KR20230034967A - 조정 가능한 기하학적 구조 트리밍 코일 (adjustable geometry trim coil) - Google Patents

Abstract

자기장들을 사용하여 에칭 레이트 및 플라즈마 균일성을 제어하기 위한 방법들, 시스템들, 장치들, 및 컴퓨터 프로그램들이 제공된다. 기판 프로세싱 장치는 기판을 프로세싱하기 위한 프로세싱 존을 포함하는 진공 챔버를 포함한다. 장치는 진공 챔버와 연관된 잔류 자기장을 나타내는 신호를 검출하도록 구성된 자기장 센서를 더 포함한다. 적어도 하나의 자기장 소스는 진공 챔버의 프로세싱 존을 통해 하나 이상의 보조 자기장을 생성하도록 구성된다. 자기장 제어기는 자기장 센서 및 적어도 하나의 자기장 소스에 커플링된다. 자기장 제어기는 하나 이상의 보조 자기장들로 하여금 잔류 자기장을 미리 결정된 (pre-determined) 값으로 감소시키게 하는, 하나 이상의 보조 자기장들의 적어도 하나의 특성을 조정하도록 구성된다.

Description

조정 가능한 기하 구조 트리밍 코일 (adjustable geometry trim coil)

본 명세서에 개시된 주제는 일반적으로 반도체 제작에 사용된 용량 커플링된 플라즈마 (capacitively coupled plasma; CCP) 의 자기장들을 사용하여 에칭 레이트 및 플라즈마 균일성을 제어하기 위한 방법들, 시스템들, 및 머신-판독 가능 (machine-readable) 저장 매체에 관한 것이고, 자기장들은 조정 가능한 기하 구조 트리밍 코일 (adjustable geometry trim coil; AGTC) 에 의해 생성된다.

기판 프로세싱 장치들은 에칭, 물리적 기상 증착 (physical vapor deposition; PVD), 화학적 기상 증착 (chemical vapor deposition; CVD), 플라즈마 강화된 화학적 기상 증착 (plasma-enhanced CVD; PECVD), 원자 층 증착 (atomic layer deposition; ALD), 플라즈마 강화된 원자 층 증착 (plasma-enhanced ALD; PEALD), 펄싱된 증착 층 (pulsed deposition layer; PDL), 플라즈마 강화된 펄싱된 증착 층 (plasma-enhanced pulsed deposition layer; PEPDL) 및 레지스트 (resist) 제거를 포함하는 기법들에 의해 기판들 (예를 들어, 반도체 기판들) 을 프로세싱하기 위해 사용된다. 기판 프로세싱 장치의 일 타입은 상부 전극 및 하부 전극을 포함하는 진공 챔버를 포함하는 CCP를 사용하는 플라즈마 프로세싱 장치이고, 반응 챔버 내 기판들을 프로세싱하기 위해 플라즈마로 프로세스 가스를 여기시키도록 무선 주파수 (radio frequency; RF) 전력이 전극들 사이에 인가된다.

기판들을 제작하기 위한 CCP-기반 진공 챔버들과 같은 기판 프로세싱 장치들에서, 기판에서의 에칭 균일성 및 이온 틸팅 (tilt) 은 약한 자기장들에 대한 감도를 나타내는 플라즈마 밀도 균일성에 의해 영향을 받는다. 예를 들어, CCP-기반 진공 챔버들에서의 플라즈마 밀도 균일성은 (5 내지 10 Gauss의 자기장 강도와 연관될 수도 있는) 자화된 (magnetize) 챔버 컴포넌트들과 연관된 자기장들뿐만 아니라 (0.25 내지 0.65 Gauss의 자기장 강도를 가질 수도 있는) 지구 자기장 또는 (0.4 내지 0.5 Gauss의 자기장 강도를 가질 수도 있는) 다른 주변 자기장들을 포함하는 외부 자기장들에 의해 영향을 받을 수 있다.

현재, 특히 기판의 중심에서 플라즈마 균일성을 제어하는 것은 챔버 내부의 잔류 자기장으로 인해 어렵다. 챔버 내 접지 전극의 치수, 가스 플로우 및 화학 물질 플로우 또는 전달된 RF의 주파수 함량을 변화시키는 것이 균일성을 제어하기 위해 사용되는 주요 요인들이다. 그러나, 프로세싱 챔버 컴포넌트들의 자화, 뿐만 아니라 외부 자기장들에 대한 노출은 챔버 내 잔류 자기장들을 유발하고, 이는 플라즈마 밀도 균일성에 영향을 주고 그리고 제작 위치 내에서 챔버마다, 뿐만 아니라 상이한 제작 위치에서의 챔버들 사이에서 크게 가변한다. 본 개시는, 다른 것들 중에서, 잔류 자기장들의 단점들 (drawbacks) 을 포함하는 플라즈마 밀도 균일성을 위한 종래의 기법들과 연관된 단점들을 해결하려고 (address) 한다.

본 명세서에 제공된 배경기술 기술 (description) 은 본 개시의 맥락을 일반적으로 제시한다. 이 섹션에 기술된 정보는 이하의 개시된 주제에 대한 일부 맥락을 숙련된 기술자에게 제공하도록 제시된다는 것에 유의해야 하고, 인정된 종래 기술로 간주되지 않아야 한다. 보다 구체적으로, 이 배경기술 섹션에 기술된 정도의 본 명세서에 명명된 발명자들의 업적, 뿐만 아니라 출원 시 종래 기술로서 달리 인증되지 않을 수도 있는 본 기술의 양태들은 본 개시에 대한 종래 기술로서 명시적으로나 암시적으로 인정되지 않는다.

우선권 주장

본 출원은 2020년 7월 9일에 출원된 미국 특허 출원 번호 제 63/049,924 호의 우선권의 이점을 주장하고, 이는 전체가 본 명세서에 참조로서 인용된다.

반도체 제작 동안 조정 가능한 기하 구조 트리밍 코일 (adjustable geometry trim coil; AGTC) 의 자기장들을 사용하여 에칭 레이트 및 플라즈마 균일성을 제어하기 위한 방법들, 시스템들 및 컴퓨터 프로그램들이 제공된다. 일 일반적인 양태는 기판 프로세싱 장치를 포함한다. 장치는 진공 챔버, 자기장 센서, AGTC, 및 자기장 제어기를 포함한다. 진공 챔버는 용량 커플링된 플라즈마 (capacitively coupled plasma; CCP) 를 사용하여 기판을 프로세싱하기 위한 프로세싱 존을 포함한다. 자기장 센서는 진공 챔버 내 잔류 자기장을 검출하도록 구성된다. AGTC는 진공 챔버의 프로세싱 존을 통해 보조 자기장을 생성하도록 구성된다. 자기장 제어기는 자기장 센서 및 AGTC에 커플링된다. 자기장 제어기는 AGTC의 적어도 하나의 파라미터를 조정하도록 구성되고, 보조 자기장으로 하여금 잔류 자기장을 미리 결정된 (pre-determined) 값으로 감소시키게 한다.

일 일반적인 양태는 진공 챔버를 사용하여 기판을 프로세싱하기 위한 방법을 포함한다. 방법은 진공 챔버의 프로세싱 존 내 잔류 자기장을 검출하는 단계를 포함한다. 프로세싱 존은 기판을 프로세싱하기 위한 것이다. 방법은 잔류 자기장의 크기 (magnitude) 를 결정하는 단계를 포함한다. AGTC의 적어도 하나의 파라미터는 잔류 자기장의 결정된 크기에 기초하여 조정된다. 진공 챔버의 프로세싱 존을 통한 보조 자기장은 AGTC를 사용하여 생성되고, 보조 자기장은 잔류 자기장을 미리 결정된 값으로 감소시킨다.

일 일반적인 양태는 머신에 의해 실행될 때, 머신으로 하여금 진공 챔버의 프로세싱 존 내 잔류 자기장을 검출하는 것을 포함하는 동작들을 수행하게 하는 인스트럭션들을 포함하는 비 일시적인 머신-판독 가능 저장 매체를 포함하고, 프로세싱 존은 기판을 프로세싱하기 위한 것이다. 인스트럭션들을 실행하는 것은 또한 머신으로 하여금 잔류 자기장의 크기를 결정하게 한다. 인스트럭션들을 실행하는 것은 또한 머신으로 하여금 잔류 자기장의 결정된 크기에 기초하여 AGTC의 적어도 하나의 파라미터를 조정하게 한다. 인스트럭션들을 실행하는 것은 머신으로 하여금 AGTC를 사용하여 진공 챔버의 프로세싱 존을 통해 보조 자기장을 생성하게 하고, 보조 자기장은 잔류 자기장을 미리 결정된 값으로 감소시킨다.

첨부된 도면들 중 다양한 도면들은 단지 본 개시의 예시적인 실시 예들을 예시하고 그 범위를 제한하는 것으로 간주될 수 없다.
도 1은 일 예시적인 실시 예에 따른, CCP를 사용하여 기판들을 제작하기 위한, 에칭 챔버와 같은 진공 챔버를 예시한다.
도 2는 일 예시적인 실시 예에 따른, 에칭 레이트 및 플라즈마 균일성의 제어를 개선하기 위해 자기 차폐 구조체에 의해 둘러싸인 진공 챔버를 예시한다.
도 3a는 일 예시적인 실시 예에 따른, CCP를 갖는 프로세싱 존 내 잔류 자기장을 갖는 진공 챔버의 사시도를 예시한다.
도 3b는 일 예시적인 실시 예에 따른, 도 3a의 진공 챔버의 평면도를 예시한다.
도 3c는 일 예시적인 실시 예에 따른, 도 3a의 진공 챔버의 측면도를 예시한다.
도 4는 일 예시적인 실시 예에 따른, AGTC의 일 예를 예시한다.
도 5는 일 예시적인 실시 예에 따른, 도 4의 AGTC와 함께 사용될 수 있는 장력 유지 어셈블리를 예시한다.
도 6a 및 도 6b는 일 예시적인 실시 예에 따른, 상이한 코일 기하 구조들을 사용하는 도 4의 AGTC의 예시적인 구성들을 예시한다.
도 7a는 일 예시적인 실시 예에 따른, 잔류 자기장을 상쇄하도록 (counteract) 자기장 소스로서 사용되는 AGTC를 갖는 진공 챔버의 사시도를 예시한다.
도 7b는 일 예시적인 실시 예에 따른, 도 7a의 진공 챔버의 측면도이고 그리고 AGTC에 대한 장착 (mount) 옵션들을 예시한다.
도 8은 일 예시적인 실시 예에 따른, 잔류 자기장을 상쇄하도록 자기장을 생성하는 헬름홀츠 (Helmholtz) 쌍으로서 구성된 복수의 AGTC들을 갖는 진공 챔버의 사시도를 예시한다.
도 9는 일 예시적인 실시 예에 따른, 잔류 자기장을 상쇄하도록 복수의 자기장들을 생성하는 복수의 헬름홀츠 쌍들로서 구성된 복수의 AGTC들을 갖는 진공 챔버의 사시도를 예시한다.
도 10은 일 예시적인 실시 예에 따른, 잔류 자기장을 상쇄하도록 상이한 자기장들을 생성하는 AGTC들의 복수의 쌍들을 사용하는 진공 챔버의 평면도를 예시한다.
도 11은 일 예시적인 실시 예에 따른, 잔류 자기장을 상쇄하는 하나 이상의 보조 자기장들을 구성하기 위해 상이한 타입들의 자기 센서들 및 자기장 제어기를 갖는 진공 챔버를 예시한다.
도 12는 일 예시적인 실시 예에 따른, 진공 챔버들 내에서 복수의 잔류 자기장들을 감소시키거나, 0이 되게 하거나 (zero out), 균일하게 만들 수 있도록 개시된 기법들을 사용할 수 있는 제작 설비 내의 진공 챔버들의 배치 (arrangement) 를 예시한다.
도 13은 일 예시적인 실시 예에 따른, 반도체 제작 장비에서 자기장들을 사용하여 기판을 프로세싱하기 위한 방법의 플로우 차트이다.
도 14는 하나 이상의 예시적인 방법 실시 예들이 구현될 수도 있고 또는 하나 이상의 예시적인 실시 예들이 제어될 수도 있는 머신의 일 예를 예시하는 블록도이다.

예시적인 방법들, 시스템들, 및 컴퓨터 프로그램들은 용량 커플링된 플라즈마 (capacitively coupled plasma; CCP)-기반 반도체 제작 장비에서 자기장들을 사용하여 에칭 레이트 및 플라즈마 균일성을 제어하는 것에 관한 것이다. 예들은 단지 가능한 변형들을 예시한다 (typify). 달리 명시적으로 언급되지 않는 한, 컴포넌트들 (components) 및 기능들은 선택 가능하고 (optional), 결합될 수도 있거나 세분화될 수도 있고, 그리고 동작들이 순서가 가변할 수도 있거나 결합될 수도 있거나 세분화될 수도 있다. 이하의 기술에서, 설명의 목적들을 위해, 예시적인 실시 예들의 완전한 이해를 제공하기 위해 수많은 구체적 상세들이 제시된다. 그러나, 당업자들에게 본 개시가 이들 구체적 상세들 없이 실시될 수도 있다는 것이 자명할 것이다.

기판의 중심의 균일성은 에칭 프로세스 조건들에 의존하기 때문에 제어하기 어렵다. 조건이 변하면 균일성도 변할 수 있다. (접지 전극 치수를 조정하는 것과 같이) 웨이퍼의 중심의 균일성을 제어하기 위한 정적 솔루션들은 넓은 범위의 프로세스 조건들에 걸쳐 효율적으로 수행되지 않을 수도 있다. 프로세스 파라미터들을 수반하는 솔루션들은 균일성을 해결하기 (address) 위해 수정될 때 원치 않은 부작용들을 야기할 수도 있다.

본 명세서에서 논의된 기법들은 에칭 레이트 및 기판의 중심의 플라즈마 균일성에 영향을 줄 수도 있는 진공 챔버 내 잔류 자기장들을 제어하도록 조정 가능한 기하 구조 트리밍 코일 (adjustable geometry trim coil; AGTC) 에 의해 생성된 보조 자기장들을 사용한다. 보다 구체적으로, 하나 이상의 AGTC들은 진공 챔버 내 잔류 자기장을 상쇄하도록 (counteract) 대응하는 하나 이상의 보조 (또는 트리밍) 자기장들을 생성하도록 사용될 수도 있다. 일 예시적인 실시 예에서, 하나 이상의 자기장 센서들이 진공 챔버의 프로세싱 존 내 잔류 자기장 (ΔB) 을 검출하도록 사용될 수도 있다. 예를 들어, 자기 센서들은 잔류 자기장의 수평 컴포넌트 (Bh) 뿐만 아니라 수직 컴포넌트 (Bz) 를 검출할 수도 있다. 일부 양태들에서, 자기 센서들은 (잔류 자기장의 수직 컴포넌트 및 수평 컴포넌트 각각의 크기 (magnitude) 및 방향에 기초하여 결정될 수도 있는) 잔류 자기장의 크기 및 방향을 검출할 수도 있고, 대응하여 AGTC의 하나 이상의 파라미터들 (예를 들어, AGTC의 기하 구조, AGTC를 형성하는 코일 전도체 와이어의 둘레 (perimeter) 길이, 및 코일 전도체 와이어를 통한 전류) 을 조정할 수도 있다.

일 예시적인 실시 예에서, 본 명세서에 개시된 기법들은 기판 프로세싱 전에 또는 후-프로세싱에서 기판 표면의 메트릭 (metric) 의 불균일성 (예를 들어, 기판의 리소그래피 (lithographic) 마스크의 불균일성 또는 기판의 서브-마이크론 (sub-micron) 피처들의 불균일성) 을 검출하도록 센서를 사용할 수 있다. AGTC는 기판이 프로세싱된 후, 불균일한 마스크에 대응하는 불균일한 에칭이 달성되도록, 검출된 불균일성 (예를 들어, 불균일한 마스크) 에 기초하여 자기장을 생성하도록 (예를 들어, AGTC의 기하 구조, AGTC를 형성하는 코일 전도체 와이어의 둘레 길이, 및 코일 전도체 와이어를 통한 전류를 구성함으로써) 구성될 수도 있고, 이는 프로세싱 후 균일한 기판 표면을 발생시킨다. 일 예시적인 실시 예에서, 검출된 불균일성에 기초하여 AGTC의 파라미터들을 구성하는 것은 임의의 검출된 잔류 자기장과 독립적으로 수행될 수 있다 (그리고 그보다 우선될 (prioritize) 수 있다). 일 예시적인 실시 예에서, 적어도 하나의 AGTC는 잔류 자기장에 대응하도록 (counter) (예를 들어, 감소시키도록) 구성될 수 있는 한편, 적어도 또 다른 (예를 들어, 제 2) AGTC는 기판 표면의 메트릭의 검출된 불균일에 기초하여 불균일한 에칭을 트리거하도록 (trigger) 사용될 수 있다.

자기 차폐 구조체뿐만 아니라 적어도 하나의 자기장 소스를 구성하기 위한 다양한 기법들 및 옵션들이 도 2 내지 도 14에 관련하여 예시된다.

도 1은 일 실시 예에 따른, CCP를 사용하여 기판들을 제작하기 위한 진공 챔버 (100) (예를 들어, 에칭 챔버) 를 예시한다. 두 전극들 사이에 전기장을 여기시키는 것은 진공 챔버 내에서 무선주파수 (radiofrequency; RF) 가스 방전을 획득하기 위한 방법들 중 하나이다. 오실레이팅 (oscillating) 전압이 전극들 사이에 인가될 때, 획득된 방전은 CCP (Capacitive Coupled Plasma) 방전으로 지칭된다.

플라즈마 (102) 가 전자-중성자 (electron-neutral) 충돌들에 의해 유발된 다양한 분자들의 해리에 의해 생성된 광범위한 다양한 화학적으로 반응성 부산물들을 획득하기 위해 안정한 피드스톡 (feedstock) 가스들을 활용하여 생성될 수도 있다. 에칭의 화학적 양태는 중성 가스 분자들 및 에칭될 표면의 분자들을 갖는 중성 가스 분자들의 해리된 부산물들의 반응 및 펌핑 제거될 (pump away) 수 있는 휘발성 분자들을 생성하는 것을 수반한다. 플라즈마가 생성될 때, 양이온들은 웨이퍼 표면으로부터 재료를 제거하기에 충분한 에너지로 웨이퍼 표면에 부딪치도록 (strike) 챔버 벽들로부터 플라즈마를 분리하는 공간-전하 시스 (sheath) 를 가로질러 플라즈마로부터 가속화된다. 이는 이온 충돌 (bombardment) 또는 이온 스퍼터링 (sputtering) 으로 공지된다. 그러나, 일부 산업용 플라즈마들은 순수하게 물리적인 수단에 의해 표면을 효율적으로 에칭하기에 충분한 에너지를 갖는 이온들을 생성하지 않는다.

제어기 (116) 가 RF 생성기 (118), 가스 소스들 (122), 및 가스 펌프 (120) 와 같은 진공 챔버 내 상이한 엘리먼트들을 제어함으로써 진공 챔버 (100) 의 동작을 관리한다. 일 실시 예에서, CF₄ 및 C₄F₈과 같은 플루오로카본 가스들은 이들의 이방성 및 선택적인 에칭 성능들을 위해 유전체 에칭 프로세스에 사용되지만, 본 명세서에 기술된 원리들은 다른 플라즈마 생성 가스들에 적용될 수 있다. 플루오로카본 가스들은 보다 작은 분자 라디칼 및 원자 라디칼을 포함하는 화학적으로 반응성 부산물들로 용이하게 해리된다. 이들 화학적으로 반응성 부산물들은 유전체 재료를 에칭한다.

진공 챔버 (100) 는 상단 전극 (104) 및 하단 전극 (108) 을 갖는 프로세싱 챔버를 예시한다. 상단 전극 (104) 은 접지될 수도 있거나 RF 생성기 (미도시) 에 커플링될 (couple) 수도 있고, 하단 전극 (108) 은 매칭 네트워크 (114) 를 통해 RF 생성기 (118) 에 커플링된다. RF 생성기 (118) 는 하나 또는 복수의 (예를 들어, 2 또는 3) 상이한 RF 주파수들로 RF 전력을 제공한다. 특정한 동작을 위해 진공 챔버 (100) 의 목표된 구성에 따라, 3 개의 RF 주파수들 중 적어도 하나는 턴온될 (turn on) 수도 있거나 턴오프될 (turn off) 수도 있다. 도 1에 도시된 실시 예에서, RF 생성기 (118) 는 예를 들어 2 ㎒, 27 ㎒ 및 60 ㎒ 주파수들을 제공하도록 구성되지만, 다른 주파수들이 또한 가능하다.

진공 챔버 (100) 는 가스 소스(들) (122) 에 의해 제공된 가스를 진공 챔버 (100) 내로 입력하기 위한 상단 전극 (104) 상의 가스 샤워헤드 및 가스로 하여금 가스 펌프 (120) 에 의해 진공 챔버 (100) 로부터 펌핑되게 하는 천공된 한정 (confinement) 링 (112) 을 포함한다. 일 예시적인 실시 예에서, 가스 펌프 (120) 는 터보 분자 (turbomolecular) 펌프이지만, 다른 타입들의 가스 펌프들이 활용될 수도 있다.

기판 (106) 이 진공 챔버 (100) 내에 존재할 때, 기판 (106) 의 표면 상의 균일한 에칭을 위해 플라즈마 (102) 의 하단 표면에서 균일한 RF 장 (field) 이 있도록 실리콘 포커스 링 (110) 이 기판 (106) 옆에 위치된다. 도 1의 실시 예는 상단 전극 (104) 이 대칭 RF 접지 전극 (124) 에 의해 둘러싸인 트라이오드 반응기 (triode reactor) 구성을 도시한다. 절연체 (126) 는 상단 전극 (104) 으로부터 접지 전극 (124) 을 격리하는 유전체이다. 진공 챔버 (100) 의 다른 구현 예들이 또한 개시된 실시 예들의 범위를 변경하지 않고 가능하다.

기판 (106) 은, 예를 들어, (예를 들어, 100 ㎜, 150 ㎜, 200 ㎜, 300 ㎜, 450 ㎜, 또는 보다 큰 직경을 갖고, 예를 들어, 원소-반도체 재료들 (예를 들어, 실리콘 (Si) 또는 게르마늄 (Ge)) 또는 화합물-반도체 재료들 (예를 들어, 실리콘 게르마늄 (SiGe) 또는 갈륨 비소 (GaAs)) 을 포함하는) 웨이퍼들을 포함할 수 있다. 부가적으로, 다른 기판들은 예를 들어, (반도체 재료들이 도포될 수도 있는) 석영 또는 사파이어와 같은 유전체 재료들을 포함한다.

RF 생성기 (118) 에 의해 생성된 주파수 각각은 기판 제작 프로세스에서 특정한 목적을 위해 선택될 수도 있다. 도 1의 예에서, 예를 들어, 400 ㎑ 및 60 ㎒로 제공된 RF 전력들을 사용하여, 400 ㎑ RF 전력은 이온 에너지 제어를 제공하고, 그리고 60 ㎒ 전력은 플라즈마 밀도 및 화학 물질의 해리 패턴들의 제어를 제공한다. 예시적인 실시 예에서, 다른 RF 전력들이 또한 사용될 수도 있다. 다른 실시 예들에서, RF 전력은 플라즈마 특성들을 제어하기 위해 기판 또는 다른 전극들을 지지하는 주 (primary) 전극에 제공될 수도 있다. 이 구성은 RF 전력 각각이 턴온되거나 턴오프될 수도 있는, 기판들 또는 웨이퍼들 상의 초 저 (ultra-low) 이온 에너지를 사용하는 특정한 프로세스들, 및 이온 에너지가 낮아야 하는 (예를 들어, 700 또는 200 eV 미만) 특정한 프로세스들 (예를 들어, 로우-k (low-k) 재료들에 대한 약한 에칭) 을 가능하게 한다.

또 다른 실시예에서, 60 ㎒ RF 전력이 초 저에너지들 및 매우 고밀도를 얻기 위해 상단 전극 (104) 상에서 사용된다. 이 구성은 정전 척 (ESC) 표면 상에서 스퍼터링을 최소화하는 동안, 기판 (106) 이 진공 챔버 (100) 내에 있지 않을 때, 고밀도 플라즈마를 사용하여 챔버 세정을 가능하게 한다. ESC 표면은 기판 (106) 이 존재하지 않을 때 노출되고, 표면 상의 모든 이온 에너지가 방지되어야 하며, 이는 하단 2 ㎒ 전력 공급부 및 27 ㎒ 전력 공급부가 세정 동안 오프 (off) 될 수도 있는 이유이다.

일부 양태들에서, 진공 챔버 (100) 는, 지구 자기장 또는 다른 주변 자기장들 (예를 들어, 도 2에 예시된 바와 같은 호이스트 (hoist) 와 같은 진공 챔버의 자화된 (magnetize) 컴포넌트들 또는 빌딩 (building) 또는 주변 장비의 일부인 유사한 컴포넌트들로부터의 자기장들) 과 같은, 외부 자기장들에 노출된다. 이와 관련하여, 진공 챔버 (100) 는 진공 챔버 (100) 의 프로세싱 존 (134) 을 관통할 (penetrate) 수도 있는 잔류 자기장 ΔB (130) 를 감소시키기 위해 자기 차폐 구조체로 둘러싸일 수도 있다. 진공 챔버 (100) 내의 잔류 자기장 (130) 의 존재는 특히 프로세싱 존 (134) 내의 기판 (106) 의 중심 영역 (132) 주변에 에칭 레이트 및 플라즈마 균일성에 부정적으로 영향을 줄 수도 있기 때문에 바람직하지 않다. 잔류 자기장 (130) 을 더 감소시키거나 0이 되게 (zero out) 하기 위해 적어도 하나의 AGTC를 사용하는 다양한 기법들이 도 2 내지 도 14와 관련하여 논의된다. 비록 AGTC들과 연관된 기법들 및 실시 예들이 CCP-기반 기판 프로세싱 디바이스들과 관련하여 논의되더라도, 본 개시는 이와 관련하여 제한되지 않고 그리고 개시된 기법들은 다른 타입들의 기판 프로세싱 디바이스들과 관련하여 사용될 수도 있다.

도 2는 일 예시적인 실시 예에 따른, 에칭 레이트 및 플라즈마 균일성의 제어를 개선하기 위해 자기 차폐 구조체에 의해 둘러싸인 진공 챔버를 예시한다. 도 2를 참조하면, 도 1의 진공 챔버 (100) 와 같은 진공 챔버는, 수직 컴포넌트 (Bz) (204) 및 수평 컴포넌트 (Bh) (206) 를 포함하는, 외부 자기장 (Be) (202) 의 효과들을 감소시키도록 자기 차폐 구조체 (200) 에 의해 둘러싸일 수도 있다.

일 예시적인 실시 예에서, 자기 차폐 구조체 (200) 는 상단 차폐부 (210) 및 하단 차폐부 (218) 를 포함할 수 있고, 차폐부 각각은 도 2에 도시된 바와 같이 복수의 차폐 서브-부분들을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 상단 차폐부 (210) 는 차폐 서브-부분들 (212, 214, 216, 및 217) 을 포함할 수 있다. 하단 차폐부 (218) 는 차폐 서브-부분들 (220, 222, 및 224) 을 포함할 수 있다. 일부 양태들에서, 자기 차폐 구조체 (200) 는 RF 컴포넌트들 및 통신 링크들, 환기, 가스 전달, 히터들, 고전압 클램프들, 기판 전달 메커니즘들 등을 수용하기 위한 개구부들과 같은, 진공 챔버에 의해 사용된 다양한 설비들을 수용하기 위한 하나 이상의 개구부들 (228) 을 포함할 수 있다.

일 예시적인 실시 예에서, 자기 차폐 구조체 (200) 는 적어도 40 mil의 두께를 갖는 고 투과성 재료로 제작될 수 있다. 일 예시적인 실시 예에서, 자기 차폐 구조체 (200) 의 다양한 차폐 서브-부분들은 진공 챔버의 다양한 표면들에 볼트로 고정될 (bolt) 수 있다 (또는 다른 수단을 통해 단단히 (securely) 부착될 수 있다).

일 예시적인 실시 예에서, 차폐 서브-부분 (224) 은 CCP를 사용하여 프로세싱 존으로부터 기판의 전달 및 제거를 위해 사용되는, 진공 챔버 개구부 (226) 를 둘러싸는 터널로서 형성될 수 있다.

자기 차폐 구조체 (200) (예를 들어, 진공 챔버 설비들을 수용하기 위한 하나 이상의 개구부들 (228)) 의 결함들 (imperfections) 로 인해, 잔류 자기장 (ΔB) (208) 은 외부 자기장 (Be) (202) 뿐만 아니라 자화된 챔버 컴포넌트들 (예를 들어, 자화된 호이스트 (230)) 로부터의 외부 자기장들의 결과로서 자기 차폐 구조체 (200) 아래 그리고 진공 챔버 (100) 내에 존재할 수 있다. 이러한 잔류 자기장 (208) 은 진공 챔버 (100) 내부에 있기 때문에, 도 2는 잔류 자기장 (208) 을 ΔBi로서 참조한다. 일 예시적인 실시 예에서, 하나 이상의 보조 자기장은 진공 챔버 (100) 내에서 적어도 하나의 AGTC를 사용하여 생성될 수도 있고, 여기서 적어도 하나의 AGTC의 파라미터들 (예를 들어, 기하 구조, 둘레, 및 전류) 은 잔류 자기장 (208) 의 영향들을 상쇄하도록 구성된다 (예를 들어, 잔류 자기장 (208) 의 크기를 감소시키거나 0이 되게 하고 그리고/또는 동일한 제작 위치에서 복수의 차폐된 진공 챔버들 사이에서 균일성을 달성하도록 잔류 자기장 (208) 의 방향을 변화시킴).

부가적으로, 임의의 외부 자화된 챔버 컴포넌트들 (예컨대 호이스트 (230)) 은 잔류 자기장 (208) 을 더 감소시키도록 탈자화되고 (demagnetize) 그리고/또는 차폐될 수 있다. 일부 양태들에서, 호이스트 (230) 는 5 내지 10 Gauss 정도로 자화될 수 있고, 장 (field) 은 잔류 자기장 (208) 에 기여할 수 있다. 보다 구체적으로, 특정한 비 차폐된 챔버 (예를 들어, 특정한 고객 제품의 에칭된 피처 프로파일 틸팅 (tilt) 메트릭에 대해 특정한 레시피를 실행하는 특정한 팹의 특정한 지리적 위치의 챔버) 에 대한 특정한 자기장이 추정될 수 있다. 호이스트 (230) 의 자기 재료는 추정된 값을 전달하도록 자화될 수 있고, 그리고 따라서 챔버 대 챔버 매칭을 최적화한다.

자기 차폐 구조체 (200) 의 사용 없이, 잔류 자기장 (208) 은 수직 컴포넌트 (Bz) 에서 0.5 Gauss 및 수평 컴포넌트 (Bh) 에서 0.4 Gauss의 크기일 수도 있다. 일부 양태들에서, 자기 차폐 구조체 (200) 를 사용하는 것은 잔류 자기장 (208) 의 약 60 % 감소 (즉, 0.1 내지 0.2 Gauss) 를 발생시킬 수 있다. 일부 양태들에서, 개시된 기법들을 사용하여 생성된 하나 이상의 보조 자기장을 사용함으로써, 진공 챔버 (100) 내의 잔류 자기장 (208) 은 0.1 Gauss 미만으로 감소될 수도 있다.

일 예시적인 실시 예에서, 본 명세서에 논의된 바와 같은 AGTC는 호이스트 (230) 에 근접하게 구성될 (예를 들어, 근접하게 장착될 (mount)) 수 있다. 이와 관련하여, (전류-제어된 전력 공급부 및/또는 고정된 전류를 갖는 이동하는 스풀 어셈블리 (spool assembly) 와 커플링된) AGTC의 자기 특성들 및 자기장-유발 효과는, 호이스트 (230) 를 자화하는 대신 사용될 수 있는, 호이스트 (230) 의 근방에 보조 자기장을 발생시킬 수 있다.

일 예시적인 실시 예에서, 차폐부는 예를 들어, 호이스트 또는 모터 코어들, 등과 같은 도입된 또는 필요한 자기 컴포넌트들과 관련하여, AGTC에 대해 안정한 엔지니어링된 자기 회로를 갖도록 AGTC 둘레에 공간적으로 사용될 수도 있다.

일 예시적인 실시 예에서, 호이스트 (230) 자체의 자화 및/또는 챔버 (예를 들어, 210, 218) 의 차폐 구조체들 및/또는 다른 플럭스 (flux) 플레이트들은 또한 (a) 자기 섭동 (perturbation) 또는 교정의 소스로서뿐만 아니라 (b) AGTC의 쉴드형 (shield-like) 부분인 컴포넌트들로서 사용될 수도 있다.

일 예시적인 실시 예에서, 자기 차폐 구조체 (200) 는 진공 챔버 (100) 를 둘러싸는 큐비클 (cubicle) 구조체로서 구성될 수 있고, 큐비클 구조체의 측면 각각은 길이로 약 584 ㎜ (대략 23 인치) 내지 711 ㎜ (대략 28 인치) 측정한다. 일 예시적인 실시 예에서, 진공 챔버 개구부 (226) 높이로 약 50 ㎜ (대략 2 인치) 로 측정할 수도 있다.

도 3a는 일 예시적인 실시 예에 따른, CCP를 갖는 프로세싱 존 내 잔류 자기장을 갖는 진공 챔버 (302) 의 사시도 (300) 를 예시한다. 도 3a를 참조하면, 진공 챔버 (302) 는 제 1 외부 자기장 (306) 및 제 2 외부 자기장 (308) 에 노출될 수 있다. 진공 챔버 (302) 는 도 3a에서 보이지 않는 자기 차폐 구조체 (예를 들어, 도 2의 자기 차폐 구조체 (200) 와 같은 자기장 구조체) 를 포함할 수도 있다.

진공 챔버 (302) 는 진공 챔버 (302) 내부에 CCP로 충진된 볼륨일 수도 있는 프로세싱 존 (304) 을 포함한다. 외부 자기장들 (306 및 308) 은 진공 챔버 (302) 를 관통할 수도 있고, 이는 잔류 자기장 (ΔBi) (310) 을 발생시킨다. 잔류 자기장 (310) 은 수직 컴포넌트 (Bz) (316) 및 수평 컴포넌트 (Bh) (318) 를 포함할 수도 있다. 일부 양태들에서 (예를 들어, 도 8에 예시된 바와 같이), 수평 컴포넌트 (318) 는 0일 수도 있고 그리고 수직 컴포넌트 (316) 를 상쇄하도록 수직 컴포넌트만을 갖는 보조 자기장이 진공 챔버 (302) 내에서 생성될 수 있다. 다른 양태들에서 (예를 들어, 도 10에 예시된 바와 같이), 수직 컴포넌트 (316) 는 0일 수도 있고 그리고 수평 컴포넌트 (318) 를 상쇄하도록 수평 컴포넌트만을 갖는 보조 자기장이 진공 챔버 (302) 내에서 생성될 수 있다.

도 3b는 일 예시적인 실시 예에 따른, 도 3a의 진공 챔버 (302) 의 평면도를 예시한다. 도 3c는 일 예시적인 실시 예에 따른, 도 3a의 진공 챔버 (302) 의 측면도를 예시한다. 도 3c를 참조하면, 진공 챔버 (302) 는 프로세싱 존 (304) 내에서 기판의 프로세싱과 관련하여 사용되는 다양한 설비들 (314) (예를 들어, RF 컴포넌트들 및 통신 링크들, 가스 전달 메커니즘들, 히터들, 고전압 클램프들, 기판 전달 메커니즘, 등) 뿐만 아니라 상단 플레이트 (312) 를 포함할 수 있다. 상단 플레이트 (312) 는 가스 플로우를 핸들링하기 위한 열-커플러들 (thermo-couplers) 및 보조 (auxiliary) 컴포넌트들, 온도 제어를 위한 전력, 가스 진공 설비들, 등과 연관된 기계적 컴포넌트들을 포함할 수 있다.

일 예시적인 실시 예에서, 상단 플레이트 (312) 또는 설비들 (314) 은 진공 챔버 (302) 내 잔류 자기장에 대응하는 하나 이상의 보조 자기장들을 생성할 수 있는 적어도 하나의 자기장 소스 (예를 들어, 적어도 하나의 AGTC) 를 장착하기 위해 사용될 수도 있다. 적어도 하나의 AGTC는 또한 불균일한 마스크에 대응하는 불균일한 에칭이 기판이 프로세싱된 후 달성되도록 불균일한 마스크에 기초하여 자기장을 생성하도록 사용될 수도 있고, 이는 프로세싱 후 균일한 기판 표면을 발생시킨다.

도 4는 일 예시적인 실시 예에 따른, AGTC (400) 의 일 예를 예시한다. 도 4를 참조하면, AGTC (400) 는 복수의 장력 조정 어셈블리들 (404, 406, 408, 410, 412, 414, 416, 및 418) 을 갖는 프레임 (402) 을 포함한다. 프레임 (402) 은 또한 중앙 스풀 어셈블리 (424) 및 수직 구동 스크루 (422) 에 기계적으로 커플링된 수평 구동 스크루 (420) 를 지지한다. 중앙 스풀 어셈블리 (424) 는 스풀 (425) 및 구동 모터들 (426 및 428) 을 포함한다. 구동 모터 (426) 는, 수평 구동 스크루 (420) 를 따라, 수평 방향으로 중앙 스풀 어셈블리 (424) 와 함께 수직 구동 스크루 (422) 를 이동시키도록 사용될 수도 있다. 구동 모터 (428) 는, 수직 구동 스크루 (422) 를 따라, 수직 방향으로 중앙 스풀 어셈블리 (424) 를 이동시키도록 사용될 수도 있다. 비록 도 4가 정사각형 프레임 (402) 을 예시하더라도, 본 개시는 이와 관련하여 제한되지 않고 그리고 프레임 (402) 은 또한 원형, 직사각형, 등과 같은 다른 형상들일 수 있다.

장력 조정 어셈블리들 (404 내지 418) 각각은 대응하는 장력 스트링들 (430, 432, 434, 436, 438, 440, 442, 및 444) 에 각각 커플링된다. 부가적으로, 장력 조정 어셈블리들 (404 내지 418) 각각은 대응하는 장력 스트링들 (430 내지 444) 의 길이를 조정하도록 (예를 들어, 집중시키거나 느슨하게 하도록 (collect or release)) 구성된 적합한 회로, 인터페이스들, 또는 코드를 포함할 수 있다. 예시적인 실시 예들에서, 장력 조정 어셈블리들 각각은 모터, 스프링, 또는 장력 스트링 길이를 조정하기 위한 또 다른 타입의 메커니즘을 포함할 수 있다. 비록 도 4가 프레임 (402) 의 측면 각각 상의 2 개의 장력 조정 어셈블리들을 예시하더라도, 본 개시는 이와 관련하여 제한되지 않고 그리고 장력 조정 어셈블리들 (404 내지 418) 은 프레임 (402) 의 부분들을 따라 다른 구성들로 배치될 (place) 수 있다.

장력 스트링들 (430, 432, 434, 436, 438, 440, 442, 및 444) 은 각각 대응하는 둘레 가이드 (guide) 롤러 세트들 (446, 448, 450, 452, 454, 456, 458, 및 460) 을 포함한다. 둘레 가이드 롤러 세트들 (446 내지 460) 각각은 프레임 (402) 내에 코일을 형성하는 코일 전도체 와이어 (462) 를 지지하도록 구성된다. 보다 구체적으로, 둘레 가이드 롤러 세트 각각은 반대편 측면들 상에 코일 전도체 와이어를 지지하는 2 개의 롤러들 (또는 다른 지지 구조체들) 을 포함할 수 있고, 둘레 가이드 롤러 세트의 대응하는 장력 스트링이 프레임 (402) 내에서 이동할 때 코일 전도체 와이어의 이동을 허용한다. 코일 전도체 와이어는 상이한 길이의 코일 전도체 와이어 (462) 가 둘레 가이드 롤러 세트들 각각에 의해 구성되고 지지될 수 있도록 와이어 공급 어셈블리 (465) 에 의해 공급되고, 이에 따라 AGTC (400) 의 상이한 구성들을 형성하는 코일 전도체 와이어 (462) 의 둘레 길이를 변화시킨다. 코일 전도체 와이어 (462) 는 코일 전도체 와이어 (462) 를 통한 전압 및 전류를 조절할 수 있는 전압 공급 어셈블리 (464) 에 커플링된다.

도 4에 예시된 바와 같이, 장력 스트링들 (430 내지 444) 각각의 일 단부는 대응하는 장력 조정 어셈블리들 (404 내지 418) 에 부착되고, 장력 스트링 각각의 제 2 단부는 중앙 스풀 어셈블리 (424) 내의 스풀 (425) 의 개구부를 통해 쓰레드되고 (thread) 그리고 장력 유지 어셈블리 (506) (도 5에 예시됨) 에 부착된다.

동작 시, 기판 프로세싱 장치 제어 회로 (예를 들어, 제어기 (116)) 는 수평 구동 스크루 (420) 및/또는 수직 구동 스크루 (422) 를 따라 중앙 스풀 어셈블리를 이동시킴으로써 프레임 (402) 에 의해 둘러싸인 특정한 위치 내에 중앙 스풀 어셈블리 (424) 를 포지셔닝함으로써 AGTC (400) 의 기하 구조를 조정할 수 있다. 부가적으로, AGTC (400) 의 기하 구조는 장력 스트링들 (430 내지 444) 각각의 길이를 조정함으로써 조정될 수 있고, 이는 대응하는 둘레 가이드 롤러 세트들 (446 내지 460) 의 이동 및 코일 전도체 와이어 (462) 의 대응하는 이동을 발생시켜 이에 따라 AGTC (400) 의 고유한 기하 구조를 구성한다 (예를 들어, AGTC의 예시적인 기하 구조들은 도 6a 및 도 6b에 예시된다). 장력 스트링 각각의 길이가 장력 조정 어셈블리들 (404 내지 418) 에 의해 조정된 후, 중앙 스풀 어셈블리 (424) 의 스풀 (425) 을 통해 쓰레드되는, 장력 스트링 각각의 반대편 단부는, 장력이 장력 스트링들 각각에 유지되도록 장력 유지 어셈블리 (506) 에 커플링된다.

도 5는 일 예시적인 실시 예에 따른, 도 4의 AGTC와 함께 사용될 수 있는 장력 유지 어셈블리 (506) 의 도면 (500) 를 예시한다. 도 5를 참조하면, 도면 (500) 은 대응하는 장력 스트링들 (432 및 442) 각각에 커플링된, AGTC (400) 의 장력 조정 어셈블리들 (406 및 416) 의 사시도를 예시한다. 도 5에 예시된 바와 같이, 코일 전도체 와이어 (462) 는 둘레 가이드 롤러 세트들 (448 및 458) 에 의해 반대편 측면들 상에 지지된다.

일 예시적인 실시 예에서, 장력 조정 어셈블리들 (416 및 406) 은 스트링들의 제 1 단부에서 장력 스트링들 (442 및 432) 을 집중시키거나 느슨하게 하도록 구성된 대응하는 구동 모터들 (504 및 502) 을 포함한다. 스트링들의 제 2 단부는, 도 5에 예시된 바와 같이, 중앙 스풀 어셈블리 (424) 의 스풀 (425) 을 통해 쓰레드되고 그리고 장력 유지 어셈블리 (506) 에 커플링된다. 일 예시적인 실시 예에서, 장력 유지 어셈블리 (506) 는 스프링, 구동 모터, 또는 또 다른 메커니즘일 수 있는 장력 메커니즘 (508) 을 포함한다. 비록 장력 유지 어셈블리 (506) 가 단일 장력 메커니즘 (508) 을 갖는 것으로 예시되더라도, 본 개시는 이와 관련하여 제한되지 않고 그리고 별도의 장력 메커니즘이 장력 스트링들 (430 내지 444) 각각에 대해 사용될 수 있다. 일 예시적인 실시 예에서, 제어기 (116) 는 장력 스트링들 (430 내지 444) 각각에 대한 길이를 개별적으로 구성할 수 있고, 그리고 장력 조정 어셈블리들 (404 내지 418) 각각은 코일 전도체 와이어 (462) 에 의해 형성된 코일의 목표된 기하 구조가 달성되도록 이러한 길이를 조정할 수 있다. 이 경우, 장력 유지 어셈블리 (506) 의 기능은 임의의 느슨한 장력 스트링을 제거하는 것 그리고 장력 스트링의 목표된 길이가 변화되지 않은 채로 남는 것을 보장하는 것이다.

도 6a 및 도 6b는 일 예시적인 실시 예에 따른, 상이한 코일 기하 구조들을 사용하는 도 4의 AGTC의 예시적인 구성들을 예시한다. 보다 구체적으로, 도 6a는 중앙 스풀 어셈블리 (424) 가 프레임 (402) 의 상부 좌측 코너로 이동되는 AGTC (400) 의 예시적인 기하 구조 (600A) 를 예시한다. 도 6b는 중앙 스풀 어셈블리 (424) 가 프레임 (402) 의 하부 우측 코너로 이동되는 AGTC (400) 의 예시적인 기하 구조 (600B) 를 예시한다. 도 6a 및 도 6b에 도시된 바와 같이, AGTC의 상이한 기하 구조들은 구동 스크루들 (420 및 422) 을 사용하여 뿐만 아니라 상이한 길이들의 장력 스트링들 (430 내지 444) 을 사용하여 프레임 (402) 내에서 상이한 위치들로 중앙 스풀 어셈블리 (424) 를 이동시킴으로써 구성될 수 있다. 이와 관련하여, 기하 구조들 (600A 및 600B) 은 개시된 기법들을 사용하여 달성될 수 있는 AGTC의 가변 기하 구조의 복수의 가능성들을 예시하기 위한 예들일 뿐이다.

일 예시적인 실시 예에서, 제어기 (116) 가 중심 스풀 어셈블리 (424) 의 위치를 구성한 후, AGTC (400) 기하 구조 또는 코일 전도체 와이어의 둘레 길이는 장력 스트링들 (430 내지 444) 의 길이들을 조정함으로써 (뿐만 아니라 와이어 공급 어셈블리 (465) 를 통한 코일 도체 와이어를 보다 많이 수축 또는 해제함으로써) 조정될 수 있다. 부가적으로, 전압 공급 어셈블리 (464) 는 AGTC (400) 의 전압 또는 전류를 조정하도록 사용될 수 있다. 이와 관련하여, 검출된 잔류 자기장들 또는 기판 표면 (예를 들어, 리소그래피 마스크) 의 검출된 불균일성에 기초하여 조정될 수 있는 AGTC의 파라미터들은, 코일의 기하 구조, 코일 전도체 와이어의 둘레 길이, 및 코일 전도체 와이어를 통한 전류를 포함한다.

일 예시적인 실시 예에서, AGTC의 복수의 파라미터들은 센싱된 잔류 자기장 및/또는 기판 불균일성에 기초하여 (예를 들어, 기판 프로세싱 동안 주기적으로 (periodically)/동적으로 (dynamically)) 조정될 수 있다. 예를 들어, AGTC의 기하 구조 (또는 둘레) 뿐만 아니라 전류는 하나 이상의 자기장 소스들 (예를 들어, 잔류 자기장의 소스인 호이스트) 에 대한 AGTC의 근접성, 잔류 자기장의 강도, 잔류 자기장의 방향, 등에 기초하여 조정될 수 있다.

일 예시적인 실시 예에서, 하나 이상의 보조 (또는 트리밍) 자기장들은 진공 챔버 (302) 내에 존재하는 잔류 자기장 (예를 들어, 잔류 자기장 (310)) 을 상쇄하도록 또는 기판 표면의 불균일성을 상쇄하도록 (예를 들어, 도 7a 내지 도 9에 예시된 바와 같이) 본 명세서에서 논의된 기법들을 사용하여 적어도 하나의 AGTC에 의해 생성될 수 있다.

도 7a는 일 예시적인 실시 예에 따른, 잔류 자기장을 상쇄하도록 자기장 소스로서 사용되는 AGTC를 갖는 진공 챔버 (702) 의 사시도 (700A) 를 예시한다. 도 7a를 참조하면, 진공 챔버 (702) 는 (진공 챔버의 프로세싱 존 내에 있을 수도 있는) 위치 (708) 에서 측정된 (주로 수직 컴포넌트 (Bz) 를 포함하는) 잔류 자기장 (710) 을 경험할 수도 있다. (AGTC (400) 와 유사할 수 있는) AGTC (704) 는 진공 챔버 (702) 내에 보조 (또는 트리밍) 자기장 (706) 을 생성하도록 구성될 수도 있다. 보조 (또는 트리밍) 자기장은 또한 잔류 자기장 (710) 의 방향과 반대 방향 및 유사한 크기를 갖는 Bt (712) 로 나타낸다.

일 예시적인 실시 예에서, 잔류 자기장 (710) 은 위치 (708) 에 또는 위치 (708) 근방에 배치된 자기장 센서에 의해 검출되고 측정될 수도 있다. 잔류 자기장들을 검출하도록 사용될 수 있는 예시적인 자기장 센서들은 도 11과 관련하여 예시된다. 부가적으로, (예를 들어, 도 11에 예시된 바와 같은 제어기 (1118) 일 수 있는) 자기장 제어기가 보조 자기장 (712) 을 조정하기 위해 AGTC (704) 의 하나 이상의 파라미터들을 조정하도록 사용될 수도 있다. 예를 들어, 자기장 제어기는 전류 (예를 들어, 직류 (direct current; DC)), 기하 구조, 또는 AGTC (704) 의 둘레를 조정할 수도 있고, 이에 따라 보조 자기장 (712) 의 크기를 변화시킨다.

일부 양태들에서, 보조 자기장 (712) 의 크기가 잔류 자기장 (710) 의 크기를 0이 되게 하도록 전류가 조정될 수도 있다. 다른 양태들에서, 자기장 제어기는 (보조 자기장 (712) 이 인가된 후) 발생되는 잔류 자기장 (710) 이 타깃 크기 (예를 들어, Bfab, 제조 프로세스와 연관된 다른 진공 챔버들 내 잔류 자기장 크기 (예를 들어, Bz ~ Bfab) 와 매칭하는 미리 결정된 잔류 자기장 크기) 및/또는 방향을 달성하도록 AGTC (704) 를 통해 전류를 조정할 수도 있다.

일 예시적인 실시 예에서, 자기장 제어기는 진공 챔버 (702) 내에서 프로세싱될 기판의 표면을 따른 불균일성 (예를 들어, 기판의 리소그래피 마스크의 불균일성) 을 검출하기 위해 (예를 들어, 도 11에 예시된 바와 같은) 센서를 사용할 수도 있고; 이 불균일성은 자기장 제어기로 통신되도록 프로세싱 전에 또는 인 시츄 (in situ) 로 검출될 수 있다. 이어서 자기장 제어기는 기판 표면에서 검출된 불균일성과 매칭하도록 기판의 불균일한 에칭을 유발하는 자기장을 발생시키는 AGTC (704) 의 파라미터들 중 하나 이상을 구성할 수도 있다.

도 7b는 일 예시적인 실시 예에 따른, 도 7a의 진공 챔버의 측면도 (700B) 이고 그리고 AGTC에 대한 장착 옵션들을 예시한다. 도 7b를 참조하면, 일 예시적인 실시 예에서, AGTC (704) 는 내부적으로, 진공 챔버 (702) 내에, 그리고 프로세싱 존 (714) 에 근접하게 장착될 수도 있다. 예시적인 실시 예에서, AGTC (704) 는 진공 챔버 (702) 의 상단 플레이트 (716) 에 고정된 (secure) 페데스탈 (718) 상에 장착될 수도 있다. 일 예시적인 실시 예에서, AGTC (704) 는 또한 연결부들 (720) 을 통해 진공 챔버 (702) 의 내부 표면 (예를 들어, 도 7b에 예시된 바와 같은 상단 표면) 에 장착될 수도 있다.

일 예시적인 실시 예에서, 진공 챔버 (702) 는 자기 차폐 구조체 (200) 와 같은 자기 차폐 구조체 내에 둘러싸일 수도 있다. 일 예시적인 실시 예에서, AGTC (704) 는 자기 차폐 구조체 내 고정이지만 진공 챔버 (702) 외부 (예를 들어, 자기 차폐 구조체의 내부 표면 상에) 에 고정될 수도 있다. 일 예시적인 실시 예에서, AGTC (704) 는 자기 차폐 구조체 및 진공 챔버 (702) 의 외부에 배치될 수도 있다.

일 예시적인 실시 예에서, 복수의 AGTC들이 (예를 들어, 도 8, 도 9, 및 도 10에 예시된 바와 같이) 하나 이상의 보조 자기장들을 생성하도록 자기장 소스들로서 사용될 수도 있고, 코일 각각은 도 7a 및 도 7b와 관련하여 상기 논의된 옵션들을 사용하여 상이하게 포지셔닝될 수도 있다.

도 8은 일 예시적인 실시 예에 따른, 잔류 자기장을 상쇄하도록 자기장을 생성하는 헬름홀츠 (Helmholtz) 쌍으로서 구성된 복수의 AGTC들을 갖는 진공 챔버의 사시도 (800) 를 예시한다. 도 8을 참조하면, 진공 챔버 (802) 는 (진공 챔버 (802) 의 프로세싱 존 내에 있을 수도 있는) 위치 (810) 에서 측정된 (주로 수직 컴포넌트 (Bz) 를 포함하는) 잔류 자기장 (812) 을 경험할 수도 있다. (AGTC (400) 와 유사할 수 있는) 복수의 AGTC들 (예를 들어, 2 개의 AGTC들) (804 및 806) 은 진공 챔버 (802) 내에 보조 (또는 트리밍) 자기장 (808) 을 생성하도록 구성될 수도 있다. 보조 (또는 트리밍) 자기장 (808) 은 또한 잔류 자기장 (812) 의 방향과 반대 방향 및 유사한 크기를 갖는 Bt (814) 로 나타낸다.

예시적인 실시 예에서, AGTC들 (804 및 806) 은 헬름홀츠 쌍으로서 구성될 수도 있다. 일 예시적인 실시 예에서, 잔류 자기장 (812) 은 위치 (810) 에 또는 위치 (810) 근방에 배치된 자기장 센서에 의해 검출되고 측정될 수도 있다. 부가적으로, (예를 들어, 도 11에 예시된 바와 같은) 자기장 제어기가 AGTC들 (804 및 806) 의 하나 이상의 파라미터들을 조정하도록 사용될 수도 있고, 이는 보조 자기장 (814) 의 상이한 특성들을 발생시킨다. 예를 들어, 자기장 제어기는 AGTC들 (804 및 806) 의 헬름홀츠 쌍의 전류를 조정할 수도 있고, 이에 따라 보조 자기장 (814) 의 크기를 변화시킨다. 일부 양태들에서, 보조 자기장 (814) 의 크기가 잔류 자기장 (812) 의 크기를 0이 되게 하도록 AGTC들의 전류가 조정될 수도 있다. 다른 양태들에서, 자기장 제어기는 (보조 자기장 (814) 이 인가된 후) 발생되는 잔류 자기장 (812) 이 타깃 크기 및/또는 방향을 달성하도록 헬름홀츠 쌍을 통한 전류를 조정할 수도 있다. 일부 양태들에서, AGTC들 (804 및 806) 의 자기 코일들은 고전적인 헬름홀츠 쌍으로서 기능하도록 도면에 도시된 편평한 나선들보다 보다 국소화될 수 있다.

일 예시적인 실시 예에서, 하나 이상의 AGTC들은 진공 챔버 (802) 주위의 상이한 위치들에 배치될 수 있고, AGTC들 각각은 보조 자기장의 미리 구성된 크기 및 방향을 갖는 보조 자기장를 생성한다. 일부 양태들에서, 보조 자기장들이 활성화된 후 잔류 자기장의 목표된 크기 및/또는 방향이 달성되도록 보조 자기장들 각각은 또한 동적으로 구성될 수 있다 (예를 들어, 보조 자기장 각각의 크기 및/또는 방향은 진공 챔버 내 또는 진공 챔버 주변의 잔류 자기장의 주기적인 측정들에 기초하여 설정될 수 있다).

일 예시적인 실시 예에서, 진공 챔버 (802) 는 자기 차폐 구조체 (200) 와 같은 자기 차폐 구조체 내에 둘러싸일 수도 있다. 일 예시적인 실시 예에서, AGTC들 (804 및 806) 의 헬름홀츠 쌍은 자기 차폐 구조체 내 고정이지만 진공 챔버 (802) 외부 (예를 들어, 자기 차폐 구조체의 내부 표면 상에) 에 고정될 수도 있다. 일 예시적인 실시 예에서, AGTC들 (804 및 806) 의 헬름홀츠 쌍은 자기 차폐 구조체 및 진공 챔버 (802) 의 외부에 배치될 수도 있다.

도 9는 일 예시적인 실시 예에 따른, 잔류 자기장을 상쇄하도록 복수의 자기장들을 생성하는 복수의 헬름홀츠 쌍들로서 구성된 복수의 AGTC들을 갖는 진공 챔버 (902) 의 사시도 (900) 를 예시한다. 도 9를 참조하면, 진공 챔버 (902) 는 잔류 자기장 (도 9에 미도시) 을 경험할 수도 있다. (AGTC (400) 와 유사할 수 있는) 복수의 AGTC들 (904 내지 914) 은 진공 챔버 (902) 내에 보조 (또는 트리밍) 자기장들 (922 내지 926) 을 생성하도록 구성될 수도 있다.

일 예시적인 실시 예에서, AGTC들 (904 내지 914) 은 헬름홀츠 쌍들로 구성될 수도 있다 (예를 들어, 코일들 (904 및 906) 은 Z-축을 따라 제 1 헬름홀츠 쌍으로 구성되고, 코일들 (908 및 910) 은 X-축을 따라 제 2 헬름홀츠 쌍으로 구성되고, 그리고 코일들 (912 및 914) 은 Y-축을 따라 제 3 헬름홀츠 쌍으로 구성된다). 일 예시적인 실시 예에서, 잔류 자기장은 진공 챔버 (902) 의 프로세싱 존에 또는 프로세싱 존 근방에 배치된 자기장 센서에 의해 검출되고 측정될 수도 있다. 부가적으로, (예를 들어, 도 11에 예시된 바와 같이) 자기장 제어기가 (대응하는 자기장 라인들 (916, 918, 및 920) 을 갖는) 보조 자기장들 (922, 924, 및 926) 의 하나 이상의 특성들을 조정하도록 사용될 수도 있다. 예를 들어, 자기장 제어기는 AGTC들 (904 내지 914) 의 헬름홀츠 쌍들의 전류를 조정할 수도 있고, 이에 따라 보조 자기장들 (922, 924 및 926) 각각의 크기를 변화시킨다. 일부 양태들에서, 보조 자기장들 (922 내지 926) 의 크기가 잔류 자기장의 크기를 0이 되게 하도록 AGTC들의 전류 (또는 AGTC들의 다른 파라미터들) 가 조정될 수도 있다. 다른 양태들에서, 자기장 제어기는 (보조 자기장들 중 하나 이상이 인가된 후) 발생되는 잔류 자기장이 타깃 크기 및/또는 방향을 달성하도록 헬름홀츠 쌍들을 통해 전류를 조정할 수도 있다.

일 예시적인 실시 예에서, 자기장 제어기는 진공 챔버 (902) 내 잔류 자기장을 검출하도록 또는 기판 표면의 불균일성을 검출하도록 하나 이상의 자기장 센서들을 사용할 수 있다. 이어서 자기장 제어기는 구성된 AGTC들의 헬름홀츠 쌍들 중 얼마나 많은 헬름홀츠 쌍들이 활성화될 수 있는지 보조 자기장의 목표된 방향 및/또는 크기에 기초하여 결정할 수도 있다. 예를 들어, 잔류 자기장이 보조 자기장들 (922 내지 926) 중 단지 하나의 방향과 일치하는 (coincide) 방향과 연관된다면, 매칭 방향과 연관된 대응하는 헬름홀츠 쌍만이 활성화된다. 부가적으로, 잔류 자기장의 방향이 보조 자기장들 (922 내지 926) 의 방향들 중 2 개 이상의 조합이면, 이러한 방향들과 연관된 대응하는 헬름홀츠 쌍들이 활성화된다. 예시적인 실시 예에서, 자기장 제어기는 (예를 들어, 제조 설비에서 복수의 진공 챔버들 사이의 잔류 자기장들의 균일성을 달성하기 위해) 발생되는 자기장의 목표된 크기 및/또는 방향에 기초하여 하나 또는 복수의 가용 헬름홀츠 쌍들을 활성화할 수도 있다.

일 예시적인 실시 예에서, 진공 챔버 (902) 는 자기 차폐 구조체 (200) 와 같은 자기 차폐 구조체 내에 둘러싸일 수도 있다. 일 예시적인 실시 예에서, AGTC들 (904 내지 914) 의 헬름홀츠 쌍들은 자기 차폐 구조체 내 고정이지만 진공 챔버 (902) 외부 (예를 들어, 자기 차폐 구조체의 내부 표면 상에) 에 고정될 수도 있다. 일 예시적인 실시 예에서, AGTC들 (904 내지 914) 의 헬름홀츠 쌍들은 자기 차폐 구조체 및 진공 챔버 (902) 의 외부에 배치될 수도 있다.

도 10은 일 예시적인 실시 예에 따른, 잔류 자기장을 상쇄하도록 상이한 자기장들을 생성하는 AGTC들의 복수의 쌍들을 사용하는 진공 챔버의 평면도 (1000) 를 예시한다. 도 10을 참조하면, 진공 챔버 (1002) 는 CCP (또는 다른 기법들) 를 사용하여 기판을 프로세싱하기 위한 프로세싱 존 (1004) 을 포함한다. 도 10은, 도 9의 AGTC들 (912, 914, 908, 및 910) 각각, 뿐만 아니라, 도 4의 AGTC (400) 와 유사할 수도 있는, AGTC들 (1006, 1008, 1010, 및 1012) 을 더 예시한다. 일 예시적인 실시 예에서, AGTC들 (1010 및 1012) 은 수평 보조 자기장 (Btb) 을 생성하도록 (예를 들어, 헬름홀츠 쌍으로서) 활성화될 수도 있다. 일 예시적인 실시 예에서, AGTC들 (1006 및 1008) 은 (도 10에 예시된 바와 같이) 수평 보조 자기장 (Btb) 에 직교할 (orthogonal) 수도 있는 또 다른 수평 보조 자기장 (Btz) 을 생성하도록 (예를 들어, 헬름홀츠 쌍으로서) 활성화될 수도 있다. 일 예시적인 실시 예에서, 이러한 수평 보조 자기장들은, 진공 챔버 (1002) 내에서 발생되는 잔류 자기장의 목표된 크기 및 방향에 기초하여, 동일하거나 상이한 크기들로 개별적으로 또는 함께 생성될 수도 있다.

도 11은 일 예시적인 실시 예에 따른, 잔류 자기장을 상쇄하는 하나 이상의 보조 자기장들을 구성하기 위해 상이한 타입들의 자기 센서들 및 자기장 제어기를 갖는 진공 챔버 (1102) 를 예시한다. 도 11을 참조하면, 진공 챔버 (1102) 는 (예를 들어, 자기 차폐 구조체 (200) 를 사용하여) 차폐될 수도 있고 그리고 수직 컴포넌트 (1104) 및 수평 컴포넌트 (1106) 를 갖는 외부 자기장들에 노출될 수도 있고, 이는 진공 챔버 (1102) 내에 잔류 자기장 (1108) 을 발생시킨다.

예시적인 실시 예에서, 진공 챔버 (1102) 는 자기장 제어기 (1118) 를 포함한다. 자기장 제어기 (1118) 는 제어기 (116) 와 동일할 수 있다. 부가적으로, 자기장 제어기 (1118) 는 적합한 회로, 로직, 인터페이스들, 및/또는 코드를 포함하고 그리고 자기장 센서 데이터 또는 기판 표면 불균일성 데이터를 수신하도록 그리고 적어도 하나의 AGTC의 하나 이상의 파라미터들을 조정하도록 구성되어, 적어도 하나의 AGTC에 의해 생성된 보조 자기장을 발생시킨다. 예시적인 실시 예에서, 스마트 웨이퍼 (1112) 는 개구부 (1110) 로부터 진공 챔버 (1102) 의 프로세싱 존 내에 로딩될 수도 있다. 스마트 웨이퍼 (1112) 는 스마트 웨이퍼 (1112) 가 진공 챔버 (1102) 내부의 프로세싱 존 내에 배치된 후 잔류 자기장들 (예를 들어, 잔류 자기장 (1108)) 을 검출하고 측정하도록 구성되는 복수의 자기장 센서들 (1114) 을 포함할 수도 있다. 일 예시적인 실시 예에서, 자기장 제어기 (1118) 는 또한 적어도 하나의 AGTC의 파라미터들의 구성을 목적으로 기판 표면의 불균일성뿐만 아니라, 잔류 자기장 (1108) 과 같은, 잔류 자기장들을 검출하고 측정하기 위해 하나 이상의 독립 (standalone) 자기장 센서들 (1116) 을 사용할 수도 있다.

예시적인 실시 예에서, 자기장 제어기 (1118) 는 잔류 자기장 (1108) 의 크기 및 방향을 검출하기 위해 자기장 센서들 (1114 및/또는 1116) 을 사용할 수도 있다. 자기장 제어기 (1118) 는 잔류 자기장 (1108) 에 대응하는 (또는 잔류 자기장을 미리 결정된 값으로 감소시키거나 상승시키는) 보조 자기장을 생성하도록 AGTC의 적어도 하나의 파라미터를 조정할 수도 있다. 예를 들어, 자기장 제어기는 목표된 보조 자기장을 생성하도록 AGTC의 전류, 기하 구조, 또는 둘레를 조정할 수도 있다. 부가적으로, 자기장 제어기 (1118) 는 제조 설비에서 다른 진공 챔버들과의 균일성을 달성하기 위해 잔류 자기장을 0이 되게 하거나 또는 목표된 크기 및 방향의 잔류 자기장을 달성하도록 복수의 가용 AGTC들 중 하나 이상의 AGTC들을 활성화 또는 비활성화할 수도 있다.

자기장 제어기 (1118) 는 또한 기판 표면의 검출된 불균일성에 기초하여 활성화된 AGTC들 중 하나 이상의 파라미터들을 조정할뿐만 아니라 복수의 가용 AGTC들 중 하나 이상의 AGTC들을 활성화 또는 비활성화할 수도 있다. 이와 관련하여, 생성된 보조 자기장은 기판이 프로세싱된 후 보다 균일한 표면에 기여하는, 표면 불균일성과 매칭하는 불균일한 에칭을 발생시키는 검출된 표면 불균일성에 대응한다.

일 예시적인 실시 예에서, 자기장 센서들 (1114 및/또는 1116) 은 자기장 제어기 (1118) 가 목표된 크기 및 방향을 갖는 보조 자기장 생성을 발생시키는 조정들을 수행할 수도 있도록 초기 측정을 위해 사용될 수도 있다. 주기적인 측정들 및 조정들은 자기장 센서들 (1114 및/또는 1116) 을 사용하여 수행될 수도 있다. 일 예시적인 실시 예에서, 독립 자기장 센서들 (1116) 은 보조 자기장들의 특성들의 자동 (동적) 측정들 및 조정들을 위해 사용될 수도 있다. 일 예시적인 실시 예에서, 상이한 센서들이 상이한 자기장 소스들과 연관될 수도 있도록 하나의 자기장 센서 (또는 자기장 센서들의 세트) 가 단일 자기장 소스와 관련하여 사용될 수도 있다. 일 예시적인 실시 예에서, 자기장 제어기 (1118) 는 센서 데이터를 수신하기 위해 자기장 센서들 (1114 및 1116) 과 무선으로 통신할 수도 있다.

도 12는 일 예시적인 실시 예에 따른, 진공 챔버들 내에서 복수의 잔류 자기장들을 감소시키거나, 0이 되게 하거나, 균일하게 만들 수 있도록 개시된 기법들을 사용할 수 있는 제작 설비 내의 진공 챔버들의 배치 (1200) 를 예시한다. 도 12를 참조하면, 배치 (1200) 는 반도체 제작 설비 내에 위치될 수도 있고 그리고 진공 챔버들 (1202, 1204, 1206, 1208, 1210, 및 1212) 과 같은 복수의 진공 챔버들을 포함할 수도 있다. 진공 챔버들 각각은 자기적으로 차폐될 수도 있고 그리고 상이한 외부 자기장들에 노출될 수도 있고, 이는 진공 챔버 각각 내에 상이한 잔류 자기장들을 발생시킨다. 보다 구체적으로, 진공 챔버들 (1202, 1204, 1206, 1208, 1210, 및 1212) 은 대응하는 잔류 자기장들 (1214, 1216, 1218, 1220, 1222, 및 1224) 과 연관된다. 일 예시적인 실시 예에서, 본 명세서에 논의된 기법들 중 하나 이상은 진공 챔버들 내의 잔류 자기장들 각각을 0이 되게 하거나 또는 진공 챔버들 각각 내에서 동일한 크기 및 방향의 균일한 잔류 자기장을 달성하도록 사용될 수도 있다.

도 13은 일 예시적인 실시 예에 따른, 반도체 제작 장비에서 자기장들을 사용하여 기판을 프로세싱하기 위한 방법 (1300) 의 플로우 차트이다. 방법 (1300) 은 도 11의 자기장 제어기 (1118), 도 1의 제어기 (116) 또는 도 14의 프로세서 (1402) 와 같은 자기장 제어기에 의해 수행될 수도 있는, 동작들 (1302, 1304, 1306, 및 1308) 을 포함한다. 도 13을 참조하면, 동작 (1302) 에서, 잔류 자기장은 진공 챔버의 프로세싱 존 내에서 검출되고, 프로세싱 존은 기판 (예를 들어, 반도체 기판) 을 프로세싱하기 위해 사용된다. 예를 들어, 잔류 자기장 (310) 은 진공 챔버 (302) 의 프로세싱 존 (304) 내에서 검출된다. 동작 (1304) 에서, 잔류 자기장의 크기가 결정된다. 예를 들어, 자기장 제어기 (1118) 는 센서들 (1114 및 1116) 중 하나 이상을 사용하여 잔류 자기장의 크기를 결정할 수 있다. 동작 (1306) 에서, AGTC의 적어도 하나의 파라미터는 잔류 자기장의 결정된 크기에 기초하여 조정된다. 예를 들어, 자기장 제어기 (1118) 는 (예를 들어, 도 4 내지 도 10과 관련하여 논의된 바와 같이) 잔류 자기장의 결정된 크기에 기초하여 AGTC의 기하 구조, 둘레, 및/또는 전류를 조정한다. 동작 (1308) 에서, 보조 자기장은 구성된 AGTC를 사용하여 프로세싱 존을 통해 생성되고, 보조 자기장은 잔류 자기장을 미리 결정된 값으로 감소시킨다 (예를 들어, 잔류 자기장을 0이 되게 하거나 미리 결정된 값으로 감소시킨다).

도 14는 본 명세서에 기술된 하나 이상의 예시적인 프로세스 실시 예들이 구현되거나, 제어될 수도 있는 머신 (1400) 의 일 예를 예시하는 블록도이다. 대안적인 실시 예들에서, 머신 (1400) 은 독립 디바이스로서 동작할 수도 있거나, 다른 머신들에 연결될 (예를 들어, 네트워킹될) 수도 있다. 네트워킹된 배치 (deployment) 에서, 머신 (1400) 은 서버-클라이언트 네트워크 환경들에서 서버 머신, 클라이언트 머신 또는 두 가지 머신 모두로서 동작할 수도 있다. 일 예에서, 머신 (1400) 은 P2P (peer-to-peer)(또는 다른 분산된) 네트워크 환경의 피어 (peer) 머신으로 작용할 수도 있다. 또한, 단일 머신 (1400) 만이 예시되지만, 용어 "머신"은 본 명세서에 논의된, 클라우드 컴퓨팅, 서비스형 소프트웨어 (software as a service; SaaS) 또는 다른 컴퓨터 클러스터 구성들 (computer cluster configurations) 과 같은 방법론들 중 임의의 하나 이상을 수행하기 위해 인스트럭션들의 세트 (또는 복수의 세트들) 를 개별적으로 또는 공동으로 실행하는 머신들의 임의의 집합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.

본 명세서에 기술된 예들은, 로직, 다수의 컴포넌트들 또는 메커니즘들을 포함할 수도 있고 또는 이에 의해 동작할 수도 있다. 회로망 (circuitry) 은 하드웨어 (예를 들어, 단순 회로들, 게이트들, 로직) 를 포함하는 유형 개체들 (tangible entities) 로 구현된 회로들의 집합이다. 회로망 부재 (circuitry membership) 는 시간 및 기본 하드웨어 변동성에 대해 유연할 수도 있다. 회로망들은 동작할 때 단독으로 또는 조합하여, 지정된 동작들을 수행할 수도 있는 부재들을 포함한다. 일 예에서, 회로망의 하드웨어는 특정한 동작을 수행하기 위해 변경할 수 없게 설계 (예를 들어, 하드웨어에 내장 (hardwired)) 될 수도 있다. 일 예에서, 회로망의 하드웨어는 특정 동작의 인스트럭션들을 인코딩하기 위해 물리적으로 (예를 들어, 자기적으로, 전기적으로, 불변 질량 입자들의 이동 가능한 배치에 의해) 변경된 컴퓨터 판독가능 매체를 포함하여, 가변적으로 연결된 물리적 컴포넌트들 (예를 들어, 실행 유닛들, 트랜지스터들, 단순 회로들) 을 포함할 수도 있다. 물리적 컴포넌트들을 연결할 때, 하드웨어 구성요소의 기본적인 전기적 특성들이 변화된다 (예를 들어, 절연체로부터 전도체로 또는 그 반대로). 인스트럭션들은 동작 중일 때 임베딩된 (embed) 하드웨어 (예를 들어, 실행 유닛들 또는 로딩 메커니즘) 로 하여금 특정 동작의 일부들을 수행하기 위해 가변 연결부들을 통해 하드웨어 내에 회로망의 부재들을 생성하게 한다. 따라서, 컴퓨터 판독 가능 매체는 디바이스가 동작 중일 때 회로망의 다른 컴포넌트들에 통신 가능하게 (communicatively) 커플링된다. 일부 양태들에서, 임의의 물리적 컴포넌트들은 2 개 이상의 회로망의 2 개 이상의 부재에서 사용될 수도 있다. 예를 들어, 동작 하에, 실행 유닛들은 일 시점에서 제 1 회로망의 제 1 회로에서 사용될 수도 있고, 상이한 시점에 제 1 회로망의 제 2 회로, 또는 제 2 회로망의 제 3 회로에 의해 재사용될 수도 있다.

머신 (예를 들어, 컴퓨터 시스템) (1400) 은 하드웨어 프로세서 (1402) (예를 들어, CPU (Central Processing Unit), 하드웨어 프로세서 코어 (core), 또는 이들의 임의의 조합), GPU (Graphics Processing Unit) (1403), 메인 메모리 (1404) 및 정적 메모리 (1406) 를 포함할 수도 있고, 이들 중 일부 또는 전부는 인터링크 (interlink) (예를 들어, 버스 (bus)) (1408) 를 통해 서로 통신할 수도 있다. 머신 (1400) 은 디스플레이 디바이스 (1410), 영숫자 입력 디바이스 (alphanumeric input device)(1412)(예를 들어, 키보드) 및 사용자 인터페이스 (user interface; UI) 내비게이션 디바이스 (1414)(예를 들어, 마우스) 를 더 포함할 수도 있다. 일 예에서, 디스플레이 디바이스 (1410), 영숫자 입력 디바이스 (1412) 및 UI 내비게이션 디바이스 (1414) 는 터치 스크린 디스플레이일 수도 있다. 머신 (1400) 은 대용량 저장 디바이스 (예를 들어, 드라이브 유닛)(1416), 신호 생성 디바이스 (1418)(예를 들어, 스피커), 네트워크 인터페이스 디바이스 (1420) 및 GPS (global positioning system) 센서, 나침반, 가속도계, 또는 또 다른 센서와 같은, 하나 이상의 센서들 (1421) 을 부가적으로 포함할 수도 있다. 머신 (1400) 은 하나 이상의 주변 디바이스들 (예를 들어, 프린터, 카드 리더기) 과 통신하거나 제어하도록 직렬 (예를 들어, USB (universal serial bus)), 병렬 또는 다른 유선 또는 무선 (예를 들어, 적외선 (infrared; IR), NFC (near field communication)) 연결과 같은, 출력 제어기 (1428) 를 포함할 수도 있다.

예시적인 실시 예에서, 하드웨어 프로세서 (1402) 는 제어기 (116) 와 동일할 수도 있고 적어도 도 11과 관련하여 상기에 논의된 자기장 제어기 (1118) 의 기능들을 수행하도록 구성될 수도 있다.

대용량 저장 디바이스 (1416) 는 본 명세서에 기술된 기법들 또는 기능들 중 임의의 하나 이상에 의해 구현되거나 활용되는, 데이터 구조들 또는 인스트럭션들 (1424)(예를 들어, 소프트웨어) 중 하나 이상의 세트들이 저장되는 머신-판독 가능 (machine-readable) 매체 (1422) 를 포함할 수도 있다. 인스트럭션들 (1424) 은 또한 머신 (1400) 에 의한 인스트럭션들의 실행 동안 메인 메모리 (1404) 내에, 정적 메모리 (1406) 내에, 하드웨어 프로세서 (1402) 내에, 또는 GPU (1403) 내에 완전히 또는 적어도 부분적으로 존재할 수도 있다. 일 예에서, 하드웨어 프로세서 (1402), GPU (1403), 메인 메모리 (1404), 정적 메모리 (1406), 또는 대용량 저장 디바이스 (1416) 중 하나 또는 임의의 조합은 머신-판독 가능 매체를 구성할 수도 있다.

머신-판독 가능 매체 (1422) 가 단일 매체로 예시되었지만, 용어 "머신-판독 가능 매체"는 하나 이상의 인스트럭션들 (1424) 을 저장하도록 구성된 단일 매체 또는 복수의 매체들 (예를 들어, 중앙 집중되거나 분산된 데이터베이스 및/또는 연관된 캐시들과 서버들) 를 포함할 수도 있다.

용어 "머신-판독 가능 매체"는 머신 (1400) 에 의한 실행을 위해 인스트럭션들 (1424) 을 저장하고, 인코딩하고 또는 전달할 수도 있고, 머신 (1400) 으로 하여금 본 개시의 기법들 중 임의의 하나 이상을 수행하게 하거나, 이러한 인스트럭션들 (1424) 에 의해 사용되거나 또는 인스트럭션들 (1424) 과 연관된 데이터 구조들을 저장하고, 인코딩하고 또는 전달할 수 있는, 임의의 매체를 포함할 수도 있다. 비-제한적인 머신-판독 가능 매체 예들은 고체 상태 메모리들 및 광학 매체 및 자기 매체를 포함할 수도 있다. 일 예에서, 대용량 머신-판독 가능 매체는 불변 (예를 들어, 정지 (rest)) 질량을 갖는 복수의 입자들을 갖는 머신-판독 가능 매체 (1422) 를 포함한다. 따라서, 대용량 머신-판독 가능 매체는 일시적인 전파 신호들이 아니다. 대용량 머신-판독 가능 매체의 특정한 예들은 반도체 메모리 디바이스들 (예를 들어, EPROM (Electrically Programmable Read-Only Memory), EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)) 및 플래시 메모리 디바이스들; 내부 하드 디스크들 및 이동식 디스크들과 같은 자기 (magnetic) 디스크들; 자기-광학 (magneto-optical) 디스크들; 및 CD-ROM 및 DVD-ROM 디스크들과 같은, 비휘발성 메모리를 포함할 수도 있다.

인스트럭션들 (1424) 은 또한 네트워크 인터페이스 디바이스 (1420) 를 통해 송신 매체를 사용하여 통신 네트워크 (1426) 를 거쳐 송신되거나 수신될 수도 있다.

선행하는 기법들의 구현은 임의의 수의 하드웨어 및 소프트웨어의 사양들, 구성들 또는 예시적인 배치들을 통해 달성될 수도 있다. 본 명세서에 기술된 기능적 유닛들 또는 성능들은 이들의 구현 독립성을 보다 구체적으로 강조하기 위해 컴포넌트들 또는 모듈들로 지칭되거나 또는 라벨링될 수도 있다는 것이 이해되어야 한다. 이러한 컴포넌트들은 임의의 수의 소프트웨어 형태 또는 하드웨어 형태로 실시될 수도 있다. 예를 들어, 컴포넌트 또는 모듈은 커스텀 VLSI (very-large-scale integration) 회로들 또는 게이트 어레이들, 로직 칩들, 트랜지스터들 또는 다른 개별 컴포넌트들과 같은 기성 (off-the-shelf) 반도체들을 포함하는 하드웨어 회로로서 구현될 수도 있다. 컴포넌트 또는 모듈은 또한 필드-프로그래밍 가능 게이트 어레이들, 프로그램 가능 어레이 로직, 프로그램 가능 로직 디바이스들, 등과 같은 프로그램 가능 하드웨어 디바이스들로 구현될 수도 있다. 컴포넌트들 또는 모듈들은 또한 다양한 타입들의 프로세서들에 의한 실행을 위한 소프트웨어로 구현될 수도 있다. 실행 가능한 코드의 식별된 컴포넌트 또는 모듈은 예를 들어, 컴퓨터 인스트럭션들의 하나 이상의 물리적 블록 (block) 또는 논리적 블록을 포함할 수도 있고, 예를 들어, 객체, 절차 또는 함수로서 조직될 수도 있다. 그럼에도 불구하고, 식별된 컴포넌트 또는 모듈의 실행 파일들 (executables) 은 물리적으로함께 위치될 필요는 없지만, 논리적으로함께 결합될 때, 컴포넌트 또는 모듈을 포함하고 컴포넌트 또는 모듈에 대해 명시된 목적을 달성하는 상이한 위치들에 저장된 전혀 다른 (disparate) 인스트럭션들을 포함할 수도 있다.

실제로, 실행 가능한 코드의 컴포넌트 또는 모듈은 단일 인스트럭션 또는 많은 인스트럭션들일 수도 있고, 그리고 심지어 몇몇 상이한 코드 세그먼트들에 걸쳐, 상이한 프로그램들 사이에서, 그리고 몇몇 메모리 디바이스들 또는 프로세싱 시스템들에 걸쳐 분배될 수도 있다. 특히, 기술된 프로세스의 일부 양태들 (예컨대 코드 재작성 및 코드 분석) 은 코드가 (예를 들어, 센서 또는 로봇에 임베딩된 컴퓨터에) 전개되는 (예를 들어, 데이터 센터의 컴퓨터에서) 상이한 프로세싱 시스템 상에서 발생할 수도 있다. 유사하게, 동작 데이터는 컴포넌트들 또는 모듈들 내에서 본 명세서에서 식별될 수도 있고 예시될 수도 있고 그리고 임의의 적합한 형태로 구현될 수도 있고 임의의 적합한 타입의 데이터 구조 내에 조직될 수도 있다. 동작 데이터는 단일 데이터 세트로서 수집될 수도 있고 또는 상이한 저장 디바이스들을 포함하여 상이한 위치들에 걸쳐 분배될 수도 있고, 적어도 부분적으로, 시스템 또는 네트워크 상의 전자 신호들로서 단지 존재할 수도 있다. 컴포넌트들 또는 모듈들은 목표된 기능들을 수행하도록 동작 가능한 에이전트들을 포함하여 패시브 또는 액티브일 수도 있다.

추가 참고 사항들 및 예들

예 1은 기판을 프로세싱하기 위한 프로세싱 존을 포함하는 진공 챔버; 진공 챔버의 프로세싱 존을 통해 보조 자기장을 생성하도록 구성된 AGTC; 및 AGTC에 커플링된 자기장 제어기를 포함하고, 자기장 제어기는 AGTC의 적어도 하나의 파라미터를 조정하도록 구성되고, 보조 자기장으로 하여금 진공 챔버 내의 잔류 자기장을 미리 결정된 값으로 감소시키게 하는, 기판 프로세싱 장치이다.

예 2에서, 예 1의 주제는 AGTC의 적어도 하나의 파라미터가 AGTC의 기하 구조; AGTC를 형성하는 코일 전도체 와이어의 둘레 길이; 코일 전도체 와이어를 통한 전류; 자기 컴포넌트에 대한 AGTC의 상대적인 위치; 및 코일 전도체 와이어를 통해 전류로부터 자기 플럭스를 기하학적으로 지향시키거나, 집중시키거나 (concentrate) 또는 차폐하도록 자기 재료를 포함하는 AGTC를 형성하는 코일 전도체 와이어의 길이의 포지션 중 적어도 하나인 주제를 포함한다.

예 3에서, 예 2의 주제는 진공 챔버 내 잔류 자기장을 검출하도록 구성된 자기장 센서를 더 포함하고; 자기장 센서는 진공 챔버의 프로세싱 존 내에 배치된 웨이퍼 센서이다.

예 4에서, 예 3의 주제는 웨이퍼 센서가 프로세싱 존 내의 복수의 위치들에서 잔류 자기장의 크기들을 측정하도록 구성된 자기장 센서들의 어레이를 포함하고; 그리고 자기장 제어기는 측정된 크기들에 기초하여 AGTC의 적어도 하나의 파라미터를 조정하는 주제를 포함한다.

예 5에서, 예 4의 주제는 자기장 제어기가 복수의 위치들에서 잔류 자기장의 측정된 크기들로부터 유도된 평균 크기와 매칭하도록 보조 자기장의 크기를 유발하는 AGTC의 코일 전도체 와이어를 통한 전류를 조정하는 주제를 포함한다.

예 6에서, 예 5의 주제는 자기장 제어기가 평균 크기와 매칭하도록 보조 자기장의 크기를 발생시키는 AGTC의 적어도 하나의 파라미터를 조정하고, 그리고 보조 자기장의 방향은 잔류 자기장의 방향과 반대인 주제를 포함한다.

예 7에서, 예 1 내지 예 6의 주제는 AGTC가 진공 챔버의 상단 플레이트의 표면에 부착된 지지 구조체 상에 장착되는 주제를 포함한다.

예 8에서, 예 1 내지 예 7의 주제는 진공 챔버의 프로세싱 존을 통해 적어도 또 다른 보조 자기장을 생성하도록 구성된 적어도 또 다른 AGTC (예를 들어, 제 2 AGTC) 를 포함한다.

예 9에서, 예 8의 주제는 보조 자기장들 및 적어도 또 다른 보조 자기장 AGTC 중 하나 또는 모두가 잔류 자기장의 수직 컴포넌트 (Bz) 반대인 방향으로 생성되는 주제를 포함한다.

예 10에서, 예 9의 주제는 적어도 또 다른 AGTC가 잔류 자기장의 수평 컴포넌트 (Bh) 와 반대인 방향을 갖는 적어도 또 다른 보조 자기장을 생성하도록 구성되는 주제를 포함한다.

예 11에서, 예 8 내지 예 10의 주제는 AGTC 및 적어도 또 다른 AGTC가 헬름홀츠 쌍으로서 구성되고, 헬름홀츠 쌍은 진공 챔버의 수직 축 또는 수평 축을 따라 보조 자기장을 생성하도록 구성되는 주제를 포함한다.

예 12에서, 예 2 내지 예 11의 주제는, AGTC가: 대응하는 복수의 장력 스트링들에 커플링된 복수의 장력 조정 어셈블리들을 더 포함하고, 복수의 장력 스트링들의 장력 스트링 각각은 코일 전도체 와이어의 일부를 가이드하기 위한 둘레 가이드 롤러 세트를 포함하는 주제를 포함한다.

예 13에서, 예 12의 주제는 자기장 제어기가 잔류 자기장에 기초하여 AGTC의 기하 구조를 변화시키도록, 복수의 장력 조정 어셈블리들 중 대응하는 장력 조정 어셈블리를 사용하여 복수의 장력 스트링들 중 하나 이상의 길이를 조정하도록 구성되는 주제를 포함한다.

예 14에서, 예 12 내지 예 13의 주제는 AGTC가 와이어 공급 어셈블리를 포함하고, 자기장 제어기는 와이어 공급 어셈블리를 통해 그리고 복수의 장력 조정 어셈블리들 중 대응하는 장력 조정 어셈블리를 사용하여 복수의 장력 스트링들 중 하나 이상의 길이를 조정함으로써 코일 전도체 와이어의 둘레 길이를 조정하도록 구성되는 주제를 포함한다.

예 15에서, 예 12 내지 예 14의 주제는 AGTC가 복수의 장력 스트링들의 장력 스트링 각각의 일 단부를 수용하도록 구성된 중앙 스풀 어셈블리를 더 포함하고, 복수의 장력 스트링들의 장력 스트링 각각의 반대편 단부는 복수의 장력 조정 어셈블리들에 부착되고, 그리고 자기장 제어기가 AGTC의 기하 구조를 조정하도록 적어도 하나의 구동 모터를 통해 수직 구동 스크루 또는 수평 구동 스크루를 따라 중앙 스풀 어셈블리를 이동시키도록 구성되는 주제를 포함한다.

예 16은 진공 챔버를 사용하여 기판을 프로세싱하기 위한 방법이고, 방법은: 기판을 프로세싱하기 위한, 진공 챔버의 프로세싱 존 내 잔류 자기장을 검출하는 단계; 잔류 자기장의 크기를 결정하는 단계; 잔류 자기장의 결정된 크기에 기초하여 AGTC의 적어도 하나의 파라미터를 조정하는 단계; 및 AGTC를 사용하여 진공 챔버의 프로세싱 존을 통해 보조 자기장을 생성하는 단계를 포함하고, 보조 자기장은 잔류 자기장을 미리 결정된 값으로 감소시킨다.

예 17에서, 예 16의 주제는 AGTC의 적어도 하나의 파라미터가 AGTC의 기하 구조, AGTC를 형성하는 코일 전도체 와이어의 둘레 길이, 및 코일 전도체 와이어를 통한 전류 중 적어도 하나인 주제를 포함한다.

예 18에서, 예 17의 주제는 크기를 결정하는 단계가 잔류 자기장의 수직 컴포넌트 (Bz) 의 크기를 결정하는 단계; 및 잔류 자기장의 수평 컴포넌트 (Bh) 의 크기를 결정하는 단계를 더 포함하는 주제를 포함한다.

예 19에서, 예 18의 주제는, 잔류 자기장의 수직 컴포넌트의 크기를 감소시키기 위해 보조 자기장을 생성하도록 AGTC의 적어도 하나의 파라미터를 구성하는 단계; 및 잔류 자기장의 수평 컴포넌트의 크기를 감소시키기 위해 적어도 또 다른 보조 자기장을 생성하도록 적어도 또 다른 AGTC를 구성하는 단계를 포함한다.

예 20에서, 예 18 내지 예 19의 주제는 기판이 프로세싱되지 않거나 후-프로세싱되는 주제를 포함하고, 방법은 기판의 메트릭 또는 기판의 서브-마이크론 피처들의 불균일성을 검출하는 단계; 및 검출된 불균일성에 더 기초하여 AGTC의 적어도 하나의 파라미터를 조정하는 단계를 더 포함한다.

예 21에서, 예 20의 주제는 기판의 프로세싱 동안 AGTC의 적어도 하나의 파라미터를 조정하는 단계를 포함한다.

예 22는 머신에 의해 실행될 때, 머신으로 하여금: 기판을 프로세싱하기 위한, 진공 챔버의 프로세싱 존 내 잔류 자기장을 검출하는 단계; 잔류 자기장의 크기를 결정하는 단계; 잔류 자기장의 결정된 크기에 기초하여 AGTC의 적어도 하나의 파라미터를 조정하는 단계; 및 AGTC를 사용하여 진공 챔버의 프로세싱 존을 통해 보조 자기장을 생성하는 단계를 포함하는 동작들을 수행하게 하는 인스트럭션들을 포함하고, 보조 자기장은 잔류 자기장을 미리 결정된 값으로 감소시키는 비 일시적인 머신-판독 가능 저장 매체이다.

예 23에서, 예 22의 주제는 AGTC의 적어도 하나의 파라미터가 AGTC의 기하 구조, AGTC를 형성하는 코일 전도체 와이어의 둘레 길이, 및 코일 전도체 와이어를 통한 전류 중 적어도 하나인 주제를 포함한다.

예 24에서, 예 23의 주제는, 동작들은 잔류 자기장의 수직 컴포넌트 (Bz) 의 크기를 결정하는 단계; 및 잔류 자기장의 수평 컴포넌트 (Bh) 의 크기를 결정하는 단계를 더 포함하는 동작들을 포함한다.

예 25에서, 예 24의 주제는, 잔류 자기장의 수직 컴포넌트의 크기를 감소시키기 위해 보조 자기장을 생성하도록 AGTC의 적어도 하나의 파라미터를 구성하는 단계; 및 잔류 자기장의 수평 컴포넌트의 크기를 감소시키기 위해 적어도 또 다른 보조 자기장을 생성하도록 적어도 또 다른 AGTC를 구성하는 단계를 더 포함하는 동작들을 포함한다.

예 26은 프로세싱 회로망에 의해 실행될 때, 프로세싱 회로망으로 하여금 예 1 내지 예 25 중 임의의 예를 구현하도록 동작들을 수행하게 하는 인스트럭션들을 포함하는 적어도 하나의 머신-판독 가능 매체이다.

예 27은 예 1 내지 예 25 중 임의의 예를 구현하기 위한 수단을 포함하는 장치이다.

예 28은 예 1 내지 예 25 중 임의의 예를 구현하기 위한 시스템이다.

예 29는 예 1 내지 예 25 중 임의의 예를 구현하는 방법이다.

본 명세서 전반에서, 복수의 예들이 단일 예로서 기술된 컴포넌트들, 동작들, 또는 구조체들을 구현할 수도 있다. 방법들 중 하나 이상의 개별 동작들이 별개의 동작들로 예시되고 기술되었지만, 개별 동작들 중 하나 이상은 동시에 수행될 수도 있고, 동작들이 예시된 순서로 수행될 것을 요구하지 않는다. 예시적인 구성들에 대해 별개의 컴포넌트들로서 제시된 구조체들 및 기능성은 결합된 구조체 또는 컴포넌트로서 구현될 수도 있다. 유사하게, 단일 컴포넌트로서 제시된 구조체들 및 기능성은 별개의 컴포넌트들로서 구현될 수도 있다. 이들 및 다른 변형들, 수정들, 추가들, 및 개선들은 본 명세서의 주제의 범위 내에 속한다.

본 명세서에서 예시된 실시 예들은 당업자들로 하여금 개시된 교시들 (teachings) 을 실시할 수 있게 하도록 충분히 상세하게 기술된다. 다른 실시 예들은 구조적 및 논리적 대용물들 및 변화들이 본 개시의 범위로부터 벗어나지 않고 이루어질 수도 있도록, 이로부터 사용되고 유도될 수도 있다. 이 상세한 기술은 따라서 제한하는 의미로 생각되지 않고, 다양한 실시 예들의 범위는 첨부된 청구항들로 인정되는 등가물들의 전체 범위와 함께, 첨부된 청구항들에 의해서만 규정된다.

실시 예들이 상기 피처들의 서브 세트를 특징으로 할 수도 있기 때문에 청구항들은 본 명세서에 개시된 모든 피처들을 제시하지 않을 수도 있다. 또한, 실시 예들은 특정한 예에서 개시된 것보다 보다 적은 피처들을 포함할 수도 있다. 따라서, 이하의 청구항들은 별개의 실시 예로서 독립되는 청구항과 함께, 본 명세서에서 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용에 통합된다.

본 명세서에 사용된 바와 같이, 용어 "또는 (or)"은 포괄적이거나 배타적인 의미로 해석될 수도 있다. 게다가, 복수의 예들이 단일 예로서 본 명세서에 기술된 리소스들, 동작들 또는 구조체들을 위해 제공될 수도 있다. 부가적으로, 다양한 리소스들, 동작들, 모듈들, 엔진들 및 데이터 저장부들 사이의 경계들은 다소 임의적이고, 특정한 동작들이 특정한 예시적인 구성들의 맥락에서 예시된다. 기능성의 다른 할당들이 구상되고 본 개시의 다양한 실시 예들의 범위 내에 속할 수도 있다. 일반적으로, 예시적인 구성들에서 별개의 리소스들로서 제시된 구조체들 및 기능성은 결합된 구조체 또는 리소스로서 구현될 수도 있다. 유사하게, 단일 리소스로서 제시된 구조체들 및 기능성은 별개의 리소스들로서 구현될 수도 있다. 이들 및 다른 변형들, 수정들, 추가들 및 개선들은 첨부된 청구항들에 의해 나타낸 바와 같이 본 개시의 실시 예들의 범위 내에 속한다. 따라서, 명세서 및 도면들은 제한적인 의미보다 예시로서 간주된다.

Claims (25)

1. 기판을 프로세싱하기 위한 프로세싱 존을 포함하는 진공 챔버;
   상기 진공 챔버의 상기 프로세싱 존을 통해 보조 자기장을 생성하도록 구성된 조정 가능한 기하 구조 트리밍 코일 (adjustable geometry trim coil; AGTC); 및
   상기 AGTC에 커플링된 자기장 제어기를 포함하고, 상기 자기장 제어기는 상기 AGTC의 적어도 하나의 파라미터를 조정하도록 구성되고, 상기 보조 자기장으로 하여금 상기 진공 챔버 내의 잔류 자기장을 미리 결정된 (pre-determined) 값으로 감소시키게 하는, 기판 프로세싱 장치.
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 AGTC의 상기 적어도 하나의 파라미터는,
   상기 AGTC의 기하 구조;
   상기 AGTC를 형성하는 코일 전도체 와이어의 둘레 (perimeter) 길이;
   상기 코일 전도체 와이어를 통한 전류;
   자기 컴포넌트에 대한 상기 AGTC의 상대적인 위치; 및
   상기 코일 전도체 와이어를 통해 상기 전류로부터 자기 플럭스 (flux) 를 기하학적으로 지향시키거나, 집중시키거나 (concentrate) 또는 차폐하도록 자기 재료를 포함하는 상기 AGTC를 형성하는 상기 코일 전도체 와이어의 길이의 포지션 중 적어도 하나를 포함하는, 기판 프로세싱 장치.
3. 제 2 항에 있어서,
   상기 진공 챔버 내 상기 잔류 자기장을 검출하도록 구성된 자기장 센서를 더 포함하고,
   상기 자기장 센서는 상기 진공 챔버의 상기 프로세싱 존 내에 배치된 웨이퍼 센서인, 기판 프로세싱 장치.
4. 제 3 항에 있어서,
   상기 웨이퍼 센서는 상기 프로세싱 존 내의 복수의 위치들에서 상기 잔류 자기장의 크기들 (magnitudes) 을 측정하도록 구성된 자기장 센서들의 어레이를 포함하고; 그리고
   상기 자기장 제어기는 상기 측정된 크기들에 기초하여 상기 AGTC의 상기 적어도 하나의 파라미터를 조정하는, 기판 프로세싱 장치.
5. 제 4 항에 있어서,
   상기 자기장 제어기는 상기 복수의 위치들에서 상기 잔류 자기장의 상기 측정된 크기들로부터 유도된 평균 크기와 매칭하도록 상기 보조 자기장의 크기를 유발하는 상기 AGTC의 상기 코일 전도체 와이어를 통한 상기 전류를 조정하는, 기판 프로세싱 장치.
6. 제 5 항에 있어서,
   상기 자기장 제어기는 상기 평균 크기와 매칭하도록 상기 보조 자기장의 상기 크기를 발생시키는 상기 AGTC의 상기 적어도 하나의 파라미터를 조정하고, 그리고 상기 보조 자기장의 방향은 상기 잔류 자기장의 방향과 반대인, 기판 프로세싱 장치.
7. 제 1 항에 있어서,
   상기 AGTC는 상기 진공 챔버의 상단 플레이트의 표면에 부착된 지지 구조체 상에 장착되는 (mount), 기판 프로세싱 장치.
8. 제 1 항에 있어서,
   상기 진공 챔버의 상기 프로세싱 존을 통해 적어도 또 다른 보조 자기장을 생성하도록 구성된 적어도 또 다른 AGTC를 더 포함하는, 기판 프로세싱 장치.
9. 제 8 항에 있어서,
   상기 보조 자기장 및 상기 적어도 또 다른 보조 자기장 AGTC 중 하나 또는 모두는 상기 잔류 자기장의 수직 컴포넌트 (Bz) 와 반대인 방향으로 생성되는, 기판 프로세싱 장치.
10. 제 9 항에 있어서,
    상기 적어도 또 다른 AGTC는 상기 잔류 자기장의 수평 컴포넌트 (Bh) 와 반대인 방향을 갖는 상기 적어도 또 다른 보조 자기장을 생성하도록 구성되는, 기판 프로세싱 장치.
11. 제 8 항에 있어서,
    상기 AGTC 및 상기 적어도 또 다른 AGTC는 헬름홀츠 (Helmholtz) 쌍으로서 구성되고, 상기 헬름홀츠 쌍은 상기 진공 챔버의 수직 축 또는 수평 축을 따라 상기 보조 자기장을 생성하도록 구성되는, 기판 프로세싱 장치.
12. 제 2 항에 있어서,
    상기 AGTC는,
    대응하는 복수의 장력 스트링들에 커플링된 복수의 장력 조정 어셈블리들을 더 포함하고, 상기 복수의 장력 스트링들의 장력 스트링 각각은 상기 코일 전도체 와이어의 일부를 가이드하기 (guide) 위한 둘레 가이드 롤러 세트를 포함하는, 기판 프로세싱 장치.
13. 제 12 항에 있어서,
    상기 자기장 제어기는,
    상기 잔류 자기장에 기초하여 상기 AGTC의 기하 구조를 변화시키도록, 상기 복수의 장력 조정 어셈블리들 중 대응하는 장력 조정 어셈블리를 사용하여 상기 복수의 장력 스트링들 중 하나 이상의 길이를 조정하도록 구성되는, 기판 프로세싱 장치.
14. 제 12 항에 있어서,
    상기 AGTC는 와이어 공급 어셈블리를 포함하고, 그리고 상기 자기장 제어기는,
    상기 와이어 공급 어셈블리를 통해 그리고 상기 복수의 장력 조정 어셈블리들 중 대응하는 장력 조정 어셈블리를 사용하여 상기 복수의 장력 스트링들 중 하나 이상의 길이를 조정함으로써 상기 코일 전도체 와이어의 상기 둘레 길이를 조정하도록 구성되는, 기판 프로세싱 장치.
15. 제 12 항에 있어서,
    상기 AGTC는 상기 복수의 장력 스트링들의 장력 스트링 각각의 일 단부를 수용하도록 구성된 중앙 스풀 어셈블리 (spool assembly) 를 더 포함하고, 상기 복수의 장력 스트링들의 장력 스트링 각각의 반대편 단부는 상기 복수의 장력 조정 어셈블리들에 부착되고, 그리고 상기 자기장 제어기는,
    상기 AGTC의 상기 기하 구조를 조정하도록 적어도 하나의 구동 모터를 통해 수직 구동 스크루 또는 수평 구동 스크루를 따라 상기 중앙 스풀 어셈블리를 이동시키도록 구성되는, 기판 프로세싱 장치.
16. 진공 챔버를 사용하여 기판을 프로세싱하는 방법에 있어서,
    기판을 프로세싱하기 위한, 진공 챔버의 프로세싱 존 내 잔류 자기장을 검출하는 단계;
    상기 잔류 자기장의 크기를 결정하는 단계;
    상기 잔류 자기장의 상기 결정된 크기에 기초하여 AGTC의 적어도 하나의 파라미터를 조정하는 단계; 및
    상기 AGTC를 사용하여 상기 진공 챔버의 상기 프로세싱 존을 통해 보조 자기장을 생성하는 단계를 포함하고, 상기 보조 자기장은 상기 잔류 자기장을 미리 결정된 값으로 감소시키는, 기판 프로세싱 방법.
17. 제 16 항에 있어서,
    상기 AGTC의 상기 적어도 하나의 파라미터는 상기 AGTC의 기하 구조, 상기 AGTC를 형성하는 코일 전도체 와이어의 둘레 길이, 및 상기 코일 전도체 와이어를 통한 전류 중 적어도 하나인, 기판 프로세싱 방법.
18. 제 17 항에 있어서,
    상기 크기를 결정하는 단계는,
    상기 잔류 자기장의 수직 컴포넌트 (Bz) 의 크기를 결정하는 단계; 및
    상기 잔류 자기장의 수평 컴포넌트 (Bh) 의 크기를 결정하는 단계를 더 포함하는, 기판 프로세싱 방법.
19. 제 18 항에 있어서,
    상기 잔류 자기장의 상기 수직 컴포넌트의 상기 크기를 감소시키기 위해 상기 보조 자기장을 생성하도록 상기 AGTC의 상기 적어도 하나의 파라미터를 구성하는 단계; 및
    상기 잔류 자기장의 상기 수평 컴포넌트의 상기 크기를 감소시키기 위해 적어도 또 다른 보조 자기장을 생성하도록 적어도 또 다른 AGTC를 구성하는 단계를 더 포함하는, 기판 프로세싱 방법.
20. 제 18 항에 있어서,
    상기 기판은 프로세싱되지 않거나 또는 후-프로세싱되고, 상기 방법은,
    상기 기판의 메트릭 (metric) 또는 상기 기판의 서브-마이크론 (sub-micron) 피처들의 불균일성을 검출하는 단계; 및
    상기 검출된 불균일성에 더 기초하여 상기 AGTC의 상기 적어도 하나의 파라미터를 조정하는 단계를 더 포함하는, 기판 프로세싱 방법.
21. 제 20 항에 있어서,
    상기 기판의 상기 프로세싱 동안 상기 AGTC의 상기 적어도 하나의 파라미터를 조정하는 단계를 더 포함하는, 기판 프로세싱 방법.
22. 머신-판독 가능 (machine-readable) 저장 매체에 있어서,
    머신에 의해 실행될 때, 상기 머신으로 하여금,
    기판을 프로세싱하기 위한, 진공 챔버의 프로세싱 존 내 잔류 자기장을 검출하는 단계;
    상기 잔류 자기장의 크기를 결정하는 단계;
    상기 잔류 자기장의 상기 결정된 크기에 기초하여 AGTC의 적어도 하나의 파라미터를 조정하는 단계; 및
    상기 AGTC를 사용하여 상기 진공 챔버의 상기 프로세싱 존을 통해 보조 자기장을 생성하는 단계를 포함하고, 상기 보조 자기장은 상기 잔류 자기장을 미리 결정된 값으로 감소시키는, 머신-판독 가능 저장 매체.
23. 제 22 항에 있어서,
    상기 AGTC의 상기 적어도 하나의 파라미터는 상기 AGTC의 기하 구조, 상기 AGTC를 형성하는 코일 전도체 와이어의 둘레 길이, 및 상기 코일 전도체 와이어를 통한 전류 중 적어도 하나인, 머신-판독 가능 저장 매체.
24. 제 23 항에 있어서,
    상기 동작들은,
    상기 잔류 자기장의 수직 컴포넌트 (Bz) 의 크기를 결정하는 단계; 및
    상기 잔류 자기장의 수평 컴포넌트 (Bh) 의 크기를 결정하는 단계를 더 포함하는, 머신-판독 가능 저장 매체.
25. 제 24 항에 있어서,
    상기 동작들은,
    상기 잔류 자기장의 상기 수직 컴포넌트의 상기 크기를 감소시키기 위해 상기 보조 자기장을 생성하도록 상기 AGTC의 상기 적어도 하나의 파라미터를 구성하는 단계; 및
    상기 잔류 자기장의 상기 수평 컴포넌트의 상기 크기를 감소시키기 위해 적어도 또 다른 보조 자기장을 생성하도록 적어도 또 다른 AGTC를 구성하는 단계를 더 포함하는, 머신-판독 가능 저장 매체.

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