KR20230055323A

KR20230055323A - 터치 표시 장치

Info

Publication number: KR20230055323A
Application number: KR1020210189689A
Authority: KR
Inventors: 이재균; 정지현; 안수창; 이득수; 이루다; 권향명
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2021-10-18
Filing date: 2021-12-28
Publication date: 2023-04-25

Abstract

본 개시의 실시예들은, 터치 표시 장치에 관한 것으로서, 터치 전극 및 터치 라우팅 배선이 서브픽셀의 발광 영역 이외의 영역에 배치되는 스페이서가 배치된 영역과 대응하는 영역에 배치됨으로써, 터치 센서 구조가 시야각에 따라 이미지에 미치는 영향을 최소화하며 터치 센싱 기능을 제공할 수 있다.

Description

터치 표시 장치{TOUCH DISPLAY DEVICE}

본 개시의 실시예들은, 터치 표시 장치에 관한 것이다.

표시 장치는, 사용자에게 다양한 기능을 제공하기 위하여, 표시 패널에 대한 사용자의 손가락 또는 펜에 의한 터치를 인식하고, 인식된 터치를 기반으로 입력 처리를 수행한다.

표시 장치는, 일 예로, 표시 패널에 배치된 다수의 터치 전극을 포함할 수 있다. 표시 장치는, 다수의 터치 전극을 구동하고, 표시 패널에 대한 사용자의 터치 시 발생하는 커패시턴스의 변화를 검출하여 사용자의 터치를 센싱할 수 있다.

표시 장치는, 터치 센싱을 위한 구성 이외에 영상 표시를 위한 다양한 구성을 포함할 수 있다. 표시 장치의 영상 표시 성능을 저하시키기 않으면서 터치 센싱의 성능을 향상시킬 수 있도록 표시 패널에 터치 전극을 구현할 수 있는 방안이 요구된다.

본 개시의 실시예들은, 표시 패널의 영상 표시 성능에 미치는 영향을 최소화하며 표시 패널에 터치 센서 구조를 배치할 수 있는 방안을 제공할 수 있다.

본 개시의 실시예들은, 표시 패널의 액티브 영역에 배치된 다수의 발광 소자들, 다수의 발광 소자들 상에 배치된 봉지 층, 봉지 층 상에 배치된 다수의 터치 전극들, 다수의 터치 전극들의 적어도 하나와 전기적으로 연결된 다수의 터치 라우팅 배선들, 봉지 층 아래에 배치된 다수의 스페이서들을 포함하고, 다수의 터치 전극들 또는 다수의 터치 라우팅 배선들의 적어도 하나의 일부분은 다수의 스페이서들이 배치된 영역과 대응하는 영역에 배치된 터치 표시 장치를 제공할 수 있다.

본 개시의 실시예들에 의하면, 표시 패널에 배치되는 터치 전극과 터치 라우팅 배선이 서브픽셀의 발광 영역 이외의 영역에 위치하는 스페이서와 대응하는 영역에 배치되므로, 표시 패널의 영상 표시 성능의 저하를 최소화하며 터치 센서 구조가 구현된 터치 표시 장치를 제공할 수 있다.

도 1은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 표시 장치의 구성을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 본 개시의 실시예들에 따른 터치 표시 장치에 포함된 서브픽셀의 회로 구조의 예시를 나타낸 도면이다.
도 3 내지 도 5는 본 개시의 실시예들에 따른 터치 표시 장치에 포함된 터치 센서 구조의 예시를 나타낸 도면이다.
도 6은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 표시 장치의 터치 센서 구조에 포함된 터치 전극의 구조의 예시를 나타낸 도면이다.
도 7은 도 5에 도시된 터치 센서 구조가 도 6에 도시된 터치 전극의 구조에 의해 구현된 예시를 나타낸 도면이다.
도 8은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 표시 장치의 터치 센서 구조를 구성하는 전극의 구조의 예시를 나타낸 도면이다.
도 9는 도 8에 도시된 전극과 서브픽셀에 포함된 구성의 배치 관계의 예시를 나타낸 도면이다.
도 10은 도 9에 도시된 A-A' 부분의 단면 구조의 예시를 나타낸 도면이다.
도 11은 도 8에 도시된 전극과 서브픽셀에 포함된 구성의 배치 관계의 다른 예시를 나타낸 도면이다.
도 12는 도 11에 도시된 B-B' 부분의 단면 구조의 예시를 나타낸 도면이다.
도 13은 도 11에 도시된 C-C' 부분의 단면 구조의 예시를 나타낸 도면이다.
도 14 내지 도 16은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 표시 장치의 터치 센서 구조가 표시 패널의 액티브 영역에서 구현된 구체적인 예시를 나타낸 도면이다.
도 17은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 표시 장치의 터치 센서 구조가 표시 패널의 액티브 영역과 논-액티브 영역의 경계의 주변 영역에서 구현된 구체적인 예시를 나타낸 도면이다.
도 18은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 표시 장치의 터치 센서 구조가 표시 패널의 액티브 영역과 논-액티브 영역의 댐 사이에서 구현된 구체적인 예시를 나타낸 도면이다.
도 19는 본 개시의 실시예들에 따른 터치 표시 장치의 터치 센서 구조가 표시 패널의 패드 영역을 포함하는 논-액티브 영역에서 구현된 구체적인 예시를 나타낸 도면이다.

이하, 본 개시의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성 요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 개시를 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 개시의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다. 본 명세서 상에서 언급된 "포함한다", "갖는다", "이루어진다" 등이 사용되는 경우 "~만"이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별한 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함할 수 있다.

또한, 본 개시의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다.

구성 요소들의 위치 관계에 대한 설명에 있어서, 둘 이상의 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속" 등이 된다고 기재된 경우, 둘 이상의 구성 요소가 직접적으로 "연결", "결합" 또는 "접속" 될 수 있지만, 둘 이상의 구성 요소와 다른 구성 요소가 더 "개재"되어 "연결", "결합" 또는 "접속" 될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 여기서, 다른 구성 요소는 서로 "연결", "결합" 또는 "접속" 되는 둘 이상의 구성 요소 중 하나 이상에 포함될 수도 있다.

구성 요소들이나, 동작 방법이나 제작 방법 등과 관련한 시간적 흐름 관계에 대한 설명에 있어서, 예를 들어, "~후에", "~에 이어서", "~다음에", "~전에" 등으로 시간적 선후 관계 또는 흐름적 선후 관계가 설명되는 경우, "바로" 또는 "직접"이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.

한편, 구성 요소에 대한 수치 또는 그 대응 정보(예: 레벨 등)가 언급된 경우, 별도의 명시적 기재가 없더라도, 수치 또는 그 대응 정보는 각종 요인(예: 공정상의 요인, 내부 또는 외부 충격, 노이즈 등)에 의해 발생할 수 있는 오차 범위를 포함하는 것으로 해석될 수 있다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 개시의 다양한 실시예들을 상세히 설명한다.

도 1은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 표시 장치(100)의 구성을 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 2는 본 개시의 실시예들에 따른 터치 표시 장치(100)에 포함된 서브픽셀(SP)의 회로 구조의 예시를 나타낸 도면이다.

도 1을 참조하면, 터치 표시 장치(100)는, 표시 패널(110)과, 표시 패널(110)을 구동하기 위한 게이트 구동 회로(120), 데이터 구동 회로(130) 및 컨트롤러(140)를 포함할 수 있다. 터치 표시 장치(100)는, 디스플레이 구동을 위한 구성 이외에 터치 센싱을 위한 구성을 더 포함할 수 있다.

표시 패널(110)은, 다수의 서브픽셀(SP)이 배치되는 액티브 영역(AA)과, 액티브 영역(AA)의 외측에 위치하는 논-액티브 영역(NA)을 포함할 수 있다. 다수의 게이트 라인(GL)과 다수의 데이터 라인(DL)이 표시 패널(110)에 배치될 수 있다. 다수의 서브픽셀(SP)이 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)이 교차하는 영역에 위치할 수 있다.

게이트 구동 회로(120)는, 컨트롤러(140)에 의해 제어될 수 있다. 게이트 구동 회로(120)는, 표시 패널(110)에 배치된 다수의 게이트 라인(GL)으로 스캔 신호를 순차적으로 출력하여 다수의 서브픽셀(SP)의 구동 타이밍을 제어할 수 있다.

게이트 구동 회로(120)는, 하나 이상의 게이트 드라이버 집적 회로(GDIC: Gate Driver Integrated Circuit)를 포함할 수 있다. 게이트 구동 회로(120)는, 구동 방식에 따라 표시 패널(110)의 일 측에만 위치할 수도 있고, 양 측에 위치할 수도 있다.

각 게이트 드라이버 집적 회로(GDIC)는, 테이프 오토메티드 본딩(TAB: Tape Automated Bonding) 방식 또는 칩 온 글래스(COG: Chip On Glass) 방식으로 표시 패널(110)의 본딩 패드에 연결될 수 있다. 또는, 각 게이트 드라이버 집적 회로(GDIC)는, GIP(Gate In Panel) 타입으로 구현되어 표시 패널(110)에 직접 배치될 수도 있다. 또는, 각 게이트 드라이버 집적 회로(GDIC)는, 표시 패널(110)에 집적화되어 배치될 수도 있다. 또는, 각 게이트 드라이버 집적 회로(GDIC)는, 표시 패널(110)과 연결된 필름 상에 실장되는 칩 온 필름(COF: Chip On Film) 방식으로 구현될 수도 있다.

데이터 구동 회로(130)는, 컨트롤러(140)로부터 영상 데이터(DATA)를 수신하고 영상 데이터(DATA)를 아날로그 형태의 데이터 전압(Vdata)으로 변환할 수 있다. 데이터 구동 회로(130)는, 게이트 라인(GL)을 통해 스캔 신호가 인가되는 타이밍에 맞춰 데이터 전압(Vdata)을 각각의 데이터 라인(DL)으로 출력하여 각각의 서브픽셀(SP)이 영상 데이터에 따른 밝기를 표현하도록 할 수 있다.

데이터 구동 회로(130)는, 하나 이상의 소스 드라이버 집적 회로(SDIC: Source Driver Integrated Circuit)를 포함할 수 있다. 각 소스 드라이버 집적 회로(SDIC)는, 시프트 레지스터, 래치 회로, 디지털 아날로그 컨버터, 및 출력 버퍼 등을 포함할 수 있다.

각 소스 드라이버 집적 회로(SDIC)는, 테이프 오토메티드 본딩(TAB) 방식 또는 칩 온 글래스(COG) 방식으로 표시 패널(110)의 본딩 패드에 연결될 수 있다. 또는, 각 소스 드라이버 집적 회로(SDIC)는, 표시 패널(110)에 직접 배치될 수도 있다. 또는, 각 소스 드라이버 집적 회로(SDIC)는, 표시 패널(110)에 집적화되어 배치될 수도 있다. 또는, 각 소스 드라이버 집적 회로(SDIC)는, 칩 온 필름(COF) 방식으로 구현될 수도 있다. 이러한 경우, 각 소스 드라이버 집적 회로(SDIC)는, 표시 패널(110)에 연결된 필름 상에 실장되고, 필름 상의 배선들을 통해 표시 패널(110)과 전기적으로 연결될 수 있다.

컨트롤러(140)는, 게이트 구동 회로(120)와 데이터 구동 회로(130)로 각종 제어 신호를 공급하며, 게이트 구동 회로(120)와 데이터 구동 회로(130)의 구동을 제어할 수 있다.

컨트롤러(140)는, 인쇄 회로 기판 또는 가요성 인쇄 회로 상에 실장될 수 있다. 컨트롤러(140)는, 인쇄 회로 기판 또는 가요성 인쇄 회로를 통해 게이트 구동 회로(120) 및 데이터 구동 회로(130)와 전기적으로 연결될 수 있다.

컨트롤러(140)는, 각 프레임에서 설정된 타이밍에 따라 게이트 구동 회로(120)가 스캔 신호를 출력하도록 제어할 수 있다. 컨트롤러(140)는, 외부(예: 호스트 시스템)로부터 수신한 영상 데이터를 데이터 구동 회로(130)에서 사용하는 데이터 신호 형식에 맞게 변환하고 변환된 영상 데이터(DATA)를 데이터 구동 회로(130)로 출력할 수 있다.

컨트롤러(140)는, 영상 데이터(DATA)와 함께 수직 동기 신호(VSYNC), 수평 동기 신호(HSYNC), 입력 데이터 인에이블 신호(DE: Data Enable), 및 클럭 신호(CLK) 등을 포함하는 각종 타이밍 신호를 외부(예: 호스트 시스템)로부터 수신할 수 있다.

컨트롤러(140)는, 외부로부터 수신한 각종 타이밍 신호를 이용하여 각종 제어 신호를 생성하고, 게이트 구동 회로(120) 및 데이터 구동 회로(130)로 출력할 수 있다.

일 예로, 컨트롤러(140)는, 게이트 구동 회로(120)를 제어하기 위하여, 게이트 스타트 펄스(GSP: Gate Start Pulse), 게이트 시프트 클럭(GSC: Gate Shift Clock), 및 게이트 출력 인에이블 신호(GOE: Gate Output Enable) 등을 포함하는 각종 게이트 제어 신호(GCS)를 게이트 구동 회로(120)로 출력할 수 있다.

게이트 스타트 펄스(GSP)는, 게이트 구동 회로(120)를 구성하는 하나 이상의 게이트 드라이버 집적 회로(GDIC)의 동작 스타트 타이밍을 제어할 수 있다. 게이트 시프트 클럭(GSC)은, 하나 이상의 게이트 드라이버 집적 회로(GDIC)에 공통으로 입력되는 클럭 신호로서, 스캔 신호의 시프트 타이밍을 제어할 수 있다. 게이트 출력 인에이블 신호(GOE)는, 하나 이상의 게이트 드라이버 집적 회로(GDIC)의 타이밍 정보를 지정할 수 있다.

또한, 컨트롤러(140)는, 데이터 구동 회로(130)를 제어하기 위하여, 소스 스타트 펄스(SSP: Source Start Pulse), 소스 샘플링 클럭(SSC: Source Sampling Clock), 및 소스 출력 인에이블 신호(SOE: Source Output Enable) 등을 포함하는 각종 데이터 제어 신호(DCS)를 데이터 구동 회로(130)로 출력할 수 있다.

소스 스타트 펄스(SSP)는, 데이터 구동 회로(130)를 구성하는 하나 이상의 소스 드라이버 집적 회로(SDIC)의 데이터 샘플링 스타트 타이밍을 제어할 수 있다. 소스 샘플링 클럭(SSC)은, 하나 이상의 소스 드라이버 집적 회로(SDIC) 각각에서 데이터의 샘플링 타이밍을 제어하는 클럭 신호일 수 있다. 소스 출력 인에이블 신호(SOE)는, 데이터 구동 회로(130)의 출력 타이밍을 제어할 수 있다.

터치 표시 장치(100)는, 표시 패널(110), 게이트 구동 회로(120) 및 데이터 구동 회로(130) 등으로 각종 전압 또는 전류를 공급해주거나, 공급할 각종 전압 또는 전류를 제어하는 전원 관리 집적 회로를 더 포함할 수 있다.

각각의 서브픽셀(SP)은, 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)의 교차에 의해 정의되는 영역일 수 있으며, 터치 표시 장치(100)의 유형에 따라 액정 층이 배치되거나, 광을 발산하는 소자가 배치될 수 있다.

일 예로, 터치 표시 장치(100)가 유기 발광 표시 장치인 경우, 다수의 서브픽셀(SP)에 유기 발광 다이오드(OLED)와 여러 회로 소자가 배치될 수 있다. 여러 회로 소자에 의해 유기 발광 다이오드(OLED)로 공급되는 전류를 제어함으로써, 영상 데이터에 대응하는 밝기를 각각의 서브픽셀(SP)이 나타낼 수 있다.

또는, 경우에 따라, 서브픽셀(SP)에 발광 다이오드(LED), 마이크로 발광 다이오드(μLED) 또는 양자점 발광 다이오드(QLED)가 배치될 수도 있다.

도 2를 참조하면, 다수의 서브픽셀(SP) 각각은 발광 소자(ED)를 포함할 수 있다. 서브픽셀(SP)은 발광 소자(ED)로 공급되는 구동 전류를 제어하는 구동 트랜지스터(DRT)를 포함할 수 있다.

서브픽셀(SP)은, 서브픽셀(SP)의 구동을 위해 발광 소자(ED)와 구동 트랜지스터(DRT) 이외에 적어도 하나의 회로 소자를 포함할 수 있다.

일 예로, 서브픽셀(SP)은, 제1 트랜지스터(T1), 제2 트랜지스터(T2), 제3 트랜지스터(T3), 제4 트랜지스터(T4), 제5 트랜지스터(T5) 및 스토리지 커패시터(Cstg)를 포함할 수 있다.

도 2에 도시된 예시는 6개의 트랜지스터와 1개의 커패시터가 배치된 6T1C 구조를 나타내나, 본 개시의 실시예들은 이에 한정되지 아니한다. 도 2에 도시된 예시는 트랜지스터가 P 타입인 경우를 나타내나, 서브픽셀(SP)에 배치된 트랜지스터의 적어도 일부는 N 타입일 수도 있다.

또한, 서브픽셀(SP)에 배치된 트랜지스터는, 일 예로, 저온 다결정 실리콘(LTPS: Low Temperature Poly Silicon)으로 이루어진 반도체 층이나 산화물 반도체(Oxide)로 이루어진 반도체 층을 포함할 수 있다. 또한, 경우에 따라, 서브픽셀(SP)에 저온 다결정 실리콘으로 이루어진 반도체 층을 포함하는 트랜지스터와 산화물 반도체로 이루어진 반도체 층을 포함하는 트랜지스터가 혼합되어 배치될 수도 있다.

제1 트랜지스터(T1)는, 데이터 라인(DL)과 제1 노드(N1) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)는, 제1 게이트 라인(GL1)을 통해 공급되는 제1 스캔 신호(Scan1)에 의해 제어될 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)는, 제1 노드(N1)에 데이터 전압(Vdata)이 인가되는 것을 제어할 수 있다.

제2 트랜지스터(T2)는, 제2 노드(N2)와 제3 노드(N3) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 노드(N2)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드일 수 있다. 제3 노드(N3)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 드레인 노드 또는 소스 노드일 수 있다. 제2 트랜지스터(T2)는, 제2 게이트 라인(GL2)을 통해 공급되는 제2 스캔 신호(Scan2)에 의해 제어될 수 있다. 제2 트랜지스터(T2)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱 전압의 변화를 보상하는 동작을 수행할 수 있다.

제3 트랜지스터(T3)는, 기준 전압(Vref)이 공급되는 라인과 제1 노드(N1) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다. 제3 트랜지스터(T3)는, 발광 제어 라인(EML)을 통해 공급되는 발광 제어 신호(EM)에 의해 제어될 수 있다. 제3 트랜지스터(T3)는, 제1 노드(N1)가 방전되거나, 제1 노드(N1)에 기준 전압(Vref)이 인가되는 것을 제어할 수 있다.

제4 트랜지스터(T4)는, 제3 노드(N3)와 제5 노드(N5) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다. 제5 노드(N5)는, 발광 소자(ED)와 전기적으로 연결된 노드일 수 있다. 제4 트랜지스터(T4)는, 발광 제어 라인(EML)을 통해 공급되는 발광 제어 신호(EM)에 의해 제어될 수 있다. 제4 트랜지스터(T4)는, 발광 소자(ED)로 구동 전류가 공급되는 타이밍을 제어할 수 있다.

제5 트랜지스터(T5)는, 기준 전압(Vref)이 공급되는 라인과 제5 노드(N5) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다. 제5 트랜지스터(T5)는, 제2 게이트 라인(GL2)을 통해 공급되는 제2 스캔 신호(Scan2)에 의해 제어될 수 있다. 제5 트랜지스터(T5)는, 제5 노드(N5)가 방전되거나, 제5 노드(N5)에 기준 전압(Vref)이 인가되는 것을 제어할 수 있다.

구동 트랜지스터(DRT)는, 제4 노드(N4)와 제3 노드(N3) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다. 제4 노드(N4)는, 제1 구동 전압(VDD)이 공급되는 라인과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 구동 전압(VDD)은, 일 예로, 고전위 구동 전압일 수 있다. 제4 노드(N4)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드 또는 드레인 노드일 수 있다.

구동 트랜지스터(DRT)는, 제2 노드(N2)의 전압과 제4 노드(N4)의 전압 차이에 의해 제어될 수 있다. 구동 트랜지스터(DRT)는, 발광 소자(ED)로 공급되는 구동 전류를 제어할 수 있다.

구동 트랜지스터(DRT)는, 제4 노드(N4)와 전기적으로 연결된 백 게이트 전극을 포함할 수 있다. 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드와 전기적으로 연결된 백 게이트 전극에 의해 구동 트랜지스터(DRT)의 전류 출력이 안정적으로 이루어질 수 있다. 백 게이트 전극은, 일 예로, 구동 트랜지스터(DRT)의 채널로 외부 광이 입사되는 것을 차단하기 위한 금속 층을 이용하여 배치될 수 있다.

발광 소자(ED)는, 제5 노드(N5)와 제2 구동 전압(VSS)이 공급되는 라인 사이에 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 구동 전압(VSS)은, 일 예로, 저전위 구동 전압일 수 있다.

발광 소자(ED)는, 제5 노드(N5)와 전기적으로 연결된 제1 전극(E1), 제2 구동 전압(VSS)이 인가되는 제2 전극(E2) 및 제1 전극(E1)과 제2 전극(E2) 사이에 배치된 발광 층(EL)을 포함할 수 있다.

발광 소자(ED)는, 구동 트랜지스터(DRT)에 의해 공급되는 구동 전류에 따른 밝기를 나타낼 수 있다. 발광 소자(ED)의 구동 타이밍은 제4 트랜지스터(T4)에 의해 제어될 수 있다.

도 2에 도시된 서브픽셀(SP)의 구동 타이밍을 간략히 설명하면, 제2 게이트 라인(GL2)을 통해 턴-온 레벨의 제2 스캔 신호(Scan2)가 공급될 수 있다. 서브픽셀(SP)에 배치된 트랜지스터가 P 타입이므로, 턴-온 레벨은 로우 레벨일 수 있다.

턴-온 레벨의 제2 스캔 신호(Scan2)에 의해 제2 트랜지스터(T2)와 제5 트랜지스터(T5)가 턴-온 될 수 있다.

제2 트랜지스터(T2)가 턴-온 되므로, 제2 노드(N2)와 제3 노드(N3)가 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 구동 전압(VDD)에 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱 전압이 반영된 전압이 제2 트랜지스터(T2)를 통해 제2 노드(N2)에 인가될 수 있다. 이러한 과정을 통해 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱 전압의 변화가 보상될 수 있다.

제5 트랜지스터(T5)가 턴-온 되므로, 제5 노드(N5)에 기준 전압(Vref)이 인가될 수 있다. 제5 노드(N5)가 초기화될 수 있다.

이후, 제1 게이트 라인(GL1)을 통해 턴-온 레벨의 제1 스캔 신호(Scan1)가 공급될 수 있다.

턴-온 레벨의 제1 스캔 신호(Scan1)에 의해 제1 트랜지스터(T1)가 턴-온 될 수 있다.

제1 트랜지스터(T1)가 턴-온 되므로, 제1 노드(N1)에 데이터 전압(Vdata)이 인가될 수 있다

스토리지 커패시터(Cstg)의 양단에 데이터 전압(Vdata)과 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱 전압이 반영된 제1 구동 전압(VDD)이 인가된 상태가 될 수 있다.

이후, 발광 제어 라인(EML)을 통해 턴-온 레벨의 발광 제어 신호(EM)가 공급될 수 있다.

제3 트랜지스터(T3)와 제4 트랜지스터(T4)가 턴-온 될 수 있다.

제3 트랜지스터(T3)가 턴-온 되므로, 제1 노드(N1)의 전압이 기준 전압(Vref)으로 변경될 수 있다. 제1 노드(N1)와 커플링된 제2 노드(N2)의 전압이 제1 노드(N1)의 전압의 변화에 따라 변경될 수 있다.

제2 노드(N2)에 제1 구동 전압(VDD)에 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱 전압과 데이터 전압(Vdata)이 반영된 전압이 인가된 상태가 되고, 제4 노드(N4)에 제1 구동 전압(VDD)이 인가된 상태가 될 수 있다. 제2 노드(N2)의 전압과 제4 노드(N4)의 전압 간의 차이는 데이터 전압(Vdata)과 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱 전압이 반영된 전압일 수 있다. 데이터 전압(Vdata)에 대응하는 구동 전류가 구동 트랜지스터(DRT)에 의해 공급될 수 있다.

제4 트랜지스터(DRT)가 턴-온 되므로, 구동 트랜지스터(DRT)에 의해 공급되는 구동 전류가 발광 소자(ED)로 공급될 수 있다.

발광 소자(ED)가 구동 전류에 따른 밝기를 나타내며, 발광 소자(ED)를 포함하는 서브픽셀(SP)이 영상 데이터에 대응하는 이미지를 표시할 수 있다.

또한, 본 개시의 실시예들은, 영상을 표시하는 표시 패널(110)에 터치 센서 구조를 구현하여, 표시 패널(110)에 대한 사용자의 터치를 센싱하는 기능을 제공할 수 있다.

도 3 내지 도 5는 본 개시의 실시예들에 따른 터치 표시 장치(100)에 포함된 터치 센서 구조의 예시를 나타낸 도면이다.

도 3을 참조하면, 터치 표시 장치(100)는, 표시 패널(110)에 배치된 다수의 터치 전극 라인(TEL)과 다수의 터치 라우팅 배선(TL)을 포함할 수 있다. 터치 표시 장치(100)는, 다수의 터치 전극 라인(TEL)과 다수의 터치 라우팅 배선(TL)을 구동하는 터치 구동 회로(150)를 포함할 수 있다.

다수의 터치 전극 라인(TEL) 각각은, 터치 라우팅 배선(TL)을 통해 터치 구동 회로(150)와 전기적으로 연결될 수 있다. 터치 구동 회로(150)는, 별도로 배치될 수도 있고, 경우에 따라, 디스플레이 구동을 위한 회로와 통합되어 배치될 수도 있다. 일 예로, 터치 구동 회로(150)는, 데이터 구동 회로(130)와 통합된 형태로 배치될 수 있다.

다수의 터치 전극 라인(TEL) 각각은, 일 방향을 따라 서로 전기적으로 연결된 다수의 터치 전극(TE)을 포함할 수 있다. 또한, 다수의 터치 전극 라인(TEL) 각각은, 다수의 터치 전극(TE)을 서로 전기적으로 연결하는 다수의 터치 전극 연결 패턴(CL)을 포함할 수 있다.

일 예로, 다수의 X-터치 전극 라인(X-TEL) 각각은 제1 방향을 따라 배열된 다수의 X-터치 전극(X-TE)과 다수의 X-터치 전극(X-TE)을 서로 전기적으로 연결하는 다수의 X-터치 전극 연결 패턴(X-CL)을 포함할 수 있다.

다수의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL) 각각은 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 배열된 다수의 Y-터치 전극(Y-TE)과 다수의 Y-터치 전극(Y-TE)을 서로 전기적으로 연결하는 다수의 Y-터치 전극 연결 패턴(Y-CL)을 포함할 수 있다.

X-터치 전극 라인(X-TEL)과 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)은 서로 다른 층에 배치될 수 있다. 또는, X-터치 전극(X-TE)과 Y-터치 전극(Y-TE)은 서로 동일한 층에 배치될 수도 있다. 이러한 경우, X-터치 전극 연결 패턴(X-CL)과 Y-터치 전극 연결 패턴(Y-CL) 중 하나는 터치 전극(TE)과 다른 층에 배치될 수 있다.

터치 전극(TE)은, 일 예로, 사각형일 수 있으나, 이에 한정되지는 아니한다.

터치 전극(TE)은, 투명한 도전성 물질로 이루어져 표시 패널(110)의 영상 표시 기능을 방해하지 않으면서 배치될 수 있다.

또는, 터치 전극(TE)은, 불투명한 금속으로 이루어질 수도 있다. 이러한 경우, 터치 전극(TE)은, 표시 패널(110)에 배치된 발광 소자(ED)의 발광 영역과 대응하는 영역이 개구된 형태일 수 있다. 일 예로, 터치 전극(TE)은 메쉬 형태로 구현되어 발광 영역을 회피하여 배치될 수 있다.

다수의 X-터치 전극 라인(X-TEL)과 다수의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)이 서로 교차하며 배치된 구조에서, 터치 구동 회로(150)가 터치 라우팅 배선(TL)을 통해 터치 전극 라인(TEL)을 구동하며 터치 센싱을 수행할 수 있다.

일 예로, X-터치 전극 라인(X-TEL)과 Y-터치 전극 라인(Y-TEL) 중 하나는 터치 구동 신호가 인가되는 터치 구동 전극일 수 있다. X-터치 전극 라인(X-TEL)과 Y-터치 전극 라인(Y-TEL) 중 다른 하나는 터치 센싱 신호가 검출되는 터치 센싱 전극일 수 있다.

터치 구동 회로(150)는, X-터치 전극 라인(X-TEL)과 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)에 서로 다른 신호가 인가된 상태에서 사용자에 의한 터치 시 발생하는 상호 커패시턴스의 변화를 검출할 수 있다.

터치 구동 회로(150)는, 검출된 상호 커패시턴스의 변화에 따른 센싱 데이터를 터치 컨트롤러로 전달할 수 있다. 터치 컨트롤러는, 터치 구동 회로(150)로부터 수신한 센싱 데이터에 기초하여 표시 패널(110)에 대한 터치 발생 여부와 터치 좌표를 검출할 수 있다.

표시 패널(110)에 배치된 터치 전극 라인(TEL)은, 액티브 영역(AA)에서 다수의 영역에 분할되어 배치될 수도 있다.

터치 전극 라인(TEL)이 영역 별로 분할되어 배치되므로, 터치 전극 라인(TEL)의 로드가 감소될 수 있다. 표시 패널(110)의 면적이 증가하는 경우, 터치 전극 라인(TEL)의 로드를 감소시키며 터치 센싱의 성능이 개선될 수 있다.

도 4를 참조하면, 표시 패널(110)의 액티브 영역(AA)은, 제1 방향의 경계 및 제2 방향의 경계에 의해 구분되는 다수의 서브 영역(SAA)을 포함할 수 있다.

액티브 영역(AA)은, 제1 방향에 따른 제1 경계(BL1)에 의해 구분되는 적어도 둘 이상의 서브 영역(SAA)을 포함할 수 있다. 액티브 영역(AA)은, 제2 방향에 따른 제2 경계(BL2)에 의해 구분되는 적어도 둘 이상의 서브 영역(SAA)을 포함할 수 있다.

일 예로, 제1 경계(BL1)에 의해 제1 서브 영역(SAA1)과 제2 서브 영역(SAA2)이 구분될 수 있다. 제1 경계(BL1)에 의해 제3 서브 영역(SAA3)과 제4 서브 영역(SAA4)이 구분될 수 있다.

제2 경계(BL2)에 의해 제1 서브 영역(SAA1)과 제3 서브 영역(SAA3)이 구분될 수 있다. 제2 경계(BL2)에 의해 제2 서브 영역(SAA2)과 제4 서브 영역(SAA4)이 구분될 수 있다.

도 4는 액티브 영역(AA)이 4개의 서브 영역(SAA)으로 구분된 예시를 도시하나, 액티브 영역(AA)은, 제1 경계(BL1) 및 제2 경계(BL2)에 의해 다수의 서브 영역(SAA)으로 구분될 수 있다.

다수의 서브 영역(SAA) 각각에 배치된 터치 전극 라인(TEL)은, 다른 서브 영역(SAA)에 배치된 터치 전극 라인(TEL)과 분리되어 배치될 수 있다.

다수의 서브 영역(SAA) 각각에 배치된 터치 전극 라인(TEL)은, 독립적으로 구동될 수 있다.

일 예로, 제1 서브 영역(SAA1)에 배치된 제1 X-터치 전극 라인(X-TEL-1)은, 제1 X-터치 라우팅 배선(X-TL-1)을 통해 제1 터치 구동 회로(151)와 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-1)은, 제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)을 통해 제1 터치 구동 회로(151)와 전기적으로 연결될 수 있다.

제2 서브 영역(SAA2)에 배치된 제2 X-터치 전극 라인(X-TEL-2)은, 제2 X-터치 라우팅 배선(X-TL-2)을 통해 제2 터치 구동 회로(152)와 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-2)은, 제2 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-2)을 통해 제2 터치 구동 회로(152)와 전기적으로 연결될 수 있다.

제1 X-터치 전극 라인(X-TEL-1)과 제1 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-1)은, 제1 터치 구동 회로(151)에 의해 구동될 수 있다. 제2 X-터치 전극 라인(X-TEL-2)과 제2 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-2)은, 제2 터치 구동 회로(152)에 의해 구동될 수 있다. 제3 서브 영역(SAA3)과 제4 서브 영역(SAA4)의 터치 전극 라인(TEL)은, 제1 서브 영역(SAA1)과 제2 서브 영역(SAA2)에 배치된 터치 전극 라인(TEL)과 유사한 구조로 배치되며, 유사한 방식으로 구동될 수 있다.

제1 서브 영역(SAA1)에 배치된 터치 전극 라인(TEL)과 제2 서브 영역(SAA2)에 배치된 터치 전극 라인(TEL)이 서로 전기적으로 분리되고 다른 터치 구동 회로(150)에 의해 구동되므로 터치 센싱을 위한 로드가 감소하며 터치 센싱의 성능이 개선될 수 있다.

또한, 경우에 따라, 둘 이상의 서브 영역(SAA)에 배치된 터치 전극 라인(TEL)이 동일한 터치 구동 회로(150)에 의해 구동될 수도 있다. 일 예로, 제1 서브 영역(SAA1)에 배치된 터치 전극 라인(TEL)과 제2 서브 영역(SAA2)에 배치된 터치 전극 라인(TEL)이 동일한 터치 구동 회로(150)에 의해 구동될 수 있다. 제3 서브 영역(SAA3)에 배치된 터치 전극 라인(TEL)과 제4 서브 영역(SAA4)에 배치된 터치 전극 라인(TEL)이 동일한 터치 구동 회로(150)에 의해 구동될 수 있다. 또는, 다른 예로, 제1 서브 영역(SAA1), 제2 서브 영역(SAA2), 제3 서브 영역(SAA3) 및 제4 서브 영역(SAA4)에 배치된 터치 전극 라인(TEL)이 동일한 터치 구동 회로(150)에 의해 구동될 수도 있다. 이러한 경우에도, 각 서브 영역(SAA)에 배치된 터치 전극 라인(TEL)이 서로 분리된 구조로 배치되므로, 터치 전극 라인(TEL)의 로드가 감소되어 터치 센싱의 성능이 개선될 수 있다.

이와 같이, 터치 전극 라인(TEL)이 다수의 서브 영역(SAA) 각각에 분리되어 배치된 구조에서 터치 라우팅 배선(TL)의 일부는 액티브 영역(AA)에 배치될 수 있다.

일 예로, 제1 서브 영역(SAA1)의 제1 X-터치 전극 라인(X-TEL-1)에 전기적으로 연결되는 제1 X-터치 라우팅 배선(X-TL-1)과 제2 서브 영역(SAA2)의 제2 X-터치 전극 라인(X-TEL-2)에 전기적으로 연결되는 제2 X-터치 라우팅 배선(X-TL-2)은 논-액티브 영역(NA)에 배치될 수 있다.

제2 서브 영역(SAA2)의 제2 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-2)에 전기적으로 연결되는 제2 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-2)은 논-액티브 영역(NA)에 배치될 수 있다.

제1 서브 영역(SAA1)의 제1 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-1)에 전기적으로 연결되는 제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)의 일부분은 액티브 영역(AA)에 배치될 수 있다.

제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)의 일부분은, 제2 서브 영역(SAA2)에 배치될 수 있다. 제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)은, 제2 서브 영역(SAA2)을 지나 제1 서브 영역(SAA1)에 배치된 제1 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-1)에 전기적으로 연결될 수 있다.

제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)의 일부분이 제2 서브 영역(SAA2)에 배치되므로, 제2 서브 영역(SAA2)에 배치되는 제2 X-터치 전극 라인(X-TEL-2) 및 제2 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-2) 중 적어도 하나는 제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)이 배치되는 영역에서 분리되어 배치될 수 있다. 도 4는 제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)의 배치로 인해 제2 서브 영역(SAA2)에 제2 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-2)이 분리되어 배치된 예시를 나타낸다.

이와 같이, 각 서브 영역(SAA)마다 터치 전극 라인(TEL)이 분할되어 배치된 경우, 터치 전극 라인(TEL)과 연결되는 터치 라우팅 배선(TL)의 수가 증가할 수 있다. 터치 라우팅 배선(TL)의 수가 증가하므로, 터치 라우팅 배선(TL)의 배치로 인해 논-액티브 영역(NA)이 증가할 수 있다. 그러나, 제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)이 액티브 영역(AA)을 통해 제1 서브 영역(SAA1)의 제1 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-1)과 전기적으로 연결되므로, 논-액티브 영역(NA)에서 제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)의 배치를 위한 별도 영역의 추가가 요구되지 않을 수 있다. 제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)의 추가로 인한 논-액티브 영역(NA)의 증가 없이, 서브 영역(SAA)으로 분할된 터치 센서 구조가 구현될 수 있다.

다수의 서브 영역(SAA)으로 분할된 터치 센서 구조는, 제1 경계(BL1)를 기준으로 상측 터치 센서부와 하측 터치 센서부로 구분될 수 있다. 또한, 터치 센서 구조는, 제2 경계(BL2)를 기준으로 좌측 터치 센서부와 우측 터치 센서부로 구분될 수 있다. 여기서, 하측 터치 센서부는 상측 터치 센서부보다 터치 라우팅 배선(TL)이 연결되는 패드와 가깝게 위치할 수 있다. 즉, 하측 터치 센서부와 터치 라우팅 배선(TL)이 연결되는 패드가 배치되는 영역 간의 거리는 상측 터치 센서부와 패드가 배치되는 영역 간의 거리보다 작을 수 있다.

또한, 제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)에 의해 제2 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-2)의 면적이 감소하므로, 제1 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-1)의 면적을 제2 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-2)의 면적과 동일 또는 유사하게 하여 터치 센싱의 감도 편차를 방지할 수 있다.

도 5를 참조하면, 제2 서브 영역(SAA2)에 제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)이 배치되는 영역과 대응하는 제1 서브 영역(SAA1)의 영역의 적어도 일부에 제1 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-1)과 분리된 적어도 하나의 제1 더미 전극(DME1)이 배치될 수 있다.

제1 더미 전극(DME1)은, 제1 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-1)과 전기적으로 분리될 수 있다.

제1 더미 전극(DME1)이 배치된 영역의 폭은, 제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)의 폭과 동일 또는 유사할 수 있다. 또는, 제1 더미 전극(DME1)이 배치된 영역의 폭은, 제2 서브 영역(SAA2)에서 제2 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-2)이 배치되지 않은 영역의 폭과 동일 또는 유사할 수 있다. 또한, 제1 더미 전극(DME1)의 양 측에 배치된 제1 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-1)의 두 부분 사이의 간격은 제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)의 양 측에 배치된 제2 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-2)의 두 부분 사이의 간격과 동일 또는 유사할 수 있다.

제1 서브 영역(SAA1)에 배치된 제1 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-1)의 면적은 제2 서브 영역(SAA2)에 배치된 제2 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-2)의 면적과 실질적으로 동일할 수 있다.

제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)이 제1 서브 영역(SAA1)을 지나가며 배치되더라도, 제1 서브 영역(SAA1)의 제1 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-1)에 의한 터치 감도와 제2 서브 영역(SAA2)의 제2 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-2)에 의한 터치 감도의 편차 발생을 방지하거나 편차를 감소시킬 수 있다.

본 개시의 실시예들에 의하면, 액티브 영역(AA)을 다수의 서브 영역(SAA)으로 분할하고, 다수의 서브 영역(SAA) 각각에 터치 전극 라인(TEL)을 배치하여 터치를 센싱하므로, 터치 전극 라인(TEL)의 로드를 감소시켜 액티브 영역(AA)의 면적이 증가하더라도 터치 센싱의 성능이 개선될 수 있다.

또한, 각각의 서브 영역(SAA)에 배치된 터치 전극 라인(TEL)의 면적을 동일 또는 유사하게 하여 각각의 서브 영역(SAA)에 배치된 터치 전극 라인(TEL)에 의한 터치 감도의 편차 발생도 방지할 수 있다.

터치 전극 라인(TEL)에 포함된 다수의 터치 전극(TE) 각각은, 전술한 예시와 같이, 사각형일 수도 있으나, 터치 센싱의 성능 향상을 위해 다양한 구조를 가질 수 있다.

도 6은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 표시 장치(100)의 터치 센서 구조에 포함된 터치 전극(TE)의 구조의 예시를 나타낸 도면이다.

도 6을 참조하면, X-터치 전극 라인(X-TEL)에 포함된 X-터치 전극(X-TE)과 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)에 포함된 Y-터치 전극(Y-TE)의 형태의 예시를 나타낸다. 도 6은 터치 전극(TE)의 구조의 예시를 설명하기 위한 도면으로서, X-터치 전극 라인(X-TEL)과 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)이 서로 교차하고, X-터치 전극(X-TE)과 Y-터치 전극(Y-TE)이 동일한 층에 배치되는 경우를 예시적으로 나타낸다.

X-터치 전극(X-TE)과 Y-터치 전극(Y-TE)은 유사한 형태를 가질 수 있다.

터치 전극(TE)의 형태를 X-터치 전극(X-TE)을 예시로 하여 설명하면, X-터치 전극(X-TE)은, 적어도 하나의 바디 부분(X-TE-a)과 다수의 윙 부분(X-TE-b)을 포함할 수 있다.

X-터치 전극(X-TE)의 바디 부분(X-TE-a)은, 제1 방향 또는 제2 방향을 따라 배치될 수 있으며, 도 6은 X-터치 전극(X-TE)의 바디 부분(X-TE-a)이 제2 방향을 따라 배치된 예시를 나타낸다.

X-터치 전극(X-TE)의 윙 부분(X-TE-b)은, 바디 부분(X-TE-a)과 교차하는 방향을 따라 배치될 수 있으며, 도 6은 X-터치 전극(X-TE)의 윙 부분(X-TE-b)이 제1 방향을 따라 배치된 예시를 나타낸다.

X-터치 전극(X-TE)의 바디 부분(X-TE-a)의 폭은 X-터치 전극(X-TE)의 윙 부분(X-TE-b)의 폭과 동일할 수 있다. 또는, X-터치 전극(X-TE)의 바디 부분(X-TE-a)의 폭은 X-터치 전극(X-TE)의 윙 부분(X-TE-b)의 폭보다 클 수 있다.

X-터치 전극(X-TE)의 바디 부분(X-TE-a)은, Y-터치 전극(Y-TE)의 바디 부분(Y-TE-a)과 제1 방향으로 교번하며 배치될 수 있다.

X-터치 전극(X-TE)의 윙 부분(X-TE-b)은, Y-터치 전극(Y-TE)의 윙 부분(Y-TE-b)과 제2 방향으로 교번하며 배치될 수 있다.

X-터치 전극(X-TE)의 윙 부분(X-TE-b)과 Y-터치 전극(Y-TE)의 윙 부분(Y-TE-b)이 서로 맞물린 형태로 배치될 수 있다. X-터치 전극(X-TE)의 외곽과 Y-터치 전극(Y-TE)의 외곽이 마주보는 영역이 증가할 수 있다. 또한, X-터치 전극(X-TE)과 Y-터치 전극(Y-TE) 사이의 경계의 길이가 증가할 수 있다. X-터치 전극(X-TE)과 Y-터치 전극(Y-TE) 간의 상호 커패시턴스의 변화에 기초한 터치 센싱의 성능이 향상될 수 있다.

X-터치 전극(X-TE)과 Y-터치 전극(Y-TE)은, 동일한 층에 배치되는 전극을 이용하여 배치될 수 있다. X-터치 전극(X-TE)과 Y-터치 전극(Y-TE) 중 하나는 터치 전극(TE)과 동일한 층에 배치된 전극에 의해 연결되고, 다른 하나는 터치 전극(TE)과 다른 층에 배치된 전극에 의해 연결될 수 있다.

일 예로, 제2 방향을 따라 연결되는 Y-터치 전극(Y-TE)은, 터치 전극(TE)과 동일한 층에 배치된 전극에 의해 연결될 수 있다.

제1 방향을 따라 연결되는 X-터치 전극(X-TE)은, 터치 전극(TE)과 다른 층에 배치된 X-터치 전극 연결 패턴(X-CL)에 의해 전기적으로 연결될 수 있다.

일 예로, X-터치 전극(X-TE)과 Y-터치 전극(Y-TE)은, 제1 터치 센서 메탈(TSM1)을 이용하여 배치될 수 있다. X-터치 전극 연결 패턴(X-CL)은, 제2 터치 센서 메탈(TSM2)을 이용하여 배치될 수 있다.

제2 터치 센서 메탈(TSM2)은, 제1 터치 센서 메탈(TSM1)과 상이한 층에 배치될 수 있다.

X-터치 전극(X-TE)과 X-터치 전극 연결 패턴(X-CL)은, 컨택홀(CH)을 통해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.

이와 같이, 제1 터치 센서 메탈(TSM1)이 배치된 층과 제2 터치 센서 메탈(TSM2)이 배치된 층을 이용하여 터치 전극 라인(TEL)이 구현될 수 있다.

터치 전극(TE)이 바디 부분(TE-a)과 윙 부분(TE-b)을 포함하는 구조에 의해 X-터치 전극(X-TE)과 Y-터치 전극(Y-TE) 간의 경계를 증가시켜 터치 센싱의 감도를 향상시킬 수 있다. 또한, 액티브 영역(AA)의 서브 영역(SAA) 별로 분리되어 배치된 터치 전극 라인(TEL)의 구조에 의해 로드를 감소시켜 터치 센싱의 성능을 개선할 수 있다.

도 7은 도 5에 도시된 터치 센서 구조가 도 6에 도시된 터치 전극(TE)의 구조에 의해 구현된 예시를 나타낸 도면이다. 도 7은 도 5에 도시된 501이 지시하는 영역에 구현된 터치 센서 구조를 예시적으로 나타낸다.

도 6과 도 7을 참조하면, 액티브 영역(AA)은, 일 예로, 제1 경계(BL1)와 제2 경계(BL2)에 의해 4개의 서브 영역(SAA1, SAA2, SAA3, SAA4)으로 구분될 수 있다. 4개의 서브 영역(SAA1, SAA2, SAA3, SAA4) 각각에 배치된 터치 전극 라인(TEL)은 서로 분리되어 배치될 수 있다.

각각의 서브 영역(SAA)에 배치된 터치 전극 라인(TEL)은, 다수의 X-터치 전극 라인(X-TEL)과 다수의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)을 포함할 수 있다.

다수의 X-터치 전극 라인(X-TEL) 각각은, 다수의 X-터치 전극(X-TE)을 포함할 수 있다. 다수의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL) 각각은, 다수의 Y-터치 전극(Y-TE)을 포함할 수 있다. X-터치 전극(X-TE)과 Y-터치 전극(Y-TE)은 하나의 센싱 유닛(SU)을 구성할 수 있다.

X-터치 전극 라인(X-TEL)에 포함된 다수의 X-터치 전극(X-TE)은, X-터치 전극 연결 패턴(X-CL)에 의해 전기적으로 연결될 수 있다.

일 예로, 다수의 X-터치 전극(X-TE)은, 제1 터치 센서 메탈(TSM1)로 이루어질 수 있다. X-터치 전극 연결 패턴(X-CL)은, 제1 터치 센서 메탈(TSM1)이 배치된 층과 상이한 층에 배치된 제2 터치 센서 메탈(TSM2)로 이루어질 수 있다.

X-터치 전극 연결 패턴(X-CL)은, 제1 방향을 따라 배치되며 컨택홀(CH)을 통해 X-터치 전극(X-TE)과 전기적으로 연결될 수 있다. 다수의 X-터치 전극(X-TE)이 제1 방향을 따라 전기적으로 연결되며 X-터치 전극 라인(X-TEL)을 구성할 수 있다.

X-터치 전극 연결 패턴(X-CL)은, 일 예로, X-터치 전극(X-TE)의 윙 부분(X-TE-b)과 중첩하는 영역에 배치될 수 있다. X-터치 전극 연결 패턴(X-CL)은, Y-터치 전극(Y-TE)의 윙 부분(Y-TE-b)과 중첩하는 영역에 배치되지 않을 수 있다. X-터치 전극 연결 패턴(X-CL)의 일부분은 Y-터치 전극(Y-TE)의 바디 부분(Y-TE-a)과 중첩할 수 있다.

X-터치 전극 연결 패턴(X-CL)과 중첩하는 영역에 위치하는 X-터치 전극(X-TE)의 윙 부분(X-TE-b)의 폭 Wa1은, X-터치 전극 연결 패턴(X-CL)과 중첩하지 않는 영역에 위치하는 X-터치 전극(X-TE)의 윙 부분(X-TE-b)의 폭 Wa2보다 클 수 있다.

X-터치 전극 연결 패턴(X-CL)과 중첩하는 영역에 위치하는 X-터치 전극(X-TE)의 윙 부분(X-TE-b)의 폭 Wa1은, Y-터치 전극(Y-TE)의 윙 부분(Y-TE-b)의 폭 Wa3보다 클 수 있다.

X-터치 전극 연결 패턴(X-CL)이 X-터치 전극(X-TE)의 윙 부분(X-TE-b) 중 폭이 큰 윙 부분(X-TE-b)과 중첩하도록 배치되므로, X-터치 전극 연결 패턴(X-CL)의 폭 또는 개수가 증가할 수 있다. X-터치 전극 연결 패턴(X-CL)의 저항을 감소시키며 X-터치 전극(X-TE)이 전기적으로 연결될 수 있다.

X-터치 전극 연결 패턴(X-CL)이 배치되지 않는 영역에서, X-터치 전극(X-TE)의 윙 부분(X-TE-b)의 폭과 Y-터치 전극(Y-TE)의 윙 부분(Y-TE-b)의 폭은 상대적으로 작으므로, X-터치 전극(X-TE)과 Y-터치 전극(Y-TE) 간의 경계를 증가시킨 구조를 유지하여 터치 센싱의 성능이 개선될 수 있다.

X-터치 전극 라인(X-TEL)은, 액티브 영역(AA)과 논-액티브 영역(NA)의 경계에서 X-터치 전극 컨택 패드(X-CP)와 전기적으로 연결될 수 있다.

일 예로, 제1 터치 센서 메탈(TSM1)로 이루어진 X-터치 전극(X-TE)이 논-액티브 영역(NA)으로 연장되어 배치될 수 있다. 연장된 X-터치 전극(X-TE)과 중첩하는 영역에 제2 터치 센서 메탈(TSM2)로 이루어진 X-터치 전극 컨택 패드(X-CP)가 배치될 수 있다. 연장된 X-터치 전극(X-TE)과 X-터치 전극 컨택 패드(X-CP)가 컨택홀(CH)을 통해 전기적으로 연결될 수 있다.

또는, 논-액티브 영역(NA)에 배치된 X-터치 전극(X-TE)의 연장된 부분과 제2 터치 센서 메탈(TSM2)로 이루어진 X-터치 전극 컨택 패드(X-CP)를 합하여 X-터치 전극 컨택 패드(X-CP)라 할 수도 있다.

X-터치 전극 컨택 패드(X-CP)는, 논-액티브 영역(NA)에서 X-터치 라우팅 배선(X-TL)과 전기적으로 연결될 수 있다. X-터치 전극 라인(X-TEL)은, X-터치 전극 컨택 패드(X-CP)를 통해 X-터치 라우팅 배선(X-TL)과 전기적으로 연결될 수 있다. X-터치 라우팅 배선(X-TL)은, 제1 터치 센서 메탈(TSM1)과 제2 터치 센서 메탈(TSM2)의 적어도 하나로 이루어질 수 있다.

Y-터치 전극 라인(Y-TEL)에 포함된 다수의 Y-터치 전극(Y-TE)은, 서로 직접 연결될 수 있다.

일 예로, 다수의 Y-터치 전극(Y-TE)은, 제1 터치 센서 메탈(TSM1)로 이루어질 수 있다. 다수의 Y-터치 전극(Y-TE)은, 제2 방향을 따라 연결되며 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)을 구성할 수 있다.

다수의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL) 중 제2 서브 영역(SAA2)과 제4 서브 영역(SAA4)에 배치된 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)은, 액티브 영역(AA)과 논-액티브 영역(NA)의 경계에서 논-액티브 영역(NA)에 배치되는 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL)과 전기적으로 연결될 수 있다.

일 예로, 제2 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-2)은, 액티브 영역(AA)과 논-액티브 영역(NA)의 경계에서 제2 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-2)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-2)은, 제1 터치 센서 메탈(TSM1)과 제2 터치 센서 메탈(TSM2)의 적어도 하나로 이루어질 수 있다.

다수의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL) 중 제1 서브 영역(SAA1)과 제3 서브 영역(SAA3)에 배치된 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)은, 액티브 영역(AA)에서 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL)과 전기적으로 연결될 수 있다.

일 예로, 제1 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-1)은, 액티브 영역(AA)에서 제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)과 전기적으로 연결될 수 있다.

제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)은, 논-액티브 영역(NA)과 제2 서브 영역(SAA2)에 배치될 수 있다. 제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-2)은, 제2 서브 영역(SAA2)을 지나 제1 서브 영역(SAA1)에 배치된 제1 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-1)과 전기적으로 연결될 수 있다.

제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)은, 일 예로, 제1 터치 센서 메탈(TSM1)로 이루어질 수 있다. 경우에 따라, 제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)과 중첩하는 영역에 제2 터치 센서 메탈(TSM2)이 배치되며 제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)과 컨택홀(CH)을 통해 전기적으로 연결되어 제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)의 저항을 감소시켜줄 수 있다.

제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)이 제2 서브 영역(SAA2)에 배치됨에 따라, 제2 서브 영역(SAA2)에 배치되는 제2 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-2)은 제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)의 양 측에 분리되어 배치될 수 있다.

제2 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-2)의 두 부분은 액티브 영역(AA)과 논-액티브 영역(NA)의 경계에서 제2 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-2)과 연결되며 서로 전기적으로 연결될 수 있다.

또한, 제2 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-2)의 두 부분은 액티브 영역(AA)에 배치되는 제2 Y-터치 전극 연결 패턴(Y-CL-2)에 의해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.

제2 Y-터치 전극 연결 패턴(Y-CL-2)은, 일 예로, 제2 터치 센서 메탈(TSM2)로 이루어질 수 있다.

적어도 하나의 제2 Y-터치 전극 연결 패턴(Y-CL-2)에 의해 제2 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-2)의 두 부분이 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 일 예로, 제2 Y-터치 전극 연결 패턴(Y-CL-2)은, 센싱 유닛(SU)의 상측 경계에 인접한 영역과 센싱 유닛(SU)의 하측 경계에 인접한 영역에 배치되며 제2 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-2)과 전기적으로 연결될 수 있다.

서로 분리되어 배치된 제2 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-2)의 두 부분이 제2 Y-터치 전극 연결 패턴(Y-CL-2)에 의해 다수의 지점에서 연결되므로, 제2 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-2)의 분리된 구조에 의해 로드가 증가하는 것을 방지할 수 있다.

제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)은, 제2 서브 영역(SAA2)을 지나 제1 서브 영역(SAA1)에서 제1 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-1)과 전기적으로 연결될 수 있다.

제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)이 제2 서브 영역(SAA2)을 지나 제1 서브 영역(SAA1)으로 연장되므로, 제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)의 일부분은 제1 경계(BL1)에 배치될 수 있다.

제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)이 제1 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-1)과 연결되는 지점은 제1 서브 영역(SAA1)의 내측에 위치할 수 있다. 제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)이 제1 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-1)과 연결되는 지점은 제1 서브 영역(SAA1)과 제2 서브 영역(SAA2)의 경계에 위치하지 않을 수 있다.

제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)이 제2 서브 영역(SAA2)을 지나 제1 서브 영역(SAA1)에 배치된 제1 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-1)과 전기적으로 연결되므로, 터치 전극 라인(TEL)이 다수의 서브 영역(SAA)에 분할되어 배치된 구조에서 논-액티브 영역(NA)의 증가 없이 터치 라우팅 배선(TL)이 배치될 수 있다.

제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)이 제2 서브 영역(SAA2)에 배치됨에 따라 제2 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-2)의 면적이 감소하므로, 제2 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-2)과 대응하는 영역에 위치하는 제1 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-1)의 면적을 제2 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-2)의 면적과 동일 또는 유사하게 할 수 있다.

일 예로, 제1 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-1)은 제2 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-2)과 유사하게 두 부분으로 분리되어 배치될 수 있다.

제1 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-1)의 두 부분은, 제1 Y-터치 전극 연결 패턴(Y-CL-1)에 의해 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-1)이 분리된 구조로 인한 로드 증가가 제1 Y-터치 전극 연결 패턴(Y-CL-1)에 의해 방지될 수 있다.

제1 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-1)의 두 부분 사이에 적어도 하나의 제1 더미 전극(DME1)이 배치될 수 있다.

제1 더미 전극(DME1)은, 제1 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-1) 및 제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)과 전기적으로 분리되어 배치될 수 있다.

제1 더미 전극(DME1)과 제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)의 경계는 제1 서브 영역(SAA1)과 제2 서브 영역(SAA2)의 경계와 상이할 수 있다. 제1 더미 전극(DME1)과 제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)의 경계는 제1 서브 영역(SAA1)의 내측에 위치할 수 있다.

제1 더미 전극(DME1)은, 제2 서브 영역(SAA2)에서 제1 서브 영역(SAA1)에 배치된 제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)의 일부분과 대응되도록 배치될 수 있다. 제1 더미 전극(DME1)의 폭은 제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)의 폭과 동일 또는 유사할 수 있다.

제2 서브 영역(SAA2)에서 제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)의 배치로 인해 제2 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-2)의 면적이 감소된 정도와 대응되게 제1 서브 영역(SAA1)에 배치된 제1 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-1)의 면적이 감소될 수 있다. 제1 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-1)의 면적이 감소함에 따라 남는 영역에 위치하는 전극이 제1 더미 전극(DME1)으로 될 수 있다.

제1 서브 영역(SAA1)에 배치된 터치 전극 라인(TEL)에 의한 터치 감도와 제2 서브 영역(SAA2)에 배치된 터치 전극 라인(TEL)에 의한 터치 감도를 동일 또는 유사하게 유지하며, 액티브 영역(AA)에 터치 라우팅 배선(TL)의 일부가 배치되는 구조가 구현될 수 있다.

Y-터치 라우팅 배선(Y-TL)이 제2 방향을 따라 배치되므로, Y-터치 라우팅 배선(Y-TL)의 일부분은 제1 경계(BL1) 상에 위치할 수 있다.

제2 방향의 경계인 제2 경계(BL2)는 제1 서브 영역(SAA1)과 제3 서브 영역(SAA3), 제2 서브 영역(SAA2)과 제4 서브 영역(SAA4)을 구분하므로, 제2 방향을 따라 배치되는 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL)은 제2 경계(BL2)에 배치되지 않을 수 있다.

제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)은, 액티브 영역(AA)과 논-액티브 영역(NA)의 경계에서 논-액티브 영역(NA)으로 연장되며 제2 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-2)과 교차할 수 있다. 제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)과 제2 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-2)이 교차하는 영역에서 둘은 서로 다른 층에 배치될 수 있다.

이와 같이, 본 개시의 실시예들에 의하면, 터치 전극 라인(TEL)이 다수의 서브 영역(SAA)에 분할되어 배치된 구조에 의해 터치 전극 라인(TEL)에 의한 로드를 감소시킬 수 있는 터치 센서 구조가 제공될 수 있다. 또한, 터치 라우팅 배선(TL)의 일부가 액티브 영역(AA)에 배치되므로, 터치 라우팅 배선(TL)의 배치로 인한 논-액티브 영역(NA)의 증가 없이 터치 센싱의 성능을 향상시킬 수 있는 구조가 제공될 수 있다.

터치 전극 라인(TEL)을 구성하는 터치 전극(TE)은, 전술한 예시와 같이, 투명한 도전성 물질로 이루어질 수도 있고, 불투명한 금속 물질로 이루어질 수도 있다. 터치 전극(TE)이 불투명한 금속 물질일 경우, 표시 패널(110)의 영상 표시 성능을 저하시키지 않도록 터치 전극(TE)은 서브픽셀(SP)의 발광 영역과 대응하는 영역이 개구된 형태를 가질 수 있다. 개구된 부분을 포함하는 터치 전극(TE)의 형태는 서브픽셀(SP)의 유형에 따라 다양할 수 있다.

도 8은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 표시 장치(100)의 터치 센서 구조를 구성하는 전극의 구조의 예시를 나타낸 도면이다. 도 8은 도 7에 도시된 701이 지시하는 영역에서의 터치 센서 구조를 구성하는 전극의 구조를 예시적으로 나타낸다.

도 8은 전술한 터치 전극(TE)의 바디 부분(TE-a)과 윙 부분(TE-b)을 구성하는 전극의 구체적인 구조의 예시를 나타낸다. 도 8에 도시된 전극이 일정한 방향으로 커팅되며 터치 전극(TE)의 바디 부분(TE-a)과 윙 부분(TE-b)을 형성할 수 있다. 또한, 터치 전극(TE)과 전기적으로 연결되는 터치 라우팅 배선(TL)의 구조도 도 8에 도시된 전극의 구조와 동일할 수 있다.

도 8을 참조하면, 표시 패널(110)에 디스플레이 구동을 위한 신호를 공급하는 디스플레이 신호 라인(DSL)이 배치된 구조와 터치 전극(TE)이 배치된 구조를 예시적으로 나타낸다.

디스플레이 신호 라인(DSL)은, 제1 방향으로 배치된 다수의 제1 디스플레이 신호 라인(DSL1)과 제2 방향으로 배치된 다수의 제2 디스플레이 신호 라인(DSL2)을 포함할 수 있다.

제1 디스플레이 신호 라인(DSL1)은, 일 예로, 게이트 라인(GL) 또는 발광 제어 라인(EML)일 수 있다. 제2 디스플레이 신호 라인(DSL2)은, 일 예로, 데이터 라인(DL) 또는 제1 구동 전압(VDD), 기준 전압(Vref) 및 제2 구동 전압(VSS) 중 적어도 하나를 공급하는 라인일 수 있다.

터치 전극(TE)은, 일 예로, 제1 방향을 따라 배치된 제1 부분(TE_f), 제2 방향을 따라 배치된 제2 부분(TE_s) 및 제1 방향 및 제2 방향과 다른 제3 방향을 따라 배치된 제3 부분(TE_t)을 포함할 수 있다.

터치 전극(TE)을 구성하는 전극은, X-터치 전극(TE)이나 Y-터치 전극(Y-TE)을 구성하기 위해 801이 지시하는 부분과 같이 제1 방향으로 커팅되거나, 802가 지시하는 부분과 같이 제2 방향으로 커팅될 수 있다.

제1 부분(TE_f), 제2 부분(TE_s) 및 제3 부분(TE_t)을 포함하는 전극이 제1 방향 또는 제2 방향으로 커팅되어서, 전술한 터치 전극(TE)이 바디 부분(TE-a) 또는 윙 부분(TE-b)을 구성할 수 있다.

터치 라우팅 배선(TL)도 터치 전극(TE)과 유사하게 제1 부분(TE_f), 제2 부분(TE_s) 및 제3 부분(TE_t)의 적어도 일부를 포함할 수 있으며, 제1 방향 또는 제2 방향으로 커팅될 수 있다.

터치 전극(TE)이 서로 다른 방향으로 배치되는 제1 부분(TE_f), 제2 부분(TE_s) 및 제3 부분(TE_t)을 포함하며 형성됨에 따라, 터치 전극(TE)은 다수의 개구된 부분을 포함할 수 있다. 터치 전극(TE)의 개구된 부분의 형태는 다양할 수 있으며, 표시 패널(110)에 배치되는 서브픽셀(SP)의 발광 영역의 형태에 따라 결정될 수 있다.

도 9는 본 개시의 실시예들에 따른 터치 표시 장치(100)에서 터치 센서 구조를 구성하는 전극과 서브픽셀(SP)에 포함된 구성의 배치 관계의 예시를 나타낸 도면이다. 도 9는 도 7에 도시된 702가 지시하는 영역에서의 터치 센서 구조를 구성하는 전극의 구조를 예시적으로 나타낸다. 도 10은 도 9에 도시된 A-A' 부분의 단면 구조의 예시를 나타낸 도면이다.

도 9와 도 10을 참조하면, 터치 전극(TE)의 개구된 부분과 중첩하는 영역에 서브픽셀(SP)에 배치된 발광 소자(ED)의 발광 영역이 위치할 수 있다.

발광 소자(ED)의 발광 영역은, 발광 소자(ED)의 제1 전극(E1) 상에 발광 층(EL)과 제2 전극(E2)이 중첩하여 배치된 영역을 의미할 수 있다. 또한, 발광 소자(ED)의 발광 영역은, 발광 소자(ED)의 제1 전극(E1)이 배치된 영역 중 뱅크(BNK)가 배치되지 않은 영역을 의미할 수도 있다.

도 9는 적색 서브픽셀(SP_r), 녹색 서브픽셀(SP_g) 및 청색 서브픽셀(SP_b)의 발광 영역이 배치된 형태의 예시를 나타내나, 하나의 픽셀을 구성하는 서브픽셀(SP)의 형태와 크기는 표시 패널(110)에 따라 다양할 수 있다.

터치 전극(TE)의 제1 부분(TE_f), 제2 부분(TE_s) 및 제3 부분(TE_t)은 서브픽셀(SP)의 발광 영역을 회피하여 배치될 수 있다.

터치 전극(TE)은, 인접한 서브픽셀(SP)의 발광 영역 사이에 위치하여 시야각에 따라 보여지는 영상에 터치 전극(TE)이 영향을 주는 것을 방지 또는 최소화할 수 있다.

터치 전극(TE)이 서브픽셀(SP)의 발광 영역을 회피하며 배치됨에 따라, 서브픽셀(SP)에 위치하는 특정 구조와 중첩하며 배치될 수 있다.

일 예로, 제1 방향을 따라 배치되는 터치 전극(TE)의 제1 부분(TE_f)은, 서브픽셀(SP)에서 발광 소자(ED)의 제1 전극(E1)과 박막 트랜지스터(TFT) 간의 전기적인 연결을 위한 컨택홀(CH)의 적어도 일부분과 중첩하며 배치될 수 있다.

도 9와 도 10의 <EX 1>을 참조하면, 기판(SUB) 상에 멀티 버퍼 층(MB)이 배치될 수 있다. 기판(SUB)은, 일 예로, 제1 폴리이미드 층(PI1), 층간 폴리이미드 층(IPD) 및 제2 폴리이미드 층(PI2)을 포함할 수 있다. 멀티 버퍼 층(MB)은, 다수의 절연 층이 적층된 구조일 수 있다.

차광 금속 층(BSM)이 멀티 버퍼 층(MB) 상에 배치될 수 있다. 차광 금속 층(BSM)은, 디스플레이 신호 라인(DSL)을 구성하거나, 서브픽셀(SP)에 배치되는 스토리지 커패시터(Cstg)의 일부분을 구성할 수 있다.

액티브 버퍼 층(AB)이 차광 금속 층(BSM) 상에 배치될 수 있다.

액티브 층(ACT)이 액티브 버퍼 층(AB) 상에 배치될 수 있다. 액티브 층(ACT)은, 반도체 물질로 이루어질 수 있다.

액티브 층(ACT)은, 박막 트랜지스터(TFT)의 채널을 구성할 수 있다. 또한, 액티브 층(ACT)은, 도체화되어 디스플레이 신호 라인(DSL)이나 스토리지 커패시터(Cstg)의 일부분을 구성할 수도 있다.

게이트 절연 층(GI)이 액티브 층(ACT) 상에 배치될 수 있다.

게이트 금속 층(GAT)이 게이트 절연 층(GI) 상에 배치될 수 있다. 게이트 금속 층(GAT)은, 박막 트랜지스터(TFT)의 게이트 전극을 구성할 수도 있고, 디스플레이 신호 라인(DSL) 등을 구성할 수도 있다.

제1 층간 절연 층(ILD1)이 게이트 금속 층(GAT) 상에 배치될 수 있다.

디스플레이 보조 전극 층(TM)이 제1 층간 절연 층(ILD1) 상에 배치될 수 있다. 디스플레이 보조 전극 층(TM)은, 디스플레이 신호 라인(DSL)이나 스토리지 커패시터(Cstg)의 일부분 등을 구성하기 위해 다양하게 이용될 수 있다.

제2 층간 절연 층(ILD2)이 디스플레이 보조 전극 층(TM) 상에 배치될 수 있다.

소스 드레인 금속 층(SD)이 제2 층간 절연 층(ILD2) 상에 배치될 수 있다. 소스 드레인 금속 층(SD)은, 박막 트랜지스터(TFT)의 소스 전극과 드레인 전극을 구성할 수도 있고, 디스플레이 신호 라인(DSL) 등을 구성할 수도 있다.

평탄화 층(PLN)이 소스 드레인 금속 층(SD) 상에 배치될 수 있다.

발광 소자(ED)의 제1 전극(E1)이 평탄화 층(PLN) 상에 배치될 수 있다. 발광 소자(ED)의 제1 전극(E1)은, 평탄화 층(PLN)에 형성된 컨택홀(CH)을 통해 평탄화 층(PLN) 아래에 위치하는 박막 트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결될 수 있다. 발광 소자(ED)의 제1 전극(E1)과 전기적으로 연결되는 박막 트랜지스터(TFT)는, 일 예로, 구동 트랜지스터(DRT)일 수도 있고, 도 2의 예시와 같이 발광 소자(ED)의 발광 타이밍을 제어하는 트랜지스터일 수도 있다.

뱅크(BNK)가 평탄화 층(PLN)과 발광 소자(ED)의 제1 전극(E1) 상에 배치될 수 있다. 뱅크(BNK)는, 발광 소자(ED)의 제1 전극(E1)의 가장자리 부분을 덮으며 배치될 수 있다.

뱅크(BNK)에 의해 노출된 제1 전극(E1)의 일부분과 뱅크(BNK) 상에 발광 소자(ED)의 발광 층(EL)과 제2 전극(E2)이 배치될 수 있다. 뱅크(BNK)에 의해 노출된 제1 전극(E1)의 일부분이 발광 영역과 대응할 수 있다.

봉지 층(ENCAP)이 발광 소자(ED)의 제2 전극(E2) 상에 배치될 수 있다. 봉지 층(ENCAP)은, 다수의 층을 포함할 수 있다. 봉지 층(ENCAP)은, 적어도 하나의 무기 층과 적어도 하나의 유기 층을 포함할 수 있다.

일 예로, 봉지 층(ENCAP)은, 제1 무기 봉지 층(PAS1), 유기 봉지 층(PCL) 및 제2 무기 봉지 층(PAS2)을 포함할 수 있다.

무기 봉지 층(PAS1, PAS2)은, 일 예로, 질화 실리콘(SiNx), 산화 실리콘(SiOx), 산화 질화 실리콘(SiON) 또는 산화 알루미늄(Al2O3)과 같은 저온 증착이 가능한 무기 절연 재질로 이루어질 수 있다. 유기 봉지 층(PCL)은, 일 예로, 아크릴 수지, 에폭시 수지, 폴리이미드, 폴리에틸렌 또는 실리콘 옥시 카본(SiOC)과 같은 유기 절연 재질로 이루어질 수 있다.

봉지 층(ENCAP)은, 발광 소자(ED)를 밀봉하며 발광 소자(ED)를 외부의 수분과 공기로부터 보호해줄 수 있다.

봉지 층(ENCAP) 상에 터치 센싱을 위한 터치 센서 구조가 구현될 수 있다.

일 예로, 터치 버퍼 층(TBUF)이 봉지 층(ENCAP) 상에 배치될 수 있다. 터치 버퍼 층(TBUF)은, 무기 층일 수 있다. 경우에 따라, 터치 버퍼 층(TBUF)이 배치되지 않을 수도 있으나, 봉지 층(ECNAP) 상에 터치 센서 메탈(TSM)의 배치를 용이하게 하기 위하여 터치 버퍼 층(TBUF)이 배치될 수 있다.

터치 절연 층(TILD)이 터치 버퍼 층(TBUF) 상에 배치될 수 있다.

도 10의 예시에 도시 되지는 않았으나, 터치 버퍼 층(TBUF)과 터치 절연 층(TILD) 사이에 터치 전극 연결 패턴(CL) 등을 구성하는 제2 터치 센서 메탈(TSM2)이 배치될 수 있다.

터치 절연 층(TILD)은, 무기 층일 수 있다. 또는, 터치 절연 층(TILD)은, 유기 층일 수도 있다.

터치 절연 층(TILD)이 유기 층일 경우, 터치 절연 층(TILD)의 두께는 터치 버퍼 층(TBUF)의 두께보다 클 수 있다.

또한, 터치 절연 층(TILD)이 유기 층일 경우, 도 10의 <EX 2>와 같이, 터치 절연 층(TILD)과 터치 버퍼 층(TBUF) 사이에 터치 절연 버퍼 층(TIBUF)이 더 배치될 수 있다. 이와 같이, 봉지 층(ENCAP)과 터치 절연 층(TILD) 사이에 두 개 또는 그 이상의 버퍼 층이 배치될 수 있다.

터치 절연 버퍼 층(TIBUF)은, 터치 절연 층(TILD)과 제2 터치 센서 메탈(TSM2) 사이에 배치될 수 있다. 터치 절연 버퍼 층(TIBUF)은, 무기 층일 수 있다. 터치 절연 버퍼 층(TIBUF)은, 터치 버퍼 층(TBUF)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.

터치 절연 층(TILD)의 적어도 일부분이 터치 절연 버퍼 층(TIBUF)의 상면과 접촉하며 배치될 수 있다.

터치 절연 층(TILD)과 제2 터치 센서 메탈(TSM2) 사이에 무기 층으로 이루어진 터치 절연 버퍼 층(TIBUF)이 배치되므로, 유기 층인 터치 절연 층(TILD)의 접착이 더 용이해질 수 있다.

터치 절연 버퍼 층(TIBUF)의 두께는 터치 절연 층(TILD)의 두께보다 작을 수 있으며, 터치 버퍼 층(TBUF)의 두께와 유사할 수 있다.

터치 전극(TE)이 터치 절연 층(TILD) 상에 배치될 수 있다. 제1 터치 센서 메탈(TSM1)이 터치 절연 층(TILD) 상에 배치되며 터치 전극(TE)을 구성할 수 있다. 또한, 제1 터치 센서 메탈(TSM1)이 터치 절연 층(TILD) 상에 배치되며 터치 라우팅 배선(TL)을 구성할 수 있다.

도 10은 도 9에 도시된 터치 전극(TE)의 제1 부분(TE_f)이 배치된 부분의 단면 구조를 예시적으로 나타낸다. 터치 전극(TE)의 제1 부분(TE_f)이 터치 절연 층(TILD) 상에 배치될 수 있다.

터치 전극(TE)의 제1 부분(TE_f)은, 발광 소자(ED)의 발광 영역을 회피하여 배치될 수 있다. 터치 전극(TE)의 제1 부분(TE_f)은, 발광 소자(ED)의 제1 전극(E1)과 박막 트랜지스터(TFT) 간의 전기적인 연결을 위한 컨택홀(CH)의 적어도 일부분과 중첩하는 영역에 배치될 수 있다.

터치 전극(TE)의 제1 부분(TE_f)은, 제1 방향으로 배치되고 인접한 디스플레이 신호 라인(DSL) 사이에 배치되거나, 디스플레이 신호 라인(DSL)의 일부분과 중첩하며 배치될 수도 있다.

터치 전극(TE)이 컨택홀(CH)과 중첩하는 영역에 위치하며, 발광 소자(ED)의 발광 영역을 회피하여 배치되므로, 표시 패널(110)의 영상 표시 기능을 저해하지 않으면서 터치 센서 구조가 구현될 수 있다.

터치 보호 층(TPAS)이 제1 터치 센서 메탈(TSM1)로 이루어진 터치 전극(TE) 상에 배치되며 터치 전극(TE)을 보호할 수 있다.

도 11은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 표시 장치(100)에서 터치 센서 구조를 구성하는 전극과 서브픽셀(SP)에 포함된 구성의 배치 관계의 다른 예시를 나타낸 도면이다. 도 11은 도 7에 도시된 702가 지시하는 영역에서의 터치 센서 구조를 구성하는 전극의 구조를 예시적으로 나타낸다. 도 12는 도 11에 도시된 B-B' 부분의 단면 구조의 예시를 나타낸 도면이다. 도 13은 도 11에 도시된 C-C' 부분의 단면 구조의 예시를 나타낸 도면이다. 도 11 내지 도 13에 도시된 구조에서 도 9와 도 10을 통해 설명된 구조와 중복된 구조에 대한 설명을 생략한다.

도 11, 도 12 및 도 13을 참조하면, 표시 패널(110)에 다수의 스페이서(SPC)가 배치될 수 있다. 다수의 스페이서(SPC)는, 제1 스페이서(SPC1)와 제2 스페이서(SPC2)를 포함할 수 있다.

제1 스페이서(SPC1)와 제2 스페이서(SPC2)는, 뱅크(BNK) 상에 배치될 수 있다. 제1 스페이서(SPC1)와 제2 스페이서(SPC2)는, 뱅크(BNK) 상에 배치되므로, 발광 소자(ED)의 발광 영역 이외의 영역에 위치할 수 있다.

일 예로, 제1 스페이서(SPC1)은, 다수의 발광 소자(ED) 중 셋 이상의 발광 영역에 의해 둘러싸인 영역에 배치될 수 있다. 제2 스페이서(SPC2)는, 다수의 발광 소자(ED) 중 인접한 두 개의 발광 영역 사이의 영역에 배치될 수 있다.

제1 스페이서(SPC1)는, 일 예로, 정테이퍼 형태를 가질 수 있다. 제1 스페이서(SPC1)는, 표시 패널(110)을 제작하는 공정 중 증착 공정 시 마스크를 지지하여 기판(SUB)과 마스크 사이에 일정한 간격을 유지할 수 있다.

제2 스페이서(SPC2)는, 일 예로, 역테이퍼 형태를 가질 수 있다. 제2 스페이서(SPC2)는, 발광 소자(ED)의 제1 전극(E1) 상에 배치되는 발광 층(EL) 및 제2 전극(E2)의 적어도 일부분을 끊어주는 기능을 수행할 수 있다.

일 예로, 제2 스페이서(SPC2)는, 인접하고 다른 색상의 광을 발산하는 서브픽셀(SP)의 발광 영역 사이에 배치될 수 있다. 발광 소자(ED)의 증착 공정 시 제2 스페이서(SPC2)의 역테이퍼 형태에 의해 제2 스페이서(SPC2)의 경계 영역(예: 언더컷 영역)에서 발광 층(EL) 및 제2 전극(E2)의 적어도 일부분이 끊어지며 배치될 수 있다. 일 예로, 발광 소자(ED)의 발광 층(EL)의 일부분이 제2 스페이서(SPC2)의 경계 영역에서 끊어질 수 있다.

인접한 서브픽셀(SP)의 경계에서 발광 층(EL)의 일부분이 끊어지므로, 특정 서브픽셀(SP)에 배치된 발광 소자(ED)의 구동을 위해 공급되는 구동 전류가 인접한 서브픽셀(SP)의 발광 소자(ED)로 누설되는 것을 차단 또는 감소시켜줄 수 있다.

인접한 서브픽셀(SP)에 배치된 발광 소자(ED)로 구동 전류가 누설되는 것을 차단 또는 감소시켜줌으로써, 발광 소자(ED)가 영상 데이터에 대응하는 밝기를 정확히 나타내지 못하는 것을 방지할 수 있다. 누설 전류로 인해 서브픽셀(SP)이 나타내는 색 좌표의 이상이 발생하는 것을 방지할 수 있다.

이와 같이, 표시 패널(110)에 배치된 스페이서(SPC)는, 발광 영역을 회피하여 위치하므로, 터치 전극(TE)을 구성하는 전극의 일부분은 스페이서(SPC)가 배치된 영역에 위치할 수 있다.

일 예로, 도 11과 도 12를 참조하면, 터치 전극(TE)의 제2 부분(TE_s)의 적어도 일부분은 제1 스페이서(SPC1)와 중첩하는 영역에 배치될 수 있다.

또한, 도 11과 도 13을 참조하면, 터치 전극(TE)의 제3 부분(TE_t)의 적어도 일부분은 제2 스페이서(SPC2)가 배치된 영역의 적어도 일부 영역과 중첩하도록 배치될 수 있다. 일 예로, 터치 전극(TE)의 제3 부분(TE_t)은, 제2 스페이서(SPC2)와 중첩할 수 있다.

또는, 제2 스페이서(SPC2)는, 인접한 서브픽셀(SP)로 누설되는 전류 방지를 위해 발광 층(EL)을 끊어주는 기능을 수행하므로, 해당 기능을 보다 확실하게 구현하기 위해 둘 이상의 제2 스페이서(SPC2)가 인접하게 배치될 수 있다.

일 예로, 도 11과 도 13에 도시된 예시와 같이, 2개의 제2 스페이서(SPC2)가 발광 소자(ED)의 발광 영역 사이에 위치할 수 있다. 이러한 경우, 터치 전극(TE)의 제3 부분(TE_t)은, 2개의 제2 스페이서(SPC2) 사이의 영역과 중첩하도록 위치함으로써, 터치 전극(TE)의 제3 부분(TE_t)의 양 측에 위치하는 발광 영역의 시야각에 미치는 영향을 최소할 수 있다. 또는, 경우에 따라, 터치 전극(TE)의 제3 부분(TE_t)의 일부분은 2개의 제2 스페이서(SPC2)의 일부분과 중첩하며 배치될 수도 있다.

제1 터치 센서 메탈(TSM1)로 이루어진 터치 전극(TE) 아래에는 도 12의 <EX 1>과 도 13의 <EX 1>과 같이 터치 절연 층(TILD)과 터치 버퍼 층(TBUF)만 배치될 수 있다.

또는, 도 12의 <EX 2>와 도 13의 <EX 2>와 같이 터치 절연 버퍼 층(TIBUF)이 터치 절연 층(TILD) 아래에 더 배치될 수 있다. 터치 절연 버퍼 층(TIBUF)은, 터치 절연 층(TILD)과 제2 터치 센서 메탈(TSM2)이 배치된 층 사이에 위치하며 터치 절연 층(TILD)의 접착을 용이하게 할 수 있다.

이와 같이, 터치 전극(TE) 또는 터치 라우팅 배선(TL)을 구성하는 전극의 각 부분이 서브픽셀(SP)에 배치된 발광 소자(ED)의 발광 영역과 중첩하지 않는 영역에 배치되고, 발광 영역의 시야각의 방해를 최소화하는 위치에 배치되므로, 표시 패널(110)의 영상 표시 성능이 저하되는 것을 방지 또는 최소화하며 터치 센서 구조가 구현될 수 있다.

이하에서는, 전술한 전극 구조를 갖는 터치 전극(TE)과 터치 라우팅 배선(TL)에 의해 도 5에 도시된 터치 센서 구조가 구현된 구체적인 예시를 설명한다. 또한, 전술한 바와 같이, 터치 전극(TE)은 전술한 전극 구조 이외의 다양한 구조를 가질 수 있으며, 본 개시의 실시예들은 다양한 전극 구조에 모두 적용될 수 있다.

도 14 내지 도 16은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 표시 장치(100)의 터치 센서 구조가 표시 패널(110)의 액티브 영역(AA)에서 구현된 구체적인 예시를 나타낸 도면이다.

도 14는 표시 패널(110)의 액티브 영역(AA)에서 서브 영역(SAA)이 분할되는 영역에 배치된 터치 전극(TE)이 구조의 예시를 나타낸다. 도 15는 액티브 영역(AA)에 배치된 터치 라우팅 배선(TL)과 더미 전극(DME)의 구조의 예시를 나타낸다. 도 16은 액티브 영역(AA)에서 터치 라우팅 배선(TL)과 더미 전극(DME)의 경계의 예시를 나타낸다.

도 14를 참조하면, 표시 패널(110)의 액티브 영역(AA)은, 제1 경계(BL1)와 제2 경계(BL2)에 의해 다수의 서브 영역(SAA)으로 분할될 수 있다. 다수의 서브 영역(SAA) 각각에 배치된 터치 전극 라인(TEL)은 서로 분리되어 배치될 수 있다. 도 14에서 표시 패널(110)의 전체적인 구조를 도시한 개략도는 도시의 편의를 위해 제1 터치 센서 메탈(TSM1)로 이루어진 부분만 도시한다.

다수의 서브 영역(SAA)에 배치된 터치 전극 라인(TEL)의 일부는 액티브 영역(AA)과 논-액티브 영역(NA)의 경계에서 논-액티브 영역(NA)에 배치되는 터치 라우팅 배선(TL)과 전기적으로 연결될 수 있다.

다수의 서브 영역(SAA)에 배치된 터치 전극 라인(TEL)의 다른 일부는 논-액티브 영역(NA)으로부터 액티브 영역(AA)을 지나며 배치되는 터치 라우팅 배선(TL)과 액티브 영역(AA)에서 전기적으로 연결될 수 있다.

터치 전극 라인(TEL)을 구성하는 터치 전극(TE)은, 적어도 하나의 바디 부분(TE-a)과 다수의 윙 부분(TE-b)을 포함할 수 있다.

터치 전극 라인(TEL)과 터치 라우팅 배선(TL)은, 제1 부분(TE_f), 제2 부분(TE_s) 및 제3 부분(TE_t)을 포함하는 전극이 일정한 방향을 따라 커팅됨에 따라 구현될 수 있다.

일 예로, X-터치 전극 라인(X-TEL)과 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)의 경계에서 전극이 커팅될 수 있다. 터치 라우팅 배선(TL), 더미 전극(DME)과 터치 전극 라인(TEL)의 경계에서 전극이 커팅될 수 있다. 또한, 서브 영역(SAA)의 경계에서 전극이 커팅될 수 있다.

도 14를 참조하면, 제1 경계(BL1)에서 제1 방향을 따라 전극이 커팅될 수 있다. 제2 경계(BL2)에서 제2 방향을 따라 전극이 커팅될 수 있다.

제1 경계(BL1)와 제2 경계(BL2)에서 전극이 커팅되며, 제1 서브 영역(SAA1), 제2 서브 영역(SAA2), 제3 서브 영역(SAA3) 및 제4 서브 영역(SAA4) 각각에 배치되는 터치 전극 라인(TEL)이 구분될 수 있다.

각각의 서브 영역(SAA)에 배치되는 X-터치 전극 라인(X-TEL)과 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)도 제1 방향 또는 제2 방향으로 전극이 커팅되어 구현될 수 있다.

서브 영역(SAA)의 경계에서 터치 전극(TE) 간의 간격은 서브 영역(SAA) 내부에서 터치 전극(TE) 간의 간격과 동일하거나 유사할 수 있다. 커팅된 전극 간의 간격이 실질적으로 동일해지도록 함으로써, 표시 패널(110)의 영역에 따른 시인성의 차이가 발생하지 않도록 할 수 있다.

터치 라우팅 배선(TL)과 더미 전극(DME)도 터치 전극 라인(TEL)과 유사한 방식으로 전극이 커팅되어 구현될 수 있다.

도 15를 참조하면, 1501이 지시하는 부분은 제1 서브 영역(SAA1)에서 제1 더미 전극(DME1)이 배치된 영역의 예시를 나타낸다. 1502가 지시하는 부분은 제2 서브 영역(SAA2)에서 제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)이 배치된 영역의 예시를 나타낸다.

제2 서브 영역(SAA2)에 배치된 전극이 커팅되며 제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)이 배치될 수 있다.

제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)은 제2 서브 영역(SAA2)에서 제2 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-2) 사이에 위치할 수 있다.

제1 서브 영역(SAA1)에 배치된 전극이 커팅되며 적어도 하나의 제1 더미 전극(DME1)이 배치될 수 있다. 적어도 하나의 제1 더미 전극(DME1)은, 제1 서브 영역(SAA1)에서 제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)이 제2 서브 영역(SAA2)에 배치된 영역과 대응하는 영역에 위치할 수 있다.

제1 더미 전극(DME1)은, 제1 서브 영역(SAA1)에서 제1 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-1) 사이에 위치할 수 있다. 제1 더미 전극(DME1)이 일부가 단락되더라도 불량이 발생하지 않도록 제1 더미 전극(DME1)은 도 15에 도시된 예시와 같이 다수 개로 분리되어 배치될 수 있다.

제1 서브 영역(SAA1)의 제1 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-1) 사이에 제1 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-1)과 전기적으로 분리된 제1 더미 전극(DME1)이 위치할 수 있다. 제2 서브 영역(SAA2)의 제2 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-2) 사이에 제2 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-2)과 전기적으로 분리된 제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)이 위치할 수 있다.

제1 더미 전극(DME1)과 제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)은 서로 대응되도록 배치될 수 있다. 제1 더미 전극(DME1)이 배치된 영역의 폭은 제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)이 배치된 영역의 폭과 동일 또는 유사할 수 있다. 즉, 하측 터치 센서부에는 상측 터치 센서부의 제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)이 지나가는 영역을 가지며, 상측 터치 센서부에는 하측 터치 센서부에 배치된 제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)과 대응되는 영역에 제1 더미 전극(DME1)이 구비되어 있을 수 있다.

제2 서브 영역(SAA2)에서 제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)과 제2 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-2) 사이의 전극 부분이 커팅되며 적어도 하나의 제2 더미 전극(DME2)이 배치될 수 있다.

제2 더미 전극(DME2)은, 제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1) 및 제2 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-2)과 전기적으로 분리되어 배치될 수 있다.

제2 서브 영역(SAA2)에서 제2 더미 전극(DME2)이 배치된 영역과 대응하는 제1 서브 영역(SAA1)에 제1 더미 전극(DME1)이 위치할 수 있다. 제1 더미 전극(DME1)의 일부가 제2 더미 전극(DME2)과 대응하도록 배치될 수 있다.

제2 더미 전극(DME2)은, 터치 전극 라인(TEL)의 배치로 인한 시인성 저하를 방지 또는 감소하기 위해 배치될 수 있다. 또는, 제2 더미 전극(DME2)은, 제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)과 제2 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-2) 간의 단락을 방지하기 위해 배치될 수 있다.

제1 서브 영역(SAA1)과 제2 서브 영역(SAA2)에서 서로 대응하는 영역에 제1 더미 전극(DME1)이 배치되거나, 제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1) 및 제2 더미 전극(DME2)이 배치될 수 있다. 제1 서브 영역(SAA1)과 제2 서브 영역(SAA2) 각각에서 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)이 배치된 영역의 면적이 동일 또는 유사할 수 있다. 제1 서브 영역(SAA1)에서 제1 더미 전극(DME1)의 양 측에 분리되어 배치된 제1 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-1)의 두 부분 사이의 간격은 제2 서브 영역(SAA2)에서 제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)의 양 측에 분리되어 배치된 제2 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-2)의 두 부분 사이의 간격과 동일 또는 유사할 수 있다.

제1 더미 전극(DME1)과 제2 더미 전극(DME2)은, 터치 전극 라인(TEL) 또는 터치 라우팅 배선(TL)과 유사하게 전극이 커팅되어 배치될 수 있다. 더미 전극(DME)은, 터치 전극 라인(TEL) 등과 유사하게 제1 방향 또는 제2 방향으로 전극이 커팅되며 배치될 수 있다.

또는, 제1 더미 전극(DME1)과 제2 더미 전극(DME2)의 적어도 하나는, 터치 전극 라인(TEL)과 터치 라우팅 배선(TL)이 커팅되는 방향과 상이한 방향으로 전극이 커팅되며 배치될 수 있다.

일 예로, 터치 전극 라인(TEL)과 터치 라우팅 배선(TL)은 전술한 예시와 같이, 전극이 제1 방향 또는 제2 방향으로 커팅되며 배치될 수 있다. 반면, 제1 더미 전극(DME1)과 제2 더미 전극(DME2)은, 제1 방향 및 제2 방향과 다른 제3 방향을 따라 전극이 커팅되며 배치될 수 있다. 제1 더미 전극(DME1)과 제2 더미 전극(DME2) 각각의 양 측은 제1 방향 및 제2 방향과 다른 제3 방향을 따라 커팅된 형태일 수 있다.

일 예로, 더미 전극(DME)과 터치 전극 라인(TEL) 또는 터치 라우팅 배선(TL)의 경계에서 사선 방향으로 전극이 커팅되며 더미 전극(DME)이 배치될 수 있다. 더미 전극(DME)의 양 측은 사선 방향을 따라 커팅된 형태일 수 있다. 더미 전극(DME)의 경계가 사선 방향으로 커팅된 형태인 경우, 더미 전극(DME)의 단부의 면적은 터치 전극 라인(TEL)의 단부 또는 터치 라우팅 배선(TL)의 단부의 면적보다 클 수 있다.

터치 전극 라인(TEL)과 터치 전극 라인(TEL) 사이의 경계, 터치 전극 라인(TEL)과 터치 라우팅 배선(TEL) 사이의 경계는 전극이 제1 방향 또는 제2 방향을 따라 커팅된 형태일 수 있다.

더미 전극(DME)과 터치 전극 라인(TEL) 사이의 경계, 더미 전극(DME)과 터치 라우팅 배선(TL) 사이의 경계 및 더미 전극(DME) 간의 경계는 제1 방향 및 제2 방향과 다른 제3 방향(예: 사선 방향)을 따라 커팅된 형태일 수 있다.

더미 전극(DME)의 경계에서 더미 전극(DME)은 전극이 사선 방향으로 커팅된 형태를 가질 수 있다. 더미 전극(DME)과 터치 전극 라인(TEL) 또는 터치 라우팅 배선(TL)의 경계에서 터치 전극 라인(TEL) 또는 터치 라우팅 배선(TL)은 더미 전극(DME)을 향해 돌출되며 사선 방향으로 커팅된 형태를 갖는 돌출부를 포함할 수 있다.

더미 전극(DME)의 경계의 커팅 방향을 터치 전극 라인(TEL)이나 터치 라우팅 배선(TL)의 경계의 커팅 방향과 다르게 함으로써, 터치 센서 구조의 검사 과정에서 리페어 공정을 용이하게 할 수 있다.

일 예로, 제1 방향 또는 제2 방향으로 전극이 커팅된 경계에서 전극 간에 단락된 부분이 있을 경우, 해당 영역은 터치 전극 라인(TEL) 사이의 경계 또는 터치 전극 라인(TEL)과 터치 라우팅 배선(TL) 사이의 경계이므로 단락된 부분을 단선시키는 리페어 공정이 필요하다.

사선 방향으로 전극이 커팅된 경계에서 전극 간에 단락된 부분이 있을 경우, 단락된 전극 중 적어도 하나는 더미 전극(DME)이므로, 단락된 부분을 단선시키지 않더라도 터치 센서의 구조에 영향을 주지 않을 수 있다. 따라서, 리페어 공정을 수행하지 않고 검사 과정을 종료할 수 있다. 이러한 경우, 액티브 영역(AA)에 더미 전극(DME)이 터치 전극 라인(TEL) 또는 터치 라우팅 배선(TL)과 연결된 구조로 배치될 수 있다.

이와 같이, 더미 전극(DME)의 배치로 인해 터치 전극 라인(TEL)의 면적을 균일하게 하고, 시인성을 개선할 수 있다. 또한, 더미 전극(DME)의 경계에서 커팅 방향을 터치 전극 라인(TEL) 등의 경계에서 커팅 방향과 다르게 함으로써, 검사 공정의 효율을 높여줄 수 있다.

전술한 예시는 더미 전극(DME)이 터치 라우팅 배선(TL)과 대응하는 영역 또는 터치 라우팅 배선(TL)의 주변에 배치된 경우만 설명하고 있으나, 경우에 따라, 더미 전극(DME)은 터치 전극 라인(TEL)의 내부 또는 터치 전극 라인(TEL) 간의 경계 영역에 배치될 수도 있다. 이러한 경우에도, 각 영역 별로 더미 전극(DME)이 균일하게 위치할 수 있다.

제1 서브 영역(SAA1)에 배치된 제1 더미 전극(DME1)과 제1 서브 영역(SAA1)의 제1 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-1)과 전기적으로 연결되는 제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1) 사이의 경계도 유사한 방식으로 커팅될 수 있다.

도 16을 참조하면, 1601이 지시하는 부분이 제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)과 제1 더미 전극(DME1) 사이의 경계를 나타낸다.

제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)과 제1 더미 전극(DME1) 사이의 경계는 전극이 사선 방향으로 커팅된 형태일 수 있다.

또는, 경우에 따라, 제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)과 제1 더미 전극(DME1) 사이의 경계는 제1 방향을 따라 커팅된 형태일 수도 있다. 제1 더미 전극(DME1)이 다수 개로 분리되어 배치되므로 제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)과 가장 인접한 제1 더미 전극(DME1)의 경계만 전극이 사선 방향으로 커팅된 형태가 아닐 수도 있다.

제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)은, 제1 서브 영역(SAA1)에 배치된 제1 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-1)과 전기적으로 연결되므로, 제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)과 제1 더미 전극(DME1) 사이의 경계는 제1 서브 영역(SAA1)과 제2 서브 영역(SAA2) 사이의 경계와 상이할 수 있다. 일 예로, 제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)과 제1 더미 전극(DME1) 사이의 경계는 제1 서브 영역(SAA1)의 내측에 위치할 수 있다.

제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)은, 제1 서브 영역(SAA1)의 내측에서 제1 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-1)과 직접 연결될 수 있다. 제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)과 제1 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-1)이 모두 제1 터치 센서 메탈(TSM1)로 이루어지므로 서로 직접 연결될 수 있다.

또는, 제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)은, 제2 터치 센서 메탈(TSM2)로 이루어진 제1 Y-터치 전극 연결 패턴(Y-CL-1)에 의해 제1 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-1)과 전기적으로 연결될 수 있다.

제1 경계(BL1)의 상측에 위치하는 제1 Y-터치 전극 연결 패턴(Y-CL-1)에 의해 제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)과 제1 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-1)이 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 경계(BL1)의 하측에 위치하는 제2 Y-터치 전극 연결 패턴(Y-CL-2)에 의해 제2 서브 영역(SAA2)에 배치된 제2 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-2)의 두 부분이 서로 전기적으로 연결될 수 있다.

제1 Y-터치 전극 연결 패턴(Y-CL-1)에 의해 제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)과 제1 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-1)이 연결된 경우, 제1 터치 센서 메탈(TSM1)이 배치되는 층에서 제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)과 제1 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-1)은 서로 연결될 수도 있고 분리될 수도 있다.

제1 터치 센서 메탈(TSM1)이 배치되는 층에서 제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)과 제1 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-1)이 분리되어 배치될 경우, 제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)과 제1 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-1) 사이의 경계는 사선 형태일 수 있다. 제1 터치 센서 메탈(TSM1)로 이루어진 제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)과 제1 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-1)은 서로 단락되더라도 단선을 위한 리페어 공정이 요구되지 않으므로, 공정의 편의를 위해 더미 전극(DME)을 커팅하는 과정에서 제1 터치 센서 메탈(TSM1)로 이루어진 제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)과 제1 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-1) 사이는 사선 방향으로 커팅될 수 있다.

이와 같이, 제1 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL-1)과 제1 Y-터치 전극 라인(Y-TEL-1)은, 제1 서브 영역(SAA1)에서 다양한 형태로 서로 전기적으로 연결될 수 있다.

도 17은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 표시 장치(100)의 터치 센서 구조가 표시 패널(110)의 액티브 영역(AA)과 논-액티브 영역(NA)의 경계의 주변 영역에서 구현된 구체적인 예시를 나타낸 도면이다. 도 17은 도 7에 도시된 703이 지시하는 영역에서 제2 터치 센서 메탈(TSM2)이 배치된 구체적인 구조를 예시적으로 나타낸다.

도 17을 참조하면, 액티브 영역(AA)의 일 측 경계에서 하나의 센싱 유닛(SU)을 포함하는 영역에 배치된 제2 터치 센서 메탈(TSM2)의 구조의 예시를 나타낸다.

액티브 영역(AA)에 X-터치 전극(X-TE)의 연결을 위한 X-터치 전극 연결 패턴(X-CL)이 배치될 수 있다. X-터치 전극 연결 패턴(X-CL)은, 액티브 영역(AA)의 외측에 위치하는 X-터치 전극 컨택 패드(X-CP)와 연결될 수 있다. X-터치 전극 컨택 패드(X-CP)는, X-터치 라우팅 배선(X-TL)과 연결될 수 있다.

센싱 유닛(SU)의 상측 경계와 하측 경계에 인접한 영역에 제2 터치 센서 메탈(TSM2)로 이루어진 적어도 하나의 Y-터치 전극 연결 패턴(Y-CL)이 배치될 수 있다.

Y-터치 전극 연결 패턴(Y-CL)은, Y-터치 라우팅 배선(Y-TL) 또는 제1 더미 전극(DME1)에 의해 분리된 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)의 두 부분을 서로 전기적으로 연결할 수 있다.

Y-터치 전극 연결 패턴(Y-CL)은, 하나의 센싱 유닛(SU)에서 2개 이상 배치될 수도 있고, 다양한 위치에 배치될 수도 있다. Y-터치 전극 연결 패턴(Y-CL)은, 각 센싱 유닛(SU)의 상측과 하측에서 분리된 Y-터치 전극(Y-TE)을 연결해줌으로써, Y-터치 전극(Y-TE)이 분리되지 않은 구조와 유사한 상태를 갖도록 할 수 있다.

Y-터치 전극 연결 패턴(Y-CL)이 센싱 유닛(SU)의 상측과 하측 경계에 위치하므로, X-터치 전극 라인(X-TEL)과 연결되는 X-터치 전극 컨택 패드(X-CP)의 분리된 지점이 인접한 Y-터치 전극 연결 패턴(Y-CL) 사이에 위치할 수 있다.

일 예로, 1701이 지시하는 부분과 같이, X-터치 전극 컨택 패드(X-CP) 간의 경계는 센싱 유닛(SU)의 경계와 동일할 수 있다.

센싱 유닛(SU)의 경계의 양 측에 Y-터치 전극 연결 패턴(Y-CL)이 배치되므로, X-터치 전극 컨택 패드(X-CP) 간의 경계는 인접한 Y-터치 전극 연결 패턴(Y-CL) 사이에 위치할 수 있다.

제2 터치 센서 메탈(TSM2)이 배치된 층에서 X-터치 전극 연결 패턴(X-CL)과 Y-터치 전극 연결 패턴(Y-CL)이 배치된 영역 이외의 영역에 Y-보조 라우팅 패턴(Y-TLP)이 배치될 수 있다.

Y-보조 라우팅 패턴(Y-TLP)은, X-터치 전극 연결 패턴(X-CL) 및 Y-터치 전극 연결 패턴(Y-CL)과 분리되어 배치될 수 있다. Y-보조 라우팅 패턴(Y-TLP)은, 중첩하는 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL)과 전기적으로 연결되며 액티브 영역(AA)에 배치된 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL)의 저항을 감소시킬 수 있다.

제1 더미 전극(DME1)과 중첩하는 영역에 배치되는 제2 터치 센서 메탈(TSM2)은 제1 더미 전극(DME1)과 유사한 형태로 배치되며 더미 패턴(DMP)을 구성할 수 있다.

제2 터치 센서 메탈(TSM2)이 배치된 층에서 X-터치 전극 연결 패턴(X-CL), Y-터치 전극 연결 패턴(Y-CL) 및 Y-보조 라우팅 패턴(Y-TLP)이 배치된 영역 이외의 영역에 더미 패턴(DMP)이 배치될 수도 있다. 터치 전극 라인(TEL)과 중첩하는 영역에 더미 패턴(DMP)이 배치됨으로써, 터치 라우팅 배선(TL)과 보조 라우팅 패턴(TLP)이 중첩하며 배치된 영역과의 시인성 차이를 방지할 수 있다.

액티브 영역(AA)의 양 측 경계 영역에는 해당하는 서브 영역(SAA)에 배치된 X-터치 전극 라인(X-TEL)을 구동하는 X-터치 라우팅 배선(X-TL)만 배치되므로, X-터치 라우팅 배선(X-TL)의 배치가 용이할 수 있다. X-터치 라우팅 배선(X-TL)은, 제1 터치 센서 메탈(TSM1) 및 제2 터치 센서 메탈(TSM2) 중 적어도 하나 이상으로 이루어져 배선 저항을 감소시키는 형태로 구현될 수 있다.

도 18은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 표시 장치(100)의 터치 센서 구조가 표시 패널(110)의 액티브 영역(AA)과 논-액티브 영역(NA)의 댐(DM) 사이에서 구현된 구체적인 예시를 나타낸 도면이다.

도 18을 참조하면, 표시 패널(110)의 논-액티브 영역(NA)에 적어도 하나의 댐(DM)이 배치될 수 있다. 적어도 하나의 댐(DM)은, 액티브 영역(AA)을 둘러싸며 배치될 수 있다. 적어도 하나의 댐(DM)은, 봉지 층(ENCAP)의 외곽에 위치할 수 있다. 적어도 하나의 댐(DM)은, 봉지 층(ENCAP)의 일부일 수도 있다.

다수의 터치 라우팅 배선(TL)은, 논-액티브 영역(NA)에서 적어도 하나의 댐(DM)의 내측에 위치할 수 있다. 다수의 터치 라우팅 배선(TL)은, 패드 영역(PA) 이외의 영역에서 액티브 영역(AA)과 적어도 하나의 댐(DM) 사이에 위치할 수 있다.

다수의 터치 라우팅 배선(TL)이 적어도 하나의 댐(DM)의 내측에 위치하므로, 논-액티브 영역(NA)의 증가를 최소화하며 터치 라우팅 배선(TL)이 배치될 수 있다.

적어도 하나의 실드 라인(SHL)이 다수의 터치 라우팅 배선(TL)의 적어도 일부분을 둘러싸며 배치될 수 있다. 실드 라인(SHL)은, 다수의 터치 라우팅 배선(TL) 중 최외측에 위치하는 터치 라우팅 배선(TL)과 댐(DM) 사이에 위치할 수 있다.

실드 라인(SHL)은, 터치 라우팅 배선(TL)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 일 예로, 실드 라인(SHL)은, 제1 터치 센서 메탈(TSM1) 및 제2 터치 센서 메탈(TSM2)의 적어도 하나로 이루어질 수 있다.

실드 라인(SHL)은, 접지될 수 있다. 또는, 실드 라인(SHL)은, 터치 라우팅 배선(TL)을 통해 공급되는 신호와 상이한 신호를 공급받을 수도 있다.

실드 라인(SHL)이 터치 라우팅 배선(TL)의 외측을 감싸며 배치되므로, 외부 노이즈를 차단하여 외부 노이즈가 터치 라우팅 배선(TL)의 신호에 영향을 주는 것을 방지 또는 감소시킬 수 있다.

적어도 하나의 가드 라인(GUL)이 터치 라우팅 배선(TL)과 실드 라인(SHL) 사이에 배치될 수 있다.

가드 라인(GUL)은, 터치 라우팅 배선(TL)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 일 예로, 가드 라인(GUL)은, 제1 터치 센서 메탈(TSM1) 및 제2 터치 센서 메탈(TSM2)의 적어도 하나로 이루어질 수 있다.

가드 라인(GUL)이 터치 라우팅 배선(TL)과 실드 라인(SHL) 사이에 위치하므로, 터치 라우팅 배선(TL)과 실드 라인(SHL) 사이에 기생 커패시턴스가 형성되는 것을 차단할 수 있다. 터치 라우팅 배선(TL)과 실드 라인(SHL) 사이의 기생 커패시턴스가 차단되므로, 실드 라인(SHL)의 신호 또는 전압 상태의 흔들림이 터치 라우팅 배선(TL)에 영향을 주는 것을 차단해줄 수 있다.

가드 라인(GUL)은, 다수의 터치 라우팅 배선(TL) 중 가드 라인(GUL)과 가장 인접하게 위치하는 터치 라우팅 배선(TL)에 인가되는 신호와 대응하는 신호를 공급받을 수 있다. 가드 라인(GUL)은, 다수의 터치 라우팅 배선(TL) 중 최외곽에 위치하는 터치 라우팅 배선(TL)에 인가되는 신호와 대응하는 신호를 공급받을 수 있다.

터치 라우팅 배선(TL)에 인가되는 신호와 대응하는 신호는 터치 라우팅 배선(TL)에 인가되는 신호의 주파수, 진폭 및 위상 중 적어도 하나가 동일한 신호를 의미할 수 있다.

일 예로, 가드 라인(GUL)은, 가드 라인(GUL)과 가장 인접하게 위치하는 터치 라우팅 배선(TL)에 인가되는 신호와 동일한 신호를 동일한 타이밍에 공급받을 수 있다. 가드 라인(GUL)과 가장 인접하게 위치하는 터치 라우팅 배선(TL)과 가드 라인(GUL) 사이에 기생 커패시턴스가 형성되지 않을 수 있다. 실드 라인(SHL)에 의한 간접적인 노이즈가 가드 라인(GUL)에 의해 차단될 수 있다.

이와 같이, 실드 라인(SHL)에 의해 외부 노이즈가 터치 라우팅 배선(TL)에 직접적인 영향을 주는 것이 차단될 수 있다. 또한, 가드 라인(GUL)에 의해 실드 라인(SHL)에 의한 간접적인 노이즈가 터치 라우팅 배선(TL)에 영향을 주는 것이 차단될 수 있다. 실드 라인(SHL)과 가드 라인(GUL)에 의해 터치 라우팅 배선(TL)을 통해 검출되는 신호의 노이즈를 방지 또는 감소시키고, 터치 라우팅 배선(TL)의 위치에 따른 신호 편차도 방지 또는 감소시킬 수 있다.

실드 라인(SHL) 및 가드 라인(GUL)의 적어도 하나는 논-액티브 영역(NA)에서 분리되어 배치될 수 있다.

일 예로, 실드 라인(SHL)과 가드 라인(GUL)은, 1801이 지시하는 부분과 같이, 제2 경계(BL2)의 연장선 상에서 분리되어 배치될 수 있다.

제1 서브 영역(SAA1)에 배치된 터치 전극 라인(TEL)과 제3 서브 영역(SAA3)에 배치된 터치 전극 라인(TEL)은 서로 분리되어 배치되고 독립적으로 구동될 수 있다. 제1 서브 영역(SAA1) 및 제3 서브 영역(SAA3) 각각에 배치된 터치 전극 라인(TEL)으로 신호를 공급하는 터치 라우팅 배선(TL)의 구동 타이밍의 미세한 차이가 존재할 수 있다.

터치 라우팅 배선(TL)으로 인가되는 신호와 대응하는 신호를 공급받는 가드 라인(GUL)이 해당 터치 라우팅 배선(TL)에 의해 구동되는 서브 영역(SAA)에 맞춰 분리되어 배치될 수 있다.

일 예로, 표시 패널(110)의 제1 서브 영역(SAA1)과 제2 서브 영역(SAA2) 측에 위치하는 가드 라인(GUL)은, 제1 서브 영역(SAA1)을 구동하는 터치 라우팅 배선(TL)과 가장 인접하므로 제1 서브 영역(SAA1)의 외측을 감싸도록 배치될 수 있다.

표시 패널(110)의 제3 서브 영역(SAA3)과 제4 서브 영역(SAA4) 측에 위치하는 가드 라인(GUL)은, 제3 서브 영역(SAA3)을 구동하는 터치 라우팅 배선(TL)과 가장 인접하므로 제3 서브 영역(SAA3)의 외측을 감싸도록 배치될 수 있다.

표시 패널(110)의 양 측에 위치하는 가드 라인(GUL) 각각은, 인접한 터치 라우팅 배선(TL)에 신호가 인가되는 타이밍에 맞춰 터치 라우팅 배선(TL)에 인가되는 신호와 대응하는 신호를 공급받을 수 있다.

액티브 영역(AA)에 배치된 터치 전극 라인(TEL)이 서브 영역(SAA)으로 분할되어 구동되는 구조에서, 각 서브 영역(SAA)을 구동하는 터치 라우팅 배선(TL)에 대한 노이즈를 보다 정확하게 차단해줄 수 있다.

전술한 예시는, 액티브 영역(AA)이 4개의 서브 영역(SAA)으로 분할된 구조에서 가드 라인(GUL)이 분리된 예시이나, 가드 라인(GUL)은, 서브 영역(SAA)의 분리 구조에 따라 다양하게 분리되어 배치될 수 있다.

또한, 가드 라인(GUL)의 외측에 위치하는 실드 라인(SHL)도 가드 라인(GUL)이 분리된 구조에 대응하여 분리되어 배치될 수 있다.

일 예로, 실드 라인(SHL)은, 제2 경계(BL2)의 연장선 상에서 분리되어 배치될 수 있다. 또는, 경우에 따라, 실드 라인(SHL)은, 분리되지 않고 배치될 수도 있다.

접지된 실드 라인(SHL)은, 논-액티브 영역(NA)에 배치된 배선들을 둘러싸며 배치되어 외부 노이즈를 차단할 수 있다. 터치 라우팅 배선(TL)과 인접하게 위치하는 가드 라인(GUL)은 터치 라우팅 배선(TL) 또는 터치 라우팅 배선(TL)에 의해 구동되는 서브 영역(SAA)과 대응하도록 분리되어 배치되어 배선 간 기생 커패시턴스를 차단하여 노이즈 차단의 효과를 높여줄 수 있다.

논-액티브 영역(NA)에 배치된 터치 라우팅 배선(TL), 가드 라인(GUL) 및 실드 라인(SHL)의 적어도 일부는 패드 영역(PA)에 배치된 패드와 전기적으로 연결되어 신호를 공급받을 수 있다.

도 19는 본 개시의 실시예들에 따른 터치 표시 장치(100)의 터치 센서 구조가 표시 패널(110)의 패드 영역(PA)을 포함하는 논-액티브 영역(NA)에서 구현된 구체적인 예시를 나타낸 도면이다.

도 19를 참조하면, 표시 패널(110)의 적어도 일 측에 다수의 패드가 배치되는 패드 영역(PA)이 위치할 수 있다.

패드 영역(PA)에 디스플레이 구동을 위한 신호를 공급하는 배선과 전기적으로 연결되는 다수의 디스플레이 패드 및 터치 센싱을 위한 신호를 공급하는 배선과 전기적으로 연결되는 다수의 터치 패드(TP)가 배치될 수 있다.

다수의 터치 라우팅 배선(TL)은, 액티브 영역(AA)에서 논-액티브 영역(NA)으로 연장되며 댐(DM) 상을 지나갈 수 있다. 터치 라우팅 배선(TL)은, 댐(DM) 상을 지나 패드 영역(PA)에 배치된 터치 패드(TP)와 전기적으로 연결될 수 있다.

다수의 디스플레이 신호 라인(DSL)은 액티브 영역(AA)으로부터 논-액티브 영역(NA)으로 연장되어 배치될 수 있다. 디스플레이 신호 라인(DSL)은, 봉지 층(ENCAP) 아래에 위치하므로 댐(DM) 아래를 지나며 배치될 수 있다. 디스플레이 신호 라인(DSL)은, 패드 영역(PA)에 배치된 디스플레이 패드와 전기적으로 연결될 수 있다.

디스플레이 패드 및 터치 패드(TP) 각각의 적어도 일부는 터치 전극(TE)과 터치 라우팅 배선(TL)을 구성하는 물질을 이용하여 배치될 수 있다. 디스플레이 패드 및 터치 패드(TP) 각각의 적어도 일부는 디스플레이 신호 라인(DSL)을 구성하는 물질을 이용하여 배치될 수 있다.

터치 전극(TE) 및 터치 라우팅 배선(TL)을 구성하는 물질로 이루어진 패드 부분과 디스플레이 신호 라인(DSL)을 구성하는 물질로 이루어진 패드 부분이 패드 영역(PA)에서 전기적으로 연결되며 각종 패드를 구성할 수 있다.

디스플레이 패드와 터치 패드(TP)가 배치된 평면 구조는 패드 영역(PA)의 위치에 따라 다양할 수 있다.

일 예로, 패드 영역(PA)은, 액티브 영역(AA)의 서브 영역(SAA)과 대응하여 구분될 수 있다. 일 예로, 패드 영역(PA)은, 4개의 패드 영역(PA1, PA2, PA3, PA4)을 포함할 수 있다.

제1 패드 영역(PA1)에 게이트 구동 회로(120)의 구동과 관련된 신호 또는 전압을 공급하는 게이트 패드(GP), 데이터 구동 회로(130)의 구동과 관련된 신호 또는 전압을 공급하는 데이터 패드(DP) 및 터치 패드(TP)가 배치될 수 있다.

제1 패드 영역(PA1)에 배치된 터치 패드(TP)는, 제1 서브 영역(SAA1) 및 제2 서브 영역(SAA2)에 배치된 X-터치 전극 라인(X-TEL)을 구동하는 X-터치 라우팅 배선(X-TL)과 전기적으로 연결될 수 있다. 경우에 따라, 제1 패드 영역(PA1)에 배치된 터치 패드(TP)의 일부는 제1 서브 영역(SAA1) 및 제2 서브 영역(SAA2)에 배치된 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)을 구동하는 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL)과 전기적으로 연결될 수 있다.

제1 패드 영역(PA1)에 배치된 터치 패드(TP)의 적어도 일부는 디스플레이 패드와 대칭적으로 배치될 수 있다. 일 예로, 터치 패드(TP)는, 게이트 패드(GP)와 대칭적으로 배치될 수 있다. 이러한 경우, 터치 패드(TP)와 연결되는 터치 라우팅 배선(TL)은 게이트 패드(GP)와 연결된 디스플레이 신호 라인(DSL)과 대칭적으로 배치될 수 있다.

제2 패드 영역(PA2) 및 제3 패드 영역(PA3)에 데이터 구동 회로(130)의 구동과 관련된 신호 또는 전압을 공급하는 데이터 패드(DP) 및 터치 패드(TP)가 배치될 수 있다.

제2 패드 영역(PA2) 및 제3 패드 영역(PA3) 각각에 배치된 터치 패드(TP)는 대칭적으로 배치될 수 있다. 대칭적으로 배치된 터치 패드(TP)의 일부와 나머지 사이에 데이터 패드(DP)가 배치될 수 있다.

제2 패드 영역(PA2)에 배치된 터치 패드(TP)는, 제1 서브 영역(SAA1) 및 제2 서브 영역(SAA2)에 배치된 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)을 구동하는 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제3 패드 영역(PA3)에 배치된 터치 패드(PA)는, 제3 서브 영역(SAA3)과 제4 서브 영역(SAA4)에 배치된 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)을 구동하는 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL)과 전기적으로 연결될 수 있다.

경우에 따라, 제2 패드 영역(PA2)에 배치된 터치 패드(TP)의 일부가 제3 서브 영역(SAA3)과 제4 서브 영역(SAA4)을 구동하는 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제3 패드 영역(PA3)에 배치된 터치 패드(TP)의 일부가 제1 서브 영역(SAA1)과 제2 서브 영역(SAA2)을 구동하는 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL)과 전기적으로 연결될 수 있다.

또한, 경우에 따라, 제2 패드 영역(PA2)에 배치된 터치 패드(TP)의 일부가 제1 서브 영역(SAA1)과 제2 서브 영역(SAA2)에 배치된 X-터치 전극 라인(X-TEL)을 구동하는 X-터치 라우팅 배선(X-TL)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제3 패드 영역(PA3)에 배치된 터치 패드(TP)의 일부가 제3 서브 영역(SAA3)과 제4 서브 영역(SAA4)에 배치된 X-터치 전극 라인(X-TEL)을 구동하는 X-터치 라우팅 배선(X-TL)과 전기적으로 연결될 수 있다.

제4 패드 영역(PA4)에 터치 패드(TP), 데이터 패드(DP) 및 게이트 패드(GP)가 배치될 수 있다. 제4 패드 영역(PA4)에 배치된 패드는 제1 패드 영역(PA1)에 배치된 패드와 대칭적으로 배치될 수 있다.

제4 패드 영역(PA4)에 배치된 터치 패드(TP)는, 제3 서브 영역(SAA3) 및 제4 서브 영역(SAA4)에 배치된 X-터치 전극 라인(X-TEL)을 구동하는 X-터치 라우팅 배선(X-TL)과 전기적으로 연결될 수 있다. 경우에 따라, 제4 패드 영역(PA4)에 배치된 터치 패드(TP)의 일부는 제3 서브 영역(SAA3) 및 제4 서브 영역(SAA4)에 배치된 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)을 구동하는 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL)과 전기적으로 연결될 수도 있다.

표시 패널(110)의 양 측에 게이트 구동 회로(120)가 배치되는 경우, 제1 패드 영역(PA1)과 제4 패드 영역(PA4)에 게이트 패드(GP)가 배치될 수 있다.

데이터 패드(DP)와 터치 패드(TP)는, 게이트 패드(GP)의 내측에서 영역 별로 분산되어 배치되며, 액티브 영역(AA)에 배치된 데이터 라인(DL) 또는 터치 라우팅 배선(TL)과 전기적으로 연결되도록 배치될 수 있다.

전술한 예시 이외에도, 패드 영역(PA)에 배치된 패드는 디스플레이 신호 라인(DSL) 및 터치 라우팅 배선(TL)과의 효율적인 연결을 위해 다양한 구조로 배치될 수 있다.

이상에서 설명한 본 개시의 실시예들을 간략하게 설명하면 아래와 같다.

본 개시의 실시예들에 따른 터치 표시 장치(100)는, 표시 패널(110)의 액티브 영역(AA)에 배치된 다수의 발광 소자들(ED), 다수의 발광 소자들(ED) 상에 배치된 봉지 층(ENCAP), 봉지 층(ENCAP) 상에 배치된 다수의 터치 전극들(TE), 다수의 터치 전극들(TE)의 적어도 하나와 전기적으로 연결된 다수의 터치 라우팅 배선들(TL), 봉지 층(ENCAP) 아래에 배치된 다수의 스페이서들(SPC)을 포함할 수 있다.

다수의 터치 전극들(TE) 또는 다수의 터치 라우팅 배선들(TL)의 적어도 하나의 일부분은 다수의 스페이서들(SPC)이 배치된 영역과 대응하는 영역에 배치될 수 있다.

다수의 터치 전극들(TE) 또는 다수의 터치 라우팅 배선들의 적어도 하나의 일부분은 다수의 스페이서들(SPC) 중 역테이퍼 형태를 갖고 인접하게 배치된 둘 이상의 스페이서들(SPC) 사이의 영역의 적어도 일부와 중첩할 수 있다.

역테이퍼 형태를 갖고 인접하게 배치된 둘 이상의 스페이서들(SPC)은 다수의 발광 소자들(ED) 중 두 개의 발광 소자들(ED)의 발광 영역 사이에 위치할 수 있다.

다수의 터치 전극들(TE) 또는 다수의 터치 라우팅 배선들(TL)의 적어도 하나의 일부분은 다수의 스페이서들(SPC) 중 역테이퍼 형태를 갖는 스페이서(SPC)가 배치된 영역의 적어도 일부와 중첩할 수 있다.

다수의 터치 전극들(TE) 또는 다수의 터치 라우팅 배선들(TL)의 적어도 하나의 일부분은 다수의 스페이서들(SPC) 중 정테이퍼 형태를 갖고 다수의 발광 소자들(ED) 중 셋 이상의 발광 소자들(ED)의 발광 영역에 의해 둘러싸인 영역에 위치하는 스페이서(SPC)가 배치된 영역의 적어도 일부와 중첩할 수 있다.

다수의 터치 전극들(TE) 및 다수의 터치 라우팅 배선들(TL) 각각은 제1 방향을 따라 배치된 제1 부분(TE_f), 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 배치된 제2 부분(TE_s) 및 제1 방향과 제2 방향 이외의 방향을 따라 배치된 제3 부분(TE_t)을 포함할 수 있다.

제3 부분(TE_t)은 다수의 스페이서들(SPC) 중 역테이퍼 형태를 갖는 스페이서(SPC)가 배치된 영역과 대응하는 영역에 배치될 수 있다.

제1 부분(TE_f) 또는 제2 부분(TE_s)의 적어도 하나는 다수의 스페이서들(SPC) 중 정테이퍼 형태를 갖는 스페이서(SPC)가 배치된 영역과 대응하는 영역에 배치될 수 있다.

역테이퍼 형태를 갖는 스페이서(SPC)의 두께는 정테이퍼 형태를 갖는 스페이서(SPC)의 두께보다 작을 수 있다.

제1 부분(TE_f) 또는 제2 부분(TE_s)의 적어도 하나는 다수의 발광 소자들(ED) 각각과 박막 트랜지스터(TFT) 간의 전기적인 연결을 위한 컨택홀(CH)의 적어도 일부분과 중첩할 수 있다.

터치 표시 장치(100)는, 봉지 층(ENCAP)과 다수의 터치 전극들(TE) 및 다수의 터치 라우팅 배선들(TL) 사이에 배치된 터치 절연 층(TILD), 및 봉지 층(ENCAP)과 터치 절연 층(TILD) 사이에 배치되고 터치 절연 층(TILD)과 상이한 물질로 이루어진 적어도 하나의 버퍼 층을 포함할 수 있다.

터치 절연 층(TILD)의 두께는 적어도 하나의 버퍼 층의 두께보다 클 수 있다.

터치 절연 층(TILD)은 유기 층이고, 적어도 하나의 버퍼 층은 무기 층일 수 있다.

적어도 하나의 버퍼 층은, 봉지 층(ENCAP) 상에 배치된 터치 버퍼 층(TBUF), 및 터치 버퍼 층(TBUF) 상에 배치되고 터치 절연 층(TILD)과 접촉하는 상면을 갖는 터치 절연 버퍼 층(TIBUF)을 포함할 수 있다.

터치 절연 버퍼 층(TIBUF)은, 터치 버퍼 층(TBUF)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.

터치 표시 장치(100)는, 터치 버퍼 층(TBUF)과 터치 절연 버퍼 층(TIBUF) 사이에 배치되고 다수의 터치 전극들(TE)의 적어도 일부와 전기적으로 연결된 다수의 터치 전극 연결 패턴(CL)을 포함할 수 있다.

이상의 설명은 본 개시의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 개시가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 개시의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 또한, 본 개시에 개시된 실시예들은 본 개시의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이므로 이러한 실시예에 의하여 본 개시의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 개시의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 개시의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

100: 터치 표시 장치 110: 표시 패널
120: 게이트 구동 회로 130: 데이터 구동 회로
140: 컨트롤러 150: 터치 구동 회로

Claims

표시 패널의 액티브 영역에 배치된 다수의 발광 소자들;
상기 다수의 발광 소자들 상에 배치된 봉지 층;
상기 봉지 층 상에 배치된 다수의 터치 전극들;
상기 다수의 터치 전극들의 적어도 하나와 전기적으로 연결된 다수의 터치 라우팅 배선들;
상기 봉지 층 아래에 배치된 다수의 스페이서들을 포함하고,
상기 다수의 터치 전극들 또는 상기 다수의 터치 라우팅 배선들의 적어도 하나의 일부분은 상기 다수의 스페이서들이 배치된 영역과 대응하는 영역에 배치된 터치 표시 장치.
제1항에 있어서,
상기 다수의 터치 전극들 또는 상기 다수의 터치 라우팅 배선들의 적어도 하나의 일부분은 상기 다수의 스페이서들 중 역테이퍼 형태를 갖고 인접하게 배치된 둘 이상의 스페이서들 사이의 영역의 적어도 일부와 중첩하는 터치 표시 장치.
제2항에 있어서,
상기 역테이퍼 형태를 갖고 인접하게 배치된 둘 이상의 스페이서들은 상기 다수의 발광 소자들의 두 개의 발광 소자들의 발광 영역 사이에 위치하는 터치 표시 장치.
제1항에 있어서,
상기 다수의 터치 전극들 또는 상기 다수의 터치 라우팅 배선들의 적어도 하나의 일부분은 상기 다수의 스페이서들 중 역테이퍼 형태를 갖는 스페이서가 배치된 영역의 적어도 일부와 중첩하는 터치 표시 장치.
제1항에 있어서,
상기 다수의 터치 전극들 또는 상기 다수의 터치 라우팅 배선들의 적어도 하나의 일부분은 상기 다수의 스페이서들 중 정테이퍼 형태를 갖고 상기 다수의 발광 소자들 중 셋 이상의 발광 소자들의 발광 영역에 의해 둘러싸인 영역에 위치하는 스페이서가 배치된 영역의 적어도 일부와 중첩하는 터치 표시 장치.
제1항에 있어서,
상기 다수의 터치 전극들 및 상기 다수의 터치 라우팅 배선들 각각은 제1 방향을 따라 배치된 제1 부분, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 배치된 제2 부분 및 상기 제1 방향과 상기 제2 방향 이외의 방향을 따라 배치된 제3 부분을 포함하고,
상기 제3 부분은 상기 다수의 스페이서들 중 역테이퍼 형태를 갖는 스페이서가 배치된 영역과 대응하는 영역에 배치된 터치 표시 장치.
제6항에 있어서,
상기 제1 부분 또는 상기 제2 부분의 적어도 하나는 상기 다수의 스페이서들 중 정테이퍼 형태를 갖는 스페이서가 배치된 영역과 대응하는 영역에 배치된 터치 표시 장치.
제7항에 있어서,
상기 역테이퍼 형태를 갖는 스페이서의 두께는 상기 정테이퍼 형태를 갖는 스페이서의 두께보다 작은 터치 표시 장치.
제6항에 있어서,
상기 제1 부분 또는 상기 제2 부분의 적어도 하나는 상기 다수의 발광 소자들 각각과 박막 트랜지스터 간의 전기적인 연결을 위한 컨택홀의 적어도 일부분과 중첩하는 터치 표시 장치.
제1항에 있어서,
상기 봉지 층과 상기 다수의 터치 전극들 및 상기 다수의 터치 라우팅 배선들 사이에 배치된 터치 절연 층; 및
상기 봉지 층과 상기 터치 절연 층 사이에 배치되고, 상기 터치 절연 층과 상이한 물질로 이루어진 적어도 하나의 버퍼 층을 더 포함하는 터치 표시 장치.
제10항에 있어서,
상기 터치 절연 층의 두께는 상기 적어도 하나의 버퍼 층의 두께보다 큰 터치 표시 장치.
제10항에 있어서,
상기 터치 절연 층은 유기 층이고, 상기 적어도 하나의 버퍼 층은 무기 층인 터치 표시 장치.
제10항에 있어서,
상기 적어도 하나의 버퍼 층은,
상기 봉지 층 상에 배치된 터치 버퍼 층; 및
상기 터치 버퍼 층 상에 배치되고, 상기 터치 절연 층과 접촉하는 상면을 갖는 터치 절연 버퍼 층을 포함하는 터치 표시 장치.
제13항에 있어서,
상기 터치 절연 버퍼 층은 상기 터치 버퍼 층과 동일한 물질로 이루어진 터치 표시 장치.
제13항에 있어서,
상기 터치 버퍼 층과 상기 터치 절연 버퍼 층 사이에 배치되고, 상기 다수의 터치 전극들의 적어도 일부와 전기적으로 연결된 다수의 터치 전극 연결 패턴들을 더 포함하는 터치 표시 장치.