KR20230062310A - Plasma process monitoring device using terahertz wave and method of monitoring thereof - Google Patents
Plasma process monitoring device using terahertz wave and method of monitoring thereof Download PDFInfo
- Publication number
- KR20230062310A KR20230062310A KR1020210181471A KR20210181471A KR20230062310A KR 20230062310 A KR20230062310 A KR 20230062310A KR 1020210181471 A KR1020210181471 A KR 1020210181471A KR 20210181471 A KR20210181471 A KR 20210181471A KR 20230062310 A KR20230062310 A KR 20230062310A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- wafer
- plasma
- emitter
- optical system
- detector
- Prior art date
Links
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 title claims abstract description 138
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 113
- 238000012806 monitoring device Methods 0.000 title claims description 24
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 108
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 107
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 claims description 6
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920002600 TPX™ Polymers 0.000 claims description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 10
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 135
- 239000010408 film Substances 0.000 description 23
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 21
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 11
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
- H01J37/32972—Spectral analysis
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
- G01N21/35—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
- G01N21/3581—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light using far infrared light; using Terahertz radiation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Toxicology (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 테라헤르츠파를 이용한 플라즈마 공정 모니터링 장치 및 그 모니터링 방법에 관련된 것으로 보다 구체적으로는, 테라헤르츠파를 이용하여, 플라즈마 공정 시 웨이퍼가 인입되어 있는 플라즈마 챔버의 내부에 형성되는 플라즈마의 상태와, 플라즈마 공정을 통하여 표면에 막이 형성되는 웨이퍼의 상태를 동시에 모니터링할 수 있는, 테라헤르츠파를 이용한 플라즈마 공정 모니터링 장치 및 그 모니터링 방법에 관련된 것이다.The present invention relates to a plasma process monitoring device using terahertz waves and a method for monitoring the same, and more specifically, to a plasma process state and , It relates to a plasma process monitoring device using terahertz waves and a method for monitoring the same, which can simultaneously monitor the state of a wafer on which a film is formed on a surface through a plasma process.
일반적으로, 반도체, 태양전지 셀, 이차전지 막 등의 제조 시, 웨이퍼 위에 다양한 물질로 이루어진 박막층을 형성하는 공정이 필수적으로 사용된다. 예를 들어, 상기 박막층을 형성하는 공정에는 플라즈마 증착 공정과 플라즈마 식각 공정 있다.In general, when manufacturing semiconductors, solar cells, secondary battery films, etc., a process of forming a thin film layer made of various materials on a wafer is essentially used. For example, the process of forming the thin film layer includes a plasma deposition process and a plasma etching process.
종래에는 예를 들어, 반도체 제조 시, 플라즈마 공정에 따른 박막의 증착 및 식각 상태에 대하여 모니터링하였다.Conventionally, for example, during semiconductor manufacturing, the deposition and etching state of a thin film according to a plasma process was monitored.
이때, 플라즈마 특성 정보에 대한 파악은 제품, 즉, 반도체 품질에 직결되는 문제이나, 플라즈마의 특성 상 모니터링이 어렵다는 단점이 있다. 이에 따라, 종래의 경우, 플라즈마 공정 중 문제 발생 시 원인 규명이 쉽지 않은 문제가 있었다.At this time, the identification of plasma characteristic information is a problem directly related to the quality of a product, that is, a semiconductor, but has a disadvantage in that monitoring is difficult due to the characteristics of plasma. Accordingly, in the conventional case, when a problem occurs during a plasma process, it is not easy to identify the cause.
이에, 플라즈마 공정 중, 박막의 증착 및 식각 상태는 물론, 플라즈마의 상태까지 동시에 혹은 한꺼번에 모니터링할 수 있는 장치의 개발이 필요한 실정이다.Accordingly, there is a need to develop a device capable of simultaneously or collectively monitoring not only the deposition and etching state of a thin film, but also the state of plasma during a plasma process.
본 발명이 해결하고자 하는 일 기술적 과제는, 테라헤르츠파를 이용하여, 플라즈마 공정 시 웨이퍼가 인입되어 있는 플라즈마 챔버의 내부에 형성되는 플라즈마의 상태와, 플라즈마 공정을 통하여 표면에 막이 형성되는 웨이퍼의 상태를 동시에 모니터링할 수 있는, 테라헤르츠파를 이용한 플라즈마 공정 모니터링 장치 및 그 모니터링 방법을 제공하는데 있다.One technical problem to be solved by the present invention is a state of plasma formed inside a plasma chamber into which a wafer is introduced during a plasma process using terahertz waves, and a state of the wafer in which a film is formed on the surface through a plasma process. It is to provide a plasma process monitoring device using terahertz waves and a monitoring method thereof capable of simultaneously monitoring.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는, 웨이퍼의 각 픽셀 별로, 형성되는 막에 대한 식각 및 증착의 균일도 및 식각 및 증착 공정에 이용되는 플라즈마의 균일도를 확인할 수 있는, 테라헤르츠파를 이용한 플라즈마 공정 모니터링 장치 및 그 모니터링 방법을 제공하는데 있다.Another technical problem to be solved by the present invention is a plasma process using terahertz waves, which can check the uniformity of etching and deposition for each pixel of the wafer and the uniformity of plasma used in the etching and deposition process for the formed film. It is to provide a monitoring device and its monitoring method.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 상술된 것에 제한되지 않는다.The technical problem to be solved by the present invention is not limited to the above.
상기 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 테라헤르츠파를 이용한 플라즈마 공정 모니터링 장치를 제공한다.In order to solve the above technical problem, the present invention provides a plasma process monitoring device using terahertz waves.
일 실시 예에 따르면, 상기 테라헤르츠파를 이용한 플라즈마 공정 모니터링 장치는, 내부에 웨이퍼가 인입되어 있는 플라즈마 챔버의 외측에 상기 웨이퍼의 폭 방향과 평행한 방향으로 배치되며, 테라헤르츠파를 이용하여, 상기 웨이퍼 상에 막을 형성하기 위한 플라즈마 공정 시 상기 플라즈마 챔버의 내부에 형성되는 플라즈마를 모니터링하는 제1 모니터링 모듈; 및 상기 웨이퍼를 향하도록 상기 플라즈마 챔버의 외측에 상기 웨이퍼의 두께 방향으로 배치되며, 상기 테라헤르츠파를 이용하여, 상기 플라즈마 공정을 통하여 표면에 막이 형성되는 상기 웨이퍼를 모니터링하는 제2 모니터링 모듈을 포함할 수 있다.According to an embodiment, the plasma process monitoring device using terahertz waves is disposed outside of a plasma chamber into which a wafer is inserted in a direction parallel to the width direction of the wafer, and uses terahertz waves, a first monitoring module for monitoring plasma formed inside the plasma chamber during a plasma process for forming a film on the wafer; and a second monitoring module disposed outside the plasma chamber in a thickness direction of the wafer to face the wafer and monitoring the wafer having a film formed thereon through the plasma process using the terahertz waves. can do.
일 실시 예에 따르면, 상기 테라헤르츠파는 펄스형(pulsed type)으로 제공될 수 있다.According to an embodiment, the terahertz waves may be provided in a pulsed type.
일 실시 예에 따르면, 상기 플라즈마 챔버의 서로 마주하는 둘레 방향 일측 및 타측에는 제1 투과 윈도우 및 제2 투과 윈도우가 각각 마련되며, 상기 제1 모니터링 모듈은, 상기 제1 투과 윈도우와 마주하게 배치되며, 상기 제1 투과 윈도우 방향으로 테라헤르츠파를 발생시키는 제1 에미터; 상기 제2 투과 윈도우와 마주하게 배치되어 상기 제1 에미터와 일 방향으로 정렬되며, 상기 제1 에미터로부터 발생되어 상기 플라즈마 챔버 내부에 형성된 플라즈마를 통과하는 상기 테라헤르츠파를 검출하는 제1 디텍터; 및 상기 제1 디텍터에서 검출된 신호에 기반하여 상기 플라즈마의 상태를 분석하는 제1 연산부를 포함할 수 있다.According to an embodiment, a first transmission window and a second transmission window are provided on one side and the other side of the plasma chamber in the circumferential direction facing each other, and the first monitoring module is disposed facing the first transmission window, , a first emitter generating terahertz waves in a direction of the first transmission window; A first detector disposed facing the second transmission window, aligned in one direction with the first emitter, and detecting the terahertz wave generated from the first emitter and passing through the plasma formed inside the plasma chamber. ; and a first calculation unit analyzing a state of the plasma based on the signal detected by the first detector.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 모니터링 모듈은 제1 광학계 및 제2 광학계를 더 포함하되, 상기 제1 광학계는 상기 제1 에미터와 제1 투과 윈도우 사이에 마련되고, 상기 제2 광학계는 상기 제2 투과 윈도우와 상기 제1 디텍터 사이에 마련되며, 상기 제1 에미터로부터 발생되는 상기 테라헤르츠파는 상기 제1 광학계를 통하여 상기 플라즈마에 조사된 후 상기 제2 광학계에 의해 상기 제1 디텍터로 가이드될 수 있다.According to an embodiment, the first monitoring module further includes a first optical system and a second optical system, the first optical system is provided between the first emitter and the first transmission window, and the second optical system is It is provided between a second transmission window and the first detector, and the terahertz wave generated from the first emitter is irradiated to the plasma through the first optical system and then guided to the first detector by the second optical system. It can be.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 에미터는 상기 제1 투과 윈도우의 폭 방향으로 이동하면서 상기 테라헤르츠파를 발생시키며, 상기 제1 디텍터는 상기 제1 에미터의 이동에 연동되어 상기 제2 투과 윈도우의 폭 방향으로 이동하면서 상기 테라헤르츠파를 검출할 수 있다.According to an embodiment, the first emitter generates the terahertz waves while moving in a width direction of the first transmission window, and the first detector is interlocked with the movement of the first emitter to generate the second transmission window. The terahertz wave may be detected while moving in the width direction of .
일 실시 예에 따르면, 상기 플라즈마 챔버의 상측에는 제3 투과 윈도우가 마련되며, 상기 제2 모니터링 모듈은 투과 모드로 상기 웨이퍼를 모니터링하되, 상기 제3 윈도우와 마주하게 배치되며, 상기 제3 투과 윈도우 방향으로 테라헤르츠파를 발생시키는 제2 에미터; 상기 웨이퍼의 하측에 배치되어 상기 제2 에미터와 상기 웨이퍼의 두께 방향으로 정렬되며, 상기 제2 에미터로부터 발생되어 상기 웨이퍼를 투과하는 상기 테라헤르츠파를 검출하는 제2 디텍터; 및 상기 제2 디텍터에서 검출된 신호에 기반하여 상기 웨이퍼의 상태를 분석하는 제2 연산부를 포함할 수 있다.According to an embodiment, a third transmission window is provided above the plasma chamber, and the second monitoring module monitors the wafer in a transmission mode, but is disposed to face the third window, and the third transmission window a second emitter generating terahertz waves in a direction; a second detector disposed below the wafer, aligned with the second emitter in a thickness direction of the wafer, and configured to detect the terahertz wave generated from the second emitter and transmitted through the wafer; and a second calculation unit analyzing the state of the wafer based on the signal detected by the second detector.
일 실시 예에 따르면, 상기 제2 모니터링 모듈은 제3 광학계 및 제4 광학계를 더 포함하되, 상기 제3 광학계는 상기 제2 에미터와 제3 투과 윈도우 사이에 마련되고, 상기 제4 광학계는 상기 웨이퍼와 상기 제2 디텍터 사이에 마련되며, 상기 제2 에미터로부터 발생되는 상기 테라헤르츠파는 상기 제3 광학계를 통하여 상기 웨이퍼에 조사되어 상기 웨이퍼를 투과한 후 상기 제4 광학계에 의해 상기 제2 디텍터로 가이드될 수 있다.According to an embodiment, the second monitoring module further includes a third optical system and a fourth optical system, the third optical system is provided between the second emitter and the third transmission window, and the fourth optical system is It is provided between a wafer and the second detector, and the terahertz wave generated from the second emitter is irradiated to the wafer through the third optical system, passes through the wafer, and is then transmitted to the second detector by the fourth optical system. can be guided by
일 실시 예에 따르면, 상기 제2 모니터링 모듈은 상기 투과 모드를 반사 모드로 전환하여 상기 웨이퍼를 더 모니터링하되, 상기 제2 에미터의 일측에 배치되며, 상기 제2 에미터로부터 발생되어 상기 웨이퍼에 조사된 후 상기 웨이퍼로부터 반사되는 상기 테라헤르츠파를 검출하는 제3 디텍터; 및 상기 제3 디텍터에서 검출된 신호에 기반하여 상기 웨이퍼의 상태를 분석하는 제3 연산부를 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, the second monitoring module further monitors the wafer by switching the transmission mode to a reflection mode, is disposed on one side of the second emitter, and generates light from the second emitter to the wafer. a third detector for detecting the terahertz waves reflected from the wafer after irradiation; and a third calculation unit analyzing a state of the wafer based on the signal detected by the third detector.
일 실시 예에 따르면, 상기 제2 모니터링 모듈은 제5 광학계를 더 포함하되, 상기 제5 광학계는 상기 제3 광학계와 제3 디텍터 사이에 마련되며, 상기 제2 에미터로부터 발생되는 상기 테라헤르츠파는 상기 제3 광학계를 통하여 상기 웨이퍼에 조사된 후 상기 웨이퍼로부터 반사되고 상기 제3 광학계에 의해 집속되어 상기 제5 광학계 측으로 조사된 후 상기 제5 광학계에 의해 상기 제3 디텍터로 가이드될 수 있다.According to an embodiment, the second monitoring module further includes a fifth optical system, the fifth optical system is provided between the third optical system and a third detector, and the terahertz waves generated from the second emitter After being irradiated onto the wafer through the third optical system, the light is reflected from the wafer, focused by the third optical system, irradiated toward the fifth optical system, and guided to the third detector by the fifth optical system.
일 실시 예에 따르면, 상기 제2 에미터는 상기 제3 투과 윈도우의 폭 방향으로 이동하면서 상기 테라헤르츠파를 발생시키며, 상기 제2 디텍터는 상기 제2 에미터의 이동에 연동되어 상기 웨이퍼의 폭 방향으로 이동하면서 상기 웨이퍼를 투과하는 상기 테라헤르츠파를 검출할 수 있다.According to an embodiment, the second emitter generates the terahertz waves while moving in the width direction of the third transmission window, and the second detector is interlocked with the movement of the second emitter in the width direction of the wafer. It is possible to detect the terahertz wave passing through the wafer while moving.
일 실시 예에 따르면, 상기 제2 모니터링 모듈은 상기 투과 모드를 반사 모드로 전환하여 상기 웨이퍼를 모니터링하되, 상기 제2 에미터의 일측에 배치되며, 상기 제2 에미터로부터 발생되어 상기 웨이퍼에 조사된 후 상기 웨이퍼로부터 반사되는 상기 테라헤르츠파를 검출하는 제3 디텍터; 상기 제3 디텍터에서 검출된 신호에 기반하여 상기 웨이퍼의 상태를 분석하는 제3 연산부; 및 상기 웨이퍼와 제3 디텍터 사이에 마련되는 제6 광학계를 더 포함하며, 상기 제2 에미터는 상기 제3 투과 윈도우의 폭 방향으로 이동하면서 상기 테라헤르츠파를 발생시키며, 상기 제6 광학계는 상기 제2 에미터의 이동에 연동되면서 상기 웨이퍼로부터 반사되는 상기 테라헤르츠파를 상기 제3 디텍터로 가이드할 수 있다.According to an embodiment, the second monitoring module monitors the wafer by switching the transmission mode to a reflection mode, is disposed on one side of the second emitter, and irradiates light generated from the second emitter to the wafer a third detector for detecting the terahertz waves that are reflected from the wafer; a third calculation unit analyzing a state of the wafer based on the signal detected by the third detector; and a sixth optical system provided between the wafer and a third detector, wherein the second emitter generates the terahertz waves while moving in a width direction of the third transmission window, and the sixth optical system 2 The terahertz wave reflected from the wafer may be guided to the third detector while interlocking with the movement of the emitter.
일 실시 예에 따르면, 상기 플라즈마 챔버의 서로 마주하는 둘레 방향 일측 및 타측에는 제1 투과 윈도우 및 제2 투과 윈도우가 각각 마련되고, 상측에는 제3 투과 윈도우가 마련되되, 상기 제1 투과 윈도우 내지 제3 투과 윈도우는 상기 테라헤르츠파를 투과시킬 수 있는 Si, HRFZ-SI, PTFE, PTFE, TPX 및 쿼츠(SiO2)를 포함하는 후보 물질군 중에서 선택된 어느 하나의 물질로 이루어질 수 있다.According to an embodiment, a first transmission window and a second transmission window are provided on one side and the other side of the plasma chamber in the circumferential direction facing each other, and a third transmission window is provided on the upper side, and the first transmission window to the second transmission window are provided. The three transmission windows may be formed of any one material selected from a candidate material group including Si, HRFZ-SI, PTFE, PTFE, TPX, and quartz (SiO 2 ) capable of transmitting the terahertz wave.
한편, 본 발명은, 테라헤르츠파를 이용한 플라즈마 공정 모니터링 방법을 제공한다.Meanwhile, the present invention provides a plasma process monitoring method using terahertz waves.
일 실시 예에 따르면, 상기 테라헤르츠파를 이용한 플라즈마 공정 모니터링 방법은, 테라헤르츠파를 이용하여, 플라즈마 챔버의 내부에 인입되어 있는 웨이퍼 상에 막을 형성하기 위한 플라즈마 공정 시 상기 플라즈마 챔버의 내부에 형성되는 플라즈마를 모니터링하는 단계; 및 상기 테라헤르츠파를 이용하여, 상기 플라즈마 공정을 통하여 표면에 막이 형성되는 상기 웨이퍼를 모니터링하는 단계를 포함하되, 상기 플라즈마를 모니터링하는 단계와 상기 웨이퍼를 모니터링하는 단계는 동시 진행 가능하며, 상기 테라헤르츠파는 펄스형(pulsed type)으로 제공될 수 있다.According to an embodiment, the plasma process monitoring method using terahertz waves is formed inside the plasma chamber during a plasma process for forming a film on a wafer drawn into the inside of the plasma chamber using terahertz waves. monitoring the plasma; and monitoring the wafer having a film formed thereon through the plasma process using the terahertz wave, wherein the monitoring of the plasma and the monitoring of the wafer may be performed simultaneously, and the terahertz wave may be performed at the same time. Hertz waves may be provided in a pulsed type.
일 실시 예에 따르면, 상기 플라즈마를 모니터링하는 단계는 상기 플라즈마 챔버의 내부에 형성되는 플라즈마를 통과하는 테라헤르츠파를 검출한 신호에 기반하여 상기 플라즈마의 상태를 분석하고, 상기 웨이퍼를 모니터링하는 단계는 상기 웨이퍼를 투과하는 테라헤르츠파를 검출한 신호에 기반하여 상기 웨이퍼의 상태를 분석하거나 상기 웨이퍼로부터 반사되는 테라헤르츠파를 검출한 신호에 기반하여 상기 웨이퍼의 상태를 분석할 수 있다.According to an embodiment, the monitoring of the plasma may include analyzing a state of the plasma based on a signal obtained by detecting a terahertz wave passing through the plasma formed inside the plasma chamber, and monitoring the wafer. The state of the wafer may be analyzed based on the detected signal of the terahertz wave passing through the wafer, or the state of the wafer may be analyzed based on the detected signal of the terahertz wave reflected from the wafer.
본 발명의 실시 예에 따르면, 내부에 웨이퍼가 인입되어 있는 플라즈마 챔버의 외측에 상기 웨이퍼의 폭 방향과 평행한 방향으로 배치되며, 테라헤르츠파를 이용하여, 상기 웨이퍼 상에 막을 형성하기 위한 플라즈마 공정 시 상기 플라즈마 챔버의 내부에 형성되는 플라즈마를 모니터링하는 제1 모니터링 모듈; 및 상기 웨이퍼를 향하도록 상기 플라즈마 챔버의 외측에 상기 웨이퍼의 두께 방향으로 배치되며, 상기 테라헤르츠파를 이용하여, 상기 플라즈마 공정을 통하여 표면에 막이 형성되는 상기 웨이퍼를 모니터링하는 제2 모니터링 모듈을 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a plasma process for forming a film on a wafer by using terahertz waves is disposed outside a plasma chamber into which a wafer is inserted in a direction parallel to the width direction of the wafer. a first monitoring module for monitoring the plasma formed inside the plasma chamber; and a second monitoring module disposed outside the plasma chamber in a thickness direction of the wafer to face the wafer and monitoring the wafer having a film formed thereon through the plasma process using the terahertz waves. can do.
이에 따라, 플라즈마 공정 시 웨이퍼가 인입되어 있는 플라즈마 챔버의 내부에 형성되는 플라즈마의 상태와, 플라즈마 공정을 통하여 표면에 막이 형성되는 웨이퍼의 상태를 동시에 모니터링할 수 있는, 테라헤르츠파를 이용한 플라즈마 공정 모니터링 장치 및 그 모니터링 방법이 제공될 수 있다.Accordingly, plasma process monitoring using terahertz waves can simultaneously monitor the state of plasma formed inside the plasma chamber into which the wafer is introduced during the plasma process and the state of the wafer where a film is formed on the surface through the plasma process. An apparatus and a monitoring method thereof may be provided.
이와 같이, 플라즈마의 양과 웨이퍼 상에 행해지는 식각 및 증착 공정을 서로 연계하여 모니터링할 수 있으므로, 웨이퍼 상에 형성되는 막에 대한 식각 및 증착 품질 향상에 도움을 줄 수 있다.In this way, since the amount of plasma and the etching and deposition processes performed on the wafer can be monitored in association with each other, it is possible to help improve the etching and deposition quality of the film formed on the wafer.
또한, 본 발명의 실시 예에 따르면, 기판의 웨이퍼의 각 픽셀 별로, 형성되는 막에 대한 식각 및 증착의 균일도 및 식각 및 증착 공정에 이용되는 플라즈마의 균일도를 확인할 수 있으며, 이에 따라, 웨이퍼에 식각이나 증착 불균일이 발생된 경우, 플라즈마가 원인인지 여부를 확인할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, it is possible to check the uniformity of etching and deposition for each pixel of the wafer of the substrate and the uniformity of the plasma used in the etching and deposition process for the film to be formed. Accordingly, the wafer is etched However, if deposition non-uniformity occurs, it can be confirmed whether plasma is the cause.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 테라헤르츠파를 이용한 플라즈마 공정 모니터링 장치를 설명하기 위한 개념도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 테라헤르츠파를 이용한 플라즈마 공정 모니터링 장치에 적용되는 테라헤르츠파의 유형을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 테라헤르츠파를 이용한 플라즈마 공정 모니터링 장치를 나타낸 블록도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 테라헤르츠파를 이용한 플라즈마 공정 모니터링 장치의 제1 모니터링 모듈을 설명하기 위한 모식도이다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 테라헤르츠파를 이용한 플라즈마 공정 모니터링 장치의 제1 모니터링 모듈에 구비되는 광학계를 설명하기 위한 참고도들이다.
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 테라헤르츠파를 이용한 플라즈마 공정 모니터링 장치에서, 제2 모니터링 모듈의 투과 모드를 설명하기 위한 모식도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시 예에 따른 테라헤르츠파를 이용한 플라즈마 공정 모니터링 장치에서, 제2 모니터링 모듈의 반사 모드를 설명하기 위한 모식도이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 테라헤르츠파를 이용한 플라즈마 공정 모니터링 장치를 나타낸 블록도이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 테라헤르츠파를 이용한 플라즈마 공정 모니터링 장치의 제1 모니터링 모듈을 설명하기 위한 모식도이다.
도 11은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 테라헤르츠파를 이용한 플라즈마 공정 모니터링 장치에서, 제2 모니터링 모듈의 투과 모드를 설명하기 위한 모식도이다.
도 12는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 테라헤르츠파를 이용한 플라즈마 공정 모니터링 장치에서, 제2 모니터링 모듈의 반사 모드를 설명하기 위한 모식도이다.
도 13 내지 도 15는 본 발명의 투과 모드를 통하여 SiN의 증착 두께를 모니터링한 결과를 나타낸 그래프들이다.
도 16 및 도 17은 본 발명의 반사 모드를 통하여 SiN 두께를 예측하기 위한 그래프들이다.
도 18 내지 도 20은 실리콘 웨이퍼 상에 증착되는 물질에 따른 테라헤르츠파의 굴절률, 흡광 계수 및 굴절률과 흡광 계수의 관계로 구분한 그래프들이다.
도 21은 펄스형 테라헤르츠 장비의 투과 모드를 통해 수집된 파형을 나타낸 그래프이다.
도 22 내지 도 24는 본 발명의 투과 모드를 이용한 플라즈마 공정 조건 별 테라헤르츠파, 이의 세기 변화 및 위상 변화를 나타낸 그래프들이다.
도 25는 본 발명의 일 실시 예에 따른 테라헤르츠파를 이용한 플라즈마 공정 모니터링 방법을 나타낸 흐름도이다.1 is a conceptual diagram for explaining a plasma process monitoring apparatus using terahertz waves according to an embodiment of the present invention.
2 is a diagram for explaining types of terahertz waves applied to a plasma process monitoring apparatus using terahertz waves according to an embodiment of the present invention.
3 is a block diagram illustrating a plasma process monitoring apparatus using terahertz waves according to an embodiment of the present invention.
4 is a schematic diagram for explaining a first monitoring module of a plasma process monitoring apparatus using terahertz waves according to an embodiment of the present invention.
5 and 6 are reference views for explaining an optical system provided in a first monitoring module of a plasma process monitoring apparatus using terahertz waves according to an embodiment of the present invention.
7 is a schematic diagram illustrating a transmission mode of a second monitoring module in a plasma process monitoring apparatus using terahertz waves according to an embodiment of the present invention.
8 is a schematic diagram illustrating a reflection mode of a second monitoring module in a plasma process monitoring apparatus using terahertz waves according to an embodiment of the present invention.
9 is a block diagram illustrating a plasma process monitoring apparatus using terahertz waves according to another embodiment of the present invention.
10 is a schematic diagram for explaining a first monitoring module of a plasma process monitoring apparatus using terahertz waves according to another embodiment of the present invention.
11 is a schematic diagram for explaining a transmission mode of a second monitoring module in a plasma process monitoring apparatus using terahertz waves according to another embodiment of the present invention.
12 is a schematic diagram for explaining a reflection mode of a second monitoring module in a plasma process monitoring apparatus using terahertz waves according to another embodiment of the present invention.
13 to 15 are graphs showing the results of monitoring the deposition thickness of SiN through the transmission mode of the present invention.
16 and 17 are graphs for predicting SiN thickness through the reflection mode of the present invention.
18 to 20 are graphs classified into a refractive index, an extinction coefficient, and a relationship between a refractive index and an extinction coefficient of terahertz waves according to materials deposited on a silicon wafer.
21 is a graph showing waveforms collected through transmission mode of pulsed terahertz equipment.
22 to 24 are graphs showing terahertz waves, their intensity change, and phase change for each plasma process condition using the transmission mode of the present invention.
25 is a flowchart illustrating a plasma process monitoring method using terahertz waves according to an embodiment of the present invention.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명할 것이다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화 될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the technical spirit of the present invention is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided so that the disclosed content will be thorough and complete, and the spirit of the present invention will be sufficiently conveyed to those skilled in the art.
본 명세서에서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3 의 구성요소가 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 도면들에 있어서, 형상 및 크기는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. In this specification, when an element is referred to as being on another element, it means that it may be directly formed on the other element or a third element may be interposed therebetween. Also, in the drawings, shapes and sizes are exaggerated for effective description of technical content.
또한, 본 명세서의 다양한 실시 예 들에서 제1, 제2, 제3 등의 용어가 다양한 구성요소들을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 구성요소들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 구성요소를 다른 구성요소와 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 따라서, 어느 한 실시 예에 제1 구성요소로 언급된 것이 다른 실시 예에서는 제2 구성요소로 언급될 수도 있다. 여기에 설명되고 예시되는 각 실시 예는 그것의 상보적인 실시 예도 포함한다. 또한, 본 명세서에서 '및/또는'은 전후에 나열한 구성요소들 중 적어도 하나를 포함하는 의미로 사용되었다.In addition, although terms such as first, second, and third are used to describe various elements in various embodiments of the present specification, these elements should not be limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another. Therefore, what is referred to as a first element in one embodiment may be referred to as a second element in another embodiment. Each embodiment described and illustrated herein also includes its complementary embodiments. In addition, in this specification, 'and/or' is used to mean including at least one of the elements listed before and after.
명세서에서 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함한다. 또한, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 배제하는 것으로 이해되어서는 안 된다. 또한, 본 명세서에서 "연결"은 복수의 구성 요소를 간접적으로 연결하는 것, 및 직접적으로 연결하는 것을 모두 포함하는 의미로 사용된다. In the specification, expressions in the singular number include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In addition, the terms "comprise" or "having" are intended to designate that the features, numbers, steps, components, or combinations thereof described in the specification exist, but one or more other features, numbers, steps, or components. It should not be construed as excluding the possibility of the presence or addition of elements or combinations thereof. In addition, in this specification, "connection" is used to mean both indirectly and directly connecting a plurality of components.
또한, 하기에서 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 것이다.In addition, in the following description of the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description will be omitted.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 테라헤르츠파를 이용한 플라즈마 공정 모니터링 장치를 설명하기 위한 개념도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 테라헤르츠파를 이용한 플라즈마 공정 모니터링 장치에 적용되는 테라헤르츠파의 유형을 설명하기 위한 도면이며, 도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 테라헤르츠파를 이용한 플라즈마 공정 모니터링 장치를 나타낸 블록도이고, 도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 테라헤르츠파를 이용한 플라즈마 공정 모니터링 장치의 제1 모니터링 모듈을 설명하기 위한 모식도이며, 도 5 및 도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 테라헤르츠파를 이용한 플라즈마 공정 모니터링 장치의 제1 모니터링 모듈에 구비되는 광학계를 설명하기 위한 참고도들이고, 도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 테라헤르츠파를 이용한 플라즈마 공정 모니터링 장치에서, 제2 모니터링 모듈의 투과 모드를 설명하기 위한 모식도이며, 도 8은 본 발명의 일 실시 예에 따른 테라헤르츠파를 이용한 플라즈마 공정 모니터링 장치에서, 제2 모니터링 모듈의 반사 모드를 설명하기 위한 모식도이다.1 is a conceptual diagram for explaining a plasma process monitoring device using terahertz waves according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a diagram applied to a plasma process monitoring device using terahertz waves according to an embodiment of the present invention. 3 is a block diagram illustrating a plasma process monitoring apparatus using terahertz waves according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a diagram for explaining types of terahertz waves. 5 and 6 are schematic diagrams for explaining a first monitoring module of a plasma process monitoring device using hertz waves, and FIGS. 5 and 6 are provided in the first monitoring module of a plasma process monitoring device using terahertz waves according to an embodiment of the
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 공정 모니터링 장치(도 3의 100)는 테라헤르츠파(THz 파)를 이용하여, 플라즈마 공정 시 웨이퍼(wafer)가 인입되어 있는 플라즈마 챔버(10)의 내부에 형성되는 플라즈마(plasma)와, 플라즈마 공정, 예를 들어, 플라즈마 식각 공정 및 플라즈마 증착 공정을 통하여 표면에 막이 형성되는 웨이퍼를 동시에 모니터링할 수 있는 장치이다.As shown in FIG. 1, the plasma process monitoring apparatus (100 in FIG. 3) according to an embodiment of the present invention uses terahertz waves (THz waves) to plasma into which a wafer is drawn during a plasma process. It is a device capable of simultaneously monitoring plasma formed inside the
이때, 테라헤르츠파를 이용하여, 플라즈마 챔버(10)의 내부에 형성되는 플라즈마를 모니터링하기 위하여, 플라즈마 챔버(10)의 서로 마주하는 둘레 방향 일측 및 타측에는 제1 투과 윈도우(11) 및 제2 투과 윈도우(12)가 각각 마련될 수 있다.At this time, in order to monitor the plasma formed inside the
또한, 테라헤르츠파를 이용하여, 플라즈마 공정을 통해 표면에 막이 형성되는 웨이퍼를 모니터링하기 위하여, 플라즈마 챔버(10)의 상측에는 제3 투과 윈도우(13)가 마련될 수 있다. 이때, 상기 웨이퍼에 대한 모니터링은 투과 모드 및 반사 모드 중 어느 하나의 측정 모드를 통하여 이루어질 수 있는데, 이에 대해서는 하기에서 보다 상세히 설명하기로 한다.In addition, a
상기 제1 투과 윈도우(11), 제2 투과 윈도우(12) 및 제3 투과 윈도우(13)는 테라헤르츠파가 투과할 수 있는 재질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 투과 윈도우(11), 제2 투과 윈도우(12) 및 제3 투과 윈도우(13)는 상기 테라헤르츠파에 대한 투과율이 높은, Si, HRFZ-SI, PTFE, PTFE, TPX 및 쿼츠(SiO2)를 포함하는 후보 물질군 중에서 선택된 어느 하나의 물질로 이루어질 수 있다.The
한편, 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 테라헤르츠파는 펄스형(pulsed type)으로 제공될 수 있다. 펄스형 테라헤르츠파 발생을 위한 펌프광으로 기능하는 펨토세컨드 레이저가 후술되는 제1 에미터(emitter)(도 4의 111)에 조사됨으로써, 제1 에미터(111)에서 펄스형 테라헤르츠파가 발생될 수 있다.Meanwhile, as shown in FIG. 2 , according to an embodiment of the present invention, the terahertz waves may be provided in a pulsed type. A femtosecond laser functioning as a pump light for generating pulsed terahertz waves is irradiated to a first emitter (111 in FIG. 4 ) to be described later, and pulsed terahertz waves are generated in the
이러한 펄스형 테라헤르츠파는 수 많은 주파수가 담겨 있기 때문에 한번에 디텍팅이 가능한 장점이 있다. 반면, 이와 대비되는 CW형(continuous wave type) 테라헤르츠파는 하나의 주파수만을 사용하기 때문에 주파수 변동에 시간이 소요되어, 스캐닝에 분리한 문제가 있다. 이에, 본 발명에서는 펄스형 테라헤르츠파를 이용하여, 플라즈마와 웨이퍼를 동시에 모니터링한다.Because these pulsed terahertz waves contain numerous frequencies, they have the advantage of being able to be detected at once. On the other hand, since a continuous wave type (CW) terahertz wave, which is in contrast thereto, uses only one frequency, it takes time to change the frequency, so there is a problem in that the scanning is separated. Accordingly, in the present invention, the plasma and the wafer are simultaneously monitored using pulsed terahertz waves.
도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 공정 모니터링 장치(100)는 제1 모니터링 모듈(110) 및 제2 모니터링 모듈(120)을 포함하여 형성될 수 있다.Referring to FIG. 3 , a plasma
도 4를 더 참조하면, 상기 제1 모니터링 모듈(110)은 내부에 웨이퍼(wafer)가 인입되어 있는 플라즈마 챔버(10)의 외측에 배치될 수 있다. 이때, 제1 모니터링 모듈(110)은 플라즈마 챔버(10)의 외측에 웨이퍼의 폭 방향과 평행한 방향으로 배치될 수 있다.Referring further to FIG. 4 , the first monitoring module 110 may be disposed outside the
이러한 제1 모니터링 모듈(110)은 테라헤르츠파를 이용하여, 웨이퍼 상에 막을 형성하기 위한 플라즈마 공정 시 플라즈마 챔버(10)의 내부에 형성되는 플라즈마(plasma)를 모니터링할 수 있다.The first monitoring module 110 may use terahertz waves to monitor plasma formed inside the
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 제1 모니터링 모듈(110)은 제1 에미터(111), 제1 디텍터(112) 및 제1 연산부(113)를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the first monitoring module 110 may include a
상기 제1 에미터(emitter)(111)는 플라즈마 챔버(10)의 둘레 방향 외측에 배치될 수 있다. 상기 제1 에미터(111)는 플라즈마 챔버(10)의 둘레 방향 일측에 마련되는 제1 투과 윈도우(11)와 마주하게 배치될 수 있다.The
이러한 제1 에미터(111)는 제1 투과 윈도우(11) 방향으로 펄스형 테라헤르츠파를 발생시킬 수 있다.The
상기 제1 디텍터(detector)(112)는 제1 에미터(111)와 마찬가지로, 플라즈마 챔버(10)의 둘레 방향 외측에 배치될 수 있다. 상기 제1 디텍터(112)는 플라즈마 챔버(10)의 둘레 방향 타측에 마련되는 제2 투과 윈도우(12)와 마주하게 배치될 수 있다.Like the
이러한 제1 디텍터(112)는 제1 에미터(111)로부터 발생되어 플라즈마 챔버(10) 내부에 형성된 플라즈마를 통과하는 펄스형 테라헤르츠파를 검출할 수 있다.The
즉, 제1 에미터(111)로부터 발생되는 펄스형 테라헤르츠파는 제1 투과 윈도우(11), 플라즈마 챔버(10) 내부에 형성되는 플라즈마 및 제2 투과 윈도우(12)를 차례로 통과하여 제1 디텍터(112)에 의해 검출될 수 있다.That is, the pulsed terahertz waves generated from the
상기 제1 연산부(113)는 제1 디텍터(112)에서 검출된 신호에 기반하여 플라즈마의 상태를 분석할 수 있다. 예를 들어, 제1 연산부(113)는 제1 디텍터(112)에서 검출된 펄스형 테라헤르츠파의 피크 위치를 통하여 플라즈마 환경에 따른 테라헤르츠파의 위상(time) 및 세기(amplitude) 변화를 연산할 수 있다. 이와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 제1 연산부(113)를 통하여, 플라즈마 환경에 따른 테라헤르츠파의 위상 및 세기 변화를 연산함으로써, 플라즈마의 상태를 모니터링할 수 있다.The first calculator 113 may analyze the state of plasma based on the signal detected by the
한편, 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 제1 모니터링 모듈(110)은 제1 에미터(111)로부터 발생되어 제1 투과 윈도우(11), 플라즈마 챔버(10) 내부에 형성되는 플라즈마 및 제2 투과 윈도우(12)를 차례로 통과하여 제1 디텍터(112)에 의해 검출되는 테라헤르츠파의 감도를 극대화하기 위하여, 제1 광학계(114) 및 제2 광학계(115)를 더 포함할 수 있다.On the other hand, according to an embodiment of the present invention, the first monitoring module 110 is generated from the
상기 제1 광학계(114) 및 제2 광학계(115)는 플라즈마 챔버(10)의 외측에 배치될 수 있다. 그리고 상기 제1 광학계(114) 및 제2 광학계(115)는 플라즈마 챔버(10)의 둘레 방향 일측에 배치되는 제1 에미터(111)로부터 발생되는 펄스형 테라헤르츠파의 전파 경로 상에 배치될 수 있다.The first
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 제1 광학계(114)는 제1 에미터(111)와 플라즈마 챔버(10)의 둘레 방향 일측에 형성되는 제1 투과 윈도우(11) 사이에 마련될 수 있다. 또한, 상기 제2 광학계(115)는 플라즈마 챔버(10)의 둘레 방향 타측에 형성되는 제2 투과 윈도우(12)와 제1 디텍터(112) 사이에 마련될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the first
상기 제1 에미터(111)와 제1 광학계(114) 및 제2 광학계(115)와 제1 디텍터(112)는 플라즈마 챔버(10) 내부에 형성된 플라즈마를 사이에 두고 일 방향으로 정렬될 수 있다.The
상기 제1 에미터(111)로부터 발생되는 테라헤르츠파는 제1 광학계(114)를 통하여 플라즈마에 조사된 후 제2 광학계(115)에 의해 제1 디텍터(112)로 가이드될 수 있다.The terahertz wave generated from the
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 이러한 제1 광학계(114)와 제2 광학계(115)는 렌즈 형태로 구비될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the first
도 5를 참조하면, 제1 광학계(114)와 제2 광학계(115)는 예를 들어, 볼록 렌즈 형태로 구비될 수 있다. 이때, 제1 투과 윈도우(11)와 제2 투과 윈도우(12)는 평면 렌즈 역할을 할 수 있다.Referring to FIG. 5 , the first
또한, 도 6을 참조하면, 제1 광학계(114)와 제2 광학계(115)는 예를 들어, F-THETA 렌즈 형태로 구비될 수 있다. 이때, 제1 투과 윈도우(11)와 제2 투과 윈도우(12)는 마찬가지로 평면 렌즈 역할을 할 수 있다.Also, referring to FIG. 6 , the first
하지만, 이 외에도 제1 광학계(114)와 제2 광학계(115)는 비구면 렌즈, Telecentric 렌즈, meniscus 렌즈, Axicon 렌즈 중 어느 하나 또는 이들의 조합으로도 이루어질 수 있다.However, in addition to this, the first
상기 제2 모니터링 모듈(120)은 플라즈마 챔버(10)의 외측에 웨이퍼를 향하도록 배치될 수 있다. 이때, 제2 모니터링 모듈(120)은 웨이퍼의 두께 방향으로 배치될 수 있다.The second monitoring module 120 may be disposed outside the
이러한 제2 모니터링 모듈(120)은 테라헤르츠파를 이용하여, 플라즈마 공정을 통해 표면에 막이 형성되는 웨이퍼를 모니터링할 수 있다.The second monitoring module 120 may use terahertz waves to monitor a wafer on which a film is formed on a surface through a plasma process.
이때, 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 제2 모니터링 모듈(120)은 투과 모드 및 반사 모드 중 어느 하나의 측정 모드를 통하여 상기 웨이퍼를 모니터링할 수 있다.At this time, according to an embodiment of the present invention, the second monitoring module 120 may monitor the wafer through any one of the transmission mode and the reflection mode.
도 7을 참조하면, 상기 제2 모니터링 모듈(120)은 제2 에미터(121), 제2 디텍터(122) 및 제2 연산부(123)를 포함할 수 있으며, 이들을 통하여 투과 모드로 상기 웨이퍼를 모니터링할 수 있다.Referring to FIG. 7 , the second monitoring module 120 may include a
상기 제2 에미터(121)는 플라즈마 챔버(10)의 상측에 배치될 수 있다. 상기 제2 에미터(121)는 플라즈마 챔버(10)의 상단에 마련되는 제3 투과 윈도우(13)와 마주하게 배치될 수 있다.The
이러한 제2 에미터(121)는 제3 투과 윈도우(13) 방향으로 펄스형 테라헤르츠파를 발생시킬 수 있다.The
상기 제2 디텍터(122)는 웨이퍼의 하측에 배치될 수 있다. 제2 디텍터(122)는 플라즈마 챔버(10)의 하측에 배치될 수 있다. 제2 디텍터(122)는 제2 에미터(121)와 웨이퍼의 두께 방향으로 정렬될 수 있다.The
이러한 제2 디텍터(122)는 제2 에미터(121)로부터 발생되어 웨이퍼를 투과하는 펄스형 테라헤르츠파를 검출할 수 있다.The
즉, 제2 에미터(121)로부터 발생되는 펄스형 테라헤르츠파는 제3 투과 윈도우(13), 플라즈마 챔버(10) 내부에 형성되는 플라즈마, 플라즈마 챔버(10)의 바닥면에 안착되어 있는 웨이퍼 및 플라즈마 챔버(10)의 바닥면을 차례로 투과한 후 제2 디텍터(122)에 의해 검출될 수 있다.That is, the pulsed terahertz waves generated from the
상기 제2 연산부(123)는 제2 디텍터(122)에서 검출된 신호에 기반하여 웨이퍼의 상태를 분석할 수 있다. 제2 연산부(123)는 제2 디텍터(122)에서 검출된 테라헤르츠파의 위상, 세기, 굴절률 및 흡광 계수 변화를 통하여, 플라즈마 공정 시 웨이퍼의 상태, 예를 들어, 웨이퍼 상에 막으로 형성되는 SiN의 증착 두께를 모니터링할 수 있다.The second calculator 123 may analyze the state of the wafer based on the signal detected by the
이때, 제2 모니터링 모듈(120)은 제2 에미터(121) 및 제2 디텍터(122)를 통하여 웨이퍼 상에 구획되어 있는 픽셀들 중 단일 픽셀을 타겟으로 모니터링할 수 있으며, 동시에 다수의 픽셀에 대해서도 모니터링할 수 있다. 이때, 동시에 다수의 픽셀에 대한 모니터링은 단일 픽셀을 타겟으로 모니터링하는 제2 에미터(121)와 제2 디텍터(122)로 다수의 픽셀을 스캐닝하는 방식으로 이루어질 수 있다.At this time, the second monitoring module 120 may monitor a single pixel among the pixels partitioned on the wafer as a target through the
한편, 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 제2 모니터링 모듈(120)은 제2 에미터(121)로부터 발생되어 제3 투과 윈도우(13), 플라즈마 챔버(10) 내부에 형성되는 플라즈마, 플라즈마 챔버(10)의 바닥면에 안착되어 있는 웨이퍼 및 플라즈마 챔버(10)의 바닥면을 차례로 투과하여 제2 디텍터(122)에 의해 검출되는 테라헤르츠파의 감도를 극대화하기 위하여, 제3 광학계(124) 및 제4 광학계(125)를 더 포함할 수 있다.Meanwhile, according to an embodiment of the present invention, the second monitoring module 120 generates plasma from the
상기 제3 광학계(124)와 제4 광학계(125)는 플라즈마 챔버(10)의 외측에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제3 광학계(124)와 제4 광학계(125)는 플라즈마 챔버(10)의 상측에 배치되는 제2 에미터(121)로부터 발생되는 펄스형 테라헤르츠파의 전파 경로 상에 배치될 수 있다.The third
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 제3 광학계(124)는 제2 에미터(121)와 플라즈마 챔버(10)의 상측에 형성되는 제3 투과 윈도우(13) 사이에 마련될 수 있다. 또한, 상기 제4 광학계(125)는 웨이퍼와 제2 디텍터(122) 사이, 보다 상세하게는 플라즈마 챔버(10)의 바닥면과 제2 디텍터(122) 사이에 마련될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the third
상기 제2 에미터(121)와 제3 광학계(124) 및 제4 광학계(125)와 제2 디텍터(122)는 플라즈마 챔버(10) 내부에 안착되어 있는 웨이퍼를 사이에 두고 일 방향, 즉, 웨이퍼의 두께 방향으로 정렬될 수 있다.The
상기 제2 에미터(121)로부터 발생되는 테라헤르츠파는 제3 광학계(124)를 통하여 웨이퍼에 조사되고, 상기 웨이퍼를 투과한 후 상기 제4 광학계(125)에 의해 제2 디텍터(122)로 가이드될 수 있다.Terahertz waves generated from the
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 이러한 제3 광학계(124) 및 제4 광학계(125)는 제1 광학계(114) 및 제2 광학계(115)와 마찬가지로 렌즈 형태로 구비될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the third
제3 광학계(124) 및 제4 광학계(125)는 예를 들어, 볼록 렌즈, F-THETA 렌즈, 평면 렌즈, 비구면 렌즈, Telecentric 렌즈, meniscus 렌즈, Axicon 렌즈 중 어느 하나 또는 이들의 조합으로 이루어질 수 있다.The third
한편, 도 8을 참조하면, 상기 제2 모니터링 모듈(120)은 제3 디텍터(126), 제3 연산부(127) 및 제5 광학계(128)를 더 포함할 수 있다. 이를 통해, 제2 모니터링 모듈(120)은 투과 모드를 반사 모드로 전환하여 반사 모드로 웨이퍼를 모니터링할 수 있다.Meanwhile, referring to FIG. 8 , the second monitoring module 120 may further include a
상기 제3 디텍터(126)는 플라즈마 챔버(10)의 상측에 배치될 수 있다. 상기 제3 디텍터(126)는 제2 에미터(121)의 일측에 배치될 수 있다. 이때, 제3 디텍터(126)는 제2 에미터(121)로부터 발생되는 펄스형 테라헤르츠파의 전파 경로와 다른 경로를 향하도록 배치될 수 있다.The
이러한 제3 디텍터(126)는 제2 에미터(121)로부터 발생되어 웨이퍼에 조사된 후 상기 웨이퍼로부터 반사되는 펄스형 테라헤르츠파를 검출할 수 있다.The
상기 제3 연산부(127)는 제3 디텍터(126)에서 검출된 신호에 기반하여 웨이퍼의 상태를 분석할 수 있다. 예를 들어, 제3 연산부(127)는 테라헤르츠파의 굴절률과, 웨이퍼 상에 형성되는 SiN 막의 두께 관계 및 테라헤르츠파의 흡광 계수와 SiN 막의 두께 관계를 통하여 SiN의 증착 두께를 예측할 수 있다.The
상기 제5 광학계(128)는 제3 광학계(124)와 제3 디텍터(126) 사이에 마련될 수 있다. 이에, 제2 에미터(121)로부터 발생되는 펄스형 테라헤르츠파는 제3 광학계(124)를 통하여 웨이퍼에 조사된 후 웨이퍼로부터 반사되고, 상기 제3 광학계(124)에 의해 집속되어 제5 광학계(128) 측으로 조사될 수 있다. 제5 광학계(128) 측으로 조사된 테라헤르츠파는 제5 광학계(128)에 의해 제3 디텍터(126)로 가이드될 수 있다.The fifth
이하, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 테라헤르츠파를 이용한 플라즈마 공정 모니터링 장치에 대하여 도 9 내지 도 12를 참조하여 설명하기로 한다.Hereinafter, a plasma process monitoring apparatus using terahertz waves according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 9 to 12 .
도 9는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 테라헤르츠파를 이용한 플라즈마 공정 모니터링 장치를 나타낸 블록도이고, 도 10은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 테라헤르츠파를 이용한 플라즈마 공정 모니터링 장치의 제1 모니터링 모듈을 설명하기 위한 모식도이며, 도 11은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 테라헤르츠파를 이용한 플라즈마 공정 모니터링 장치에서, 제2 모니터링 모듈의 투과 모드를 설명하기 위한 모식도이고, 도 12는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 테라헤르츠파를 이용한 플라즈마 공정 모니터링 장치에서, 제2 모니터링 모듈의 반사 모드를 설명하기 위한 모식도이다.9 is a block diagram illustrating a plasma process monitoring device using terahertz waves according to another embodiment of the present invention, and FIG. 10 is a first monitoring device of a plasma process monitoring device using terahertz waves according to another embodiment of the present invention. 11 is a schematic diagram for explaining a transmission mode of a second monitoring module in a plasma process monitoring apparatus using terahertz waves according to another embodiment of the present invention, and FIG. 12 is a schematic diagram for explaining a module of the present invention. It is a schematic diagram for explaining a reflection mode of the second monitoring module in a plasma process monitoring device using terahertz waves according to another embodiment.
도 9를 참조하면, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 플라즈마 공정 모니터링 장치(200)는 제1 모니터링 모듈(210) 및 제2 모니터링 모듈(220)을 포함하여 형성될 수 있다.Referring to FIG. 9 , a plasma process monitoring apparatus 200 according to another embodiment of the present invention may include a first monitoring module 210 and a second monitoring module 220 .
본 발명의 다른 실시 예는 본 발명의 일 실시 예와 비교하여, 광학계가 생략되는 대신 에미터와 디텍터가 움직이는 것에만 차이가 있을 뿐이므로, 나머지 동일한 구성 요소들에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여하고, 이들에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.In the other embodiment of the present invention, compared to the one embodiment of the present invention, the only difference is that the emitter and the detector move instead of the optical system being omitted, so the same reference numerals are given to the other identical components, A detailed description of these will be omitted.
도 10에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 제1 모니터링 모듈(210)은 제1 에미터(211), 제1 디텍터(212) 및 제1 연산부(213)를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 10 , according to another embodiment of the present invention, the first monitoring module 210 may include a
상기 제1 에미터(211)는 플라즈마 챔버(10)의 둘레 방향 외측에 배치될 수 있다. 제1 에미터(211)는 플라즈마 챔버(10)의 둘레 방향 일측에 마련되는 제1 투과 윈도우(11)와 마주하게 배치될 수 있다. 이러한 제1 에미터(211)는 제1 투과 윈도우(11) 방향으로 펄스형 테라헤르츠파를 발생시킬 수 있다.The
이때, 본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 상기 제1 에미터(211)는 제1 투과 윈도우(11)의 폭 방향으로 이동 가능하게 구비될 수 있다. 이에 따라, 제1 에미터(211)는 제1 투과 윈도우(11)의 폭 방향으로 이동하면서 테라헤르츠파를 발생시킬 수 있다.At this time, according to another embodiment of the present invention, the
상기 제1 디텍터(212)는 제1 에미터(211)와 마찬가지로, 플라즈마 챔버(10)의 둘레 방향 외측에 배치될 수 있다. 상기 제1 디텍터(212)는 플라즈마 챔버(10)의 둘레 방향 타측에 마련되는 제2 투과 윈도우(120)와 마주하게 배치될 수 있다. 제1 디텍터(212)는 플라즈마 챔버(10) 내부에 형성된 플라즈마를 사이에 두고 제1 에미터(211)와 일 방향으로 정렬될 수 있다.Like the
이때, 본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 상기 제1 디텍터(212)는 제1 에미터(211)의 이동에 연동될 수 있다. 이에 따라, 제1 디텍터(212)는 제2 투과 윈도우(12)의 폭 방향으로 이동 가능할 수 있다. 이러한 제1 디텍터(212)는 제1 에미터(211)의 이동에 연동되어 제2 투과 윈도우(12)의 폭 방향으로 이동하면서 테라헤르츠파를 검출할 수 있다.At this time, according to another embodiment of the present invention, the
제1 에미터(111)로부터 발생되는 펄스형 테라헤르츠파는 제1 투과 윈도우(11), 플라즈마 챔버(10) 내부에 형성되는 플라즈마 및 제2 투과 윈도우(12)를 차례로 통과하여 제1 디텍터(112)에 의해 검출될 수 있다.Pulsed terahertz waves generated from the
상기 제1 연산부(213)는 제1 디텍터(212)에서 검출된 신호에 기반하여 플라즈마의 상태를 분석할 수 있다. 본 발명의 다른 실시 예에 따른 제1 연산부(213)는 본 발명의 일 실시 예에 따른 제1 연산부(도 4의 113)와 동일한 기능 및 작용을 하므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The
제2 모니터링 모듈(220)은 플라즈마 챔버(10)의 외측에 웨이퍼의 두께 방향으로 배치될 수 있다. 이러한 제2 모니터링 모듈(220)은 테라헤르츠파를 이용하여 플라즈마 공정을 통해 표면에 막이 형성되는 웨이퍼를 모니터링할 수 있다. 이때, 본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 제2 모니터링 모듈(220)은 투과 모드 및 반사 모드 중 어느 하나의 측정 모드를 통하여 상기 웨이퍼를 모니터링할 수 있다.The second monitoring module 220 may be disposed outside the
도 11을 참조하면, 상기 제2 모니터링 모듈(220)은 제2 에미터(221), 제2 디텍터(222) 및 제2 연산부(223)를 포함할 수 있다. 이를 통하여, 상기 제2 모니터링 모듈(220)은 투과 모드로 상기 웨이퍼를 모니터링할 수 있다.Referring to FIG. 11 , the second monitoring module 220 may include a
상기 제2 에미터(221)는 플라즈마 챔버(10)의 상측에 배치될 수 있다. 상기 제2 에미터(221)는 플라즈마 챔버(10)의 상단에 마련되는 제3 투과 윈도우(13)와 마주하게 배치될 수 있다.The
이때, 본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 상기 제2 에미터(221)는 제3 투과 윈도우(13)의 폭 방향으로 이동 가능하게 구비될 수 있다. 이에 따라, 제2 에미터(221)는 제3 투과 윈도우(13)의 폭 방향으로 이동하면서 제3 투과 윈도우(13) 방향으로 펄스형 테라헤르츠파를 발생시킬 수 있다.At this time, according to another embodiment of the present invention, the
제2 디텍터(222)는 웨이퍼의 하측에 배치될 수 있다. 제2 디텍터(222)는 플라즈마 챔버(10)의 하측에 배치될 수 있다. 제2 디텍터(222)는 제2 에미터(221)와 웨이퍼의 두께 방향으로 정렬될 수 있다.The
본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 상기 제2 디텍터(222)는 제2 에미터(221)의 이동에 연동될 수 있다. 이에 따라, 제2 디텍터(222)는 웨이퍼의 폭 방향으로 이동 가능할 수 있다. 이러한 제2 디텍터(222)는 제1 에미터(221)의 이동에 연동되어 웨이퍼의 폭 방향으로 이동하면서 웨이퍼를 투과하는 펄스형 테라헤르츠파를 검출할 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the
즉, 제2 에미터(221)로부터 발생되는 펄스형 테라헤르츠파는 제3 투과 윈도우(13), 플라즈마 챔버(10) 내부에 형성되는 플라즈마, 플라즈마 챔버(10)의 바닥면에 안착되어 있는 웨이퍼 및 플라즈마 챔버(10)의 바닥면을 차례로 투과하여 제2 디텍터(222)에 의해 검출될 수 있다.That is, the pulsed terahertz waves generated from the
상기 제2 연산부(223)는 제2 디텍터(222)에서 검출된 신호에 기반하여 웨이퍼의 상태를 분석할 수 있다. 본 발명의 다른 실시 예에 따른 제2 연산부(223)는 본 발명의 일 실시 예에 따른 제2 연산부(도 7의 123)와 동일한 기능 및 작용을 하므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The
한편, 도 12를 참조하면, 상기 제2 모니터링 모듈(220)은 제3 디텍터(226), 제3 연산부(227) 및 제6 광학계(229)를 더 포함할 수 있다. 이를 통해, 제2 모니터링 모듈(220)은 투과 모드를 반사 모드로 전환하여 반사 모드로 웨이퍼를 모니터링할 수 있다.Meanwhile, referring to FIG. 12 , the second monitoring module 220 may further include a
상기 제3 디텍터(226)는 플라즈마 챔버(10)의 상측에 배치될 수 있다. 상기 제3 디텍터(226)는 제2 에미터(221)의 일측에 배치될 수 있다. 이때, 제3 디텍터(226)는 제2 에미터(221)로부터 발생되는 펄스형 테라헤르츠파의 전파 경로와 다른 경로를 향하도록 배치될 수 있다.The
이러한 제3 디텍터(226)는 제2 에미터(221)로부터 발생되어 웨이퍼에 조사된 후 상기 웨이퍼로부터 반사되는 펄스형 테라헤르츠파를 검출할 수 있다.The
상기 제3 연산부(227)는 제3 디텍터(226)에서 검출된 신호에 기반하여 웨이퍼의 상태를 분석할 수 있다. 본 발명의 다른 실시 예에 따른 제3 연산부(227)는 본 발명의 일 실시 예에 따른 제3 연산부(도 8의 127)와 동일한 기능 및 작용을 하므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The
상기 제6 광학계(229)는 웨이퍼와 제3 디텍터(226) 사이에 마련될 수 있다. 이때, 본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 상기 제6 광학계(229)는 제2 에미터(221)의 이동에 연동될 수 있다. 이에 따라, 제6 광학계(229)는 웨이퍼의 폭 방향으로 이동 가능할 수 있다.The sixth
본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 제2 에미터(221)는 제3 투과 윈도우(13)의 폭 방향으로 이동하면서 펄스형 테라헤르츠파를 발생시키며, 제6 광학계(229)는 제2 에미터(221)의 이동에 연동되면서 웨이퍼로부터 반사되는 펄스형 테라헤르츠파를 제3 디텍터(226)로 가이드할 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the
한편, 도 13 내지 도 15는 본 발명의 투과 모드를 통하여 SiN의 증착 두께가 다른 웨이퍼를 모니터링한 결과로, 도 13은 각 웨이퍼 별 펄스형 테라헤르츠파의 파형을 나타낸 그래프이고, 도 14는 각 웨이퍼 별 펄스형 테라헤르츠파의 굴절률 변화를 나타낸 그래프이며, 도 15는 각 웨이퍼 별 펄스형 테라헤르츠파의 흡광 계수 변화를 나타낸 그래프이다.Meanwhile, FIGS. 13 to 15 are results of monitoring wafers having different deposition thicknesses of SiN through the transmission mode of the present invention. FIG. 13 is a graph showing waveforms of pulsed terahertz waves for each wafer, and FIG. A graph showing a change in refractive index of pulsed terahertz waves for each wafer, and FIG. 15 is a graph showing a change in the extinction coefficient of pulsed terahertz waves for each wafer.
이들 그래프에 나타나 있는 바와 같이, 웨이퍼 상에 증착되는 SiN의 두께가 증가할수록, 테라헤르츠파의 굴절률은 감소하고, 테라헤르츠파의 흡광 계수는 증가하는 경향을 확인할 수 있다. 즉, 테라헤르츠파의 굴절률이 감소하고 흡광 계수가 증가하는 것으로 모니터링된 경우, SiN의 증착 두께가 증가되는 것으로 분석할 수 있다.As shown in these graphs, as the thickness of SiN deposited on the wafer increases, the refractive index of the terahertz wave decreases and the extinction coefficient of the terahertz wave increases. That is, when it is monitored that the refractive index of the terahertz wave decreases and the extinction coefficient increases, it can be analyzed that the deposition thickness of SiN increases.
도 16 및 도 17은 본 발명의 반사 모드를 통하여 SiN 두께를 예측하기 위한 그래프들로, 도 16은 테라헤르츠파의 굴절률과 SiN의 두께 관계를 커브 피팅한 그래프이고, 도 17은 테라헤르츠파의 흡광 계수와 SiN의 두께 관계를 커브 피팅한 그래프이다.16 and 17 are graphs for predicting the SiN thickness through the reflection mode of the present invention. FIG. 16 is a curve fitting graph of the relationship between the refractive index of the terahertz wave and the thickness of SiN, and FIG. 17 is the graph of the terahertz wave It is a curve-fitting graph of the relationship between the extinction coefficient and the thickness of SiN.
이들 그래프에 나타나 있는 바와 같이, 실제 측정 데이터(measured data)에 기반하여 추정 데이터(estimation data)를 산출하여, 실리콘 웨이퍼 상에 증착되는 SiN의 두께를 예측할 수 있다.As shown in these graphs, it is possible to predict the thickness of SiN deposited on a silicon wafer by calculating estimation data based on measured data.
도 18 내지 도 20은 실리콘 웨이퍼 상에 증착되는 물질(nitride, photo resist, thermal oxide)에 따른 테라헤르츠파의 굴절률, 흡광 계수 및 굴절률과 흡광 계수의 관계로 구분한 그래프들이다.18 to 20 are graphs classified into refractive index, extinction coefficient, and relationship between refractive index and extinction coefficient of terahertz waves according to materials (nitride, photo resist, thermal oxide) deposited on a silicon wafer.
이들 그래프에 나타나 있는 바와 같이, 테라헤르츠파는 실리콘 웨이퍼 상에 증착되는 물질의 종류에 따라 광학적 특성이 다르게 작용하기 때문에 굴절률, 흡광 계수 범위가 물질 별로 모두 다르다. 이에 따라, 테라헤르츠파를 통하여 실리콘 웨이퍼 상에 증착되는 물질의 종류를 예측할 수 있음이 확인되었다.As shown in these graphs, terahertz waves have different optical properties depending on the type of material deposited on the silicon wafer, so the refractive index and extinction coefficient ranges are all different for each material. Accordingly, it was confirmed that the type of material to be deposited on the silicon wafer can be predicted through the terahertz wave.
한편, 도 21은 펄스형 테라헤르츠 장비의 투과 모드를 통해 수집된 테라헤르츠파의 파형을 나타낸 그래프이다. 펄스형 테라헤르츠 장비를 통해 수집한 파형의 피크 위치를 통하여, 플라즈마 환경에 따른 위상(time) 및 세기(amplitude) 변화의 계산이 가능하다. 이에 따라, 테라헤르츠파를 이용하여 플라즈마 상태를 모니터링할 수 있다.Meanwhile, FIG. 21 is a graph showing waveforms of terahertz waves collected through a transmission mode of pulsed terahertz equipment. Through the peak position of the waveform collected through the pulsed terahertz equipment, it is possible to calculate the phase (time) and intensity (amplitude) change according to the plasma environment. Accordingly, the plasma state may be monitored using terahertz waves.
또한, 도 22 내지 도 24는 본 발명의 투과 모드를 이용한 플라즈마 공정 조건 별 테라헤르츠파, 이의 세기 변화 및 위상 변화를 나타낸 그래프들이다.22 to 24 are graphs showing terahertz waves, their intensity change, and phase change for each plasma process condition using the transmission mode of the present invention.
이들 그래프에 나타나 있는 바와 같이, 플라즈마 생성을 위한 RF 발생기의 출력 및 질량 유량이 높을수록 플라즈마의 강도가 높아져, 이를 통과하는 테라헤르츠파의 세기 및 위상이 점점 감소하는 것을 확인할 수 있다. 이러한 테라헤르츠파의 세기 및 위상 변화를 각각 분석함으로써, 플라즈마 공정 조건의 구분이 가능하다.As shown in these graphs, it can be seen that as the output and mass flow rate of the RF generator for plasma generation increase, the intensity of the plasma increases, and thus the intensity and phase of the terahertz wave passing through it gradually decrease. By analyzing the intensity and phase change of these terahertz waves, it is possible to classify plasma process conditions.
이하, 본 발명의 일 실시 예에 따른 테라헤르츠파를 이용한 플라즈마 공정 모니터링 방법에 대하여, 도 25를 참조하여 설명하기로 한다. 여기서, 각 구성요소들의 도면 부호는 도 1 내지 도 8을 참조하기로 한다.Hereinafter, a plasma process monitoring method using terahertz waves according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 25 . Here, reference numerals of each component refer to FIGS. 1 to 8 .
도 25는 본 발명의 일 실시 예에 따른 테라헤르츠파를 이용한 플라즈마 공정 모니터링 방법을 나타낸 흐름도이다.25 is a flowchart illustrating a plasma process monitoring method using terahertz waves according to an embodiment of the present invention.
도 25를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 테라헤르츠파를 이용한 플라즈마 공정 모니터링 방법은 S110 단계 및 S120 단계를 포함할 수 있다. 이때, 본 발명의 일 실시 예에 따른 테라헤르츠파를 이용한 플라즈마 공정 모니터링 방법은 본 발명의 일 실시 예에 따른 테라헤르츠파를 이용한 플라즈마 공정 모니터링 장치(100)를 통하여 실행될 수 있다.Referring to FIG. 25 , the plasma process monitoring method using terahertz waves according to an embodiment of the present invention may include steps S110 and S120. In this case, the plasma process monitoring method using terahertz waves according to an embodiment of the present invention may be executed through the
S110 단계Step S110
S110 단계는 테라헤르츠파를 이용하여, 플라즈마 챔버(10)의 내부에 인입되어 있는 웨이퍼 상에 막을 형성하기 위한 플라즈마 공정 시 상기 플라즈마 챔버(10)의 내부에 형성되는 플라즈마를 모니터링하는 단계이다.Step S110 is a step of monitoring plasma formed inside the
상기 S110 단계에서는 먼저, 제1 에미터(111)를 통하여, 플라즈마 챔버(10)의 내부 방향으로 펄스형 테라헤르츠파를 발생시킬 수 있다.In the step S110 , first, pulsed terahertz waves may be generated toward the inside of the
그 다음, S110 단계에서는 제1 디텍터(112)를 통하여, 식각이나 증착 공정과 같은 플라즈마 공정 시 플라즈마 챔버(10)의 내부에 형성되는 플라즈마를 통과하는 펄스형 테라헤르츠파를 검출할 수 있다.Then, in operation S110 , pulsed terahertz waves passing through plasma formed inside the
그 다음, S110 단계에서는 제1 연산부(113)를 통하여, 제1 디텍터(112)에서 검출된 신호에 기반하여 플라즈마의 상태를 분석할 수 있다.Next, in step S110 , the state of plasma may be analyzed based on the signal detected by the
이때, S110 단계에서는 제1 에미터(111)로부터 발생되어 플라즈마를 통과한 후 제1 디텍터(112)에 의해 검출되는 펄스형 테라헤르츠파의 감도를 극대화하기 위하여, 제1 에미터(111)와 제1 투과 윈도우(11) 사이에 제1 광학계(114)를 배치하고, 제2 투과 윈도우(12)와 제1 디텍터(112) 사이에 제2 광학계(115)를 배치할 수 있다.At this time, in step S110, in order to maximize the sensitivity of the pulsed terahertz wave generated from the
여기서, 제1 광학계(114) 및 제2 광학계(115)는 렌즈 형태로 구비될 수 있으며, 예를 들어, 볼록 렌즈, 평면 렌즈, F-THETA 렌즈, 비구면 렌즈, Telecentric 렌즈, meniscus 렌즈, Axicon 렌즈 중 어느 하나 또는 이들의 조합으로 구비될 수 있다.Here, the first
S120 단계S120 step
S120 단계는 펄스형 테라헤르츠파를 이용하여, 플라즈마 공정을 통하여 표면에 막이 형성되는 웨이퍼를 모니터링하는 단계이다. 이때, 본 발명의 일 실시 예에 따르면, S110 단계인 플라즈마를 모니터링하는 단계와, S120 단계인 웨이퍼를 모니터링하는 단계는 동시에 진행될 수 있다.Step S120 is a step of monitoring a wafer on which a film is formed on a surface through a plasma process using pulsed terahertz waves. At this time, according to an embodiment of the present invention, the step of monitoring the plasma in step S110 and the step of monitoring the wafer in step S120 may be performed simultaneously.
S120 단계에서는 웨이퍼를 투과하는 펄스형 테라헤르츠파를 검출한 신호에 기반하여 웨이퍼의 상태를 분석할 수 있다.In step S120, the state of the wafer may be analyzed based on the detected signal of the pulsed terahertz wave passing through the wafer.
이를 위해, 상기 S120 단계에서는 먼저, 웨이퍼의 상측에 마련되는 제2 에미터(121)를 통하여, 웨이퍼 측으로 펄스형 테라헤르츠파를 발생시킬 수 있다.To this end, in step S120, first, pulsed terahertz waves may be generated toward the wafer through the
그 다음, S120 단계에서는 제2 디텍터(122)를 통하여, 제2 에미터(121)로부터 발생되어 웨이퍼를 투과하는 펄스형 테라헤르츠파를 검출할 수 있다.Then, in step S120 , pulsed terahertz waves generated from the
그 다음, S120 단계에서는 제2 연산부(123)를 통하여, 제2 디텍터(122)에서 검출된 신호에 기반하여 웨이퍼의 상태를 분석할 수 있다.Next, in step S120 , the state of the wafer may be analyzed based on the signal detected by the
이때, S120 단계에서는 제2 에미터(121)로부터 발생되어 웨이퍼를 투과한 후 제2 디텍터(122)에 의해 검출되는 펄스형 테라헤르츠파의 감도를 극대화하기 위하여, 제2 에미터(121)와 웨이퍼 사이에 제3 광학계(124)를 배치하고, 웨이퍼와 제2 디텍터(122) 사이에 제4 광학계(124)를 배치할 수 있다.At this time, in step S120, in order to maximize the sensitivity of the pulsed terahertz wave generated from the
여기서, 상기 제3 광학계(124)와 제4 광학계(124)는 플라즈마 챔버(10)의 외부에 배치될 수 있다.Here, the third
한편, 상기 S120 단계에서는 웨이퍼로부터 반사되는 펄스형 테라헤르츠파를 검출한 신호에 기반하여 웨이퍼의 상태를 분석할 수도 있다.Meanwhile, in the step S120, the state of the wafer may be analyzed based on the detected signal of the pulsed terahertz wave reflected from the wafer.
이를 위해, 상기 S120 단계에서는 웨이퍼의 상측에 마련되어 있는 제2 에미터(121)를 통하여, 웨이퍼 측으로 펄스형 테라헤르츠파를 발생시킬 수 있다.To this end, in step S120, pulsed terahertz waves may be generated toward the wafer through the
그 다음, S120 단계에서는 제2 에미터(121)의 일측에 마련되어 있는 제3 디텍터(126)를 통하여, 제2 에미터(121)로부터 발생되어 웨이퍼에 조사된 후 상기 웨이퍼로부터 반사되는 펄스형 테라헤르츠파를 검출할 수 있다.Then, in step S120, through the
그 다음, S120 단계에서는 제3 연산부(127)를 통하여, 제3 디텍터(126)에서 검출된 신호에 기반하여 웨이퍼의 상태를 분석할 수 있다.Next, in step S120 , the state of the wafer may be analyzed based on the signal detected by the
이때, 상기 S120 단계에서는 웨이퍼로부터 반사되고 제3 광학계(124)에 의해 집속된 펄스형 테라헤르츠파를 제3 디텍터(126)로 가이드하기 위하여, 제3 광학계(124)와 제3 디텍터(126) 사이에 제5 광학계(128)를 배치할 수 있다.At this time, in step S120, the third
이상, 본 발명을 바람직한 실시 예를 사용하여 상세히 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 특허청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 이 기술분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다.In the above, the present invention has been described in detail using preferred embodiments, but the scope of the present invention is not limited to specific embodiments, and should be interpreted according to the appended claims. In addition, those skilled in the art should understand that many modifications and variations are possible without departing from the scope of the present invention.
100, 200; 플라즈마 공정 모니터링 장치
110, 210; 제1 모니터링 모듈
111, 211; 제1 에미터
112, 212; 제1 디텍터
113, 213; 제1 연산부
114, 115, 124, 125, 128, 229; 제1 광학계 내지 제6 광학계
120, 220; 제2 모니터링 모듈
121, 221; 제2 에미터
122, 222; 제2 디텍터
123, 223; 제2 연산부
126, 226; 제3 디텍터
127, 227; 제3 연산부
10; 플라즈마 챔버
11, 12, 13; 제1 투과 윈도우 내지 제3 투과 윈도우100, 200; Plasma process monitoring device
110, 210; 1st monitoring module
111, 211; 1st emitter
112, 212; 1st detector
113, 213; 1st calculation unit
114, 115, 124, 125, 128, 229; 1st to 6th optical system
120, 220; Second monitoring module
121, 221; 2nd emitter
122, 222; 2nd detector
123, 223; 2nd calculation unit
126, 226; 3rd detector
127, 227; 3rd operation unit
10; plasma chamber
11, 12, 13; First to third transmission windows
Claims (14)
상기 웨이퍼를 향하도록 상기 플라즈마 챔버의 외측에 상기 웨이퍼의 두께 방향으로 배치되며, 상기 테라헤르츠파를 이용하여, 상기 플라즈마 공정을 통하여 표면에 막이 형성되는 상기 웨이퍼를 모니터링하는 제2 모니터링 모듈;을 포함하는, 테라헤르츠파를 이용한 플라즈마 공정 모니터링 장치.
It is disposed outside the plasma chamber into which the wafer is inserted in a direction parallel to the width direction of the wafer, and is formed inside the plasma chamber during a plasma process for forming a film on the wafer using terahertz waves. A first monitoring module for monitoring the plasma; and
A second monitoring module disposed outside the plasma chamber in a thickness direction of the wafer to face the wafer and monitoring the wafer having a film formed thereon through the plasma process using the terahertz waves; Plasma process monitoring device using terahertz waves.
상기 테라헤르츠파는 펄스형(pulsed type)으로 제공되는, 테라헤르츠파를 이용한 플라즈마 공정 모니터링 장치.
According to claim 1,
The terahertz wave is provided in a pulsed type, a plasma process monitoring device using terahertz wave.
상기 플라즈마 챔버의 서로 마주하는 둘레 방향 일측 및 타측에는 제1 투과 윈도우 및 제2 투과 윈도우가 각각 마련되며,
상기 제1 모니터링 모듈은,
상기 제1 투과 윈도우와 마주하게 배치되며, 상기 제1 투과 윈도우 방향으로 테라헤르츠파를 발생시키는 제1 에미터;
상기 제2 투과 윈도우와 마주하게 배치되어 상기 제1 에미터와 일 방향으로 정렬되며, 상기 제1 에미터로부터 발생되어 상기 플라즈마 챔버 내부에 형성된 플라즈마를 통과하는 상기 테라헤르츠파를 검출하는 제1 디텍터; 및
상기 제1 디텍터에서 검출된 신호에 기반하여 상기 플라즈마의 상태를 분석하는 제1 연산부를 포함하는, 테라헤르츠파를 이용한 플라즈마 공정 모니터링 장치.
According to claim 1,
A first transmission window and a second transmission window are provided on one side and the other side of the plasma chamber facing each other in the circumferential direction, respectively;
The first monitoring module,
a first emitter disposed facing the first transmission window and generating terahertz waves in a direction of the first transmission window;
A first detector disposed facing the second transmission window, aligned in one direction with the first emitter, and detecting the terahertz wave generated from the first emitter and passing through the plasma formed inside the plasma chamber. ; and
Plasma process monitoring apparatus using terahertz waves, including a first calculation unit analyzing the state of the plasma based on the signal detected by the first detector.
상기 제1 모니터링 모듈은 제1 광학계 및 제2 광학계를 더 포함하되,
상기 제1 광학계는 상기 제1 에미터와 제1 투과 윈도우 사이에 마련되고, 상기 제2 광학계는 상기 제2 투과 윈도우와 상기 제1 디텍터 사이에 마련되며,
상기 제1 에미터로부터 발생되는 상기 테라헤르츠파는 상기 제1 광학계를 통하여 상기 플라즈마에 조사된 후 상기 제2 광학계에 의해 상기 제1 디텍터로 가이드되는, 테라헤르츠파를 이용한 플라즈마 공정 모니터링 장치.
According to claim 3,
The first monitoring module further includes a first optical system and a second optical system,
The first optical system is provided between the first emitter and the first transmission window, and the second optical system is provided between the second transmission window and the first detector,
The plasma process monitoring apparatus using terahertz waves, wherein the terahertz wave generated from the first emitter is irradiated to the plasma through the first optical system and then guided to the first detector by the second optical system.
상기 제1 에미터는 상기 제1 투과 윈도우의 폭 방향으로 이동하면서 상기 테라헤르츠파를 발생시키며, 상기 제1 디텍터는 상기 제1 에미터의 이동에 연동되어 상기 제2 투과 윈도우의 폭 방향으로 이동하면서 상기 테라헤르츠파를 검출하는, 테라헤르츠파를 이용한 플라즈마 공정 모니터링 장치.
According to claim 3,
The first emitter generates the terahertz waves while moving in the width direction of the first transmission window, and the first detector moves in the width direction of the second transmission window in conjunction with the movement of the first emitter. A plasma process monitoring device using terahertz waves for detecting the terahertz waves.
상기 플라즈마 챔버의 상측에는 제3 투과 윈도우가 마련되며,
상기 제2 모니터링 모듈은 투과 모드로 상기 웨이퍼를 모니터링하되,
상기 제3 윈도우와 마주하게 배치되며, 상기 제3 투과 윈도우 방향으로 테라헤르츠파를 발생시키는 제2 에미터;
상기 웨이퍼의 하측에 배치되어 상기 제2 에미터와 상기 웨이퍼의 두께 방향으로 정렬되며, 상기 제2 에미터로부터 발생되어 상기 웨이퍼를 투과하는 상기 테라헤르츠파를 검출하는 제2 디텍터; 및
상기 제2 디텍터에서 검출된 신호에 기반하여 상기 웨이퍼의 상태를 분석하는 제2 연산부를 포함하는, 테라헤르츠파를 이용한 플라즈마 공정 모니터링 장치.
According to claim 1,
A third transmission window is provided above the plasma chamber,
The second monitoring module monitors the wafer in a transmission mode,
a second emitter disposed facing the third window and generating terahertz waves in a direction of the third transmission window;
a second detector disposed below the wafer, aligned with the second emitter in a thickness direction of the wafer, and configured to detect the terahertz wave generated from the second emitter and transmitted through the wafer; and
A plasma process monitoring apparatus using terahertz waves, comprising a second calculation unit analyzing a state of the wafer based on a signal detected by the second detector.
상기 제2 모니터링 모듈은 제3 광학계 및 제4 광학계를 더 포함하되,
상기 제3 광학계는 상기 제2 에미터와 제3 투과 윈도우 사이에 마련되고, 상기 제4 광학계는 상기 웨이퍼와 상기 제2 디텍터 사이에 마련되며,
상기 제2 에미터로부터 발생되는 상기 테라헤르츠파는 상기 제3 광학계를 통하여 상기 웨이퍼에 조사되어 상기 웨이퍼를 투과한 후 상기 제4 광학계에 의해 상기 제2 디텍터로 가이드되는, 테라헤르츠파를 이용한 플라즈마 공정 모니터링 장치.
According to claim 6,
The second monitoring module further includes a third optical system and a fourth optical system,
The third optical system is provided between the second emitter and the third transmission window, and the fourth optical system is provided between the wafer and the second detector,
The terahertz wave generated from the second emitter is irradiated to the wafer through the third optical system, passes through the wafer, and is guided to the second detector by the fourth optical system. Plasma process using terahertz wave monitoring device.
상기 제2 모니터링 모듈은 상기 투과 모드를 반사 모드로 전환하여 상기 웨이퍼를 더 모니터링하되,
상기 제2 에미터의 일측에 배치되며, 상기 제2 에미터로부터 발생되어 상기 웨이퍼에 조사된 후 상기 웨이퍼로부터 반사되는 상기 테라헤르츠파를 검출하는 제3 디텍터; 및
상기 제3 디텍터에서 검출된 신호에 기반하여 상기 웨이퍼의 상태를 분석하는 제3 연산부를 더 포함하는, 테라헤르츠파를 이용한 플라즈마 공정 모니터링 장치.
According to claim 7,
The second monitoring module further monitors the wafer by switching the transmission mode to a reflection mode,
a third detector disposed on one side of the second emitter and configured to detect the terahertz wave emitted from the second emitter, irradiated onto the wafer, and then reflected from the wafer; and
Plasma process monitoring apparatus using terahertz waves, further comprising a third calculation unit analyzing the state of the wafer based on the signal detected by the third detector.
상기 제2 모니터링 모듈은 제5 광학계를 더 포함하되,
상기 제5 광학계는 상기 제3 광학계와 제3 디텍터 사이에 마련되며,
상기 제2 에미터로부터 발생되는 상기 테라헤르츠파는 상기 제3 광학계를 통하여 상기 웨이퍼에 조사된 후 상기 웨이퍼로부터 반사되고 상기 제3 광학계에 의해 집속되어 상기 제5 광학계 측으로 조사된 후 상기 제5 광학계에 의해 상기 제3 디텍터로 가이드되는, 테라헤르츠파를 이용한 플라즈마 공정 모니터링 장치.
According to claim 8,
The second monitoring module further includes a fifth optical system,
The fifth optical system is provided between the third optical system and the third detector,
The terahertz waves generated from the second emitter are irradiated onto the wafer through the third optical system, reflected from the wafer, focused by the third optical system, and radiated toward the fifth optical system, and transmitted to the fifth optical system. A plasma process monitoring device using terahertz waves guided to the third detector by
상기 제2 에미터는 상기 제3 투과 윈도우의 폭 방향으로 이동하면서 상기 테라헤르츠파를 발생시키며, 상기 제2 디텍터는 상기 제2 에미터의 이동에 연동되어 상기 웨이퍼의 폭 방향으로 이동하면서 상기 웨이퍼를 투과하는 상기 테라헤르츠파를 검출하는, 테라헤르츠파를 이용한 플라즈마 공정 모니터링 장치.
According to claim 6,
The second emitter generates the terahertz waves while moving in the width direction of the third transmission window, and the second detector moves in the width direction of the wafer in conjunction with the movement of the second emitter to detect the wafer. A plasma process monitoring device using terahertz waves, which detects the transmitted terahertz waves.
상기 제2 모니터링 모듈은 상기 투과 모드를 반사 모드로 전환하여 상기 웨이퍼를 모니터링하되,
상기 제2 에미터의 일측에 배치되며, 상기 제2 에미터로부터 발생되어 상기 웨이퍼에 조사된 후 상기 웨이퍼로부터 반사되는 상기 테라헤르츠파를 검출하는 제3 디텍터;
상기 제3 디텍터에서 검출된 신호에 기반하여 상기 웨이퍼의 상태를 분석하는 제3 연산부; 및
상기 웨이퍼와 제3 디텍터 사이에 마련되는 제6 광학계를 더 포함하며,
상기 제2 에미터는 상기 제3 투과 윈도우의 폭 방향으로 이동하면서 상기 테라헤르츠파를 발생시키며, 상기 제6 광학계는 상기 제2 에미터의 이동에 연동되면서 상기 웨이퍼로부터 반사되는 상기 테라헤르츠파를 상기 제3 디텍터로 가이드하는, 테라헤르츠파를 이용한 플라즈마 공정 모니터링 장치.
According to claim 10,
The second monitoring module monitors the wafer by switching the transmission mode to a reflection mode,
a third detector disposed on one side of the second emitter and configured to detect the terahertz wave emitted from the second emitter, irradiated onto the wafer, and then reflected from the wafer;
a third calculation unit analyzing a state of the wafer based on the signal detected by the third detector; and
Further comprising a sixth optical system provided between the wafer and the third detector,
The second emitter generates the terahertz waves while moving in the width direction of the third transmission window, and the sixth optical system generates the terahertz waves reflected from the wafer while interlocking with the movement of the second emitter. A plasma process monitoring device using terahertz waves, guided by a third detector.
상기 플라즈마 챔버의 서로 마주하는 둘레 방향 일측 및 타측에는 제1 투과 윈도우 및 제2 투과 윈도우가 각각 마련되고, 상측에는 제3 투과 윈도우가 마련되되,
상기 제1 투과 윈도우 내지 제3 투과 윈도우는 상기 테라헤르츠파를 투과시킬 수 있는 Si, HRFZ-SI, PTFE, PTFE, TPX 및 쿼츠(SiO2)를 포함하는 후보 물질군 중에서 선택된 어느 하나의 물질로 이루어지는, 테라헤르츠파를 이용한 플라즈마 공정 모니터링 장치.
According to claim 1,
A first transmission window and a second transmission window are provided on one side and the other side of the plasma chamber in the circumferential direction facing each other, respectively, and a third transmission window is provided on the upper side,
The first to third transmission windows are made of any one material selected from a candidate material group including Si, HRFZ-SI, PTFE, PTFE, TPX, and quartz (SiO 2 ) capable of transmitting the terahertz wave. A plasma process monitoring device using terahertz waves.
상기 테라헤르츠파를 이용하여, 상기 플라즈마 공정을 통하여 표면에 막이 형성되는 상기 웨이퍼를 모니터링하는 단계;를 포함하되,
상기 플라즈마를 모니터링하는 단계와 상기 웨이퍼를 모니터링하는 단계는 동시 진행 가능하며,
상기 테라헤르츠파는 펄스형(pulsed type)으로 제공되는, 테라헤르츠파를 이용한 플라즈마 공정 모니터링 방법.
monitoring plasma formed inside the plasma chamber during a plasma process for forming a film on a wafer introduced into the plasma chamber using terahertz waves; and
Using the terahertz wave, monitoring the wafer on which a film is formed on the surface through the plasma process;
The step of monitoring the plasma and the step of monitoring the wafer can be performed simultaneously,
The terahertz wave is provided in a pulsed type, a plasma process monitoring method using terahertz wave.
상기 플라즈마를 모니터링하는 단계는 상기 플라즈마 챔버의 내부에 형성되는 플라즈마를 통과하는 테라헤르츠파를 검출한 신호에 기반하여 상기 플라즈마의 상태를 분석하고,
상기 웨이퍼를 모니터링하는 단계는 상기 웨이퍼를 투과하는 테라헤르츠파를 검출한 신호에 기반하여 상기 웨이퍼의 상태를 분석하거나 상기 웨이퍼로부터 반사되는 테라헤르츠파를 검출한 신호에 기반하여 상기 웨이퍼의 상태를 분석하는, 테라헤르츠파를 이용한 플라즈마 공정 모니터링 방법.According to claim 13,
In the monitoring of the plasma, a state of the plasma is analyzed based on a signal detected by a terahertz wave passing through the plasma formed inside the plasma chamber;
The monitoring of the wafer may include analyzing a state of the wafer based on a signal of detecting a terahertz wave passing through the wafer or analyzing a state of the wafer based on a signal of detecting a terahertz wave reflected from the wafer. Plasma process monitoring method using terahertz waves.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/KR2022/016322 WO2023075349A1 (en) | 2021-10-29 | 2022-10-25 | Plasma process monitoring apparatus using terahertz waves and monitoring method thereof |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20210146359 | 2021-10-29 | ||
| KR1020210146359 | 2021-10-29 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20230062310A true KR20230062310A (en) | 2023-05-09 |
| KR102676683B1 KR102676683B1 (en) | 2024-06-19 |
Family
ID=86408965
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020210181471A KR102676683B1 (en) | 2021-10-29 | 2021-12-17 | Plasma process monitoring device using terahertz wave and method of monitoring thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102676683B1 (en) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101600520B1 (en) * | 2015-01-28 | 2016-03-08 | 연세대학교 산학협력단 | Apparatus for optical emission spectroscopy |
| KR20160080580A (en) * | 2014-12-30 | 2016-07-08 | 한양대학교 산학협력단 | Apparatus and method for analyzing a semiconductor wafer by using a terahertz wave |
| WO2019046689A1 (en) * | 2017-09-01 | 2019-03-07 | Azbil North America Research and Development, Inc. | Apparatus and method for real-time non-invasive composition sensing and imaging |
-
2021
- 2021-12-17 KR KR1020210181471A patent/KR102676683B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160080580A (en) * | 2014-12-30 | 2016-07-08 | 한양대학교 산학협력단 | Apparatus and method for analyzing a semiconductor wafer by using a terahertz wave |
| KR101600520B1 (en) * | 2015-01-28 | 2016-03-08 | 연세대학교 산학협력단 | Apparatus for optical emission spectroscopy |
| WO2019046689A1 (en) * | 2017-09-01 | 2019-03-07 | Azbil North America Research and Development, Inc. | Apparatus and method for real-time non-invasive composition sensing and imaging |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR102676683B1 (en) | 2024-06-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4773155B2 (en) | Method for inspecting pattern formed on substrate, and inspection apparatus for performing the same | |
| CN102414821B (en) | SOI wafer inspection method | |
| EP3046141B1 (en) | Evaluation device for oxide semiconductor thin film | |
| US20060109456A1 (en) | Method of detecting foreign objects for display panel fabrication | |
| US9294034B2 (en) | Measurement device for texture size, manufacturing system for solar cell, and manufacturing method for solar cell | |
| US20050042777A1 (en) | Control of etch and deposition processes | |
| CN111326433A (en) | Semiconductor detection device and detection method | |
| US20070184565A1 (en) | Test pattern and method for measuring silicon etching depth | |
| EP2390905A1 (en) | Thin film monitoring device and method | |
| KR20200105475A (en) | Film thickness measurement device, film thickness measurement method, film thickness measurement program, and recording medium for recording film thickness measurement program | |
| KR100395085B1 (en) | An apparatus for monitoring the thickness of an accumulation film in a reactor and a method of conducting the dry-process | |
| KR100893961B1 (en) | Shallow-angle interference process and apparatus for determining real-time etching rate | |
| US10467591B2 (en) | System and method for detecting substrate and manufacturing device | |
| KR102676683B1 (en) | Plasma process monitoring device using terahertz wave and method of monitoring thereof | |
| US8023110B1 (en) | Priori crack detection in solar photovoltaic wafers by detecting bending at edges of wafers | |
| CN107664476B (en) | Optical detection device and detection method for semiconductor equipment | |
| EP3038132B1 (en) | Method and apparatus for real-time monitoring of plasma etch uniformity | |
| US20070178610A1 (en) | Semiconductor Production Apparatus | |
| JP2006310371A (en) | Method and device for manufacturing semiconductor device | |
| KR100525218B1 (en) | Arrangement and method for detecting sidewall flaking in a plasma chamber | |
| US20050117165A1 (en) | Semiconductor etching process control | |
| US20230221261A1 (en) | Apparatus and method for inspecting laser defect inside of transparent material | |
| KR20180082185A (en) | Method and apparatus of detecting an end point in the same | |
| TW202146887A (en) | Method for evaluating semiconductor wafer | |
| CN107703656B (en) | Display detection device and method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| AMND | Amendment | ||
| X701 | Decision to grant (after re-examination) |