KR20230075195A - Electrostatic sparying scrubber uesd in semiconductor fabrication capable of maintaining water supply quantity uniformly - Google Patents

Electrostatic sparying scrubber uesd in semiconductor fabrication capable of maintaining water supply quantity uniformly Download PDF

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Abstract

물 공급유량을 일정하게 유지가능한 반도체 제조장비용 정전분무 스크러버가 개시된다. 본 발명에 따른 물 공급유량을 일정하게 유지가능한 반도체 제조장비용 정전분무 스크러버는, 연소기에서 공급되는 폐가스가 하부에서 유입되고 상부로 배출되며, 내부에 건습식 정전분무유닛이 마련된 챔버; 챔버의 상측에 배치되며 건습식 정전분무유닛에 공급되는 물이 저장된 물 공급탱크; 및 건습식 정전분무유닛에 공급되는 물 공급유량을 일정하게 유지하도록, 물 공급탱크의 내부압력과 챔버의 상부압력을 동일하게 하는 압력 유지부를 포함한다.Disclosed is an electrostatic spray scrubber for semiconductor manufacturing equipment capable of maintaining a constant water supply flow rate. An electrostatic spray scrubber for semiconductor manufacturing equipment capable of maintaining a constant water supply flow rate according to the present invention includes a chamber in which waste gas supplied from a combustor is introduced from the bottom and discharged from the top, and a dry and wet electrostatic spray unit is provided therein; a water supply tank disposed above the chamber and storing water supplied to the wet and dry electrostatic spray unit; and a pressure maintaining unit for equalizing an internal pressure of the water supply tank and an upper pressure of the chamber so as to maintain a constant flow rate of water supplied to the wet and dry type electrostatic spray unit.

Description

물 공급유량을 일정하게 유지가능한 반도체 제조장비용 정전분무 스크러버{Electrostatic sparying scrubber uesd in semiconductor fabrication capable of maintaining water supply quantity uniformly}Electrostatic spraying scrubber uesd in semiconductor fabrication capable of maintaining water supply quantity uniformly}

본 발명은 물 공급유량을 일정하게 유지가능한 반도체 제조장비용 정전분무 스크러버에 관한 것이다.The present invention relates to an electrostatic spray scrubber for semiconductor manufacturing equipment capable of maintaining a constant water supply flow rate.

반도체 등의 제조공정에서 많이 사용되는 PFCs 가스는 지구온난화를 유발하는 온실가스로서 온난화지수가 이산화탄소(CO2) 대비 수천 내지 수만 배에 달하여 적절한 처리설비를 거쳐 대기 중으로 방출해야한다.PFCs gas, which is widely used in manufacturing processes such as semiconductors, is a greenhouse gas that causes global warming, and its warming potential is thousands to tens of thousands of times greater than that of carbon dioxide (CO 2 ), so it must be released into the atmosphere through appropriate treatment facilities.

일반적으로, 반도체 제조공정에서 웨이퍼 상에 박막을 형성하거나 또는 식각을 위해 사용되는 다양한 종류의 반응가스는 폭발성, 맹독성, 질식성을 가지므로, 그대로 대기 중에 방출할 경우 인체에 유해할 뿐만 아니라 지구 온난화 및 환경 오염을 유발시킨다. 이에 따라, 반도체 제조장비의 배기라인에는 난분해성 유해가스를 안전하게 분해 제거한 후 대기 중으로 배출시키기 위한 가스 정화장치인 스크러버가 설치된다.In general, various types of reactive gases used for etching or forming a thin film on a wafer in a semiconductor manufacturing process have explosive, toxic, and suffocating properties, so when they are released into the atmosphere, they are not only harmful to the human body, but also cause global warming and cause environmental pollution. Accordingly, a scrubber, which is a gas purifying device, is installed in the exhaust line of the semiconductor manufacturing equipment to safely decompose and remove the recalcitrant harmful gas and then discharge it into the atmosphere.

이들 난분해성 유해가스는 공정 내 음압을 유지하기 위해 사용되는 진공펌프의 작동유체인 질소(N2)와 함께 수백 내지 수천 ppm이하의 농도로 희석된 후 스크러버로 유입되게 된다. 이하에서는 난분해성 유해가스를 불활성 가스로 희석된 상태를 폐가스라고 정의하도록 한다.These recalcitrant harmful gases are diluted with nitrogen (N 2 ), which is a working fluid of a vacuum pump used to maintain a negative pressure in the process, to a concentration of hundreds to thousands of ppm or less, and then introduced into the scrubber. Hereinafter, the state in which the recalcitrant harmful gas is diluted with an inert gas is defined as waste gas.

난분해성인 PFCs, SF6, NF3, CF4의 경우 1600도, SF6는 1200도, NF3는 800도 이상의 온도에서 열분해 된다고 알려져 있다.It is known that PFCs, SF6, NF3, and CF4, which are non-decomposable, thermally decompose at a temperature of 1600 degrees, SF6 at 1200 degrees, and NF3 at a temperature of 800 degrees or more.

PFCs, SF6, NF3는 불소와 결합된 형태로 분해 처리 후 불소(F2) 및 불산(HF)의 형태로 배출되게 되는데 이들 역시 맹독성 및 폭발성을 갖는 가스로서, 후 처리가 반드시 필요하며 일반적으로 물을 이용하여 세정 반응시킨 후 배출한다.PFCs, SF6, and NF3 are combined with fluorine and are discharged in the form of fluorine (F 2 ) and hydrofluoric acid (HF) after decomposition and treatment. It is discharged after washing reaction using

CF4(g) + O2(g) --> CO2(g) + 2F2(g)CF 4 (g) + O 2 (g) --> CO 2 (g) + 2F 2 (g)

SF6(g) + O2(g) --> SO2 + 3F2(g)SF 6 (g) + O 2 (g) --> SO 2 + 3F 2 (g)

2NF3(g) + O2(g) --> 2NO + 3F2(g)2NF 3 (g) + O 2 (g) --> 2NO + 3F 2 (g)

2F2 + 2H2O --> 4HF + O2 2F 2 + 2H 2 O --> 4HF + O 2

산화반응을 통해 분해된 F2는 주로 주변의 수분이나 연소 후 생성물인 H2O와 반응하여 HF(g) 또는 HF(ℓ)형태로 배출된다.F 2 decomposed through the oxidation reaction mainly reacts with ambient moisture or H 2 O, which is a product after combustion, and is discharged in the form of HF (g) or HF (ℓ).

상기와 같이, 반도체 제조 공정 중 발생된 폐가스를 제거하는 기존 스크러버 시스템은 반도체 제조 공정 라인에 연결된 다수의 폐가스 유입구와, 폐가스 유입구에 연결된 연소장치와, 연소장치의 하단에 결합되어 연소장치에서 생성되는 파우더가 물에 포집 및 침전되도록 하는 물 저수조와, 연소장치 및 물 저수조에 함께 결합됨으로써, 연소장치를 통과한 입자상 오염물질과 수용성 가스를 물로 처리하는 습식타워를 포함한다.As described above, the conventional scrubber system for removing waste gas generated during the semiconductor manufacturing process is coupled to a plurality of waste gas inlets connected to the semiconductor manufacturing process line, a combustion device connected to the waste gas inlet, and a lower end of the combustion device to generate in the combustion device It includes a water reservoir that allows the powder to be collected and precipitated in water, and a wet tower coupled to the combustion device and the water reservoir to treat particulate pollutants and water-soluble gases that have passed through the combustion device as water.

여기서, 연소장치와 습식타워는 별도의 연결관으로 상호 연결될 수 있으며, 습식타워의 상부에는 배출관이 형성되어 있다. 그러나 폐가스를 소각하기 위해서는 최고 1,600℃ (CF4 경우) 이상의 고온에서 산화시켜야 하며, 앞서 언급한 바와 같이, 폐가스는 난분해성 유해가스를 99%이상의 불활성 가스(대부분 N2)로 희석되어 연소장치에 투입되어 소각되므로, 처리가 불필요한 불활성 가스도 가열해야 하는 문제점을 가지고 있으며, 이로 인해 처리 효율 뿐만 아니라 에너지 이용 효율도 매우 낮은 문제점이 있다.Here, the combustion device and the wet tower may be connected to each other through a separate connection pipe, and a discharge pipe is formed at the top of the wet tower. However, in order to incinerate the waste gas, it must be oxidized at a high temperature of up to 1,600℃ (for CF 4 ) or higher. Since it is injected and incinerated, it has a problem that even an inert gas that does not require treatment must be heated, and as a result, not only the treatment efficiency but also the energy use efficiency is very low.

따라서 상기와 같은 반도체 제조공정 중 발생된 폐가스에 포함된 입자성 오염물질을 효과적으로 제거하여 강화된 대기환경기준을 달성하기 위해서는 경제적이면서도 높은 제거 효율을 갖는 스크러버의 개발이 절실히 필요한 상황이다.Therefore, in order to effectively remove particulate pollutants included in waste gas generated during the semiconductor manufacturing process and achieve enhanced air quality standards, it is urgently needed to develop a scrubber that is economical and has high removal efficiency.

한편, 종래의 기술에 따른 스크러버는 정전분무를 위한 정전분무관에 공급되는 물의 공급유량이 습식타워의 내부압력 변화에 따라 변동되므로 처리효율이 균일하지 않는 문제점이 있다.On the other hand, the scrubber according to the prior art has a problem in that the treatment efficiency is not uniform because the supply flow rate of water supplied to the electrostatic spray pipe for electrostatic spray varies according to the change in the internal pressure of the wet tower.

[문헌1] 대한민국 등록특허 제10-1494623호[Document 1] Republic of Korea Patent Registration No. 10-1494623 [문헌3] 대한민국 등록특허 제10-1493786호[Document 3] Republic of Korea Patent Registration No. 10-1493786 [문헌3] 대한민국 등록특허 제10-1064498호[Document 3] Republic of Korea Patent Registration No. 10-1064498

따라서 본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 스크러버 내의 압력변화에 관계없이 정전분무를 위한 물의 공급유량을 일정하게 유지할 수 있는 물 공급유량을 일정하게 유지가능한 반도체 제조장비용 정전분무 스크러버를 제공하는 것이다.Therefore, the technical problem to be solved by the present invention is to provide an electrostatic spray scrubber for semiconductor manufacturing equipment capable of maintaining a constant water supply flow rate for electrostatic spraying regardless of pressure changes in the scrubber.

본 발명의 일 측면에 따르면, 연소기에서 공급되는 폐가스가 하부에서 유입되고 상부로 배출되며, 내부에 건습식 정전분무유닛이 마련된 챔버; 상기 챔버의 상측에 배치되며 상기 건습식 정전분무유닛에 공급되는 물이 저장된 물 공급탱크; 및 상기 건습식 정전분무유닛에 공급되는 물 공급유량을 일정하게 유지하도록, 상기 물 공급탱크의 내부압력과 상기 챔버의 상부압력을 동일하게 하는 압력 유지부를 포함하는 물 공급유량을 일정하게 유지가능한 반도체 제조장비용 정전분무 스크러버가 제공될 수 있다.According to one aspect of the present invention, the waste gas supplied from the combustor is introduced from the bottom and discharged from the top, the chamber having a wet and dry electrostatic spray unit therein; a water supply tank disposed above the chamber and storing water supplied to the dry/wet type electrostatic spraying unit; and a pressure maintaining unit that equalizes an internal pressure of the water supply tank and an upper pressure of the chamber so as to maintain a constant flow rate of water supplied to the wet and dry electrostatic spray unit. An electrostatic spray scrubber for manufacturing equipment may be provided.

상기 압력 유지부는, 상기 물 공급탱크와 상기 챔버의 상부를 상호 연통되게 연결한 압력 유지배관을 포함할 수 있다.The pressure maintaining unit may include a pressure maintaining pipe connecting the water supply tank and the upper portion of the chamber in communication with each other.

상기 물 공급탱크는 내부에 마련되며 상기 압력 유지배관의 끝단 위치의 하부에 배치되는 필터부를 포함할 수 있다.The water supply tank is provided inside and may include a filter unit disposed below the end of the pressure maintaining pipe.

상기 챔버는, 하부에 폐가스가 유입되는 유입구가 마련되고 상부에 폐가스가 배출되는 배출구가 마련된 몸체부; 및 상기 몸체부의 내부에 교체가능하게 마련되고 상기 몸체부의 내벽을 감싸는 전도성 재질의 하우징을 포함할 수 있다.The chamber includes a body portion provided with an inlet through which waste gas is introduced at a lower portion and an outlet through which waste gas is discharged at an upper portion; and a housing made of a conductive material that is replaceably provided inside the body and surrounds an inner wall of the body.

상기 몸체부는, 하부에 폐가스가 유입되는 유입구가 마련된 하부몸체부; 상기 하부몸체부에 착탈가능하게 결합되며, 내부에 상기 건습식 정전분무유닛가 배치된 중간몸체부; 및 상기 중간몸체부에 착탈가능하게 결합되며, 폐가스가 배출되는 배출구가 마련된 상부몸체부를 포함하며, 상기 하우징은, 상기 중간몸체부의 내벽에 이격되게 배치되어 상기 중간몸체부의 내벽을 감싸는 실린더형상의 커버; 및 상기 커버의 상단에서 연장 형성되며, 상기 중간몸체부와 상기 상부몸체부 사이에 배치되어 접지되는 플랜지를 포함할 수 있다.The body portion, the lower body portion provided with an inlet through which the waste gas flows into the lower portion; an intermediate body portion detachably coupled to the lower body portion and having the dry and wet electrostatic spraying unit disposed therein; and an upper body portion detachably coupled to the intermediate body portion and provided with an outlet through which waste gas is discharged, wherein the housing is disposed spaced apart from the inner wall of the intermediate body portion and covers the inner wall of the intermediate body portion. ; And it extends from the upper end of the cover, and may include a flange disposed between the intermediate body and the upper body to be grounded.

상기 챔버의 상부에 마련되어 상기 물 공급탱크로부터 물을 공급받아 상기 건습식 정전분무유닛에 전달하며, 상기 건습식 정전분무유닛에 고전압을 인가하되 상기 챔버와의 사이에 절연되는 물 공급유닛을 더 포함할 수 있다.A water supply unit provided at an upper part of the chamber receives water from the water supply tank and transfers the water to the dry/wet type electrostatic spraying unit, and applies a high voltage to the wet/dry type electrostatic spraying unit but is insulated between the water supply unit and the chamber. can do.

상기 물 공급유닛은, 상기 챔버의 상부에 관통 형성된 공급구의 내부에 배치되며, 일단이 상기 건습식 정전분무유닛에 연결되고 타단이 상기 물 공급탱크에 연결되며, 고전압이 인가되는 정전분무용 물 공급관; 및 상기 공급구의 내부에 마련되어 상기 공급구를 밀폐하되, 상기 정전분무용 물 공급관을 감싸는 절연블럭을 포함할 수 있다.The water supply unit includes a water supply pipe for electrostatic spraying, which is disposed inside a supply hole formed through the top of the chamber, has one end connected to the wet and dry electrostatic spray unit and the other end connected to the water supply tank, and to which a high voltage is applied; and an insulating block provided inside the supply hole to seal the supply hole and surround the water supply pipe for electrostatic spraying.

상기 물 공급유닛은, 상기 공급구의 내부에 마련되며 상기 절연블럭의 외면을 감싸는 발열체를 더 포함할 수 있다.The water supply unit may further include a heating element provided inside the supply hole and covering an outer surface of the insulating block.

상기 절연블럭을 관통하여 상기 챔버의 내부에 배치되되, 상기 챔버의 내벽에 세정액을 분사하는 세정액 분사유닛을 더 포함할 수 있다.It may further include a cleaning liquid injection unit disposed inside the chamber through the insulating block and spraying a cleaning liquid to an inner wall of the chamber.

상기 세정액 분사유닛은, 일단이 상기 절연블럭을 관통하여 상기 챔버의 내부에 배치되고 타단이 상기 공급구의 외측에 배치되는 세정액 공급관; 및 상기 세정액 공급관의 일단에 연통되게 결합되며, 상기 챔버의 내부에서 상방으로 세정액을 분사하는 세정액 분사노즐을 포함할 수 있다.The cleaning liquid spray unit may include a cleaning liquid supply pipe having one end disposed inside the chamber through the insulating block and the other end disposed outside the supply port; and a cleaning liquid injection nozzle coupled to one end of the cleaning liquid supply pipe in communication with the cleaning liquid injection nozzle for spraying the cleaning liquid upward from inside the chamber.

상기 건습식 정전분무유닛은, 상기 챔버의 내부에 마련되고 높이방향으로 배치되며, 상기 정전분무용 물 공급관에 연통되게 연결된 금속배관; 상기 금속배관의 외측에 상기 금속배관의 높이방향을 따라 상호 이격되게 마련된 복수의 건식방전핀; 및 상기 금속배관의 외측에 상기 금속배관의 높이방향을 따라 상호 이격되게 마련되고 상기 금속배관에 연통되게 연결된 복수의 습식 정전분무 니들을 포함할 수 있다.The wet/dry type electrostatic spraying unit may include a metal pipe provided inside the chamber, disposed in a height direction, and connected to the water supply pipe for electrostatic spraying; A plurality of dry discharge pins provided to be spaced apart from each other along the height direction of the metal pipe on the outside of the metal pipe; and a plurality of wet electrostatic spray needles provided outside the metal pipe to be spaced apart from each other along the height direction of the metal pipe and connected in communication with the metal pipe.

상기 챔버의 전방에 배치되어 상기 연소기에서 공급되는 폐가스가 상기 챔버에 유입되기 전에 폐가스에 포함된 입자상 오염물질에 하전을 유도하여 전기집진하는 전처리부를 더 포함할 수 있다.It may further include a preprocessing unit disposed in front of the chamber to induce charge on particulate pollutants contained in the waste gas before the waste gas supplied from the combustor is introduced into the chamber and to collect electric dust.

상기 챔버의 하부에 마련되되, 상기 연소기에서 공급되는 폐가스가 상기 챔버에 유입되기 전에 폐가스에 물을 분사하여 폐가스를 냉각하고 입자상 오염물질을 제거하는 물 분사유닛을 더 포함할 수 있다.It is provided in the lower part of the chamber, and may further include a water injection unit for cooling the waste gas and removing particulate pollutants by injecting water into the waste gas before the waste gas supplied from the combustor is introduced into the chamber.

상기 물 분사유닛은, 상기 챔버의 하부 유입구 측에 마련되어 상기 연소기에서 공급되는 폐가스에 물을 분사하는 물 분사노즐; 및 상기 챔버의 하부에 마련된 물 저수조에 저장된 물을 상기 물 분사노즐에 공급하는 펌프를 포함할 수 있다.The water injection unit may include a water injection nozzle provided at a lower inlet side of the chamber to inject water into the waste gas supplied from the combustor; and a pump supplying water stored in a water storage tank provided at a lower portion of the chamber to the water injection nozzle.

본 발명의 실시예는 물 공급탱크의 내부압력과 챔버의 상부압력을 동일하게 유지시키는 압력유지부를 마련함으로써, 건습식 정전분무유닛에 공급되는 물 공급유량을 일정하게 유지할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, a water supply flow rate supplied to a dry/wet type electrostatic spraying unit can be maintained constant by providing a pressure maintaining unit for maintaining the same internal pressure of the water supply tank and the upper pressure of the chamber.

도 1은 본 발명에 따른 정전분무 스크러버를 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 건습식 정전분무유닛을 나타내는 확대 단면도이다.
도 3 및 도 4는 본 발명에 따른 하우징의 교체동작을 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 절연블럭을 구비한 물 공급유닛을 나타내는 확대 단면도이다.
도 6은 본 발명에 따른 정전분무 스크러버의 운전 중 발열체를 통해 공급구의 내벽과 절연블럭 사이를 가열하는 동작상태도이다.
도 7은 본 발명에 따른 정전분무 스크러버의 운전 중 동작상태도이다.
도 8은 본 발명에 따른 정전분무 스크러버의 운전 후 챔버의 내벽에 세정액을 분사하는 동작상태도이다.1 is a cross-sectional view showing an electrostatic spray scrubber according to the present invention.
2 is an enlarged cross-sectional view showing a wet and dry electrostatic spray unit according to the present invention.
3 and 4 are cross-sectional views showing the replacement operation of the housing according to the present invention.
5 is an enlarged cross-sectional view showing a water supply unit having an insulating block according to the present invention.
6 is an operation state diagram of heating between the inner wall of the supply port and the insulating block through the heating element during operation of the electrostatic spray scrubber according to the present invention.
7 is an operating state diagram during operation of the electrostatic spray scrubber according to the present invention.
8 is an operation state diagram of spraying a cleaning liquid on the inner wall of a chamber after operation of the electrostatic spray scrubber according to the present invention.

본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다.In order to fully understand the present invention and the advantages in operation of the present invention and the objects achieved by the practice of the present invention, reference should be made to the accompanying drawings illustrating preferred embodiments of the present invention and the contents described in the accompanying drawings.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.Hereinafter, the present invention will be described in detail by describing preferred embodiments of the present invention with reference to the accompanying drawings. Like reference numerals in each figure indicate like members.

이하에서는 본 발명에 따른 물 공급유량을 일정하게 유지가능한 반도체 제조장비용 정전분무 스크러버에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, an electrostatic spray scrubber for semiconductor manufacturing equipment capable of maintaining a constant water supply flow rate according to the present invention will be described.

도 1은 본 발명에 따른 정전분무 스크러버를 나타내는 단면도이고, 도 2는 본 발명에 따른 건습식 정전분무유닛을 나타내는 확대 단면도이고, 도 3 및 도 4는 본 발명에 따른 하우징의 교체동작을 나타내는 단면도이고, 도 5는 본 발명에 따른 절연블럭을 구비한 물 공급유닛을 나타내는 확대 단면도이고, 도 6은 본 발명에 따른 정전분무 스크러버의 운전 중 발열체를 통해 공급구의 내벽과 절연블럭 사이를 가열하는 동작상태도이다.1 is a cross-sectional view showing an electrostatic spray scrubber according to the present invention, FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view showing a wet and dry electrostatic spray unit according to the present invention, and FIGS. 3 and 4 are cross-sectional views showing a housing replacement operation according to the present invention. 5 is an enlarged cross-sectional view showing a water supply unit having an insulation block according to the present invention, and FIG. 6 is an operation of heating between the inner wall of the supply port and the insulation block through a heating element during operation of the electrostatic spray scrubber according to the present invention. It is a state diagram.

도 1 내지 도 6을 참조하면, 물 공급유량을 일정하게 유지가능한 반도체 제조장비용 정전분무 스크러버(100)는, 연소기(C)에서 공급되는 폐가스가 유입되는 전처리부(110)와, 전처리부(110)를 거친 폐가스가 유입되며 내부에 건습식 정전분무유닛(121)이 마련된 챔버(120)와, 건습식 정전분무유닛(121)에 공급되는 물이 저장된 물 공급탱크(150)와, 물 공급탱크(150)의 내부압력과 챔버(120)의 상부압력을 동일하게 유지시키는 압력유지부와, 건습식 정전분무유닛(121)에 물을 전달하되 고전압이 인가되며 챔버(120)와 절연되는 물 공급유닛(160)과, 챔버(120)의 하부에 마련된 물 저수조(140)와, 챔버(120)의 하부에 마련되며 폐가스가 챔버(120)에 유입되기 전에 폐가스에 물을 분사하는 물 분사유닛(130)을 포함한다.1 to 6, the electrostatic spray scrubber 100 for semiconductor manufacturing equipment capable of maintaining a constant water supply flow rate includes a preprocessing unit 110 into which waste gas supplied from a burner C flows, and a preprocessing unit 110 ), a chamber 120 having a dry and wet electrostatic spraying unit 121 in which waste gas has passed through is introduced, a water supply tank 150 storing water supplied to the wet and dry electrostatic spraying unit 121, and a water supply tank A pressure holding unit that maintains the same internal pressure of the chamber 150 and the upper pressure of the chamber 120, and water supplied to the dry and wet electrostatic spray unit 121, but a high voltage is applied and the water is insulated from the chamber 120. The unit 160, the water reservoir 140 provided in the lower part of the chamber 120, and the water injection unit provided in the lower part of the chamber 120 and spraying water to the waste gas before the waste gas flows into the chamber 120 ( 130).

반도체 제조 공정 중에 발생된 폐가스는 연소기(C)로 유입되어 연소되며, 연소후 입자상 오염물질을 포함하는 폐가스는 전처리부(110)로 공급된다.Waste gas generated during the semiconductor manufacturing process is introduced into the combustor C and burned, and after combustion, the waste gas containing particulate pollutants is supplied to the pretreatment unit 110 .

전처리부(110)는 연소기(C)에서 공급되는 폐가스에 포함된 입자상 오염물질에 하전(이온화)을 유도하여 전기집진한다. 이를 위해 전처리부(110)는 폐가스에 포함된 입자상 오염물질을 하전(이온화)을 통해 집진 효율을 향상시키기 위한 하전유닛(미도시)을 포함할 수 있다.The preprocessing unit 110 induces electric charge (ionization) on the particulate pollutants contained in the waste gas supplied from the combustor (C) and collects electric dust. To this end, the pretreatment unit 110 may include a charging unit (not shown) for improving dust collection efficiency through charging (ionization) of particulate pollutants included in the waste gas.

그리고 전처리부(110)를 거친 폐가스는 건습식 정전분무유닛(121)을 구비한 챔버(120)로 유입되는데, 챔버(120)로 유입되기에 앞서 폐가스에 물을 분사하여 폐가스를 냉각하고 입자상 오염물질을 제거한다. 이를 위해 물 분사유닛(130)이 챔버(120)의 하부에 마련된다.And the waste gas that has passed through the preprocessing unit 110 flows into the chamber 120 equipped with the dry/wet type electrostatic spray unit 121. Before flowing into the chamber 120, water is sprayed on the waste gas to cool the waste gas and cause particulate contamination. remove the substance To this end, a water injection unit 130 is provided below the chamber 120 .

물 분사유닛(130)은 챔버(120)의 하부에 마련되며 연소기(C) 및 전처리부(110)를 거쳐 공급되는 폐가스에 물을 분사하여 폐가스를 냉각하고 입자상 오염물질을 제거한다.The water injection unit 130 is provided below the chamber 120 and injects water into the waste gas supplied through the combustor C and the preprocessor 110 to cool the waste gas and remove particulate pollutants.

물 분사유닛(130)은 챔버(120)의 하부 유입구(127) 측에 마련되어 연소기(C) 및 전처리부(110)를 거쳐 공급되는 폐가스에 물을 분사하는 물 분사노즐(132)과, 챔버(120)의 하부에 마련된 물 저수조(140)에 저장된 물을 물 분사노즐(132)에 공급하는 펌프(131)를 포함한다.The water injection unit 130 is provided on the side of the lower inlet 127 of the chamber 120 and includes a water injection nozzle 132 for injecting water into the waste gas supplied through the burner C and the pretreatment unit 110, and the chamber ( 120) and a pump 131 for supplying water stored in the water storage tank 140 to the water spray nozzle 132.

본 실시예에서 물 분사노즐(132)은 스파이럴 노즐로 구성될 수 있으나, 본 발명의 권리범위가 이에 의해 한정되는 것은 아니다.In this embodiment, the water injection nozzle 132 may be configured as a spiral nozzle, but the scope of the present invention is not limited thereto.

또한 물 저수조(140)는 후술할 챔버(120)의 하부에 마련되어 챔버(120)의 내부에서 제거된 폐가스 중 입자상 오염물질을 포함하는 액적이 낙하되어 저장될 수 있다. 이에 물 분사노즐(132)에 공급되는 물은 필터를 통과한 후 펌프(131)에 의해 물 분사노즐(132)로 공급된다. 그리고 물 분사노즐(132)에서 분사된 물은 전처리부(110)의 하부에 개방된 배출홀(111)을 통해 다시 물 저수조(140)로 낙하된다.In addition, the water reservoir 140 is provided at the lower portion of the chamber 120 to be described later, and droplets containing particulate pollutants among the waste gas removed from the inside of the chamber 120 may fall and be stored. Accordingly, the water supplied to the water injection nozzle 132 is supplied to the water injection nozzle 132 by the pump 131 after passing through the filter. Then, the water sprayed from the water spray nozzle 132 falls back into the water storage tank 140 through the discharge hole 111 opened at the bottom of the pretreatment unit 110 .

그리고 물 분사유닛(130)을 거친 폐가스는 챔버(120)의 하부 유입구(127)로 유입되어 챔버(120)의 내부로 유입된다.The waste gas passing through the water injection unit 130 is introduced into the lower inlet 127 of the chamber 120 and introduced into the chamber 120 .

챔버(120)는 연소기(C), 전처리부(110), 물 분사유닛(130)을 거친 유입된 폐가스가 하부의 유입구(127)로 유입된 후 상부의 배출구(128)로 배출되는 과정에서 폐가스에 함유된 입자상 오염물질을 제거한다. 즉 폐가스는 챔버(120)의 하부에 마련된 유입구(127)에서 챔버(120)의 상부에 마련된 배출구(128)로 이동되는 상향류 방식이며, 폐가스가 유입구(127)에서 배출구(128)로 상방으로 이동되는 동안 폐가스에 함유된 입자상 오염물질을 제거한다.In the chamber 120, the waste gas introduced through the combustor C, the pretreatment unit 110, and the water injection unit 130 is introduced into the lower inlet 127 and then discharged through the upper outlet 128. Removes particulate contaminants contained in That is, the waste gas is moved from the inlet 127 provided at the bottom of the chamber 120 to the outlet 128 provided at the top of the chamber 120 in an upflow manner, and the waste gas moves upward from the inlet 127 to the outlet 128. It removes particulate pollutants contained in the waste gas during transport.

상향류 방식으로 폐가스에 포함된 입자상 오염물질을 제거하므로, 미세입자도 효과적으로 제거할 수 있으며 운전이 용이하면서 간단하고 아울러 2차 오염물질의 발생량을 저감할 수 있다. 또한 상향류 방식으로 오염물질을 제거하므로 오염물질의 비중과 충돌에 의한 제거효과를 함께 기대할 수 있다.Since particulate pollutants contained in the waste gas are removed in an upstream method, fine particles can be effectively removed, operation is simple and easy, and the amount of secondary pollutants generated can be reduced. In addition, since the contaminants are removed in an upstream method, the specific gravity of the contaminants and the removal effect by collision can be expected together.

한편, 챔버(120)의 유입구(127)로 유입된 폐가스는 챔버(120)의 내부에 마련된 가스분배판(125)을 거쳐 상방으로 이동된다. 챔버(120)의 유입구(127)에 유입된 폐가스는 챔버(120)의 배출구(128) 측으로 상향류 방식으로 이동되므로, 폐가스가 챔버(120)의 내부에서 균일하게 확산될 수 있도록 챔버(120)의 내부에 유입구(127) 측에 인접하게 가스분배판(125)이 마련될 수 있다.Meanwhile, waste gas introduced into the inlet 127 of the chamber 120 is moved upward through the gas distribution plate 125 provided inside the chamber 120 . The waste gas introduced into the inlet 127 of the chamber 120 is moved toward the outlet 128 of the chamber 120 in an upflow manner, so that the waste gas can be uniformly diffused inside the chamber 120. A gas distribution plate 125 may be provided adjacent to the inlet 127 in the inside.

그리고, 가스분배판(125)을 거친 폐가스에 포함된 입자성 오염물질은 챔버(120)의 내부에 마련된 건습식 정전분무유닛(121)에 의해 제거될 수 있다.In addition, the particulate contaminants included in the waste gas passing through the gas distribution plate 125 may be removed by the dry/wet type electrostatic spray unit 121 provided inside the chamber 120 .

도 2에서 도시한 바와 같이, 건습식 정전분무유닛(121)은 챔버(120)의 내부에 마련되고 높이방향으로 배치되며 물 공급탱크(150)에 연통되게 연결된 금속배관(122)과, 금속배관(122)의 외측에 금속배관(122)의 높이방향을 따라 상호 이격되게 마련된 복수의 건식방전핀(123)과, 금속배관(122)의 외측에 금속배관(122)의 높이방향을 따라 상호 이격되게 마련되고 금속배관(122)에 연통되게 연결된 복수의 습식 정전분무 니들(124)을 포함한다.As shown in FIG. 2, the wet and dry electrostatic spray unit 121 is provided inside the chamber 120, is disposed in a height direction, and includes a metal pipe 122 connected in communication with the water supply tank 150, and the metal pipe A plurality of dry discharge pins 123 provided to be spaced apart from each other along the height direction of the metal pipe 122 on the outside of 122, and spaced apart from each other along the height direction of the metal pipe 122 on the outside of the metal pipe 122 It is provided and includes a plurality of wet electrostatic spray needles 124 connected in communication with the metal pipe 122.

금속배관(122)의 외측에 마련된 습식 정전분무 니들(124)은 고전압을 이용하여 물을 미세화된 액적으로 분무한다. 고전압을 이용한 습식 정전분무를 설명하면, 물을 습식 정전분무 니들(124)에 통과시키면서 양극(+)과 음극(-)의 고전압을 인가하면 습식 정전분무 니들(124)과 물속의 이온들이 척력과 인력에 의해 물의 표면으로 이동된다. 이때 쿨롱반발력이 물의 표면장력 이상의 힘이 되면 물방울이 미세한 액적으로 분무된다. 한편, 전극에 걸리는 전압이 작을경우 물의 표면에 작용하는 전기력과 양이온들의 반발력이 물의 표면장력보다 작기 때문에 물이 미세한 액적으로 분무되지 않지만, 전압을 증가시키게 되면 물의 표면에 작용하는 전기력과 양이온들의 반발력이 물의 표면장력보다 커지게 되면서 습식 정전분무 니들(124)에서 물이 미세한 액적으로 분무된다. 여기서 고전압은 10kV ~50kV일 수 있으나, 습식 정전분무 니들(124)에서 물이 미세화된 액적으로 분무될 수 있는 전압이라면 특별히 제한하지 않는다.The wet electrostatic spray needle 124 provided on the outside of the metal pipe 122 sprays water into micronized droplets using a high voltage. Describing wet electrospray using high voltage, when high voltages of positive (+) and negative (-) are applied while passing water through the wet electrostatic spray needle 124, the wet electrospray needle 124 and ions in the water form a repulsive force. It is moved to the surface of the water by gravitational force. At this time, when the Coulomb repulsive force exceeds the surface tension of water, water droplets are sprayed into fine droplets. On the other hand, when the voltage applied to the electrode is small, the water is not sprayed into fine droplets because the electric force acting on the surface of the water and the repulsive force of the positive ions are smaller than the surface tension of the water. As the surface tension of the water increases, the water is sprayed into fine droplets from the wet electrostatic spray needle 124 . Here, the high voltage may be 10 kV to 50 kV, but it is not particularly limited as long as it is a voltage at which water can be sprayed into fine droplets from the wet electrostatic spray needle 124 .

한편, 종래의 물 분무방식을 이용한 집진장치는 분무되는 물의 액적이 크기 때문에 미세 입자를 포집하는 것이 어려울 뿐만 아니라, 과량의 물을 사용할 수 밖에 없어 이로 인한 2차 처리비용이 증가되는 문제점이 있었다.On the other hand, in the conventional dust collector using the water spray method, it is difficult to collect fine particles because the droplets of the sprayed water are large, and it is inevitable to use an excessive amount of water, which increases the cost of secondary treatment.

그러나 본 실시예는 습식 정전분무 방식을 이용하여 습식 정전분무 니들(124)에서 미세화된 액적이 분무되고, 분무된 액적은 습식 정전분무 니들(124)에 가한 극과 같은 극성을 띄며 매우 높은 하전량을 가지므로 액적 간의 응집현상이 나타나지 않아 장시간 초기의 직경을 유지할 수 있어 0.1 ㎛ 이하의 입경을 갖는 입자상 오염물질도 포집할 수 있다.However, in this embodiment, micronized droplets are sprayed from the wet electrostatic spray needle 124 using the wet electrospray method, and the sprayed droplets have the same polarity as the pole applied to the wet electrospray needle 124 and have a very high charge amount. Since it has a particle size of 0.1 μm or less, it is possible to collect particulate contaminants having a particle size of 0.1 μm or less because it does not cause aggregation between droplets and can maintain the initial diameter for a long time.

또한, 금속배관(122)의 외측에 마련된 건식방전핀(123)은 고전압을 이용하여 코로나 방전을 통해 입자를 이온화시키고, 이온화된 입자들을 상대극성을 띤 집진전극에서 전기적인 힘으로 집진하는 것이다. 건식방전핀(123)에 고전압을 인가하여 코로나 방전을 일으켜 폐가스에 포함된 입자상 오염물질들을 일정한 극성을 갖도록 이온화시키고, 이와 같이 이온화된 입자상 오염물질들과 액적이 인력이 작용하여 결합시킨 후 입자상 오염물질이 포함된 액적이 낙하되도록 한다.In addition, the dry discharge pin 123 provided on the outside of the metal pipe 122 ionizes particles through corona discharge using a high voltage, and collects the ionized particles with electrical force in a dust collection electrode having a relative polarity. A high voltage is applied to the dry discharge pin 123 to cause a corona discharge to ionize the particulate contaminants contained in the waste gas to have a certain polarity. Droplets containing substances are allowed to fall.

상기한 습식 정전분무 니들(124) 및 건식방전핀(123)에 의해 입자상 오염물질이 포집된 액적은 챔버(120)의 내부에서 하방으로 낙하된 후 물 저수조(140)에 수집 및 저장된다.Droplets of particulate contaminants collected by the wet electrostatic spray needle 124 and the dry discharge pin 123 fall downward from the inside of the chamber 120, and then are collected and stored in the water reservoir 140.

전술한 바와 같이 고전압을 인가하여 미세화된 액적을 발생시키고 미세 액적과 폐가스에 포함된 미세크기의 입자상 오염물질을 접촉시키기 때문에 입경이 작은 오염물질을 효율적으로 제거할 수 있으며, 아울러 미세화된 액적을 발생시키므로 입자상 오염물질을 포함하는 폐액의 발생량을 최소화할 수 있어 2처 처리비용을 절감할 수 있다.As described above, micronized droplets are generated by applying a high voltage, and microscopic droplets are brought into contact with fine-sized particulate contaminants contained in the waste gas, so contaminants with small particle diameters can be efficiently removed, and also micronized droplets are generated. Therefore, it is possible to minimize the generation of waste liquid containing particulate pollutants, thereby reducing the cost of secondary treatment.

한편, 폐가스에는 산성가스가 다량 포함되어 있으므로, 스크러버를 장시간 운전하는 경우에 챔버(120)가 부식되는 문제점이 있다. 이에 본 실시예에서는 챔버(120)의 부식방지를 위해 교체가능한 희생 그라운드 전극구조를 마련한다.On the other hand, since the waste gas contains a large amount of acid gas, there is a problem that the chamber 120 is corroded when the scrubber is operated for a long time. In this embodiment, a replaceable sacrificial ground electrode structure is provided to prevent corrosion of the chamber 120 .

본 실시예에 따른 챔버(120)는 하부에 폐가스가 유입되는 유입구(127)가 마련되고 상부에 폐가스가 배출되는 배출구(128)가 마련된 몸체부(120a)와, 몸체부(120a)의 내부에 교체가능하게 마련되고 몸체부(120a)의 내벽을 감싸는 전도성 재질의 하우징(126)을 포함한다. 몸체부(120a)는 챔버(120)의 외관을 형성하며 내벽에 내화학성 재질로 코팅되어, 산성가스 특히 불산 등으로부터 내벽을 보호한다. 하우징(126)은 전도성 재질로 제조되며 접지된다. 그리고 하우징(126)은 불산 등에 의해 손상되는 경우에 교체가능하다.The chamber 120 according to the present embodiment includes a body portion 120a having an inlet 127 through which waste gas flows in and an outlet 128 through which waste gas is discharged at the upper portion, and the inside of the body portion 120a. A housing 126 made of a conductive material is provided to be replaceable and surrounds an inner wall of the body portion 120a. The body portion 120a forms the exterior of the chamber 120 and is coated with a chemical resistant material on the inner wall to protect the inner wall from acidic gas, particularly hydrofluoric acid. The housing 126 is made of a conductive material and is grounded. And the housing 126 is replaceable when damaged by hydrofluoric acid or the like.

그리고 몸체부(120a)는 하부에 폐가스가 유입되는 유입구(127)가 마련된 하부몸체부(120b)와, 하부몸체부(120b)에 착탈가능하게 결합되며 내부에 건습식 정전분무유닛(121)이 배치된 중간몸체부(120c)와, 중간몸체부(120c)에 착탈가능하게 결합되며 폐가스가 배출되는 배출구(128)가 마련된 상부몸체부(120d)를 포함한다. 하우징(126)은 중간몸체부(120c)의 상부에서 삽입되어 중간몸체부(120c)의 내벽을 감싸는 실린더형상의 커버(126a)와, 커버(126a)의 상단에서 연장 형성되며 중간몸체부(120c)와 상부몸체부 사이에 배치되어 접지되는 플랜지(126b)를 포함한다.In addition, the body portion 120a is detachably coupled to the lower body portion 120b having an inlet 127 through which waste gas flows into the lower portion and the lower body portion 120b, and has a wet and dry electrostatic spray unit 121 therein. It includes a disposed intermediate body portion 120c and an upper body portion 120d detachably coupled to the intermediate body portion 120c and provided with an outlet 128 through which waste gas is discharged. The housing 126 includes a cylindrical cover 126a inserted from the upper portion of the intermediate body portion 120c and surrounding the inner wall of the intermediate body portion 120c, and extending from the upper end of the cover 126a to form the intermediate body portion 120c. ) and a flange 126b disposed between the upper body and grounded.

도 3에서 도시한 바와 같이, 스크러버의 장시간 운전으로 인해 불산 등에 의해 하우징(126)(구체적으로 커버(126a))이 손상되는 경우에 상부몸체부(120d)와 중간몸체부(120c)를 상호 분리한다. 그리고 종래의 손상된 하우징(126)을 중간몸체부(120c)의 상부로 분리한다. 한편 도시되지는 않았으나 하부몸체부(120b)와 중간몸체부(120c) 및 상부몸체부(120d)를 상호 분리한 후, 종전의 손상된 하우징(126)을 하부몸체부(120b)의 상부로 분리할 수 있다.As shown in FIG. 3, when the housing 126 (specifically, the cover 126a) is damaged by hydrofluoric acid or the like due to long-term operation of the scrubber, the upper body 120d and the middle body 120c are separated from each other. do. Then, the conventional damaged housing 126 is separated into the upper part of the intermediate body 120c. Meanwhile, although not shown, after the lower body 120b, the middle body 120c, and the upper body 120d are separated from each other, the previous damaged housing 126 can be separated into the upper part of the lower body 120b. can

그리고 도 4에서 도시한 바와 같이, 새로운 하우징(126)의 커버(126a)를 중간몸체부(120c)의 상부에서 삽입하고 하우징(126)의 플랜지(126b)가 중간몸체부(120c)의 상단에 안착되게 한 후 상부몸체부(120d)와 중간몸체부(120c)를 상호 체결할 수 있다.And as shown in Figure 4, the cover (126a) of the new housing 126 is inserted from the top of the intermediate body (120c) and the flange (126b) of the housing 126 is at the top of the intermediate body (120c). After being seated, the upper body portion (120d) and the middle body portion (120c) can be fastened to each other.

한편, 금속배관(122)에 공급되는 물은 챔버(120)의 외부에 마련된 물 공급탱크(150)에서 공급된다. 물 공급탱크(150)는 챔버(120)의 외측 상부에 마련되어 수두차에 의해 물을 금속배관(122)으로 연속적으로 공급할 수 있다. 이때 물 공급탱크(150)에 저장된 물은 물 공급배관(151)을 통해 물 공급유닛(160)으로 공급된 후 금속배관(122)으로 공급된다. 그리고 물 공급배관(151)에는 금속배관(122)으로 공급되는 물의 유량을 조절하기 위한 유량조절밸브(152)가 설치될 수 있다.Meanwhile, water supplied to the metal pipe 122 is supplied from a water supply tank 150 provided outside the chamber 120 . The water supply tank 150 is provided on the outer upper portion of the chamber 120 to continuously supply water to the metal pipe 122 by a water head difference. At this time, the water stored in the water supply tank 150 is supplied to the water supply unit 160 through the water supply pipe 151 and then supplied to the metal pipe 122 . In addition, a flow control valve 152 for adjusting the flow rate of water supplied to the metal pipe 122 may be installed in the water supply pipe 151 .

한편, 물 공급유닛(160)은 챔버(120)의 상부에 마련되어 물 공급탱크(150)로부터 물을 공급받아 건습식 정전분무유닛(121), 즉 금속배관(122)에 물을 전달한다. 또한 물 공급유닛(160)은 건습식 정전분무유닛(121)에 고전압을 인가하되 챔버(120)와의 사이에 절연된다.Meanwhile, the water supply unit 160 is provided above the chamber 120 and receives water from the water supply tank 150 and transfers the water to the dry/wet type electrostatic spray unit 121, that is, the metal pipe 122. In addition, the water supply unit 160 applies a high voltage to the dry/wet type electrostatic spray unit 121, but is insulated from the chamber 120.

도 5에서 도시한 바와 같이, 물 공급유닛(160)은 챔버(120)의 상부에 관통 형성된 공급구(129)의 내부에 배치되며 일단이 건습식 정전분무유닛(121)에 연결되고 타단이 물 공급탱크(150)에 연결되며 고전압이 인가되는 정전분무용 물 공급관(161)과, 공급구(129)의 내부에 마련되어 공급구(129)를 밀폐하되 정전분무용 물 공급관(161)을 감싸는 절연블럭(162)을 포함한다.As shown in FIG. 5, the water supply unit 160 is disposed inside the supply port 129 formed through the upper part of the chamber 120, one end is connected to the wet and dry electrostatic spray unit 121, and the other end is connected to the water supply port 129. A water supply pipe 161 for electrostatic spraying connected to the supply tank 150 and to which a high voltage is applied, and an insulation block provided inside the supply port 129 to seal the supply port 129 and surround the water supply pipe 161 for electrostatic spraying ( 162).

정전분무용 물 공급관(161)의 타단은 물 공급배관(151)에 연결되어 물 공급탱크(150)로부터 물을 공급받으며, 일단에 고전압이 인가된다. 정전분무용 물 공급관(161)의 일측에 고전압이 인가되므로 정전분무용 물 공급관(161), 정전분무용 물 공급관(161) 내의 물 및 금속배관(122)을 따라 통전되어 건식방전핀(123)에서의 코로나방전 및 습식 정전분무 니들(124)에서의 정전분무를 가능하게 한다. 그리고 챔버(120)를 구성하는 몸체부(120a)의 내부에 교체가능하게 설치되는 전도성 재질의 하우징(126)에 접지된다.The other end of the water supply pipe 161 for electrostatic spraying is connected to the water supply pipe 151 to receive water from the water supply tank 150, and a high voltage is applied to one end. Since a high voltage is applied to one side of the water supply pipe 161 for electrostatic spraying, the water in the water supply pipe 161 for electrostatic spraying and the water in the water supply pipe 161 for electrostatic spraying and the metal pipe 122 are energized along with the corona in the dry discharge pin 123. Discharge and wet electrospray from the electrospray needle 124 is possible. And it is grounded to the housing 126 made of a conductive material that is replaceably installed inside the body portion 120a constituting the chamber 120.

한편, 챔버(120)의 상부에 가해지는 흡입압력은 사용상태에 따라 변화되므로 물 공급탱크(150)에서 물 공급배관(151) 및 정전분무용 물 공급관(161)으로 공급되는 물의 공급유량이 균일하지 않을 수 있다. 이러한 경우에 건습식 정전분무유닛(121)에 의해 제거되는 입자상 오염물질의 처리효율이 저하될 수 있다.On the other hand, since the suction pressure applied to the upper part of the chamber 120 changes according to the state of use, the supply flow rate of water supplied from the water supply tank 150 to the water supply pipe 151 and the water supply pipe 161 for electrostatic spray is not uniform. may not be In this case, the treatment efficiency of particulate contaminants removed by the dry/wet type electrostatic spray unit 121 may decrease.

따라서 본 실시예에서는 건습식 정전분무유닛(121)에 공급되는 물 공급유량을 일정하게 유지하도록 물 공급탱크(150)의 내부압력과 챔버(120)의 상부압력을 동일하게 유지시키는 압력 유지부(170)를 포함한다.Therefore, in this embodiment, the pressure maintaining unit ( 170).

압력 유지부(170)는 물 공급탱크(150)와 챔버(120)의 상부를 상호 연통되게 연결한 압력 유지배관(171)으로 구성될 수 있다. 압력 유지배관(171)에 의해 물 공급탱크(150)의 내부압력과 챔버(120)의 상부압력이 동일하게 되므로, 수두차를 일정하게 유지할 수 있어 물 공급유량을 일정하게 유지할 수 있다.The pressure maintaining unit 170 may be composed of a pressure maintaining pipe 171 connecting the water supply tank 150 and the upper part of the chamber 120 in communication with each other. Since the internal pressure of the water supply tank 150 and the upper pressure of the chamber 120 are equalized by the pressure maintaining pipe 171, the water head difference can be kept constant and the water supply flow rate can be kept constant.

또한 압력 유지배관(171)에 의해 물 공급탱크(150)와 챔버(120)의 상부가 상호 연통되므로 압력 유지배관(171)을 따라 오염물질이 물 공급탱크(150)로 유입될 수 있으므로, 물 공급탱크(150)는 내부에는 압력 유지배관(171)의 끝단 위치의 하부에 배치되는 필터부(153)를 마련한다. 필터부(153)는 헤파필터 등으로 구성될 수 있다.In addition, since the upper part of the water supply tank 150 and the chamber 120 communicate with each other by the pressure maintaining pipe 171, contaminants may flow into the water supply tank 150 along the pressure maintaining pipe 171, The supply tank 150 has a filter unit 153 disposed below the end of the pressure maintaining pipe 171 inside. The filter unit 153 may be composed of a HEPA filter or the like.

전술한 바와 같이 정전분무용 물 공급배관(161)의 일측에 고전압이 인가되는 경우에 종래의 경우에 챔버(120)에 쇼트가 발생되는 문제점이 있었다. 이에 본 실시예에서는 챔버(120)에 쇼트가 발생되는 것을 방지하도록 절연블럭(162)을 마련한다. 절연블럭(162)은 정전분무용 물 공급관(161)을 감싸며 공급구(129)의 내부에 마련되어 공급구(129)를 밀폐할 수 있다. 본 실시예에서 절연블럭(162)은 테프론 등의 비전도성 고분자재질로 제조될 수 있다.As described above, when a high voltage is applied to one side of the water supply pipe 161 for electrostatic spraying, a short circuit occurs in the chamber 120 in the conventional case. Accordingly, in this embodiment, an insulating block 162 is provided to prevent a short circuit from occurring in the chamber 120 . The insulation block 162 surrounds the water supply pipe 161 for electrostatic spraying and is provided inside the supply port 129 to seal the supply port 129. In this embodiment, the insulating block 162 may be made of a non-conductive polymer material such as Teflon.

한편, 절연블럭(162)에 의해 공급구(129)가 밀폐되는 경우에도 정전분무 스크러버(100)를 운전하는 경우에, 챔버(120)의 내부의 습한 공기가 절연블럭(162)과 공급구(129) 사이로 유입될 수 있어 절연이 파괴될 수 있다. On the other hand, when the electrostatic spray scrubber 100 is operated even when the supply port 129 is sealed by the insulation block 162, the humid air inside the chamber 120 passes through the insulation block 162 and the supply port ( 129) and insulation may be destroyed.

이에 본 실시예에서는 공급구(129)의 내부에 절연블럭(162)의 외면을 감싸는 발열체(163)가 마련된다. 발열체(163)는 도 5에서 도시한 바와 같이 절연블럭(162)의 외주면을 감싸며 내부에 고온공기가 공급되는 발열튜브이거나, 절연블럭(162)의 외주면을 감싸는 라인히터일 수 있다.Accordingly, in this embodiment, a heating element 163 covering the outer surface of the insulating block 162 is provided inside the supply port 129. As shown in FIG. 5 , the heating element 163 may be a heating tube surrounding the outer circumferential surface of the insulating block 162 and supplying high-temperature air therein, or a line heater covering the outer circumferential surface of the insulating block 162 .

도 6에서 도시한 바와 같이 발열튜브에 고온공기를 공급하여 공급구(129)의 내벽과 절연블럭(162) 사이를 가열하여 공기 중에 함유된 수분을 제거함으로써 공급구(129)와 절연블럭(162) 사이의 절연을 유지한다.As shown in FIG. 6, by supplying high-temperature air to the heating tube to heat the space between the inner wall of the supply port 129 and the insulation block 162 to remove moisture contained in the air, the supply port 129 and the insulation block 162 ) to maintain the insulation between them.

한편, 도시하지는 않았으나 다른 실시예로 물 공급유닛은 공급구에 연통되게 마련되어 공급구의 내벽과 절연블럭 사이에 공기를 주입하는 공기 주입구를 더 포함할 수 있다. 공기 주입구를 통해 고온공기를 공급구와 절연블럭 사이에 블로잉하여 공기 중에 함유된 수분을 제거함으로써 공급구와 절연블럭 사이에 절연을 유지한다.On the other hand, although not shown, in another embodiment, the water supply unit may further include an air injection port provided to communicate with the supply port and injecting air between the inner wall of the supply port and the insulating block. Insulation is maintained between the supply port and the insulation block by blowing high-temperature air between the supply port and the insulation block through the air inlet to remove moisture contained in the air.

상기와 같이 구성되는 본 발명에 따른 물 공급유량을 일정하게 유지가능한 반도체 제조장비용 정전분무 스크러버(100)의 동작을 설명하면 다음과 같다.The operation of the electrostatic spray scrubber 100 for semiconductor manufacturing equipment capable of maintaining a constant water supply flow rate according to the present invention configured as described above will be described as follows.

도 7은 본 발명에 따른 정전분무 스크러버의 운전 중 동작상태도이고, 도 8은 본 발명에 따른 정전분무 스크러버의 운전 후 챔버의 내벽에 세정액을 분사하는 동작상태도이다.7 is an operation state diagram during operation of the electrostatic spray scrubber according to the present invention, and FIG. 8 is an operation state diagram of spraying a cleaning liquid on the inner wall of the chamber after operation of the electrostatic spray scrubber according to the present invention.

도 7을 참조하면, 연소기(C)를 통해 공급되는 폐가스는 전처리부(110)를 거친 후 폐가스에 포함된 입자상 오염물질이 전기집진된다.Referring to FIG. 7 , the waste gas supplied through the combustor C passes through the pretreatment unit 110, and then particulate pollutants included in the waste gas are electrostatically collected.

전처리부(110)를 거친 폐가스는 챔버(120)의 하부로 유입되기 전에 물 분사유닛(130)에 의해 폐가스에 포함된 입자상 오염물질이 제거된다. 물 분사노즐(132)에서 분사된 물에 의해 폐가스가 냉각되고 동시에 입자상 오염물질이 제거된다.The waste gas that has passed through the preprocessing unit 110 is removed from particulate contaminants contained in the waste gas by the water injection unit 130 before being introduced into the lower part of the chamber 120 . The waste gas is cooled by the water sprayed from the water spray nozzle 132 and particulate pollutants are removed at the same time.

폐가스는 챔버(120)의 하부에 마련된 유입구(127)를 통해 챔버(120)의 내부로 유입되고 챔버(120)의 상부에 마련된 배출구(128) 측으로 상방 이동된다. 폐가스가 챔버(120)의 내부에서 상방으로 이동되는 동안 건습식 정전분무유닛(121)의 습식 정전분무 니들(124)들 및 건식방전핀(123)들에 의해 입자상 오염물질이 포집된 액적이 챔버(120)의 내부에서 하방으로 낙하된 후 물 저수조(140)에 수집 및 저장된다.The waste gas is introduced into the chamber 120 through the inlet 127 provided at the bottom of the chamber 120 and moved upward toward the outlet 128 provided at the top of the chamber 120. While the waste gas is moved upward from the inside of the chamber 120, droplets in which particulate contaminants are collected by the wet electrostatic spray needles 124 and the dry discharge pins 123 of the wet/dry electrostatic spray unit 121 are discharged from the chamber. After falling downward from the inside of the water tank 120, it is collected and stored in the water storage tank 140.

또한 습식 정전분무 니들(124)들 및 건식방전핀(123)들에 의해 입자상 오염물질을 제거하는 동안 발열체(163)를 구성하는 발열튜브에 고온공기를 공급하여 공급구(129)의 내벽과 절연블럭(162) 사이를 건조시킬 수 있으며, 한편 도시되지는 않았으나 발열체(163)를 구성하는 라인히터에 전원을 공급하여 공급구(129)의 내벽과 절연블럭(162) 사이를 건조시킬 수 있다.In addition, while removing particulate contaminants by the wet electrostatic spray needles 124 and the dry discharge pins 123, high-temperature air is supplied to the heating tube constituting the heating element 163 to insulate the inner wall of the supply port 129 It is possible to dry between the blocks 162, and on the other hand, although not shown, by supplying power to the line heater constituting the heating element 163, it is possible to dry between the inner wall of the supply port 129 and the insulating block 162.

한편, 폐가스에 포함된 입자상 오염물질을 제거하는 운전을 완료한 경우에 챔버(120)의 내벽에 오염물질들이 부착될 수 있다.Meanwhile, when the operation of removing particulate pollutants included in the waste gas is completed, contaminants may be attached to the inner wall of the chamber 120 .

이에 본 발명에 따른 물 공급유량을 일정하게 유지가능한 반도체 제조장비용 정전분무 스크러버(100)는 운전 후 챔버(120)의 내벽에 부착된 오염물질들을 제거하기 위한 세정액 분사유닛(180)을 더 포함할 수 있다.Therefore, the electrostatic spray scrubber 100 for semiconductor manufacturing equipment capable of maintaining a constant water supply flow rate according to the present invention may further include a cleaning liquid spraying unit 180 for removing contaminants attached to the inner wall of the chamber 120 after operation. can

세정액 분사유닛(180)은 절연블럭(162)을 관통하여 챔버(120)의 내부에 배치되며 챔버(120)의 내벽, 구체적으로 상부몸체부(120d)의 내벽에 세정액을 분사한다.The washing liquid spraying unit 180 penetrates the insulating block 162 and is disposed inside the chamber 120 and sprays the washing liquid to the inner wall of the chamber 120, specifically, the inner wall of the upper body 120d.

도 5 및 도 8을 참조하면, 세정액 분사유닛(180)은 일단이 절연블럭(162)을 관통하여 챔버(120)의 내부에 배치되고 타단이 공급구(129)의 외측에 배치되는 세정액 공급관(181)과, 세정액 공급관(181)의 일단에 연통되게 결합되며 챔버(120)의 내부에서 상방으로 세정액을 분사하는 세정액 분사노즐(182)을 포함한다.5 and 8, the cleaning liquid spray unit 180 has one end disposed inside the chamber 120 through the insulating block 162 and the other end disposed outside the supply port 129. 181), and a cleaning liquid injection nozzle 182 connected to one end of the cleaning liquid supply pipe 181 in communication and spraying the cleaning liquid upward from the inside of the chamber 120.

절연블럭(162)을 관통하는 별도의 세정액 공급관(181)을 마련하고, 세정액 공급관(181)에 세정액을 공급하고 세정액 분사노즐(182)을 통해 고압의 세정액이 챔버(120)의 내부에서 상방으로 분사되어 챔버(120)의 내부를 세정할 수 있다.A separate cleaning solution supply pipe 181 passing through the insulation block 162 is provided, the cleaning solution is supplied to the cleaning solution supply pipe 181, and the high-pressure cleaning solution flows upward from the inside of the chamber 120 through the cleaning solution injection nozzle 182. It may be sprayed to clean the inside of the chamber 120 .

이와 같이 본 발명은 기재된 실시 예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명하다. 따라서 그러한 수정 예 또는 변형 예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 하여야 할 것이다.As such, the present invention is not limited to the described embodiments, and it is obvious to those skilled in the art that various modifications and variations can be made without departing from the spirit and scope of the present invention. Therefore, it should be said that such modifications or variations fall within the scope of the claims of the present invention.

100: 정전분무 스크러버 110: 전처리부
111: 배출홀 120: 챔버
120a: 몸체부 120b:하부몸체부
120c: 중간몸체부 120d: 상부몸체부
121: 건습식 정전분무유닛 122: 금속배관
123: 건식방전핀 124: 습식 정전분무 니들
125: 가스분배판 126: 하우징
126a: 커버 126b: 플랜지
127: 유입구 128: 배출구
129: 공급구 130:　물 분사유닛
131: 펌프 132: 물 분사노즐
140: 물 저수조 150: 물 공급탱크
151: 물 공급배관 152: 유량조절밸브
153: 필터부 160: 물 공급유닛
161: 정전분무용 물 공급관 162: 절연블럭
163: 발열체 170: 압력 유지부
171: 압력 유지배관 180: 세정액 분사유닛
181: 세정액 공급관 182: 세정액 분사노즐100: electrostatic spray scrubber 110: preprocessing unit
111: discharge hole 120: chamber
120a: body part 120b: lower body part
120c: middle body 120d: upper body
121: wet and dry electrostatic spray unit 122: metal pipe
123: dry discharge pin 124: wet electrostatic spray needle
125: gas distribution plate 126: housing
126a: cover 126b: flange
127: inlet 128: outlet
129: supply port 130: water injection unit
131: pump 132: water injection nozzle
140: water reservoir 150: water supply tank
151: water supply pipe 152: flow control valve
153: filter unit 160: water supply unit
161: water supply pipe for electrostatic spraying 162: insulation block
163: heating element 170: pressure holding unit
171: pressure maintaining pipe 180: washing liquid injection unit
181: cleaning solution supply pipe 182: cleaning solution injection nozzle

Claims (14)

연소기에서 공급되는 폐가스가 하부에서 유입되고 상부로 배출되며, 내부에 건습식 정전분무유닛이 마련된 챔버;
상기 챔버의 상측에 배치되며 상기 건습식 정전분무유닛에 공급되는 물이 저장된 물 공급탱크; 및
상기 건습식 정전분무유닛에 공급되는 물 공급유량을 일정하게 유지하도록, 상기 물 공급탱크의 내부압력과 상기 챔버의 상부압력을 동일하게 하는 압력 유지부를 포함하는 물 공급유량을 일정하게 유지가능한 반도체 제조장비용 정전분무 스크러버.a chamber in which waste gas supplied from the combustor is introduced from the lower part and discharged from the upper part, and has a wet/dry type electrostatic spraying unit therein;
a water supply tank disposed above the chamber and storing water supplied to the dry/wet type electrostatic spraying unit; and
A semiconductor manufacturing plant capable of maintaining a constant water supply flow rate including a pressure maintaining unit that equalizes the internal pressure of the water supply tank and the upper pressure of the chamber so as to maintain a constant flow rate of water supplied to the dry and wet type electrostatic spray unit. Cost Electrostatic spray scrubber. 제1항에 있어서,
상기 압력 유지부는,
상기 물 공급탱크와 상기 챔버의 상부를 상호 연통되게 연결한 압력 유지배관을 포함하는 물 공급유량을 일정하게 유지가능한 반도체 제조장비용 정전분무 스크러버.According to claim 1,
The pressure holding unit,
An electrostatic spray scrubber for semiconductor manufacturing equipment capable of maintaining a constant water supply flow rate including a pressure maintaining pipe connecting the water supply tank and the upper part of the chamber in communication with each other. 제2항에 있어서,
상기 물 공급탱크는 내부에 마련되며 상기 압력 유지배관의 끝단 위치의 하부에 배치되는 필터부를 포함하는 물 공급유량을 일정하게 유지가능한 반도체 제조장비용 정전분무 스크러버.According to claim 2,
The water supply tank is provided inside the electrostatic spray scrubber for semiconductor manufacturing equipment capable of maintaining a constant water supply flow rate including a filter unit disposed below the end position of the pressure maintaining pipe. 제1항에 있어서,
상기 챔버는,
하부에 폐가스가 유입되는 유입구가 마련되고 상부에 폐가스가 배출되는 배출구가 마련된 몸체부; 및
상기 몸체부의 내부에 교체가능하게 마련되고 상기 몸체부의 내벽을 감싸는 전도성 재질의 하우징을 포함하는 물 공급유량을 일정하게 유지가능한 반도체 제조장비용 정전분무 스크러버.According to claim 1,
the chamber,
A body portion provided with an inlet through which waste gas is introduced at the lower portion and an outlet through which waste gas is discharged at the upper portion; and
An electrostatic spray scrubber for semiconductor manufacturing equipment capable of maintaining a constant water supply flow rate, including a housing made of a conductive material that is replaceably provided inside the body and surrounds an inner wall of the body. 제4항에 있어서,
상기 몸체부는,
하부에 폐가스가 유입되는 유입구가 마련된 하부몸체부;
상기 하부몸체부에 착탈가능하게 결합되며, 내부에 상기 건습식 정전분무유닛가 배치된 중간몸체부; 및
상기 중간몸체부에 착탈가능하게 결합되며, 폐가스가 배출되는 배출구가 마련된 상부몸체부를 포함하며,
상기 하우징은,
상기 중간몸체부의 내벽에 이격되게 배치되어 상기 중간몸체부의 내벽을 감싸는 실린더형상의 커버; 및
상기 커버의 상단에서 연장 형성되며, 상기 중간몸체부와 상기 상부몸체부 사이에 배치되어 접지되는 플랜지를 포함하는 물 공급유량을 일정하게 유지가능한 반도체 제조장비용 정전분무 스크러버.According to claim 4,
The body part,
A lower body portion provided with an inlet through which waste gas flows into the lower portion;
an intermediate body portion detachably coupled to the lower body portion and having the dry and wet electrostatic spraying unit disposed therein; and
An upper body portion detachably coupled to the intermediate body portion and provided with an outlet through which waste gas is discharged,
the housing,
a cylinder-shaped cover that is spaced apart from the inner wall of the intermediate body and surrounds the inner wall of the intermediate body; and
An electrostatic spray scrubber for semiconductor manufacturing equipment capable of maintaining a constant water supply flow rate, including a flange extending from the top of the cover and disposed between the intermediate body and the upper body to be grounded. 제1항에 있어서,
상기 챔버의 상부에 마련되어 상기 물 공급탱크로부터 물을 공급받아 상기 건습식 정전분무유닛에 전달하며, 상기 건습식 정전분무유닛에 고전압을 인가하되 상기 챔버와의 사이에 절연되는 물 공급유닛을 더 포함하는 물 공급유량을 일정하게 유지가능한 반도체 제조장비용 정전분무 스크러버.According to claim 1,
A water supply unit provided at an upper part of the chamber receives water from the water supply tank and transfers the water to the dry/wet type electrostatic spraying unit, and applies a high voltage to the wet/dry type electrostatic spraying unit but is insulated between the water supply unit and the chamber. An electrostatic spray scrubber for semiconductor manufacturing equipment capable of maintaining a constant water supply flow rate. 제6항에 있어서,
상기 물 공급유닛은,
상기 챔버의 상부에 관통 형성된 공급구의 내부에 배치되며, 일단이 상기 건습식 정전분무유닛에 연결되고 타단이 상기 물 공급탱크에 연결되며, 고전압이 인가되는 정전분무용 물 공급관; 및
상기 공급구의 내부에 마련되어 상기 공급구를 밀폐하되, 상기 정전분무용 물 공급관을 감싸는 절연블럭을 포함하는 물 공급유량을 일정하게 유지가능한 반도체 제조장비용 정전분무 스크러버.According to claim 6,
The water supply unit,
a water supply pipe for electrostatic spraying, which is disposed inside the supply hole formed through the top of the chamber, has one end connected to the wet and dry electrostatic spray unit and the other end connected to the water supply tank, and to which a high voltage is applied; and
An electrostatic spray scrubber for semiconductor manufacturing equipment capable of maintaining a constant water supply flow rate, including an insulating block provided inside the supply port to seal the supply port and surrounding the water supply pipe for electrostatic spraying. 제7항에 있어서,
상기 물 공급유닛은,
상기 공급구의 내부에 마련되며 상기 절연블럭의 외면을 감싸는 발열체를 더 포함하는 물 공급유량을 일정하게 유지가능한 반도체 제조장비용 정전분무 스크러버.According to claim 7,
The water supply unit,
An electrostatic spray scrubber for semiconductor manufacturing equipment capable of maintaining a constant water supply flow rate, further comprising a heating element provided inside the supply port and surrounding an outer surface of the insulation block. 제7항에 있어서,
상기 절연블럭을 관통하여 상기 챔버의 내부에 배치되되, 상기 챔버의 내벽에 세정액을 분사하는 세정액 분사유닛을 더 포함하는 물 공급유량을 일정하게 유지가능한 반도체 제조장비용 정전분무 스크러버.According to claim 7,
An electrostatic spray scrubber for semiconductor manufacturing equipment capable of maintaining a constant water supply flow rate, further comprising a cleaning liquid spraying unit disposed inside the chamber through the insulating block and spraying a cleaning liquid onto an inner wall of the chamber. 제9항에 있어서,
상기 세정액 분사유닛은,
일단이 상기 절연블럭을 관통하여 상기 챔버의 내부에 배치되고 타단이 상기 공급구의 외측에 배치되는 세정액 공급관; 및
상기 세정액 공급관의 일단에 연통되게 결합되며, 상기 챔버의 내부에서 상방으로 세정액을 분사하는 세정액 분사노즐을 포함하는 물 공급유량을 일정하게 유지가능한 반도체 제조장비용 정전분무 스크러버.According to claim 9,
The washing liquid injection unit,
a cleaning liquid supply pipe having one end passing through the insulating block and disposed inside the chamber and the other end disposed outside the supply port; and
An electrostatic spray scrubber for semiconductor manufacturing equipment capable of maintaining a constant water supply flow rate including a cleaning liquid injection nozzle coupled to one end of the cleaning liquid supply pipe in communication and spraying the cleaning liquid upward from the inside of the chamber. 제7항에 있어서,
상기 건습식 정전분무유닛은,
상기 챔버의 내부에 마련되고 높이방향으로 배치되며, 상기 정전분무용 물 공급관에 연통되게 연결된 금속배관;
상기 금속배관의 외측에 상기 금속배관의 높이방향을 따라 상호 이격되게 마련된 복수의 건식방전핀; 및
상기 금속배관의 외측에 상기 금속배관의 높이방향을 따라 상호 이격되게 마련되고 상기 금속배관에 연통되게 연결된 복수의 습식 정전분무 니들을 포함하는 물 공급유량을 일정하게 유지가능한 반도체 제조장비용 정전분무 스크러버.According to claim 7,
The wet and dry electrostatic spray unit,
a metal pipe provided inside the chamber, disposed in a height direction, and connected to the water supply pipe for electrostatic spraying;
A plurality of dry discharge pins provided to be spaced apart from each other along the height direction of the metal pipe on the outside of the metal pipe; and
An electrostatic spray scrubber for semiconductor manufacturing equipment capable of maintaining a constant water supply flow rate including a plurality of wet electrostatic spray needles provided outside the metal pipe to be spaced apart from each other along the height direction of the metal pipe and connected in communication with the metal pipe. 제1항에 있어서,
상기 챔버의 전방에 배치되어 상기 연소기에서 공급되는 폐가스가 상기 챔버에 유입되기 전에 폐가스에 포함된 입자상 오염물질에 하전을 유도하여 전기집진하는 전처리부를 더 포함하는 물 공급유량을 일정하게 유지가능한 반도체 제조장비용 정전분무 스크러버.According to claim 1,
A semiconductor manufacturing plant capable of maintaining a constant water supply flow rate, further comprising a preprocessing unit disposed in front of the chamber and inducing electrical precipitation to particulate pollutants contained in the waste gas before the waste gas supplied from the combustor is introduced into the chamber. Cost Electrostatic spray scrubber. 제1항에 있어서,
상기 챔버의 하부에 마련되되, 상기 연소기에서 공급되는 폐가스가 상기 챔버에 유입되기 전에 폐가스에 물을 분사하여 폐가스를 냉각하고 입자상 오염물질을 제거하는 물 분사유닛을 더 포함하는 물 공급유량을 일정하게 유지가능한 반도체 제조장비용 정전분무 스크러버.According to claim 1,
It is provided in the lower part of the chamber, and the water injection unit further comprises a water injection unit for injecting water into the waste gas supplied from the combustor to cool the waste gas and remove particulate pollutants before the waste gas supplied from the combustor is introduced into the chamber. Electrostatic spray scrubber for sustainable semiconductor manufacturing equipment. 제13항에 있어서,
상기 물 분사유닛은,
상기 챔버의 하부 유입구 측에 마련되어 상기 연소기에서 공급되는 폐가스에 물을 분사하는 물 분사노즐; 및
상기 챔버의 하부에 마련된 물 저수조에 저장된 물을 상기 물 분사노즐에 공급하는 펌프를 포함하는 물 공급유량을 일정하게 유지가능한 반도체 제조장비용 정전분무 스크러버.According to claim 13,
The water injection unit,
a water injection nozzle provided at a lower inlet side of the chamber to inject water into the waste gas supplied from the combustor; and
An electrostatic spray scrubber for semiconductor manufacturing equipment capable of maintaining a constant water supply flow rate including a pump for supplying water stored in a water reservoir provided in the lower part of the chamber to the water spray nozzle.
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KR101064498B1 (en) 2010-02-18 2011-09-14 한국기계연구원 Exhaust gas treatment device containing a large amount of acid gas
KR101493786B1 (en) 2013-11-12 2015-02-17 한국에너지기술연구원 Scrubber and method for treating nondegradable hazardous gas
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