KR20230039103A - A method for micro led assembly - Google Patents

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박아현
백승재
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Abstract

Provided is a method for manufacturing a microelectrode assembly which minimizes changes in physical properties during a microelectrode manufacturing process by accommodating a vertical type electrode on a circuit board, and enables a large amount of microelectrode transfer. The method includes the steps of: forming a circuit board; disposing a micro LED on the circuit board; and arranging the micro LED and the circuit board.

Description

마이크로 엘이디 어셈블리 제조방법{A METHOD FOR　MICRO LED ASSEMBLY}Micro LED assembly manufacturing method {A METHOD FOR　MICRO LED ASSEMBLY}

본 발명은 마이크로 엘이디 어셈블리 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로 버티컬 타입의 전극이 회로기판에 수용되도록 형성하여 마이크로 엘이디 패널 제조 과정에서의 물성 변화를 최소화하며, 저비용으로 대량 전사가 가능할 수 있는 마이크로 엘이디 어셈블리 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method for manufacturing a micro-LED assembly, and more specifically, a micro-LED capable of mass-transferring at low cost and minimizing changes in physical properties during the manufacturing process of a micro-LED panel by forming vertical-type electrodes to be accommodated on a circuit board. It relates to an assembly manufacturing method.

이하에서 기술되는 내용은 본 발명의 실시 예와 관련되는 배경 정보를 제공할 목적으로 기재된 것일 뿐이고, 기술되는 내용들이 당연하게 종래기술을 구성하는 것은 아니다. The contents described below are only described for the purpose of providing background information related to an embodiment of the present invention, and the contents described do not naturally constitute prior art.

일반적으로 엘이디는 전류를 빛으로 변환시키는 잘 알려진 반도체 발광 소자로서 광 변환 효율이 높기에 에너지 소비량이 매우 적으며 수명이 반영구적이고 환경 친화적인 그린 소재로서 빛의 혁명이라 불리며, 정보 통신기기를 비롯한 전자장치의 표시 화상용 광원으로 널리 이용되어 왔다.In general, LED is a well-known semiconductor light emitting device that converts current into light. Its energy consumption is very low due to its high light conversion efficiency. It has been widely used as a light source for display images of devices.

최근에는 화합물 반도체 기술의 발달로 고휘도 적색, 주황, 녹색, 청색 및 백색 LED가 개발되었으며, 이를 활용하여 신호등, 핸드폰, 자동차 전조등, 옥외 전광판, LCD BLU(back light unit), 그리고 실내 외 조명 등 많은 분야에서 응용되고 있으며 국내외에서 활발한 연구가 계속되고 있다. 특히 넓은 밴드갭을 갖는 GaN계 화합물 반도체는 녹색, 청색 그리고 자외선 영역의 빛을 방출하는 LED 반도체의 제조에 이용되는 물질이며, 청색 LED 소자를 이용하여 백색 LED 소자의 제작이 가능하므로 이에 대한 많은 연구가 이루어지고 있다.Recently, with the development of compound semiconductor technology, high-brightness red, orange, green, blue, and white LEDs have been developed, and by using them, many applications such as traffic lights, mobile phones, automobile headlights, outdoor signboards, LCD BLU (back light unit), and indoor and outdoor lighting have been developed. It is being applied in various fields, and active research is continuing at home and abroad. In particular, GaN-based compound semiconductors with a wide bandgap are materials used in the manufacture of LED semiconductors that emit light in the green, blue, and ultraviolet regions, and since white LED devices can be manufactured using blue LED devices, many studies have been conducted on this. is being done

이러한 일련의 연구들 중 LED의 크기를 나노 또는 마이크로 단위로 제작한 초소형 LED 소자를 조명, 디스플레이 등에 활용하기 위한 연구가 계속되고 있다. 이러한 연구에서 지속적으로 주목 받고 있는 부분은 초소형 LED소자에 전원을 인가할 수 있는 전극, 활용목적 및 전극이 차지하는 공간의 감소 등을 위한 정렬방법, 전극배치, 배치된 전극에 초소형 LED의 실장방법 등에 관한 것들이다.Among these series of studies, studies are being conducted to utilize subminiature LED devices manufactured in nano or microscopic units for lighting and displays. The part that is constantly receiving attention in this research is the electrode that can apply power to the micro-LED device, the purpose of use, the alignment method for reducing the space occupied by the electrode, the electrode arrangement, and the mounting method of the micro-LED on the arranged electrode. things about

이러한 마이크로 LED를 포함한 투명 디스플레이 패널은 전도성 회로 기판을 포함하는 형태로 구현되며, 전도성 회로 기판 제조 방법에는 투명 전극 형성 제조 공정이 필수적이다. 투명 전극에는 ITO (Indium Tin Oxide), 나노와이어 (Nanowire), 메탈 메쉬 (Metal Mesh), 전도성 고분자, 그래핀 (Graphene), 카본나노튜브 (Carbon Nanotube)등 다양한 재료가 사용되며, 재료에 따라 제조 공정에 차이가 있다. 특히 투명하고 유연한 전극 재료를 이용하여 회로 기판을 제조할 경우 전극 형성 공정이 복잡하고, 전극 재료 손상이 발생한다는 한계가 있다. A transparent display panel including such a micro LED is implemented in a form including a conductive circuit board, and a manufacturing process of forming a transparent electrode is essential for a method of manufacturing a conductive circuit board. Various materials are used for the transparent electrode, such as ITO (Indium Tin Oxide), nanowire, metal mesh, conductive polymer, graphene, and carbon nanotube, and are manufactured according to the material. There are differences in the process. In particular, when a circuit board is manufactured using a transparent and flexible electrode material, there are limitations in that the electrode formation process is complicated and damage to the electrode material occurs.

특히 마이크로 LED 패널에 투명 전극을 적용하기 위해서는 도 1에 도시된 바와 같이 정렬된 마이크로 LED 패널(10)의 전극(20)과 투명전극(40)이 형성되어 있는 전도성 회로기판(50)이 접합될 수 있다. 이때, 전극(20)과 투명전극(40) 사이에는 전극(20)과 투명전극(40)을 접합하는 솔더(30)가 도포되어 있다. In particular, in order to apply the transparent electrode to the micro LED panel, as shown in FIG. 1, the electrode 20 of the aligned micro LED panel 10 and the conductive circuit board 50 on which the transparent electrode 40 are formed are bonded. can At this time, solder 30 for bonding the electrode 20 and the transparent electrode 40 is applied between the electrode 20 and the transparent electrode 40 .

구체적으로, 마이크로 LED 패널(10)의 전도성 회로기판(50)에 그래핀을 투명전극을 형성하는 재료로 사용할 때, PMMA/그래핀을 전사하고 PMMA를 제거한 후, 그래핀 전극 패턴 공정을 실시할 수 있다. 이때, 그래핀 전사에 사용되는 PMMA의 잔여물과 그래핀 전극 패턴 형성을 위한 Photolithography 공정에 사용되는 Photoresist가 그래핀에 잔여되기 때문에 투명 전극의 면 저항 특성 등의 재료 물성이 저하된다는 문제가 있다. Specifically, when graphene is used as a material for forming a transparent electrode on the conductive circuit board 50 of the micro LED panel 10, PMMA/graphene is transferred, PMMA is removed, and then a graphene electrode pattern process is performed. can At this time, since PMMA residues used for graphene transfer and photoresist used in the photolithography process for forming graphene electrode patterns remain in graphene, there is a problem in that material properties such as sheet resistance characteristics of the transparent electrode are deteriorated.

더욱이, 마이크로 LED 제조 후 전사하는 과정에서 대량의 마이크로LED를 타겟 기판에 한번에 실장하기 위하여 픽업을 위한 장치의 크기를 증가시켜야 한다. 이러한 기술을 재료 선정 및 크기 한계가 있으며, 이로 인한 다량의 마이크로 LED 실장 수가 적다는 한계가 있었다. Moreover, in order to mount a large amount of microLEDs on a target substrate at once in the process of transferring them after manufacturing the microLEDs, the size of the pickup device must be increased. These technologies have limitations in material selection and size, and due to this, there is a limitation in that the number of mounting a large amount of micro LEDs is small.

이를 극복하기 위해 Pick & Place 기술을 이용하여 마이크로 LED 대량 전사를 실시할 수 있다. Pick & Place 기술은 Transfer Printing으로 평면 스탬프 또는 롤 스탬프를 이용하여 각각의 RGB 웨이퍼에서 Micro-LED를 대량으로 픽업하여 타겟 기판 위에 실장할 수 있으며, 풀 컬러 디스플레이 구현이 가능하다는 장점이 있다. To overcome this, mass transfer of micro LEDs can be performed using Pick & Place technology. Pick & Place technology has the advantage of being able to pick up a large amount of Micro-LEDs from each RGB wafer using a flat stamp or roll stamp as transfer printing and mount them on a target substrate, enabling a full-color display.

그러나, Pick & Place 기술을 통해 구현되는 RGB를 구현하기 위해 실장 공정을 반복해야 하며, 이로 인한 작업 시간 및 작업 비용이 상승한다는 문제가 있었다. 더욱이, Pick & Place 기술은 얼라인(align) 공정이 필수적이기 때문에 공정의 정밀도가 높아야 하며, 공정의 정밀도를 높이기 위해 장비 비용이 증가한다는 한계가 있었다. However, there is a problem in that the mounting process must be repeated in order to implement RGB implemented through Pick & Place technology, which increases work time and cost. Moreover, pick & place technology requires high process precision because an align process is essential, and there is a limitation that equipment costs increase to increase process precision.

이와 같은 마이크로 LED 패널 제조 시 회로 기판의 재료 물성 저하를 최소화하며 저비용으로 대량 전사가 가능할 수 있는 공정이 요구되고 있다. When manufacturing such a micro LED panel, a process capable of mass transfer at low cost while minimizing deterioration of material properties of a circuit board is required.

전술한 배경기술은 발명자가 본 발명의 도출을 위해 보유하고 있었거나, 본 발명의 도출 과정에서 습득한 기술 정보로서, 반드시 본 발명의 출원 전에 일반 공중에게 공개된 공지기술이라 할 수는 없다.The foregoing background art is technical information that the inventor possessed for derivation of the present invention or acquired during the derivation process of the present invention, and cannot necessarily be said to be known art disclosed to the general public prior to filing the present invention.

본 발명의 실시 예는 마이크로 크기 엘이디 전극을 버티컬 타입으로 제조하고, 전극과 접합하는 기판에 전극이 수용될 수 있는 수용부를 형성하여 별도의 접합 과정 없는 마이크로 엘이디 어셈블리 제조방법을 제공하는 것이다. An embodiment of the present invention is to provide a method for manufacturing a micro LED assembly without a separate bonding process by manufacturing micro-sized LED electrodes in a vertical type and forming an accommodating portion in a substrate bonded to the electrodes to accommodate the electrodes.

또한, 본 발명의 실시 예는 마이크로 엘이디 패널 제조 과정에서 전도성 회로기판 전극 재료의 물성 저하를 최소화하며 제조할 수 있는 마이크로 엘이디 어셈블리를 제공하는 것이다. In addition, an embodiment of the present invention is to provide a micro LED assembly that can be manufactured while minimizing the degradation of physical properties of a conductive circuit board electrode material in the process of manufacturing a micro LED panel.

또한, 본 발명의 실시 예는 마이크로 엘이디 제조 후 전사하는 과정에서 대량의 마이크로 엘이디를 타겟 기판에 한번에 실장하도록 하여 적은 시간으로 대량의 마이크로 엘이디 전사가 가능해질 수 있는 마이크로 엘이디 어셈블리 제조방법을 제공하고자 한다. In addition, an embodiment of the present invention is to provide a method for manufacturing a micro LED assembly capable of transferring a large amount of micro LEDs in a short time by mounting a large amount of micro LEDs on a target substrate at once in the process of transferring them after manufacturing the micro LEDs. .

본 발명의 목적은 이상에서 언급한 과제에 한정되지 않으며, 언급되지 않은 본 발명의 다른 목적 및 장점들은 하기의 설명에 의해서 이해될 수 있고, 본 발명의 실시 예에 의해보다 분명하게 이해될 것이다. 또한, 본 발명의 목적 및 장점들은 특허 청구 범위에 나타낸 수단 및 그 조합에 의해 실현될 수 있음을 알 수 있을 것이다.The object of the present invention is not limited to the above-mentioned tasks, and other objects and advantages of the present invention not mentioned above can be understood by the following description and will be more clearly understood by the embodiments of the present invention. It will also be seen that the objects and advantages of the present invention may be realized by means of the instrumentalities and combinations indicated in the claims.

본 발명의 실시 예에 따른 마이크로 엘이디(Micro-LED) 어셈블리 제조 방법은, 마이크로 엘이디의 전극부가 수용되는 수용부를 포함하는 회로기판을 형성하고, 상기 회로기판에 전사 대상이 되는 상기 마이크로 엘이디를 상기 회로기판 상에 배치하며, 상기 전극부가 상기 수용부에 수용되어 상기 마이크로 엘이디와 상기 회로기판이 어레이(array)되는 과정으로 수행될 수 있다. In the manufacturing method of a Micro-LED assembly according to an embodiment of the present invention, a circuit board including a receiving portion in which an electrode portion of a micro-LED is accommodated is formed, and the micro-LED to be transferred to the circuit board is transferred to the circuit board. It may be disposed on a substrate, and the electrode part may be accommodated in the accommodating part so that the micro LED and the circuit board are arrayed.

이때, 회로기판을 형성할 때, 서로 다른 형태의 제1 전극부 및 제2 전극부가 수용되며, 상기 제1 전극부 및 상기 제2 전극부와 대응하도록 제1 수용부 및 제2 수용부를 형성할 수 있다. At this time, when forming the circuit board, the first and second electrodes of different shapes are accommodated, and the first accommodating portion and the second accommodating portion are formed to correspond to the first electrode portion and the second electrode portion. can

회로기판을 형성하기 이전에, 상기 회로기판 상에 제1 전도성층을 적층하고, 상기 제1 전도성층 상에 절연층을 적층하면, 상기 절연층 상에 제2 전도성층을 적층할 수 있다. Prior to forming the circuit board, when a first conductive layer is laminated on the circuit board and an insulating layer is laminated on the first conductive layer, a second conductive layer may be laminated on the insulating layer.

회로기판을 형성할 때, 상기 제1 전도성층 일부를 식각하여 상기 제1 수용부를 형성하고, 상기 제2 전도성층 일부를 식각하여 상기 제2 수용부를 형성할 수 있다. When forming the circuit board, the first accommodating portion may be formed by etching a portion of the first conductive layer, and the second accommodating portion may be formed by etching a portion of the second conductive layer.

상기 제1 수용부는 상기 제2 수용부보다 큰 면적을 가지도록 형성할 수 있다. The first accommodating part may be formed to have a larger area than the second accommodating part.

상기 제1 수용부 및 상기 제2 수용부 중 적어도 어느 하나는 상기 전극부를 향할수록 점진적으로 내경이 증가하도록 형성할 수 있다. At least one of the first accommodating part and the second accommodating part may be formed such that an inner diameter gradually increases toward the electrode part.

회로기판과 마이크로 엘이디를 어레이할 때, 상기 회로기판 및 상기 마이크로 엘이디 중 적어도 어느 하나에 초음파를 전송할 수 있다. When the circuit board and the micro LED are arrayed, ultrasonic waves may be transmitted to at least one of the circuit board and the micro LED.

상기 제1 전극부 및 제2 전극부는 서로 다른 자성을 가지고, 상기 제1 수용부 및 제2 수용부는 상기 제1 전극부 및 제2 전극부와 반대의 자성을 가질 수 있다. The first electrode part and the second electrode part may have different magnetism, and the first accommodating part and the second accommodating part may have magnetism opposite to that of the first electrode part and the second electrode part.

상기 수용부 및 상기 전극부 사이에 솔더를 도포할 수 있다. Solder may be applied between the receiving portion and the electrode portion.

본 발명의 실시 예에 따른 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 어느 하나는 n-형 질화물 반도체층과 접합된 금속이고, 나머지 하나는 p-형 질화물 반도체층과 접합된 금속일 수 있다. According to an embodiment of the present invention, one of the first electrode and the second electrode may be a metal bonded to an n-type nitride semiconductor layer, and the other may be a metal bonded to a p-type nitride semiconductor layer.

전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 및 이점이 이하의 도면, 청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.Other aspects, features, and advantages other than those described above will become apparent from the following drawings, claims, and detailed description of the invention.

본 발명의 실시 예는 이와 같이, 마이크로 엘이디의 제1 전극부 및 제2 전극부의 형상을 다르게 하고, 전극부를 수용하는 제1 수용부 및 제2 수용부를 제1 전극부 및 제2 전극부와 대응하는 형상으로 형성할 수 있다. As described above, in the embodiment of the present invention, the shapes of the first electrode part and the second electrode part of the micro LED are different, and the first accommodating part and the second accommodating part accommodating the electrode part correspond to the first electrode part and the second electrode part. It can be formed into the shape of

이로써, 마이크로 엘이디를 회로기판에 전사될 때, 전극부가 수용부에 삽입됨과 동시에 한번에 실장될 수 있다. 이러한 과정으로 적은 시간으로 대량의 마이크로 엘이디를 회로기판에 전사할 수 있다. Thus, when the micro LED is transferred to the circuit board, the electrode unit can be inserted into the receiving portion and simultaneously mounted. Through this process, a large amount of micro LEDs can be transferred to the circuit board in a short amount of time.

또한, 마이크로 엘이디에 전극을 형성하고 마이크로 엘이디와 접합하는 회로기판에 전극이 수용되는 수용부를 형성함으로써, 회로기판에 전극 패턴을 형성하기 위한 복잡한 작업 공정 없이 마이크로 어셈블리를 제조할 수 있게 된다. In addition, by forming electrodes on the micro-LED and forming an accommodating portion in which the electrode is accommodated in the circuit board bonded to the micro-LED, it is possible to manufacture the micro assembly without a complicated work process for forming an electrode pattern on the circuit board.

따라서, 마이크로 엘이디 어셈블리 제조 공정의 단순화가 이루어질 수 있다. Thus, the micro LED assembly manufacturing process can be simplified.

또한, 기판 상에서 전극 패턴 공정을 실행하지 않으므로 회로기판의 전극 재료의 물성 변화를 최소화할 수 있다. In addition, since the electrode pattern process is not performed on the substrate, changes in physical properties of the electrode material of the circuit board can be minimized.

본 발명의 효과는 이상에서 언급된 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to those mentioned above, and other effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

도 1은 종래의 마이크로 엘이디 어셈블리 제조 과정을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 마이크로 엘이디 어셈블리를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 도 2의 마이크로 엘이디와 회로기판을 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 마이크로 엘이디 어셈블리 제조 과정을 도시한 흐름도이다.
도 5 내지 도 7은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 마이크로 엘이디 어셈블리를 도시한 도면이다.
도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 마이크로 엘이디의 상면을 도시한 도면이다. 1 is a view schematically showing a conventional micro-LED assembly manufacturing process.
2 is a diagram schematically showing a micro LED assembly according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a view showing the micro LED and the circuit board of FIG. 2 .
4 is a flowchart illustrating a process of manufacturing a micro LED assembly according to an embodiment of the present invention.
5 to 7 are views showing a micro LED assembly according to another embodiment of the present invention.
8 is a view showing a top surface of a micro LED according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 발명된 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 발명된 실시 예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 발명된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 발명된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 발명된 기술적 사상이 제한되지 않으며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Hereinafter, the embodiments invented in this specification will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the same or similar components are assigned the same reference numerals regardless of reference numerals, and redundant description thereof will be omitted. The suffixes "module" and "unit" for components used in the following description are given or used together in consideration of ease of writing the specification, and do not have meanings or roles that are distinct from each other by themselves. In addition, when it is determined that detailed descriptions of related known technologies may obscure the gist of the embodiments disclosed in this specification in describing the embodiments disclosed herein, the detailed descriptions thereof will be omitted. In addition, the accompanying drawings are only for making it easy to understand the embodiments invented in this specification, and the technical ideas invented in this specification are not limited by the accompanying drawings, and are included in the spirit and technical scope of the present invention. It should be understood to include all modifications, equivalents or substitutes.

제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.Terms including ordinal numbers, such as first and second, may be used to describe various components, but the components are not limited by the terms. These terms are only used for the purpose of distinguishing one component from another.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.It is understood that when an element is referred to as being "connected" or "connected" to another element, it may be directly connected or connected to the other element, but other elements may exist in the middle. It should be. On the other hand, when an element is referred to as “directly connected” or “directly connected” to another element, it should be understood that no other element exists in the middle.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수개의 표현을 포함한다.Expressions in the singular number include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise.

본 출원에서, "포함한다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.In this application, terms such as "comprise" or "have" are intended to designate that there is a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification, but one or more other features It should be understood that the presence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof is not precluded.

도면의 설명에 앞서 본 발명의 실시 예에 따른 엘이디 어셈블리는 마이크로 발광 다이오드 즉, 마이크로 엘이디(Micro-LED) 어셈블리를 예를 들어 설명하기로 하지만, 마이크로 엘이디 어셈블리 이외에 엘이디 어셈블리에 적용할 수 있음은 물론이다. Prior to the description of the drawings, the LED assembly according to the embodiment of the present invention will be described by taking a micro light emitting diode (Micro-LED) assembly as an example, but it can be applied to LED assemblies other than the micro-LED assembly as well. am.

도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 마이크로 엘이디 어셈블리를 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 3은 도 2의 마이크로 엘이디와 회로기판을 도시한 도면이며, 도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 마이크로 엘이디 어셈블리 제조 과정을 도시한 흐름도이다. 2 is a diagram schematically showing a micro LED assembly according to an embodiment of the present invention, FIG. 3 is a view showing the micro LED and a circuit board of FIG. 2, and FIG. 4 is a micro LED assembly according to an embodiment of the present invention. It is a flow chart showing the manufacturing process.

도 2를 참고하면, 마이크로 엘이디 어셈블리(1)는 버티컬 타입의 전극부(140)를 포함하는 마이크로 엘이디(100) 및 전극부(140)가 수용되는 수용부(260_도 3 참고)를 포함하는 회로기판(200)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 2 , the micro-LED assembly 1 includes a micro-LED 100 including a vertical type electrode unit 140 and an accommodating portion 260 (refer to FIG. 3) in which the electrode unit 140 is accommodated. A circuit board 200 may be included.

회로기판(200)은 마이크로 엘이디(100)의 전극부(140)가 수용되는 수용부(260)가 포함될 수 있으며, 전극부(140)의 형상에 따라 홀 또는/및 홈의 형상으로 형성될 수 있다(단계 S110). The circuit board 200 may include an accommodating portion 260 in which the electrode portion 140 of the micro LED 100 is accommodated, and may be formed in a hole or/and groove shape according to the shape of the electrode portion 140. Yes (step S110).

이러한 회로기판(200) 상에 배치되는 마이크로 엘이디(100)는 회로기판(200)을 향하는 일 면에 버티컬 타입의 전극부(140)가 형성될 수 있다(단계 S120). 구체적으로 전극부(140)는 마이크로 엘이디(100)에 증착되어 형성될 수 있으며, 전극마다 형태(예: 길이, 모양 등)가 다르게 형성될 수 있다. 이와 같이 형성된 전극부(140)는 회로기판(200)의 수용부(260)에 수용되어 회로기판(200)과 마이크로 엘이디(100)가 어레이(array)되도록 한다(단계 S130). The micro LED 100 disposed on the circuit board 200 may have a vertical type electrode unit 140 formed on one surface facing the circuit board 200 (step S120). Specifically, the electrode unit 140 may be formed by being deposited on the micro LED 100, and may be formed in a different form (eg, length, shape, etc.) for each electrode. The electrode unit 140 thus formed is accommodated in the accommodating portion 260 of the circuit board 200 so that the circuit board 200 and the micro LED 100 are arrayed (step S130).

전극부(140)는 서로 다른 형태의 제1 전극부(142) 및 제2 전극부(144)을 포함하여 구성될 수 있다. 예를 들어 제1 전극부(142) 및 제2 전극부(144)은 형상(모양)이 다르게 형성될 수 있으며, 모양은 동일하지만 길이(높이)가 다르게 형성될 수도 있다. 유사하게 형상 및 길이 모두 다르게 형성될 수도 있다. 이러한 특징은 이하 도면을 참고하여 상세히 설명하기로 한다. The electrode unit 140 may include a first electrode unit 142 and a second electrode unit 144 having different shapes. For example, the first electrode unit 142 and the second electrode unit 144 may have different shapes (shapes), or may have the same shape but different lengths (heights). Similarly, both the shape and the length may be formed differently. These features will be described in detail with reference to the drawings below.

제1 전극부(142) 및 제2 전극부(144) 중 어느 하나의 전극은 n-형 질화물 반도체층인 n-GaN과 접합된 금속으로 형성될 수 있으며, 나머지 하나는 p-형 질화물 반도체층인 p-GaN과 접합된 금속으로 형성될 수 있다. One electrode of the first electrode unit 142 and the second electrode unit 144 may be formed of a metal bonded to n-GaN, which is an n-type nitride semiconductor layer, and the other electrode is a p-type nitride semiconductor layer. It can be formed of metal bonded with phosphorus p-GaN.

본 발명의 예시로 제1 전극(142)이 n-형 질화물 반도체층인 n-GaN과 접합된 금속으로 형성되고, 제2 전극(144)이 p-형 질화물 반도체층인 p-GaN과 접합된 금속으로 형성될 수 있으며, 예컨대 제1 전극(142), 제2 전극(144)은 인듐(In)과 주석(Sn) 금속 기반의 전극으로 형성될 수 있지만 제1 전극(142) 및 제2 전극(144)를 형성하는 금속에 의해 본 발명이 제한되는 것은 아니다. As an example of the present invention, the first electrode 142 is formed of a metal bonded to an n-type nitride semiconductor layer, n-GaN, and the second electrode 144 is formed of a metal bonded to a p-type nitride semiconductor layer, p-GaN. It may be formed of metal, for example, the first electrode 142 and the second electrode 144 may be formed of indium (In) and tin (Sn) metal-based electrodes, but the first electrode 142 and the second electrode The present invention is not limited by the metal forming (144).

이러한 제1 전극부(142) 및 제2 전극부(144)은 마이크로 엘이디(100)에 증착될 수 있으며, 전극부(140)가 회로기판(200)의 수용부(260)에 삽입되면, 마이크로 엘이디(100)와 회로기판(200)이 물리적, 전기적으로 연결될 수 있다. The first electrode part 142 and the second electrode part 144 may be deposited on the micro LED 100, and when the electrode part 140 is inserted into the receiving part 260 of the circuit board 200, the micro The LED 100 and the circuit board 200 may be physically and electrically connected.

설명한 바와 같이 전극부(140)는 마이크로 엘이디(100)를 회로기판(200)을 향하는 방향으로 수직(버티컬)하게 형성될 수 있으며, 각 전극은 형태(모양)나 길이(높이) 등이 다르게 형성될 수 있다. As described above, the electrode unit 140 may be formed vertically (vertically) in the direction of the micro LED 100 toward the circuit board 200, and each electrode is formed differently in shape (shape) or length (height). It can be.

예를 들어, 제1 전극부(142)은 제2 전극부(144)보다 길게 형성될 수 있고, 이를 수용하는 수용부(260)의 제1 수용부(262)는 제2 수용부(264)보다 깊게 형성될 수 있다. For example, the first electrode part 142 may be formed longer than the second electrode part 144, and the first accommodating part 262 of the accommodating part 260 accommodating it is the second accommodating part 264 can be made deeper.

회로기판(200)에 수용부(260)를 형성하는 방법은 크기, 형태에 따라 슈퍼드릴, 레이저 천공, 에칭, 레이저 가공 등 중 어느 하나를 이용할 수 있으며, 수용부(260) 형성 방법은 본 발명을 제한하지 않는다. The method of forming the accommodating portion 260 on the circuit board 200 may use any one of super drilling, laser drilling, etching, laser processing, etc. depending on the size and shape of the accommodating portion 260 according to the present invention. does not limit

회로기판(200)은 사파이어 및 유리와 같은 투과성 소재인 GaN, SiC, ZnO, Si, GaP 및 GaAs 등의 소재 중 어느 하나로 형성될 수 있으며, 다르게는 유연한 재질의 폴리머(Polymer) 소재, 폴리이미드 내에 탄성체를 넣은 유연 재질 등 중 어느 하나로 형성될 수도 있다. The circuit board 200 may be formed of any one of materials such as GaN, SiC, ZnO, Si, GaP, and GaAs, which are transparent materials such as sapphire and glass, and may be formed in a flexible polymer material or polyimide. It may be formed of any one of flexible materials containing an elastic body.

또한, 기판(220) 상에 제1 전도성층(242), 절연층(244) 및 제2 전도성층(246)이 적층될 수 있다. 이때, 수용부(260)는 예컨대 제1 전도성층(242) 일부를 식각한 제1 수용부(262)와, 제1 전도성층(242)부터 제2 전도성층(246) 일부 및/또는 제2 전도성층(246) 전체를 식각하여 형성한 제2 수용부(264)로 구성될 수 있다. Also, a first conductive layer 242 , an insulating layer 244 , and a second conductive layer 246 may be stacked on the substrate 220 . At this time, the accommodating portion 260 includes, for example, the first accommodating portion 262 obtained by etching a portion of the first conductive layer 242, and a portion of the second conductive layer 246 from the first conductive layer 242 and/or the second conductive layer 242. It may be composed of a second accommodating portion 264 formed by etching the entire conductive layer 246 .

기판(220) 상에 적층되는 제1 전도성층(242)은 캐소드(Cathode)이고, 제2 전도성층(246)은 애노드(Anode)로 구현될 수 있다. The first conductive layer 242 stacked on the substrate 220 may be implemented as a cathode, and the second conductive layer 246 may be implemented as an anode.

회로기판(200) 상에 적층된 제1 전도성층(242), 절연층(244) 및 제2 전도성층(246)은 마이크로 엘이디(100)의 전극부(140)가 수용부(260)에 수용되면 회로기판(200)과 마이크로 엘이디(100)의 전기적 연결을 위한 구성이다. 즉, 본 발명의 실시예의 회로기판(200) 상에는 마이크로 엘이디(100)의 전극부(140)에 대응하는 별도의 전극이 형성되지 않고, 마이크로 엘이디(100)에 접합, 형성한 전극부(140)가 수용되는 수용부(260)를 형성할 수 있다. 다시 말해 본 발명의 실시예의 회로기판(200)에는 종래의 전극 패턴을 형성하는 제조 과정 없이 마이크로 엘이디(100)와 조립, 전기적 연결이 가능해질 수 있다. The first conductive layer 242, the insulating layer 244, and the second conductive layer 246 stacked on the circuit board 200 are accommodated in the receiving portion 260 by the electrode portion 140 of the micro LED 100. When it is configured for electrical connection of the circuit board 200 and the micro LED (100). That is, a separate electrode corresponding to the electrode part 140 of the micro LED 100 is not formed on the circuit board 200 of the embodiment of the present invention, and the electrode part 140 formed by bonding to the micro LED 100 Can form an accommodating portion 260 that is accommodated. In other words, the circuit board 200 of the embodiment of the present invention can be assembled and electrically connected to the micro LED 100 without a manufacturing process of forming a conventional electrode pattern.

설명한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에서 제1 전극부(142)의 길이는 제2 전극부(144)의 길이보다 충분히 길게 형성될 수 있다. 예컨대 제1 전극부(142)은 회로기판(200)의 제1 전도성층(242)부터 제2 전도성층(246)을 가로지르도록 형성될 수 있으며, 제2 전극부(144)은 회로기판(200)의 제1 전도성층(242)에 수용되도록 형성될 수 있다. 이와 같이 전극부(140) 중 하나의 전극이 길게 형성됨에 따라 형상에 대응하는 위치에 전극부(140)가 수용부(260)에 수용될 수 있다. 즉, 마이크로 엘이디(100)를 제조한 후, 회로기판(200)에 전사하는 과정에서 마이크로 엘이디(100)의 전극부(140) 형상에 따라 수용부(260)에 수용될 수 있다. 이로써, 마이크로 엘이디(100)를 회로기판(200)에 전사하여 회로기판(200)과 마이크로 엘이디(100)를 조립하는 과정 없이 전극부(140)가 수용부(260)에 삽입됨과 동시에 한번에 실장될 수 있다. 이러한 과정으로 적은 시간으로 대량의 마이크로 엘이디(100)를 회로기판(200)에 전사할 수 있다. As described above, in the embodiment of the present invention, the length of the first electrode part 142 may be formed sufficiently longer than the length of the second electrode part 144 . For example, the first electrode unit 142 may be formed to cross from the first conductive layer 242 to the second conductive layer 246 of the circuit board 200, and the second electrode unit 144 may be formed on the circuit board ( 200) to be accommodated in the first conductive layer 242. In this way, as one of the electrode parts 140 is formed long, the electrode part 140 may be accommodated in the accommodating part 260 at a position corresponding to the shape. That is, after manufacturing the micro LED 100 , in the process of transferring the micro LED 100 to the circuit board 200 , the micro LED 100 may be accommodated in the receiving part 260 according to the shape of the electrode part 140 . Thus, the electrode part 140 can be inserted into the receiving part 260 and mounted at once without transferring the micro LED 100 to the circuit board 200 and assembling the circuit board 200 and the micro LED 100. can Through this process, a large amount of micro LEDs 100 can be transferred to the circuit board 200 in a small amount of time.

또한, 전극부(140) 중 어느 하나의 전극이 충분히 길게 형성되므로 전극부(140)가 수용부(260)에 수용된 상태에서 흔들림을 최소화하여 수용될 수 있다. 본 발명의 실시 예와 같이 제1 전극부(142)이 수용되는 제1 수용부(262)가 제1 전도성층(242)에서부터 제2 전도성층(246)을 식각하여 형성할 수 있다. 이러한 제1 수용부(262)에 수용되는 제1 전극부(142)은 회로기판(200) 상에 전사된 마이크로 엘이디(100)의 중심축과 같은 구성이 될 수 있다. In addition, since any one of the electrode units 140 is formed long enough, the electrode unit 140 can be accommodated while being accommodated in the accommodating unit 260 while minimizing shaking. Like the embodiment of the present invention, the first accommodating portion 262 in which the first electrode portion 142 is accommodated may be formed by etching the second conductive layer 246 from the first conductive layer 242 . The first electrode portion 142 accommodated in the first accommodating portion 262 may have the same configuration as the central axis of the micro LED 100 transferred onto the circuit board 200 .

이때, 회로기판(200) 및 마이크로 엘이디(100) 중 적어도 어느 하나에 초음파를 전송할 수 있다. 회로기판(200) 및 마이크로 엘이디(100) 중 어느 하나에 초음파를 전송하므로써, 마이크로 엘이디(100)가 회로기판(200)에 전사되는 속도를 증가시킬 수 있다. At this time, ultrasonic waves may be transmitted to at least one of the circuit board 200 and the micro LED 100 . By transmitting ultrasonic waves to any one of the circuit board 200 and the micro LED 100, the speed at which the micro LED 100 is transferred to the circuit board 200 can be increased.

한편 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 수용부(262) 및 제2 수용부(264) 너비는 제1 전극부(142) 및 제2 전극부(144)의 너비보다 크게 형성될 수 있다(도 3의 D₁ 및 D₂ 참고). 이는 전극부(140)가 수용부(260)에 수용될 때 억지 끼움과 같은 조립이 요구되지 않고, 제1 전극부(142) 및 제2 전극부(144)이 제1 수용부(262) 및 제2 수용부(264)에 삽입되어 조립되도록 하여 별도의 조립과정 없이 마이크로 엘이디(100)와 회로기판(200)이 조립, 접합될 수 있게 하기 위함이다. Meanwhile, as shown in FIG. 3, the width of the first accommodating part 262 and the second accommodating part 264 may be formed larger than that of the first electrode part 142 and the second electrode part 144 ( See D1 and D₂ in Figure 3). When the electrode unit 140 is accommodated in the accommodating unit 260, assembly such as interference fitting is not required, and the first electrode unit 142 and the second electrode unit 144 are connected to the first accommodating unit 262 and This is to allow the micro LED 100 and the circuit board 200 to be assembled and bonded without a separate assembly process by being inserted into the second accommodating portion 264 and assembled.

또한, 제1 수용부(262) 및 제2 수용부(264)의 너비가 제1 전극(142) 및 제2 전극(144)의 너비보다 크게 형성됨에 따라 전극부(140)와 수용부(260) 내벽과 접촉을 방지하여 전기적 쇼트를 방지할 수 있다. In addition, as the widths of the first accommodating part 262 and the second accommodating part 264 are larger than the widths of the first electrode 142 and the second electrode 144, the electrode part 140 and the accommodating part 260 ) Prevents contact with the inner wall to prevent electrical shorts.

이와 같이 마이크로 엘이디(100)에 전극부(140)를 형성하고 마이크로 엘이디(100)와 접합하는 회로기판(200)에 전극부(140)가 수용되는 수용부(260)를 형성함으로써, 회로기판(200)에 전극 패턴을 형성하기 위한 별도의 작업 공정 없이 마이크로 어셈블리를 제조할 수 있다. In this way, by forming the electrode part 140 on the micro LED 100 and forming the accommodating part 260 in which the electrode part 140 is accommodated in the circuit board 200 bonded to the micro LED 100, the circuit board ( 200), the micro assembly can be manufactured without a separate work process for forming an electrode pattern.

종래의 마이크로 엘이디 어셈블리는 회로기판 상에 그래핀을 전극재료로 사용할 때, PMMA/그래핀을 전사하고 PMMA를 제거한 후, 그래핀 전극 패턴 공정을 실시한다. 이때, 그래핀 전사에 사용되는 PMMA의 잔여물과 그래핀 전극 패턴 형성을 위한 Photolithography 공정에 사용되는 Photoresist가 그래핀에 잔여된다는 문제가 있었다. In a conventional micro LED assembly, when graphene is used as an electrode material on a circuit board, PMMA/graphene is transferred, PMMA is removed, and then a graphene electrode pattern process is performed. At this time, there is a problem in that residues of PMMA used for graphene transfer and photoresist used in a photolithography process for forming graphene electrode patterns remain in graphene.

이러한 전극 패턴 공정을 본 발명의 실시 예의 회로기판(200)에는 실행하지 않으므로 회로기판(200)의 전극 재료의 물성 변화를 최소화할 수 있다. 또한, 마이크로 엘이디에 기판을 형성함에 따라 전극 패턴을 형성하기 위한 별도의 제조 과정 없이 마이크로 엘이디 어셈블리를 제조할 수 있어 엘이디 어셈블리를 제조하기 위한 공정 과정이 보다 단순화될 수 있다. Since this electrode pattern process is not performed on the circuit board 200 according to the embodiment of the present invention, a change in physical properties of the electrode material of the circuit board 200 can be minimized. In addition, as the substrate is formed on the micro-LED, the micro-LED assembly can be manufactured without a separate manufacturing process for forming the electrode pattern, and thus the manufacturing process for the LED assembly can be further simplified.

특히, 마이크로 엘이디(100)의 제1 전극부(142) 및 제2 전극부(144)의 형상을 다르게 하고, 전극부(140)를 수용하는 제1 수용부(262) 및 제2 수용부(264)를 제1 전극부(142) 및 제2 전극부(144)와 대응하는 형상으로 형성할 수 있다. In particular, the first electrode portion 142 and the second electrode portion 144 of the micro LED 100 have different shapes, and the first accommodating portion 262 and the second accommodating portion accommodating the electrode portion 140 ( 264) may be formed in a shape corresponding to the first electrode unit 142 and the second electrode unit 144.

이로써, 마이크로 엘이디(100)를 회로기판(200)에 전사될 때, 전극부(140)가 수용부(260)에 삽입됨과 동시에 한번에 실장될 수 있다. 이러한 과정으로 적은 시간으로 대량의 마이크로 엘이디(100)를 회로기판(200)에 전사할 수 있다. Thus, when the micro LED 100 is transferred to the circuit board 200, the electrode part 140 can be inserted into the accommodating part 260 and mounted simultaneously. Through this process, a large amount of micro LEDs 100 can be transferred to the circuit board 200 in a small amount of time.

도 5 내지 도 7은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 마이크로 엘이디 어셈블리를 도시한 도면이고, 도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 마이크로 엘이디의 상면을 도시한 도면이다. 5 to 7 are views showing a micro LED assembly according to another embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a view showing a top surface of a micro LED according to an embodiment of the present invention.

도면을 참고하면, 제1 전극부(142)와 제2 전극부(144)는 서로 다른 자성을 가지도록 형성되며, 제1 수용부(262)와 제2 수용부(264)는 제1 전극부(142) 및 제2 전극부(144)와 반대의 자성을 가지도록 형성될 수 있다. Referring to the drawing, the first electrode part 142 and the second electrode part 144 are formed to have different magnetism, and the first accommodating part 262 and the second accommodating part 264 are the first electrode part. 142 and the second electrode portion 144 may be formed to have opposite magnetism.

구체적으로 제1 전극부(142) 및 제2 전극부(144) 자체를 자성을 가진 전극으로 형성하거나, 제1 전극부(142) 및 제2 전극부(144) 하단에 자성을 증착, 접합하여 형성할 수 있다. Specifically, by forming the first electrode portion 142 and the second electrode portion 144 themselves as electrodes having magnetism, or by depositing and bonding magnets to the lower ends of the first electrode portion 142 and the second electrode portion 144, can form

이에 대응하여 제1 수용부(262) 및 제2 수용부(264)는 제1 전극부(142) 및 제2 전극부(144)와 반대의 자성을 가질 수 있도록 자성 유체 등을 도포하거나, 제1 전도성층(242), 절연층(244) 및 제2 전도성층(246)을 자성을 가지도록 형성할 수도 있다. Correspondingly, magnetic fluid or the like is applied to the first accommodating portion 262 and the second accommodating portion 264 so that they may have magnetism opposite to that of the first electrode portion 142 and the second electrode portion 144, or The first conductive layer 242, the insulating layer 244, and the second conductive layer 246 may be formed to have magnetism.

예컨대, 제1 전극부(142)을 N극으로 형성하면, 제1 수용부(262)는 S극의 자성 유체를 도포할 수 있다. 이와 유사하게 제2 전극부(144)를 S극으로 형성하면 제2 수용부(264)에는 N 극의 자성 유체를 도포할 수 있다. For example, if the first electrode part 142 is formed to have an N pole, the first accommodating part 262 can apply S pole magnetic fluid. Similarly, if the second electrode portion 144 is formed to have an S pole, an N pole magnetic fluid may be applied to the second accommodating portion 264 .

이와 같이 전극부(140)와 수용부(260)를 서로 다른 자성을 가지도록 형성함에 따라 마이크로 엘이디(100)가 회로기판(200)에 실장될 때, 자성의 성질을 이용하여 서로 다른 전극끼리 잡아당기는 인력으로 실장할 수 있다. As the electrode part 140 and the accommodating part 260 are formed to have different magnetism, when the micro LED 100 is mounted on the circuit board 200, the different electrodes are held together using the property of magnetism. It can be mounted by pulling manpower.

이를 위해 제1 전극부(142) 및 제2 전극부(144)는 서로 다른 자성으로 가지도록 형성되는 것이 바람직하고, 제1 수용부(262) 및 제2 수용부(264)는 제1 전극부(142)와 제2 전극부(144)와 반대의 자성을 가지는 유체가 도포되는 것이 바람직할 것이다. To this end, the first electrode portion 142 and the second electrode portion 144 are preferably formed to have different magnetic properties, and the first accommodating portion 262 and the second accommodating portion 264 are the first electrode portion. It would be preferable to apply a fluid having opposite magnetism to 142 and the second electrode part 144 .

한편, 본 발명의 실시 예에서 제1 수용부(262) 및 제2 수용부(264)가 제1 전극(142) 및 제2 전극(144)의 너비보다 크게 형성된 예를 들지만, 다르게는 제1 전극(142)과 제2 전극(144)의 전기적 쇼트를 방지하기 위해 제1 수용부(262)의 너비는 제1 전극(142)보다 크게 형성하고, 제2 수용부(264)는 제2 전극(144)와 동일하게 형성할 수도 있다. On the other hand, in the embodiment of the present invention, for example, the first accommodating portion 262 and the second accommodating portion 264 are formed larger than the widths of the first electrode 142 and the second electrode 144, but otherwise, the first In order to prevent an electrical short between the electrode 142 and the second electrode 144, the width of the first accommodating portion 262 is larger than that of the first electrode 142, and the second accommodating portion 264 is the second electrode. It can also be formed in the same way as (144).

이때, 회로기판(200)의 일 면에 솔더(solder)를 도포하여 전극부(140)와 수용부(260)의 접합 정도를 향상시킬 수 있다. 즉, 수용부(260)에 전극부(140)가 수용되기 전에, 회로기판(200)과 접하는 전극부(140) 사이에 솔더(solder)를 도포하여 수용부(260)와 전극부(140)의 접합이 가능해지도록 형성할 수 있다. At this time, solder may be applied to one surface of the circuit board 200 to improve the degree of bonding between the electrode unit 140 and the receiving unit 260 . That is, before the electrode part 140 is accommodated in the accommodating part 260, solder is applied between the electrode part 140 in contact with the circuit board 200, and the accommodating part 260 and the electrode part 140 are formed. It can be formed so that bonding of can be made possible.

다시 도면을 참고하면, 제1 전극부(142)과 제2 전극부(144)은 동일한 형상으로 형성되며, 동일한 내경을 가지도록 형성될 수 있다. 예를 들어 제1 전극부(142)과 제2 전극부(144)은 원형, 다각형 등 동일한 형상으로 형성되고, 각각의 전극은 동일한 내경을 가지되, 길이만 다르도록 형성할 수 있다. Referring back to the drawing, the first electrode unit 142 and the second electrode unit 144 may be formed to have the same shape and have the same inner diameter. For example, the first electrode unit 142 and the second electrode unit 144 may be formed in the same shape, such as a circle or a polygon, and each electrode may have the same inner diameter but have different lengths.

이와 다르게 제1 전극부(142) 및 제2 전극부(144)은 다른 형상으로 형성될 수 있다. 예컨대, 도 6에 도시된 바와 같이 제1 전극부(142)은 원형으로 형성되고, 제2 전극부(144)은 다각형 형상으로 형성될 수 있다.Unlike this, the first electrode unit 142 and the second electrode unit 144 may be formed in different shapes. For example, as shown in FIG. 6 , the first electrode part 142 may be formed in a circular shape, and the second electrode part 144 may be formed in a polygonal shape.

본 발명의 실시 예에서는 제1 전극부(142) 및 제2 전극부(144)이 다른 형상 및/또는 높이로 형성된 예를 들어 설명하기로 하지만, 제1 전극부(142) 및 제2 전극부(144)의 형상 및 높이에 의해 본 발명이 제한되지 않는다. In the embodiment of the present invention, an example in which the first electrode part 142 and the second electrode part 144 are formed in different shapes and/or heights will be described, but the first electrode part 142 and the second electrode part The present invention is not limited by the shape and height of (144).

이와 같이 다른 형상으로 형성된 전극에 의해 전극부(140)가 수용부(260)에 수용될 때, 형상에 따라 수용됨으로써, 보다 쉽게 정합이 이루어질 수 있다. When the electrode part 140 is accommodated in the accommodating part 260 by the electrode formed in a different shape as described above, matching can be more easily achieved by being accommodated according to the shape.

다시 도 5를 참고하면, 제1 수용부(262) 및 제2 수용부(264) 중 적어도 어느 하나는 전극부(140)를 향할수록 점진적으로 내경이 증가하도록 형성될 수 있다. 구체적으로 제1 전도성층(242)에 형성된 수용홈 직경(D₁)이 제2 전도성층(246)에 형성된 수용홈 직경(D₂)보다 작게 형성될 수 있다. Referring back to FIG. 5 , at least one of the first accommodating part 262 and the second accommodating part 264 may be formed such that an inner diameter gradually increases toward the electrode part 140 . Specifically, the diameter D1 of the accommodating groove formed in the first conductive layer 242 may be smaller than the diameter D2 of the accommodating groove formed in the second conductive layer 246 .

수용부(260)의 형상에 따라 전극부(140)가 수용부(260)에 수용될 때, 제1 전도성층(242)에 형성된 수용홈 직경(D₁)에 걸림되면서 별도의 솔더(solder) 도포 작업 없이 전극부(140)가 수용부(260)에 고정될 수 있다. When the electrode part 140 is accommodated in the accommodating part 260 according to the shape of the accommodating part 260, separate solder is applied while being caught in the accommodating groove diameter D₁ formed in the first conductive layer 242. The electrode part 140 may be fixed to the accommodating part 260 without an operation.

이로 이해 마이크로 엘이디(100)의 전극부(140)가 회로기판(200)에 정렬될 때 별도의 부재를 이용하지 않고도 마이크로 엘이디(100)와 회로기판(200)의 조립이 가능해질 수 있다. This makes it possible to assemble the micro LED 100 and the circuit board 200 without using a separate member when the electrode portion 140 of the micro LED 100 is aligned with the circuit board 200 .

이와 같이, 마이크로 엘이디(100)의 제1 전극부(142) 및 제2 전극부(144)의 형상을 다르게 하고, 전극부(140)를 수용하는 제1 수용부(262) 및 제2 수용부(264)를 제1 전극부(142) 및 제2 전극부(144)와 대응하는 형상으로 형성할 수 있다. As such, the first electrode portion 142 and the second electrode portion 144 of the micro LED 100 have different shapes, and the first accommodating portion 262 and the second accommodating portion accommodating the electrode portion 140 264 may be formed in a shape corresponding to the first electrode unit 142 and the second electrode unit 144 .

이로써, 마이크로 엘이디(100)를 회로기판(200)에 전사될 때, 전극부(140)가 수용부(260)에 삽입됨과 동시에 한번에 실장될 수 있다. 이러한 과정으로 적은 시간으로 대량의 마이크로 엘이디(100)를 회로기판(200)에 전사할 수 있다. Thus, when the micro LED 100 is transferred to the circuit board 200, the electrode part 140 can be inserted into the accommodating part 260 and mounted simultaneously. Through this process, a large amount of micro LEDs 100 can be transferred to the circuit board 200 in a small amount of time.

또한, 마이크로 엘이디(100)에 전극을 형성하고 마이크로 엘이디(100)와 접합하는 회로기판(200)에 전극이 수용되는 수용부(260)를 형성함으로써, 회로기판(200)에 전극 패턴을 형성하기 위한 복잡한 작업 공정 없이 마이크로 어셈블리를 제조할 수 있게 된다. In addition, to form an electrode pattern on the circuit board 200 by forming an electrode on the micro LED 100 and forming an accommodating portion 260 in which the electrode is accommodated in the circuit board 200 bonded to the micro LED 100. It is possible to manufacture micro assemblies without a complicated work process.

따라서, 마이크로 엘이디 어셈블리 제조 공정의 단순화가 이루어질 수 있다. Thus, the micro LED assembly manufacturing process can be simplified.

또한, 기판 상에서 전극 패턴 공정을 실행하지 않으므로 회로기판(200)의 전극 재료의 물성 변화를 최소화할 수 있다. In addition, since the electrode pattern process is not performed on the substrate, changes in physical properties of the electrode material of the circuit board 200 can be minimized.

이상 설명된 본 발명의 실시 예에 대한 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.The description of the embodiments of the present invention described above is for illustrative purposes, and those skilled in the art can easily modify them into other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. you will understand that Therefore, the embodiments described above should be understood as illustrative in all respects and not limiting. For example, each component described as a single type may be implemented in a distributed manner, and similarly, components described as distributed may be implemented in a combined form.

본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 청구범위에 의하여 나타내어지며, 청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present invention is indicated by the following claims rather than the above detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and equivalent concepts thereof should be construed as being included in the scope of the present invention.

Claims (9)

마이크로 엘이디(Micro-LED) 어셈블리 제조 방법으로서,
마이크로 엘이디의 전극부가 수용되는 수용부를 포함하는 회로기판을 형성하는 단계;
상기 회로기판에 전사 대상이 되는 상기 마이크로 엘이디를 상기 회로기판 상에 배치하는 단계;
상기 전극부가 상기 수용부에 수용되어 상기 마이크로 엘이디와 상기 회로기판이 어레이(array)되는 단계를 포함하며,
상기 형성하는 단계는,
서로 다른 형태의 제1 전극부 및 제2 전극부가 수용되며, 상기 제1 전극부 및 상기 제2 전극부와 대응하도록 제1 수용부 및 제2 수용부를 형성하는,
어셈블리 제조 방법.
As a method for manufacturing a Micro-LED assembly,
Forming a circuit board including a receiving portion in which the electrode portion of the micro LED is accommodated;
disposing the micro LED to be transferred to the circuit board on the circuit board;
The electrode part is received in the accommodating part, and the micro LED and the circuit board are arrayed.
The forming step is
A first electrode part and a second electrode part of different shapes are accommodated, and a first accommodating part and a second accommodating part are formed to correspond to the first electrode part and the second electrode part,
assembly manufacturing method.
 제1항에 있어서,
상기 형성하는 단계 이전에,
상기 회로기판 상에 제1 전도성층을 적층하는 단계;
상기 제1 전도성층 상에 절연층을 적층하는 단계;
상기 절연층 상에 제2 전도성층을 적층하는 단계를 포함하는,
어셈블리 제조 방법.
According to claim 1,
Prior to the forming step,
laminating a first conductive layer on the circuit board;
laminating an insulating layer on the first conductive layer;
Laminating a second conductive layer on the insulating layer,
assembly manufacturing method.
 제2항에 있어서,
상기 형성하는 단계는,
상기 제1 전도성층 일부를 식각하여 상기 제1 수용부를 형성하는 단계;
상기 제2 전도성층 일부를 식각하여 상기 제2 수용부를 형성하는 단계를 포함하는,
어셈블리 제조 방법.
According to claim 2,
The forming step is
forming the first accommodating portion by etching a portion of the first conductive layer;
Forming the second accommodating portion by etching a portion of the second conductive layer,
assembly manufacturing method.
 제3항에 있어서,
상기 형성하는 단계는,
상기 제1 수용부는 상기 제2 수용부보다 큰 면적을 가지도록 형성하는,
어셈블리 제조 방법.
According to claim 3,
The forming step is
The first accommodating portion is formed to have a larger area than the second accommodating portion,
assembly manufacturing method.
 제3항에 있어서,
상기 형성하는 단계는,
상기 제1 수용부 및 상기 제2 수용부 중 적어도 어느 하나는 상기 전극부를 향할수록 점진적으로 내경이 증가하도록 형성하는,
어셈블리 제조 방법.
According to claim 3,
The forming step is
At least one of the first accommodating portion and the second accommodating portion is formed such that an inner diameter gradually increases toward the electrode portion,
assembly manufacturing method.
 제1항에 있어서,
상기 어레이하는 단계는,
상기 회로기판 및 상기 마이크로 엘이디 중 적어도 어느 하나에 초음파를 전송하는 단계를 포함하는,
어셈블리 제조 방법.
According to claim 1,
In the step of arranging,
Transmitting ultrasonic waves to at least one of the circuit board and the micro LED,
assembly manufacturing method.
 제1항에 있어서,
상기 제1 전극부 및 제2 전극부는 서로 다른 자성을 가지고,
상기 제1 수용부 및 제2 수용부는 상기 제1 전극부 및 제2 전극부와 반대의 자성을 가지는,
어셈블리 제조 방법.
According to claim 1,
The first electrode part and the second electrode part have different magnetism,
The first accommodating portion and the second accommodating portion have opposite magnetism to the first electrode portion and the second electrode portion,
assembly manufacturing method.
 제1항있어서,
상기 형성하는 단계는,
상기 제1 전극 및 제2 전극 사이와 상기 제1 수용부 및 상기 제2 수용부 사이에 솔더를 도포하는 단계를 더 포함하는,
어셈블리 제조 방법.
According to claim 1,
The forming step is
Applying solder between the first electrode and the second electrode and between the first accommodating portion and the second accommodating portion,
assembly manufacturing method.
 제1항에 있어서,
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 어느 하는 n-형 질화물 반도체층과 접합된 금속이고, 나머지 하나는 p-형 질화물 반도체층과 접합된 금속인,
어셈블리 제조 방법.


According to claim 1,
One of the first electrode and the second electrode is a metal bonded to an n-type nitride semiconductor layer, and the other is a metal bonded to a p-type nitride semiconductor layer,
assembly manufacturing method.
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