KR20230032169A - 전자 장치 하우징 및 이를 포함하는 전자 장치 - Google Patents
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Abstract
전자 장치 하우징 및 이를 포함하는 전자 장치가 개시된다. 다양한 실시 예에 따르면, 전자 장치 하우징은, 기재부, 인서트부 및 상기 기재부 및 상기 인서트부 사이에 위치하는 탄성층을 포함할 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 상기 기재부는 유리를 포함하고, 상기 탄성층은, 상기 인서트부의 적어도 일부를 덮도록 형성될 수 있다. 그 외에도 다양한 실시 예들이 가능하다.
Description
아래의 개시는 전자 장치 하우징 및 이를 포함하는 전자 장치에 관한 것이다.
전자 장치라 함은, 가전제품으로부터, 전자 수첩, 휴대용 멀티미디어 재생기, 이동통신 단말기, 태블릿 PC, 영상/음향 장치, 데스크탑/랩탑 컴퓨터, 차량용 내비게이션 등, 탑재된 프로그램에 따라 특정 기능을 수행하는 장치를 의미할 수 있다. 예를 들면, 이러한 전자 장치들은 저장된 정보를 음향이나 영상으로 출력할 수 있다. 전자 장치의 집적도가 높아지고, 초고속, 대용량 무선통신이 보편화되면서, 최근에는, 이동통신 단말기와 같은 하나의 전자 장치에 다양한 기능이 탑재될 수 있다. 예를 들면, 통신 기능뿐만 아니라, 게임과 같은 엔터테인먼트 기능, 음악/동영상 재생과 같은 멀티미디어 기능, 모바일 뱅킹 등을 위한 통신 및 보안 기능, 일정 관리나 전자 지갑 등의 기능이 하나의 전자 장치에 집약되고 있다.
전자 장치는 다양한 재질로 마련된 하우징 및 지지부재를 포함하고, 전자 장치 하우징 및 지지부재는 외부 충격으로부터 전자 장치 내부의 부품들을 보호한다. 또한, 전자 장치 하우징 및 지지부재는 사용자가 휴대하기 용이하고, 사용 시 사용자에게 미려감을 제공하도록 제조될 수 있다. 전자 장치 하우징은 금속, 유리 및/또는 세라믹과 같은 다양한 소재를 이용하여 제조될 수 있으나, 이종 소재를 접합하는 경우 쉽게 분리될 수 있고, 체결력을 높이기 위해 접합부의 형상을 복잡하게 하는 경우 제조 공정이 어려워지고 단가가 높아질 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 유리를 포함하는 기재부 및 기재부와 상이한 소재를 포함하는 인서트부를 포함하는 전자 장치 하우징을 제공하고자 한다.
다양한 실시 예에 따르면, 기재부와 인서트부 사이에 위치하는 탄성층을 포함하는 전자 장치 하우징으로서 기재부와 인서트부의 수축 및 팽창에 따라 발생하는 응력을 효과적으로 분산시켜 결합력이 향상된 전자 장치 하우징을 제공하고자 한다.
다양한 실시 예에 따른 전자 장치 하우징은, 유리를 포함하는 기재부, 인서트부 및 기재부 및 인서트부의 사이에 위치하는 탄성층을 포함할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 탄성층은 인서트부의 적어도 일부를 덮도록 형성될 수 있다.
다양한 실시 예에 따른 전자 장치는, 내부의 영역을 포함하도록 전자 장치 하우징을 포함하고, 상기 전자 장치 하우징은, 유리를 포함하는 기재부, 인서트부 및 기재부 및 인서트부의 사이에 위치하는 탄성층을 포함할 수 있다.
다양한 실시 예에 따른 전자 장치 하우징의 제조방법은, 금속 및 세라믹 중 적어도 하나를 포함하는 인서트부를 준비하는 공정, 상기 인서트부의 표면 중 적어도 일 영역 상에 탄성층을 형성하는 공정, 상기 인서트부, 및 유리를 포함하는 기재를 금형에 장입하는 공정, 및 상기 금형을 가열하여 하우징을 형성하는 공정을 포함할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 유리를 포함하는 기재부 및 기재부와 상이한 소재를 포함하는 인서트부를 포함하는 전자 장치 하우징을 제공할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 기재부와 인서트부 사이에 위치하는 탄성층을 포함하는 전자 장치 하우징으로서 기재부와 인서트부의 수축 및 팽창에 따라 발생하는 응력을 효과적으로 분산시켜 결합력이 향상된 전자 장치 하우징을 제공할 수 있다.
도 1은, 일 실시 예에 따른 모바일 전자 장치의 전면의 사시도이다.
도 2는, 도 1의 전자 장치의 후면의 사시도이다.
도 3은, 도 1의 전자 장치의 전개 사시도이다.
도 4는, 다양한 실시 예에 따른, 전자 장치 하우징의 부분 사시도이다.
도 5는, 다양한 실시 예에 따른, 전자 장치 하우징의 부분 단면도이다.
도 6은, 다양한 실시 예에 따른, 전자 장치 하우징의 부분 단면도이다.
도 7은, 다양한 실시 예에 따른, 전자 장치 하우징의 부분 단면도이다.
도 8은, 다양한 실시 예에 따른, 전자 장치 하우징의 부분 단면도이다.
도 9는, 다양한 실시 예에 따른, 전자 장치 하우징의 부분 단면도이다.
도 10은, 다양한 실시 예에 따른, 전자 장치 하우징의 제조 공정 흐름도이다.
도 11은, 다양한 실시 예에 따른, 전자 장치 하우징의 형성 공정 모식도이다.
도 12는, 다양한 실시 예에 따른, 전자 장치 하우징의 공정 흐름도이다.
도 2는, 도 1의 전자 장치의 후면의 사시도이다.
도 3은, 도 1의 전자 장치의 전개 사시도이다.
도 4는, 다양한 실시 예에 따른, 전자 장치 하우징의 부분 사시도이다.
도 5는, 다양한 실시 예에 따른, 전자 장치 하우징의 부분 단면도이다.
도 6은, 다양한 실시 예에 따른, 전자 장치 하우징의 부분 단면도이다.
도 7은, 다양한 실시 예에 따른, 전자 장치 하우징의 부분 단면도이다.
도 8은, 다양한 실시 예에 따른, 전자 장치 하우징의 부분 단면도이다.
도 9는, 다양한 실시 예에 따른, 전자 장치 하우징의 부분 단면도이다.
도 10은, 다양한 실시 예에 따른, 전자 장치 하우징의 제조 공정 흐름도이다.
도 11은, 다양한 실시 예에 따른, 전자 장치 하우징의 형성 공정 모식도이다.
도 12는, 다양한 실시 예에 따른, 전자 장치 하우징의 공정 흐름도이다.
이하, 실시 예들을 첨부된 도면들을 참조하여 상세하게 설명한다. 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 도면 부호에 관계없이 동일한 구성 요소는 동일한 참조 부호를 부여하고, 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1은, 일 실시 예에 따른 모바일 전자 장치의 전면의 사시도이다.
도 2는, 도 1의 전자 장치의 후면의 사시도이다.
도 1 및 2를 참조하면, 일 실시 예에 따른 전자 장치(100)는, 제1 면(또는 전면)(110A), 제2 면(또는 후면)(110B), 및 제1 면(110A) 및 제2 면(110B) 사이의 공간을 둘러싸는 측면(110C)을 포함하는 하우징(110)을 포함할 수 있다. 다른 실시 예(미도시)에서는, 하우징은, 도 1의 제1 면(110A), 제2 면(110B) 및 측면(110C)들 중 일부를 형성하는 구조를 지칭할 수도 있다. 일 실시 예에 따르면, 제1 면(110A)은 적어도 일부분이 실질적으로 투명한 전면 플레이트(102)(예: 다양한 코팅 레이어들을 포함하는 글라스 플레이트, 또는 폴리머 플레이트)에 의하여 형성될 수 있다. 제2 면(110B)은 실질적으로 불투명한 후면 플레이트(111)에 의하여 형성될 수 있다. 상기 후면 플레이트(111)는, 예를 들어, 코팅 또는 착색된 유리, 세라믹, 폴리머, 금속(예: 알루미늄, 스테인레스 스틸(STS), 또는 마그네슘), 또는 상기 물질들 중 적어도 둘의 조합에 의하여 형성될 수 있다. 상기 측면(110C)은, 전면 플레이트(102) 및 후면 플레이트(111)와 결합하며, 금속 및/또는 폴리머를 포함하는 측면 베젤 구조 (또는 “측면 부재”)(118)에 의하여 형성될 수 있다. 어떤 실시 예에서는, 후면 플레이트(111) 및 측면 베젤 구조(118)는 일체로 형성되고 동일한 물질(예: 알루미늄과 같은 금속 물질)을 포함할 수 있다.
도시된 실시 예에서는, 상기 전면 플레이트(102)는, 상기 제1 면(110A)으로부터 상기 후면 플레이트(111) 쪽으로 휘어져 심리스하게(seamless) 연장된 2개의 제1 영역(110D)들을, 상기 전면 플레이트(102)의 긴 엣지(long edge) 양단에 포함할 수 있다. 도시된 실시 예(도 2 참조)에서, 상기 후면 플레이트(111)는, 상기 제2 면(110B)으로부터 상기 전면 플레이트(102) 쪽으로 휘어져 심리스하게 연장된 2개의 제2 영역(110E)들을 긴 엣지 양단에 포함할 수 있다. 어떤 실시 예에서는, 상기 전면 플레이트(102)(또는 상기 후면 플레이트(111))가 상기 제1 영역(110D)들(또는 상기 제2 영역(110E)들) 중 하나 만을 포함할 수 있다. 다른 실시 예에서는, 상기 제1 영역(110D)들 또는 제2 영역(110E)들 중 일부가 포함되지 않을 수 있다. 상기 실시 예들에서, 상기 전자 장치(100)의 측면에서 볼 때, 측면 베젤 구조(118)는, 상기와 같은 제1 영역(110D)들 또는 제2 영역(110E)들이 포함되지 않는 측면 쪽에서는 제1 두께(또는 폭)을 가지고, 상기 제1 영역(110D)들 또는 제2 영역(110E)들을 포함한 측면 쪽에서는 상기 제1 두께보다 얇은 제2 두께를 가질 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 영역(110D)들 또는 제2 영역(110E)들은 휘어지지 않고, 상기 제1 면(110A) 또는 상기 제2 면(110B)과 실질적으로 하나의 평면을 형성할 수 있도록, 평면으로 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 전자 장치(100)는, 디스플레이(101), 오디오 모듈(103, 107, 114), 센서 모듈(104, 116, 119), 카메라 모듈(105, 112, 113), 키 입력 장치(117), 발광 소자(106), 및 커넥터 홀(108, 109) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 어떤 실시 예에서는, 전자 장치(100)는, 구성요소들 중 적어도 하나(예: 키 입력 장치(117), 또는 발광 소자(106))를 생략하거나 다른 구성요소를 추가적으로 포함할 수 있다.
디스플레이(101)는, 예를 들어, 전면 플레이트(102)의 상당 부분을 통하여 노출될 수 있다. 어떤 실시 예에서는, 상기 제1 면(110A), 및 상기 측면(110C)의 제1 영역(110D)들을 형성하는 전면 플레이트(102)를 통하여 상기 디스플레이(101)의 적어도 일부가 노출될 수 있다. 어떤 실시 예에서는, 디스플레이(101)의 모서리를 상기 전면 플레이트(102)의 인접한 외곽 형상과 대체로 동일하게 형성할 수 있다. 다른 실시 예(미도시)에서는, 디스플레이(101)가 노출되는 면적을 확장하기 위하여, 디스플레이(101)의 외곽과 전면 플레이트(102)의 외곽간의 간격이 대체로 동일하게 형성될 수 있다.
다른 실시 예(미도시)에서는, 디스플레이(101)의 화면 표시 영역의 일부에 리세스 또는 개구부(opening)를 형성하고, 상기 리세스 또는 상기 개구부(opening)와 정렬되는 오디오 모듈(114), 센서 모듈(104), 카메라 모듈(105), 및 발광 소자(106) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 다른 실시 예(미도시)에서는, 디스플레이(101)의 화면 표시 영역의 배면에, 오디오 모듈(114), 센서 모듈(104), 카메라 모듈(105), 지문 센서(116), 및 발광 소자(106) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 다른 실시 예(미도시)에서는, 디스플레이(101)는, 터치 감지 회로, 터치의 세기(압력)를 측정할 수 있는 압력 센서, 및/또는 자기장 방식의 스타일러스 펜을 검출하는 디지타이저와 결합되거나 인접하여 배치될 수 있다. 어떤 실시 예에서는, 상기 센서 모듈(104, 119)의 적어도 일부, 및/또는 키 입력 장치(117)의 적어도 일부가, 상기 제1 영역(110D)들, 및/또는 상기 제2 영역(110E)들에 배치될 수 있다.
오디오 모듈(103, 107, 114)은, 마이크 홀(103) 및 스피커 홀(107, 114)을 포함할 수 있다. 마이크 홀(103)은 외부의 소리를 획득하기 위한 마이크가 내부에 배치될 수 있고, 어떤 실시 예에서는 소리의 방향을 감지할 수 있도록 복수개의 마이크가 배치될 수 있다. 스피커 홀(107, 114)은, 외부 스피커 홀(107) 및 통화용 리시버 홀(114)을 포함할 수 있다. 어떤 실시 예에서는 스피커 홀(107, 114)과 마이크 홀(103)이 하나의 홀로 구현되거나, 스피커 홀(107, 114) 없이 스피커가 포함될 수 있다(예: 피에조 스피커).
센서 모듈(104, 116, 119)은, 전자 장치(100)의 내부의 작동 상태, 또는 외부의 환경 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 센서 모듈(104, 116, 119)은, 예를 들어, 하우징(110)의 제1 면(110A)에 배치된 제1 센서 모듈(104)(예: 근접 센서) 및/또는 제2 센서 모듈(미도시)(예: 지문 센서), 및/또는 상기 하우징(110)의 제2 면(110B)에 배치된 제3 센서 모듈(119)(예: HRM 센서) 및/또는 제4 센서 모듈(116)(예: 지문 센서)을 포함할 수 있다. 상기 지문 센서는 하우징(110)의 제1면(110A)(예: 디스플레이(101) 뿐만 아니라 제2면(110B)에 배치될 수 있다. 전자 장치(100)는, 도시되지 않은 센서 모듈, 예를 들어, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서(104) 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
카메라 모듈(105, 112, 113)은, 전자 장치(100)의 제1 면(110A)에 배치된 제1 카메라 장치(105), 및 제2 면(110B)에 배치된 제2 카메라 장치(112), 및/또는 플래시(113)를 포함할 수 있다. 상기 카메라 장치들(105, 112)은, 하나 또는 복수의 렌즈들, 이미지 센서, 및/또는 이미지 시그널 프로세서를 포함할 수 있다. 플래시(113)는, 예를 들어, 발광 다이오드 또는 제논 램프(xenon lamp)를 포함할 수 있다. 어떤 실시 예에서는, 2개 이상의 렌즈들(적외선 카메라, 광각 및 망원 렌즈) 및 이미지 센서들이 전자 장치(100)의 한 면에 배치될 수 있다.
키 입력 장치(117)는, 하우징(110)의 측면(110C)에 배치될 수 있다. 다른 실시 예에서는, 전자 장치(100)는 상기 언급된 키 입력 장치(117) 중 일부 또는 전부를 포함하지 않을 수 있고 포함되지 않은 키 입력 장치(117)는 디스플레이(101) 상에 소프트 키 등 다른 형태로 구현될 수 있다. 어떤 실시 예에서, 키 입력 장치는 하우징(110)의 제2면(110B)에 배치된 센서 모듈(116)을 포함할 수 있다.
발광 소자(106)는, 예를 들어, 하우징(110)의 제1 면(110A)에 배치될 수 있다. 발광 소자(106)는, 예를 들어, 전자 장치(100)의 상태 정보를 광 형태로 제공할 수 있다. 다른 실시 예에서는, 발광 소자(106)는, 예를 들어, 카메라 모듈(105)의 동작과 연동되는 광원을 제공할 수 있다. 발광 소자(106)는, 예를 들어, LED, IR LED 및 제논 램프를 포함할 수 있다.
커넥터 홀(108, 109)은, 외부 전자 장치와 전력 및/또는 데이터를 송수신하기 위한 커넥터(예를 들어, USB 커넥터)를 수용할 수 있는 제1 커넥터 홀(108), 및/또는 외부 전자 장치와 오디오 신호를 송수신하기 위한 커넥터를 수용할 수 있는 제2 커넥터 홀(예를 들어, 이어폰 잭)(109)을 포함할 수 있다.
도 3은, 도 1의 전자 장치의 전개 사시도이다. 도 3을 참조하면, 전자 장치(300)는, 측면 베젤 구조(310), 제1 지지부재(311)(예: 브라켓), 전면 플레이트(320), 디스플레이(330), 인쇄 회로 기판(340), 배터리(350), 제2 지지부재(360)(예: 리어 케이스), 안테나(370), 및 후면 플레이트(380)를 포함할 수 있다. 어떤 실시 예에서는, 전자 장치(300)는, 구성요소들 중 적어도 하나(예: 제1 지지부재(311), 또는 제2 지지부재(360))를 생략하거나 다른 구성요소를 추가적으로 포함할 수 있다. 전자 장치(300)의 구성요소들 중 적어도 하나는, 도 1, 또는 도 2의 전자 장치(100)의 구성요소들 중 적어도 하나와 동일, 또는 유사할 수 있으며, 중복되는 설명은 이하 생략한다.
제1 지지부재(311)는, 전자 장치(300) 내부에 배치되어 측면 베젤 구조(310)와 연결될 수 있거나, 측면 베젤 구조(310)와 일체로 형성될 수 있다. 제1 지지부재(311)는, 예를 들어, 금속 재질 및/또는 비금속 (예: 폴리머) 재질로 형성될 수 있다. 제1 지지부재(311)는, 일면에 디스플레이(330)가 결합되고 타면에 인쇄 회로 기판(340)이 결합될 수 있다. 인쇄 회로 기판(340)에는, 프로세서, 메모리, 및/또는 인터페이스가 장착될 수 있다. 프로세서는, 예를 들어, 중앙처리장치, 어플리케이션 프로세서, 그래픽 처리 장치, 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서 중 하나 또는 그 이상을 포함할 수 있다.
메모리는, 예를 들어, 휘발성 메모리 또는 비휘발성 메모리를 포함할 수 있다.
인터페이스는, 예를 들어, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 및/또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다. 인터페이스는, 예를 들어, 전자 장치(300)를 외부 전자 장치와 전기적 또는 물리적으로 연결시킬 수 있으며, USB 커넥터, SD 카드/MMC 커넥터, 또는 오디오 커넥터를 포함할 수 있다.
배터리(350)는 전자 장치(300)의 적어도 하나의 구성 요소에 전력을 공급하기 위한 장치로서, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 또는 재충전 가능한 2차 전지, 또는 연료 전지를 포함할 수 있다. 배터리(350)의 적어도 일부는, 예를 들어, 인쇄 회로 기판(340)과 실질적으로 동일 평면 상에 배치될 수 있다. 배터리(350)는 전자 장치(300) 내부에 일체로 배치될 수 있고, 전자 장치(300)와 탈부착 가능하게 배치될 수도 있다.
안테나(370)는, 후면 플레이트(380)와 배터리(350) 사이에 배치될 수 있다. 안테나(370)는, 예를 들어, NFC(near field communication) 안테나, 무선 충전 안테나, 및/또는 MST(magnetic secure transmission) 안테나를 포함할 수 있다. 안테나(370)는, 예를 들어, 외부 장치와 근거리 통신을 하거나, 충전에 필요한 전력을 무선으로 송수신 할 수 있다. 다른 실시 예에서는, 측면 베젤 구조(310) 및/또는 상기 제1 지지부재(311)의 일부 또는 그 조합에 의하여 안테나 구조가 형성될 수 있다. 본 발명의 다양한 실시 예에 따른 전자 장치(100)는 바 타입, 폴더블 타입, 롤러블 타입, 슬라이딩 타입, 웨어러블 타입, 태블릿 PC 및/또는 노트북 PC와 같은 전자 장치를 포함할 수 있다. 본 발명의 다양한 실시 예에 따른 전자 장치(100)는 상술한 예에 한정되지 않고, 다른 다양한 전자 장치를 포함할 수 있다.
도 4는, 다양한 실시 예에 따른, 전자 장치 하우징의 부분 사시도이다.
도 4에 따른 전자 장치 하우징(400)은, 도 3에 따른 전자 장치 하우징(예:전면 플레이트(320) 및/또는 후면 플레이트(380))의 일부를 확대하여 도시한 것일 수 있다. 도 4를 참조하면, 전자 장치 하우징(400)은, 기재부(410) 및 인서트부(420)를 포함할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 전면 플레이트(예: 도 3의 전면 플레이트(320)) 또는 후면 플레이트(예: 도 3의 후면 플레이트(380))는, 다양한 모듈(예: 도 1 및 2의 카메라 모듈(105, 112, 113), 센서 모듈(103, 116, 119), 오디오 모듈(114))을 위한 공동(cavity) 영역을 포함할 수 있다.
도 4를 참조하면, 전자 장치 하우징(400)은, 기재부(410), 인서트부(420), 및 기재부(410)와 인서트부(420)의 계면에 위치하는 탄성층(미도시)을 포함할 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 전자 장치 하우징(400)은 다양한 모듈(예: 도 2의 카메라 모듈(112, 113), 센서 모듈(116, 119))을 위한 공간을 제공할 수 있는 형상으로서 기재부(410) 및 인서트부(420)를 포함할 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 기재부(410) 및 인서트부(420)는, 각각 상이한 소재를 포함할 수 있고, 전자 장치 하우징(400)은 일체형의 기재부(410) 및 인서트부(420)를 포함할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 기재부(410)는 유리(glass)를 포함하는 것일 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 전자 장치 하우징(400)은 기재부(410)에 포함되는 유리의 용융점(melting point) 이상에서 성형되는 것이고, 인서트부(420)와 일체형으로 형성될 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 인서트부(420)는 금속 및 세라믹 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 인서트부(420)는 스테인레스 스틸, 티타늄, 알루미늄 합금 및 세라믹 중 적어도 하나를 포함할 수 있고, 인서트부(420)는 기재부(410)보다 팽창계수가 큰 것일 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 인서트부(420)는 스테인레스 스틸, 예를 들어 SUS 304L 및/또는 SUS 316L을 포함할 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 인서트부(420)는 저탄소 스테인레스 스틸을 포함하는 것일 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 인서트부(420)는 알루미늄 합금을 포함할 수 있고, 이 때 알루미늄 합금은 표면에 TaC 및 SiC 중 적어도 하나를 포함하는 내열 코팅이 형성되는 것일 수 있다.
도 5는, 다양한 실시 예에 따른, 전자 장치 하우징의 부분 단면도이다.
도 5에 따른 전자 장치 하우징(500)의 단면은, 도 4에 따른 전자 장치 하우징(400)을 A-A'선을 따라 절단하여 나타나는 단면을 도시한 것일 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 전자 장치 하우징(500)(도 4의 전자 장치 하우징(400))은, 기재부(510)(도 4의 기재부(410)), 인서트부(520)(도 4의 인서트부(420)) 및 탄성층(530)을 포함할 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 탄성층(530)은 기재부(510) 및 인서트부(520)의 사이에 위치하고, 인서트부(520)의 적어도 일부를 덮도록 형성될 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 전자 장치 하우징(500)은 금형을 이용하여 주조되는 것이고, 인서트부(520)를 장입한 금형에 유리를 이용하여 기재부(510)가 인서트부(520)를 감싸도록 전자 장치 하우징(500)을 형성하는 것일 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 탄성층(530)의 두께는, 금형 주조 시의 기재부(510)의 팽창량과 인서트부(520)의 팽창량을 고려하여 결정되는 것일 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 탄성층(530)의 두께는, 기재부(510)의 팽창량과 인서트부(520)의 팽창량의 합에 비해 1.5배 내지 10배인 것일 수 있다. 이 때, 기재부(510)와 인서트부(520)의 팽창량은, 각각의 팽창계수와 초기 치수 및 온도 변화의 곱으로 계산될 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 팽창계수는 선팽창계수인 것일 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 탄성층(530)의 두께는, 0.5 ㎜ 내지 10 ㎜인 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
다양한 실시 예에 따르면, 기재부(510) 및 인서트부(520)의 계면에는 탄성층(530)이 위치할 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 탄성층(530)은 기재부(510)와 인서트부(520)의 온도에 따른 팽창 및 수축을 완화시키기 위해 기재부(510)와 인서트부(520) 사이에 구비될 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 탄성층(530)은 외부로부터 받는 충격(예: 낙하 시의 충격)을 분산시켜 기재부(510) 및 인서트부(520)가 분리되지 않도록 할 수 있고, 인서트부(520)가 전자 장치 하우징(500)으로부터 이탈하지 않도록 높은 접착력을 가지는 것일 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 기재부(510)와 인서트부(520)는 온도에 따른 수축 및 팽창률이 상이한 것일 수 있고, 탄성층(530)은 기재부(510)와 인서트부(520) 사이에 위치할 수 있어 인서트부(520)의 금형에서의 끼임을 감소시킬 수 있고, 사용 환경(예: 고온에서의 사용, 저온에서의 사용)에 따른 수축 및 팽창에 따라 발생하는 누적 피로를 분산시켜 기재부(510)와 인서트부(520)의 파손 및/또는 이탈을 감소시킬 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 탄성층(530)은 전자 장치의 잦은 충격과 진동에 의해 발생하는 피로 및 응력을 분산시켜 기재부(510)와 인서트부(520)의 파손 및/또는 이탈을 감소시킬 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 기재부(510)는 유리를 포함하는 것이고, 기재부(510)에 포함되는 유리의 연화점(softening point)은 750 ℃ 이하인 것일 수 있다. 연화점이란 용융점(melting point) 또는 유리 전이온도(glass transition temperature)와는 달리 시편이 녹기 시작하는 전 단계를 의미하는 것으로서, VST 연화점(Vicat softening point) (ASTM D 1525), HDT 연화점(heat distortion temperature) (ASTM D 648), 또는 TMA 연화점 (ASTM E 2347)과 같이 측정될 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 기재부(510)에 포함되는 유리는, 연화점이 750 ℃ 이하, 740 ℃ 이하, 730 ℃ 이하, 720 ℃ 이하, 710 ℃ 이하, 700 ℃ 이하, 690 ℃ 이하, 680 ℃ 이하, 670 ℃ 이하, 660 ℃ 이하, 또는 650 ℃ 이하일 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 기재부(510)는 연화점이 750 ℃ 이하인 유리를 고온 고압 하에서 성형하여 제조되는 것일 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 기재부(510)는 금속 산화물 및/또는 세라믹 산화물을 포함할 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 기재부(510)는, Al2O3, Li2O, Na2O 및 B2O3 중 적어도 하나를 5 중량% 내지 35 중량% 포함할 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 기재부(510)는 Al2O3, Li2O 및 Na2O 중 적어도 하나를 포함할 수 있고, 일 실시 예에 다르면, Al2O3을 약 15 중량% 내지 25 중량%, Li2O를 2 중량% 내지 10 중량% 및 Na2O를 5 중량% 내지 15 중량% 포함할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 기재부(510)는 B2O3을 더 포함할 수 있고, 기재부(510)의 용융점을 낮추고 강성을 높일 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 기재부(510)는 B2O3을 3 중량% 내지 20 중량% 포함할 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 기재부(510)는 Schott 社의 XensationUpTM을 포함할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 기재부(510)는 금속 산화물 및/또는 세라믹 산화물을 포함하는 유리로 형성되는 것일 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 기재부(510)에 포함되는 유리는, Al2O3, Li2O, Na2O 및 B2O3 중 적어도 하나의 첨가 성분을 포함하고, 잔부는 SiO2를 포함하는 것일 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 기재부(510)와 인서트부(520)는 팽창계수의 차이가 10 × 10-6 m/(m ℃) 이상일 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 기재부(510)는 인서트부(520)보다 팽창계수가 작은 것일 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 기재부(510)의 팽창계수는 5 × 10-6 m/(m ℃) 내지 10 × 10-6 m/(m ℃)일 수 있고, 인서트부(520)의 팽창계수는 15 × 10-6 m/(m ℃) 내지 25 × 10-6 m/(m ℃)일 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 기재부(510)와 인서트부(520)는 팽창계수가 상이할 수 있고, 온도에 따른 팽창률 차이에 의해 기재부(510)와 인서트부(520) 사이에서 발생하는 응력은 탄성층(530)에 의해 완화될 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 팽창계수는 선팽창계수인 것일 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 기재부(510)의 팽창계수는, 인서트부(520)의 팽창계수의 0.4배 내지 0.8배일 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 기재부(510)의 팽창계수와 인서트부(520)의 팽창계수의 비는, 1 : 1.2 내지 1 : 2.5일 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 기재부(510)와 인서트부(520)는 물리적으로 비접촉인 것일 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 탄성층(530)은 인서트부(520)의 표면 중 적어도 일부를 덮도록 구비되는 것일 수 있고, 인서트부(520)는 기재부(510)와 닿는 면을 전부 덮도록 탄성층(530)이 도포되어 기재부(510)와 인서트부(520)가 실질적으로 접촉하지 않는 것일 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 탄성층(530)은 실리콘 및 세라믹 섬유 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 탄성층(530)은 녹는점이 높아 고온에 대한 내열성이 우수할 수 있고, 기재부(510)에 포함되는 유리보다 녹는점이 높아 하우징의 형성 공정에서 용융되지 않는 것일 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 탄성층(530)은 다양한 색상을 가지는 것일 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 탄성층(530)은 투명한 것일 수 있고, 색을 가지는 것일 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 탄성층(530)은 인서트부(520)와 유사한 색상을 가져 전자 장치 하우징(500)의 외관이 점진적인 색 변화를 나타낼 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 탄성층(530)은 인서트부(520)와 대조되는 색상을 가져 인서트부(520)가 전자 장치 하우징(500)에서 강조되는 외관을 가질 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 탄성층(530)의 색상을 조절하여 전자 장치 하우징(500) 및 이를 포함하는 전자 장치를 사용하는 사용자로 하여금 미려감을 느낄 수 있게 할 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 탄성층(530)은 투명한 실리콘 수지 및/또는 세라믹 섬유를 포함할 수 있고, 불투명한 잉크(예: 아크릴계 잉크(acrylic ink))를 이용하여 투명하거나 다양한 색상을 가지는 탄성층(530)을 제조할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 탄성층(530)은 기재부(510)와 인서트부(520) 사이에 위치하는 것이고, 인서트부(520)의 표면 중 탄성층(530)이 형성되는 부분 또는 면은, 표면처리되어 0.1 ㎛ 내지 20 ㎛의 평균 표면거칠기(Ra)를 가지는 것일 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 인서트부(520)의 표면처리는 블라스팅 및/또는 헤어라인과 같은 기계적 표면처리 방법에 의해 수행될 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 인서트부(520)의 표면을 표면처리함으로써 인서트부(520)에 거칠기를 부여함으로써 기재부(510)와 인서트부(520) 사이의 접합 고정 상태를 강화할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 탄성층(530)은 그 표면에 내열 코팅을 포함하고, 내열 코팅은 TaC 및 SiC 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, TaC 및 SiC 중 적어도 하나는, 2500 ℃ 이상의 녹는점을 가지는 것이고, 기재부(510)에 포함되는 유리보다 녹는점이 높은 것일 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 탄성층(530)은 실리콘 및/또는 세라믹 섬유를 포함하고, 그 표면에 TaC 및 SiC 중 적어도 하나를 포함하는 내열 코팅을 포함할 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 탄성층(530)은 실리콘과 세라믹 섬유를 포함하는 것이고, 탄성층(530)의 탄성 계수는, 기재부(510) 및 인서트부(520)의 팽창 및 수축량에 따라 실리콘 및 세라믹 섬유의 함량을 제어하여 결정될 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 탄성층(530)은, 1500 ℃ 이상의 녹는점 및 200 GPa 이상의 탄성계수를 가지는 것일 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 탄성층(530)은 내열 소재를 포함하고, 그 표면에 고온 내열 탄성 코팅을 포함할 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 탄성층(530)은 탄소 섬유 및 탄성 액체를 포함할 수 있다.
도 6은, 다양한 실시 예에 따른, 전자 장치 하우징의 부분 단면도이다.
도 6에 따른 전자 장치 하우징(600)의 단면은, 도 4에 따른 전자 장치 하우징(400)을 A-A'선을 따라 절단하여 나타나는 단면을 도시한 것일 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 전자 장치 하우징(600)(도 5의 전자 장치 하우징(500))은, 기재부(610)(도 5의 기재부(510)), 인서트부(620)(도 5의 인서트부(520)), 탄성층(630)(도 5의 탄성층(530)) 및 접착층(640)을 포함할 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 접착층(640)은 기재부(610) 및 탄성층(630)의 사이에 위치하는 것이고, 바람직하게는 탄성층(630)이 기재부(610)와 접하는 면에 접착층(640)이 형성되어 기재부(610) 및 탄성층(630)이 실질적으로 접촉하지 않는 것일 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 접착층(640)은 유리 분말(glass powder)을 포함할 수 있다. 유리 분말은 기계적 강도와 화학적 내구성이 우수하고, 유리와 금속을 접착 및/또는 부착하기 위해 이용되는 것으로서, 기재부(610) 및 인서트부(620) 사이의 결합력을 향상시킬 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 접착층(640)은 370 ℃ 내지 700 ℃의 유리 전이 온도를 가지는 것일 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 접착층(640)에 포함되는 유리 분말은 370 ℃ 내지 700 ℃의 유리 전이 온도를 가지는 것일 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 유리 분말은 실리카(SiO2) 성분에 다양한 Bi2O3, B2O3, BaO, ZnO, Al2O3 및 P2O5로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 세라믹 산화물을 더 포함하는 것일 수 있다.
도 7은, 다양한 실시 예에 따른, 전자 장치 하우징의 부분 단면도이다.
도 7에 따른 전자 장치 하우징(700)의 단면은, 도 4에 따른 전자 장치 하우징(400)을 A-A'선을 따라 절단하여 나타나는 단면을 도시한 것일 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 전자 장치 하우징(700)(도 5의 전자 장치 하우징(500))은, 기재부(710)(도 5의 기재부(510)), 인서트부(720A, 720B, 720C)(도 5의 인서트부(520)) 및 탄성층(730A, 730B, 730C)(도 5의 탄성층(530))을 포함할 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 탄성층(730A, 730B, 730C)은 탄성층이 형성되는 기재부(710)의 표면 형상 및/또는 인서트부(720A, 720B, 720C)의 표면 형상에 따라 형태가 결정되는 것일 수 있고, 일 실시 예에 따른 탄성층(730A, 730B, 730C)은 요철을 포함하는 것일 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 인서트부(720A, 720B, 730C)의 기재부(710)로부터의 이탈을 방지하기 위해 다양한 형태의 요철이 표면에 포함될 수 있고, 상기 요철은 기재부(710)에서 인서트부(720A)로 들어가는 방향으로 형성되거나 또는 인서트부(720B)에서 기재부(710)로 들어가는 방향으로 형성될 수 있다. 도 7(a)의 일 실시 예에 따르면, 인서트부(720A)는 인서트부(720A)의 외부에서 내부로 함입되는 형태의 측면 요철을 포함할 수 있고, 탄성층(730A)은 상기 함입되는 형태의 측면 요철 형태를 따라 요철을 포함하는 것일 수 있다. 도 7(b)의 일 실시 예에 따르면, 인서트부(720B)는 인서트부(720B)의 내부에서 외부로 돌출되는 형태의 측면 요철을 포함할 수 있고, 탄성층(730B)은 상기 돌출되는 형태의 측면 요철 형태를 따라 요철을 포함하는 것일 수 있다. 도 7(c)의 일 실시 예에 따르면, 인서트부(720C)는 기재부(710) 측의 말단 단면적이 커지도록 형성되는 플랜지(plange) 타입으로 형성되는 것일 수 있고, 탄성층(730C)은 상기 플랜지 타입의 인서트부(720C)를 따라 요철을 포함하는 것일 수 있다.
도 8은, 다양한 실시 예에 따른, 전자 장치 하우징의 부분 단면도이다.
도 8에 따른 전자 장치 하우징(800)의 단면은, 도 4에 따른 전자 장치 하우징(400)을 A-A'선을 따라 절단하여 나타나는 단면을 도시한 것일 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 전자 장치 하우징(800)(도 5의 전자 장치 하우징(500))은, 기재부(810)(도 5의 기재부(510)), 인서트부(820A, 820B)(도 5의 인서트부(520)) 및 탄성층(830A, 830B)(도 5의 탄성층(530))을 포함할 수 있다.
도 8(a) 또는 8(b)의 실시 예에 따르면, 인서트부(820A, 820B)는 표면에 곡면을 포함하여 기재부(810) 및 인서트부(820A, 820B)의 수축 및 팽창에 따른 응력을 분산시킬 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 탄성층(830A, 830B)는 인서트부(820A, 820B)와 기재부(810)가 접촉하지 않도록 인서트부(820A, 820B)의 곡면을 따라 형성될 수 있다.
도 9는, 다양한 실시 예에 따른, 전자 장치 하우징의 부분 단면도이다.
도 9에 따른 전자 장치 하우징(900)의 단면은, 도 4에 따른 전자 장치 하우징(400)을 A-A'선을 따라 절단하여 나타나는 단면을 도시한 것일 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 전자 장치 하우징(900)(도 5의 전자 장치 하우징(500))은, 기재부(910)(도 5의 기재부(510)), 인서트부(920)(도 5의 인서트부(520)) 및 탄성층(930)(도 5의 탄성층(530))을 포함할 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 인서트부(920)는 기재부(910)를 관통하는 것일 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 탄성층(930)은 인서트부(920)의 표면 중 적어도 일부를 덮도록 형성되는 것이고, 탄성층(930)은 기재부(910)와 인서트부(920)의 사이에 위치함으로써 기재부(910)와 인서트부(920)가 실질적으로 물리적 비접촉 상태에 있는 것일 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 유리는, 연화점이 750 ℃ 이하인 것일 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 기재부(예: 도 5의 기재부(510))는, Al2O3, Li2O, Na2O 및 B2O3 중 적어도 하나를 5 중량% 내지 35 중량% 포함하는 것일 수 있다
다양한 실시 예에 따르면, 인서트부(예: 도 5의 인서트부(520))는, 금속 산화물 및 세라믹 산화물 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 기재부(예: 도 5의 기재부(510))와 인서트부(예: 도 5의 인서트부(520))는, 팽창계수의 차이가 10 × 10-6 m/(m ℃) 이상인 것일 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 기재부(예: 도 5의 기재부(510))의 팽창계수는, 인서트부(예: 도 5의 인서트부(520))의 팽창계수의 0.4배 내지 0.8배인 것일 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 기재부(예: 도 5의 기재부(510))및 인서트부(예: 도 5의 인서트부(520))는, 물리적으로 비접촉인 것일 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 기재부(예: 도 6의 기재부(610)) 및 탄성층(예: 도 6의 탄성층(630))의 사이에, 접착층(예: 도 6의 접착층(640))을 더 포함하고, 접착층(예: 도 6의 접착층(640))은, 370 ℃ 내지 700 ℃의 유리 전이 온도를 가지는 것일 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 탄성층(예: 도 5의 탄성층(530))은, 요철을 포함하는 것일 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 탄성층(예: 도 5의 탄성층(530))은, 곡면을 포함하는 것일 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 탄성층(예: 도 5의 탄성층(530)은, 실리콘 및 세라믹 섬유 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 탄성층(예: 도 5의 탄성층(530))은, 그 표면에 내열 코팅을 포함하고, 내열 코팅은, TaC 및 SiC 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 탄성층(예: 도 5의 탄성층(530))은, 1500 ℃ 이상의 녹는점 및 200 GPa 이상의 탄성계수를 가지는 것일 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 인서트부(예: 도 5의 인서트부(520))는, 기재부(예: 도 5의 기재부(510))를 관통하는 것일 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 인서트부(예: 도 5의 인서트부(520))의 탄성층(예: 도 5의 탄성층(530))이 형성되는 부분은, 표면처리되어 0.1 ㎛ 내지 20 ㎛의 평균 표면거칠기(Ra)를 가지는 것일 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 전자 장치 하우징(예: 도 4, 5, 6, 7, 8 또는 9의 전자 장치 하우징(400, 500, 600, 700, 800, 900))으로 전부 또는 일부가 둘러싸인 전자 장치를 제공할 수 있다. 다양한 실시 예에 따른 전자 장치는, 내부의 영역을 포함하도록 전자 장치 하우징(예: 도 4, 5, 6, 7, 8 또는 9의 전자 장치 하우징(400, 500, 600, 700, 800, 900))을 포함하고, 전자 장치 하우징(예: 도 4, 5, 6, 7, 8 또는 9의 전자 장치 하우징(400, 500, 600, 700, 800, 900))은, 유리를 포함하는 기재부(예: 도 4, 5, 6, 7, 8 또는 9의 기재부(410, 510, 610, 710, 810, 910)) 인서트부(예: 도 4, 5, 6, 7, 8 또는 9의 인서트부(420, 520, 620, 720, 820, 920)), 및 상기 기재부 및 상기 인서트부의 사이에 위치하고, 상기 인서트부의 적어도 일부를 덮도록 형성되는, 탄성층(예: 도 5, 6, 7, 8 또는 9의 탄성층(530, 630, 730, 830, 930))을 포함하는 것일 수 있다.
도 10은, 다양한 실시 예에 따른, 전자 장치 하우징의 제조 공정 흐름도이다.
다양한 실시 예에 따른 전자 장치 하우징의 제조방법은, 금속 및 세라믹 중 적어도 하나를 포함하는 인서트부를 준비하는 공정(1010), 상기 인서트부의 표면 중 적어도 일 영역 상에 탄성층을 형성하는 공정(1020), 상기 인서트부, 및 유리를 포함하는 기재를 금형에 장입하는 공정(1030), 및 상기 금형을 가열하여 하우징을 형성하는 공정(1040)을 포함할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 인서트부는, 스테인레스 스틸, 티타늄 및 세라믹 중 적어도 하나를 포함할 수 있고, 다양한 전자 장치의 부품(예: 도 1 및 2의 카메라 모듈(105, 112, 113), 센서 모듈(103, 116, 119), 오디오 모듈(114))을 장치할 수 있도록 설계될 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 탄성층을 형성하는 공정(1020)은 후공정인 하우징을 형성하는 공정(1040)을 고려하여 수행되는 것으로서, 인서트부의 표면 중 적어도 일 영역 상에 탄성층이 형성될 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 전자 장치 하우징은, 하우징을 형성하는 공정(1040)에서 인서트부의 표면 중 기재가 인서트부에 닿을 수 있는 표면에는 탄성층이 형성될 것을 요구할 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 탄성층은 기재와 인서트부의 수축, 팽창 및/또는 외부로부터의 충격(예: 낙하에 의한 충격)에 의한 분리를 완충하거나 방지하기 위해 형성되는 것일 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 탄성층은 기재 및 인서트부와 동시에 접촉하는 것일 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 인서트부, 및 유리를 포함하는 기재를 금형에 장입하는 공정(1030)은 기재 및 인서트부의 열팽창 계수를 고려하여 수행되는 것일 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 금형은 인서트부를 장치할 수 있도록 별도의 장입부를 포함할 수 있다.
도 11은, 다양한 실시 예에 따른, 전자 장치 하우징의 형성 공정 모식도이다.
도 11에 따른 실시 예에 따라 전자 장치 하우징의 형성 공정(도 10의 하우징을 형성하는 공정(1040))이 수행될 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 전자 장치 하우징을 형성하는 공정(1040)은, 금형을 가열하여 기재를 용융시켜 수행될 수 있고, 추가적으로 상부 몰드(1150A)와 하부 몰드(1150B)를 맞닿도록 압력을 가할 수도 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 금형은 상부 몰드(1150A) 및 하부 몰드(1150B)를 포함할 수 있고, 하부 몰드(1150B)는 상부 몰드(1150A)와 대응하도록 설계될 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 하부 몰드(1150B)는 인서트부(1120)를 장치할 수 있도록 별도의 장입부를 포함할 수 있으며, 인서트부(1120)를 하부 몰드(1150B)에 장입한 뒤 유리를 포함하는 기재(1110)를 인서트부(1120) 상에 장착할 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 인서트부(1120)의 표면 중 적어도 일 영역에는 탄성층(미도시)이 형성될 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 하우징의 형성 공정(1040)을 통해 기재(1110)를 가열 및 용융시켜 기재(1110)가 인서트부(1120)와 일체형으로 결합하도록 형성될 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 기재(1110)는 바람직하게는 유리를 포함할 수 있고, 상기 유리의 점도 및 연화점을 낮추기 위해 다양한 첨가 성분(예: Al2O3, Li2O, Na2O, B2O3)가 포함될 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 하우징의 형성 공정(1040)은 금형을 가열 및 가압하여 수행될 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 인서트부(1120) 및 기재(1110)가 장입된 금형을 별도의 열처리 장치에 투입하여 고온으로 가열하여 하우징이 형성될 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 금형의 가열 온도는 기재(1110)의 용융점 이상인 것일 수 있고, 가열 시 인서트부(1120) 및 탄성층(미도시)은 용융되지 않는 것일 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 하우징을 형성하는 공정(1040)은 기재(1110)가 용융되어 하우징의 형상을 형성하는 것일 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 상부 몰드(1150A) 및 하부 몰드(1150B)는 원하는 전자 장치 하우징의 형상을 형성할 수 있도록 설계되는 것이고, 기재(1110)가 용융되어 상부 몰드(1150A)와 하부 몰드(1150B)의 형상에 따라 목적하는 하우징의 형상(예: 도 3의 전면 플레이트(320), 후면 플레이트(380))을 형성할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 탄성층은 기재(1110)와 인서트부(1120)의 수축 및 팽창에 따른 파손을 방지하기 위해 형성되는 것으로서, 탄성층을 형성하는 공정(1020)은, 금형 내에서 기재(1110)가 용융되어 인서트부(1120)와 접촉하는 영역 중 적어도 일부를 덮도록 탄성층이 형성되도록 수행될 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 탄성층은 기재(1110)가 용융되어 인서트부(1120)와 접촉하는 영역을 전부 덮도록 형성될 수 있다.
도 12는, 다양한 실시 예에 따른, 전자 장치 하우징의 공정 흐름도이다.
다양한 실시 예에 따른 전자 장치 하우징의 제조방법은, 금속 및 세라믹 중 적어도 하나를 포함하는 인서트부를 준비하는 공정(1210)(도 10의 인서트부를 준비하는 공정(1010)), 인서트부의 표면 중 적어도 일 영역 상에 탄성층을 형성하는 공정(1220)(도 10의 탄성층을 형성하는 공정(1020)), 인서트부, 및 유리를 포함하는 기재를 금형에 장입하는 공정(1230)(도 10의 인서트부 및 기재를 금형에 장입하는 공정(1030)) 및 금형을 가열하여 하우징을 형성하는 공정(1240)(도 10의 하우징을 형성하는 공정(1040))을 포함할 수 있다.
다양한 실시 예예 따르면, 전자 장치 하우징의 제조방법은, 하우징을 형성하는 공정(1240) 이후에, 하우징을 어닐링하는 공정(1250)을 더 포함할 수 있고, 하우징을 형성하는 공정(1240)은, 700 ℃ 이상의 온도에서 수행되는 것이고, 하우징을 어닐링하는 공정(1250)은, 300 ℃ 내지 650 ℃의 온도에서 수행되는 것일 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 하우징을 형성하는 공정(1240) 및 하우징을 어닐링하는 공정(1250)은, 각각, 몰드 가압 장치에서 수행되는 것일 수 있다. 다양한 실시 예에 따르면, 형성된 하우징은 추가 폴리싱 공정 및/또는 강화 공정이 수행될 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 전자 장치 하우징의 제조방법은, 금속 및 세라믹 중 적어도 하나를 포함하는 인서트부를 준비하는 공정(예: 도 10의 인서트부를 준비하는 공정(1010)), 인서트부의 표면 중 적어도 일 영역 상에 탄성층을 형성하는 공정(예: 도 10의 탄성층을 형성하는 공정(1020)), 인서트부, 및 유리를 포함하는 기재를 금형에 장입하는 공정(예: 도 10의 인서트부 및 기재를 금형에 장입하는 공정(1030)) 및 금형을 가열하여 하우징을 형성하는 공정(예: 도 10의 하우징을 형성하는 공정(1040))을 포함할 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 금형은, 상부 몰드(예: 도 11의 상부 몰드(1150A)) 및 상부 몰드와 대응하는 하부 몰드(예: 도 11의 하부 몰드(1150B))를 포함하는 것이고, 하우징을 형성하는 공정(예: 도 10의 하우징을 형성하는 공정(1040))은, 상기 금형을 가열 및 가압하여 수행되는 것일 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 하우징을 형성하는 공정(예: 도 10의 하우징을 형성하는 공정(1040))은, 기재(예: 도 11의 기재(1110))가 용융되어 하우징의 형상을 형성하는 것이고, 탄성층을 형성하는 공정(예: 도 10의 탄성층을 형성하는 공정(1020))은, 금형 내에서 기재가 용융되어 인서트부(예: 도 11의 인서트부(1120))와 접촉하는 영역 중 적어도 일부를 덮도록 탄성층이 형성되는 것일 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 하우징을 형성하는 공정(예: 도 12의 하우징을 형성하는 공정(1240)) 이후에, 하우징을 어닐링하는 공정(예: 도 12의 하우징을 어닐링하는 공정(1250))을 더 포함하고, 하우징을 형성하는 공정은, 700 ℃ 이상의 온도에서 수행되는 것이고, 어닐링하는 공정은, 300 ℃ 내지 650 ℃의 온도에서 수행되는 것일 수 있다.
본 문서에 개시된 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치는 다양한 형태의 장치가 될 수 있다. 전자 장치는, 예를 들면, 휴대용 통신 장치(예: 스마트폰), 컴퓨터 장치, 휴대용 멀티미디어 장치, 휴대용 의료 기기, 카메라, 웨어러블 장치, 또는 가전 장치를 포함할 수 있다. 본 문서의 실시 예에 따른 전자 장치는 전술한 기기들에 한정되지 않는다.
본 문서의 다양한 실시 예들 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술적 특징들을 특정한 실시 예들로 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시 예의 다양한 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 또는 관련된 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다. 아이템에 대응하는 명사의 단수 형은 관련된 문맥상 명백하게 다르게 지시하지 않는 한, 상기 아이템 한 개 또는 복수 개를 포함할 수 있다. 본 문서에서, "A 또는 B", "A 및 B 중 적어도 하나", "A 또는 B 중 적어도 하나", "A, B 또는 C", "A, B 및 C 중 적어도 하나", 및 "A, B, 또는 C 중 적어도 하나"와 같은 문구들 각각은 그 문구들 중 해당하는 문구에 함께 나열된 항목들 중 어느 하나, 또는 그들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. "제1", "제2", 또는 "첫째" 또는 "둘째"와 같은 용어들은 단순히 해당 구성요소를 다른 해당 구성요소와 구분하기 위해 사용될 수 있으며, 해당 구성요소들을 다른 측면(예: 중요성 또는 순서)에서 한정하지 않는다. 어떤(예: 제1) 구성요소가 다른(예: 제2) 구성요소에, "기능적으로" 또는 "통신적으로"라는 용어와 함께 또는 이런 용어 없이, "커플드" 또는 "커넥티드"라고 언급된 경우, 그것은 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로(예: 유선으로), 무선으로, 또는 제3 구성요소를 통하여 연결될 수 있다는 것을 의미한다.
본 문서의 다양한 실시 예들에서 사용된 용어 "모듈"은 하드웨어, 소프트웨어 또는 펌웨어로 구현된 유닛을 포함할 수 있으며, 예를 들면, 로직, 논리 블록, 부품, 또는 회로와 같은 용어와 상호 호환적으로 사용될 수 있다. 모듈은, 일체로 구성된 부품 또는 하나 또는 그 이상의 기능을 수행하는, 상기 부품의 최소 단위 또는 그 일부가 될 수 있다. 예를 들면, 일실시 예에 따르면, 모듈은 ASIC(application-specific integrated circuit)의 형태로 구현될 수 있다.
다양한 실시 예들에 따르면, 상기 기술한 구성요소들의 각각의 구성요소(예: 모듈 또는 프로그램)는 단수 또는 복수의 개체를 포함할 수 있으며, 복수의 개체 중 일부는 다른 구성요소에 분리 배치될 수도 있다. 다양한 실시 예들에 따르면, 전술한 해당 구성요소들 중 하나 이상의 구성요소들 또는 동작들이 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 구성요소들 또는 동작들이 추가될 수 있다. 대체적으로 또는 추가적으로, 복수의 구성요소들(예: 모듈 또는 프로그램)은 하나의 구성요소로 통합될 수 있다. 이런 경우, 통합된 구성요소는 상기 복수의 구성요소들 각각의 구성요소의 하나 이상의 기능들을 상기 통합 이전에 상기 복수의 구성요소들 중 해당 구성요소에 의해 수행되는 것과 동일 또는 유사하게 수행할 수 있다. 다양한 실시 예들에 따르면, 모듈, 프로그램 또는 다른 구성요소에 의해 수행되는 동작들은 순차적으로, 병렬적으로, 반복적으로, 또는 휴리스틱하게 실행되거나, 상기 동작들 중 하나 이상이 다른 순서로 실행되거나, 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 동작들이 추가될 수 있다.
100: 전자 장치
101: 디스플레이
102: 전면 플레이트
103: 마이크 홀
104, 116, 119: 센서 모듈
105, 112, 113: 카메라 모듈
107, 114: 오디오 모듈
108, 109: 커넥터 홀
110A: 제1 면
110B: 제2 면
110C: 측면
110D: 제1 영역
110E: 제2 영역
111: 후면 플레이트
112, 113: 카메라 모듈
117: 키입력 장치
300: 전자 장치
310: 측면 베젤 구조
311: 제1 지지부재
320: 전면 플레이트
330: 디스플레이
340: 인쇄 회로 기판
350: 배터리
360: 제2 지지부재
370: 안테나
380: 후면 플레이트
400, 500, 600, 700, 800, 900: 전자 장치 하우징
410, 510, 610, 710, 810, 910: 기재부
420, 520, 620, 720A, 720B, 730C, 820A, 820B, 920: 인서트부
530, 630, 730A, 730B, 730C, 830A, 830B, 930: 탄성층
640: 접착층
1110: 기재
1120: 인서트부
1150A: 상부 몰드
1150B: 하부 몰드
101: 디스플레이
102: 전면 플레이트
103: 마이크 홀
104, 116, 119: 센서 모듈
105, 112, 113: 카메라 모듈
107, 114: 오디오 모듈
108, 109: 커넥터 홀
110A: 제1 면
110B: 제2 면
110C: 측면
110D: 제1 영역
110E: 제2 영역
111: 후면 플레이트
112, 113: 카메라 모듈
117: 키입력 장치
300: 전자 장치
310: 측면 베젤 구조
311: 제1 지지부재
320: 전면 플레이트
330: 디스플레이
340: 인쇄 회로 기판
350: 배터리
360: 제2 지지부재
370: 안테나
380: 후면 플레이트
400, 500, 600, 700, 800, 900: 전자 장치 하우징
410, 510, 610, 710, 810, 910: 기재부
420, 520, 620, 720A, 720B, 730C, 820A, 820B, 920: 인서트부
530, 630, 730A, 730B, 730C, 830A, 830B, 930: 탄성층
640: 접착층
1110: 기재
1120: 인서트부
1150A: 상부 몰드
1150B: 하부 몰드
Claims (20)
- 유리를 포함하는 기재부;
인서트부; 및
상기 기재부 및 상기 인서트부의 사이에 위치하고, 상기 인서트부의 적어도 일부를 덮도록 형성되는, 탄성층;을 포함하는,
전자 장치 하우징.
- 제1항에 있어서,
상기 유리는, 연화점이 750 ℃ 이하인 것인,
전자 장치 하우징.
- 제1항에 있어서,
상기 기재부는, Al2O3, Li2O, Na2O 및 B2O3 중 적어도 하나를 5 중량% 내지 35 중량% 포함하는 것인,
전자 장치 하우징.
- 제1항에 있어서,
상기 인서트부는, 금속 및 세라믹 중 적어도 하나를 포함하는 것인,
전자 장치 하우징.
- 제1항에 있어서,
상기 기재부와 상기 인서트부는, 팽창계수의 차이가 10 × 10-6 m/(m ℃) 이상인 것인,
전자 장치 하우징.
- 제1항에 있어서,
상기 기재부의 팽창계수는, 상기 인서트부의 팽창계수의 0.4배 내지 0.8배인 것인,
전자 장치 하우징.
- 제1항에 있어서,
상기 기재부 및 상기 인서트부는, 물리적으로 비접촉인 것인,
전자 장치 하우징.
- 제1항에 있어서,
상기 기재부 및 상기 탄성층의 사이에, 접착층을 더 포함하고,
상기 접착층은, 370 ℃ 내지 700 ℃의 유리 전이 온도를 가지는 것인,
전자 장치 하우징.
- 제1항에 있어서,
상기 탄성층은, 요철을 포함하는 것인,
전자 장치 하우징.
- 제1항에 있어서,
상기 탄성층은, 곡면을 포함하는 것인,
전자 장치 하우징.
- 제1항에 있어서,
상기 탄성층은, 실리콘 및 세라믹 섬유 중 적어도 하나를 포함하는 것인,
전자 장치 하우징.
- 제1항에 있어서,
상기 탄성층은, 그 표면에 내열 코팅을 포함하고,
상기 내열 코팅은, TaC 및 SiC 중 적어도 하나를 포함하는 것인,
전자 장치 하우징.
- 제1항에 있어서,
상기 탄성층은, 1500 ℃ 이상의 녹는점 및 200 GPa 이상의 탄성계수를 가지는 것인,
전자 장치 하우징.
- 제1항에 있어서,
상기 인서트부는, 상기 기재부를 관통하는 것인,
전자 장치 하우징.
- 제1항에 있어서,
상기 인서트부의 상기 탄성층이 형성되는 부분은, 표면처리되어 0.1 ㎛ 내지 20 ㎛의 평균 표면거칠기(Ra)를 가지는 것인,
전자 장치 하우징.
- 전자 장치에 있어서,
상기 전자 장치는, 내부의 영역을 포함하도록 전자 장치 하우징을 포함하고,
상기 전자 장치 하우징은,
유리를 포함하는 기재부;
인서트부; 및
상기 기재부 및 상기 인서트부의 사이에 위치하고, 상기 인서트부의 적어도 일부를 덮도록 형성되는, 탄성층;을 포함하는 것인,
전자 장치.
- 금속 및 세라믹 중 적어도 하나를 포함하는 인서트부를 준비하는 공정;
상기 인서트부의 표면 중 적어도 일 영역 상에 탄성층을 형성하는 공정;
상기 인서트부, 및 유리를 포함하는 기재를 금형에 장입하는 공정; 및
상기 금형을 가열하여 하우징을 형성하는 공정;을 포함하는,
전자 장치 하우징의 제조방법.
- 제17항에 있어서,
상기 금형은, 상부 몰드 및 상기 상부 몰드와 대응하는 하부 몰드를 포함하는 것이고,
상기 하우징을 형성하는 공정은, 상기 금형을 가열 및 가압하여 수행되는 것인,
전자 장치 하우징의 제조방법.
- 제17항에 있어서,
상기 하우징을 형성하는 공정은, 상기 기재가 용융되어 하우징의 형상을 형성하는 것이고,
상기 탄성층을 형성하는 공정은, 상기 금형 내에서 상기 기재가 용융되어 상기 인서트부와 접촉하는 영역 중 적어도 일부를 덮도록 탄성층이 형성되는 것인,
전자 장치 하우징의 제조방법.
- 제17항에 있어서,
상기 하우징을 형성하는 공정 이후에,
상기 하우징을 어닐링하는 공정;을 더 포함하고,
상기 하우징을 형성하는 공정은, 700 ℃ 이상의 온도에서 수행되는 것이고,
상기 어닐링하는 공정은, 300 ℃ 내지 650 ℃의 온도에서 수행되는 것인,
전자 장치 하우징의 제조방법.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210114685A KR20230032169A (ko) | 2021-08-30 | 2021-08-30 | 전자 장치 하우징 및 이를 포함하는 전자 장치 |
| EP22864845.7A EP4294136A1 (en) | 2021-08-30 | 2022-07-06 | Electronic device housing, and electronic device including same |
| PCT/KR2022/009746 WO2023033336A1 (ko) | 2021-08-30 | 2022-07-06 | 전자 장치 하우징 및 이를 포함하는 전자 장치 |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210114685A KR20230032169A (ko) | 2021-08-30 | 2021-08-30 | 전자 장치 하우징 및 이를 포함하는 전자 장치 |
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| KR1020210114685A KR20230032169A (ko) | 2021-08-30 | 2021-08-30 | 전자 장치 하우징 및 이를 포함하는 전자 장치 |
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| JP5471267B2 (ja) * | 2009-10-07 | 2014-04-16 | トヨタ自動車株式会社 | 異種材複合体 |
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| JP2017022265A (ja) * | 2015-07-10 | 2017-01-26 | 日清紡ケミカル株式会社 | 金属回路基板及びその製造方法 |
| KR102625212B1 (ko) * | 2019-08-01 | 2024-01-16 | 삼성전자주식회사 | 오디오 입력 경로를 포함하는 카메라 브라켓 및 이를 포함하는 전자 장치 |
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2021
- 2021-08-30 KR KR1020210114685A patent/KR20230032169A/ko active Search and Examination
-
2022
- 2022-07-06 WO PCT/KR2022/009746 patent/WO2023033336A1/ko active Application Filing
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|---|---|
| WO2023033336A1 (ko) | 2023-03-09 |
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