KR20230054531A - 레이저 결정화 장치, 레이저 결정화 방법 및 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents

레이저 결정화 장치, 레이저 결정화 방법 및 표시 장치의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

레이저 결정화 장치는 제1 에너지 세기를 갖는 제1 고체 레이저를 발생시키는 제1 고체 레이저 발생기, 제1 에너지 세기보다 낮은 제2 에너지 세기를 갖는 제2 고체 레이저를 발생시키는 제2 고체 레이저 발생기 및 제1 에너지 세기보다 낮은 제3 에너지 세기를 갖는 제3 고체 레이저를 발생시키는 제3 고체 레이저 발생기를 포함한다.

Description

레이저 결정화 장치, 레이저 결정화 방법 및 표시 장치의 제조 방법{LASER CRYSTALLIZATION DEVICE, LASER CRYSTALLIZATION METHOD AND METHOD OF MANUFACTURING DISPLAY DEVICE}
본 발명은 레이저 결정화 장치, 레이저 결정화 방법 및 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 고체 레이저 결정화를 진행하는 레이저 결정화 장치 및 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
표시 장치는 광을 방출하기 위해 구동 소자 및 발광 소자를 포함할 수 있다. 구동 소자는 트랜지스터 및 커패시터 등을 포함할 수 있다. 발광 소자는 유기 발광 소자 및 무기 발광 소자 등을 포함할 수 있다. 발광 소자는 구동 소자와 연결되어 신호를 전달 받을 수 있다. 트랜지스터는 실리콘을 포함할 수 있다. 실리콘은 비정질 실리콘 및 다결정 실리콘 등을 포함할 수 있다. 비정질 실리콘은 레이저에 의해 다결정 실리콘으로 결정화될 수 있다.
이 때, 다결정 실리콘이 결정화되는 정도에 따라 표시 장치의 발광 효율이 달라질 수 있다. 이에 따라, 다결정 실리콘의 결정성을 높이기 위한 연구가 진행되고 있다.
본 발명의 일 목적은 고품질의 레이저를 발생시키는 레이저 결정화 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 고품질의 레이저를 이용하는 레이저 결정화 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 레이저 결정화 장치를 이용한 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
다만, 본 발명의 목적은 상술한 목적들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 결정화 장치는 제1 에너지 세기를 갖는 제1 고체 레이저를 발생시키는 제1 고체 레이저 발생기, 상기 제1 에너지 세기보다 낮은 제2 에너지 세기를 갖는 제2 고체 레이저를 발생시키는 제2 고체 레이저 발생기 및 상기 제1 에너지 세기보다 낮은 제3 에너지 세기를 갖는 제3 고체 레이저를 발생시키는 제3 고체 레이저 발생기를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제2 에너지 세기는 상기 제1 에너지 세기 대비 48 내지 54 퍼센트 일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제3 에너지 세기는 상기 제1 에너지 세기 대비 54 내지 60 퍼센트 일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제2 에너지 세기는 상기 제1 에너지 세기 대비 48 내지 54 퍼센트이고, 상기 제3 에너지 세기는 상기 제1 에너지 세기 대비 54 내지 60 퍼센트 일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제2 고체 레이저 발생기는 상기 제1 고체 레이저 발생기가 상기 제1 고체 레이저를 발생시킨 후 5 내지 30 나노 초 후에 상기 제2 고체 레이저를 발생시키고, 상기 제3 고체 레이저 발생기는 상기 제1 고체 레이저 발생기가 상기 제1 고체 레이저를 발생시킨 후 30 내지 95 나노 초 후에 상기 제3 고체 레이저를 발생시킬 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 내지 제3 고체 레이저 발생기들은 각각 고체 레이저 매질을 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 내지 제3 고체 레이저들의 반치전폭은 각각 12 내지 17 나노 초 일 수 있다.
전술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 결정화 방법은 제1 에너지 세기를 갖는 제1 고체 레이저를 발생시키는 단계, 상기 제1 에너지 세기보다 낮은 제2 에너지 세기를 갖는 제2 고체 레이저를 발생시키는 단계, 상기 제1 에너지 세기보다 낮은 제3 에너지 세기를 갖는 제3 고체 레이저를 발생시키는 단계 및 상기 제1 고체 레이저, 상기 제2 고체 레이저 및 상기 제3 고체 레이저를 순차적으로 스테이지 상에 조사하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제2 에너지 세기는 상기 제1 에너지 세기 대비 48 내지 54 퍼센트 일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제3 에너지 세기는 상기 제1 에너지 세기 대비 54 내지 60 퍼센트 일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제2 에너지 세기는 상기 제1 에너지 세기 대비 48 내지 54 퍼센트이고, 상기 제3 에너지 세기는 상기 제1 에너지 세기 대비 54 내지 60 퍼센트 일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제2 고체 레이저는 상기 제1 고체 레이저가 발생된 후 5 내지 30 나노 초 후에 발생되고, 상기 제3 고체 레이저는 상기 제1 고체 레이저가 발생된 후 30 내지 95 나노 초 후에 발생될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 내지 제3 고체 레이저들의 반치전폭은 각각 12 내지 17 나노 초 일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 내지 제3 고체 레이저들은 고체 레이저 매질을 이용하여 발생될 수 있다.
전술한 본 발명의 또 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 기판 상에 예비 액티브층을 형성하는 단계, 상기 예비 액티브층 상에 제1 에너지 세기를 갖는 제1 고체 레이저를 조사하여 상기 예비 액티브층을 1차 결정화하는 단계, 상기 예비 액티브층 상에 상기 제1 에너지 세기보다 낮은 제2 에너지 세기를 갖는 제2 고체 레이저를 조사하여 상기 예비 액티브층을 2차 결정화하는 단계 및 상기 예비 액티브층 상에 상기 제1 에너지 세기보다 낮은 제3 에너지 세기를 갖는 제3 고체 레이저를 조사하여 상기 예비 액티브층을 3차 결정화하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제2 에너지 세기는 상기 제1 에너지 세기 대비 48 내지 54 퍼센트 일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제3 에너지 세기는 상기 제1 에너지 세기 대비 54 내지 60 퍼센트 일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제2 에너지 세기는 상기 제1 에너지 세기 대비 48 내지 54 퍼센트이고, 상기 제3 에너지 세기는 상기 제1 에너지 세기 대비 54 내지 60 퍼센트 일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제2 고체 레이저는 상기 제1 고체 레이저가 발생된 후 5 내지 30 나노 초 후에 발생되고, 상기 제3 고체 레이저는 상기 제1 고체 레이저가 발생된 후 30 내지 95 나노 초 후에 발생될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 내지 제3 고체 레이저들의 반치전폭은 각각 12 내지 17 나노 초 일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제2 에너지 세기는 상기 제1 에너지 세기 대비 48 내지 54 퍼센트이고, 상기 제3 에너지 세기는 상기 제1 에너지 세기 대비 54 내지 60 퍼센트이며, 상기 제2 고체 레이저는 상기 제1 고체 레이저가 발생된 후 5 내지 30 나노 초 후에 발생되고, 상기 제3 고체 레이저는 상기 제1 고체 레이저가 발생된 후 30 내지 95 나노 초 후에 발생될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제2 에너지 세기는 상기 제1 에너지 세기 대비 48 내지 54 퍼센트 일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 내지 제3 고체 레이저들은 고체 레이저 매질을 이용하여 발생될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 레이저 결정화 장치는 제1 에너지 세기를 갖는 제1 고체 레이저를 발생시키는 제1 고체 레이저 발생기, 상기 제1 에너지 세기보다 낮은 제2 에너지 세기를 갖는 제2 고체 레이저를 발생시키는 제2 고체 레이저 발생기 및 상기 제1 에너지 세기보다 낮은 제3 에너지 세기를 갖는 제3 고체 레이저를 발생시키는 제3 고체 레이저 발생기를 포함할 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예들에 따른 레이저 결정화 방법은 상기 레이저 결정화 장치를 이용하여 예비 액티브층을 결정화 할 수 있다.
이 과정에서, 3개의 고체 레이저 발생기를 이용하여, 3개의 고체 레이저들은 시간에 따른 다른 세기로 발생시킴으로써, 예비 액티브층이 결정화되는 과정에서 용융 시간 및 응고 시간을 증가시킬 수 있다. 이에 따라, 예비 액티브층이 결정화된 액티브층의 결정성이 향상될 수 있고, 표시 장치의 표시 성능을 향상시킬 수 있다.
다만, 본 발명의 효과가 전술한 효과들에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 표시 장치의 일 실시예를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 표시 장치를 I-I' 선을 따라 절취한 일 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 3은 도 2의 표시 장치에 포함되는 액티브층을 형성하는 레이저 결정화 장치의 일 실시예를 나타내는 사시도이다.
도 4는 도 3의 레이저 결정화 장치의 일 실시예를 나타내는 도면이다.
도 5는 도 4의 레이저 결정화 장치에서 발생하는 레이저의 에너지 세기를 나타내는 도면이다.
도 6은 도 4의 레이저 결정화 장치에서 발생한 레이저에 의해 결정화되는 예비 액티브층의 온도를 나타내는 도면이다.
도 7은 레이저 결정화 방법의 일 실시예를 나타내는 순서도이다.
도 8 내지 도 11는 표시 장치의 제조 방법의 일 실시예를 나타내는 단면도들이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 도면 상의 동일한 구성 요소에 대하여는 동일한 참조부호를 사용하고 동일한 구성 요소에 대한 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 표시 장치의 일 실시예를 나타내는 평면도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(DD)는 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)을 둘러쌀 수 있다. 다만, 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)의 적어도 일 측면에만 배치될 수도 있다.
표시 영역(DA)에는 복수의 화소들(P)이 배치될 수 있다. 복수의 화소들(P)은 구동 소자 및 발광 소자를 포함할 수 있다. 상기 발광 소자는 상기 구동 소자와 연결될 수 있다. 상기 발광 소자는 상기 구동 소자로부터 신호를 전달 받아 광을 방출할 수 있다. 상기 구동 소자는 트랜지스터 및 커패시터를 포함할 수 있다. 상기 발광 소자는 유기 발광 다이오드 또는 무기 발광 다이오드를 포함할 수 있다. 복수의 화소들(P)이 광을 방출함으로써, 표시 장치(DD)는 표시 영역(DA)에서 영상을 표시할 수 있다. 복수의 화소들(P)은 표시 영역(DA)에 전체적으로 배열될 수 있다. 예를 들어, 복수의 화소들(P)은 표시 영역(DA)에 매트릭스 형태로 배열될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 복수의 화소들(P)은 다양한 방식으로 표시 영역(DA)에 전반적으로 배치될 수 있다.
비표시 영역(NDA)에는 복수의 화소들(P)을 구동하는 구동부가 배치될 수 있다. 상기 구동부는 데이터 구동부, 게이트 구동부, 발광 구동부, 전원 전압 생성부, 타이밍 콘트롤러 등을 포함할 수 있다. 상기 구동부들은 복수의 화소들(P)과 연결될 수 있다. 복수의 화소들(P)은 상기 구동부들로부터 전달 받은 신호에 기초하여 광을 방출할 수 있다.
도 2는 도 1의 표시 장치를 I-I' 선을 따라 절취한 일 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 2를 참조하면, 표시 장치(DD)는 기판(SUB), 버퍼층(BUF), 구동 소자(TFT), 게이트 절연층(GI), 층간 절연층(ILD), 비아 절연층(VIA), 발광 소자(ED), 화소 정의막(PDL) 및 박막 봉지층을 포함할 수 있다.
구동 소자(TFT)는 제1 트랜지스터(TFT1), 제2 트랜지스터(TFT2) 및 제3 트랜지스터(TFT3)를 포함할 수 있다. 발광 소자(ED)는 제1 발광 소자(ED1), 제2 발광 소자(ED2) 및 제3 발광 소자(ED3)를 포함할 수 있다.
제1 트랜지스터(TFT1)는 제1 액티브층(ACT1), 제1 게이트 전극(GAT1), 제1 소스 전극(SE1) 및 제1 드레인 전극(DE1)을 포함할 수 있다. 제2 트랜지스터(TFT2)는 제2 액티브층(ACT2), 제2 게이트 전극(GAT2), 제2 소스 전극(SE2) 및 제2 드레인 전극(DE2)을 포함할 수 있다. 제3 트랜지스터(TFT3)는 제3 액티브층(ACT3), 제3 게이트 전극(GAT3), 제3 소스 전극(SE3) 및 제3 드레인 전극(DE3)을 포함할 수 있다. 액티브층(ACT)은 제1 액티브층(ACT1), 제2 액티브층(ACT2) 및 제3 액티브층(ACT3)을 포함할 수 있다. 게이트 전극(GAT)은 제1 게이트 전극(GAT1), 제2 게이트 전극(GAT2) 및 제3 게이트 전극(GAT3)을 포함할 수 있다. 소스 전극(SE)은 제1 소스 전극(SE1), 제2 소스 전극(SE2) 및 제3 소스 전극(SE3)을 포함할 수 있다. 드레인 전극(DE)은 제1 드레인 전극(DE1), 제2 드레인 전극(DE2) 및 제3 드레인 전극(DE3)을 포함할 수 있다.
제1 발광 소자(ED1)는 제1 애노드 전극(ANO1), 제1 중간층(ML1) 및 제1 캐소드 전극(CATH1)을 포함할 수 있다. 제2 발광 소자(ED2)는 제2 애노드 전극(ANO2), 제2 중간층(ML2) 및 제2 캐소드 전극(CATH2)을 포함할 수 있다. 제3 발광 소자(ED3)는 제3 애노드 전극(ANO3), 제3 중간층(ML3) 및 제3 캐소드 전극(CATH3)을 포함할 수 있다. 애노드 전극(ANO)은 제1 애노드 전극(ANO1), 제2 애노드 전극(ANO2) 및 제3 애노드 전극(ANO3)을 포함할 수 있다. 중간층(ML)은 제1 중간층(ML1), 제2 중간층(ML2) 및 제3 중간층(ML3)을 포함할 수 있다. 캐소드 전극(CATH)은 제1 캐소드 전극(CATH1), 제2 캐소드 전극(CATH2) 및 제3 캐소드 전극(CATH3)을 포함할 수 있다. 캐소드 전극(CATH)은 일체로 형성될 수 있다.
상기 박막 봉지층은 제1 박막 무기층(IL1), 유기 박막 봉지층(OL) 및 제2 무기 박막 봉지층(IL2)을 포함할 수 있다. 상기 박막 봉지층은 3개의 층으로 구성되는 것으로 도시되었지만, 상기 박막 봉지층은 별도의 무기층 및 유기층을 더 포함할 수도 있다.
기판(SUB)은 플렉서블한 물질 또는 리지드한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판(SUB)은 폴리이미드와 같은 고분자 물질을 포함할 수 있고, 이 경우, 기판(SUB)은 플렉서블한 특성을 가질 수 있다. 또는, 예를 들어, 기판(SUB)은 유리를 포함할 수 있고, 이 경우, 기판(SUB)은 리지드한 특성을 가질 수 있다.
버퍼층(BUF)은 기판(SUB) 상에 배치될 수 있다. 버퍼층(BUF)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 상기 무기 절연 물질의 예로는, 실리콘 산화물(SiO-x), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy) 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 버퍼층(BUF)은 금속 원자들이나 불순물들이 액티브층(ACT)으로 확산하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 버퍼층(BUF)은 액티브층(ACT)을 형성하기 위한 결정화 공정 동안 액티브층(ACT)으로 제공되는 열의 속도를 조절할 수 있다.
액티브층(ACT)은 버퍼층(BUF) 상에 배치될 수 있다. 실시예들에 있어서, 액티브층(ACT)은 실리콘 반도체를 포함할 수 있다. 상기 실리콘 반도체의 예로는, 비정질 실리콘, 다결정 실리콘 등을 들 수 있다.
상기 비정질 실리콘은 대략 1 cm2/Vs 이하의 낮은 전자 이동도를 가질 수 있다. 상기 다결정 실리콘은 상기 비정질 실리콘의 전자 이동도보다 큰 전자 이동도를 가질 수 있다. 따라서, 액티브층(ACT)은 상기 다결정 실리콘을 포함하는 것이 바람직할 수 있다.
상기 다결정 실리콘은 상기 비정질 실리콘에 레이저를 조사하여 형성될 수 있다. 상기 비정질 실리콘에 레이저가 조사될 경우, 상기 비정질 실리콘은 다결정 실리콘으로 결정화될 수 있다.
상기 다결정 실리콘의 결정화 정도에 따라, 표시 장치(DD)의 발광 성능이 달라질 수 있다. 예를 들어, 상기 다결정 실리콘이 충분히 결정화되지 못할 경우, 상기 발광 소자가 방출하는 광에 얼룩이 생길 수 있다. 따라서, 이러한 불량을 방지하기 위해, 비정질 실리콘에 레이저가 다양한 방식으로 조사될 수 있다.
게이트 절연층(GI)은 버퍼층(BUF) 상에 배치될 수 있다. 게이트 절연층(GI)은 액티브층(ACT)을 덮으며 배치될 수 있다. 게이트 절연층(GI)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다.
게이트 전극(GAT)은 게이트 절연층(GI) 상에 배치될 수 있다. 게이트 전극(GAT)은 액티브층(ACT)과 부분적으로 중첩할 수 있다. 게이트 전극(GAT)으로 제공되는 게이트 신호에 응답하여, 액티브층(ACT)에 신호 및/또는 전압이 흐를 수 있다. 게이트 전극(GAT)은 금속, 금속 산화물, 금속 질화물 등을 포함할 수 있다. 상기 금속의 예로는, 은, 몰리브데늄, 알루미늄, 텅스텐(W), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 백금(Pt), 스칸듐(Sc) 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 상기 금속 산화물의 예로는, 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO) 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 상기 금속 질화물의 예로는, 알루미늄 질화물(AlN), 텅스텐 질화물(WN), 크롬 질화물(CrN) 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
층간 절연층(ILD)은 게이트 절연층(GI) 상에 배치될 수 있다. 층간 절연층(ILD)은 게이트 전극(GAT)을 덮으며 배치될 수 있다. 층간 절연층(ILD)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다.
소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 층간 절연층(ILD) 상에 배치될 수 있다. 제1 소스 전극(SE1) 및 제1 드레인 전극(DE1)은 각각 콘택홀을 통해 제1 액티브층(ACT1)과 연결될 수 있다. 제2 소스 전극(SE2) 및 제2 드레인 전극(DE2)은 각각 콘택홀을 통해 제2 액티브층(ACT2)과 연결될 수 있다. 제3 소스 전극(SE3) 및 제3 드레인 전극(DE3)은 각각 콘택홀을 통해 제3 액티브층(ACT3)과 연결될 수 있다. 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 각각 금속, 금속 산화물, 금속 질화물 등을 포함할 수 있다.
비아 절연층(VIA)은 층간 절연층(ILD) 상에 배치될 수 있다. 비아 절연층(VIA)은 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 덮으며 배치될 수 있다. 비아 절연층(VIA)은 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 비아 절연층(VIA)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 상기 유기 절연 물질의 예로는, 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 아크릴계 수지 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
애노드 전극(ANO)은 비아 절연층(VIA) 상에 배치될 수 있다. 애노드 전극(ANO)은 드레인 전극(DE)과 연결될 수 있다. 애노드 전극(ANO)은 금속, 금속 산화물, 금속 질화물 등을 포함할 수 있다.
화소 정의막(PDL)은 비아 절연층(VIA) 상에 배치될 수 있다. 화소 정의막(PDL)에는 제1 내지 제3 애노드 전극들(ANO1, ANO2, ANO3) 각각을 노출시키는 개구가 형성될 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
중간층(ML)은 애노드 전극(ANO) 상에 배치될 수 있다. 중간층(ML)은 기 설정된 색의 광을 방출하는 유기물을 포함할 수 있다. 중간층(ML)은 애노드 전극(ANO) 및 캐소드 전극(CATH)의 전위차에 기초하여 상기 광을 방출할 수 있다. 중간층(ML)은 전자 주입층, 전자 수송층, 발광층, 정공 수송층 및 정공 주입층을 포함할 수 있다.
제1 내지 제3 발광 소자들(ED1, ED2, ED3)은 서로 동일한 색의 광을 방출할 수 있다. 예를 들어, 제1 내지 제3 발광 소자들(ED1, ED2, ED3)은 모두 청색 광을 방출할 수 있다. 또는, 제1 내지 제3 발광 소자들(ED1, ED2, ED3)은 서로 다른 색의 광을 방출할 수 있다. 예를 들어, 제1 내지 제3 발광 소자들(ED1, ED2, ED3)은 각각 적색 광, 녹색 광 및 청색 광을 방출할 수도 있다.
캐소드 전극(CATH)은 발광 소자(ED) 상에 배치될 수 있다. 캐소드 전극(CATH)은 금속, 금속 산화물, 금속 질화물 등을 포함할 수 있다.
상기 박막 봉지층은 캐소드 전극(CATH) 상에 배치될 수 있다. 상기 박막 봉지층은 외부의 수분, 열, 충격 등으로부터 발광 소자(ED)를 보호하는 역할을 수행할 수 있다. 상기 박막 봉지층은 제1 무기 박막 봉지층(IL1), 유기 박막 봉지층(OL) 및 제2 무기 박막 봉지층(IL2)이 적층된 구조를 가질 수 있다. 유기 박막 봉지층(OL)은 제1 및 제2 무기 박막 봉지층들(IL1, IL2)에 비해 상대적으로 두꺼운 두께를 가지고 평탄한 상면을 가질 수 있다.
도 3은 도 2의 표시 장치에 포함되는 액티브층을 형성하는 레이저 결정화 장치의 일 실시예를 나타내는 사시도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 스테이지(ST) 상에는 비정질 실리콘 박막(NCA)이 배치될 수 있다. 비정질 실리콘 박막(NCA)은 단독으로 배치되지 않고 별도의 구성과 함께 스테이지(ST) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 비정질 실리콘 박막(NCA)은 기판(SUB) 상에 배치된 상태에서 스테이지(ST) 상에 배치될 수 있다. 비정질 실리콘 박막(NCA)은 예비 액티브층으로 지칭될 수 있다. 즉, 예비 액티브층은 비정질 실리콘을 포함할 수 있다.
레이저 결정화 장치(LD)는 비정질 실리콘 박막(NCA) 상에 통합 고체 레이저(LS)를 조사할 수 있다. 통합 고체 레이저(LS)는 복수의 고체 레이저들이 합쳐진 형태의 레이저를 의미할 수 있다. 예를 들어, 레이저 결정화 장치(LD)가 제2 방향(DR2)으로 이동하면서 통합 고체 레이저(LS)를 조사할 수 있다. 또는, 스테이지(ST)가 제2 방향(DR2)에 반대되는 방향으로 이동하고, 레이저 결정화 장치(LD)는 고정된 상태에서 통합 고체 레이저(LS)를 조사할 수 있다. 일 실시예에서, 통합 고체 레이저(LS)는 고체 레이저 매질을 이용하여 발생되는 고체 레이저일 수 있다.
비정질 실리콘 박막(NCA)은 레이저(LS)에 의해 다결정 실리콘 박막(CA)으로 결정화될 수 있다. 다결정 실리콘 박막(CA)은 액티브층(ACT)에 대응될 수 있고, 액티브층(ACT)으로 지칭될 수 있다. 즉, 액티브층(ACT)은 다결정 실리콘을 포함할 수 있다.
통합 고체 레이저(LS)는 일 방향으로 연장되는 라인 빔 형태로 조사될 수 있다. 예를 들어, 상기 라인 빔은 레이저 결정화 장치(LD)의 이동 방향인 제2 방향(DR2)과 수직하는 제1 방향(DR1)으로 연장되는 형태를 가질 수 있다.
도 4는 도 3의 레이저 결정화 장치의 일 실시예를 나타내는 도면이다.
도 4를 참조하면, 레이저 결정화 장치(LD)는 고체 레이저 발생기(LET) 및 렌즈-미러 어레이(LMS)를 포함할 수 있다. 고체 레이저 발생기(LET)는 제1 고체 레이저 발생기(LE1), 제2 고체 레이저 발생기(LE2) 및 제3 고체 레이저 발생기(LE3)을 포함할 수 있다. 렌즈-미러 어레이(LMS)는 복수의 렌즈들 및 복수의 미러들을 포함할 수 있다.
고체 레이저 발생기(LET)는 고체 레이저 매질을 이용해 고체 레이저를 발생시킬 수 있다. 이 때, 제1 고체 레이저 발생기(LE1), 제2 고체 레이저 발생기(LE2) 및 제3 고체 레이저 발생기(LE3)는 각각 서로 같은 고체 레이저 매질을 포함할 수도 있고, 서로 다른 고체 레이저 매질들을 포함할 수도 있다. 고체 레이저 매질은 활성 원자 또는 활성 분자가 균일하게 분포되어 있는 물질로 구성될 수 있다. 예를 들어, 고체 레이저 매질은 루비(Cr:Al2O3), 네오디뮴 야그(Nd:YAG), 이터비움 야그(Yb:YAG), 네오디뮴 이트륨(Nd:YVO4), 네오디뮴 이트륨 리튬 플로라이드(Nd: YLiF4) 등이 사용될 수 있고, 각 매질의 재료에 따라 출력되는 고체 레이저의 파장이 결정될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 고체 레이저 매질은 고체 레이저를 발생시킬 수 있는 다양한 재료들을 포함할 수 있다.
제1 고체 레이저 발생기(LE1), 제2 고체 레이저 발생기(LE2) 및 제3 고체 레이저 발생기(LE3)는 각각 다른 에너지 세기를 갖는 고체 레이저를 발생시킬 수 있다. 제1 고체 레이저 발생기(LE1)에서 발생하는 제1 고체 레이저(L1)는 제2 고체 레이저 발생기(LE2)에서 발생하는 제2 고체 레이저(L2)에 비해 높은 에너지 세기를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 고체 레이저는 상기 제1 고체 레이저에 비해 약 48 내지 약 54 퍼센트의 에너지 세기를 가질 수 있다. 제1 고체 레이저 발생기(LE1)에서 발생하는 제1 고체 레이저(L1)는 제3 고체 레이저 발생기(LE3)에서 발생하는 제3 고체 레이저(L3)에 비해 높은 에너지 세기를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제3 고체 레이저는 상기 제1 고체 레이저에 비해 약 54 내지 약 60 퍼센트의 에너지 세기를 가질 수 있다.
제1 내지 제3 고체 레이저들(L1, L2, L3)은 각각 시간 차를 두고 발생될 수 있다. 예를 들어, 제2 고체 레이저 발생기(LE2)는 제1 고체 레이저 발생기(LE1)가 제1 고체 레이저(L1)를 발생시킨 후, 약 5 내지 약 30 나노 초(nano second; ns) 이후에 제2 고체 레이저(L2)를 발생시킬 수 있다. 제3 고체 레이저 발생기(LE3)는 제1 고체 레이저 발생기(LE1)가 제1 고체 레이저(L1)를 발생시킨 후, 약 30 내지 약 95 나노 초(ns) 이후에 제3 고체 레이저(L3)를 발생시킬 수 있다.
비정질 실리콘을 다결정 실리콘으로 결정화할 때, 레이저 결정화 장치(LD)는 비정질 실리콘을 용융 시킨 후 응고시킴으로써 다결정 실리콘을 획득할 수 있다. 제1 고체 레이저(L1) 및 제2 고체 레이저(L2)는 비정질 실리콘이 용융할 때 걸리는 시간인 용융 시간(melting)에 영향을 미칠 수 있다. 제3 고체 레이저(L3)는 용융된 비정질 실리콘이 응고할 때 걸리는 시간인 응고 시간(solidification time)에 영향을 미칠 수 있다. 결정화 배열성의 개선을 위해서 비정질 실리콘의 용융 시간 및 응고 시간이 각각 증가될 필요가 있다. 따라서, 실시예들에 따른 레이저 결정화 장치(LD)는 단일한 고체 레이저를 조사하기 보다 복수의 고체 레이저들(L1, L2, L3)을 시간 차를 두고 조사함으로써 비정질 실리콘의 용융 시간 및 응고 시간을 증가시킬 수 있다.
렌즈-미러 어레이(LMS)는 렌즈 및 미러를 이용하여 제1 내지 제3 고체 레이저들(L1, L2, L3)이 진행하는 경로를 조절할 수 있다. 또한, 렌즈-미러 어레이(LMS)는 렌즈 및 미러를 이용하여 제1 내지 제3 고체 레이저들(L1, L2, L3)의 균질성을 향상시킬 수 있다.
렌즈-미러 어레이(LMS)를 통과한 제1 내지 제3 고체 레이저들(L1, L2, L3)은 통합 고체 레이저(LS)로써 스테이지(ST) 상에 조사될 수 있다. 통합 고체 레이저(LS)는 제1 내지 제3 고체 레이저들(L1, L2, L3)가 합쳐진 레이저 일 수 있다. 통합 고체 레이저(LS)는 다양한 에너지 세기를 나타내는 피크들(peak) 가질 수 있다. 상기 피크들은 제1 내지 제3 고체 레이저들(L1, L2, L3) 각각의 에너지 세기에 상응하는 크기를 가질 수 있다.
스테이지(ST) 상에는 다양한 기재들이 배치될 수 있다. 예를 들어, 예비 액티브층이 스테이지(ST) 상에 배치되어 있을 수 있다. 통합 고체 레이저(LS)는 상기 예비 액티브층에 조사되어 상기 예비 액티브층을 액티브층으로 결정화 할 수 있다.
도 5는 도 4의 레이저 결정화 장치에서 발생하는 레이저의 에너지 세기를 나타내는 도면이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 도 5는 통합 고체 레이저(LS)의 에너지 세기를 제1 고체 레이저(L1)의 에너지 세기를 기준으로 나타낸 것이다. 즉, 도 5의 그래프는 제1 고체 레이저(L1), 제2 고체 레이저(L2) 및 제3 고체 레이저(L3) 각각의 에너지 세기를 제1 고체 레이저(L1)의 에너지 세기로 나눈 것이다. 제1 피크(P1)는 제1 고체 레이저(L1)의 에너지 세기를 제1 고체 에너지(L1)의 에너지 세기로 나누어 상대적으로 나타낸 것이다. 따라서, 제1 피크(P1)는 최대값으로 1을 가질 수 있다. 제2 피크(P2)는 제2 고체 레이저(L2)의 에너지 세기를 제1 고체 레이저(L1)의 에너지 세기로 나누어 상대적으로 나타낸 것이며, 제3 피크(P3)는 제3 고체 레이저(L3)의 에너지 세기를 제1 고체 레이저(L1)의 에너지 세기로 나누어 상대적으로 나타낸 것이다.
통합 고체 레이저(LS)가 상기 예비 액티브층을 액티브층으로 결정화시키기 위해서는 일정 세기 이상의 에너지를 가질 필요가 있다. 예를 들어, 통합 고체 레이저(LS)의 에너지 세기는 약 260 mJ/cm2 내지 약 300 mJ/cm2 일 수 있다. 이 때, 통합 고체 레이저(LS)의 에너지 세기는 제1 내지 제3 고체 레이저들(L1, L2, L3) 각각의 에너지 세기의 합을 의미할 수 있다. 제2 고체 레이저(L2)의 에너지 세기는 제1 고체 레이저(L1)의 에너지 세기의 약 48 내지 약 54 퍼센트일 수 있다. 제3 고체 레이저(L3)의 에너지 세기는 제1 고체 레이저(L1)의 에너지 세기의 약 54 내지 약 60 퍼센트일 수 있다. 즉, 제3 고체 레이저(L3)의 에너지 세기가 제2 고체 레이저(L2)의 에너지 세기보다 클 수 있다.
다만, 도 5에서는 제2 고체 레이저(L2)의 에너지 세기를 상대적으로 나타내는 제2 피크(P2)가 제3 고체 레이저(L3)의 에너지 세기를 상대적으로 나타내는 제3 피크(P3)보다 높게 나타나있지만, 이는 제1 고체 레이저(L1)에 의한 영향으로 제2 피크(P2)가 더 높게 나온 것이다.
예를 들어, 통합 고체 레이저(LS)의 에너지 세기는 약 280 mJ/cm2 일 수 있다. 이 때, 제1 고체 레이저(L1)의 에너지 세기는 약 138.6 mJ/cm2 이고, 제2 고체 레이저(L2)의 에너지 세기는 제1 고체 레이저(L1)의 에너지 세기의 약 48%인 약 66.5 mJ/cm2 이며, 제3 고체 레이저(L3)의 에너지 세기는 제1 고체 레이저(L1)의 에너지 세기의 약 54%인 약 74.8 mJ/cm2 일 수 있다.
제1 내지 제3 고체 레이저들(L1, L2, L3)의 반치전폭은 각각 약 12 내지 약 17 나노 초(ns) 일 수 있다. 반치전폭은 고체 레이저의 최대 에너지 세기의 반에 해당하는 에너지 세기가 갖는 스펙트럼의 폭을 의미할 수 있다.
제1 고체 레이저(L1)와 제2 고체 레이저(L2)가 타이밍을 나누어 별도로 발생되기 때문에, 제1 고체 레이저(L1) 및 제2 고체 레이저(L2)가 조사되는 예비 액티브층의 용융 시간이 증가할 수 있다. 제1 고체 레이저(L1)에 의해 용융된 예비 액티브층의 온도가 감소하기 시작할 때, 제2 고체 레이저(L2)가 추가로 조사되면 예비 액티브층이 다시 용융될 수 있다.
제3 고체 레이저(L3)가 제1 고체 레이저(L1) 및 제2 고체 레이저(L2)와 별도로 발생되어 예비 액티브층에 조사되기 때문에, 응고가 진행중인 예비 액티브층의 온도를 높일 수 있다. 이에 따라, 예비 액티브층이 응고되는 시간이 증가할 수 있다. 이를 통해, 레이저 결정화 장치(LD)는 액티브층의 결정성을 높일 수 있다.
도 6은 도 4의 레이저 결정화 장치에서 발생한 레이저에 의해 결정화되는 예비 액티브층의 온도를 나타내는 도면이고, 도 7은 레이저 결정화 방법의 일 실시예를 나타내는 순서도이다.
도 4, 도 6 및 도 7을 참조하면, 도 6은 비정질 실리콘을 포함하는 예비 액티브층의 온도 변화를 나타낸다. 레이저 결정화 장치(LD)는 제1 고체 레이저(L1)를 발생시키고(S100), 제2 고체 레이저(L2)를 발생시키며(S200), 제3 고체 레이저(L3)를 발생시킬 수 있다(S400). 발생된 제1 내지 제3 고체 레이저들(L1, L2, L3)은 순차적으로 스테이지(ST) 상에 조사될 수 있다. 먼저, 제1 고체 레이저(L1)가 예비 액티브층에 조사될 경우, 제1 고체 레이저(L1)에 의해 약 18 내지 20 나노 초(ns)에 예비 액티브층의 온도가 약 1100 ℃까지 올라간다.
이 후, 제2 고체 레이저(L2)가 예비 액티브층에 조사될 경우, 제2 고체 레이저(L2)에 의해 약 45 내지 50 나노 초(ns)에 예비 액티브층의 온도가 약 1500 ℃까지 올라간다. 이와 같이, 제1 고체 레이저(L1) 및 제2 고체 레이저(L2)를 별도로 발생시켜 동일한 예비 액티브층에 조사함으로써, 예비 액티브층의 용융 시간을 증가시킬 수 있다. 이 후, 예비 액티브층의 온도가 낮아지며 예비 액티브층의 응고가 진행될 수 있다.
제2 고체 레이저(L2)가 조사된 이 후, 제3 고체 레이저(L3)가 예비 액티브층에 조사될 경우, 제3 고체 레이저(L3)에 의해 약 105 내지 약 115 나노 초(ns)에 예비 액티브층의 온도가 다시 약 1500 ℃까지 올라간다. 이 경우, 응고된 예비 액티브층이 다시 용융됨으로써, 예비 액티브층의 응고되는 총 시간이 증가할 수 있다.
도 8 내지 도 11는 표시 장치의 제조 방법의 일 실시예를 나타내는 단면도들이다.
도 8을 참조하면, 기판(SUB)이 제공될 수 있다. 버퍼층(BUF)은 기판(SUB) 상에 형성될 수 있다. 예비 액티브층들(SACT1, SACT2, SACT3)은 기판(SUB) 상에 형성될 수 있다. 예비 액티브층들(SACT1, SACT2, SACT3)은 비정질 실리콘을 포함할 수 있다.
도 9를 참조하면, 통합 고체 레이저(LS)가 예비 액티브층(SACT1, SACT2, SACT3)에 조사될 수 있다. 통합 고체 레이저(LS)는 예비 액티브층(SACT1, SACT2, SACT3)을 결정화할 수 있다.
도 10을 참조하면, 예비 액티브층(SACT1, SACT2, SACT3)은 통합 고체 레이저(LS)가 조사되어 액티브층(ACT1, ACT2, ACT3)으로 결정화될 수 있다. 액티브층(ACT1, ACT2, ACT3)은 다결정 실리콘을 포함할 수 있다.
도 11를 참조하면, 게이트 전극(GAT)은 액티브층(ACT) 상에 형성될 수 있다. 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 게이트 전극(GAT) 상에 형성될 수 있다. 애노드 전극(ANO)은 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE) 상에 형성될 수 있다. 중간층(ML)은 애노드 전극(ANO) 상에 형성될 수 있다. 캐소드 전극(CATH)은 중간층(ML) 상에 형성될 수 있다. 박막 봉지층(IL1, OL, IL2)은 중간층(ML) 상에 형성될 수 있다.
본 발명은 레이저 결정화 장치, 레이저 결정화 방법 및 표시 장치의 제조 방법에 적용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 고해상도 스마트폰, 휴대폰, 스마트패드, 스마트 워치, 태블릿 PC, 차량용 네비게이션 시스템, 텔레비전, 컴퓨터 모니터, 노트북 등에 포함되는 반도체 소자를 결정화 할 때에 적용될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
LD: 레이저 결정화 장치 LS: 통합 고체 레이저
L1, L2, L3: 제1 내지 제3 고체 레이저들
SACT1, SACT2, SACT3: 예비 액티브층들
SUB: 기판 BUF: 버퍼층
ACT: 액티브층 ED: 발광 소자
GAT: 게이트 전극 SE: 소스 전극
DE: 드레인 전극 ANO: 애노드 전극
ML: 중간층 CATH: 캐소드 전극
IL1, IL2: 제1 및 제2 무기 박막 봉지층들
OL: 유기 박막 봉지층

Claims (22)

  1. 제1 에너지 세기를 갖는 제1 고체 레이저를 발생시키는 제1 고체 레이저 발생기;
    상기 제1 에너지 세기보다 낮은 제2 에너지 세기를 갖는 제2 고체 레이저를 발생시키는 제2 고체 레이저 발생기; 및
    상기 제1 에너지 세기보다 낮은 제3 에너지 세기를 갖는 제3 고체 레이저를 발생시키는 제3 고체 레이저 발생기를 포함하는 레이저 결정화 장치.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 제2 에너지 세기는 상기 제1 에너지 세기 대비 48 내지 54 퍼센트인 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 장치.
  3. 제1 항에 있어서, 상기 제3 에너지 세기는 상기 제1 에너지 세기 대비 54 내지 60 퍼센트인 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 장치.
  4. 제1 항에 있어서, 상기 제2 에너지 세기는 상기 제1 에너지 세기 대비 48 내지 54 퍼센트이고,
    상기 제3 에너지 세기는 상기 제1 에너지 세기 대비 54 내지 60 퍼센트인 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 장치.
  5. 제1 항에 있어서, 상기 제2 고체 레이저 발생기는 상기 제1 고체 레이저 발생기가 상기 제1 고체 레이저를 발생시킨 후 5 내지 30 나노 초 후에 상기 제2 고체 레이저를 발생시키고,
    상기 제3 고체 레이저 발생기는 상기 제1 고체 레이저 발생기가 상기 제1 고체 레이저를 발생시킨 후 30 내지 95 나노 초 후에 상기 제3 고체 레이저를 발생시키는 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 장치.
  6. 제1 항에 있어서, 상기 제1 내지 제3 고체 레이저 발생기들은 각각 고체 레이저 매질을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 장치.
  7. 제1 항에 있어서, 상기 제1 내지 제3 고체 레이저들의 반치전폭은 각각 12 내지 17 나노 초 인 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 장치.
  8. 제1 에너지 세기를 갖는 제1 고체 레이저를 발생시키는 단계;
    상기 제1 에너지 세기보다 낮은 제2 에너지 세기를 갖는 제2 고체 레이저를 발생시키는 단계;
    상기 제1 에너지 세기보다 낮은 제3 에너지 세기를 갖는 제3 고체 레이저를 발생시키는 단계; 및
    상기 제1 고체 레이저, 상기 제2 고체 레이저 및 상기 제3 고체 레이저를 순차적으로 스테이지 상에 조사하는 단계를 포함하는 레이저 결정화 방법.
  9. 제8 항에 있어서, 상기 제2 에너지 세기는 상기 제1 에너지 세기 대비 48 내지 54 퍼센트인 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 방법.
  10. 제8 항에 있어서, 상기 제3 에너지 세기는 상기 제1 에너지 세기 대비 54 내지 60 퍼센트인 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 방법.
  11. 제8 항에 있어서, 상기 제2 에너지 세기는 상기 제1 에너지 세기 대비 48 내지 54 퍼센트이고,
    상기 제3 에너지 세기는 상기 제1 에너지 세기 대비 54 내지 60 퍼센트인 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 방법.
  12. 제8 항에 있어서, 상기 제2 고체 레이저는 상기 제1 고체 레이저가 발생된 후 5 내지 30 나노 초 후에 발생되고,
    상기 제3 고체 레이저는 상기 제1 고체 레이저가 발생된 후 30 내지 95 나노 초 후에 발생되는 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 방법.
  13. 제8 항에 있어서, 상기 제1 내지 제3 고체 레이저들의 반치전폭은 각각 12 내지 17 나노 초 인 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 방법.
  14. 제8 항에 있어서, 상기 제1 내지 제3 고체 레이저들은 고체 레이저 매질을 이용하여 발생되는 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 방법.
  15. 기판 상에 예비 액티브층을 형성하는 단계;
    상기 예비 액티브층 상에 제1 에너지 세기를 갖는 제1 고체 레이저를 조사하여 상기 예비 액티브층을 1차 결정화하는 단계;
    상기 예비 액티브층 상에 상기 제1 에너지 세기보다 낮은 제2 에너지 세기를 갖는 제2 고체 레이저를 조사하여 상기 예비 액티브층을 2차 결정화하는 단계; 및
    상기 예비 액티브층 상에 상기 제1 에너지 세기보다 낮은 제3 에너지 세기를 갖는 제3 고체 레이저를 조사하여 상기 예비 액티브층을 3차 결정화하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  16. 제15 항에 있어서, 상기 제2 에너지 세기는 상기 제1 에너지 세기 대비 48 내지 54 퍼센트인 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  17. 제15 항에 있어서, 상기 제3 에너지 세기는 상기 제1 에너지 세기 대비 54 내지 60 퍼센트인 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  18. 제15 항에 있어서, 상기 제2 에너지 세기는 상기 제1 에너지 세기 대비 48 내지 54 퍼센트이고,
    상기 제3 에너지 세기는 상기 제1 에너지 세기 대비 54 내지 60 퍼센트인 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  19. 제15 항에 있어서, 상기 제2 고체 레이저는 상기 제1 고체 레이저가 발생된 후 5 내지 30 나노 초 후에 발생되고,
    상기 제3 고체 레이저는 상기 제1 고체 레이저가 발생된 후 30 내지 95 나노 초 후에 발생되는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  20. 제15 항에 있어서, 상기 제1 내지 제3 고체 레이저들의 반치전폭은 각각 12 내지 17 나노 초 인 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  21. 제15 항에 있어서, 상기 제2 에너지 세기는 상기 제1 에너지 세기 대비 48 내지 54 퍼센트이고,
    상기 제3 에너지 세기는 상기 제1 에너지 세기 대비 54 내지 60 퍼센트이며,
    상기 제2 고체 레이저는 상기 제1 고체 레이저가 발생된 후 5 내지 30 나노 초 후에 발생되고,
    상기 제3 고체 레이저는 상기 제1 고체 레이저가 발생된 후 30 내지 95 나노 초 후에 발생되는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  22. 제15 항에 있어서, 상기 제1 내지 제3 고체 레이저들은 고체 레이저 매질을 이용하여 발생되는 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 방법.
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