KR20230047282A - Pixel of display device - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 표시 장치의 화소에 관한 것이다.The present invention relates to a pixel of a display device.
정보화 기술이 발달함에 따라 사용자와 정보 간의 연결매체인 표시 장치의 중요성이 부각되고 있다.As information technology develops, the importance of a display device as a connection medium between a user and information is being highlighted.
표시 장치는 복수의 화소들을 포함한다. 화소들 각각은 복수의 트랜지스터들, 트랜지스터들에 전기적으로 연결된 발광 소자 및 커패시터를 포함한다. 트랜지스터들은 배선을 통해 제공되는 신호들에 각각 응답하여 턴 온되고, 이에 의해 소정의 구동 전류가 생성된다. 발광 소자는 이러한 구동 전류에 대응하여 발광한다. The display device includes a plurality of pixels. Each of the pixels includes a plurality of transistors, a light emitting element electrically connected to the transistors, and a capacitor. The transistors are turned on in response to signals provided through wiring, thereby generating a predetermined driving current. The light emitting element emits light in response to this drive current.
최근에는 표시 장치의 구동 효율 향상 및 소비 전력을 최소화하기 위하여 표시 장치의 구동 주파수를 가변하여 구동하는 방법이 사용된다. 특히, 고속 구동을 위해 화소들 각각에 포함된 구동 트랜지스터의 문턱 전압 보상 기간 및 데이터 기입 기간을 분리하여 구동하는 방법이 사용된다. Recently, in order to improve the driving efficiency of the display device and minimize power consumption, a method of driving the display device by varying the driving frequency is used. In particular, for high-speed driving, a method of separately driving a threshold voltage compensating period and a data writing period of a driving transistor included in each pixel is used.
다만, 이와 같은 구동 방식은 구동 주파수 가변 시 플리커 현상 및 화질 얼룩 발생과 같은 문제점이 발생할 수 있어, 화소 회로에 공급되는 전원 및 트랜지스터를 추가하여 이를 보완하고 있다.However, such a driving method may cause problems such as flicker and image quality unevenness when the driving frequency is varied, and this is supplemented by adding a power source and a transistor supplied to the pixel circuit.
화소 회로에 공급되는 전원 및 트랜지스터의 개수가 증가하는 경우 고해상도를 구현하기 어렵고, 스캔 구동부의 개수도 증가되므로 표시 패널의 비표시 영역(또는, 데드 스페이스)이 증가하는 문제점이 발생할 수 있다.When the number of power supplies and transistors supplied to the pixel circuit increases, it is difficult to implement a high resolution, and since the number of scan drivers increases, a non-display area (or dead space) of the display panel may increase.
본 발명의 일 목적은, 구동 주파수 가변시 플리커 현상을 방지함과 동시에, 고해상도를 구현할 수 있는 표시 장치의 화소를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a pixel of a display device capable of implementing high resolution while preventing flicker when a driving frequency is varied.
상기 과제를 해결하기 위한 표시 장치의 화소는, 발광 소자, 제1 전원과 제2 노드 사이에 연결되며, 게이트 전극에 연결된 제1 노드의 전압에 대응하여 상기 발광 소자로 공급되는 구동 전류를 제어하는 제1 트랜지스터, 상기 제1 노드에 연결되는 일전극 및 제3 노드에 연결되는 타전극을 포함하는 제1 커패시터, 상기 제3 노드와 데이터 라인 사이에 연결되는 제2 트랜지스터, 상기 제1 노드와 상기 제2 노드 사이에 연결되는 제3 트랜지스터, 상기 제1 전원과 상기 제1 트랜지스터의 일 전극과 연결되는 제5 노드 사이에 연결되는 제6 트랜지스터, 상기 제2 노드와 상기 발광 소자의 애노드와 연결되는 제4 노드 사이에 연결되는 제7 트랜지스터, 및 상기 제5 노드와 바이어스 전원 사이에 연결되는 제9 트랜지스터를 포함한다.A pixel of a display device for solving the above problems is connected between a light emitting element, a first power supply, and a second node, and controls a driving current supplied to the light emitting element in response to a voltage of a first node connected to a gate electrode. A first capacitor including a first transistor, one electrode connected to the first node and the other electrode connected to a third node, a second transistor connected between the third node and a data line, the first node and the A third transistor connected between a second node, a sixth transistor connected between the first power source and a fifth node connected to one electrode of the first transistor, and a sixth transistor connected between the second node and the anode of the light emitting element. A seventh transistor connected between a fourth node and a ninth transistor connected between the fifth node and a bias power supply.
상기 제6 트랜지스터, 상기 7 트랜지스터, 및 상기 제9 트랜지스터 각각의 게이트 전극은 동일한 발광 제어 라인에 연결된다.A gate electrode of each of the sixth transistor, the seventh transistor, and the ninth transistor is connected to the same emission control line.
상기 제4 노드와 애노드 초기화 전원 사이에 연결되는 제8 트랜지스터를 더 포함하고, 상기 제8 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 발광 제어 라인에 연결될 수 있다.An eighth transistor connected between the fourth node and an anode initialization power supply may be further included, and a gate electrode of the eighth transistor may be connected to the emission control line.
상기 제6 트랜지스터 및 상기 제7 트랜지스터는 P타입의 박막 트랜지스터이고, 상기 제8 트랜지스터 및 상기 제9 트랜지스터는 N타입의 박막 트랜지스터일 수 있다.The sixth transistor and the seventh transistor may be P-type thin film transistors, and the eighth transistor and the ninth transistor may be N-type thin film transistors.
상기 제1 노드와 초기화 전원 사이에 연결되는 제4 트랜지스터, 및 기준 전원과 상기 제3 노드 사이에 연결되는 제5 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.A fourth transistor connected between the first node and the initialization power supply, and a fifth transistor connected between the reference power supply and the third node may be further included.
상기 제2 트랜지스터, 상기 제3 트랜지스터, 상기 제4 트랜지스터, 상기 제5 트랜지스터, 상기 제8 트랜지스터, 및 상기 제9 트랜지스터는 N타입의 박막 트랜지스터일 수 있다.The second transistor, the third transistor, the fourth transistor, the fifth transistor, the eighth transistor, and the ninth transistor may be N-type thin film transistors.
제2 트랜지스터는, 제1 스캔 신호에 의해 턴-온되고, 제3 트랜지스터는, 제2 스캔 신호에 의해 턴-온되고, 제4 트랜지스터는, 제3 스캔 신호에 의해 턴-온되고, 제5 트랜지스터는, 상기 제2 스캔 신호에 의해 턴-온되고, 제6 트랜지스터는, 상기 발광 제어 신호에 의해 턴-오프되고, 제7 트랜지스터는, 상기 발광 제어 신호에 의해 턴-오프되고, 제8 트랜지스터는, 상기 발광 제어 신호에 의해 턴-온되고, 제9 트랜지스터는, 상기 발광 제어 신호에 의해 턴-온되는 것을 특징으로 할 수 있다.The second transistor is turned on by the first scan signal, the third transistor is turned on by the second scan signal, the fourth transistor is turned on by the third scan signal, and the fifth transistor is turned on by the third scan signal. The transistor is turned on by the second scan signal, the sixth transistor is turned off by the emission control signal, the seventh transistor is turned off by the emission control signal, and the eighth transistor is turned off by the emission control signal. is turned on by the light emission control signal, and the ninth transistor is turned on by the light emission control signal.
상기 제1 전원에 연결되는 일전극 및 상기 제3 노드에 연결되는 타전극을 포함하는 제2 커패시터를 더 포함할 수 있다.A second capacitor including one electrode connected to the first power source and the other electrode connected to the third node may be further included.
상기 제1 노드와 초기화 전원 사이에 연결되는 제4 트랜지스터, 및 상기 제1 전원과 상기 제3 노드 사이에 연결되는 제5 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.The device may further include a fourth transistor connected between the first node and the initialization power supply, and a fifth transistor connected between the first power supply and the third node.
상기 제4 노드와 상기 초기화 전원 사이에 연결되는 제8 트랜지스터를 더 포함하고, 상기 제8 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 발광 제어 라인에 연결될 수 있다.The method may further include an eighth transistor connected between the fourth node and the initialization power supply, and a gate electrode of the eighth transistor may be connected to the emission control line.
상기 제1 노드와 초기화 전원 사이에 연결되는 제4 트랜지스터, 기준 전원과 상기 제3 노드 사이에 연결되는 제5 트랜지스터, 및 상기 제4 노드와 상기 초기화 전원 사이에 연결되는 제8 트랜지스터를 더 포함하고, 상기 제8 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 발광 제어 라인에 연결될 수 있다.A fourth transistor connected between the first node and the initialization power supply, a fifth transistor connected between the reference power supply and the third node, and an eighth transistor connected between the fourth node and the initialization power supply; , a gate electrode of the eighth transistor may be connected to the emission control line.
상기 발광 제어 신호가 공급되는 기간 동안, 상기 제3 스캔 신호, 상기 제2 스캔 신호, 및 상기 제1 스캔 신호가 순차적으로 제공될 수 있다.During a period in which the emission control signal is supplied, the third scan signal, the second scan signal, and the first scan signal may be sequentially provided.
상기 발광 제어 신호에 의해 상기 제8 트랜지스터가 턴-온되는 경우, 상기 제4 노드에 상기 애노드 초기화 전원의 전압이 공급되고, 상기 발광 제어 신호에 의해 상기 제9 트랜지스터가 턴-온되는 경우, 상기 제5 노드에 상기 바이어스 전원의 전압이 공급될 수 있다.When the eighth transistor is turned on by the light emission control signal, the voltage of the anode initialization power supply is supplied to the fourth node, and when the ninth transistor is turned on by the light emission control signal, the A voltage of the bias power supply may be supplied to a fifth node.
상기 제3 스캔 신호에 의해 상기 제4 트랜지스터가 턴-온되는 경우, 상기 제1 노드에 상기 초기화 전원의 전압이 공급될 수 있다.When the fourth transistor is turned on by the third scan signal, the voltage of the initialization power supply may be supplied to the first node.
상기 제2 스캔 신호에 의해 상기 제3 트랜지스터가 턴-온되는 경우, 상기 제1 노드 및 상기 제2 노드가 다이오드 연결 형태를 가질 수 있다.When the third transistor is turned on by the second scan signal, the first node and the second node may have a diode connection.
상기 발광 제어 신호에 의해 상기 제9 트랜지스터가 턴-온되는 경우, 상기 제1 노드의 전압은, 상기 바이어스 전원의 전압 및 상기 제1 트랜지스터의 문턱 전압의 차이 값일 수 있다.When the ninth transistor is turned on by the emission control signal, the voltage of the first node may be a difference between the voltage of the bias power supply and the threshold voltage of the first transistor.
상기 제1 스캔 신호에 의해 상기 제2 트랜지스터가 턴-온되는 경우, 상기 데이터 라인으로부터 상기 제3 노드로 데이터 신호가 제공될 수 있다.When the second transistor is turned on by the first scan signal, a data signal may be provided from the data line to the third node.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 화소는, 화소 회로를 N타입 트랜지스터 및 P타입 트랜지스터를 포함하도록 구성하고, 일부 트랜지스터를 스캔 신호 대신 발광 제어 신호로 통합 제어함으로써, 구동 주파수 가변 시 플리커 현상을 방지함과 동시에, 고해상도를 구현할 수 있다.In a pixel of a display device according to an exemplary embodiment of the present invention, a pixel circuit is configured to include an N-type transistor and a P-type transistor, and some of the transistors are collectively controlled with an emission control signal instead of a scan signal, thereby reducing flicker when the driving frequency is varied. can be prevented and at the same time, high resolution can be implemented.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 블록도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소를 나타내는 회로도이다.
도 3a 내지 도 3e는 표시 스캔 기간에서 도 2에 도시된 화소의 동작을 설명하기 위한 파형도들이다.
도 4a 내지 도 4c는 자가 스캔 기간에서 도 2에 도시된 화소의 동작을 설명하기 위한 파형도들이다.
도 5는 영상 리프레시 레이트에 따른 표시 장치의 구동 방법의 일 예를 설명하기 위한 개념도이다.
도 6a는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 블록도이다.
도 6b 및 도 6c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 화소를 나타내는 회로도이다.
도 7a는 본 발명의 또 다른 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 블록도이다.
도 7b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 화소를 나타내는 회로도이다.
도 8a는 본 발명의 또 다른 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 블록도이다.
도 8b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 화소를 나타내는 회로도이다.1 is a block diagram illustrating a display device according to example embodiments.
2 is a circuit diagram illustrating a pixel according to an exemplary embodiment of the present invention.
3A to 3E are waveform diagrams for explaining the operation of the pixel shown in FIG. 2 in a display scan period.
4A to 4C are waveform diagrams for explaining an operation of a pixel shown in FIG. 2 in a self-scan period.
5 is a conceptual diagram for explaining an example of a method of driving a display device according to an image refresh rate.
6A is a block diagram illustrating a display device according to other exemplary embodiments of the present invention.
6B and 6C are circuit diagrams illustrating pixels according to another exemplary embodiment of the present invention.
7A is a block diagram illustrating a display device according to another exemplary embodiment of the present invention.
7B is a circuit diagram illustrating a pixel according to another exemplary embodiment of the present invention.
8A is a block diagram illustrating a display device according to another exemplary embodiment of the present invention.
8B is a circuit diagram illustrating a pixel according to another exemplary embodiment of the present invention.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. Since the present invention may have various changes and various forms, specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the text. However, it should be understood that this is not intended to limit the present invention to the specific disclosed form, and includes all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention.
각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. Like reference numerals have been used for like elements throughout the description of each figure. In the accompanying drawings, the dimensions of the structures are shown enlarged than actual for clarity of the present invention. Terms such as first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. These terms are only used for the purpose of distinguishing one component from another. For example, a first element may be termed a second element, and similarly, a second element may be termed a first element, without departing from the scope of the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise.
본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.In this application, the terms "include" or "have" are intended to designate that there is a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification, but one or more other features It should be understood that it does not preclude the possibility of the presence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.
또한, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결된다"고 할 때, 이는 직접적으로 연결되어 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 연결되어 있는 경우도 포함한다.In addition, when a part is said to be "connected" to another part, this includes not only the case where it is directly connected but also the case where it is connected with another element interposed therebetween.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 블록도이다.1 is a block diagram illustrating a display device according to example embodiments.
도 1을 참조하면, 표시 장치(1000)는 표시 패널(100), 스캔 구동부(200, 300, 400), 발광 구동부(500), 데이터 구동부(600), 및 타이밍 제어부(700)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1 , a
스캔 구동부(200, 300, 400)는 제1 스캔 구동부(200), 제2 스캔 구동부(300), 및 제3 스캔 구동부(400)의 구성 및 동작으로 구분될 수 있다. 다만, 상기 스캔 구동부(200, 300, 400)의 구분은 설명의 편의를 위한 것이며, 설계에 따라 스캔 구동부(200, 300, 400)의 적어도 일부는 하나의 구동 회로, 모듈 등으로 통합될 수 있다.The
일 실시예에서, 표시 장치(1000)는 제1 전원(VDD), 제2 전원(VSS), 제3 전원(VREF)(또는, 기준 전원), 제4 전원(Vint)(또는, 초기화 전원), 제5 전원(Vaint)(또는, 애노드 초기화 전원), 및 제6 전원(Vbs)(또는, 바이어스 전원)의 전압을 표시 패널(100)에 공급하기 위하여 도시되지 않은 전원 공급부를 더 포함할 수 있다.In an exemplary embodiment, the
전원 공급부는 스캔 신호, 제어 신호 및/또는 발광 제어 신호의 게이트 온(gate-on) 레벨 및 게이트 오프(gate-off) 레벨을 결정하는 로우(low) 전원(저전원) 및 하이(high) 전원(고전원)을 스캔 구동부(200, 300, 400), 및/또는 발광 구동부(500)에 공급할 수 있다. 로우 전원은 하이 전원보다 낮은 전압 레벨을 가질 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로서, 제1 전원(VDD), 제2 전원(VSS), 제3 전원(VREF)(또는, 기준 전원), 제4 전원(Vint)(또는, 초기화 전원), 제5 전원(Vaint)(또는, 애노드 초기화 전원) 제6 전원(Vbs)(또는, 바이어스 전원), 로우 전원, 및 하이 전원 중 적어도 하나는 타이밍 제어부(700) 또는 데이터 구동부(600)로부터 공급될 수도 있다.The power supply includes a low power supply (low power supply) and a high power supply that determines the gate-on level and gate-off level of the scan signal, control signal, and/or emission control signal. (High power) may be supplied to the
실시예에 따라, 제1 전원(VDD)과 제2 전원(VSS)은 발광 소자의 구동을 위한 전압들을 생성할 수 있다. 일 실시예에서, 제2 전원(VSS)의 전압 레벨은 제1 전원(VDD)의 전압 레벨보다 낮을 수 있다. 예를 들어, 제1 전원(VDD)의 전압은 양(positive)의 전압이고, 제2 전원(VSS)의 전압은 음(negative)의 전압일 수 있다. Depending on the embodiment, the first power source VDD and the second power source VSS may generate voltages for driving the light emitting device. In one embodiment, the voltage level of the second power supply VSS may be lower than the voltage level of the first power supply VDD. For example, the voltage of the first power source VDD may be a positive voltage and the voltage of the second power source VSS may be a negative voltage.
기준 전원(VREF)은 화소(PX)를 초기화하는 전원일 수 있다. 예를 들어, 기준 전원(VREF)의 전압에 의해 화소(PX)에 포함되는 커패시터 및/또는 트랜지스터가 초기화될 수 있다. 기준 전원(VREF)은 양의 전압일 수 있다.The reference power source VREF may be a power source for initializing the pixel PX. For example, capacitors and/or transistors included in the pixel PX may be initialized by the voltage of the reference power supply VREF. The reference voltage VREF may be a positive voltage.
초기화 전원(Vint)은 화소(PX)를 초기화하는 전원일 수 있다. 예를 들어, 초기화 전원(Vint)의 전압에 의해 화소(PX)에 포함되는 구동 트랜지스터가 초기화될 수 있다. 초기화 전원(Vint)은 음의 전압일 수 있다.The initialization power source Vint may be a power source for initializing the pixel PX. For example, the driving transistor included in the pixel PX may be initialized by the voltage of the initialization power source Vint. The initialization power source Vint may be a negative voltage.
애노드 초기화 전원(Vaint)은 화소(PX)를 초기화하는 전원일 수 있다. 예를 들어, 애노드 초기화 전원(Vaint)의 전압에 의해 화소(PX)에 포함되는 발광 소자의 애노드가 초기화될 수 있다. 애노드 초기화 전원(Vaint)은 음의 전압일 수 있다.The anode initialization power source Vaint may be a power source for initializing the pixel PX. For example, the anode of the light emitting element included in the pixel PX may be initialized by the voltage of the anode initialization power supply Vaint. The anode initialization power supply (Vaint) may be a negative voltage.
바이어스 전원(Vbs)은 화소(PX)에 포함되는 구동 트랜지스터의 소스 전극에 소정의 온-바이어스 전압을 공급하기 위한 전원일 수 있다. 바이어스 전원(Vbs)은 양의 전압일 수 있다. 일 실시예에서, 바이어스 전원(Vbs)의 전압은 블랙 계조의 데이터 전압과 유사한 수준일 수 있다. The bias power source Vbs may be a power source for supplying a predetermined on-bias voltage to a source electrode of a driving transistor included in the pixel PX. The bias power supply (Vbs) may be a positive voltage. In an embodiment, the voltage of the bias power supply (Vbs) may be similar to the black grayscale data voltage.
일 실시예에 따른 표시 장치(1000)는 구동 조건에 따라 다양한 영상 리프레시 레이트(refresh rate, 구동 주파수, 또는 화면 재생률)로 영상을 표시할 수 있다. 영상 리프레시 레이트는 화소(PX)의 구동 트랜지스터에 실질적으로 데이터 신호가 기입되는 빈도수이다. 예를 들어, 영상 리프레시 레이트는 화면 스캔율, 화면 재생 빈도수라도고 하며, 1초 동안 표시 화면이 재생되는 빈도수를 나타낸다. The
일 실시예에서, 영상 리프레시 레이트에 대응하여, 하나의 수평 라인(또는, 화소행)에 대한 데이터 구동부(600)의 출력 주파수 및/또는 기입 스캔 신호를 출력하는 제1 스캔 구동부(200)의 출력 주파수가 결정될 수 있다. 예를 들어, 동영상 구동을 위한 리프레시 레이트는 약 60Hz 이상(예를 들어, 120Hz)의 주파수일 수 있다.In one embodiment, the output frequency of the
일 실시예에서, 표시 장치(1000)는, 구동 조건에 따라, 하나의 수평 라인(또는, 화소행)에 대한 스캔 구동부(200, 300, 400)의 출력 주파수 및 이에 대응하는 데이터 구동부(600)의 출력 주파수를 조절할 수 있다. 예를 들어, 표시 장치(1000)는 1Hz 내지 120Hz의 다양한 영상 리프레시 레이트들에 대응하여 영상을 표시할 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로서, 표시 장치(1000)는 120Hz 이상의 영상 리프레시 레이트(예를 들어, 240Hz, 480Hz)로도 영상을 표시할 수 있다.In an exemplary embodiment, the
표시 패널(100)은 데이터 라인(DL)들, 스캔 라인들(SL1, SL2, SL3), 및 발광 제어 라인(EL)과 각각 연결되는 화소(PX)들을 포함할 수 있다. 화소(PX)들은 외부로부터 기준 전원(VREF), 제1 전원(VDD), 제2 전원(VSS), 초기화 전원(Vint), 애노드 초기화 전원(Vaint), 및 바이어스 전원(Vbs)의 전압들을 공급받을 수 있다. 일 실시예에서, 제i 행, 제j(단, i, j는 자연수) 열에 배치되는 화소(PX)는 제i 화소행에 대응하는 스캔 라인들(SL1i, SL2i, SL3i), 제i 화소행에 대응하는 발광 제어 라인들(ELi), 및 제j 화소열에 대응하는 데이터 라인(DLj)에 연결될 수 있다.The
본 발명의 실시예에서는 화소(PX)의 회로 구조에 대응하여 화소(PX)에 연결되는 신호선들(SL1, SL2, SL3, EL, DL)은 다양하게 설정될 수 있다.In an embodiment of the present invention, the signal lines SL1 , SL2 , SL3 , EL and DL connected to the pixel PX may be set in various ways corresponding to the circuit structure of the pixel PX.
타이밍 제어부(700)는 외부로부터 공급되는 동기 신호들에 대응하여 제1 구동 제어 신호(SCS1), 제2 구동 제어 신호(SCS2), 및 제3 구동 제어 신호(SCS3), 제4 구동 제어 신호(ECS), 및 제5 구동 제어 신호(DCS)를 생성할 수 있다. 제1 구동 제어 신호(SCS1)는 제1 스캔 구동부(200)로 공급되고, 제2 구동 제어 신호(SCS2)는 제2 스캔 구동부(300)로 공급되며, 제3 구동 제어 신호(SCS3)는 제3 스캔 구동부(400)로 공급되고, 제4 구동 제어 신호(ECS)는 발광 구동부(500)로 공급되고, 제5 구동 제어 신호(DCS)는 데이터 구동부(600)로 공급될 수 있다. 또한, 타이밍 제어부(700)는 외부로부터 공급되는 입력 영상 데이터를 영상 데이터(RGB)로 재정렬하여 데이터 구동부(600)에 공급할 수 있다. The
제1 구동 제어 신호(SCS1)에는 제1 스캔 스타트 펄스 및 클럭 신호들이 포함될 수 있다. 제1 스캔 스타트 펄스는 제1 스캔 구동부(200)로부터 출력되는 스캔 신호의 첫 번째 타이밍을 제어할 수 있다. 클럭 신호들은 제1 스캔 스타트 펄스를 시프트시키기 위해 사용될 수 있다. The first drive control signal SCS1 may include a first scan start pulse and clock signals. The first scan start pulse may control the first timing of the scan signal output from the
제2 구동 제어 신호(SCS2)에는 제2 스캔 스타트 펄스 및 클럭 신호들이 포함될 수 있다. 제2 스캔 스타트 펄스는 제2 스캔 구동부(300)로부터 출력되는 스캔 신호의 첫 번째 타이밍을 제어할 수 있다. 클럭 신호들은 제2 스캔 스타트 펄스를 시프트시키기 위해 사용될 수 있다.The second drive control signal SCS2 may include a second scan start pulse and clock signals. The second scan start pulse may control the first timing of the scan signal output from the
제3 구동 제어 신호(SCS3)에는 제3 스캔 스타트 펄스 및 클럭 신호들이 포함될 수 있다. 제3 스캔 스타트 펄스는 제3 스캔 구동부(400)로부터 출력되는 스캔 신호의 첫 번째 타이밍을 제어할 수 있다. 클럭 신호들은 제3 스캔 스타트 펄스를 시프트시키기 위해 사용될 수 있다.The third drive control signal SCS3 may include a third scan start pulse and clock signals. The third scan start pulse may control the first timing of the scan signal output from the
제4 구동 제어 신호(ECS)에는 제1 발광 제어 스타트 펄스 및 클럭 신호들이 포함될 수 있다. 제1 발광 제어 스타트 펄스는 발광 구동부(500)로부터 출력되는 발광 제어 신호의 첫 번째 타이밍을 제어할 수 있다. 클럭 신호들은 제1 발광 제어 스타트 펄스를 시프트시키기 위해 사용될 수 있다. The fourth driving control signal ECS may include a first emission control start pulse and clock signals. The first light emission control start pulse may control the first timing of the light emission control signal output from the
제5 구동 제어 신호(DCS)에는 소스 스타트 펄스 및 클럭 신호들이 포함될 수 있다. 소스 스타트 펄스는 데이터의 샘플링 시작 시점을 제어할 수 있다. 클럭 신호들은 샘플링 동작을 제어하기 위하여 이용될 수 있다.The fifth driving control signal DCS may include a source start pulse and clock signals. The source start pulse can control the starting point of data sampling. Clock signals may be used to control the sampling operation.
제1 스캔 구동부(200)는 타이밍 제어부(700)로부터 제1 구동 제어 신호(SCS1)를 수신하고, 제1 구동 제어 신호(SCS1)에 기초하여 제1 스캔 라인(SL1)들로 스캔 신호(예를 들어, 제1 스캔 신호)를 공급할 수 있다. 예를 들어, 제1 스캔 구동부(200)는 제1 스캔 라인(SL1)들로 제1 스캔 신호를 순차적으로 공급할 수 있다. 제1 스캔 신호가 순차적으로 공급되면, 화소(PX)들은 수평 라인 단위(또는, 화소행 단위)로 선택되며, 데이터 신호가 화소(PX)들에 공급될 수 있다. 즉, 제1 스캔 신호는 데이터 기입에 이용되는 신호일 수 있다.The
제1 스캔 신호는 게이트 온 레벨(예를 들어, 하이 전압)로 설정될 수 있다. 화소(PX)에 포함되며 제1 스캔 신호를 수신하는 트랜지스터는 제1 스캔 신호가 공급될 때 턴-온 상태로 설정될 수 있다. The first scan signal may be set to a gate-on level (eg, high voltage). A transistor included in the pixel PX and receiving the first scan signal may be set to a turn-on state when the first scan signal is supplied.
제1 스캔 구동부(200)는 한 프레임의 표시 스캔 기간에 제1 스캔 라인(SL1)들로 스캔 신호를 공급할 수 있다. 일례로, 제1 스캔 구동부(200)는 표시 스캔 기간 동안 제1 스캔 라인(SL1)들 각각으로 적어도 하나의 스캔 신호를 공급할 수 있다.The
제2 스캔 구동부(300)는 타이밍 제어부(700)로부터 제2 구동 제어 신호(SCS2)를 수신하고, 제2 구동 제어 신호(SCS2)에 기초하여 제2 스캔 라인(SL2)들로 스캔 신호(예를 들어, 제2 스캔 신호)를 공급할 수 있다. 예를 들어, 제2 스캔 구동부(300)는 제2 스캔 라인(SL2)들로 제2 스캔 신호를 순차적으로 공급할 수 있다. 제2 스캔 신호는 화소(PX)들에 포함되는 트랜지스터 및 커패시터의 초기화 및/또는 문턱 전압(threshold voltage; Vth) 보상을 위해 공급될 수 있다. 제2 스캔 신호가 공급되면, 화소(PX)들은 문턱 전압 보상 및/또는 초기화 동작을 수행할 수 있다. 제2 스캔 신호는 게이트 온 레벨(예를 들어, 하이 전압)로 설정될 수 있다. 화소(PX)에 포함되며 제2 스캔 신호를 수신하는 트랜지스터는 제2 스캔 신호가 공급될 때 턴-온 상태로 설정될 수 있다.The
제2 스캔 구동부(300)는 한 프레임의 표시 스캔 기간 동안 제2 스캔 라인(SL2)들로 스캔 신호를 공급할 수 있다. 일례로, 제2 스캔 구동부(300)는 표시 스캔 기간 동안 제2 스캔 라인(SL2)들 각각으로 적어도 하나의 스캔 신호를 공급할 수 있다.The
제3 스캔 구동부(400)는 타이밍 제어부(700)로부터 제3 구동 제어 신호(SCS3)를 수신하고, 제3 구동 제어 신호(SCS3)에 기초하여 제3 스캔 라인(SL3)들로 스캔 신호(예를 들어, 제3 스캔 신호)를 공급할 수 있다. 예를 들어, 제3 스캔 구동부(400)는 제3 스캔 라인(SL3)들로 제3 스캔 신호를 순차적으로 공급할 수 있다. 제3 스캔 신호는 화소(PX)들에 포함되는 구동 트랜지스터의 초기화 및/또는 화소(PX)들에 포함되는 커패시터의 초기화를 위해 공급될 수 있다. 제3 스캔 신호가 공급되면, 화소(PX)들은 구동 트랜지스터의 초기화 및/또는 커패시터의 초기화 동작을 수행할 수 있다. The
제3 스캔 신호는 게이트 온 레벨(예를 들어, 하이 전압)로 설정될 수 있다. 화소(PX)에 포함되며 제3 스캔 신호를 수신하는 트랜지스터는 제3 스캔 신호가 공급될 때 턴-온 상태로 설정될 수 있다.The third scan signal may be set to a gate-on level (eg, high voltage). A transistor included in the pixel PX and receiving the third scan signal may be set to a turn-on state when the third scan signal is supplied.
발광 구동부(500)는 타이밍 제어부(700)로부터 제4 구동 제어 신호(ECS)를 수신하고, 제4 구동 제어 신호(ECS)에 기초하여 발광 제어 라인(EL)들로 발광 제어 신호를 공급할 수 있다.The
발광 제어 신호가 공급되면, 화소(PX)들이 수평 라인 단위(또는, 화소행 단위)로 비발광될 수 있다. When the emission control signal is supplied, the pixels PX may not emit light in units of horizontal lines (or in units of pixel rows).
일 실시예에서, 한 프레임 기간 내에서, 발광 제어 라인(EL)으로 공급되는 발광 제어 신호들은 소정 주기마다 반복적으로 공급될 수 있다. 이에 따라, 영상 리프레시 레이트가 감소되는 경우, 하나의 프레임 기간 내에서 발광 제어 신호들을 공급하는 동작의 반복 횟수가 증가될 수 있다.In one embodiment, within one frame period, emission control signals supplied to the emission control line EL may be repeatedly supplied at predetermined intervals. Accordingly, when the image refresh rate is reduced, the number of repetitions of the operation of supplying the emission control signals within one frame period may be increased.
데이터 구동부(600)는 타이밍 제어부(700)로부터 제5 구동 제어 신호(DCS) 및 영상 데이터(RGB)를 수신할 수 있다. 데이터 구동부(600)는 제5 구동 제어 신호(DCS)에 대응하여 데이터 라인(DL)들로 데이터 신호를 공급할 수 있다. 데이터 라인(DL)들로 공급된 데이터 신호는 스캔 신호(예를 들어, 제1 스캔 신호)에 의하여 선택된 화소(PX)들로 공급될 수 있다. 이를 위하여, 데이터 구동부(600)는 스캔 신호와 동기되도록 데이터 라인(DL)들로 데이터 신호를 공급할 수 있다.The
일 실시예에서, 데이터 구동부(600)는 영상 리프레시 레이트에 대응하여 한 프레임 기간 동안 데이터 라인(DL)들로 데이터 신호를 공급할 수 있다. 예를 들어, 데이터 구동부(600)는 제1 스캔 라인(SL1)들로 공급되는 스캔 신호와 동기되도록 데이터 신호를 공급될 수 있다.In one embodiment, the
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소를 나타내는 회로도이다. 도 2에서는 설명의 편의를 위하여 제i 수평 라인(또는, 제i 화소행)에 위치되며 제j 데이터 라인(DLj)과 접속된 화소(PX)를 도시하기로 한다. 2 is a circuit diagram illustrating a pixel according to an exemplary embodiment of the present invention. In FIG. 2 , for convenience of description, a pixel PX positioned on an i th horizontal line (or i th pixel row) and connected to a j th data line DLj is illustrated.
도 2를 참조하면, 화소(PX)는 발광 소자(LD), 제1 내지 제9 트랜지스터들(T1 내지 T9), 제1 커패시터(C1), 및 제2 커패시터(C2)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2 , the pixel PX may include a light emitting element LD, first to ninth transistors T1 to T9, a first capacitor C1, and a second capacitor C2.
발광 소자(LD)의 제1 전극은 제7 트랜지스터(T7)를 경유하여 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극(예를 들어, 드레인 전극)(또는, 제2 노드(N2))에 연결되고, 발광 소자(LD)의 제2 전극은 제2 전원(VSS)에 연결될 수 있다. 구체적으로, 발광 소자(LD)의 제1 전극은 제7 트랜지스터(T7)의 일 전극 및 제8 트랜지스터(T8)의 일 전극이 공통으로 연결되는 제4 노드(N4)를 경유하여 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극에 전기적으로 연결될 수 있다.The first electrode of the light emitting element LD is connected to the second electrode (eg, drain electrode) (or the second node N2) of the first transistor T1 via the seventh transistor T7. , The second electrode of the light emitting element LD may be connected to the second power source VSS. Specifically, the first electrode of the light emitting element LD passes through the fourth node N4 to which one electrode of the seventh transistor T7 and one electrode of the eighth transistor T8 are connected in common to the first transistor ( It may be electrically connected to the second electrode of T1).
제1 트랜지스터(T1)는 제6 트랜지스터(T6)를 경유하여 제1 전원(VDD)과 접속되고, 제7 트랜지스터(T7)를 경유하여 발광 소자(LD)의 제1 전극에 접속될 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)는 구동 전류를 생성하여 발광 소자(LD)에 제공할 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극은 제1 노드(N1)에 연결될 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)는 화소(PX)의 구동 트랜지스터로서 기능할 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)는 제1 노드(N1)에 인가되는 전압에 대응하여 제1 전원(VDD)으로부터 발광 소자(LD)를 경유하여 제2 전원(VSS)으로 흐르는 전류량을 제어할 수 있다.The first transistor T1 may be connected to the first power source VDD via the sixth transistor T6 and connected to the first electrode of the light emitting element LD via the seventh transistor T7. The first transistor T1 may generate a driving current and provide it to the light emitting element LD. A gate electrode of the first transistor T1 may be connected to the first node N1. The first transistor T1 may function as a driving transistor of the pixel PX. The first transistor T1 may control the amount of current flowing from the first power source VDD to the second power source VSS via the light emitting device LD in response to the voltage applied to the first node N1.
제1 커패시터(C1)는 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극에 대응하는 제1 노드(N1)와 제3 노드(N3) 사이에 연결될 수 있다. 제1 커패시터(C1)는 제1 노드(N1)와 제3 노드(N3) 사이의 전압 차에 대응하는 전압을 저장할 수 있다.The first capacitor C1 may be connected between the first node N1 and the third node N3 corresponding to the gate electrode of the first transistor T1. The first capacitor C1 may store a voltage corresponding to a voltage difference between the first node N1 and the third node N3.
제2 커패시터(C2)는 제1 전원(VDD)과 제3 노드(N3) 사이에 연결될 수 있다. 제2 커패시터(C2)는 제1 전원(VDD)과 제3 노드(N3) 사이의 전압 차에 대응하는 전압을 저장할 수 있다. 제2 커패시터(C2)의 일 전극이 정전압원인 제1 전원(VDD)에 연결되고 타 전극이 제3 노드(N3)에 연결됨에 따라, 제2 커패시터(C2)는 표시 스캔 기간에서 제2 트랜지스터(T2)를 통해 제3 노드(N3)로 기입된 데이터 신호(또는, 데이터 전압)를 데이터 신호가 기입되지 않는 자가 스캔 기간 동안 유지시킬 수 있다. 즉, 제2 커패시터(C2)는 제3 노드(N3)의 전압을 안정화시킬 수 있다.The second capacitor C2 may be connected between the first power source VDD and the third node N3. The second capacitor C2 may store a voltage corresponding to a voltage difference between the first power source VDD and the third node N3. As one electrode of the second capacitor C2 is connected to the first power source VDD, which is a constant voltage source, and the other electrode is connected to the third node N3, the second capacitor C2 is connected to the second transistor ( The data signal (or data voltage) written to the third node N3 through T2) may be maintained during the self-scan period in which the data signal is not written. That is, the second capacitor C2 can stabilize the voltage of the third node N3.
제2 트랜지스터(T2)는 데이터 라인(DLj)과 제3 노드(N3) 사이에 연결될 수 있다. 제2 트랜지스터(T2)는 스캔 신호를 수신하는 게이트 전극을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극은 제1 스캔 라인(SL1i)에 연결되어, 제1 스캔 신호를 수신할 수 있다. 제2 트랜지스터(T2)는 제1 스캔 라인(SL1i)으로 제1 스캔 신호가 공급될 때 턴-온되어, 데이터 라인(DLj)과 제3 노드(N3)를 전기적으로 연결시킬 수 있다. 이에 따라, 데이터 신호(또는, 데이터 전압)가 제3 노드(N3)로 전달될 수 있다.The second transistor T2 may be connected between the data line DLj and the third node N3. The second transistor T2 may include a gate electrode receiving a scan signal. For example, the gate electrode of the second transistor T2 may be connected to the first scan line SL1i to receive the first scan signal. The second transistor T2 is turned on when the first scan signal is supplied to the first scan line SL1i, thereby electrically connecting the data line DLj and the third node N3. Accordingly, the data signal (or data voltage) may be transferred to the third node N3.
제3 트랜지스터(T3)는 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극에 대응하는 제1 노드(N1)와 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극(또는, 드레인 전극)에 대응하는 제2 노드(N2) 사이에 연결될 수 있다. 제3 트랜지스터(T3)는 스캔 신호를 수신하는 게이트 전극을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제3 트랜지스터(T3)의 게이트 전극은 제2 스캔 라인(SL2i)에 연결되어, 제2 스캔 신호를 수신할 수 있다. 제3 트랜지스터(T3)는 제2 스캔 라인(SL2i)으로 제2 스캔 신호가 공급될 때 턴-온되어, 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2)를 전기적으로 연결시킬 수 있다. 제3 트랜지스터(T3)의 턴-온에 의해, 제1 트랜지스터(T1)가 다이오드 연결 형태를 가질 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)가 다이오드 연결 형태를 갖는 경우, 제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압이 보상될 수 있다.The third transistor T3 includes a first node N1 corresponding to the gate electrode of the first transistor T1 and a second node N2 corresponding to the second electrode (or drain electrode) of the first transistor T1. ) can be connected. The third transistor T3 may include a gate electrode receiving a scan signal. For example, the gate electrode of the third transistor T3 may be connected to the second scan line SL2i to receive the second scan signal. The third transistor T3 is turned on when the second scan signal is supplied to the second scan line SL2i to electrically connect the first node N1 and the second node N2. When the third transistor T3 is turned on, the first transistor T1 may have a diode connection. When the first transistor T1 has a diode connection, the threshold voltage of the first transistor T1 may be compensated.
제4 트랜지스터(T4)는 초기화 전원(Vint)과 제1 노드(N1) 사이에 연결될 수 있다. 제4 트랜지스터(T4)는 스캔 신호를 수신하는 게이트 전극을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제4 트랜지스터(T4)의 게이트 전극은 제3 스캔 라인(SL3i)에 연결되어, 제3 스캔 신호를 수신할 수 있다. 제4 트랜지스터(T4)는 제3 스캔 라인(SL3i)으로 제3 스캔 신호가 공급될 때 턴-온되어, 초기화 전원(Vint)과 제1 노드(N1)를 전기적으로 연결시킬 수 있다. 이에 따라, 제1 노드(N1)에 초기화 전원(Vint)의 전압이 공급될 수 있다. 따라서, 제1 노드(N1)의 전압이 초기화 전원(Vint)의 전압으로 초기화될 수 있다.The fourth transistor T4 may be connected between the initialization power source Vint and the first node N1. The fourth transistor T4 may include a gate electrode receiving a scan signal. For example, the gate electrode of the fourth transistor T4 may be connected to the third scan line SL3i to receive the third scan signal. The fourth transistor T4 is turned on when the third scan signal is supplied to the third scan line SL3i, and electrically connects the initialization power source Vint and the first node N1. Accordingly, the voltage of the initialization power source Vint may be supplied to the first node N1. Accordingly, the voltage of the first node N1 may be initialized to the voltage of the initialization power source Vint.
제5 트랜지스터(T5)는 기준 전원(VREF)과 제3 노드(N3) 사이에 연결될 수 있다. 제5 트랜지스터(T5)는 스캔 신호를 수신하는 게이트 전극을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제5 트랜지스터(T5)의 게이트 전극은 제2 스캔 라인(SL2i)에 연결되어, 제2 스캔 신호를 수신할 수 있다. 제5 트랜지스터(T5)는 제2 스캔 라인(SL2i)으로 제2 스캔 신호가 공급될 때 턴-온되어, 기준 전원(VREF)과 제3 노드(N3)를 전기적으로 연결시킬 수 있다. 이에 따라, 제3 노드(N3)에 기준 전원(VREF)의 전압이 공급될 수 있다. 따라서, 제3 노드(N3)의 전압이 기준 전원(VREF)의 전압으로 초기화될 수 있다.The fifth transistor T5 may be connected between the reference power source VREF and the third node N3. The fifth transistor T5 may include a gate electrode receiving a scan signal. For example, the gate electrode of the fifth transistor T5 may be connected to the second scan line SL2i to receive the second scan signal. The fifth transistor T5 is turned on when the second scan signal is supplied to the second scan line SL2i, and electrically connects the reference power source VREF and the third node N3. Accordingly, the voltage of the reference power source VREF may be supplied to the third node N3. Accordingly, the voltage of the third node N3 may be initialized to the voltage of the reference power source VREF.
한편, 제3 및 제5 트랜지스터들(T3, T5)의 게이트 전극들은 동일한 스캔 라인(즉, 제2 스캔 라인(SL2i))에 연결되므로, 동시에 턴-오프 또는 턴-온될 수 있다.Meanwhile, since the gate electrodes of the third and fifth transistors T3 and T5 are connected to the same scan line (ie, the second scan line SL2i), they can be turned off or turned on at the same time.
제6 트랜지스터(T6)는 제1 전원(VDD)과 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극(또는, 제5 노드(N5)) 사이에 연결될 수 있다. 제6 트랜지스터(T6)는 발광 제어 신호를 수신하는 게이트 전극을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제6 트랜지스터(T6)의 게이트 전극은 발광 제어 라인(ELi)에 연결되어, 발광 제어 신호를 수신할 수 있다. 제6 트랜지스터(T6)는 발광 제어 라인(ELi)으로 발광 제어 신호가 공급될 때 턴-오프되고, 그 외의 경우에는 턴-온될 수 있다. 턴-온 상태의 제6 트랜지스터(T6)는 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극을 제1 전원(VDD)에 연결할 수 있다.The sixth transistor T6 may be connected between the first power source VDD and the first electrode (or fifth node N5) of the first transistor T1. The sixth transistor T6 may include a gate electrode receiving a light emitting control signal. For example, a gate electrode of the sixth transistor T6 may be connected to the emission control line ELi to receive an emission control signal. The sixth transistor T6 is turned off when an emission control signal is supplied to the emission control line ELi, and may be turned on in other cases. The turn-on sixth transistor T6 may connect the first electrode of the first transistor T1 to the first power source VDD.
제7 트랜지스터(T7)는 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극에 대응하는 제2 노드(N2)와 발광 소자(LD)의 애노드(또는, 제4 노드(N4)) 사이에 연결될 수 있다. 제7 트랜지스터(T7)는 발광 제어 신호를 수신하는 게이트 전극을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제7 트랜지스터(T7)의 게이트 전극은 발광 제어 라인(ELi)에 연결되어, 발광 제어 신호를 수신할 수 있다. 제7 트랜지스터(T7)는 발광 제어 라인(ELi)으로 발광 제어 신호가 공급될 때 턴-오프되고, 그 외의 경우에는 턴-온될 수 있다. 턴-온 상태의 제7 트랜지스터(T7)는 제2 노드(N2)와 제4 노드(N4)를 전기적으로 연결할 수 있다.The seventh transistor T7 may be connected between the second node N2 corresponding to the second electrode of the first transistor T1 and the anode (or fourth node N4) of the light emitting element LD. The seventh transistor T7 may include a gate electrode receiving a light emitting control signal. For example, a gate electrode of the seventh transistor T7 may be connected to the emission control line ELi to receive an emission control signal. The seventh transistor T7 is turned off when an emission control signal is supplied to the emission control line ELi, and may be turned on in other cases. The seventh transistor T7 in the turned-on state may electrically connect the second node N2 and the fourth node N4.
한편, 제6 및 제7 트랜지스터들(T6, T7)의 게이트 전극들은 동일한 발광 제어 라인(ELi)에 연결되므로, 동시에 턴-오프 또는 턴-온될 수 있다. 제6 및 제7 트랜지스터들(T6, T7)이 모두 턴-온되는 경우, 발광 소자(LD)가 제1 노드(N1)의 전압에 대응하는 휘도로 발광할 수 있다.Meanwhile, since the gate electrodes of the sixth and seventh transistors T6 and T7 are connected to the same emission control line ELi, they can be turned off or turned on at the same time. When both the sixth and seventh transistors T6 and T7 are turned on, the light emitting element LD can emit light with a luminance corresponding to the voltage of the first node N1.
제8 트랜지스터(T8)는 발광 소자(LD)(또는, 제4 노드(N4))와 애노드 초기화 전원(Vaint) 사이에 연결될 수 있다. 제8 트랜지스터(T8)는 발광 제어 신호를 수신하는 게이트 전극을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제8 트랜지스터(T8)의 게이트 전극은 발광 제어 라인(ELi)에 연결되어, 발광 제어 신호를 수신할 수 있다. 제8 트랜지스터(T8)는 발광 제어 라인(ELi)으로 발광 제어 신호가 공급될 때 턴-온되어, 애노드 초기화 전원(Vaint)과 제4 노드(N4)를 전기적으로 연결시킬 수 있다. 이에 따라, 제4 노드(N4)(또는, 발광 소자(LD)의 애노드)의 전압이 애노드 초기화 전원(Vaint)의 전압으로 초기화될 수 있다. The eighth transistor T8 may be connected between the light emitting element LD (or the fourth node N4 ) and the anode initialization power supply Vaint. The eighth transistor T8 may include a gate electrode receiving a light emission control signal. For example, a gate electrode of the eighth transistor T8 may be connected to the emission control line ELi to receive an emission control signal. The eighth transistor T8 is turned on when an emission control signal is supplied to the emission control line ELi, thereby electrically connecting the anode initialization power source Vaint and the fourth node N4. Accordingly, the voltage of the fourth node N4 (or the anode of the light emitting element LD) may be initialized to the voltage of the anode initialization power supply Vaint.
발광 소자(LD)의 애노드로 애노드 초기화 전원(Vaint)의 전압이 공급되면, 발광 소자(LD)의 기생 커패시터가 방전될 수 있다. 기생 커패시터에 충전된 잔류 전압이 방전(제거)됨에 따라 의도치 않은 미세 발광이 방지될 수 있다. 따라서, 화소(PX)의 블랙 표현 능력이 향상될 수 있다.When the voltage of the anode initialization power source Vaint is supplied to the anode of the light emitting element LD, the parasitic capacitor of the light emitting element LD may be discharged. As the residual voltage charged in the parasitic capacitor is discharged (removed), unintentional light emission may be prevented. Accordingly, black expression capability of the pixel PX may be improved.
제9 트랜지스터(T9)는 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극(또는, 제5 노드(N5))과 바이어스 전원(Vbs) 사이에 연결될 수 있다. 제9 트랜지스터(T9)는 발광 제어 신호를 수신하는 게이트 전극을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제9 트랜지스터(T9)의 게이트 전극은 발광 제어 라인(ELi)에 연결되어, 발광 제어 신호를 수신할 수 있다. 제9 트랜지스터(T9)는 발광 제어 라인(ELi)으로 발광 제어 신호가 공급될 때 턴-온되어, 제5 노드(N5)와 바이어스 전원(Vbs)을 전기적으로 연결시킬 수 있다.The ninth transistor T9 may be connected between the first electrode (or the fifth node N5) of the first transistor T1 and the bias power supply Vbs. The ninth transistor T9 may include a gate electrode receiving a light emission control signal. For example, a gate electrode of the ninth transistor T9 may be connected to the emission control line ELi to receive an emission control signal. The ninth transistor T9 is turned on when an emission control signal is supplied to the emission control line ELi, thereby electrically connecting the fifth node N5 and the bias power source Vbs.
도 1을 참조하여 설명한 바와 같이, 제9 트랜지스터(T9)는 양의 전압을 갖는 바이어스 전원(Vbs)에 기초하여 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극에 고전압을 공급할 수 있다. 이에 따라, 제1 트랜지스터(T1)는 온-바이어스 상태를 가질 수 있다.As described with reference to FIG. 1 , the ninth transistor T9 may supply a high voltage to the first electrode of the first transistor T1 based on the bias power supply Vbs having a positive voltage. Accordingly, the first transistor T1 may have an on-bias state.
한편, 제2 트랜지스터(T2)가 턴-온되는 기간과 제3 트랜지스터(T3)가 턴-온되는 기간은 중첩하지 않는다. 예를 들어, 제3 트랜지스터(T3)가 턴-온되면, 제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압 보상이 수행되고, 제2 트랜지스터(T2)가 턴-온되면, 데이터 기입이 수행될 수 있다. 따라서, 문턱 전압 보상 기간과 데이터 기입 기간이 서로 분리될 수 있다.Meanwhile, the period during which the second transistor T2 is turned on and the period during which the third transistor T3 is turned on do not overlap. For example, when the third transistor T3 is turned on, threshold voltage compensation of the first transistor T1 may be performed, and when the second transistor T2 is turned on, data writing may be performed. Accordingly, the threshold voltage compensating period and the data writing period may be separated from each other.
한 프레임 기간의 길이가 길어지는 저주파 구동에서는 인접한 화소 간의 계조 차이로 인한 히스테리시스 차이가 심하게 발생될 수 있다. 따라서, 인접한 화소들의 구동 트랜지스터들의 문턱 전압 시프트량의 차이가 발생되고, 이로 인한 화면 끌림(고스트 현상)이 시인될 수 있다.In low-frequency driving in which the length of one frame period is long, a hysteresis difference due to a gray level difference between adjacent pixels may be severely generated. Therefore, a difference in threshold voltage shift amounts of driving transistors of adjacent pixels may occur, and thus screen dragging (ghosting phenomenon) may be recognized.
본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치는, 제9 트랜지스터(T9)를 이용하여, 주기적으로 구동 트랜지스터(예: 제1 트랜지스터(T1))의 소스 전극에 일정한 전압으로 바이어스를 인가할 수 있다. 따라서, 인접한 화소들 사이의 계조 차이로 인한 히스테리시스 편차가 제거되고, 이로 인한 화면 끌림이 저감(제거)될 수 있다.In the display device according to example embodiments, a bias may be periodically applied with a constant voltage to the source electrode of the driving transistor (eg, the first transistor T1 ) using the ninth transistor T9 . Accordingly, the hysteresis deviation due to the gray level difference between adjacent pixels is eliminated, and screen drag caused by the deviation can be reduced (removed).
일 실시예에서, 제1, 제6, 및 제7 트랜지스터들(T1, T6, T7)은 P타입의 LTPS(Low-Temperature Poly-Silicon) 박막 트랜지스터이고, 제2, 제3, 제4, 제5, 제8, 및 제9 트랜지스터들(T2, T3, T4, T5, T8, T9)는 N타입의 산화물 반도체 박막 트랜지스터일 수 있다. 한편, 제6, 제7, 제8, 및 제9 트랜지스터들(T6, T7, T8, T9) 각각의 게이트 전극은 모두 발광 제어 라인(ELi)에 연결되나, 제6 및 제7 트랜지스터들(T6, T7)은 P타입의 박막 트랜지스터이고, 제8 및 제9 트랜지스터들(T8, T9)은 N타입의 박막 트랜지스터이므로, 동일한 레벨의 발광 제어 신호에 대응하여, 제6 및 제7 트랜지스터들(T6, T7)과 제8 및 제9 트랜지스터들(T8, T9)은 반대로 동작할 수 있다.In one embodiment, the first, sixth, and seventh transistors T1, T6, and T7 are P-type low-temperature poly-silicon (LTPS) thin film transistors, and the second, third, fourth, and The fifth, eighth, and ninth transistors T2, T3, T4, T5, T8, and T9 may be N-type oxide semiconductor thin film transistors. Meanwhile, the gate electrodes of the sixth, seventh, eighth, and ninth transistors T6, T7, T8, and T9 are all connected to the emission control line ELi, but the sixth and seventh transistors T6 , T7) are P-type thin-film transistors, and the eighth and ninth transistors T8 and T9 are N-type thin-film transistors, so that the sixth and seventh transistors T6 correspond to the light emission control signal of the same level. , T7) and the eighth and ninth transistors T8 and T9 may operate oppositely.
도 3a 내지 도 3e는 표시 스캔 기간에서 도 2에 도시된 화소의 동작을 설명하기 위한 파형도들이다.3A to 3E are waveform diagrams for explaining the operation of the pixel shown in FIG. 2 in a display scan period.
도 2 및 도 3a를 참조하면, 화소(PX)는 표시 스캔 기간(DSP) 동안 영상 표시를 위한 신호들을 공급받을 수 있다. 표시 스캔 기간(DSP)은 출력 영상에 실제로 대응하는 데이터 신호(DVj)가 기입되는 기간을 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 2 and 3A , the pixel PX may receive signals for image display during the display scan period DSP. The display scan period DSP may include a period in which the data signal DVj actually corresponding to the output image is written.
표시 스캔 기간(DSP)의 제1 시점(t1)부터 제7 시점(t7) 동안 발광 제어 라인들(ELi)로 발광 제어 신호(EMi)가 공급될 수 있다. 이에 따라, 제1 시점(t1)부터 제7 시점(t7) 동안 제6 및 제7 트랜지스터들(T6, T7)은 턴-오프되고, 제8 및 제9 트랜지스터들(T8, T9)은 턴-온될 수 있다.The emission control signal EMi may be supplied to the emission control lines ELi from the first time point t1 to the seventh time point t7 of the display scan period DSP. Accordingly, from the first time point t1 to the seventh time point t7, the sixth and seventh transistors T6 and T7 are turned off, and the eighth and ninth transistors T8 and T9 are turned off. can be turned on
제6 및 제7 트랜지스터들(T6, T7)이 턴-오프 상태인 경우, 화소(PX)는 비발광 상태이고, 제6 및 제7 트랜지스터들(T6, T7)이 턴-온되는 경우, 화소(PX)는 발광할 수 있다.When the sixth and seventh transistors T6 and T7 are turned off, the pixel PX is in a non-emission state, and when the sixth and seventh transistors T6 and T7 are turned on, the pixel PX is in a non-emission state. (PX) can emit light.
발광 제어 신호(EMi)가 공급되는 동안, 제1 시점(t1)부터 제2 시점(t2)까지의 제1 기간(P1a)에서 제3 스캔 라인(SL3i)로 제3 스캔 신호(GIi)가 공급되고, 제3 시점(t3)부터 제4 시점(t4)까지의 제2 기간(P2a)에서 제2 스캔 라인(SL2i)로 제2 스캔 신호(GCi)가 공급되고, 제5 시점(t5)부터 제6 시점(t6)까지의 제3 기간(P3a)에서 제1 스캔 라인(SL1i)로 제1 스캔 신호(GWi)가 공급될 수 있다.While the emission control signal EMi is supplied, the third scan signal GIi is supplied to the third scan line SL3i in the first period P1a from the first time point t1 to the second time point t2. In the second period P2a from the third time point t3 to the fourth time point t4, the second scan signal GCi is supplied to the second scan line SL2i, and from the fifth time point t5 In the third period P3a up to the sixth time point t6, the first scan signal GWi may be supplied to the first scan line SL1i.
이 때, 제1 기간(P1a)은 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극을 초기화하는 기간이고, 제2 기간(P2a)은 제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압을 보상하는 기간이고, 제3 기간(P3a)은 데이터 신호(DVj)가 기입되는 기간이고, 제4 기간(P4a)은 발광 기간(또는, 제1 발광 기간)일 수 있다.In this case, the first period P1a is a period for initializing the gate electrode of the first transistor T1, the second period P2a is a period for compensating the threshold voltage of the first transistor T1, and the third period (P3a) may be a period in which the data signal DVj is written, and the fourth period P4a may be a light emitting period (or a first light emitting period).
도 2 및 도 3b를 참조하면, 제1 기간(P1a) 동안 발광 제어 신호(EMi)의 공급이 유지되고, 제3 스캔 신호(GIi)가 공급될 수 있다.Referring to FIGS. 2 and 3B , during the first period P1a , the emission control signal EMi may be supplied and the third scan signal GIi may be supplied.
제8 트랜지스터(T8)가 턴-온되는 경우, 제4 노드(N4)에 애노드 초기화 전원(Vaint)의 전압이 공급될 수 있다. 즉, 제1 기간(P1a) 동안 발광 소자(LD)의 애노드는 초기화될 수 있다.When the eighth transistor T8 is turned on, the voltage of the anode initialization power source Vaint may be supplied to the fourth node N4. That is, during the first period P1a, the anode of the light emitting element LD may be initialized.
제9 트랜지스터(T9)가 턴-온되는 경우, 제5 노드(N5)에 바이어스 전원(Vbs)의 전압이 공급될 수 있다. 따라서, 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극(또는, 소스 전극)에 양의 전압을 갖는 바이어스 전원(Vbs)의 전압이 공급될 수 있다. 즉, 제1 기간(P1a) 동안 제1 트랜지스터(T1)에 온-바이어스 전압이 인가될 수 있다.When the ninth transistor T9 is turned on, the voltage of the bias power source Vbs may be supplied to the fifth node N5. Accordingly, the voltage of the bias power source Vbs having a positive voltage may be supplied to the first electrode (or source electrode) of the first transistor T1. That is, the on-bias voltage may be applied to the first transistor T1 during the first period P1a.
제1 시점(t1)에서 제3 스캔 신호(GIi)는 게이트 오프 레벨로부터 게이트 온 레벨로 천이되고, 제2 시점(t2)에서 제3 스캔 신호(GIi)는 게이트 온 레벨로부터 게이트 오프 레벨로 천이될 수 있다. 이에 따라, 제1 기간(P1a) 동안 제4 트랜지스터(T4)는 턴-온되므로, 제1 노드(N1)로 초기화 전원(Vint)의 전압이 공급될 수 있다. 즉, 제1 기간(P1a) 동안 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극이 초기화될 수 있다.At the first time point t1, the third scan signal GIi transitions from the gate-off level to the gate-on level, and at the second time point t2, the third scan signal GIi transitions from the gate-on level to the gate-off level. It can be. Accordingly, since the fourth transistor T4 is turned on during the first period P1a, the voltage of the initialization power source Vint may be supplied to the first node N1. That is, the gate electrode of the first transistor T1 may be initialized during the first period P1a.
도 2 및 도 3c를 참조하면, 제2 기간(P2a) 동안 발광 제어 신호(EMi)의 공급이 유지되고, 제2 스캔 신호(GCi)가 공급될 수 있다.Referring to FIGS. 2 and 3C , the emission control signal EMi is maintained and the second scan signal GCi is supplied during the second period P2a.
제8 트랜지스터(T8)가 턴-온 상태가 유지되는 경우, 제4 노드(N4)에 애노드 초기화 전원(Vaint)의 전압이 공급될 수 있다. 즉, 제2 기간(P2a) 동안에도 발광 소자(LD)의 애노드는 초기화될 수 있다.When the eighth transistor T8 is maintained in a turned-on state, the voltage of the anode initialization power source Vaint may be supplied to the fourth node N4. That is, the anode of the light emitting element LD may be initialized even during the second period P2a.
제3 시점(t3)에서 제2 스캔 신호(GCi)는 게이트 오프 레벨로부터 게이트 온 레벨로 천이되고, 제4 시점(t4)에서 제2 스캔 신호(GCi)는 게이트 온 레벨로부터 게이트 오프 레벨로 천이될 수 있다. At the third time point t3, the second scan signal GCi transitions from the gate-off level to the gate-on level, and at the fourth time point t4, the second scan signal GCi transitions from the gate-on level to the gate-off level. It can be.
이에 따라, 제2 기간(P2a) 동안 제3 트랜지스터(T3)는 턴-온되므로, 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2)를 전기적으로 연결시킬 수 있다. 제3 트랜지스터(T3)의 턴-온에 의해, 제1 트랜지스터(T1)가 다이오드 연결 형태를 가질 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)가 다이오드 연결 형태를 갖는 경우, 제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압이 보상될 수 있다. 이 때, 제9 트랜지스터(T9)가 턴-온 상태이므로, 바이어스 전원(Vbs)의 전압이 제3 트랜지스터(T3)를 경유하여 제1 노드(N1)로 공급될 수 있다. 즉, 도 2에 도시된 화소(PX)는, 가변하는 데이터 전압이 아닌 정전압의 바이어스 전원(Vbs)의 전압으로, 제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압을 보상할 수 있다.Accordingly, since the third transistor T3 is turned on during the second period P2a, the first node N1 and the second node N2 may be electrically connected. When the third transistor T3 is turned on, the first transistor T1 may have a diode connection. When the first transistor T1 has a diode connection type, the threshold voltage of the first transistor T1 may be compensated. At this time, since the ninth transistor T9 is turned on, the voltage of the bias power source Vbs can be supplied to the first node N1 via the third transistor T3. That is, the pixel PX shown in FIG. 2 may compensate for the threshold voltage of the first transistor T1 with the voltage of the bias power supply Vbs having a constant voltage rather than the variable data voltage.
또한, 제2 기간(P2a) 동안 게이트 온 레벨의 제2 스캔 신호(GCi)에 의해, 제5 트랜지스터(T5)가 턴-온되므로, 제3 노드(N3)로 기준 전원(VREF)의 전압이 공급될 수 있다. 즉, 제2 기간(P2a) 동안 제3 노드(N3)가 초기화될 수 있다.Also, since the fifth transistor T5 is turned on by the second scan signal GCi of the gate-on level during the second period P2a, the voltage of the reference power supply VREF to the third node N3 is can be supplied. That is, the third node N3 may be initialized during the second period P2a.
도 2 및 도 3d를 참조하면, 제3 기간(P3a) 동안 발광 제어 신호(EMi)의 공급이 유지되고, 제1 스캔 신호(GWi)가 공급될 수 있다.Referring to FIGS. 2 and 3D , during the third period P3a, the emission control signal EMi is maintained and the first scan signal GWi is supplied.
제8 트랜지스터(T8)가 턴-온 상태가 유지되는 경우, 제4 노드(N4)에 애노드 초기화 전원(Vaint)의 전압이 공급될 수 있다. 즉, 제3 기간(P3a) 동안에도 발광 소자(LD)의 애노드는 초기화될 수 있다.When the eighth transistor T8 is maintained in a turned-on state, the voltage of the anode initialization power source Vaint may be supplied to the fourth node N4. That is, the anode of the light emitting element LD may be initialized even during the third period P3a.
제9 트랜지스터(T9)가 턴-온 상태가 유지되고, 제3 트랜지스터(T3)가 턴-오프되는 경우, 제5 노드(N5)에 바이어스 전원(Vbs)의 전압이 공급될 수 있다. 따라서, 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극(또는, 소스 전극)에 양의 전압을 갖는 바이어스 전원(Vbs)의 전압이 다시 공급될 수 있다. 즉, 제3 기간(P3a) 동안 제1 트랜지스터(T1)에 온-바이어스 전압이 재 인가될 수 있다.When the ninth transistor T9 is maintained in a turned-on state and the third transistor T3 is turned off, the voltage of the bias power source Vbs may be supplied to the fifth node N5. Accordingly, the voltage of the bias power source Vbs having a positive voltage may be supplied to the first electrode (or source electrode) of the first transistor T1 again. That is, the on-bias voltage may be re-applied to the first transistor T1 during the third period P3a.
제5 시점(t5)에서 제1 스캔 신호(GWi)는 게이트 오프 레벨로부터 게이트 온 레벨로 천이되고, 제6 시점(t6)에서 제1 스캔 신호(GWi)는 게이트 온 레벨로부터 게이트 오프 레벨로 천이될 수 있다. 이에 따라, 제3 기간(P3a) 동안 제2 트랜지스터(T2)는 턴-온되므로, 데이터 라인(DLj)과 제3 노드(N3)가 전기적으로 연결되므로, 데이터 신호(DVj)가 제3 노드(N3)로 공급될 수 있다. At the fifth time point t5, the first scan signal GWi transitions from the gate-off level to the gate-on level, and at the sixth time point t6, the first scan signal GWi transitions from the gate-on level to the gate-off level. It can be. Accordingly, since the second transistor T2 is turned on during the third period P3a, the data line DLj and the third node N3 are electrically connected, so that the data signal DVj is output to the third node ( N3) can be supplied.
제1 노드(N1)는 제1 커패시터(C1)에 의해 제3 노드(N3)와 연결되므로, 제1 노드(N1)에는 제3 노드(N3)의 전압의 변화량(즉, "DATA - VREF")이 반영될 수 있다. 여기서, DATA는 데이터 신호(DVj)에 대응하는 전압, VREF는 기준 전원(VREF)의 전압일 수 있다.Since the first node N1 is connected to the third node N3 by the first capacitor C1, the voltage variation of the third node N3 (that is, "DATA - VREF") is connected to the first node N1. ) can be reflected. Here, DATA may be a voltage corresponding to the data signal DVj, and VREF may be a voltage of the reference power source VREF.
즉, 제3 기간(P3a) 동안 데이터 신호(DVj)가 화소(PX)에 기입될 수 있다.That is, the data signal DVj may be written into the pixel PX during the third period P3a.
도 2 및 도 3e를 참조하면, 제4 기간(P4a) 동안 제1 내지 제3 스캔 신호들(GWi, GCi, GIi) 및 발광 제어 신호(EMi)가 공급되지 않을 수 있다.Referring to FIGS. 2 and 3E , the first to third scan signals GWi, GCi, and GIi and the emission control signal EMi may not be supplied during the fourth period P4a.
발광 제어 신호(EMi)가 공급되지 않는 경우, 제6 및 제7 트랜지스터들(T6, T7)은 턴-온되고, 제8 및 제9 트랜지스터들(T8, T9)은 턴-오프될 수 있다. 제6 및 제7 트랜지스터들(T6, T7)이 모두 턴-온되는 경우, 발광 소자(LD)가 제1 노드(N1)의 전압에 대응하는 휘도로 발광할 수 있다. 즉, 제4 기간(P4a) 동안 화소(PX)는 발광할 수 있다.When the emission control signal EMi is not supplied, the sixth and seventh transistors T6 and T7 are turned on, and the eighth and ninth transistors T8 and T9 are turned off. When both the sixth and seventh transistors T6 and T7 are turned on, the light emitting element LD can emit light with a luminance corresponding to the voltage of the first node N1. That is, during the fourth period P4a, the pixel PX may emit light.
이와 같이, 도 2에 도시된 화소(PX)는 제6 및 제7 트랜지스터(T6, T7)를 P타입의 LTPS(Low-Temperature Poly-Silicon) 박막 트랜지스터로 구성하고, 제8 및 제9 트랜지스터(T8, T9)를 N타입의 산화물 반도체 박막 트랜지스터로 구성하고, 제6, 제7, 제8, 제9 트랜지스터들(T6, T7, T8, T9) 각각의 게이트 전극을 동일한 발광 제어 라인(Eli)에 연결하여 통합 제어함으로써, 보다 적은 개수의 신호 제어 라인(예: 스캔 라인들, 발광 제어 라인)을 사용하여, 화소(PX)의 초기화, 문턱 전압 보상, 데이터 기입, 및 바이어스 전원(Vbs)의 전압 인가를 수행할 수 있다. 한편, 화소(PX)에 포함되는 신호 제어 라인의 개수는 감소하므로, 고해상도의 표시 패널(100)의 구현이 가능하고, 감소한 신호 제어 라인에 대응하여 스캔 구동부 및/또는 발광 구동부의 개수를 줄일 수 있으므로, 표시 패널(100)의 데드 스페이스를 최소화할 수 있다.As such, in the pixel PX shown in FIG. 2 , the sixth and seventh transistors T6 and T7 are P-type low-temperature poly-silicon (LTPS) thin film transistors, and the eighth and ninth transistors ( T8 and T9) are composed of N-type oxide semiconductor thin film transistors, and the gate electrodes of the sixth, seventh, eighth, and ninth transistors T6, T7, T8, and T9 are connected to the same emission control line Eli. by connecting to and controlling the initialization of the pixel PX, threshold voltage compensation, data writing, and bias power supply (Vbs) by using a smaller number of signal control lines (eg, scan lines, emission control lines). Voltage application can be performed. Meanwhile, since the number of signal control lines included in the pixel PX is reduced, a high-
도 4a 내지 도 4c는 자가 스캔 기간에서 도 2에 도시된 화소의 동작을 설명하기 위한 파형도들이다.4A to 4C are waveform diagrams for explaining an operation of a pixel shown in FIG. 2 in a self-scan period.
도 2, 도 3a, 및 도 4a를 참조하면, 표시 스캔 기간(DSP)에서 출력되는 영상의 휘도를 유지하기 위해, 자가 스캔 기간(SSP)에 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극(또는, 제5 노드(N5))에 바이어스 전원(Vbs)의 전압이 인가될 수 있다.Referring to FIGS. 2, 3A, and 4A, in order to maintain the luminance of an image output in the display scan period DSP, the first electrode of the first transistor T1 (or A voltage of the bias power source Vbs may be applied to the fifth node N5.
영상 프레임 레이트에 따라 한 프레임은 적어도 하나의 자가 스캔 기간(SSP)을 포함할 수 있다. 자가 스캔 기간(SSP)은 제5 기간(P1b)의 온-바이어스 기간, 및 제6 기간(P2b)의 발광 기간(또는, 제2 발광 기간)을 포함할 수 있다.According to the video frame rate, one frame may include at least one self scan period (SSP). The self-scan period SSP may include an on-bias period of the fifth period P1b and a light emission period (or second light emission period) of the sixth period P2b.
자가 스캔 기간(SSP)의 제8 시점(t8)부터 제9 시점(t9) 동안 발광 제어 라인들(ELi)로 발광 제어 신호(EMi)가 공급될 수 있다. 이에 따라, 제8 시점(t8)부터 제9 시점(t9) 동안 제6 및 제7 트랜지스터들(T6, T7)은 턴-오프되고, 제8 및 제9 트랜지스터들(T8, T9)은 턴-온될 수 있다. 제6 및 제7 트랜지스터들(T6, T7)이 턴-오프 상태인 경우, 화소(PX)는 비발광 상태이고, 제6 및 제7 트랜지스터들(T6, T7)이 턴-온되는 경우, 화소(PX)는 발광할 수 있다.The emission control signal EMi may be supplied to the emission control lines ELi from the eighth time point t8 to the ninth time point t9 of the self-scan period SSP. Accordingly, from the eighth time point t8 to the ninth time point t9, the sixth and seventh transistors T6 and T7 are turned off, and the eighth and ninth transistors T8 and T9 are turned off. can be turned on When the sixth and seventh transistors T6 and T7 are turned off, the pixel PX is in a non-emission state, and when the sixth and seventh transistors T6 and T7 are turned on, the pixel PX is in a non-emission state. (PX) can emit light.
자가 스캔 기간(SSP)에서 발광 제어 신호(EMi)가 공급되는 동안에도, 제1 내지 제3 스캔 신호들(GWi, GCi, GIi)은 공급되지 않을 수 있다.Even while the emission control signal EMi is supplied in the self scan period SSP, the first to third scan signals GWi, GCi, and GIi may not be supplied.
도 2 및 도 4b를 참조하면, 제5 기간(P1b) 동안 발광 제어 신호(EMi)의 공급이 유지되고, 제1 내지 제3 스캔 신호들(GWi, GCi, GIi)은 공급되지 않을 수 있다.Referring to FIGS. 2 and 4B , the emission control signal EMi is maintained during the fifth period P1b, and the first to third scan signals GWi, GCi, and GIi may not be supplied.
제8 트랜지스터(T8)가 턴-온되는 경우, 제4 노드(N4)에 애노드 초기화 전원(Vaint)의 전압이 공급될 수 있다. 즉, 제5 기간(P1b) 동안 발광 소자(LD)의 애노드는 초기화될 수 있다.When the eighth transistor T8 is turned on, the voltage of the anode initialization power source Vaint may be supplied to the fourth node N4. That is, during the fifth period P1b, the anode of the light emitting element LD may be initialized.
제9 트랜지스터(T9)가 턴-온되는 경우, 제5 노드(N5)에 바이어스 전원(Vbs)의 전압이 공급될 수 있다. 따라서, 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극(또는, 소스 전극)에 양의 전압을 갖는 바이어스 전원(Vbs)의 전압이 공급될 수 있다. 즉, 제5 기간(P1b) 동안 제1 트랜지스터(T1)에 온-바이어스 전압이 인가될 수 있다.When the ninth transistor T9 is turned on, the voltage of the bias power source Vbs may be supplied to the fifth node N5. Accordingly, the voltage of the bias power source Vbs having a positive voltage may be supplied to the first electrode (or source electrode) of the first transistor T1. That is, the on-bias voltage may be applied to the first transistor T1 during the fifth period P1b.
도 2 및 도 4c를 참조하면, 제6 기간(P2b) 동안 제1 내지 제3 스캔 신호들(GWi, GCi, GIi) 및 발광 제어 신호(EMi)가 공급되지 않을 수 있다.Referring to FIGS. 2 and 4C , the first to third scan signals GWi, GCi, and GIi and the emission control signal EMi may not be supplied during the sixth period P2b.
발광 제어 신호(EMi)가 공급되지 않는 경우, 제6 및 제7 트랜지스터들(T6, T7)은 턴-온되고, 제8 및 제9 트랜지스터들(T8, T9)은 턴-오프될 수 있다. 제6 및 제7 트랜지스터들(T6, T7)이 모두 턴-온되는 경우, 발광 소자(LD)가 제1 노드(N1)의 전압에 대응하는 휘도로 발광할 수 있다. 즉, 제6 기간(P2b) 동안 화소(PX)는 발광할 수 있다.When the emission control signal EMi is not supplied, the sixth and seventh transistors T6 and T7 are turned on, and the eighth and ninth transistors T8 and T9 are turned off. When both the sixth and seventh transistors T6 and T7 are turned on, the light emitting element LD can emit light with a luminance corresponding to the voltage of the first node N1. That is, during the sixth period P2b, the pixel PX may emit light.
이와 같이, 자가 스캔 기간(SSP)에서 데이터 구동부(도 1의 600)는 화소(PX)에 데이터 신호를 공급하지 않을 수 있다. 따라서, 소비 전력이 더욱 저감될 수 있다.As such, in the self scan period SSP, the data driver ( 600 in FIG. 1 ) may not supply a data signal to the pixel PX. Accordingly, power consumption can be further reduced.
도 5는 영상 리프레시 레이트에 따른 표시 장치의 구동 방법의 일 예를 설명하기 위한 개념도이다.5 is a conceptual diagram for explaining an example of a method of driving a display device according to an image refresh rate.
도 1 내지 도 5를 참조하면, 화소(PX)는, 표시 스캔 기간(DSP)에서 도 3a 내지 도 3e의 동작을 수행하고, 자가 스캔 기간(SSP)에 도 4a 내지 도 4c의 동작을 수행할 수 있다. 1 to 5 , the pixel PX may perform the operations of FIGS. 3A to 3E in the display scan period DSP and the operations of FIGS. 4A to 4C in the self scan period SSP. can
일 실시예에서, 표시 스캔 기간(DSP)과 자가 스캔 기간(SSP)의 길이는 실질적으로 동일할 수 있다. 다만, 한 프레임 기간에 포함되는 자가 스캔 기간(SSP)들의 개수는 영상 리프레시 레이트(RR)에 따라 결정될 수 있다.In one embodiment, the length of the display scan period (DSP) and the self scan period (SSP) may be substantially the same. However, the number of self scan periods (SSPs) included in one frame period may be determined according to the image refresh rate (RR).
도 5에 도시된 바와 같이, 표시 장치(1000)가 120Hz의 영상 리프레시 레이트(RR)로 구동되는 경우, 한 프레임 기간은 하나의 표시 스캔 기간(DSP) 및 하나의 자가 스캔 기간(SSP)을 포함할 수 있다. 이에 따라, 표시 장치(1000)가 120Hz의 영상 리프레시 레이트(RR)로 구동되는 경우, 하나의 프레임 기간 동안 화소(PX)들은 각각 발광 및 비발광을 교번하여 2회씩 반복할 수 있다.As shown in FIG. 5 , when the
또한, 표시 장치(1000)가 80Hz의 영상 리프레시 레이트(RR)로 구동되는 경우, 한 프레임 기간은 하나의 표시 스캔 기간(DSP)과 연속된 두 개의 자가 스캔 기간(SSP)을 포함할 수 있다. 이에 따라, 표시 장치(1000)가 80Hz의 영상 리프레시 레이트(RR)로 구동되는 경우, 하나의 프레임 기간 동안 화소(PX)들은 각각 발광 및 비발광을 교번하여 3회씩 반복할 수 있다.Also, when the
상기와 유사한 방식으로 표시 장치(1000)는 한 프레임 기간에 포함되는 자가 스캔 기간(SSP)의 개수를 조절함으로써 60Hz, 48Hz, 30Hz, 24Hz, 1Hz 등의 구동 주파수로 구동될 수 있다.In a manner similar to the above, the
또한, 구동 주파수가 감소할수록 자가 스캔 기간(SSP)의 개수가 증가됨으로써, 화소(PX)들 각각에 포함되는 제1 트랜지스터(T1)들 각각에 일정한 크기의 온-바이어스 및/또는 오프-바이어스가 주기적으로 인가될 수 있다. 따라서, 저주파수 구동에서의 휘도 감소, 플리커(깜빡임), 화면 끌림이 개선될 수 있다.In addition, as the driving frequency decreases, the number of self-scan periods SSP increases, so that a constant amount of on-bias and/or off-bias is applied to each of the first transistors T1 included in each of the pixels PX. It may be applied periodically. Therefore, luminance reduction, flicker (blinking), and screen drag in low-frequency driving can be improved.
이하, 다른 실시예들에 대해 설명한다. 이하의 실시예에서, 이미 설명한 실시예와 동일한 구성에 대해서는 설명을 생략하거나 간략화하고, 차이점을 위주로 설명하기로 한다.Hereinafter, other embodiments are described. In the following embodiments, descriptions of the same configurations as those of the previously described embodiments will be omitted or simplified, and will be mainly described based on differences.
도 6a는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 블록도이다. 도 6b 및 도 6c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 화소를 나타내는 회로도이다.6A is a block diagram illustrating a display device according to other exemplary embodiments of the present invention. 6B and 6C are circuit diagrams illustrating pixels according to another exemplary embodiment of the present invention.
도 6a의 표시 장치(1000_1)는 표시 패널(100)에 공급되는 전원들 중에 제3 전원(VREF)(또는, 기준 전원)이 생략되었다는 점에서 도 1의 표시 장치(1000)와 차이점이 있을 뿐, 그 외의 구성들은 실질적으로 동일하다. 즉, 도 6a에 도시된 표시 장치(1000_1)의 표시 패널(100)에는 제1 전원(VDD)의 전압, 제2 전원(VSS)의 전압, 제4 전원(Vint)(또는, 초기화 전원), 제5 전원(Vaint)(또는, 애노드 초기화 전원), 및 제6 전원(Vbs)(또는, 바이어스 전원)의 전압이 제공될 수 있다.The display device 1000_1 of FIG. 6A is only different from the
도 6b의 화소(PX_1a)는 제5' 트랜지스터(T5')의 일 전극에 공급되는 전압이 제1 전원(VDD)의 전압이라는 점에서, 제5 트랜지스터(T5)의 일 전극에 공급되는 전압이 제3 전원(VREF)(또는, 기준 전원)의 전압인 도 2의 화소(PX)와 차이점이 있을 뿐, 그 외의 구성들은 실질적으로 동일하다. 도 3a 및 도 6b를 참조하면, 제2 기간(P2a) 동안 게이트 온 레벨의 제2 스캔 신호(GCi)에 의해, 제5' 트랜지스터(T5')가 턴-온되므로, 제3 노드(N3)로 제1 전원(VDD)의 전압이 공급될 수 있다.In the pixel PX_1a of FIG. 6B , since the voltage supplied to one electrode of the 5' transistor T5' is the voltage of the first power source VDD, the voltage supplied to one electrode of the fifth transistor T5 is There is only a difference from the pixel PX of FIG. 2 , which is the voltage of the third power supply VREF (or reference power supply), but other configurations are substantially the same. Referring to FIGS. 3A and 6B , the 5' transistor T5' is turned on by the second scan signal GCi at the gate-on level during the second period P2a, so that the third node N3 The voltage of the first power source VDD may be supplied as .
도 6c의 화소(PX_1b)는 제5" 트랜지스터(T5")의 일 전극에 공급되는 전압이 제6 전원(Vbs)(또는, 바이어스 전원)의 전압이라는 점에서, 제5 트랜지스터(T5)의 일 전극에 공급되는 전압이 제3 전원(VREF)(또는, 기준 전원)의 전압인 도 2의 화소(PX)와 차이점이 있을 뿐, 그 외의 구성들은 실질적으로 동일하다. 도 3a 및 도 6c를 참조하면, 제2 기간(P2a) 동안 게이트 온 레벨의 제2 스캔 신호(GCi)에 의해, 제5" 트랜지스터(T5")가 턴-온되므로, 제3 노드(N3)로 제6 전원(Vbs)(또는, 바이어스 전원)의 전압이 공급될 수 있다.In the pixel PX_1b of FIG. 6C , in that the voltage supplied to one electrode of the fifth transistor T5 is the voltage of the sixth power source Vbs (or bias power source), one electrode of the fifth transistor T5 is applied. There is a difference from the pixel PX of FIG. 2 in which the voltage supplied to the electrode is the voltage of the third power source VREF (or reference power source), but other configurations are substantially the same. Referring to FIGS. 3A and 6C , the fifth "transistor T5" is turned on by the second scan signal GCi at the gate-on level during the second period P2a, so that the third node N3 The voltage of the sixth power source Vbs (or bias power source) may be supplied as .
이와 같이, 제3 노드(N3)를 초기화하기 위해 별도의 제3 전원(VREF)(또는, 기준 전원)을 이용하는 대신 도 6b와 같이, 제1 전원(VDD)을 이용하거나, 도 6c와 같이, 제6 전원(Vbs)(또는, 바이어스 전원)을 이용하는 경우, 화소(PX)에 배치되는 전원 라인을 감소시킬 수 있으므로, 고해상도의 표시 패널(100, 도 6a 참조)을 구현할 수 있다.As such, instead of using a separate third power supply VREF (or reference power supply) to initialize the third node N3, the first power supply VDD is used as shown in FIG. 6B or as shown in FIG. 6C, When the sixth power supply Vbs (or bias power supply) is used, since the number of power lines disposed in the pixels PX can be reduced, a high-resolution display panel 100 (see FIG. 6A ) can be implemented.
도 7a는 본 발명의 또 다른 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 블록도이다. 도 7b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 화소를 나타내는 회로도이다.7A is a block diagram illustrating a display device according to another exemplary embodiment of the present invention. 7B is a circuit diagram illustrating a pixel according to another exemplary embodiment of the present invention.
도 7a의 표시 장치(1000_2)는 표시 패널(100)에 공급되는 전원들 중에 제5 전원(Vaint)(또는, 애노드 초기화 전원)이 생략되었다는 점에서 도 1의 표시 장치(1000)와 차이점이 있을 뿐, 그 외의 구성들은 실질적으로 동일하다. 즉, 도 7a에 도시된 표시 장치(1000_1)의 표시 패널(100)에는 제1 전원(VDD)의 전압, 제2 전원(VSS)의 전압, 제3 전원(VREF)(또는, 기준 전원), 제4 전원(Vint)(또는, 초기화 전원), 및 제6 전원(Vbs)(또는, 바이어스 전원)의 전압이 제공될 수 있다.The display device 1000_2 of FIG. 7A is different from the
도 7b의 화소(PX_2)는 제8' 트랜지스터(T8')의 일 전극에 공급되는 전압이 제4 전원(Vint)(또는, 초기화 전원)의 전압이라는 점에서, 제8 트랜지스터(T8)의 일 전극에 공급되는 전압이 제5 전원(Vaint)(또는, 애노드 초기화 전원)의 전압인 도 2의 화소(PX)와 차이점이 있을 뿐, 그 외의 구성들은 실질적으로 동일하다. 도 3a 및 도 7b를 참조하면, 제1 시점(t1)부터 제7 시점(t7)까지 공급되는 하이 레벨의 발광 제어 신호(EMi)에 의해, 제8' 트랜지스터(T8')가 턴-온되므로, 제4 노드(N4)로 제4 전원(Vint)의 전압이 공급될 수 있다. 즉, 제1 시점(t1)부터 제7 시점(t7)까지 초기화 전원(Vint)의 전압으로 발광 소자(LD)의 애노드를 초기화할 수 있다.In the pixel PX_2 of FIG. 7B , since the voltage supplied to one electrode of the 8′ transistor T8′ is the voltage of the fourth power source Vint (or initialization power source), one electrode of the eighth transistor T8′ There is a difference from that of the pixel PX of FIG. 2 in which the voltage supplied to the electrode is the voltage of the fifth power supply Vaint (or anode initialization power supply), but other configurations are substantially the same. Referring to FIGS. 3A and 7B , the 8′ transistor T8′ is turned on by the high level emission control signal EMi supplied from the first time point t1 to the seventh time point t7. , the voltage of the fourth power source Vint may be supplied to the fourth node N4. That is, the anode of the light emitting element LD may be initialized with the voltage of the initialization power source Vint from the first time point t1 to the seventh time point t7.
이와 같이, 제4 노드(N4)(또는, 발광 소자(LD)의 애노드)를 초기화하기 위해 별도의 제5 전원(Vaint)(또는, 애노드 초기화 전원)을 이용하는 대신 도 7b와 같이, 제4 전원(Vint)(또는, 초기화 전원)을 이용하는 경우, 화소(PX)에 배치되는 전원 라인을 감소시킬 수 있으므로, 고해상도의 표시 패널(100, 도 7a 참조)을 구현할 수 있다.In this way, instead of using a separate fifth power supply Vaint (or anode initialization power supply) to initialize the fourth node N4 (or the anode of the light emitting element LD), as shown in FIG. 7B, the fourth power supply When Vint (or initialization power supply) is used, since the number of power lines disposed in the pixel PX can be reduced, a high-resolution display panel 100 (see FIG. 7A ) can be implemented.
도 8a는 본 발명의 또 다른 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 블록도이다. 도 8b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 화소를 나타내는 회로도이다.8A is a block diagram illustrating a display device according to another exemplary embodiment of the present invention. 8B is a circuit diagram illustrating a pixel according to another exemplary embodiment of the present invention.
도 8a의 표시 장치(1000_3)는 표시 패널(100)에 공급되는 전원들 중에 제3 전원(VREF)(또는, 기준 전원) 및 제5 전원(Vaint)(또는, 애노드 초기화 전원)이 생략되었다는 점에서 도 1의 표시 장치(1000)와 차이점이 있을 뿐, 그 외의 구성들은 실질적으로 동일하다. 즉, 도 8a에 도시된 표시 장치(1000_3)의 표시 패널(100)에는 제1 전원(VDD)의 전압, 제2 전원(VSS)의 전압, 제4 전원(Vint)(또는, 초기화 전원), 및 제6 전원(Vbs)(또는, 바이어스 전원)의 전압이 제공될 수 있다.In the display device 1000_3 of FIG. 8A , among the power supplies supplied to the
도 8b의 화소(PX_3)는 제5' 트랜지스터(T5')의 일 전극에 공급되는 전압이 제1 전원(VDD)의 전압이라는 점, 및 제8' 트랜지스터(T8')의 일 전극에 공급되는 전압이 제4 전원(Vint)(또는, 초기화 전원)의 전압이라는 점에서, 제5 트랜지스터(T5)의 일 전극에 공급되는 전압이 제3 전원(VREF)(또는, 기준 전원)의 전압이고, 제8 트랜지스터(T8)의 일 전극에 공급되는 전압이 제5 전원(Vaint)(또는, 애노드 초기화 전원)의 전압인 도 2의 화소(PX)와 차이점이 있을 뿐, 그 외의 구성들은 실질적으로 동일하다.In the pixel PX_3 of FIG. 8B , the voltage supplied to one electrode of the 5' transistor T5' is the voltage of the first power source VDD, and the voltage supplied to one electrode of the 8' transistor T8' Given that the voltage is the voltage of the fourth power source Vint (or initialization power source), the voltage supplied to one electrode of the fifth transistor T5 is the voltage of the third power source VREF (or reference power source), The voltage supplied to one electrode of the eighth transistor T8 is different from that of the pixel PX of FIG. 2 , in which the voltage of the fifth power supply Vaint (or anode initialization power supply) is different, but other configurations are substantially the same. do.
도 3a 및 도 8b를 참조하면, 제2 기간(P2a) 동안 게이트 온 레벨의 제2 스캔 신호(GCi)에 의해, 제5' 트랜지스터(T5')가 턴-온되므로, 제3 노드(N3)로 제1 전원(VDD)의 전압이 공급되고, 제1 시점(t1)부터 제7 시점(t7)까지 공급되는 하이 레벨의 발광 제어 신호(EMi)에 의해, 제8' 트랜지스터(T8')가 턴-온되므로, 제4 노드(N4)로 제4 전원(Vint)의 전압이 공급될 수 있다.Referring to FIGS. 3A and 8B , the 5' transistor T5' is turned on by the second scan signal GCi at the gate-on level during the second period P2a, so that the third node N3 The voltage of the first power source VDD is supplied to and the 8′ transistor T8′ operates by the high level emission control signal EMi supplied from the first time point t1 to the seventh time point t7. Since it is turned on, the voltage of the fourth power source Vint may be supplied to the fourth node N4.
이와 같이, 제3 노드(N3)를 초기화하기 위해 별도의 제3 전원(VREF)(또는, 기준 전원)을 이용하는 대신 도 8b와 같이, 제1 전원(VDD)을 이용하고, 제4 노드(N4)(또는, 발광 소자(LD)의 애노드)를 초기화하기 위해 별도의 제5 전원(Vaint)(또는, 애노드 초기화 전원)을 이용하는 대신 도 8b와 같이, 제4 전원(Vint)(또는, 초기화 전원)을 이용하는 경우, 화소(PX)에 배치되는 전원 라인을 더욱 감소시킬 수 있으므로, 고해상도의 표시 패널(100, 도 8a 참조)을 구현할 수 있다.As such, instead of using a separate third power source VREF (or reference power source) to initialize the third node N3, the first power source VDD is used as shown in FIG. 8B and the fourth node N4 is initialized. ) (or the anode of the light emitting element LD) instead of using a separate fifth power source (Vaint) (or anode initialization power source) to initialize the fourth power source (Vint) (or initialization power source) as shown in FIG. 8B. ) is used, since the number of power lines disposed in the pixel PX can be further reduced, a high-resolution display panel 100 (see FIG. 8A ) can be implemented.
이상에서는 본 발명의 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to the embodiments of the present invention, those skilled in the art can variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the present invention described in the claims below. You will understand that you can.
100: 표시 패널
200: 제1 스캔 구동부
300: 제2 스캔 구동부
400: 제3 스캔 구동부
500: 발광 구동부
600: 데이터 구동부
700: 타이밍 제어부
1000: 표시 장치
C1, C2: 커패시터
LD: 발광 소자
PX: 화소
T1~T9: 트랜지스터100: display panel 200: first scan driver
300: second scan driver 400: third scan driver
500: light emitting driver 600: data driver
700: timing controller 1000: display device
C1, C2: Capacitor LD: Light-emitting element
PX: pixels
T1 to T9: Transistor
Claims (16)
제1 전원과 제2 노드 사이에 연결되며, 게이트 전극에 연결된 제1 노드의 전압에 대응하여 상기 발광 소자로 공급되는 구동 전류를 제어하는 제1 트랜지스터;
상기 제1 노드에 연결되는 일전극 및 제3 노드에 연결되는 타전극을 포함하는 제1 커패시터;
상기 제3 노드와 데이터 라인 사이에 연결되는 제2 트랜지스터;
상기 제1 노드와 상기 제2 노드 사이에 연결되는 제3 트랜지스터;
상기 제1 전원과 상기 제1 트랜지스터의 일 전극과 연결되는 제5 노드 사이에 연결되는 제6 트랜지스터;
상기 제2 노드와 상기 발광 소자의 애노드와 연결되는 제4 노드 사이에 연결되는 제7 트랜지스터; 및
상기 제5 노드와 바이어스 전원 사이에 연결되는 제9 트랜지스터;를 포함하되,
상기 제6 트랜지스터, 상기 제7 트랜지스터, 및 상기 제9 트랜지스터 각각의 게이트 전극은 동일한 발광 제어 라인에 연결되는 표시 장치의 화소.light emitting device;
a first transistor connected between a first power supply and a second node and controlling a driving current supplied to the light emitting element in response to a voltage of the first node connected to a gate electrode;
a first capacitor including one electrode connected to the first node and the other electrode connected to a third node;
a second transistor coupled between the third node and a data line;
a third transistor connected between the first node and the second node;
a sixth transistor connected between the first power source and a fifth node connected to one electrode of the first transistor;
a seventh transistor connected between the second node and a fourth node connected to the anode of the light emitting element; and
A ninth transistor connected between the fifth node and a bias power supply;
A pixel of a display device wherein a gate electrode of each of the sixth transistor, the seventh transistor, and the ninth transistor is connected to a same emission control line.
상기 제4 노드와 애노드 초기화 전원 사이에 연결되는 제8 트랜지스터를 더 포함하고,
상기 제8 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 발광 제어 라인에 연결되는 표시 장치의 화소.According to claim 1,
An eighth transistor connected between the fourth node and an anode initialization power supply;
A gate electrode of the eighth transistor is connected to the emission control line.
상기 제6 트랜지스터 및 상기 제7 트랜지스터는 P타입의 박막 트랜지스터이고, 상기 제8 트랜지스터 및 상기 제9 트랜지스터는 N타입의 박막 트랜지스터인 표시 장치의 화소.According to claim 2,
The sixth transistor and the seventh transistor are P-type thin film transistors, and the eighth transistor and the ninth transistor are N-type thin film transistors.
상기 제1 노드와 초기화 전원 사이에 연결되는 제4 트랜지스터; 및
기준 전원과 상기 제3 노드 사이에 연결되는 제5 트랜지스터;를 더 포함하는 표시 장치의 화소.According to claim 2,
a fourth transistor coupled between the first node and an initialization power supply; and
The pixel of the display device further comprising: a fifth transistor connected between a reference power source and the third node.
상기 제2 트랜지스터, 상기 제3 트랜지스터, 상기 제4 트랜지스터, 상기 제5 트랜지스터, 상기 제8 트랜지스터, 및 상기 제9 트랜지스터는 N타입의 박막 트랜지스터인 표시 장치의 화소.According to claim 4,
The second transistor, the third transistor, the fourth transistor, the fifth transistor, the eighth transistor, and the ninth transistor are N-type thin film transistors.
제2 트랜지스터는, 제1 스캔 신호에 의해 턴-온되고,
제3 트랜지스터는, 제2 스캔 신호에 의해 턴-온되고,
제4 트랜지스터는, 제3 스캔 신호에 의해 턴-온되고,
제5 트랜지스터는, 상기 제2 스캔 신호에 의해 턴-온되고,
제6 트랜지스터는, 발광 제어 신호에 의해 턴-오프되고,
제7 트랜지스터는, 상기 발광 제어 신호에 의해 턴-오프되고,
제8 트랜지스터는, 상기 발광 제어 신호에 의해 턴-온되고,
제9 트랜지스터는, 상기 발광 제어 신호에 의해 턴-온되는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 화소.According to claim 4,
The second transistor is turned on by the first scan signal,
The third transistor is turned on by the second scan signal,
The fourth transistor is turned on by the third scan signal,
The fifth transistor is turned on by the second scan signal,
The sixth transistor is turned off by the emission control signal,
The seventh transistor is turned off by the emission control signal,
An eighth transistor is turned on by the emission control signal,
The ninth transistor is turned on by the emission control signal.
상기 제1 전원에 연결되는 일전극 및 상기 제3 노드에 연결되는 타전극을 포함하는 제2 커패시터를 더 포함하는 표시 장치의 화소.According to claim 1,
The pixel of the display device further comprising a second capacitor including one electrode connected to the first power supply and another electrode connected to the third node.
상기 제1 노드와 초기화 전원 사이에 연결되는 제4 트랜지스터; 및
상기 제1 전원과 상기 제3 노드 사이에 연결되는 제5 트랜지스터;를 더 포함하는 표시 장치의 화소.According to claim 1,
a fourth transistor coupled between the first node and an initialization power supply; and
The pixel of the display device further comprising: a fifth transistor connected between the first power supply and the third node.
상기 제4 노드와 상기 초기화 전원 사이에 연결되는 제8 트랜지스터를 더 포함하고,
상기 제8 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 발광 제어 라인에 연결되는 표시 장치의 화소.According to claim 8,
An eighth transistor connected between the fourth node and the initialization power supply;
A gate electrode of the eighth transistor is connected to the emission control line.
상기 제1 노드와 초기화 전원 사이에 연결되는 제4 트랜지스터;
기준 전원과 상기 제3 노드 사이에 연결되는 제5 트랜지스터; 및
상기 제4 노드와 상기 초기화 전원 사이에 연결되는 제8 트랜지스터를 더 포함하고,
상기 제8 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 발광 제어 라인에 연결되는 표시 장치의 화소.According to claim 1,
a fourth transistor coupled between the first node and an initialization power supply;
a fifth transistor connected between a reference power source and the third node; and
An eighth transistor connected between the fourth node and the initialization power supply;
A gate electrode of the eighth transistor is connected to the emission control line.
상기 발광 제어 신호가 공급되는 기간 동안, 상기 제3 스캔 신호, 상기 제2 스캔 신호, 및 상기 제1 스캔 신호가 순차적으로 제공되는 표시 장치의 화소.According to claim 6,
A pixel of a display device in which the third scan signal, the second scan signal, and the first scan signal are sequentially provided while the emission control signal is supplied.
상기 발광 제어 신호에 의해 상기 제8 트랜지스터가 턴-온되는 경우, 상기 제4 노드에 상기 애노드 초기화 전원의 전압이 공급되고,
상기 발광 제어 신호에 의해 상기 제9 트랜지스터가 턴-온되는 경우, 상기 제5 노드에 상기 바이어스 전원의 전압이 공급되는 표시 장치의 화소.According to claim 11,
When the eighth transistor is turned on by the emission control signal, a voltage of the anode initialization power supply is supplied to the fourth node;
The pixel of the display device to which the voltage of the bias power supply is supplied to the fifth node when the ninth transistor is turned on by the emission control signal.
상기 제3 스캔 신호에 의해 상기 제4 트랜지스터가 턴-온되는 경우, 상기 제1 노드에 상기 초기화 전원의 전압이 공급되는 표시 장치의 화소.According to claim 12,
The pixel of the display device to which the voltage of the initialization power supply is supplied to the first node when the fourth transistor is turned on by the third scan signal.
상기 제2 스캔 신호에 의해 상기 제3 트랜지스터가 턴-온되는 경우, 상기 제1 노드 및 상기 제2 노드가 다이오드 연결 형태를 갖는 표시 장치의 화소.According to claim 12,
A pixel of a display device in which the first node and the second node have a diode connection when the third transistor is turned on by the second scan signal.
상기 발광 제어 신호에 의해 상기 제9 트랜지스터가 턴-온되는 경우, 상기 제1 노드의 전압은, 상기 바이어스 전원의 전압 및 상기 제1 트랜지스터의 문턱 전압의 차이 값인 표시 장치의 화소.According to claim 14,
When the ninth transistor is turned on by the emission control signal, the voltage of the first node is a difference between the voltage of the bias power supply and the threshold voltage of the first transistor.
상기 제1 스캔 신호에 의해 상기 제2 트랜지스터가 턴-온되는 경우, 상기 데이터 라인으로부터 상기 제3 노드로 데이터 신호가 제공되는 표시 장치의 화소.
According to claim 12,
A pixel of a display device configured to provide a data signal from the data line to the third node when the second transistor is turned on by the first scan signal.
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