KR20230043757A - Architecture for differential drive and sense touch technology - Google Patents
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Description
관련 출원에 대한 상호 참조CROSS REFERENCES TO RELATED APPLICATIONS
본 출원은 2021년 9월 24일자로 출원된 미국 가출원 제63/261,620호, 2021년 9월 24일자로 출원된 미국 가출원 제63/261,624호, 2022년 5월 6일자로 출원된 미국 가출원 제63/364,338호, 2022년 9월 X일자로 출원된 미국 특허 출원 제17/XXX,XXX호, 및 2022년 9월 X일자로 출원된 미국 특허 출원 제17/XXX,XXX호의 이익을 주장하는데, 이들의 내용은 모든 목적을 위해 전체적으로 본 명세서에 참고로 포함된다.This application is based on U.S. Provisional Application No. 63/261,620, filed on September 24, 2021, U.S. Provisional Application No. 63/261,624, filed on September 24, 2021, and U.S. Provisional Application No. 63, filed on May 6, 2022. /364,338, which claims the benefit of U.S. Patent Application No. 17/XXX,XXX, filed on Sep. X, 2022, and U.S. Patent Application No. 17/XXX,XXX, filed on Sep. X, 2022, which The contents of are incorporated herein by reference in their entirety for all purposes.
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본 출원은 대체적으로 터치 센서 패널들/스크린들에 관한 것으로, 더 구체적으로는 차동 구동 및/또는 감지를 구비한 터치 센서 패널들/스크린들에 관한 것이다.This application relates generally to touch sensor panels/screens, and more specifically to touch sensor panels/screens with differential drive and/or sensing.
버튼 또는 키, 마우스, 트랙볼, 조이스틱, 터치 센서 패널, 터치 스크린 등과 같은, 많은 유형의 입력 디바이스들이 컴퓨팅 시스템에서 동작들을 수행하기 위해 현재 이용가능하다. 특히, 터치 스크린들은 그들의 동작의 용이성 및 범용성뿐만 아니라, 그들의 하락하는 가격 때문에 대중적이다. 터치 스크린들은 터치 감응형 표면을 갖는 투명한 패널일 수 있는 터치 센서 패널, 및 액정 디스플레이(LCD), 발광 다이오드(LED) 디스플레이 또는 유기 발광 다이오드(OLED) 디스플레이와 같은 디스플레이 디바이스를 포함할 수 있으며, 디스플레이 디바이스는, 터치 감응형 표면이 디스플레이 디바이스의 가시 영역의 적어도 일부분을 커버할 수 있도록, 부분적으로 또는 완전히 패널의 뒤에 위치될 수 있다. 터치 스크린들은 사용자가, 흔히 디스플레이 디바이스에 의해 디스플레이되고 있는 사용자 인터페이스(UI)에 의해 지시된 위치에서 손가락, 스타일러스 또는 다른 물체를 사용하여 터치 센서 패널을 터치함으로써 다양한 기능들을 수행하도록 허용할 수 있다. 일반적으로, 터치 스크린들은 터치 센서 패널 상의 터치 및 터치의 위치를 인식할 수 있고, 그 다음 컴퓨팅 시스템은 터치 시에 나타나는 디스플레이에 따라 터치를 해석할 수 있고, 이후에 터치에 기초하여 하나 이상의 액션들을 수행할 수 있다. 일부 터치 감지 시스템들의 경우에, 디스플레이 상의 물리적 터치는 터치를 검출하는 데 필요하지 않다. 예를 들어, 일부 용량성-유형의 터치 감지 시스템들에서, 터치를 검출하기 위해 사용된 프린징 전계(fringing electrical field)는 디스플레이의 표면 너머로 연장될 수 있으며, 표면 가까이로 접근하는 물체들은 표면을 실제로 터치하지 않고서 표면 가까이에서 검출될 수 있다.Many types of input devices are currently available for performing operations in a computing system, such as buttons or keys, mouse, trackball, joystick, touch sensor panel, touch screen, and the like. In particular, touch screens are popular not only because of their ease of operation and versatility, but also because of their declining price. Touch screens can include a touch sensor panel, which can be a transparent panel with a touch-sensitive surface, and a display device such as a liquid crystal display (LCD), light emitting diode (LED) display, or organic light emitting diode (OLED) display, The device may be positioned partially or completely behind the panel, such that the touch-sensitive surface may cover at least a portion of the viewable area of the display device. Touch screens may allow a user to perform various functions by touching a touch sensor panel using a finger, stylus or other object at a location indicated by a user interface (UI), often being displayed by a display device. In general, touch screens can recognize a touch and the location of the touch on a touch sensor panel, the computing system can then interpret the touch according to the display appearing at the time of the touch, and then take one or more actions based on the touch. can be done For some touch sensing systems, a physical touch on the display is not required to detect the touch. For example, in some capacitive-type touch sensing systems, the fringing electrical field used to detect a touch may extend beyond the surface of the display, and objects approaching the surface may It can be detected close to the surface without actually touching it.
용량성 터치 센서 패널들은 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO)과 같은 재료들로 제조된 부분적으로 또는 완전히 투명하거나 불투명한 전도성 플레이트들(예컨대, 터치 전극들)의 매트릭스에 의해 형성될 수 있다. 일부 예들에서, 전도성 플레이트들은 전도성 중합체, 금속 메시, 그래핀, 나노와이어(예컨대, 은 나노와이어) 또는 나노튜브(예컨대, 탄소 나노튜브)를 포함하는 다른 재료로부터 형성될 수 있다. 전술된 바와 같이, 일부 용량성 터치 센서 패널들이 터치 스크린을 형성하도록 디스플레이 상에 오버레이될 수 있는 것은 그들의 실질적인 투명성에 부분적으로 기인한다. 일부 터치 스크린들은 터치 감지 회로부를 디스플레이 픽셀 스택업(stack-up)(즉, 디스플레이 픽셀들을 형성하는 적층된 재료 층들) 내로 적어도 부분적으로 통합시킴으로써 형성될 수 있다.Capacitive touch sensor panels may be formed by a matrix of partially or fully transparent or opaque conductive plates (eg, touch electrodes) made of materials such as Indium Tin Oxide (ITO). In some examples, the conductive plates may be formed from other materials including conductive polymers, metal meshes, graphene, nanowires (eg silver nanowires) or nanotubes (eg carbon nanotubes). As mentioned above, it is in part due to their substantial transparency that some capacitive touch sensor panels can be overlaid on a display to form a touch screen. Some touch screens may be formed by at least partially integrating touch sensing circuitry into a display pixel stack-up (ie, stacked material layers that form the display pixels).
본 발명은 신호 대 잡음비(SNR)가 개선된 터치 센서 패널들(또는 터치 스크린들 또는 터치-감응형 표면들)에 관한 것이다. 일부 예들에서, 터치 센서 패널은 복수의 터치 전극들로부터 형성된 터치 노드들의 2차원 어레이를 포함할 수 있다. 예를 들어, 터치 노드들의 2차원 어레이는 행들 및 열들로 배열될 수 있다. 터치 노드들의 각각의 열(또는 행)은 복수의 구동 신호들로 구동될 수 있다. 예를 들어, 터치 노드들의 열 내의 제1 열 전극들에 제1 구동 신호가 인가될 수 있고, 터치 노드들의 열 내의 제2 열 전극에 제2 구동 신호가 인가될 수 있다. 터치 노드들의 각각의 행(또는 열)은 감지 회로부에 의해 (예컨대, 차동으로) 감지될 수 있다. 예를 들어, 터치 노드들의 행 내의 제1 행 전극이 제1 입력에 커플링될 수 있고 터치 노드들의 행 내의 제2 행 전극이 제2 입력에 커플링될 수 있어서, 제1 입력 및 제2 입력은 차동으로 감지될 수 있다. 차동 구동(예컨대, 상보적인 구동 신호들을 이용함) 및/또는 차동 감지는 터치 스크린의 터치 및/또는 디스플레이 시스템들 내의 잡음을 감소시킬 수 있다.The present invention relates to touch sensor panels (or touch screens or touch-sensitive surfaces) with improved signal-to-noise ratio (SNR). In some examples, the touch sensor panel can include a two-dimensional array of touch nodes formed from a plurality of touch electrodes. For example, a two-dimensional array of touch nodes can be arranged in rows and columns. Each column (or row) of touch nodes may be driven with a plurality of driving signals. For example, a first driving signal may be applied to first column electrodes in a column of touch nodes, and a second driving signal may be applied to a second column electrode in a column of touch nodes. Each row (or column) of touch nodes may be sensed (eg, differentially) by sensing circuitry. For example, a first row electrode within a row of touch nodes can be coupled to a first input and a second row electrode within a row of touch nodes can be coupled to a second input, such that the first input and second input can be detected differentially. Differential driving (eg, using complementary drive signals) and/or differential sensing can reduce noise within touch and/or display systems of a touch screen.
열 전극들은 열 전극들을 구동 회로부에 커플링하기 위해 터치 센서 패널의 제1 에지에 수직으로 (예를 들어, 터치 노드들의 2차원 어레이와 중첩하여) 라우팅될 수 있다. 일부 예들에서, 행 전극들은 터치 노드들의 2차원 어레이 주위의 경계 영역에서 (예를 들어, 제1 에지에 수직인) 터치 센서 패널의 제2 에지로부터 라우팅될 수 있다. 일부 예들에서, 행 전극들은 또한 터치 센서 패널의 제1 에지에 수직으로 (예를 들어, 터치 노드들의 2차원 어레이와 중첩하여) 라우팅될 수 있다. 일부 예들에서, 라우팅 트레이스들은 금속 메시로 형성될 수 있다.Column electrodes can be routed perpendicular to (eg, overlapping a two-dimensional array of touch nodes) a first edge of the touch sensor panel to couple the column electrodes to drive circuitry. In some examples, the row electrodes can be routed from the second edge of the touch sensor panel (eg, perpendicular to the first edge) in a border region around the two-dimensional array of touch nodes. In some examples, the row electrodes can also be routed perpendicular to the first edge of the touch sensor panel (eg, overlapping a two-dimensional array of touch nodes). In some examples, routing traces may be formed of metal mesh.
일부 예들에서, 터치 센서 패널은 행들의 3개의 뱅크(bank)들로 (예를 들어, 더 일반적으로는 행들의 복수의 뱅크들에 대해) 분할될 수 있다. 일부 예들에서, 행들에 대한 라우팅 트레이스들은 3개의 뱅크들에 대해 열당 4개의 라우팅 트랙들(본 명세서에서 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 세트로도 지칭됨)을 사용하여 구현될 수 있다. 일부 예들에서, 광학 특성들을 개선하기 위해(예를 들어, 금속 메시의 가시성을 감소시키기 위해), 4개의 라우팅 트랙들은 터치 센서 패널의 수직 길이(예를 들어, 터치 노드들의 열의 길이)로 연장될 수 있다. 일부 예들에서, 라우팅 트랙들 내의 전기적 연결부들 및/또는 불연속부들을 사용하여 4개의 라우팅 트레이스들로 구현된 라우팅 트레이스들이 라우팅의 특성들을 개선하는 데 사용될 수 있다. 예를 들어, 행 전극에 대한 전기적 연결부 이후의 라우팅 트랙 내의 불연속부는 행 전극에 대한 라우팅 트레이스의 용량성 부하(capacitive loading)를 감소시킬 수 있다. 불연속부는 또한, 라우팅 트랙 내의 다른 라우팅 트레이스 세그먼트들이 또 다른 라우팅 트레이스에 사용되도록 허용하여 라우팅 트레이스의 저항을 감소시킬 수 있다. 일부 예들에서, 라우팅 트레이스들을 위한 라우팅 트랙들의 활용은 라우팅 트레이스 저항들을 감소시키도록 최적화될 수 있다.In some examples, the touch sensor panel can be divided into three banks of rows (eg, more generally for a plurality of banks of rows). In some examples, routing traces for rows may be implemented using 4 routing tracks per column for 3 banks (also referred to herein as a set of one or more routing trace segments). In some examples, to improve optical properties (eg, to reduce visibility of a metal mesh), the four routing tracks may extend the vertical length of the touch sensor panel (eg, the length of a row of touch nodes). can In some examples, routing traces implemented as four routing traces using electrical connections and/or discontinuities within the routing tracks can be used to improve the characteristics of routing. For example, a discontinuity in a routing track after an electrical connection to a row electrode can reduce capacitive loading of the routing trace to the row electrode. The discontinuity may also reduce the resistance of the routing trace by allowing other routing trace segments within the routing track to be used for another routing trace. In some examples, utilization of routing tracks for routing traces can be optimized to reduce routing trace resistances.
일부 예들에서, 라우팅 트레이스들과 행 전극들 사이의 상호연결부들은 최대 라우팅 트레이스 저항을 감소시키고/시키거나 터치 센서 패널에 걸쳐 라우팅 트레이스 저항의 균형을 잡기 위해 V자형(chevron) 패턴을 가질 수 있다. 일부 예들에서, 라우팅 트레이스들과 행 전극들 사이의 상호연결부들은 저항의 행간 차이들을 감소시키기 위해 (그리고 터치 센서 패널에 대한 대역폭에서의 불연속부들을 감소시키기 위해) (대각선 또는 지그재그로도 지칭되는) S-형상 패턴을 가질 수 있다. 일부 예들에서, 라우팅 트레이스들과 행 전극들 사이의 상호연결부들은, 상부 및 하부 행들이 S-형상 패턴과 유사한 대각선 패턴을 가질 수 있고 중간 행들이 터치 노드들의 2차원 어레이의 영역 외측에 경계 영역 라우팅을 가질 수 있는 하이브리드 패턴을 가질 수 있다. 하이브리드 패턴은 (예를 들어, 감지 회로부로부터 가장 먼) 더 긴 라우팅 트레이스들에 대한 라우팅 트랙들의 증가된 사용을 제공할 수 있다.In some examples, interconnections between routing traces and row electrodes can have a chevron pattern to reduce maximum routing trace resistance and/or balance routing trace resistance across the touch sensor panel. In some examples, the interconnections between the routing traces and the row electrodes are (also referred to as diagonal or zigzag) to reduce row-to-row differences in resistance (and to reduce discontinuities in bandwidth to the touch sensor panel). It may have an S-shaped pattern. In some examples, the interconnections between the routing traces and the row electrodes may have a diagonal pattern in which the top and bottom rows resemble an S-shaped pattern and the middle rows route a border region outside the region of the two-dimensional array of touch nodes. It can have a hybrid pattern that can have. A hybrid pattern can provide increased use of routing tracks for longer routing traces (eg, furthest from the sensing circuitry).
일부 예들에서, 터치 센서 패널 내의 교차 커플링을 감소시키기 위해 차동 감지 라우팅이 구현될 수 있다. 예를 들어, 차동 측정을 위해 사용되는 행 전극들에 대한 라우팅 트레이스들은 교차 커플링이 공통 모드가 되고 차동 측정에서 상쇄되도록 쌍들로 라우팅될 수 있다. 일부 예들에서, 차동 구동 신호들을 스태거링(staggering)하는 것은 차동 구동 및 감지 측정에 대한 기생 신호 손실을 감소시킬 수 있다. 예를 들어, 상보적인 구동 신호들을 열 내의 상이한 터치 노드들에 인가하기보다는 오히려, 상보적인 구동 신호들이 인접 열에서 인가될 수 있다. 일부 예들에서, 상보적인 구동 신호들은 대각방향으로 인접한 터치 노드들에 인가될 수 있다.In some examples, differential sense routing can be implemented to reduce cross coupling within the touch sensor panel. For example, routing traces for row electrodes used for differential measurement can be routed in pairs such that cross-coupling becomes common mode and cancels out in differential measurement. In some examples, staggering the differential drive signals can reduce parasitic signal loss for differential drive and sense measurements. For example, rather than applying complementary drive signals to different touch nodes within a column, complementary drive signals may be applied in an adjacent column. In some examples, complementary driving signals may be applied to diagonally adjacent touch nodes.
일부 예들에서, 터치 센서 패널에 대한 라우팅 트레이스들은 (적어도 부분적으로) 활성 영역에서 구현될 수 있다. 일부 예들에서, 터치 전극들 및 라우팅 트레이스들은 제1 금속 층에 금속 메시를 사용하고 제2 금속 층에 브리지(bridge)들을 사용하여 터치 전극들을 형성하는 금속 메시의 전도성 세그먼트들을 상호연결하여 구현될 수 있다. 일부 예들에서, 터치 전극들은 제1 금속 층에 금속 메시를 사용하고 제2 금속 층에 브리지들을 사용하여 터치 전극들을 형성하는 금속 메시의 전도성 세그먼트들을 상호연결하여 구현될 수 있고, 라우팅 트레이스들은 제1 금속 층에 금속 메시를 사용하고 제2 금속 층에 금속 메시를 사용하여 구현될 수 있다. 일부 예들에서, 터치 전극들 및/또는 라우팅 트레이스들은 제1 금속 층에 금속 메시를 사용하고 제2 금속 층에 금속 메시를 사용하여 구현될 수 있다.In some examples, routing traces for a touch sensor panel can be implemented (at least partially) in the active area. In some examples, the touch electrodes and routing traces can be implemented using a metal mesh in a first metal layer and using bridges in a second metal layer to interconnect conductive segments of the metal mesh forming the touch electrodes. there is. In some examples, the touch electrodes can be implemented using a metal mesh in a first metal layer and bridges in a second metal layer to interconnect conductive segments of the metal mesh forming the touch electrodes, wherein the routing traces form the first metal layer. It can be implemented using a metal mesh for the metal layer and a metal mesh for the second metal layer. In some examples, the touch electrodes and/or routing traces can be implemented using a metal mesh for the first metal layer and a metal mesh for the second metal layer.
일부 예들에서, 터치 전극 및/또는 라우팅 트레이스에 대한 금속 메시의 부분들은 제1 금속 층과 제2 금속 층 사이에서 중첩하고 평행하다. 일부 예들에서, 광학 성능을 개선하기 위해, 중첩하고 평행한 부분들은 정렬될 수 있다. 일부 예들에서, 광학 성능을 개선하기 위해, 제1 층에서의 금속 메시의 폭은 중첩하고 평행한 부분들에 대해 제2 층에서의 금속 메시의 폭보다 넓을 수 있다. 일부 예들에서, 광학 성능을 개선하기 위해, 터치 전극에 대한 제1 금속 층에서의 금속 메시 및 제2 금속 층에서의 금속 메시는 평행하지 않을 (예를 들어, 직교일) 수 있어서, 중첩 부분들은 터치 전극에 걸쳐 (예를 들어, 2 제곱마이크로미터 또는 1.5 제곱마이크로미터와 같은 임계치 내의) 실질적으로 균일한 면적을 가질 수 있다.In some examples, portions of the metal mesh for the touch electrode and/or routing trace overlap and are parallel between the first metal layer and the second metal layer. In some instances, overlapping and parallel portions may be aligned to improve optical performance. In some examples, to improve optical performance, the width of the metal mesh in the first layer can be wider than the width of the metal mesh in the second layer for overlapping and parallel portions. In some examples, to improve optical performance, the metal mesh in the first metal layer and the metal mesh in the second metal layer for the touch electrode may be non-parallel (eg, orthogonal) such that the overlapping portions are It may have a substantially uniform area (eg, within a threshold such as 2 square micrometers or 1.5 square micrometers) across the touch electrode.
일부 예들에서, SNR 및 터치 센서 패널 대역폭을 개선하기 위해, 제1 금속 층과 제2 금속 층 사이의 유전체 층이 그들 사이의 용량성 커플링(예를 들어, 평행 플레이트 커패시턴스)을 감소시킬 수 있다. 예를 들어, 유전체 층은 용량성 커플링을 감소시키기 위해 증가된 두께 및/또는 감소된 유전 상수를 가질 수 있다. 일부 예들에서, SNR 및 터치 센서 패널 대역폭을 개선하기 위해, 제1 금속 층에서의 금속 메시는 (선택적으로, 유전체 층에 의해 제1 금속 층으로부터 분리된) 금속 메시에 전기적으로 커플링되는 투명 전도성 재료로 만액(flood)되거나, 충전되거나, 또는 달리 증강될 수 있다.In some examples, to improve SNR and touch sensor panel bandwidth, a dielectric layer between the first metal layer and the second metal layer can reduce capacitive coupling (eg, parallel plate capacitance) therebetween. . For example, the dielectric layer can have an increased thickness and/or a reduced dielectric constant to reduce capacitive coupling. In some examples, to improve SNR and touch sensor panel bandwidth, the metal mesh in the first metal layer is a transparent conductive electrically coupled to the metal mesh (optionally separated from the first metal layer by a dielectric layer) It may be flooded, filled, or otherwise reinforced with material.
일부 예들에서, 비-차동 동작 모드(예를 들어, 스타일러스 또는 자기-커패시턴스)에서 크로스토크를 감소시키기 위해, 라우팅 트레이스들은 제1 금속 층에 (그리고 선택적으로 또한 제2 금속 층에) 구현된 터치 전극들 아래의 제2 금속 층에 배치될 수 있다. 일부 예들에서, 비-차동 작동 모드에서 크로스토크를 감소시키고 SNR 및 터치 센서 패널 대역폭을 개선하기 위해, 제1 금속 층에서의 터치 전극들에 대한 금속 메시는, 투명 전도성 재료로 제1 금속 층에서 라우팅하기 위한 금속 메시를 만액시키거나, 충전시키거나, 또는 달리 증강시키지 않으면서, 금속 메시에 전기적으로 커플링되는 투명 전도성 재료로 만액되거나, 충전되거나, 또는 달리 증강될 수 있다.In some examples, to reduce crosstalk in a non-differential mode of operation (eg, stylus or self-capacitance), the routing traces are touch implemented in the first metal layer (and optionally also in the second metal layer). It may be disposed in the second metal layer below the electrodes. In some examples, to reduce crosstalk and improve SNR and touch sensor panel bandwidth in a non-differential operating mode, the metal mesh for the touch electrodes in the first metal layer is a transparent conductive material in the first metal layer. Without flooding, filling, or otherwise augmenting the metal mesh for routing, it may be flooded, filled, or otherwise augmented with a transparent conductive material that is electrically coupled to the metal mesh.
일부 예들에서, 터치 센서 및 디스플레이의 스택업은 적어도 하나의 캡슐화 층을 포함할 수 있고, 그 위에 스택업의 컴포넌트들이 배치되거나 달리 형성된다. 기판 상에 형성된 디스플레이 컴포넌트들은 선택적 또는 블랭킷(blanket) 침착 방법을 사용하여 (예를 들어, 잉크젯 인쇄 공정을 사용하여) 형성된 제1 캡슐화 층에 의해 커버될 수 있다. 온-셀(on-cell) 프로세스를 사용하여 제1 캡슐화 층 상에 디스플레이-잡음 실드 또는 센서가 형성될 수 있다. 일부 예들에서, 온-셀 프로세스의 사용은 디스플레이 컴포넌트들에 대한 실드 또는 센서의 구조물들의 정렬을 개선할 수 있다(그리고 그에 의해 스택업에 대한 제조 수율을 개선할 수 있다).In some examples, a stack-up of a touch sensor and display may include at least one encapsulation layer upon which components of the stack-up are disposed or otherwise formed. Display components formed on a substrate may be covered by a first encapsulation layer formed using a selective or blanket deposition method (eg, using an inkjet printing process). A display-noise shield or sensor may be formed on the first encapsulation layer using an on-cell process. In some examples, use of an on-cell process can improve alignment of structures of a shield or sensor to display components (and thereby improve manufacturing yield for stackup).
일부 예들에서, 디스플레이-잡음 센서가 이러한 예들에서 디스플레이 컴포넌트들로부터의 전기적 간섭에 대응하는 신호들을 검출할 수 있고, 디스플레이-잡음 센서는 디스플레이-잡음 센서 전극들의 행들 및 열들이 디스플레이 컴포넌트들의 행들 및 열들과 실질적으로 정렬되도록 패턴화될 수 있는 하나 이상의 금속 층들을 포함할 수 있다. 디스플레이 컴포넌트들 위에 형성된 터치 스크린에서의 터치 신호들의 판독 동안, 디스플레이-잡음 센서의 디스플레이-잡음 센서 신호들이 동시에 판독되고 터치 신호들로부터 감산되어, 터치 신호들로부터 디스플레이의 전기적 간섭을 감소시키거나 제거할 수 있다.In some examples, a display-noise sensor can detect signals corresponding to electrical interference from display components in these examples, and the display-noise sensor is configured such that rows and columns of display-noise sensor electrodes correspond to rows and columns of display components. and one or more metal layers that can be patterned to be substantially aligned with the During the reading of touch signals in a touch screen formed over the display components, the display-noise sensor signals of the display-noise sensor are simultaneously read and subtracted from the touch signals to reduce or eliminate electrical interference of the display from the touch signals. can
일부 예들에서, 디스플레이-잡음 실드는 디스플레이 컴포넌트들로부터의 전기적 간섭에 대응하는 신호들이 스택업을 통해 터치 센서로 가는 것을 완화시킬 수 있다. 이러한 예들에서, 디스플레이-잡음 실드는 모든 디스플레이 컴포넌트들에 걸쳐 형성된 금속 메시의 층(예를 들어, 전역적(global) 메시 구조물)일 수 있다. 다른 예들에서, 디스플레이-잡음 실드는 모든 디스플레이 컴포넌트들에 걸쳐 형성된 고체 투명 전도성 재료의 만액물(예를 들어, 전역적 충전물, 또는 고체 금속 층 구조물)일 수 있다. 추가 예들에서, 디스플레이-잡음 실드는 모든 디스플레이 컴포넌트들에 걸쳐 함께 형성되는, 금속 메시 및 고체 투명 전도성 재료의 조합 층(예를 들어, 금속 메시 및/또는 투명 전도성 재료의 패치들의 교번하는 섹션들)일 수 있다.In some examples, the display-noise shield can mitigate signals corresponding to electrical interference from display components going through the stackup to the touch sensor. In these examples, the display-noise shield can be a layer of metal mesh formed over all display components (eg, a global mesh structure). In other examples, the display-noise shield can be a flood of solid transparent conductive material (eg, a global fill, or a solid metal layer structure) formed over all of the display components. In further examples, the display-noise shield is a combination layer of metal mesh and solid transparent conductive material (eg, alternating sections of patches of metal mesh and/or transparent conductive material) formed together across all display components. can be
일부 예들에서, 디스플레이-잡음 실드/센서 위에 제2 캡슐화 층이 형성될 수 있다. 일부 예들에서, 스택업 내의 터치 스크린과 실드/센서 사이의 임의의 기생 커패시턴스들의 영향을 완화시키기 위해, 제2 캡슐화 층 위에 유전체 층이 형성될 수 있다. 제2 캡슐화 층은 잉크젯 인쇄 침착 공정을 사용하여 형성될 수 있다. 터치 센서가 (예를 들어, 정렬을 개선하고/하거나 디스플레이 스택업에 대한 별개의 터치 센서의 라미네이션을 피하기 위해) 온-셀 제조 프로세스에 따라 제2 캡슐화 층 위에 형성될 수 있다.In some examples, a second encapsulation layer may be formed over the display-noise shield/sensor. In some examples, a dielectric layer may be formed over the second encapsulation layer to mitigate the effect of any parasitic capacitances between the touch screen and shield/sensor in the stackup. The second encapsulation layer may be formed using an inkjet printing deposition process. A touch sensor may be formed over the second encapsulation layer according to an on-cell manufacturing process (eg, to improve alignment and/or avoid lamination of a separate touch sensor to the display stackup).
일부 예들에서, 판독 회로부가 터치 센서로부터의 터치 신호들 및 디스플레이-잡음 센서로부터의 신호들을 동시에 판독하여 잡음 교정된 터치 신호를 생성하도록 (예를 들어, 디스플레이에 의해 야기된 전기적 간섭을 감소시키거나 제거하도록) 구성될 수 있다. 일부 예들에서, 디스플레이-잡음 실드가 고정 전압 레벨(예를 들어, 접지 전압 레벨 또는 비-제로 전압 레벨)로 바이어스될 수 있다.In some examples, the readout circuitry is configured to simultaneously read the touch signals from the touch sensor and the signals from the display-noise sensor to generate a noise-corrected touch signal (e.g., to reduce electrical interference caused by the display or can be configured to remove). In some examples, the display-noise shield can be biased to a fixed voltage level (eg, a ground voltage level or a non-zero voltage level).
일부 예들에서, 차동 감지 없이 차동 구동을 위한 터치 전극 아키텍처가 구현될 수 있다. 차동 구동은 여전히 터치-대-디스플레이 잡음을 감소시킬 수 있다. 차동 구동을 위한 터치 전극 아키텍처는, 본 명세서에 설명된 차동 구동 및 차동 감지 터치 전극 아키텍처들 중 일부와 비교하여 더 적은 라우팅 트레이스들 및 더 적은 브리지들이 요구되기 때문에, 터치 전극 아키텍처 설계를 단순화할 수 있다.In some examples, a touch electrode architecture for differential driving without differential sensing can be implemented. Differential driving can still reduce touch-to-display noise. A touch electrode architecture for differential drive can simplify touch electrode architecture design because fewer routing traces and fewer bridges are required compared to some of the differential drive and differential sensing touch electrode architectures described herein. there is.
일부 예들에서, 터치 전극 아키텍처 내의 하나 이상의 터치 노드들은 각각 행 전극들의 차동 쌍 및 열 전극들의 차동 쌍을 포함한다. 예를 들어, 터치 노드는 제1 행 전극(Rx0+)의 일부분 및 제2 행 전극(Rx0-)의 일부분(예를 들어, 터치 감지를 위한 차동 입력들에 대응함), 및 제1 열 전극(Tx0+)의 일부분 및 제2 열 전극(Tx0-)의 일부분(예를 들어, 터치 구동의 차동 상보적 출력들에 대응함)을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 행 전극들 및 제1 및 제2 열 전극들의 배열은 동위상인 2개의 지배적 상호 커패시턴스들을 야기할 수 있다. 추가적으로, 터치 노드가 제1 및 제2 행 전극들 및 제1 및 제2 열 전극들의 일부분들을 포함하기 때문에, 차동 상쇄는 2개의 터치 노드들에 걸쳐서보다는 터치 노드당 기반으로 발생한다. 추가적으로, 비-지배적(부수적) 기생 커패시턴스는, 라우팅 길이들을 감소시키고 기생 상호 커패시턴스를 생성하는 전극들 사이의 분리를 증가시킴으로써 감소될 수 있다.In some examples, one or more touch nodes in the touch electrode architecture each include a differential pair of row electrodes and a differential pair of column electrodes. For example, the touch node may include a portion of the first row electrode Rx0+ and a portion of the second row electrode Rx0− (eg, corresponding to differential inputs for touch sensing), and the first column electrode Tx0+. ) and a portion of the second column electrode Tx0− (eg, corresponding to differential and complementary outputs of touch driving). The arrangement of the first and second row electrodes and the first and second column electrodes can result in two dominant mutual capacitances that are in phase. Additionally, because the touch node includes first and second row electrodes and portions of first and second column electrodes, differential cancellation occurs on a per touch node basis rather than across two touch nodes. Additionally, non-dominant (collateral) parasitic capacitance can be reduced by reducing routing lengths and increasing the separation between electrodes that creates parasitic mutual capacitance.
일부 예들에서, 터치 전극 아키텍처는 터치 노드 내에 완전히 차동적으로 인터리빙된(interleaved) 행 및 열 전극들을 포함한다. 일부 예들에서, 행 (또는 열) 전극들에 대해 차동이고 열 (또는 행) 전극들에 대해 의사차동(pseudodifferential)인 터치 전극 아키텍처.In some examples, the touch electrode architecture includes fully differentially interleaved row and column electrodes within a touch node. In some examples, a touch electrode architecture that is differential for row (or column) electrodes and pseudodifferential for column (or row) electrodes.
일부 예들에서, 공간적 분리 및 공간적 필터링을 사용하여 공통 모드 잡음이 감소될 수 있다. 터치 신호와 공통 모드 잡음 신호 사이의 공간적 분리는 송신기 및 수신기 전극들에 대한 감소된 피치를 갖는 터치 전극 아키텍처를 사용하여 달성될 수 있다.In some examples, common mode noise may be reduced using spatial separation and spatial filtering. Spatial separation between the touch signal and the common mode noise signal can be achieved using a touch electrode architecture with reduced pitch for the transmitter and receiver electrodes.
도 1a 내지 도 1e는 본 개시내용의 예들에 따른 터치 스크린을 포함할 수 있는 예시적인 시스템들을 예시한다.
도 2는 본 개시내용의 예들에 따른 터치 스크린을 포함하는 예시적인 컴퓨팅 시스템을 예시한다.
도 3a는 본 개시내용의 예들에 따른, 터치 노드 전극 및 감지 회로의 자기-커패시턴스 측정부에 대응하는 예시적인 터치 센서 회로를 예시한다.
도 3b는 본 개시내용의 예들에 따른, 상호 커패시턴스 구동 라인 및 감지 라인 및 감지 회로에 대응하는 예시적인 터치 센서 회로를 예시한다.
도 4a는 본 개시내용의 예들에 따른, 행들 및 열들로 배열된 터치 전극들을 갖는 터치 스크린을 예시한다.
도 4b는 본 개시내용의 예들에 따른, 픽셀형 터치 노드 전극 구성으로 배열된 터치 노드 전극들을 갖는 터치 스크린을 예시한다.
도 5는 본 개시내용의 예들에 따른, 금속 메시 층을 포함하는 예시적인 터치 스크린 스택업을 예시한다.
도 6a는 본 개시내용의 예들에 따른, 차동 감지를 구현하는 터치 센서 패널의 기호 표현을 예시한다.
도 6b는 본 개시내용의 예들에 따른, 차동 구동 및 차동 감지를 구현하는 터치 센서 패널의 기호 표현을 예시한다.
도 7a는 본 개시내용의 예들에 따른, 차동 구동 및/또는 차동 감지를 구현하는 데 사용될 수 있는 터치 센서 패널의 일부분을 예시한다.
도 7b 및 도 7c는 본 개시내용의 예들에 따른, 행 전극들에 대한 2개의 수직 라우팅 트레이스들 및 열 전극들에 대한 4개의 수직 라우팅 트레이스들을 갖는 터치 노드에 대한 라우팅 트레이스들의 상이한 구성들을 예시한다.
도 8 내지 도 10은 본 개시내용의 예들에 따른, 행 전극들에 대한 상이한 라우팅 패턴들을 예시한다.
도 11a 및 도 11b는 본 개시내용의 예들에 따른, 크로스토크가 있는 그리고 크로스토크가 없는 수직 라우팅 트레이스들 및 대응하는 신호 레벨들을 갖는 예시적인 터치 센서를 예시한다.
도 11c 및 도 11d는 본 개시내용의 예들에 따른, 비-차동 라우팅 트레이스들을 갖는 또는 차동 라우팅 트레이스들을 갖는 예시적인 터치 센서 패널들의 일부분들을 예시한다.
도 12a 및 도 12b는 본 개시내용의 예들에 따른, 단일 종단형 커패시턴스 측정치들 또는 차동 커패시턴스 측정치들을 사용한 행-열 아키텍처의 예시적인 터치 노드를 예시한다.
도 13a 및 도 13b는 본 개시내용의 예들에 따른, 터치 센서 패널들의 일부분들 및 터치 센서 패널들에 인가된 자극의 표현들을 예시한다.
도 14a 및 도 14b는 본 개시내용의 예들에 따른, 제1 층에 터치 전극들 및 라우팅 트레이스들을 그리고 제2 층에 브리지들을 포함하는 2-층 구성을 예시한다.
도 14a 및 도 14c는 본 개시내용의 예들에 따른, 제1 층에 터치 전극들 및 라우팅 트레이스들을 그리고 제2 층에 브리지들 및 적층된 라우팅 트레이스들을 포함하는 2-층 구성을 예시한다.
도 15a 및 도 15b는 본 개시내용의 예들에 따른, 도 14a 내지 도 14c의 2-층 구성의 부분도들을 예시한다.
도 16은 본 개시내용의 예들에 따른, 제1 층 및 제2 층에 적층된 터치 전극 세그먼트들을, 제1 층에 라우팅 트레이스를, 그리고 제2 층에 적층된 라우팅 트레이스 세그먼트들을 포함하는 2-층 구성의 부분도를 예시한다.
도 17a 내지 도 17d는 본 개시내용의 예들에 따른, 예시적인 2-층 구성들의 일부분의 단면도들을 예시한다.
도 18은 본 개시내용의 예들에 따른, 제1 층에 부분적으로 그리고 제2 층에 부분적으로 구현된 터치 전극을 포함하는 2-층 구성의 일부분을 예시한다.
도 19a는 본 개시내용의 예들에 따른, 제1 층 및 제2 층에 적층된 터치 전극 세그먼트들을 그리고 제1 층 및 제2 층에 적층된 라우팅 트레이스들을 포함하는 2-층 구성의 부분도를 예시한다.
도 19b는 본 개시내용의 예들에 따른, 제1 층 및 제2 층에 적층된 터치 전극 세그먼트들을 그리고 제2 층에 매설된 라우팅 트레이스를 포함하는 2-층 구성의 부분도를 예시한다.
도 19c는 본 개시내용의 예들에 따른, 제1 층 및 제2 층에 적층된 터치 전극 세그먼트들을 그리고 제2 층에 매설된 라우팅 트레이스를 포함하는 2-층 구성의 부분도를 예시한다.
도 20a는 본 개시내용의 예들에 따른, 제1 층 및 제2 층에 적층된 터치 전극 세그먼트들을 그리고 제1 층 및 제2 층에 적층된 라우팅 트레이스들을 포함하는 2-층 구성의 부분도를 예시한다.
도 20b 및 도 20c는 본 개시내용의 예들에 따른, 투명 전도성 재료 만액물을 포함하는 2-층 구성의 일부분의 예시적인 단면도들을 예시한다.
도 21은 본 개시내용의 예들에 따른, 제1 층 및 제2 층에 적층된 터치 전극 세그먼트들을 그리고 제1 층 및 제2 층에 적층된 라우팅 트레이스들을 포함하는 2-층 구성의 부분도를 예시한다.
도 22는 본 개시내용의 예들에 따른, 격리를 위한 캡슐화 층 및 선택적 유전체 층을 포함하는 예시적인 터치 스크린 스택업을 예시한다.
도 23은 본 개시내용의 예들에 따른, 터치 스크린 스택업의 인쇄 층 상에 형성된 디스플레이-잡음 센서의 예시적인 층들을 예시한다.
도 24는 본 개시내용의 예들에 따른, 터치 스크린 스택업의 인쇄 층 상에 형성된 예시적인 디스플레이-잡음 실드를 예시한다.
도 25는 본 개시내용의 예들에 따른, 터치 스크린 스택업의 예시적인 터치 센서를 예시한다.
도 26은 본 개시내용의 예들에 따른, 터치 스크린 스택업의 예시적인 전사형 터치 센서를 예시한다.
도 27은 본 개시내용의 예들에 따른, 터치 스크린 스택업의 픽셀-정렬된 디스플레이-잡음 센서 및 터치 센서의 예시적인 판독 단자들을 예시한다.
도 28은 본 개시내용의 예들에 따른, 터치 스크린 스택업의 디스플레이-잡음 실드 및 터치 센서의 예시적인 판독 단자들을 예시한다.
도 29는 본 개시내용의 예들에 따른, 터치 스크린 스택업의 디스플레이-잡음 센서 및 터치 센서에 대한 예시적인 판독 회로부를 예시한다.
도 30은 본 개시내용의 예들에 따른, 터치 스크린 스택업의 디스플레이-잡음 실드에 대한 예시적인 전압 바이어스를 예시한다.
도 31은 본 개시내용의 예들에 따른, 터치 센서 및 터치 센서와 디스플레이 픽셀 사이의 디스플레이-잡음 센서를 갖는 터치 스크린 스택업을 동작시키기 위한 예시적인 프로세스를 예시한다.
도 32는 본 개시내용의 예들에 따른, 제1 인쇄 층 상에 형성된 디스플레이-잡음 실드/센서 및 제2 인쇄 층 상에 형성된 터치 센서를 갖는 터치 스크린 스택업을 형성하기 위한 예시적인 프로세스를 예시한다.
도 33은 본 개시내용의 예들에 따른 예시적인 터치 센서 패널의 일부분을 예시한다.
도 34는 본 개시내용의 예들에 따른, 차동 구동을 위해 구성된 예시적인 터치 센서 패널의 일부분을 예시한다.
도 35a 및 도 35b는 본 개시내용의 예들에 따른, 예시적인 터치 전극 아키텍처들을 예시한다.
도 36은 본 개시내용의 예들에 따른, 터치 노드 내에서 완전히 차동인 예시적인 터치 전극 아키텍처를 예시한다.
도 37은 본 개시내용의 예들에 따른, 차동 구동을 위해 구성된 예시적인 터치 센서 패널의 일부분을 예시한다.
도 38은 본 개시내용의 예들에 따른, 차동 구동을 위해 구성된 예시적인 터치 센서 패널의 일부분을 예시한다.
도 39는 본 개시내용의 예들에 따른, 공간 터치 신호 및 잡음의 플롯들을 예시한다.1A-1E illustrate example systems that may include a touch screen according to examples of the present disclosure.
2 illustrates an example computing system including a touch screen according to examples of the present disclosure.
3A illustrates an example touch sensor circuit corresponding to a self-capacitance measurement portion of a touch node electrode and sensing circuit, according to examples of the present disclosure.
3B illustrates an example touch sensor circuit corresponding to a mutual capacitance drive line and sense line and sense circuit, according to examples of the present disclosure.
4A illustrates a touch screen with touch electrodes arranged in rows and columns, according to examples of the present disclosure.
4B illustrates a touch screen with touch node electrodes arranged in a pixelated touch node electrode configuration, according to examples of the present disclosure.
5 illustrates an example touch screen stackup including a metal mesh layer, in accordance with examples of the present disclosure.
6A illustrates a symbolic representation of a touch sensor panel implementing differential sensing, in accordance with examples of the present disclosure.
6B illustrates a symbolic representation of a touch sensor panel implementing differential driving and differential sensing, in accordance with examples of the present disclosure.
7A illustrates a portion of a touch sensor panel that can be used to implement differential driving and/or differential sensing, according to examples of the present disclosure.
7B and 7C illustrate different configurations of routing traces for a touch node with two vertical routing traces for row electrodes and four vertical routing traces for column electrodes, according to examples of the present disclosure. .
8-10 illustrate different routing patterns for row electrodes, according to examples of the present disclosure.
11A and 11B illustrate an example touch sensor with vertical routing traces and corresponding signal levels with and without crosstalk, according to examples of the present disclosure.
11C and 11D illustrate portions of example touch sensor panels with non-differential routing traces or with differential routing traces, according to examples of the present disclosure.
12A and 12B illustrate an example touch node of a row-column architecture using single-ended capacitance measurements or differential capacitance measurements, according to examples of the present disclosure.
13A and 13B illustrate portions of touch sensor panels and representations of a stimulus applied to the touch sensor panels, according to examples of the present disclosure.
14A and 14B illustrate a two-layer configuration including touch electrodes and routing traces in a first layer and bridges in a second layer, according to examples of the present disclosure.
14A and 14C illustrate a two-layer configuration including touch electrodes and routing traces in a first layer and bridges and stacked routing traces in a second layer, according to examples of the present disclosure.
15A and 15B illustrate partial views of the two-layer configuration of FIGS. 14A-14C, according to examples of the present disclosure.
16 is a two-layer diagram including touch electrode segments stacked in first and second layers, routing traces in the first layer, and routing trace segments stacked in the second layer according to examples of the present disclosure. Illustrates a partial view of the configuration.
17A-17D illustrate cross-sectional views of a portion of exemplary two-layer constructions, according to examples of the present disclosure.
18 illustrates a portion of a two-layer configuration including a touch electrode implemented partially in a first layer and partially in a second layer, according to examples of the present disclosure.
19A illustrates a partial view of a two-layer configuration including touch electrode segments stacked in first and second layers and routing traces stacked in first and second layers, according to examples of the present disclosure; do.
19B illustrates a partial view of a two-layer configuration including touch electrode segments stacked in a first layer and a second layer and a routing trace embedded in the second layer, according to examples of the present disclosure.
19C illustrates a partial view of a two-layer configuration including touch electrode segments stacked in a first layer and a second layer and a routing trace embedded in the second layer, according to examples of the present disclosure.
20A illustrates a partial view of a two-layer configuration including touch electrode segments stacked in first and second layers and routing traces stacked in first and second layers, according to examples of the present disclosure; do.
20B and 20C illustrate example cross-sectional views of a portion of a two-layer construction comprising a flood of transparent conductive material, according to examples of the present disclosure.
21 illustrates a partial view of a two-layer configuration including touch electrode segments stacked in first and second layers and routing traces stacked in first and second layers, according to examples of the present disclosure; do.
22 illustrates an example touch screen stackup including an encapsulation layer for isolation and an optional dielectric layer according to examples of the present disclosure.
23 illustrates example layers of a display-noise sensor formed on a printed layer of a touch screen stackup, in accordance with examples of the present disclosure.
24 illustrates an example display-noise shield formed on a printed layer of a touch screen stackup, in accordance with examples of the present disclosure.
25 illustrates an example touch sensor of a touch screen stackup, in accordance with examples of the present disclosure.
26 illustrates an example transfer type touch sensor of a touch screen stackup, in accordance with examples of the present disclosure.
27 illustrates exemplary read terminals of a touch sensor and pixel-aligned display-noise sensor of a touch screen stackup, in accordance with examples of the present disclosure.
28 illustrates example read terminals of a touch sensor and display-noise shield of a touch screen stackup, in accordance with examples of the present disclosure.
29 illustrates example readout circuitry for a touch sensor and a display-noise sensor of a touch screen stackup, in accordance with examples of the present disclosure.
30 illustrates an example voltage bias for a display-noise shield of a touch screen stackup, in accordance with examples of the present disclosure.
31 illustrates an example process for operating a touch screen stackup with a touch sensor and a display-noise sensor between the touch sensor and a display pixel, in accordance with examples of the present disclosure.
32 illustrates an example process for forming a touch screen stackup having a display-noise shield/sensor formed on a first printed layer and a touch sensor formed on a second printed layer, in accordance with examples of the present disclosure. .
33 illustrates a portion of an example touch sensor panel according to examples of the present disclosure.
34 illustrates a portion of an example touch sensor panel configured for differential drive, in accordance with examples of the present disclosure.
35A and 35B illustrate example touch electrode architectures, according to examples of the present disclosure.
36 illustrates an exemplary touch electrode architecture that is fully differential within a touch node, according to examples of the present disclosure.
37 illustrates a portion of an example touch sensor panel configured for differential drive, in accordance with examples of the present disclosure.
38 illustrates a portion of an example touch sensor panel configured for differential drive, in accordance with examples of the present disclosure.
39 illustrates plots of spatial touch signal and noise, according to examples of the present disclosure.
예들의 다음의 설명에서, 본 명세서의 일부를 형성하는 첨부된 도면들이 참조되고, 실행될 수 있는 특정 예들이 도면들 내에서 예시로서 도시된다. 개시된 예들의 범주로부터 벗어남이 없이 구조적 변경이 이루어질 수 있고 다른 예들이 사용될 수 있음이 이해될 것이다.In the following description of examples, reference is made to the accompanying drawings, which form a part of this specification, and specific examples that can be practiced are shown as examples within the drawings. It will be understood that structural changes may be made and other examples may be used without departing from the scope of the disclosed examples.
본 발명은 신호 대 잡음비(SNR)가 개선된 터치 센서 패널들(또는 터치 스크린들 또는 터치-감응형 표면들)에 관한 것이다. 일부 예들에서, 터치 센서 패널은 복수의 터치 전극들로부터 형성된 터치 노드들의 2차원 어레이를 포함할 수 있다. 예를 들어, 터치 노드들의 2차원 어레이는 행들 및 열들로 배열될 수 있다. 터치 노드들의 각각의 열(또는 행)은 복수의 구동 신호들로 구동될 수 있다. 예를 들어, 터치 노드들의 열 내의 제1 열 전극들에 제1 구동 신호가 인가될 수 있고, 터치 노드들의 열 내의 제2 열 전극에 제2 구동 신호가 인가될 수 있다. 터치 노드들의 각각의 행(또는 열)은 감지 회로부에 의해 (예컨대, 차동으로) 감지될 수 있다. 예를 들어, 터치 노드들의 행 내의 제1 행 전극이 제1 입력에 커플링될 수 있고 터치 노드들의 행 내의 제2 행 전극이 제2 입력에 커플링될 수 있어서, 제1 입력 및 제2 입력은 차동으로 감지될 수 있다. 차동 구동(예컨대, 상보적인 구동 신호들을 이용함) 및/또는 차동 감지는 터치 스크린의 터치 및/또는 디스플레이 시스템들 내의 잡음을 감소시킬 수 있다.The present invention relates to touch sensor panels (or touch screens or touch-sensitive surfaces) with improved signal-to-noise ratio (SNR). In some examples, the touch sensor panel can include a two-dimensional array of touch nodes formed from a plurality of touch electrodes. For example, a two-dimensional array of touch nodes can be arranged in rows and columns. Each column (or row) of touch nodes may be driven with a plurality of driving signals. For example, a first driving signal may be applied to first column electrodes in a column of touch nodes, and a second driving signal may be applied to a second column electrode in a column of touch nodes. Each row (or column) of touch nodes may be sensed (eg, differentially) by sensing circuitry. For example, a first row electrode within a row of touch nodes can be coupled to a first input and a second row electrode within a row of touch nodes can be coupled to a second input, such that the first input and second input can be detected differentially. Differential driving (eg, using complementary drive signals) and/or differential sensing can reduce noise within touch and/or display systems of a touch screen.
열 전극들은 열 전극들을 구동 회로부에 커플링하기 위해 터치 센서 패널의 제1 에지에 수직으로 (예를 들어, 터치 노드들의 2차원 어레이와 중첩하여) 라우팅될 수 있다. 일부 예들에서, 행 전극들은 터치 노드들의 2차원 어레이 주위의 경계 영역에서 (예를 들어, 제1 에지에 수직인) 터치 센서 패널의 제2 에지로부터 라우팅될 수 있다. 일부 예들에서, 행 전극들은 또한 터치 센서 패널의 제1 에지에 수직으로 (예를 들어, 터치 노드들의 2차원 어레이와 중첩하여) 라우팅될 수 있다. 일부 예들에서, 라우팅 트레이스들은 금속 메시로 형성될 수 있다.Column electrodes can be routed perpendicular to (eg, overlapping a two-dimensional array of touch nodes) a first edge of the touch sensor panel to couple the column electrodes to drive circuitry. In some examples, the row electrodes can be routed from the second edge of the touch sensor panel (eg, perpendicular to the first edge) in a border region around the two-dimensional array of touch nodes. In some examples, the row electrodes can also be routed perpendicular to the first edge of the touch sensor panel (eg, overlapping a two-dimensional array of touch nodes). In some examples, routing traces may be formed of metal mesh.
일부 예들에서, 터치 센서 패널은 행들의 3개의 뱅크(bank)들로 (예를 들어, 더 일반적으로는 행들의 복수의 뱅크들에 대해) 분할될 수 있다. 일부 예들에서, 행들에 대한 라우팅 트레이스들은 3개의 뱅크들에 대해 열당 4개의 라우팅 트랙들(본 명세서에서 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 세트로도 지칭됨)을 사용하여 구현될 수 있다. 일부 예들에서, 광학 특성들을 개선하기 위해(예를 들어, 금속 메시의 가시성을 감소시키기 위해), 4개의 라우팅 트랙들은 터치 센서 패널의 수직 길이(예를 들어, 터치 노드들의 열의 길이)로 연장될 수 있다. 일부 예들에서, 라우팅 트랙들 내의 전기적 연결부들 및/또는 불연속부들을 사용하여 4개의 라우팅 트레이스들로 구현된 라우팅 트레이스들이 라우팅의 특성들을 개선하는 데 사용될 수 있다. 예를 들어, 행 전극에 대한 전기적 연결부 이후의 라우팅 트랙 내의 불연속부는 행 전극에 대한 라우팅 트레이스의 용량성 부하(capacitive loading)를 감소시킬 수 있다. 불연속부는 또한, 라우팅 트랙 내의 다른 라우팅 트레이스 세그먼트들이 또 다른 라우팅 트레이스에 사용되도록 허용하여 라우팅 트레이스의 저항을 감소시킬 수 있다. 일부 예들에서, 라우팅 트레이스들을 위한 라우팅 트랙들의 활용은 라우팅 트레이스 저항들을 감소시키도록 최적화될 수 있다.In some examples, the touch sensor panel can be divided into three banks of rows (eg, more generally for a plurality of banks of rows). In some examples, routing traces for rows may be implemented using 4 routing tracks per column for 3 banks (also referred to herein as a set of one or more routing trace segments). In some examples, to improve optical properties (eg, to reduce visibility of a metal mesh), the four routing tracks may extend the vertical length of the touch sensor panel (eg, the length of a row of touch nodes). can In some examples, routing traces implemented as four routing traces using electrical connections and/or discontinuities within the routing tracks can be used to improve the characteristics of routing. For example, a discontinuity in a routing track after an electrical connection to a row electrode can reduce capacitive loading of the routing trace to the row electrode. The discontinuity may also reduce the resistance of the routing trace by allowing other routing trace segments within the routing track to be used for another routing trace. In some examples, utilization of routing tracks for routing traces can be optimized to reduce routing trace resistances.
일부 예들에서, 라우팅 트레이스들과 행 전극들 사이의 상호연결부들은 최대 라우팅 트레이스 저항을 감소시키고/시키거나 터치 센서 패널에 걸쳐 라우팅 트레이스 저항의 균형을 잡기 위해 V자형(chevron) 패턴을 가질 수 있다. 일부 예들에서, 라우팅 트레이스들과 행 전극들 사이의 상호연결부들은 저항의 행간 차이들을 감소시키기 위해 (그리고 터치 센서 패널에 대한 대역폭에서의 불연속부들을 감소시키기 위해) (대각선 또는 지그재그로도 지칭되는) S-형상 패턴을 가질 수 있다. 일부 예들에서, 라우팅 트레이스들과 행 전극들 사이의 상호연결부들은, 상부 및 하부 행들이 S-형상 패턴과 유사한 대각선 패턴을 가질 수 있고 중간 행들이 터치 노드들의 2차원 어레이의 영역 외측에 경계 영역 라우팅을 가질 수 있는 하이브리드 패턴을 가질 수 있다. 하이브리드 패턴은 (예를 들어, 감지 회로부로부터 가장 먼) 더 긴 라우팅 트레이스들에 대한 라우팅 트랙들의 증가된 사용을 제공할 수 있다.In some examples, interconnections between routing traces and row electrodes can have a chevron pattern to reduce maximum routing trace resistance and/or balance routing trace resistance across the touch sensor panel. In some examples, the interconnections between the routing traces and the row electrodes are (also referred to as diagonal or zigzag) to reduce row-to-row differences in resistance (and reduce discontinuities in bandwidth to the touch sensor panel). It may have an S-shaped pattern. In some examples, the interconnections between the routing traces and the row electrodes may have a diagonal pattern in which the top and bottom rows resemble an S-shaped pattern and the middle rows route a border region outside the region of the two-dimensional array of touch nodes. It can have a hybrid pattern that can have. A hybrid pattern may provide increased use of routing tracks for longer routing traces (eg, furthest from the sensing circuitry).
일부 예들에서, 터치 센서 패널 내의 교차 커플링을 감소시키기 위해 차동 감지 라우팅이 구현될 수 있다. 예를 들어, 차동 측정을 위해 사용되는 행 전극들에 대한 라우팅 트레이스들은 교차 커플링이 공통 모드가 되고 차동 측정에서 상쇄되도록 쌍들로 라우팅될 수 있다. 일부 예들에서, 차동 구동 신호들을 스태거링(staggering)하는 것은 차동 구동 및 감지 측정에 대한 기생 신호 손실을 감소시킬 수 있다. 예를 들어, 상보적인 구동 신호들을 열 내의 상이한 터치 노드들에 인가하기보다는 오히려, 상보적인 구동 신호들이 인접 열에서 인가될 수 있다. 일부 예들에서, 상보적인 구동 신호들은 대각방향으로 인접한 터치 노드들에 인가될 수 있다.In some examples, differential sense routing can be implemented to reduce cross coupling within the touch sensor panel. For example, routing traces for row electrodes used for differential measurement can be routed in pairs such that cross-coupling becomes common mode and cancels out in differential measurement. In some examples, staggering the differential drive signals can reduce parasitic signal loss for differential drive and sense measurements. For example, rather than applying complementary drive signals to different touch nodes within a column, complementary drive signals may be applied in an adjacent column. In some examples, complementary driving signals may be applied to diagonally adjacent touch nodes.
일부 예들에서, 터치 센서 패널에 대한 라우팅 트레이스들은 (적어도 부분적으로) 활성 영역에서 구현될 수 있다. 일부 예들에서, 터치 전극들 및 라우팅 트레이스들은 제1 금속 층에 금속 메시를 사용하고 제2 금속 층에 브리지(bridge)들을 사용하여 터치 전극들을 형성하는 금속 메시의 전도성 세그먼트들을 상호연결하여 구현될 수 있다. 일부 예들에서, 터치 전극들은 제1 금속 층에 금속 메시를 사용하고 제2 금속 층에 브리지들을 사용하여 터치 전극들을 형성하는 금속 메시의 전도성 세그먼트들을 상호연결하여 구현될 수 있고, 라우팅 트레이스들은 제1 금속 층에 금속 메시를 사용하고 제2 금속 층에 금속 메시를 사용하여 구현될 수 있다. 일부 예들에서, 터치 전극들 및/또는 라우팅 트레이스들은 제1 금속 층에 금속 메시를 사용하고 제2 금속 층에 금속 메시를 사용하여 구현될 수 있다.In some examples, routing traces for a touch sensor panel can be implemented (at least partially) in the active area. In some examples, the touch electrodes and routing traces can be implemented using a metal mesh in a first metal layer and using bridges in a second metal layer to interconnect conductive segments of the metal mesh forming the touch electrodes. there is. In some examples, the touch electrodes can be implemented using a metal mesh in a first metal layer and bridges in a second metal layer to interconnect conductive segments of the metal mesh forming the touch electrodes, wherein the routing traces form the first metal layer. It can be implemented using a metal mesh for the metal layer and a metal mesh for the second metal layer. In some examples, the touch electrodes and/or routing traces can be implemented using a metal mesh for the first metal layer and a metal mesh for the second metal layer.
일부 예들에서, 터치 전극 및/또는 라우팅 트레이스에 대한 금속 메시의 부분들은 제1 금속 층과 제2 금속 층 사이에서 중첩하고 평행하다. 일부 예들에서, 광학 성능을 개선하기 위해, 중첩하고 평행한 부분들은 정렬될 수 있다. 일부 예들에서, 광학 성능을 개선하기 위해, 제1 층에서의 금속 메시의 폭은 중첩하고 평행한 부분들에 대해 제2 층에서의 금속 메시의 폭보다 넓을 수 있다. 일부 예들에서, 광학 성능을 개선하기 위해, 터치 전극에 대한 제1 금속 층에서의 금속 메시 및 제2 금속 층에서의 금속 메시는 평행하지 않을 (예를 들어, 직교일) 수 있어서, 중첩 부분들은 터치 전극에 걸쳐 (예를 들어, 2 제곱마이크로미터 또는 1.5 제곱마이크로미터와 같은 임계치 내의) 실질적으로 균일한 면적을 가질 수 있다.In some examples, portions of the metal mesh for the touch electrode and/or routing trace overlap and are parallel between the first metal layer and the second metal layer. In some instances, overlapping and parallel portions may be aligned to improve optical performance. In some examples, to improve optical performance, the width of the metal mesh in the first layer can be wider than the width of the metal mesh in the second layer for overlapping and parallel portions. In some examples, to improve optical performance, the metal mesh in the first metal layer and the metal mesh in the second metal layer for the touch electrode may be non-parallel (eg, orthogonal) such that the overlapping portions are It may have a substantially uniform area (eg, within a threshold such as 2 square micrometers or 1.5 square micrometers) across the touch electrode.
일부 예들에서, SNR 및 터치 센서 패널 대역폭을 개선하기 위해, 제1 금속 층과 제2 금속 층 사이의 유전체 층이 그들 사이의 용량성 커플링(예를 들어, 평행 플레이트 커패시턴스)을 감소시킬 수 있다. 예를 들어, 유전체 층은 용량성 커플링을 감소시키기 위해 증가된 두께 및/또는 감소된 유전 상수를 가질 수 있다. 일부 예들에서, SNR 및 터치 센서 패널 대역폭을 개선하기 위해, 제1 금속 층에서의 금속 메시는 (선택적으로, 유전체 층에 의해 제1 금속 층으로부터 분리된) 금속 메시에 전기적으로 커플링되는 투명 전도성 재료로 만액(flood)되거나, 충전되거나, 또는 달리 증강될 수 있다.In some examples, to improve SNR and touch sensor panel bandwidth, a dielectric layer between the first metal layer and the second metal layer can reduce capacitive coupling (eg, parallel plate capacitance) therebetween. . For example, the dielectric layer can have an increased thickness and/or a reduced dielectric constant to reduce capacitive coupling. In some examples, to improve SNR and touch sensor panel bandwidth, the metal mesh in the first metal layer is a transparent conductive electrically coupled to the metal mesh (optionally separated from the first metal layer by a dielectric layer) It may be flooded, filled, or otherwise reinforced with material.
일부 예들에서, 비-차동 동작 모드(예를 들어, 스타일러스 또는 자기-커패시턴스)에서 크로스토크를 감소시키기 위해, 라우팅 트레이스들은 제1 금속 층에 (그리고 선택적으로 또한 제2 금속 층에) 구현된 터치 전극들 아래의 제2 금속 층에 배치될 수 있다. 일부 예들에서, 비-차동 작동 모드에서 크로스토크를 감소시키고 SNR 및 터치 센서 패널 대역폭을 개선하기 위해, 제1 금속 층에서의 터치 전극들에 대한 금속 메시는, 투명 전도성 재료로 제1 금속 층에서 라우팅하기 위한 금속 메시를 만액시키거나, 충전시키거나, 또는 달리 증강시키지 않으면서, 금속 메시에 전기적으로 커플링되는 투명 전도성 재료로 만액되거나, 충전되거나, 또는 달리 증강될 수 있다. 일부 예들에서, 제1 금속 층은 투명 전도성 재료로 만액될 수 있고, 투명 전도성 재료는 제1 금속 층에서의 라우팅 트레이스들로부터 에칭될 수 있다.In some examples, to reduce crosstalk in a non-differential mode of operation (eg, stylus or self-capacitance), the routing traces are touch implemented in the first metal layer (and optionally also in the second metal layer). It may be disposed in the second metal layer below the electrodes. In some examples, to reduce crosstalk and improve SNR and touch sensor panel bandwidth in a non-differential operating mode, the metal mesh for the touch electrodes in the first metal layer is a transparent conductive material in the first metal layer. Without flooding, filling, or otherwise augmenting the metal mesh for routing, it may be flooded, filled, or otherwise augmented with a transparent conductive material that is electrically coupled to the metal mesh. In some examples, the first metal layer can be flooded with a transparent conductive material, and the transparent conductive material can be etched from routing traces in the first metal layer.
일부 예들에서, 차동 감지 없이 차동 구동을 위한 터치 전극 아키텍처가 구현될 수 있다. 차동 구동은 여전히 터치-대-디스플레이 잡음을 감소시킬 수 있다. 차동 구동을 위한 터치 전극 아키텍처는, 본 명세서에 설명된 차동 구동 및 차동 감지 터치 전극 아키텍처들 중 일부와 비교하여 더 적은 라우팅 트레이스들 및 더 적은 브리지들이 요구되기 때문에, 터치 전극 아키텍처 설계를 단순화할 수 있다.In some examples, a touch electrode architecture for differential driving without differential sensing can be implemented. Differential driving can still reduce touch-to-display noise. A touch electrode architecture for differential drive can simplify touch electrode architecture design because fewer routing traces and fewer bridges are required compared to some of the differential drive and differential sensing touch electrode architectures described herein. there is.
일부 예들에서, 터치 전극 아키텍처 내의 하나 이상의 터치 노드들은 각각 행 전극들의 차동 쌍 및 열 전극들의 차동 쌍을 포함한다. 예를 들어, 터치 노드는 제1 행 전극(Rx0+)의 일부분 및 제2 행 전극(Rx0-)의 일부분(예를 들어, 터치 감지를 위한 차동 입력들에 대응함), 및 제1 열 전극(Tx0+)의 일부분 및 제2 열 전극(Tx0-)의 일부분(예를 들어, 터치 구동의 차동 상보적 출력들에 대응함)을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 행 전극들 및 제1 및 제2 열 전극들의 배열은 동위상인 2개의 지배적 상호 커패시턴스들을 야기할 수 있다. 추가적으로, 터치 노드가 제1 및 제2 행 전극들 및 제1 및 제2 열 전극들의 일부분들을 포함하기 때문에, 차동 상쇄는 2개의 터치 노드들에 걸쳐서보다는 터치 노드당 기반으로 발생한다. 추가적으로, 비-지배적(부수적) 기생 커패시턴스는, 라우팅 길이들을 감소시키고 기생 상호 커패시턴스를 생성하는 전극들 사이의 분리를 증가시킴으로써 감소될 수 있다.In some examples, one or more touch nodes in the touch electrode architecture each include a differential pair of row electrodes and a differential pair of column electrodes. For example, the touch node may include a portion of the first row electrode Rx0+ and a portion of the second row electrode Rx0− (eg, corresponding to differential inputs for sensing touch), and the first column electrode Tx0+. ) and a portion of the second column electrode Tx0− (eg, corresponding to differential and complementary outputs of touch driving). The arrangement of the first and second row electrodes and the first and second column electrodes may result in two dominant mutual capacitances that are in phase. Additionally, because the touch node includes first and second row electrodes and portions of first and second column electrodes, differential cancellation occurs on a per touch node basis rather than across two touch nodes. Additionally, non-dominant (collateral) parasitic capacitance can be reduced by reducing routing lengths and increasing the separation between electrodes that creates parasitic mutual capacitance.
일부 예들에서, 터치 전극 아키텍처는 터치 노드 내에 완전히 차동적으로 인터리빙된 행 및 열 전극들을 포함한다. 일부 예들에서, 행 (또는 열) 전극들에 대해 차동이고 열 (또는 행) 전극들에 대해 의사차동인 터치 전극 아키텍처.In some examples, the touch electrode architecture includes fully differentially interleaved row and column electrodes within a touch node. In some examples, a touch electrode architecture that is differential for row (or column) electrodes and pseudodifferential for column (or row) electrodes.
일부 예들에서, 공간적 분리 및 공간적 필터링을 사용하여 공통 모드 잡음이 감소될 수 있다. 터치 신호와 공통 모드 잡음 신호 사이의 공간적 분리는 송신기 및 수신기 전극들에 대한 감소된 피치를 갖는 터치 전극 아키텍처를 사용하여 달성될 수 있다.In some examples, common mode noise may be reduced using spatial separation and spatial filtering. Spatial separation between the touch signal and the common mode noise signal can be achieved using a touch electrode architecture with reduced pitch for the transmitter and receiver electrodes.
도 1a 내지 도 1e는 본 개시내용의 예들에 따른 터치 스크린을 포함할 수 있는 예시적인 시스템들을 예시한다. 도 1a는 본 개시내용의 예들에 따른 터치 스크린(124)을 포함하는 예시적인 모바일 폰(136)을 예시한다. 도 1b는 본 개시내용의 예들에 따른 터치 스크린(126)을 포함하는 예시적인 디지털 미디어 재생기(140)를 예시한다. 도 1c는 본 개시내용의 예들에 따른 터치 스크린(128)을 포함하는 예시적인 개인용 컴퓨터(144)를 예시한다. 도 1d는 본 개시내용의 예들에 따른 터치 스크린(130)을 포함하는 예시적인 태블릿 컴퓨팅 디바이스(148)를 예시한다. 도 1e는 본 개시내용의 예들에 따른 터치 스크린(132)을 포함하고 스트랩(152)을 이용하여 사용자에 부착될 수 있는 예시적인 웨어러블 디바이스(150)를 예시한다. 터치 스크린은 다른 디바이스들에서도 구현될 수 있음이 이해된다.1A-1E illustrate example systems that may include a touch screen according to examples of the present disclosure. 1A illustrates an example
일부 예들에서, 터치 스크린들(124, 126, 128, 130, 132)은 자기-커패시턴스에 기초할 수 있다. 자기-커패시턴스 기반 터치 시스템은, 전도성 재료의 작은 개별 플레이트들의 매트릭스 또는 전도성 재료의 개별 플레이트들의 그룹들을 포함하여, (도 4b를 참조하여 아래에서 기술되는 바와 같은) 터치 전극들로 또는 터치 노드 전극들로 지칭될 수 있는 더 큰 전도성 영역들을 형성할 수 있다. 예를 들어, 터치 스크린은 복수의 개별 터치 전극들을 포함할 수 있으며, 각각의 터치 전극은 터치 또는 근접이 감지될 터치 스크린 상의 고유한 위치(예컨대, 터치 노드)를 식별하거나 나타내고, 각각의 터치 노드 전극은 터치 스크린/패널 내의 다른 터치 노드 전극들로부터 전기적으로 분리되어 있다. 그러한 터치 스크린은 픽셀형 자기-커패시턴스 터치 스크린으로 지칭될 수 있지만, 일부 예들에서 터치 스크린 상의 터치 노드 전극들은 터치 스크린 상에서 자기-커패시턴스 스캔 이외의 스캔(예컨대, 상호 커패시턴스 스캔)을 수행하는 데 사용될 수 있음이 이해된다. 동작 동안, 터치 노드 전극은 교류 전류(AC) 파형으로 자극될 수 있고, 터치 노드 전극의 접지에 대한 자기-커패시턴스가 측정될 수 있다. 물체가 터치 노드 전극에 접근함에 따라, 터치 노드 전극의 접지에 대한 자기-커패시턴스는 변화할 수 있다(예컨대, 증가할 수 있다). 터치 노드 전극의 자기-커패시턴스에서의 이러한 변화는, 다수의 물체들이 터치 스크린을 터치하거나 그에 근접하여 올 때 그들의 위치들을 결정하기 위해 터치 감지 시스템에 의해 검출 및 측정될 수 있다. 일부 예들에서, 자기-커패시턴스 기반 터치 시스템의 터치 노드 전극들은 전도성 재료의 행들 및 열들로부터 형성될 수 있으며, 위에서와 유사하게, 행들 및 열들의 접지에 대한 자기-커패시턴스의 변화가 검출될 수 있다. 일부 예들에서, 터치 스크린은 다중 터치, 단일 터치, 프로젝션 스캔, 풀-이미징(full-imaging) 다중 터치, 용량성 터치 등일 수 있다.In some examples,
일부 예들에서, 터치 스크린들(124, 126, 128, 130, 132)은 상호 커패시턴스에 기초할 수 있다. 상호 커패시턴스 기반 터치 시스템은, (양면형 구성으로) 상이한 층들 상에서 서로 교차할 수 있거나 (예컨대, 도 4a를 참조하여 아래에서 기술되는 바와 같이) 동일한 층 상에서 서로 인접할 수 있는 구동 및 감지 라인들로서 배열되는 전극들을 포함할 수 있다. 교차하거나 인접하는 위치들은 터치 노드들을 형성할 수 있다. 동작 동안, 구동 라인은 AC 파형으로 자극될 수 있고, 터치 노드의 상호 커패시턴스가 측정될 수 있다. 물체가 터치 노드에 접근함에 따라, 터치 노드의 상호 커패시턴스가 변화할 수 있다(예컨대, 감소할 수 있다). 터치 노드의 상호 커패시턴스의 이러한 변화는, 다수의 물체들이 터치 스크린을 터치하거나 그에 근접하여 올 때 그들의 위치들을 결정하기 위해 터치 감지 시스템에 의해 검출 및 측정될 수 있다. 본 명세서에 기술된 바와 같이, 일부 예들에서, 상호 커패시턴스 기반 터치 시스템은 전도성 재료의 작은 개별 플레이트들의 매트릭스로부터 터치 노드들을 형성할 수 있다.In some examples,
일부 예들에서, 터치 스크린들(124, 126, 128, 130, 132)은 상호 커패시턴스 및/또는 자기-커패시턴스에 기초할 수 있다. 전극들은 (예컨대, 도 4b의 터치 스크린(402) 내의 터치 노드 전극들(408)에서와 같이) 전도성 재료의 작은 개별 플레이트들의 매트릭스로서, 또는 (예컨대, 도 4a의 터치 스크린(400) 내의 행 터치 전극들(404) 및 열 터치 전극들(406)에서와 같이) 구동 라인들 및 감지 라인들로서, 또는 다른 패턴으로 배열될 수 있다. 전극들은 상호 커패시턴스 또는 자기-커패시턴스 감지 또는 상호 커패시턴스 감지와 자기-커패시턴스 감지의 조합에 대해 구성가능할 수 있다. 예를 들어, 하나의 동작 모드에서, 전극들은 전극들 사이의 상호 커패시턴스를 감지하도록 구성될 수 있고, 상이한 동작 모드에서, 전극들은 전극들의 자기-커패시턴스를 감지하도록 구성될 수 있다. 일부 예들에서, 전극들 중 일부는 그들 사이의 상호 커패시턴스를 감지하도록 구성될 수 있고, 전극들 중 일부는 그의 자기-커패시턴스를 감지하도록 구성될 수 있다.In some examples,
도 2는 본 개시내용의 예들에 따른 터치 스크린을 포함하는 예시적인 컴퓨팅 시스템을 예시한다. 컴퓨팅 시스템(200)은, 예를 들어, 모바일 폰, 태블릿, 터치패드, 휴대용 또는 데스크톱 컴퓨터, 휴대용 미디어 재생기, 웨어러블 디바이스, 또는 터치 스크린 또는 터치 센서 패널을 포함하는 임의의 모바일 또는 비-모바일 컴퓨팅 디바이스 내에 포함될 수 있다. 컴퓨팅 시스템(200)은 하나 이상의 터치 프로세서들(202), 주변기기들(204), 터치 제어기(206), 및 터치 감지 회로부(하기에서 더 상세히 기술됨)를 포함하는 터치 감지 시스템을 포함할 수 있다. 주변장치들(204)은 랜덤 액세스 메모리(RAM) 또는 다른 유형들의 메모리 또는 저장소, 감시 타이머(watchdog timer) 등을 포함할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다. 터치 제어기(206)는 하나 이상의 감지 채널(208), 채널 스캔 로직(210) 및 구동기 로직(214)을 포함할 수 있지만, 이로 제한되지 않는다. 채널 스캔 로직(210)은 RAM(212)에 액세스하고, 감지 채널들로부터 데이터를 자율적으로 판독하고 감지 채널들에 제어를 제공할 수 있다. 게다가, 채널 스캔 로직(210)은 아래에 더 상세하게 기술되는 바와 같이, 터치 스크린(220)의 터치 감지 회로부의 구동 영역에 선택적으로 인가될 수 있는 다양한 주파수들 및/또는 위상들로 자극 신호(216)를 생성하기 위해 구동기 로직(214)을 제어할 수 있다. 일부 예들에서, 터치 제어기(206), 터치 프로세서(202), 및 주변기기들(204)은 단일 주문형 집적 회로(ASIC) 내에 통합될 수 있고, 일부 예들에서, 터치 스크린(220) 자체와 통합될 수 있다.2 illustrates an example computing system including a touch screen according to examples of the present disclosure.
도 2에 도시된 아키텍처는 컴퓨팅 시스템(200)의 단지 하나의 예시적인 아키텍처일 뿐이고, 시스템은 도시된 것보다 더 많거나 더 적은 컴포넌트들을 가질 수 있거나, 또는 컴포넌트들의 상이한 구성을 가질 수 있음이 명백해야 한다. 일부 예들에서, 컴퓨팅 시스템(200)은 전력 공급을 제공하기 위한 에너지 저장 디바이스(예컨대, 배터리) 및/또는 유선 또는 무선 통신을 제공하기 위한 통신 회로부(예컨대, 셀룰러, 블루투스, Wi-Fi 등)를 포함할 수 있다. 도 2에 도시된 다양한 컴포넌트들은 하나 이상의 신호 프로세싱 및/또는 주문형 집적 회로들을 포함하는 하드웨어, 소프트웨어, 펌웨어, 또는 이들의 임의의 조합으로 구현될 수 있다.It should be clear that the architecture shown in FIG. 2 is just one exemplary architecture of a
컴퓨팅 시스템(200)은, 터치 프로세서(202)로부터 출력들을 수신하고 그 출력들에 기초하여 작업들을 수행하기 위한 호스트 프로세서(228)를 포함할 수 있다. 예를 들면, 호스트 프로세서(228)는 프로그램 저장소(232), 및 디스플레이 제어기/구동기(234)(예컨대, 액정 디스플레이(LCD) 구동기)에 연결될 수 있다. 본 개시내용의 일부 예들이 LCD 디스플레이들을 참조하여 기술될 수 있지만, 본 개시내용의 범주는 그렇게 제한되지 않으며, 유기 LED(OLED), 액티브-매트릭스 유기 LED(AMOLED) 및 패시브-매트릭스 유기 LED(PMOLED) 디스플레이들을 비롯한, 발광 다이오드(LED) 디스플레이들과 같은, 다른 타입의 디스플레이들로 연장될 수 있다는 것이 이해된다. 디스플레이 구동기(234)는 선택(예컨대, 게이트) 라인들 상의 전압들을 각각의 픽셀 트랜지스터로 제공할 수 있고, 픽셀 디스플레이 이미지를 제어하기 위해 이러한 동일한 트랜지스터들로 데이터 라인들을 따라 데이터 신호들을 제공할 수 있다.
호스트 프로세서(228)는 터치 스크린(220) 상에 사용자 인터페이스(UI)의 디스플레이 이미지와 같은 디스플레이 이미지를 생성하기 위해 디스플레이 구동기(234)를 사용할 수 있고, 디스플레이된 UI에 대한 터치 입력과 같은 터치 스크린(220) 상에서의 또는 그 근처에서의 터치를 검출하기 위해 터치 프로세서(202) 및 터치 제어기(206)를 사용할 수 있다. 터치 입력은, 커서 또는 포인터와 같은 물체를 이동시키는 것, 스크롤링 또는 패닝(panning)하는 것, 제어 설정을 조정하는 것, 파일 또는 문서를 여는 것, 메뉴를 보는 것, 선택을 행하는 것, 명령어들을 실행시키는 것, 호스트 디바이스에 연결된 주변기기 디바이스를 동작시키는 것, 전화 호출을 받는 것, 전화 호출을 거는 것, 전화 호출을 종료하는 것, 볼륨 또는 오디오 설정을 변경하는 것, 주소, 자주 다이얼링되는 번호, 받은 호출, 부재중 호출과 같은 전화 통신과 관련된 정보를 저장하는 것, 컴퓨터 또는 컴퓨터 네트워크에 로그인하는 것, 컴퓨터 또는 컴퓨터 네트워크의 제한된 영역들에의 허가된 개인의 액세스를 허용하는 것, 컴퓨터 데스크톱의 사용자 선호 배열과 연관된 사용자 프로파일을 로딩하는 것, 웹 콘텐츠에의 액세스를 허용하는 것, 특정 프로그램을 론칭(launching)하는 것, 메시지를 암호화 또는 디코딩하는 것 등을 포함할 수 있지만, 이들로 제한되지 않는 액션들을 수행하기 위해 프로그램 저장소(232)에 저장된 컴퓨터 프로그램들에 의해 사용될 수 있다. 호스트 프로세서(228)는, 또한, 터치 프로세싱에 관련되지 않을 수 있는 추가 기능들을 수행할 수 있다.The
본 명세서에서 설명되는 기능들 중 하나 이상은 메모리(예컨대, 도 2의 주변기기들(204) 중 하나)에 저장되고 터치 프로세서(202)에 의해 실행되거나, 또는 프로그램 저장소(232)에 저장되고 호스트 프로세서(228)에 의해 실행되는 펌웨어에 의해 수행될 수 있음에 유의한다. 펌웨어는, 또한, 명령어 실행 시스템, 장치, 또는 디바이스로부터 명령어들을 페치(fetch)할 수 있고 명령어들을 실행시킬 수 있는 컴퓨터 기반 시스템, 프로세서 포함 시스템, 또는 다른 시스템과 같은, 명령어 실행 시스템, 장치, 또는 디바이스에 의해 또는 그와 관련하여 사용하기 위한 임의의 비일시적 컴퓨터 판독가능 저장 매체 내에 저장되고/되거나 전송될 수 있다. 본 명세서의 맥락에서, "비일시적 컴퓨터 판독가능 저장 매체"는 명령어 실행 시스템, 장치, 또는 디바이스에 의해 또는 그와 관련하여 사용하기 위한 프로그램을 포함하거나 저장할 수 있는 (신호들을 제외한) 임의의 매체일 수 있다. 일부 예들에서, RAM(212) 또는 프로그램 저장소(232)(또는 둘 모두)는 비일시적 컴퓨터 판독가능 저장 매체일 수 있다. RAM(212) 및 프로그램 저장소(232) 중 하나 또는 둘 모두는, 터치 프로세서(202) 또는 호스트 프로세서(228) 또는 둘 모두에 의해 실행될 때, 컴퓨팅 시스템(200)을 포함하는 디바이스로 하여금 본 개시내용의 하나 이상의 예들의 하나 이상의 기능들 및 방법들을 수행하게 할 수 있는 명령어들을 내부에 저장하고 있을 수 있다. 컴퓨터 판독가능 저장 매체는 전자, 자기, 광학, 전자기, 적외선, 또는 반도체 시스템, 장치 또는 디바이스, 휴대용 컴퓨터 디스켓(자기), 랜덤 액세스 메모리(RAM)(자기), 판독 전용 메모리(ROM)(자기), 소거가능한 프로그래밍가능 판독 전용 메모리(EPROM)(자기), CD, CD-R, CD-RW, DVD, DVD-R, 또는 DVD-RW와 같은 휴대용 광학 디스크, 또는 콤팩트 플래시 카드, 보안 디지털 카드, USB 메모리 디바이스, 메모리 스틱과 같은 플래시 메모리 등을 포함할 수 있지만, 이들로 제한되지 않는다.One or more of the functions described herein may be stored in memory (e.g., one of
펌웨어는, 또한, 명령어 실행 시스템, 장치, 또는 디바이스로부터 명령어들을 페치할 수 있고 명령어들을 실행시킬 수 있는 컴퓨터 기반 시스템, 프로세서 포함 시스템, 또는 다른 시스템과 같은, 명령어 실행 시스템, 장치, 또는 디바이스에 의해 또는 그와 관련하여 사용하기 위한 임의의 전송 매체 내에서 전파될 수 있다. 본 명세서의 맥락에서, "전송 매체"는 명령어 실행 시스템, 장치, 또는 디바이스에 의해 또는 그와 관련하여 사용하기 위한 프로그램을 전달, 전파 또는 전송할 수 있는 임의의 매체일 수 있다. 전송 매체는 전자, 자기, 광학, 전자기, 또는 적외선의 유선 또는 무선 전파 매체를 포함할 수 있지만, 이로 제한되지 않는다.Firmware may also be performed by an instruction execution system, apparatus, or device, such as a computer-based system, processor-containing system, or other system capable of fetching instructions from and executing instructions. or within any transmission medium for use in connection therewith. In the context of this specification, a “transmission medium” may be any medium capable of conveying, propagating, or transporting a program for use by or in connection with an instruction execution system, apparatus, or device. Transmission media may include, but are not limited to, wired or wireless propagation media of electronic, magnetic, optical, electromagnetic, or infrared.
터치 스크린(220)은, 본 명세서에서 터치 노드들로 지칭되는, 터치 스크린의 다수의 별개의 위치들에서 터치 정보를 도출하는 데 사용될 수 있다. 터치 스크린(220)은 복수의 구동 라인들(222) 및 복수의 감지 라인들(223)을 갖는 용량성 감지 매체를 포함할 수 있는 터치 감지 회로부를 포함할 수 있다. 용어 "라인들"은, 때때로, 당업자가 용이하게 이해할 바와 같이, 본 명세서에서 단순한 전도성의 경로들을 의미하기 위해 사용되고, 엄격하게 선형인 요소들로 제한되지 않지만, 방향을 변화시키는 경로들을 포함하고, 상이한 크기, 형상, 재료들 등의 경로들을 포함한다는 것에 유의해야 한다. 구동 라인들(222)은 구동 인터페이스(224)를 통해 구동기 로직(214)으로부터의 자극 신호들(216)에 의해 구동될 수 있고, 감지 라인들(223)에서 생성된 결과적인 감지 신호들(217)은 감지 인터페이스(225)를 통해 터치 제어기(206) 내의 감지 채널들(208)로 송신될 수 있다. 이러한 방식으로, 구동 라인들 및 감지 라인들은 용량성 감지 노드들을 형성하도록 상호작용할 수 있는 터치 감지 회로부의 일부일 수 있고, 용량성 감지 노드들은 터치 화소들(터치 픽셀들)로서 간주될 수 있고 본 명세서에서 터치 노드들(226, 227)과 같은 터치 노드들로 지칭될 수 있다. 이러한 이해 방식은 터치 스크린(220)이 터치의 "이미지"("터치 이미지")를 캡처하는 것처럼 보일 때, 특히 유용할 수 있다. 다시 말하면, 터치 제어기(206)가, 터치가 터치 스크린 내의 각각의 터치 노드들에서 검출되었는지의 여부를 결정한 후에, 터치가 발생한 터치 스크린 내의 터치 노드들의 패턴은 터치의 "이미지"(예를 들면, 터치 스크린을 터치하는 손가락의 패턴)로서 간주될 수 있다. 본 명세서에 사용되는 바와 같이, 다른 전기 컴포넌트에 "커플링된" 또는 "그에 연결된" 전기 컴포넌트는 커플링된 컴포넌트들 사이의 통신 또는 동작을 위한 전기 경로를 제공하는 직접 또는 간접 연결부를 포괄한다. 따라서, 예를 들어, 구동 라인들(222)은 구동기 로직(214)에 직접 연결되거나 구동 인터페이스(224)를 통해 구동 로직(214)에 간접적으로 연결될 수 있고, 감지 라인들(223)은 감지 채널들(208)에 직접 연결되거나 감지 인터페이스(225)를 통해 감지 채널들(208)에 간접적으로 연결될 수 있다. 어느 경우든, 터치 노드들을 구동 및/또는 감지하기 위한 전기 경로가 제공될 수 있다.
도 3a는 본 개시내용의 예들에 따른, 터치 노드 전극(302) 및 감지 회로(314)의 자기-커패시턴스 측정부에 대응하는 예시적인 터치 센서 회로(300)를 예시한다. 터치 노드 전극(302)은 터치 스크린(400)의 터치 전극(404 또는 406) 또는 터치 스크린(402)의 터치 노드 전극(408)에 대응할 수 있다. 터치 노드 전극(302)은 그와 연관된 접지에 대한 고유한 자기-커패시턴스를 가질 수 있고, 또한 손가락(305)과 같은 물체가 전극에 근접해 있거나 터치하는 경우에 형성되는 접지에 대한 부가적인 자기-커패시턴스를 가질 수 있다. 터치 노드 전극(302)의 접지에 대한 총 자기-커패시턴스는 커패시턴스(304)로 도시될 수 있다. 터치 노드 전극(302)은 감지 회로(314)에 커플링될 수 있다. 감지 회로(314)는 연산 증폭기(308), 피드백 저항기(312) 및 피드백 커패시터(310)를 포함할 수 있지만, 다른 구성들이 채용될 수 있다. 예를 들어, 피드백 저항기(312)는 가변 피드백 저항기에 의해 야기될 수 있는 기생 커패시턴스 효과를 최소화하기 위해 스위치드-커패시터 저항기(switched capacitor resistor)에 의해 대체될 수 있다. 터치 노드 전극(302)은 연산 증폭기(308)의 반전 입력(-)에 커플링될 수 있다. AC 전압원(306)(Vac)이 연산 증폭기(308)의 비-반전 입력(+)에 커플링될 수 있다. 터치 센서 회로(300)는 터치 센서 패널을 터치하거나 그에 근접한 손가락 또는 물체에 의해 유도된 터치 노드 전극(302)의 총 자기-커패시턴스(304)에서의 변화들(예컨대, 증가들)을 감지하도록 구성될 수 있다. 출력(320)은 근접 또는 터치 이벤트의 존재를 결정하기 위해 프로세서에 의해 사용될 수 있거나, 또는 출력은 근접 또는 터치 이벤트의 존재를 결정하기 위해 별개의 로직 네트워크 내에 입력될 수 있다.FIG. 3A illustrates an example
도 3b는 본 개시내용의 예들에 따른, 상호 커패시턴스 구동 라인(322) 및 감지 라인(326) 및 감지 회로(314)에 대응하는 예시적인 터치 센서 회로(350)를 예시한다. 구동 라인(322)은 자극 신호(306)(예컨대, AC 전압 신호)에 의해 자극될 수 있다. 자극 신호(306)는 구동 라인(322)과 감지 라인 사이의 상호 커패시턴스(324)를 통해 감지 라인(326)에 용량성으로 커플링될 수 있다. 손가락 또는 물체(305)가 구동 라인(322)과 감지 라인(326)의 교차에 의해 생성된 터치 노드에 접근할 때, 상호 커패시턴스(324)가 (예컨대, 구동 라인(322)과 손가락(305)과 감지 라인(326) 사이에 형성될 수 있는 커패시턴스 CFD(311) 및 커패시턴스 CFS(313)에 의해 표시되는 용량성 커플링으로 인해) 변경될 (예컨대, 감소될) 수 있다. 상호 커패시턴스(324)의 이러한 변화는, 본 명세서에 기술되는 바와 같이, 터치 노드에서의 터치 또는 근접 이벤트를 나타내기 위해 검출될 수 있다. 감지 라인(326) 상에 커플링되는 감지 신호는 감지 회로(314)에 의해 수신될 수 있다. 감지 회로(314)는 피드백 저항기(312) 및 피드백 커패시터(310) 중 적어도 하나와 연산 증폭기(308)를 포함할 수 있다. 도 3b는 저항성 및 용량성 피드백 요소들 양측 모두가 활용되는 일반적인 경우를 예시한다. 감지 신호(Vin이라고 지칭됨)는 연산 증폭기(308)의 반전 입력 내로 입력될 수 있고, 연산 증폭기의 비-반전 입력은 기준 전압 Vref에 커플링될 수 있다. 연산 증폭기(308)는 그의 출력을 전압 Vo로 구동하여 Vin을 Vref와 실질적으로 동일하게 유지시킬 수 있고, 따라서, Vin을 일정하게 유지시키거나 사실상 접지된 것으로 유지할 수 있다. 당업자라면 이 문맥에서 동일하다는 것이 최대 15%의 편차를 포함할 수 있음을 이해할 것이다. 따라서, 저항기(312) 및/또는 커패시터(310)로 구성된 감지 회로(314)의 이득은, 주로, 상호 커패시턴스(324)와 피드백 임피던스 비율의 함수일 수 있다. 감지 회로(314)의 출력 Vo는 곱셈기(328) 내에 공급됨으로써 필터링될 수 있고 헤테로다인(heterodyne) 또는 호모다인(homodyne)될 수 있는데, 여기서 Vo는 국부 발진기(330)와 곱해져서 Vdetect를 생성하게 할 수 있다. Vdetect는 필터(332) 안으로 입력될 수 있다. 당업자는 필터(332)의 배치가 변화될 수 있다는 것을 인식할 것이고; 따라서, 도시된 바와 같이, 필터가 곱셈기(328) 뒤에 배치될 수 있거나, 또는 2개의 필터들, 즉 곱셈기 앞의 하나의 필터 및 곱셈기 뒤의 다른 하나의 필터가 채용될 수 있다. 일부 예들에서는, 필터가 전혀 없을 수 있다. Vdetect의 직류(DC) 부분은 터치 또는 근접 이벤트가 발생했는지의 여부를 결정하는 데 사용될 수 있다. 도 3a 및 도 3b가 곱셈기(328)에서의 복조가 아날로그 도메인에서 발생함을 나타내지만, 출력 Vo는 아날로그-디지털 컨버터(ADC)에 의해 디지털화될 수 있고 블록들(328, 332 및 330)은 디지털 방식으로 구현될 수 있음(예컨대, 328은 디지털 복조기일 수 있고, 332는 디지털 필터일 수 있으며, 330은 디지털 NCO(Numerical Controlled Oscillator)일 수 있음)에 유의한다.3B illustrates an example
도 2를 다시 참조하면, 일부 예들에서, 터치 스크린(220)은 터치 감지 시스템의 터치 감지 회로 요소들이 디스플레이의 디스플레이 픽셀 스택업들 내에 통합될 수 있는 통합형 터치 스크린일 수 있다. 터치 스크린(220) 내의 회로 요소들은, 예를 들어, 하나 이상의 픽셀 트랜지스터들(예컨대, 박막 트랜지스터(TFT)들), 게이트 라인들, 데이터 라인들, 픽셀 전극들, 및 공통 전극들과 같은, LCD 또는 다른 디스플레이들(LED 디스플레이, OLED 디스플레이 등)에 존재할 수 있는 요소들을 포함할 수 있다. 주어진 디스플레이 픽셀에서, 픽셀 전극과 공통 전극 사이의 전압은 디스플레이 픽셀의 휘도(luminance)를 제어할 수 있다. 픽셀 전극 상의 전압은 픽셀 트랜지스터를 통해 데이터 라인에 의해 공급될 수 있으며, 이는 게이트 라인에 의해 제어될 수 있다. 회로 요소들은 전체 커패시터, 전체 트랜지스터 등과 같은 전체 회로 컴포넌트들로 제한되는 것이 아니라, 평행 플레이트 커패시터의 2개의 플레이트들 중 단 하나와 같은, 회로부의 부분들을 포함할 수 있음에 유의한다.Referring back to FIG. 2 , in some examples,
도 4a는 본 개시내용의 예들에 따른, 행들 및 열들로 배열된 터치 전극들(404, 406)을 갖는 터치 스크린(400)을 예시한다. 구체적으로, 터치 스크린(400)은 행들로서 배치되는 복수의 터치 전극들(404), 및 열들로서 배치되는 복수의 터치 전극들(406)을 포함할 수 있다. 터치 전극들(404) 및 터치 전극들(406)은 터치 스크린(400) 상의 동일한 또는 상이한 재료 층들 상에 있을 수 있고, 도 4a에 도시된 바와 같이, 서로 교차할 수 있다. 일부 예들에서, 전극들은 (부분적으로 또는 완전히) 투명한 기판의 반대편 면들 상에 그리고 ITO와 같은 (부분적으로 또는 완전히) 투명한 반도체 재료로부터 형성될 수 있지만, 다른 재료들이 가능하다. 기판의 상이한 면들 상의 층들 상에 디스플레이되는 전극들은 본 명세서에서 양면형 센서로 지칭될 수 있다. 일부 예들에서, 터치 스크린(400)은 터치 스크린(400) 상에서의 터치 및/또는 근접 활동을 검출하기 위해 터치 전극들(404, 406)의 자기-커패시턴스를 감지할 수 있고, 일부 예들에서, 터치 스크린(400)은 터치 스크린(400) 상에서의 터치 및/또는 근접 활동을 검출하기 위해 터치 전극들(404, 406) 사이의 상호 커패시턴스를 감지할 수 있다.4A illustrates a
도 4a는 터치 전극들(404) 및 터치 전극들(406)을 직사각형 전극들로서 예시하지만, 일부 예들에서, 행 및 열 전극들에 대해 다른 형상들 및 구성들이 가능하다. 예를 들어, 일부 예들에서, 일부 또는 모든 행 및 열 전극들은 (부분적으로 또는 완전히) 투명한 반도체 재료로부터 기판의 일 면 상에 형성된 다수의 터치 전극들로부터 형성될 수 있다. 특정 행 또는 열의 터치 전극들은 세그먼트들 및/또는 브리지들을 커플링함으로써 상호연결될 수 있다. 기판의 동일한 면 상의 층에 형성된 행 및 열 전극들은 본 명세서에서 단면 센서로 지칭될 수 있다. 아래 더 상세하게 기술되는 바와 같이, 행 및 열 전극들은 다른 형상들을 가질 수 있다. 추가적으로, 행-열 구성의 관점에서 주로 설명되지만, 일부 예들에서, 동일한 원리들이 비직선형 배열로 터치 노드들의 2-축 어레이에 적용될 수 있다는 것이 이해된다.4A illustrates
도 4b는 본 개시내용의 예들에 따른, 픽셀형 터치 노드 전극 구성으로 배열된 터치 노드 전극들(408)을 갖는 터치 스크린(402)을 예시한다. 구체적으로, 터치 스크린(402)은, 전술된 바와 같이, 복수의 개별 터치 노드 전극들(408)을 포함할 수 있으며, 각각의 터치 노드 전극은 터치 또는 근접(즉, 터치 또는 근접 이벤트)이 감지될 터치 스크린 상의 고유한 위치를 식별하거나 나타내고, 각각의 터치 노드 전극은 터치 스크린/패널 내의 다른 터치 노드 전극들로부터 전기적으로 분리되어 있다. 터치 노드 전극들(408)이 터치 스크린(402) 상의 동일한 또는 상이한 재료 층들 상에 있을 수 있다. 일부 예들에서, 터치 스크린(402)은 터치 스크린(402) 상에서의 터치 및/또는 근접 활동을 검출하기 위해 터치 노드 전극들(408)의 자기-커패시턴스를 감지할 수 있고, 일부 예들에서, 터치 스크린(402)은 터치 스크린(402) 상에서의 터치 및/또는 근접 활동을 검출하기 위해 터치 노드 전극들(408) 사이의 상호 커패시턴스를 감지할 수 있다.4B illustrates a
일부 예들에서, 터치 스크린의 터치 전극들 중 일부 또는 전부가 하나 이상의 층들에서 금속 메시로부터 형성될 수 있다. 도 5는 본 개시내용의 예들에 따른, 금속 메시 층을 포함하는 예시적인 터치 스크린 스택업을 예시한다. 터치 스크린(500)은 기판(509)(예를 들어, 인쇄 회로 보드)을 포함할 수 있는데, 기판 상에는 디스플레이 컴포넌트들(508)(예를 들어, LED들 또는 다른 발광 컴포넌트들 및 회로부)이 장착될 수 있다. 일부 예들에서, 디스플레이 컴포넌트들(508)은 기판(509) 내에 부분적으로 또는 완전히 매설될 수 있다(예컨대, 컴포넌트들은 기판 내의 오목부들에 배치될 수 있다). 기판(509)은 디스플레이 컴포넌트들(예컨대, LED들)을 디스플레이 구동 회로부(예컨대, 디스플레이 구동부(234))로 라우팅하기 위해 하나 이상의 층들에 라우팅 트레이스들을 포함할 수 있다. 터치 스크린(500)의 스택업은 또한 디스플레이 컴포넌트들(508) 위에 침착되는 하나 이상의 패시베이션 층들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 5에 예시된 터치 스크린(500)의 스택업은 제1 금속 층(516)과 제2 금속 층(506) 사이의 중간 층/패시베이션 층(507)(예를 들어, 투명 에폭시), 및 패시베이션 층(517)을 포함할 수 있다. 패시베이션 층들(507, 517)은 각각의 금속 메시 층들에 대한 표면을 평탄화할 수 있다. 추가적으로, 패시베이션 층들은 (예를 들어, 금속 메시 층들 사이에 그리고 LED들과 금속 메시 층 사이에) 전기적 격리를 제공할 수 있다. 금속 메시 층(516)(예를 들어, 구리, 은 등)이 디스플레이 컴포넌트들(508) 위의 패시베이션 층(517)의 평탄화된 표면 상에 침착될 수 있고, 금속 메시 층(506)(예를 들어, 구리, 은 등)이 패시베이션 층(507)의 평탄화된 표면 상에 침착될 수 있다. 일부 예들에서, 패시베이션 층(517)은 부식 또는 기타 환경적 노출로부터 디스플레이 컴포넌트들을 보호하기 위하여 그것들을 캡슐화하기 위한 재료를 포함할 수 있다. 금속 메시 층(506) 및/또는 금속 메시 층(516)은 메시 패턴의 전도체 재료의 패턴을 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 금속 메시 층(506) 및 금속 메시 층(516)은 (예컨대, 중간 층/패시베이션 층(507)을 통한) 하나 이상의 비아들에 의해 커플링될 수 있다. 추가적으로, 도 5에 도시되지 않았지만, 디스플레이 활성 영역 주위의 경계 영역은, 금속 메시 패턴일 수 있거나 아닐 수 있는 금속화(또는 다른 전도성 재료)를 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 금속 메시는 불투명 재료로 형성되지만, 금속 메시 와이어들은 인간의 눈에 투명한 것으로 보일 만큼 충분히 얇고 희박하다. 본 명세서에 설명된 바와 같은 터치 전극들(및 일부 라우팅)은 금속 메시 층(들)에서 금속 메시의 부분들로 형성될 수 있다. 일부 예들에서, 편광기(504)는 금속 메시 층(506) 위에 배치될 수 있다(선택적으로 다른 평탄화 층이 금속 메시 층(506) 위에 배치됨). 커버 글래스(또는 전면 결정)(502)가 편광기(504) 위에 배치되어 터치 스크린(500)의 외측 표면을 형성할 수 있다. 2개의 금속 메시 층들(및 2개의 대응하는 평탄화 층들)이 예시되지만, 일부 예에서는 더 많거나 더 적은 금속 메시 층들(및 대응하는 평탄화 층들)이 구현될 수 있다는 것이 이해된다. 추가적으로, 일부 예들에서, 디스플레이 컴포넌트들(508), 기판(509), 및/또는 패시베이션 층(517)이 일부 예들에서 박막 트랜지스터(TFT) LCD 디스플레이(또는 다른 유형들의 디스플레이들)로 대체될 수 있는 것으로 이해된다. 또한, 편광기(504)는 편광기, 접착제 층들(예컨대, 광학적으로 투명한 접착제) 및 보호 층들을 포함하는 하나 이상의 투명 층들을 포함할 수 있는 것으로 이해된다.In some examples, some or all of the touch electrodes of the touch screen may be formed from a metal mesh in one or more layers. 5 illustrates an example touch screen stackup including a metal mesh layer, in accordance with examples of the present disclosure.
본 명세서에 기재된 바와 같이, 일부 예들에서, 터치 스크린의 터치 전극들은 차동 구동 및/또는 차동 감지될 수 있다. 차동 구동 및 차동 감지는 디스플레이 시스템에 대한 터치 시스템의 근접으로 인해 발생할 수 있는 터치 스크린의 터치 및/또는 디스플레이 시스템들 내의 잡음을 감소시킬 수 있다. 예를 들어, 터치 스크린은 디스플레이 위에 부분적으로 또는 전체적으로 배치(예컨대, 디스플레이에 라미네이팅되거나, 또는 다른 방식으로 디스플레이 스택업 상에 또는 그 안에 통합되는 터치 센서 패널)되거나, 또는 다른 방식으로 디스플레이에 근접한 터치 전극들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 터치 전극들(예컨대, 금속 메시로 형성됨)은 디스플레이 전극들(예컨대, 캐소드 전극들)과 용량성 커플링할 수 있고, 이는 터치 전극들에 잡음을 주입하는 디스플레이 동작을 야기할 수 있다(예컨대, 터치 감지 성능을 떨어뜨림). 추가적으로, 터치 동작(예컨대, 터치 전극들을 자극함)은 디스플레이에 잡음 주입을 야기할 수 있다(예컨대, 이미지 아티팩트를 유발함). 차동 구동 및 차동 감지는 디스플레이로 인해 감지 회로부로 커플링되는 대부분의 잡음으로 하여금 공통 모드가 되게 할 수 있고 공통 모드 잡음은 차동 감지 회로부에 의해 배격될 수 있다. 마찬가지로, 차동 구동은 터치 전극들로부터의 디스플레이 전극들 상의 로컬 불균형을 감소시킬 수 있다. 따라서, 차동 구동은 디스플레이의 캐소드로 하여금 터치 동작으로부터 디스플레이를 보호하게 할 수 있고, 이는 디스플레이 시스템으로 주입된 잡음을 낮출 수 있다(및/또는 비-차동 구동 방식과 비교하여 구동 신호들의 증폭을 증가시키기 위한 헤드룸을 더 많이 허용할 수 있음).As described herein, in some examples, touch electrodes of a touch screen can be differentially driven and/or differentially sensed. Differential drive and differential sensing can reduce noise within the touch screen's touch and/or display systems that can occur due to the proximity of the touch system to the display system. For example, a touch screen may be partially or wholly disposed over a display (e.g., a touch sensor panel laminated to a display, or otherwise incorporated on or into a display stack-up), or otherwise touch proximate to a display. electrodes may be included. For example, touch electrodes (eg, formed of a metal mesh) can capacitively couple with display electrodes (eg, cathode electrodes), which can cause a display operation that injects noise into the touch electrodes. (e.g. degrades touch sensing performance). Additionally, touch actions (eg, stimulating the touch electrodes) may cause noise injection into the display (eg, cause image artifacts). Differential drive and differential sensing can cause most of the noise coupled into the sensing circuitry due to the display to be common mode and the common mode noise can be rejected by the differential sensing circuitry. Likewise, differential drive can reduce the local imbalance on the display electrodes from the touch electrodes. Thus, differential driving may allow the cathode of the display to protect the display from touch operations, which may lower noise injected into the display system (and/or increase amplification of drive signals compared to non-differential driving schemes). may allow more headroom for processing).
본 명세서에 기재된 바와 같이, 차동 구동은 동시에 제1 자극 신호(예컨대, 정현파, 구형파 등)로 2개의 구동 전극들 중 제1 구동 전극을 구동하고 제1 자극 신호(예컨대, 반전 정현파, 반전 구형파 등)와 180 도의 위상차의 제2 자극 신호로 2개의 구동 전극들 중 제2 구동 전극을 구동하는 것을 지칭한다. 일부 예들에서, 제1 및 제2 자극 신호들은 차동 구동 회로에 의해 구동될 수 있다. 일부 예들에서, 제1 및 제2 자극 신호들은 2개의 단일 종단형 구동 회로들에 의해 구동될 수 있다. 차동 구동은, N개의 동시에 구동되는 구동 전극들에 대하여, 구동 전극들 중 절반은 자극 신호들의 제1 세트로 동시에 구동될 수 있고, 구동 전극들 중 다른 절반은 제1 세트에 상보적인 자극 신호들의 제2 세트(예컨대, 제1 세트의 반전된 버전)로 동시에 구동될 수 있도록, 둘 초과의 구동 전극들에 대하여 연장될 수 있다. 본 명세서에 기재된 바와 같이, 차동 감지는 2개의 감지 전극들을 차동으로 감지하는 것을 지칭한다. 예를 들어, 2개의 감지 전극들 중 제1 감지 전극은 차동 증폭기의 제1 단자로 입력될 수 있고(예컨대, 반전 입력) 2개의 감지 전극들 중 제2 감지 전극은 차동 증폭기의 제2 단자(예컨대, 비-반전 입력)로 입력될 수 있다. 일부 예들에서, 차동 감지는 2개의 단일 종단형 증폭기들로 구현될 수 있는데(예컨대, 감지 회로(314)), 각각은 하나의 감지 전극을 감지하고, 2개의 ADC들은 2개의 단일 종단형 증폭기의 출력들을 디지털 출력으로 전환하도록 구성된다. 차동은 2개의 증폭기들의 디지털 출력들 사이에서 (예컨대, 아날로그 또는 디지털 도메인에서) 연산될 수 있다. 일부 예들에서, (2개의 단일 종단형 증폭기들보다는) 차동 증폭기들을 이용하는 것은 신호의 차분에 대하여 개선된 입력 참조 잡음을 제공할 수 있다(공통 모드 잡음 제거 및 동적 범위 감소). 일부 예들에서, (차동 증폭기보다는) 단일 종단형 증폭기들을 이용하는 것은 시스템에 유용할 수 있는 공통 모드 잡음을 나타내는 출력을 제공할 수 있다.As described herein, differential driving simultaneously drives a first one of the two driving electrodes with a first stimulation signal (eg, a sine wave, an inverted square wave, etc.) ) and a second stimulus signal having a phase difference of 180 degrees, which refers to driving a second driving electrode among two driving electrodes. In some examples, the first and second excitation signals may be driven by a differential drive circuit. In some examples, the first and second excitation signals may be driven by two single-ended driving circuits. Differential driving is such that for N simultaneously driven drive electrodes, half of the drive electrodes can be simultaneously driven with a first set of stimulation signals and the other half of the drive electrodes can be driven with stimulation signals complementary to the first set. It can be extended for more than two drive electrodes so that a second set (eg, an inverted version of the first set) can be driven simultaneously. As described herein, differential sensing refers to sensing the two sensing electrodes differentially. For example, a first sensing electrode of the two sensing electrodes may be input to a first terminal of the differential amplifier (eg, an inverting input) and a second sensing electrode of the two sensing electrodes may be input to a second terminal of the differential amplifier (eg, an inverting input). For example, a non-inverting input) may be input. In some examples, differential sensing may be implemented with two single-ended amplifiers (e.g., sense circuit 314), each sensing one sensing electrode, and two ADCs of the two single-ended amplifiers. It is configured to convert the outputs into digital outputs. A differential may be computed (eg, in the analog or digital domain) between the digital outputs of the two amplifiers. In some examples, using differential amplifiers (rather than two single-ended amplifiers) can provide improved input-referred noise for the differential of the signal (common-mode noise rejection and reduced dynamic range). In some examples, using single-ended amplifiers (rather than a differential amplifier) can provide an output representative of common mode noise that can be useful in the system.
도 6a는 본 개시내용의 예들에 따른, 차동 감지를 구현하는 터치 센서 패널의 기호 표현을 예시한다. 도 6a는 행 전극들(602A 내지 602D)(또한 구동 전극들 또는 라인들로 지칭됨) 및 열 전극들(604A 내지 604H)(또한 감지 전극들 또는 라인들로 지칭됨)을 포함하는 터치 센서 패널(600)을 예시한다. 터치 센서 패널(600)은 또한, 행 전극들(602A 내지 602D)을 구동하도록 구성된 구동 회로부(예컨대, 구동기 로직(214)에 대응할 수 있는 구동기들/송신기들(606A 내지 606D)) 및 열 전극들(604A 내지 604H)을 감지하도록 구성된 감지 회로부(예컨대, 감지 채널들(208)의 일부에 대응할 수 있는 차동 증폭기들(608A 내지 608D))를 포함할 수 있다. 용어 "행" 및 "열"은 본 개시내용에 걸쳐 행 및 열 배열들을 나타내는 도면들과 함께 사용될 수 있지만, 이 용어들은 설명의 편의를 위해 사용되고, 실제 배향들은 본 개시내용의 예들에 따라 상호교환될 수 있다는 것을 이해하여야 한다.6A illustrates a symbolic representation of a touch sensor panel implementing differential sensing, in accordance with examples of the present disclosure. 6A shows a touch sensor panel including
특히, 터치 센서 패널(600)은 4개의 행 전극들(602A 내지 602D) 및 8개의 열 전극들(604A 내지 604H)을 구비한 터치 센서 패널을 예시한다. 각각의 구동기/송신기(606A 내지 606D)는 행 전극들(602A 내지 602D)의 각각의 행 전극에 커플링될 수 있다(예컨대, 구동기/송신기(606A)는 행 전극(602A)에 커플링될 수 있고, 구동기/송신기(606B)는 행 전극(602B)에 커플링될 수 있는 등등이다). 각각의 차동 증폭기(608A 내지 608D)는 열 전극들(604A 내지 604H)의 각각의 쌍에 커플링될 수 있다(예컨대, 차동 증폭기(608A)는 열 전극들(604A 및 604B)에 커플링될 수 있고, 차동 증폭기(608B)는 열 전극들(604C 및 604D)에 커플링될 수 있는 등등이다). 차동 증폭기들(608A 내지 608D)은 각각 입력들을 가상 접지에 유지하기 위한 (예컨대, 저항성 및/또는 용량성 회로 요소들을 포함하는) 공통 모드 피드백 회로를 포함할 수 있다. 열 전극들의 각각의 쌍의 제1 열 전극은 대응하는 차동 증폭기의 반전 단자에 커플링될 수 있고, 열 전극들의 각각의 쌍의 제2 열 전극은 대응하는 차동 증폭기의 비-반전 단자에 커플링될 수 있다.In particular,
터치 센서 패널(600)은 16개의 커패시턴스 값들을 검출하도록 구동 및 감지될 수 있다. 기술적으로, 상호 커패시턴스(정전기 프린지 필드(electrostatic fringe field))가 각각의 행 전극과 각각의 열 전극의 교차부(또는 인접부) 사이에 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 상호 커패시턴스, 은 행 전극(602A)과 열 전극(604A) 사이에 형성될 수 있고 제2 상호 커패시턴스, 는 행 전극(602A)과 열 전극(604B) 사이에 형성될 수 있다. 그러나, 도 6a에 나타난 바와 같이, 행 전극들 및 열 전극들의 교차부들(또는 인접부들) 중 일부에서의 전도성 재료의 양은 다른 행 전극들의 교차부들(또는 인접부들)에서의 전도성 재료의 양보다 작을 수 있다. 예를 들어, 도 6a에 나타난 바와 같이, 행 전극(602A)과 열 전극(604A)의 교차부에서의 전도성 재료의 양은 행 전극(602A) 및 열 전극(604B)의 교차부에서의 전도성 재료의 양보다 적을 수 있다. 결과적으로, 전자의 상호 커패시턴스(정전기 프린지 필드)는 후자에 대하여 상대적으로 무시할 수 있어서, 일부 예들에서 전자의 상호 커패시턴스가 본질적으로 무시될 수 있도록 할 수 있다. (일부 예들에서, 상대적으로 무시할만한 커패시턴스는 행 및 열 전극들의 소정 부분들 및 또는 행 및 열 전극들의 전기적으로 격리하는 소정 부분들 사이의 거리를 증가시킴으로써 감소될 수 있다.) 예를 들어, 행 전극(602A)과 열 전극(604A) 사이의 상호 커패시턴스()는 행 전극(602A)과 열 전극(604B) 사이의 상호 커패시턴스() 또는 행 전극(602B)과 열 전극(604A)의 상호 커패시턴스()와 비교하여 상대적으로 작을 수 있다.The
도 6a의 각각의 구동기 및 각각의 차동 감지 증폭기 각각에 대하여, 상호 커패시턴스들 중 하나는 지배적(또는 주된) 상호 커패시턴스일 수 있고, 상호 커패시턴스들 중 하나는 부수적 상호 커패시턴스(상호 커패시턴스/정전기 프린지 필드는 전도성 재료의 양 및 전도성 재료의 배열의 함수일 수 있음)일 수 있다. 일부 예들에서, 지배적 상호 커패시턴스는 각각의 구동기/차동 증폭기에 대하여 임계치 초과(예컨대, 80%, 85%, 90%, 95% 초과 등)의 프린지 필드 커플링에 대응할 수 있고, 부수적 상호 커패시턴스는 각각의 구동기/차동 증폭기에 대하여 임계치 미만(예컨대, 20%, 15%, 10%, 5% 미만 등)의 프린지 필드 커플링에 대응할 수 있다. 따라서, 터치 센서 패널(600)에 대하여 측정된 16개의 값들은 행 전극들 및 열 전극들을 위한 전도성 재료의 패턴에 의한 지배적 상호 커패시턴스들을 나타낼 수 있다. 예를 들어, C0는 행 전극(602A)과 열 전극(604B) 사이의 지배적 상호 커패시턴스를 나타낼 수 있고, C1은 행 전극(602B)과 열 전극(604A) 사이의 지배적 상호 커패시턴스를 나타낼 수 있고, C2는 행 전극(602C)과 열 전극(604B) 사이의 지배적 상호 커패시턴스를 나타낼 수 있고, C3는 행 전극(602D)과 열 전극(604A) 사이의 지배적 상호 커패시턴스를 나타낼 수 있다. 이러한 지배적 상호 커패시턴스들의 각각은 터치 센서 패널에 대한 유효 터치 노드를 나타낼 수 있다. 일부 예들에서, 본 명세서에 기재된 "유효 터치 노드"는 대안적으로 "터치 노드"로 지칭될 수 있는데, 그 이유는 그것이 터치 센서 패널의 영역에 대한 지배적 상호 커패시턴스를 나타낼 수 있기 때문이다.For each driver and each differential sense amplifier in FIG. 6A, one of the mutual capacitances may be the dominant (or primary) mutual capacitance, and one of the mutual capacitances may be a minor mutual capacitance (mutual capacitance/static fringe field is may be a function of the amount of conductive material and the arrangement of the conductive material). In some examples, the dominant mutual capacitance may correspond to a fringe field coupling above a threshold (e.g., greater than 80%, 85%, 90%, 95%, etc.) for each driver/differential amplifier, and the incidental mutual capacitance is each may correspond to a fringe field coupling below the threshold (eg, less than 20%, 15%, 10%, 5%, etc.) for a driver/differential amplifier of . Thus, the 16 values measured for the
지배적 상호 커패시턴스(상대적으로 높은 정전기 프린지 필드) 및 부수적 상호 커패시턴스들(상대적으로 낮은 정전기 프린지 필드)은, 일부 예들에서, 공간적으로 교번할 수 있다. 공간적으로 교번하는 것은 하나 또는 둘 모두의 차원을 따라 나타날 수 있다. 예를 들어, 구동기(606A)/행 전극(602A)의 경우, 지배적 커패시턴스들(C0, C4, C8, C12)(열 전극(604B, 604D, 604F, 604H) 및 차동 증폭기들(608A 내지 608D)의 반전 단자로 형성됨)은 부수적 커패시턴스들(, , , )과 공간적으로 교번할 수 있다. 나머지 구동기들/행 전극들에 대하여, 지배적 및 부수적 커패시턴스들은 또한 공간적으로 교번할 수 있다. 차동 증폭기(608A)의 반전 단자/열 전극(604B)에 대하여, 지배적 커패시턴스들(C0, C2)(행 전극(602A, 602C) 및 대응하는 구동기(606A, 606C)로 형성됨)은 부수적 커패시턴스들(, )과 공간적으로 교번할 수 있다. 차동 증폭기(608A)의 비-반전 단자/열 전극(604A)에 대하여, 지배적 커패시턴스들(C1, C3)(행 전극(602B, 602D) 및 대응하는 구동기(606B, 606D)로 형성됨)은 부수적 커패시턴스들(, )과 공간적으로 교번할 수 있다. 나머지 차동 증폭기/열 전극들에 대하여, 지배적 및 부수적 커패시턴스들은 또한 공간적으로 교번할 수 있다.The dominant mutual capacitance (relatively high electrostatic fringe field) and secondary mutual capacitances (relatively low electrostatic fringe field) may, in some examples, spatially alternate. Spatially alternating may appear along one or both dimensions. For example, for
동작 동안, 행 전극들(602A 내지 602D)은 구동 신호들(H0 내지 H3)의 다중 자극 패턴으로 자극될 수 있고, 열 전극들(604A 내지 604D)은 차동 증폭기들(608A 내지 608D)을 이용하여 차동 감지될 수 있다. 예를 들어, 다중 자극 패턴은 구동 신호들을 인코딩하기 위하여 공통 자극 신호(예컨대, 정현파, 구형파 등)에 적용되는 아다마르 행렬(Hadamard matrix)(예컨대, 구동기 및 구동 단계에 인덱싱된, "1" 및 "-1" 값들을 포함하는 4x4 행렬)일 수 있다. 다중 자극 패턴은 지배적 상호 커패시턴스들이 다중 자극 구동 패턴에 기초하여 측정 및 디코딩되도록 할 수 있다. 열 전극들을 차동 감지하는 것은 터치 측정치들로부터 공통 모드 잡음을 제거할 수 있다. 터치 센서 패널(600)이 16개의 지배적 커패시턴스 값들을 포함하지만(예컨대, 4x4 어레이의 16개의 터치 노드들에 대응함), 터치 센서 패널은 더 적거나 또는 더 많은 터치 노드들을 포함하도록 확대 또는 축소될 수 있다는 것을 이해하여야 한다.During operation,
일부 예들에서, 잡음을 줄임으로써 신호 대 잡음비(SNR)를 개선하기 위하여, 터치 센서 패널(600)은 차동 구동을 구현하도록 변경될 수 있다. 예를 들어, 유효 터치 노드들의 행당 하나의 구동 라인을 구현하는 대신에, 유효 터치 노드들의 행당 2개의 구동 라인들이 사용될 수 있다. 도 6b는 본 개시내용의 예들에 따른, 차동 구동 및 차동 감지를 구현하는 터치 센서 패널의 기호 표현을 예시한다. 도 6b는 행 전극들(602A 내지 602D) 및 행 전극들(602A' 내지 602D')(8개의 행 전극들) 및 열 전극들(604A 내지 604H)(8개의 열 전극들)을 포함하는 터치 센서 패널(510)을 예시한다. 터치 센서 패널(600)은 또한 행 전극들(602A 내지 602D, 602A' 내지 602D')을 구동하도록 구성된 구동 회로부(예컨대, 구동기들/송신기들(606A 내지 606D) 및 구동기들/송신기들(606A' 내지 606D')) 및 열 전극들(604A 내지 604H)을 감지하도록 구성된 감지 회로부(예컨대, 차동 증폭기들(608A 내지 608D))를 포함할 수 있다.In some examples, to improve signal-to-noise ratio (SNR) by reducing noise,
각각의 구동기/송신기(606A 내지 606D, 606A' 내지 606D')는 행 전극들(602A 내지 602D, 602A' 내지 602D')의 각각의 행 전극에 커플링될 수 있고, 각각의 차동 증폭기(608A 내지 608D)는 열 전극들(604A 내지 604H)의 각각의 쌍에 커플링될 수 있다. 터치 센서 패널(600)과 비교하여 행 전극들을 배증(doubling)시킴에도 불구하고, 터치 센서 패널(510)은 16개의 지배적 상호 커패시턴스 값들을 검출하도록 구동 및 감지될 수 있다(도 6a에서 일부 행 전극들 및 열 전극들의 상대적으로 많은 양의 전도성 재료에 의해 표현됨). 16개의 지배적 상호 커패시턴스 값들은 터치 센서 패널에 대한 터치 노드들의 4x4 어레이를 나타낼 수 있다. 동작 동안, 행 전극들(602A 내지 602D) 및 행 전극들(602A' 내지 602D')은 구동 신호들(H0 내지 H3, H0' 내지 H3')의 다중 자극 패턴으로 자극될 수 있고, 열 전극들(604A 내지 604D)은 차동 증폭기들(608A 내지 608D)을 이용하여 차동 감지될 수 있다. 일부 예들에서, 다중 자극 패턴은 구동 신호들을 인코딩하기 위하여 공통 자극 신호(예컨대, 정현파, 구형파 등)에 적용되는 2개의 직교하는 아다마르 행렬들(예컨대, 구동기 및 구동 단계에 인덱싱된, "1" 및 "-1" 값들을 포함하는 각각의 4x4 행렬)일 수 있다. 일부 예들에서, 다중 자극 패턴은 구동 신호들을 인코딩하기 위하여 공통 자극 신호(예컨대, 정현파, 구형파 등)에 적용되는 하나의 아다마르 행렬 및 그것의 상보적인 신호들(180 도의 위상차)일 수 있다. 다중 자극 패턴은 지배적 상호 커패시턴스들이 다중 자극 구동 패턴에 기초하여 측정 및 디코딩되도록 할 수 있다. 열 전극들을 차동 감지하는 것은 터치 측정치들로부터 공통 모드 잡음을 제거할 수 있다. 터치 센서 패널(510)이 16개의 지배적 커패시턴스 값들을 포함하지만(예컨대, 16개의 터치 노드들에 대응함), 터치 센서 패널은 더 적거나 또는 더 많은 터치 노드들을 포함하도록 확대 또는 축소될 수 있음이 이해되어야 한다.Each driver/
도 6a에 관하여 기재되는 바와 같이, 지배적 상호 커패시턴스(상대적으로 높은 정전기 프린지 필드) 및 부수적 상호 커패시턴스들(상대적으로 낮은 정전기 프린지 필드)은, 도 6b에서, 공간적으로 패턴화될 수 있다. 일부 예들에서, 공간적 교번은 하나 또는 둘 모두의 차원을 따라 나타날 수 있다. 예를 들어, 구동기(606A)/행 전극(602A)의 경우, 지배적 커패시턴스들이 열 전극들(604B, 604F)과의 교차부들에 형성될 수 있고, 부수적 커패시턴스들은 열들 전극들(604A, 604C 내지 604E, 604G, 604H)과의 나머지 교차부들에 형성된다. 유사한 방식으로, 구동기(606B)/행 전극(602A'), 지배적 커패시턴스들은 열 전극들(604D, 604H)과의 교차부들에 형성될 수 있고, 부수적 커패시턴스들은 열들 전극들(604A 내지 604C, 604E 내지 604G)과의 나머지 교차부들에 형성된다. 지배적 및 부수적 커패시턴스들의 공간 패턴은 나머지 행들에 대하여 반복될 수 있다. 차동 증폭기(608A)의 반전 단자/열 전극(604B)에 대하여, 지배적 커패시턴스들(C0, C2)은 행 전극(602A, 602C) 및 대응하는 구동기(606A, 606C)와의 교차부들에서 형성될 수 있고, 부수적 커패시턴스들은 열(604B)에 대한 나머지 교차부들에 형성될 수 있다. 차동 증폭기(608A)의 비-반전 단자/열 전극(604A)에 대하여, 지배적 커패시턴스들(C1, C3)은 행 전극(602B, 602D)과의 교차부들에서 형성될 수 있고, 부수적 커패시턴스들은 열 전극(604A)에 대한 나머지 교차부들에 형성될 수 있다. 지배적 및 부수적 커패시턴스들의 공간 패턴은 나머지 열들에 대하여 반복될 수 있다. 따라서, 행들을 따라 그리고 열들을 따라, 지배적 커패시턴스들은 도 6b의 공간 패턴 내의 3개의 부수적 커패시턴스들에 의해 서로 공간적으로 분리될 수 있다.As described with respect to FIG. 6A , the dominant mutual capacitance (relatively high electrostatic fringe field) and secondary mutual capacitances (relatively low electrostatic fringe field) can be spatially patterned, in FIG. 6B . In some examples, spatial alternation can occur along one or both dimensions. For example, for
도 7a는 본 개시내용의 예들에 따른, 차동 구동 및/또는 차동 감지를 구현하는 데 사용될 수 있는 터치 센서 패널의 일부분을 예시한다. 터치 센서 패널(700)은 도 5b에 관하여 위에서 기재된 것과 유사한 방식으로, 공간 패턴을 구비한 상호 커패시턴스/정전기 프린지 필드 커플링을 가질 수 있다. 도 7a는 행 전극들(702A 내지 702F) 및 열 전극들(704A 내지 704F)을 포함하는 터치 센서 패널(700)을 예시한다. 터치 센서 패널(700)은 또한 열 전극들(704A 내지 704F)을 구동하도록 구성된 구동 회로부(예컨대, 구동기 로직(214)에 대응할 수 있는 구동기들/송신기 또는 구동기들/송신기(606A 내지 606D')) 및 행 전극들(702A 내지 702F)을 감지하도록 구성된 감지 회로부(예컨대, 감지 채널들(208)의 일부에 대응할 수 있는 공통 모드 피드백 회로들을 포함하는 차동 증폭기들 또는 차동 증폭기들(608A 내지 608D))를 포함할 수 있다. 특히, 도 7a는 6개의 행 전극들(702A 내지 602F) 및 6개의 열 전극들(704A 내지 704F)을 구비한 터치 센서 패널(700)을 예시한다. 각각의 구동기/송신기는 열 전극들(704A 내지 704F)의 각각의 열 전극에 커플링될 수 있고, 각각의 차동 증폭기는 행 전극들(702A 내지 702F)의 각각의 쌍에 커플링될 수 있다. 행 전극들의 각각의 쌍의 제1 행 전극은 대응하는 차동 증폭기의 반전 단자에 커플링될 수 있고, 행 전극들의 각각의 쌍의 제2 행 전극은 대응하는 차동 증폭기의 비-반전 단자에 커플링될 수 있다. 예시의 단순화를 위해, 도 7a는 상보적인 구동 신호들(D0+, D0-)을 열 전극들(704A 내지 704B)에 대한 라우팅 트레이스들로 출력하도록 구성된 차동 구동기(706)를 예시하지만, 추가 열 전극들을 구동하기 위해 추가 구동기들이 포함될 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 마찬가지로, 예시의 단순화를 위해, 도 7a는 행 전극들(702A 및 702B)에 대한 라우팅 트레이스들로부터 신호를 수신하고 차동 감지하도록 구성된 차동 증폭기(708)(또는 708')를 예시하지만, 추가 행 전극들을 감지하기 위해 추가 수신기들이 포함될 수 있다는 것을 이해하여야 한다.7A illustrates a portion of a touch sensor panel that can be used to implement differential driving and/or differential sensing, according to examples of the present disclosure. The
열 전극들(704A 내지 704F)은 라우팅에 의해 상호연결된 다수의 전도성 세그먼트들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 열 전극(704A)은 라우팅(705A)과 같은 라우팅에 의해 연결되는 터치 센서 패널(700)의 유효 터치 노드들을 형성하는 (예컨대, "H" 형상을 각각 갖는) 2개의 전도성 세그먼트들을 포함한다. 마찬가지로, 행 전극들(702A 내지 702F)은 라우팅에 의해 상호연결된 다수의 전도성 세그먼트들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 행 전극(702A)은 라우팅(702A"')과 같은 라우팅에 의해 연결되는 터치 센서 패널(700)의 유효 터치 노드들을 형성하는 (예컨대, "H" 형상의 절결부를 갖는 직사각형의 형상을 갖는) 전도성 세그먼트들(702A', 702A")을 포함한다. 일부 예들에서, 도 7a에 예시된 바와 같이, 감지 전극들은 다수의 세그먼트들(702A', 702A") 및 라우팅 트레이스들(702A"')이 하나의 행 전극으로 간주될 수 있도록 인접한다. 각각의 행에서 행 전극 쌍들에 대해 유사한 음영이 사용되고 각각의 행 및 선택적인 행 내의 열 전극들에 대해 유사한 음영이 사용되지만, 이러한 음영들은 예시의 용이함을 위한 것이고 전극들이 서로 커플링되는 것을 반드시 나타내는 것은 아니라는 것을 이해한다. 예를 들어, 각각의 행 전극은 감지 회로부의 상이한 입력에 전기적으로 격리되고 커플링될 수 있다. 교번하는 행들 내의 열 전극들은 전기적으로 연결될 수 있지만, 열 전극들의 각각의 열은 자극 회로부의 상이한 출력들에 커플링될 수 있다.
터치 센서 패널(700)은 유효 터치 노드들의 2차원 어레이(3개의 행들 및 3개의 열들)를 포함하는 것으로 보일 수 있다. 터치 센서 패널(700)의 각각의 유효 터치 노드는 각각의 행 및 열 전극들의 전도성 세그먼트들(맞물리는 전도성 세그먼트들로부터 형성됨) 사이의 커패시턴스에 의해 지배되는 커패시턴스를 측정할 수 있다. 예를 들어, 행 전극(702A)의 세그먼트(702A')와 열 전극(704A)의 상부 세그먼트 사이의 상호 커패시턴스는 터치 센서 패널(700)의 열 1 및 행 1의 영역에 대응하는 유효 터치 노드에 대하여 지배적일 수 있다. 인근 행 또는 열 전극들의 라우팅 부분들의 용량성 기여들은 비교 시 무시할 수 있는 부수적 상호 커패시턴스들을 형성할 수 있다(예컨대, 열 전극(704A 또는 704B)의 라우팅 부분(705A 또는 705B)으로부터 행 전극(702A)의 세그먼트(702A')에 대한 기여). 행 및 열 전극들의 패턴의 결과로서, 지배적/부수적 상호 커패시턴스/정전기 프린지 필드 커플링은, 본 명세서에 기재된 바와 같이 공간적으로 패턴화될 수 있다. 예를 들어, 열 전극(704A)은 행 전극들(702A, 702E)과 지배적으로 커플링될 수 있고, 행 전극들(702B, 702C, 702D, 702F)에 대하여 부수적으로 커플링된다. 행 전극(702A)은 열 전극(704A, 704E)과 지배적으로 커플링될 수 있고, 열 전극들(704B, 704C, 704D, 704F)에 대하여 부수적으로 커플링된다. 지배적/부수적 상호 커패시턴스/정전기 프린지 필드 커플링의 공간 패턴은 유사한 방식으로 계속될 수 있다. 라우팅의 크기가 예시 목적을 위하여 과장될 수 있어서 전도성 세그먼트들에 대한 라우팅 크기가 도시된 것보다 훨씬 더 작을 수 있음에 유의해야 한다. 일부 예들에서, 행 및 열 전극들의 전도성 세그먼트들은 공통 층(즉, 터치 센서 패널의 동일한 층)에, 예컨대, 제2 금속 층(506)에 형성된다. 일부 예들에서, 행 및 열 전극들의 라우팅은 적어도 부분적으로 공통 층에 형성될 수 있다. 일부 예들에서, 라우팅의 일부 또는 전부는 상이한 층에, 예컨대, 제1 금속 층(516)에 있을 수 있다(예컨대, 전극들이 예시에서 중첩되는 전기 분리를 허용하고, 유효 터치 노드들에서의 커패시턴스에 대한 라우팅의 기여를 추가로 감소시킴).The
도 7a에 예시된 바와 같이, 터치 센서 패널(700)은 터치 노드들(예컨대, 유효 터치 노드들)의 3개의 행들 및 3개의 열들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 터치 노드들의 제1 열은 주로 행 전극들(702A, 702C, 702E)의 전도성 세그먼트들 및 열 전극들(704A, 704B)의 전도성 세그먼트들로부터 형성될 수 있다. 다른 예를 들어, 터치 노드들의 제2 열은 주로 행 전극들(702B, 702D, 702F)의 전도성 세그먼트들 및 열 전극들(704C, 704D)의 전도성 세그먼트들로부터 형성될 수 있다. 유사한 방식으로, 터치 노드들의 제1 행은 주로 행 전극들(702A, 702B)의 전도성 세그먼트들 및 열 전극들(704A, 704C, 704E)의 전도성 세그먼트들로부터 형성될 수 있다. 다른 예를 들어, 터치 노드들의 제2 행은 주로 행 전극들(702C, 702D)의 전도성 세그먼트들 및 열 전극들(704B, 704D, 704F)의 전도성 세그먼트들로부터 형성될 수 있다.As illustrated in FIG. 7A , the
동작 동안, 열 전극들에 커플링된 구동 회로부는 열 전극들을 차동 구동할 수 있고, 차동 증폭기들은 행 전극들을 차동 감지할 수 있다. 예를 들어, 열 전극들(704A 내지 704F)은 다수의 스캔 단계들에 걸쳐 상보적인 구동 신호들(D0+/-, D1+/-, D2+/-)의 다중 자극 패턴으로 (예컨대, 동시에) 자극될 수 있다. 예시의 간략화를 위해 터치 노드들의 3x3 어레이가 도시되어 있지만, 어레이는 상보적인 구동 신호들 (D0+/-, D1+/- D2+/-, D3+/-, 예를 들어, 대안적으로 D0 내지 D3, D0' 내지 D3'로 나타냄)을 사용하여 4x4 어레이(또는 더 큰 크기의 어레이)로 확장될 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 예를 들어, 다중 자극 패턴은 구동 신호들을 인코딩하기 위하여 공통 자극 신호(예컨대, 주파수 f1의 정현파)에 적용되는 1(0 도의 위상) 및 -1(180 도의 위상)의 값들을 포함하여, 다중 자극 구동 패턴에 기초하여 지배적 상호 커패시턴스들이 측정되고 디코딩되도록 허용하는, 아다마르 행렬일 수 있다. 예를 들어, 4x4 어레이의 경우, D0 내지 D3은 다음의 아다마르 행렬에 의해 표현될 수 있다:During operation, drive circuitry coupled to the column electrodes can differentially drive the column electrodes, and differential amplifiers can differentially sense the row electrodes. For example,
여기서 행렬 내의 각각의 행은 스캔의 단계를 나타내고, 각각의 열은 구동 신호들(D0 내지 D3) 중 하나를 나타내어, 행렬의 값들은 각각의 단계에서 D0, D1, D2, 및 D3에 대하여 공통 자극 신호에 인가되는 위상을 나타낸다. 구동 신호들의 다중 자극 패턴의 각각의 구동 신호에 대하여, 상보적인 신호가 동시에 (예컨대, 구동 신호들(D0 내지 D3 및 D0' 내지 D3')) 인가될 수 있다. 예를 들어, 제1 스캔 단계에 대응하는 제1 행은 구동 신호(D0)가 180 도의 위상을 가짐을 나타낸다. 구동 신호(D0)는 열 전극들(704A, 704B)에 차동으로 인가되어 열 전극(704A)에 인가되는 신호가 열 전극(704B)에 인가되는 신호와 180 도의 위상차가 있도록 할 수 있다. 상기의 예시적인 아다마르 행렬에 따라 구동기/버퍼(706)는 0의 위상을 갖는 구동 신호를 출력하고 180 도의 위상을 갖는 상보적인 구동 신호를 출력한다. 유사한 방식으로, 2개의 상보적인 구동 신호들이 4x4 어레이로 구동 신호들(D0 내지 D3)의 각각에 대하여 터치 센서 패널에 인가될 수 있다. 구동 신호들은 후속 3개의 스캔 단계들에 대하여 아다마르 행렬의 나머지 행들에 따라 구동 라인들에 대해 출력될 수 있다.where each row in the matrix represents a stage of the scan, and each column represents one of the drive signals D0 to D3, so that the values of the matrix are the common stimulus for D0, D1, D2, and D3 at each stage. Indicates the phase applied to the signal. For each drive signal of the multi-stimulation pattern of drive signals, a complementary signal may be applied simultaneously (eg, drive signals D0 to D3 and D0' to D3'). For example, the first row corresponding to the first scan step indicates that the driving signal D0 has a phase of 180 degrees. The driving signal D0 may be differentially applied to the
행 1, 열 1에 대한 터치 노드에서의 구동 신호(D0)에 대해, 차동 증폭기(708)(또는 708')의 예시적인 수신기를 고려하면, 라우팅 트레이스(705B)에 의한 열 전극(704B)과 행 전극(702A) 사이의 부수적 커플링은 열 전극(704A)과 행 전극(702A) 사이의 (예를 들어, 그들 사이의 프린지 필드 커플링을 통한) 지배적 커플링과 비교하여 상대적으로 작을 수 있다. 지배적 커플링은 차동 증폭기(708)의 비-반전(포지티브) 입력 단자에 커플링되는 (행 1, 열 1에 대한) 커패시턴스(C0)에 의해 표현될 수 있다. 따라서, C0에 비례하는 전류가 차동 증폭기(708)의 출력에 나타날 수 있다. 유사한 방식으로, 구동 신호(D1)의 경우, 열 전극(704C)과 행 전극(702B) 사이의 지배적 커플링은 차동 증폭기(708)의 반전(네거티브) 입력 단자에 커플링되는 (행 1, 열 2에 대한) 커패시턴스(C1)에 의해 표현될 수 있고, C1에 비례하는 전류가 차동 증폭기(708)의 출력에 나타날 수 있다. 차동 증폭기(708)에 대한 추가 지배적 커플링들은 제1 행에 대응하는 나머지 열들에 대해 유사하다. 따라서, 제1 스캔 단계에 대한 차동 증폭기(708)에 의한 전류의 측정의 출력은 4개의 열들을 갖는 어레이에 대해 C0-C1-C2-C3에 비례할 수 있다. 나머지 3개의 단계에 대한 동일한 절차를 따라, 4개의 스캔 단계들에 대한 출력은 다음에 비례하는 벡터로서 표현될 수 있다:Considering an exemplary receiver of differential amplifier 708 (or 708'), for drive signal DO at the touch node for
이 벡터 인코딩은 행렬에 의해 디코딩 또는 반전되어, 개별 커패시턴스들을 추출할 수 있지만, 전체 측정치의 유효 통합 시간은, 아래 수학식에 의해 도시된 바와 같다:This vector encoding can be decoded or inverted by a matrix to extract the individual capacitances, but the effective integration time of the overall measurement is as shown by the equation below:
도 7a가 신호 및 그의 상보물을 출력하는 3개의 차동 구동기들(706A 내지 706C)을 포함하는 것으로서 구동 회로부를 예시하지만, 다른 구현예들이 가능하다는 것을 이해하여야 한다. 예를 들어, 6개의 개별 구동기들이 사용될 수 있으며, 여기서 차동 구동기들 각각은 신호 또는 그의 상보물을 출력한다. 일부 예들에서, 상보적인 구동 신호들이 인접 열 전극들에 인가될 수 있어서 구동 신호로 인한 순 전기 효과가 2개의 열 전극들에 국한되는 0(또는 0의 임계치 내)이 될 수 있도록 한다. 예를 들어, 인접 열 전극들(704A, 704B)(또는 704B, 704C)은 상보적인 신호들로 구동되어, 순전히 0(또는 거의 0)의 전기 효과를 만들어 낼 수 있다(예컨대, 디스플레이 시스템에 커플링되는 터치 시스템으로부터의 잡음을 감소시킴). 인접한 전극들에서 상보적인 신호들을 인가하는 것이 도시되지만, 터치 센서 패널에 대하여 순 전기 효과가 0(또는 0의 임계치 내)일 수 있지만, 터치 센서 패널의 국부적인 영역들에서 0이 아닐 수 있도록, 상보적인 신호가 비-인접 열 전극에 인가될 수 있음이 이해된다.Although FIG. 7A illustrates the drive circuitry as including three differential drivers 706A-706C that output a signal and its complement, it should be understood that other implementations are possible. For example, six separate drivers may be used, where each of the differential drivers outputs a signal or its complement. In some examples, complementary drive signals can be applied to adjacent column electrodes such that the net electrical effect due to the drive signal is zero (or within a threshold of zero) localized to the two column electrodes. For example,
터치 센서 패널(700) 내의 터치 노드들의 각각의 열에 대하여, 제1 구동 신호 및 제2 구동 신호가 인가될 수 있다. 예를 들어, 터치 센서 패널의 열 1은 열 전극(704A) 상의 제1 구동 신호로 구동될 수 있고(터치 노드들의 열 내의 2개의 터치 노드들에 인가됨) 열 전극(704B) 상의 제2 구동 신호로 구동될 수 있다(예컨대, 4x4 어레이에 대해 터치 노드들의 열 내의 2개의 상이한 터치 노드들에 인가됨). 도 7a에 도시된 바와 같이, 제1 구동 신호는 열 내의 교번하는 터치 노드들에 인가되고, 제2 구동 신호는 열 내의 교번하는 터치 노드들에 인가된다.A first driving signal and a second driving signal may be applied to each column of touch nodes in the
행 전극들은 차동 증폭기들을 이용하여 차동 감지될 수 있다. 행 전극들을 차동 감지하는 것은 터치 측정치들로부터 공통 모드 잡음을 제거할 수 있다.The row electrodes can be differentially sensed using differential amplifiers. Differential sensing of the row electrodes can remove common mode noise from touch measurements.
각각의 열에 대하여 인접한 전극들에서 상보적인 신호들을 인가하는 것이 도시되지만(예컨대, 상보적인 신호들(D0/D0')이 열 1에 인가되고, 상보적인 신호들(D1/D1')이 열 2에 인가되는 등), 상보적인 신호가 상이한 열 전극들에 인가되어 순 전기 효과가 더 큰 국지화된 영역 터치 센서 패널에 걸쳐(예컨대, 대각방향 터치 노드들에 걸쳐) 0(또는 0의 임계치 내)이 될 수 있도록 하지만, (예컨대, 인접한 터치 노드들에 대하여) 터치 센서 패널의 열 내에서 순전히 0이 되지 않을 수 있음이 이해된다. 일부 예들에서, 상보적인 신호들의 상쇄는, 도 13a 및 도 13b와 관련하여 더 상세히 설명된 바와 같이, 대각방향 터치 노드들에서 발생할 수 있다. 예를 들어, 구동 회로부는 D0+로 열 전극(704A)을, D1-로 열 전극(704B)을, D1+로 열 전극(704C)을 그리고 D0-로 열 전극(704D)을 구동하도록 구성될 수 있다. 결과적으로 전송 신호들의 상쇄는 대각방향들로 일어날 수 있다. 예를 들어, D0+와 D0-의 상쇄는 도 7a의 어레이의 행 1, 열 1의 터치 노드에 대한 송신기 전극과 행 2, 열 2의 터치 노드에 대한 송신기 전극 사이에서 일어날 수 있다. 유사한 방식으로, D1+와 D1-의 상쇄는 도 7a의 어레이의 행 1, 열 2의 터치 노드에 대한 송신기 전극과 행 2, 열 1의 터치 노드에 대한 송신기 전극 사이에서 일어날 수 있다. 일부 예들에서, 대각선을 따라 증가된 거리로 인해, 터치 노드들의 열 내의 상보적인 구동 신호들의 상쇄를 갖는 터치 센서 패널에 대한 감지된 신호와 비교하여, 상보적인 구동 신호들의 대각방향 상쇄는 터치하는 물체에 응답하여 감지된 신호 증가를 야기할 수 있다(그 이유는 더 적은 신호의 상쇄가 있기 때문임).For each column, application of complementary signals at adjacent electrodes is shown (e.g., complementary signals D0/D0' are applied to
터치 센서 패널(700)이 9개의 지배적 커패시턴스 값들의 3x3 어레이를 포함하지만(예컨대, 9개의 유효 터치 노드들에 대응함), 터치 센서 패널은 더 적거나 또는 더 많은 터치 노드들을 포함하도록 확대 또는 축소될 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 예를 들어, 터치 센서 패널은 (예컨대, 16개의 유효 터치 노드들에 대응하는) 16개의 지배적 커패시턴스 값들의 4x4 어레이로 확대될 수 있거나, 행 전극들, 열 전극들, 구동기들/송신기들 및 차동 증폭기들을 증가시킴으로써 터치 노드들의 8x8 어레이(예컨대, 64개의 유효 터치 노드들에 대한 64개의 커패시턴스 값들)로 확대될 수 있다.Although the
추가적으로, 차동 구동 및 감지가 도 7a의 터치 센서 패널(700)을 참조하여 기재되지만, 터치 센서 패널(700)은, 일부 예들에서, 비-차동 감지 구성으로 동작하여 터치 센서 패널(700)에 접촉 또는 근접한 입력 디바이스(예컨대, 자극을 제공하는 스타일러스)로부터의 자극을 감지할 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 예를 들어, 입력 디바이스 자극을 검출하기 위하여, 스위칭 회로부는 차동 증폭기의 동일한 입력(예컨대, 반전 입력)에 터치 노드들의 행에 대한 2개의 행 전극들을 커플링하고, 차동 증폭기의 다른 입력(예컨대, 비-반전 입력)을 접지 또는 다른 기준 전위(예컨대, 도 3b에 도시된 구성의 터치 회로부를 이용하여 하나의 감지 라인으로서 검출되는 행 전극들에 대응함)에 커플링하는 데 사용될 수 있다. 대조적으로, 본 명세서에 기재된 차동 구동 및 감지를 위하여, 스위칭 회로부는 행 전극들을 (예컨대, 차동 증폭기들(708)에 의해 표현되는 바와 같은) 차동 증폭기들에 커플링할 수 있다. 예를 들어, 스위칭 회로부(도시되지 않음)는 선택적으로 행 전극들(702A, 702B)에 대한 2개의 라우팅 트레이스들과 대응하는 차동 증폭기(708) 사이에 포함될 수 있다. 스위칭 회로부는 멀티플렉서(들)를 포함하는 하나 이상의 스위치들 및/또는 모드 선택 입력에 의해 제어될 수 있는 스위치(들)를 포함할 수 있다. 차동 구동/감지 모드의 동작에서, 스위칭 회로부는 행 전극(702A)을 비-반전 단자에 커플링할 수 있고(그리고 행 전극(702A)을 반전 단자로부터 디커플링할 수 있음) 행 전극(702B)은 차동 증폭기(708)의 반전 단자에 커플링될 수 있다. 입력 디바이스(예컨대, 스타일러스)로부터 자극을 감지하는 비-차동 감지 구성에서, 행 전극(702A) 및 행 전극(702B)은 차동 증폭기(708)의 반전 단자에 커플링될 수 있고, 차동 증폭기(708)의 비-반전 단자는 스위칭 회로부를 사용하여 접지(또는 가상 접지)에 커플링될 수 있다. 일부 예들에서, 비-차동 동작에 대하여, 각각의 열 내의 열 전극들은 상보적인 신호들보다는 동일한 위상 자극 신호들을 사용할 수 있다(예컨대, D0은 제1 열에 대한 열 전극들(704A, 704B)에 인가될 수 있고, D1은 제2 열에 대한 열 전극들(704C, 704D)에 인가될 수 있는 등등이다).Additionally, although differential driving and sensing are described with reference to the
도 7a에 도시된 바와 같이, 열 전극들은 수직인 열 라우팅 트레이스들을 사용하여 구동 회로부로 라우팅될 수 있다(예를 들어, 열 전극들(704A 내지 704F)은 수직 열 라우팅 트레이스들(705A 내지 705F)을 사용하여 구동기(706)와 같은 구동기들로 라우팅될 수 있다). 일부 예들에서, 행 전극들은 수평 행 라우팅 트레이스들을 사용하여 감지 회로부로 라우팅될 수 있다(예를 들어, 행 전극들(702A 내지 702F)은 수평 열 라우팅 트레이스들을 사용하여 차동 증폭기(708')와 같은 감지 회로부로 라우팅될 수 있다). 일부 예들에서, 열 전극들 및 행 전극들 모두는 수직 라우팅 트레이스들을 사용하여 (예를 들어, 수직 열 라우팅 트레이스들(705A 내지 705F)을 사용하여 그리고 수직 행 라우팅 트레이스들(703 내지 703F)을 사용하여) 구동 회로부 또는 감지 회로부로 라우팅될 수 있다. 행 및 열 전극들에 대한 수직 라우팅 트레이스들을 사용하는 (또는 더 대체적으로 행 및 열 전극들을 동일한 에지로 라우팅하는) 것은 경계 영역에서 수직 라우팅 트레이스들을 필요로 하지 않으면서 (구동 회로부 및 감지 회로부에 대한 연결을 위해) 행 및 열 전극들을 공통 위치로 라우팅하는 것을 허용하여, 그에 의해 터치 센서 패널(700)을 포함하는 디바이스가 감소된 경계를 갖는 것을 가능하게 할 수 있다.As shown in FIG. 7A , the column electrodes may be routed to drive circuitry using vertical column routing traces (e.g.,
도 7a는 열 전극들의 열당 상보적인 구동 신호들을 위한 2개의 수직 라우팅 트레이스들 및 행 전극들의 행당 2개의 수직 라우팅 트레이스들(예를 들어, 행 전극의 쌍당 2개의 수직 라우팅 트레이스들)을 예시한다. 일부 예들에서, 행 및/또는 열 전극들에 대해 추가 라우팅 트레이스들이 사용될 수 있다. 예를 들어, 열당 구동 신호당 하나의 라우팅 전극(예를 들어, 열에 인가되는 상보적인 구동 신호들에 대해 총 2개)을 사용하기보다는 오히려, 다수의 라우팅 트레이스들(예를 들어, 4개의 라우팅 트레이스들, 즉 상보적인 구동 신호들 각각에 대해 2개)이 사용될 수 있다. 일부 예들에서, 열당 하나의 라우팅 전극(예를 들어, 행에 대한 차동 증폭기에 대해 총 2개)을 사용하기보다는 오히려, 다수의 라우팅 트레이스들이 사용될 수 있다. 예를 들어, 도 7b 및 도 7c는 본 개시내용의 예들에 따른, 행 전극들에 대한 2개의 수직 라우팅 트레이스들 및 열 전극들에 대한 4개의 수직 라우팅 트레이스들을 갖는 터치 노드에 대한 라우팅 트레이스들의 상이한 구성들을 예시한다.7A illustrates two vertical routing traces for complementary drive signals per column of column electrodes and two vertical routing traces per row of row electrodes (eg, two vertical routing traces per pair of row electrodes). In some examples, additional routing traces may be used for the row and/or column electrodes. For example, rather than using one routing electrode per drive signal per column (e.g., two total for complementary drive signals applied to the column), multiple routing traces (e.g., four routing traces, ie two for each of the complementary drive signals) may be used. In some examples, rather than using one routing electrode per column (eg, two total for a differential amplifier per row), multiple routing traces may be used. For example, FIGS. 7B and 7C show different routing traces for a touch node having two vertical routing traces for row electrodes and four vertical routing traces for column electrodes, according to examples of the present disclosure. Illustrate configurations.
도 7b는 행 전극들에 대한 2개의 수직 라우팅 트레이스들 및 열 전극들에 대한 4개의 수직 라우팅 트레이스들을 갖는 터치 노드에 대한 라우팅 트레이스들의 제1 구성(720)을 예시한다. 터치 노드는 (예를 들어, "H" 형상의 절결부를 갖는 직사각형의 형상을 갖는) 행 전극(702)의 세그먼트 및 (예를 들어, "H" 형상을 갖는) 열 전극(704)의 세그먼트를 포함한다. 구성(720)은 도 7b의 터치 전극이 위치되는 열에 대한 상보적인 구동 신호들을 라우팅하는 데 사용되는 2개의 수직 라우팅 트레이스들(726, 728)을 포함한다. 수직 라우팅 트레이스들 중 하나 - 라우팅 트레이스(726) 또는 라우팅 트레이스(728) - 는 열 전극 세그먼트(704)에 전기적으로 연결될 수 있다. 일부 예들에서, 열 전극 세그먼트(704)는 제2 금속 층(506)에 형성될 수 있고, 라우팅 트레이스들은 제1 금속 층(516)에 형성될 수 있으며, 열 전극 세그먼트(704)와 라우팅 트레이스 사이의 전기적 연결부는 중간 층(507)을 통해 비아로 이루어질 수 있다. 일부 예들에서, 라우팅 트레이스들(726, 728)은 터치 센서 패널의 하나의 에지로부터 반대편 에지로 (예를 들어, 상단으로부터 하단으로) 연장될 수 있다. 일부 이러한 예들에서, 라우팅 트레이스들(726, 728)은 열 내의 교번하는 열 전극 세그먼트들과 전기적 연결부들을 이룬다. 예를 들어, 열 내의 열 전극 세그먼트들이 터치 센서 패널의 짝수 행들에 대해 라우팅 트레이스(726)에 연결될 수 있고, 열 내의 열 전극 세그먼트들이 터치 센서 패널의 홀수 행들에 대해 라우팅 트레이스(728)에 연결될 수 있다.7B illustrates a
구성(720)은 또한 (하나 이상의 세그먼트들을 포함하는) 행 전극(702)을 라우팅하기 위해 사용되는 4개의 수직 라우팅 트레이스들(730, 732, 734, 736)을 포함한다. 수직 라우팅 트레이스들 중 하나 이상 - 라우팅 트레이스(730, 732, 734 및/또는 736) - 은 행 전극(702)에 전기적으로 연결될 수 있다. 본 명세서에서 더 상세히 설명되는 바와 같이, 일부 예들에서, 상이한 수의 라우팅 트레이스들이 감지 회로부에 대한 각각의 행의 위치에 따라 각각의 행 전극(702)에 전기적으로 연결될 수 있다. 일부 예들에서, 각각의 행 전극이 감지 회로부로부터 멀수록, 더 많은 라우팅 트레이스들이 각각의 행 전극에 커플링될 수 있다. 일부 예들에서, 행 전극(702)은 제2 금속 층(506)에 형성될 수 있고, 라우팅 트레이스들은 제1 금속 층(516)에 형성될 수 있으며, 행 전극(702)과 라우팅 트레이스 사이의 전기적 연결부는 중간 층(507)을 통해 하나 이상의 비아들로 이루어질 수 있다. 일부 예들에서, 라우팅 트레이스들(730, 732, 734 및/또는 736)은, 본 명세서에서 더 상세히 설명되는 바와 같이, 선택적으로는 일부 파단부들 또는 상호연결부들과 함께, 터치 센서 패널의 하나의 에지로부터 반대편 에지로 (예를 들어, 상단으로부터 하단으로) 연장될 수 있다.
도 7b에 도시된 바와 같이, 열 전극들에 대한 수직 라우팅 트레이스들(726, 728)은 H-형상 열 전극 세그먼트의 아암들과 (예를 들어, 대략 아암들의 중간에서) 중첩하도록 배치될 수 있고, 행 전극들에 대한 수직 라우팅 트레이스들(730, 732, 734, 736)은 열 전극들에 대한 수직 라우팅 트레이스들(726, 728)의 반대편 측부들 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 수직 라우팅 트레이스들(726)은 수직 라우팅 트레이스들(730, 732) 사이에 샌드위치될 수 있고, 수직 라우팅 트레이스들(728)은 수직 라우팅 트레이스들(734, 736) 사이에 샌드위치될 수 있다. 일부 예들에서, 수직 라우팅 트레이스들(726, 728, 730, 732, 734, 736)은 동일하게 이격될 수 있다. 일부 예들에서, 수직 라우팅 트레이스들(730, 736)은 열 전극 세그먼트(704)와 중첩하지 않도록 배치될 수 있는 반면, 수직 라우팅 트레이스들(732, 734)은 열 전극 세그먼트(704)와, 그러나 행 전극들에 대한 수직 라우팅 트레이스들의 열 전극과의 중첩을 최소화하도록 아암들 사이에서, 부분적으로 중첩될 수 있다.As shown in FIG. 7B , vertical routing traces 726 and 728 for the column electrodes may be positioned to overlap (eg, approximately in the middle of the arms) the arms of the H-shaped column electrode segment and , vertical routing traces 730, 732, 734, 736 for row electrodes may be disposed on opposite sides of vertical routing traces 726, 728 for column electrodes. For example, vertical routing traces 726 can be sandwiched between vertical routing traces 730 and 732, and vertical routing traces 728 can be sandwiched between vertical routing traces 734 and 736. there is. In some examples, vertical routing traces 726, 728, 730, 732, 734, 736 may be equally spaced. In some examples, vertical routing traces 730 and 736 can be positioned such that they do not overlap
도 7c는 행 전극들에 대한 2개의 수직 라우팅 트레이스들 및 열 전극들에 대한 4개의 수직 라우팅 트레이스들을 갖는 터치 노드에 대한 라우팅 트레이스들의 제2 구성(740)을 예시한다. 구성(740)은 구성(720)과 유사할 수 있지만, (예를 들어, 수직 라우팅 트레이스들(726, 728)에 대응하는) 열 전극들에 대한 수직 라우팅 트레이스들(746, 748) 및 (예를 들어, 수직 라우팅 트레이스들(730, 732, 734, 736)에 대응하는) 행 전극들에 대한 수직 라우팅 트레이스들(750, 752, 754, 756)의 상이한 배치를 갖는다.7C illustrates a
도 7c에 도시된 바와 같이, 열 전극들에 대한 수직 라우팅 트레이스들(746, 748)은 H-형상 열 전극 세그먼트의 아암들과 (예를 들어, 대략 아암들의 외측 에지들에서) 중첩하도록 배치될 수 있고, 행 전극들에 대한 수직 라우팅 트레이스들(750, 752, 754, 756)은 열 전극들에 대한 수직 라우팅 트레이스들(746, 748)의 반대편 측부들 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 수직 라우팅 트레이스들(746)은 수직 라우팅 트레이스들(750, 752) 사이에 샌드위치될 수 있고, 수직 라우팅 트레이스들(748)은 수직 라우팅 트레이스들(754, 756) 사이에 샌드위치될 수 있다. 일부 예들에서, 수직 라우팅 트레이스들(746, 748, 750, 752, 754, 756)은, 도 7의 구성에서보다 더 큰 간격으로, 동일하게 이격될 수 있다. 일부 예들에서, 수직 라우팅 트레이스들(750, 756)은 (예컨대, 도 7b 및 도 7c에 도시된 행 전극의 세그먼트의 외부 에지의 임계 거리에서 또는 그 내에서) 열 전극 세그먼트(704)와 중첩하지 않도록 배치될 수 있는 반면, 수직 라우팅 트레이스들(752, 754)은 열 전극 세그먼트(704)와, 그러나 행 전극들에 대한 수직 라우팅 트레이스들의 열 전극과의 중첩을 최소화하도록 아암들 사이에서, 부분적으로 중첩할 수 있다. 일부 예들에서, 수직 라우팅 트레이스들(752, 754)은 H-형상의 열 전극 세그먼트(704)의 아암들의 내부 에지의 임계 거리에 또는 그 내에 있을 수 있다.As shown in FIG. 7C , vertical routing traces 746 and 748 for the column electrodes may be positioned to overlap (eg, approximately at the outer edges of the arms) the arms of the H-shaped column electrode segment. and vertical routing traces 750, 752, 754, 756 for row electrodes can be disposed on opposite sides of vertical routing traces 746, 748 for column electrodes. For example, vertical routing traces 746 can be sandwiched between vertical routing traces 750 and 752, and vertical routing traces 748 can be sandwiched between vertical routing traces 754 and 756. there is. In some examples, vertical routing traces 746, 748, 750, 752, 754, and 756 may be equally spaced, with a greater spacing than in the configuration of FIG. 7 . In some examples, vertical routing traces 750 and 756 do not overlap column electrode segment 704 (eg, at or within a critical distance of the outer edge of the segment of row electrode shown in FIGS. 7B and 7C ). Vertical routing traces 752 and 754 may be positioned partially between the arms to minimize overlap with the
수직 라우팅 트레이스들(746, 748, 750, 752, 754, 756)로서 도 7b 및 도 7c를 참조하여 설명되었지만, 이러한 수직 라우팅 트레이스들은 하나 이상의 라우팅 트레이스들이 일정 열에 대해 구현될 수 있는 라우팅 트랙들(예를 들어, 금속 메시 내의 영역들)을 나타낼 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 라우팅 트랙들은 때때로 본 명세서에서 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 세트로 지칭되고, 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 하나 이상의 세트들의 전기적으로 연결된 부분들은 각각의 행 전극(또는 열 전극)에 대한 각각의 라우팅 트레이스를 형성할 수 있다. 일부 예들에서, 라우팅 트랙들은, 상이한 라우팅 세그먼트들이 서로 전기적으로 격리될 수 있고 하나 초과의 행 전극을 라우팅하는 데 사용될 수 있는 (또는 플로팅(floating)하고 있을 수 있는) 가능성에도 불구하고, 개념적으로 수직 라우팅 트랙 내의 다양한 라우팅 세그먼트들이 열의 전체 길이 또는 실질적으로 전체 길이로 연장된다는 점에서 라우팅 트레이스로 약칭으로 단순히 지칭된다.Although described with reference to FIGS. 7B and 7C as vertical routing traces 746, 748, 750, 752, 754, and 756, these vertical routing traces are routing tracks in which one or more routing traces can be implemented for a row ( eg regions within a metal mesh). Routing tracks are sometimes referred to herein as a set of one or more routing trace segments, electrically connected portions of the one or more sets of one or more routing trace segments form a respective routing trace for each row electrode (or column electrode). can do. In some examples, the routing tracks are conceptually vertical, despite the possibility that different routing segments may be electrically isolated from each other and used to route (or may be floating) more than one row electrode. The various routing segments within a routing track are referred to simply as routing traces in that they extend the entire length or substantially the entire length of the row.
도 8 내지 도 10은 본 개시내용의 예들에 따른, 행 전극들에 대한 상이한 라우팅 패턴들을 예시한다. 도 8은 본 개시내용의 예들에 따른 V자형 라우팅 패턴을 예시한다. 도 8은 어레이의 좌측 및 상단 크기에 대한 인덱싱에 의해 표시된 바와 같이 터치 노드들의 48 x 32 어레이를 포함하는 터치 센서 패널(800)을 예시하는데, 어레이 내의 각각의 상자는 (예를 들어, 도 7a 내지 도 7c에 도시된 터치 노드들에 대응하는) 행 전극 및 열 전극 세그먼트로부터 형성된 터치 노드를 나타낸다. 행들 각각은 총 96개의 행 전극들이 감지 회로부로 (예를 들어, 차동 증폭기들로) 라우팅되기 위해, 2개의 행 전극들을 포함할 수 있다. 터치 센서 패널(800)은 3개의 뱅크들로 분할될 수 있는데, 이때 각각의 뱅크는 16개의 행들을 포함한다. 예를 들어, 제1 뱅크(802)는 행들 1 내지 16을 포함할 수 있고, 제2 뱅크(804)는 행들 17 내지 32를 포함할 수 있고, 제3 뱅크(806)는 행들 33 내지 48을 포함할 수 있다. 터치 센서 패널은 도 8에 도시된 것과는 상이한 크기 어레이 또는 상이한 수의 뱅크들을 포함할 수 있다는 것을 이해하여야 한다.8-10 illustrate different routing patterns for row electrodes, according to examples of the present disclosure. 8 illustrates a V-shaped routing pattern according to examples of the present disclosure. FIG. 8 illustrates a
터치 센서 패널(800)은 열당 4개의 수직 라우팅 트랙들의 그룹들(808) 내의 행 전극들에 대한 수직 라우팅 트랙들을 포함한다. 수직 라우팅 트랙들로 구현된 라우팅 트레이스들 중 하나 이상의 라우팅 트레이스들 사이의 전기적 연결부들은 숫자 텍스트 라벨("1", "2:1", 또는 "4:2")로 터치 노드들에 표시된다. 터치 센서 패널의 하나의 열 내의 4개의 수직 라우팅 트랙들의 그룹(808)은 (예를 들어, 4개의 라우팅 트랙들 내에 구현된 3개의 라우팅 트레이스들을 사용하여) 뱅크당 하나의 행 전극에 대한 전기적 연결부들을 이루는 데 사용될 수 있다. 예를 들어, 최좌측 그룹(808)은 숫자 텍스트 라벨들("1", "2:1", 또는 "4:2")로 터치 노드들에 의해 표시된 바와 같이 각각 뱅크들(802, 804, 806) 내의 행들 2, 18, 및 34 내의 행 전극에 대한 전기적 연결부들을 이루는 데 사용될 수 있다. V자형 라우팅 패턴의 각각의 열에 대해, 상이한 뱅크들 내의 행들에 대한 전기적 연결부의 위치는 동일하게 이격될 수 있다. 예를 들어, (행들 2, 18 및 34에서의) 열 1 내의 연결부들은 16개 행들만큼 떨어져 있을 수 있고, 연결부들 사이의 그러한 동일한 간격은 도 8의 V자형 라우팅 패턴의 열들 각각에 대해 반복될 수 있다. 이러한 간격은 터치 센서 패널에 대한 대역폭의 균형을 맞추는 것을 도울 수 있는데, 이는 균일한 간격이 터치 센서 패널에 걸쳐 라우팅 트레이스들에 대한 저항을 등화하는 것을 도울 수 있기 때문이다. 예시의 용이함을 위해 도 8에 도시되어 있지는 않지만, 터치 센서 패널의 각각의 열은 열 전극 세그먼트들을 구동 회로부로 라우팅하기 위한 2개의 수직 라우팅 트레이스들(및 2개의 수직 라우팅 트랙들)을 포함할 수 있다.The
예시의 용이함을 위해, 도 8은 (예를 들어, 행에 대한 차동 증폭기의 하나의 단자에 커플링되거나 그렇지 않으면 차동 측정을 위한 증폭기의 하나의 단자에 커플링되도록) 터치 센서 패널의 행 내의 한 쌍의 행 전극들 중 하나를 나타내는 홀수로 넘버링된 열들에 대한 4개의 수직 라우팅 트랙들의 그룹들(808)을 도시하지만, (예를 들어, 행에 대한 차동 증폭기의 다른 단자에 커플링되도록) 터치 센서 패널의 행 내의 한 쌍의 행 전극들 중 다른 하나에 대한 전기적 연결부들을 이루기 위해 짝수로 넘버링된 열들에 대한 수직 라우팅 트랙들의 유사한 그룹들이 사용될 수 있다는 것이 이해된다. 예를 들어, 열 1 내의 그룹(808)의 수직 라우팅 트랙들은 터치 센서 패널의 행들 2, 18 및 34 내의 행 전극의 하나에 대한 전기적 연결부들을 이루기 위해 사용될 수 있고, 인접 열 2 내의 수직 라우팅 트랙들의 다른 그룹은 행들 2, 18 및 24 내의 행 전극들의 다른 것에 대한 전기적 연결부들을 이루기 위해 사용될 수 있다. 따라서, 뱅크당 총 32개의 전기적 연결부들, 그리고 3개의 뱅크들에 대해 총 96개의 전기적 연결부들에 대해, 각각의 뱅크는 열당 하나의 전기적 연결부를 포함할 수 있다.For ease of illustration, FIG. 8 shows one in a row of touch sensor panels (e.g., coupled to one terminal of a differential amplifier for that row or otherwise coupled to one terminal of an amplifier for differential measurement).
인접 열 내에서 전기적으로 연결되는 행에 대한 제2 행 전극을 갖는 것으로 전술되었지만, 일부 예들에서, 일정 행에 대한 제2 행 전극에 대한 연결부는 상이한 열에서 이루어질 수 있다는 것이 이해된다. 예를 들어, 짝수로 넘버링된 열들에 대한 연결부는 2개의 홀수로 넘버링된 열들 사이의 대각선 상의 터치 노드들에 존재할 수 있다. 예를 들어, 행 48 내의 하나의 행 전극에 대한 전기적 연결부는 열 15에서 이루어질 수 있고, 행 48 내의 제2 행 전극에 대한 전기적 연결부는 열 16에서 이루어질 수 있으며; 행 47 내의 하나의 행 전극에 대한 전기적 연결부는 열 17에서 이루어질 수 있고, 행 47 내의 제2 행 전극에 대한 전기적 연결부는 열 14에서 이루어질 수 있으며; 행 46 내의 하나의 행 전극에 대한 전기적 연결부는 열 13에서 이루어질 수 있고, 행 46 내의 제2 행 전극에 대한 전기적 연결부는 열 18에서 이루어질 수 있으며; 행 45 내의 하나의 행 전극에 대한 전기적 연결부는 열 19에서 이루어질 수 있고, 행 45 내의 제2 행 전극에 대한 전기적 연결부는 열 12에서 이루어질 수 있는 등등이다.Although described above as having second row electrodes to rows that are electrically connected within adjacent columns, it is understood that in some examples, connections to second row electrodes to certain rows may be made in different columns. For example, connections for even-numbered columns may be at touch nodes on a diagonal between two odd-numbered columns. For example, an electrical connection to one row electrode in
도 8에 예시된 바와 같이, 터치 센서 패널(800)은 V자형 라우팅 패턴을 가질 수 있는데, 이는 각각의 뱅크에 대한 전기적 연결부들의 위치들이 V자형 형상의 패턴을 야기하기 때문이다. 예를 들어, 일정 뱅크에 대한 행 전극들과 라우팅 트레이스들 사이의 전기적 연결부들은 뱅크의 중심을 향해 이동할 때 증가하는 기울기 배열로 위치될 수 있고, 뱅크의 중심으로부터 좌측 및 우측 에지들을 향해 이동할 때 감소하는 기울기 배열로 위치될 수 있다. 일부 예들에서, 뱅크의 좌측 반부 상의 전기적 연결부들은 짝수 행들에 대한 것일 수 있고, 뱅크의 우측 반부 상의 이러한 연결부들은 홀수 행들에 대한 것일 수 있다(그 반대도 마찬가지임). 예를 들어, 뱅크(806)의 경우, 행들에 대한 전기적 연결부들은 "4:2"로 라벨링된 그러한 터치 노드들에 존재할 수 있다. V자형 패턴은 뱅크(806)의 상단에서의 행 48에 대한 전기적 연결부들이 32개의 행들의 중심에 (예를 들어, 열들 15 및 16에) 있을 수 있도록 도 8에서 정점이 상향할 수 있다. V자형 패턴은 뱅크들(802, 804)에 대해 유사한 방식으로 반복된다.As illustrated in FIG. 8 , the
일부 예들에서, V자형 패턴의 정점이 상향하게 하는 것은 라우팅 트레이스의 최대 길이 및 그에 따른 최대 저항을 감소시키는 것을 도울 수 있다. 예를 들어, 수직 라우팅 트레이스들은 패널의 하단에서 (예를 들어, 터치 센서 패널의 활성 영역 외측의 경계 영역에서) 중심 영역(850)으로 라우팅될 수 있다. 중심 영역(850)은 차동 증폭기들(또는 차동 측정을 위해 구성된 단일 종단형 증폭기)을 포함하는 터치 감지 회로에 대한 연결을 가능하게 하기 위한 본드 패드들 또는 다른 연결부들의 그룹일 수 있다. 그 결과, 터치 센서 패널의 최좌측 및 최우측 에지들에서 라우팅 트랙들 내에 구현된 라우팅 트랙 및 라우팅 트레이스들의 그룹들(808)은 터치 센서 패널의 중심에서의 라우팅 트레이스들의 그룹과 비교하여 (예를 들어, 하단 경계 영역에서) 중심 영역(850)까지 더 큰 수평 거리를 이동할 수 있다. 이러한 트레이스 길이들의 균형을 잡기 위해, 정점이 상향하는 V자형 패턴은, 터치 센서 패널의 중심에 있는 라우팅 트랙들의 그룹에서의 라우팅 트레이스들과 비교하여, 라우팅 트랙들의 그룹에서의 라우팅 트레이스들이 터치 센서 패널의 최좌측 및 최우측 에지들에 대해 더 짧은 수직 거리를 이동하는 것을 허용할 수 있다. 그 결과, 상향하는 V자형 패턴은 최대 경로 길이를 감소시킬 수 있고, 그에 의해 터치 센서 패널(800)의 대역폭을 증가시키기 위해 최대 라우팅 트레이스 저항을 감소시킬 수 있다. 그러나, 일부 예들에서, V자형은 상이하게 (예를 들어, 정점이 하향하게) 배향될 수 있다는 것을 이해하여야 한다.In some examples, having the apex of the V-shaped pattern facing upward can help reduce the maximum length of the routing trace and thus the maximum resistance. For example, vertical routing traces can be routed to the
도 8에 도시된 바와 같이, 수직 라우팅 트랙들은 개선된 광학 성능을 위해 터치 센서 패널의 하나의 에지(예를 들어, 하단 에지)로부터 반대편 에지(예를 들어, 상단 에지)로 실질적으로 연장될 수 있다. 예를 들어, 행 전극과의 전기적 연결부의 지점에서 수직 라우팅 트랙 내에서 수직 라우팅 트레이스를 종단하기보다는 오히려, 수직 라우팅 트랙은 수직 라우팅 트랙이 (개선된 광학 성능을 위해) 사용자에게 덜 가시적일 수 있는 금속 메시 와이어의 더 균일한 패턴을 제공할 수 있도록 전기적 연결부의 지점을 넘어서 연장될 수 있는 라우팅 트레이스 세그먼트들을 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 수직 라우팅 트랙들은 전기적 연결부가 이루어지는 터치 노드를 넘어서는 수직 라우팅 트랙에서의 라우팅 트레이스 세그먼트(들)의 나머지가 (예를 들어, 전압 전위에 결속되거나 플로팅하는) 감지 증폭기에 전기적으로 연결되지 않도록 하나 이상의 파단부들(예를 들어, 금속 메시 내의 불연속부들)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 8은 수직 라우팅 트레이스(810D)가 행 전극(814A)에 대한 전기적 연결부를 이룬 후의 수직 라우팅 트랙의 금속 메시 내의 파단부(813), 수직 라우팅 트레이스(810C)가 행 전극(814B)에 대한 전기적 연결부를 이룬 후의 2개의 수직 라우팅 트랙들의 금속 메시 내의 파단부(823), 및 수직 라우팅 트레이스들(810A, 810B)이 행 전극(814C)에 대한 전기적 연결부(들)를 이룬 후의 4개의 수직 라우팅 트랙들의 금속 메시 내의 파단부(833)를 도시한다. 전기적 연결부를 넘어 금속 메시 내의 파단부들은 트레이스들의 부하를 제거할 수 있다.As shown in FIG. 8 , vertical routing tracks may extend substantially from one edge (eg, bottom edge) to an opposite edge (eg, top edge) of the touch sensor panel for improved optical performance. there is. For example, rather than terminating a vertical routing trace within a vertical routing track at the point of electrical connection with a row electrode, the vertical routing track may be less visible to the user (for improved optical performance). It may include routing trace segments that may extend beyond the point of the electrical connection to provide a more uniform pattern of metal mesh wire. In some examples, the vertical routing tracks are not electrically connected to a sense amplifier (e.g., tied to or floating to a voltage potential) with the remainder of the routing trace segment(s) in the vertical routing track beyond the touch node where the electrical connection is made. may include one or more fractures (eg discontinuities in the metal mesh). For example, FIG. 8 shows a break in the metal mesh of a
추가적으로 또는 대안적으로, 아래에서 더 상세히 설명되는 바와 같이, 일부 예들에서, 라우팅의 유효 저항은 터치 센서 패널(800)의 상이한 뱅크들에 대해 상이할 수 있다. 예를 들어, 행 전극에 전기적으로 연결된 라우팅 트레이스의 일부분 이후에(그리고 라우팅 트랙 내의 파단부 이후에), 라우팅 트랙 내의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 나머지의 일부 또는 전부는 목적에 맞게 수정(repurpose)되고 하나 이상의 다른 라우팅 트랙들 내의 나머지 라우팅 트레이스 세그먼트들 중 하나 이상에 상호연결되어 라우팅 트레이스의 유효 폭을 증가시킬 수 있고 그에 의해 하류 뱅크들에서 터치 노드들에 연결되는 라우팅 트레이스들에 대한 라우팅 트레이스의 유효 저항을 감소시킬 수 있다. 이러한 방식으로, 수직 라우팅 트랙들의 그룹의 연결해제부들(파단부들) 및 상호연결부들이 터치 센서 패널에 대한 대역폭의 균형을 잡는 데 사용될 수 있다. 일부 예들에서, 라우팅 트레이스 활용(수직 라우팅 트랙들의 연결해제부들 및 상호연결부들)은 최대 라우팅 트레이스 저항을 감소시키거나 전체 라우팅 트레이스 저항의 변동을 감소시키기 위해 터치 노드당 기반으로 최적화될 수 있다.Additionally or alternatively, as described in more detail below, in some examples the effective resistance of the routing can be different for different banks of the
예를 들어, 제1 라우팅 트레이스는 제1 수직 라우팅 트랙의 일부분(예를 들어, 수직 라우팅 트레이스(810D))을 포함할 수 있고, 행 1, 열 31 내의 행 전극(814A)을 터치 센서 패널(800)의 하단으로 라우팅하는 데 사용될 수 있다. 전기적 연결부는 행 1, 열 31의 터치 노드 내의 행 전극(814A)의 위치에서 행 전극과 제1 라우팅 트레이스(예를 들어, 수직 라우팅 트레이스(810D)) 사이의 하나 이상의 비아들(812)에 의해 이루어질 수 있다. 파단부(813) 이후에, (라우팅 트레이스 세그먼트들(810D', 810D", 810D"')로 표현되는) 수직 라우팅 트랙의 나머지 부분들의 일부 또는 전부가 상류 뱅크들에 대한 라우팅 트레이스 저항을 감소시키기 위해 사용될 수 있다. 예를 들어, 제2 라우팅 트레이스는 제1 수직 라우팅 트랙의 제2 부분(예를 들어, 라우팅 트레이스 세그먼트(810D')) 및 일부분(예를 들어, 제2 수직 라우팅 트랙의 라우팅 트레이스(810C))을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 라우팅 트랙들의 세그먼트들은 (뱅크(802) 내의) 행 1, 열 31 내의 전기적 연결부와 (뱅크(804) 내의) 행 17, 열 31 내의 전기적 연결부 사이의 하나 이상의 지점들에서 커플링되어 행 1과 행 2 사이의 제2 라우팅 트레이스의 폭과 비교하여 행 2와 행 17 사이의 제2 라우팅 트레이스에 대한 유효 폭을 배증시킬 수 있다(그리고 그에 의해 저항을 감소시킬 수 있다). 전기적 연결부는 행 17, 열 31의 터치 노드 내의 행 전극(814B)의 위치에서 (예컨대, 수직 라우팅 트레이스(810C) 및/또는 상호연결된 트레이스 세그먼트(810D')에 의해) 행 전극과 제2 라우팅 트레이스 사이의 하나 이상의 비아들(822)에 의해 이루어질 수 있다.For example, the first routing trace can include a portion of the first vertical routing track (eg,
파단부(823) 이후에, (라우팅 트레이스 세그먼트들(810C', 810D", 810D"')로 표현되는) 제1 및 제2 수직 라우팅 트랙들의 나머지 부분들의 일부 또는 전부가 상류 뱅크에 대한 라우팅 트레이스 저항을 감소시키기 위해 사용될 수 있다. 예를 들어, 제3 라우팅 트레이스는 제3 수직 라우팅 트랙 및 제4 수직 라우팅 트랙의 일부분(예를 들어, 수직 라우팅 트레이스들(810A, 810B), 제1 수직 라우팅 트랙의 제3 부분 및 제2 라우팅 트랙의 제2 부분을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제3 및 제4 라우팅 트랙들의 세그먼트들은 (예를 들어, 터치 센서 패널의 활성 영역 내의 또는 외측의) 행 전극(814C)에 대한 전기적 연결부와 차동 증폭기 회로 사이의 하나 이상의 지점들에서 상호연결될 수 있다. 추가적으로, 제1 및 제2 라우팅 트랙들 내의 라우팅 트레이스 세그먼트들(810C', 810D")은 (뱅크(804) 내의) 행 17, 열 31에 있는 전기적 연결부와 (뱅크(806) 내의) 행 33, 열 31에 있는 전기적 연결부 사이의 하나 이상의 지점들에서 수직 라우팅 트레이스들(810A, 810B)에 커플링되어, 행 17과 행 33 사이의 라우팅 트레이스들에 대해 행 1과 행 18 사이의 제3 라우팅 트레이스의 폭과 비교하여, 행 18과 행 33 사이의 제3 라우팅 트레이스의 유효 폭을 배증시킬 수 있다(그리고 단일 수직 라우팅 트랙과 비교하여 유효 폭을 4배증(quadrupling)시킬 수 있다)(그리고 그에 의해 저항을 감소시킬 수 있다). 전기적 연결부는 행 33, 열 31의 터치 노드 내의 행 전극(814C)의 위치에서 (예컨대, 수직 라우팅 트레이스들(810A, 810B) 및/또는 상호연결된 라우팅 트레이스 세그먼트들(810C', 810D'')에 의해) 행 전극과 제3 라우팅 트레이스 사이의 하나 이상의 비아들(832)에 의해 이루어질 수 있다. 파단부(833) 이후에, 나머지 라우팅 세그먼트들(810A', 810B', 810C'', 810D''')은 라우팅 트레이스들에 대해 그리고 차동 증폭기들로부터 디커플링될 수 있다.After
전기적 연결부들을 갖는 터치 노드들에 대한 숫자 텍스트 라벨들은 각각의 라우팅 트레이스에 대해 사용되는 수직 라우팅 트랙들의 수 및 각각의 뱅크 내의 행 전극으로의 라우팅에 사용되는 라우팅 트레이스들의 유효 폭에 관한 표시를 제공한다. 예를 들어, 전기적 연결부를 갖는 터치 노드들에 대한 숫자 텍스트 라벨 "1"은 (하나의 라우팅 트랙의 유효 폭을 갖는) 그룹(808) 내의 4개의 수직 라우팅 트랙들 중 하나의 수직 라우팅 트랙의 일부분이 (예를 들어, 라우팅 트레이스 세그먼트(810D)를 포함하는 제1 라우팅 트레이스와 같은) 라우팅 트레이스에 사용될 수 있다는 것을 나타낸다. 전기적 연결부를 갖는 터치 노드들에 대한 숫자 텍스트 라벨 "2:1"은 그룹(808) 내의 4개의 수직 라우팅 트랙들 중 2개의 수직 라우팅 트랙들의 일부분이 라우팅 길이의 일부분에 대한 유효 폭을 배증시키는 데 사용될 수 있다는 것을 나타낸다(예를 들어, 라우팅 트레이스 세그먼트(810C) 및 상호연결된 라우팅 트레이스 세그먼트(810D')를 포함하는 제2 라우팅 트레이스). 전기적 연결부를 갖는 터치 노드들에 대한 숫자 텍스트 라벨 "4:2"는 그룹(808) 내의 4개의 수직 라우팅 트레이스들의 일부분들이 라우팅 길이의 일부분에 대한 유효 폭을 배증시키는 데 사용될 수 있다는 것을 나타낸다(예를 들어, 라우팅 트레이스 세그먼트들(810A, 810B) 및 상호연결된 라우팅 트레이스 세그먼트들(810C', 810D'')을 포함하는 제3 라우팅 트레이스).Numeric text labels for touch nodes with electrical connections provide an indication of the number of vertical routing tracks used for each routing trace and the effective width of routing traces used for routing to a row electrode within each bank. . For example, the numeric text label “1” for touch nodes with electrical connections is part of one of the four vertical routing tracks in group 808 (having an effective width of one routing track). may be used for a routing trace (eg, such as the first routing trace that includes
대안적으로, 숫자 텍스트 라벨 "2:1"은 2개의 라우팅 트랙들의 유효 폭 대 하나의 라우팅 트랙의 유효 폭 사이의 전이 지점의 표시를 제공할 수 있고, 숫자 텍스트 라벨 "4:2"는 4개의 라우팅 트랙들의 유효 폭 대 2개의 라우팅 트랙들의 유효 폭 사이의 전이 지점의 표시를 제공할 수 있다.Alternatively, the numeric text label “2:1” may provide an indication of a transition point between the effective width of two routing tracks to the effective width of one routing track, and the numeric text label “4:2” may provide an indication of the effective width of 4 routing tracks. It may provide an indication of a transition point between the effective width of two routing tracks versus the effective width of two routing tracks.
터치 센서 패널의 치수들, 뱅크들의 수, 및 그룹당 수직 라우팅 트랙들의 수는 예시적인 것으로 이해하여야 한다. 일부 예들에서, 터치 센서 패널은 48개의 행들 및 64개의 열들을 갖도록 크기가 배증될 수 있고, 도 8에 도시된 V자형 패턴은 열들 33 내지 64에 대해 반복될 수 있다. 일부 그러한 예들에서, 각각의 행은 2개의 행 전극들을 가질 수 있고, 추가 열들은 전기적 연결부를 이루는 데 사용되는 라우팅 트레이스들의 수를 배증시키는 데 사용될 수 있다. 일부 그러한 예들에서, 각각의 행은 4개의 행 전극들을 가질 수 있다. 예를 들어, 행당 2개의 행 전극들이 열들 1 내지 32에 사용될 수 있고, 행당 2개의 추가 행 전극들이 열들 33 내지 64에 사용될 수 있다. 일부 예들에서, 도 8에 도시된 것보다 더 많거나 더 적은 수직 라우팅 트랙들 또는 뱅크들이 사용될 수 있다.It should be understood that the dimensions of the touch sensor panel, the number of banks, and the number of vertical routing tracks per group are exemplary. In some examples, the touch sensor panel can be doubled in size to have 48 rows and 64 columns, and the V-shaped pattern shown in FIG. 8 can be repeated for columns 33-64. In some such examples, each row may have two row electrodes, and additional columns may be used to multiply the number of routing traces used to make the electrical connection. In some such examples, each row may have four row electrodes. For example, two row electrodes per row may be used for columns 1-32, and two additional row electrodes per row may be used for columns 33-64. In some examples, more or fewer vertical routing tracks or banks than shown in FIG. 8 may be used.
V자형 라우팅 패턴은 최대 총 라우팅 트레이스 길이를 감소시킴으로써 터치 센서 패널에 대한 대역폭을 최대화하는 데 사용될 수 있다. 그러나, 일부 예들에서, 인접 행들에 대한 라우팅은 다수의 열들에 의해 분리될 수 있기 때문이다. 예를 들어, (열 3에서의) 행 36 및 (열 29에서의) 행 35에 대한 전기적 연결부는 26개의 열들에 의해 분리될 수 있고, (열 15에서의) 행 32 및 (열 31에서의) 행 33에 대한 전기적 연결부는 16개의 열들에 의해 분리될 수 있다. 대조적으로, (열 15에서의) 행 48 및 (열 17에서의) 행 47에 대한 전기적 연결부는 2개의 열들에 의해 분리될 수 있다. 그 결과, 터치 센서 패널(800)의 터치 노드들은, 터치 센서 패널을 가로질러 이동하는 물체의 위치를 측정하기 위해 감소된 정확도를 야기할 수 있는 인접 터치 노드들 사이의 저항 차이들을 가질 수 있다. 일부 예들에서, 감소된 정확도는 열 내의 (그리고/또는 행 내의) 인접 터치 노드들 사이의 저항 차이로 인해 능동 또는 수동 스타일러스 입력 디바이스에 대한 증가된 워블(wobble)에서 나타날 수 있다.The V-shaped routing pattern can be used to maximize the bandwidth to the touch sensor panel by reducing the maximum total routed trace length. However, in some instances, routing for adjacent rows may be separated by multiple columns. For example, the electrical connections for row 36 (at column 3) and row 35 (at column 29) can be separated by 26 columns, and row 32 (at column 15) and row 31 (at column 31). ) The electrical connection to row 33 can be separated by 16 columns. In contrast, the electrical connections to row 48 (at column 15) and row 47 (at column 17) can be separated by two columns. As a result, the touch nodes of the
도 9는 본 개시내용의 예들에 따른 S-형상의 또는 지그재그의 라우팅 패턴을 예시한다. S-형상의 라우팅 패턴은 도 8에 예시된 V자형 라우팅 패턴과 비교하여 열 내의 (그리고/또는 행 내의) 인접 터치 노드들 사이의 저항 차이를 감소시킬 수 있지만, 더 긴 최대 라우팅 트레이스 저항으로 인한 터치 센서 패널의 대역폭을 감소시킬 수 있다(예를 들어, 5% 내지 25%의 대역폭 감소). 도 9는 (예를 들어, 뱅크들(802, 804, 806)에 대응하는) 뱅크들(902, 904, 906)을 포함할 수 있지만 (예를 들어, 4개의 수직 라우팅 트랙들의 그룹들(808)에 대응하는) 수직 라우팅 트랙들의 그룹들(908) 사이의 전기적 연결부들의 상이한 패턴을 포함하는, 터치 센서 패널(800)의 것과 유사한, 터치 노드들의 48x32 어레이를 포함하는 터치 센서 패널(900)을 예시한다.9 illustrates an S-shaped or zigzag routing pattern according to examples of the present disclosure. The S-shaped routing pattern can reduce the difference in resistance between adjacent touch nodes within a column (and/or within a row) compared to the V-shaped routing pattern illustrated in FIG. 8 , but due to longer maximum routing trace resistance A bandwidth of the touch sensor panel may be reduced (eg, a bandwidth reduction of 5% to 25%). 9 may include
수직 라우팅 트랙들 내의 세그먼트들을 사용하는 라우팅 트레이스들과 행 전극들 중 하나 이상 사이의 전기적 연결부들은 숫자 텍스트 라벨("1", "2:1", "2" 또는 "4:2")로 터치 노드들에 표시된다. 터치 센서 패널의 하나의 열 내의 4개의 수직 라우팅 트랙들의 그룹(908)은 뱅크당 하나의 행 전극에 대한 전기적 연결부들을 이루는 데 사용될 수 있다. 예를 들어, 최좌측 그룹(908)은 숫자 텍스트 라벨들("1", "2:1", 또는 "2")로 터치 노드들에 의해 표시된 바와 같이 각각 뱅크들(902, 904, 906) 내의 행들 1, 32, 및 33 내의 행 전극에 대한 전기적 연결부들을 이루는 데 사용될 수 있다. V자형 라우팅 패턴과 달리, 상이한 뱅크들 내의 행들에 대한 전기적 연결부의 위치는 동일하게 이격되지 않을 수 있다. 예를 들어, (행들 1, 32 및 33에서의) 열 1 내의 연결부들은, 연결부들 중 일부가 31개 행들만큼 떨어져 있을 수 있고 다른 연결부들은 인접 행들에 있을 수 있고, 연결부들 사이의 서로 다른 간격은 터치 센서 패널의 라우팅 트레이스들 중 일부에 대한 불균일한 간격 및 증가된 트레이스 저항들로 인해 터치 센서 패널에 대한 대역폭 감소를 야기할 수 있다. 예시의 용이함을 위해 도 9에 도시되어 있지는 않지만, 터치 센서 패널의 각각의 열은 열 전극 세그먼트들을 구동 회로부로 라우팅하기 위한 2개의 수직 라우팅 트랙들을 포함할 수 있다.Electrical connections between one or more of the row electrodes and routing traces using segments in vertical routing tracks are touched with numeric text labels ("1", "2:1", "2" or "4:2"). displayed on nodes. A
예시의 용이함을 위해, 도 9는 (예를 들어, 행에 대한 차동 증폭기의 하나의 단자에 커플링되도록) 터치 센서 패널의 행 내의 한 쌍의 행 전극들 중 하나를 나타내는 홀수로 넘버링된 열들에 대한 4개의 수직 라우팅 트랙들의 그룹들(908)을 도시하지만, (예를 들어, 행에 대한 차동 증폭기의 다른 단자에 커플링되도록) 터치 센서 패널의 행 내의 한 쌍의 행 전극들 중 다른 하나에 대한 전기적 연결부들을 이루기 위해 짝수로 넘버링된 열들에 대한 수직 라우팅 트랙들의 유사한 그룹들이 사용될 수 있다는 것이 이해된다. 예를 들어, 열 1 내의 그룹(908)의 수직 라우팅 트랙들은 터치 센서 패널의 행들 1, 32 및 33 내의 행 전극의 하나에 대한 전기적 연결부들을 이루기 위해 사용될 수 있고, 인접 열 2 내의 수직 라우팅 트랙들의 다른 그룹은 행들 1, 32 및 33 내의 행 전극들의 다른 것에 대한 전기적 연결부들을 이루기 위해 사용될 수 있다. 따라서, 뱅크당 총 32개의 전기적 연결부들, 그리고 3개의 뱅크들에 대해 총 96개의 전기적 연결부들에 대해, 각각의 뱅크는 열당 하나의 전기적 연결부를 포함할 수 있다. 인접 열 내에서 전기적으로 연결되는 행에 대한 제2 행 전극을 갖는 것으로 전술되었지만, 일부 예들에서, 일정 행에 대한 제2 행 전극에 대한 연결부는 상이한 열에서 이루어질 수 있다는 것이 이해된다.For ease of illustration, FIG. 9 is shown in odd-numbered columns representing one of a pair of row electrodes within a row of a touch sensor panel (e.g., coupled to one terminal of a differential amplifier for that row).
도 9에 예시된 바와 같이, 터치 센서 패널(900)은 S-형상의 라우팅 패턴을 갖는다고 할 수 있는데, 이는 각각의 뱅크에 대한 전기적 연결부들의 위치들이 S-형상의 패턴을 야기하기 때문이다. 예를 들어, 일정 뱅크에 대한 행 전극들과 라우팅 트레이스들 사이의 전기적 연결부들은 뱅크의 좌측 및 우측 에지들 사이에 단일 기울기 배열로 위치될 수 있다. 일부 예들에서, (예를 들어, 수직으로 인접한) 인접 뱅크들은 서로 반대편인 기울기들로 배열된 (좌측으로부터 우측으로 또는 우측으로부터 좌측으로 교번하는) 그들의 전기적 연결부들을 가질 수 있다. 추가적으로, 2개의 인접 뱅크들 사이의 경계에서 2개의 인접 행들에 대한 전기적 연결부들(예를 들어, 제1 뱅크 내의 제1 행과 제1 뱅크와는 상이한 제2 뱅크 내의 제2 행 사이의 전기적 연결부 - 제1 행과 제2 행은 인접함)은 (터치 센서 패널의 공통 에지 근처에서) 서로 인접할 수 있다. 예를 들어, 제1 뱅크의 하단 행과 인접한 제2 뱅크의 상단 행 사이의 각각의 순차적인 전기적 연결부들은 터치 센서 패널의 공통 에지를 따라 (예를 들어, 우측 에지 또는 좌측 에지를 따라) 위치될 수 있다. 예를 들어, 뱅크(906)의 경우, 행들에 대한 전기적 연결부들은 행 48, 열 32로부터 행 33, 열 1로 하강하는 제1 대각선을 따라 "4:2"로 라벨링된 그러한 터치 노드들에 존재할 수 있다. S-형상의 패턴은 뱅크들(902, 904)에 대해, 행 32, 열 1로부터 행 17 열 32로 하강하는 제2 대각선을 따르고 행 16, 열 32로부터 행 1, 열 1로 하강하는 제3 대각선을 따르는 전기적 연결부들을 갖는, 유사한 방식으로 반복된다. 행 33, 열 1 및 행 32, 열 1에 대한 전기적 연결부들은 터치 센서 패널의 좌측 에지를 따를 수 있고, 행 17, 열 32 및 행 16, 열 32에 대한 전기적 연결부들은 터치 센서 패널의 우측 에지를 따를 수 있다.As illustrated in FIG. 9 , the
일부 예들에서, S-형상의 패턴을 갖는 것은 인접 행들 사이의 저항의 변화를 감소시키고 따라서 대역폭에서 행간 변화를 감소시키는 것을 도울 수 있다. 예를 들어, 라우팅 트레이스 길이 및 그에 의한 임의의 2개의 인접 행들에 대한 저항의 변화는 (예컨대, 100Ω 미만으로) 상대적으로 작을 수 있는 반면, 도 8의 V자형 구성은 라우팅 트레이스 길이 및 그에 의한 저항의 변화가 일부 인접 행들 사이에서 (예를 들어, 500Ω 초과로) 상대적으로 더 클 수 있는 일부 불연속부들을 가질 수 있다. 예를 들어, 도 8의 V자형 구성에서, 행 32 및 행 33에 대한 연결부들은 각각 열 15 및 열 1에 존재할 수 있으며, 이는 트레이스 길이 및 저항의 상대적으로 큰 차이를 야기할 수 있다. 일부 예들에서, 저항의 행간 변화를 감소시키는 것은 열 내의 (그리고/또는 행 내의) 인접 터치 노드들 사이의 더 작은 저항 차이로 인해 능동 또는 수동 스타일러스 입력 디바이스에 대한 감소된 워블에서 나타날 수 있는 터치 감지에 대한 정확도를 개선할 수 있다.In some examples, having an S-shaped pattern can help reduce change in resistance between adjacent rows and thus reduce line-to-line change in bandwidth. For example, the routing trace length and thereby change in resistance for any two adjacent rows may be relatively small (eg, less than 100 Ω), whereas the V-shaped configuration of FIG. may have some discontinuities where the change in β may be relatively larger (eg, greater than 500Ω) between some adjacent rows. For example, in the V-shaped configuration of FIG. 8 , the connections for
도 9에 도시된 바와 같이, 수직 라우팅 트랙들(및 그 내의 트레이스 세그먼트들)은 개선된 광학 성능을 위해 터치 센서 패널의 하나의 에지(예를 들어, 하단 에지)로부터 반대편 에지(예를 들어, 상단 에지)로 실질적으로 연장될 수 있다. 예를 들어, 행 전극과의 전기적 연결부의 지점에서 수직 라우팅 트레이스를 종단하기보다는 오히려, 수직 라우팅 트랙 내의 세그먼트는 수직 라우팅 트랙들이 (개선된 광학 성능을 위해) 사용자에게 덜 가시적일 수 있는 금속 메시 와이어의 더 균일한 패턴을 제공할 수 있도록 전기적 연결부의 지점을 넘어서 연장될 수 있다. 일부 예들에서, 수직 라우팅 트랙들은, 도 8을 참조하여 위에서 설명된 바와 같이 그리고 여기에서 간결성을 위해 반복되지 않는, 전기적 연결부가 이루어지는 터치 노드를 넘어서는 수직 라우팅 트랙의 나머지가 (예를 들어, 전압 전위에 결속되거나 플로팅하는) 감지 증폭기에 전기적으로 연결되지 않도록 파단부들을 포함할 수 있다.As shown in FIG. 9 , vertical routing tracks (and trace segments therein) are routed from one edge (eg, bottom edge) to the opposite edge (eg, bottom edge) of the touch sensor panel for improved optical performance. top edge). For example, rather than terminating the vertical routing traces at the point of electrical connection with the row electrodes, segments within the vertical routing tracks are metal mesh wires so that the vertical routing tracks may be less visible to the user (for improved optical performance). may extend beyond the point of the electrical connection to provide a more uniform pattern of In some examples, the vertical routing tracks are such that the remainder of the vertical routing tracks beyond the touch node where the electrical connection is made (e.g., voltage potential may include breaks so as not to be electrically connected to the sense amplifier (either tied to or floating).
추가적으로 또는 대안적으로, 도 8과 관련하여 위에서 설명된 바와 같이, 일부 예들에서, 라우팅의 유효 저항은 터치 센서 패널(900)의 상이한 뱅크들에 대해 상이할 수 있다. 예를 들어, 라우팅 트랙의 일부분을 포함하는 라우팅 트레이스가 행 전극에 전기적으로 연결된 이후에(그리고 라우팅 트랙 내의 파단부 이후에), 라우팅 트랙의 나머지의 일부 또는 전부는 목적에 맞게 수정되고/되거나 나머지 라우팅 트레이스들 중 하나 이상에 상호연결되어 라우팅 트레이스의 유효 폭을 증가시킬 수 있고 그에 의해 하류 뱅크들에서 터치 노드들에 연결된 라우팅 트레이스들에 대한 라우팅 트레이스의 유효 저항을 감소시킬 수 있다. 이러한 방식으로, 수직 라우팅 트랙들의 그룹의 연결해제부들(파단부들) 및 상호연결부들이 터치 센서 패널에 대한 대역폭의 더 우수한 균형을 잡는 데 사용될 수 있다. 일부 예들에서, 라우팅 트랙 활용(수직 라우팅 트랙들의 연결해제부들 및 상호연결부들)은 최대 라우팅 트레이스 저항을 감소시키거나 전체 라우팅 트레이스 저항의 변동을 감소시키기 위해 터치 노드당 기반으로 최적화될 수 있다.Additionally or alternatively, as described above with respect to FIG. 8 , in some examples the effective resistance of the routing may be different for different banks of
터치 센서 패널의 치수들, 뱅크들의 수, 및 그룹당 수직 라우팅 트랙들의 수는 예시적인 것으로 이해하여야 한다. 일부 예들에서, 터치 센서 패널은 48개의 행들 및 64개의 열들을 갖도록 크기가 배증될 수 있고, 도 9에 도시된 S-형상의 패턴은 열들 33 내지 64에 대해 반복될 수 있다(예컨대, 열 32와 열 33 사이의 경계에 걸쳐 미러링될 수 있다). 일부 그러한 예들에서, 각각의 행은 2개의 행 전극들을 가질 수 있고, 추가 열들은 전기적 연결부를 이루는 데 사용되는 라우팅 트레이스들의 수를 배증시키는 데 사용될 수 있다. 일부 그러한 예들에서, 각각의 행은 4개의 행 전극들을 가질 수 있다. 예를 들어, 행당 2개의 행 전극들이 열들 1 내지 32에 사용될 수 있고, 행당 2개의 추가 행 전극들이 열들 33 내지 64에 사용될 수 있다. 일부 예들에서, 도 9에 도시된 것보다 더 많거나 더 적은 수직 라우팅 트랙들 또는 뱅크들이 사용될 수 있다.It should be understood that the dimensions of the touch sensor panel, the number of banks, and the number of vertical routing tracks per group are exemplary. In some examples, the touch sensor panel can be doubled in size to have 48 rows and 64 columns, and the S-shaped pattern shown in FIG. 9 can be repeated for columns 33-64 (e.g.,
일부 예들에서, 하이브리드 라우팅 패턴이 사용될 수 있다. 하이브리드 라우팅 패턴에서, 일부 라우팅 트레이스들은 활성 영역에 배치되고(예를 들어, 행 및/또는 열 전극들과 중첩함), 일부 라우팅 트레이스들은 활성 영역 외측에 (예를 들어, 경계 영역에) 배치된다. 도 10은 본 개시내용의 예들에 따른 하이브리드 라우팅 패턴을 예시한다. 하이브리드 라우팅 패턴은 도 9에 예시된 S-형상의 또는 지그재그의 라우팅 패턴의 특징부들(예를 들어, 대각선을 따르는 행 연결부들)을 포함할 수 있지만, 일부 경계 영역 라우팅 트레이스들도 또한 포함한다. 하이브리드 라우팅 패턴은 도 9와 관련하여 전술된 바와 유사한 방식으로 열 내의 (그리고/또는 행 내의) 인접 터치 노드들 사이의 저항 차이를 감소시킬 수 있다. 그러나, 경계 영역 라우팅 트레이스들의 사용은, 더 긴 라우팅 트레이스들에 대한 라우팅 트랙들 중 더 많은 것을 목적에 맞게 수정함으로써, 활성 영역에 요구되는 라우팅 트랙들의 수를 감소시킬 수 있고/있거나 라우팅 트레이스들의 최대 저항을 감소시킬 수 있다.In some examples, a hybrid routing pattern may be used. In a hybrid routing pattern, some routing traces are placed in the active area (eg, overlapping row and/or column electrodes), and some routing traces are placed outside the active area (eg, in a border area) . 10 illustrates a hybrid routing pattern according to examples of the present disclosure. A hybrid routing pattern may include features of the S-shaped or zigzag routing pattern illustrated in FIG. 9 (eg, row connections along diagonal lines), but also include some border area routing traces. The hybrid routing pattern can reduce resistance differences between adjacent touch nodes within a column (and/or within a row) in a manner similar to that described above with respect to FIG. 9 . However, the use of border area routing traces may reduce the number of routing tracks required in an active area and/or may reduce the number of routing traces required in an active area by tailoring more of the routing tracks for longer routing traces. resistance can be reduced.
도 10은 (예를 들어, 뱅크들(902, 904, 906)에 대응하는) 뱅크들(1002, 1004, 1006)을 포함할 수 있지만 수직 라우팅 트랙들의 그룹들(1008)(예를 들어, 2개의 수직 라우팅 트랙들의 그룹들) 사이의 전기적 연결부들의 상이한 패턴을 포함하는, 터치 센서 패널(900)의 것과 유사한, 터치 노드들의 48x32 어레이를 포함하는 터치 센서 패널(1000)을 예시한다. 2개의 수직 라우팅 트랙들이 열마다 도시되어 있지만, 이러한 라우팅 트랙들은 더 두꺼울 수 있다(그리고 따라서, 개선된 저항 특성들(예를 들어, 라우팅 트레이스의 단위 길이당 감소된 저항)을 갖는다). 대안적으로, 수직 라우팅 트랙들은 (예를 들어, 4개의 수직 라우팅 트랙들의 그룹들(908)에 대응하는) 4개의 수직 라우팅 트랙들을 포함할 수 있는데, 여기서 4개의 수직 라우팅 트랙들 중 2개는 도 10의 2개의 예시된 수직 라우팅 트레이스들 중 하나와 동일한 연결부들로 라우팅될 수 있다(또는 대안적으로, 열들의 일부 또는 전부는 제1 뱅크(1002) 내의 상호연결부들을 위한 4개의 수직 라우팅 트랙들 중 하나 및 제3 뱅크(1006)에 대한 상호연결부들을 위한 4개의 수직 라우팅 트랙들 중 3개를 사용할 수 있다).10 may include
수직 라우팅 트랙들 내의 세그먼트들을 사용하는 라우팅 트레이스들과 행 전극들 중 하나 이상 사이의 전기적 연결부들은 숫자 텍스트 라벨("1" 또는 "2:1")로 터치 노드들에 표시된다. 터치 센서 패널의 하나의 열 내의 2개의 수직 라우팅 트랙들의 그룹(1008)은 상부 뱅크 내의 하나의 행 전극 및 하부 뱅크 내의 하나의 행 전극에 대한 전기적 연결부들을 이루는 데 사용될 수 있다. 예를 들어, 최좌측 그룹(1008)은 숫자 텍스트 라벨들("1" 또는 "2:1")로 터치 노드들에 의해 표시된 바와 같이 각각 뱅크들(1002, 1006) 내의 행들 16 및 33 내의 행 전극에 대한 전기적 연결부들을 이루는 데 사용될 수 있다. 유사한 방식으로, 열 3 내의 수직 라우팅 트랙들은 뱅크들(1002, 1006) 내의 행들 15 및 34 내의 행 전극에 대한 전기적 연결부들을 이루는 데 사용될 수 있다. 중간 뱅크(1004) 내의 행 전극들 각각에 대한 전기적 연결부는 경계 영역에서 (예를 들어, 활성 영역 외측에서) 라우팅 트레이스(예를 들어, 라우팅 트레이스(1010))를 사용하여 이루어질 수 있다. 경계 영역 내의 라우팅 트레이스들은 또한 본 명세서에서 경계 영역 라우팅 트레이스 또는 경계 라우팅 트레이스로 지칭될 수 있다. 도 9의 S-형상의 라우팅 패턴과 마찬가지로, 상이한 뱅크들 내의 행들에 대한 전기적 연결부의 위치는 동일하게 이격되지 않을 수 있다. 예를 들어, (행들 16 및 33에서의) 열 1 내의 연결부들은 17개 행들만큼 떨어져 있을 수 있고, 열 31 내의 연결부들은 47개 행들만큼 떨어져 있을 수 있다. 연결부들 사이의 서로 다른 간격은 터치 센서 패널의 라우팅 트레이스들 중 일부에 대한 불균일한 간격 및 증가된 트레이스 저항들로 인해 터치 센서 패널에 대한 대역폭 감소를 야기할 수 있다. 일부 예들에서, 본 명세서에 설명된 바와 같이, 증가된 트레이스 저항들은 하이브리드 라우팅 구성을 사용하여 감소될 수 있다. 예시의 용이함을 위해 도 10에 도시되어 있지는 않지만, 터치 센서 패널의 각각의 열은 열 전극 세그먼트들을 구동 회로부로 라우팅하기 위한 2개의 수직 라우팅 트랙들을 포함할 수 있다.Electrical connections between one or more of the row electrodes and routing traces using segments in the vertical routing tracks are indicated at the touch nodes with a numeric text label ("1" or "2:1"). A group of two
예시의 용이함을 위해, 도 10은 (예를 들어, 행에 대한 차동 증폭기의 하나의 단자에 커플링되도록) 터치 센서 패널의 행 내의 한 쌍의 행 전극들 중 하나를 나타내는 홀수로 넘버링된 열들에 대한 2개의 수직 라우팅 트랙들의 그룹들(1008)을 도시하지만, (예를 들어, 행에 대한 차동 증폭기의 다른 단자에 커플링되도록) 터치 센서 패널의 행 내의 한 쌍의 행 전극들 중 다른 하나에 대한 전기적 연결부들을 이루기 위해 짝수로 넘버링된 열들에 대한 수직 라우팅 트랙들의 유사한 그룹들이 사용될 수 있다는 것이 이해된다. 예를 들어, 열 1 내의 그룹(1008)의 수직 라우팅 트랙들은 터치 센서 패널의 행들 1 및 33 내의 행 전극의 하나에 대한 전기적 연결부들을 이루기 위해 사용될 수 있고, 인접 열 2 내의 수직 라우팅 트랙들의 다른 그룹은 행들 1 및 33 내의 행 전극들의 다른 것에 대한 전기적 연결부들을 이루기 위해 사용될 수 있다. 한 쌍의 행 전극들에 대한 전기적 연결부들은 경계 영역에서 (예를 들어, 터치 센서 패널의 동일한 면 상에서 또는 서로 반대편인 면들 상에서) 이루어질 수 있다. 따라서, 뱅크당 총 32개의 전기적 연결부들, 그리고 3개의 뱅크들에 대해 총 96개의 전기적 연결부들에 대해, 상부 뱅크 및 하부 뱅크 각각은 열당 하나의 전기적 연결부를 포함할 수 있고, 중간 뱅크는 행당 2개의 전기적 연결부들(행 내의 한 쌍의 행 전극들에 대해 각각 하나씩)을 포함할 수 있다. 상부 및 하부 뱅크들 내의 인접 열 내에서 전기적으로 연결되는 행에 대한 제2 행 전극을 갖는 것으로 전술되었지만, 일부 예들에서, 일정 행에 대한 제2 행 전극에 대한 연결부는 상이한 열에서 이루어질 수 있다는 것이 이해된다.For ease of illustration, FIG. 10 shows odd-numbered columns representing one of a pair of row electrodes within a row of a touch sensor panel (e.g., coupled to one terminal of a differential amplifier for that row). shows
도 10에 예시된 바와 같이, 터치 센서 패널(1000)은 S-형상의 라우팅 패턴과 유사한 라우팅 패턴을 가질 수 있다. 예를 들어, 일정 뱅크에 대한 행 전극들과 라우팅 트레이스들 사이의 전기적 연결부들은 뱅크의 좌측 및 우측 에지들 사이에 단일 기울기 배열로 위치될 수 있다. 예를 들어, 뱅크(1006)의 경우, 행들에 대한 전기적 연결부들은 행 48, 열 32로부터 행 33, 열 1로 하강하는 제1 대각선을 따라 "2:1"로 라벨링된 그러한 터치 노드들에 존재할 수 있다. 뱅크(1002)에 대한 전기적 연결부들은, 전기적 연결부들이 행 16, 열 1로부터 행 1, 열 32로 하강하는 제2 대각선을 따르면서, 유사한 방식으로 이어진다. 중간 뱅크(1004)는, 본 명세서에 설명된 바와 같이, 경계 영역 라우팅을 사용하여 연결될 수 있다. 일부 예들에서, 중간 뱅크에 의해 분리된 제1 뱅크와 제3 뱅크는 서로 반대편인 기울기들로 배열된 (좌측으로부터 우측으로 또는 우측으로부터 좌측으로 교번하는) 그들의 전기적 연결부들을 가질 수 있다. 추가적으로, 경계 영역 라우팅을 사용하여 연결된 행에 인접한 제1 뱅크 내의 제1 행 사이의 전기적 연결부 및 제1 뱅크와는 상이한 제2 뱅크 내의 제2 행 사이의 전기적 연결부는 터치 센서 패널의 공통 에지에 또는 그 근처에 있을 수 있다. 예를 들어, 행 33, 열 1 및 행 16, 열 1에 대한 전기적 연결부들은 터치 센서 패널의 좌측 에지를 따를 수 있다.As illustrated in FIG. 10 , the
일부 예들에서, 하이브리드 디바이스에서 S-형상의 패턴과 유사한 대각선 패턴을 갖는 것은 상부 및 하부 뱅크들 내의 인접 행들 사이의 저항의 변화를 감소시키고 따라서 대역폭에서 행간 변화를 감소시키는 것을 도울 수 있다. 일부 예들에서, 경계 영역 라우팅 트레이스들은 또한, 저항의 행간 변화를 감소시키고 (예를 들어, 하부 뱅크의 상단 행의 저항과 상부 뱅크의 하단 행의 저항 사이에서) 중간 뱅크에 대한 저항의 상대적 연속성을 제공하도록 설계될 수 있다.In some examples, having a diagonal pattern similar to that of an S-shape in a hybrid device can help reduce change in resistance between adjacent rows in the upper and lower banks and thus reduce line-to-line variation in bandwidth. In some examples, border region routing traces also reduce line-to-line variation in resistance (e.g., between the resistance of a top row of a lower bank and the resistance of a bottom row of an upper bank) and relative continuity of resistance relative to a middle bank. can be designed to provide
도 10에 도시된 바와 같이, 수직 라우팅 트랙들(및 그 내의 트레이스 세그먼트들)은 개선된 광학 성능을 위해 터치 센서 패널의 하나의 에지(예를 들어, 하단 에지)로부터 반대편 에지(예를 들어, 상단 에지)로 실질적으로 연장될 수 있다. 예를 들어, 행 전극과의 전기적 연결부의 지점에서 수직 라우팅 트레이스를 종단하기보다는 오히려, 수직 라우팅 트랙은 수직 라우팅 트랙들이 (개선된 광학 성능을 위해) 사용자에게 덜 가시적일 수 있는 금속 메시 와이어의 더 균일한 패턴을 제공할 수 있도록 전기적 연결부의 지점을 넘어서 연장될 수 있다. 일부 예들에서, 수직 라우팅 트랙들은, 도 8을 참조하여 위에서 설명된 바와 같이 그리고 여기에서 간결성을 위해 반복되지 않는, 전기적 연결부가 이루어지는 터치 노드를 넘어서는 수직 라우팅 트랙의 나머지가 (예를 들어, 전압 전위에 결속되거나 플로팅하는) 감지 증폭기에 전기적으로 연결되지 않도록 파단부들을 포함할 수 있다.As shown in FIG. 10 , vertical routing tracks (and trace segments therein) are routed from one edge (eg, bottom edge) to the opposite edge (eg, bottom edge) of the touch sensor panel for improved optical performance. top edge). For example, rather than terminating the vertical routing traces at the point of electrical connection with the row electrodes, the vertical routing tracks are more of a metal mesh wire where the vertical routing tracks may be less visible to the user (for improved optical performance). It may extend beyond the point of the electrical connection to provide a uniform pattern. In some examples, the vertical routing tracks are such that the remainder of the vertical routing tracks beyond the touch node where the electrical connection is made (e.g., voltage potential It may include breaks so as not to be electrically connected to the sense amplifier (either tied to or floating).
추가적으로 또는 대안적으로, 도 8과 관련하여 위에서 설명된 바와 같이, 일부 예들에서, 라우팅의 유효 저항은 터치 센서 패널(1000)의 상이한 뱅크들에 대해 상이할 수 있다. 예를 들어, 라우팅 트랙의 일부분을 포함하는 라우팅 트레이스가 행 전극에 전기적으로 연결된 이후에(그리고 라우팅 트랙 내의 파단부 이후에), 라우팅 트랙의 나머지의 일부 또는 전부는 목적에 맞게 수정되고/되거나 나머지 라우팅 트레이스들 중 하나 이상에 상호연결되어 라우팅 트레이스의 유효 폭을 증가시킬 수 있고 그에 의해 하류 뱅크들에서 터치 노드들에 연결된 라우팅 트레이스들에 대한 라우팅 트레이스의 유효 저항을 감소시킬 수 있다. 이러한 방식으로, 수직 라우팅 트랙들의 그룹의 연결해제부들(파단부들) 및 상호연결부들이 터치 센서 패널에 대한 대역폭의 더 우수한 균형을 잡는 데 사용될 수 있다. 일부 예들에서, 라우팅 트랙 활용(수직 라우팅 트랙들의 연결해제부들 및 상호연결부들)은 최대 라우팅 트레이스 저항을 감소시키거나 전체 라우팅 트레이스 저항의 변동을 감소시키기 위해 터치 노드당 기반으로 최적화될 수 있다.Additionally or alternatively, as described above with respect to FIG. 8 , in some examples the effective resistance of the routing can be different for different banks of
터치 센서 패널의 치수들, 뱅크들의 수, 및 그룹당 수직 라우팅 트랙들의 수는 예시적인 것으로 이해하여야 한다. 일부 예들에서, 터치 센서 패널은 48개의 행들 및 64개의 열들을 갖도록 크기가 배증될 수 있고, 도 10에 도시된 하이브리드 패턴은 열들 33 내지 64에 대해 반복될 수 있다(예컨대, 열 32와 열 33 사이의 경계에 걸쳐 미러링될 수 있다). 일부 그러한 예들에서, 각각의 행은 2개의 행 전극들을 가질 수 있고, 추가 열들은 전기적 연결부를 이루는 데 사용되는 라우팅 트레이스들의 수를 배증시키는 데 사용될 수 있다. 일부 그러한 예들에서, 각각의 행은 4개의 행 전극들을 가질 수 있다. 예를 들어, 행당 2개의 행 전극들이 열들 1 내지 32에 사용될 수 있고, 행당 2개의 추가 행 전극들이 열들 33 내지 64에 사용될 수 있다. 일부 예들에서, 도 10에 도시된 것보다 더 많거나 더 적은 수직 라우팅 트레이스들 또는 뱅크들이 사용될 수 있다.It should be understood that the dimensions of the touch sensor panel, the number of banks, and the number of vertical routing tracks per group are exemplary. In some examples, the touch sensor panel can be doubled in size to have 48 rows and 64 columns, and the hybrid pattern shown in FIG. 10 can be repeated for columns 33-64 (e.g.,
도 10이 활성 영역에 라우팅 트레이스들을 갖는 상부 및 하부 뱅크들(1002, 1006) 및 경계 영역에 라우팅 트레이스들을 갖는 중간 뱅크(1004)를 도시하지만, 활성 영역 내의 그리고 경계 영역 내의 트레이스들의 분포는 도 10에 도시된 것과 상이할 수 있다는 것이 이해된다. 예를 들어, 더 많거나 더 적은 전기적 연결부들이 S-형상의 패턴과 하이브리드 패턴 사이에서 변경될 수 있다(예를 들어, 중간 뱅크 내의 행들에 대한 일부 활성 영역 라우팅 트레이스들/트랙들을 포함함으로써 제2 뱅크에서 부분적인 제3 대각선을 추가하거나 또는 전기적 연결부를 위한 더 많은 경계 라우팅 트레이스들을 사용함으로써 상부 및/또는 하부 뱅크에서 대각선의 길이를 감소시킴).10 shows upper and
본 명세서에 설명된 바와 같이, 일부 예들에서, 차동 감지 증폭기로의 행에 대한 전기적 연결부들은 열 내의 인접 행들 사이의 크로스토크에 영향을 줄 수 있다. 도 11a 및 도 11b는 본 개시내용의 예들에 따른, 크로스토크가 있는 그리고 크로스토크가 없는 수직 라우팅 트레이스들 및 대응하는 신호 레벨들을 갖는 예시적인 터치 센서를 예시한다. 도 11a는 터치 센서 패널(700)의 행 및 열 전극들에 대응할 수 있는 (그러나, 상이한 라우팅이 도시됨) 터치 센서 패널(1100)을 예시한다. 행 1, 열 2에 있는 터치 노드에 대응하는 행 전극(1104)은 (행 전극(1104)에 대해 도시된 비아들과 같은 3개의 라우팅 트레이스 연결 지점들을 갖는) 3개의 라우팅 트랙들(1106) 내의 세그먼트들로 구현된 라우팅 트레이스를 사용하여 감지 증폭기에 커플링될 수 있다. 라우팅 트랙들(1106)은 (예를 들어, 행 2, 열 2에 그리고 행 3, 열 2에 있는) 열 내의 다른 터치 노드들과 중첩하는 수직 라우팅 트랙들일 수 있다. 도 11b는 행 2, 열 2에 있는 터치 노드에 근접한 또는 손가락 터치하는 손가락(1102)의 존재로 인한 (예를 들어, 실제 또는 이상적인 신호인) 크로스토크가 없는 그리고 크로스토크가 있는 제2 열 내의 터치 전극들에서의 신호 측정치들의 비교를 예시한다. 도 11b에 도시된 바와 같이, 행 2, 열 2에 있는 라우팅 트레이스들(1106)에 근접한 손가락(1102)의 존재는 행 1, 열 2에서의 측정된 신호의 변조를 야기할 수 있다. 일부 예들에서, 변조는 손가락(들)의 크기, 수, 및/또는 배향에 따라 5% 내지 30% 정도일 수 있다. 이러한 변조는 부정확한 위치 검출 및 더 불량한 터치 성능을 야기하는 터치 신호 프로파일의 왜곡을 야기할 수 있다. 일부 예들에서, 도 11d와 관련하여 설명된 바와 같이, 차동 라우팅 트레이스들은 크로스토크의 영향을 완화시키는 데 사용될 수 있다.As described herein, in some examples, electrical connections to a row to a differential sense amplifier can affect crosstalk between adjacent rows within a column. 11A and 11B illustrate an example touch sensor with vertical routing traces and corresponding signal levels with and without crosstalk, according to examples of the present disclosure. 11A illustrates a
도 11c 및 도 11d는 본 개시내용의 예들에 따른, 비-차동 라우팅 트레이스들을 갖는 또는 차동 라우팅 트레이스들을 갖는 예시적인 터치 센서 패널들의 일부분들을 예시한다. 터치 센서 패널의 각각의 부분들(1120, 1140)은 각각 4개의 열 전극들(1124A 내지 1124D)(H-형 전극들) 및 1122A 내지 1122D로 라벨링된 4개의 행 전극들을 포함하는 터치 노드들의 2x2 어레이를 포함한다. 행 전극들(1122A 내지 1122D)은 라우팅 트레이스들(1126A 내지 1126H)을 사용하여 감지 회로부(예를 들어, 단일 종단형 또는 차동 증폭기들)로 라우팅될 수 있다. 행 전극들(1122A 내지 1122D)과 라우팅 트랙들(1126A 내지 1126H)에 구현된 라우팅 트레이스들 사이의 전기적 연결부들은 비아들(1128A 내지 1128L)을 사용하여 이루어질 수 있다. 단순화를 위해, 열 라우팅이 도 11c 및 도 11d에 도시되어 있지는 않다. 4개의 행 전극들은 (예를 들어, 2개의 차동 측정에 사용될 수 있는) 라벨들 S0+, S0, S1+, 및 S1-로 참조된 감지 회로부의 4개의 입력들에 커플링될 수 있다. 2개의 행 전극들(1122A, 1122B)(또한, S0+ 및 S0-로 라벨링됨)은 차동 측정을 위해 감지 회로부의 2개의 입력들(예를 들어, 차동 감지 증폭기(S0)의 2개의 단자들)로 라우팅될 수 있고, 2개의 행 전극들(1122C, 1122D)(또한, S1+ 및 S1-로 라벨링됨)은 차동 측정을 위해 감지 회로부의 2개의 입력들(예를 들어, 차동 감지 증폭기(S1)의 2개의 단자들)로 라우팅될 수 있다.11C and 11D illustrate portions of example touch sensor panels with non-differential routing traces or with differential routing traces, according to examples of the present disclosure. Each of the
일부 예들에서, 도 11c의 비-차동 구성으로 도시된 바와 같이, 차동 측정의 제1 입력에 대한 라우팅 트레이스들은 하나의 열 내에 배치될 수 있고, 차동 측정의 제2 입력에 대한 라우팅 트레이스들은 제2 열 내에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 라우팅 트레이스는 라우팅 트랙들(1126A, 1126B) 내의 라우팅 트레이스 세그먼트들을 사용하여 그리고 라우팅 트랙들(1126C 및 1126D) 내의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 일부분들을 사용하여 구현될 수 있다. 제1 라우팅 트레이스는 비아들(1128A 내지 1128D)을 사용하여 행 전극(1122A)에 전기적으로 연결될 수 있고 좌측 열에서 수직으로 라우팅될 수 있다. 라우팅 트랙들(1126A, 1126B)이 또한 행 전극(1122C)과 중첩하지만, 전기적 연결부는 없다. 유사한 방식으로, 제2 라우팅 트레이스는 라우팅 트랙들(1126E, 1126F) 내의 라우팅 트레이스 세그먼트들을 사용하여 그리고 라우팅 트랙들(1126G 및 1126H) 내의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 일부분들을 사용하여 구현될 수 있다. 제2 라우팅 트레이스는 비아들(1128E 내지 1128H)을 사용하여 행 전극(1122B)에 전기적으로 연결될 수 있고 우측 열에서 수직으로 라우팅될 수 있다. 라우팅 트랙들(1126E, 1126F)이 또한 행 전극(1122D)과 중첩하지만, 전기적 연결부는 없다. 행 전극들(1122A, 1122B)에 대한 라우팅은 (예를 들어, 라우팅 길이의 일부분에 대해 유효 폭을 배증시키고 그에 의해 라우팅 트레이스 저항을 감소시키기 위해) 2개의 수직 라우팅 트랙들을 사용하는 것으로부터 4개의 수직 라우팅 트랙들로의 전이를 포함하는 "4:2" 전기적 연결부를 갖는 2개의 라우팅 트레이스들에 대응할 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 예를 들어, 감지 회로부의 하나의 입력에 대응하는 라우팅 트랙들(1126A, 1126B) 내의 라우팅 트레이스 세그먼트들이 연결되는 것으로 그리고 (예를 들어, 행 전극(1122A)과 행 전극(1122C) 사이의 경계 근처의 트랙들 사이의 일부 수평 상호연결부를 갖는) 행 전극(1122A)에 걸친 4개의 트랙들 내의 라우팅 트레이스 세그먼트들로 분할되는 것으로 도시되어 있다. 마찬가지로, 감지 회로부의 다른 입력에 대응하는 라우팅 트랙들(1126E, 1126F) 내의 라우팅 트레이스 세그먼트들이 연결되는 것으로 그리고 (예를 들어, 행 전극(1122B)과 행 전극(1122D) 사이의 경계 근처의 트랙들 사이의 일부 수평 상호연결부를 갖는) 행 전극(1122B)에 걸친 4개의 트랙들 내의 라우팅 트레이스 세그먼트들로 분할되는 것으로 도시되어 있다. 도 11c는 또한 비아들(1128I, 1128J)을 사용하여 행 전극(1122C)에 전기적으로 연결되는 라우팅 트랙들(1126C 및 1126D) 내의 라우팅 트레이스 세그먼트들 및 비아들(1128K, 1128L)을 사용하여 행 전극(1122D)에 전기적으로 연결되는 라우팅 트랙들(1126G, 1126H) 내의 라우팅 트레이스 세그먼트들을 예시한다. 도 11a 및 도 11b를 참조하여 설명된 바와 같이, 열 전극(1124C) 및 행 전극(1122C)을 포함하는 하단 우측 터치 노드를 터치하거나 그에 근접하는 손가락은 일부 크로스토크(예컨대, 터치 신호를 왜곡하는 변조)가 하단 우측 터치 노드와 중첩하는 라우팅 트랙들(1126A, 1126B)로 인해 열 전극(1124A) 및 행 전극(1122A)을 포함하는 상단 우측 터치 노드의 측정에 도입되게 할 수 있다.In some examples, as shown in the non-differential configuration of FIG. 11C , routing traces for a first input of differential measurement may be placed in one column, and routing traces for a second input of differential measurement may be placed in a second column. Can be placed in a column. For example, a first routing trace may be implemented using routing trace segments in
일부 예들에서, 크로스토크는 도 11d에 예시된 바와 같이 차동 라우팅 트레이스들을 사용하여 완화될 수 있다. 차동 라우팅 구성에서, 차동 측정의 제1 입력에 대한 라우팅 트레이스들 및 차동 측정의 제2 입력에 대한 라우팅 트레이스들은 동일한 열 내에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 라우팅 트레이스는 라우팅 트랙들(1126A, 1126B) 내의 라우팅 트레이스 세그먼트들을 사용하여 그리고 라우팅 트랙들(1126C 및 1126D) 내의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 일부분들을 사용하여 구현될 수 있고, 제2 라우팅 트레이스는 라우팅 트랙들(1126E, 1126F) 내의 라우팅 트레이스 세그먼트들을 사용하여 그리고 라우팅 트랙들(1126G 및 1126H) 내의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 일부분들을 사용하여 구현될 수 있다. 제1 라우팅 트레이스는 비아들(1128A 내지 1128D)을 사용하여 행 전극(1122A)에 전기적으로 연결되고, 제2 전극은 비아들(1128E 내지 1128H)을 사용하여 행 전극(1122B)에 전기적으로 연결된다. 제1 및 제2 라우팅 트레이스들의 세그먼트들은 라우팅 트랙들의 쌍들 내에서 (예를 들어, 좌측 열 내에서, 그리고 또한 우측 열의 상부 반부 내에서) 수직으로 라우팅될 수 있다. 라우팅 트랙들(1126A, 1126B, 1126E, 1126F) 내의 제1 및 제2 라우팅 트레이스들이 또한 행 전극(1122C)과 중첩하지만, 전기적 연결부는 없다. 도 11d는 또한 비아들(1128I, 1128J)을 사용하여 행 전극(1122C)에 전기적으로 연결되는 라우팅 트랙들(1126C 및 1126D) 내의 라우팅 트레이스 세그먼트들 및 비아들(1128K, 1128L)을 사용하여 행 전극(1122D)에 전기적으로 연결되는 라우팅 트랙들(1126G, 1126H) 내의 라우팅 트레이스 세그먼트들을 예시한다. 이러한 세그먼트들은 라우팅 트랙들의 쌍들 내에서 (예를 들어, 하단 우측 열 내에서) 수직으로 라우팅될 수 있고, 행 전극들(1122C, 1122D)에 대한 이러한 연결부들은 (예를 들어, 도 11c에서와 같이 상이한 열 내에서보다는 오히려) 동일한 열 내에서 이루어질 수 있다.In some examples, crosstalk can be mitigated using differential routing traces as illustrated in FIG. 11D. In a differential routing configuration, the routing traces for the first input of the differential measurement and the routing traces for the second input of the differential measurement may be placed in the same column. For example, a first routing trace may be implemented using routing trace segments in
열 전극(1124C) 및 행 전극(1122C)을 포함하는 하단 좌측 터치 노드를 터치하거나 그에 근접하는 손가락은 변조가 하단 좌측 터치 노드와 중첩하는 라우팅 트랙들(1126A, 1126B)로 인해 열 전극(1124A) 및 행 전극(1122A)을 포함하는 상단 좌측 터치 노드의 측정에 도입되게 할 수 있다. 그러나, 동일한 (또는 유사한) 변조가 하단 좌측 터치 노드와 중첩하는 중첩 라우팅 트랙들(1126E, 1126F)로 인해 도입될 수 있다. 따라서, (예를 들어, 적어도 라우팅 트랙들(1126A, 1126B, 1126E, 1126F) 내의 세그먼트들을 포함하는) 제1 및 제2 라우팅으로부터 수신된 입력들의 차동 측정은 크로스토크 변조를 상쇄하거나 감소시킬 수 있다(예를 들어, 크로스토크 변조는 공통 모드가 된다). 도 11d가 연결된 4:2 라우팅 트레이스에서 2x2 어레이에 대한 크로스토크 완화를 예시하지만, 이러한 기법은 더 큰 터치 센서 패널의 영역들에 대한 크로스토크를 감소시키기 위해 다른 라우팅 트레이스들에 사용될 수 있다는 것을 이해하여야 한다.A finger touching or approaching the bottom left touch node, which includes
본 명세서에 설명된 바와 같이, 차동 구동 및 차동 감지 아키텍처는 디스플레이 시스템에 대한 터치 시스템의 근접으로 인해 발생할 수 있는 터치 스크린의 터치 및/또는 디스플레이 시스템들 내의 잡음을 감소시킬 수 있다. 그러나, 차동 구동 및 차동 감지 아키텍처의 사용은 차동 구동 및 차동 감지 아키텍처의 구현예의 기생 비-이상성(parasitic non-ideality)들로 인해 감지된 터치 신호들에 대한 감소된 신호 대 잡음비를 야기할 수 있다. 일부 예들에서, 본 명세서에서 더 상세히 설명되는 바와 같이, 구동 회로부와 열 전극들 사이의 그리고/또는 감지 회로부와 행 전극들 사이의 연결부들을 스태거링하는 것은 기생 효과들을 감소시킬 수 있고/있거나 차동 구동 및 차동 감지 아키텍처들에 대한 신호 대 잡음비를 증가시킬 수 있다.As described herein, the differential drive and differential sensing architecture can reduce touch of a touch screen and/or noise within display systems that can occur due to proximity of the touch system to the display system. However, the use of differential driving and differential sensing architecture may result in reduced signal-to-noise ratio for sensed touch signals due to parasitic non-idealities of the implementation of the differential driving and differential sensing architecture. . In some examples, as described in more detail herein, staggering connections between drive circuitry and column electrodes and/or between sense circuitry and row electrodes can reduce parasitic effects and/or reduce differential It can increase the signal-to-noise ratio for driven and differential sensing architectures.
도 12a 및 도 12b는 본 개시내용의 예들에 따른, 단일 종단형 커패시턴스 측정치들 또는 차동 커패시턴스 측정치들을 사용한 행-열 아키텍처의 예시적인 터치 노드를 예시한다. 도 12a는 터치 센서 패널의 행 전극(1202) 및 열 전극(1204)을 예시하는데, 이때 터치 노드(1200)는 열 전극(1204)과 행 전극(1202)의 일부분 사이의 인접부에 대응한다. 도 12a에 도시된 바와 같이, 열 전극(1204)은 다수의 커플링된 전극 세그먼트들(1204A 내지 1204C)을 포함할 수 있고, 행 전극(1202)은 다수의 커플링된 전극 세그먼트들(1202A 내지 1202C)을 포함할 수 있다(세그먼트들의 커플링은 단순화를 위해 도시되어 있지 않다).12A and 12B illustrate an example touch node of a row-column architecture using single-ended capacitance measurements or differential capacitance measurements, according to examples of the present disclosure. 12A illustrates
구동 회로(1206)가 행 전극(1202)을 자극할 수 있고, 열 전극(1204)에 커플링된 감지 회로(1208)가 터치 노드(1200)의 커패시턴스를 측정할 수 있다. 감지 회로에 의해 측정된 커패시턴스는, 도 12a에서 커패시턴스(CM)(주 커패시턴스)에 의해 예시된, 행 전극 세그먼트(1202B)와 열 전극 세그먼트(1204B) 사이의 용량성 커플링을 주로 측정할 수 있다. 그러나, CM을 측정하는 것에 더하여, 커패시턴스 측정은 또한 인접 터치 노드들의 열 전극 세그먼트들과 다른 행 전극 세그먼트들 사이에 커플링되는 기생 커패시턴스들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 기생 커플링들은 행 전극 세그먼트들(1202A)과 열 전극 세그먼트들(1204B) 사이의 커플링(CPR 또는 기생 행 커플링), 행 전극 세그먼트들(1202C)과 열 전극 세그먼트들(1204B) 사이의 커플링(CPR), 행 전극 세그먼트들(1202B)과 열 전극 세그먼트들(1204A) 사이의 커플링(CPC 또는 기생 열 커플링), 및 행 전극 세그먼트들(1202B)과 열 전극 세그먼트들(1204C) 사이의 커플링(CPC)을 포함할 수 있다.A
도 12a는 행 전극(1202)에 대한 구동 회로(1206) 및 열 전극(1204)에 대한 감지 회로(1208)를 나타내는 회로도를 예시하는데, 이때 터치 노드(1200)에 대해 측정된 커패시턴스들은 주 커패시턴스(CM) 및 2개의 기생 열 커플링들과 2개의 기생 행 커플링들의 조합된 기생 커패시턴스를 포함한다. 측정이 단일 종단형이기 때문에, 이러한 커패시턴스들은 CM + 2CPC + 2CPR의 총 측정된 커패시턴스에 대한 합산이다.12A illustrates a circuit diagram showing the
도 12b는 (도 12b에 예시된 2개의 전극 세그먼트들을 포함하는) 제1 열 전극(1214A) 및 제2 열 전극(1214B)을 포함하는 2개의 열 전극들을 갖는 열 및 (도 12b에 예시된 2개의 전극 세그먼트들을 포함하는) 제1 행 전극(1212A) 및 제2 열 전극(1212B)을 포함하는 2개의 행 전극들을 갖는 행을 포함하는 터치 센서 패널의 일부분을 예시한다. 터치 노드(1210)는 열 전극(1214B)과 행 전극(1212B) 사이의 인접성에 대응한다. 구동 회로(1216)는 (D+ 및 D- 라벨들로 표시된 바와 같이) 구동 신호로 행 전극(1212B)을 그리고 상보적인 구동 신호로 행 전극(1212B)을 자극할 수 있고, 열 전극(1214B) 및 열 전극(1214A)에 커플링된 감지 회로(1218)가 터치 노드(1210)의 커패시턴스를 (S+ 및 S- 라벨들로 표시된 바와 같이) 차동 측정할 수 있다. 감지 회로에 의해 측정된 커패시턴스는, 커패시턴스(CM)(주 커패시턴스)에 의해 예시된, 행 전극(1212B)과 열 전극(1214B) 사이의 용량성 커플링을 주로 측정할 수 있고, 기생 커패시턴스들을 또한 측정할 수 있다. 기생 커패시턴스들은 행 전극(1212A)과 열 전극 세그먼트(1214B) 사이의 커플링(도 12b에 도시된 2개의 인접 세그먼트들에 대해 배증된 CPR), 및 행 전극(1202B)과 열 전극(1214A) 사이의 커플링(도 12b에 도시된 2개의 인접 세그먼트들에 대해 배증된 CPC)을 포함할 수 있다.FIG. 12B shows a column with two column electrodes including a
도 12b는 행 전극들(1212A 및 1212B)에 대한 구동 회로(1216) 및 열 전극들(1214A 및 1214B)에 대한 감지 회로(1218)를 나타내는 회로도를 예시하는데, 이때 커패시턴스들은 주 커패시턴스(CM)를 포함하는 터치 노드(1210)에 대해 측정되지만, 조합된 기생 커패시턴스들에 의해 감쇠된다. 차동 구동 및 다른 감지 구성으로 인해, 이러한 기생 커패시턴스들은 이위상이고 CM - 2CPC - 2CPR의 총 측정된 커패시턴스에 대한 합산이다. 기생 효과들은 총 측정된 신호를 감소시키며, 이는 SNR을 감소시킨다. 일부 예들에서, 기생 효과들은 총 측정된 신호를 대략 75% 내지 80%만큼 감소시켜, 터치 센서 패널에 대한 SNR을 감소시킬 수 있다. 추가로, 기생 효과들은 본 명세서에 설명된 잡음의 차동 상쇄의 유효성을 감소시킬 수 있으며, 이는 또한 잡음을 (예를 들어, 대략 3 내지 5 배만큼) 증가시킬 수 있고 SNR을 추가로 저하시킬 수 있다.12B illustrates a circuit diagram showing the
일부 예들에서, SNR은 터치 센서 패널에 인가되는 자극의 패턴을 변경함으로써 인정받을 수 있다. 패턴은 (예를 들어, 선택적으로 스위치들을 사용하거나 또는 대안적으로 구동기 회로부에서 구동 신호들을 생성하는 데 사용되는 코드들을 변경함으로써) 라우팅 트레이스들과 구동 회로부 사이의 커플링에 의해 변경될 수 있다. 도 13a 및 도 13b는 본 개시내용의 예들에 따른, 터치 센서 패널들의 일부분들 및 터치 센서 패널들에 인가된 자극의 표현들을 예시한다. 터치 센서 패널(1300)은 터치 센서 패널(700)에 대응할 수 있다. 터치 센서 패널(1300)은 (예를 들어, 행 전극들(702A 내지 702F)에 대응하는) 행 전극들(1302A 내지 1302F) 및 (예를 들어, 열 전극들(704A 내지 704F)에 대응하는) 열 전극들(1304A 내지 1304F)을 포함할 수 있다. 터치 센서 패널은 유효 터치 노드들의 2차원 어레이(3개의 행들 및 3개의 열들)를 포함하는 것으로 보일 수 있는데, 이때 터치 노드들 각각은 하나의 행 전극 세그먼트 및 하나의 열 전극 세그먼트를 포함한다. 행 전극들은 감지 회로부에 커플링될 수 있고, 열 전극들은 구동기 회로부(예를 들어, 구동기/송신기)에 커플링될 수 있다. 예를 들어, 도 13a는 열 전극들(1304A, 1304B)에 커플링된 차동 구동기 회로(1305A)(또는 2개의 단일-출력 구동기 회로들), 열 전극들(1304C, 1304D)에 커플링된 차동 구동기 회로(1305B), 및 열 전극들(1304E, 1304F)에 커플링된 차동 구동기 회로(1305C)(예를 들어, 코딩된, 상보적인 구동 신호들을 생성함)를 예시한다. 차동 증폭기들(1308A 내지 1308C)(또는 다수의 단일 종단형 증폭기들)은 행 전극들(1302A 내지 1302F)의 각각의 쌍에 커플링될 수 있다.In some examples, SNR can be measured by changing the pattern of stimuli applied to the touch sensor panel. The pattern can be changed by coupling between the routing traces and the drive circuitry (eg, optionally using switches or alternatively by changing the codes used to generate the drive signals in the driver circuitry). 13A and 13B illustrate portions of touch sensor panels and representations of a stimulus applied to the touch sensor panels, according to examples of the present disclosure. The
터치 센서 패널(1300)은 구동 및 감지를 위한 행/열 관례가 도 12b와 도 13a 사이에서 상이하지만) 도 12b에 제시된 터치 센서 패널의 일부분의 도면의 확대부로서 보일 수 있다. 예를 들어, 터치 노드(1210)는 열 전극(1304D) 및 행 전극(1302D)에 대응하는 터치 센서 패널(1300)의 중심에 있는 터치 노드에 대응할 수 있다. 인접 열 전극(1304C)에 인가되는 구동 신호의 극성은 인접 행 전극(1212A)의 상보적인 위상으로 도시된 바와 유사한 방식으로 상보적이고, 마찬가지로 인접 행 전극(1302C)에 커플링된 차동 증폭기 단자에 대한 극성은 인접 열 전극(1214A)의 반대 극성으로 도시된 바와 같이 행 전극(1302D)의 극성에 반대이다.The
도 13a는 또한 터치 센서 패널에 인가된 자극의 표현(1310)을 예시한다. 표현(1310)이 터치 노드들의 4x4 어레이의 자극을 보여주지만, 도 13a에 도시된 터치 센서 패널(1300)의 일부분은 3x3 어레이를 보여주기만 한다. 표현(1310)은 상보적인 구동 신호들의 세트가 각각의 열 내에서 (예를 들어, 라벨들 D0, D1 등을 갖는 구동기 회로들에 대응하는 인덱싱을 사용하여 TX0, TX1 등으로 구동 신호들이 라벨링된 상태로) 사용되는 것을 보여준다. 예를 들어, 최좌측 열은 (+와 -가 교번하는) TX0의 반대 위상들을 사용하고, 우측으로의 각각의 열은 TX1, TX2, 및 TX3의 반대 위상들을 사용한다(여기서, TX0, TX1, TX2 및 TX3은 직교 구동 신호들일 수 있다). 유사한 방식으로, 행 전극들 각각의 행은 하나의 대응하는 차동 증폭기의 차동 입력에 커플링된다. 도 12b와 관련하여 설명된 바와 같이, 이러한 구성은 기생 커패시턴스들로 인해 SNR의 감소에 민감할 수 있다.13A also illustrates a
도 13b는 터치 센서 패널(1300)에 대응하지만 구동기 회로부와 열 전극들 사이에 상이한 커플링을 갖는 터치 센서 패널(1320)을 예시한다. 예를 들어, 도 13b에 도시된 바와 같이, 상보적인 구동 신호들은 상보적인 구동 신호들이 대각방향으로 인접하도록 (스태거링되도록) 상이한 열들에 인가될 수 있다. 예를 들어, 터치 센서 패널에 인가된 자극의 표현(1330)으로 도시된 바와 같이, 각각의 구동 신호는 (열 전극을 사용하여) 터치 노드에 인가된 그의 상보물을 가질 수 있고, 이는 하나의 행 및 하나의 열만큼 오프셋된다. 예를 들어, TX0+는 열 1, 행 1에서의 터치 노드에 인가되고, 그의 상보물은 열 2, 행 2에 있는 터치 노드에 인가된다. 상보적인 터치 신호들에 대한 유사한 관계들이 터치 센서 패널에 걸쳐 인가될 수 있다. 상보적인 구동 신호들을 스태거링하는 것은 기생 커패시턴스들(예를 들어, 도 12b에 도시된 CPC)의 크기를 감소시킬 수 있는데, 이는 전극들 사이의 대각방향 거리가 대각방향이 아니게 인접한 전극들보다 크고, 그에 의해 신호를 증가시키기(SNR을 부스팅시킴) 때문이다. 일부 예들에서, 신호의 부스트는 도 13a의 스태거링되지 않은 자극 패턴과 비교하여 80% 내지 100%(또는 그 이상)일 수 있다. 스태거링은 차동 상쇄 피치(예를 들어, 상보적인 신호들 사이의 거리)를 증가시키며, 이는 차동 신호들이 상쇄되는 영역을 증가시킨다는 것을 이해하여야 한다. 그 결과, 차동 상쇄 피치를 증가시키는 것은 공존 잡음의 더 적은 상쇄(예를 들어, 터치-대-디스플레이 잡음의 증가)를 야기할 수 있다. 그러나, 개선된 신호 레벨이 공존 잡음의 상쇄의 감소보다 우세하여 SNR을 개선할 수 있다. 다른 스태거링 패턴들이 가능한 열들의 쌍들의 대각방향으로 인접한 터치 노드들에 대해 스태거링이 도시되어 있지만, (더 작은 차동 상쇄 피치에 의해 개선되는) 공존 잡음의 억제 레벨과 (반대 위상을 갖는 구동 전극들 사이의 거리를 증가시킴으로써 개선되는) 신호 레벨 사이의 트레이드오프가 있다. 디스플레이-대-터치 잡음이 차동 감지에 의해 주로 완화되기 때문에, 자극 패턴을 스태거링하는 것은 디스플레이-대-터치 잡음의 레벨에 영향을 미치지 않아야 한다는 (또는 그에 최소한의 영향을 미쳐야 한다는) 것을 또한 이해하여야 한다.13B illustrates a touch sensor panel 1320 that corresponds to touch
도 13b에 도시된 바와 같이, 열 전극들과 구동 회로부 사이의 라우팅을 변경함으로써 스태거링이 구현될 수 있다. 예를 들어, 구동기 회로(1306A)에 의해 출력되는 라우팅 트레이스들은 열 전극(1304A)에 대한 하나의 출력 및 열 전극(도 13a에서와 같이 1304B보다는 오히려 1304D)에 대한 상보적인 출력을 포함할 수 있다. 마찬가지로, 구동기 회로(1306B)에 의해 출력되는 라우팅 트레이스들은 열 전극(1304C)에 대한 하나의 출력 및 열 전극(도 13a에서와 같이 1304D보다는 오히려 1304B)에 대한 상보적인 출력을 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 스태거링은 터치 센서 패널의 전극들과 구동기 회로부 사이의 라우팅을 변경하지 않고서 구동기 회로부를 사용하여 구현될 수 있다. 예를 들어, 스위칭 회로부는 구동 신호들의 스태거링된 패턴을 달성하기 위해 라우팅 트레이스들과 구동기 회로부의 출력 사이에서 구현될 수 있다. 대안적으로, 구동기 회로부는 상이한 제어 신호들을 사용하여 스태거링된 패턴을 생성하도록 (예를 들어, 도 13a의 열 전극(1304D)에 커플링된 구동기 회로(1305B)의 출력으로부터 TX0-를 출력하고 열 전극(1304B)에 커플링된 구동기 회로(1305A)의 출력으로부터 TX1-를 출력하도록) 구성될 수 있다. 라우팅을 변경하지 않고서 스태거링 패턴을 구현하는 것은 차동 및 비-차동 스캔들을 구현하기 위한 개선된 유연성을 제공할 수 있다. 예를 들어, 터치 감지가 차동 구성을 사용하여 구현될 수 있지만, 일부 예들에서, 스타일러스 감지는 상이한 구동 또는 상이한 감지를 사용하지 않고서 구현될 수 있다. 예를 들어, 복수의 제1 전극들 및 복수의 제2 전극들은 능동 스타일러스 감지 동작 시 수신기 전극들로서 구성될 수 있다. 터치 노드들의 2-축 어레이의 각각의 행에 대한 제1 행 전극 및 제2 행 전극은 서로 그리고 감지 회로의 입력에 커플링될 수 있다. 따라서, 라우팅을 변경하지 않고서 스태거링 패턴을 구현하는 것은 차동 또는 단일 종단형 스캐닝 모드들의 구현을 허용한다.As shown in FIG. 13B, staggering can be implemented by changing the routing between the column electrodes and drive circuitry. For example, routing traces output by
일부 예들에서, 차동 구동 및 감지는 잡음 조건들에 기초하여 터치 감지를 위한 상이한 모드들에서 동작할 수 있다. 예를 들어, 터치 시스템은 (예를 들어, 충전기가 플러그 인되는 등의 동안 잡음의 임계량을 초과하는) 상대적으로 더 많은 잡음 조건들 하에서 본 명세서에 설명된 스태거링을 사용하여 터치 감지 동작을 수행할 수 있어서 감지된 신호가 부스팅될 (그러나 공존 잡음의 더 적은 상쇄로 부스팅될) 수 있지만, 터치 시스템은 (예를 들어, 충전기에 플러그 인되어 있지 않은 등의 동안, 잡음의 임계량 미만의) 상대적으로 더 적은 잡음 조건들 하에서 스태거링 없이 터치 감지 동작을 수행할 수 있어서 개선된 상쇄가 발생할 수 있지만, 신호 레벨은 상대적으로 작을 (예를 들어, 스태거링과 비교하여 감쇠될) 수 있다In some examples, differential drive and sensing can operate in different modes for touch sensing based on noise conditions. For example, a touch system may use the staggering described herein to perform touch sensing operations under relatively more noise conditions (eg, exceeding a threshold amount of noise while a charger is plugged in, etc.) can do so that the sensed signal is boosted (but boosted with less cancellation of coexisting noise), but the touch system is (eg, less than a threshold amount of noise, while not plugged into a charger, etc.) The signal level may be relatively small (e.g., attenuated compared to staggering), although improved cancellation may occur by being able to perform the touch sensing operation without staggering under relatively low noise conditions.
스태거링이 도 13b의 열 전극들에 인가된 자극의 상황에서 주로 설명되고 있지만, 유사한 원리가 추가적이거나 대안적으로 행 전극들과 감지 회로부 사이의 연결부들을 스태거링하기 위해 적용될 수 있다는 것이 이해된다. 예를 들어, 하나의 차동 증폭기를 차동 사용하여 행 내의 행 전극들 둘 모두를 감지하기보다는 오히려, 일부 예들에서, 하나의 행 전극이 제1 차동 증폭기의 제1 입력에 커플링될 수 있고 제2 행 전극이 제2 차동 증폭기의 제1 입력에 커플링될 수 있다. 스태거링이 터치 센서 패널의 자극 면 및 감지 면 둘 모두에 대해 구현되는 경우에, 자극 면에 적용되는 스태거링 및 감지 면에 적용되는 스태거링이 차동 터치 신호를 측정하는 기능을 방해하지 않도록 그러한 주의를 해야 하는 것이 이해된다.Although staggering is primarily described in the context of the stimulus applied to the column electrodes in FIG. 13B, it is understood that a similar principle may additionally or alternatively be applied to stagger the connections between the row electrodes and the sensing circuitry. do. For example, rather than differentially using one differential amplifier to sense both row electrodes in a row, in some examples one row electrode can be coupled to a first input of a first differential amplifier and a second A row electrode can be coupled to a first input of the second differential amplifier. If staggering is implemented on both the excitation and sensing surfaces of the touch sensor panel, the staggering applied to the excitation and sensing surfaces will not interfere with the ability to measure differential touch signals. It is understood that such precautions must be taken to avoid
본 명세서에 설명된 바와 같이, 일부 예들에서, 터치 센서 패널의 행 전극들 및 열 전극들을 포함하기 위한 라우팅은 활성 영역에서 적어도 부분적으로 구현될 수 있다. 활성 영역 라우팅은 (예를 들어, 활성 영역 주위의) 감소된 경계 영역을 갖는 디바이스를 허용할 수 있다. 도 14a 및 도 14b는 본 개시내용의 예들에 따른, 제1 층에 터치 전극들 및 라우팅 트레이스들을 그리고 제2 층에 브리지들을 포함하는 (예컨대, 터치 센서 패널(700)에 대응하는) 2-층 구성을 예시한다. 구체적으로, 도 14a는 2-층 구성 중 제1 층(1400A)(본 명세서에서 "금속 2" 또는 "TM2"로 또한 지칭됨)을 예시하고, 도 14b는 2-층 구성 중 제2 층(1400B)(본 명세서에서 "금속 1" 또는 "TM1"로 또한 지칭됨)을 예시한다. 제1 층(1400A) 및 제2 층(1400B) 둘 모두는 금속 층들(506, 516)에 대응하는 금속 메시 층들일 수 있다. 일부 예들에서, 터치 전극들을 포함하는 제1 층은 제2 층보다 커버 글래스에 상대적으로 더 가깝게 위치될 수 있다. 층들의 중첩하는 콘텐츠들을 보여주기 위해, 도 14a 및 도 14b 각각은 터치 전극들, 라우팅 트레이스들 및 브리지들을 예시하지만, 도 14a에서 층(1400A) 내의 터치 전극들 및 라우팅 트레이스들이 강조되고 층(1400B) 내의 브리지들은 강조해제되는 반면, 도 14b에서는 층(1400B) 내의 브리지들이 강조되고 층(1400A) 내의 터치 전극들 및 라우팅 트레이스들은 강조해제된다. 강조해제된 콘텐츠들을 위한 더 밝은/더 얇은 라인들과 비교하여 더 어두운/더 두꺼운 라인들이 강조에 제공된다.As described herein, in some examples, the routing for including the row electrodes and column electrodes of the touch sensor panel can be implemented at least partially in the active area. Active area routing may allow devices with reduced border areas (eg, around the active area). 14A and 14B show a two-layer (e.g., corresponding to touch sensor panel 700) comprising touch electrodes and routing traces in a first layer and bridges in a second layer, according to examples of the present disclosure. Illustrate the configuration. Specifically, FIG. 14A illustrates a
도 14a는 (예를 들어, 행 전극들(702A 내지 702F) 및 열 전극들(704A 내지 704F)에 대응하는) 행 전극들(1402A 내지 1402F) 및 열 전극들(1404A 내지 1404F)을 예시한다. 추가적으로, 도 14a는 (예를 들어, 행 라우팅 트레이스들(703A 내지 703F) 및 열 라우팅 트레이스들(705A 내지 705F)에 대응하는) 행 라우팅 트레이스들(1403A 내지 1403F) 및 열 라우팅 트레이스들(1405A 내지 1405F)을 예시한다. 도 14b는 브리지들(1410)을 예시하는데, 브리지들은 브리지의 서로 반대편인 단부들(예를 들어, 수평 단부들)에서 한 쌍의 비아들을 사용하여 제1 층에 연결될 수 있다. 터치 전극들과 상이한 층 내의 라우팅 트레이스들을 예시하는 도 7a와 달리, 도 14a 및 도 14b에서 라우팅 트레이스들은 동일한 층에서 구현된다. 그 결과, 터치 전극들의 세그먼트들을 서로 (그리고 구동/감지 회로부에) 상호연결하는 데 사용될 수 있는 라우팅 트레이스들은 또한 터치 전극들의 금속 메시의 추가 세그먼트화를 야기할 수 있다. 일부 예들에서, 터치 전극들의 이러한 세그먼트들은 브리지들을 사용하여 전기적으로 상호연결될 수 있다. 예를 들어, 열 전극들(1404A 내지 1404F)은 라우팅 및/또는 브리지들에 의해 상호연결된 다수의 전도성 세그먼트들을 포함할 수 있다. 마찬가지로, 행 전극들(1402A 내지 1402F)은 서로 그리고 감지 회로부에 라우팅 및/또는 브리지들에 의해 연결된 다수의 전도성 세그먼트들을 포함할 수 있다.14A illustrates
예시적인 예로서, 열 전극(1404A)은, 서로 그리고 구동 회로부에 (라우팅 트레이스 세그먼트들(1405A_1 내지 1405A_3)을 포함하는) 라우팅 트레이스(1405A) 및 (라우팅 트레이스들(1403C, 1405B)에 걸쳐 전도성 세그먼트들을 가교하는 브리지들(1410A_1 내지 1410A_3)을 포함하는) 브리지들(1410)에 의해 연결되는 (라우팅 트레이스들(1403C, 1405B)로 인해 도 7에 도시된 2개의 세그먼트들보다는 오히려) 전도성 세그먼트들(1404A_1 내지 1404A_5)을 포함할 수 있다. 다른 예시적인 예로서, 행 전극(1402A)은, 서로 그리고 감지 회로부에 라우팅(1403A) 및 (1405A 내지 1405F를 포함하는 라우팅 트레이스들에 걸쳐 전도성 세그먼트들을 가교하는 브리지들(1410B_1 내지 1410B_10)을 포함하는) 브리지들(1410)에 의해 연결되는 (1405A 내지 1405F를 포함하는 라우팅 트레이스들, 추가의 행 라우팅 트레이스 라인들로 인해 도 7에 도시된 바와 같이 라우팅(702A"')에 의해 연결된 2개의 세그먼트들(702A', 702A")보다는 오히려) 전도성 세그먼트들(1402A_1 내지 1402A_13)을 포함할 수 있다.As an illustrative example,
도 14a 및 도 14b가 전극들, 라우팅 및 브리지들의 예시적인 표현을 도시하지만, 전극들, 라우팅 및 브리지들의 다른 배열들이 구현될 수 있다는 것이 이해된다. 예시의 단순화를 위해, 전도성 세그먼트들 사이의 일부 브리지들이 도시되지 않을 수 있다는 것이 또한 이해된다(예를 들어, 전도성 세그먼트(1402A_1), 전도성 세그먼트(1402A_3) 및/또는 전도성 세그먼트(1402A_11)는, 예를 들어, 라우팅 트레이스들에 걸친, 예컨대, 라우팅 트레이스(1405A_2)에 걸친 하나 이상의 브리지들에 의해, 전도성 세그먼트(1404A_1)의 하단 에지(들)를 넘어서 연장될 수 있고 하단 에지(들)에서 연결될 수 있다). 도 14a 및 도 14b가 열 전극들의 열당 상보적인 구동 신호들을 위한 2개의 수직 라우팅 트레이스들 및 행 전극들의 행당 2개의 수직 라우팅 트레이스들(예를 들어, 행 전극의 쌍당 2개의 수직 라우팅 트레이스들)을 예시하지만, 행들 및/또는 열들에 대한 상이한 수의 수직 라우팅 트레이스들이 가능하다는 것을 이해하여야 한다. 도 14a 및 도 14b의 터치 센서 패널이 9개의 지배적 커패시턴스 값들의 3x3 어레이를 포함하지만(예컨대, 9개의 유효 터치 노드들에 대응함), 터치 센서 패널은 더 적거나 또는 더 많은 터치 노드들을 포함하도록 확대 또는 축소될 수 있다는 것을 이해하여야 한다.14A and 14B show example representations of electrodes, routing and bridges, it is understood that other arrangements of electrodes, routing and bridges may be implemented. It is also understood that for simplicity of illustration, some bridges between conductive segments may not be shown (e.g., conductive segment 1402A_1, conductive segment 1402A_3, and/or conductive segment 1402A_11 may be may extend beyond the bottom edge(s) of conductive segment 1404A_1 and be connected at the bottom edge(s), eg, by one or more bridges across routing traces, e.g., across routing trace 1405A_2. there is). 14A and 14B show two vertical routing traces for complementary drive signals per column of column electrodes and two vertical routing traces per row of row electrodes (eg, two vertical routing traces per pair of row electrodes). Although illustrative, it should be understood that different numbers of vertical routing traces for rows and/or columns are possible. Although the touch sensor panel of FIGS. 14A and 14B includes a 3x3 array of 9 dominant capacitance values (e.g., corresponding to 9 valid touch nodes), the touch sensor panel is extended to include fewer or more touch nodes. Or it should be understood that it can be reduced.
도 14a 및 도 14c는 본 개시내용의 예들에 따른, 제1 층에 터치 전극들 및 라우팅 트레이스들을 그리고 제2 층에 브리지들 및 적층된 라우팅 트레이스들을 포함하는 (예컨대, 터치 센서 패널(700)에 대응하는) 2-층 구성을 예시한다. 라우팅 트레이스들을 적층하는 것은, 적층된 라우팅 트레이스들이 없는 도 14a 및 도 14b의 2-층 구성과 비교하여, 라우팅 트레이스들의 저항을 감소시킬 수 있고 터치 센서 패널의 대역폭을 증가시킬 수 있다. 구체적으로, 도 14a는 2-층 구성 중 제1 층(1400A)(본 명세서에서 "금속 2" 또는 "TM2"로 또한 지칭됨)을 예시하고, 도 14b는 2-층 구성 중 제2 층(1400C)(본 명세서에서 "금속 1" 또는 "TM1"로 또한 지칭됨)을 예시한다. 제1 층(1400A) 및 제2 층(1400C) 둘 모두는 금속 층들(506, 516)에 대응하는 금속 메시 층들일 수 있다. 일부 예들에서, 터치 전극들을 포함하는 제1 층은 제2 층보다 커버 글래스에 상대적으로 더 가깝게 위치될 수 있다. 층들의 중첩하는 콘텐츠들을 보여주기 위해, 도 14a 및 도 14c 각각은 터치 전극들, 라우팅 트레이스들 및 브리지들을 예시하지만, 도 14a에서 층(1400A) 내의 터치 전극들 및 라우팅 트레이스들이 강조되고 층(1400C) 내의 브리지들은 강조해제되는 반면, 도 14c에서는 층(1400C) 내의 브리지들 및 라우팅이 강조되고 층(1400A) 내의 터치 전극들 및 라우팅 트레이스들은 강조해제된다. 강조해제된 콘텐츠들을 위한 더 밝은/더 얇은 라인들과 비교하여 더 어두운/더 두꺼운 라인들이 강조에 제공된다.14A and 14C show a touch electrode and routing traces in a first layer and bridges and stacked routing traces in a second layer (e.g., in a touch sensor panel 700) according to examples of the present disclosure. corresponding) two-layer configuration. Stacking the routing traces can reduce the resistance of the routing traces and increase the bandwidth of the touch sensor panel compared to the two-layer configuration of FIGS. 14A and 14B without stacked routing traces. Specifically, FIG. 14A illustrates a
본 명세서에 설명된 바와 같이, 도 14a는 행 전극들(1402A 내지 1402F), 열 전극들(1404A 내지 1404F), 행 라우팅 트레이스들(1403A 내지 1403F) 및 열 라우팅 트레이스들(1405A 내지 1405F)을 예시한다. 도 14c는 브리지들(1410), 행 라우팅 트레이스(1413A 내지 1413F) 및 열 라우팅 트레이스들(1415A 내지 14145F)을 예시한다. 브리지들(1410)은 라우팅 트레이스로 인해 그렇지 않으면 전기적으로 연결해제되는 세그먼트들을 연결하기 위해 브리지의 서로 반대편인 단부들(예를 들어, 수평 단부들)에서 한 쌍의 비아들을 사용하여 제1 층에 연결될 수 있다. 제2 층에 라우팅 트레이스들이 없는 브리지들을 예시하는 도 14b에서와 달리, 도 14c에서, 제2 층은 또한 제1 층 내의 라우팅 트레이스들에 대응하는 추가 라우팅 트레이스들(적층된 라우팅 트레이스들)을 포함할 수 있다. 층들(1400A, 1400C) 내의 라우팅 트레이스들은 활성 영역 외측에서 또는 활성 영역 내에서 비아들을 사용하여 서로 커플링될 수 있다.As described herein, FIG. 14A illustrates
예를 들어, 열 전극(1404A)의 세그먼트들을 서로 그리고 구동 회로부에 층(1400A) 내의 (라우팅 트레이스 세그먼트들(1405A_1 내지 1405A_3)을 포함하는) 라우팅 트레이스(1405A)를 사용하여 커플링하는 것에 더하여, 제2 층(1400C) 내의 추가 라우팅 트레이스 세그먼트들(1415A_1 내지 1415A_5)은 라우팅 트레이스의 유효 저항을 (예컨대, 대략 절반만큼) 감소시키는 데 사용될 수 있다. 예를 들어, 라우팅 트레이스 세그먼트(1415A_1)가 라우팅 트레이스 세그먼트(1405A_1)에 평행하게 이어질 수 있고, 라우팅 트레이스 세그먼트들(1415A_3, 1415A_4)이 라우팅 트레이스 세그먼트(1405A_2)에 평행하게 이어질 수 있는 등등이다. 추가적으로, 라우팅 트레이스 세그먼트들(1415A_2, 1415A_5)은 라우팅 트레이스 세그먼트들(1404A_5, 1404A_1)에 각각 평행하게 또한 이어질 수 있다.For example, in addition to coupling segments of
유사한 방식으로, 적층된 라우팅이 행 라우팅 트레이스들에 사용될 수 있다. 예를 들어, 행 전극(1402A)의 세그먼트들을 (층(1400C) 내의) 브리지들(1410)을 사용하여 서로 그리고 층(1400A) 내의 라우팅 트레이스(1403A)를 사용하여 감지 회로부에 커플링하는 것에 더하여, 제2 층(1400C) 내의 추가 라우팅 트레이스 세그먼트들(1413A_1 내지 1413A_5)은 라우팅 트레이스의 유효 저항을 (예컨대, 대략 절반만큼) 감소시키는 데 사용될 수 있다. 예를 들어, 라우팅 트레이스 세그먼트들(1415A_1 내지 1415A_5)은 행 라우팅 트레이스(1403)에 평행하게 이어질 수 있다. 층(1400C) 내의 라우팅 트레이스 세그먼트들은 층(1400C) 내의 브리지들에 의해 중단될 수 있다.In a similar manner, stacked routing can be used for row routing traces. For example, in addition to coupling segments of
도 14a 및 도 14c가 전극들, 라우팅 및 브리지들의 예시적인 표현을 도시하지만, 전극들, 라우팅 및 브리지들의 다른 배열들이 구현될 수 있다는 것이 이해된다. 예시의 단순화를 위해, 전도성 세그먼트들 사이의 일부 브리지들이 도시되지 않을 수 있다는 것이 또한 이해된다(예를 들어, 전도성 세그먼트(1402A_1), 전도성 세그먼트(1402A_3) 및/또는 전도성 세그먼트(1402A_11)는, 예를 들어, 라우팅 트레이스들에 걸친, 예컨대, 라우팅 트레이스(1405A_2)에 걸친 하나 이상의 브리지들에 의해, 전도성 세그먼트(1404A_1)의 하단 에지(들)를 넘어서 연장될 수 있고 하단 에지(들)에서 연결될 수 있다). 도 14a 및 도 14c가 열 전극들의 열당 상보적인 구동 신호들을 위한 2개의 수직 라우팅 트레이스들 및 행 전극들의 행당 2개의 수직 라우팅 트레이스들(예를 들어, 행 전극의 쌍당 2개의 수직 라우팅 트레이스들)을 예시하지만, 행들 및/또는 열들에 대한 상이한 수의 수직 라우팅 트레이스들이 가능하다는 것을 이해하여야 한다. 도 14a 및 도 14c의 터치 센서 패널이 9개의 지배적 커패시턴스 값들의 3x3 어레이를 포함하지만(예컨대, 9개의 유효 터치 노드들에 대응함), 터치 센서 패널은 더 적거나 또는 더 많은 터치 노드들을 포함하도록 확대 또는 축소될 수 있다는 것을 이해하여야 한다.14A and 14C show example representations of electrodes, routing and bridges, it is understood that other arrangements of electrodes, routing and bridges may be implemented. It is also understood that for simplicity of illustration, some bridges between conductive segments may not be shown (e.g., conductive segment 1402A_1, conductive segment 1402A_3, and/or conductive segment 1402A_11 may be may extend beyond the bottom edge(s) of conductive segment 1404A_1 and be connected at the bottom edge(s), eg, by one or more bridges across routing traces, e.g., across routing trace 1405A_2. there is). 14A and 14C show two vertical routing traces for complementary drive signals per column of column electrodes and two vertical routing traces per row of row electrodes (eg, two vertical routing traces per pair of row electrodes). Although illustrative, it should be understood that different numbers of vertical routing traces for rows and/or columns are possible. Although the touch sensor panel of FIGS. 14A and 14C includes a 3x3 array of 9 dominant capacitance values (e.g., corresponding to 9 valid touch nodes), the touch sensor panel is extended to include fewer or more touch nodes. Or it should be understood that it can be reduced.
도 15a 및 도 15b는 본 개시내용의 예들에 따른, 제1 층(예컨대, 금속 2 층)에 2개의 터치 전극 세그먼트들(1552A, 1552B) 및 라우팅 트레이스(1158)를 그리고 제2 층(금속 1 층)에 브리지(1554) 및 선택적으로, 적층된 라우팅 트레이스 세그먼트들(1556A, 1556B)을 포함하는 도 14a 내지 도 14c의 2-층 구성의 영역(1450)의 부분도들(1500, 1550)을 예시한다. 부분도(1500)는 도 14a 및 도 14b의 2-층 구성에 대응하는 반면, 부분도(1550)는 도 14a 및 도 14c의 2-층 구성에 대응한다. 도시되지 않았지만, 제1 층 및 제2 층은 절연 층(예컨대, 유전체 층)에 의해 분리될 수 있다. 도 15a 및 도 15b의 전극들, 라우팅 및 브리지들은 전극들의 금속 메시 구현예를 나타내는 메시로서 도시되어 있다. 본 명세서에 설명된 바와 같이, 브리지(1554)의 일 단부는 (예컨대, 제1 층 및 제2 층을 분리하는 중간 유전체 층을 통한 비아를 사용하여) 터치 전극 세그먼트들(1552A)에 커플링될 수 있고, 브리지(1554)의 제2 단부는 (예컨대, 제1 층 및 제2 층을 분리하는 중간 유전체 층을 통한 비아를 사용하여) 터치 전극 세그먼트(1552B)에 커플링될 수 있다. 부분도(1550)의(그러나 부분도(1500) 또는 대응하는 도 14b에는 도시되지 않음) 적층된 라우팅 트레이스 세그먼트들(1556A, 1556B)은 (예컨대, 중간 유전체 층을 통한 비아들을 사용하여) 라우팅 트레이스(1558)에 각각 커플링될 수 있다.15A and 15B show two
도 16은 본 개시내용의 예들에 따른, 제1 층 및 제2 층(브리지 부분(1654)을 포함함)에 적층된 터치 전극 세그먼트들(1652A 내지 1652D)을, 제1 층에 라우팅 트레이스(1658)를, 그리고 제2 층에 적층된 라우팅 트레이스 세그먼트들(1656A, 1656B)을 포함하는 2-층 구성의 부분도(1650)를 예시한다. 라우팅 트레이스들을 적층하고 터치 전극들을 적층하는 것은, 적층된 라우팅 트레이스들이 없고 적층된 전극들이 없는 도 14a 및 도 14b의 2-층 구성과 비교하여, 그리고 적층된 터치 전극들이 없는 도 14a 및 도 15a의 2-층 구성과 비교하여, 터치 센서 패널의 대역폭을 증가시킬 수 있다. 예를 들어, 라우팅 트레이스들의 저항을 감소시키는 것에 더하여, 적층된 터치 전극들은 용량성 신호 커플링을 증가시킬 수 있다. 도 16은 예시의 용이함을 위해 부분도를 포함하지만, 적층된 터치 전극들 및 적층된 라우팅 트레이스들은 본 명세서에 설명된 바와 같이 터치 센서 패널 전체에 걸쳐 구현될 수 있다는 것이 이해된다. 추가적으로, 도 16의 적층된 터치 전극들은 도 14a 내지 도 15b의 구성들과 비교하여 2개의 층들의 터치 전극 세그먼트들 사이에 비아를 배치하기 위한 유연성을 제공한다. 예를 들어, 도 14b 및 도 15b에서, 각각의 브리지의 반대편 단부들은 2개의 비아들(예컨대, 단부당 하나의 비아)을 사용하여 연결되어, 브리지를 사용하여 2개의 세그먼트들을 상호연결할 수 있다. 그러나, 도 16에 도시된 바와 같이, 터치 전극 세그먼트들(1652C, 1652D) 및 브리지 부분(1654)을 포함하는 적층된 터치 전극은 제2 층에서 상호연결되고, 2개의 층들 사이에서의 터치 전극 세그먼트들 사이의 임의의 중첩 영역에서 터치 전극 세그먼트들(1652A, 1652B)과 상호연결될 수 있다.16 shows
본 명세서에 설명된 바와 같이 라우팅 및/또는 터치 전극들을 적층하는 것은 디바이스에 대한 감소된 광학 성능(예컨대, 금속 메시의 가시성)을 야기할 수 있다. 특히, 제1 층과 제2 층 사이에서의 금속 메시 사이의 오정렬은 사용자에 대한 금속 메시의 가시성을 증가시킬 수 있다. 도 17a 내지 도 17d는 본 개시내용의 예들에 따른, 예시적인 2-층 구성들의 일부분의 단면도들(1700, 1710, 1720, 1730)을 예시한다. 도 17a 및 도 17b는, 제1 층 내의 금속 메시(1702/1702')가 제2 층 내의 금속 메시(1706) 상에 배치될 수 있는 층간 유전체(ILD)(1704) 상에 배치된 상태의 2-층 구성의 일부분의 단면도들을 예시한다. 금속 메시는 적층된 라우팅에 대응하는 제1 층 및 제2 층 내의 라우팅 트레이스 세그먼트들에 대응할 수 있다. 제1 층 내의 금속 메시 및 제2 층 내의 금속 메시는 동일한 폭들을 가질 수 있다(예컨대, 금속 메시 트레이스를 나타내는 사다리꼴은 동일한 베이스 폭을 가질 수 있음). 도 17a에서, 제1 층 내의 금속 메시(1702) 및 제2 층 내의 금속 메시(1706)는, 제2 층 내의 금속 메시(1706)가 제1 층의 상단에서 아래로 바라보는 사용자에게 보이지 않을 수 있도록 정렬될 수 있다. 그러나, 도 17b에 도시된 바와 같이, 제1 층 내의 금속 메시(1702')가 (예컨대, 제조 한계들로 인해) 제2 층 내의 금속 메시(1706)와 정렬되지 않을 때, 제2 층 내의 금속 메시(1706)는 제1 층의 상단에서 아래로 바라보는 사용자에게 보일 수 있다.Routing and/or stacking touch electrodes as described herein may result in reduced optical performance (eg, visibility of metal mesh) for the device. In particular, misalignment between the metal mesh between the first layer and the second layer can increase the visibility of the metal mesh to a user. 17A-17D illustrate
일부 예들에서, 제1 층 내의 금속 메시의 폭을 증가시키고/시키거나 제2 층 내의 금속 메시의 폭을 축소시키는 것은, 제1 층 내의 금속 메시가 제2 층 내의 금속 메시와 중첩되는 것을 보장함으로써 광학 성능을 개선할 수 있다. 도 17c 및 도 17d는, 제1 층 내의 금속 메시(1712/1712')가 제2 층 내의 금속 메시(1706) 상에 배치될 수 있는 층간 유전체(ILD)(1704) 상에 배치된 상태의 2-층 구성의 일부분의 단면도들을 예시한다. 금속 메시는 적층된 라우팅에 대응하는 제1 층 및 제2 층 내의 라우팅 트레이스 세그먼트들에 대응할 수 있다. 제1 층 내의 금속 메시 및 제2 층 내의 금속 메시는 동일하지 않은 폭들을 가질 수 있다. 특히, 제1 층("TM2") 내의 금속 메시(1712/1712')는 제2 층("TM1") 내의 금속 메시보다 더 넓어, 터치 센서 패널의 광학 성능을 개선할 수 있다. 도 17c 및 도 17d에 도시된 바와 같이, 제1 층 내의 금속 메시(1712)가 제2 층 내의 금속 메시(1706)와 정렬되든(예컨대, 중심설정되든) 또는 금속 메시(1712')가 제2 층 내의 금속 메시(1706)로부터 오프셋되든(편심되든) 간에, 금속 메시(1706)는 제1 층의 상단에서 아래로 바라보는 사용자에게 보이지 않아, 그에 의해 전체적으로 금속 메시의 가시성을 감소시킬 수 있다.In some examples, increasing the width of the metal mesh in the first layer and/or reducing the width of the metal mesh in the second layer ensures that the metal mesh in the first layer overlaps the metal mesh in the second layer. Optical performance can be improved. 17C and 17D show a second layer with the
일부 예들에서, 가시성 개선은, 금속 메시(1702/1702')의 폭과 비교하여 금속 메시(1712/1712')의 폭을 증가시킴으로써 달성될 수 있다. 일부 예들에서, 가시성 개선은, 도 17a 및 도 17b에 도시된 금속 메시(1706)의 폭과 비교하여 도 17c 및 도 17d에 도시된 금속 메시(1706)의 폭을 감소시킴으로써 달성될 수 있다. 일부 예들에서, 가시성 개선은, 금속 메시(1702/1702')의 폭과 비교하여 금속 메시(1712/1712')의 폭을 증가시키고 도 17a 및 도 17b에 도시된 금속 메시(1706)의 폭과 비교하여 도 17c 및 도 17d에 도시된 금속 메시(1706)의 폭을 감소시킴으로써 달성될 수 있다. 예를 들어, 금속 메시(1702) 및 금속 메시(1706)는 도 17a에서 폭이 각각 4 마이크로미터일 수 있지만, 금속 메시(1712) 및 금속 메시(1706)는 폭이 각각 5 마이크로미터 및 3 마이크로미터일 수 있다.In some examples, visibility improvement may be achieved by increasing the width of the
일부 예들에서, 터치 센서 패널의 광학 성능은, (예컨대, 도 16에 도시된 바와 같이) 터치 전극들을 완전히 적층하기보다는 터치 전극을 부분적으로 2개의 층들로 구현함으로써 개선될 수 있다. 도 18은 본 개시내용의 예들에 따른, 제1 층에 부분적으로 그리고 제2 층에 부분적으로 구현된 터치 전극의 구성(1800)을 포함하는 2-층 구성의 일부분을 예시한다. 예를 들어, 금속 메시(1802A)가 제1 층에 구현될 수 있고, 금속 메시(1802B)가 제2 층에 구현될 수 있다. 다시 도 16을 참조하면, 터치 전극 세그먼트들(1652A, 1652C)은 중첩되고, 터치 전극 세그먼트들(1652B, 1652D)은 중첩된다. 결과적으로, 광학 아티팩트들을 감소시키기 위해, 금속 메시 트레이스들의 정렬(예컨대, 도 17a에서 설명됨)이 터치 전극의 비교적 큰 영역에 걸쳐 최대화되어야 한다. 예를 들어, 도 16은 2개의 층들 사이에서 평행한 금속 메시의 수평 부분 및/또는 수직 부분을 도시한다. 대조적으로, 도 18의 구성(1800)에서, 금속 메시(1802A)는 제1 층에 구현될 수 있고, 금속 메시(1802B)는 제2 층에 구현될 수 있어서, 2개의 층들 사이의 중첩이 감소되게 할 수 있다. 추가로, 도 18에 도시된 바와 같이, 제1 층 내의 금속 메시(1802A) 및 제2 층 내의 금속 메시(1802B)가 중첩될 때, 중첩 지점은 평행하지 않은 교차부(예컨대, 직교 교차점)이다. 예를 들어, 교차 지점(1804)은, 금속 메시(1802A)와 금속 메시(1802B)가 중첩되는 정사각형 또는 직사각형 중첩 영역을 나타낼 수 있다. 이러한 동일한 정사각형 또는 직사각형 중첩 영역은 도 18에 도시된 각각의 교차 지점에서 나타날 수 있다. 결과적으로, 제1 층과 제2 층 사이의 금속 메시의 외관은 터치 센서 패널에 걸쳐 비교적 균일한 외관(예컨대, 교차 지점들에서의 균일한 면적 및 교차 지점들 외측에서의 균일한 폭)을 가질 수 있다.In some examples, the optical performance of the touch sensor panel may be improved by partially implementing the touch electrodes in two layers rather than fully stacking the touch electrodes (eg, as shown in FIG. 16 ). 18 illustrates a portion of a two-layer configuration including a
도 16과 마찬가지로, 도 18의 구성(1800)도 비아들의 배치의 관점에서 유연성을 제공한다(예컨대, 도 14a 내지 도 15b의 구성들에서와 같은 브리지들로 제한되지 않음). 그러나, 도 18의 구성으로부터의 대역폭 개선은 (예컨대, 2개의 층들에 걸쳐 터치 전극을 구현하는 데 사용되는 금속 메시가 더 적기 때문에) 도 16의 구성으로부터의 대역폭 개선보다 상대적으로 더 작은 반면, 도 18의 구성의 광학 성능은 도 16의 구성의 광학 성능보다 클 수 있다는 것이 이해되어야 한다.Like FIG. 16, the
본 명세서에 설명된 바와 같이(예컨대, 도 11a 내지 도 11d와 관련하여), 일부 예들에서, (차동) 감지 증폭기에 대한 행에 대한 라우팅 트레이스들은 열 내의 인접 행들 사이의 크로스토크에 영향을 미칠 수 있다. 일부 예들에서, 크로스토크는, 예를 들어 차동 측정들을 수행할 때, 도 11d를 참조하여 설명된 바와 같이 차동 라우팅 트레이스들을 사용하여 완화될 수 있다. 그러나, 일부 터치 센서 패널 동작들은 차동 측정들을 포함하지 않을 수 있다. 예를 들어, 터치 전극들이 동일한 위상 구동 신호로 동시에 자극될 수 있는 자기-커패시턴스 스캔 또는 스타일러스 스캔이 차동으로 수행되지 않을 수 있다. 일부 예들에서, 크로스토크는 (예컨대, 도 15a 또는 도 16을 참조하여 설명된 바와 같이 라우팅 트레이스를 적층하기보다는) 라우팅 트레이스를 매설함으로써 감소될 수 있다.As described herein (eg, with respect to FIGS. 11A-11D ), in some examples, routing traces for a row for a (differential) sense amplifier may affect crosstalk between adjacent rows within a column. there is. In some examples, crosstalk can be mitigated using differential routing traces as described with reference to FIG. 11D, for example when performing differential measurements. However, some touch sensor panel operations may not include differential measurements. For example, a self-capacitance scan or a stylus scan in which touch electrodes may be simultaneously stimulated with the same phase drive signal may not be performed differentially. In some examples, crosstalk can be reduced by embedding routing traces (eg, rather than stacking routing traces as described with reference to FIGS. 15A or 16 ).
도 19a는 본 개시내용의 예들에 따른, 제1 층 및 제2 층에 적층된 터치 전극 세그먼트들(1952A 내지 1952D)을 그리고 제1 층 및 제2 층에 적층된 라우팅 트레이스들(1956, 1958)을 포함하는 2-층 구성의 부분도(1900)를 예시한다. 도 19a는 브리지 부분(1654)이 없는 영역에서 도 16에 대응할 수 있다. 도 19a는, 또한, 제1 층 내의 금속 메시(1902)가 제2 층 내의 금속 메시(1906) 상에 배치될 수 있는 층간 유전체(ILD)(1904) 상에 배치된 상태의 2-층 구성의 일부분의 대응하는 단면도를 예시한다. 도 19b는 본 개시내용의 예들에 따른, 제1 층 및 제2 층에 적층된 터치 전극 세그먼트들(1962A 내지 1962C)을 그리고 제2 층에 매설된 라우팅 트레이스(1966)를 포함하는 2-층 구성의 부분도(1910)를 예시한다. 도 19a는, 또한, 제1 층 내의 금속 메시(1902)가 제2 층 내의 금속 메시(1906) 상에 배치될 수 있는 층간 유전체(ILD)(1904) 상에 배치된 상태의 2-층 구성의 일부분의 대응하는 단면도를 예시한다. 도 19a와는 달리, 도 19b에서, 매설된 라우팅 트레이스(1966)는 터치 센서 패널에 근접한 물체(예컨대, 손가락 또는 스타일러스)로 인한 크로스토크로부터 적어도 부분적으로 차폐될 수 있다. 일부 예들에서, 교차 커플링은 풀 스케일(full-scale) 터치 신호의 대략 10%로부터 풀 스케일 터치 신호의 대략 2%로 감소될 수 있다.19A shows
라우팅 트레이스를 매설하는 것이 크로스토크를 감소시킬 수 있지만, 금속 메시의 증가는 또한 제1 층과 제2 층 사이의 평행 플레이트 커패시턴스를 증가시킬 수 있으며, 이는 터치 센서 패널의 대역폭을 감소시킬 수 있다. 일부 예들에서, 평행 플레이트 커패시턴스의 증가는 ILD의 특성들을 변경함으로써 완화될 수 있다. 도 19c는 본 개시내용의 예들에 따른, 제1 층 및 제2 층에 적층된 터치 전극 세그먼트들(1972A 내지 1972C)을 그리고 제2 층에 매설된 라우팅 트레이스(1976)를 포함하는 2-층 구성의 부분도(1920)를 예시한다. 도 19c는, 또한, 제1 층 내의 금속 메시(1902)가 제2 층 내의 금속 메시(1906) 상에 배치될 수 있는 층간 유전체(ILD)(1904') 상에 배치된 상태의 2-층 구성의 일부분의 대응하는 단면도를 예시한다. 도 19c의 금속 메시 터치 전극들 및 라우팅 트레이스들은 도 19b의 터치 전극들 및 라우팅 트레이스들과 동일하거나 유사할 수 있다. 그러나, ILD는 도 19b에서의 두께(T1)보다 큰 도 19c에서의 두께(T2)를 갖도록 수정될 수 있다(그리고 도시된 바와 같이, 도면들(1920)에서의 제1 층 및 제2 층은 도면(1910)에서의 제1 층 및 제2 층보다 더 많이 서로 분리됨). 일부 예들에서, 두께 증가는 25% 내지 500%일 수 있다. 일부 예들에서, 두께 증가는 100% 내지 250%일 수 있다. 일부 예들에서, 두께 증가는 150% 내지 200%일 수 있다. 위의 범위들은 예들이며, 두께는 터치 센서 패널에 대한 원하는 대역폭을 달성하기 위해 증가될 수 있다는 것이 이해되어야 한다.Although burying routing traces can reduce crosstalk, increasing metal mesh can also increase parallel plate capacitance between the first layer and the second layer, which can reduce the bandwidth of the touch sensor panel. In some examples, the increase in parallel plate capacitance can be mitigated by changing the characteristics of the ILD. 19C shows a two-layer configuration including
추가적으로 또는 대안적으로, ILD는 도 19b에서의 ILD의 유전 상수보다 작은 도 19c에서의 상이한 유전 상수를 갖도록 수정될 수 있다. 일부 예들에서, 도 19c에서의 ILD의 유전 상수는 도 19b에서의 ILD의 유전 상수의 25% 내지 75%일 수 있다. 일부 예들에서, 도 19c에서의 ILD의 유전 상수는 도 19b에서의 ILD의 유전 상수의 25% 내지 50%일 수 있다. 위의 범위들은 예들이며, 유전체는 터치 센서 패널에 대한 원하는 대역폭을 달성하기 위해 감소될 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 일부 예들에서, 유전 상수는, 광 패턴화가능 자외선 경화 아크릴 또는 다른 적합한 재료와 같은 유기 재료를 사용함으로써 낮아질 수 있다.Additionally or alternatively, the ILD can be modified to have a different dielectric constant in FIG. 19C that is smaller than the dielectric constant of the ILD in FIG. 19B. In some examples, the dielectric constant of the ILD in FIG. 19C may be between 25% and 75% of the dielectric constant of the ILD in FIG. 19B. In some examples, the dielectric constant of the ILD in FIG. 19C may be 25% to 50% of the dielectric constant of the ILD in FIG. 19B. It should be understood that the above ranges are examples and that the dielectric can be reduced to achieve a desired bandwidth for the touch sensor panel. In some examples, the dielectric constant can be lowered by using organic materials such as photo-patternable ultraviolet curable acrylics or other suitable materials.
평행 플레이트 커패시턴스는 유전 상수에 비례하고 플레이트들 사이의 이격 거리에 반비례하기 때문에, ILD 두께를 증가시키거나 ILD의 유전 상수를 감소시키는 것은 평행 플레이트 커패시턴스를 감소시키고 터치 센서 패널 대역폭을 개선할 수 있다.Because the parallel plate capacitance is proportional to the dielectric constant and inversely proportional to the separation distance between the plates, increasing the ILD thickness or decreasing the dielectric constant of the ILD can reduce the parallel plate capacitance and improve the touch sensor panel bandwidth.
본 명세서에 설명된 바와 같이, 금속 메시 터치 전극들을 사용하는 터치 센서 패널의 SNR은 인듐 주석 산화물과 같은 투명 전도체를 사용하는 터치 센서 패널에 비해 상대적으로 낮을 수 있다. 개념적으로, 신호 손실의 소스는, 금속 메시의 비고체 구조물(예컨대, 갭들)이 디바이스 접지(예컨대, 디스플레이 캐소드들)의 일부 노출을 허용하여서, 신호의 일부분만이 금속 메시에 커플링되게 한다는 것일 수 있다. 일부 예들에서, 신호 손실은 터치 센서 패널에 근접한 물체의 크기에 따라 30 내지 70%일 수 있다. 일부 예들에서, SNR을 부스팅(예컨대, 터치 신호를 부스팅)하기 위해, 제1 층 내의 금속 메시는 투명 전도성 재료(예컨대, ITO)로 만액되거나 달리 충전될 수 있다.As described herein, the SNR of a touch sensor panel using metal mesh touch electrodes can be relatively low compared to a touch sensor panel using a transparent conductor such as indium tin oxide. Conceptually, a source of signal loss is that non-solid structures (e.g., gaps) in the metal mesh allow some exposure of the device ground (e.g., display cathodes), so that only a portion of the signal is coupled to the metal mesh. can In some examples, the signal loss may be 30 to 70% depending on the size of the object proximate to the touch sensor panel. In some examples, the metal mesh in the first layer can be flooded or otherwise filled with a transparent conductive material (eg ITO) to boost the SNR (eg, boost the touch signal).
도 20a는 본 개시내용의 예들에 따른, 제1 층 및 제2 층에 적층된 터치 전극 세그먼트들(2052A 내지 2052D)을 그리고 제1 층 및 제2 층에 적층된 라우팅 트레이스들(2056, 2058)을 포함하는 2-층 구성의 부분도(2000)를 예시한다. 도 20b 및 도 20c는 본 개시내용의 예들에 따른, ITO 만액물을 포함하는 2-층 구성의 일부분의 대응하는 단면도들의 예들을 예시한다. 도 20a에 도시된 바와 같이(그리고 도 19a와는 달리), 제1 층 내의 터치 전극 세그먼트들(2052A, 2052B) 및 라우팅 트레이스(2058)의 금속 메시는, ITO와 같은 투명 전도성 재료 또는 임의의 다른 적합한 투명 또는 반투명 전도성 재료로 부분적으로 또는 완전히 충전(예컨대, 만액)될 수 있다. 전도성 재료는 금속 메시 내의 갭들을 충전할 수 있고, 터치 전극들에서 수신된 신호를 부스팅할 수 있다(예컨대, 신호는 디바이스 내의 접지 전극들로 통과하기보다는 ITO에 의해 수신됨). 일부 예들에서, 터치 전극들의 금속 메시는 투명 전도체에 비해 낮은 저항 특성들을 가질 수 있어서, 금속 메시가 터치 감지에 필요한 전도를 처리할 수 있게 한다. 결과적으로, 투명 전도체의 시트 저항의 요건들이 감소될 수 있다. 일부 예들에서, 투명 전도체에 대한 이완된 시트 저항은 저온 침착 기법들(예컨대, 저온 ITO 침착)이 사용되도록 허용할 수 있다.20A shows
일부 예들에서, 도 20b에 도시된 바와 같이, 투명 전도체는 금속 메시 상에 침착되고 금속 메시 층 상에 직접 침착될 수 있다. 예를 들어, 도 20b는, 제1 금속 메시 층 내의 금속 메시(2002)가 제2 금속 메시 층 내의 금속 메시(2006) 상에 배치될 수 있는 층간 유전체(ILD)(2004) 상에 배치된 상태의 2-층 구성의 일부분의 단면도를 예시한다. ITO(2001)(또는 다른 적합한 투명 전도체)가 금속 메시(2002) 상에 침착될 수 있다. 본 명세서에 설명된 바와 같이, 금속 메시의 제1 층과 제2 층 사이의 연결들은 ILD 내의 비아들을 사용하여 달성될 수 있다. 일부 예들에서, 도 20c에 도시된 바와 같이, 투명 전도체는 다른 ILD에 의해 금속 메시 층으로부터 분리될 수 있다. 예를 들어, 도 20c는, 제1 금속 메시 층 내의 금속 메시(2002)가 제2 금속 메시 층 내의 금속 메시(2006) 상에 배치될 수 있는 제1 층간 유전체(ILD)(2004B) 상에 배치된 상태의 2-층 구성의 일부분의 단면도를 예시한다. 제2 ILD(2004A)가 금속 메시(2002) 상에 침착될 수 있고, ITO(2001)(또는 다른 적합한 투명 전도체)는 제2 ILD(2004A) 상에 침착될 수 있다. 본 명세서에 설명된 바와 같이, 금속 메시의 제1 층과 제2 층 사이의 연결들은 ILD 내의 비아들을 사용하여 달성될 수 있다. 추가적으로, ITO(2001)와 금속 메시(2002) 사이의 연결들은 제2 ILD(2004A)를 통한 비아들을 사용하여 달성될 수 있다.In some examples, as shown in FIG. 20B , the transparent conductor is deposited on the metal mesh and may be deposited directly on the metal mesh layer. For example, FIG. 20B shows a
추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 도 19b 및 도 19c를 참조하여 설명된 바와 같이 라우팅 트레이스를 매설하기보다는, 금속 메시의 선택된 부분들에 대한 전도성 재료의 충전물(예컨대, 선택적 ITO 충전물)을 사용함으로써 크로스토크가 감소될 수 있다. 도 21은 본 개시내용의 예들에 따른, 제1 층 및 제2 층에 적층된 터치 전극 세그먼트들(2152A 내지 2152D)을 그리고 제1 층 및 제2 층에 적층된 라우팅 트레이스들(2156, 2158)을 포함하는 2-층 구성의 부분도(2100)를 예시한다. 도 21에 도시된 바와 같이(그리고 도 20a와는 달리), 제1 층 내의 터치 전극 세그먼트들(2152A, 2152B)의 금속 메시는, 라우팅 트레이스(2158)를 (예컨대, 충전을 방지하기 위해 마스크를 사용하여) 전도성 재료로 충전하지 않고서, ITO와 같은 투명 전도성 재료 또는 임의의 다른 적합한 투명 또는 반투명 전도성 재료로 부분적으로 또는 완전히 충전(예컨대, 만액)될 수 있다. 일부 예들에서, 라우팅 트레이스(2058)는 또한 충전될 수 있지만, 전도성 재료의 충전물은 에칭될 수 있다. 전도성 재료는 금속 메시 터치 전극들 내의 갭들을 충전할 수 있고, 터치 전극들에서 수신된 신호를 부스팅할 수 있다(예컨대, 신호는 디바이스 내의 접지 전극들로 통과하기보다는 ITO에 의해 수신됨). 그러나, 라우팅 트레이스(2158)를 통한 크로스토크 커플링은 라우팅 트레이스(2158)에 대한 충전물 없이 부스팅되지 않을 수 있다(예컨대, 터치 전극들(2152A, 2152B)에서의 풀 스케일 터치 신호의 4 내지 6%로 감소될 수 있음). 결과적으로, 도 19b 및 도 19c를 참조하여 설명된 바와 같이 라우팅 트레이스를 매설하지 않고서, 선택적 ITO 만액을 사용하여 크로스토크가 감소될 수 있다.Additionally or alternatively, in some examples, rather than burying routing traces as described with reference to FIGS. 19B and 19C , a filling of a conductive material (eg, optional ITO filling) is used for selected portions of the metal mesh. By doing so, crosstalk can be reduced. 21 shows
별도로 설명되지만, 본 명세서에 설명된 다양한 특징부들은 조합되어 사용될 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 예를 들어, 도 19b를 참조하여 설명된 라우팅 트레이스의 매설은 도 19c를 참조하여 설명된 개선된 ILD 특성 및/또는 도 20a 내지 도 20c를 참조하여 설명된 ITO 만액의 개선된 신호 특성과 조합될 수 있다. 다른 예로서, 도 14a 내지 도 21을 참조하여 설명된 라우팅 기법들은 도 7a 내지 도 13b를 참조하여 설명된 터치 센서 패널들에 적용될 수 있다.Although described separately, it should be understood that the various features described herein may be used in combination. For example, the embedding of routing traces described with reference to FIG. 19B may be combined with the improved ILD characteristics described with reference to FIG. 19C and/or the improved signal characteristics of ITO floods described with reference to FIGS. 20A-20C. can As another example, the routing techniques described with reference to FIGS. 14A to 21 may be applied to the touch sensor panels described with reference to FIGS. 7A to 13B .
본 명세서에 설명된 바와 같이, 일부 예들에서, 디스플레이로부터의 잡음은 터치 센서 패널의 터치 전극들에 대한 디스플레이의 근접성에 적어도 부분적으로 기인하여 터치 전극들에 커플링될 수 있다. 일부 예들에서, 실드 층 또는 디스플레이-잡음 센서가 디스플레이로부터의 잡음을 감소시키기 위해 인쇄 층(예컨대, 캡슐화 층) 상에 배치될 수 있다. 도 22는 본 개시내용의 예들에 따른, 격리를 위한 캡슐화 층(2208) 및 선택적 유전체 층(2214)을 포함하는 예시적인 터치 스크린 스택업(2200)을 예시한다. 일부 예들에서, 스택업(2200)의 다양한 층들은 공유 제조 프로세스를 사용하여 형성될 수 있다. 그러한 예들에서, 컴포넌트들은 (예컨대, 이전 시간에 제조된 다음에 스택업(2200) 내의 위치로 이송되는 개별 컴포넌트들에 의존하지 않고서) 직렬 방식으로 스택업(2200) 내의 그들의 각각의 위치들 상에 제조되고 배치된다. 일부 예들에서, 스택업(2200) 내의 그들의 각각의 위치들 상에 제조되고 배치되며 개별 또는 반-개별 컴포넌트들로서 별도로 제조되지 않는 컴포넌트들은 온-칩 제작/제조 컴포넌트들, 또는 제조를 위한 온-칩 기법들을 사용하여 제작된 컴포넌트들로 지칭될 수 있다. 아래에서 논의되는 바와 같이, 스택업(2200)은 제조를 위한 온-칩 기법들을 사용하여 제작되는 다수의 그러한 컴포넌트들을 포함하며, 이는 스택업(2200)으로 이송될 것을 요구하는 대안적인 "개별" 컴포넌트들에 비해 몇 가지 이점들을 제공한다.As described herein, in some examples, noise from the display can couple to the touch electrodes due at least in part to the proximity of the display to the touch electrodes of the touch sensor panel. In some examples, a shield layer or display-noise sensor can be disposed on a print layer (eg, an encapsulation layer) to reduce noise from the display. 22 illustrates an example
스택업(2200)은, 일부 예들에서, 기판(2202) 상에 구축되거나 제작될 수 있다. 기판(2202)은 인쇄 회로 보드 기판, 실리콘 기판, 또는 스택업(2200)을 위한 임의의 다른 적합한 베이스 기판 재료(들)일 수 있다. 디스플레이 컴포넌트들(2204)(예컨대, 디스플레이 컴포넌트들(508)에 대응함)은, 일부 예들에서, 기판(2202) 위에 형성될 수 있고, 어레이로(예컨대, 행들 및 열들로) 배열되는 복수의 디스플레이 요소들을 포함할 수 있다. 각각의 디스플레이 요소는, 일부 예들에서, 디스플레이 픽셀을 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 디스플레이 픽셀은 유색 광을 생성할 수 있는 발광 컴포넌트들에 대응할 수 있다. 디스플레이 픽셀들의 예들은 백라이트 액정 디스플레이(LCD), 또는 유기 LED(OLED), 액티브-매트릭스 유기 LED(AMOLED) 및 패시브-매트릭스 유기 LED(PMOLED) 디스플레이들을 포함한 발광 다이오드(LED) 디스플레이를 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 디스플레이 픽셀은 다수의 서브 픽셀들(예컨대, 1개, 2개, 3개, 또는 그 초과의 서브 픽셀들)을 포함할 수 있다. 일례로서, 디스플레이 픽셀은 적색 서브 픽셀, 녹색 서브 픽셀, 및 청색 서브 픽셀을 포함할 수 있으며, 여기에서 다양한 서브 픽셀들은 서로에 대해 그리고 전체 디스플레이 픽셀의 치수들에 대해 각각의 치수들을 갖는다. 일부 예들에서, 적색, 녹색 및 청색 서브 픽셀들은 서로 대략 또는 실질적으로 유사한 치수들을 가질 수 있다(예컨대, 서브 픽셀들은 모두 서브 픽셀들에 대한 타깃 치수 또는 면적의 5% 범위 내에 있음). 다른 예들에서, 청색 서브 픽셀은 디스플레이 픽셀의 면적의 대략 50%를 점유할 수 있으며, 이때 적색 및 녹색 서브 픽셀들은 면적의 나머지 50%를 점유한다(예컨대, 각각은 디스플레이 픽셀 면적의 25%를 점유함). 일부 예들에서, 디스플레이 컴포넌트들(2204)은 기판(2202) 전체 위에 형성된다. 다른 예들에서, 디스플레이 컴포넌트들(2204)은 기판(2202)의 일부분들 위에 형성된다(예컨대, 기판(2202)의 일부 부분들은 디스플레이 컴포넌트들(2204)이 그들 위에 형성되지 않음).
일부 예들에서, 패시베이션 층(2206)이 디스플레이 컴포넌트들(2204) 위에 형성될 수 있다. 일부 그러한 예들에서, 패시베이션 층(2206)은 디스플레이 컴포넌트들(2204)과 직접 접촉할 수 있다. 도 5와 관련하여 설명된 층들(507, 517)과 유사하게, 패시베이션 층(2206)은 디스플레이 컴포넌트들(2204)의 표면을 평탄화할 수 있고, 디스플레이 컴포넌트들(2204)에 전기적 격리(예컨대, 패시베이션 층(2206) 위에 형성된 다른 층들 내의 컴포넌트들로부터의 격리)를 제공할 수 있다. 일부 예들에서, 패시베이션 층(2206)은, (예컨대, 디스플레이 컴포넌트들(2204)의) 모든 디스플레이 서브 픽셀들 및 픽셀들이 기판(2202) 위에 제작되거나 형성된 후에 형성된다. 일부 예들에서, 패시베이션 층(2206)은 디스플레이 컴포넌트들(2204) 전체 위에 형성된다. 일부 예들에서, 패시베이션 층(2206)과 유사한 추가 패시베이션 층들이, 그의 제조가 불균일한 표면(예컨대, 그 위에 추가 층들을 형성하기 어려운 표면)을 야기할 수 있는 스택업(2200)의 층들 중 임의의 것 위에 형성될 수 있다. 일부 예들에서, 패시베이션 층(2206)과 유사한 추가 패시베이션 층이 그가 제1 캡슐화 층과 직접 접촉하도록 제1 캡슐화 층(2208) 위에 제공될 수 있고/있거나, 그가 제2 캡슐화 층과 직접 접촉하도록 제2 캡슐화 층(2212) 위에 제공될 수 있다. 일부 그러한 예들에서, 제1 캡슐화 층 및/또는 제2 캡슐화 층 위에 패시베이션 층을 형성하는 것은 그들 층들 위에 형성된 스택업(2200) 내의 컴포넌트들/층들의 정확성 및 제조성을 개선할 수 있다.In some examples, passivation layer 2206 may be formed over
일부 예들에서, 제1 캡슐화 층(2208)이 패시베이션 층(2206) 위에 형성될 수 있다. 일부 그러한 예들에서, 제1 캡슐화 층(2208)은 패시베이션 층(2206)과 직접 접촉할 수 있다. 일부 예들에서, 제1 캡슐화 층(2208)은, 그가 인쇄 또는 침착 기법을 사용하여 패시베이션 층(2206) 위에/상에 침착될 때, "인쇄 층"으로 지칭될 수 있다. 일부 예들에서, 제1 캡슐화 층(2208)은 잉크젯 인쇄 기법을 사용하여 패시베이션 층(2206) 상에 침착될 수 있다. 일부 예들에서, 잉크젯 인쇄 기법들은, 층들이 선택적으로 침착되게 (예컨대, 밑에 있는 층의 일부분 위에 침착되게) 또는 전역적으로/블랭킷 침착되게(예컨대, 밑에 있는 층 전체 위에 침착되게) 할 수 있다. 일부 예들에서, 제1 캡슐화 층(2208)은, 디스플레이 컴포넌트들(2204)이 아래에 형성되는 패시베이션 층(2206)의 영역들 위에 선택적으로 잉크젯 인쇄될 수 있다. 다른 예들에서, 제1 캡슐화 층(2208)은 패시베이션 층(2206) 전체 위에 잉크젯 인쇄될 수 있다(예컨대, 블랭킷 침착). 제1 캡슐화 층(2208)은, 디스플레이 컴포넌트들(2204)로부터 방출된 광이 통과할 수 있는 광학적으로 투과성인 또는 투명한 층일 수 있다. 일부 예들에서, 제1 캡슐화 층(2208)의 두께는 임계 두께 미만(예컨대, 10 마이크로미터 이하, 12 마이크로미터 이하, 또는 14 마이크로미터 이하 등)이다.In some examples, a
일부 예들에서, 디스플레이-잡음 실드/센서(2210)가 제1 캡슐화 층(2208) 위에 형성될 수 있다. 일부 그러한 예들에서, 디스플레이-잡음 실드/센서(2210)의 층이 제1 캡슐화 층(2208)과 직접 접촉할 수 있다. 스택업(2200)의 제조 프로세스 동안, 디스플레이-잡음 실드/센서(2210)는, 층(2208)이 패시베이션 층(2206) 위에 잉크젯 인쇄된 후에 제1 캡슐화 층(2208) 위에 제조된다. 디스플레이-잡음 실드/센서(2210)와 관련된 추후의 도면들과 관련하여 논의되는 바와 같이, 실드/센서는 제1 캡슐화 층(2208) 위에 직접 형성 및/또는 침착될 수 있는 하나 이상의 금속 층들로부터 형성될 수 있다. 이러한 방식으로 디스플레이-잡음 실드/센서(2210)를 제공하는 것은 때때로 본 명세서에서 "온-셀 프로세스에 의한 제조" 또는 제자리(in situ) 제조 기법으로 지칭될 수 있다. 온-셀 프로세스를 사용하여 디스플레이-잡음 실드/센서를 제조하는 프로세스는, 이전 층들(예컨대, 기판(2202), 디스플레이 컴포넌트들(2204), 패시베이션 층(2206), 및 제1 캡슐화 층(2208))을 제조하는 데 사용되는 프로세스와는 상이한 프로세스를 사용하여(예컨대, 상이한 시간, 위치에서, 상이한 제조 장비를 사용하여, 기타 등등) 개별 또는 반-개별 컴포넌트가 제조되는 대안적인 기법들에 비해 많은 이점들을 제공한다. 일부 예들에서, 이들 이점들은, 디스플레이-잡음 실드/센서와 연관된 (반)개별 컴포넌트를 이미 제조된 층들(2202 내지 2208)에 정렬시키고, 라미네이트 또는 접착제를 사용하여 디스플레이-잡음 실드/센서와 연관된 컴포넌트를 이미 제조된 층들(2202 내지 2208)에 부착하는 것과 연관된 정렬 및 라미네이션 단계들의 제거를 포함한다. 온-셀 프로세스를 사용하여 디스플레이-잡음 실드/센서를 제조하는 이들 이점들은, 대안적인 프로세스들에 비해, 전체 스택업(2200)의 수율 손실들을 낮추는 데 기여한다. 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 터치 센서 패널의 두께는 디스플레이에 라미네이팅된 개별 터치 센서에 비해 온-셀 프로세스를 사용하여 감소되어, 그에 의해 터치 스크린의 전체 두께를 감소시킬 수 있다.In some examples, a display-noise shield/sensor 2210 can be formed over the
디스플레이-잡음 실드/센서(2210)는 구현예에 따라 실드 및/또는 센서일 수 있다. 디스플레이-잡음 실드/센서(2210)가 실드이든 또는 센서이든 간에, 실드/센서(2210)는 제1 캡슐화 층(2208) 위에 제조될 수 있다. 전술된 바와 같이, 일부 예들에서, 층(2208)은, 때때로, 디스플레이 컴포넌트들(2204)이 아래에 형성되는 패시베이션 층(2206)의 일부분들 상에 선택적으로 잉크젯 인쇄될 수 있다. 그러한 예들에서, 디스플레이-잡음 실드/센서(2210)는 제1 캡슐화 층(2208)의 그들의 선택적으로 잉크젯 인쇄된 부분들 상에만 형성된다. 일부 예들에서, 디스플레이-잡음 실드/센서(2210)가 실드인 경우, 실드는 단일 전도성 층(예컨대, ITO 층, 금속 층) 또는 금속 메시 층을 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 실드 층은 전도성 재료(들)(예컨대, ITO, 금속)로 만액될 수 있다. 일부 예들에서, 실드 층은, 디스플레이-잡음 실드/센서(2210)의 풋프린트가 전기적으로 연결된 전도성 금속 메시에 의해 점유될 수 있도록 전역적 메시 패턴으로 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 실드 층은 전도성 재료로 만액되는 금속 메시의 조합을 포함할 수 있다. 전도성 재료들은, 디스플레이 컴포넌트들(2204)에 의해 생성된 잡음 신호들이 스택업(2200) 내의 디스플레이-잡음 실드/센서(2210) 위에 형성된 컴포넌트들과 간섭하는 것을 완화시키는 데 도움을 줄 수 있다. 일부 예들에서, 전도성 재료의 만액물과 조합하여 금속 메시를 포함하는 실드 층은 금속 메시 단독에 비해 개선된 격리, 및 전도성 재료의 만액물 단독에 비해 감소된 저항률을 제공할 수 있다. 그러한 예들에서, 전도성 재료의 만액물의 패치들이 금속 메시 사이에 배치되어, 교번하는 금속 메시 및 전도성 재료 부분들을 갖는 층으로 때때로 지칭되는, 실드/센서(2210)와 연관된 층을 생성한다(예컨대, 여기에서 전도성 재료 부분들은 금속 메시 내의 갭들 사이에 형성되거나 위치됨). 그러한 예들에서, 이러한 조합은, 먼저 (예컨대, 메시 패턴에 따라 제1 전도성 재료를 침착 및/또는 패턴화함으로써) 금속 메시 층을 형성하고, 이어서 (예컨대, 메시 패턴에 정렬된 패치 패턴 - 메시 패턴의 재료의 경로들이 패치 패턴의 개방 경로들과 정렬됨 - 에 따라 제2 전도성 재료를 침착 및/또는 패턴화함으로써) 금속 메시 층의 메시 패턴 사이에 전도성 재료의 만액물을 형성함으로써, 형성될 수 있다. 조합을 형성하기 위한 하나의 대안적인 프로세스는, 먼저 (예컨대, 패치 패턴에 따라 제2 전도성 재료를 침착 및/또는 패턴화함으로써) 패치들 내에 전도성 재료의 만액물을 형성하고, 이어서 (예컨대, 패치 패턴에 정렬된 메시 패턴 - 패치 패턴의 재료의 패치들이 메시 패턴의 개방 섹션들과 정렬됨 - 에 따라 제1 전도성 재료를 침착 및/또는 패턴화함으로써) 패치들 사이의 공간들 내에 금속 메시 패턴을 형성하는 것일 수 있다. 조합을 형성하기 위한 다른 대안적인 프로세스는, 먼저 (예컨대, 제1 캡슐화 층(2208) 바로 위에) 고체 층으로서 전도성 재료의 만액물을 형성하고, 이어서 후속적으로 전도성 재료의 고체 층 위에 금속 메시 패턴을 형성하는 것일 수 있다.The display-noise shield/sensor 2210 may be a shield and/or a sensor depending on the implementation. Whether the display-noise shield/sensor 2210 is a shield or a sensor, the shield/sensor 2210 can be fabricated over the
이러한 방식으로 실드 층이 2개의 전도성 재료들(예컨대, 메시 패턴을 위한 제1 재료, 및 패치 패턴을 위한 제2 재료)을 사용하여 형성될 때, 메시 패턴을 위한 제1 전도성 재료는 패치 패턴을 위한 제2 전도성 재료와는 상이할 수 있다. 일례로서, 메시 패턴을 위한 제1 전도성 재료는 알루미늄(Al), 구리(Cu), 또는 실드 층(2210) 내에 금속 메시를 형성하기 위한 임의의 다른 적합한 전도성 재료일 수 있다. 다른 예로서, 메시 패턴을 위한 재료는, 그 상에 티타늄(Ti)의 층이 침착되는 알루미늄(Al)의 층이 그 상에 침착되는 티타늄(Ti)의 층과 같은 다수의 층들로서 침착된 전도성 재료들의 조합일 수 있다. 일부 그러한 예들에서, 티타늄, 알루미늄 및 티타늄의 층들로 형성된 메시 패턴은 제2 전도성 재료 위에, 또는 제2 전도성 재료 아래에 있을 수 있다. 일례로서, 선택적인 패치 패턴을 위한 제2 전도성 재료는 ITO, 은(Ag) 나노와이어, 또는 실드/센서(2210) 층 내의 금속 메시 위에, 그 아래에 또는 그 사이에 형성될 수 있는 패치들을 형성하기 위한 임의의 다른 적합한 투명한(또는 사실상 투명한) 전도성 재료일 수 있다. 따라서, 일부 예들에서, 실드/센서(2210)와 연관된 층은, ITO, 은, 또는 패치들을 형성하기 위한 임의의 다른 적합한 전도성 재료의 패치들을 갖는 금속 메시 층으로 지칭될 수 있다.When the shield layer is formed using two conductive materials (eg, a first material for the mesh pattern, and a second material for the patch pattern) in this way, the first conductive material for the mesh pattern forms the patch pattern. It may be different from the second conductive material for As an example, the first conductive material for the mesh pattern may be aluminum (Al), copper (Cu), or any other suitable conductive material for forming a metal mesh in the shield layer 2210 . As another example, the material for the mesh pattern is conductive deposited as multiple layers, such as a layer of titanium (Ti) on which a layer of aluminum (Al) is deposited on which a layer of titanium (Ti) is deposited. It can be a combination of materials. In some such examples, the mesh pattern formed of the layers of titanium, aluminum and titanium may be over or under the second conductive material. As an example, the second conductive material for the optional patch pattern forms patches that may be formed over, under, or between ITO, silver (Ag) nanowires, or metal mesh in the shield/sensor 2210 layer. It may be any other suitable transparent (or substantially transparent) conductive material for Thus, in some examples, the layer associated with shield/sensor 2210 may be referred to as a metal mesh layer with patches of ITO, silver, or any other suitable conductive material to form the patches.
일부 예들에서, 디스플레이-잡음 실드/센서(2210)의 풋프린트 전체에 걸쳐 있는 연속 전도성 층(또는 금속 메시 패턴, 또는 이들 둘의 조합) 대신에, 다수의 전도성 세그먼트들이 (예컨대, 동일한 금속 또는 상이한 금속을 사용하여) 전기적으로 커플링되어 실드 층을 형성할 수 있다. 그러한 예들에서, 세그먼트들은 디스플레이 컴포넌트들(2204)의 서브 픽셀 요소들에 정렬될 수 있다.In some examples, instead of a continuous conductive layer (or a metal mesh pattern, or a combination of both) across the footprint of the display-noise shield/sensor 2210, multiple conductive segments (e.g., the same metal or different metal) to form a shielding layer. In such examples, the segments can be aligned to sub-pixel elements of
디스플레이-잡음 실드/센서(2210)가 센서인 예들에서, 센서는 다수의 금속 층들 또는 금속 메시 층들을 포함할 수 있다. (예컨대, 터치 센서(2216)의) 행 및 열 터치 전극들에 대한 일부 대응을 갖는 전도성 세그먼트들이 디스플레이-잡음 실드/센서(2210)의 금속 (메시) 층들 중 하나 내에 형성되어 센서(예컨대, 센서의 전극들)를 형성할 수 있다. 일부 예들에서, 연속 열 전극이 디스플레이-잡음 실드/센서(2210)의 제1 금속 (메시) 층에 형성될 수 있으며, 이때 비연속 행 전극들이 또한 제1 금속 (메시) 층에 형성된다. 일부 예들에서, 제2 금속 (메시) 층이 제1 금속 (메시) 층 내의 비연속 행 전극들을 연결하는 브리지들을 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 디스플레이-잡음 실드/센서(2210)의 금속 (메시) 층들 내의 전도성 세그먼트들은 터치 센서(2216)의 행 및 열 터치 전극들에 대한 일대일 대응을 가질 수 있다(예컨대, 디스플레이-잡음 센서(2210)의 각각의 전도성 패치는 터치 센서(2216)의 단일 대응 터치 전극을 가져서, 디스플레이-잡음 센서의 전극들 및 터치 센서(2216)의 터치 전극들의 패턴화가 동일하게 함). 일부 예들에서, 디스플레이-잡음 실드/센서(2210)의 금속 (메시) 층들 내의 전도성 세그먼트들은 터치 센서(2216)의 행 및 열 터치 전극들의 각각의 크기들에 기초한 크기를 가질 수 있다(예컨대, 디스플레이-잡음 센서(2210)의 각각의 전도성 패치는 터치 센서(2216)의 대응하는 터치 전극과 동일한 또는 그에 비례하는 크기를 가짐). 디스플레이-잡음 실드/센서(2210)의 금속 (메시) 층들 내의 전도성 세그먼트들이 터치 센서(2216)의 대응하는 행 및 열 터치 전극들보다 작은 예들에서, 센서(2210)의 층들 내의 전도성 세그먼트들은 터치 센서(2216)의 대응하는 터치 전극의 중심점을 중심으로 중심설정될 수 있다. 일부 예들에서, 디스플레이-잡음 실드/센서(2210)의 금속 (메시) 층들 내의 전도성 세그먼트들은 디스플레이 컴포넌트들(2204)의 서브 픽셀 요소들 및/또는 터치 센서(2216)의 터치 전극에 정렬된다.In examples where the display-noise shield/sensor 2210 is a sensor, the sensor may include multiple metal layers or metal mesh layers. Conductive segments with some correspondence to the row and column touch electrodes (e.g., of touch sensor 2216) are formed within one of the metal (mesh) layers of display-noise shield/sensor 2210 so that the sensor (e.g., sensor electrodes) can be formed. In some examples, continuous column electrodes may be formed in the first metal (mesh) layer of the display-noise shield/sensor 2210, with non-continuous row electrodes also formed in the first metal (mesh) layer. In some examples, the second metal (mesh) layer can include bridges connecting discontinuous row electrodes in the first metal (mesh) layer. In some examples, the conductive segments in the metal (mesh) layers of display-noise shield/sensor 2210 can have a one-to-one correspondence to the row and column touch electrodes of touch sensor 2216 (e.g., display-noise sensor Each conductive patch of 2210 has a single corresponding touch electrode of
일부 예들에서, 제2 캡슐화 층(2212)이 디스플레이-잡음 실드/센서(2210) 위에 형성될 수 있다. 일부 그러한 예들에서, 제2 캡슐화 층(2212)은 디스플레이-잡음 실드/센서(2210)의 층과 직접 접촉할 수 있다. 제1 캡슐화 층(2208)과 유사하게, 제2 캡슐화 층(2212)은 선택적 인쇄 또는 블랭킷 인쇄를 사용하여 인쇄될 수 있다. 일부 예들에서, 제2 캡슐화 층(2212)은, 그가 인쇄 또는 침착 기법을 사용하여 디스플레이-잡음 실드/센서(2210) 위에/상에 침착될 때, "인쇄 층"으로 지칭될 수 있다. 일부 예들에서, 제2 캡슐화 층(2212)은 잉크젯 인쇄 기법을 사용하여 디스플레이-잡음 실드/센서(2210) 위에/상에 침착될 수 있다. 일부 예들에서, 잉크젯 인쇄 기법들은, 층들이 선택적으로 침착되게 (예컨대, 밑에 있는 층의 일부분 위에 침착되게) 또는 전역적으로/블랭킷 침착되게(예컨대, 밑에 있는 층 전체 위에 침착되게) 할 수 있다. 일부 예들에서, 제2 캡슐화 층(2212)은, 디스플레이 컴포넌트들(2204)이 아래에 형성되는 디스플레이-잡음 실드/센서(2210)의 영역들 위에 선택적으로 잉크젯 인쇄될 수 있다. 다른 예들에서, 제2 캡슐화 층(2212)은 디스플레이-잡음 실드/센서(2210) 전체 위에 잉크젯 인쇄될 수 있다(예컨대, 블랭킷 침착). 제2 캡슐화 층(2212)은, 디스플레이 컴포넌트들(2204)로부터 방출된 광이 통과할 수 있는 광학적으로 투과성인 또는 투명한 층일 수 있다. 일부 예들에서, 제2 캡슐화 층(2212)의 두께는 임계 두께 미만(예컨대, 10 마이크로미터 이하, 12 마이크로미터 이하, 14 마이크로미터 이하 등)이다.In some examples, a
유전체 층(2214)이, 선택적으로, 디스플레이-잡음 실드/센서(2210)를 터치 센서(2216)로부터 격리시키기 위한 격리 층으로서 제2 캡슐화 층(2212) 위에 형성될 수 있다. 일부 예들에서, 디스플레이-잡음 실드/센서(2210)의 하나 이상의 금속 층들이 만액되거나 그에 전역적 금속 메시가 제공되는 경우, 높은 기생 커패시턴스가 터치 센서(2216)의 행/열 전극들과 디스플레이-잡음 실드/센서(2210) 사이에서 발생할 수 있다. 그러한 예들에서, 이러한 높은 커패시턴스(도 29의 맥락에서 CM2_M4로 지칭됨)는 터치 센서(2216)에 의한 터치 신호 감지를 위한 감소된 대역폭을 야기할 수 있다. 일부 예들에서, 유전체 층(2214)의 두께는 임계 두께 미만(예컨대, 3 마이크로미터 이하, 5 마이크로미터 이하, 7 마이크로미터 이하 등)이다.A dielectric layer 2214 can optionally be formed over the
터치 센서(2216)가 제2 캡슐화 층(2212) 및/또는 유전체 층(2214)(예컨대, 유전체 층(2214)이 스택업(2200)에 포함될 때) 위에 형성될 수 있다. 터치 센서(2216)는 디스플레이 컴포넌트들(2204)(및 디스플레이-잡음 실드/센서(2210))에 정렬되는 금속 패턴들을 가질 수 있어서, 터치 센서(2216)의 금속 패턴들이 디스플레이 컴포넌트들(2204)에 의해 방출되는 광을 방해 또는 차단하지 않게 할 수 있다. 일부 예들에서, 터치 센서(2216)는 제2 캡슐화 층(2212) 및/또는 유전체 층(2214) 위에 온-셀 프로세스를 사용하여 제조될 수 있다. 다른 예들에서, 터치 센서(2216)는 개별 또는 반-개별 컴포넌트로서 별도로(예컨대, 스택업(2200) 제조 이전 시간에) 제조될 수 있고, 후속적으로, 이전 층들(예컨대, 층들(2202 내지 2214)의 제조 후 스택업(2200)) 내의 그의 위치로 이송될 수 있다. 일부 예들에서,A
편광 층(2218)이 터치 센서(2216) 위에 형성될 수 있고, 광의 소정 편광만이 재료를 통해 투과될 수 있도록 광을 선택적으로 필터링하는 재료를 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 편광 층(2218)의 두께는 10 내지 150 마이크로미터, 또는 다른 예들에서 30 내지 80 마이크로미터일 수 있다. 일부 예들에서, 편광 층(2218)의 두께는 임계 두께 미만(예컨대, 50 마이크로미터 이하, 100 마이크로미터 이하 등)이다.A polarization layer 2218 can be formed over the
접착제 층(2220)이 편광 층 위에 형성될 수 있고, 광이 그를 통해 투과되도록 허용하는 광학적으로 투과성인/투명한 재료를 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 접착제 층(2220)의 두께는 10 내지 80 마이크로미터, 또는 다른 예들에서 35 내지 55 마이크로미터일 수 있다. 일부 예들에서, 접착제 층(2220)의 두께는 임계 두께 미만(예컨대, 30 마이크로미터 이하, 50 마이크로미터 이하, 70 마이크로미터 이하 등)이다.An adhesive layer 2220 may be formed over the polarization layer and may include an optically transmissive/transparent material that allows light to be transmitted therethrough. In some examples, the thickness of the adhesive layer 2220 can be between 10 and 80 microns, or between 35 and 55 microns in other examples. In some examples, the thickness of adhesive layer 2220 is less than a critical thickness (eg, 30 microns or less, 50 microns or less, 70 microns or less, etc.).
커버 층(2222)이 접착제 층(2220) 위에 형성될 수 있고, 유리 또는 결정 층을 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 커버 층(2222)의 두께는 60 내지 120 마이크로미터, 또는 다른 예들에서 75 내지 105 마이크로미터일 수 있다. 일부 예들에서, 커버 층(2222)의 두께는 임계 두께 미만(예컨대, 75 마이크로미터 이하, 95 마이크로미터 이하, 115 마이크로미터 이하 등)이다.A cover layer 2222 may be formed over the adhesive layer 2220 and may include a glass or crystal layer. In some examples, the thickness of the cover layer 2222 can be between 60 and 120 microns, or between 75 and 105 microns in other examples. In some examples, the thickness of cover layer 2222 is less than a threshold thickness (eg, 75 microns or less, 95 microns or less, 115 microns or less, etc.).
도 23은 본 개시내용의 예들에 따른, 터치 스크린 스택업의 인쇄 층 상에 형성된 디스플레이-잡음 센서(2210A)의 예시적인 층들을 예시한다. 도 22의 일반적인 디스플레이-잡음 센서(2210)와 관련하여 설명된 바와 같이, 디스플레이-잡음 센서(2210A)는 제1 캡슐화 층(2208) 상에 형성될 수 있다. 일부 예들에서, 제1 캡슐화 층(2208)은 잉크젯 인쇄를 사용하여 침착되고, 금속 층(들)이 그 상에 형성될 수 있는 실질적으로 평평한 표면을 형성한다(예컨대, 제1 캡슐화 층(2208)의 표면 상의 지점들은 모두 스택업(2200) 내의 제1 캡슐화 층에 대한 타깃 레벨 높이의 5% 범위 내에 있음).23 illustrates example layers of a display-
제1 금속 층(2302)이 제1 캡슐화 층(2208) 위에 형성될 수 있다. 일부 예들에서, 디스플레이-잡음 센서(2210A)는 온-셀 제조 기법을 사용하여(예컨대, 동일한 제조 프로세스의 일부로서 제1 캡슐화 층(2208) 상에 직접 센서(2210A)를 형성함으로써) 형성될 수 있다. 일부 예들에서, 디스플레이-잡음 센서를 형성하는 것은 다수의 금속 층들(예컨대, 도 23의 층간 유전체 층(2304)에 의해 분리된 금속 층들(2302, 2306))을 형성하는 것을 필요로 할 수 있는데, 다수의 금속 층들은 그들 사이의 층간 유전체 층에 의해 분리되고 층간 유전체 층을 통한 비아들에 의해 연결된다.A first metal layer 2302 can be formed over the
일부 예들에서, 온-셀 제조된 디스플레이-잡음 센서(2210A)는, 먼저 제1 캡슐화 층(2208) 위에 제1 금속 층(2302)을 형성하고, 이어서 층간 유전체 층(2304)을 형성하고, 마지막으로 제2 금속 층(2306)을 형성함으로써, 형성될 수 있다. 일부 예들에서, 제1 금속 층(2302)의 두께는 0.4 내지 1 마이크로미터, 또는 다른 예들에서 0.5 내지 0.9 마이크로미터일 수 있다. 일부 예들에서, 제1 금속 층(2302)의 두께는 임계 두께 미만(예컨대, 0.4 마이크로미터 이하, 0.6 마이크로미터 이하, 0.8 마이크로미터 이하 등)일 수 있다. 일부 예들에서, 층간 유전체 층(2304)의 두께는 1 내지 2.2 마이크로미터, 또는 1.3 내지 1.9 마이크로미터일 수 있다. 일부 예들에서, 층간 유전체 층(2304)의 두께는 임계 두께 미만(예컨대, 1.4 마이크로미터 이하, 1.6 마이크로미터 이하, 1.8 마이크로미터 이하 등)일 수 있다. 일부 예들에서, 제2 금속 층(2306)의 두께는 0.4 내지 1 마이크로미터, 또는 다른 예들에서 0.5 내지 0.9 마이크로미터일 수 있다. 일부 예들에서, 제2 금속 층(2306)의 두께는 임계 두께 미만(0.4 마이크로미터 이하, 0.6 마이크로미터 이하, 0.8 마이크로미터 이하 등)일 수 있다.In some examples, an on-cell fabricated display-
일부 예들에서, 제1 및 제2 금속 층들(2302, 2306)은 터치 센서(2216)의 행 및 열 터치 전극들에 대응하는, 디스플레이-잡음 센서(2210A)의 행 잡음-센서 전극들 및 열 잡음-센서 전극들을 형성하는 데 사용될 수 있다. 일례로서, 제1 및 제2 금속 층들(2302, 2306) 내의 행 잡음-센서 전극들 및 열 잡음 센서 전극들은 상호 커패시턴스 유형 터치 센서, 또는 자기-커패시턴스 유형 터치 센서를 형성할 수 있다. 그러한 예들에서, 2개의 금속 층들(2302/2306) 사이의 층간 유전체 층(2304)은, 하나의 금속 층의 적어도 하나의 부분과 다른 금속 층의 적어도 하나의 부분 사이의 상호연결을 허용하기 위해, 비아들로 패턴화될 수 있다. 일례로서, 행 잡음-센서 전극들이 제1 금속 층(2302) 내에 형성될 수 있고, 열 잡음-센서 전극들이 제2 금속 층(2306) 내에 형성될 수 있다. 대안적으로, 열 잡음-센서 전극들이 제1 금속 층(2302) 내에 형성될 수 있고, 행 잡음-센서 전극들이 제2 금속 층(2306) 내에 형성될 수 있다. 다른 예로서, 행 잡음-센서 전극들 및 열 잡음-센서 전극들 모두가 제1 금속 층(2302) 내에 형성될 수 있고, 제2 금속 층(2306)은 제1 금속 층 내의 임의의 불연속적인 잡음 센서 전극들을 연결하기 위한 전도성 브리지들을 형성하는 데 사용될 수 있다. 대안적으로, 행 잡음-센서 전극들 및 열 잡음-센서 전극들 모두가 제2 금속 층(2506) 내에 형성될 수 있고, 제1 금속 층(2502)은 제2 금속 층 내의 임의의 불연속적인 잡음 센서 전극들을 연결하기 위한 전도성 브리지들을 형성하는 데 사용될 수 있다. 행 잡음-센서 전극들 및 열 잡음-센서 전극들 모두가 제1/제2 금속 층들의 단일 금속 층에 형성되는 예들에서, 열 잡음-센서 전극들은 고체 바(bar)(예컨대, 연속 금속 메시 패턴)와 같은 연속 형상을 가질 수 있고, 행 잡음-센서 전극들은 복수의 세그먼트들(예컨대, 하나 이상의 열 전극들에 인접한, 비연속 금속 메시 세그먼트들의 스트라이프 패턴)과 같은 비연속 형상을 가질 수 있다. 그러한 예들에서, 유전체 층(2304)은 금속 층들 중 하나의 금속 층(예컨대, 제1 금속 층(2302)) 내의 행 잡음-센서 전극들의 비연속 세그먼트들과 다른 금속 층(예컨대, 제2 금속 층(2306)) 내의 전도성 구조물들 사이의 금속 상호연결부들을 허용하는 비아들로 패턴화될 수 있다. 그러한 예들에서, 다른(예컨대, 제2) 금속 층 내의 전도성 구조물들은 전도성 브리지 구조물들을 포함할 수 있으며, 이는, 적어도, 연속 열 잡음-센서 전극들 및 비연속 행 잡음-센서 전극 세그먼트들을 포함하는 금속 층(예컨대, 제1 금속 층) 내의 비연속 행 잡음-센서 전극 세그먼트들 사이의 분리 길이를 연장시킨다. 층간 유전체 층(2304)의 패턴화에 의해 형성된 비아들에 의해, 다른 금속 층 내의 브리지 구조물들은 비연속 행 잡음-센서 전극 세그먼트들을 전기적으로 커플링할 수 있고, 세그먼트들이 그들의 길이를 따라 연속 행 전극과 유사하게 기능하도록 허용할 수 있다.In some examples, the first and second metal layers 2302 and 2306 are row noise-sensor electrodes and column noise of display-
도 24는 본 개시내용의 예들에 따른, 터치 스크린 스택업의 인쇄 층 상에 형성된 예시적인 디스플레이-잡음 실드를 예시한다. 도 22의 일반적인 디스플레이-잡음 센서(2210)와 관련하여 설명된 바와 같이, 디스플레이-잡음 실드(2210B)가 제1 캡슐화 층(2208) 상에 형성될 수 있다. 일부 예들에서, 제1 캡슐화 층(2208)은 잉크젯 인쇄를 사용하여 침착되고, 금속 층들이 그 상에 형성될 수 있는 실질적으로 평평한 표면을 형성한다.24 illustrates an example display-noise shield formed on a printed layer of a touch screen stackup, in accordance with examples of the present disclosure. As described with respect to the general display-noise sensor 2210 of FIG. 22 , a display-
금속 층(2402)이 제1 캡슐화 층(2208) 위에 형성될 수 있다. 일부 예들에서, 디스플레이-잡음 실드(2210B)는 온-셀 제조 기법을 사용하여(예컨대, 동일한 제조 프로세스의 일부로서 제1 캡슐화 층(2208) 상에 직접 실드(2210B)를 형성함으로써) 형성될 수 있다. 디스플레이-잡음 실드를 형성하는 것은 금속 층(2402)을 형성하는 것, 및 금속 층(2402)과의 기생 커패시턴스들을 감소시키기 위해 스택업(2200) 내에 유전체 실드(예컨대, 유전체 층(2214))를 포함하는 것을 필요로 할 수 있다.A
일부 예들에서, 온-셀 제조된 디스플레이-잡음 실드(2210B)는, 먼저 제1 캡슐화 층(2208) 위에 금속 층(2402)을 형성하고, 이어서 금속 층(2402) 위에 제2 캡슐화 층(2212)을 형성함으로써, 형성될 수 있다. 금속 층(2402)이 만액되거나 그에 전역적 금속 메시가 제공되는 예들에서, 높은 기생 커패시턴스가 터치 센서(2216)의 행/열 전극들과 디스플레이-잡음 실드/센서(2210) 사이에서 발생할 수 있다. 그러한 예들에서, 이러한 높은 커패시턴스(도 29의 맥락에서 때때로 CM2_M4로 지칭됨)는 터치 센서(2216)에 의한 터치 신호 감지를 위한 매우 낮은 대역폭을 야기할 수 있다. 금속 층(2402)과의 기생 커패시턴스들로부터 터치 센서(2216)를 격리시키기 위해 선택적인 유전체 층(2214)이 제2 캡슐화 층(2212) 위에 제공될 수 있다. 일부 예들에서, 금속 층(2402)의 두께는 0.4 내지 1 마이크로미터, 또는 다른 예들에서 0.5 내지 0.9 마이크로미터일 수 있다. 일부 예들에서, 금속 층(2402)의 두께는 임계 두께 미만(0.4 마이크로미터 이하, 0.6 마이크로미터 이하, 0.8 마이크로미터 이하 등)일 수 있다.In some examples, an on-cell fabricated display-
금속 층(2402)은 금속으로 만액되거나 전역적 금속 메시 패턴으로 충전될 수 있어서, 디스플레이-잡음 실드/센서(2210)의 전체 풋프린트가, 디스플레이 컴포넌트들(2204)에 의해 생성된 잡음 신호들이 스택업(2200) 내의 디스플레이-잡음 실드/센서(2210) 위에 형성된 컴포넌트들과 간섭하는 것을 완화시키는 데 도움을 줄 수 있는 전도성 금속 (메시)에 의해 점유될 수 있게 한다. 일부 예들에서, 금속 층(2402)은 전도성 재료의 만액물과 금속 메시의 조합으로 충전되어, (예컨대, 메시 단독에 비해) 개선된 격리 및 (전도성 재료의 만액물 단독에 비해) 감소된 저항률을 제공할 수 있다. 일부 그러한 예들에서, 전도성 재료의 만액물의 패치들이 금속 메시 사이에 배치될 수 있다. 때때로, 금속 층(2402)은 교번하는 금속 메시 및 전도성 재료 부분들을 갖는 것으로 지칭될 수 있다(예컨대, 여기에서 전도성 재료 부분들은 금속 메시 내의 갭들 사이에 형성되거나 위치됨). 일부 그러한 예들에서, 이러한 조합은, 먼저 (예컨대, 메시 패턴에 따라 제1 전도성 재료를 침착 및/또는 패턴화함으로써) 금속 메시 층을 형성하고, 이어서 (예컨대, 메시 패턴에 정렬된 패치 패턴 - 메시 패턴의 재료의 경로들이 패치 패턴의 개방 경로들과 정렬됨 - 에 따라 제2 전도성 재료를 침착 및/또는 패턴화함으로써) 금속 메시 층의 메시 패턴 사이에 전도성 재료의 만액물을 형성함으로써, 형성될 수 있다. 대안적으로, 재료 형성의 순서는 (예컨대, 도 22의 디스플레이-잡음 실드/센서(2210)와 관련하여 위에서 설명된 바와 같이) 역전될 수 있다. 조합을 형성하기 위한 하나의 대안적인 프로세스는, 먼저 패치들 내에 전도성 재료의 만액물을 형성하고, 이어서 패치들 사이의 공간들 내에 금속 메시 패턴을 형성하는 것일 수 있다. 조합을 형성하기 위한 다른 대안적인 프로세스는, 먼저 고체 층으로서 전도성 재료의 만액물을 형성하고, 이어서 후속적으로 전도성 재료의 고체 층 위에 금속 메시 패턴을 형성하는 것일 수 있다.The
도 25는 본 개시내용의 예들에 따른, 터치 스크린 스택업의 예시적인 터치 센서를 예시한다. 일부 예들에서, 도 25는, 도 22에 의해 도시/설명된 스택업(2200)의 서브 스택(2500)을 도시할 수 있다. 구체적으로, 도 25는 일부 예들에 따른, 터치 센서(2216)가 온-셀 프로세스에 따라 제조/형성되거나 제자리에서 제조될 때, 도 22의 터치 센서(2216)에 대응하는 서브 스택(2500)을 도시할 수 있다. 디스플레이-잡음 실드/센서(2210)의 제조와 관련하여 위에서 설명된 바와 같이, 온-셀 프로세스를 사용하여 터치 센서(2216)를 제조하는 것은 대안적인 배열들(예컨대, 상이한 프로세스를 사용하여 제조된 개별 또는 반-개별 터치 센서가 도 22의 층들(2202 내지 2214)을 형성하는 데 사용되는 제조 프로세스로 이송되는 배열들)에 비해 유사한 이점들을 제공한다. 일부 예들에서, 이들 이점들은, (반)개별 터치 센서를 이미 제조된 층들(2202 내지 2214)에 정렬시키고, 라미네이트 또는 접착제를 사용하여 (반)개별 터치 센서를 상기 이미 제조된 층들(2202 내지 2214)에 부착하는 것과 연관된 정렬 및 라미네이션/접착 단계들의 제거를 포함한다. 온-셀 프로세스를 사용하여 터치 센서를 제조하는 이들 이점들은, 대안적인 프로세스들에 비해, 전체 스택업(2200)의 수율 손실들을 낮추는 데 기여한다. 게다가, 상이한 제조 프로세스들을 병합함으로써(예컨대, 반-개별 터치 센서를 온-셀 제조된 층들(2202 내지 2214)로 이송할 때) 필요해진 정렬 단계들을 제거함으로써, 터치 센서(2216)의 감지된 신호들과 연관된 터치 정확도가 개선될 수 있다. 터치 센서(2216)는 온-셀 프로세스를 사용하여 제조되는 것에 의해 정렬되기(때때로 "프로세스-정렬되는" 것으로 지칭됨) 때문에, 터치 센서(2216)의 행 터치 전극들 및 열 터치 전극들은 디스플레이-잡음 실드/센서(2210)의 대응하는 행 잡음-감지 전극들 및 열 잡음-감지 전극들과 실질적으로 정렬될 수 있다(예컨대, 행 및 열 터치 전극들은 스택업(2200) 내의 타깃 중심설정된/정렬된 위치로부터의 5% 편차 내에서 대응하는 행 및 열 잡음-감지 전극들을 오버레이(overlay)할 수 있음). 추가적으로, 프로세스-정렬되는 터치 센서(2216)는 디스플레이 컴포넌트들(2204)의 픽셀들 및/또는 서브 픽셀들과 터치 센서의 행 터치 전극들 및 열 터치 전극들의 정렬을 개선하거나 최적화할 수 있다.25 illustrates an example touch sensor of a touch screen stackup, in accordance with examples of the present disclosure. In some examples, FIG. 25 may depict sub-stack 2500 of
도 25에 예시된 바와 같이, 터치 센서(2216)는 유전체 층(2214) 및/또는 제2 캡슐화 층(2212) 위에 형성될 수 있다. 도 22의 스택업(2200)과 관련하여 설명된 바와 같이, 제2 캡슐화 층(2212)은 블랭킷 침착 공정에 따라, 또는 선택적 침착 공정(예컨대, 잉크젯 인쇄)에 따라 침착될 수 있다. 일부 예들에서, 블랭킷 침착 공정에 따라 제2 캡슐화 층(2212)을 침착시키는 것은, 제2 캡슐화 층의 표면이 평면형인(예컨대, 평탄한, 또는 균일한) 결과를 가져올 수 있다. 일부 예들에서, 터치 센서(2216)의 층들은 제2 캡슐화 층(2212)의 평면형 표면 상에 직접 형성될 수 있다. 일부 예들에서, 유전체 층(2214)이 제2 캡슐화 층(2212) 위에 형성될 수 있다. 유전체 층(2214)은, 디스플레이-잡음 실드/센서(2210)로부터의 그리고 디스플레이 컴포넌트들(2204)(예컨대, 터치 센서(2216) 아래에 형성된 컴포넌트들)로부터의 그의 분리 터치 센서(2216)에 관하여, 때때로 "격리 유전체 층"또는 심지어 "두꺼운 유전체 층"으로 불리울 수 있다. 일부 예들에서, 유전체 층(2214)은, 그의 두께가 도 22의 스택업(2200) 내의 (디스플레이-잡음 센서(2210A)의 것들과 같은) 다른 유전체 층들의 두께보다 상대적으로 더 크기 때문에, "두꺼운" 것으로 불리울 수 있다. 일부 예들에서, 유전체 층(2214)의 두께는 1 내지 6 마이크로미터일 수 있거나, 다른 예들에서 2 내지 5 마이크로미터일 수 있다. 일부 예들에서, 유전체 층(2214)의 두께는 임계 두께 미만(예컨대, 2 마이크로미터 이하, 5 마이크로미터 이하, 8 마이크로미터 이하 등)일 수 있다. 일부 예들에서, (예컨대, 유전체 층(2214)의 포함에 의해) 터치 센서(2216)를 그 아래에 형성된 컴포넌트들로부터 분리하는 것은 상기 컴포넌트들로부터의 잡음 및/또는 간섭의 영향을 감소시키고, 추가적으로 터치 센서와 상기 컴포넌트들 사이의 기생 커패시턴스들을 감소시킨다.As illustrated in FIG. 25 ,
온-셀 제조된 터치 센서(2216)는, 먼저 제2 캡슐화 층 및/또는 유전체 층(2214) 위에 제1 금속 층(2502)을 형성하고, 이어서 층간 유전체 층(2504)을 형성하고, 마지막으로 제2 금속 층(2506)을 형성함으로써, 형성될 수 있다. 일부 예들에서, 제1 및 제2 금속 층들(2502, 2506)은 터치 센서의 행 터치 전극들 및 열 터치 전극들을 형성하는 데 사용될 수 있다. 일례로서, 제1 및 제2 금속 층들(2502, 2506) 내의 행 터치 전극들 및 열 터치 전극들은 상호 커패시턴스 유형 터치 센서, 또는 자기-커패시턴스 유형 터치 센서를 형성할 수 있다. 그러한 예들에서, 2개의 금속 층들(2502/2506) 사이의 층간 유전체 층(2504)은, 하나의 금속 층의 적어도 하나의 부분과 다른 금속 층의 적어도 하나의 부분 사이의 상호연결을 허용하기 위해, 비아들로 패턴화될 수 있다. 일례로서, 행 터치 전극들이 제1 금속 층(2502) 내에 형성될 수 있고, 열 터치 전극들이 제2 금속 층(2506) 내에 형성될 수 있다. 대안적으로, 열 터치 전극들이 제1 금속 층(2502) 내에 형성될 수 있고, 행 터치 전극들이 제2 금속 층(2506) 내에 형성될 수 있다. 다른 예로서, 행 터치 전극들 및 열 터치 전극들 모두가 제1 금속 층(2502) 내에 형성될 수 있고, 제2 금속 층(2506)은 제1 금속 층 내의 임의의 불연속적인 터치 전극들을 연결하기 위한 전도성 브리지들을 형성하는 데 사용될 수 있다. 대안적으로, 행 터치 전극들 및 열 터치 전극들 모두가 제2 금속 층(2506) 내에 형성될 수 있고, 제1 금속 층(2502)은 제2 금속 층 내의 임의의 불연속적인 터치 전극들을 연결하기 위한 전도성 브리지들을 형성하는 데 사용될 수 있다. 행 터치 전극들 및 열 터치 전극들 모두가 제1/제2 금속 층들의 단일 금속 층에 형성되는 예들에서, 열 전극들은 고체 바(예컨대, 연속 금속 메시 패턴)와 같은 연속 형상을 가질 수 있고, 행 전극들은 복수의 세그먼트들(예컨대, 하나 이상의 열 전극들에 인접한, 비연속 금속 메시 세그먼트들의 스트라이프 패턴)과 같은 비연속 형상을 가질 수 있다. 그러한 예들에서, 유전체 층(2504)은 금속 층들 중 하나의 금속 층(예컨대, 제1 금속 층(2502)) 내의 행 전극들의 비연속 세그먼트들과 다른 금속 층(예컨대, 제2 금속 층(2506)) 내의 전도성 구조물들 사이의 금속 상호연결부들을 허용하는 비아들로 패턴화될 수 있다. 그러한 예들에서, 다른(예컨대, 제2) 금속 층 내의 전도성 구조물들은 전도성 브리지 구조물들을 포함할 수 있으며, 이는, 적어도, 연속 열 터치 전극들 및 비연속 행 터치 전극 세그먼트들을 포함하는 금속 층(예컨대, 제1 금속 층) 내의 비연속 행 터치 전극 세그먼트들 사이의 분리 길이를 연장시킨다. 층간 유전체 층(2504)의 패턴화에 의해 형성된 비아들에 의해, 다른 금속 층 내의 브리지 구조물들은 비연속 행 터치 전극 세그먼트들을 전기적으로 커플링할 수 있고, 세그먼트들이 그들의 길이를 따라 연속 행 전극과 유사하게 기능하도록 허용할 수 있다. 일부 예들에서, 터치 센서는 도 5 내지 도 21과 관련하여 설명된 터치 전극 (및 라우팅) 패턴들에 따라 구현될 수 있다.An on-cell fabricated
도 26은 본 개시내용의 예들에 따른, 터치 스크린 스택업의 예시적인 전사형 터치 센서를 예시한다. 일부 예들에서, 도 26은, 도 22에 의해 도시/설명된 스택업(2200)의 서브 스택(2600)을 도시할 수 있다. 도 25와 관련하여 위에서 설명된 배열과는 대조적으로, 도 26에 의해 예시된 바와 같은 터치 센서(2216)는 온-셀 프로세스들을 사용하여 제조되지 않는다. 대신에, 도 26의 터치 센서(2216)는 도 22의 층들(2202 내지 2214)을 형성하는 데 사용되는 제조 프로세스와는 상이한 프로세스를 사용하여 제조된 개별 또는 반-개별 컴포넌트를 나타낸다. 다시 말하면, 터치 센서(2216)는, 도 22의 층들(2202 내지 2214)(예컨대, 스택업(2200)의 이전 층들)에 비해, 상이한 시간에, 상이한 위치에서, 그리고/또는 상이한 제조 프로세스를 사용하여 제조되는 컴포넌트를 나타낸다.26 illustrates an example transfer type touch sensor of a touch screen stackup, in accordance with examples of the present disclosure. In some examples, FIG. 26 can depict sub-stack 2600 of
도 25의 배열과 유사하게, 도 26의 터치 센서(2216)는 제1 금속 층(2602), 층간 유전체 층(2604), 및 제2 금속 층(2606)을 포함한다. 이들 층들은, 온-셀 프로세스들에 기인하는 도 22의 층들(2202 내지 2214)과의 프로세스-정렬과 비교하여 라미네이션으로부터의 정렬이 감소될 수 있다는 것을 제외하고는, 도 25의 대응하는 층들(2502, 2504, 2506)과 동등할 수 있다. 도 26의 터치 센서(2216)는 스택업의 이전 층들과는 상이한 프로세스를 사용하여 제조되기 때문에, 터치 센서는 때때로 "전사형" 터치 센서로 지칭될 수 있다. 전사형 터치 센서의 경우, 도 26에 의해 예시된 바와 같이, 온-셀 프로세스들의 이점들 중 일부가 이용가능하지 않아, 터치 센서(2216)를 도 22의 스택업(2200)의 층들(2202 내지 2214)과 통합하는 데 주의 깊은 정렬 및 라미네이션/접착 단계들을 필요로 한다. 일부 예들에서, 이들 추가 정렬 및 라미네이션/접착 단계들은 스택업(2200)의 제조를 복잡하게 하고, 오류가 발생하기 쉽다. 정렬의 오류의 예들은, 터치 센서(2216)를 디스플레이-잡음 실드/센서(2210) 및/또는 디스플레이 컴포넌트들(2204)에 대해 오정렬시켜서, 터치 센서(2216)의 금속 층들 내에 형성된 행들 및 열들이 실드/센서(2210) 내의 대응하는 구조물들 및/또는 디스플레이 컴포넌트들(2204)과 실질적으로 정렬되지 않게 하는 것을 포함할 수 있다. 그러한 오류는 터치 센서 정확도를 감소시킬 수 있고/있거나 추가 수율 손실을 야기할 수 있다. 라미네이션/접착의 오류의 예들은 스택업(2200)의 나머지(예컨대, 이전 층들(2202 내지 2214))에 대한 터치 센서(2216)의 부분적인/불완전한, 또는 불충분한 접착을 포함할 수 있다. 구체적으로, 도 26의 전사형 터치 센서(2216)는 접착제 층(2610)에 의해 스택업(2200)의 나머지에 라미네이팅/접착될 수 있다. 그러나, 접착제 층(2610)과 유전체 층(2214) 또는 제2 캡슐화 층(2212) 사이의 부분적인 그리고/또는 불완전한 접착은 스택업(2200)에 대한 터치 센서(2216)의 불충분한 고정을 야기할 수 있다. 스택업(2200)에 대한 터치 센서(2216)의 불충분한 고정은 (예컨대, 터치 센서(2216)의 이동에 의한) 스택업(2200)에 대한 터치 센서(2216)의 미래의 오정렬, 또는 (예컨대, 디바이스가 사용 중인 동안 터치 센서(2216)가 이동하게 하는 그에 대한 변형/힘으로 인한) 스택업(2200)을 포함하는 디바이스의 동작 동안의 터치 센서(2216)의 일관되지 않은 성능을 야기할 수 있다. 추가적으로, 도 26의 터치 센서(2216)는 온-셀 프로세스들을 사용하여 형성되지 않고, 대신에 상이한 프로세스를 사용하여 제조되기 때문에, 터치 센서 기판(들)(2608)이 도 22의 스택업(2200) 내에 포함될 수 있고, (예컨대, 전사형 터치 센서(2216)의 별도의 제조 동안) 층들(2602 내지 2606)이 그 상에 형성되는 베이스 기판에 대응할 수 있다.Similar to the arrangement of FIG. 25 , the
도 27은 본 개시내용의 예들에 따른, 터치 스크린 스택업의 픽셀-정렬된 디스플레이-잡음 센서 및 터치 센서의 예시적인 판독 단자들을 예시한다. 도 27은 도 22의 2200에 대한 단순화된 스택업을 예시하는데, 이는 디스플레이 컴포넌트들(2204)(여기서 각각이 다수의 서브픽셀들을 갖는 어레이 내의 픽셀들로 표시됨), 디스플레이-잡음 센서(2210A)의 금속 층(예를 들어, 도 23의 제2 금속 층(2306)), 및 터치 센서(2216)의 금속 층(예를 들어, 도 25의 제2 금속 층(2506), 또는 도 26의 제2 금속 층(2606))만을 예시한다. 단순화된 스택업의 하단으로부터 시작하여, 디스플레이 컴포넌트들(2204)은 텍스트, 이미지들, 비디오들, 또는 다른 정보를 사용자에게 디스플레이하는 데 사용될 수 있고, 디스플레이 컴포넌트들(2204) 자체의 출력들에 대한 대응하는/원하는 변경들을 야기도록 디스플레이에 입력된 신호들을 수정함으로써 그렇게 할 수 있다. 디스플레이 컴포넌트들(2204) 내의 픽셀들의 출력 값들이 전자 디바이스의 정상 동작 동안 변경될 때, 변하는 픽셀 출력 값들은 변경된 디스플레이 컴포넌트들(2204) 부근에 통상 국소화되는 연관된 잡음 신호들을 생성할 수 있다.27 illustrates example read terminals of a touch sensor and pixel-aligned display-noise sensor of a touch screen stackup, in accordance with examples of the present disclosure. 27 illustrates a simplified stackup for 2200 in FIG. 22 , which consists of display components 2204 (where each is represented by pixels in an array having a number of subpixels), display-
디스플레이-잡음 센서(2210A)는 디스플레이 컴포넌트들(2204) 위에 예시되고, 도 22 및 도 23과 관련하여 전술된 바와 같이 제1 캡슐화 층(2208) 위에 형성될 수 있다. 도 27은 디스플레이-잡음 센서(2210A)를 단일 금속 층으로 예시하는데, 이는 행 잡음-센서 전극들 및 열 잡음-센서 전극들 모두가 단일 금속 층(예를 들어, 도 23의 제2 금속 층(2306))에 형성되는 실시예들에 대응한다. 이러한 예에서, 다른 금속 층(예를 들어, 제1 금속 층(2302))이 (예를 들어, 제2 금속 층(2306)에서) 불연속적인 행 및/또는 열 잡음 센서 전극 세그먼트들 사이에 상호연결부들을 형성하는 데 사용될 수 있다. 그러나, 이는 단지 예시적인 것이며, 디스플레이-잡음 센서(2210A)는 또한, 상이한 각각의 금속 층들에 형성된 행 잡음-센서 전극들 및 열 잡음-센서 전극들을 가질 수 있다. 디스플레이 컴포넌트들(2204)의 대응하는 세그먼트들 위에서 제1 방향으로 연장되는 행 잡음-센서 전극들이 제1 방향을 따라 아래에 놓인 디스플레이 컴포넌트들(2204)의 출력 값들에 대한 변화들에 의해 생성된 전기 잡음에 민감할 수 있다. 디스플레이-잡음 센서(2210A)의 행 잡음-센서 전극의 연결 지점이 단자(B1)로 라벨링될 수 있고, 판독 회로(예를 들어, 도 29의 2900)에서 판독될 수 있다. 유사하게, 디스플레이 컴포넌트들(2204)의 대응하는 세그먼트들 위에서 제1 방향과는 상이한 제2 방향으로 연장되는 열 잡음-센서 전극들이 제2 방향을 따라 아래에 놓인 디스플레이 컴포넌트들(2204)의 출력 값들에 대한 변화들에 의해 생성된 전기 잡음에 민감할 수 있다. 디스플레이-잡음 센서(2210A)의 열 잡음-센서 전극의 연결 지점이 단자(B2)로 라벨링될 수 있고, 판독 회로에서 판독될 수 있다. 디스플레이-잡음 센서(2210A) 내에 행 잡음-센서 전극들 및 열 잡음-센서 전극들을 형성하는 데 사용되는 금속은 디스플레이 컴포넌트들(2204)의 서브픽셀 컴포넌트들과 실질적으로 정렬되도록 패턴화될 수 있어서, 디스플레이-잡음 센서(2210A) 내의 금속이 디스플레이 컴포넌트들(2204)로부터 투과된 광을 광학적으로 방해하지 않게 할 수 있다(예컨대, 행 및 열 잡음-센서 전극들의 패턴 특징부들이 스택업(2200) 내의 타깃 중심설정된/정렬된 위치로부터의 5% 편차 내에서 대응하는 서브픽셀 디스플레이 컴포넌트들을 오버레이할 수 있음).Display-
터치 센서(2216)가 디스플레이-잡음 센서(2210A)(디스플레이-잡음 센서의 디스플레이에 반대편인 면) 위에 예시되고, 도 22 및 도 25와 관련하여 전술된 바와 같이 유전체 층(2214) 및/또는 제2 캡슐화 층(2212) 위에 형성될 수 있다. 터치 센서(2216)는 단일 금속 층으로 예시되어 있는데, 이는 행 터치 전극들 및 열 터치 전극들 모두가 단일 금속 층(예를 들어, 도 25의 제2 금속 층(2506))에 형성되는 실시예들에 대응한다. 이러한 예에서, 다른 금속 층(예를 들어, 제1 금속 층(2502))이 (예를 들어, 제2 금속 층(2506)에서) 불연속적인 행 및/또는 열 터치 전극 세그먼트들 사이에 상호연결부들을 형성하는 데 사용될 수 있다. 그러나, 이는 단지 예시적인 것이며, 터치 센서(2216)는 또한, 상이한 각각의 금속 층들에 형성된 행 잡음-센서 전극들 및 열 잡음-센서 전극들을 가질 수 있다. 디스플레이 컴포넌트들(2204)의 대응하는 세그먼트들 위에서 제1 방향으로 연장되는 행 터치 전극들이 제1 방향을 따라 아래에 놓인 디스플레이 컴포넌트들(2204)의 출력 값들에 대한 변화들에 의해 생성된 전기 잡음에 민감할 수 있다. 이러한 행 터치 전극들은 또한, 디스플레이-잡음 센서(2210A)의 대응하는 행 잡음-센서 전극 위에서 연장될 수 있다. 터치 센서(2216)의 행 터치 전극의 연결 지점이 단자(A1)로 라벨링될 수 있고, 단자(B1)로 라벨링된 행 잡음-센서 전극으로부터의 대응하는 신호와 병렬로 판독 회로에서 판독될 수 있다. 유사하게, 디스플레이 컴포넌트들(2204)의 대응하는 세그먼트들 위에서 제1 방향과는 상이한 제2 방향으로 연장되는 열 터치 전극들이 제2 방향을 따라 아래에 놓인 디스플레이 컴포넌트들(2204)의 출력 값들에 대한 변화들에 의해 생성된 전기 잡음에 민감할 수 있다. 이러한 열 터치 전극들은 또한, 디스플레이-잡음 센서(2210A)의 대응하는 열 잡음-센서 전극 위에서 연장될 수 있다. 터치 센서(2216)의 열 터치 전극의 연결 지점이 단자(A2)로 라벨링될 수 있고, 단자(B2)로 라벨링된 열 잡음-센서 전극으로부터의 대응하는 신호와 병렬로 판독 회로에서 판독될 수 있다. 터치 센서(2216) 내에 행/열 터치 전극들을 형성하는 데 사용되는 금속은 디스플레이 컴포넌트들(2204)의 서브픽셀 컴포넌트들과 실질적으로 정렬되도록 패턴화될 수 있어서, 터치 센서(2216) 내의 금속이 디스플레이 컴포넌트들(2204)로부터 투과된 광을 광학적으로 방해하지 않게 할 수 있다(예컨대, 행 및 열 터치 전극들의 패턴 특징부들이 스택업(2200) 내의 타깃 중심설정된/정렬된 위치로부터의 5% 편차 내에서 대응하는 서브픽셀 발광 디스플레이 컴포넌트들을 오버레이할 수 있음).A
터치 센서(2216)의 각각의 행 터치 전극은, 일부 예들에서, 디스플레이-잡음 센서(2210A)의 대응하는 행 잡음-센서 전극을 오버레이할 수 있다. 행 터치 전극 및 행 잡음-센서 전극의 각각의 대응하는 쌍은 디스플레이 컴포넌트들(2204)의 디스플레이 픽셀들의 대응하는 행을 오버레이할 수 있고, 일부 예들에서, 아래에 놓인 디스플레이 컴포넌트들(2204)의 출력 값들에 대한 변화들에 의해 생성된 전기 잡음에 민감할 수 있다. 디스플레이 컴포넌트들(2204)로부터의 전기 잡음의 영향을 완화시키기 위해, 디스플레이-잡음 센서(2210A)의 행들/열들로부터의 디스플레이-잡음 신호들(예를 들어, 단자들(B1/B2)로부터 판독된 신호들)은, 일부 예들에서, 판독 회로에 의해 터치 센서(2216)의 행들/열들로부터의 대응하는 터치 검출 신호들(예를 들어, 단자들(A1/A2)로부터 판독된 신호들)과 병렬로 판독될 수 있다. 일부 예들에서, 디스플레이-잡음 센서(2210A)로부터 판독된 신호들(B1/B2) 및 터치 센서(2216)로부터 판독된 신호들(A1/A2)은, 터치 센서(2216)의 행들 및/또는 열들과 중첩하고 정렬된 디스플레이-잡음 센서(2210A)의 행들 및/또는 열들에 대응할 수 있다. A1/A2로부터의 터치 검출 신호들과 병렬로 B1/B2로부터의 디스플레이-잡음 신호들을 판독하는 것은 판독 회로가 디스플레이-잡음 신호들을 터치 검출 신호들로부터 감산하게 하여, 그에 의해 터치 검출 신호들에 대한 디스플레이-잡음 신호들의 완화된 기여에 의한 잡음 교정된 터치 검출 신호들을 생성한다. 일부 예들에서, 이러한 배열은 잡음 교정된 터치 검출 신호들에 기초하여 사용자로부터 터치 입력을 측정하는 경우에 개선된 정확도 및 반복성을 야기할 수 있다.Each row touch electrode of
일부 예들에서, 디스플레이-잡음 센서(2210A)의 특정 행들 및 열들은 디스플레이 컴포넌트들(2204) 위의 영역(또는 터치 센서(2216) 아래의 영역)을 구획하는 더 큰 영역들로 조합될 수 있다. 이러한 예들에서, 특정 행들 및 열들이 특정 행들 및 열들의 출력들을 "집단화(ganging)"또는 전기적으로 연결함으로써 조합될 수 있어서, 조합된 특정 행들 및 열들에 의해 형성된 더 큰 영역은 단일 시간에 (또는 단일 단자에서) 판독될 수 있다. 대안적으로, 특정 행들 및 열들은 순차적으로 (또는 그들 각각의 단자들에서) 판독되고, 이어서 조합되어, 조합된 특정 행들 및 열들에 의해 형성된 더 큰 영역에서 잡음 신호에 대응하는 출력을 생성할 수 있다. 디스플레이-잡음 센서(2210A)의 특정 행 잡음-센서 전극들 및 열 잡음-센서 전극들이 이러한 방식으로 더 큰 영역들로 조합될 때, 디스플레이-잡음 센서(2210A)의 각각의 영역은 아래의 디스플레이 컴포넌트들(2204)의 대응하는 영역들의 출력 값들에 대한 변화들에 의해 생성된 전기 잡음에 민감할 수 있다. 이어서, 조합된 행 잡음-센서 전극들 및 열 잡음-센서 전극들에 의해 형성된 영역들은 터치 센서(2216)의 대응하는 영역들 아래에 형성될 수 있다. 이러한 예들에서, 디스플레이-잡음 센서(2210A)의 특정 영역으로부터 판독된 신호들은 대응하는 영역(예를 들어, 디스플레이-잡음 센서(2210A)의 특정 영역 위의 행 터치 전극 또는 열 터치 전극) 내의 신호들에 대응하는 터치 센서(2216)의 행들/열들로부터의 대응하는 터치 검출 신호들과 병렬로 판독될 수 있다. 일부 예들에서, (예를 들어, 디스플레이-잡음 센서(2210A)의 영역, 및 터치 센서(2216)에 대응하는 영역으로부터의) 이러한 신호들은 (도 29와 관련하여 아래에서 설명되는) 공통 판독 회로에 의해 판독될 수 있다. 단일 행/열 잡음-센서 전극 및 단일 행/열 터치 전극이 공통 판독 회로에 의해 판독될 때의 접근법과 유사하게, 디스플레이-잡음 센서(2210A)의 잡음-센서 전극들의 영역으로부터의 제1 신호들 및 터치 센서(2216)의 대응하는 영역으로부터의 제2 신호들이 판독될 때, 제1 신호들은 제2 신호들로부터 감산되어 디스플레이 컴포넌트들(2204)의 잡음 기여/영향 없이 (예를 들어, 디스플레이-잡음 없이) 터치 신호들에 대응하는 판독 값을 생성할 수 있다.In some examples, certain rows and columns of display-
단일 행 또는 단일 열을 넘어 연장되는 더 큰 영역들로 디스플레이-잡음 센서(2210A)를 구획하는 이러한 접근법은 디스플레이-잡음 센서(2210A)의 모든 행 잡음-센서 전극들과 열 잡음 센서 전극들을 조합하여, 전체 디스플레이-잡음 센서(2210A)에서의 잡음 신호에 대응하는, 전역적 판독치를 생성하도록 확장될 수 있다. 다수의 행/열 잡음-센서 전극들의 영역 및 행/열 터치 전극의 대응하는 영역이 공통 판독 회로에 의해 판독될 때의 접근법과 유사하게, 전체 디스플레이-잡음 센서(2210A)에 대응하는 제1 신호들 및 터치 센서(2216)의 임의의 영역으로부터의 제2 신호들이 판독될 때, 제1 신호들은 제2 신호들로부터 감산되어 디스플레이 컴포넌트들(2204)의 잡음 기여/영향 없이 (예를 들어, 디스플레이-잡음 없이) 터치 신호들에 대응하는 판독 값을 생성할 수 있다.This approach of partitioning the display-
도 28은 본 개시내용의 예들에 따른, 터치 스크린 스택업의 디스플레이-잡음 실드 및 터치 센서의 예시적인 판독 단자들을 예시한다. 도 28은 도 22의 2200에 대한 단순화된 스택업을 예시하는데, 이는 디스플레이 컴포넌트들(2204)(여기서 각각이 다수의 서브픽셀들을 갖는 어레이 내의 픽셀들로 표시됨), 디스플레이-잡음 실드(2210B)의 금속 층(예를 들어, 도 24의 금속 층(2402)), 및 터치 센서(2216)의 금속 층(예를 들어, 도 25의 제2 금속 층(2506), 또는 도 26의 제2 금속 층(2606))만을 예시한다. 도 27과 관련하여 위의 설명과 유사하게, 디스플레이 컴포넌트들(2204) 내의 픽셀들의 출력 값들이 전자 디바이스의 정상 동작 동안 변경될 때, 변하는 픽셀 출력 값들은 변경된 디스플레이 컴포넌트들(2204) 부근에 통상 국소화되는 연관된 잡음 신호들을 생성할 수 있다.28 illustrates example read terminals of a touch sensor and a display-noise shield of a touch screen stackup, in accordance with examples of the present disclosure. 28 illustrates a simplified stackup for 2200 in FIG. 22 , which consists of display components 2204 (where each is represented by pixels in an array having a number of subpixels), display-
디스플레이-잡음 실드(2210B)는 디스플레이 컴포넌트들(2204) 위에 예시되고, 도 22 및 도 23과 관련하여 전술된 바와 같이 제1 캡슐화 층(2208) 위에 형성될 수 있다. 도 28은 전역적 메시가 (도 24의) 금속 층(2402)에 걸쳐 형성되어 그에 의해 디스플레이 컴포넌트들(2204)의 전체를 커버하는 실시예들에 대응하는 단일 금속 층으로서 디스플레이-잡음 실드(2210B)를 예시한다. 일부 예들에서, 디스플레이-잡음 실드(2210B)와 연관된 전역적 메시는 인접하지 않은 실드 세그먼트들로 구획될 수 있다. 이러한 예들에서, 다수의 실드 세그먼트들에 대응하는 다수의 연결 지점들이 제공될 수 있다. 그러나, 도 28에 의해 예시된 예에서, 전체 디스플레이-잡음 실드(2210B)의 연결 지점은 단자(C)로 라벨링될 수 있고, 도 30에 의해 도시된 바와 같이, 단자(C)는 접지 전압에 커플링되어, 그에 의해 전체 실드(2210B)를 고정 전압 레벨에서 바이어스할 수 있다. 디스플레이-잡음 실드(2210B)의 디스플레이-잡음 실드 전극(들)을 형성하는 데 사용되는 금속은 디스플레이 컴포넌트들(2204)의 서브픽셀 컴포넌트들과 실질적으로 정렬되도록 패턴화될 수 있어서, 디스플레이-잡음 실드(2210B) 내의 금속이 디스플레이 컴포넌트들(2204)로부터 투과된 광을 광학적으로 방해하지 않게 할 수 있다(예컨대, 디스플레이-잡음 실드의 패턴 특징부들이 스택업(2200) 내의 타깃 중심설정된/정렬된 위치로부터의 5% 편차 내에서 대응하는 서브픽셀 디스플레이 컴포넌트들을 오버레이할 수 있음).Display-to-
터치 센서(2216)가 디스플레이-잡음 실드(2210B) 위에 예시되고, 도 22 및 도 25와 관련하여 전술된 바와 같이 유전체 층(2214) 및/또는 제2 캡슐화 층(2212) 위에 형성될 수 있다. 터치 센서(2216)와 금속 층(2402)의 전역적 메시 사이의 높은 커패시턴스로 인해, 때때로 선택적 유전체 층(2214)이 일부 예들에서 디스플레이-잡음 실드(2210B)와 터치 센서(2216) 사이에 제공된다. 도 22와 관련하여 전술된 바와 같이, 디스플레이-잡음 실드(2210B)와 터치 센서(2216) 사이에 유전체 층(2214)을 포함하는 것은 스택업(2200)의 이러한 층들 사이의 격리를 개선하여, 그에 의해 터치 감지 성능, 정확도, 및 반복성을 개선할 수 있다. 터치 센서(2216)는 단일 금속 층으로 예시되어 있는데, 이는 행 터치 전극들 및 열 터치 전극들 모두가 단일 금속 층(예를 들어, 도 25의 제2 금속 층(2506))에 형성되는 실시예들에 대응한다. 도 27과 유사하게, 터치 센서(2216)는 행 및 열 터치 전극들을 갖는 것으로 예시되어 있다. 터치 센서(2216)의 행 터치 전극의 연결 지점이 단자(A1)로 라벨링될 수 있고, 판독 회로에서 판독될 수 있다. 터치 센서(2216)의 열 터치 전극의 연결 지점이 단자(A2)로 라벨링될 수 있고, 판독 회로에서 판독될 수 있다. 터치 센서(2216) 내에 행/열 터치 전극들을 형성하는 데 사용되는 금속은 디스플레이 컴포넌트들(2204)의 서브픽셀 컴포넌트들과 실질적으로 정렬되도록 패턴화될 수 있어서, 터치 센서(2216) 내의 금속이 디스플레이 컴포넌트들(2204)로부터 투과된 광을 광학적으로 방해하지 않게 할 수 있다(예컨대, 행 및 열 터치 전극들의 패턴 특징부들이 스택업(2200) 내의 타깃 중심설정된/정렬된 위치로부터의 5% 편차 내에서 대응하는 서브픽셀 디스플레이 컴포넌트들을 오버레이할 수 있음).A
일부 예들에서, 터치 센서(2216)의 각각의 행 터치 전극은 디스플레이-잡음 실드(2210B)를 오버레이할 수 있다. 터치 센서(2216)의 행들/열들로부터 신호들이 판독됨에 따라, 일부 예들에서, 디스플레이-잡음 실드(2210B)는 터치 센서(2216)의 터치 감지 동작들 동안 특정 전압 레벨로 능동적으로 바이어스될 수 있다. 이러한 예들에서, 디스플레이-잡음 실드(2210B)의 단자(C)는 터치 센서(2216)의 터치 감지 동작들 동안 하나 이상의 자극 신호들(예를 들어, 시간에 따라 변하는 전압)을 수신할 수 있거나, 또는 접지 전압(또는 임의의 다른 적합한 고정 전압 레벨)으로 바이어스될 수 있다. 일부 예들에서, 이러한 배열은, 적어도 터치 센서(2216)의 터치 감지 동작들 동안 디스플레이-잡음 실드(2210B)에 하나 이상의 바이어스 전압들을 인가하고, 그에 의해 디스플레이 컴포넌트들(2204)에 의해 생성된 전기적 간섭(예를 들어, 디스플레이-잡음)으로부터 터치 센서의 행/열 터치 전극들을 차폐함으로써, 잡음 교정된 터치 검출 신호들에 기초하여 사용자로부터 터치 입력을 측정하는 경우에 개선된 정확도 및 반복성을 야기할 수 있다.In some examples, each row touch electrode of
도 29는 본 개시내용의 예들에 따른, 터치 스크린 스택업의 디스플레이-잡음 센서 및 터치 센서에 대한 예시적인 판독 회로부를 예시한다. 판독 회로(2900)(본 명세서에서 감지 회로부라고 또한 지칭됨)는 터치 센서(2216)의 행들/열들에 대한 연결 지점들(예를 들어, A1/A2) 및 디스플레이-잡음 센서(2210A)의 행들/열들에 대한 연결 지점들(예를 들어, B1/B2)에 대응하는 단자 입력들뿐만 아니라 도 22의 스택업(2200)의 컴포넌트들 사이의 기생/원하지 않는 커패시턴스들을 모델링하는 예시적인 회로 개략도를 나타낼 수 있다. 판독 회로(2900)의 전체적인 기능은 포지티브 입력(2904)에서의 전압과 네거티브 입력(2902)에서의 전압 사이의 차이에 비례하는 전압(VOUT)을 출력하는 것일 수 있다. 따라서, VOUT은 디스플레이-잡음 센서(2210A)의 행들/열들에 대응하는 연결 지점들(B1/B2)로부터의 신호와 터치 센서(2216)의 행들/열들에 대응하는 연결 지점들(A1/A2)로부터의 신호 사이의 차이에 비례한다. 따라서, VOUT은 연결 지점들(A1/A2)에서 터치 센서(2216)에 의해 검출된 터치 신호에서 연결 지점들(B1/B2)에서 디스플레이-잡음 센서(2210A)에 의해 검출된 잡음 신호를 마이너스(minus)한 값을 결정하는 데 사용될 수 있는 포지티브 입력(2904) 및 네거티브 입력(2902)에 기초한 신호를 나타낸다.29 illustrates example readout circuitry for a touch sensor and a display-noise sensor of a touch screen stackup, in accordance with examples of the present disclosure. Readout circuitry 2900 (also referred to herein as sensing circuitry) connects the connection points to rows/columns of touch sensor 2216 (eg, A1/A2) and rows of display-
도 27과 관련하여 전술된 바와 같이, 일부 예들에서, 디스플레이-잡음 센서(2210A)는 때때로 특정 행 잡음-센서 전극들 및/또는 열 잡음-센서 전극들로부터의 출력 값들을 조합함으로써 영역들로 구획될 수 있다. 다른 예들에서, 디스플레이-잡음 센서(2210A)는 모든 행 잡음-센서 전극들 및 모든 열 잡음-센서 전극들로부터의 출력 값들을 조합하는 전역적 판독치를 생성하는 데 사용될 수 있다. 도 29에 의해 예시되지는 않았지만, 이러한 신호들은 또한 포지티브 입력(2904)에 제공될 수 있다.As described above with respect to FIG. 27 , in some examples, display-
일부 예들에서, 판독 회로(2900)는 도 3a 및 도 3b의 터치 센서 회로들(300, 350)과 유사한 기능들을 수행할 수 있다. 전술된 바와 같이, 터치 센서 회로들(300/350)은, 일부 예들에서, 터치 센서(2216)의 행/열의 단일 종단형 판독치(예를 들어, 터치 전극 신호 판독)에 대응하는 출력(Vo)을 생성할 수 있다. 유사하게, 일부 예들에서, 터치 센서 회로들(300/350)은 디스플레이-잡음 센서(2210A)의 행들/열들에 커플링되어 디스플레이-잡음 센서(2210A)의 행들/열들의 단일 종단형 판독치들을 생성할 수 있다. 이러한 예들에서, 디스플레이-잡음 센서(2210A)의 행/열에 커플링된 터치 센서 회로(300/350)로부터의 출력이 터치 센서(2216)의 행/열에 커플링된 터치 센서 회로(300/350)로부터의 출력으로부터 감산되어 판독 회로(2900)의 출력 전압(VOUT)에 비견되거나 비례하는 차이 값을 획득할 수 있다.In some examples, read
VNOISE(캐소드)로 라벨링된 전압 소스는, 일부 예들에서, 도 22의 스택업(2200)의 디스플레이 컴포넌트들(2204)로부터 다른 컴포넌트들로의 잡음 기여를 나타낸다. 커패시터(CM2_C)는 캐소드(예를 들어, 디스플레이 컴포넌트들(2204))와 M2로 불리는 금속 층 (예를 들어, 디스플레이-잡음 실드/센서(2210)에 대응하는 금속 층) 사이의 기생 또는 원하지 않는 커패시턴스를 나타낸다. 디스플레이-잡음 실드/센서(2210)가 디스플레이-잡음 센서(2210A)인 예들에서, 금속 층(M2)은 도 23의 제2 금속 층(2306)에 대응할 수 있다. 디스플레이-잡음 실드/센서(2210)가 디스플레이-잡음 실드(2210B)인 예들에서, 금속 층(M2)은 도 24의 금속 층(2402)에 대응할 수 있다. 포지티브 입력(2904)이 디스플레이-잡음 실드/센서(2210)에 연결되고, 따라서, (도 29의 그들의 연결부에 의해 예시된 바와 같이) CM2_C 커패시턴스에 영향을 받을 수 있다. 커패시터(CM4_C)는 캐소드(예를 들어, 디스플레이 컴포넌트들(2204))와 M4로 불리는 금속 층 (예를 들어, 터치 센서(2216)의 행/열 전극들에 대응하는 금속 층) 사이의 기생 또는 원하지 않는 커패시턴스를 나타낸다. 행 및 열 전극들이 사용자에게 가장 가까운 (예를 들어, 도 22의 커버 층(2222)에 가장 가까운) 단일 층으로 형성되는 예들에서, 금속 층(M4)은 제2 금속 층(2506)에 대응할 수 있다. 네거티브 입력(2902)이 터치 센서(2216)에 연결되고, 따라서, (도 29의 그들의 연결부에 의해 예시된 바와 같이) CM4_C 커패시턴스에 영향을 받을 수 있다. 일부 예들에서, 커패시턴스(CM4_M2)는 금속 층들(M2, M4) 사이의 기생 또는 원하지 않는 커패시턴스를 나타내고, 포지티브 입력(2904)과 네거티브 입력(2902) 사이에 연결된 것으로 도시되어 있는데, 이는 그것이 그들 입력이 연결될 수 있는 2개의 층들에 영향을 줄 수 있기 때문이다.A voltage source labeled V NOISE (cathode) represents, in some examples, a noise contribution from
포지티브 입력(2904)이, 전술된 M2로 불리는 금속 층과 연관된 고유 저항을 나타낼 수 있는, 저항기(RM2)를 통해 차동 증폭기(2906)에 연결된 것으로 도시되어 있다. 대안적으로, RM2는 차동 증폭기(2906)의 포지티브 단자에 대한 입력 저항기를 나타낼 수 있고, 특정한 미리정의된 값을 가질 수 있다. 네거티브 입력(2902)이, 전술된 M4로 불리는 금속 층과 연관된 고유 저항을 나타낼 수 있는, 저항기(RM4)를 통해 차동 증폭기(2906)에 연결된 것으로 도시되어 있다. 대안적으로, RM4는 차동 증폭기(2906)의 네거티브 단자에 대한 입력 저항기를 나타낼 수 있고, 특정한 미리정의된 값을 가질 수 있다. 일부 예들에서, RBIAS는 바이어스 전압(VBIAS)을 차동 증폭기(2906)의 포지티브 단자에 연결하는 저항기를 나타낼 수 있고, RFB는 출력 전압(VOUT)을 차동 증폭기(2906)의 네거티브 단자에 연결하는 피드백 저항기를 나타낼 수 있다.A
도 30은 본 개시내용의 예들에 따른, 터치 스크린 스택업의 디스플레이-잡음 실드에 대한 예시적인 전압 바이어스를 예시한다. 일부 예들에서, 디스플레이-잡음 실드(2210B)의 전역적 메시에 대한 연결부를 나타내는 연결 지점(C)이 접지된다. 일부 예들에서, 디스플레이-잡음 실드(2210B)를 접지하는 것은 잡음을 완화시킬 수 있다. 대안적으로, 디스플레이-잡음 실드(2210B)는, 일부 예들에서 (예를 들어, 잡음을 또한 완화시키기 위해), 임의의 고정된 비-제로 전압으로 바이어스될 수 있다. 일부 예들에서, 디스플레이-잡음 실드(2210B)는 터치 센서(2216)의 터치 감지 동작들 동안 접지, 또는 다른 고정된 전압으로 단지 바이어스된다. (도 30에 의해 예시되지 않은) 일부 예들에서, 디스플레이-잡음 실드(2210B)는, 구동 인터페이스(224)를 통해 구동 라인들(222)에 제공되는 도 2의 자극 신호들(216)에 대응하거나 그들에 기초하는 터치 감지 동작들 동안 자극 신호들에 제공될 수 있다.30 illustrates an example voltage bias for a display-noise shield of a touch screen stackup, in accordance with examples of the present disclosure. In some examples, connection point C representing the connection to the global mesh of display-
도 31은 본 개시내용의 예들에 따른, 터치 센서 및 터치 센서와 디스플레이 픽셀 사이의 디스플레이-잡음 센서를 갖는 터치 스크린 스택업을 동작시키기 위한 예시적인 프로세스(3100)를 예시한다. 일부 예들에서, 프로세스(3100)는 터치 센서 및 터치 센서와 디스플레이 픽셀들 사이의 디스플레이-잡음 실드를 갖는 터치 스크린 스택업을 동작시키기 위한 동작들을 또한 설명한다. 일부 예들에서, 프로세스(3100)는, 포지티브 입력(2904)이 디스플레이-잡음 센서 전극(예를 들어, 입력들(B1/B2))에 연결되든 또는 디스플레이-잡음 실드 전극(예를 들어, 입력(C))에 연결되든 간에, 도 29의 판독 회로(2900)를 동작시키기 위한 동작들을 설명할 수 있다.31 illustrates an
프로세스(3100)는, 3102에서, 판독 회로부(예를 들어, 도 29의 2900)가 특정 위치(예를 들어, 행 및/또는 열)에서 터치 센서(2216)로부터의 신호들을 샘플링하는 것으로 시작한다. 일례로서, 3102는 터치 센서(2216)로부터의 신호들을 샘플링하는 것을, 특히 (예를 들어, 터치 제어기(206)에 의해) 터치 이벤트가 검출될 수 있는 터치 센서의 특정 위치를 샘플링하는 것을 설명할 수 있다. 이러한 예에서, 터치 이벤트는 디스플레이의 특정 행(예를 들어, 행 2) 및 특정 열(예를 들어, 열 3)에서 검출될 수 있고, 사용자가 특정 행 및 특정 열에서 디스플레이 컴포넌트들(2204)에 의해 디스플레이된 사용자 인터페이스 요소와 상호작용하거나 그를 선택하는 것에 대응할 수 있다. 도 27의 단자들(A1/A2)을 통해 판독된 신호들은, 프로세스(3100)의 3102에서, 도 29의 판독 회로(2900)의 네거티브 입력(2902)에서 샘플링되고/되거나 판독될 수 있다.
프로세스(3100)는, 3104에서, 판독 회로부가 특정 위치에 대응하는 위치에서 디스플레이-잡음 센서로부터 신호들을 샘플링하는 것으로 계속한다. 일례로서, 3104는 터치 이벤트가 터치 센서 상에서 검출되었던 동일한 특정 위치에서 디스플레이-잡음 센서(2210A) 로부터 신호들을 샘플링하는 것을 설명할 수 있다. 이러한 예에서, 디스플레이-잡음 센서(2210A)는 터치 센서(2216) 상에서의 검출된 터치 이벤트의 위치 아래의 디스플레이-잡음 센서(2210A) 내의 위치에 대응하는 특정 행(예를 들어, 행 2) 및 특정 열(예를 들어, 열 3)에서 샘플링될 수 있다. 도 27의 단자(B1/B2)를 통해 판독된 신호들은, 프로세스(3100)의 3104에서, 도 29의 판독 회로(2900)의 포지티브 입력(2904)에서 샘플링되고/되거나 판독될 수 있다. 일부 예들에서, 도 28의 단자(C)를 통해 판독된 신호들은, 프로세스(3100)의 3104에서, 도 29의 판독 회로(2900)의 포지티브 입력(2904)에서 샘플링되고/되거나 판독될 수 있다. 일부 예들에서, 판독 회로의 포지티브 입력(2904)에서 판독된 신호들은 디스플레이 컴포넌트들(2204)에 기초한 전기 잡음 신호들, 또는 디스플레이 컴포넌트들(2204)의 출력 값들의 변화들에 대응한다.The
프로세스(3100)는, 3106에서, 터치 센서 패널 신호들로부터 디스플레이-잡음 센서 신호들을 감산함으로써, 판독 회로부가 잡음 조정된 터치 판독 신호들을 생성하는 것으로 결론짓는다. 일례로서, 3106은 포지티브 입력(2904)에서의 신호와 네거티브 입력(2902)에서의 신호의 차이에 대응하는 출력 전압(VOUT)을 생성하는 차동 증폭기(2906)를 설명할 수 있다. 일례로서, VOUT은 포지티브 입력(2904)에서의 신호에서 네거티브 입력(2902)에서의 신호를 마이너스한 (또는 감산한) 값에 비례할 수 있고, 이는 이어서 네거티브 입력(2902)에서의 신호에서 포지티브 입력(2904)에서의 신호를 마이너스한 (또는 감산한) 값에 비례한다. 네거티브 입력(2902)에서의 신호에서 포지티브 입력(2904)에서의 신호를 마이너스한 값을 결정함으로써, 잡음 교정된 터치 판독 신호가 생성될 수 있는데, 적어도 이는 디스플레이-잡음 센서(2210A)로부터 판독된 포지티브 입력(2904)에서의 신호가 (예를 들어, 터치 이벤트가 검출되었던) 특정 위치에서의 전기적 잡음 기여에 대응할 수 있기 때문이다.
도 32는 본 개시내용의 예들에 따른, 제1 인쇄 층 상에 형성된 디스플레이-잡음 실드/센서 및 제2 인쇄 층 상에 형성된 터치 센서를 갖는 터치 스크린 스택업을 형성하기 위한 예시적인 프로세스(3200)를 예시한다. 일부 예들에서, 프로세스(3200)는 온-셀 제조 프로세스를 사용하여, 도 22의 스택업(2200)의 제1 캡슐화 층(2208), 디스플레이-잡음 실드/센서(2210), 제2 캡슐화 층(2212), 및 터치 센서(2216)를 제조하기 위한 작업들을 설명한다. 일부 예들에서, 프로세스(3200)에서 설명되는 온-셀 제조는 대안적으로, 디스플레이 컴포넌트들(2204)로서 제자리에서 (예를 들어, 동일한 장소에서) 제1 캡슐화 층(2208), 디스플레이-잡음 실드/센서(2210), 제2 캡슐화 층(2212), 및 터치 센서(2216)를 제조하는 것으로 설정될 수 있다. 도 22와 관련하여 전술된 바와 같이, 온-셀 제조 프로세스들은 디스플레이-잡음 실드/센서(2210) 및/또는 터치 센서(2216)를 형성하기 위해 개별 및 반-개별 컴포넌트들을 사용하는 대안적인 기법들에 비해 이점들을 제공할 수 있다. 일부 예들에서, 이들 이점들은, 디스플레이-잡음 실드/센서와 연관된 (반)개별 컴포넌트를 이미 제조된 층들(2202 내지 2208)에 정렬시키고, 라미네이트 또는 접착제를 사용하여 디스플레이-잡음 실드/센서와 연관된 컴포넌트를 이미 제조된 층들(2202 내지 2208)에 부착하는 것과 연관된 정렬 및 라미네이션 단계들의 제거를 포함한다. 온-셀 프로세스를 사용하여 디스플레이-잡음 실드/센서를 제조하는 이들 이점들은, 대안적인 프로세스들에 비해, 전체 스택업(2200)의 수율 손실들을 낮추는 데 기여한다.32 is an
프로세스(3200)는, 3202에서, 디스플레이 컴포넌트들(예를 들어, 디스플레이 컴포넌트들(2204)) 위에 제1 캡슐화 층(예를 들어, 층(2208))을 인쇄함으로써 시작된다. 도 22의 스택업(2200)과 관련하여 전술된 바와 같이, 제1 캡슐화 층(2208)은, 디스플레이 컴포넌트들(2204)의 발광 디스플레이 픽셀들/요소들의 전체를 커버하는 그리고 때때로 발광 디스플레이 픽셀들/요소들이 형성되지 않는 디스플레이 컴포넌트들(2204)에 대한 층의 부분들을 커버하는 패시베이션 층(2206)의 상단에 형성될 수 있다. 일부 예들에서, 제1 캡슐화 층(2208)을 인쇄하는 것은 디스플레이 컴포넌트들(2204)의 발광 디스플레이 픽셀들/요소들 위에 형성된 패시베이션 층(2206)의 부분들 위에만 캡슐화 층 재료의 (예를 들어, 잉크젯 인쇄 방법들에 의한) 선택적 침착을 수반한다. 이러한 예들에서, 제1 캡슐화 층(2208)은 선택적 침착 기법(예를 들어, 잉크젯 인쇄 공정)을 사용하여 적합하게 침착될 수 있는 광학적으로 투명한 재료일 수 있다.
프로세스(3200)는, 3204에서, 인쇄된 제1 캡슐화 층 위에 디스플레이-잡음 실드/센서를 형성하는 것으로 계속된다. 도 22와 관련하여 전술된 바와 같이, 디스플레이-잡음 실드/센서(2210)가, 일부 예들에서, 실드 또는 센서일 수 있다. 디스플레이-잡음 실드를 형성하는 것은, 일부 예들에서, 3202에서 인쇄된 제1 캡슐화 위에 금속 층(예를 들어, 도 24의 금속 층(2402))을 형성하는 것을 필요로 할 수 있다. 일부 예들에서, 디스플레이-잡음 센서를 형성하는 것은 다수의 금속 층들(예컨대, 도 23의 층간 유전체 층(2304)에 의해 분리된 금속 층들(2302, 2306))을 형성하는 것을 필요로 할 수 있는데, 다수의 금속 층들은 그들 사이의 층간 유전체 층에 의해 분리된다.The
프로세스(3200)는, 3206에서, 디스플레이-잡음 실드/센서 위에 제2 캡슐화 층을 인쇄하는 것으로 계속된다. 도 22와 관련하여 전술된 바와 같이, 제2 캡슐화 층(2212)이 디스플레이-잡음 실드/센서(2210) 위에 선택적으로 또는 블랭킷 침착될 수 있다. 일부 예들에서, 제2 캡슐화 층(2212)은 디스플레이-잡음 실드/센서(2210)의 전체 위에 침착(예를 들어, 블랭킷 침착)될 수 있거나, 디스플레이-잡음 실드/센서(2210)의 단지 일부분 위에만 침착(예를 들어, 선택적 침착)될 수 있다. 예를 들어, 블랭킷 침착을 사용하여, 제2 캡슐화 층(2212)이 디스플레이-잡음 실드/센서(2210)의 전체 위에 걸쳐 침착(예를 들어, 블랭킷 침착)되어, 제2 캡슐화 층의 표면이 실질적으로 평평하게 할 수 있다(예를 들어, 제2 캡슐화 층(2212)의 표면 상의 지점들이 모두 스택업(2200) 내의 제2 캡슐화 층에 대한 타깃 레벨 높이의 5% 범위 내에 있게 할 수 있다). 다른 예로서, 선택적 침착을 사용하여, 제2 캡슐화 층(2212)이 디스플레이-잡음 실드/센서(2210)의 단지 일부분 위에만 침착되어 제2 캡슐화 층의 표면이 (예를 들어, 침착 영역들에서 일정 높이로, 그리고 비-침착 영역들에서 상이한 높이로) 균일하지 않게 할 수 있다.The
프로세스(3200)는, 3208에서, 인쇄된 제2 캡슐화 층 위에 터치 센서를 형성하는 것으로 결론지을 수 있다. 도 22와 관련하여 터치 센서(2216)의 설명에서 상세히 기술된 바와 같이, 두꺼운 유전체 층(2214)이 제2 캡슐화 층(2212) 위에 형성되어, 디스플레이-잡음 실드/센서(2210)로부터 터치 센서(2216)의 격리를 (예를 들어, 둘 사이에서 부유/기생 커패시턴스들을 감소시킴으로써) 개선할 수 있다. 일부 예들에서, 터치 센서(2216)가 두꺼운 유전체 층(2214) 위에 형성될 수 있다. 다른 예에서, 터치 센서(2216)는 제2 캡슐화 층(2212) 바로 위에 형성될 수 있다. 도 22의 터치 센서(2216)는, 이러한 방식으로 인쇄된 제2 캡슐화 층(2212) 위에 (그리고/또는 추가 격리를 위한 유전체 층(2214) 위에) 형성될 때, 도 25에 의해 예시된 층들을 갖는다.
3208에서, 제1 금속 층(예를 들어, 도 25의 층(2502))이 제2 캡슐화 층 위에 형성될 수 있고, 이어서 층간 유전체 층(예를 들어, 도 25의 층(2504)) 및 제2 금속 층(예를 들어, 도 25의 층(2506))이 형성할 수 있다. 일부 예들에서, 제1 및 제2 금속 층들은 터치 센서의 행 터치 전극들 및 열 터치 전극들을 형성하는 데 사용될 수 있다. 이러한 예에서, 2개의 금속 층들 사이의 층간 유전체 층은, 하나의 금속 층의 적어도 하나의 부분과 다른 금속 층의 적어도 하나의 부분 사이의 상호연결을 허용하기 위해, 비아들로 패턴화될 수 있다. 일례로서, 행 터치 전극들이 제1 금속 층에 형성될 수 있고, 열 터치 전극들이 제2 금속 층에 형성될 수 있다. 다른 예로서, 행 터치 전극들 및 열 터치 전극들 모두가 제1 금속 층에 형성될 수 있고, 제2 금속 층은 제1 금속 층 내의 임의의 불연속적인 터치 전극들을 연결하기 위한 전도성 브리지들을 형성하는 데 사용될 수 있다.At 3208, a first metal layer (eg, layer 2502 of FIG. 25) may be formed over the second encapsulation layer, followed by an interlayer dielectric layer (eg, layer 2504 of FIG. 25) and a second encapsulation layer. Two metal layers (e.g., layer 2506 in FIG. 25) may form. In some examples, the first and second metal layers can be used to form row touch electrodes and column touch electrodes of a touch sensor. In this example, an interlayer dielectric layer between two metal layers can be patterned with vias to allow interconnection between at least one portion of one metal layer and at least one portion of the other metal layer. . As an example, row touch electrodes may be formed on the first metal layer, and column touch electrodes may be formed on the second metal layer. As another example, both row touch electrodes and column touch electrodes can be formed in a first metal layer, and a second metal layer forms conductive bridges for connecting any discontinuous touch electrodes in the first metal layer. can be used to
도 33은 본 개시내용의 예들에 따른 예시적인 터치 센서 패널의 일부분을 예시한다. 터치 센서 패널(3300)의 일부분(예를 들어, 터치 센서 패널(700, 1100, 1300 등)에 대응함)은, 4개의 열 전극들(3304A 내지 3304D)(H-형 전극들) 및 3302A 내지 3302D로 라벨링된 4개의 행 전극들을 포함하는 터치 노드들의 2x2 어레이를 포함한다. 일부 행 라우팅 트레이스들(3306A 내지 3306D) 및 열 라우팅 트레이스들(3308A 내지 3308D)이 또한 도시되어 있다. 행 전극들(3302A 내지 3302D)은 라우팅 트레이스들(3306A 내지 3306D)을 사용하여 감지 회로부(예를 들어, 단일 종단형 또는 차동 측정들에 사용되는 단일 종단형 증폭기들 또는 차동 증폭기들)로 라우팅될 수 있다. 열 전극들(3304A 내지 3304D)은 라우팅 트레이스들(3308A 내지 3308D)을 사용하여 구동 회로부로 라우팅될 수 있다. 행 및 열 라우팅 트레이스들은, 추가적으로 또는 대안적으로, 2x2 어레이 외측의 터치 센서 패널의 다른 부분들에 대한 행 및 열 전극들의 다른 부분들에 연결될 수 있다. 4개의 행 전극들은 (예를 들어, 2개의 차동 측정들에 사용될 수 있는) 라벨들 Rx0+, Rx0, Rx1+, 및 Rx1-로 참조된 감지 회로부의 4개의 입력들에 커플링될 수 있다. 4개의 열 전극들은 라벨들 Tx0+, Tx0-, Tx1+, 및 Tx1-로 참조된 구동 회로부의 4개의 출력들에 커플링될 수 있다.33 illustrates a portion of an example touch sensor panel according to examples of the present disclosure. A portion of the touch sensor panel 3300 (eg, corresponding to the
본 명세서에 설명된 바와 같이, 디스플레이로부터의 공통 모드 잡음은 차동 감지를 사용하여 배격될 수 있고(예를 들어, 디스플레이-대-터치 잡음이 공통 모드임), 차동 구동은 터치 전극들로부터의 디스플레이 전극들 상의 로컬 불균형을 감소시킬 수 있다(예를 들어, 순 터치 구동 신호는 대략 0이어서, 그에 의해 터치-대-디스플레이 잡음을 감소시킴). 그러나, 차동 구동 및 감지 기법들의 잡음 감소 이점들은 (예를 들어, 2개의 터치 노드들의 피치에 걸쳐) 터치 노드들의 2x2 어레이에 적용되는 반면, 각각의 터치 노드는 각각의 행 및 열의 단일 종단형 측정 터치 신호에 주로 대응한다. 예를 들어, 제1 터치 노드(터치 노드 A, 상부 좌측 코너)는 열 전극(3304A)과 행 전극(3302A) 사이의 지배적 상호 커패시턴스를 측정하고, 제2 터치 노드(터치 노드 B, 상부 우측 코너)는 열 전극(3304B)과 행 전극(3302B) 사이의 지배적 상호 커패시턴스를 측정하며, 제3 터치 노드(터치 노드 C, 하부 좌측 코너)는 열 전극(3304C)과 행 전극(3302C) 사이의 지배적 상호 커패시턴스를 측정하고, 제4 터치 노드(터치 노드 D, 하부 우측 코너)는 열 전극(3304D)과 행 전극(3302D) 사이의 지배적 상호 커패시턴스를 측정한다. 그러나, 비-지배적(부수적) 상호 커패시턴스들은 터치 노드들 각각에 대한 차동 터치 신호를 저하시킬 수 있다.As described herein, common mode noise from the display can be rejected using differential sensing (eg, display-to-touch noise is common mode), and differential drive can be used to reject the display from the touch electrodes. may reduce local imbalance on the electrodes (eg, the net touch drive signal is approximately zero, thereby reducing touch-to-display noise). However, the noise reduction benefits of differential drive and sensing techniques are applied to a 2x2 array of touch nodes (e.g., across a pitch of two touch nodes), while each touch node measures each row and column single-ended. It mainly corresponds to the touch signal. For example, a first touch node (touch node A, upper left corner) measures the dominant mutual capacitance between
일부 예들에서, 차동 감지 없이 차동 구동을 위한 터치 전극 아키텍처가 구현될 수 있다. 차동 구동은 여전히 (디스플레이-대-터치 잡음을 감소시키기 위한 차동 감지 없이) 터치-대-디스플레이 잡음을 감소시킬 수 있다. 차동 구동을 위한 터치 전극 아키텍처는, 본 명세서에 설명된 차동 구동 및 차동 감지 터치 전극 아키텍처들 중 일부(예를 들어, 도 33의 터치 전극 아키텍처)와 비교하여 더 적은 라우팅 트레이스들 및 더 적은 브리지들이 요구되기 때문에, 터치 전극 아키텍처 설계를 단순화할 수 있다.In some examples, a touch electrode architecture for differential driving without differential sensing can be implemented. Differential driving can still reduce touch-to-display noise (without differential sensing to reduce display-to-touch noise). The touch electrode architecture for differential driving requires fewer routing traces and fewer bridges compared to some of the differential driving and differential sensing touch electrode architectures described herein (eg, the touch electrode architecture of FIG. 33 ). Since it is required, it is possible to simplify the touch electrode architecture design.
도 34는 본 개시내용의 예들에 따른, 차동 구동을 위해 구성된 예시적인 터치 센서 패널의 일부분을 예시한다. 터치 센서 패널(3400)의 일부분은, 4개의 열 전극들(3404A 내지 3404D) 및 3402A 및 3402B로 라벨링된 2개의 행 전극들을 포함하는 터치 노드들의 2x2 어레이를 포함한다. 행 터치 전극은, 브리지들(3410)을 사용하여 수평으로 상호연결되고 경계 영역에서(예를 들어, 터치 센서 패널 영역의 외측에서) 그리고/또는 추가 브리지들(도시되지 않음)에 의해 수직으로 상호연결될 수 있는 터치 전극 세그먼트들의 2차원 어레이로부터 형성될 수 있다. 도시된 바와 같이, 행 전극에 대한 터치 전극 세그먼트들 각각은 직사각형이지만, 다른 형상들이 가능하다. 터치 노드들의 2x2 어레이에 대한 각각의 행 전극에 대해 6개의 터치 전극 세그먼트들 및 4개의 브리지들(예를 들어, 3개의 터치 전극 세그먼트들 및 2개의 브리지들의 2개의 그룹들)이 도시되어 있지만, 상이한 수의 터치 전극 세그먼트들 및 브리지들이 사용될 수 있다는 것이 이해된다. 도시되지 않았지만, 행 전극들은 터치 센서 패널의 좌측 또는 우측 에지들에서(또는 선택적으로, 도 7a 내지 도 14c를 참조하여 설명된 바와 같이 수직으로) 감지 회로부로 라우팅될 수 있다. 추가적으로, 도 34에 도시된 바와 같이, 행 전극들은 (열 라우팅 트레이스들 및 열 전극들의 비교적 작은 부분들에 걸친 브리지들을 제외하고는) 터치 센서 패널을 가로질러 거의 전체적으로 연속적이며, 이는 (예를 들어, 도 33의 인터리빙된 행 전극들에 비해) 물체가 터치 센서 패널을 가로질러 수평으로 이동할 때 터치 신호 감지의 일관성을 개선한다.34 illustrates a portion of an example touch sensor panel configured for differential drive, in accordance with examples of the present disclosure. A portion of the
각각의 열 전극은, 브리지들(3412) 및/또는 열 라우팅 트레이스들(3408A 내지 3408D)에 의해 연결되는 복수의 터치 전극 세그먼트들을 포함한다. 도시된 바와 같이, 열 전극에 대한 터치 전극 세그먼트들 각각은 E-형상이지만(예를 들어, 5개의 직사각형들의 결합체 - 이들 중 3개는 평행하고, 이들 중 다른 2개는 3개에 직교하고 그들을 상호연결함), 다른 형상들이 가능하다. 열 내의 제1 터치 노드에 대한 제1 열 전극의 한 쌍의 E-형상의 터치 전극 세그먼트들은 제1 열 라우팅 세그먼트에 그리고 제1 3-방향 브리지(3412)에 의해 (또는 터치 전극 세그먼트들과 동일한 층 내의 3-방향 라우팅 트레이스에 의해) 연결된다. 열 내의 제2 터치 노드에 대한 제2 열 전극의 한 쌍의 E-형상의 터치 전극 세그먼트들은 제1 열 라우팅 세그먼트에 그리고 제2 3-방향 브리지(3412)에 의해 (또는 터치 전극 세그먼트들과 동일한 층 내의 3-방향 라우팅 트레이스에 의해) 연결된다. 제1 열 전극에 대한 제1 열 라우팅 트레이스(3408A)는 제1 열 전극과 인터리빙된 제2 열 전극의 한 쌍의 E-형상의 열 전극 세그먼트들을 이등분할 수 있다. 유사하게, 제2 열 전극에 대한 제2 열 라우팅 트레이스는 제2 열 전극과 인터리빙된 제1 열 전극의 한 쌍의 E-형상의 열 전극 세그먼트들을 이등분할 수 있다. 열 라우팅 트레이스(3408A)로부터 열 라우팅 트레이스(3408B)로의 전이에서, 열 라우팅 트레이스들 중 하나가 (예를 들어, 3-방향 라우팅 트레이스를 사용하여) 열 터치 전극 세그먼트들과 동일한 층 내의 대응하는 열 터치 전극 세그먼트들에 커플링될 수 있고, 열 라우팅 트레이스들 중 다른 하나가 3-방향 브리지(3412)를 사용하여 대응하는 열 터치 전극 세그먼트들에 커플링될 수 있다는 것이 이해된다. 그러나, 일부 예들에서, 예시된 바와 같이, 각각의 열 라우팅 트레이스와 대응하는 터치 전극 세그먼트들 사이의 연결들은 각각 브리지들을 사용하여 이루어질 수 있다(그러나 이는 브리지들의 수를 증가시키고, 브리지들이 서로 교차하는 것을 회피하기 위해 일부 조정을 필요로 한다). 하나의 열 내의 2개의 터치 노드들에 대해 설명된 이러한 패턴은 도 34에 도시된 제2 열에 대해 반복될 수 있다(그리고 2x2 어레이를 넘어 터치 센서 패널의 더 큰 부분으로 연장될 수 있다).Each column electrode includes a plurality of touch electrode segments connected by
도시된 바와 같이, E-형상의 터치 전극 세그먼트들의 쌍들은 3-방향 브리지(3412)에 의해 각각의 E-형상의 터치 전극 세그먼트로부터 열 라우팅 트레이스에 연결된다. 3-방향 브리지들(3412)은 열 라우팅 트레이스와 한 쌍의 E-형상의 터치 전극 세그먼트들 사이에 3-방향 연결을 제공하는 것으로 예시되어 있지만, 상이한 브리지 연결들이 가능하다는 것이 이해된다. 예를 들어, 한 쌍의 브리지들이 3-방향 브리지 대신에 사용될 수 있거나, 또는 한 쌍의 E-형상의 터치 전극 세그먼트들이 하나 이상의 수평 브리지들에 의해 연결될 수 있고, 하나 이상의 추가 브리지들이 한 쌍의 E-형상의 터치 전극 세그먼트들 중 하나 이상으로부터 대응하는 열 라우팅 트레이스에 연결될 수 있다.As shown, pairs of E-shaped touch electrode segments are connected from each E-shaped touch electrode segment to a column routing trace by a three-
도시된 바와 같이, E-형상의 전극은, 상부 바 및 하부 바보다 더 두꺼운 중심 바를 포함할 수 있다. E-형상의 전극들의 치수들은 터치 노드들에서 측정되는 총 터치 신호를 개선하도록 최적화될 수 있다.As shown, the E-shaped electrode may include a center bar that is thicker than the upper and lower bars. The dimensions of the E-shaped electrodes can be optimized to improve the total touch signal measured at the touch nodes.
각각의 터치 노드는 차동 쌍의 열 전극들 및 단일 종단형 행 전극들을 포함한다. 예를 들어, 제1 터치 노드(터치 노드 A, 상부 좌측 코너)는 행 전극(3402A)의 일부분(예를 들어, 터치 감지를 위한 단일 종단형 입력에 대응함), 열 전극(3404A)의 일부분, 및 열 라우팅 트레이스(3408C)의 일부분(예를 들어, 터치 구동의 차동 상보적 출력들에 대응함)을 포함한다. 유사하게, 제2 터치 노드(터치 노드 B, 상부 우측 코너)는 행 전극(3402A)의 일부분(예를 들어, 터치 감지를 위한 단일 종단형 입력에 대응함), 열 전극(3404B)의 일부분, 및 열 라우팅 트레이스(3408F)의 일부분(예를 들어, 터치 구동의 차동 상보적 출력들에 대응함)을 포함하고; 제3 터치 노드(터치 노드 C, 하부 좌측 코너)는 행 전극(3402B)의 일부분(예를 들어, 터치 감지를 위한 단일 종단형 입력에 대응함), 열 전극(3404C)의 일부분, 및 열 라우팅 트레이스(3408A)의 일부분(예를 들어, 터치 구동의 차동 상보적 출력들에 대응함)을 포함하며; 제4 터치 노드(터치 노드 D, 하부 우측 코너)는 행 전극(3402B)의 일부분(예를 들어, 터치 감지를 위한 단일 종단형 입력에 대응함), 열 전극(3404D)의 일부분, 및 열 라우팅 트레이스(3408B)의 일부분(예를 들어, 터치 구동의 차동 상보적 출력들에 대응함)을 포함한다. 구동 신호들의 차동 상쇄는 각각의 열 내의 2개의 터치 노드들에 걸쳐 발생한다.Each touch node includes a differential pair of column electrodes and single-ended row electrodes. For example, a first touch node (touch node A, upper left corner) is a portion of
도 34의 터치 전극 아키텍처는 더 적은 트레이스들 및 브리지들의 형태로 단순화된 설계를 제공할 수 있다. 예를 들어, 도 34의 터치 전극 아키텍처는 4개의 열 전극들을 포함하지만, 2개의 행 전극들만을 포함하여서, 그에 의해 도 33의 터치 전극 아키텍처와 비교하여 라우팅 트레이스들의 수를 8개로부터 6개로 감소시킨다. 단순화된 아키텍처는, 또한, 필요한 브리지의 수를 감소시킬 수 있다.The touch electrode architecture of FIG. 34 can provide a simplified design in the form of fewer traces and bridges. For example, the touch electrode architecture of FIG. 34 includes four column electrodes, but includes only two row electrodes, thereby reducing the number of routing traces from eight to six compared to the touch electrode architecture of FIG. 33 . let it The simplified architecture can also reduce the number of bridges needed.
도 34가 터치 전극 아키텍처에 일부 단순화들(예를 들어, 더 적은 라우팅 트레이스들 및 브리지들)을 제공하지만, 개선된 상쇄 해상도(예를 들어, 더 나은 상쇄 성능을 위해 더 작은 영역에서 발생하는 상쇄)를 갖는 것이 바람직할 수 있다. 일부 예들에서, 행 전극들이 인터리빙되고 열 전극들이 인터리빙되지 않거나, 또는 열 전극들이 인터리빙되고 행 전극들이 인터리빙되지 않는, 차동 구동 및 차동 감지를 위한 터치 전극 아키텍처가 구현될 수 있다. 한 세트의 터치 전극들이 인터리빙되지 않지만, 터치 신호 프로세싱 알고리즘은 의사차동 결과(예를 들어, 물리적으로 인터리빙하는 것으로부터의 결과를 모방함)를 달성하도록 조정될 수 있다.34 provides some simplifications in the touch electrode architecture (eg, fewer routing traces and bridges), but improved cancellation resolution (eg, cancellation occurring in a smaller area for better cancellation performance). ) may be desirable. In some examples, a touch electrode architecture for differential driving and differential sensing may be implemented in which row electrodes are interleaved and column electrodes are not interleaved, or column electrodes are interleaved and row electrodes are not interleaved. Although a set of touch electrodes are not interleaved, the touch signal processing algorithm can be tuned to achieve a pseudo-differential result (eg, mimicking the result from physically interleaving).
도 35a 및 도 35b는 본 개시내용의 예들에 따른, 예시적인 터치 전극 아키텍처들을 예시한다. 도 35a 및 도 35b의 터치 전극 아키텍처들은 도 33의 터치 전극 아키텍처와 동일한 수의 전극들(및 구동 및 감지 회로부에 대한 대응하는 라우팅 트레이스들)을 포함한다. 그러나, 도 33의 터치 전극 아키텍처와는 달리, 도 35a 및 도 35b의 터치 전극 아키텍처들은 차동 효과들이 달성되는 거리를 감소시킨다. 예를 들어, 도 33 및 도 35a 또는 도 35b에서 터치 노드들의 2x2 어레이에 대해 동일한 치수들을 가정하면, 차동 상쇄는 도 33의 터치 전극 아키텍처와 비교하여 도 35a 및 도 35b의 터치 전극 아키텍처들에 대한 거리의 절반에 걸쳐 (예를 들어, 터치 전극 피치의 절반에 걸쳐) 발생한다.35A and 35B illustrate example touch electrode architectures, according to examples of the present disclosure. The touch electrode architectures of FIGS. 35A and 35B include the same number of electrodes (and corresponding routing traces for drive and sense circuitry) as the touch electrode architecture of FIG. 33 . However, unlike the touch electrode architecture of FIG. 33 , the touch electrode architectures of FIGS. 35A and 35B reduce the distance over which differential effects are achieved. For example, assuming the same dimensions for the 2x2 array of touch nodes in FIGS. 33 and 35A or 35B , differential cancellation is better for the touch electrode architectures of FIGS. 35A and 35B compared to the touch electrode architecture of FIG. 33 . over half the distance (eg, over half the touch electrode pitch).
도 35a에 예시된 터치 센서 패널(3500)의 일부분은, 4개의 열 전극들(3504A 내지 3504D) 및 3502A 내지 3502D로 라벨링된 4개의 행 전극들을 포함하는 터치 노드들의 2x2 어레이를 포함한다. 각각의 행 전극은 열 라우팅 트레이스들에 걸쳐 브리지들(3510)에 의해 연결되는 복수의 터치 전극 세그먼트들을 포함한다. 도시된 바와 같이, 행 전극에 대한 터치 전극 세그먼트들 각각은 직사각형이지만, 다른 형상들이 가능하다. 2x2 터치 노드 어레이 내의 각각의 행 전극에 대해 3개의 터치 전극 세그먼트들 및 2개의 브리지들이 도시되어 있지만, 상이한 수의 터치 전극 세그먼트들 및 브리지들이 사용될 수 있다는 것이 이해된다. 도시되지 않았지만, 행 전극들은 터치 센서 패널의 좌측 또는 우측 에지들에서(또는 선택적으로, 도 7a 내지 도 14c를 참조하여 설명된 바와 같이 수직으로) 감지 회로부로 라우팅될 수 있다. 추가적으로, 도 35a 에 도시된 바와 같이, 행 전극들은 (열 라우팅 트레이스들 및 열 전극들의 비교적 작은 부분들에 걸친 브리지들을 제외하고는) 터치 센서 패널을 가로질러 거의 전체적으로 연속적이며, 이는 (예를 들어, 도 33의 인터리빙된 행 전극들에 비해) 물체가 터치 센서 패널을 가로질러 수평으로 이동할 때 터치 신호 감지의 일관성을 개선한다.A portion of the
각각의 열 전극은, 3-방향 브리지들(3512) 및 열 라우팅 트레이스들(3508A 내지 3508D)에 의해 연결되는 복수의 터치 전극 세그먼트들을 포함한다. 도시된 바와 같이, 열 전극에 대한 터치 전극 세그먼트들 각각은 U-형상이지만(예를 들어, 3개의 직사각형들의 결합체 - 이들 중 2개는 평행하고, 이들 중 세 번째 것은 2개에 직교하고 그들을 상호연결함), 다른 형상들이 가능하다. 열 내의 제1 터치 노드에 대한 제1 열 전극의 한 쌍의 U-형상의 터치 전극 세그먼트들 및 열 내의 제2 터치 노드에 대한 제1 열 전극의 한 쌍의 U-형상의 터치 전극 세그먼트들은 제1 열 라우팅 세그먼트에 의해 그리고 제1 3-방향 브리지(3512)(또는 터치 전극 세그먼트들과 동일한 층 내의 3-방향 라우팅 연결부)에 의해 연결된다. 제1 열 전극에 대한 제1 열 라우팅 트레이스는 제1 열 전극과 인터리빙된 제2 열 전극의 한 쌍의 U-형상의 열 전극 세그먼트들을 이등분할 수 있다. 유사하게, 열 내의 제1 터치 노드에 대한 제2 열 전극의 한 쌍의 U-형상의 터치 전극 세그먼트들 및 열 내의 제2 터치 노드에 대한 제2 열 전극의 한 쌍의 U-형상의 터치 전극 세그먼트들은 제2 열 라우팅 세그먼트에 의해 그리고 제2 3-방향 브리지(3512)(또는 터치 전극 세그먼트들과 동일한 층 내의 3-방향 라우팅 연결부)에 의해 연결된다. 제2 열 전극에 대한 제2 열 라우팅 트레이스는 제2 열 전극과 인터리빙된 제1 열 전극의 한 쌍의 U-형상의 열 전극 세그먼트들을 이등분할 수 있다. 이러한 패턴은 도 35a에 도시된 제2 열에 대해 반복될 수 있다(그리고 2x2 어레이를 넘어 터치 센서 패널의 더 큰 부분으로 연장될 수 있다). U-형상의 터치 전극 세그먼트들의 각각의 쌍은 분할 H-형상을 형성하는 것으로 보일 수 있다(예를 들어, U-형상의 터치 전극 세그먼트들은 인터리빙된 열 전극에 대한 이등분 열 라우팅 트레이스에 걸쳐 미러링된다).Each column electrode includes a plurality of touch electrode segments connected by three-
도시된 바와 같이, U-형상의 터치 전극 세그먼트들의 쌍들은 3-방향 브리지들(3512)(또는 터치 전극 세그먼트들과 동일한 층 내의 3-방향 라우팅 연결부들)에 의해 각각의 U-형상의 터치 전극 세그먼트로부터 열 라우팅 트레이스에 연결된다. 한 쌍의 3-방향 브리지들(3512)은 열 라우팅 트레이스와 한 쌍의 U-형상의 터치 전극 세그먼트들 사이에 3-방향 연결을 제공하는 것으로 예시되어 있지만, 상이한 브리지 연결들이 가능하다는 것이 이해된다. 예를 들어, 한 쌍의 브리지들이 3-방향 브리지 대신에 사용될 수 있거나, 또는 한 쌍의 U-형상의 터치 전극 세그먼트들이 하나 이상의 수평 브리지들에 의해 연결될 수 있고, 하나 이상의 브리지들이 한 쌍의 U-형상의 터치 전극 세그먼트들 중 하나 이상으로부터 대응하는 열 라우팅 트레이스에 연결될 수 있다. 도 35a의 각각의 열 전극에 대해 4개의 터치 전극 세그먼트들 및 4개의 브리지들이 도시되어 있지만, 상이한 수의 터치 전극 세그먼트들 및 브리지들이 사용될 수 있다는 것이 이해된다.As shown, pairs of U-shaped touch electrode segments are connected to each U-shaped touch electrode by three-way bridges 3512 (or three-way routing connections in the same layer as the touch electrode segments). It is connected to the column routing trace from the segment. A pair of three-
각각의 터치 노드는 차동 쌍의 행 전극들 및 차동 쌍의 열 전극들을 포함한다. 예를 들어, 제1 터치 노드(터치 노드 A, 상부 좌측 코너)는 행 전극(3502A)의 일부분 및 제2 행 전극(3502B)의 일부분(예를 들어, 터치 감지를 위한 차동 입력들에 대응함), 및 열 전극(3504A)의 일부분 및 열 전극(3504B)의 일부분(예를 들어, 터치 구동의 차동 상보적 출력들에 대응함)을 포함한다. 따라서, 차동 상쇄는 2개의 터치 노드들에 걸쳐서보다는 터치 노드당 기반으로 발생한다. 유사하게, 제2 터치 노드(터치 노드 B, 상부 우측 코너)는 행 전극(3502A)의 일부분 및 제2 행 전극(3502B)의 일부분(예를 들어, 터치 감지를 위한 차동 입력들에 대응함), 및 열 전극(3504C)의 일부분 및 열 전극(3504D)의 일부분(예를 들어, 터치 구동의 차동 상보적 출력들에 대응함)을 포함하고; 제3 터치 노드(터치 노드 C, 하부 좌측 코너)는 행 전극(3502C)의 일부분 및 제2 행 전극(3502D)의 일부분(예를 들어, 터치 감지를 위한 차동 입력들에 대응함), 및 열 전극(3504A)의 일부분 및 열 전극(3504B)의 일부분(예를 들어, 터치 구동의 차동 상보적 출력들에 대응함)을 포함하며; 제4 터치 노드(터치 노드 D, 하부 우측 코너)는 행 전극(3502C)의 일부분 및 제2 행 전극(3502D)의 일부분(예를 들어, 터치 감지를 위한 차동 입력들에 대응함), 및 열 전극(3504C)의 일부분 및 열 전극(3504D)의 일부분(예를 들어, 터치 구동의 차동 상보적 출력들에 대응함)을 포함한다. 따라서, 차동 상쇄는 터치 노드들의 2x2 어레이 내의 각각의 터치 노드에 대해 터치 노드당 기반으로 발생한다.Each touch node includes a differential pair of row electrodes and a differential pair of column electrodes. For example, the first touch node (touch node A, upper left corner) is a portion of
터치 신호 레벨은 개선될 수 있고, 기생 손실이 도 33의 터치 전극 아키텍처에 비해 도 35a의 터치 전극 아키텍처에 대해 감소될 수 있다. 예를 들어, 도 33의 터치 전극 아키텍처와 달리, 2개의 지배적 및 상보적 상호 커패시턴스가 도 35a의 각각의 터치 노드에 표현된다. 예를 들어, 제1 터치 노드(터치 노드 A, 상부 좌측 코너)는 열 전극(3504A)(Tx0+)과 행 전극(3502A)(Rx0+) 사이의 지배적 상호 커패시턴스 및 열 전극(3504B)(Tx0-)과 행 전극(3502B)(Rx0-) 사이의 상보적 지배적 상호 커패시턴스를 측정하고; 제2 터치 노드(터치 노드 B, 상부 우측 코너)는 열 전극(3504C)(Tx1+)과 행 전극(3502A)(Rx0+) 사이의 지배적 상호 커패시턴스 및 열 전극(3504D)(Tx1-)과 행 전극(3502B)(Rx0-) 사이의 상보적 지배적 상호 커패시턴스를 측정하며; 제3 터치 노드(터치 노드 C, 하부 좌측 코너)는 열 전극(3504A)(Tx0+)과 행 전극(3502C)(Rx1+) 사이의 지배적 상호 커패시턴스 및 열 전극(3504B)(Tx0-)과 행 전극(3502D)(Rx1-) 사이의 상보적 지배적 상호 커패시턴스를 측정하고; 제4 터치 노드(터치 노드 D, 하부 우측 코너)는 열 전극(3504C)(Tx1+)과 행 전극(3502C)(Rx1+) 사이의 지배적 상호 커패시턴스 및 열 전극(3504D)(Tx1-)과 행 전극(3502D)(Rx1-) 사이의 상보적 지배적 상호 커패시턴스를 측정한다. 각각의 노드에서의 2개의 지배적 상호 커패시턴스들은, 그들이 서로 동위상이라는 사실로 인해 합산된다.The touch signal level can be improved and parasitic losses can be reduced for the touch electrode architecture of FIG. 35A compared to the touch electrode architecture of FIG. 33 . For example, unlike the touch electrode architecture of FIG. 33, two dominant and complementary mutual capacitances are represented at each touch node in FIG. 35A. For example, the first touch node (touch node A, upper left corner) is determined by the dominant mutual capacitance between the column electrode 3504A (Tx0+) and the row electrode 3502A (Rx0+) and the column electrode 3504B (Tx0-) measure the complementary dominant mutual capacitance between P and row electrode 3502B (Rx0-); The second touch node (touch node B, upper right corner) is the dominant mutual capacitance between the column electrode 3504C (Tx1+) and the row electrode 3502A (Rx0+) and the column electrode 3504D (Tx1-) and the row electrode ( 3502B) measure the complementary dominant mutual capacitance between (Rx0-); The third touch node (touch node C, lower left corner) is the dominant mutual capacitance between the column electrode 3504A (Tx0+) and the row electrode 3502C (Rx1+) and the column electrode 3504B (Tx0-) and the row electrode ( 3502D) measure the complementary dominant mutual capacitance between (Rx1-); The fourth touch node (touch node D, lower right corner) is the dominant mutual capacitance between the column electrode 3504C (Tx1+) and the row electrode 3502C (Rx1+) and the column electrode 3504D (Tx1-) and the row electrode ( 3502D) (Rx1-) to measure the complementary dominant mutual capacitance between them. The two dominant mutual capacitances at each node add up due to the fact that they are in phase with each other.
추가적으로, 비-지배적(부수적) 기생 커패시턴스는 도 33의 터치 전극 아키텍처와 비교하여 도 35a의 터치 전극 아키텍처에서 감소될 수 있다. 예를 들어, 제1 터치 노드(터치 노드 A)에 대해, 열 라우팅 트레이스(3508B)(Tx0-)와 행 전극(3502A)(Rx0+) 사이의 상호 커패시턴스로 인해 여전히 일부 기생 커패시턴스가 존재하지만(그리고 열 라우팅 트레이스(3508A)(Tx0+)와 행 전극(3502B)(Rx0-) 사이의 상호 커패시턴스로 인해 여전히 일부 기생 커패시턴스가 존재하지만), 열 전극(3504B)(Tx0-)과 행 전극(3502A)(Rx0+) 사이에서 그리고 열 전극(3504A)(Tx0+)과 행 전극(3502B)(Rx0-) 사이에서 분리가 증가되고, 행 라우팅은 도 33의 터치 전극 아키텍처와 비교하여 감소되어(예를 들어, 행 전극(3302A)에 대한 열 라우팅 트레이스(3308C)의 길이 및 근접이 제거됨), 그에 의해 그들 사이의 상호 커패시턴스로 인한 기생 신호 손실을 감소시킨다.Additionally, non-dominant (incidental) parasitic capacitance can be reduced in the touch electrode architecture of FIG. 35A compared to the touch electrode architecture of FIG. 33 . For example, for the first touch node (touch node A), there is still some parasitic capacitance due to mutual capacitance between
일부 예들에서, 도 35a의 터치 전극 아키텍처는 단일 종단형 감지를 위해 사용될 수 있다. 예를 들어, 한 쌍의 행 전극들이 차동 감지되거나(예를 들어, 행 전극(3502A)이 하나의 차동 입력에 커플링되고, 행 전극(3502B)이 감지 회로부의 제2 차동 입력에 커플링됨) 단일 종단형 방식으로 감지될(예를 들어, 행 전극들(3502A, 3502B)이 함께 그리고 감지 회로부의 하나의 단일 종단형 입력에 커플링됨) 수 있게 하기 위해 스위칭 회로부(도시되지 않음)가 구현될 수 있다. 일부 예들에서, 스위칭 회로부는 더 작은 피치에서의 단일 종단형 감지를 가능하게 할 수 있다(예를 들어, 행 전극(3502A)은 하나의 단일 종단형 입력에 커플링되고, 행 전극(3502B)은 감지 회로부의 다른 단일 종단형 입력에 커플링된다). 본 명세서에 설명된 바와 같이, 도 33의 터치 전극 아키텍처는 또한 단일 종단형 감지를 위해 사용될 수 있지만, 행 전극들의 인터리빙으로 인해, 측정치들은 인접 행들 사이에서 오프셋될 수 있다.In some examples, the touch electrode architecture of FIG. 35A can be used for single-ended sensing. For example, a pair of row electrodes are differentially sensed (e.g.,
도 35b는 도 35a의 변형예를 예시하지만, 이때 행 전극들은 인터리빙되고, 열 전극들은 인터리빙되지 않는다(예를 들어, 터치 감지 알고리즘의 수정들로 인해 의사인터리빙된다). 예를 들어, 도 35b에 예시된 터치 센서 패널(3520)의 일부분은, 4개의 열 전극들(3524A 내지 3524D) 및 3522A 내지 3522D로 라벨링된 4개의 행 전극들을 포함하는 터치 노드들의 2x2 어레이를 포함한다. 각각의 열 전극은 행 라우팅 트레이스들에 걸쳐 브리지들(3530)에 의해 연결되는 복수의 터치 전극 세그먼트들을 포함한다. 도시된 바와 같이, 열 전극에 대한 터치 전극 세그먼트들 각각은 직사각형이지만, 다른 형상들이 가능하다. 터치 노드들의 2x2 어레이 내의 각각의 열 전극에 대해 3개의 터치 전극 세그먼트들 및 2개의 브리지들이 도시되어 있지만, 상이한 수의 터치 전극 세그먼트들 및 브리지들이 사용될 수 있다는 것이 이해된다. 도시되지 않았지만, 열 전극들은 터치 센서 패널의 상단 또는 하단 에지들에서(또는 선택적으로, 감지를 위해 사용되는 행 전극들에 대해 본 명세서에 설명된 바와 유사한 방식으로 수평으로) 구동 회로부로 라우팅될 수 있다.FIG. 35B illustrates a variation of FIG. 35A , but with row electrodes interleaved and column electrodes not interleaved (e.g., pseudo-interleaved due to modifications in the touch sensing algorithm). For example, a portion of the
각각의 행 전극은, 3-방향 브리지들(3532) 및 행 라우팅 트레이스들(3526A 내지 3526D)에 의해 연결되는 복수의 터치 전극 세그먼트들을 포함한다. 도시된 바와 같이, 행 전극에 대한 터치 전극 세그먼트들 각각은 U-형상이지만(예를 들어, 3개의 직사각형들의 결합체 - 이들 중 2개는 평행하고, 이들 중 세 번째 것은 2개에 직교하고 그들을 상호연결함), 다른 형상들이 가능하다. 행 내의 제1 터치 노드에 대한 행 전극의 한 쌍의 U-형상의 터치 전극 세그먼트들 및 행 내의 제2 터치 노드에 대한 제1 행 전극의 한 쌍의 U-형상의 터치 전극 세그먼트들은 제1 행 라우팅 세그먼트에 의해 그리고 제1 3-방향 브리지(3532)(또는 터치 전극 세그먼트들과 동일한 층 내의 3-방향 라우팅 연결부)에 의해 연결된다. 제1 행 전극에 대한 제1 행 라우팅 트레이스는 제1 행 전극과 인터리빙된 제2 행 전극의 한 쌍의 U-형상의 행 전극 세그먼트들을 이등분할 수 있다. 유사하게, 행 내의 제1 터치 노드에 대한 제2 행 전극의 한 쌍의 U-형상의 터치 전극 세그먼트들 및 행 내의 제2 터치 노드에 대한 제2 행 전극의 한 쌍의 U-형상의 터치 전극 세그먼트들은 제2 행 라우팅 세그먼트에 의해 그리고 제2 3-방향 브리지(3532)(또는 터치 전극 세그먼트들과 동일한 층 내의 3-방향 라우팅 연결부)에 의해 연결된다. 제2 행 전극에 대한 제2 행 라우팅 트레이스는 제2 행 전극과 인터리빙된 제1 행 전극의 한 쌍의 U-형상의 행 전극 세그먼트들을 이등분할 수 있다. 이러한 패턴은 도 35b에 도시된 터치 노드들의 제2 행에 대해 반복될 수 있다(그리고 2x2 어레이를 넘어 터치 센서 패널의 더 큰 부분으로 연장될 수 있음). U-형상의 터치 전극 세그먼트들의 각각의 쌍은 분할 H-형상을 형성하는 것으로 보일 수 있다(예를 들어, U-형상의 터치 전극 세그먼트들은 인터리빙된 행 전극에 대한 이등분 행 라우팅 트레이스에 걸쳐 미러링됨).Each row electrode includes a plurality of touch electrode segments connected by three-
도시된 바와 같이, U-형상의 터치 전극 세그먼트들의 쌍들은 3-방향 브리지들(3532)(또는 터치 전극 세그먼트들과 동일한 층 내의 3-방향 라우팅 연결부)에 의해 각각의 터치 전극 세그먼트로부터 행 라우팅 트레이스에 연결된다. 한 쌍의 3-방향 브리지들(3532)은 행 라우팅 트레이스와 한 쌍의 U-형상의 터치 전극 세그먼트들 사이에 3-방향 연결을 제공하는 것으로 예시되어 있지만, 상이한 브리지 연결들이 가능하다는 것이 이해된다. 예를 들어, 한 쌍의 브리지들이 3-방향 브리지 대신에 사용될 수 있거나, 또는 한 쌍의 U-형상의 터치 전극 세그먼트들이 수직 브리지들에 의해 연결될 수 있고, 하나 이상의 브리지들이 한 쌍의 U-형상의 터치 전극 세그먼트들 중 하나 이상으로부터 대응하는 행 라우팅 트레이스에 연결될 수 있다. 도 35b의 각각의 행 전극에 대해 4개의 터치 전극 세그먼트들 및 4개의 브리지들이 도시되어 있지만, 상이한 수의 터치 전극 세그먼트들 및 브리지들이 사용될 수 있다는 것이 이해된다.As shown, pairs of U-shaped touch electrode segments are row routed from each touch electrode segment by three-way bridges 3532 (or a three-way routing connection in the same layer as the touch electrode segments). connected to A pair of three-
각각의 터치 노드는 차동 쌍의 행 전극들 및 차동 쌍의 열 전극들을 포함한다. 예를 들어, 제1 터치 노드(터치 노드 A, 상부 좌측 코너)는 행 전극(3522A)의 일부분 및 제2 행 전극(3522B)의 일부분(예를 들어, 터치 감지를 위한 차동 입력들에 대응함), 및 열 전극(3524A)의 일부분 및 열 전극(3524B)의 일부분(예를 들어, 터치 구동의 차동 상보적 출력들에 대응함)을 포함한다. 따라서, 차동 상쇄는 2개의 터치 노드들에 걸쳐서보다는 터치 노드당 기반으로 발생한다. 유사하게, 제2 터치 노드(터치 노드 B, 상부 우측 코너)는 행 전극(3522A)의 일부분 및 제2 행 전극(3522B)의 일부분(예를 들어, 터치 감지를 위한 차동 입력들에 대응함), 및 열 전극(3524C)의 일부분 및 열 전극(3524D)의 일부분(예를 들어, 터치 구동의 차동 상보적 출력들에 대응함)을 포함하고; 제3 터치 노드(터치 노드 C, 하부 좌측 코너)는 행 전극(3522C)의 일부분 및 제2 행 전극(3522D)의 일부분(예를 들어, 터치 감지를 위한 차동 입력들에 대응함), 및 열 전극(3524A)의 일부분 및 열 전극(3524B)의 일부분(예를 들어, 터치 구동의 차동 상보적 출력들에 대응함)을 포함하며; 제4 터치 노드(터치 노드 D, 하부 우측 코너)는 행 전극(3522C)의 일부분 및 제2 행 전극(3522D)의 일부분(예를 들어, 터치 감지를 위한 차동 입력들에 대응함), 및 열 전극(3524C)의 일부분 및 열 전극(3524D)의 일부분(예를 들어, 터치 구동의 차동 상보적 출력들에 대응함)을 포함한다. 따라서, 차동 상쇄는 터치 노드들의 2x2 어레이 내의 각각의 터치 노드에 대해 터치 노드당 기반으로 발생한다.Each touch node includes a differential pair of row electrodes and a differential pair of column electrodes. For example, the first touch node (touch node A, upper left corner) is a portion of
도 33의 터치 전극 아키텍처에 비해 도 35b의 터치 전극 아키텍처에 대해 터치 신호 레벨이 개선되고 기생 손실들이 감소될 수 있다. 예를 들어, 도 33의 터치 전극 아키텍처와는 달리, 2개의 지배적 및 상보적 상호 커패시턴스가 도 35b의 각각의 터치 노드에 표현된다. 예를 들어, 제1 터치 노드(터치 노드 A, 상부 좌측 코너)는 열 전극(3524A)(Tx0+)과 행 전극(3522A)(Rx0+) 사이의 지배적 상호 커패시턴스, 및 열 전극(3524B)(Tx0-)과 행 전극(3522B)(Rx0-) 사이의 상보적 지배적 상호 커패시턴스를 측정하고; 제2 터치 노드(터치 노드 B, 상부 우측 코너)는 열 전극(3524C)(Tx1+)과 행 전극(3522A)(Rx0+) 사이의 지배적 상호 커패시턴스, 및 열 전극(3524D)(Tx1-)과 행 전극(3522B)(Rx0-) 사이의 상보적 지배적 상호 커패시턴스를 측정하며; 제3 터치 노드(터치 노드 C, 하부 좌측 코너)는 열 전극(3524A)(Tx0+)과 행 전극(3522C)(Rx1+) 사이의 지배적 상호 커패시턴스, 및 열 전극(3524B)(Tx0-)과 행 전극(3522D)(Rx1-) 사이의 상보적 지배적 상호 커패시턴스를 측정하고; 제4 터치 노드(터치 노드 D, 하부 우측 코너)는 열 전극(3524C)(Tx1+)과 행 전극(3522C)(Rx1+) 사이의 지배적 상호 커패시턴스, 및 열 전극(3524D)(Tx1-)과 행 전극(3522D)(Rx1-) 사이의 상보적 지배적 상호 커패시턴스를 측정한다. 각각의 노드에서의 2개의 지배적 상호 커패시턴스들은, 그들이 서로 동위상이라는 사실로 인해 합산된다.Compared to the touch electrode architecture of FIG. 33 , a touch signal level may be improved and parasitic losses may be reduced for the touch electrode architecture of FIG. 35B . For example, unlike the touch electrode architecture of FIG. 33, two dominant and complementary mutual capacitances are represented at each touch node in FIG. 35B. For example, the first touch node (touch node A, upper left corner) is determined by the dominant mutual capacitance between the column electrode 3524A (Tx0+) and the row electrode 3522A (Rx0+), and the column electrode 3524B (Tx0- ) and the complementary dominant mutual capacitance between the row electrode 3522B (Rx0-); The second touch node (touch node B, upper right corner) is the dominant mutual capacitance between the column electrode 3524C (Tx1+) and the row electrode 3522A (Rx0+), and the column electrode 3524D (Tx1-) and the row electrode (3522B) Measure the complementary dominant mutual capacitance between (Rx0-); The third touch node (touch node C, lower left corner) is the dominant mutual capacitance between the column electrode 3524A (Tx0+) and the row electrode 3522C (Rx1+), and the column electrode 3524B (Tx0-) and the row electrode (3522D) Measure the complementary dominant mutual capacitance between (Rx1-); The fourth touch node (touch node D, lower right corner) is the dominant mutual capacitance between the column electrode 3524C (Tx1+) and the row electrode 3522C (Rx1+), and the column electrode 3524D (Tx1-) and the row electrode Measure the complementary dominant mutual capacitance between (3522D)(Rx1-). The two dominant mutual capacitances at each node add up due to the fact that they are in phase with each other.
추가적으로, 비-지배적(부수적) 기생 커패시턴스는 열 전극(3524B)(Tx0-)과 행 전극(3522A)(Rx0+) 사이의 그리고 열 전극(3524A)(Tx0+)과 행 전극(3522B)(Rx0-) 사이의 증가된 분리로 인해, 그리고 감소된 열 라우팅으로 인해 감소될 수 있다.Additionally, non-dominant (minor) parasitic capacitance is between
도 36은 본 개시내용의 예들에 따른, 터치 노드 내에서 완전히 차동인 예시적인 터치 전극 아키텍처를 예시한다. 도 36의 터치 전극 아키텍처에서, 행 및 열 전극들 둘 모두는 터치 노드 내에서 차동적으로 인터리빙될 수 있다. 도 36에 예시된 터치 센서 패널(3600)의 일부분은 단일 터치 노드에 대응하고, 도 35a 또는 도 35b의 터치 전극 아키텍처들에서 (또는 더 큰 터치 센서 패널을 가로질러) 터치 노드들 각각의 수정으로서 적용될 수 있다. 예시된 터치 전극들은 2개의 열 전극들(3604A, 3604B) 및 2개의 행 전극들(3602A, 3602B)(터치 노드들의 2x2 어레이의 경우 4개의 열 전극들 및 4개의 행 전극들로 확장됨)을 포함한다. 각각의 행 전극은 브리지들(3606A, 3606B)에 의해 연결되는 복수의 터치 전극 세그먼트들을 포함한다. 도시된 바와 같이, 행 전극에 대한 터치 전극 세그먼트들 각각은 (브리지 길이를 감소시키기 위해 직사각형 라우팅 연장부를 갖는) 직사각형이지만, 다른 형상들이 가능하다. 각각의 행 전극에 대해 2개의 터치 전극 세그먼트들 및 하나의 브리지가 도시되어 있지만, 상이한 수의 터치 전극 세그먼트들 및 브리지들이 사용될 수 있다는 것이 이해된다.36 illustrates an exemplary touch electrode architecture that is fully differential within a touch node, according to examples of the present disclosure. In the touch electrode architecture of FIG. 36, both row and column electrodes can be differentially interleaved within a touch node. A portion of the
각각의 열 전극은, 브리지(예를 들어, 브리지들(3608A, 3608B) 또는 라우팅 트레이스들에 의해 연결되는 복수의 터치 전극 세그먼트들을 포함한다. 도시된 바와 같이, 열 전극에 대한 터치 전극 세그먼트들 각각은 행 전극에 대한 터치 전극 세그먼트들의 형상에 상보적이다. 열 전극에 대한 터치 전극 세그먼트들의 형상은 (행 터치 전극 세그먼트에 대한 라우팅 연장부를 허용하기 위한 수정을 제외하고는) 대략 U-형상이지만, 다른 형상들이 가능하다. 각각의 열 전극에 대해 2개의 터치 전극 세그먼트들 및 하나의 브리지(또는 라우팅 트레이스)가 도시되어 있지만, 상이한 수의 터치 전극 세그먼트들 및 브리지들이 사용될 수 있다는 것이 이해된다.Each column electrode includes a plurality of touch electrode segments connected by a bridge (eg, bridges 3608A, 3608B) or routing traces. As shown, each of the touch electrode segments for a column electrode is complementary to the shape of the touch electrode segments for the row electrode, the shape of the touch electrode segments for the column electrode is approximately U-shaped (except for modifications to allow routing extensions for the row touch electrode segments), Other shapes are possible, although two touch electrode segments and one bridge (or routing trace) are shown for each column electrode, it is understood that a different number of touch electrode segments and bridges may be used.
도시된 바와 같이, 터치 노드는 차동 쌍의 행 전극들 및 차동 쌍의 열 전극들을 포함한다. 예를 들어, 도 36의 터치 노드는 제1 행 전극(3602A)의 일부분 및 제2 행 전극(3602B)의 일부분(예를 들어, 터치 감지를 위한 차동 입력들에 대응함), 및 열 전극(3604A)의 일부분 및 열 전극(3604B)의 일부분(예를 들어, 터치 구동의 차동 상보적 출력들에 대응함)을 포함한다. 따라서, 차동 상쇄는 터치 노드당 기반으로 발생한다. 2개(또는 터치 노드의 각각의 사분면이 개별적으로 보이는 경우 4개)의 지배적 커패시턴스들로부터의 개선된 터치 신호는 다른 터치 노드들과 유사한 방식으로 적용될 수 있다.As shown, the touch node includes a differential pair of row electrodes and a differential pair of column electrodes. For example, the touch node in FIG. 36 includes a portion of the
도 33의 터치 전극 아키텍처에 비해 도 36의 터치 전극 아키텍처에 대해 터치 신호 레벨이 개선되고 기생 손실들이 감소될 수 있다. 예를 들어, 도 33의 터치 전극 아키텍처와는 달리, 2개(또는 터치 노드의 각각의 사분면이 개별적으로 보이는 경우 4개)의 지배적 및 상보적 상호 커패시턴스가 도 36의 터치 노드에 표현된다. 예를 들어, 터치 노드는 열 전극(3604A)(Tx0+)과 행 전극(3602A)(Rx0+) 사이의 지배적 상호 커패시턴스, 및 열 전극(3604B)(Tx0-)과 행 전극(3602B)(Rx0-) 사이의 상보적 지배적 상호 커패시턴스를 측정한다. 각각의 노드에서의 2개(또는 4개)의 지배적 상호 커패시턴스들은, 그들이 서로 동위상이라는 사실로 인해 합산된다.Compared to the touch electrode architecture of FIG. 33 , a touch signal level may be improved and parasitic losses may be reduced for the touch electrode architecture of FIG. 36 . For example, unlike the touch electrode architecture of FIG. 33 , two (or four if each quadrant of the touch node is viewed individually) dominant and complementary mutual capacitances are represented at the touch node of FIG. 36 . For example, the touch node is determined by the dominant mutual capacitance between the
추가적으로, 비-지배적(부수적) 기생 커패시턴스가 감소될 수 있다. 예를 들어, 열 전극(3604B)(Tx0-)과 행 전극(3602A)(Rx0+) 사이의 그리고 열 전극(3604A)(Tx0+)과 행 전극(3602B)(Rx0-) 사이의 상호 커패시턴스로 인해 여전히 일부 기생 커패시턴스가 존재하지만, 분리는 주로 (작은 행 연장부의 외측에서) 증가되고 짧은 라우팅에 의해 제한되어, 그에 의해 그들 사이의 상호 커패시턴스로 인한 기생 신호 손실을 감소시킨다. 2개의 비-지배적 커패시턴스들로부터의 감소된 기생 손실은 다른 터치 노드들과 유사한 방식으로 적용될 수 있다.Additionally, non-dominant (collateral) parasitic capacitance may be reduced. For example, due to mutual capacitance between
도 34의 논의를 다시 참조하면, 일부 예들에서, 차동 감지 없이 차동 구동을 위한 터치 전극 아키텍처가 구현될 수 있다. 차동 구동은 여전히 (디스플레이-대-터치 잡음을 감소시키기 위한 차동 감지 없이) 터치-대-디스플레이 잡음을 감소시킬 수 있다. 추가적으로, 공간적 분리 및 공간적 필터링을 사용하여 공통 모드 잡음이 감소될 수 있다. 터치 신호와 공통 모드 잡음 신호 사이의 공간적 분리는 송신기 및 수신기 전극들에 대한 감소된 피치를 갖는 터치 전극 아키텍처를 사용하여 달성될 수 있다.Referring back to the discussion of FIG. 34 , in some examples, a touch electrode architecture for differential drive without differential sensing may be implemented. Differential driving can still reduce touch-to-display noise (without differential sensing to reduce display-to-touch noise). Additionally, common mode noise can be reduced using spatial separation and spatial filtering. Spatial separation between the touch signal and the common mode noise signal can be achieved using a touch electrode architecture with reduced pitch for the transmitter and receiver electrodes.
도 37은 본 개시내용의 예들에 따른, 차동 구동을 위해 구성된 예시적인 터치 센서 패널의 일부분을 예시한다. 터치 센서 패널(3700)의 일부분은, 터치 노드들의 4개의 행들 내에 인터리빙된 8개의 송신기 전극들 및 터치 노드들의 4개의 열들 내의 8개의 수신기 전극들을 포함하는 터치 노드들의 4x4 어레이를 포함한다. 예시를 단순화하기 위해, 브리지들은 도 37에 도시되어 있지 않지만, 도 37의 터치 전극들의 대부분은 제2 금속 메시 층 내에 브리지들을 갖는 제1 금속 메시 층 내에 구현되는 것으로 이해된다.37 illustrates a portion of an example touch sensor panel configured for differential drive, in accordance with examples of the present disclosure. A portion of the
터치 센서 패널(3700)에 도시된 바와 같이, 제1 행은 터치 감지 동작 동안 이러한 행에 적용되는 상보적 구동 신호를 나타내는 D0+ 및 D0-로 라벨링된 인터리빙된 송신기 전극들의 제1 쌍을 포함하고; 제2 행은 터치 감지 동작 동안 이러한 행에 적용되는 상보적 구동 신호를 나타내는 D1+ 및 D1-로 라벨링된 인터리빙된 송신기 전극들의 제2 쌍을 포함하며; 제3 행은 터치 감지 동작 동안 이러한 행에 적용되는 상보적 구동 신호를 나타내는 D2+ 및 D2-로 라벨링된 인터리빙된 송신기 전극들의 제3 쌍을 포함하고; 제4 행은 터치 감지 동작 동안 이러한 행에 적용되는 상보적 구동 신호를 나타내는 D3+ 및 D3-로 라벨링된 인터리빙된 송신기 전극들의 제4 쌍을 포함한다. 추가적으로, 터치 센서 패널(3700)은, 제1 열이 터치 감지 동작 동안 이러한 열에 대한 2개의 단일 종단형 감지 라인들을 나타내는 S0A 및 S0B로 라벨링된 비-인터리빙된 수신기 전극들의 제1 쌍을 포함하고; 제2 열이 터치 감지 동작 동안 이러한 열에 대한 2개의 단일 종단형 감지 라인들을 나타내는 S1A 및 S1B로 라벨링된 비-인터리빙된 수신기 전극들의 제2 쌍을 포함하며; 제3 열이 터치 감지 동작 동안 이러한 열에 대한 2개의 단일 종단형 감지 라인들을 나타내는 S2A 및 S2B로 라벨링된 비-인터리빙된 수신기 전극들의 제3 쌍을 포함하고; 제4 열이 터치 감지 동작 동안 이러한 열에 대한 2개의 단일 종단형 감지 라인들을 나타내는 S3A 및 S3B로 라벨링된 비-인터리빙된 수신기 전극들의 제4 쌍을 포함하는 것을 보여준다.As shown in
도 37은 터치 전극 아키텍처의 단위 셀에 대응하는 터치 노드(3710)를 예시하며, 이는 터치 노드들의 4x4 어레이에 대해(또는 그를 넘어 더 큰 터치 센서 패널에 대해) 반복될 수 있다. 터치 감지 동작 동안, D0+ 및 D0-로 라벨링된 제1 쌍의 인터리빙된 송신기 전극들은 자극될 수 있고, 결과적인 상호 커패시턴스(들)는 S0A 및 S0B로 라벨링된 대응하는 제1 쌍의 수신기 전극들에 의해 측정될 수 있다. 터치 노드(3710)에 대한 터치 신호는 한 쌍의 수신기 전극들로부터 측정된 터치 신호의 합으로서 표현될 수 있다.37 illustrates a
도 37은, 또한, 터치 센서 패널(3700)에 대한 데이터 라인 배향을 나타낸다. 도 37에 도시된 바와 같이, 데이터 라인은, (예를 들어, 수신기 전극들이 디스플레이 데이터 라인 잡음의 평균을 수신하도록) 수신기 전극들에 직교하고 송신기 전극들에 평행하게 배향된다. 본 명세서에 설명된 바와 같이, 디스플레이의 데이터 라인들은 본 명세서에서 "캐소드 잡음"으로도 지칭되는, 터치 감지 시스템에 대한 잡음의 소스를 나타낸다. 도 37은 터치 송신기 전극들의 방향을 따른 캐소드 잡음의 대표적인 공간 형상들(3720) 및 터치 수신기 전극들의 (예를 들어, 직교하는) 방향을 따른 캐소드 잡음의 대표적인 공간 형상들(3740)을 예시한다. 캐소드 잡음의 공간 형상들은 터치 송신기 전극들의 방향을 따라 유사할 수 있으며(예를 들어, 유사한 RC 특성들), 이때 형상의 진폭은, 대체적으로, 상이한 디스플레이 이미지들의 그레이 레벨들에 따라 스케일링된다(예를 들어, 거의 일정한 잡음 공간 스펙트럼). 대조적으로, 캐소드 잡음의 공간 형상들은 다양할 수 있고, 터치 수신기 전극들의 방향을 따라 이미지 의존적일 수 있다. 추가적으로, 터치 송신기 전극들의 방향을 따른 캐소드 잡음의 공간 형상들은 수신기 전극들에 대한 아날로그 전방 단부들(감지 회로부)과 상관 방식으로 측정될 수 있는 반면, 터치 수신기 전극들의 방향을 따른 캐소드 잡음의 공간 형상들은 일시적으로 상관되지 않은 방식으로 측정될 수 있다.37 also shows the data line orientation for the
따라서, 터치 전극 아키텍처는 인터리빙된 송신기 전극들의 방향을 따라 상관 및 형상 일관된 캐소드 잡음의 방향을 따라 송신기 전극들의 자극을 인코딩함으로써 공간 잡음 제거를 달성할 수 있다. 추가적으로, 도 38 및 도 39와 관련하여 본 명세서에 설명된 바와 같이, 공간적 분리 및 공간 잡음 제거는 터치 전극들의 피치를 감소시킴으로써 개선될 수 있다.Thus, the touch electrode architecture can achieve spatial noise cancellation by encoding the excitation of the transmitter electrodes along the direction of the correlated and shape-coherent cathode noise along the direction of the interleaved transmitter electrodes. Additionally, as described herein with respect to FIGS. 38 and 39 , spatial separation and spatial noise cancellation can be improved by reducing the pitch of the touch electrodes.
도 39는 본 개시내용의 예들에 따른, 공간 터치 신호 및 잡음의 3개의 플롯들을 예시한다. 플롯(3900)은 터치 센서 패널(예를 들어, 터치 센서 패널(3700 또는 3800)에 대응함)의 축을 따르는 잡음에 그리고 상이한 터치들에 대응하는 공간 데이터를 보여준다. 터치 센서 패널의 축은 수신기 전극 피치(PRX)를 갖는 수신기 전극들의 어레이(3902)로 표현된다. 수신기 전극들의 어레이(3902) 위의 바(bat)들은 대응하는 수신기 전극들에서의 터치 신호 및/또는 잡음 신호를 표현한다. 도시된 바와 같이, 제1 프로파일(3904)은 제1 터치하는 물체(예를 들어, 작은 손가락)에 대응하고, 제2 프로파일(3906)은 제2 터치하는 물체(예를 들어, 더 큰 손가락 또는 다수의 작은 손가락들)에 대응한다. 프로파일(3908)은 캐소드 잡음을 표현한다. 플롯(3900)으로 표현된 데이터는 공간 데이터이고, 도시된 바와 같이, 캐소드 잡음의 프로파일은 터치 송신기 전극들의 방향을 따르는 캐소드 잡음의 공간 형상들(3720)에 대응하는 공간 형상을 갖는다. 도시된 바와 같이, 캐소드 잡음의 형상은 제1 또는 제2 터치하는 물체들의 공간 폭에 비해 공간적으로 넓고(예를 들어, 패널을 가로질러 연장됨), (예를 들어, 직교 축을 따르는 잡음에 비해) 낮은 주파수를 갖는다.39 illustrates three plots of spatial touch signal and noise, according to examples of the present disclosure.
플롯(3920)은 플롯(3900)에서의 공간 데이터에 대응하는 공간 스펙트럼을 보여준다. 프로파일(3922)은 공간 데이터에서 프로파일(3908)의 캐소드 잡음에 대응하는 공간 스펙트럼 도메인을 표현한다. 상대적으로 넓은 잡음 신호는 낮은 주파수를 가지며, 따라서, 공간 스펙트럼 도메인에서 (예를 들어, 0을 중심으로 하는 낮은 공간 주파수들에서) 공간 스펙트럼의 중심 근처에 나타난다. 대조적으로, 프로파일(3924)은 공간 데이터에서의 터치 신호(들)의 프로파일들(3904 및/또는 3906)에 대응하는 공간 스펙트럼 도메인을 표현한다. 공간 데이터에서의 상대적으로 좁은 터치 신호들은 잡음과 비교하여 공간 스펙트럼 도메인에서 더 넓게 나타난다. 그러나, 플롯(3920)은 (예를 들어, 상보적 구동 신호들에 의한 인터리빙 및 자극이 없는) 비-차동 송신 전극 구성에 대응한다.
플롯(3940)은 플롯(3900)에서의 공간 데이터에 대응하지만, 차동 송신 전극 구성을 사용할 때의 공간 스펙트럼을 보여준다. 플롯(3940)에서, 디스플레이로부터의 캐소드 잡음은 코딩되지 않으며, 따라서, 캐소드 잡음의 스펙트럼의 프로파일(3942)은 플롯(3920)에서 프로파일(3922)과 동일하게 유지된다. 그러나, 차동 송신기 구성을 사용하여 터치 신호에 대한 스펙트럼을 인코딩하는 것은 2개의 절반-로브(lobe)들(3944A, 3944B)을 야기하는 공간 스펙트럼 도메인에서의 터치 신호의 상향변환을 야기한다. 상향변환에 기인한 2개의 절반-로브들(3944A, 3944B)은 일부 예들에서, 적어도 부분적으로 중첩될 수 있다. 예를 들어, 플롯(3940)은 프로파일들(3942)과 절반-로브들(3944A 또는 3944B) 사이의 일부 중첩을 예시한다. 일부 예들에서, 송신기 및/또는 수신기 피치를 감소시키는 것을 통한 충분한 상향변환에 의해, 공간 스펙트럼 도메인에서의 프로파일들 사이의 분리가 개선되거나 제거될 수 있다. 공간적으로 분리된 신호들은 잡음(및 가능하게는, 일부 중첩이 남아 있을 때 터치 신호의 일부)을 제거하기 위해 공간 고역 통과 필터를 사용하여 필터링될 수 있다.
일부 예들에서, 캐소드 잡음과 터치 신호 공간 스펙트럼들 사이의 비중첩 조건은 Ts + Ns < 1/PRX로서 표현될 수 있으며, 여기서 Ts는 터치 신호 공간 스펙트럼 폭을 표현하고, Ns는 잡음 신호 공간 스펙트럼 폭을 표현하고, PRX는 수신기 전극 피치를 표현한다.In some examples, the non-overlap condition between cathode noise and touch signal spatial spectra can be expressed as Ts + Ns < 1/P RX , where Ts represents the touch signal spatial spectral width and Ns is the noise signal spatial spectrum represents the width, and P RX represents the receiver electrode pitch.
일부 예들에서, 코딩은 터치 신호가 캐소드 잡음의 더 평평한 공통 모드 형상으로부터 분해하기(resolve)가 더 용이한 톱니 형상 또는 다른 비교적 높은 주파수 형상(예컨대, 코딩된 차동 시뮬레이션으로 인함)을 갖게 하는 것으로 보일 수 있다. 특히, 본 명세서에 기술된 바와 같이, 데이터 라인들에 병렬인 송신기 전극들에 대한 캐소드 잡음의 더 평평한 공통 모드 형상(비교적 낮은 주파수, 및 상관된 형상을 가짐).In some examples, the coding will appear to cause the touch signal to have a sawtooth shape or other relatively high frequency shape (e.g., due to coded differential simulation) that is easier to resolve from the flatter common mode shape of the cathode noise. can In particular, a flatter common mode shape (with a relatively low frequency, and correlated shape) of the cathode noise for transmitter electrodes parallel to the data lines, as described herein.
도 38은 본 개시내용의 예들에 따른, 차동 구동을 위해 구성된 예시적인 터치 센서 패널의 일부분을 예시한다. 터치 센서 패널(3800)의 일부분은 터치 노드들의 4개 행들에 인터리빙된 8개의 송신기 전극들(D0+, D0-, D1+, D1, D2+, D2-, D3+, 및 D3-로 라벨링됨) 및 터치 노드들의 1개의 행들에 있는 2개의 수신기 전극들(S0A 및 S0B로 라벨링됨)을 포함하는 터치 노드들의 1x4 어레이를 포함한다. 예시를 단순화하기 위해, 브리지들은 도 38에 도시되지 않지만, 터치 노드(3810)(터치 노드(3710)의 전체 치수들에 대응함)가 참조를 위해 포함된다. 추가적으로, 예시의 용이함을 위해, 터치 센서 패널(3800)의 일부분의 치수들은 과장되어 있지만(예를 들어, 특징부들의 세부사항들을 보여주기 위해 길이에 비해 폭이 과장되어 있음), 터치 노드들(3810, 3710)은 동일한 전체 치수들을 가질 수 있다는 것이 이해된다.38 illustrates a portion of an example touch sensor panel configured for differential drive, in accordance with examples of the present disclosure. A portion of the
하나의 1차 직사각형 세그먼트(예를 들어, 터치 노드(3710)에서 송신기 전극들(D0+, D0-)을 위한 1차 직사각형 세그먼트(3712A, 3712B)) 및 터치 노드 내의 송신기 전극들 사이에서의 1회의 인터리빙 전이를 각각 갖는 2개의 인터리빙된 송신기 전극들을 포함하는 도 37과는 달리, 도 38에서, 2개의 인터리빙된 송신기 전극들 각각은, 다수의 1차 직사각형 세그먼트들(예를 들어, 터치 노드(3810)에서 송신기 전극들(D0+, D0-)을 위한 4개의 1차 직사각형 세그먼트들(3812A) 및 4개의 1차 직사각형 세그먼트들(3812B)) 및 터치 노드 내의 송신기 전극들 사이에서의 7회의 인터리빙 전이를 포함한다.One primary rectangular segment (e.g., primary
본 명세서에 기술된 바와 같이, 캐소드 잡음과 비교하여 더 높은 공간 주파수들로 터치 신호들을 인코딩하는 것은 잡음 제거를 위한 터치 및 잡음 공간 스펙트럼들의 분리를 가능하게 한다. 분리는 수신기 전극 피치를 감소시킴으로써 개선될 수 있다. 도 37과 38을 비교하면, 수신기 전극 피치(PRX)는, 대략적으로 4배만큼 감소될 수 있다(이때, 예를 들어, 터치 노드들(3710, 3810)은 동일한 치수들을 가짐). 도 37이 송신기 전극당 하나의 1차 직사각형 세그먼트를 예시하고, 도 38이 송신기 전극당 4개의 1차 직사각형 세그먼트들을 예시하지만, 송신기 전극당 상이한 개수들(예를 들어, 2개, 3개, 5개 등)의 1차 직사각형 세그먼트가 가능하다는 것이 이해된다.As described herein, encoding touch signals at higher spatial frequencies compared to cathode noise enables separation of the touch and noise spatial spectra for noise cancellation. Isolation can be improved by reducing the receiver electrode pitch. Comparing FIGS. 37 and 38 , the receiver electrode pitch P RX can be reduced by approximately a factor of 4 (eg,
수신기 전극 피치를 감소시키는 것이 더 양호한 분리를 제공할 수 있지만, 트레이드오프(tradeoff)들이 있다는 것이 이해된다. 예를 들어, 도 37과 도 38을 비교하면, 도 37의 2개의 수신기 전극들은 도 38의 8개의 더 좁은 수신기 전극들로 대체된다. 그 결과, 터치 감지 회로부는 잠재적으로, 터치 감지 회로부의 크기, 비용, 및 전력 소비를 증가시키는 수신기 채널들의 개수 면에서 4배를 요구한다(또는 채널들이 수신기 전극들 사이에서 다중화되는 경우, 감소된 적분 시간을 요구한다). 일부 예들에서, 상기의 감지 회로부(또는 적분 시간) 패널티들은 증가된 수의 더 좁은 수신기 전극들을 상호연결(예를 들어, 그룹화/집단화)함으로써 완화될 수 있다. 예를 들어, 도 38에 도시된 바와 같이, 4개의 수신기 전극들은 상호연결되고 터치 감지 회로부의 하나의 단일 종단형 감지 채널에 연결될 수 있으며, 다른 4개의 수신기 전극들은 상호연결되고 터치 감지 회로부의 다른 단일 종단형 감지 채널에 연결될 수 있다. 상호연결부들은 추가적인 감지 회로부에 대한 필요성을 회피하고, 터치 센서 패널의 터치 노드 해상도는 터치 센서 패널들(3700, 3800) 사이에서 변경되지 않는다. 일부 예들에서, 다수의 수신기 전극들 사이의 상호연결은 인-패널 점퍼(in-panel jumper) 및/또는 비아들의 수를 감소시키기 위해 터치 센서 패널 경계에서 (예를 들어, 경계 영역에서) 발생한다. 그러나, 일부 예들에서, 상호연결은 터치 센서 패널 영역 내에서 추가적으로 또는 대안적으로 수행될 수 있다는 것이 이해된다.It is understood that reducing the receiver electrode pitch can provide better isolation, but there are tradeoffs. For example, comparing FIGS. 37 and 38, the two receiver electrodes in FIG. 37 are replaced with the eight narrower receiver electrodes in FIG. As a result, the touch-sensing circuitry potentially requires a quadruple in number of receiver channels, which increases the size, cost, and power consumption of the touch-sensing circuitry (or reduced, if channels are multiplexed between receiver electrodes). integral time required). In some examples, the above sensing circuitry (or integration time) penalties can be mitigated by interconnecting (eg, grouping/aggregating) an increased number of narrower receiver electrodes. For example, as shown in FIG. 38, four receiver electrodes can be interconnected and connected to one single-ended sensing channel of touch sensing circuitry, and the other four receiver electrodes can be interconnected and connected to another single-ended sensing channel of touch sensing circuitry. It can be connected to a single-ended sense channel. The interconnects avoid the need for additional sensing circuitry, and the touch node resolution of the touch sensor panel does not change between
수신기 전극들의 그룹화가 터치 감지 회로부 패널티를 회피시킬 수 있지만, 수신기 전극을 감소시키는 것은 다른 트레이드오프들을 수반할 수 있다. 예를 들어, 더 좁은 수신기 전극들은 증가된 저항을 야기할 수 있으며, 이는, 이에 의해, 터치 센서 패널 대역폭을 감소시킨다(그러나, 대역폭에 대한 영향은 더 좁은 수신기 전극들의 감소된 부하에 의해 다소 완화될 수 있다). 추가적으로 또는 대안적으로, 더 좁은 수신기 전극들 및 송신기 전극 피치의 대응하는 감소는 상호 커패시턴스 프린징 장(fringing field)들의 도달을 감소시킬 수 있다. 프린징 장들이 너무 많이 감소되는 경우, 그들은 물체들(예를 들어, 손가락들)과 상호작용할 수 있기에는 터치 센서 패널 표면(예를 들어, 커버 유리 또는 다른 재료)을 넘어 충분히 멀리 연장되지 못할 수 있다.While grouping receiver electrodes can avoid the touch sensing circuitry penalty, reducing receiver electrodes can involve other tradeoffs. For example, narrower receiver electrodes can cause increased resistance, which thereby reduces the touch sensor panel bandwidth (however, the impact on bandwidth is somewhat mitigated by the reduced loading of the narrower receiver electrodes). can be). Additionally or alternatively, narrower receiver electrodes and a corresponding reduction in transmitter electrode pitch may reduce the arrival of mutual capacitance fringing fields. If the fringing fields are reduced too much, they may not extend far enough beyond the touch sensor panel surface (eg, cover glass or other material) to be able to interact with objects (eg, fingers). there is.
도 37 내지 도 39와 관련하여 본 명세서에 기술된 공간 잡음 제거 기법들은 다른 터치 전극 아키텍처들에 적용될 수 있다는 것이 이해된다. 예를 들어, 수신기 전극들의 피치 및 인터리빙된 송신기 전극들의 대응하는 피치는 도 34 및 도 35a의 터치 전극 아키텍처에서 인터리빙된 송신기 전극들(예를 들어, 열 전극들) 및 인터리빙되지 않은 수신기 전극들(예를 들어, 행 전극들)에 적용될 수 있다.It is understood that the spatial noise cancellation techniques described herein with respect to FIGS. 37-39 may be applied to other touch electrode architectures. For example, the pitch of the receiver electrodes and the corresponding pitch of the interleaved transmitter electrodes are the same as the interleaved transmitter electrodes (e.g., column electrodes) and non-interleaved receiver electrodes (e.g., column electrodes) in the touch electrode architecture of FIGS. 34 and 35A. For example, row electrodes).
따라서, 전술된 바에 따라서, 본 발명의 일부 예들은 터치 센서 패널에 관한 것이다. 터치 센서 패널은, 제1 층에 복수의 제1 전극들 및 복수의 제2 전극들을 포함하고 터치 노드들의 2-축 어레이를 형성하는 복수의 터치 전극들; 제1 층과는 상이한 제2 층에 있고, 제1 층과 제2 층 사이의 복수의 제1 전기적 상호연결부들을 사용하여 제1 전극들에 커플링된 복수의 제1 라우팅 트레이스들; 및 제2 층에 있고, 제1 층과 제2 층 사이의 복수의 제2 전기적 상호연결부들을 사용하여 제2 전극들에 커플링된 복수의 제2 라우팅 트레이스들을 포함할 수 있다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 복수의 제1 라우팅 트레이스들은 2-축 어레이의 제1 축을 따라 라우팅될 수 있고, 터치 노드들의 2-축 어레이와 적어도 부분적으로 중첩될 수 있다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 복수의 제2 트레이스들은 2-축 어레이의 제1 축을 따라 라우팅될 수 있고, 터치 노드들의 2-축 어레이와 적어도 부분적으로 중첩될 수 있다.Accordingly, in accordance with the foregoing, some examples of the present invention relate to a touch sensor panel. The touch sensor panel includes: a plurality of touch electrodes including a plurality of first electrodes and a plurality of second electrodes in a first layer and forming a two-axis array of touch nodes; a plurality of first routing traces in a second layer different from the first layer and coupled to the first electrodes using a plurality of first electrical interconnections between the first layer and the second layer; and a plurality of second routing traces in the second layer and coupled to the second electrodes using a plurality of second electrical interconnections between the first layer and the second layer. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, the plurality of first routing traces can be routed along a first axis of the two-axis array, at least partially overlapping the two-axis array of touch nodes. It can be. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples the plurality of second traces may be routed along a first axis of the two-axis array and at least partially overlap the two-axis array of touch nodes. can
위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제1 전극들은 열 전극들을 포함할 수 있고, 제2 전극들은 행 전극들을 포함할 수 있고, 터치 노드들의 2-축 어레이는 터치 노드들의 행-열 배열을 포함할 수 있다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제2 층은, 터치 노드들의 행-열 배열 중 제1 열에 대해, 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 복수의 세트들을 포함할 수 있고, 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 복수의 세트들은 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제1 세트, 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제2 세트, 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제3 세트, 및 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제4 세트를 포함한다.Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, the first electrodes can include column electrodes, the second electrodes can include row electrodes, and the two-axis array of touch nodes comprises a touch It can contain a row-column arrangement of nodes. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples the second layer may include, for a first column of the row-column arrangement of touch nodes, multiple sets of one or more routing trace segments; The plurality of sets of one or more routing trace segments may include a first set of one or more routing trace segments, a second set of one or more routing trace segments, a third set of one or more routing trace segments, and a fourth set of one or more routing trace segments. includes
위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제2 층은, 터치 노드들의 행-열 배열 중 제1 열에 대해, 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 복수의 세트들을 포함할 수 있고, 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 복수의 세트들은 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제1 세트, 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제2 세트, 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제3 세트, 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제4 세트, 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제5 세트, 및 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제6 세트를 포함한다.Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, the second layer may include, for a first column of the row-column arrangement of touch nodes, multiple sets of one or more routing trace segments; The plurality of sets of one or more routing trace segments include a first set of one or more routing trace segments, a second set of one or more routing trace segments, a third set of one or more routing trace segments, a fourth set of one or more routing trace segments, A fifth set of one or more routing trace segments, and a sixth set of one or more routing trace segments.
위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제1 열은 제1 열 전극 및 제2 열 전극을 포함할 수 있고, 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제1 세트는 복수의 제1 라우팅 트레이스들 중 제1 라우팅 트레이스를 포함할 수 있고, 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제2 세트는 제1 열 내에 배치된 복수의 제1 라우팅 트레이스들 중 제2 라우팅 트레이스를 포함할 수 있고, 복수의 제1 라우팅 트레이스들 중 제1 라우팅 트레이스는 제1 열 전극에 커플링될 수 있고, 복수의 제1 라우팅 트레이스들 중 제2 라우팅 트레이스는 제2 열 전극에 커플링될 수 있다.Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, the first column can include a first column electrode and a second column electrode, and the first set of one or more routing trace segments comprises a plurality of first column electrodes. may include a first one of the routing traces, the second set of one or more routing trace segments may include a second routing trace of the plurality of first routing traces disposed in the first column, and A first routing trace of the first routing traces may be coupled to the first column electrode, and a second routing trace of the plurality of first routing traces may be coupled to the second column electrode.
위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 복수의 제2 라우팅 트레이스들 중 제1 라우팅 트레이스, 복수의 제2 라우팅 트레이스들 중 제2 라우팅 트레이스, 및 복수의 제2 라우팅 트레이스들 중 제3 라우팅 트레이스는 제1 열 내에 배치될 수 있다. 복수의 제2 라우팅 트레이스들 중 제1 라우팅 트레이스는 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제1 세트의 제1 부분, 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제2 세트의 제1 부분, 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제3 세트의 제1 부분, 및 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제4 세트의 제1 부분을 포함할 수 있다. 복수의 제2 라우팅 트레이스들 중 제2 라우팅 트레이스는 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제1 세트의 제2 부분 및 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제2 세트의 제2 부분을 포함할 수 있다. 복수의 제2 라우팅 트레이스들 중 제3 라우팅 트레이스는 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제1 세트의 제3 부분을 포함할 수 있다. 제1 열 내에서, 복수의 제2 라우팅 트레이스들 중 제1 라우팅 트레이스는 제1 행 전극에 커플링될 수 있고, 복수의 제2 라우팅 트레이스들 중 제2 라우팅 트레이스는 제2 행 전극에 커플링될 수 있고, 복수의 제2 라우팅 트레이스들 중 제3 라우팅 트레이스는 제3 행 전극에 커플링될 수 있다.Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, a first routing trace of a plurality of second routing traces, a second routing trace of a plurality of second routing traces, and a plurality of second routing traces A third of the routing traces may be disposed within the first column. A first routing trace of the second plurality of routing traces is a first portion of a first set of one or more routing trace segments, a first portion of a second set of one or more routing trace segments, a third set of one or more routing trace segments. and a first portion of a fourth set of one or more routing trace segments. A second routing trace of the plurality of second routing traces may include a second portion of the first set of one or more routing trace segments and a second portion of the second set of one or more routing trace segments. A third routing trace of the second plurality of routing traces may include a third portion of the first set of one or more routing trace segments. Within the first column, a first routing trace of the plurality of second routing traces may be coupled to the first row electrode, and a second routing trace of the plurality of second routing traces may be coupled to the second row electrode. and a third routing trace among the plurality of second routing traces may be coupled to the third row electrode.
위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제1 세트는 제1 축을 따라 제1 전기적 불연속부를 그리고 제1 축을 따라 제2 전기적 불연속부를 포함할 수 있다. 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제2 세트는 제1 축을 따라 제3 전기적 불연속부를 포함할 수 있다. 제1 전기적 불연속부는 복수의 제2 라우팅 트레이스들 중 제3 라우팅 트레이스와 제3 행 전극 사이의 전기적 상호연결부로부터 제1 축을 따라 임계 거리 내에 있을 수 있고; 제2 전기적 불연속부는 복수의 제2 라우팅 트레이스들 중 제2 라우팅 트레이스와 제2 행 전극 사이의 전기적 상호연결부로부터 제1 축을 따라 임계 거리 내에 있을 수 있고; 제3 전기적 불연속부는 복수의 제2 라우팅 트레이스들 중 제2 라우팅 트레이스와 제2 행 전극 사이의 전기적 상호연결부로부터 제1 축을 따라 임계 거리 내에 있을 수 있다.Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples the first set of one or more routing trace segments can include a first electrical discontinuity along a first axis and a second electrical discontinuity along a first axis. . The second set of one or more routing trace segments may include a third electrical discontinuity along the first axis. the first electrical discontinuity may be within a threshold distance along the first axis from an electrical interconnection between a third routing trace of the plurality of second routing traces and a third row electrode; the second electrical discontinuity may be within a threshold distance along the first axis from an electrical interconnection between a second row electrode and a second routing trace of the plurality of second routing traces; The third electrical discontinuity may be within a threshold distance along the first axis from an electrical interconnection between a second routing trace of the plurality of second routing traces and a second row electrode.
위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제1 세트는 제1 축을 따라 제4 전기적 불연속부를 포함할 수 있고, 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제2 세트는 제1 축을 따라 제5 전기적 불연속부를 포함할 수 있고, 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제3 세트는 제1 축을 따라 제6 전기적 불연속부를 포함할 수 있고, 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제4 세트는 제1 축을 따라 제7 전기적 불연속부를 포함할 수 있다. 제4 전기적 불연속부, 제5 전기적 불연속부, 제6 전극 불연속부, 및 제7 전극 불연속부는 복수의 제2 라우팅 트레이스들 중 제1 라우팅 트레이스와 제1 행 전극 사이의 전기적 상호연결부로부터 제1 축을 따라 임계 거리 내에 있을 수 있다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 임계 거리는 제1 축을 따르는 터치 노드들의 행-열 배열 중 하나의 행의 길이일 수 있다.Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples the first set of one or more routing trace segments can include a fourth electrical discontinuity along the first axis and the second set of one or more routing trace segments may include a fifth electrical discontinuity along the first axis, the third set of one or more routing trace segments may include a sixth electrical discontinuity along the first axis, and the fourth set of one or more routing trace segments may include a sixth electrical discontinuity along the first axis. A seventh electrical discontinuity may be included along one axis. The fourth electrical discontinuity, the fifth electrical discontinuity, the sixth electrode discontinuity, and the seventh electrode discontinuity extend the first axis from the electrical interconnection between the first routing trace and the first row electrode of the plurality of second routing traces. may be within a critical distance. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples the threshold distance may be the length of one row of the row-column arrangement of touch nodes along the first axis.
위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제1 세트의 제4 부분은 제1 플로팅 세그먼트를 포함할 수 있고, 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제1 세트의 제4 부분은 제4 전기적 불연속부에 의해 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제1 세트의 제3 부분으로부터 분리되고; 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제2 세트의 제3 부분은 제2 플로팅 세그먼트를 포함할 수 있고, 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제2 세트의 제3 부분은 제5 전기적 불연속부에 의해 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제2 세트의 제2 부분으로부터 분리되고; 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제3 세트의 제2 부분은 제3 플로팅 세그먼트를 포함할 수 있고, 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제3 세트의 제2 부분은 제6 전기적 불연속부에 의해 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제3 세트의 제1 부분으로부터 분리되고; 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제4 세트의 제2 부분은 제4 플로팅 세그먼트를 포함할 수 있고, 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제4 세트의 제2 부분은 제7 전기적 불연속부에 의해 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제4 세트의 제1 부분으로부터 분리된다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제1 세트 및 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제2 세트는 제1 열 내의 하나 이상의 열 전극들과 중첩할 수 있다. 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제3 세트 및 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제4 세트는 제1 열 내의 하나 이상의 열 전극들과 중첩하지 않을 수 있다.Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples the fourth portion of the first set of one or more routing trace segments may include the first floating segment, the first set of one or more routing trace segments a fourth portion of is separated from a third portion of the first set of one or more routing trace segments by a fourth electrical discontinuity; A third portion of the second set of one or more routing trace segments may include a second floating segment, and a third portion of the second set of one or more routing trace segments may comprise one or more routing trace segments by a fifth electrical discontinuity. separated from the second portion of the second set of ; The second portion of the third set of one or more routing trace segments may include a third floating segment, the second portion of the third set of one or more routing trace segments comprising the one or more routing trace segments by the sixth electrical discontinuity. separated from the first portion of the third set of ; The second portion of the fourth set of one or more routing trace segments may include a fourth floating segment, the second portion of the fourth set of one or more routing trace segments comprising the one or more routing trace segments by the seventh electrical discontinuity. are separated from the first part of the fourth set of . Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples the first set of one or more routing trace segments and the second set of one or more routing trace segments may overlap one or more column electrodes in the first column. there is. The third set of one or more routing trace segments and the fourth set of one or more routing trace segments may not overlap one or more column electrodes in the first column.
위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제1 세트, 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제2 세트, 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제3 세트, 및 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제4 세트는 행 전극들에 커플링될 수 있고; 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제5 세트 및 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제6 세트는 열 전극들에 커플링될 수 있고 제1 열 내의 하나 이상의 열 전극들과 중첩할 수 있고; 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제5 세트는 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제1 세트와 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제2 세트에 인접하게 그리고 그들 사이에 배치될 수 있고; 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제6 세트는 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제3 세트와 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제4 세트에 인접하게 그리고 그들 사이에 배치될 수 있고; 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제2 세트는 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제5 세트와 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제3 세트에 인접하게 그리고 그들 사이에 배치될 수 있고; 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제3 세트는 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제2 세트와 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제6 세트에 인접하게 그리고 그들 사이에 배치될 수 있다.Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, a first set of one or more routing trace segments, a second set of one or more routing trace segments, a third set of one or more routing trace segments, and one or more a fourth set of routing trace segments may be coupled to the row electrodes; a fifth set of one or more routing trace segments and a sixth set of one or more routing trace segments can be coupled to the column electrodes and overlap one or more column electrodes in the first column; the fifth set of one or more routing trace segments may be disposed adjacent to and between the first set of one or more routing trace segments and the second set of one or more routing trace segments; the sixth set of one or more routing trace segments may be disposed adjacent to and between the third set of one or more routing trace segments and the fourth set of one or more routing trace segments; the second set of one or more routing trace segments may be disposed adjacent to and between the fifth set of one or more routing trace segments and the third set of one or more routing trace segments; The third set of one or more routing trace segments may be disposed adjacent to and between the second set of one or more routing trace segments and the sixth set of one or more routing trace segments.
위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 터치 노드들의 행-열 배열은 행들의 복수의 뱅크들로 분할될 수 있고; 제1 행 전극은 행들의 복수의 뱅크들 중 제1 뱅크 내에 배치될 수 있고; 제2 행 전극은 행들의 복수의 뱅크들 중 제2 뱅크 내에 배치될 수 있고; 제3 행 전극은 행들의 복수의 뱅크들 중 제3 뱅크 내에 배치될 수 있다.Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, the row-column arrangement of touch nodes can be divided into a plurality of banks of rows; a first row electrode may be disposed within a first bank of the plurality of banks of rows; the second row electrode may be disposed in a second bank of the plurality of banks of rows; A third row electrode may be disposed in a third bank of the plurality of banks of rows.
위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제1 행 전극 및 제2 행 전극은 제1 축을 따라 터치 노드들의 행-열 배열 중 제1 개수의 행들에 의해 분리될 수 있고, 제2 행 전극 및 제3 행 전극은 제1 축을 따라 터치 노드들의 행-열 배열 중 제1 개수의 행들에 의해 분리될 수 있다.Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples the first row electrode and the second row electrode can be separated by a first number of rows of a row-column arrangement of touch nodes along the first axis; , the second row electrode and the third row electrode may be separated by a first number of rows of a row-column arrangement of touch nodes along the first axis.
위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 터치 노드들의 행-열 배열 중 각각의 행은 한 쌍의 행 전극들을 포함할 수 있다. 제2 층은, 제1 열에 인접한 터치 노드들의 행-열 배열 중 제2 열에 대해, 복수의 제2 라우팅 트레이스들 중 제4 라우팅 트레이스, 복수의 제2 라우팅 트레이스들 중 제5 라우팅 트레이스, 및 복수의 제2 라우팅 트레이스들 중 제6 라우팅 트레이스를 형성하는 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제2 복수의 세트들을 포함할 수 있고; 제2 열 내에서, 복수의 제2 라우팅 트레이스들 중 제4 라우팅 트레이스는 제4 행 전극에 커플링될 수 있고, 복수의 제2 라우팅 트레이스들 중 제5 라우팅 트레이스는 제5 행 전극에 커플링될 수 있고, 복수의 제2 라우팅 트레이스들 중 제6 라우팅 트레이스는 제6 행 전극에 커플링될 수 있으며; 제1 행 전극 및 제4 행 전극은 제1 각각의 행 내에 배치된 행 전극의 제1 각각의 쌍일 수 있고, 제2 행 전극 및 제5 행 전극은 제2 각각의 행 내에 배치된 행 전극의 제2 각각의 쌍일 수 있고, 제3 행 전극 및 제6 행 전극은 제3 각각의 행 내에 배치된 행 전극의 제3 각각의 쌍일 수 있다.Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples each row of the row-column arrangement of touch nodes may include a pair of row electrodes. The second layer may include, for a second column of the row-column arrangement of touch nodes adjacent to the first column, a fourth routing trace of a plurality of second routing traces, a fifth routing trace of a plurality of second routing traces, and a plurality of second routing traces. a second plurality of sets of one or more routing trace segments forming a sixth routing trace of the second routing traces of; within the second column, a fourth routing trace of the second plurality of routing traces may be coupled to the fourth row electrode and a fifth routing trace of the second plurality of routing traces may be coupled to the fifth row electrode; and a sixth routing trace of the plurality of second routing traces may be coupled to the sixth row electrode; The first row electrode and the fourth row electrode may be a first respective pair of row electrodes disposed within the first respective row, and the second row electrode and the fifth row electrode may be a first respective pair of row electrodes disposed within the second respective row. a second respective pair, and the third row electrode and sixth row electrode may be a third respective pair of row electrodes disposed within the third respective row.
위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 터치 노드들의 행-열 배열은 행들의 복수의 뱅크들로 분할될 수 있다. 복수의 제2 라우팅 트레이스들은 복수의 제2 전기적 연결부들을 사용하여 V자형 패턴으로 제2 전극들에 커플링될 수 있다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, V자형 패턴의 행들의 복수의 뱅크들의 각각의 뱅크에 대해, 터치 노드들의 행-열 배열 중 짝수 행들은 터치 노드들의 행-열 배열 중 연속적인 열들의 제1 세트 내에서 상호연결될 수 있고; 터치 노드들의 행-열 배열 중 홀수 행들은 터치 노드들의 행-열 배열 중 연속적인 열들의 제2 세트 내에서 상호연결될 수 있고; 연속적인 열들의 제1 세트를 연속적인 열들의 제2 세트로부터 분리하는 제1 축을 따르는 라인과 각각의 행에 대한 각각의 상호연결부 사이의, 제1 축과는 상이한 제2 축을 따르는 각각의 거리가 뱅크 내에서 상승하는 행들에 대해 감소할 수 있다.Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples the row-to-column arrangement of touch nodes can be divided into a plurality of banks of rows. The plurality of second routing traces may be coupled to the second electrodes in a V-shaped pattern using the plurality of second electrical connections. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, for each bank of the plurality of banks of rows in the V-shaped pattern, even rows of the row-column arrangement of touch nodes are row-column of touch nodes. can be interconnected within a first set of contiguous columns of an arrangement; odd-numbered rows of the row-column arrangement of touch nodes may be interconnected in a second set of contiguous columns of the row-column arrangement of touch nodes; Each distance along a second axis different from the first axis between a respective interconnection for each row and a line along the first axis separating the first set of contiguous columns from the second set of contiguous columns is It can decrease for rising rows within a bank.
위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 터치 노드들의 행-열 배열은 행들의 복수의 뱅크들로 분할될 수 있고; 복수의 제2 라우팅 트레이스들은 복수의 제2 전기적 연결부들을 사용하여 S-형상의 패턴으로 제2 전극들에 커플링될 수 있다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, S-형상의 패턴의 행들의 복수의 뱅크들의 각각의 뱅크에 대해, 터치 노드들의 행-열 배열 중 인접 행들은 터치 노드들의 행-열 배열 중 열들의 인접 쌍들 내에서 상호연결될 수 있고, 인접 뱅크들 사이의 인접 행들은 열들의 공통 쌍들 내에서 상호연결될 수 있다.Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, the row-column arrangement of touch nodes can be divided into a plurality of banks of rows; A plurality of second routing traces may be coupled to the second electrodes in an S-shaped pattern using a plurality of second electrical connections. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, for each bank of the plurality of banks of rows of the S-shaped pattern, adjacent rows of the row-column arrangement of touch nodes are a row of touch nodes. -can be interconnected in adjacent pairs of columns in a column arrangement, and adjacent rows between adjacent banks can be interconnected in common pairs of columns.
위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 터치 노드들의 행-열 배열은, 제1 뱅크, 제2 뱅크, 및 제1 뱅크와 제2 뱅크 사이의 제3 뱅크를 포함한, 행들의 복수의 뱅크들로 분할될 수 있다. 제1 뱅크의 터치 노드들의 행-열 배열 중 인접 행들은 터치 노드들의 행-열 배열 중 열들의 인접 쌍들 내에서 상호연결될 수 있고; 제2 뱅크의 터치 노드들의 행-열 배열 중 인접 행들은 터치 노드들의 행-열 배열 중 열들의 인접 쌍들 내에서 상호연결될 수 있고; 2-축 어레이 외측의 경계 영역 내의 복수의 제3 라우팅 트레이스들이 제3 뱅크의 행들 내의 행 전극들에 커플링될 수 있다.Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples the row-column arrangement of touch nodes comprises a first bank, a second bank, and a third bank between the first and second banks. It can be divided into multiple banks of rows. Adjacent rows of the row-column arrangement of touch nodes of the first bank may be interconnected in adjacent pairs of columns of the row-column arrangement of touch nodes; Adjacent rows of the row-column arrangement of touch nodes of the second bank may be interconnected in adjacent pairs of columns of the row-column arrangement of touch nodes; A plurality of third routing traces in a border region outside the two-axis array may be coupled to row electrodes in rows of the third bank.
위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제2 층은, 터치 노드들의 행-열 배열 중 제2 열에 대해, 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제2 복수의 세트들을 포함할 수 있고, 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 복수의 세트들은 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제5 세트, 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제6 세트, 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제7 세트, 및 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제8 세트를 포함한다.Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, the second layer may include, for a second column of the row-column arrangement of touch nodes, a second plurality of sets of one or more routing trace segments. and the plurality of sets of one or more routing trace segments include a fifth set of one or more routing trace segments, a sixth set of one or more routing trace segments, a seventh set of one or more routing trace segments, and a seventh set of one or more routing trace segments. Includes 8 sets.
위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 복수의 제2 라우팅 트레이스들의 제1 라우팅 트레이스 및 복수의 제2 라우팅 트레이스들의 제2 라우팅 트레이스는 제1 열 내에 그리고 제2 열 내에 배치될 수 있고; 복수의 제2 라우팅 트레이스들의 제3 라우팅 트레이스, 복수의 제2 라우팅 트레이스들의 제4 라우팅 트레이스, 복수의 제2 라우팅 트레이스들의 제5 라우팅 트레이스, 및 복수의 제2 라우팅 트레이스들의 제6 라우팅 트레이스는 제2 열 내에 배치될 수 있다. 복수의 제2 라우팅 트레이스들 중 제1 라우팅 트레이스는 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제1 세트의 제1 부분, 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제3 세트의 제1 부분, 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제5 세트의 제1 부분, 및 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제7 세트의 제1 부분을 포함할 수 있고; 복수의 제2 라우팅 트레이스들 중 제2 라우팅 트레이스는 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제2 세트의 제1 부분, 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제4 세트의 제1 부분, 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제6 세트의 제1 부분, 및 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제8 세트의 제1 부분을 포함할 수 있고; 복수의 제2 라우팅 트레이스들 중 제3 라우팅 트레이스는 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제5 세트의 제2 부분 및 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제7 세트의 제2 부분을 포함할 수 있고; 복수의 제2 라우팅 트레이스들 중 제4 라우팅 트레이스는 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제6 세트의 제2 부분 및 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제8 세트의 제2 부분을 포함할 수 있고; 복수의 제2 라우팅 트레이스들 중 제5 라우팅 트레이스는 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제6 세트의 제3 부분을 포함할 수 있고; 복수의 제2 라우팅 트레이스들 중 제6 라우팅 트레이스는 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제8 세트의 제3 부분을 포함할 수 있다. 복수의 제2 라우팅 트레이스들 중 제1 라우팅 트레이스는 제1 열 내에서 그리고/또는 제2 열 내에서 제1 행 내의 제1 행 전극에 커플링될 수 있고; 복수의 제2 라우팅 트레이스들 중 제2 라우팅 트레이스는 제1 열 내에서 그리고/또는 제2 열 내에서 제1 행 내의 제2 행 전극에 커플링될 수 있고; 복수의 제2 라우팅 트레이스들 중 제3 라우팅 트레이스는 제2 열 내에서 제2 행의 제3 행 전극에 커플링될 수 있고; 복수의 제2 라우팅 트레이스들 중 제4 라우팅 트레이스는 제2 열 내에서 제2 행의 제4 행 전극에 커플링될 수 있고; 복수의 제2 라우팅 트레이스들 중 제5 라우팅 트레이스는 제2 열 내에서 제3 행의 제5 행 전극에 커플링될 수 있고; 복수의 제2 라우팅 트레이스들 중 제6 라우팅 트레이스는 제2 열 내에서 제3 행의 제6 행 전극에 커플링될 수 있고;Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples the first routing trace of the plurality of second routing traces and the second routing trace of the plurality of second routing traces are within the first column and within the second column. can be placed; The third routing trace of the plurality of second routing traces, the fourth routing trace of the plurality of second routing traces, the fifth routing trace of the plurality of second routing traces, and the sixth routing trace of the plurality of second routing traces Can be placed within 2 rows. A first routing trace of the second plurality of routing traces is a first portion of a first set of one or more routing trace segments, a first portion of a third set of one or more routing trace segments, a fifth set of one or more routing trace segments. and a first portion of a seventh set of one or more routing trace segments; A second routing trace of the second plurality of routing traces is a first portion of a second set of one or more routing trace segments, a first portion of a fourth set of one or more routing trace segments, a sixth set of one or more routing trace segments. and a first portion of an eighth set of one or more routing trace segments; a third routing trace of the second plurality of routing traces may include a second portion of a fifth set of one or more routing trace segments and a second portion of a seventh set of one or more routing trace segments; a fourth routing trace of the second plurality of routing traces may include a second portion of a sixth set of one or more routing trace segments and a second portion of an eighth set of one or more routing trace segments; a fifth routing trace of the second plurality of routing traces may include a third portion of the sixth set of one or more routing trace segments; A sixth routing trace of the second plurality of routing traces may include a third portion of an eighth set of one or more routing trace segments. A first routing trace of the plurality of second routing traces may be coupled to a first row electrode within a first row within a first column and/or within a second column; a second routing trace of the plurality of second routing traces may be coupled to a second row electrode within a first row within the first column and/or within a second column; a third routing trace of the plurality of second routing traces may be coupled to a third row electrode of a second row within the second column; a fourth routing trace of the plurality of second routing traces may be coupled to a fourth row electrode of a second row within the second column; a fifth routing trace of the plurality of second routing traces may be coupled to a fifth row electrode of a third row within the second column; a sixth routing trace of the plurality of second routing traces may be coupled to a sixth row electrode of a third row within the second column;
위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제2 층은, 터치 노드들의 행-열 배열 중 제2 열에 대해, 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제2 복수의 세트들을 포함할 수 있고, 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 복수의 세트들은 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제5 세트, 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제6 세트, 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제7 세트, 및 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제8 세트를 포함한다. 복수의 제2 라우팅 트레이스들 중 제1 라우팅 트레이스, 복수의 제2 라우팅 트레이스들 중 제2 라우팅 트레이스, 및 복수의 제2 라우팅 트레이스들 중 제3 라우팅 트레이스는 제1 열 내에 배치될 수 있고; 복수의 제2 라우팅 트레이스들의 제4 라우팅 트레이스, 복수의 제2 라우팅 트레이스들의 제5 라우팅 트레이스, 및 복수의 제2 라우팅 트레이스들의 제6 라우팅 트레이스는 제2 열 내에 배치될 수 있다. 복수의 제2 라우팅 트레이스들 중 제1 라우팅 트레이스는 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제1 세트의 제1 부분, 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제2 세트의 제1 부분, 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제3 세트의 제1 부분, 및 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제4 세트의 제1 부분을 포함할 수 있고; 복수의 제2 라우팅 트레이스들 중 제2 라우팅 트레이스는 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제1 세트의 제2 부분 및 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제2 세트의 제2 부분을 포함할 수 있고; 복수의 제2 라우팅 트레이스들 중 제3 라우팅 트레이스는 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제1 세트의 제3 부분을 포함할 수 있다. 제1 열 내에서, 복수의 제2 라우팅 트레이스들 중 제1 라우팅 트레이스는 제1 행의 제1 행 전극에 커플링될 수 있고, 복수의 제2 라우팅 트레이스들 중 제2 라우팅 트레이스는 제2 행의 제2 행 전극에 커플링될 수 있고, 복수의 제2 라우팅 트레이스들 중 제3 라우팅 트레이스는 제3 행의 제3 행 전극에 커플링될 수 있다. 복수의 제2 라우팅 트레이스들 중 제4 라우팅 트레이스는 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제5 세트의 제1 부분, 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제6 세트의 제1 부분, 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제7 세트의 제1 부분, 및 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제8 세트의 제1 부분을 포함할 수 있고; 복수의 제2 라우팅 트레이스들 중 제5 라우팅 트레이스는 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제5 세트의 제2 부분 및 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제6 세트의 제2 부분을 포함할 수 있고; 복수의 제2 라우팅 트레이스들 중 제6 라우팅 트레이스는 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 제5 세트의 제3 부분을 포함할 수 있다. 제2 열 내에서, 복수의 제2 라우팅 트레이스들 중 제4 라우팅 트레이스는 제1 행의 제4 행 전극에 커플링될 수 있고, 복수의 제2 라우팅 트레이스들 중 제5 라우팅 트레이스는 제2 행의 제5 행 전극에 커플링될 수 있고, 복수의 제2 라우팅 트레이스들 중 제6 라우팅 트레이스는 제3 행의 제6 행 전극에 커플링될 수 있다.Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, the second layer may include, for a second column of the row-column arrangement of touch nodes, a second plurality of sets of one or more routing trace segments. and the plurality of sets of one or more routing trace segments include a fifth set of one or more routing trace segments, a sixth set of one or more routing trace segments, a seventh set of one or more routing trace segments, and a seventh set of one or more routing trace segments. Includes 8 sets. A first routing trace of the plurality of second routing traces, a second routing trace of the plurality of second routing traces, and a third routing trace of the plurality of second routing traces may be disposed in the first column; A fourth routing trace of the plurality of second routing traces, a fifth routing trace of the plurality of second routing traces, and a sixth routing trace of the plurality of second routing traces may be disposed in the second column. A first routing trace of the second plurality of routing traces is a first portion of a first set of one or more routing trace segments, a first portion of a second set of one or more routing trace segments, a third set of one or more routing trace segments and a first portion of a fourth set of one or more routing trace segments; a second routing trace of the plurality of second routing traces may include a second portion of the first set of one or more routing trace segments and a second portion of the second set of one or more routing trace segments; A third routing trace of the second plurality of routing traces may include a third portion of the first set of one or more routing trace segments. Within the first column, a first routing trace of the plurality of second routing traces may be coupled to a first row electrode of a first row, and a second routing trace of the plurality of second routing traces may be coupled to a first row electrode of a first row. A third routing trace of the plurality of second routing traces may be coupled to a third row electrode of a third row. A fourth routing trace of the second plurality of routing traces is a first portion of a fifth set of one or more routing trace segments, a first portion of a sixth set of one or more routing trace segments, a seventh set of one or more routing trace segments. and a first portion of an eighth set of one or more routing trace segments; a fifth routing trace of the second plurality of routing traces may include a second portion of a fifth set of one or more routing trace segments and a second portion of a sixth set of one or more routing trace segments; A sixth routing trace of the second plurality of routing traces may include a third portion of the fifth set of one or more routing trace segments. Within the second column, a fourth routing trace of the plurality of second routing traces may be coupled to a fourth row electrode of the first row, and a fifth routing trace of the plurality of second routing traces may be coupled to a fourth row electrode of the first row. and a sixth routing trace of the plurality of second routing traces can be coupled to a sixth row electrode of a third row.
위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 차동 구동 및 차동 감지 상호 커패시턴스 감지 동작 시, 제1 전극들은 송신기 전극들로서 구성될 수 있고 제2 전극들은 수신기 전극들로서 구성될 수 있다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 구동 회로부는 제1 전극들에 커플링될 수 있고 복수의 구동 신호들로 복수의 송신기 전극들을 구동하도록 구성될 수 있다. 터치 노드들의 2-축 어레이 내의 제1 열에 대하여, 복수의 구동 신호들은 제1 열의 하나 이상의 제1 터치 노드들에 인가된 제1 구동 신호 및 터치 노드들의 제1 열 중 하나 이상의 제2 터치 노드들에 인가된 제2 구동 신호를 포함할 수 있다. 터치 노드들의 2-축 어레이 내의 제2 열에 대하여, 복수의 구동 신호들은 제2 열의 하나 이상의 제1 터치 노드들에 인가된 제3 구동 신호 및 제2 열의 하나 이상의 제2 터치 노드들에 인가된 제4 구동 신호를 포함할 수 있다. 제1 구동 신호, 제2 구동 신호, 제3 구동 신호, 및 제4 구동 신호는 적어도 부분적으로 동시에 인가될 수 있다. 제1 구동 신호 및 제3 구동 신호는 상보적인 구동 신호들일 수 있고, 제2 구동 신호 및 제4 구동 신호는 상보적인 구동 신호들일 수 있다. 제1 열의 하나 이상의 제1 터치 노드들 및 제2 열의 하나 이상의 제1 터치 노드들은 대각방향으로 인접한 터치 노드들일 수 있고; 제1 열의 하나 이상의 제2 터치 노드들 및 제2 열의 하나 이상의 제2 터치 노드들은 대각방향으로 인접한 터치 노드들일 수 있다.Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, in a differential drive and differential sense mutual capacitance sensing operation, the first electrodes can be configured as transmitter electrodes and the second electrodes can be configured as receiver electrodes. . Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples the drive circuitry can be coupled to the first electrodes and can be configured to drive the plurality of transmitter electrodes with a plurality of drive signals. For a first column in the two-axis array of touch nodes, the plurality of drive signals are a first drive signal applied to one or more first touch nodes of the first column and one or more second touch nodes of the first column of touch nodes. It may include a second driving signal applied to. For a second column in the two-axis array of touch nodes, the plurality of drive signals include a third drive signal applied to one or more first touch nodes in the second column and a second drive signal applied to one or more second touch nodes in the second column. 4 drive signals may be included. The first drive signal, the second drive signal, the third drive signal, and the fourth drive signal may be applied at least partially simultaneously. The first driving signal and the third driving signal may be complementary driving signals, and the second driving signal and the fourth driving signal may be complementary driving signals. The one or more first touch nodes in the first column and the one or more first touch nodes in the second column may be diagonally adjacent touch nodes; One or more second touch nodes in the first column and one or more second touch nodes in the second column may be diagonally adjacent touch nodes.
위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 복수의 세트들은 제1 열의 일 단부에 있는 제1 터치 노드로부터 제1 열의, 제1 단부의 반대편인 제2 단부에 있는 제2 터치 노드로 연장될 수 있다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제1 축을 따르는, 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 복수의 세트들 각각의 길이는 제1 축을 따르는 제1 열의 길이의 임계 백분율 내에 있을 수 있다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제1 축을 따르는 제1 열의 길이의 임계 백분율은 1%이다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제1 축을 따르는 제1 열의 길이의 임계 백분율은 5%이다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제1 축을 따르는 제1 열의 길이의 임계 백분율은 10%이다.Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, the plurality of sets of one or more routing trace segments may be connected from a first touch node at one end of the first row to a second row, opposite the first end, of the first row. It may extend to the second touch node at the second end. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, a length of each of the plurality of sets of one or more routing trace segments along the first axis may be within a threshold percentage of a length of the first column along the first axis. there is. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, the threshold percentage of the length of the first column along the first axis is 1%. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, the threshold percentage of the length of the first column along the first axis is 5%. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, the threshold percentage of the length of the first column along the first axis is 10%.
위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 하나 이상의 라우팅 트레이스 세그먼트들의 복수의 세트들은 2-축 어레이의 제1 축과는 상이한 2-축 어레이의 제2 축을 따라 동일하게 이격될 수 있다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 복수의 터치 전극들은 금속 메시로 형성될 수 있고, 복수의 제1 라우팅 트레이스들 및 복수의 제2 라우팅 트레이스들은 금속 메시로 형성된다.Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, the plurality of sets of one or more routing trace segments are equally spaced along a second axis of the two-axis array that is different from the first axis of the two-axis array. It can be. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples the plurality of touch electrodes may be formed of a metal mesh, and the plurality of first routing traces and the plurality of second routing traces are formed of a metal mesh .
본 개시내용의 일부 예들은 전자 디바이스에 관한 것이다. 전자 디바이스는 에너지 저장 디바이스; 통신 회로부; 및 터치 스크린을 포함할 수 있다. 터치 스크린은 활성 영역을 갖는 디스플레이; 및 본 명세서에 설명된 터치 스크린을 포함할 수 있다.Some examples of the present disclosure relate to electronic devices. Electronic devices include energy storage devices; communication circuitry; and a touch screen. A touch screen is a display having an active area; and the touch screen described herein.
본 개시내용의 일부 예들은 터치 센서 패널에 관한 것이다. 터치 센서 패널은, 제1 층에 복수의 열 전극들 및 복수의 행 전극들을 포함하고 터치 노드들의 행-열 배열을 형성하는 복수의 터치 전극들; 제1 층과는 상이한 제2 층에 있고, 제1 층과 제2 층 사이의 복수의 제1 전기적 상호연결부들을 사용하여 열 전극들에 커플링된 복수의 제1 라우팅 트레이스들; 및 제2 층에 있고, 제1 층과 제2 층 사이의 복수의 제2 전기적 상호연결부들을 사용하여 행 전극들에 커플링된 복수의 제2 라우팅 트레이스들을 포함할 수 있다. 복수의 제1 라우팅 트레이스들은 행-열 배열 중 열들을 따라 라우팅될 수 있고 터치 노드들의 행-열 배열과 적어도 부분적으로 중첩될 수 있으며; 복수의 제2 트레이스들은 행-열 배열 중 열들을 따라 라우팅될 수 있고 터치 노드들의 행-열 배열과 적어도 부분적으로 중첩될 수 있다. 한 쌍의 열들은 복수의 제2 라우팅 트레이스들 중 6개의 라우팅 트레이스들을 포함할 수 있고, 6개의 라우팅 트레이스들은 한 쌍의 열들 중 제1 열 내에 그리고 제2 열 내에 배치된 제1 라우팅 트레이스 및 제2 라우팅 트레이스; 및 한 쌍의 열들 중 제2 열 내에 배치된 제3 라우팅 트레이스, 제4 라우팅 트레이스, 제5 라우팅 트레이스, 및 제6 라우팅 트레이스를 포함한다.Some examples of the present disclosure relate to a touch sensor panel. The touch sensor panel includes: a plurality of touch electrodes including a plurality of column electrodes and a plurality of row electrodes in a first layer and forming a row-column arrangement of touch nodes; a plurality of first routing traces in a second layer different from the first layer and coupled to the column electrodes using a plurality of first electrical interconnections between the first layer and the second layer; and a plurality of second routing traces in the second layer and coupled to the row electrodes using a plurality of second electrical interconnections between the first layer and the second layer. the plurality of first routing traces may be routed along columns of the row-column arrangement and may at least partially overlap the row-column arrangement of touch nodes; The plurality of second traces may be routed along columns of the row-column arrangement and may at least partially overlap the row-column arrangement of touch nodes. The pair of columns may include six routing traces of the plurality of second routing traces, the six routing traces comprising a first routing trace and a second routing trace disposed in a first column and in a second column of the pair of columns. 2 routing traces; and a third routing trace, a fourth routing trace, a fifth routing trace, and a sixth routing trace disposed in a second one of the pair of columns.
본 개시내용의 일부 예들은 터치 센서 패널에 관한 것이다. 터치 센서 패널은, 제1 층에 복수의 열 전극들 및 복수의 행 전극들을 포함하고 터치 노드들의 행-열 배열을 형성하는 복수의 터치 전극들; 제1 층과는 상이한 제2 층에 있고, 제1 층과 제2 층 사이의 복수의 제1 전기적 상호연결부들을 사용하여 열 전극들에 커플링된 복수의 제1 라우팅 트레이스들; 및 제2 층에 있고, 제1 층과 제2 층 사이의 복수의 제2 전기적 상호연결부들을 사용하여 행 전극들에 커플링된 복수의 제2 라우팅 트레이스들을 포함할 수 있다. 복수의 제1 라우팅 트레이스들은 행-열 배열 중 열들을 따라 라우팅될 수 있고 터치 노드들의 행-열 배열과 적어도 부분적으로 중첩될 수 있으며; 복수의 제2 트레이스들은 행-열 배열 중 열들을 따라 라우팅될 수 있고 터치 노드들의 행-열 배열과 적어도 부분적으로 중첩될 수 있다. 한 쌍의 열들은 복수의 제2 라우팅 트레이스들 중 6개의 라우팅 트레이스들을 포함할 수 있고, 6개의 라우팅 트레이스들은 한 쌍의 열들 중 제1 열 내에 배치된 제1 라우팅 트레이스, 제2 라우팅 트레이스, 및 제3 라우팅 트레이스; 및 한 쌍의 열들 중 제2 열 내에 배치된 제4 라우팅 트레이스, 제5 라우팅 트레이스, 및 제6 라우팅 트레이스를 포함한다.Some examples of the present disclosure relate to a touch sensor panel. The touch sensor panel includes: a plurality of touch electrodes including a plurality of column electrodes and a plurality of row electrodes in a first layer and forming a row-column arrangement of touch nodes; a plurality of first routing traces in a second layer different from the first layer and coupled to the column electrodes using a plurality of first electrical interconnections between the first layer and the second layer; and a plurality of second routing traces in the second layer and coupled to the row electrodes using a plurality of second electrical interconnections between the first layer and the second layer. the plurality of first routing traces may be routed along columns of the row-column arrangement and may at least partially overlap the row-column arrangement of touch nodes; The plurality of second traces may be routed along columns of the row-column arrangement and may at least partially overlap the row-column arrangement of touch nodes. The pair of columns may include six routing traces of the plurality of second routing traces, and the six routing traces include a first routing trace disposed in a first column of the pair of columns, a second routing trace, and a third routing trace; and a fourth routing trace, a fifth routing trace, and a sixth routing trace disposed in a second one of the pair of columns.
본 개시내용의 일부 예들은 터치 스크린에 관한 것이다. 터치 스크린은, 활성 영역을 갖는 디스플레이; 디스플레이 위에 배치된 제1 금속 층 및 제2 금속 층; 및 제1 금속 층과 제2 금속 층 사이에 배치된 중간 유전체 층을 포함할 수 있다. 터치 스크린의 복수의 터치 전극들은 디스플레이의 활성 영역 내에 형성될 수 있고, 복수의 터치 전극들은 제1 금속 층에 제1 금속 메시로 그리고 제2 금속 층에 제1 금속 메시로 형성된 터치 전극을 포함할 수 있다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제1 금속 층의 제1 금속 메시는 제2 금속 층의 제1 금속 메시와 정렬될 수 있다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제2 금속 층의 제1 금속 메시의 폭은 제1 금속 층의 제1 금속 메시의 폭보다 작다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 터치 스크린은, 디스플레이의 활성 영역 내에 형성되고 복수의 터치 전극들에 커플링된 복수의 라우팅 트레이스들을 포함할 수 있다. 복수의 라우팅 트레이스들은 제2 금속 층에 제2 금속 메시로 그리고 제1 금속 층에 제2 금속 메시로 형성된 라우팅 트레이스를 포함할 수 있다.Some examples of this disclosure relate to touch screens. A touch screen includes a display having an active area; a first metal layer and a second metal layer disposed over the display; and an intermediate dielectric layer disposed between the first metal layer and the second metal layer. A plurality of touch electrodes of the touch screen may be formed in an active area of the display, and the plurality of touch electrodes may include a touch electrode formed of a first metal mesh in a first metal layer and a first metal mesh in a second metal layer. can Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, the first metal mesh of the first metal layer can be aligned with the first metal mesh of the second metal layer. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, a width of the first metal mesh of the second metal layer is smaller than a width of the first metal mesh of the first metal layer. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples the touch screen can include a plurality of routing traces formed within an active area of the display and coupled to a plurality of touch electrodes. The plurality of routing traces may include a routing trace formed of a second metal mesh in the second metal layer and a second metal mesh in the first metal layer.
위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제1 금속 층의 제2 금속 메시는 제2 금속 층의 제2 금속 메시와 정렬될 수 있다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제2 금속 층의 제2 금속 메시의 폭은 제1 금속 층의 제2 금속 메시의 폭보다 작다.Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, the second metal mesh of the first metal layer can be aligned with the second metal mesh of the second metal layer. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, a width of the second metal mesh of the second metal layer is smaller than a width of the second metal mesh of the first metal layer.
위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 복수의 터치 전극들은 제2 층에 제1 메시 금속으로 형성된 디스플레이의 활성 영역 내의 브리지들을 사용하여 형성될 수 있다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 터치 스크린은, 디스플레이의 활성 영역 내에 형성되고 복수의 터치 전극들에 커플링된 복수의 라우팅 트레이스들을 추가로 포함할 수 있다. 복수의 라우팅 트레이스들은 제2 금속 층에 제2 금속 메시로 형성된 라우팅 트레이스를 포함할 수 있다. 라우팅 트레이스는 제1 금속 층에 제1 금속 메시로 형성된 터치 전극 아래에 배치될 수 있다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 터치 스크린의 복수의 라우팅은 제1 금속 층에 금속 메시가 없이 제2 금속 층에 제2 금속 메시로 형성될 수 있다.Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, a plurality of touch electrodes may be formed using bridges in the active area of the display formed of the first mesh metal in the second layer. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, the touch screen may further include a plurality of routing traces formed within the active area of the display and coupled to the plurality of touch electrodes. The plurality of routing traces may include a routing trace formed of a second metal mesh in the second metal layer. A routing trace may be disposed below the touch electrode formed of the first metal mesh in the first metal layer. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, the plurality of routings of the touch screen can be formed with a second metal mesh in a second metal layer without a metal mesh in the first metal layer.
위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 터치 스크린의 복수의 터치 전극들 각각은 제1 금속 층에 제1 금속 메시로 그리고 제2 금속 층에 제1 금속 메시로 형성될 수 있다.Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, each of the plurality of touch electrodes of the touch screen may be formed of a first metal mesh in a first metal layer and a first metal mesh in a second metal layer. can
위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제1 금속 층에 제1 금속 메시로 그리고 제2 금속 층에 제1 금속 메시로 형성된 터치 전극은 비중첩 영역들 및 중첩 영역들을 포함할 수 있다. 제1 금속 층의 제1 금속 메시와 제2 금속 층의 제1 금속 메시는 중첩 영역들에서 평행하지 않을 수 있다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제1 금속 층의 제1 금속 메시와 제2 금속 층의 제1 금속 메시는 터치 전극의 중첩 영역들에서 직교할 수 있다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 터치 전극의 중첩 영역들 각각의 면적은 균일할 수 있다.Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, the touch electrode formed of the first metal mesh in the first metal layer and the first metal mesh in the second metal layer has non-overlapping regions and overlapping regions. can include The first metal mesh of the first metal layer and the first metal mesh of the second metal layer may not be parallel in overlapping regions. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, the first metal mesh of the first metal layer and the first metal mesh of the second metal layer may be orthogonal at overlapping regions of the touch electrode. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, an area of each of the overlapping regions of the touch electrode may be uniform.
위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 터치 스크린은 제1 금속 층의 제1 금속 메시 내의 갭들을 충전하고/하거나 제1 금속 층의 제2 금속 메시 내의 갭들을 충전하는 투명 전도성 재료를 추가로 포함할 수 있다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 터치 스크린은 제1 금속 층의 제2 금속 메시 내의 갭들을 충전하지 않고서 제1 금속 층의 제1 금속 메시 내의 갭들을 충전하는 투명 전도성 재료를 추가로 포함할 수 있다.Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, the touch screen fills gaps in the first metal mesh of the first metal layer and/or fills gaps in the second metal mesh of the first metal layer. A transparent conductive material may be further included. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, the touch screen is transparent to fill gaps in the first metal mesh of the first metal layer without filling gaps in the second metal mesh of the first metal layer. A conductive material may be further included.
위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 터치 스크린은 제1 투명 전도성 재료와 제1 금속 층 사이에 그리고/또는 제2 투명 전도성 재료와 제1 금속 층 사이에 배치된 제2 중간 유전체 층을 추가로 포함할 수 있다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 중간 유전체 층은 두께가 0.5 마이크로미터 초과일 수 있다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 중간 유전체 층은 두께가 1 내지 2.5 마이크로미터일 수 있다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 중간 유전체 층은 유기 재료를 포함할 수 있다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 중간 유전체 층은 유전 상수가 5 미만일 수 있다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 중간 유전체 층은 유전 상수가 2.5 내지 4일 수 있다.Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, the touch screen may include a first metal layer disposed between the first transparent conductive material and the first metal layer and/or between the second transparent conductive material and the first metal layer. 2 may further include an intermediate dielectric layer. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples the intermediate dielectric layer can be greater than 0.5 microns thick. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples the intermediate dielectric layer can be between 1 and 2.5 microns thick. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples the middle dielectric layer can include an organic material. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples the intermediate dielectric layer can have a dielectric constant less than 5. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples the intermediate dielectric layer can have a dielectric constant between 2.5 and 4.
본 개시내용의 일부 예들은 터치 스크린에 관한 것이다. 터치 스크린은, 활성 영역을 갖는 디스플레이; 디스플레이 위에 배치된 제1 금속 층 및 제2 금속 층; 및 제1 금속 층과 제2 금속 층 사이에 배치된 중간 유전체 층을 포함할 수 있다. 터치 스크린의 복수의 터치 전극들이 디스플레이의 활성 영역 내에서 제1 금속 층에 제1 금속 메시로 형성될 수 있다. 복수의 터치 전극들은 제1 층에 제1 금속 메시로 형성된 제1 세그먼트 및 제1 층에 제1 금속 메시로 형성된 제2 세그먼트를 포함하는 터치 전극을 포함할 수 있다. 제1 세그먼트와 제2 세그먼트는 제2 금속 층에서 제1 금속 메시에 의해 형성된 브리지 전극에 의해 상호연결될 수 있다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 터치 스크린은 디스플레이의 활성 영역에서 제1 금속 층에 제2 금속 메시로 그리고 제2 금속 층에 제2 금속 메시로 형성된 복수의 터치 전극들에 커플링된 터치 스크린의 복수의 라우팅 트레이스들을 추가로 포함할 수 있다.Some examples of this disclosure relate to touch screens. A touch screen includes a display having an active area; a first metal layer and a second metal layer disposed over the display; and an intermediate dielectric layer disposed between the first metal layer and the second metal layer. A plurality of touch electrodes of the touch screen may be formed as a first metal mesh in a first metal layer within an active area of the display. The plurality of touch electrodes may include a touch electrode including a first segment formed of the first metal mesh on the first layer and a second segment formed of the first metal mesh on the first layer. The first segment and the second segment may be interconnected by a bridge electrode formed by the first metal mesh in the second metal layer. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, the touch screen may include a plurality of touches formed of a second metal mesh in a first metal layer and a second metal mesh in a second metal layer in an active area of the display. It may further include a plurality of routing traces of the touch screen coupled to the electrodes.
본 개시내용의 일부 예들은 전자 디바이스에 관한 것이다. 터치 스크린은 에너지 저장 디바이스; 통신 회로부; 및 터치 스크린을 포함할 수 있다. 터치 스크린은, 활성 영역을 갖는 디스플레이; 디스플레이 위에 배치된 제1 금속 층 및 제2 금속 층; 및 제1 금속 층과 제2 금속 층 사이에 배치된 중간 유전체 층을 포함할 수 있다. 터치 스크린의 복수의 터치 전극들이 디스플레이의 활성 영역 내에 형성될 수 있고, 복수의 터치 전극들은 제1 금속 층에 제1 금속 메시로 그리고 제2 금속 층에 제1 금속 메시로 형성된 터치 전극을 포함한다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 터치 스크린은 디스플레이의 활성 영역에서 제1 금속 층에 제2 금속 메시로 또는 제2 금속 층에 제2 금속 메시로 형성된 복수의 터치 전극들에 커플링된 터치 스크린의 복수의 라우팅 트레이스들을 추가로 포함할 수 있다.Some examples of the present disclosure relate to electronic devices. A touch screen is an energy storage device; communication circuitry; and a touch screen. A touch screen includes a display having an active area; a first metal layer and a second metal layer disposed over the display; and an intermediate dielectric layer disposed between the first metal layer and the second metal layer. A plurality of touch electrodes of the touch screen may be formed in an active area of the display, the plurality of touch electrodes including a touch electrode formed of a first metal mesh in a first metal layer and a first metal mesh in a second metal layer. . Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, the touch screen may include a plurality of touches formed of a second metal mesh in a first metal layer or a second metal mesh in a second metal layer in an active area of the display. It may further include a plurality of routing traces of the touch screen coupled to the electrodes.
일부 예들은 터치 스크린에 관한 것이다. 터치 스크린은 제1 기판, 제1 기판 상에 배치된 복수의 디스플레이 픽셀들, 복수의 디스플레이 픽셀들 위에 형성된 제1 캡슐화 층 - 복수의 디스플레이 픽셀들은 제1 캡슐화 층과 제1 기판 사이에 있음 -, 제1 캡슐화 층 상에 배치된 하나 이상의 금속 층들에 형성된 하나 이상의 제1 전극들, 하나 이상의 층들에 형성된 하나 이상의 제2 전극들을 포함하는 터치 센서 패널, 및 하나 이상의 제1 전극들과 터치 센서 패널 사이에 배치된 유전체 층을 포함할 수 있다.Some examples relate to touch screens. The touch screen includes a first substrate, a plurality of display pixels disposed on the first substrate, a first encapsulation layer formed over the plurality of display pixels, the plurality of display pixels being between the first encapsulation layer and the first substrate; A touch sensor panel comprising one or more first electrodes formed on one or more metal layers disposed on the first encapsulation layer, one or more second electrodes formed on one or more layers, and between the one or more first electrodes and the touch sensor panel. It may include a dielectric layer disposed on.
위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 터치 스크린의 하나 이상의 제1 전극들은 복수의 디스플레이 픽셀들과 터치 센서 패널 사이에 디스플레이-잡음 실드를 포함할 수 있다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제1 캡슐화 층 상의 하나 이상의 금속 층들은 금속 메시를 포함하는 금속 메시 층을 포함할 수 있고, 디스플레이-잡음 실드는 복수의 디스플레이 픽셀들에 걸쳐 연장될 수 있다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 디스플레이-잡음 실드는 금속 메시 층 내의 금속 메시의 개구들 내에 침착된 인듐 주석 산화물(ITO)을 포함할 수 있다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 디스플레이-잡음 실드는 금속 메시 층 내의 금속 메시의 개구들 내에 침착된 전도성 재료를 포함할 수 있다.Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples the one or more first electrodes of the touch screen may include a display-noise shield between the plurality of display pixels and the touch sensor panel. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, the one or more metal layers on the first encapsulation layer can include a metal mesh layer that includes a metal mesh, and the display-noise shield comprises a plurality of display pixels It can extend across fields. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, the display-noise shield can include indium tin oxide (ITO) deposited in the openings of the metal mesh in the metal mesh layer. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples the display-noise shield can include a conductive material deposited within the openings of the metal mesh within the metal mesh layer.
위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 터치 스크린의 하나 이상의 제1 전극들은 복수의 디스플레이 픽셀들과 터치 센서 패널 사이에 디스플레이-잡음 센서를 포함할 수 있는데, 제1 캡슐화 층 상의 하나 이상의 금속 층들은 제1 금속 층, 제2 금속 층, 및 제1 금속 층과 제2 금속 층 사이의 층간 유전체 층을 포함할 수 있다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 디스플레이-잡음 센서의 하나 이상의 제1 전극들 각각은 터치 센서 패널의 하나 이상의 제2 전극들의 각각의 제2 전극에 대응할 수 있다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 터치 스크린은 층간 유전체 층을 통해 제1 금속 층과 제2 금속 층 사이에 복수의 비아들을 추가로 포함할 수 있다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 터치 스크린은 디스플레이-잡음 센서에 커플링되고 터치 센서 패널에 커플링된 감지 회로부를 추가로 포함하는데, 감지 회로부는 하나 이상의 제1 전극들의 측정치들에 기초하여 하나 이상의 제2 전극들의 터치 신호 측정치들로부터 잡음을 제거할 수 있다.Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, the one or more first electrodes of the touch screen may include a display-noise sensor between the plurality of display pixels and the touch sensor panel, wherein the first encapsulation The one or more metal layers on the layer can include a first metal layer, a second metal layer, and an interlevel dielectric layer between the first metal layer and the second metal layer. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, each of the one or more first electrodes of the display-noise sensor may correspond to a respective second electrode of the one or more second electrodes of the touch sensor panel. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, the touch screen can further include a plurality of vias between the first metal layer and the second metal layer through the interlayer dielectric layer. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, the touch screen further includes sensing circuitry coupled to the display-noise sensor and coupled to the touch sensor panel, the sensing circuitry comprising one or more first Noise may be removed from touch signal measurement values of one or more second electrodes based on the measurement values of the electrodes.
위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 터치 스크린의 제1 캡슐화 층은 투명 재료의 잉크젯 인쇄 층을 포함할 수 있다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 잉크젯 인쇄 층은 제1 잉크젯 인쇄 층을 포함할 수 있고, 유전체 층은 제2 잉크젯 인쇄 층을 포함할 수 있다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제1 잉크젯 인쇄 층은 두께가 25 마이크로미터 미만일 수 있는데, 제2 잉크젯 인쇄 층은 두께가 25 마이크로미터 미만이고, 하나 이상의 제1 전극들은 두께가 1 마이크로미터 미만이다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제1 캡슐화 층 상의 하나 이상의 금속 층들은 각각의 두께가 1 마이크로미터 미만일 수 있고, 유전체 층은 두께가 10 마이크로미터 미만일 수 있다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 터치 센서 패널의 하나 이상의 층들은 제1 금속 층, 제2 금속 층, 및 제1 금속 층과 제2 금속 층 사이의 층간 유전체 층을 포함할 수 있는데, 제1 금속 층 및 제2 금속 층 둘 모두는 인듐 주석 산화물(ITO) 층들이다.Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples the first encapsulation layer of the touch screen can include an inkjet printed layer of transparent material. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples the inkjet printed layer can include a first inkjet printed layer and the dielectric layer can include a second inkjet printed layer. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, the first inkjet printed layer can be less than 25 microns thick, the second inkjet printed layer less than 25 microns thick, and one or more first inkjet printed layers can be less than 25 microns thick. The electrodes are less than 1 micrometer thick. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples the one or more metal layers on the first encapsulation layer can each be less than 1 micron thick and the dielectric layer can be less than 10 microns thick. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, the one or more layers of the touch sensor panel include a first metal layer, a second metal layer, and an interlayer dielectric layer between the first and second metal layers. wherein both the first metal layer and the second metal layer are indium tin oxide (ITO) layers.
위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 터치 스크린은 터치 센서 패널 위에 형성된 편광 층, 커버 층, 및 커버 층과 터치 센서 패널 사이의 접착제 층을 추가로 포함할 수 있다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 터치 스크린은 하나 이상의 감지 회로들을 추가로 포함할 수 있고, 각각의 감지 회로는 하나 이상의 제1 전극들에 커플링된 제1 입력, 하나 이상의 제2 전극들에 커플링된 제2 입력, 및 제2 입력으로부터 감산된 제1 입력에 비례하는 출력을 생성하는 차동 증폭기를 포함한다.Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, the touch screen may further include a polarizing layer formed over the touch sensor panel, a cover layer, and an adhesive layer between the cover layer and the touch sensor panel. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples the touch screen can further include one or more sensing circuits, each sensing circuit having a first input coupled to one or more first electrodes. , a second input coupled to one or more second electrodes, and a differential amplifier that produces an output proportional to the first input subtracted from the second input.
본 개시내용의 일부 예들은 터치 센서 패널에 관한 것이다. 터치 센서 패널은 제1 터치 노드를 포함하는 복수의 터치 노드들을 포함할 수 있다. 제1 터치 노드는 제1 층에 제1 복수의 세그먼트들로 형성된 제1 터치 전극 및 제1 층에 제2 복수의 세그먼트들로 형성된 제2 터치 전극을 포함하는 터치 전극들의 제1 차동 감지 쌍; 및 제1 층에 제1 라우팅 트레이스를 갖는 제3 복수의 세그먼트들로 형성된 제3 터치 전극 및 제1 층에 제2 라우팅 트레이스를 갖는 제4 복수의 세그먼트들로 형성된 제4 터치 전극을 포함하는 터치 전극들의 제1 차동 구동 쌍에 대응할 수 있다. 제1 라우팅 트레이스는 제4 복수의 세그먼트들의 쌍 사이에 그리고 제2 복수의 세그먼트들의 제1 쌍 사이에 배치될 수 있고; 제2 라우팅 트레이스는 제3 복수의 세그먼트들의 쌍 사이에 그리고 제1 복수의 세그먼트들의 제1 쌍 사이에 배치될 수 있다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 터치 센서 패널은 제1 브리지 및 제2 브리지를 포함하는 복수의 브리지들을 추가로 포함할 수 있다. 제2 라우팅 트레이스 위의 제1 브리지는 제1 복수의 세그먼트들의 제1 쌍을 연결할 수 있고 제1 라우팅 트레이스 위의 제2 브리지는 제2 복수의 세그먼트들의 제1 쌍을 연결할 수 있다Some examples of the present disclosure relate to a touch sensor panel. The touch sensor panel may include a plurality of touch nodes including a first touch node. The first touch node includes a first differential sensing pair of touch electrodes including a first touch electrode formed of a plurality of first segments on a first layer and a second touch electrode formed of a plurality of segments of a second layer on the first layer; and a third touch electrode formed of a third plurality of segments having a first routing trace on the first layer and a fourth touch electrode formed of a fourth plurality of segments having a second routing trace on the first layer. It may correspond to the first differential driving pair of electrodes. the first routing trace may be disposed between the pair of the fourth plurality of segments and between the first pair of the second plurality of segments; The second routing trace may be disposed between the pair of the third plurality of segments and between the first pair of the first plurality of segments. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, the touch sensor panel may further include a plurality of bridges including a first bridge and a second bridge. A first bridge over the second routing trace can connect the first pair of the first plurality of segments and a second bridge over the first routing trace can connect the first pair of the second plurality of segments.
위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제1 라우팅 트레이스 및 제2 라우팅 트레이스는 평행할 수 있고 인터리빙될 수 있다(예컨대, 수평으로 그리고 대안적으로는 수직으로 정렬될 수 있다). 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제1 터치 노드에 대한 제1 복수의 세그먼트들의 영역은 제1 터치 노드에 대한 제2 복수의 세그먼트들의 영역과 동일하다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제1 터치 노드에 대한 제3 복수의 세그먼트들의 영역은 제1 터치 노드에 대한 제4 복수의 세그먼트들의 영역과 동일하다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제3 복수의 세그먼트들의 쌍 중 하나의 세그먼트가 제1 복수의 세그먼트들의 제1 쌍 중 하나의 세그먼트의 3개의 측부들 상에 배치되고, 제3 복수의 세그먼트들의 쌍 중 다른 하나의 세그먼트가 제1 복수의 세그먼트들의 제1 쌍 중 다른 하나의 세그먼트의 3개의 측부들 상에 배치된다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제4 복수의 세그먼트들의 쌍 중 하나의 세그먼트가 제2 복수의 세그먼트들의 제1 쌍 중 하나의 세그먼트의 3개의 측부들 상에 배치되고, 제4 복수의 세그먼트들의 쌍 중 다른 하나의 세그먼트가 제2 복수의 세그먼트들의 제1 쌍 중 다른 하나의 세그먼트의 3개의 측부들 상에 배치된다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제1 복수의 세그먼트들 및 제2 복수의 세그먼트들은 직사각형이다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제3 복수의 세그먼트들 및 제4 복수의 세그먼트들은 직사각형이다.Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, the first routing trace and the second routing trace can be parallel and interleaved (e.g., aligned horizontally and alternatively vertically). there is). Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, an area of the first plurality of segments for the first touch node is the same as an area of the second plurality of segments for the first touch node. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, an area of the third plurality of segments for the first touch node is the same as an area of the fourth plurality of segments for the first touch node. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, one segment of the pair of third plurality of segments is disposed on three sides of one segment of the first pair of first plurality of segments. and the other of the third plurality of pairs of segments is disposed on the three sides of the other of the first pair of the first plurality of segments. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, one segment of the pair of the fourth plurality of segments is disposed on three sides of one segment of the first pair of the second plurality of segments. and the other of the fourth plurality of pairs of segments is disposed on the three sides of the other of the first pair of the second plurality of segments. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples the first plurality of segments and the second plurality of segments are rectangular. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples the third plurality of segments and the fourth plurality of segments are rectangular.
위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 복수의 터치 노드들은 제1 터치 전극 및 제2 터치 전극을 포함하는 터치 전극들의 제1 차동 감지 쌍; 및 제1 층에 제3 라우팅 트레이스를 갖는 제5 복수의 세그먼트들로 형성된 제5 터치 전극 및 제1 층에 제4 라우팅 트레이스를 갖는 제6 복수의 세그먼트들로 형성된 제6 터치 전극을 포함하는 터치 전극들의 제2 차동 구동 쌍에 대응하는 (예컨대, 제1 터치 노드에 수평으로 인접한) 제2 터치 노드를 포함한다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제3 라우팅 트레이스는 제6 복수의 세그먼트들의 쌍 사이에 그리고 제2 복수의 세그먼트들의 제2 쌍 사이에 배치될 수 있고; 제4 라우팅 트레이스는 제5 복수의 세그먼트들의 쌍 사이에 그리고 제1 복수의 세그먼트들의 제2 쌍 사이에 배치될 수 있다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 복수의 브리지들은 제3 브리지 및 제4 브리지를 포함한다. 제4 라우팅 트레이스 위의 제3 브리지는 제1 복수의 세그먼트들의 제2 쌍을 연결할 수 있고; 제3 라우팅 트레이스 위의 제4 브리지는 제2 복수의 세그먼트들의 제2 쌍을 연결할 수 있다Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, the plurality of touch nodes include a first differential sensing pair of touch electrodes including a first touch electrode and a second touch electrode; and a fifth touch electrode formed of a fifth plurality of segments having a third routing trace on the first layer and a sixth touch electrode formed of a sixth plurality of segments having a fourth routing trace on the first layer. and a second touch node (eg, horizontally adjacent to the first touch node) corresponding to the second differential driving pair of electrodes. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, in addition to or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, the third routing trace is between a pair of the sixth plurality of segments and 2 may be disposed between a second pair of plurality of segments; A fourth routing trace may be disposed between the pair of the fifth plurality of segments and between the second pair of the first plurality of segments. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, the plurality of bridges include a third bridge and a fourth bridge. A third bridge over the fourth routing trace may connect the second pair of segments of the first plurality; A fourth bridge over the third routing trace may connect the second pair of the second plurality of segments.
위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 복수의 터치 노드들은 복수의 터치 노드들은 제1 층에 제5 복수의 세그먼트들로 형성된 제5 터치 전극 및 제6 복수의 세그먼트들로 형성된 제6 터치 전극을 포함하는 터치 전극들의 제2 차동 감지 쌍; 및 제1 층에 제3 라우팅 트레이스를 갖는 제3 복수의 세그먼트들로 형성된 제3 터치 전극 및 제1 층에 제4 라우팅 트레이스를 갖는 제4 복수의 세그먼트들로 형성된 제4 터치 전극을 포함하는 터치 전극들의 제1 차동 구동 쌍에 대응하는 (예컨대, 제1 터치 노드에 수직으로 인접한) 제2 터치 노드를 포함한다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제3 라우팅 트레이스는 제6 복수의 세그먼트들의 쌍 사이에 그리고 제4 복수의 세그먼트들의 제2 쌍 사이에 배치될 수 있고; 제4 라우팅 트레이스는 제5 복수의 세그먼트들의 쌍 사이에 그리고 제3 복수의 세그먼트들의 제2 쌍 사이에 배치될 수 있다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 복수의 브리지들은 제3 브리지 및 제4 브리지를 포함한다. 제4 라우팅 트레이스 위의 제3 브리지는 제5 복수의 세그먼트들의 쌍을 연결할 수 있고; 제3 라우팅 트레이스 위의 제4 브리지는 제6 복수의 세그먼트들의 쌍을 연결할 수 있다Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, the plurality of touch nodes include a fifth touch electrode formed of a fifth plurality of segments and a sixth plurality of segments in the first layer. a second differential sensing pair of touch electrodes including a sixth touch electrode formed of; and a third touch electrode formed of a third plurality of segments having a third routing trace on the first layer and a fourth touch electrode formed of a fourth plurality of segments having a fourth routing trace on the first layer. and a second touch node corresponding to the first differential driving pair of electrodes (eg, vertically adjacent to the first touch node). Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, the third routing trace can be disposed between the pair of the sixth plurality of segments and between the second pair of the fourth plurality of segments; A fourth routing trace may be disposed between the pair of the fifth plurality of segments and between the second pair of the third plurality of segments. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, the plurality of bridges include a third bridge and a fourth bridge. a third bridge over the fourth routing trace may connect the pair of segments of the fifth plurality; A fourth bridge over the third routing trace may connect the pair of the sixth plurality of segments.
본 개시내용의 일부 예들은 터치 센서 패널에 관한 것이다. 터치 센서 패널은 제1 터치 노드를 포함하는 복수의 터치 노드들을 포함할 수 있다. 제1 터치 노드는 제1 층에 제1 복수의 세그먼트들로 형성된 제1 터치 전극 및 제1 층에 제2 복수의 세그먼트들로 형성된 제2 터치 전극을 포함하는 터치 전극들의 차동 감지 쌍; 및 제1 층에 제1 라우팅 트레이스를 갖는 제3 복수의 세그먼트들로 형성된 제3 터치 전극 및 제1 층에 제2 라우팅 트레이스를 갖는 제4 복수의 세그먼트들로 형성된 제4 터치 전극을 포함하는 터치 전극들의 차동 구동 쌍에 대응할 수 있다. 제1 복수의 세그먼트들의 쌍은 제2 층 내의 제1 브리지에 의해 연결될 수 있고, 제2 복수의 세그먼트들의 쌍은 제2 층 내의 제2 브리지에 의해 연결될 수 있고, 제3 복수의 세그먼트들의 쌍은 제2 층 내의 제3 브리지에 의해 연결될 수 있고, 제4 복수의 세그먼트들의 쌍은 제2 층 내의 제4 브리지에 의해 또는 제1 층 내의 라우팅 트레이스에 의해 연결될 수 있다.Some examples of the present disclosure relate to a touch sensor panel. The touch sensor panel may include a plurality of touch nodes including a first touch node. The first touch node includes a differential sensing pair of touch electrodes including a first touch electrode formed of a first plurality of segments on the first layer and a second touch electrode formed of a second plurality of segments on the first layer; and a third touch electrode formed of a third plurality of segments having a first routing trace on the first layer and a fourth touch electrode formed of a fourth plurality of segments having a second routing trace on the first layer. It may correspond to a differential driving pair of electrodes. A pair of first plurality of segments may be connected by a first bridge in a second layer, a pair of second plurality of segments may be connected by a second bridge in a second layer, and a pair of third plurality of segments may be connected by a second bridge in a second layer. may be connected by a third bridge in the second layer, and a pair of fourth plurality of segments may be connected by a fourth bridge in the second layer or by a routing trace in the first layer.
위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제1 터치 전극 및 제2 터치 전극은 제1 터치 노드 내에 인터리빙되고, 제3 터치 전극 및 제4 터치 전극은 제1 터치 노드 내에 인터리빙된다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제1 터치 노드에 대한 제1 복수의 세그먼트들의 영역은 제1 터치 노드에 대한 제2 복수의 세그먼트들의 영역과 동일하다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제1 터치 노드에 대한 제3 복수의 세그먼트들의 영역은 제1 터치 노드에 대한 제4 복수의 세그먼트들의 영역과 동일하다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제3 복수의 세그먼트들의 쌍 중 하나의 세그먼트가 제1 복수의 세그먼트들의 쌍 중 하나의 세그먼트의 3개의 측부들 상에 배치되고, 제3 복수의 세그먼트들의 쌍 중 다른 하나의 세그먼트가 제1 복수의 세그먼트들의 쌍 중 다른 하나의 세그먼트의 3개의 측부들 상에 배치된다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제4 복수의 세그먼트들의 쌍 중 하나의 세그먼트가 제2 복수의 세그먼트들의 쌍 중 하나의 세그먼트의 3개의 측부들 상에 배치되고, 제4 복수의 세그먼트들의 쌍 중 다른 하나의 세그먼트가 제2 복수의 세그먼트들의 쌍 중 다른 하나의 세그먼트의 3개의 측부들 상에 배치된다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제1 복수의 세그먼트들 및 제2 복수의 세그먼트들은 직사각형이다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제3 복수의 세그먼트들 및 제4 복수의 세그먼트들은 직사각형이다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제1 복수의 세그먼트들은 제1 연장부 및 제2 연장부를 포함하고, 제2 복수의 세그먼트들은 제3 연장부 및 제4 연장부를 포함한다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제1 브리지는 제1 연장부를 제2 연장부에 연결하고 및 제2 브리지는 제3 연장부를 제4 연장부에 연결한다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제3 터치 전극은 제1 터치 전극과 제4 터치 전극 사이에 배치되고 제4 터치 전극은 제2 터치 전극과 제3 터치 전극 사이에 배치된다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제1 터치 노드는 제1 터치 전극과 제3 터치 전극 사이의 상호 커패시턴스 및 제2 터치 전극과 제4 터치 전극 사이의 상호 커패시턴스의 합을 측정하도록 감지된다.Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, the first touch electrode and the second touch electrode are interleaved within the first touch node, and the third touch electrode and the fourth touch electrode are interleaved within the first touch node. are interleaved. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, an area of the first plurality of segments for the first touch node is the same as an area of the second plurality of segments for the first touch node. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, an area of the third plurality of segments for the first touch node is the same as an area of the fourth plurality of segments for the first touch node. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples one segment of the third plurality of pairs of segments is disposed on three sides of one of the first plurality of pairs of segments; Another one of the third plurality of pairs of segments is disposed on three sides of the other of the first plurality of pairs of segments. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples one segment of the pair of fourth plurality of segments is disposed on three sides of one segment of the pair of second plurality of segments; Another one of the fourth plurality of pairs of segments is disposed on three sides of the other of the second plurality of pairs of segments. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples the first plurality of segments and the second plurality of segments are rectangular. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples the third plurality of segments and the fourth plurality of segments are rectangular. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, the first plurality of segments comprises a first extension and a second extension, and the second plurality of segments comprises a third extension and a fourth extension. include Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, the first bridge connects the first extension to the second extension and the second bridge connects the third extension to the fourth extension. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, the third touch electrode is disposed between the first touch electrode and the fourth touch electrode and the fourth touch electrode is disposed between the second touch electrode and the third touch electrode. is placed on Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, the first touch node may be configured to measure a mutual capacitance between the first touch electrode and the third touch electrode and a mutual capacitance between the second touch electrode and the fourth touch electrode. detected to measure the sum.
본 개시내용의 일부 예들은 터치 센서 패널에 관한 것이다. 터치 센서 패널은 제1 터치 노드 및 제2 터치 노드를 포함하는 복수의 터치 노드들을 포함할 수 있다. 제1 터치 노드는 제1 층에 제1 복수의 세그먼트들을 포함하는 제1 터치 전극 및 제1 층에 제2 복수의 세그먼트들 및 제1 라우팅 트레이스를 포함하는 제2 터치 전극에 대응할 수 있다. 제2 터치 노드는 제1 층에 제3 복수의 세그먼트들을 포함하는 제3 터치 전극 및 제1 층에 제4 복수의 세그먼트들 및 제2 라우팅 트레이스를 포함하는 제4 터치 전극에 대응할 수 있다. 제1 라우팅 트레이스는 제4 복수의 세그먼트들의 쌍 사이에 배치될 수 있고 제3 복수의 세그먼트들의 쌍을 분리할 수 있다. 제2 라우팅 트레이스는 제2 복수의 세그먼트들의 쌍 사이에 배치될 수 있고 제1 복수의 세그먼트들의 쌍 사이를 분리할 수 있다.Some examples of the present disclosure relate to a touch sensor panel. The touch sensor panel may include a plurality of touch nodes including a first touch node and a second touch node. The first touch node may correspond to a first touch electrode including a plurality of first segments on the first layer and a second touch electrode including a plurality of second segments and a first routing trace on the first layer. The second touch node may correspond to a third touch electrode including a plurality of third segments on the first layer and a fourth touch electrode including a plurality of fourth segments and a second routing trace on the first layer. The first routing trace may be disposed between the pair of the fourth plurality of segments and may separate the pair of the third plurality of segments. A second routing trace can be disposed between the pair of the second plurality of segments and can separate between the pair of the first plurality of segments.
위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제2 라우팅 트레이스 위의 제1 브리지는 제1 복수의 세그먼트들의 쌍을 연결하고, 제1 라우팅 트레이스 위의 제2 브리지는 제3 복수의 세그먼트들의 쌍을 연결한다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제2 터치 전극 및 제4 터치 전극들은 터치 전극들의 차동 구동 쌍이고, 제1 터치 전극 및 제3 터치 전극은 비-차동(예컨대, 단일 종단형 감지)이다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제2 터치 전극 및 제4 터치 전극들은 인터리빙되고, 제1 터치 전극 및 제3 터치 전극은 인터리빙되지 않는다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제1 터치 노드에 대한 제1 복수의 세그먼트들의 영역은 제2 터치 노드에 대한 제3 복수의 세그먼트들의 영역과 동일하다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제1 터치 노드에 대한 제2 복수의 세그먼트들의 영역은 제2 터치 노드에 대한 제4 복수의 세그먼트들의 영역과 동일하다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제4 복수의 세그먼트들의 쌍 중 하나의 세그먼트가 제1 복수의 세그먼트들의 쌍 중 하나의 세그먼트의 3개의 측부들 상에 배치되고, 제4 복수의 세그먼트들의 쌍 중 다른 하나의 세그먼트가 제1 복수의 세그먼트들의 쌍 중 다른 하나의 세그먼트의 3개의 측부들 상에 배치된다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제2 복수의 세그먼트들의 쌍 중 하나의 세그먼트가 제3 복수의 세그먼트들의 쌍 중 하나의 세그먼트의 3개의 측부들 상에 배치되고, 제2 복수의 세그먼트들의 쌍 중 다른 하나의 세그먼트가 제3 복수의 세그먼트들의 쌍 중 다른 하나의 세그먼트의 3개의 측부들 상에 배치된다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제1 복수의 세그먼트들 및 제3 복수의 세그먼트들은 직사각형이다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제2 복수의 세그먼트들 및 제4 복수의 세그먼트들은 직사각형이다.Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, the first bridge over the second routing trace connects the pair of first plurality of segments, and the second bridge over the first routing trace connects the pair of segments to the third. Connect a plurality of pairs of segments. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, the second touch electrode and the fourth touch electrodes are a differential driving pair of touch electrodes, and the first touch electrode and the third touch electrode are non-differential (eg , single-ended sensing). Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples the second touch electrode and the fourth touch electrode are interleaved and the first touch electrode and the third touch electrode are not interleaved. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, an area of the first plurality of segments for the first touch node is the same as an area of the third plurality of segments for the second touch node. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, an area of the second plurality of segments for the first touch node is the same as an area of the fourth plurality of segments for the second touch node. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, one segment of the fourth plurality of pairs of segments is disposed on three sides of one segment of the first plurality of pairs of segments; Another one of the fourth plurality of pairs of segments is disposed on three sides of the other of the first plurality of pairs of segments. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples one segment of the pair of second plurality of segments is disposed on three sides of one segment of the pair of third plurality of segments; The other of the second plurality of pairs of segments is disposed on the three sides of the other of the third plurality of pairs of segments. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples the first plurality of segments and the third plurality of segments are rectangular. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples the second plurality of segments and the fourth plurality of segments are rectangular.
본 개시내용의 일부 예들은 터치 스크린에 관한 것이다. 터치 스크린은 제1 축을 따르는 복수의 디스플레이 데이터 라인들, 제1 축을 따르는 터치 전극들의 복수의 차동 구동 쌍들, 및 제1 축과는 상이한 제2 축을 따르는 복수의 감지 터치 전극을 포함할 수 있다. 각각의 차동 구동 쌍(또는, 일부 예들에서, 차동 구동 쌍 각각)은 제1 층에 제1 복수의 세그먼트들로 형성된 제1 터치 전극 및 제1 층에 제2 복수의 세그먼트들로 형성된 제2 터치 전극을 포함한다. 제1 복수의 세그먼트들 및 제2 복수의 세그먼트들은 제1 축을 따라 인터리빙된다. 복수의 감지 터치 전극들은 제1 층에 제3 복수의 세그먼트들로 형성된 제3 터치 전극 및 제1 층에 제4 복수의 세그먼트들로 형성된 제4 터치 전극을 포함한다. 제1 터치 노드는 제2 복수의 세그먼트들의 다수 개로 인터리빙된 제1 복수의 세그먼트들의 다수 개; 및 제4 복수의 세그먼트들의 다수 개로 제1 축을 따라 인터리빙된 제3 복수의 세그먼트들의 다수 개를 포함할 수 있다.Some examples of this disclosure relate to touch screens. The touch screen may include a plurality of display data lines along a first axis, a plurality of differential drive pairs of touch electrodes along a first axis, and a plurality of sensing touch electrodes along a second axis different from the first axis. Each differential drive pair (or, in some examples, each differential drive pair) includes a first touch electrode formed of a first plurality of segments in a first layer and a second touch formed of a second plurality of segments in a first layer. contains electrodes. The first plurality of segments and the second plurality of segments are interleaved along a first axis. The plurality of sensing touch electrodes include a third touch electrode formed of a plurality of third segments on the first layer and a fourth touch electrode formed of a plurality of fourth segments on the first layer. The first touch node may include a plurality of first plurality of segments interleaved with a plurality of second plurality of segments; and a plurality of third plurality of segments interleaved along the first axis with a plurality of fourth plurality of segments.
위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제1 터치 노드에 대한 제1 복수의 세그먼트들의 다수 개 각각의 일부분은 제1 터치 노드에 대한 제3 복수의 세그먼트들의 다수 개 각각의 일부분 주위에 배치되고; 제1 터치 노드에 대한 제2 복수의 세그먼트들의 다수 개 각각의 일부분은 제1 터치 노드에 대한 제4 복수의 세그먼트들의 다수 개 각각의 일부분 주위에 배치된다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제1 축과 제2 축은 직교한다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제3 복수의 세그먼트들 중 제1 세그먼트와 제3 복수의 세그먼트들 중 제1 세그먼트에 가장 가까운 제4 복수의 세그먼트들 중 제1 세그먼트의 피치는 제1 터치 노드의 피치의 1/4 미만이다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제3 복수는 터치 스크린의 활성 영역 외측에서 또는 그의 에지에서의 경계 영역에서 상호연결된다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 복수의 감지 전극들은 감지된 단일 종단 구성으로 감지 회로부에 커플링된다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제1 복수의 세그먼트들은 터치 스크린의 활성 영역에서 상호연결되고 제2 복수의 세그먼트들은 터치 스크린의 활성 영역에서 상호연결된다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제1 터치 노드는 제2 복수의 세그먼트들의 쌍으로 인터리빙된 제1 복수의 세그먼트들의 적어도 한 쌍, 및 제4 복수의 세그먼트들의 쌍으로 인터리빙된 제3 복수의 세그먼트들의 적어도 한 쌍을 포함한다.Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, each portion of a plurality of segments of the first plurality for the first touch node is a portion of each of a plurality of segments of the third plurality for the first touch node disposed around a portion of; A portion of each of a plurality of segments for the first touch node is disposed around a portion of each of a plurality of segments for the first touch node. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples the first axis and the second axis are orthogonal. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, a first segment of the third plurality and a first one of the fourth plurality of segments closest to the first segment of the third plurality The pitch of the segments is less than 1/4 of the pitch of the first touch node. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples the third plurality is interconnected in a border area outside or at an edge of the active area of the touch screen. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, the plurality of sensing electrodes are coupled to the sensing circuitry in a sensed single-ended configuration. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, a first plurality of segments are interconnected in an active area of the touch screen and a second plurality of segments are interconnected in an active area of the touch screen. Additionally or alternatively to one or more of the examples disclosed above, in some examples, the first touch node comprises at least one pair of first plurality of segments interleaved with a pair of second plurality of segments, and a fourth plurality of pair of segments. and at least one pair of the third plurality of segments interleaved with
본 개시내용의 일부 예들은 위에 제시된 예들 중 일부에 의해 설명된 바와 같은 에너지 저장 디바이스, 통신 회로부, 및 터치 스크린을 포함하는 전자 디바이스에 관한 것이다. 본 개시내용의 예들이 첨부 도면을 참조하여 충분히 기술되었지만, 다양한 변경들 및 수정들이 당업자에게 명백하게 될 것이라는 것이 주목될 것이다. 이러한 변경들 및 수정들은 첨부된 청구범위에 의해 정의된 바와 같이 본 개시내용의 예들의 범주 내에 포함되는 것으로 이해되어야 한다.Some examples of the present disclosure relate to an electronic device that includes an energy storage device, communication circuitry, and a touch screen as described by some of the examples presented above. Although examples of the present disclosure have been fully described with reference to the accompanying drawings, it will be noted that various changes and modifications will become apparent to those skilled in the art. Such changes and modifications are to be understood as being included within the scope of examples of the present disclosure as defined by the appended claims.
Claims (25)
활성 영역을 갖는 디스플레이;
상기 디스플레이 위에 배치된 제1 금속 층 및 제2 금속 층; 및
상기 제1 금속 층과 상기 제2 금속 층 사이에 배치된 중간 유전체 층을 포함하고;
상기 터치 스크린의 복수의 터치 전극들이 상기 디스플레이의 활성 영역 내에 형성되고, 상기 복수의 터치 전극들은 상기 제1 금속 층에 제1 금속 메시로 그리고 상기 제2 금속 층에 제1 금속 메시로 형성된 터치 전극을 포함하는, 터치 스크린.As a touch screen,
a display having an active area;
a first metal layer and a second metal layer disposed over the display; and
an intermediate dielectric layer disposed between the first metal layer and the second metal layer;
A plurality of touch electrodes of the touch screen are formed in an active area of the display, the plurality of touch electrodes are formed of a first metal mesh in the first metal layer and a first metal mesh in the second metal layer. Including, touch screen.
상기 디스플레이의 활성 영역 내에 형성되고 상기 복수의 터치 전극들에 커플링된 복수의 라우팅 트레이스들을 추가로 포함하고, 상기 복수의 라우팅 트레이스들은 상기 제2 금속 층에 제2 금속 메시로 그리고 상기 제1 금속 층에 제2 금속 메시로 형성된 라우팅 트레이스를 포함하는, 터치 스크린.According to claim 1,
further comprising a plurality of routing traces formed within an active area of the display and coupled to the plurality of touch electrodes, the plurality of routing traces to a second metal mesh in the second metal layer and to the first metal layer; A touch screen comprising a routing trace formed of a second metal mesh in a layer.
상기 디스플레이의 활성 영역 내에 형성되고 상기 복수의 터치 전극들에 커플링된 복수의 라우팅 트레이스들을 추가로 포함하고, 상기 복수의 라우팅 트레이스들은 상기 제2 금속 층에 제2 금속 메시로 형성된 라우팅 트레이스를 포함하고, 상기 라우팅 트레이스는 상기 제1 금속 층에 상기 제1 금속 메시로 형성된 상기 터치 전극 아래에 배치되는, 터치 스크린.According to claim 1,
further comprising a plurality of routing traces formed in an active area of the display and coupled to the plurality of touch electrodes, the plurality of routing traces comprising a routing trace formed of a second metal mesh in the second metal layer. and wherein the routing trace is disposed under the touch electrode formed of the first metal mesh in the first metal layer.
상기 제1 금속 층의 제1 금속 메시 내의 갭들을 충전하고 상기 제1 금속 층의 제2 금속 메시 내의 갭들을 충전하는 투명 전도성 재료를 추가로 포함하는, 터치 스크린.According to claim 1,
and a transparent conductive material that fills gaps in the first metal mesh of the first metal layer and fills gaps in the second metal mesh of the first metal layer.
상기 제1 금속 층의 제2 금속 메시 내의 갭들을 충전하지 않고서 상기 제1 금속 층의 제1 금속 메시 내의 갭들을 충전하는 투명 전도성 재료를 추가로 포함하는, 터치 스크린.According to claim 1,
and a transparent conductive material that fills gaps in the first metal mesh of the first metal layer without filling gaps in the second metal mesh of the first metal layer.
제1 투명 전도성 재료와 상기 제1 금속 층 사이에 그리고 제2 투명 전도성 재료와 상기 제1 금속 층 사이에 배치된 제2 중간 유전체 층을 추가로 포함하는, 터치 스크린.According to claim 14,
and a second intermediate dielectric layer disposed between the first transparent conductive material and the first metal layer and between the second transparent conductive material and the first metal layer.
활성 영역을 갖는 디스플레이;
상기 디스플레이 위에 배치된 제1 금속 층 및 제2 금속 층; 및
상기 제1 금속 층과 상기 제2 금속 층 사이에 배치된 중간 유전체 층을 포함하고;
상기 터치 스크린의 복수의 터치 전극들이 상기 디스플레이의 활성 영역 내에서 상기 제1 금속 층에 제1 금속 메시로 형성되고, 상기 복수의 터치 전극들은 상기 제1 층에 상기 제1 금속 메시로 형성된 제1 세그먼트 및 상기 제1 층에 상기 제1 금속 메시로 형성된 제2 세그먼트를 포함하는 터치 전극을 포함하고, 상기 제1 세그먼트와 상기 제2 세그먼트는 상기 제2 금속 층에서 제1 금속 메시에 의해 형성된 브리지 전극에 의해 상호연결되고,
상기 복수의 터치 전극들에 커플링된 상기 터치 스크린의 복수의 라우팅 트레이스들이 상기 디스플레이의 활성 영역에서 상기 제1 금속 층에 제2 금속 메시로 그리고 상기 제2 금속 층에 제2 금속 메시로 형성되는, 터치 스크린.As a touch screen,
a display having an active area;
a first metal layer and a second metal layer disposed over the display; and
an intermediate dielectric layer disposed between the first metal layer and the second metal layer;
A plurality of touch electrodes of the touch screen are formed of a first metal mesh in the first metal layer within an active area of the display, and the plurality of touch electrodes are formed of a first metal mesh in the first layer. a touch electrode including a segment and a second segment formed of the first metal mesh in the first layer, wherein the first segment and the second segment are formed by the first metal mesh in the second metal layer; interconnected by electrodes,
wherein a plurality of routing traces of the touch screen coupled to the plurality of touch electrodes are formed with a second metal mesh in the first metal layer and a second metal mesh in the second metal layer in an active area of the display. , touch screen.
상기 제1 금속 층의 제1 금속 메시 내의 갭들을 충전하거나 상기 제1 금속 층의 제2 금속 메시 내의 갭들을 충전하는 투명 전도성 재료를 추가로 포함하는, 터치 스크린.According to claim 21,
and a transparent conductive material that fills gaps in the first metal mesh of the first metal layer or fills gaps in the second metal mesh of the first metal layer.
에너지 저장 디바이스;
통신 회로부; 및
터치 스크린을 포함하고, 상기 터치 스크린은,
활성 영역을 갖는 디스플레이;
상기 디스플레이 위에 배치된 제1 금속 층 및 제2 금속 층; 및
상기 제1 금속 층과 상기 제2 금속 층 사이에 배치된 중간 유전체 층을 포함하고;
상기 터치 스크린의 복수의 터치 전극들이 상기 디스플레이의 활성 영역 내에 형성되고, 상기 복수의 터치 전극들은 상기 제1 금속 층에 제1 금속 메시로 그리고 상기 제2 금속 층에 제1 금속 메시로 형성된 터치 전극을 포함하고;
상기 복수의 터치 전극들에 커플링된 상기 터치 스크린의 복수의 라우팅 트레이스들이 상기 디스플레이의 활성 영역에서 상기 제1 금속 층에 제2 금속 메시로 또는 상기 제2 금속 층에 제2 금속 메시로 형성되는, 전자 디바이스.As an electronic device,
energy storage devices;
communication circuitry; and
It includes a touch screen, the touch screen,
a display having an active area;
a first metal layer and a second metal layer disposed over the display; and
an intermediate dielectric layer disposed between the first metal layer and the second metal layer;
A plurality of touch electrodes of the touch screen are formed in an active area of the display, the plurality of touch electrodes are formed of a first metal mesh in the first metal layer and a first metal mesh in the second metal layer. contains;
A plurality of routing traces of the touch screen coupled to the plurality of touch electrodes are formed with a second metal mesh in the first metal layer or a second metal mesh in the second metal layer in an active area of the display. , electronic devices.
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KR102544152B1 (en) * | 2023-04-05 | 2023-06-15 | (주) 아하 | Input detection sensor enabling external input detection in a non-contact state with improved light transmittance and display device including the same |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR102544152B1 (en) * | 2023-04-05 | 2023-06-15 | (주) 아하 | Input detection sensor enabling external input detection in a non-contact state with improved light transmittance and display device including the same |
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