KR20230015312A - 발광 구성요소, 발광 장치 및 시트형 물질 - Google Patents

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아반타마 아게
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Abstract

청색광(aa)을 방출하기 위한 광원(10), 적색 인광체를 포함하는 제1 층(1), 및 발광 결정(20)을 포함하는 제2 층(2)을 포함하는 발광 구성요소. 광원(10)에 의해 방출된 빛의 흡수 시, 발광 결정(20)은 녹색광 스펙트럼의 파장의 빛(cc)을 방출한다. 제1 층(1)은 광원(10)에 인접하여 배열된다. 제2 층(2)은 제1 층(1)으로부터 원격으로 배열된다.

Description

발광 구성요소, 발광 장치 및 시트형 물질
본 발명은 제1 측면에서 발광 구성요소에 관한 것이고, 제2 측면에서 발광 구성요소를 포함하는 발광 장치에 관한 것이고, 또한 제3 측면에서 시트형(sheetlike) 물질에 관한 것이다.
최신 액정 디스플레이(LCD) 또는 디스플레이 구성요소는 양자점 기반 구성요소를 포함한다. 특히, 이러한 LCD의 백라이트 구성요소는 적색, 청색 및 녹색광으로 이루어진 RGB 백라이트를 포함할 수 있다. 오늘날, 전형적으로 양자점 입자를 사용하여 이러한 백라이트 구성요소의 백라이트 색을 생성한다.
이러한 구성요소의 제조는 다양한 과제에 직면한다. 하나의 과제는 나노결정을 구성요소에 매립하는 것이다. 양자점의 상이한 화학적 특성으로 인해, 양자점을 포함하는 다양한 매립된 물질 사이에 또는 심지어 동일한 물질 내에 매립된 양자점 사이에 비상용성이 있을 수 있다. 이러한 비상용성은 디스플레이 구성요소 내의 물질의 분해로 이어질 수 있고, 따라서 이러한 디스플레이의 수명이 영향을 받을 수 있다.
발광 결정 기반 구성요소는 종종 안정성 및 휘도에 관한 난점을 다루며, 여기서 이들 구성요소의 우수한 안정성 및 높은 디스플레이 휘도는 달성하기 어렵다.
이와 관련하여 광 변환 계수는 자기-지지 필름으로부터 수직 방향으로 방출된 녹색광 강도와 자기-지지 필름에 수직 방향으로 소광된(예를 들어, 흡수, 반사 또는 산란에 의해) 청색광 강도 사이의 비를 지칭한다.
디스플레이 휘도와 관련된 중요한 값은, 투명 또는 부분 투명 물질(본 발명에서 자기-지지 필름)을 통과할 때, 보통 법선 입사 방향으로부터 2.5° 초과의 각도(ASTM D1003에 의해; 예를 들어 BYK 가드너(Gardner) 탁도 미터로 측정됨)로 광각 산란의 대상이 되는 빛의 양을 지칭하는 투과 탁도이다.
낮은 탁도의 기술적 효과는 보다 낮은 탁도가 자기-지지 필름의 "광 변환 계수"(LCF)로서 측정된 보다 높은 디스플레이 휘도로 이어진다는 사실이다.
문헌 EP 3 296 378 A1은 복합 발광 물질을 개시한다. 복합 발광 물질은 매트릭스; 및 페로브스카이트 나노입자를 포함한다. 페로브스카이트 나노입자는 매트릭스 중에 분산되며, 여기서 페로브스카이트 나노입자 매트릭스 대 페로브스카이트 나노입자의 질량비는 1: (1-50)이다. 유기 용매 시스템의 증발 조건은 사용된 중합체 매트릭스의 결정화, 첨가제의 배열, 및 페로브스카이트 나노입자의 핵형성 및 성장을 관리하도록 제어될 수 있다. 여기서 물질의 탁도는 주로 사용된 중합체의 부분 결정화에 의해 정의된다. 여기서 탁도는 사용된 중합체의 고유 특성이다.
발명의 개시
따라서, 본 발명에 의해 해결하고자 하는 과제는 발광 구성요소, 특히 LCD 디스플레이에서의 양자점 물질의 비상용성을 방지하는 방식으로 제조된 발광 구성요소를 제공하는 것이다. 또한, 본 발명은 안정성 및 휘도의 관점에서 선행 기술의 단점을 극복한다.
이하, 본 발명을 상세하게 설명한다. 본 명세서에 제공 / 개시된 바와 같은 다양한 실시양태, 선호도 및 범위는 마음대로 조합될 수 있는 것으로 이해된다. 추가로, 구체적 실시양태에 따라, 선택된 정의, 실시양태 또는 범위가 적용되지 않을 수 있다.
달리 언급되지 않는 한, 하기 정의가 본 명세서에서 적용될 것이다:
본 발명의 문맥에서 사용된 단수 용어 및 유사한 용어는 본원에 달리 나타내거나 문맥에 의해 명백하게 모순되지 않는 한 단수형 및 복수형 둘 다를 포괄하는 것으로 해석되어야 한다. 용어 "함유하는"은 모든, "포함하는", "본질적으로 이루어진" 및 "이루어진"을 포함할 것이다. 백분율은, 본원에 달리 나타내거나 문맥에 의해 명백하게 모순되지 않는 한, 중량%로서 주어진다. "독립적으로"는 1개의 치환기 / 이온이 명명된 치환기 / 이온 중 1개로부터 선택될 수 있거나 또는 상기 중 1개 초과의 조합일 수 있음을 의미한다.
용어 "인광체"(LC)는 관련 기술분야에 공지되어 있고, 발광 현상을 나타내는 물질, 구체적으로 형광 물질에 관한 것이다. 따라서, 적색 인광체는 610 내지 650 nm의 범위에서, 예를 들어 약 630 nm를 중심으로 발광을 나타내는 물질이다. 따라서, 녹색 인광체는 500 내지 550 nm의 범위에서, 예를 들어 약 530 nm를 중심으로 발광을 나타내는 물질이다. 전형적으로, 인광체는 무기 입자이다.
용어 "발광 결정"(LC)은 관련 기술분야에 공지되어 있고, 반도체 물질로 제조된 3 내지 100 nm의 결정에 관한 것이다. 상기 용어는 전형적으로 2 내지 15 nm 범위의 양자점 및 전형적으로 15 nm 초과 내지 100 nm 이하(바람직하게는 50 nm 이하) 범위의 나노결정을 포함한다. 바람직하게는, 발광 결정은 대략 등척성(예컨대 구형 또는 입방형)이다. 입자는 모든 3개의 직교 치수의 종횡비(최장:최단 방향)가 1 내지 2인 경우에 대략 등척성인 것으로 간주된다. 따라서, LC의 어셈블리는 바람직하게는 50 내지 100 % (n/n), 바람직하게는 66 내지 100 % (n/n), 보다 바람직하게는 75 내지 100 % (n/n) 등척성 나노결정을 함유한다.
용어가 나타내는 바와 같이, LC는 발광을 나타낸다. 본 발명의 문맥에서 용어 발광 결정은 단결정 및 다결정질 입자 둘 다를 포함한다. 후자의 경우에, 하나의 입자는 결정질 또는 무정형 상경계에 의해 연결된 여러 결정 도메인(그레인)으로 구성될 수 있다. 발광 결정은 직접 밴드갭(전형적으로 1.1 내지 3.8 eV, 보다 전형적으로 1.4 내지 3.5 eV, 보다 더 전형적으로 1.7 내지 3.2 eV 범위)을 나타내는 반도체 물질이다. 밴드갭 이상의 전자기 방사선으로의 조명 시, 가전자대 전자는 전도대로 여기되어 가전자대에 전자 정공을 남긴다. 이어서, 형성된 여기자(전자-전자 정공 쌍)는 LC 밴드갭 값을 중심으로 하는 최대 강도를 가지며, 적어도 1 %의 광발광 양자 수율을 나타내는 광발광의 형태로 방사성 재조합된다. 외부 전자 및 전자 정공 공급원과 접촉시 LC는 전계발광을 나타낼 수 있다.
용어 "양자점"(QD)은 공지되어 있고, 특히 전형적으로 2 내지 15 nm의 직경을 갖는 반도체 나노결정에 관한 것이다. 이 범위에서, QD의 물리적 반경은 벌크 여기 보어 반경보다 더 작아서, 양자 구속 효과가 우세하게 된다. 그 결과, QD의 전자 상태, 및 그에 따른 밴드갭은 QD 조성 및 물리적 크기의 함수이며, 즉 흡수/방출의 색은 QD 크기와 연관된다. QD 샘플의 광학 품질은 그의 균질성과 직접적으로 연관된다(보다 단분산 QD는 보다 작은 방출 FWHM을 가질 것이다). QD가 보어 반경보다 더 큰 크기에 도달하면, 여기자 재조합을 위한 비방사성 경로가 우세해질 수 있기 때문에 양자 구속 효과는 방해받고 샘플은 더 이상 발광성이 아닐 수 있다. 따라서, QD는 특히 그의 크기 및 크기 분포에 의해 정의되는 나노결정의 특정 하위군이다.
용어 "페로브스카이트 결정"은 공지되어 있고, 특히 페로브스카이트 구조의 결정질 화합물을 포함한다. 이러한 페로브스카이트 구조는 그 자체로 공지되어 있고, 화학식 M1M2X3의 입방정계, 유사입방정계, 정방정계 또는 사방정계 결정으로서 기재되며, 여기서 M1은 배위수 12(입방팔면체)의 양이온이고, M2는 배위수 6(팔면체)의 양이온이고, X는 격자의 입방정계, 유사입방정계, 정방정계 또는 사방정계 위치의 음이온이다. 이들 구조에서, 선택된 양이온 또는 음이온은 다른 이온(확률적 또는 통상적으로 30 원자% 이하)에 의해 대체될 수 있고, 이에 의해 여전히 그의 원래 결정질 구조를 유지하면서 도핑된 페로브스카이트 또는 비화학량론적 페로브스카이트를 생성한다. 이러한 발광 결정의 제조는, 예를 들어 WO2018 028869로부터 공지되어 있다.
용어 "중합체"는 공지되어 있고, 반복 단위("단량체")를 포함하는 유기 및 무기 합성 물질을 포함한다. 용어 중합체는 단독중합체 및 공중합체를 포함한다. 추가로, 가교된 중합체 및 비-가교된 중합체가 포함된다. 문맥에 따라, 용어 중합체는 그의 단량체 및 올리고머를 포함할 것이다. 중합체는, 예로서, 아크릴레이트 중합체, 카르보네이트 중합체, 술폰 중합체, 에폭시 중합체, 비닐 중합체, 우레탄 중합체, 이미드 중합체, 에스테르 중합체, 푸란 중합체, 멜라민 중합체, 스티렌 중합체, 노르보르넨 중합체, 실리콘 중합체 및 시클릭 올레핀 공중합체를 포함한다. 중합체는, 관련 기술분야에서 통상적인 바와 같이, 다른 물질, 예컨대 중합 개시제, 안정화제, 충전제, 용매를 포함할 수 있다.
중합체는 물리적 파라미터, 예컨대 극성, 유리 전이 온도 Tg, 영률 및 광 투과율을 추가로 특징으로 할 수 있다.
투과율: 전형적으로, 본 발명의 맥락에서 사용되는 중합체는 가시광에 대해 광 투과성이고, 즉 발광 결정에 의해 방출된 빛, 및 발광 결정을 여기시키기 위해 사용되는 광원의 가능한 빛이 통과하도록 하기 위해 불투명하지 않다. 광 투과율은 백색광 간섭측정법 또는 UV-Vis 분광측정법에 의해 결정될 수 있다.
유리 전이 온도: (Tg)는 중합체 분야에서 잘 확립된 파라미터이고; 이는 무정형 또는 반결정질 중합체가 유리질(경질) 상태에서 보다 유연한 또는 고무질 상태로 변화하는 온도를 나타낸다. 높은 Tg를 갖는 중합체는 "경질"로 간주되는 반면, 낮은 Tg를 갖는 중합체는 "연질"로 간주된다. 분자 수준에서, Tg는 분리된 열역학적 전이가 아니라, 중합체 사슬의 이동성이 유의하게 증가하는 온도 범위이다. 그러나, 관례는 DSC 측정의 열 유동 곡선의 2개의 편평한 영역에 대한 접선으로 경계를 이루는 온도 범위의 중간점으로서 정의되는 단일 온도를 보고하는 것이다. Tg는 DSC를 사용하여 DIN EN ISO 11357-2 또는 ASTM E1356에 따라 결정될 수 있다. 이 방법은 중합체가 벌크 물질의 형태로 존재하는 경우에 특히 적합하다. 대안적으로, Tg는 ISO 14577-1 또는 ASTM E2546-15에 따라 마이크로 또는 나노압입으로 온도-의존성 마이크로 또는 나노경도를 측정함으로써 결정될 수 있다. 이 방법은 본원에 개시된 바와 같은 발광 구성요소 및 조명 장치에 적합하다. 적합한 분석 장비는 MHT(안톤 파르(Anton Paar)), 히시트론 TI 프리미어(Hysitron TI Premier)(브루커(Bruker)) 또는 나노 인덴터(Nano Indenter) G200(키사이트 테크놀로지스(Keysight Technologies))으로서 입수가능하다. 온도 제어된 마이크로 및 나노압입에 의해 수득된 데이터는 Tg로 전환될 수 있다. 전형적으로, 소성 변형 작업 또는 영률 또는 경도는 온도의 함수로서 측정되고, Tg는 이들 파라미터가 유의하게 변화하는 온도이다.
영률 또는 영률 또는 탄성률은 고체 물질의 강성을 측정하는 기계적 특성이다. 이는 단축 변형의 선형 탄성 체제에서 물질에서의 응력(단위 면적당 힘)과 변형(비례 변형) 사이의 관계를 정의한다.
용어 "산란 입자"는 공지되어 있고, 산란 입자가 혼입된 매트릭스와 상이한 굴절률을 갖는 유기 또는 무기 입자를 포함한다. 이러한 굴절률 차이로 인해, 매트릭스를 통과하는 빛은 각각의 산란 입자의 위치에서 산란 또는 회절될 것이다. 산란 입자의 전형적인 크기는 20 내지 20,000 nm, 바람직하게는 50 내지 10,000 nm, 보다 바람직하게는 100 내지 5,000 nm의 범위이다. 용어 입자가 암시하는 바와 같이, 네트워크는 배제된다. 전형적으로, 굴절률 차이 ΔRI 산란 입자 - 고체 중합체는 적어도 0.02, 바람직하게는 0.1, 보다 바람직하게는 0.2이다. 전형적으로, 이러한 산란 입자의 양은 넓은 범위에 걸쳐 달라질 수 있고, 적합한 최소 농도는, 예를 들어 0.01 중량% 초과, 바람직하게는 0.1 중량% 초과, 가장 바람직하게는 1 중량%이다. 적합한 최대 농도는 30 중량% 미만, 바람직하게는 15 중량% 미만, 보다 바람직하게는 8 중량% 미만이다. 자기-지지 필름의 경우에 50 내지 5000 mg/m2, 바람직하게는 100 내지 1000 mg/m2, 예컨대 500 mg/m2이다.
본 발명에 따르면, 상기 기재된 문제는 본 발명의 제1 측면인, 광원, 적색 인광체를 포함하는 제1 층 및 발광 결정을 포함하는 제2 층을 포함하는 발광 구성요소에 의해 해결된다.
제1 층은 광원에 인접하여 배열된다. 용어 "층"은 적색 인광체가 광원에 적용될 수 있는 모든 가능한 유형을 지칭한다. 특히, 적색 인광체가 필름으로서 또는 액적 또는 개별 입자로서 적용되는 경우, 이러한 유형의 적색 인광체의 적용은 용어 "층"에 포함된다. 특히, 층은 연속 층일 필요가 없고, 균일할 필요가 없다.
특히, 제1 층은 추가로 광원에 인접하여 분포된 양자점의 어셈블리일 수 있다.
광원에 대한 제1 층의 인접한 배열은 제1 층이 광원의 표면에 밀접하게 접촉함을 의미한다. 광원의 청색광의 흡수 시, 제1 층의 적색 인광체는 적색광 스펙트럼의 빛을 방출한다. 특히, 제1 층의 적색 인광체는 광원의 여기 파장보다 더 긴 파장을 갖는 빛을 방출한다.
제2 층은 페로브스카이트 구조의 발광 결정을 포함한다. 광원에 의해 방출된 빛의 흡수 시, 발광 결정은 녹색광 스펙트럼의 파장의 빛을 방출한다. 특히, 제2 층의 발광 결정은 광원의 여기 파장보다 더 긴 파장을 갖는 빛을 방출한다.
제2 층은 20 ≤ h2 ≤ 70 %의 탁도 h2를 갖는다.
유리하게는, 제2 층은 10 % < h2 < 100 %의 탁도 h2를 갖는다.
본 발명의 문맥에서 탁도는 투과 탁도를 의미한다. 투과 탁도는 투명 물질(본 발명에서 제2 층)을 통과할 때 법선 입사 방향으로부터 2.5° 초과의 각도(ASTM D1003에 의해; 예를 들어 Byk 가드너 탁도 미터로 측정됨)로 광각 산란의 대상이 되는 빛의 양이다.
제2 층은 제1 층으로부터 원격으로 배열된다. 이와 관련하여 원격으로란 특히 제2 층이 제1 층과 접촉하지 않도록, 또는 본질적으로 제1 층과 접촉하지 않도록 배열된 것을 의미한다. 원격으로는 제2 층이 제1 층에 평행하게 이들 둘 사이에 거리를 두고 배열됨을 추가로 의미할 수 있다.
본 발명의 유리한 실시양태에서, 제2 층은 발광 결정, 중합체 및 산란 입자를 포함할 수 있다.
이 경우에, 제2 층에서의 탁도는 중합체에 분포된 산란 입자에 의해 생성된다.
유리하게는, 발광 결정은 가교된 중합체, 특히 고체 가교된 중합체에 매립된다. 전형적으로, 이러한 가교된-중합체는 < 10 %의 낮은 탁도로 투명하다.
가교된 중합체의 탁도는 산란 입자를 이러한 중합체에 혼입시킴으로써 증가될 수 있다.
유리하게는, 발광 구성요소는 발광 결정을 포함하며, 여기서 발광 결정은 화학식 (II)의 화합물로부터 선택된다:
[M1A1]aM2 bXc (II), 여기서:
A1은 1종 이상의 유기 양이온, 바람직하게는 포름아미디늄을 나타내고,
M1은 1종 이상의 알칼리 금속을 나타내고,
M2는 M1 이외의 1종 이상의 금속, 특히 Pb를 나타내고,
X는 할라이드, 슈도할라이드 및 술피드로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 음이온, 특히 Br을 나타내고,
a는 1 내지 4를 나타내고,
b는 1 내지 2를 나타내고,
c는 3 내지 9를 나타내고,
여기서 M1, 또는 A1, 또는 M1 및 A1이 존재한다.
추가로 유리하게는, Pb의 농도는 5 내지 200 mg/m2, 특히 10 내지 100 mg/m2, 매우 특히 20 내지 80 mg/m2이다.
특히, 제1 층은 광원과 제2 층 사이에 배열된다.
특히, 제2 층과 제1 층 또는 적색 인광체 사이에 각각 에어 갭(air gap)이 존재한다. 갭은 또한 진공 갭 또는 또 다른 기체로 충전된 갭일 수 있다.
특히, 제2 층은 제1 층에 평행하게 배열된다.
특히, 제2 층은 제1 층과 제2 층 사이에 에어 갭이 존재하지만, 제1 층과 제2 층 사이에 지지점이 존재하여 제2 층을 제1 층에 대해 특정 거리로 유지하도록 배열된다.
특히, 제2 층은 본질적으로 제1 층과 제2 층 사이에 에어 갭이 존재하지만 제1 층과 제2 층 사이에 접촉점이 여전히 존재할 수 있도록 배열된다.
하나 이상의 광원, 제1 층 및 제2 층의 이러한 특정한 배열은 그의 개별 물질 사이의, 특히 제1 및 제2 층의 물질 사이의 비상용성을 방지한다.
유리한 실시양태에서, 광원, 제1 층 및 제2 층은 수직 정렬로 상기 순서로 배열된다.
특히, 제2 층은 하나 초과의 광원 및/또는 하나 초과의 제1 층에 원격으로 배열될 수 있다.
특히, 제2 층은 하나 초과의 광원에 대해 원격으로 배열될 수 있고, 여기서 각각의 광원은 각각의 광원에 인접한 그의 각각의 제1 층을 포함한다.
본 발명의 유리한 실시양태에서, 제2 층은 h2 ≤ 80 %, 바람직하게는 ≤ 70 %, 가장 바람직하게는 ≤ 60 %의 탁도 h2를 갖는다.
본 발명의 또 다른 유리한 실시양태에서, 제2 층은 10 ≤ h2 ≤ 80 %, 바람직하게는 20 ≤ h2 ≤ 70 %, 가장 바람직하게는 30 ≤ h2 ≤ 60 %의 탁도 h2를 갖는다.
제2 층의 낮은 탁도는, 특히 이들이 청색 광원에 노출되는 경우에, 제2 층 내의 발광 페로브스카이트 결정이 보다 안정하다는 기술적 효과를 갖는다. 안정성은 보다 낮은 탁도로 인해 제2 층에서의 청색광의 다중 산란이 감소된 결과이다.
또한, 낮은 탁도의 추가의 기술적 효과는, 보다 낮은 탁도가 제2 층의 "광 변환 계수"(LCF)로서 측정된 보다 높은 디스플레이 휘도로 이어진다는 사실이다. 제2 층의 광 변환 계수는 제2 층으로부터 수직 방향으로 방출된 녹색광 강도와 제2 층으로부터 수직 방향으로 소광된(예를 들어 흡수, 반사 또는 산란에 의해) 청색광 강도 사이의 비를 지칭한다.
본 발명의 추가의 유리한 실시양태에서, 적색 인광체는 코어-쉘 양자점 중 하나 이상으로부터 선택되고/거나, 각각 In 또는 Cd, 바람직하게는 InP 또는 CdSe를 기반으로 한다. 쉘은 전형적으로 ZnS 또는 ZnSeS를 포함한다.
본 발명의 추가의 유리한 실시양태에서, 코어-쉘 양자점은 소판 구조를 갖는다. 바람직하게는, 이러한 소판 구조화 도트(dot)는 CdSe를 기반으로 한다.
본 발명의 추가의 유리한 실시양태에서, 코어-쉘 양자점은 Zn으로 도핑된 CdSe 코어를 포함한다. 때때로 합금화라고도 지칭되는 이러한 도핑은 양자점 당 Cd의 양을 감소시킨다.
유리하게는, 적색 인광체는 화학식 (I)의 Mn+4 도핑된 인광체이다:
Ax[MFy]:Mn4+ (I), 여기서:
A는 Li, Na, K, Rb, Cs 또는 그의 조합을 나타내고,
M은 Si, Ge, Sn, Ti, Zr, Al, Ga, In, Sc, Y, La, Nb, Ta, Bi, Gd, 또는 그의 조합을 나타내고,
x는 [MFy] 이온의 전하의 절대값을 나타내고;
Y는 5, 6 또는 7을 나타내고,
특히, 여기서 적색 인광체는 화학식 (I): K2SiF6:Mn4+을 갖는다.
발광 구성요소의 추가의 유리한 실시양태에서, 페로브스카이트 발광 결정은 화학식 (II)의 화합물로부터 선택된다:
[M1A1]aM2 bXc (II), 여기서:
A1은 1종 이상의 유기 양이온, 바람직하게는 포름아미디늄(FA)을 나타내고,
M1은 1종 이상의 알칼리 금속을 나타내고,
M2는 M1 이외의 1종 이상의 금속, 특히 Pb를 나타내고,
X는 할라이드, 슈도할라이드 및 술피드로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 음이온, 특히 Br을 나타내고,
a는 1 내지 4를 나타내고,
b는 1 내지 2를 나타내고,
c는 3 내지 9를 나타내고,
여기서 M1, 또는 A1, 또는 M1 및 A1이 존재한다.
특히, 화학식 (II)는 광원에 의해 방출된 빛의 흡수 시, 500 nm 내지 550 nm, 특히 약 527 nm를 중심으로 녹색광 스펙트럼의 파장의 빛을 방출하는 페로브스카이트 발광 결정을 기재한다.
특히, 화학식 (II)는 X가 할라이드 또는 슈도할라이드, 예를 들어 Br, Cl, CN, 특히 Br을 나타내는 발광 결정을 기재한다.
특히, 화학식 (II)는 M2가 Pb를 나타내는 발광 결정을 기재한다.
특히, 화학식 (II)는 A1이 FA(포름아미디늄)를 나타내고 M1이 존재하지 않는 발광 결정을 기재한다.
유리하게는, 발광 결정은 고체 중합체에 추가로 매립된다. 상기 중합체의 반복 단위가 [O 원자 + N 원자] / [C 원자] < 0.9를 따르는 중합체가 특히 적합하다. 바람직하게는, 이 값은 < 0.4, 보다 바람직하게는 < 0.3, 가장 바람직하게는 < 0.25이다.
추가의 유리한 실시양태에서, 이러한 고체 중합체는 아크릴레이트를 포함한다. 매우 바람직하게는, 중합체는 시클릭 지방족 아크릴레이트(일관능성 아크릴레이트)의 군으로부터 선택된 반복 단위를 포함하거나 또는 그로 이루어진다.
또 다른 유리한 실시양태에서, 고체 중합체는 가교되고 일관능성 아크릴레이트 이외에 다관능성 아크릴레이트를 포함한다.
추가의 유리한 실시양태에서, 고체 중합체는 Tg ≤ 120 ℃(바람직하게는 Tg ≤ 100 ℃, 매우 바람직하게는 Tg ≤ 80 ℃, 매우 바람직하게는 Tg ≤ 70 ℃)의 유리 전이 온도 Tg를 갖는다. 각각의 Tg는 제2 가열 사이클 동안 -90 ℃에서 출발하여 250 ℃까지 20 K/분의 가열 속도를 적용하여 DIN EN ISO 11357-2:2014-07에 따라 측정된다.
추가의 유리한 실시양태에서, 이러한 고체 중합체는 시트형 중합체로서 구성된다. 시트형 중합체는 전형적으로 0.001 내지 10 mm, 가장 전형적으로 0.01 내지 0.5 mm의 필름 두께를 갖는 중합체 필름의 형상을 가질 수 있다. 시트형 중합체는 연속적이고 편평하거나, 또는 예를 들어 미세구조(예를 들어, 프리즘-형상)로 불연속적일 수 있다.
추가의 유리한 실시양태에서, 고체 중합체는 2개의 장벽 층 사이에 삽입된다. 특히, 이러한 샌드위치 배열은 장벽 층, 중합체 및 또 다른 장벽 층을 갖는 수평 방향의 배열을 지칭한다. 샌드위치 구조의 2개의 장벽 층은 동일한 장벽 층 물질 또는 상이한 장벽 층 물질로 제조될 수 있다.
장벽 층의 기술적 효과는, 특히 산소 또는 습도에 대한 발광 페로브스카이트 결정의 안정성을 개선시키는 것이다.
특히, 이러한 장벽 층은 관련 기술분야에 공지되어 있고; 전형적으로 낮은 수증기 투과율(WVTR) 및/또는 낮은 산소 투과율(OTR)을 갖는 물질 / 물질의 조합을 포함한다. 이러한 물질을 선택함으로써, 수증기 및/또는 산소 노출에 따른 구성요소에서의 LC의 분해가 감소되거나 또는 심지어 방지된다. 장벽 층 또는 필름은 바람직하게는 40 ℃ / 90 % r.h.의 온도 및 대기압에서 < 10 (g)/(m2*일), 보다 바람직하게는 1 (g)/(m2*일) 미만, 가장 바람직하게는 0.1 (g)/(m2*일) 미만의 WVTR을 갖는다.
한 실시양태에서, 장벽 필름은 산소에 대해 투과성일 수 있다. 대안적 실시양태에서, 장벽 필름은 산소에 대해 불투과성이고 23 ℃ / 90 % r.h.의 온도 및 대기압에서 < 10 (mL)/(m2*일), 보다 바람직하게는 < 1 (mL)/(m2*일), 가장 바람직하게는 < 0.1 (mL)/(m2*일)의 OTR(산소 투과율)을 갖는다.
한 실시양태에서, 장벽 필름은 빛에 대해 투과성이고, 즉 가시광 투과율이 > 80 %, 바람직하게는 > 85 %, 가장 바람직하게는 > 90 %이다.
적합한 장벽 필름은 단일 층의 형태로 존재할 수 있다. 이러한 장벽 필름은 관련 기술분야에 공지되어 있고, 유리, 세라믹, 금속 산화물 및 중합체를 함유한다. 적합한 중합체는 폴리비닐리덴 클로라이드(PVdC), 시클릭 올레핀 공중합체(COC), 에틸렌 비닐 알콜(EVOH), 고밀도 폴리에틸렌(HDPE), 및 폴리프로필렌(PP)으로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있고; 적합한 무기 물질은 금속 산화물, SiOx, SixNy, AlOx로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다. 가장 바람직하게는, 중합체 습도 장벽 물질은 PVdC 및 COC의 군으로부터 선택된 물질을 함유한다.
가장 유리하게는, 중합체 산소 장벽 물질은 EVOH 중합체로부터 선택된 물질을 함유한다.
적합한 장벽 필름은 다층 형태로 존재할 수 있다. 이러한 장벽 필름은 관련 기술분야에 공지되어 있고, 일반적으로 기재, 예컨대 10 내지 200 μm 범위의 두께를 갖는 PET, 및 SiOx 및 AlOx의 군으로부터의 물질을 포함하는 얇은 무기 층 또는 중합체 매트릭스에 매립된 액정을 기반으로 하는 유기 층 또는 원하는 장벽 특성을 갖는 중합체를 갖는 유기 층을 포함한다. 이러한 유기 층을 위한 가능한 중합체는 예를 들어 PVdC, COC, EVOH를 포함한다.
본 발명의 추가의 유리한 실시양태에서, 확산 필름 또는 확산 판은 제1 층과 제2 층 사이에 배열된다.
본 발명의 추가의 유리한 실시양태에서, 도광판 및 확산 필름이 본 발명의 제1 층과 제2 층 사이에 배열된다. 유리하게는, 광원 및 제1 층으로부터 방출된 빛은 도광판에 의해 확산 필름으로 방출된 빛에 대해 90°의 각도로 도광판에 진입하고, 최종적으로 제2 층 내의 발광 결정을 여기시킨다.
본 발명의 추가의 유리한 실시양태에서, 확산 시트는 본 발명의 제1 층과 제2 층 사이에 배열된다. 유리하게는, 광원 및 제1 층으로부터 방출된 빛은 도광판에 의해 확산 시트로 방출된 빛에 대해 0°의 각도로 확산 판에 진입하고, 최종적으로 제2 층 내의 발광 결정을 여기시킨다.
본 발명의 제2 측면은 제1 측면에 따른 발광 구성요소를 포함하는 발광 장치에 관한 것이다. 특히, 이러한 발광 장치는 액정 디스플레이(LCD)이다.
본 발명의 유리한 실시양태에서, 발광 장치의 발광 구성요소는 하나 초과의 광원의 어레이를 포함하고, 여기서 각각의 광원은 특정 광원에 인접하여 배열된 각각의 인접한 제1 층을 가져서, 각각의 제1 층을 갖는 광원의 어레이가 형성된다. 제2 층은 어레이에 대해 원격으로 배열된다. 제2 층은 어레이의 제1 층과 제2 층 사이에 에어 갭이 형성되도록 배열된다. 어레이는 본질적으로 전체 액정 디스플레이 영역을 덮는다.
유리한 실시양태에서, 하나 이상의 광원의 어레이의 각각의 광원은 각각의 인접한 제1 층으로 덮여, 개별 광원의 어레이 및 그의 각각의 인접한 제1 층을 형성한다.
유리하게는, 제2 층은 하나 이상의 광원의 어레이의 개별 광원의 적어도 일부의 어레이 또는 전체 어레이 및 그의 각각의 인접한 제1 층을 덮도록 일체형으로 형성될 수 있고, 여기서 제2 층은 개별 광원의 어레이 및 그의 각각의 제1 층으로부터 원격으로 배열된다.
또 다른 유리한 실시양태에서, 제2 층은 각각의 제1 층을 갖는 광원의 적어도 일부의 어레이 또는 전체 어레이를 덮는 다중 층 조각에 의해 형성될 수 있고, 여기서 제2 층의 모든 다중 층 조각은 각각의 제1 층을 갖는 광원의 어레이로부터 원격으로 배열된다.
본 발명의 추가의 유리한 실시양태에서, 어레이의 하나 이상의 광원은 각각 f ≥ 150 Hz, 바람직하게는 f ≥ 300 Hz, 매우 바람직하게는 f ≥ 600 Hz의 주파수 f로 켜지고 꺼지도록 적합화된다.
본 발명의 제3 측면은 발광 결정을 포함하는 자기-지지 필름에 관한 것이다. 발광 결정은 페로브스카이트 구조를 갖고, 방출광보다 짧은 파장의 빛에 의한 여기에 반응하여 녹색 및/또는 적색광을 방출한다. 자기-지지 필름은 20 ≤ h2 ≤ 70 %, 바람직하게는 h2 < 80 %, 바람직하게는 < 70 %, 가장 바람직하게는 < 60 %의 탁도 h2를 갖는다.
본 발명의 또 다른 유리한 실시양태에서, 자기-지지 필름은 10 ≤ h2 ≤ 80 %, 가장 바람직하게는 30 ≤ h2 ≤ 60 %의 탁도(BYK 가드너 탁도 미터로 측정됨) h2를 갖는다.
본 발명의 또 다른 유리한 실시양태에서, 자기-지지 필름은 > 75 %, 바람직하게는 > 85 %, 가장 바람직하게는 > 90 %의 투과율(BYK 가드너 탁도 미터로 측정됨)을 갖는다.
본 발명의 유리한 실시양태에서, 발광 결정은 발광 결정이 가교된 중합체, 특히 고체 가교된 중합체에 매립된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 추가의 유리한 실시양태에서, 발광 결정(20)은 화학식 (II)의 화합물로부터 선택된다:
[M1A1]aM2 bXc (II), 여기서:
A1은 1종 이상의 유기 양이온, 바람직하게는 포름아미디늄 (FA)을 나타내고,
M1은 1종 이상의 알칼리 금속을 나타내고,
M2는 M1 이외의 1종 이상의 금속, 특히 Pb를 나타내고,
X는 할라이드, 슈도할라이드 및 술피드로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 음이온, 특히 Br을 나타내고,
a는 1 내지 4를 나타내고,
b는 1 내지 2를 나타내고,
c는 3 내지 9를 나타내고,
여기서 M1, 또는 A1, 또는 M1 및 A1이 존재한다.
추가로 유리하게는, M2는 Pb를 나타내고, Pb의 농도는 5 내지 200 mg/m2, 특히 10 내지 100 mg/m2, 매우 특히 20 내지 80 mg/m2이다.
본 발명의 또 다른 유리한 실시양태에서, 자기-지지 필름은 바람직하게는 중합체 조성물로부터, 가장 바람직하게는 오르가노폴리실록산으로부터 선택된 산란 입자를 포함한다.
산란 입자의 전형적인 크기는 20 내지 20,000 nm, 바람직하게는 50 내지 10,000 nm, 보다 바람직하게는 100 내지 5,000 nm의 범위이다. 전형적으로, 이러한 산란 입자의 양은 넓은 범위에 걸쳐 달라질 수 있고, 적합한 최소 농도는, 예를 들어 0.01 중량% 초과, 바람직하게는 0.1 중량% 초과, 가장 바람직하게는 1 중량%이다. 적합한 최대 농도는 30 중량% 미만, 바람직하게는 15 중량% 미만, 보다 바람직하게는 8 중량% 미만이다. 자기-지지 필름의 경우에 50 내지 5000 mg/m2, 바람직하게는 100 내지 1000 mg/m2, 예컨대 500 mg/m2이다.
자기-지지 필름의 추가의 유리한 실시양태에서, 고체 중합체는 본 발명의 제1 측면에서 언급된 바와 같은 중합체이다.
유리하게는, 이러한 중합체는 아크릴레이트를 포함하고, 특히 시클릭 지방족 아크릴레이트의 군으로부터 선택된 반복 단위를 포함하거나 또는 그로 이루어지고/거나, 특히 여기서 아크릴레이트는 일관능성 아크릴레이트 단량체 및 다관능성 아크릴레이트 단량체로부터 선택된 반복 단위를 포함한다.
추가의 유리한 실시양태에서, 고체 중합체는 (산소 + 질소)의 합 대 탄소의 몰비가 < 0.9, 바람직하게는 < 0.4, 바람직하게는 < 0.3, 가장 바람직하게는 < 0.25인 것을 특징으로 한다.
추가의 유리한 실시양태에서, 고체 중합체는 Tg ≤ 120 ℃ (바람직하게는 Tg ≤ 100 ℃, 매우 바람직하게는 Tg ≤ 80 ℃, 매우 바람직하게는 Tg ≤ 70 ℃)의 유리 전이 온도 Tg를 갖는다;
여기서 각각의 Tg는 제2 가열 사이클 동안 -90 ℃에서 출발하여 250 ℃까지 20 K/분의 가열 속도를 적용하여 DIN EN ISO 11357-2:2014-07에 따라 측정된다.
또한, 유리한 실시양태에서, 중합체는 시트형 중합체일 수 있다.
추가의 유리한 실시양태에서, 중합체는 2개의 장벽 층 사이에 삽입된다.
유리하게는, 자기-지지 필름은 방출광보다 짧은 파장의 빛에 의한 여기에 반응하여 적색광을 방출하는 발광 결정을 포함한다.
본 발명의 제4 측면은 제3 측면에 따른 자기-지지 필름을 포함하는 발광 장치, 특히 액정 디스플레이(LCD)에 관한 것이다.
다른 유리한 실시양태는 종속항 뿐만 아니라 하기 설명에 열거되어 있다.
하기 상세한 설명으로부터 본 발명은 보다 잘 이해될 것이고, 상기 기재된 것 이외의 대상은 명백해질 것이다. 이러한 설명은 첨부된 도면을 참조한다, 여기서:
도 1a는 적색 인광체를 포함하는 제1 층을 갖는 청색 광을 방출하기 위한 광원의 개략도를 나타내고;
도 1b는 본 발명의 유리한 실시양태에 따른 발광 구성요소의 개략도를 나타내고;
도 1c는 본 발명의 실시양태에 따른 자기-지지 필름의 개략도를 나타내고;
도 2는 본 발명의 추가의 유리한 실시양태에 따른 발광 구성요소의 개략도를 나타내고;
도 3은 본 발명의 추가의 유리한 실시양태에 따른 발광 구성요소의 개략도를 나타내고;
도 4는 본 발명의 추가의 유리한 실시양태에 따른 발광 구성요소의 개략도를 나타내고;
도 5는 본 발명의 유리한 실시양태에 따른 발광 장치를 나타내고;
도 6a는 도 6b에 개략적으로 나타낸 장치의 방출 스펙트럼을 나타내고;
도 7a는 도 7b에 개략적으로 나타낸 장치의 방출 스펙트럼을 나타낸다.
본 발명을 수행하기 위한 방식
본 발명의 실시양태, 실시예, 실시양태를 나타내거나 유도하는 실험, 측면 및 이점은 하기 상세한 설명으로부터 보다 잘 이해될 것이다. 이러한 설명은 첨부된 도면을 참조한다.
도 1a는 청색광(aa)을 방출하기 위한 광원(10) 및 적색광(bb)을 방출하는 적색 인광체를 포함하는 제1 층(1)을 포함하는 구성요소의 개략도를 나타낸다. 유리하게는, 적색 층(1)의 적색 인광체 입자는 코어-쉘 CdSe QD, 코어-쉘 InP QD, KSF 인광체(K2SiF6:Mn4+)로부터 선택된다. 청색광(aa)의 흡수 시, 적색 인광체는 적색광 스펙트럼에서의 빛(bb)을 방출한다.
특히, 도 1b에 나타낸 구성요소는 광원(10) 및 광원(10)에 인접한 제1 층(1)의 배열을 나타낸다. 이 개략도에서, 제1 층(1)은 광원(10)에 인접하여 분포된 적색 인광체 입자를 포함한다.
도 1b는 본 발명의 유리한 실시양태에 따른 발광 구성요소의 개략도를 나타낸다. 발광 구성요소는 청색광을 방출하기 위한 광원(10), 적색 인광체를 포함하는 제1 층(1) 및 발광 결정(20)을 포함하는 제2 층(2)을 포함한다. 제1 층(1)의 적색 인광체는, 청색광(aa)의 흡수 시, 적색광 스펙트럼에서의 빛(bb)을 방출한다. 제1 층(1)은 광원(10)에 인접하여 배열된다. 제2 층(2)의 발광 결정(20)은 페로브스카이트 구조를 갖는다. 광원(10)에 의해 방출된 빛의 흡수 시, 발광 결정(20)은 녹색광 스펙트럼의 파장의 빛(cc)을 방출한다. 제2 층(2)은 10 % ≤ h2 ≤ 100 %의 탁도 h2를 갖는다. 제2 층(2)은 제1 층(1)으로부터 원격으로 배열된다. 특히, 제2 층(2)과 제1 층(1) 사이에 에어 갭이 존재한다.
추가의 유리한 실시양태에서, 도 1b의 발광 구성요소는 20 ≤ h2 ≤ 70 %, 바람직하게는 h2 ≤ 80 %, 바람직하게는 h2 ≤ 70 %, 매우 바람직하게는 h2 ≤ 60 %의 탁도 h2를 가질 수 있다.
유리하게는, 이 실시양태의 경우, 적색 인광체는 In 또는 Cd를 기반으로 하는; 특히 각각 InP(III) 또는 CdSe(IV)를 기반으로 하는 코어-쉘 양자점 중 하나 이상으로부터 선택된다.
추가로 유리하게는, 적색 인광체는 상기 기재된 바와 같은 화학식 (I)의 Mn+4 도핑된 인광체이다. 이러한 실시양태의 예는 실험 섹션(실험 1)에 개시되어 있다.
도 2의 추가의 유리한 실시양태에서, 발광 결정(20)은 상기 개시된 바와 같은 화학식 (II)의 화합물로부터 선택된다. 이러한 실시양태의 예는 실험 섹션(실험 2)에 개시되어 있다.
추가의 유리한 실시양태에서, 발광 결정(20)은 화학식 (II)의 화합물로부터 선택되고, 여기서 M2는 Pb이고 Pb의 농도는 5 내지 200 mg/m2, 특히 10 내지 100 mg/m2, 매우 특히 20 내지 80 mg/m2이다.
유리하게는, 발광 결정(20)은 고체 중합체에 매립되고, 특히 여기서 중합체는 아크릴레이트를 포함하고, 매우 특히 여기서 중합체는 시클릭 지방족 아크릴레이트(일관능성 아크릴레이트)를 포함한다.
또 다른 유리한 실시양태에서, 고체 중합체는 가교되고 일관능성 아크릴레이트 이외에 다관능성 아크릴레이트를 포함한다.
이러한 중합체는 추가로 시트형 중합체로서 구성될 수 있다.
추가의 유리한 실시양태에서, 중합체는 장벽 층(21) 사이에 삽입될 수 있다. 이러한 장벽 층(21)의 예가 도 1c에 나타나 있다.
추가의 유리한 실시양태에서, 고체 중합체는 Tg ≤ 120 ℃(바람직하게는 Tg ≤ 100 ℃, 매우 바람직하게는 Tg ≤ 80 ℃, 매우 바람직하게는 Tg ≤ 70 ℃)의 유리 전이 온도 Tg를 갖는다.
추가의 유리한 실시양태에서, 제2 층은, 특히 상기 탁도를 생성하기 위해, 고체 중합체에 매립된 산란 입자를 포함할 수 있다(산란 입자는 도면에 나타나지 않는다).
도 1c는 자기-지지 필름(200)의 실시양태의 개략도를 나타낸다. 자기-지지 필름은 중합체에 매립된 발광 결정(20)을 포함하며, 여기서 발광 결정(20)은 페로브스카이트 구조를 갖고, 방출광보다 짧은 파장의 빛에 의한 여기에 반응하여 녹색(cc) 및/또는 적색광(bb)을 방출하고, 자기-지지 필름은 20 ≤ h2 ≤ 70 %, 바람직하게는 h2 < 80 %, 특히 h2 < 70 %, 매우 특히 h2 < 60 %의 탁도 h2를 갖는다.
유리하게는, 자기-지지 필름(200)은 중합체에 매립된 산란 입자를 포함한다(산란 입자는 도면에 나타나지 않는다).
추가의 실시양태에서, 자기-지지 필름(200)의 발광 결정(20)은 가교된 고체 중합체에 매립된다.
추가의 유리한 실시양태에서, 발광 결정(20)은 화학식 (II)의 화합물로부터 선택된다.
추가의 유리한 실시양태에서, 발광 결정(20)은 화학식 (II)의 화합물로부터 선택되고, 여기서 M2는 Pb이고 Pb의 농도는 5 내지 200 mg/m2, 특히 10 내지 100 mg/m2, 매우 특히 20 내지 80 mg/m2이다.
추가의 유리한 실시양태에서, 고체 중합체는 아크릴레이트를 포함하고, 특히 시클릭 지방족 아크릴레이트의 군으로부터 선택된 반복 단위를 포함하거나 또는 그로 이루어지고/거나, 특히 여기서 아크릴레이트는 일관능성 아크릴레이트 단량체 및 다관능성 아크릴레이트 단량체로부터 선택된 반복 단위를 포함한다.
자기-지지 필름(200)의 추가의 유리한 실시양태에서, 고체 중합체는 (산소 + 질소) 대 탄소의 합의 몰비 < 0.9, 바람직하게는 < 0.4, 바람직하게는 < 0.3, 가장 바람직하게는 < 0.25를 특징으로 한다.
추가의 유리한 실시양태에서, 고체 중합체는 Tg ≤ 120 ℃, 특히 Tg ≤ 100 ℃, 특히 Tg ≤ 80 ℃, 특히 Tg ≤ 70 ℃의 유리 전이 온도 Tg를 갖는다.
추가의 유리한 실시양태에서, 고체 중합체는 시트형 중합체로서 구성되고/거나 여기서 고체 중합체는 2개의 장벽 층(21) 사이에 삽입된다.
도 2는 발광 구성요소의 추가의 실시양태의 개략도를 나타낸다. 발광 구성요소는 청색광을 방출하기 위한 광원(10), 적색 인광체를 포함하는 제1 층(1) 및 발광 결정(20)을 포함하는 제2 층(2)을 포함한다. 제1 층(1)의 적색 인광체는, 청색광(aa)의 흡수 시, 적색광 스펙트럼에서의 빛(bb)을 방출한다. 제1 층(1)은 광원(10)에 인접하여 배열된다. 제2 층(2)의 발광 결정(20)은 페로브스카이트 구조를 갖는다. 광원(10)에 의해 방출된 빛의 흡수 시, 발광 결정(20)은 녹색광 스펙트럼의 파장의 빛(cc)을 방출한다. 제2 층(2)은 40 % ≤ h2 ≤ 90 %의 탁도 h2를 갖는다. 제2 층(2)은 제1 층(1)으로부터 원격으로 배열된다. 특히, 제2 층(2)과 제1 층(1) 사이에 에어 갭이 존재한다.
이러한 실시양태에서, 하나 뿐만 아니라 다수의 광원(10) 및 그의 각각의 제1 층(1)이 어레이로 배열되고, 여기서 모든 광원(10) 및 그의 각각의 제1 층(1)에 대한 제2 층(2)으로서 역할을 하는 제2 층(2)은 일체형으로 형성된다.
도 1b에 개시된 모든 유리한 특징은 또한 도 1c의 실시양태와 조합될 수 있다.
도 3은 특정 백라이트 구조, 특히 LCD 디스플레이를 위한 발광 구성요소의 개략도를 나타낸다. 도 2의 개략도 이외에, 제1 층(1)과 제2 층(2) 사이에 확산 판(3)이 배열된다.
도 4는 특정 백라이트 구조, 특히 LCD 디스플레이를 위한 추가의 발광 장치의 추가의 개략도를 나타낸다. 장치는 청색광(aa)을 방출하기 위한 광원(10), 적색 인광체를 포함하는 제1 층(1), 및 발광 결정(20)을 포함하는 제2 층(2)을 갖는 발광 구성요소를 포함한다. 제1 층(1)은 광원(10)에 인접하여 배열된다. 제2 층(2)은 제1 층(1)으로부터 원격으로 배열된다. 확산 필름(3) 및 도광판(LGP)(4)은 제1 층(1)과 제2 층(2) 사이에 배열된다. 특히, 광원(10) 및 제1 층(1)은 청색(aa) 및 적색(bb) 광이 제2 층(2)의 발광 결정(20)을 여기시키는 LGP(4)에 의해 방출된 빛에 대해 90°의 각도로 LGP(4)에 진입하도록 배열된다. 어쨌든, 광원(20)은 또 다른 유리한 실시양태에서 빛이 0°의 각도로 LGP에 진입하도록 배열될 수 있다.
도 5는 본 발명의 실시양태에 따른 유리한 발광 장치의 개략도를 개시한다. 발광 장치, 특히 액정 디스플레이는, 예를 들어 도 1 내지 4의 실시양태 중 하나에 나타낸 바와 같은 발광 구성요소를 포함한다.
유리한 발광 장치는 하나 이상, 특히 하나 초과의 광원(10)의 어레이를 포함하는 발광 구성요소를 포함한다. 각각의 광원(10)은 광원(10)에 인접하여 배열된 그의 각각의 제1 층(1)을 포함한다. 또한, 이러한 실시양태는 어레이에 원격 배열된 하나의 제2 층(2)을 포함한다. 특히, 어레이는 본질적으로 전체 액정 디스플레이 영역(5)을 덮는다.
추가의 유리한 발광 장치는 어레이의 하나 이상의 광원(10)을 포함하고, 여기서 각각의 광원(10)은 f ≥ 150 Hz, 특히 f ≥ 300 Hz, 매우 특히 f ≥ 600 Hz의 주파수 f로 켜지고 꺼지도록 적합화된다.
도 6a는 도 6b에 개략적으로 나타낸 바와 같은 본 발명에 따른 발광 구성요소의 실시양태의 방출 스펙트럼을 나타낸다. 발광 구성요소는 청색광(aa)을 방출하기 위한 다수의 광원(10)을 포함하고, 각각의 광원은 적색 인광체를 포함하는 각각의 제1 층(1)을 포함하고, 청색광(aa)의 흡수 시, 적색 인광체는 적색광 스펙트럼에서의 빛(bb)을 방출한다. 적색 인광체는 각각의 광원(10)에 인접하여 배열된다.
도 7b에 나타낸 바와 같이, 발광 결정(20)을 포함하는 제2 층(2)은 다수의 광원(10) 및 그의 각각의 제1 층(1)에 대해 원격으로 배열된다. 광원(10)에 의해 방출된 빛의 흡수 시, 발광 결정(20)은 녹색광 스펙트럼의 파장의 빛(cc)을 방출한다. 제2 층(2)은 10 % < h2 < 100 %의 탁도를 갖는다.
따라서, 발광 장치의 도 7a에 나타낸 방출 스펙트럼은 청색, 녹색 및 적색 가시광의 범위에서 피크를 나타낸다.
실험 섹션
실시예 1: 본원에 기재된 바와 같은 구성요소를 사용한 LCD 디스플레이용 백라이트 유닛의 제조. 도 6b는 도 6a에 나타낸 바와 같이 방출 스펙트럼을 측정한 어레이의 구성요소의 개략도를 나타낸다. 도 6b의 구성요소는 청색광(aa)을 방출하기 위한 광원(10) 및 적색광(bb)을 방출하는 적색 인광체를 포함하는 제1 층(1)을 포함한다. 유리하게는, 적색 층(1)의 적색 인광체 입자는 코어-쉘 CdSe QD, 코어-쉘 InP QD, KSF 인광체(K2SiF6:Mn4+)로부터 선택된다. 청색광(aa)의 흡수 시, 적색 인광체는 적색광 스펙트럼에서의 빛(bb)을 방출한다.
구성요소의 방출 스펙트럼은 스펙트럼의 가시 청색 및 적색 범위에서 피크를 나타낸다.
특히, 도 1b에 나타낸 구성요소는 광원(10) 및 광원(10)에 인접한 제1 층(1)의 배열을 나타낸다. 이 개략도에서, 제1 층(1)은 광원(10)에 인접하여 분포된 적색 인광체 입자를 포함한다.
데이터를 측정하기 위해, 200개의 개별 LED의 2D-어레이를 사용하였으며, 여기서 LED는 청색 LED 칩(온-칩) 상에 직접 침착된 청색 방출 질화갈륨(gallium nitride) 칩 및 적색 방출 코어-쉘 셀레늄화카드뮴(cadmium selenide) 양자점을 포함하였다. 이 LED 어레이의 방출 스펙트럼을 도 6a에 나타내었다.
실시예 2: 실시예 1로부터의 어레이를 취하였고, 추가로 확산 판(3)을 그의 각각의 제1 층이 각각의 광원에 인접하도록 광원의 어레이의 상부에 배치한다. 확산 판은 도 3에 나타낸 바와 같은 발광 구성요소과 유사하게, LED의 생성된 빛을 균질하게 분포시키는 역할을 한다.
또한, 녹색 원격 페로브스카이트 QD 필름(실시예 3에 따른 자기-지지 필름)을 확산 판의 상부에 배치한다(단지 느슨한 배치; 접착 또는 유사한 것 없음). 이어서, 2개의 교차 프리즘 필름(교차 BEF) 및 휘도 향상 필름(DBEF)을 녹색 페로브스카이트 필름(도면에 나타내지 않음)의 상부에 배치한다. 완전한 백라이트 구조의 방출 스펙트럼을 분광계(코니카 미놀타(Konica Minolta) CS-2000)로 측정하고, 이는 도 7a에 나타낸 바와 같이 청색, 적색 및 녹색 방출 피크를 나타낸다.
실시예 3: 낮은 탁도 h2 및 낮은 Tg를 갖는, 본 발명의 제3 측면에 따른 자기-지지 필름으로서의 녹색 원격 페로브스카이트 QD 필름의 제조:
포름아미디늄 납 트리브로마이드(FAPbBr3) 조성을 갖는 녹색 페로브스카이트 QD를 하기와 같이 톨루엔 중에서 합성한다: PbBr2 및 FABr을 밀링함으로써 포름아미디늄 납 트리브로마이드(FAPbBr3)를 합성한다. 즉, 16 mmol PbBr2(5.87 g, 98% ABCR, 칼스루에 (독일)) 및 16 mmol FABr(2.00 g, 그레이트셀 솔라 머티리얼스(Greatcell Solar Materials), 퀸베얀, (호주))을 이트륨 안정화된 지르코니아 비드(5 mm 직경)와 함께 6시간 동안 밀링하여 XRD에 의해 확인된 순수한 입방 FAPbBr3을 수득하였다. 오렌지색 FAPbBr3 분말을 올레일아민(80-90, 아크로스 오가닉스(Acros Organics), 길 (벨기에)) (중량비 FAPbBr3:올레일아민 = 100:15) 및 톨루엔(>99.5 %, 순도, 시그마 알드리치(Sigma Aldrich))에 첨가하였다. FAPbBr3의 최종 농도는 1 중량%였다. 이어서, 혼합물을 200 μm의 직경 크기를 갖는 이트륨 안정화된 지르코니아 비드를 사용하여 주위 조건(달리 정의되지 않는 한, 모든 실험에 대한 대기 조건은 35 ℃, 1 atm, 공기 중임)에서 1시간 동안 볼 밀링에 의해 분산시켜 녹색 발광을 갖는 잉크를 수득하였다.
필름 형성: 0.1 g의 녹색 잉크를 1 중량% 광개시제 디페닐(2,4,6-트리메틸벤조일) 포스핀 옥시드(TCI 유럽, 네덜란드) 및 2 중량% 중합체 산란 입자(오르가노폴리실록산, 신에츠(ShinEtsu), KMP-590)를 함유하는 UV 경화성 단량체/가교제 혼합물(0.7 g FA-513AS, 히타치 케미칼(Hitachi Chemical), 일본 / 0.3 g 미라머(Miramer) M240, 미원(Miwon), 한국)과 스피드 믹서에서 혼합하고, 톨루엔을 진공(<0.01 mbar)에 의해 실온에서 증발시켰다. 생성된 혼합물은 유도 결합 광학 방출 분광분석법(ICP-OES)으로 측정 시 500 ppm Pb를 함유하였고, 이어서 100 마이크론 장벽 필름(공급업체: I-아이컴포넌트(I-components) (한국); 제품: TBF-1007) 위에 50 마이크론 층 두께로 코팅하였고, 이어서 동일한 유형의 제2 장벽 필름으로 적층하였다. 그 후, 적층 구조물을 60초 동안 UV-경화시켰다(수은 램프 및 석영 필터가 장착된 UVA큐브(UVAcube)100, 횐레(Hoenle), 독일). 수득된 그대로의 녹색 페로브스카이트 QD 필름의 초기 성능은, QD 필름의 상부에 2개의 교차 프리즘 시트(X-BEF) 및 1개의 휘도 향상 필름(DBEF)을 갖는 청색 LED 광원(450 nm 방출 파장) 상에 배치했을 때, 526 nm의 방출 파장, 22 nm의 FWHM 및 y = 0.15의 Y-방향의 색 좌표("y-값", CIE1931)를 나타낸다(코니카 미놀타 CS-2000으로 측정된 광학 특성). 수득된 QD 필름의 탁도는 50 %이고, 투과율은 85 %이다(Byk 가드너 탁도 미터로 측정됨). 광 변환 계수(LCF; LCF = 방출된 녹색 강도(적분 방출 피크)를 청색 강도의 감소(적분 방출 피크)로 나눈 값; 코니카 미놀타 CS-2000을 사용하여 QD 필름으로부터 녹색 및 청색의 수직 방출로 측정됨).
UV-경화된 수지 조성물의 유리 전이 온도 Tg는 -90 ℃의 출발 온도 및 250 ℃의 종료 온도 및 질소 분위기(20 ml/분)에서 20 K/분의 가열 속도로 DIN EN ISO 11357-2:2014-07에 따라 DSC에 의해 결정하였다. 퍼징 기체는 20 ml/분의 질소(5.0)였다. DSC 시스템 DSC 204 F1 피닉스(네츠쉬)를 사용하였다. 제2 가열 사이클에서 Tg를 결정하였다(-90 ℃에서 250 ℃로의 제1 가열은 유리 전이 이외의 중첩 효과를 나타낸다). DSC 측정을 위해, 장벽 필름을 박리함으로써 UV-경화된 수지 조성물을 QD 필름으로부터 제거하였다. UV-경화된 수지 조성물의 측정된 Tg는 75 ℃였다.
50 ℃의 QD 필름 온도에서 QD 필름 상에 청색 플럭스 220 mW/cm2의 높은 청색 강도를 갖는 라이트 박스(공급업체: 횐레; 모델: LED 큐브(LED CUBE) 100 IC) 내에 QD 필름을 배치함으로써 청색 LED 광 조사 하에 QD 필름의 안정성을 1,000시간 동안 시험하였다. 1,000시간 동안의 플럭스 시험 후 QD 필름의 광학 파라미터의 변화를 초기 성능 측정(상기 기재됨)과 동일한 절차로 측정하였다. 광학 파라미터의 변화는 하기와 같았다:
● y-값의 변화: 0.15에서 0.119로 (- 0.031)
● LCF의 변화: 50 %에서 40 % (- 10 %)
● 녹색 방출 파장의 변화: 526 nm에서 525 nm (- 1 nm)
● 녹색 FWHM의 변화: 0 nm
FAPbBr3을 [CsFA]PbBr3으로 대체한 경우에도 유사한 결과가 수득된다. 이러한 페로브스카이트는 문헌 WO2018/028869 A1, 예를 들어 실시예 10에 기재되어 있다.
실시예 3에 대한 비교 실시예 1: 높은 탁도 및 낮은 Tg를 갖는 녹색 원격 페로브스카이트 QD 필름의 제조.
절차는 하기 파라미터를 변경한 것을 제외하고는, 낮은 탁도를 갖는 QD 필름에 대한 이전 절차에서와 동일하였다:
● 전체 UV 경화성 아크릴레이트 혼합물의 Pb 양은 200 ppm이다
● 12 중량% 산란 입자 KMP-590을 UV 경화성 아크릴레이트 혼합물에 혼합하여 최종 QD 필름의 탁도를 증가시켰다.
수득된 그대로의 녹색 페로브스카이트 QD 필름은 525 nm의 방출 파장, 22 nm의 FWHM 및 0.149의 y-값을 나타내었다(실험 3에서의 저-탁도 QD 필름과 거의 동일함). QD 필름의 LCF는 43 %이다. QD 필름의 탁도는 98 %였고 투과율은 81 %이다. UV-경화된 수지 조성물의 측정된 Tg는 77 ℃였다. LCF는 실험 3에서보다 더 낮음을 알 수 있다. 보다 높은 탁도는 보다 낮은 LCF를 유도하고, 보다 낮은 탁도는 보다 높은 LCF를 유도한다. 따라서, QD 필름의 보다 낮은 탁도는 보다 높은 LCF 및 또한 보다 높은 디스플레이 효율(특정 비교 가능한 백색 점 색 좌표에서)을 갖는데 유리하다.
1,000시간 동안의 플럭스 시험 후 QD 필름의 광학 파라미터의 변화는 하기와 같았다:
● y-값의 변화: 0.149에서 0.058로 (- 0.091)
● LCF의 변화: 43 %에서 14 % (- 29 %)
● 녹색 방출 파장의 변화: 525 nm에서 521 nm (- 4 nm)
● 녹색 FWHM의 변화: 0 nm
이들 결과는 QD 필름의 보다 높은 탁도가 실시예 3과 비교하여 높은 청색 플럭스 하에 보다 낮은 QD 필름 안정성을 유도한다는 것을 나타낸다(구체적으로, y-값, LCF 및 방출 파장은 모두 덜 안정하다). 따라서, 디스플레이 장치의 작동 수명 동안 안정한 색 좌표 및 안정한 백색 점을 갖기 위해 높은 청색 플럭스 하에 개선된 QD 필름 안정성을 유도하는 QD 필름의 낮은 탁도를 갖는 것이 유리하다.
실시예 3에 대한 비교 실시예 2: 낮은 탁도 및 높은 Tg를 갖는 녹색 원격 페로브스카이트 QD 필름의 제조.
아크릴레이트 단량체 혼합물(0.7 g FA-513AS, 히타치 케미칼, 일본 / 0.3 g 미라머 M240, 미원, 한국)을 하기 아크릴레이트 단량체 혼합물로 대체한 것을 제외하고는, 절차는 실시예 3의 절차와 동일하였다:
● 0.7 g FA-DCPA, 히타치 케미칼, 일본 / 0.3 g FA-320M, 히타치 케미칼, 일본.
수득된 그대로의 녹색 페로브스카이트 QD 필름은 526 nm의 방출 파장, 22 nm의 FWHM 및 0.153의 y-값을 나타내었다(실험 3에서의 저-탁도 QD 필름과 거의 동일함). QD 필름의 LCF는 49 %이다. QD 필름의 탁도는 51 %였고 투과율은 85 %이다. UV-경화된 수지 조성물의 측정된 Tg는 144 ℃였다.
1,000시간 동안의 플럭스 시험 후 QD 필름의 광학 파라미터의 변화는 하기와 같았다:
● y-값의 변화: 0.153에서 0.068로 (- 0.085)
● LCF의 변화: 49 %에서 21 % (- 28 %)
● 녹색 방출 파장의 변화: 526 nm에서 525 nm (- 1 nm)
● 녹색 FWHM의 변화: 0 nm
이들 결과는 QD 필름(자기-지지 필름)의 고체 중합체의 높은 Tg가 높은 청색 플럭스 하에 보다 낮은 QD 필름 안정성을 유도한다는 것을 나타낸다. 따라서, 디스플레이 장치의 작동 수명 동안 안정한 색 좌표 및 안정한 백색 점을 갖기 위해 높은 청색 플럭스 하에 개선된 QD 필름 안정성을 유도하는 QD 필름의 낮은 Tg를 갖는 것이 유리하다.
표 1. 실험 3 및 비교 실시예 1 및 2에 대한 높은-플럭스 시험 후의 파라미터 변화의 요약:
Figure pct00001

Claims (24)

  1. 발광 구성요소로서,
    - 청색광(aa)을 방출하기 위한 광원(10),
    - 적색 인광체를 포함하는 제1 층(1),
    ○ 여기서 청색광(aa)의 흡수 시, 적색 인광체는 적색광 스펙트럼의 빛(bb)을 방출하고,
    ○ 여기서 제1 층(1)은 광원(10)에 인접하여 배열됨
    - 발광 결정(20), 고체 중합체 및 산란 입자를 포함하는 제2 층(2)
    ○ 여기서 발광 결정(20)은 페로브스카이트 구조를 갖고,
    ○ 여기서 광원(10)에 의해 방출된 빛의 흡수 시, 발광 결정(20)은 녹색광 스펙트럼의 파장의 빛(cc)을 방출하고,
    ○ 여기서 발광 결정(20) 및 산란 입자는 고체 중합체에 매립되고,
    ○ 여기서 제2 층(2)은 20 ≤ h2 ≤ 70 %의 탁도 h2를 가짐
    을 포함하며,
    - 여기서 제2 층(2)은 제1 층(1)으로부터 원격으로 배열된 것인
    발광 구성요소.
  2. 제1항에 있어서, 발광 결정이 가교된 고체 중합체에 매립된 것인 발광 구성요소.
  3. 발광 구성요소로서,
    - 청색광(aa)을 방출하기 위한 광원(10),
    - 적색 인광체를 포함하는 제1 층(1),
    ○ 여기서 청색광(aa)의 흡수 시, 적색 인광체는 적색광 스펙트럼의 빛(bb)을 방출하고,
    ○ 여기서 제1 층(1)은 광원(10)에 인접하여 배열됨
    - 발광 결정(20) 및 가교된 고체 중합체를 포함하는 제2 층(2)
    ○ 여기서 발광 결정(20)은 페로브스카이트 구조를 갖고,
    ○ 여기서 광원(10)에 의해 방출된 빛의 흡수 시, 발광 결정(20)은 녹색광 스펙트럼의 파장의 빛(cc)을 방출하고,
    ○ 여기서 발광 결정(20)은 가교된 고체 중합체에 매립되고,
    ○ 여기서 제2 층(2)은 20 ≤ h2 ≤ 70 %의 탁도 h2를 가짐
    을 포함하며,
    - 여기서 제2 층(2)은 제1 층(1)으로부터 원격으로 배열된 것인
    발광 구성요소.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 발광 결정(20)이 화학식 (II)의 화합물로부터 선택된 것인 발광 구성요소.
    [M1A1]aM2 bXc (II)
    (여기서, A1은 1종 이상의 유기 양이온, 바람직하게는 포름아미디늄을 나타내고,
    M1은 1종 이상의 알칼리 금속을 나타내고,
    M2는 M1 이외의 1종 이상의 금속, 특히 Pb를 나타내고,
    X는 할라이드, 슈도할라이드 및 술피드로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 음이온, 특히 Br을 나타내고,
    a는 1 내지 4를 나타내고,
    b는 1 내지 2를 나타내고,
    c는 3 내지 9를 나타내고,
    여기서 M1, 또는 A1, 또는 M1 및 A1이 존재한다)
  5. 제4항에 있어서,
    ○ 여기서 M2는 Pb를 나타내고,
    ○ 여기서 Pb의 농도는 5 내지 200 mg/m2, 특히 10 내지 100 mg/m2, 매우 특히 20 내지 80 mg/m2인 발광 구성요소.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 적색 인광체가 In 또는 Cd를 기반으로 하는; 특히 각각 InP(III) 또는 CdSe(IV)를 기반으로 하는 코어-쉘 양자점 중 하나 이상으로부터 선택되는 것인 발광 구성요소.
  7. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 적색 인광체가 화학식 (I), 바람직하게는 (I")의 Mn+4 도핑된 인광체인 발광 구성요소.
    [A]x[MFy]:Mn4+ (I)
    (여기서, A는 Li, Na, K, Rb, Cs 또는 그의 조합을 나타내고,
    M은 Si, Ge, Sn, Ti, Zr, Al, Ga, In, Sc, Y, La, Nb, Ta, Bi, Gd, 또는 그의 조합을 나타내고,
    x는 [MFy] 이온의 전하의 절대값을 나타내고;
    Y는 5, 6 또는 7을 나타낸다)
    K2SiF6:Mn4+ (I")
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 고체 중합체가 아크릴레이트를 포함하고, 특히 시클릭 지방족 아크릴레이트의 군으로부터 선택된 반복 단위를 포함하거나 또는 그로 이루어지고/거나,
    특히 여기서 아크릴레이트는 일관능성 아크릴레이트 단량체 및 다관능성 아크릴레이트 단량체로부터 선택된 반복 단위를 포함하는 것인 발광 구성요소.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 고체 중합체가 (산소 + 질소)의 합 대 탄소의 몰비 < 0.9, 바람직하게는 < 0.4, 바람직하게는 < 0.3, 가장 바람직하게는 < 0.25를 특징으로 하는 것인 발광 구성요소.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 고체 중합체가 Tg ≤ 120 ℃, 특히 Tg ≤ 100 ℃, 특히 Tg ≤ 80 ℃, 특히 Tg ≤ 70 ℃의 유리 전이 온도 Tg를 갖는 것인 발광 구성요소.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 고체 중합체가 시트형 중합체로서 구성되고/거나 고체 중합체가 2개의 장벽 층 사이에 삽입된 것인 발광 구성요소.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 발광 구성요소를 포함하는 발광 장치, 특히 액정 디스플레이(LCD).
  13. 제12항에 있어서, 발광 구성요소가
    - 각각의 인접한 제1 층(1)을 갖는 하나 초과의 광원(10)의 어레이,
    - 어레이에 원격으로 배열된 하나의 제2 층(2), 및
    - 제1 층(1)과 제2 층(2) 사이에 배열된 확산 판(3)
    을 포함하고,
    특히, 여기서 어레이는 본질적으로 전체 액정 디스플레이 영역을 덮는 것인 발광 장치.
  14. 제12항 또는 제13항에 있어서, 어레이의 하나 이상의 광원(10)이 각각 f ≥ 150 Hz, 특히 f ≥ 300 Hz, 매우 특히 f ≥ 600 Hz의 주파수 f로 켜지고 꺼지도록 적합화된 것인 발광 장치.
  15. 중합체에 매립된 발광 결정(20)을 포함하는 자기-지지 필름으로서,
    여기서 발광 결정(20)은 페로브스카이트 구조를 갖고, 방출광보다 짧은 파장의 빛에 의한 여기에 반응하여 녹색(cc) 및/또는 적색광(bb)을 방출하고,
    여기서 자기-지지 필름은 20 ≤ h2 ≤ 70 %, 특히 h2 < 80 %, 특히 h2 < 70 %, 매우 특히 h2 < 60 %의 탁도 h2를 갖는 것인 자기-지지 필름.
  16. 제15항에 있어서, 중합체가 산란 입자를 포함하는 것인 자기-지지 필름.
  17. 제15항 또는 제16항에 있어서, 발광 결정(20)이 가교된 고체 중합체에 매립된 것인 자기-지지 필름.
  18. 제15항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 발광 결정(20)이 화학식 (II)의 화합물로부터 선택된 것인 자기-지지 필름.
    [M1A1]aM2 bXc (II)
    (여기서, A1은 1종 이상의 유기 양이온, 바람직하게는 포름아미디늄을 나타내고,
    M1은 1종 이상의 알칼리 금속을 나타내고,
    M2는 M1 이외의 1종 이상의 금속, 특히 Pb를 나타내고,
    X는 할라이드, 슈도할라이드 및 술피드로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 음이온, 특히 Br을 나타내고,
    a는 1 내지 4를 나타내고,
    b는 1 내지 2를 나타내고,
    c는 3 내지 9를 나타내고,
    여기서 M1, 또는 A1, 또는 M1 및 A1이 존재한다)
  19. 제18항에 있어서,
    ○ 여기서 M2는 Pb를 나타내고,
    ○ 여기서 Pb의 농도는 5 내지 200 mg/m2, 특히 10 내지 100 mg/m2, 매우 특히 20 내지 80 mg/m2인 자기-지지 필름.
  20. 제16항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서, 고체 중합체가 아크릴레이트를 포함하고, 특히 시클릭 지방족 아크릴레이트의 군으로부터 선택된 반복 단위를 포함하거나 또는 그로 이루어지고/거나,
    특히 여기서 아크릴레이트는 일관능성 아크릴레이트 단량체 및 다관능성 아크릴레이트 단량체로부터 선택된 반복 단위를 포함하는 것인 자기-지지 필름.
  21. 제16항 내지 제20항 중 어느 한 항에 있어서, 고체 중합체가 (산소 + 질소)의 합 대 탄소의 몰비 < 0.9, 바람직하게는 < 0.4, 바람직하게는 < 0.3, 가장 바람직하게는 < 0.25를 특징으로 하는 것인 자기-지지 필름.
  22. 제16항 내지 제21항 중 어느 한 항에 있어서, 고체 중합체가 Tg ≤ 120 ℃, 특히 Tg ≤ 100 ℃, 특히 Tg ≤ 80 ℃, 특히 Tg ≤ 70 ℃의 유리 전이 온도 Tg를 갖는 것인 자기-지지 필름.
  23. 제16항 내지 제22항 중 어느 한 항에 있어서, 고체 중합체가 시트형 중합체로서 구성되고/거나 고체 중합체가 2개의 장벽 층 사이에 삽입된 것인 자기-지지 필름.
  24. 제15항 내지 제23항 중 어느 한 항에 따른 자기-지지 필름을 포함하는 발광 장치, 특히 액정 디스플레이(LCD).
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