KR20220166169A - Electric energy generator and electric energy generation method - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은, 공간 전하, 진공 편극 및 가상 입자의 개념에 결부된 이론에서 유래하며, 진공 중에서 가열된 캐소드의 주위의 전자운의 자발 형성에 관련된 것이다.The present invention derives from theories linked to the concepts of space charge, vacuum polarization and virtual particles, and relates to the spontaneous formation of an electron cloud around a heated cathode in vacuum.
본 발명의 기초에 있는 물리학 이론은, 2019년 1월에 리서치게이트의 발명자에 의해 발표되어 (www.researchgate.net/publication/330601653＿E-Cat＿SK＿and＿long＿range＿particle＿interactions), 엔트로피 펌프에 의해 실현된다. 여기서, 하이젠베르크의 불확장성 원리로 예견되는 제로점 에너지는, dV/dt 에서 dV 가 커지면, 전자의 치터베베궁이 활발해지고, 아로노프 봄 효과가 생겨, 전자의 위상이 변화하고, 위상이 갖추어진 전자의 클러스터가 형성되고, 엔트로피, 열 용량, 자유도가 작아지고, 위상이 갖추어져 있지 않은 전자로 에너지가 이동하여, 에너지가 증가한다.The physics theory underlying the present invention was announced by the inventor of Researchgate in January 2019 (www.researchgate.net/publication/330601653_E-Cat_SK_and_long_range_particle_interactions), and is realized by an entropy pump. Here, the zero-point energy predicted by Heisenberg's inextensibility principle, when dV increases in dV/dt, the electron's Zitterbebe becomes active, an Aronov Bomb effect occurs, the phase of the electron changes, and the phase is aligned. Clusters of true electrons are formed, entropy, heat capacity, and degree of freedom are reduced, and energy is transferred to electrons that are out of phase, increasing energy.
진공관 기술의 초기부터 잘 알려져 있고, 이용되고 있지만, 안정된 공간 전하의 형성은 전자간의 쿨롱력에 의해 방지되는 것으로 생각되고 있기 때문에, 공간 전하 효과는 충분히 정의된 이론을 갖고 있지 않다. 그러나, 하이젠베르크의 불확장성 원리에 의해 예측되는 양자 변동의 결과로서, 가상 전하쌍의 형성 소멸에 의해 생성되는 진공 편극에 의해 반발력을 스크리닝 할 수 있는 것을 실험적으로 발견하였다.Although well known and used since the early days of vacuum tube technology, the space charge effect does not have a well-defined theory, since the formation of stable space charges is thought to be prevented by the Coulomb force between electrons. However, as a result of the quantum fluctuations predicted by Heisenberg's inextensibility principle, it was experimentally found that the repelling force can be screened by the vacuum polarization produced by the formation and annihilation of virtual charge pairs.
이와 같은 입자-반입자쌍의 수명은, 그 질량-에너지에 반비례하지만, 그 짧은 존재 동안에, 콘덴서의 고체 유전체의 전하로서 기능하고, 전계를 차단하여 콘덴서의 플레이트에 전하를 축적하는 데에 필요한 전압을 저하시키는 것이 가능해진다.The lifetime of such a particle-antiparticle pair is inversely proportional to its mass-energy, but during its short existence, it serves as the charge on the capacitor's solid dielectric, blocking the electric field and providing the voltage required to accumulate the charge on the capacitor's plates. it is possible to lower
상기 가상 입자의 생성은, 진공 중의 허용되는 에너지 상태의 밀도가 높기 때문에 유리하지만, 통상적인 금속 도체에서는 허용 상태의 수가 비교적 적기 때문에 방해가 된다. 이 차이를 이용하여, 고효율의 전기 에너지 발생 장치를 제조할 수 있으며, 이것이 본 발명의 목적이다. 이와 같은 에너지는, 갈륨, 인듐, 비소, 인, 게르마늄, 금, 비스무트의 합금으로 층상이 된 중공의 고체 중의 벽에 의해, 광자를 얻은 플라즈마가 전기 에너지로 변환됨으로써 만들어진다. 공간 전하의 개념에 기초한 전기 에너지 발생 장치를 실현하고, 운용하는 데에는 오늘날까지 누구도 성공하지 못했으며, 본 발명의 장치는, 공간 전하를 운용한다는 과제에 처음으로 대응하는 것이다.The creation of these virtual particles is advantageous because of the high density of allowed energy states in vacuum, but is hampered by the relatively small number of allowed states in conventional metal conductors. Utilizing this difference, a high-efficiency electrical energy generating device can be manufactured, which is an object of the present invention. Such energy is produced by converting photon-obtained plasma into electrical energy by walls in a hollow solid layered with an alloy of gallium, indium, arsenic, phosphorus, germanium, gold, and bismuth. Until now, no one has succeeded in realizing and operating an electrical energy generating device based on the concept of space charge, and the device of the present invention is the first to address the problem of operating space charge.
본 발명의 장치는, 특허문헌 1 ∼ 7 에 기재되어 있는 기존의 전기·광·열의 에너지 발생 장치와는 완전히 상이하고, 후술하는 실험에서 분명한 바와 같이, 보다 높은 효율이 얻어진다.The device of the present invention is completely different from the existing electrical/light/thermal energy generating devices described in
본 발명의 각 일 양태에 의하면, 이하의 것이 제공된다 : According to each aspect of the present invention, the following are provided:
[1] 도체를 포함하는 금속 또는 석영으로 이루어지고, 텅스텐·하프늄 합금제의 전자총을 구동하는 전원에 접속되어 이루어지고, 또한, 상기 전자총 상에 그리드가 형성되어 이루어지는 도전성 중공 케이싱으로부터 형성되어 이루어지는 전기 에너지 발생 장치에 있어서,[1] Electricity formed from a conductive hollow casing made of a metal or quartz containing a conductor, connected to a power source for driving an electron gun made of a tungsten hafnium alloy, and a grid formed on the electron gun. In the energy generating device,
전자가 반대측의 타깃에 맞음과 동시에, 자석이 상기 전자를 타깃을 향하여 직선적으로 달리게 하고, 상기 케이싱은 중공이 포화할 때까지 접지되고, 포화하면 MOSFET 가, 상기 전자가 그라운드로 향하는 것을 저해하고, 다이오드가 상기 전자를 콘덴서로, 콘덴서로부터 부하로 유도하는, 상기 전기 에너지 발생 장치.At the same time that the electrons hit the target on the opposite side, the magnet makes the electrons run straight toward the target, the casing is grounded until the hollow saturates, and when saturated, the MOSFET inhibits the electrons from going to ground; wherein a diode directs the electrons to a capacitor and from the capacitor to a load.
[2] 상기 MOSFET 가, 2 개의 저항 사이에 배치된 NPN 트랜지스터로 조종되고, 주파수 발생기에 의해 전력이 공급되는, [1] 에 기재된 전기 에너지 발생 장치.[2] The electric energy generating device according to [1], wherein the MOSFET is controlled by an NPN transistor disposed between two resistors, and power is supplied by a frequency generator.
[3] 하나의 저항이, DC 에너지원과 상기 NPN 트랜지스터의 사이에 배치되고, 다른 저항이, 상기 NPN 트랜지스터와 상기 주파수 발생기의 접속과의 사이에 배치되는, [2] 에 기재된 전기 에너지 발생 장치.[3] The electric energy generating device according to [2], wherein one resistor is disposed between a DC energy source and the NPN transistor, and another resistor is disposed between the NPN transistor and a connection of the frequency generator. .
[4] DC 전류원이, 상기 MOSFET 와 상기 NPN 트랜지스터의 사이에 배치되는, [2] 또는 [3] 에 기재된 전기 에너지 발생 장치.[4] The electrical energy generating device according to [2] or [3], wherein a DC current source is disposed between the MOSFET and the NPN transistor.
[5] 상기 MOSFET 는, 상기 전자가 그라운드를 향하는 페이즈와, 상기 전자가 상기 부하를 향하는 페이즈를 번갈아 반복하기 위해서 필요한 주파수를 발생하는, [1] ∼ [4] 중 어느 한 항에 기재된 전기 에너지 발생 장치.[5] The electric energy according to any one of [1] to [4], wherein the MOSFET generates a frequency required to alternately repeat a phase in which the electrons go to the ground and a phase in which the electrons go to the load. generating device.
[6] 진공 펌프가, 밸브를 개재하여 상기 케이싱 내를 진공으로 하고, 당해 진공 중에는 아르곤 또는 다른 가스 및 금속을 포함하고, 상기 케이싱이 일정한 진공도로 밀폐되어 있는, 청구항 1 ∼ 5 중 어느 한 항에 기재된 전기 에너지 발생 장치.[6] Any one of
[7] 상기 전자총이, 그라운드에 접속하는 선의 전압보다 낮은 전압으로 DC 전원에 의해 전력이 공급되고, DC 전류원에 의해 공급되는, [1] ∼ [6] 중 어느 한 항에 기재된 전기 에너지 발생 장치.[7] The electric energy generator according to any one of [1] to [6], wherein the electron gun is powered by a DC power supply at a voltage lower than the voltage of the line connected to the ground, and supplied by a DC current source. .
[8] 상기 전자총과 접지선에 흐르는 DC 전류가, 가변 변압기에 의해 변조되는, [1] ∼ [7] 중 어느 한 항에 기재된 전기 에너지 발생 장치.[8] The electric energy generating device according to any one of [1] to [7], wherein the DC current flowing through the electron gun and the ground wire is modulated by a variable transformer.
[9] 상기 전자총과 상기 케이싱의 사이가, 전기 절연 재료에 의해 전기적으로 절연되어 있는, [1] ∼ [8] 중 어느 한 항에 기재된 전기 에너지 발생 장치.[9] The electric energy generating device according to any one of [1] to [8], wherein an electric insulating material is electrically insulated between the electron gun and the casing.
[10] 당해 전기 에너지 발생 장치로부터 방산된 열을 회수하기 위해서, 상기 케이싱이 열교환기에 의해 이중벽으로 되는, [1] ∼ [9] 중 어느 한 항에 기재된 전기 에너지 발생 장치.[10] The electric energy generating device according to any one of [1] to [9], wherein the casing is double-walled by a heat exchanger to recover heat dissipated from the electric energy generating device.
[11] 상기 열교환기가, 기체 또는 액체의 매체를 냉각제로서 사용하는, [10] 에 기재된 전기 에너지 발생 장치.[11] The electrical energy generating device according to [10], wherein the heat exchanger uses a gaseous or liquid medium as a coolant.
[12] 모든 구성 요소와 상기 전원이 동일한 옴니버스에 의해 그라운드에 접속되는, [1] ∼ [11] 중 어느 한 항에 기재된 전기 에너지 발생 장치.[12] The electrical energy generating device according to any one of [1] to [11], wherein all components and the power source are connected to the ground by the same omnibus.
[13] 상기 전자총은, 캐소드와 상기 케이싱에 접속된 상기 그리드의 사이의 전압에 대하여, 캐소드와 그라운드 사이의 전위를 높게 유지하기 위해서, DC 선을 통해서 접지되는 전원에 의해 충전되는, [1] ∼ [12] 중 어느 한 항에 기재된 전기 에너지 발생 장치.[13] The electron gun is charged by a power supply grounded through a DC line in order to keep the potential between the cathode and the ground high with respect to the voltage between the cathode and the grid connected to the casing, [1] - The electrical energy generating device according to any one of [12].
[14] 상기 콘덴서는, 상기 MOSFET 의 브레이크다운 전압 이하의 전압과, 상기 케이싱 및 상기 MOSFET 를 합친 용량보다 높은 용량을 갖는, [1] ∼ [13] 중 어느 한 항에 기재된 전기 에너지 발생 장치.[14] The electric energy generating device according to any one of [1] to [13], wherein the capacitor has a voltage equal to or less than the breakdown voltage of the MOSFET and a capacity higher than the combined capacity of the casing and the MOSFET.
[15] 전압, 암페어수, 정전 용량, 치수, 테슬라, 재료의 선택이, 당해 전기 에너지 발생 장치의 출력에 의존하는, [1] ∼ [14] 중 어느 한 항에 기재된 전기 에너지 발생 장치.[15] The electrical energy generating device according to any one of [1] to [14], wherein selection of voltage, amperage, capacitance, size, tesla, and material depends on the output of the electrical energy generating device.
[16] 상기 MOSFET 가, 2 개의 저항 사이에 배치된 NPN 트랜지스터에 접속되고, 주파수 발생기로부터의 신호가, 상기 MOSFET 가 기능해야 하는 값으로 정확하게 유지되고, 상기 NPN 트랜지스터와 상기 주파수 발생기의 사이에 하나의 DC 원이 배치되고, 상기 MOSFET 와 상기 그라운드의 사이에 다른 DC 원이 배치되는, [1] ∼ [15] 중 어느 한 항에 기재된 전기 에너지 발생 장치.[16] The MOSFET is connected to an NPN transistor disposed between two resistors, a signal from a frequency generator is accurately maintained at a value at which the MOSFET should function, and one The electric energy generating device according to any one of [1] to [15], wherein a DC source of is disposed, and another DC source is disposed between the MOSFET and the ground.
[17] 상기 MOSFET 및 상기 NPN 트랜지스터가, 히트 싱크 및 팬에 의해 냉각되는, [1] ∼ [16] 중 어느 한 항에 기재된 전기 에너지 발생 장치.[17] The electrical energy generating device according to any one of [1] to [16], wherein the MOSFET and the NPN transistor are cooled by a heat sink and a fan.
[18] 저항이 NPN 트랜지스터를 분극하고, 저항이 제너 다이오드를 분극하고, 저항이, NPN 트랜지스터가 방해받고 있을 때에 상기 MOSFET 의 게이트를 소스에 대하여 ＋20 V 의 전압이 되도록 하고, 저항이 포토커플러의 LED 에 대한 전류를 제한하는, [1] ∼ [17] 중 어느 한 항에 기재된 전기 에너지 발생 장치.[18] The resistor polarizes the NPN transistor, the resistor polarizes the Zener diode, the resistor causes the gate of the MOSFET to become a voltage of +20 V with respect to the source when the NPN transistor is interrupted, and the resistor polarizes the photocoupler The electrical energy generating device according to any one of [1] to [17], wherein the current to the LED is limited.
[19] 콘덴서가, 상기 부하에 보내져야 할 전자를 축적하고, 콘덴서가 제너 다이오드의 임피던스를 낮추고, 콘덴서가 24 V 배터리의 바이패스용이고, 콘덴서가 포토커플러에 접속되고, 콘덴서가 캐소드의 바이패스용인, [1] ∼ [18] 중 어느 한 항에 기재된 전기 에너지 발생 장치.[19] The condenser accumulates electrons to be sent to the load, the condenser lowers the impedance of the zener diode, the condenser is for bypassing the 24 V battery, the condenser is connected to the photocoupler, and the condenser is the bypass of the cathode. The electric energy generating device according to any one of [1] to [18], which is for passing.
[20] 상기 케이싱과 상기 MOSFET 의 사이에 전압이 도달했을 때에 전류를 역류시키는 제너 다이오드를 구비하는, [1] ∼ [19] 중 어느 한 항에 기재된 전기 에너지 발생 장치.[20] The electrical energy generating device according to any one of [1] to [19], comprising a zener diode that reversely flows a current when a voltage reaches between the casing and the MOSFET.
[21] 전압이 도달했을 때에 다이오드가 전류를 콘덴서로 유도하는, [20] 에 기재된 전기 에너지 발생 장치.[21] The electrical energy generating device according to [20], wherein the diode induces a current into the capacitor when the voltage is reached.
[22] 포토커플러가 주파수 발생기를 스위치 회로로부터 분리하는, [20] 에 기재된 전기 에너지 발생 장치.[22] The electrical energy generating device according to [20], wherein the photocoupler separates the frequency generator from the switch circuit.
[23] NPN 트랜지스터가 SiC-MOSFET 에 대한 전류를 처리하는, [20] 에 기재된 전기 에너지 발생 장치.[23] The electrical energy generating device according to [20], wherein the NPN transistor processes the current for the SiC-MOSFET.
[24] SiC-MOSFET 가 프로세스의 교호 사이클을 조정하여, 전류가 그라운드로 향하거나 또는 케이싱에 흐르는 것을 가능하게 하는, [20] 에 기재된 전기 에너지 발생 장치.[24] The electrical energy generating device according to [20], wherein the SiC-MOSFET adjusts the alternating cycles of the process, enabling current to flow to the ground or to the casing.
[25] 플라즈마가, 반응기의 내벽에 층상으로 배치된, 성분 : Au, Ga, In, P, Ge, As, Bi 로 이루어지는 합금에 의해 둘러싸여 있는, [1] ∼ [24] 중 어느 한 항에 기재된 전기 에너지 발생 장치.[25] According to any one of [1] to [24], in which the plasma is arranged in layers on the inner wall of the reactor and is surrounded by an alloy composed of components: Au, Ga, In, P, Ge, As, and Bi. Electrical energy generating device described.
[26] 인공 지능 디바이스가, 암페어를 증가시키면 전력이 암페어의 제곱으로 지수함수적으로 증가한다는 사실에 기초하여, V, A, W 사이의 비율을 시간적으로 최적화하는, [1] ∼ [25] 중 어느 한 항에 기재된 전기 에너지 발생 장치.[26] An artificial intelligence device temporally optimizes the ratio between V, A, and W based on the fact that power increases exponentially with the square of the ampere as the ampere is increased, [1] to [25] The electrical energy generating device according to any one of the preceding claims.
[27] 플라즈마 반응기가, 플라즈마에 의해 생성된 열에너지를 회수하는 열교환기의 내부에 수용되는, [1] ∼ [26] 중 어느 한 항에 기재된 전기 에너지 발생 장치.[27] The electrical energy generating device according to any one of [1] to [26], wherein the plasma reactor is accommodated inside a heat exchanger that recovers thermal energy generated by the plasma.
[28] 플라즈마에 의해 생성된 부 (負) 의 저항을 이용하여, 인덕터와 콘덴서를 직렬로 배치한 RLC 회로로 발진을 얻는, [1] ∼ [27] 중 어느 한 항에 기재된 전기 에너지 발생 장치.[28] The electrical energy generator according to any one of [1] to [27], wherein oscillation is obtained by an RLC circuit in which an inductor and a capacitor are arranged in series using negative resistance generated by plasma. .
[29] 인공 지능 시스템이, 암페어수를 증가시켰을 때의 전력의 지수함수적인 증가를 이용하는 방법으로 장치를 지시하는, [1] ∼ [28] 중 어느 한 항에 기재된 전기 에너지 발생 장치.[29] The electrical energy generating device according to any one of [1] to [28], wherein the artificial intelligence system instructs the device in a method using an exponential increase in power when the amperage is increased.
[30] 모든 종류의 기존의 램프보다 높은 조명 효율을 얻는 LED 램프와 조합할 수 있는, [1] ∼ [29] 중 어느 한 항에 기재된 전기 에너지 발생 장치.[30] The electrical energy generating device according to any one of [1] to [29], which can be combined with an LED lamp that achieves higher lighting efficiency than all types of conventional lamps.
[31] 장치 내의 잔류 광을 사용하여, 필요한 장소에 광 파이버를 사용하여 매우 높은 효율로 그것을 전송할 수 있는, [1] ∼ [26] 중 어느 한 항에 기재된 전기 에너지 발생 장치.[31] The electrical energy generating device according to any one of [1] to [26], wherein residual light in the device can be used and transmitted to a required location with very high efficiency using an optical fiber.
[32] 전기 자동차의 주행 중에 전기 자동차의 배터리를 충전하고, 자율성을 높이고, 발전된 전기의 전압을 자동차의 배터리의 모듈의 전압으로 조정하기 위해서 사용할 수 있는, [1] ∼ [31] 중 어느 한 항에 기재된 전기 에너지 발생 장치.[32] Any one of [1] to [31], which can be used to charge the battery of the electric vehicle while driving, increase autonomy, and adjust the voltage of the generated electricity to the voltage of the module of the battery of the vehicle. An electrical energy generating device according to claim.
[33] 도체를 포함하는 금속 또는 석영으로 이루어지고, 텅스텐·하프늄 합금제의 전자총을 구동하는 전원에 접속되어 이루어지고, 또한, 상기 전자총 상에 그리드가 형성되어 이루어지는 도전성 중공 케이싱으로부터 형성된 장치를 사용하여 전기 에너지를 발생하는 방법에 있어서,[33] Using a device formed from a conductive hollow casing made of a metal or quartz containing a conductor, connected to a power source for driving an electron gun made of a tungsten hafnium alloy, and having a grid formed on the electron gun In the method for generating electrical energy by
전자가 반대측의 타깃에 맞음과 동시에, 자석이 상기 전자를 타깃을 향하여 직선적으로 달리게 하고, 상기 케이싱은 중공이 포화할 때까지 접지되고, 포화하면 MOSFET 가, 상기 전자가 그라운드로 향하는 것을 저해하고, 다이오드가 상기 전자를 콘덴서로, 콘덴서로부터 부하로 유도하는, 상기 방법.At the same time that the electrons hit the target on the opposite side, the magnet makes the electrons run straight toward the target, the casing is grounded until the hollow saturates, and when saturated, the MOSFET inhibits the electrons from going to ground; The method, wherein a diode conducts the electrons to a capacitor and from the capacitor to a load.
[34] 공간 전하, 진공 편극, 진공 중에서 가열된 캐소드의 주위에 전자운을 형성하는 가상 입자를 생성하는, [33] 에 기재된 방법.[34] The method according to [33], wherein space charges, vacuum polarization, and virtual particles forming an electron cloud around a heated cathode in vacuum are generated.
[35] 「포인트 제로 에너지」 로부터 개시하여, 전자의 치터베베궁과 아로노프 봄 효과를 강화하는 dV/dT 의 비율로 높은 dV 를 생성, 전자의 위상을 변경하여, 위상의 코히런스로 클러스터에 배치하고, 보다 낮은 엔트로피를 생성하고, 보다 낮은 열 용량 및 보다 적은 자유도, 그러한 과잉된 에너지를 위상의 코히런스가 아닌 전자에 전달하고, 그 결과, 과잉된 광자 방출을 가져오는, [33] ∼ [34] 중 어느 한 항에 기재된 방법.[35] Starting from “point zero energy,” a high dV is generated at a ratio of dV/dT that reinforces the electron Zitterbebegong and Aronoff spring effect, and the phase of the electron is changed to form a cluster with the coherence of the phase. , producing lower entropy, lower heat capacity and fewer degrees of freedom, transferring that excess energy to electrons rather than the coherence of the phase, resulting in excess photon emission, [33] to the method according to any one of [34].
도 1 은, 본 발명의 일 실시형태를 나타내는 회로도이다.
도 2 는, 본 발명의 일 실시형태를 나타내는 회로도이다.1 is a circuit diagram showing one embodiment of the present invention.
2 is a circuit diagram showing one embodiment of the present invention.
본 발명의 장치는, 이하와 같은 이론으로 전기 에너지가 발생한다. 즉, 진공 중의 공간 전하는, 물질과 반물질의 가상 입자의 형성에 의해, 그 수명 동안, 전자간의 반발을 차폐하고, 그 질량-에너지에 반비례하기 때문에, 차폐 효과를 얻는 데 충분하고, 콘덴서의 플레이트에 전하를 축적하는 데 필요한 전압을 저하시켜, 그 결과, 거시적인 전압과 에너지를 발생시킨다. 전자의 가스는, 하이젠베르크 불확장성 원리에 의해 예측되는 양자 요동의 결과로서의 가상 전하 페어의 생성·소멸에 의해 생기는 진공 분극에서 유래하는 장거리 정전 차폐에 의해 생성되기 때문에, 전기 에너지는 케이싱의 벽에 발생한다. 그 때문에, 하이젠베르크 불확장성 원리로부터 얻어지는 제로점 에너지를 기점으로 하여, dV/dt 가 치터베베궁과 아로노프 봄 효과를 증대시켜, 전자의 위상이 변화하고, 위상이 갖추어진 전자의 클러스터가 형성되고, 엔트로피, 열 용량, 자유도가 작아지고, 위상이 갖추어져 있지 않은 전자로 에너지가 이동하여, 광자의 방출이 증대한다.The device of the present invention generates electrical energy according to the following theory. That is, since the space charge in vacuum shields the repulsion between electrons during its lifetime by the formation of virtual particles of matter and antimatter, and is inversely proportional to its mass-energy, it is sufficient to obtain the shielding effect, and the plate of the condenser It lowers the voltage required to accumulate charge, resulting in macroscopic voltage and energy. Since the gas of electrons is produced by long-range electrostatic shielding resulting from vacuum polarization caused by the creation and destruction of virtual charge pairs as a result of quantum fluctuations predicted by the Heisenberg inextensibility principle, electrical energy is transferred to the wall of the casing. Occurs. Therefore, starting from the zero-point energy obtained from the Heisenberg inextensibility principle, dV / dt increases the Zitterbebe palace and the Aronov spring effect, the phase of electrons changes, and clusters of electrons with phases are formed The entropy, heat capacity, and degree of freedom decrease, and energy moves to electrons that are out of phase, increasing the emission of photons.
본 발명의 장치는, 도전성 재료로 이루어지는 케이싱, 또는 내부에 도전체를 포함하는 석영관에 의해 형성되어 있고, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 중공의 원통, 중공의 정육면체나 평행육면체, 다른 중공의 형태 등을 들 수 있다.The apparatus of the present invention is formed by a casing made of a conductive material or a quartz tube containing a conductor therein, and is not particularly limited, but is exemplified by a hollow cylinder, a hollow cube or parallelepiped, or other hollow cylinders. The shape of can be mentioned.
예를 들어, 원통의 일단의 상부에는 자석을 갖고, 캐소드의 반대측에는 전자총이 배치되어 있다. 캐소드와 애노드의 사이에는, 진공 분위기하에서, 아르곤이나 크세논 등의 가스 및 금속이 존재하고, 플라즈마가 유지되고 있다. 또, 원통은, 도전체를 포함하는 석영으로 형성할 수도 있다.For example, a magnet is placed on top of one end of the cylinder, and an electron gun is disposed on the opposite side of the cathode. Between the cathode and the anode, a gas such as argon or xenon and a metal exist in a vacuum atmosphere, and plasma is maintained. In addition, the cylinder can also be formed of quartz containing a conductor.
전자총의 캐소드에는 그리드가 형성되어 있고, 전자의 반발을 피하기 위해서, 전자는 원통의 중공으로 유지되고, 자석에 의해 발생하는 자장에 의해 반대측의 일단에 직선적으로 유도된다.A grid is formed at the cathode of the electron gun, and in order to avoid electron repulsion, the electrons are held in the hollow of a cylinder and are linearly guided to one end on the opposite side by a magnetic field generated by a magnet.
전자총은, 도전성의 케이싱에 접속된 그리드와 캐소드의 사이보다, 캐소드와 그라운드의 사이의 쪽이 고전위가 되도록, DC 선을 통해서 접지된 전원에 의해 충전된다.The electron gun is charged by a grounded power supply through a DC line so that the potential between the cathode and the ground is higher than between the grid connected to the conductive casing and the cathode.
전압은, 특별히 한정되지 않지만, 시스템의 전력에 따라 가변 변압기로 조정할 수 있다.The voltage is not particularly limited, but can be adjusted with a variable transformer according to the power of the system.
MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor ; 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터) 는, 100 만 분의 1 초부터 수 백만 분의 1 초 동안, 전자가 부하를 향하여 회로를 진행시키는 것을 저해하고, 전자가 원통의 케이싱을 채운 후, MOSFET 는 그라운드에 대한 회로를 열고, 부하에 대한 회로를 닫는다.MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor; metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) prevents electrons from advancing through the circuit toward the load for milliseconds to milliseconds, and After filling the casing of the cylinder, the MOSFET opens the circuit to ground and closes the circuit to the load.
부하로의 경로에는, 전자가 임계값 전압을 초과해서만 통과하는 것을 가능하게 하는 다이오드가 존재한다. 다음으로, 전자는 콘덴서에 도달하고, 콘덴서가 부하에 전자를 방출한다. 이 2 회째 사이클은, 1 회째 사이클과 동일하게, 100 만 분의 1 초부터 수 백만 분의 1 초 사이에서 실시된다.In the path to the load there is a diode that allows electrons to pass only above a threshold voltage. Next, the electrons reach the capacitor, and the capacitor emits electrons to the load. Similar to the first cycle, this second cycle is performed between one millionth of a second and several millionths of a second.
MOSFET 는, NPN 트랜지스터에 의해 조종되고, 1 ∼ 3 ㎒ 의 주파수를 제어하는 주파수 발생기에 의해 충전된다. NPN 트랜지스터는, 1000 오옴, 1 V 의 저항과 100 오옴, 7 V 의 저항의 사이에 배치된다. 제 1 저항은, NPN 트랜지스터와 주파수 발생기의 사이에, 제 2 저항은, NPN 트랜지스터와 24 V 의 배터리의 사이에 배치된다. NPN 트랜지스터와 MOSFET 의 다른 일방의 단 (端) 의 사이에는 4 V 의 배터리가 배치된다. 실제로, 주파수 발생기는, MOSFET-스위치에 필요한 특성을 정확하게 구비한 전류를 공급할 수 없기 때문에, 고압으로 MOSFET-스위치를 올바르게 조종하기 위해서, 주파수 발생기의 신호를 증폭하는 에미터 공통 접속의 NPN 트랜지스터가 필요하고, 올바르게 동작시키기 위해서는, 완전 도통 시의 20 V 로부터 완전 저지 시의 -4 V 까지의 압 변동이 필요하다. MOSFET-스위치의 입력 임피던스는 200 pF 와 거의 순수한 용량성이다.The MOSFET is charged by a frequency generator driven by an NPN transistor and controlling a frequency of 1 to 3 MHz. The NPN transistor is placed between a 1000 ohm, 1 V resistor and a 100 ohm, 7 V resistor. The first resistor is disposed between the NPN transistor and the frequency generator, and the second resistor is disposed between the NPN transistor and the 24 V battery. A 4V battery is disposed between the NPN transistor and the other end of the MOSFET. In practice, frequency generators cannot supply a current with exactly the required characteristics of a MOSFET-switch, so an NPN transistor with common emitter connection is needed to amplify the signal of the frequency generator in order to properly steer the MOSFET-switch with high voltage. And, in order to operate correctly, a pressure change from 20 V at full conduction to -4 V at complete blocking is required. The input impedance of the MOSFET-switch is 200 pF and almost pure capacitive.
NPN 트랜지스터의 회로는, NPN 트랜지스터의 베이스 전류를 제한하기 위해서, 1000 오옴의 저항으로 완성시킨다. 주파수 발생기의 신호가 약 10 V 일 때, NPN 트랜지스터의 베이스에는 약 9.4 ㎃ 의 전류가 흐르면, NPN 트랜지스터는 도통하고 (포화 상태), MOSFET 의 게이트에 접속된 컬렉터는 거의 접지되고, VCE (sat) 는 수 십 분의 1 V 가 되기 때문에, MOSFET 는 차단된다. 주파수 발생기의 신호가 0 V 또는 -1 ∼ -2 V 일 때, NPN 트랜지스터는 도통하지 않고, 100 Ω 의 저항에 의해, MOSFET 의 게이트는 급속히 20 V 가 된다.The circuit of the NPN transistor is completed with a resistance of 1000 ohms in order to limit the base current of the NPN transistor. When the signal of the frequency generator is about 10 V and a current of about 9.4 mA flows through the base of the NPN transistor, the NPN transistor conducts (saturated state), the collector connected to the gate of the MOSFET is almost grounded, and VCE (sat) becomes a few tenths of a V, so the MOSFET is cut off. When the signal of the frequency generator is 0 V or -1 to -2 V, the NPN transistor does not conduct, and the gate of the MOSFET quickly becomes 20 V due to the resistance of 100 Ω.
tau = R × Ctau = R × C
여기서, R = 100 오옴 (Ω), C = 200 pFwhere R = 100 ohms (Ω), C = 200 pF
콘덴서는, MOSFET 의 브레이크다운 전압까지의 낮은 전압으로 유지되지 않으면 안되며, 그 용량은 도전성의 케이싱과 MOSFET 를 합친 용량보다 크지 않으면 안된다.The capacitor must be maintained at a low voltage up to the breakdown voltage of the MOSFET, and its capacitance must be greater than the combined capacitance of the conductive casing and the MOSFET.
조작의 개시 전에, 케이싱이 일정한 진공 정도로 밀폐된 상태로 유지되고 있지 않은 한, 도전성의 케이싱 내부를 고진공으로 한다.Before starting the operation, the inside of the conductive casing is subjected to high vacuum unless the casing is kept sealed to a certain level of vacuum.
열적으로 절연된 이중벽의 열교환기가, 시스템에 의해 방산된 열을 회수한다. 이와 같은 열교환기는, 기체 또는 액체의 매체를 냉각제로서 사용할 수 있다.A thermally insulated double-walled heat exchanger recovers the heat dissipated by the system. Such a heat exchanger can use a gaseous or liquid medium as a coolant.
적정한 진공도에 이르면, 진공도를 올리고, 아르곤 등의 가스를 소정의 진공도가 될 때까지 강제적으로 주입하고, 이 시점에서 케이싱을 밀폐할 수 있다.When an appropriate degree of vacuum is reached, the degree of vacuum is increased, gas such as argon is forcibly injected until the degree of vacuum reaches a predetermined level, and the casing can be sealed at this point.
모든 전원과 전기 에너지 발생 장치의 시스템의 구성 요소는, 옴니버스 그라운드에 접속된다.All power sources and components of the system of electrical energy generating devices are connected to the omnibus ground.
Ga-In-P-As-Ge-Au-Bi 의 합금은, 반응기의 내벽을 따라서, 캐소드와 애노드의 사이에 발생하는 플라즈마의 주위에 층상으로 배치된다.An alloy of Ga-In-P-As-Ge-Au-Bi is layered around the plasma generated between the cathode and the anode along the inner wall of the reactor.
이 전기 에너지 발생 장치의 동작은, 인공 지능 시스템에 의해 제어되고 있고, 암페어, 볼트, 와트의 비율은, 암페어가 증가했을 때에 전력이 이차적으로 증가한다는, 오옴 방정식에 기초하고 있다.The operation of this electrical energy generating device is controlled by an artificial intelligence system, and the ratio of amperes, volts and watts is based on Ohm's equation, which states that when amperes increase, power increases quadratically.
I = A＾2 × RI = A^2 × R
중요한 응용예로서, 이 전기 에너지 발생 장치와 LED 램프의 조합을 들 수 있다. 실험에서는, 그리드로부터 전기 에너지 발생 장치에 공급되는 4 와트의 전기 에너지로 200000 루멘에 이르렀다. 이것은, 전세계에서 발생하는 전기 에너지의 58 ％ 를 조명이 빼앗고 있다는 사실로부터도, 매우 중요한 것이다.An important application example is the combination of this electrical energy generating device with an LED lamp. In the experiment, 200000 lumens were reached with 4 Watts of electrical energy supplied from the grid to the electrical energy generating device. This is very important also from the fact that lighting consumes 58% of the electrical energy generated worldwide.
또, 이 전기 에너지 발생 장치를 전기 자동차의 배터리의 충전에 사용할 수도 있다. 전기 자동차의 주행 중에 배터리에 전기를 공급하여, 자동차의 자율성을 대폭 향상시킬 수 있다. 그 때, 발생하는 전기의 전압을 배터리의 모듈의 전압 (통상 3.7 V) 에 맞춘다.Moreover, this electrical energy generation device can also be used for charging the battery of an electric vehicle. By supplying electricity to the battery while driving the electric vehicle, the autonomy of the vehicle can be greatly improved. At that time, the voltage of the generated electricity is matched to the voltage of the battery module (usually 3.7 V).
본 발명의 일 실시형태를 도 1 에 나타낸다. 그 구성 요소는 이하와 같다.One embodiment of the present invention is shown in FIG. 1 . Its components are as follows.
1- 텅스텐·하프늄 합금제의 캐소드와 애노드를 구비한 진공 챔버1-Vacuum chamber equipped with cathode and anode made of tungsten hafnium alloy
2- 도전성 금속으로 이루어지는 케이싱 (일정한 진공도로 밀폐되어 있다) 2- Casing made of conductive metal (sealed with a certain degree of vacuum)
3- 진공 펌프 밸브3- vacuum pump valve
4- 자석4- Magnet
5- 전자총과 그리드 사이의 DC 전원5- DC power between electron gun and grid
6- 전자총과 그라운드 사이의 DC 전원 (V6 ＞ V5) 6- DC power between electron gun and ground (V6 ＞ V5)
7- 가변 변압기 (Variac : 바리악) 7- Variable Transformer (Variac: Variac)
8- 전원8-power
9- 다이오드9-diode
10- 콘덴서10- Condenser
11- 부하11- load
12- MOSFET/스위치12- Mosfet/Switch
13- 히트싱크 ＋ 팬13- Heatsink + Fan
14- 배터리14-Battery
15- 배터리15-Battery
16- NPN 트랜지스터16- NPN transistor
17- 저항17- Resistance
18- 주파수 발생기의 BNC 커넥터18- BNC connector of frequency generator
19- 주파수 발생기19- Frequency generator
20- 접지 모선20- ground bus bar
21- 절연체21- Insulator
22- 저항22- Resistance
23- 진공 펌프23- vacuum pump
24- AC 전원 콘센트24- AC power outlet
25- 그리드25-grid
26- 열교환기26- heat exchanger
27- 변압기27- transformer
28- 제너28- Jenner
29- 포토커플러29- Photocoupler
30- 전자총30- electron gun
31- 오실로스코프 31- Oscilloscope
32- 프레넬 렌즈32- Fresnel lens
33- 갈륨, 인듐, 인, 비소, 게르마늄, 금, 비스무트의 합금으로 층상이 된 플라즈마의 주위의 울타리33- fence around plasma layered with alloys of gallium, indium, phosphorus, arsenic, germanium, gold and bismuth
34- 부호 33 에 기재한 합금의 층34-Layer of the alloy described in 33
상기 구성 요소의 값이나 특성은, 본 발명의 유효성을 저해하는 일 없이, 시스템의 전력, 케이싱의 도전성 금속의 종류, 케이싱의 내벽에 있는 층의 합금 등에 따라, 적절히 변경할 수 있다.The values and characteristics of the components can be appropriately changed according to the power of the system, the type of conductive metal of the casing, the alloy of the layer on the inner wall of the casing, etc., without impairing the effectiveness of the present invention.
실시예Example
도 1 및 도 2 에 나타내는 실시형태 및 본 명세서에 기재와 동일한 설정으로, 일련의 실험을 실시하였다.A series of experiments were conducted with the same settings as those described in the embodiment shown in Figs. 1 and 2 and in this specification.
그 결과, 고진공에 의한 임피던스의 저하와, 그에 수반하는 공간 전하의 발생에 의해, 에너지의 증가가 보였다. 또, 전기 에너지 발생 장치로부터의 잔광을 측정한 바, 광 파이버에 의해 어디로라도 확산하여 사용하는 데에 적합한 것을 알 수 있었다.As a result, an increase in energy was observed due to a decrease in impedance due to the high vacuum and the generation of space charges accompanying it. In addition, when the afterglow from the electric energy generating device was measured, it was found that it was suitable for use by diffusing anywhere by an optical fiber.
이 실험은, 플로리다주 마이애미 비치 (미국) 와 로마 (이탈리아) 에 있는 레오나르도사의 연구소에서 실시되었다.This experiment was conducted at Leonardo's laboratories in Miami Beach, Florida (USA) and Rome (Italy).
도 1 및 도 2 에 나타내는 실시형태에 있어서, 도면에 기재되어 있는 숫자 외에, 하기 코드를 이하와 같이 설명한다.In the embodiments shown in Figs. 1 and 2, the following codes, in addition to the numerals described in the drawings, are described as follows.
도 1 에 대해서About Figure 1
R1 은, 1 kW 의 저항성 부하이다.R1 is a resistive load of 1 kW.
R2 는, NPN 트랜지스터를 분극한다. 820 오옴 1/2 WR2 polarizes the NPN transistor. 820
R3 은, 제너 Z1 을 분극한다. 4.7 V, 10 WR3 polarizes zener Z1. 4.7V, 10W
R4 는, 100 오옴, 7 W 이며, T1 이 차단되어 있는 경우, MOSFET 의 게이트를 소스에 대해 ＋20 V 로 한다.R4 is 100 Ohm and 7 W, and when T1 is cut off, the gate of the MOSFET is +20 V with respect to the source.
R5 는, 820 오옴, 1 W 이며, 포토커플러 내부의 LED 에 흐르는 전류를 제한한다.R5, 820 Ohm, 1 W, limits the current flowing through the LED inside the photocoupler.
RTEST 는, 1 오옴 1/2 W 이며, 오실로스코프로 MOSFET 의 드레인 전류를 감시한다.RTEST is 1
콘덴서는, 모두 세라믹이다 : Capacitors, all ceramic:
C1 은, 0.15 nF 1700 V 의 콘덴서이다.C1 is a 0.15 nF 1700 V capacitor.
C2 는, 제너의 동작 임피던스를 낮추고, 노이즈를 저감하기 위한 100 nF 50 V 의 콘덴서이다.C2 is a 100 nF 50 V capacitor for lowering the operating impedance of the zener and reducing noise.
C3 은, 24 V 배터리의 바이패스용의 100 nF 의 콘덴서이다.C3 is a 100 nF capacitor for bypassing the 24 V battery.
C4 는, 100 nF 의 콘덴서이며, 포토커플러로부터 요구되는 저전압의 것이다. 포토커플러의 접속부 4 와 6 의 근처에 접속된다.C4 is a 100 nF capacitor, and is a low voltage required from a photocoupler. It is connected near the
C5 는, 50 nF 의 콘덴서이며, 캐소드의 바이패스용의 저전압의 것이다.C5 is a 50 nF capacitor, and is a low voltage capacitor for bypassing the cathode.
Z1 은, 제너로, 전압이 도달했을 때에 전류가 역방향으로 나아가도록 한다.Z1 is a zener, and causes the current to go in the reverse direction when the voltage reaches.
D1 은, 고전압, 고속의 다이오드이다.D1 is a high-voltage, high-speed diode.
U1 은, 스위치 회로의 시그렌트를 분리하기 위한 포토커플러이다.U1 is a photocoupler for isolating the signal of the switch circuit.
T1 은, NPN 트랜지스터이다.T1 is an NPN transistor.
T2 는, 시스템의 2 개의 모드를 번갈아 전환하는 스위치인 SiC-MOSFET 이다.T2 is a SiC-MOSFET that is a switch that alternately switches between two modes of the system.
PH 는, 반도체의 칩이다.PH is a semiconductor chip.
AI 는, A/V 비와 동력의 밸런스를 잡는 인공 지능이다.AI is artificial intelligence that balances A/V ratio and power.
HX 는, 플라즈마로부터 조사된 열을 회수하는 열교환기이다.HX is a heat exchanger that recovers heat irradiated from plasma.
L 은, Au, Ge, P, Ga, In, As, Bi 의 합금의 층이다.L is an alloy layer of Au, Ge, P, Ga, In, As, and Bi.
스위치 회로 전체는, 옴니버스의 그라운드로부터 충분히 절연된다.The entire switch circuit is sufficiently insulated from the ground of the omnibus.
배터리에 표시되어 있는 접속부 (2) 가, 정극이다.The
주파수 발생기 (Sigrent : 시그렌트) 는, 구형파 ＋5 V HI 0V LOW, 50 ％ 듀티 사이클, 주파수 1 ∼ 5 ㎒ 를 출력하도록 조정된다.A frequency generator (Sigrent) is adjusted to output a square wave +5 V HI 0 V LOW, 50% duty cycle, and a frequency of 1 to 5 MHz.
각 트랜지스터는, 히트 싱크로부터 충분히 분리된다.Each transistor is sufficiently isolated from the heat sink.
도 2 에 대해서About Figure 2
도 2 는, 애노드와 인덕터를 접속한 것으로, 캐소드와 애노드 사이에서 방출된 전자가 농축됨으로써, 플라즈마의 부 (負) 의 저항을 이용하여, 일련의 콘덴서와 인덕터로 회로 내에 RLC 진동을 일으킨다.Fig. 2 shows that an anode and an inductor are connected, and electrons emitted between the cathode and anode are concentrated to generate RLC oscillation in the circuit using a series of capacitors and inductors using negative plasma resistance.
도 1 및 2 에 나타내는 회로도의 구성 요소는, 동일한 원리로 동작하면, 당업자가 적절히 변경할 수 있다.Components of the circuit diagrams shown in Figs. 1 and 2 can be appropriately changed by those skilled in the art if they operate according to the same principle.
Claims (31)
전자가 반대측의 타깃에 맞음과 동시에, 자석이 상기 전자를 타깃을 향하여 직선적으로 달리게 하고, 상기 케이싱은 중공이 포화할 때까지 접지되고, 포화하면 MOSFET 가, 상기 전자가 그라운드로 향하는 것을 저해하고, 다이오드가 상기 전자를 콘덴서로, 콘덴서로부터 부하로 유도하는, 상기 전기 에너지 발생 장치.An electric energy generating device formed from a conductive hollow casing made of a metal containing a conductor or quartz, connected to a power source for driving an electron gun made of a tungsten hafnium alloy, and having a grid formed on the electron gun in
At the same time that the electrons hit the target on the opposite side, the magnet makes the electrons run straight toward the target, the casing is grounded until the hollow saturates, and when saturated, the MOSFET inhibits the electrons from going to ground; wherein a diode directs the electrons to a capacitor and from the capacitor to a load.
상기 MOSFET 가, 2 개의 저항 사이에 배치된 NPN 트랜지스터로 조종되고, 주파수 발생기에 의해 전력이 공급되는, 전기 에너지 발생 장치.According to claim 1,
wherein the MOSFET is driven by an NPN transistor disposed between two resistors and powered by a frequency generator.
하나의 저항이, DC 에너지원과 상기 NPN 트랜지스터의 사이에 배치되고, 다른 저항이, 상기 NPN 트랜지스터와 상기 주파수 발생기의 접속의 사이에 배치되는, 전기 에너지 발생 장치.According to claim 2,
wherein one resistor is disposed between the DC energy source and the NPN transistor, and another resistor is disposed between the NPN transistor and a connection of the frequency generator.
DC 전류원이, 상기 MOSFET 와 상기 NPN 트랜지스터의 사이에 배치되는, 전기 에너지 발생 장치.According to claim 2 or 3,
A DC current source is disposed between the MOSFET and the NPN transistor.
상기 MOSFET 는, 상기 전자가 그라운드를 향하는 페이즈와, 상기 전자가 상기 부하를 향하는 페이즈를 번갈아 반복하기 위해서 필요한 주파수를 발생하는, 전기 에너지 발생 장치.According to any one of claims 1 to 4,
wherein the MOSFET generates a frequency required to alternately repeat a phase in which the electrons are directed to the ground and a phase in which the electrons are directed to the load.
진공 펌프가, 밸브를 개재하여 상기 케이싱 내를 진공으로 하고, 당해 진공 중에는 아르곤 또는 다른 가스 및 금속을 포함하고, 상기 케이싱이 일정한 진공도로 밀폐되어 있는, 전기 에너지 발생 장치.According to any one of claims 1 to 5,
The electric energy generator according to claim 1 , wherein a vacuum pump creates a vacuum in the casing via a valve, the vacuum contains argon or other gas, and a metal, and the casing is sealed with a certain degree of vacuum.
상기 전자총이, 그라운드에 접속하는 선의 전압보다 낮은 전압으로 DC 전원에 의해 전력이 공급되고, DC 전류원에 의해 공급되는, 전기 에너지 발생 장치.According to any one of claims 1 to 6,
The electron gun is powered by a DC power supply at a voltage lower than the voltage of a line connected to ground, and is supplied by a DC current source.
상기 전자총과 접지선에 흐르는 DC 전류가, 가변 변압기에 의해 변조되는, 전기 에너지 발생 장치.According to any one of claims 1 to 7,
An electric energy generating device in which the DC current flowing through the electron gun and the ground line is modulated by a variable transformer.
상기 전자총과 상기 케이싱의 사이가, 전기 절연 재료에 의해 전기적으로 절연되어 있는, 전기 에너지 발생 장치.According to any one of claims 1 to 8,
The electrical energy generating device, wherein between the electron gun and the casing is electrically insulated with an electrical insulating material.
당해 전기 에너지 발생 장치로부터 방산된 열을 회수하기 위해서, 상기 케이싱이 열교환기에 의해 이중벽으로 되는, 전기 에너지 발생 장치.According to any one of claims 1 to 9,
wherein the casing is double-walled by a heat exchanger to recover heat dissipated from the electrical energy generating device.
상기 전자총은, 캐소드와 상기 케이싱에 접속된 상기 그리드의 사이의 전압에 대하여, 캐소드와 그라운드 사이의 전위를 높게 유지하기 위해서, DC 선을 통해서 접지되는 전원에 의해 충전되는, 전기 에너지 발생 장치.According to any one of claims 1 to 10,
The electron gun is charged by a power source grounded through a DC line in order to keep the potential between the cathode and the ground high with respect to the voltage between the cathode and the grid connected to the casing.
상기 콘덴서는, 상기 MOSFET 의 브레이크다운 전압 이하의 전압과, 상기 케이싱 및 상기 MOSFET 를 합친 용량보다 높은 용량을 갖는, 전기 에너지 발생 장치.According to any one of claims 1 to 11,
wherein the capacitor has a voltage equal to or less than a breakdown voltage of the MOSFET and a capacity higher than a combined capacity of the casing and the MOSFET.
상기 MOSFET 가, 2 개의 저항 사이에 배치된 NPN 트랜지스터에 접속되고, 주파수 발생기로부터의 신호가, 상기 MOSFET 가 기능해야 하는 값으로 정확하게 유지되고, 상기 NPN 트랜지스터와 상기 주파수 발생기의 사이에 하나의 DC 원이 배치되고, 상기 MOSFET 와 상기 그라운드의 사이에 다른 DC 원이 배치되는, 전기 에너지 발생 장치.According to any one of claims 1 to 12,
The MOSFET is connected to an NPN transistor placed between two resistors, a signal from a frequency generator is maintained exactly at the value at which the MOSFET is to function, and a DC source is provided between the NPN transistor and the frequency generator. is disposed, and another DC source is disposed between the MOSFET and the ground.
저항이 NPN 트랜지스터를 분극하고, 저항이 제너 다이오드를 분극하고, 저항이, NPN 트랜지스터가 방해받고 있을 때에 상기 MOSFET 의 게이트를 소스에 대하여 ＋20 V 의 전압이 되도록 하고, 저항이 포토커플러의 LED 에 대한 전류를 제한하는, 전기 에너지 발생 장치.According to any one of claims 1 to 13,
A resistor polarizes the NPN transistor, a resistor polarizes the zener diode, a resistor brings the gate of the MOSFET to a voltage of +20 V relative to the source when the NPN transistor is interrupted, and a resistor polarizes the LED of the photocoupler. An electrical energy generating device that limits current.
콘덴서가, 상기 부하에 보내져야 할 전자를 축적하고, 콘덴서가 제너 다이오드의 임피던스를 낮추고, 콘덴서가 24 V 배터리의 바이패스용이며, 콘덴서가 포토커플러에 접속되고, 콘덴서가 캐소드의 바이패스용인, 전기 에너지 발생 장치.According to any one of claims 1 to 14,
The capacitor accumulates electrons to be sent to the load, the capacitor lowers the impedance of the zener diode, the capacitor is for bypassing the 24 V battery, the capacitor is connected to the photocoupler, the capacitor is for bypassing the cathode, Electrical energy generating device.
상기 케이싱과 상기 MOSFET 의 사이에 전압이 도달했을 때에 전류를 역류시키는 제너 다이오드를 구비하는, 전기 에너지 발생 장치.According to any one of claims 1 to 15,
An electrical energy generating device comprising a zener diode that reversely flows a current when a voltage reaches between the casing and the MOSFET.
전압이 도달했을 때에 다이오드가 전류를 콘덴서로 유도하는, 전기 에너지 발생 장치.17. The method of claim 16,
An electrical energy generating device in which a diode induces a current into a capacitor when a voltage is reached.
포토커플러가 주파수 발생기를 스위치 회로로부터 분리하는, 전기 에너지 발생 장치.17. The method of claim 16,
An electrical energy generating device in which a photocoupler separates the frequency generator from the switch circuit.
NPN 트랜지스터가 SiC-MOSFET 에 대한 전류를 처리하는, 전기 에너지 발생 장치.17. The method of claim 16,
An electrical energy generating device in which an NPN transistor handles current to a SiC-MOSFET.
SiC-MOSFET 가 프로세스의 교호 사이클을 조정하여, 전류가 그라운드로 향하거나 또는 케이싱에 흐르는 것을 가능하게 하는, 전기 에너지 발생 장치.17. The method of claim 16,
An electrical energy generating device in which a SiC-MOSFET coordinates alternating cycles of a process, enabling current to flow either to ground or to a casing.
플라즈마가, 반응기의 내벽에 층상으로 배치된, 성분 : Au, Ga, In, P, Ge, As, Bi 로 이루어지는 합금에 의해 둘러싸여 있는, 전기 에너지 발생 장치.21. The method of any one of claims 1 to 20,
An electrical energy generating device, wherein plasma is surrounded by an alloy composed of components: Au, Ga, In, P, Ge, As, and Bi, arranged in layers on an inner wall of a reactor.
인공 지능 디바이스가, 암페어를 증가시키면 전력이 암페어의 제곱으로 지수함수적으로 증가한다는 사실에 기초하여, V, A, W 사이의 비율을 시간적으로 최적화하는, 전기 에너지 발생 장치.According to any one of claims 1 to 21,
An electrical energy generating device wherein an artificial intelligence device optimizes the ratio between V, A, and W in time based on the fact that increasing amperage increases power exponentially as the square of ampere.
플라즈마 반응기가, 플라즈마에 의해 생성된 열에너지를 회수하는 열교환기의 내부에 수용되는, 전기 에너지 발생 장치.23. The method of any one of claims 1 to 22,
An electrical energy generating device, wherein a plasma reactor is accommodated inside a heat exchanger that recovers thermal energy generated by plasma.
플라즈마에 의해 생성된 부 (負) 의 저항을 이용하여, 인덕터와 콘덴서를 직렬로 배치한 RLC 회로로 발진을 얻는, 전기 에너지 발생 장치.24. The method of any one of claims 1 to 23,
An electrical energy generating device that obtains oscillation with an RLC circuit in which an inductor and a condenser are arranged in series using negative resistance generated by plasma.
인공 지능 시스템이, 암페어수를 증가시켰을 때의 전력의 지수함수적인 증가를 이용하는 방법으로 장치를 지시하는, 전기 에너지 발생 장치.25. The method of any one of claims 1 to 24,
An electrical energy generating device in which an artificial intelligence system directs the device in a way that utilizes an exponential increase in power when amperage is increased.
모든 종류의 기존의 램프보다 높은 조명 효율을 얻는 LED 램프와 조합할 수 있는, 전기 에너지 발생 장치.26. The method of any one of claims 1 to 25,
An electrical energy generating device that can be combined with LED lamps to achieve higher lighting efficiency than all types of conventional lamps.
장치 내의 잔류 광을 사용하여, 필요한 장소에 광 파이버를 사용하여 매우 높은 효율로 그것을 전송할 수 있는, 전기 에너지 발생 장치.27. The method of any one of claims 1 to 26,
An electrical energy generating device capable of using residual light in the device to transmit it to a required location with very high efficiency using an optical fiber.
전기 자동차의 주행 중에 전기 자동차의 배터리를 충전하고, 자율성을 높이고, 발전된 전기의 전압을 자동차의 배터리의 모듈의 전압으로 조정하기 위해서 사용할 수 있는, 전기 에너지 발생 장치.28. The method of any one of claims 1 to 27,
An electrical energy generating device that can be used to charge the battery of an electric vehicle while it is running, to increase its autonomy, and to adjust the voltage of the generated electricity to the voltage of the module of the vehicle's battery.
전자가 반대측의 타깃에 맞음과 동시에, 자석이 상기 전자를 타깃을 향하여 직선적으로 달리게 하고, 상기 케이싱은 중공이 포화할 때까지 접지되고, 포화하면 MOSFET 가, 상기 전자가 그라운드로 향하는 것을 저해하고, 다이오드가 상기 전자를 콘덴서로, 콘덴서로부터 부하로 유도하는, 전기 에너지 발생 방법.Electric energy using a device formed from a conductive hollow casing made of a metal or quartz containing a conductor, connected to a power source for driving an electron gun made of a tungsten hafnium alloy, and a grid formed on the electron gun In the method for generating
At the same time that the electrons hit the target on the opposite side, the magnet makes the electrons run straight toward the target, the casing is grounded until the hollow saturates, and when saturated, the MOSFET inhibits the electrons from going to ground; A method of generating electrical energy, wherein a diode directs the electrons to a capacitor and from the capacitor to a load.
공간 전하, 진공 편극, 진공 중에서 가열된 캐소드의 주위에 전자운을 형성하는 가상 입자를 생성하는, 전기 에너지 발생 방법.The method of claim 29,
A method of generating electrical energy, wherein space charges, vacuum polarization, and virtual particles are created that form an electron cloud around a heated cathode in vacuum.
「포인트 제로 에너지」 로부터 개시하여, 전자의 치터베베궁과 아로노프 봄 효과를 강화하는 dV/dT 의 비율로 높은 dV 를 생성, 전자의 위상을 변경하여, 위상의 코히런스로 클러스터에 배치하고, 보다 낮은 엔트로피를 생성하고, 보다 낮은 열 용량 및 보다 적은 자유도, 그러한 과잉된 에너지를 위상의 코히런스가 아닌 전자에 전달하고, 그 결과, 과잉된 광자 방출을 가져오는, 전기 에너지 발생 방법.According to any one of claims 29 to 30,
Starting from "point zero energy", generating a high dV with a ratio of dV / dT that enhances the electron Zitterbebegung and Aronov Bomb effect, changing the phase of the electron, and disposing it in a cluster with the coherence of the phase, A method of generating electrical energy that produces lower entropy, lower heat capacity and fewer degrees of freedom, transferring such excess energy to electrons rather than the coherence of the phase, resulting in excess photon emission.
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