KR20230084019A - Layered type light emitting device and display device using same - Google Patents

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KR20230084019A
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light emitting
emitting device
layer
reflective
display device
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이상열
박상태
정찬성
오정탁
정영규
박선우
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엘지전자 주식회사
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Abstract

The present invention relates to a display device-related technology field, for example, to a layered-type light emitting diode (LED) and a display device using the same, which may increase light efficiency. The layered-type LED may comprise: a semiconductor structure which includes a plurality of semiconductor layers layered to emit lights of first, second, and third colors; first and second electrodes which are electrically connected to one side and the other side of the semiconductor structure, respectively, on a first surface of the semiconductor structure; a support layer which is located on a second surface of the semiconductor structure; and a reflection layer which is located to cover at least side surfaces of the semiconductor structure.

Description

적층형 발광 소자 및 이를 이용한 디스플레이 장치 {LAYERED TYPE LIGHT EMITTING DEVICE AND DISPLAY DEVICE USING SAME}Layered light emitting device and display device using the same {LAYERED TYPE LIGHT EMITTING DEVICE AND DISPLAY DEVICE USING SAME}

본 발명은 디스플레이 장치 관련 기술 분야에 적용 가능하며, 예를 들어 적층형 LED(Light Emitting Diode) 및 이를 이용한 디스플레이 장치에 관한 것이다.The present invention is applicable to a display device-related technical field, and relates to, for example, a stacked light emitting diode (LED) and a display device using the same.

최근에는 디스플레이 기술 분야에서 박형, 플렉서블 등의 우수한 특성을 가지는 디스플레이 장치가 개발되고 있다. 현재 상용화된 주요 디스플레이는 LCD(Liquid Crystal Display)와 OLED(Organic Light Emitting Diodes)로 대표되고 있다.Recently, display devices having excellent characteristics such as thinness and flexibility are being developed in the field of display technology. Currently, commercially available major displays are represented by LCD (Liquid Crystal Display) and OLED (Organic Light Emitting Diodes).

한편, 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류를 빛으로 변환시키는 것으로 잘 알려진 반도체 발광 소자로서, 1962년 GaAsP 화합물 반도체를 이용한 적색 LED가 상품화된 것을 시작으로 GaP:N 계열의 녹색 LED와 함께 정보 통신기기를 비롯한 전자장치의 표시 화상용 광원으로 이용되어 왔다.On the other hand, Light Emitting Diode (LED) is a well-known semiconductor light emitting device that converts current into light. Starting with the commercialization of red LEDs using GaAsP compound semiconductors in 1962, along with GaP:N series green LEDs, It has been used as a light source for display images of electronic devices including information communication devices.

최근, 이러한 발광 다이오드(LED)는 점차 소형화되어 마이크로미터 크기의 LED로 제작되어 디스플레이 장치의 화소로 이용되고 있다.Recently, these light emitting diodes (LEDs) have been gradually miniaturized and manufactured as micrometer-sized LEDs and are used as pixels of display devices.

이와 같은 LED 기술은 다른 디스플레이 소자/패널에 비해 저 전력, 고휘도, 고 신뢰성의 특성을 보이고, 유연 소자에도 적용 가능하다. 따라서, 최근 들어 연구 기관 및 업체에서 활발히 연구 되고 있다.Such LED technology shows characteristics of low power, high brightness, and high reliability compared to other display devices/panels, and can be applied to flexible devices. Therefore, in recent years, research institutes and companies have been actively researching.

이러한 LED가 화소로 사용될 때, LED의 측면으로 진행하는 빛은 디스플레이 장치 또는 디스플레이 모듈 내부에 트랩될 수 있다. 이는 광 추출 효율 측면에서 성능을 저하시키는 요인으로 작용할 수 있다.When these LEDs are used as pixels, light traveling to the side of the LEDs may be trapped inside the display device or display module. This may act as a factor that deteriorates performance in terms of light extraction efficiency.

또한, LED 측면으로 진행한 빛이 내부 전반사를 통해 디스플레이 모듈 간 경계에서 휘선이 발생할 수 있고, 이는 디스플레이 관점에서 불량으로 작용할 수 있다.In addition, light propagating to the side of the LED may generate a bright line at the boundary between display modules through total internal reflection, which may act as a defect from a display point of view.

한편, 이를 극복하기 위해 산란층의 산란제 함량을 증가시키면 컨트라스트(contrast)가 감소할 수 있다. 즉, 산란제의 증가는 디스플레이 장치에서 블랙감이 하락하는 트레이드 오프(trade-off) 관계를 가진다. 또한, 이로 인하여 LED 상부에서 난반사 특성이 증가하여 성능 저하를 초래할 수 있다.On the other hand, if the content of the scattering agent in the scattering layer is increased in order to overcome this problem, contrast may be reduced. That is, an increase in the scattering agent has a trade-off relationship in which blackness decreases in the display device. In addition, due to this, diffuse reflection characteristics may increase at the top of the LED, resulting in performance degradation.

따라서, 이러한 문제점을 해결하기 위한 방안이 요구된다.Therefore, a method for solving this problem is required.

본 발명의 해결하고자 하는 기술적 과제는, 발광 소자를 이용하는 디스플레이 장치에 있어서, 발광 소자의 측면으로 진행하는 빛이 정면을 진행할 수 있도록 하여 광 효율을 증가시킬 수 있는 적층형 발광 소자 및 이를 이용한 디스플레이 장치를 제공하고자 한다.A technical problem to be solved by the present invention is a display device using a light emitting device, a stacked light emitting device capable of increasing light efficiency by allowing light traveling to the side of the light emitting device to travel to the front and a display device using the same want to provide

또한, 적색, 녹색 및 청색 사이의 상이한 배광특성으로 인한 시야각을 균일화시킬 수 있는 적층형 발광 소자 및 이를 이용한 디스플레이 장치를 제공하고자 한다.In addition, it is intended to provide a stacked light emitting device capable of equalizing a viewing angle due to different light distribution characteristics between red, green, and blue, and a display device using the same.

또한, 디스플레이 장치가 서로 연결되는 모듈 구조를 가질 경우에 모듈 사이에 휘선이 발생하는 현상을 개선할 수 있는 적층형 발광 소자 및 이를 이용한 디스플레이 장치를 제공하고자 한다.In addition, when the display device has a module structure connected to each other, it is intended to provide a stacked light emitting device capable of improving a phenomenon in which bright lines are generated between modules and a display device using the same.

나아가, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 여기에서 언급하지 않은 추가적인 기술적 과제들도 있을 수 있음을 당업자는 명세서 및 도면의 전 취지를 통해 이해할 수 있을 것이다.Furthermore, according to another embodiment of the present invention, those skilled in the art will be able to understand that there may be additional technical problems not mentioned herein through the entire purpose of the specification and drawings.

상기 기술적 과제를 이루기 위한 제1관점으로서, 본 발명은, 적층형 반도체 발광 소자에 있어서, 제1 색상, 제2 색상 및 제3 색상의 광을 발광하도록 적층되는 다수의 반도체 층을 포함하는 반도체 구조; 상기 반도체 구조의 제1 면 상에서 상기 반도체 구조의 일측과 타측에 각각 전기적으로 연결되는 제1 전극 및 제2 전극; 상기 반도체 구조의 제2 면 상에 위치하는 지지층; 및 적어도 상기 반도체 구조의 측면을 감싸도록 위치하는 반사층을 포함하여 구성될 수 있다.As a first aspect for achieving the above technical problem, the present invention, in a stacked semiconductor light emitting device, a semiconductor structure including a plurality of semiconductor layers stacked to emit light of a first color, a second color, and a third color; a first electrode and a second electrode electrically connected to one side and the other side of the semiconductor structure on the first surface of the semiconductor structure; a support layer positioned on the second side of the semiconductor structure; and a reflective layer positioned to surround at least a side surface of the semiconductor structure.

예시적인 실시예에 있어서, 상기 반사층은 상기 지지층의 측면을 더 감싸도록 위치할 수 있다.In an exemplary embodiment, the reflective layer may be positioned to further surround a side surface of the support layer.

예시적인 실시예에 있어서, 상기 반사층은 상기 반도체 구조의 측면 상에서 일정한 두께를 가질 수 있다.In an exemplary embodiment, the reflective layer may have a constant thickness on a side surface of the semiconductor structure.

예시적인 실시예에 있어서, 상기 반사층은, 투명 레진층; 및 상기 투명 레진층 내에 분산된 반사 입자들을 포함할 수 있다.In an exemplary embodiment, the reflective layer may include a transparent resin layer; and reflective particles dispersed in the transparent resin layer.

예시적인 실시예에 있어서, 상기 반사 입자의 굴절률은 상기 투명 레진층의 굴절률과 다를 수 있다.In an exemplary embodiment, the refractive index of the reflective particle may be different from the refractive index of the transparent resin layer.

예시적인 실시예에 있어서, 상기 반사 입자는 실리콘 산화물, 티타늄 산화물, 및 지르코늄 산화물 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.In an exemplary embodiment, the reflective particle may include at least one of silicon oxide, titanium oxide, and zirconium oxide.

예시적인 실시예에 있어서, 상기 반사층의 두께는 상기 투명 레진층과 상기 반사 입자들에 의하여 90% 이상의 반사율을 가지도록 설정될 수 있다.In an exemplary embodiment, the thickness of the reflective layer may be set to have a reflectance of 90% or more by the transparent resin layer and the reflective particles.

예시적인 실시예에 있어서, 상기 투명 레진층은 실리콘, 에폭시 및 우레탄 중 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.In an exemplary embodiment, the transparent resin layer may include at least one of silicone, epoxy, and urethane.

예시적인 실시예에 있어서, 상기 제1 전극 및 제2 전극에 각각 연결되는 확장 패드를 더 포함할 수 있다.In an exemplary embodiment, an extension pad connected to the first electrode and the second electrode may be further included.

예시적인 실시예에 있어서, 상기 확장 패드의 외측단은 상기 반사층과 접촉할 수 있다.In an exemplary embodiment, an outer end of the extension pad may contact the reflective layer.

예시적인 실시예에 있어서, 상기 반사층은 상기 지지층의 상면 상에 더 위치할 수 있다.In an exemplary embodiment, the reflective layer may be further positioned on an upper surface of the support layer.

상기 기술적 과제를 이루기 위한 제2관점으로서, 본 발명은, 배선 기판; 상기 배선 기판 상에 개별 픽셀을 이루어 배치되고, 제1 색상, 제2 색상 및 제3 색상의 광을 발광하도록 적층되는 다수의 반도체 층을 포함하는 반도체 구조를 포함하는 발광 소자; 및 상기 발광 소자 사이에 채워지는 반사층을 포함하고, 상기 반사층은, 투명 레진층; 및 상기 투명 레진층 내에 분산된 반사 입자들을 포함할 수 있다.As a second aspect for achieving the above technical problem, the present invention, a wiring board; a light emitting device including a semiconductor structure including a plurality of semiconductor layers disposed on the wiring board to form individual pixels and stacked to emit light of a first color, a second color, and a third color; and a reflective layer filled between the light emitting elements, wherein the reflective layer includes: a transparent resin layer; and reflective particles dispersed in the transparent resin layer.

예시적인 실시예에 있어서, 상기 반사층은 이웃하는 발광 소자 사이에서 행(hang) 구조를 가질 수 있다.In an exemplary embodiment, the reflective layer may have a hang structure between adjacent light emitting devices.

예시적인 실시예에 있어서, 상기 행 구조의 높이는 상기 발광 소자의 높이의 절반보다 높을 수 있다.In an exemplary embodiment, the height of the row structure may be higher than half of the height of the light emitting device.

예시적인 실시예에 있어서, 상기 반사층의 최대 높이는 상기 발광 소자 중 가장 높은 높이에 해당할 수 있다.In an exemplary embodiment, the maximum height of the reflective layer may correspond to the highest height of the light emitting devices.

먼저, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 발광 소자의 측면으로 진행하는 빛이 정면을 진행할 수 있도록 하여 광 효율을 증가시킬 수 있다.First, according to an embodiment of the present invention, the light efficiency can be increased by allowing light traveling to the side of the light emitting device to travel to the front.

또한, 적색, 녹색 및 청색 사이의 상이한 배광특성으로 인한 시야각을 균일화시킬 수 있다.In addition, viewing angles due to different light distribution characteristics among red, green, and blue colors can be equalized.

또한, 디스플레이 장치가 서로 연결되는 모듈 구조를 가질 경우에 모듈 사이에 휘선이 발생하는 현상을 개선할 수 있다.In addition, when the display device has a module structure connected to each other, it is possible to improve a phenomenon in which bright lines are generated between modules.

또한, 발광 소자의 크기를 실질적으로 확장시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, there is an effect that can substantially expand the size of the light emitting element.

나아가, 본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 여기에서 언급하지 않은 추가적인 기술적 효과들도 있다. 당업자는 명세서 및 도면의 전취지를 통해 이해할 수 있다.Furthermore, according to another embodiment of the present invention, there are additional technical effects not mentioned herein. A person skilled in the art can understand the entire meaning of the specification and drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 픽셀 영역들을 나타내는 단면도이다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 의한 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 단위 픽셀 영역을 나타내는 단면도이다.
도 2b는 본 발명의 일 실시예에 의한 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 확대도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 발광 소자를 나타내는 단면도이다.
도 4는 도 3의 발광 소자의 변형예를 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 의한 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 발광 소자를 나타내는 단면도이다.
도 6은 도 5의 발광 소자의 변형예를 나타내는 단면도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 의한 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 발광 소자를 나타내는 단면도이다.
도 8 내지 도 11은 본 발명의 일 실시예에 의한 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 발광 소자를 제조하는 과정을 나타내는 단면 개략도이다.
도 12 내지 도 15는 본 발명의 다른 실시예에 의한 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 발광 소자를 제조하는 과정을 나타내는 단면 개략도이다.
도 16은 본 발명의 다른 실시예에 의한 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 발광 소자에 의한 발광 상태를 나타내는 사진이다.1 is a cross-sectional view illustrating pixel areas of a display device using a light emitting device according to an exemplary embodiment of the present invention.
2A is a cross-sectional view illustrating a unit pixel area of a display device using a light emitting device according to an embodiment of the present invention.
2B is an enlarged view of a display device using a light emitting device according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view showing a light emitting element of a display device using a light emitting element according to an embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view showing a modified example of the light emitting device of FIG. 3 .
5 is a cross-sectional view showing a light emitting element of a display device using a light emitting element according to another embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view showing a modified example of the light emitting device of FIG. 5 .
7 is a cross-sectional view showing a light emitting element of a display device using a light emitting element according to another embodiment of the present invention.
8 to 11 are cross-sectional schematic views illustrating a process of manufacturing a light emitting device of a display device using a light emitting device according to an embodiment of the present invention.
12 to 15 are cross-sectional schematic views illustrating a process of manufacturing a light emitting device of a display device using a light emitting device according to another embodiment of the present invention.
16 is a photograph showing a light emitting state by a light emitting element of a display device using a light emitting element according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시예를 설명함에 있어서 관련된 공지기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되는 것으로 해석되어서는 아니 됨을 유의해야 한다.Hereinafter, the embodiments disclosed in this specification will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the same or similar elements are given the same reference numerals regardless of reference numerals, and redundant description thereof will be omitted. The suffixes "module" and "unit" for components used in the following description are given or used together in consideration of ease of writing the specification, and do not have meanings or roles that are distinct from each other by themselves. In addition, in describing the embodiments disclosed in this specification, if it is determined that a detailed description of related known technologies may obscure the gist of the embodiments disclosed in this specification, the detailed description will be omitted. In addition, it should be noted that the accompanying drawings are only for easy understanding of the embodiments disclosed in this specification, and should not be construed as limiting the technical idea disclosed in this specification by the accompanying drawings.

나아가, 설명의 편의를 위해 각각의 도면에 대해 설명하고 있으나, 당업자가 적어도 2개 이상의 도면을 결합하여 다른 실시예를 구현하는 것도 본 발명의 권리범위에 속한다.Furthermore, although each drawing is described for convenience of explanation, it is also within the scope of the present invention for those skilled in the art to implement another embodiment by combining at least two or more drawings.

또한, 층, 영역 또는 기판과 같은 요소가 다른 구성요소 "상(on)"에 존재하는 것으로 언급될 때, 이것은 직접적으로 다른 요소 상에 존재하거나 또는 그 사이에 중간 요소가 존재할 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. It is also to be understood that when an element such as a layer, region or substrate is referred to as being “on” another element, it may be directly on the other element or intervening elements may exist therebetween. There will be.

본 명세서에서 설명되는 디스플레이 장치는 단위 화소 또는 단위 화소의 집합으로 정보를 표시하는 모든 디스플레이 장치를 포함하는 개념이다. 따라서 완성품에 한정하지 않고 부품에도 적용될 수 있다. 예를 들어 디지털 TV의 일 부품에 해당하는 패널도 독자적으로 본 명세서 상의 디스플레이 장치에 해당한다. 완성품으로는 휴대폰, 스마트 폰(smart phone), 노트북 컴퓨터(laptop computer), 디지털방송용 단말기, PDA(personal digital assistants), PMP(portable multimedia player), 네비게이션, 슬레이트 피씨(Slate PC), Tablet PC, Ultra Book, 디지털 TV, 데스크 탑 컴퓨터 등이 포함될 수 있다. The display device described in this specification is a concept including all display devices that display information in unit pixels or a set of unit pixels. Therefore, it can be applied not only to finished products but also to parts. For example, a panel corresponding to one part of a digital TV independently corresponds to a display device in this specification. The finished products include mobile phones, smart phones, laptop computers, digital broadcasting terminals, PDA (personal digital assistants), PMP (portable multimedia player), navigation, Slate PC, Tablet PC, Ultra Books, digital TVs, desktop computers, etc. may be included.

그러나, 본 명세서에 기재된 실시예에 따른 구성은 추후 개발되는 새로운 제품 형태이라도, 디스플레이가 가능한 장치에는 적용될 수도 있음을 본 기술 분야의 당업자라면 쉽게 알 수 있을 것이다.However, those skilled in the art will readily recognize that the configuration according to the embodiment described in this specification may be applied to a device capable of displaying, even in the form of a new product to be developed in the future.

또한, 당해 명세서에서 언급된 반도체 발광 소자는 LED, 마이크로 LED 등을 포함하는 개념이며, 혼용되어 사용될 수 있다.In addition, the semiconductor light emitting device mentioned in this specification is a concept including an LED, a micro LED, and the like, and may be used interchangeably.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 픽셀 영역들을 나타내는 단면도이다. 도 2a는 본 발명의 일 실시예에 의한 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 단위 픽셀 영역을 나타내는 단면도이다. 또한 도 2b는 본 발명의 일 실시예에 의한 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 확대도이다.1 is a cross-sectional view illustrating pixel areas of a display device using a light emitting device according to an exemplary embodiment of the present invention. 2A is a cross-sectional view illustrating a unit pixel area of a display device using a light emitting device according to an embodiment of the present invention. 2B is an enlarged view of a display device using a light emitting device according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 디스플레이 장치(10)는 배선 전극(110)이 구비된 배선 기판(100) 상에 다수의 픽셀을 형성하는 발광 소자(200)들이 배열되어 위치할 수 있다. 이때, 다수의 발광 소자(200)들 사이에는 반사층(300)이 위치할 수 있다. Referring to FIG. 1 , in the display device 10 , light emitting devices 200 forming a plurality of pixels may be arranged on a wiring substrate 100 provided with a wiring electrode 110 . In this case, the reflective layer 300 may be positioned between the plurality of light emitting devices 200 .

예를 들면, 이러한 반사층(300)은 발광 소자(200)들 사이에 채워질 수 있다. 이때, 반사층(300)은 투명 레진층(310; 도 2b 참조) 내에 분산된 반사 입자들(320; 도 2b 참조)을 포함할 수 있다. 이에 대해서는 자세히 후술한다.For example, the reflective layer 300 may be filled between the light emitting elements 200 . In this case, the reflective layer 300 may include reflective particles 320 (see FIG. 2B) dispersed in the transparent resin layer 310 (see FIG. 2B). This will be described later in detail.

도 1에서 배선 전극(110)은 간략하게 도시되어 있다. 배선 기판(110) 상에는 다수의 배선 전극(110) 들이 구획되어 위치할 수 있다. 여기서 배선 전극(110)은 데이터 전극(픽셀 전극)과 스캔 전극(공통 전극)을 포함할 수 있다.In FIG. 1 , the wiring electrode 110 is briefly illustrated. A plurality of wiring electrodes 110 may be partitioned and positioned on the wiring board 110 . Here, the wiring electrode 110 may include a data electrode (pixel electrode) and a scan electrode (common electrode).

도시되지 않았으나, 배선 기판(100)에 배열된 배선 전극(110)는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor(TFT))가 구비된 TFT 층과 연결될 수 있다. 데이터 전극(픽셀 전극)은 이러한 TFT 층과 연결될 수 있다. 이에 대한 자세한 설명은 생략한다.Although not shown, the wiring electrode 110 arranged on the wiring board 100 may be connected to a TFT layer including a thin film transistor (TFT). A data electrode (pixel electrode) can be connected to this TFT layer. A detailed description of this is omitted.

예시적인 실시예에 있어서, 도시하는 바와 같이, 반사층(300)은 이웃하는 발광 소자(200)들 사이에서 행(hang) 구조(301)를 가질 수 있다. 즉, 반사층(300)의 상면에는 이웃하는 발광 소자(200)들 사이에서 오목하게 형성되고 연속적으로 이어지는 곡면 구조(301)가 이루어질 수 있다.In an exemplary embodiment, as shown, the reflective layer 300 may have a hang structure 301 between adjacent light emitting devices 200 . That is, on the upper surface of the reflective layer 300, a curved structure 301 formed concavely and continuously connected between adjacent light emitting devices 200 may be formed.

다시 말하면, 발광 소자(200)의 최대 높이(a)와 반사층(300)의 최소 높이(a')는 서로 다를 수 있다. 일례로, 반사층(300)의 최소 높이(a')는 발광 소자(200)의 최대 높이(a)보다 낮을 수 있다. 말하자면, 행 구조(301)의 높이(a')는 발광 소자(200)의 높이(a)의 절반보다 높을 수 있다.In other words, the maximum height (a) of the light emitting device 200 and the minimum height (a') of the reflective layer 300 may be different from each other. For example, the minimum height (a′) of the reflective layer 300 may be lower than the maximum height (a) of the light emitting device 200 . In other words, the height (a') of the row structure 301 may be higher than half of the height (a) of the light emitting device 200 .

이러한 행 구조(301)는 반사층(300)의 제조 공정과 연관될 수 있다. 일례로, 반사층(300)을 노즐을 이용하여 재료를 도포한 후에 경화시키는 제팅(jetting) 공정을 이용하여 형성하는 경우, 이러한 행 구조(301)가 형성될 수 있다.This row structure 301 may be associated with a manufacturing process of the reflective layer 300 . For example, when the reflective layer 300 is formed using a jetting process in which a material is applied using a nozzle and then cured, the row structure 301 may be formed.

발광 소자(200)는 배선 기판(100) 상에 개별 픽셀을 이루어 배치될 수 있다. 일례로, 단일 발광 소자(200)가 하나의 픽셀을 이루도록 구성될 수 있다. 이러한 개별 픽셀을 이루는 단일 발광 소자(200)의 적어도 측면을 둘러싸며 반사층(300)이 형성되므로, 발광 소자(200)에서 방출되는 빛은 이웃하는 픽셀을 이루는 발광 소자(200)에서 방출되는 빛과 섞이지 않고 상측으로 출사될 수 있다. The light emitting device 200 may be disposed as individual pixels on the wiring board 100 . For example, a single light emitting device 200 may be configured to form one pixel. Since the reflective layer 300 is formed surrounding at least the side surface of the single light emitting device 200 constituting each pixel, the light emitted from the light emitting device 200 is different from the light emitted from the light emitting device 200 constituting the neighboring pixel. It can be emitted upwards without mixing.

즉, 발광 소자(200)에서는 사방으로 빛이 방출되므로 개별 발광 소자(200)에서 측방향으로 방출되는 빛은 반사층(300)에 의하여 반사되어 디스플레이 장치(10)의 상측으로 출사될 수 있다.That is, since light is emitted from the light emitting devices 200 in all directions, light emitted laterally from the individual light emitting devices 200 may be reflected by the reflective layer 300 and emitted to the upper side of the display device 10 .

따라서, 발광 소자(200)에서 방출되어 측면으로 진행하는 빛은 반사층(300)에 의하여 차단되므로 디스플레이 장치(10)에서 픽셀 사이에서 휘선이 발생하는 현상을 원천적으로 방지할 수 있다.Accordingly, since light emitted from the light emitting device 200 and traveling to the side is blocked by the reflective layer 300 , it is possible to fundamentally prevent generation of bright lines between pixels in the display device 10 .

도 2a를 참조하면, 일례로, 개별 픽셀을 이루는 발광 소자(200)는 제1 색상, 제2 색상 및 제3 색상의 광을 발광하도록 적층되는 다수의 반도체 층(210, 220, 230)을 포함하는 반도체 구조를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2A , for example, a light emitting device 200 constituting an individual pixel includes a plurality of semiconductor layers 210, 220, and 230 stacked to emit light of a first color, a second color, and a third color. It may include a semiconductor structure to.

구체적인 예로, 발광 소자(200)는 적색, 녹색 및 청색 광을 발광할 수 있는 적층형 반도체 발광 소자일 수 있다.As a specific example, the light emitting device 200 may be a multilayer semiconductor light emitting device capable of emitting red, green, and blue light.

일례로, 이러한 적층형 발광 소자(200)는 적색 광을 발광하는 제1 반도체층(210), 청색 광을 발광하는 제2 반도체층(220) 및 녹색 광을 발광하는 제3 반도체층(230)을 포함하는 반도체 구조를 포함할 수 있다.For example, the stacked light emitting device 200 includes a first semiconductor layer 210 emitting red light, a second semiconductor layer 220 emitting blue light, and a third semiconductor layer 230 emitting green light. It may include a semiconductor structure including.

여기서, 제1 반도체층(210), 제2 반도체층(220) 및 제3 반도체층(230)은 각각 개별 색상의 광을 발광할 수 있는 반도체 층들을 포함할 수 있다. 일례로, 제1 반도체층(210), 제2 반도체층(220) 및 제3 반도체층(230)은 각각 개별 색상의 광을 발광할 수 있는 활성층을 포함할 수 있다. 다른 예로, 제1 반도체층(210), 제2 반도체층(220) 및 제3 반도체층(230)은 각각 개별 색상의 광을 발광할 수 있는 활성층과 함께 n-형 반도체층 및 p-형 반도체층을 포함할 수 있다. 이러한 개별적인 구조는 도 2a에서 생략되어 있다.Here, the first semiconductor layer 210, the second semiconductor layer 220, and the third semiconductor layer 230 may each include semiconductor layers capable of emitting light of individual colors. For example, each of the first semiconductor layer 210, the second semiconductor layer 220, and the third semiconductor layer 230 may include an active layer capable of emitting light of individual colors. As another example, the first semiconductor layer 210, the second semiconductor layer 220, and the third semiconductor layer 230 are an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer together with an active layer capable of emitting light of individual colors, respectively. may contain layers. These individual structures are omitted from Figure 2a.

또한, 발광 소자(200)는 이러한 반도체 구조의 일측과 타측에 각각 전기적으로 연결되는 제1 전극(250) 및 제2 전극(260)을 포함할 수 있다. 도 2a에서 이러한 반도체 구조와 제1 전극(250) 및 제2 전극(260)의 전기적 연결 구조는 간략히 도시되어 있다.In addition, the light emitting device 200 may include a first electrode 250 and a second electrode 260 electrically connected to one side and the other side of the semiconductor structure, respectively. In FIG. 2A , the electrical connection structure between the semiconductor structure and the first electrode 250 and the second electrode 260 is briefly illustrated.

이러한 반도체 구조 상에는 지지층(240)이 위치할 수 있다. 여기서, 지지층(240)은 반도체 구조를 성장한 성장 기판 또는 반도체 구조가 전사되어 접합된 전사 기판일 수 있다. 이러한 지지층(240)은 반도체 구조에서 방출되는 빛에 대하여 투명할 수 있다. 일례로, 지지층(240)은 사파이어 기판을 포함할 수 있다.A support layer 240 may be positioned on the semiconductor structure. Here, the support layer 240 may be a growth substrate on which a semiconductor structure is grown or a transfer substrate on which a semiconductor structure is transferred and bonded. This supporting layer 240 may be transparent to light emitted from the semiconductor structure. For example, the support layer 240 may include a sapphire substrate.

한편, 반도체 구조의 일측과 타측에 각각 전기적으로 연결되는 제1 전극(250) 및 제2 전극(260)에는 각각 확장 패드(251, 261)가 구비될 수 있다. 이러한 확장 패드(251, 261)의 크기는 반도체 구조의 외곽면 이상으로 더 커질 수 있다.Meanwhile, expansion pads 251 and 261 may be provided on the first electrode 250 and the second electrode 260 electrically connected to one side and the other side of the semiconductor structure, respectively. The size of the extension pads 251 and 261 may be larger than the outer surface of the semiconductor structure.

그 외의 광원으로써 발광 소자(200)에 대한 설명은 이하 자세히 후술한다.A description of the light emitting device 200 as other light sources will be described later in detail.

여기서, 반사층(300)은 적어도 발광 소자(200)의 제1 반도체층(210), 제2 반도체층(220) 및 제3 반도체층(230)를 포함하는 반도체 구조의 측면을 감싸도록 위치할 수 있다.Here, the reflective layer 300 may be positioned to surround at least the side surfaces of the semiconductor structure including the first semiconductor layer 210, the second semiconductor layer 220, and the third semiconductor layer 230 of the light emitting device 200. there is.

또한, 반사층(300)은 제1 전극(250) 및 제2 전극(260)을 덮도록 위치할 수 있다. 이에 더하여, 일례로, 반사층(300)은 확장 패드(251, 261)를 덮도록 위치할 수 있다.In addition, the reflective layer 300 may be positioned to cover the first electrode 250 and the second electrode 260 . In addition to this, for example, the reflective layer 300 may be positioned to cover the expansion pads 251 and 261 .

이러한 반사층(300)은 발광 소자(200)의 지지층(240)의 측면을 더 감싸도록 위치할 수 있다. 일례로 반사층(300)은 발광 소자의 지지층(240)의 상면을 제외한 모든 면을 감싸도록 위치할 수 있다.The reflective layer 300 may be positioned to further surround the side surface of the support layer 240 of the light emitting device 200 . For example, the reflective layer 300 may be positioned to cover all surfaces except for the upper surface of the support layer 240 of the light emitting device.

도 2b를 참조하면, 반사층(300)은 투명 레진층(310) 내에 분산된 반사 입자들(320)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2B , the reflective layer 300 may include reflective particles 320 dispersed in the transparent resin layer 310 .

예시적인 실시예에 있어서, 반사 입자(320)의 굴절률은 투명 레진층(310)의 굴절률과 다를 수 있다.In an exemplary embodiment, the refractive index of the reflective particle 320 may be different from the refractive index of the transparent resin layer 310 .

반사 입자(320)는 실리콘, 티타늄, 지르코늄, 또는 이들의 산화물, 즉, 실리콘 산화물(SiOx), 티타늄 산화물(TiOx), 및 지르코늄 산화물(ZrOx) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The reflective particle 320 may include at least one of silicon, titanium, zirconium, or oxides thereof, that is, silicon oxide (SiOx), titanium oxide (TiOx), and zirconium oxide (ZrOx).

한편, 투명 레진층(310)은 레진 물질로 형성될 수 있다. 일례로, 투명 레진층(310)은 실리콘, 에폭시 및 우레탄 중 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.Meanwhile, the transparent resin layer 310 may be formed of a resin material. For example, the transparent resin layer 310 may include at least one of silicone, epoxy, and urethane.

이러한 반사층(300)의 두께는 투명 레진층(310)과 반사 입자들(320)에 의하여 90% 이상의 반사율을 가지도록 설정될 수 있다.The thickness of the reflective layer 300 may be set to have a reflectance of 90% or more by the transparent resin layer 310 and the reflective particles 320 .

도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 발광 소자를 나타내는 단면도이다. 도 4는 도 3의 발광 소자의 변형예를 나타내는 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing a light emitting element of a display device using a light emitting element according to an embodiment of the present invention. 4 is a cross-sectional view showing a modified example of the light emitting device of FIG. 3 .

도 3을 참조하면, 개별 픽셀을 이루는 발광 소자(201)는 제1 색상, 제2 색상 및 제3 색상의 광을 발광하도록 적층되는 다수의 반도체 층(210, 220, 230)을 포함하는 반도체 구조를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3 , the light emitting element 201 constituting an individual pixel has a semiconductor structure including a plurality of semiconductor layers 210, 220, and 230 stacked to emit light of a first color, a second color, and a third color. can include

구체적인 예로, 발광 소자(201)는 적색, 녹색 및 청색 광을 발광할 수 있는 적층형 반도체 발광 소자일 수 있다.As a specific example, the light emitting device 201 may be a multilayer semiconductor light emitting device capable of emitting red, green, and blue light.

일례로, 이러한 적층형 발광 소자(201)는 적색 광을 발광하는 제1 반도체층(210), 청색 광을 발광하는 제2 반도체층(220) 및 녹색 광을 발광하는 제3 반도체층(230)을 포함하는 반도체 구조를 포함할 수 있다.For example, the stacked light emitting device 201 includes a first semiconductor layer 210 emitting red light, a second semiconductor layer 220 emitting blue light, and a third semiconductor layer 230 emitting green light. It may include a semiconductor structure including.

여기서, 제1 반도체층(210), 제2 반도체층(220) 및 제3 반도체층(230)은 각각 개별 색상의 광을 발광할 수 있는 반도체 층들을 포함할 수 있다. 일례로, 제1 반도체층(210), 제2 반도체층(220) 및 제3 반도체층(230)은 각각 개별 색상의 광을 발광할 수 있는 활성층을 포함할 수 있다. 다른 예로, 제1 반도체층(210), 제2 반도체층(220) 및 제3 반도체층(230)은 각각 개별 색상의 광을 발광할 수 있는 활성층과 함께 n-형 반도체층 및 p-형 반도체층을 포함할 수 있다.Here, the first semiconductor layer 210, the second semiconductor layer 220, and the third semiconductor layer 230 may each include semiconductor layers capable of emitting light of individual colors. For example, each of the first semiconductor layer 210, the second semiconductor layer 220, and the third semiconductor layer 230 may include an active layer capable of emitting light of individual colors. As another example, the first semiconductor layer 210, the second semiconductor layer 220, and the third semiconductor layer 230 are an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer together with an active layer capable of emitting light of individual colors, respectively. may contain layers.

또한, 발광 소자(201)는 이러한 반도체 구조의 일측과 타측에 각각 전기적으로 연결되는 제1 전극(250) 및 제2 전극(260)을 포함할 수 있다.In addition, the light emitting element 201 may include a first electrode 250 and a second electrode 260 electrically connected to one side and the other side of the semiconductor structure, respectively.

이러한 반도체 구조 상에는 지지층(240)이 위치할 수 있다. 여기서, 지지층(240)은 반도체 구조를 성장한 성장 기판 또는 반도체 구조가 전사되어 접합된 전사 기판일 수 있다. 이러한 지지층(240)의 면 방향 크기는 반도체 구조보다 클 수 있다.A support layer 240 may be positioned on the semiconductor structure. Here, the support layer 240 may be a growth substrate on which a semiconductor structure is grown or a transfer substrate on which a semiconductor structure is transferred and bonded. The size of the support layer 240 in the plane direction may be larger than that of the semiconductor structure.

이러한 발광 소자(201)의 반도체 구조의 측면 상에는 반사층(270, 271)이 위치할 수 있다.Reflective layers 270 and 271 may be positioned on the side surfaces of the semiconductor structure of the light emitting device 201 .

여기서, 반사층(270, 271)은 적어도 발광 소자(200)의 제1 반도체층(210), 제2 반도체층(220) 및 제3 반도체층(230)를 포함하는 반도체 구조의 측면을 감싸도록 위치할 수 있다.Here, the reflective layers 270 and 271 are positioned so as to surround at least the side surfaces of the semiconductor structure including the first semiconductor layer 210, the second semiconductor layer 220, and the third semiconductor layer 230 of the light emitting device 200. can do.

또한, 반사층(270, 271)은 제1 전극(250) 및 제2 전극(260)을 덮도록 위치할 수 있다.In addition, the reflective layers 270 and 271 may be positioned to cover the first electrode 250 and the second electrode 260 .

이러한 반사층(270, 271)은 발광 소자(201)의 지지층(240)의 측면을 더 감싸도록 위치할 수 있다. 일례로 반사층(300)은 발광 소자의 지지층(240)의 상면을 제외한 모든 면을 감싸도록 위치할 수 있다.These reflective layers 270 and 271 may be positioned to further surround the side surface of the support layer 240 of the light emitting device 201 . For example, the reflective layer 300 may be positioned to cover all surfaces except for the upper surface of the support layer 240 of the light emitting device.

이때, 예시적인 실시예로서, 반사층은 제1 반도체층(210), 제2 반도체층(220) 및 제3 반도체층(230)를 포함하는 반도체 구조의 측면과 하면, 그리고 제1 전극(250) 및 제2 전극(260)의 측면을 덮는 제1 반사층(271)과, 이 제1 반사층(271) 및 지지층(240)의 측면을 덮는 제2 반사층(270)을 포함할 수 있다.At this time, as an exemplary embodiment, the reflective layer is the side surface and bottom surface of the semiconductor structure including the first semiconductor layer 210, the second semiconductor layer 220 and the third semiconductor layer 230, and the first electrode 250 and a first reflective layer 271 covering the side surface of the second electrode 260 and a second reflective layer 270 covering the side surface of the first reflective layer 271 and the support layer 240 .

이와 같은 반사층(270, 271)은 발광 소자(201)의 크기를 실질적으로 확장할 수 있다. 발광 소자(201)의 발광면은 이러한 반사층(270, 271)을 포함하는 크기로 확장될 수 있다. 즉, 반도체 구조에 해당하는 면적을 가지는 발광면이 반사층(270, 271)을 포함하는 크기로 확장될 수 있다. Such reflective layers 270 and 271 may substantially expand the size of the light emitting element 201 . The light emitting surface of the light emitting element 201 may be expanded to include the reflective layers 270 and 271 . That is, the light emitting surface having an area corresponding to the semiconductor structure may be expanded to include the reflective layers 270 and 271 .

도 4를 참조하면, 제1 전극(250) 및 제2 전극(260)에 연결되는 확장 패드(251, 261)가 더 구비될 수 있다. Referring to FIG. 4 , extension pads 251 and 261 connected to the first electrode 250 and the second electrode 260 may be further provided.

이러한 확장 패드(251, 261)의 크기는 반도체 구조의 외곽면 이상으로 더 커질 수 있다. 일례로, 확장 패드(251, 261)의 크기는 반사층(270)의 외곽면까지 확장될 수 있다.The size of the extension pads 251 and 261 may be larger than the outer surface of the semiconductor structure. For example, the expansion pads 251 and 261 may extend to the outer surface of the reflective layer 270 .

이때, 확장 패드(251, 261)의 상면은 반사층(270, 271) 상에 접촉될 수 있다. 이러한 확장 패드(251, 261)는 반사층(270, 271)의 반사도를 더욱 향상시킬 수 있다. 또한, 이러한 확장 패드(251, 261)는 발광 소자(201)의 실질적인 외부 전극 패드를 형성할 수 있다.In this case, upper surfaces of the expansion pads 251 and 261 may contact the reflective layers 270 and 271 . The expansion pads 251 and 261 may further improve reflectivity of the reflective layers 270 and 271 . In addition, these extension pads 251 and 261 may form substantial external electrode pads of the light emitting element 201 .

그 외에 설명되지 않은 사항은 위에서 도 1 내지 도 2b를 참조하여 설명한 사항이 그대로 적용될 수 있다. 예를 들면, 반사층(270, 271)은 도 2b를 참조하여 설명한 바와 같이, 반사층(270, 271)은 투명 레진층(310) 내에 분산된 반사 입자들(320)을 포함할 수 있다. 즉, 본 실시예의 반사층(270, 271)의 특성은 위에서 설명한 반사층(300)의 특성과 실질적으로 동일할 수 있다. 말하자면, 행 구조(301)를 가지는 특성 외에는 본 실시예의 반사층(270, 271)의 특성은 위에서 설명한 반사층(300)의 특성과 동일할 수 있다. 따라서, 중복되는 설명은 생략한다.Matters not described above may be applied as they are described with reference to FIGS. 1 to 2B above. For example, as described with reference to FIG. 2B , the reflective layers 270 and 271 may include reflective particles 320 dispersed in the transparent resin layer 310 . That is, characteristics of the reflective layers 270 and 271 of the present embodiment may be substantially the same as those of the reflective layer 300 described above. In other words, except for the row structure 301, the characteristics of the reflective layers 270 and 271 of this embodiment may be the same as those of the reflective layer 300 described above. Therefore, redundant descriptions are omitted.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 의한 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 발광 소자를 나타내는 단면도이다. 도 6은 도 5의 발광 소자의 변형예를 나타내는 단면도이다.5 is a cross-sectional view showing a light emitting element of a display device using a light emitting element according to another embodiment of the present invention. 6 is a cross-sectional view showing a modified example of the light emitting device of FIG. 5;

도 5를 참조하면, 개별 픽셀을 이루는 발광 소자(201)는 제1 색상, 제2 색상 및 제3 색상의 광을 발광하도록 적층되는 다수의 반도체 층(210, 220, 230)을 포함하는 반도체 구조를 포함할 수 있다. 이러한 반도체 구조에 대한 설명은 도 3을 참조하여 설명한 사항과 동일하므로 중복되는 설명은 생략한다.Referring to FIG. 5 , a light emitting element 201 constituting an individual pixel has a semiconductor structure including a plurality of semiconductor layers 210, 220, and 230 stacked to emit light of a first color, a second color, and a third color. can include Since the description of the semiconductor structure is the same as that described with reference to FIG. 3, duplicate descriptions will be omitted.

또한, 발광 소자(201)는 이러한 반도체 구조의 일측과 타측에 각각 전기적으로 연결되는 제1 전극(250) 및 제2 전극(260)을 포함할 수 있다.In addition, the light emitting element 201 may include a first electrode 250 and a second electrode 260 electrically connected to one side and the other side of the semiconductor structure, respectively.

이러한 반도체 구조 상에는 지지층(240)이 위치할 수 있다. 여기서, 지지층(240)은 반도체 구조를 성장한 성장 기판 또는 반도체 구조가 전사되어 접합된 전사 기판일 수 있다. 이러한 지지층(240)의 면 방향 크기는 반도체 구조보다 클 수 있다.A support layer 240 may be positioned on the semiconductor structure. Here, the support layer 240 may be a growth substrate on which a semiconductor structure is grown or a transfer substrate on which a semiconductor structure is transferred and bonded. The size of the support layer 240 in the plane direction may be larger than that of the semiconductor structure.

이러한 발광 소자(201)의 반도체 구조의 측면 상에는 반사층(271, 272)이 위치할 수 있다.Reflective layers 271 and 272 may be positioned on the side surfaces of the semiconductor structure of the light emitting device 201 .

예시적인 실시예로서, 반사층은 제1 반도체층(210), 제2 반도체층(220) 및 제3 반도체층(230)를 포함하는 반도체 구조의 측면과 하면, 그리고 제1 전극(250) 및 제2 전극(260)의 측면을 덮는 제1 반사층(271)과, 이 제1 반사층(271)과 지지층(240)의 측면 및 상면을 덮는 제2 반사층(272)을 포함할 수 있다.As an exemplary embodiment, the reflective layer may include side surfaces and bottom surfaces of the semiconductor structure including the first semiconductor layer 210, the second semiconductor layer 220, and the third semiconductor layer 230, and the first electrode 250 and the second semiconductor layer 250. It may include a first reflective layer 271 covering the side surface of the second electrode 260 and a second reflective layer 272 covering the side surface and top surface of the first reflective layer 271 and the support layer 240 .

이와 같이, 제2 반사층(272)은 발광 소자(201)의 지지층(240)의 측면과 상면을 감싸도록 위치할 수 있다. 이러한 제2 반사층(272)은 발광 소자(201)에서 방출되는 빛의 균일성을 향상시킬 수 있다.As such, the second reflective layer 272 may be positioned to cover the side surface and top surface of the support layer 240 of the light emitting device 201 . The second reflective layer 272 may improve uniformity of light emitted from the light emitting device 201 .

이와 같은 반사층(271, 272)은 발광 소자(201)의 크기를 실질적으로 확장할 수 있다. 발광 소자(201)의 발광면은 이러한 반사층(271, 272)을 포함하는 크기로 확장될 수 있다. 즉, 반도체 구조에 해당하는 면적을 가지는 발광면이 반사층(271, 272)을 포함하는 크기로 확장될 수 있다. The reflective layers 271 and 272 may substantially expand the size of the light emitting element 201 . The light emitting surface of the light emitting element 201 may be expanded to a size including the reflective layers 271 and 272 . That is, a light emitting surface having an area corresponding to the semiconductor structure may be expanded to include the reflective layers 271 and 272 .

도 6을 참조하면, 제1 전극(250) 및 제2 전극(260)에 연결되는 확장 패드(251, 261)가 더 구비될 수 있다. Referring to FIG. 6 , extension pads 251 and 261 connected to the first electrode 250 and the second electrode 260 may be further provided.

이러한 확장 패드(251, 261)의 크기는 반도체 구조의 외곽면 이상으로 더 커질 수 있다. 일례로, 확장 패드(251, 261)의 크기는 반사층(272)의 외곽면까지 확장될 수 있다.The size of the extension pads 251 and 261 may be larger than the outer surface of the semiconductor structure. For example, the expansion pads 251 and 261 may extend to the outer surface of the reflective layer 272 .

이때, 확장 패드(251, 261)의 상면은 반사층(271, 272) 상에 접촉될 수 있다. 이러한 확장 패드(251, 261)는 반사층(271, 272)의 반사도를 더욱 향상시킬 수 있다. 또한, 이러한 확장 패드(251, 261)는 발광 소자(201)의 실질적인 외부 전극 패드를 형성할 수 있다.In this case, upper surfaces of the expansion pads 251 and 261 may contact the reflective layers 271 and 272 . The expansion pads 251 and 261 may further improve reflectivity of the reflective layers 271 and 272 . In addition, these extension pads 251 and 261 may form substantial external electrode pads of the light emitting element 201 .

그 외에 설명되지 않은 사항은 위에서 도 1 내지 도 2b, 도 3 및 도 4를 참조하여 설명한 사항이 그대로 적용될 수 있다. 예를 들면, 반사층(271, 272)은 도 2b를 참조하여 설명한 바와 같이, 반사층(271, 272)은 투명 레진층(310) 내에 분산된 반사 입자들(320)을 포함할 수 있다. 즉, 본 실시예의 반사층(271, 272)의 특성은 위에서 설명한 반사층(300)의 특성과 실질적으로 동일할 수 있다. 말하자면, 행 구조(301)를 가지는 특성 외에는 본 실시예의 반사층(271, 272)의 특성은 위에서 설명한 반사층(300)의 특성과 동일할 수 있다. 따라서, 중복되는 설명은 생략한다.Matters not described above may be applied as they are described with reference to FIGS. 1 to 2b, 3 and 4 above. For example, as described with reference to FIG. 2B , the reflective layers 271 and 272 may include reflective particles 320 dispersed in the transparent resin layer 310 . That is, the characteristics of the reflective layers 271 and 272 of the present embodiment may be substantially the same as those of the reflective layer 300 described above. In other words, except for the row structure 301, the characteristics of the reflective layers 271 and 272 of this embodiment may be the same as those of the reflective layer 300 described above. Therefore, redundant descriptions are omitted.

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 의한 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 발광 소자를 나타내는 단면도이다.7 is a cross-sectional view showing a light emitting element of a display device using a light emitting element according to another embodiment of the present invention.

도 7을 참조하면, 도 4의 실시예에 의한 발광 소자(201)가 개별 픽셀을 이루는 디스플레이 장치(10)의 실시예를 나타내고 있다.Referring to FIG. 7 , an embodiment of the display device 10 in which the light emitting device 201 according to the embodiment of FIG. 4 forms individual pixels is illustrated.

즉, 배선 기판(100) 상에 도 6의 실시예에 의한 발광 소자(201)가 개별 픽셀을 이루도록 설치될 수 있다. 이때, 개별 발광 소자(201)의 사이에는 갭층(400)이 채워질 수 있다.That is, the light emitting devices 201 according to the embodiment of FIG. 6 may be installed on the wiring board 100 to form individual pixels. In this case, the gap layer 400 may be filled between the individual light emitting devices 201 .

이와 같이, 반사층(270, 271, 272)에 의하여 확장된 구조를 가지는 발광 소자(201)를 이용하여 간단한 구조로 디스플레이 장치(10)를 구현할 수 있다. As such, the display device 10 can be implemented with a simple structure using the light emitting element 201 having a structure extended by the reflective layers 270 , 271 , and 272 .

이때, 일정한 크기의 배선 기판(100) 상에 일정한 개수의 발광 소자(201)가 구비된 모듈 디스플레이 장치(10)를 구현할 수 있다. 이러한 모듈 디스플레이 장치(10)를 조합하여 원하는 크기를 가지는 디스플레이 장치(10)를 제작할 수 있다.In this case, a module display device 10 having a certain number of light emitting elements 201 on a wiring board 100 having a certain size may be implemented. By combining these module display devices 10, a display device 10 having a desired size can be manufactured.

도 8 내지 도 11은 본 발명의 일 실시예에 의한 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 발광 소자를 제조하는 과정을 나타내는 단면 개략도이다.8 to 11 are cross-sectional schematic views illustrating a process of manufacturing a light emitting device of a display device using a light emitting device according to an embodiment of the present invention.

도 8 내지 도 11을 참조하면, 도 4에서 도시하는 바와 같은 발광 소자의 실시예를 제조하는 과정을 단계적으로 나타내고 있다.Referring to FIGS. 8 to 11 , a process of manufacturing an embodiment of the light emitting device shown in FIG. 4 is shown step by step.

먼저, 도 8을 참조하면, 제1 기판(500) 상에 일정 간격(G)을 이루도록 지지층(240)이 위치하도록 할 수 있다. 도 8에서 지지층(240) 상에 위치하는 반도체 구조는 생략되어 있다.First, referring to FIG. 8 , the support layer 240 may be positioned on the first substrate 500 at a predetermined distance (G). In FIG. 8 , the semiconductor structure positioned on the supporting layer 240 is omitted.

이러한 지지층(240) 상에 제1 전극(250) 및 제2 전극(260)이 위치하는 상태에서, 제1 전극(250) 및 제2 전극(260) 상에 포토 레지스트(600)를 형성할 수 있다.In a state where the first electrode 250 and the second electrode 260 are positioned on the support layer 240, the photoresist 600 may be formed on the first electrode 250 and the second electrode 260. there is.

도 9를 참조하면, 도 8에서 도시한 바와 같은 상태에서 전체적으로 반사층(273)을 형성할 수 있다. 여기서 반사층(273)은 위에서 설명한 반사층(300, 270, 271, 272)과 동일한 특성을 가질 수 있다.Referring to FIG. 9 , the reflective layer 273 may be formed as a whole in the state shown in FIG. 8 . Here, the reflective layer 273 may have the same characteristics as the reflective layers 300, 270, 271, and 272 described above.

다음 도 10을 참조하면, 도 9와 같은 구조의 상면의 두께를 얇게 할 수 있다. 예를 들어, 도 9와 같은 구조를 래핑하는 등의 과정을 통하여 도 10에서 도시하는 바와 같이, 제1 전극(250) 및 제2 전극(260) 상에 얇아진 두께의 포토 레지스트(601)가 위치할 수 있다.Referring to FIG. 10, the thickness of the upper surface of the structure shown in FIG. 9 may be reduced. For example, as shown in FIG. 10 through a process such as lapping the structure of FIG. can do.

이때, 지지층(240)과 제1 전극(250) 및 제2 전극(260) 사이에는 얇아진 두께의 반사층(274)이 위치할 수 있다. 즉, 각각의 발광 소자를 이룰 구조 사이에는 반사층(274)이 위치할 수 있다.In this case, a reflective layer 274 having a reduced thickness may be positioned between the support layer 240 and the first electrode 250 and the second electrode 260 . That is, the reflective layer 274 may be positioned between the structures to form each light emitting device.

도 11을 참조하면, 포토 레지스트(601)를 제거된 상태에서 확장 패드(252)를 이루게 될 금속을 형성할 수 있다.Referring to FIG. 11 , in a state in which the photoresist 601 is removed, metal to form the extension pad 252 may be formed.

이후, 개별 발광 소자를 구분하는 영역(D)을 레이저와 같은 방법으로 분리하면(dicing) 도 4와 같은 구조를 이루는 발광 소자(201)가 제작될 수 있다.Thereafter, by dicing the area D for dividing the individual light emitting elements using a laser method, the light emitting element 201 having the structure shown in FIG. 4 can be manufactured.

도 12 내지 도 15는 본 발명의 다른 실시예에 의한 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 발광 소자를 제조하는 과정을 나타내는 단면 개략도이다.12 to 15 are cross-sectional schematic views illustrating a process of manufacturing a light emitting device of a display device using a light emitting device according to another embodiment of the present invention.

도 12 내지 도 15를 참조하면, 도 6에서 도시하는 바와 같은 발광 소자의 실시예를 제조하는 과정을 단계적으로 나타내고 있다.Referring to FIGS. 12 to 15 , a process of manufacturing an embodiment of the light emitting device shown in FIG. 6 is shown step by step.

먼저, 도 12을 참조하면, 제1 기판(500) 상에 일정 간격(G)을 이루도록 지지층(240)이 위치하도록 할 수 있다. 도 8에서 지지층(240) 상에 위치하는 반도체 구조는 생략되어 있다.First, referring to FIG. 12 , the support layer 240 may be positioned on the first substrate 500 at a predetermined distance (G). In FIG. 8 , the semiconductor structure positioned on the supporting layer 240 is omitted.

도 13을 참조하면, 도 11에서 도시한 바와 같은 상태에서 전체적으로 반사층(273)을 형성할 수 있다. 여기서 반사층(273)은 위에서 설명한 반사층(300, 270, 271, 272)과 동일한 특성을 가질 수 있다.Referring to FIG. 13 , the reflective layer 273 may be formed as a whole in the state shown in FIG. 11 . Here, the reflective layer 273 may have the same characteristics as the reflective layers 300, 270, 271, and 272 described above.

다음 도 14를 참조하면, 도 13에서 형성된 구조는 제2 기판(501)으로 전사될 수 있다.Referring to FIG. 14 , the structure formed in FIG. 13 may be transferred to the second substrate 501 .

또한, 이러한 지지층(240) 상에 제1 전극(250) 및 제2 전극(260)이 위치하는 상태에서, 제1 전극(250) 및 제2 전극(260) 상에 포토 레지스트(600)를 형성할 수 있다.In addition, in a state where the first electrode 250 and the second electrode 260 are positioned on the support layer 240, the photoresist 600 is formed on the first electrode 250 and the second electrode 260 can do.

이때, 제2 기판(501)과 지지층(240) 사이에 반사층(273)이 위치할 수 있다.In this case, the reflective layer 273 may be positioned between the second substrate 501 and the support layer 240 .

이후, 도 15를 참조하면, 포토 레지스트(600)를 제거된 상태에서 확장 패드(252)를 이루게 될 금속을 형성할 수 있다.Referring to FIG. 15 , in a state in which the photoresist 600 is removed, a metal to form the extension pad 252 may be formed.

이후, 개별 발광 소자를 구분하는 영역(D)을 레이저와 같은 방법으로 분리하면(dicing) 도 6과 같은 구조를 이루는 발광 소자(201)가 제작될 수 있다.Thereafter, by dicing the area D dividing the individual light emitting elements by a method such as a laser, the light emitting element 201 having the structure shown in FIG. 6 can be manufactured.

도 16은 본 발명의 다른 실시예에 의한 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 발광 소자에 의한 발광 상태를 나타내는 사진이다.16 is a photograph showing a light emitting state by a light emitting element of a display device using a light emitting element according to another embodiment of the present invention.

도 16의 (a)는 비교예로서 반사층(270, 271, 272)이 구비되지 않은 상태의 발광 소자에 의한 발광 상태를 나타내고 있다.16(a) shows a light emitting state by a light emitting device in a state in which the reflective layers 270, 271, and 272 are not provided as a comparative example.

또한, 도 16의 (b)는 실시예로서 반사층(270, 271, 272)이 구비된 상태의 발광 소자에 의한 발광 상태를 나타내고 있다.In addition, (b) of FIG. 16 shows a light emitting state by the light emitting device provided with the reflective layers 270, 271, and 272 as an example.

도 16의 (a)와 (b)를 비교하면 발광면 및 발광 강도가 확장된 것을 확인할 수 있다. 즉, 위에서 설명한 바와 같이, 반사층(270, 271, 272)에 의하여 발광 소자(201)의 크기를 실질적으로 확장할 수 있다. 즉, 반도체 구조에 해당하는 면적을 가지는 발광면이 반사층(270, 271, 272)을 포함하는 크기로 확장될 수 있다. Comparing (a) and (b) of FIG. 16 , it can be confirmed that the light emitting surface and the light emitting intensity are expanded. That is, as described above, the size of the light emitting element 201 can be substantially expanded by the reflective layers 270 , 271 , and 272 . That is, the light emitting surface having an area corresponding to the semiconductor structure may be expanded to include the reflective layers 270 , 271 , and 272 .

이와 같은 본 발명의 실시예에 의하면, 발광 소자의 측면으로 진행하는 빛이 정면을 진행할 수 있도록 하여 광 효율을 증가시킬 수 있다.According to such an embodiment of the present invention, the light efficiency can be increased by allowing light traveling to the side of the light emitting device to travel to the front.

또한, 적색, 녹색 및 청색 사이의 상이한 배광특성으로 인한 시야각을 균일화시킬 수 있다.In addition, viewing angles due to different light distribution characteristics among red, green, and blue colors can be equalized.

또한, 디스플레이 장치가 서로 연결되는 모듈 구조를 가질 경우에 모듈 사이에 휘선이 발생하는 현상을 개선할 수 있다.In addition, when the display device has a module structure connected to each other, it is possible to improve a phenomenon in which bright lines are generated between modules.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다.The above description is merely an example of the technical idea of the present invention, and various modifications and variations can be made to those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention.

따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다.Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention, but to explain, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments.

본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The protection scope of the present invention should be construed according to the claims below, and all technical ideas within the equivalent range should be construed as being included in the scope of the present invention.

100: 배선 기판
200: 발광 소자
210: 제1 반도체층 220: 제2 반도체층
230: 제3 반도체층 240: 지지층
250: 제1 전극 260: 제2 전극
251, 261: 확장 패드 270, 271, 272, 300: 반사층
310: 투명 레진층 320: 반사 입자100: wiring board
200: light emitting element
210: first semiconductor layer 220: second semiconductor layer
230: third semiconductor layer 240: support layer
250: first electrode 260: second electrode
251, 261: expansion pads 270, 271, 272, 300: reflective layer
310: transparent resin layer 320: reflective particles

Claims (20)

적층형 반도체 발광 소자에 있어서,
제1 색상, 제2 색상 및 제3 색상의 광을 발광하도록 적층되는 다수의 반도체 층을 포함하는 반도체 구조;
상기 반도체 구조의 제1 면 상에서 상기 반도체 구조의 일측과 타측에 각각 전기적으로 연결되는 제1 전극 및 제2 전극;
상기 반도체 구조의 제2 면 상에 위치하는 지지층; 및
적어도 상기 반도체 구조의 측면을 감싸도록 위치하는 반사층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 적층형 발광 소자.In the multilayer semiconductor light emitting device,
a semiconductor structure including a plurality of semiconductor layers stacked to emit light of a first color, a second color, and a third color;
a first electrode and a second electrode electrically connected to one side and the other side of the semiconductor structure on the first surface of the semiconductor structure;
a support layer positioned on the second side of the semiconductor structure; and
A stacked light emitting device characterized in that it comprises a reflective layer positioned to surround at least a side surface of the semiconductor structure. 제1항에 있어서, 상기 반사층은 상기 지지층의 측면을 더 감싸도록 위치하는 것을 특징으로 하는 적층형 발광 소자.The stacked light emitting device of claim 1, wherein the reflective layer is positioned so as to further surround a side surface of the support layer. 제1항에 있어서, 상기 반사층은 상기 반도체 구조의 측면 상에서 일정한 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 적층형 발광 소자.The stacked light emitting device according to claim 1, wherein the reflective layer has a constant thickness on a side surface of the semiconductor structure. 제1항에 있어서, 상기 반사층은,
투명 레진층;
상기 투명 레진층 내에 분산된 반사 입자들을 포함하는 특징으로 하는 적층형 발광 소자.The method of claim 1, wherein the reflective layer,
a transparent resin layer;
A multilayer light emitting device comprising reflective particles dispersed in the transparent resin layer. 제4항에 있어서, 상기 반사 입자의 굴절률은 상기 투명 레진층의 굴절률과 다른 것을 특징으로 하는 적층형 발광 소자.[Claim 5] The multilayer light emitting device according to claim 4, wherein the refractive index of the reflective particles is different from that of the transparent resin layer. 제4항에 있어서, 상기 반사 입자는 실리콘 산화물, 티타늄 산화물, 및 지르코늄 산화물 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 적층형 발광 소자.The stacked light emitting device according to claim 4, wherein the reflective particles include at least one of silicon oxide, titanium oxide, and zirconium oxide. 제4항에 있어서, 상기 반사층의 두께는 상기 투명 레진층과 상기 반사 입자들에 의하여 90% 이상의 반사율을 가지도록 설정된 것을 특징으로 하는 적층형 발광 소자.The stacked light emitting device according to claim 4, wherein the thickness of the reflective layer is set to have a reflectance of 90% or more by the transparent resin layer and the reflective particles. 제4항에 있어서, 상기 투명 레진층은 실리콘, 에폭시 및 우레탄 중 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 적층형 발광 소자.[Claim 5] The multilayer light emitting device according to claim 4, wherein the transparent resin layer includes at least one of silicon, epoxy, and urethane. 제1항에 있어서, 상기 제1 전극 및 제2 전극에 각각 연결되는 확장 패드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 적층형 발광 소자.The stacked light emitting device of claim 1, further comprising extension pads respectively connected to the first electrode and the second electrode. 제9항에 있어서, 상기 확장 패드의 외측단은 상기 반사층과 접촉하는 것을 특징으로 하는 적층형 발광 소자.10. The stacked light emitting device of claim 9, wherein an outer end of the extension pad contacts the reflective layer. 제1항에 있어서, 상기 반사층은 상기 지지층의 상면 상에 더 위치하는 것을 특징으로 하는 적층형 발광 소자.The stacked light emitting device according to claim 1, wherein the reflective layer is further positioned on an upper surface of the support layer. 배선 기판;
상기 배선 기판 상에 개별 픽셀을 이루어 배치되고, 제1 색상, 제2 색상 및 제3 색상의 광을 발광하도록 적층되는 다수의 반도체 층을 포함하는 반도체 구조를 포함하는 발광 소자; 및
상기 발광 소자 사이에 채워지는 반사층을 포함하고,
상기 반사층은,
투명 레진층; 및
상기 투명 레진층 내에 분산된 입자들을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자를 이용하는 디스플레이 장치.wiring board;
a light emitting device including a semiconductor structure including a plurality of semiconductor layers disposed on the wiring board to form individual pixels and stacked to emit light of a first color, a second color, and a third color; and
Including a reflective layer filled between the light emitting elements,
The reflective layer,
a transparent resin layer; and
A display device using a light emitting element comprising particles dispersed in the transparent resin layer. 제12항에 있어서, 상기 반사층은 이웃하는 발광 소자 사이에서 행(hang) 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치.13. The display device using light emitting elements according to claim 12, wherein the reflective layer has a hang structure between adjacent light emitting elements. 제13항에 있어서, 상기 행 구조의 높이는 상기 발광 소자의 높이의 절반보다 높은 것을 특징으로 하는 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치.[14] The display device of claim 13, wherein the height of the row structure is higher than half of the height of the light emitting device. 제12항에 있어서, 상기 반사층의 최대 높이는 상기 발광 소자 중 가장 높은 높이에 해당하는 것을 특징으로 하는 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치.[13] The display device according to claim 12, wherein the maximum height of the reflective layer corresponds to the highest height among the light emitting elements. 제12항에 있어서, 상기 반사층은 상기 개별 발광 소자 중에서 적어도 상기 반도체 구조의 측면을 감싸도록 위치하는 것을 특징으로 하는 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치.13. The display device of claim 12, wherein the reflective layer is positioned to surround at least a side surface of the semiconductor structure among the individual light emitting elements. 제12항에 있어서, 상기 반사 입자의 굴절률은 상기 투명 레진층의 굴절률과 다른 것을 특징으로 하는 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치.13. The display device according to claim 12, wherein a refractive index of the reflective particles is different from a refractive index of the transparent resin layer. 제12항에 있어서, 상기 반사 입자는 실리콘 산화물, 티타늄 산화물, 및 지르코늄 산화물 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치.The display device according to claim 12, wherein the reflective particles include at least one of silicon oxide, titanium oxide, and zirconium oxide. 제12항에 있어서, 상기 반사층의 두께는 상기 투명 레진층과 상기 반사 입자들에 의하여 90% 이상의 반사율을 가지도록 설정된 것을 특징으로 하는 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치.The display device according to claim 12, wherein the thickness of the reflective layer is set to have a reflectance of 90% or more by the transparent resin layer and the reflective particles. 제12항에 있어서, 상기 투명 레진층은 실리콘, 에폭시 및 우레탄 중 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치.
13. The display device according to claim 12, wherein the transparent resin layer comprises at least one of silicon, epoxy and urethane.
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