KR20230053114A - Manufacturing mehtod for photomask that is easy to repair pattern defects and the photomask prepared therefrom - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 패턴 결함 수리가 용이한 포토마스크 제조방법 및 이를 이용하여 제조한 포토마스크에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a photomask capable of easily repairing pattern defects and a photomask manufactured using the same.
일반적으로 포토마스크는 빛을 이용하여 회로 등의 패턴을 패터닝화하는 포토리소그래피 공정에 널리 사용된다. 이러한 포토마스크는 반도체나 디스플레이 패널을 포함한 고도의 정밀성을 요구하는 전자장치 제조에 사용되며, 통상 감광액(포토레지스트)이 입혀진 웨이퍼나 스테인리스, 디스플레이 패널용 글래스 기판 위에 배치되어 노광 공정을 통해 기판 상에 회로패턴을 형성한다. In general, a photomask is widely used in a photolithography process for patterning a pattern such as a circuit using light. These photomasks are used in the manufacture of electronic devices that require high precision, including semiconductors and display panels, and are usually placed on wafers coated with photoresist (photoresist), stainless steel, or glass substrates for display panels, and placed on the substrate through an exposure process. form a circuit pattern.
한편, 포토마스크는 블랭크 마스크로부터 제조되며, 구체적으로 합성 석영(쿼츠, quartz) 유리나 소다라임(soda lime) 유리 등으로 이루어진 투명 기판 상에, 노광 광에 대하여 불투명한 재료를 포함하는 차광층을 형성하여 구성되며, 차광층 상에는 노광 시, 광 반사를 억제하기 위한 반사방지층이 추가로 형성될 수 있다. 일례로, 포토마스크는 투명 기판측으로부터 차광층, 반사방지층이 형성된 구성일 수 있다. On the other hand, a photomask is manufactured from a blank mask, and specifically, a light blocking layer including a material that is opaque to exposure light is formed on a transparent substrate made of synthetic quartz (quartz) glass or soda lime glass. and an antireflection layer may be additionally formed on the light blocking layer to suppress light reflection during exposure. For example, the photomask may have a structure in which a light blocking layer and an antireflection layer are formed from the transparent substrate side.
한편, 블랭크 마스크로부터 포토마스크를 제조 시 노광, 현상, 식각, 세정 및 검사와 같은 일련의 공정을 거치게 되는데, 이러한 과정에서 포토마스크 상에 형성된 차광층으로서 크롬 패턴층의 손상이 일어나는 경우가 종종 발생한다. 이러한 크롬 패턴층 손상에 의한 포토마스크 결함을 일반적으로 백색 결함이라고 지칭하며, 이는 핀홀(pin-hole), 결손, 단선 등으로 구분될 수 있다. 크롬 패턴층에 이러한 백색 결함이 발생하는 경우 포토마스크가 적용되는 반도체 공정 내지 디스플레이 패널 제조 공정에서 목적하는 포토리소그래피 공정을 효과적으로 수행할 수 없기 때문에, 백색 결함에 대한 수리(repair) 공정이 이루어지는 것이 필수적이다.On the other hand, when manufacturing a photomask from a blank mask, a series of processes such as exposure, development, etching, cleaning, and inspection are performed. During these processes, the chrome pattern layer formed on the photomask is often damaged. do. Photomask defects caused by damage to the chrome pattern layer are generally referred to as white defects, and can be classified into pin-holes, defects, disconnections, and the like. When such a white defect occurs in the chrome pattern layer, since the desired photolithography process cannot be effectively performed in a semiconductor process to which a photomask is applied or a display panel manufacturing process, it is essential to perform a repair process for the white defect. am.
구체적으로, 포토마스크의 백색 결함을 수리하기 위한 수리 공정은 화학적 기상 증착(Chemical Vapor Deposition) 또는 잉크 도포 방식으로 유실된 패턴을 수복하는 방식으로 수행될 수 있다. 일례로, 증착(deposition) 기법을 이용한 CVD 리페어 설비를 이용한 수리 공정의 경우, 탄소(C), 구리(Cu), 규소(Si), 백금(Pt), 알루미늄(Al), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 망간(Mn), 텅스텐(W), 지르코늄(Zr), 니켈(Ni), 산소(O) 등의 조합을 이용한 혼합물을 소스(source)로 이용하고, 로딩 사이즈는 700 내지 800 ㎜ 이며, 증착에 장시간이 소요되는 특징이 있다. 또 다른 일례로, 방열판 가열 후 특정 진공영역을 설정하여 증착하는 기법을 이용한 CVD 리페어 설비를 이용한 수리 공정의 경우, 크롬(Cr)을 소스(source)로 이용하고, 로딩 사이즈는 1,100 내지 1,200 ㎜ 이며, 기판 가열이 상대적으로 장시간(10 ~ 15 min)이나, 증착은 상대적으로 단시간이 소요된다는 특징이 있다. Specifically, a repair process for repairing the white defect of the photomask may be performed by restoring a pattern lost by chemical vapor deposition or ink application. For example, in the case of a repair process using a CVD repair facility using a deposition technique, carbon (C), copper (Cu), silicon (Si), platinum (Pt), aluminum (Al), calcium (Ca), A mixture using a combination of molybdenum (Mo), chromium (Cr), manganese (Mn), tungsten (W), zirconium (Zr), nickel (Ni), and oxygen (O) is used as a source, and loading The size is 700 to 800 mm, and it is characterized by taking a long time for deposition. As another example, in the case of a repair process using a CVD repair facility using a technique of depositing by setting a specific vacuum area after heating the heat sink, chromium (Cr) is used as a source, and the loading size is 1,100 to 1,200 mm , substrate heating takes a relatively long time (10 to 15 min), but deposition takes a relatively short time.
그러나, 이러한 백색 결함 수리 공정을 통해 유실된 크롬 패턴을 수복하더라도, 후속되는 세정 공정 등에서 수복된 크롬 패턴이 다시 유실되는 문제가 발생할 수 있다. 이는 수리 공정에 사용되는 소스(source)가 차광층을 이루는 크롬(Cr)과의 사이에서는 부착력이 강하게 나타나나, 투명 기판의 모재가 되는 합성 석영(쿼츠, quartz) 유리나 소다라임(soda lime) 유리와의 사이에서는 낮은 부착력을 가지기 때문이며, 결국, 포토마스크의 백색 결함에 대한 수리 공정의 완전성을 담보하기 위해서는, 수리 공정 간 CVD 공정으로 증착되는 소스와 기판 간 접착력을 향상시킬 필요가 존재한다. However, even if the lost chrome pattern is recovered through the white defect repair process, the restored chrome pattern may be lost again in a subsequent cleaning process. This means that the source used in the repair process has strong adhesion between the chromium (Cr) forming the light-shielding layer, but synthetic quartz (quartz) glass or soda lime glass, which is the base material of the transparent substrate. This is because it has low adhesion between the photomask and, after all, in order to ensure the integrity of the repair process for the white defect of the photomask, there is a need to improve the adhesion between the source deposited by the CVD process and the substrate between the repair processes.
본 발명은, 블랭크 마스크로부터 제조된 포토마스크 상에 핀홀, 결손, 단선 등 백색 결함이 발생하여 화학적 기상 증착(CVD)을 통한 수리 공정을 진행하는 경우, CVD 공정에 사용되는 소스와 투명 기판 간 낮은 접착력 문제를 효과적으로 해결하여, 해당 백색 결함에 대한 수리 공정의 완전성을 담보하고, 포토마스크의 불량률을 현저히 감소시킬 수 있는, 패턴 결함 수리가 용이한 포토마스크 제조방법 및 이를 이용하여 제조한 포토마스크를 제공하는 것을 목적으로 한다. In the present invention, when white defects such as pinholes, defects, and disconnections occur on a photomask manufactured from a blank mask and a repair process through chemical vapor deposition (CVD) is performed, low A photomask manufacturing method that can easily repair pattern defects, which can effectively solve the problem of adhesion, ensure the integrity of the repair process for the white defect, and significantly reduce the defect rate of the photomask, and a photomask manufactured using the same intended to provide
또한, 본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. In addition, the technical problem to be solved by the present invention is not limited to the above-mentioned technical problem, and other technical problems not mentioned above will become clear to those skilled in the art from the description below. You will be able to understand.
본 명세서에서는, 투명 기판; 상기 투명 기판 상에 패턴화되어 형성된 차광층; 및 상기 투명 기판 및 차광층 전체에 형성된 금속 접착성 시드층을 포함하며, 상기 금속 접착성 시드층의 두께는 12 내지 200 Å 범위인, 포토마스크를 제공한다.In this specification, a transparent substrate; a light blocking layer patterned and formed on the transparent substrate; and a metal adhesive seed layer formed over the entirety of the transparent substrate and the light blocking layer, wherein the metal adhesive seed layer has a thickness in the range of 12 to 200 Å.
본 명세서에서 상기 금속 접착성 시드층은 탄소(C), 구리(Cu), 규소(Si), 백금(Pt), 알루미늄(Al), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 망간(Mn), 텅스텐(W), 지르코늄(Zr), 니켈(Ni), 산소(O) 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다.In the present specification, the metal adhesive seed layer includes carbon (C), copper (Cu), silicon (Si), platinum (Pt), aluminum (Al), calcium (Ca), molybdenum (Mo), chromium (Cr), At least one selected from the group consisting of manganese (Mn), tungsten (W), zirconium (Zr), nickel (Ni), oxygen (O), and mixtures thereof may be included.
본 명세서에서 상기 포토마스크는 금속 접착성 시드층을 포함하지 않는 포토마스크 대비 광 투과율 손실이 2 % 미만일 수 있다. In the present specification, the photomask may have a light transmittance loss of less than 2% compared to a photomask not including the metal adhesive seed layer.
본 명세서에서 상기 포토마스크는 알칼리 세정액을 이용한 세정 공정 10회 반복 수행 후, 수리 부위의 탈락률이 0 %일 수 있다. In the present specification, the photomask may have a drop-off rate of 0% after the cleaning process using the alkaline cleaning solution is repeated 10 times.
본 명세서에서 상기 포토마스크는 백색 결함에 대한 수리(repair) 공정 이후, 면봉을 이용한 컨택트(contact) 테스트에서 수리 부위의 탈락률이 0 %일 수 있다.In the present specification, the photomask may have a defect rate of 0% in a contact test using a cotton swab after a repair process for a white defect.
본 명세서에서 상기 금속 접착성 시드층은 투명 기판 및 차광층 상에 물리적 방법으로 증착된 것일 수 있다. In the present specification, the metal adhesive seed layer may be deposited on a transparent substrate and a light blocking layer by a physical method.
본 명세서에서 상기 금속 접착성 시드층 상에 방오코팅층을 더 포함할 수 있다. In the present specification, an antifouling coating layer may be further included on the metal adhesive seed layer.
또한, 본 명세서에서는, 포토마스크 상에 발생한 백색 결함을 수리하는 방법으로서, 상기의 포토마스크 상에 발생한 백색 결함에 대하여 화학적 기상 증착(CVD) 공정을 수행하여, 유실된 패턴을 수복하는 단계를 포함하는, 포토마스크 백색 결함 수리방법을 제공한다. In addition, in the present specification, a method for repairing a white defect on a photomask includes performing a chemical vapor deposition (CVD) process on the white defect on the photomask to restore a lost pattern. A photomask white defect repair method is provided.
본 명세서에서 상기 화학적 기상 증착(CVD) 공정은 탄소(C), 구리(Cu), 규소(Si), 백금(Pt), 알루미늄(Al), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 망간(Mn), 텅스텐(W), 지르코늄(Zr), 니켈(Ni), 산소(O) 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 소스(source)를 이용하여 수행되는 것일 수 있다. In the present specification, the chemical vapor deposition (CVD) process is carbon (C), copper (Cu), silicon (Si), platinum (Pt), aluminum (Al), calcium (Ca), molybdenum (Mo), chromium (Cr) ), manganese (Mn), tungsten (W), zirconium (Zr), nickel (Ni), oxygen (O), and one or more sources selected from the group consisting of mixtures thereof. there is.
본 발명에 따르면, 블랭크 마스크로부터 포토마스크를 제조 시 발생하는 핀홀(pin-hole), 결손, 단선 등 백색 결함에 대한 수리 공정 이후 세정 공정에서 수복된 수리 부위가 기판과의 사이에서 낮은 접착력으로 인해 탈락하여 차광 패턴이 다시 유실되는 문제점을 효과적으로 방지함으로써, 백색 결함에 대한 수리 공정의 완전성을 담보할 수 있다. According to the present invention, after a repair process for white defects such as pin-holes, defects, and disconnections generated when manufacturing a photomask from a blank mask, the repaired area in the cleaning process is dropped due to low adhesion between the substrate and the substrate. Thus, it is possible to ensure the integrity of the repair process for the white defect by effectively preventing the loss of the light-shielding pattern again.
또한, 블랭크 마스크로부터 포토마스크를 제조 시 에칭/세정 단계 이후 스퍼터링 등 비교적 간단한 물리적 증착 방법만으로 금속 접착성 시드층이 형성된 포토마스크 제조가 가능하며, 이에 의해 포토마스크의 불량율을 현저히 감소시킨다.In addition, when manufacturing a photomask from a blank mask, it is possible to manufacture a photomask having a metal adhesive seed layer only by a relatively simple physical vapor deposition method such as sputtering after the etching/cleaning step, thereby significantly reducing the defect rate of the photomask.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따라 제조된 포토마스크의 단면 구성으로서 특히 투명 기판 및 패턴화된 차광층 상에 형성된 금속 접착성 시드층이 형성된 구성을 개략적으로 나타낸 것이다.
도 2는 본 발명의 일실시예 및 비교예에 따른 포토마스크에 있어서, 실험을 위해 패턴에 의도적으로 핀홀 및 결손을 포함시켜 제작한 백색 결함을 나타낸 사진이다.
도 3은 본 발명의 일실시예(a) 및 비교예(b)에 따른 포토마스크를 이용하여 백색 결함 수리 공정을 수행한 후, 세정 후 수리 부위의 탈락 여부를 육안으로 확인한 결과를 나타낸 것이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따라 제조된 포토마스크에 대한 결함 수리 완전성을 확인하기 위한, (a) 알칼리 세정액을 이용한 수리 부위 탈락 테스트 프로세스, 및 (b) 면봉을 이용한 컨택트(contact) 테스트 프로세스를 개략적으로 나타낸 것이다.FIG. 1 schematically shows a cross-sectional configuration of a photomask manufactured according to an embodiment of the present invention, in particular, a configuration in which a metal adhesive seed layer is formed on a transparent substrate and a patterned light blocking layer.
2 is a photograph showing a white defect produced by intentionally including pinholes and defects in a pattern for an experiment in a photomask according to an embodiment and a comparative example of the present invention.
FIG. 3 shows the result of visually confirming whether or not the repaired area has fallen off after cleaning after performing a white defect repair process using the photomask according to Example (a) and Comparative Example (b) of the present invention.
FIG. 4 shows (a) a repair site detachment test process using an alkaline cleaning solution and (b) a contact test using a cotton swab to confirm defect repair integrity of a photomask manufactured according to an embodiment of the present invention. This is a schematic representation of the process.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한 도면에서 본 발명을 명확하게 개시하기 위해서 본 발명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 도면에서 동일하거나 유사한 부호들은 동일하거나 유사한 구성요소들을 나타낸다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, embodiments of the present invention will be described in detail so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. However, the present invention may be implemented in many different forms and is not limited to the embodiments disclosed below. In addition, in order to clearly disclose the present invention in the drawings, parts irrelevant to the present invention are omitted, and the same or similar numerals in the drawings indicate the same or similar components.
본 발명의 목적 및 효과는 하기의 설명에 의해서 자연스럽게 이해되거나 보다 분명해질 수 있으며, 하기의 기재만으로 본 발명의 목적 및 효과가 제한되는 것은 아니다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서 본 발명과 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이, 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략하기로 한다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명하기로 한다. The objects and effects of the present invention can be naturally understood or more clearly understood by the following description, and the objects and effects of the present invention are not limited only by the following description. In addition, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a known technology related to the present invention may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description will be omitted. Hereinafter, embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
상술한 바와 같이, 종래 기술에 따르면 블랭크 마스크로부터 포토마스크를 제조 시 발생하는 핀홀(pin-hole), 결손, 단선 등 백색 결함에 대한 수리 공정 이후 세정 공정에서 수복된 수리 부위가 기판과의 사이에서 낮은 접착력으로 인해 탈락하여 차광 패턴이 다시 유실되는 문제점이 있어. 제품 수리 불량률이 평균적으로 2%에 이른다. 또한, 이러한 수리 불량 제품의 경우 재보수 시 추가적인 공정이 요구되는 바, 제품 신뢰도 및 공정 경제성을 떨어뜨리는 문제가 있다. As described above, according to the prior art, after the repair process for white defects such as pin-holes, defects, and disconnections generated when manufacturing a photomask from a blank mask, the repair area repaired in the cleaning process is low between the substrate and the substrate. There is a problem that the light-shielding pattern is lost again due to falling off due to adhesive strength. The product repair defect rate averages 2%. In addition, in the case of such a defective product, an additional process is required during repair, which reduces product reliability and process economics.
이에, 본 발명자들은 블랭크 마스크로부터 포토마스크를 제조 시 에칭 단계 이후 스퍼터링 등 비교적 간단한 물리적 방법으로 증착을 수행하여, 포토마스크의 투명 기판 및 패턴화된 차광층 상에, 미세한 박막 형태의 금속 접착성 시드층을 형성시키는 경우, 백색 결함에 대한 수리 공정 이후 세정 공정에서 수복된 수리 부위가 기판으로부터 탈락하는 것이 효과적으로 방지되어, 포토마스크의 불량율을 현저히 감소시킬 수 있다는 점을 실험을 통하여 확인하고 본 발명을 완성하였다. Accordingly, the inventors of the present invention perform deposition by a relatively simple physical method such as sputtering after an etching step when manufacturing a photomask from a blank mask, and a metal adhesive seed in the form of a fine thin film is formed on the transparent substrate and the patterned light-shielding layer of the photomask. In the case of forming the layer, it was confirmed through experiments that the defect rate of the photomask can be significantly reduced by effectively preventing the repaired area from falling off from the substrate in the cleaning process after the repair process for the white defect, thereby completing the present invention. did
금속 접착성 시드층이 형성된 포토마스크 및 제조방법 Photomask with metal adhesive seed layer and manufacturing method
본 발명의 일실시예에 따른 포토마스크는 투명 기판; 상기 투명 기판 상에 패턴화되어 형성된 차광층; 및 상기 투명 기판 및 차광층 전체 상에 형성된 금속 접착성 시드층을 포함하며, 상기 금속 접착성 시드층의 두께는 12 내지 200 Å 범위일 수 있다. A photomask according to an embodiment of the present invention includes a transparent substrate; a light blocking layer patterned and formed on the transparent substrate; and a metal adhesive seed layer formed on the entirety of the transparent substrate and the light blocking layer, and the thickness of the metal adhesive seed layer may range from 12 to 200 Å.
본 발명에서 투명 기판은 합성 석영(쿼츠, quartz) 유리나 소다라임(soda lime) 유리 재질일 수 있다. In the present invention, the transparent substrate may be made of synthetic quartz (quartz) glass or soda lime glass.
상기 투명 기판 상에 형성되는 패턴화된 차광층은 오목부 및 볼록부 형태를 포함하는 요철 패턴을 가질 수 있고, 일례로, 볼록부는 크롬층 또는 크롬층 및 산화크롬층이 순차 적층된 구성일 수 있다. 한편, 상기 오목부는 투명 기판 만이 있는 구성일 수 있다.The patterned light-shielding layer formed on the transparent substrate may have a concavo-convex pattern including concave and convex portions, and for example, the convex portion may have a chromium layer or a chromium layer and a chromium oxide layer sequentially stacked. there is. Meanwhile, the concave portion may have only a transparent substrate.
한편, 본 발명의 금속 접착성 시드층은 투명 기판 및 차광층 전체에 걸쳐 형성되는 것일 수 있고, 두께는 12 내지 200 Å 범위, 상세하게는 12 내지 18 Å 범위로 형성된 것일 수 있다. 금속 접착성 시드층이 상기 두께 범위 내인 경우, 포토마스크의 광 투과율 및 광 반사율 손실을 최소화하면서도, 충분한 접착력을 확보할 수 있어, 후술할 백색 결함 수리 공정에 의해 형성된 수리 부위(크롬, 갈륨 등 소스)의 세정 간 탈락을 효과적으로 방지할 수 있게 된다. Meanwhile, the metal adhesive seed layer of the present invention may be formed over the entirety of the transparent substrate and the light blocking layer, and may have a thickness of 12 to 200 Å, specifically 12 to 18 Å. When the metal adhesive seed layer is within the above thickness range, it is possible to secure sufficient adhesion while minimizing the loss of light transmittance and light reflectance of the photomask, and thus a repair area formed by a white defect repair process (a source such as chromium or gallium) to be described later. ) can be effectively prevented from falling off between washings.
일례로, 상기 방법을 통해 금속 접착성 시드층이 형성된 포토마스크는 상기 금속 접착성 시드층을 포함하지 않는 포토마스크 대비 광 투과율 손실이 2 % 미만, 상세하게는 1 % 미만일 수 있다. 쿼츠 등 재질로 제작한 일반적인 포토마스크의 경우 광 투과율이 약 94% 정도에 해당하고, 일례로 본 발명에 따른 포토마스크의 광 투과율은 약 92 내지 94 % 범위, 상세하게는 93 내지 94 % 범위일 수 있다. For example, a photomask having a metal adhesive seed layer formed through the method may have a light transmittance loss of less than 2%, more specifically, less than 1%, compared to a photomask without the metal adhesive seed layer. In the case of a general photomask made of a material such as quartz, the light transmittance corresponds to about 94%, and for example, the light transmittance of the photomask according to the present invention is in the range of about 92 to 94%, specifically 93 to 94% can
한편, 본 발명의 일실시예에 따른 금속 접착성 시드층은 탄소(C), 구리(Cu), 규소(Si), 백금(Pt), 알루미늄(Al), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 망간(Mn), 텅스텐(W), 지르코늄(Zr), 니켈(Ni), 산소(O) 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 것일 수 있고, 더 상세하게는 크롬(Cr), 갈륨(Ga) 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있으며, 시드층이 상기와 같은 성분인 경우, 후술할 백색 결함 수리 공정 간 이루어지는 화학적 기상 증착(CVD) 소스 성분과 동종 성분에 해당되어, 상호 간 충분한 접착력 확보가 가능해지고, 세정 과정에서 탈락되는 등의 문제를 해결할 수 있다. 또한, 동종이 아니더라도, 상기 성분을 포함하는 소스는 후술하는 수리를 위한 CVD 공정 간 소스와 상호 충분한 접착력 확보가 가능해져, 세정 과정에서 탈락되는 등의 문제를 해결할 수 있다.On the other hand, the metal adhesive seed layer according to an embodiment of the present invention is carbon (C), copper (Cu), silicon (Si), platinum (Pt), aluminum (Al), calcium (Ca), molybdenum (Mo) , chromium (Cr), manganese (Mn), tungsten (W), zirconium (Zr), nickel (Ni), oxygen (O), and one or more selected from the group consisting of mixtures thereof, More specifically, it may include one or more selected from the group consisting of chromium (Cr), gallium (Ga), and mixtures thereof. Corresponds to a component of the same type as a chemical vapor deposition (CVD) source component, enabling sufficient adhesion between them and solving problems such as falling off during a cleaning process. In addition, even if they are not of the same type, a source including the above components can secure sufficient adhesion to a source between CVD processes for repair, which will be described later, and can solve problems such as falling off during a cleaning process.
한편, 상기 금속 접착성 시드층은 투명 기판 및 차광층 상에 물리적 방법으로 증착된 것일 수 있다. 구체적인 일례로, 블랭크 마스크로부터 포토마스크 제조하는 과정은 합성 석영(쿼츠, quartz) 유리 내지 소다라임(sodalime) 유리 기판 상에 차광층(크롬층) 및 포토레지스트층(PR층)이 형성된 블랭크 마스크 상에 E-beam 내지 레이저(laser) 등으로 노광하여 패턴을 형성하고, 포토레지스트를 현상(develop)한 다음, 에칭을 이용한 크롬층 식각, PR을 Strip 한 후 세정하는 과정을 포함할 수 있다. 이때, 본 발명의 금속 접착성 시드층은 상기 에칭/세정 단계 이후 스퍼터링 등 물리적 방법으로 형성되는 것일 수 있다. 한편, 금속 접착성 시드층을 스퍼터링 등으로 형성하는 경우, CVD 등에 의한 증착 대비 상대적으로 강한 부착력(adhesion)을 확보하게 되므로, 후술하는 CVD 공정에 의한 소스 증착 시 이들과 강하게 부착되어 탈락되지 아니하므로, 수리 부위 탈락이 효과적으로 방지되고, 결함 수리 공정의 완전성을 담보할 수 있게 된다.Meanwhile, the metal adhesive seed layer may be physically deposited on the transparent substrate and the light blocking layer. As a specific example, the process of manufacturing a photomask from a blank mask is performed on a blank mask on which a light blocking layer (chromium layer) and a photoresist layer (PR layer) are formed on a synthetic quartz (quartz) glass or sodalime glass substrate. It may include forming a pattern by exposing to E-beam or laser, etc., developing a photoresist, etching the chrome layer using etching, stripping the PR, and then cleaning. In this case, the metal adhesive seed layer of the present invention may be formed by a physical method such as sputtering after the etching/cleaning step. On the other hand, when the metal adhesive seed layer is formed by sputtering, etc., relatively strong adhesion is obtained compared to deposition by CVD, etc. In this case, the omission of the repair part is effectively prevented, and the integrity of the defect repair process can be ensured.
일례로 상기 스퍼터링은 20 ~ 150 ℃, 진공도 3.0 * 10-3 ~ 5.0 * 10-5 Torr, Ar: 5 ~ 15 sccm, 파워 0.1 ~ 0.5 kW, Rate 0.05 ~ 3 Å/sec의 건식 조건 하에서 수행되는 것일 수 있으며, 이를 통해 형성되는 금속 접착성 시드층은 12 내지 200 Å 범위, 상세하게는 12 내지 18 Å 범위의 두께를 가질 수 있다. For example, the sputtering is performed under dry conditions of 20 to 150 ° C, vacuum degree of 3.0 * 10 -3 to 5.0 * 10 -5 Torr, Ar: 5 to 15 sccm, power of 0.1 to 0.5 kW, and rate of 0.05 to 3 Å / sec The metal adhesive seed layer formed through this may have a thickness ranging from 12 to 200 Å, specifically from 12 to 18 Å.
한편, 본 발명에 따른 포토마스크는 핀홀, 결손, 단선 등 백색 결함에 대한 화학적 기상 증착(CVD) 등 수리 공정 이후, 알칼리 세정액을 이용한 세정 공정 10회 반복 수행 후, 수리 부위의 탈락률이 0%일 수 있으며, 면봉을 이용한 컨택트(contact) 테스트의 경우에도 마찬가지로 수리 부위의 탈락률이 0%일 수 있다. 이에 의해 포토마스크 백색 결함에 대한 수리 공정의 완전성을 담보하고, 포토마스크의 불량률을 현저히 감소시킬 수 있게 된다. On the other hand, in the photomask according to the present invention, after a repair process such as chemical vapor deposition (CVD) for white defects such as pinholes, defects, and disconnections, and after repeating a cleaning process using an alkali cleaning solution 10 times, the dropout rate of the repaired area is 0% Also, in the case of a contact test using a cotton swab, the dropout rate of the repaired area may be 0%. Accordingly, the completeness of the repair process for the white defect of the photomask can be guaranteed, and the defect rate of the photomask can be remarkably reduced.
본 발명에서 알칼리 세정액을 이용한 세정 공정은 포토마스크를 탈이온수(DIW)로 씻고, 세정액에 1 내지 3 분간 딥핑(dipping)한 후 탈이온수(DIW)로 세정액을 씻어내고, 에어건조 시키는 방식을 통해 수행되는 것일 수 있으며, 세정 공정 간 사용되는 탈이온수(DIW) 및 세정액의 온도는 약 20 내지 30 ℃ 범위의 것이 사용될 수 있다(도 4 (a) 참조). 한편, 본 발명에서 용어 '면봉을 이용한 컨택트(contact) 테스트'는 면봉솜에 에탄올을 묻히고 수리한 부분에 면봉솜을 접촉시킨 후 3회 문지르는 방식으로 측정하는 테스트를 의미하는 것으로 이해되어야 한다(도 4 (b) 참조). In the present invention, the cleaning process using an alkaline cleaning solution is to wash the photomask with deionized water (DIW), dip it in the cleaning solution for 1 to 3 minutes, rinse the cleaning solution with deionized water (DIW), and air dry it. It may be performed, and the temperature of deionized water (DIW) and cleaning liquid used between cleaning processes may be in the range of about 20 to 30 ° C. (see FIG. 4 (a)). On the other hand, in the present invention, the term 'contact test using a cotton swab' should be understood to mean a test in which a cotton swab is dipped in ethanol, the cotton swab is brought into contact with the repaired part, and then rubbed three times (Fig. 4 (b)).
한편, 상기 세정 공정에서 사용되는 알칼리 세정액은 당해 기술분야에서 사용되는 일반적인 세정액일 수 있으나, 일례로, 물 70 내지 75 중량부, 소듐 하이드록사이드(Sodium hydroxide) 2 내지 4 중량부, 포타슘 하이드록사이드(Potassium hydroxide) 2 내지 4 중량부 및 에톡실레이티드 알킬 페놀(Ethoxylated Alkyl Phenol) 5 내지 10 중량부를 포함하여 구성된 것일 수 있다. On the other hand, the alkaline cleaning solution used in the cleaning process may be a general cleaning solution used in the art, but for example, 70 to 75 parts by weight of water, 2 to 4 parts by weight of sodium hydroxide, potassium hydroxide It may be composed of 2 to 4 parts by weight of side (Potassium hydroxide) and 5 to 10 parts by weight of ethoxylated alkyl phenol (Ethoxylated Alkyl Phenol).
한편, 본 발명에 따른 포토마스크는 방오 기능성 확보를 위한 방오코팅층을 더 포함할 수 있으며, 상기 방오코팅층은 특별히 제한되지 아니하나, 일례로 폴리트리알킬렌옥사이드, 폴리비닐플루오라이드, 폴리비닐리덴 플루오라이드, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리클로로플루오로에틸렌, 퍼플루오로알콕시 폴리머, 불화 에틸렌-프로필렌, 폴리에틸렌테트라플루오로에틸렌, 폴리에틸렌-클로로트리플루오로에틸렌, 퍼플루오로엘라스토머, 플루오로카본, 퍼플루오로폴리에테르, 퍼플루오로술폰산, 불화 폴리이미드, 테트라플루오로에텐, 퍼플루오로폴리옥세탄 및 활성화 탄소로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하여 구성되는 것일 수 있다. Meanwhile, the photomask according to the present invention may further include an antifouling coating layer for securing antifouling functionality, and the antifouling coating layer is not particularly limited, but examples include polytrialkylene oxide, polyvinyl fluoride, and polyvinylidene fluoride. Ride, polytetrafluoroethylene, polychlorofluoroethylene, perfluoroalkoxy polymer, fluorinated ethylene-propylene, polyethylenetetrafluoroethylene, polyethylene-chlorotrifluoroethylene, perfluoroelastomer, fluorocarbon, perfluoro It may be composed of one or more selected from the group consisting of polyether, perfluorosulfonic acid, fluorinated polyimide, tetrafluoroethene, perfluoropolyoxetane, and activated carbon.
포토마스크 백색 결함 수리방법Photomask white defect repair method
이상으로 설명한, 본 발명에 따른 포토마스크는 투명 기판 상에 미세한 박막 형태의 금속 접착성 시드층을 포함함으로써, 백색 결함 수리를 위한 CVD 증착 공정에 의해 수리 부위에 형성되는 크롬, 갈륨 등 소스가 석영 또는 소다라임 등 유리 기판과 직접 접촉하지 아니하고, 동종/이종 등 상호 접착력을 확보할 수 있는 성분으로 구성된 금속 접착성 시드층과 접촉하게 되어, 우수한 접착력 확보가 가능해지고, 이에 따라 후속하는 세정 공정에서 탈락되는 것을 효과적으로 방지할 수 있게 된다. As described above, the photomask according to the present invention includes a metal adhesive seed layer in the form of a fine thin film on a transparent substrate, so that the source of chrome, gallium, etc. formed on the repair site by the CVD deposition process for repairing white defects is quartz. Or, without direct contact with a glass substrate such as soda lime, it comes into contact with a metal adhesive seed layer composed of a component capable of securing mutual adhesion of the same type/different type, etc., so that excellent adhesion can be secured, and thus in the subsequent cleaning process Dropping can be effectively prevented.
본 발명에 따른 포토마스크 백색 결함 수리방법은 상기 포토마스크 상에 발생한 백색 결함에 대하여 화학적 기상 증착(CVD) 공정을 수행하여, 유실된 패턴을 수복하는 단계를 포함하는 것일 수 있다. 한편, 상기 화학적 기상 증착 공정은 탄소(C), 구리(Cu), 규소(Si), 백금(Pt), 알루미늄(Al), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 망간(Mn), 텅스텐(W), 지르코늄(Zr), 니켈(Ni), 산소(O) 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 소스(source)를 이용하여 수행되는 것일 수 있다.A photomask white defect repair method according to the present invention may include restoring a lost pattern by performing a chemical vapor deposition (CVD) process on the white defect generated on the photomask. On the other hand, the chemical vapor deposition process is carbon (C), copper (Cu), silicon (Si), platinum (Pt), aluminum (Al), calcium (Ca), molybdenum (Mo), chromium (Cr), manganese ( It may be performed using one or more sources selected from the group consisting of Mn), tungsten (W), zirconium (Zr), nickel (Ni), oxygen (O), and mixtures thereof.
한편, 상기 결함 수리방법은 사용되는 장치에 따라 구체적인 조건, 소스가 달라질 수 있고, 일례로, deposition 기법을 이용한 CVD 리페어 설비를 이용한 수리 공정의 경우, 탄소(C), 구리(Cu), 규소(Si), 백금(Pt), 알루미늄(Al), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 망간(Mn), 텅스텐(W), 지르코늄(Zr), 니켈(Ni), 산소(O) 등의 조합을 이용한 혼합물을 소스(source)로 이용하고, 로딩 사이즈는 700 내지 800 ㎜로 수행되는 것일 수 있다.On the other hand, the defect repair method may have different specific conditions and sources depending on the device used. For example, in the case of a repair process using a CVD repair facility using a deposition technique, carbon (C), copper (Cu), silicon ( Si), Platinum (Pt), Aluminum (Al), Calcium (Ca), Molybdenum (Mo), Chromium (Cr), Manganese (Mn), Tungsten (W), Zirconium (Zr), Nickel (Ni), Oxygen ( O) and the like are used as a source, and the loading size may be 700 to 800 mm.
또 다른 일례로, 방열판 가열 후 특정 진공영역을 설정하여 증착하는 기법을 이용한 CVD 리페어 설비를 이용한 수리 공정의 경우, 크롬(Cr)을 소스(source)로 이용하고, 로딩 사이즈는 1,100 내지 1,200 ㎜ 로 수행되는 것일 수 있다. As another example, in the case of a repair process using a CVD repair facility using a technique of depositing by setting a specific vacuum area after heating the heat sink, chromium (Cr) is used as a source and the loading size is 1,100 to 1,200 mm. may be performed.
이상의 방법에 따라 본 발명의 포토마스크를 이용하여 백색 결함을 수리하는 경우, 수리 공정을 통해 수복된 크롬 패턴이 다시 유실되는 것이 효과적으로 방지된다. When the white defect is repaired using the photomask according to the present invention according to the above method, loss of the chrome pattern restored through the repair process is effectively prevented.
실시예Example
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 구현예들을 예시하고 하기에서 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. Since the present invention can have various changes and various forms, specific embodiments are exemplified and described in detail below. However, it should be understood that this is not intended to limit the present invention to the specific disclosed form, and includes all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention.
실시예 1-1 내지 1-4Examples 1-1 to 1-4
블랭크 마스크(제조사: U 社)를 준비하고, A 등급의 장비를 이용하여 노광을 수행한 다음, TMAH 2.38% 현상액을 이용하여 현상 공정을 수행하였다. 다음으로, 질산 계열 에칭 용액을 이용하여 식각을 수행하고, 물 70 내지 75 중량부, 소듐 하이드록사이드(Sodium hydroxide) 2 내지 4 중량부, 포타슘 하이드록사이드(Potassium hydroxide) 2 내지 4 중량부 및 에톡실레이티드 알킬 페놀(Ethoxylated Alkyl Phenol) 5 내지 10 중량부를 포함하는 알칼리 세정액을 이용하여 비접촉 방식의 세정을 수행하여 포토마스크를 제조하였다. A blank mask (manufacturer: U company) was prepared, exposure was performed using grade A equipment, and then a development process was performed using a TMAH 2.38% developer. Next, etching is performed using a nitric acid-based etching solution, and 70 to 75 parts by weight of water, 2 to 4 parts by weight of sodium hydroxide, 2 to 4 parts by weight of potassium hydroxide, and A photomask was prepared by performing non-contact cleaning using an alkaline cleaning solution containing 5 to 10 parts by weight of ethoxylated alkyl phenol.
다음으로, 상기 포토마스크 상에 20 ~ 150 ℃ 진공도 3.0 * 10-3 ~ 5.0 * 10-5 Torr, Ar: 5 ~ 15 sccm, 파워 0.1 ~ 0.5 kW, Rate 0.05 ~ 3 Å/sec의 건식 조건 하에서, 크롬(Cr)을 소스원으로 한 스퍼터링을 수행하였으며, 상기 과정을 통해 투명 기판 및 패턴화된 차광층(크롬층) 상에 각각 12 Å (실시예 1-1), 13 Å (실시예 1-2), 14 Å (실시예 1-3), 18 Å (실시예 1-4) 두께로 크롬(Cr) 성분을 포함한 금속 접착성 시드층을 형성하였다(도 1 참조). Next, on the photomask, under dry conditions of 20 ~ 150 ℃ vacuum degree 3.0 * 10 -3 ~ 5.0 * 10 -5 Torr, Ar: 5 ~ 15 sccm, power 0.1 ~ 0.5 kW, rate 0.05 ~ 3 Å / sec , Sputtering was performed using chromium (Cr) as a source, and through the above process, 12 Å (Example 1-1) and 13 Å (Example 1 -2), 14 Å (Example 1-3), 18 Å (Example 1-4) to form a metal adhesive seed layer containing a chromium (Cr) component (see Fig. 1).
한편, 검사를 통해 상기 포토마스크 제조 공정 간 핀홀 및 결손(백색 결함)이 발생한 포토마스크를 확인한 다음, 회수하였다(도 2 참조).Meanwhile, through inspection, the photomask with pinholes and defects (white defects) generated during the photomask manufacturing process was identified and recovered (see FIG. 2).
비교예 1-1 내지 1-2Comparative Examples 1-1 to 1-2
실시예 1-1 내지 1-4와 동일한 방법으로 포토마스크를 제조하고, 제조 공정 간 핀홀 및 결손(백색 결함)이 발생한 포토마스크를 확인한 다음, 회수하되, 금속 접착성 시드층을 포함하지 않은 것(비교예 1-1), 금속 접착성 시드층 두께를 6
[실험 1: 세정 후 부착력 테스트][Experiment 1: Adhesion test after cleaning]
상기 실시예 1-1 내지 1-4 및 비교예 1-1 내지 1-2의 방법으로 제조된 포토마스크를 준비하고, 방열판 가열 후 특정 진공영역을 설정하여 증착하는 기법을 이용한 CVD 리페어 설비를 이용하여 크롬(Cr)을 소스로 하고, 로딩 사이즈는 1,100 내지 1,200 ㎜로 하여, 백색 결함 부위에 대한 수리 공정을 진행하였다. Prepare photomasks manufactured by the methods of Examples 1-1 to 1-4 and Comparative Examples 1-1 to 1-2, set a specific vacuum area after heating the heat sink, and use a CVD repair facility using a deposition technique Thus, a repair process was performed on the white defect area using chromium (Cr) as a source and a loading size of 1,100 to 1,200 mm.
이러한, 수리 공정 진행 후, 물 70 내지 75 중량부, 소듐 하이드록사이드(Sodium hydroxide) 2 내지 4 중량부, 포타슘 하이드록사이드(Potassium hydroxide) 2 내지 4 중량부 및 에톡실레이티드 알킬 페놀(Ethoxylated Alkyl Phenol) 5 내지 10 중량부를 포함하는 알칼리 세정액을 이용하여 비접촉 방식의 세정 공정을 10회 반복하였다. After the repair process, 70 to 75 parts by weight of water, 2 to 4 parts by weight of sodium hydroxide, 2 to 4 parts by weight of potassium hydroxide and ethoxylated alkyl phenol (Ethoxylated Alkyl Phenol) using an alkaline cleaning solution containing 5 to 10 parts by weight, the non-contact cleaning process was repeated 10 times.
실시예 1-1(도 3 (a)) 및 비교예 1-1(도 3 (b))에서 각각 형성된 백색 결함(핀홀)에 대하여 리페어링 및 세정 공정을 수행한 결과를 나타내었다. 세정 공정은 구체적으로 포토마스크를 탈이온수(DIW)로 씻고, 위 세정액에 2 분간 딥핑(dipping)한 후 탈이온수(DIW)로 세정액을 씻어내고, 에어건조 시키는 방식을 통해 수행되었다.The results of performing the repairing and cleaning processes for the white defects (pinholes) respectively formed in Example 1-1 (FIG. 3 (a)) and Comparative Example 1-1 (FIG. 3 (b)) are shown. Specifically, the cleaning process was performed by washing the photomask with deionized water (DIW), dipping in the above cleaning solution for 2 minutes, washing the cleaning solution with deionized water (DIW), and air drying.
도 3 (a)를 참조하면, 알칼리 세정액을 이용하여 세정을 10회 반복 수행한 경우, 수리 부위가 탈락하지 않은 것(좌측)을 확인할 수 있었고, 투과를 수행하였을 때, 수리 부위에 투과가 이루어지지 않는 것(우측)을 확인할 수 있었다. Referring to FIG. 3 (a), when washing was repeated 10 times using an alkaline cleaning solution, it was confirmed that the repair site did not fall off (left), and when permeation was performed, the repair site was permeated. It was confirmed that it did not lose (right).
반면, 도 3 (b)를 참조하면, 알칼리 세정액을 이용하여 세정을 10회 반복 수행한 경우, 수리 부위가 탈락한 것(좌측)을 확인할 수 있었고, 투과를 수행하였을 때, 수리 부위에 투과가 이루어지는 것(우측)을 확인할 수 있었다. On the other hand, referring to FIG. 3 (b), when cleaning was repeated 10 times using an alkaline cleaning solution, it was confirmed that the repair area was eliminated (left), and when permeation was performed, the repair area was permeated. I was able to confirm what was done (right).
또한, 세정 공정에서 수리된 부위의 탈락 가능성을 확인하기 위하여, 면봉 컨택트(contact) 테스트를 진행하되, 상기 면봉 Contact 테스트는 면봉에 에탄올을 묻히고 수리한 부분에 면봉솜을 접촉시킨 후 3회 문지르는 방식을 통해 수행되었다. In addition, in order to check the possibility of the repaired part falling off in the cleaning process, a cotton swab contact test is conducted. was done through
이를 통해 도출된 구체적인 실험 결과는 아래의 표 1에서 나타내었다. 상기 표 안의 숫자는 백색 결함 부위를 수정한 포인트로서, 상기 과정 후 수리 부위가 탈락되지 않은 포인트 개수를 나타낸 것이다. The specific experimental results derived through this are shown in Table 1 below. The numbers in the table indicate the number of points where the white defect area was corrected and the repair area was not eliminated after the above process.
(0 Å)Comparative Example 1-1
(0 Å)
(6 Å)Comparative Example 1-2
(6 Å)
(12 Å)Example 1-1
(12 Å)
(13 Å)Example 1-2
(13 Å)
(14 Å)Example 1-3
(14 Å)
(18 Å)Example 1-4
(18 Å)
위 표 1의 결과를 참조하면, 금속 접착성 시드층이 형성된 본 발명의 실시예 1-1 내지 1-4에 따른 포토마스크의 경우 금속 접착성 시드층이 형성되지 않거나(비교예 1-1), 본 발명의 두께 범위 밖으로 형성된 비교예(비교예 1-2) 대비, 화학적 기상 증착(CVD)를 이용한 백색 결함 수리 공정 이후, 세정 공정에서 수리 부위의 탈락이 발생하지 않고, 우수한 접착 상태를 계속적으로 유지하는 것을 확인할 수 있었다. 이에, 실시예에 따른 포토마스크의 경우 비교예들 대비 불량률이 효과적으로 감소된다는 것을 알 수 있다. Referring to the results of Table 1 above, in the case of the photomasks according to Examples 1-1 to 1-4 in which the metal adhesive seed layer was formed, the metal adhesive seed layer was not formed (Comparative Example 1-1) , Compared to the comparative example formed outside the thickness range of the present invention (Comparative Example 1-2), after the white defect repair process using chemical vapor deposition (CVD), the repair area does not fall off in the cleaning process, and the excellent adhesion state is continuously maintained. was confirmed to be maintained. Accordingly, in the case of the photomask according to the embodiment, it can be seen that the defect rate is effectively reduced compared to the comparative examples.
앞에서, 본 발명의 특정한 실시예가 설명되고 도시되었지만 본 발명은 기재된 실시예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 일이다. 따라서, 그러한 수정예 또는 변형예들은 본 발명의 기술적 사상이나 관점으로부터 개별적으로 이해되어서는 아니되며, 변형된 실시예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 하여야 할 것이다. In the foregoing, although specific embodiments of the present invention have been described and shown, the present invention is not limited to the described embodiments, and it is common knowledge in the art that various modifications and variations can be made without departing from the spirit and scope of the present invention. It is self-evident to those who have Therefore, such modifications or variations should not be individually understood from the technical spirit or viewpoint of the present invention, and modified embodiments should fall within the scope of the claims of the present invention.
Claims (9)
상기 금속 접착성 시드층의 두께는 12 내지 200 Å 범위인, 포토마스크.
transparent substrate; a light blocking layer patterned and formed on the transparent substrate; and a metal adhesive seed layer formed over the transparent substrate and the light blocking layer,
The photomask, wherein the thickness of the metal adhesive seed layer ranges from 12 to 200 Å.
상기 금속 접착성 시드층은 탄소(C), 구리(Cu), 규소(Si), 백금(Pt), 알루미늄(Al), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 망간(Mn), 텅스텐(W), 지르코늄(Zr), 니켈(Ni), 산소(O) 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는, 포토마스크.
According to claim 1,
The metal adhesive seed layer is carbon (C), copper (Cu), silicon (Si), platinum (Pt), aluminum (Al), calcium (Ca), molybdenum (Mo), chromium (Cr), manganese (Mn) ), tungsten (W), zirconium (Zr), nickel (Ni), oxygen (O), and a photomask comprising at least one selected from the group consisting of mixtures thereof.
상기 포토마스크는 금속 접착성 시드층을 포함하지 않는 포토마스크 대비 광 투과율 손실이 2 % 미만인, 포토마스크.
According to claim 1,
Wherein the photomask has a light transmittance loss of less than 2% compared to a photomask not including a metal adhesive seed layer.
상기 포토마스크는 알칼리 세정액을 이용한 세정 공정 10회 반복 수행 후, 수리 부위의 탈락률이 0 %인, 포토마스크.
According to claim 1,
The photomask has a 0% dropout rate of the repaired area after repeating the cleaning process using an alkaline cleaning solution 10 times.
상기 포토마스크는 백색 결함에 대한 수리(repair) 공정 이후, 면봉을 이용한 컨택트(contact) 테스트에서 수리 부위의 탈락률이 0 %인, 포토마스크.
According to claim 1,
The photomask has a 0% omission rate of the repair site in a contact test using a cotton swab after a repair process for white defects.
상기 금속 접착성 시드층은 투명 기판 및 차광층 상에 물리적 방법으로 증착된 것인, 포토마스크.
According to claim 1,
The photomask, wherein the metal adhesive seed layer is deposited on a transparent substrate and a light blocking layer by a physical method.
상기 금속 접착성 시드층 상에 방오코팅층을 더 포함하는, 포토마스크.
According to claim 1,
Further comprising an antifouling coating layer on the metal adhesive seed layer, the photomask.
제 1 항의 포토마스크 상에 발생한 백색 결함에 대하여 화학적 기상 증착(CVD) 공정을 수행하여, 유실된 패턴을 수복하는 단계를 포함하는, 포토마스크 백색 결함 수리방법.
As a method of repairing a white defect on a photomask,
A photomask white defect repair method comprising the step of restoring a lost pattern by performing a chemical vapor deposition (CVD) process on the white defect generated on the photomask of claim 1 .
상기 화학적 기상 증착(CVD) 공정은 탄소(C), 구리(Cu), 규소(Si), 백금(Pt), 알루미늄(Al), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 망간(Mn), 텅스텐(W), 지르코늄(Zr), 니켈(Ni), 산소(O) 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 소스(source)를 이용하여 수행되는, 포토마스크 백색 결함 수리방법.According to claim 8,
The chemical vapor deposition (CVD) process is carbon (C), copper (Cu), silicon (Si), platinum (Pt), aluminum (Al), calcium (Ca), molybdenum (Mo), chromium (Cr), manganese Photomask white defect performed using one or more sources selected from the group consisting of (Mn), tungsten (W), zirconium (Zr), nickel (Ni), oxygen (O), and mixtures thereof repair method.
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