KR102601054B1 - Micro led assembly - Google Patents

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KR102601054B1
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박아현
백승재
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한국해양과학기술원
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Abstract

본 발명의 실시 예는 버티컬 타입의 전극이 회로기판에 수용되도록 형성하여 마이크로 엘이디 제조 과정에서의 물성 변화를 최소화할 수 있는 마이크로 엘이디 어셈블리를 제공한다. An embodiment of the present invention provides a micro LED assembly that can minimize changes in physical properties during the micro LED manufacturing process by forming vertical-type electrodes to be accommodated in a circuit board.

Description

마이크로 엘이디 어셈블리{MICRO LED ASSEMBLY}Micro LED assembly{MICRO LED ASSEMBLY}

본 발명은 마이크로 엘이디 어셈블리에 관한 것으로, 보다 구체적으로 마이크로 엘이디 전극이 회로기판에 수용되도록 형성하여 마이크로 엘이디 패널 제조 과정에서의 기계적 안정성 및 재료 물성 변화를 최소화할 수 있는 마이크로 엘이디 어셈블리에 관한 것이다. The present invention relates to a micro LED assembly, and more specifically, to a micro LED assembly that can minimize changes in mechanical stability and material properties during the manufacturing process of a micro LED panel by forming micro LED electrodes to be accommodated in a circuit board.

이하에서 기술되는 내용은 본 발명의 실시 예와 관련되는 배경 정보를 제공할 목적으로 기재된 것일 뿐이고, 기술되는 내용들이 당연하게 종래기술을 구성하는 것은 아니다. The content described below is merely for the purpose of providing background information related to embodiments of the present invention, and does not necessarily constitute prior art.

일반적으로 엘이디는 전류를 빛으로 변환시키는 잘 알려진 반도체 발광 소자로서 광 변환 효율이 높기에 에너지 소비량이 매우 적으며 수명이 반영구적이고 환경 친화적인 그린 소재로서 빛의 혁명이라 불리며, 정보 통신기기를 비롯한 전자장치의 표시 화상용 광원으로 널리 이용되어 왔다.In general, LED is a well-known semiconductor light-emitting device that converts current into light. It has high light conversion efficiency, so it consumes very little energy, has a semi-permanent lifespan, and is an environmentally friendly green material. It is called the revolution of light and is used in electronics including information and communication devices. It has been widely used as a light source for display images in devices.

최근에는 화합물 반도체 기술의 발달로 고휘도 적색, 주황, 녹색, 청색 및 백색 LED가 개발되었으며, 이를 활용하여 신호등, 핸드폰, 자동차 전조등, 옥외 전광판, LCD BLU(back light unit), 그리고 실내 외 조명 등 많은 분야에서 응용되고 있으며 국내외에서 활발한 연구가 계속되고 있다. 특히 넓은 밴드갭을 갖는 GaN계 화합물 반도체는 녹색, 청색 그리고 자외선 영역의 빛을 방출하는 LED 반도체의 제조에 이용되는 물질이며, 청색 LED 소자를 이용하여 백색 LED 소자의 제작이 가능하므로 이에 대한 많은 연구가 이루어지고 있다.Recently, with the development of compound semiconductor technology, high-brightness red, orange, green, blue, and white LEDs have been developed, and these can be used in many applications such as traffic lights, cell phones, automobile headlights, outdoor electronic signs, LCD BLU (back light unit), and indoor and outdoor lighting. It is being applied in many fields, and active research continues both domestically and internationally. In particular, GaN-based compound semiconductors with a wide bandgap are materials used in the manufacture of LED semiconductors that emit light in the green, blue, and ultraviolet ranges. It is possible to manufacture white LED devices using blue LED devices, so there is much research on this. is being done.

이러한 일련의 연구들 중 LED의 크기를 나노 또는 마이크로 단위로 제작한 초소형 LED 소자를 조명, 디스플레이 등에 활용하기 위한 연구가 계속되고 있다. 이러한 연구에서 지속적으로 주목 받고 있는 부분은 초소형 LED소자에 전원을 인가할 수 있는 전극, 활용목적 및 전극이 차지하는 공간의 감소 등을 위한 정렬방법, 전극배치, 배치된 전극에 초소형 LED의 실장방법 등에 관한 것들이다.Among these series of studies, research is continuing to utilize ultra-small LED devices manufactured in nano or micro units for use in lighting, displays, etc. Areas that continue to receive attention in these studies include electrodes that can apply power to ultra-small LED elements, alignment methods for utilization purposes and reduction of the space occupied by electrodes, electrode placement, and mounting methods of ultra-small LEDs on the arranged electrodes. It's about things.

이러한 마이크로 LED를 포함한 투명 디스플레이 패널은 전도성 회로 기판을 포함하는 형태로 구현되며, 전도성 회로 기판 제조 방법에는 투명 전극 형성 제조 공정이 필수적이다. 투명 전극에는 ITO (Indium Tin Oxide), 나노와이어 (Nanowire), 메탈 메쉬 (Metal Mesh), 전도성 고분자, 그래핀 (Graphene), 카본나노튜브 (Carbon Nanotube)등 다양한 재료가 사용되며, 재료에 따라 제조 공정에 차이가 있다. 특히 투명하고 유연한 전극 재료를 이용하여 회로 기판을 제조할 경우 전극 형성 공정이 복잡하고, 전극 재료 손상이 발생한다는 한계가 있다. A transparent display panel including such micro LEDs is implemented in a form that includes a conductive circuit board, and a transparent electrode formation manufacturing process is essential in the conductive circuit board manufacturing method. Transparent electrodes use a variety of materials such as ITO (Indium Tin Oxide), Nanowire, Metal Mesh, conductive polymer, Graphene, and Carbon Nanotube, and are manufactured depending on the material. There is a difference in the process. In particular, when manufacturing a circuit board using a transparent and flexible electrode material, there are limitations in that the electrode formation process is complicated and damage to the electrode material occurs.

특히 마이크로 LED 패널에 투명 전극을 적용하기 위해서는 도 1에 도시된 바와 같이 정렬된 마이크로 LED 패널(10)의 전극(20)과 투명전극(40)이 형성되어 있는 전도성 회로기판(50)이 접합될 수 있다. 이때, 전극(20)과 투명전극(40) 사이에는 전극(20)과 투명전극(40)을 접합하는 솔더(30)가 도포되어 있다. In particular, in order to apply a transparent electrode to a micro LED panel, the electrode 20 of the micro LED panel 10 aligned as shown in FIG. 1 and the conductive circuit board 50 on which the transparent electrode 40 is formed are bonded. You can. At this time, solder 30 for joining the electrode 20 and the transparent electrode 40 is applied between the electrode 20 and the transparent electrode 40.

구체적으로, 마이크로 LED 패널(10)의 전도성 회로기판(50)에 그래핀을 투명전극을 형성하는 재료로 사용할 때, PMMA/그래핀을 전사하고 PMMA를 제거한 후, 그래핀 전극 패턴 공정을 실시할 수 있다. 이때, 그래핀 전사에 사용되는 PMMA의 잔여물과 그래핀 전극 패턴 형성을 위한 Photolithography 공정에 사용되는 Photoresist가 그래핀에 잔여되기 때문에 투명 전극의 면 저항 특성 등의 재료 물성이 저하된다는 문제가 있다. Specifically, when graphene is used as a material for forming a transparent electrode on the conductive circuit board 50 of the micro LED panel 10, PMMA/graphene is transferred, PMMA is removed, and then a graphene electrode pattern process is performed. You can. At this time, there is a problem that material properties such as sheet resistance characteristics of the transparent electrode are deteriorated because the residue of PMMA used for graphene transfer and the photoresist used in the photolithography process for forming the graphene electrode pattern remain in the graphene.

이와 같은 마이크로 LED 패널(10) 제조 시 전도성 회로기판(50)의 재료 물성 저하를 최소화하며 제조할 수 있는 공정이 요구되고 있다. When manufacturing such a micro LED panel 10, a process that can be manufactured while minimizing degradation of the material properties of the conductive circuit board 50 is required.

전술한 배경기술은 발명자가 본 발명의 도출을 위해 보유하고 있었거나, 본 발명의 도출 과정에서 습득한 기술 정보로서, 반드시 본 발명의 출원 전에 일반 공중에게 공개된 공지기술이라 할 수는 없다.The above-mentioned background technology is technical information that the inventor possessed for deriving the present invention or acquired in the process of deriving the present invention, and cannot necessarily be said to be known art disclosed to the general public before filing the application for the present invention.

본 발명의 실시 예는 마이크로 크기 엘이디 전극을 제조하고, 전극과 접합하는 기판에 전극이 수용될 수 있는 수용부를 형성하여 별도의 접합 과정 없는 마이크로 엘이디 어셈블리를 제공하는 것이다. An embodiment of the present invention provides a micro LED assembly without a separate bonding process by manufacturing a micro-sized LED electrode and forming a receiving portion in which the electrode can be accommodated on a substrate bonded to the electrode.

또한, 본 발명의 실시 예는 마이크로 엘이디 패널 제조 과정에서 전도성 회로기판 전극 재료의 물성 저하를 최소화하며 제조할 수 있는 마이크로 엘이디 어셈블리를 제공하는 것이다. In addition, an embodiment of the present invention provides a micro LED assembly that can be manufactured while minimizing the deterioration of the physical properties of the conductive circuit board electrode material during the micro LED panel manufacturing process.

본 발명의 목적은 이상에서 언급한 과제에 한정되지 않으며, 언급되지 않은 본 발명의 다른 목적 및 장점들은 하기의 설명에 의해서 이해될 수 있고, 본 발명의 실시 예에 의해 보다 분명하게 이해될 것이다. 또한, 본 발명의 목적 및 장점들은 특허 청구 범위에 나타낸 수단 및 그 조합에 의해 실현될 수 있음을 알 수 있을 것이다.The object of the present invention is not limited to the problems mentioned above, and other objects and advantages of the present invention that are not mentioned can be understood through the following description and will be more clearly understood through examples of the present invention. Additionally, it will be appreciated that the objects and advantages of the present invention can be realized by means and combinations thereof as indicated in the patent claims.

본 발명의 실시 예에 따른 마이크로 엘이디(Micro-LED) 어셈블리는, 전극부를 포함하는 마이크로 엘이디; 및 상기 전극부가 수용되는 수용부를 포함하는 회로기판을 포함할 수 있다. A micro-LED assembly according to an embodiment of the present invention includes a micro-LED including an electrode portion; And it may include a circuit board including a receiving portion in which the electrode portion is accommodated.

이때, 상기 전극부는 상기 회로기판을 향하며, 서로 다른 형태로 형성된 제1 전극 및 제2 전극을 포함하고, 상기 회로기판은 상기 제1 전극 및 제2 전극이 수용되는 제1 수용부 및 제2 수용부를 포함할 수 있다. At this time, the electrode portion faces the circuit board and includes a first electrode and a second electrode formed in different shapes, and the circuit board includes a first accommodating portion and a second accommodating portion in which the first electrode and the second electrode are accommodated. May include wealth.

본 발명의 실시 예에 따른 상기 제1 전극은 제2 전극보다 길게 형성되고, 상기 제1 수용부는 상기 제2 수용부보다 깊이가 깊게 형성될 수 있다. The first electrode according to an embodiment of the present invention may be formed longer than the second electrode, and the first accommodating part may be formed to be deeper than the second accommodating part.

본 발명의 실시 예에 따른 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 상기 회로기판을 향하는 방향으로 동일 형상의 동일한 내경으로 형성될 수 있다. The first electrode and the second electrode according to an embodiment of the present invention may be formed with the same shape and the same inner diameter in the direction toward the circuit board.

본 발명의 실시 예에 따른 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 서로 다른 형상으로 형성되며, 다른 크기의 내경으로 형성될 수 있다. The first electrode and the second electrode according to an embodiment of the present invention may be formed in different shapes and have different inner diameters.

본 발명의 실시 예에 따른 상기 제1 수용부 및 상기 제2 수용부 중 적어도 어느 하나는 상기 전극부를 향할수록 점진적으로 내경이 증가하도록 형성될 수 있다. At least one of the first accommodating part and the second accommodating part according to an embodiment of the present invention may be formed so that the inner diameter gradually increases toward the electrode part.

본 발명의 실시 예에 따른 상기 제1 수용부 및 제2 수용부의 너비는, 상기 제1 전극 및 제2 전극보다 크게 형성될 수 있다. The width of the first accommodating part and the second accommodating part according to an embodiment of the present invention may be formed to be larger than that of the first electrode and the second electrode.

본 발명의 실시 예는, 상기 제1 전극 및 제2 전극 사이와 상기 제1 수용부 및 상기 제2 수용부 사이에 도포되는 솔더를 더 포함할 수 있다. An embodiment of the present invention may further include solder applied between the first electrode and the second electrode and between the first accommodating part and the second accommodating part.

본 발명의 실시 예에 따른 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 어느 하나는 n-형 질화물 반도체층과 접합된 금속이고, 나머지 하나는 p-형 질화물 반도체층과 접합된 금속일 수 있다. One of the first electrode and the second electrode according to an embodiment of the present invention may be a metal bonded to an n-type nitride semiconductor layer, and the other may be a metal bonded to a p-type nitride semiconductor layer.

본 발명의 실시 예에 따른 상기 회로기판은 상기 마이크로 엘이디를 향하는 일 면 상에 적층된 제1 전도성층, 상기 제1 전도성층 상에 적층된 절연층 및 상기 절연층 상에 적층된 제2 전도성층을 포함할 수 있다. The circuit board according to an embodiment of the present invention includes a first conductive layer laminated on one side facing the micro LED, an insulating layer laminated on the first conductive layer, and a second conductive layer laminated on the insulating layer. may include.

이때, 상기 제1 수용부 및 상기 제2 수용부는 상기 절연층 및 상기 제2 전도성층 일부를 천공, 에칭 중 적어도 어느 하나를 통해 형성할 수 있다. At this time, the first accommodating part and the second accommodating part may be formed by forming a portion of the insulating layer and the second conductive layer through at least one of drilling and etching.

전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 및 이점이 이하의 도면, 청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.Other aspects, features, and advantages in addition to those described above will become apparent from the following drawings, claims, and detailed description of the invention.

본 발명의 실시 예는 마이크로 엘이디에 전극을 형성하고 마이크로 엘이디와 접합하는 회로기판에 전극이 수용되는 수용부를 형성함으로써, 회로기판에 전극 패턴을 형성하기 위한 별도의 작업 공정 없이 마이크로 어셈블리를 제조할 수 있게 된다. An embodiment of the present invention forms an electrode on a micro LED and forms a receiving portion in which the electrode is received on a circuit board bonded to the micro LED, thereby making it possible to manufacture a micro assembly without a separate work process for forming an electrode pattern on the circuit board. There will be.

따라서, 마이크로 엘이디 어셈블리 제조 공정의 단순화가 이루어질 수 있다. Accordingly, the micro LED assembly manufacturing process can be simplified.

또한, 기판 상에서 전극 패턴 공정을 실행하지 않으므로 회로기판의 전극 재료의 물성 변화를 최소화할 수 있다. Additionally, since the electrode pattern process is not performed on the substrate, changes in the physical properties of the electrode material of the circuit board can be minimized.

본 발명의 효과는 이상에서 언급된 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to those mentioned above, and other effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

도 1은 종래의 마이크로 엘이디 어셈블리를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 마이크로 엘이디 어셈블리를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 도 2의 마이크로 엘이디와 회로기판을 도시한 도면이다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 마이크로 엘이디 어셈블리를 도시한 도면이다.
Figure 1 is a diagram schematically showing a conventional micro LED assembly.
Figure 2 is a diagram schematically showing a micro LED assembly according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a diagram showing the micro LED and circuit board of FIG. 2.
4 and 5 are diagrams showing a micro LED assembly according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 발명된 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 발명된 실시 예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 발명된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 발명된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 발명된 기술적 사상이 제한되지 않으며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Hereinafter, embodiments invented in the present specification will be described in detail with reference to the attached drawings. However, identical or similar components will be assigned the same reference numbers regardless of the reference numerals, and duplicate descriptions thereof will be omitted. The suffixes “module” and “part” for components used in the following description are given or used interchangeably only for the ease of preparing the specification, and do not have distinct meanings or roles in themselves. Additionally, in describing the embodiments invented in this specification, if it is determined that a detailed description of related known technologies may obscure the gist of the embodiments invented in this specification, the detailed description will be omitted. In addition, the attached drawings are only for easy understanding of the embodiments invented in the present specification, and the technical idea invented in the present specification is not limited by the attached drawings, and are included in the spirit and technical scope of the present invention. It should be understood to include all modifications, equivalents and substitutions.

제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.Terms containing ordinal numbers, such as first, second, etc., may be used to describe various components, but the components are not limited by the terms. The above terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.When a component is said to be "connected" or "connected" to another component, it is understood that it may be directly connected to or connected to the other component, but that other components may exist in between. It should be. On the other hand, when it is mentioned that a component is “directly connected” or “directly connected” to another component, it should be understood that there are no other components in between.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수개의 표현을 포함한다.Singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise.

본 출원에서, "포함한다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.In this application, terms such as “comprise” or “have” are intended to designate the presence of features, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof described in the specification, but are not intended to indicate the presence of one or more other features. It should be understood that this does not exclude in advance the possibility of the existence or addition of elements, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

도면의 설명에 앞서 본 발명의 실시 예에 따른 엘이디 어셈블리는 마이크로 발광 다이오드 즉, 마이크로 엘이디(Micro-LED) 어셈블리를 예를 들어 설명하기로 하지만, 마이크로 엘이디 어셈블리 이외에 엘이디 어셈블리에 적용할 수 있음은 물론이다. Before explaining the drawings, the LED assembly according to an embodiment of the present invention will be described by taking a micro light-emitting diode, that is, a micro-LED assembly, as an example. However, it can be applied to LED assemblies other than micro LED assemblies. am.

도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 마이크로 엘이디 어셈블리를 개략적으로 나타낸 도면이다. Figure 2 is a diagram schematically showing a micro LED assembly according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참고하면, 마이크로 엘이디 어셈블리(1)는 전극부(140)를 포함하는 마이크로 엘이디(100) 및 전극부(140)가 수용되는 수용부(260_도 3 참고)를 포함하는 회로기판(200)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 2, the micro LED assembly 1 is a circuit board including a micro LED 100 including an electrode portion 140 and a receiving portion 260 (see FIG. 3) in which the electrode portion 140 is accommodated. 200).

마이크로 엘이디(100)는 회로기판(200)을 향하는 일 면에 전극부(140)가 형성될 수 있고, 전극부(140)는 회로기판(200)에 형성된 수용부(260)에 수용되면서 별도의 접합 과정 없이 마이크로 엘이디(100)와 회로기판(200)이 조립, 제조될 수 있도록 한다. The micro LED 100 may have an electrode portion 140 formed on one side facing the circuit board 200, and the electrode portion 140 is accommodated in the receiving portion 260 formed on the circuit board 200 and is separated from the other side. It allows the micro LED 100 and the circuit board 200 to be assembled and manufactured without a bonding process.

마이크로 엘이디(100)의 전극부(140)는 회로기판(200)을 향하게 형성된다. 구체적으로, 전극부(140)는 서로 다른 형태의 제1 전극(142) 및 제2 전극(144)을 포함하여 구성될 수 있다. The electrode portion 140 of the micro LED 100 is formed to face the circuit board 200. Specifically, the electrode unit 140 may be configured to include a first electrode 142 and a second electrode 144 of different shapes.

예를 들어 제1 전극(142) 및 제2 전극(144)은 형상(모양)이 다르게 형성될 수 있으며, 모양은 동일하지만 길이(높이)가 다르게 형성될 수도 있다. 유사하게 형상 및 길이 모두 다르게 형성될 수도 있다. 이러한 특징을 이하 도면을 참고하여 상세히 설명하기로 한다. For example, the first electrode 142 and the second electrode 144 may have different shapes, or may have the same shape but different lengths (heights). Similarly, both shape and length may be formed differently. These features will be described in detail below with reference to the drawings.

제1 전극(142) 및 제2 전극(144) 중 어느 하나의 전극은 n-형 질화물 반도체층인 n-GaN과 접합된 금속으로 형성될 수 있으며, 나머지 하나는 p-형 질화물 반도체층인 p-GaN과 접합된 금속으로 형성될 수 있다. One of the first electrode 142 and the second electrode 144 may be formed of a metal bonded to n-GaN, which is an n-type nitride semiconductor layer, and the other electrode may be formed of a metal bonded to n-GaN, which is a p-type nitride semiconductor layer. -Can be formed from a metal bonded with GaN.

본 발명의 예시로 제1 전극(142)이 n-형 질화물 반도체층인 n-GaN과 접합된 금속으로 형성되고, 제2 전극(144)이 p-형 질화물 반도체층인 p-GaN과 접합된 금속으로 형성될 수 있으며, 예컨대 제1 전극(142), 제2 전극(144)은 인듐(In)과 주석(Sn) 금속 기반의 전극으로 형성될 수 있지만 제1 전극(142) 및 제2 전극(144)를 형성하는 금속에 의해 본 발명이 제한되는 것은 아니다. As an example of the present invention, the first electrode 142 is formed of a metal bonded to n-GaN, an n-type nitride semiconductor layer, and the second electrode 144 is bonded to p-GaN, a p-type nitride semiconductor layer. It may be formed of metal, for example, the first electrode 142 and the second electrode 144 may be formed of an indium (In) and tin (Sn) metal-based electrode. The present invention is not limited by the metal forming (144).

이러한 제1 전극(142) 및 제2 전극(144)은 마이크로 엘이디(100)에 증착될 수 있으며, 마이크로 엘이디(100)와 회로기판(200)이 접합되면 마이크로 엘이디(100)와 회로기판(200)이 물리적, 전기적으로 연결될 수 있도록 한다. These first electrodes 142 and second electrodes 144 may be deposited on the micro LED 100, and when the micro LED 100 and the circuit board 200 are bonded, the micro LED 100 and the circuit board 200 ) can be connected physically and electrically.

다시 도면을 참고하면 회로기판(200)에 형성된 수용부(260)는 마이크로 엘이디(100)의 전극부(140)가 삽입된 상태로 마이크로 엘이디(100)를 고정하도록 한다. 회로기판(200)에 수용부(260)를 형성하는 방법은 크기, 형태에 따라 슈퍼드릴, 레이저 천공, 에칭, 레이저 가공 등 중 어느 하나를 이용할 수 있으며, 수용부(260) 형성 방법은 본 발명을 제한하지 않는다. Referring to the drawing again, the receiving portion 260 formed on the circuit board 200 fixes the micro LED 100 with the electrode portion 140 of the micro LED 100 inserted. The method of forming the receiving portion 260 on the circuit board 200 may use any one of super drilling, laser drilling, etching, laser processing, etc. depending on the size and shape. The method of forming the receiving portion 260 is according to the present invention. does not limit

또한, 회로기판(200)은 사파이어 및 유리와 같은 투과성 소재인 GaN, SiC, ZnO, Si, GaP 및 GaAs 등의 소재 중 어느 하나로 형성될 수 있으며, 다르게는 유연한 재질의 폴리머(Polymer) 소재, 폴리이미드 내에 탄성체를 넣은 유연 재질 등 중 어느 하나로 형성될 수도 있다. In addition, the circuit board 200 may be made of any one of materials such as GaN, SiC, ZnO, Si, GaP, and GaAs, which are transparent materials such as sapphire and glass. Alternatively, the circuit board 200 may be made of a flexible polymer material, such as polyimide. It may be formed of any one of the following: a flexible material containing an elastic body within the mid-body.

한편, 회로기판(200)은 마이크로 엘이디(100)를 향하는 일 면 상에 적층된 제1 전도성층(242), 제1 전도성층(242) 상에 적층된 절연층(244) 및 절연층 상에 적층된 제2 전도성층(246)을 포함할 수 있다. Meanwhile, the circuit board 200 includes a first conductive layer 242 laminated on one side facing the micro LED 100, an insulating layer 244 laminated on the first conductive layer 242, and an insulating layer on the insulating layer. It may include a laminated second conductive layer 246.

여기서, 제1 전도성층(242)은 캐소드(Cathode)이고, 제2 전도성층(246)은 애노드(Anode)로 구현될 수 있다. Here, the first conductive layer 242 may be implemented as a cathode, and the second conductive layer 246 may be implemented as an anode.

회로기판(200) 상에 적층된 제1 전도성층(242), 절연층(244) 및 제2 전도성층(246)은 마이크로 엘이디(100)의 전극부(140)가 수용부(260)에 수용되면 회로기판(200)과 마이크로 엘이디(100)의 전기적 연결을 위한 구성이다. 즉, 본 발명의 실시예의 회로기판(200) 상에는 마이크로 엘이디(100)의 전극부(140)에 대응하는 별도의 전극이 형성되지 않고, 마이크로 엘이디(100)에 접합, 형성한 전극부(140)가 수용되는 수용부(260)를 형성할 수 있다. 다시 말해 본 발명의 실시예의 회로기판(200)에는 종래의 전극 패턴을 형성하는 제조 과정 없이 마이크로 엘이디(100)와 조립, 전기적 연결이 가능해질 수 있다. The first conductive layer 242, the insulating layer 244, and the second conductive layer 246 stacked on the circuit board 200 are accommodated in the receiving portion 260 by the electrode portion 140 of the micro LED 100. This is a configuration for electrical connection between the circuit board 200 and the micro LED 100. That is, a separate electrode corresponding to the electrode portion 140 of the micro LED 100 is not formed on the circuit board 200 of the embodiment of the present invention, but the electrode portion 140 is formed by bonding to the micro LED 100. A receiving portion 260 in which is received may be formed. In other words, the circuit board 200 of the embodiment of the present invention can be assembled and electrically connected to the micro LED 100 without the manufacturing process of forming a conventional electrode pattern.

이러한 수용부(260)는 회로기판(200) 일부를 에칭, 천공 등을 통해 형성하지만, 다르게는 포토레지스트(photoresist) 등의 기법으로 형성할 수도 있다. The receiving portion 260 is formed by etching or drilling a portion of the circuit board 200, but may also be formed using a photoresist technique.

이와 같이 마이크로 엘이디(100)에 전극을 형성하고 마이크로 엘이디(100)와 접합하는 회로기판(200)에 전극이 수용되는 수용부(260)를 형성함으로써, 회로기판(200)에 전극 패턴을 형성하기 위한 별도의 작업 공정 없이 마이크로 어셈블리를 제조할 수 있게 된다. 구체적으로, 마이크로 엘이디 패널의 회로기판에 그래핀을 전극 재료로 사용할 때, PMMA/그래핀을 전사하고 PMMA를 제거한 후, 그래핀 전극 패턴 공정을 실시한다. 이때, 그래핀 전사에 사용되는 PMMA의 잔여물과 그래핀 전극 패턴 형성을 위한 Photolithography 공정에 사용되는 Photoresist가 그래핀에 잔여된다는 문제가 있었다. In this way, by forming an electrode on the micro LED 100 and forming a receiving portion 260 in which the electrode is received on the circuit board 200 bonded to the micro LED 100, an electrode pattern is formed on the circuit board 200. It becomes possible to manufacture micro assemblies without a separate work process. Specifically, when graphene is used as an electrode material on the circuit board of a micro LED panel, PMMA/graphene is transferred, PMMA is removed, and then a graphene electrode pattern process is performed. At this time, there was a problem that residues of PMMA used for graphene transfer and photoresist used in the photolithography process for forming graphene electrode patterns remained in graphene.

이러한 전극 패턴 공정을 본 발명의 실시 예의 회로기판(200)에는 실행하지 않으므로 회로기판(200)의 전극 재료의 물성 변화를 최소화할 수 있다. 또한, 마이크로 엘이디에 기판을 형성함에 따라 전극 패턴을 형성하기 위한 별도의 제조 과정 없이 마이크로 엘이디 어셈블리를 제조할 수 있어 엘이디 어셈블리 제조 공정이 보다 단순화될 수 있다. Since this electrode pattern process is not performed on the circuit board 200 of the embodiment of the present invention, changes in the physical properties of the electrode material of the circuit board 200 can be minimized. In addition, by forming a substrate on the micro LED, the micro LED assembly can be manufactured without a separate manufacturing process for forming an electrode pattern, thereby simplifying the LED assembly manufacturing process.

도 3은 도 2의 마이크로 엘이디와 회로기판을 도시한 도면이고, 도 4 및 도 5는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 마이크로 엘이디 어셈블리를 도시한 도면이다. Figure 3 is a diagram showing the micro LED and circuit board of Figure 2, and Figures 4 and 5 are diagrams showing a micro LED assembly according to another embodiment of the present invention.

도 3을 참고하면, 회로기판(200)은 기판(220) 상에 제1 전도성층(242), 절연층(244) 및 제2 전도성층(246)이 적층되어 형성될 수 있다. 적층되어 형성된 회로기판(200)은 마이크로 엘이디(100)의 전극부(140) 형태에 대응하여 수용부(260)를 형성할 수 있다.Referring to FIG. 3, the circuit board 200 may be formed by stacking a first conductive layer 242, an insulating layer 244, and a second conductive layer 246 on a substrate 220. The circuit board 200 formed by stacking can form a receiving portion 260 corresponding to the shape of the electrode portion 140 of the micro LED 100.

수용부(260)는 예컨대 제1 전도성층(242) 일부를 식각한 제1 수용부(262)와, 제1 전도성층(242)부터 제2 절연층(244)의 일부 또는 전체를 식각하여 형성한 제2 수용부(264)로 구성될 수 있다. The receiving portion 260 is formed by, for example, etching the first receiving portion 262 by etching a portion of the first conductive layer 242 and partially or entirely etching the second insulating layer 244 from the first conductive layer 242. It may consist of one second receiving portion 264.

본 발명의 실시 예에서는 수용부(260) 형성을 식각을 예를 들지만 직경 크기나 형태에 따라 슈퍼드릴, 레이저 천공, 에칭 등 중 어느 하나의 공법을 통해 형성할 수 있다. In an embodiment of the present invention, the receiving portion 260 is formed by etching, for example, but it can be formed through any one of the following methods, such as super drilling, laser drilling, or etching, depending on the diameter size or shape.

마이크로 엘이디(100)는 엘이디 기판(120)에 전극부(140)가 형성될 수 있다. 전극부(140)는 마이크로 엘이디(100)를 회로기판(200)을 향하는 방향으로 형성될 수 있으며, 각 전극은 형태(모양)나 길이(높이) 등이 다르게 형성될 수 있다. The micro LED 100 may have an electrode portion 140 formed on the LED substrate 120. The electrode unit 140 may be formed to face the micro LED 100 toward the circuit board 200, and each electrode may be formed to have a different shape or length (height).

예를 들어, 제1 전극(142)은 n-형 질화물 반도체층에 접합된 금속으로 형성될 수 있으며, 제2 전극(144)은 p-형 질화물 반도체층에 접합된 금속으로 형성될 수 있다. 또한, 제1 전극(142)의 길이는 제2 전극(144)의 길이보다 길게 형성될 수 있다. For example, the first electrode 142 may be formed of metal bonded to an n-type nitride semiconductor layer, and the second electrode 144 may be formed of metal bonded to a p-type nitride semiconductor layer. Additionally, the length of the first electrode 142 may be longer than the length of the second electrode 144.

여기서, 제1 전극(142)은 제2 전극(144)보다 길게 형성될 수 있으며, 제1 수용부(262)는 제2 수용부(264)보다 깊게 형성될 수 있다. 즉, 제1 수용부(262) 및 제2 수용부(264)는 제1 전극(142)과 제2 전극(144)의 형상과 대응하도록 형성될 수 있다. Here, the first electrode 142 may be formed longer than the second electrode 144, and the first accommodating part 262 may be formed deeper than the second accommodating part 264. That is, the first accommodating part 262 and the second accommodating part 264 may be formed to correspond to the shapes of the first electrode 142 and the second electrode 144.

이때, 제1 전극(142)의 길이는 제2 전극(144)의 길이보다 충분히 길게 형성될 수 있다. 예컨대 제1 전극(142)은 회로기판(200)의 제1 전도성층(242)부터 제2 절연층(244)을 가로지르도록 형성될 수 있으며, 제2 전극(144)은 회로기판(200)의 제1 전도성층(242)에 수용되도록 형성될 수 있다. 전극부(140) 중 하나의 전극이 길게 형성됨에 따라 형상에 대응하는 위치에 전극부(140)가 수용부(260)에 수용될 수 있다. 따라서, 전극부(140)를 수용부(260)에 수용하기 위한 별도의 조립 과정 없이 형상 맞춤에 따른 조립이 이루어질 수 있다. At this time, the length of the first electrode 142 may be sufficiently longer than the length of the second electrode 144. For example, the first electrode 142 may be formed to span from the first conductive layer 242 of the circuit board 200 to the second insulating layer 244, and the second electrode 144 may be formed across the circuit board 200. It may be formed to be accommodated in the first conductive layer 242. As one of the electrode parts 140 is formed to be long, the electrode part 140 can be accommodated in the receiving part 260 at a position corresponding to its shape. Accordingly, assembly according to shape alignment can be performed without a separate assembly process for accommodating the electrode portion 140 in the receiving portion 260.

또한, 전극부(140) 중 어느 하나의 전극이 충분히 길게 형성되므로 전극부(140)가 수용부(260)에 수용된 상태에서 흔들림을 최소화 없이 수용될 수 있다.In addition, since one of the electrode parts 140 is formed to be sufficiently long, the electrode part 140 can be accommodated in the receiving part 260 without minimizing shaking.

다시 도 3을 참고하면, 제1 수용부(262) 및 제2 수용부(264) 너비는 제1 전극(142) 및 제2 전극(144)의 너비보다 크게 형성될 수 있다(도 3의 d1 및 d2 참고). 이는 전극부(140)가 수용부(260)에 수용될 때 억지 끼움과 같은 조립이 요구되지 않고, 제1 전극(142) 및 제2 전극(144)이 제1 수용부(262) 및 제2 수용부(264)에 삽입되며 조립되도록 하여 별도의 조립과정 없이 마이크로 엘이디(100)와 회로기판(200)이 조립, 접합될 수 있다. Referring again to FIG. 3, the width of the first accommodating part 262 and the second accommodating part 264 may be formed to be larger than the width of the first electrode 142 and the second electrode 144 (d1 in FIG. 3 and d2). This means that assembly such as interference fitting is not required when the electrode portion 140 is accommodated in the receiving portion 260, and the first electrode 142 and the second electrode 144 are inserted into the first receiving portion 262 and the second electrode portion 260. By inserting and assembling the receiving portion 264, the micro LED 100 and the circuit board 200 can be assembled and bonded without a separate assembly process.

또한, 제1 수용부(262) 및 제2 수용부(264)의 너비가 제1 전극(142) 및 제2 전극(144)의 너비보다 크게 형성됨에 따라 전극부(140)와 수용부(260) 내벽과 접촉을 방지하여 전기적 쇼트를 방지할 수 있다. In addition, as the width of the first accommodating part 262 and the second accommodating part 264 is formed to be larger than the width of the first electrode 142 and the second electrode 144, the electrode part 140 and the accommodating part 260 ) Electrical short circuit can be prevented by preventing contact with the inner wall.

한편, 본 발명의 실시 예에서 제1 수용부(262) 및 제2 수용부(264)가 제1 전극(142) 및 제2 전극(144)의 너비보다 크게 형성된 예를 들지만, 다르게는 제1 전극(142)과 제2 전극(144)의 전기적 쇼트를 방지하기 위해 제1 수용부(262)의 너비는 제1 전극(142)보다 크게 형성하고, 제2 수용부(264)는 제2 전극(144)와 동일하게 형성할 수도 있다. Meanwhile, in an embodiment of the present invention, the first accommodating part 262 and the second accommodating part 264 are formed to be larger than the width of the first electrode 142 and the second electrode 144, but in other embodiments, the first accommodating part 262 and the second accommodating part 264 In order to prevent an electrical short circuit between the electrode 142 and the second electrode 144, the width of the first accommodating part 262 is formed to be larger than the first electrode 142, and the second accommodating part 264 is formed to be larger than the second electrode 142. It can also be formed the same as (144).

이때, 회로기판(200)의 일 면에 솔더(solder)를 도포하여 전극부(140)와 수용부(260)의 접합 정도를 향상시킬 수 있다. 즉, 수용부(260)에 전극부(140)가 수용되기 전에, 회로기판(200)과 접하는 전극부(140) 사이에 솔더(solder)를 도포하여 수용부(260)와 전극부(140)의 접합이 가능해지도록 형성할 수 있다. At this time, the degree of bonding between the electrode portion 140 and the receiving portion 260 can be improved by applying solder to one side of the circuit board 200. That is, before the electrode portion 140 is accommodated in the receiving portion 260, solder is applied between the electrode portion 140 in contact with the circuit board 200 to form the receiving portion 260 and the electrode portion 140. It can be formed so that joining is possible.

다시 도면을 참고하면, 제1 전극(142)과 제2 전극(144)은 동일한 형상으로 형성되며, 동일한 내경을 가지도록 형성될 수 있다. 예를 들어 제1 전극(142)과 제2 전극(144)은 원형, 다각형 등 동일한 형상으로 형성되고, 각각의 전극은 동일한 내경을 가지되, 길이만 다르도록 형성할 수 있다. Referring to the drawings again, the first electrode 142 and the second electrode 144 may be formed to have the same shape and have the same inner diameter. For example, the first electrode 142 and the second electrode 144 may be formed in the same shape, such as circular or polygonal, and each electrode may have the same inner diameter, but differ only in length.

이와 다르게 제1 전극(142) 및 제2 전극(144)은 다른 형상으로 형성될 수 있다. 예컨대, 제1 전극(142)은 원형으로 형성되고, 제2 전극(144)은 다각형 형상으로 형성될 수 있다.Alternatively, the first electrode 142 and the second electrode 144 may be formed in different shapes. For example, the first electrode 142 may be formed in a circular shape, and the second electrode 144 may be formed in a polygonal shape.

본 발명의 실시 예에서는 제1 전극(142) 및 제2 전극(144)이 다른 형상 및/또는 높이로 형성된 예를 들어 설명하기로 하지만, 제1 전극(142) 및 제2 전극(144)의 형상 및 높이에 의해 본 발명이 제한되지 않는다. In an embodiment of the present invention, the first electrode 142 and the second electrode 144 will be described as an example in which the first electrode 142 and the second electrode 144 are formed in different shapes and/or heights. The present invention is not limited by shape and height.

이와 같이 다른 형상으로 형성된 전극에 의해 전극부(140)가 수용부(260)에 수용될 때, 형상에 따라 수용됨으로써, 보다 쉽게 정합이 이루어질 수 있다. When the electrode portion 140 is accommodated in the receiving portion 260 by electrodes formed in different shapes as described above, the electrode portion 140 is accommodated according to the shape, so that alignment can be more easily achieved.

도 5를 참고하면, 제1 수용부(262) 및 제2 수용부(264) 중 적어도 어느 하나는 전극부(140)를 향할수록 점진적으로 내경이 증가하도록 형성될 수 있다. 구체적으로 제1 전도성층(242)에 형성된 수용홈 직경(D1)이 제2 절연층(244)에 형성된 수용홈 직경(D2)보다 작게 형성될 수 있다. Referring to FIG. 5 , at least one of the first accommodating part 262 and the second accommodating part 264 may be formed so that the inner diameter gradually increases toward the electrode part 140 . Specifically, the diameter D1 of the receiving groove formed in the first conductive layer 242 may be smaller than the diameter D2 of the receiving groove formed in the second insulating layer 244.

수용부(260)의 형상에 따라 전극부(140)가 수용부(260)에 수용될 때, 제1 전도성층(242)에 형성된 수용홈 직경(D1)에 걸림되면서 별도의 솔더(solder) 도포 작업 없이 전극부(140)가 수용부(260)에 고정될 수 있다. When the electrode portion 140 is accommodated in the receiving portion 260 according to the shape of the receiving portion 260, a separate solder is applied while being caught in the receiving groove diameter D1 formed in the first conductive layer 242. The electrode unit 140 can be fixed to the receiving unit 260 without any work.

이로 이해 마이크로 엘이디(100)의 전극부(140)가 회로기판(200)에 정렬될 때 별도의 부재를 이용하지 않고도 마이크로 엘이디(100)와 회로기판(200)의 조립이 가능해질 수 있다. Accordingly, when the electrode portion 140 of the micro LED 100 is aligned with the circuit board 200, assembly of the micro LED 100 and the circuit board 200 can be possible without using a separate member.

이와 같이 마이크로 엘이디(100)에 전극을 형성하고 마이크로 엘이디(100)와 접합하는 회로기판(200)에 전극이 수용되는 수용부(260)를 형성함으로써, 회로기판(200)에 전극 패턴을 형성하기 위한 별도의 작업 공정 없이 마이크로 어셈블리를 제조할 수 있게 된다. In this way, by forming an electrode on the micro LED 100 and forming a receiving portion 260 in which the electrode is received on the circuit board 200 bonded to the micro LED 100, an electrode pattern is formed on the circuit board 200. It becomes possible to manufacture micro assemblies without a separate work process.

따라서, 마이크로 엘이디 어셈블리 제조 공정의 단순화가 이루어질 수 있다. Accordingly, the micro LED assembly manufacturing process can be simplified.

또한, 기판 상에서 전극 패턴 공정을 실행하지 않으므로 회로기판(200)의 전극 재료 물성 변화를 최소화할 수 있다. Additionally, since the electrode pattern process is not performed on the substrate, changes in the physical properties of the electrode material of the circuit board 200 can be minimized.

이상 설명된 본 발명의 실시 예에 대한 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.The description of the embodiments of the present invention described above is for illustrative purposes, and a person skilled in the art of the present invention can easily transform it into another specific form without changing the technical idea or essential features of the present invention. You will be able to understand that Therefore, the embodiments described above should be understood in all respects as illustrative and not restrictive. For example, each component described as unitary may be implemented in a distributed manner, and similarly, components described as distributed may also be implemented in a combined form.

본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 청구범위에 의하여 나타내어지며, 청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present invention is indicated by the claims described below rather than the detailed description above, and all changes or modified forms derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts should be construed as being included in the scope of the present invention.

Claims (9)

마이크로 엘이디(Micro-LED) 어셈블리로서,
일 면에 복수의 전극부가 적층 형성된 마이크로 엘이디; 및
상기 전극부가 수용되는 수용부를 포함하는 회로기판을 포함하며,
상기 전극부는 상기 회로기판을 향하며, 높이 및 너비 중 적어도 어느 하나가 서로 다른 형태로 형성된 제1 전극 및 제2 전극을 포함하고,
상기 회로기판은 상기 제1 전극 및 제2 전극이 수용되는 제1 수용부 및 제2 수용부를 포함하며,
상기 제1 전극은 제2 전극보다 길게 형성되고,
상기 제1 수용부는 상기 제2 수용부보다 깊이가 깊은,
마이크로 엘이디 어셈블리.
As a Micro-LED assembly,
A micro LED with a plurality of electrode parts stacked on one side; and
It includes a circuit board including a receiving portion in which the electrode portion is accommodated,
The electrode portion faces the circuit board and includes a first electrode and a second electrode formed in different shapes in at least one of height and width,
The circuit board includes a first accommodating part and a second accommodating part in which the first electrode and the second electrode are accommodated,
The first electrode is formed longer than the second electrode,
The first accommodating part is deeper than the second accommodating part,
Micro LED assembly.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 상기 회로기판을 향하는 방향으로 동일 형상의 동일한 내경으로 형성된,
마이크로 엘이디 어셈블리.
According to paragraph 1,
The first electrode and the second electrode are formed with the same shape and the same inner diameter in the direction toward the circuit board,
Micro LED assembly.
제1항에 있어서,
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 서로 다른 형상으로 형성되며, 다른 크기의 내경으로 형성된,
마이크로 엘이디 어셈블리.
According to paragraph 1,
The first electrode and the second electrode are formed in different shapes and have inner diameters of different sizes,
Micro LED assembly.
제1항에 있어서,
상기 제1 수용부 및 상기 제2 수용부 중 적어도 어느 하나는 상기 전극부를 향할수록 점진적으로 내경이 증가하도록 형성된,
마이크로 엘이디 어셈블리.
According to paragraph 1,
At least one of the first accommodating part and the second accommodating part is formed so that the inner diameter gradually increases toward the electrode part,
Micro LED assembly.
제1항에 있어서,
상기 제1 수용부 및 제2 수용부의 너비는,
상기 제1 전극 및 제2 전극보다 큰,
마이크로 엘이디 어셈블리.
According to paragraph 1,
The widths of the first accommodating part and the second accommodating part are,
larger than the first electrode and the second electrode,
Micro LED assembly.
제1항에 있어서,
상기 제1 전극 및 제2 전극 사이와 상기 제1 수용부 및 상기 제2 수용부 사이에 도포되는 솔더를 더 포함하는,
마이크로 엘이디 어셈블리.
According to paragraph 1,
Further comprising solder applied between the first electrode and the second electrode and between the first accommodating part and the second accommodating part,
Micro LED assembly.
제1항있어서,
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 어느 하는 n-형 질화물 반도체층과 접합된 금속이고, 나머지 하나는 p-형 질화물 반도체층과 접합된 금속인,
마이크로 엘이디 어셈블리.
In paragraph 1,
One of the first electrode and the second electrode is a metal bonded to an n-type nitride semiconductor layer, and the other is a metal bonded to a p-type nitride semiconductor layer,
Micro LED assembly.
마이크로 엘이디(Micro-LED) 어셈블리로서,
일 면에 복수의 전극부가 적층 형성된 마이크로 엘이디; 및
상기 전극부가 수용되는 수용부를 포함하는 회로기판을 포함하며,
상기 전극부는 상기 회로기판을 향하며, 높이 및 너비 중 적어도 어느 하나가 서로 다른 형태로 형성된 제1 전극 및 제2 전극을 포함하고,
상기 회로기판은 상기 제1 전극 및 제2 전극이 수용되는 제1 수용부 및 제2 수용부를 포함하며,
상기 제1 전극은 제2 전극보다 길게 형성되고,
상기 제1 수용부는 상기 제2 수용부보다 깊이가 깊으며,
상기 회로기판은
상기 마이크로 엘이디를 향하는 일 면 상에 적층된 제1 전도성층;
상기 제1 전도성층 상에 적층된 절연층; 및
상기 절연층 상에 적층된 제2 전도성층을 포함하며,
상기 제1 수용부 및 상기 제2 수용부는 상기 절연층 및 상기 제2 전도성층 일부를 식각, 천공, 에칭, 레이저 가공 중 적어도 어느 하나를 통해 형성한,
마이크로 엘이디 어셈블리.
As a Micro-LED assembly,
A micro LED with a plurality of electrode parts stacked on one side; and
It includes a circuit board including a receiving portion in which the electrode portion is accommodated,
The electrode portion faces the circuit board and includes a first electrode and a second electrode formed in different shapes in at least one of height and width,
The circuit board includes a first accommodating part and a second accommodating part in which the first electrode and the second electrode are accommodated,
The first electrode is formed longer than the second electrode,
The first accommodating part is deeper than the second accommodating part,
The circuit board is
a first conductive layer laminated on one side facing the micro LED;
an insulating layer laminated on the first conductive layer; and
It includes a second conductive layer laminated on the insulating layer,
The first accommodating portion and the second accommodating portion are formed by forming a portion of the insulating layer and the second conductive layer through at least one of etching, drilling, etching, and laser processing.
Micro LED assembly.
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