대응할 수 있다.In the display device DD according to an exemplary embodiment, the plurality of light emitting devices ED- 1 , ED- 2 , and ED- 3 may emit light in different wavelength ranges. For example, in an exemplary embodiment, the display device DD includes a first light emitting device ED-1 emitting red light, a second light emitting device ED-2 emitting green light, and a third light emitting device ED-2 emitting blue light. Device ED-3 may be included. That is, the red light emitting area PXA-R, the green light emitting area PXA-G, and the blue light emitting area PXA-B of the display device DD are the first light emitting element ED-1 and the second light emitting area PXA-B, respectively. It may correspond to the device ED-2 and the third light emitting device ED-3.
하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 제1 내지 제3 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)은 동일한 파장 영역의 광을 방출하는 것이거나, 또는 적어도 하나가 상이한 파장 영역의 광을 방출하는 것일 수 있다. 예를 들어, 제1 내지 제3 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)은 모두 청색광을 방출하는 것일 수 있다.However, the embodiment is not limited thereto, and the first to third light emitting devices ED-1, ED-2, and ED-3 emit light in the same wavelength range, or at least one of them in a different wavelength range. It may emit light. For example, all of the first to third light emitting devices ED-1, ED-2, and ED-3 may emit blue light.
일 실시예에 따른 표시 장치(DD)에서의 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)은 스트라이프 형태로 배열된 것일 수 있다. 도 1을 참조하면, 복수 개의 적색 발광 영역들(PXA-R), 복수 개의 녹색 발광 영역들(PXA-G), 및 복수 개의 청색 발광 영역들(PXA-B)이 각각 제2 방향축(DR2)을 따라 정렬된 것일 수 있다. 또한, 제1 방향축(DR1)을 따라 적색 발광 영역(PXA-R), 녹색 발광 영역(PXA-G), 및 청색 발광 영역(PXA-B)의 순서로 번갈아 가며 배열된 것일 수 있다. The light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B of the display device DD according to an exemplary embodiment may be arranged in a stripe shape. Referring to FIG. 1 , a plurality of red light emitting regions PXA-R, a plurality of green light emitting regions PXA-G, and a plurality of blue light emitting regions PXA-B are respectively second direction axes DR2. ) may be aligned. In addition, the red light emitting area PXA-R, the green light emitting area PXA-G, and the blue light emitting area PXA-B may be alternately arranged along the first direction axis DR1.
도 1 및 도 2에서는 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 면적이 모두 유사한 것으로 도시하였으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 발광 영역들(PXA-R PXA-G, PXA-B)의 면적은 방출하는 광의 파장 영역에 따라 서로 상이할 수 있다. 한편, 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 면적은 제1 방향축(DR1)과 제2 방향축(DR2)이 정의하는 평면 상에서 보았을 때의 면적을 의미할 수 있다.1 and 2 show that the areas of the light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B are all similar, but the embodiment is not limited thereto, and the light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA The area of -B) may be different from each other according to the wavelength region of the emitted light. Meanwhile, the area of the light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B may refer to an area when viewed on a plane defined by the first and second direction axes DR1 and DR2. .
한편, 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 배열 형태는 도 1에 도시된 것에 한정되지 않으며, 적색 발광 영역(PXA-R), 녹색 발광 영역(PXA-G), 및 청색 발광 영역(PXA-B)이 배열되는 순서는 표시 장치(DD)에서 요구되는 표시 품질의 특성에 따라 다양하게 조합되어 제공될 수 있다. 예를 들어, 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 배열 형태는 펜타일(PENTILE®) 배열 형태이거나, 다이아몬드(Diamond Pixel™) 배열 형태를 갖는 것일 수 있다.Meanwhile, the arrangement of the light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B is not limited to that shown in FIG. 1, and may include a red light emitting region PXA-R, a green light emitting region PXA-G, And the order in which the blue light emitting regions PXA-B are arranged may be provided in various combinations according to characteristics of display quality required in the display device DD. For example, the arrangement of the light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B may be a PENTILE® arrangement or a Diamond Pixel™ arrangement.
또한, 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 면적은 서로 상이한 것일 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에서 녹색 발광 영역(PXA-G)의 면적이 청색 발광 영역(PXA-B)의 면적 보다 작을 수 있으나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.Also, the light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B may have different areas. For example, in one embodiment, the area of the green light emitting region PXA-G may be smaller than the area of the blue light emitting region PXA-B, but the embodiment is not limited thereto.
이하, 도 3 내지 도 6은 일 실시예에 따른 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 일 실시예에 따른 발광 소자(ED)는 제1 전극(EL1), 제1 전극(EL1)과 마주하는 제2 전극(EL2) 및 제1 전극(EL1)과 제2 전극(EL2) 사이에 배치된 적어도 하나의 기능층을 포함하는 것 일 수 있다. 일 실시예의 발광 소자(ED)는 적어도 하나의 기능층에 후술하는 일 실시예의 아민 화합물을 포함하는 것일 수 있다.Hereinafter, FIGS. 3 to 6 are cross-sectional views schematically illustrating a light emitting device according to an exemplary embodiment. The light emitting device ED according to an exemplary embodiment includes a first electrode EL1, a second electrode EL2 facing the first electrode EL1, and disposed between the first electrode EL1 and the second electrode EL2. It may include at least one functional layer. The light emitting device ED according to an embodiment may include an amine compound according to an embodiment described below in at least one functional layer.
발광 소자(ED)는 적어도 하나의 기능층으로 순차적으로 적층된 정공 수송 영역(HTR), 발광층(EML), 전자 수송 영역(ETR) 등을 포함하는 것일 수 있다. 도 3을 참조하면, 일 실시예의 발광 소자(ED)는 순차적으로 적층된 제1 전극(EL1), 정공 수송 영역(HTR), 발광층(EML), 전자 수송 영역(ETR), 및 제2 전극(EL2)을 포함할 수 있다.The light emitting device ED may include a hole transport region HTR, an emission layer EML, and an electron transport region ETR sequentially stacked as at least one functional layer. Referring to FIG. 3 , the light emitting device ED according to an embodiment includes a first electrode EL1, a hole transport region HTR, a light emitting layer EML, an electron transport region ETR, and a second electrode (EL1) sequentially stacked. EL2) may be included.
도 4는 도 3과 비교하여, 정공 수송 영역(HTR)이 정공 주입층(HIL) 및 정공 수송층(HTL)을 포함하고, 전자 수송 영역(ETR)이 전자 주입층(EIL) 및 전자 수송층(ETL)을 포함하는 일 실시예의 발광 소자(ED)의 단면도를 나타낸 것이다. 또한, 도 5는 도 3과 비교하여 정공 수송 영역(HTR)이 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 및 전자 저지층(EBL)을 포함하고, 전자 수송 영역(ETR)이 전자 주입층(EIL), 전자 수송층(ETL), 및 정공 저지층(HBL)을 포함하는 일 실시예의 발광 소자(ED)의 단면도를 나타낸 것이다. 도 6은 도 4와 비교하여 제2 전극(EL2) 상에 배치된 캡핑층(CPL)을 포함하는 일 실시예의 발광 소자(ED)의 단면도를 나타낸 것이다.4 , compared to FIG. 3 , the hole transport region HTR includes a hole injection layer HIL and a hole transport layer HTL, and the electron transport region ETR includes the electron injection layer EIL and the electron transport layer ETL. ) It shows a cross-sectional view of the light emitting device (ED) of an embodiment including a. In addition, compared to FIG. 3 , the hole transport region HTR includes a hole injection layer HIL, a hole transport layer HTL, and an electron blocking layer EBL, and the electron transport region ETR injects electrons. This is a cross-sectional view of a light emitting device ED including an EIL layer, an electron transport layer ETL, and a hole blocking layer HBL. FIG. 6 is a cross-sectional view of a light emitting device ED according to an exemplary embodiment including a capping layer CPL disposed on the second electrode EL2 compared to FIG. 4 .
일 실시예의 발광 소자(ED)는 정공 수송 영역(HTR)에 이후 설명하는 일 실시예의 아민 화합물을 포함하는 것일 수 있다. 일 실시예의 발광 소자(ED)에서 정공 수송 영역(HTR)의 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 및 전자 저지층(EBL) 중 적어도 하나에 일 실시예의 아민 화합물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 일 실시예의 발광 소자(ED)에서 정공 수송 영역(HTR)의 정공 수송층(HTL) 또는 전자 저지층(EBL)에 일 실시예의 아민 화합물을 포함할 수 있다.The light emitting device ED according to an exemplary embodiment may include an amine compound according to an exemplary embodiment described later in the hole transport region HTR. In the light emitting device ED of one embodiment, the amine compound of one embodiment may be included in at least one of the hole injection layer (HIL), the hole transport layer (HTL), and the electron blocking layer (EBL) of the hole transport region (HTR). . For example, the hole transport layer (HTL) or electron blocking layer (EBL) of the hole transport region (HTR) in the light emitting device (ED) of one embodiment may include the amine compound of one embodiment.
일 실시예에 따른 발광 소자(ED)에서 제1 전극(EL1)은 도전성을 갖는다. 제1 전극(EL1)은 금속재료, 금속합금 또는 도전성 화합물로 형성될 수 있다. 제1 전극(EL1)은 애노드(anode) 또는 캐소드(cathode)일 수 있다. 하지만 실시예가 이에 한정되지 않는다. 또한, 제1 전극(EL1)은 화소 전극일 수 있다. 제1 전극(EL1)은 투과형 전극, 반투과형 전극 또는 반사형 전극일 수 있다. 제1 전극(EL1)은 Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF, Mo, Ti, W, In, Sn, 및 Zn 중 선택되는 적어도 하나, 이들 중 선택되는 2종 이상의 화합물, 이들 중 선택되는 2종 이상의 혼합물, 또는 이들의 산화물을 포함하는 것일 수 있다.In the light emitting device ED according to an exemplary embodiment, the first electrode EL1 has conductivity. The first electrode EL1 may be formed of a metal material, a metal alloy, or a conductive compound. The first electrode EL1 may be an anode or a cathode. However, the embodiment is not limited thereto. Also, the first electrode EL1 may be a pixel electrode. The first electrode EL1 may be a transmissive electrode, a transflective electrode, or a reflective electrode. The first electrode EL1 is selected from among Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF, Mo, Ti, W, In, Sn, and Zn. It may contain at least one compound, two or more compounds selected from among them, a mixture of two or more kinds thereof, or oxides thereof.
제1 전극(EL1)이 투과형 전극인 경우, 제1 전극(EL1)은 투명 금속 산화물, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등을 포함할 수 있다. 제1 전극(EL1)이 반투과형 전극 또는 반사형 전극인 경우, 제1 전극(EL1)은 Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca(LiF와 Ca의 적층 구조), LiF/Al(LiF와 Al의 적층 구조), Mo, Ti, W 또는 이들의 화합물이나 혼합물(예를 들어, Ag와 Mg의 혼합물)을 포함할 수 있다. 또는 제1 전극(EL1)은 상기의 물질로 형성된 반사막이나 반투과막 및 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 형성된 투명 도전막을 포함하는 복수의 층 구조일 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(EL1)은 ITO/Ag/ITO의 3층 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 전극(EL1)은 상술한 금속재료, 상술한 금속재료들 중 선택된 2종 이상의 금속재료들의 조합, 또는 상술한 금속재료들의 산화물 등을 포함하는 것일 수 있다. 제1 전극(EL1)의 두께는 약 700Å 내지 약 10000Å일 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(EL1)의 두께는 약 1000Å 내지 약 3000Å일 수 있다.When the first electrode EL1 is a transmissive electrode, the first electrode EL1 is a transparent metal oxide, for example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), or indium ITZO (ITZO). tin zinc oxide) and the like. When the first electrode EL1 is a transflective electrode or a reflective electrode, the first electrode EL1 is Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, It may include LiF/Ca (laminated structure of LiF and Ca), LiF/Al (laminated structure of LiF and Al), Mo, Ti, W, or a compound or mixture thereof (eg, a mixture of Ag and Mg). there is. Alternatively, the first electrode EL1 may be a transparent film formed of a reflective film or a transflective film formed of the above materials, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), indium tin zinc oxide (ITZO), or the like. It may be a plurality of layer structure including a conductive film. For example, the first electrode EL1 may have a three-layer structure of ITO/Ag/ITO, but is not limited thereto. In addition, the embodiment is not limited thereto, and the first electrode EL1 may include the above-described metal material, a combination of two or more kinds of metal materials selected from among the above-described metal materials, or an oxide of the above-described metal materials. there is. The first electrode EL1 may have a thickness of about 700 Å to about 10000 Å. For example, the thickness of the first electrode EL1 may be about 1000 Å to about 3000 Å.
정공 수송 영역(HTR)은 제1 전극(EL1) 상에 제공된다. 정공 수송 영역(HTR)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층, 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.The hole transport region HTR is provided on the first electrode EL1. The hole transport region HTR may have a single layer structure made of a single material, a single layer made of a plurality of different materials, or a multilayer structure having a plurality of layers made of a plurality of different materials.
정공 수송 영역(HTR)은 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 및 전자 저지층(EBL) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 정공 수송 영역(HTR)은 정공 주입층(HIL) 및 정공 수송층(HTL)의 적층 구조를 가질 수도 있다.The hole transport region HTR may include at least one of a hole injection layer HIL, a hole transport layer HTL, and an electron blocking layer EBL. Also, the hole transport region HTR may have a stacked structure of a hole injection layer HIL and a hole transport layer HTL.
또한, 정공 수송 영역(HTR)은 정공 주입층(HIL) 또는 정공 수송층(HTL)의 단일층의 구조를 가질 수도 있고, 정공 주입 물질 및 정공 수송 물질로 이루어진 단일층 구조를 가질 수도 있다. 일 실시예에서, 정공 수송 영역(HTR)은 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층의 구조를 갖거나, 제1 전극(EL1)으로부터 차례로 적층된 정공 주입층(HIL)/정공 수송층(HTL), 정공 주입층(HIL)/정공 수송층(HTL)/버퍼층(미도시), 정공 주입층(HIL)/버퍼층(미도시), 또는 정공 수송층(HTL)/버퍼층(미도시)의 구조를 가질 수도 있으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.Also, the hole transport region HTR may have a single layer structure of a hole injection layer (HIL) or a hole transport layer (HTL), or may have a single layer structure composed of a hole injection material and a hole transport material. In one embodiment, the hole transport region HTR has a single layer structure made of a plurality of different materials, or a hole injection layer (HIL) / hole transport layer (HTL) sequentially stacked from the first electrode EL1; It may have a structure of a hole injection layer (HIL) / hole transport layer (HTL) / buffer layer (not shown), a hole injection layer (HIL) / buffer layer (not shown), or a hole transport layer (HTL) / buffer layer (not shown). , the embodiment is not limited thereto.
정공 수송 영역(HTR)의 두께는 예를 들어, 약 50Å 내지 약 15,000Å인 것일 수 있다. 정공 수송 영역(HTR)은, 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다.The hole transport region HTR may have a thickness of, for example, about 50 Å to about 15,000 Å. The hole transport region (HTR) is formed by various methods such as vacuum deposition method, spin coating method, cast method, LB method (Langmuir-Blodgett), inkjet printing method, laser printing method, laser induced thermal imaging (LITI), and the like. can be formed using
일 실시예의 발광 소자(ED)는 정공 수송 영역(HTR)에 일 실시예의 아민 화합물을 포함할 수 있다. 일 실시예의 발광 소자(ED)에서 정공 수송층(HTL) 또는 전자 저지층(EBL)이 일 실시예의 아민 화합물을 포함하는 것일 수 있다.The light emitting device ED of one embodiment may include the amine compound of one embodiment in the hole transport region HTR. In the light emitting device (ED) according to an embodiment, the hole transport layer (HTL) or the electron blocking layer (EBL) may include an amine compound according to an embodiment.
일 실시예의 아민 화합물은 2-carbazole 골격에 방향족 탄화수소 고리가 축합된 치환기를 포함할 수 있다. 예를 들어, 일 실시예의 아민 화합물은 벤조카바졸 모이어티(moiety)를 포함하는 것일 수 있다. 일 실시예의 아민 화합물은 H0M0 궤도가 신장하는 위치에 방향족 탄화수소 고리가 축합된 벤조카바졸 모이어티를 포함함으로써 라디칼 또는 라이칼 양이온 상태의 안정성이 개선될 수 있다. 또한, 일 실시예의 아민 화합물에 포함된 벤조카바졸 모이어티는 분자의 바깥 측에 방향족 탄화수소 고리가 신장된 구조로, 분자 간의 π-π 상호 작용이 증강되며 정공 수송성이 향상되어, 구동 전압 저감과 고효율화에 기여할 수 있다. 일 실시예의 아민 화합물을 발광 소자 형성용 재료로 사용하는 경우에 증착 온도의 상승을 억제하기 위하여 상기 벤조카바졸 모이어티는 질소 원자에 치환 또는 비치환된 페닐기가 결합된 것일 수 있다.The amine compound of one embodiment may include a substituent in which an aromatic hydrocarbon ring is condensed with a 2-carbazole skeleton. For example, the amine compound of one embodiment may include a benzocarbazole moiety. The stability of the radical or radical cation state of the amine compound of one embodiment may be improved by including a benzocarbazole moiety in which an aromatic hydrocarbon ring is condensed at a position where the H0M0 orbital extends. In addition, the benzocarbazole moiety included in the amine compound of one embodiment has a structure in which an aromatic hydrocarbon ring is extended on the outside of the molecule, and π-π interactions between molecules are enhanced and hole transport properties are improved, thereby reducing driving voltage and It can contribute to high efficiency. When the amine compound of one embodiment is used as a material for forming a light emitting device, the benzocarbazole moiety may be a nitrogen atom bonded to a substituted or unsubstituted phenyl group in order to suppress an increase in deposition temperature.
일 실시예의 아민 화합물은 상기 벤조카바졸 모이어티와 아민 부위의 질소 원자 사이에 폴리페닐렌기의 링커 부분을 포함하는 것일 수 있다. 예를 들어, 일 실시예의 아민 화합물에서 아민 부위의 질소 원자는 벤조카바졸 모이어티에 대하여 파라 위치로 상기 폴리페닐렌기의 링커 부분에 결합될 수 있다.An amine compound of one embodiment may include a linker portion of a polyphenylene group between the nitrogen atom of the benzocarbazole moiety and the amine portion. For example, in the amine compound of one embodiment, the nitrogen atom of the amine moiety may be bonded to the linker moiety of the polyphenylene group in a para position with respect to the benzocarbazole moiety.
또한, 일 실시예의 아민 화합물은 아민 부위에 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 페난트릴기, 치환 또는 비치환된 벤조헤테롤기, 및 치환된 플루오레닐기 중 적어도 하나의 치환기를 포함하는 것일 수 있다. 상기 치환기들은 방향족 탄화수소 고리 또는 방향족 헤테로 고리를 사이에 두고 아민 부위의 질소 원자와 연결되거나, 또는 아민 부위의 질소 원자에 직접 결합(direct linkage)될 수 있다. 일 실시예의 아민 화합물은 상기 치환기들 중 적어도 하나의 치환기가 도입되어 전자 내성 및 여기자 내성이 개선될 수 있다. In addition, the amine compound of one embodiment has at least one substituent selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted phenanthryl group, a substituted or unsubstituted benzoheterol group, and a substituted fluorenyl group at the amine site. may include The substituents may be linked to the nitrogen atom of the amine moiety via an aromatic hydrocarbon ring or an aromatic heterocyclic ring, or directly bonded to the nitrogen atom of the amine moiety. Electron resistance and exciton resistance of the amine compound of one embodiment may be improved by introducing at least one substituent among the substituents.
상술한 바와 같이 벤조카바졸 모이어티 및 상기 특정한 치환기들을 포함하는 일 실시예의 아민 화합물을 발광 소자 형성용 재료로 사용하면 발광 소자의 고효율 및 장수명 특성을 구현할 수 있다.As described above, when the amine compound of one embodiment including the benzocarbazole moiety and the specific substituents is used as a material for forming a light emitting device, high efficiency and long lifespan characteristics of the light emitting device can be implemented.
예를 들어, 일 실시예의 아민 화민 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 것일 수 있다.For example, the aminated amine compound of one embodiment may be represented by
[화학식 1][Formula 1]
화학식 1에서, R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 중수소 원자일 수 있다. 예를 들어, R1 내지 R4는 모두 수소 원자 일 수 있고, 또는 R1 내지 R4 중 적어도 하나가 수소 원자일 수 있다.In
화학식 1에서, a1은 0 이상 5 이하의 정수이고, a2는 0 이상 6 이하의 정수이고, a3은 0 이상 3 이하의 정수이고, a4는 0 이상 4 이하의 정수일 수 있다. 이 때, a1이 0인 경우는 a1이 1이고 R1이 수소 원자인 경우와 동일할 수 있고, a2가 0인 경우는 a2가 1이고 R2가 수소 원자인 경우와 동일할 수 있다. 또한, a3이 0인 경우는 a3이 1이고 R3이 수소 원자인 경우와 동일할 수 있고, a4가 0인 경우는 a4가 1이고 R4가 수소 원자인 경우와 동일할 수 있다. In
화학식 1에서, n은 1 또는 2일 수 있다. 예를 들어, n은 1일 수 있다. In
화학식 1에서, L1 및 L2는 각각 독립적으로 직접 결합(direct linkage), 치환 또는 비치환된 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 5 이상 30 이하의 헤테로아릴렌기일 수 있다. 예를 들어, L1 및 L2는 각각 독립적으로 직접 결합 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기일 수 있다. 구체적으로, L1 및 L2는 각각 독립적으로 직접 결합, 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 치환 또는 비치환된 비페닐렌기, 또는 치환 또는 비치환된 터페닐렌기일 수 있다. 하지만 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.In
상기 화학식 1에서, Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 40 이하의 아릴기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 5 이상 40 이하의 헤테로아릴기, 또는 하기 화학식 2 내지 화학식 5 중 어느 하나일 수 있다. 일 실시예에서, Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 5 이상 20 이하의 헤테로아릴기, 또는 하기 화학식 2 내지 화학식 5 중 어느 하나일 수 있다. 예를 들어, Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 쿼터페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 페난트릴기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기, 치환 또는 비치환된 벤조나프토티오펜기, 치환 또는 비치환된 벤조나프토퓨란기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기 일 수 있다. 한편 화학식 1로 표시되는 일 실시예의 아민 화합물에서 Ar1 및 Ar2 중 적어도 하나는 하기 화학식 2 내지 화학식 5 중 어느 하나 일 수 있다. In
[화학식 2] [Formula 2]
[화학식 3][Formula 3]
[화학식 4][Formula 4]
[화학식 5][Formula 5]
화학식 2 내지 화학식 화학식 5에서, 는 상기 화학식 1의 L1 또는 L2와 결합되는 부분일 수 있다.In
화학식 2 내지 화학식 5에서, R5 내지 R9는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 5 이상 30 이하의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 30 이하의 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 이상 30 이하의 알케닐기이거나, 또는 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성할 수 있다. In
예를 들어, 화학식 2, 화학식 3 및 화학식 5에서 R5, R6, R8 및 R9는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기일 수 있다. R5, R6, R8 및 R9는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 또는 치환 또는 비치환된 페닐기일 수 있다. 또한, 화학식 4에서 R7은 수소 원자, 중수소 원자, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기이거나, 또는 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성할 수 있다. R7은 수소 원자, 중수소 원자, 또는 치환 또는 비치환된 페닐기이거나, 또는 인접하는 기와 결합하여 디벤조헤테롤 유도체의 고리를 형성하는 것일 수 있다.For example, in
화학식 2 내지 화학식 5에서, a5, a7 및 a8은 각각 독립적으로 0 이상 7 이하의 정수이고, a6은 0 이상 9 이하의 정수이고, a9는 0 이상 8 이하의 정수일 수 있다. 이 때, a5가 0인 경우는 a5 1이고 R5가 수소 원자인 경우와 동일할 수 있다. a6이 0인 경우는 a6이 1이고 R6이 수소 원자인 경우와 동일할 수 있다. a7이 0인 경우는 a7이 1이고 R7이 수소 원자인 경우와 동일할 수 있다. 또한, a8이 0인 경우는 a8이 1이고 R8이 수소 원자인 경우와 동일할 수 있고, a9가 0인 경우는 a9가 1이고 R9가 수소 원자인 경우와 동일할 수 있다.In
a5 내지 a9가 각각 2 이상의 정수인 경우 복수 개의 R5 내지 R9는 각각 동일하거나, 서로 상이할 수 있다. 예를 들어, a5가 2 인 경우 두 개의 R5는 동일하거나 서로 상이할 수 있다. 또한, 이러한 설명은 R6 내지 R9의 경우에도 동일하게 적용될 수 있다.When each of a5 to a9 is an integer of 2 or greater, a plurality of R 5 to R 9 may be the same or different from each other. For example, when a5 is 2, two R 5 ' s may be the same or different. In addition, this description can be equally applied to R 6 to R 9 .
한편, 화학식 4에서 X는 O 또는 S일 수 있다. 예를 들어, X가 O인 경우, 화학식 4는 적어도 하나의 R7로 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기 일 수 있다. X가 S인 경우 화학식 4는 하나의 R7로 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기일 수 있다.Meanwhile, in Chemical Formula 4, X may be O or S. For example, when X is O, Formula 4 may be a dibenzofuran group unsubstituted or substituted with at least one R 7 . When X is S, Formula 4 may be a dibenzothiophene group unsubstituted or substituted with one R 7 .
화학식 5에서, b는 0 또는 1일 수 있다. 예를 들어, b가 0인 경우 화학식 5는 하기 화학식 5-A로 표시될 수 있다. b가 1인 경우 Y는 직접 결합일 수 있고, 하기 화학식 5-B로 표시될 수 있다.In Formula 5, b may be 0 or 1. For example, when b is 0, Formula 5 may be represented by Formula 5-A below. When b is 1, Y may be a direct bond and may be represented by Formula 5-B below.
[화학식 5-A][Formula 5-A]
[화학식 5-B][Formula 5-B]
화학식 5-A 및 화학식 5-B에서 R8 및 R9, a8 및 a9에 대하여는 상술한 화학식 5에서 설명한 내용과 동일한 내용이 적용될 수 있다.In Chemical Formulas 5-A and 5-B, the same information as described in Chemical Formula 5 may be applied to R 8 and R 9 , a8 and a9.
예를 들어, 일 실시예의 아민 화합물은, 화학식 1에서 상기 Ar1 및 Ar2 중 어느 하나가 화학식 2인 경우, 나머지 하나는 상기 화학식 2 또는 상기 화학식 3일 수 있다. 상기 Ar1 및 Ar2 중 어느 하나가 화학식 3인 경우에는, 나머지 하나는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 40 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 5 이상 40 이하의 헤테로아릴기이거나, 또는 상기 화학식 3 내지 상기 화학식 5 중 어느 하나일 수 있다. 상기 Ar1 및 Ar2 중 어느 하나가 상기 화학식 4인 경우에는, 나머지 하나는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 40 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 5 이상 40 이하의 헤테로아릴기이거나, 또는 상기 화학식 4 및 상기 화학식 5 중 어느 하나일 수 있다. 상기 Ar1 및 Ar2 중 어느 하나가 상기 화학식 5인 경우에는, 나머지 하나는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 40 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 5 이상 40 이하의 헤테로아릴기일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 제한되지 않는다.For example, in the amine compound of one embodiment, when any one of Ar 1 and Ar 2 in
일 실시예에서, 화학식 1은 하기 화학식 1-1로 표시되는 것 일 수 있다. 화학식 1-1은 화학식 1에서 n이 1인 경우에 해당한다. 화학식 1-1에서 R1 내지 R3, a1 내지 a3, L1, L2, Ar1 및 Ar2에 대하여는 상술한 화학식 1에서 설명한 내용과 동일한 내용이 적용될 수 있다. In one embodiment,
[화학식 1-1][Formula 1-1]
일 실시예에서, 화학식 2는 하기 2-1 및 2-2 중 어느 하나로 표시될 수 있다.In one embodiment,
상기 2-1 및 2-2에서, 는 L1 또는 L2에 결합되는 부분에 해당한다. 상기 2-1 및 2-2에서, R5i 및 R5j는 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기일 수 있다. 예를 들어, R5i 및 R5j는 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 또는 치환 또는 비치환된 페닐기일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 제한되는 것은 아니다.In 2-1 and 2-2 above, Corresponds to a portion bonded to L 1 or L 2 . In 2-1 and 2-2, R 5i and R 5j may each independently be a hydrogen atom, a deuterium atom, or a substituted or unsubstituted aryl group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms. For example, R 5i and R 5j may each independently be a hydrogen atom, a deuterium atom, or a substituted or unsubstituted phenyl group. However, the embodiment is not limited thereto.
상기 2-1 및 2-2에서, a5i는 0 이상 3 이하의 정수이고, a5j는 0 이상 4 이하의 정수일 수 있다. 이 때, a5i가 0인 경우는 a5i가 1이고 R5i가 수소 원자인 경우와 동일할 수 있고, a5j가 0인 경우는 a5j가 1이고 R5j가 수소 원자인 경우와 동일할 수 있다. a5i 및 a5j가 각각 2 이상의 정수인 경우 복수 개의 R5i 및 R5j는 각각 동일하거나, 서로 상이할 수 있다.In 2-1 and 2-2 above, a5i may be an integer of 0 or more and 3 or less, and a5j may be an integer of 0 or more and 4 or less. In this case, the case where a5i is 0 may be the same as the case where a5i is 1 and R 5i is a hydrogen atom, and the case where a5j is 0 may be the same as the case where a5j is 1 and R 5j is a hydrogen atom. When a5i and a5j are each an integer of 2 or greater, a plurality of R 5i and R 5j may be the same or different from each other.
일 실시예에서, 화학식 3은 하기 3-1 내지 3-3 중 어느 하나로 표시될 수 있다.In one embodiment,
상기 3-1 내지 3-3에서, 는 L1 또는 L2에 결합되는 부분에 해당한다. 상기 3-1 내지 3-3에서 R6i, R6j, R6k, R6l 및 R6m은 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기일 수 있다. 예를 들어, R6i, R6j, R6k, R6l 및 R6m은 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 또는 치환 또는 비치환된 페닐기일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 제한되는 것은 아니다.In 3-1 to 3-3 above, Corresponds to a portion bonded to L 1 or L 2 . In the above 3-1 to 3-3, R 6i , R 6j , R 6k , R 6l and R 6m are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, or a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 ring carbon atoms can For example, R 6i , R 6j , R 6k , R 6l and R 6m may each independently be a hydrogen atom, a deuterium atom, or a substituted or unsubstituted phenyl group. However, the embodiment is not limited thereto.
상기 3-1 내지 3-3에서, a6i는 0 이상 4 이하의 정수일 수 있다. 상기 3-1에서, a6k는 0 이상 4 이하의 정수일 수 있고, 상기 3-2 및 3-3에서 a6l은 0 이상 2 이하의 정수일 수 있고, 상기 3-2 및 3-3에서 a6m은 0 이상 3 이하의 정수일 수 있다. 여기서, a6i가 0인 경우는 a6i 1이고 R6i가 수소 원자인 경우와 동일할 수 있다. 또한, 이러한 설명은 a6k, a6l 및 a6m이 0인 경우에도 동일하게 적용될 수 있다. a6i, a6k, a6l 및 a6m가 각각 2 이상의 정수인 경우 복수 개의 R6i, R6k, R6l 및 R6m은 각각 동일하거나, 서로 상이할 수 있다.In 3-1 to 3-3 above, a6i may be an integer of 0 or more and 4 or less. In 3-1 above, a6k may be an integer of 0 or more and 4 or less, in 3-2 and 3-3, a6l may be an integer of 0 or more and 2 or less, and in 3-2 and 3-3, a6m may be 0 or more. It can be an integer of 3 or less. Here, the case where a6i is 0 may be the same as the case where
일 실시예에 있어서, 상기 화학식 4는 하기 4-1 내지 4-4 중 어느 하나로 표시될 수 있다.In one embodiment, Chemical Formula 4 may be represented by any one of the following 4-1 to 4-4.
상기 4-1 내지 4-4에서, 는 L1 또는 L2에 결합되는 부분에 해당한다. 상기 4-1 내지 4-4에서, R7i 및 R7j는 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기이거나, 또는 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성할 수 있다. R7i 및 R7j는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 또는 치환 또는 비치환된 페닐기이거나, 또는 인접하는 기와 결합하여 디벤조헤테롤 유도체의 고리를 형성하는 것일 수 있다. 예를 들어, R7i 또는 R7j가 인접하는 기와 결합하여 디벤조헤테롤 유도체의 고리를 형성하는 경우에는 상기 4-1 내지 4-4가또는 의 골격을 포함하는 것일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 제한되는 것은 아니다.In 4-1 to 4-4 above, Corresponds to a portion bonded to L 1 or L 2 . In the above 4-1 to 4-4, R 7i and R 7j are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, or a substituted or unsubstituted aryl group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or bonded to an adjacent group to can form a ring. R 7i and R 7j may each independently be a hydrogen atom, a deuterium atom, or a substituted or unsubstituted phenyl group, or bonded to adjacent groups to form a ring of a dibenzoheterol derivative. For example, when R 7i or R 7j is combined with an adjacent group to form a ring of a dibenzoheterol derivative, the above 4-1 to 4-4 or It may be one containing the skeleton of. However, the embodiment is not limited thereto.
상기 4-1 내지 4-4에서, a7i는 0 이상 3 이하의 정수이고, a7j는 0 이상 4 이하의 정수일 수 있다. 이 때, a7i가 0인 경우는 a7i 1이고 R7i가 수소 원자인 경우와 동일할 수 있고, a7j가 0인 경우는 a7j가 1이고 R7j가 수소 원자인 경우와 동일할 수 있다. A7i 및 a7j가 각각 2 이상의 정수인 경우 복수 개의 R7i 및 R7j는 각각 동일하거나, 서로 상이할 수 있다.In 4-1 to 4-4 above, a7i may be an integer of 0 or more and 3 or less, and a7j may be an integer of 0 or more and 4 or less. In this case, the case where a7i is 0 may be the same as the case where
일 실시예에서, 상기 화학식 5는 하기 5-1 내지 5-6 중 어느 하나로 표시될 수 있다.In one embodiment, Chemical Formula 5 may be represented by any one of 5-1 to 5-6 below.
상기 5-1 내지 5-6에서, 는 L1 또는 L2에 결합되는 부분에 해당한다. 상기 5-1 내지 5-6에서 R8i, R8j, R9i 및 R9j는 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기이거나, 또는 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성할 수 있다. 예를 들어, R8i, R8j, R9i 및 R9j는 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 또는 치환 또는 비치환된 페닐기일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 제한되는 것은 아니다.In 5-1 to 5-6 above, Corresponds to a portion bonded to L 1 or L 2 . In the above 5-1 to 5-6, R 8i , R 8j , R 9i and R 9j are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, or a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 ring carbon atoms, or It can combine with adjacent groups to form a ring. For example, R 8i , R 8j , R 9i and R 9j may each independently be a hydrogen atom, a deuterium atom, or a substituted or unsubstituted phenyl group. However, the embodiment is not limited thereto.
상기 5-1 내지 5-6에서, a8i는 0 이상 3 이하의 정수일 수 있고, a8j, a9i 및 a9j는 0 이상 4 이하의 정수일 수 있다. 여기서, a8i가 0인 경우는 a8i 1이고 R8i가 수소 원자인 경우와 동일할 수 있다. 또한, 이러한 설명은 a8j, a9i 및 a9j이 0인 경우에도 동일하게 적용될 수 있다. A8i, a8j, a9i 및 a9j가 각각 2 이상의 정수인 경우 복수 개의 R8i, R8j, R9i 및 R9j는 각각 동일하거나, 서로 상이할 수 있다.In 5-1 to 5-6 above, a8i may be an integer of 0 or more and 3 or less, and a8j, a9i, and a9j may be integers of 0 or more and 4 or less. Here, the case where a8i is 0 may be the same as the case where
화학식 1로 표시되는 일 실시예의 아민 화합물은 하기 화합물군 1의 화합물들 중 하나로 표시되는 것일 수 있다. 일 실시예의 발광 소자(ED)의 정공 수송 영역(HTR)은 하기 화합물군 1에 개시된 아민 화합물들 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다. 하기 화합물군 1에서 D는 중수소 원자이다.An amine compound of one embodiment represented by
[화합물군 1][Compound group 1]
화학식 1로 표시되는 일 실시예의 아민 화합물은 벤조카바졸 모이어티(moiety)를 포함하고, 아민 부위에 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 페난트릴기, 치환 또는 비치환된 벤조헤테롤기, 및 치환된 플루오레닐기 중 적어도 하나의 치환기를 포함하는 것일 수 있다. 이에 따라, 일 실시예의 아민 화합물은 전자 내성 및 여기자 내성이 개선될 수 있으며, 발광 소자 형성용 재료로 사용되는 경우에 발광소자의 구동 전압 저감과 고효율화에 기여할 수 있다. 이에 따라, 일 실시예의 아민 화합물을 포함하는 일 실시예의 발광 소자는 고효율 및 장수명 특성을 나타낼 수 있다.The amine compound of one embodiment represented by
한편, 도시되지 않았으나, 일 실시예의 발광 소자(ED)가 복수 개의 정공 수송층들을 포함하는 경우, 복수 개의 정공 수송층들 중 발광층에 인접한 정공 수송층은 상술한 일 실시예의 아민 화합물을 포함할 수 있다. Meanwhile, although not shown, when the light emitting device ED of one embodiment includes a plurality of hole transport layers, a hole transport layer adjacent to the light emitting layer among the plurality of hole transport layers may include the amine compound of the above-described embodiment.
또한 일 실시예의 발광 소자(ED)는 정공 수송 영역(HTR)에 상술한 일 실시예의 아민 화합물 이외의 이하 서술하는 정공 수송 영역의 재료를 더 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device ED of an embodiment may further include a material for the hole transport region HTR described below other than the amine compound of the embodiment described above.
정공 수송 영역(HTR)은 하기 화학식 H-1로 표시되는 화합물을 포함하는 것일 수 있다. The hole transport region (HTR) may include a compound represented by Formula H-1 below.
[화학식 H-1] [Formula H-1]
상기 화학식 H-1에서, L1 및 L2는 각각 독립적으로 직접 결합(direct linkage), 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴렌기일 수 있다. a 및 b는 각각 독립적으로 0 이상 10 이하의 정수일 수 있다. 한편, a 또는 b가 2 이상의 정수인 경우 복수의 L1 및 L2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴렌기일 수 있다.In Formula H-1, L 1 and L 2 are each independently a direct linkage, a substituted or unsubstituted arylene group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted ring carbon number of 2 or more It may be a heteroarylene group of 30 or less. a and b may each independently be an integer of 0 or more and 10 or less. On the other hand, when a or b is an integer of 2 or more, a plurality of L 1 and L 2 are each independently a substituted or unsubstituted arylene group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted ring carbon number of 2 or more and 30 or less It may be a heteroarylene group of
화학식 H-1에서 Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기일 수 있다. 또한, 화학식 H-1에서 Ar3은 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기일 수 있다.In Formula H-1, Ar 1 and Ar 2 may each independently be a substituted or unsubstituted aryl group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms. . In Formula H-1, Ar 3 may be a substituted or unsubstituted aryl group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms.
상기 화학식 H-1로 표시되는 화합물은 모노아민 화합물일 수 있다. 또는, 상기 화학식 H-1로 표시되는 화합물은 Ar1 내지 Ar3 중 적어도 하나가 아민기를 치환기로 포함하는 디아민 화합물일 수 있다. 또한, 상기 화학식 H-1로 표시되는 화합물은 Ar1 및 Ar2 중 적어도 하나에 치환 또는 비치환된 카바졸기를 포함하는 카바졸계 화합물, 또는 Ar1 및 Ar2 중 적어도 하나에 치환 또는 비치환된 플루오렌기를 포함하는 플루오렌계 화합물일 수 있다. The compound represented by Chemical Formula H-1 may be a monoamine compound. Alternatively, the compound represented by Chemical Formula H-1 may be a diamine compound in which at least one of Ar 1 to Ar 3 includes an amine group as a substituent. In addition, the compound represented by Formula H-1 is a carbazole-based compound including a carbazole group substituted or unsubstituted on at least one of Ar 1 and Ar 2 , or a substituted or unsubstituted carbazole group on at least one of Ar 1 and Ar 2 . It may be a fluorene-based compound containing a fluorene group.
화학식 H-1로 표시되는 화합물은 하기 화합물군 H의 화합물들 중 어느 하나로 표시될 수 있다. 하지만, 하기 화합물군 H에 나열된 화합물들은 예시적인 것으로 화학식 H-1로 표시되는 화합물이 하기 화합물군 H에 표시된 것에 한정되는 것은 아니다.The compound represented by Formula H-1 may be represented by any one of the compounds of the compound group H below. However, the compounds listed in the following compound group H are illustrative, and the compound represented by the formula H-1 is not limited to those shown in the following compound group H.
[화합물군 H][Compound group H]
정공 수송 영역(HTR)은 구리프탈로시아닌(copper phthalocyanine) 등의 프탈로시아닌(phthalocyanine) 화합물, DNTPD(N1,N1'-([1,1'-biphenyl]-4,4'-diyl)bis(N1-phenyl-N4,N4-di-m-tolylbenzene-1,4-diamine)), m-MTDATA(4,4',4"-[tris(3-methylphenyl)phenylamino] triphenylamine), TDATA(4,4'4"-Tris(N,N-diphenylamino)triphenylamine), 2-TNATA(4,4',4"-tris[N(2-naphthyl)-N-phenylamino]-triphenylamine), PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate)), PANI/DBSA(Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid), PANI/CSA(Polyaniline/Camphor sulfonicacid), PANI/PSS(Polyaniline/Poly(4-styrenesulfonate)), NPB(또는 NPD)(N,N'-di(naphthalene-l-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine), 트리페닐아민을 포함하는 폴리에테르케톤(TPAPEK), 4-Isopropyl-4'-methyldiphenyliodonium [Tetrakis(pentafluorophenyl)borate], HATCN(dipyrazino[2,3-f: 2',3'-h] quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile) 등을 포함할 수 있다.The hole transport region (HTR) is a phthalocyanine compound such as copper phthalocyanine, DNTPD (N 1 ,N 1' -([1,1'-biphenyl]-4,4'-diyl)bis(N 1 -phenyl-N 4 ,N 4 -di-m-tolylbenzene-1,4-diamine)), m-MTDATA(4,4',4"-[tris(3-methylphenyl)phenylamino] triphenylamine), TDATA( 4,4'4"-Tris(N,N-diphenylamino)triphenylamine), 2-TNATA(4,4',4"-tris[N(2-naphthyl)-N-phenylamino]-triphenylamine), PEDOT/PSS (Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate)), PANI/DBSA(Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid), PANI/CSA(Polyaniline/Camphor sulfonicacid), PANI/PSS(Polyaniline/Poly(4-styrenesulfonate) ), NPB (or NPD) (N,N'-di(naphthalene-l-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine), polyether ketone containing triphenylamine (TPAPEK), 4-Isopropyl-4 '-methyldiphenyliodonium [Tetrakis(pentafluorophenyl)borate], HATCN (dipyrazino[2,3-f: 2',3'-h] quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile), etc. there is.
정공 수송 영역(HTR)은 N-페닐카바졸, 폴리비닐카바졸 등의 카바졸계 유도체, 플루오렌(fluorene)계 유도체, TPD(N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1'-biphenyl]-4,4'-diamine), TCTA(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine) 등과 같은 트리페닐아민계 유도체, NPB(N,N'-di(naphthalene-l-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine), TAPC(4,4′-Cyclohexylidene bis[N,N-bis(4-methylphenyl)benzenamine]), HMTPD(4,4'-Bis[N,N'-(3-tolyl)amino]-3,3'-dimethylbiphenyl), mCP(1,3-Bis(N-carbazolyl)benzene) 등을 포함할 수도 있다.The hole transport region (HTR) is a carbazole-based derivative such as N-phenylcarbazole or polyvinylcarbazole, a fluorene-based derivative, or TPD (N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'- Triphenylamine derivatives such as diphenyl-[1,1'-biphenyl]-4,4'-diamine), TCTA (4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine), NPB (N,N '-di(naphthalene-l-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine), TAPC(4,4′-Cyclohexylidene bis[N,N-bis(4-methylphenyl)benzenamine]), HMTPD(4,4 '-Bis[N,N'-(3-tolyl)amino]-3,3'-dimethylbiphenyl), mCP (1,3-Bis(N-carbazolyl)benzene), and the like may be included.
또한, 정공 수송 영역(HTR)은 CzSi(9-(4-tert-Butylphenyl)-3,6-bis(triphenylsilyl)-9H-carbazole), CCP(9-phenyl-9H-3,9'-bicarbazole), 또는 mDCP(1,3-bis(1,8-dimethyl-9H-carbazol-9-yl)benzene)등을 포함할 수 있다.In addition, the hole transport region (HTR) is CzSi (9-(4-tert-Butylphenyl) -3,6-bis (triphenylsilyl) -9H-carbazole), CCP (9-phenyl-9H-3,9'-bicarbazole) , or mDCP (1,3-bis (1,8-dimethyl-9H-carbazol-9-yl) benzene).
정공 수송 영역(HTR)은 상술한 정공 수송 영역의 화합물들을 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 및 전자 저지층(EBL) 중 적어도 하나에 포함할 수 있다.The hole transport region HTR may include the compound of the hole transport region described above in at least one of the hole injection layer HIL, the hole transport layer HTL, and the electron blocking layer EBL.
정공 수송 영역(HTR)의 두께는 약 100Å 내지 약 10000Å, 예를 들어, 약 100Å 내지 약 5000Å일 수 있다. 정공 수송 영역(HTR)이 정공 주입층(HIL)을 포함하는 경우, 정공 주입층(HIL)의 두께는 예를 들어 약 30Å 내지 약 1000Å일 수 있다. 정공 수송 영역(HTR)이 정공 수송층(HTL)을 포함하는 경우, 정공 수송층(HTL)의 두께는 약 30Å 내지 약 1000Å 일 수 있다. 예를 들어, 정공 수송 영역(HTR)이 전자 저지층(EBL)을 포함하는 경우 전자 저지층(EBL)의 두께는 약 10Å 내지 약 1000Å일 수 있다. 정공 수송 영역(HTR), 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL) 및 전자 저지층(EBL)의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승 없이 만족스러운 정도의 정공 수송 특성을 얻을 수 있다.The hole transport region HTR may have a thickness of about 100 Å to about 10000 Å, for example, about 100 Å to about 5000 Å. When the hole transport region HTR includes the hole injection layer HIL, the thickness of the hole injection layer HIL may be, for example, about 30 Å to about 1000 Å. When the hole transport region HTR includes the hole transport layer HTL, the hole transport layer HTL may have a thickness of about 30 Å to about 1000 Å. For example, when the hole transport region HTR includes the electron blocking layer EBL, the electron blocking layer EBL may have a thickness of about 10 Å to about 1000 Å. When the thicknesses of the hole transport region (HTR), the hole injection layer (HIL), the hole transport layer (HTL), and the electron blocking layer (EBL) satisfy the ranges described above, the hole transport characteristics are satisfactory without substantially increasing the driving voltage. can be obtained.
정공 수송 영역(HTR)은 앞서 언급한 물질 외에, 도전성 향상을 위하여 전하 생성 물질을 더 포함할 수 있다. 전하 생성 물질은 정공 수송 영역(HTR) 내에 균일하게 또는 불균일하게 분산되어 있을 수 있다. 전하 생성 물질은 예를 들어, p-도펀트(dopant)일 수 있다. p-도펀트는 할로겐화 금속 화합물, 퀴논(quinone) 유도체, 금속 산화물 및 시아노(cyano)기 함유 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, p-도펀트는 CuI 및 RbI 등의 할로겐화 금속 화합물, TCNQ(Tetracyanoquinodimethane) 및 F4-TCNQ(2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane) 등과 같은 퀴논 유도체, 텅스텐 산화물 및 몰리브덴 산화물 등과 같은 금속 산화물, HATCN(dipyrazino[2,3-f: 2',3'-h] quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile) 및 NDP9(4-[[2,3-bis[cyano-(4-cyano-2,3,5,6-tetrafluorophenyl)methylidene]cyclopropylidene]-cyanomethyl]-2,3,5,6-tetrafluorobenzonitrile)과 같은 시아노기 함유 화합물 등을 들 수 있으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.In addition to the aforementioned materials, the hole transport region HTR may further include a charge generating material to improve conductivity. The charge generating material may be uniformly or non-uniformly dispersed within the hole transport region (HTR). The charge generating material may be, for example, a p-dopant. The p-dopant may include at least one of a metal halide compound, a quinone derivative, a metal oxide, and a compound containing a cyano group, but is not limited thereto. For example, the p-dopant is a halogenated metal compound such as CuI and RbI, a quinone derivative such as TCNQ (Tetracyanoquinodimethane) and F4-TCNQ (2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane). , metal oxides such as tungsten oxide and molybdenum oxide, HATCN (dipyrazino[2,3-f:2',3'-h] quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile) and NDP9 (4- Cyano group-containing compounds such as [[2,3-bis[cyano-(4-cyano-2,3,5,6-tetrafluorophenyl)methylidene]cyclopropylidene]-cyanomethyl]-2,3,5,6-tetrafluorobenzonitrile), etc. However, the embodiment is not limited thereto.
전술한 바와 같이, 정공 수송 영역(HTR)은 정공 주입층(HIL) 및 정공 수송층(HTL) 외에, 버퍼층(미도시) 및 전자 저지층(EBL) 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다. 버퍼층(미도시)은 발광층(EML)에서 방출되는 광의 파장에 따른 공진 거리를 보상하여 광 방출 효율을 증가시킬 수 있다. 버퍼층(미도시)에 포함되는 물질로는 정공 수송 영역(HTR)에 포함될 수 있는 물질을 사용할 수 있다. 전자 저지층(EBL)은 전자 수송 영역(ETR)으로부터 정공 수송 영역(HTR)으로의 전자 주입을 방지하는 역할을 하는 층이다.As described above, the hole transport region HTR may further include at least one of a buffer layer (not shown) and an electron blocking layer EBL in addition to the hole injection layer HIL and the hole transport layer HTL. The buffer layer (not shown) may increase light emission efficiency by compensating for a resonance distance according to a wavelength of light emitted from the light emitting layer EML. A material that may be included in the hole transport region (HTR) may be used as a material included in the buffer layer (not shown). The electron blocking layer EBL is a layer that serves to prevent injection of electrons from the electron transport region ETR to the hole transport region HTR.
발광층(EML)은 정공 수송 영역(HTR) 상에 제공된다. 발광층(EML)은 예를 들어 약 100Å 내지 약 1000Å 또는, 약 100Å 내지 약 300Å의 두께를 갖는 것일 수 있다. 발광층(EML)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.The light emitting layer EML is provided on the hole transport region HTR. The light emitting layer EML may have a thickness of, for example, about 100 Å to about 1000 Å or about 100 Å to about 300 Å. The light emitting layer EML may have a single layer structure made of a single material, a single layer made of a plurality of different materials, or a multilayer structure having a plurality of layers made of a plurality of different materials.
일 실시예의 발광 소자(ED)에서 발광층(EML)은 적색광, 녹색광, 청색광, 백색광, 시안광 중 하나의 광을 방출하는 것일 수 있다. 일 실시예의 발광 소자(ED)는 정공 수송 영역(HTR)에 상술한 일 실시예의 아민 화합물을 포함하여 상기 광을 방출하는 발광 영역에 있어서 고효율 및 장수명 특성을 나타낼 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. In the light emitting device ED according to an exemplary embodiment, the light emitting layer EML may emit one of red light, green light, blue light, white light, and cyan light. The light emitting device ED of an embodiment may include the above-described amine compound in the hole transport region HTR to exhibit high efficiency and long lifespan characteristics in the light emitting region emitting the light. However, the embodiment is not limited thereto.
일 실시예의 발광 소자(ED)에서 발광층(EML)은 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 플루오란텐 유도체, 크리센 유도체, 디하이드로벤즈안트라센 유도체, 또는 트리페닐렌 유도체를 포함하는 것일 수 있다. 구체적으로, 발광층(EML)은 안트라센 유도체 또는 피렌 유도체를 포함하는 것일 수 있다.In the light emitting device ED, the light emitting layer EML may include an anthracene derivative, a pyrene derivative, a fluoranthene derivative, a chrysene derivative, a dihydrobenzanthracene derivative, or a triphenylene derivative. Specifically, the light emitting layer (EML) may include an anthracene derivative or a pyrene derivative.
도 3 내지 도 6에 도시된 일 실시예의 발광 소자(ED)에서 발광층(EML)은 호스트 및 도펀트를 포함할 수 있고, 발광층(EML)은 하기 화학식 E-1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. 하기 화학식 E-1로 표시되는 화합물은 형광 호스트 재료로 사용될 수 있다.In the light emitting device ED of an embodiment shown in FIGS. 3 to 6 , the light emitting layer EML may include a host and a dopant, and the light emitting layer EML may include a compound represented by Chemical Formula E-1 below. . A compound represented by Formula E-1 below may be used as a fluorescent host material.
[화학식 E-1][Formula E-1]
화학식 E-1에서, R31 내지 R40은 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 티오기, 치환 또는 비치환된 옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 이상 10 이하의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이거나, 또는 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성하는 것일 수 있다. 한편, R31 내지 R40은 인접하는 기와 서로 결합하여 포화탄화수소 고리, 불포화탄화수소 고리, 포화헤테로 고리 또는 불포화헤테로 고리를 형성할 수 있다.In Formula E-1, R 31 to R 40 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted silyl group, a substituted or unsubstituted thio group, a substituted or unsubstituted oxy group, or a substituted Or an unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms for ring formation, or a substituted or unsubstituted ring group. It may be a heteroaryl group having 2 or more and 30 or less carbon atoms, or may be bonded to an adjacent group to form a ring. Meanwhile, R 31 to R 40 may combine with adjacent groups to form a saturated hydrocarbon ring, an unsaturated hydrocarbon ring, a saturated heterocycle, or an unsaturated heterocycle.
화학식 E-1에서 c 및 d는 각각 독립적으로 0 이상 5 이하의 정수일 수 있다.In Formula E-1, c and d may each independently be an integer of 0 or more and 5 or less.
화학식 E-1은 하기 화합물 E1 내지 화합물 E19 중 어느 하나로 표시되는 것일 수 있다.Formula E-1 may be one represented by any one of compounds E1 to E19 below.
일 실시예에서 발광층(EML)은 하기 화학식 E-2a 또는 화학식 E-2b로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. 하기 화학식 E-2a 또는 화학식 E-2b로 표시되는 화합물은 인광 호스트재료로 사용될 수 있다.In an embodiment, the light emitting layer EML may include a compound represented by Chemical Formula E-2a or Chemical Formula E-2b. A compound represented by Chemical Formula E-2a or Chemical Formula E-2b may be used as a phosphorescent host material.
[화학식 E-2a][Formula E-2a]
화학식 E-2a에서, a는 0 이상 10 이하의 정수이고 La는 직접 결합, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴렌기일 수 있다. 한편, a가 2 이상의 정수인 경우 복수 개의 La는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴렌기일 수 있다. In Formula E-2a, a is an integer of 0 or more and 10 or less, and L a is a direct bond, a substituted or unsubstituted arylene group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted ring carbon number of 2 or more and 30 or less It may be a heteroarylene group of On the other hand, when a is an integer of 2 or more, a plurality of L a are each independently a substituted or unsubstituted arylene group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroarylene group having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms. can
또한, 화학식 E-2a에서 A1 내지 A5는 각각 독립적으로 N 또는 CRi일 수 있다. Ra 내지 Ri는 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 티오기, 치환 또는 비치환된 옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 이상 20 이하의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이거나, 또는 인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성하는 것일 수 있다. Ra 내지 Ri는 인접하는 기와 서로 결합하여 탄화수소 고리 또는 N, O, S 등을 고리 형성 원자로 포함하는 헤테로 고리를 형성할 수 있다.Also, in Formula E-2a, A 1 to A 5 may each independently be N or CR i . R a to R i are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a substituted or unsubstituted amine group, a substituted or unsubstituted thio group, a substituted or unsubstituted oxy group, or a substituted or unsubstituted carbon number of 1 to 20 an alkyl group, a substituted or unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms for ring formation, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 to 30 carbon atoms for ring formation Or, it may be bonded to adjacent groups to form a ring. R a to R i may bond with adjacent groups to form a hydrocarbon ring or a hetero ring containing N, O, S, etc. as ring-forming atoms.
한편, 화학식 E-2a에서 A1 내지 A5 중 선택되는 두 개 또는 세 개는 N이고 나머지는 CRi일 수 있다.Meanwhile, in Formula E-2a, two or three selected from A 1 to A 5 may be N and the rest may be CR i .
[화학식 E-2b][Formula E-2b]
화학식 E-2b에서 Cbz1 및 Cbz2는 각각 독립적으로 비치환된 카바졸기, 또는 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기로 치환된 카바졸기일 수 있다. Lb는 직접 결합, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴렌기일 수 있다. b는 0 이상 10 이하의 정수이고, b가 2 이상의 정수인 경우 복수 개의 Lb는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴렌기일 수 있다.In Formula E-2b, Cbz1 and Cbz2 may each independently be an unsubstituted carbazole group or a carbazole group substituted with an aryl group having 6 to 30 ring carbon atoms. L b may be a direct bond, a substituted or unsubstituted arylene group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroarylene group having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms. b is an integer of 0 or more and 10 or less, and when b is an integer of 2 or more, a plurality of L bs are each independently a substituted or unsubstituted arylene group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted ring carbon number of 2 It may be a heteroarylene group of 30 or more.
화학식 E-2a 또는 화학식 E-2b로 표시되는 화합물은 하기 화합물군 E-2의 화합물들 중 어느 하나로 표시될 수 있다. 하지만, 하기 화합물군 E-2에 나열된 화합물들은 예시적인 것으로 화학식 E-2a 또는 화학식 E-2b로 표시되는 화합물이 하기 화합물군 E-2에 표시된 것에 한정되는 것은 아니다.The compound represented by Formula E-2a or Formula E-2b may be represented by any one of the compounds of the compound group E-2. However, the compounds listed in the following compound group E-2 are illustrative, and the compounds represented by formula E-2a or formula E-2b are not limited to those shown in the following compound group E-2.
[화합물군 E-2][Compound group E-2]
발광층(EML)은 호스트 물질로 당 기술분야에 알려진 일반적인 재료를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광층(EML)은 호스트 물질로 BCPDS (bis (4-(9H-carbazol-9-yl) phenyl) diphenylsilane), POPCPA ((4-(1-(4-(diphenylamino) phenyl) cyclohexyl) phenyl) diphenyl-phosphine oxide), DPEPO(Bis[2-(diphenylphosphino)phenyl] ether oxide), CBP(4,4'-bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl), mCP(1,3-Bis(carbazol-9-yl)benzene), PPF (2,8-Bis(diphenylphosphoryl)dibenzo[b,d]furan), TCTA(4,4',4''-Tris(carbazol-9-yl)-triphenylamine) 및 TPBi(1,3,5-tris(1-phenyl-1H-benzo[d]imidazole-2-yl)benzene) 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다. 다만, 이에 의하여 한정되는 것은 아니며, 예를 들어, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene), TBADN(2-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl)anthracene), DSA(distyrylarylene), CDBP(4,4′-bis(9-carbazolyl)-2,2′-dimethyl-biphenyl), MADN(2-Methyl-9,10-bis(naphthalen-2-yl)anthracene), CP1(Hexaphenyl cyclotriphosphazene), UGH2 (1,4-Bis(triphenylsilyl)benzene), DPSiO3 (Hexaphenylcyclotrisiloxane), DPSiO4 (Octaphenylcyclotetra siloxane) 등을 호스트 재료로 사용할 수 있다.The light emitting layer (EML) may further include a general material known in the art as a host material. For example, the light emitting layer (EML) includes BCPDS (bis (4-(9H-carbazol-9-yl) phenyl) diphenylsilane) and POPCPA ((4-(1-(4-(diphenylamino) phenyl) cyclohexyl) as host materials. phenyl) diphenyl-phosphine oxide), DPEPO (Bis[2-(diphenylphosphino)phenyl] ether oxide), CBP (4,4'-bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl), mCP (1,3 -Bis(carbazol-9-yl)benzene), PPF (2,8-Bis(diphenylphosphoryl)dibenzo[b,d]furan), TCTA(4,4',4''-Tris(carbazol-9-yl) -triphenylamine) and TPBi (1,3,5-tris(1-phenyl-1H-benzo[d]imidazole-2-yl)benzene). However, it is not limited thereto, and for example, Alq 3 (tris (8-hydroxyquinolino) aluminum), ADN (9,10-di (naphthalene-2-yl) anthracene), TBADN (2-tert-butyl- 9,10-di(naphth-2-yl)anthracene), DSA(distyrylarylene), CDBP(4,4′-bis(9-carbazolyl)-2,2′-dimethyl-biphenyl), MADN(2-Methyl- Host materials such as 9,10-bis(naphthalen-2-yl)anthracene), CP1(Hexaphenyl cyclotriphosphazene), UGH2 (1,4-Bis(triphenylsilyl)benzene), DPSiO 3 (Hexaphenylcyclotrisiloxane), DPSiO 4 (Octaphenylcyclotetra siloxane) can be used as
발광층(EML)은 하기 화학식 M-a 또는 화학식 M-b로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. 하기 화학식 M-a 또는 화학식 M-b로 표시되는 화합물은 인광 도펀트 재료로 사용될 수 있다. 또한, 일 실시예에서 화학식 M-a 또는 화학식 M-b로 표시되는 화합물은 보조 도펀트 재료로 사용될 수 있다.The light emitting layer (EML) may include a compound represented by Chemical Formula M-a or Chemical Formula M-b. A compound represented by Formula M-a or Formula M-b below may be used as a phosphorescent dopant material. Also, in one embodiment, a compound represented by Chemical Formula M-a or Chemical Formula M-b may be used as an auxiliary dopant material.
[화학식 M-a][Formula M-a]
상기 화학식 M-a에서, Y1 내지 Y4, 및 Z1 내지 Z4는 각각 독립적으로 CR1 또는 N이고, R1 내지 R4는 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 티오기, 치환 또는 비치환된 옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 이상 20 이하의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이거나, 또는 인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성하는 것일 수 있다. 화학식 M-a에서, m은 0 또는 1이고, n은 2 또는 3이다. 화학식 M-a에서 m이 0일 때, n은 3이고, m이 1일 때, n은 2 이다. In Formula Ma, Y 1 to Y 4 , and Z 1 to Z 4 are each independently CR 1 or N, and R 1 to R 4 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, or a substituted or unsubstituted amine group. , a substituted or unsubstituted thio group, a substituted or unsubstituted oxy group, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, and a substituted or unsubstituted ring It may be an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 to 30 carbon atoms for forming a ring, or a ring by bonding with adjacent groups. In formula Ma, m is 0 or 1 and n is 2 or 3. In Formula Ma, when m is 0, n is 3, and when m is 1, n is 2.
화학식 M-a로 표시되는 화합물은 인광 도펀트로 사용될 수 있다. A compound represented by Formula M-a may be used as a phosphorescent dopant.
화학식 M-a로 표시되는 화합물은 하기 화합물 M-a1 내지 M-a25 중 어느 하나로 표시될 수 있다. 하지만, 하기 화합물 M-a1 내지 M-a25은 예시적인 것으로 화학식 M-a로 표시되는 화합물이 하기 화합물 M-a1 내지 M-a25로 표시된 것에 한정되는 것은 아니다.The compound represented by the formula M-a may be represented by any one of the following compounds M-a1 to M-a25. However, the following compounds M-a1 to M-a25 are exemplary, and the compound represented by the formula M-a is not limited to those represented by the following compounds M-a1 to M-a25.
화합물 M-a1 및 화합물 M-a2는 적색 도펀트 재료로 사용될 수 있고, 화합물 M-a3 내지 화합물 M-a7은 녹색 도펀트 재료로 사용될 수 있다.Compounds M-a1 and M-a2 may be used as red dopant materials, and compounds M-a3 to M-a7 may be used as green dopant materials.
[화학식 M-b][Formula M-b]
화학식 M-b에서, Q1 내지 Q4는 각각 독립적으로 C 또는 N이며, C1 내지 C4는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 5 이상 30 이하의 탄화수소고리, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로고리이다. L21 내지 L24는 각각 독립적으로 직접 결합, , , , , , , 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 2가의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴렌기이고, e1 내지 e4는 각각 독립적으로 0 또는 1이다. R31 내지 R39는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이거나, 또는 인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성하고, d1 내지 d4는 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수이다. In Formula Mb, Q 1 to Q 4 are each independently C or N, and C1 to C4 are each independently a substituted or unsubstituted hydrocarbon ring having 5 or more and 30 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted ring carbon number It is a heterocyclic ring of 2 or more and 30 or less. L 21 to L 24 are each independently a direct bond; , , , , , , A substituted or unsubstituted divalent alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms for ring formation, or a substituted or unsubstituted heteroarylene group having 2 to 30 carbon atoms for ring formation. , e1 to e4 are each independently 0 or 1. R 31 to R 39 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a cyano group, a substituted or unsubstituted amine group, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and a substituted or unsubstituted ring-forming carbon number 6 or more and 30 or less aryl group, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms, or bonded to adjacent groups to form a ring, and d1 to d4 are each independently 0 or more and 4 or less is an integer of
화학식 M-b로 표시되는 화합물은 청색 인광 도펀트 또는 녹색 인광 도펀트로 사용될 수 있다. 또한, 화학식 M-b로 표시되는 화합물은 일 실시예에서 보조 도펀트로 발광층(EML)에 더 포함될 수 있다.The compound represented by Formula M-b may be used as a blue phosphorescent dopant or a green phosphorescent dopant. In addition, the compound represented by Formula M-b may be further included in the light emitting layer EML as an auxiliary dopant in an embodiment.
화학식 M-b로 표시되는 화합물은 하기 화합물들 중 어느 하나로 표시될 수 있다. 하지만, 하기 화합물들은 예시적인 것으로 화학식 M-b로 표시되는 화합물이 하기 화합물들로 표시된 것에 한정되는 것은 아니다.The compound represented by Formula M-b may be represented by any one of the following compounds. However, the following compounds are illustrative, and the compound represented by Formula M-b is not limited to those represented by the following compounds.
상기 화합물들에서, R, R38, 및 R39는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기일 수 있다.In the above compounds, R, R 38 , and R 39 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a cyano group, a substituted or unsubstituted amine group, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, It may be a substituted or unsubstituted aryl group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms.
발광층(EML)은 하기 화학식 F-a 내지 화학식 F-c 중 어느 하나로 표시되는 화합물을 더 포함할 수 있다. 하기 화학식 F-a 내지 화학식 F-c로 표시되는 화합물은 형광 도펀트재료로 사용될 수 있다.The light emitting layer (EML) may further include a compound represented by any one of Chemical Formulas F-a to F-c. Compounds represented by the following Chemical Formulas F-a to Chemical Formulas F-c may be used as fluorescent dopant materials.
[화학식 F-a][Formula F-a]
상기 화학식 F-a에서, Ra 내지 Rj 중 선택되는 두 개는 각각 독립적으로 로 치환되는 것일 수 있다. Ra 내지 Rj 중 로 치환되지 않은 나머지들은 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기일 수 있다. 에서 Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기일 수 있다. 예를 들어, Ar1 및 Ar2 중 적어도 하나는 고리 형성 원자로 O 또는 S를 포함하는 헤테로아릴기일 수 있다.In the formula Fa, two selected from R a to R j are each independently may be substituted with Of R a to R j The remainder not substituted with are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a cyano group, a substituted or unsubstituted amine group, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and a substituted or unsubstituted ring-forming carbon number It may be an aryl group having 6 or more and 30 or less, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms. In Ar 1 and Ar 2 may each independently be a substituted or unsubstituted aryl group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms. For example, at least one of Ar 1 and Ar 2 may be a heteroaryl group including O or S as a ring-forming atom.
[화학식 F-b][Formula F-b]
상기 화학식 F-b에서, Ra 및 Rb는 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 이상 20 이하의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이거나, 또는 인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성하는 것일 수 있다. Ar1 내지 Ar4는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기일 수 있다.In Formula Fb, R a and R b are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, a substituted or It may be an unsubstituted aryl group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms, or bonded to adjacent groups to form a ring. Ar 1 to Ar 4 may each independently be a substituted or unsubstituted aryl group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms.
화학식 F-b에서 U 및 V는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 5 이상 30 이하의 탄화수소고리, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로고리일 수 있다.In Formula F-b, U and V may each independently be a substituted or unsubstituted hydrocarbon ring having 5 or more and 30 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heterocycle having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms.
화학식 F-b에서 U 및 V로 표시되는 고리의 개수는 각각 독립적으로 0 또는 1일 수 있다. 예를 들어, 화학식 F-b에서 U 또는 V의 개수가 1인 경우 U 또는 V로 기재된 부분에 하나의 고리가 축합환을 구성하며, U 또는 V의 개수가 0인 경우는 U 또는 V가 기재되어 있는 고리는 존재하지 않는 것을 의미한다. 구체적으로 U의 개수가 0이고 V의 개수가 1인 경우, 또는 U의 개수가 1이고 V의 개수가 0인 경우 화학식 F-b의 플루오렌 코어를 갖는 축합환은 4환의 고리화합물일 수 있다. 또한, U 및 V의 개수가 모두 0인 경우 화학식 F-b의 축합환은 3환의 고리화합물일 수 있다. 또한, U 및 V의 개수가 모두 1인 경우 화학식 F-b의 플루오렌 코어를 갖는 축합환은 5환의 고리 화합물일 수 있다.The number of rings represented by U and V in Formula F-b may be 0 or 1 each independently. For example, in Formula F-b, when the number of U or V is 1, one ring in the portion described as U or V constitutes a condensed ring, and when the number of U or V is 0, U or V is described. Ring means nonexistent. Specifically, when the number of U is 0 and the number of V is 1, or when the number of U is 1 and the number of V is 0, the condensed ring having a fluorene core of Formula F-b may be a 4-ring compound. In addition, when the numbers of U and V are both 0, the condensed ring of Chemical Formula F-b may be a tricyclic ring compound. In addition, when the numbers of U and V are both 1, the condensed ring having a fluorene core of Formula F-b may be a five-ring compound.
[화학식 F-c] [Formula F-c]
화학식 F-c에서, A1 및 A2는 각각 독립적으로, O, S, Se, 또는 NRm이고, Rm은 수소 원자, 중수소 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기일 수 있다. R1 내지 R11는 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 보릴기, 치환 또는 비치환된 옥시기, 치환 또는 비치환된 티오기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이거나, 또는 인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성한다.In Formula Fc, A 1 and A 2 are each independently O, S, Se, or NR m , and R m is a hydrogen atom, a deuterium atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted It may be a ring-forming aryl group having 6 or more and 30 or less carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 or more and 30 or less ring-forming carbon atoms. R 1 to R 11 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a cyano group, a substituted or unsubstituted amine group, a substituted or unsubstituted boryl group, a substituted or unsubstituted oxy group, or a substituted or unsubstituted group. thio group, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms for ring formation, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 to 30 carbon atoms for ring formation. Or, or bonded to adjacent groups to form a ring.
화학식 F-c에서 A1 및 A2는 각각 독립적으로 이웃하는 고리의 치환기들과 결합하여 축합고리를 형성할 수 있다. 예를 들어, A1 및 A2가 각각 독립적으로 NRm일 때, A1은 R4 또는 R5와 결합하여 고리를 형성하는 것일 수 있다. 또한, A2는 R7 또는 R8과 결합하여 고리를 형성하는 것일 수 있다. In Formula Fc, A 1 and A 2 may independently form a condensed ring by combining with substituents of adjacent rings. For example, when A 1 and A 2 are each independently NR m , A 1 may combine with R 4 or R 5 to form a ring. In addition, A 2 may be bonded to R 7 or R 8 to form a ring.
일 실시예에서 발광층(EML)은 공지의 도펀트 재료로, 스티릴 유도체(예를 들어, 1, 4-bis[2-(3-N-ethylcarbazoryl)vinyl]benzene(BCzVB), 4-(di-p-tolylamino)-4'-[(di-p-tolylamino)styryl]stilbene(DPAVB), N-(4-((E)-2-(6-((E)-4-(diphenylamino)styryl)naphthalen-2-yl)vinyl)phenyl)-N-phenylbenzenamine(N-BDAVBi)), 4,4'-bis[2-(4-(N,N-diphenylamino)phenyl)vinyl]biphenyl(DPAVBi) , 페릴렌 및 그 유도체(예를 들어, 2, 5, 8, 11-Tetra-t-butylperylene(TBP)), 피렌 및 그 유도체(예를 들어, 1, 1-dipyrene, 1, 4-dipyrenylbenzene, 1, 4-Bis(N, N-Diphenylamino)pyrene) 등을 포함할 수 있다. In one embodiment, the light emitting layer (EML) is a known dopant material, a styryl derivative (eg, 1, 4-bis [2- (3-N-ethylcarbazoryl) vinyl] benzene (BCzVB), 4- (di- p-tolylamino)-4'-[(di-p-tolylamino)styryl]stilbene (DPAVB), N-(4-((E)-2-(6-((E)-4-(diphenylamino)styryl) naphthalen-2-yl)vinyl)phenyl)-N-phenylbenzenamine(N-BDAVBi)), 4,4'-bis[2-(4-(N,N-diphenylamino)phenyl)vinyl]biphenyl(DPAVBi), rylene and its derivatives (
일 실시예에서 복수 개의 발광층(EML)을 포함하는 경우 적어도 하나의 발광층(EML)은 공지의 인광 도펀트 물질을 포함하는 것일 수 있다. 예를 들어, 인광 도펀트는 이리듐(Ir), 백금(Pt), 오스뮴(Os), 금(Au), 티탄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 유로퓸(Eu), 터븀(Tb) 또는 툴륨(Tm)을 포함하는 금속 착체가 사용될 수 있다. 구체적으로, FIrpic(iridium(III) bis(4,6-difluorophenylpyridinato-N,C2), Fir6(Bis(2,4-difluorophenylpyridinato)-tetrakis(1-pyrazolyl)borate iridium(Ⅲ)), 또는 PtOEP(platinum octaethyl porphyrin)가 인광 도펀트로 사용될 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.In an embodiment, when a plurality of light emitting layers (EML) are included, at least one light emitting layer (EML) may include a known phosphorescent dopant material. For example, phosphorescent dopants include iridium (Ir), platinum (Pt), osmium (Os), gold (Au), titanium (Ti), zirconium (Zr), hafnium (Hf), europium (Eu), and terbium (Tb). ) or a metal complex including thulium (Tm) may be used. Specifically, FIrpic (iridium (III) bis (4,6-difluorophenylpyridinato-N, C2 ), Fir6 (Bis(2,4-difluorophenylpyridinato)-tetrakis(1-pyrazolyl)borate iridium(III)), or platinum octaethyl porphyrin (PtOEP) may be used as the phosphorescent dopant. However, the embodiment is not limited thereto.
한편, 일 실시예에서 발광층(EML)은 정공 수송성 호스트 및 전자 수송성 호스트를 포함할 수 있다. 또한, 발광층(EML)은 보조 도펀트 및 발광 도펀트를 포함할 수 있다. 한편, 보조 도펀트로는 인광 도펀트 재료 또는 열활성 지연 형광 도펀트재료가 포함될 수 있다. 즉, 일 실시예에서 발광층(EML)은 정공 수송성 호스트, 전자 수송성 호스트, 보조 도펀트, 및 발광 도펀트를 포함하는 것일 수 있다.Meanwhile, in one embodiment, the light emitting layer EML may include a hole transporting host and an electron transporting host. In addition, the light emitting layer EML may include an auxiliary dopant and a light emitting dopant. Meanwhile, as the auxiliary dopant, a phosphorescent dopant material or a thermally activated delayed fluorescent dopant material may be included. That is, in one embodiment, the light emitting layer (EML) may include a hole transporting host, an electron transporting host, an auxiliary dopant, and a light emitting dopant.
또한, 발광층(EML)에서 정공 수송성 호스트와 전자 수송성 호스트에 의하여 엑시플렉스를 형성될 수 있다. 이때, 정공 수송성 호스트와 전자 수송성 호스트에 의하여 형성된 엑시플렉스의 삼중항 에너지는 전자 수송성 호스트의 LUMO 에너지 레벨과 정공 수송성 호스트의 HOMO 에너지 레벨의 간격인 T1에 해당할 수 있다.In addition, an exciplex may be formed by a hole transporting host and an electron transporting host in the light emitting layer (EML). In this case, the triplet energy of the exciplex formed by the hole-transporting host and the electron-transporting host may correspond to T1, which is the interval between the LUMO energy level of the electron-transporting host and the HOMO energy level of the hole-transporting host.
일 실시예에서 정공 수송성 호스트와 전자 수송성 호스트에 의하여 형성된 엑시플렉스의 삼중항 에너지(T1)는 2.4 eV 이상 3.0 eV 이하일 수 있다. 또한, 엑시플렉스의 삼중항 에너지는 각 호스트 물질의 에너지 갭보다 작은 값일 수 있다. 따라서, 엑시플렉스는 정공 수송성 호스트와 전자 수송성 호스트의 에너지 갭인 3.0 eV 이하의 삼중항 에너지를 가질 수 있다.In one embodiment, the triplet energy (T1) of the exciplex formed by the hole transporting host and the electron transporting host may be 2.4 eV or more and 3.0 eV or less. In addition, the triplet energy of exciplex may be smaller than the energy gap of each host material. Accordingly, the exciplex may have a triplet energy of 3.0 eV or less, which is an energy gap between the hole transporting host and the electron transporting host.
한편, 적어도 하나의 발광층(EML)은 양자점(Quantum dot) 물질을 포함하는 것일 수 있다. 양자점의 코어는 II-VI족 화합물, III-VI족 화합물, I-III-VI족 화합물, III-V족 화합물, III-II-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다.Meanwhile, at least one light emitting layer EML may include a quantum dot material. The core of the quantum dot is a group II-VI compound, a group III-VI compound, a group I-III-VI compound, a group III-V compound, a group III-II-V compound, a group IV-VI compound, a group IV element, and a group IV. compounds and combinations thereof.
II-VI족 화합물은 CdSe, CdTe, CdS, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. Group II-VI compounds include binary element compounds selected from the group consisting of CdSe, CdTe, CdS, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS and mixtures thereof; CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS and mixtures thereof ternary chosen from the group bovine compounds; And it may be selected from the group consisting of quaternary compounds selected from the group consisting of HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe, and mixtures thereof.
III-VI족 화합물은 In2S3, In2Se3 등과 같은 이원소 화합물, InGaS 3 , InGaSe3 등과 같은 삼원소 화합물, 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다.The group III-VI compound may include a binary compound such as In 2 S 3 , In 2 Se 3 , etc., a ternary compound such as InGaS 3 , InGaSe 3 , or the like, or any combination thereof.
I-III-VI족 화합물은 AgInS, AgInS2, CuInS, CuInS2, AgGaS2, CuGaS2, CuGaO2, AgGaO2, AgAlO2 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물, 또는 AgInGaS2, CuInGaS2 등의 사원소 화합물로부터 선택될 수 있다.The group I-III-VI compound is a ternary compound selected from the group consisting of AgInS, AgInS 2 , CuInS, CuInS 2 , AgGaS 2 , CuGaS 2 , CuGaO 2 , AgGaO 2 , AgAlO 2 and mixtures thereof, or AgInGaS 2 , It may be selected from quaternary compounds such as CuInGaS 2 .
III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물, GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InGaP, InAlP, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물, 및 GaAlNP, GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 한편, III-V족 화합물은 II족 금속을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, III- II-V족 화합물로 InZnP 등이 선택될 수 있다.Group III-V compounds are GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb, and binary element compounds selected from the group consisting of mixtures thereof, GaNP, GaNAs, GaNSb, and GaPAs. ternary compounds selected from the group consisting of GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InGaP, InAlP, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb and mixtures thereof, and GaAlNP, GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb , GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb, and quaternary compounds selected from the group consisting of mixtures thereof. Meanwhile, the group III-V compound may further include a group II metal. For example, InZnP and the like may be selected as the III-II-V group compound.
IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물, SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물, 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 원소로는 Si, Ge 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 화합물로는 SiC, SiGe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물일 수 있다. Group IV-VI compounds are SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe, and binary element compounds selected from the group consisting of and mixtures thereof, SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe, and these It may be selected from the group consisting of a three-element compound selected from the group consisting of a mixture of, and a quaternary compound selected from the group consisting of SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe, and mixtures thereof. Group IV elements may be selected from the group consisting of Si, Ge, and mixtures thereof. The group IV compound may be a binary element compound selected from the group consisting of SiC, SiGe, and mixtures thereof.
이때, 이원소 화합물, 삼원소 화합물 또는 사원소 화합물은 균일한 농도로 입자 내에 존재하거나, 농도 분포가 부분적으로 다른 상태로 나누어져 동일 입자 내에 존재하는 것일 수 있다. 또한 하나의 양자점이 다른 양자점을 둘러싸는 코어/쉘 구조를 가질 수도 있다. 코어/쉘 구조에서, 쉘에 존재하는 원소의 농도가 코어로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다.In this case, the two-element compound, the three-element compound, or the quaternary element compound may be present in the particle at a uniform concentration or may be present in the same particle in a state in which the concentration distribution is partially different. Also, one quantum dot may have a core/shell structure surrounding another quantum dot. In the core/shell structure, a concentration gradient in which the concentration of elements present in the shell decreases toward the core may be present.
몇몇 실시예에서, 양자점은 전술한 나노 결정을 포함하는 코어 및 상기 코어를 둘러싸는 쉘을 포함하는 코어-쉘 구조를 가질 수 있다. 상기 양자점의 쉘은 상기 코어의 화학적 변성을 방지하여 반도체 특성을 유지하기 위한 보호층 역할 및/또는 양자점에 전기 영동 특성을 부여하기 위한 차징층(charging layer)의 역할을 수행할 수 있다. 상기 쉘은 단층 또는 다중층일 수 있다. 상기 양자점의 쉘의 예로는 금속 또는 비금속의 산화물, 반도체 화합물 또는 이들의 조합 등을 들 수 있다.In some embodiments, the quantum dot may have a core-shell structure including a core including the aforementioned nanocrystal and a shell surrounding the core. The shell of the quantum dots may serve as a protective layer for maintaining semiconductor properties by preventing chemical deterioration of the core and/or as a charging layer for imparting electrophoretic properties to the quantum dots. The shell may be monolayer or multilayer. Examples of the quantum dot shell include metal or non-metal oxides, semiconductor compounds, or combinations thereof.
예를 들어, 상기 금속 또는 비금속의 산화물은 SiO2, Al2O3, TiO2, ZnO, MnO, Mn2O3, Mn3O4, CuO, FeO, Fe2O3, Fe3O4, CoO, Co3O4, NiO 등의 이원소 화합물, 또는 MgAl2O4, CoFe2O4, NiFe2O4, CoMn2O4 등의 삼원소 화합물을 예시할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.For example, the metal or nonmetal oxide may be SiO 2 , Al 2 O 3 , TiO 2 , ZnO, MnO, Mn 2 O 3 , Mn 3 O 4 , CuO, FeO, Fe 2 O 3 , Fe 3 O 4 , Two-element compounds such as CoO, Co 3 O 4 , and NiO, or three-element compounds such as MgAl 2 O 4 , CoFe 2 O 4 , NiFe 2 O 4 , and CoMn 2 O 4 may be exemplified, but the present invention is limited thereto. It is not.
또한, 상기 반도체 화합물은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnSeS, ZnTeS, GaAs, GaP, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InP, InGaP, InSb, AlAs, AlP, AlSb등을 예시할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.In addition, examples of the semiconductor compound include CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnSeS, ZnTeS, GaAs, GaP, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InP, InGaP, InSb, AlAs, AlP, AlSb, and the like. However, the present invention is not limited thereto.
양자점은 약 45nm 이하, 바람직하게는 약 40nm 이하, 더욱 바람직하게는 약 30nm 이하의 발광 파장 스펙트럼의 반치폭(full width of half maximum, FWHM)을 가질 수 있으며, 이 범위에서 색순도나 색재현성을 향상시킬 수 있다. 또한 이러한 양자점을 통해 발광되는 광은 전 방향으로 방출되는바, 광 시야각이 향상될 수 있다. Quantum dots may have a full width of half maximum (FWHM) of the emission wavelength spectrum of about 45 nm or less, preferably about 40 nm or less, more preferably about 30 nm or less, and color purity or color reproducibility can be improved within this range. can In addition, since light emitted through the quantum dots is emitted in all directions, a wide viewing angle may be improved.
또한, 양자점의 형태는 당 분야에서 일반적으로 사용하는 형태의 것으로 특별히 한정하지 않지만, 보다 구체적으로 구형, 피라미드형, 다중 가지형(multi-arm), 또는 입방체(cubic)의 나노 입자, 나노 튜브, 나노와이어, 나노 섬유, 나노 판상 입자 등의 형태의 것을 사용할 수 있다.In addition, the shape of the quantum dots is not particularly limited to those commonly used in the field, but more specifically, spherical, pyramidal, multi-arm, or cubic nanoparticles, nanotubes, Forms such as nanowires, nanofibers, and nanoplate-like particles can be used.
양자점은 입자 크기에 따라 방출하는 광의 색상을 조절할 수 있으며, 이에 따라 양자점은 청색, 적색, 녹색 등 다양한 발광 색상을 가질 수 있다. Quantum dots can control the color of light emitted according to the particle size, and accordingly, quantum dots can have various luminous colors such as blue, red, and green.
도 3 내지 도 6에 도시된 일 실시예의 발광 소자(ED)에서, 전자 수송 영역(ETR)은 발광층(EML) 상에 제공된다. 전자 수송 영역(ETR)은, 정공 저지층(HBL), 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층(EIL) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.In the light emitting device ED of one embodiment shown in FIGS. 3 to 6 , the electron transport region ETR is provided on the light emitting layer EML. The electron transport region ETR may include at least one of a hole blocking layer HBL, an electron transport layer ETL, and an electron injection layer EIL, but the embodiment is not limited thereto.
전자 수송 영역(ETR)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다. The electron transport region ETR may have a single layer structure made of a single material, a single layer made of a plurality of different materials, or a multilayer structure having a plurality of layers made of a plurality of different materials.
예를 들어, 전자 수송 영역(ETR)은 전자 주입층(EIL) 또는 전자 수송층(ETL)의 단일층의 구조를 가질 수도 있고, 전자 주입 물질과 전자 수송 물질로 이루어진 단일층 구조를 가질 수도 있다. 또한, 전자 수송 영역(ETR)은, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층의 구조를 갖거나, 발광층(EML)으로부터 차례로 적층된 전자 수송층(ETL)/전자 주입층(EIL), 정공 저지층(HBL)/전자 수송층(ETL)/전자 주입층(EIL), 전자 수송층(ETL)/버퍼층(미도시)/전자 주입층(EIL) 등의 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 전자 수송 영역(ETR)의 두께는 예를 들어, 약 1000Å 내지 약 1500Å인 것일 수 있다.For example, the electron transport region ETR may have a single layer structure of an electron injection layer (EIL) or an electron transport layer (ETL), or may have a single layer structure composed of an electron injection material and an electron transport material. In addition, the electron transport region ETR has a structure of a single layer made of a plurality of different materials, or an electron transport layer (ETL) / electron injection layer (EIL) sequentially stacked from the light emitting layer (EML), a hole blocking layer ( HBL)/electron transport layer (ETL)/electron injection layer (EIL), electron transport layer (ETL)/buffer layer (not shown)/electron injection layer (EIL), or the like, but is not limited thereto. The thickness of the electron transport region ETR may be, for example, about 1000 Å to about 1500 Å.
전자 수송 영역(ETR)은, 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다.The electron transport region (ETR) is formed by various methods such as vacuum deposition, spin coating, casting, Langmuir-Blodgett (LB), inkjet printing, laser printing, and laser induced thermal imaging (LITI). can be formed using
전자 수송 영역(ETR)은 하기 화학식 ET-1로 표시되는 화합물을 포함하는 것일 수 있다.The electron transport region (ETR) may include a compound represented by Chemical Formula ET-1.
[화학식 ET-1][Formula ET-1]
화학식 ET-1에서, X1 내지 X3 중 적어도 하나는 N이고 나머지는 CRa이다. Ra는 수소 원자, 중수소 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기일 수 있다. Ar1 내지 Ar3 은 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기일 수 있다In formula ET-1, at least one of X 1 to X 3 is N and the others are CR a . R a is a hydrogen atom, a deuterium atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms for forming a ring, or a substituted or unsubstituted aryl group having 2 to 30 carbon atoms for forming a ring It may be a heteroaryl group below. Ar 1 to Ar 3 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms for forming a ring, or a substituted or unsubstituted It may be a heteroaryl group having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms.
화학식 ET-1에서, a 내지 c는 각각 독립적으로 0 내지 10 이하의 정수일 수 있다. 화학식 ET-1에서 L1 내지 L3은 각각 독립적으로 직접 결합(direct linkage), 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴렌기일 수 있다. 한편, a 내지 c가 2 이상의 정수인 경우 L1 내지 L3은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴렌기일 수 있다.In Formula ET-1, a to c may each independently be an integer of 0 to 10 or less. In Formula ET-1, L 1 to L 3 are each independently a direct linkage, a substituted or unsubstituted arylene group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted ring carbon number of 2 or more and 30 or less It may be a heteroarylene group of On the other hand, when a to c is an integer of 2 or more, L 1 to L 3 are each independently a substituted or unsubstituted arylene group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted hetero group having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms. It may be an arylene group.
전자 수송 영역(ETR)은 안트라센계 화합물을 포함하는 것일 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 전자 수송 영역(ETR)은 예를 들어, Alq3(Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum), 1,3,5-tri[(3-pyridyl)-phen-3-yl]benzene, 2,4,6-tris(3'-(pyridin-3-yl)biphenyl-3-yl)-1,3,5-triazine, 2-(4-(N-phenylbenzoimidazol-1-yl)phenyl)-9,10-dinaphthylanthracene, TPBi(1,3,5-Tri(1-phenyl-1H-benzo[d]imidazol-2-yl)benzene), BCP(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), Bphen(4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline), TAZ(3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole), NTAZ(4-(Naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole), tBu-PBD(2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole), BAlq(Bis(2-methyl-8-quinolinolato-N1,O8)-(1,1'-Biphenyl-4-olato)aluminum), Bebq2(berylliumbis(benzoquinolin-10-olate)), ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene), BmPyPhB(1,3-Bis[3,5-di(pyridin-3-yl)phenyl]benzene), TSPO1(diphenyl(4-(triphenylsilyl)phenyl)phosphine oxide) 및 이들의 혼합물을 포함하는 것일 수 있다. The electron transport region (ETR) may include an anthracene-based compound. However, it is not limited thereto, and the electron transport region (ETR) is, for example, Alq 3 (Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum), 1,3,5-tri[(3-pyridyl)-phen-3-yl ]benzene, 2,4,6-tris(3'-(pyridin-3-yl)biphenyl-3-yl)-1,3,5-triazine, 2-(4-(N-phenylbenzoimidazol-1-yl) phenyl)-9,10-dinaphthylanthracene, TPBi(1,3,5-Tri(1-phenyl-1H-benzo[d]imidazol-2-yl)benzene), BCP(2,9-Dimethyl-4,7- diphenyl-1,10-phenanthroline), Bphen(4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline), TAZ(3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4- triazole), NTAZ (4-(Naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole), tBu-PBD (2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert -butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole), BAlq (Bis(2-methyl-8-quinolinolato-N1,O8)-(1,1'-Biphenyl-4-olato)aluminum), Bebq 2 (berylliumbis( benzoquinolin-10-olate)), ADN (9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene), BmPyPhB (1,3-Bis[3,5-di(pyridin-3-yl)phenyl]benzene), TSPO1 (diphenyl (4- (triphenylsilyl) phenyl) phosphine oxide) and mixtures thereof.
전자 수송 영역(ETR)은 하기 화합물 ET1 내지 ET36 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다.The electron transport region (ETR) may include at least one of the following compounds ET1 to ET36.
또한, 전자 수송 영역(ETR)은 LiF, NaCl, CsF, RbCl, RbI, CuI, KI와 같은 할로겐화 금속, Yb와 같은 란타넘족 금속, 또한 상기의 할로겐화 금속과 란타넘족 금속의 공증착 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 수송 영역(ETR)은 공증착 재료로 KI:Yb, RbI:Yb, LiF:Yb 등을 포함할 수 있다. 한편, 전자 수송 영역(ETR)은 Li2O, BaO 와 같은 금속 산화물, 또는 Liq(8-hydroxyl-Lithium quinolate) 등이 사용될 수 있으나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 전자 수송 영역(ETR)은 또한 전자 수송 물질과 절연성의 유기 금속염(organo metal salt)이 혼합된 물질로 이루어질 수 있다. 유기 금속염은 에너지 밴드 갭(energy band gap)이 대략 4eV 이상의 물질이 될 수 있다. 구체적으로 예를 들어, 유기 금속염은 금속 아세테이트(metal acetate), 금속 벤조에이트(metal benzoate), 금속 아세토아세테이트(metal acetoacetate), 금속 아세틸아세토네이트(metal acetylacetonate) 또는 금속 스테아레이트(stearate)를 포함할 수 있다. In addition, the electron transport region (ETR) may include a metal halide such as LiF, NaCl, CsF, RbCl, RbI, CuI, and KI, a lanthanide metal such as Yb, and a co-deposited material of the metal halide and the lanthanide metal. can For example, the electron transport region ETR may include KI:Yb, RbI:Yb, LiF:Yb, or the like as a co-deposited material. Meanwhile, as the electron transport region ETR, a metal oxide such as Li 2 O or BaO, or Liq (8-hydroxyl-Lithium quinolate) may be used, but the embodiment is not limited thereto. The electron transport region ETR may also be made of a mixture of an electron transport material and an insulating organo metal salt. The organometallic salt may be a material having an energy band gap of about 4 eV or more. Specifically, for example, the organometallic salt may include metal acetate, metal benzoate, metal acetoacetate, metal acetylacetonate or metal stearate. can
전자 수송 영역(ETR)은 앞서 언급한 재료 이외에 BCP(2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), TSPO1(diphenyl(4-(triphenylsilyl)phenyl)phosphine oxide) 및 Bphen(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.The electron transport region (ETR) includes BCP (2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), TSPO1 (diphenyl (4- (triphenylsilyl) phenyl) phosphine oxide) and Bphen ( 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) may further include, but embodiments are not limited thereto.
전자 수송 영역(ETR)은 상술한 전자 수송 영역의 화합물들을 전자 주입층(EIL), 전자 수송층(ETL), 및 정공 저지층(HBL) 중 적어도 하나에 포함할 수 있다.The electron transport region ETR may include the above-described electron transport region compounds in at least one of the electron injection layer EIL, the electron transport layer ETL, and the hole blocking layer HBL.
전자 수송 영역(ETR)이 전자 수송층(ETL)을 포함하는 경우, 전자 수송층(ETL)의 두께는 약 100Å 내지 약 1000Å, 예를 들어 약 150Å 내지 약 500Å일 수 있다. 전자 수송층(ETL)의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승 없이 만족스러운 정도의 전자 수송 특성을 얻을 수 있다. 전자 수송 영역(ETR)이 전자 주입층(EIL)을 포함하는 경우, 전자 주입층(EIL)의 두께는 약 1Å 내지 약 100Å, 약 3Å 내지 약 90Å일 수 있다. 전자 주입층(EIL)의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승 없이 만족스러운 정도의 전자 주입 특성을 얻을 수 있다.When the electron transport region ETR includes the electron transport layer ETL, the electron transport layer ETL may have a thickness of about 100 Å to about 1000 Å, for example, about 150 Å to about 500 Å. When the thickness of the electron transport layer (ETL) satisfies the aforementioned range, satisfactory electron transport characteristics may be obtained without a substantial increase in driving voltage. When the electron transport region ETR includes the electron injection layer EIL, the thickness of the electron injection layer EIL may be about 1 Å to about 100 Å or about 3 Å to about 90 Å. When the thickness of the electron injection layer (EIL) satisfies the aforementioned range, satisfactory electron injection characteristics may be obtained without a substantial increase in driving voltage.
제2 전극(EL2)은 전자 수송 영역(ETR) 상에 제공된다. 제2 전극(EL2)은 공통 전극일 수 있다. 제2 전극(EL2)은 캐소드(cathode) 또는 애노드(anode)일 수 있으나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제1 전극(EL1)이 애노드인 경우 제2 전극(EL2)은 캐소드일 수 있고, 제1 전극(EL1)이 캐소드인 경우 제2 전극(EL2)은 애노드일 수 있다. 제2 전극은 Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF, Mo, Ti, W, In, Sn, 및 Zn 중 선택되는 적어도 하나, 이들 중 선택되는 2종 이상의 화합물, 이들 중 선택되는 2종 이상의 혼합물, 또는 이들의 산화물을 포함하는 것일 수 있다.The second electrode EL2 is provided on the electron transport region ETR. The second electrode EL2 may be a common electrode. The second electrode EL2 may be a cathode or an anode, but the embodiment is not limited thereto. For example, when the first electrode EL1 is an anode, the second electrode EL2 may be a cathode, and when the first electrode EL1 is a cathode, the second electrode EL2 may be an anode. The second electrode is at least one selected from Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF, Mo, Ti, W, In, Sn, and Zn; It may contain two or more compounds selected from these, a mixture of two or more types selected from these, or oxides thereof.
제2 전극(EL2)은 투과형 전극, 반투과형 전극 또는 반사형 전극일 수 있다. 제2 전극(EL2)이 투과형 전극인 경우, 제2 전극(EL2)은 투명 금속 산화물, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 이루어질 수 있다.The second electrode EL2 may be a transmissive electrode, a transflective electrode, or a reflective electrode. When the second electrode EL2 is a transmissive electrode, the second electrode EL2 is a transparent metal oxide, for example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), or indium ITZO (ITZO). tin zinc oxide) and the like.
제2 전극(EL2)이 반투과형 전극 또는 반사형 전극인 경우, 제2 전극(EL2)은 Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca(LiF와 Ca의 적층 구조), LiF/Al(LiF와 Al의 적층 구조), Mo, Ti, Yb, W 또는 이들을 포함하는 화합물이나 혼합물(예를 들어, AgMg, AgYb, 또는 MgYb)을 포함할 수 있다. 또는 제2 전극(EL2)은 상기 물질로 형성된 반사막이나 반투과막 및 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 형성된 투명 도전막을 포함하는 복수의 층 구조일 수 있다. 예를 들어, 제2 전극(EL2)은 상술한 금속재료, 상술한 금속재료들 중 선택된 2종 이상의 금속재료들의 조합, 또는 상술한 금속재료들의 산화물 등을 포함하는 것일 수 있다.When the second electrode EL2 is a transflective electrode or a reflective electrode, the second electrode EL2 is Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca (laminated structure of LiF and Ca), LiF/Al (laminated structure of LiF and Al), Mo, Ti, Yb, W, or a compound or mixture containing them (e.g., AgMg, AgYb, or MgYb) can include Alternatively, the second electrode EL2 may be a transparent conductive film formed of a reflective film or semi-transmissive film formed of the above material, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), or indium tin zinc oxide (ITZO). It may be a plurality of layer structure including a film. For example, the second electrode EL2 may include the above-mentioned metal material, a combination of two or more types of metal materials selected from among the above-mentioned metal materials, or an oxide of the above-mentioned metal materials.
도시하지는 않았으나, 제2 전극(EL2)은 보조 전극과 연결될 수 있다. 제2 전극(EL2)이 보조 전극과 연결되면, 제2 전극(EL2)의 저항을 감소시킬 수 있다.Although not shown, the second electrode EL2 may be connected to the auxiliary electrode. When the second electrode EL2 is connected to the auxiliary electrode, resistance of the second electrode EL2 may be reduced.
한편, 일 실시예의 발광 소자(ED)의 제2 전극(EL2) 상에는 캡핑층(CPL)이 더 배치될 수 있다. 캡핑층(CPL)은 다층 또는 단층을 포함할 수 있다.Meanwhile, a capping layer CPL may be further disposed on the second electrode EL2 of the light emitting device ED according to an exemplary embodiment. The capping layer CPL may include a multilayer or a single layer.
일 실시예에서, 캡핑층(CPL)은 유기층 또는 무기층일 수 있다. 예를 들어, 캡핑층(CPL)이 무기물을 포함하는 경우, 무기물은 LiF 등의 알칼리금속 화합물, MgF2 등의 알칼리토금속 화합물, SiON, SiNX, SiOy 등을 포함하는 것일 수 있다. In one embodiment, the capping layer CPL may be an organic layer or an inorganic layer. For example, when the capping layer CPL includes an inorganic material, the inorganic material may include an alkali metal compound such as LiF, an alkaline earth metal compound such as MgF 2 , SiON, SiN X , SiOy, and the like.
예를 들어, 캡핑층(CPL)이 유기물을 포함하는 경우, 유기물은 α-NPD, NPB, TPD, m-MTDATA, Alq3, CuPc, TPD15(N4,N4,N4',N4'-tetra (biphenyl-4-yl) biphenyl-4,4'-diamine), TCTA(4,4',4"- Tris (carbazol sol-9-yl) triphenylamine) 등을 포함하거나, 에폭시 수지, 또는 메타크릴레이트와 같은 아크릴레이트를 포함할 수 있다. 다만, 실시예가 이에 제한되는 것은 아니며 캡핑층(CPL)은 하기와 같은 화합물 P1 내지 P5 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.For example, when the capping layer (CPL) includes an organic material, the organic material is α-NPD, NPB, TPD, m-MTDATA, Alq 3 , CuPc, TPD15 (N4, N4, N4', N4'-tetra (biphenyl -4-yl) biphenyl-4,4'-diamine), TCTA (4,4',4"- Tris (carbazol sol-9-yl) triphenylamine), etc., or epoxy resin or methacrylate However, the embodiment is not limited thereto, and the capping layer CPL may include at least one of the following compounds P1 to P5.
한편, 캡핑층(CPL)의 굴절률은 1.6 이상일 수 있다. 구체적으로, 550nm 이상 660nm 이하의 파장 범위의 광에 대해서 캡핑층(CPL)의 굴절률은 1.6 이상일 수 있다.Meanwhile, the refractive index of the capping layer CPL may be 1.6 or more. Specifically, the refractive index of the capping layer CPL may be 1.6 or more for light in a wavelength range of 550 nm or more and 660 nm or less.
도 7 내지 도 10은 각각 일 실시예에 따른 표시 장치에 대한 단면도이다. 이하 도 7 내지 도 10을 참조하여 설명하는 일 실시예에 대한 표시 장치에 대한 설명에 있어서 상술한 도 1 내지 도 6에서 설명한 내용과 중복되는 내용은 다시 설명하지 않으며 차이점을 위주로 설명한다.7 to 10 are cross-sectional views of a display device according to an exemplary embodiment. Hereinafter, in the description of the display device for one embodiment described with reference to FIGS. 7 to 10 , contents overlapping with those described in FIGS. 1 to 6 will not be described again, and differences will be mainly described.
도 7을 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치(DD-a)는 표시 소자층(DP-ED)을 포함하는 표시 패널(DP), 표시 패널(DP) 상에 배치된 광제어층(CCL) 및 컬러필터층(CFL)을 포함하는 것일 수 있다.Referring to FIG. 7 , a display device DD-a according to an exemplary embodiment includes a display panel DP including a display element layer DP-ED, and a light control layer CCL disposed on the display panel DP. ) and a color filter layer (CFL).
도 7에 도시된 일 실시예에서 표시 패널(DP)은 베이스층(BS), 베이스층(BS) 상에 제공된 회로층(DP-CL) 및 표시 소자층(DP-ED)을 포함하고, 표시 소자층(DP-ED)은 발광 소자(ED)를 포함하는 것일 수 있다.In the embodiment shown in FIG. 7 , the display panel DP includes a base layer BS, a circuit layer DP-CL and a display element layer DP-ED provided on the base layer BS, and displays The device layer DP-ED may include a light emitting device ED.
발광 소자(ED)는 제1 전극(EL1), 제1 전극(EL1) 상에 배치된 정공 수송 영역(HTR), 정공 수송 영역(HTR) 상에 배치된 발광층(EML), 발광층(EML) 상에 배치된 전자 수송 영역(ETR), 및 전자 수송 영역(ETR) 상에 배치된 제2 전극(EL2)을 포함하는 것일 수 있다. 한편, 도 7에 도시된 발광 소자(ED)의 구조는 상술한 도 3 내지 도 6의 발광 소자의 구조가 동일하게 적용될 수 있다.The light emitting element ED includes a first electrode EL1, a hole transport region HTR disposed on the first electrode EL1, an emission layer EML disposed on the hole transport region HTR, and an emission layer EML disposed on the light emitting layer EML. It may include an electron transport region ETR disposed on and a second electrode EL2 disposed on the electron transport region ETR. Meanwhile, the structure of the light emitting device ED shown in FIG. 7 may be identical to the structure of the light emitting device of FIGS. 3 to 6 described above.
일 실시예에 따른 표시 장치(DD-a)에서 포함된 발광 소자(ED)의 정공 수송 영역(HTR)은 상술한 일 실시예의 아민 화합물을 포함하는 것일 수 있다.The hole transport region HTR of the light emitting device ED included in the display device DD-a according to an exemplary embodiment may include the amine compound according to the exemplary embodiment described above.
도 7을 참조하면, 발광층(EML)은 화소 정의막(PDL)에 정의된 개구부(OH) 내에 배치되는 것일 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(PDL)에 의해 구분되어 각 발광 영역(PXA-R, PXA-G, PXA-B)에 대응하여 제공된 발광층(EML)은 동일한 파장 영역의 광을 방출하는 것일 수 있다. 일 실시예의 표시 장치(DD-a)에서 발광층(EML)은 청색광을 방출하는 것일 수 있다. 한편, 도시된 것과 달리 일 실시예에서 발광층(EML)은 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 전체에 공통층으로 제공되는 것일 수 있다.Referring to FIG. 7 , the light emitting layer EML may be disposed within the opening OH defined in the pixel defining layer PDL. For example, the light emitting layers EML provided to correspond to the light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B separated by the pixel defining layer PDL may emit light of the same wavelength region. . In the display device DD-a according to an exemplary embodiment, the light emitting layer EML may emit blue light. Meanwhile, unlike the drawing, in one embodiment, the light emitting layer EML may be provided as a common layer throughout the light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B.
광제어층(CCL)은 표시 패널(DP) 상에 배치될 수 있다. 광제어층(CCL)은 광변환체를 포함하는 것일 수 있다. 광변환체는 양자점 또는 형광체 등일 수 있다. 광변환체는 제공받은 광을 파장 변환하여 방출하는 것일 수 있다. 즉, 광제어층(CCL)은 양자점을 포함하는 층이거나 또는 형광체를 포함하는 층일 수 있다. The light control layer CCL may be disposed on the display panel DP. The light control layer (CCL) may include a light conversion body. The photoconverter may be a quantum dot or a phosphor. The photoconverter may convert the wavelength of the provided light and emit it. That is, the light control layer CCL may be a layer including quantum dots or a layer including phosphors.
광제어층(CCL)은 복수 개의 광제어부들(CCP1, CCP2, CCP3)을 포함하는 것일 수 있다. 광제어부들(CCP1, CCP2, CCP3)은 서로 이격된 것일 수 있다. The light control layer CCL may include a plurality of light control units CCP1 , CCP2 , and CCP3 . The light control units CCP1 , CCP2 , and CCP3 may be spaced apart from each other.
도 7을 참조하면, 서로 이격된 광제어부들(CCP1, CCP2, CCP3) 사이에 분할패턴(BMP)이 배치될 수 있으나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 도 8에서 분할패턴(BMP)은 광제어부들(CCP1, CCP2, CCP3)과 비중첩하는 것으로 도시되었으나, 광제어부들(CCP1, CCP2, CCP3)의 엣지는 분할패턴(BMP)과 적어도 일부가 중첩할 수 있다.Referring to FIG. 7 , a division pattern BMP may be disposed between light control units CCP1 , CCP2 , and CCP3 spaced apart from each other, but the embodiment is not limited thereto. In FIG. 8 , the split pattern BMP is shown as not overlapping with the light control units CCP1, CCP2, and CCP3, but the edges of the light control units CCP1, CCP2, and CCP3 overlap at least a portion of the split pattern BMP. can do.
광제어층(CCL)은 발광 소자(ED)에서 제공되는 제1 색광을 제2 색광으로 변환하는 제1 양자점(QD1)을 포함하는 제1 광제어부(CCP1), 제1 색광을 제3 색광을 변환하는 제2 양자점(QD2)을 포함하는 제2 광제어부(CCP2), 및 제1 색광을 투과시키는 제3 광제어부(CCP3)를 포함하는 것일 수 있다.The light control layer CCL includes a first light control unit CCP1 including a first quantum dot QD1 that converts first color light supplied from the light emitting device ED into second color light, and converts the first color light into third color light. It may include a second light control unit (CCP2) including a second quantum dot (QD2) for conversion, and a third light control unit (CCP3) for transmitting the first color light.
일 실시예에서 제1 광제어부(CCP1)는 제2 색광인 적색광을 제공하고, 제2 광제어부(CCP2)는 제3 색광인 녹색광을 제공하는 것일 수 있다. 제3 광제어부(CCP3)는 발광 소자(ED)에서 제공된 제1 색광인 청색광을 투과시켜 제공하는 것일 수 있다. 예를 들어, 제1 양자점(QD1)은 적색 양자점이고 제2 양자점(QD2)은 녹색 양자점일 수 있다. 양자점(QD1, QD2)에 대하여는 상술한 내용과 동일한 내용이 적용될 수 있다.In an embodiment, the first light control unit CCP1 may provide red light, which is the second color light, and the second light control unit CCP2 may provide green light, which is the third color light. The third light control unit CCP3 may transmit and provide blue light, which is the first color light provided from the light emitting device ED. For example, the first quantum dot QD1 may be a red quantum dot and the second quantum dot QD2 may be a green quantum dot. The same content as described above may be applied to the quantum dots QD1 and QD2.
또한, 광제어층(CCL)은 산란체(SP)를 더 포함하는 것일 수 있다. 제1 광제어부(CCP1)는 제1 양자점(QD1)과 산란체(SP)를 포함하고, 제2 광제어부(CCP2)는 제2 양자점(QD2)과 산란체(SP)를 포함하며, 제3 광제어부(CCP3)는 양자점을 미포함하고 산란체(SP)를 포함하는 것일 수 있다.In addition, the light control layer (CCL) may further include a scattering body (SP). The first light control unit CCP1 includes a first quantum dot QD1 and a scatterer SP, the second light control unit CCP2 includes a second quantum dot QD2 and a scatterer SP, and a third light control unit CCP2 includes a second quantum dot QD2 and a scatterer SP. The light control unit CCP3 may not include quantum dots and may include a scattering body SP.
산란체(SP)는 무기 입자일 수 있다. 예를 들어, 산란체(SP)는 TiO2, ZnO, Al2O3, SiO2, 및 중공 실리카 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다. 산란체(SP)는 TiO2, ZnO, Al2O3, SiO2, 및 중공 실리카 중 어느 하나를 포함하는 것이거나, TiO2, ZnO, Al2O3, SiO2, 및 중공 실리카 중 선택되는 2종 이상의 물질이 혼합된 것일 수 있다.The scattering material SP may be an inorganic particle. For example, the scattering material SP may include at least one of TiO 2 , ZnO, Al 2 O 3 , SiO 2 , and hollow silica. The scattering material (SP) includes any one of TiO 2 , ZnO, Al 2 O 3 , SiO 2 , and hollow silica, or is selected from among TiO 2 , ZnO, Al 2 O 3 , SiO 2 , and hollow silica. It may be a mixture of two or more substances.
제1 광제어부(CCP1), 제2 광제어부(CCP2), 및 제3 광제어부(CCP3) 각각은 양자점(QD1, QD2) 및 산란체(SP)를 분산시키는 베이스 수지(BR1, BR2, BR3)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 광제어부(CCP1)는 제1 베이스 수지(BR1) 내에 분산된 제1 양자점(QD1)과 산란체(SP)를 포함하고, 제2 광제어부(CCP2)는 제2 베이스 수지(BR2) 내에 분산된 제2 양자점(QD2)과 산란체(SP)를 포함하고, 제3 광제어부(CCP3)는 제3 베이스 수지(BR3) 내에 분산된 산란체(SP)를 포함하는 것일 수 있다. 베이스 수지(BR1, BR2, BR3)는 양자점(QD1, QD2) 및 산란체(SP)가 분산되는 매질로서, 일반적으로 바인더로 지칭될 수 있는 다양한 수지 조성물로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 베이스수지(BR1, BR2, BR3)는 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 실리콘계 수지, 에폭시계 수지 등일 수 있다. 베이스수지(BR1, BR2, BR3)는 투명 수지일 수 있다. 일 실시예에서, 제1 베이스 수지(BR1), 제2 베이스 수지(BR2), 및 제3 베이스 수지(BR3) 각각은 서로 동일하거나 상이할 수 있다. The first light control unit CCP1, the second light control unit CCP2, and the third light control unit CCP3 each include base resins BR1, BR2, and BR3 dispersing the quantum dots QD1 and QD2 and the scattering body SP. can include In an embodiment, the first light control unit CCP1 includes the first quantum dot QD1 and the scattering body SP dispersed in the first base resin BR1, and the second light control unit CCP2 includes the second base resin BR1. The second quantum dot QD2 and the scattering material SP are dispersed in the resin BR2, and the third light control unit CCP3 includes the scattering material SP dispersed in the third base resin BR3. can The base resins BR1 , BR2 , and BR3 are media in which the quantum dots QD1 and QD2 and the scattering material SP are dispersed, and may be made of various resin compositions that are generally referred to as binders. For example, the base resins BR1 , BR2 , and BR3 may be acrylic resins, urethane resins, silicone resins, epoxy resins, and the like. The base resins BR1, BR2, and BR3 may be transparent resins. In one embodiment, each of the first base resin BR1 , the second base resin BR2 , and the third base resin BR3 may be the same as or different from each other.
광제어층(CCL)은 베리어층(BFL1)을 포함하는 것일 수 있다. 베리어층(BFL1)은 수분 및/또는 산소(이하, '수분/산소'로 칭함)의 침투를 막는 역할을 하는 것일 수 있다. 베리어층(BFL1)은 광제어부들(CCP1, CCP2, CCP3) 상에 배치되어 광제어부들(CCP1, CCP2, CCP3)이 수분/산소에 노출되는 것을 차단할 수 있다. 한편, 베리어층(BFL1)은 광제어부들(CCP1, CCP2, CCP3)을 커버하는 것일 수 있다. 또한, 광제어부들(CCP1, CCP2, CCP3)과 컬러필터층(CFL) 사이에도 베리어층(BFL2)이 제공될 수도 있다.The light control layer CCL may include a barrier layer BFL1. The barrier layer BFL1 may serve to prevent penetration of moisture and/or oxygen (hereinafter referred to as 'moisture/oxygen'). The barrier layer BFL1 is disposed on the light control units CCP1 , CCP2 , and CCP3 to block exposure of the light control units CCP1 , CCP2 , and CCP3 to moisture/oxygen. Meanwhile, the barrier layer BFL1 may cover the light control units CCP1, CCP2, and CCP3. Also, a barrier layer BFL2 may be provided between the light control units CCP1 , CCP2 , and CCP3 and the color filter layer CFL.
베리어층(BFL1, BFL2)은 적어도 하나의 무기층을 포함하는 것일 수 있다. 즉, 베리어층(BFL1, BFL2)은 무기 물질을 포함하여 이루어질 수 있다. 예를 들어, 베리어층(BFL1, BFL2)은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 주석 산화물, 세륨 산화물 및 실리콘 산화질화물이나 광투과율이 확보된 금속 박막 등을 포함하여 이루어질 수 있다. 한편, 베리어층(BFL1, BFL2)은 유기막을 더 포함할 수 있다. 베리어층(BFL1, BFL2)은 단일층 또는 복수의 층으로 구성되는 것일 수 있다.The barrier layers BFL1 and BFL2 may include at least one inorganic layer. That is, the barrier layers BFL1 and BFL2 may include an inorganic material. For example, the barrier layers BFL1 and BFL2 may be silicon nitride, aluminum nitride, zirconium nitride, titanium nitride, hafnium nitride, tantalum nitride, silicon oxide, aluminum oxide, titanium oxide, tin oxide, cerium oxide, and silicon oxynitride or optical It may include a metal thin film having a transmittance, and the like. Meanwhile, the barrier layers BFL1 and BFL2 may further include an organic layer. The barrier layers BFL1 and BFL2 may be composed of a single layer or a plurality of layers.
일 실시예의 표시 장치(DD-a)에서 컬러필터층(CFL)은 광제어층(CCL) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 컬러필터층(CFL)은 광제어층(CCL) 상에 직접 배치될 수 있다. 이 경우 베리어층(BFL2)은 생략될 수 있다. In the display device DD-a according to an exemplary embodiment, the color filter layer CFL may be disposed on the light control layer CCL. For example, the color filter layer CFL may be directly disposed on the light control layer CCL. In this case, the barrier layer BFL2 may be omitted.
컬러필터층(CFL)은 필터들(CF1, CF2, CF3)을 포함하는 것일 수 있다. 컬러필터층(CFL)은 제2 색광을 투과시키는 제1 필터(CF1), 제3 색광을 투과시키는 제2 필터(CF2), 및 제1 색광을 투과시키는 제3 필터(CF3)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 필터(CF1)는 적색 필터, 제2 필터(CF2)는 녹색 필터이고, 제3 필터(CF3)는 청색 필터일 수 있다. 필터들(CF1, CF2, CF3) 각각은 고분자 감광수지와 안료 또는 염료를 포함하는 것일 수 있다. 제1 필터(CF1)는 적색 안료 또는 염료를 포함하고, 제2 필터(CF2)는 녹색 안료 또는 염료를 포함하며, 제3 필터(CF3)는 청색 안료 또는 염료를 포함하는 것일 수 있다. 한편, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 제3 필터(CF3)는 안료 또는 염료를 포함하지 않는 것일 수 있다. 제3 필터(CF3)는 고분자 감광수지를 포함하고 안료 또는 염료를 미포함하는 것일 수 있다. 제3 필터(CF3)는 투명한 것일 수 있다. 제3 필터(CF3)는 투명 감광수지로 형성된 것일 수 있다.The color filter layer CFL may include filters CF1 , CF2 , and CF3 . The color filter layer CFL may include a first filter CF1 for transmitting second color light, a second filter CF2 for transmitting third color light, and a third filter CF3 for transmitting first color light. . For example, the first filter CF1 may be a red filter, the second filter CF2 may be a green filter, and the third filter CF3 may be a blue filter. Each of the filters CF1 , CF2 , and CF3 may include a polymeric photosensitive resin and a pigment or dye. The first filter CF1 may contain a red pigment or dye, the second filter CF2 may contain a green pigment or dye, and the third filter CF3 may contain a blue pigment or dye. Meanwhile, the embodiment is not limited thereto, and the third filter CF3 may not include a pigment or dye. The third filter CF3 may include a polymeric photoresist and may not contain a pigment or dye. The third filter CF3 may be transparent. The third filter CF3 may be formed of a transparent photosensitive resin.
또한, 일 실시예에서 제1 필터(CF1)와 제2 필터(CF2)는 황색(yellow) 필터일 수 있다. 제1 필터(CF1)와 제2 필터(CF2)는 서로 구분되지 않고 일체로 제공될 수도 있다. 제1 내지 제3 필터(CF1, CF2, CF3) 각각은 적색 발광 영역(PXA-R), 녹색 발광 영역(PXA-G), 및 청색 발광 영역(PXA-B) 각각에 대응하여 배치될 수 있다.Also, in one embodiment, the first filter CF1 and the second filter CF2 may be yellow filters. The first filter CF1 and the second filter CF2 may be integrally provided without being separated from each other. Each of the first to third filters CF1 , CF2 , and CF3 may be disposed to correspond to each of the red light emitting area PXA-R, the green light emitting area PXA-G, and the blue light emitting area PXA-B. .
한편, 도시되지는 않았으나 컬러필터층(CFL)은 차광부(미도시)를 포함할 수 있다. 컬러필터층(CFL)은 이웃하는 필터들(CF1, CF2, CF3)의 경계에 중첩하도록 배치된 차광부(미도시)를 포함할 수 있다. 차광부(미도시)는 블랙 매트릭스일 수 있다. 차광부(미도시)는 흑색 안료 또는 흑색염료를 포함하는 유기 차광 물질 또는 무기 차광 물질을 포함하여 형성될 수 있다. 차광부(미도시)는 인접하는 필터들(CF1, CF2, CF3) 사이의 경계를 구분하는 것일 수 있다. 또한, 일 실시예에서 차광부(미도시)는 청색 필터로 형성되는 것일 수 있다.Meanwhile, although not shown, the color filter layer CFL may include a light blocking portion (not shown). The color filter layer CFL may include a light blocking portion (not shown) disposed to overlap the boundaries of neighboring filters CF1 , CF2 , and CF3 . The light blocking unit (not shown) may be a black matrix. The light blocking portion (not shown) may be formed by including an organic light blocking material or an inorganic light blocking material including black pigment or black dye. The light blocking unit (not shown) may divide boundaries between adjacent filters CF1 , CF2 , and CF3 . Also, in one embodiment, the light blocking portion (not shown) may be formed of a blue filter.
컬러필터층(CFL) 상에는 베이스 기판(BL)이 배치될 수 있다. 베이스 기판(BL)은 컬러필터층(CFL) 및 광제어층(CCL) 등이 배치되는 베이스 면을 제공하는 부재일 수 있다. 베이스 기판(BL)은 유리기판, 금속기판, 플라스틱기판 등일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 베이스 기판(BL)은 무기층, 유기층 또는 복합재료층일 수 있다. 또한, 도시된 것과 달리 일 실시예에서 베이스 기판(BL)은 생략될 수 있다.A base substrate BL may be disposed on the color filter layer CFL. The base substrate BL may be a member providing a base surface on which the color filter layer CFL and the light control layer CCL are disposed. The base substrate BL may be a glass substrate, a metal substrate, or a plastic substrate. However, the embodiment is not limited thereto, and the base substrate BL may be an inorganic layer, an organic layer, or a composite material layer. Also, unlike the illustration, in one embodiment, the base substrate BL may be omitted.
도 8은 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 단면도이다. 도 8에서는 도 7의 표시 패널(DP)에 대응하는 일 부분의 단면도를 도시하였다. 일 실시예의 표시 장치(DD-TD)에서 발광 소자(ED-BT)는 복수 개의 발광구조들(OL-B1, OL-B2, OL-B3)을 포함하는 것일 수 있다. 발광 소자(ED-BT)는 서로 마주하는 제1 전극(EL1)과 제2 전극(EL2), 제1 전극(EL1)과 제2 전극(EL2) 사이에서 두께 방향으로 순차적으로 적층되어 제공되는 복수 개의 발광구조들(OL-B1, OL-B2, OL-B3)을 포함하는 것일 수 있다. 발광구조들(OL-B1, OL-B2, OL-B3) 각각은 발광층(EML, 도 7), 발광층(EML, 도 7)을 사이에 두고 배치된 정공 수송 영역(HTR) 및 전자 수송 영역(ETR)을 포함하는 것일 수 있다. 8 is a cross-sectional view illustrating a portion of a display device according to an exemplary embodiment. FIG. 8 shows a cross-sectional view of a portion corresponding to the display panel DP of FIG. 7 . In the display device DD-TD according to an exemplary embodiment, the light-emitting element ED-BT may include a plurality of light-emitting structures OL-B1, OL-B2, and OL-B3. The plurality of light emitting elements ED-BT are provided by being sequentially stacked in the thickness direction between the first and second electrodes EL1 and EL2 and between the first and second electrodes EL1 and EL2 facing each other. It may include two light emitting structures OL-B1, OL-B2, and OL-B3. Each of the light-emitting structures OL-B1, OL-B2, and OL-B3 includes an emission layer EML (FIG. 7), a hole transport region HTR and an electron transport region (EML, FIG. 7) interposed therebetween. ETR) may be included.
즉, 일 실시예의 표시 장치(DD-TD)에 포함된 발광 소자(ED-BT)는 복수의 발광층들을 포함하는 탠덤(Tandem) 구조의 발광 소자일 수 있다.That is, the light emitting element ED-BT included in the display device DD-TD according to an exemplary embodiment may be a light emitting element having a tandem structure including a plurality of light emitting layers.
도 8에 도시된 일 실시예에서 발광구조들(OL-B1, OL-B2, OL-B3) 각각에서 방출되는 광은 모두 청색광일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 발광구조들(OL-B1, OL-B2, OL-B3) 각각에서 방출되는 광의 파장 영역은 서로 상이할 수 있다. 예를 들어, 서로 다른 파장 영역의 광을 방출하는 복수 개의 발광구조들(OL-B1, OL-B2, OL-B3)을 포함하는 발광 소자(ED-BT)는 백색광을 방출할 수 있다In the exemplary embodiment shown in FIG. 8 , light emitted from each of the light emitting structures OL-B1 , OL-B2 , and OL-B3 may all be blue light. However, the embodiment is not limited thereto, and wavelength regions of light emitted from each of the light emitting structures OL-B1 , OL-B2 , and OL-B3 may be different from each other. For example, the light emitting device ED-BT including a plurality of light emitting structures OL-B1, OL-B2, and OL-B3 emitting light in different wavelength ranges may emit white light.
이웃하는 발광구조들(OL-B1, OL-B2, OL-B3) 사이에는 전하생성층(CGL1, CGL2)이 배치될 수 있다. 전하생성층(CGL1, CGL2)은 p형 전하생성층 및/또는 n형 전하생성층을 포함하는 것일 수 있다.Charge generation layers CGL1 and CGL2 may be disposed between the adjacent light emitting structures OL-B1 , OL-B2 , and OL-B3 . The charge generation layers CGL1 and CGL2 may include a p-type charge generation layer and/or an n-type charge generation layer.
일 실시예의 표시 장치(DD-TD)에 포함된 발광구조들(OL-B1, OL-B2, OL-B3) 중 적어도 하나에 상술한 일 실시예의 아민 화합물을 포함할 수 있다.At least one of the light emitting structures OL-B1 , OL-B2 , and OL-B3 included in the display device DD-TD according to an embodiment may include the amine compound according to the embodiment described above.
도 9를 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치(DD-b)는 2개의 발광층들이 적층된 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)을 포함할 수 있다. 도 2에 도시된 일 실시예의 표시 장치(DD)와 비교하여 도 10에 도시된 일 실시예서는 제1 내지 제3 발광 소자(ED-1, ED-2, ED-3)는 각각 두께 방향으로 적층된 2개의 발광층들을 포함하는 것에서 차이가 있다. 제1 내지 제3 발광 소자(ED-1, ED-2, ED-3) 각각에서 2개의 발광층들은 동일한 파장 영역의 광을 방출하는 것일 수 있다.Referring to FIG. 9 , a display device DD-b according to an exemplary embodiment may include light emitting elements ED-1, ED-2, and ED-3 in which two light emitting layers are stacked. Compared to the display device DD of the exemplary embodiment illustrated in FIG. 2 , in the exemplary embodiment illustrated in FIG. 10 , the first to third light emitting elements ED-1, ED-2, and ED-3 are respectively in the thickness direction. There is a difference in including two light emitting layers stacked. Two light emitting layers in each of the first to third light emitting devices ED-1, ED-2, and ED-3 may emit light in the same wavelength region.
제1 발광 소자(ED-1)는 제1 적색 발광층(EML-R1) 및 제2 적색 발광층(EML-R2)을 포함할 수 있다. 제2 발광 소자(ED-2)는 제1 녹색 발광층(EML-G1) 및 제2 녹색 발광층(EML-G2)을 포함할 수 있다. 또한, 제3 발광 소자(ED-3)는 제1 청색 발광층(EML-B1) 및 제2 청색 발광층(EML-B2)을 포함할 수 있다. 제1 적색 발광층(EML-R1)과 제2 적색 발광층(EML-R2) 사이, 제1 녹색 발광층(EML-G1)과 제2 녹색 발광층(EML-G2) 사이, 및 제1 청색 발광층(EML-B1)과 제2 청색 발광층(EML-B2) 사이에는 발광 보조부(OG)가 배치될 수 있다. The first light emitting device ED-1 may include a first red light emitting layer EML-R1 and a second red light emitting layer EML-R2. The second light emitting device ED-2 may include a first green light emitting layer EML-G1 and a second green light emitting layer EML-G2. Also, the third light emitting device ED-3 may include a first blue light emitting layer EML-B1 and a second blue light emitting layer EML-B2. Between the first red light emitting layer EML-R1 and the second red light emitting layer EML-R2, between the first green light emitting layer EML-G1 and the second green light emitting layer EML-G2, and between the first blue light emitting layer EML-G2 A light emitting auxiliary part OG may be disposed between B1) and the second blue light emitting layer EML-B2.
발광 보조부(OG)는 단층 또는 다층을 포함할 수 있다. 발광 보조부(OG)는 전하 생성층을 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 발광 보조부(OG)는 순차적으로 적층된 전자 수송 영역, 전하 생성층, 및 정공 수송 영역을 포함할 수 있다. 발광 보조부(OG)는 제1 내지 제3 발광 소자(ED-1, ED-2, ED-3) 전체에서 공통층으로 제공될 수 있다. 다만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 발광 보조부(OG)는 화소 정의막(PDL)에 정의된 개구부(OH) 내에 패턴닝 되어 제공될 수 있다.The light emitting auxiliary part OG may include a single layer or multiple layers. The light emitting auxiliary part OG may include a charge generation layer. More specifically, the light emitting auxiliary part OG may include an electron transport region, a charge generation layer, and a hole transport region sequentially stacked. The light emitting auxiliary part OG may be provided as a common layer in all of the first to third light emitting elements ED-1, ED-2, and ED-3. However, the embodiment is not limited thereto, and the light emitting auxiliary part OG may be patterned and provided within the opening OH defined in the pixel defining layer PDL.
제1 적색 발광층(EML-R1), 제1 녹색 발광층(EML-G1), 및 제1 청색 발광층(EML-B1)은 전자 수송 영역(ETR)과 발광 보조부(OG) 사이에 배치될 수 있다. 제2 적색 발광층(EML-R2), 제2 녹색 발광층(EML-G2), 및 제2 청색 발광층(EML-B2)은 발광 보조부(OG)과 정공 수송 영역(HTR) 사이에 배치될 수 있다.The first red light emitting layer EML-R1, the first green light emitting layer EML-G1, and the first blue light emitting layer EML-B1 may be disposed between the electron transport region ETR and the light emitting auxiliary part OG. The second red light emitting layer EML-R2, the second green light emitting layer EML-G2, and the second blue light emitting layer EML-B2 may be disposed between the light emitting auxiliary part OG and the hole transport region HTR.
즉, 제1 발광 소자(ED-1)는 순차적으로 적층된 제1 전극(EL1), 정공 수송 영역(HTR), 제2 적색 발광층(EML-R2), 발광 보조부(OG), 제1 적색 발광층(EML-R1), 전자 수송 영역(ETR), 및 제2 전극(EL2)을 포함할 수 있다. 제2 발광 소자(ED-2)는 순차적으로 적층된 제1 전극(EL1), 정공 수송 영역(HTR), 제2 녹색 발광층(EML-G2), 발광 보조부(OG), 제1 녹색 발광층(EML-G1), 전자 수송 영역(ETR), 및 제2 전극(EL2)을 포함할 수 있다. 제3 발광 소자(ED-3)는 순차적으로 적층된 제1 전극(EL1), 정공 수송 영역(HTR), 제2 청색 발광층(EML-B2), 발광 보조부(OG), 제1 청색 발광층(EML-B1), 전자 수송 영역(ETR), 및 제2 전극(EL2)을 포함할 수 있다. That is, the first light emitting element ED-1 includes a sequentially stacked first electrode EL1, a hole transport region HTR, a second red light emitting layer EML-R2, a light emitting auxiliary part OG, and a first red light emitting layer. (EML-R1), an electron transport region (ETR), and a second electrode (EL2). The second light emitting device ED-2 includes a sequentially stacked first electrode EL1, a hole transport region HTR, a second green light emitting layer EML-G2, a light emitting auxiliary part OG, and a first green light emitting layer EML. -G1), an electron transport region ETR, and a second electrode EL2. The third light emitting element ED-3 includes a sequentially stacked first electrode EL1, a hole transport region HTR, a second blue light emitting layer EML-B2, a light emitting auxiliary part OG, and a first blue light emitting layer EML. -B1), an electron transport region ETR, and a second electrode EL2.
한편, 표시 소자층(DP-ED) 상에 광학 보조층(PL)이 배치될 수 있다. 광학 보조층(PL)은 편광층을 포함하는 것일 수 있다. 광학 보조층(PL)은 표시 패널(DP) 상에 배치되어 외부광에 의한 표시 패널(DP)에서의 반사광을 제어할 수 있다. 도시된 것과 달리, 일 실시예에 따른 표시 장치에서 광학 보조층(PL)은 생략될 수 있다.Meanwhile, an optical auxiliary layer PL may be disposed on the display element layer DP-ED. The optical auxiliary layer PL may include a polarization layer. The optical auxiliary layer PL may be disposed on the display panel DP to control reflected light from the display panel DP by external light. Unlike what is shown, in the display device according to an exemplary embodiment, the optical auxiliary layer PL may be omitted.
도 8 및 도 9와 달리, 도 10의 표시 장치(DD-c)는 4개의 발광 구조들(OL-B1, OL-B2, OL-B3, OL-C1)을 포함하는 것으로 도시하였다. 발광 소자(ED-CT)는 서로 마주하는 제1 전극(EL1)과 제2 전극(EL2), 제1 전극(EL1)과 제2 전극(EL2) 사이에서 두께 방향으로 순차적으로 적층된 제1 내지 제4 발광 구조들(OL-B1, OL-B2, OL-B3, OL-C1)을 포함할 수 있다. 제1 내지 제4 발광 구조들(OL-B1, OL-B2, OL-B3, OL-C1) 사이에는 전하생성층(CGL1, CGL2, CGL3)이 배치될 수 있다. 4개의 발광 구조들 중 제1 내지 제3 발광 구조(OL-B1, OL-B2, OL-B3)는 청색광을 발광하고, 제4 발광 구조(OL-C1)는 녹색광을 발광하는 것일 수 있다. 다만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 내지 제4 발광 구조들(OL-B1, OL-B2, OL-B3, OL-C1)은 서로 상이한 파장 영역의 광을 발광할 수 있다.Unlike FIGS. 8 and 9 , the display device DD-c of FIG. 10 includes four light emitting structures OL-B1, OL-B2, OL-B3, and OL-C1. The light emitting element ED-CT includes first to second electrodes EL1 and EL2 and first to second electrodes EL1 and EL2 sequentially stacked in the thickness direction between the first and second electrodes EL1 and EL2 facing each other. It may include fourth light emitting structures OL-B1, OL-B2, OL-B3, and OL-C1. Charge generation layers CGL1 , CGL2 , and CGL3 may be disposed between the first to fourth light emitting structures OL-B1 , OL-B2 , OL-B3 , and OL-C1 . Among the four light emitting structures, the first to third light emitting structures OL-B1, OL-B2, and OL-B3 may emit blue light, and the fourth light emitting structure OL-C1 may emit green light. However, the embodiment is not limited thereto, and the first to fourth light emitting structures OL-B1 , OL-B2 , OL-B3 , and OL-C1 may emit light in different wavelength regions.
이웃하는 발광구조들(OL-B1, OL-B2, OL-B3, OL-C1) 사이에 배치된 전하생성층(CGL1, CGL2, CGL3)은 p형 전하생성층 및/또는 n형 전하생성층을 포함하는 것일 수 있다.The charge generation layers CGL1, CGL2, and CGL3 disposed between the adjacent light emitting structures OL-B1, OL-B2, OL-B3, and OL-C1 include a p-type charge generation layer and/or an n-type charge generation layer. It may contain.
일 실시예의 표시 장치(DD-c)에 포함된 발광구조들(OL-B1, OL-B2, OL-B3, OL-C1) 중 적어도 하나에 상술한 일 실시예의 아민 화합물을 포함할 수 있다.At least one of the light emitting structures OL-B1 , OL-B2 , OL-B3 , and OL-C1 included in the display device DD-c according to an exemplary embodiment may include the amine compound according to the exemplary embodiment described above.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자(ED)는 상술한 일 실시예의 아민 화합물을 제1 전극(EL1) 및 제2 전극(EL2) 사이에 배치된 적어도 하나의 기능층에 포함하여 개선된 발광 효율과 개선된 수명 특성을 나타낼 수 있다. 일 실시예에 따른 발광 소자(ED)는 상술한 일 실시예의 아민 화합물을 제1 전극(EL1) 및 제2 전극(EL2) 사이에 배치된 정공 수송 영역(HTR), 발광층(EML), 및 전자 수송 영역(ETR) 중 적어도 하나에 포함하거나 또는 캡핑층(CPL)에 포함할 수도 있다.The light emitting device ED according to an embodiment of the present invention includes the amine compound of the above-described embodiment in at least one functional layer disposed between the first electrode EL1 and the second electrode EL2 to improve light emission. efficiency and improved lifetime characteristics. The light emitting device ED according to an embodiment includes the hole transport region HTR, the light emitting layer EML, and electron It may be included in at least one of the transport regions ETR or included in the capping layer CPL.
예를 들어, 일 실시예에 따른 아민 화합물은 일 실시예의 발광 소자(ED)의 정공 수송 영역(HTR)에 포함될 수 있으며, 일 실시예의 발광 소자는 우수한 발광 효율과 장수명 특성을 나타낼 수 있다.For example, the amine compound according to one embodiment may be included in the hole transport region (HTR) of the light emitting device (ED) of one embodiment, and the light emitting device of one embodiment may exhibit excellent light emitting efficiency and long lifespan characteristics.
상술한 일 실시예의 아민 화합물은 라디칼 또는 라디칼 양이온 상태의 안정성을 개선시키고, 분자 간의 π-π 상호 작용이 증강되어 정공 수송성이 향상된 벤조카바졸 모이어티를 포함하여 발광 소자의 구동전압 저감과 고효율화에 기여할 수 있다. 또한, 일 실시예의 아민 화합물은 질소 원자 부위에 나프틸기, 페난트릴기, 벤조헤테롤기 및 플루오레닐기 중 적어도 하나의 치환기가 도입되어 재료의 전자 내성 및 여기자 내성이 개선될 수 있다. 이에 따라 일 실시예의 아민 화합물을 포함한 발광 소자의 효율 및 수명이 개선될 수 있다. The above-described amine compound of one embodiment includes a benzocarbazole moiety that improves the stability of the radical or radical cation state and enhances the π-π interaction between molecules to improve the hole transport property, thereby reducing the driving voltage and increasing the efficiency of the light emitting device. can contribute Also, in the amine compound of one embodiment, at least one substituent selected from the group consisting of a naphthyl group, a phenanthryl group, a benzoheterol group, and a fluorenyl group may be introduced at a nitrogen atom site to improve electron resistance and exciton resistance of the material. Accordingly, the efficiency and lifetime of the light emitting device including the amine compound of one embodiment can be improved.
이하에서는, 실시예 및 비교예를 참조하면서, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 아민 화합물 및 일 실시예의 발광 소자에 대해서 구체적으로 설명한다. 또한, 이하에 나타내는 실시예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 일 예시이며, 본 발명의 범위가 이에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, an amine compound according to an embodiment of the present invention and a light emitting device of an embodiment will be described in detail with reference to Examples and Comparative Examples. In addition, the examples shown below are examples for helping understanding of the present invention, and the scope of the present invention is not limited thereto.
[실시예][Example]
1. 아민 화합물의 합성1. Synthesis of amine compounds
먼저, 본 실시 형태에 따른 아민 화합물의 합성 방법에 대해서, 화합물 A10, 화합물 A110, 화합물 A152, 화합물 B11, 화합물 B130, 화합물 B163, 화합물 B198, 화합물 C1, 화합물 C35, 화합물 C47, 화합물 C90, 화합물 C175, 화합물 C214, 화합물 C293, 화합물 C328, 화합물 D16, 및 화합물 D60의 합성 방법을 예시하여 구체적으로 설명한다. 또한, 이하에 설명하는 아민 화합물의 합성법은 일 실시예로서, 본 발명의 실시형태에 따른 아민 화합물의 합성법이 하기의 실시예에 한정되지 않는다.First, for the method for synthesizing an amine compound according to the present embodiment, Compound A10, Compound A110, Compound A152, Compound B11, Compound B130, Compound B163, Compound B198, Compound C1, Compound C35, Compound C47, Compound C90, Compound C175 , Compound C214, Compound C293, Compound C328, Compound D16, and Compound D60 will be described in detail by exemplifying synthetic methods. In addition, the method for synthesizing an amine compound described below is an example, and the method for synthesizing an amine compound according to an embodiment of the present invention is not limited to the following example.
(1) 화합물 A10의 합성(1) Synthesis of Compound A10
일 실시예에 따른 아민 화합물 A10은 예를 들어 하기 반응식들의 단계에 의해 합성될 수 있다.Amine compound A10 according to an embodiment may be synthesized, for example, by the steps of the following reaction schemes.
[반응식 1-1][Scheme 1-1]
[반응식 1-2][Scheme 1-2]
[반응식 1-3][Scheme 1-3]
1) 화합물 IM-1의 합성1) Synthesis of Compound IM-1
아르곤(Ar) 분위기하, 2000 mL의 3구 flask에, 9-bromo-11-phenyl-11H-benzo[a]carbazole 50.00 g (134.3 mmol), 4-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)aniline 32.37 g (1.1 equiv, 147.7 mmol), K3PO4 85.53 g (3.0 equiv, 402.9 mmol), Pd(PPh3)4 7.76 g (0.05 eq, 6.7 mmol), 및 Toluene/EtOH/H2O (4/2/1)의 혼합 용액 940 mL를 순차적으로 추가하고, 80℃로 가열 교반하였다. 실온까지 공랭 후, 반응 용액을 톨루엔(Toluene)으로 추출하였다. 수층을 제거하여, 유기층을 포화 식염수로 세정한 다음, MgSO4로 건조시켰다. MgSO4의 여과 및 유기층의 농축을 시행하여, 얻어진 조생성물을 silica gel columnchromatography(전개층에는 Hexane과 Toluene의 혼합 용매를 사용)로 정제하여, 중간체 IM-1 (38.21 g, 수율 74%)을 얻었다. 9-bromo-11-phenyl-11 H -benzo[a]carbazole 50.00 g (134.3 mmol), 4-(4,4,5,5-tetramethyl -1,3,2-dioxaborolan-2-yl)aniline 32.37 g (1.1 equiv, 147.7 mmol), K 3 PO 4 85.53 g (3.0 equiv, 402.9 mmol), Pd(PPh 3 ) 4 7.76 g (0.05 eq, 6.7 mmol), and 940 mL of a mixed solution of Toluene/EtOH/H 2 O (4/2/1) were sequentially added, and the mixture was heated and stirred at 80°C. After air-cooling to room temperature, the reaction solution was extracted with toluene. The aqueous layer was removed, and the organic layer was washed with saturated brine and then dried over MgSO 4 . MgSO 4 was filtered and the organic layer was concentrated, and the obtained crude product was purified by silica gel column chromatography (a mixed solvent of hexane and toluene was used for the developing layer), and the intermediate IM-1 (38.21 g, yield 74%) was obtained.
FAB-MS를 측정하여, 질량수 m/z = 384가 분자 이온 피크로 관측된 것에 의해 화합물 IM-1인 것을 확인하였다.FAB-MS was measured, and the mass number m/z = 384 was observed as a molecular ion peak, confirming that it was compound IM-1.
2) 화합물 IM-2의 합성2) Synthesis of Compound IM-2
아르곤(Ar) 분위기하, 500 mL의 3구 flask에, IM-1 15.00 g (39.0 mmol), Pd(dba)2 0.67 g (0.03 equiv, 1.2 mmol), NaO t Bu 3.75 g (1.0 equiv, 39.0 mmol), Toluene 195 mL, 1-iodonaphthalene 10.90 g (1.1 equiv, 42.9 mmol) 및 P t Bu3 0.79 g (0.1 equiv, 3.9 mmol)을 순차적으로 추가하고, 가열 환류 교반하였다. 실온까지 공랭 후, 반응 용매에 물을 더하여 유기층을 분취하였다. 수층에 Toluene을 더하여 유기층을 한층 더 추출한 후, 유기층을 합하여 식염수로 세정한 다음, MgSO4로 건조시켰다. MgSO4의 여과 및 유기층의 농축을 시행하여, 얻어진 조생성물을 silica gel columnchromatography(전개층에는 Hexane과 Toluene의 혼합 용매를 사용)로 정제하여, 화합물 (14.94 g, 수율 75%)를 얻었다. In an argon (Ar) atmosphere, in a 500 mL three-neck flask, IM-1 15.00 g (39.0 mmol), Pd (dba) 2 0.67 g (0.03 equiv, 1.2 mmol), NaO t Bu 3.75 g (1.0 equiv, 39.0 mmol), 195 mL of toluene, 10.90 g (1.1 equiv, 42.9 mmol) of 1-iodonaphthalene, and 0.79 g (0.1 equiv, 3.9 mmol) of P t Bu 3 were sequentially added, and the mixture was heated under reflux and stirred. After air-cooling to room temperature, water was added to the reaction solvent, and the organic layer was fractionated. Toluene was added to the aqueous layer, the organic layer was further extracted, and the organic layers were combined, washed with brine, and dried over MgSO 4 . MgSO 4 was filtered and the organic layer was concentrated, and the resulting crude product was purified by silica gel column chromatography (a mixed solvent of hexane and toluene was used for the developing layer) to obtain the compound (14.94 g, yield 75%).
FAB-MS를 측정하여, 질량수 m/z = 510이 분자 이온 피크로 관측된 것에 의해 화합물 IM-2인 것을 확인하였다.FAB-MS was measured, and the mass number m/z = 510 was observed as a molecular ion peak, confirming that it was compound IM-2.
3) 화합물 A10의 합성3) Synthesis of Compound A10
아르곤(Ar) 분위기하, 300 mL의 3구 flask에, 화합물 IM-2 10.00 g (19.6 mmol), Pd(dba)2 0.34 g (0.03 equiv, 0.6 mmol), NaO t Bu 3.76 g (2.0 equiv, 39.2 mmol), Toluene 98 mL, 1-(4-bromophenyl)naphthalene 6.10 g (1.1 equiv, 21.5 mmol) 및 P t Bu3 0.40 g (0.1 equiv, 2.0 mmol)을 순차적으로 추가하여, 가열 환류 교반하였다. 실온까지 공랭 후, 반응 용매에 물을 더하여 유기층을 분취하였다. 수층에 Toluene을 더하여 유기층을 한층 더 추출한 후, 유기층을 합하여 식염수로 세정한 다음, MgSO4로 건조시켰다. MgSO4의 여과 및 유기층의 농축을 시행하여, 얻어진 조생성물을 silica gel columnchromatography(전개층에는 Hexane과 Toluene의 혼합 용매를 사용)로 정제헤, 고체의 화합물 A10 (11.03 g, 수율 79%)을 얻었다. In an argon (Ar) atmosphere, in a 300 mL three-neck flask, compound IM-2 10.00 g (19.6 mmol), Pd (dba) 2 0.34 g (0.03 equiv, 0.6 mmol), NaO t Bu 3.76 g (2.0 equiv, 39.2 mmol), 98 mL of toluene, 6.10 g (1.1 equiv, 21.5 mmol) of 1-(4-bromophenyl)naphthalene, and 0.40 g (0.1 equiv, 2.0 mmol) of P t Bu 3 were sequentially added, followed by heating under reflux. After air-cooling to room temperature, water was added to the reaction solvent, and the organic layer was fractionated. Toluene was added to the aqueous layer, the organic layer was further extracted, and the organic layers were combined, washed with brine, and dried over MgSO 4 . MgSO 4 was filtered and the organic layer was concentrated, and the obtained crude product was purified by silica gel column chromatography (a mixed solvent of hexane and toluene was used for the developing layer) to obtain a solid compound A10 (11.03 g, yield 79%). .
FAB-MS를 측정하여, 질량수 m/z = 712가 분자 이온 피크로 관측된 것에 의해 화합물 A10을 확인하였다. FAB-MS was measured and the mass number m/z = 712 was observed as a molecular ion peak, thereby confirming Compound A10.
(2) 화합물 A110의 합성(2) Synthesis of Compound A110
일 실시예에 따른 아민 화합물 A110은 예를 들어 하기 반응식 2의 단계에 의해 합성될 수 있다.Amine compound A110 according to an embodiment may be synthesized, for example, by the steps of
[반응식 2][Scheme 2]
1) 화합물 A110의 합성1) Synthesis of Compound A110
아르곤(Ar) 분위기하, 300 mL의 3구 flask에, 화합물 IM-1 10.00 g (26.0 mmol), Pd(dba)2 0.90 g (0.06 equiv, 1.6 mmol), NaO t Bu 7.50 g (3.0 equiv, 78.0 mmol), Toluene 130 mL, 1-(4-bromophenyl)naphthalene 18.41 g (2.5 equiv, 65.0 mmol) 및 P t Bu3 1.05 g (0.2 equiv, 5.2 mmol)을 순차적으로 추가하여, 가열 환류 교반하였다. 실온까지 공랭 후, 반응 용매에 물을 더하여 유기층을 분취하였다. 수층에 Toluene을 더하여 유기층을 한층 더 추출한 후, 유기층을 합하여 식염수로 세정한 다음, MgSO4로 건조시켰다. MgSO4의 여과 및 유기층의 농축을 시행하여, 얻어진 조생성물을 silica gel columnchromatography(전개층에는 Hexane과 Toluene의 혼합 용매를 사용)로 정제해, 고체의 화합물 A110 (13.95 g, 수율 68%)을 얻었다. In an argon (Ar) atmosphere, in a 300 mL three-neck flask, compound IM-1 10.00 g (26.0 mmol), Pd (dba) 2 0.90 g (0.06 equiv, 1.6 mmol), NaO t Bu 7.50 g (3.0 equiv, 78.0 mmol), 130 mL of toluene, 18.41 g (2.5 equiv, 65.0 mmol) of 1-(4-bromophenyl)naphthalene, and 1.05 g (0.2 equiv, 5.2 mmol) of P t Bu 3 were sequentially added, followed by heating under reflux. After air-cooling to room temperature, water was added to the reaction solvent, and the organic layer was fractionated. Toluene was added to the aqueous layer, the organic layer was further extracted, and the organic layers were combined, washed with brine, and dried over MgSO 4 . MgSO 4 was filtered and the organic layer was concentrated, and the resulting crude product was purified by silica gel column chromatography (a mixed solvent of hexane and toluene was used for the developing layer) to obtain a solid compound A110 (13.95 g, yield 68%). .
FAB-MS를 측정하여, 질량수 m/z = 788이 분자 이온 피크로 관측된 것에 의해 화합물 A110을 확인하였다. By FAB-MS measurement, compound A110 was confirmed by observing the mass number m/z = 788 as a molecular ion peak.
(3) 화합물 A152의 합성(3) Synthesis of Compound A152
일 실시예에 따른 아민 화합물 A152는 예를 들어 하기 반응식 3의 단계에 의해 합성될 수 있다.Amine compound A152 according to an embodiment may be synthesized, for example, by the steps of
[반응식 3] [Scheme 3]
1) 화합물 IM-3의 합성1) Synthesis of Compound IM-3
아르곤(Ar) 분위기하, 500 mL의 3구 flask에, 화합물 IM-1 15.00 g (39.0 mmol), Pd(dba)2 0.67 g (0.03 equiv, 1.2 mmol), NaO t Bu 3.75 g (1.0 equiv, 39.0 mmol), Toluene 195 mL, 2-(4-bromophenyl)naphthalene 12.15 g (1.1 equiv, 42.9 mmol) 및 P t Bu3 0.79 g (0.1 equiv, 3.9 mmol)을 순차적으로 추가하여, 가열 환류 교반하였다. 실온까지 공랭 후, 반응 용매에 물을 더하여 유기층을 분취하였다. 수층에 Toluene을 더하여 유기층을 한층 더 추출한 후, 유기층을 합하여 식염수로 세정한 다음, MgSO4로 건조시켰다. MgSO4의 여과 및 유기층의 농축을 시행하여, 얻어진 조생성물을 silica gel columnchromatography(전개층에는 Hexane과 Toluene의 혼합 용매를 사용)로 정제해, 화합물 IM-3 (16.71 g, 수율 73%)을 얻었다. In an argon (Ar) atmosphere, in a 500 mL three-necked flask, compound IM-1 15.00 g (39.0 mmol), Pd (dba) 2 0.67 g (0.03 equiv, 1.2 mmol), NaO t Bu 3.75 g (1.0 equiv, 39.0 mmol), 195 mL of toluene, 12.15 g (1.1 equiv, 42.9 mmol) of 2-(4-bromophenyl)naphthalene, and 0.79 g (0.1 equiv, 3.9 mmol) of P t Bu 3 were sequentially added, followed by heating under reflux. After air-cooling to room temperature, water was added to the reaction solvent, and the organic layer was fractionated. Toluene was added to the aqueous layer, the organic layer was further extracted, and the organic layers were combined, washed with brine, and dried over MgSO 4 . MgSO 4 was filtered and the organic layer was concentrated, and the obtained crude product was purified by silica gel column chromatography (a mixed solvent of hexane and toluene was used for the developing layer) to obtain compound IM-3 (16.71 g, yield 73%). .
FAB-MS를 측정하여, 질량수 m/z = 586이 분자 이온 피크로 관측된 것에 의해 화합물 IM-3인 것을 확인하였다. FAB-MS was measured, and the mass number m/z = 586 was observed as a molecular ion peak, confirming that it was compound IM-3.
2) 화합물 A152의 합성2) Synthesis of Compound A152
아르곤(Ar) 분위기하, 300 mL의 3구 flask에, 화합물 IM-3 10.00 g (17.0 mmol), Pd(dba)2 0.29 g (0.03 equiv, 0.5 mmol), NaO t Bu 3.28 g (2.0 equiv, 34.1 mmol), Toluene 85 mL, 3-bromobiphenyl 4.37 g (1.1 equiv, 18.7 mmol) 및 P t Bu3 0.34 g (0.1 equiv, 1.7 mmol)을 순차적으로 추가하여, 가열 환류 교반하였다. 실온까지 공랭 후, 반응 용매에 물을 더하여 유기층을 분취하였다. 수층에 Toluene을 더하여 유기층을 한층 더 추출한 후, 유기층을 합하여 식염수로 세정한 다음, MgSO4로 건조시켰다. MgSO4의 여과 및 유기층의 농축을 시행하여, 얻어진 조생성물을 silica gel columnchromatography(전개층에는 Hexane과 Toluene의 혼합 용매를 사용)로 정제해, 고체의 화합물 A152 (9.70 g, 수율 77%)를 얻었다. In an argon (Ar) atmosphere, in a 300 mL three-neck flask, compound IM-3 10.00 g (17.0 mmol), Pd (dba) 2 0.29 g (0.03 equiv, 0.5 mmol), NaO t Bu 3.28 g (2.0 equiv, 34.1 mmol), 85 mL of toluene, 4.37 g (1.1 equiv, 18.7 mmol) of 3-bromobiphenyl, and 0.34 g (0.1 equiv, 1.7 mmol) of P t Bu 3 were sequentially added, followed by heating under reflux. After air-cooling to room temperature, water was added to the reaction solvent, and the organic layer was fractionated. Toluene was added to the aqueous layer, the organic layer was further extracted, and the organic layers were combined, washed with brine, and dried over MgSO 4 . MgSO 4 was filtered and the organic layer was concentrated, and the resulting crude product was purified by silica gel column chromatography (a mixed solvent of hexane and toluene was used for the developing layer) to obtain a solid compound A152 (9.70 g, yield 77%). .
FAB-MS를 측정하여, 질량수 m/z = 738이 분자 이온 피크로 관측된 것에 의해 화합물 A152인 것을 확인하였다. FAB-MS was measured, and the mass number m/z = 738 was observed as a molecular ion peak, confirming that it was Compound A152.
(4) 화합물 B11의 합성(4) Synthesis of Compound B11
일 실시예에 따른 아민 화합물 B11은 예를 들어 하기 반응식 4의 단계에 의해 합성될 수 있다.Amine compound B11 according to an embodiment may be synthesized, for example, by the steps of Reaction Scheme 4 below.
[반응식 4][Scheme 4]
1) 화합물 B11의 합성1) Synthesis of Compound B11
아르곤(Ar) 분위기하, 300 mL의 3구 flask에, 화합물 IM-3 10.00 g (17.0 mmol), Pd(dba)2 0.29 g (0.03 equiv, 0.5 mmol), NaO t Bu 3.28 g (2.0 equiv, 34.1 mmol), Toluene 85 mL, 9-bromophenanthrene 4.82 g (1.1 equiv, 18.7 mmol) 및 P t Bu3 0.34 g (0.1 equiv, 1.7 mmol)을 순차적으로 추가하여, 가열 환류 교반하였다. 실온까지 공랭 후, 반응 용매에 물을 더하여 유기층을 분취하였다. 수층에 Toluene을 더하여 유기층을 한층 더 추출한 후, 유기층을 합하여 식염수로 세정한 다음, MgSO4로 건조시켰다. MgSO4의 여과 및 유기층의 농축을 시행하여, 얻어진 조생성물을 silica gel columnchromatography(전개층에는 Hexane과 Toluene의 혼합 용매를 사용)로 정제해, 고체의 화합물 B11 (9.23 g, 수율 71%)을 얻었다. In an argon (Ar) atmosphere, in a 300 mL three-neck flask, compound IM-3 10.00 g (17.0 mmol), Pd (dba) 2 0.29 g (0.03 equiv, 0.5 mmol), NaO t Bu 3.28 g (2.0 equiv, 34.1 mmol), 85 mL of toluene, 4.82 g (1.1 equiv, 18.7 mmol) of 9-bromophenanthrene, and 0.34 g (0.1 equiv, 1.7 mmol) of P t Bu 3 were sequentially added, followed by heating under reflux. After air-cooling to room temperature, water was added to the reaction solvent, and the organic layer was fractionated. Toluene was added to the aqueous layer, the organic layer was further extracted, and the organic layers were combined, washed with brine, and dried over MgSO 4 . MgSO 4 was filtered and the organic layer was concentrated, and the obtained crude product was purified by silica gel column chromatography (a mixed solvent of hexane and toluene was used for the developing layer) to obtain solid compound B11 (9.23 g, yield 71%). .
FAB-MS를 측정하여, 질량수 m/z = 762가 분자 이온 피크로 관측된 것에 의해 화합물 B11인 것을 확인하였다. FAB-MS was measured, and the mass number m/z = 762 was observed as a molecular ion peak, confirming that it was Compound B11.
(5) 화합물 B130의 합성(5) Synthesis of Compound B130
일 실시예에 따른 아민 화합물 B130은 예를 들어 하기 반응식 5의 단계에 의해 합성될 수 있다.Amine compound B130 according to an embodiment may be synthesized, for example, by the steps of Reaction Scheme 5 below.
[반응식 5][Scheme 5]
1) 화합물 IM-4의 합성1) Synthesis of Compound IM-4
아르곤(Ar) 분위기하, 500 mL의 3구 flask에, 화합물 IM-1 15.00 g (39.0 mmol), Pd(dba)2 0.67 g (0.03 equiv, 1.2 mmol), NaO t Bu 3.75 g (1.0 equiv, 39.0 mmol), Toluene 195 mL, 3-bromophenanthrene 11.03 g (1.1 equiv, 42.9 mmol) 및 P t Bu3 0.79 g (0.1 equiv, 3.9 mmol)을 순차적으로 추가하여, 가열 환류 교반하였다. 실온까지 공랭 후, 반응 용매에 물을 더하여 유기층을 분취하였다. 수층에 Toluene을 더하여 유기층을 한층 더 추출한 후, 유기층을 합하여 식염수로 세정한 다음, MgSO4로 건조시켰다. MgSO4의 여과 및 유기층의 농축을 시행하여, 얻어진 조생성물을 silica gel columnchromatography(전개층에는 Hexane과 Toluene의 혼합 용매를 사용)로 정제해, 화합물 IM-4 (15.53 g, 수율 71%)를 얻었다. In an argon (Ar) atmosphere, in a 500 mL three-necked flask, compound IM-1 15.00 g (39.0 mmol), Pd (dba) 2 0.67 g (0.03 equiv, 1.2 mmol), NaO t Bu 3.75 g (1.0 equiv, 39.0 mmol), 195 mL of toluene, 11.03 g (1.1 equiv, 42.9 mmol) of 3-bromophenanthrene, and 0.79 g (0.1 equiv, 3.9 mmol) of P t Bu 3 were sequentially added, followed by heating under reflux. After air-cooling to room temperature, water was added to the reaction solvent, and the organic layer was fractionated. Toluene was added to the aqueous layer, the organic layer was further extracted, and the organic layers were combined, washed with brine, and dried over MgSO 4 . MgSO 4 was filtered and the organic layer was concentrated, and the obtained crude product was purified by silica gel column chromatography (a mixed solvent of hexane and toluene was used for the developing layer) to obtain compound IM-4 (15.53 g, yield 71%). .
FAB-MS를 측정하여, 질량수 m/z = 560이 분자 이온 피크로 관측된 것에 의해 화합물 IM-4인 것을 확인하였다. FAB-MS was measured, and the mass number m/z = 560 was observed as a molecular ion peak, confirming that it was compound IM-4.
2) 화합물 B130의 합성2) Synthesis of Compound B130
아르곤(Ar) 분위기하, 300 mL의 3구 flask에, 화합물 IM-4 10.00 g (17.8 mmol), Pd(dba)2 0.31 g (0.03 equiv, 0.5 mmol), NaO t Bu 3.43 g (2.0 equiv, 35.7 mmol), Toluene 89 mL, 4-bromodibenzothiophene 5.16 g (1.1 equiv, 19.6 mmol) 및 P t Bu3 0.36 g (0.1 equiv, 1.8 mmol)을 순차적으로 추가하여, 가열 환류 교반하였다. 실온까지 공랭 후, 반응 용매에 물을 더하여 유기층을 분취하였다. 수층에 Toluene을 더하여 유기층을 한층 더 추출한 후, 유기층을 합하여 식염수로 세정한 다음, MgSO4로 건조시켰다. MgSO4의 여과 및 유기층의 농축을 시행하여, 얻어진 조생성물을 silica gel columnchromatography(전개층에는 Hexane과 Toluene의 혼합 용매를 사용)로 정제해, 고체의 화합물 B130 (9.54 g, 수율 72%)을 얻었다. In an argon (Ar) atmosphere, in a 300 mL three-necked flask, compound IM-4 10.00 g (17.8 mmol), Pd (dba) 2 0.31 g (0.03 equiv, 0.5 mmol), NaO t Bu 3.43 g (2.0 equiv, 35.7 mmol), 89 mL of toluene, 5.16 g (1.1 equiv, 19.6 mmol) of 4-bromodibenzothiophene, and 0.36 g (0.1 equiv, 1.8 mmol) of P t Bu 3 were sequentially added, followed by heating under reflux. After air-cooling to room temperature, water was added to the reaction solvent, and the organic layer was fractionated. Toluene was added to the aqueous layer, the organic layer was further extracted, and the organic layers were combined, washed with brine, and dried over MgSO 4 . MgSO 4 was filtered and the organic layer was concentrated, and the obtained crude product was purified by silica gel column chromatography (a mixed solvent of hexane and toluene was used for the developing layer) to obtain solid compound B130 (9.54 g, yield 72%). .
FAB-MS를 측정하여, 질량수 m/z = 742가 분자 이온 피크로 관측된 것에 의해 화합물 B130인 것을 확인하였다. FAB-MS was measured, and the mass number m/z = 742 was observed as a molecular ion peak, confirming that it was compound B130.
(6) 화합물 B163의 합성(6) Synthesis of Compound B163
일 실시예에 따른 아민 화합물 B163은 예를 들어 하기 반응식 6의 단계에 의해 합성될 수 있다.Amine compound B163 according to an embodiment may be synthesized, for example, by the steps of Reaction Scheme 6 below.
[반응식 6][Scheme 6]
1) 화합물 IM-5의 합성1) Synthesis of Compound IM-5
아르곤(Ar) 분위기하, 500 mL의 3구 flask에, 화합물 IM-1 15.00 g (39.0 mmol), Pd(dba)2 0.67 g (0.03 equiv, 1.2 mmol), NaO t Bu 3.75 g (1.0 equiv, 39.0 mmol), Toluene 195 mL, 9-(4-bromophenyl)phenanthrene 14.30 g (1.1 equiv, 42.9 mmol) 및 P t Bu3 0.79 g (0.1 equiv, 3.9 mmol)을 순차적으로 추가하여, 가열 환류 교반하였다. 실온까지 공랭 후, 반응 용매에 물을 더하여 유기층을 분취하였다. 수층에 Toluene을 더하여 유기층을 한층 더 추출한 후, 유기층을 합하여 식염수로 세정한 다음, MgSO4로 건조시켰다. MgSO4의 여과 및 유기층의 농축을 시행하여, 얻어진 조생성물을 silica gel columnchromatography(전개층에는 Hexane과 Toluene의 혼합 용매를 사용)로 정제해, 화합물 IM-5 (17.39 g, 수율 70%)를 얻었다. In an argon (Ar) atmosphere, in a 500 mL three-necked flask, compound IM-1 15.00 g (39.0 mmol), Pd (dba) 2 0.67 g (0.03 equiv, 1.2 mmol), NaO t Bu 3.75 g (1.0 equiv, 39.0 mmol), 195 mL of toluene, 14.30 g (1.1 equiv, 42.9 mmol) of 9-(4-bromophenyl)phenanthrene, and 0.79 g (0.1 equiv, 3.9 mmol) of P t Bu 3 were sequentially added, followed by heating under reflux. After air-cooling to room temperature, water was added to the reaction solvent, and the organic layer was fractionated. Toluene was added to the aqueous layer, the organic layer was further extracted, and the organic layers were combined, washed with brine, and dried over MgSO 4 . MgSO 4 was filtered and the organic layer was concentrated, and the obtained crude product was purified by silica gel column chromatography (a mixed solvent of hexane and toluene was used for the developing layer) to obtain compound IM-5 (17.39 g, yield 70%). .
FAB-MS를 측정하여, 질량수 m/z = 636이 분자 이온 피크로 관측된 것에 의해 화합물 IM-5인 것을 확인하였다. FAB-MS was measured, and the mass number m/z = 636 was observed as a molecular ion peak, confirming that it was compound IM-5.
2) 화합물 B163의 합성2) Synthesis of Compound B163
아르곤(Ar) 분위기하, 300 mL의 3구 flask에, 화합물 IM-5 10.00 g (15.7 mmol), Pd(dba)2 0.27 g (0.03 equiv, 0.5 mmol), NaO t Bu 3.02 g (2.0 equiv, 31.4 mmol), Toluene 78 mL, 4-bromo-9,9-diphenyl-9H-fluorene 6.86 g (1.1 equiv, 17.3 mmol) 및 P t Bu3 0.32 g (0.1 equiv, 1.6 mmol)을 순차적으로 추가하여, 가열 환류 교반하였다. 실온까지 공랭 후, 반응 용매에 물을 더하여 유기층을 분취하였다. 수층에 Toluene을 더하여 유기층을 한층 더 추출한 후, 유기층을 합하여 식염수로 세정한 다음, MgSO4로 건조시켰다. MgSO4의 여과 및 유기층의 농축을 시행하여, 얻어진 조생성물을 silica gel columnchromatography(전개층에는 Hexane과 Toluene의 혼합 용매를 사용)로 정제해, 고체의 화합물 B163 (11.08 g, 수율 74%)을 얻었다. In an argon (Ar) atmosphere, in a 300 mL three-necked flask, compound IM-5 10.00 g (15.7 mmol), Pd (dba) 2 0.27 g (0.03 equiv, 0.5 mmol), NaO t Bu 3.02 g (2.0 equiv, 31.4 mmol), 78 mL of toluene, 6.86 g (1.1 equiv, 17.3 mmol) of 4-bromo-9,9-diphenyl-9 H -fluorene, and 0.32 g (0.1 equiv, 1.6 mmol) of P t Bu 3 were added sequentially. , heated to reflux and stirred. After air-cooling to room temperature, water was added to the reaction solvent, and the organic layer was fractionated. Toluene was added to the aqueous layer, the organic layer was further extracted, and the organic layers were combined, washed with brine, and dried over MgSO 4 . MgSO 4 was filtered and the organic layer was concentrated, and the resulting crude product was purified by silica gel column chromatography (a mixed solvent of hexane and toluene was used for the developing layer) to obtain solid compound B163 (11.08 g, yield 74%). .
FAB-MS를 측정하여, 질량수 m/z = 953이 분자 이온 피크로 관측된 것에 의해 화합물 B163인 것을 확인하였다. FAB-MS was measured, and the mass number m/z = 953 was observed as a molecular ion peak, confirming that it was compound B163.
(7) 화합물 B198의 합성(7) synthesis of compound B198
일 실시예에 따른 아민 화합물 B198은 예를 들어 하기 반응식 7의 단계에 의해 합성될 수 있다.Amine compound B198 according to an embodiment may be synthesized, for example, by the steps of Reaction Scheme 7 below.
[반응식 7][Scheme 7]
1) 화합물 IM-6의 합성1) Synthesis of Compound IM-6
아르곤(Ar) 분위기하, 500 mL의 3구 flask에, 화합물 IM-1 15.00 g (39.0 mmol), Pd(dba)2 0.67 g (0.03 equiv, 1.2 mmol), NaO t Bu 3.75 g (1.0 equiv, 39.0 mmol), Toluene 195 mL, 2-(4-bromophenyl)phenanthrene 14.30 g (1.1 equiv, 42.9 mmol) 및 P t Bu3 0.79 g (0.1 equiv, 3.9 mmol)을 순차적으로 추가하여, 가열 환류 교반하였다. 실온까지 공랭 후, 반응 용매에 물을 더하여 유기층을 분취하였다. 수층에 Toluene을 더하여 유기층을 한층 더 추출한 후, 유기층을 합하여 식염수로 세정한 다음, MgSO4로 건조시켰다. MgSO4의 여과 및 유기층의 농축을 시행하여, 얻어진 조생성물을 silica gel columnchromatography(전개층에는 Hexane과 Toluene의 혼합 용매를 사용)로 정제하여, 화합물 IM-6 (17.64 g, 수율 71%)을 얻었다. In an argon (Ar) atmosphere, in a 500 mL three-necked flask, compound IM-1 15.00 g (39.0 mmol), Pd (dba) 2 0.67 g (0.03 equiv, 1.2 mmol), NaO t Bu 3.75 g (1.0 equiv, 39.0 mmol), 195 mL of toluene, 14.30 g (1.1 equiv, 42.9 mmol) of 2-(4-bromophenyl)phenanthrene, and 0.79 g (0.1 equiv, 3.9 mmol) of P t Bu 3 were sequentially added, followed by heating under reflux. After air-cooling to room temperature, water was added to the reaction solvent, and the organic layer was fractionated. Toluene was added to the aqueous layer, the organic layer was further extracted, and the organic layers were combined, washed with brine, and dried over MgSO 4 . MgSO 4 was filtered and the organic layer was concentrated, and the resulting crude product was purified by silica gel column chromatography (a mixed solvent of hexane and toluene was used for the developing layer) to obtain compound IM-6 (17.64 g, yield 71%). .
FAB-MS를 측정하여, 질량수 m/z = 636이 분자 이온 피크로 관측된 것에 의해 화합물 IM-6인 것을 확인하였다. FAB-MS was measured, and the mass number m/z = 636 was observed as a molecular ion peak, confirming that it was compound IM-6.
2) 화합물 B198의 합성2) Synthesis of Compound B198
아르곤(Ar) 분위기하, 300 mL의 3구 flask에, 화합물 IM-6 10.00 g (15.7 mmol), Pd(dba)2 0.27 g (0.03 equiv, 0.5 mmol), NaO t Bu 3.02 g (2.0 equiv, 31.4 mmol), Toluene 78 mL, 1-bromodibenzofuran 4.27 g (1.1 equiv, 17.3 mmol) 및 P t Bu3 0.32 g (0.1 equiv, 1.6 mmol)을 순차적으로 추가하여, 가열 환류 교반하였다. 실온까지 공랭 후, 반응 용매에 물을 더하여 유기층을 분취하였다. 수층에 Toluene을 더하여 유기층을 한층 더 추출한 후, 유기층을 합하여 식염수로 세정한 다음, MgSO4로 건조시켰다. MgSO4의 여과 및 유기층의 농축을 시행하여, 얻어진 조생성물을 silica gel columnchromatography(전개층에는 Hexane과 Toluene의 혼합 용매를 사용)로 정제해, 고체의 화합물 B198 (8.70 g, 수율 69%)을 얻었다. In an argon (Ar) atmosphere, in a 300 mL three-necked flask, compound IM-6 10.00 g (15.7 mmol), Pd (dba) 2 0.27 g (0.03 equiv, 0.5 mmol), NaO t Bu 3.02 g (2.0 equiv, 31.4 mmol), 78 mL of toluene, 4.27 g (1.1 equiv, 17.3 mmol) of 1-bromodibenzofuran, and 0.32 g (0.1 equiv, 1.6 mmol) of P t Bu 3 were sequentially added, followed by heating under reflux. After air-cooling to room temperature, water was added to the reaction solvent, and the organic layer was fractionated. Toluene was added to the aqueous layer, the organic layer was further extracted, and the organic layers were combined, washed with brine, and dried over MgSO 4 . MgSO 4 was filtered and the organic layer was concentrated, and the obtained crude product was purified by silica gel column chromatography (a mixed solvent of hexane and toluene was used for the developing layer) to obtain solid compound B198 (8.70 g, yield 69%). .
FAB-MS를 측정하여, 질량수 m/z = 802가 분자 이온 피크로 관측된 것에 의해 화합물 B198인 것을 확인하였다. FAB-MS was measured, and the mass number m/z = 802 was observed as a molecular ion peak, confirming that it was compound B198.
(8) 화합물 C1의 합성(8) Synthesis of Compound C1
일 실시예에 따른 아민 화합물 C1은 예를 들어 하기 반응식 8의 단계에 의해 합성될 수 있다.Amine compound C1 according to an embodiment may be synthesized, for example, by the steps of Reaction Scheme 8 below.
[반응식 8][Scheme 8]
1) 화합물 IM-7의 합성1) Synthesis of Compound IM-7
아르곤(Ar) 분위기하, 500 mL의 3구 flask에, 화합물 IM-1 15.00 g (39.0 mmol), Pd(dba)2 0.67 g (0.03 equiv, 1.2 mmol), NaO t Bu 3.75 g (1.0 equiv, 39.0 mmol), Toluene 195 mL, 4-bromodibenzofuran 10.60 g (1.1 equiv, 42.9 mmol) 및 P t Bu3 0.79 g (0.1 equiv, 3.9 mmol)을 순차적으로 추가하여, 가열 환류 교반하였다. 실온까지 공랭 후, 반응 용매에 물을 더하여 유기층을 분취하였다. 수층에 Toluene을 더하여 유기층을 한층 더 추출한 후, 유기층을 합하여 식염수로 세정한 다음, MgSO4로 건조시켰다. MgSO4의 여과 및 유기층의 농축을 시행하여, 얻어진 조생성물을 silica gel columnchromatography(전개층에는 Hexane과 Toluene의 혼합 용매를 사용)로 정제하여, 화합물 IM-7 (16.33 g, 수율 76%)을 얻었다. In an argon (Ar) atmosphere, in a 500 mL three-necked flask, compound IM-1 15.00 g (39.0 mmol), Pd (dba) 2 0.67 g (0.03 equiv, 1.2 mmol), NaO t Bu 3.75 g (1.0 equiv, 39.0 mmol), 195 mL of toluene, 10.60 g (1.1 equiv, 42.9 mmol) of 4-bromodibenzofuran, and 0.79 g (0.1 equiv, 3.9 mmol) of P t Bu 3 were sequentially added, followed by heating under reflux. After air-cooling to room temperature, water was added to the reaction solvent, and the organic layer was fractionated. Toluene was added to the aqueous layer, the organic layer was further extracted, and the organic layers were combined, washed with brine, and dried over MgSO 4 . MgSO 4 was filtered and the organic layer was concentrated, and the resulting crude product was purified by silica gel column chromatography (a mixed solvent of hexane and toluene was used for the developing layer) to obtain compound IM-7 (16.33 g, yield 76%). .
FAB-MS를 측정하여, 질량수 m/z = 550이 분자 이온 피크로 관측된 것에 의해 화합물 IM-7인 것을 확인하였다. FAB-MS was measured, and the mass number m/z = 550 was observed as a molecular ion peak, confirming that it was compound IM-7.
2) 화합물 C1의 합성2) Synthesis of Compound C1
아르곤(Ar) 분위기하, 300 mL의 3구 flask에, 화합물 IM-7 10.00 g (18.2 mmol), Pd(dba)2 0.31 g (0.03 equiv, 0.5 mmol), NaO t Bu 3.49 g (2.0 equiv, 36.3 mmol), Toluene 91 mL, 4-bromo-biphenyl 4.66 g (1.1 equiv, 20.0 mmol) 및 P t Bu3 0.37 g (0.1 equiv, 1.8 mmol)을 순차적으로 추가하여, 가열 환류 교반하였다. 실온까지 공랭 후, 반응 용매에 물을 더하여 유기층을 분취하였다. 수층에 Toluene을 더하여 유기층을 한층 더 추출한 후, 유기층을 합하여 식염수로 세정한 다음, MgSO4로 건조시켰다. MgSO4의 여과 및 유기층의 농축을 시행하여, 얻어진 조생성물을 silica gel columnchromatography(전개층에는 Hexane과 Toluene의 혼합 용매를 사용)로 정제해, 고체의 화합물 C1 (8.93 g, 수율 70%)을 얻었다. In an argon (Ar) atmosphere, in a 300 mL three-neck flask, compound IM-7 10.00 g (18.2 mmol), Pd (dba) 2 0.31 g (0.03 equiv, 0.5 mmol), NaO t Bu 3.49 g (2.0 equiv, 36.3 mmol), 91 mL of toluene, 4.66 g (1.1 equiv, 20.0 mmol) of 4-bromo-biphenyl, and 0.37 g (0.1 equiv, 1.8 mmol) of P t Bu 3 were sequentially added, followed by heating under reflux. After air-cooling to room temperature, water was added to the reaction solvent, and the organic layer was fractionated. Toluene was added to the aqueous layer, the organic layer was further extracted, and the organic layers were combined, washed with brine, and dried over MgSO 4 . MgSO 4 was filtered and the organic layer was concentrated, and the obtained crude product was purified by silica gel column chromatography (a mixed solvent of hexane and toluene was used for the developing layer) to obtain a solid compound C1 (8.93 g, yield 70%). .
FAB-MS를 측정하여, 질량수 m/z = 702가 분자 이온 피크로 관측된 것에 의해 화합물 C1인 것을 확인하였다. FAB-MS was measured, and the mass number m/z = 702 was observed as a molecular ion peak, confirming that it was compound C1.
(9) 화합물 C35의 합성(9) Synthesis of compound C35
일 실시예에 따른 아민 화합물 C35은 예를 들어 하기 반응식 9의 단계에 의해 합성될 수 있다.Amine compound C35 according to an embodiment may be synthesized, for example, by the steps of Reaction Scheme 9 below.
[반응식 9][Scheme 9]
1) 화합물 IM-8의 합성1) Synthesis of Compound IM-8
아르곤(Ar) 분위기하, 500 mL의 3구 flask에, 화합물 IM-1 15.00 g (39.0 mmol), Pd(dba)2 0.67 g (0.03 equiv, 1.2 mmol), NaO t Bu 3.75 g (1.0 equiv, 39.0 mmol), Toluene 195 mL, 10-bromonaphtho[1,2-b]benzofuran 12.75 g (1.1 equiv, 42.9 mmol) 및 P t Bu3 0.79 g (0.1 equiv, 3.9 mmol)을 순차적으로 추가하여, 가열 환류 교반하였다. 실온까지 공랭 후, 반응 용매에 물을 더하여 유기층을 분취하였다. 수층에 Toluene을 더하여 유기층을 한층 더 추출한 후, 유기층을 합하여 식염수로 세정한 다음, MgSO4로 건조시켰다. MgSO4의 여과 및 유기층의 농축을 시행하여, 얻어진 조생성물을 silica gel columnchromatography(전개층에는 Hexane과 Toluene의 혼합 용매를 사용)로 정제해, 화합물 IM-8 (18.05 g, 수율 77%)을 얻었다. In an argon (Ar) atmosphere, in a 500 mL three-necked flask, compound IM-1 15.00 g (39.0 mmol), Pd (dba) 2 0.67 g (0.03 equiv, 1.2 mmol), NaO t Bu 3.75 g (1.0 equiv, 39.0 mmol), 195 mL of toluene, 12.75 g (1.1 equiv, 42.9 mmol) of 10-bromonaphtho[1,2-b]benzofuran, and 0.79 g (0.1 equiv, 3.9 mmol) of P t Bu 3 were sequentially added and heated to reflux. Stir. After air-cooling to room temperature, water was added to the reaction solvent, and the organic layer was fractionated. Toluene was added to the aqueous layer, the organic layer was further extracted, and the organic layers were combined, washed with brine, and dried over MgSO 4 . MgSO 4 was filtered and the organic layer was concentrated, and the obtained crude product was purified by silica gel column chromatography (a mixed solvent of hexane and toluene was used for the developing layer) to obtain compound IM-8 (18.05 g, yield 77%). .
FAB-MS를 측정하여, 질량수 m/z = 600이 분자 이온 피크로 관측된 것에 의해 화합물 IM-8인 것을 확인하였다. FAB-MS was measured, and the mass number m/z = 600 was observed as a molecular ion peak, confirming that it was compound IM-8.
2) 화합물 C35의 합성2) Synthesis of Compound C35
아르곤(Ar) 분위기하, 300 mL의 3구 flask에, 화합물 IM-8 10.00 g (16.6 mmol), Pd(dba)2 0.29 g (0.03 equiv, 0.5 mmol), NaO t Bu 3.20 g (2.0 equiv, 33.3 mmol), Toluene 83 mL, 4-bromo-1,1':3',1''-terphenyl 5.66 g (1.1 equiv, 18.3 mmol) 및 P t Bu3 0.34 g (0.1 equiv, 1.7 mmol)을 순차적으로 추가하여, 가열 환류 교반하였다. 실온까지 공랭 후, 반응 용매에 물을 더하여 유기층을 분취하였다. 수층에 Toluene을 더하여 유기층을 한층 더 추출한 후, 유기층을 합하여 식염수로 세정한 다음, MgSO4로 건조시켰다. MgSO4의 여과 및 유기층의 농축을 시행하여, 얻어진 조생성물을 silica gel columnchromatography(전개층에는 Hexane과 Toluene의 혼합 용매를 사용)로 정제하여, 고체의 화합물 C35 (10.90 g, 수율 79%)를 얻었다. In an argon (Ar) atmosphere, in a 300 mL three-necked flask, compound IM-8 10.00 g (16.6 mmol), Pd (dba) 2 0.29 g (0.03 equiv, 0.5 mmol), NaO t Bu 3.20 g (2.0 equiv, 33.3 mmol), 83 mL of toluene, 5.66 g (1.1 equiv, 18.3 mmol) of 4-bromo-1,1':3',1''-terphenyl, and 0.34 g (0.1 equiv, 1.7 mmol) of PtBu 3 were sequentially added. was added, heated under reflux and stirred. After air-cooling to room temperature, water was added to the reaction solvent, and the organic layer was fractionated. Toluene was added to the aqueous layer, the organic layer was further extracted, and the organic layers were combined, washed with brine, and dried over MgSO 4 . MgSO 4 was filtered and the organic layer was concentrated, and the resulting crude product was purified by silica gel column chromatography (a mixed solvent of Hexane and Toluene was used for the developing layer) to obtain a solid compound C35 (10.90 g, yield 79%). .
FAB-MS를 측정하여, 질량수 m/z = 829가 분자 이온 피크로 관측된 것에 의해 화합물 C35인 것을 확인하였다. FAB-MS was measured, and the mass number m/z = 829 was observed as a molecular ion peak, confirming that it was compound C35.
(10) 화합물 C47의 합성(10) compound Synthesis of C47
일 실시예에 따른 아민 화합물 C47은 예를 들어 하기 반응식 10의 단계에 의해 합성될 수 있다.Amine compound C47 according to an embodiment may be synthesized, for example, by the steps of Reaction Scheme 10 below.
[반응식 10][Scheme 10]
1) 화합물 IM-9의 합성1) Synthesis of compound IM-9
아르곤(Ar) 분위기하, 500 mL의 3구 flask에, 화합물 IM-1 15.00 g (39.0 mmol), Pd(dba)2 0.67 g (0.03 equiv, 1.2 mmol), NaO t Bu 3.75 g (1.0 equiv, 39.0 mmol), Toluene 195 mL, 4-bromodibenzothiophene 11.29 g (1.1 equiv, 42.9 mmol) 및 P t Bu3 0.79 g (0.1 equiv, 3.9 mmol)을 순차적으로 추가하여, 가열 환류 교반하였다. 실온까지 공랭 후, 반응 용매에 물을 더하여 유기층을 분취하였다. 수층에 Toluene을 더하여 유기층을 한층 더 추출한 후, 유기층을 합하여 식염수로 세정한 다음, MgSO4로 건조시켰다. MgSO4의 여과 및 유기층의 농축을 시행하여, 얻어진 조생성물을 silica gel columnchromatography(전개층에는 Hexane과 Toluene의 혼합 용매를 사용)로 정제하여, 화합물 IM-9 (16.36 g, 수율 74%)를 얻었다. In an argon (Ar) atmosphere, in a 500 mL three-necked flask, compound IM - 1 15.00 g (39.0 mmol), Pd (dba) 2 0.67 g (0.03 equiv, 1.2 mmol), NaO t Bu 3.75 g (1.0 equiv, 39.0 mmol), 195 mL of toluene, 11.29 g (1.1 equiv, 42.9 mmol) of 4-bromodibenzothiophene, and 0.79 g (0.1 equiv, 3.9 mmol) of P t Bu 3 were sequentially added, followed by heating under reflux. After air-cooling to room temperature, water was added to the reaction solvent, and the organic layer was fractionated. Toluene was added to the aqueous layer, the organic layer was further extracted, and the organic layers were combined, washed with brine, and dried over MgSO 4 . MgSO 4 was filtered and the organic layer was concentrated, and the resulting crude product was purified by silica gel column chromatography (a mixed solvent of Hexane and Toluene was used for the developing layer) to obtain compound IM-9 (16.36 g, yield 74%). .
FAB-MS를 측정하여, 질량수 m/z = 566이 분자 이온 피크로 관측된 것에 의해 화합물 IM-9인 것을 확인하였다. FAB-MS was measured, and the mass number m/z = 566 was observed as a molecular ion peak, confirming that the compound was IM-9.
2) 화합물 C47의 합성2) Synthesis of Compound C47
아르곤(Ar) 분위기하, 300 mL의 3구 flask에, 화합물 IM-9 10.00 g (17.6 mmol), Pd(dba)2 0.30 g (0.03 equiv, 0.5 mmol), NaO t Bu 3.39 g (2.0 equiv, 35.3 mmol), Toluene 88 mL, 2-bromo-9,9'-spirobi[fluorene] 7.67 g (1.1 equiv, 19.4 mmol) 및 P t Bu3 0.36 g (0.1 equiv, 1.8 mmol)을 순차적으로 추가하여, 가열 환류 교반하였다. 실온까지 공랭 후, 반응 용매에 물을 더하여 유기층을 분취하였다. 수층에 Toluene을 더하여 유기층을 한층 더 추출한 후, 유기층을 합하여 식염수로 세정한 다음, MgSO4로 건조시켰다. MgSO4의 여과 및 유기층의 농축을 시행하여, 얻어진 조생성물을 silica gel columnchromatography(전개층에는 Hexane과 Toluene의 혼합 용매를 사용)로 정제해, 고체의 화합물 C47 (10.88 g, 수율 70%)을 얻었다. In an argon (Ar) atmosphere, in a 300 mL three-neck flask, compound IM-9 10.00 g (17.6 mmol), Pd (dba) 2 0.30 g (0.03 equiv, 0.5 mmol), NaO t Bu 3.39 g (2.0 equiv, 35.3 mmol), 88 mL of toluene, 7.67 g (1.1 equiv, 19.4 mmol) of 2-bromo-9,9'-spirobi [fluorene], and 0.36 g (0.1 equiv, 1.8 mmol) of P t Bu 3 were sequentially added, Heat to reflux and stir. After air-cooling to room temperature, water was added to the reaction solvent, and the organic layer was fractionated. Toluene was added to the aqueous layer, the organic layer was further extracted, and the organic layers were combined, washed with brine, and dried over MgSO 4 . MgSO 4 was filtered and the organic layer was concentrated, and the crude product obtained was purified by silica gel column chromatography (a mixed solvent of hexane and toluene was used for the developing layer) to obtain a solid compound C47 (10.88 g, yield 70%). .
FAB-MS를 측정하여, 질량수 m/z = 881이 분자 이온 피크로 관측된 것에 의해 화합물 C47인 것을 확인하였다. FAB-MS was measured, and the mass number m/z = 881 was observed as a molecular ion peak, confirming that it was compound C47.
(11) 화합물 C90의 합성(11) Synthesis of Compound C90
일 실시예에 따른 아민 화합물 C90은 예를 들어 하기 반응식 11의 단계에 의해 합성될 수 있다.Amine compound C90 according to an embodiment may be synthesized, for example, by the steps of Scheme 11 below.
[반응식 11][Scheme 11]
1) 화합물 IM-10의 합성1) Synthesis of Compound IM-10
아르곤(Ar) 분위기하, 500 mL의 3구 flask에, 화합물 IM-1 15.00 g (39.0 mmol), Pd(dba)2 0.67 g (0.03 equiv, 1.2 mmol), NaO t Bu 3.75 g (1.0 equiv, 39.0 mmol), Toluene 195 mL, 3-bromodibenzofuran 10.60 g (1.1 equiv, 42.9 mmol) 및 P t Bu3 0.79 g (0.1 equiv, 3.9 mmol)을 순차적으로 추가하여, 가열 환류 교반하였다. 실온까지 공랭 후, 반응 용매에 물을 더하여 유기층을 분취하였다. 수층에 Toluene을 더하여 유기층을 한층 더 추출한 후, 유기층을 합하여 식염수로 세정한 다음, MgSO4로 건조시켰다. MgSO4의 여과 및 유기층의 농축을 시행하여, 얻어진 조생성물을 silica gel columnchromatography(전개층에는 Hexane과 Toluene의 혼합 용매를 사용)로 정제해, 화합물 IM-10 (16.54 g, 수율 77%)을 얻었다. In an argon (Ar) atmosphere, in a 500 mL three-necked flask, compound IM-1 15.00 g (39.0 mmol), Pd (dba) 2 0.67 g (0.03 equiv, 1.2 mmol), NaO t Bu 3.75 g (1.0 equiv, 39.0 mmol), 195 mL of toluene, 10.60 g (1.1 equiv, 42.9 mmol) of 3-bromodibenzofuran, and 0.79 g (0.1 equiv, 3.9 mmol) of P t Bu 3 were sequentially added, followed by heating under reflux. After air-cooling to room temperature, water was added to the reaction solvent, and the organic layer was fractionated. Toluene was added to the aqueous layer, the organic layer was further extracted, and the organic layers were combined, washed with brine, and dried over MgSO 4 . MgSO 4 was filtered and the organic layer was concentrated, and the obtained crude product was purified by silica gel column chromatography (a mixed solvent of hexane and toluene was used for the developing layer) to obtain compound IM-10 (16.54 g, yield 77%). .
FAB-MS를 측정하여, 질량수 m/z = 550이 분자 이온 피크로 관측된 것에 의해 화합물 IM-10인 것을 확인하였다. FAB-MS was measured, and the mass number m/z = 550 was observed as a molecular ion peak, confirming that it was compound IM-10.
2) 화합물 C90의 합성2) Synthesis of Compound C90
아르곤(Ar) 분위기하, 300 mL의 3구 flask에, 화합물 IM-10 10.00 g (18.2 mmol), Pd(dba)2 0.31 g (0.03 equiv, 0.5 mmol), NaO t Bu 3.49 g (2.0 equiv, 36.3 mmol), Toluene 91 mL, 4-bromo-6-phenyldibenzothiophene 6.78 g (1.1 equiv, 20.0 mmol) 및 P t Bu3 0.37 g (0.1 equiv, 1.8 mmol)을 순차적으로 추가하여, 가열 환류 교반하였다. 실온까지 공랭 후, 반응 용매에 물을 더하여 유기층을 분취하였다. 수층에 Toluene을 더하여 유기층을 한층 더 추출한 후, 유기층을 합하여 식염수로 세정한 다음, MgSO4로 건조시켰다. MgSO4의 여과 및 유기층의 농축을 시행하여, 얻어진 조생성물을 silica gel columnchromatography(전개층에는 Hexane과 Toluene의 혼합 용매를 사용)로 정제해, 고체의 화합물 C90 (9.99 g, 수율 68%)을 얻었다. In an argon (Ar) atmosphere, in a 300 mL three-neck flask, compound IM-10 10.00 g (18.2 mmol), Pd (dba) 2 0.31 g (0.03 equiv, 0.5 mmol), NaO t Bu 3.49 g (2.0 equiv, 36.3 mmol), 91 mL of toluene, 6.78 g (1.1 equiv, 20.0 mmol) of 4-bromo-6-phenyldibenzothiophene, and 0.37 g (0.1 equiv, 1.8 mmol) of P t Bu 3 were sequentially added, followed by heating under reflux. After air-cooling to room temperature, water was added to the reaction solvent, and the organic layer was fractionated. Toluene was added to the aqueous layer, the organic layer was further extracted, and the organic layers were combined, washed with brine, and dried over MgSO 4 . MgSO 4 was filtered and the organic layer was concentrated, and the crude product obtained was purified by silica gel column chromatography (a mixed solvent of Hexane and Toluene was used for the developing layer) to obtain a solid compound C90 (9.99 g, yield 68%). .
FAB-MS를 측정하여, 질량수 m/z = 809가 분자 이온 피크로 관측된 것에 의해 화합물 C90인 것을 확인하였다. FAB-MS was measured, and the mass number m/z = 809 was observed as a molecular ion peak, confirming that it was compound C90.
(12) 화합물 C175의 합성(12) Synthesis of compound C175
일 실시예에 따른 아민 화합물 C175는 예를 들어 하기 반응식 12의 단계에 의해 합성될 수 있다.Amine compound C175 according to an embodiment may be synthesized, for example, by the steps of Reaction Scheme 12 below.
[반응식 12][Scheme 12]
1) 화합물 IM-11의 합성1) Synthesis of Compound IM-11
아르곤(Ar) 분위기하, 500 mL의 3구 flask에, 화합물 IM-1 15.00 g (39.0 mmol), Pd(dba)2 0.67 g (0.03 equiv, 1.2 mmol), NaO t Bu 3.75 g (1.0 equiv, 39.0 mmol), Toluene 195 mL, 8-bromonaphtho[1,2-b]benzofuran 12.75 g (1.1 equiv, 42.9 mmol) 및 P t Bu3 0.79 g (0.1 equiv, 3.9 mmol)을 순차적으로 추가하여, 가열 환류 교반하였다. 실온까지 공랭 후, 반응 용매에 물을 더하여 유기층을 분취하였다. 수층에 Toluene을 더하여 유기층을 한층 더 추출한 후, 유기층을 합하여 식염수로 세정한 다음, MgSO4로 건조시켰다. MgSO4의 여과 및 유기층의 농축을 시행하여, 얻어진 조생성물을 silica gel columnchromatography(전개층에는 Hexane과 Toluene의 혼합 용매를 사용)로 정제해, 화합물 IM-11 (16.64 g, 수율 71%)을 얻었다. In an argon (Ar) atmosphere, in a 500 mL three-necked flask, compound IM-1 15.00 g (39.0 mmol), Pd (dba) 2 0.67 g (0.03 equiv, 1.2 mmol), NaO t Bu 3.75 g (1.0 equiv, 39.0 mmol), 195 mL of toluene, 12.75 g (1.1 equiv, 42.9 mmol) of 8-bromonaphtho[1,2-b]benzofuran, and 0.79 g (0.1 equiv, 3.9 mmol) of P t Bu 3 were sequentially added and heated to reflux. Stir. After air-cooling to room temperature, water was added to the reaction solvent, and the organic layer was fractionated. Toluene was added to the aqueous layer, the organic layer was further extracted, and the organic layers were combined, washed with brine, and dried over MgSO 4 . MgSO 4 was filtered and the organic layer was concentrated, and the obtained crude product was purified by silica gel column chromatography (a mixed solvent of hexane and toluene was used for the developing layer) to obtain compound IM-11 (16.64 g, yield 71%). .
FAB-MS를 측정하여, 질량수 m/z = 600이 분자 이온 피크로 관측된 것에 의해 화합물 IM-11인 것을 확인하였다. FAB-MS was measured, and the mass number m/z = 600 was observed as a molecular ion peak, confirming that it was compound IM-11.
2) 화합물 C175의 합성2) Synthesis of Compound C175
아르곤(Ar) 분위기하, 300 mL의 3구 flask에, 화합물 IM-11 10.00 g (16.6 mmol), Pd(dba)2 0.29 g (0.03 equiv, 0.5 mmol), NaO t Bu 3.20 g (2.0 equiv, 33.3 mmol), Toluene 83 mL, 2-(4-bromophenyl)naphthalene 5.16 g (1.1 equiv, 18.3 mmol) 및 P t Bu3 0.34 g (0.1 equiv, 1.7 mmol)을 순차적으로 추가하여, 가열 환류 교반하였다. 실온까지 공랭 후, 반응 용매에 물을 더하여 유기층을 분취하였다. 수층에 Toluene을 더하여 유기층을 한층 더 추출한 후, 유기층을 합하여 식염수로 세정한 다음, MgSO4로 건조시켰다. MgSO4의 여과 및 유기층의 농축을 시행하여, 얻어진 조생성물을 silica gel columnchromatography(전개층에는 Hexane과 Toluene의 혼합 용매를 사용)로 정제하여, 고체의 화합물 C175 (10.16 g, 수율 76%)를 얻었다. In an argon (Ar) atmosphere, in a 300 mL three-necked flask, compound IM-11 10.00 g (16.6 mmol), Pd (dba) 2 0.29 g (0.03 equiv, 0.5 mmol), NaO t Bu 3.20 g (2.0 equiv, 33.3 mmol), 83 mL of toluene, 5.16 g (1.1 equiv, 18.3 mmol) of 2-(4-bromophenyl)naphthalene, and 0.34 g (0.1 equiv, 1.7 mmol) of P t Bu 3 were sequentially added, followed by heating under reflux. After air-cooling to room temperature, water was added to the reaction solvent, and the organic layer was fractionated. Toluene was added to the aqueous layer, the organic layer was further extracted, and the organic layers were combined, washed with brine, and dried over MgSO 4 . MgSO 4 was filtered and the organic layer was concentrated, and the obtained crude product was purified by silica gel column chromatography (a mixed solvent of Hexane and Toluene was used for the developing layer) to obtain a solid compound C175 (10.16 g, yield 76%). .
FAB-MS를 측정하여, 질량수 m/z = 802가 분자 이온 피크로 관측된 것에 의해 화합물 C175인 것을 확인하였다. FAB-MS was measured, and the mass number m/z = 802 was observed as a molecular ion peak, confirming that it was compound C175.
(13) 화합물 C214의 합성(13) Synthesis of compound C214
일 실시예에 따른 아민 화합물 C214는 예를 들어 하기 반응식 13의 단계에 의해 합성될 수 있다.Amine compound C214 according to an embodiment may be synthesized, for example, by the step of Reaction Scheme 13 below.
[반응식 13][Scheme 13]
1) 화합물 IM-12의 합성1) Synthesis of Compound IM-12
아르곤(Ar) 분위기하, 500 mL의 3구 flask에, 화합물 IM-1 15.00 g (39.0 mmol), Pd(dba)2 0.67 g (0.03 equiv, 1.2 mmol), NaO t Bu 3.75 g (1.0 equiv, 39.0 mmol), Toluene 195 mL, 1-bromodibenzofuran 10.60 g (1.1 equiv, 42.9 mmol) 및 P t Bu3 0.79 g (0.1 equiv, 3.9 mmol)을 순차적으로 추가하여, 가열 환류 교반하였다. 실온까지 공랭 후, 반응 용매에 물을 더하여 유기층을 분취하였다. 수층에 Toluene을 더하여 유기층을 한층 더 추출한 후, 유기층을 합하여 식염수로 세정한 다음, MgSO4로 건조시켰다. MgSO4의 여과 및 유기층의 농축을 시행하여, 얻어진 조생성물을 silica gel columnchromatography(전개층에는 Hexane과 Toluene의 혼합 용매를 사용)로 정제해, 화합물 IM-12 (14.61 g, 수율 68%)를 얻었다. In an argon (Ar) atmosphere, in a 500 mL three-necked flask, compound IM-1 15.00 g (39.0 mmol), Pd (dba) 2 0.67 g (0.03 equiv, 1.2 mmol), NaO t Bu 3.75 g (1.0 equiv, 39.0 mmol), 195 mL of toluene, 10.60 g (1.1 equiv, 42.9 mmol) of 1-bromodibenzofuran, and 0.79 g (0.1 equiv, 3.9 mmol) of P t Bu 3 were sequentially added, followed by heating under reflux. After air-cooling to room temperature, water was added to the reaction solvent, and the organic layer was fractionated. Toluene was added to the aqueous layer, the organic layer was further extracted, and the organic layers were combined, washed with brine, and dried over MgSO 4 . MgSO 4 was filtered and the organic layer was concentrated, and the obtained crude product was purified by silica gel column chromatography (a mixed solvent of hexane and toluene was used for the developing layer) to obtain compound IM-12 (14.61 g, yield 68%). .
FAB-MS를 측정하여, 질량수 m/z = 550이 분자 이온 피크로 관측된 것에 의해 화합물 IM-12인 것을 확인하였다. FAB-MS was measured, and the mass number m/z = 550 was observed as a molecular ion peak, confirming that it was compound IM-12.
2) 화합물 C214의 합성2) Synthesis of Compound C214
아르곤(Ar) 분위기하, 300 mL의 3구 flask에, 화합물 IM-12 10.00 g (18.2 mmol), Pd(dba)2 0.31 g (0.03 equiv, 0.5 mmol), NaO t Bu 3.49 g (2.0 equiv, 36.3 mmol), Toluene 91 mL, 4-bromo-1,1':4',1''-terphenyl 6.18 g (1.1 equiv, 20.0 mmol) 및 P t Bu3 0.37 g (0.1 equiv, 1.8 mmol)을 순차적으로 추가하여, 가열 환류 교반하였다. 실온까지 공랭 후, 반응 용매에 물을 더하여 유기층을 분취하였다. 수층에 Toluene을 더하여 유기층을 한층 더 추출한 후, 유기층을 합하여 식염수로 세정한 다음, MgSO4로 건조시켰다. MgSO4의 여과 및 유기층의 농축을 시행하여, 얻어진 조생성물을 silica gel columnchromatography(전개층에는 Hexane과 Toluene의 혼합 용매를 사용)로 정제해, 고체의 화합물 C214 (10.18 g, 수율 72%)를 얻었다. In an argon (Ar) atmosphere, in a 300 mL three-necked flask, compound IM-12 10.00 g (18.2 mmol), Pd (dba) 2 0.31 g (0.03 equiv, 0.5 mmol), NaO t Bu 3.49 g (2.0 equiv, 36.3 mmol), toluene 91 mL, 4-bromo-1,1':4',1''-terphenyl 6.18 g (1.1 equiv, 20.0 mmol) and PtBu 3 0.37 g (0.1 equiv, 1.8 mmol) were sequentially added. was added, heated under reflux and stirred. After air-cooling to room temperature, water was added to the reaction solvent, and the organic layer was fractionated. Toluene was added to the aqueous layer, the organic layer was further extracted, and the organic layers were combined, washed with brine, and dried over MgSO 4 . MgSO 4 was filtered and the organic layer was concentrated, and the crude product obtained was purified by silica gel column chromatography (a mixed solvent of Hexane and Toluene was used for the developing layer) to obtain a solid compound C214 (10.18 g, yield 72%). .
FAB-MS를 측정하여, 질량수 m/z = 809가 분자 이온 피크로 관측된 것에 의해 화합물 C214인 것을 확인하였다. FAB-MS was measured, and the mass number m/z = 809 was observed as a molecular ion peak, confirming that it was compound C214.
(14) 화합물 C293의 합성(14) synthesis of compound C293
일 실시예에 따른 아민 화합물 C293는 예를 들어 하기 반응식 14의 단계에 의해 합성될 수 있다.Amine compound C293 according to an embodiment may be synthesized, for example, by the steps of Reaction Scheme 14 below.
[반응식 14][Scheme 14]
1) 화합물 IM-13의 합성1) Synthesis of Compound IM-13
아르곤(Ar) 분위기하, 500 mL의 3구 flask에, 화합물 IM-1 15.00 g (39.0 mmol), Pd(dba)2 0.67 g (0.03 equiv, 1.2 mmol), NaO t Bu 3.75 g (1.0 equiv, 39.0 mmol), Toluene 195 mL, 4-(4-bromophenyl)dibenzothiophene 14.56 g (1.1 equiv, 42.9 mmol) 및 P t Bu3 0.79 g (0.1 equiv, 3.9 mmol)을 순차적으로 추가하여, 가열 환류 교반하였다. 실온까지 공랭 후, 반응 용매에 물을 더하여 유기층을 분취하였다. 수층에 Toluene을 더하여 유기층을 한층 더 추출한 후, 유기층을 합하여 식염수로 세정한 다음, MgSO4로 건조시켰다. MgSO4의 여과 및 유기층의 농축을 시행하여, 얻어진 조생성물을 silica gel columnchromatography(전개층에는 Hexane과 Toluene의 혼합 용매를 사용)로 정제해, 화합물 IM-13 (16.80 g, 수율 67%)을 얻었다. In an argon (Ar) atmosphere, in a 500 mL three-necked flask, compound IM-1 15.00 g (39.0 mmol), Pd (dba) 2 0.67 g (0.03 equiv, 1.2 mmol), NaO t Bu 3.75 g (1.0 equiv, 39.0 mmol), 195 mL of toluene, 14.56 g (1.1 equiv, 42.9 mmol) of 4-(4-bromophenyl)dibenzothiophene, and 0.79 g (0.1 equiv, 3.9 mmol) of PtBu 3 were sequentially added, followed by heating under reflux. After air-cooling to room temperature, water was added to the reaction solvent, and the organic layer was fractionated. Toluene was added to the aqueous layer, the organic layer was further extracted, and the organic layers were combined, washed with brine, and dried over MgSO 4 . MgSO 4 was filtered and the organic layer was concentrated, and the resulting crude product was purified by silica gel column chromatography (a mixed solvent of hexane and toluene was used for the developing layer) to obtain compound IM-13 (16.80 g, yield 67%). .
FAB-MS를 측정하여, 질량수 m/z = 642가 분자 이온 피크로 관측된 것에 의해 화합물 IM-13을 확인하였다. FAB-MS was measured, and the mass number m/z = 642 was observed as a molecular ion peak, thereby confirming compound IM-13.
2) 화합물 C293의 합성2) Synthesis of Compound C293
아르곤(Ar) 분위기하, 300 mL의 3구 flask에, 화합물 IM-13 10.00 g (15.6 mmol), Pd(dba)2 0.27 g (0.03 equiv, 0.5 mmol), NaO t Bu 2.99 g (2.0 equiv, 31.1 mmol), Toluene 78 mL, 2-bromobiphenyl 3.99 g (1.1 equiv, 17.1 mmol) 및 P t Bu3 0.31 g (0.1 equiv, 1.6 mmol)을 순차적으로 추가하여, 가열 환류 교반하였다. 실온까지 공랭 후, 반응 용매에 물을 더하여 유기층을 분취하였다. 수층에 Toluene을 더하여 유기층을 한층 더 추출한 후, 유기층을 합하여 식염수로 세정한 다음, MgSO4로 건조시켰다. MgSO4의 여과 및 유기층의 농축을 시행하여, 얻어진 조생성물을 silica gel columnchromatography(전개층에는 Hexane과 Toluene의 혼합 용매를 사용)로 정제하여, 고체의 화합물 C293 (8.04 g, 수율 65%)을 얻었다. In an argon (Ar) atmosphere, in a 300 mL three-neck flask, compound IM-13 10.00 g (15.6 mmol), Pd (dba) 2 0.27 g (0.03 equiv, 0.5 mmol), NaO t Bu 2.99 g (2.0 equiv, 31.1 mmol), 78 mL of toluene, 3.99 g (1.1 equiv, 17.1 mmol) of 2-bromobiphenyl, and 0.31 g (0.1 equiv, 1.6 mmol) of P t Bu 3 were sequentially added, followed by heating under reflux. After air-cooling to room temperature, water was added to the reaction solvent, and the organic layer was fractionated. Toluene was added to the aqueous layer, the organic layer was further extracted, and the organic layers were combined, washed with brine, and dried over MgSO 4 . MgSO 4 was filtered and the organic layer was concentrated, and the crude product obtained was purified by silica gel column chromatography (a mixed solvent of Hexane and Toluene was used for the developing layer) to obtain a solid compound C293 (8.04 g, yield 65%). .
FAB-MS를 측정하여, 질량수 m/z = 795가 분자 이온 피크로 관측된 것에 의해 화합물 C293인 것을 확인하였다. FAB-MS was measured, and the mass number m/z = 795 was observed as a molecular ion peak, confirming that it was compound C293.
(15) 화합물 C328의 합성(15) Synthesis of compound C328
일 실시예에 따른 아민 화합물 C328는 예를 들어 하기 반응식 15의 단계에 의해 합성될 수 있다.Amine compound C328 according to an embodiment may be synthesized, for example, by the steps of Reaction Scheme 15 below.
[반응식 15][Scheme 15]
1) 화합물 IM-14의 합성1) Synthesis of Compound IM-14
아르곤(Ar) 분위기하, 500 mL의 3구 flask에, 화합물 IM-1 15.00 g (39.0 mmol), Pd(dba)2 0.67 g (0.03 equiv, 1.2 mmol), NaO t Bu 3.75 g (1.0 equiv, 39.0 mmol), Toluene 195 mL, 2-(4-bromophenyl)dibenzofuran 13.87 g (1.1 equiv, 42.9 mmol) 및 P t Bu3 0.79 g (0.1 equiv, 3.9 mmol)을 순차적으로 추가하여, 가열 환류 교반하였다. 실온까지 공랭 후, 반응 용매에 물을 더하여 유기층을 분취하였다. 수층에 Toluene을 더하여 유기층을 한층 더 추출한 후, 유기층을 합하여 식염수로 세정한 다음, MgSO4로 건조시켰다. MgSO4의 여과 및 유기층의 농축을 시행하여, 얻어진 조생성물을 silica gel columnchromatography(전개층에는 Hexane과 Toluene의 혼합 용매를 사용)로 정제해, 화합물 IM-14 (18.09 g, 수율 74%)를 얻었다. In an argon (Ar) atmosphere, in a 500 mL three-necked flask, compound IM-1 15.00 g (39.0 mmol), Pd (dba) 2 0.67 g (0.03 equiv, 1.2 mmol), NaO t Bu 3.75 g (1.0 equiv, 39.0 mmol), 195 mL of toluene, 13.87 g (1.1 equiv, 42.9 mmol) of 2-(4-bromophenyl)dibenzofuran, and 0.79 g (0.1 equiv, 3.9 mmol) of P t Bu 3 were sequentially added, followed by heating under reflux. After air-cooling to room temperature, water was added to the reaction solvent, and the organic layer was fractionated. Toluene was added to the aqueous layer, the organic layer was further extracted, and the organic layers were combined, washed with brine, and dried over MgSO 4 . MgSO 4 was filtered and the organic layer was concentrated, and the resulting crude product was purified by silica gel column chromatography (a mixed solvent of hexane and toluene was used for the developing layer) to obtain compound IM-14 (18.09 g, yield 74%). .
FAB-MS를 측정하여, 질량수 m/z = 626이 분자 이온 피크로 관측된 것에 의해 화합물 IM-14인 것을 확인하였다. FAB-MS was measured, and the mass number m/z = 626 was observed as a molecular ion peak, confirming that it was compound IM-14.
2) 화합물 C328의 합성2) Synthesis of Compound C328
아르곤(Ar) 분위기하, 300 mL의 3구 flask에, 화합물 IM-14 10.00 g (16.0 mmol), Pd(dba)2 0.28 g (0.03 equiv, 0.5 mmol), NaO t Bu 3.07 g (2.0 equiv, 31.9 mmol), Toluene 80 mL, 5'-bromo-1,1':3',1''-terphenyl 5.43 g (1.1 equiv, 17.6 mmol) 및 P t Bu3 0.32 g (0.1 equiv, 1.6 mmol)을 순차적으로 추가하여, 가열 환류 교반하였다. 실온까지 공랭 후, 반응 용매에 물을 더하여 유기층을 분취하였다. 수층에 Toluene을 더하여 유기층을 한층 더 추출한 후, 유기층을 합하여 식염수로 세정한 다음, MgSO4로 건조시켰다. MgSO4의 여과 및 유기층의 농축을 시행하여, 얻어진 조생성물을 silica gel columnchromatography(전개층에는 Hexane과 Toluene의 혼합 용매를 사용)로 정제하여, 고체의 화합물 C328 (10.37 g, 수율 76%)을 얻었다. In an argon (Ar) atmosphere, in a 300 mL three-neck flask, compound IM-14 10.00 g (16.0 mmol), Pd (dba) 2 0.28 g (0.03 equiv, 0.5 mmol), NaO t Bu 3.07 g (2.0 equiv, 31.9 mmol), toluene 80 mL, 5'-bromo-1,1':3',1''-terphenyl 5.43 g (1.1 equiv, 17.6 mmol) and PtBu 3 0.32 g (0.1 equiv, 1.6 mmol) They were added sequentially, heated under reflux, and stirred. After air-cooling to room temperature, water was added to the reaction solvent, and the organic layer was fractionated. Toluene was added to the aqueous layer, the organic layer was further extracted, and the organic layers were combined, washed with brine, and dried over MgSO 4 . MgSO 4 was filtered and the organic layer was concentrated, and the obtained crude product was purified by silica gel column chromatography (a mixed solvent of Hexane and Toluene was used for the developing layer) to obtain a solid compound C328 (10.37 g, yield 76%). .
FAB-MS를 측정하여, 질량수 m/z = 855가 분자 이온 피크로 관측된 것에 의해 화합물 C328인 것을 확인하였다. FAB-MS was measured, and the mass number m/z = 855 was observed as a molecular ion peak, confirming that it was compound C328.
(16) 화합물 D16의 합성(16) Synthesis of compound D16
일 실시예에 따른 아민 화합물 D16은 예를 들어 하기 반응식 16의 단계에 의해 합성될 수 있다.Amine compound D16 according to an embodiment may be synthesized, for example, by the steps of Scheme 16 below.
[반응식 16][Scheme 16]
1) 화합물 IM-15의 합성1) Synthesis of Compound IM-15
아르곤(Ar) 분위기하, 500 mL의 3구 flask에, 화합물 IM-1 15.00 g (39.0 mmol), Pd(dba)2 0.67 g (0.03 equiv, 1.2 mmol), NaO t Bu 3.75 g (1.0 equiv, 39.0 mmol), Toluene 195 mL, 4-bromo-9,9'-spirobi[fluorene] 16.96 g (1.1 equiv, 42.9 mmol) 및 P t Bu3 0.79 g (0.1 equiv, 3.9 mmol)을 순차적으로 추가하여, 가열 환류 교반하였다. 실온까지 공랭 후, 반응 용매에 물을 더하여 유기층을 분취하였다. 수층에 Toluene을 더하여 유기층을 한층 더 추출한 후, 유기층을 합하여 식염수로 세정한 다음, MgSO4로 건조시켰다. MgSO4의 여과 및 유기층의 농축을 시행하여, 얻어진 조생성물을 silica gel columnchromatography(전개층에는 Hexane과 Toluene의 혼합 용매를 사용)로 정제해, 화합물 IM-15 (18.27 g, 수율 67%)를 얻었다. In an argon (Ar) atmosphere, in a 500 mL three-necked flask, compound IM-1 15.00 g (39.0 mmol), Pd (dba) 2 0.67 g (0.03 equiv, 1.2 mmol), NaO t Bu 3.75 g (1.0 equiv, 39.0 mmol), toluene 195 mL, 4-bromo-9,9'-spirobi [fluorene] 16.96 g (1.1 equiv, 42.9 mmol) and P t Bu 3 0.79 g (0.1 equiv, 3.9 mmol) were sequentially added, Heat to reflux and stir. After air-cooling to room temperature, water was added to the reaction solvent, and the organic layer was fractionated. Toluene was added to the aqueous layer, the organic layer was further extracted, and the organic layers were combined, washed with brine, and dried over MgSO 4 . MgSO 4 was filtered and the organic layer was concentrated, and the obtained crude product was purified by silica gel column chromatography (a mixed solvent of hexane and toluene was used for the developing layer) to obtain compound IM-15 (18.27 g, yield 67%). .
FAB-MS를 측정하여, 질량수 m/z = 698이 분자 이온 피크로 관측된 것에 의해 화합물 IM-15인 것을 확인하였다. FAB-MS was measured, and the mass number m/z = 698 was observed as a molecular ion peak, confirming that it was compound IM-15.
2) 화합물 D16의 합성2) Synthesis of Compound D16
Ar 분위기하, 300 mL의 3구 flask에, 화합물 IM-15 10.00 g (14.3 mmol), Pd(dba)2 0.25 g (0.03 equiv, 0.4 mmol), NaO t Bu 2.75 g (2.0 equiv, 28.6 mmol), Toluene 72 mL, 4-bromo-1,1':2',1''-terphenyl 4.87 g (1.1 equiv, 15.7 mmol) 및 P t Bu3 0.29 g (0.1 equiv, 1.4 mmol)을 순차적으로 추가하여, 가열 환류 교반하였다. 실온까지 공랭 후, 반응 용매에 물을 더하여 유기층을 분취하였다. 수층에 Toluene을 더하여 유기층을 한층 더 추출한 후, 유기층을 합하여 식염수로 세정한 다음, MgSO4로 건조시켰다. MgSO4의 여과 및 유기층의 농축을 시행하여, 얻어진 조생성물을 silica gel columnchromatography(전개층에는 Hexane과 Toluene의 혼합 용매를 사용)로 정제해, 고체의 화합물 D16 (9.42 g, 수율 71%)을 얻었다. In an Ar atmosphere, in a 300 mL three-necked flask, compound IM-15 10.00 g (14.3 mmol), Pd (dba) 2 0.25 g (0.03 equiv, 0.4 mmol), NaO t Bu 2.75 g (2.0 equiv, 28.6 mmol) , Toluene 72 mL, 4-bromo-1,1':2',1''-terphenyl 4.87 g (1.1 equiv, 15.7 mmol) and PtBu 3 0.29 g (0.1 equiv, 1.4 mmol) were sequentially added to , heated to reflux and stirred. After air-cooling to room temperature, water was added to the reaction solvent, and the organic layer was fractionated. Toluene was added to the aqueous layer, the organic layer was further extracted, and the organic layers were combined, washed with brine, and dried over MgSO 4 . MgSO 4 was filtered and the organic layer was concentrated, and the obtained crude product was purified by silica gel column chromatography (a mixed solvent of hexane and toluene was used for the developing layer) to obtain solid compound D16 (9.42 g, yield 71%). .
FAB-MS를 측정하여, 질량수 m/z = 927이 분자 이온 피크로 관측된 것에 의해 화합물 D16인 것을 확인하였다. FAB-MS was measured, and the mass number m/z = 927 was observed as a molecular ion peak, confirming that it was compound D16.
(17) 화합물 D60의 합성(17) Synthesis of Compound D60
일 실시예에 따른 아민 화합물 D60은 예를 들어 하기 반응식 17의 단계에 의해 합성될 수 있다.Amine compound D60 according to an embodiment may be synthesized, for example, by the steps of Reaction Scheme 17 below.
[반응식 17][Scheme 17]
1) 화합물 IM-16의 합성1) Synthesis of Compound IM-16
아르곤(Ar) 분위기하, 500 mL의 3구 flask에, 화합물 IM-1 15.00 g (39.0 mmol), Pd(dba)2 0.67 g (0.03 equiv, 1.2 mmol), NaO t Bu 3.75 g (1.0 equiv, 39.0 mmol), Toluene 195 mL, 2-bromo-9,9-diphenyl-9H-fluorene 17.05 g (1.1 equiv, 42.9 mmol) 및 P t Bu3 0.79 g (0.1 equiv, 3.9 mmol)을 순차적으로 추가하여, 가열 환류 교반하였다. 실온까지 공랭 후, 반응 용매에 물을 더하여 유기층을 분취하였다. 수층에 Toluene을 더하여 유기층을 한층 더 추출한 후, 유기층을 합하여 식염수로 세정한 다음, MgSO4로 건조시켰다. MgSO4의 여과 및 유기층의 농축을 시행하여, 얻어진 조생성물을 silica gel columnchromatography(전개층에는 Hexane과 Toluene의 혼합 용매를 사용)로 정제해, 화합물 IM-16 (18.87 g, 수율 69%)을 얻었다. In an argon (Ar) atmosphere, in a 500 mL three-necked flask, compound IM-1 15.00 g (39.0 mmol), Pd (dba) 2 0.67 g (0.03 equiv, 1.2 mmol), NaO t Bu 3.75 g (1.0 equiv, 39.0 mmol), 195 mL of toluene, 17.05 g (1.1 equiv, 42.9 mmol) of 2-bromo-9,9-diphenyl-9 H -fluorene, and 0.79 g (0.1 equiv, 3.9 mmol) of P t Bu 3 were added sequentially. , heated to reflux and stirred. After air-cooling to room temperature, water was added to the reaction solvent, and the organic layer was fractionated. Toluene was added to the aqueous layer, the organic layer was further extracted, and the organic layers were combined, washed with brine, and dried over MgSO 4 . MgSO 4 was filtered and the organic layer was concentrated, and the resulting crude product was purified by silica gel column chromatography (a mixed solvent of hexane and toluene was used for the developing layer) to obtain compound IM-16 (18.87 g, yield 69%). .
FAB-MS를 측정하여, 질량수 m/z = 700이 분자 이온 피크로 관측된 것에 의해 화합물 IM-16인 것을 확인하였다. FAB-MS was measured, and the mass number m/z = 700 was observed as a molecular ion peak, confirming that it was compound IM-16.
2) 화합물 D60의 합성2) Synthesis of Compound D60
아르곤(Ar) 분위기하, 300 mL의 3구 flask에, 화합물 IM-16 10.00 g (14.3 mmol), Pd(dba)2 0.25 g (0.03 equiv, 0.4 mmol), NaO t Bu 2.75 g (2.0 equiv, 28.6 mmol), Toluene 72 mL, bromobenzene 2.46 g (1.1 equiv, 15.7 mmol) 및 P t Bu3 0.29 g (0.1 equiv, 1.4 mmol)을 순차적으로 추가하여, 가열 환류 교반하였다. 실온까지 공랭 후, 반응 용매에 물을 더하여 유기층을 분취하였다. 수층에 Toluene을 더하여 유기층을 한층 더 추출한 후, 유기층을 합하여 식염수로 세정한 다음, MgSO4로 건조시켰다. MgSO4의 여과 및 유기층의 농축을 시행하여, 얻어진 조생성물을 silica gel columnchromatography(전개층에는 Hexane과 Toluene의 혼합 용매를 사용)로 정제해, 고체의 화합물 D60 (8.87 g, 수율 80%)을 얻었다. In an argon (Ar) atmosphere, in a 300 mL three-necked flask, compound IM-16 10.00 g (14.3 mmol), Pd (dba) 2 0.25 g (0.03 equiv, 0.4 mmol), NaO t Bu 2.75 g (2.0 equiv, 28.6 mmol), 72 mL of toluene, 2.46 g (1.1 equiv, 15.7 mmol) of bromobenzene, and 0.29 g (0.1 equiv, 1.4 mmol) of P t Bu 3 were sequentially added, followed by heating under reflux. After air-cooling to room temperature, water was added to the reaction solvent, and the organic layer was fractionated. Toluene was added to the aqueous layer, the organic layer was further extracted, and the organic layers were combined, washed with brine, and dried over MgSO 4 . MgSO 4 was filtered and the organic layer was concentrated, and the obtained crude product was purified by silica gel column chromatography (a mixed solvent of hexane and toluene was used for the developing layer) to obtain solid compound D60 (8.87 g, yield 80%). .
FAB-MS를 측정하여, 질량수 m/z = 776이 분자 이온 피크로 관측된 것에 의해 화합물 D60인 것을 확인하였다. FAB-MS was measured, and the mass number m/z = 776 was observed as a molecular ion peak, confirming that it was compound D60.
2. 발광 소자의 제작과 평가2. Fabrication and Evaluation of Light-Emitting Devices
실시예 및 비교예의 화합물들을 정공 수송층에 포함하는 발광 소자에 대한 평가를 아래의 방법으로 진행하였다. 소자 평가를 위한 발광 소자 제작 방법은 아래에 기재하였다.Evaluation of the light emitting device including the compounds of Examples and Comparative Examples in the hole transport layer was performed in the following manner. A light emitting device fabrication method for device evaluation is described below.
(1) 발광 소자 1의 제작(1) Fabrication of light-emitting
유리 기판 상에 두께 1500Å의 ITO를 패터닝한 후, 초순수로 세척하고 UV 오존 처리를 10분간 실시하여 제1 전극을 형성하였다. 그 후, 600Å 두께로 2-TNATA를 증착하여 정공 주입층을 형성하였다. 다음으로 실시예 화합물 또는 비교예 화합물을 300Å 두께로 증착하여 정공 수송층을 형성하였다.After patterning ITO with a thickness of 1500 Å on a glass substrate, washing with ultrapure water and performing UV ozone treatment for 10 minutes to form a first electrode. Then, a hole injection layer was formed by depositing 2-TNATA to a thickness of 600 Å. Next, an example compound or a comparative example compound was deposited to a thickness of 300 Å to form a hole transport layer.
이후, ADN에 TBP를 3% 도프한 250 Å 두께의 발광층을 형성하였다. 다음으로, Alq3을 250 Å 두께로 증착하여 전자 수송층을 형성하고, LiF를 10 Å 두께로 증착하여 전자 주입층을 형성하였다.Thereafter, a light emitting layer having a thickness of 250 Å in which ADN was doped with 3% of TBP was formed. Next, Alq 3 was deposited to a thickness of 250 Å to form an electron transport layer, and LiF was deposited to a thickness of 10 Å to form an electron injection layer.
다음으로, 알루미늄(Al)을 1000Å의 두께로 제공하여 제2 전극을 형성하였다.Next, aluminum (Al) was provided to a thickness of 1000 Å to form a second electrode.
실시예에서, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 및 제2 전극은 진공 증착 장치를 이용하여 형성하였다.In the embodiment, the hole injection layer, the hole transport layer, the light emitting layer, the electron transport layer, the electron injection layer, and the second electrode were formed using a vacuum deposition apparatus.
(2) 발광 소자 2의 제작(2) Fabrication of light emitting
유리 기판 상에 두께 1500Å의 ITO를 패터닝한 후, 초순수로 세척하고 UV 오존 처리를 10분간 실시하여 제1 전극을 형성하였다. 그 후, 600Å 두께로 2-TNATA를 증착하여 정공 주입층을 형성하였다. 다음으로 H-1-1을 200Å 두께로 증착하여 정공 수송층을 형성한 후, 실시예 화합물 또는 비교예 화합물을 100Å 두께로 증착하여 전자 저지층을 형성하였다.After patterning ITO with a thickness of 1500 Å on a glass substrate, washing with ultrapure water and performing UV ozone treatment for 10 minutes to form a first electrode. Then, a hole injection layer was formed by depositing 2-TNATA to a thickness of 600 Å. Next, after depositing H-1-1 to a thickness of 200 Å to form a hole transport layer, an example compound or a comparative example compound was deposited to a thickness of 100 Å to form an electron blocking layer.
이후, ADN에 TBP를 3% 도프한 250 Å 두께의 발광층을 형성하였다. 다음으로, Alq3을 250 Å 두께로 증착하여 전자 수송층을 형성하고, LiF를 10 Å 두께로 증착하여 전자 주입층을 형성하였다.Thereafter, a light emitting layer having a thickness of 250 Å in which ADN was doped with 3% of TBP was formed. Next, Alq 3 was deposited to a thickness of 250 Å to form an electron transport layer, and LiF was deposited to a thickness of 10 Å to form an electron injection layer.
다음으로, 알루미늄(Al)을 1000Å의 두께로 제공하여 제2 전극을 형성하였다.Next, aluminum (Al) was provided to a thickness of 1000 Å to form a second electrode.
실시예에서, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 저지층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 및 제2 전극은 진공 증착 장치를 이용하여 형성하였다.In the example, the hole injection layer, the hole transport layer, the electron blocking layer, the light emitting layer, the electron transport layer, the electron injection layer, and the second electrode were formed using a vacuum deposition apparatus.
한편, 실시예 화합물의 분자량은 JEOL사의 JMS-700V를 이용하여 FAB-MS를 측정하였다. 또 실시예 화합물의 NMR은 Bruker Biospin K.K.사의 AVAVCE300M을 이용하여 1H-NMR을 측정하였다. 아래의 발광 소자들의 평가에서, 소자 전류 밀도, 전압, 발광 효율은 Keithley Instruments사 제품 2400 Series의 Source Meter, 주식회사 Konica Minolta사 제품 색채 휘도계 CS-200, 주식회사 일본 national Instruments사 제품 측정용 PC Program LabVIEW8.2를 사용하여 암실에서 시행하였다. Meanwhile, the molecular weight of the example compounds was measured by FAB-MS using JEOL's JMS-700V. In addition, NMR of the example compounds was measured by 1H-NMR using AVAVCE300M manufactured by Bruker Biospin K.K. In the evaluation of the light emitting devices below, the device current density, voltage, and luminous efficiency were determined by Keithley Instruments 2400 Series Source Meter, Konica Minolta Co., Ltd. color luminance meter CS-200, and Japan National Instruments Co., Ltd. PC Program LabVIEW 8 for measurement. .2 was used in a dark room.
발광 소자 1 및 발광 소자 2의 제작에 사용된 실시예 화합물 및 비교예 화합물은 아래와 같다.Example compounds and comparative example compounds used in the fabrication of light emitting
<실시예 화합물><Example compound>
<비교예 화합물><Comparative Example Compound>
그 외, 발광 소자 1,2의 제작에 사용된 각 기능층들의 화합물은 아래와 같다.In addition, the compounds of each functional layer used in the fabrication of the
(3) 발광 소자 1 및 발광 소자 2의 평가(3) Evaluation of Light-emitting
1) 발광 소자 1의 평가1) Evaluation of light-emitting
표 1에는 실시예 1-1 내지 실시예 1-17 및 비교예 1-1 내지 1-8에 대한 발광 소자 1의 평가 결과를 나타내고, 표 2에는 실시예 2-1 내지 실시예 2-17 및 비교예 2-1 내지 2-8에 대한 발광 소자 2의 평가 결과를 나타내었다. 표 1 및 표 2 각각에는 제작된 발광 소자 1 및 발광 소자 2의 최대 발광 효율 및 반감 수명을 비교하여 나타내었다. 표 1 및 2에 나타낸 실시예 및 비교예에 대한 특성 평가 결과에서 발광 효율은 10mA/cm2의 전류 밀도에서의 효율 값을 나타낸 것이다. Table 1 shows the evaluation results of light emitting
소자 수명은 1000 cd/㎡에서 연속 구동 시 초기 휘도로부터 50%의 휘도 값을 가질 때의 시간을 비교예 1-3 및 비교예 2-3과 비교하여 상대적으로 나타낸 값이다.The device life is a value representing the time when the luminance value is 50% from the initial luminance during continuous operation at 1000 cd/m2 compared to Comparative Example 1-3 and Comparative Example 2-3.
아래 표 1 및 표 2에서 발광 효율 및 소자 수명은 비교예 1-3 및 비교예 2-3의 발광 효율 및 수명을 100%으로 하여, 이에 대한 비교 값을 나타내었다.In Table 1 and Table 2 below, the luminous efficiency and lifespan of Comparative Example 1-3 and Comparative Example 2-3 are 100%, and comparative values are shown.
표 1의 결과를 참조하면, 본 발명에 따른 일 실시예의 아민 화합물을 정공 수송층 재료로 사용한 발광 소자의 실시예들은 우수한 발광 효율 및 개선된 소자 수명 특성을 나타내는 것을 알 수 있다. 즉, 표 1을 참조하면, 실시예 1-1 내지 실시예 1-17은 비교예 1-1 내지 비교예 1-8의 발광 소자에 비교하여 장수명 및 고효율의 특성을 나타내는 것을 확인 할 수 있다. 즉, 실시예의 아민 화합물은 벤조카바졸 모이어티 및 적어도 하나의 나프틸기, 페난트릴기, 벤조헤테롤기, 플루오레닐기를 포함하여 비교예 대비 고효율 및 장수명 특성을 동시에 나타내는 것을 확인 할 수 있다.Referring to the results of Table 1, it can be seen that examples of light emitting devices using an amine compound according to an embodiment of the present invention as a hole transport layer material exhibit excellent luminous efficiency and improved device lifetime characteristics. That is, referring to Table 1, it can be confirmed that Examples 1-1 to 1-17 exhibit characteristics of long life and high efficiency compared to the light emitting devices of Comparative Examples 1-1 to 1-8. That is, it can be confirmed that the amine compound of Example includes a benzocarbazole moiety and at least one naphthyl group, a phenanthryl group, a benzoheterol group, and a fluorenyl group, and simultaneously exhibits high efficiency and long life characteristics compared to the comparative example.
구체적으로, 2-carbazole 골격에 방향족 고리가 축합된 벤조카바졸 모이어티(moiety)를 포함하는 실시예의 아민 화합물은, HOMO 궤도가 신장하는 위치에 방향족 고리를 축합시킨 구조를 포함함으로써, 개선된 라디칼 또는 라디칼 양이온 상태의 안정성을 나타낼 수 있다. 또한, 분자의 바깥 측에 방향족 고리가 신장함으로써 분자 간의 π-π 상호 작용이 증강되며, 정공 수송성이 향상되어, 구동 전압 저감과 고효율화에 기여할 수 있다. 또한, 실시예의 아민 화합물은 아민 부위에 나프틸기, 페난트릴기, 벤조헤테롤기, 플루오레닐기와 같은 치환기를 도입함으로써, 개선된 전자 내성 및 여기자 내성을 나타낼 수 있다. 이들 효과가 상승적으로 작용함으로써, 일 실시예의 아민 화합물을 발광 소자용 재료로 이용하여 고효율 및 장수명 특성을 구현할 수 있는 것을 확인하였다. Specifically, the amine compound of the embodiment including a benzocarbazole moiety in which an aromatic ring is condensed to a 2-carbazole skeleton includes a structure in which an aromatic ring is condensed at a position where the HOMO orbital extends, thereby improving radical or the stability of a radical cation state. In addition, by extending the aromatic ring on the outside of the molecule, the π-π interaction between the molecules is enhanced and the hole transport property is improved, thereby contributing to a reduction in driving voltage and high efficiency. In addition, the amine compounds of Examples may exhibit improved electron resistance and exciton resistance by introducing a substituent such as a naphthyl group, a phenanthryl group, a benzoheterol group, or a fluorenyl group at an amine site. As these effects act synergistically, it was confirmed that high efficiency and long life characteristics can be implemented by using the amine compound of one embodiment as a material for a light emitting device.
이와 비교하여 비교예 1-1에서 사용된 비교예 화합물 R1은, carbazole 골격을 가지는 것으로, 실시예의 아민 화합물의 benzocarbazole 골격에 의한 안정화 효과 및 정공 수송성 향상 효과가 감소되어 실시예 화합물들 대비 발광 효율소자 수명이 같이 저하되었다. In comparison, Comparative Example Compound R1 used in Comparative Example 1-1 has a carbazole skeleton, and the stabilizing effect and hole transport improvement effect by the benzocarbazole skeleton of the amine compound of the Examples are reduced, resulting in a luminous efficiency device compared to the Example compounds. Life expectancy decreased as well.
비교예 1-2에서 사용된 비교예 화합물 R2는, benzocarbazole 골격을 갖는 재료이나, benzocarbazole이 amine과 직접 결합되어, HOMO 궤도의 확장이 좁아져, 실시예 화합물들과 비교하여 특히 소자 수명이 저하되었다. Comparative Example Compound R2 used in Comparative Example 1-2 is a material having a benzocarbazole skeleton, but benzocarbazole is directly bonded to amine, so the expansion of the HOMO orbital is narrowed, and the device lifetime is particularly reduced compared to the Example compounds. .
비교예 1-3에서 사용된 비교예 화합물 R3은, benzocarbazole 골격을 갖는 재료이나, amine 측에 본 제안 발명에서 나타내는 화학식 2 내지 화학식 5 와 같은 치환기를 갖지 않으며, 전자 내성 및 여기자 내성이 충분치 않아, 실시예 화합물들과 비교하여 발광 효율 및 소자 수명이 모두 저하되었다. Comparative Example Compound R3 used in Comparative Examples 1-3 is a material having a benzocarbazole skeleton, but does not have substituents on the amine side as shown in
비교예 1-4 및 1-5에서 사용된 비교예 화합물 R4 및 R5는, benzocarbazole과 amine을 연결하는 linker가 실시예의 화합물들과 상이하며, linker 부분이 비틀려 HOMO 궤도의 확장이 좁아져, 실시예와 비교하여 특히 소자 수명이 저하되었다. In Comparative Example Compounds R4 and R5 used in Comparative Examples 1-4 and 1-5, the linker connecting the benzocarbazole and the amine is different from the compounds of Examples, and the linker part is twisted to narrow the expansion of the HOMO orbital. Compared to Example, the life of the element in particular was lowered.
비교예 1-6 및 1-7에서 사용된 비교예 화합물 R6 및 R7은, benzocarbazole의 질소 원자에 탄소수가 많은 aryl기가 치환되어, 실시예 화합물과 비교하여 발광 효율 및 소자 수명이 모두 저하된 것을 알 수 있다. Benzocarbazole의 질소 원자에 탄소수가 많은 aryl기가 치환된 경우, 재료의 증착 온도가 상승해, 해당하는 N-aryl 사이의 결합이 개열해 재료가 열화되는 것으로 추측된다. 실시예의 화합물들과 같이, benzocarbazole의 질소 원자를 phenyl기로 함으로써, 증착 온도의 상승을 억제할 수 있으며, 우수한 소자 특성을 발현할 수 있다.Comparative Example compounds R6 and R7 used in Comparative Examples 1-6 and 1-7 are substituted with an aryl group having a large number of carbon atoms at the nitrogen atom of benzocarbazole, and it can be seen that both the luminous efficiency and device lifetime are reduced compared to the Example compounds. can It is presumed that when the nitrogen atom of benzocarbazole is substituted with an aryl group having a large number of carbon atoms, the deposition temperature of the material increases, and the bond between the corresponding N-aryls is cleaved, resulting in material deterioration. As in the compounds of Examples, by converting the nitrogen atom of benzocarbazole into a phenyl group, an increase in deposition temperature can be suppressed and excellent device characteristics can be exhibited.
비교예 1-8에서 사용된 비교예 화합물 R8은, 탄소수가 많은 aryl기가 벤조카바졸의 질소 원자에 결합된 것으로, dihydrophenanthrene 부위의 전자 내성 및 여기자 내성이 충분치 않아, 실시예 화합물들과 비교하여 발광 효율 및 소자 수명이 모두 저하된 것을 알 수 있다. Comparative Example Compound R8 used in Comparative Examples 1-8 has an aryl group having a large number of carbon atoms bonded to the nitrogen atom of benzocarbazole, and the electron tolerance and exciton tolerance of the dihydrophenanthrene site are not sufficient. It can be seen that both the efficiency and device lifetime are reduced.
표 2의 결과를 참조하면, 실시예 2-1 내지 실시예 2-17은 비교예 2-1 내지 비교예 2-8의 발광 소자에 비교하여 장수명 및 고효율의 특성을 나타내는 것을 확인 할 수 있다. 즉, 일 실시예의 아민 화합물을 전자 저지층에 이용한 경우에도, 우수한 소자 특성을 발현할 수 있는 것을 알 수 있다.Referring to the results of Table 2, it can be confirmed that Examples 2-1 to 2-17 exhibit long lifespan and high efficiency compared to the light emitting devices of Comparative Examples 2-1 to 2-8. That is, it can be seen that excellent device characteristics can be expressed even when the amine compound of one embodiment is used for the electron blocking layer.
이와 같이, 실시예들에서 사용된 화합물들은, 비교예들에서 사용된 화합물들과 비교해 발광 효율과 발광 수명을 동시에 향상시킬 수 있다. 즉, 일 실시예에 따른 발광 소자에 벤조카바졸 모이어티와 나프틸기, 페난트릴기, 벤조헤테롤기 및 플루오레닐기 중 적어도 하나의 치환기를 포함하는 아민 화합물을 사용하여 소자 효율과 소자 수명을 동시에 향상시키는 것이 가능하다. As such, the compounds used in Examples can simultaneously improve luminous efficiency and luminous lifetime compared to the compounds used in Comparative Examples. That is, by using an amine compound including a benzocarbazole moiety and at least one substituent selected from a naphthyl group, a phenanthryl group, a benzoheterol group, and a fluorenyl group in the light emitting device according to an embodiment, the device efficiency and device lifespan can be improved. It is possible to improve at the same time.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art or those having ordinary knowledge in the art do not deviate from the spirit and technical scope of the present invention described in the claims to be described later. It will be understood that the present invention can be variously modified and changed within the scope not specified.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.Therefore, the technical scope of the present invention is not limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.
ED : 발광 소자
EL1 : 제1 전극
EL2 : 제2 전극 HTR : 정공 수송 영역
EML : 발광층 ETR : 전자 수송 영역
HTL : 정공 수송층 CPL : 캡핑층ED: light emitting element EL1: first electrode
EL2: second electrode HTR: hole transport region
EML: light-emitting layer ETR: electron transport region
HTL: hole transport layer CPL: capping layer
Claims (20)
상기 제1 전극 상에 배치된 제2 전극; 및
상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치되고, 하기 화학식 1로 표시되는 아민 화합물을 포함하는 적어도 하나의 기능층; 을 포함하는 발광 소자:
[화학식 1]
상기 화학식 1에서,
R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 중수소 원자이고,
a1은 0 이상 5 이하의 정수이고, a2는 0 이상 6 이하의 정수이고, a3은 0 이상 3 이하의 정수이고, a4는 0 이상 4 이하의 정수이고, n은 1 또는 2이며,
L1 및 L2는 각각 독립적으로 직접 결합(direct linkage), 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 5 이상 30 이하의 헤테로아릴렌기이고,
Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 40 이하의 아릴기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 5 이상 40 이하의 헤테로아릴기, 또는 하기 화학식 2 내지 화학식 5 중 어느 하나이고,
상기 Ar1 및 Ar2 중 적어도 하나는 하기 화학식 2 내지 화학식 5 중 어느 하나이다:
[화학식 2]
[화학식 3]
[화학식 4]
[화학식 5]
상기 화학식 2 내지 화학식 5에서,
는 상기 화학식 1의 L1 또는 L2와 결합되는 부분이고,
R5 내지 R9는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 5 이상 30 이하의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 30 이하의 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 이상 30 이하의 알케닐기이거나, 또는 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성하고,
a5, a7 및 a8은 각각 독립적으로 0 이상 7 이하의 정수이고, a6은 0 이상 9 이하의 정수이고, a9는 0 이상 8 이하의 정수이고,
상기 화학식 4에서, X는 O 또는 S이고,
상기 화학식 5에서, b는 0 또는 1이고, b가 1인 경우 Y는 직접 결합이다.a first electrode;
a second electrode disposed on the first electrode; and
at least one functional layer disposed between the first electrode and the second electrode and including an amine compound represented by Chemical Formula 1 below; A light emitting device comprising:
[Formula 1]
In Formula 1,
R 1 to R 4 are each independently a hydrogen atom or a deuterium atom;
a1 is an integer of 0 or more and 5 or less, a2 is an integer of 0 or more and 6 or less, a3 is an integer of 0 or more and 3 or less, a4 is an integer of 0 or more and 4 or less, n is 1 or 2,
L 1 and L 2 are each independently a direct linkage, a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms for forming a ring, or a substituted or unsubstituted heteroarylene group having 5 to 30 carbon atoms for forming a ring; ,
Ar 1 and Ar 2 are each independently a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 40 carbon atoms for forming a ring, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 5 to 40 carbon atoms for forming a ring, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 5 to 40 carbon atoms for forming a ring; which one,
At least one of Ar 1 and Ar 2 is any one of the following Formulas 2 to 5:
[Formula 2]
[Formula 3]
[Formula 4]
[Formula 5]
In Formulas 2 to 5,
Is a moiety bonded to L 1 or L 2 of Formula 1,
R 5 to R 9 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 5 or more and 30 or less ring carbon atoms. , A substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted alkenyl group having 2 to 30 carbon atoms, or bonded to an adjacent group to form a ring,
a5, a7, and a8 are each independently an integer of 0 or more and 7 or less, a6 is an integer of 0 or more and 9 or less, a9 is an integer of 0 or more and 8 or less,
In Formula 4, X is O or S,
In Formula 5, b is 0 or 1, and when b is 1, Y is a direct bond.
상기 적어도 하나의 기능층은 발광층, 상기 제1 전극과 상기 발광층 사이에 배치된 정공 수송 영역, 및 상기 발광층과 상기 제2 전극 사이에 배치된 전자 수송 영역을 포함하고,
상기 정공 수송 영역은 상기 아민 화합물을 포함하는 발광 소자.According to claim 1,
the at least one functional layer includes a light emitting layer, a hole transport region disposed between the first electrode and the light emitting layer, and an electron transport region disposed between the light emitting layer and the second electrode;
Wherein the hole transport region includes the amine compound.
상기 정공 수송 영역은 정공 주입층, 정공 수송층, 및 전자 저지층 중 적어도 하나를 포함하고,
상기 정공 주입층, 상기 정공 수송층, 및 상기 전자 저지층 중 적어도 하나는 상기 아민 화합물을 포함하는 발광 소자.According to claim 2,
The hole transport region includes at least one of a hole injection layer, a hole transport layer, and an electron blocking layer;
At least one of the hole injection layer, the hole transport layer, and the electron blocking layer includes the amine compound.
상기 화학식 1에서,
상기 Ar1 및 Ar2 중 어느 하나가 화학식 2인 경우, 나머지 하나는 상기 화학식 2 또는 상기 화학식 3이거나,
상기 Ar1 및 Ar2 중 어느 하나가 화학식 3인 경우, 나머지 하나는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 40 이하의 아릴기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 5 이상 40 이하의 헤테로아릴기, 또는 상기 화학식 3 내지 상기 화학식 5 중 어느 하나이거나,
상기 Ar1 및 Ar2 중 어느 하나가 상기 화학식 4인 경우, 나머지 하나는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 40 이하의 아릴기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 5 이상 40 이하의 헤테로아릴기, 또는 상기 화학식 4 및 상기 화학식 5 중 어느 하나이거나, 또는
상기 Ar1 및 Ar2 중 어느 하나가 상기 화학식 5인 경우, 나머지 하나는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 40 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 5 이상 40 이하의 헤테로아릴기인 발광 소자.According to claim 1,
In Formula 1,
When either of Ar 1 and Ar 2 is Formula 2, the other is Formula 2 or Formula 3, or
When any one of Ar 1 and Ar 2 is Formula 3, the other is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 or more and 40 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 5 or more and 40 or less ring carbon atoms. , Or any one of Formula 3 to Formula 5,
When any one of Ar 1 and Ar 2 is represented by Formula 4, the other is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 or more and 40 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 5 or more and 40 or less ring carbon atoms. a group, or any one of Formula 4 and Formula 5 above, or
When any one of Ar 1 and Ar 2 is represented by Formula 5, the other is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 or more and 40 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted hetero group having 5 or more and 40 or less ring carbon atoms. An aryl group light-emitting element.
상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1로 표시되는 발광 소자:
[화학식 1-1]
상기 화학식 1-1에서, R1 내지 R3, a1 내지 a3, L1, L2, Ar1 및 Ar2는 상기 화학식 1의 정의와 동일하다.According to claim 1,
Chemical Formula 1 is a light emitting device represented by Chemical Formula 1-1:
[Formula 1-1]
In Formula 1-1, R 1 to R 3 , a1 to a3, L 1 , L 2 , Ar 1 and Ar 2 are the same as defined in Formula 1 above.
상기 L1 및 L2는 각각 독립적으로 직접 결합, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기인 발광 소자.According to claim 1,
Wherein L 1 and L 2 are each independently a direct bond or a substituted or unsubstituted arylene group having 6 or more and 30 or less carbon atoms.
상기 화학식 2는 하기 2-1 및 2-2 중 어느 하나로 표시되는 발광 소자:
상기 2-1 및 2-2에서,
R5i 및 R5j는 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기이고,
a5i는 0 이상 3 이하의 정수이고, a5j는 0 이상 4 이하의 정수이다. According to claim 1,
Formula 2 is a light emitting device represented by any one of the following 2-1 and 2-2:
In 2-1 and 2-2 above,
R 5i and R 5j are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, or a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 ring carbon atoms;
a5i is an integer of 0 or more and 3 or less, and a5j is an integer of 0 or more and 4 or less.
상기 화학식 3은 하기 3-1 내지 3-3 중 어느 하나로 표시되는 발광 소자:
상기 3-1 내지 3-3에서,
R6i, R6j, R6k, R6l 및 R6m은 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기이고,
a6i는 0 이상 4 이하의 정수이며,
상기 3-1에서, a6k는 0 이상 4 이하의 정수이고,
상기 3-2 및 3-3에서, a6l은 0 이상 2 이하의 정수이고, a6m은 0 이상 3 이하의 정수이다.According to claim 1,
Formula 3 is a light emitting device represented by any one of the following 3-1 to 3-3:
In 3-1 to 3-3 above,
R 6i , R 6j , R 6k , R 6l and R 6m are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, or a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 ring carbon atoms;
a6i is an integer greater than or equal to 0 and less than or equal to 4;
In the above 3-1, a6k is an integer of 0 or more and 4 or less,
In 3-2 and 3-3 above, a6l is an integer of 0 or more and 2 or less, and a6m is an integer of 0 or more and 3 or less.
상기 화학식 4는 하기 4-1 내지 4-4 중 어느 하나로 표시되는 발광 소자:
상기 4-1 내지 4-4에서,
R7i 및 R7j는 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기이거나, 또는 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성하고,
a7i는 0 이상 3 이하의 정수이고, a7j는 0 이상 4 이하의 정수이다.According to claim 1,
Formula 4 is a light emitting device represented by any one of the following 4-1 to 4-4:
In 4-1 to 4-4 above,
R 7i and R 7j are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, or a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 ring carbon atoms, or bonded to adjacent groups to form a ring;
a7i is an integer of 0 or more and 3 or less, and a7j is an integer of 0 or more and 4 or less.
상기 화학식 5는 하기 5-1 내지 5-6 중 어느 하나로 표시되는 발광 소자:
상기 5-1 내지 5-6에서,
R8i, R8j, R9i 및 R9j는 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기이거나, 또는 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성하고,
a8i는 0 이상 3 이하의 정수이고, a8j, a9i 및 a9j는 0 이상 4 이하의 정수이다. According to claim 1,
Formula 5 is a light emitting device represented by any one of the following 5-1 to 5-6:
In 5-1 to 5-6 above,
R 8i , R 8j , R 9i and R 9j are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, or a substituted or unsubstituted aryl group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or bonded to adjacent groups to form a ring; ,
a8i is an integer of 0 or more and 3 or less, and a8j, a9i and a9j are integers of 0 or more and 4 or less.
상기 발광층은 하기 화학식 E-1로 표시되는 화합물을 포함하는 발광 소자:
[화학식 E-1]
화학식 E-1에서, R31 내지 R40은 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 티오기, 치환 또는 비치환된 옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 이상 10 이하의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이거나, 또는 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성하고,
c 및 d는 각각 독립적으로 0 이상 5 이하의 정수이다.According to claim 2,
The light emitting layer is a light emitting device including a compound represented by Formula E-1:
[Formula E-1]
In Formula E-1, R 31 to R 40 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted silyl group, a substituted or unsubstituted thio group, a substituted or unsubstituted oxy group, or a substituted Or an unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms for ring formation, or a substituted or unsubstituted ring group. A heteroaryl group having 2 or more and 30 or less carbon atoms, or bonded to an adjacent group to form a ring;
c and d are each independently an integer of 0 or more and 5 or less.
상기 아민 화합물은 하기 화합물군 1의 화합물들 중 어느 하나로 표시되는 발광 소자:
[화합물군 1]
.According to claim 1,
The amine compound is a light emitting device represented by any one of the compounds of compound group 1:
[Compound group 1]
.
[화학식 1]
상기 화학식 1에서,
R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 중수소 원자이고,
a1은 0 이상 5 이하의 정수, a2는 0 이상 6 이하의 정수, a3은 0 이상 3 이하의 정수, a4는 0 이상 4 이하의 정수, n은 1 또는 2이며,
L1 및 L2는 각각 독립적으로 직접 결합(direct linkage), 치환 또는 비치환된 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 5 이상 30 이하의 헤테로아릴렌기이고,
Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 40 이하의 아릴기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 5 이상 40 이하의 헤테로아릴기, 또는 하기 화학식 2 내지 화학식 5 중 어느 하나이고,
상기 Ar1 및 Ar2 중 적어도 하나는 하기 화학식 2 내지 화학식 5 중 어느 하나이다:
[화학식 2]
[화학식 3]
[화학식 4]
[화학식 5]
상기 화학식 2 내지 화학식 5에서,
는 상기 화학식 1의 L1 또는 L2와 결합되는 부분이고,
R5 내지 R9는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 5 이상 30 이하의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 30 이하의 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 이상 30 이하의 알케닐기이거나, 또는 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성하고,
a5, a7 및 a8은 각각 독립적으로 0 이상 7 이하의 정수이고, a6은 0 이상 9 이하의 정수이고, a9는 0 이상 8 이하의 정수이고,
상기 화학식 4에서, X는 O 또는 S이고,
상기 화학식 5에서, b는 0 또는 1이고, b가 1인 경우 Y는 직접 결합이다.An amine compound represented by Formula 1 below:
[Formula 1]
In Formula 1,
R 1 to R 4 are each independently a hydrogen atom or a deuterium atom;
a1 is an integer of 0 to 5, a2 is an integer of 0 to 6, a3 is an integer of 0 to 3, a4 is an integer of 0 to 4, n is 1 or 2,
L 1 and L 2 are each independently a direct linkage, a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroarylene group having 5 to 30 carbon atoms for ring formation;
Ar 1 and Ar 2 are each independently a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 40 carbon atoms for forming a ring, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 5 to 40 carbon atoms for forming a ring, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 5 to 40 carbon atoms for forming a ring; which one,
At least one of Ar 1 and Ar 2 is any one of the following Formulas 2 to 5:
[Formula 2]
[Formula 3]
[Formula 4]
[Formula 5]
In Formulas 2 to 5,
Is a moiety bonded to L 1 or L 2 of Formula 1,
R 5 to R 9 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 5 or more and 30 or less ring carbon atoms. , A substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted alkenyl group having 2 to 30 carbon atoms, or bonded to an adjacent group to form a ring,
a5, a7, and a8 are each independently an integer of 0 or more and 7 or less, a6 is an integer of 0 or more and 9 or less, a9 is an integer of 0 or more and 8 or less,
In Formula 4, X is O or S,
In Formula 5, b is 0 or 1, and when b is 1, Y is a direct bond.
상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1로 표시되는 아민 화합물:
상기 화학식 1-1에서, R1 내지 R3, a1 내지 a3, L1, L2, Ar1 및 Ar2는 상기 화학식 1의 정의와 동일하다.According to claim 13,
Formula 1 is an amine compound represented by the following Formula 1-1:
In Formula 1-1, R 1 to R 3 , a1 to a3, L 1 , L 2 , Ar 1 and Ar 2 are the same as defined in Formula 1 above.
상기 L1 및 L2는 각각 독립적으로 직접 결합, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기인 아민 화합물.According to claim 13,
Wherein L 1 and L 2 are each independently a direct bond or a substituted or unsubstituted arylene group having 6 or more and 30 or less carbon atoms.
상기 화학식 2는 하기 2-1 및 2-2 중 어느 하나로 표시되는 아민 화합물:
상기 2-1 및 2-2에서,
R5i 및 R5j는 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기이고,
a5i는 0 이상 3 이하의 정수이고, a5j는 0 이상 4 이하의 정수이다. According to claim 13,
Formula 2 is an amine compound represented by any one of the following 2-1 and 2-2:
In 2-1 and 2-2 above,
R 5i and R 5j are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, or a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 ring carbon atoms;
a5i is an integer of 0 or more and 3 or less, and a5j is an integer of 0 or more and 4 or less.
상기 화학식 3은 하기 3-1 내지 3-3 중 어느 하나로 표시되는 아민 화합물:
상기 3-1 내지 3-3에서,
R6i, R6j, R6k, R6l, R6k 및 R6m은 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기이고,
a6i는 0 이상 4 이하의 정수이며,
상기 3-1에서, a6k는 0 이상 4 이하의 정수이고,
상기 3-2 및 3-3에서, a6l은 0 이상 2 이하의 정수이고, a6m은 0 이상 3 이하의 정수이다.According to claim 13,
Formula 3 is an amine compound represented by any one of the following 3-1 to 3-3:
In 3-1 to 3-3 above,
R 6i , R 6j , R 6k , R 6l , R 6k and R 6m are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, or a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 ring carbon atoms,
a6i is an integer greater than or equal to 0 and less than or equal to 4;
In the above 3-1, a6k is an integer of 0 or more and 4 or less,
In 3-2 and 3-3 above, a6l is an integer of 0 or more and 2 or less, and a6m is an integer of 0 or more and 3 or less.
상기 화학식 4는 하기 4-1 내지 4-4 중 어느 하나로 표시되는 아민 화합물:
상기 4-1 내지 4-4에서,
R7i 및 R7j는 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기이거나, 또는 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성하고,
a7i는 0 이상 3 이하의 정수이고, a7j는 0 이상 4 이하의 정수이다.According to claim 1,
Formula 4 is an amine compound represented by any one of the following 4-1 to 4-4:
In 4-1 to 4-4 above,
R 7i and R 7j are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, or a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 ring carbon atoms, or bonded to adjacent groups to form a ring;
a7i is an integer of 0 or more and 3 or less, and a7j is an integer of 0 or more and 4 or less.
상기 화학식 5는 하기 5-1 내지 5-6 중 어느 하나로 표시되는 아민 화합물:
상기 5-1 내지 5-6에서,
R8i, R8j, R9i 및 R9j는 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기이거나, 또는 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성하고,
a8i는 0 이상 3 이하의 정수이고, a8j, a9i 및 a9j는 0 이상 4 이하의 정수이다. According to claim 13,
Formula 5 is an amine compound represented by any one of the following 5-1 to 5-6:
In 5-1 to 5-6 above,
R 8i , R 8j , R 9i and R 9j are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, or a substituted or unsubstituted aryl group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or bonded to adjacent groups to form a ring; ,
a8i is an integer of 0 or more and 3 or less, and a8j, a9i and a9j are integers of 0 or more and 4 or less.
상기 화학식 1은 하기 화합물군 1의 화합물들 중 어느 하나로 표시되는 아민 화합물:
[화합물군 1]
.
According to claim 13,
Formula 1 is an amine compound represented by any one of the compounds of Compound Group 1:
[Compound group 1]
.
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