KR20230029446A - Composition for Hard Mask - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 70
- 125000005549 heteroarylene group Chemical group 0.000 claims abstract description 20
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000010534 nucleophilic substitution reaction Methods 0.000 claims abstract description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 34
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 27
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 26
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 claims description 26
- 125000004169 (C1-C6) alkyl group Chemical group 0.000 claims description 20
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 18
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 18
- -1 benzenesulfonyloxy group Chemical group 0.000 claims description 14
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 claims description 12
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 12
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 claims description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 10
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 125000005948 methanesulfonyloxy group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000005951 trifluoromethanesulfonyloxy group Chemical group 0.000 claims description 6
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 5
- 125000005334 azaindolyl group Chemical group N1N=C(C2=CC=CC=C12)* 0.000 claims description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 125000001041 indolyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 24
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 34
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 34
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 16
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 13
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 238000001226 reprecipitation Methods 0.000 description 7
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 6
- 239000003377 acid catalyst Substances 0.000 description 5
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 5
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 5
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000003161 (C1-C6) alkylene group Chemical group 0.000 description 4
- KWGGLCJWTVNIAO-UHFFFAOYSA-N 2-(1h-indol-3-yl)-1h-indole Chemical compound C1=CC=C2NC(C=3C4=CC=CC=C4NC=3)=CC2=C1 KWGGLCJWTVNIAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UWPKHWUPVNWYQS-UHFFFAOYSA-N 5-(1h-indol-5-yl)-1h-indole Chemical compound C1=C2NC=CC2=CC(C=2C=C3C=CNC3=CC=2)=C1 UWPKHWUPVNWYQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 4
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 4
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 4
- 125000005702 oxyalkylene group Chemical group 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 description 4
- DAJPMKAQEUGECW-UHFFFAOYSA-N 1,4-bis(methoxymethyl)benzene Chemical compound COCC1=CC=C(COC)C=C1 DAJPMKAQEUGECW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 3
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005691 oxidative coupling reaction Methods 0.000 description 3
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N phenylbenzene Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 3
- GVZGUCJHGXHGCK-UHFFFAOYSA-N 1,9-bis(bromomethyl)anthracene Chemical compound BrCc1cccc2cc3ccccc3c(CBr)c12 GVZGUCJHGXHGCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JRHSGFPVPTWMND-UHFFFAOYSA-N 2,6-bis(bromomethyl)naphthalene Chemical compound C1=C(CBr)C=CC2=CC(CBr)=CC=C21 JRHSGFPVPTWMND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N Indole Chemical compound C1=CC=C2NC=CC2=C1 SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 2
- XYVQFUJDGOBPQI-UHFFFAOYSA-N Methyl-2-hydoxyisobutyric acid Chemical compound COC(=O)C(C)(C)O XYVQFUJDGOBPQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003180 amino resin Polymers 0.000 description 2
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 2
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 229910017053 inorganic salt Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000007974 melamines Chemical class 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- DLDWUFCUUXXYTB-UHFFFAOYSA-N (2-oxo-1,2-diphenylethyl) 4-methylbenzenesulfonate Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1S(=O)(=O)OC(C=1C=CC=CC=1)C(=O)C1=CC=CC=C1 DLDWUFCUUXXYTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006218 1-ethylbutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- NJQJGRGGIUNVAB-UHFFFAOYSA-N 2,4,4,6-tetrabromocyclohexa-2,5-dien-1-one Chemical compound BrC1=CC(Br)(Br)C=C(Br)C1=O NJQJGRGGIUNVAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZUVDVLYXIZFDRM-UHFFFAOYSA-N 2-(hydroxymethyl)-4-methylphenol Chemical class CC1=CC=C(O)C(CO)=C1 ZUVDVLYXIZFDRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006176 2-ethylbutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(C([H])([H])*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000005916 2-methylpentyl group Chemical group 0.000 description 1
- NXKOSHBFVWYVIH-UHFFFAOYSA-N 2-n-(butoxymethyl)-1,3,5-triazine-2,4,6-triamine Chemical compound CCCCOCNC1=NC(N)=NC(N)=N1 NXKOSHBFVWYVIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KFVIYKFKUYBKTP-UHFFFAOYSA-N 2-n-(methoxymethyl)-1,3,5-triazine-2,4,6-triamine Chemical compound COCNC1=NC(N)=NC(N)=N1 KFVIYKFKUYBKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004920 4-methyl-2-pentyl group Chemical group CC(CC(C)*)C 0.000 description 1
- WKYQOSNHIPTONH-UHFFFAOYSA-N 9H-fluorene 1H-indole Chemical compound C1=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12.N1C=CC2=CC=CC=C12 WKYQOSNHIPTONH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100481028 Arabidopsis thaliana TGA2 gene Proteins 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 229920003270 Cymel® Polymers 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 125000004453 alkoxycarbonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005907 alkyl ester group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 125000004653 anthracenylene group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 125000000852 azido group Chemical group *N=[N+]=[N-] 0.000 description 1
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003739 carbamimidoyl group Chemical group C(N)(=N)* 0.000 description 1
- 125000003917 carbamoyl group Chemical group [H]N([H])C(*)=O 0.000 description 1
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 125000005584 chrysenylene group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 125000000392 cycloalkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 1
- 125000005567 fluorenylene group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002541 furyl group Chemical group 0.000 description 1
- VPVSTMAPERLKKM-UHFFFAOYSA-N glycoluril Chemical class N1C(=O)NC2NC(=O)NC21 VPVSTMAPERLKKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000592 heterocycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000717 hydrazino group Chemical group [H]N([*])N([H])[H] 0.000 description 1
- 125000005638 hydrazono group Chemical group 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000002636 imidazolinyl group Chemical group 0.000 description 1
- PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N indole Natural products CC1=CC=CC2=C1C=CN2 PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N indolenine Natural products C1=CC=C2CC=NC2=C1 RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000009878 intermolecular interaction Effects 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001280 n-hexyl group Chemical group C(CCCCC)* 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004957 naphthylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001971 neopentyl group Chemical group [H]C([*])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 125000002971 oxazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005564 oxazolylene group Chemical group 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 125000005560 phenanthrenylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 1
- 125000002467 phosphate group Chemical group [H]OP(=O)(O[H])O[*] 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000012643 polycondensation polymerization Methods 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 125000001725 pyrenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005548 pyrenylene group Chemical group 0.000 description 1
- ZDYVRSLAEXCVBX-UHFFFAOYSA-N pyridinium p-toluenesulfonate Chemical compound C1=CC=[NH+]C=C1.CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1 ZDYVRSLAEXCVBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005551 pyridylene group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000003548 sec-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001973 tert-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001302 tertiary amino group Chemical group 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 125000001712 tetrahydronaphthyl group Chemical group C1(CCCC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 125000000335 thiazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005557 thiazolylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001544 thienyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004149 thio group Chemical group *S* 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
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- C08G61/12—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule
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- C08G73/02—Polyamines
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- C08G73/0213—Preparatory process
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- G03F7/004—Photosensitive materials
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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Abstract
Description
본 발명은 하드마스크용 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 용해성, 내에칭성 및 내열성을 동시에 확보할 수 있는 하드마스크용 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a composition for a hard mask, and more particularly, to a composition for a hard mask capable of securing solubility, etching resistance and heat resistance at the same time.
반도체 제조, 마이크로일렉트로닉스 등의 분야에서, 회로, 배선, 절연 패턴 등과 같은 구조물들의 집적도가 지속적으로 향상됨에 따라, 상기 구조물들의 미세 패터닝을 위한 포토리소그래피 공정기술 또한 발전하고 있다.In the field of semiconductor manufacturing, microelectronics, etc., as the degree of integration of structures such as circuits, wirings, and insulating patterns is continuously improved, photolithography process technology for fine patterning of the structures is also developing.
일반적으로, 식각 대상막 상에 포토레지스트를 도포하여 포토레지스트 층을 형성하고, 노광 및 현상 공정을 통해 포토레지스트 패턴을 형성한다. 이어서, 상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 사용하여 상기 식각 대상막을 부분적으로 제거함으로써 소정의 패턴을 형성할 수 있다. 상기 식각 대상막에 대한 이미지 전사가 수행된 후, 상기 포토레지스트 패턴은 애싱(ashing) 및/또는 스트립(strip) 공정을 통해 제거될 수 있다.In general, a photoresist layer is formed by coating a photoresist on an object layer to be etched, and a photoresist pattern is formed through exposure and development processes. Subsequently, a predetermined pattern may be formed by partially removing the etch target layer using the photoresist pattern as an etching mask. After image transfer is performed on the etch target layer, the photoresist pattern may be removed through an ashing and/or a strip process.
패턴이 미세해짐에 따라, 상기 노광 공정에서 광반사를 억제시켜 포토리소그래피의 해상도를 높이기 위해, 상기 식각 대상막 및 상기 포토레지스트 층 사이에 반사방지코팅(anti-refractive coating; ARC) 층을 형성할 수 있다. 또한, 상기 반사방지코팅층과 식각 대상막 사이에 레지스트 하부막, 즉 하드마스크(hardmask) 층이 추가될 수 있다.As the pattern becomes finer, an anti-reflection coating (ARC) layer may be formed between the etch target film and the photoresist layer in order to suppress light reflection in the exposure process to increase photolithography resolution. can In addition, a resist lower layer, that is, a hardmask layer may be added between the anti-reflection coating layer and the etch target layer.
상기 하드마스크는 고온 식각 공정에 대한 충분한 내에칭성(또는 식각 내성), 내화학성 및 내열성을 가질 필요가 있다. 특히, 근래에는 500℃ 이상의 고온에서 베이크(bake)를 진행하여 500℃ 이상의 온도에서 작은 중량감소를 가지는 우수한 내열성이 중요한 물성으로 대두되고 있다.The hard mask needs to have sufficient etching resistance (or etching resistance) to a high-temperature etching process, chemical resistance, and heat resistance. In particular, in recent years, excellent heat resistance with a small weight loss at a temperature of 500 ° C or higher has emerged as an important physical property by performing baking at a high temperature of 500 ° C or higher.
또한, 상기 하드마스크는 스핀-온 코팅 공정에 의해 균일한 두께로 형성되기 위한 특성, 예를 들어 용해성 및 평탄성 등을 만족하는 것이 바람직하다.In addition, the hard mask preferably satisfies properties such as solubility and flatness to be formed with a uniform thickness by a spin-on coating process.
본 발명의 목적은 용해성, 내에칭성 및 내열성을 동시에 확보할 수 있는 하드마스크용 조성물을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a composition for a hard mask capable of securing solubility, etching resistance and heat resistance at the same time.
한편으로, 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 중합체 및 용매를 포함하는 하드마스크용 조성물을 제공한다.On the other hand, the present invention provides a composition for a hard mask comprising a polymer represented by Formula 1 below and a solvent.
[화학식 1][Formula 1]
상기 식에서,In the above formula,
Ar1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C50의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C50의 헤테로아릴렌기이고,Ar 1 is a substituted or unsubstituted C6 to C50 arylene group or a substituted or unsubstituted C3 to C50 heteroarylene group;
Ar2 및 Ar3은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 인돌릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 아자인돌릴렌기이며, 상기 인돌릴렌기 또는 아자인돌릴렌기의 질소 원자가 R1 및 R2가 결합된 탄소 원자에 결합되고, Ar 2 and Ar 3 are each independently a substituted or unsubstituted indolylene group or a substituted or unsubstituted azaindolylene group, and the nitrogen atom of the indolylene group or azaindolylene group is R 1 and R 2 bonded bonded to a carbon atom,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C50의 헤테로아릴기이며,R 1 and R 2 are each independently hydrogen, a C1 to C6 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C50 aryl group, or a substituted or unsubstituted C3 to C50 heteroaryl group,
n은 2 내지 20의 정수이다.n is an integer from 2 to 20;
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 화학식 1로 표시되는 중합체는 하기 화학식 1a 내지 1d 중 어느 하나로 표시되는 중합체일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the polymer represented by Chemical Formula 1 may be a polymer represented by any one of Chemical Formulas 1a to 1d.
[화학식 1a][Formula 1a]
[화학식 1b][Formula 1b]
[화학식 1c][Formula 1c]
[화학식 1d][Formula 1d]
상기 식에서,In the above formula,
Ar1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C50의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C50의 헤테로아릴렌기이고,Ar 1 is a substituted or unsubstituted C6 to C50 arylene group or a substituted or unsubstituted C3 to C50 heteroarylene group;
R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C50의 헤테로아릴기이며,R 1 and R 2 are each independently hydrogen, a C1 to C6 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C50 aryl group, or a substituted or unsubstituted C3 to C50 heteroaryl group,
R3 내지 R8은 각각 독립적으로 단일 결합, 수소, 할로겐, C1 내지 C6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C50의 헤테로아릴기이고,R 3 to R 8 are each independently a single bond, hydrogen, halogen, a C1 to C6 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C50 aryl group, or a substituted or unsubstituted C3 to C50 heteroaryl group,
n은 2 내지 20의 정수이다.n is an integer from 2 to 20;
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 화학식 1로 표시되는 중합체는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물과 화학식 3으로 표시되는 화합물의 반응에 의해 수득되는 것일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the polymer represented by Chemical Formula 1 may be obtained by reacting a compound represented by Chemical Formula 2 with a compound represented by Chemical Formula 3.
[화학식 2][Formula 2]
[화학식 3][Formula 3]
상기 식에서,In the above formula,
Ar1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C50의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C50의 헤테로아릴렌기이고,Ar 1 is a substituted or unsubstituted C6 to C50 arylene group or a substituted or unsubstituted C3 to C50 heteroarylene group;
Ar2' 및 Ar3'는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 인돌릴기, 또는 치환 또는 비치환된 아자인돌릴기이며,Ar 2' and Ar 3' are each independently a substituted or unsubstituted indolyl group or a substituted or unsubstituted azaindolyl group,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C50의 헤테로아릴기이고,R 1 and R 2 are each independently hydrogen, a C1 to C6 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C50 aryl group, or a substituted or unsubstituted C3 to C50 heteroaryl group,
X는 I, Br, Cl, 메탄설포닐옥시기, 벤젠설포닐옥시기, 톨루엔설포닐옥시기 및 트리플루오로메탄설포닐옥시기로부터 선택되는 이탈기(leaving group)이다.X is a leaving group selected from I, Br, Cl, methanesulfonyloxy group, benzenesulfonyloxy group, toluenesulfonyloxy group and trifluoromethanesulfonyloxy group.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 하기 화학식 2a 내지 2d 중 어느 하나로 표시되는 화합물일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the compound represented by Formula 2 may be a compound represented by any one of Formulas 2a to 2d below.
[화학식 2a][Formula 2a]
[화학식 2b][Formula 2b]
[화학식 2c][Formula 2c]
[화학식 2d][Formula 2d]
상기 식에서,In the above formula,
R3 내지 R8은 각각 독립적으로 단일 결합, 수소, 할로겐, C1 내지 C6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C50의 헤테로아릴기이다.R 3 to R 8 are each independently a single bond, hydrogen, halogen, a C1 to C6 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C50 aryl group, or a substituted or unsubstituted C3 to C50 heteroaryl group.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물은 하기 화학식 3a 내지 3e 중 어느 하나로 표시되는 화합물인 하드마스크용 조성물:In one embodiment of the present invention, the compound represented by Chemical Formula 3 is a hard mask composition represented by any one of Chemical Formulas 3a to 3e:
[화학식 3a][Formula 3a]
[화학식 3b][Formula 3b]
[화학식 3c][Formula 3c]
[화학식 3d][Formula 3d]
[화학식 3e][Formula 3e]
상기 식에서,In the above formula,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C50의 헤테로아릴기이고,R 1 and R 2 are each independently hydrogen, a C1 to C6 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C50 aryl group, or a substituted or unsubstituted C3 to C50 heteroaryl group,
X는 I, Br, Cl, 메탄설포닐옥시기, 벤젠설포닐옥시기, 톨루엔설포닐옥시기 및 트리플루오로메탄설포닐옥시기로부터 선택되는 이탈기(leaving group)이다.X is a leaving group selected from I, Br, Cl, methanesulfonyloxy group, benzenesulfonyloxy group, toluenesulfonyloxy group and trifluoromethanesulfonyloxy group.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 반응은 화학식 2로 표시되는 화합물의 NH기와 화학식 3으로 표시되는 화합물의 X기 간의 친핵성 치환반응일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the reaction may be a nucleophilic substitution reaction between the NH group of the compound represented by Formula 2 and the X group of the compound represented by Formula 3.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 중합체의 중량평균분자량은 1,000 내지 20,000일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the weight average molecular weight of the polymer may be 1,000 to 20,000.
본 발명의 일 실시형태에 따른 하드마스크용 조성물은 가교제, 촉매 및 계면활성제로 구성된 군으로부터 선택되는 하나 이상을 추가로 포함할 수 있다.The composition for a hard mask according to an embodiment of the present invention may further include at least one selected from the group consisting of a crosslinking agent, a catalyst, and a surfactant.
본 발명에 따른 하드마스크용 조성물은 용해성, 내에칭성 및 내열성을 동시에 확보할 수 있다.The composition for a hard mask according to the present invention can simultaneously secure solubility, etching resistance and heat resistance.
이하, 본 발명을 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail.
본 발명의 일 실시형태는 NH기와 이탈기 간의 친핵성 치환반응에 의해 축중합되어 C-N 간 결합에 의해 인접 반복단위, 또는 반복단위 내 다른 모이어티(moiety)에 연결되는 2개의 헤테로아릴렌기를 가지고, 상기 2개의 헤테로아릴렌기가 서로 직접 연결되는 유기 구조를 갖는 중합체(A) 및 용매(B)를 포함하는 하드마스크용 조성물에 관한 것이다.One embodiment of the present invention is condensation polymerization by a nucleophilic substitution reaction between an NH group and a leaving group, and has two heteroarylene groups connected to adjacent repeating units or to other moieties in repeating units by C-N bonds. , It relates to a composition for a hard mask comprising a polymer (A) having an organic structure in which the two heteroarylene groups are directly connected to each other and a solvent (B).
상기 하드마스크용 조성물은 예를 들면 포토레지스트 층 및 식각 대상막 사이에 도포되어 레지스트 하부막으로 활용되는 하드마스크 막을 형성할 수 있다. 상기 하드마스크 막을 포토레지스트 패턴을 통해 부분적으로 제거하여 하드마스크를 형성할 수 있으며, 상기 하드마스크를 추가적인 식각 마스크로 사용할 수 있다.The composition for a hard mask may be coated between, for example, a photoresist layer and an etch target layer to form a hard mask layer used as a resist lower layer. A hard mask may be formed by partially removing the hard mask layer through a photoresist pattern, and the hard mask may be used as an additional etching mask.
상기 하드마스크 막 또는 하드마스크는, 예를 들면, 스핀-온 하드마스크(Spin-On Hardmask: SOH)로 활용될 수 있다.The hardmask film or hardmask may be utilized as, for example, a spin-on hardmask (SOH).
중합체(A)Polymer (A)
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 중합체(A)는 방향족 화합물의 공중합체(예를 들면, 축합 중합체)로서, 단위 분자당 탄소함량(C-contents: C%)이 상승하여 우수한 내에칭성 및 내열성을 가질 수 있다. 상기 중합체(A)는 NH기와 이탈기 간의 친핵성 치환반응에 의해 축중합되어 C-N 간 결합에 의해 인접 반복단위, 또는 반복단위 내 다른 모이어티(moiety)에 연결되는 2개의 헤테로아릴렌기를 가지고, 상기 2개의 헤테로아릴렌기의 sp2 탄소끼리 직접 연결되어 연속하는 인돌(indole) 또는 아자인돌(azaindole) 구조가 도입된 유기 구조를 형성하여 높은 용해성를 나타낼 뿐만 아니라 우수한 내에칭성 및 내열성을 더욱 상승시킬 수 있다. 특히, 상기 중합체(A)는 상기와 같은 구조에 의해 500℃ 이상의 온도에서도 열분해가 억제될 정도로 뛰어난 내열성을 나타낼 수 있다.In one embodiment of the present invention, the polymer (A) is a copolymer of an aromatic compound (for example, a condensation polymer), and has an increased carbon content (C-contents: C%) per unit molecule, resulting in excellent etching resistance. and heat resistance. The polymer (A) is condensation polymerized by a nucleophilic substitution reaction between an NH group and a leaving group, and has two heteroarylene groups connected to adjacent repeating units or to other moieties in repeating units by CN bonds, The sp 2 carbons of the two heteroarylene groups are directly connected to each other to form an organic structure in which a continuous indole or azaindole structure is introduced, thereby exhibiting high solubility and further increasing excellent etching resistance and heat resistance. can In particular, the polymer (A) can exhibit excellent heat resistance to the extent that thermal decomposition is suppressed even at a temperature of 500° C. or higher due to the structure as described above.
본 발명의 N-헤테로 아릴기는 산화성 짝지음(oxidative coupling)을 통해 분자간 상호작용이 촉진되어, 패킹(packing) 특성 향상이 가능할 수 있으며 결과적으로, 내에칭성 및 내열성이 향상될 수 있다. 다시 말해, 본 발명의 N-헤테로 아릴기는 고온에서 베이크 공정을 거치면서 공기 중의 산소에 의해 산화성 짝지음의 영향을 받게 된다. 이러한 산화성 짝지음에 의해 중합체들이 결합하면서 스택(stack) 구조를 형성할 수 있고, 이에 따라 내에칭성 및 내열성이 향상될 수 있다.Intermolecular interactions of the N-heteroaryl group of the present invention are promoted through oxidative coupling, so that packing characteristics may be improved, and as a result, etch resistance and heat resistance may be improved. In other words, the N-heteroaryl group of the present invention is affected by oxidative coupling by oxygen in the air while going through a high-temperature baking process. By such oxidative coupling, a stack structure may be formed while polymers are combined, and thus, etching resistance and heat resistance may be improved.
상기 중합체(A)는 하기 화학식 1로 표시되는 중합체이다.The polymer (A) is a polymer represented by Formula 1 below.
[화학식 1][Formula 1]
상기 식에서,In the above formula,
Ar1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C50의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C50의 헤테로아릴렌기이고,Ar 1 is a substituted or unsubstituted C6 to C50 arylene group or a substituted or unsubstituted C3 to C50 heteroarylene group;
Ar2 및 Ar3은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 인돌릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 아자인돌릴렌기이며, 상기 인돌릴렌기 또는 아자인돌릴렌기의 질소 원자가 R1 및 R2가 결합된 탄소 원자에 결합되고, Ar 2 and Ar 3 are each independently a substituted or unsubstituted indolylene group or a substituted or unsubstituted azaindolylene group, and the nitrogen atom of the indolylene group or azaindolylene group is R 1 and R 2 bonded bonded to a carbon atom,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C50의 헤테로아릴기이며,R 1 and R 2 are each independently hydrogen, a C1 to C6 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C50 aryl group, or a substituted or unsubstituted C3 to C50 heteroaryl group,
n은 2 내지 20의 정수이다.n is an integer from 2 to 20;
본 명세서에서 사용되는 C6 내지 C50의 아릴렌기는 2가의 아로메틱기와 그들의 부분적으로 환원된 유도체를 모두 포함한다. 상기 아로메틱기는 탄소수 6 내지 50개의 단순 또는 융합 고리형이다. 대표적인 아릴렌기의 예로는 페닐렌, 나프틸렌, 테트라히드로나프틸렌, 안트라세닐렌, 페난트레닐렌, 크리세닐렌, 파이레닐렌, 4,6a-디히드로플루오란테닐렌, 플루오레닐렌, 디페닐플루오레닐렌, 디나프탈레닐플루오레닐렌, 카바졸릴렌, 비페닐렌 등이 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 아릴렌기는 인접하는 작용기와 직접 결합될 수도 있고, C1-C6의 알킬렌기, C1-C6의 옥시알킬렌기, C1-C6의 티오알킬렌기, 산소, 황 등의 연결기를 통해 결합될 수도 있다.The C6 to C50 arylene group used herein includes both divalent aromatic groups and partially reduced derivatives thereof. The aromatic group is a simple or fused ring having 6 to 50 carbon atoms. Representative examples of arylene groups include phenylene, naphthylene, tetrahydronaphthylene, anthracenylene, phenanthrenylene, chrysenylene, pyrenylene, 4,6a-dihydrofluoranthenylene, fluorenylene, diphenyl but is not limited thereto. The arylene group may be directly bonded to an adjacent functional group, or may be bonded through a linking group such as a C1-C6 alkylene group, a C1-C6 oxyalkylene group, a C1-C6 thioalkylene group, oxygen, or sulfur.
본 명세서에서 사용되는 C3 내지 C50의 헤테로아릴렌기는 2가의 헤테로아로메틱기와 그들의 부분적으로 환원된 유도체를 모두 포함한다. 본 명세서에서 상기 헤테로아로메틱기는 탄소수 3 내지 50개의 단순 또는 융합 고리형이며, 질소, 산소 또는 황을 하나 이상 포함한다. 대표적인 헤테로아릴렌기의 예로는 피리디닐렌(pyridinylene), 인돌릴렌(indolylene), 퀴놀리닐렌(quinolinylene), 이미다졸리닐렌(imidazolinylene), 옥사졸릴렌(oxazolylene), 티아졸릴렌(thiazolylene) 등이 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 헤테로아릴렌기는 인접하는 작용기와 직접 결합될 수도 있고, C1-C6의 알킬렌, C1-C6의 옥시알킬렌, C1-C6의 티오알킬렌, 산소, 황 등의 연결기를 통해 결합될 수도 있다.The C3 to C50 heteroarylene group used herein includes both divalent heteroaromatic groups and partially reduced derivatives thereof. In the present specification, the heteroaromatic group is a simple or fused ring having 3 to 50 carbon atoms and contains at least one nitrogen, oxygen, or sulfur. Examples of representative heteroarylene groups include pyridinylene, indolylene, quinolinylene, imidazolinylene, oxazolylene, thiazolylene, and the like. However, it is not limited thereto. The heteroarylene group may be bonded directly to an adjacent functional group, or may be bonded through a linking group such as C1-C6 alkylene, C1-C6 oxyalkylene, C1-C6 thioalkylene, oxygen, or sulfur. .
본 명세서에서 사용되는 C1 내지 C6의 알킬기는 탄소수 1 내지 6개로 구성된 직쇄형 또는 분지형의 1가 탄화수소를 의미하며, 예를 들어 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸 등이 포함되나 이에 한정되는 것은 아니다.As used herein, the C1 to C6 alkyl group refers to a straight-chain or branched monovalent hydrocarbon having 1 to 6 carbon atoms, such as methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl , tert-butyl, sec-butyl, 1-methyl-butyl, 1-ethyl-butyl, n-pentyl, isopentyl, neopentyl, tert-pentyl, n-hexyl, 1-methylpentyl, 2-methylpentyl, 4 -Methyl-2-pentyl, 3,3-dimethylbutyl, 2-ethylbutyl, etc. are included, but are not limited thereto.
본 명세서에서 사용되는 C6 내지 C30의 아릴기는 1가의 아로메틱기와 그들의 부분적으로 환원된 유도체를 모두 포함한다. 상기 아로메틱기는 탄소수 6 내지 30개의 단순 또는 융합 고리형이다. 대표적인 아릴기의 예로는 페닐, 나프틸, 테트라히드로나프틸, 파이레닐, 플루오레닐, 디페닐플루오레닐, 디나프탈레닐플루오레닐, 카바졸릴, 비페닐 등이 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 아릴기는 인접하는 작용기와 직접 결합될 수도 있고, C1-C6의 알킬렌기, C1-C6의 옥시알킬렌기, C1-C6의 티오알킬렌기, 산소, 황 등의 연결기를 통해 결합될 수도 있다.The C6 to C30 aryl group used herein includes both monovalent aromatic groups and partially reduced derivatives thereof. The aromatic group is a simple or fused ring having 6 to 30 carbon atoms. Representative examples of aryl groups include, but are not limited to, phenyl, naphthyl, tetrahydronaphthyl, pyrenyl, fluorenyl, diphenylfluorenyl, dinaphthalenylfluorenyl, carbazolyl, biphenyl, and the like. . The aryl group may be bonded directly to an adjacent functional group, or may be bonded through a linking group such as a C1-C6 alkylene group, a C1-C6 oxyalkylene group, a C1-C6 thioalkylene group, oxygen, or sulfur.
본 명세서에서 사용되는 C3 내지 C30의 헤테로아릴기는 1가의 헤테로아로메틱기와 그들의 부분적으로 환원된 유도체를 모두 포함한다. 상기 헤테로아로메틱기는 탄소수 3 내지 30개의 단순 또는 융합 고리형이며, 질소, 산소 또는 황을 하나 이상 포함한다. 대표적인 헤테로아릴기의 예로는 피리디닐(pyridinyl), 푸라닐(furanyl), 티오페닐(thiophenyl), 인돌릴(indolyl), 퀴놀리닐(quinolinyl), 이미다졸리닐(imidazolinyl), 옥사졸릴(oxazolyl), 티아졸릴(thiazolyl) 등이 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 헤테로아릴기는 인접하는 작용기와 직접 결합될 수도 있고, C1-C6의 알킬렌, C1-C6의 옥시알킬렌, C1-C6의 티오알킬렌, 산소, 황 등의 연결기를 통해 결합될 수도 있다.The C3 to C30 heteroaryl group used herein includes both monovalent heteroaromatic groups and partially reduced derivatives thereof. The heteroaromatic group is a simple or fused ring having 3 to 30 carbon atoms and contains at least one nitrogen, oxygen, or sulfur. Examples of representative heteroaryl groups include pyridinyl, furanyl, thiophenyl, indolyl, quinolinyl, imidazolinyl, oxazolyl ), thiazolyl, etc., but are not limited thereto. The heteroaryl group may be directly bonded to an adjacent functional group, or may be bonded through a linking group such as C1-C6 alkylene, C1-C6 oxyalkylene, C1-C6 thioalkylene, oxygen, or sulfur.
본 명세서에서 사용되는 용어 '치환된'이란, 화합물 중의 한 개 또는 그 이상의 수소가 비제한적인 예로서, 히드록시기, C1 내지 C20의 알킬기, C2 내지 C20의 알케닐기, C2 내지 C20의 알키닐기, C3 내지 C15의 사이클로알킬기, C3 내지 C15의 사이클로알케닐기, C2 내지 C14의 헤테로사이클로알킬기, C2 내지 C14의 헤테로사이클로알킬옥시기, C1 내지 C20의 할로알킬기, C1 내지 C20의 알콕시기, C1 내지 C20의 티오알콕시기, C6 내지 C30의 아릴기, C3 내지 C30의 헤테로아릴기, C7 내지 C31의 아릴알킬기, C4 내지 C31의 헤테로아릴알킬기, 아실기, 티오(thio)기, 할로겐(F, Br, Cl, 또는 I), 아미노기, 알콕시카르보닐기, 카르복시기, 카바모일기, 시아노기, 니트로기, 아지도기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 술폰산기 및 포스페이트기로 구성된 군으로부터 선택되는 하나 이상의 치환기로 치환된 것을 의미한다.As used herein, the term 'substituted' means that one or more hydrogens in the compound are non-limiting examples, such as a hydroxy group, a C1 to C20 alkyl group, a C2 to C20 alkenyl group, a C2 to C20 alkynyl group, a C3 to C15 cycloalkyl group, C3 to C15 cycloalkenyl group, C2 to C14 heterocycloalkyl group, C2 to C14 heterocycloalkyloxy group, C1 to C20 haloalkyl group, C1 to C20 alkoxy group, C1 to C20 Thioalkoxy group, C6 to C30 aryl group, C3 to C30 heteroaryl group, C7 to C31 arylalkyl group, C4 to C31 heteroarylalkyl group, acyl group, thio group, halogen (F, Br, Cl , or I), at least one substituent selected from the group consisting of an amino group, an alkoxycarbonyl group, a carboxy group, a carbamoyl group, a cyano group, a nitro group, an azido group, an amidino group, a hydrazino group, a hydrazono group, a sulfonic acid group and a phosphate group means that it has been replaced by
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 화학식 1로 표시되는 중합체는 하기 화학식 1a 내지 1d 중 어느 하나로 표시되는 중합체일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the polymer represented by Chemical Formula 1 may be a polymer represented by any one of Chemical Formulas 1a to 1d.
[화학식 1a][Formula 1a]
[화학식 1b][Formula 1b]
[화학식 1c][Formula 1c]
[화학식 1d][Formula 1d]
상기 식에서,In the above formula,
Ar1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C50의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C50의 헤테로아릴렌기이고,Ar 1 is a substituted or unsubstituted C6 to C50 arylene group or a substituted or unsubstituted C3 to C50 heteroarylene group;
R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C50의 헤테로아릴기이며,R 1 and R 2 are each independently hydrogen, a C1 to C6 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C50 aryl group, or a substituted or unsubstituted C3 to C50 heteroaryl group,
R3 내지 R8은 각각 독립적으로 단일 결합, 수소, 할로겐, C1 내지 C6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C50의 헤테로아릴기이고,R 3 to R 8 are each independently a single bond, hydrogen, halogen, a C1 to C6 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C50 aryl group, or a substituted or unsubstituted C3 to C50 heteroaryl group,
n은 2 내지 20의 정수이다.n is an integer from 2 to 20;
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 화학식 1로 표시되는 중합체는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물과 화학식 3으로 표시되는 화합물의 반응에 의해 수득되는 것일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the polymer represented by Chemical Formula 1 may be obtained by reacting a compound represented by Chemical Formula 2 with a compound represented by Chemical Formula 3.
[화학식 2][Formula 2]
[화학식 3][Formula 3]
상기 식에서,In the above formula,
Ar1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C50의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C50의 헤테로아릴렌기이고,Ar 1 is a substituted or unsubstituted C6 to C50 arylene group or a substituted or unsubstituted C3 to C50 heteroarylene group;
Ar2' 및 Ar3'는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 인돌릴기, 또는 치환 또는 비치환된 아자인돌릴기이며,Ar 2' and Ar 3' are each independently a substituted or unsubstituted indolyl group or a substituted or unsubstituted azaindolyl group,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C50의 헤테로아릴기이고,R 1 and R 2 are each independently hydrogen, a C1 to C6 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C50 aryl group, or a substituted or unsubstituted C3 to C50 heteroaryl group,
X는 I, Br, Cl, 메탄설포닐옥시기, 벤젠설포닐옥시기, 톨루엔설포닐옥시기 및 트리플루오로메탄설포닐옥시기로부터 선택되는 이탈기(leaving group)이다.X is a leaving group selected from I, Br, Cl, methanesulfonyloxy group, benzenesulfonyloxy group, toluenesulfonyloxy group and trifluoromethanesulfonyloxy group.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 하기 화학식 2a 내지 2d 중 어느 하나로 표시되는 화합물일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the compound represented by Formula 2 may be a compound represented by any one of Formulas 2a to 2d below.
[화학식 2a][Formula 2a]
[화학식 2b][Formula 2b]
[화학식 2c][Formula 2c]
[화학식 2d][Formula 2d]
상기 식에서,In the above formula,
R3 내지 R8은 각각 독립적으로 단일 결합, 수소, 할로겐, C1 내지 C6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C50의 헤테로아릴기이다.R 3 to R 8 are each independently a single bond, hydrogen, halogen, a C1 to C6 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C50 aryl group, or a substituted or unsubstituted C3 to C50 heteroaryl group.
예를 들어, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 하기 화합물들 중 하나일 수 있다.For example, the compound represented by Chemical Formula 2 may be one of the following compounds.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물은 하기 화학식 3a 내지 3e 중 어느 하나로 표시되는 화합물일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the compound represented by Chemical Formula 3 may be a compound represented by any one of Chemical Formulas 3a to 3e.
[화학식 3a][Formula 3a]
[화학식 3b][Formula 3b]
[화학식 3c][Formula 3c]
[화학식 3d][Formula 3d]
[화학식 3e][Formula 3e]
상기 식에서,In the above formula,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C50의 헤테로아릴기이고,R 1 and R 2 are each independently hydrogen, a C1 to C6 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C50 aryl group, or a substituted or unsubstituted C3 to C50 heteroaryl group,
X는 I, Br, Cl, 메탄설포닐옥시기, 벤젠설포닐옥시기, 톨루엔설포닐옥시기 및 트리플루오로메탄설포닐옥시기로부터 선택되는 이탈기(leaving group)이다.X is a leaving group selected from I, Br, Cl, methanesulfonyloxy group, benzenesulfonyloxy group, toluenesulfonyloxy group and trifluoromethanesulfonyloxy group.
예를 들어, 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물은 하기 화합물들 중 하나일 수 있다.For example, the compound represented by Chemical Formula 3 may be one of the following compounds.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 반응은 화학식 2로 표시되는 화합물의 NH기와 화학식 3으로 표시되는 화합물의 X기 간의 친핵성 치환반응일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the reaction may be a nucleophilic substitution reaction between the NH group of the compound represented by Formula 2 and the X group of the compound represented by Formula 3.
상기 화학식 2로 표시되는 화합물의 NH기 위치가 3급 아민 구조를 가져 무기염이나 아민 화합물 등의 별도의 촉매 없이도 치환반응이 진행될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따르면 잔류 금속 오염 및/또는 파티클(particle) 오염의 원인이 되는 무기염이나 아민 화합물과 같은 별도의 촉매를 사용하지 않아 보다 효율적으로 반도체급 중합체의 합성이 가능하다.Since the NH group of the compound represented by Formula 2 has a tertiary amine structure, the substitution reaction may proceed without a separate catalyst such as an inorganic salt or an amine compound. Therefore, according to the present invention, it is possible to synthesize a semiconductor-grade polymer more efficiently without using a separate catalyst such as an inorganic salt or an amine compound that causes residual metal contamination and/or particle contamination.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 중합체의 중량평균분자량은 1,000 내지 20,000일 수 있으며, 바람직하게는 약 1,000 내지 10,000일 수 있다. 상기 중합체의 중량평균분자량이 1,000 미만인 경우 하드마스크의 내열성이 지나치게 저하되어 크랙, 식각 데미지 등이 심화될 수 있다. 상기 중합체의 중량평균분자량이 20,000을 초과하는 경우 조성물의 코팅성이 약화되어, 균일한 두께 또는 높이를 갖는 하드마스크층 또는 하드마스크가 형성되지 않을 수 있다.In one embodiment of the present invention, the weight average molecular weight of the polymer may be 1,000 to 20,000, preferably about 1,000 to 10,000. When the weight average molecular weight of the polymer is less than 1,000, heat resistance of the hard mask is excessively reduced, and cracks, etching damage, and the like may be intensified. When the weight average molecular weight of the polymer exceeds 20,000, the coating property of the composition is weakened, and a hard mask layer or hard mask having a uniform thickness or height may not be formed.
상기 중합체의 다분산지수(PDI, Polydispersity index)[중량 평균 분자량(Mw)/수평균분자량(Mn)]는 약 1.3 내지 6.0일 수 있으며, 바람직하게는 약 1.5 내지 4.0일 수 있다. 상기 다분산지수 범위에서 상기 하드마스크용 조성물의 코팅성 및 내열성이 향상될 수 있다.The polydispersity index (PDI) [weight average molecular weight (Mw) / number average molecular weight (Mn)] of the polymer may be about 1.3 to 6.0, preferably about 1.5 to 4.0. Within the range of the polydispersity index, coating properties and heat resistance of the hard mask composition may be improved.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 중합체의 함량은 특별한 제한되지는 않으나, 조성물 총 중량 중 약 1 내지 35 중량%일 수 있다. 상기 중합체의 함량이 상기 범위를 벗어나면, 원하는 두께의 하드마스크층을 형성하기 곤란하거나, 하드마스크의 내열성이 저하될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the content of the polymer is not particularly limited, but may be about 1 to 35% by weight of the total weight of the composition. If the content of the polymer is out of the above range, it may be difficult to form a hard mask layer having a desired thickness or the heat resistance of the hard mask may deteriorate.
용매(B)Solvent (B)
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 용매(B)는 상술한 중합체의 충분한 용해성을 확보할 수 있는 유기 용매가 제한 없이 사용될 수 있다.In one embodiment of the present invention, as the solvent (B), any organic solvent capable of ensuring sufficient solubility of the above-described polymer may be used without limitation.
예를 들면, 상기 용매로는 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트(propylene glycol monomethyl ether acetate; PGMEA), 프로필렌글리콜 모노메틸에테르(propylene glycol monomethyl ether; PGME), 사이클로펜타논, 사이클로헥사논, 에틸락테이트, 감마-부티로락톤(γ-butyrolactone; GBL), 아세틸 아세톤(acetyl acetone) 등을 들 수 있고, 바람직하게는 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트(propylene glycol monomethyl ether acetate; PGMEA), 사이클로펜타논 등이 단독으로 또는 2종 이상 조합되어 사용될 수 있다.For example, the solvent includes propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), propylene glycol monomethyl ether (PGME), cyclopentanone, cyclohexanone, ethyl lactate, and gamma-butyrolactone (GBL), acetyl acetone, and the like, preferably propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) and cyclopentanone. or may be used in combination of two or more.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 용매의 함량은 특별히 제한되는 것은 아니며, 상술한 성분들 및 기타 첨가제 성분들을 제외한 잔량으로 포함될 수 있다. 예를 들면, 조성물의 도포성, 용해성, 건조성을 고려하여 하드마스크용 조성물 전체 100 중량%에 대하여 약 50 내지 95 중량%, 바람직하게는 80 내지 95 중량%로 포함될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the content of the solvent is not particularly limited, and may be included in a residual amount excluding the above-described components and other additive components. For example, it may be included in an amount of about 50 to 95% by weight, preferably 80 to 95% by weight, based on 100% by weight of the total composition for a hard mask, in consideration of applicability, solubility, and drying properties of the composition.
본 발명의 일 실시형태에 따른 하드마스크용 조성물은 가교제, 촉매 및 계면활성제로 구성된 군으로부터 선택되는 하나 이상을 추가로 포함할 수 있다.The composition for a hard mask according to an embodiment of the present invention may further include at least one selected from the group consisting of a crosslinking agent, a catalyst, and a surfactant.
상기 가교제는 상기 중합체에 포함된 반복단위들을 서로 가교시킬 수 있는 것으로서, 예를 들면, 상기 중합체에 포함된 히드록시기와 반응할 수 있다. 상기 가교제에 의해, 하드마스크용 조성물의 경화특성이 보다 강화될 수 있다.The crosslinking agent may crosslink repeating units included in the polymer with each other, and may react with, for example, a hydroxyl group included in the polymer. The curing properties of the hard mask composition may be further enhanced by the crosslinking agent.
상기 가교제의 예로서 멜라민, 아미노 수지, 글리콜루릴 화합물, 또는 비스에폭시 화합물 등을 들 수 있다.Examples of the crosslinking agent include melamine, an amino resin, a glycoluril compound, or a bisepoxy compound.
상기 가교제는, 구체적인 예를 들면, 에테르화된 아미노 수지, 예를 들면 메틸화되거나 부틸화된 멜라민(구체적인 예로는, N-메톡시메틸-멜라민 또는 N-부톡시메틸-멜라민) 및 메틸화되거나 부틸화된 우레아(urea) 수지(구체적인 예로는, Cymel U-65 Resin 또는 UFR 80 Resin), 글리콜루릴 유도체(하기 화학식 4로 표시되는 화합물, 구체적인 예로는 Powderlink 1174), 화학식 5로 표시되는 비스(히드록시메틸)-p-크레졸 화합물 등을 포함할 수 있다. 또한, 하기 화학식 6으로 표시되는 비스에폭시 계통의 화합물과 하기 화학식 7로 표시되는 멜라민 계통의 화합물도 가교제로 사용할 수 있다.The crosslinking agent is, for example, an etherified amino resin such as methylated or butylated melamine (specific examples are N-methoxymethyl-melamine or N-butoxymethyl-melamine) and methylated or butylated melamine. urea resin (specific examples, Cymel U-65 Resin or UFR 80 Resin), glycoluril derivatives (compounds represented by Formula 4, specific examples are Powderlink 1174), bis represented by Formula 5 (hydroxy methyl) -p-cresol compounds and the like. In addition, a bisepoxy-based compound represented by the following formula (6) and a melamine-based compound represented by the following formula (7) can also be used as a crosslinking agent.
[화학식 4][Formula 4]
[화학식 5][Formula 5]
[화학식 6][Formula 6]
[화학식 7][Formula 7]
상기 촉매로는 산 촉매 또는 염기성 촉매를 사용할 수 있다.As the catalyst, an acid catalyst or a basic catalyst may be used.
상기 산 촉매는 열 활성화된 산 촉매를 사용할 수 있다. 산 촉매의 예로는 p-톨루엔 술폰산과 같은 유기산이 사용될 수 있다. 상기 산 촉매로서 열산 발생제(thermal acid generator: TAG) 계통의 화합물을 사용할 수도 있다. 상기 열산 발생제 계통 촉매의 예로서 피리디늄 p-톨루엔 술포네이트(pyridinium p-toluene sulfonate), 2,4,4,6-테트라브로모시클로헥사디엔온, 벤조인토실레이트, 2-니트로벤질토실레이트, 유기술폰산의 알킬에스테르 등을 들 수 있다.As the acid catalyst, a thermally activated acid catalyst may be used. As an example of the acid catalyst, an organic acid such as p-toluene sulfonic acid can be used. As the acid catalyst, a thermal acid generator (TAG) type compound may be used. Examples of the thermal acid generator catalyst include pyridinium p-toluene sulfonate, 2,4,4,6-tetrabromocyclohexadienone, benzointosylate, and 2-nitrobenzyltosyl A rate, an alkyl ester of organic sulfonic acid, etc. are mentioned.
상기 염기성 촉매로는 NH4OH 또는 NR4OH(R은 C1 내지 C6의 알킬기)로 표시되는 암모늄 히드록사이드 중 선택되는 어느 하나를 사용할 수 있다.As the basic catalyst, any one selected from ammonium hydroxide represented by NH 4 OH or NR 4 OH (R is a C1 to C6 alkyl group) may be used.
상기 가교제를 포함하는 경우, 가교제의 함량은 상기 중합체 100 중량부에 대하여 1 내지 30 중량부일 수 있고, 바람직하게 5 내지 20 중량부, 보다 바람직하게는 5 내지 10 중량부일 수 있다.When the crosslinking agent is included, the content of the crosslinking agent may be 1 to 30 parts by weight, preferably 5 to 20 parts by weight, and more preferably 5 to 10 parts by weight, based on 100 parts by weight of the polymer.
상기 촉매를 포함하는 경우, 촉매의 함량은 상기 중합체 100 중량부에 대하여 0.001 내지 5 중량부일 수 있고, 바람직하게는 0.1 내지 2 중량부일 수 있고, 보다 바람직하게는 0.1 내지 1 중량부일 수 있다.When the catalyst is included, the content of the catalyst may be 0.001 to 5 parts by weight, preferably 0.1 to 2 parts by weight, and more preferably 0.1 to 1 part by weight, based on 100 parts by weight of the polymer.
상기 가교제 및 상기 촉매의 함량 범위 내에서, 상기 중합체의 내에칭성, 내열성, 용해성, 평탄성을 열화시키지 않으면서, 적절한 가교 특성을 획득할 수 있다.Within the content ranges of the crosslinking agent and the catalyst, appropriate crosslinking properties may be obtained without deteriorating the etching resistance, heat resistance, solubility, and flatness of the polymer.
상기 계면 활성제는 하드마스크의 표면 특성, 접착성 향상을 위해 사용되며, 예를 들어 알킬벤젠설폰산염, 알킬피리디늄염, 폴리에틸렌글리콜류, 4차 암모늄염 등을 사용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 계면활성제의 함량은 예를 들면, 상기 중합체 100 중량부에 대하여 0.1 내지 10 중량부일 수 있다.The surfactant is used to improve the surface properties and adhesion of the hard mask, and examples thereof include, but are not limited to, alkylbenzenesulfonic acid salts, alkylpyridinium salts, polyethylene glycols, and quaternary ammonium salts. The content of the surfactant may be, for example, 0.1 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the polymer.
이하, 실시예, 비교예 및 실험예에 의해 본 발명을 보다 구체적으로 설명하고자 한다. 이들 실시예, 비교예 및 실험예는 오직 본 발명을 설명하기 위한 것으로, 본 발명의 범위가 이들에 국한되지 않는다는 것은 당업자에게 있어서 자명하다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail by Examples, Comparative Examples and Experimental Examples. These Examples, Comparative Examples and Experimental Examples are only for explaining the present invention, and it is obvious to those skilled in the art that the scope of the present invention is not limited thereto.
합성예 1: 중합체 A-1의 합성Synthesis Example 1: Synthesis of Polymer A-1
질소로 치환된 플라스크 내에 N-메틸피롤리돈 100g를 투입하고 여기에 1H,1'H-5,5'-비인돌 10.0g (0.043mol)과 1,6-비스(1'-메탄술포닐옥시에틸)피렌 15.4g(0.034mol)을 용해시킨 뒤에 용액을 130℃로 승온시켜 5시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 반응 용액을 0℃로 냉각시킨 뒤에 증류수를 투입하여 중합체를 침전시켜 여과하였다. 얻어진 고체를 다시 THF에 용해된 후에 메탄올은 적정량을 투입하여 다시 침전시키는 과정을 반복하여 목적하는 중합체 A-1 14.2g (수율: 76%)을 얻을 수 있었다. 이 때 GPC로 측정된 중량평균분자량은 5,860이며 분산도는 1.75였다.In a flask purged with nitrogen, 100 g of N-methylpyrrolidone was added, and 10.0 g (0.043 mol) of 1H,1'H-5,5'-biindole and 1,6-bis(1'-methanesulfonyl) were added thereto. After dissolving 15.4 g (0.034 mol) of oxyethyl) pyrene, the solution was heated to 130° C. and stirred for 5 hours. After completion of the reaction, the reaction solution was cooled to 0° C., and then distilled water was added to precipitate the polymer and filtered. After dissolving the obtained solid in THF again, an appropriate amount of methanol was added and the process of precipitating again was repeated to obtain 14.2 g of the desired polymer A-1 (yield: 76%). At this time, the weight average molecular weight measured by GPC was 5,860 and the degree of dispersion was 1.75.
합성예 2: 중합체 A-2의 합성Synthesis Example 2: Synthesis of Polymer A-2
상기 합성예 1과 동일한 조건에서, 1H,1'H-2,3'-비인돌 10.0g (0.043mol)과 1,6-비스(1'-메탄술포닐옥시에틸)피렌 15.4g(0.034mol)을 용해시킨 뒤에 용액을 130℃로 승온시켜 5시간 동안 교반하였다. 중합 반응 종료 후 재침전을 통한 정제를 진행하여 목적하는 중합체 A-2 11.6g (수율: 62%)을 얻을 수 있었다. 이 때 GPC로 측정된 중량평균분자량은 4,210이며 분산도는 1.91였다.Under the same conditions as in Synthesis Example 1, 10.0 g (0.043 mol) of 1H,1'H-2,3'-biindole and 15.4 g (0.034 mol) of 1,6-bis (1'-methanesulfonyloxyethyl) pyrene ) was dissolved, and the solution was heated to 130° C. and stirred for 5 hours. After completion of the polymerization reaction, purification through reprecipitation was performed to obtain 11.6 g of the desired polymer A-2 (yield: 62%). At this time, the weight average molecular weight measured by GPC was 4,210 and the degree of dispersion was 1.91.
합성예 3: 중합체 A-3의 합성Synthesis Example 3: Synthesis of Polymer A-3
상기 합성예 1과 동일한 조건에서, 1H,1'H-5,5'-비인돌 8.0g (0.034mol)과 2,6-비스(브로모메틸)나프탈렌 8.7g(0.028mol)을 용해시킨 뒤에 용액을 130℃로 승온시켜 5시간 동안 교반하였다. 중합 반응 종료 후 재침전을 통한 정제를 진행하여 목적하는 중합체 A-3 8.9g (수율: 73%)을 얻을 수 있었다. 이 때 GPC로 측정된 중량평균분자량은 7,620이며 분산도는 1.68였다.Under the same conditions as in Synthesis Example 1, after dissolving 8.0 g (0.034 mol) of 1H,1'H-5,5'-biindole and 8.7 g (0.028 mol) of 2,6-bis(bromomethyl)naphthalene, The solution was warmed to 130 °C and stirred for 5 hours. After completion of the polymerization reaction, purification through reprecipitation was performed to obtain 8.9 g of the desired polymer A-3 (yield: 73%). At this time, the weight average molecular weight measured by GPC was 7,620 and the degree of dispersion was 1.68.
합성예 4: 중합체 A-4의 합성Synthesis Example 4: Synthesis of Polymer A-4
상기 합성예 1과 동일한 조건에서, 1H,1'H-2,3'-비인돌 8.0g (0.034mol)과 2,6-비스(브로모메틸)나프탈렌 8.7g(0.028mol)을 용해시킨 뒤에 용액을 130℃로 승온시켜 5시간 동안 교반하였다. 중합 반응 종료 후 재침전을 통한 정제를 진행하여 목적하는 중합체 A-4 8.3g (수율: 68%)을 얻을 수 있었다. 이 때 GPC로 측정된 중량평균분자량은 5,510이며 분산도는 2.05였다.Under the same conditions as in Synthesis Example 1, after dissolving 8.0 g (0.034 mol) of 1H,1'H-2,3'-biindole and 8.7 g (0.028 mol) of 2,6-bis(bromomethyl)naphthalene, The solution was warmed to 130 °C and stirred for 5 hours. After completion of the polymerization reaction, purification through reprecipitation was performed to obtain 8.3 g of the desired polymer A-4 (yield: 68%). At this time, the weight average molecular weight measured by GPC was 5,510 and the degree of dispersion was 2.05.
합성예 5: 중합체 A-5의 합성Synthesis Example 5: Synthesis of Polymer A-5
상기 합성예 1과 동일한 조건에서, 1H,1'H-5,5'-비인돌 10.0g (0.043mol)과 1,9-비스(브로모메틸)안트라센 12.5g(0.034mol)을 용해시킨 뒤에 용액을 130℃로 승온시켜 5시간 동안 교반하였다. 중합 반응 종료 후 재침전을 통한 정제를 진행하여 목적하는 중합체 A-5 11.9g (수율: 70%)을 얻을 수 있었다. 이 때 GPC로 측정된 중량평균분자량은 6,080이며 분산도는 1.61였다.Under the same conditions as in Synthesis Example 1, after dissolving 10.0 g (0.043 mol) of 1H,1'H-5,5'-biindole and 12.5 g (0.034 mol) of 1,9-bis(bromomethyl)anthracene The solution was warmed to 130 °C and stirred for 5 hours. After completion of the polymerization reaction, purification through reprecipitation was performed to obtain 11.9 g of the desired polymer A-5 (yield: 70%). At this time, the weight average molecular weight measured by GPC was 6,080 and the degree of dispersion was 1.61.
합성예 6: 중합체 A-6의 합성Synthesis Example 6: Synthesis of Polymer A-6
상기 합성예 1과 동일한 조건에서, 1H,1'H-2,3'-비인돌 10.0g (0.043mol)과 1,9-비스(브로모메틸)안트라센 12.5g(0.034mol)을 용해시킨 뒤에 용액을 130℃로 승온시켜 5시간 동안 교반하였다. 중합 반응 종료 후 재침전을 통한 정제를 진행하여 목적하는 중합체 A-6 11.2g (수율: 66%)을 얻을 수 있었다. 이 때 GPC로 측정된 중량평균분자량은 4,680이며 분산도는 1.92였다.Under the same conditions as in Synthesis Example 1, after dissolving 10.0 g (0.043 mol) of 1H,1'H-2,3'-biindole and 12.5 g (0.034 mol) of 1,9-bis(bromomethyl)anthracene, The solution was warmed to 130 °C and stirred for 5 hours. After completion of the polymerization reaction, purification through reprecipitation was performed to obtain 11.2 g of the desired polymer A-6 (yield: 66%). At this time, the weight average molecular weight measured by GPC was 4,680 and the degree of dispersion was 1.92.
합성예 7: 중합체 A-7의 합성Synthesis Example 7: Synthesis of Polymer A-7
질소로 치환된 플라스크 내에 프로필렌 글리콜 메틸에테르 아세테이트(PGMEA) 50g과 감마-부티로락톤(GBL) 20g을 투입하고 여기에 1H,1'H-5,5'-비인돌 7.0g (0.019mol)과 1,4-비스(메톡시메틸)벤젠 2.8g(0.017mol)를 용해시킨 뒤에 상온에서 파라-톨루엔술폰산 0.3g(0.002mol)을 투입한 뒤에 용액을 110℃로 승온시킨 후 GPC로 반응 진행을 모니터링하면서 48시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 반응 용액을 상온으로 냉각시킨 뒤에 50g의 메탄올를 투입하여 중합체를 침전시켜 여과하였다. 얻어진 고체를 다시 THF에 용해된 후에 메탄올은 적정량을 투입하여 다시 침전시키는 과정을 반복하여 목적하는 중합체 A-7 5.9g (수율: 68%)을 얻을 수 있었다. 이 때 GPC로 측정된 중량평균분자량은 2,875이며 분산도는 2.00였다.50 g of propylene glycol methyl ether acetate (PGMEA) and 20 g of gamma-butyrolactone (GBL) were put into a flask purged with nitrogen, and 7.0 g (0.019 mol) of 1H,1'H-5,5'-biindole and After dissolving 2.8 g (0.017 mol) of 1,4-bis (methoxymethyl) benzene, 0.3 g (0.002 mol) of para-toluenesulfonic acid was added at room temperature, the temperature was raised to 110 ° C, and the reaction was progressed by GPC. Stirred for 48 hours while monitoring. After completion of the reaction, the reaction solution was cooled to room temperature, and then 50 g of methanol was added to precipitate the polymer and filtered. After dissolving the obtained solid in THF again, an appropriate amount of methanol was added to precipitate again, thereby obtaining 5.9 g of the desired polymer A-7 (yield: 68%). At this time, the weight average molecular weight measured by GPC was 2,875 and the degree of dispersion was 2.00.
합성예 8: 중합체 A-8의 합성Synthesis Example 8: Synthesis of Polymer A-8
상기 합성예 7과 동일한 조건에서, 1H,1'H-2,3'-비인돌 7.0g (0.013mol)과 1,4-비스(메톡시메틸)벤젠 1.9g(0.012mol)를 파라-톨루엔술폰산 0.2g(0.001mol) 존재 하에 72시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 얻어진 고체를 재침전을 통한 정제를 진행하여 목적하는 중합체 A-8 4.2g (수율: 51%)을 얻을 수 있었다. 이 때 GPC로 측정된 중량평균분자량은 2,170이며 분산도는 2.24였다.Under the same conditions as in Synthesis Example 7, 7.0 g (0.013 mol) of 1H,1'H-2,3'-biindole and 1.9 g (0.012 mol) of 1,4-bis(methoxymethyl)benzene were added to para-toluene. The mixture was stirred for 72 hours in the presence of 0.2 g (0.001 mol) of sulfonic acid. After completion of the reaction, the obtained solid was purified through reprecipitation to obtain 4.2 g of the desired polymer A-8 (yield: 51%). At this time, the weight average molecular weight measured by GPC was 2,170 and the degree of dispersion was 2.24.
합성예 9: 중합체 A-9의 합성Synthesis Example 9: Synthesis of Polymer A-9
상기 합성예 7과 동일한 조건에서, 9,9'-비스(인돌)플루오렌 10.0g (0.025mol)과 1,4-비스(메톡시메틸)벤젠 3.8g(0.023mol)을 파라-톨루엔술폰산 0.4g(0.003mol) 존재 하에 72시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 얻어진 고체를 재침전을 통한 정제를 진행하여 목적하는 중합체 A-9 6.8g (수율: 55%)을 얻을 수 있었다. 이 때 GPC로 측정된 중량평균분자량은 3,950이며 분산도는 1.78였다.Under the same conditions as in Synthesis Example 7, 10.0 g (0.025 mol) of 9,9'-bis (indole) fluorene and 3.8 g (0.023 mol) of 1,4-bis (methoxymethyl) benzene were mixed with 0.4 g (0.023 mol) of para-toluenesulfonic acid. It was stirred for 72 hours in the presence of g (0.003 mol). After completion of the reaction, the obtained solid was purified through reprecipitation to obtain 6.8 g of the desired polymer A-9 (yield: 55%). At this time, the weight average molecular weight measured by GPC was 3,950 and the degree of dispersion was 1.78.
실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 3: 하드마스크용 조성물의 제조Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 3: Preparation of hard mask composition
하기 표 1의 조성으로 각 성분들을 혼합하여 하드마스크용 조성물을 제조하였다(단위: 중량%).A composition for a hard mask was prepared by mixing each component according to the composition shown in Table 1 below (unit: wt%).
(A)polymer
(A)
A-1: 상기 합성예 1의 중합체A-1: Polymer of Synthesis Example 1
A-2: 상기 합성예 2의 중합체A-2: Polymer of Synthesis Example 2 above
A-3: 상기 합성예 3의 중합체A-3: Polymer of Synthesis Example 3
A-4: 상기 합성예 4의 중합체A-4: Polymer of Synthesis Example 4
A-5: 상기 합성예 5의 중합체A-5: Polymer of Synthesis Example 5
A-6: 상기 합성예 6의 중합체A-6: Polymer of Synthesis Example 6
A-7: 상기 합성예 7의 중합체A-7: Polymer of Synthesis Example 7
A-8: 상기 합성예 8의 중합체A-8: Polymer of Synthesis Example 8
A-9: 상기 합성예 9의 중합체A-9: Polymer of Synthesis Example 9
B-1: 사이클로펜타논B-1: cyclopentanone
실험예 1:Experimental Example 1:
상기 실시예 및 비교예에서 제조된 하드마스크용 조성물에 대하여 용해성, 내에칭성 및 내화학성을 하기와 같은 방법으로 측정하고, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.The solubility, etching resistance, and chemical resistance of the hard mask compositions prepared in Examples and Comparative Examples were measured by the following methods, and the results are shown in Table 2 below.
(1) 용해성(1) Solubility
실시예 및 비교예에 따른 하드마스크용 조성물을 테스트용 용제인 프로필렌 글리콜 메틸에테르 아세테이트(PGMEA), 에틸 락테이트(EL), 테트라히드로퓨란(THF) 또는 메틸 2-히드록시이소뷰티레이트(HBM)와 각각 부피비 1대 1로 혼합하여 상온에서 7일간 보관하면서 변화를 관찰하였다. 용해성을 하기 평가 기준으로 평가하였다.Propylene glycol methyl ether acetate (PGMEA), ethyl lactate (EL), tetrahydrofuran (THF) or methyl 2-hydroxyisobutyrate (HBM) as test solvents for hard mask compositions according to Examples and Comparative Examples and each were mixed at a volume ratio of 1:1 and stored at room temperature for 7 days, and changes were observed. Solubility was evaluated according to the following evaluation criteria.
<평가 기준><Evaluation Criteria>
○: 탁해지거나 침전이 발생하지 않음○: No turbidity or precipitation
△: 혼합초기에 변화가 없다가 시간경과 후에 침전없이 탁해지기만 함△: There is no change at the beginning of mixing, but after time elapses, it only becomes turbid without precipitation
×: 침전이 발생하여 가라앉은 침전물이 확인됨×: Precipitation occurred and the settled precipitate was confirmed
(2) 내에칭성(2) etching resistance
실시예 및 비교예에 따른 하드마스크용 조성물을 베이크(bake) 후 막 두께가 2000Å 이상이 되도록 rpm을 조정하면서 4" 실리콘 웨이퍼 위에 스핀 코팅을 진행하고 나서 400℃에서 90초 동안 가열하여 도막을 경화시켰다. 얻어진 경화 도막에 대하여 다음과 같은 식각 조건에서 건식 식각을 진행하였다. 이때, 식각 전 막 두께와 식각 후 막 두께의 차이를 식각 시간으로 나누어 식각 속도(etch rate)(Å/min)를 계산하였다.After baking the composition for a hard mask according to Examples and Comparative Examples, spin coating was performed on a 4" silicon wafer while adjusting the rpm so that the film thickness was 2000 Å or more, and then heated at 400 ° C. for 90 seconds to cure the coating film. The resulting cured film was subjected to dry etching under the following etching conditions: At this time, the etch rate (Å/min) was calculated by dividing the difference between the film thickness before etching and the film thickness after etching by the etching time. did
<에칭 조건><Etching conditions>
챔버 압력: 2.0 PaChamber pressure: 2.0 Pa
RF 파워: 1200WRF Power: 1200W
CF4 가스 유량: 100 sccmCF 4 gas flow: 100 sccm
CHF3 가스 유량: 30 sccmCHF 3 gas flow: 30 sccm
Ar 가스 유량: 150 sccmAr gas flow: 150 sccm
산소 가스 유량: 5 sccmOxygen gas flow: 5 sccm
(3) 내열성(3) heat resistance
실시예 및 비교예에서 사용된 중합체를 열중량분석기(메틀러 토레도사제, TGA2)를 이용하여 분당 10℃씩 승온하도록 설정하고, 600℃까지 측정하여 400℃와 500℃에서의 중량감소값을 비교하였다.The polymer used in Examples and Comparative Examples was set to rise at a rate of 10 ° C per minute using a thermogravimetric analyzer (manufactured by Mettler Toledo, TGA2), measured up to 600 ° C, and the weight loss at 400 ° C and 500 ° C was calculated. compared.
상기 표 2에 나타난 바와 같이, 본 발명에 따라 NH기와 이탈기 간의 친핵성 치환반응에 의해 축중합되어 C-N 간 결합에 의해 인접 반복단위, 또는 반복단위 내 다른 모이어티에 연결되는 2개의 헤테로아릴렌기를 가지고, 상기 2개의 헤테로아릴렌기가 서로 직접 연결되는 유기 구조를 갖는 중합체를 포함하는 실시예 1 내지 6의 하드마스크용 조성물은 용해성, 내에칭성 및 내열성을 동시에 확보할 수 있는 것을 확인하였다.As shown in Table 2, according to the present invention, two heteroarylene groups are condensation-polymerized by a nucleophilic substitution reaction between an NH group and a leaving group and are connected to adjacent repeating units or to other moieties in repeating units by C-N bonds. It was confirmed that the hard mask compositions of Examples 1 to 6 including a polymer having an organic structure in which two heteroarylene groups are directly connected to each other can simultaneously secure solubility, etching resistance, and heat resistance.
반면, NH기와 이탈기 간의 친핵성 치환반응에 의해 축중합되지 않아 C-N 간 결합이 아닌 C-C 간 결합에 의해 인접 반복단위, 또는 반복단위 내 다른 모이어티에 연결되는 중합체를 포함하는 비교예 1 내지 3의 하드마스크용 조성물은 용해성, 내에칭성 및 내열성을 동시에 확보할 수 없는 것으로 나타났다.On the other hand, in Comparative Examples 1 to 3 including a polymer that is not condensation polymerized by a nucleophilic substitution reaction between an NH group and a leaving group and is connected to an adjacent repeating unit or to another moiety in the repeating unit by a C-C bond rather than a C-N bond. It was found that the hard mask composition could not simultaneously secure solubility, etching resistance and heat resistance.
이상으로 본 발명의 특정한 부분을 상세히 기술하였는 바, 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 이러한 구체적인 기술은 단지 바람직한 구현예일 뿐이며, 이에 본 발명의 범위가 제한되는 것이 아님은 명백하다. 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기 내용을 바탕으로 본 발명의 범주 내에서 다양한 응용 및 변형을 행하는 것이 가능할 것이다.Having described specific parts of the present invention in detail above, it is clear that these specific techniques are only preferred embodiments for those skilled in the art to which the present invention belongs, and the scope of the present invention is not limited thereto. do. Those skilled in the art to which the present invention pertains will be able to make various applications and modifications within the scope of the present invention based on the above information.
따라서, 본 발명의 실질적인 범위는 첨부된 특허청구범위와 그의 등가물에 의하여 정의된다고 할 것이다.Accordingly, the substantial scope of the present invention will be defined by the appended claims and equivalents thereof.
Claims (8)
[화학식 1]
상기 식에서,
Ar1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C50의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C50의 헤테로아릴렌기이고,
Ar2 및 Ar3은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 인돌릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 아자인돌릴렌기이며, 상기 인돌릴렌기 또는 아자인돌릴렌기의 질소 원자가 R1 및 R2가 결합된 탄소 원자에 결합되고,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C50의 헤테로아릴기이며,
n은 2 내지 20의 정수이다.A composition for a hard mask comprising a polymer represented by Formula 1 and a solvent:
[Formula 1]
In the above formula,
Ar 1 is a substituted or unsubstituted C6 to C50 arylene group or a substituted or unsubstituted C3 to C50 heteroarylene group;
Ar 2 and Ar 3 are each independently a substituted or unsubstituted indolylene group or a substituted or unsubstituted azaindolylene group, and the nitrogen atom of the indolylene group or azaindolylene group is R 1 and R 2 bonded bonded to a carbon atom,
R 1 and R 2 are each independently hydrogen, a C1 to C6 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C50 aryl group, or a substituted or unsubstituted C3 to C50 heteroaryl group,
n is an integer from 2 to 20;
[화학식 1a]
[화학식 1b]
[화학식 1c]
[화학식 1d]
상기 식에서,
Ar1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C50의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C50의 헤테로아릴렌기이고,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C50의 헤테로아릴기이며,
R3 내지 R8은 각각 독립적으로 단일 결합, 수소, 할로겐, C1 내지 C6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C50의 헤테로아릴기이고,
n은 2 내지 20의 정수이다.The composition for a hard mask according to claim 1, wherein the polymer represented by Chemical Formula 1 is a polymer represented by one of the following Chemical Formulas 1a to 1d:
[Formula 1a]
[Formula 1b]
[Formula 1c]
[Formula 1d]
In the above formula,
Ar 1 is a substituted or unsubstituted C6 to C50 arylene group or a substituted or unsubstituted C3 to C50 heteroarylene group;
R 1 and R 2 are each independently hydrogen, a C1 to C6 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C50 aryl group, or a substituted or unsubstituted C3 to C50 heteroaryl group,
R 3 to R 8 are each independently a single bond, hydrogen, halogen, a C1 to C6 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C50 aryl group, or a substituted or unsubstituted C3 to C50 heteroaryl group,
n is an integer from 2 to 20;
[화학식 2]
[화학식 3]
상기 식에서,
Ar1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C50의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C50의 헤테로아릴렌기이고,
Ar2' 및 Ar3'는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 인돌릴기, 또는 치환 또는 비치환된 아자인돌릴기이며,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C50의 헤테로아릴기이고,
X는 I, Br, Cl, 메탄설포닐옥시기, 벤젠설포닐옥시기, 톨루엔설포닐옥시기 및 트리플루오로메탄설포닐옥시기로부터 선택되는 이탈기(leaving group)이다.The composition for a hard mask according to claim 1, wherein the polymer represented by Chemical Formula 1 is obtained by reacting a compound represented by Chemical Formula 2 with a compound represented by Chemical Formula 3:
[Formula 2]
[Formula 3]
In the above formula,
Ar 1 is a substituted or unsubstituted C6 to C50 arylene group or a substituted or unsubstituted C3 to C50 heteroarylene group;
Ar 2' and Ar 3' are each independently a substituted or unsubstituted indolyl group or a substituted or unsubstituted azaindolyl group,
R 1 and R 2 are each independently hydrogen, a C1 to C6 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C50 aryl group, or a substituted or unsubstituted C3 to C50 heteroaryl group,
X is a leaving group selected from I, Br, Cl, methanesulfonyloxy group, benzenesulfonyloxy group, toluenesulfonyloxy group and trifluoromethanesulfonyloxy group.
[화학식 2a]
[화학식 2b]
[화학식 2c]
[화학식 2d]
상기 식에서,
R3 내지 R8은 각각 독립적으로 단일 결합, 수소, 할로겐, C1 내지 C6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C50의 헤테로아릴기이다.The composition for a hard mask according to claim 3, wherein the compound represented by Chemical Formula 2 is a compound represented by one of the following Chemical Formulas 2a to 2d:
[Formula 2a]
[Formula 2b]
[Formula 2c]
[Formula 2d]
In the above formula,
R 3 to R 8 are each independently a single bond, hydrogen, halogen, a C1 to C6 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C50 aryl group, or a substituted or unsubstituted C3 to C50 heteroaryl group.
[화학식 3a]
[화학식 3b]
[화학식 3c]
[화학식 3d]
[화학식 3e]
상기 식에서,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C50의 헤테로아릴기이고,
X는 I, Br, Cl, 메탄설포닐옥시기, 벤젠설포닐옥시기, 톨루엔설포닐옥시기 및 트리플루오로메탄설포닐옥시기로부터 선택되는 이탈기(leaving group)이다.The composition for a hard mask according to claim 3, wherein the compound represented by Chemical Formula 3 is a compound represented by one of the following Chemical Formulas 3a to 3e:
[Formula 3a]
[Formula 3b]
[Formula 3c]
[Formula 3d]
[Formula 3e]
In the above formula,
R 1 and R 2 are each independently hydrogen, a C1 to C6 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C50 aryl group, or a substituted or unsubstituted C3 to C50 heteroaryl group,
X is a leaving group selected from I, Br, Cl, methanesulfonyloxy group, benzenesulfonyloxy group, toluenesulfonyloxy group and trifluoromethanesulfonyloxy group.
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|---|---|---|---|---|
| KR20100082844A (en) | 2007-10-01 | 2010-07-20 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | Composition for forming resist underlayer film, process for producing semiconductor device with the same, and additive for composition for forming resist underlayer film |
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2021
- 2021-08-24 KR KR1020210111950A patent/KR20230029446A/en unknown
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