KR20230034755A - Apparatus for supplying gas and apparatus for processing substrate - Google Patents

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KR20230034755A
KR20230034755A KR1020210117890A KR20210117890A KR20230034755A KR 20230034755 A KR20230034755 A KR 20230034755A KR 1020210117890 A KR1020210117890 A KR 1020210117890A KR 20210117890 A KR20210117890 A KR 20210117890A KR 20230034755 A KR20230034755 A KR 20230034755A
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gas supply
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한민성
주윤종
이재후
박완재
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세메스 주식회사
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    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means

Abstract

Provided is an apparatus for supplying gases which efficiently supplies gas. The apparatus for supplying gases comprises: a first gas storing unit which stores a first gas; a first flow rate control unit which is connected to the first gas storing unit and controls a flow rate of the first gas; and a first valve which is connected to the first flow rate control unit, a first processing gas supplying unit and a second valve. The first valve selectively supplies the first gas provided from the first flow rate control unit to any one of the first processing gas supplying unit and the second valve. The second valve is connected to the first valve and a second processing gas supplying unit and provides the first gas provided from the first valve to the second processing gas supplying unit. The first processing gas supplying unit provides a first processing gas containing the first gas to a chamber processing a substrate. The second processing gas supplying unit may provide a second processing gas containing the first gas to the chamber.

Description

가스 공급 장치 및 기판 처리 장치{Apparatus for supplying gas and apparatus for processing substrate}Gas supply device and substrate processing device {Apparatus for supplying gas and apparatus for processing substrate}

본 발명은 가스 공급 장치 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a gas supply device and a substrate processing device.

기판 처리 공정에는 다양한 종류의 가스들이 사용된다. 일반적으로, 기판 처리 공정에서 사용되는 가스를 공급하는 경우, 하나의 공급 라인을 통해 가스를 챔버 내에 한 공간에만 제공한다. 다만, 이는 복수의 공간에 동일한 가스를 공급하는 경우 공급 라인을 추가해야 하므로, 기판 처리 장치의 크기가 커지게 된다.Various types of gases are used in the substrate processing process. In general, when supplying a gas used in a substrate processing process, the gas is provided to only one space in a chamber through one supply line. However, since a supply line must be added when supplying the same gas to a plurality of spaces, the size of the substrate processing apparatus increases.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 기판 처리 공정 시 가스를 효율적으로 공급하는 가스 공급 장치를 제공하는 것이다. An object to be solved by the present invention is to provide a gas supply device that efficiently supplies gas during a substrate processing process.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 기판 처리 공정 시 가스를 효율적으로 공급하는 가스 공급 장치를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다. An object to be solved by the present invention is to provide a substrate processing apparatus including a gas supply unit for efficiently supplying gas during a substrate processing process.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The tasks of the present invention are not limited to the tasks mentioned above, and other tasks not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 가스 공급 장치의 일 면(aspect)은, 제1 가스를 저장하는 제1 가스 저장부, 상기 제1 가스 저장부와 연결되고, 상기 제1 가스의 유량을 제어하는 제1 유량 제어부 및 상기 제1 유량 제어부, 제1 공정 가스 공급부 및 제2 밸브와 연결되는 제1 밸브를 포함하고, 상기 제1 밸브는, 상기 제1 유량 제어부로부터 제공받은 상기 제1 가스를 상기 제1 공정 가스 공급부와 상기 제2 밸브 중 어느 하나에 선택적으로 공급하고, 상기 제2 밸브는, 상기 제1 밸브 및 제2 공정 가스 공급부와 연결되고, 상기 제1 밸브로부터 제공받은 상기 제1 가스를 제2 공정 가스 공급부에 제공하고, 상기 제1 공정 가스 공급부는, 상기 제1 가스를 포함하는 제1 공정 가스를 기판을 처리하는 챔버에 제공하고, 상기 제2 공정 가스 공급부는, 상기 제1 가스를 포함하는 제2 공정 가스를 상기 챔버에 제공할 수 있다.One aspect of the gas supply device of the present invention for achieving the above object is a first gas storage unit for storing a first gas, connected to the first gas storage unit, and controlling a flow rate of the first gas. It includes a first flow control unit and a first valve connected to the first flow control unit, a first process gas supply unit, and a second valve, wherein the first valve receives the first gas supplied from the first flow control unit. selectively supplied to any one of the first process gas supply unit and the second valve, wherein the second valve is connected to the first valve and the second process gas supply unit, and the first process gas supplied from the first valve A gas is provided to a second process gas supplier, the first process gas supplier provides a first process gas containing the first gas to a chamber processing a substrate, and the second process gas supplier provides A second process gas including 1 gas may be provided to the chamber.

상기 제2 공정 가스 공급부는, 상기 제1 공정 가스 공급부가 상기 제1 공정 가스를 상기 챔버에 제공한 이후에, 상기 제2 공정 가스를 상기 챔버에 제공할 수 있다.The second process gas supplier may provide the second process gas to the chamber after the first process gas supply unit provides the first process gas to the chamber.

상기 제1 밸브의 온/오프와 상기 제2 밸브의 온/오프를 제어하는 밸브 제어부를 더 포함할 수 있다.It may further include a valve controller that controls on/off of the first valve and on/off of the second valve.

상기 밸브 제어부는, 상기 제1 밸브를 온(on)하고, 상기 제2 밸브를 오프(off)하여, 상기 제1 가스를 상기 제1 공정 가스 공급부에 제공할 수 있다.The valve control unit may supply the first gas to the first process gas supply unit by turning on the first valve and turning off the second valve.

상기 밸브 제어부는, 상기 제1 밸브를 온(on) 하고, 상기 제2 밸브를 온(on)하여, 상기 제1 가스를 상기 제2 공정 가스 공급부에 제공할 수 있다.The valve controller may turn on the first valve and turn on the second valve to provide the first gas to the second process gas supply unit.

상기 제1 밸브는 3-way 밸브를 포함하고, 상기 제2 밸브는 2-way 밸브를 포함할 수 있다.The first valve may include a 3-way valve, and the second valve may include a 2-way valve.

제2 가스를 저장하는 제2 가스 저장부, 상기 제2 가스 저장부와 연결되고, 상기 제2 가스의 유량을 제어하는 제2 유량 제어부 및 상기 제2 유량 제어부, 상기 제1 공정 가스 공급부 및 제5 밸브와 연결되는 제4 밸브를 더 포함하고, 상기 제4 밸브는, 상기 제2 유량 제어부로부터 제공받은 상기 제2 가스를 상기 제1 공정 가스 공급부와 상기 제5 밸브 중 어느 하나에 선택적으로 공급하고, 상기 제5 밸브는, 상기 제4 밸브 및 상기 제2 공정 가스 공급부와 연결되고, 상기 제4 밸브로부터 제공받은 상기 제2 가스를 상기 제2 공정 가스 공급부에 제공할 수 있다.A second gas storage unit for storing a second gas, a second flow control unit connected to the second gas storage unit and controlling a flow rate of the second gas, and the second flow control unit, the first process gas supply unit, and the second flow control unit. 5 and further comprising a fourth valve connected to the fourth valve, wherein the fourth valve selectively supplies the second gas supplied from the second flow control unit to one of the first process gas supply unit and the fifth valve. The fifth valve may be connected to the fourth valve and the second process gas supply unit, and provide the second gas supplied from the fourth valve to the second process gas supply unit.

상기 제1 밸브 및 상기 제4 밸브와 연결되는 제1 공정 가스 전처리부 및 상기 제2 밸브 및 상기 제5 밸브와 연결되는 제2 공정 가스 전처리부를 더 포함하고, 상기 제1 공정 가스 전처리부는 상기 제1 밸브로부터 제공받은 상기 제1 가스 또는 상기 제4 밸브로부터 제공받은 상기 제2 가스를 전처리하여 상기 제1 공정 가스 공급부에 제공하고, 상기 제2 공정 가스 전처리부는 상기 제2 밸브로부터 제공받은 상기 제1 가스 또는 상기 제5 밸브로부터 제공받은 상기 제2 가스를 전처리하여 상기 제2 공정 가스 공급부에 제공할 수 있다.A first process gas preprocessor connected to the first valve and the fourth valve and a second process gas preprocessor connected to the second valve and the fifth valve, wherein the first process gas preprocessor connects to the first process gas preprocessor. The first gas supplied from the first valve or the second gas supplied from the fourth valve is pretreated and provided to the first process gas supply unit, and the second process gas preprocessing unit preprocesses the first gas supplied from the second valve. The first gas or the second gas supplied from the fifth valve may be pretreated and supplied to the second process gas supplier.

상기 다른 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 장치의 일 면은, 제1 가스를 저장하는 제1 가스 저장부와, 상기 제1 가스 저장부와 연결되고, 상기 제1 가스의 유량을 제어하는 제1 유량 제어부와, 상기 제1 유량 제어부로부터 제공받은 상기 제1 가스를 제1 공정 가스 공급 유닛과 제2 밸브 중 어느 하나에 선택적으로 공급하는 제1 밸브와, 상기 제1 밸브로부터 제공받은 상기 제1 가스를 제2 공정 가스 공급 유닛에 제공하는 제2 밸브를 포함하는 가스 공급부 및 상기 제1 공정 가스 공급 유닛으로부터 제공받은 상기 제1 가스를 이용해 기판을 제1 공정 처리하고, 상기 제2 공정 가스 공급 유닛으로부터 제공받은 상기 제1 가스를 이용해 기판을 상기 제1 공정과 다른 제2 공정 처리하는 챔버를 포함하되, 상기 제1 공정 가스 공급 유닛은, 상기 제1 밸브로부터 제공받은 상기 제1 가스를 상기 챔버에 제공하고, 상기 제2 공정 가스 공급 유닛은, 상기 제2 밸브로부터 제공받은 상기 제1 가스를 상기 챔버에 제공하고, 상기 제1 밸브는 3-way 밸브를 포함하고, 상기 제2 밸브는 2-way 밸브를 포함할 수 있다.One side of the substrate processing apparatus of the present invention for achieving the other object is a first gas storage unit for storing a first gas, connected to the first gas storage unit, and controlling a flow rate of the first gas. A first flow controller, a first valve for selectively supplying the first gas supplied from the first flow controller to one of a first process gas supply unit and a second valve; A first process process is performed on the substrate using a gas supply unit including a second valve supplying a first gas to a second process gas supply unit and the first gas supplied from the first process gas supply unit, and the second process process A chamber for processing a substrate in a second process different from the first process using the first gas supplied from a gas supply unit, wherein the first process gas supply unit includes the first gas supplied from the first valve to the chamber, the second process gas supply unit supplies the first gas supplied from the second valve to the chamber, the first valve includes a 3-way valve, and the second The valve may include a 2-way valve.

상기 제1 밸브의 상기 제1 공정 가스 공급 유닛과 상기 제2 밸브에 대한 연결을 제어하는 밸브 제어부를 더 포함하고, 상기 밸브 제어부는, 상기 제1 밸브와 상기 제1 공정 가스 공급 유닛을 연결하고, 상기 제1 밸브와 상기 제2 밸브의 연결을 차단하여 상기 제1 밸브로부터 상기 제1 가스를 상기 제1 공정 가스 공급 유닛에 제공하고, 상기 제1 밸브와 상기 제2 밸브를 연결하고, 상기 제1 밸브와 상기 제1 공정 가스 공급 유닛의 연결을 차단하여 상기 제2 밸브로부터 상기 제1 가스를 상기 제2 공정 가스 공급 유닛에 제공할 수 있다.A valve control unit controlling a connection of the first valve to the first process gas supply unit and the second valve, wherein the valve control unit connects the first valve and the first process gas supply unit; , Disconnecting the first valve and the second valve to provide the first gas from the first valve to the first process gas supply unit, connecting the first valve and the second valve, A connection between the first valve and the first process gas supply unit may be disconnected to supply the first gas from the second valve to the second process gas supply unit.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 공급 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 2 및 도 3은 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 가스 공급 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 가스 공급 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 공급 장치를 포함하는 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면이다.1 is a view for explaining a gas supply device according to an embodiment of the present invention.
2 and 3 are diagrams for explaining an operation of a substrate processing apparatus according to an exemplary embodiment.
4 is a diagram for explaining a gas supply device according to another embodiment of the present invention.
5 is a view for explaining a gas supply device according to another embodiment of the present invention.
6 is a diagram for explaining a substrate processing apparatus including a gas supply apparatus according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 게시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 게시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Advantages and features of the present invention, and methods for achieving them, will become clear with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below and may be implemented in various different forms, only the present embodiments make the disclosure of the present invention complete, and the common knowledge in the art to which the present invention belongs It is provided to fully inform the holder of the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims. Like reference numbers designate like elements throughout the specification.

소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.When an element or layer is referred to as being "on" or "on" another element or layer, it is not only directly on the other element or layer, but also when another layer or other element is intervening therebetween. All inclusive. On the other hand, when an element is referred to as “directly on” or “directly on”, it indicates that another element or layer is not intervened.

공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)" 또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.The spatially relative terms "below", "beneath", "lower", "above", "upper", etc. It can be used to easily describe the correlation between elements or components and other elements or components. Spatially relative terms should be understood as encompassing different orientations of elements in use or operation in addition to the orientations shown in the figures. For example, when flipping elements shown in the figures, elements described as “below” or “beneath” other elements may be placed “above” the other elements. Thus, the exemplary term “below” may include directions of both below and above. Elements may also be oriented in other orientations, and thus spatially relative terms may be interpreted according to orientation.

비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.Although first, second, etc. are used to describe various elements, components and/or sections, it is needless to say that these elements, components and/or sections are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one element, component or section from another element, component or section. Accordingly, it goes without saying that the first element, first element, or first section referred to below may also be a second element, second element, or second section within the spirit of the present invention.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.Terminology used herein is for describing the embodiments and is not intended to limit the present invention. In this specification, singular forms also include plural forms unless specifically stated otherwise in a phrase. As used herein, "comprises" and/or "comprising" means that a stated component, step, operation, and/or element is present in the presence of one or more other components, steps, operations, and/or elements. or do not rule out additions.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms (including technical and scientific terms) used in this specification may be used in a meaning commonly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs. In addition, terms defined in commonly used dictionaries are not interpreted ideally or excessively unless explicitly specifically defined.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the description with reference to the accompanying drawings, the same or corresponding components regardless of reference numerals are given the same reference numerals, Description is omitted.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 공급 장치를 설명하기 위한 도면이다.1 is a view for explaining a gas supply device according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 일 실시예에 따른 가스 공급 장치(10)는 가스 저장부(100), 필터(210), 유량 제어부(220), 제1 밸브 내지 제3 밸브(301 302, 302), 밸브 제어부(310), 제1 공정 가스 공급부(410) 및 제2 공정 가스 공급부(420)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1 , a gas supply device 10 according to an embodiment includes a gas storage unit 100, a filter 210, a flow control unit 220, first to third valves 301 302 and 302, It may include a valve controller 310 , a first process gas supplier 410 and a second process gas supplier 420 .

가스 저장부(100)는 제1 공정 가스 공급부(410)와 제2 공정 가스 공급부(420)에 제공하는 가스를 저장한다. 도시하지 않았으나, 가스 저장부(100)는 가스를 저장할 수 있는 탱크를 포함할 수 있다. 가스 저장부(100)는 한 종류의 가스를 저장할 수 있다. The gas storage unit 100 stores gas provided to the first process gas supplier 410 and the second process gas supplier 420 . Although not shown, the gas storage unit 100 may include a tank capable of storing gas. The gas storage unit 100 may store one type of gas.

필터(210)는 가스 저장부(100)와 연결될 수 있다. 여기서, “연결”은 배 관, 가스관 등을 통해 순차적으로 배치되는 것을 의미할 수 있다. 필터(210)는 가스 저장부(100)로부터 제공되는 가스를 필터링 할 수 있다. 필터(210)는 제공받은 가스에 포함된 미세 물질 또는 불순물 등을 여과할 수 있다. 필터(210)는 제공되는 가스 또는 해당 가스를 이용하는 공정에 따라 선택적으로 배치될 수 있다.The filter 210 may be connected to the gas storage unit 100 . Here, “connection” may mean sequential arrangement through pipes, gas pipes, and the like. The filter 210 may filter the gas provided from the gas storage unit 100 . The filter 210 may filter fine substances or impurities included in the provided gas. The filter 210 may be selectively disposed according to the gas provided or the process using the gas.

유량 제어부(220)는 필터(210)와 연결될 수 있다. 유량 제어부(220)는 필터(210)에 의해 여과된 가스를 제공받고, 가스의 유량을 제어할 수 있다. 도시하지 않았으나, 유량 제어부(220)는 컨트롤러에 의해 제어될 수 있다.The flow controller 220 may be connected to the filter 210 . The flow controller 220 may receive the gas filtered by the filter 210 and control the flow rate of the gas. Although not shown, the flow controller 220 may be controlled by a controller.

제1 밸브(301)는 유량 제어부(220)와 연결될 수 있다. 구체적으로, 제1 밸브(301)는 가스의 흐름 방향에 있어서 유량 제어부(220) 이후에 배치되어, 유량 제어부(220)로부터 가스를 제공받을 수 있다. The first valve 301 may be connected to the flow control unit 220 . Specifically, the first valve 301 may be disposed after the flow control unit 220 in the flow direction of gas and receive gas from the flow control unit 220 .

제1 밸브(301)는 3-way 밸브를 포함할 수 있다. 3-way 밸브를 포함하는 제1 밸브(301)는 유량 제어부(220), 제2 밸브(302) 및 제1 공정 가스 공급부(410)에 연결될 수 있다.The first valve 301 may include a 3-way valve. The first valve 301 including a 3-way valve may be connected to the flow control unit 220 , the second valve 302 and the first process gas supply unit 410 .

제1 밸브(301)는 유량 제어부(220)로부터 제공받은 가스를 제2 밸브(302) 및 제1 공정 가스 공급부(410) 중 어느 하나에 선택적으로 제공할 수 있다. 구체적으로, 제1 밸브(301)는 밸브 제어부(310)의 제어에 따라, 유량 제어부(220)로부터 제공받은 가스를 제1 공정 가스 공급부(410)에 제공하면 제2 밸브(302)에는 제공하지 않는다. 또한, 제1 밸브(301)는 밸브 제어부(310)의 제어에 따라, 유량 제어부(220)로부터 제공받은 가스를 제2 밸브(302)에 제공하면 제1 공정 가스 공급부(410)에는 제공하지 않는다.The first valve 301 may selectively supply the gas supplied from the flow control unit 220 to either the second valve 302 or the first process gas supplier 410 . Specifically, when the first valve 301 provides the gas supplied from the flow rate controller 220 to the first process gas supply unit 410 under the control of the valve controller 310, it does not provide the gas to the second valve 302. don't In addition, when the first valve 301 provides the gas supplied from the flow rate controller 220 to the second valve 302 under the control of the valve controller 310, it does not provide the gas to the first process gas supply unit 410. .

제2 밸브(302)는 제1 밸브(301)와 연결될 수 있다. 구체적으로, 제2 밸브(302)는 가스의 흐름 방향에 있어서 제1 밸브(301) 이후에 배치되어, 제1 밸브(301)로부터 가스를 제공받을 수 있다. The second valve 302 may be connected to the first valve 301 . Specifically, the second valve 302 may be disposed after the first valve 301 in the flow direction of the gas and receive gas from the first valve 301 .

제2 밸브(302)는 2-way 밸브를 포함할 수 있다. 2-way 밸브를 포함하는 제2 밸브(302)는 제1 밸브(301)와 제2 공정 가스 공급부(402)에 연결될 수 있다.The second valve 302 may include a 2-way valve. The second valve 302 including a 2-way valve may be connected to the first valve 301 and the second process gas supply unit 402 .

제2 밸브(302)는 제1 밸브(301)로부터 제공받은 가스를 제2 공정 가스 공급부(420)에 제공할 수 있다. 제2 밸브(302)는 제1 밸브(301)로부터 가스를 제공받은 경우에도, 제2 공정 가스 공급부(420)로 가스를 제공하는 것을 제어할 수 있다. 예를 들어, 제2 밸브(302)는 제1 밸브(301)로부터 제공받은 가스를 제2 공정 가스 공급부(420)에 제공하지 않을 수 있다. 제2 밸브(302)는 밸브 제어부(310)의 제어에 따라 온(on)/오프(off) 될 수 있다. 즉, 밸브 제어부(310)가 제2 밸브(302)를 오프(off)한 경우, 제2 밸브(302)는 제1 밸브(301)로부터 가스를 제공받더라도 제공받은 가스를 제2 공정 가스 공급부(420)에 제공하지 않는다.The second valve 302 may supply the gas supplied from the first valve 301 to the second process gas supplier 420 . Even when gas is supplied from the first valve 301 , the second valve 302 may control supply of gas to the second process gas supplier 420 . For example, the second valve 302 may not provide the gas supplied from the first valve 301 to the second process gas supplier 420 . The second valve 302 may be turned on/off under the control of the valve controller 310 . That is, when the valve control unit 310 turns off the second valve 302, even if the second valve 302 receives gas from the first valve 301, the supplied gas is supplied to the second process gas supply unit ( 420) is not provided.

제3 밸브(303)는 가스 저장부(100)와 필터(210) 사이에 배치될 수 있다. 제3 밸브(303)는 가스 저장부(100)와 필터(210)에 연결될 수 있다. 제3 밸브(303)는 가스 저장부(100)로부터 제공받은 가스를 필터(210)에 제공할 수 있다. 제3 밸브(303)는 밸브 제어부(310)의 제어에 따라 가스 저장부(100)로부터 제공받은 가스를 필터(210)에 제공하지 않을 수 있다. 즉, 제3 밸브(303)는 밸브 제어부(310)의 제어에 따라 온(on)/오프(off) 될 수 있다.The third valve 303 may be disposed between the gas storage unit 100 and the filter 210 . The third valve 303 may be connected to the gas storage unit 100 and the filter 210 . The third valve 303 may supply the gas supplied from the gas storage unit 100 to the filter 210 . The third valve 303 may not provide the gas supplied from the gas storage unit 100 to the filter 210 under the control of the valve controller 310 . That is, the third valve 303 may be turned on/off under the control of the valve control unit 310 .

밸브 제어부(310)는 제1 밸브 내지 제3 밸브(301, 302, 303)를 제어할 수 있다. 밸브 제어부(310)는 제1 밸브 내지 제3 밸브(301, 302, 303)의 온(on)/오프(off)를 제어할 수 있다.The valve controller 310 may control the first to third valves 301 , 302 , and 303 . The valve controller 310 may control on/off of the first to third valves 301, 302, and 303.

밸브 제어부(310)는 제1 밸브(301)를 제어함으로써, 제1 밸브(301)를 통해 가스가 유량 제어부(220)로부터 제1 공정 가스 공급부(410)로 유동하거나, 가스가 유량 제어부(220)로부터 제2 밸브(302)로 유동하도록 제어할 수 있다. 즉, 밸브 제어부(310)는 제1 밸브(301)에서 가스가 유동하는 방향을 제어할 수 있다. 밸브 제어부(310)가 제1 밸브(301)를 제어하여 유량 제어부(220)로부터 제공받은 가스가 제1 공정 가스 공급부(410)로 유동하도록 한 경우, 유량 제어부(220)로부터 제공받은 가스는 제2 밸브(302)로 유동하지 않는다.The valve control unit 310 controls the first valve 301 so that gas flows from the flow control unit 220 to the first process gas supply unit 410 through the first valve 301 or gas flows through the flow control unit 220. ) to the second valve 302. That is, the valve controller 310 may control a direction in which gas flows in the first valve 301 . When the valve control unit 310 controls the first valve 301 so that the gas supplied from the flow control unit 220 flows to the first process gas supply unit 410, the gas supplied from the flow control unit 220 is 2 Does not flow to valve 302.

밸브 제어부(310)는 제2 밸브(302)를 제어함으로써, 제2 밸브(302)를 통해 가스가 제1 밸브(301)로부터 제2 공정 가스 공급부(420)로 유동하도록 제어할 수 있다. 구체적으로, 밸브 제어부(310)는 제2 밸브(302)를 온(on) 하여, 제2 공정 가스 공급부(420)에 가스가 제공되도록 할 수 있고, 제2 밸브(302)를 오프(off) 하여, 제2 공정 가스 공급부(420)에 가스가 제공되지 않도록 할 수 있다.The valve controller 310 may control the flow of gas from the first valve 301 to the second process gas supply unit 420 through the second valve 302 by controlling the second valve 302 . Specifically, the valve control unit 310 may turn on the second valve 302 to provide gas to the second process gas supply unit 420, and turn the second valve 302 off. Thus, it is possible to prevent gas from being supplied to the second process gas supplier 420 .

밸브 제어부(310)는 제3 밸브(303)를 제어함으로써, 제3 밸브(303)를 통해 가스가 가스 저장부(100)로부터 필터(210)로 유동하는 것을 제어할 수 있다. 밸브 제어부(310)는 제3 밸브(303)를 온(on)하여, 가스가 제3 밸브(303)를 거쳐 가스 저장부(100)로부터 필터(210)로 유동하도록 할 수 있다. 밸브 제어부(310)는 제3 밸브(303)를 오프(off)하여, 가스가 제3 밸브(303)를 거쳐 가스 저장부(100)로부터 필터(210)로 유동하는 것을 차단할 수 있다.The valve controller 310 may control the flow of gas from the gas storage unit 100 to the filter 210 through the third valve 303 by controlling the third valve 303 . The valve controller 310 may turn on the third valve 303 so that gas flows from the gas storage unit 100 to the filter 210 via the third valve 303 . The valve controller 310 may turn off the third valve 303 to block the flow of gas from the gas storage unit 100 to the filter 210 via the third valve 303 .

제1 공정 가스 공급부(410)는 제1 밸브(301)로부터 제공받은 가스를 챔버(500)에 제공할 수 있다. The first process gas supplier 410 may supply the gas supplied from the first valve 301 to the chamber 500 .

제2 공정 가스 공급부(420)는 제2 밸브(302)로부터 제공받은 가스를 챔버(500)에 제공할 수 있다. The second process gas supplier 420 may supply the gas supplied from the second valve 302 to the chamber 500 .

도 1에는 제1 공정 가스 공급부(410) 및 제2 공정 가스 공급부(420)가 하나의 가스 저장부(100)로부터 가스를 제공받는 것으로 도시하였지만, 실시예는 이에 제한되지 않는다. 예를 들어, 제1 공정 가스 공급부(410) 및 제2 공정 가스 공급부(420)는 복수의 가스 저장부로부터 여러 종류의 가스를 제공받을 수 있다.Although FIG. 1 shows that the first process gas supplier 410 and the second process gas supplier 420 receive gas from one gas storage unit 100, the embodiment is not limited thereto. For example, the first process gas supplier 410 and the second process gas supplier 420 may receive various types of gas from a plurality of gas storage units.

제1 공정 가스 공급부(410)와 제2 공정 가스 공급부(420)는 챔버(500) 내에서 각각 다른 공간에 가스를 제공할 수 있다. 예를 들어, 제1 공정 가스 공급부(410)는 챔버(500) 내의 제1 공간에 가스를 제공하고, 제2 공정 가스 공급부(420)는 챔버(500) 내의 제1 공간과 다른 제2 공간에 가스를 제공할 수 있다. The first process gas supplier 410 and the second process gas supplier 420 may supply gas to different spaces within the chamber 500 . For example, the first process gas supplier 410 supplies gas to a first space within the chamber 500, and the second process gas supply unit 420 supplies gas to a second space different from the first space within the chamber 500. gas can be provided.

도 2 및 도 3은 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 동작을 설명하기 위한 도면이다.2 and 3 are diagrams for explaining an operation of a substrate processing apparatus according to an exemplary embodiment.

도 2를 참조하면, 밸브 제어부(310)는 제3 밸브(303)를 온(on) 하여 가스 저장부(100)로부터 필터(210)로 가스가 유동하도록 제어할 수 있다. 가스 저장부(100)에 저장되어 있던 가스는 필터(210)를 거쳐 유량 제어부(220)로 유동할 수 있다. Referring to FIG. 2 , the valve controller 310 may turn on the third valve 303 to control gas to flow from the gas storage unit 100 to the filter 210 . The gas stored in the gas storage unit 100 may flow to the flow control unit 220 through the filter 210 .

밸브 제어부(310)는 제1 밸브(301)에서 가스가 제1 공정 가스 공급부(410)로 유동하도록 제1 밸브(301)를 제어할 수 있다. 밸브 제어부(310)는 제2 밸브(302)를 오프(off)하여 가스 저장부(100)로부터 제공된 가스가 제2 공정 가스 공급부(420)로 유동하는 것을 차단할 수 있다.The valve controller 310 may control the first valve 301 so that gas flows from the first valve 301 to the first process gas supplier 410 . The valve control unit 310 may block the flow of gas provided from the gas storage unit 100 to the second process gas supply unit 420 by turning off the second valve 302 .

제1 공정 가스 공급부(410)는 제1 밸브(301)로부터 제공받은 가스를 포함하는 제1 공정 가스를 챔버(500)에 제공할 수 있다. 제2 공정 가스 공급부(420)는 가스 저장부(100)로부터 제공된 가스를 포함하지 않는 제2 공정 가스를 챔버(500)에 제공할 수 있다. 제2 공정 가스 공급부(420)는 도 2에 도시되지 않은 다른 가스 저장부로부터 가스를 제공받아 제2 공정 가스를 챔버(500)에 제공할 수 있다.The first process gas supplier 410 may supply the first process gas including the gas supplied from the first valve 301 to the chamber 500 . The second process gas supply unit 420 may provide a second process gas that does not contain the gas supplied from the gas storage unit 100 to the chamber 500 . The second process gas supplier 420 may receive gas from another gas storage unit (not shown in FIG. 2 ) and provide the second process gas to the chamber 500 .

도 3을 참조하면, 밸브 제어부(310)는 제3 밸브(303)를 온(on) 하여 가스 저장부(100)로부터 필터(210)로 가스가 유동하도록 제어할 수 있다. 가스 저장부(100)에 저장되어 있던 가스는 필터(210)를 거쳐 유량 제어부(220)로 유동할 수 있다. Referring to FIG. 3 , the valve controller 310 may turn on the third valve 303 to control gas to flow from the gas storage unit 100 to the filter 210 . The gas stored in the gas storage unit 100 may flow to the flow control unit 220 through the filter 210 .

밸브 제어부(310)는 제1 밸브(301)에서 가스가 제2 밸브(302)로 유동하도록 제1 밸브(301)를 제어할 수 있다. 밸브 제어부(310)는 유량 제어부(220)로부터 제공된 가스가 제1 밸브(301)에서 제1 공정 가스 공급부(410)로 유동하지 않고, 제2 밸브(302)로 유동하도록 제어할 수 있다. 밸브 제어부(310)는 제2 밸브(302)를 온(on)하여 제1 밸브(301)를 통해 유량 제어부(220)로부터 제공된 가스가 제2 공정 가스 공급부(420)로 유동하도록 제어할 수 있다.The valve controller 310 may control the first valve 301 so that gas flows from the first valve 301 to the second valve 302 . The valve controller 310 may control the gas provided from the flow controller 220 to flow to the second valve 302 instead of flowing from the first valve 301 to the first process gas supply unit 410 . The valve controller 310 may turn on the second valve 302 to control the flow of gas provided from the flow controller 220 through the first valve 301 to the second process gas supply unit 420. .

제2 공정 가스 공급부(420)는 제2 밸브(302)로부터 제공받은 가스를 포함하는 제2 공정 가스를 챔버(500)에 제공할 수 있다. 제1 공정 가스 공급부(410)는 가스 저장부(100)로부터 제공된 가스를 포함하지 않는 제1 공정 가스를 챔버(500)에 제공할 수 있다. 제1 공정 가스 공급부(410)는 도 2에 도시되지 않은 다른 가스 저장부로부터 가스를 제공받아 제1 공정 가스를 챔버(500)에 제공할 수 있다.The second process gas supplier 420 may supply the second process gas including the gas supplied from the second valve 302 to the chamber 500 . The first process gas supplier 410 may provide the chamber 500 with a first process gas that does not contain the gas supplied from the gas storage unit 100 . The first process gas supplier 410 may receive gas from another gas storage unit (not shown in FIG. 2 ) and provide the first process gas to the chamber 500 .

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 가스 공급 장치를 설명하기 위한 도면이다. 설명의 편의를 위해, 도 1을 참조하여 설명한 것과 다른 것을 위주로 설명한다.4 is a diagram for explaining a gas supply device according to another embodiment of the present invention. For convenience of explanation, description will be made mainly of things different from those described with reference to FIG. 1 .

도 4를 참조하면, 다른 실시예에 따른 가스 공급 장치(20)는 제1 가스 저장부(101), 제2 가스 저장부(102), 제1 필터(211), 제2 필터(212), 제1 유량 제어부(221), 제2 유량 제어부(222), 제1 밸브 내지 제6 밸브(301-306), 밸브 제어부(310), 제1 공정 가스 공급부(410) 및 제2 공정 가스 공급부(420)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4 , a gas supply device 20 according to another embodiment includes a first gas storage unit 101, a second gas storage unit 102, a first filter 211, a second filter 212, A first flow control unit 221, a second flow control unit 222, first to sixth valves 301 to 306, a valve control unit 310, a first process gas supply unit 410, and a second process gas supply unit ( 420) may be included.

제1 가스 저장부(101)는 제1 공정 가스 공급부(410)와 제2 공정 가스 공급부(420)에 제공하는 제1 가스(G1)를 저장한다. 제2 가스 저장부(102)는 제1 공정 가스 공급부(410)와 제2 공정 가스 공급부(420)에 제공하는 제2 가스(G2)를 저장한다. 제1 가스 저장부(101)와 제2 가스 저장부(102)에 저장되는 제1 가스(G1) 및 제2 가스(G2)는 각각 다른 가스를 포함한다.The first gas storage unit 101 stores the first gas G1 provided to the first process gas supplier 410 and the second process gas supplier 420 . The second gas storage unit 102 stores the second gas G2 provided to the first process gas supplier 410 and the second process gas supplier 420 . The first gas G1 and the second gas G2 stored in the first gas storage unit 101 and the second gas storage unit 102 each include different gases.

제1 필터(211)는 제1 가스 저장부(101)와 연결될 수 있다. 제1 필터(211)는 제1 가스 저장부(101)로부터 제공받은 제1 가스(G1)에 포함된 미세 물질 또는 불순물 등을 여과할 수 있다.The first filter 211 may be connected to the first gas storage unit 101 . The first filter 211 may filter fine substances or impurities included in the first gas G1 supplied from the first gas storage unit 101 .

제2 필터(212)는 제2 가스 저장부(102)와 연결될 수 있다. 제2 필터(212)는 제2 가스 저장부(102)로부터 제공받은 제2 가스(G2)에 포함된 미세 물질 또는 불순물 등을 여과할 수 있다.The second filter 212 may be connected to the second gas storage unit 102 . The second filter 212 may filter fine substances or impurities included in the second gas G2 supplied from the second gas storage unit 102 .

제1 유량 제어부(221) 및 제2 유량 제어부(222)는 각각 제1 필터(211) 및 제2 필터(212)와 각각 연결될 수 있다.The first flow control unit 221 and the second flow control unit 222 may be respectively connected to the first filter 211 and the second filter 212 .

제1 밸브 내지 제3 밸브(301-303)와 제4 밸브 내지 제6 밸브(304-306)는 도 1을 참조하여 설명한 제1 밸브 내지 제3 밸브(301-303)와 실질적으로 동일하다.The first to third valves 301 to 303 and the fourth to sixth valves 304 to 306 are substantially the same as the first to third valves 301 to 303 described with reference to FIG. 1 .

제4 밸브(304)는 제2 유량 제어부(222)와 연결될 수 있다. 구체적으로, 제4 밸브(304)는 제2 가스(G2)의 흐름 방향에 있어서 제2 유량 제어부(222) 이후에 배치되어, 제2 유량 제어부(222)로부터 제2 가스를 제공받을 수 있다. The fourth valve 304 may be connected to the second flow control unit 222 . Specifically, the fourth valve 304 may be disposed after the second flow controller 222 in the flow direction of the second gas G2 and receive the second gas from the second flow controller 222 .

제4 밸브(304)는 3-way 밸브를 포함할 수 있다. 3-way 밸브를 포함하는 제4 밸브(304)는 제2 유량 제어부(222), 제5 밸브(305) 및 제1 공정 가스 공급부(410)에 연결될 수 있다.The fourth valve 304 may include a 3-way valve. The fourth valve 304 including a 3-way valve may be connected to the second flow control unit 222 , the fifth valve 305 and the first process gas supply unit 410 .

제4 밸브(304)는 제2 유량 제어부(222)로부터 제공받은 제2 가스를 제5 밸브(305) 및 제1 공정 가스 공급부(410) 중 어느 하나에 선택적으로 제공할 수 있다. 구체적으로, 제4 밸브(304)는 밸브 제어부(310)의 제어에 따라, 제2 유량 제어부(222)로부터 제공받은 제2 가스(G2)를 제1 공정 가스 공급부(410)에 제공하거나, 제2 밸브(302)에 제공할 수 있다. 제4 밸브(304)에서 제2 가스(G2)가 제1 공정 가스 공급부(410)로 유동한 경우, 제2 가스(G2)는 제4 밸브(304)에서 제5 밸브(305)로 유동하지 않는다.The fourth valve 304 may selectively supply the second gas supplied from the second flow controller 222 to either the fifth valve 305 or the first process gas supplier 410 . Specifically, the fourth valve 304 provides the second gas G2 received from the second flow rate controller 222 to the first process gas supply unit 410 under the control of the valve controller 310, or 2 valve 302 can be provided. When the second gas G2 flows from the fourth valve 304 to the first process gas supply unit 410, the second gas G2 does not flow from the fourth valve 304 to the fifth valve 305. don't

제5 밸브(305)는 제4 밸브(304)와 연결될 수 있다. 구체적으로, 제5 밸브(305)는 제2 가스(G2)의 흐름 방향에 있어서 제4 밸브(304) 이후에 배치되어, 제4 밸브(304)로부터 가스를 제공받을 수 있다.The fifth valve 305 may be connected to the fourth valve 304 . Specifically, the fifth valve 305 may be disposed after the fourth valve 304 in the flow direction of the second gas G2 and receive gas from the fourth valve 304 .

제5 밸브(305)는 2-way 밸브를 포함할 수 있다. 2-way 밸브를 포함하는 제5 밸브(305)는 제4 밸브(304)와 제2 공정 가스 공급부(420)에 연결될 수 있다.The fifth valve 305 may include a 2-way valve. The fifth valve 305 including a 2-way valve may be connected to the fourth valve 304 and the second process gas supply unit 420 .

제5 밸브(305)는 제4 밸브(304)로부터 제공받은 제2 가스(G2)를 제2 공정 가스 공급부(420)에 제공할 수 있다. 제5 밸브(305)는 제4 밸브(304)로부터 제2 가스(G2)를 제공받은 경우에도, 제2 공정 가스 공급부(420)로 제2 가스(G2)를 제공하는 것을 제어할 수 있다. 예를 들어, 제5 밸브(305)는 제4 밸브(304)로부터 제공받은 제2 가스(G2)를 제2 공정 가스 공급부(420)에 제공하지 않을 수 있다. 제5 밸브(305)는 밸브 제어부(310)의 제어에 따라 온(on)/오프(off) 될 수 있다. 즉, 밸브 제어부(310)가 제5 밸브(305)를 오프(off)한 경우, 제5 밸브(305)는 제4 밸브(304)로부터 제2 가스(G2)를 제공받더라도, 제2 가스(G2)를 제2 공정 가스 공급부(420)에 제공하지 않는다.The fifth valve 305 may supply the second gas G2 supplied from the fourth valve 304 to the second process gas supplier 420 . The fifth valve 305 may control supply of the second gas G2 to the second process gas supplier 420 even when the second gas G2 is supplied from the fourth valve 304 . For example, the fifth valve 305 may not supply the second gas G2 supplied from the fourth valve 304 to the second process gas supplier 420 . The fifth valve 305 may be turned on/off under the control of the valve controller 310 . That is, when the valve controller 310 turns off the fifth valve 305, even if the fifth valve 305 receives the second gas G2 from the fourth valve 304, the second gas ( G2) is not provided to the second process gas supplier 420 .

제6 밸브(306)는 제2 가스 저장부(102)와 제2 필터(212) 사이에 배치될 수 있다. 제6 밸브(306)는 제2 가스 저장부(102)로부터 제공받은 제2 가스(G2)를 제2 필터(212)에 제공할 수 있다. 제6 밸브(306)는 밸브 제어부(310)의 제어에 따라 제2 가스 저장부(102)로부터 제공받은 제2 가스(G2)를 제2 필터(212)에 제공하지 않을 수 있다. 즉, 제6 밸브(306)는 밸브 제어부(310)의 제어에 따라 온(on)/오프(off) 될 수 있다.The sixth valve 306 may be disposed between the second gas reservoir 102 and the second filter 212 . The sixth valve 306 may provide the second gas G2 supplied from the second gas storage unit 102 to the second filter 212 . The sixth valve 306 may not provide the second gas G2 supplied from the second gas storage unit 102 to the second filter 212 under the control of the valve controller 310 . That is, the sixth valve 306 may be turned on/off under the control of the valve controller 310 .

밸브 제어부(310)의 제1 밸브(301), 제2 밸브(302), 제4 밸브(304) 및 제5 밸브(305)에 대한 제어에 따라, 제1 공정 가스 공급부(410)와 제2 공정 가스 공급부(420)에 제공되는 가스의 구성이 달라질 수 있다.According to the control of the first valve 301, the second valve 302, the fourth valve 304, and the fifth valve 305 of the valve control unit 310, the first process gas supply unit 410 and the second The composition of the gas supplied to the process gas supplier 420 may vary.

예를 들어, 밸브 제어부(310)가 제1 밸브(301)를 통해 제1 가스(G1)가 제1 유량 제어부(221)로부터 제1 공정 가스 공급부(410)로 유동하도록 제1 밸브(301)를 제어하고, 제2 밸브(302)를 오프(off)하여 제1 가스(G1)가 제2 공정 가스 공급부(420)로 유동하지 않도록 제어하는 경우, 제1 공정 가스 공급부(410)에는 제1 가스(G1)가 제공되고, 제2 공정 가스 공급부(420)에는 제1 가스(G1)가 제공되지 않는다. For example, the valve controller 310 controls the first valve 301 so that the first gas G1 flows from the first flow controller 221 to the first process gas supply unit 410 through the first valve 301. and when the second valve 302 is turned off so that the first gas G1 does not flow to the second process gas supply unit 420, the first process gas supply unit 410 has a first The gas G1 is supplied, and the first gas G1 is not supplied to the second process gas supplier 420 .

또한, 밸브 제어부(310)가 제4 밸브(304)를 통해 제2 가스(G2)가 제2 유량 제어부(222)로부터 제1 공정 가스 공급부(410)로 유동하도록 제4 밸브(304)를 제어하고, 제5 밸브(305)를 오프(off)하여 제2 가스(G2)가 제2 공정 가스 공급부(420)로 유동하지 않도록 제어하는 경우, 제1 공정 가스 공급부(410)에는 제2 가스(G2)가 제공되고, 제2 공정 가스 공급부(420)에는 제2 가스(G2)가 제공되지 않는다. In addition, the valve control unit 310 controls the fourth valve 304 so that the second gas G2 flows from the second flow control unit 222 to the first process gas supply unit 410 through the fourth valve 304. and when the fifth valve 305 is turned off to control the flow of the second gas G2 to the second process gas supply unit 420, the first process gas supply unit 410 contains the second gas ( G2) is provided, and the second gas G2 is not supplied to the second process gas supplier 420 .

결과적으로, 제1 공정 가스 공급부(410)는 제1 가스(G1) 및 제2 가스(G2)를 포함한 혼합 가스를 챔버(500)에 제공하고, 제2 공정 가스 공급부(420)는 제1 가스(G1) 및 제2 가스(G2)를 포함하지 않는 다른 가스를 챔버(500)에 제공할 수 있다.As a result, the first process gas supplier 410 supplies a mixed gas including the first gas G1 and the second gas G2 to the chamber 500, and the second process gas supplier 420 supplies the first gas G1 and the second gas G2 to the chamber 500. Other gases that do not include (G1) and the second gas (G2) may be provided to the chamber 500.

다른 예를 들어, 밸브 제어부(310)가 제1 밸브(301)를 통해 제1 가스(G1)가 제1 유량 제어부(221)로부터 제1 공정 가스 공급부(410)로 유동하지 않고, 제2 밸브(302)로 유동하도록 제1 밸브(301)를 제어하고, 제2 밸브(302)를 온(on)하여 제1 가스(G1)가 제2 공정 가스 공급부(420)로 유동하도록 제어하는 경우, 제1 공정 가스 공급부(410)에는 제1 가스(G1)가 제공되지 않고, 제2 공정 가스 공급부(420)에는 제1 가스(G1)가 제공된다. In another example, the valve control unit 310 does not flow the first gas G1 from the first flow control unit 221 to the first process gas supply unit 410 through the first valve 301, and the second valve When the first valve 301 is controlled to flow to 302 and the second valve 302 is turned on to control the flow of the first gas G1 to the second process gas supply unit 420, The first gas G1 is not supplied to the first process gas supplier 410 , and the first gas G1 is supplied to the second process gas supplier 420 .

또한, 밸브 제어부(310)가 제4 밸브(304)를 통해 제2 가스(G2)가 제2 유량 제어부(222)로부터 제1 공정 가스 공급부(410)로 유동하도록 제4 밸브(304)를 제어하고, 제5 밸브(305)를 오프(off)하여 제2 가스(G2)가 제2 공정 가스 공급부(420)로 유동하지 않도록 제어하는 경우, 제1 공정 가스 공급부(410)에는 제2 가스(G2)가 제공되고, 제2 공정 가스 공급부(420)에는 제2 가스(G2)가 제공되지 않는다. In addition, the valve control unit 310 controls the fourth valve 304 so that the second gas G2 flows from the second flow control unit 222 to the first process gas supply unit 410 through the fourth valve 304. and when the fifth valve 305 is turned off to control the flow of the second gas G2 to the second process gas supply unit 420, the first process gas supply unit 410 contains the second gas ( G2) is provided, and the second gas G2 is not supplied to the second process gas supplier 420 .

결과적으로, 제1 공정 가스 공급부(410)는 제2 가스(G2) 포함한 가스를 챔버(500)에 제공하고, 제2 공정 가스 공급부(420)는 제1 가스(G1)를 포함한 가스를 챔버(500)에 제공할 수 있다. 이 때, 제1 공정 가스 공급부(410) 및 제2 공정 가스 공급부(420)는 각각 1 가스 저장부(101) 및 제2 가스 저장부(102)가 아닌 다른 가스 저장부로부터 제2 가스(G2) 및 제1 가스(G1)가 아닌 다른 가스를 제공받아 각각 제2 가스(G2)를 포함하는 혼합 가스와 제1 가스(G1)를 포함하는 혼합 가스를 챔버(500)에 제공할 수 있다. 이와 달리, 제1 공정 가스 공급부(410) 또는 제2 공정 가스 공급부(420)는 다른 가스 저장부로부터 다른 가스를 제공받지 않아 각각 순수한 제2 가스(G2)와 제1 가스(G1)를 챔버(500)에 제공할 수 있다.As a result, the first process gas supply unit 410 supplies the gas including the second gas G2 to the chamber 500, and the second process gas supply unit 420 supplies the gas including the first gas G1 to the chamber ( 500) can be provided. At this time, the first process gas supply unit 410 and the second process gas supply unit 420 supply the second gas (G2) from a gas storage unit other than the first gas storage unit 101 and the second gas storage unit 102, respectively. ) and a gas other than the first gas G1 may be supplied to the chamber 500 as a mixed gas including the second gas G2 and a mixed gas including the first gas G1 , respectively. Unlike this, the first process gas supply unit 410 or the second process gas supply unit 420 does not receive other gases from other gas storage units, so that the pure second gas G2 and the first gas G1 are respectively supplied to the chamber ( 500) can be provided.

또다른 예를 들어, 밸브 제어부(310)가 제1 밸브(301)를 통해 제1 가스(G1)가 제1 유량 제어부(221)로부터 제1 공정 가스 공급부(410)로 유동하도록 제1 밸브(301)를 제어하고, 제2 밸브(302)를 오프(off)하여 제1 가스(G1)가 제2 공정 가스 공급부(420)로 유동하지 않도록 제어하는 경우, 제1 공정 가스 공급부(410)에는 제1 가스(G1)가 제공되고, 제2 공정 가스 공급부(420)에는 제1 가스(G1)가 제공되지 않는다. In another example, the valve control unit 310 allows the first gas G1 to flow from the first flow control unit 221 to the first process gas supply unit 410 through the first valve 301 through the first valve ( 301) and when the second valve 302 is turned off to control the flow of the first gas G1 to the second process gas supply unit 420, the first process gas supply unit 410 The first gas G1 is provided, and the first gas G1 is not supplied to the second process gas supplier 420 .

또한, 밸브 제어부(310)가 제4 밸브(304)를 통해 제2 가스(G2)가 제2 유량 제어부(222)로부터 제1 공정 가스 공급부(410)로 유동하지 않고, 제5 밸브(305)로 유동하도록 제4 밸브(304)를 제어하고, 제5 밸브(305)를 온(on)하여 제2 가스(G2)가 제2 공정 가스 공급부(420)로 유동하도록 제어하는 경우, 제1 공정 가스 공급부(410)에는 제2 가스(G2)가 제공되지 않고, 제2 공정 가스 공급부(420)에는 제2 가스(G2)가 제공된다. In addition, the valve control unit 310 does not flow the second gas G2 from the second flow control unit 222 to the first process gas supply unit 410 through the fourth valve 304, and the fifth valve 305 When the fourth valve 304 is controlled to flow to and the fifth valve 305 is turned on to control the flow of the second gas G2 to the second process gas supply unit 420, the first process The second gas G2 is not supplied to the gas supplier 410 , and the second gas G2 is supplied to the second process gas supplier 420 .

결과적으로, 제1 공정 가스 공급부(410)는 제1 가스(G1) 포함한 가스를 챔버(500)에 제공하고, 제2 공정 가스 공급부(420)는 제2 가스(G2)를 포함한 가스를 챔버(500)에 제공할 수 있다. 이 때, 제1 공정 가스 공급부(410) 및 제2 공정 가스 공급부(420)는 각각 제1 가스 저장부(101) 및 제2 가스 저장부(102)가 아닌 다른 가스 저장부로부터 제1 가스(G1) 또는 제2 가스(G2)가 아닌 다른 가스를 제공받아 각각 제1 가스(G1)를 포함하는 혼합 가스와 제2 가스(G2)를 포함하는 혼합 가스를 챔버(500)에 제공할 수 있다. 이와 달리, 제1 공정 가스 공급부(410) 또는 제2 공정 가스 공급부(420)는 다른 가스 저장부로부터 다른 가스를 제공받지 않아 각각 순수한 제1 가스(G1)와 제2 가스(G2)를 챔버(500)에 제공할 수 있다.As a result, the first process gas supplier 410 supplies a gas including the first gas G1 to the chamber 500, and the second process gas supplier 420 supplies a gas including the second gas G2 to the chamber ( 500) can be provided. At this time, the first process gas supply unit 410 and the second process gas supply unit 420 supply the first gas (from gas storage units other than the first gas storage unit 101 and the second gas storage unit 102, respectively). A mixed gas including the first gas G1 and a mixed gas including the second gas G2 may be provided to the chamber 500 by receiving a gas other than G1 or the second gas G2 . . Unlike this, the first process gas supply unit 410 or the second process gas supply unit 420 does not receive other gases from other gas storage units, so that the pure first gas G1 and the second gas G2 are respectively supplied to the chamber ( 500) can be provided.

또다른 예를 들어, 밸브 제어부(310)가 제1 밸브(301)를 통해 제1 가스(G1)가 제1 유량 제어부(221)로부터 제1 공정 가스 공급부(410)로 유동하지 않고, 제2 밸브(302)로 유동하도록 제1 밸브(301)를 제어하고, 제2 밸브(302)를 온(on)하여 제1 가스(G1)가 제2 공정 가스 공급부(420)로 유동하도록 제어하는 경우, 제1 공정 가스 공급부(410)에는 제1 가스(G1)가 제공되지 않고, 제2 공정 가스 공급부(420)에는 제1 가스(G1)가 제공된다.In another example, the valve control unit 310 does not flow the first gas G1 from the first flow control unit 221 to the first process gas supply unit 410 through the first valve 301, and the second When the first valve 301 is controlled to flow to the valve 302 and the second valve 302 is turned on to control the flow of the first gas G1 to the second process gas supply unit 420 , The first gas G1 is not supplied to the first process gas supply unit 410 , and the first gas G1 is supplied to the second process gas supply unit 420 .

또한, 밸브 제어부(310)가 제4 밸브(304)를 통해 제2 가스(G2)가 제2 유량 제어부(222)로부터 제1 공정 가스 공급부(410)로 유동하지 않고, 제5 밸브(305)로 유동하도록 제4 밸브(304)를 제어하고, 제5 밸브(305)를 온(on)하여 제2 가스(G2)가 제2 공정 가스 공급부(420)로 유동하도록 제어하는 경우, 제1 공정 가스 공급부(410)에는 제2 가스(G2)가 제공되지 않고, 제2 공정 가스 공급부(420)에는 제2 가스(G2)가 제공된다.In addition, the valve control unit 310 does not flow the second gas G2 from the second flow control unit 222 to the first process gas supply unit 410 through the fourth valve 304, and the fifth valve 305 When the fourth valve 304 is controlled to flow to and the fifth valve 305 is turned on to control the flow of the second gas G2 to the second process gas supply unit 420, the first process The second gas G2 is not supplied to the gas supplier 410 , and the second gas G2 is supplied to the second process gas supplier 420 .

결과적으로, 제1 공정 가스 공급부(410)는 제1 가스(G1) 및 제2 가스(G2)를 포함하지 않는 다른 가스를 챔버(500)에 제공하고, 제2 공정 가스 공급부(420)는 제1 가스(G1) 및 제2 가스(G2)를 포함한 혼합 가스를 챔버(500)에 제공할 수 있다. As a result, the first process gas supply unit 410 supplies another gas not including the first gas G1 and the second gas G2 to the chamber 500, and the second process gas supply unit 420 A mixed gas including the first gas G1 and the second gas G2 may be supplied to the chamber 500 .

도시하진 않았지만, 제1 공정 가스 공급부(410)는 제1 가스 저장부(101) 및 제2 가스 저장부(102)가 아닌 다른 가스 저장부로부터 가스를 제공받아 챔버(500)에 제공할 수 있다. 또한, 제2 공정 가스 공급부(410)는 제1 가스(G1) 및 제2 가스(G2) 이외에도, 제1 가스 저장부(101) 및 제2 가스 저장부(102)가 아닌 다른 가스 저장부로부터 다른 종류의 가스를 제공받아 제1 가스(G1) 및 제2 가스(G2)와 함께 혼합 가스를 챔버(500)에 제공할 수 있다.Although not shown, the first process gas supplier 410 may receive gas from a gas storage unit other than the first gas storage unit 101 and the second gas storage unit 102 and provide the gas to the chamber 500 . . In addition, the second process gas supply unit 410 is supplied from other gas storage units other than the first gas storage unit 101 and the second gas storage unit 102, in addition to the first gas G1 and the second gas G2. A mixed gas may be supplied to the chamber 500 together with the first gas G1 and the second gas G2 by receiving a different type of gas.

도 5는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 가스 공급 장치를 설명하기 위한 도면이다. 설명의 편의를 위해, 도 1 및 도 4를 참조하여 설명한 것과 다른 것을 위주로 설명한다.5 is a view for explaining a gas supply device according to another embodiment of the present invention. For convenience of explanation, description will be made mainly on things different from those described with reference to FIGS. 1 and 4 .

도 5를 참조하면, 또다른 실시예에 다른 가스 공급 장치(30)는 제1 가스 저장부 내지 제3 가스 저장부(101-103), 제1 필터 내지 제3 필터(211-213), 제1 유량 제어부 내지 제3 유량 제어부(221-223), 제1 밸브 내지 제9 밸브(301-309), 밸브 제어부(310), 제1 공정 가스 공급부(410), 제2 공정 가스 공급부(420), 제1 공정 가스 전처리부(610) 및 제2 공정 가스 전처리부(620)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 5, another gas supply device 30 according to another embodiment includes first to third gas storage units 101-103, first to third filters 211-213, 1 flow controller to third flow controller 221-223, first valve to ninth valve 301-309, valve controller 310, first process gas supply unit 410, second process gas supply unit 420 , a first process gas preprocessor 610 and a second process gas preprocessor 620 may be included.

제1 가스 저장부 내지 제3 가스 저장부(101-103) 각각은 도 4를 참조하여 설명한 제1 가스 저장부(101) 및 제2 가스 저장부(102)와 실질적으로 동일하다. 제3 가스 저장부(103)는 제1 공정 가스 공급부(410) 또는 제2 공정 가스 공급부(420)에 제공하는 제3 가스(G3)를 저장한다.Each of the first to third gas storage units 101 to 103 is substantially the same as the first gas storage unit 101 and the second gas storage unit 102 described with reference to FIG. 4 . The third gas storage unit 103 stores the third gas G3 supplied to the first process gas supplier 410 or the second process gas supplier 420 .

제1 필터 내지 제3 필터(211-213)와 제1 유량 제어부 내지 제3 유량 제어부(221-223) 각각은 도 4를 참조하여 설명한 제1 필터(211) 및 제2 필터(212)와 제1 유량 제어부(221) 및 제2 유량 제어부(222)와 실질적으로 동일하다. Each of the first to third filters 211 to 213 and the first to third flow control units 221 to 223 are the same as the first filter 211 and the second filter 212 described with reference to FIG. 4 . It is substantially the same as the first flow control unit 221 and the second flow control unit 222.

제7 밸브 내지 제9 밸브(307-309) 각각은 도 1 및 도 4를 참조하여 설명한 제1 밸브 내지 제3 밸브(301-303) 또는 제4 밸브 내지 제6 밸브(304-306)와 실질적으로 동일하다.Each of the seventh to ninth valves 307 to 309 is substantially similar to the first to third valves 301 to 303 or the fourth to sixth valves 304 to 306 described with reference to FIGS. 1 and 4 . is the same as

제1 공정 가스 전처리부(610)는 제1 밸브(301), 제4 밸브(304) 또는 제7 밸브(307)로부터 제공받은 제1 가스(G1), 제2 가스(G2) 또는 제3 가스(G2)를 포함하는 가스를 전처리하고, 전처리한 가스를 제1 공정 가스 공급부(410)에 제공할 수 있다.The first process gas preprocessing unit 610 supplies the first gas G1, the second gas G2, or the third gas supplied from the first valve 301, the fourth valve 304, or the seventh valve 307. The gas containing (G2) may be pre-treated, and the pre-treated gas may be provided to the first process gas supplier 410 .

제2 공정 가스 전처리부(620)는 제2 밸브(302), 제5 밸브(305) 또는 제8 밸브(308)로부터 제공받은 제1 가스(G1), 제2 가스(G2) 또는 제3 가스(G2)를 포함하는 가스를 전처리하고, 전처리한 가스를 제2 공정 가스 공급부(420)에 제공할 수 있다.The second process gas preprocessing unit 620 is supplied from the second valve 302, the fifth valve 305, or the eighth valve 308 to supply the first gas (G1), the second gas (G2), or the third gas. The gas containing (G2) may be pretreated, and the pretreated gas may be supplied to the second process gas supplier 420 .

제1 공정 가스 전처리부(610) 및 제2 공정 가스 전처리부(620)는 제1 공정 가스 공급부(410) 및 제2 공정 가스 공급부(420)에 의해 가스가 챔버(500)에 제공되기 전에, 기판 처리에 적합한 상태가 되도록 가스를 전처리할 수 있다. The first process gas pre-processing unit 610 and the second process gas pre-processing unit 620, before the gas is supplied to the chamber 500 by the first process gas supply unit 410 and the second process gas supply unit 420, The gas may be pretreated to be in a state suitable for substrate processing.

예를 들어, 제1 공정 가스 전처리부(610) 및 제2 공정 가스 전처리부(620)는 제1 가스(G1), 제2 가스(G2) 또는 제3 가스(G2)를 균일하게 혼합되도록 교반하는 것을 포함할 수 있다. 다른 예를 들어, 제1 공정 가스 전처리부(610) 및 제2 공정 가스 전처리부(620)는 제1 가스(G1), 제2 가스(G2) 또는 제3 가스(G2)를 포함한 가스를 건조하여 가스의 습도를 제어할 수 있다. 또다른 예를 들어, 제1 공정 가스 전처리부(610) 및 제2 공정 가스 전처리부(620)는 제1 가스(G1), 제2 가스(G2) 또는 제3 가스(G2)를 포함한 가스의 온도를 제어할 수 있다.For example, the first process gas preprocessor 610 and the second process gas preprocessor 620 stir the first gas G1, the second gas G2, or the third gas G2 to be uniformly mixed. may include doing For another example, the first process gas preprocessor 610 and the second process gas preprocessor 620 dry the gas including the first gas G1, the second gas G2, or the third gas G2. Thus, the humidity of the gas can be controlled. As another example, the first process gas pre-processor 610 and the second process gas pre-processor 620 are used to process gases including the first gas G1, the second gas G2, or the third gas G2. You can control the temperature.

제1 공정 가스 공급부(410) 및 제2 공정 가스 공급부(420)는 각각 제1 공정 가스 전처리부(610) 및 제2 공정 가스 전처리부(620)로부터 제공받은 가스를 챔버(500)에 제공할 수 있다.The first process gas supply unit 410 and the second process gas supply unit 420 supply the gas supplied from the first process gas pre-processing unit 610 and the second process gas pre-processing unit 620 to the chamber 500 , respectively. can

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 공급 장치를 포함하는 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면이다.6 is a diagram for explaining a substrate processing apparatus including a gas supply apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 챔버(500), 가스 공급 장치(10) 및 전극 모듈(700)을 포함한다.Referring to FIG. 6 , the substrate processing apparatus 1 includes a chamber 500 , a gas supply apparatus 10 and an electrode module 700 .

챔버(500)는 내부에 기판(W)이 처리되는 처리 공간(501)을 제공할 수 있다. 챔버(500)는 원형의 통 형상일 수 있다. 챔버(500)는 금속 재질로 제공될 수 있다. 예를 들어, 챔버(500)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 챔버(500)의 일측벽에는 개구(520)가 형성된다. 개구(520)는 기판(W)이 반출입 가능한 출입구로 사용될 수 있다. 출입구는 도어에 의해 개폐 가능하다. 챔버(500)의 바닥면에는 배기 포트(미도시)가 설치된다. 배기 포트는 처리 공간(501)에 발생된 부산물이 챔버(500)의 외부로 배출되는 배출구로 기능한다.The chamber 500 may provide a processing space 501 in which the substrate W is processed. The chamber 500 may have a circular tubular shape. The chamber 500 may be made of a metal material. For example, the chamber 500 may be made of aluminum. An opening 520 is formed in one side wall of the chamber 500 . The opening 520 may be used as an entrance through which the substrate W may be carried in and out. The entrance can be opened and closed by a door. An exhaust port (not shown) is installed on the bottom surface of the chamber 500 . The exhaust port functions as an outlet through which by-products generated in the processing space 501 are discharged to the outside of the chamber 500 .

챔버(500)의 내부에는 기판 지지 유닛(510)이 제공된다. 기판 지지 유닛(510)은 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(510)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 지지하는 정전척일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 정전척은, 상면에 기판(W)이 놓이는 유전판, 유전판 내에 설치되고 기판(W)이 유전판에 흡착되도록 정전기력을 제공하는 전극, 유전판 내에 설치되어 기판(W)의 온도제어를 위해 기판(W)을 가열하는 히터 등을 포함할 수 있다.A substrate support unit 510 is provided inside the chamber 500 . The substrate support unit 510 supports the substrate (W). The substrate support unit 510 may be an electrostatic chuck that supports the substrate W using electrostatic force, but is not limited thereto. The electrostatic chuck includes a dielectric plate on which a substrate W is placed, an electrode installed in the dielectric plate and providing electrostatic force so that the substrate W is adsorbed to the dielectric plate, and a dielectric plate installed in the dielectric plate to control the temperature of the substrate W. A heater for heating the substrate W may be included.

전극 모듈(700)은 전극(또는 상부 전극)(720), 이온 블록커(730), 샤워 헤드(740), 히터 링(heater ring)(750) 등을 포함하고, 용량 결합형 플라즈마 소오스 역할을 할 수 있다. The electrode module 700 includes an electrode (or upper electrode) 720, an ion blocker 730, a shower head 740, a heater ring 750, and the like, and serves as a capacitively coupled plasma source. can do.

가스 공급 장치(10)는 가스 저장부(100), 제1 공정 가스 공급부(410), 제2 공정 가스 공급부(420), 제3 공정 가스 공급부(430), 제1 밸브(301), 제2 밸브(302) 및 밸브 제어부(310)를 포함할 수 있다. 가스 공급 장치(10)는 도 1을 참조하여 설명한 가스 공급 장치(10)와 실질적으로 동일하다.The gas supply device 10 includes a gas storage unit 100, a first process gas supply unit 410, a second process gas supply unit 420, a third process gas supply unit 430, a first valve 301, and a second process gas supply unit 420. It may include a valve 302 and a valve control 310 . The gas supply device 10 is substantially the same as the gas supply device 10 described with reference to FIG. 1 .

전극(720)과 이온 블록커(730) 사이에는 제1 공간(즉, 플라즈마 생성 공간)(701)이 배치되고, 이온 블록커(730)와 샤워 헤드(740) 사이에는 제2 공간(702)이 배치된다. 샤워 헤드(740)의 아래에는 처리 공간(501)이 위치한다. A first space (ie, a plasma generating space) 701 is disposed between the electrode 720 and the ion blocker 730, and a second space 702 is disposed between the ion blocker 730 and the shower head 740. this is placed A processing space 501 is located below the shower head 740 .

전극(720)은 고주파 전원(710)이 연결되고, 이온 블록커(730)는 정전압(예를 들어, 접지 전압)과 연결될 수 있다. 전극(720)에는 다수의 공급홀을 포함될 수 있다. 제1 공정 가스 공급부(410)는 전극(720)(즉, 전극(720)의 공급홀)을 통해서 제1 공정가스를 제1 공간(701)으로 제공한다. The electrode 720 may be connected to the high frequency power source 710 and the ion blocker 730 may be connected to a constant voltage (eg, ground voltage). The electrode 720 may include a plurality of supply holes. The first process gas supplier 410 supplies the first process gas to the first space 701 through the electrode 720 (ie, the supply hole of the electrode 720).

밸브 제어부(310)가 제1 밸브(301)를 통해 가스 저장부(100)로부터 제공받은 가스가 제2 밸브(302)로 유동하지 않고, 제1 공정 가스 공급부(410)로 유동하도록 제1 밸브(301)를 제어한 경우, 제1 공정 가스 공급부(410)는 가스 저장부(100)에 저장되는 가스를 포함한 제1 공정 가스를 제1 공간(701)으로 제공할 수 있다. The valve control unit 310 controls the first valve 310 so that the gas supplied from the gas storage unit 100 through the first valve 301 does not flow to the second valve 302 but flows to the first process gas supply unit 410. When operation 301 is controlled, the first process gas supplier 410 may supply the first process gas including the gas stored in the gas storage unit 100 to the first space 701 .

이와 달리, 밸브 제어부(310)가 제1 밸브(301)를 통해 가스 저장부(100)로부터 제공받은 가스가 제1 공정 가스 공급부(410)로 유동하지 않고, 제2 밸브(302)로 유동하도록 제1 밸브(301)를 제어한 경우, 제1 공정 가스 공급부(410)는 가스 저장부(100)에 저장되는 가스를 포함하지 않은 제1 공정 가스를 제1 공간(701)으로 제공할 수 있다. 도시하지 않았지만, 제1 공정 가스 공급부(410)는 가스 저장부(100)가 아닌 다른 가스 저장부로부터 가스를 제공받아 제1 공간(701)으로 제공할 수 있다.Unlike this, the valve control unit 310 allows the gas supplied from the gas storage unit 100 through the first valve 301 to flow to the second valve 302 instead of to the first process gas supply unit 410. When the first valve 301 is controlled, the first process gas supplier 410 may provide the first process gas not containing the gas stored in the gas storage unit 100 to the first space 701. . Although not shown, the first process gas supplier 410 may receive gas from a gas storage unit other than the gas storage unit 100 and supply the gas to the first space 701 .

전극(720)과 이온 블록커(730) 사이에서 발생된 전자기장은 제1 공정가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다. 플라즈마 상태로 여기된 제1 공정가스(즉, 플라즈마 유출물)는 라디칼, 이온 및/또는 전자를 포함한다. 제1 공정가스는 타겟 물질에 따라 달라질 수 있다. 예를 들어, 타겟 물질이 기판(W) 상에 형성된 실리콘 산화물을 포함하는 경우 제1 공정가스는 삼불화질소(NF3)일 수 있고, 추가적으로 불활성 가스(예를 들어, He)를 더 포함할 수 있다.The electromagnetic field generated between the electrode 720 and the ion blocker 730 excites the first process gas into a plasma state. The first process gas excited into a plasma state (ie, plasma effluent) includes radicals, ions, and/or electrons. The first process gas may vary depending on the target material. For example, when the target material includes silicon oxide formed on the substrate W, the first process gas may be nitrogen trifluoride (NF3) and may additionally include an inert gas (eg, He). there is.

이온 블록커(730)는 도전성 물질로 형성되고, 예를 들어, 원판과 같은 판 형상일 수 있다. 이온 블록커(730)는 정전압이 연결될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 이온 블록커(730)는 상하 방향으로 형성된 다수의 제1 관통홀을 포함한다. 플라즈마 유출물 중에서 라디칼 또는 대전되지 않은 중성 종(uncharged neutral species)은 이온 블록커(730)의 제1 관통홀을 통과할 수 있다. 반면, 대전된 종(즉, 이온)은 이온 블록커(730)의 제1 관통홀을 통과하기 어렵다. The ion blocker 730 is made of a conductive material and may have a plate shape such as a disk, for example. A positive voltage may be connected to the ion blocker 730, but is not limited thereto. The ion blocker 730 includes a plurality of first through holes formed in a vertical direction. Radicals or uncharged neutral species among the plasma effluent may pass through the first through hole of the ion blocker 730 . On the other hand, it is difficult for charged species (ie, ions) to pass through the first through hole of the ion blocker 730 .

이온 블록커(730)에는 제2 공간(702)에 제2 공정가스를 공급하는 다수의 제1 공급구가 형성된다. 다수의 제1 공급구는 이온 블록커(730)의 전면에 형성되지 않고, 일부 영역에만 형성될 수 있다. 제2 공정 가스 공급부(420)는 이온 블록커(730)에 형성된 다수의 제1 공급구를 통해서 제2 공정가스를 제2 공간(702)으로 제공한다.The ion blocker 730 is formed with a plurality of first supply ports for supplying the second process gas to the second space 702 . The plurality of first supply ports may not be formed on the entire surface of the ion blocker 730 but may be formed only in a partial area. The second process gas supplier 420 supplies the second process gas to the second space 702 through a plurality of first supply ports formed in the ion blocker 730 .

밸브 제어부(310)가 제1 밸브(301)를 통해 가스 저장부(100)로부터 제공받은 가스가 제2 밸브(302)로 유동하지 않고, 제1 공정 가스 공급부(410)로 유동하도록 제1 밸브(301)를 제어한 경우, 제2 공정 가스 공급부(420)는 가스 저장부(100)에 저장되는 가스를 포함하지 않은 제2 공정 가스를 제2 공간(702)으로 제공할 수 있다. 도시하지 않았지만, 제2 공정 가스 공급부(420)는 가스 저장부(100)가 아닌 다른 가스 저장부로부터 가스를 제공받아 제2 공간(702)으로 제공할 수 있다.The valve control unit 310 controls the first valve 310 so that the gas supplied from the gas storage unit 100 through the first valve 301 does not flow to the second valve 302 but flows to the first process gas supply unit 410. When step 301 is controlled, the second process gas supply unit 420 may provide the second process gas not including the gas stored in the gas storage unit 100 to the second space 702 . Although not shown, the second process gas supplier 420 may receive gas from a gas storage unit other than the gas storage unit 100 and supply the gas to the second space 702 .

이와 달리, 밸브 제어부(310)가 제1 밸브(301)를 통해 가스 저장부(100)로부터 제공받은 가스가 제1 공정 가스 공급부(410)로 유동하지 않고, 제2 밸브(302)로 유동하도록 제1 밸브(301)를 제어하고, 제2 밸브(302)를 온(on)하여 가스 저장부(100)로부터 제공받은 가스가 제2 공정 가스 공급부(420)로 유동하도록 제어한 경우, 제2 공정 가스 공급부(420)는 가스 저장부(100)에 저장되는 가스를 포함한 제2 공정 가스를 제2 공간(702)으로 제공할 수 있다. Unlike this, the valve control unit 310 allows the gas supplied from the gas storage unit 100 through the first valve 301 to flow to the second valve 302 instead of to the first process gas supply unit 410. When the first valve 301 is controlled and the second valve 302 is turned on to control the flow of the gas supplied from the gas storage unit 100 to the second process gas supply unit 420, the second The process gas supplier 420 may supply the second process gas including the gas stored in the gas storage unit 100 to the second space 702 .

샤워 헤드(740)는 도전성 물질로 형성되고, 예를 들어, 원판과 같은 판 형상일 수 있다. 샤워 헤드(740)는 정전압이 연결될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 샤워 헤드(740)는 상하 방향으로 형성된 다수의 제2 관통홀을 포함한다. 샤워 헤드(740)는 제2 관통홀을 통해서, 처리 공간(501)으로 가스를 제공할 수 있다.The shower head 740 is made of a conductive material and may have, for example, a plate shape such as a disc. A constant voltage may be connected to the shower head 740, but is not limited thereto. The shower head 740 includes a plurality of second through holes formed in a vertical direction. The shower head 740 may provide gas to the processing space 501 through the second through hole.

샤워 헤드(740)에는 제2 공간(702)에 제3 공정가스를 공급하는 다수의 제2 공급구가 형성된다. 다수의 제2 공급구는 샤워 헤드(740)의 전면에 형성되지 않고, 일부 영역에만 형성될 수 있다. 제3 공정 가스 공급부(430)는 샤워 헤드(740)에 형성된 다수의 제2 공급구를 통해서 제3 공정가스를 제2 공간(702)으로 제공한다. 제3 공정 가스 공급부(430)는 도시하지 않은 다른 가스 저장부로부터 제3 공정가스를 제공받을 수 있다.A plurality of second supply ports for supplying a third process gas to the second space 702 are formed in the shower head 740 . The plurality of second supply ports may not be formed on the entire surface of the shower head 740 but may be formed only in a partial area. The third process gas supply unit 430 supplies the third process gas to the second space 702 through a plurality of second supply ports formed in the shower head 740 . The third process gas supplier 430 may receive third process gas from another gas storage unit (not shown).

한편, 히터 링(750)은 이온 블록커(730)와 샤워 헤드(740) 사이에 배치되고, 제2 공간(702)을 둘러싸는 형태일 수 있다. 히터 링(750)은 샤워 헤드(740)의 온도를 제어할 수 있다. 히터 링(750)은 샤워 헤드(740)의 내부에 설치되지 않는다. 히터 링(750)을 샤워 헤드(740)의 외부에 설치함으로써, 샤워 헤드(740)를 슬림화할 수 있다.Meanwhile, the heater ring 750 may be disposed between the ion blocker 730 and the shower head 740 and surround the second space 702 . The heater ring 750 may control the temperature of the shower head 740 . The heater ring 750 is not installed inside the shower head 740. By installing the heater ring 750 outside the shower head 740, the shower head 740 can be slimmed down.

기판 처리 장치(1)는 제1 밸브(301)와 제2 밸브(302)를 이용하여 제1 공정 가스 공급부(410)에 의해 제1 공간(701)에 제공되는 제1 공정 가스와 제2 공정 가스 공급부(420)에 의해 제2 공간(702)에 제공되는 제2 공정 가스에 공통적으로 포함되는 가스를 하나의 가스 저장부(100)로부터 제공받을 수 있다.The substrate processing apparatus 1 uses a first valve 301 and a second valve 302 to provide a first process gas supplied to a first space 701 by a first process gas supply unit 410 and a second process gas. A gas commonly included in the second process gas provided to the second space 702 by the gas supply unit 420 may be supplied from one gas storage unit 100 .

이상과 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although the embodiments of the present invention have been described with reference to the above and accompanying drawings, those skilled in the art to which the present invention pertains can implement the present invention in other specific forms without changing the technical spirit or essential features. You will understand that there is Therefore, the embodiments described above should be understood as illustrative in all respects and not limiting.

1: 기판 처리 장치 10-30: 가스 공급 장치
100: 가스 저장부 301-303: 제1 밸브 - 제3 밸브
310: 밸브 제어부 500: 챔버
410, 420: 제1 공정 가스 공급부, 제2 공정 가스 공급부1: substrate processing device 10-30: gas supply device
100: gas storage unit 301-303: first valve - third valve
310: valve control unit 500: chamber
410, 420: first process gas supply unit, second process gas supply unit

Claims (11)

제1 가스를 저장하는 제1 가스 저장부;
상기 제1 가스 저장부와 연결되고, 상기 제1 가스의 유량을 제어하는 제1 유량 제어부; 및
상기 제1 유량 제어부, 제1 공정 가스 공급부 및 제2 밸브와 연결되는 제1 밸브를 포함하고,
상기 제1 밸브는,
상기 제1 유량 제어부로부터 제공받은 상기 제1 가스를 상기 제1 공정 가스 공급부와 상기 제2 밸브 중 어느 하나에 선택적으로 공급하고,
상기 제2 밸브는,
상기 제1 밸브 및 제2 공정 가스 공급부와 연결되고, 상기 제1 밸브로부터 제공받은 상기 제1 가스를 제2 공정 가스 공급부에 제공하고,
상기 제1 공정 가스 공급부는, 상기 제1 가스를 포함하는 제1 공정 가스를 기판을 처리하는 챔버에 제공하고,
상기 제2 공정 가스 공급부는, 상기 제1 가스를 포함하는 제2 공정 가스를 상기 챔버에 제공하는, 가스 공급 장치.a first gas storage unit for storing a first gas;
a first flow controller connected to the first gas storage unit and controlling a flow rate of the first gas; and
A first valve connected to the first flow control unit, a first process gas supply unit, and a second valve,
The first valve,
selectively supplying the first gas supplied from the first flow control unit to one of the first process gas supply unit and the second valve;
The second valve,
It is connected to the first valve and a second process gas supply unit, and provides the first gas supplied from the first valve to a second process gas supply unit;
The first process gas supplier provides a first process gas containing the first gas to a chamber processing a substrate;
The second process gas supply unit supplies a second process gas containing the first gas to the chamber. 제1 항에 있어서,
상기 제2 공정 가스 공급부는,
상기 제1 공정 가스 공급부가 상기 제1 공정 가스를 상기 챔버에 제공한 이후에, 상기 제2 공정 가스를 상기 챔버에 제공하는, 가스 공급 장치.According to claim 1,
The second process gas supply unit,
The gas supply apparatus of claim 1 , wherein the first process gas supply unit supplies the second process gas to the chamber after supplying the first process gas to the chamber. 제1 항에 있어서,
상기 제1 밸브의 온/오프와 상기 제2 밸브의 온/오프를 제어하는 밸브 제어부를 더 포함하는, 가스 공급 장치.According to claim 1,
The gas supply device further comprises a valve control unit for controlling on/off of the first valve and on/off of the second valve. 제3 항에 있어서,
상기 밸브 제어부는,
상기 제1 밸브를 온(on)하고, 상기 제2 밸브를 오프(off)하여, 상기 제1 가스를 상기 제1 공정 가스 공급부에 제공하는, 가스 공급 장치.According to claim 3,
The valve control unit,
The gas supply device, wherein the first gas is supplied to the first process gas supply unit by turning on the first valve and turning off the second valve. 제3 항에 있어서,
상기 밸브 제어부는,
상기 제1 밸브를 온(on) 하고, 상기 제2 밸브를 온(on)하여, 상기 제1 가스를 상기 제2 공정 가스 공급부에 제공하는, 가스 공급 장치.According to claim 3,
The valve control unit,
The gas supply device, wherein the first gas is supplied to the second process gas supply unit by turning on the first valve and turning on the second valve. 제1 항에 있어서,
상기 제1 밸브는 3-way 밸브를 포함하고,
상기 제2 밸브는 2-way 밸브를 포함하는, 가스 공급 장치.According to claim 1,
The first valve includes a 3-way valve,
The second valve includes a 2-way valve, gas supply device. 제1 항에 있어서,
상기 제1 가스 저장부와 상기 제1 유량 제어부 사이에 배치되고, 상기 제1 밸브에 대한 상기 제1 가스의 공급을 차단하는 제3 밸브를 더 포함하는, 가스 공급 장치.According to claim 1,
The gas supply device further comprises a third valve disposed between the first gas storage unit and the first flow control unit and blocking supply of the first gas to the first valve. 제1 항에 있어서,
제2 가스를 저장하는 제2 가스 저장부;
상기 제2 가스 저장부와 연결되고, 상기 제2 가스의 유량을 제어하는 제2 유량 제어부; 및
상기 제2 유량 제어부, 상기 제1 공정 가스 공급부 및 제5 밸브와 연결되는 제4 밸브를 더 포함하고,
상기 제4 밸브는,
상기 제2 유량 제어부로부터 제공받은 상기 제2 가스를 상기 제1 공정 가스 공급부와 상기 제5 밸브 중 어느 하나에 선택적으로 공급하고,
상기 제5 밸브는,
상기 제4 밸브 및 상기 제2 공정 가스 공급부와 연결되고, 상기 제4 밸브로부터 제공받은 상기 제2 가스를 상기 제2 공정 가스 공급부에 제공하는, 가스 공급 장치.According to claim 1,
a second gas storage unit for storing a second gas;
a second flow controller connected to the second gas storage unit and controlling a flow rate of the second gas; and
Further comprising a fourth valve connected to the second flow rate controller, the first process gas supply unit, and a fifth valve,
The fourth valve,
Selectively supplying the second gas supplied from the second flow control unit to one of the first process gas supply unit and the fifth valve,
The fifth valve,
The gas supply device is connected to the fourth valve and the second process gas supply unit, and provides the second gas supplied from the fourth valve to the second process gas supply unit. 제8 항에 있어서,
상기 제1 밸브 및 상기 제4 밸브와 연결되는 제1 공정 가스 전처리부; 및
상기 제2 밸브 및 상기 제5 밸브와 연결되는 제2 공정 가스 전처리부를 더 포함하고,
상기 제1 공정 가스 전처리부는 상기 제1 밸브로부터 제공받은 상기 제1 가스 또는 상기 제4 밸브로부터 제공받은 상기 제2 가스를 전처리하여 상기 제1 공정 가스 공급부에 제공하고,
상기 제2 공정 가스 전처리부는 상기 제2 밸브로부터 제공받은 상기 제1 가스 또는 상기 제5 밸브로부터 제공받은 상기 제2 가스를 전처리하여 상기 제2 공정 가스 공급부에 제공하는, 가스 공급 장치.According to claim 8,
a first process gas preprocessor connected to the first valve and the fourth valve; and
Further comprising a second process gas pre-processor connected to the second valve and the fifth valve,
The first process gas preprocessing unit pre-processes the first gas supplied from the first valve or the second gas supplied from the fourth valve and provides it to the first process gas supply unit;
Wherein the second process gas pre-processing unit pre-processes the first gas supplied from the second valve or the second gas supplied from the fifth valve and supplies the second process gas supply unit to the gas supply unit. 제1 가스를 저장하는 제1 가스 저장부와,
상기 제1 가스 저장부와 연결되고, 상기 제1 가스의 유량을 제어하는 제1 유량 제어부와,
상기 제1 유량 제어부로부터 제공받은 상기 제1 가스를 제1 공정 가스 공급 유닛과 제2 밸브 중 어느 하나에 선택적으로 공급하는 제1 밸브와,
상기 제1 밸브로부터 제공받은 상기 제1 가스를 제2 공정 가스 공급 유닛에 제공하는 제2 밸브를 포함하는 가스 공급부; 및
상기 제1 공정 가스 공급 유닛으로부터 제공받은 상기 제1 가스를 이용해 기판을 제1 공정 처리하고, 상기 제2 공정 가스 공급 유닛으로부터 제공받은 상기 제1 가스를 이용해 기판을 상기 제1 공정과 다른 제2 공정 처리하는 챔버를 포함하되,
상기 제1 공정 가스 공급 유닛은, 상기 제1 밸브로부터 제공받은 상기 제1 가스를 상기 챔버에 제공하고,
상기 제2 공정 가스 공급 유닛은, 상기 제2 밸브로부터 제공받은 상기 제1 가스를 상기 챔버에 제공하고,
상기 제1 밸브는 3-way 밸브를 포함하고,
상기 제2 밸브는 2-way 밸브를 포함하는, 기판 처리 장치.a first gas storage unit for storing a first gas;
A first flow control unit connected to the first gas storage unit and controlling a flow rate of the first gas;
A first valve selectively supplying the first gas supplied from the first flow control unit to one of a first process gas supply unit and a second valve;
a gas supply unit including a second valve supplying the first gas supplied from the first valve to a second process gas supply unit; and
A substrate is treated in a first process using the first gas supplied from the first process gas supply unit, and the substrate is treated in a second process different from the first process using the first gas supplied from the second process gas supply unit. Including a process processing chamber,
The first process gas supply unit supplies the first gas supplied from the first valve to the chamber;
The second process gas supply unit supplies the first gas supplied from the second valve to the chamber;
The first valve includes a 3-way valve,
The second valve includes a 2-way valve, the substrate processing apparatus. 제10 항에 있어서,
상기 제1 밸브의 상기 제1 공정 가스 공급 유닛과 상기 제2 밸브에 대한 연결을 제어하는 밸브 제어부를 더 포함하고,
상기 밸브 제어부는,
상기 제1 밸브와 상기 제1 공정 가스 공급 유닛을 연결하고, 상기 제1 밸브와 상기 제2 밸브의 연결을 차단하여 상기 제1 밸브로부터 상기 제1 가스를 상기 제1 공정 가스 공급 유닛에 제공하고,
상기 제1 밸브와 상기 제2 밸브를 연결하고, 상기 제1 밸브와 상기 제1 공정 가스 공급 유닛의 연결을 차단하여 상기 제2 밸브로부터 상기 제1 가스를 상기 제2 공정 가스 공급 유닛에 제공하는, 기판 처리 장치.According to claim 10,
Further comprising a valve control unit for controlling the connection of the first valve to the first process gas supply unit and the second valve,
The valve control unit,
Connecting the first valve and the first process gas supply unit, and disconnecting the first valve and the second valve to provide the first gas from the first valve to the first process gas supply unit; ,
Connecting the first valve and the second valve and disconnecting the first valve and the first process gas supply unit to provide the first gas from the second valve to the second process gas supply unit , substrate processing apparatus.
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