KR20230000445A - Nozzle unit, liquid processing apparatus and liquid processing method - Google Patents

Nozzle unit, liquid processing apparatus and liquid processing method Download PDF

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KR20230000445A
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사토시 다나카
쇼고 타카하시
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

The uniformity of the temperature distribution in a substrate surface is improved. In a nozzle unit (43), a temperature adjusting gas (G1) is radially discharged in a first direction from a discharge port (52) of a temperature adjusting gas nozzle (46), extending in the first direction (Y-axis direction). Therefore, the temperature adjusting gas (G1) from the temperature adjusting gas nozzle (46) is supplied to a region of a surface (Wa) of a workpiece (W), which is longer than the width of the discharge port (52) in the first direction. Accordingly, the temperature of the region, to which the temperature adjusting gas (G1) is supplied, can be adjusted in liquid processing, such that the uniformity of the temperature distribution in the surface of the workpiece (W) can be improved.

Description

노즐 유닛, 액 처리 장치 및 액 처리 방법 {NOZZLE UNIT, LIQUID PROCESSING APPARATUS AND LIQUID PROCESSING METHOD}Nozzle unit, liquid processing device and liquid processing method {NOZZLE UNIT, LIQUID PROCESSING APPARATUS AND LIQUID PROCESSING METHOD}

본 개시는 노즐 유닛, 액 처리 장치 및 액 처리 방법에 관한 것이다.The present disclosure relates to a nozzle unit, a liquid processing device, and a liquid processing method.

특허 문헌 1은, 기판의 표면에 현상액을 공급함으로써, 기판의 표면에 형성되어 있는 레지스트막을 현상하도록 구성된 현상 장치를 개시하고 있다. 당해 현상 장치는, 정해진 온도로 조정된 에어를 상방으로부터 기판에 분사하는 송풍기와, 정해진 온도로 조정된 온조수의 순환에 의해 척 장치 및 현상액 공급관을 정해진 온도로 유지하는 온도 조정기를 구비한다.Patent Document 1 discloses a developing apparatus configured to develop a resist film formed on a surface of a substrate by supplying a developing solution to the surface of the substrate. The developing apparatus includes a blower that blows air adjusted to a predetermined temperature onto a substrate from above, and a temperature regulator that maintains the chuck device and the developer supply pipe at a predetermined temperature by circulating the temperature control water adjusted to the predetermined temperature.

일본특허공개공보 2004-274028호Japanese Patent Laid-Open No. 2004-274028

본 개시는, 기판 면내에 있어서의 온도 분포의 균일성을 향상시키는 기술을 제공한다.The present disclosure provides a technique for improving the uniformity of temperature distribution within the surface of a substrate.

본 개시의 일태양에 따른 노즐 유닛은, 용액을 이용한 액 처리를 기판에 대하여 실시하는 액 처리 장치용의 노즐 유닛으로서, 상기 기판에 공급된 상기 용액의 온도를 변경하기 위한 온도 조정 가스를 유통시키는 온도 조정 가스 유로와, 상기 온도 조정 가스 유로를 흐르는 상기 온도 조정 가스를 상기 기판의 표면을 향해 토출하는 온도 조정 가스 토출구를 가지는 온도 조정 가스 노즐과, 상기 기판의 표면을 향해 건조 가스를 토출하는 건조 가스 토출구를 가지는 건조 가스 노즐과, 상기 기판의 표면을 향해 처리액을 토출하는 처리액 토출구를 가지는 처리액 노즐과, 상기 기판의 표면을 따라, 상기 온도 조정 가스 노즐, 상기 건조 가스 노즐, 및 상기 처리액 노즐을 일체적으로 이동시키는 구동부를 가지고, 상기 온도 조정 가스 토출구는, 상기 표면을 따른 제 1 방향으로 연장되도록 형성되어 있고, 상기 온도 조정 가스 토출구로부터의 상기 온도 조정 가스가 방사 형상으로 토출되도록, 상기 온도 조정 가스 유로의 상기 제 1 방향에 있어서의 폭이 상기 온도 조정 가스 토출구에 가까워짐에 따라 커진다.A nozzle unit according to one aspect of the present disclosure is a nozzle unit for a liquid processing apparatus that performs liquid processing using a solution on a substrate, and circulates a temperature control gas for changing the temperature of the solution supplied to the substrate. A temperature control gas nozzle having a temperature control gas passage and a temperature control gas outlet for discharging the temperature control gas flowing through the temperature control gas passage toward the surface of the substrate; and a drying gas nozzle for discharging dry gas toward the surface of the substrate. A dry gas nozzle having a gas outlet, a processing liquid nozzle having a processing liquid outlet for discharging a processing liquid toward the surface of the substrate, and along the surface of the substrate, the temperature adjusting gas nozzle, the drying gas nozzle, and the A driving unit integrally moves the treatment liquid nozzle, the temperature control gas outlet is formed to extend in a first direction along the surface, and the temperature control gas is radially discharged from the temperature control gas outlet. Preferably, the width of the temperature regulating gas passage in the first direction increases as it approaches the temperature regulating gas discharge port.

본 개시에 따르면, 기판 면내에 있어서의 온도 분포의 균일성을 향상시키는 기술이 제공된다.According to the present disclosure, a technique for improving the uniformity of temperature distribution within the surface of a substrate is provided.

도 1은 기판 처리 시스템의 일례를 나타내는 사시도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 시스템의 내부를 개략적으로 나타내는 측면도이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 시스템의 내부를 개략적으로 나타내는 상면도이다.
도 4는 액 처리 유닛의 일례를 개략적으로 나타내는 측면도이다.
도 5는 노즐 유닛의 일례를 나타내는 측면도이다.
도 6은 노즐 유닛의 일례를 나타내는 다른 측면도이다.
도 7의 (a) ~ 도 7의 (c)는 가스 노즐의 일례를 나타내는 모식도이다.
도 8은 컨트롤러의 기능 구성의 일례를 나타내는 블록도이다.
도 9는 컨트롤러의 하드웨어 구성의 일례를 나타내는 블록도이다.
도 10은 액 처리 방법의 일례를 나타내는 순서도이다.
도 11의 (a) 및 도 11의 (b)는 액 처리 방법의 일례를 나타내기 위한 모식도이다.
도 12는 액 처리 방법의 일례를 나타내기 위한 모식도이다.
도 13의 (a) 및 도 13의 (b)는 액 처리 방법의 일례를 나타내기 위한 모식도이다.
도 14는 노즐 유닛의 다른 구성예를 나타내는 측면도이다.
도 15는 노즐 유닛의 다른 구성예를 나타내는 다른 측면도이다.1 is a perspective view showing an example of a substrate processing system.
FIG. 2 is a side view schematically illustrating the inside of the substrate processing system of FIG. 1 .
FIG. 3 is a top view schematically illustrating the interior of the substrate processing system of FIG. 1 .
4 is a side view schematically illustrating an example of a liquid processing unit.
5 is a side view showing an example of a nozzle unit.
6 is another side view showing an example of the nozzle unit.
7(a) to 7(c) are schematic diagrams showing examples of gas nozzles.
8 is a block diagram showing an example of a functional configuration of a controller.
9 is a block diagram showing an example of the hardware configuration of the controller.
10 is a flowchart showing an example of a liquid processing method.
11(a) and 11(b) are schematic diagrams for showing an example of a liquid treatment method.
12 is a schematic diagram for showing an example of a liquid processing method.
13(a) and 13(b) are schematic diagrams for showing an example of a liquid treatment method.
14 is a side view showing another configuration example of the nozzle unit.
Fig. 15 is another side view showing another configuration example of the nozzle unit.

이하, 각종 예시적 실시 형태에 대하여 설명한다.Hereinafter, various exemplary embodiments are described.

하나의 예시적 실시 형태에 따른 노즐 유닛은, 용액을 이용한 액 처리를 기판에 대하여 실시하는 액 처리 장치용의 노즐 유닛으로서, 상기 기판에 공급된 상기 용액의 온도를 변경하기 위한 온도 조정 가스를 유통시키는 온도 조정 가스 유로와, 상기 온도 조정 가스 유로를 흐르는 상기 온도 조정 가스를 상기 기판의 표면을 향해 토출하는 온도 조정 가스 토출구를 가지는 온도 조정 가스 노즐과, 상기 기판의 표면을 향해 건조 가스를 토출하는 건조 가스 토출구를 가지는 건조 가스 노즐과, 상기 기판의 표면을 향해 처리액을 토출하는 처리액 토출구를 가지는 처리액 노즐과, 상기 기판의 표면을 따라, 상기 온도 조정 가스 노즐, 상기 건조 가스 노즐, 및 상기 처리액 노즐을 일체적으로 이동시키는 구동부를 가지고, 상기 온도 조정 가스 토출구는, 상기 표면을 따른 제 1 방향으로 연장되도록 형성되어 있고, 상기 온도 조정 가스 토출구로부터의 상기 온도 조정 가스가 방사 형상으로 토출되도록, 상기 온도 조정 가스 유로의 상기 제 1 방향에 있어서의 폭이 상기 온도 조정 가스 토출구에 가까워짐에 따라 커진다.A nozzle unit according to one exemplary embodiment is a nozzle unit for a liquid processing device that performs liquid processing using a solution on a substrate, and circulates a temperature control gas for changing a temperature of the solution supplied to the substrate. a temperature control gas nozzle having a temperature control gas flow path and a temperature control gas outlet for discharging the temperature control gas flowing through the temperature control gas passage toward the surface of the substrate; and a temperature control gas nozzle for discharging dry gas toward the surface of the substrate A drying gas nozzle having a dry gas outlet, a processing liquid nozzle having a processing liquid outlet for discharging a processing liquid toward the surface of the substrate, along the surface of the substrate, the temperature adjusting gas nozzle, the drying gas nozzle, and A driving unit integrally moves the treatment liquid nozzle, the temperature control gas outlet is formed to extend in a first direction along the surface, and the temperature control gas is discharged from the temperature control gas outlet in a radial shape. To be discharged, the width of the temperature control gas passage in the first direction increases as it approaches the temperature control gas outlet.

이 노즐 유닛에서는, 온도 조정 가스 노즐의 온도 조정 가스 토출구로부터의 온도 조정 가스가, 이 토출구가 연장되는 제 1 방향에 있어서 방사 형상으로 토출된다. 이 때문에, 기판의 표면 중, 온도 조정 가스 토출구의 제 1 방향에 있어서의 폭보다 긴 영역에 대하여, 온도 조정 가스 노즐로부터의 온도 조정 가스가 공급된다. 이에 의해, 액 처리에 있어서 당해 온도 조정 가스가 공급된 영역의 온도를 조정할 수 있기 때문에, 기판 면내에 있어서의 온도 분포의 균일성을 향상시키는 것이 가능해진다. 또한, 그에 따라, 예를 들면, 처리 후의 기판에 있어서 형성된 막의 선폭(CD)의 균일성을 향상시킬 수 있다.In this nozzle unit, the temperature control gas from the temperature control gas discharge port of the temperature control gas nozzle is radially discharged in the first direction in which this discharge port extends. For this reason, the temperature control gas is supplied from the temperature control gas nozzle to the area|region longer than the width|variety of the temperature control gas discharge port in the 1st direction among the surface of a board|substrate. This makes it possible to adjust the temperature of the region to which the temperature control gas is supplied in liquid processing, and thus improve the uniformity of the temperature distribution within the surface of the substrate. In addition, it is possible to improve the uniformity of the line width (CD) of the film formed on the substrate after processing, for example.

상기 온도 조정 가스 노즐은, 착탈 가능하게 구성되어 있어도 된다. 온도 조정 가스 노즐이 착탈 가능함으로써, 예를 들면, 장치 내에서의 레이아웃의 조정 등도 유연하게 행할 수 있다.The said temperature control gas nozzle may be comprised so that attachment or detachment is possible. Since the temperature control gas nozzle is attachable and detachable, it is possible to flexibly adjust the layout within the device, for example.

상기 온도 조정 가스 유로는, 공급 유로와, 상기 공급 유로의 하류측에 접속된 토출 유로를 포함하고, 상기 공급 유로는, 정해진 방향으로 연장되고 또한 내경이 일정한 직선 형상의 유로로서, 상기 토출 유로는, 상기 공급 유로의 연장 방향에 대하여 교차하고 또한 상기 제 1 방향을 포함하는 경사면을 따라 연장되는 유로로서, 상기 제 1 방향에 대하여 직교하는 방향으로 연장되는 높이가, 상기 내경보다 작은 태양이어도 된다. 상기의 형상을 가짐으로써, 공급 유로로부터 토출 유로로 흐를 시에, 액체의 유속이 억제되어, 온도 조정 가스의 방사 형상으로의 확산을 보다 균일하게 행할 수 있다.The temperature control gas passage includes a supply passage and a discharge passage connected to a downstream side of the supply passage, the supply passage is a linear passage extending in a predetermined direction and having a constant inner diameter, and the discharge passage comprises: , a flow path that intersects the extension direction of the supply flow path and extends along an inclined surface including the first direction, wherein a height extending in a direction orthogonal to the first direction may be smaller than the inner diameter. By having the above shape, when flowing from the supply passage to the discharge passage, the flow velocity of the liquid is suppressed, and the temperature control gas can be diffused more uniformly in a radial shape.

상기 토출 유로의 저면은, 상기 경사면을 따라 연장되는 면재에 의해 형성되고, 상기 공급 유로의 단부는, 상기 토출 유로의 상기 면재와 대향하는 위치에서 상기 토출 유로에 대하여 접속하는 태양이어도 된다. 공급 유로의 단부가, 토출 유로의 면재와 대향하는 위치에서 접속하고 있는 경우, 공급 유로로부터 토출 유로로의 온도 조정 가스의 이동 시의 액체의 유속의 억제가 보다 확실하게 행해진다.The bottom surface of the discharge passage may be formed by a face member extending along the inclined surface, and an end portion of the supply passage may be connected to the discharge passage at a position of the discharge passage facing the face member. When the end of the supply passage is connected at a position facing the face member of the discharge passage, the flow velocity of the liquid during movement of the temperature control gas from the supply passage to the discharge passage is more reliably suppressed.

상기 토출 유로는, 상기 공급 유로와의 접속 위치로부터, 상기 온도 조정 가스 토출구의 각 위치까지의 길이가 균일하게 되어 있어, 상기 온도 조정 가스 토출구는, 폭 방향에 있어서 단부보다 내측이 토출 방향에 대하여 돌출되는 것과 같은 곡면을 따라 형성되어 있는 태양이어도 된다. 토출 유로에 있어서의 토출구의 각 위치까지의 거리가 균일함으로써, 토출 유로 내에 있어서 온도 조정 가스의 유속의 균일성을 향상시키는 것이 가능해진다.The length of the discharge passageway is uniform from the connection position with the supply passage to each position of the temperature control gas discharge port, and the temperature control gas discharge port has an inner side of the end portion in the width direction with respect to the discharge direction. It may be a sun formed along a curved surface that protrudes. When the distance to each position of the discharge port in the discharge passage is uniform, it becomes possible to improve the uniformity of the flow velocity of the temperature control gas in the discharge passage.

상기 토출 유로는, 상기 경사면에 대하여 직교하는 방향에서 봤을 때에 부채꼴 형상으로서, 상기 온도 조정 가스 토출구는, 상기 부채꼴의 호를 따라 형성되는 태양이어도 된다. 이러한 형상일 때에, 토출 유로 내에 있어서 온도 조정 가스의 유속의 균일성을 보다 향상시키는 것이 가능해진다.The discharge passage may have a fan shape when viewed from a direction orthogonal to the inclined surface, and the temperature control gas discharge port may be formed along an arc of the fan shape. With such a shape, it becomes possible to further improve the uniformity of the flow velocity of the temperature control gas in the discharge passage.

상기 온도 조정 가스 토출구는, 상기 처리액 토출구보다 높은 위치에 있는 태양이어도 된다. 온도 조정 가스 토출구가 처리액 토출구보다 높은 위치인 경우, 온도 조정 가스를 보다 균일하게 기판의 표면에 대하여 토출할 수 있다.The temperature control gas discharge port may be located at a higher position than the processing liquid discharge port. When the temperature control gas outlet is at a higher position than the processing liquid outlet, the temperature control gas can be more uniformly discharged to the surface of the substrate.

상기 제 1 방향에 직교하고 또한 상기 기판의 표면을 따르는 제 2 방향에 있어서, 상기 온도 조정 가스 노즐은, 상기 건조 가스 노즐 및 상기 처리액 노즐과는 상이한 위치에 마련되어 있는 태양이어도 된다.In the second direction orthogonal to the first direction and along the surface of the substrate, the temperature control gas nozzle may be provided at a position different from the drying gas nozzle and the processing liquid nozzle.

상기 제 2 방향에 있어서, 상기 건조 가스 노즐과 상기 처리액 노즐은 서로 상이한 위치에 마련되어 있는 태양이어도 된다.In the second direction, the dry gas nozzle and the treatment liquid nozzle may be provided at different positions from each other.

상기 건조 가스 노즐과 상기 처리액 노즐은 상기 제 2 방향에 있어서 동일한 위치에 마련되고, 또한, 상기 제 1 방향에 있어서 서로 상이한 위치에 마련되어 있는 태양이어도 된다.The dry gas nozzle and the treatment liquid nozzle may be provided at the same position in the second direction, and provided at different positions from each other in the first direction.

상기 온도 조정 가스, 상기 건조 가스, 및 상기 처리액은, 상기 기판의 표면에 있어서, 상기 제 1 방향에 직교하고 또한 상기 기판의 표면을 따르는 제 2 방향에 있어서 대략 동일한 위치에 공급되는 태양이어도 된다.The temperature adjusting gas, the drying gas, and the processing liquid may be supplied to substantially the same positions on the surface of the substrate in a second direction orthogonal to the first direction and along the surface of the substrate. .

상기 구동부는, 토출하는 유체의 종류에 따라, 상기 온도 조정 가스 노즐, 상기 건조 가스 노즐, 및 상기 처리액 노즐을 상기 제 1 방향을 따라 이동시켜, 상기 기판의 표면에 유체를 공급하는 태양이어도 된다. 이러한 구성으로 함으로써, 보다 간단한 동작으로, 기판의 표면에 온도 조정 가스, 건조 가스, 및 처리액을 공급할 수 있다.The driving unit may supply fluid to the surface of the substrate by moving the temperature control gas nozzle, the drying gas nozzle, and the treatment liquid nozzle along the first direction according to the type of fluid to be discharged. . With this structure, it is possible to supply the temperature control gas, the drying gas, and the processing liquid to the surface of the substrate with a simpler operation.

하나의 예시적 실시 형태에 따른 기판 처리 장치는, 상기의 노즐 유닛과, 상기 표면이 상방을 향한 상태의 상기 기판을 유지하여 회전시키는 기판 유지 유닛과, 상기 노즐 유닛과 상기 기판 유지 유닛을 제어하는 제어 유닛을 구비한다.A substrate processing apparatus according to one exemplary embodiment includes the nozzle unit, a substrate holding unit holding and rotating the substrate with the surface facing upward, and controlling the nozzle unit and the substrate holding unit. Equipped with a control unit.

이 노즐 유닛에서는, 온도 조정 가스 노즐의 온도 조정 가스 토출구로부터의 온도 조정 가스가, 이 토출구가 연장되는 제 1 방향에 있어서 방사 형상으로 토출된다. 이 때문에, 기판의 표면 중, 온도 조정 가스 토출구의 제 1 방향에 있어서의 폭보다 긴 영역에 대하여, 온도 조정 가스 노즐로부터의 온도 조정 가스가 공급된다. 이에 의해, 액 처리에 있어서 당해 온도 조정 가스가 공급된 영역의 온도를 조정할 수 있기 때문에, 기판 면내에 있어서의 온도 분포의 균일성을 향상시키는 것이 가능해진다.In this nozzle unit, the temperature control gas from the temperature control gas discharge port of the temperature control gas nozzle is radially discharged in the first direction in which this discharge port extends. For this reason, the temperature control gas is supplied from the temperature control gas nozzle to the area|region longer than the width|variety of the temperature control gas discharge port in the 1st direction among the surface of a board|substrate. This makes it possible to adjust the temperature of the region to which the temperature control gas is supplied in liquid processing, and thus improve the uniformity of the temperature distribution within the surface of the substrate.

상기 온도 조정 가스 및 상기 건조 가스는, 동일한 공급원 및 동일한 공급로를 거쳐 공급되고, 상기 노즐 유닛에 있어서는, 상기 온도 조정 가스 유로와, 상기 건조 가스를 공급하는 건조 가스 유로는 서로 상이한 태양이어도 된다.The temperature control gas and the dry gas are supplied via the same supply source and the same supply path, and in the nozzle unit, the temperature control gas flow path and the dry gas flow path for supplying the dry gas may be different from each other.

상기의 구성으로 함으로써, 노즐 유닛 자체의 대형화가 방지되고, 기판 처리 장치에 있어서의 노즐 유닛의 배치 등을 유연하게 변경할 수 있다.By setting it as the said structure, the enlargement of a nozzle unit itself is prevented, and the arrangement|positioning of the nozzle unit in a substrate processing apparatus can be changed flexibly.

하나의 예시적 실시 형태에 따른 액 처리 방법은, 용액을 이용한 액 처리를 기판에 대하여 실시하는 액 처리 장치용의 노즐 유닛을 이용한 액 처리 방법으로서, 상기 노즐 유닛은, 상기 기판의 표면을 따른 제 1 방향에 있어서의 폭이 온도 조정 가스 토출구를 향해 커지는, 온도 조정 가스를 유통시키는 온도 조정 가스 유로와, 상기 제 1 방향으로 연장되도록 형성되고, 상기 온도 조정 가스 유로를 흐르는 상기 온도 조정 가스를 상기 기판의 표면을 향해 토출하는 상기 온도 조정 가스 토출구를 가지는 온도 조정 가스 노즐과, 상기 기판의 표면을 향해 건조 가스를 토출하는 건조 가스 토출구를 가지는 건조 가스 노즐과, 상기 기판의 표면을 향해 처리액을 토출하는 처리액 토출구를 가지는 처리액 노즐과, 상기 기판의 표면을 따라, 상기 온도 조정 가스 노즐, 상기 건조 가스 노즐, 및 상기 처리액 노즐을 일체적으로 이동시키는 구동부를 가지고, 상기 구동부가, 상기 기판의 표면에 대하여, 상기 온도 조정 가스 토출구로부터 상기 온도 조정 가스를 방사 형상으로 토출시키는 것과, 상기 온도 조정 가스를 토출한 후에, 상기 기판의 표면에 대하여, 상기 처리액 토출구로부터 상기 처리액을 토출시키는 것과, 상기 처리액을 토출한 후에, 상기 기판의 표면에 대하여, 상기 건조 가스 토출구로부터의 상기 건조 가스를 토출시키는 것을 포함한다.A liquid processing method according to one exemplary embodiment is a liquid processing method using a nozzle unit for a liquid processing apparatus that performs liquid processing using a solution on a substrate, wherein the nozzle unit is configured to perform liquid processing on a substrate along a surface of the substrate. A temperature control gas passage through which a temperature control gas flows, the width of which increases in one direction toward a temperature control gas discharge port, and the temperature control gas flowing in the first direction and flowing through the temperature control gas flow passage, as described above. A temperature control gas nozzle having a temperature control gas outlet that discharges toward the surface of the substrate, a dry gas nozzle having a dry gas outlet that discharges dry gas toward the surface of the substrate, and a processing liquid directed toward the surface of the substrate. a processing liquid nozzle having a processing liquid discharge port to discharge, and a driving unit integrally moving the temperature control gas nozzle, the drying gas nozzle, and the processing liquid nozzle along the surface of the substrate, wherein the driving unit comprises: Radially discharging the temperature control gas from the temperature control gas outlet to the surface of the substrate, and discharging the processing liquid from the processing liquid outlet to the surface of the substrate after discharging the temperature control gas. and, after discharging the processing liquid, discharging the dry gas from the dry gas outlet to the surface of the substrate.

상기의 액 처리 방법에 의하면, 노즐 유닛에 있어서의 온도 조정 가스 노즐의 온도 조정 가스 토출구로부터의 온도 조정 가스가, 이 토출구가 연장되는 제 1 방향에 있어서 방사 형상으로 토출된다. 이 때문에, 기판의 표면 중, 온도 조정 가스 토출구의 제 1 방향에 있어서의 폭보다 긴 영역에 대하여, 온도 조정 가스 노즐로부터의 온도 조정 가스가 공급된다. 이에 의해, 액 처리에 있어서 당해 온도 조정 가스가 공급된 영역의 온도를 조정할 수 있기 때문에, 기판 면내에 있어서의 온도 분포의 균일성을 향상시키는 것이 가능해진다. 또한, 그에 따라, 예를 들면, 처리 후의 기판에 있어서 형성된 막의 선폭(CD)의 균일성을 향상시킬 수 있다.According to the liquid processing method described above, the temperature control gas from the temperature control gas discharge port of the temperature control gas nozzle in the nozzle unit is radially discharged in the first direction in which the discharge port extends. For this reason, the temperature control gas is supplied from the temperature control gas nozzle to the area|region longer than the width|variety of the temperature control gas discharge port in the 1st direction among the surface of a board|substrate. This makes it possible to adjust the temperature of the region to which the temperature control gas is supplied in liquid processing, and thus improve the uniformity of the temperature distribution within the surface of the substrate. In addition, it is possible to improve the uniformity of the line width (CD) of the film formed on the substrate after processing, for example.

이하, 도면을 참조하여 일실시 형태에 대하여 설명한다. 설명에 있어서, 동일 요소 또는 동일 기능을 가지는 요소에는 동일한 부호를 부여하고, 중복되는 설명을 생략한다. 일부의 도면에는 X축, Y축 및 Z축에 의해 규정되는 직교 좌표계가 나타난다. 이하의 실시 형태에서는, Z축이 연직 방향에 대응하고, X축 및 Y축이 수평 방향에 대응한다.Hereinafter, one embodiment is described with reference to drawings. In the description, the same reference numerals are assigned to the same elements or elements having the same functions, and overlapping descriptions are omitted. Some drawings show a Cartesian coordinate system defined by the X, Y, and Z axes. In the following embodiments, the Z axis corresponds to the vertical direction, and the X and Y axes correspond to the horizontal direction.

[기판 처리 시스템][Substrate handling system]

먼저, 도 1 ~ 도 3을 참조하여, 기판 처리 시스템(1)의 구성에 대하여 설명한다. 기판 처리 시스템(1)은 도포 현상 장치(2)(액 처리 장치)와, 노광 장치(3)를 구비한다.First, with reference to FIGS. 1-3, the structure of the substrate processing system 1 is demonstrated. The substrate processing system 1 includes a coating and developing device 2 (liquid processing device) and an exposure device 3 .

도포 현상 장치(2)는, 워크(W)의 표면(Wa)에 레지스트막(R)을 형성하도록 구성되어 있다. 또한, 도포 현상 장치(2)는, 레지스트막(R)의 현상 처리를 행하도록 구성되어 있다. 노광 장치(3)는, 도포 현상 장치(2)와의 사이에서 워크(W)를 수수하여, 워크(W)의 표면(Wa)(도 4 등 참조)에 형성된 레지스트막(R)의 노광 처리(패턴 노광)를 행하도록 구성되어 있다. 노광 장치(3)는, 예를 들면, 액침 노광 등의 방법에 의해 레지스트막(R)의 노광 대상 부분에 선택적으로 에너지선을 조사해도 된다.The coating and developing apparatus 2 is configured to form a resist film R on the surface Wa of the workpiece W. In addition, the coating and developing device 2 is configured to perform a developing process on the resist film R. The exposure apparatus 3 transfers the workpiece W between the coating and developing apparatus 2, and exposes the resist film R formed on the surface Wa of the workpiece W (see FIG. 4 and the like) ( pattern exposure). The exposure apparatus 3 may selectively irradiate energy rays to the portion to be exposed of the resist film R by a method such as liquid immersion exposure, for example.

처리 대상의 워크(W)는, 예를 들면 기판, 혹은 정해진 처리가 실시됨으로써 막 또는 회로 등이 형성된 상태의 기판이다. 워크(W)에 포함되는 기판은, 일례로서, 실리콘을 포함하는 웨이퍼이다. 워크(W)(기판)는, 원형으로 형성되어 있어도 되고, 다각형 등 원형 이외의 판 형상으로 형성되어 있어도 된다. 워크(W)는, 일부가 잘라내진 홈부를 가지고 있어도 된다. 홈부는, 예를 들면, 노치(U자형, V자형 등의 홈)여도 되고, 직선 형상으로 연장되는 직선부(이른바, 오리엔테이션 플랫)여도 된다. 처리 대상의 워크(W)는 글라스 기판, 마스크 기판, FPD(Flat Panel Display) 등이어도 되고, 이들 기판 등에 정해진 처리가 실시되어 얻어지는 중간체여도 된다. 워크(W)의 직경은, 예를 들면 200 mm ~ 450 mm 정도여도 된다.The workpiece W to be processed is, for example, a substrate or a substrate in a state where a film or a circuit is formed by performing a predetermined process. The substrate included in the work W is, for example, a wafer containing silicon. The workpiece W (substrate) may be formed in a circular shape or may be formed in a plate shape other than a circular shape such as a polygon. The workpiece W may have a groove portion partially cut out. The groove portion may be, for example, a notch (a U-shaped or V-shaped groove) or a straight portion extending in a straight line (a so-called orientation flat). The workpiece W to be processed may be a glass substrate, a mask substrate, a flat panel display (FPD), or the like, or may be an intermediate body obtained by subjecting these substrates or the like to a prescribed process. The diameter of the work W may be about 200 mm to 450 mm, for example.

에너지선은, 예를 들면, 전리 방사선, 비전리 방사선 등이어도 된다. 전리 방사선은, 원자 또는 분자를 전리시키는데 충분한 에너지를 가지는 방사선이다. 전리 방사선은, 예를 들면, 극단 자외선(EUV：Extreme Ultraviolet), 전자선, 이온 빔, X선, α선, β선, γ선, 중립자선, 양자선 등이어도 된다. 비전리 방사선은, 원자 또는 분자를 전리시키는데 충분한 에너지를 가지지 않는 방사선이다. 비전리 방사선은, 예를 들면, g선, i선, KrF 엑시머 레이져, ArF 엑시머 레이져, F2 엑시머 레이져 등이어도 된다.The energy ray may be, for example, ionizing radiation or non-ionizing radiation. Ionizing radiation is radiation having sufficient energy to ionize atoms or molecules. The ionizing radiation may be, for example, extreme ultraviolet (EUV), electron beam, ion beam, X-ray, α-ray, β-ray, γ-ray, neutral beam, or proton beam. Non-ionizing radiation is radiation that does not have sufficient energy to ionize atoms or molecules. The non-ionizing radiation may be, for example, g-ray, i-ray, KrF excimer laser, ArF excimer laser, F2 excimer laser, or the like.

(도포 현상 장치)(Coating and developing device)

도포 현상 장치(2)는, 노광 장치(3)에 의한 노광 처리 전에, 워크(W)의 표면(Wa)에 레지스트막(R)을 형성하도록 구성되어 있다. 또한, 도포 현상 장치(2)는, 노광 장치(3)에 의한 노광 처리 후에 레지스트막(R)의 현상 처리를 행하도록 구성되어 있다.The coating and developing device 2 is configured to form a resist film R on the surface Wa of the workpiece W before exposure treatment by the exposure device 3 . In addition, the coating and developing apparatus 2 is configured to perform a developing process on the resist film R after the exposure process by the exposure apparatus 3 .

도 1 ~ 도 3에 나타나는 바와 같이, 도포 현상 장치(2)는 캐리어 블록(4)과, 처리 블록(5)과, 인터페이스 블록(6)과, 제어 장치(100)(제어 유닛)를 구비한다. 캐리어 블록(4), 처리 블록(5) 및 인터페이스 블록(6)은 수평 방향으로 배열되어 있다.1 to 3, the coating and developing apparatus 2 includes a carrier block 4, a processing block 5, an interface block 6, and a control device 100 (control unit). . The carrier block 4, processing block 5 and interface block 6 are arranged in the horizontal direction.

캐리어 블록(4)은 캐리어 스테이션(12)과, 반입반출부(13)를 포함한다. 캐리어 스테이션(12)은 복수의 캐리어(11)를 지지한다. 캐리어(11)는 적어도 하나의 워크(W)를 밀봉 상태로 수용한다. 캐리어(11)의 측면(11a)에는, 워크(W)를 출입하기 위한 개폐 도어(도시하지 않음)가 마련되어 있다. 캐리어(11)는, 측면(11a)이 반입반출부(13)측에 면하도록, 캐리어 스테이션(12) 상에 착탈 가능하게 설치된다.The carrier block 4 includes a carrier station 12 and a carry-in/out unit 13 . The carrier station 12 supports a plurality of carriers 11 . The carrier 11 accommodates at least one workpiece W in a sealed state. On the side surface 11a of the carrier 11, an opening/closing door (not shown) for entering and exiting the workpiece W is provided. The carrier 11 is detachably installed on the carrier station 12 so that the side surface 11a faces the carry-in/out section 13 side.

반입반출부(13)는, 캐리어 스테이션(12) 및 처리 블록(5)의 사이에 위치하고 있다. 반입반출부(13)는, 도 1 및 도 3에 나타나는 바와 같이, 복수의 개폐 도어(13a)를 가진다. 캐리어 스테이션(12) 상에 캐리어(11)가 배치될 시에는, 캐리어(11)의 개폐 도어가 개폐 도어(13a)에 면한 상태가 된다. 개폐 도어(13a) 및 측면(11a)의 개폐 도어를 동시에 개방함으로써, 캐리어(11) 내와 반입반출부(13) 내가 연통한다. 반입반출부(13)는, 도 2 및 도 3에 나타나는 바와 같이, 반송 암(A1)을 내장하고 있다. 반송 암(A1)은, 캐리어(11)로부터 워크(W)를 취출하여 처리 블록(5)에 건네고, 처리 블록(5)으로부터 워크(W)를 수취하여 캐리어(11) 내로 되돌리도록 구성되어 있다.The carry-in/out section 13 is located between the carrier station 12 and the processing block 5. The carry-in/out section 13 has a plurality of opening/closing doors 13a as shown in FIGS. 1 and 3 . When the carrier 11 is placed on the carrier station 12, the opening and closing door of the carrier 11 faces the opening and closing door 13a. By simultaneously opening the opening and closing door 13a and the opening and closing door of the side surface 11a, the inside of the carrier 11 and the inside of the carry-in/out section 13 communicate with each other. As shown in FIGS. 2 and 3 , the carry-in/out unit 13 incorporates a transport arm A1. The transfer arm A1 is configured to take out the workpiece W from the carrier 11, pass it to the processing block 5, receive the workpiece W from the processing block 5, and return it to the carrier 11. .

처리 블록(5)은, 도 2 및 도 3에 나타나는 바와 같이, 처리 모듈(PM1 ~ PM4)을 포함한다.The processing block 5 includes processing modules PM1 to PM4, as shown in FIGS. 2 and 3 .

처리 모듈(PM1)은, 워크(W)의 표면 상에 하층막을 형성하도록 구성되어 있고, BCT 모듈이라고도 불린다. 처리 모듈(PM1)은, 도 3에 나타나는 바와 같이, 액 처리 유닛(U1)과, 열 처리 유닛(U2)과, 이들로 워크(W)를 반송하도록 구성된 반송 암(A2)을 포함한다. 처리 모듈(PM1)의 액 처리 유닛(U1)은, 예를 들면, 하층막 형성용의 도포액을 워크(W)에 도포하도록 구성되어 있어도 된다. 처리 모듈(PM1)의 열 처리 유닛(U2)은, 예를 들면, 액 처리 유닛(U1)에 의해 워크(W)에 형성된 도포막을 경화시켜 하층막으로 하기 위한 가열 처리를 행하도록 구성되어 있어도 된다. 하층막으로서는, 예를 들면, 반사 방지(SiARC)막을 들 수 있다.The processing module PM1 is configured to form an underlayer film on the surface of the workpiece W, and is also called a BCT module. As shown in Fig. 3, the processing module PM1 includes a liquid processing unit U1, a thermal processing unit U2, and a transport arm A2 configured to transport the workpiece W to these. The liquid processing unit U1 of the processing module PM1 may be configured to apply, for example, a coating liquid for forming an underlayer film to the workpiece W. The heat processing unit U2 of the processing module PM1 may be configured to perform a heat treatment for curing the coating film formed on the workpiece W by the liquid processing unit U1 to form a lower layer film, for example. . As the lower layer film, an antireflection (SiARC) film is exemplified.

처리 모듈(PM2)은, 하층막 상에 중간막(하드 마스크)을 형성하도록 구성되어 있고, HMCT 모듈이라고도 불린다. 처리 모듈(PM2)은 액 처리 유닛(U1)과, 열 처리 유닛(U2)과, 이들로 워크(W)를 반송하도록 구성된 반송 암(A3)을 포함한다. 처리 모듈(PM2)의 액 처리 유닛(U1)은, 예를 들면, 중간막 형성용의 도포액을 워크(W)에 도포하도록 구성되어 있어도 된다. 처리 모듈(PM2)의 열 처리 유닛(U2)은, 예를 들면, 액 처리 유닛(U1)에 의해 워크(W)에 형성된 도포막을 경화시켜 중간막으로 하기 위한 가열 처리를 행하도록 구성되어 있어도 된다. 중간막으로서는, 예를 들면, SOC(Spin On Carbon)막, 아몰퍼스 카본막을 들 수 있다.The processing module PM2 is configured to form an intermediate film (hard mask) on the lower layer film, and is also called an HMCT module. The processing module PM2 includes a liquid processing unit U1, a thermal processing unit U2, and a transport arm A3 configured to transport the workpiece W to these. The liquid processing unit U1 of the processing module PM2 may be configured to apply a coating liquid for forming an intermediate film to the work W, for example. The heat processing unit U2 of the processing module PM2 may be configured to perform a heat treatment for curing the coating film formed on the workpiece W by the liquid processing unit U1 to form an intermediate film, for example. Examples of the intermediate film include a SOC (Spin On Carbon) film and an amorphous carbon film.

처리 모듈(PM3)은, 중간막 상에 열경화성 또한 감광성의 레지스트막(R)을 형성하도록 구성되어 있고, COT 모듈이라고도 불린다. 처리 모듈(PM3)은 액 처리 유닛(U1)과, 열 처리 유닛(U2)과, 이들로 워크(W)를 반송하도록 구성된 반송 암(A4)을 포함한다. 처리 모듈(PM3)의 액 처리 유닛(U1)은, 예를 들면, 레지스트막 형성용의 도포액(레지스트액)을 워크(W)에 도포하도록 구성되어 있어도 된다. 처리 모듈(PM3)의 열 처리 유닛(U2)은, 예를 들면, 액 처리 유닛(U1)에 의해 워크(W)에 형성된 도포막을 경화시켜 레지스트막(R)으로 하기 위한 가열 처리(PAB : Pre Applied Bake)를 행하도록 구성되어 있어도 된다.The processing module PM3 is configured to form a thermosetting and photosensitive resist film R on the intermediate film, and is also called a COT module. The processing module PM3 includes a liquid processing unit U1, a thermal processing unit U2, and a transport arm A4 configured to transport the workpiece W to these. The liquid processing unit U1 of the processing module PM3 may be configured to apply, for example, a coating liquid for forming a resist film (resist liquid) to the workpiece W. The heat processing unit U2 of the processing module PM3 performs heat treatment (PAB: Pre) for curing the coating film formed on the workpiece W by the liquid processing unit U1 to form a resist film R, for example. Applied Bake) may be configured to perform.

레지스트액이 함유하는 레지스트 재료는, 포지티브형 레지스트 재료여도 되고, 네거티브형 레지스트 재료여도 된다. 포지티브형 레지스트 재료는, 패턴 노광부가 용출되어 패턴 미노광부(차광부)가 남는 레지스트 재료이다. 네거티브형 레지스트 재료는, 패턴 미노광부(차광부)가 용출되어, 패턴 노광부가 남는 레지스트 재료이다.The resist material contained in the resist liquid may be a positive resist material or a negative resist material. A positive resist material is a resist material in which a pattern exposed portion is eluted and a pattern unexposed portion (light-shielding portion) remains. The negative resist material is a resist material in which a pattern unexposed portion (light-shielding portion) is eluted and a pattern exposed portion remains.

처리 모듈(PM4)은, 노광된 레지스트막의 현상 처리를 행하도록 구성되어 있고, DEV 모듈이라고도 불린다. 처리 모듈(PM4)은 액 처리 유닛(U1)과, 열 처리 유닛(U2)과, 이들로 워크(W)를 반송하도록 구성된 반송 암(A5)을 포함한다. 처리 모듈(PM4)의 액 처리 유닛(U1)은, 현상액 등의 용액을 이용하여 현상 처리(액 처리)를 워크(W)에 대하여 실시하도록 구성되어 있다. 예를 들면, 레지스트막(R)을 부분적으로 제거하여 레지스트 패턴(도시하지 않음)을 형성하도록 구성되어 있어도 된다. 처리 모듈(PM4)의 열 처리 유닛(U2)은, 예를 들면, 현상 처리 전의 가열 처리(PEB : Post Exposure Bake), 현상 처리 후의 가열 처리(PB : Post Bake) 등을 행하도록 구성되어 있어도 된다.The processing module PM4 is configured to perform a developing processing of the exposed resist film, and is also called a DEV module. The processing module PM4 includes a liquid processing unit U1, a thermal processing unit U2, and a transport arm A5 configured to transport the workpiece W to these. The liquid processing unit U1 of the processing module PM4 is configured to perform development processing (liquid processing) on the workpiece W using a solution such as a developing solution. For example, the resist film R may be partially removed to form a resist pattern (not shown). The heat processing unit U2 of the processing module PM4 may be configured to, for example, perform a heat treatment before development (PEB: Post Exposure Bake), a heat treatment after development (PB: Post Bake), or the like. .

처리 블록(5)은, 도 2 및 도 3에 나타나는 바와 같이, 캐리어 블록(4)의 근방에 위치하는 선반 유닛(14)을 포함한다. 선반 유닛(14)은, 상하 방향으로 연장되어 있고, 상하 방향으로 배열되는 복수의 셀을 포함한다. 선반 유닛(14)의 근방에는 반송 암(A6)이 마련되어 있다. 반송 암(A6)은, 선반 유닛(14)의 셀끼리의 사이에서 워크(W)를 승강시키도록 구성되어 있다.The processing block 5 includes a shelving unit 14 located in the vicinity of the carrier block 4, as shown in FIGS. 2 and 3 . The shelf unit 14 extends in the vertical direction and includes a plurality of cells arranged in the vertical direction. A transport arm A6 is provided near the shelf unit 14 . The transfer arm A6 is configured to move the workpiece W between the cells of the shelf unit 14 .

처리 블록(5)은, 인터페이스 블록(6)의 근방에 위치하는 선반 유닛(15)을 포함한다. 선반 유닛(15)은, 상하 방향으로 연장되어 있고, 상하 방향으로 배열되는 복수의 셀을 포함한다.The processing block 5 includes a shelf unit 15 located in the vicinity of the interface block 6 . The shelf unit 15 extends in the vertical direction and includes a plurality of cells arranged in the vertical direction.

인터페이스 블록(6)은 반송 암(A7)을 내장하고 있고, 노광 장치(3)에 접속되어 있다. 반송 암(A7)은, 선반 유닛(15)의 워크(W)를 취출하여 노광 장치(3)에 건네고, 노광 장치(3)로부터 워크(W)를 수취하여 선반 유닛(15)으로 되돌리도록 구성되어 있다.The interface block 6 incorporates the transfer arm A7 and is connected to the exposure apparatus 3. The transfer arm A7 is configured to take out the workpiece W from the shelf unit 15, pass it to the exposure apparatus 3, receive the workpiece W from the exposure apparatus 3, and return it to the shelf unit 15. has been

(액 처리 유닛)(liquid processing unit)

이어서, 도 4 ~ 도 6을 참조하여, 처리 모듈(PM4)의 액 처리 유닛(U1)에 대하여 더 상세하게 설명한다. 액 처리 유닛(U1)은, 도 4에 나타나는 바와 같이, 하우징(H) 내에, 기판 유지부(20)(기판 유지 유닛)와, 공급부(30)와, 공급부(40)와, 커버 부재(70)와, 블로어(B)를 포함한다.Next, referring to FIGS. 4 to 6 , the liquid processing unit U1 of the processing module PM4 will be described in more detail. As shown in FIG. 4 , the liquid processing unit U1 includes a substrate holding unit 20 (substrate holding unit), a supply unit 30, a supply unit 40, and a cover member 70 in the housing H. ) and a blower (B).

하우징(H)의 하부에는, 제어 장치(100)로부터의 신호에 기초하여 동작함으로써, 하우징(H) 내의 기체를 배기하도록 구성된 배기부(V1)가 마련되어 있다. 배기부(V1)는, 예를 들면, 개방도에 따라 배기량이 조절 가능한 댐퍼여도 된다. 배기부(V1)에 의해 하우징(H)으로부터의 배기량을 조절함으로써, 하우징(H) 내의 온도, 압력, 습도 등을 제어할 수 있다. 배기부(V1)는, 워크(W)의 액 처리 동안, 하우징(H) 내를 상시 배기하도록 제어되어도 된다.In the lower part of the housing H, an exhaust unit V1 configured to exhaust gas in the housing H by operating based on a signal from the control device 100 is provided. The exhaust unit V1 may be, for example, a damper capable of adjusting the exhaust amount according to the degree of opening. By controlling the amount of exhaust from the housing (H) by the exhaust unit (V1), it is possible to control the temperature, pressure, humidity, etc. in the housing (H). The exhaust unit V1 may be controlled so as to constantly exhaust the inside of the housing H during liquid treatment of the workpiece W.

<기판 유지부><Substrate holding unit>

기판 유지부(20)는, 워크(W)를 유지하여 회전시키도록 구성되어 있다. 예를 들면, 기판 유지부(20)는, 표면(Wa)이 상방을 향한 상태의 워크(W)를 유지하여 회전시킨다. 기판 유지부(20)는 회전부(21)와, 샤프트(22)와, 유지부(23)를 포함한다.The substrate holder 20 is configured to hold and rotate the workpiece W. For example, the substrate holder 20 holds and rotates the workpiece W with the surface Wa facing upward. The substrate holding part 20 includes a rotating part 21 , a shaft 22 , and a holding part 23 .

회전부(21)는, 제어 장치(100)로부터의 동작 신호에 기초하여 동작하고, 샤프트(22)를 회전시키도록 구성되어 있다. 회전부(21)는, 예를 들면 전동 모터 등의 동력원이다. 유지부(23)는, 샤프트(22)의 선단부에 마련되어 있다. 유지부(23) 상에는 표면(Wa)이 상방을 향한 상태의 워크(W)가 배치된다. 유지부(23)는, 예를 들면 흡착 등에 의해 워크(W)를 대략 수평으로 유지하도록 구성되어 있다. 즉, 기판 유지부(20)는, 워크(W)의 자세가 대략 수평인 상태로, 워크(W)의 표면(Wa)에 대하여 수직인 중심축(회전축) 둘레에서 워크(W)를 회전시킨다. 본 실시 형태에서는, 기판 유지부(20)에 유지되어 있는 워크(W)의 표면(Wa)은 X-Y 평면을 따르고 있다.The rotating part 21 is configured to operate based on an operation signal from the control device 100 and rotate the shaft 22 . The rotating part 21 is a power source, such as an electric motor, for example. The holding part 23 is provided at the distal end of the shaft 22 . On the holding part 23, the workpiece|work W with the surface Wa facing upward is arrange|positioned. The holding part 23 is configured to hold the workpiece W substantially horizontally by, for example, adsorption or the like. That is, the substrate holder 20 rotates the workpiece W around a central axis (rotational axis) perpendicular to the surface Wa of the workpiece W in a state in which the posture of the workpiece W is substantially horizontal. . In this embodiment, the surface Wa of the work W held by the substrate holder 20 follows the X-Y plane.

<공급부(30)><Supply unit 30>

공급부(30)는, 워크(W)의 표면(Wa)에 처리액(L1)을 공급하도록 구성되어 있다. 처리액(L1)은, 예를 들면, 현상액이어도 된다. 공급부(30)는 공급 기구(31)와, 구동 기구(32)와, 노즐(33)을 포함한다.The supply unit 30 is configured to supply the treatment liquid L1 to the surface Wa of the workpiece W. The treatment liquid L1 may be, for example, a developing solution. The supply unit 30 includes a supply mechanism 31 , a drive mechanism 32 , and a nozzle 33 .

공급 기구(31)는, 제어 장치(100)로부터의 신호에 기초하여, 용기(도시하지 않음)에 저류되어 있는 처리액(L1)을, 펌프 등의 송액 기구(도시하지 않음)에 의해 보내도록 구성되어 있다. 구동 기구(32)는, 제어 장치(100)로부터의 신호에 기초하여, 노즐(33)을 높이 방향 및 수평 방향에 있어서 이동시키도록 구성되어 있다. 노즐(33)은, 공급 기구(31)로부터 공급되는 처리액(L1)을, 워크(W)의 표면(Wa)에 토출하도록 구성되어 있다.The supply mechanism 31 sends the treatment liquid L1 stored in a container (not shown) by a liquid feeding mechanism (not shown) such as a pump, based on a signal from the control device 100. Consists of. The driving mechanism 32 is configured to move the nozzle 33 in the height direction and the horizontal direction based on a signal from the control device 100 . The nozzle 33 is configured to discharge the processing liquid L1 supplied from the supply mechanism 31 to the surface Wa of the workpiece W.

<공급부(40)><Supply unit 40>

공급부(40)는 처리액(L2)과, 온도 조정 가스(G1)와, 건조 가스(G2)를 워크(W)의 표면(Wa)에 공급하도록 구성되어 있다. 처리액(L2)은, 예를 들면, 린스액(세정액)이어도 된다. 온도 조정 가스(G1) 및 건조 가스(G2)는, 기체이면 특별히 한정되지 않는데, 불활성 가스(예를 들면 질소)여도 된다. 온도 조정 가스(G1) 및 건조 가스(G2)의 온도는 20℃ ~ 25℃ 정도여도 된다. 공급부(40)는 공급 기구(41A ~ 41C)와, 노즐 유닛(43)을 포함한다. 또한, 온도 조정 가스(G1)와 건조 가스(G2)는, 예를 들면, 동일한 공급원으로부터 공급되는 구성이어도 된다. 적어도, 노즐 유닛(43)보다 전단에 있어서, 공급 유로는 분리되고, 노즐 유닛(43) 내에서는 서로 상이한 유로를 거쳐 각 가스가 공급되는 구성으로 된다.The supply unit 40 is configured to supply the treatment liquid L2, the temperature control gas G1, and the dry gas G2 to the surface Wa of the workpiece W. The treatment liquid L2 may be, for example, a rinsing liquid (washing liquid). The temperature control gas G1 and the dry gas G2 are not particularly limited as long as they are gases, but may be inert gases (for example, nitrogen). The temperature of the temperature control gas (G1) and the dry gas (G2) may be about 20°C to 25°C. The supply unit 40 includes supply mechanisms 41A to 41C and a nozzle unit 43 . In addition, the structure supplied from the same supply source may be sufficient as temperature control gas G1 and dry gas G2, for example. At least at the front end of the nozzle unit 43, the supply flow passages are separated, and each gas is supplied via mutually different flow passages within the nozzle unit 43.

도 4에 나타나는 바와 같이, 공급 기구(41A)는, 제어 장치(100)로부터의 신호에 기초하여, 용기(도시하지 않음)에 저류되어 있는 온도 조정 가스(G1)를, 펌프 등의 송기 기구(도시하지 않음)에 의해 보내도록 구성되어 있다. 공급 기구(41B)는, 제어 장치(100)로부터의 신호에 기초하여, 용기(도시하지 않음)에 저류되어 있는 건조 가스(G2)를, 펌프 등의 송기 기구(도시하지 않음)에 의해 보내도록 구성되어 있다. 공급 기구(41C)는, 제어 장치(100)로부터의 신호에 기초하여, 용기(도시하지 않음)에 저류되어 있는 처리액(L2)을, 펌프 등의 송액 기구(도시하지 않음)에 의해 보내도록 구성되어 있다.As shown in FIG. 4 , the supply mechanism 41A supplies the temperature control gas G1 stored in a container (not shown) based on a signal from the control device 100 to an air supply mechanism such as a pump ( not shown). The supply mechanism 41B sends dry gas G2 stored in a container (not shown) by an air supply mechanism (not shown) such as a pump, based on a signal from the control device 100. Consists of. The supply mechanism 41C sends the processing liquid L2 stored in a container (not shown) by a liquid feeding mechanism (not shown) such as a pump, based on a signal from the control device 100. Consists of.

노즐 유닛(43)은, 공급 기구(41A ~ 41C)로부터 공급되는 온도 조정 가스(G1), 건조 가스(G2), 및 처리액(L2)을 각각, 워크(W)의 표면(Wa)에 토출하도록 구성되어 있다. 노즐 유닛(43)은, 도 5에 나타나는 바와 같이, 유지 암(44)과, 건조 가스 노즐(45)과, 온도 조정 가스 노즐(46)과, 처리액 노즐(47, 49)과, 유지 암(44)을 이동시킴으로써 이들 노즐을 이동시키는 구동부(50)를 포함한다. 이하, 노즐 유닛(43)의 각 부에 대하여 설명한다.The nozzle unit 43 discharges the temperature control gas G1, the drying gas G2, and the processing liquid L2 supplied from the supply mechanisms 41A to 41C to the surface Wa of the workpiece W, respectively. is configured to As shown in FIG. 5 , the nozzle unit 43 includes a holding arm 44, a drying gas nozzle 45, a temperature control gas nozzle 46, treatment liquid nozzles 47 and 49, and a holding arm. and a drive unit 50 that moves these nozzles by moving 44. Hereinafter, each part of the nozzle unit 43 is demonstrated.

(유지 암)(retention arm)

유지 암(44)은 건조 가스 노즐(45), 온도 조정 가스 노즐(46), 및 처리액 노즐(47, 49)을 유지하도록 구성되어 있다. 유지 암(44)은, 예를 들면, 수평(도시에서는 X축 방향)으로 연장되는 수평부(44a)와, 상하 방향으로 연장되는 연직부(44b)를 포함한다. 수평부(44a)의 일단부는, 기판 유지부(20)에 유지되어 있는 워크(W)와 겹치지 않는 위치에 있어서, 구동부(50)에 접속되어 있어도 된다. 수평부(44a)의 타단부에는, 연직부(44b)의 상단이 접속되어 있다. 연직부(44b)는, 수평부(44a)의 선단부로부터 하방(-Z 방향)의 워크(W)의 표면(Wa)을 향해 연장되어 있다. 연직부(44b)의 하단과 워크(W)의 표면(Wa)은, 상하 방향에 있어서 이간되어 있다. 유지 암(44)의 내부에는, 공급 기구(41A)로부터 공급되는 온도 조정 가스(G1)를 유통시키는 가스 유로(42a)가 마련되어 있어도 된다. 또한, 유지 암(44)의 내부에는, 공급 기구(41B)로부터 공급되는 건조 가스(G2)를 유통시키는 가스 유로(42b), 및 공급 기구(41C)로부터 공급되는 처리액(L2)을 유통시키는 처리액 유로(42c)가 마련되어 있어도 된다. 또한, 유지 암(44)의 내부에는, 공급 기구(41C)로부터 공급되는 처리액을 유통시키는 처리액 유로(42d)가 마련되어도 된다. 또한 도 5에서는, 유지 암(44) 내의 가스 유로(42a, 42b), 및 처리액 유로(42c, 42d)를 파선으로 나타내고 있지만, 각 유로의 유로 직경은, 유통되는 가스 또는 처리액의 종류 및 단위 시간당 유량 등에 따라 적절히 조정된다.The holding arm 44 is configured to hold the drying gas nozzle 45 , the temperature adjusting gas nozzle 46 , and the processing liquid nozzles 47 and 49 . The holding arm 44 includes, for example, a horizontal portion 44a extending horizontally (X-axis direction in the illustration) and a vertical portion 44b extending vertically. One end of the horizontal portion 44a may be connected to the drive unit 50 at a position that does not overlap with the workpiece W held by the substrate holding unit 20 . The upper end of the vertical part 44b is connected to the other end of the horizontal part 44a. The vertical portion 44b extends downward (-Z direction) toward the surface Wa of the workpiece W from the front end of the horizontal portion 44a. The lower end of the vertical portion 44b and the surface Wa of the workpiece W are spaced apart in the vertical direction. Inside the holding arm 44, there may be provided a gas flow path 42a through which the temperature control gas G1 supplied from the supply mechanism 41A is circulated. Further, inside the holding arm 44, there is a gas passage 42b through which the dry gas G2 supplied from the supply mechanism 41B flows, and a treatment liquid L2 supplied from the supply mechanism 41C through which it flows. A treatment liquid passage 42c may be provided. Further, inside the holding arm 44, a processing liquid flow passage 42d may be provided to circulate the processing liquid supplied from the supply mechanism 41C. In FIG. 5 , the gas passages 42a and 42b and the processing liquid passages 42c and 42d in the holding arm 44 are indicated by broken lines. It is appropriately adjusted according to the flow rate per unit time.

(건조 가스 노즐)(dry gas nozzle)

건조 가스 노즐(45)은, 워크(W)의 표면(Wa)을 향해 건조 가스(G2)를 토출하도록 구성되어 있다. 건조 가스 노즐(45)은, 표면(Wa)의 상방으로부터 표면(Wa)에 대하여 대략 수직인 방향으로 건조 가스(G2)를 토출해도 된다. Y축 방향 및 X축 방향의 각각에서 봤을 때, 건조 가스 노즐(45)로부터의 건조 가스(G2)의 토출 방향은, 표면(Wa)에 대하여 대략 수직이다.The dry gas nozzle 45 is configured to discharge the dry gas G2 toward the surface Wa of the workpiece W. The dry gas nozzle 45 may discharge the dry gas G2 from above the surface Wa in a direction substantially perpendicular to the surface Wa. When viewed from each of the Y-axis direction and the X-axis direction, the discharge direction of the dry gas G2 from the dry gas nozzle 45 is substantially perpendicular to the surface Wa.

도 5에 나타나는 예에서는, 건조 가스 노즐(45)은, 유지 암(44)의 연직부(44b)의 하단에 마련되어 있다. 건조 가스 노즐(45)에는, 연직 방향으로 연장되는 가스 유로(45a)(건조 가스 유로)가 마련된다. 가스 유로(45a)는, 유지 암(44)의 수평부(44a) 내를 지나고 또한 연직부(44b)의 하단으로 연장되는 가스 유로(42b)로부터 연속하고 있다. 건조 가스 노즐(45)은, 가스 유로(42b)를 거쳐 가스 유로(45a)에 공급되는 건조 가스(G2)를 표면(Wa)을 향해 토출하는 토출구(45b)(건조 가스 토출구)를 포함한다. 토출구(45b)는, 예를 들면, 건조 가스 노즐(45)의 하단면에 마련되어 있고, 그 하단면에 있어서 개구되어 있다. 토출구(45b)의 형상(윤곽)은, 건조 가스(G2)의 토출 방향(도시의 Z축 방향)에서 봤을 때 원형이어도 된다.In the example shown in FIG. 5 , the dry gas nozzle 45 is provided at the lower end of the vertical portion 44b of the holding arm 44 . The dry gas nozzle 45 is provided with a gas passage 45a (dry gas passage) extending in the vertical direction. The gas flow path 45a passes through the inside of the horizontal portion 44a of the holding arm 44 and continues from the gas flow path 42b extending to the lower end of the vertical portion 44b. The dry gas nozzle 45 includes a discharge port 45b (dry gas discharge port) for discharging the dry gas G2 supplied to the gas flow path 45a via the gas flow path 42b toward the surface Wa. The discharge port 45b is provided, for example, on the lower end face of the dry gas nozzle 45, and is open at the lower end face. The shape (contour) of the discharge port 45b may be circular as viewed in the discharge direction of the dry gas G2 (Z-axis direction in the illustration).

(온도 조정 가스 노즐)(temperature controlled gas nozzle)

온도 조정 가스 노즐(46)은, 워크(W)의 표면(Wa)을 향해 온도 조정 가스(G1)를 토출하도록 구성되어 있다. 온도 조정 가스 노즐(46)은, 표면(Wa)의 상방으로부터, 표면(Wa)에 대하여 방사 형상으로 온도 조정 가스(G1)를 토출한다. 예를 들면, 도 6에 나타나는 바와 같이, 온도 조정 가스 노즐(46)은, X축 방향에서 봤을 때, 표면(Wa)에 대하여 상이한 복수의 각도를 따라 온도 조정 가스(G1)를 토출한다. 온도 조정 가스 노즐(46)은, 방사 형상의 토출 범위에 있어서 균일하게 온도 조정 가스(G1)를 토출해도 된다. 한편, 온도 조정 가스 노즐(46)은, Y축 방향에서 봤을 때, 표면(Wa)에 대하여 경사진 일방향으로 온도 조정 가스(G1)를 토출해도 된다.The temperature control gas nozzle 46 is configured to discharge the temperature control gas G1 toward the surface Wa of the workpiece W. The temperature control gas nozzle 46 discharges the temperature control gas G1 radially with respect to the surface Wa from above the surface Wa. For example, as shown in FIG. 6 , the temperature adjusting gas nozzle 46 discharges the temperature adjusting gas G1 along a plurality of different angles with respect to the surface Wa when viewed from the X-axis direction. The temperature control gas nozzle 46 may discharge the temperature control gas G1 uniformly in a radial discharge range. On the other hand, the temperature control gas nozzle 46 may discharge the temperature control gas G1 in one direction inclined with respect to the surface Wa when viewed from the Y-axis direction.

도 5 및 도 6에 나타나는 예에서는, 온도 조정 가스 노즐(46)은, 유지 암(44)의 수평부(44a) 중, 연직부(44b) 근방의 하방에 있어서, 수평부(44a)의 하단에 대하여 고정되어 있다. 온도 조정 가스 노즐(46)은, 유지 암(44)에 대하여 착탈 가능해도 된다. 온도 조정 가스 노즐(46)이 착탈 가능한 경우, 노즐 유닛(43)의 용도 등에 따라 온도 조정 가스 노즐(46)을 착탈시키는 구성으로 해도 된다. 또한, 노즐 유닛(43)의 장착 등의 장면에 있어서도 온도 조정 가스 노즐(46)의 착탈을 이용할 수 있다.In the examples shown in FIGS. 5 and 6 , the temperature control gas nozzle 46 is below the horizontal portion 44a of the holding arm 44 near the vertical portion 44b, below the horizontal portion 44a. is fixed for The temperature control gas nozzle 46 may be detachable from the holding arm 44 . When the temperature control gas nozzle 46 is detachable, it is good also as a structure which makes the temperature control gas nozzle 46 attachable and detachable according to the use of the nozzle unit 43, etc. In addition, attachment and detachment of the temperature control gas nozzle 46 can be used also in scenes such as attachment of the nozzle unit 43 .

온도 조정 가스 노즐(46)에는, 공급 기구(41A)로부터 공급되는 온도 조정 가스(G1)를 유통시키는 가스 유로(42a)에 연속하는 가스 유로(51)(온도 조정 가스 유로)가 마련된다. 가스 유로(42a)는, 유지 암(44)의 수평부(44a)의 하단에 개구되어 있다. 가스 유로(51)는, 가스 유로(42a)의 하단의 개구에 연속하도록 형성된다. 또한, 온도 조정 가스 노즐(46)은, 가스 유로(51)를 흐르는 온도 조정 가스(G1)를 워크(W)의 표면(Wa)을 향해 토출하는 토출구(52)(온도 조정 가스 토출구)를 포함한다. 예를 들면, 온도 조정 가스 노즐(46)은, 가스 유로(51)를 내부에 형성하는 블록 형상의 본체부(53)를 가지고 있고, 토출구(52)가, 본체부(53)에 포함되는 적어도 하나의 면에 있어서 개구되어 있다.The temperature control gas nozzle 46 is provided with a gas flow path 51 (temperature control gas flow path) continuous with the gas flow path 42a through which the temperature control gas G1 supplied from the supply mechanism 41A is passed. The gas passage 42a is opened at the lower end of the horizontal portion 44a of the holding arm 44 . The gas passage 51 is formed so as to continue with the opening at the lower end of the gas passage 42a. In addition, the temperature control gas nozzle 46 includes a discharge port 52 (temperature control gas discharge port) for discharging the temperature control gas G1 flowing through the gas flow path 51 toward the surface Wa of the workpiece W. do. For example, the temperature control gas nozzle 46 has a block-shaped body portion 53 that forms a gas flow path 51 therein, and the discharge port 52 is included in the body portion 53 at least It is open on one side.

가스 유로(51)는, 상류측에 위치하는 공급 유로(55)와, 하류측에 위치하는 토출 유로(56)를 포함한다. 또한 본 개시에 있어서, '상류' 및 '하류'의 용어는, 가스 또는 액의 흐름을 기준으로 하여 사용된다. 공급 유로(55)의 상류측의 일단부는, 유지 암(44)의 수평부(44a)의 내부에 마련된 가스 유로(42a)에 접속되어 있고, 공급 유로(55)의 하류측의 타단부는, 토출 유로(56)의 상류측의 일단부에 접속되어 있다. 토출 유로(56)의 하류측의 타단부에 토출구(52)가 마련되어 있다.The gas passage 51 includes a supply passage 55 located on the upstream side and a discharge passage 56 located on the downstream side. Also, in the present disclosure, the terms 'upstream' and 'downstream' are used based on the flow of gas or liquid. One end on the upstream side of the supply flow path 55 is connected to a gas flow path 42a provided inside the horizontal portion 44a of the holding arm 44, and the other end on the downstream side of the supply flow path 55 is It is connected to one end of the upstream side of the discharge passage 56. A discharge port 52 is provided at the other end of the discharge passage 56 on the downstream side.

공급 유로(55)는, 예를 들면 연직 하향으로 온도 조정 가스(G1)를 유통시킨다. 일례로서, 공급 유로(55)는, 정해진 방향(상하 방향)으로 연장되고 또한 내경이 일정한 직선 형상의 유로가 될 수 있다. 또한, 토출 유로(56)는, 워크(W)의 표면(Wa)에 대하여 정해진 각도 경사진 경사면(D0)의 연장 방향을 따라 온도 조정 가스(G1)를 유통시켜, 토출구(52)에 도달시킨다. 토출 유로(56)는, 경사면(D0)을 따라 일방향으로 온도 조정 가스(G1)를 유통시킨 다음, 온도 조정 가스(G1)의 유통 방향을 방사 형상으로 확산한다. 이하, 토출 유로(56)에 있어서 방사 형상으로 확산되기 전에 온도 조정 가스(G1)가 유통하는 일방향을 '방향(D1)'이라 한다. 이 방향(D1)은, 경사면(D0)을 따라 연장된다. 방향(D1)은, 예를 들면, Y축 방향에서 봤을 때, 워크(W)의 표면(Wa)에 대하여 경사져 있다.The supply flow passage 55 distributes the temperature control gas G1 vertically downward, for example. As an example, the supply passage 55 may be a straight passage extending in a predetermined direction (vertical direction) and having a constant inner diameter. Further, the discharge passage 56 allows the temperature control gas G1 to flow along the extension direction of the inclined surface D0 inclined at a predetermined angle with respect to the surface Wa of the workpiece W, and reaches the discharge port 52. . The discharge flow path 56 distributes the temperature control gas G1 in one direction along the inclined surface D0 and then diffuses the flow direction of the temperature control gas G1 radially. Hereinafter, one direction in which the temperature control gas G1 flows before being radially diffused in the discharge passage 56 is referred to as "direction D1". This direction D1 extends along the inclined surface D0. The direction D1 is inclined with respect to the surface Wa of the work W when viewed from the Y-axis direction, for example.

온도 조정 가스 노즐(46)이 워크(W)의 표면(Wa)에 대하여 방사 형상으로 온도 조정 가스(G1)를 토출하기 위한 노즐의 형상(특히 가스 유로(51)의 형상)에 대하여, 도 7을 참조하여 설명한다. 도 7에서는, 온도 조정 가스 노즐(46)의 선단 부분(토출구(52)의 근방 부분)이 나타나 있다. 또한, 도 7의 (a)에서는, 방향(D1)을 지면의 상하 방향에 맞춘 상태에서의 선단 부분을 하면에서 본 도를 나타내고 있다. 또한, 도 7의 (b)에서는, 토출구(52)에 대향하는 면을 나타내고, 도 7의 (c)에서는, 선단 부분의 측면도를 나타내고 있다. 또한, Y축 방향 및 방향(D1)에 직교하는 방향을 방향(D2)(도 7의 (b) 및 도 7의 (c) 참조)으로 한다.Regarding the shape of the temperature control gas nozzle 46 for discharging the temperature control gas G1 radially with respect to the surface Wa of the workpiece W (especially the shape of the gas flow path 51), Fig. 7 Explain with reference to. In FIG. 7, the tip part of the temperature control gas nozzle 46 (the part in the vicinity of the discharge port 52) is shown. 7(a) shows a view of the front end portion viewed from the lower surface in a state in which the direction D1 is aligned with the vertical direction of the paper. In Fig. 7(b), a surface facing the discharge port 52 is shown, and in Fig. 7(c), a side view of the tip portion is shown. Further, a direction orthogonal to the Y-axis direction and the direction D1 is referred to as the direction D2 (see Fig. 7(b) and Fig. 7(c)).

토출 유로(56)는, 공급 유로(55)로부터 흐르는 온도 조정 가스(G1)를 방향(D1)을 따라 유통시켜, 토출구(52)로 유도한다. 토출 유로(56)는, 한 쌍의 경사면(56a, 56b)과, 대향 배치된 한 쌍의 벽면(56c, 56d)에 의해 구성된다. 벽면(56c, 56d)은, 평판 형상의 면재에 의해 구성되어 있어도 되고, 각각 Y축 방향 및 방향(D1)을 따라 연장되어 있고, 서로 평행이다. 토출 유로(56)의 방향(D2)을 따른 폭은 일정하다. 또한, 그 방향(D2)을 따른 폭의 크기는, 공급 유로(55)의 내경보다 작다. 일례로서, 토출 유로(56)의 방향(D2)을 따른 폭(벽면(56c, 56d) 간의 거리)은, 공급 유로(55)의 내경에 대하여 70% 이하여도 되고, 50% 이하여도 된다.The discharge passage 56 causes the temperature control gas G1 flowing from the supply passage 55 to flow along the direction D1 and guides it to the discharge port 52 . The discharge passage 56 is constituted by a pair of inclined surfaces 56a and 56b and a pair of opposing wall surfaces 56c and 56d. The wall surfaces 56c and 56d may be formed of a plate-like face material, extend along the Y-axis direction and direction D1, respectively, and are parallel to each other. The width of the discharge passage 56 along the direction D2 is constant. Further, the size of the width along the direction D2 is smaller than the inner diameter of the supply passage 55 . As an example, the width of the discharge passage 56 along the direction D2 (the distance between the wall surfaces 56c and 56d) may be 70% or less of the inner diameter of the supply passage 55 or 50% or less.

경사면(56a, 56b)은, 토출 유로(56)에 있어서의 Y축 방향의 양 단에 마련된다. 경사면(56a, 56b)의 상류측의 일단은, 공급 유로(55)의 하단에 접속되어 있어도 된다. 또한, 경사면(56a, 56b)의 각각의 하류측의 일단은, 토출구(52)(토출구(52)의 Y축 방향에 있어서의 양 단부)에 접속되어 있다.The inclined surfaces 56a and 56b are provided at both ends of the discharge passage 56 in the Y-axis direction. Upstream ends of the inclined surfaces 56a and 56b may be connected to the lower end of the supply flow path 55 . Further, downstream ends of each of the inclined surfaces 56a and 56b are connected to the discharge port 52 (both ends of the discharge port 52 in the Y-axis direction).

경사면(56a, 56b)의 각각은, 방향(D1)에 대하여 경사져 있다. 구체적으로, 경사면(56a)은, 방향(D1)에 대하여, 토출구(52)에 가까워짐에 따라 경사면(56b)과의 거리가 넓어지도록 외측을 향해 경사져 있다. 경사면(56b)은, 방향(D1)에 대하여, 토출구(52)에 가까워짐에 따라 경사면(56a)과의 거리가 넓어지도록 외측을 향해 경사져 있다. 경사면(56a, 56b)의 각각은, 공급 유로(55)와의 접속 부분으로부터 토출구(52)를 향함에 따라, 온도 조정 가스 노즐(46)의 축(Ax)으로부터 이간하는 방향(외측)을 향해 경사져 있다. 온도 조정 가스 노즐(46)의 축(Ax)은, 방향(D1)을 따르고, 또한 방향(D1)에서 본 경우의 토출구(52)의 중심을 지나는 가상적인 축이다. 이상과 같이, 토출 유로(56)의 적어도 경사면(56a, 56b)은, 토출구(52)를 향함에 따라 양자의 간격이 넓어지는 역테이퍼 형상으로 형성되어 있다. 그 결과, 토출 유로(56)의 Y축 방향에 있어서의 폭은, Y축 방향에 있어서 토출구(52)로부터의 온도 조정 가스(G1)가 방사 형상으로 토출되도록, 토출구(52)에 가까워짐에 따라 커진다. 또한 경사면(56a, 56b)의 경사 각도(방향(D1)에 대한 경사 각도)는, 대략 동일하게 해도 된다.Each of the inclined surfaces 56a and 56b is inclined with respect to the direction D1. Specifically, in the direction D1, the inclined surface 56a is inclined outward so that the distance from the inclined surface 56b increases as it approaches the discharge port 52 . The inclined surface 56b inclines outward in the direction D1 so that the distance from the inclined surface 56a increases as it approaches the discharge port 52 . Each of the inclined surfaces 56a and 56b inclines toward the direction (outward) away from the axis Ax of the temperature control gas nozzle 46 from the connection portion with the supply passage 55 toward the discharge port 52. there is. The axis Ax of the temperature control gas nozzle 46 is a virtual axis along the direction D1 and passing through the center of the discharge port 52 when viewed from the direction D1. As described above, at least the inclined surfaces 56a and 56b of the discharge passage 56 are formed in an inverse tapered shape in which the distance between them widens toward the discharge port 52 . As a result, the width of the discharge passage 56 in the Y-axis direction increases as it approaches the discharge port 52 so that the temperature control gas G1 from the discharge port 52 is radially discharged in the Y-axis direction. It grows. Incidentally, the angle of inclination (angle of inclination with respect to the direction D1) of the inclined surfaces 56a and 56b may be substantially the same.

온도 조정 가스 노즐(46)의 토출구(52)는, 표면(Wa)을 따른 일방향을 따라 연장되도록 형성되어 있다. 본 개시에 있어서, 일방향을 따라 연장되는 형상이란, 일방향에 있어서의 폭이 당해 일방향에 대하여 직교하는 방향에 있어서의 폭에 비해 큰 형상을 의미한다. 일례에서는, 토출구(52)는, 일방향이 긴 방향(장축)이 되고, 당해 일방향에 대하여 직교하는 방향이 짧은 방향(단축)이 되는 형상으로 되어 있다. 구체적으로, 토출구(52)는, 장방형(長方形) 형상, 긴 방향의 단부가 둥근형인 각이 둥근 장방형, 타원형, 또는 이들에 유사한 형상이 된다. 예를 들면, 도 7의 (a) ~ 도 7의 (c)에 나타나는 바와 같이, 토출구(52)는, Y축 방향(제 1 방향)을 따라 연장되는 형상을 가진다. 도 7의 (a) ~ 도 7의 (c)에 나타나는 예에서는, 토출구(52)는, 적어도 Y축 방향을 따라 연장되는 장방형의 슬릿이다. 일례로서, 토출구(52)의 일방향(Y축 방향)의 길이와, 일방향에 대하여 직교하는 방향(도 7의 (b)에 있어서 Y축 방향에 대하여 직교하는 방향(D2))의 길이의 비는, 100 : 1 ~ 10 : 1이 된다. 이 토출구(52)에는, 상술한 바와 같이 토출 유로(56)로부터 온도 조정 가스(G1)가 보내진다.The discharge port 52 of the temperature control gas nozzle 46 is formed so as to extend along one direction along the surface Wa. In the present disclosure, a shape extending along one direction means a shape in which the width in one direction is larger than the width in a direction orthogonal to the one direction. In one example, the discharge port 52 has a shape in which one direction is a long direction (long axis) and a direction orthogonal to the one direction is a short direction (short axis). Specifically, the discharge port 52 is a rectangular shape, a rectangle with rounded corners having rounded ends in the longitudinal direction, an elliptical shape, or a shape similar thereto. For example, as shown in FIGS. 7(a) to 7(c) , the discharge port 52 has a shape extending along the Y-axis direction (first direction). In the examples shown in FIGS. 7(a) to 7(c) , the discharge port 52 is a rectangular slit extending at least along the Y-axis direction. As an example, the ratio of the length of the discharge port 52 in one direction (Y-axis direction) to the length in a direction orthogonal to one direction (direction D2 orthogonal to the Y-axis direction in FIG. 7(b)) is , 100: 1 to 10: 1. As described above, the temperature control gas G1 is sent to the discharge port 52 from the discharge flow path 56 .

도 7의 (a) ~ 도 7의 (c)에 예시되는 온도 조정 가스 노즐(46)에서는, 토출구(52)는, 방향(D1)에서 봤을 때(방향(D1)을 따라 흐르는 가스의 하류에서 상류를 봤을 때) 시인 가능하게 되도록 형성되어 있다. 예를 들면, 도 7의 (b) 및 도 7의 (c)에 나타나는 바와 같이, 온도 조정 가스 노즐(46)의 본체부(53)에는, 워크(W)의 표면(Wa)과 대향하는 저면(61)이 마련될 수 있다. 저면은 곡면이어도 되고, 예를 들면, 도 7의 (a)에 나타내는 바와 같이, 온도 조정 가스 노즐(46)의 축(Ax)에 대응하는 위치가 가장 하방으로 돌출된 원호 형상이어도 된다. 이 때, 토출구(52)는 저면(61)에 마련되어도 된다. 또한, 토출구(52)는, 방향(D1)에서 봤을 때, 저면(61)의 Y축 방향에 있어서의 일단으로부터 타단까지 연장되도록 형성되어 있다.In the temperature control gas nozzle 46 illustrated in FIGS. 7(a) to 7(c) , the discharge port 52 is viewed from the direction D1 (downstream of the gas flowing along the direction D1). When looking upstream), it is formed so as to be visible. For example, as shown in FIG. 7(b) and FIG. 7(c) , the body part 53 of the temperature control gas nozzle 46 has a bottom surface facing the surface Wa of the workpiece W. (61) can be provided. The bottom surface may be a curved surface, and, for example, as shown in Fig. 7(a), the position corresponding to the axis Ax of the temperature control gas nozzle 46 may be an arc shape protruding most downward. At this time, the discharge port 52 may be provided on the bottom face 61 . Further, the discharge port 52 is formed so as to extend from one end to the other end of the bottom face 61 in the Y-axis direction when viewed in the direction D1.

토출구(52)는, 당해 토출구(52)의 Y축 방향에 있어서의 양 단부의 각각이 Y축 방향에서 봤을 때 시인 가능하게 되도록 형성되어 있어도 된다. 보다 상세하게 설명하면, 토출구(52) 중 토출 유로(56)의 경사면(56a, 56b)에 각각 접속되는 단부(52a, 52b)가 Y축 방향에서 봤을 때 시인 가능하게 되도록 토출구(52)가 형성되어 있다. 또한, 부분(52a, 52b)이 Y축 방향에서 봤을 때 시인 가능하다는 것은, Y축 방향의 일방의 방향으로부터 부분(52a)이 시인 가능하며, Y축 방향의 타방의 방향으로부터 부분(52b)이 시인 가능한 것이다.The discharge port 52 may be formed such that each of both ends of the discharge port 52 in the Y-axis direction becomes visually visible when viewed from the Y-axis direction. More specifically, the discharge port 52 is formed so that the ends 52a and 52b connected to the inclined surfaces 56a and 56b of the discharge passage 56, respectively, of the discharge port 52 are visible when viewed from the Y-axis direction. has been In addition, the fact that the portions 52a and 52b are visible when viewed from the Y-axis direction means that the portion 52a can be visually recognized from one direction in the Y-axis direction, and the portion 52b is visible from the other direction in the Y-axis direction. it is possible to admit

상기의 구성을 가짐으로써, 온도 조정 가스 노즐(46)의 가스 유로(51)로 흐른 온도 조정 가스(G1)는, 토출 유로(56)를 거쳐, 토출구(52)로부터 방사 형상으로 토출된다. 그 결과, 표면(Wa)의 상방으로부터 표면(Wa)에 대하여 온도 조정 가스(G1)가 토출된다. 일례로서, 도 6에 나타나는 바와 같이, 온도 조정 가스 노즐(46)은, 축(Ax)에 대하여, 정해진 각도(예를 들면 -45° ~ ＋45°)의 범위 내의 복수의 각도로 특정되는 방향으로, 온도 조정 가스(G1)를 토출한다.By having the above structure, the temperature control gas G1 flowing into the gas passage 51 of the temperature control gas nozzle 46 is radially discharged from the discharge port 52 via the discharge passage 56. As a result, the temperature control gas G1 is discharged from above the surface Wa to the surface Wa. As an example, as shown in FIG. 6 , the temperature control gas nozzle 46 is directed in a direction specified by a plurality of angles within a range of a predetermined angle (for example, -45° to +45°) with respect to the axis Ax. , the temperature control gas (G1) is discharged.

상하 방향으로 연장되는 공급 유로(55)를 흐르는 온도 조정 가스(G1)는, 토출 유로(56)로 이동할 시에, 경사면(벽면(56d))에 부딪혀 이동 방향이 변경되어, 토출구(52)로 향한다. 토출 유로(56)의 방향(D2)을 따른 폭이, 공급 유로(55)의 내경에 대하여 작게 되어 있음으로써, 온도 조정 가스(G1)가 방사 형상으로 확산될 시에 보다 온도 조정 가스(G1)의 진로 방향에 관계없이 보다 균일한 속도로 토출구(52)를 향해 유도할 수 있다. 또한, 토출 유로(56)의 방향(D2)을 따른 폭은, 토출 유로(56) 내에서는 상류측(공급 유로(55)와의 접속측)으로부터 토출구(52)로 향하는 동안, 대략 일정하게 되어 있다. 즉, 온도 조정 가스(G1)는, 회전하는 워크(W)에 공급되는데, 토출 유로(56)의 방향(D2)을 따른 폭이 일정하지 않은 경우, 의도하지 않는 방향으로 온도 조정 가스(G1)가 토출되는 것에 따른 온도의 편향이 염려된다. 이 때문에, 토출 유로(56)의 방향(D2)을 따른 폭을 균일하게 함으로써, 온도 조정 가스(G1)의 확산을 Y축 방향으로 규제하고, 특히 Y축 방향에 직교하는 X축 방향으로의 온도 조정 가스(G1)의 확산을 억제하고 있다.When moving to the discharge passage 56, the temperature control gas G1 flowing through the supply passage 55 extending in the vertical direction collides with an inclined surface (wall surface 56d) to change the direction of movement and to the discharge port 52. Headed. Since the width of the discharge passage 56 along the direction D2 is smaller than the inner diameter of the supply passage 55, the temperature control gas G1 is more effective when the temperature control gas G1 diffuses radially. Regardless of the direction of travel, it can be guided towards the discharge port 52 at a more uniform speed. Further, the width of the discharge passage 56 along the direction D2 is substantially constant within the discharge passage 56 while moving from the upstream side (the side connected to the supply passage 55) to the discharge port 52. . That is, the temperature control gas G1 is supplied to the rotating workpiece W, but when the width of the discharge passage 56 along the direction D2 is not constant, the temperature control gas G1 is directed in an unintended direction. There is a concern about the temperature deflection due to the discharge. For this reason, by making the width|variety along the direction D2 of the discharge flow path 56 uniform, the diffusion of the temperature control gas G1 is regulated in the Y-axis direction, especially the temperature in the X-axis direction orthogonal to the Y-axis direction. Diffusion of the adjusting gas G1 is suppressed.

또한, 온도 조정 가스 노즐(46)의 토출구(52)의 형상은 이상의 예에 한정되지 않는다. 토출구(52)의 개구 가장자리를 포함하는 개구면이, 당해 개구면의 Y축 방향에 있어서의 중앙 부분이 표면(Wa)을 향해 돌출되도록 형성되어 있어도 된다. 보다 상세하게는, 개구면의 Y축 방향에 있어서의 양 단부에 비해, 개구면의 Y축 방향의 상기 중앙 부분이 표면(Wa)을 향해 돌출되어 있어도 된다. 이 경우도, 토출구(52)의 Y축 방향에 있어서의 양 단부의 각각이 Y축 방향에서 봤을 때 시인 가능하다.In addition, the shape of the discharge port 52 of the temperature control gas nozzle 46 is not limited to the above example. The opening surface including the opening edge of the discharge port 52 may be formed such that a central portion of the opening surface in the Y-axis direction protrudes toward the surface Wa. More specifically, the central portion of the Y-axis direction of the opening surface may protrude toward the surface Wa compared to both ends of the opening surface in the Y-axis direction. Also in this case, each of the both ends of the discharge port 52 in the Y-axis direction can be visually recognized when viewed from the Y-axis direction.

본체부(53)의 저면(61)은, Y축 방향에 있어서의 중앙 부분이, 토출 유로(56)의 경사면(56a, 56b)의 단부로부터 표면(Wa)을 향해 돌출되도록 만곡하고 있다. 이 예에서는, 토출구(52)의 개구 가장자리를 포함하는 개구면이, 당해 개구면의 Y축 방향에 있어서의 중앙 부분이 표면(Wa)을 향해 돌출되도록 만곡하고 있다. 일례로서, 저면(61)은, X축 방향(Y축 방향에 대하여 직교하는 방향)에서 봤을 때에, 도 7의 (a)에 나타내는 바와 같이, 원호 형상으로 되어 있다. 그 결과, 벽면(56c, 56d)은, 개략 부채꼴 형상이 된다. 즉, 토출 유로(56)에 공급된 온도 조정 가스(G1)는, 부채꼴 형상의 벽면(56c, 56d)을 따라 Y축 방향을 따라 확산되면서 토출구(52)로 향하게 된다.The bottom surface 61 of the body portion 53 is curved so that a central portion in the Y-axis direction protrudes from the ends of the inclined surfaces 56a and 56b of the discharge passage 56 toward the surface Wa. In this example, the opening surface including the edge of the opening of the discharge port 52 is curved so that the central portion of the opening surface in the Y-axis direction protrudes toward the surface Wa. As an example, the bottom face 61 has an arc shape as shown in Fig. 7(a) when viewed from the X-axis direction (direction orthogonal to the Y-axis direction). As a result, the wall surfaces 56c and 56d become substantially fan-shaped. That is, the temperature adjusting gas G1 supplied to the discharge passage 56 is directed to the discharge port 52 while being diffused along the Y-axis direction along the fan-shaped wall surfaces 56c and 56d.

또한, 저면(61)은 만곡 형상인 것 대신에, X축 방향에서 봤을 때, 토출구(52)가 마련되는 개구면(본체부(53)의 저면(61))이 평탄면을 조합하여 형성되어 있어도 된다. 이러한 경우에도, 개구면의 Y축 방향에 있어서의 양 단부에 비해, 개구면의 Y축 방향의 중앙 부분(상저(上底)에 대응하는 부분)이 표면(Wa)을 향해 돌출된 형상으로 할 수 있다.In addition, the bottom surface 61 is formed by combining a flat surface with an opening surface (bottom surface 61 of the body portion 53) provided with the discharge port 52 when viewed from the X-axis direction instead of being curved. There may be. Even in this case, the central portion of the opening surface in the Y-axis direction (the portion corresponding to the upper bottom) should be shaped to protrude toward the surface Wa compared to both ends of the opening surface in the Y-axis direction. can

또한, 토출구(52)의 형상은, 도 7 등에 나타내는 형상과는 상이해도 된다. 예를 들면, 토출구(52)의 Y축 방향에 있어서의 양 단부가 Y축 방향에서 봤을 때에 시인할 수 없도록, 토출구(52)가 형성되어 있어도 된다.In addition, the shape of the discharge port 52 may be different from the shape shown in FIG. 7 and the like. For example, the discharge port 52 may be formed such that both ends of the discharge port 52 in the Y-axis direction cannot be visually recognized when viewed from the Y-axis direction.

또한, 토출구(52)의 워크(W)의 표면(Wa)으로부터의 거리(높이)는, 후술하는 처리액 노즐(47)의 토출구(47b)의 워크(W)의 표면(Wa)으로부터의 거리보다 크게 된다. 즉, 처리액 노즐(47)의 토출구(47b)보다, 온도 조정 가스(G1)의 토출구(52)쪽이 높은 위치에 마련된다. 또한, 토출구(52)의 워크(W)의 표면(Wa)으로부터의 거리란, 토출구(52) 중 가장 워크(W)에 가까운 부분과 표면(Wa)과의 거리이다. 또한, 토출구(52)와 토출구(47b)와의 높이 위치의 비교의 기준도 토출구(52) 중 가장 워크(W)에 가까운 부분이 된다. 상기와 같이 토출구(52)를 어느 정도 높은 위치로 유지함으로써, 토출구(52)로부터 토출되는 온도 조정 가스(G1)를 보다 확산시킬 수 있고, 또한 워크(W)의 표면(Wa)에 공급된 액체가 온도 조정 가스(G1)의 영향에 의해 변형하는 것 등을 방지할 수 있다.In addition, the distance (height) of the discharge port 52 from the surface Wa of the workpiece W is the distance from the surface Wa of the workpiece W of the discharge port 47b of the treatment liquid nozzle 47 described later. become bigger That is, the discharge port 52 of the temperature control gas G1 is provided at a higher position than the discharge port 47b of the processing liquid nozzle 47 . In addition, the distance of the discharge port 52 from the surface Wa of the workpiece W is the distance between the part closest to the workpiece W among the discharge ports 52 and the surface Wa. Also, the standard for comparison of the height positions of the discharge port 52 and the discharge port 47b is the portion of the discharge port 52 closest to the workpiece W. As described above, by maintaining the discharge port 52 at a certain high position, the temperature control gas G1 discharged from the discharge port 52 can be further diffused, and the liquid supplied to the surface Wa of the workpiece W can be prevented from being deformed under the influence of the temperature control gas G1.

또한, 도 7 등에 나타내는 구성에서는, 토출구(52) 및 토출 유로(56)(이들의 3차원 형상)는, 축(Ax)을 지나고 또한 토출구(52)가 연장되는 방향에 수직인 면(X-Z 평면)에 관하여 면대칭이 되어 있다. 토출구(52) 및 토출 유로(56)를 가지는 온도 조정 가스 노즐(46)로부터 토출되는 온도 조정 가스(G1)는, 축(Ax)으로부터 Y축 방향의 양측 각각을 향해 확산되도록 토출된다. 이에 의해, 온도 조정 가스 노즐(46)(토출구(52))로부터의 온도 조정 가스(G1)가 방사 형상으로 토출되고, 워크(W)의 표면(Wa)에 있어서, Y축 방향으로 연장되는 영역에 온도 조정 가스(G1)가 도달한다.In the configuration shown in FIG. 7 and the like, the discharge port 52 and the discharge passage 56 (three-dimensional shapes thereof) pass through the axis Ax and are perpendicular to the direction in which the discharge port 52 extends (X-Z plane). ) is plane symmetric with respect to The temperature control gas G1 discharged from the temperature control gas nozzle 46 having the discharge port 52 and the discharge passage 56 is discharged so as to spread from the axis Ax toward each of both sides in the Y-axis direction. Thereby, the temperature control gas G1 from the temperature control gas nozzle 46 (discharge port 52) is radially discharged, and the region extending in the Y-axis direction on the surface Wa of the workpiece W. The temperature control gas G1 arrives at .

온도 조정 가스(G1)가 방사 형상으로 토출됨으로써, 도 6에 나타나는 바와 같이, 표면(Wa)에 있어서 온도 조정 가스(G1)가 도달하는 영역(이하, '도달 영역(AR)'이라 함)의 Y축 방향의 폭은, 토출구(52)의 Y축 방향에 있어서의 폭보다 커진다. Y축 방향에 있어서, 도달 영역(AR)의 일단과 축(Ax)과의 거리는, 토출구(52)의 일단과 축(Ax)과의 거리보다 크고, 도달 영역(AR)의 타단과 축(Ax)과의 거리는, 토출구(52)의 타단과 축(Ax)과의 거리보다 크다. 도달 영역(AR)의 Y축 방향에 있어서의 폭은, 경사면(58a)을 따라 연장되는 가상선(ILa)이 표면(Wa)과 교차하는 점과, 경사면(58b)을 따라 연장되는 가상선(ILb)이 표면(Wa)의 교차하는 점과의 사이의 거리에 대략 일치한다. 도달 영역(AR)의 Y축 방향에 있어서의 폭은, 원형의 워크(W)의 반경보다 작아도 된다. 일례에서는, 도달 영역(AR)의 상기 폭은, 워크(W)의 반경의 0.4 배 ~ 0.8 배여도 되고, 0.5 배 ~ 0.7 배여도 되고, 0.55 배 ~ 0.65 배여도 된다.By discharging the temperature control gas G1 in a radial shape, as shown in FIG. 6 , the area where the temperature control gas G1 reaches on the surface Wa (hereinafter, referred to as “reach area AR”) The width in the Y-axis direction is larger than the width of the discharge port 52 in the Y-axis direction. In the Y-axis direction, the distance between one end of the reach area AR and the axis Ax is greater than the distance between one end of the discharge port 52 and the axis Ax, and the other end of the reach area AR and the axis Ax. ) is greater than the distance between the other end of the discharge port 52 and the axis Ax. The width of the reach area AR in the Y-axis direction is the point at which the virtual line ILa extending along the inclined surface 58a intersects the surface Wa, and the virtual line extending along the inclined surface 58b ( ILb) approximately coincides with the distance between the intersecting points of the surfaces Wa. The width of the reach area AR in the Y-axis direction may be smaller than the radius of the circular workpiece W. In one example, the width of the reach area AR may be 0.4 to 0.8 times, 0.5 to 0.7 times, or 0.55 to 0.65 times the radius of the workpiece W.

도 5로 돌아와, 건조 가스 노즐(45)과 온도 조정 가스 노즐(46)은, 유지 암(44)을 개재하여 서로 접속되어 있으므로, 유지 암(44)이 이동하면, 건조 가스 노즐(45)과 온도 조정 가스 노즐(46)이 모두 이동한다. 도 5에 나타나는 바와 같이, X축 방향(제 2 방향)에 있어서 건조 가스 노즐(45)과 온도 조정 가스 노즐(46)은, 서로 상이한 위치에 배치되어 있다. Y축 방향에서 봤을 때, 건조 가스 노즐(45)로부터의 건조 가스(G2)의 워크(W)의 표면(Wa)에 있어서의 도달 위치와, 온도 조정 가스 노즐(46)로부터의 온도 조정 가스(G1)의 표면(Wa)에 있어서의 도달 위치(도달 영역(AR))와의 사이의 X축 방향에 있어서의 거리가, 건조 가스 노즐(45)의 토출구(45b)와 온도 조정 가스 노즐(46)의 토출구(52)와의 사이의 X축 방향에 있어서의 거리보다 작아지도록, 건조 가스 노즐(45) 및 온도 조정 가스 노즐(46)이 구성되어 있다.Returning to FIG. 5 , since the dry gas nozzle 45 and the temperature regulating gas nozzle 46 are connected to each other via the holding arm 44, when the holding arm 44 moves, the dry gas nozzle 45 and All of the temperature control gas nozzles 46 are moved. As shown in Fig. 5, the drying gas nozzle 45 and the temperature control gas nozzle 46 are disposed at different positions in the X-axis direction (second direction). As seen in the Y-axis direction, the arrival position of the dry gas G2 from the dry gas nozzle 45 on the surface Wa of the workpiece W and the temperature control gas from the temperature control gas nozzle 46 ( The distance in the X-axis direction between the reach position (reach area AR) on the surface Wa of G1) is the discharge port 45b of the dry gas nozzle 45 and the temperature control gas nozzle 46 The drying gas nozzle 45 and the temperature regulating gas nozzle 46 are configured so as to be smaller than the distance between them and the discharge port 52 in the X-axis direction.

일례에서는, Y축 방향에서 봤을 때, 온도 조정 가스 노즐(46)로부터의 온도 조정 가스(G1)의 토출 방향으로 연장되는 가상선(IL1)과, 건조 가스 노즐(45)로부터의 건조 가스(G2)의 토출 방향으로 연장되는 가상선(IL2)이, 표면(Wa)의 근방(예를 들면, 표면(Wa))에 있어서 교차한다. 이에 의해, 노즐 유닛(43)이 정위치에 위치하는 경우에 건조 가스 노즐(45)과 온도 조정 가스 노즐(46)로부터 각각 건조 가스(G2) 및 온도 조정 가스(G1)가 토출된다고 하면, Y축 방향에서 봤을 때, 건조 가스(G2)의 표면(Wa)의 도달 영역(도달 위치)과, 온도 조정 가스 노즐(46)로부터의 온도 조정 가스(G1)의 표면(Wa)의 도달 영역(AR)이 서로 겹친다.In one example, when viewed in the Y-axis direction, a virtual line IL1 extending in the discharge direction of the temperature control gas G1 from the temperature control gas nozzle 46 and the dry gas G2 from the dry gas nozzle 45 ), the virtual line IL2 extending in the discharge direction intersects in the vicinity of the surface Wa (for example, the surface Wa). As a result, when the nozzle unit 43 is located in the correct position, if the dry gas G2 and the temperature control gas G1 are discharged from the dry gas nozzle 45 and the temperature control gas nozzle 46, respectively, Y As seen in the axial direction, the reach area (reach position) of the surface Wa of the dry gas G2 and the reach area AR of the surface Wa of the temperature control gas G1 from the temperature control gas nozzle 46 ) overlap each other.

도 6에 나타나는 바와 같이, X축 방향에서 봤을 때, 건조 가스 노즐(45)은, 온도 조정 가스 노즐(46)과 겹치도록 배치된다. 도 6에 나타내는 예에서는, 건조 가스 노즐(45)의 Y축 방향에 있어서의 위치는, 온도 조정 가스 노즐(46)에 있어서의 Y축 방향의 중앙(축(Ax))과는 일치하지 않는(겹치지 않는) 위치로 되어 있다. 이 경우, X축 방향에서 봤을 때, 건조 가스 노즐(45)로부터의 건조 가스(G2)의 표면(Wa)의 도달 영역(도달 위치)은, 온도 조정 가스 노즐(46)로부터의 온도 조정 가스(G1)의 표면(Wa)의 도달 영역(AR)의 중앙의 위치와는 상이한 위치가 된다. 단, 건조 가스 노즐(45)의 Y축 방향에 있어서의 위치는, 온도 조정 가스 노즐(46)에 있어서의 Y축 방향의 중앙(축(Ax))과 일치하는 배치로 해도 된다.As shown in FIG. 6 , when viewed from the X-axis direction, the drying gas nozzle 45 is disposed so as to overlap the temperature adjusting gas nozzle 46 . In the example shown in FIG. 6 , the position of the dry gas nozzle 45 in the Y-axis direction does not coincide with the center (axis Ax) of the temperature control gas nozzle 46 in the Y-axis direction ( non-overlapping) position. In this case, when viewed in the X-axis direction, the reach area (reach position) of the surface Wa of the dry gas G2 from the dry gas nozzle 45 is the temperature control gas from the temperature control gas nozzle 46 ( It becomes a position different from the position of the center of the reach area AR of the surface Wa of G1). However, the position of the dry gas nozzle 45 in the Y-axis direction may be aligned with the center (axis Ax) of the temperature control gas nozzle 46 in the Y-axis direction.

온도 조정 가스 노즐(46)의 토출구(52)로부터 토출되는 온도 조정 가스(G1)의 유속이, 건조 가스 노즐(45)의 토출구(45b)로부터 토출되는 건조 가스(G2)의 유속보다 작아지도록, 온도 조정 가스 노즐(46) 및 건조 가스 노즐(45)이 구성되어 있어도 된다. 예를 들면, 온도 조정 가스 노즐(46)과 건조 가스 노즐(45)에는 대략 동일한 유량(단위 시간당 유량)의 가스가 각각 공급되고, 토출구(52)의 개구 면적이 토출구(45b)의 개구 면적보다 커지도록, 온도 조정 가스 노즐(46)과 건조 가스 노즐(45)이 각각 구성되어 있다. 혹은, 공급 기구(41A)로부터 온도 조정 가스 노즐(46)로 공급되는 온도 조정 가스(G1)의 유량이, 공급 기구(41B)로부터 건조 가스 노즐(45)로 공급되는 건조 가스(G2)의 유량보다 작아지도록, 공급 기구(41A, 41B)가 제어 장치(100)에 의해 제어되어도 된다.The flow rate of the temperature control gas G1 discharged from the outlet 52 of the temperature control gas nozzle 46 is smaller than the flow rate of the dry gas G2 discharged from the outlet 45b of the dry gas nozzle 45, The temperature control gas nozzle 46 and the dry gas nozzle 45 may be comprised. For example, gas having substantially the same flow rate (flow rate per unit time) is supplied to the temperature control gas nozzle 46 and the dry gas nozzle 45, respectively, and the opening area of the discharge port 52 is smaller than the opening area of the discharge port 45b. The temperature regulating gas nozzle 46 and the drying gas nozzle 45 are respectively configured so as to be large. Alternatively, the flow rate of the temperature control gas G1 supplied from the supply mechanism 41A to the temperature control gas nozzle 46 is the flow rate of the dry gas G2 supplied to the dry gas nozzle 45 from the supply mechanism 41B. Supply mechanism 41A, 41B may be controlled by control apparatus 100 so that it may become smaller.

온도 조정 가스(G1)가 토출 후에 확산되기 쉽도록, 온도 조정 가스 노즐(46)과 건조 가스 노즐(45)이 배치되어 있어도 된다. 예를 들면, 토출구(52)가 연장되는 방향에서 봤을 때, 온도 조정 가스(G1)의 토출 방향을 따른(도 5의 가상선(IL1)을 따른) 토출구(52)와 표면(Wa)과의 거리가, 건조 가스(G2)의 토출 방향을 따른(도 5의 가상선(IL2)을 따른) 토출구(45b)와 표면(Wa)과의 거리보다 길어지도록, 온도 조정 가스 노즐(46)과 건조 가스 노즐(45)이 배치되어 있어도 된다. 목적이 상이한 2 종류의 가스 노즐로부터 대략 동일한 유량(단위 시간당 유량)으로 가스가 공급되는 경우에도, 당해 2 개의 가스 노즐의 구성(배치)에 의해, 표면(Wa)(보다 상세하게는, 표면(Wa) 상의 처리액의 액면)에 부여하는 가스에 의한 압력이, 처리 목적에 따른 정도로 조절되어도 된다. 구체적으로, 온도 조정 가스(G1)의 공급 시에는, 노즐과 표면과의 거리를 크게 함으로써, 워크(W)의 표면(Wa)이 노출되지 않도록, 처리액의 액면을 흐트러뜨리지 않을 또는 처리액을 날려 버리지 않을 정도로 온도 조정 가스(G1)에 의한 압력을 약하게 할 수 있다. 한편, 건조 가스(G2)의 공급 시에는, 노즐과 표면과의 거리를 작게 함으로써, 워크(W)의 표면(Wa)이 노출된 건조 영역(D)(상세는 후술함)을 형성하도록, 처리액에 흐름을 만들 또는 처리액을 날려 버릴 정도로 건조 가스(G2)에 의한 압력을 강하게 할 수 있다.The temperature control gas nozzle 46 and the dry gas nozzle 45 may be disposed so that the temperature control gas G1 is easily diffused after ejection. For example, when viewed from the direction in which the discharge port 52 extends, the relationship between the discharge port 52 and the surface Wa along the discharge direction of the temperature control gas G1 (along the virtual line IL1 in FIG. 5 ). The temperature control gas nozzle 46 and drying distance are longer than the distance between the surface Wa and the discharge port 45b along the discharge direction of the dry gas G2 (along the imaginary line IL2 in Fig. 5). A gas nozzle 45 may be disposed. Even when gas is supplied at substantially the same flow rate (flow rate per unit time) from two types of gas nozzles with different purposes, the configuration (arrangement) of the two gas nozzles results in a surface Wa (more specifically, a surface ( The pressure by the gas applied to the liquid level of the treatment liquid in phase Wa) may be adjusted to a degree according to the purpose of the treatment. Specifically, when the temperature control gas G1 is supplied, the distance between the nozzle and the surface is increased so that the surface Wa of the workpiece W is not exposed, the liquid level of the processing liquid is not disturbed, or the processing liquid is The pressure by the temperature control gas G1 can be made weak enough not to blow off. On the other hand, when the dry gas G2 is supplied, the distance between the nozzle and the surface is reduced to form a dry region D (detailed below) where the surface Wa of the workpiece W is exposed. The pressure of the drying gas (G2) can be made strong enough to create a flow in the liquid or to blow away the treatment liquid.

온도 조정 가스(G1)와 건조 가스(G2)에 동일한 종류의 가스를 이용하는 경우에는, 당해 가스의 공급원을 공용시켜도 된다. 구체적으로, 1 개의 가스의 공급원에 접속되는 1 개의 유로가, 2 개의 유로로 분기되어 있어도 된다. 당해 2 개의 유로의 각각에 제어 장치(100)에 의해 개폐 상태의 전환이 가능한 밸브가 마련되어 있어도 된다. 또한, 일방의 유로가 온도 조정 가스 노즐(46)의 토출구(52)까지 온도 조정 가스(G1)를 유도하는 가스 유로(42a)에 접속되어 있고, 타방의 유로가 건조 가스 노즐(45)의 토출구(45b)까지 건조 가스(G2)를 유도하는 가스 유로(42b)에 접속되어 있어도 된다.In the case where the same type of gas is used for the temperature control gas G1 and the dry gas G2, the supply source of the gas may be shared. Specifically, one flow path connected to one gas supply source may branch into two flow paths. Each of the two flow passages may be provided with a valve whose open/closed state can be switched by the control device 100 . In addition, one flow path is connected to the gas flow path 42a for guiding the temperature control gas G1 to the discharge port 52 of the temperature control gas nozzle 46, and the other flow path is the discharge port of the dry gas nozzle 45. It may be connected to the gas flow path 42b for guiding the dry gas G2 up to 45b.

(처리액 노즐)(treatment liquid nozzle)

처리액 노즐(47)은, 워크(W)의 표면(Wa)을 향해 처리액(L2)을 토출하도록 구성되어 있다. 처리액 노즐(47)은, 예를 들면, 표면(Wa)의 상방으로부터, 표면(Wa)에 대하여 연직과는 상이한 방향으로부터 처리액(L2)을 토출한다. 예를 들면, Y축 방향에서 봤을 때, 처리액 노즐(47)로부터의 처리액(L2)의 토출 방향이 표면(Wa)에 대하여 기울어 있고, X축 방향에서 봤을 때, 당해 토출 방향이 표면(Wa)에 대하여 대략 수직이다.The processing liquid nozzle 47 is configured to discharge the processing liquid L2 toward the surface Wa of the workpiece W. The processing liquid nozzle 47 discharges the processing liquid L2 from above, for example, the surface Wa, in a direction different from perpendicular to the surface Wa. For example, when viewed from the Y-axis direction, the discharge direction of the treatment liquid L2 from the treatment liquid nozzle 47 is inclined with respect to the surface Wa, and when viewed from the X-axis direction, the discharge direction is the surface ( Wa) is approximately perpendicular to

도 5에 나타나는 예에서는, 처리액 노즐(47)은, 홀더(48)를 개재하여 유지 암(44)에 접속되어 있다. 홀더(48)는, 유지 암(44)의 연직부(44b)의 측면(온도 조정 가스 노즐(46)과 대향하는 면과는 반대측의 면)에 접속되어 있고, 그 하방에 처리액 노즐(47)이 장착되어 있다. 처리액 노즐(47)에는, 공급 기구(41C)로부터 공급되는 처리액(L2)을 유통시키는 처리액 유로(42c)가 접속되어 있다. 처리액 유로(42c)는, 예를 들면, 유지 암(44)의 수평부(44a)의 내부, 유지 암(44)의 외부, 및 홀더(48)의 내부에 마련되어 있어도 된다. 유지 암(44)의 외부에 처리액 유로(42c)가 마련되어 있는 경우, 처리액 유로(42c)를 덮는 피복재 등이 마련되어 있어도 된다. 처리액 노즐(47)에는, 처리액(L2)의 토출 방향을 따라 연장되는 처리액 유로(47a)가 마련된다. 처리액 유로(47a)는, 홀더(48)에 마련된 처리액 유로(42c)의 단부로부터 연속하고 있다. 또한, 처리액 노즐(47)은, 처리액 유로(47a)를 거쳐 공급되는 처리액(L2)을 표면(Wa)을 향해 토출하는 토출구(47b)(처리액 토출구)를 포함한다. 토출구(47b)는, 예를 들면, 처리액 노즐(47)의 하단면에 마련되어 있고, 그 하단면에 있어서 개구되어 있다. 토출구(47b)의 형상(윤곽)은, 처리액(L2)의 토출 방향에서 봤을 때 원형이어도 된다.In the example shown in FIG. 5 , the processing liquid nozzle 47 is connected to the holding arm 44 via the holder 48 . The holder 48 is connected to the side surface of the vertical portion 44b of the holding arm 44 (a surface opposite to the surface facing the temperature control gas nozzle 46), and a processing liquid nozzle 47 is disposed below it. ) is installed. The processing liquid nozzle 47 is connected to a processing liquid passage 42c through which the processing liquid L2 supplied from the supply mechanism 41C flows. The treatment liquid passage 42c may be provided inside the horizontal portion 44a of the holding arm 44, outside the holding arm 44, and inside the holder 48, for example. When the treatment liquid passage 42c is provided outside the holding arm 44, a coating material or the like covering the treatment liquid passage 42c may be provided. The processing liquid nozzle 47 is provided with a processing liquid passage 47a extending along the discharge direction of the processing liquid L2. The treatment liquid passage 47a is continuous from the end of the treatment liquid passage 42c provided in the holder 48 . In addition, the processing liquid nozzle 47 includes a discharge port 47b (processing liquid discharge port) for discharging the processing liquid L2 supplied through the processing liquid passage 47a toward the surface Wa. The discharge port 47b is provided, for example, on the lower end surface of the treatment liquid nozzle 47 and is open at the lower end surface. The shape (contour) of the discharge port 47b may be circular when viewed from the discharge direction of the processing liquid L2.

(제 2 처리액 노즐)(2nd Treatment Liquid Nozzle)

노즐 유닛(43)은, 상기의 3 개의 노즐에 더하여, 제 2 처리액 노즐(49)을 가진다. 제 2 처리액 노즐(49)은, 워크(W)의 표면(Wa)을 향해 처리액을 토출하도록 구성되어 있다. 또한, 제 2 처리액 노즐(49)로부터 토출되는 처리액은, 처리액 노즐(47)로부터 토출되는 처리액(L2)과 동종이어도 되고, 처리액(L2)과는 상이한 처리액이어도 된다. 일례로서, 제 2 처리액 노즐(49)로부터 토출되는 처리액으로서, 처리액(L2)과 마찬가지로 린스액(세정액)을 이용해도 된다. 또한 일례로서, 처리액(L2)으로서 이용되는 린스액(세정액)으로서의 순수를 선택하고, 예를 들면, 제 2 처리액 노즐(49)로부터 토출되는 처리액으로서, 계면활성제의 수용액을 선택해도 된다.The nozzle unit 43 has a second processing liquid nozzle 49 in addition to the above three nozzles. The second processing liquid nozzle 49 is configured to discharge the processing liquid toward the surface Wa of the workpiece W. Further, the treatment liquid discharged from the second treatment liquid nozzle 49 may be the same as the treatment liquid L2 discharged from the treatment liquid nozzle 47 or may be a treatment liquid different from the treatment liquid L2. As an example, as the treatment liquid discharged from the second treatment liquid nozzle 49, a rinse liquid (washing liquid) may be used as in the treatment liquid L2. As an example, pure water is selected as the rinsing liquid (washing liquid) used as the treatment liquid L2, and, for example, as the treatment liquid discharged from the second treatment liquid nozzle 49, an aqueous solution of a surfactant may be selected. .

제 2 처리액 노즐(49)은, 표면(Wa)의 상방으로부터 표면(Wa)에 대하여 대략 수직인 방향으로 처리액을 토출해도 된다. Y축 방향 및 X축 방향의 각각에서 봤을 때, 제 2 처리액 노즐(49)로부터의 처리액의 토출 방향은, 표면(Wa)에 대하여 대략 수직이 된다.The second processing liquid nozzle 49 may discharge the processing liquid from above the surface Wa in a direction substantially perpendicular to the surface Wa. When viewed from each of the Y-axis direction and the X-axis direction, the discharge direction of the treatment liquid from the second treatment liquid nozzle 49 is substantially perpendicular to the surface Wa.

도 5에 나타나는 예에서는, 제 2 처리액 노즐(49)은, 건조 가스 노즐(45)과 마찬가지로 유지 암의 연직부(44b)의 하단에 마련되어 있다. 도 5 및 도 6에 나타내는 바와 같이, 건조 가스 노즐(45) 및 제 2 처리액 노즐(49)은, Y축 방향을 따라 배열되어 있다.In the example shown in FIG. 5 , the second processing liquid nozzle 49 is provided at the lower end of the vertical portion 44b of the holding arm like the dry gas nozzle 45 . As shown in FIGS. 5 and 6 , the dry gas nozzle 45 and the second processing liquid nozzle 49 are arranged along the Y-axis direction.

제 2 처리액 노즐(49)은, 건조 가스 노즐(45)과 동일한 형상이다. 즉, 제 2 처리액 노즐(49)에는, 유지 암(44)의 수평부(44a) 내를 지나고 또한 연직부(44b)의 하단으로 연장되는 처리액 유로(42d)로부터 연속하여, 연직 방향으로 연장되는 처리액 유로가 마련된다. 제 2 처리액 노즐(49)은, 처리액 유로(42d)를 거쳐 처리액 유로로 공급되는 처리액을 표면(Wa)을 향해 토출하는 토출구(49b)를 포함한다. 토출구(49b)는, 예를 들면, 제 2 처리액 노즐(49)의 하단면에 마련되어 있고, 그 하단면에 있어서 개구되어 있다. 토출구(49b)의 형상(윤곽)은, 처리액의 토출 방향(도시의 Z축 방향)에서 봤을 때 원형이어도 된다.The second processing liquid nozzle 49 has the same shape as the dry gas nozzle 45 . That is, in the second processing liquid nozzle 49, continuously from the processing liquid passage 42d passing through the inside of the horizontal portion 44a of the holding arm 44 and extending to the lower end of the vertical portion 44b, in the vertical direction. An extended process liquid passage is provided. The second treatment liquid nozzle 49 includes a discharge port 49b for discharging the treatment liquid supplied to the treatment liquid passage through the treatment liquid passage 42d toward the surface Wa. The discharge port 49b is provided, for example, on the lower end surface of the second processing liquid nozzle 49 and is open at the lower end surface. The shape (contour) of the discharge port 49b may be circular as viewed in the discharge direction of the treatment liquid (Z-axis direction in the illustration).

처리액 노즐(47)과 온도 조정 가스 노즐(46)은, 유지 암(44) 및 홀더(48)를 개재하여 서로 접속되어 있으므로, 유지 암(44)이 이동하면, 처리액 노즐(47)과 온도 조정 가스 노즐(46)이 모두 이동한다. 본 실시 형태에서는, 건조 가스 노즐(45), 온도 조정 가스 노즐(46), 및 처리액 노즐(47)이, 유지 암(44) 등을 개재하여 서로 접속되어 있으므로, 유지 암(44)의 이동에 수반하여, 이들 3 개의 노즐이 모두 이동한다. 도 5에 나타나는 바와 같이, X축 방향에 있어서, 온도 조정 가스 노즐(46)과, 건조 가스 노즐(45) 및 제 2 처리액 노즐(49)과, 처리액 노즐(47)이 서로 상이한 위치에 배치되어 있다. 예를 들면, Y축 방향에서 봤을 때, 온도 조정 가스 노즐(46)과, 건조 가스 노즐(45) 및 제 2 처리액 노즐(49)과, 처리액 노즐(47)이 이 순으로 배치되어 있다. 단, 도 6에 나타나는 바와 같이, X축 방향에서 봤을 때에, 건조 가스 노즐(45)과 제 2 처리액 노즐(49)은, 축선(Ax)을 사이에 두고 배열되어 마련되기 때문에, 축선(Ax) 상에 마련되는 처리액 노즐(47)과는 상이한 위치에 마련되게 된다.Since the processing liquid nozzle 47 and the temperature control gas nozzle 46 are connected to each other via the holding arm 44 and the holder 48, when the holding arm 44 moves, the processing liquid nozzle 47 and All of the temperature control gas nozzles 46 are moved. In this embodiment, since the dry gas nozzle 45, the temperature control gas nozzle 46, and the processing liquid nozzle 47 are connected to each other via a holding arm 44 or the like, the holding arm 44 moves. As a result, all three nozzles move. As shown in FIG. 5 , in the X-axis direction, the temperature control gas nozzle 46, the drying gas nozzle 45, the second processing liquid nozzle 49, and the processing liquid nozzle 47 are at different positions from each other. are placed For example, when viewed from the Y-axis direction, the temperature control gas nozzle 46, the drying gas nozzle 45, the second processing liquid nozzle 49, and the processing liquid nozzle 47 are arranged in this order. . However, as shown in FIG. 6 , when viewed from the X-axis direction, the dry gas nozzle 45 and the second processing liquid nozzle 49 are arranged with the axis Ax interposed therebetween, so that the axis Ax ) is provided at a position different from that of the treatment liquid nozzle 47 provided on the surface.

Y축 방향에서 봤을 때, 처리액 노즐(47)로부터의 처리액(L2)의 워크(W)의 표면(Wa)에 있어서의 도달 위치와, 온도 조정 가스 노즐(46)로부터의 온도 조정 가스(G1)의 표면(Wa)에 있어서의 도달 위치(도달 영역(AR))와의 사이의 X축 방향에 있어서의 거리가, 처리액 노즐(47)의 토출구(47b)와 온도 조정 가스 노즐(46)의 토출구(52)와의 사이의 X축 방향에 있어서의 거리보다 작아지도록, 처리액 노즐(47) 및 온도 조정 가스 노즐(46)이 구성되어 있다. 또한, 처리액 노즐(47)과 건조 가스 노즐(45)(및 제 2 처리액 노즐(49))과의 사이에 있어서도, 도달 위치와 토출구에 대하여 동일한 관계가 성립한다.When viewed in the Y-axis direction, the arrival position of the treatment liquid L2 from the treatment liquid nozzle 47 on the surface Wa of the workpiece W and the temperature control gas from the temperature control gas nozzle 46 ( The distance in the X-axis direction between the reach position (reach area AR) on the surface Wa of G1) is the discharge port 47b of the treatment liquid nozzle 47 and the temperature control gas nozzle 46 The treatment liquid nozzle 47 and the temperature adjusting gas nozzle 46 are configured so as to be smaller than the distance between the discharge port 52 and the X-axis direction of the nozzle 47 . Also between the processing liquid nozzle 47 and the dry gas nozzle 45 (and the second processing liquid nozzle 49), the same relationship is established with respect to the arrival position and the discharge port.

일례에서는, Y축 방향에서 봤을 때, 처리액 노즐(47)로부터의 처리액(L2)의 토출 방향으로 연장되는 가상선(IL3)과, 온도 조정 가스 노즐(46)로부터의 온도 조정 가스(G1)의 토출 방향으로 연장되는 가상선(IL1)이, 표면(Wa)의 근방(예를 들면, 표면(Wa))에 있어서 교차해도 된다. 이에 의해, 노즐 유닛(43)이 정위치에 위치하는 경우에, Y축 방향에서 봤을 때, 처리액 노즐(47)로부터의 처리액(L2)의 도달 영역(도달 위치)과, 온도 조정 가스 노즐(46)로부터의 온도 조정 가스(G1)의 표면(Wa)의 도달 영역(AR)이 서로 겹칠 수 있다. 본 실시 형태에서는, Y축 방향에서 봤을 때, 상기 가상선(IL1, IL3)에 더하여, 건조 가스 노즐(45)로부터의 건조 가스(G2)의 토출 방향으로 연장되는 가상선(IL2)이, 표면(Wa) 상의 일점에 있어서 서로 교차하도록, 노즐 유닛(43)이 구성되어 있다. 또한, 제 2 처리액 노즐(49)로부터의 처리액도 건조 가스(G2)와 마찬가지로 가상선(IL2)을 따라 토출된다.In one example, when viewed in the Y-axis direction, a virtual line IL3 extending in the discharge direction of the processing liquid L2 from the processing liquid nozzle 47 and the temperature control gas G1 from the temperature control gas nozzle 46 ) may intersect in the vicinity of the surface Wa (for example, the surface Wa). As a result, when the nozzle unit 43 is located at the correct position, the reach area (arrival position) of the treatment liquid L2 from the treatment liquid nozzle 47 and the temperature control gas nozzle when viewed from the Y-axis direction The reach areas AR of the surface Wa of the temperature adjusting gas G1 from (46) may overlap each other. In this embodiment, in addition to the virtual lines IL1 and IL3, the virtual line IL2 extending in the discharge direction of the dry gas G2 from the dry gas nozzle 45, when viewed from the Y-axis direction, The nozzle units 43 are configured so as to intersect each other at one point on (Wa). In addition, the processing liquid from the second processing liquid nozzle 49 is also discharged along the virtual line IL2 like the dry gas G2.

Y축 방향에서 봤을 때, 처리액 노즐(47)로부터의 처리액(L2)의 토출 방향의 표면(Wa)에 대한 기울기가, 건조 가스 노즐(45)로부터의 건조 가스(G2)의 토출 방향의 표면(Wa)에 대한 기울기에 비해 작아지도록, 건조 가스 노즐(45) 및 처리액 노즐(47)이 구성되어 있다. 예를 들면, Y축 방향에서 봤을 때, 처리액(L2)의 토출 방향으로 연장되는 가상선(IL3)과 표면(Wa)과의 이루는 각(90도 이하의 이루는 각)이, 건조 가스(G2)의 토출 방향으로 연장되는 가상선(IL2)과 표면(Wa)과의 이루는 각(90도 이하의 이루는 각)보다 작다. 또한, 건조 가스(G2)의 토출 방향과 온도 조정 가스 노즐(46)로부터의 온도 조정 가스(G1)의 토출 방향과의 표면(Wa)에 대한 기울기에 대해서도, 동일한 대소 관계가 성립한다.When viewed in the Y-axis direction, the slope of the surface Wa in the discharge direction of the treatment liquid L2 from the treatment liquid nozzle 47 is the The drying gas nozzle 45 and the treatment liquid nozzle 47 are configured so as to be smaller than the inclination with respect to the surface Wa. For example, when viewed from the Y-axis direction, the angle formed between the virtual line IL3 extending in the discharge direction of the treatment liquid L2 and the surface Wa (an angle formed of 90 degrees or less) is the dry gas G2 ) is smaller than the angle (an angle formed of 90 degrees or less) between the virtual line IL2 extending in the ejection direction and the surface Wa. In addition, the same magnitude relationship is established also about the inclination with respect to the surface Wa of the discharge direction of the dry gas G2 and the discharge direction of the temperature control gas G1 from the temperature control gas nozzle 46.

또한, 도 6에 나타나는 예에서는, 상술한 바와 같이 처리액 노즐(47)과 건조 가스 노즐(45)은, Y축 방향에 있어서 서로 상이한 위치에 배치되어 있다. 또한, X축 방향에서 봤을 때, 처리액 노즐(47)로부터의 처리액(L2)의 표면(Wa)에 있어서의 도달 영역(도달 위치)과, 건조 가스 노즐(45)로부터의 건조 가스(G2)의 표면(Wa)의 도달 영역(도달 위치)은, 서로 상이해도 된다. 단, 도 6에 나타나는 예와는 달리, 처리액 노즐(47)과 건조 가스 노즐(45)은, Y축 방향에 있어서 서로 대략 동일한 위치에 배치되어 있어도 된다. 또한, X축 방향에서 봤을 때, 처리액 노즐(47)로부터의 처리액(L2)의 표면(Wa)에 있어서의 도달 영역(도달 위치)과, 건조 가스 노즐(45)로부터의 건조 가스(G2)의 표면(Wa)의 도달 영역(도달 위치)은, 서로 대략 일치하고 있어도 된다.In the example shown in FIG. 6 , as described above, the treatment liquid nozzle 47 and the dry gas nozzle 45 are disposed at different positions in the Y-axis direction. In addition, when viewed in the X-axis direction, the reach area (reach position) of the treatment liquid L2 from the treatment liquid nozzle 47 on the surface Wa, and the dry gas G2 from the dry gas nozzle 45 The reach areas (reach positions) of the surface Wa of ) may be different from each other. However, unlike the example shown in FIG. 6 , the treatment liquid nozzle 47 and the dry gas nozzle 45 may be arranged at substantially the same position as each other in the Y-axis direction. In addition, when viewed in the X-axis direction, the reach area (reach position) of the treatment liquid L2 from the treatment liquid nozzle 47 on the surface Wa, and the dry gas G2 from the dry gas nozzle 45 The reach areas (reach positions) of the surface Wa of ) may substantially coincide with each other.

또한, 도 6에 나타나는 바와 같이, X축 방향에서 봤을 때, 처리액 노즐(47)은, 온도 조정 가스 노즐(46)과 겹치도록 배치되어 있어도 된다. 예를 들면, 처리액 노즐(47)의 Y축 방향에 있어서의 위치는, 온도 조정 가스 노즐(46)에 있어서의 Y축 방향의 중앙(축(Ax))의 위치에 대략 일치해도 된다. 이 경우, X축 방향에서 봤을 때, 처리액 노즐(47)로부터의 처리액(L2)의 표면(Wa)에 있어서의 도달 영역(도달 위치)은, 온도 조정 가스 노즐(46)로부터의 온도 조정 가스(G1)의 표면(Wa)의 도달 영역(AR)의 중앙의 위치에 대략 일치한다.Further, as shown in FIG. 6 , when viewed in the X-axis direction, the treatment liquid nozzle 47 may be arranged so as to overlap the temperature control gas nozzle 46 . For example, the position of the processing liquid nozzle 47 in the Y-axis direction may substantially coincide with the central (axis Ax) position of the temperature control gas nozzle 46 in the Y-axis direction. In this case, when viewed in the X-axis direction, the reach area (reach position) on the surface Wa of the treatment liquid L2 from the treatment liquid nozzle 47 is the temperature adjustment from the temperature control gas nozzle 46. It substantially coincides with the position of the center of the reach area AR of the surface Wa of the gas G1.

(구동부)(drive part)

구동부(50)는, 제어 장치(100)로부터의 신호에 기초하여, 유지 암(44)을 높이 방향 및 수평 방향(워크(W)의 표면(Wa)을 따르는 방향)에 있어서 이동시키도록 구성되어 있다. 구동부(50)는, 예를 들면, 상술한 바와 같이 유지 암(44)의 수평부(44a)의 기단부에 접속되어 있다. 구동부(50)는, 온도 조정 가스 노즐(46)의 토출구(52)가 연장되는 방향(Y축 방향)에 있어서 유지 암(44)을 변위시키는 리니어 액츄에이터와, Z축 방향에 있어서 유지 암(44)을 변위시키는 승강 액츄에이터를 포함하고 있어도 된다. 또한 구동부(50)는, X축 방향에 있어서 유지 암(44)을 변위시키는 리니어 액츄에이터를 포함하고 있지 않아도 된다.The driving unit 50 is configured to move the holding arm 44 in the height direction and the horizontal direction (direction along the surface Wa of the workpiece W) based on a signal from the control device 100. there is. The drive part 50 is connected to the proximal end of the horizontal part 44a of the holding arm 44, for example as mentioned above. The driving unit 50 includes a linear actuator that displaces the holding arm 44 in the direction in which the discharge port 52 of the temperature control gas nozzle 46 extends (Y-axis direction), and the holding arm 44 in the Z-axis direction. ) may include an elevating actuator that displaces. In addition, the drive part 50 does not need to include the linear actuator which displaces the holding arm 44 in the X-axis direction.

구동부(50)에 의한 유지 암(44)의 변위에 수반하여, 건조 가스 노즐(45), 온도 조정 가스 노즐(46), 처리액 노즐(47), 및 제 2 처리액 노즐(49)이 모두 이동한다. 일례에서는, 온도 조정 가스 노즐(46)로부터의 온도 조정 가스(G1)의 도달 영역(AR)(도달 예정의 영역)이 연장되는 방향이, 기판 유지부(20)에 유지되어 있는 워크(W)의 반경 방향을 따르도록, 구동부(50)는 유지 암(44)을 수평으로(Y축 방향으로) 변위시킨다. 이 경우, 건조 가스 노즐(45)로부터의 온도 조정 가스(G1)의 도달 위치(도달 예정의 위치) 및 처리액 노즐(47)로부터의 처리액(L2)의 도달 위치(도달 예정의 위치)도, 워크(W)의 반경 방향에 있어서 변위한다.Accompanying the displacement of the holding arm 44 by the drive unit 50, the drying gas nozzle 45, the temperature control gas nozzle 46, the treatment liquid nozzle 47, and the second treatment liquid nozzle 49 are all moved. move In one example, the direction in which the reach area AR (the area to be reached) of the temperature control gas G1 from the temperature control gas nozzle 46 extends is the workpiece W held by the substrate holder 20. Along the radial direction of , the driving unit 50 horizontally displaces the holding arm 44 (in the Y-axis direction). In this case, the arrival position (expected arrival position) of the temperature control gas G1 from the dry gas nozzle 45 and the arrival position (expected arrival position) of the processing liquid L2 from the treatment liquid nozzle 47 are also , the workpiece W is displaced in the radial direction.

<커버 부재><Cover member>

도 4로 돌아와, 커버 부재(70)는, 기판 유지부(20)의 주위에 마련되어 있다. 커버 부재(70)는 컵 본체(71)와, 배액구(72)와, 배기구(73)를 포함한다. 컵 본체(71)는, 워크(W)의 처리를 위하여, 워크(W)에 공급된 처리액(L1, L2)을 받는 집액 용기로서 구성되어 있다. 배액구(72)는, 컵 본체(71)의 저부에 마련되어 있어, 컵 본체(71)에 의해 모인 배액을 액 처리 유닛(U1)의 외부로 배출하도록 구성되어 있다.Returning to FIG. 4 , the cover member 70 is provided around the substrate holder 20 . The cover member 70 includes a cup body 71 , a liquid discharge port 72 , and an exhaust port 73 . The cup main body 71 is configured as a liquid collection container that receives the treatment liquids L1 and L2 supplied to the work W to treat the work W. The drain port 72 is provided on the bottom of the cup body 71 and is configured to discharge the drained liquid collected by the cup body 71 to the outside of the liquid processing unit U1.

배기구(73)는, 컵 본체(71)의 저부에 마련되어 있다. 배기구(73)에는, 제어 장치(100)로부터의 신호에 기초하여 동작함으로써, 컵 본체(71) 내의 기체를 배기하도록 구성된 배기부(V2)가 마련되어 있다. 이 때문에, 워크(W)의 주위를 흐른 하강류(다운 플로우)는, 배기구(73) 및 배기부(V2)를 통하여, 액 처리 유닛(U1)의 외부로 배출된다. 배기부(V2)는, 예를 들면, 개방도에 따라 배기량이 조절 가능한 댐퍼여도 된다. 배기부(V2)에 의해 컵 본체(71)로부터의 배기량을 조절함으로써, 컵 본체(71) 내의 온도, 압력, 습도 등을 제어할 수 있다.The exhaust port 73 is provided on the bottom of the cup body 71 . The exhaust port 73 is provided with an exhaust unit V2 configured to exhaust gas in the cup body 71 by operating based on a signal from the control device 100 . For this reason, the downflow (downflow) that has flowed around the workpiece W is discharged to the outside of the liquid processing unit U1 through the exhaust port 73 and the exhaust unit V2. The exhaust unit V2 may be, for example, a damper capable of adjusting the exhaust amount according to the degree of opening. By adjusting the exhaust amount from the cup body 71 by the exhaust part V2, the temperature, pressure, humidity, etc. in the cup body 71 can be controlled.

블로어(B)는, 액 처리 유닛(U1)에 있어서, 기판 유지부(20) 및 커버 부재(70)의 상방에 배치되어 있다. 블로어(B)는, 제어 장치(100)로부터의 신호에 기초하여, 커버 부재(70)로 향하는 하강류를 형성하도록 구성되어 있다. 블로어(B)는, 워크(W)의 액 처리 동안, 하강류를 상시 형성하도록 제어되어도 된다.The blower B is disposed above the substrate holder 20 and the cover member 70 in the liquid processing unit U1. The blower B is configured to form a downward flow toward the cover member 70 based on a signal from the control device 100 . The blower B may be controlled so as to always form a downward flow during the liquid treatment of the workpiece W.

(제어 장치)(controller)

제어 장치(100)는, 도포 현상 장치(2)의 요소를 부분적 또는 전체적으로 제어하도록 구성되어 있다. 제어 장치(100)는, 적어도 노즐 유닛(43)과 기판 유지부(20)를 포함하는 액 처리 유닛(U1)을 제어한다. 제어 장치(100)는, 도 8에 나타나는 바와 같이, 기능 모듈로서, 판독부(M1)와, 기억부(M2)와, 처리부(M3)와, 지시부(M4)를 가진다. 이들 기능 모듈은, 제어 장치(100)의 기능을 편의상 복수의 모듈로 구획한 것에 불과하며, 제어 장치(100)를 구성하는 하드웨어가 이러한 모듈로 나누어져 있는 것을 반드시 의미하는 것은 아니다. 각 기능 모듈은, 프로그램의 실행에 의해 실현되는 것에 한정되지 않고, 전용의 전기 회로(예를 들면 논리 회로), 또는, 이를 집적한 집적 회로(ASIC : Application Specific Integrated Circuit)에 의해 실현되는 것이어도 된다.The control device 100 is configured to partially or entirely control the elements of the coating and developing device 2 . The control device 100 controls the liquid processing unit U1 including at least the nozzle unit 43 and the substrate holding unit 20 . As shown in Fig. 8, the control device 100 has a reading unit M1, a storage unit M2, a processing unit M3, and an instruction unit M4 as functional modules. These functional modules are merely partitioning the functions of the control device 100 into a plurality of modules for convenience, and do not necessarily mean that the hardware constituting the control device 100 is divided into these modules. Each functional module is not limited to being realized by executing a program, but may be realized by a dedicated electric circuit (e.g., a logic circuit) or an integrated circuit (ASIC: Application Specific Integrated Circuit) in which it is integrated. do.

판독부(M1)는, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체(RM)로부터 프로그램을 판독하도록 구성되어 있다. 기록 매체(RM)는, 도포 현상 장치(2)의 각 부를 동작시키기 위한 프로그램을 기록하고 있다. 기록 매체(RM)는, 예를 들면, 반도체 메모리, 광 기록 디스크, 자기 기록 디스크, 또는 광자기 기록 디스크여도 된다.The reading unit M1 is configured to read a program from a computer readable recording medium RM. The recording medium RM records programs for operating each unit of the coating and developing apparatus 2 . The recording medium RM may be, for example, a semiconductor memory, an optical recording disk, a magnetic recording disk, or a magneto-optical recording disk.

기억부(M2)는, 각종 데이터를 기억하도록 구성되어 있다. 기억부(M2)는, 예를 들면, 판독부(M1)에 있어서 기록 매체(RM)로부터 읽어낸 프로그램, 외부 입력 장치(도시하지 않음)를 개재하여 오퍼레이터로부터 입력된 설정 데이터 등을 기억해도 된다. 당해 프로그램은, 도포 현상 장치(2)의 각 부를 동작시키도록 구성되어 있어도 된다.The storage unit M2 is configured to store various types of data. The storage unit M2 may store, for example, programs read from the recording medium RM in the reading unit M1, setting data input from an operator via an external input device (not shown), and the like. . The said program may be comprised so that each part of the coating and developing apparatus 2 may be operated.

처리부(M3)는, 각종 데이터를 처리하도록 구성되어 있다. 처리부(M3)는, 예를 들면, 기억부(M2)에 기억되어 있는 각종 데이터에 기초하여, 액 처리 유닛(U1), 열 처리 유닛(U2) 등을 동작시키기 위한 신호를 생성해도 된다.The processing unit M3 is configured to process various types of data. The processing unit M3 may generate signals for operating the liquid processing unit U1, the heat processing unit U2, and the like, based on various data stored in the storage unit M2, for example.

지시부(M4)는, 처리부(M3)에 있어서 생성된 동작 신호를 각종 장치로 송신하도록 구성되어 있다.The instruction unit M4 is configured to transmit the operation signal generated in the processing unit M3 to various devices.

제어 장치(100)의 하드웨어는, 예를 들면 1 개 또는 복수의 제어용의 컴퓨터에 의해 구성되어 있어도 된다. 제어 장치(100)는, 도 9에 나타나는 바와 같이, 하드웨어 상의 구성으로서 회로(C1)를 포함한다. 회로(C1)는, 전기 회로 요소(circuitry)로 구성되어 있어도 된다. 회로(C1)는 프로세서(C2)와, 메모리(C3)와, 스토리지(C4)와, 드라이버(C5)와, 입출력 포트(C6)를 포함하고 있어도 된다.The hardware of the control device 100 may be configured by, for example, one or a plurality of control computers. As shown in FIG. 9 , the control device 100 includes a circuit C1 as a hardware configuration. The circuit C1 may be composed of electric circuit elements. The circuit C1 may include a processor C2, a memory C3, a storage C4, a driver C5, and an input/output port C6.

프로세서(C2)는, 메모리(C3) 및 스토리지(C4) 중 적어도 일방과 협동하여 프로그램을 실행하고, 입출력 포트(C6)를 개재한 신호의 입출력을 실행함으로써, 상술한 각 기능 모듈을 구성한다. 메모리(C3) 및 스토리지(C4)는, 기억부(M2)로서 기능한다. 드라이버(C5)는, 도포 현상 장치(2)의 각종 장치를 각각 구동하는 회로이다. 입출력 포트(C6)는, 드라이버(C5)와 도포 현상 장치(2)의 각종 장치(예를 들면, 액 처리 유닛(U1), 열 처리 유닛(U2) 등)와의 사이에서, 신호의 입출력을 행한다.The processor C2 configures each functional module described above by executing a program in cooperation with at least one of the memory C3 and the storage C4 and inputting/outputting signals through the input/output port C6. The memory C3 and the storage C4 function as a storage unit M2. The driver C5 is a circuit that drives various devices of the coating and developing device 2, respectively. The input/output port C6 performs input/output of signals between the driver C5 and various devices of the coating and developing device 2 (eg, liquid processing unit U1, heat processing unit U2, etc.) .

도포 현상 장치(2)는, 하나의 제어 장치(100)를 구비하고 있어도 되고, 복수의 제어 장치(100)로 구성되는 컨트롤러군(제어 유닛)을 구비하고 있어도 된다. 도포 현상 장치(2)가 컨트롤러군을 구비하고 있는 경우에는, 상기의 기능 모듈이 각각, 하나의 제어 장치(100)에 의해 실현되어 있어도 되고, 2 개 이상의 제어 장치(100)의 조합에 의해 실현되어 있어도 된다. 제어 장치(100)가 복수의 컴퓨터(회로(C1))로 구성되어 있는 경우에는, 상기의 기능 모듈이 각각, 하나의 컴퓨터(회로(C1))에 의해 실현되어 있어도 되고, 2 개 이상의 컴퓨터(회로(C1))의 조합에 의해 실현되어 있어도 된다. 제어 장치(100)는, 복수의 프로세서(C2)를 가지고 있어도 된다. 이 경우, 상기의 기능 모듈이 각각, 하나의 프로세서(C2)에 의해 실현되어 있어도 되고, 2 개 이상의 프로세서(C2)의 조합에 의해 실현되어 있어도 된다.The coating and developing device 2 may include one control device 100 or may include a controller group (control unit) composed of a plurality of control devices 100 . When the coating and developing device 2 includes a controller group, each of the above functional modules may be realized by one control device 100, or realized by a combination of two or more control devices 100. it may be When the control device 100 is composed of a plurality of computers (circuit C1), each of the above function modules may be realized by one computer (circuit C1), or two or more computers (circuit C1). It may be realized by a combination of circuits C1). The control device 100 may have a plurality of processors C2. In this case, each of the above functional modules may be realized by one processor C2, or may be realized by a combination of two or more processors C2.

[기판 처리 방법][Substrate processing method]

이어서, 도 10 ~ 도 13을 참조하여, 기판 처리 방법의 일례로서, 워크(W)의 액 처리 방법에 대하여 설명한다. 도 10은 액 처리 방법의 일례를 나타내는 순서도이다.Next, with reference to FIGS. 10 to 13 , a liquid processing method of the workpiece W will be described as an example of a substrate processing method. 10 is a flowchart showing an example of a liquid processing method.

먼저, 제어 장치(100)는, 도포 현상 장치(2)의 각 부를 제어하여, 처리 모듈(PM1 ~ PM3)에 있어서 워크(W)를 처리함으로써, 워크(W)의 표면(Wa)에 레지스트막(R)을 도포 현상 장치(2)에서 형성시킨다(단계(S11)). 이어서, 제어 장치(100)는, 도포 현상 장치(2)의 각 부를 제어하여, 워크(W)를 처리 모듈(PM3)로부터 노광 장치(3)로 반송 암(A7) 등에 의해 반송시킨다. 이어서, 제어 장치(100)와는 상이한 다른 제어 장치가, 노광 장치(3)를 제어하여, 워크(W)의 표면(Wa)에 형성되어 있는 레지스트막(R)을 정해진 패턴으로 노광 장치(3)에 의해 노광시킨다(단계(S12)).First, the control device 100 controls each part of the coating and developing device 2 to process the workpiece W in the processing modules PM1 to PM3 to form a resist film on the surface Wa of the workpiece W. (R) is formed in the coating and developing device 2 (step S11). Next, the control device 100 controls each part of the coating and developing device 2 to transport the workpiece W from the processing module PM3 to the exposure device 3 by the conveyance arm A7 or the like. Next, another control device different from the control device 100 controls the exposure device 3, and the resist film R formed on the surface Wa of the workpiece W is formed in a predetermined pattern by the exposure device 3. (Step S12).

이어서, 제어 장치(100)는, 도포 현상 장치(2)의 각 부를 제어하여, 워크(W)를 노광 장치(3)로부터 처리 모듈(PM4)의 액 처리 유닛(U1)으로 반송 암(A5) 등에 의해 반송시킨다. 이에 의해, 워크(W)는 표면(Wa)이 상방을 향한 상태로 기판 유지부(20)에 유지된다. 이어서, 제어 장치(100)는, 공급부(30)를 제어하여, 워크(W)의 표면(Wa), 즉 레지스트막(R)의 상면에, 처리액(L1)(현상액)을 공급부(30)에 공급시킨다(단계(S13)).Next, the control device 100 controls each part of the coating and developing device 2 to transfer the workpiece W from the exposure device 3 to the liquid processing unit U1 of the processing module PM4 and transfer arm A5. conveyed by, etc. Thereby, the workpiece W is held on the substrate holder 20 with the surface Wa facing upward. Next, the control device 100 controls the supply unit 30 to apply the processing liquid L1 (developer) to the surface Wa of the workpiece W, that is, the upper surface of the resist film R, through the supply unit 30. supplied to (step S13).

단계(S13)에 있어서, 제어 장치(100)는, 공급부(30)를 제어하여, 회전하고 있지 않은 워크(W)의 상방에 있어서 노즐(33)을 수평으로 이동시키면서, 노즐(33)로부터 처리액(L1)을 워크(W)의 표면(Wa)을 향해 공급부(30)로 공급시켜도 된다. 이 경우, 도 11의 (a)에 예시되는 바와 같이, 처리액(L1)은, 워크(W)의 일단으로부터 타단으로 차례로 공급된다. 혹은, 제어 장치(100)는, 기판 유지부(20) 및 공급부(30)를 제어하여, 워크(W)를 기판 유지부(20)에 의해 회전시키면서, 워크(W)의 상방에 있어서 노즐(33)을 수평으로 이동시키면서, 노즐(33)로부터 처리액(L1)을 워크(W)의 표면(Wa)을 향해 공급부(30)에 공급시켜도 된다. 이 경우, 처리액(L1)은, 워크(W)의 중심으로부터 주연에 걸쳐, 혹은, 워크(W)의 주연으로부터 중심에 걸쳐, 나선 형상으로 공급된다. 단계(S13)에 의해, 워크(W)의 표면(Wa)의 레지스트막(R)의 상면 전체를 덮도록, 처리액(L1)이 체류하는 상태가 형성된다.In step S13, the control device 100 controls the supply unit 30 to move the nozzle 33 horizontally above the non-rotating workpiece W, while processing from the nozzle 33. The liquid L1 may be supplied to the supply unit 30 toward the surface Wa of the workpiece W. In this case, as illustrated in (a) of FIG. 11 , the treatment liquid L1 is sequentially supplied from one end to the other end of the workpiece W. Alternatively, the control device 100 controls the substrate holding unit 20 and the supply unit 30 to rotate the workpiece W by the substrate holding unit 20, while the nozzle ( 33) may be supplied from the nozzle 33 to the supply unit 30 toward the surface Wa of the workpiece W while moving the nozzle 33 horizontally. In this case, the processing liquid L1 is supplied in a spiral shape from the center to the periphery of the work W or from the periphery to the center of the work W. In step S13, a state in which the processing liquid L1 stays is formed so as to cover the entire upper surface of the resist film R of the surface Wa of the workpiece W.

이어서, 제어 장치(100)는, 워크(W)의 표면(Wa) 즉 처리액(L1)의 상면에, 공급부(40)에 의해, 온도 조정 가스(G1)를 온도 조정 가스 노즐(46)의 토출구(52)로부터 공급시킨다(단계(S14)). 제어 장치(100)는, 단계(S14)에 있어서, 기판 유지부(20)에 의해 워크(W)를 회전시키면서, 온도 조정 가스(G1)를 토출구(52)로부터 표면(Wa)을 향해 온도 조정 가스 노즐(46)에 의해 토출시켜도 된다(도 11의 (b) 참조).Subsequently, the control device 100 supplies the temperature control gas G1 to the surface Wa of the workpiece W, that is, the upper surface of the treatment liquid L1, by the supply unit 40 through the temperature control gas nozzle 46. It is supplied from the discharge port 52 (step S14). In step S14, the control device 100 adjusts the temperature of the temperature control gas G1 from the discharge port 52 toward the surface Wa while rotating the workpiece W by the substrate holder 20. You may make it discharge by the gas nozzle 46 (refer FIG. 11(b)).

이 때, 워크(W)의 표면(Wa) 상의 처리액(L1)은, 온도 조정 가스(G1)에 의해 날려지지 않는 편이 좋다. 즉, 처리액(L1)이 공급되어 있는 상태의 워크(W)의 표면(Wa)이, 온도 조정 가스(G1)의 분사에 의해 노출되지 않는 편이 좋다. 처리액(L1)이 워크(W)의 표면(Wa) 상에 체류한 상태에서 온도 조정 가스(G1)를 공급함으로써, 온도 조정 가스(G1)의 공급에 의한 워크(W)의 표면 온도를 조정하면서 처리액(L1)에 의한 처리를 계속할 수 있다. 보다 구체적으로, 워크(W)의 표면(Wa) 중 온도 조정 가스(G1)가 공급되는 일부의 영역의 온도를 조정함으로써, 워크(W)의 표면(Wa)의 온도 분포가 조정된다.At this time, the treatment liquid L1 on the surface Wa of the workpiece W is preferably not blown away by the temperature control gas G1. That is, it is preferable that the surface Wa of the workpiece W in a state in which the processing liquid L1 is supplied is not exposed by the injection of the temperature control gas G1. By supplying the temperature control gas G1 in a state where the treatment liquid L1 stays on the surface Wa of the work W, the surface temperature of the work W by the supply of the temperature control gas G1 is adjusted. The treatment with the treatment liquid L1 can be continued while doing so. More specifically, the temperature distribution on the surface Wa of the workpiece W is adjusted by adjusting the temperature of a part of the area|region to which the temperature control gas G1 is supplied among the surface Wa of the workpiece|work W.

온도 조정 가스(G1)는, 도 12에 나타나는 바와 같이, 워크(W)의 표면(Wa) 중 중앙부를 적어도 포함하는 영역에 대하여 분사된다. 예를 들면, 도 12에 나타나는 바와 같이, 제어 장치(100)는, 노즐 유닛(43)의 구동부(50)에 의해, 온도 조정 가스 노즐(46)로부터의 온도 조정 가스(G1)의 도달 영역(AR)이 워크(W)의 반경 방향을 따르고, 또한 도달 영역(AR)의 긴 방향(토출구(52)가 연장되는 방향)이, 워크(W)의 중심(CP)으로부터 연장되는 반경 방향(도 12에 나타내는 예에서는, 선(CR) 방향)이 되도록, 온도 조정 가스 노즐(46)을 배치시킨다. 초기 상태에서는, 예를 들면, 도달 영역(AR)의 긴 방향의 단부가 중심(CP)과 겹치도록 온도 조정 가스 노즐(46)을 배치해도 된다. 이 상태에서, 제어 장치(100)는, 기판 유지부(20)에 의해 워크(W)를 회전시킨다. 그리고, 제어 장치(100)는, 기판 유지부(20)에 의해 워크(W)를 회전시키면서, 온도 조정 가스 노즐(46)의 토출구(52)로부터 온도 조정 가스(G1)가 토출되도록 공급부(40)를 제어한다.As shown in FIG. 12, the temperature control gas G1 is injected with respect to the area|region which contains at least the central part among the surface Wa of the workpiece|work W. For example, as shown in FIG. 12 , the control device 100 is configured to reach the temperature control gas G1 from the temperature control gas nozzle 46 by the drive unit 50 of the nozzle unit 43 ( AR) follows the radial direction of the workpiece W, and the longitudinal direction of the reach area AR (the direction in which the discharge port 52 extends) extends from the center CP of the workpiece W (Fig. In the example shown in 12, the temperature control gas nozzle 46 is arrange|positioned so that it may become the line CR direction). In the initial state, the temperature adjusting gas nozzle 46 may be disposed such that the end of the reach region AR in the longitudinal direction overlaps the center CP, for example. In this state, the control device 100 rotates the work W by means of the substrate holder 20 . Then, the control device 100 rotates the workpiece W by the substrate holder 20, the supply unit 40 so that the temperature control gas G1 is discharged from the discharge port 52 of the temperature control gas nozzle 46. ) to control.

상기와 같이 온도 조정 가스 노즐(46)의 토출구(52)로부터의 온도 조정 가스(G1)가, 회전하고 있는 워크(W)에 토출됨으로써, 온도 조정 가스(G1)의 표면(Wa)에 있어서의 도달 영역(AR)이 연장되는 방향이, 워크(W)의 회전 방향(도시의 방향(R1) 또는 방향(R2))에 직교한다. 이 때, 상면에서 봤을 때(Z축 방향에서 봤을 때), 토출구(52)로부터 도달 영역(AR)으로 향하는 방향이, 워크(W)의 회전 방향에 대하여 순방향이어도 된다(워크(W)가 방향(R1)으로 회전되어도 된다). 워크(W)의 회전 방향과 온도 조정 가스(G1)의 토출 방향과의 관계가 순방향인 경우, 온도 조정 가스(G1)의 토출에 의해 워크(W)의 표면(Wa)에 있어서의 레지스트막(R)이 흐트러지는 것이 방지된다. 또한 상면에서 봤을 때, 토출구(52)로부터 도달 영역(AR)으로 향하는 방향이, 워크(W)의 회전 방향에 대하여 역방향이어도 된다(워크(W)가 방향(R2)으로 회전되어도 된다).As described above, when the temperature control gas G1 from the discharge port 52 of the temperature control gas nozzle 46 is discharged to the rotating work W, the surface Wa of the temperature control gas G1 The direction in which the reach area AR extends is orthogonal to the rotation direction of the workpiece W (direction R1 or direction R2 in the illustration). At this time, when viewed from the top (viewed from the Z-axis direction), the direction from the discharge port 52 toward the reach area AR may be forward with respect to the rotation direction of the workpiece W (the workpiece W moves in the direction (R1) may be rotated). When the relationship between the rotation direction of the workpiece W and the discharge direction of the temperature control gas G1 is forward, the discharge of the temperature control gas G1 results in a resist film on the surface Wa of the workpiece W ( R) is prevented from being disturbed. Also, when viewed from the top, the direction from the discharge port 52 toward the reach area AR may be opposite to the rotation direction of the workpiece W (the workpiece W may be rotated in the direction R2).

또한 이 상태에서, 온도 조정 가스(G1)를 포함하는 노즐 유닛(43)을 워크(W)의 중심(CP)으로부터 연장되는 반경 방향(선(CR) 방향, 즉, Y축 방향)으로 이동시키면, 온도 조정 가스(G1)의 토출 범위를 조정할 수 있다.Further, in this state, when the nozzle unit 43 containing the temperature control gas G1 is moved in the radial direction extending from the center CP of the workpiece W (the line CR direction, ie, the Y-axis direction) , the discharge range of the temperature control gas G1 can be adjusted.

이상과 같이 온도 조정 가스 노즐(46)로부터 온도 조정 가스(G1)가 토출됨으로써, 도달 영역(AR)의 긴 방향에 있어서의 폭과 동일한 정도의 반경을 가지는 범위에 있어서 표면(Wa) 상에 온도 조정 가스(G1)가 공급된다.As described above, by discharging the temperature control gas G1 from the temperature control gas nozzle 46, the temperature on the surface Wa in a range having a radius approximately equal to the width of the reach region AR in the longitudinal direction. Adjustment gas G1 is supplied.

또한, 온도 조정 가스 노즐(46)이 토출 위치에 배치된 상태에 있어서, 토출구(52)로부터의 온도 조정 가스(G1)의 도달 영역(AR)이 연장되는 방향은, 워크(W)의 회전 방향에 대하여 직교가 아닌 적어도 교차하고 있으면 된다. 즉, 도달 영역(AR)이 연장되는 방향이, 워크(W)의 반경 방향에 대하여 직교하고 있지 않으면 된다.In the state where the temperature control gas nozzle 46 is disposed at the discharge position, the direction in which the reach region AR of the temperature control gas G1 from the discharge port 52 extends is the rotation direction of the workpiece W. It is not orthogonal to , but at least it is necessary to intersect. That is, the direction in which the reach area AR extends does not have to be orthogonal to the radial direction of the workpiece W.

온도 조정 가스(G1)의 처리액(L1)에 대한 분사는, 레지스트막(R)의 현상 기간 중, 계속되어도 된다. 온도 조정 가스(G1)의 처리액(L1)에 대한 분사는, 예를 들면, 워크(W)의 표면(Wa)에 처리액(L1)이 공급되고 나서, 현상이 완료될 때까지, 혹은, 후속의 처리가 개시될 때까지, 계속되어도 된다. 단계(S14)에 있어서, 제어 장치(100)는, 배기부(V2)를 제어하여, 컵 본체(71) 내로부터의 배기를 정지한 상태, 혹은, 컵 본체(71) 내로부터 배기를 계속한 상태에서, 워크(W)의 표면(Wa)에 대한 온도 조정 가스(G1)의 공급을 행해도 된다.The spraying of the temperature control gas G1 to the processing liquid L1 may be continued during the developing period of the resist film R. The injection of the temperature control gas G1 to the processing liquid L1 is, for example, after the processing liquid L1 is supplied to the surface Wa of the workpiece W until development is completed, or It may continue until the next processing is started. In step S14, the control device 100 controls the exhaust unit V2 to stop exhausting from the inside of the cup body 71, or continues exhausting from the inside of the cup body 71. In this state, the temperature control gas G1 may be supplied to the surface Wa of the workpiece W.

이어서, 제어 장치(100)는, 기판 유지부(20) 및 공급부(40)를 제어하여, 회전 중인 워크(W)의 표면(Wa) 즉 처리액(L1)의 상면에, 공급부(40)에 의해, 처리액(L2)(린스액)을 처리액 노즐(47)로부터 공급시킨다(단계(S15)). 이에 의해, 도 13의 (a)에 나타나는 바와 같이, 레지스트막(R) 중 처리액(L1)과의 반응으로 용해된 레지스트의 용해물이, 처리액(L1)과 함께, 처리액(L2)에 의해 워크(W)의 표면(Wa)으로부터 씻겨내진다(배출된다). 이렇게 하여, 워크(W)의 표면(Wa)에 레지스트 패턴(RP)이 형성된다.Subsequently, the control device 100 controls the substrate holding unit 20 and the supply unit 40 to supply the supply unit 40 to the surface Wa of the rotating work W, that is, the upper surface of the treatment liquid L1. Thus, the treatment liquid L2 (rinse liquid) is supplied from the treatment liquid nozzle 47 (step S15). As a result, as shown in (a) of FIG. 13 , the resist melt dissolved by the reaction with the treatment liquid L1 in the resist film R is transferred to the treatment liquid L2 together with the treatment liquid L1. As a result, it is washed (discharged) from the surface Wa of the workpiece W. In this way, the resist pattern RP is formed on the surface Wa of the workpiece W.

또한, 도 12에서는, 온도 조정 가스 노즐(46)로부터의 온도 조정 가스(G1)의 도달 영역(AR)이 반경 방향(선(CR) 방향)과 일치하도록 노즐 유닛(43)을 배치한 경우의, 처리액 노즐(47)로부터의 처리액이 워크(W)의 표면(Wa)에 공급되는 공급 위치(47')를 나타내고 있다. 마찬가지로 도 12에서는, 건조 가스 노즐(45)로부터의 건조 가스가 워크(W)의 표면(Wa)에 공급되는 공급 위치(45') 및, 제 2 처리액 노즐(49)로부터의 처리액이 워크(W)의 표면(Wa)에 공급되는 공급 위치(49')에 대해서도 나타내고 있다. 상술한 노즐 유닛(43)의 구성인 경우, 공급 위치(45', 47', 49')가 온도 조정 가스(G1)의 도달 영역(AR)과 겹치게 된다. 따라서, 온도 조정 가스(G1)의 도달 영역(AR)을 기준으로 설정한 노즐 유닛(43)의 배치로 한 상태에서, 처리액, 건조 가스에 대해서도 도달 영역(AR)과 마찬가지로 반경 방향(선(CR) 방향)을 따른 위치에 토출을 행할 수 있다.In addition, in FIG. 12, the case where the nozzle unit 43 is arrange|positioned so that the reach area|region AR of the temperature control gas G1 from the temperature control gas nozzle 46 may match the radial direction (line CR direction) , indicates a supply position 47' at which the treatment liquid from the treatment liquid nozzle 47 is supplied to the surface Wa of the workpiece W. Similarly, in FIG. 12 , the supply position 45 ′ where the dry gas from the dry gas nozzle 45 is supplied to the surface Wa of the workpiece W and the treatment liquid from the second treatment liquid nozzle 49 supply the workpiece. The supply position 49' supplied to the surface Wa of (W) is also shown. In the case of the configuration of the nozzle unit 43 described above, the supply positions 45', 47', and 49' overlap the reach area AR of the temperature adjusting gas G1. Therefore, in a state where the nozzle unit 43 is arranged based on the reach region AR of the temperature control gas G1, the radial direction (line ( CR) direction) can be discharged.

단계(S15)에 있어서의 처리액(L2)의 토출 개시 전에, 제어 장치(100)는, 구동부(50)에 의해, 처리액 노즐(47)로부터의 처리액(L2)의 표면(Wa)에 있어서의 도달 영역이 워크(W)의 중심(CP)에 위치하도록 처리액 노즐(47)(유지 암(44))을 변위시킨다. 본 실시 형태에서는, 구동부(50)는, 워크(W)의 반경 방향과 교차하는 방향에 있어서 변위시키지 않고, 워크(W)의 반경 방향에 있어서 처리액 노즐(47)을 변위시킨다. 단계(S15)에 있어서, 제어 장치(100)는, 배기부(V2)를 제어하여, 컵 본체(71) 내로부터 배기를 계속한 상태로, 워크(W)의 표면(Wa)에 대한 처리액(L2)의 공급을 공급부(40)에 실행시켜도 된다. 단계(S15)에 있어서의 컵 본체(71) 내로부터의 배기량은, 단계(S14)에 있어서의 컵 본체(71) 내로부터의 배기량보다 커지도록 설정되어도 된다.Before the start of discharge of the processing liquid L2 in step S15, the control device 100 applies the driving unit 50 to the surface Wa of the processing liquid L2 from the processing liquid nozzle 47. The processing liquid nozzle 47 (holding arm 44) is displaced so that the reach area of the workpiece W is positioned at the center CP of the workpiece W. In this embodiment, the driving unit 50 displaces the treatment liquid nozzle 47 in the radial direction of the work W without displaced in a direction crossing the radial direction of the work W. In step S15, the control device 100 controls the exhaust unit V2 to continue to exhaust the treatment liquid from the inside of the cup body 71 to the surface Wa of the workpiece W. (L2) may be supplied to the supply unit 40. The exhaust amount from the inside of the cup main body 71 in step S15 may be set so as to be larger than the exhaust amount from the inside of the cup main body 71 in step S14.

이어서, 제어 장치(100)는, 회전 중인 워크(W)의 표면(Wa), 즉 표면(Wa)에 남는 처리액(L2)의 상면에, 공급부(40)에 의해, 건조 가스(G2)를 건조 가스 노즐(45)로부터 공급시킨다(단계(S16)). 단계(S16)에 있어서의 건조 가스(G2)의 토출 개시 시점에 있어서, 건조 가스(G2)의 도달 위치가 워크(W)의 중심(CP)에 대략 일치하도록, 제어 장치(100)는, 구동부(50)에 의해 유지 암(44)을 수평으로(Y축 방향으로) 이동시켜도 된다. Y축 방향에 있어서, 처리액 노즐(47)로부터의 처리액(L2)의 표면(Wa)에 있어서의 도달 위치와, 건조 가스 노즐(45)로부터의 건조 가스(G2)의 표면(Wa)의 도달 위치가 서로 대략 일치하고 있는 경우, 유지 암(44)의 상기 이동이 생략되어도 된다. 상술한 건조 가스 노즐(45)과 처리액 노즐(47)과의 배치 관계의 일례에서는, 적어도 X축 방향에 있어서, 건조 가스(G2)의 상기 도달 위치와 처리액(L2)의 상기 도달 위치가 서로 대략 일치한다(도 5 참조). 이 때문에, 처리액(L2)의 공급으로부터 건조 가스(G2)의 공급으로의 전환할 때마다, 적어도 X축 방향에 있어서 유지 암(44)의 위치를 변경할 필요가 없고, Y축 방향으로의 이동만으로 일련의 처리를 행할 수 있다.Subsequently, the control device 100 supplies the dry gas G2 to the surface Wa of the rotating workpiece W, that is, the upper surface of the treatment liquid L2 remaining on the surface Wa, by the supply unit 40. It is supplied from the dry gas nozzle 45 (step S16). At the start point of discharge of the dry gas G2 in step S16, the control device 100 has a driving unit so that the arrival position of the dry gas G2 substantially coincides with the center CP of the workpiece W. The holding arm 44 may be moved horizontally (in the Y-axis direction) by (50). In the Y-axis direction, the arrival position on the surface Wa of the processing liquid L2 from the processing liquid nozzle 47 and the surface Wa of the drying gas G2 from the drying gas nozzle 45 When the arrival positions substantially coincide with each other, the movement of the holding arm 44 may be omitted. In an example of the arrangement relationship between the dry gas nozzle 45 and the treatment liquid nozzle 47 described above, the arrival position of the dry gas G2 and the arrival position of the treatment liquid L2 are at least in the X-axis direction. They roughly coincide with each other (see Fig. 5). Therefore, whenever switching from supply of the processing liquid L2 to supply of the dry gas G2, there is no need to change the position of the holding arm 44 at least in the X-axis direction, and movement in the Y-axis direction. A series of processes can be performed only with

단계(S16)에 있어서, 제어 장치(100)는, 구동부(50)에 의해, 워크(W)의 상방에 있어서 워크(W)의 중심으로부터 주연으로 건조 가스 노즐(45)이 이동하도록, 유지 암(44)을 수평(Y축 방향)으로 이동시켜도 된다. 이에 의해, 워크(W)의 대략 중앙에 존재하는 처리액(L2)이 주위로 날리고 또한 증발하여, 도 13의 (b)에 나타나는 바와 같이, 워크(W)의 중앙부에 건조 영역(D)이 형성된다. 여기서, 건조 영역(D)은, 처리액(L2)이 증발함으로써 워크(W)의 표면(Wa)이 노출된 상태의 영역을 말하지만, 표면(Wa) 상에 매우 약간의(예를 들면 마이크로 오더의) 액적이 부착하고 있는 경우도 포함하는 것으로 한다. 이 건조 영역(D)은, 워크(W)의 회전에 의해 발생하는 원심력으로, 워크(W)의 중앙부로부터 주연측을 향해 확산된다. 건조 영역(D)이 형성된 후에는, 건조 가스 노즐(45)로부터의 건조 가스(G2)의 공급이 정지되어도 된다.In step S16, the control device 100 moves the dry gas nozzle 45 from the center of the work W to the periphery in the upper direction of the work W by the drive unit 50. (44) may be moved horizontally (Y-axis direction). As a result, the treatment liquid L2 present at the approximate center of the workpiece W is blown around and evaporated, and as shown in FIG. 13(b), a drying area D is formed in the center of the workpiece W. is formed Here, the dry region D refers to a region in which the surface Wa of the workpiece W is exposed by evaporation of the treatment liquid L2, but there is very little (for example, micro order) on the surface Wa. ) shall also include the case where droplets are attached. This drying area D spreads from the central portion of the work W toward the periphery due to the centrifugal force generated by the rotation of the work W. After the dry region D is formed, the supply of the dry gas G2 from the dry gas nozzle 45 may be stopped.

단계(S16)에 있어서, 제어 장치(100)는, 배기부(V2)를 제어하여, 컵 본체(71) 내로부터 배기를 계속한 상태로, 워크(W)의 표면(Wa)에 대한 건조 가스(G2)의 공급을 행해도 된다. 단계(S16)에 있어서의 컵 본체(71) 내로부터의 배기량은, 단계(S14)에 있어서의 컵 본체(71) 내로부터의 배기량보다 크게 되도록 설정되어도 된다.In step S16, the control device 100 controls the exhaust unit V2 to continue exhausting the dry gas from the inside of the cup body 71 to the surface Wa of the workpiece W. (G2) may be supplied. The exhaust amount from the inside of the cup main body 71 in step S16 may be set to be larger than the exhaust amount from the inside of the cup main body 71 in step S14.

건조 가스 노즐(45)로부터의 건조 가스(G2)의 공급 정지 후에 있어서, 워크(W)의 표면(Wa) 상에 남는 처리액(L2)은, 워크(W)의 회전에 의해 발생하는 원심력으로, 워크(W)의 중앙부로부터 주연측을 향해 확산된다. 이 후, 워크(W)의 표면(Wa) 상의 처리액(L2)이 워크(W)의 주연부로부터 털어내지면, 워크(W)의 건조가 완료된다. 이상에 의해, 워크(W)의 액 처리가 종료된다.After the supply of the dry gas G2 from the dry gas nozzle 45 is stopped, the treatment liquid L2 remaining on the surface Wa of the workpiece W is caused by the centrifugal force generated by the rotation of the workpiece W. , diffuses from the central portion of the work W toward the periphery. After that, when the treatment liquid L2 on the surface Wa of the work W is shaken off from the periphery of the work W, drying of the work W is completed. With the above, the liquid treatment of the workpiece W is completed.

또한, 상기의 예에서는 처리액(L2)만을 사용하는 경우에 대하여 설명했지만, 처리액(L2) 대신에 처리액을 이용하는 구성으로 해도 된다. 또한, 처리액(L2)을 이용하는 공정의 일부만을 처리액을 이용하는 구성으로 해도 된다. 처리액을 이용하는 경우, 처리액 노즐(47)로부터의 처리액(L2)의 토출 대신에, 제 2 처리액 노즐(49)로부터의 처리액의 공급이 행해질 수 있다.Further, in the above example, the case where only the processing liquid L2 is used has been described, but it is good as a configuration in which the processing liquid is used instead of the processing liquid L2. In addition, it is good also as a structure which uses only a part of the process using the processing liquid L2. In the case of using the treatment liquid, instead of discharging the treatment liquid L2 from the treatment liquid nozzle 47 , the treatment liquid may be supplied from the second treatment liquid nozzle 49 .

[노즐 유닛의 변형례][Modification example of nozzle unit]

도 14 및 도 15를 참조하여, 변형례에 따른 노즐 유닛에 대하여 설명한다. 변형례에 따른 노즐 유닛(43A)은, 노즐 유닛(43)과 비교하여 이하의 점이 상이하다. 즉, 처리액 노즐(47)이 홀더(48)에 마련되어 있는 것이 아니라, 유지 암(44)에 마련되어 있는 점이다. 노즐 유닛(43A)에서는, 노즐 유닛(43)에 있어서 제 2 처리액 노즐(49)이 마련된 위치에 처리액 노즐(47)이 마련되어 있다.Referring to FIGS. 14 and 15 , a nozzle unit according to a modified example will be described. The nozzle unit 43A according to the modified example differs from the nozzle unit 43 in the following points. That is, the processing liquid nozzle 47 is not provided on the holder 48, but on the holding arm 44. In the nozzle unit 43A, a processing liquid nozzle 47 is provided at a position where the second processing liquid nozzle 49 is provided in the nozzle unit 43 .

노즐 유닛(43A)에 있어서도, 공급 기구(41A ~ 41C)로부터 공급되는 온도 조정 가스(G1), 건조 가스(G2), 및 처리액(L2)을 각각, 워크(W)의 표면(Wa)에 토출하기 위한 구성을 가진다. 또한, 노즐 유닛(43A)은, 도 14 및 도 15에 나타나는 바와 같이, 유지 암(44)과, 건조 가스 노즐(45)과, 온도 조정 가스 노즐(46)과, 처리액 노즐(47)과, 유지 암(44)을 이동시킴으로써 이들의 노즐을 이동시키는 구동부(50)를 포함한다.Also in the nozzle unit 43A, the temperature control gas G1, the drying gas G2, and the processing liquid L2 supplied from the supply mechanisms 41A to 41C are respectively applied to the surface Wa of the workpiece W. It has a configuration for discharging. 14 and 15, the nozzle unit 43A includes the holding arm 44, the drying gas nozzle 45, the temperature control gas nozzle 46, the treatment liquid nozzle 47, , and a driving unit 50 that moves these nozzles by moving the holding arm 44.

유지 암(44)은, 노즐 유닛(43)의 유지 암(44)과 마찬가지로, 수평부(44a)와 연직부(44b)를 포함한다. 연직부(44b)는 수평부(44a)의 선단부로부터 하방(-Z 방향)의 워크(W)의 표면(Wa)을 향해 연장되어 있다. 유지 암(44)의 내부에는, 공급 기구(41A)로부터 공급되는 온도 조정 가스(G1)를 유통시키는 가스 유로(42a)가 마련되어 있어도 된다. 또한, 유지 암(44)의 내부에는, 공급 기구(41B)로부터 공급되는 건조 가스(G2)를 유통시키는 가스 유로(42b), 및 공급 기구(41C)로부터 공급되는 처리액(L2)을 유통시키는 처리액 유로(42c)가 마련되어 있어도 된다.Like the holding arm 44 of the nozzle unit 43, the holding arm 44 includes the horizontal part 44a and the vertical part 44b. The vertical portion 44b extends from the front end of the horizontal portion 44a downward (-Z direction) toward the surface Wa of the workpiece W. Inside the holding arm 44, there may be provided a gas flow path 42a through which the temperature control gas G1 supplied from the supply mechanism 41A is circulated. Further, inside the holding arm 44, there is a gas passage 42b through which the dry gas G2 supplied from the supply mechanism 41B flows, and a treatment liquid L2 supplied from the supply mechanism 41C through which it flows. A treatment liquid passage 42c may be provided.

건조 가스 노즐(45)은, 노즐 유닛(43)의 건조 가스 노즐(45)과 마찬가지로, 유지 암(44)의 연직부(44b)의 하단에 마련되어 있다. 또한, 건조 가스 노즐(45)은, 워크(W)의 표면(Wa)을 향해 대략 수직 방향으로 건조 가스(G2)를 토출하도록 구성되어 있다.Like the dry gas nozzle 45 of the nozzle unit 43, the dry gas nozzle 45 is provided at the lower end of the vertical portion 44b of the holding arm 44. Further, the dry gas nozzle 45 is configured to discharge the dry gas G2 in a substantially vertical direction toward the surface Wa of the workpiece W.

온도 조정 가스 노즐(46)은, 노즐 유닛(43)의 온도 조정 가스 노즐(46)과 마찬가지로, 워크(W)의 표면(Wa)을 향해 온도 조정 가스(G1)를 토출하도록 구성되어 있다. 온도 조정 가스 노즐(46)은, 방사 형상의 토출 범위에 있어서 균일하게 온도 조정 가스(G1)를 토출한다. 그를 위한 형상으로서, 본체부(53)의 내부에 대략 수직 방향으로 연장되는 공급 유로(55)와, 공급 유로(55)의 하단으로부터 방사 형상으로 온도 조정 가스(G1)를 이동시키는 토출 유로(56)를 가지고 있어도 된다. 본체부(53)의 내부의 구성 등도, 노즐 유닛(43)의 온도 조정 가스 노즐(46)과 마찬가지로 할 수 있다.The temperature control gas nozzle 46 is configured to discharge the temperature control gas G1 toward the surface Wa of the workpiece W, similarly to the temperature control gas nozzle 46 of the nozzle unit 43 . The temperature control gas nozzle 46 uniformly discharges the temperature control gas G1 in a radial discharge range. As a shape for this, a supply passage 55 extending in a substantially vertical direction inside the body portion 53, and a discharge passage 56 for moving the temperature control gas G1 radially from the lower end of the supply passage 55. ) may have. The configuration of the inside of the body portion 53 can be similar to that of the temperature control gas nozzle 46 of the nozzle unit 43 .

처리액 노즐(47)은, 건조 가스 노즐(45)과 마찬가지로, 표면(Wa)의 상방으로부터 표면(Wa)에 대하여 대략 수직인 방향으로 처리액을 토출해도 된다. Y축 방향 및 X축 방향의 각각에서 봤을 때, 처리액 노즐(47)로부터의 처리액의 토출 방향은, 표면(Wa)에 대하여 대략 수직이 된다.Like the dry gas nozzle 45, the treatment liquid nozzle 47 may discharge the treatment liquid from above the surface Wa in a direction substantially perpendicular to the surface Wa. When viewed from each of the Y-axis direction and the X-axis direction, the discharge direction of the treatment liquid from the treatment liquid nozzle 47 is substantially perpendicular to the surface Wa.

또한, 도 14 및 도 15에 나타나는 예에서는, 처리액 노즐(47)은, 건조 가스 노즐(45)과 마찬가지로 유지 암의 연직부(44b)의 하단에 마련되어 있다. 도 15에 나타내는 바와 같이, 건조 가스 노즐(45) 및 처리액 노즐(47)은, Y축 방향을 따라 배열되어 있어도 된다.In the examples shown in FIGS. 14 and 15 , the treatment liquid nozzle 47 is provided at the lower end of the vertical portion 44b of the holding arm, similarly to the dry gas nozzle 45 . As shown in FIG. 15 , the dry gas nozzle 45 and the treatment liquid nozzle 47 may be arranged along the Y-axis direction.

처리액 노즐(47)은, 건조 가스 노즐(45)과 동일한 형상이어도 된다. 즉, 처리액 노즐(47)에는, 유지 암(44)의 수평부(44a) 내를 지나고 또한 연직부(44b)의 하단으로 연장되는 처리액 유로(42c)로부터 연속하여, 연직 방향으로 연장되는 처리액 유로가 마련된다. 처리액 노즐(47)은, 처리액 유로(42c)를 거쳐 처리액 유로로 공급되는 처리액을 표면(Wa)을 향해 토출하는 토출구(47b)를 포함한다. 토출구(47b)는, 예를 들면, 처리액 노즐(47)의 하단면에 마련되어 있고, 그 하단면에 있어서 개구되어 있다. 토출구(47b)의 형상(윤곽)은, 처리액의 토출 방향(도시의 Z축 방향)에서 봤을 때 원형이어도 된다.The treatment liquid nozzle 47 may have the same shape as the dry gas nozzle 45 . That is, in the processing liquid nozzle 47, a processing liquid passage 42c passing through the inside of the horizontal portion 44a of the holding arm 44 and extending to the lower end of the vertical portion 44b extends in the vertical direction continuously from the processing liquid passage 42c. A processing liquid flow path is provided. The treatment liquid nozzle 47 includes a discharge port 47b for discharging the treatment liquid supplied to the treatment liquid passage through the treatment liquid passage 42c toward the surface Wa. The discharge port 47b is provided, for example, on the lower end surface of the treatment liquid nozzle 47 and is open at the lower end surface. The shape (contour) of the discharge port 47b may be circular as viewed in the discharge direction of the processing liquid (Z-axis direction in the illustration).

상기의 노즐 유닛(43A)을 사용한 경우도, 상술한 노즐 유닛(43)과 마찬가지로 상술한 기판 처리 방법에 의해 워크(W)에 대한 액 처리를 행할 수 있다.Even when the above nozzle unit 43A is used, liquid processing can be performed on the workpiece W by the above-described substrate processing method similarly to the nozzle unit 43 described above.

[실시 형태의 효과][Effect of Embodiment]

이상으로 설명한 노즐 유닛(43, 43A)에서는, 온도 조정 가스 노즐(46)의 제 1 방향(Y축 방향)으로 연장되는 토출구(52)로부터, 온도 조정 가스(G1)가 제 1 방향에 있어서 방사 형상으로 토출된다. 이 때문에, 워크(W)의 표면(Wa) 중, 토출구(52)의 제 1 방향에 있어서의 폭보다 긴 영역에 대하여, 온도 조정 가스 노즐(46)로부터의 온도 조정 가스(G1)가 공급된다. 이에 의해, 액 처리에 있어서 당해 온도 조정 가스(G1)가 공급된 영역의 온도를 조정할 수 있기 때문에, 워크(W)의 면내에 있어서의 온도 분포의 균일성을 향상시키는 것이 가능해진다. 또한, 그에 따라, 예를 들면, 처리 후의 워크(W)에 있어서 형성된 막의 선폭(CD)의 균일성을 향상시킬 수 있다.In the nozzle units 43 and 43A described above, the temperature control gas G1 is emitted in the first direction from the discharge port 52 extending in the first direction (Y-axis direction) of the temperature control gas nozzle 46. discharged in the form For this reason, the temperature control gas G1 from the temperature control gas nozzle 46 is supplied to the area|region longer than the width|variety of the discharge port 52 in the 1st direction among the surface Wa of the workpiece|work W. . This makes it possible to adjust the temperature of the region to which the temperature adjusting gas G1 is supplied in liquid processing, thereby improving the uniformity of the temperature distribution within the surface of the workpiece W. In addition, it is possible to improve the uniformity of the line width (CD) of the film formed on the workpiece W after the treatment, for example.

현상 처리에 있어서, 상세하게는 현상액을 워크(W)의 표면(Wa)에 공급한 후에, 린스액을 공급할 때까지의 동안에 있어서, 온도 조정 가스(G1)를 이용하지 않는 경우, 하우징 내의 배기 등의 영향에 의해, 워크(W)의 주연부로부터 방열이 촉진되기 쉽다. 이 때문에, 워크(W)의 면내에 온도차가 발생하는 경우가 있으며, 그 결과, 면내에 있어 현상 속도가 상이하여, 워크(W) 면내에 있어서의 레지스트 패턴의 선폭에 불균일이 생길 가능성이 있다. 이에 대하여, 상기 실시 형태에 따른 노즐 유닛(43)에 있어서는, 온도 조정 가스(G1)가 공급된 부분의 현상액 상면 근방의 분위기가 치환되어 타부분보다 그 부분에서의 현상액의 기화가 진행되는 것에 따른 기화열로 냉각이 진행된다고 상정된다. 또한, 온도 조정 가스(G1)는, 어느 정도의 압력을 가지고 온도 조정 가스 노즐(46)로부터 공급되기 때문에, 토출 후의 가스는 팽창에 의해 냉각될 수 있다(단열 팽창 냉각). 이들 온도 조정 가스(G1)의 작용에 의해, 워크(W)의 표면(Wa)을 국소적으로 냉각할 수 있는 것이 가능해져, 온도 분포를 조정할 수 있다. 또한, 그 결과, 워크(W) 면내에 있어서의 레지스트 패턴의 선폭의 불균일을 저하시키는 것이 가능해진다.In the development process, in detail, after the developer is supplied to the surface Wa of the work W, until the rinse liquid is supplied, when the temperature control gas G1 is not used, exhaust from the housing, etc. Due to the influence of , heat dissipation from the periphery of the workpiece W is easily promoted. For this reason, a temperature difference may occur within the surface of the workpiece W, and as a result, there is a possibility that the developing speed differs within the surface, resulting in uneven line width of the resist pattern within the surface of the workpiece W. In contrast, in the nozzle unit 43 according to the above embodiment, the atmosphere near the upper surface of the developer in the portion to which the temperature control gas G1 is supplied is replaced, and the vaporization of the developer in that portion proceeds more than in other portions. It is assumed that cooling proceeds by the heat of vaporization. In addition, since the temperature control gas G1 is supplied from the temperature control gas nozzle 46 with a certain pressure, the discharged gas can be cooled by expansion (adiabatic expansion cooling). By the action of these temperature control gases G1, it becomes possible to locally cool the surface Wa of the work W, and it is possible to adjust the temperature distribution. Further, as a result, it is possible to reduce unevenness in the line width of the resist pattern within the surface of the workpiece W.

온도 조정 가스 노즐(46)은, 착탈 가능하게 구성되어 있어도 된다. 온도 조정 가스 노즐(46)이 착탈 가능함으로써, 예를 들면, 장치 내에서의 레이아웃의 조정 등도 유연하게 행할 수 있다.The temperature control gas nozzle 46 may be configured to be detachable. Since the temperature control gas nozzle 46 is detachable, it is possible to flexibly adjust the layout within the device, for example.

온도 조정 가스 유로로서의 가스 유로(51)는, 공급 유로(55)와, 공급 유로(55)의 하류측에 접속된 토출 유로(56)를 포함하고 있어도 된다. 또한, 공급 유로(55)는, 정해진 방향으로 연장되고 또한 내경이 일정한 직선 형상의 유로여도 된다. 토출 유로(56)는, 공급 유로(55)의 연장 방향에 대하여 교차하고 또한 상기 제 1 방향을 포함하는 경사면을 따라 연장되는 유로여도 된다. 이 때, 제 1 방향에 대하여 직교하는 방향으로 연장되는 높이가, 내경보다 작은 태양이어도 된다. 상기의 형상을 가짐으로써, 공급 유로(55)로부터 토출 유로(56)로 흐를 시에, 액체의 유속이 억제되어, 온도 조정 가스의 방사 형상으로의 확산을 보다 균일하게 행할 수 있다.The gas flow path 51 as a temperature control gas flow path may include a supply flow path 55 and a discharge flow path 56 connected downstream of the supply flow path 55 . In addition, the supply flow path 55 may be a straight flow path that extends in a predetermined direction and has a constant inner diameter. The discharge passage 56 may be a passage crossing the extension direction of the supply passage 55 and extending along an inclined surface including the first direction. At this time, the aspect that the height extended in the direction orthogonal to a 1st direction may be smaller than an inner diameter may be sufficient. By having the above shape, when flowing from the supply passage 55 to the discharge passage 56, the flow velocity of the liquid is suppressed, and the temperature control gas can be diffused more uniformly in a radial shape.

토출 유로(56)의 저면으로서의 벽면(56d)은, 경사면을 따라 연장되는 면재에 의해 형성되어 있어도 된다. 공급 유로(55)의 단부는, 토출 유로(56)의 벽면(56d)을 구성하는 면재와 대향하는 위치에서 토출 유로(56)에 대하여 접속하는 태양이어도 된다. 이러한 배치로 접속하고 있는 경우, 공급 유로(55)로부터 토출 유로(56)로의 온도 조정 가스(G1)의 이동 시의 액체의 유속의 억제가 보다 확실하게 행해진다.The wall surface 56d serving as the bottom surface of the discharge passage 56 may be formed of a face material extending along an inclined surface. An end portion of the supply passage 55 may be connected to the discharge passage 56 at a position facing the face material constituting the wall surface 56d of the discharge passage 56 . In the case of connection with such an arrangement, the flow velocity of the liquid at the time of movement of the temperature control gas G1 from the supply passage 55 to the discharge passage 56 is more reliably suppressed.

토출 유로(56)는, 공급 유로(55)와의 접속 위치로부터, 토출구(52)의 각 위치까지의 길이가 균일하게 되어 있어, 토출구(52)는, 폭 방향에 있어서 단부보다 내측이 토출 방향에 대하여 돌출되는 것과 같은 곡면을 따라 형성되어 있는 태양이어도 된다. 토출 유로에 있어서의 토출구의 각 위치까지의 거리가 균일함으로써, 토출 유로 내에 있어서 온도 조정 가스의 유속의 균일성을 향상시키는 것이 가능해진다. 또한, 내측이 토출 방향에 대하여 돌출되는 것과 같은 곡면이란, 예를 들면 그 일부에 요철(凹凸) 또는 각 부가 포함되어 있어도 된다. 즉, 전체적으로 곡면으로 되어 있으면 되며, 미세한 형상은 특별히 한정되지 않는다.The length of the discharge passage 56 from the connection position with the supply passage 55 to each position of the discharge port 52 is uniform, and the discharge port 52 has an inner side than the end in the width direction in the discharge direction. It may be a sun formed along a curved surface such as to protrude against the surface. When the distance to each position of the discharge port in the discharge passage is uniform, it becomes possible to improve the uniformity of the flow velocity of the temperature control gas in the discharge passage. In addition, a curved surface in which the inner side protrudes with respect to the discharge direction may include irregularities or corners, for example, in part. That is, what is necessary is just to become a curved surface as a whole, and a fine shape is not specifically limited.

또한, 토출 유로(56)는, 경사면에 대하여 직교하는 방향에서 봤을 때에 부채꼴 형상으로서, 상기 온도 조정 가스 토출구는, 상기 부채꼴의 호를 따라 형성되는 태양이어도 된다. 이러한 형상일 때에, 토출 유로 내에 있어서 온도 조정 가스의 유속의 균일성을 보다 향상시키는 것이 가능해진다.Further, the discharge passage 56 may have a fan shape when viewed from a direction orthogonal to the inclined surface, and the temperature control gas discharge port may be formed along an arc of the fan shape. With such a shape, it becomes possible to further improve the uniformity of the flow velocity of the temperature control gas in the discharge passage.

토출구(52)는, 토출구(47b)(처리액 토출구)보다 높은 위치에 있는 태양이어도 된다. 온도 조정 가스(G1)를 토출하는 토출구(52)가 토출구(47b)보다 높은 위치인 경우, 온도 조정 가스(G1)를 보다 균일하게 워크(W)의 표면(Wa)에 대하여 토출할 수 있다.The discharge port 52 may be positioned higher than the discharge port 47b (processing liquid discharge port). When the discharge port 52 for discharging the temperature control gas G1 is at a position higher than the discharge port 47b, the temperature control gas G1 can be more uniformly discharged to the surface Wa of the workpiece W.

구동부(50)는, 토출하는 유체의 종류에 따라, 온도 조정 가스 노즐(46), 건조 가스 노즐(45), 및 처리액 노즐(47)을 제 1 방향을 따라 이동시켜, 워크(W)의 표면(Wa)에 유체를 공급하는 태양이어도 된다. 이러한 구성으로 함으로써, 보다 간단한 동작으로, 기판의 표면에 온도 조정 가스, 건조 가스, 처리액을 공급할 수 있다.The drive unit 50 moves the temperature control gas nozzle 46, the drying gas nozzle 45, and the treatment liquid nozzle 47 along a first direction according to the type of fluid to be discharged, thereby An aspect of supplying a fluid to the surface Wa may be used. With this configuration, the temperature control gas, drying gas, and processing liquid can be supplied to the surface of the substrate with a simpler operation.

이상, 각종 예시적 실시 형태에 대하여 설명했지만, 상술한 예시적 실시 형태에 한정되지 않고, 다양한 생략, 치환 및 변경이 이루어져도 된다. 또한, 상이한 실시 형태에 있어서의 요소를 조합하여 다른 실시 형태를 형성하는 것이 가능하다.In the above, various exemplary embodiments have been described, but various omissions, substitutions, and changes may be made without being limited to the above-described exemplary embodiments. Further, it is possible to form other embodiments by combining elements in different embodiments.

예를 들면 상술한 노즐 유닛(43)에서는, Y축 방향(토출구(52)가 연장되는 방향)에서 봤을 때, 건조 가스 노즐(45), 온도 조정 가스 노즐(46), 및 처리액 노즐(47)로부터의 가스 또는 처리액의 표면(Wa)에 있어서의 도달 위치가 서로 대략 일치하지만, 도달 위치의 서로 관계는 이에 한정되지 않는다. 이들 3 개의 노즐 중 어느 2 개의 노즐에 의한 가스 등의 도달 위치가 서로 대략 일치하고, 다른 1 개의 노즐에 의한 가스 등의 도달 위치가 상기 2 개의 노즐에 의한 도달 위치와 상이해도 된다. 3 개의 노즐에 의한 가스 등의 도달 위치가 서로 상이해도 된다. 이들 도달 위치에 따라, 3 개의 노즐의 토출구로부터의 가스 등의 토출 방향이 상술한 예와는 상이한 방향이어도 된다.For example, in the nozzle unit 43 described above, when viewed in the Y-axis direction (the direction in which the discharge port 52 extends), the drying gas nozzle 45, the temperature control gas nozzle 46, and the treatment liquid nozzle 47 Although the reach positions on the surface Wa of the gas or treatment liquid from ) are substantially coincident with each other, the relationship between the reach positions is not limited to this. The arrival positions of gas or the like by any two of these three nozzles may substantially coincide with each other, and the arrival position of gas or the like by the other nozzle may be different from the arrival position by the two nozzles. The three nozzles may have different arrival positions of gas or the like. Depending on these arrival positions, the discharge direction of the gas or the like from the discharge ports of the three nozzles may be in a direction different from that of the above-described example.

X축 방향에 있어서의 건조 가스 노즐(45), 온도 조정 가스 노즐(46), 및 처리액 노즐(47)의 배치(순서)는 상술한 예에 한정되지 않고, 이들 3 개의 노즐이 어느 순서로 배치되어 있어도 된다.The arrangement (order) of the dry gas nozzle 45, the temperature control gas nozzle 46, and the treatment liquid nozzle 47 in the X-axis direction is not limited to the above example, and in which order these three nozzles are placed. may be placed.

현상 처리 이외의 액 처리를 행하는 액 처리 유닛(U1)이, 상술과 동일한 노즐 유닛(43)을 가지고 있어도 된다. 도포 현상 장치(2)(기판 처리 시스템(1))는, 상술한 예에 한정되지 않고, 적어도, 일방향을 따라 연장되는 토출구를 포함하고 또한 가스를 방사 형상으로 토출하는 가스 노즐을 가지는 노즐 유닛을 구비하고 있으면, 어떻게 구성되어 있어도 된다.The liquid processing unit U1 that performs liquid processing other than developing processing may have the same nozzle unit 43 as described above. The coating and developing apparatus 2 (substrate processing system 1) is not limited to the example described above, and includes at least a nozzle unit including a discharge port extending along one direction and having a gas nozzle for radially discharging gas. As long as it is provided, it may be comprised in any way.

이상의 설명으로부터, 본 개시의 각종 실시 형태는, 설명의 목적으로 본 명세서에서 설명되어 있고, 본 개시의 범위 및 주지로부터 일탈하지 않고 각종 변경을 할 수 있는 것이 이해될 것이다. 따라서, 본 명세서에 개시한 각종 실시 형태는 한정하는 것을 의도하고 있지 않으며, 진정한 범위와 주지는, 첨부한 특허 청구의 범위에 의해 나타내진다.From the above description, it will be understood that various embodiments of the present disclosure have been described herein for explanatory purposes, and that various changes can be made without departing from the scope and spirit of the present disclosure. Accordingly, the various embodiments disclosed herein are not intended to be limiting, and the true scope and knowledge are indicated by the appended claims.

Claims (15)

용액을 이용한 액 처리를 기판에 대하여 실시하는 액 처리 장치용의 노즐 유닛으로서,
상기 기판에 공급된 상기 용액의 온도를 변경하기 위한 온도 조정 가스를 유통시키는 온도 조정 가스 유로와, 상기 온도 조정 가스 유로를 흐르는 상기 온도 조정 가스를 상기 기판의 표면을 향해 토출하는 온도 조정 가스 토출구를 가지는 온도 조정 가스 노즐과,
상기 기판의 표면을 향해 건조 가스를 토출하는 건조 가스 토출구를 가지는 건조 가스 노즐과,
상기 기판의 표면을 향해 처리액을 토출하는 처리액 토출구를 가지는 처리액 노즐과,
상기 기판의 표면을 따라, 상기 온도 조정 가스 노즐, 상기 건조 가스 노즐, 및 상기 처리액 노즐을 일체적으로 이동시키는 구동부
를 가지고,
상기 온도 조정 가스 토출구는, 상기 표면을 따른 제 1 방향으로 연장되도록 형성되어 있고,
상기 온도 조정 가스 토출구로부터의 상기 온도 조정 가스가 방사 형상으로 토출되도록, 상기 온도 조정 가스 유로의 상기 제 1 방향에 있어서의 폭이 상기 온도 조정 가스 토출구에 가까워짐에 따라 커지는, 노즐 유닛.A nozzle unit for a liquid processing device that performs liquid processing using a solution on a substrate, comprising:
a temperature control gas passage through which a temperature control gas for changing the temperature of the solution supplied to the substrate flows; and a temperature control gas outlet through which the temperature control gas flowing through the temperature control gas passage is discharged toward the surface of the substrate. A temperature control gas nozzle having a temperature;
a dry gas nozzle having a dry gas outlet for discharging dry gas toward the surface of the substrate;
a processing liquid nozzle having a processing liquid discharge port for discharging a processing liquid toward the surface of the substrate;
A drive unit for integrally moving the temperature adjusting gas nozzle, the drying gas nozzle, and the treatment liquid nozzle along the surface of the substrate
with,
The temperature control gas outlet is formed to extend in a first direction along the surface,
The nozzle unit, wherein the width of the temperature control gas passage in the first direction increases as it approaches the temperature control gas outlet so that the temperature control gas is radially discharged from the temperature control gas outlet. 제 1 항에 있어서,
상기 온도 조정 가스 노즐은, 착탈 가능하게 구성되어 있는, 노즐 유닛.According to claim 1,
The nozzle unit in which the said temperature control gas nozzle is comprised so that attachment or detachment is possible. 제 1 항에 있어서,
상기 온도 조정 가스 유로는 공급 유로와, 상기 공급 유로의 하류측에 접속된 토출 유로를 포함하고,
상기 공급 유로는, 정해진 방향으로 연장되고 또한 내경이 일정한 직선 형상의 유로로서,
상기 토출 유로는, 상기 공급 유로의 연장 방향에 대하여 교차하고 또한 상기 제 1 방향을 포함하는 경사면을 따라 연장되는 유로로서, 상기 제 1 방향에 대하여 직교하는 방향으로 연장되는 높이가 상기 내경보다 작은, 노즐 유닛.According to claim 1,
The temperature control gas passage includes a supply passage and a discharge passage connected to a downstream side of the supply passage,
The supply passage is a straight passage extending in a predetermined direction and having a constant inner diameter,
The discharge passage is a passage that intersects the extension direction of the supply passage and extends along an inclined surface including the first direction, and has a height extending in a direction orthogonal to the first direction smaller than the inner diameter, nozzle unit. 제 3 항에 있어서,
상기 토출 유로의 저면은, 상기 경사면을 따라 연장되는 면재에 의해 형성되고,
상기 공급 유로의 단부는, 상기 토출 유로의 상기 면재와 대향하는 위치에서 상기 토출 유로에 대하여 접속하는, 노즐 유닛.According to claim 3,
The bottom surface of the discharge passage is formed by a face material extending along the inclined surface,
An end of the supply passage is connected to the discharge passage at a position facing the face member of the discharge passage. 제 3 항에 있어서,
상기 토출 유로는, 상기 공급 유로와의 접속 위치로부터, 상기 온도 조정 가스 토출구의 각 위치까지의 길이가 균일하게 되어 있고,
상기 온도 조정 가스 토출구는, 폭 방향에 있어서 단부보다 내측이 토출 방향에 대하여 돌출되는 것과 같은 곡면을 따라 형성되어 있는, 노즐 유닛.According to claim 3,
The discharge passage has a uniform length from a connection position with the supply passage to each position of the temperature control gas discharge port;
The said temperature control gas discharge port is formed along the curved surface which protrudes with respect to the discharge direction at the inside of the edge part in the width direction, The nozzle unit. 제 3 항에 있어서,
상기 토출 유로는 상기 경사면에 대하여 직교하는 방향에서 봤을 때에 부채꼴 형상으로서,
상기 온도 조정 가스 토출구는, 상기 부채꼴의 호를 따라 형성되는, 노즐 유닛.According to claim 3,
The discharge passage has a fan-shaped shape when viewed in a direction orthogonal to the inclined surface,
The nozzle unit, wherein the temperature control gas discharge port is formed along the arc of the sector. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 온도 조정 가스 토출구는, 상기 처리액 토출구보다 높은 위치에 있는, 노즐 유닛.According to any one of claims 1 to 6,
The nozzle unit, wherein the temperature control gas discharge port is at a position higher than the processing liquid discharge port. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 방향에 직교하고 또한 상기 기판의 표면을 따르는 제 2 방향에 있어서, 상기 온도 조정 가스 노즐은, 상기 건조 가스 노즐 및 상기 처리액 노즐과는 상이한 위치에 마련되어 있는, 노즐 유닛.According to any one of claims 1 to 6,
In a second direction orthogonal to the first direction and along the surface of the substrate, the temperature control gas nozzle is provided at a position different from the drying gas nozzle and the processing liquid nozzle. 제 8 항에 있어서,
상기 제 2 방향에 있어서, 상기 건조 가스 노즐과 상기 처리액 노즐은 서로 상이한 위치에 마련되어 있는, 노즐 유닛.According to claim 8,
In the second direction, the dry gas nozzle and the treatment liquid nozzle are provided at different positions from each other, the nozzle unit. 제 8 항에 있어서,
상기 건조 가스 노즐과 상기 처리액 노즐은 상기 제 2 방향에 있어서 동일한 위치에 마련되고, 또한, 상기 제 1 방향에 있어서 서로 상이한 위치에 마련되어 있는, 노즐 유닛.According to claim 8,
The nozzle unit, wherein the dry gas nozzle and the treatment liquid nozzle are provided at the same position in the second direction, and are provided at different positions in the first direction. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 온도 조정 가스, 상기 건조 가스, 및 상기 처리액은, 상기 기판의 표면에 있어서, 상기 제 1 방향에 직교하고 또한 상기 기판의 표면을 따르는 제 2 방향에 있어서 대략 동일한 위치에 공급되는, 노즐 유닛.According to any one of claims 1 to 6,
The temperature regulating gas, the drying gas, and the processing liquid are supplied to substantially the same positions on the surface of the substrate in a second direction orthogonal to the first direction and along the surface of the substrate. . 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 구동부는, 토출하는 유체의 종류에 따라, 상기 온도 조정 가스 노즐, 상기 건조 가스 노즐, 및 상기 처리액 노즐을 상기 제 1 방향을 따라 이동시켜, 상기 기판의 표면에 유체를 공급하는, 노즐 유닛.According to any one of claims 1 to 6,
The driving unit is a nozzle unit configured to supply fluid to the surface of the substrate by moving the temperature control gas nozzle, the drying gas nozzle, and the treatment liquid nozzle along the first direction according to the type of fluid to be discharged. . 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 노즐 유닛과,
상기 표면이 상방을 향한 상태의 상기 기판을 유지하여 회전시키는 기판 유지 유닛과,
상기 노즐 유닛과 상기 기판 유지 유닛을 제어하는 제어 유닛을 구비하는, 액 처리 장치.The nozzle unit according to any one of claims 1 to 6;
a substrate holding unit for holding and rotating the substrate with the surface facing upward;
and a control unit that controls the nozzle unit and the substrate holding unit. 제 13 항에 있어서,
상기 온도 조정 가스 및 상기 건조 가스는, 동일한 공급원 및 동일한 공급로를 거쳐 공급되고,
상기 노즐 유닛에 있어서는, 상기 온도 조정 가스 유로와, 상기 건조 가스를 공급하는 건조 가스 유로는 서로 상이한, 액 처리 장치.According to claim 13,
The temperature control gas and the drying gas are supplied via the same supply source and the same supply path,
In the nozzle unit, the temperature control gas passage and the dry gas passage for supplying the dry gas are different from each other. 용액을 이용한 액 처리를 기판에 대하여 실시하는 액 처리 장치용의 노즐 유닛을 이용한 액 처리 방법으로서,
상기 노즐 유닛은,
상기 기판의 표면을 따른 제 1 방향에 있어서의 폭이 온도 조정 가스 토출구를 향해 커지는, 온도 조정 가스를 유통시키는 온도 조정 가스 유로와, 상기 제 1 방향으로 연장되도록 형성되고, 상기 온도 조정 가스 유로를 흐르는 상기 온도 조정 가스를 상기 기판의 표면을 향해 토출하는 상기 온도 조정 가스 토출구를 가지는 온도 조정 가스 노즐과,
상기 기판의 표면을 향해 건조 가스를 토출하는 건조 가스 토출구를 가지는 건조 가스 노즐과,
상기 기판의 표면을 향해 처리액을 토출하는 처리액 토출구를 가지는 처리액 노즐과,
상기 기판의 표면을 따라, 상기 온도 조정 가스 노즐, 상기 건조 가스 노즐, 및 상기 처리액 노즐을 일체적으로 이동시키는 구동부
를 가지고,
상기 구동부가,
상기 기판의 표면에 대하여, 상기 온도 조정 가스 토출구로부터 상기 온도 조정 가스를 방사 형상으로 토출시키는 것과,
상기 온도 조정 가스를 토출한 후에, 상기 기판의 표면에 대하여, 상기 처리액 토출구로부터 상기 처리액을 토출시키는 것과,
상기 처리액을 토출한 후에, 상기 기판의 표면에 대하여, 상기 건조 가스 토출구로부터의 상기 건조 가스를 토출시키는 것
을 포함하는, 액 처리 방법.A liquid processing method using a nozzle unit for a liquid processing apparatus for performing liquid processing using a solution on a substrate, comprising:
The nozzle unit,
a temperature control gas passage through which a temperature control gas flows, the width of which increases in a first direction along the surface of the substrate toward a temperature control gas discharge port; and a temperature control gas passage extending in the first direction, the temperature control gas passage a temperature control gas nozzle having the temperature control gas outlet for discharging the flowing temperature control gas toward the surface of the substrate;
a dry gas nozzle having a dry gas outlet for discharging dry gas toward the surface of the substrate;
a processing liquid nozzle having a processing liquid discharge port for discharging a processing liquid toward the surface of the substrate;
A drive unit for integrally moving the temperature adjusting gas nozzle, the drying gas nozzle, and the treatment liquid nozzle along the surface of the substrate
with,
the driving unit,
radially discharging the temperature control gas from the temperature control gas discharge port to the surface of the substrate;
discharging the processing liquid from the processing liquid discharge port to the surface of the substrate after discharging the temperature control gas;
Discharging the dry gas from the dry gas discharge port to the surface of the substrate after discharging the processing liquid.
Including, liquid treatment method.
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