KR20230022519A - Glass cutting and post-processing method using laser - Google Patents

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Abstract

A glass cutting and post-processing method using a laser according to the present invention comprises the steps of: coating a coating solution for chemical contact prevention on one side or both sides of a raw thin film glass for selective chemical treatment; drying the coating solution to form a coating film on one side or both sides of the raw thin film glass; cutting the raw thin film glass using a laser and cutting off a cell-unit thin film glass to be applied to electrical and electronic products from the raw thin film glass; healing a laser cut surface of the cell-unit thin film glass by selective chemical treatment of the cut cell-unit thin film glass to remove heat damage and defects around the cut surface of the cell-unit thin film glass generated during the laser cutting process; cleaning the cell-unit thin film glass and the removing the coating film; and cleaning the cell-unit thin film glass from which the coating film is removed to remove defects or flaws on a surface of the cell-unit thin film glass from which the coating film is removed, and then chemically healing the surface of the cell-unit thin film glass (5). Accordingly, production costs can be reduced during a glass cutting process and post-processing process.

Description

레이저를 이용한 유리 절단 및 후처리 방법{Glass cutting and post-processing method using laser}Glass cutting and post-processing method using laser

본 발명은 레이저를 이용한 유리 절단 및 후처리 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 레이저를 이용하여 코팅 처리된 원장 상태 박막 글라스를 셀(Cell) 단위로 절단하고, 셀 단위 박막 글라스의 절단면을 힐링(Healing)한 다음, 코팅막을 제거 후 셀 단위 박막 글라스의 표면을 매끄럽게 힐링(Healing)하여 각종 전기 전자 제품에 적용되는 셀 단위 박막 글라스를 제조하는 레이저를 이용한 유리 절단 및 후처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a glass cutting and post-processing method using a laser, and more particularly, to cutting a coated mother-state thin-film glass in a cell unit using a laser, and healing the cut surface of the cell-unit thin-film glass It relates to a glass cutting and post-processing method using a laser to manufacture cell unit thin film glass applied to various electric and electronic products by healing, then removing the coating film, and then smoothly healing the surface of the cell unit thin film glass.

근래에는 스마트폰과 같은 전자 제품의 슬림화로 인해 종래 사용되던 일반적인 유리나 아크릴이 박막 글라스로 대체되고 있다.In recent years, due to the slimming of electronic products such as smart phones, conventionally used glass or acrylic has been replaced with thin glass.

이러한 박막 글라스는 휴대폰이나, PMP, MP3와 같은 휴대용 전자 제품의 디스플레이 창으로 사용되는데, 상기 박막 글라스는 얇을 수록 디자인성 및 휴대성에서 우월한 위치를 점유할 수 있다.Such thin glass is used as a display window of portable electronic products such as mobile phones, PMPs, and MP3 players. As the thin glass is thinner, it can occupy a superior position in terms of design and portability.

각종 전자 제품에 적용되는 셀 단위 박막 글라스를 제작하기 위해서는 원장 상태 박막 글라스를 일정 크기로 재단한다.In order to manufacture cell-unit thin film glass applied to various electronic products, raw thin film glass is cut to a certain size.

이때, 재단시 발생하는 미세 크렉(Crack)이나 미세 칩핑(Chipping)들은 재단된 셀 단위 박막 글라스의 강도 저하를 가져오며, 이를 최소화하기 위하여 면삭, 면취 공정을 추가로 진행하게 된다.At this time, micro cracks or chippings generated during cutting cause a decrease in the strength of the cut cell-unit thin film glass, and to minimize this, a chamfering and chamfering process is additionally performed.

하지만, 이러한 공정은 원장 상태 박막 글라스가 매우 얇기 때문에 면삭, 면취 공정을 진행하는 동안 파손 우려가 있으며, 제품에 적용되는 셀 단위 박막 글라스를 개별적으로 면삭, 면취하는 것은 인력 및 시간에 있어, 많은 손실이 발생한다는 문제점이 있었다.However, in this process, since the original state thin film glass is very thin, there is a risk of damage during the chamfering and chamfering process. There was a problem with this happening.

이러한 문제점을 해결하기 위하여 원장 상태 박막 글라스를 접합하여 적층한 후 일체로 가공하는 방법이 제안되었다.In order to solve this problem, a method of bonding and laminating mother-state thin-film glass and then integrally processing it has been proposed.

상기 원장 상태 박막 글라스를 접합하여 적층한 후 일체로 가공하는 방법에는 CNC를 이용하여 가공하는 제1 실시 예와, 레이저 빔을 이용하여 가공하는 제2 실시 예가 있는데, 상기 CNC를 이용하여 가공하는 제1 실시 예에 대해 구체적으로 설명하면, 다음과 같다.In the method of bonding, laminating, and integrally processing the original state thin-film glass, there is a first embodiment of processing using a CNC and a second embodiment of processing using a laser beam. A detailed description of Example 1 is as follows.

먼저, 상기 제1 실시 예에 대해 크게 분류하면, 2개 이상의 원장 상태 박막 글라스를 적층시키되 2개 이상의 원장 상태 박막 글라스 사이에는 기설정된 패턴에 따라 높이 간격 유지용 레진이 도포되는 단계와, CNC 가공법을 이용하여 2개 이상이 적층된 원장 상태 박막 글라스를 커팅하여 원장 상태 박막 글라스로부터 각종 전기 전자 제품에 적용되는 셀 단위 박막 글라스를 잘라내는 단계, 여러 장이 적층된 셀 단위 박막 글라스를 화학적 힐링(Healing)을 통하여 셀 단위 박막 글라스의 커팅면을 매끄럽게 다듬는 단계, 힐링(Healing)된 셀 단위 박막 글라스를 세정하는 단계, 셀 단위 박막 글라스와 셀 단위 박막 글라스 사이에 도포된 레진을 박리하기 쉽도록 완전 경화시키는 단계, 셀 단위 박막 글라스와 셀 단위 박막 글라스 사이에 접착된 레진을 박리시키는 단계, 레진이 제거된 셀 단위 박막 글라스를 세정하는 단계, 세정 완료된 셀 단위 박막 글라스를 화학적으로 힐링(Healing)시키는 단계, 화학적으로 힐링(Healing)된 셀 단위 박막 글라스를 세정하고 세정 완료된 셀 단위 박막 글라스를 강화한 다음 후속 공정으로 내보내는 단계를 포함한다.First, if the first embodiment is roughly classified, two or more mother-state thin-film glasses are laminated, but a resin for maintaining a height gap is applied between the two or more mother-state thin-film glasses according to a predetermined pattern, and CNC processing method Cutting the mother-state thin-film glass in which two or more layers are stacked using a method to cut out the cell-unit thin-film glass applied to various electrical and electronic products from the mother-state thin-film glass, chemical healing of the cell-unit thin-film glass in which several layers are stacked ) to smooth the cutting surface of the thin film glass of the cell unit, cleaning the thin film glass of the cell unit that has been healed, completely hardening the resin applied between the thin glass of the cell unit and the thin glass of the cell unit to be easily peeled off step of peeling the resin bonded between the thin film glass of cell unit and the thin glass of unit unit cell, the step of cleaning the thin film glass of unit cell from which the resin has been removed, the step of chemically healing the thin film glass of cell unit that has been cleaned , cleaning the chemically healed cell-unit thin-film glass, strengthening the cleaned cell-unit thin-film glass, and then exporting it to a subsequent process.

상기 2개 이상의 원장 상태 박막 글라스를 적층시키되 2개 이상의 원장 상태 박막 글라스 사이에는 기설정된 패턴에 따라 높이 간격 유지용 레진이 도포되는 단계는 원장 상태 박막 글라스의 윗면에 레진을 도포하는 제1-1 단계와, 도포된 레진 위에 원장 상태 박막 글라스를 적층한 후 레진을 얇게 펼치는 제1-2 단계, 얇게 펼쳐진 레진을 UV 경화하는 제1-3 단계, 상기 제1-1 단계 내지 제1-3 단계를 반복하여 2개 이상의 원장 상태 박막 글라스를 적층시키는 단계를 포함한다.In the step of laminating two or more mother-state thin-film glasses and applying resin for maintaining a height gap between the two or more mother-state thin-film glasses according to a predetermined pattern, 1-1 of applying the resin to the upper surface of the mother-state thin-film glass Step 1-2 of laminating thin film glass on the applied resin and then spreading the resin thinly, Step 1-3 of UV curing the thinly spread resin, Steps 1-1 to 1-3 repeating to laminate two or more mother-of-pearl thin-film glasses.

하지만, 상기 제1 실시 예의 경우 레진을 이용하여 원장 상태 박막 글라스를 2장 이상 적층시키는 공정과, 적층된 원장 상태 박막 글라스를 셀 단위 박막 글라스로 잘라내기 위한 황삭 중삭 정삭 가공 공정을 포함한 CNC 커팅 공정, 적층된 셀 단위 박막 글라스를 화학적 힐링(Healing)을 통해 셀 단위 박막 글라스의 커팅면을 매끄럽게 다듬는 공정, 적층된 셀 단위 박막 글라스의 분리를 쉽게 하기 위해 레진을 완전 경화시키는 공정, 레진 박리 후 셀 단위 박막 글라스 세정 공정, 셀 단위 박막 글라스를 화학적으로 힐링(Healing)한 후 세정하는 공정으로 인해 셀 단위 박막 글라스 제조 시간이 많이 소요될 뿐만 아니라, 셀 단위 박막 글라스 생산 비용이 높아진다는 문제점이 있었다.However, in the case of the first embodiment, a CNC cutting process including a process of laminating two or more sheets of mother-state thin-film glass using resin and a roughing, semi-finishing, and finishing process for cutting the laminated mother-state thin-film glass into cell-unit thin-film glass , The process of smoothing the cut surface of the laminated cell unit thin film glass through chemical healing, the process of completely curing the resin to facilitate separation of the stacked cell unit thin film glass, and the cell after resin peeling Due to the unit thin film glass cleaning process and the cleaning process after chemically healing the cell unit thin film glass, not only does it take a long time to manufacture the cell unit thin film glass, but there is a problem that the cell unit thin film glass production cost increases.

다음, 제2 실시 예에 대해 구체적으로 설명하면, 다음과 같다.Next, the second embodiment will be described in detail as follows.

상기 레이저 빔을 이용하여 가공하는 제2 실시예에 대해 크게 분류하면, 원장 상태 박막 글라스의 커팅 라인을 따라 레이저 빔(Beam)을 조사하여 원장 상태 박막 글라스를 커팅하여 원장 상태 박막 글라스로부터 셀 단위 박막 글라스를 잘라내는 단계와; 커팅된 셀 단위 박막 글라스를 2개 이상 적층시키되 상하 배치된 셀 단위 박막 글라스 사이에 높이 간격용 레진을 도포하는 제2 단계; 2개 이상이 적층된 셀 단위 박막 글라스를 화학적 힐링(Healing)을 통하여 커팅된 셀 단위 박막 글라스의 커팅면을 매끄럽게 다듬는 제3 단계; 적층된 셀 단위 박막 글라스를 세정하는 제4 단계; 여러 장이 적층된 셀 단위 박막 글라스와 셀 단위 박막 글라스 사이에 도포된 레진을 박리하기 쉽도록 완전 경화시키는 제5 단계; 셀 단위 박막 글라스에 접착된 레진을 박리시킨 후 낱개로 분리된 셀 단위 박막 글라스를 세정하는 제6 단계; 세정 완료된 셀 단위 박막 글라스를 화학적으로 힐링(Healing)시키는 제7 단계; 화학적으로 힐링(Healing)된 셀 단위 박막 글라스를 세정 후 강화 공정을 거친 후 후속 공정으로 내보내는 제8 단계를 포함한다.If the second embodiment of processing using the laser beam is broadly classified, a laser beam is irradiated along the cutting line of the mother-of-pearl thin-film glass to cut the mother-of-pearl thin-film glass, thereby forming a cell unit thin film from the mother-of-pearl thin-film glass. cutting the glass; A second step of stacking two or more cut cell-unit thin-film glasses and applying a resin for height spacing between the upper and lower cell-unit thin-film glasses; A third step of smoothing the cutting surface of the cut cell unit thin film glass through chemical healing of two or more stacked cell unit thin film glasses; A fourth step of cleaning the laminated cell unit thin film glass; A fifth step of completely curing the resin applied between the cell-unit thin-film glass and the cell-unit thin-film glass in which several layers are stacked so as to be easily peelable; A sixth step of cleaning the separated cell-unit thin-film glasses after peeling off the resin adhered to the cell-unit thin-film glass; A seventh step of chemically healing the cleaned cell unit thin film glass; An eighth step of cleaning the chemically healed cell-unit thin-film glass, going through a strengthening process, and then exporting it to a subsequent process.

또한, 상기 커팅된 셀 단위 박막 글라스를 2개 이상 적층시키되 상하 배치된 셀 단위 박막 글라스의 사이에 높이 간격용 레진을 도포하는 제2 단계는 상기 커팅된 셀 단위 박막 글라스를 2개 이상 적층시키되 상하 배치된 한 쌍의 셀 단위 박막 글라스 사이에 높이 간격용 레진을 도포하는 제2-1 단계와, 도포된 레진 위에 셀 단위 박막 글라스를 적층한 후 레진을 얇게 펼치는 제2-2 단계, 평탄하게 펼쳐진 레진을 UV 경화하는 제2-3 단계, 상기 제2-1 단계 내지 제2-3 단계를 반복 수행하여 2개 이상의 커팅된 셀 단위 박막 글라스를 적층시키는 단계를 포함한다.In addition, in the second step of laminating two or more of the cut cell unit thin film glasses and applying a resin for height spacing between the upper and lower cell unit thin film glasses, the cut cell unit thin film glass is stacked with two or more top and bottom A 2-1 step of applying resin for height spacing between a pair of arranged cell-unit thin-film glasses, and a 2-2-step of laminating the cell-unit thin-film glass on the applied resin and then spreading the resin thinly. Step 2-3 of UV-curing the resin, and steps 2-1 to 2-3 are repeatedly performed to laminate two or more cut cell unit thin film glasses.

하지만, 상기 레이저 빔을 이용하는 방법은 레진을 이용하여 커팅된 셀 단위 박막 글라스를 2장 이상 적층시키는 공정과, 적층된 셀 단위 박막 글라스 사이에 도포된 레진을 완전 경화시키는 공정, 레진 박리 및 적층된 셀 단위 박막 글라스를 분리시키는 공정으로 인해 셀 단위 박막 글라스 제조 시간이 많이 소요될 뿐만 아니라, 셀 단위 박막 글라스의 생산 비용이 높아진다는 문제점이 있었다.However, the method using the laser beam includes a process of stacking two or more sheets of cut cell-unit thin-film glass using resin, a process of completely curing the resin applied between the stacked cell-unit thin-film glasses, resin peeling and stacking Due to the process of separating the cell-unit thin-film glass, not only does it take a lot of time to manufacture the cell-unit thin-film glass, but there is a problem that the production cost of the cell-unit thin-film glass increases.

또한, CNC를 이용한 유리 절단 방법의 경우 커팅면에 미세 크렉(Crack)이나 미세 칩핑(Chipping)과 같은 결함이 발생되며, 레이저를 이용한 유리 절단 방법의 경우 레이저 조사 부분에 열손상이 발생되어 셀 단위 박막 글라스가 쉽게 파손되는 문제점이 있었다.In addition, in the case of the glass cutting method using CNC, defects such as micro cracks or micro chipping are generated on the cutting surface, and in the case of the glass cutting method using laser, thermal damage is generated in the laser irradiated part, which is cell unit. There is a problem that the thin glass is easily damaged.

이러한 CNC에 의한 미세 크렉(Crack)이나 미세 칩핑(Chipping) 결함이나 레이저(Laser)에 의한 열 손상은 셀 단위 박막 글라스 강화 후에도 굴곡 강도 저하의 원인이 될 수 있다.Such micro cracks or micro chipping defects caused by CNC or thermal damage caused by lasers may cause a decrease in flexural strength even after cell-unit thin film glass reinforcement.

CNC나 레이저 절단면의 약화된 부분을 보완하기 위하여 주로 사용하는 방법으로 상기 제1 실시예와, 제2 실시예에서와 같이, 셀 단위 박막 글라스를 레진을 이용하여 여러 층으로 적층한 다음, 절단면에 화학 처리를 진행하여 유리 절단시 발생된 결함이나 열손상 부위를 힐링(Healing)시키는 방법이 있다.As a method mainly used to compensate for the weakened part of the CNC or laser cut surface, as in the first and second embodiments, cell-unit thin-film glass is laminated in several layers using resin, and then There is a method of healing a defect or a thermally damaged area generated during glass cutting by performing chemical treatment.

하지만, 이러한 절단면 처리 방법에도 한계가 있어, CNC 공정이나 레이저 공정을 이용한 박막 글라스 절단 시 박막 글라스의 손상을 최소화할 수 있는 방법을 확보해야 하는데, 이러한 방법을 확보할 경우 공정 마진이 작아지고 각종 전기 전자 제품에 적용되는 셀 단위 박막 글라스의 가공 시간이 오래 걸리는 문제점을 가지고 있으며, 면처리 공정까지 추가 진행하면, 셀 단위 박막 글라스 제조 공정이 매우 복잡해져 제품 제작시 비용 상승의 원인이 될 수 있다.However, there is a limit to such a cut surface processing method, so it is necessary to secure a method to minimize damage to the thin glass when cutting thin glass using a CNC process or a laser process. Cell-unit thin-film glass applied to electronic products has a problem that it takes a long time to process, and if the surface treatment process is additionally performed, the cell-unit thin-film glass manufacturing process becomes very complicated, which can cause cost increase in product manufacturing.

한편, 본 발명의 선행 기술로는 출원번호 "10-2010-0026394"호의 "박판 유리의 효율적인 가공 방법"이 출원되어 공개되었는데, 상기 박판 유리의 효율적인 가공 방법은 적층된 유리 원판들 사이 사이에 접합 물질을 도포하여 유리 원판들이 서로간에 접합되도록 하고, 접합된 유리 원판을 블록 단위로 일괄 재단하는 공정과, 블록 단위의 박판 소재를 면삭 가공하는 공정, 및 브러시의 회전력과 연마재를 이용하여 절단된 단면을 폴리싱하는 공정을 포함한다.On the other hand, as the prior art of the present invention, "Efficient processing method of thin glass" under application number "10-2010-0026394" has been filed and published. A process of applying a material to bond the glass discs to each other, a process of collectively cutting the joined glass discs into blocks, a process of chamfering the thin plate material in block units, and a cross section cut using the rotational force of a brush and an abrasive It includes a process of polishing.

하지만, 상기 박판 유리의 효율적인 가공 방법은 면삭 가공 공정과 폴리싱 공정으로 인해 박판 유리의 커팅 단면에 미세 크렉(Crack)이나 미세 칩핑(Chipping) 결함이 완전히 제거가 안되는 것들이 있어서, 문제점이 있었다.However, the efficient processing methods of the thin glass have a problem in that micro cracks or micro chipping defects cannot be completely removed from the cutting edge of the thin glass due to the chamfering process and the polishing process.

대한민국 공개특허번호 제10-2011-0107181호 (2011.09.30)Republic of Korea Patent Publication No. 10-2011-0107181 (2011.09.30)

이에 본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 각종 전기 전자 제품에 적용되는 셀 단위 박막 글라스(UTG: Ultra-Thin Glass)의 제조 시 행해지는 유리 절단 공정과, 가공 후처리 공정 시 생산 비용을 절감할 수 있는 레이저를 이용한 유리 절단 및 후처리 방법을 제공하는데 본 발명의 목적이 있다.Therefore, in order to solve the above problems, the present invention can reduce the production cost during the glass cutting process and post-processing process performed during the manufacture of ultra-thin glass (UTG) applied to various electrical and electronic products. It is an object of the present invention to provide a method for cutting and post-processing glass using a laser.

또한, 본 발명의 또 다른 목적은 셀 단위 박막 글라스 제조시 제조 공정의 단순화를 통해 셀 단위 박막 글라스의 제조 원가를 낮출 수 있는 레이저를 이용한 유리 절단 및 후처리 방법을 제공하는 것이다.In addition, another object of the present invention is to provide a glass cutting and post-processing method using a laser that can reduce the manufacturing cost of cell-unit thin-film glass through simplification of the manufacturing process when manufacturing cell-unit thin-film glass.

또, 본 발명의 또 다른 목적은 레이저를 이용한 유리 절단 시 레이저 빔으로 인해 발생된 유리 절단면 주변의 열손상 부위를 선택적 화학적 처리를 통해 제거함으로써 가공 완료된 셀 단위 박막 글라스의 내구성을 향상시킬 수 있는 레이저를 이용한 유리 절단 및 후처리 방법을 제공하는 것이다.In addition, another object of the present invention is a laser that can improve the durability of processed cell-unit thin film glass by removing through selective chemical treatment the thermal damage around the glass cutting surface generated by the laser beam during glass cutting using a laser. It is to provide a glass cutting and post-processing method using.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 레이저를 이용한 유리 절단 및 후처리 방법은 선택적 화학적 처리를 진행하기 위해 원장 상태 박막 글라스(1)의 한쪽 면이나 양쪽 면에 화학물 접촉 방지용 코팅액을 코팅(Coating)시키는 단계(S1)와; 상기 코팅액을 건조시켜 상기 원장 상태 박막 글라스(1)의 한쪽 면이나 양쪽 면에 코팅막(2)을 형성하는 단계(S2); 레이저를 이용하여 원장 상태 박막 글라스(1)를 절단하여 상기 원장 상태 박막 글라스(1)로부터 전기 전자 제품에 적용되는 셀 단위 박막 글라스(5)를 잘라내는 단계(S3); 레이저 절단 과정 중 발생된 상기 셀 단위 박막 글라스(5) 절단면 주변의 열손상 부위와 결함 부위를 제거하기 위해 절단된 셀 단위 박막 글라스(5)를 선택적 화학적 처리를 통하여 셀 단위 박막 글라스(5)의 레이저 절단면을 힐링(Healing)시키는 단계(S4); 상기 셀 단위 박막 글라스(5)를 세정 후 코팅막(2)을 제거하는 단계(S5); 및 코팅막(2)이 제거된 셀 단위 박막 글라스(5) 표면의 결함이나 흠을 제거하기 위해 코팅막(2)이 제거된 셀 단위 박막 글라스(5)를 세정 후 상기 셀 단위 박막 글라스(5)의 표면을 화학적으로 힐링(Healing)시키는 단계(S6)를 포함한다. 상기 레이저를 이용하여 원장 상태 박막 글라스(1)를 절단하여 상기 원장 상태 박막 글라스(1)로부터 전기 전자 제품에 적용되는 셀 단위 박막 글라스(5)를 잘라내는 단계(S3)에서 코팅막(2)이 상기 원장 상태 박막 글라스(1)의 한쪽 면에만 형성되었을 경우 1000nm 이상의 파장을 발생하는 적외선 레이저(3)로부터 출력된 레이저 빔(Beam)을 코팅막(2)이 형성되지 않은 원장 상태 박막 글라스(1) 표면에 조사하여 원장 상태 박막 글라스(1)와 코팅막(2)을 절단하고, 상기 적외선 레이저(3)는 나노초 적외선 레이저(3)나, 피코초 적외선 레이저(3), 또는 펨토초 적외선 레이저(3)(Femtosecond IR Laser)를 사용하며, 상기 적외선 레이저(3)는 베셀 빔(Bessel Beam)을 출력한다. 또한, 상기 레이저를 이용하여 원장 상태 박막 글라스(1)를 절단하여 상기 원장 상태 박막 글라스(1)로부터 전기 전자 제품에 적용되는 셀 단위 박막 글라스(5)를 잘라내는 단계(S3)에서 코팅막(2)이 상기 원장 상태 박막 글라스(1)의 한쪽 면에만 형성되었을 경우 400nm 이하의 파장을 발생하는 자외선 레이저(4)로부터 출력된 레이저 빔(Beam)을 코팅막(2)에 조사하여 코팅막(2)과 원장 상태 박막 글라스(1)를 절단하고, 상기 자외선 레이저(4)는 나노초 자외선 레이저(4)나, 피코초 자외선 레이저(4), 또는 펨토초 자외선 레이저(4)를 사용한다. 또, 상기 레이저를 이용하여 원장 상태 박막 글라스(1)를 절단하여 상기 원장 상태 박막 글라스(1)로부터 전기 전자 제품에 적용되는 셀 단위 박막 글라스(5)를 잘라내는 단계(S3)에서 코팅막(2)이 상기 원장 상태 박막 글라스(1)의 양쪽 면에 형성될 경우 피코초 자외선 레이저(4)나, 나노초 자외선 레이저(4), 펨토초 자외선 레이저(4), 피코초 적외선 레이저(3), 나노초 적외선 레이저(3), 펨토초 적외선 레이저(3)를 이용하여 코팅막(2)과 원장 상태 박막 글라스(1)를 절단한다. 상기 레이저 절단 과정 중 발생된 셀 단위 박막 글라스(5) 절단면 주변의 열손상 부위와 결함 부위를 제거하기 위해 절단된 셀 단위 박막 글라스(5)를 선택적 화학적 처리를 통하여 셀 단위 박막 글라스(5)의 레이저 절단면을 힐링시키는 단계(S4)에서 코팅막(2)과 마주 접한 셀 단위 박막 글라스(5)의 직각 모서리부에는 선택적 화학적 처리를 통하여 빗면 형태의 빗면형 절단부(11)가 형성되고, 상기 빗면형 절단부(11)의 가로폭은 3um 내지 500um 이하이며, 상기 빗면형 절단부(11)의 높이는 3um 이상이되, 셀 단위 박막 글라스(5) 두께의 50%를 넘지 않는다.In order to achieve the above object, the glass cutting and post-processing method using a laser according to the present invention is to coat one or both sides of the original thin film glass 1 with a coating solution for preventing chemical contact in order to perform selective chemical treatment. ) step (S1) and; drying the coating solution to form a coating layer 2 on one side or both sides of the original thin film glass 1 (S2); cutting the mother-of-pearl thin-film glass 1 using a laser to cut the cell-unit thin-film glass 5 applied to electrical and electronic products from the mother-of-pearl thin-film glass 1 (S3); In order to remove thermally damaged and defective areas around the cut surface of the cell-unit thin-film glass 5 generated during the laser cutting process, the cut cell-unit thin-film glass 5 is selectively treated with chemical Healing the laser cut surface (S4); removing the coating film 2 after cleaning the cell-unit thin film glass 5 (S5); and cleaning the cell unit thin film glass 5 from which the coating layer 2 is removed to remove defects or scratches on the surface of the cell unit thin film glass 5 from which the coating layer 2 is removed, and then cleaning the cell unit thin film glass 5 It includes a step (S6) of chemically healing the surface. In the step (S3) of cutting the mother-of-pearl thin-film glass 1 using the laser to cut the cell-unit thin-film glass 5 applied to electrical and electronic products from the mother-of-pearl thin-film glass 1, the coating film 2 is When formed on only one side of the mother-of-pearl thin-film glass (1), the laser beam output from the infrared laser (3) generating a wavelength of 1000 nm or more is applied to the mother-of-pearl thin-film glass (1) without a coating film (2) The surface is irradiated to cut the far state thin film glass 1 and the coating film 2, and the infrared laser 3 is a nanosecond infrared laser 3, a picosecond infrared laser 3, or a femtosecond infrared laser 3 (Femtosecond IR Laser) is used, and the infrared laser 3 outputs a Bessel Beam. In addition, in the step (S3) of cutting the mother-of-pearl thin-film glass 1 using the laser to cut the cell unit thin-film glass 5 applied to electrical and electronic products from the mother-of-pearl thin-film glass 1, the coating film 2 ) is formed on only one side of the original state thin film glass 1, the coating film 2 is irradiated with a laser beam output from an ultraviolet laser 4 generating a wavelength of 400 nm or less to the coating film 2 and The original state thin film glass 1 is cut, and a nanosecond ultraviolet laser 4, a picosecond ultraviolet laser 4, or a femtosecond ultraviolet laser 4 is used as the ultraviolet laser 4. In addition, in the step (S3) of cutting the raw state thin film glass 1 using the laser to cut the cell unit thin film glass 5 applied to electrical and electronic products from the mother state thin film glass 1, the coating film 2 ) is formed on both sides of the original thin film glass 1, picosecond ultraviolet laser 4, nanosecond ultraviolet laser 4, femtosecond ultraviolet laser 4, picosecond infrared laser 3, nanosecond infrared The coating film 2 and the far state thin film glass 1 are cut using the laser 3 and the femtosecond infrared laser 3 . In order to remove thermally damaged areas and defective areas around the cut surface of the cell-unit thin-film glass 5 generated during the laser cutting process, the cut cell-unit thin-film glass 5 is subjected to selective chemical treatment to improve the quality of the cell-unit thin-film glass 5 In the step of healing the laser cut surface (S4), an oblique cut portion 11 in the form of an oblique plane is formed through selective chemical treatment at the right angle corner of the thin film glass 5 of the cell unit facing the coating film 2, and the oblique plane cut portion 11 is formed. The horizontal width of the cut portion 11 is 3 μm to 500 μm or less, and the height of the oblique cut portion 11 is 3 μm or more, but does not exceed 50% of the thickness of the thin glass 5 in units of cells.

이러한 공정으로 이루어진 본 발명에 따른 레이저를 이용한 유리 절단 및 후처리 방법은 각종 전기 전자 제품에 장착되는 셀 단위 박막 글라스 제조시 제조 공정의 단순화를 통해 셀 단위 박막 글라스의 제조 시간 및 원가를 낮출 수 있다.The glass cutting and post-processing method using a laser according to the present invention made of these processes can reduce the manufacturing time and cost of cell-unit thin-film glass through the simplification of the manufacturing process when manufacturing cell-unit thin-film glass mounted on various electrical and electronic products. .

또, 본 발명은 레이저를 이용한 유리 절단 시 레이저 빔으로 인해 발생된 유리 절단면 주변의 열손상 부위를 선택적 화학 처리를 통해 제거함으로써 가공 완료된 셀 단위 박막 글라스의 내구성을 향상시키고, 불량 감소를 통한 생산 효율을 증가 시킨다.In addition, the present invention improves the durability of the processed cell unit thin film glass by removing the thermal damage around the glass cutting surface generated by the laser beam through selective chemical treatment during glass cutting using a laser, and improves production efficiency by reducing defects. increases

도면 1은 본 발명의 공정 순서도,
도면 2는 원장 상태 박막 글라스의 한쪽 면에만 코팅막이 형성되었을 경우 적외선 레이저로 코팅막이 형성되지 않은 원장 상태 박막 글라스 표면에 레이저 빔을 조사하여 원장 상태 박막 글라스와 코팅막을 절단하는 과정을 도시한 도면,
도면 3은 원장 상태 박막 글라스의 한쪽 면에만 코팅막이 형성되었을 경우 자외선 레이저로 코팅막에 레이저 빔을 조사하여 원장 상태 박막 글라스와 코팅막을 절단하는 과정을 도시한 도면,
도면 4는 원장 상태 박막 글라스의 양쪽 면에 코팅막이 형성되었을 경우 자외선 레이저나 적외선 레이저로 코팅막에 레이저 빔을 조사하여 원장 상태 박막 글라스와 코팅막을 절단하는 과정을 도시한 도면,
도면 5는 절단된 셀 단위 박막 글라스를 힐링(Healing) 했을 때 코팅막과 마주 접한 셀 단위 박막 글라스의 직각 모서리부에 형성된 빗면형 절단부를 도시한 도면.
1 is a process flow chart of the present invention;
Figure 2 is a view showing a process of cutting the mother-state thin-film glass and the coating film by irradiating a laser beam on the surface of the mother-state thin-film glass on which the coating film is not formed with an infrared laser when a coating film is formed on only one side of the mother-state thin-film glass;
Figure 3 is a view showing a process of cutting the mother-state thin-film glass and the coating film by irradiating a laser beam on the coating film with an ultraviolet laser when the coating film is formed on only one side of the mother-state thin-film glass;
4 is a view showing a process of cutting the mother-state thin-film glass and the coating film by irradiating a laser beam on the coating film with an ultraviolet laser or an infrared laser when a coating film is formed on both sides of the mother-state thin-film glass;
5 is a view showing an oblique cut portion formed at a right angle corner of a cell unit thin film glass facing a coating film when the cut cell unit thin film glass is healed.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 자세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 레이저를 이용한 유리 절단 및 후처리 방법은 도면 1에 도시한 바와 같이, 선택적 화학적 처리를 진행하기 위해 원장 상태 박막 글라스(1)의 한쪽 면이나 양쪽 면에 화학물 접촉 방지용 코팅액을 코팅(Coating)시키는 단계(S1)와; 상기 코팅액을 건조시켜 상기 원장 상태 박막 글라스(1)의 한쪽 면이나 양쪽 면에 코팅막(2)을 형성하는 단계(S2); 상기 레이저를 이용하여 원장 상태 박막 글라스(1)를 절단하여 상기 원장 상태 박막 글라스(1)로부터 전기 전자 제품에 적용되는 셀 단위 박막 글라스(5)를 잘라내는 단계(S3); 레이저 절단 과정 중 발생된 셀 단위 박막 글라스(5) 절단면 주변의 열손상 부위와 결함 부위를 제거하기 위해 절단된 셀 단위 박막 글라스(5)를 선택적 화학적 처리를 통하여 셀 단위 박막 글라스(5)의 레이저 절단면을 힐링(Healing)시키는 단계(S4); 상기 셀 단위 박막 글라스(5)를 세정 후 코팅막(2)을 제거하는 단계(S5); 및 코팅막(2)이 제거된 셀 단위 박막 글라스(5) 표면의 결함이나 흠을 제거하기 위해 코팅막(2)이 제거된 셀 단위 박막 글라스(5)를 세정 후 상기 셀 단위 박막 글라스(5)의 표면을 화학적으로 힐링(Healing)시키는 단계(S6)를 포함한다.As shown in FIG. 1, in the glass cutting and post-processing method using a laser according to the present invention, a coating solution for preventing chemical contact is coated on one side or both sides of the original thin film glass 1 in order to perform selective chemical treatment. (Coating) step (S1); drying the coating solution to form a coating layer 2 on one side or both sides of the original thin film glass 1 (S2); cutting the mother-of-pearl thin-film glass 1 using the laser to cut the cell-unit thin-film glass 5 applied to electrical and electronic products from the mother-of-pearl thin-film glass 1 (S3); Laser cutting of the cell unit thin film glass (5) through selective chemical treatment to remove thermal damage and defects around the cut surface of the cell unit thin film glass (5) generated during the laser cutting process Healing the cut surface (S4); removing the coating film 2 after cleaning the cell unit thin film glass 5 (S5); and cleaning the cell unit thin film glass 5 from which the coating layer 2 is removed to remove defects or scratches on the surface of the cell unit thin film glass 5 from which the coating layer 2 is removed, and then cleaning the cell unit thin film glass 5 It includes a step (S6) of chemically healing the surface.

상기 원장 상태 박막 글라스(1)는 알칼리 알루미노 실리케이트(Sodium Alumino-Silicate Glass)계 유리를 이용한다.The original thin film glass 1 uses sodium alumino-silicate glass.

또한, 본 발명은 도면 1에 도시한 바와 같이, 표면 힐링이 완료된 셀 단위 박막 글라스(5)를 세정한 후 강화시키는 단계를 더 포함한다.In addition, as shown in FIG. 1, the present invention further includes a step of cleaning and then strengthening the cell-unit thin film glass 5 on which surface healing is completed.

상기 레이저를 이용하여 원장 상태 박막 글라스(1)를 절단하여 상기 원장 상태 박막 글라스(1)로부터 전기 전자 제품에 적용되는 셀 단위 박막 글라스(5)를 잘라내는 단계(S3)에서 코팅막(2)이 상기 원장 상태 박막 글라스(1)의 한쪽 면에만 형성되었을 경우 도면 2에 도시한 바와 같이, 1000nm 이상의 파장을 발생하는 적외선 레이저(3)로부터 출력된 레이저 빔(Beam)을 코팅막(2)이 형성되지 않은 원장 상태 박막 글라스(1) 표면에 조사하여 원장 상태 박막 글라스(1)와 코팅막(2)을 절단한다.In the step (S3) of cutting the mother-of-pearl thin-film glass 1 using the laser to cut the cell-unit thin-film glass 5 applied to electrical and electronic products from the mother-of-pearl thin-film glass 1, the coating film 2 is When formed on only one side of the raw state thin film glass 1, as shown in FIG. 2, the laser beam output from the infrared laser 3 generating a wavelength of 1000 nm or more is applied so that the coating film 2 is not formed. The surface of the raw glass thin film 1 is irradiated to cut the raw glass thin film 1 and the coating film 2.

상기 적외선 레이저(3)는 나노초 적외선 레이저(3)나, 피코초 적외선 레이저(3), 또는 펨토초 적외선 레이저(3)(Femtosecond IR Laser)를 사용하고 상기 적외선 레이저(3)는 베셀 빔(Bessel Beam)을 출력한다.The infrared laser 3 uses a nanosecond infrared laser 3, a picosecond infrared laser 3, or a femtosecond infrared laser 3 (Femtosecond IR Laser), and the infrared laser 3 is a Bessel beam ) is output.

베셀 빔을 출력하는 상기 적외선 레이저(3)는 원장 상태 박막 글라스(1)와 코팅막(2) 내부에 열 에너지를 발생시켜 상기 원장 상태 박막 글라스(1)와 코팅막(2)이 동시 절단되도록 한다.The infrared laser 3 outputting a Bessel beam generates thermal energy inside the far-field thin-film glass 1 and the coating film 2 so that the far-field thin-film glass 1 and the coating film 2 are simultaneously cut.

베셀 빔(Bessel Beam)을 출력하는 상기 적외선 레이저(3)의 레이저 빔 파장(Wavelength)은 1020nm 내지 1040nm이고, 레이저 빔 사이즈(Beam size)는 1.4um 내지 1.8um이며, 레이저 빔의 펄스 지속 시간(Pulse duration)은 3ps 내지 7ps이다.The laser beam wavelength of the infrared laser 3 outputting a Bessel beam is 1020 nm to 1040 nm, the laser beam size is 1.4 um to 1.8 um, and the pulse duration of the laser beam ( Pulse duration) is 3 ps to 7 ps.

또한, 레이저 빔의 펄스 반복수(Pulse repetition rate)는 190khz 내지 210khz이고, 펄스 에너지(Pulse energy)는 38uJ 내지 42uJ이다.In addition, the pulse repetition rate of the laser beam is 190khz to 210khz, and the pulse energy is 38uJ to 42uJ.

상기 레이저를 이용하여 원장 상태 박막 글라스(1)를 절단하여 상기 원장 상태 박막 글라스(1)로부터 전기 전자 제품에 적용되는 셀 단위 박막 글라스(5)를 잘라내는 단계(S3)에서 코팅막(2)이 상기 원장 상태 박막 글라스(1)의 한쪽 면에만 형성되었을 경우 도면 3에 도시한 바와 같이, 400nm 이하의 파장을 발생하는 자외선 레이저(4)로부터 출력된 레이저 빔(Beam)을 코팅막(2)에 조사하여 코팅막(2)과 원장 상태 박막 글라스(1)를 절단한다.In the step (S3) of cutting the mother-of-pearl thin-film glass 1 using the laser to cut the cell-unit thin-film glass 5 applied to electrical and electronic products from the mother-of-pearl thin-film glass 1, the coating film 2 is When formed on only one side of the original state thin film glass 1, as shown in FIG. 3, the coating film 2 is irradiated with a laser beam output from an ultraviolet laser 4 generating a wavelength of 400 nm or less to cut the coating film 2 and the original state thin film glass 1.

상기 자외선 레이저(4)는 나노초 자외선 레이저(4)나, 피코초 자외선 레이저(4), 또는 펨토초 자외선 레이저(4)를 사용한다.As the ultraviolet laser 4, a nanosecond ultraviolet laser 4, a picosecond ultraviolet laser 4, or a femtosecond ultraviolet laser 4 is used.

상기 자외선 레이저(4)는 융삭(Ablation)에 의해 코팅막(2)과 원장 상태 박막 글라스(1)를 절단한다.The ultraviolet laser 4 cuts the coating film 2 and the original thin film glass 1 by ablation.

상기 레이저를 이용하여 원장 상태 박막 글라스(1)를 절단하여 상기 원장 상태 박막 글라스(1)로부터 전기 전자 제품에 적용되는 셀 단위 박막 글라스(5)를 잘라내는 단계(S3)에서 코팅막(2)이 상기 원장 상태 박막 글라스(1)의 양쪽 면에 형성될 경우 도면 4에 도시한 바와 같이, 피코초 자외선 레이저(4)나, 나노초 자외선 레이저(4), 펨토초 자외선 레이저(4), 나노초 적외선 레이저(3), 피코초 적외선 레이저(3), 또는 펨토초 적외선 레이저(3)를 이용하여 코팅막(2)과 원장 상태 박막 글라스(1)를 절단한다.In the step (S3) of cutting the mother-of-pearl thin-film glass 1 using the laser to cut the cell-unit thin-film glass 5 applied to electrical and electronic products from the mother-of-pearl thin-film glass 1, the coating film 2 is When formed on both sides of the original state thin film glass 1, as shown in FIG. 4, a picosecond ultraviolet laser 4, a nanosecond ultraviolet laser 4, a femtosecond ultraviolet laser 4, or a nanosecond infrared laser ( 3), the coating film 2 and the far state thin film glass 1 are cut using a picosecond infrared laser 3 or a femtosecond infrared laser 3.

상기 레이저를 이용하여 원장 상태 박막 글라스(1)를 절단하여 상기 원장 상태 박막 글라스(1)로부터 전기 전자 제품에 적용되는 셀 단위 박막 글라스(5)를 잘라내는 단계(S3)에서 상기 레이저는 적외선 레이저(3)나 자외선 레이저(4)를 사용하고, 상기 적외선 레이저(3)와, 상기 자외선 레이저(4)에는 원장 상태 박막 글라스(1)나 코팅막(2)에 맺히는 레이저 빔의 위치를 자유롭게 조정하여 원장 상태 박막 글라스(1)의 절단 효율을 높일 수 있는 스캐너가 장착될 수 있다.In the step (S3) of cutting the mother-of-pearl thin-film glass 1 using the laser to cut the cell-unit thin-film glass 5 applied to electrical and electronic products from the mother-of-pearl thin-film glass 1, the laser is an infrared laser (3) or an ultraviolet laser (4) is used, and the infrared laser (3) and the ultraviolet laser (4) freely adjust the position of the laser beam reflected on the original thin film glass (1) or the coating film (2) A scanner capable of increasing cutting efficiency of the mother-state thin glass 1 may be mounted.

상기 스캐너로 펨토초 자외선 레이저 스캐너 사용시 펨토초 자외선 레이저(4)의 레이저 빔 파장은 250nm 내지 360nm이고, 상기 펨토초 자외선 레이저 스캐너로부터 출력되는 레이저 빔 사이즈는 5um 내지 50um이며, 상기 펨토초 자외선 레이저 스캐너로부터 출력되는 레이저 빔 스팟(Spot)의 중첩률은 10% 내지 99%이다.When the femtosecond ultraviolet laser scanner is used as the scanner, the laser beam wavelength of the femtosecond ultraviolet laser 4 is 250 nm to 360 nm, the laser beam size output from the femtosecond ultraviolet laser scanner is 5 um to 50 um, and the laser output from the femtosecond ultraviolet laser scanner The overlap rate of the beam spot is 10% to 99%.

또한, 상기 펨토초 자외선 레이저(4)의 이동 스피드는 500mm/s 내지 5000mm/s이고, 상기 펨토초 자외선 레이저(4)로부터 출력되는 레이저 빔의 펄스 반복수(Pulse repetition rate)는 400kHz 또는 800kHz이다. In addition, the movement speed of the femtosecond ultraviolet laser 4 is 500 mm/s to 5000 mm/s, and the pulse repetition rate of the laser beam output from the femtosecond ultraviolet laser 4 is 400 kHz or 800 kHz.

상기 코팅액은 아크릴계 용액이거나, 폴리에틸렌 수지, 폴리프로필렌 수지, 폴리염화비닐 수지, 폴리스틸렌 수지 중 400nm 이하의 자외선 파장대에서 자외선 흡수율이 10% 이상인 용액이어야 하고, 1000nm 이상의 적외선 파장대에서 적외선 흡수율이 1% 이하인 용액을 이용한다.The coating liquid is an acrylic solution, or a solution having an ultraviolet absorbance of 10% or more in an ultraviolet wavelength range of 400 nm or less among polyethylene resin, polypropylene resin, polyvinyl chloride resin, or polystyrene resin, and an infrared absorption rate of 1% or less in an infrared wavelength range of 1000 nm or more Use

선택적 화학적 처리를 진행하기 위해 원장 상태 박막 글라스(1)의 한쪽 면이나 양쪽 면에 화학물 접촉 방지용 코팅액을 코팅(Coating)시키는 단계(S1)에서 상기 원장 상태 박막 글라스(1)의 한쪽 면에 코팅액을 코팅할 때에는 슬롯 다이 코팅(Slot die coating)법이나, 스프레이 코팅(Spray coating)법, 잉크젯 코팅(Inkjet Coating)법, 바코딩법, 스크린 프린팅법을 이용할 수 있으며, 양면 코팅의 경우 스프레이 코팅(Spray Coating)법이나, 함침 코팅(Dip Coating)법 등을 이용한다.In the step (S1) of coating a coating liquid for preventing contact with chemicals on one side or both sides of the mother-of-pearl thin-film glass 1 in order to carry out selective chemical treatment, one side of the mother-of-pearl thin-film glass 1 is coated with a coating liquid When coating, a slot die coating method, a spray coating method, an inkjet coating method, a bar coding method, or a screen printing method may be used, and in the case of double-sided coating, spray coating ( A spray coating method or a dip coating method is used.

선택적 화학적 처리를 진행하기 위해 원장 상태 박막 글라스(1)의 한쪽 면이나 양쪽 면에 화학물 접촉 방지용 코팅액을 코팅(Coating)시키는 단계(S1)에서 상기 원장 상태 박막 글라스(1)의 양면에 코팅액을 코팅할 때에는 스프레이 코팅법을 이용하거나, 원장 상태 박막 글라스(1)를 코팅액에 함침시켜 양면 코팅하거나, 원장 상태 박막 글라스(1)의 단면을 코팅한 후 원장 상태 박막 글라스(1)를 반전시켜 나머지 한 면을 코팅하는 방법을 이용한다.In the step (S1) of coating a coating liquid for preventing chemical contact on one side or both sides of the mother-of-pearl thin-film glass 1 to carry out selective chemical treatment, the coating liquid is applied to both sides of the mother-of-pearl thin-film glass 1 In case of coating, spray coating method is used, or both sides of the mother-of-pearl thin-film glass (1) are immersed in a coating solution, or the end-face of the mother-of-pearl thin-film glass (1) is coated and then the mother-of-pearl thin-film glass (1) is inverted to cover the rest. One side coating method is used.

상기 코팅액을 건조시켜 상기 원장 상태 박막 글라스(1)의 한쪽 면이나 양쪽 면에 코팅막(2)을 형성하는 단계(S2)에서 상기 코팅액의 건조 방법은 적외선 램프(IR Lamp)나, 열풍 발생기, 핫 플레이트(Hot Plate), 오븐(Oven) 등을 이용할 수 있으며, 클러스터 타입 또는 인라인 타입(Inline Type)의 건조 장치를 이용한다.In the step (S2) of drying the coating solution to form the coating film 2 on one side or both sides of the original thin film glass 1 (S2), the drying method of the coating solution is an infrared lamp (IR Lamp), a hot air generator, or a hot air generator. A hot plate, an oven, or the like can be used, and a cluster type or inline type drying device is used.

상기 레이저 절단 과정 중 발생된 셀 단위 박막 글라스(5) 절단면 주변의 열손상 부위와 결함 부위를 제거하기 위해 절단된 셀 단위 박막 글라스(5)를 선택적 화학적 처리를 통해 셀 단위 박막 글라스(5)의 레이저 절단면을 힐링(Healing)시키는 단계(S4)에서 코팅막(2)과 마주 접한 셀 단위 박막 글라스(5)의 직각 모서리부에는 힐링(Healing) 용액에 의해 빗면 형태의 빗면형 절단부(11)가 형성되고, 상기 빗면형 절단부(11)의 가로폭(W)은 3um 내지 500um 이하이며, 상기 빗면형 절단부(11)의 높이(H)는 3um 이상이되, 셀 단위 박막 글라스(5) 두께의 50%를 넘지 않는다.In order to remove thermally damaged and defective areas around the cut surface of the cell-unit thin-film glass 5 generated during the laser cutting process, the cell-unit thin-film glass 5 is selectively treated with chemical In the step of healing the laser cut surface (S4), a bevel-shaped cut portion 11 is formed by the healing solution at the right angle corner of the cell unit thin film glass 5 facing the coating film 2 The horizontal width (W) of the oblique cut portion 11 is 3 μm to 500 μm or less, and the height (H) of the oblique cut portion 11 is 3 μm or more, 50% of the thickness of the thin film glass 5 in units of cells does not exceed

상기 셀 단위 박막 글라스(5)는 힐링 용액에 디핑(Dipping)되어 힐링(Healing)되는데, 상기 힐링(Healing) 용액은 이플루오르화 암모늄과, 황산, 질산, 물, 및 첨가제를 포함한다.The cell unit thin film glass 5 is healed by being dipped in a healing solution. The healing solution includes ammonium difluoride, sulfuric acid, nitric acid, water, and additives.

상기 첨가제는 힐링 성능을 향상시키기 위해 사용되는 계면 활성제로, 상기 계면 활성제는 표면 장력을 저하시켜 힐링의 균일성을 증가시키는 역할을 한다.The additive is a surfactant used to improve healing performance, and the surfactant serves to increase the uniformity of healing by lowering surface tension.

상기 힐링 용액은 이플루오르화 암모늄 0.5 내지 0.9 중량%, 황산 3 내지 15 중량%, 질산 1 내지 10 중량%, 물 80 내지 90 중량%, 및 첨가제 0.01 내지 0.1 중량%를 포함한다.The healing solution includes 0.5 to 0.9% by weight of ammonium difluoride, 3 to 15% by weight of sulfuric acid, 1 to 10% by weight of nitric acid, 80 to 90% by weight of water, and 0.01 to 0.1% by weight of additives.

상기 셀 단위 박막 글라스(5)를 세정 후 코팅막(2)을 제거하는 단계(S5)는 상기 코팅막(2)이 코팅된 셀 단위 박막 글라스(5)를 코팅막 제거 용액에 담궈 코팅막(2)을 녹여 제거한다.In step S5 of removing the coating film 2 after washing the cell unit thin film glass 5, the coating film 2 is melted by immersing the cell unit thin film glass 5 coated with the coating film 2 in a coating film removal solution. Remove.

상기 코팅막 제거 용액은 염기성 수용액으로서 수산화칼륨(KOH)을 이용하되, 상기 수산화칼륨(KOH)의 온도는 25도 이상이다.The coating film removal solution uses potassium hydroxide (KOH) as a basic aqueous solution, and the temperature of the potassium hydroxide (KOH) is 25 degrees or more.

다만, 일부 코팅막(2)의 부착에 의해 셀 단위 박막 글라스(1) 표면에 존재하는 코팅막(2) 흔적을 제거하기 위해 코팅막(2) 제거 후 추가 세정 공정을 진행할 수 있다.However, in order to remove traces of the coating film 2 present on the surface of the thin film glass 1 in units of cells due to the attachment of some of the coating film 2, an additional cleaning process may be performed after removing the coating film 2.

상기 표면 힐링이 완료된 셀 단위 박막 글라스(5)를 세정한 후 강화시키는 단계에서 표면 힐링이 완료된 셀 단위 박막 글라스(5)의 세정액은 수산화칼륨(KOH) 또는 수산화나트륨(NaOH) 용액과, 계면 활성제가 첨가된 순수 탈이온수(Deionized water)을 포함하되, 상기 세정액의 PH는 10 이상이다.In the step of cleaning and strengthening the surface-healed cell-unit thin-film glass 5, the cleaning solution of the cell-unit thin-film glass 5 after surface healing is a potassium hydroxide (KOH) or sodium hydroxide (NaOH) solution and a surfactant It includes pure deionized water to which is added, but the pH of the washing liquid is 10 or more.

상기 표면 힐링이 완료된 셀 단위 박막 글라스(5)를 세정한 후 강화시키는 단계에서 상기 셀 단위 박막 글라스(5)의 강화에 사용되는 강화액은 질산칼륨 용융액을 이용한다.In the step of cleaning and reinforcing the cell-unit thin-film glass 5 after the surface healing is completed, a potassium nitrate molten solution is used as a strengthening solution used for strengthening the cell-unit thin-film glass 5 .

상기 표면 힐링이 완료된 셀 단위 박막 글라스(5)를 세정한 후 강화시키는 단계는 세정이 끝난 셀 단위 박막 글라스(5)를 200℃ 내지 400℃ 범위에서 예열시키는 단계와, 예열된 셀 단위 박막 글라스(5)를 370℃ 내지 470℃가 유지되는 강화액속에 침지시켜 강화시키는 단계, 셀 단위 박막 글라스(5)를 강화액으로부터 배출한 다음 상온에 도달할 때까지 서서히 냉각시키는 단계를 포함한다.The step of cleaning and then strengthening the cell unit thin film glass 5 after surface healing is preheating the cleaned cell unit thin film glass 5 in the range of 200 ° C to 400 ° C, and the preheated cell unit thin film glass ( 5) is immersed in a reinforcing liquid maintained at 370 ° C to 470 ° C., and the thin film glass 5 is discharged from the strengthening liquid and gradually cooled until it reaches room temperature.

이러한 공정으로 이루어진 본 발명에 따른 레이저를 이용한 유리 절단 및 후처리 방법은 각종 전기 전자 제품에 적용되는 셀 단위 박막 글라스(5) 제조시 제조 공정의 단순화를 통해 셀 단위 박막 글라스(5)의 제조 원가를 낮출 수 있다.The glass cutting and post-processing method using a laser according to the present invention made of such a process reduces the manufacturing cost of the cell-unit thin-film glass 5 through the simplification of the manufacturing process when manufacturing the cell-unit thin-film glass 5 applied to various electrical and electronic products. can lower

또, 본 발명은 레이저를 이용한 유리 절단 시 레이저 광으로 인해 발생된 유리 절단면 주변의 열손상 부위를 선택적 화학 처리를 통해 제거함으로써 가공 완료된 셀 단위 박막 글라스(5)의 내구성을 향상시킬 수 있다.In addition, the present invention can improve the durability of the processed cell-unit thin film glass 5 by removing thermal damage around the glass cutting surface caused by laser light during glass cutting using a laser through selective chemical treatment.

1. 원장 상태 박막 글라스 11. 빗면형 절단부
2. 코팅막 3. 적외선 레이저
4. 자외선 레이저 5. 셀 단위 박막 글라스
1. Mother state thin glass 11. Beveled cutting part
2. Coating film 3. Infrared laser
4. Ultraviolet laser 5. Cell unit thin film glass

Claims (6)

선택적 화학적 처리를 진행하기 위해 원장 상태 박막 글라스(1)의 한쪽 면이나 양쪽 면에 화학물 접촉 방지용 코팅액을 코팅(Coating)시키는 단계(S1)와;
상기 코팅액을 건조시켜 상기 원장 상태 박막 글라스(1)의 한쪽 면이나 양쪽 면에 코팅막(2)을 형성하는 단계(S2);
레이저를 이용하여 원장 상태 박막 글라스(1)를 절단하여 상기 원장 상태 박막 글라스(1)로부터 전기 전자 제품에 적용되는 셀 단위 박막 글라스(5)를 잘라내는 단계(S3);
레이저 절단 과정 중 발생된 셀 단위 박막 글라스(5) 절단면 주변의 열손상 부위와 결함 부위를 제거하기 위해 절단된 셀 단위 박막 글라스(5)를 선택적 화학적 처리를 통하여 셀 단위 박막 글라스(5)의 레이저 절단면을 힐링시키는 단계(S4);
상기 셀 단위 박막 글라스(5)를 세정 후 코팅막(2)을 제거하는 단계(S5);
및 코팅막(2)이 제거된 셀 단위 박막 글라스(5) 표면의 결함이나 흠을 제거하기 위해 코팅막(2)이 제거된 셀 단위 박막 글라스(5)를 세정 후 상기 셀 단위 박막 글라스(5)의 표면을 화학적으로 힐링(Healing)시키는 단계(S6)를 포함하는 레이저를 이용한 유리 절단 및 후처리 방법.
coating a coating liquid for preventing chemical contact on one side or both sides of the original thin film glass 1 in order to perform selective chemical treatment (S1);
drying the coating solution to form a coating layer 2 on one side or both sides of the original thin film glass 1 (S2);
cutting the mother-of-pearl thin-film glass 1 using a laser to cut the cell-unit thin-film glass 5 applied to electrical and electronic products from the mother-of-pearl thin-film glass 1 (S3);
Laser cutting of the cell unit thin film glass (5) through selective chemical treatment to remove thermal damage and defects around the cut surface of the cell unit thin film glass (5) generated during the laser cutting process Healing the cut surface (S4);
removing the coating film 2 after cleaning the cell unit thin film glass 5 (S5);
and cleaning the cell unit thin film glass 5 from which the coating film 2 is removed to remove defects or flaws on the surface of the cell unit thin film glass 5 from which the coating film 2 is removed, and then cleaning the cell unit thin film glass 5 Glass cutting and post-processing method using a laser comprising the step (S6) of chemically healing the surface.
제1 항에 있어서,
상기 레이저를 이용하여 원장 상태 박막 글라스(1)를 절단하여 상기 원장 상태 박막 글라스(1)로부터 전기 전자 제품에 적용되는 셀 단위 박막 글라스(5)를 잘라내는 단계(S3)에서 코팅막(2)이 상기 원장 상태 박막 글라스(1)의 한쪽 면에만 형성되었을 경우 1000nm 이상의 파장을 발생하는 적외선 레이저(3)로부터 출력된 레이저 빔(Beam)을 코팅막(2)이 형성되지 않은 원장 상태 박막 글라스(1) 표면에 조사하여 원장 상태 박막 글라스(1)와 코팅막(2)을 절단하고, 상기 적외선 레이저(3)는 나노초 적외선 레이저(3)나, 피코초 적외선 레이저(3), 또는 펨토초 적외선 레이저(3)(Femtosecond IR Laser)를 사용하며, 상기 적외선 레이저(3)는 베셀 빔(Bessel Beam)을 출력하는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 유리 절단 및 후처리 방법.
According to claim 1,
In the step (S3) of cutting the mother-of-pearl thin-film glass 1 using the laser to cut the cell-unit thin-film glass 5 applied to electrical and electronic products from the mother-of-pearl thin-film glass 1, the coating film 2 is When formed on only one side of the mother-of-pearl thin-film glass (1), the laser beam output from the infrared laser (3) generating a wavelength of 1000 nm or more is applied to the mother-of-pearl thin-film glass (1) without a coating film (2) The surface is irradiated to cut the far-field thin film glass 1 and the coating film 2, and the infrared laser 3 is a nanosecond infrared laser 3, a picosecond infrared laser 3, or a femtosecond infrared laser 3 (Femtosecond IR Laser) is used, and the infrared laser 3 outputs a Bessel Beam.
제1 항에 있어서,
상기 레이저를 이용하여 원장 상태 박막 글라스(1)를 절단하여 상기 원장 상태 박막 글라스(1)로부터 전기 전자 제품에 적용되는 셀 단위 박막 글라스(5)를 잘라내는 단계(S3)에서 코팅막(2)이 상기 원장 상태 박막 글라스(1)의 한쪽 면에만 형성되었을 경우 400nm 이하의 파장을 발생하는 자외선 레이저(4)로부터 출력된 레이저 빔(Beam)을 코팅막(2)에 조사하여 코팅막(2)과 원장 상태 박막 글라스(1)를 절단하고,
상기 자외선 레이저(4)는 나노초 자외선 레이저(4)나, 피코초 자외선 레이저(4), 또는 펨토초 자외선 레이저(4)를 사용하는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 유리 절단 및 후처리 방법.
According to claim 1,
In the step (S3) of cutting the mother-of-pearl thin-film glass 1 using the laser to cut the cell-unit thin-film glass 5 applied to electrical and electronic products from the mother-of-pearl thin-film glass 1, the coating film 2 is When formed on only one side of the raw state thin film glass 1, the coating film 2 is irradiated with a laser beam output from an ultraviolet laser 4 generating a wavelength of 400 nm or less, so that the coating film 2 and the mother state Cut the thin glass 1,
The ultraviolet laser (4) is a glass cutting and post-processing method using a laser, characterized in that a nanosecond ultraviolet laser (4), a picosecond ultraviolet laser (4), or a femtosecond ultraviolet laser (4) is used.
제1 항에 있어서,
상기 레이저를 이용하여 원장 상태 박막 글라스(1)를 절단하여 상기 원장 상태 박막 글라스(1)로부터 전기 전자 제품에 적용되는 셀 단위 박막 글라스(5)를 잘라내는 단계(S3)에서 코팅막(2)이 상기 원장 상태 박막 글라스(1)의 양쪽 면에 형성될 경우 피코초 자외선 레이저(4)나, 나노초 자외선 레이저(4), 펨토초 자외선 레이저(4), 나노초 적외선 레이저(3), 피코초 적외선 레이저(3), 또는 펨토초 적외선 레이저(3)를 이용하여 코팅막(2)과 원장 상태 박막 글라스(1)를 절단하는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 유리 절단 및 후처리 방법.
According to claim 1,
In the step (S3) of cutting the mother-of-pearl thin-film glass 1 using the laser to cut the cell-unit thin-film glass 5 applied to electrical and electronic products from the mother-of-pearl thin-film glass 1, the coating film 2 is When formed on both sides of the original state thin film glass 1, a picosecond ultraviolet laser 4, a nanosecond ultraviolet laser 4, a femtosecond ultraviolet laser 4, a nanosecond infrared laser 3, or a picosecond infrared laser ( 3), or a glass cutting and post-processing method using a laser, characterized in that the coating film 2 and the far-field thin glass 1 are cut using a femtosecond infrared laser 3.
제1 항에 있어서,
상기 레이저 절단 과정 중 발생된 셀 단위 박막 글라스(5) 절단면 주변의 열손상 부위와 결함 부위를 제거하기 위해 절단된 셀 단위 박막 글라스(5)를 선택적 화학적 처리를 통하여 셀 단위 박막 글라스(5)의 레이저 절단면을 힐링시키는 단계(S4)에서
코팅막(2)과 마주 접한 셀 단위 박막 글라스(5)의 직각 모서리부에는 선택적 화학적 처리를 통해 빗면 형태의 빗면형 절단부(11)가 형성되고,
상기 빗면형 절단부(11)의 가로폭(W)은 3um 내지 500um 이하이며,
상기 빗면형 절단부(11)의 높이(H)는 3um 이상이되, 셀 단위 박막 글라스(5) 두께의 50%를 넘지 않는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 유리 절단 및 후처리 방법.
According to claim 1,
In order to remove thermally damaged areas and defective areas around the cut surface of the cell-unit thin-film glass 5 generated during the laser cutting process, the cut cell-unit thin-film glass 5 is subjected to selective chemical treatment to improve the quality of the cell-unit thin-film glass 5 In the step of healing the laser cut surface (S4)
At the right angle corner of the cell unit thin film glass 5 facing the coating film 2, an oblique cutout 11 in the form of an oblique plane is formed through selective chemical treatment,
The horizontal width (W) of the oblique cutting part 11 is less than 3um to 500um,
The glass cutting and post-processing method using a laser, characterized in that the height (H) of the oblique cut portion (11) is 3um or more, but does not exceed 50% of the thickness of the cell unit thin film glass (5).
제1 항에 있어서,
상기 레이저를 이용하여 원장 상태 박막 글라스(1)를 절단하여 상기 원장 상태 박막 글라스(1)로부터 전기 전자 제품에 적용되는 셀 단위 박막 글라스(5)를 잘라내는 단계(S3)에서
상기 레이저는 적외선 레이저(3)나 자외선 레이저(4)를 사용하고,
상기 적외선 레이저(3)와, 상기 자외선 레이저(4)에는 원장 상태 박막 글라스(1)나 코팅막(2)에 맺히는 레이저 빔의 위치를 자유롭게 조정하여 원장 상태 박막 글라스(1)의 절단 효율을 높일 수 있는 스캐너가 장착되는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 유리 절단 및 후처리 방법.
According to claim 1,
In the step (S3) of cutting the mother-of-pearl thin-film glass 1 using the laser to cut the cell-unit thin-film glass 5 applied to electrical and electronic products from the mother-of-pearl thin-film glass 1
The laser uses an infrared laser 3 or an ultraviolet laser 4,
In the infrared laser 3 and the ultraviolet laser 4, the cutting efficiency of the mother-state thin-film glass 1 can be increased by freely adjusting the position of the laser beam focused on the mother-of-pearl thin-film glass 1 or the coating film 2. Glass cutting and post-processing method using a laser, characterized in that the scanner is mounted.
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