KR102529651B1 - Light emitting device - Google Patents

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KR102529651B1
KR102529651B1 KR1020210119307A KR20210119307A KR102529651B1 KR 102529651 B1 KR102529651 B1 KR 102529651B1 KR 1020210119307 A KR1020210119307 A KR 1020210119307A KR 20210119307 A KR20210119307 A KR 20210119307A KR 102529651 B1 KR102529651 B1 KR 102529651B1
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Abstract

일 실시예의 발광 소자는 제1 전극, 제2 전극, 및 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 발광층에 하기 화학식 1로 표시되는 축합환 화합물을 포함하여 높은 발광 효율 특성 및 개선된 수명 특성을 나타낼 수 있다.
[화학식 1]

Figure 112021103667516-pat00181
The light emitting device of one embodiment includes a condensed cyclic compound represented by Formula 1 in the first electrode, the second electrode, and the light emitting layer disposed between the first electrode and the second electrode to have high luminous efficiency and improved lifespan characteristics. can indicate
[Formula 1]
Figure 112021103667516-pat00181

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Description

발광 소자{LIGHT EMITTING DEVICE}Light emitting device {LIGHT EMITTING DEVICE}

본 발명은 발광 소자에 관한 것이며, 보다 상세하게는 발광층에 신규한 축합환 화합물을 포함하는 발광 소자에 관한 것이다. The present invention relates to a light emitting device, and more particularly, to a light emitting device including a novel condensed cyclic compound in a light emitting layer.

최근, 영상 표시 장치로서, 유기 전계 발광 표시 장치(Organic Electroluminescence Display Device) 등의 개발이 왕성하게 이루어져 왔다. 유기 전계 발광 표시 장치 등은 제1 전극 및 제2 전극으로부터 주입된 정공 및 전자를 발광층에서 재결합시킴으로써, 발광층의 발광 재료를 발광시켜 표시를 실현하는 소위 자발광형의 발광 소자를 포함한 표시 장치이다.Recently, as an image display device, development of an organic electroluminescence display device or the like has been actively conducted. An organic electroluminescent display device or the like is a display device including a so-called self-luminous type light emitting element in which holes and electrons injected from a first electrode and a second electrode are recombinated in a light emitting layer to realize display by emitting light from a light emitting material in the light emitting layer.

발광 소자를 표시 장치에 응용함에 있어서는, 저 구동 전압화, 고 발광 효율화 및 장수명화가 요구되고 있으며, 이를 안정적으로 구현할 수 있는 발광 소자용 재료 개발이 지속적으로 요구되고 있다.In application of a light emitting device to a display device, low driving voltage, high luminous efficiency, and long lifespan are required, and development of a material for a light emitting device that can stably implement this is continuously required.

특히, 최근에는 고효율 발광 소자를 구현하기 위해 삼중항 상태의 에너지를 이용하는 인광 발광이나, 삼중항 여기자의 충돌에 의해 일중항 여기자가 생성되는 현상(Triplet-triplet annihilation, TTA)를 이용한 지연 형광 발광에 대한 기술이 개발되고 있으며, 지연 형광 현상을 이용한 열 활성 지연 형광(Thermally Activated Delayed Fluorescence, TADF) 재료에 대한 개발이 진행되고 있다.In particular, recently, in order to implement a high-efficiency light emitting device, phosphorescence using triplet state energy or delayed fluorescence emission using triplet-triplet annihilation (TTA), a phenomenon in which singlet excitons are generated by collision of triplet excitons technology is being developed, and development of a Thermally Activated Delayed Fluorescence (TADF) material using a delayed fluorescence phenomenon is in progress.

본 발명의 목적은 우수한 발광 효율 및 장수명 특성을 나타내는 발광 소자를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a light emitting device exhibiting excellent luminous efficiency and long lifespan characteristics.

일 실시예는 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 배치된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치되며, 하기 화학식 1로 표시되는 축합환 화합물을 포함하는 발광층; 을 포함하고, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 각각 독립적으로, Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Mo, Ti, W, In, Sn, 및 Zn 중 선택되는 적어도 하나, 이들 중 선택되는 2종 이상의 화합물, 이들 중 선택되는 2종 이상의 혼합물, 또는 이들의 산화물을 포함하는 발광 소자를 제공한다.One embodiment is a first electrode; a second electrode disposed on the first electrode; and a light emitting layer disposed between the first electrode and the second electrode and including a condensed cyclic compound represented by Formula 1 below; and wherein the first electrode and the second electrode are each independently Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/ Provides a light emitting device comprising at least one selected from Al, Mo, Ti, W, In, Sn, and Zn, two or more compounds selected from among them, a mixture of two or more kinds thereof, or oxides thereof .

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112021103667516-pat00001
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상기 화학식 1에서, X1 내지 X4는 각각 독립적으로 O, S, CR5R6, 또는 NR7이고, m 및 n은 각각 독립적으로 0 이상 3 이하의 정수이고, o 및 p는 각각 독립적으로 0 이상 4이하의 정수이다. R0 내지 R7는 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1이상 10 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로고리이며, R1 내지 R7 중 적어도 하나는 하기 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시되는 치환기를 포함한다.In Formula 1, X 1 to X 4 are each independently O, S, CR 5 R 6 , or NR 7 , m and n are each independently an integer of 0 or more and 3 or less, and o and p are each independently It is an integer greater than or equal to 0 and less than or equal to 4. R 0 to R 7 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a substituted or unsubstituted silyl group, a substituted or unsubstituted amine group, a substituted or unsubstituted carbon number of 1 or more and 10 The following alkyl groups, substituted or unsubstituted aryl groups having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or substituted or unsubstituted heterocycles having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms, and at least one of R 1 to R 7 is represented by the following formula (2) or a substituent represented by Formula 3.

[화학식 2] [화학식 3][Formula 2] [Formula 3]

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Figure 112021103667516-pat00003
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상기 화학식 2 및 화학식 3에서, Y1 내지 Y3은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 치환 또는 비치환된 아민기, 또는 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로고리이고, R8 내지 R14는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기이다.In Formula 2 and Formula 3, Y 1 to Y 3 are each independently a substituted or unsubstituted aryl group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, a substituted or unsubstituted amine group, or a substituted or unsubstituted ring carbon number 2 or more and 30 or less heterocyclic, R 8 to R 14 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a substituted or unsubstituted silyl group, or a substituted or unsubstituted carbon atom of 1 or more It is an alkyl group of 10 or less.

상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1 내지 화학식 1-6 중 어느 하나로 표시될 수있다.Chemical Formula 1 may be represented by any one of Chemical Formulas 1-1 to 1-6.

[화학식 1-1] [Formula 1-1]

Figure 112021103667516-pat00004
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[화학식 1-2] [Formula 1-2]

Figure 112021103667516-pat00005
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[화학식 1-3] [Formula 1-3]

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[화학식 1-4][Formula 1-4]

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[화학식 1-5] [화학식 1-6][Formula 1-5] [Formula 1-6]

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상기 화학식 1-1 내지 화학식 1-6에서, R71 내지 R74는 각각 독립적으로 상기 화학식 1에서 정의된 R7에 해당하고, X1 내지 X4, R0 내지 R4, 및 m 내지 p는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다.In Formula 1-1 to Formula 1-6, R 71 to R 74 each independently correspond to R 7 defined in Formula 1, X 1 to X 4 , R 0 to R 4 , and m to p are It is the same as defined in Formula 1 above.

X1 내지 X4 중 선택되는 적어도 두 개는 NR7이고, 나머지는 각각 독립적으로 O, S, 또는 CR5R6이며, R5 내지 R7은 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일할 수 있다.At least two selected from X 1 to X 4 are NR 7 , the others are each independently O, S, or CR 5 R 6 , and R 5 to R 7 may be the same as defined in Formula 1 above.

상기 화학식 2는 하기 화학식 2-1로 표시될 수 있다.Formula 2 may be represented by Formula 2-1 below.

[화학식 2-1] [Formula 2-1]

Figure 112021103667516-pat00009
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상기 화학식 2-1에서, RY1은 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기이고, R8 내지 R11은 상기 화학식 2에서 정의한 바와 동일하다.In Formula 2-1, R Y1 is a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a substituted or unsubstituted silyl group, or a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and R 8 to R 11 are the same as defined in Formula 2 above.

상기 화학식 3은 하기 화학식 3-1로 표시될 수 있다.Formula 3 may be represented by Formula 3-1 below.

[화학식 3-1][Formula 3-1]

Figure 112021103667516-pat00010
Figure 112021103667516-pat00010

상기 화학식 3-1에서, RY2 및 RY3은 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기이고, R12 내지 R14는 상기 화학식 3에서 정의한 바와 동일하다.In Formula 3-1, R Y2 and R Y3 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a substituted or unsubstituted silyl group, or a substituted or unsubstituted carbon number of 1 to 10 An alkyl group of, and R 12 to R 14 are the same as defined in Formula 3 above.

Y1 내지 Y3은 각각 독립적으로 비치환된 페닐기, 또는 탄소수 1 이상 10이하의 알킬기로 치환된 페닐기일 수 있다.Y 1 to Y 3 may each independently be an unsubstituted phenyl group or a phenyl group substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms.

R1 내지 R7 중 적어도 하나는 하기 S-1 내지 S-3 중 어느 하나를 포함할 수있다.At least one of R1 to R7 may include any one of the following S-1 to S-3.

Figure 112021103667516-pat00011
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m 및 n은 1이고, R1 및 R2는 각각 독립적으로 NRaRb이며, Ra, Rb, 및 R7 중 적어도 하나는 상기 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시되고, 나머지는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기일 수 있다.m and n are 1, R 1 and R 2 are each independently NR a R b , at least one of R a , R b , and R 7 is represented by Formula 2 or Formula 3, and the others are substituted or unsubstituted It may be an aryl group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms.

m 및 n은 1이고, R1 및 R2는 하기 AM-1 내지 AM-11 중 어느 하나로 표시될수 있다.m and n are 1, and R1 and R2 may be represented by any one of the following AM-1 to AM-11.

Figure 112021103667516-pat00012
Figure 112021103667516-pat00013
Figure 112021103667516-pat00014
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상기 제2 전극 상에 배치된 캡핑층을 더 포함하고, 상기 캡핑층의 굴절률은 1.6 이상일 수 있다.A capping layer disposed on the second electrode may be further included, and the capping layer may have a refractive index of 1.6 or more.

상기 발광층은 호스트 및 도펀트를 포함하는 지연 형광 발광층이고, 상기 도펀트는 상기 축합환 화합물을 포함할 수 있다.The light emitting layer is a delayed fluorescence light emitting layer including a host and a dopant, and the dopant may include the condensed cyclic compound.

상기 발광층은 중심 파장이 450nm 이상 470nm 이하인 청색광을 방출할 수있다.The light emitting layer may emit blue light having a center wavelength of 450 nm or more and 470 nm or less.

일 실시에는 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 배치된 제2 전극; 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치되며, 하기 화학식 A로 표시되는 축합환 화합물을 포함하는 발광층; 및 상기 제2 전극 상에 배치되고 1.6 이상의 굴절률을 갖는 캡핑층; 을 포함하는 발광 소자를 제공한다.In one embodiment, the first electrode; a second electrode disposed on the first electrode; a light emitting layer disposed between the first electrode and the second electrode and including a condensed cyclic compound represented by Formula A; and a capping layer disposed on the second electrode and having a refractive index of 1.6 or more. It provides a light emitting device comprising a.

[화학식 A][Formula A]

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Figure 112021103667516-pat00015

상기 화학식 A에서, X1 내지 X4는 각각 독립적으로 O, S, CR5R6, 또는 NR7이고, o 및 p는 각각 독립적으로 0 이상 4이하의 정수이며, Ra1, Rb1, Ra2, Rb2는 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1이상 10 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로고리이거나, 또는 Ra1 및 Rb1이 서로 결합하여 고리를 형성하거나 또는 Ra2및 Rb2가 서로 결합하여 고리를 형성한다. R0, 및 R3 내지 R7는 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1이상 10 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로고리이며, Ra1, Rb1, Ra2, Rb2, 및 R7 중 적어도 하나는 하기 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시되는 치환기를 포함한다:In Formula A, X 1 to X 4 are each independently O, S, CR 5 R 6 , or NR 7 , o and p are each independently an integer of 0 or more and 4 or less, R a1 , R b1 , R a2 , R b2 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a substituted or unsubstituted silyl group, a substituted or unsubstituted amine group, or a substituted or unsubstituted carbon number 1 to 10 alkyl group, substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 ring carbon atoms, or substituted or unsubstituted heterocyclic ring having 2 to 30 ring carbon atoms, or R a1 and R b1 are bonded to each other to form a ring, or R a2 and R b2 are bonded to each other to form a ring. R 0 , and R 3 to R 7 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a substituted or unsubstituted silyl group, a substituted or unsubstituted amine group, a substituted or unsubstituted An alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms for ring formation, or a substituted or unsubstituted heterocycle having 2 to 30 carbon atoms for ring formation, R a1 , At least one of R b1 , R a2 , R b2 , and R 7 includes a substituent represented by Formula 2 or Formula 3 below:

[화학식 2] [화학식 3][Formula 2] [Formula 3]

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Figure 112021103667516-pat00016
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상기 화학식 2 및 화학식 3에서, Y1 내지 Y3은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 치환 또는 비치환된 아민기, 또는 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로고리이고, R8 내지 R14는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기이다.In Formula 2 and Formula 3, Y 1 to Y 3 are each independently a substituted or unsubstituted aryl group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, a substituted or unsubstituted amine group, or a substituted or unsubstituted ring carbon number 2 or more and 30 or less heterocyclic, R 8 to R 14 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a substituted or unsubstituted silyl group, or a substituted or unsubstituted carbon atom of 1 or more It is an alkyl group of 10 or less.

상기 화학식 A는 하기 화학식 A-1 내지 화학식 A-6 중 어느 하나로 표시될 수 있다.Formula A may be represented by any one of the following Formulas A-1 to Formulas A-6.

[화학식 A-1] [Formula A-1]

Figure 112021103667516-pat00018
Figure 112021103667516-pat00018

[화학식 A-2][Formula A-2]

Figure 112021103667516-pat00019
Figure 112021103667516-pat00019

[화학식 A-3] [Formula A-3]

Figure 112021103667516-pat00020
Figure 112021103667516-pat00020

[화학식 A-4][Formula A-4]

Figure 112021103667516-pat00021
Figure 112021103667516-pat00021

[화학식 A-5] [Formula A-5]

Figure 112021103667516-pat00022
Figure 112021103667516-pat00022

[화학식 A-6][Formula A-6]

Figure 112021103667516-pat00023
Figure 112021103667516-pat00023

상기 화학식 A-1 내지 화학식 A-6에서, R71 내지 R74는 각각 독립적으로 상기 화학식 A에서 정의된 R7에 해당하고,X1 내지 X4, R0, Ra1, Rb1, Ra2, Rb2, R3, R4, o, 및 p는 상기 화학식 A에서 정의한 바와 동일하다.In Formula A-1 to Formula A-6, R 71 to R 74 each independently correspond to R 7 defined in Formula A, X 1 to X 4 , R 0 , R a1 , R b1 , R a2 , R b2 , R 3 , R 4 , o, and p are as defined in Chemical Formula A above.

X1 내지 X4 중 선택되는 적어도 두 개는 NR7이고, 나머지는 각각 독립적으로 O, S, 또는 CR5R6이며, R5 내지 R7은 상기 화학식 A에서 정의한 바와 동일할 수 있다.At least two selected from X 1 to X 4 are NR 7 , the others are each independently O, S, or CR 5 R 6 , and R 5 to R 7 may be the same as defined in Formula A above.

상기 화학식 2는 하기 화학식 2-1로 표시될 수 있다.Formula 2 may be represented by Formula 2-1 below.

[화학식 2-1][Formula 2-1]

Figure 112021103667516-pat00024
Figure 112021103667516-pat00024

상기 화학식 2-1에서, RY1은 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기이고, R8 내지 R11은 상기 화학식 2에서 정의한 바와 동일하다.In Formula 2-1, R Y1 is a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a substituted or unsubstituted silyl group, or a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and R 8 to R 11 are the same as defined in Formula 2 above.

상기 화학식 3은 하기 화학식 3-1로 표시될 수 있다.Formula 3 may be represented by Formula 3-1 below.

[화학식 3-1][Formula 3-1]

Figure 112021103667516-pat00025
Figure 112021103667516-pat00025

상기 화학식 3-1에서, RY2 및 RY3은 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기이고, R12 내지 R14는 상기 화학식 3에서 정의한 바와 동일하다.In Formula 3-1, R Y2 and R Y3 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a substituted or unsubstituted silyl group, or a substituted or unsubstituted carbon number of 1 to 10 An alkyl group of, and R 12 to R 14 are the same as defined in Formula 3 above.

Y1 내지 Y3은 각각 독립적으로 비치환된 페닐기, 또는 탄소수 1 이상 10이하의 알킬기로 치환된 페닐기일 수 있다.Y 1 to Y 3 may each independently be an unsubstituted phenyl group or a phenyl group substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms.

일 실시예의 발광 소자는 일 실시예의 축합환 화합물을 포함하여 고효율 및 장수명 특성을 나타낼 수 있다.The light emitting device of one embodiment may exhibit high efficiency and long lifespan characteristics by including the condensed cyclic compound of one embodiment.

도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 평면도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 4는 일 실시예에 따른 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 5는 일 실시예에 따른 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 6은 일 실시예에 따른 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 7은 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 8은 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
1 is a plan view illustrating a display device according to an exemplary embodiment.
2 is a cross-sectional view of a display device according to an exemplary embodiment.
3 is a schematic cross-sectional view of a light emitting device according to an exemplary embodiment.
4 is a schematic cross-sectional view of a light emitting device according to an exemplary embodiment.
5 is a schematic cross-sectional view of a light emitting device according to an exemplary embodiment.
6 is a schematic cross-sectional view of a light emitting device according to an exemplary embodiment.
7 is a cross-sectional view of a display device according to an exemplary embodiment.
8 is a cross-sectional view of a display device according to an exemplary embodiment.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Since the present invention may have various changes and various forms, specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the text. However, it should be understood that this is not intended to limit the present invention to the specific disclosed form, and includes all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention.

각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.Like reference numerals have been used for like elements throughout the description of each figure. In the accompanying drawings, the dimensions of the structures are shown enlarged than actual for clarity of the present invention. Terms such as first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. These terms are only used for the purpose of distinguishing one component from another. For example, a first element may be termed a second element, and similarly, a second element may be termed a first element, without departing from the scope of the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise.

본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. In this application, the terms "include" or "have" are intended to designate that there is a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification, but one or more other features It should be understood that it does not preclude the possibility of the presence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

본 출원에서, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "상에" 또는 "상부에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "하에" 또는 "하부에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 또한, 본 출원에서 "상에" 배치된다고 하는 것은 상부뿐 아니라 하부에 배치되는 경우도 포함하는 것일 수 있다.In this application, when a part such as a layer, film, region, plate, etc. is said to be "on" or "above" another part, this is not only when it is "directly on" the other part, but also when there is another part in the middle. Also includes Conversely, when a part such as a layer, film, region, plate, etc. is said to be "under" or "below" another part, this includes not only the case where it is "directly under" the other part, but also the case where there is another part in between. . In addition, in the present application, being disposed "on" may include the case of being disposed not only on the top but also on the bottom.

본 명세서에서, "치환 또는 비치환된"은 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 실릴기, 옥시기, 티오기, 설피닐기, 설포닐기, 카보닐기, 붕소기, 포스핀 옥사이드기, 포스핀 설파이드기, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 알콕시기, 탄화수소 고리기, 아릴기 및 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택되는 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 것을 의미할 수 있다. 또한, 상기 예시된 치환기 각각은 치환 또는 비치환된 것일 수 있다. 예를 들어, 바이페닐기는 아릴기로 해석될 수도 있고, 페닐기로 치환된 페닐기로 해석될 수도 있다.As used herein, “substituted or unsubstituted” means a deuterium atom, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, an amino group, a silyl group, an oxy group, a thio group, a sulfinyl group, a sulfonyl group, a carbonyl group, a boron group, a phosphine oxide group, a phosphine sulfide group, an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an alkoxy group, a hydrocarbon ring group, an aryl group, and a heterocyclic group. In addition, each of the substituents exemplified above may be substituted or unsubstituted. For example, a biphenyl group may be interpreted as an aryl group or a phenyl group substituted with a phenyl group.

본 명세서에서, "인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성"한다는 인접하는 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄화수소 고리, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로 고리를 형성하는 것을 의미할 수 있다. 탄화수소 고리는 지방족 탄화수소 고리 및 방향족 탄화수소 고리를 포함한다. 헤테로 고리는 지방족 헤테로 고리 및 방향족 헤테로 고리를 포함한다. 탄화수소 고리 및 헤테로 고리는 단환 또는 다환일 수 있다. 또한, 서로 결합하여 형성된 고리는 다른 고리와 연결되어 스피로 구조를 형성하는 것일 수도 있다.In the present specification, “forming a ring by combining with adjacent groups” may mean forming a substituted or unsubstituted hydrocarbon ring or a substituted or unsubstituted heterocycle by combining with adjacent groups. Hydrocarbon rings include aliphatic hydrocarbon rings and aromatic hydrocarbon rings. Heterocycles include aliphatic heterocycles and aromatic heterocycles. Hydrocarbon rings and heterocycles may be monocyclic or polycyclic. In addition, rings formed by combining with each other may be connected to other rings to form a spiro structure.

본 명세서에서, "인접하는 기"는 해당 치환기가 치환된 원자와 직접 연결된 원자에 치환된 치환기, 해당 치환기가 치환된 원자에 치환된 다른 치환기, 또는 해당 치환기와 입체구조적으로 가장 인접한 치환기를 의미할 수 있다. 예컨대, 1,2-디메틸벤젠(1,2-dimethylbenzene)에서 2개의 메틸기는 서로 "인접하는 기"로 해석될 수 있고, 1,1-디에틸시클로펜테인(1,1-diethylcyclopentane)에서 2개의 에틸기는 서로 "인접하는 기"로 해석될 수 있다. 또한, 4,5-디메틸페난트렌(4,5-dimethylphenanthrene)에서 2개의 메틸기는 서로 "인접하는 기"로 해석될 수 있다.As used herein, "adjacent group" means a substituent substituted on an atom directly connected to the atom on which the substituent is substituted, another substituent substituted on the atom on which the substituent is substituted, or a substituent sterically closest to the substituent. can For example, two methyl groups in 1,2-dimethylbenzene can be interpreted as “adjacent groups” to each other, and 2 methyl groups in 1,1-diethylcyclopentane The two ethyl groups can be interpreted as "adjacent groups" to each other. In addition, two methyl groups in 4,5-dimethylphenanthrene can be interpreted as “adjacent groups” to each other.

본 명세서에서, 할로겐 원자의 예로는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 또는 요오드 원자가 있다.In this specification, examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom or an iodine atom.

본 명세서에서, 알킬기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리형일 수 있다. 알킬기의 탄소수는 1 이상 50 이하, 1 이상 30 이하, 1 이상 20 이하, 1 이상 10 이하 또는 1 이상 6 이하이다. 알킬기의 예로는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, i-부틸기, 2- 에틸부틸기, 3, 3-디메틸부틸기, n-펜틸기, i-펜틸기, 네오펜틸기, t-펜틸기, 시클로펜틸기, 1-메틸펜틸기, 3-메틸펜틸기, 2-에틸펜틸기, 4-메틸-2-펜틸기, n-헥실기, 1-메틸헥실기, 2-에틸헥실기, 2-부틸헥실기, 시클로헥실기, 4-메틸시클로헥실기, 4-t-부틸시클로헥실기, n-헵틸기, 1-메틸헵틸기, 2,2-디메틸헵틸기, 2-에틸헵틸기, 2-부틸헵틸기, n-옥틸기, t-옥틸기, 2-에틸옥틸기, 2-부틸옥틸기, 2-헥실옥틸기, 3,7-디메틸옥틸기, 시클로옥틸기, n-노닐기, n-데실기, 아다만틸기, 2-에틸데실기, 2-부틸데실기, 2-헥실데실기, 2-옥틸데실기, n-운데실기, n-도데실기, 2-에틸도데실기, 2-부틸도데실기, 2-헥실도데실기, 2-옥틸도데실기, n-트리데실기, n-테트라데실기, n-펜타데실기, n-헥사데실기, 2-에틸헥사데실기, 2-부틸헥사데실기, 2-헥실헥사데실기, 2-옥틸헥사데실기, n-헵타데실기, n-옥타데실기, n-노나데실기, n-이코실기, 2-에틸이코실기, 2-부틸이코실기, 2-헥실이코실기, 2-옥틸이코실기, n-헨이코실기, n-도코실기, n-트리코실기, n-테트라코실기, n-펜타코실기, n-헥사코실기, n-헵타코실기, n-옥타코실기, n-노나코실기, 및 n-트리아콘틸기 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.In this specification, the alkyl group may be straight chain, branched chain or cyclic. The number of carbon atoms of the alkyl group is 1 or more and 50 or less, 1 or more and 30 or less, 1 or more and 20 or less, 1 or more and 10 or less, or 1 or more and 6 or less. Examples of the alkyl group include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, s-butyl group, t-butyl group, i-butyl group, 2-ethylbutyl group, 3,3-dimethylbutyl group , n-pentyl group, i-pentyl group, neopentyl group, t-pentyl group, cyclopentyl group, 1-methylpentyl group, 3-methylpentyl group, 2-ethylpentyl group, 4-methyl-2-pentyl group , n-hexyl group, 1-methylhexyl group, 2-ethylhexyl group, 2-butylhexyl group, cyclohexyl group, 4-methylcyclohexyl group, 4-t-butylcyclohexyl group, n-heptyl group, 1 -Methylheptyl group, 2,2-dimethylheptyl group, 2-ethylheptyl group, 2-butylheptyl group, n-octyl group, t-octyl group, 2-ethyloctyl group, 2-butyloctyl group, 2-hexyl Siloctyl group, 3,7-dimethyloctyl group, cyclooctyl group, n-nonyl group, n-decyl group, adamantyl group, 2-ethyldecyl group, 2-butyldecyl group, 2-hexyldecyl group, 2-ox Tyldecyl group, n-undecyl group, n-dodecyl group, 2-ethyldodecyl group, 2-butyldodecyl group, 2-hexyldodecyl group, 2-octyldodecyl group, n-tridecyl group, n-tetradecyl group, n -Pentadecyl group, n-hexadecyl group, 2-ethylhexadecyl group, 2-butylhexadecyl group, 2-hexylhexadecyl group, 2-octylhexadecyl group, n-heptadecyl group, n-octadecyl group , n- nonadecyl group, n- icosyl group, 2-ethyl icosyl group, 2-butyl icosyl group, 2-hexyl icosyl group, 2-octyl icosyl group, n-henicosyl group, n- docosyl group, n-tricot practical group, n-tetracosyl group, n-pentacosyl group, n-hexacosyl group, n-heptacosyl group, n-octacosyl group, n-nonacosyl group, and n-triacontyl group; not limited to these

본 명세서에서, 탄화수소 고리기는 지방족 탄화수소 고리로부터 유도된 임의의 작용기 또는 치환기를 의미한다. 탄화수소 고리기는 고리 형성 탄소수 5 이상 20 이하의 포화 탄화수소 고리기일 수 있다.In this specification, a hydrocarbon ring group means any functional group or substituent derived from an aliphatic hydrocarbon ring. The hydrocarbon ring group may be a saturated hydrocarbon ring group having 5 to 20 ring carbon atoms.

본 명세서에서, 아릴기는 방향족 탄화수소 고리로부터 유도된 임의의 작용기 또는 치환기를 의미한다. 아릴기는 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 아릴기의 고리 형성 탄소수는 6 이상 30 이하, 6 이상 20 이하, 또는 6 이상 15 이하일 수 있다. 아릴기의 예로는 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 바이페닐기, 터페닐기, 쿼터페닐기, 퀸크페닐기(quinquephenyl), 섹시페닐기, 트리페닐에닐기, 피레닐기, 벤조 플루오란테닐기, 크리세닐기 등을 예시할 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.In this specification, an aryl group means any functional group or substituent derived from an aromatic hydrocarbon ring. The aryl group may be a monocyclic aryl group or a polycyclic aryl group. The number of ring carbon atoms in the aryl group may be 6 or more and 30 or less, 6 or more and 20 or less, or 6 or more and 15 or less. Examples of the aryl group include a phenyl group, a naphthyl group, a fluorenyl group, anthracenyl group, a phenanthryl group, a biphenyl group, a terphenyl group, a quaterphenyl group, a quinquephenyl group, a sexyphenyl group, a triphenylenyl group, a pyrenyl group, and a benzo fluoro group. Although a lanthenyl group, a chrysenyl group, etc. can be illustrated, it is not limited to these.

본 명세서에서, 플루오레닐기는 치환될 수 있고, 치환기 2개가 서로 결합하여 스피로 구조를 형성할 수도 있다. 플루오레닐기가 치환되는 경우의 예시는 하기와 같다. 다만, 이에 의하여 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the fluorenyl group may be substituted, and two substituents may be bonded to each other to form a spiro structure. Examples of the case where the fluorenyl group is substituted are as follows. However, it is not limited thereto.

Figure 112021103667516-pat00026
Figure 112021103667516-pat00027
Figure 112021103667516-pat00028
Figure 112021103667516-pat00029
Figure 112021103667516-pat00026
Figure 112021103667516-pat00027
Figure 112021103667516-pat00028
Figure 112021103667516-pat00029

본 명세서에서, 헤테로 고리기는 헤테로 원자로 B, O, N, P, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 고리로부터 유도된 임의의 작용기 또는 치환기를 의미한다. 헤테로 고리기는 지방족 헤테로 고리기 및 방향족 헤테로 고리기를 포함한다. 방향족 헤테로 고리기는 헤테로아릴기일 수 있다. 지방족 헤테로 고리 및 방향족 헤테로 고리는 단환 또는 다환일 수 있다.In the present specification, the heterocyclic group refers to any functional group or substituent derived from a ring containing one or more of B, O, N, P, Si and S as heteroatoms. Heterocyclic groups include aliphatic heterocyclic groups and aromatic heterocyclic groups. An aromatic heterocyclic group may be a heteroaryl group. Aliphatic heterocycles and aromatic heterocycles may be monocyclic or polycyclic.

본 명세서에서, 헤테로고리기는 헤테로 원자로 B, O, N, P, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 것일 수 있다. 헤테로고리기가 헤테로 원자를 2개 이상 포함할 경우, 2개 이상의 헤테로 원자는 서로 동일할 수도 있고, 상이할 수도 있다. 헤테로고리기는 단환식 헤테로고리기 또는 다환식 헤테로고리기일 수 있으며, 헤테로아릴기를 포함하는 개념이다. 헤테로고리기의 고리 형성 탄소수는 2 이상 30 이하, 2 이상 20 이하, 또는 2 이상 10 이하일 수 있다.In the present specification, the heterocyclic group may include one or more of B, O, N, P, Si, and S as heteroatoms. When the heterocyclic group includes two or more heteroatoms, the two or more heteroatoms may be identical to or different from each other. The heterocyclic group may be a monocyclic heterocyclic group or a polycyclic heterocyclic group, and is a concept including a heteroaryl group. The number of ring carbon atoms in the heterocyclic group may be 2 or more and 30 or less, 2 or more and 20 or less, or 2 or more and 10 or less.

본 명세서에서, 지방족 헤테로 고리기는 헤테로 원자로 B, O, N, P, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 것일 수 있다. 지방족 헤테로 고리기는 고리 형성 탄소수는 2 이상 30 이하, 2 이상 20 이하, 또는 2 이상 10 이하일 수 있다. 지방족 헤테로 고리기의 예로는 옥시란기, 티이란기, 피롤리딘기, 피페리딘기, 테트라하이드로퓨란기, 테트라하이드로티오펜기, 티안기, 테트라하이드로피란기, 1,4-디옥산기, 등이 있으나 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, the aliphatic heterocyclic group may include one or more of B, O, N, P, Si, and S as heteroatoms. The aliphatic heterocyclic group may have a ring carbon number of 2 or more and 30 or less, 2 or more and 20 or less, or 2 or more and 10 or less. Examples of the aliphatic heterocyclic group include an oxirane group, a thiirane group, a pyrrolidine group, a piperidine group, a tetrahydrofuran group, a tetrahydrothiophene group, a thian group, a tetrahydropyran group, a 1,4-dioxane group, etc., but is not limited thereto.

본 명세서에서, 헤테로아릴기는 헤테로 원자로 B, O, N, P, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 것일 수 있다. 헤테로아릴기가 헤테로 원자를 2개 이상 포함할 경우, 2개 이상의 헤테로 원자는 서로 동일할 수도 있고, 상이할 수도 있다. 헤테로아릴기는 단환식 헤테로고리기 또는 다환식 헤테로고리기일 수 있다. 헤테로아릴기의 고리 형성 탄소수는 2 이상 30 이하, 2 이상 20 이하, 또는 2 이상 10 이하일 수 있다. 헤테로아릴기의 예로는 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 트리아졸기, 피리딘기, 비피리딘기, 피리미딘기, 트리아진기, 트리아졸기, 아크리딜기, 피리다진기, 피라지닐기, 퀴놀린기, 퀴나졸린기, 퀴녹살린기, 페녹사진기, 프탈라진기, 피리도 피리미딘기, 피리도 피라진기, 피라지노 피라진기, 이소퀴놀린기, 인돌기, 카바졸기, N-아릴카바졸기, N-헤테로아릴카바졸기, N-알킬카바졸기, 벤조옥사졸기, 벤조이미다졸기, 벤조티아졸기, 벤조카바졸기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 티에노티오펜기, 벤조퓨란기, 페난트롤린기, 티아졸기, 이소옥사졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 티아디아졸기, 페노티아진기, 디벤조실롤기 및 디벤조퓨란기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, the heteroaryl group may include one or more of B, O, N, P, Si, and S as heteroatoms. When the heteroaryl group includes two or more heteroatoms, the two or more heteroatoms may be identical to or different from each other. The heteroaryl group may be a monocyclic heterocyclic group or a polycyclic heterocyclic group. The number of ring carbon atoms in the heteroaryl group may be 2 or more and 30 or less, 2 or more and 20 or less, or 2 or more and 10 or less. Examples of the heteroaryl group include a thiophene group, a furan group, a pyrrole group, an imidazole group, a triazole group, a pyridine group, a bipyridine group, a pyrimidine group, a triazine group, a triazole group, an acridyl group, a pyridazine group, and a pyrazinyl group. group, quinoline group, quinazoline group, quinoxaline group, phenoxazine group, phthalazine group, pyrido pyrimidine group, pyrido pyrazine group, pyrazino pyrazine group, isoquinoline group, indole group, carbazole group, N-arylcarba sol group, N-heteroarylcarbazole group, N-alkylcarbazole group, benzooxazole group, benzoimidazole group, benzothiazole group, benzocarbazole group, benzothiophene group, dibenzothiophene group, thienothiophene group, benzofuran group, a phenanthroline group, a thiazole group, an isoxazole group, an oxazole group, an oxadiazole group, a thiadiazole group, a phenothiazine group, a dibenzosilol group, and a dibenzofuran group, but are not limited thereto.

본 명세서에서, 아릴렌기는 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 헤테로아릴렌기는 2가기인 것을 제외하고는 전술한 헤테로아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다.In this specification, the description of the aryl group described above may be applied except that the arylene group is a divalent group. The description of the heteroaryl group described above can be applied except that the heteroarylene group is a divalent group.

본 명세서에서, 실릴기는 알킬 실릴기 및 아릴 실릴기를 포함한다. 실릴기의 예로는 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.In this specification, the silyl group includes an alkyl silyl group and an aryl silyl group. Examples of the silyl group include a trimethylsilyl group, a triethylsilyl group, a t-butyldimethylsilyl group, a vinyldimethylsilyl group, a propyldimethylsilyl group, a triphenylsilyl group, a diphenylsilyl group, and a phenylsilyl group. Not limited.

본 명세서에서, 아미노기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 이상 30 이하일 수 있다. 아미노기는 알킬 아미노기, 아릴 아미노기, 또는 헤테로아릴 아미노기를 포함할 수 있다. 아미노기의 예로는 메틸아미노기, 디메틸아미노기, 페닐아미노기, 디페닐아미노기, 나프틸아미노기, 9-메틸-안트라세닐아미노기, 트리페닐아미노기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, the number of carbon atoms of the amino group is not particularly limited, but may be 1 or more and 30 or less. The amino group may include an alkyl amino group, an aryl amino group, or a heteroaryl amino group. Examples of the amino group include, but are not limited to, a methylamino group, a dimethylamino group, a phenylamino group, a diphenylamino group, a naphthylamino group, a 9-methyl-anthracenylamino group, and a triphenylamino group.

본 명세서에서, 카보닐기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 40 이하, 1 내지 30 이하, 또는 1 내지 20 이하일 수 있다. 예를 들어, 하기의 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the carbon number of the carbonyl group is not particularly limited, but may be 1 to 40 or less, 1 to 30 or less, or 1 to 20 or less. For example, it may have the following structure, but is not limited thereto.

Figure 112021103667516-pat00030
Figure 112021103667516-pat00030

본 명세서에서, 설피닐기 및 설포닐기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 이상 30 이하일 수 있다. 설피닐기는 알킬 설피닐기 및 아릴 설피닐기를 포함할 수 있다. 설포닐기는 알킬 설포닐기 및 아릴 설포닐기를 포함할 수 있다.In the present specification, the number of carbon atoms of the sulfonyl group and the sulfonyl group is not particularly limited, but may be 1 or more and 30 or less. Sulfinyl groups may include alkyl sulfinyl groups and aryl sulfinyl groups. Sulfonyl groups may include alkyl sulfonyl groups and aryl sulfonyl groups.

본 명세서에서, 티오기는 알킬 티오기 및 아릴 티오기를 포함할 수 있다. 티올기는 상기 정의된 알킬기 또는 아릴기에 황 원자가 결합된 것을 의미할 수 있다. 티올기의 예로는 메틸티오기, 에틸티오기, 프로필티오기, 펜틸티오기, 헥실티오기, 옥틸티오기, 도데실티오기, 시클로펜틸티오기, 시클로헥실티오기, 페닐티오기, 나프틸티오기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다. In the present specification, the thio group may include an alkyl thio group and an aryl thio group. The thiol group may mean that a sulfur atom is bonded to the above-defined alkyl group or aryl group. Examples of the thiol group include methylthio, ethylthio, propylthio, pentylthio, hexylthio, octylthio, dodecylthio, cyclopentylthio, cyclohexylthio, phenylthio, naphthylthio etc., but is not limited thereto.

본 명세서에서, 옥시기는 상기 정의된 알킬기 또는 아릴기에 산소 원자가 결합된 것을 의미할 수 있다. 옥시기는 알콕시기 및 아릴 옥시기를 포함할 수 있다. 알콕시기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄일 수 있다. 알콕시기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어 1 이상 20 이하 또는 1 이상 10 이하인 것일 수 있다. 옥시기의 예로는 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 이소프로폭시, 부톡시, 펜틸옥시, 헥실옥시, 옥틸옥시, 노닐옥시, 데실옥시, 벤질옥시 등이 있으나, 이들에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the oxy group may mean that an oxygen atom is bonded to the above-defined alkyl group or aryl group. Oxy groups can include alkoxy groups and aryl oxy groups. An alkoxy group can be straight chain, branched chain or cyclic chain. The number of carbon atoms in the alkoxy group is not particularly limited, but may be, for example, 1 or more and 20 or less, or 1 or more and 10 or less. Examples of the oxy group include methoxy, ethoxy, n-propoxy, isopropoxy, butoxy, pentyloxy, hexyloxy, octyloxy, nonyloxy, decyloxy, benzyloxy, etc., but are limited to these It is not.

본 명세서에서, 붕소기는 상기 정의된 알킬기 또는 아릴기에 붕소 원자가 결합된 것을 의미할 수 있다. 붕소기는 알킬 붕소기 및 아릴 붕소기를 포함한다. 붕소기의 예로는 트리메틸붕소기, 트리에틸붕소기, t-부틸디메틸붕소기, 트리페닐붕소기, 디페닐붕소기, 페닐붕소기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, a boron group may mean a boron atom bonded to an alkyl group or an aryl group defined above. Boron groups include alkyl boron groups and aryl boron groups. Examples of the boron group include, but are not limited to, trimethylboron, triethylboron, t-butyldimethylboron, triphenylboron, diphenylboron, and phenylboron.

본 명세서에서, 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있다. 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 이상 30 이하, 2 이상 20 이하 또는 2 이상 10 이하이다. 알케닐기의 예로는 비닐기, 1-부테닐기, 1-펜테닐기, 1,3-부타디에닐 아릴기, 스티레닐기, 스티릴비닐기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.In this specification, an alkenyl group may be straight-chain or branched-chain. The carbon number is not particularly limited, but is 2 or more and 30 or less, 2 or more and 20 or less, or 2 or more and 10 or less. Examples of the alkenyl group include, but are not limited to, a vinyl group, a 1-butenyl group, a 1-pentenyl group, a 1,3-butadienyl aryl group, a styrenyl group, and a styrylvinyl group.

본 명세서에서, 아민기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 이상 30 이하일 수 있다. 아민기는 알킬 아민기 및 아릴 아민기를 포함할 수 있다. 아민기의 예로는 메틸아민기, 디메틸아민기, 페닐아민기, 디페닐아민기, 나프틸아민기, 9-메틸-안트라세닐아민기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, the number of carbon atoms of the amine group is not particularly limited, but may be 1 or more and 30 or less. Amine groups may include alkyl amine groups and aryl amine groups. Examples of the amine group include, but are not limited to, a methylamine group, a dimethylamine group, a phenylamine group, a diphenylamine group, a naphthylamine group, and a 9-methyl-anthracenylamine group.

본 명세서에서, 알킬티오기, 알킬설폭시기, 알킬아릴기, 알킬아미노기, 알킬 붕소기, 알킬 실릴기, 알킬 아민기 중 알킬기는 전술한 알킬기의 예시와 같다.In the present specification, among the alkylthio group, the alkylsulfoxy group, the alkylaryl group, the alkylamino group, the alkyl boron group, the alkylsilyl group, and the alkylamine group, the alkyl group is the same as the above-mentioned alkyl group.

본 명세서에서, 아릴옥시기, 아릴티오기, 아릴설폭시기, 아릴아미노기, 아릴 붕소기, 아릴 실릴기, 아릴 아민기 중의 아릴기는 전술한 아릴기의 예시와 같다In the present specification, the aryl group among the aryloxy group, arylthio group, arylsulfoxy group, arylamino group, aryl boron group, aryl silyl group, and aryl amine group is the same as the above-mentioned aryl group.

본 명세서에서, 직접 결합(direct linkage)은 단일 결합을 의미하는 것일 수 있다.In this specification, direct linkage may mean a single linkage.

한편, 본 명세서에서 "

Figure 112021103667516-pat00031
" 또는 "
Figure 112021103667516-pat00032
"는 연결되는 위치를 의미한다. On the other hand, in this specification "
Figure 112021103667516-pat00031
" or "
Figure 112021103667516-pat00032
" means the position to be connected.

이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 일 실시예들에 대하여 설명한다.Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

도 1은 표시 장치(DD)의 일 실시예를 나타낸 평면도이다. 도 2는 일 실시예의 표시 장치(DD)의 단면도이다. 도 2는 도 1의 I-I'선에 대응하는 부분을 나타낸 단면도이다.1 is a plan view illustrating an exemplary embodiment of a display device DD. 2 is a cross-sectional view of a display device DD according to an exemplary embodiment. FIG. 2 is a cross-sectional view showing a portion corresponding to the line II' of FIG. 1 .

표시 장치(DD)는 표시 패널(DP) 및 표시 패널(DP) 상에 배치된 광학층(PP)을 포함할 수 있다. 표시 패널(DP)은 발광 소자(ED-1, ED-2, ED-3)를 포함한다. 표시 장치(DD)는 복수 개의 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)을 포함할 수 있다. 광학층(PP)은 표시 패널(DP) 상에 배치되어 외부광에 의한 표시 패널(DP)에서의 반사광을 제어할 수 있다. 광학층(PP)은 예를 들어, 편광층을 포함하는 것이거나 또는 컬러필터층을 포함하는 것일 수 있다. 한편, 도면에 도시된 바와 달리 일 실시예의 표시 장치(DD)에서 광학층(PP)은 생략될 수 있다.The display device DD may include a display panel DP and an optical layer PP disposed on the display panel DP. The display panel DP includes light emitting elements ED-1, ED-2, and ED-3. The display device DD may include a plurality of light emitting devices ED-1, ED-2, and ED-3. The optical layer PP may be disposed on the display panel DP to control reflected light from the display panel DP by external light. The optical layer PP may include, for example, a polarization layer or a color filter layer. Meanwhile, unlike shown in the drawing, the optical layer PP may be omitted in the display device DD according to an exemplary embodiment.

광학층(PP) 상에는 베이스 기판(BL)이 배치될 수 있다. 베이스 기판(BL)은 광학층(PP)이 배치되는 베이스 면을 제공하는 부재일 수 있다. 베이스 기판(BL)은 유리기판, 금속기판, 플라스틱기판 등일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 베이스 기판(BL)은 무기층, 유기층 또는 복합재료층일 수 있다. 또한, 도시된 것과 달리 일 실시예에서 베이스 기판(BL)은 생략될 수 있다.A base substrate BL may be disposed on the optical layer PP. The base substrate BL may be a member providing a base surface on which the optical layer PP is disposed. The base substrate BL may be a glass substrate, a metal substrate, or a plastic substrate. However, the embodiment is not limited thereto, and the base substrate BL may be an inorganic layer, an organic layer, or a composite material layer. Also, unlike the illustration, in one embodiment, the base substrate BL may be omitted.

일 실시예에 따른 표시 장치(DD)는 충전층(미도시)을 더 포함할 수 있다. 충전층(미도시)은 표시 소자층(DP-ED)과 베이스 기판(BL) 사이에 배치되는 것일 수 있다. 충전층(미도시)은 유기물층일 수 있다. 충전층(미도시)은 아크릴계 수지, 실리콘계 수지, 및 에폭시계 수지 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다.The display device DD according to an exemplary embodiment may further include a filling layer (not shown). The filling layer (not shown) may be disposed between the display element layer DP-ED and the base substrate BL. The filling layer (not shown) may be an organic material layer. The filling layer (not shown) may include at least one of an acrylic resin, a silicone resin, and an epoxy resin.

표시 패널(DP)은 베이스층(BS), 베이스층(BS) 상에 제공된 회로층(DP-CL) 및 표시 소자층(DP-ED)을 포함하는 것일 수 있다. 표시 소자층(DP-ED)은 화소 정의막(PDL), 화소 정의막(PDL) 사이에 배치된 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3), 및 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3) 상에 배치된 봉지층(TFE)을 포함할 수 있다. The display panel DP may include a base layer BS, a circuit layer DP-CL provided on the base layer BS, and a display element layer DP-ED. The display element layer DP-ED includes a pixel defining layer PDL, light emitting elements ED-1, ED-2, ED-3 disposed between the pixel defining layer PDL, and light emitting elements ED- 1, ED-2, ED-3) may include an encapsulation layer (TFE) disposed on.

베이스층(BS)은 표시 소자층(DP-ED)이 배치되는 베이스 면을 제공하는 부재일 수 있다. 베이스층(BS)은 유리기판, 금속기판, 플라스틱기판 등일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 베이스층(BS)은 무기층, 유기층 또는 복합재료층일 수 있다.The base layer BS may be a member providing a base surface on which the display element layer DP-ED is disposed. The base layer BS may be a glass substrate, a metal substrate, or a plastic substrate. However, the embodiment is not limited thereto, and the base layer BS may be an inorganic layer, an organic layer, or a composite material layer.

일 실시예에서 회로층(DP-CL)은 베이스층(BS) 상에 배치되고, 회로층(DP-CL)은 복수의 트랜지스터들(미도시)을 포함하는 것일 수 있다. 트랜지스터들(미도시)은 각각 제어 전극, 입력 전극, 및 출력 전극을 포함하는 것일 수 있다. 예를 들어, 회로층(DP-CL)은 표시 소자층(DP-ED)의 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)을 구동하기 위한 스위칭 트랜지스터 및 구동 트랜지스터를 포함하는 것일 수 있다. In one embodiment, the circuit layer DP-CL is disposed on the base layer BS, and the circuit layer DP-CL may include a plurality of transistors (not shown). Each of the transistors (not shown) may include a control electrode, an input electrode, and an output electrode. For example, the circuit layer DP-CL may include a switching transistor and a driving transistor for driving the light emitting devices ED-1, ED-2, and ED-3 of the display device layer DP-ED. can

발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3) 각각은 후술하는 도 3 내지 도 6에 따른 일 실시예의 발광 소자(ED)의 구조를 갖는 것일 수 있다. 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3) 각각은 제1 전극(EL1), 정공 수송 영역(HTR), 발광층(EML-R, EML-G, EML-B), 전자 수송 영역(ETR), 및 제2 전극(EL2)을 포함할 수 있다. Each of the light emitting devices ED-1, ED-2, and ED-3 may have a structure of the light emitting device ED according to an exemplary embodiment according to FIGS. 3 to 6 described later. Each of the light emitting devices ED-1, ED-2, and ED-3 includes a first electrode EL1, a hole transport region HTR, an emission layer EML-R, EML-G, and EML-B, and an electron transport region. (ETR), and a second electrode EL2.

도 2에서는 화소 정의막(PDL)에 정의된 개구부(OH) 내에 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)의 발광층(EML-R, EML-G, EML-B)이 배치되며, 정공 수송 영역(HTR), 전자 수송 영역(ETR) 및 제2 전극(EL2)은 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3) 전체에서 공통층으로 제공되는 실시예를 도시하였다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 도 2에 도시된 것과 달리 일 실시예에서 정공 수송 영역(HTR) 및 전자 수송 영역(ETR)은 화소 정의막(PDL)에 정의된 개구부(OH) 내부에 패턴닝 되어 제공되는 것일 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에서 발광 소자(ED-1, ED-2, ED-3)의 정공 수송 영역(HTR), 발광층(EML-R, EML-G, EML-B), 및 전자 수송 영역(ETR) 등은 잉크젯 프린팅법으로 패턴닝되어 제공되는 것일 수 있다.In FIG. 2 , the light emitting layers EML-R, EML-G, and EML-B of the light emitting devices ED-1, ED-2, and ED-3 are disposed in the opening OH defined in the pixel defining layer PDL. , and the hole transport region HTR, the electron transport region ETR, and the second electrode EL2 are provided as a common layer throughout the light emitting devices ED-1, ED-2, and ED-3. did However, the embodiment is not limited thereto, and unlike that shown in FIG. 2 , in an embodiment, the hole transport region HTR and the electron transport region ETR are inside the opening OH defined in the pixel defining layer PDL. It may be patterned and provided. For example, in one embodiment, the hole transport region (HTR) of the light emitting devices (ED-1, ED-2, ED-3), the light emitting layer (EML-R, EML-G, EML-B), and the electron transport region (ETR) and the like may be provided after being patterned by an inkjet printing method.

봉지층(TFE)은 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)을 커버하는 것일 수 있다. 봉지층(TFE)은 표시 소자층(DP-ED)을 밀봉하는 것일 수 있다. 봉지층(TFE)은 박막 봉지층일 수 있다. 봉지층(TFE)은 하나의 층 또는 복수의 층들이 적층된 것일 수 있다. 봉지층(TFE)은 적어도 하나의 절연층을 포함한다. 일 실시예에 따른 봉지층(TFE)은 적어도 하나의 무기막(이하, 봉지 무기막)을 포함할 수 있다. 또한, 일 실시예에 따른 봉지층(TFE)은 적어도 하나의 유기막(이하, 봉지 유기막) 및 적어도 하나의 봉지 무기막을 포함할 수 있다.The encapsulation layer TFE may cover the light emitting elements ED-1, ED-2, and ED-3. The encapsulation layer TFE may encapsulate the display element layer DP-ED. The encapsulation layer TFE may be a thin film encapsulation layer. The encapsulation layer TFE may be a single layer or a plurality of layers stacked. The encapsulation layer TFE includes at least one insulating layer. The encapsulation layer TFE according to an embodiment may include at least one inorganic film (hereinafter referred to as an encapsulation inorganic film). Also, the encapsulation layer TFE according to an exemplary embodiment may include at least one organic layer (hereinafter referred to as an encapsulation organic layer) and at least one encapsulation inorganic layer.

봉지 무기막은 수분/산소로부터 표시 소자층(DP-ED)을 보호하고, 봉지 유기막은 먼지 입자와 같은 이물질로부터 표시 소자층(DP-ED)을 보호한다. 봉지 무기막은 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시 나이트라이드, 실리콘 옥사이드, 티타늄옥사이드, 또는 알루미늄옥사이드 등을 포함할 수 있고, 이에 특별히 제한되지 않는다. 봉지 유기막은 아크릴계 화합물, 에폭시계 화합물 등을 포함하는 것일 수 있다. 봉지 유기막은 광중합 가능한 유기물질을 포함하는 것일 수 있으며 특별히 제한되지 않는다.The encapsulation inorganic film protects the display element layer DP-ED from moisture/oxygen, and the encapsulation organic film protects the display element layer DP-ED from foreign substances such as dust particles. The encapsulating inorganic layer may include silicon nitride, silicon oxynitride, silicon oxide, titanium oxide, or aluminum oxide, but is not particularly limited thereto. The encapsulation organic layer may include an acrylic compound, an epoxy compound, and the like. The encapsulating organic layer may include a photopolymerizable organic material and is not particularly limited.

봉지층(TFE)은 제2 전극(EL2) 상에 배치되고, 개구부(OH)를 채우고 배치될 수 있다.The encapsulation layer TFE may be disposed on the second electrode EL2 and fill the opening OH.

도 1 및 도 2를 참조하면, 표시 장치(DD)는 비발광 영역(NPXA) 및 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)을 포함할 수 있다. 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 각각은 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3) 각각에서 생성된 광이 방출되는 영역일 수 있다. 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)은 평면 상에서 서로 이격된 것일 수 있다. Referring to FIGS. 1 and 2 , the display device DD may include a non-emission area NPXA and emission areas PXA-R, PXA-G, and PXA-B. Each of the light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B may be a region in which light generated by each of the light emitting elements ED-1, ED-2, and ED-3 is emitted. The light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B may be spaced apart from each other on a plane.

발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 각각은 화소 정의막(PDL)으로 구분되는 영역일 수 있다. 비발광 영역들(NPXA)은 이웃하는 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 사이의 영역들로 화소 정의막(PDL)과 대응하는 영역일 수 있다. 한편, 본 명세서에서 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 각각은 화소(Pixel)에 대응하는 것일 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)을 구분하는 것일 수 있다. 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)의 발광층(EML-R, EML-G, EML-B)은 화소 정의막(PDL)에 정의된 개구부(OH)에 배치되어 구분될 수 있다. Each of the light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B may be a region divided by a pixel defining layer PDL. The non-emission regions NPXA are regions between the neighboring emission regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B, and may correspond to the pixel defining layer PDL. Meanwhile, in the present specification, each of the light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B may correspond to a pixel. The pixel defining layer PDL may divide the light emitting devices ED-1, ED-2, and ED-3. The light-emitting layers EML-R, EML-G, and EML-B of the light-emitting elements ED-1, ED-2, and ED-3 are disposed in the opening OH defined in the pixel defining layer PDL to be distinguished. can

발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)은 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)에서 생성되는 광의 컬러에 따라 복수 개의 그룹으로 구분될 수 있다. 도 1 및 도 2에 도시된 일 실시예의 표시 장치(DD)에는 적색광, 녹색광, 및 청색광을 발광하는 3개의 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)을 예시적으로 도시하였다. 예를 들어, 일 실시예의 표시 장치(DD)는 서로 구분되는 적색 발광 영역(PXA-R), 녹색 발광 영역(PXA-G), 및 청색 발광 영역(PXA-B)을 포함할 수 있다.The light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B may be divided into a plurality of groups according to the color of light generated from the light emitting elements ED-1, ED-2, and ED-3. In the display device DD of an exemplary embodiment shown in FIGS. 1 and 2 , three light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B emitting red light, green light, and blue light are exemplarily shown. . For example, the display device DD according to an exemplary embodiment may include a red light emitting area PXA-R, a green light emitting area PXA-G, and a blue light emitting area PXA-B.

일 실시예에 따른 표시 장치(DD)에서 복수 개의 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)은 서로 상이한 파장 영역의 광을 방출하는 것일 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에서 표시 장치(DD)는 적색광을 방출하는 제1 발광 소자(ED-1), 녹색광을 방출하는 제2 발광 소자(ED-2), 및 청색광을 방출하는 제3 발광 소자(ED-3)를 포함할 수 있다. 즉, 표시 장치(DD)의 적색 발광 영역(PXA-R), 녹색 발광 영역(PXA-G), 및 청색 발광 영역(PXA-B)은 각각 제1 발광 소자(ED-1), 제2 발광 소자(ED-2), 및 제3 발광 소자(ED-3)에 대응할 수 있다.In the display device DD according to an exemplary embodiment, the plurality of light emitting devices ED- 1 , ED- 2 , and ED- 3 may emit light in different wavelength ranges. For example, in an exemplary embodiment, the display device DD includes a first light emitting device ED-1 emitting red light, a second light emitting device ED-2 emitting green light, and a third light emitting device ED-2 emitting blue light. Device ED-3 may be included. That is, the red light emitting area PXA-R, the green light emitting area PXA-G, and the blue light emitting area PXA-B of the display device DD are the first light emitting element ED-1 and the second light emitting area PXA-B, respectively. It may correspond to the device ED-2 and the third light emitting device ED-3.

하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 제1 내지 제3 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)은 동일한 파장 영역의 광을 방출하는 것이거나, 또는 적어도 하나가 상이한 파장 영역의 광을 방출하는 것일 수 있다. 예를 들어, 제1 내지 제3 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)은 모두 청색광을 방출하는 것일 수 있다.However, the embodiment is not limited thereto, and the first to third light emitting devices ED-1, ED-2, and ED-3 emit light in the same wavelength range, or at least one of them in a different wavelength range. It may emit light. For example, all of the first to third light emitting devices ED-1, ED-2, and ED-3 may emit blue light.

일 실시예에 따른 표시 장치(DD)에서의 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)은 스트라이프 형태로 배열된 것일 수 있다. 도 1을 참조하면, 복수 개의 적색 발광 영역들(PXA-R), 복수 개의 녹색 발광 영역들(PXA-G), 및 복수 개의 청색 발광 영역들(PXA-B)이 각각 제2 방향축(DR2)을 따라 정렬된 것일 수 있다. 또한, 제1 방향축(DR1)을 따라 적색 발광 영역(PXA-R), 녹색 발광 영역(PXA-G), 및 청색 발광 영역(PXA-B)의 순서로 번갈아 가며 배열된 것일 수 있다. The light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B of the display device DD according to an exemplary embodiment may be arranged in a stripe shape. Referring to FIG. 1 , a plurality of red light emitting regions PXA-R, a plurality of green light emitting regions PXA-G, and a plurality of blue light emitting regions PXA-B are respectively second direction axes DR2. ) may be aligned. In addition, the red light emitting area PXA-R, the green light emitting area PXA-G, and the blue light emitting area PXA-B may be alternately arranged along the first direction axis DR1.

도 1 및 도 2에서는 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 면적이 모두 유사한 것으로 도시하였으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 발광 영역들(PXA-R PXA-G, PXA-B)의 면적은 방출하는 광의 파장 영역에 따라 서로 상이할 수 있다. 한편, 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 면적은 제1 방향축(DR1)과 제2 방향축(DR2)이 정의하는 평면 상에서 보았을 때의 면적을 의미할 수 있다.1 and 2 show that the areas of the light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B are all similar, but the embodiment is not limited thereto, and the light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA The area of -B) may be different from each other according to the wavelength region of the emitted light. Meanwhile, the area of the light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B may refer to an area when viewed on a plane defined by the first and second direction axes DR1 and DR2. .

한편, 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 배열 형태는 도 1에 도시된 것에 한정되지 않으며, 적색 발광 영역(PXA-R), 녹색 발광 영역(PXA-G), 및 청색 발광 영역(PXA-B)이 배열되는 순서는 표시 장치(DD)에서 요구되는 표시 품질의 특성에 따라 다양하게 조합되어 제공될 수 있다. 예를 들어, 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 배열 형태는 펜타일(pentile) 배열 형태이거나, 다이아몬드 배열 형태를 갖는 것일 수 있다.Meanwhile, the arrangement of the light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B is not limited to that shown in FIG. 1, and may include a red light emitting region PXA-R, a green light emitting region PXA-G, And the order in which the blue light emitting regions PXA-B are arranged may be provided in various combinations according to characteristics of display quality required in the display device DD. For example, the arrangement of the light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B may be a pentile arrangement or a diamond arrangement.

또한, 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 면적은 서로 상이한 것일 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에서 녹색 발광 영역(PXA-G)의 면적이 청색 발광 영역(PXA-B)의 면적 보다 작을 수 있으나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.Also, the light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B may have different areas. For example, in one embodiment, the area of the green light emitting region PXA-G may be smaller than the area of the blue light emitting region PXA-B, but the embodiment is not limited thereto.

이하, 도 3 내지 도 6은 일 실시예에 따른 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 일 실시예에 따른 발광 소자(ED)는 제1 전극(EL1), 제1 전극(EL1)과 마주하는 제2 전극(EL2) 및, 제1 전극(EL1)과 제2 전극(EL2) 사이에 배치된 적어도 하나의 기능층을 포함하는 것일 수 있다. 적어도 하나의 기능층은 순차적으로 적층된 정공 수송 영역(HTR), 발광층(EML), 전자 수송 영역(ETR)을 포함하는 것일 수 있다. 즉, 일 실시예의 발광 소자(ED)는 순차적으로 적층된 제1 전극(EL1), 정공 수송 영역(HTR), 발광층(EML), 전자 수송 영역(ETR), 및 제2 전극(EL2)을 포함할 수 있다. Hereinafter, FIGS. 3 to 6 are cross-sectional views schematically illustrating a light emitting device according to an exemplary embodiment. The light emitting element ED according to an embodiment includes a first electrode EL1, a second electrode EL2 facing the first electrode EL1, and between the first electrode EL1 and the second electrode EL2. It may include at least one functional layer disposed thereon. At least one functional layer may include a hole transport region (HTR), an emission layer (EML), and an electron transport region (ETR) sequentially stacked. That is, the light emitting device ED according to an embodiment includes a first electrode EL1, a hole transport region HTR, a light emitting layer EML, an electron transport region ETR, and a second electrode EL2 sequentially stacked. can do.

도 4는 도 3과 비교하여, 정공 수송 영역(HTR)이 정공 주입층(HIL) 및 정공 수송층(HTL)을 포함하고, 전자 수송 영역(ETR)이 전자 주입층(EIL) 및 전자 수송층(ETL)을 포함하는 일 실시예의 발광 소자(ED)의 단면도를 나타낸 것이다. 또한, 도 5는 도 3과 비교하여 정공 수송 영역(HTR)이 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 및 전자 저지층(EBL)을 포함하고, 전자 수송 영역(ETR)이 전자 주입층(EIL), 전자 수송층(ETL), 및 정공 저지층(HBL)을 포함하는 일 실시예의 발광 소자(ED)의 단면도를 나타낸 것이다. 도 6은 도 4와 비교하여 제2 전극(EL2) 상에 배치된 캡핑층(CPL)을 포함하는 일 실시예의 발광 소자(ED)의 단면도를 나타낸 것이다.4 , compared to FIG. 3 , the hole transport region HTR includes a hole injection layer HIL and a hole transport layer HTL, and the electron transport region ETR includes the electron injection layer EIL and the electron transport layer ETL. ) It shows a cross-sectional view of the light emitting device (ED) of an embodiment including a. In addition, compared to FIG. 3 , the hole transport region HTR includes a hole injection layer HIL, a hole transport layer HTL, and an electron blocking layer EBL, and the electron transport region ETR injects electrons. This is a cross-sectional view of a light emitting device ED including an EIL layer, an electron transport layer ETL, and a hole blocking layer HBL. FIG. 6 is a cross-sectional view of a light emitting device ED according to an exemplary embodiment including a capping layer CPL disposed on the second electrode EL2 compared to FIG. 4 .

일 실시예의 발광 소자(ED)는 발광층(EML)에 이후 설명하는 일 실시예의 축합환 화합물을 포함하는 것일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 일 실시예의 발광 소자(ED)는 발광층(EML) 이외에 제1 전극(EL1)과 제2 전극(EL2) 사이에 배치된 복수의 기능층들인 정공 수송 영역(HTR) 또는 전자 수송 영역(ETR)에 후술하는 일 실시예에 따른 축합환 화합물을 포함할 수 있다.The light emitting device ED according to an embodiment may include a condensed cyclic compound according to an embodiment described later in the light emitting layer EML. However, the embodiment is not limited thereto, and the light emitting device ED of an embodiment includes a plurality of functional layers disposed between the first electrode EL1 and the second electrode EL2 in addition to the light emitting layer EML, and the hole transport region HTR. ) or the condensed cyclic compound according to an embodiment described later may be included in the electron transport region (ETR).

일 실시예에 따른 발광 소자(ED)에서 제1 전극(EL1)은 도전성을 갖는다. 제1 전극(EL1)은 금속재료, 금속합금 또는 도전성 화합물로 형성될 수 있다. 제1 전극(EL1)은 애노드(anode) 또는 캐소드(cathode)일 수 있다. 하지만 실시예가 이에 한정되지 않는다. 또한, 제1 전극(EL1)은 화소 전극일 수 있다. 제1 전극(EL1)은 투과형 전극, 반투과형 전극 또는 반사형 전극일 수 있다. 제1 전극(EL1)은 Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Mo, Ti, W, In, Sn, 및 Zn 중 선택되는 적어도 하나, 이들 중 선택되는 2종 이상의 화합물, 이들 중 선택되는 2종 이상의 혼합물, 또는 이들의 산화물을 포함하는 것일 수 있다.In the light emitting device ED according to an exemplary embodiment, the first electrode EL1 has conductivity. The first electrode EL1 may be formed of a metal material, a metal alloy, or a conductive compound. The first electrode EL1 may be an anode or a cathode. However, the embodiment is not limited thereto. Also, the first electrode EL1 may be a pixel electrode. The first electrode EL1 may be a transmissive electrode, a transflective electrode, or a reflective electrode. The first electrode EL1 is Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Mo, Ti, W, In, Sn , And it may include at least one selected from Zn, two or more compounds selected from these, a mixture of two or more types selected from these, or oxides thereof.

제1 전극(EL1)이 투과형 전극인 경우, 제1 전극(EL1)은 투명 금속 산화물, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등을 포함할 수 있다. 제1 전극(EL1)이 반투과형 전극 또는 반사형 전극인 경우, 제1 전극(EL1)은 Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Mo, Ti, W 또는 이들의 화합물이나 혼합물(예를 들어, Ag와 Mg의 혼합물)을 포함할 수 있다. 또는 제1 전극(EL1)은 상기의 물질로 형성된 반사막이나 반투과막 및 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 형성된 투명 도전막을 포함하는 복수의 층 구조일 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(EL1)은 ITO/Ag/ITO의 3층 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 전극(EL1)은 상술한 금속재료, 상술한 금속재료들 중 선택된 2종 이상의 금속재료들의 조합, 또는 상술한 금속재료들의 산화물 등을 포함하는 것일 수 있다. 제1 전극(EL1)의 두께는 약 700Å 내지 약 10000Å일 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(EL1)의 두께는 약 1000Å 내지 약 3000Å일 수 있다.When the first electrode EL1 is a transmissive electrode, the first electrode EL1 is a transparent metal oxide, for example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), or indium ITZO (ITZO). tin zinc oxide) and the like. When the first electrode EL1 is a transflective electrode or a reflective electrode, the first electrode EL1 is Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Mo, Ti, W, or a compound or mixture thereof (eg, a mixture of Ag and Mg). Alternatively, the first electrode EL1 may be a transparent film formed of a reflective film or a transflective film formed of the above materials, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), indium tin zinc oxide (ITZO), or the like. It may be a plurality of layer structure including a conductive film. For example, the first electrode EL1 may have a three-layer structure of ITO/Ag/ITO, but is not limited thereto. In addition, the embodiment is not limited thereto, and the first electrode EL1 may include the above-described metal material, a combination of two or more kinds of metal materials selected from among the above-described metal materials, or an oxide of the above-described metal materials. there is. The first electrode EL1 may have a thickness of about 700 Å to about 10000 Å. For example, the thickness of the first electrode EL1 may be about 1000 Å to about 3000 Å.

정공 수송 영역(HTR)은 제1 전극(EL1) 상에 제공된다. 정공 수송 영역(HTR)은 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 버퍼층 또는 발광보조층(미도시), 및 전자 저지층(EBL) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 정공 수송 영역(HTR)의 두께는 예를 들어, 약 50Å 내지 약 15,000Å인 것일 수 있다.The hole transport region HTR is provided on the first electrode EL1. The hole transport region HTR may include at least one of a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), a buffer layer or an emission assisting layer (not shown), and an electron blocking layer (EBL). The hole transport region HTR may have a thickness of, for example, about 50 Å to about 15,000 Å.

정공 수송 영역(HTR)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층, 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.The hole transport region HTR may have a single layer structure made of a single material, a single layer made of a plurality of different materials, or a multilayer structure having a plurality of layers made of a plurality of different materials.

예를 들어, 정공 수송 영역(HTR)은 정공 주입층(HIL) 또는 정공 수송층(HTL)의 단일층의 구조를 가질 수도 있고, 정공 주입 물질 및 정공 수송 물질로 이루어진 단일층 구조를 가질 수도 있다. 또한, 정공 수송 영역(HTR)은 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층의 구조를 갖거나, 제1 전극(EL1)으로부터 차례로 적층된 정공 주입층(HIL)/정공 수송층(HTL), 정공 주입층(HIL)/정공 수송층(HTL)/버퍼층(미도시), 정공 주입층(HIL)/버퍼층(미도시), 정공 수송층(HTL)/버퍼층(미도시), 또는 정공 주입층(HIL)/정공 수송층(HTL)/전자 저지층(EBL)의 구조를 가질 수 있으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the hole transport region HTR may have a single layer structure of a hole injection layer (HIL) or a hole transport layer (HTL), or may have a single layer structure composed of a hole injection material and a hole transport material. In addition, the hole transport region HTR has a structure of a single layer made of a plurality of different materials, or a hole injection layer (HIL)/hole transport layer (HTL) and a hole injection layer sequentially stacked from the first electrode EL1. (HIL)/hole transport layer (HTL)/buffer layer (not shown), hole injection layer (HIL)/buffer layer (not shown), hole transport layer (HTL)/buffer layer (not shown), or hole injection layer (HIL)/hole It may have a transport layer (HTL)/electron blocking layer (EBL) structure, but the embodiment is not limited thereto.

정공 수송 영역(HTR)은, 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다.The hole transport region (HTR) is formed by various methods such as vacuum deposition method, spin coating method, cast method, LB method (Langmuir-Blodgett), inkjet printing method, laser printing method, laser induced thermal imaging (LITI), and the like. can be formed using

정공 수송 영역(HTR)은 하기 화학식 H-1로 표시되는 화합물을 포함하는 것일 수 있다. The hole transport region (HTR) may include a compound represented by Formula H-1 below.

[화학식 H-1][Formula H-1]

Figure 112021103667516-pat00033
Figure 112021103667516-pat00033

상기 화학식 H-1에서, L1 및 L2는 각각 독립적으로 직접 결합(direct linkage), 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴렌기일 수 있다. a 및 b는 각각 독립적으로 0 이상 10 이하의 정수일 수 있다. 한편, a 또는 b가 2 이상의 정수인 경우 복수의 L1 및 L2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴렌기일 수 있다.In Formula H-1, L 1 and L 2 are each independently a direct linkage, a substituted or unsubstituted arylene group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted ring carbon number of 2 or more It may be a heteroarylene group of 30 or less. a and b may each independently be an integer of 0 or more and 10 or less. On the other hand, when a or b is an integer of 2 or more, a plurality of L 1 and L 2 are each independently a substituted or unsubstituted arylene group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted ring carbon number of 2 or more and 30 or less It may be a heteroarylene group of

화학식 H-1에서 Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기일 수 있다. 또한, 화학식 H-1에서 Ar3은 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기일 수 있다.In Formula H-1, Ar 1 and Ar 2 may each independently be a substituted or unsubstituted aryl group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms. . In Formula H-1, Ar 3 may be a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 ring carbon atoms.

상기 화학식 H-1로 표시되는 화합물은 모노아민 화합물일 수 있다. 또는, 상기 화학식 H-1로 표시되는 화합물은 Ar-1 내지 Ar3 중 적어도 하나가 아민기를 치환기로 포함하는 디아민 화합물일 수 있다. 또한, 상기 화학식 H-1로 표시되는 화합물은 Ar1 및 Ar2 중 적어도 하나에 치환 또는 비치환된 카바졸기를 포함하는 카바졸계 화합물, 또는 Ar1 및 Ar2 중 적어도 하나에 치환 또는 비치환된 플루오렌기를 포함하는 플루오렌계 화합물일 수 있다. The compound represented by Chemical Formula H-1 may be a monoamine compound. Alternatively, the compound represented by Chemical Formula H-1 may be a diamine compound in which at least one of Ar- 1 to Ar 3 includes an amine group as a substituent. In addition, the compound represented by Formula H-1 is a carbazole-based compound including a carbazole group substituted or unsubstituted on at least one of Ar 1 and Ar 2 , or a substituted or unsubstituted carbazole group on at least one of Ar 1 and Ar 2 . It may be a fluorene-based compound containing a fluorene group.

화학식 H-1로 표시되는 화합물은 하기 화합물군 H의 화합물들 중 어느 하나로 표시될 수 있다. 하지만, 하기 화합물군 H에 나열된 화합물들은 예시적인 것으로 화학식 H-1로 표시되는 화합물이 하기 화합물군 H에 표시된 것에 한정되는 것은 아니다.The compound represented by Formula H-1 may be represented by any one of the compounds of the compound group H below. However, the compounds listed in the following compound group H are illustrative, and the compound represented by the formula H-1 is not limited to those shown in the following compound group H.

[화합물군 H][Compound group H]

Figure 112021103667516-pat00034
Figure 112021103667516-pat00035
Figure 112021103667516-pat00036
Figure 112021103667516-pat00034
Figure 112021103667516-pat00035
Figure 112021103667516-pat00036

정공 수송 영역(HTR)은 구리프탈로시아닌(copper phthalocyanine) 등의 프탈로시아닌(phthalocyanine) 화합물, DNTPD(N1,N1'-([1,1'-biphenyl]-4,4'-diyl)bis(N1-phenyl-N4,N4-di-m-tolylbenzene-1,4-diamine)), m-MTDATA(4,4',4"-[tris(3-methylphenyl)phenylamino] triphenylamine), TDATA(4,4'4"-Tris(N,N-diphenylamino)triphenylamine), 2-TNATA(4,4',4"-tris[N(2-naphthyl)-N-phenylamino]-triphenylamine), PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate)), PANI/DBSA(Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid), PANI/CSA(Polyaniline/Camphor sulfonicacid), PANI/PSS(Polyaniline/Poly(4-styrenesulfonate)), NPB(N,N'-di(naphthalene-l-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine), 트리페닐아민을 포함하는 폴리에테르케톤(TPAPEK), 4-Isopropyl-4'-methyldiphenyliodonium [Tetrakis(pentafluorophenyl)borate], HATCN(dipyrazino[2,3-f: 2',3'-h] quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile) 등을 포함할 수 있다.The hole transport region (HTR) is a phthalocyanine compound such as copper phthalocyanine, DNTPD (N 1 ,N 1' -([1,1'-biphenyl]-4,4'-diyl)bis(N 1 -phenyl-N 4 ,N 4 -di-m-tolylbenzene-1,4-diamine)), m-MTDATA(4,4',4"-[tris(3-methylphenyl)phenylamino] triphenylamine), TDATA( 4,4'4"-Tris(N,N-diphenylamino)triphenylamine), 2-TNATA(4,4',4"-tris[N(2-naphthyl)-N-phenylamino]-triphenylamine), PEDOT/PSS (Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate)), PANI/DBSA(Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid), PANI/CSA(Polyaniline/Camphor sulfonicacid), PANI/PSS(Polyaniline/Poly(4-styrenesulfonate) ), NPB (N,N'-di(naphthalene-l-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine), polyether ketone containing triphenylamine (TPAPEK), 4-Isopropyl-4'-methyldiphenyliodonium [ Tetrakis (pentafluorophenyl) borate], HATCN (dipyrazino [2,3-f: 2', 3'-h] quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile) and the like.

정공 수송 영역(HTR)은 N-페닐카바졸, 폴리비닐카바졸 등의 카바졸계 유도체, 플루오렌(fluorene)계 유도체, TPD(N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1'-biphenyl]-4,4'-diamine), TCTA(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine) 등과 같은 트리페닐아민계 유도체, NPB(N,N'-di(naphthalene-l-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine), TAPC(4,4′-Cyclohexylidene bis[N,N-bis(4-methylphenyl)benzenamine]), HMTPD(4,4'-Bis[N,N'-(3-tolyl)amino]-3,3'-dimethylbiphenyl), mCP(1,3-Bis(N-carbazolyl)benzene) 등을 포함할 수도 있다.The hole transport region (HTR) is a carbazole-based derivative such as N-phenylcarbazole or polyvinylcarbazole, a fluorene-based derivative, or TPD (N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'- Triphenylamine derivatives such as diphenyl-[1,1'-biphenyl]-4,4'-diamine), TCTA (4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine), NPB (N,N '-di(naphthalene-l-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine), TAPC(4,4′-Cyclohexylidene bis[N,N-bis(4-methylphenyl)benzenamine]), HMTPD(4,4 '-Bis[N,N'-(3-tolyl)amino]-3,3'-dimethylbiphenyl), mCP (1,3-Bis(N-carbazolyl)benzene), and the like may be included.

또한, 정공 수송 영역(HTR)은, N-페닐카바졸, 폴리비닐카바졸 등의 카바졸계 유도체, 플루오렌(fluorene)계 유도체, TPD(N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1-biphenyl]-4,4'-diamine), TCTA(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine) 등과 같은 트리페닐아민계 유도체, NPB(N,N'-di(naphthalene-l-yl)-N,N'-diplienyl-benzidine), TAPC(4,4′-Cyclohexylidene bis[N,N-bis(4-methylphenyl)benzenamine]), HMTPD(4,4'-Bis[N,N'-(3-tolyl)amino]-3,3'-dimethylbiphenyl), CzSi(9-(4-tert-Butylphenyl)-3,6-bis(triphenylsilyl)-9H-carbazole), CCP(9-phenyl-9H-3,9'-bicarbazole), mCP(1,3-Bis(N-carbazolyl)benzene), 또는 mDCP(1,3-bis(1,8-dimethyl-9H-carbazol-9-yl)benzene)등을 포함할 수 있다.In addition, the hole transport region (HTR) is a carbazole-based derivative such as N-phenylcarbazole or polyvinylcarbazole, a fluorene-based derivative, TPD (N,N'-bis(3-methylphenyl)-N, Triphenylamine derivatives such as N'-diphenyl-[1,1-biphenyl]-4,4'-diamine), TCTA (4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine), NPB (N ,N'-di(naphthalene-l-yl)-N,N'-diplienyl-benzidine), TAPC(4,4′-Cyclohexylidene bis[N,N-bis(4-methylphenyl)benzenamine]), HMTPD(4 ,4'-Bis[N,N'-(3-tolyl)amino]-3,3'-dimethylbiphenyl), CzSi(9-(4-tert-Butylphenyl)-3,6-bis(triphenylsilyl)-9H- carbazole), CCP (9-phenyl-9H-3,9'-bicarbazole), mCP (1,3-Bis(N-carbazolyl)benzene), or mDCP (1,3-bis(1,8-dimethyl-9H -carbazol-9-yl)benzene) and the like.

정공 수송 영역(HTR)은 상술한 정공 수송 영역의 화합물들을 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 및 전자 저지층(EBL) 중 적어도 하나에 포함할 수 있다.The hole transport region HTR may include the compound of the hole transport region described above in at least one of the hole injection layer HIL, the hole transport layer HTL, and the electron blocking layer EBL.

정공 수송 영역(HTR)의 두께는 약 100Å 내지 약 10000Å, 예를 들어, 약 100Å 내지 약 5000Å일 수 있다. 정공 수송 영역(HTR)이 정공 주입층(HIL)을 포함하는 경우, 정공 주입층(HIL)의 두께는 예를 들어 약 30Å 내지 약 1000Å일 수 있다. 정공 수송 영역(HTR)이 정공 수송층(HTL)을 포함하는 경우, 정공 수송층(HTL)의 두께는 약 30Å 내지 약 1000Å 일 수 있다. 예를 들어, 정공 수송 영역(HTR)이 전자 저지층(EBL)을 포함하는 경우 전자 저지층(EBL)의 두께는 약 10Å 내지 약 1000Å일 수 있다. 정공 수송 영역(HTR), 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL) 및 전자 저지층(EBL)의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승 없이 만족스러운 정도의 정공 수송 특성을 얻을 수 있다.The hole transport region HTR may have a thickness of about 100 Å to about 10000 Å, for example, about 100 Å to about 5000 Å. When the hole transport region HTR includes the hole injection layer HIL, the thickness of the hole injection layer HIL may be, for example, about 30 Å to about 1000 Å. When the hole transport region HTR includes the hole transport layer HTL, the hole transport layer HTL may have a thickness of about 30 Å to about 1000 Å. For example, when the hole transport region HTR includes the electron blocking layer EBL, the electron blocking layer EBL may have a thickness of about 10 Å to about 1000 Å. When the thicknesses of the hole transport region (HTR), the hole injection layer (HIL), the hole transport layer (HTL), and the electron blocking layer (EBL) satisfy the ranges described above, the hole transport characteristics are satisfactory without substantially increasing the driving voltage. can be obtained.

정공 수송 영역(HTR)은 앞서 언급한 물질 외에, 도전성 향상을 위하여 전하 생성 물질을 더 포함할 수 있다. 전하 생성 물질은 정공 수송 영역(HTR) 내에 균일하게 또는 불균일하게 분산되어 있을 수 있다. 전하 생성 물질은 예를 들어, p-도펀트(dopant)일 수 있다. p-도펀트는 할로겐화 금속 화합물, 퀴논(quinone) 유도체, 금속 산화물 및 시아노(cyano)기 함유 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, p-도펀트는 CuI 및 RbI 등의 할로겐화 금속 화합물, TCNQ(Tetracyanoquinodimethane) 및 F4-TCNQ(2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane) 등과 같은 퀴논 유도체, 텅스텐 산화물 및 몰리브덴 산화물 등과 같은 금속 산화물, HATCN(dipyrazino[2,3-f: 2',3'-h] quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile) 및 4-[[2,3-bis[cyano-(4-cyano-2,3,5,6-tetrafluorophenyl)methylidene]cyclopropylidene]-cyanomethyl]-2,3,5,6-tetrafluorobenzonitrile과 같은 시아노기 함유 화합물 등을 들 수 있으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.In addition to the aforementioned materials, the hole transport region HTR may further include a charge generating material to improve conductivity. The charge generating material may be uniformly or non-uniformly dispersed within the hole transport region (HTR). The charge generating material may be, for example, a p-dopant. The p-dopant may include at least one of a metal halide compound, a quinone derivative, a metal oxide, and a compound containing a cyano group, but is not limited thereto. For example, the p-dopant is a halogenated metal compound such as CuI and RbI, a quinone derivative such as TCNQ (Tetracyanoquinodimethane) and F4-TCNQ (2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane). , metal oxides such as tungsten oxide and molybdenum oxide, HATCN (dipyrazino[2,3-f:2',3'-h] quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile) and 4-[[ and cyano group-containing compounds such as 2,3-bis[cyano-(4-cyano-2,3,5,6-tetrafluorophenyl)methylidene]cyclopropylidene]-cyanomethyl]-2,3,5,6-tetrafluorobenzonitrile. However, the embodiment is not limited thereto.

전술한 바와 같이, 정공 수송 영역(HTR)은 정공 주입층(HIL) 및 정공 수송층(HTL) 외에, 버퍼층(미도시) 및 전자 저지층(EBL) 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다. 버퍼층(미도시)은 발광층(EML)에서 방출되는 광의 파장에 따른 공진 거리를 보상하여 광 방출 효율을 증가시킬 수 있다. 버퍼층(미도시)에 포함되는 물질로는 정공 수송 영역(HTR)에 포함될 수 있는 물질을 사용할 수 있다. 전자 저지층(EBL)은 전자 수송 영역(ETR)으로부터 정공 수송 영역(HTR)으로의 전자 주입을 방지하는 역할을 하는 층이다.As described above, the hole transport region HTR may further include at least one of a buffer layer (not shown) and an electron blocking layer EBL in addition to the hole injection layer HIL and the hole transport layer HTL. The buffer layer (not shown) may increase light emission efficiency by compensating for a resonance distance according to a wavelength of light emitted from the light emitting layer EML. A material that may be included in the hole transport region (HTR) may be used as a material included in the buffer layer (not shown). The electron blocking layer EBL is a layer that serves to prevent injection of electrons from the electron transport region ETR to the hole transport region HTR.

발광층(EML)은 정공 수송 영역(HTR) 상에 제공된다. 발광층(EML)은 예를 들어 약 100Å 내지 약 1000Å 또는, 약 100Å 내지 약 300Å의 두께를 갖는 것일 수 있다. 발광층(EML)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.The light emitting layer EML is provided on the hole transport region HTR. The light emitting layer EML may have a thickness of, for example, about 100 Å to about 1000 Å or about 100 Å to about 300 Å. The light emitting layer EML may have a single layer structure made of a single material, a single layer made of a plurality of different materials, or a multilayer structure having a plurality of layers made of a plurality of different materials.

일 실시예의 발광 소자(ED)는 일 실시예에 따른 축합환 화합물을 포함하는 것일 수 있다. 일 실시예의 축합환 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 것일 수 있다.The light emitting device ED according to an embodiment may include a condensed cyclic compound according to an embodiment. The condensed cyclic compound of one embodiment may be represented by Formula 1 below.

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112021103667516-pat00037
Figure 112021103667516-pat00037

화학식 1에서, X1 내지 X4는 각각 독립적으로, O, S, CR5R6, 또는 NR7이다. 예를 들어, 일 실시예에서 X1 내지 X4 중 선택되는 적어도 두 개는 NR7이고, 나머지는 각각 독립적으로 O, S, 또는 CR5R6일 수 있다. 구체적으로 X1 내지 X4 중 선택되는 적어도 두 개는 NR7이고 나머지는 모두 O이거나, X1 내지 X4 중 선택되는 적어도 두 개는 NR7이고 나머지는 모두 S이거나, X1 내지 X4 중 선택되는 적어도 두 개는 NR7이고 나머지는 O 및 S 중 선택되는 것일 수 있다. 예를 들어, 일 실시예의 축합환 화합물에서 X1 내지 X4 중 선택되는 적어도 두 개는 NR7이고, 나머지는 각각 독립적으로 O 또는 S일 수 있다.In Formula 1, X 1 to X 4 are each independently O, S, CR 5 R 6 , or NR 7 . For example, in one embodiment, at least two selected from X 1 to X 4 are NR 7 , and the others may be independently O, S, or CR 5 R 6 . Specifically, at least two selected from X 1 to X 4 are NR 7 and all others are O, or at least two selected from X 1 to X 4 are NR 7 and all others are S, or among X 1 to X 4 At least two selected are NR 7 , and the others may be selected from O and S. For example, in the condensed cyclic compound of one embodiment, at least two selected from X 1 to X 4 are NR 7 , and the others may each independently be O or S.

화학식 1에서 m 및 n은 각각 독립적으로 0 이상 3 이하의 정수이고, o 및 p는 각각 독립적으로 0 이상 4이하의 정수일 수 있다. m이 2 이상의 정수인 경우 복수 개의 R1들은 모두 동일하거나 적어도 하나가 나머지와 상이한 것일 수 있다. 한편, n, o, p가 각각 2 이상의 정수인 경우 복수 개의 R2, R3, R4 들도 각각 모두 동일하거나 적어도 하나가 나머지 R2, R3, R4 들과 상이한 것일 수 있다.In Formula 1, m and n may each independently be an integer of 0 or more and 3 or less, and o and p may each independently be an integer of 0 or more and 4 or less. When m is an integer of 2 or more, all of a plurality of R 1 may be the same or at least one may be different from the others. Meanwhile, when n, o, and p are each an integer of 2 or more, a plurality of R 2 , R 3 , and R 4 may be the same or at least one may be different from the rest of R 2 , R 3 , and R 4 .

일 실시예의 축합환 화합물에서 m 및 n은 1 이고, o 및 p는 0일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.In the condensed cyclic compound of one embodiment, m and n may be 1, and o and p may be 0. However, the embodiment is not limited thereto.

화학식 1로 표시되는 축합환 화합물에서 R0 내지 R7는 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1이상 10 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로고리일 수 있다. In the condensed cyclic compound represented by Formula 1, R 0 to R 7 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a substituted or unsubstituted silyl group, a substituted or unsubstituted amine group, It may be a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms for ring formation, or a substituted or unsubstituted heterocycle having 2 to 30 carbon atoms for ring formation.

또한, R1 내지 R7 중 적어도 하나는 하기 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시되는 치환기를 포함하는 것일 수 있다. 즉, 일 실시예에서 R1 내지 R7 중 적어도 하나는 하기 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시되는 치환기이거나, 또는 하기 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시되는 치환기를 R1 내지 R7 등의 치환기의 일부로 포함하는 것일 수 있다.In addition, at least one of R 1 to R 7 may include a substituent represented by Formula 2 or Formula 3 below. That is, in one embodiment, at least one of R 1 to R 7 is a substituent represented by Formula 2 or Formula 3 below, or a substituent represented by Formula 2 or Formula 3 below is included as part of substituents such as R 1 to R 7 . it may be

[화학식 2] [화학식 3][Formula 2] [Formula 3]

Figure 112021103667516-pat00038
Figure 112021103667516-pat00039
Figure 112021103667516-pat00038
Figure 112021103667516-pat00039

상기 화학식 2 및 화학식 3에서 "

Figure 112021103667516-pat00040
"는 축합환 고리와 결합되는 부분이거나, R1 내지 R7 등의 치환기의 일부와 결합되는 부분일 수 있다. 예를 들어, R7이 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시되는 치환기를 포함하는 경우 "
Figure 112021103667516-pat00041
" 부분이 NR7에서 질소 원자(N)과 결합되는 부분일 수 있다.In Formula 2 and Formula 3 "
Figure 112021103667516-pat00040
"Is a portion bonded to a condensed ring, or may be a portion bonded to a portion of a substituent such as R 1 to R 7 . For example, when R 7 includes a substituent represented by Formula 2 or Formula 3"
Figure 112021103667516-pat00041
" portion may be a portion bonded to a nitrogen atom (N) in NR 7 .

상기 화학식 2 및 화학식 3에서, Y1 내지 Y3은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 치환 또는 비치환된 아민기, 또는 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로고리이고, R8 내지 R14는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기일 수 있다.In Formula 2 and Formula 3, Y 1 to Y 3 are each independently a substituted or unsubstituted aryl group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, a substituted or unsubstituted amine group, or a substituted or unsubstituted ring carbon number 2 or more and 30 or less heterocyclic, R 8 to R 14 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a substituted or unsubstituted silyl group, or a substituted or unsubstituted carbon atom of 1 or more It may be an alkyl group of 10 or less.

예를 들어, 화학식 2 및 화학식 3에서 Y1 내지 Y3은 각각 독립적으로 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기이거나, 또는 탄소수 1 이상 10 이하의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기가 치환된 고리형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기일 수 있다. 구체적으로 Y1 내지 Y3은 각각 독립적으로 비치환된 페닐기, 또는 탄소수 1 이상 10 이하의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기로 치환된 페닐기일 수 있다. 또한, 화학식 2 및 화학식 3에서 R8 내지 R14는 모두 수소 원자일 수 있다. 하지만 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.For example, in Formulas 2 and 3, Y 1 to Y 3 are each independently an unsubstituted aryl group having 6 or more and 30 or less carbon atoms for forming a ring, or a straight-chain or branched-chain alkyl group having 1 or more and 10 or less carbon atoms substituted. It may be an aryl group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms. Specifically, Y 1 to Y 3 may each independently be an unsubstituted phenyl group or a phenyl group substituted with a straight-chain or branched-chain alkyl group having 1 to 10 carbon atoms. Also, in Chemical Formulas 2 and 3, R 8 to R 14 may all be hydrogen atoms. However, the embodiment is not limited thereto.

화학식 2는 하기 화학식 2-1로 표시되는 것일 수 있다.Chemical Formula 2 may be represented by Chemical Formula 2-1 below.

[화학식 2-1][Formula 2-1]

Figure 112021103667516-pat00042
Figure 112021103667516-pat00042

상기 화학식 2-1에서, RY1은 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기일 수 있다. 한편, R8 내지 R11에 대하여는 상술한 화학식 2에서 설명한 내용과 동일한 내용이 적용될 수 있다.In Formula 2-1, R Y1 may be a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a substituted or unsubstituted silyl group, or a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms. Meanwhile, the same information as described in Chemical Formula 2 may be applied to R 8 to R 11 .

화학식 3은 하기 화학식 3-1로 표시되는 것일 수 있다.Chemical Formula 3 may be represented by Chemical Formula 3-1 below.

[화학식 3-1][Formula 3-1]

Figure 112021103667516-pat00043
Figure 112021103667516-pat00043

상기 화학식 3-1에서, RY2 및 RY3은 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기일 수 있다. 또한, R12 내지 R14에 대하여는 상술한 상기 화학식 3에서 설명한 내용과 동일한 내용이 적용될 수 있다.In Formula 3-1, R Y2 and R Y3 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a substituted or unsubstituted silyl group, or a substituted or unsubstituted carbon number of 1 to 10 It may be an alkyl group of In addition, with respect to R 12 to R 14 , the same information as described in Chemical Formula 3 may be applied.

일 실시예의 축합환 화합물에서, 예를 들어 R1 내지 R7 중 적어도 하나는 하기 S-1 내지 S-3 중 어느 하나로 표시되는 치환기를 포함하는 것일 수 있다.In the condensed cyclic compound of one embodiment, for example, at least one of R 1 to R 7 may include a substituent represented by any one of the following S-1 to S-3.

Figure 112021103667516-pat00044
Figure 112021103667516-pat00044

하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.However, the embodiment is not limited thereto.

화학식 1로 표시되는 일 실시예의 축합환 화합물에서 m 및 n은 1이고, R1 및 R2는 각각 독립적으로 NRaRb일 수 있다. 이 때, Ra, Rb, 및 R7 중 적어도 하나는 상기 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시되고, 나머지는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기일 수 있다. 예를 들어, Ra, Rb, 및 R7 중 적어도 하나는 상술한 S-1 내지 S-3 중 어느 하나로 표시되는 치환기를 포함하는 것일 수 있다.In an embodiment of the condensed cyclic compound represented by Formula 1, m and n are 1, and R 1 and R 2 may each independently be NR a R b . In this case, at least one of R a , R b , and R 7 is represented by Formula 2 or Formula 3, and the others may be substituted or unsubstituted aryl groups having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms. For example, at least one of R a , R b , and R 7 may include a substituent represented by any one of S-1 to S-3 described above.

화학식 1로 표시되는 일 실시예의 축합환 화합물에서, m 및 n은 1이고, R1 및 R2는 각각 독립적으로 하기 AM-1 내지 AM-11 중 어느 하나로 표시되는 것일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 아래 AM-1 내지 AM-11 중 tBu는 tert-부틸기이고, "D"는 중수소 원자이다.In the condensed cyclic compound represented by Formula 1, m and n are 1, and R 1 and R 2 may each independently be represented by any one of the following AM-1 to AM-11. However, the embodiment is not limited thereto. In AM-1 to AM-11 below, tBu is a tert-butyl group, and "D" is a deuterium atom.

Figure 112021103667516-pat00045
Figure 112021103667516-pat00046
Figure 112021103667516-pat00047
Figure 112021103667516-pat00045
Figure 112021103667516-pat00046
Figure 112021103667516-pat00047

화학식 1로 표시되는 일 실시예의 축합환 화합물은 하기 화학식 1-1 내지 화학식 1-6 중 어느 하나로 표시되는 것일 수 있다. 화학식 1-1 내지 화학식 1-6에서는 일 실시예의 축합환 화합물에서 di-boron계 축합환의 고리 형성 원자의 조합을 예시적으로 나타내었다.The condensed cyclic compound of one embodiment represented by Formula 1 may be one represented by any one of Formulas 1-1 to 1-6 below. In Chemical Formulas 1-1 to 1-6, combinations of ring-forming atoms of the di-boron-based condensed ring in the condensed cyclic compound of one embodiment are exemplarily shown.

[화학식 1-1] [Formula 1-1]

Figure 112021103667516-pat00048
Figure 112021103667516-pat00048

[화학식 1-2][Formula 1-2]

Figure 112021103667516-pat00049
Figure 112021103667516-pat00049

[화학식 1-3] [Formula 1-3]

Figure 112021103667516-pat00050
Figure 112021103667516-pat00050

[화학식 1-4][Formula 1-4]

Figure 112021103667516-pat00051
Figure 112021103667516-pat00051

[화학식 1-5] [화학식 1-6][Formula 1-5] [Formula 1-6]

Figure 112021103667516-pat00052
상기 화학식 1-1 내지 화학식 1-6에서, R71 내지 R74는 각각 독립적으로 상기 화학식 1에서 정의된 R7에 해당한다. 또한, 상기 화학식 1-1 내지 화학식 1-6에서, X1 내지 X4, R0 내지 R4, 및 m 내지 p에 대하여는 상술한 화학식 1 내지 화학식 3에 대하여 설명한 내용과 동일한 내용이 적용될 수 있다.
Figure 112021103667516-pat00052
In Formulas 1-1 to 1-6, R 71 to R 74 each independently correspond to R 7 defined in Formula 1 above. In addition, in Chemical Formulas 1-1 to 1-6, X 1 to X 4 , R 0 to R 4 , and m to p may be the same as those described for Chemical Formulas 1 to 3. .

한편, 일 실시예의 축합환 화합물은 하기 화학식 A로 표시될 수 있다.Meanwhile, the condensed cyclic compound of one embodiment may be represented by Formula A below.

[화학식 A][Formula A]

Figure 112021103667516-pat00053
Figure 112021103667516-pat00053

상기 화학식 A에서, X1 내지 X4는 각각 독립적으로, O, S, CR5R6, 또는 NR7이고, o 및 p는 각각 독립적으로 0 이상 4이하의 정수일 수 있다. 또한, R0, 및 R3 내지 R7는 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1이상 10 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로고리이다. Ra1, Rb1, Ra2, Rb2는 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1이상 10 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로고리이거나, 또는 Ra1와 Rb1가 서로 결합하여 고리를 형성하거나, 또는 Ra2와 Rb2가 서로 결합하여 고리를 형성한다. 또한, Ra1, Rb1, Ra2, Rb2, 및 R7 중 적어도 하나는 하기 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시되는 치환기를 포함한다.In Formula A, X 1 to X 4 are each independently O, S, CR 5 R 6 , or NR 7 , and o and p may each independently be an integer of 0 or more and 4 or less. Also, R 0 , And R 3 to R 7 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a substituted or unsubstituted silyl group, a substituted or unsubstituted amine group, or a substituted or unsubstituted carbon number of 1 or more An alkyl group having 10 or less carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms for ring formation, or a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 2 to 30 carbon atoms for ring formation. R a1 , R b1 , R a2 , R b2 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a substituted or unsubstituted silyl group, a substituted or unsubstituted amine group, or a substituted or unsubstituted carbon number 1 to 10 alkyl group, substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms for ring formation, or substituted or unsubstituted heterocyclic group with 2 to 30 carbon atoms for ring formation, or R a1 and R b1 are bonded to each other to form a ring, or R a2 and R b2 combine with each other to form a ring. In addition, R a1 , At least one of R b1 , R a2 , R b2 , and R 7 includes a substituent represented by Formula 2 or Formula 3 below.

[화학식 2] [화학식 3][Formula 2] [Formula 3]

Figure 112021103667516-pat00054
Figure 112021103667516-pat00055
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Figure 112021103667516-pat00055

상기 화학식 2 및 화학식 3에서, Y1 내지 Y3은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 치환 또는 비치환된 아민기, 또는 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로고리이고, R8 내지 R14는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기이다. 한편, 상기 화학식 2 및 화학식 3에 대하여는 상술한 화학식 1로 표시되는 축합환 화합물에서 화학식 2 및 화학식 3에 대하여 설명한 내용과 동일한 내용이 적용될 수 있다.In Formula 2 and Formula 3, Y 1 to Y 3 are each independently a substituted or unsubstituted aryl group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, a substituted or unsubstituted amine group, or a substituted or unsubstituted ring carbon number 2 or more and 30 or less heterocyclic, R 8 to R 14 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a substituted or unsubstituted silyl group, or a substituted or unsubstituted carbon atom of 1 or more It is an alkyl group of 10 or less. Meanwhile, the same contents as those described for Chemical Formulas 2 and 3 in the condensed cyclic compound represented by Chemical Formula 1 may be applied to Chemical Formulas 2 and 3.

화학식 A로 표시되는 일 실시예의 축합환 화합물에서 Ra1 및 Rb1이 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 카바졸 고리를 형성할 수 있다. 또한, Ra2 및 Rb2가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 카바졸 고리를 형성할 수 있다. 화학식 A로 표시되는 일 실시예의 축합환 화합물은 Ra1 및 Rb1이 서로 결합하여 형성한 카바졸 고리 및 Ra2 및 Rb2가 서로 결합하여 형성한 카바졸 고리 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.In an embodiment of the condensed cyclic compound represented by Formula A, R a1 and R b1 may combine with each other to form a substituted or unsubstituted carbazole ring. In addition, R a2 and R b2 may combine with each other to form a substituted or unsubstituted carbazole ring. The condensed cyclic compound represented by Formula A according to an embodiment may include at least one of a carbazole ring formed by combining R a1 and R b1 and a carbazole ring formed by combining R a2 and R b2 .

화학식 A로 표시되는 일 실시예의 축합환 화합물에서 X1 내지 X4 중 선택되는 적어도 두 개는 NR7이고, 나머지는 각각 독립적으로 O, S, 또는 CR5R6일 수 있다. 예를 들어, 화학식 A로 표시되는 일 실시예의 축합환 화합물은 하기 화학식 A-1 내지 화학식 A-6 중 어느 하나로 표시되는 것일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.In the condensed cyclic compound represented by Formula A of an embodiment, at least two selected from X 1 to X 4 are NR 7 , and the others may be independently O, S, or CR 5 R 6 . For example, the condensed cyclic compound of one embodiment represented by Formula A may be one represented by any one of Formulas A-1 to A-6 below. However, the embodiment is not limited thereto.

[화학식 A-1] [Formula A-1]

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Figure 112021103667516-pat00056

[화학식 A-2] [Formula A-2]

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Figure 112021103667516-pat00057

[화학식 A-3] [Formula A-3]

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Figure 112021103667516-pat00058

[화학식 A-4][Formula A-4]

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Figure 112021103667516-pat00059

[화학식 A-5] [Formula A-5]

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Figure 112021103667516-pat00060

[화학식 A-6][Formula A-6]

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Figure 112021103667516-pat00061

상기 화학식 A-1 내지 화학식 A-6에서, R71 내지 R74는 각각 독립적으로 상기 화학식 A에서 정의된 R7에 해당한다. 또한, 상기 화학식 A-1 내지 화학식 A-6에서, X1 내지 X4, R0, Ra1, Rb1, Ra2, Rb2, R3, R4, o, 및 p는 상술한 화학식 A에서 정의한 내용과 동일한 내용이 적용될 수 있다.In Formula A-1 to Formula A-6, R 71 to R 74 each independently correspond to R 7 defined in Formula A. In addition, in Formulas A-1 to Formulas A-6, X 1 to X 4 , R 0 , R a1 , R b1 , R a2 , R b2 , R 3 , R 4 , o, and p may be the same as those defined in Chemical Formula A above.

예를 들어, 화학식 A로 표시되는 일 실시예의 축합환 화합물은 하기 화학식 A-a로 표시될 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the condensed cyclic compound of one embodiment represented by Formula A may be represented by Formula A-a below. However, the embodiment is not limited thereto.

[화학식 A-a][Formula A-a]

Figure 112021103667516-pat00062
Figure 112021103667516-pat00062

상기 화학식 A-a에서, X1 내지 X4, R0, Ra1, Rb1, Ra2, Rb2, R3, R4, o, 및 p는 상술한 화학식 A에서 정의한 내용과 동일한 내용이 적용될 수 있다.In Formula Aa, X 1 to X 4 , R 0 , R a1 , R b1 , R a2 , R b2 , R 3 , R 4 , o, and p may be the same as those defined in Chemical Formula A above.

화학식 1 또는 화학식 A로 표시되는 일 실시예의 축합환 화합물은 하기 화합물군 1의 화합물들 중 어느 하나로 표시되는 것일 수 있다. 일 실시예의 발광 소자(ED)는 발광층(EML)에 하기 화합물군 1의 축합환 화합물들 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다. The condensed cyclic compound of one embodiment represented by Formula 1 or Formula A may be one represented by any one of the compounds of Compound Group 1 below. The light emitting device ED according to an embodiment may include at least one of condensed cyclic compounds of compound group 1 in the light emitting layer EML.

[화합물군 1][Compound group 1]

Figure 112021103667516-pat00063
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Figure 112021103667516-pat00064
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Figure 112021103667516-pat00069
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Figure 112021103667516-pat00070
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화학식 1 또는 화학식 A 등으로 표시되는 일 실시예의 축합환 화합물은 형광 발광 재료 또는 열활성 지연 형광(Thermally Activated Delayed Fluorescence, TADF) 재료로 사용될 수 있다. 예를 들어, 일 실시예의 축합환 화합물은 청색광을 발광하는 형광 도펀트 재료 또는 TADF 도펀트 재료로 사용될 수 있다. 일 실시예의 축합환 화합물은 490nm 이하의 파장 영역에서 발광 중심 파장(λmax)을 갖는 발광 재료일 수 있다. 예를 들어, 화학식 1 또는 화학식 A로 표시되는 일 실시예의 축합환 화합물은 450nm 이상 470nm 이하의 파장 영역에서 발광 중심 파장을 갖는 발광 재료일 수 있다. 즉, 일 실시예의 축합환 화합물은 청색 열활성 지연 형광 도펀트일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.The condensed cyclic compound represented by Chemical Formula 1 or Chemical Formula A may be used as a fluorescent light emitting material or a thermally activated delayed fluorescence (TADF) material. For example, the condensed cyclic compound of one embodiment may be used as a fluorescent dopant material or a TADF dopant material emitting blue light. The condensed cyclic compound of one embodiment may be a light emitting material having an emission central wavelength (λ max ) in a wavelength region of 490 nm or less. For example, the condensed cyclic compound represented by Chemical Formula 1 or Chemical Formula A of an embodiment may be a light emitting material having an emission center wavelength in a wavelength region of 450 nm or more and 470 nm or less. That is, the condensed cyclic compound of one embodiment may be a blue thermally activated delayed fluorescence dopant. However, the embodiment is not limited thereto.

도 3 내지 도 6에 도시된 일 실시예의 발광 소자(ED)에서 발광층(EML)은 호스트 및 도펀트를 포함할 수 있고, 발광층(EML)은 상술한 일 실시예의 축합환 화합물을 도펀트로 포함하는 것일 수 있다.In the light emitting device ED of one embodiment shown in FIGS. 3 to 6 , the light emitting layer EML may include a host and a dopant, and the light emitting layer EML may include the condensed cyclic compound of the above-described embodiment as a dopant. can

화학식 1 또는 화학식 A 등으로 표시되는 일 실시예의 축합환 화합물은 Di-boron계 축합환 코어를 포함하고, 부피가 큰(bulky) 치환기를 적어도 하나 포함하여 붕소 원자(B)를 보호할 수 있다. 또한, 일 실시예의 축합환 화합물은 부피가 큰(bulky) 치환기를 적어도 하나 포함하여 이종 분자들 간의 에너지 전달을 억제함으로써 높은 재료 안정성을 나타낼 수 있다. 따라서, 일 실시예의 축합환 화합물을 발광층(EML)에 포함한 일 실시예의 발광 소자(ED)는 개선된 수명 특성을 나타낼 수 있다. 또한, 화학식 1 또는 화학식 A 등으로 표시되는 일 실시예의 축합환 화합물을 발광층(EML)에 포함하는 일 실시예의 발광 소자(ED)는 지연 형광을 방출하는 것일 수 있다. 일 실시예의 발광 소자(ED)는 열활성 지연 형광(Thermally Activated Delayed Fluorescence, TADF)을 발광하는 것일 수 있으며, 발광 소자(ED)는 고효율 특성을 나타낼 수 있다. The condensed-ring compound represented by Formula 1 or Formula A of an embodiment includes a di-boron-based condensed-ring core and includes at least one bulky substituent to protect the boron atom (B). In addition, the condensed cyclic compound of one embodiment may exhibit high material stability by including at least one bulky substituent to inhibit energy transfer between heterogeneous molecules. Accordingly, the light emitting device ED of an embodiment including the condensed cyclic compound of an embodiment in the light emitting layer EML may exhibit improved lifespan characteristics. In addition, the light emitting device ED of an embodiment including the condensed cyclic compound represented by Chemical Formula 1 or Chemical Formula A in the light emitting layer EML may emit delayed fluorescence. The light emitting device ED of one embodiment may emit thermally activated delayed fluorescence (TADF), and may exhibit high efficiency characteristics.

일 실시예의 발광 소자(ED)는 상술한 일 실시예의 축합환 화합물 이외에 하기의 발광층 재료를 더 포함하는 것일 수 있다. 일 실시예의 발광 소자(ED)에서 발광층(EML)은 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 플루오란텐 유도체, 크리센 유도체, 디하이드로벤즈안트라센 유도체, 또는 트리페닐렌 유도체를 포함하는 것일 수 있다. 구체적으로, 발광층(EML)은 안트라센 유도체 또는 피렌 유도체를 포함하는 것일 수 있다.The light emitting device ED of one embodiment may further include the following light emitting layer material in addition to the condensed cyclic compound of one embodiment described above. In the light emitting device ED, the light emitting layer EML may include an anthracene derivative, a pyrene derivative, a fluoranthene derivative, a chrysene derivative, a dihydrobenzanthracene derivative, or a triphenylene derivative. Specifically, the light emitting layer (EML) may include an anthracene derivative or a pyrene derivative.

도 3 내지 도 6에 도시된 일 실시예의 발광 소자(ED)에서 발광층(EML)은 호스트 및 도펀트를 포함할 수 있고, 발광층(EML)은 하기 화학식 E-1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. 하기 화학식 E-1로 표시되는 화합물은 형광 호스트재료로 사용될 수 있다.In the light emitting device ED of an embodiment shown in FIGS. 3 to 6 , the light emitting layer EML may include a host and a dopant, and the light emitting layer EML may include a compound represented by Chemical Formula E-1 below. . A compound represented by Formula E-1 may be used as a fluorescent host material.

[화학식 E-1][Formula E-1]

Figure 112021103667516-pat00076
Figure 112021103667516-pat00076

화학식 E-1에서, R31 내지 R40은 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이거나, 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성하는 것일 수 있다. 한편, R31 내지 R40은 인접하는 기와 서로 결합하여 포화탄화수소 고리 또는 불포화탄화수소 고리를 형성할 수 있다.In Formula E-1, R 31 to R 40 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted silyl group, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, substituted or unsubstituted It may be an aryl group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms, or bonded to an adjacent group to form a ring. Meanwhile, R 31 to R 40 may combine with adjacent groups to form a saturated hydrocarbon ring or an unsaturated hydrocarbon ring.

화학식 E-1에서 c 및 d는 각각 독립적으로 0 이상 5 이하의 정수일 수 있다.In Formula E-1, c and d may each independently be an integer of 0 or more and 5 or less.

화학식 E-1은 하기 화합물 E1 내지 화합물 E19 중 어느 하나로 표시되는 것일 수 있다.Formula E-1 may be one represented by any one of compounds E1 to E19 below.

Figure 112021103667516-pat00077
Figure 112021103667516-pat00078
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Figure 112021103667516-pat00081
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Figure 112021103667516-pat00082
Figure 112021103667516-pat00082

Figure 112021103667516-pat00083
Figure 112021103667516-pat00083

일 실시예에서 발광층(EML)은 하기 화학식 E-2a 또는 화학식 E-2b로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. 하기 화학식 E-2a 또는 화학식 E-2b로 표시되는 화합물은 인광 호스트재료로 사용될 수 있다.In an embodiment, the light emitting layer EML may include a compound represented by Chemical Formula E-2a or Chemical Formula E-2b. A compound represented by Chemical Formula E-2a or Chemical Formula E-2b may be used as a phosphorescent host material.

[화학식 E-2a][Formula E-2a]

Figure 112021103667516-pat00084
Figure 112021103667516-pat00084

화학식 E-2a에서, a는 0 이상 10 이하의 정수이고 La는 직접 결합, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴렌기일 수 있다. 한편, a가 2 이상의 정수인 경우 복수 개의 La는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴렌기일 수 있다. In Formula E-2a, a is an integer of 0 or more and 10 or less, and L a is a direct bond, a substituted or unsubstituted arylene group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted ring carbon number of 2 or more and 30 or less It may be a heteroarylene group of On the other hand, when a is an integer of 2 or more, a plurality of L a are each independently a substituted or unsubstituted arylene group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroarylene group having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms. can

또한, 화학식 E-2a에서 A1 내지 A5는 각각 독립적으로 N 또는 CRi일 수 있다. Ra 내지 Ri는 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 티오기, 치환 또는 비치환된 옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 이상 20 이하의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이거나, 또는 인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성하는 것일 수 있다. Ra 내지 Ri는 인접하는 기와 서로 결합하여 탄화수소 고리 또는 N, O, S 등을 고리 형성 원자로 포함하는 헤테로 고리를 형성할 수 있다.Also, in Formula E-2a, A 1 to A 5 may each independently be N or CR i . R a to R i are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a substituted or unsubstituted amine group, a substituted or unsubstituted thio group, a substituted or unsubstituted oxy group, or a substituted or unsubstituted carbon number of 1 to 20 an alkyl group, a substituted or unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms for ring formation, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 to 30 carbon atoms for ring formation Or, it may be bonded to adjacent groups to form a ring. R a to R i may bond with adjacent groups to form a hydrocarbon ring or a hetero ring containing N, O, S, etc. as ring-forming atoms.

한편, 화학식 E-2a에서 A1 내지 A5 중 선택되는 두 개 또는 세 개는 N이고 나머지는 CRi일 수 있다.Meanwhile, in Formula E-2a, two or three selected from A 1 to A 5 may be N and the rest may be CR i .

[화학식 E-2b][Formula E-2b]

Figure 112021103667516-pat00085
Figure 112021103667516-pat00085

화학식 E-2b에서 Cbz1 및 Cbz2는 각각 독립적으로 비치환된 카바졸기, 또는 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기로 치환된 카바졸기일 수 있다. Lb는 직접 결합, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴렌기일 수 있다. b는 0 이상 10 이하의 정수이고, b가 2 이상의 정수인 경우 복수 개의 Lb는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴렌기일 수 있다.In Formula E-2b, Cbz1 and Cbz2 may each independently be an unsubstituted carbazole group or a carbazole group substituted with an aryl group having 6 to 30 ring carbon atoms. L b may be a direct bond, a substituted or unsubstituted arylene group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroarylene group having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms. b is an integer of 0 or more and 10 or less, and when b is an integer of 2 or more, a plurality of L bs are each independently a substituted or unsubstituted arylene group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted ring carbon number of 2 It may be a heteroarylene group of 30 or more.

화학식 E-2a 또는 화학식 E-2b로 표시되는 화합물은 하기 화합물군 E-2의 화합물들 중 어느 하나로 표시될 수 있다. 하지만, 하기 화합물군 E-2에 나열된 화합물들은 예시적인 것으로 화학식 E-2a 또는 화학식 E-2b로 표시되는 화합물이 하기 화합물군 E-2에 표시된 것에 한정되는 것은 아니다.The compound represented by Formula E-2a or Formula E-2b may be represented by any one of the compounds of the compound group E-2. However, the compounds listed in the following compound group E-2 are illustrative, and the compounds represented by formula E-2a or formula E-2b are not limited to those shown in the following compound group E-2.

[화합물군 E-2][Compound group E-2]

Figure 112021103667516-pat00086
Figure 112021103667516-pat00086

Figure 112021103667516-pat00087
Figure 112021103667516-pat00087

Figure 112021103667516-pat00088
Figure 112021103667516-pat00089
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Figure 112021103667516-pat00089

발광층(EML)은 호스트 물질로 당 기술분야에 알려진 일반적인 재료를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광층(EML)은 호스트 물질로 DPEPO(Bis[2-(diphenylphosphino)phenyl] ether oxide), CBP(4,4'-Bis(carbazol-9-yl)biphenyl), mCP(1,3-Bis(carbazol-9-yl)benzene), PPF (2,8-Bis(diphenylphosphoryl)dibenzo[b,d]furan), TCTA(4,4',4''-Tris(carbazol-9-yl)-triphenylamine) 및 TPBi(1,3,5-tris(1-phenyl-1H-benzo[d]imidazole-2-yl)benzene) 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다. 다만, 이에 의하여 한정되는 것은 아니며, 예를 들어, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), CBP(4,4'-bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl), PVK(poly(N-vinylcarbazole), ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene), TCTA(4,4',4''-Tris(carbazol-9-yl)-triphenylamine), TPBi(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene), TBADN(2-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl)anthracene), DSA(distyrylarylene), CDBP(4,4′-bis(9-carbazolyl)-2,2′-dimethyl-biphenyl), MADN(2-Methyl-9,10-bis(naphthalen-2-yl)anthracene), CP1(Hexaphenyl cyclotriphosphazene), UGH2 (1,4-Bis(triphenylsilyl)benzene), DPSiO3 (Hexaphenylcyclotrisiloxane), DPSiO4 (Octaphenylcyclotetra siloxane), PPF(2,8-Bis(diphenylphosphoryl)dibenzofuran) 등을 호스트 재료로 사용할 수 있다.The light emitting layer (EML) may further include a general material known in the art as a host material. For example, the light emitting layer (EML) includes DPEPO (Bis[2-(diphenylphosphino)phenyl] ether oxide), CBP (4,4'-Bis(carbazol-9-yl)biphenyl), mCP (1,3 -Bis(carbazol-9-yl)benzene), PPF (2,8-Bis(diphenylphosphoryl)dibenzo[b,d]furan), TCTA(4,4',4''-Tris(carbazol-9-yl) -triphenylamine) and TPBi (1,3,5-tris(1-phenyl-1H-benzo[d]imidazole-2-yl)benzene). However, it is not limited thereto, and for example, Alq 3 (tris (8-hydroxyquinolino) aluminum), CBP (4,4'-bis (N-carbazolyl) -1,1'-biphenyl), PVK (poly (N-vinylcarbazole), ADN (9,10-di (naphthalene-2-yl) anthracene), TCTA (4,4',4''-Tris (carbazol-9-yl)-triphenylamine), TPBi (1, 3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene), TBADN(2-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl)anthracene), DSA(distyrylarylene), CDBP(4,4 ′-bis(9-carbazolyl)-2,2′-dimethyl-biphenyl), MADN(2-Methyl-9,10-bis(naphthalen-2-yl)anthracene), CP1(Hexaphenyl cyclotriphosphazene), UGH2 (1, 4-Bis(triphenylsilyl)benzene), DPSiO 3 (Hexaphenylcyclotrisiloxane), DPSiO 4 (Octaphenylcyclotetra siloxane), PPF (2,8-Bis(diphenylphosphoryl)dibenzofuran), and the like can be used as a host material.

발광층(EML)은 하기 화학식 M-a 또는 화학식 M-b로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. 하기 화학식 M-a 또는 화학식 M-b로 표시되는 화합물은 인광 도펀트 재료로 사용될 수 있다.The light emitting layer (EML) may include a compound represented by Chemical Formula M-a or Chemical Formula M-b. A compound represented by Formula M-a or Formula M-b below may be used as a phosphorescent dopant material.

[화학식 M-a][Formula M-a]

Figure 112021103667516-pat00090
Figure 112021103667516-pat00090

상기 화학식 M-a에서, Y1 내지 Y4, 및 Z1 내지 Z4는 각각 독립적으로 CR1 또는 N이고, R1 내지 R4는 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 티오기, 치환 또는 비치환된 옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 이상 20 이하의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이거나, 또는 인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성하는 것일 수 있다. 화학식 M-a에서, m은 0 또는 1이고, n은 2 또는 3이다. 화학식 M-a에서 m이 0일 때, n은 3이고, m이 1일 때, n은 2 이다. In Formula Ma, Y 1 to Y 4 , and Z 1 to Z 4 are each independently CR 1 or N, and R 1 to R 4 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, or a substituted or unsubstituted amine group. , a substituted or unsubstituted thio group, a substituted or unsubstituted oxy group, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, and a substituted or unsubstituted ring It may be an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 to 30 carbon atoms for forming a ring, or a ring by bonding with adjacent groups. In formula Ma, m is 0 or 1 and n is 2 or 3. In Formula Ma, when m is 0, n is 3, and when m is 1, n is 2.

화학식 M-a로 표시되는 화합물은 적색 인광 도펀트 또는 녹색 인광 도펀트로 사용될 수 있다. The compound represented by Formula M-a may be used as a red phosphorescent dopant or a green phosphorescent dopant.

화학식 M-a로 표시되는 화합물은 하기 화합물 M-a1 내지 M-a19 중 어느 하나로 표시될 수 있다. 하지만, 하기 화합물 M-a1 내지 M-a19는 예시적인 것으로 화학식 M-a로 표시되는 화합물이 하기 화합물 M-a1 내지 M-a19로 표시된 것에 한정되는 것은 아니다.The compound represented by the formula M-a may be represented by any one of the following compounds M-a1 to M-a19. However, the following compounds M-a1 to M-a19 are exemplary, and the compound represented by the formula M-a is not limited to those represented by the following compounds M-a1 to M-a19.

Figure 112021103667516-pat00091
Figure 112021103667516-pat00092
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Figure 112021103667516-pat00093
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Figure 112021103667516-pat00094
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화합물 M-a1 및 화합물 M-a2는 적색 도펀트 재료로 사용될 수 있고, 화합물 M-a3 내지 화합물 M-a5는 녹색 도펀트 재료로 사용될 수 있다.Compounds M-a1 and M-a2 may be used as red dopant materials, and compounds M-a3 to M-a5 may be used as green dopant materials.

[화학식 M-b][Formula M-b]

Figure 112021103667516-pat00095
Figure 112021103667516-pat00095

화학식 M-b에서, Q1 내지 Q4는 각각 독립적으로 C 또는 N이며, C1 내지 C4는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 5 이상 30 이하의 탄화수소고리, 또는 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로고리이다. L21 내지 L24는 각각 독립적으로 직접 결합,

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,
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,
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,
Figure 112021103667516-pat00099
,
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,
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, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 2가의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴렌기이고, e1 내지 e4는 각각 독립적으로 0 또는 1이다. R31 내지 R39는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이거나, 또는 인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성하고, d1 내지 d4는 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수이다.In Formula Mb, Q 1 to Q 4 are each independently C or N, and C1 to C4 are each independently a substituted or unsubstituted hydrocarbon ring having 5 or more and 30 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted ring carbon number. It is a heterocyclic ring of 2 or more and 30 or less. L 21 to L 24 are each independently a direct bond;
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,
Figure 112021103667516-pat00097
,
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,
Figure 112021103667516-pat00099
,
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,
Figure 112021103667516-pat00101
, A substituted or unsubstituted divalent alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms for ring formation, or a substituted or unsubstituted heteroarylene group having 2 to 30 carbon atoms for ring formation. , e1 to e4 are each independently 0 or 1. R 31 to R 39 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a cyano group, a substituted or unsubstituted amine group, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and a substituted or unsubstituted ring-forming carbon number 6 or more and 30 or less aryl group, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms, or bonded to adjacent groups to form a ring, and d1 to d4 are each independently 0 or more and 4 or less is an integer of

화학식 M-b로 표시되는 화합물은 청색 인광 도펀트 또는 녹색 인광 도펀트로 사용될 수 있다. The compound represented by Formula M-b may be used as a blue phosphorescent dopant or a green phosphorescent dopant.

화학식 M-b로 표시되는 화합물은 하기 화합물들 중 어느 하나로 표시될 수 있다. 하지만, 하기 화합물들은 예시적인 것으로 화학식 M-b로 표시되는 화합물이 하기 화합물들로 표시된 것에 한정되는 것은 아니다.The compound represented by Formula M-b may be represented by any one of the following compounds. However, the following compounds are illustrative, and the compound represented by Formula M-b is not limited to those represented by the following compounds.

Figure 112021103667516-pat00102
Figure 112021103667516-pat00103
Figure 112021103667516-pat00104
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Figure 112021103667516-pat00105

상기 화합물들에서, R, R38, 및 R39는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기일 수 있다.In the above compounds, R, R 38 , and R 39 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a cyano group, a substituted or unsubstituted amine group, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, It may be a substituted or unsubstituted aryl group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms.

발광층(EML)은 하기 화학식 F-a 내지 화학식 F-c 중 어느 하나로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. 하기 화학식 F-a 내지 화학식 F-c로 표시되는 화합물은 형광 도펀트재료로 사용될 수 있다.The light emitting layer (EML) may include a compound represented by any one of Chemical Formulas F-a to F-c. Compounds represented by the following Chemical Formulas F-a to Chemical Formulas F-c may be used as fluorescent dopant materials.

[화학식 F-a][Formula F-a]

Figure 112021103667516-pat00106
Figure 112021103667516-pat00106

상기 화학식 F-a에서, Ra 내지 Rj 중 선택되는 두 개는 각각 독립적으로

Figure 112021103667516-pat00107
로 치환되는 것일 수 있다. Ra 내지 Rj
Figure 112021103667516-pat00108
로 치환되지 않은 나머지들은 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기일 수 있다.
Figure 112021103667516-pat00109
에서 Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기일 수 있다. 예를 들어, Ar1 및 Ar2 중 적어도 하나는 고리 형성 원자로 O 또는 S를 포함하는 헤테로아릴기일 수 있다.In the formula Fa, two selected from R a to R j are each independently
Figure 112021103667516-pat00107
may be substituted with Of R a to R j
Figure 112021103667516-pat00108
The remainder not substituted with are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a cyano group, a substituted or unsubstituted amine group, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and a substituted or unsubstituted ring-forming carbon number It may be an aryl group having 6 or more and 30 or less, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms.
Figure 112021103667516-pat00109
In Ar 1 and Ar 2 may each independently be a substituted or unsubstituted aryl group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms. For example, at least one of Ar 1 and Ar 2 may be a heteroaryl group including O or S as a ring-forming atom.

[화학식 F-b][Formula F-b]

Figure 112021103667516-pat00110
Figure 112021103667516-pat00110

상기 화학식 F-b에서, Ra 및 Rb는 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 이상 20 이하의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이거나, 또는 인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성하는 것일 수 있다. Ar1 내지 Ar4는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기일 수 있다. 또한, 화학식 H-1에서 Ar3은 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기일 수 있다.In Formula Fb, R a and R b are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, a substituted or It may be an unsubstituted aryl group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms, or bonded to adjacent groups to form a ring. Ar 1 to Ar 4 may each independently be a substituted or unsubstituted aryl group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms. In Formula H-1, Ar 3 may be a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 ring carbon atoms.

화학식 F-b에서 U 및 V는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 5 이상 30 이하의 탄화수소고리, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로고리일 수 있다.In Formula F-b, U and V may each independently be a substituted or unsubstituted hydrocarbon ring having 5 or more and 30 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heterocycle having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms.

화학식 F-b에서 U 및 V로 표시되는 고리의 개수는 각각 독립적으로 0 또는 1일 수 있다. 예를 들어, 화학식 F-b에서 U 또는 V의 개수가 1인 경우 U 또는 V로 기재된 부분에 하나의 고리가 축합환을 구성하며, U 또는 V의 개수가 0인 경우는 U 또는 V가 기재되어 있는 고리는 존재하지 않는 것을 의미한다. 구체적으로 U의 개수가 0이고 V의 개수가 1인 경우, 또는 U의 개수가 1이고 V의 개수가 0인 경우 화학식 F-b의 플루오렌 코어를 갖는 축합환은 4환의 고리화합물일 수 있다. 또한, U 및 V의 개수가 모두 0인 경우 화학식 F-b의 축합환은 3환의 고리화합물일 수 있다. 또한, U 및 V의 개수가 모두 1인 경우 화학식 F-b의 플루오렌 코어를 갖는 축합환은 5환의 고리 화합물일 수 있다.The number of rings represented by U and V in Formula F-b may be 0 or 1 each independently. For example, in Formula F-b, when the number of U or V is 1, one ring in the portion described as U or V constitutes a condensed ring, and when the number of U or V is 0, U or V is described. Ring means nonexistent. Specifically, when the number of U is 0 and the number of V is 1, or when the number of U is 1 and the number of V is 0, the condensed ring having a fluorene core of Formula F-b may be a 4-ring compound. In addition, when the numbers of U and V are both 0, the condensed ring of Chemical Formula F-b may be a tricyclic ring compound. In addition, when the numbers of U and V are both 1, the condensed ring having a fluorene core of Formula F-b may be a five-ring compound.

[화학식 F-c][Formula F-c]

Figure 112021103667516-pat00111
Figure 112021103667516-pat00111

화학식 F-c에서, A1 및 A2는 각각 독립적으로, O, S, Se, 또는 NRm이고, Rm은 수소 원자, 중수소 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기일 수 있다. R1 내지 R11는 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 보릴기, 치환 또는 비치환된 옥시기, 치환 또는 비치환된 티오기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이거나, 또는 인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성한다.In Formula Fc, A 1 and A 2 are each independently O, S, Se, or NR m , and R m is a hydrogen atom, a deuterium atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted It may be a ring-forming aryl group having 6 or more and 30 or less carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 or more and 30 or less ring-forming carbon atoms. R 1 to R 11 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a cyano group, a substituted or unsubstituted amine group, a substituted or unsubstituted boryl group, a substituted or unsubstituted oxy group, or a substituted or unsubstituted group. thio group, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms for ring formation, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 to 30 carbon atoms for ring formation. Or, or bonded to adjacent groups to form a ring.

화학식 F-c에서 A1 및 A2는 각각 독립적으로 이웃하는 고리의 치환기들과 결합하여 축합고리를 형성할 수 있다. 예를 들어, A1 및 A2가 각각 독립적으로 NRm일 때, A1은 R4 또는 R5와 결합하여 고리를 형성하는 것일 수 있다. 또한, A2는 R7 또는 R8과 결합하여 고리를 형성하는 것일 수 있다. In Formula Fc, A 1 and A 2 may independently form a condensed ring by combining with substituents of adjacent rings. For example, when A 1 and A 2 are each independently NR m , A 1 may combine with R 4 or R 5 to form a ring. In addition, A 2 may be bonded to R 7 or R 8 to form a ring.

일 실시예에서 발광층(EML)은 공지의 도펀트 재료로, 스티릴 유도체(예를 들어, 1, 4-bis[2-(3-N-ethylcarbazoryl)vinyl]benzene(BCzVB), 4-(di-p-tolylamino)-4'-[(di-p-tolylamino)styryl]stilbene(DPAVB), N-(4-((E)-2-(6-((E)-4-(diphenylamino)styryl)naphthalen-2-yl)vinyl)phenyl)-N-phenylbenzenamine(N-BDAVBi)), 4,4'-bis[2-(4-(N,N-diphenylamino)phenyl)vinyl]biphenyl(DPAVBi) , 페릴렌 및 그 유도체(예를 들어, 2, 5, 8, 11-Tetra-t-butylperylene(TBP)), 피렌 및 그 유도체(예를 들어, 1, 1-dipyrene, 1, 4-dipyrenylbenzene, 1, 4-Bis(N, N-Diphenylamino)pyrene) 등을 포함할 수 있다. In one embodiment, the light emitting layer (EML) is a known dopant material, a styryl derivative (eg, 1, 4-bis [2- (3-N-ethylcarbazoryl) vinyl] benzene (BCzVB), 4- (di- p-tolylamino)-4'-[(di-p-tolylamino)styryl]stilbene (DPAVB), N-(4-((E)-2-(6-((E)-4-(diphenylamino)styryl) naphthalen-2-yl)vinyl)phenyl)-N-phenylbenzenamine(N-BDAVBi)), 4,4'-bis[2-(4-(N,N-diphenylamino)phenyl)vinyl]biphenyl(DPAVBi), rylene and its derivatives (eg 2, 5, 8, 11-Tetra-t-butylperylene (TBP)), pyrene and its derivatives (eg 1, 1-dipyrene, 1, 4-dipyrenylbenzene, 1, 4-Bis (N, N-Diphenylamino) pyrene) and the like.

발광층(EML)은 공지의 인광 도펀트 물질을 포함하는 것일 수 있다. 예를 들어, 인광 도펀트는 이리듐(Ir), 백금(Pt), 오스뮴(Os), 금(Au), 티탄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 유로퓸(Eu), 터븀(Tb) 또는 툴륨(Tm)를 포함하는 금속 착체가 사용될 수 있다. 구체적으로, FIrpic(iridium(III) bis(4,6-difluorophenylpyridinato-N,C2

Figure 112021103667516-pat00112
), Fir6(Bis(2,4-difluorophenylpyridinato)-tetrakis(1-pyrazolyl)borate iridium(Ⅲ)), 또는 PtOEP(platinum octaethyl porphyrin)가 인광 도펀트로 사용될 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.The light emitting layer (EML) may include a known phosphorescent dopant material. For example, phosphorescent dopants include iridium (Ir), platinum (Pt), osmium (Os), gold (Au), titanium (Ti), zirconium (Zr), hafnium (Hf), europium (Eu), and terbium (Tb). ) or a metal complex including thulium (Tm) may be used. Specifically, FIrpic (iridium (III) bis (4,6-difluorophenylpyridinato-N, C2
Figure 112021103667516-pat00112
), Fir6 (Bis(2,4-difluorophenylpyridinato)-tetrakis(1-pyrazolyl)borate iridium(III)), or platinum octaethyl porphyrin (PtOEP) may be used as the phosphorescent dopant. However, the embodiment is not limited thereto.

발광층(EML)은 양자점(Quantum dot) 물질을 포함하는 것일 수 있다. 양자점의 코어는 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다.The light emitting layer EML may include a quantum dot material. The core of the quantum dot may be selected from a group II-VI compound, a group III-V compound, a group IV-VI compound, a group IV element, a group IV compound, and combinations thereof.

II-VI족 화합물은 CdSe, CdTe, CdS, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. Group II-VI compounds include binary element compounds selected from the group consisting of CdSe, CdTe, CdS, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS and mixtures thereof; CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS and mixtures thereof ternary chosen from the group bovine compounds; And it may be selected from the group consisting of quaternary compounds selected from the group consisting of HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe, and mixtures thereof.

III-VI족 화합물은 In2S3, In2Se3 등과 같은 이원소 화합물, InGaS 3 , InGaSe3 등과 같은 삼원소 화합물, 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다.The group III-VI compound may include a binary compound such as In 2 S 3 , In 2 Se 3 , etc., a ternary compound such as InGaS 3 , InGaSe 3 , or the like, or any combination thereof.

I-III-VI족 화합물은 AgInS, AgInS2, CuInS, CuInS2, AgGaS2, CuGaS2 CuGaO2, AgGaO2, AgAlO2 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물, 또는 AgInGaS2, CuInGaS2 등의 사원소 화합물로부터 선택될 수 있다.The group I-III-VI compound is a ternary compound selected from the group consisting of AgInS, AgInS 2 , CuInS, CuInS 2 , AgGaS 2 , CuGaS 2 CuGaO 2 , AgGaO 2 , AgAlO 2 and mixtures thereof, or AgInGaS 2 , It may be selected from quaternary compounds such as CuInGaS 2 .

III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물, GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InGaP, InAlP, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물, 및 GaAlNP, GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 한편, III-V족 화합물은 II족 금속을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, III- II-V족 화합물로 InZnP 등이 선택될 수 있다.Group III-V compounds are GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb, and binary element compounds selected from the group consisting of mixtures thereof, GaNP, GaNAs, GaNSb, and GaPAs. ternary compounds selected from the group consisting of GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InGaP, InAlP, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb and mixtures thereof, and GaAlNP, GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb , GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb, and quaternary compounds selected from the group consisting of mixtures thereof. Meanwhile, the group III-V compound may further include a group II metal. For example, InZnP and the like may be selected as the III-II-V group compound.

IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 원소로는 Si, Ge 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 화합물로는 SiC, SiGe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물일 수 있다. Group IV-VI compounds are SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe, and a binary element compound selected from the group consisting of mixtures thereof; a ternary compound selected from the group consisting of SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe, and mixtures thereof; And it may be selected from the group consisting of quaternary compounds selected from the group consisting of SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe, and mixtures thereof. Group IV elements may be selected from the group consisting of Si, Ge, and mixtures thereof. The group IV compound may be a binary element compound selected from the group consisting of SiC, SiGe, and mixtures thereof.

이때, 이원소 화합물, 삼원소 화합물 또는 사원소 화합물은 균일한 농도로 입자 내에 존재하거나, 농도 분포가 부분적으로 다른 상태로 나누어져 동일 입자 내에 존재하는 것일 수 있다. 또한 하나의 양자점이 다른 양자점을 둘러싸는 코어/쉘 구조를 가질 수도 있다. 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다.In this case, the two-element compound, the three-element compound, or the quaternary element compound may be present in the particle at a uniform concentration or may be present in the same particle in a state in which the concentration distribution is partially different. Also, one quantum dot may have a core/shell structure surrounding another quantum dot. The interface between the core and the shell may have a concentration gradient in which the concentration of elements present in the shell decreases toward the center.

몇몇 실시예에서, 양자점은 전술한 나노 결정을 포함하는 코어 및 상기 코어를 둘러싸는 쉘을 포함하는 코어-쉘 구조를 가질 수 있다. 상기 양자점의 쉘은 상기 코어의 화학적 변성을 방지하여 반도체 특성을 유지하기 위한 보호층 역할 및/또는 양자점에 전기 영동 특성을 부여하기 위한 차징층(charging layer)의 역할을 수행할 수 있다. 상기 쉘은 단층 또는 다중층일 수 있다. 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다. 상기 양자점의 쉘의 예로는 금속 또는 비금속의 산화물, 반도체 화합물 또는 이들의 조합 등을 들 수 있다.In some embodiments, the quantum dot may have a core-shell structure including a core including the aforementioned nanocrystal and a shell surrounding the core. The shell of the quantum dots may serve as a protective layer for maintaining semiconductor properties by preventing chemical deterioration of the core and/or as a charging layer for imparting electrophoretic properties to the quantum dots. The shell may be monolayer or multilayer. The interface between the core and the shell may have a concentration gradient in which the concentration of elements present in the shell decreases toward the center. Examples of the quantum dot shell include metal or non-metal oxides, semiconductor compounds, or combinations thereof.

예를 들어, 상기 금속 또는 비금속의 산화물은 SiO2, Al2O3, TiO2, ZnO, MnO, Mn2O3, Mn3O4, CuO, FeO, Fe2O3, Fe3O4, CoO, Co3O4, NiO 등의 이원소 화합물, 또는 MgAl2O4, CoFe2O4, NiFe2O4, CoMn2O4 등의 삼원소 화합물을 예시할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.For example, the metal or nonmetal oxide may be SiO 2 , Al 2 O 3 , TiO 2 , ZnO, MnO, Mn 2 O 3 , Mn 3 O 4 , CuO, FeO, Fe 2 O 3 , Fe 3 O 4 , Two-element compounds such as CoO, Co 3 O 4 , and NiO, or three-element compounds such as MgAl 2 O 4 , CoFe 2 O 4 , NiFe 2 O 4 , and CoMn 2 O 4 may be exemplified, but the present invention is limited thereto. It is not.

또, 상기 반도체 화합물은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnSeS, ZnTeS, GaAs, GaP, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InP, InGaP, InSb, AlAs, AlP, AlSb등을 예시할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.In addition, examples of the semiconductor compound include CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnSeS, ZnTeS, GaAs, GaP, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InP, InGaP, InSb, AlAs, AlP, AlSb, and the like. However, the present invention is not limited thereto.

양자점은 약 45nm 이하, 바람직하게는 약 40nm 이하, 더욱 바람직하게는 약 30nm 이하의 발광 파장 스펙트럼의 반치폭(full width of half maximum, FWHM)을 가질 수 있으며, 이 범위에서 색순도나 색재현성을 향상시킬 수 있다. 또한 이러한 양자점을 통해 발광되는 광은 전 방향으로 방출되는바, 광 시야각이 향상될 수 있다. Quantum dots may have a full width of half maximum (FWHM) of the emission wavelength spectrum of about 45 nm or less, preferably about 40 nm or less, more preferably about 30 nm or less, and color purity or color reproducibility can be improved within this range. can In addition, since light emitted through the quantum dots is emitted in all directions, a wide viewing angle may be improved.

또한, 양자점의 형태는 당 분야에서 일반적으로 사용하는 형태의 것으로 특별히 한정하지 않지만, 보다 구체적으로 구형, 피라미드형, 다중 가지형(multi-arm), 또는 입방체(cubic)의 나노 입자, 나노 튜브, 나노와이어, 나노 섬유, 나노 판상 입자 등의 형태의 것을 사용할 수 있다.In addition, the shape of the quantum dots is not particularly limited to those commonly used in the field, but more specifically, spherical, pyramidal, multi-arm, or cubic nanoparticles, nanotubes, Forms such as nanowires, nanofibers, and nanoplate-like particles can be used.

양자점은 입자 크기에 따라 방출하는 광의 색상을 조절할 수 있으며, 이에 따라 양자점은 청색, 적색, 녹색 등 다양한 발광 색상을 가질 수 있다. Quantum dots can control the color of light emitted according to the particle size, and accordingly, quantum dots can have various luminous colors such as blue, red, and green.

도 3 내지 도 6에 도시된 일 실시예의 발광 소자(ED)에서, 전자 수송 영역(ETR)은 발광층(EML) 상에 제공된다. 전자 수송 영역(ETR)은, 정공 저지층(HBL), 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층(EIL) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.In the light emitting device ED of one embodiment shown in FIGS. 3 to 6 , the electron transport region ETR is provided on the light emitting layer EML. The electron transport region ETR may include at least one of a hole blocking layer HBL, an electron transport layer ETL, and an electron injection layer EIL, but the embodiment is not limited thereto.

전자 수송 영역(ETR)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다. The electron transport region ETR may have a single layer structure made of a single material, a single layer made of a plurality of different materials, or a multilayer structure having a plurality of layers made of a plurality of different materials.

예를 들어, 전자 수송 영역(ETR)은 전자 주입층(EIL) 또는 전자 수송층(ETL)의 단일층의 구조를 가질 수도 있고, 전자 주입 물질과 전자 수송 물질로 이루어진 단일층 구조를 가질 수도 있다. 또한, 전자 수송 영역(ETR)은, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층의 구조를 갖거나, 발광층(EML)으로부터 차례로 적층된 전자 수송층(ETL)/전자 주입층(EIL), 정공 저지층(HBL)/전자 수송층(ETL)/전자 주입층(EIL), 전자 수송층(ETL)/버퍼층(미도시)/전자 주입층(EIL) 등의 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 전자 수송 영역(ETR)의 두께는 예를 들어, 약 1000Å 내지 약 1500Å인 것일 수 있다.For example, the electron transport region ETR may have a single layer structure of an electron injection layer (EIL) or an electron transport layer (ETL), or may have a single layer structure composed of an electron injection material and an electron transport material. In addition, the electron transport region ETR has a structure of a single layer made of a plurality of different materials, or an electron transport layer (ETL) / electron injection layer (EIL) sequentially stacked from the light emitting layer (EML), a hole blocking layer ( HBL)/electron transport layer (ETL)/electron injection layer (EIL), electron transport layer (ETL)/buffer layer (not shown)/electron injection layer (EIL), or the like, but is not limited thereto. The thickness of the electron transport region ETR may be, for example, about 1000 Å to about 1500 Å.

전자 수송 영역(ETR)은, 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다.The electron transport region (ETR) is formed by various methods such as vacuum deposition, spin coating, casting, Langmuir-Blodgett (LB), inkjet printing, laser printing, and laser induced thermal imaging (LITI). can be formed using

전자 수송 영역(ETR)은 하기 화학식 ET-1로 표시되는 화합물을 포함하는 것일 수 있다.The electron transport region (ETR) may include a compound represented by Chemical Formula ET-1.

[화학식 ET-1][Formula ET-1]

Figure 112021103667516-pat00113
Figure 112021103667516-pat00113

화학식 ET-1에서, X1 내지 X3 중 적어도 하나는 N이고 나머지는 CRa이다. Ra는 수소 원자, 중수소 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기일 수 있다. Ar1 내지 Ar3 은 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기일 수 있다In formula ET-1, at least one of X 1 to X 3 is N and the others are CR a . R a is a hydrogen atom, a deuterium atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms for forming a ring, or a substituted or unsubstituted aryl group having 2 to 30 carbon atoms for forming a ring It may be a heteroaryl group below. Ar 1 to Ar 3 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms for forming a ring, or a substituted or unsubstituted It may be a heteroaryl group having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms.

화학식 ET-1에서, a 내지 c는 각각 독립적으로 0 내지 10 이하의 정수일 수 있다. 화학식 ET-1에서 L1 내지 L3은 각각 독립적으로 직접 결합(direct linkage), 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴렌기일 수 있다. 한편, a 내지 c가 2 이상의 정수인 경우 L1 내지 L3은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴렌기일 수 있다.In Formula ET-1, a to c may each independently be an integer of 0 to 10 or less. In Formula ET-1, L 1 to L 3 are each independently a direct linkage, a substituted or unsubstituted arylene group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted ring carbon number of 2 or more and 30 or less It may be a heteroarylene group of On the other hand, when a to c is an integer of 2 or more, L 1 to L 3 are each independently a substituted or unsubstituted arylene group having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted hetero group having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms. It may be an arylene group.

전자 수송 영역(ETR)은 안트라센계 화합물을 포함하는 것일 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 전자 수송 영역(ETR)은 예를 들어, Alq3(Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum), 1,3,5-tri[(3-pyridyl)-phen-3-yl]benzene, 2,4,6-tris(3'-(pyridin-3-yl)biphenyl-3-yl)-1,3,5-triazine, 2-(4-(N-phenylbenzoimidazol-1-yl)phenyl)-9,10-dinaphthylanthracene, TPBi(1,3,5-Tri(1-phenyl-1H-benzo[d]imidazol-2-yl)benzene), BCP(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), Bphen(4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline), TAZ(3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole), NTAZ(4-(Naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole), tBu-PBD(2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole), BAlq(Bis(2-methyl-8-quinolinolato-N1,O8)-(1,1'-Biphenyl-4-olato)aluminum), Bebq2(berylliumbis(benzoquinolin-10-olate)), ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene), BmPyPhB(1,3-Bis[3,5-di(pyridin-3-yl)phenyl]benzene), TSPO1(diphenyl(4-(triphenylsilyl)phenyl)phosphine oxide) 및 이들의 혼합물을 포함하는 것일 수 있다. The electron transport region (ETR) may include an anthracene-based compound. However, it is not limited thereto, and the electron transport region (ETR) is, for example, Alq 3 (Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum), 1,3,5-tri[(3-pyridyl)-phen-3-yl ]benzene, 2,4,6-tris(3'-(pyridin-3-yl)biphenyl-3-yl)-1,3,5-triazine, 2-(4-(N-phenylbenzoimidazol-1-yl) phenyl)-9,10-dinaphthylanthracene, TPBi(1,3,5-Tri(1-phenyl-1H-benzo[d]imidazol-2-yl)benzene), BCP(2,9-Dimethyl-4,7- diphenyl-1,10-phenanthroline), Bphen(4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline), TAZ(3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4- triazole), NTAZ (4-(Naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole), tBu-PBD (2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert -butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole), BAlq (Bis(2-methyl-8-quinolinolato-N1,O8)-(1,1'-Biphenyl-4-olato)aluminum), Bebq 2 (berylliumbis( benzoquinolin-10-olate)), ADN (9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene), BmPyPhB (1,3-Bis[3,5-di(pyridin-3-yl)phenyl]benzene), TSPO1 (diphenyl (4- (triphenylsilyl) phenyl) phosphine oxide) and mixtures thereof.

또한, 전자 수송 영역(ETR)은 LiF, NaCl, CsF, RbCl, RbI, CuI, KI와 같은 할로겐화 금속, Yb와 같은 란타넘족 금속, 또한 상기의 할로겐화 금속과 란타넘족 금속의 공증착 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 수송 영역(ETR)은 공증착 재료로 KI:Yb, RbI:Yb 등을 포함할 수 있다. 한편, 전자 수송 영역(ETR)은 Li2O, BaO 와 같은 금속 산화물, 또는 Liq(8-hydroxyl-Lithium quinolate) 등이 사용될 수 있으나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 전자 수송 영역(ETR)은 또한 전자 수송 물질과 절연성의 유기 금속염(organo metal salt)이 혼합된 물질로 이루어질 수 있다. 유기 금속염은 에너지 밴드 갭(energy band gap)이 대략 4eV 이상의 물질이 될 수 있다. 구체적으로 예를 들어, 유기 금속염은 금속 아세테이트(metal acetate), 금속 벤조에이트(metal benzoate), 금속 아세토아세테이트(metal acetoacetate), 금속 아세틸아세토네이트(metal acetylacetonate) 또는 금속 스테아레이트(stearate)를 포함할 수 있다. In addition, the electron transport region (ETR) may include a metal halide such as LiF, NaCl, CsF, RbCl, RbI, CuI, and KI, a lanthanide metal such as Yb, and a co-deposited material of the metal halide and the lanthanide metal. can For example, the electron transport region (ETR) may include KI:Yb, RbI:Yb, or the like as a co-deposited material. Meanwhile, as the electron transport region ETR, a metal oxide such as Li 2 O or BaO, or Liq (8-hydroxyl-Lithium quinolate) may be used, but the embodiment is not limited thereto. The electron transport region ETR may also be made of a mixture of an electron transport material and an insulating organo metal salt. The organometallic salt may be a material having an energy band gap of about 4 eV or more. Specifically, for example, the organometallic salt may include metal acetate, metal benzoate, metal acetoacetate, metal acetylacetonate or metal stearate. can

전자 수송 영역(ETR)은 앞서 언급한 재료 이외에 BCP(2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) 및 Bphen(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.The electron transport region (ETR) is at least one of BCP (2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) and Bphen (4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) in addition to the aforementioned materials. It may further include, but the embodiment is not limited thereto.

전자 수송 영역(ETR)은 상술한 전자 수송 영역의 화합물들을 전자 주입층(EIL), 전자 수송층(ETL), 및 정공 저지층(HBL) 중 적어도 하나에 포함할 수 있다.The electron transport region ETR may include the above-described electron transport region compounds in at least one of the electron injection layer EIL, the electron transport layer ETL, and the hole blocking layer HBL.

전자 수송 영역(ETR)이 전자 수송층(ETL)을 포함하는 경우, 전자 수송층(ETL)의 두께는 약 100Å 내지 약 1000Å, 예를 들어 약 150Å 내지 약 500Å일 수 있다. 전자 수송층(ETL)의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승 없이 만족스러운 정도의 전자 수송 특성을 얻을 수 있다. 전자 수송 영역(ETR)이 전자 주입층(EIL)을 포함하는 경우, 전자 주입층(EIL)의 두께는 약 1Å 내지 약 100Å, 약 3Å 내지 약 90Å일 수 있다. 전자 주입층(EIL)의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승 없이 만족스러운 정도의 전자 주입 특성을 얻을 수 있다.When the electron transport region ETR includes the electron transport layer ETL, the electron transport layer ETL may have a thickness of about 100 Å to about 1000 Å, for example, about 150 Å to about 500 Å. When the thickness of the electron transport layer (ETL) satisfies the aforementioned range, satisfactory electron transport characteristics may be obtained without a substantial increase in driving voltage. When the electron transport region ETR includes the electron injection layer EIL, the thickness of the electron injection layer EIL may be about 1 Å to about 100 Å or about 3 Å to about 90 Å. When the thickness of the electron injection layer (EIL) satisfies the aforementioned range, satisfactory electron injection characteristics may be obtained without a substantial increase in driving voltage.

제2 전극(EL2)은 전자 수송 영역(ETR) 상에 제공된다. 제2 전극(EL2)은 공통 전극일 수 있다. 제2 전극(EL2)은 캐소드(cathode) 또는 애노드(anode)일 수 있으나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제1 전극(EL1)이 애노드인 경우 제2 전극(EL2)은 캐소드일 수 있고, 제1 전극(EL1)이 캐소드인 경우 제2 전극(EL2)은 애노드일 수 있다. 제2 전극은 Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Mo, Ti, W, In, Sn, 및 Zn 중 선택되는 적어도 하나, 이들 중 선택되는 2종 이상의 화합물, 이들 중 선택되는 2종 이상의 혼합물, 또는 이들의 산화물을 포함하는 것일 수 있다.The second electrode EL2 is provided on the electron transport region ETR. The second electrode EL2 may be a common electrode. The second electrode EL2 may be a cathode or an anode, but the embodiment is not limited thereto. For example, when the first electrode EL1 is an anode, the second electrode EL2 may be a cathode, and when the first electrode EL1 is a cathode, the second electrode EL2 may be an anode. The second electrode is Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Mo, Ti, W, In, Sn, and Zn It may include at least one selected from among, two or more compounds selected from among them, a mixture of two or more kinds thereof, or oxides thereof.

제2 전극(EL2)은 투과형 전극, 반투과형 전극 또는 반사형 전극일 수 있다. 제2 전극(EL2)이 투과형 전극인 경우, 제2 전극(EL2)은 투명 금속 산화물, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 이루어질 수 있다.The second electrode EL2 may be a transmissive electrode, a transflective electrode, or a reflective electrode. When the second electrode EL2 is a transmissive electrode, the second electrode EL2 is a transparent metal oxide, for example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), or indium ITZO (ITZO). tin zinc oxide) and the like.

제2 전극(EL2)이 반투과형 전극 또는 반사형 전극인 경우, 제2 전극(EL2)은 Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Mo, Ti, Yb, W 또는 이들을 포함하는 화합물이나 혼합물(예를 들어, AgMg, AgYb, 또는 MgAg)을 포함할 수 있다. 또는 제2 전극(EL2)은 상기 물질로 형성된 반사막이나 반투과막 및 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 형성된 투명 도전막을 포함하는 복수의 층 구조일 수 있다. 예를 들어, 제2 전극(EL2)은 상술한 금속재료, 상술한 금속재료들 중 선택된 2종 이상의 금속재료들의 조합, 또는 상술한 금속재료들의 산화물 등을 포함하는 것일 수 있다.When the second electrode EL2 is a transflective electrode or a reflective electrode, the second electrode EL2 is Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, It may include LiF/Ca, LiF/Al, Mo, Ti, Yb, W, or a compound or mixture containing them (eg, AgMg, AgYb, or MgAg). Alternatively, the second electrode EL2 may be a transparent conductive film formed of a reflective film or semi-transmissive film formed of the above material, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), or indium tin zinc oxide (ITZO). It may be a plurality of layer structure including a film. For example, the second electrode EL2 may include the above-mentioned metal material, a combination of two or more types of metal materials selected from among the above-mentioned metal materials, or an oxide of the above-mentioned metal materials.

도시하지는 않았으나, 제2 전극(EL2)은 보조 전극과 연결될 수 있다. 제2 전극(EL2)이 보조 전극과 연결되면, 제2 전극(EL2)의 저항을 감소시킬 수 있다.Although not shown, the second electrode EL2 may be connected to the auxiliary electrode. When the second electrode EL2 is connected to the auxiliary electrode, resistance of the second electrode EL2 may be reduced.

한편, 일 실시예의 발광 소자(ED)의 제2 전극(EL2) 상에는 캡핑층(CPL)이 더 배치될 수 있다. 캡핑층(CPL)은 다층 또는 단층을 포함할 수 있다.Meanwhile, a capping layer CPL may be further disposed on the second electrode EL2 of the light emitting device ED according to an exemplary embodiment. The capping layer CPL may include a multilayer or a single layer.

일 실시예에서, 캡핑층(CPL)은 유기층 또는 무기층일 수 있다. 예를 들어, 캡핑층(CPL)이 무기물을 포함하는 경우, 무기물은 LiF 등의 알칼리금속 화합물, MgF2 등의 알칼리토금속 화합물, SiON, SiNX, SiOy 등을 포함하는 것일 수 있다. In one embodiment, the capping layer CPL may be an organic layer or an inorganic layer. For example, when the capping layer CPL includes an inorganic material, the inorganic material may include an alkali metal compound such as LiF, an alkaline earth metal compound such as MgF 2 , SiON, SiN X , SiOy, and the like.

예를 들어, 캡핑층(CPL)이 유기물을 포함하는 경우, 유기물은 α-NPD, NPB, TPD, m-MTDATA, Alq3, CuPc, TPD15(N4,N4,N4',N4'-tetra (biphenyl-4-yl) biphenyl-4,4'-diamine), TCTA(4,4',4"- Tris (carbazol sol-9-yl) triphenylamine) 등을 포함하거나, 에폭시 수지, 또는 메타크릴레이트와 같은 아크릴레이트를 포함할 수 있다. 다만, 실시예가 이에 제한되는 것은 아니며 캡핑층(CPL)은 하기와 같은 화합물 P1 내지 P5 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.For example, when the capping layer (CPL) includes an organic material, the organic material is α-NPD, NPB, TPD, m-MTDATA, Alq 3 , CuPc, TPD15 (N4, N4, N4', N4'-tetra (biphenyl -4-yl) biphenyl-4,4'-diamine), TCTA (4,4',4"- Tris (carbazol sol-9-yl) triphenylamine), etc., or epoxy resin or methacrylate However, the embodiment is not limited thereto, and the capping layer CPL may include at least one of the following compounds P1 to P5.

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한편, 캡핑층(CPL)의 굴절률은 1.6 이상일 수 있다. 구체적으로, 550nm 이상 660nm 이하의 파장 범위의 광에 대해서 캡핑층(CPL)의 굴절률은 1.6 이상일 수 있다.Meanwhile, the refractive index of the capping layer CPL may be 1.6 or more. Specifically, the refractive index of the capping layer CPL may be 1.6 or more for light in a wavelength range of 550 nm or more and 660 nm or less.

도 7 및 도 8은 각각 일 실시예에 따른 표시 장치에 대한 단면도이다. 이하 도 7 및 도 8을 참조하여 설명하는 일 실시예에 대한 표시 장치에 대한 설명에 있어서 상술한 도 1 내지 도 6에서 설명한 내용과 중복되는 내용은 다시 설명하지 않으며 차이점을 위주로 설명한다.7 and 8 are cross-sectional views of a display device according to an exemplary embodiment. Hereinafter, in the description of the display device according to the exemplary embodiment described with reference to FIGS. 7 and 8 , contents overlapping those described in FIGS. 1 to 6 will not be described again, and differences will be mainly described.

도 7을 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치(DD)는 표시 소자층(DP-ED)을 포함하는 표시 패널(DP), 표시 패널(DP) 상에 배치된 광제어층(CCL) 및 컬러필터층(CFL)을 포함하는 것일 수 있다.Referring to FIG. 7 , a display device DD according to an exemplary embodiment includes a display panel DP including a display element layer DP-ED, a light control layer CCL disposed on the display panel DP, and It may include a color filter layer (CFL).

도 7에 도시된 일 실시예에서 표시 패널(DP)은 베이스층(BS), 베이스층(BS) 상에 제공된 회로층(DP-CL) 및 표시 소자층(DP-ED)을 포함하고, 표시 소자층(DP-ED)은 발광 소자(ED)를 포함하는 것일 수 있다.In the embodiment shown in FIG. 7 , the display panel DP includes a base layer BS, a circuit layer DP-CL and a display element layer DP-ED provided on the base layer BS, and displays The device layer DP-ED may include a light emitting device ED.

발광 소자(ED)는 제1 전극(EL1), 제1 전극(EL1) 상에 배치된 정공 수송 영역(HTR), 정공 수송 영역(HTR) 상에 배치된 발광층(EML), 발광층(EML) 상에 배치된 전자 수송 영역(ETR), 및 전자 수송 영역(ETR) 상에 배치된 제2 전극(EL2)을 포함하는 것일 수 있다. 한편, 도 7에 도시된 발광 소자(ED)의 구조는 상술한 도 4 내지 도 6의 발광 소자의 구조가 동일하게 적용될 수 있다.The light emitting element ED includes a first electrode EL1, a hole transport region HTR disposed on the first electrode EL1, an emission layer EML disposed on the hole transport region HTR, and an emission layer EML disposed on the light emitting layer EML. It may include an electron transport region ETR disposed on and a second electrode EL2 disposed on the electron transport region ETR. Meanwhile, the structure of the light emitting device ED shown in FIG. 7 may be identical to the structure of the light emitting device of FIGS. 4 to 6 described above.

도 7을 참조하면, 발광층(EML)은 화소 정의막(PDL)에 정의된 개구부(OH) 내에 배치되는 것일 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(PDL)에 의해 구분되어 각 발광 영역(PXA-R, PXA-G, PXA-B)에 대응하여 제공된 발광층(EML)은 동일한 파장 영역의 광을 방출하는 것일 수 있다. 일 실시예의 표시 장치(DD)에서 발광층(EML)은 청색광을 방출하는 것일 수 있다. 한편, 도시된 것과 달리 일 실시예에서 발광층(EML)은 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 전체에 공통층으로 제공되는 것일 수 있다.Referring to FIG. 7 , the light emitting layer EML may be disposed within the opening OH defined in the pixel defining layer PDL. For example, the light emitting layers EML provided to correspond to the light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B separated by the pixel defining layer PDL may emit light of the same wavelength region. . In the display device DD according to an exemplary embodiment, the light emitting layer EML may emit blue light. Meanwhile, unlike the drawing, in one embodiment, the light emitting layer EML may be provided as a common layer throughout the light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B.

발광 영역(PXA-R, PXA-G, PXA-B)에 대응하여 제공된 발광층(EML) 중 적어도 하나는 상술한 화학식 1 또는 화학식 A로 표시되는 일 실시예의 축합환 화합물을 포함하는 것일 수 있다. 발광 영역(PXA-R, PXA-G, PXA-B)에 대응하여 제공된 발광층(EML) 중 적어도 하나는 상술한 화학식 1 또는 화학식 A로 표시되는 일 실시예의 축합환 화합물을 포함하고, 나머지 발광층(EML)에 공지의 상술한 추가의 형광 발광 재료, 인광 발광 재료, 또는 양자점 등을 포함할 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.At least one of the light emitting layers EML provided to correspond to the light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B may include the condensed cyclic compound of an embodiment represented by Chemical Formula 1 or Chemical Formula A described above. At least one of the light emitting layers EML provided to correspond to the light emitting regions PXA-R, PXA-G, and PXA-B includes the condensed cyclic compound of an embodiment represented by Formula 1 or Formula A, and the other light-emitting layers ( EML) may include the above-mentioned additional fluorescent light emitting materials, phosphorescent light emitting materials, quantum dots, or the like known to the public. However, the embodiment is not limited thereto.

광제어층(CCL)은 표시 패널(DP) 상에 배치될 수 있다. 광제어층(CCL)은 광변환체를 포함하는 것일 수 있다. 광변환체는 양자점 또는 형광체 등일 수 있다. 광변환체는 제공받은 광을 파장 변환하여 방출하는 것일 수 있다. 즉, 광제어층(CCL)은 양자점을 포함하는 층이거나 또는 형광체를 포함하는 층일 수 있다. The light control layer CCL may be disposed on the display panel DP. The light control layer (CCL) may include a light conversion body. The photoconverter may be a quantum dot or a phosphor. The photoconverter may convert the wavelength of the provided light and emit it. That is, the light control layer CCL may be a layer including quantum dots or a layer including phosphors.

광제어층(CCL)은 복수 개의 광제어부들(CCP1, CCP2, CCP3)을 포함하는 것일 수 있다. 광제어부들(CCP1, CCP2, CCP3)은 서로 이격된 것일 수 있다. The light control layer CCL may include a plurality of light control units CCP1 , CCP2 , and CCP3 . The light control units CCP1 , CCP2 , and CCP3 may be spaced apart from each other.

도 7을 참조하면, 서로 이격된 광제어부들(CCP1, CCP2, CCP3) 사이에 분할패턴(BMP)이 배치될 수 있으나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 도 7에서 분할패턴(BMP)은 광제어부들(CCP1, CCP2, CCP3)과 비중첩하는 것으로 도시되었으나, 광제어부들(CCP1, CCP2, CCP3)의 엣지는 분할패턴(BMP)과 적어도 일부가 중첩할 수 있다.Referring to FIG. 7 , a division pattern BMP may be disposed between light control units CCP1 , CCP2 , and CCP3 spaced apart from each other, but the embodiment is not limited thereto. In FIG. 7 , the split pattern BMP is shown as not overlapping with the light control units CCP1, CCP2, and CCP3, but the edges of the light control units CCP1, CCP2, and CCP3 overlap at least a portion of the split pattern BMP. can do.

광제어층(CCL)은 발광 소자(ED)에서 제공되는 제1 색광을 제2 색광으로 변환하는 제1 양자점(QD1)을 포함하는 제1 광제어부(CCP1), 제1 색광을 제3 색광을 변환하는 제2 양자점(QD2)을 포함하는 제2 광제어부(CCP2), 및 제1 색광을 투과시키는 제3 광제어부(CCP3)를 포함하는 것일 수 있다.The light control layer CCL includes a first light control unit CCP1 including a first quantum dot QD1 that converts first color light supplied from the light emitting device ED into second color light, and converts the first color light into third color light. It may include a second light control unit (CCP2) including a second quantum dot (QD2) for conversion, and a third light control unit (CCP3) for transmitting the first color light.

일 실시예에서 제1 광제어부(CCP1)는 제2 색광인 적색광을 제공하고, 제2 광제어부(CCP2)는 제3 색광인 녹색광을 제공하는 것일 수 있다. 제3 광제어부(CCP3)는 발광 소자(ED)에서 제공된 제1 색광인 청색광을 투과시켜 제공하는 것일 수 있다. 예를 들어, 제1 양자점(QD1)은 적색 양자점이고 제2 양자점(QD2)은 녹색 양자점일 수 있다. 양자점(QD1, QD2)에 대하여는 상술한 내용과 동일한 내용이 적용될 수 있다.In an embodiment, the first light control unit CCP1 may provide red light, which is the second color light, and the second light control unit CCP2 may provide green light, which is the third color light. The third light control unit CCP3 may transmit and provide blue light, which is the first color light provided from the light emitting device ED. For example, the first quantum dot QD1 may be a red quantum dot and the second quantum dot QD2 may be a green quantum dot. The same content as described above may be applied to the quantum dots QD1 and QD2.

또한, 광제어층(CCL)은 산란체(SP)를 더 포함하는 것일 수 있다. 제1 광제어부(CCP1)는 제1 양자점(QD1)과 산란체(SP)를 포함하고, 제2 광제어부(CCP2)는 제2 양자점(QD2)과 산란체(SP)를 포함하며, 제3 광제어부(CCP3)는 양자점을 미포함하고 산란체(SP)를 포함하는 것일 수 있다.In addition, the light control layer (CCL) may further include a scattering body (SP). The first light control unit CCP1 includes a first quantum dot QD1 and a scatterer SP, the second light control unit CCP2 includes a second quantum dot QD2 and a scatterer SP, and a third light control unit CCP2 includes a second quantum dot QD2 and a scatterer SP. The light control unit CCP3 may not include quantum dots and may include a scattering body SP.

산란체(SP)는 무기 입자일 수 있다. 예를 들어, 산란체(SP)는 TiO2, ZnO, Al2O3, SiO2, 및 중공 실리카 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다. 산란체(SP)는 TiO2, ZnO, Al2O3, SiO2, 및 중공 실리카 중 어느 하나를 포함하는 것이거나, TiO2, ZnO, Al2O3, SiO2, 및 중공 실리카 중 선택되는 2종 이상의 물질이 혼합된 것일 수 있다.The scattering material SP may be an inorganic particle. For example, the scattering material SP may include at least one of TiO 2 , ZnO, Al 2 O 3 , SiO 2 , and hollow silica. The scattering material (SP) includes any one of TiO 2 , ZnO, Al 2 O 3 , SiO 2 , and hollow silica, or is selected from among TiO 2 , ZnO, Al 2 O 3 , SiO 2 , and hollow silica. It may be a mixture of two or more substances.

제1 광제어부(CCP1), 제2 광제어부(CCP2), 및 제3 광제어부(CCP3) 각각은 양자점(QD1, QD2) 및 산란체(SP)를 분산시키는 베이스 수지(BR1, BR2, BR3)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 광제어부(CCP1)는 제1 베이스 수지(BR1) 내에 분산된 제1 양자점(QD1)과 산란체(SP)를 포함하고, 제2 광제어부(CCP2)는 제2 베이스 수지(BR2) 내에 분산된 제2 양자점(QD2)과 산란체(SP)를 포함하고, 제3 광제어부(CCP3)는 제3 베이스 수지(BR3) 내에 분산된 산란체(SP)를 포함하는 것일 수 있다. 베이스 수지(BR1, BR2, BR3)는 양자점(QD1, QD2) 및 산란체(SP)가 분산되는 매질로서, 일반적으로 바인더로 지칭될 수 있는 다양한 수지 조성물로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 베이스수지(BR1, BR2, BR3)는 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 실리콘계 수지, 에폭시계 수지 등일 수 있다. 베이스수지(BR1, BR2, BR3)는 투명 수지일 수 있다. 일 실시예에서, 제1 베이스 수지(BR1), 제2 베이스 수지(BR2), 및 제3 베이스 수지(BR3) 각각은 서로 동일하거나 상이할 수 있다. The first light control unit CCP1, the second light control unit CCP2, and the third light control unit CCP3 each include base resins BR1, BR2, and BR3 dispersing the quantum dots QD1 and QD2 and the scattering body SP. can include In an embodiment, the first light control unit CCP1 includes the first quantum dot QD1 and the scattering body SP dispersed in the first base resin BR1, and the second light control unit CCP2 includes the second base resin BR1. The second quantum dot QD2 and the scattering material SP are dispersed in the resin BR2, and the third light control unit CCP3 includes the scattering material SP dispersed in the third base resin BR3. can The base resins BR1 , BR2 , and BR3 are media in which the quantum dots QD1 and QD2 and the scattering material SP are dispersed, and may be made of various resin compositions that are generally referred to as binders. For example, the base resins BR1 , BR2 , and BR3 may be acrylic resins, urethane resins, silicone resins, epoxy resins, and the like. The base resins BR1, BR2, and BR3 may be transparent resins. In one embodiment, each of the first base resin BR1 , the second base resin BR2 , and the third base resin BR3 may be the same as or different from each other.

광제어층(CCL)은 베리어층(BFL1)을 포함하는 것일 수 있다. 베리어층(BFL1)은 수분 및/또는 산소(이하, '수분/산소'로 칭함)의 침투를 막는 역할을 하는 것일 수 있다. 베리어층(BFL1)은 광제어부들(CCP1, CCP2, CCP3) 상에 배치되어 광제어부들(CCP1, CCP2, CCP3)이 수분/산소에 노출되는 것을 차단할 수 있다. 한편, 베리어층(BFL1)은 광제어부들(CCP1, CCP2, CCP3)을 커버하는 것일 수 있다. 또한, 광제어부들(CCP1, CCP2, CCP3)과 컬러필터층(CFL) 사이에도 베리어층(BFL2)이 제공될 수도 있다.The light control layer CCL may include a barrier layer BFL1. The barrier layer BFL1 may serve to prevent penetration of moisture and/or oxygen (hereinafter referred to as 'moisture/oxygen'). The barrier layer BFL1 is disposed on the light control units CCP1 , CCP2 , and CCP3 to block exposure of the light control units CCP1 , CCP2 , and CCP3 to moisture/oxygen. Meanwhile, the barrier layer BFL1 may cover the light control units CCP1, CCP2, and CCP3. Also, a barrier layer BFL2 may be provided between the light control units CCP1 , CCP2 , and CCP3 and the color filter layer CFL.

베리어층(BFL1, BFL2)은 적어도 하나의 무기층을 포함하는 것일 수 있다. 즉, 베리어층(BFL1, BFL2)은 무기 물질을 포함하여 이루어질 수 있다. 예를 들어, 베리어층(BFL1, BFL2)은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 주석 산화물, 세륨 산화물 및 실리콘 산화질화물이나 광투과율이 확보된 금속 박막 등을 포함하여 이루어질 수 있다. 한편, 베리어층(BFL1, BFL2)은 유기막을 더 포함할 수 있다. 베리어층(BFL1, BFL2)은 단일층 또는 복수의 층으로 구성되는 것일 수 있다.The barrier layers BFL1 and BFL2 may include at least one inorganic layer. That is, the barrier layers BFL1 and BFL2 may include an inorganic material. For example, the barrier layers BFL1 and BFL2 may be silicon nitride, aluminum nitride, zirconium nitride, titanium nitride, hafnium nitride, tantalum nitride, silicon oxide, aluminum oxide, titanium oxide, tin oxide, cerium oxide, and silicon oxynitride or optical It may include a metal thin film having a transmittance, and the like. Meanwhile, the barrier layers BFL1 and BFL2 may further include an organic layer. The barrier layers BFL1 and BFL2 may be composed of a single layer or a plurality of layers.

일 실시예의 표시 장치(DD)에서 컬러필터층(CFL)은 광제어층(CCL) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 컬러필터층(CFL)은 광제어층(CCL) 상에 직접 배치될 수 있다. 이 경우 베리어층(BFL2)은 생략될 수 있다. In an exemplary embodiment of the display device DD, the color filter layer CFL may be disposed on the light control layer CCL. For example, the color filter layer CFL may be directly disposed on the light control layer CCL. In this case, the barrier layer BFL2 may be omitted.

컬러필터층(CFL)은 차광부(BM) 및 필터들(CF-B, CF-G, CF-R)을 포함하는 것일 수 있다. 컬러필터층(CFL)은 제2 색광을 투과시키는 제1 필터(CF1), 제3 색광을 투과시키는 제2 필터(CF2), 및 제1 색광을 투과시키는 제3 필터(CF3)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 필터(CF1)는 적색 필터, 제2 필터(CF2)는 녹색 필터이고, 제3 필터(CF3)는 청색 필터일 수 있다. 필터들(CF1, CF2, CF3) 각각은 고분자 감광수지와 안료 또는 염료를 포함하는 것일 수 있다. 제1 필터(CF1)는 적색 안료 또는 염료를 포함하고, 제2 필터(CF2)는 녹색 안료 또는 염료를 포함하며, 제3 필터(CF3)는 청색 안료 또는 염료를 포함하는 것일 수 있다. 한편, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 제3 필터(CF3)는 안료 또는 염료를 포함하지 않는 것일 수 있다. 제3 필터(CF3)는 고분자 감광수지를 포함하고 안료 또는 염료를 미포함하는 것일 수 있다. 제3 필터(CF3)는 투명한 것일 수 있다. 제3 필터(CF3)는 투명 감광수지로 형성된 것일 수 있다.The color filter layer CFL may include a light blocking portion BM and filters CF-B, CF-G, and CF-R. The color filter layer CFL may include a first filter CF1 for transmitting second color light, a second filter CF2 for transmitting third color light, and a third filter CF3 for transmitting first color light. . For example, the first filter CF1 may be a red filter, the second filter CF2 may be a green filter, and the third filter CF3 may be a blue filter. Each of the filters CF1 , CF2 , and CF3 may include a polymeric photosensitive resin and a pigment or dye. The first filter CF1 may contain a red pigment or dye, the second filter CF2 may contain a green pigment or dye, and the third filter CF3 may contain a blue pigment or dye. Meanwhile, the embodiment is not limited thereto, and the third filter CF3 may not include a pigment or dye. The third filter CF3 may include a polymeric photoresist and may not contain a pigment or dye. The third filter CF3 may be transparent. The third filter CF3 may be formed of a transparent photosensitive resin.

또한, 일 실시예에서 제1 필터(CF1)와 제2 필터(CF2)는 황색(yellow) 필터일 수 있다. 제1 필터(CF1)와 제2 필터(CF2)는 서로 구분되지 않고 일체로 제공될 수도 있다.Also, in one embodiment, the first filter CF1 and the second filter CF2 may be yellow filters. The first filter CF1 and the second filter CF2 may be integrally provided without being separated from each other.

차광부(BM)는 블랙 매트릭스일 수 있다. 차광부(BM)는 흑색 안료 또는 흑색염료를 포함하는 유기 차광 물질 또는 무기 차광 물질을 포함하여 형성될 수 있다. 차광부(BM)는 빛샘 현상을 방지하고, 인접하는 필터들(CF1, CF2, CF3) 사이의 경계를 구분하는 것일 수 있다. 또한, 일 실시예에서 차광부(BM)는 청색 필터로 형성되는 것일 수 있다.The light blocking portion BM may be a black matrix. The light blocking portion BM may include an organic light blocking material or an inorganic light blocking material including black pigment or black dye. The light blocking portion BM may prevent light leakage and divide boundaries between adjacent filters CF1 , CF2 , and CF3 . Also, in one embodiment, the light blocking portion BM may be formed of a blue filter.

제1 내지 제3 필터(CF1, CF2, CF3) 각각은 적색 발광 영역(PXA-R), 녹색 발광 영역(PXA-G), 및 청색 발광 영역(PXA-B) 각각에 대응하여 배치될 수 있다.Each of the first to third filters CF1 , CF2 , and CF3 may be disposed to correspond to each of the red light emitting area PXA-R, the green light emitting area PXA-G, and the blue light emitting area PXA-B. .

컬러필터층(CFL) 상에는 베이스 기판(BL)이 배치될 수 있다. 베이스 기판(BL)은 컬러필터층(CFL) 및 광제어층(CCL) 등이 배치되는 베이스 면을 제공하는 부재일 수 있다. 베이스 기판(BL)은 유리기판, 금속기판, 플라스틱기판 등일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 베이스 기판(BL)은 무기층, 유기층 또는 복합재료층일 수 있다. 또한, 도시된 것과 달리 일 실시예에서 베이스 기판(BL)은 생략될 수 있다.A base substrate BL may be disposed on the color filter layer CFL. The base substrate BL may be a member providing a base surface on which the color filter layer CFL and the light control layer CCL are disposed. The base substrate BL may be a glass substrate, a metal substrate, or a plastic substrate. However, the embodiment is not limited thereto, and the base substrate BL may be an inorganic layer, an organic layer, or a composite material layer. Also, unlike the illustration, in one embodiment, the base substrate BL may be omitted.

도 8은 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 단면도이다. 도 8에서는 도 7의 표시 패널(DP)에 대응하는 일 부분의 단면도를 도시하였다. 일 실시예의 표시 장치(DD-TD)에서 발광 소자(ED-BT)는 복수 개의 발광구조들(OL-B1, OL-B2, OL-B3)을 포함하는 것일 수 있다. 발광 소자(ED-BT)는 서로 마주하는 제1 전극(EL1)과 제2 전극(EL2), 제1 전극(EL1)과 제2 전극(EL2) 사이에서 두께 방향으로 순차적으로 적층되어 제공되는 복수 개의 발광구조들(OL-B1, OL-B2, OL-B3)을 포함하는 것일 수 있다. 발광구조들(OL-B1, OL-B2, OL-B3) 각각은 발광층(EML, 도 7), 발광층(EML, 도7)을 사이에 두고 배치된 정공 수송 영역(HTR) 및 전자 수송 영역(ETR)을 포함하는 것일 수 있다. 8 is a cross-sectional view illustrating a portion of a display device according to an exemplary embodiment. FIG. 8 shows a cross-sectional view of a portion corresponding to the display panel DP of FIG. 7 . In the display device DD-TD according to an exemplary embodiment, the light-emitting element ED-BT may include a plurality of light-emitting structures OL-B1, OL-B2, and OL-B3. The plurality of light emitting elements ED-BT are provided by being sequentially stacked in the thickness direction between the first and second electrodes EL1 and EL2 and between the first and second electrodes EL1 and EL2 facing each other. It may include two light emitting structures OL-B1, OL-B2, and OL-B3. Each of the light emitting structures OL-B1, OL-B2, and OL-B3 includes an emission layer EML (FIG. 7), a hole transport region HTR and an electron transport region (EML, FIG. 7) interposed therebetween. ETR) may be included.

즉, 일 실시예의 표시 장치(DD-TD)에 포함된 발광 소자(ED-BT)는 복수의 발광층들을 포함하는 탠덤(Tandem) 구조의 발광 소자일 수 있다.That is, the light emitting element ED-BT included in the display device DD-TD according to an exemplary embodiment may be a light emitting element having a tandem structure including a plurality of light emitting layers.

도 8에 도시된 일 실시예에서 발광구조들(OL-B1, OL-B2, OL-B3) 각각에서 방출되는 광은 모두 청색광일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 발광구조들(OL-B1, OL-B2, OL-B3) 각각에서 방출되는 광의 파장 영역은 서로 상이할 수 있다. 예를 들어, 서로 다른 파장 영역의 광을 방출하는 복수 개의 발광구조들(OL-B1, OL-B2, OL-B3)을 포함하는 발광 소자(ED-BT)는 백색광을 방출할 수 있다.In the exemplary embodiment shown in FIG. 8 , light emitted from each of the light emitting structures OL-B1 , OL-B2 , and OL-B3 may all be blue light. However, the embodiment is not limited thereto, and wavelength regions of light emitted from each of the light emitting structures OL-B1 , OL-B2 , and OL-B3 may be different from each other. For example, the light emitting device ED-BT including a plurality of light emitting structures OL-B1, OL-B2, and OL-B3 emitting light in different wavelength ranges may emit white light.

이웃하는 발광구조들(OL-B1, OL-B2, OL-B3) 사이에는 전하생성층(CGL1, CGL2)이 배치될 수 있다. 전하생성층(CGL1, CGL2) p형 전하생성층 및/또는 n형 전하생성층을 포함하는 것일 수 있다.Charge generation layers CGL1 and CGL2 may be disposed between the adjacent light emitting structures OL-B1 , OL-B2 , and OL-B3 . The charge generation layers CGL1 and CGL2 may include a p-type charge generation layer and/or an n-type charge generation layer.

일 실시예의 표시 장치(DD-TD)에 포함된 발광구조들(OL-B1, OL-B2, OL-B3) 중 적어도 하나에 상술한 일 실시예의 축합환 화합물을 포함할 수 있다.The condensed cyclic compound according to an exemplary embodiment may be included in at least one of the light emitting structures OL-B1 , OL-B2 , and OL-B3 included in the display device DD-TD according to an exemplary embodiment.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자(ED)는 상술한 일 실시예의 축합환 화합물을 제1 전극(EL1) 및 제2 전극(EL2) 사이에 배치된 적어도 하나의 발광층(EML)에 포함하여 개선된 발광 효율과 개선된 수명 특성을 나타낼 수 있다. The light emitting device ED according to an embodiment of the present invention includes the condensed cyclic compound of the above-described embodiment in at least one light emitting layer EML disposed between the first electrode EL1 and the second electrode EL2. It can exhibit improved luminous efficiency and improved lifetime characteristics.

상술한 일 실시예의 축합환 화합물은 o-biphenyl의 구조를 포함하는 벌키한 치환기의 구조를 적어도 하나 포함하여 우수한 내구성 및 내열성을 가져 개선된 수명 특성을 나타낼 수 있다. 또한, 일 실시예의 축합환 화합물은 지연형광 발광 재료로 사용되어 발광 소자의 고효율 특성에 기여할 수 있다.The above-described condensed cyclic compound of one embodiment includes at least one structure of a bulky substituent including an o-biphenyl structure, and thus has excellent durability and heat resistance, thereby exhibiting improved lifespan characteristics. In addition, the condensed cyclic compound of one embodiment may be used as a delayed fluorescence light emitting material to contribute to high efficiency characteristics of a light emitting device.

이하에서는, 실시예 및 비교예를 참조하면서, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 축합환 화합물 및 일 실시예의 발광 소자에 대해서 구체적으로 설명한다. 또한, 이하에 나타내는 실시예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 일 예시이며, 본 발명의 범위가 이에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, a condensed cyclic compound according to an embodiment of the present invention and a light emitting device of an embodiment will be described in detail with reference to Examples and Comparative Examples. In addition, the examples shown below are examples for helping understanding of the present invention, and the scope of the present invention is not limited thereto.

[실시예][Example]

1. 축합환 화합물의 합성1. Synthesis of condensed cyclic compounds

먼저, 본 실시 형태에 따른 축합환 화합물의 합성 방법에 대해서, 화합물군 1의 화합물 6, 화합물 26, 화합물 30, 화합물 48, 화합물 76, 및 화합물 120의 합성 방법을 예시하여 구체적으로 설명한다. 또한, 이하에 설명하는 축합환 화합물의 합성법은 일 실시예로서, 본 발명의 실시형태에 따른 축합환 화합물의 합성법이 하기의 실시예에 한정되지 않는다.First, the method for synthesizing the condensed cyclic compound according to the present embodiment will be described in detail by exemplifying methods for synthesizing Compound 6, Compound 26, Compound 30, Compound 48, Compound 76, and Compound 120 of Compound Group 1. In addition, the method for synthesizing a condensed cyclic compound described below is only an example, and the method for synthesizing a condensed cyclic compound according to an embodiment of the present invention is not limited to the following examples.

<화합물 6의 합성><Synthesis of Compound 6>

일 실시예에 따른 축합환 화합물 6은 예를 들어 하기 반응식 1의 단계에 의해 합성될 수 있다. Condensed cyclic compound 6 according to an embodiment may be synthesized, for example, by the steps of Reaction Scheme 1 below.

[반응식 1][Scheme 1]

Figure 112021103667516-pat00119
Figure 112021103667516-pat00119

Figure 112021103667516-pat00120
Figure 112021103667516-pat00120

(중간체 I-1의 합성)(Synthesis of Intermediate I-1)

1,3-dibromo-5-chlorobenzene (1eq), Diphenylamine (2eq), Pd2(dba)3 (0.05eq), Tri-tert-butylphosphine (0.1eq), Sodium tert-butoxide (1.5eq)을 Toluene에 녹인 후 섭씨 80도에서 12시간 동안 교반하였다. 냉각 후 ethyl acetate와 물로 3회 씻은 후 분액하여 얻어진 유기층을 MgSO4로 건조 후 감압 건조하였다. MC(methylene chloride)와 n-Hexane의 혼합 용매 사용하여 컬럼크로마토그래피(column chromatography)로 정제하여 중간체 I-1을 얻었다. (수율 : 55 %)1,3-dibromo-5-chlorobenzene (1eq), Diphenylamine (2eq), Pd 2 (dba) 3 (0.05eq), Tri-tert-butylphosphine (0.1eq), Sodium tert-butoxide (1.5eq) in Toluene After melting, it was stirred at 80 degrees Celsius for 12 hours. After cooling, the mixture was washed with ethyl acetate and water three times, and the organic layer obtained by liquid separation was dried over MgSO 4 and dried under reduced pressure. Intermediate I-1 was obtained by purification by column chromatography using a mixed solvent of methylene chloride (MC) and n-hexane. (Yield: 55%)

(중간체 I-2의 합성)(Synthesis of Intermediate I-2)

중간체 I-1 (1eq), Aniline (1eq), Pd2(dba)3 (0.05eq), Tri-tert-butylphosphine (0.1eq), Sodium tert-butoxide (3eq)을 Toluene에 녹인 후 섭씨 110도에서 12시간 교반하였다. 냉각 후 ethyl acetate와 물로 3회 씻은 후 분액하여 얻어진 유기층을 MgSO4로 건조 후 감압 건조하였다. MC와 n-Hexane의 혼합 용매 사용하여 컬럼크로마토그래피로 정제하여 중간체 I-2를 얻었다. (수율 : 63 %)After dissolving Intermediate I-1 (1eq), Aniline (1eq), Pd 2 (dba) 3 (0.05eq), Tri-tert-butylphosphine (0.1eq), and Sodium tert-butoxide (3eq) in Toluene at 110 degrees Celsius Stirred for 12 hours. After cooling, the mixture was washed with ethyl acetate and water three times, and the organic layer obtained by liquid separation was dried over MgSO 4 and dried under reduced pressure. Intermediate I-2 was obtained by purification by column chromatography using a mixed solvent of MC and n-Hexane. (Yield: 63%)

(중간체 I-3의 합성)(Synthesis of Intermediate I-3)

중간체 I-1 (1eq), [1,1':3',1''-terphenyl]-2'-amine (1eq), Pd2(dba)3 (0.05eq), Tri-tert-butylphosphine (0.1eq), Sodium tert-butoxide (3eq)을 Toluene에 녹인 후 섭씨 110도에서 3시간 교반하였다. 냉각 후 ethyl acetate와 물로 3회 씻은 후 분액하여 얻어진 유기층을 MgSO4로 건조 후 감압 건조하였다. MC와 n-Hexane의 혼합 용매 사용하여 컬럼크로마토그래피로 정제하여 중간체 I-3를 얻었다. (수율 : 72 %)Intermediate I-1 (1eq), [1,1':3',1''-terphenyl]-2'-amine (1eq), Pd 2 (dba) 3 (0.05eq), Tri-tert-butylphosphine (0.1 eq) and sodium tert-butoxide (3eq) were dissolved in toluene and stirred at 110 degrees Celsius for 3 hours. After cooling, the mixture was washed with ethyl acetate and water three times, and the organic layer obtained by liquid separation was dried over MgSO 4 and dried under reduced pressure. Intermediate I-3 was obtained by purification by column chromatography using a mixed solvent of MC and n-Hexane. (Yield: 72%)

(중간체 I-4의 합성)(Synthesis of Intermediate I-4)

중간체 I-3 (1eq), 1-bromo-3-iodobenzene (3eq), Pd2(dba)3 (0.05eq), Tri-tert-butylphosphine (0.1eq), Sodium tert-butoxide (3eq)을 Toluene에 녹인 후 섭씨 110도에서 36시간 교반하였다. 냉각 후 ethyl acetate와 물로 3회 씻은 후 분액하여 얻어진 유기층을 MgSO4로 건조 후 감압 건조하였다. MC와 n-Hexane의 혼합 용매 사용하여 컬럼크로마토그래피로 정제하여 중간체 I-4를 얻었다. (수율 : 42 %)Intermediate I-3 (1eq), 1-bromo-3-iodobenzene (3eq), Pd 2 (dba) 3 (0.05eq), Tri-tert-butylphosphine (0.1eq), Sodium tert-butoxide (3eq) in Toluene After melting, it was stirred at 110 degrees Celsius for 36 hours. After cooling, the mixture was washed with ethyl acetate and water three times, and the organic layer obtained by liquid separation was dried over MgSO 4 and dried under reduced pressure. Intermediate I-4 was obtained by purification by column chromatography using a mixed solvent of MC and n-Hexane. (Yield: 42%)

(중간체 I-5의 합성)(Synthesis of Intermediate I-5)

중간체 I-2 (1eq), 중간체 I-4 (1eq), Pd2(dba)3 (0.05eq), Tri-tert-butylphosphine (0.1eq), Sodium tert-butoxide (3eq)을 Toluene에 녹인 후 섭씨 110도에서 12시간 교반하였다. 냉각 후 ethyl acetate와 물로 3회 씻은 후 분액하여 얻어진 유기층을 MgSO4로 건조 후 감압 건조하였다. MC와 n-Hexane의 혼합 용매 사용하여 컬럼크로마토그래피로 정제하여 중간체 I-5를 얻었다. (수율 : 75 %)After dissolving Intermediate I-2 (1eq), Intermediate I-4 (1eq), Pd 2 (dba) 3 (0.05eq), Tri-tert-butylphosphine (0.1eq), and Sodium tert-butoxide (3eq) in Toluene, It was stirred at 110 degrees for 12 hours. After cooling, the mixture was washed with ethyl acetate and water three times, and the organic layer obtained by liquid separation was dried over MgSO 4 and dried under reduced pressure. Intermediate I-5 was obtained by purification by column chromatography using a mixed solvent of MC and n-Hexane. (Yield: 75%)

(화합물 6의 합성)(Synthesis of Compound 6)

중간체 I-5 (1eq) 를 o-dichlorobenzene에 녹인 후, 섭씨 0도로 냉각 후 질소 분위기에서 BBr3 (3eq)를 천천히 주입하였다. 적하 종료 후 온도를 섭씨 160도로 올려 24시간 교반하였다. 냉각 후 반응물이 들어있는 플라스크에 triethylamine을 천천히 떨어뜨려 반응을 종결시킨 후 ethyl alcohol을 반응물에 넣고 석출시켜 여과하여 반응물을 얻었다. 얻어진 고형분을 MC와 n-Hexane의 혼합 용매 사용하여 컬럼크로마토그래피로 정제한 뒤, Toluene과 acetone을 사용한 재결정으로 화합물 6을 얻었다. (수율 : 10 %) After dissolving intermediate I-5 (1eq) in o-dichlorobenzene, cooling to 0 degrees Celsius, BBr 3 (3eq) was slowly injected in a nitrogen atmosphere. After completion of the dropping, the temperature was raised to 160 degrees Celsius and stirred for 24 hours. After cooling, triethylamine was slowly dropped into the flask containing the reactant to terminate the reaction, and then ethyl alcohol was added to the reactant to precipitate and filter to obtain the reactant. The obtained solid content was purified by column chromatography using a mixed solvent of MC and n-Hexane, and compound 6 was obtained by recrystallization using toluene and acetone. (Yield: 10%)

생성된 화합물은 MS/FAB를 통해 확인하였다. [C90H62B2N6 cal. 1248.52, found 1248.52The resulting compound was confirmed through MS/FAB. [C 90 H 62 B 2 N 6 cal. 1248.52, found 1248.52

<화합물 26의 합성><Synthesis of Compound 26>

일 실시예에 따른 축합환 화합물 26은 예를 들어 하기 반응식 2의 단계에 의해 합성될 수 있다. Condensed cyclic compound 26 according to an embodiment may be synthesized, for example, by the steps of Reaction Scheme 2 below.

[반응식 2][Scheme 2]

Figure 112021103667516-pat00121
Figure 112021103667516-pat00121

(중간체 I-6의 합성)(Synthesis of Intermediate I-6)

3,5-dibromophenol (1eq), Diphenylamine (2eq), Pd2(dba)3 (0.05eq), Tri-tert-butylphosphine (0.1eq), Sodium tert-butoxide (1.5eq)을 Toluene에 녹인 후 섭씨 80도에서 12시간 교반하였다. 냉각 후 ethyl acetate와 물로 3회 씻은 후 분액하여 얻어진 유기층을 MgSO4로 건조 후 감압 건조하였다. MC와 n-Hexane의 혼합 용매 사용하여 컬럼크로마토그래피로 정제하여 중간체 I-6을 얻었다. (수율 : 52 %)After dissolving 3,5-dibromophenol (1eq), Diphenylamine (2eq), Pd 2 (dba) 3 (0.05eq), Tri-tert-butylphosphine (0.1eq), and Sodium tert-butoxide (1.5eq) in toluene, It was stirred for 12 hours in FIG. After cooling, the mixture was washed with ethyl acetate and water three times, and the organic layer obtained by liquid separation was dried over MgSO 4 and dried under reduced pressure. Intermediate I-6 was obtained by purification by column chromatography using a mixed solvent of MC and n-Hexane. (Yield: 52%)

(중간체 I-7의 합성)(Synthesis of Intermediate I-7)

중간체 I-6 (1eq), 중간체 I-4 (1eq), CuI (0.1eq), K2CO3 (3eq)을 DMF에 녹인 후 섭씨 150도에서 24시간 교반하였다. 냉각 후 물에 반응물을 붓고 침전 시킨 후 여과하였다. 얻어진 고체를 ethyl acetate와 물로 3회 씻은 후 분액하여 얻어진 유기층을 MgSO4로 건조 후 감압 건조하였다. MC와 n-Hexane의 혼합 용매 사용하여 컬럼크로마토그래피로 정제하여 중간체 I-7을 얻었다. (수율 : 47 %) After dissolving Intermediate I-6 (1eq), Intermediate I-4 (1eq), CuI (0.1eq), and K 2 CO 3 (3eq) in DMF, the mixture was stirred at 150 degrees Celsius for 24 hours. After cooling, the reactants were poured into water, precipitated, and filtered. The obtained solid was washed three times with ethyl acetate and water, and then the organic layer obtained by liquid separation was dried over MgSO 4 and dried under reduced pressure. Intermediate I-7 was obtained by purification by column chromatography using a mixed solvent of MC and n-Hexane. (Yield: 47%)

(화합물 26의 합성)(Synthesis of Compound 26)

중간체 I-7 (1eq) 를 o-dichlorobenzene에 녹인 후, 섭씨 0도로 냉각 후 질소 분위기에서 BBr3 (3eq)를 천천히 주입하였다. 적하 종료 후 온도를 섭씨 160도로 올려 24시간 교반하였다. 냉각 후 반응물이 들어있는 플라스크에 triethylamine을 천천히 떨어뜨려 반응을 종결시킨 후 ethyl alcohol을 반응물에 넣고 석출시켜 여과하여 반응물을 얻었다. 얻어진 고형분을 MC와 n-Hexane의 혼합 용매 사용하여 컬럼크로마토그래피로 정제한 뒤, Toluene과 acetone을 사용한 재결정으로 화합물 26을 얻었다. (수율 : 5 %) After dissolving intermediate I-7 (1eq) in o-dichlorobenzene, cooling to 0 degrees Celsius, BBr 3 (3eq) was slowly injected in a nitrogen atmosphere. After completion of the dropping, the temperature was raised to 160 degrees Celsius and stirred for 24 hours. After cooling, triethylamine was slowly dropped into the flask containing the reactant to terminate the reaction, and then ethyl alcohol was added to the reactant to precipitate and filter to obtain the reactant. The obtained solid content was purified by column chromatography using a mixed solvent of MC and n-Hexane, and compound 26 was obtained by recrystallization using toluene and acetone. (Yield: 5%)

생성된 화합물은 MS/FAB를 통해 확인하였다. [C84H57B2N5O cal. 1173.47, found 1173.48]The resulting compound was confirmed through MS/FAB. [C 84 H 57 B 2 N 5 O cal. 1173.47, found 1173.48]

<화합물 30의 합성><Synthesis of Compound 30>

일 실시예에 따른 축합환 화합물 30은 예를 들어 하기 반응식 3의 단계에 의해 합성될 수 있다. Condensed cyclic compound 30 according to an embodiment may be synthesized, for example, by the steps of Reaction Scheme 3 below.

[반응식 3][Scheme 3]

Figure 112021103667516-pat00122
Figure 112021103667516-pat00122

(중간체 I-22의 합성)(Synthesis of Intermediate I-22)

3,5-dibromophenol (1eq), 4'-(tert-butyl)-N-phenyl-[1,1'-biphenyl]-2-amine (2eq), Pd2(dba)3 (0.05eq), Tri-tert-butylphosphine (0.1eq), Sodium tert-butoxide (1.5eq)을 Toluene에 녹인 후 섭씨 80도에서 12시간 교반하였다. 냉각 후 ethyl acetate와 물로 3회 씻은 후 분액하여 얻어진 유기층을 MgSO4로 건조 후 감압 건조하였다. MC와 n-Hexane의 혼합 용매 사용하여 컬럼크로마토그래피로 정제하여 중간체 I-22을 얻었다. (수율 : 60 %)3,5-dibromophenol (1eq), 4'-(tert-butyl)-N-phenyl-[1,1'-biphenyl]-2-amine (2eq), Pd 2 (dba) 3 (0.05eq), Tri After dissolving -tert-butylphosphine (0.1eq) and sodium tert-butoxide (1.5eq) in toluene, the mixture was stirred at 80 degrees Celsius for 12 hours. After cooling, the mixture was washed with ethyl acetate and water three times, and the organic layer obtained by liquid separation was dried over MgSO 4 and dried under reduced pressure. Intermediate I-22 was obtained by purification by column chromatography using a mixed solvent of MC and n-Hexane. (Yield: 60%)

(중간체 I-23의 합성)(Synthesis of Intermediate I-23)

중간체 I-22 (1eq), 중간체 I-4 (1eq), CuI (0.1eq), K2CO3 (3eq)을 DMF에 녹인 후 섭씨 150도에서 24시간 교반하였다. 냉각 후 물에 반응물을 붓고 침전 시킨 후 여과하였다. 얻어진 고체를 ethyl acetate와 물로 3회 씻은 후 분액하여 얻어진 유기층을 MgSO4로 건조 후 감압 건조하였다. MC와 n-Hexane의 혼합 용매 사용하여 컬럼크로마토그래피로 정제하여 중간체 I-23을 얻었다. (수율 : 52 %) Intermediate I-22 (1eq), Intermediate I-4 (1eq), CuI (0.1eq), and K 2 CO 3 (3eq) were dissolved in DMF and stirred at 150 degrees Celsius for 24 hours. After cooling, the reactants were poured into water, precipitated, and filtered. The obtained solid was washed three times with ethyl acetate and water, and then the organic layer obtained by liquid separation was dried over MgSO 4 and dried under reduced pressure. Intermediate I-23 was obtained by purification by column chromatography using a mixed solvent of MC and n-Hexane. (Yield: 52%)

(화합물 30의 합성)(Synthesis of Compound 30)

중간체 I-23 (1eq) 를 o-dichlorobenzene에 녹인 후, 섭씨 0도로 냉각 후 질소 분위기에서 BBr3 (3eq)를 천천히 주입하였다. 적하 종료 후 온도를 섭씨 160도로 올려 24시간 교반하였다. 냉각 후 반응물이 들어있는 플라스크에 triethylamine을 천천히 떨어뜨려 반응을 종결시킨 후 ethyl alcohol을 반응물에 넣고 석출시켜 여과하여 반응물을 얻었다. 얻어진 고형분을 MC와 n-Hexane의 혼합 용매 사용하여 컬럼크로마토그래피로 정제한 뒤, Toluene과 acetone을 사용한 재결정으로 화합물 30을 얻었다. (수율 : 6 %) After dissolving intermediate I-23 (1eq) in o-dichlorobenzene, cooling to 0 degrees Celsius, BBr 3 (3eq) was slowly injected in a nitrogen atmosphere. After completion of the dropping, the temperature was raised to 160 degrees Celsius and stirred for 24 hours. After cooling, triethylamine was slowly dropped into the flask containing the reactant to terminate the reaction, and then ethyl alcohol was added to the reactant to precipitate and filter to obtain the reactant. The obtained solid content was purified by column chromatography using a mixed solvent of MC and n-Hexane, and compound 30 was obtained by recrystallization using toluene and acetone. (Yield: 6%)

생성된 화합물은 MS/FAB를 통해 확인하였다. [C104H81B2N5O cal. 1437.66, found 1437.66]The resulting compound was confirmed through MS/FAB. [C 104 H 81 B 2 N 5 O cal. 1437.66, found 1437.66]

<화합물 48의 합성><Synthesis of Compound 48>

일 실시예에 따른 축합환 화합물 48은 예를 들어 하기 반응식 4의 단계에 의해 합성될 수 있다. Condensed cyclic compound 48 according to an embodiment may be synthesized, for example, by the steps of Reaction Scheme 4 below.

[반응식 4][Scheme 4]

Figure 112021103667516-pat00123
Figure 112021103667516-pat00124
Figure 112021103667516-pat00123
Figure 112021103667516-pat00124

(중간체 I-8의 합성)(Synthesis of Intermediate I-8)

1,3-dibromo-5-chlorobenzene (1eq), Phenol (1eq), CuI (0.1eq), K2CO3 (3eq)을 DMF에 녹인 후 섭씨 150도에서 24시간 교반하였다. 냉각 후 물에 반응물을 붓고 침전 시킨 후 여과하였다. 얻어진 고체를 ethyl acetate와 물로 3회 씻은 후 분액하여 얻어진 유기층을 MgSO4로 건조 후 감압 건조하였다. MC와 n-Hexane의 혼합 용매 사용하여 컬럼크로마토그래피로 정제하여 중간체 I-8을 얻었다. (수율 : 62 %)After dissolving 1,3-dibromo-5-chlorobenzene (1eq), Phenol (1eq), CuI (0.1eq), and K 2 CO 3 (3eq) in DMF, the mixture was stirred at 150 degrees Celsius for 24 hours. After cooling, the reactants were poured into water, precipitated, and filtered. The obtained solid was washed three times with ethyl acetate and water, and then the organic layer obtained by liquid separation was dried over MgSO 4 and dried under reduced pressure. Intermediate I-8 was obtained by purification by column chromatography using a mixed solvent of MC and n-Hexane. (Yield: 62%)

(중간체 I-9의 합성)(Synthesis of Intermediate I-9)

중간체 I-8 (1eq), N-phenyl-[1,1'-biphenyl]-2-amine (1eq), Pd2(dba)3 (0.05eq), Tri-tert-butylphosphine (0.1eq), Sodium tert-butoxide (1.5eq)을 Toluene에 녹인 후 섭씨 80도에서 12시간 교반하였다. 냉각 후 ethyl acetate와 물로 3회 씻은 후 분액하여 얻어진 유기층을 MgSO4로 건조 후 감압 건조하였다. MC와 n-Hexane의 혼합 용매 사용하여 컬럼크로마토그래피로 정제하여 중간체 I-9을 얻었다. (수율 : 60 %)Intermediate I-8 (1eq), N-phenyl-[1,1'-biphenyl]-2-amine (1eq), Pd 2 (dba) 3 (0.05eq), Tri-tert-butylphosphine (0.1eq), Sodium After dissolving tert-butoxide (1.5eq) in Toluene, the mixture was stirred at 80 degrees Celsius for 12 hours. After cooling, the mixture was washed with ethyl acetate and water three times, and the organic layer obtained by liquid separation was dried over MgSO 4 and dried under reduced pressure. Intermediate I-9 was obtained by purification by column chromatography using a mixed solvent of MC and n-Hexane. (Yield: 60%)

(중간체 I-10의 합성)(Synthesis of Intermediate I-10)

중간체 I-9 (1eq), Aniline (1eq), Pd2(dba)3 (0.05eq), Tri-tert-butylphosphine (0.1eq), Sodium tert-butoxide (1.5eq)을 Toluene에 녹인 후 섭씨 110도에서 3시간 교반하였다. 냉각 후 ethyl acetate와 물로 3회 씻은 후 분액하여 얻어진 유기층을 MgSO4로 건조 후 감압 건조하였다. MC와 n-Hexane의 혼합 용매 사용하여 컬럼크로마토그래피로 정제하여 중간체 I-10을 얻었다. (수율 : 85 %)Intermediate I-9 (1eq), Aniline (1eq), Pd 2 (dba) 3 (0.05eq), Tri-tert-butylphosphine (0.1eq), and Sodium tert-butoxide (1.5eq) were dissolved in toluene and then heated to 110 degrees Celsius. was stirred for 3 hours. After cooling, the mixture was washed with ethyl acetate and water three times, and the organic layer obtained by liquid separation was dried over MgSO 4 and dried under reduced pressure. Intermediate I-10 was obtained by purification by column chromatography using a mixed solvent of MC and n-Hexane. (Yield: 85%)

(중간체 I-11의 합성)(Synthesis of Intermediate I-11)

1,3-dibromo-5-chlorobenzene (1eq), Diphenylamine (1eq), Pd2(dba)3 (0.05eq), Tri-tert-butylphosphine (0.1eq), Sodium tert-butoxide (1.5eq)을 Toluene에 녹인 후 섭씨 80도에서 12시간 교반하였다. 냉각 후 ethyl acetate와 물로 3회 씻은 후 분액하여 얻어진 유기층을 MgSO4로 건조 후 감압 건조하였다. MC와 n-Hexane의 혼합 용매 사용하여 컬럼크로마토그래피로 정제하여 중간체 I-11을 얻었다. (수율 : 58 %)1,3-dibromo-5-chlorobenzene (1eq), Diphenylamine (1eq), Pd 2 (dba) 3 (0.05eq), Tri-tert-butylphosphine (0.1eq), Sodium tert-butoxide (1.5eq) in Toluene After melting, it was stirred at 80 degrees Celsius for 12 hours. After cooling, the mixture was washed with ethyl acetate and water three times, and the organic layer obtained by liquid separation was dried over MgSO 4 and dried under reduced pressure. Intermediate I-11 was obtained by purification by column chromatography using a mixed solvent of MC and n-Hexane. (Yield: 58%)

(중간체 I-12의 합성)(Synthesis of Intermediate I-12)

중간체 I-11 (1eq), N-phenyl-[1,1'-biphenyl]-2-amine (1eq), Pd2(dba)3 (0.05eq), Tri-tert-butylphosphine (0.1eq), Sodium tert-butoxide (1.5eq)을 Toluene에 녹인 후 섭씨 80도에서 12시간 교반하였다. 냉각 후 ethyl acetate와 물로 3회 씻은 후 분액하여 얻어진 유기층을 MgSO4로 건조 후 감압 건조하였다. MC와 n-Hexane의 혼합 용매 사용하여 컬럼크로마토그래피로 정제하여 중간체 I-12을 얻었다. (수율 : 69 %)Intermediate I-11 (1eq), N-phenyl-[1,1'-biphenyl]-2-amine (1eq), Pd 2 (dba) 3 (0.05eq), Tri-tert-butylphosphine (0.1eq), Sodium After dissolving tert-butoxide (1.5eq) in Toluene, the mixture was stirred at 80 degrees Celsius for 12 hours. After cooling, the mixture was washed with ethyl acetate and water three times, and the organic layer obtained by liquid separation was dried over MgSO 4 and dried under reduced pressure. Intermediate I-12 was obtained by purification by column chromatography using a mixed solvent of MC and n-Hexane. (Yield: 69%)

(중간체 I-13의 합성)(Synthesis of Intermediate I-13)

중간체 I-12 (1eq), [1,1':3',1''-terphenyl]-2'-amine (1eq), Pd2(dba)3 (0.05eq), Tri-tert-butylphosphine (0.1eq), Sodium tert-butoxide (3eq)을 Toluene에 녹인 후 섭씨 110도에서 3시간 교반하였다. 냉각 후 ethyl acetate와 물로 3회 씻은 후 분액하여 얻어진 유기층을 MgSO4로 건조 후 감압 건조하였다. MC와 n-Hexane의 혼합 용매 사용하여 컬럼크로마토그래피로 정제하여 중간체 I-13를 얻었다. (수율 : 70 %)Intermediate I-12 (1eq), [1,1':3',1''-terphenyl]-2'-amine (1eq), Pd 2 (dba) 3 (0.05eq), Tri-tert-butylphosphine (0.1 eq) and sodium tert-butoxide (3eq) were dissolved in toluene and stirred at 110 degrees Celsius for 3 hours. After cooling, the mixture was washed with ethyl acetate and water three times, and the organic layer obtained by liquid separation was dried over MgSO 4 and dried under reduced pressure. Intermediate I-13 was obtained by purification by column chromatography using a mixed solvent of MC and n-Hexane. (Yield: 70%)

(중간체 I-14의 합성)(Synthesis of Intermediate I-14)

중간체 I-13 (1eq), 1-bromo-3-iodobenzene (3eq), Pd2(dba)3 (0.05eq), Tri-tert-butylphosphine (0.1eq), Sodium tert-butoxide (3eq)을 Toluene에 녹인 후 섭씨 110도에서 36시간 교반하였다. 냉각 후 ethyl acetate와 물로 3회 씻은 후 분액하여 얻어진 유기층을 MgSO4로 건조 후 감압 건조하였다. MC와 n-Hexane의 혼합 용매 사용하여 컬럼크로마토그래피로 정제하여 중간체 I-14를 얻었다. (수율 : 40 %)Intermediate I-13 (1eq), 1-bromo-3-iodobenzene (3eq), Pd 2 (dba) 3 (0.05eq), Tri-tert-butylphosphine (0.1eq), Sodium tert-butoxide (3eq) in Toluene After melting, it was stirred at 110 degrees Celsius for 36 hours. After cooling, the mixture was washed with ethyl acetate and water three times, and the organic layer obtained by liquid separation was dried over MgSO 4 and dried under reduced pressure. Intermediate I-14 was obtained by purification by column chromatography using a mixed solvent of MC and n-Hexane. (Yield: 40%)

(중간체 I-15의 합성)(Synthesis of Intermediate I-15)

중간체 I-10 (1eq), 중간체 I-14 (1eq), Pd2(dba)3 (0.05eq), Tri-tert-butylphosphine (0.1eq), Sodium tert-butoxide (3eq)을 Toluene에 녹인 후 섭씨 110도에서 12시간 동안 교반하였다. 냉각 후 ethyl acetate와 물로 3회 씻은 후 분액하여 얻어진 유기층을 MgSO4로 건조 후 감압 건조하였다. MC와 n-Hexane의 혼합 용매 사용하여 컬럼크로마토그래피로 정제하여 중간체 I-15를 얻었다. (수율 : 72 %)After dissolving Intermediate I-10 (1eq), Intermediate I-14 (1eq), Pd 2 (dba) 3 (0.05eq), Tri-tert-butylphosphine (0.1eq), and Sodium tert-butoxide (3eq) in Toluene, It was stirred at 110 degrees for 12 hours. After cooling, the mixture was washed with ethyl acetate and water three times, and the organic layer obtained by liquid separation was dried over MgSO 4 and dried under reduced pressure. Intermediate I-15 was obtained by purification by column chromatography using a mixed solvent of MC and n-Hexane. (Yield: 72%)

(화합물 48의 합성)(Synthesis of Compound 48)

중간체 I-15 (1eq) 를 o-dichlorobenzene에 녹인 후, 섭씨 0도로 냉각 후 질소 분위기에서 BBr3 (3eq)를 천천히 주입하였다. 적하 종료 후 온도를 섭씨 160도로 올려 24시간 교반하였다. 냉각 후 반응물이 들어있는 플라스크에 triethylamine을 천천히 떨어뜨려 반응을 종결시킨 후 ethyl alcohol을 반응물에 넣고 석출시켜 여과하여 반응물을 얻었다. 얻어진 고형분을 MC와 n-Hexane의 혼합 용매 사용하여 컬럼크로마토그래피로 정제한 뒤, Toluene과 acetone을 사용한 재결정으로 화합물 48을 얻었다. (수율 : 4 %) After dissolving intermediate I-15 (1eq) in o-dichlorobenzene, cooling to 0 degrees Celsius, BBr 3 (3eq) was slowly injected in a nitrogen atmosphere. After completion of the dropping, the temperature was raised to 160 degrees Celsius and stirred for 24 hours. After cooling, triethylamine was slowly dropped into the flask containing the reactant to terminate the reaction, and then ethyl alcohol was added to the reactant to precipitate and filter to obtain the reactant. The obtained solid content was purified by column chromatography using a mixed solvent of MC and n-Hexane, and compound 48 was obtained by recrystallization using toluene and acetone. (Yield: 4%)

생성된 화합물은 MS/FAB를 통해 확인하였다. [C96H65B2N5O cal. 1325.54, found 1325.55]The resulting compound was confirmed through MS/FAB. [C 96 H 65 B 2 N 5 O cal. 1325.54, found 1325.55]

<화합물 76의 합성><Synthesis of Compound 76>

일 실시예에 따른 축합환 화합물 76은 예를 들어 하기 반응식 5의 단계에 의해 합성될 수 있다. Condensed cyclic compound 76 according to an embodiment may be synthesized, for example, by the steps of Reaction Scheme 5 below.

[반응식 5][Scheme 5]

Figure 112021103667516-pat00125
Figure 112021103667516-pat00125

(중간체 I-16의 합성)(Synthesis of Intermediate I-16)

1,3-dibromo-5-iodobenzene (1eq), N-phenyl-[1,1':3',1''-terphenyl]-2'-amine (1eq), Pd2(dba)3 (0.1eq), Tri-tert-butylphosphine (0.2eq), Sodium tert-butoxide (3eq)을 o-Xylene에 녹인 후 섭씨 160도에서 18시간 교반하였다. 냉각 후 ethyl acetate와 물로 3회 씻은 후 분액하여 얻어진 유기층을 MgSO4로 건조 후 감압 건조하였다. MC와 n-Hexane의 혼합 용매 사용하여 컬럼크로마토그래피로 정제하여 중간체 I-16를 얻었다. (수율 : 25 %)1,3-dibromo-5-iodobenzene (1eq), N-phenyl-[1,1':3',1''-terphenyl]-2'-amine (1eq), Pd 2 (dba) 3 (0.1eq ), Tri-tert-butylphosphine (0.2eq), and Sodium tert-butoxide (3eq) were dissolved in o-Xylene and stirred at 160 degrees Celsius for 18 hours. After cooling, the mixture was washed with ethyl acetate and water three times, and the organic layer obtained by liquid separation was dried over MgSO 4 and dried under reduced pressure. Intermediate I-16 was obtained by purification by column chromatography using a mixed solvent of MC and n-Hexane. (Yield: 25%)

(중간체 I-17의 합성)(Synthesis of Intermediate I-17)

중간체 I-16 (1eq), Diphenylamine (1eq), Pd2(dba)3 (0.05eq), Tri-tert-butylphosphine (0.1eq), Sodium tert-butoxide (3eq)을 Toluene에 녹인 후 섭씨 80도에서 12시간 교반하였다. 냉각 후 ethyl acetate와 물로 3회 씻은 후 분액하여 얻어진 유기층을 MgSO4로 건조 후 감압 건조하였다. MC와 n-Hexane의 혼합 용매 사용하여 컬럼크로마토그래피로 정제하여 중간체 I-17를 얻었다. (수율 : 60 %)After dissolving Intermediate I-16 (1eq), Diphenylamine (1eq), Pd 2 (dba) 3 (0.05eq), Tri-tert-butylphosphine (0.1eq), and Sodium tert-butoxide (3eq) in Toluene at 80 degrees Celsius Stirred for 12 hours. After cooling, the organic layer obtained by washing with ethyl acetate and water three times and separating the liquid was dried over MgSO 4 and dried under reduced pressure. Intermediate I-17 was obtained by purification by column chromatography using a mixed solvent of MC and n-Hexane. (Yield: 60%)

(중간체 I-18의 합성)(Synthesis of Intermediate I-18)

중간체 I-17 (2eq), Resorcinol (1eq), CuI (0.1eq), K2CO3 (3eq)을 DMF에 녹인 후 섭씨 150도에서 24시간 교반하였다. 냉각 후 물에 반응물을 붓고 침전 시킨 후 여과하였다. 얻어진 고체를 ethyl acetate와 물로 3회 씻은 후 분액하여 얻어진 유기층을 MgSO4로 건조 후 감압 건조하였다. MC와 n-Hexane의 혼합 용매 사용하여 컬럼크로마토그래피로 정제하여 중간체 I-18을 얻었다. (수율 : 46 %) Intermediate I-17 (2eq), Resorcinol (1eq), CuI (0.1eq), and K 2 CO 3 (3eq) were dissolved in DMF and stirred at 150 degrees Celsius for 24 hours. After cooling, the reactants were poured into water, precipitated, and filtered. The obtained solid was washed three times with ethyl acetate and water, and then the organic layer obtained by liquid separation was dried over MgSO 4 and dried under reduced pressure. Intermediate I-18 was obtained by purification by column chromatography using a mixed solvent of MC and n-Hexane. (Yield: 46%)

(화합물 76의 합성)(Synthesis of Compound 76)

중간체 I-18 (1eq) 를 o-dichlorobenzene에 녹인 후, 섭씨 0도로 냉각 후 질소 분위기에서 BBr3 (3eq)를 천천히 주입하였다. 적하 종료 후 온도를 섭씨 180도로 올려 24시간 교반하였다. 냉각 후 반응물이 들어있는 플라스크에 triethylamine을 천천히 떨어뜨려 반응을 종결시킨 후 ethyl alcohol을 반응물에 넣고 석출시켜 여과하여 반응물을 얻었다. 얻어진 고형분을 MC와 n-Hexane의 혼합 용매 사용하여 컬럼크로마토그래피로 정제한 뒤, Toluene과 acetone을 사용한 재결정으로 화합물 76을 얻었다. (수율 : 2 %) After dissolving intermediate I-18 (1eq) in o-dichlorobenzene, cooling to 0 degrees Celsius, BBr 3 (3eq) was slowly injected in a nitrogen atmosphere. After completion of dropping, the temperature was raised to 180 degrees Celsius and stirred for 24 hours. After cooling, triethylamine was slowly dropped into the flask containing the reactant to terminate the reaction, and then ethyl alcohol was added to the reactant to precipitate and filter to obtain the reactant. The obtained solid content was purified by column chromatography using a mixed solvent of MC and n-Hexane, and compound 76 was obtained by recrystallization using toluene and acetone. (Yield: 2%)

생성된 화합물은 MS/FAB를 통해 확인하였다. [C90H60B2N4O2 cal. 1250.49, found 1250.50]The resulting compound was confirmed through MS/FAB. [C 90 H 60 B 2 N 4 O 2 cal. 1250.49, found 1250.50]

<화합물 120의 합성><Synthesis of Compound 120>

일 실시예에 따른 축합환 화합물 120은 예를 들어 하기 반응식 6의 단계에 의해 합성될 수 있다. Condensed cyclic compound 120 according to an embodiment may be synthesized, for example, by the step of Scheme 6 below.

[반응식 6][Scheme 6]

Figure 112021103667516-pat00126
Figure 112021103667516-pat00126

(중간체 I-19의 합성)(Synthesis of Intermediate I-19)

중간체 I-3 (1eq), 1,3-diiodobenzene (3eq), Pd2(dba)3 (0.05eq), Tri-tert-butylphosphine (0.1eq), Sodium tert-butoxide (3eq)을 Toluene에 녹인 후 섭씨 110도에서 36시간 교반하였다. 냉각 후 ethyl acetate와 물로 3회 씻은 후 분액하여 얻어진 유기층을 MgSO4로 건조 후 감압 건조하였다. MC와 n-Hexane의 혼합 용매 사용하여 컬럼크로마토그래피로 정제하여 중간체 I-19를 얻었다. (수율 : 50 %)After dissolving intermediate I-3 (1eq), 1,3-diiodobenzene (3eq), Pd 2 (dba) 3 (0.05eq), Tri-tert-butylphosphine (0.1eq), and Sodium tert-butoxide (3eq) in toluene It was stirred for 36 hours at 110 degrees Celsius. After cooling, the mixture was washed with ethyl acetate and water three times, and the organic layer obtained by liquid separation was dried over MgSO 4 and dried under reduced pressure. Intermediate I-19 was obtained by purification by column chromatography using a mixed solvent of MC and n-Hexane. (Yield: 50%)

(중간체 I-20의 합성)(Synthesis of Intermediate I-20)

중간체 I-19 (1eq), 3,5-dichlorobenzenethiol (1eq), CuI (0.1eq), K2CO3 (3eq)을 DMF에 녹인 후 섭씨 150도에서 24시간 교반하였다. 냉각 후 물에 반응물을 붓고 침전 시킨 후 여과하였다. 얻어진 고체를 ethyl acetate와 물로 3회 씻은 후 분액하여 얻어진 유기층을 MgSO4로 건조 후 감압 건조하였다. MC와 n-Hexane의 혼합 용매 사용하여 컬럼크로마토그래피로 정제하여 중간체 I-20을 얻었다. (수율 : 47 %) After dissolving intermediate I-19 (1eq), 3,5-dichlorobenzenethiol (1eq), CuI (0.1eq), and K 2 CO 3 (3eq) in DMF, the mixture was stirred at 150 degrees Celsius for 24 hours. After cooling, the reactants were poured into water, precipitated, and filtered. The obtained solid was washed three times with ethyl acetate and water, and then the organic layer obtained by liquid separation was dried over MgSO 4 and dried under reduced pressure. Intermediate I-20 was obtained by purification by column chromatography using a mixed solvent of MC and n-Hexane. (Yield: 47%)

(중간체 I-21의 합성)(Synthesis of Intermediate I-21)

중간체 I-20 (1eq), 4'-(tert-butyl)-N-phenyl-[1,1'-biphenyl]-2-amine (2eq), Pd2(dba)3 (0.05eq), Tri-tert-butylphosphine (0.1eq), Sodium tert-butoxide (3eq)을 Toluene에 녹인 후 섭씨 110도에서 12시간 교반하였다. 냉각 후 ethyl acetate와 물로 3회 씻은 후 분액하여 얻어진 유기층을 MgSO4로 건조 후 감압 건조하였다. MC와 n-Hexane의 혼합 용매 사용하여 컬럼크로마토그래피로 정제하여 중간체 I-21를 얻었다. (수율 : 50 %)Intermediate I-20 (1eq), 4'-(tert-butyl)-N-phenyl-[1,1'-biphenyl]-2-amine (2eq), Pd 2 (dba) 3 (0.05eq), Tri- After dissolving tert-butylphosphine (0.1eq) and sodium tert-butoxide (3eq) in Toluene, the mixture was stirred at 110 degrees Celsius for 12 hours. After cooling, the mixture was washed with ethyl acetate and water three times, and the organic layer obtained by liquid separation was dried over MgSO 4 and dried under reduced pressure. Intermediate I-21 was obtained by purification by column chromatography using a mixed solvent of MC and n-Hexane. (Yield: 50%)

(화합물 120의 합성)(Synthesis of Compound 120)

중간체 I-21 (1eq) 를 o-dichlorobenzene에 녹인 후, 섭씨 0도로 냉각 후 질소 분위기에서 BBr3(3eq)를 천천히 주입하였다. 적하 종료 후 온도를 섭씨 160도로 올려 24시간 교반하였다. 냉각 후 반응물이 들어있는 플라스크에 triethylamine을 천천히 떨어뜨려 반응을 종결시킨 후 ethyl alcohol을 반응물에 넣고 석출시켜 여과하여 반응물을 얻었다. 얻어진 고형분을 MC와 n-Hexane의 혼합 용매 사용하여 컬럼크로마토그래피로 정제한 뒤, Toluene과 acetone을 사용한 재결정으로 화합물 120을 얻었다. (수율 : 5 %) After dissolving intermediate I-21 (1eq) in o-dichlorobenzene, cooling to 0 degrees Celsius, BBr 3 (3eq) was slowly injected in a nitrogen atmosphere. After completion of the dropping, the temperature was raised to 160 degrees Celsius and stirred for 24 hours. After cooling, triethylamine was slowly dropped into the flask containing the reactant to terminate the reaction, and then ethyl alcohol was added to the reactant to precipitate and filter to obtain the reactant. The obtained solid content was purified by column chromatography using a mixed solvent of MC and n-Hexane, and compound 120 was obtained by recrystallization using toluene and acetone. (Yield: 5%)

생성된 화합물은 MS/FAB를 통해 확인하였다. [C104H81B2N5S cal. 1453.64, found 1453.64]The resulting compound was confirmed through MS/FAB. [C 104 H 81 B 2 N 5 S cal. 1453.64, found 1453.64]

2. 발광 소자의 제작 및 평가2. Fabrication and Evaluation of Light-Emitting Devices

(발광 소자의 제작)(Manufacture of light emitting element)

일 실시예의 축합환 화합물을 발광층에 포함하는 일 실시예의 발광 소자를 아래의 방법으로 제조하였다. 상술한 화합물 6, 화합물 26, 화합물 30, 화합물 48, 화합물 76, 및 화합물 120의 축합환 화합물을 발광층의 도펀트로 사용하여 실시예 1 내지 6의 발광 소자를 제작하였다. A light emitting device of one embodiment including the condensed cyclic compound of one embodiment in a light emitting layer was manufactured by the following method. The light emitting devices of Examples 1 to 6 were manufactured using the condensed cyclic compounds of Compound 6, Compound 26, Compound 30, Compound 48, Compound 76, and Compound 120 as dopants in the light emitting layer.

비교예 1 내지 비교예 3은 하기 비교예 화합물 C1 내지 C3을 정공 수송층 재료로 각각 사용하여 발광 소자를 제작하였다.In Comparative Examples 1 to 3, light emitting devices were manufactured by using the following Comparative Examples Compounds C1 to C3 as hole transport layer materials, respectively.

소자 제작에 사용된 실시예 화합물들과 비교예 화합물들을 아래에 나타내었다.Example compounds and comparative example compounds used in device fabrication are shown below.

(실시예 화합물)(Example compound)

Figure 112021103667516-pat00127
Figure 112021103667516-pat00127

(비교예 화합물)(Comparative Example Compound)

Figure 112021103667516-pat00128
Figure 112021103667516-pat00128

(그 외, 소자 제작 시 사용된 화합물)(Other compounds used in device manufacturing)

Figure 112021103667516-pat00129
Figure 112021103667516-pat00129

ITO가 패터닝된 유리 기판을 세정하고, HT6를 300Å 두께로 증착하여 정공주입층을 형성하고, 다음으로 200Å 두께로 TCTA를 증착하여 정공 수송층을 형성하였다. 정공 수송층 상에 CzSi를 진공 증착하여 100Å 두께의 발광보조층을 형성하였다.The ITO-patterned glass substrate was cleaned, HT6 was deposited to a thickness of 300 Å to form a hole injection layer, and then TCTA was deposited to a thickness of 200 Å to form a hole transport layer. CzSi was vacuum deposited on the hole transport layer to form a light emitting auxiliary layer having a thickness of 100 Å.

이후, mCP와 실시예 화합물 또는 mCP와 비교예 화합물을 99:1의 중량비로 동시 증착하여 200Å 두께의 발광층을 형성하였다. Thereafter, mCP and an example compound or mCP and a comparative example compound were simultaneously deposited at a weight ratio of 99:1 to form a light emitting layer having a thickness of 200 Å.

다음으로, TSPO1을 200Å 두께로 증착하여 전자 수송층을 형성하고, TPBi를 300 Å 두께로 증착하여 버퍼층을 형성한 후, LiF를 10 Å 두께로 증착하여 전자 주입층을 형성하였다.Next, TSPO1 was deposited to a thickness of 200 Å to form an electron transport layer, TPBi was deposited to a thickness of 300 Å to form a buffer layer, and LiF was deposited to a thickness of 10 Å to form an electron injection layer.

다음으로, Al을 3000Å의 두께로 제공하여 제2 전극을 형성하였다. 제2 전극 상부에 P4를 700Å의 두께로 진공 증착하여 캡핑층을 형성하였다.Next, Al was provided to a thickness of 3000 Å to form a second electrode. A capping layer was formed on the second electrode by vacuum depositing P4 to a thickness of 700 Å.

(발광 소자의 특성 평가)(Evaluation of characteristics of light emitting device)

표 1에서는 실시예 1 내지 실시예 6 및 비교예 1 내지 비교예 3에 대한 발광 소자의 평가 결과를 나타내었다. 표 1에서는 제작된 발광 소자의 구동 전압, 발광 효율 및 소자 수명비를 비교하여 나타내었다. 표 1에 나타낸 실시예 및 비교예에 대한 특성 평가 결과에서는 10mA/cm2의 전류 밀도에서의 구동 전압 및 발광 효율 값을 나타내었다. 또한 소자 수명비는 10mA/cm2의 전류 밀도에서 연속 구동할 때 초기 휘도로부터 50% 휘도까지 열화한 시간을 비교예 1과 비교하여 상대적인 수치로 나타낸 것이다.Table 1 shows the evaluation results of the light emitting devices for Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 3. In Table 1, the driving voltage, luminous efficiency, and device lifetime ratio of the manufactured light emitting devices are compared and shown. In the characteristic evaluation results for Examples and Comparative Examples shown in Table 1, driving voltage and luminous efficiency values at a current density of 10 mA/cm 2 were shown. In addition, the device lifetime ratio is expressed as a relative value compared to Comparative Example 1 for the time to deteriorate from initial luminance to 50% luminance when continuously driven at a current density of 10 mA/cm 2 .

한편, 제작된 소자들은 모두 청색의 발광색을 나타내는 것을 확인하였다.실시예 및 비교예의 발광 소자의 전류 밀도, 구동 전압, 발광 효율은 키슬리 인스트루먼트(Keithley Instrument)사의 2400시리즈 소스 미터(Source Meter), 코니카 미놀타(Konica Minolta)사 제품인 색체휘도계 CS-200, 주식회사 일본 내셔널 인스트루먼트사 제품인 측정용 PC Program LabVIEW 2.0을 이용하여 암실에서 실시하였다.On the other hand, it was confirmed that all of the fabricated devices exhibited a blue light emission color. The current density, driving voltage, and luminous efficiency of the light emitting devices of Examples and Comparative Examples were measured using a 2400 series source meter from Keithley Instruments, It was conducted in a dark room using a color luminance meter CS-200 manufactured by Konica Minolta and a PC Program LabVIEW 2.0 for measurement manufactured by National Instruments Co., Ltd., Japan.

소자
작성예
device
writing example
발광층 재료light emitting layer material 구동 전압 (V)Driving voltage (V) 발광 효율 (cd/A)Luminous Efficiency (cd/A) 상대 소자
수명비
relative element
cost of life
실시예 1Example 1 실시예 화합물 6Example compound 6 4.24.2 27.327.3 1.451.45 실시예 2Example 2 실시예 화합물 26Example compound 26 4.34.3 26.726.7 1.421.42 실시예 3Example 3 실시예 화합물 30Example compound 30 4.24.2 27.327.3 1.521.52 실시예 4Example 4 실시예 화합물 48Example compound 48 4.34.3 26.526.5 1.381.38 실시예 5Example 5 실시예 화합물 76Example compound 76 4.54.5 23.223.2 1.271.27 실시예 6Example 6 실시예 화합물 120Example compound 120 4.24.2 28.528.5 1.501.50 비교예 1Comparative Example 1 비교예 화합물 C1Comparative Example Compound C1 5.55.5 15.715.7 1.001.00 비교예 2Comparative Example 2 비교예 화합물 C2Comparative Example Compound C2 4.54.5 21.021.0 1.221.22 비교예 3Comparative Example 3 비교예 화합물 C3Comparative Example Compound C3 4.64.6 19.519.5 0.750.75

표 1의 결과를 참조하면, 본 발명의 일 실시예의 축합환 화합물을 발광층의 도펀트 재료로 사용한 발광 소자의 실시예들의 경우 낮은 구동 전압, 우수한 소자 효율 및 개선된 소자 수명 특성을 나타내는 것을 알 수 있다. Referring to the results of Table 1, it can be seen that examples of the light emitting device using the condensed cyclic compound of an embodiment of the present invention as a dopant material of the light emitting layer exhibit low driving voltage, excellent device efficiency, and improved device lifetime characteristics. .

즉, 표 1을 참조하면, 실시예 1 내지 실시예 6은 비교예 1 내지 비교예 3의 소자에 비교하여 저전압, 장수명, 및 고효율의 특성을 나타내는 것을 확인할 수 있다.That is, referring to Table 1, it can be confirmed that Examples 1 to 6 exhibit characteristics of low voltage, long lifespan, and high efficiency compared to the devices of Comparative Examples 1 to 3.

비교예 화합물 C1 및 비교예 화합물 C2와 비교하여 실시예 화합물들은 벌키한 구조의 치환기를 적어도 하나 포함하여 보론 원자가 전하에 노출되는 것을 쉴드하여 축합환 화합물의 안정성을 높임으로써 소자의 수명 특성이 특히 개선되었다. 또한, 안정된 분자 구조로 인하여 분자 간의 에너지 이동을 억제하여 낮은 구동 전압 및 높은 발광 효율 특성을 나타내는 것을 확인할 수 있다.Compared to Comparative Example Compound C1 and Comparative Example Compound C2, the example compounds include at least one substituent having a bulky structure to shield boron atoms from exposure to electric charges, thereby increasing the stability of condensed cyclic compounds, thereby improving device lifespan characteristics. It became. In addition, it can be confirmed that due to the stable molecular structure, energy transfer between molecules is suppressed to exhibit low driving voltage and high luminous efficiency.

이와 같이, 실시예 1 내지 6은 비교예 1 내지 비교예 3과 비교하여 발광 효율과 발광 수명이 동시에 향상된 결과를 나타낸다. 즉, 두 개의 보론 원자를 포함하는 Di-boron 계 축합환 고리에 o-biphenyl 유도체 구조의 치환기를 적어도 하나 포함하는 구조를 갖는 일 실시예의 축합환 화합물들을 사용하여 일 실시예의 발광 소자의 소자 효율과 소자 수명을 동시에 향상시킬 수 있다. As such, Examples 1 to 6 show improved results in luminous efficiency and luminous lifetime at the same time as compared to Comparative Examples 1 to 3. That is, by using the condensed cyclic compounds of an embodiment having a structure including at least one substituent of an o-biphenyl derivative structure in a di-boron-based condensed ring containing two boron atoms, the device efficiency and Device lifetime can be improved at the same time.

일 실시예에 따른 축합환 화합물은, 적어도 하나의 o-biphenyl 유도체 구조의 치환기를 포함하여 높은 전하 안정성을 가짐으로써 발광 소자의 장수명 및 고효율 특성에 기여할 수 있다. 또한, 일 실시예에 따른 발광 소자는 일 실시예의 축합환 화합물을 발광층에 포함하여 장수명 및 고효율 특성을 동시에 나타낼 수 있다.The condensed cyclic compound according to an embodiment includes at least one o-biphenyl derivative structure substituent and has high charge stability, thereby contributing to long lifespan and high efficiency characteristics of the light emitting device. In addition, the light emitting device according to an embodiment may exhibit long lifespan and high efficiency characteristics at the same time by including the condensed cyclic compound of one embodiment in the light emitting layer.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art or those having ordinary knowledge in the art do not deviate from the spirit and technical scope of the present invention described in the claims to be described later. It will be understood that the present invention can be variously modified and changed within the scope not specified.

따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.Therefore, the technical scope of the present invention is not limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.

DD, DD-TD : 표시 장치
ED: 발광 소자 EL1 : 제1 전극
EL2 : 제2 전극 HTR : 정공 수송 영역
EML : 발광층 ETR : 전자 수송 영역
DD, DD-TD : Display device
ED: light emitting element EL1: first electrode
EL2: second electrode HTR: hole transport region
EML: light-emitting layer ETR: electron transport region

Claims (20)

제1 전극;
상기 제1 전극 상에 배치된 제2 전극; 및
상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치되며, 하기 화학식 1로 표시되는 축합환 화합물을 포함하는 발광층; 을 포함하고,
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 각각 독립적으로, Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Mo, Ti, W, In, Sn, 및 Zn 중 선택되는 적어도 하나, 이들 중 선택되는 2종 이상의 화합물, 이들 중 선택되는 2종 이상의 혼합물, 또는 이들의 산화물을 포함하는 발광 소자:
[화학식 1]
Figure 112022137225626-pat00130

상기 화학식 1에서,
X1 내지 X4는 각각 독립적으로 O, S, CR5R6, 또는 NR7이고,
m 및 n은 각각 독립적으로 0 이상 3 이하의 정수이고,
o 및 p는 각각 독립적으로 0 이상 4이하의 정수이며,
R0 내지 R7는 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1이상 10 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로고리이며,
R1 내지 R7 중 적어도 하나는 하기 화학식 2-1, 화학식 3-1, 화학식 4-1, 또는 화학식 4-2로 표시된다:
[화학식 2-1]
Figure 112022137225626-pat00190

[화학식 3-1]
Figure 112022137225626-pat00191

[화학식 4-1]
Figure 112022137225626-pat00192

[화학식 4-2]
Figure 112022137225626-pat00193

상기 화학식 2-1, 화학식 3-1, 화학식 4-1, 및 화학식 4-2에서,
RY1 내지 RY3은 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기이고,
R8 내지 R14는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기이며,
상기 화학식 4-1에서, Ra1은 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1이상 10 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로고리이다.
a first electrode;
a second electrode disposed on the first electrode; and
a light emitting layer disposed between the first electrode and the second electrode and including a condensed cyclic compound represented by Chemical Formula 1; including,
The first electrode and the second electrode are each independently Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Mo, A light emitting device comprising at least one selected from Ti, W, In, Sn, and Zn, two or more compounds selected from among these, a mixture of two or more selected from among them, or an oxide thereof:
[Formula 1]
Figure 112022137225626-pat00130

In Formula 1,
X 1 to X 4 are each independently O, S, CR 5 R 6 , or NR 7 ;
m and n are each independently an integer of 0 or more and 3 or less,
o and p are each independently an integer of 0 or more and 4 or less,
R 0 to R 7 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a substituted or unsubstituted silyl group, a substituted or unsubstituted amine group, a substituted or unsubstituted carbon number of 1 or more and 10 The following alkyl groups, substituted or unsubstituted aryl groups having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or substituted or unsubstituted heterocycles having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms,
At least one of R 1 to R 7 is represented by Formula 2-1, Formula 3-1, Formula 4-1, or Formula 4-2 below:
[Formula 2-1]
Figure 112022137225626-pat00190

[Formula 3-1]
Figure 112022137225626-pat00191

[Formula 4-1]
Figure 112022137225626-pat00192

[Formula 4-2]
Figure 112022137225626-pat00193

In Formula 2-1, Formula 3-1, Formula 4-1, and Formula 4-2,
R Y1 to R Y3 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a substituted or unsubstituted silyl group, or a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms,
R 8 to R 14 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a substituted or unsubstituted silyl group, or a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms;
In Formula 4-1, R a1 is a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a substituted or unsubstituted silyl group, a substituted or unsubstituted amine group, or a substituted or unsubstituted carbon number of 1 or more and 10 The following alkyl groups, substituted or unsubstituted aryl groups having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms, or substituted or unsubstituted heterocycles having 2 or more and 30 or less ring carbon atoms.
제 1항에 있어서,
상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1 내지 화학식 1-6 중 어느 하나로 표시되는 발광 소자:
[화학식 1-1] [화학식 1-2]
Figure 112021103667516-pat00133
Figure 112021103667516-pat00134

[화학식 1-3] [화학식 1-4]
Figure 112021103667516-pat00135
Figure 112021103667516-pat00136

[화학식 1-5] [화학식 1-6]
Figure 112021103667516-pat00137

상기 화학식 1-1 내지 화학식 1-6에서,
R71 내지 R74는 각각 독립적으로 상기 화학식 1에서 정의된 R7에 해당하고,
X1 내지 X4, R0 내지 R4, 및 m 내지 p는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다.
According to claim 1,
Chemical Formula 1 is a light emitting device represented by any one of the following Chemical Formulas 1-1 to 1-6:
[Formula 1-1] [Formula 1-2]
Figure 112021103667516-pat00133
Figure 112021103667516-pat00134

[Formula 1-3] [Formula 1-4]
Figure 112021103667516-pat00135
Figure 112021103667516-pat00136

[Formula 1-5] [Formula 1-6]
Figure 112021103667516-pat00137

In Formula 1-1 to Formula 1-6,
R 71 to R 74 each independently correspond to R 7 defined in Formula 1;
X 1 to X 4 , R 0 to R 4 , and m to p are the same as defined in Formula 1 above.
제 1항에 있어서,
X1 내지 X4 중 선택되는 적어도 두 개는 NR7이고, 나머지는 각각 독립적으로 O, S, 또는 CR5R6이며,
R5 내지 R7은 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일한 발광 소자.
According to claim 1,
At least two selected from X 1 to X 4 are NR 7 , and the others are each independently O, S, or CR 5 R 6 ,
R 5 to R 7 are the same light emitting device as defined in Formula 1 above.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 제 1항에 있어서,
R1 내지 R7 중 적어도 하나는 하기 S-1 내지 S-3 중 어느 하나를 포함하는 발광 소자:
Figure 112021103667516-pat00140
.
According to claim 1,
At least one of R 1 to R 7 is a light emitting device including any one of the following S-1 to S-3:
Figure 112021103667516-pat00140
.
제 1항에 있어서,
m 및 n은 1이고,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 NRaRb이며,
Ra, Rb, 및 R7 중 적어도 하나는 상기 화학식 2-1 또는 화학식 3-1로 표시되고, 나머지는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기인 발광 소자.
According to claim 1,
m and n are 1;
R 1 and R 2 are each independently NR a R b ;
At least one of R a , R b , and R 7 is represented by Formula 2-1 or Formula 3-1, and the others are substituted or unsubstituted aryl groups having 6 or more and 30 or less ring carbon atoms.
제 1항에 있어서,
m 및 n은 1이고,
R1 및 R2는 하기 AM-1 내지 AM-11 중 어느 하나로 표시되는 발광 소자:
Figure 112021103667516-pat00141
Figure 112021103667516-pat00142
Figure 112021103667516-pat00143
.
According to claim 1,
m and n are 1;
R 1 and R 2 are a light emitting element represented by any one of the following AM-1 to AM-11:
Figure 112021103667516-pat00141
Figure 112021103667516-pat00142
Figure 112021103667516-pat00143
.
제 1항에 있어서,
상기 제2 전극 상에 배치된 캡핑층을 더 포함하고, 상기 캡핑층의 굴절률은 1.6 이상인 발광 소자.
According to claim 1,
Further comprising a capping layer disposed on the second electrode, wherein the capping layer has a refractive index of 1.6 or more.
제 1항에 있어서,
상기 발광층은 호스트 및 도펀트를 포함하는 지연 형광 발광층이고,
상기 도펀트는 상기 축합환 화합물을 포함하는 발광 소자.
According to claim 1,
The light emitting layer is a delayed fluorescence light emitting layer including a host and a dopant,
The dopant is a light emitting device including the condensed cyclic compound.
제 1항에 있어서,
상기 발광층은 중심 파장이 450nm 이상 470nm 이하인 청색광을 방출하는 발광 소자.
According to claim 1,
The light emitting layer emits blue light having a center wavelength of 450 nm or more and 470 nm or less.
제 1항에 있어서,
상기 발광층은 하기 화합물군 1의 축합환 화합물들 중 적어도 하나를 포함하는 발광 소자:
[화합물군 1]
Figure 112021103667516-pat00144

Figure 112021103667516-pat00145

Figure 112021103667516-pat00146

Figure 112021103667516-pat00147

Figure 112021103667516-pat00148

Figure 112021103667516-pat00149

Figure 112021103667516-pat00150

Figure 112021103667516-pat00151

Figure 112021103667516-pat00152

Figure 112021103667516-pat00153

Figure 112021103667516-pat00154

Figure 112021103667516-pat00155

Figure 112021103667516-pat00156

.
According to claim 1,
The light emitting layer includes at least one of the following condensed cyclic compounds of compound group 1:
[Compound group 1]
Figure 112021103667516-pat00144

Figure 112021103667516-pat00145

Figure 112021103667516-pat00146

Figure 112021103667516-pat00147

Figure 112021103667516-pat00148

Figure 112021103667516-pat00149

Figure 112021103667516-pat00150

Figure 112021103667516-pat00151

Figure 112021103667516-pat00152

Figure 112021103667516-pat00153

Figure 112021103667516-pat00154

Figure 112021103667516-pat00155

Figure 112021103667516-pat00156

.
제1 전극;
상기 제1 전극 상에 배치된 제2 전극;
상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치되며, 하기 화학식 A로 표시되는 축합환 화합물을 포함하는 발광층; 및
상기 제2 전극 상에 배치되고 1.6 이상의 굴절률을 갖는 캡핑층; 을 포함하는 발광 소자:
[화학식 A]
Figure 112022137225626-pat00157

상기 화학식 A에서,
X1 내지 X4는 각각 독립적으로 O, S, CR5R6, 또는 NR7이고,
o 및 p는 각각 독립적으로 0 이상 4이하의 정수이며,
Ra1, Rb1, Ra2, Rb2는 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1이상 10 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로고리이거나, 또는 Ra1 및 Rb1이 서로 결합하여 고리를 형성하거나 또는 Ra2및 Rb2가 서로 결합하여 고리를 형성하고,
R0, 및 R3 내지 R7는 각각 독립적으로, 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1이상 10 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로고리이며,
Ra1, Rb1, Ra2, Rb2, 및 R7 중 적어도 하나는 하기 화학식 2-1 또는 화학식 3-1로 표시된다:
[화학식 2-1]
Figure 112022137225626-pat00194

[화학식 3-1]
Figure 112022137225626-pat00195

상기 화학식 2-1 및 화학식 3-1에서,
RY1 내지 RY3은 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기이고,
R8 내지 R14는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기이다.
a first electrode;
a second electrode disposed on the first electrode;
a light emitting layer disposed between the first electrode and the second electrode and including a condensed cyclic compound represented by Formula A; and
a capping layer disposed on the second electrode and having a refractive index of 1.6 or more; A light emitting device comprising:
[Formula A]
Figure 112022137225626-pat00157

In Formula A,
X 1 to X 4 are each independently O, S, CR 5 R 6 , or NR 7 ;
o and p are each independently an integer of 0 or more and 4 or less,
R a1 , R b1 , R a2 , R b2 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a substituted or unsubstituted silyl group, a substituted or unsubstituted amine group, or a substituted or unsubstituted carbon number 1 to 10 alkyl group, substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 ring carbon atoms, or substituted or unsubstituted heterocyclic ring having 2 to 30 ring carbon atoms, or R a1 and R b1 are bonded to each other to form a ring, or R a2 and R b2 are bonded to each other to form a ring;
R 0 , and R 3 to R 7 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a substituted or unsubstituted silyl group, a substituted or unsubstituted amine group, a substituted or unsubstituted An alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms for ring formation, or a substituted or unsubstituted heterocycle having 2 to 30 carbon atoms for ring formation,
R a1 , At least one of R b1 , R a2 , R b2 , and R 7 is represented by Formula 2-1 or Formula 3-1:
[Formula 2-1]
Figure 112022137225626-pat00194

[Formula 3-1]
Figure 112022137225626-pat00195

In Formula 2-1 and Formula 3-1,
R Y1 to R Y3 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a substituted or unsubstituted silyl group, or a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms,
R 8 to R 14 are each independently a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a substituted or unsubstituted silyl group, or a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms.
제 14항에 있어서,
상기 화학식 A는 하기 화학식 A-1 내지 화학식 A-6 중 어느 하나로 표시되는 발광 소자:
[화학식 A-1] [화학식 A-2]
Figure 112021103667516-pat00160
Figure 112021103667516-pat00161

[화학식 A-3] [화학식 A-4]
Figure 112021103667516-pat00162
Figure 112021103667516-pat00163

[화학식 A-5] [화학식 A-6]
Figure 112021103667516-pat00164
Figure 112021103667516-pat00165

상기 화학식 A-1 내지 화학식 A-6에서,
R71 내지 R74는 각각 독립적으로 상기 화학식 A에서 정의된 R7에 해당하고,X1 내지 X4, R0, Ra1, Rb1, Ra2, Rb2, R3, R4, o, 및 p는 상기 화학식 A에서 정의한 바와 동일하다.
According to claim 14,
Formula A is a light emitting device represented by any one of the following Formulas A-1 to Formulas A-6:
[Formula A-1] [Formula A-2]
Figure 112021103667516-pat00160
Figure 112021103667516-pat00161

[Formula A-3] [Formula A-4]
Figure 112021103667516-pat00162
Figure 112021103667516-pat00163

[Formula A-5] [Formula A-6]
Figure 112021103667516-pat00164
Figure 112021103667516-pat00165

In the above Formulas A-1 to Formulas A-6,
R 71 to R 74 each independently correspond to R 7 defined in Formula A, X 1 to X 4 , R 0 , R a1 , R b1 , R a2 , R b2 , R 3 , R 4 , o, and p are as defined in Chemical Formula A above.
제 14항에 있어서,
X1 내지 X4 중 선택되는 적어도 두 개는 NR7이고, 나머지는 각각 독립적으로 O, S, 또는 CR5R6이며,
R5 내지 R7은 상기 화학식 A에서 정의한 바와 동일한 발광 소자.
According to claim 14,
At least two selected from X 1 to X 4 are NR 7 , and the others are each independently O, S, or CR 5 R 6 ,
R 5 to R 7 are the same light emitting device as defined in the formula (A).
삭제delete 삭제delete 삭제delete 제 14항에 있어서,
상기 발광층은 하기 화합물군 1의 축합환 화합물들 중 적어도 하나를 포함하는 발광 소자:
[화합물군 1]
Figure 112021103667516-pat00168

Figure 112021103667516-pat00169

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Figure 112021103667516-pat00179

Figure 112021103667516-pat00180

.
According to claim 14,
The light emitting layer includes at least one of the following condensed cyclic compounds of Compound Group 1:
[Compound group 1]
Figure 112021103667516-pat00168

Figure 112021103667516-pat00169

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.
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