KR20230072900A - A micro led structure and a method for manufacturing the same - Google Patents

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KR20230072900A
KR20230072900A KR1020210159585A KR20210159585A KR20230072900A KR 20230072900 A KR20230072900 A KR 20230072900A KR 1020210159585 A KR1020210159585 A KR 1020210159585A KR 20210159585 A KR20210159585 A KR 20210159585A KR 20230072900 A KR20230072900 A KR 20230072900A
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micro led
lens
silver nano
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micro
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이명원
금동기
김병인
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동우 화인켐 주식회사
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Abstract

본 발명은 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터 상에 적층되는 마이크로 LED; 상기 마이크로 LED 상에 적층되는 기판; 및 상기 마이크로 LED 및 상기 기판을 전기적으로 연결하는 은 나노 렌즈를 포함하고, 상기 마이크로 LED는 상기 은 나노 렌즈와 비전도성 접착제를 통해 접하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 구조체 및 이의 제조방법에 관한 것이다.The present invention is a thin film transistor; a micro LED stacked on the thin film transistor; a substrate laminated on the micro LED; and a silver nano-lens electrically connecting the micro-LED and the substrate, wherein the micro-LED contacts the silver nano-lens through a non-conductive adhesive and a method for manufacturing the same.

Description

마이크로 LED 구조체 및 이의 제조방법{A MICRO LED STRUCTURE AND A METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}Micro LED structure and its manufacturing method {A MICRO LED STRUCTURE AND A METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}

본 발명은 확산성을 가지는 마이크로 LED 구조체 및 이의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a micro LED structure having diffusivity and a manufacturing method thereof.

현재 디스플레이 시장은 아직은 LCD가 주류를 이루고 있는 가운데 OLED가 LCD를 빠르게 대체하며 주류로 부상하고 있는 상황이다. 디스플레이 업체들의 OLED 시장 참여가 러시를 이루고 있는 상황에서 최근 Micro LED(이하,‘마이크로 LED'라 함) 디스플레이가 또 하나의 차세대 디스플레이로 부상하고 있다. 마이크로 LED는, 성형한 수지 등으로 덮인 패키지 타입의 것이 아닌, 결정 성장에 이용한 웨이퍼에서 잘라낸 상태의 것을 의미한다. LCD와 OLED의 핵심소재가 각각 액정(Liquid Crystal), 유기재료인데 반해 마이크로 LED 디스플레이는 1~100 마이크로미터(㎛) 단위의 LED 칩 자체를 발광재료로 사용하는 디스플레이다.In the current display market, while LCD is still the mainstream, OLED is rapidly replacing LCD and emerging as the mainstream. In a situation where display companies are rushing to participate in the OLED market, Micro LED (hereinafter referred to as ‘Micro LED’) display is emerging as another next-generation display. Micro LED means a state cut out from a wafer used for crystal growth, not a package type covered with a molded resin or the like. While the core materials of LCD and OLED are liquid crystal and organic materials, respectively, micro LED display is a display that uses 1-100 micrometer (㎛) LED chips themselves as light emitting materials.

마이크로 LED를 디스플레이에 응용하기 위해 해결해야 할 과제로 마이크로 LED 소자를 Flexible 소재/소자를 기반으로 하는 맞춤형 마이크로 칩 개발이 필요하고, 마이크로 미터 사이즈의 LED 칩의 전사(transfer)와 디스플레이 픽셀 전극에 정확한 실장(Mounting)을 위한 기술이 필요하다.As a task to be solved in order to apply micro LED to a display, it is necessary to develop a customized micro chip based on a flexible material/device for a micro LED device, transfer of a micrometer size LED chip and accurate display pixel electrode. Skills for mounting are required.

상기 마이크로 LED 칩의 전사와 관련하여, 대한민국 공개특허 제 10-2017-0092720 호 에서는 안정적인 LED 칩 전사공정을 진행하기 위해, 점착력을 갖는 제1 점착필름, 제2 점착필름을 이용하여 마이크로 사이즈의 LED 칩을 타겟 디바이스로 용이하게 전사하는 기술적 특징을 가지지만, 공통 전극을 사용할 경우 마이크로 LED의 광 확산이 제한적일 수 있고, 전도성 도전 필름(Anisotropic Conductive Film, ACF)과 함께 고온(약 260 ℃) 조건에서 팁(tip)을 이용한 열 압착공정이 진행되어 고온, 고압조건의 공정으로 인해 마이크로 LED층이 깨져 마이크로 LED의 상하부층이 분리되는 등의 손상이 발생하는 문제점이 있었다. 또한, 공통전극의 경우, 마이크로 LED에 대한 이송 및 불량검사 등이 어려워, 제조 공정에서 마이크로 LED 칩이 누락되거나 불량으로 인해 암부가 발생하거나 불량 마이크로 LED에 대한 불량검사 또는 수리가 어려운 점 및 마이크로 LED 칩의 어레이(Array)불균일이 발생하여 확산성이 저하되는 등의 문제가 있었다.Regarding the transfer of the micro LED chip, Korean Patent Publication No. 10-2017-0092720 discloses a micro-sized LED using a first adhesive film and a second adhesive film having adhesive strength in order to perform a stable LED chip transfer process. It has the technical feature of easily transferring the chip to the target device, but when using a common electrode, the light diffusion of the micro LED may be limited, and in high temperature (about 260 ℃) conditions together with an anisotropic conductive film (ACF) A heat compression process using a tip is performed, and the micro LED layer is broken due to the process under high temperature and high pressure conditions, resulting in damage such as separation of the upper and lower layers of the micro LED. In addition, in the case of the common electrode, it is difficult to transport and inspect the micro LED, so that the micro LED chip is missing in the manufacturing process, or a dark part occurs due to a defect, or it is difficult to inspect or repair the defective micro LED. There was a problem such as a decrease in diffusivity due to the occurrence of non-uniformity in the array of chips.

이에 따라, 향상된 빛의 확산성을 얻을 수 있고, 고온 및 고압 조건의 열 압착 공정을 대체할 수 있는 안정성 있는 마이크로 LED칩의 전사공정이 가능한 마이크로 LED 구조체의 필요성이 대두된다.Accordingly, there is a need for a micro LED structure capable of obtaining improved diffusivity of light and capable of a stable micro LED chip transfer process that can replace the thermal compression process under high temperature and high pressure conditions.

대한민국 공개특허 제 10-2017-0092720 호(2019.01.30. 공개)Republic of Korea Patent Publication No. 10-2017-0092720 (2019.01.30. Publication)

본 발명은 광산란을 유도하고, 광 확산성 및 전도성을 향상시키며, 별도의 전도성 도전 필름(Anisotropic Conductive Film, ACF)의 부착 후 고온, 고압의 열 압착 공정을 진행하지 않더라도 마이크로 LED 칩의 손상을 최소화할 수 있는 마이크로 LED를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention induces light scattering, improves light diffusivity and conductivity, and minimizes damage to micro LED chips even without performing a high-temperature, high-pressure thermal compression process after attaching a separate conductive conductive film (Anisotropic Conductive Film, ACF). Its purpose is to provide a micro LED capable of

상기 목적을 달성하기 위하여,In order to achieve the above purpose,

본 발명은 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터 상에 적층되는 마이크로 LED; 상기 마이크로 LED 상에 적층되는 기판; 및 상기 마이크로 LED 및 상기 기판을 전기적으로 연결하는 은 나노 렌즈를 포함하고, 상기 마이크로 LED는 상기 은 나노 렌즈와 비전도성 접착제를 통해 접하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 구조체를 제공한다.The present invention is a thin film transistor; a micro LED stacked on the thin film transistor; a substrate laminated on the micro LED; and a silver nano-lens electrically connecting the micro-LED and the substrate, wherein the micro-LED contacts the silver nano-lens through a non-conductive adhesive.

본 발명에 따른 마이크로 LED 구조체는, 광산란을 유도하고, 광 확산성 및 전도성을 향상시킬 수 있다. 또한, 마이크로 LED 구조체 제조 시, 전도성 도전 필름(Anisotropic Conductive Film, ACF)의 부착 후 고온, 고압의 열 압착 공정을 진행하지 않더라도, 볼록형태의 은 나노 렌즈 및 메탈 메쉬 중 하나 이상을 통해 마이크로 LED와의 비전도성 접착제에 의한 접합이 가능하므로, 마이크로 LED 칩의 손상을 최소화할 수 있다. The micro LED structure according to the present invention can induce light scattering and improve light diffusivity and conductivity. In addition, when manufacturing a micro LED structure, even if a high-temperature, high-pressure heat-compression process is not performed after attaching an anisotropic conductive film (ACF), the contact with the micro LED is made through one or more of the convex-shaped silver nano-lens and the metal mesh. Since bonding with a non-conductive adhesive is possible, damage to the micro LED chip can be minimized.

도 1a는 본 발명에 따른 마이크로 LED 구조체에 은 나노 렌즈를 적용한 것을 나타낸 도이다.
도 1b는 본 발명에 따른 마이크로 LED 구조체에 메탈 메쉬를 적용한 것을 나타낸 도이다.
도 2는 광원이 본 발명에 따른 마이크로 LED 구조체의 은 나노 렌즈 및/또는 은 단일층을 포함한 제1 영역 또는 제2 영역에 도달했을 때 광산란 및 광 확산성을 나타낸 도이다.
도 3은 본 발명에 따른 마이크로 LED 구조체의 은 나노 렌즈 또는 메탈 메쉬를 부분적으로 나타낸 도이다.1A is a diagram showing that a silver nano-lens is applied to a micro LED structure according to the present invention.
Figure 1b is a view showing that the metal mesh is applied to the micro LED structure according to the present invention.
2 is a diagram showing light scattering and light diffusivity when a light source reaches a first area or a second area including a silver nano-lens and/or a silver single layer of a micro LED structure according to the present invention.
3 is a view partially showing a silver nano lens or metal mesh of the micro LED structure according to the present invention.

이하의 내용은 단지 발명의 원리를 예시한다. 그러므로 당업자는 비록 본 명세서에 명확히 설명되거나 도시되지 않았지만 발명의 원리를 구현하고 발명의 개념과 범위에 포함된 다양한 장치를 발명할 수 있는 것이다. 또한, 본 명세서에 열거된 모든 조건부 용어 및 실시 예들은 원칙적으로, 발명의 개념이 이해되도록 하기 위한 목적으로만 명백히 의도되고, 이와 같이 특별히 열거된 실시 예들 및 상태들에 제한적이지 않는 것으로 이해되어야 한다.The following merely illustrates the principle of the invention. Therefore, those skilled in the art can invent various devices that embody the principles of the invention and fall within the concept and scope of the invention, even though not explicitly described or shown herein. In addition, it should be understood that all conditional terms and embodiments listed in this specification are, in principle, expressly intended only for the purpose of making the concept of the invention understood, and are not limited to such specifically listed embodiments and conditions. .

상술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해질 것이며, 그에 따라 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다.The above objects, features and advantages will become more apparent through the following detailed description in conjunction with the accompanying drawings, and accordingly, those skilled in the art to which the invention belongs will be able to easily implement the technical idea of the invention. .

본 명세서에서 기술하는 실시 예들은 본 발명의 이상적인 예시 도인 단면도 및/또는 사시도 들을 참고하여 설명될 것이다. 이러한 도면들에 도시된 막 및 영역들의 두께 및 구멍들의 지름 등은 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 또한, 도면에 도시된 마이크로 LED의 개수는 예시적으로 일부만을 도면에 도시한 것이다. 따라서, 본 발명의 실시 예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다.Embodiments described in this specification will be described with reference to cross-sectional and/or perspective views, which are ideal exemplary drawings of the present invention. Thicknesses of films and regions and diameters of holes shown in these drawings are exaggerated for effective description of the technical content. The shape of the illustrative drawings may be modified due to manufacturing techniques and/or tolerances. In addition, the number of micro LEDs shown in the drawings is illustratively shown only in part. Therefore, embodiments of the present invention are not limited to the specific shapes shown, but also include changes in shapes generated according to manufacturing processes.

또한, 도면에 도시된 마이크로 LED의 개수는 예시적으로 일부만을 도면에 도시한 것이다. 따라서, 본 발명의 실시 예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. In addition, the number of micro LEDs shown in the drawings is illustratively shown only in part. Therefore, embodiments of the present invention are not limited to the specific shapes shown, but also include changes in shapes generated according to manufacturing processes.

다양한 실시 예들을 설명함에 있어서, 동일한 기능을 수행하는 구성 요소에 대해서는 실시 예가 다르더라도 편의상 동일한 명칭 및 동일한 참조번호를 부여하기로 한다. 또한, 이미 다른 실시 예에서 설명된 구성 및 작동에 대해서는 편의상 생략하기로 한다.In describing various embodiments, the same names and the same reference numbers will be given to components performing the same functions even if the embodiments are different. In addition, configurations and operations already described in other embodiments will be omitted for convenience.

이하, 본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

< 마이크로 LED 구조체 >< Micro LED structure >

마이크로 LED 구조체(10)는, 은 나노 렌즈(300) 및 메탈 메쉬(600) 중 하나이상을 포함하는 기판(500)을 포함함으로, 마이크로 LED(200)와 비전도성 접착제(210)를 통해 접합이 가능한 것을 특징으로 한다. 구체적으로, 본 발명의 마이크로 LED 구조체(10)는, 박막 트랜지스터(100); 상기 박막 트랜지스터(100) 상에 적층되는 마이크로 LED(200); 상기 마이크로 LED(200) 상에 적층되는 기판(500); 및 상기 마이크로 LED(200) 및 상기 기판(500)을 전기적으로 연결하는 은 나노 렌즈(300) 및 메탈 메쉬(600) 중 하나 이상을 포함하고, 상기 마이크로 LED(200)는 상기 은 나노 렌즈(300) 및 메탈 메쉬(600) 중 하나 이상과 비전도성 접착제(210)를 통해 접하는 것이다. The micro LED structure 10 includes a substrate 500 including at least one of a silver nano lens 300 and a metal mesh 600, so that the micro LED 200 and the non-conductive adhesive 210 are bonded. characterized as possible. Specifically, the micro LED structure 10 of the present invention includes a thin film transistor 100; a micro LED 200 stacked on the thin film transistor 100; a substrate 500 stacked on the micro LED 200; and at least one of a silver nano lens 300 and a metal mesh 600 electrically connecting the micro LED 200 and the substrate 500, wherein the micro LED 200 comprises the silver nano lens 300 ) And at least one of the metal mesh 600 is in contact with the non-conductive adhesive 210.

도 1a 및 도 1b는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 마이크로 LED 구조체(10)를 도시한 도이며, 이는 본 발명의 일 구현예를 나타내는 것일 뿐 이에 한정되지 않는다. Figures 1a and 1b is a diagram showing a micro LED structure 10 according to a preferred embodiment of the present invention, which is only showing one embodiment of the present invention, but is not limited thereto.

도 1a 및 도 1b를 참조하면, 상기 마이크로 LED 구조체(10)는 박막 트랜지스터(Thin Film Transister, TFT)(100) 및 상기 박막 트랜지스터(100) 상에 복수 개의 마이크로 LED(200)가 전사되어 있으며, 상기 마이크로 LED 상에 기판(500)이 적층되어 있고, 상기 마이크로 LED(200) 및 상기 기판(500) 사이는 은 나노 렌즈(300) 및 메탈 메쉬(600) 중 하나 이상을 통하여 전기적으로 연결되어 있는 구조를 포함한다. 여기서, 상기 마이크로 LED(200)는 비전도성 접착제(210)를 통해 은 나노 렌즈(300) 및 메탈 메쉬(600) 중 하나 이상과 접합되어 있는 것을 포함한다. 1A and 1B, the micro LED structure 10 includes a thin film transistor (TFT) 100 and a plurality of micro LEDs 200 transferred on the thin film transistor 100, A substrate 500 is laminated on the micro LED, and the micro LED 200 and the substrate 500 are electrically connected through at least one of a silver nano lens 300 and a metal mesh 600. contain the structure Here, the micro LED 200 includes one bonded to at least one of the silver nano lens 300 and the metal mesh 600 through the non-conductive adhesive 210 .

본 발명의 마이크로 LED 구조체(10)는 종래에 문제가 되었던 마이크로 LED의 광 확산이 제한적일 수 있고, 도전볼을 깨뜨리고 접촉하기 위해 160℃ 이상 및 2Mpa 이하의 고온, 고압조건의 열압착 공정으로 인한 마이크로 LED층이 깨져 마이크로 LED의 상하부층이 분리되는 등의 손상(Damage)이 발생하는 문제점을 해결하기 위하여, 상기 기판(500)과 상기 마이크로 LED(200) 사이를 볼록형상의 입체투명전극으로 상기 은 나노 렌즈(300) 및 상기 메탈 메쉬(600) 중 하나 이상을 적용하여 전기적으로 연결하고, 은 나노 렌즈(300) 및 상기 메탈 메쉬(600) 중 하나 이상과 마이크로 LED(200)와 비전도성 접착제(210)를 이용해 접합하여, 광산란을 유도하고 광 확산성 및 전도성을 향상시키며, 별도의 전도성 도전 필름(Anisotropic Conductive Film, ACF) 의 부착 후 고온, 고압의 열 압착 공정을 진행하지 않더라도 마이크로 LED층의 손상을 최소화할 수 있는 기술적 특징을 가진다.The micro LED structure 10 of the present invention may have limited light diffusion of the micro LED, which has been a problem in the past, and the micro In order to solve the problem that damage occurs, such as the upper and lower layers of the micro LED being separated due to the broken LED layer, the silver nano At least one of the lens 300 and the metal mesh 600 is applied and electrically connected, and at least one of the silver nano lens 300 and the metal mesh 600, the micro LED 200, and the non-conductive adhesive 210 ) to induce light scattering and improve light diffusivity and conductivity, and damage to the micro LED layer even without carrying out a high-temperature, high-pressure heat-compression process after attaching a separate conductive conductive film (ACF) It has technical features that can minimize

이하에서는, 상기 마이크로 LED 구조체(10)의 각각의 구조 및 효과에 대하여 구체적으로 설명한다.Hereinafter, each structure and effect of the micro LED structure 10 will be described in detail.

박막 트랜지스터(100)Thin Film Transistor (100)

본 발명의 박막 트랜지스터(100)는 전계효과 트랜지스터(Field Effect Transistor, FET)의 한 종류로 얇은 필름(Thin Film)의 형태로 되어있는 것 일 수 있으며, 디스플레이의 화면을 구성하는 각각의 픽셀의 밝기를 조절하는 역할을 한다. 1개의 픽셀은 R, G, B를 구성하는 서브픽셀로 이루어져 있는 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The thin film transistor 100 of the present invention is a type of field effect transistor (FET) and may be in the form of a thin film, and the brightness of each pixel constituting the screen of the display plays a role in regulating One pixel may be composed of subpixels constituting R, G, and B, but is not limited thereto.

구체적인 일 예로, 상기 박막 트랜지스터(TFT)(100)는 활성층, 게이트 전극, 소스 전극 및/또는 드레인 전극을 포함할 수 있고, 여기서 게이트는 액티브 층을 통해 흐르는 전류를 조절하는 밸브 역할을 하며, 소스와 드레인은 전자를 주고 받는 역할을 수행한다.As a specific example, the thin film transistor (TFT) 100 may include an active layer, a gate electrode, a source electrode, and/or a drain electrode, wherein the gate serves as a valve to control current flowing through the active layer, and the source electrode and the drain perform the role of exchanging electrons.

본 발명의 박막 트랜지스터(100)의 각 서브픽셀에 전압이 가해졌을 때, 박막 트랜지스터(100)는 기판 위에 전류가 흐를 수 있는 액티브 층을 형성한 후, 게이트 전압을 조절하여 액티브 층을 통해 소스에서 드레인으로 전자(홀)를 이동시킨다. When a voltage is applied to each subpixel of the thin film transistor 100 of the present invention, the thin film transistor 100 forms an active layer through which current can flow on the substrate, and then adjusts the gate voltage so that the source passes through the active layer. Move electrons (holes) to the drain.

상기 활성층은 반도체 물질, 예컨대, 비정질 실리콘(Amorphous Silicon) 또는 다결정 실리콘(Poly Crystalline Silicon) 또는 유기 반도체를 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. The active layer may include, but is not limited to, a semiconductor material such as amorphous silicon, poly crystalline silicon, or an organic semiconductor.

상기 게이트 절연막(Gate Insulating Layer)이 상기 활성층 상에 형성될 수 있다. 상기 게이트 절연막은 활성층과 게이트 전극을 절연하는 역할을 한다. 상기 게이트 절연막은 실리콘 산화물 및/또는 실리콘질화물 등의 무기 물질로 이루어진 막이 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다.The gate insulating layer may be formed on the active layer. The gate insulating layer serves to insulate the active layer and the gate electrode. The gate insulating layer may be formed of a multilayer or a single layer of an inorganic material such as silicon oxide and/or silicon nitride.

상기 게이트 전극은 게이트 절연막의 상부에 형성되는 것 일 수 있다. 게이트 전극은 박막 트랜지스터(TFT)(100)에 온/오프 신호를 인가하는 게이트 라인과 연결될 수 있다. 상기 게이트 전극은 저항 값이 낮은 금속 물질로 이루어질 수 있다. 게이트 전극은 인접층과의 밀착성, 적층되는 층의 표면 평탄성 그리고 가공성 등을 고려하여 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.The gate electrode may be formed on top of the gate insulating layer. The gate electrode may be connected to a gate line for applying an on/off signal to the thin film transistor (TFT) 100 . The gate electrode may be made of a metal material having a low resistance value. The gate electrode is made of aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), silver (Ag), magnesium (Mg), gold (Au) in consideration of adhesion to adjacent layers, surface flatness of the stacked layer, and processability. , Nickel (Ni), Neodymium (Nd), Iridium (Ir), Chromium (Cr), Lithium (Li), Calcium (Ca), Molybdenum (Mo), Titanium (Ti), Tungsten (W), Copper (Cu) It may be formed in a single layer or multiple layers of one or more materials.

상기 게이트 전극상에는 층간 절연막이 형성될 수 있다. 상기 층간 절연막은 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 상기 게이트 전극을 절연한다. 상기 층간 절연막은 무기 물질로 이루어진 막이 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 무기 물질은 금속 산화물 또는 금속 질화물일 수 있으며, 구체적으로 상기 무기물질은 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZrO2) 등을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.An interlayer insulating layer may be formed on the gate electrode. The interlayer insulating layer insulates the source electrode and the drain electrode from the gate electrode. The interlayer insulating film may be formed of a multi-layered or single-layered film made of an inorganic material. For example, the inorganic material may be a metal oxide or a metal nitride, and specifically, the inorganic material may be silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (SiN x ), silicon oxynitride (SiON), or aluminum oxide (Al 2 O 3 ), titanium oxide (TiO 2 ), tantalum oxide (Ta 2 O 5 ), hafnium oxide (HfO 2 ), or zinc oxide (ZrO 2 ), but is not limited thereto.

상기 층간 절연막 상에 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극이 형성될 수 있다. 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 상기 활성층의 소스 영역과 드레인 영역에 각각 전기적으로 연결된다.The source electrode and the drain electrode may be formed on the interlayer insulating layer. The source electrode and the drain electrode are aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), silver (Ag), magnesium (Mg), gold (Au), nickel (Ni), neodymium (Nd), iridium ( Ir), chromium (Cr), lithium (Li), calcium (Ca), molybdenum (Mo), titanium (Ti), tungsten (W), and copper (Cu) can be formed as a single layer or multi-layer. . The source electrode and the drain electrode are electrically connected to the source and drain regions of the active layer, respectively.

마이크로 LED(200)Micro LED(200)

본 발명의 마이크로 LED(200)는 소자의 크기가 가로세로 각각 100㎛ 이하인 LED 일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 마이크로 LED(200)는 액정 없이 LED 자체가 발광하기 때문에 명암비, 응답속도, 색 재현률, 시야각, 밝기, 수명 등에서 우수한 성능을 가지고 있다. The micro LED 200 of the present invention may be an LED having a size of 100 μm or less in each vertical and horizontal direction, but is not limited thereto. The micro LED 200 has excellent performance in terms of contrast ratio, response speed, color reproduction rate, viewing angle, brightness, and lifespan because the LED itself emits light without liquid crystal.

본 발명의 마이크로 LED(200)는 앞서 설명한 박막 트랜지스터(100) 상에 전사되어 배치되며, 적색, 녹색, 청색, 백색 등의 파장을 가지는 빛을 방출하며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 백색광을 방출할 수 있다.The micro LED 200 of the present invention is transferred and disposed on the thin film transistor 100 described above, emits light having wavelengths of red, green, blue, white, etc., and white light by using fluorescent materials or combining colors. can emit.

본 발명의 마이크로 LED(200)는 컨택 전극 및 전극을 포함할 수 있으며, 상기 전극은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막과, 상기 반사막상에 형성된 투명 또는 반투명 전극층을 구비할 수 있다. 상기 투명 또는 반투명 전극층은 질화갈륨(GaN: Gallium nitride), 인듐틴옥사이드(ITO; Indiumtin Oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; Zinc Oxide), 인듐옥사이드(In2O3; indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; Indium Gallium Oxide) 및 알루미늄징크옥사이드(AZO;aluminum Zinc Oxide)를 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.The micro LED 200 of the present invention may include a contact electrode and an electrode, and the electrode may include a reflective film formed of Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, and compounds thereof, and the like. , A transparent or translucent electrode layer formed on the reflective film may be provided. The transparent or translucent electrode layer is gallium nitride (GaN), indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO; Zinc Oxide), indium oxide (In 2 O 3 ; indium oxide), indium gallium oxide (IGO; indium gallium oxide), and aluminum zinc oxide (AZO; aluminum zinc oxide) may include at least one or more selected from the group, but is not limited thereto.

은 나노 렌즈(300)Silver Nano Lens (300)

본 발명은, 기판의 일 면에 연결된 은 단일층(400) 일면 상에 은 나노 렌즈(Ag Nano Lens)(300)를 도입함에 따라, 비교적 온화조건으로 마이크로 LED 구조체(10)의 제조가 가능하여, LED 전극의 파손을 방지할 수 있다. According to the present invention, by introducing the Ag Nano Lens 300 on one surface of the silver single layer 400 connected to one surface of the substrate, it is possible to manufacture the micro LED structure 10 under relatively mild conditions. , it is possible to prevent damage to the LED electrode.

또한, 도 1에 나타낸 바와 같이, 은 단일층(400) 및 은 나노 렌즈(Ag Nano Lens)(300)가 함께 포함되는 경우, 기판(500) 및 마이크로 LED(200) 사이에 은 나노 렌즈(300)를 포함함에 따라, 광산란 및 광 확산성을 향상시킬 수 있다. In addition, as shown in FIG. 1 , when the silver single layer 400 and the silver nano lens 300 are included together, the silver nano lens 300 is between the substrate 500 and the micro LED 200. ), it is possible to improve light scattering and light diffusivity.

본 발명의 은 나노 렌즈(300)는 볼록렌즈 형태의 공통전극으로, 저항 값이 낮은 은을 사용하여 터치 스크린에 적용 시 터치 응답속도가 빠른 장점이 있으며, 도 2에 도시된 바와 같이, 볼록렌즈의 특성상 광원(700)으로부터 수용되는 빛을 효율적으로 반사하여 광산란 및 광 확산성을 향상시키고, 불량화소에 대한 Hotspot을 감소시킬 수 있다.The silver nano-lens 300 of the present invention is a common electrode in the form of a convex lens, and has the advantage of a fast touch response speed when applied to a touch screen by using silver having a low resistance value. As shown in FIG. 2, the convex lens Due to its characteristics, it is possible to efficiently reflect light received from the light source 700 to improve light scattering and light diffusivity, and to reduce hotspots for bad pixels.

본 발명의 마이크로 LED 구조체(10)에 포함되는 은 나노 렌즈(300)는 반구형 또는 볼록 렌즈형(범프형)일 수 있다.The silver nano lenses 300 included in the micro LED structure 10 of the present invention may be hemispherical or convex lens (bump).

본 발명의 일 실시예로는 마이크로 LED 구조체(10)는 마이크로 LED(200) 상에 기판(500)이 적층되고, 상기 마이크로 LED(200) 및 상기 기판(500)을 전기적으로 연결하는 은 나노 렌즈(300)를 포함하고, 상기 마이크로 LED(200)는 상기 은 나노 렌즈(300)와 비전도성 접착제를 통해 접하는 것을 특징으로 한다.In one embodiment of the present invention, the micro LED structure 10 includes a substrate 500 stacked on a micro LED 200, and a silver nano lens electrically connecting the micro LED 200 and the substrate 500. 300, and the micro LED 200 is in contact with the silver nano lens 300 through a non-conductive adhesive.

상기 비전도성 접착제는, 에폭시계 접착제, 아크릴계 접착제 및 실리콘계 접착제에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하지만, 이에 한정되는 것은 아니다.The non-conductive adhesive is characterized in that at least one selected from epoxy-based adhesives, acrylic-based adhesives and silicone-based adhesives, but is not limited thereto.

본 발명의 마이크로 LED 구조체(10)에 포함되는 은 나노 렌즈(300)는 두께가 10 내지 60 nm일 수 있고, 바람직하게는 10 내지 50 nm일 수 있다. 상기 은 나노 렌즈(300)가 상기 두께 조건을 만족하는 경우, 550nm의 빛에 대한 투과율이 충분히 낮아 효율적인 광산란이 진행되어 광확산성이 우수하다는 이점이 있다.The silver nanolens 300 included in the micro LED structure 10 of the present invention may have a thickness of 10 to 60 nm, preferably 10 to 50 nm. When the silver nano-lens 300 satisfies the thickness condition, the light transmittance of 550 nm light is sufficiently low, and thus efficient light scattering proceeds, thereby providing an advantage of excellent light diffusivity.

본 발명의 일 실시예로는 마이크로 LED 구조체(10)는 마이크로 LED(200) 상에 기판(500)이 적층되고, 상기 마이크로 LED(200) 및 상기 기판(500)을 전기적으로 연결하는 은 단일층(400) 및 은 나노 렌즈(300)를 포함하고, 상기 마이크로 LED(200)는 상기 은 단일층(400) 및 상기 은 나노 렌즈(300)와 비전도성 접착제(210)를 통해 접하는 것을 특징으로 한다.In one embodiment of the present invention, the micro LED structure 10 includes a substrate 500 stacked on the micro LED 200, and a silver single layer electrically connecting the micro LED 200 and the substrate 500. 400 and a silver nano lens 300, and the micro LED 200 is in contact with the silver single layer 400 and the silver nano lens 300 through a non-conductive adhesive 210. .

상기 은 단일층(400) 및 은 나노 렌즈(300)가 중첩되는 제1 영역(S1)은 두께가 80nm 이하이고, 중첩되지 않는 제2 영역(S2)은 두께가 50nm 이하이고, 상기 제1 영역(S1) 및 제2 영역(S2)의 전체 투과율(파장 550nm)이 65% 이하일 수 있다. 바람직하게는 상기 은 단일층(400) 및 은 나노 렌즈(300)가 중첩되는 제1 영역(S1)은 두께가 50 nm 이하이고, 중첩되지 않는 제2 영역(S2)은 두께가 10nm 이하이고, 상기 제1 영역(S1) 및 제2 영역(S2)의 전체 투과율(파장 550nm)이 65% 이하일 수 있다. 상기 제1 영역(S1)의 두께는 제2 영역(S2)의 두께 및 은 나노 렌즈의 두께(d)의 합에 해당한다.The first region S1 overlapping the silver single layer 400 and the silver nano-lens 300 has a thickness of 80 nm or less, and the non-overlapping second region S2 has a thickness of 50 nm or less. The total transmittance (wavelength: 550 nm) of (S1) and the second region (S2) may be 65% or less. Preferably, the first region S1 where the silver single layer 400 and the silver nano-lenses 300 overlap has a thickness of 50 nm or less, and the non-overlapping second region S2 has a thickness of 10 nm or less, The total transmittance (wavelength of 550 nm) of the first region S1 and the second region S2 may be 65% or less. The thickness of the first region S1 corresponds to the sum of the thickness of the second region S2 and the thickness d of the silver nanolenses.

상기 제1 영역 및 제2 영역의 두께 및 상기 제1 영역(S1) 및 제2 영역(S2)의 전체 투과율이 상기 수치범위를 만족하는 경우, 정면 대비 좌/우측 45°의 광량이 상대적으로 우수하여 효율적인 광산란을 유도하고, 광 확산성 및 전도성이 우수하며, 종래에서 문제되었던 전도성 도전 필름의 부착 후 도전볼을 깨뜨리고 접촉하기 위해 160℃ 이상 및 및 2Mpa 이하의 고온, 고압조건의 열압착 공정을 별도로 진행할 필요가 없어 마이크로 LED(200)의 손상을 최소화하여 높은 수율의 마이크로 LED 구조체(10)의 제조가 가능하며, 기판(500)의 두께를 감소하여 제조할 수 있다는 이점이 있다.When the thickness of the first region and the second region and the total transmittance of the first region S1 and the second region S2 satisfy the numerical range, the amount of light at 45° left/right compared to the front is relatively excellent. In order to induce efficient light scattering, have excellent light diffusivity and conductivity, and break and contact the conductive ball after attaching the conductive conductive film, which has been a problem in the past, a thermal compression bonding process under high temperature and high pressure conditions of 160 ° C or more and 2 Mpa or less Since there is no need to proceed separately, it is possible to manufacture the micro LED structure 10 with a high yield by minimizing damage to the micro LED 200, and has an advantage in that it can be manufactured by reducing the thickness of the substrate 500.

본 발명의 일 실시예로는 본 발명의 마이크로 LED 구조체(10)에서 상기 은 나노 렌즈(300)와 상기 마이크로 LED(200) 사이의 간극은 80 nm 이하일 수 있고, 바람직하게는 60 nm 이하일 수 있고, 가장 바람직하게는 30 nm 이하일 수 있다. 여기서 상기 간극이 가지는 영역은 비전도성 접착제(210)가 위치한다. 상기 은 나노 렌즈(300)와 상기 마이크로 LED(200) 사이의 간극이 상기 수치범위를 만족하는 경우, 간극을 상당히 좁게 제어하여 접착제의 두께를 최소화하여 마이크로 LED(200)와 전극층의 갭(gap)이 충분히 낮아져 LED 파손을 방지할 수 있고, 효율적인 광산란을 유도하고, 광 확산성 및 전도성이 우수한 마이크로 LED 구조체(10)를 제조할 수 있다.In one embodiment of the present invention, in the micro LED structure 10 of the present invention, the gap between the silver nano lenses 300 and the micro LED 200 may be 80 nm or less, preferably 60 nm or less, , most preferably 30 nm or less. Here, the non-conductive adhesive 210 is located in the region of the gap. When the gap between the silver nano-lens 300 and the micro LED 200 satisfies the numerical range, the thickness of the adhesive is minimized by controlling the gap to be quite narrow, thereby forming a gap between the micro LED 200 and the electrode layer. This can be sufficiently lowered to prevent LED breakage, induce efficient light scattering, and manufacture a micro LED structure 10 having excellent light diffusivity and conductivity.

메탈 메쉬(600)Metal Mesh(600)

본 발명의 메탈 메쉬(Metal Mesh)(600)는 공통 전극 상에 도 3과 같이 격자 무늬 패턴을 만들고 그 안에 저항 값이 낮은 금속을 그물망 같이 미세하게 공통전극에 도포하여 전극을 인쇄하는 것을 의미하며, 이에 한정되지 않는다. 상기 저항 값이 낮은 금속으로는 은, 구리, 금, 알루미늄 등을 포함하나, 이에 한정되는 것은 아니다. 구체적으로, 본 발명의 메탈 메쉬(600)는 은, 구리, 금, 알루미늄을 포함하는 합금 및 은 및 구리를 포함하는 단층 및 다층 구조(IZO/APC/IZO) 일 수 있으며, 바람직하게는 은 및 구리를 포함하는 단층 및 다층 구조(IZO/APC/IZO) 일 수 있다. 상기 메탈 메쉬(600)는 표면 저항 값이 낮아 터치스크린에 적용 시 터치 응답속도가 빠르고 구부릴 수 있어 플렉서플 기기에 사용하기 적합하다. The metal mesh 600 of the present invention means that a grid pattern is formed on a common electrode as shown in FIG. 3 and a metal having a low resistance value is finely applied to the common electrode like a net to print the electrode , but not limited thereto. Examples of the low resistance metal include silver, copper, gold, aluminum, and the like, but are not limited thereto. Specifically, the metal mesh 600 of the present invention may be an alloy containing silver, copper, gold, aluminum, and a single-layer and multi-layer structure (IZO / APC / IZO) containing silver and copper, preferably silver and It may be a single-layer or multi-layer structure (IZO/APC/IZO) containing copper. The metal mesh 600 has a low surface resistance value, so when applied to a touch screen, it has a fast touch response speed and can be bent, so it is suitable for use in a flexible device.

상기 메탈 메쉬(600)의 제조 방식은 예를 들어 필름 위에 은이나 구리 박막을 입힌 후 센서 패턴을 제외한 부분을 에칭 조성물로 씻어 내는 양각 메탈 메쉬 방식과 필름 롤투롤 공정으로 은 소재를 인프리팅하여 제조하는 음각 메탈 메쉬 방식 등이 있으나, 상기 제조 방식에 한정되지 않는다. The manufacturing method of the metal mesh 600 is, for example, an embossed metal mesh method in which a silver or copper thin film is coated on a film and then a portion except for the sensor pattern is washed with an etching composition, and a film roll-to-roll process. There is an intaglio metal mesh method, etc., but is not limited to the above manufacturing method.

상기 에칭 조성물은 일반적인 식각용 산만을 사용하는 것보다 용해도가 증진될 수 있는 또 다른 산을 혼합하여 다층구조의 박막의 식각율의 조절을 위하여 과산화수소수, 질산, 염산, 황산 또는 인산과 같은 일반적인 식각용 산 이외에 또 다른 산을 포함할 수 있다. 상기 일반적인 식각용 산과 혼합될 수 있는 산은 에칭하고자 하는 산화물층과 금속층 모두가 용액 속에서 착화합물을 형성하면서 녹을 수 있는 것으로 조성되는 것이 바람직하다. 예를 들어, 상기 에칭 조성물은 인듐아연산화물과 Ag로 된 IZO/Ag/IZO 전도성 박막은 초산과 인산을 포함하는 에천트일 수 있고, 알루미늄이 도핑된 아연산화물(AZO)/Ag/인듐아연산화물(IZO) 전도성 박막은 옥살산과 염산을 포함하는 에천트일 수 있으며, 주석, 인듐 등과 같은 금속이 포함된 투명 산화물층과 Ag 등이 포함된 금속층은 카복실기(-COOH)를 가지는 산과 동시에 착화합물을 형성할 수 있으므로, 이 작용기를 가지는 산, 예를 들면, 말론산, 초산, 포름산 및 옥살산으로 이루어진 군에서 일종 이상 선택된 것을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The etching composition is a mixture of another acid whose solubility can be improved rather than using only a general etching acid, so as to control the etching rate of a multi-layered thin film. General etching such as hydrogen peroxide, nitric acid, hydrochloric acid, sulfuric acid or phosphoric acid In addition to the solvent acid, another acid may be included. The acid that can be mixed with the general acid for etching is preferably composed of one capable of dissolving both the oxide layer and the metal layer to be etched while forming a complex compound in the solution. For example, in the etching composition, the IZO/Ag/IZO conductive thin film made of indium zinc oxide and Ag may be an etchant including acetic acid and phosphoric acid, and aluminum doped zinc oxide (AZO)/Ag/indium zinc oxide ( The IZO) conductive thin film may be an etchant containing oxalic acid and hydrochloric acid, and the transparent oxide layer containing metals such as tin and indium and the metal layer containing Ag may form a complex compound with an acid having a carboxyl group (-COOH) at the same time. Therefore, it may include one or more acids selected from the group consisting of malonic acid, acetic acid, formic acid, and oxalic acid having this functional group, but is not limited thereto.

본 발명은 상술한 메쉬 구조의 메탈 메쉬(600)의 도입으로, 고온 및 고압의 처리가ACF(이방성 전도필름) 없이, 비전도성 접착제(210)를 통한 기판(500)과 마이크로 LED(200)의 접합이 가능하다. In the present invention, with the introduction of the metal mesh 600 having a mesh structure described above, high-temperature and high-pressure processing is performed without ACF (Anisotropic Conductive Film) and the substrate 500 and the micro LED 200 through the non-conductive adhesive 210. bonding is possible

본 발명의 마이크로 LED 구조체(10)에 포함되는 메탈 메쉬(600)는 볼록 렌즈형(범프형)일 수 있다.The metal mesh 600 included in the micro LED structure 10 of the present invention may be a convex lens type (bump type).

도 1b를 참조하면, 본 발명의 일 실시예로는 마이크로 LED 구조체(10)는 마이크로 LED(200) 상에 기판(500)이 적층되고, 상기 마이크로 LED(200) 및 상기 기판(500)을 전기적으로 연결하는 메탈 메쉬(600)를 포함하고, 상기 마이크로 LED(200)는 상기 메탈 메쉬(600)와 비전도성 접착제(210)를 통해 접하는 것을 특징으로 한다.Referring to FIG. 1B, in an embodiment of the present invention, in the micro LED structure 10, a substrate 500 is laminated on a micro LED 200, and the micro LED 200 and the substrate 500 are electrically connected. It includes a metal mesh 600 connected to, and the micro LED 200 is in contact with the metal mesh 600 through a non-conductive adhesive 210.

상기 비전도성 접착제는, 에폭시계 접착제, 아크릴계 접착제 및 실리콘계 접착제에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하지만, 이에 한정되는 것은 아니다.The non-conductive adhesive is characterized in that at least one selected from epoxy-based adhesives, acrylic-based adhesives and silicone-based adhesives, but is not limited thereto.

본 발명의 마이크로 LED 구조체(10)에 포함되는 메탈 메쉬(600)는 두께가 1 내지 50 nm일 수 있고, 바람직하게는 5 내지 30 nm일 수 있다. 상기 메탈 메쉬(600)가 상기 두께 조건을 만족하는 경우, 550nm의 빛에 대한 투과율이 충분히 낮아 효율적인 광산란이 진행되어 광확산성이 우수하다는 이점이 있다.The metal mesh 600 included in the micro LED structure 10 of the present invention may have a thickness of 1 to 50 nm, preferably 5 to 30 nm. When the metal mesh 600 satisfies the thickness condition, the light transmittance of 550 nm is sufficiently low, and efficient light scattering proceeds, thereby providing an advantage of excellent light diffusivity.

본 발명의 일 실시예로는 본 발명의 마이크로 LED 구조체(10)에서 상기 메탈 메쉬(600)와 상기 마이크로 LED(200) 사이의 간극은 80 nm 이하일 수 있고, 바람직하게는 60 nm 이하일 수 있다. 여기서 상기 간극이 가지는 영역은 비전도성 접착제(210)가 위치한다. 상기 메탈 메쉬(600)와 상기 마이크로 LED(200) 사이의 간극이 상기 수치범위를 만족하는 경우, 간극을 상당히 좁게 제어하여 효율적인 광산란을 유도하고, 광 확산성 및 전도성이 우수한 마이크로 LED 구조체(10)를 제조할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the gap between the metal mesh 600 and the micro LED 200 in the micro LED structure 10 of the present invention may be 80 nm or less, preferably 60 nm or less. Here, the non-conductive adhesive 210 is located in the region of the gap. When the gap between the metal mesh 600 and the micro LED 200 satisfies the numerical range, the gap is controlled to be quite narrow to induce efficient light scattering, and the micro LED structure 10 has excellent light diffusion and conductivity can be manufactured.

기판(500)Substrate(500)

이하에서는 본 발명의 마이크로 LED 구조체(10)에서, 마이크로 LED(200)와 은 나노 렌즈(300) 및 메탈 메쉬(600) 중 하나 이상을 통해 전기적으로 연결되는 기판(500)에 대해서 설명한다.Hereinafter, in the micro LED structure 10 of the present invention, the substrate 500 electrically connected to the micro LED 200 through at least one of the silver nano lens 300 and the metal mesh 600 will be described.

본 발명의 기판(500)은 다양한 소재를 포함할 수 있다. 상기 기판(500)은 SiO2를 주성분으로 하는 투명한 유리 재질로 이루어질 수 있으나 반드시 이에 한정되는 것은 아니며 투명한 플라스틱 재질 또는 금속 재질로 형성될 수 있다. The substrate 500 of the present invention may include various materials. The substrate 500 may be made of a transparent glass material containing SiO 2 as a main component, but is not necessarily limited thereto and may be formed of a transparent plastic material or a metal material.

본 발명의 기판(500)을 구성하는 플라스틱 재질은 절연성 유기물인 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 유기물일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.The plastic materials constituting the substrate 500 of the present invention are insulating organic materials such as polyethersulphone (PES), polyacrylate (PAR), polyetherimide (PEI), polyethylene naphthalate (PEN, polyethyelenen napthalate), polyethylene terephthalate (PET, polyethyeleneterepthalate), polyphenylene sulfide (PPS), polyallylate, polyimide, polycarbonate (PC), cellulose triacetate (TAC), It may be an organic material selected from the group consisting of cellulose acetate propionate (CAP), but is not limited thereto.

본 발명의 기판(500)을 구성하는 금속 재질로는 Ag, Cu, Al, ITO 로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The metal material constituting the substrate 500 of the present invention may include one or more selected from the group consisting of Ag, Cu, Al, and ITO, but is not limited thereto.

<마이크로 LED 구조체 제조방법><Micro LED structure manufacturing method>

본 발명은, 상술한 마이크로 LED 구조체(10)를 제조하기 위한 방법을 포함한다.The present invention includes a method for manufacturing the micro LED structure 10 described above.

앞서 설명한 도 1a 내지 도 3을 참조하여 본 발명의 마이크로 LED 구조체(10)제조방법을 설명하며, 앞서 설명한 실시예와 동일한 구성요소에 대해서는 동일 도면 부호를 부여하고 동일한 설명은 생략한다. 또한, 본 발명의 마이크로 LED 구조체(10) 제조방법은 당 분야에서 통상적으로 사용 가능한 모든 공정이 포함될 수 있다.The manufacturing method of the micro LED structure 10 of the present invention will be described with reference to FIGS. 1A to 3 described above, and the same reference numerals are given to the same components as those of the previously described embodiment, and the same descriptions are omitted. In addition, the manufacturing method of the micro LED structure 10 of the present invention may include all processes commonly available in the art.

본 발명의 마이크로 LED 구조체(10) 제조방법은 Si 웨이퍼 상에 그래핀(Graphene)을 적층하고, Si를 증착시킨 후 감광액을 도포하고 노광 공정을 통해 Si 웨이퍼 상에 회로 패턴을 그린 후, 현상액을 뿌리며 패터닝 공정을 진행하여 회로 패턴을 형성할 수 있다.In the method of manufacturing the micro LED structure 10 of the present invention, graphene is laminated on a Si wafer, Si is deposited, a photoresist is applied, a circuit pattern is drawn on the Si wafer through an exposure process, and a developer is applied. A circuit pattern may be formed by spraying and proceeding with a patterning process.

상기 Si 웨이퍼 상에 적층된 그래핀은 화학적, 기계적으로 안정하여, 후술하는 공정에서 제조된 마이크로 LED(200)의 탈착이 용이해지고 마이크로 LED(200)의 선택적인 흡착 및 전사가 용이하여, 마이크로 LED(200)의 이송이 자유롭다는 이점이 있다. 이러한 특성을 이용하여 마이크로 LED(200)의 검사 공정에서 불량 마이크로 LED(200)를 효율적으로 제거 및 수리가 가능하여 제조공정 시간을 단축하고, 비용을 저감할 수 있는 이점이 있다.The graphene stacked on the Si wafer is chemically and mechanically stable, so that the micro LED 200 manufactured in the process described later can be easily attached and detached, and the micro LED 200 can be selectively adsorbed and transferred. There is an advantage that the transfer of (200) is free. Using these characteristics, it is possible to efficiently remove and repair the defective micro LED 200 in the inspection process of the micro LED 200, thereby shortening the manufacturing process time and reducing cost.

상기 회로 패턴 형성 이후에는 상기 패턴화된 층 상에 ZnO, u-GaN, N-GaN, MQW, P-GaN, 등의 층(Layer)을 증착하여 마이크로 LED(200)를 제조할 수 있다. 이때 증착은 물리적 기상 증착법(Physical Vapor Deposition), 화학적 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition) 등의 증착법을 적용할 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.After forming the circuit pattern, the micro LED 200 may be manufactured by depositing a layer of ZnO, u-GaN, N-GaN, MQW, P-GaN, or the like on the patterned layer. In this case, deposition may be performed using a deposition method such as a physical vapor deposition method or a chemical vapor deposition method, but is not necessarily limited thereto.

상기 공정을 통해 제조된 마이크로 LED(200)는 그래핀에 의한 탈착이 자유로워 픽커를 통해 검사회로로 이송될 수 있고, 이때 픽커는 다공성 기공 구조물을 적용하여 복수 개의 마이크로 LED(200)를 동시에 이송할 수 있다. 구체적으로, 본 발명에 따른 마이크로 LED 구조체(10) 제조방법에서, 상기 픽커는 다공성 기공 구조물 형태일 수 있고, 마이크로 사이즈인 복수개의 마이크로 LED(200)를 효율적으로 이송이 가능하여 보다 효율적인 검사공정 및 마이크로 LED(200)의 수리가 용이하고, 상기 마이크로 LED(200)의 각 화소에 따른 간극을 포함한 위치 보정이 용이하다는 이점이 있다.The micro LED 200 manufactured through the above process can be freely detached by graphene and transferred to an inspection circuit through a picker. At this time, the picker applies a porous pore structure to simultaneously transfer a plurality of micro LEDs 200. can do. Specifically, in the method of manufacturing the micro LED structure 10 according to the present invention, the picker may be in the form of a porous structure, and it is possible to efficiently transfer a plurality of micro LEDs 200 having a micro size, thereby providing a more efficient inspection process and There are advantages in that the micro LED 200 can be easily repaired, and position correction including a gap according to each pixel of the micro LED 200 can be easily performed.

상기 공정을 통해 제조된 마이크로 LED(200)는 상기 픽커를 통하여 박막 트랜지스터(100) 상에 적층되고, 상기 마이크로 LED(200) 상에 기판(500)이 적층되며, 이때 상기 마이크로 LED(200) 및 상기 기판(500)은 상술한 바와 같이, 은 나노 렌즈(300) 및 메탈 메쉬(600) 중 하나 이상을 포함하여 전기적으로 연결되며, 상기 마이크로 LED(200)는 상기 은 나노 렌즈(300) 및 상기 메탈 메쉬(600) 중 하나 이상과 비전도성 접착제(210)를 통하여 접하게 되어 최종적인 마이크로 LED 구조체(10)가 제조될 수 있다. 이때, 비전도성 접착제(210) 도포 후 약 140 내지 160 ℃ 조건에서 열경화를 하거나 100 내지 150 mJ/cm2의 조건으로 광경화를 할 수 있고, 0.2 내지 1Mpa의 압력으로 가압할 수 있다. 이는 ACF(이방성전도필름)를 사용하는 종래 기술의 경우, 도전볼을 깨뜨리고 접촉하기 위해 160℃ 이상 및 및 2Mpa 이하의 고온, 고압조건에서 공정을 진행해야 하는 것에 비해 그 이하에도 공정이 진행될 수 있는 매우 온화한 조건이다. The micro LED 200 manufactured through the above process is stacked on the thin film transistor 100 through the picker, and the substrate 500 is stacked on the micro LED 200. At this time, the micro LED 200 and As described above, the substrate 500 includes at least one of the silver nano-lens 300 and the metal mesh 600 and is electrically connected, and the micro LED 200 includes the silver nano-lens 300 and the One or more of the metal meshes 600 and the non-conductive adhesive 210 are brought into contact with each other, so that the final micro LED structure 10 may be manufactured. At this time, after application of the non-conductive adhesive 210, thermal curing may be performed at about 140 to 160° C. or photocuring may be performed at 100 to 150 mJ/cm 2 , and pressure may be applied at a pressure of 0.2 to 1 Mpa. In the case of the prior art using ACF (anisotropic conductive film), the process must be performed under high temperature and high pressure conditions of 160 ° C. or more and 2 Mpa or less in order to break and contact the conductive ball. It is a very mild condition.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 마이크로 LED 구조체(10)는 상기 마이크로 LED 구조체(10) 제조방법에서, 종래에서 문제되었던 전도성 도전 필름의 부착 후 고온, 고압의 열 압착 공정을 별도로 진행할 필요가 없고, 비전도성 접착제를 통해 접착하는 과정에서 0.3 MPa 이하의 낮은 압력으로 마이크로 LED(200)와 은 나노 렌즈(300) 및 메탈 메쉬(600) 중 하나 이상과 접할 수 있어 상기 마이크로 LED(200)의 손상을 최소화 하여 제조할 수 있는 이점이 있다.As described above, in the micro LED structure 10 according to the present invention, in the manufacturing method of the micro LED structure 10, there is no need to separately perform a high-temperature, high-pressure heat compression process after attaching the conductive conductive film, which was a problem in the prior art. , The micro LED 200, the silver nano lens 300, and the metal mesh 600 may be in contact with at least one of the micro LED 200 and the silver nano lens 300 and the metal mesh 600 at a low pressure of 0.3 MPa or less in the process of bonding through the non-conductive adhesive, resulting in damage to the micro LED 200 There is an advantage that can be manufactured by minimizing.

실시예 및 비교예: 마이크로 LED 구조체 제조Examples and Comparative Examples: Micro LED Structure Manufacturing

Si 웨이퍼 상에 그래핀(Graphene)을 적층하고, Si를 증착시킨 후 감광액을 도포하고 노광 공정을 통해 Si 웨이퍼 상에 회로 패턴을 그린 후, 현상액을 뿌리며 패터닝 공정을 진행하여 회로 패턴을 형성하였다. After stacking graphene on the Si wafer, depositing Si, applying a photoresist, drawing a circuit pattern on the Si wafer through an exposure process, and then spraying a developer and proceeding with a patterning process to form a circuit pattern.

회로 패턴 형성 이후, 패턴화된 층 상에 ZnO, u-GaN, N-GaN, MQW, P-GaN의 층(Layer)을 순서대로 증착시켜 마이크로 LED를 제조하였다. 이때 마이크로 LED(200)를 픽커를 통해 검사회로로 이송 후, 검사공정을 진행하였다.After forming the circuit pattern, layers of ZnO, u-GaN, N-GaN, MQW, and P-GaN were sequentially deposited on the patterned layer to manufacture a micro LED. At this time, after transferring the micro LED 200 to the inspection circuit through the picker, the inspection process was performed.

검사공정을 거친 마이크로 LED를 픽커를 통해 박막 트랜지스터 상에 적층하였고, 비전도성 접착제를 이용하여 기판과 마이크로 LED가 접하도록 하였다. 기판과 마이크로 LED는 아래 [표 1]에 개시된 조건에 따라 접착제의 종류 및 두께, ITO Plat, 은 나노 렌즈(Ag bump 렌즈), Metal Mesh의 구조, 접착온도, 접착압력, 접착시간 및 간극(접착제 두께)을 조정하여, 실시예와 비교예의 마이크로 LED 구조체를 제조하였다. The micro LEDs that went through the inspection process were stacked on the thin film transistors through a picker, and the substrate and the micro LEDs were brought into contact with each other using a non-conductive adhesive. The substrate and micro LED were tested according to the conditions disclosed in [Table 1] below, according to the type and thickness of the adhesive, ITO Plat, silver nano lens (Ag bump lens), structure of the metal mesh, adhesion temperature, adhesion pressure, adhesion time and gap (adhesive thickness) to prepare micro LED structures of Examples and Comparative Examples.

구조structure 온도(℃)Temperature (℃) 압력(Mpa)Pressure (Mpa) 시간(s)time(s) 간극(nm)Gap (nm) 실시예 1Example 1 은 단일층(10nm) + Ag bump(50nm) + NCASilver monolayer (10nm) + Ag bump (50nm) + NCA 140140 0.30.3 1515 6262 실시예 2Example 2 0.50.5 2323 실시예 3Example 3 1One 99 실시예 4Example 4 22 0.30.3 실시예 5Example 5 33 00 실시예 6Example 6 150150 0.50.5 1919 실시예 7Example 7 1One 66 실시예 8Example 8 160160 0.50.5 1313 실시예 9Example 9 Metal mesh(50 nm) + NCAMetal mesh (50 nm) + NCA 140140 0.30.3 5353 실시예 10Example 10 0.50.5 1919 실시예 11Example 11 1One 44 실시예 12Example 12 22 0.10.1 실시예 13Example 13 150150 0.50.5 1616 실시예 14Example 14 1One 22 실시예 15Example 15 160160 0.50.5 1313 비교예 1Comparative Example 1 ITO Plat + ACF(도전볼 5um)ITO Plat + ACF (conductive ball 5um) 140140 0.50.5 2121 비교예 2Comparative Example 2 1One 88 비교예 3Comparative Example 3 22 0.30.3 비교예 4Comparative Example 4 33 00 비교예 5Comparative Example 5 150150 1One 66 비교예 6Comparative Example 6 22 0.20.2 비교예 7Comparative Example 7 33 00 비교예 8Comparative Example 8 160160 1One 88 비교예 9Comparative Example 9 22 00 비교예 10Comparative Example 10 33 00

실험예Experimental example

상기 제조된 실시예와 비교예의 마이크로 LED 구조체에 대하여, LED 파손 정도, LED 점등의 정도 및 정면 대비 좌/우측 45°의 광량에 대한 실험을 진행하여, 그 결과를 하기 [표 3]에 기재하였다.With respect to the micro LED structures of the prepared examples and comparative examples, experiments were conducted on the degree of LED damage, the degree of LED lighting, and the amount of light at 45 ° left / right compared to the front, and the results are shown in [Table 3] .

1. LED 파손 평가1. LED breakage evaluation

제조된 마이크로 LED 구조체의 내부를 laser 현미경(모델명: VX-X200 series, KEYENCE社)을 통해 마이크로 LED의 파손여부를 육안으로 관찰하였다.The inside of the manufactured micro LED structure was visually observed for damage to the micro LED through a laser microscope (model name: VX-X200 series, KEYENCE).

O : 마이크로 LED가 파손됨.O: Micro LED is broken.

X : 마이크로 LED가 파손되지 않음.X: Micro LED is not damaged.

2. LED 점등 평가2. LED lighting evaluation

상기 실험예 1. LED 파손 평가 에서, 마이크로 LED가 파손되지 않은 마이크로 LED 구조체에 전원을 연결하여 작동 후, laser 현미경(모델명: VX-X200 series, KEYENCE社)을 통해 마이크로 LED의 점등여부를 육안으로 관찰하였다.In the above Experimental Example 1. LED damage evaluation, after operation by connecting power to the micro LED structure in which the micro LED is not damaged, visually check whether the micro LED is lit through a laser microscope (model name: VX-X200 series, KEYENCE). Observed.

O : 마이크로 LED가 점등됨.O : Micro LED lights up.

X : 마이크로 LED가 점등되지 않음.X: Micro LED is not lit.

3. 발광도 평가3. Luminescence evaluation

상기 실험예 2. LED 점등 평가 에서, 마이크로 LED가 점등된 마이크로 LED 구조체에 전원을 연결하여 작동 후, 각 휘도 측정의 방법으로 5°단위로 좌우 0°~70°에서의 휘도를 측정하였으며, 정면(0°) 대비 좌/우측 45°의 광량을 측정하였다. 실험 결과는 하기 [표 3]에 나타내었다.In the above Experimental Example 2. LED lighting evaluation, after operation by connecting power to the micro LED structure in which the micro LED was lit, the luminance was measured at 0 ° to 70 ° left and right in units of 5 ° by the method of measuring each luminance, and the front The amount of light at 45° left/right relative to (0°) was measured. The experimental results are shown in [Table 3] below.

4. 투과율 및 정면 대비 좌/우측 45°의 광량 평가4. Evaluation of transmittance and amount of light at 45° left and right compared to the front

상기 실시예 1과 동일한 조건에서, 은 단일층 상에 은 나노 렌즈(Ag bump)가 형성되어 중첩된 제1 영역(S1) 및/또는 은 나노 렌즈(Ag bump)가 형성되지 않아 중첩되지 않는 제2 영역(S2)의 두께 변화에 따른 제1 영역 및 제2 영역의 전체 투과율 투과율(%, 550nm)을 측정하였고 각 휘도 측정의 방법으로 5°단위로 좌우 0°~70°에서의 휘도를 측정하여 정면(0°) 대비 좌/우측 45°의 광량을 측정하여 실험을 진행하였고, 그 결과를 아래 [표 4]에 작성하였다. 상기 제1 영역의 두께는 제2 영역의 두께 및 은 나노 렌즈의 두께의 합과 같다. Under the same conditions as in Example 1, a first region S1 overlapped by forming silver nano lenses (Ag bumps) on the silver single layer and/or a non-overlapping first region S1 where silver nano lenses (Ag bumps) were not formed, The total transmittance transmittance (%, 550 nm) of the first region and the second region according to the change in the thickness of the second region S2 was measured, and the luminance was measured from 0 ° to 70 ° left and right in 5 ° increments by the method of measuring each luminance. The experiment was conducted by measuring the amount of light at 45° on the left/right side compared to the front (0°), and the results are listed in [Table 4] below. The thickness of the first region is equal to the sum of the thickness of the second region and the thickness of the silver nanolenses.

아래 [표 2]는 은 나노 렌즈(Ag bump)가 형성되지 않은 은 단일층 자체의 두께변화에 따른 투과율(%, 550nm)을 나타낸 것이며, 상기 [표 3]의 데이터는 본원발명의 마이크로 LED 구조체의 일부인 Ag 단일층의 투과율을 나타내기 위한 실험데이터이다.[Table 2] below shows the transmittance (%, 550 nm) according to the change in thickness of the silver single layer itself without silver nano lenses (Ag bumps), and the data in [Table 3] shows the micro LED structure of the present invention This is the experimental data to show the transmittance of the Ag monolayer, which is a part of

Ag 두께(nm)Ag thickness (nm) 투과율(%, 550nm)Transmittance (%, 550 nm) 5050 15.215.2 1010 5858 55 69.869.8 1One 88.188.1

LED 파손LED breakage LED 점등LED on (45°발광도/0°발광도)
* 100(%)(45° luminous intensity/0° luminous intensity)
* 100 (%) 실시예 1Example 1 XX OO 32.1032.10 실시예 2Example 2 XX OO 32.6032.60 실시예 3Example 3 XX OO 32.9032.90 실시예 4Example 4 XX OO 33.0033.00 실시예 5Example 5 XX OO 33.1033.10 실시예 6Example 6 XX OO 32.8032.80 실시예 7Example 7 XX OO 33.1033.10 실시예 8Example 8 XX OO 33.2033.20 실시예 9Example 9 XX OO 24.3024.30 실시예 10Example 10 XX OO 25.1025.10 실시예 11Example 11 XX OO 25.4025.40 실시예 12Example 12 XX OO 25.6025.60 실시예 13Example 13 XX OO 25.2025.20 실시예 14Example 14 XX OO 25.5025.50 실시예 15Example 15 XX OO 26.1026.10 비교예 1Comparative Example 1 XX XX -- 비교예 2Comparative Example 2 XX XX -- 비교예 3Comparative Example 3 XX XX -- 비교예 4Comparative Example 4 OO XX -- 비교예 5Comparative Example 5 XX XX -- 비교예 6Comparative Example 6 XX XX -- 비교예 7Comparative Example 7 OO XX -- 비교예 8Comparative Example 8 XX XX -- 비교예 9Comparative Example 9 XX OO 18.3018.30 비교예10Comparative Example 10 OO XX --

제1 영역(S1)의 두께 (nm)Thickness (nm) of the first region S1 제2 영역(S2)의 두께 (nm)Thickness (nm) of the second region S2 은 나노 렌즈(Ag bump)의 두께 (nm)Thickness (nm) of silver nano lens (Ag bump) 투과율(%, 550nm)Transmittance (%, 550 nm) 45도/0도 intensity45 degree/0 degree intensity 실시예 1-1Example 1-1 5050 1010 4040 10.210.2 33.733.7 실시예 1-2Example 1-2 5050 55 4545 12.112.1 33.533.5 실시예 1-3Example 1-3 5050 1One 4949 14.514.5 33.433.4 실시예 1-4Example 1-4 1010 55 55 58.758.7 30.730.7 실시예 1-5Example 1-5 1010 1One 99 63.863.8 26.126.1 실시예 1-6Example 1-6 55 1One 44 64.964.9 25.825.8 비교예 1-1Comparative Example 1-1 1010 1010 -- 5858 21.221.2 비교예 1-2Comparative Example 1-2 55 55 -- 69.869.8 17.917.9 비교예 1-3Comparative Example 1-3 1One 1One -- 88.188.1 15.215.2

상기 [표 1] 및 [표 3]을 참조하면,Referring to [Table 1] and [Table 3],

비전도성 접착제(NCA)를 이용하여 은 나노 렌즈 및 메탈 메쉬중 하나 이상을 통해 기판과 마이크로 LED를 접하게 한 실시예 1 내지 15의 마이크로 LED 구조체는 ACF(전도성 도전 필름)을 이용하여 ITO Plat 를 통해 기판과 마이크로 LED를 접한 비교예 1 내지 10에 비하여 LED 파손이 적고, LED 점등이 상대적으로 우수하여 향상된 수율의 마이크로 LED구조체를 가짐을 확인할 수 있었다. 이는 별도의 전도성 도전 필름의 부착 후 고온, 고압의 열 압착 공정을 진행하지 않아 마이크로 LED 칩의 손상을 최소화한 결과인 것으로 파악된다. The micro LED structures of Examples 1 to 15 in which the micro LED is brought into contact with the substrate through at least one of a silver nano lens and a metal mesh using a non-conductive adhesive (NCA) are formed through an ITO Plat using an ACF (conductive conductive film). Compared to Comparative Examples 1 to 10 in which the substrate and the micro LED were in contact, it was confirmed that the micro LED structure had an improved yield because the LED damage was less and the LED lighting was relatively excellent. This is believed to be the result of minimizing damage to the micro LED chip by not carrying out a high-temperature, high-pressure heat-pressing process after attaching a separate conductive conductive film.

또한, 본 발명의 실시예 1 내지 8에 따르는 마이크로 LED 구조체는 정면 대비 좌/우측 45°의 광량이 23.00% 이상으로 광량이 충분히 높고 비교예 9에 비하여도 우수하여 광 확산성 및 전도성이 향상된 것을 확인할 수 있었다.In addition, the micro LED structure according to Examples 1 to 8 of the present invention has a sufficiently high light amount of 23.00% or more at the left / right 45 ° compared to the front, and is superior to Comparative Example 9, indicating that light diffusivity and conductivity are improved. I was able to confirm.

상기 [표 2]를 참조하면,Referring to [Table 2] above,

단순 은 단일층에 대한 투과율을 측정한 결과, 은 단일층의 두께가 감소할수록 550nm 파장에 대한 투과율이 증가하는 것이 확인되었다. As a result of measuring the transmittance of the simple silver monolayer, it was confirmed that the transmittance with respect to a wavelength of 550 nm increased as the thickness of the silver monolayer decreased.

또한, 상기 [표 4]를 참조하면,In addition, referring to [Table 4] above,

은 단일층 상에 은 나노 렌즈(Ag bump)가 형성되며 제조된 마이크로 LED 구조체의 실시예 1-1 내지 1-6의 경우, 은 나노 렌즈(Ag bump)가 형성되지 못한 비교예 1-1 내지 1-3에 비하여 투과율이 충분히 낮고 정면 대비 좌/우측 45°의 광량이 23.00% 이상으로 광량이 충분히 높아 효율적인 광산란 유도가 가능하고, 광 확산성이 우수하여 정면 대비 좌/우측 45°의 광량이 상대적으로 우수한 것을 확인할 수 있었다. 또한, 은 나노 렌즈(Ag bump)의 두께가 40 nm 이상인 실시예 1-1 내지 1-3의 경우, 실시예 1-4 내지 실시예 1-6에 비하여 투과율이 현저히 낮고 정면 대비 좌/우측 45°의 광량이 높아 광 확산성이 보다 우수한 것을 확인할 수 있었다.In the case of Examples 1-1 to 1-6 of the micro LED structure prepared by forming silver nano lenses (Ag bumps) on the silver single layer, Comparative Examples 1-1 to 1-6 in which silver nano lenses (Ag bumps) were not formed Compared to 1-3, the transmittance is sufficiently low and the amount of light at 45° left/right compared to the front is high enough at 23.00% or more, enabling efficient light scattering induction, and the light diffusivity is excellent, so the amount of light at 45° left/right compared to the front It was found to be relatively good. In addition, in the case of Examples 1-1 to 1-3 in which the thickness of the silver nano lens (Ag bump) is 40 nm or more, the transmittance is significantly lower than that of Examples 1-4 to 1-6, and the left / right 45 It was confirmed that the light diffusivity was more excellent because the amount of light in ° was high.

전술한 본원의 설명은 예시를 위한 것이며, 본원이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본원의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수도 있다.The above description of the present application is for illustrative purposes, and those skilled in the art will understand that it can be easily modified into other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present application. Therefore, the embodiments described above should be understood as illustrative in all respects and not limiting. For example, each component described as a single type may be implemented in a distributed manner, and similarly, components described as distributed may also be implemented in a combined form.

본원의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 청구범위에 의하여 나타내어지며, 청구범위의 의미 및 범위, 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present application is indicated by the following claims rather than the detailed description above, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims, and equivalent concepts thereof should be construed as being included in the scope of the present application.

10: 마이크로 LED 구조체
100: 박막 트랜지스터
200: 마이크로 LED
210: 비전도성 접착제(Non-Conductive Adhesive, NCA)
300: 은 나노 렌즈
400: 은 단일층
500: 기판
600: 메탈 메쉬
700: 광원
S1: 제1 영역
S2: 제2 영역
d: 은 나노 렌즈의 두께10: micro LED structure
100: thin film transistor
200: micro LED
210: Non-Conductive Adhesive (NCA)
300: silver nano lens
400: silver single layer
500: substrate
600: metal mesh
700: light source
S1: first area
S2: second area
d: thickness of silver nanolens

Claims (11)

박막 트랜지스터;
상기 박막 트랜지스터 상에 적층되는 마이크로 LED;
상기 마이크로 LED 상에 적층되는 기판; 및
상기 마이크로 LED 및 상기 기판을 전기적으로 연결하는 은 나노 렌즈를 포함하고,
상기 마이크로 LED는 상기 은 나노 렌즈와 비전도성 접착제를 통해 접하는 것을 특징으로 하는,
마이크로 LED 구조체.
thin film transistor;
a micro LED stacked on the thin film transistor;
a substrate laminated on the micro LED; and
A silver nano-lens electrically connecting the micro LED and the substrate;
Characterized in that the micro LED is in contact with the silver nano lens through a non-conductive adhesive,
Micro LED structure.
 청구항 1에 있어서,
상기 은 나노 렌즈의 두께가 10 내지 60 nm인 것을 특징으로 하는,
마이크로 LED 구조체.
The method of claim 1,
Characterized in that the thickness of the silver nano-lens is 10 to 60 nm,
Micro LED structure.
 청구항 1에 있어서,
상기 은 나노 렌즈 및 은 단일층이 중첩되는 제1 영역은 두께가 80 nm이하이고,
중첩되지 않는 제2 영역은 두께가 50 nm이하이고,
상기 제1 영역(S1) 및 제2 영역(S2)의 전체 투과율이 65% 이하인 것을 특징으로 하는,
마이크로 LED 구조체.
The method of claim 1,
The first region where the silver nano-lens and the silver monolayer overlap has a thickness of 80 nm or less;
The second non-overlapping region has a thickness of 50 nm or less,
Characterized in that the total transmittance of the first region (S1) and the second region (S2) is 65% or less,
Micro LED structure.
 청구항 1에 있어서,
상기 은 나노 렌즈와 상기 마이크로 LED 사이의 간극은 80 nm 이하인 것을 특징으로 하는,
마이크로 LED 구조체.

The method of claim 1,
Characterized in that the gap between the silver nano lens and the micro LED is 80 nm or less,
Micro LED structure.

 청구항 1에 있어서,
상기 은 나노 렌즈는 볼록 렌즈형태인 것을 특징으로 하는,
마이크로 LED 구조체.
The method of claim 1,
Characterized in that the silver nano-lens is in the form of a convex lens,
Micro LED structure.
 청구항 1에 있어서,
상기 비전도성 접착제는 에폭시계 접착제, 아크릴계 접착제 및 실리콘계 접착제에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는,
마이크로 LED 구조체.
The method of claim 1,
Characterized in that the non-conductive adhesive is at least one selected from epoxy-based adhesives, acrylic adhesives and silicone-based adhesives,
Micro LED structure.
 박막 트랜지스터;
상기 박막 트랜지스터 상에 적층되는 마이크로 LED;
상기 마이크로 LED 상에 적층되는 기판; 및
상기 마이크로 LED 및 상기 기판을 전기적으로 연결하는 메탈 메쉬를 포함하고,
상기 마이크로 LED는 상기 메탈 메쉬와 비전도성 접착제를 통해 접하는 것을 특징으로 하는,
마이크로 LED 구조체.
thin film transistor;
a micro LED stacked on the thin film transistor;
a substrate laminated on the micro LED; and
A metal mesh electrically connecting the micro LED and the substrate;
Characterized in that the micro LED is in contact with the metal mesh through a non-conductive adhesive,
Micro LED structure.
 청구항 7에 있어서,
상기 메탈 메쉬의 두께가 1 내지 50 nm인 것을 특징으로 하는,
마이크로 LED 구조체.
The method of claim 7,
Characterized in that the thickness of the metal mesh is 1 to 50 nm,
Micro LED structure.
 청구항 7에 있어서,
상기 은 나노 렌즈와 상기 마이크로 LED 사이의 간극은 80 nm 이하인 것을 특징으로 하는,
마이크로 LED 구조체.

The method of claim 7,
Characterized in that the gap between the silver nano lens and the micro LED is 80 nm or less,
Micro LED structure.

 청구항 7에 있어서,
상기 메탈 메쉬는 볼록 형태인 것을 특징으로 하는,
마이크로 LED 구조체.
The method of claim 7,
Characterized in that the metal mesh has a convex shape,
Micro LED structure.
 청구항 7에 있어서,
상기 비전도성 접착제는 에폭시계 접착제, 아크릴계 접착제 및 실리콘계 접착제에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는,
마이크로 LED 구조체.

The method of claim 7,
Characterized in that the non-conductive adhesive is at least one selected from epoxy-based adhesives, acrylic adhesives and silicone-based adhesives,
Micro LED structure.
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