KR20230076717A - 유기 발광 소자 및 유기 발광 소자의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 무기 박막 정공주입층을 적용한 유기 발광 소자에 관한 것이다. 보다 상세히, 무기 박막(BaSnO3, 도핑 물질 포함)을 유기발광다이오드, 양자점 디바이스 등의 발광 장치에 양극과 정공 수송층 사이에 위치하는 정공 주입층을 무기물을 이용한 박막 형태로 제작한 유기 발광 소자에 관한 것이다.
본 발명에 따른 유기 발광 소자는, 기판; 상기 기판 상에 형성되는 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 형성되는 정공 주입층; 상기 정공 주입층 상에 형성되는 정공 수송층; 상기 정공 수송층 상에 형성되는 발광층; 상기 발광층 상에 형성되는 전자 수송층; 상기 전자 수송층 상에 형성되는 전자 주입층; 및 상기 전자 주입층 상에 형성되는 제2 전극을 포함하고, 상기 정공 주입층은 무기물로 형성되고, 상기 정공 수송층, 상기 발광층, 상기 전자 수송층 및 상기 전자 주입층 중 적어도 하나는 유기물로 형성된다.

Description

유기 발광 소자 및 유기 발광 소자의 제조 방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 무기 박막 정공주입층을 적용한 유기 발광 소자에 관한 것이다.
유기 발광 소자는, 유기 화합물 층으로 구성된 전계 발광 소자이다.
유기 발광 소자는, 양극, 정공주입층, 정공이동층, 발광층, 전자이동층, 전자주입층 및 음극으로 구성되어 있다.
기존 유기 발광 소자는 정공주입층으로 poly(3,4-ethylenedioxythiophene) poly (styrenesulfonate)(PEDOT:PSS)와 Copper(II) Phthalocyanine (CuPc) 등을 사용하였으나 PEDOT:PSS는 산성으로 양극을 부식시켜 소자의 성능을 저하시키게 되며 CuPc는 가시광선 영역의 빛을 흡수하는 문제가 있다.
한국특허공개 제10-2012-0125942호 (2012.11.19)
이에, 본 발명은 발광 성능의 저하가 억제되는 유기 발광 소자 및 유기 발광 소자의 제조 방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 실시예의 일 측면에 따른 유기 발광 소자는, 기판; 상기 기판 상에 형성되는 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 형성되는 정공 주입층; 상기 정공 주입층 상에 형성되는 정공 수송층; 상기 정공 수송층 상에 형성되는 발광층; 상기 발광층 상에 형성되는 전자 수송층; 상기 전자 수송층 상에 형성되는 전자 주입층; 및 상기 전자 주입층 상에 형성되는 제2 전극을 포함하고, 상기 정공 주입층은 무기물로 형성되고, 상기 정공 수송층, 상기 발광층, 상기 전자 수송층 및 상기 전자 주입층 중 적어도 하나는 유기물로 형성된다.
또한, 상기 정공 주입층은 란탄(La)이 도핑된 바륨주석산화물(BaSnO3)를 포함하고, 상기 란탄이 도핑된 바륨주석산화물의 질량비는, 상기 정공주입층의 전체 질량을 기준으로 50 % 내지 100% 인 것을 특징으로 하는 유기발광소자를 이용할 수 있다.
또한, 상기 정공 주입층은 1nm ~ 1mm의 두께로 형성될 수 있다.
또한, 4V이상 12V이하의 작동 전압에서 100cd/m2 이상 100,000cd/m2 이하의 휘도의 밝기를 갖을 수 있다.
본 발명의 실시예의 다른 측면에 따른 유기 발광 소자를 제조하는 방법은, 기판 상에 제1 전극을 패터닝 하는 제1 전극 패터닝 단계; 상기 제1 전극이 형성된 상기 기판은 O2 플라즈마 처리하는 플라즈마 처리 단계; 상기 플라즈마 처리된 상기 기판의 상기 제1 전극 상에 정공 주입층을 형성하는 정공 주입층 형성 단계; 상기 정공 주입층 상에 정공 수송층을 형성하는 정공 수송층 형성 단계; 상기 정공 수송층 상에 발광층을 형성하는 발광층 형성 단계; 상기 발광층 상에 상기 전자 수송층을 형성하는 전자 수송층 형성 단계; 상기 전자 수송층 상에 전자 주입층을 형성하는 전자 주입층 형성 단계; 및 상기 전자 주입층 상에 제2 전극을 형성하는 제2 전극 형성 단계를 포함하고, 상기 정공 주입층은 무기물로 형성되며, 상기 정공 수송층, 상기 발광층, 상기 전자 수송층 및 상기 전자 주입층 중 적어도 하나는 유기물로 형성되고, 상기 정공 주입층 형성 단계는, 상기 기판의 상기 제1 전극 상에 란탄이 도핑된 바륨주석산화물(BaSnO3)용액을 코팅하여 상기 정공 주입층의 바륨주석산화물 코팅층을 형성하는 바륨주석산화물 용액 코팅 단계; 상기 바륨주석산화물(BaSnO3) 코팅층에서 용매를 제거하는 용매 제거 단계;를 포함한다.
또한, 상기 바륨주석산화물 용액 코팅 단계는, 잉코젯 프린팅, 드롭 캐스팅, 스핀 코팅, 및 노즐 프리팅 중 적어도 하나의 공정으로 수행되며, 상기 용매 제거 단계가 수행되기 전의 상기 바륨주석산화물 코팅층은, 상기 용매 제거 단계가 수행된 이후의 상기 바륨주석산화물 코팅층의 두께보다 두껍게 형성되며, 상기 바륨주석산화물 코팅층을 포함하는 상기 정공 주입층은, 1nm ~ 1mm의 두께를 갖을 수 있다.
또한, 상기 제1 전극이 형성된 상기 기판을 아세톤 및 이소프로필알코올 중 적어도 하나를 포함하는 세척액에서 초음파 세척을 진행하는 기판 세척 단계; 및 세척된 상기 기판을 30 분 내지 3 시간 동안 건조하는 기판 건조 단계;를 더 포함하고, 상기 플라즈마 처리 단계는 1 분 내지 10 분 동안 수행될 수 있다.
또한, 상기 정공 수송층 형성 단계, 상기 발광층 형성 단계, 상기 전자 수송층 형성 단계, 상기 전자 주입층 형성 단계, 및 상기 제2 전극 형성 단계 중 적어도 하나는, 10-3 Torr 내지 10-7 Torr의 고진공 분위기에서 진공 열증착되어 박막이 형성될 수 있다.
제안되는 실시예에 의하면, 발광 성능의 저하가 억제되는 유기 발광 소자 및 유기 발광 소자의 제조 방법이 제공될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 소자의 구성을 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 유기 발광 소자를 제조하는 방법을 보여주는 도면이다.
도 3는 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 소자를 적용하여 제작한 OLED 소자의 휘도-전압 그래프이다.
도 4은 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 소자를 적용하여 제작한 OLED 소자의 전류효율-전류밀도 그래프
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 소자를 적용하여 제작한 OLED 소자의 전류밀도-전압 그래프
도 6는 본 발명의 실시예에 따른 란탄(La)이 도핑된 바륨주석산화물(BaSnO3) 의 XRD 그래프이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.
명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하며, 당업자가 충분히 이해할 수 있듯이 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시 가능할 수도 있다.
한편, 본 발명의 명세서에서 구체적으로 언급되지 않은 본 발명의 기술적 특징에 의해 기대될 수 있는 잠정적인 효과는 본 명세서에 기재된 것과 같이 취급되며, 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해 제공된 것인바, 도면에 도시된 내용은 실제 발명의 구현모습에 비해 과장되어 표현될 수 있으며, 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 구성의 상세한 설명은 생략하거나 간략하게 기재한다.
이하에서는 첨부되는 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 소자의 단면을 보여주는 도면이다.
본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 소자는, 무기 박막(BaSnO3, 도핑 물질 포함)을 유기발광다이오드, 양자점 디바이스 등의 발광 장치에 적용되며, 양극과 정공 수송층 사이에 위치하는 정공 주입층을 무기물을 이용한 박막 형태로 제작된다.
도 1을 참고하면, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 소자(1)는, 기판(100)과 기판(100) 상에 형성되는 제1 전극(200), 제1 전극(200) 상에 형성되는 정공 주입층(300), 정공 주입층(300) 상에 형성되는 정공 수송층(400), 정공 수송층(400) 상에 형성되는 발광층(500), 발광층(500) 상에 형성되는 전자 수송층(600), 전자 수송층(600) 상에 형성되는 전자 주입층(700); 및 전자 주입층(700) 상에 형성되는 제2 전극(800)을 포함한다.
이때, 상기 정공 주입층(300)은 무기물로 형성되고, 상기 정공 수송층(400), 상기 발광층(500), 상기 전자 수송층(600) 및 상기 전자 주입층(700) 중 적어도 하나는 유기물로 형성될 수 있다.
또한, 정공 주입층(300)의 무기물은 란탄(La)이 도핑된 바륨주석산화물(BaSnO3)를 포함하고, 상기 란탄이 도핑된 바륨주석산화물의 질량비는, 상기 정공 주입층(300)의 전체 질량을 기준으로 50 % 내지 100% 이다.
이때, 정공 주입층(300)의 두께는 1nm ~ 1mm로 형성될 수 있다.
보다 상세히 <실시예 1>에서 각층의 재료에 대하여 서술하지만, 이에 한정되지 않는다.
<실시예 1> (각층의 재료)
기판(100) : 기판(100)은 투명하고 편평한 유리 기판, 플라스틱 기판 등이 사용 가능하며 역구조의 경우 금속, 절연체, 반도체 등이 가능하다.
제1 전극(200) : 제1 전극(200)은 양극으로써, 투명 전극인 ITO, IZO 등의 사용이 가능하며 역구조의 경우 다양한 금속이 사용되며 바람직하게, Al, Ag, Mg:Ag 등이 가능하다.
정공 주입층(300) : 일함수가 5eV이상이며(Marikutsa, A.;Rumyantseva, M.;Baranchikov, A.;Gaskov, A.Nanocrystalline BaSnO3 as an Alternative Gas Sensor Material: Surface Reactivity and High Sensitivity to SO2. Materials 2015, 8, 6437-6454.) 용액으로 공정 진행이 가능한 바륨주석산화물(BaSnO3)을 사용한다.
정공 수송층(400) : 정공 수송층(400)은 주입된 정공을 발광층(500)으로 전달하는 역할을 하며 정공주입층(300)과 발광층(500) 사이의 적절한 HOMO 에너지 준위를 갖는 재료를 사용하며, 바람직하게 NPD, TAPC, HAT-CN, 2-TNATA, TCTA, PPD, TPD (N,N-diphenyl-N,N-bis(3-methylphenyl)-[1,1-biphenyl]-4,4'-diamine)와 같은 방향족 아민 화합물 등이 사용 가능하다.
또한, 양자점 전계 발광 다이오드의 경우 하부층이 용액 공정으로 진행되며 이때 사용되는 재료는 PFCB, PTMMA, poly-TPD, PVK, TFB, CBP, PBD 등의 사용이 가능하다.
발광층(500) : 발광층(500)은 유기 발광 다이오드와 양자점 전계 발광 다이오드에 사용되는 재료에 차이가 있어, 유기 발광 다이오드의 경우 유기 형광 소재, 유기 인광 소재가 사용 가능하며, 바람직하게 Rubrene, DCM2, DPP, DBP, ADN, MADN, DPVBi, TBPe, BTPPA, DCJTB 계, DCDDC, DDP, Alq3, TBSA 등의 녹색, 적색, 청색 형광 발광 재료가 있고, Ir(ppy)3, Ir(piq)3, Ir(pq)2acac, FIrpic, FIr(acac), Fir6, FCNIr, FCNIrpic 등의 이리듐(Ir), 백금(Pt), 유로피움(Eu), 오스뮴(Os), 터븀(Tb) 계의 인광 발광 재료가 사용 가능하다.
그리고, 인광에 함께 사용되는 호스트 재료의 경우 mCP, CBP, PPO2, UGH1, SPPO1 등의 서술한 재료가 사용 가능하다.
그리고, 양자점 전계 발광 다이오드의 경우 양자점 재료가 사용 가능하며 바람직하게, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, InP, InAs, PbS, PbSe, PbTe 등이 사용 가능하다.
전자 수송층(600) 및 전자 주입층(700) : 전자 주입층(700)과 전자 수송층(600)의 재료는 전자 이동도가 우수하고 전자 전달이 원활하도록 음극에 사용되는 전자와 전기음성도와 이온화 경향이 유사해야 한다. 따라서, 전자 주입층(700)과 전자 수송층(600)의 재료는 바람직하게, Alq3, BCP, BPhen, BmPyPB, TmPyPB, TPBi, 3TPYMB, TAZ, PBD 등이 사용 가능하다.
또한, 전자 주입층(700)으로 LiF, Liq 등의 무기물도 사용 가능하다.
제2 전극(800) : 제2 전극(800)은 음극으로써 바람직하게, Al, Ag, Mg:Ag 등이 가능하며 역구조의 경우 ITO, IZO 등의 투명 전극이 사용 가능하다.
이하에서는, 전술한 유기 발광 소자(1)를 제조하는 방법에 대하여 상세히 설명한다.
도 2는 도 1의 유기 발광 소자를 제조하는 방법을 보여주는 도면이다.
본 실시예는 유기 발광 소자(1)의 제조 방법에 관한 구성으로, 유기 발광 소자(1) 구성에 있어서는 도 1에서 도시되는 유기 발광 소자(1)의 구성과 실질적으로 동일하므로, 중복되는 내용에 대해서는 그 설명을 생략하거나 간략하게 언급하며, 이하에서는 본 실시예의 특징적인 부분을 중심으로 설명한다.
도 2를 참고하면, 앞서서 설명한 유기 발광 소자(1)의 제조 방법에 있어서, 먼저, 기판(100) 상에 제1 전극(200)을 패터닝 하는 제1 전극 패터닝 단계 (S110)가 수행된다. 제1 전극 패터닌 단계(S110)가 수행된 다음, 제1 전극(200)이 형성된 상기 기판(100)을 아세톤 및 이소프로필알코올 중 적어도 하나를 포함하는 세척액에서 초음파 세척을 진행하는 기판 세척 단계(S111)와, 세척된 상기 기판을 30 분 내지 3 시간 동안 건조하는 기판 건조 단계(S112)가 수행된다.
제1 전극(200)이 형성된 상기 기판(100)은 O2 플라즈마 처리하는 플라즈마 처리 단계 (S120)가 수행된다. 플라즈마 처리 단계 (S120)는 예시적으로 1 분 내지 10 분 동안 수행될 수 있다.
그 다음, 상기 플라즈마 처리된 기판(100)의 제1 전극(200) 상에 정공 주입층(300)을 형성하는 정공 주입층 형성 단계 (S130)가 수행된다.
정공 주입층 형성단계(S130)에서, 먼저 기판(100)의 제1 전극(200) 상에 란탄(La)이 도핑된 바륨주석산화물(BaSnO3)용액을 코팅하여 정공 주입층(300)의 바륨주석산화물 코팅층을 형성하는 바륨주석산화물 용액 코팅 단계(S131)가 수행된다. 그 다음, 상기 바륨주석산화물(BaSnO3) 코팅층에서 용매를 제거하는 용매 제거 단계(S132)가 수행된다.
이때, 바륨주석산화물 용액 코팅 단계 (S131)는, 잉코젯 프린팅, 드롭 캐스팅, 스핀 코팅, 및 노즐 프리팅 중 적어도 하나의 공정으로 수행될 수 있다.
그리고, 용매 제거 단계(S132)가 수행되기 전에 상기 바륨주석산화물 코팅층은 용매 제거 단계(S132)가 수행된 이후의 상기 바륨주석산화물 코팅층의 두께보다 두껍게 형성되며, 상기 바륨주석산화물 코팅층을 포함하는 상기 정공 주입층(300)은, 1nm ~ 1mm의 두께를 가질 수 있다.
그 다음, 상기 정공 주입층(300) 상에 정공 수송층(400)을 형성하는 정공 수송층 형성 단계 (S140)가 수행된다.
그 다음, 정공 수송층(400) 상에 발광층(500)을 형성하는 발광층 형성 단계 (S150)가 수행된다.
그 다음, 발광층(500) 상에 전자 수송층(600)을 형성하는 전자 수송층 형성 단계 (S160)가 수행된다.
그 다음, 전자 수송층(600) 상에 전자 주입층(700)을 형성하는 전자 주입층 형성 단계 (S170)가 수행된다.
그 다음, 전자 주입층(700) 상에 제2 전극(800)을 형성하는 제2 전극 형성 단계(S180)가 수행된다.
이때, 정공 주입층(300)은 무기물로 형성되며, 상기 정공 수송층, 상기 발광층, 상기 전자 수송층 및 상기 전자 주입층 중 적어도 하나는 유기물로 형성된다.
그리고, 정공 수송층 형성 단계(S140), 발광층 형성 단계(S150), 전자 수송층 형성 단계(S160), 전자 주입층 형성 단계(S170), 및 제2 전극 형성 단계(S180) 중 적어도 하나는, 10-3 Torr 내지 10-7 Torr 의 고진공 분위기에서 진공 열증착되어 박막이 형성된다.
보다 상세히 <실시예 2>에서 각층의 형성 방법에 대하여 서술하지만, 이에 한정되지 않는다.
<실시예 2> (각 층의 형성 방법)
바륨주석산화물(BaSnO3)가 정공 주입층(300)으로 사용된 녹색 유기 발광 다이오드의 제조
구조: ITO / La doped BaSnO3(LBSO) / TAPC(1,1-Bis[(di-4-tolylamino)phenyl]cyclohexane) / CBP(4,4'-Bis(N-carbazolyl)-1,1'-bipheny) : Ir(ppy)3(Tris(2-phenylpyridine)iridium(III)) / TPBi(2,2',2"-(1,3,5-Benzinetriyl)-tris(1-phenyl-1-H-benzimidazole)) / LiF / Al
(1) 인듐틴옥사이드(ITO)가 패터닝 된 기판을 아세톤, 이소프로필알코올에 초음파 세척을 진행한 후 1시간 이상 건조한다.
(2) 기판을 O2 플라즈마를 3분간 진행한다.
(3) LBSO 용액을 스핀 코팅하여 25 nm의 두께로 형성한다.
(4) 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층, 음극을 고진공 (10-7 Torr)에서 진공 열증착하여 박막을 형성한다.
(5) 소자의 전류 밀도 - 전압, 휘도 - 전압, 전류 효율 - 전류 밀도의 측정을 진행한다. (Keithley 3400)
도 3는 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 소자를 적용해 제작한 OLED 소자의 휘도-전압 그래프이고, 도 4은 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 소자를 적용해 제작한 OLED 소자의 전류효율-전류밀도 그래프이다. 그리고, 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 소자를 적용해 제작한 OLED 소자의 전류밀도-전압 그래프이며, 도 6는 본 발명의 실시예에 따른 라탄(La)이 도핑된 BaSnO3의 XRD 그래프이다.
먼저, 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따라 제작된 유기 발광 소자는, 바람직하게 4V이상 12V이하의 작동 전압에서 100cd/m2 이상 100,000cd/m2 이하의 휘도의 밝기를 갖는다.
그 다음, 도 4를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따라 제작된 유기 발광 소자는, 바람직하게 0mA/cm2 이상 800mA/cm2 이하의 전류밀도에서 0cd/A 이상 12cd/A 이하의 전류효율을 갖는다.
그 다음, 도 5를 참조하면, 유기 발광 소자는, 바람직하게 4V이상 12V이하의 작동 전압에서 10mA/cm2 이상 1200mA/cm2 이하의 전류밀도를 갖는다.
그 다음 도 6을 참조하면, X-ray Diffraction 분석법(XRD)을 이용하여 X축은 2θ, Y축은 Intentsity로 작성한 그래프로, 이를 통하여 본 발명의 실시예에 따라 제작된 유기 발광 소자에 라탄(La)이 도핑된 BaSnO3이 함유되었음을 알 수 있다.
제안되는 실시예에 의하면, 라탄(La)이 도핑된 BaSnO3를 이용하여 발광 성능의 저하가 억제되는 유기 발광 소자 및 유기 발광 소자의 제조 방법이 제공될 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.
1 : 유기 발광 소자
100 : 기판
200 : 제1 전극
300 : 정공 주입층
400 : 정공 수송층
500 : 발광층
600 : 전자 수송층
700 : 전자 주입층
800 : 제2 전극

Claims (8)

  1. 유기 발광 소자에 있어서,
    기판;
    상기 기판 상에 형성되는 제1 전극;
    상기 제1 전극 상에 형성되는 정공 주입층;
    상기 정공 주입층 상에 형성되는 정공 수송층;
    상기 정공 수송층 상에 형성되는 발광층;
    상기 발광층 상에 형성되는 전자 수송층;
    상기 전자 수송층 상에 형성되는 전자 주입층; 및
    상기 전자 주입층 상에 형성되는 제2 전극을 포함하고,
    상기 정공 주입층은 무기물로 형성되고,
    상기 정공 수송층, 상기 발광층, 상기 전자 수송층 및 상기 전자 주입층 중 적어도 하나는 유기물로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 정공 주입층은 란탄(La)이 도핑된 바륨주석산화물(BaSnO3)를 포함하고,
    상기 란탄이 도핑된 바륨주석산화물의 질량비는, 상기 정공주입층의 전체 질량을 기준으로 50 % 내지 100% 인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 정공 주입층은 1nm ~ 1mm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  4. 제3 항에 있어서,
    4V이상 12V이하의 작동 전압에서 100cd/m2 이상 100,000cd/m2 이하의 휘도의 밝기를 갖는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  5. 제1 항 내지 제4 항 중 어느 한 항의 유기 발광 소자를 제조하는 방법에 있어서,
    기판 상에 제1 전극을 패터닝 하는 제1 전극 패터닝 단계;
    상기 제1 전극이 형성된 상기 기판은 O2 플라즈마 처리하는 플라즈마 처리 단계;
    상기 플라즈마 처리된 상기 기판의 상기 제1 전극 상에 정공 주입층을 형성하는 정공 주입층 형성 단계;
    상기 정공 주입층 상에 정공 수송층을 형성하는 정공 수송층 형성 단계;
    상기 정공 수송층 상에 발광층을 형성하는 발광층 형성 단계;
    상기 발광층 상에 상기 전자 수송층을 형성하는 전자 수송층 형성 단계;
    상기 전자 수송층 상에 전자 주입층을 형성하는 전자 주입층 형성 단계; 및
    상기 전자 주입층 상에 제2 전극을 형성하는 제2 전극 형성 단계를 포함하고,
    상기 정공 주입층은 무기물로 형성되며,
    상기 정공 수송층, 상기 발광층, 상기 전자 수송층 및 상기 전자 주입층 중 적어도 하나는 유기물로 형성되고,
    상기 정공 주입층 형성 단계는,
    상기 기판의 상기 제1 전극 상에 란탄이 도핑된 바륨주석산화물(BaSnO3)용액을 코팅하여 상기 정공 주입층의 바륨주석산화물 코팅층을 형성하는 바륨주석산화물 용액 코팅 단계;
    상기 바륨주석산화물(BaSnO3) 코팅층에서 용매를 제거하는 용매 제거 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자 제조 방법.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 바륨주석산화물 용액 코팅 단계는, 잉코젯 프린팅, 드롭 캐스팅, 스핀 코팅, 및 노즐 프리팅 중 적어도 하나의 공정으로 수행되며,
    상기 용매 제거 단계가 수행되기 전의 상기 바륨주석산화물 코팅층은, 상기 용매 제거 단계가 수행된 이후의 상기 바륨주석산화물 코팅층의 두께보다 두껍게 형성되며,
    상기 바륨주석산화물 코팅층을 포함하는 상기 정공 주입층은, 1nm ~ 1mm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 제조방법.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 제1 전극이 형성된 상기 기판을 아세톤 및 이소프로필알코올 중 적어도 하나를 포함하는 세척액에서 초음파 세척을 진행하는 기판 세척 단계; 및
    세척된 상기 기판을 30 분 내지 3 시간 동안 건조하는 기판 건조 단계;를 더 포함하고,
    상기 플라즈마 처리 단계는 1 분 내지 10 분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 제조 방법.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 정공 수송층 형성 단계, 상기 발광층 형성 단계, 상기 전자 수송층 형성 단계, 상기 전자 주입층 형성 단계, 및 상기 제2 전극 형성 단계 중 적어도 하나는,
    10-3 Torr 내지 10-7 Torr의 고진공 분위기에서 진공 열증착되어 박막이 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 제조 방법.
KR1020220035988A 2021-11-24 2022-03-23 유기 발광 소자 및 유기 발광 소자의 제조 방법 KR102666449B1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20120125942A (ko) 2011-05-09 2012-11-19 삼성디스플레이 주식회사 신규한 화합물 및 이를 포함한 유기발광 소자

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