KR20230020597A - 입력센서의 쇼트 검사 모듈 및 이를 이용한 입력센서의 쇼트 검사 방법 - Google Patents

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KR20230020597A
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조현욱
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Abstract

일 실시예에 따른 입력센서의 쇼트 검사 방법은 복수의 전극들을 포함하는 입력센서의 쇼트(short) 검출을 위한 검사 주파수를 설정하는 주파수 설정 단계, 상기 설정된 검사 주파수에서 상기 입력센서를 검사 모드로 구동시키는 센서 구동 단계 및 상기 검사 모드에서 상기 입력센서의 상기 복수의 전극들 중 서로 인접한 전극들 사이에 충전되는 정전용량을 기초로 상기 입력센서의 쇼트를 검출하는 쇼트 검출 단계를 포함한다.

Description

입력센서의 쇼트 검사 모듈 및 이를 이용한 입력센서의 쇼트 검사 방법 {INPUT SENSOR SHORT-CIRCUIT INSPECTION MODULE AND INPUT SENSOR SHORT-CIRCUIT INSPECTION METHOD USING THE SAME}
본 발명은 입력센서의 쇼트 검사 모듈 및 이를 이용한 입력센서의 쇼트 검사 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 마이크로 쇼트(micro short)를 검출할 수 있는 입력센서의 쇼트 검사 모듈 및 이를 이용한 입력센서의 쇼트 검사 방법에 관한 것이다.
텔레비전, 휴대 전화, 태블릿 컴퓨터, 네비게이션, 게임기 등과 같은 멀티 미디어 장치에 사용되는 다양한 표시 모듈들이 개발되고 있다. 표시 모듈들은 화소 및 구동 회로를 포함한다. 또한, 최근에 표시 모듈들은 사용자 터치를 인식하는 입력센서 및 입력센서의 구동 회로를 구비한다.
본 발명의 목적은 입력센서의 마이크로 쇼트를 검출할 수 있는 구동 회로 내부의 쇼트 검사 모듈을 제공하는 것이다.
본 발명의 목적은 입력센서의 마이크로 쇼트를 검출할 수 있는 쇼트 검사 방법을 제공하는 것이다.
실시예들 중에서, 입력센서의 쇼트 검사 방법은 복수의 전극들을 포함하는 입력센서의 쇼트(short) 검출을 위한 검사 주파수를 설정하는 주파수 설정 단계, 상기 설정된 검사 주파수에서 상기 입력센서를 검사 모드로 구동시키는 센서 구동 단계 및 상기 검사 모드에서 상기 입력센서의 상기 복수의 전극들 중 서로 인접한 전극들 사이에 충전되는 정전용량을 기초로 상기 입력센서의 쇼트를 검출하는 쇼트 검출 단계를 포함할 수 있다.
상기 검사 주파수는 상기 입력센서의 기준 주파수 이상 구동 주파수 이하의 주파수를 가지고, 상기 기준 주파수는 상기 입력센서에서 설정할 수 있는 최소 주파수이고 상기 구동 주파수는 상기 입력센서가 외부 입력을 감지하기 위해 필요한 최소 주파수일 수 있다.
상기 검사 주파수는 5KHz 내지 100KHz일 수 있다.
상기 검사 모드에서 상기 입력센서는 외부의 입력을 감지하는 기능을 수행하지 않을 수 있다.
상기 복수의 전극들은 제1 전극 및 상기 제1 전극과 교차하는 제2 전극을 포함하고, 상기 쇼트 검출 단계는 상기 제1 전극들 간 쇼트, 상기 제2 전극들 간 쇼트, 또는 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 간 쇼트를 검출할 수 있다.
상기 입력센서에는 상기 제1 전극 및 상기 제1 전극에 인접한 제2 전극으로 각각 구성되는 복수의 노드들이 정의되고, 상기 쇼트 검출 단계는 상기 복수의 노드들 사이의 상기 정전용량의 차이를 기초로 상기 입력센서의 쇼트를 검출하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 쇼트 검출 단계는 상기 복수의 노드들 각각에서 정전용량을 측정하는 제1 단계, 상기 노드들 사이의 상기 정전용량의 차이를 검출하는 제2 단계 및 인접한 노드들과의 상기 정전용량의 차이가 일정 기준을 초과하는 특정 노드에 대해서 쇼트로 결정하는 제3 단계를 포함할 수 있다.
상기 정전용량의 차이는 상기 특정 노드에서 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 사이의 저항에 충전되는 충전량의 크기에 따라 결정될 수 있다.
상기 쇼트 검출 단계는 상기 제1 단계 및 상기 제2 단계를 반복하는 샘플링을 통해 상기 정전용량의 차이의 평균값을 산출하는 샘플링 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 샘플링 단계는 상기 검사 주파수에 따라서 상기 샘플링의 횟수를 조절할 수 있다.
상기 검사 주파수와 상기 샘플링의 횟수는 비례할 수 있다.
실시예들 중에서, 입력센서의 쇼트 검사 모듈은 복수의 전극들을 포함하는 입력센서의 쇼트(short) 검출을 위한 검사 주파수를 설정하는 주파수 설정부, 상기 검사 주파수에서 상기 입력센서를 검사 모드로 구동시키는 센서 구동부 및 상기 검사 모드에서 상기 복수의 전극들 중 서로 인접한 전극들 사이에 충전되는 정전용량을 기초로 상기 입력센서의 쇼트를 검출하는 쇼트 검출부를 포함할 수 있다.
상기 검사 주파수는 상기 입력센서의 기준 주파수 이상 구동 주파수 이하의 주파수를 가지고, 상기 기준 주파수는 상기 입력센서에서 설정할 수 있는 최소 주파수이고 상기 구동 주파수는 상기 입력센서가 외부 입력을 감지하기 위해 필요한 최소 주파수일 수 있다.
상기 검사 주파수는 5KHz 내지 100KHz일 수 있다.
상기 입력센서에는 제1 전극 및 상기 제1 전극과 교차하는 제2 전극으로 각각 구성되는 복수의 노드들이 정의되고, 상기 쇼트 검출부는 상기 복수의 노드들 사이의 상기 정전용량의 차이를 기초로 상기 입력센서의 쇼트를 검출할 수 있다.
상기 쇼트 검출부는 인접한 노드들과의 상기 정전용량의 차이가 일정 기준을 초과하는 특정 노드에 대해서 쇼트로 결정할 수 있다.
상기 쇼트 검출부는 상기 복수의 노드들 사이의 상기 정전용량의 차이를 검출하는 샘플링의 횟수를 상기 검사 주파수를 기초로 조절할 수 있다.
상기 검사 주파수와 상기 샘플링의 횟수는 비례할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 입력센서의 쇼트 검사 모듈 및 이를 이용한 입력센서의 쇼트 검사 방법은 입력센서를 저주파수로 구동하여 입력센서 내의 전극들 간에 발생하는 마이크로 쇼트를 효과적으로 검출할 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시장치의 결합 사시도이다.
도 2a는 일 실시예에 따른 표시장치의 분해 사시도이다.
도 2b는 도 2a에 도시된 절단선 I-I’에 따른 일 실시예의 단면도이다.
도 2c는 도 2a에 도시된 절단선 Ⅱ-Ⅱ’에 따른 일 실시예의 단면도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 표시패널의 평면도이다.
도 4는 일 실시예에 따른 입력센서의 평면도이다.
도 5a 및 도 5b는 일 실시예에 따른 입력센서의 검사 모드를 보여주는 도면이다.
도 6은 일 실시예에 따른 입력센서의 쇼트 검사 모듈을 보여주는 블록도이다.
도 7은 일 실시예에 따른 입력센서의 쇼트 검사 방법을 보여주는 흐름도이다.
도 8은 일 실시예에 따른 입력센서의 쇼트 검출 단계를 보여주는 순서도이다.
도 9는 일 실시예에 따른 입력센서의 쇼트 검사 결과를 보여주는 그래프이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 “상에 있다”, “연결된다”, 또는 “결합된다”고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.
동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. “및/또는”은 연관된 구성요소들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
또한, “아래에”, “하측에”, “위에”, “상측에” 등의 용어는 도면에 도시된 구성요소들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 갖는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 여기서 명시적으로 정의되지 않는 한 너무 이상적이거나 지나치게 형식적인 의미로 해석되어서는 안된다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(DD)의 결합 사시도이다.
도 1을 참조하면, 표시장치(DD)는 제1 방향(DR1)에 나란한 단변 및 제2 방향(DR2)에 나란한 장변을 포함하는 직사각형 형상을 가질 수 있다. 그러나, 표시장치(DD)의 형상이 이에 제한되는 것은 아니다.
도 1에는 표시장치(DD)가 스마트폰인 것을 도시하였으나, 이에 제한되지 않고 본 발명에 따른 표시장치(DD)는 텔레비전, 모니터 등과 같은 대형 표시장치를 비롯하여, 태블릿, 자동차 내비게이션, 게임기 등과 같은 중소형 표시장치를 포함할 수 있다.
도 1에 도시된 것과 같이, 표시장치(DD)는 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2) 각각에 평행한 표시면(IS)을 포함할 수 있다. 표시면(IS)은 제3 방향(DR3)을 향해 영상(IM)을 표시할 수 있다. 영상(IM)이 표시되는 표시면(IS)은 표시장치(DD)의 전면(front surface)과 대응될 수 있다.
본 실시예에서는 영상(IM)이 표시되는 제3 방향(DR3)을 기준으로 각 부재들의 전면(또는 상면)과 배면(또는 하면)이 정의된다. 전면과 배면은 제3 방향(DR3)에서 서로 대향(opposing)되고, 전면과 배면 각각의 법선 방향은 제3 방향(DR3)과 평행할 수 있다.
제3 방향(DR3)에서의 전면과 배면 사이의 이격 거리는 표시장치(DD)의 제3 방향(DR3)에서의 두께와 대응될 수 있다. 한편, 제1 내지 제3 방향들(DR1, DR2, DR3)이 지시하는 방향은 상대적인 개념으로서 다른 방향으로 변환될 수 있다.
표시장치(DD)의 표시면(IS)은 복수 개의 영역들로 구분될 수 있다. 표시장치(DD)의 표시면(IS)은 투과 영역(TA) 및 베젤 영역(BZA)으로 구분될 수 있다.
투과 영역(TA)은 영상(IM)이 표시되는 영역일 수 있으며, 사용자는 투과 영역(TA)을 통해 영상(IM)을 시인한다. 본 실시예에서, 투과 영역(TA)은 꼭지점들이 둥근 사각 형상으로 도시되었으나 이는 예시적으로 도시한 것이고, 투과 영역(TA)은 다양한 형상을 가질 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다. 본 실시예에서, 투과 영역(TA)은 꼭지점들이 둥근 사각 형상으로 도시되었다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 투과 영역(TA)은 다양한 형상을 가질 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
베젤 영역(BZA)은 투과 영역(TA)에 인접한 영역으로, 영상(IM)이 표시되지 않는 영역이다. 베젤 영역(BZA)은 소정의 컬러를 가질 수 있다. 베젤 영역(BZA)은 투과 영역(TA)을 에워쌀 수 있다. 이에 따라, 투과 영역(TA)의 형상은 실질적으로 베젤 영역(BZA)에 의해 정의될 수 있다. 본 실시예에 제한되지 않고 베젤 영역(BZA)은 투과 영역(TA)의 일측에만 인접하여 배치될 수도 있고, 생략될 수도 있다.
본 발명에 따른 표시장치(DD)는 외부에서 인가되는 사용자의 입력(TC)을 감지할 수 있다. 사용자의 입력(TC)은 사용자 신체의 일부, 광, 열, 또는 압력 등 다양한 형태의 외부 입력들을 포함한다. 본 실시예에서, 사용자의 입력(TC)은 전면에 인가되는 사용자의 손으로 도시되었다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 상술한 바와 같이 사용자의 입력(TC)은 다양한 형태로 제공될 수 있고, 또한, 표시장치(DD)는 표시장치(DD)의 구조에 따라 표시장치(DD)의 측면이나 배면에 인가되는 사용자의 입력(TC)을 감지할 수도 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
표시장치(DD)는 표시면(IS)을 활성화시켜 영상(IM)을 표시하는 동시에 사용자의 입력(TC)을 감지할 수 있다. 본 실시예에서 사용자의 입력(TC)을 감지하는 영역은 영상(IM)이 표시되는 투과 영역(TA)에 구비된 것으로 도시되었다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 사용자의 입력(TC)을 감지하는 영역은 베젤 영역(BZA)에 제공되거나, 표시면(IS)의 모든 영역에 제공될 수도 있다.
도 2a는 일 실시예에 따른 표시장치(DD)의 분해 사시도이다. 도 2b는 도 2a에 도시된 절단선 I-I’에 따른 일 실시예의 단면도이다. 도 2c는 도 2a에 도시된 절단선 Ⅱ-Ⅱ’에 따른 일 실시예의 단면도이다.
도 2a 및 도 2b를 함께 참조하면, 표시장치(DD)는 윈도우(WM), 반사방지필름(RPP), 표시모듈(DM), 연성회로필름(FCB) 및 기능층(FL) 을 포함할 수 있다.
윈도우(WM)는 표시모듈(DM) 상에 배치될 수 있다. 윈도우(WM)는 외부로부터 표시모듈(DM)을 보호하는 것일 수 있다. 윈도우(WM)는 광학적으로 투명한 절연 물질을 포함할 수 있다. 이에 따라, 표시모듈(DM)에서 생성된 영상은 윈도우(WM)를 통하여 사용자에게 용이하게 인식될 수 있다. 윈도우(WM)는 표시모듈(DM)로부터의 영상을 투과시킴과 동시에 외부의 충격을 완화시킴으로써, 외부의 충격에 의해 표시모듈(DM)이 파손되거나 오작동하는 것을 방지한다. 외부로부터의 충격이라 함은 압력, 스트레스 등으로 표현할 수 있는 외부로부터의 힘으로써 표시모듈(DM)에 결함을 야기하는 힘을 의미한다.
일 실시예에서, 윈도우(WM)는 유리 및 합성 수지 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 윈도우(WM)는 유리, 폴리이미드(polyimide, Pl), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 윈도우(WM)는 박막 글라스이거나, 또는 합성 수지 필름일 수 있다.
윈도우(WM)는 다층구조 또는 단층구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 윈도우(WM)는 접착제로 결합된 복수 개의 합성수지 필름을 포함하거나, 또는 접착제로 결합된 유리 기판과 합성수지 필름을 포함할 수 있다. 윈도우(WM)는 연성 재질로 이루어질 수 있다.
일 예로, 윈도우(WM)는 베젤 영역(BZA)을 정의하기 위한 차광패턴(WBM)을 포함할 수 있다. 차광패턴(WBM)은 유색의 유기막으로써 예컨대, 코팅 방식으로 형성될 수 있다.
일 실시예에서, 표시모듈(DM)과 윈도우(WM) 사이에는 외광 반사를 차단하는 반사방지필름(RPP)이 배치될 수 있다.
윈도우(WM)와 반사방지필름(RPP) 사이에는 제2 접착필름(AF2)이 배치될 수 있다. 제2 접착필름(AF2)은 광학투명접착필름(OCA, Optically Clear Adhesive film), 광학투명접착수지(OCR, Optically Clear Resin) 또는 감압접착필름(PSA, Pressure Sensitive Adhesive film)을 포함할 수 있다. 다만, 실시예가 이에 한정되지 않는다.
반사방지필름(RPP)은 표시장치(DD)의 전면을 통해 입사되는 외광에 의해 표시모듈(DM)을 구성하는 소자들이 외부에서 시인되는 문제를 방지할 수 있다. 반사방지필름(RPP)은 위상지연자(retarder) 및 편광자(polarizer)를 포함할 수 있다. 위상지연자는 필름타입 또는 액정 코팅타입일 수 있고, λ/2 위상지연자 및/또는 λ/4 위상지연자를 포함할 수 있다. 편광자 역시 필름타입 또는 액정 코팅타입일 수 있다. 필름타입은 연신형 합성수지 필름을 포함하고, 액정 코팅타입은 소정의 배열로 배열된 액정들을 포함할 수 있다. 위상지연자 및 편광자는 하나의 편광필름으로 구현될 수 있다. 반사방지필름(RPP)의 상부 또는 하부에는 보호필름이 더 배치될 수 있다.
반사방지필름(RPP)은 표시모듈(DM) 상에 배치될 수 있다. 표시모듈(DM)과 반사방지필름(RPP) 사이에는 제1 접착필름(AF1)이 배치될 수 있다. 제1 접착필름(AF1)은 광학투명접착필름(OCA), 광학투명접착수지(OCR) 또는 감압접착필름(PSA)을 포함할 수 있다. 다만, 실시예가 이에 한정되지 않는다.
표시모듈(DM)은 표시패널(DP) 및 입력센서(ISP)를 포함한다. 표시패널(DP)은 영상(IM)을 생성하고, 입력센서(ISP)는 외부에서 인가되는 외부 입력을 감지할 수 있다. 외부의 입력은 사용자의 입력일 수 있고, 예를 들어 사용자 신체의 일부, 광, 열, 펜, 또는 압력 등 다양한 형태의 입력들을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널(DP)은 발광형 표시패널일 수 있고, 특별히 제한되지 않는다. 예컨대, 표시패널(DP)은 유기발광 표시패널, 또는 퀀텀닷(quantum dot) 발광 표시패널일 수 있다. 유기발광 표시패널의 발광층은 유기발광물질을 포함할 수 있고, 퀀텀닷 발광 표시패널의 발광층은 퀀텀닷, 및 퀀텀로드 등을 포함할 수 있다. 이하, 표시패널(DP)은 유기발광 표시패널로 설명한다.
입력센서(ISP)는 표시패널(DP) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 입력센서(ISP)는 표시패널(DP) 상에 직접 배치될 수 있다. 예를 들어, 입력센서(ISP)는 연속공정에 의해 표시패널(DP) 상에 형성될 수 있다. 본 명세서에서 “직접 배치”된다는 것은 입력센서(ISP)와 표시패널(DP) 사이에 제3의 구성요소가 배치되지 않는다는 것으로 이해될 수 있다.
다만, 실시예가 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 입력센서(ISP)와 표시패널(DP) 사이에 접착필름이 배치될 수 있다. 이 경우, 입력센서(ISP)는 표시패널(DP)과 연속 공정에 의해 제조되지 않으며, 표시패널(DP)과 별도의 공정을 통해 제조된 후, 접착필름에 의해 표시패널(DP)의 상면에 배치될 수 있다.
도 2c에 일 예의 표시모듈(DM)의 단면도를 도시하였다. 일 예로, 표시모듈(DM)이 표시패널(DP) 및 표시패널(DP) 상에 직접 배치된 입력센서(ISP)를 포함한 것으로 도시하였다. 다만 실시예가 이에 제한되지 않는다.
도 2c를 참조하면, 표시패널(DP)은 베이스층(BL), 회로층(DP-CL), 발광 소자층(DP-OLED), 및 봉지층(TFL)을 포함할 수 있다.
베이스층(BL)은 회로층(DP-CL)이 배치되는 베이스 면을 제공할 수 있다. 베이스층(BL)은 합성수지층을 포함할 수 있다. 베이스층(BL)은 다층구조를 가질 수 있다. 예컨대 베이스층(BL)은 합성수지층, 접착층, 및 합성수지층의 3층 구조를 가질 수도 있다. 특히, 합성수지층은 폴리이미드계 수지층일 수 있고, 그 재료는 특별히 제한되지 않는다. 합성수지층은 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지, 실록산계 수지, 폴리아미드계 수지 및 페릴렌계 수지 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 그밖에 베이스층(BL)은 유리 기판, 또는 유/무기 복합재료 기판 등을 포함할 수 있다.
회로층(DP-CL)은 베이스층(BL) 상에 배치될 수 있다. 회로층(DP-CL)은 절연층, 반도체 패턴, 도전 패턴, 및 신호 라인 등을 포함할 수 있다. 코팅, 증착 등의 방식으로 절연층, 반도체층, 및 도전층이 베이스층(BL) 위에 형성되고, 이후, 복수 회의 포토리소그래피 공정을 통해 절연층, 반도체층, 및 도전층이 선택적으로 패터닝될 수 있다. 이후, 회로층(DP-CL)에 포함된 반도체 패턴, 도전 패턴, 및 신호 라인이 형성될 수 있다.
베이스층(BL)의 상면에 적어도 하나의 무기층이 형성된다. 무기층은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 실리콘옥사이드 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 무기층은 다층으로 형성될 수 있다. 다층의 무기층들은 배리어층 및/또는 버퍼층을 구성할 수 있다. 버퍼층(BFL)은 베이스층(BL)과 반도체 패턴 사이의 결합력을 향상시킬 수 있다. 버퍼층(BFL)은 실리콘옥사이드층 및 실리콘나이트라이드층을 포함할 수 있으며, 실리콘옥사이드층과 실리콘나이트라이드층은 교대로 적층될 수 있다. 본 실시예에서 회로층(DP-CL)은 버퍼층(BFL)을 포함하는 것으로 도시되었으나, 이에 제한되지 않고 버퍼층(BFL)은 생략될 수 있다.
반도체 패턴은 버퍼층(BFL) 위에 배치될 수 있다. 반도체 패턴은 폴리실리콘을 포함할 수 있다. 그러나 이에 제한되지 않고, 반도체 패턴은 비정질실리콘 또는 금속 산화물을 포함할 수도 있다.
도 2c는 일부의 반도체 패턴을 도시한 것일 뿐이고, 다른 영역에 반도체 패턴이 더 배치될 수 있다. 반도체 패턴은 화소들에 걸쳐 특정한 규칙으로 배열될 수 있다. 반도체 패턴은 도핑 여부에 따라 전기적 성질이 다를 수 있다. 반도체 패턴은 전도율이 높은 제1 영역과 전도율이 낮은 제2 영역을 포함할 수 있다. 제1 영역은 N형 도펀트 또는 P형 도펀트로 도핑될 수 있다. P타입의 트랜지스터는 P형 도펀트로 도핑된 도핑영역을 포함한다. 제2 영역은 비-도핑영역이거나, 제1 영역 대비 낮은 농도로 도핑될 수 있다.
제1 영역의 전도성은 제2 영역보다 크고, 실질적으로 전극 또는 신호 라인의 역할을 갖는다. 제2 영역은 실질적으로 트랜지스터의 액티브 영역(또는 채널 영역)에 해당할 수 있다. 다시 말해, 반도체 패턴의 일부분은 트랜지스터의 액티브 영역일수 있고, 다른 일부분은 트랜지스터의 소스 영역 또는 드레인 영역일 수 있다.
화소들 각각은 7개의 트랜지스터들, 하나의 커패시터, 및 발광소자를 포함하는 등가 회로를 가질 수 있으며, 화소의 등가 회로도는 다양한 형태로 변형될 수 있다. 도 2c에서는 화소에 포함되는 하나의 트랜지스터(TR) 및 발광소자(ED)를 예시적으로 도시하였다.
트랜지스터(TR)의 소스 영역(SR), 채널 영역(CHR), 및 드레인 영역(DR)이 반도체 패턴으로부터 형성될 수 있다. 소스 영역(SR) 및 드레인 영역(DR)은 단면 상에서 채널 영역(CHR)으로부터 서로 반대 방향에 제공될 수 있다. 도 2c에는 반도체 패턴과 동일층 상에 배치된 회로라인(SCL)의 일부분을 도시하였다. 별도로 도시하지 않았으나, 회로라인(SCL)은 평면 상에서 트랜지스터(TR)와 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 절연층(IL1)은 버퍼층(BFL) 위에 배치될 수 있다. 제1 절연층(IL1)은 복수의 화소들에 공통으로 중첩하며, 반도체 패턴을 커버할 수 있다. 제1 절연층(IL1)은 무기층 및/또는 유기층일 수 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 제1 절연층(IL1)은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 본 실시예에서 제1 절연층(IL1)은 단층의 실리콘옥사이드층일 수 있다. 제1 절연층(IL1)뿐만 아니라 후술하는 회로층(DP-CL)의 절연층은 무기층 및/또는 유기층일 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 무기층은 상술한 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
트랜지스터(TR)의 게이트(GE)는 제1 절연층(IL1) 위에 배치된다. 게이트(GE)는 금속 패턴의 일부분일 수 있다. 게이트(GE)는 채널 영역(CHR)에 중첩한다. 반도체 패턴을 도핑하는 공정에서 게이트(GE)는 마스크로써 기능할 수 있다.
제2 절연층(IL2)은 제1 절연층(IL1) 위에 배치되며, 게이트(GE)를 커버할 수 있다. 제2 절연층(IL2)은 화소들에 공통으로 중첩할 수 있다. 제2 절연층(IL2)은 무기층 및/또는 유기층일 수 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 본 실시예에서 제2 절연층(IL2)은 단층의 실리콘옥사이드층일 수 있다.
제3 절연층(IL3)은 제2 절연층(IL2) 위에 배치될 수 있으며, 본 실시예에서 제3 절연층(IL3)은 단층의 실리콘옥사이드층일 수 있다. 제1 연결 전극(CNE1)은 제3 절연층(IL3) 위에 배치될 수 있다. 제1 연결 전극(CNE1)은 제1, 제2, 및 제3 절연층(IL1, IL2, IL3)을 관통하는 컨택홀(CNT1)을 통해 회로라인(SCL)에 접속될 수 있다.
제4 절연층(IL4)은 제3 절연층(IL3) 위에 배치될 수 있다. 제4 절연층(IL4)은 단층의 실리콘 옥사이드층일 수 있다.
제5 절연층(IL5)은 제4 절연층(IL4) 위에 배치될 수 있다. 제5 절연층(IL5)은 유기층일 수 있다.
제2 연결 전극(CNE2)은 제5 절연층(IL5) 위에 배치될 수 있다. 제2 연결 전극(CNE2)은 제4 절연층(IL4) 및 제5 절연층(IL5)을 관통하는 컨택홀(CNT2)을 통해 제1 연결 전극(CNE1)에 접속될 수 있다.
제6 절연층(IL6)은 제5 절연층(IL5) 위에 배치되며, 제2 연결 전극(CNE2)을 커버할 수 있다. 제6 절연층(IL6)은 유기층일 수 있다.
발광 소자층(DP-OLED)은 회로층(DP-CL) 위에 배치될 수 있다. 발광 소자층(DP-OLED)은 발광 소자를 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광 소자층(DP-OLED)은 유기 발광 물질, 퀀텀닷, 퀀텀 로드, 또는 마이크로 엘이디를 포함할 수 있다. 발광소자(ED)는 제1 전극(AE), 발광층(EL), 및 제2 전극(CE)을 포함할 수 있다.
제1 전극(AE)은 제6 절연층(IL6) 위에 배치될 수 있다. 제1 전극(AE)은 제6 절연층(IL6)을 관통하는 컨택홀(CNT3)을 통해 제2 연결 전극(CNE2)에 연결될 수 있다.
화소 정의막(IL7)은 제6 절연층(IL6) 위에 배치되며, 제1 전극(AE)의 일부분을 커버할 수 있다. 화소 정의막(IL7)에는 개구부(OP7)가 정의된다. 화소 정의막(IL7)의 개구부(OP7)는 제1 전극(AE)의 적어도 일부분을 노출시킨다. 본 실시예에서 발광영역(PXA)은 개구부(OP7)에 의해 노출된 제1 전극(AE)의 일부 영역에 대응하게 정의되었다. 비발광영역(NPXA)은 발광영역(PXA)을 에워쌀 수 있다.
발광층(EL)은 제1 전극(AE) 위에 배치될 수 있다. 발광층(EL)은 개구부(OP7)에 배치될 수 있다. 즉, 발광층(EL)은 화소들 각각에 분리되어 형성될 수 있다. 발광층(EL)이 화소들 각각에 분리되어 형성된 경우, 발광층들(EL) 각각은 청색, 적색, 및 녹색 중 적어도 하나의 색의 광을 발광할 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니며, 발광층(EL)은 화소들에 연결되어 공통으로 제공될 수도 있다. 이 경우, 발광층(EL)은 청색 광을 제공하거나, 백색 광을 제공할 수도 있다.
제2 전극(CE)은 발광층(EL) 위에 배치될 수 있다. 제2 전극(CE)은 일체의 형상을 갖고, 복수의 화소들에 공통적으로 배치될 수 있다. 제2 전극(CE)에는 공통 전압이 제공될 수 있으며, 제2 전극(CE)은 공통 전극으로 지칭될 수 있다.
도시되지 않았으나, 제1 전극(AE)과 발광층(EL) 사이에는 정공 제어층이 배치될 수 있다. 정공 제어층은 발광영역(PXA)과 비발광영역(NPXA)에 공통으로 배치될 수 있다. 정공 제어층은 정공 수송층을 포함하고, 정공 주입층을 더 포함할 수 있다. 발광층(EL)과 제2 전극(CE) 사이에는 전자 제어층이 배치될 수 있다. 전자 제어층은 전자 수송층을 포함하고, 전자 주입층을 더 포함할 수 있다. 정공 제어층과 전자 제어층은 오픈 마스크를 이용하여 복수의 화소들에 공통으로 형성될 수 있다.
봉지층(TFL)은 발광 소자층(DP-OLED) 위에 배치될 수 있다. 봉지층(TFL)은 순차적으로 적층된 무기층, 유기층, 및 무기층을 포함할 수 있으나, 봉지층(TFL)을 구성하는 층들이 이에 제한되는 것은 아니다.
무기층들은 수분 및 산소로부터 발광 소자층(DP-OLED)을 보호하고, 유기층은 먼지 입자와 같은 이물질로부터 발광 소자층(DP-OLED)을 보호할 수 있다. 무기층들은 실리콘나이트라이드층, 실리콘옥시 나이트라이드층, 실리콘옥사이드층, 티타늄옥사이드층, 또는 알루미늄옥사이드층 등을 포함할 수 있다. 유기층은 아크릴 계열 유기층을 포함할 수 있고, 이에 제한되지 않는다.
입력센서(ISP)는 표시패널(DP) 상에 직접 배치될 수 있다. 입력센서(ISP)는 베이스층(BS), 제1 도전층(ICL1), 제1 센서 절연층(IIL1), 제2 도전층(ICL2), 및 제2 센서 절연층(IIL2)을 포함할 수 있다.
베이스층(BS)은 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 및 실리콘옥사이드 중 어느 하나를 포함하는 무기층일 수 있다. 또는 베이스층(BS)은 에폭시 수지, 아크릴 수지, 또는 이미드 계열 수지를 포함하는 유기층일 수도 있다. 베이스층(BS)은 단층 구조를 갖거나, 제3 방향(DR3)을 따라 적층된 다층 구조를 가질 수 있다.
제1 도전층(ICL1) 및 제2 도전층(ICL2) 각각은 단층구조를 갖거나, 제3 방향(DR3)을 따라 적층된 다층 구조를 갖는 복수의 패턴들을 포함할 수 있다.
단층구조의 도전층은 금속층 또는 투명 도전층을 포함할 수 있다. 금속층은 몰리브덴, 은, 티타늄, 구리, 알루미늄, 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다. 투명 도전층은 인듐주석산화물(indium tin oxide, ITO), 인듐아연산화물(indium zinc oxide, IZO), 산화아연(zinc oxide, ZnO), 인듐아연주석산화물(indium zinc tin oxide, IZTO) 등과 같은 투명한 전도성산화물을 포함할 수 있다. 그밖에 투명 도전층은 PEDOT과 같은 전도성 고분자, 금속 나노 와이어, 그라핀 등을 포함할 수 있다.
다층구조의 도전층은 금속층들을 포함할 수 있다. 금속층들은 예컨대 티타늄/알루미늄/티타늄의 3층 구조를 가질 수 있다. 다층구조의 도전층은 적어도 하나의 금속층 및 적어도 하나의 투명 도전층을 포함할 수 있다.
제1 센서 절연층(IIL1)은 제1 도전층(ICL1)을 커버하고, 제2 센서 절연층(IIL2)은 제2 도전층(ICL2)을 커버한다. 제1 센서 절연층(IIL1) 및 제2 센서 절연층(IIL2)이 단층으로 도시되었으나, 이에 제한되지 않는다.
제1 센서 절연층(IIL1) 및 제2 센서 절연층(IIL2) 중 적어도 어느 하나는 무기막을 포함할 수 있다. 무기막은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제1 센서 절연층(IIL1) 및 제2 센서 절연층(IIL2) 중 어느 하나는 유기막을 포함할 수 있다. 유기막은 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지, 실록산계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지 및 페릴렌계 수지 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
다시 도 2a를 참조하면, 표시모듈(DM)은 전기적 신호에 따라 영상을 표시하고, 외부 입력에 대한 정보를 송/수신할 수 있다. 표시모듈(DM)은 액티브 영역(AA) 및 주변 영역(NAA)으로 정의될 수 있다. 액티브 영역(AA)은 표시모듈(DM)에서 제공되는 영상을 출사하는 영역으로 정의될 수 있다.
주변 영역(NAA)은 액티브 영역(AA)에 인접한다. 예를 들어, 주변 영역(NAA)은 액티브 영역(AA)을 에워쌀 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 주변 영역(NAA)은 다양한 형상으로 정의될 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다. 일 실시예에 따르면, 표시모듈(DM)의 액티브 영역(AA)은 투과 영역(TA)의 적어도 일부와 대응될 수 있다.
기능층(FL)은 표시모듈(DM)의 배면에 배치될 수 있다. 기능층(FL)은 적어도 하나의 층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 기능층(FL)은 금속층이거나, 또는 쿠션층일 수 있다. 금속층은 표시모듈(DM)을 지지하는 것일 수 있다. 쿠션층은 고분자 물질을 포함하여, 외부에서 인가되는 충격을 흡수하는 것일 수 있다. 이외에, 기능층(FL)은 접착층을 더 포함할 수 있다.
연성회로필름(FCB)은 표시모듈(DM)에 연결된다. 연성회로필름(FCB)은 표시모듈(DM)과 전기적으로 연결될 수 있다. 연성회로필름(FCB)은 표시모듈(DM)의 주변 영역(NAA)에 본딩 공정을 통해 결합될 수 있다.
연성회로필름(FCB)은 패널 구동칩(DIC) 및 센서 구동칩(TIC)을 더 포함할 수 있다. 패널 구동칩(DIC)은 연성회로필름(FCB) 상에 실장되어 표시패널(DP)과 전기적으로 연결되는 구동칩일 수 있다. 패널 구동칩(DIC)은 표시패널(DP)의 화소를 구동하기 위한 구동 소자들 예를 들어, 데이터 구동회로를 포함할 수 있다. 도 2a에서는 패널 구동칩(DIC)이 연성회로필름(FCB) 상에 실장된 구조를 도시하였으나, 이에 한정되지 않고, 패널 구동칩(DIC)은 표시패널(DP)상에 배치될 수도 있다.
센서 구동칩(TIC)은 연성회로필름(FCB) 상에 실장되어 입력센서(ISP)와 전기적으로 연결되는 구동칩일 수 있다. 일 실시예에서, 센서 구동칩(TIC)은 입력센서(ISP)의 전극들과 감지 라인들을 통해 전기적으로 연결되어 전극들에게 구동 신호를 제공할 수 있다. 센서 구동칩(TIC)은 입력센서(ISP)의 구동을 전반적으로 제어할 수 있다. 센서 구동칩(TIC)은 입력센서(ISP)의 구동 외에 입력센서(ISP)의 쇼트(short)를 검사할 수 있다. 일 실시예에서, 센서 구동칩(TIC)은 입력센서(ISP)의 전극들 사이에 쇼트가 발생하였는지 여부를 검사하기 위해 입력센서(ISP)를 저주파수에서 검사 모드로 구동시킬 수 있다. 자세한 설명은 후술한다.
연성회로필름(FCB)은 연성회로필름(FCB) 상에 실장된 복수의 구동 소자를 더 포함할 수 있다. 복수의 구동 소자는 외부로부터 입력된 신호를 패널 구동칩(DIC) 및 센서 구동칩(TIC)에 필요한 신호로 변환하거나, 표시패널(DP)을 구동하기 위해 필요한 신호를 변환하기 위한 회로부를 포함할 수 있다. 연성회로필름(FCB)은 벤딩되어 표시모듈(DM)의 후면에 배치될 수 있다.
도 3은 일 실시예에 따른 표시패널(DP)의 평면도이다. 도 4는 일 실시예에 따른 입력센서(ISP)의 평면도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 표시패널(DP)은 구동회로(GDC), 복수 개의 신호라인들(SGL), 복수 개의 화소들(PX), 및 패드부(PLD)를 포함할 수 있다. 패드부(PLD)는 주변 영역(NAA)에 배치되고, 복수 개의 신호라인들(SGL) 중 대응되는 신호라인과 연결된 화소 패드들(D-PD)을 포함한다.
화소들(PX)은 액티브 영역(AA)에 배치된다. 화소들(PX) 각각은 도 2c에 도시된 발광 소자층(DP-OLED)의 발광 소자와 그에 연결된 화소 구동회로를 포함한다. 구동회로(GDC), 신호라인들(SGL), 패드부(PLD), 및 화소 구동회로는 도 2c에 도시된 회로층(DP-CL)에 포함될 수 있다.
구동회로(GDC)는 게이트 구동회로를 포함할 수 있다. 게이트 구동회로는 복수 개의 게이트 신호들(이하, 게이트 신호들)을 생성하고, 게이트 신호들을 후술하는 복수 개의 게이트 라인들(GL, 이하 게이트 라인들)에 순차적으로 출력한다.　게이트 구동회로는 화소 구동회로에 또 다른 제어 신호를 더 출력할 수 있다.
신호라인들(SGL)은 게이트 라인들(GL), 데이터 라인들(DL), 전원 라인(PL), 및 제어신호라인(CSL)을 포함한다. 게이트 라인들(GL) 중 일 게이트 라인은 화소들(PX) 중 대응하는 화소(PX)에 각각 연결되고, 데이터 라인들(DL) 중 일 데이터 라인은 화소들(PX) 중 대응하는 화소(PX)에 각각 연결된다. 전원 라인(PL)은 화소들(PX)에 연결된다. 제어신호라인(CSL)은 게이트 구동회로에 제어신호들을 제공할 수 있다. 신호라인들(SGL)은 액티브 영역(AA) 및 주변 영역(NAA)에 중첩한다.
패드부(PLD)는 연성회로필름(FCB, 도 2a 참조)이 연결되는 부분으로써, 연성회로필름(FCB)을 표시패널(DP)에 전기적으로 연결시키기 위한 화소 패드들(D-PD) 및 연성회로필름(FCB)을 입력센서(ISP)에 전기적으로 연결시키기 위한 입력 패드들(I-PD)을 포함할 수 있다.
화소 패드들(D-PD)은 신호 라인들(SGL)을 통해 대응되는 화소들(PX)에 연결된다. 또한, 화소 패드들(D-PD) 중 어느 하나의 화소 패드에는 구동회로(GDC)가 연결될 수 있다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 입력센서(ISP)는 제1 감지전극들(IE1-1 내지 IE1-5), 제1 감지전극들(IE1-1 내지 IE1-5)에 연결된 제1 감지라인들(SL1-1 내지 SL1-5), 제2 감지전극들(IE2-1 내지 IE2-4), 및 제2 감지전극들(IE2-1 내지 IE2-4)에 연결된 제2 감지라인들(SL2-1 내지 SL2-4)을 포함할 수 있다. 본 발명의 일 예로, 입력센서(ISP)는 제2 감지전극들(IE2-1 내지 IE2-4)에 연결된 제3 감지라인들(SL2-5 내지 SL2-8)을 더 포함할 수 있다. 이 경우, 제2 감지라인들(SL2-1 내지 SL2-4)은 제2 감지전극들(IE2-1 내지 IE2-4)의 일단에 연결되고, 제3 감지라인들(SL2-5 내지 SL2-8)은 제2 감지전극들(IE2-1 내지 IE2-4)의 타단에 연결될 수 있다.
제1 감지전극들(IE1-1 내지 IE1-5)과 제2 감지전극들(IE2-1 내지 IE2-4)은 서로 교차하여 배치될 수 있다. 제1 감지전극들(IE1-1 내지 IE1-5)은 제2 방향(DR2)으로 나열되며, 각각이 제1 방향(DR1)으로 연장된다. 제2 감지전극들(IE2-1 내지 IE2-4)은 제1 방향(DR1)으로 나열되며, 각각이 제2 방향(DR2)으로 연장된다. 제1 감지전극들(IE1-1 내지 IE1-5)과 제2 감지전극들(IE2-1 내지 IE2-4)은 서로 절연되어 정전용량을 형성할 수 있다.
제1 감지전극들(IE1-1 내지 IE1-5) 각각은 액티브 영역(AA)에 배치된 제1 센서부들(SP1) 및 제1 연결부들(CP1)을 포함한다. 제2 감지전극들(IE2-1 내지 IE2-4) 각각은 액티브 영역(AA)에 배치된 제2 센서부들(SP2) 및 제2 연결부들(CP2)을 포함한다. 제1 센서부들(SP1) 중 제1 전극의 양단에 배치된 2개의 제1 센서부들은 중앙에 배치된 제1 센서부 대비 작은 크기, 예컨대 1/2 크기를 가질 수 있다. 제2 센서부들(SP2) 중 제2 전극의 양단에 배치된 2개의 제2 센서부들은 중앙에 배치된 제2 센서부 대비 작은 크기, 예컨대 1/2 크기를 가질 수 있다.
도 4에는 일 실시예에 따른 제1 감지전극들(IE1-1 내지 IE1-5)과 제2 감지전극들(IE2-1 내지 IE2-4)을 도시하였으나, 그 형상은 이에 제한되지 않는다. 본 발명의 일 실시예에서 제1 감지전극들(IE1-1 내지 IE1-5)과 제2 감지전극들(IE2-1 내지 IE2-4)은 센서부와 연결부의 구분이 없는 형상(예컨대 바 형상)을 가질 수 있다. 마름모 형상의 제1 센서부들(SP1)과 제2 센서부들(SP2)을 예시적으로 도시하였으나, 이에 제한되지 않고, 제1 센서부들(SP1)과 제2 센서부들(SP2)은 다른 다각형상을 가질 수 있다. 즉, 제1 센서부들(SP1)과 제2 센서부들(SP2)은 바(bar) 형상을 가질 수 있다.
제1 감지전극들(IE1-1 내지 IE1-5) 각각에서 제1 센서부들(SP1)은 제1 방향(DR1)을 따라 나열되고, 제2 감지전극들(IE2-1 내지 IE2-4) 각각에서 제2 센서부들(SP2)은 제2 방향(DR2)을 따라 나열된다. 제1 연결부들(CP1) 각각은 인접한 제1 센서부들(SP1)을 연결하고, 제2 연결부들(CP2) 각각은 인접한 제2 센서부들(SP2)을 연결할 수 있다.
일 실시예에서, 제1 감지전극들(IE1-1 내지 IE1-5) 및 제2 감지전극들(IE2-1 내지 IE2-4)은 메쉬 형상을 가질 수 있다. 제1 감지전극들(IE1-1 내지 IE1-5) 및 제2 감지전극들(IE2-1 내지 IE2-4)이 메쉬 형상을 가짐으로써 표시패널(DP, 도 2c 참조)과의 사이에서 형성되는 정전용량(Cb)이 감소될 수 있다.
메쉬 형상의 제1 감지전극들(IE1-1 내지 IE1-5) 및 제2 감지전극들(IE2-1 내지 IE2-4) 각각은 단층구조를 갖거나, 또는 제3 방향(DR3)을 따라 적층된 다층 구조를 가질 수 있다. 단층구조의 도전층은 금속층 또는 투명 도전층을 포함할 수 있다. 금속층은 몰리브덴, 은, 티타늄, 구리, 알루미늄, 및 이들의 합금을 포함할 수 있다. 투명 도전층은 인듐 주석 산화물(indium tin oxide, ITO), 인듐 아연 산화물(indium zinc oxide, IZO), 산화 아연(zinc oxide, ZnO), 인듐 주석 아연 산화물(indium zinc tin oxide, IZTO) 등과 같은 투명한 전도성 산화물을 포함할 수 있다. 그밖에 투명 도전층은 PEDOT과 같은 전도성 고분자, 금속 나노 와이어, 그라핀 등을 포함할 수 있다.
제1 감지라인들(SL1-1 내지 SL1-5)은 제1 감지전극들(IE1-1 내지 IE1-5)의 일단에 각각 연결될 수 있다. 다른 실시예에서, 입력센서(ISP)는 제1 감지전극들(IE1-1 내지 IE1-5)의 타단에 연결된 감지라인들을 더 포함할 수 있다.
제1 감지라인들(SL1-1 내지 SL1-5), 제2 감지라인들(SL2-1 내지 SL2-4) 및 제3 감지라인들(SL2-5 내지 SL2-8)은 주변 영역(NAA)에 배치될 수 있다. 패드부(PLD)는 제1 감지라인들(SL1-1 내지 SL1-5), 제2 감지라인들(SL2-1 내지 SL2-4), 및 제3 감지라인들(SL2-5 내지 SL2-8)의 일단으로부터 연장되고, 주변 영역(NAA)에 배치된 입력 패드들(I-PD)을 포함할 수 있다.
도 5a 및 도 5b는 일 실시예에 따른 입력센서의 검사 모드를 보여주는 도면이다. 도 5a는 제1 감지전극들(IE1-1 내지 IE1-3) 및 제2 감지전극들(IE2-1 내지 IE2-3)을 보여주고, 도 5b는 제1 감지전극들(IE1-1 내지 IE1-3)과 제2 감지전극들(IE2-1 내지 IE2-3)에 정의된 복수의 노드들(ND) 중 하나를 확대하여 보여준다.
도 5a 및 도 5b를 참조하면, 입력센서(ISP, 도 4 참조)는 서로 교차하는 바 형상의 제1 감지전극들(IE1-1 내지 IE1-3) 및 제2 감지전극들(IE2-1 내지 IE2-3)을 포함할 수 있다. 제1 감지전극들(IE1-1 내지 IE1-3) 및 제2 감지전극들(IE2-1 내지 IE2-3)은 센서 구동칩(TIC)과 전기적으로 연결될 수 있다. 센서 구동칩(TIC)은 제1 감지전극들(IE1-1 내지 IE1-3) 및 제2 감지전극들(IE2-1 내지 IE2-3)을 구동시킨다. 예를 들어, 센서 구동칩(TIC)은 제1 감지전극들(IE1-1 내지 IE1-3) 및 제2 감지전극들(IE2-1 내지 IE2-3) 중 어느 하나에게 구동 신호를 인가하고 다른 하나로부터 감지 신호를 받아서 입력센서(ISP)를 구동시킬 수 있다. 입력센서(ISP)에 입력이 감지되는 경우에 수신되는 감지 신호는 제1 감지전극들(IE1-1 내지 IE1-3)과 제2 감지전극들(IE2-1 내지 IE2-3) 사이의 정전용량의 변화를 통해 얻을 수 있다.
일 실시예에서, 제1 감지전극들(IE1-1 내지 IE1-3)과 제2 감지전극들(IE2-1 내지 IE2-3)의 사이의 커패시터(CP)에는 정전용량이 충전될 수 있다. 입력센서(ISP)가 입력을 감지하기 위한 감지 모드에서 구동되는 경우에 외부로부터 입력(예를 들어, 사용자의 터치)이 인가되면 제1 감지전극들(IE1-1 내지 IE1-3)과 제2 감지전극들(IE2-1 내지 IE2-3)의 사이에 충전된 정전용량이 변화할 수 있다. 이 때, 입력센서(ISP)는 정전용량의 변화를 통해 외부 입력을 감지할 수 있다.
제1 감지전극들(IE1-1 내지 IE1-3) 및 제2 감지전극들(IE2-1 내지 IE2-3)은 서로 절연될 수 있다. 입력센서(ISP)는 제1 감지전극들(IE1-1 내지 IE1-3)과 제2 감지전극들(IE2-1 내지 IE2-3)의 사이에 교류 구간에 충전되는 커패시터(CP)와 직류 구간에 충전되는 저항(RT)을 포함할 수 있다. 즉, 제1 감지전극들(IE1-1 내지 IE1-3)과 제2 감지전극들(IE2-1 내지 IE2-3) 각각이 교차하는 복수의 노드들(ND)은 커패시터(CP)와 저항(RT)을 포함할 수 있다. 이 때, 입력센서(ISP)에 충전되는 정전용량은 복수의 노드들(ND) 각각에 배치된 커패시터(CP)와 저항(RT)에 충전되는 충전량을 합하여 결정될 수 있다. 따라서, 저항(RT)의 충전량의 변화에 따라서 입력센서(ISP)의 복수의 전극들 사이에 충전되는 정전용량은 변화할 수 있다.
입력센서(ISP)에 쇼트(short)가 발생한 경우, 저항(RT)은 0에 수렴할 수 있다. 입력센서(ISP)의 쇼트는 제1 감지전극들(IE1-1 내지 IE1-3) 각각과 제2 감지전극들(IE2-1 내지 IE2-3) 각각의 사이에서 발생할 수 있으나, 이에 한정되지 않고, 제1 감지전극들(IE1-1 내지 IE1-3)의 사이에서 발생할 수 있고 제2 감지전극들(IE2-1 내지 IE2-3)의 사이에서 발생할 수도 있다.
쇼트가 발생한 노드에 저항(RT)의 크기가 작은 경우에는 인접한 다른 노드에 충전된 충전량과 비교하여 쇼트된 해당 노드에서의 충전량은 눈에 띄게 크게 나타난다. 즉, 저항(RT)의 크기가 작을수록 쇼트(short)의 검출이 용이할 수 있다. 저항(RT)의 크기가 수Mohm(예를 들어, 표 1의 1Mohm 내지 20Mohm)에 달하는 경우, 마이크로 쇼트(micro short)라 하여, 고주파수로 구동되는 상황에서 쇼트의 검출이 용이하지 않다. 본 발명은 검사 주파수인 저주파수로 구동되는 검사 모드에서 입력센서(ISP)를 구동시키고 마이크로 쇼트(micro short)를 검출하는 방법을 제안할 수 있다.
검사 모드에서 센서 구동칩(TIC)은 입력센서(ISP)를 검사 주파수에서 구동시킬 수 있다. 검사 주파수는 구동 주파수보다 작고 기준 주파수보다 클 수 있다. 여기에서 구동 주파수는 입력센서(ISP)가 외부의 입력을 감지하기 위해 필요한 최소 주파수일 수 있다. 기준 주파수는 센서 구동칩(TIC)이 입력센서(ISP)에 설정 가능한 주파수의 최소값에 해당할 수 있다. 즉, 검사 주파수는 센서 구동칩(TIC)이 지원 가능한 주파수 범위에서 가장 낮은 주파수에 해당할 수 있다. 예를 들어, 검사 주파수는 5KHz 내지 100KHz에 해당할 수 있다. 외부의 입력을 감지 하기 위한 최소의 구동 주파수의 경우 통상 100KHz 내지 150KHz에 해당할 수 있다. 센서 구동칩(TIC)이 지원하는 최소의 주파수 범위는 5KHz 내지 10KHz에 해당할 수 있다.
일 실시예에서, 검사 주파수에서 입력센서(ISP)는 외부 입력을 감지하는 구동을 수행하지 않을 수 있다. 예를 들어, 입력센서(ISP)는 검사 주파수에서 구동되는 검사 모드에서, 외부의 입력을 감지하지 못할 수 있다. 즉, 센서 구동칩(TIC)은 검사 모드에서 입력센서(ISP)의 기능들 중 마이크로 쇼트의 검출을 위한 것 이외의 모든 기능을 중지시킬 수 있다.
표 1은 입력센서(ISP)의 특정 노드에서 쇼트가 발생한 경우 쇼트 저항에 따라 검출되는 정전용량과 인접한 다른 노드들과 정전용량의 차이를 보여준다. 표 1은 일 실시예에 따른 입력장치의 쇼트 검사 방법에 따라서 센서 구동칩(TIC)이 입력센서(ISP)를 5KHz 내지 100KHz의 저주파수를 가지는 검사 주파수에서 검사 모드로 구동했을 때, 검출되는 정전용량을 보여줄 수 있다. 예를 들어, 표 1은 제1 감지전극(IE1-1)과 제2 감지전극(IE2-1) 사이의 쇼트에서 쇼트 저항별로 측정되는 정전용량을 보여줄 수 있다.
쇼트(short) 저항 정전용량 인접한 노드들과
정전용량 차이
20MΩ 566 35
18MΩ 571 41
16MΩ 595 65
14MΩ 647 117
12MΩ 658 128
10MΩ 788 258
8MΩ 905 375
6MΩ 1117 587
4MΩ 1610 1080
2MΩ 3020 2480
1MΩ 4392 3850
표 1을 참조할 때, 쇼트 저항이 클수록 인접한 다른 노드들과의 정전용량의 차이가 작은 것을 알 수 있다. 여기에서, 인접한 다른 노드들의 정전용량은 쇼트가 발생하지 않은 정상 노드에 해당할 수 있다. 입력센서의 특정 노드에서의 쇼트는 인접한 노드들과의 정전용량의 차이에 따라 검출될 수 있다. 즉, 쇼트 저항이 높은 마이크로 쇼트에 해당하는 경우 인접한 다른 노드들과의 정전용량 차이가 작아 쇼트 검출이 상대적으로 용이하지 않다.표 1에서, 본 발명의 일 실시예에 따른 입력센서의 쇼트 검사 방법에 의하면, 쇼트 저항이 20MΩ으로 높은 경우에도 인접 노드들과의 정전용량의 차이가 35에 해당하여 뚜렷한 차이를 보여준다.
일 실시예에서, 입력센서의 쇼트 검사 모듈(600)은 특정 노드에서의 정전용량과 인접한 다른 노드들의 정전용량의 차이가 일정 기준을 초과하는 경우에 해당 노드를 쇼트가 발생한 노드로 결정할 수 있다. 예를 들어, 입력센서의 쇼트 검사 모듈(600)은 특정 노드의 정전용량이 인접한 다른 노드들의 정전용량보다 7 이상 높은 경우에 해당 노드를 쇼트로 결정할 수 있다. 자세한 설명은 후술한다.
도 6은 일 실시예에 따른 입력센서의 쇼트 검사 모듈을 보여주는 블록도이다. 도 7은 일 실시예에 따른 입력센서의 쇼트 검사 방법을 보여주는 흐름도이다.
도 6을 참조하면, 센서 구동칩(TIC)은 입력센서의 쇼트 검사 모듈(600)을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 입력센서의 쇼트 검사 모듈(600)은 입력센서의 쇼트를 검출하는데 있어서 센서 구동칩(TIC)의 명령을 받을 수 있다. 입력센서의 쇼트 검사 모듈(600)은 주파수 설정부(610), 센서 구동부(620) 및 쇼트 검출부(630)를 포함할 수 있다.
주파수 설정부(610)는 입력센서(ISP, 도 4 참조)의 주파수를 검사 주파수로 설정할 수 있다. 주파수 설정부(610)는 검사 주파수를 저주파수로 설정할 수 있다. 예를 들어, 주파수 설정부(610)는 입력센서(ISP)의 주파수를 5KHz 내지 100KHz로 설정할 수 있다.
센서 구동부(620)는 입력센서(ISP)를 검사 주파수에서 구동시킬 수 있다. 즉, 센서 구동부(620)는 입력센서(ISP)를 검사 모드에서 구동시킬 수 있다. 여기에서, 검사 모드는 입력센서(ISP)가 구동 주파수보다 작은 검사 주파수에서 구동되고, 외부의 입력을 감지하는 기능을 전혀 수행하지 않는 상태를 의미할 수 있다.
쇼트 검출부(630)는 검사 모드에서 입력센서(ISP)의 쇼트를 검출할 수 있다. 쇼트 검출부(630)는 입력센서(ISP)의 제1 감지전극들(IE1-1 내지 IE1-5) 및 제2 감지전극들(IE2-1 내지 IE2-4) 사이의 정전용량을 기초로 쇼트를 검출할 수 있다. 보다 구체적으로, 쇼트 검출부(630)는 제1 감지전극들(IE1-1 내지 IE1-5) 및 제2 감지전극들(IE2-1 내지 IE2-4) 사이에 정의된 복수의 노드들(ND, 도 5 참조)의 정전용량을 기초로 특정 노드에 발생한 쇼트를 검출할 수 있다. 예를 들어, 쇼트 검출부(630)는 특정 노드에 충전된 정전용량이 인접한 다른 노드들의 정전용량과 일정 기준 이상 다른 경우에 해당 노드에서 쇼트가 발생한 것으로 결정할 수 있다.
도 7에서, 입력센서의 쇼트 검사 방법은 입력센서(ISP)의 쇼트를 검사하기 위해서 입력센서(ISP)를 검사 주파수에서 검사 모드로 구동시킬 수 있다.
주파수 설정부(610)는 입력센서(ISP)의 구동 주파수를 검사 주파수로 설정할 수 있다(단계 S710). 검사 주파수는 5KHz 내지 100KHz의 저주파수에 해당할 수 있다.
센서 구동부(620)는 입력센서(ISP)를 검사 모드에서 구동시킬 수 있다(단계 S720). 검사 모드는 입력센서(ISP)에서 쇼트의 검출에 필요하지 않는 다른 기능들을 모두 비활성화한 상태에 해당할 수 있다.
쇼트 검출부(630)는 복수의 노드들(ND)의 정정용량의 차이를 검출하여 차이가 일정 수준 이상 발생하는 특정 노드를 쇼트된 것으로 결정할 수 있다(단계 S730).
도 8은 일 실시예에 따른 입력센서의 쇼트 검출 단계를 보여주는 순서도이다. 도 8은 일 실시예에 따라 도 7의 쇼트 검출부(630)가 입력센서의 쇼트를 검출하는 단계를 구체적으로 보여줄 수 있다.
쇼트 검출부(630)는 복수의 노드들(ND, 도 5 참조)에서 정전용량을 각각 측정할 수 있다(단계 S810).
쇼트 검출부(630)는 각각의 노드들에서 측정된 복수의 정전용량들을 서로 비교하여 차이를 검출할 수 있다(단계 S820).
쇼트 검출부(630)는 인접한 노드들에서 측정된 정전용량과의 차이가 일정 기준을 넘는 정전용량을 가지는 특정 노드를 검출할 수 있다(단계 S830).
쇼트 검출부(630)는 검출된 특정 노드를 쇼트된 노드로 결정할 수 있다(단계 S840).
도 9는 일 실시예에 따른 입력센서의 쇼트 검사 결과를 보여주는 그래프이다.
입력센서의 쇼트 검사 방법은 샘플링 단계를 더 포함할 수 있다. 샘플링 단계는 쇼트 검출부(630, 도 6 참조)에 의해 수행될 수 있다. 샘플링 단계에서 쇼트 검출부(630)는 검사 주파수에서 복수의 노드들(ND, 도 5 참조)의 정전용량을 여러 번 측정할 수 있다. 쇼트 검출부(630)는 복수의 노드들 각각에서 정전용량을 측정하고 측정된 정전용량들 사이의 차이를 검출하는 샘플링(SPL)을 2회 이상 수행하고 검출된 정전용량의 차이에 대한 평균값을 산출할 수 있다.
쇼트 검출부(630)는 복수의 노드들(ND)에서 정전용량을 측정하는 샘플링(SPL)의 횟수를 조절할 수 있다. 예를 들어, 쇼트 검출부(630)는 샘플링(SPL)의 횟수를 25회 또는 100회로 조절할 수 있다. 샘플링(SPL)의 횟수는 입력센서의 검사 모드에서의 구동 시간과 비례할 수 있다. 구동 시간이 길어지면 검사 시간이 늘어나지만 쇼트의 검출 신호가 안정화되어 검사 정확도가 커질 수 있다.
일 실시예에서, 쇼트 검출부(630)는 샘플링(SPL)의 횟수를 검사 주파수를 기초로 조절할 수 있다. 쇼트 검출부(630)는 검사 주파수가 작을수록 샘플링 횟수를 줄일 수 있다. 검사 주파수가 작을수록 쇼트된 노드의 정전용량과 인접한 정상 노드들의 정전용량의 차이는 커질 수 있다. 또한, 샘플링 횟수가 커질수록 노드들 간의 정전용량 차이를 정확하게 측정할 수 있다. 그러므로, 쇼트 검출부(630)는 검사 주파수를 줄이거나 샘플링 횟수를 늘이는 방법으로 쇼트 검출의 정확도를 높일 수 있다. 예를 들어, 쇼트 검출부(630)는 검사 주파수가 5KHz에 가까운 경우 샘플링(SPL)의 횟수를 25회로 결정하고, 검사 주파수가 100KHz에 가까운 경우 샘플링(SPL)의 횟수를 100회로 결정할 수 있다.
도 9에서는 검사 주파수와 샘플링 횟수를 달리하는 서로 다른 조건들에서 마이크로 쇼트의 검출 양상을 그래프로 보여준다.
도 9에서, y축의 편차는 인접한 다른 노드들과의 정전용량의 차이를 의미할 수 있다. x축의 Module은 1부터 20까지의 서로 다른 노드들(ND, 도 5 참조)을 의미할 수 있다. Module은 1에서 20으로 갈수록 쇼트가 심한 경우에 해당할 수 있다. 도 9를 참조할 때, module 10까지의 경우는 정상이고 11에서 20까지는 쇼트된 노드에 해당할 수 있다. 일 실시예에서, 입력센서는 특정 노드의 정전용량이 주변 다른 노드들의 정전용량에 비하여 일정 기준(USL)을 초과하여 클 경우에 쇼트된 것으로 결정될 수 있다. 여기에서, 일정 기준(USL)은 정전용량 차이의 상한선에 해당할 수 있고, 예를 들어, 7에 해당할 수 있다. 즉, 도 9에서 7을 초과하는 편차를 가지는 module에 해당하는 11 내지 20의 경우에는 마이크로 쇼트로 결정될 수 있다.
도 9는 1 내지 6의 조건에 따라 달라지는 편차를 보여준다. 조건 1의 경우 15KHz의 검사 주파수에서 100회의 샘플링에 따라 각 module에서 검출된 편차를 보여준다. 조건 2의 경우 15KHz의 검사 주파수에서 25회의 샘플링에 따라 각 module에서 검출된 편차(주변 노드들과의 정전용량의 차이)를 보여준다. 조건 1 과 조건 2를 참조하면, 15KHz의 주파수에서 샘플링 횟수에 따른 그래프의 차이는 미세하다.
조건 3과 조건 4의 경우는 10KHz의 검사 주파수에서 각각 100회와 25회의 샘플링 횟수를 가진다. 조건 3과 조건 4에서는 조건1 과 조건 2와 비교하여 주파수가 낮아짐에 따라서 편차가 크게 나타나는 것을 알 수 있다.
조건 5와 조건 6의 경우는 최저 주파수인 5KHz에서 각각 100회와 25회의 샘플링 횟수에 따른 편차를 보여준다. 조건 5와 조건 6에서는 샘플링 횟수의 차이에 따라서 그래프의 차이가 조건 1과 조건 2에서 보다 크게 나타나는 것을 알 수 있다. 검사 주파수가 낮을수록 편차를 보다 정밀하게 측정할 수 있기 때문이다.
일 실시예에 따른 입력센서의 쇼트 검사 모듈(600, 도 6 참조)은 마이크로 쇼트를 검출하기 위해, 입력센서의 입력 감지를 위한 최소의 구동 주파수보다 낮은 검사 주파수에서 입력센서를 구동시킬 수 있다. 입력센서의 쇼트 검사 모듈(600)은 검사 주파수에서 복수의 전극들로 각각 구성되는 복수의 노드들에 충전된 정전용량을 측정하는 샘플링의 횟수를 늘리거나 줄일 수 있다. 일 실시예에서, 입력센서의 쇼트 검사 모듈(600)은 검사 주파수와 샘플링 횟수의 적절한 조절을 통해서 검출 정확도를 올리고 동시에 검사 시간을 절약할 수 있다.
이상에서와 같이 도면과 명세서에서 실시 예가 개시되었다. 여기서 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
ISP: 입력센서
TIC: 센서 구동칩
CP: 커패시터
RT: 저항
ND: 노드
600: 입력센서의 쇼트 검사 모듈
610: 주파수 설정부
620: 센서 구동부
630: 쇼트 검출부

Claims (18)

  1. 복수의 전극들을 포함하는 입력센서의 쇼트(short) 검출을 위한 검사 주파수를 설정하는 주파수 설정 단계;
    상기 설정된 검사 주파수에서 상기 입력센서를 검사 모드로 구동시키는 센서 구동 단계; 및
    상기 검사 모드에서 상기 입력센서의 상기 복수의 전극들 중 인접한 전극들 사이에 충전되는 정전용량을 기초로 상기 입력센서의 쇼트를 검출하는 쇼트 검출 단계를 포함하는 입력센서의 쇼트 검사 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 검사 주파수는 상기 입력센서의 기준 주파수 이상 구동 주파수 이하의 주파수를 가지고,
    상기 기준 주파수는 상기 입력센서에서 설정할 수 있는 최소 주파수이고 상기 구동 주파수는 상기 입력센서가 외부 입력을 감지하기 위해 필요한 최소 주파수인 입력센서의 쇼트 검사 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 검사 주파수는 5KHz 내지 100KHz인 것을 특징으로 하는 입력센서의 쇼트 검사 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 검사 모드에서 상기 입력센서는 외부의 입력을 감지하는 기능을 수행하지 않는 것을 특징으로 하는 입력센서의 쇼트 검사 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 복수의 전극들은 제1 전극 및 상기 제1 전극과 교차하는 제2 전극을 포함하고,
    상기 쇼트 검출 단계는 상기 제1 전극들 사이의 쇼트, 상기 제2 전극들 사이의 쇼트, 또는 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이의 쇼트를 검출하는 입력센서의 쇼트 검사 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 입력센서에 상기 제1 전극 및 상기 제1 전극에 인접한 제2 전극으로 각각 구성되는 복수의 노드들이 정의되고,
    상기 쇼트 검출 단계는 상기 복수의 노드들 사이의 상기 정전용량의 차이를 기초로 상기 입력센서의 쇼트를 검출하는 단계를 포함하는 입력센서의 쇼트 검사 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 쇼트 검출 단계는 상기 복수의 노드들 각각에서 정전용량을 측정하는 제1 단계;
    상기 노드들 사이의 상기 정전용량의 차이를 검출하는 제2 단계; 및
    인접한 노드들과의 상기 정전용량의 차이가 일정 기준을 초과하는 특정 노드에 대해서 쇼트로 결정하는 제3 단계를 포함하는 입력센서의 쇼트 검사 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 정전용량의 차이는 상기 특정 노드에서 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 사이의 저항에 충전되는 충전량의 크기에 따라 결정되는 것을 특징으로 하는 입력센서의 쇼트 검사 방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 쇼트 검출 단계는 상기 제1 단계 및 상기 제2 단계를 반복하는 샘플링을 통해 상기 정전용량의 차이의 평균값을 산출하는 샘플링 단계를 더 포함하는 입력센서의 쇼트 검사 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 샘플링 단계는 상기 검사 주파수에 따라서 상기 샘플링의 횟수를 조절하는 입력센서의 쇼트 검사 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 검사 주파수와 상기 샘플링의 횟수는 비례하는 것을 특징으로 하는 입력센서의 쇼트 검사 방법.
  12. 복수의 전극들을 포함하는 입력센서의 쇼트(short) 검출을 위한 검사 주파수를 설정하는 주파수 설정부;
    상기 검사 주파수에서 상기 입력센서를 검사 모드로 구동시키는 센서 구동부; 및
    상기 검사 모드에서 상기 복수의 전극들 중 서로 인접한 전극들 사이에 충전되는 정전용량을 기초로 상기 입력센서의 쇼트를 검출하는 쇼트 검출부를 포함하는 입력센서의 쇼트 검사 모듈.
  13. 제12항에 있어서, 상기 검사 주파수는 상기 입력센서의 기준 주파수 이상 구동 주파수 이하의 주파수를 가지고,
    상기 기준 주파수는 상기 입력센서에서 설정할 수 있는 최소 주파수이고 상기 구동 주파수는 상기 입력센서가 외부 입력을 감지하기 위해 필요한 최소 주파수인 입력센서의 쇼트 검사 모듈.
  14. 제13항에 있어서, 상기 검사 주파수는 5KHz 내지 100KHz인 입력센서의 쇼트 검사 모듈.
  15. 제12항에 있어서, 상기 입력센서에 제1 전극 및 상기 제1 전극과 교차하는 제2 전극으로 각각 구성되는 복수의 노드들이 정의되고,
    상기 쇼트 검출부는 상기 복수의 노드들 사이의 상기 정전용량의 차이를 기초로 상기 입력센서의 쇼트를 검출하는 입력센서의 쇼트 검사 모듈.
  16. 제15항에 있어서, 상기 쇼트 검출부는 인접한 노드들과의 상기 정전용량의 차이가 일정 기준을 초과하는 특정 노드에 대해서 쇼트로 결정하는 입력센서의 쇼트 검사 모듈.
  17. 제16항에 있어서, 상기 쇼트 검출부는 상기 복수의 노드들 사이의 상기 정전용량의 차이를 검출하는 샘플링의 횟수를 상기 검사 주파수를 기초로 조절하는 것을 특징으로 하는 입력센서의 쇼트 검사 모듈.
  18. 제17항에 있어서, 상기 검사 주파수와 상기 샘플링의 횟수는 비례하는 것을 특징으로 하는 입력센서의 쇼트 검사 모듈.
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