KR20230080360A - 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자 - Google Patents

신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자 Download PDF

Info

Publication number
KR20230080360A
KR20230080360A KR1020220162958A KR20220162958A KR20230080360A KR 20230080360 A KR20230080360 A KR 20230080360A KR 1020220162958 A KR1020220162958 A KR 1020220162958A KR 20220162958 A KR20220162958 A KR 20220162958A KR 20230080360 A KR20230080360 A KR 20230080360A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
mmol
compound
layer
water
organic layer
Prior art date
Application number
KR1020220162958A
Other languages
English (en)
Inventor
김민준
이동훈
서상덕
김영석
Original Assignee
주식회사 엘지화학
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지화학 filed Critical 주식회사 엘지화학
Publication of KR20230080360A publication Critical patent/KR20230080360A/ko

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D491/00Heterocyclic compounds containing in the condensed ring system both one or more rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms and one or more rings having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by groups C07D451/00 - C07D459/00, C07D463/00, C07D477/00 or C07D489/00
    • C07D491/02Heterocyclic compounds containing in the condensed ring system both one or more rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms and one or more rings having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by groups C07D451/00 - C07D459/00, C07D463/00, C07D477/00 or C07D489/00 in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D491/04Ortho-condensed systems
    • C07D491/044Ortho-condensed systems with only one oxygen atom as ring hetero atom in the oxygen-containing ring
    • C07D491/048Ortho-condensed systems with only one oxygen atom as ring hetero atom in the oxygen-containing ring the oxygen-containing ring being five-membered
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6574Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only oxygen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. cumarine dyes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6576Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only sulfur in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. benzothiophene

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.

Description

신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자{Novel compound and organic light emitting device comprising the same}
본 발명은 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.
일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 넓은 시야각, 우수한 콘트라스트, 빠른 응답 시간을 가지며, 휘도, 구동 전압 및 응답 속도 특성이 우수하여 많은 연구가 진행되고 있다.
유기 발광 소자는 일반적으로 양극과 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 상기 유기물층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등으로 이루어질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다.
상기와 같은 유기 발광 소자에 사용되는 유기물에 대하여 새로운 재료의 개발이 지속적으로 요구되고 있다.
한편, 최근에는 공정 비용 절감을 위하여 기존의 증착 공정 대신 용액 공정, 특히 잉크젯 공정을 이용한 유기 발광 소자가 개발되고 있다. 초창기에는 모든 유기 발광 소자 층을 용액 공정으로 코팅하여 유기 발광 소자를 개발하려 하였으나 현재 기술로는 한계가 있어, 정구조 형태에서 HIL, HTL, EML만을 용액 공정으로 진행하고 추후 공정은 기존의 증착 공정을 활용하는 하이브리드(hybrid) 공정이 연구 중이다.
이에 본 발명에서는 유기 발광 소자에 사용될 수 있으면서 동시에 용액 공정에 사용 가능한 신규한 유기 발광 소자의 소재를 제공한다.
한국특허 공개번호 제10-2000-0051826호
본 발명은 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다:
[화학식 1]
Figure pat00001
상기 화학식 1에서,
Ar1은 화학식 2로 표시되는 치환기이고,
Ar2는 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴; 또는 치환 또는 비치환된 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 C2-60 헤테로아릴이고,
L1은 직접 결합; 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴렌; 또는 치환 또는 비치환된 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 C2-60 헤테로아릴렌;이고,
L2은 직접 결합; 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴렌; 또는 치환 또는 비치환된 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 C2-60 헤테로아릴렌;이고,
상기 R의 하나 이상은 중수소이고, 나머지는 수소이고,
n은 1 내지 8의 정수이고,
[화학식 2]
Figure pat00002
상기 화학식 2에서,
X1 내지 X10 중 하나는 화학식 1의 L1과 결합하는 탄소이고, 다른 하나는 N이고, 나머지는 각각 독립적으로 CH 또는 CD이다.
또한, 본 발명은 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는, 유기 발광 소자를 제공한다. 구체적으로 상기 화합물을 포함하는 유기물층은 발광층일 수 있다.
상술한 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자의 유기물층의 재료로서 사용될 수 있으며, 유기 발광 소자에서 효율의 향상, 낮은 구동전압 및/또는 수명 특성을 향상시킬 수 있다. 특히, 상술한 화학식 1로 표시되는 화합물은 정공주입, 정공수송, 정공주입 및 수송, 전자억제, 발광, 전자수송, 또는 전자주입 재료로 사용될 수 있다.
도 1은 기판(1), 양극(2), 발광층(3), 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
도 2는 기판 (1), 양극(2), 정공주입층(5), 정공수송층(6), 발광층(7), 전자주입 및 수송층(8) 및 음극(4)로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 보다 상세히 설명한다.
(용어의 정의)
본 명세서에서,
Figure pat00003
또는
Figure pat00004
는 다른 치환기에 연결되는 결합을 의미하고, "D"는 중수소를 의미한다.
본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 시아노기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미노기; 포스핀옥사이드기; 알콕시기; 아릴옥시기; 알킬티옥시기; 아릴티옥시기; 알킬술폭시기; 아릴술폭시기; 실릴기; 붕소기; 알킬기; 사이클로알킬기; 알케닐기; 아릴기; 아르알킬기; 아르알케닐기; 알킬아릴기; 알킬아민기; 아랄킬아민기; 헤테로아릴아민기; 아릴아민기; 아릴포스핀기; 또는 N, O 및 S 원자 중 1개 이상을 포함하는 헤테로아릴로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되거나, 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환 또는 비치환된 것을 의미한다. 예컨대, "2 이상의 치환기가 연결된 치환기"는 비페닐기일 수 있다. 즉, 비페닐이기는 아릴기일 수도 있고, 2개의 페닐기가 연결된 치환기로 해석될 수도 있다.
본 명세서에서 카보닐기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 40인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure pat00005
본 명세서에 있어서, 에스테르기는 에스테르기의 산소가 탄소수 1 내지 25의 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄 알킬기 또는 탄소수 6 내지 25의 아릴기로 치환될 수 있다. 구체적으로, 하기 구조식의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure pat00006
본 명세서에 있어서, 이미드기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 25인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure pat00007
본 명세서에 있어서, 실릴기는 구체적으로 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 붕소기는 구체적으로 트리메틸붕소기, 트리에틸붕소기, t-부틸디메틸붕소기, 트리페닐붕소기, 페닐붕소기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드가 있다.
본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 6이다. 알킬기의 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 사이클로펜틸메틸, 사이클로헥틸메틸, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸-프로필, 1,1-디메틸-프로필, 이소헥실, 2-메틸펜틸, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 상기 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 6이다. 구체적인 예로는 비닐, 1-프로페닐, 이소프로페닐, 1-부테닐, 2-부테닐, 3-부테닐, 1-펜테닐, 2-펜테닐, 3-펜테닐, 3-메틸-1-부테닐, 1,3-부타디에닐, 알릴, 1-페닐비닐-1-일, 2-페닐비닐-1-일, 2,2-디페닐비닐-1-일, 2-페닐-2-(나프틸-1-일)비닐-1-일, 2,2-비스(디페닐-1-일)비닐-1-일, 스틸베닐기, 스티레닐기 등이 있으나 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 사이클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 60인 것이 바람직하며, 일 실시상태에 따르면, 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 30이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 6이다. 구체적으로 사이클로프로필, 사이클로부틸, 사이클로펜틸, 3-메틸사이클로펜틸, 2,3-디메틸사이클로펜틸, 사이클로헥실, 3-메틸사이클로헥실, 4-메틸사이클로헥실, 2,3-디메틸사이클로헥실, 3,4,5-트리메틸사이클로헥실, 4-tert-부틸사이클로헥실, 사이클로헵틸, 사이클로옥틸 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 아릴기는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 6 내지 60인 것이 바람직하며, 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 30이다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 20이다. 상기 아릴기가 단환식 아릴기로는 페닐기, 비페닐이기, 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난쓰레닐기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 플루오레닐기는 치환될 수 있고, 치환기 2개가 서로 결합하여 스피로 구조를 형성할 수 있다. 상기 플루오레닐기가 치환되는 경우,
Figure pat00008
등이 될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴은 이종 원소로 O, N, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 헤테로아릴로서, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 2 내지 60인 것이 바람직하다. 헤테로아릴의 예로는 잔텐(xanthene), 티오잔텐(thioxanthen), 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 티아졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 트리아졸기, 피리딜기, 비피리딜기, 피리미딜기, 트리아진기, 아크리딜기, 피리다진기, 피라지닐기, 퀴놀리닐기, 퀴나졸린기, 퀴녹살리닐기, 프탈라지닐기, 피리도 피리미디닐기, 피리도 피라지닐기, 피라지노 피라지닐기, 이소퀴놀린기, 인돌기, 카바졸기, 벤즈옥사졸기, 벤조이미다졸기, 벤조티아졸기, 벤조카바졸기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 벤조퓨라닐기, 페난쓰롤린기(phenanthroline), 이소옥사졸릴기, 티아디아졸릴기, 페노티아지닐기 및 디벤조퓨라닐기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 아르알킬기, 아르알케닐기, 알킬아릴기, 아릴아민기, 아릴실릴기 중의 아릴기는 전술한 아릴기의 예시와 같다. 본 명세서에 있어서, 아르알킬기, 알킬아릴기, 알킬아민기 중 알킬기는 전술한 알킬기의 예시와 같다. 본 명세서에 있어서, 헤테로아릴아민 중 헤테로아릴은 전술한 헤테로아릴에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서, 아르알케닐기 중 알케닐기는 전술한 알케닐기의 예시와 같다. 본 명세서에 있어서, 아릴렌은 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서, 헤테로아릴렌은 2가기인 것을 제외하고는 전술한 헤테로아릴에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서, 탄화수소 고리는 1가기가 아니고, 2개의 치환기가 결합하여 형성한 것을 제외하고는 전술한 아릴기 또는 사이클로알킬기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서, 헤테로고리는 1가기가 아니고, 2개의 치환기가 결합하여 형성한 것을 제외하고는 전술한 헤테로아릴에 관한 설명이 적용될 수 있다.
(화합물)
본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.
Ar1은 화학식 2로 표시되는 치환기이다.
화학식 2에서, X1 내지 X10 중 하나는 화학식 1의 L1과 결합하는 탄소이고, 다른 하나는 N이고, 나머지는 각각 독립적으로 CH 또는 CD이다.
Ar2는 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴; 또는 치환 또는 비치환된 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 C2-60 헤테로아릴이다. 바람직하게는, Ar2는 페닐; 비페닐릴; 나프틸; 페난스레닐; 디벤조티오페닐 또는 디벤조퓨라닐일 수 있다. 여기서, Ar2는 비치환되거나 또는 1개 이상의 중수소로 치환될 수 있다.
L1은 직접 결합; 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴렌; 또는 치환 또는 비치환된 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 C2-60 헤테로아릴렌일 수 있다. 바람직하게는, L1는 직접 결합이다.
L2은 직접 결합; 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴렌; 또는 치환 또는 비치환된 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 C2-60 헤테로아릴렌이다. 바람직하게는, L2는 직접 결합; 페닐렌; 또는 나프틸렌일 수 있다. 여기서, L2는 비치환되거나 또는 1개 이상의 중수소로 치환될 수 있다.
R의 하나 이상은 중수소이고, 나머지는 수소이다.
또한, n은 중수소(D)의 개수를 의미하는 것으로 n은 1 내지 8의 정수이다. 일 예로, R은 모두 중수소이고, n은 8일 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 대표적인 예는 하기와 같다:
Figure pat00009
Figure pat00010
Figure pat00011
Figure pat00012
Figure pat00013
Figure pat00014
Figure pat00015
Figure pat00016
Figure pat00017
Figure pat00018
Figure pat00019
Figure pat00020
Figure pat00021
Figure pat00022
Figure pat00023
Figure pat00024
Figure pat00025
Figure pat00026
Figure pat00027
Figure pat00028
Figure pat00029
Figure pat00030
Figure pat00031
Figure pat00032
Figure pat00033
Figure pat00034
Figure pat00035
Figure pat00036
Figure pat00037
Figure pat00038
Figure pat00039
Figure pat00040
Figure pat00041
Figure pat00042
Figure pat00043
Figure pat00044
Figure pat00045
Figure pat00046
Figure pat00047
Figure pat00048
Figure pat00049
Figure pat00050
Figure pat00051
Figure pat00052
Figure pat00053
Figure pat00054
Figure pat00055
Figure pat00056
또한, 상기 화합물은 중수소를 포함하지 않거나, 또는 1개 이상의 중수소를 포함할 수 있다.
상기 화합물이 중수소를 포함하는 경우, 화합물의 중수소 치환율은 1% 내지 100%일 수 있다. 구체적으로는, 상기 화합물의 중수소 치환율은 5% 이상, 10% 이상, 20% 이상, 25% 이상, 30% 이상, 40% 이상, 또는 50% 이상이면서, 100% 이하, 90% 이하, 80% 이하, 또는 70% 이하일 수 있다. 이러한 화합물의 중수소 치환율은 화학식 내 존재할 수 있는 수소의 총 개수 대비 치환된 중수소의 개수로 계산되며, 이때 치환된 중수소의 개수는 MALDI-TOF MS(Matrix-Assisted Laser Desorption/Ionization Time-of-Flight Mass Spectrometer) 분석을 통해 구해질 수 있다.
일 예로, 상기 화합물은 중수소를 포함하지 않거나, 또는 1개 내지 30개의 중수소를 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 화합물이 중수소를 포함하는 경우, 상기 화합물은 1개 이상, 2개 이상, 3개 이상, 4개 이상, 5개 이상, 6개 이상, 7개 이상, 8개 이상, 9개 이상, 10개 이상, 11개 이상, 12개 이상, 13개 이상, 14개 이상 또는 15개 이상이면서, 30개 이하, 27개 이하, 25개 이하, 20개 이하, 18개 이하, 16개 이하의 중수소를 포함할 수 있다.
한편, 본 발명은 일례로 하기 반응식 1과 같은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 제조방법을 제공한다:
[반응식 1]
Figure pat00057
상기 반응식 1에서, X1 내지 X10, L1 내지 L2, Ar2, R 및 n의 정의는 각각 화학식 1과 같다. A는 할로겐이며, 바람직하게는 브로모 또는 클로로일 수 있다.
반응식 1은 스즈키 커플링 반응으로서, 팔라듐 촉매 존재 하에 수행하는 것이 바람직하며, 스즈키 커플링 반응을 위한 반응기는 당업계에 알려진 바에 따라 변경이 가능하다. 상기 제조방법은 후술할 제조예 및 합성예에서 보다 구체화될 수 있다.
(유기 발광 소자)
또한, 본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다. 일례로, 본 발명은 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는, 유기 발광 소자를 제공한다.
본 발명의 유기 발광 소자의 유기물 층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 발명의 유기 발광 소자는 유기물 층으로서 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 정공저지층, 전자수송층, 전자주입층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기층을 포함할 수 있다.
또한, 상기 유기물 층은 정공주입층, 정공수송층, 또는 정공 주입과 수송을 동시에 하는 층을 포함할 수 있고, 상기 정공주입층, 정공수송층, 또는 정공 주입과 수송을 동시에 하는 층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
또한, 상기 유기물 층은 발광층을 포함할 수 있고, 상기 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
또한, 상기 유기물 층은 정공저지층, 전자수송층, 전자주입층, 또는 전자수송 및 전자주입을 동시에 하는 층을 포함할 수 있고, 상기 정공저지층, 전자수송층, 전자주입층, 또는 전자수송 및 전자주입을 동시에 하는 층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
또한, 상기 유기물 층은 발광층 및 전자 주입 및 수송층을 포함할 수 있고, 상기 전자 주입 및 수송층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는, 기판 상에 양극, 1층 이상의 유기물층 및 음극이 순차적으로 적층된 구조(normal type)의 유기 발광 소자일 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 기판 상에 음극, 1층 이상의 유기물층 및 양극이 순차적으로 적층된 역방향 구조(inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다. 예컨대, 본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 소자의 구조는 도 1 및 2에 예시되어 있다.
도 1은 기판(1), 양극(2), 발광층(3), 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
도 2는 기판 (1), 양극(2), 정공주입층(5), 정공수송층(6), 발광층(7), 전자 주입 및 수송층(8) 및 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 발광층에 포함될 수 있다.
본 발명에 따른 유기 발광 소자는, 상기 유기물 층 중 1층 이상이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다. 또한, 상기 유기 발광 소자가 복수개의 유기물층을 포함하는 경우, 상기 유기물층은 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다.
예컨대, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 기판 상에 양극, 유기물층 및 음극을 순차적으로 적층시켜 제조할 수 있다. 이때, 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical Vapor Deposition) 방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층을 포함하는 유기물 층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시켜 제조할 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수 있다.
또한, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물 층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥코팅, 닥터 블레이딩, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.
이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질로부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 제조할 수 있다(WO 2003/012890). 다만, 제조 방법이 이에 한정되는 것은 아니다.
일례로, 상기 제1 전극은 양극이고, 상기 제2 전극은 음극이거나, 또는 상기 제1 전극은 음극이고, 상기 제2 전극은 양극이다.
상기 양극 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 상기 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO2:Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 화합물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 상기 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 정공주입층은 전극으로부터 정공을 주입하는 층으로, 정공 주입 물질로는 정공을 수송하는 능력을 가져 양극에서의 정공 주입효과, 발광층 또는 발광재료에 대하여 우수한 정공 주입 효과를 갖고, 발광층에서 생성된 여기자의 전자주입층 또는 전자주입재료에의 이동을 방지하며, 또한, 박막 형성 능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물 층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrin), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone)계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 화합물 등이 있으나, 이들에만 한정 되는 것은 아니다.
상기 정공수송층은 정공주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층까지 정공을 수송하는 층으로, 정공 수송 물질로는 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 화합물, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 발광 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 전자억제층은 음극에서 주입된 전자가 발광층에서 재결합되지 않고 정공수송층으로 넘어가는 것을 방지하기 위해 정공수송층과 발광층의 사이에 두는 층으로, 전자저지층으로 불리기도 한다. 전자억제층에는 전자수송층보다 전자 친화력이 작은 물질이 바람직하다. 바람직하게는, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 전자억제층의 물질로 포함할 수 있다.
상기 발광층은 호스트 재료 및 도펀트 재료를 포함할 수 있다. 호스트 재료로는 상술한 화학식 1로 표시되는 화합물이 사용될 수 있다. 또한, 추가로 사용할 수 있는 호스트 재료로는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등을 사용할 수 있다. 구체적으로 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 카바졸 유도체, 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
도펀트 재료로는 방향족 아민 유도체, 스트릴아민 화합물, 붕소 착체, 플루오란텐 화합물, 금속 착체 등이 있다. 구체적으로 방향족 아민 유도체로는 치환 또는 비치환된 아릴아미노기를 갖는 축합 방향족환 유도체로서, 아릴아미노기를 갖는 피렌, 안트라센, 크리센, 페리플란텐 등이 있으며, 스티릴아민 화합물로는 치환 또는 비치환된 아릴아민에 적어도 1개의 아릴비닐기가 치환되어 있는 화합물로, 아릴기, 실릴기, 알킬기, 사이클로알킬기 및 아릴아미노기로 이루어진 군에서 1 또는 2 이상 선택되는 치환기가 치환 또는 비치환된다. 구체적으로 스티릴아민, 스티릴디아민, 스티릴트리아민, 스티릴테트라아민 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 금속 착체로는 이리듐 착체, 백금 착체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 전자수송층은 전자주입층으로부터 전자를 수취하여 발광층까지 전자를 수송하는 층으로 전자 수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al 착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 전자 수송층은 종래기술에 따라 사용된 바와 같이 임의의 원하는 캐소드 물질과 함께 사용할 수 있다. 특히, 적절한 캐소드 물질의 예는 낮은 일함수를 가지고 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따르는 통상적인 물질이다. 구체적으로 세슘, 바륨, 칼슘, 이테르븀 및 사마륨이고, 각 경우 알루미늄 층 또는 실버층이 뒤따른다.
상기 전자주입층은 전극으로부터 전자를 주입하는 층으로, 전자를 수송하는 능력을 갖고, 음극으로부터의 전자 주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자주입 효과를 가지며, 발광층에서 생성된 여기자의 정공주입층에의 이동을 방지하고, 또한, 박막형성능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 구체적으로는 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 질소 함유 5원환 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 금속 착체 화합물로서는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
한편, 본 발명에 있어서 "전자 주입 및 수송층"은 상기 전자주입층과 상기 전자수송층의 역할을 모두 수행하는 층으로 상기 각 층의 역할을 하는 물질을 단독으로, 혹은 혼합하여 사용할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 바람직하게는, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 전자 주입 및 수송층의 물질로 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 유기 발광 소자는 배면 발광(Bottom emission) 소자, 전면 발광(Top emission) 소자, 또는 양면 발광 소자일 수 있으며, 특히 상대적으로 높은 발광 효율이 요구되는 배면 발광 소자일 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 화합물은 유기 발광 소자 외에도 유기 태양 전지 또는 유기 트랜지스터에 포함될 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자의 제조는 이하 실시예에서 구체적으로 설명한다. 그러나 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명의 범위가 이들에 의하여 한정되는 것은 아니다.
합성예 1
Figure pat00058
Ant1 (15g, 32.1 mmol)와 sub1-1 (11.6g, 33.7 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(13.3g, 96.3 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 2 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 1를 14.6g 제조하였다. (수율 75%, MS:[M+H]+=606)
합성예 2
Figure pat00059
Ant2 (15g, 38.3 mmol)와 sub1-2 (13.9g, 40.2 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(15.9g, 115 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.4 mmol)을 투입하였다. 2 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 2를 13.6g 제조하였다. (수율 67%, MS:[M+H]+=530)
합성예 3
Figure pat00060
Ant3 (15g, 32.1 mmol)와 sub1-3 (11.6g, 33.7 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(13.3g, 96.3 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 4 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 3를 13g 제조하였다. (수율 67%, MS:[M+H]+=606)
합성예 4
Figure pat00061
Ant4 (15g, 35.9 mmol)와 sub1-4 (13g, 37.7 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(14.9g, 107.8 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.4 mmol)을 투입하였다. 4 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 4를 13g 제조하였다. (수율 65%, MS:[M+H]+=556)
합성예 5
Figure pat00062
Ant5 (15g, 32.1 mmol)와 sub1-5 (11.6g, 33.7 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(13.3g, 96.3 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 3 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 5를 13.4g 제조하였다. (수율 69%, MS:[M+H]+=606)
합성예 6
Figure pat00063
Ant6 (15g, 34.8 mmol)와 sub1-6 (12.6g, 36.5 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(14.4g, 104.3 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 3 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 6를 14.6g 제조하였다. (수율 74%, MS:[M+H]+=570)
합성예 7
Figure pat00064
Ant7 (15g, 32.1 mmol)와 sub1-7 (11.6g, 33.7 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(13.3g, 96.3 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 5 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 7를 12g 제조하였다. (수율 62%, MS:[M+H]+=606)
합성예 8
Figure pat00065
Ant8 (15g, 37.7 mmol)와 sub1-2 (13.6g, 39.5 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(15.6g, 113 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.4 mmol)을 투입하였다. 3 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 8를 13.1g 제조하였다. (수율 65%, MS:[M+H]+=537)
합성예 9
Figure pat00066
Ant9 (15g, 35.2 mmol)와 sub1-3 (12.8g, 36.9 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(14.6g, 105.5 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.4 mmol)을 투입하였다. 3 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 9를 12.1g 제조하였다. (수율 61%, MS:[M+H]+=565)
합성예 10
Figure pat00067
Ant10 (15g, 31.3 mmol)와 sub1-8 (11.4g, 32.9 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(13g, 94 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 5 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 10를 15.3g 제조하였다. (수율 79%, MS:[M+H]+=617)
합성예 11
Figure pat00068
Ant11 (15g, 44 mmol)와 sub2-1 (15.9g, 46.1 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(18.2g, 131.9 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.4 mmol)을 투입하였다. 3 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 11를 14.7g 제조하였다. (수율 70%, MS:[M+H]+=480)
합성예 12
Figure pat00069
Ant7 (15g, 32.1 mmol)와 sub2-2 (11.6g, 33.7 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(13.3g, 96.3 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 5 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 12를 15g 제조하였다. (수율 77%, MS:[M+H]+=606)
합성예 13
Figure pat00070
Ant12 (15g, 34.8 mmol)와 sub2-3 (12.6g, 36.5 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(14.4g, 104.3 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 4 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 13를 14.8g 제조하였다. (수율 75%, MS:[M+H]+=570)
합성예 14
Figure pat00071
Ant13 (15g, 34 mmol)와 sub2-4 (12.3g, 35.7 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(14.1g, 101.9 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 4 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 14를 14g 제조하였다. (수율 71%, MS:[M+H]+=580)
합성예 15
Figure pat00072
Ant14 (15g, 35.9 mmol)와 sub2-5 (13g, 37.7 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(14.9g, 107.8 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.4 mmol)을 투입하였다. 4 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 15를 12.2g 제조하였다. (수율 61%, MS:[M+H]+=556)
합성예 16
Figure pat00073
Ant15 (15g, 34 mmol)와 sub2-4 (12.3g, 35.7 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(14.1g, 101.9 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 4 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 16를 14.6g 제조하였다. (수율 74%, MS:[M+H]+=580)
합성예 17
Figure pat00074
Ant3 (15g, 32.1 mmol)와 sub2-6 (11.6g, 33.7 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(13.3g, 96.3 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 2 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 17를 14.8g 제조하였다. (수율 76%, MS:[M+H]+=606)
합성예 18
Figure pat00075
Ant16 (15g, 32.1 mmol)와 sub2-7 (11.6g, 33.7 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(13.3g, 96.3 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 4 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 18를 14.4g 제조하였다. (수율 74%, MS:[M+H]+=606)
합성예 19
Figure pat00076
Ant17 (15g, 35.2 mmol)와 sub2-2 (12.8g, 36.9 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(14.6g, 105.5 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.4 mmol)을 투입하였다. 4 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 19를 14.7g 제조하였다. (수율 74%, MS:[M+H]+=565)
합성예 20
Figure pat00077
Ant18 (15g, 31.3 mmol)와 sub2-8 (11.4g, 32.9 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(13g, 94 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 3 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 20를 12.9g 제조하였다. (수율 67%, MS:[M+H]+=617)
합성예 21
Figure pat00078
Ant19 (15g, 32.1 mmol)와 sub3-1 (11.6g, 33.7 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(13.3g, 96.3 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 4 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 21를 15.1g 제조하였다. (수율 78%, MS:[M+H]+=606)
합성예 22
Figure pat00079
Ant4 (15g, 35.9 mmol)와 sub3-2 (13g, 37.7 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(14.9g, 107.8 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.4 mmol)을 투입하였다. 3 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 22를 14.6g 제조하였다. (수율 73%, MS:[M+H]+=556)
합성예 23
Figure pat00080
Ant20 (15g, 33.5 mmol)와 sub3-3 (12.2g, 35.2 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(13.9g, 100.6 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 3 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 23를 13.7g 제조하였다. (수율 70%, MS:[M+H]+=586)
합성예 24
Figure pat00081
Ant16 (15g, 32.1 mmol)와 sub3-4 (11.6g, 33.7 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(13.3g, 96.3 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 3 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 24를 15g 제조하였다. (수율 77%, MS:[M+H]+=606)
합성예 25
Figure pat00082
Ant21 (15g, 43.3 mmol)와 sub3-1 (15.7g, 45.5 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(18g, 129.9 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.4 mmol)을 투입하였다. 5 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 25를 14.1g 제조하였다. (수율 67%, MS:[M+H]+=485)
합성예 26
Figure pat00083
Ant22 (15g, 34 mmol)와 sub3-3 (12.3g, 35.7 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(14.1g, 101.9 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 4 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 26를 12.5g 제조하였다. (수율 60%, MS:[M+H]+=616)
합성예 27
Figure pat00084
Ant15 (15g, 34 mmol)와 sub4-1 (12.3g, 35.7 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(14.1g, 101.9 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 3 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 27를 13.6g 제조하였다. (수율 69%, MS:[M+H]+=580)
합성예 28
Figure pat00085
Ant23 (15g, 32.1 mmol)와 sub4-2 (11.6g, 33.7 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(13.3g, 96.3 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 5 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 28를 13.6g 제조하였다. (수율 70%, MS:[M+H]+=606)
합성예 29
Figure pat00086
Ant6 (15g, 34.8 mmol)와 sub4-3 (12.6g, 36.5 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(14.4g, 104.3 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 4 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 29를 12.3g 제조하였다. (수율 62%, MS:[M+H]+=570)
합성예 30
Figure pat00087
Ant7 (15g, 32.1 mmol)와 sub4-4 (11.6g, 33.7 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(13.3g, 96.3 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 3 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 30를 14.2g 제조하였다. (수율 73%, MS:[M+H]+=606)
합성예 31
Figure pat00088
Ant4 (15g, 35.9 mmol)와 sub4-5 (13g, 37.7 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(14.9g, 107.8 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.4 mmol)을 투입하였다. 5 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 31를 13.8g 제조하였다. (수율 69%, MS:[M+H]+=556)
합성예 32
Figure pat00089
Ant24 (15g, 33.5 mmol)와 sub4-6 (12.2g, 35.2 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(13.9g, 100.6 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 5 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 32를 14.3g 제조하였다. (수율 73%, MS:[M+H]+=586)
합성예 33
Figure pat00090
Ant17 (15g, 35.2 mmol)와 sub4-3 (12.8g, 36.9 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(14.6g, 105.5 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.4 mmol)을 투입하였다. 3 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 33를 13.7g 제조하였다. (수율 69%, MS:[M+H]+=565)
합성예 34
Figure pat00091
Ant8 (1 5g, 37.7 mmol)와 sub4-1 (13.6g, 39.5 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(15.6g, 113 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.4 mmol)을 투입하였다. 2 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 34를 15.3g 제조하였다. (수율 76%, MS:[M+H]+=537)
합성예 35
Figure pat00092
Ant8 (15g, 37.7 mmol)와 sub4-6 (13.6g, 39.5 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(15.6g, 113 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.4 mmol)을 투입하였다. 4 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 35를 13.5g 제조하였다. (수율 67%, MS:[M+H]+=537)
합성예 36
Figure pat00093
Ant23 (15g, 32.1 mmol)와 sub5-1 (11.6g, 33.7 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(13.3g, 96.3 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 3 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 36를 13.8g 제조하였다. (수율 71%, MS:[M+H]+=606)
합성예 37
Figure pat00094
Ant15 (15g, 34 mmol)와 sub5-2 (12.3g, 35.7 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(14.1g, 101.9 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 5 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 37를 15g 제조하였다. (수율 76%, MS:[M+H]+=580)
합성예 38
Figure pat00095
Ant19 (15g, 32.1 mmol)와 sub5-3 (11.6g, 33.7 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(13.3g, 96.3 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 4 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 38를 14.2g 제조하였다. (수율 73%, MS:[M+H]+=606)
합성예 39
Figure pat00096
Ant15 (15g, 34 mmol)와 sub5-4 (12.3g, 35.7 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(14.1g, 101.9 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 5 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 39를 15g 제조하였다. (수율 76%, MS:[M+H]+=580)
합성예 40
Figure pat00097
Ant24 (15g, 33.5 mmol)와 sub5-5 (12.2g, 35.2 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(13.9g, 100.6 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 5 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 40를 12g 제조하였다. (수율 61%, MS:[M+H]+=586)
합성예 41
Figure pat00098
Ant25 (15g, 37.7 mmol)와 sub5-6 (13.6g, 39.5 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(15.6g, 113 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.4 mmol)을 투입하였다. 4 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 41를 13.1g 제조하였다. (수율 65%, MS:[M+H]+=537)
합성예 42
Figure pat00099
Ant17 (15g, 35.2 mmol)와 sub5-5 (12.8g, 36.9 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(14.6g, 105.5 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.4 mmol)을 투입하였다. 2 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 42를 14.1g 제조하였다. (수율 71%, MS:[M+H]+=565)
합성예 43
Figure pat00100
Ant12 (15g, 34.8 mmol)와 sub6-1 (12.6g, 36.5 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(14.4g, 104.3 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 4 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 43를 15.4g 제조하였다. (수율 78%, MS:[M+H]+=570)
합성예 44
Figure pat00101
Ant23 (15g, 32.1 mmol)와 sub6-2 (11.6g, 33.7 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(13.3g, 96.3 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 3 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 44를 12.2g 제조하였다. (수율 63%, MS:[M+H]+=606)
합성예 45
Figure pat00102
Ant3 (15g, 32.1 mmol)와 sub6-3 (11.6g, 33.7 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(13.3g, 96.3 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 3 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 45를 12.4g 제조하였다. (수율 64%, MS:[M+H]+=606)
합성예 46
Figure pat00103
Ant1 (15g, 32.1 mmol)와 sub6-4 (11.6g, 33.7 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(13.3g, 96.3 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 4 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 46를 13.4g 제조하였다. (수율 69%, MS:[M+H]+=606)
합성예 47
Figure pat00104
Ant26 (15g, 35.9 mmol)와 sub6-5 (13g, 37.7 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(14.9g, 107.8 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.4 mmol)을 투입하였다. 2 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 47를 12.6g 제조하였다. (수율 63%, MS:[M+H]+=556)
합성예 48
Figure pat00105
Ant2 (15g, 38.3 mmol)와 sub6-6 (13.9g, 40.2 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(15.9g, 115 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.4 mmol)을 투입하였다. 5 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 48를 12.6g 제조하였다. (수율 62%, MS:[M+H]+=530)
합성예 49
Figure pat00106
Ant18 (15g, 31.3 mmol)와 sub6-7 (11.4g, 32.9 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(13g, 94 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 4 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 49를 13.5g 제조하였다. (수율 70%, MS:[M+H]+=617)
합성예 50
Figure pat00107
Ant21 (15g, 43.3 mmol)와 sub6-1 (15.7g, 45.5 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(18g, 129.9 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.4 mmol)을 투입하였다. 4 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 50를 13.6g 제조하였다. (수율 65%, MS:[M+H]+=485)
합성예 51
Figure pat00108
Ant12 (15g, 34.8 mmol)와 sub7-1 (12.6g, 36.5 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(14.4g, 104.3 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 2 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 51를 12.7g 제조하였다. (수율 64%, MS:[M+H]+=570)
합성예 52
Figure pat00109
Ant7 (15g, 32.1 mmol)와 sub7-2 (11.6g, 33.7 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(13.3g, 96.3 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 2 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 52를 15.5g 제조하였다. (수율 80%, MS:[M+H]+=606)
합성예 53
Figure pat00110
Ant15 (15g, 34 mmol)와 sub7-3 (12.3g, 35.7 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(14.1g, 101.9 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 5 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 53를 14.8g 제조하였다. (수율 75%, MS:[M+H]+=580)
합성예 54
Figure pat00111
Ant19 (15g, 32.1 mmol)와 sub7-4 (11.6g, 33.7 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(13.3g, 96.3 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 3 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 54를 15g 제조하였다. (수율 77%, MS:[M+H]+=606)
합성예 55
Figure pat00112
Ant16 (15g, 32.1 mmol)와 sub7-5 (11.6g, 33.7 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(13.3g, 96.3 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 4 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 55를 14g 제조하였다. (수율 72%, MS:[M+H]+=606)
합성예 56
Figure pat00113
Ant8 (15g, 37.7 mmol)와 sub7-1 (13.6g, 39.5 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(15.6g, 113 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.4 mmol)을 투입하였다. 2 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 56를 12.7g 제조하였다. (수율 63%, MS:[M+H]+=537)
합성예 57
Figure pat00114
Ant18 (15g, 31.3 mmol)와 sub7-5 (11.4g, 32.9 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(13g, 94 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 3 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 57를 11.8g 제조하였다. (수율 61%, MS:[M+H]+=617)
합성예 58
Figure pat00115
Ant4 (15g, 35.9 mmol)와 sub8-1 (13g, 37.7 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(14.9g, 107.8 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.4 mmol)을 투입하였다. 4 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 58를 13.2g 제조하였다. (수율 66%, MS:[M+H]+=556)
합성예 59
Figure pat00116
Ant7 (15g, 32.1 mmol)와 sub8-2 (11.6g, 33.7 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(13.3g, 96.3 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 4 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 59를 13g 제조하였다. (수율 67%, MS:[M+H]+=606)
합성예 60
Figure pat00117
Ant16 (15g, 32.1 mmol)와 sub8-3 (11.6g, 33.7 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(13.3g, 96.3 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 2 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 60를 11.8g 제조하였다. (수율 61%, MS:[M+H]+=606)
합성예 61
Figure pat00118
Ant6 (15g, 34.8 mmol)와 sub8-4 (12.6g, 36.5 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(14.4g, 104.3 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 5 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 61를 15.4g 제조하였다. (수율 78%, MS:[M+H]+=570)
합성예 62
Figure pat00119
Ant8 (15g, 37.7 mmol)와 sub8-5 (13.6g, 39.5 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(15.6g, 113 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.4 mmol)을 투입하였다. 3 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 62를 14.9g 제조하였다. (수율 74%, MS:[M+H]+=537)
합성예 63
Figure pat00120
Ant23 (15g, 32.1 mmol)와 sub9-1 (11.6g, 33.7 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(13.3g, 96.3 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 4 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 63를 12.6g 제조하였다. (수율 65%, MS:[M+H]+=606)
합성예 64
Figure pat00121
Ant7 (15g, 32.1 mmol)와 sub9-2 (11.6g, 33.7 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(13.3g, 96.3 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 2 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 64를 11.7g 제조하였다. (수율 60%, MS:[M+H]+=606)
합성예 65
Figure pat00122
Ant19 (15g, 32.1 mmol)와 sub9-3 (11.6g, 33.7 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(13.3g, 96.3 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 5 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 65를 14.8g 제조하였다. (수율 76%, MS:[M+H]+=606)
합성예 66
Figure pat00123
Ant4 (15g, 35.9 mmol)와 sub9-4 (13g, 37.7 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(14.9g, 107.8 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.4 mmol)을 투입하였다. 3 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 66를 15.2g 제조하였다. (수율 76%, MS:[M+H]+=556)
합성예 67
Figure pat00124
Ant23 (15g, 32.1 mmol)와 sub9-5 (11.6g, 33.7 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(13.3g, 96.3 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 2 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 67를 14.6g 제조하였다. (수율 75%, MS:[M+H]+=606)
합성예 68
Figure pat00125
Ant6 (15g, 34.8 mmol)와 sub9-6 (12.6g, 36.5 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(14.4g, 104.3 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 2 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 68를 12.3g 제조하였다. (수율 62%, MS:[M+H]+=570)
합성예 69
Figure pat00126
Ant27 (15g, 31.3 mmol)와 sub9-7 (11.4g, 32.9 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(13g, 94 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 5 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 69를 12g 제조하였다. (수율 62%, MS:[M+H]+=617)
합성예 70
Figure pat00127
Ant17 (15g, 35.2 mmol)와 sub9-8 (12.8g, 36.9 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(14.6g, 105.5 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.4 mmol)을 투입하였다. 5 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 70를 12.9g 제조하였다. (수율 65%, MS:[M+H]+=565)
합성예 71
Figure pat00128
Ant16 (15g, 32.1 mmol)와 sub10-1 (11.6g, 33.7 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(13.3g, 96.3 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 3 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 71를 12g 제조하였다. (수율 62%, MS:[M+H]+=606)
합성예 72
Figure pat00129
Ant20 (15g, 33.5 mmol)와 sub10-2 (12.2g, 35.2 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(13.9g, 100.6 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 3 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 72를 13.1g 제조하였다. (수율 67%, MS:[M+H]+=586)
합성예 73
Figure pat00130
Ant12 (15g, 34.8 mmol)와 sub10-3 (12.6g, 36.5 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(14.4g, 104.3 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 2 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 73를 12.1g 제조하였다. (수율 61%, MS:[M+H]+=570)
합성예 74
Figure pat00131
Ant20 (15g, 32.1 mmol)와 sub10-4 (11.6g, 33.7 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(13.3g, 96.3 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 4 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 74를 14.8g 제조하였다. (수율 79%, MS:[M+H]+=586)
합성예 75
Figure pat00132
Ant28 (15g, 35.2 mmol)와 sub10-5 (12.8g, 36.9 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(14.6g, 105.5 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.4 mmol)을 투입하였다. 2 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 75를 15.3g 제조하였다. (수율 77%, MS:[M+H]+=565)
합성예 76
Figure pat00133
Ant22 (15g, 31.4 mmol)와 sub10-2 (11.4g, 33 mmol)를 THF 300 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘 카보네이트(13g, 94.2 mmol)를 물 100 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.2g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 2 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 76를 12g 제조하였다. (수율 62%, MS:[M+H]+=617)
실험예 1-1
ITO(Indium Tin Oxide)가 1,400Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀러포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다.
이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 정공주입층으로 하기 HI-1 화합물을 1150Å의 두께로 형성하되 하기 A-1 화합물을 1.5% 농도로 p-doping 했다. 상기 정공주입층 위에 하기 HT-1 화합물을 진공 증착 하여 막 두께 800Å의 정공수송층을 형성했다. 이어서 정공 수송 보조층으로 화합물 EB-1을 150Å의 두께로 열 진공 증착 하였다. 이어서, 발광층으로 본 발명의 화합물1 및 하기 화학식 BD로 표시되는 화합물을 25:1의 중량비로 200Å의 두께로 진공 증착 하였다. 이어서, 정공저지층으로 하기 화학식 HB-1으로 표시되는 화합물을 50Å의 두께로 진공 증착 하였다. 이어서, 전자수송 및 전자주입을 동시에 하는 층으로 하기 화학식 ET-1로 표시되는 화합물과 하기 LiQ로 표시되는 화합물을 1:1의 중량비로 310Å의 두께로 열 진공 증착 하였다. 상기 전자 수송 및 전자 주입층 위에 순차적으로 12Å의 두께로 리튬플로라이드(LiF)와 1000Å 두께로 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하여, 유기 발광 소자를 제조하였다.
Figure pat00134
실험예 1-2 내지 1-76
화합물 1 대신 하기 표 1에 기재된 화합물을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실험예 1-1과 동일한 방법으로 실험예 1-2 내지 1-76의 유기 발광 소자를 제조하였다.
비교실험예 1-1 내지 1-3
화합물 1 대신 하기 화합물 B-1 내지 B-3을 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-1과 동일한 방법으로 비교실험예 1-1 내지 1-3의 유기 발광 소자를 제조하였다.
Figure pat00135
실험예 1-1 내지 1-76 및 비교실험예 1-1 내지 1-3에서 제조한 유기 발광 소자에 10 mA/cm2의 전류를 인가하였을 때, 전압, 효율을 측정하고 그 결과를 하기 표 1 내지 표 4에 나타내었다. 수명 T95는 휘도가 초기 휘도(1000 nit)에서 95%로 감소되는 데 소요되는 시간을 의미한다.
화합물 전압(V) 효율(cd/A) 수명T95(hr) 발광색
실험예 1-1 화합물 1 3.27 4.91 205 청색
실험예 1-2 화합물 2 3.38 5.13 182 청색
실험예 1-3 화합물 3 3.44 5.06 192 청색
실험예 1-4 화합물 4 3.40 5.08 193 청색
실험예 1-5 화합물 5 3.45 5.13 187 청색
실험예 1-6 화합물 6 3.41 5.08 192 청색
실험예 1-7 화합물 7 3.35 4.91 216 청색
실험예 1-8 화합물 8 3.30 4.86 201 청색
실험예 1-9 화합물 9 3.34 5.27 250 청색
실험예 1-10 화합물 10 3.35 5.24 239 청색
실험예 1-11 화합물 11 3.46 4.85 180 청색
실험예 1-12 화합물 12 3.43 5.10 143 청색
실험예 1-13 화합물 13 3.42 5.11 142 청색
실험예 1-14 화합물 14 3.41 5.02 143 청색
실험예 1-15 화합물 15 3.43 5.12 158 청색
실험예 1-16 화합물 16 3.42 4.81 179 청색
실험예 1-17 화합물 17 3.41 4.85 183 청색
실험예 1-18 화합물 18 3.43 4.84 177 청색
실험예 1-19 화합물 19 3.45 5.08 209 청색
실험예 1-20 화합물 20 3.39 5.06 214 청색
실험예 1-21 화합물 21 3.38 5.06 149 청색
실험예 1-22 화합물 22 3.38 5.05 151 청색
실험예 1-23 화합물 23 3.46 5.02 141 청색
실험예 1-24 화합물 24 3.39 5.03 154 청색
실험예 1-25 화합물 25 3.46 5.09 212 청색
실험예 1-26 화합물 26 3.44 5.10 209 청색
실험예 1-27 화합물 27 3.39 5.08 145 청색
실험예 1-28 화합물 28 3.39 5.04 161 청색
실험예 1-29 화합물 29 3.45 5.13 142 청색
실험예 1-30 화합물 30 3.43 5.12 157 청색
실험예 1-31 화합물 31 3.45 5.02 160 청색
실험예 1-32 화합물 32 3.44 5.06 151 청색
실험예 1-33 화합물 33 3.40 4.82 174 청색
실험예 1-34 화합물 34 3.40 4.82 180 청색
실험예 1-35 화합물 35 3.45 4.91 192 청색
실험예 1-36 화합물 36 3.45 4.93 188 청색
실험예 1-37 화합물 37 3.42 4.94 190 청색
실험예 1-38 화합물 38 3.46 4.82 175 청색
실험예 1-39 화합물 39 3.44 4.95 183 청색
실험예 1-40 화합물 40 3.43 4.92 174 청색
실험예 1-41 화합물 41 3.43 5.08 215 청색
실험예 1-42 화합물 42 3.41 5.10 202 청색
실험예 1-43 화합물 43 3.45 5.12 176 청색
실험예 1-44 화합물 44 3.40 5.05 189 청색
실험예 1-45 화합물 45 3.41 5.13 183 청색
실험예 1-46 화합물 46 3.39 5.05 188 청색
실험예 1-47 화합물 47 3.37 5.11 175 청색
실험예 1-48 화합물 48 3.43 5.12 174 청색
실험예 1-49 화합물 49 3.35 5.16 251 청색
실험예 1-50 화합물 50 3.27 5.12 244 청색
실험예 1-51 화합물 51 3.46 5.02 180 청색
실험예 1-52 화합물 52 3.45 5.02 191 청색
실험예 1-53 화합물 53 3.40 5.03 184 청색
실험예 1-54 화합물 54 3.47 5.10 177 청색
실험예 1-55 화합물 55 3.47 5.10 192 청색
실험예 1-56 화합물 56 3.26 4.84 217 청색
실험예 1-57 화합물 57 3.35 4.82 210 청색
실험예 1-58 화합물 58 3.56 4.88 148 청색
실험예 1-59 화합물 59 3.52 4.86 145 청색
실험예 1-60 화합물 60 3.46 4.93 151 청색
실험예 1-61 화합물 61 3.56 4.85 140 청색
실험예 1-62 화합물 62 3.55 4.83 179 청색
실험예 1-63 화합물 63 3.56 4.84 147 청색
실험예 1-64 화합물 64 3.55 4.81 162 청색
실험예 1-65 화합물 65 3.53 4.93 151 청색
실험예 1-66 화합물 66 3.51 4.89 149 청색
실험예 1-67 화합물 67 3.52 4.89 158 청색
실험예 1-68 화합물 68 3.51 4.85 143 청색
실험예 1-69 화합물 69 3.53 4.93 202 청색
실험예 1-70 화합물 70 3.46 4.93 151 청색
실험예 1-71 화합물 71 3.56 4.94 149 청색
실험예 1-72 화합물 72 3.54 4.88 144 청색
실험예 1-73 화합물 73 3.51 4.87 153 청색
실험예 1-74 화합물 74 3.54 4.93 142 청색
실험예 1-75 화합물 75 3.52 4.93 193 청색
실험예 1-76 화합물 76 3.55 4.86 175 청색
비교실험예 1-1 B-1 3.62 4.67 103 청색
비교실험예 1-2 B-2 3.87 4.43 46 청색
비교실험예 1-3 B-3 3.74 4.58 87 청색
상기 표 1에 나타난 바와 같이, 발광층의 물질로 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 사용한 실시예의 유기 발광 소자는, 이와는 상이한 구조를 갖는 화합물을 사용한 비교예의 유기 발광 소자에 비하여 감소된 구동 전압 및 향상된 효율 및 수명 특성을 나타냄을 알 수 있다.
1: 기판 2: 양극
3: 발광층 4: 음극
5: 정공주입층 6: 정공수송층
7: 발광층 8: 전자주입 및 수송층

Claims (8)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 화합물:
    [화학식 1]
    Figure pat00136

    상기 화학식 1에서,
    Ar1은 화학식 2로 표시되는 치환기이고,
    Ar2는 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴; 또는 치환 또는 비치환된 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 C2-60 헤테로아릴이고,
    L1은 직접 결합; 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴렌; 또는 치환 또는 비치환된 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 C2-60 헤테로아릴렌;이고,
    L2은 직접 결합; 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴렌; 또는 치환 또는 비치환된 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 C2-60 헤테로아릴렌;이고,
    R의 하나 이상은 중수소이고, 나머지는 수소이고,
    n은 1 내지 8의 정수이고,
    [화학식 2]
    Figure pat00137

    상기 화학식 2에서,
    X1 내지 X10 중 하나는 화학식 1의 L1과 결합하는 탄소이고, 다른 하나는 N이고, 나머지는 각각 독립적으로 CH 또는 CD이다.
  2. 제1항에 있어서,
    Ar2는 페닐; 비페닐릴; 나프틸; 페난스레닐; 디벤조티오페닐; 또는 디벤조퓨라닐이고,
    여기서, Ar2는 비치환되거나 또는 1개 이상의 중수소로 치환되는,
    화합물.
  3. 제1항에 있어서,
    L1는 직접 결합인,
    화합물.
  4. 제1항에 있어서,
    L2는 직접 결합; 페닐렌; 또는 나프틸렌이고,
    여기서, L2는 비치환되거나 또는 1개 이상의 중수소로 치환되는,
    화합물.
  5. 제1항에 있어서,
    R은 모두 중수소이고 n은 8인,
    화합물.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나인,
    화합물:
    Figure pat00138

    Figure pat00139

    Figure pat00140

    Figure pat00141

    Figure pat00142

    Figure pat00143

    Figure pat00144

    Figure pat00145

    Figure pat00146

    Figure pat00147

    Figure pat00148

    Figure pat00149

    Figure pat00150

    Figure pat00151

    Figure pat00152

    Figure pat00153

    Figure pat00154

    Figure pat00155

    Figure pat00156

    Figure pat00157

    Figure pat00158

    Figure pat00159

    Figure pat00160

    Figure pat00161

    Figure pat00162

    Figure pat00163

    Figure pat00164

    Figure pat00165

    Figure pat00166

    Figure pat00167

    Figure pat00168
    Figure pat00169

    Figure pat00170

    Figure pat00171

    Figure pat00172

    Figure pat00173

    Figure pat00174

    Figure pat00175

    Figure pat00176

    Figure pat00177

    Figure pat00178

    Figure pat00179

    Figure pat00180

    Figure pat00181

    Figure pat00182

    Figure pat00183

    Figure pat00184

    Figure pat00185

  7. 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층은 제1항 내지 제6항 중 어느 하나의 항에 따른 화합물을 포함하는 것인, 유기 발광 소자.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 화합물을 포함하는 유기물층은 발광층인,
    유기 발광 소자.
KR1020220162958A 2021-11-29 2022-11-29 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자 KR20230080360A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20210167711 2021-11-29
KR1020210167711 2021-11-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230080360A true KR20230080360A (ko) 2023-06-07

Family

ID=86761239

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220162958A KR20230080360A (ko) 2021-11-29 2022-11-29 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20230080360A (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000051826A (ko) 1999-01-27 2000-08-16 성재갑 신규한 착물 및 그의 제조 방법과 이를 이용한 유기 발광 소자

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000051826A (ko) 1999-01-27 2000-08-16 성재갑 신규한 착물 및 그의 제조 방법과 이를 이용한 유기 발광 소자

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102486517B1 (ko) 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR102500849B1 (ko) 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR20230014818A (ko) 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR102648796B1 (ko) 유기 발광 소자
KR20240004118A (ko) 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR20200105388A (ko) 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자
KR102550644B1 (ko) 유기 발광 소자
KR102549461B1 (ko) 유기 발광 소자
KR102511932B1 (ko) 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자
KR20200129995A (ko) 유기 발광 소자
KR102511933B1 (ko) 신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자
KR102419609B1 (ko) 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR102645016B1 (ko) 유기 발광 소자
KR102545207B1 (ko) 유기 발광 소자
KR102664889B1 (ko) 유기 발광 소자
KR102500850B1 (ko) 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR20230080360A (ko) 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR20230080361A (ko) 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR20230080352A (ko) 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자
KR20240054192A (ko) 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR20230080351A (ko) 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자
KR20220117843A (ko) 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광 소자
KR20240088627A (ko) 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR20240004119A (ko) 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR20240083826A (ko) 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자