KR20230021887A - 아크소스의 냉각구조물 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 아크소스의 냉각구조물로서, 타겟의 후면이 아니라 측면을 냉각하는 냉각 채널을 포함하고 있어서, 타겟의 두께의 변화에 따라서 냉각효율이 거의 변하지 않는다. 따라서 추가적인 공정제어나 코팅시간의 증가 없이도, 새로운 타겟이나 거의 사용된 타겟이나 동일하게 균일한 품질의 코팅막을 얻을 수 있는 장점이 있게 된다.

Description

아크소스의 냉각구조물{Cooling structure of Arc source}
본 발명은 아크소스에 관한 것으로, 특히 타겟의 두께 변화에 따라서 항상 일정한 냉각효과를 유지하여 코팅할 때 증착율이 균일한 아크소스의 냉각구조물에 관한 것이다.
현재 사용되는 대부분의 이온플레이팅용 아크소스는 통상적으로 상술한 바와 같은 타겟, 타겟 후면에 배치되어 냉각하기 위한 냉각 구조물과 타겟의 후면측에 배치된 자석을 포함한다. 이온플레이팅용 아크소스는 금속성 타겟이나 합금타겟 표면에서 아크가 지속적으로 유지되어짐에 따라 타겟의 과열과 용해를 방지하고자 냉각시키는 냉각구조를 갖추고 있다. 일반적인 냉각구조물은 타겟의 후면에 직접냉각 하거나 간접 냉각하는 방식으로 타겟을 냉각하는 구조를 갖추고 있다. 한국 공개번호 10-2015-0002747(공개일자 2015년01월07일) “간접 냉각 장치에 적합한 타겟”을 참조하면, 직접 냉각하는 방식은 도 1에 간접 냉각하는 방식은 도 2에 도시되어 있다. 도 1에서는 타겟(3)의 후면과 타겟 홀더의 전면 사이에 냉각수(11)를 넣어서 타겟(3)의 후면과 냉각수(11)가 직접 접촉한다. 도 2는 타겟(601)과 냉각채널(609)내에 냉각수를 넣은 홀더(605)를 포함한다. 여기서는 타겟(601)의 후면과 홀더의 전면이 접촉한다. 그리고 타겟(601)의 후면과 냉각채널의 전면 사이에는 카본 필름((607)이 제공되어 있으며, 카본 필름((607)은 타겟과 냉각수 사이에서 열전도성을 높이기 위해서 그 사이에 장착되어 있다. 또한 간접방식의 경우에는 타겟이 코팅 챔버 내에 수직으로 장착되어 있는 경우에도 타겟의 교체가 매우 용이하다. 이 두 가지 타입 모두가 타겟의 넓은 면적을 냉각시키기 때문에 냉각효율은 우수하지만, 아크소스의 타겟은 사용시간이 증가함에 따라 중심부가 가장자리부보다 더 침식되어 두께가 점점 감소하게 된다. 따라서 도 3에 도시한 바와 같이 타겟(10)은 가장자리부(13)에 비해서 중심부(11)의 두께만 휠씬 감소된 불균일한 두께의 형상을 이룬다. 이러한 경우에 타겟을 교체해야 한다.
도 3은 기존 아크소스에서 새로운 타겟을 장착 하였을때의 타겟 표면의 냉각수의 영향으로 냉각된 타겟 표면의 온도의 예시이다. 대기중에서 측정하여 보면 약27℃를 나타내고 있다. 이 상태로 1시간 코팅하면, 코팅 대상물의 약 1.5㎛의 코팅두께를 확인할 수 있었다. 여기서 장시간, 예를 들어 표 3에서 나타난 바와 같이, 200분 동안 12회 이상 사용하면 교체하기 직전의 타겟 마모형태로 된다(도 3의 아래 단면도). 여기서 알 수 있듯이, 타겟(10)의 중심부(11)가 가장자리부(13)보다 매우 많이 침식되어져 있다. 이 경우에 타겟의 내부와 냉각수와의 거리가 짧게 되어, 타겟 표면온도는 냉각수의 영향을 많이 받아서 대기중에서 측정하여 보면 22℃를 나타내고 있다. 이러한 상태의 타겟으로 1시간 코팅하면, 1.0㎛의 코팅두께를 확인할 수 있었다. 만약, 동일시간 코팅을 한다면, 코팅두께가 얇아서 동일한 품질을 나타내기 어렵게 된다.
기존 디스크 타입의 타겟을 사용하는 아크소스 냉각방식의 경우 타겟의 후면을 냉각시키는 구조를 가지고 있다. 이러한 타입의 구조를 갖는 아크소스의 경우 타겟의 냉각효율은 좋지만, 타겟을 지속적으로 사용하면서 타겟이 소모되면, 타겟의 두께가 줄어들고 그로 인하여 냉각판 또는 냉각수와 아크스팟의 거리가 줄어들게 되며, 이로 인하여 냉각효율이 증가하게 된다. 즉, 새로운 초기 타겟에 비하여 소모된 타겟의 경우에 냉각이 잘되어 타겟의 온도가 낮아짐으로 인하여 점점 증발율이 감소하는 결과가 나타나게 된다. 따라서 동일한 코팅시간에 더 많은 아크전류의 공급하거나 추가적인 코팅시간을 필요로 하게 된다. 동일한 아크 전류를 사용할 경우에는 코팅 시간을 증가시켜야 하는데, 타겟두께가 15mm에서 5mm까지 사용하였다면, 시간을 30%이상 증가시켜야 하는 문제가 발생하고, 냉각 효율이 달라지면서 코팅막의 품질도 달라지는 문제가 있다.
상술한 바와 같이 기존의 아크소스의 냉각구조물은 냉각효율을 높이기 위하여 타겟의 넓은 면, 즉 후면을 냉각하게 구성되어 있다. 이러한 냉각구조물은 냉각효율은 좋지만, 타겟이 사용되어 그 두께가 감소하게 되면 냉각성능이 향상되어 코팅 재료의 증발율이 현저히 감소하게 되어진다.
또한 타겟의 중심부의 두께가 감소하게 되면 타겟의 중심부만 더욱 냉각되어 아크의 움직임이 동일하여도 코팅 물질의 증발량이 감소하여 코팅두께도 상대적으로 감소하는 것이 일반적이다. 이런 현상 때문에 동일한 코팅두께를 확보하기 위하여 코팅시간을 증가시키거나 아크전류를 높여주는 방법을 사용하고 있다.
따라서 타겟의 중심부의 두께가 감소하더라도 타겟의 표면에서 거의 동일한 냉각을 이루게 하는 방법을 사용하면, 타겟을 교체할 때까지 거의 동일한 코팅 증착율을 유지할 수 있게 할 필요성이 있다.
본 발명의 목적은 타겟의 중심부의 두께가 가장자리부의 두께보다 더 감소하더라도 증착율이 균일한 아크소스의 냉각구조물을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 타겟의 측면을 냉각수로 냉각하고 후면을 공기로 냉각시켜주는 아크소스의 냉각구조물을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 타겟의 측면과 후면을 냉각수로 냉각시켜주는 아크소스의 냉각구조물을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 타겟의 측면과 아크소스의 자석의 후면을 냉각수로 냉각시켜주는 아크소스의 냉각구조물을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 타겟 외측으로 아크가 벗어나지 않도록 막아주는 세라믹 링을 포함하는 아크소스의 냉각구조물을 제공하는 것이다.
상술한 "해결하고자 하는 과제"를 달성하기 위한 수단으로 본 발명에서는 일반적인 아크 타겟의 냉각수의 흐름을 타겟의 후면인 넓은 면에서 타겟의 측면인 좁은 면에 냉각구조물의 위치를 변경함으로 인하여 타겟을 일정하게 냉각하는 냉각구조물를 갖게 하는 것이다.
본 발명의 한 실시 예에서, 이온플레이팅용 아크소스에서 타겟을 냉각하기 위한 냉각 구조물은 상기 타겟의 측면에 제공되고 냉각수를 넣은 냉각 채널과, 상기 타겟의 후면에 제공된 냉각판과 상기 냉각판 후면에 제공된 팬을 포함하며, 상기 타겟의 측면은 냉각수에 의해 냉각되고 상기 타겟의 후면은 팬의 공기 순환에 의해 냉각된다.
본 발명의 다른 실시 예에서, 이온플레이팅용 아크소스에서 타겟을 냉각하기 위한 냉각 구조물은 상기 타겟의 후면과 접촉하는 전면을 갖은 냉각판과 상기 타겟의 측면과 상기 냉각판의 후면을 접촉하는 냉각수를 넣은 냉각 채널을 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시 예에서, 상기 냉각 구조물은 상기 타겟의 후면과 접촉하는 전면을 갖으며, 냉각 패널과 연결되는 브릿지를 포함하는 냉각판과, 상기 타겟의 측면과 자석의 측면과 후면과 상기 브릿지를 접촉하는 냉각수를 넣은 냉각 채널을 포함한다.
본 발명의 냉각구조물에 의해서, 아크 이온플레이팅 공정중에 초기의 타겟에서의 코팅증착율과 타겟을 대부분 사용하였을때의 코팅 증착율을 약10%범위 이내로 비슷한 코팅두께가 나올 수 있는 아크소스를 얻을 수 있다. 즉, 사용된 타겟에서는 타겟 두께가 얇아짐에 따라서 냉각 효율이 증가하나, 본 발명의 냉각구조물을 이용하면, 타겟의 두께의 변화에 따라서 냉각효율이 거의 변하지 않기 때문에 추가적인 공정제어나 코팅시간의 증가 없이도, 새로운 타겟이나 거의 사용된 타겟이나 동일하게 균일한 품질의 코팅막을 얻을 수 있는 장점이 있게 된다.
도 1은 기존의 아크소스에서 직접 냉각 타겟 타입의 한 예의 단면 모식도이다.
도 2는 기존의 아크소스에서 간접 냉각 타겟 타입의 한 예의 단면 모식도이다.
도 3은 기존 아크소스에서 새로운 타겟을 장착 하였을때의 타겟 표면의 냉각수의 영향으로 냉각된 타겟 표면의 온도의 예시의 단면 모식도이다.
도 4는 본 발명에 따른 아크소스의 냉각구조물의 모식도이다.
도 5는 본 발명에 따른 아크소스의 다른 실시 예의 냉각구조물의 모식도이다.
도 6은 본 발명에 따른 아크소스의 다른 실시 예의 냉각구조물의 모식도이다.
이하에서는, 본 발명에 따른 아크소스의 증착율 균일성에 대하여 상세히 설명한다.
본 발명에 따른 아크 이온플레이팅은 스퍼터링, 저항 가열 및 전자빔 코팅 방법에 비해서 가장 이온화율이 높고 밀착력과 코팅층의 경도를 강하게 할 수 있는 방법이기 때문에 절삭공구나 금형용 코팅등에 가장 많이 사용되는 방법이다. 절삭공구 코팅에 사용되는 금속 및 합금타겟을 사용되는데, 주로 단일금속에는 Ti, Cr등의 타겟을 사용하여 질화물이나 탄화물을 만들어 사용되어지고 있다. 그러나 요즘은 고온 및 고속가공에 따라서 단일 화합물보다 합금타겟을 사용한 2원계, 3원계, 4원계코팅이 주로 사용되어지고 있다. 즉, 이러한 합금 타겟은 AlTi, TiAl, AlCr, TiCr, TiSi등이 주로 사용되어지고 있다. 단일 타겟이나 합금타겟의 침식 형태는 자기장 필드의 영향을 주로 받게 되며, 본 발명의 냉각효율에 따른 증착율의 경향은 비슷하게 나타나고 있다.
도 4는 본 발명에 따른 아크소스의 냉각구조물이다. 아크소스의 냉각구조물(50)의 냉각수를 넣은 냉각 채널은 타겟(10)의 측면(17)에 제공되어 있으며, 냉각판(54)은 후면(15)에 제공되어 있다. 따라서 측면은 냉각수에 의해 냉각되고 후면은 냉각 팬(56)에 의해 대기 공기를 순환시켜 냉각하는 구조이다. 타겟(10)의 넓은 면인 후면(15)이 아닌 타겟의 두께방향의 좁은 면인 측면(17)을 냉각하여 타겟이 사용되어 타겟의 중심부(11)이 침식이 되어도 타겟이 과냉되지 않는 구조를 이루고 있다. 아크스팟은 순간적으로 수만도의 고온이지만, 한 지점에 머루르지 않게 자기장 필드에 의하여 지속적으로 움직이게 되어 타겟이 전면적으로 용해되는 일은 발생하지 않는다. 따라서 타겟이 증발율이 감소할 정도의 냉각이 필요하지 않는다. 여기서 냉각판(54)은 금속판, 적합하게는 동판일 수 있다.
도 5는 본 발명에 따른 다른 실시 예의 아크소스의 냉각구조물이다. 아크소스의 냉각구조물(50)은 타겟(10)의 후면(15)와 접촉하는 전면을 갖은 냉각판(54)과 타겟(10)의 측면(17)과 냉각판(54)의 후면을 접촉하는 냉각수를 넣은 냉각 채널을 포함한다. 여기서의 냉각 채널은 냉각수가 내부에서 흐르는 한측면이 페쇄된 원통형이며, 즉 원통 바게스 형상이다. 이렇게 냉각 구조물과 타겟(10)의 접촉면을 넓히는 경우에는 냉각수의 온도를 다소 올릴 수 있다. 이렇게 함으로써 균일한 냉각 효과외에도 에너지를 절약할 수 있다.
도 6는 본 발명에 따른 다른 양호한 실시 예의 아크소스의 냉각구조물이다. 아크소스의 냉각구조물(50)은 타겟(10)의 후면(15)와 접촉하는 전면을 갖은 냉각판(54)과 타겟(10)의 측면(17)과 자석(30)의 측면과 후면을 접촉하는 냉각수를 넣은 냉각 채널을 포함한다. 여기서의 냉각 채널은 냉각수가 내부에서 흐르는 한측면이 폐쇄된 원통형이며, 도 5에 도시한 냉각구조물보다 냉각효율이 떨어지지만 이러한 조건을 원하는 경우에 사용할 수 있다. 또한 아크를 막아주는 세라믹 링(70)을 냉각구조물의 상단에 설치하여 금속제인 냉각구조물을 보호한다.
도 6에는 냉각판(54)은 냉각 채널(50)의 전면과 연결되어진 브릿지를 가진다. 따라서 타겟의 후면(15)와 냉각 채널(50)은 냉각판(54)에 연결되어 냉각수에 의해 타겟을 냉각한다. 타겟의 후면(15)와 냉각 채널(50) 사이의 거리(H)에 따라서 타겟의 냉각 효율이 차이가 생긴다. 챔버온도 450℃, 아크 120A, 바이어스 60V, 냉각수 온도 20℃에서 TiN을 코팅할 경우에, 타겟(10)과 냉각 채널(50)사이의 거리(H), 양호하게는 타겟(10)의 후면과 냉각 채널(50)의 전면사이의 거리에 따른 코팅 효율은 다음 표 1과 같다.
거리 H(mm) 30 50 70 90
시간당 코팅두께 ㎛ 0.7 0.75 0.82 0.84
표 1에서 알 수 있듯이, 거리(H)가 멀수록 시간당 코팅두께는 증가하여 코팅 효율을 높일 수 있음을 알 수 있다. 그리고 70mm 이상에서는 코팅 효율의 증가가 떨어진다. 따라서 장치의 크기와 제어의 관점에서 타겟(10)과 냉각 채널(50)사이의 거리(H)가 70mm인 경우가 가장 적합함을 알 수 있다.
종래 타겟의 후면을 간접 냉각방식에서, 아크소스 타입으로 TiAl합금타겟을 장착하고, 냉각 채널의 냉각수의 온도를 20 ℃로 유지하고 유량을 3L/min으로 하고 냉각수의 입구 압력을 4bar로 한 경우에, 대기압 분위기 온도 28℃에서, 타겟의 중심부(11)을 적외선 표면 온도 측정기로 측정한 결과는 다음과 표 1과 같다.
타겟의 침식된 부위의 두께 15T 10T 5T
타겟의 표면온도℃ 25 24 22
타겟의 후면 냉각 방식(기존 기술)은 타겟의 두께가 얇아지며 타겟의 표면온도는 낮아지는 것을 확인할 수 있다. 타겟의 표면온도가 낮아지면 타겟의 효율은 떨어진다.아래 표 1은 도 3에 따른 기존 아크소스 타입으로 TiAl합금타겟을 장착하고, 새로운 타겟에서부터 타겟을 교체할 때까지 코팅후 코팅 증착 두께를 측정한 데이터이다.
코팅두께(㎛)
코팅횟수 타겟종류 타겟사용량 코팅시간
(분)		 Bias
(V)		 아크전류(A) 타겟 1 타겟사이 타겟 2 타겟사이 타겟 3 합 계 분율(%)
1 TiAl 0mm 200 40V 140 4.8 4.19 5.32 4.77 5.5 24.58 100%
2 TiAl 1~2mm 200 40V 140 4.56 3.93 4.94 4.52 5.12 23.07 93.86%
3 TiAl 2~3mm 200 40V 140 4.01 3.78 4.63 4.4 4.96 21.78 88.61%
4 TiAl 3~4mm 200 40V 140 3.96 3.81 4.47 4.21 4.73 21.18 86.17%
5 TiAl 4~5mm 200 40V 140 3.51 3.5 4.22 4 4.47 19.7 80.15%
6 TiAl 5~6mm 200 40V 140 3.57 3.35 4.11 3.94 4.12 19.09 77.66%
7 TiAl 6~7mm 200 40V 140 3.45 3.31 3.99 3.77 4.18 18.7 76.08%
8 TiAl 7~8mm 200 40V 140 3.19 3.09 3.83 3.55 4.07 17.73 72.13%
9 TiAl 8~9mm 200 40V 140 3.11 2.97 3.67 3.53. 4.03 17.31 70.42%
10 TiAl 9~10mm 200 40V 140 3.11 2.88 3.62 3.36 3.98 16.95 68.96%
11 TiAl 10~11mm 200 40V 140 2.89 2.79 3.55 3.29 3.96 16.48 67.05%
12 TiAl 11~12mm 200 40V 140 2.96 2.71 3.52 3.12 3.87 16.18 65.83%
13 TiAl 12~13mm 200 40V 140 2.89 2.69 3.5 3.11 3.8 15.99 65.05%
타겟은 15mm두께이며 아크전류는 140A, 바이어스는 -40V, 각각 200분씩 일정한 조건으로 코팅 한후 타겟이 깊게 파인부분, 즉 중심부(11)를 측정하니 1회 코팅에 약1~2mm정도가 소모되었다. 전체 면적이 균일하게 침식되지는 않고, 깊게 침식된 곳과 얇게 코팅된 부분이 공존하나 깊게 파인 부분을 측정하였다. 코팅 두께는 위치에 따라 다르기 때문에 타겟의 위치에 따라 타겟 중심으로 상, 중, 하의 전면과 타겟 상과 타겟 중 사이의 중심1곳과 타겟 중과 타겟 하 사이의 중심1곳 위치의 코팅지그에 시편을 장착하여 코팅 두께를 측정한 다음 합산하여 그 분포를 파악하였다. 새로운 타겟의 1회 코팅에서의 코팅 두께를 100%로 기준점으로 설정하고 매회 코팅된 두께에 대하여 백분율로 환산하여 비교하였다. 타겟 두께가 감소하면서 점점 코팅된 두께도 감소하여 타겟을 교체할 시점인 약11~12mm침식되었을 때는 새로운 타겟의 코팅두께 100%대비 약 65%의 코팅두께를 나타내었다.
이러한 현상을 보면, 지속적으로 타겟을 사용하게 되면 코팅 시간을 증가하던지, 아크 전류를 상승시켜서 증발량을 증가시켜야 일정한 코팅 두께를 확보할 수 있을 것이다. 그러나 이러한 경우 코팅 공정이 복잡해지고, 코팅막의 상태가 변할 수 있기 때문에 균일하고 안정적인 코팅막을 확보하는데는 어려움이 있게 된다.
상술한 표 1에서 실험한 동일한 조건에서 본 발명의 도 4 내지 도 6의 타겟의 측면 냉각방식을 이용한 경우에, 타겟의 중심부(11)을 적외선 표면 온도 측정기로 측정한 결과는 다음과 표 3과 같다.
타겟의 침식된 부위의 두께 15T 10T 5T
타겟의 표면온도℃ 23 23 23
본 발명의 타겟의 측면 냉각 방식은 타겟의 두께와 상관없이 표면온도가 일정하게 유지하고 있다. 이 경우에는 냉각 효율을 떨어지지만 타겟의 효율은 상승한다. 타겟의 후면 냉각 방식과 타겟의 측면 냉각 방식에서의 이러한 온도 차이는 챔버내의 온도가 상승할수록 더욱 크게 차이가 발생할 것이다.아래 표 4는 본 발명의 도 6에 도시한 실시예에 따른 냉각구조물을 갖는 아크소스로 표 2과 동일한 실험을 하여 비교하였다.
코팅두께(㎛)
코팅횟수 타겟종류 타겟사용량 코팅시간(분) Bias(V) 아크전류(A) 타겟 1 타겟사이 타겟 2 타겟사이 타겟 3 합 계 분율(%)
1 TiAl 0mm 200 40V 140 4.9 4.45 5.45 4.52 5.51 24.83 100%
2 TiAl 1~2mm 200 40V 140 4.84 4.69 5.21 4.89 5.35 24.98 100.60%
3 TiAl 2~3mm 200 40V 140 4.89 4.77 5.21 4.92 5.45 25.24 101.65%
4 TiAl 3~4mm 200 40V 140 4.91 4.89 5.29 4.99 5.46 25.54 102.86%
5 TiAl 4~5mm 200 40V 140 4.88 4.81 5.31 4.98 5.44 25.42 102.38%
6 TiAl 5~6mm 200 40V 140 4.89 4.71 5.28 4.88 5.39 25.15 101.29%
7 TiAl 6~7mm 200 40V 140 4.82 4.63 5.15 4.85 5.31 24.76 99.72%
8 TiAl 7~8mm 200 40V 140 4.58 4.45 5.22 4.69 5.28 24.22 97.54%
9 TiAl 8~9mm 200 40V 140 4.58 4.49 4.88 4.69 5.09 23.73 95.57%
10 TiAl 9~10mm 200 40V 140 4.51 4.44 4.89 4.58 5.03 23.45 94.44%
11 TiAl 10~11mm 200 40V 140 4.49 4.31 4.9 4.49 4.98 23.17 93.31%
12 TiAl 11~12mm 200 40V 140 4.42 4.39 4.86 4.42 4.85 22.94 92.39%
13 TiAl 12~13mm 200 40V 140 4.39 4.32 4.78 4.6 4.81 22.9 92.23%
여기서 알 수 있듯이, 코팅조건은 동일하게 하였을 때 백분율로 비교하며, 초기 새로운 타겟을 100%로 하였을 때, 타겟을 교체할 때까지 사용하면 98%의 코팅 두께를 유지하는 것을 확인할 수 있었다. 이는 신규타겟에서 타겟을 교체할 때까지 매회 코팅두께가 약10%범위 내에서 균일하게 코팅되고 있다는 것이 검증되었다. 본 발명에 의한 냉각구조를 적용하면, 항상 타겟 표면에서의 온도를 일정하게 유지할 수 있게 된다.이상 본 발명을 여러 실시 예에 기초하여 설명하였으나, 이는 본 발명을 예증하기 위한 것이다. 통상의 지식을 가지고 있는 사람이라면, 위 실시 예를 다른 형태로 변형하거나 수정할 수 있을 것이다. 그러므로 본 발명의 권리범위는 특허청구범위로 정해지므로, 그러한 변형이나 수정이 아래의 특허청구범위에 포함되는 것으로 해석될 수 있다.
10: 타겟 11: 중심부 13: 가장자리부
20:
50: 냉각구조물
54: 냉각판
56: 팬

Claims (6)

  1. 이온플레이팅용 아크소스에서 타겟을 냉각하기 위한 냉각 구조물로서,
    상기 냉각 구조물은 상기 타겟의 측면에 제공되고 냉각수를 넣은 냉각 채널과, 상기 타겟의 후면에 제공된 냉각판과 상기 냉각판 후면에 제공된 팬을 포함하며, 상기 타겟의 측면은 냉각수에 의해 냉각되고 상기 타겟의 후면은 팬에 의한 공기 순환에 의해 냉각되는 냉각 구조물.
  2. 이온플레이팅용 아크소스에서 타겟을 냉각하기 위한 냉각 구조물로서,
    상기 냉각 구조물은 상기 타겟의 후면과 접촉하는 전면을 갖은 냉각판과 상기 타겟의 측면과 상기 냉각판의 후면을 접촉하는 냉각수를 넣은 냉각 채널을 포함하는 냉각 구조물.
  3. 이온플레이팅용 아크소스에서 타겟을 냉각하기 위한 냉각 구조물로서,
    상기 냉각 구조물은 상기 타겟의 후면과 접촉하는 전면을 갖으며, 냉각 패널과 연결되는 브릿지를 포함하는 냉각판과 상기 타겟의 측면과 자석의 측면과 후면과 상기 브릿지를 접촉하는 냉각수를 넣은 냉각 채널을 포함하는 냉각 구조물.
  4. 제1항, 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 냉각판은 동판인 냉각 구조물.
  5. 제1항, 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 냉각구조물과 플로팅 쉴드 사이에 세라믹 링이 제공되어 있는 냉각 구조물.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 타겟과 냉각 채널사이의 거리는 70mm인 냉각 구조물.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116240503A (zh) * 2023-02-17 2023-06-09 航天材料及工艺研究所 一种新型电弧离子镀设备冷却方法及装置

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