JP2022188336A - Electrical energy generating device and electrical energy generating method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、空間電荷、真空偏極及び仮想粒子の概念に結びついた理論に由来し、真空中で加熱されたカソードの周りの電子雲の自発形成に関連する。 The present invention derives from theories linked to the concepts of space charge, vacuum polarization and virtual particles, and relates to the spontaneous formation of electron clouds around a heated cathode in vacuum.
本発明の基礎にある物理学理論は、２０１９年１月にリサーチゲートの発明者によって発表され（ｗｗｗ．ｒｅｓｅａｒｃｈｇａｔｅ．ｎｅｔ／ｐｕｂｌｉｃａｔｉｏｎ／３３０６０１６５３＿Ｅ－Ｃａｔ＿ＳＫ＿ａｎｄ＿ｌｏｎｇ＿ｒａｎｇｅ＿ｐａｒｔｉｃｌｅ＿ｉｎｔｅｒａｃｔｉｏｎｓ）、エントロピーポンプによって実現される。ここで、ハイゼンベルグの不確定性原理で予見されるゼロ点エネルギは、ｄＶ／ｄｔでｄＶが大きくなると、電子のツィッターベヴェーグンクが活発になり、アハラノフボーム効果が生じ、電子の位相が変化し、位相の揃った電子のクラスタが形成され、エントロピ、熱容量、自由度が小さくなり、位相の揃っていない電子にエネルギが移動し、エネルギが増加する。 The physical theory underlying the present invention was published by the inventors of Researchgate in January 2019 (www.researchgate.net/publication/330601653_E-Cat_SK_and_long_range_particle_interactions) and is realized by entropy pumps. Here, the zero-point energy predicted by Heisenberg's uncertainty principle is dV/dt. , clusters of in-phase electrons are formed, entropy, heat capacity and degrees of freedom are reduced, energy is transferred to out-of-phase electrons, and energy increases.
真空管技術の初期からよく知られ、利用されているが、安定した空間電荷の形成は電子間のクーロン力によって防止されると考えられているため、空間電荷効果は十分に定義された理論を有していない。しかしながら、ハイゼンベルグの不確定性原理によって予測される量子変動の結果として、仮想電荷対の形成消滅によって生成される真空偏極によって反発力をスクリーニングできることを実験的に発見した。 Well known and utilized since the early days of vacuum tube technology, the space charge effect has a well-defined theory, since it is believed that the formation of a stable space charge is prevented by Coulomb forces between electrons. not. However, we experimentally found that repulsive forces can be screened by vacuum polarization generated by the formation and annihilation of virtual charge pairs, as a result of quantum fluctuations predicted by the Heisenberg uncertainty principle.
このような粒子－反粒子対の寿命は、その質量－エネルギに反比例するが、その短い存在の間に、コンデンサの固体誘電体の電荷として機能し、電界を遮ってコンデンサのプレートに電荷を蓄積するのに必要な電圧を低下させることが可能となる。 The lifetime of such a particle-antiparticle pair is inversely proportional to its mass-energy, but during its short existence it acts as a charge in the capacitor's solid dielectric, intercepting the electric field and storing charge in the plates of the capacitor. It is possible to reduce the voltage required to
上記仮想粒子の生成は、真空中の許容されるエネルギ状態の密度が高いために有利であるが、通常の金属導体では許容状態の数が比較的少ないために妨げとなる。この違いを利用して、高効率の電気エネルギ発生装置を作成することができ、これが本発明の目的である。このようなエネルギは、ガリウム、インジウム、ヒ素、リン、ゲルマニウム、金、ビスマスの合金で層状になった中空の固体の中の壁によって、光子を得たプラズマが電気エネルギに変換されることで作成される。空間電荷の概念に基づいた電気エネルギ発生装置を実現し、運用することには今日まで誰も成功しておらず、本発明の装置は、空間電荷を運用するという課題に初めて応えるものである。 The creation of such virtual particles is advantageous due to the high density of allowed energy states in vacuum, but is hindered by the relatively small number of allowed states in ordinary metallic conductors. This difference can be exploited to create a highly efficient electrical energy generator, which is the object of the present invention. Such energy is created by converting photon-captured plasma into electrical energy by walls within a hollow solid layered with an alloy of gallium, indium, arsenic, phosphorous, germanium, gold, and bismuth. be done. To date, no one has succeeded in realizing and operating an electrical energy generating device based on the concept of space charge, and the device of the present invention is the first to meet the challenge of operating space charge.
本発明の装置は、特許文献１～７に記載されているような既存の電気・光・熱のエネルギ発生装置とは全く異なり、後述する実験で明らかであるように、より高い効率が得られる。
The device of the present invention is completely different from the existing electric, light, and heat energy generating devices described in
本発明の各一態様によれば、以下のものが提供される：
［１］導体を含む金属又は石英からなり、タングステン・ハフニウム合金製の電子銃を駆動する電源に接続されてなり、かつ、前記電気銃上にグリッドが設けられてなる導電性中空筐体から形成されてなる電気エネルギ発生装置において、
電子が反対側のターゲットに当たると共に、磁石が前記電子をターゲットに向かって直線的に走らせ、前記筐体は中空が飽和するまで接地され、飽和するとＭＯＳＦＥＴが、前記電子がグランドへ向かうことを阻害し、ダイオードが前記電子をコンデンサに、コンデンサから負荷に導く、前記電気エネルギ発生装置。
［２］前記ＭＯＳＦＥＴが、２つの抵抗の間に配置されたＮＰＮトランジスタで操縦され、周波数発生器によって電力が供給される、［１］に記載の電気エネルギ発生装置。
［３］一の抵抗が、ＤＣエネルギ源と前記ＮＰＮトランジスタとの間に配置され、他の抵抗が、前記ＮＰＮトランジスタと前記周波数発生器の接続との間に配置される、［２］に記載の電気エネルギ発生装置。
［４］ＤＣ電流源が、前記ＭＯＳＦＥＴと前記ＮＰＮトランジスタとの間に配置される、［２］又は［３］に記載の電気エネルギ発生装置。
［５］前記ＭＯＳＦＥＴは、前記電子がグランドに向かうフェーズと、前記電子が前記負荷に向かうフェーズとを交互に繰り返すために必要な周波数を発生する、［１］～［４］のいずれか一項に記載の電気エネルギ発生装置。
［６］真空ポンプが、バルブを介して前記筐体内を真空にし、当該真空中にはアルゴン又は他のガス及び金属を含み、前記筐体が一定の真空度で密閉されている、請求項１～５のいずれか一項に記載の電気エネルギ発生装置。
［７］前記電子銃が、グランドに接続する線の電圧よりも低い電圧でＤＣ電源によって電力を供給され、ＤＣ電流源によって供給される、［１］～［６］のいずれか一項に記載の電気エネルギ発生装置。
［８］前記電子銃と接地線に流れるＤＣ電流が、可変変圧器によって変調される、［１］～［７］のいずれか一項に記載の電気エネルギ発生装置。
［９］前記電子銃と前記筐体との間が、電気絶縁材料によって電気的に絶縁されている、［１］～［８］のいずれか一項に記載の電気エネルギ発生装置。
［１０］当該電気エネルギ発生装置から放散された熱を回収するために、前記筐体が熱交換器によって二重壁とされる、［１］～［９］のいずれか一項に記載の電気エネルギ発生装置。
［１１］前記熱交換器が、気体又は液体の媒体を冷却剤として使用する、［１０］に記載の電気エネルギ発生装置。
［１２］すべての構成要素と前記電源とが同じオムニバスによってグランドに接続される、［１］～［１１］のいずれか一項に記載の電気エネルギ発生装置。
［１３］前記電子銃は、カソードと前記筐体に接続された前記グリッドとの間の電圧に対して、カソードとグランドとの間の電位を高く維持するために、ＤＣ線を介して接地される電源によって充電される、［１］～［１２］のいずれか一項に記載の電気エネルギ発生装置。
［１４］前記コンデンサは、前記ＭＯＳＦＥＴのブレークダウン電圧以下の電圧と、前記筐体及び前記ＭＯＳＦＥＴを合わせた容量よりも高い容量とを有する、［１］～［１３］のいずれか一項に記載の電気エネルギ発生装置。
［１５］電圧、アンペア数、静電容量、寸法、テスラ、材料の選択が、当該電気エネルギ発生装置の出力に依存する、［１］～［１４］のいずれか一項に記載の電気エネルギ発生装置。
［１６］前記ＭＯＳＦＥＴが、２つの抵抗の間に配置されたＮＰＮトランジスタに接続され、周波数発生器からの信号が、前記ＭＯＳＦＥＴが機能しなければならない値に正確に維持され、前記ＮＰＮトランジスタと前記周波数発生器との間に一のＤＣ源が配置され、前記ＭＯＳＦＥＴと前記グランドとの間に他のＤＣ源が配置される、［１］～［１５］のいずれか一項に記載の電気エネルギ発生装置。
［１７］前記ＭＯＳＦＥＴ及び前記ＮＰＮトランジスタが、ヒートシンク及びファンによって冷却される、［１］～［１６］のいずれか一項に記載の電気エネルギ発生装置。
［１８］抵抗がＮＰＮトランジスタを分極し、抵抗がツェナダイオードを分極し、抵抗が、ＮＰＮトランジスタが妨げられているときに前記ＭＯＳＦＥＴのゲートをソースに対して＋２０Ｖの電圧となるようにし、抵抗がフォトカプラのＬＥＤへの電流を制限する、［１］～［１７］のいずれか一項に記載の電気エネルギ発生装置。
［１９］コンデンサが、前記負荷に送られるべき電子を蓄積し、コンデンサがツェナダイオードのインピーダンスを下げ、コンデンサが２４Ｖバッテリのバイパス用であり、コンデンサがフォトカプラに接続され、コンデンサがカソードのバイパス用である、［１］～［１８］のいずれか一項に記載の電気エネルギ発生装置。
［２０］前記筐体と前記ＭＯＳＦＥＴとの間に電圧が到達したときに電流を逆流させるツェナダイオードを備える、［１］～［１９］のいずれか一項に記載の電気エネルギ発生装置。
［２１］電圧が到達したときにダイオードが電流をコンデンサに導く、［２０］に記載の電気エネルギ発生装置。
［２２］フォトカプラが周波数発生器をスイッチ回路から分離する、［２０］に記載の電気エネルギ発生装置。
［２３］ＮＰＮトランジスタがＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴへの電流を処理する、［２０］に記載の電気エネルギ発生装置。
［２４］ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴがプロセスの交互サイクルを調整して、電流がグランドへ向かう又は筐体に流れることを可能にする、［２０］に記載の電気エネルギ発生装置。
［２５］プラズマが、反応器の内壁に層状に配置された、成分：Ａｕ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｐ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｂｉからなる合金によって取り囲まれている、［１］～［２４］のいずれか一項に記載の電気エネルギ発生装置。
［２６］人工知能デバイスが、アンペアを増加させると電力がアンペアの二乗で指数関数的に増加するという事実に基づいて、Ｖ、Ａ、Ｗの間の比率を時間的に最適化する、［１］～［２５］のいずれか一項に記載の電気エネルギ発生装置。
［２７］プラズマ反応器が、プラズマによって生成された熱エネルギを回収する熱交換器の内部に収容される、［１］～［２６］のいずれか一項に記載の電気エネルギ発生装置。
［２８］プラズマによって生成された負の抵抗を利用して、インダクタとコンデンサを直列に配置したＲＬＣ回路で発振を得る、［１］～［２７］のいずれか一項に記載の電気エネルギ発生装置。
［２９］人工知能システムが、アンペア数を増加させたときの電力の指数関数的な増加を利用する方法で装置を指示する、［１］～［２８］のいずれか一項に記載の電気エネルギ発生装置。
［３０］あらゆる種類の既存のランプよりも高い照明効率を得るＬＥＤランプと組み合わせることができる、［１］～［２９］のいずれか一項に記載の電気エネルギ発生装置。
［３１］装置内の残留光を使用して、必要な場所に光ファイバを用いて非常に高い効率でそれを転送することができる、［１］～［２６］のいずれか一項に記載の電気エネルギ発生装置。
［３２］電気自動車の走行中に電気自動車のバッテリを充電し、自律性を高め、発電された電気の電圧を自動車のバッテリのモジュールの電圧に調整するために使用できる、［１］～［３１］のいずれか一項に記載の電気エネルギ発生装置。
［３３］導体を含む金属又は石英からなり、タングステン・ハフニウム合金製の電子銃を駆動する電源に接続されてなり、かつ、前記電気銃上にグリッドが設けられてなる導電性中空筐体から形成された装置を用いて電気エネルギを発生する方法において、
電子が反対側のターゲットに当たると共に、磁石が前記電子をターゲットに向かって直線的に走らせ、前記筐体は中空が飽和するまで接地され、飽和するとＭＯＳＦＥＴが、前記電子がグランドへ向かうことを阻害し、ダイオードが前記電子をコンデンサに、コンデンサから負荷に導く、前記方法。
［３４］空間電荷、真空偏極、真空中で加熱されたカソードの周りに電子雲を形成する仮想粒子を生成する、［３３］に記載の方法。
［３５］「ポイントゼロエネルギ」から開始して、電子のツィッターベヴェーグンクとアハラノフボーム効果を強化するｄＶ／ｄＴの比率で高いｄＶを生成、電子の位相を変更して、位相のコヒーレンスでクラスタに配置し、より低いエントロピを生成し、より低い熱容量およびより少ない自由度、そのような過剰なエネルギを位相のコヒーレンスではない電子に伝達し、その結果、過剰な光子放出をもたらす、［３３］～［３４］のいずれか一項に記載の方法。
According to one aspect of the invention, the following are provided:
[1] Formed from a conductive hollow housing made of metal or quartz containing a conductor, connected to a power source for driving an electron gun made of a tungsten-hafnium alloy, and having a grid on the electric gun. In the electric energy generating device comprising:
As electrons hit the target on the opposite side, a magnet causes the electrons to run straight toward the target, and the housing is grounded until the cavity saturates, at which point the MOSFET blocks the electrons from going to ground. , said electrical energy generator, wherein a diode directs said electrons to a capacitor and from the capacitor to a load.
[2] The electrical energy generating device according to [1], wherein the MOSFET is steered with an NPN transistor placed between two resistors and powered by a frequency generator.
[3] The claim of [2], wherein a resistor is placed between a DC energy source and the NPN transistor, and another resistor is placed between the NPN transistor and the frequency generator connection. electrical energy generator.
[4] The electrical energy generating device according to [2] or [3], wherein a DC current source is arranged between the MOSFET and the NPN transistor.
[5] Any one of [1] to [4], wherein the MOSFET generates a frequency necessary to alternate between a phase in which the electrons go to ground and a phase in which the electrons go to the load. The electric energy generator according to 1.
[6]
[7] The electron gun of any one of [1]-[6], wherein the electron gun is powered by a DC power supply at a voltage lower than the voltage of the line to ground and is supplied by a DC current source. electrical energy generator.
[8] The electric energy generator according to any one of [1] to [7], wherein the DC current flowing through the electron gun and the ground line is modulated by a variable transformer.
[9] The electric energy generator according to any one of [1] to [8], wherein the electron gun and the housing are electrically insulated by an electric insulating material.
[10] The electricity according to any one of [1] to [9], wherein the enclosure is double-walled with a heat exchanger to recover heat dissipated from the electrical energy generator. energy generator.
[11] The electrical energy generating device according to [10], wherein the heat exchanger uses a gaseous or liquid medium as a coolant.
[12] The electrical energy generating device according to any one of [1] to [11], wherein all components and the power supply are grounded by the same omnibus.
[13] The electron gun is grounded via a DC line to maintain a high potential between the cathode and ground relative to the voltage between the cathode and the grid connected to the housing. The electrical energy generating device according to any one of [1] to [12], which is charged by a power supply that
[14] The capacitor according to any one of [1] to [13], wherein the capacitor has a voltage below the breakdown voltage of the MOSFET and a capacitance higher than the combined capacitance of the housing and the MOSFET. electrical energy generator.
[15] Electrical energy generation according to any one of [1] to [14], wherein the voltage, amperage, capacitance, dimensions, Tesla, selection of materials depend on the output of the electrical energy generating device. Device.
[16] The MOSFET is connected to an NPN transistor placed between two resistors, the signal from the frequency generator being maintained exactly at the value at which the MOSFET must function, and the NPN transistor and the Electrical energy according to any one of [1] to [15], wherein a DC source is arranged between the frequency generator and another DC source is arranged between the MOSFET and the ground. Generator.
[17] The electrical energy generating device according to any one of [1] to [16], wherein the MOSFET and the NPN transistor are cooled by a heat sink and a fan.
[18] A resistor polarizes an NPN transistor, a resistor polarizes a Zener diode, a resistor forces the gate of said MOSFET to a voltage of +20V with respect to the source when the NPN transistor is blocked, a resistor The electrical energy generating device according to any one of [1] to [17], which limits the current to the LED of the photocoupler.
[19] A capacitor stores electrons to be sent to the load, a capacitor lowers the impedance of the zener diode, a capacitor for bypassing the 24V battery, a capacitor connected to the optocoupler, a capacitor for bypassing the cathode The electrical energy generator according to any one of [1] to [18], wherein
[20] The electric energy generating device according to any one of [1] to [19], comprising a Zener diode that reverses current when voltage reaches between the housing and the MOSFET.
[21] The electrical energy generator of [20], wherein the diode conducts current to the capacitor when the voltage is reached.
[22] The electrical energy generating device of [20], wherein an optocoupler separates the frequency generator from the switch circuit.
[23] The electrical energy generator of [20], wherein the NPN transistor handles the current to the SiC-MOSFET.
[24] The electrical energy generator of [20], wherein the SiC-MOSFET modulates alternating cycles of the process to allow current to flow to ground or to the housing.
[25] Any of [1] to [24], wherein the plasma is surrounded by an alloy composed of Au, Ga, In, P, Ge, As, and Bi arranged in layers on the inner wall of the reactor. or 1. The electric energy generator according to
[26] An artificial intelligence device temporally optimizes the ratio between V, A, and W based on the fact that increasing amperage increases power exponentially with the square of amperage, [1 ] to [25].
[27] The electrical energy generating device according to any one of [1] to [26], wherein the plasma reactor is housed inside a heat exchanger that recovers thermal energy generated by the plasma.
[28] The electric energy generator according to any one of [1] to [27], wherein the negative resistance generated by the plasma is used to obtain oscillation in an RLC circuit in which an inductor and a capacitor are arranged in series. .
[29] The electrical energy of any one of [1]-[28], wherein the artificial intelligence system directs the device in a manner that takes advantage of the exponential increase in power as the amperage is increased. Generator.
[30] The electrical energy generating device according to any one of [1] to [29], which can be combined with LED lamps to obtain higher lighting efficiency than existing lamps of any kind.
[31] Any one of [1] to [26], wherein the residual light in the device can be used to transfer it to where it is needed using optical fibers with very high efficiency. Electrical energy generator.
[32] Can be used to charge the battery of an electric vehicle while the electric vehicle is running, increase autonomy, and regulate the voltage of the generated electricity to the voltage of the module of the battery of the vehicle [1]-[31 ] The electrical energy generating device according to any one of the above items.
[33] Formed from a conductive hollow housing made of metal or quartz containing a conductor, connected to a power source for driving an electron gun made of a tungsten-hafnium alloy, and having a grid on the electric gun A method of generating electrical energy using a device comprising:
As electrons hit the target on the opposite side, a magnet causes the electrons to run straight toward the target, and the housing is grounded until the cavity saturates, at which point the MOSFET blocks the electrons from going to ground. , a diode directing said electrons to a capacitor and from the capacitor to a load.
[34] The method of [33], wherein space charge, vacuum polarization, creating virtual particles that form an electron cloud around a heated cathode in vacuum.
[35] Starting from 'point zero energy', generating high dV with a ratio of dV/dT that enhances the Zitterbewegunk and Aharonovbohm effects of electrons, modifies the phase of electrons and clusters with phase coherence , producing lower entropy, lower heat capacity and fewer degrees of freedom, such excess energy being transferred to electrons that are not phase coherent, resulting in excess photon emission, [33] The method according to any one of -[34].
本発明の装置は、以下のような理論で電気エネルギが発生する。すなわち、真空中の空間電荷は、物質と反物質の仮想粒子の形成によって、その寿命の間、電子間の反発を遮蔽し、その質量－エネルギに反比例するため、遮蔽効果を得るのに十分であり、コンデンサのプレートに電荷を蓄積するのに必要な電圧を低下させ、その結果、巨視的な電圧とエネルギを発生させる。電子のガスは、ハイゼンベルグ不確定性原理によって予測される量子ゆらぎの結果としての仮想電荷ペアの生成・消滅によって生じる真空分極に由来する長距離静電遮蔽によって生成されるため、電気エネルギは筐体の壁に発生する。そのため、ハイゼンベルグ不確定性原理から得られるゼロ点エネルギを起点として、ｄＶ／ｄｔがツィッターベヴェーグンクとアハラノフボーム効果を増大させ、電子の位相が変化し、位相の揃った電子のクラスタが形成され、エントロピ、熱容量、自由度が小さくなり、位相の揃っていない電子にエネルギが移動し、光子の放出が増大する。 The device of the present invention generates electrical energy according to the following theory. That is, the space charge in the vacuum is sufficient to shield the repulsion between electrons during its lifetime through the formation of virtual particles of matter and antimatter, which is inversely proportional to its mass-energy and thus obtains a shielding effect. , lowers the voltage required to store charge on the plates of the capacitor, thus generating macroscopic voltage and energy. Since the gas of electrons is generated by long-range electrostatic shielding resulting from vacuum polarization caused by the creation and annihilation of virtual charge pairs as a result of quantum fluctuations predicted by the Heisenberg uncertainty principle, the electrical energy is occurs on walls of Therefore, starting from the zero-point energy obtained from the Heisenberg uncertainty principle, dV/dt increases the Zitterbewegunk and Aharonov-Bohm effects, changes the phase of electrons, and forms coherent clusters of electrons. , entropy, heat capacity, and degrees of freedom decrease, energy is transferred to out-of-phase electrons, and photon emission increases.
本発明の装置は、導電性材料からなる筐体、又は内部に導電体を含む石英管によって形成されており、特に限定されないが、例えば、中空の円筒、中空の正六面体や平行六面体、他の中空の形態等が挙げられる。 The device of the present invention is formed of a housing made of a conductive material or a quartz tube containing a conductor inside, and is not particularly limited, and may be, for example, a hollow cylinder, a hollow regular hexahedron, a hollow parallelepiped, or other shape. A hollow form and the like are included.
例えば、円筒の一端の上部には磁石を有し、カソードの反対側には電子銃が配置されている。カソードとアノードとの間には、真空雰囲気下で、アルゴンやキセノン等のガス及び金属が存在し、プラズマが維持されている。また、円筒は、導電体を含む石英で形成することもできる。 For example, the cylinder has a magnet on the top of one end and an electron gun on the opposite side of the cathode. A gas such as argon or xenon and a metal are present in a vacuum atmosphere between the cathode and the anode to maintain plasma. The cylinder can also be made of quartz containing a conductor.
電子銃のカソードにはグリッドが設けられており、電子の反発を避けるために、電子は円筒の中空に保持され、磁石によって発生する磁場によって反対側の一端に直線的に導かれる。
電子銃は、導電性の筐体に接続されたグリッドとカソードとの間よりも、カソードとグランドとの間の方が高電位になるように、ＤＣ線を介して接地された電源によって充電される。
A grid is provided at the cathode of the electron gun, and to avoid electron repulsion, the electrons are held in the hollow of the cylinder and guided linearly to one opposite end by the magnetic field generated by the magnet.
The electron gun is charged by a grounded power supply through a DC line so that there is a higher potential between the cathode and ground than between the grid and cathode connected to the conductive housing. be.
電圧は、特に限定されないが、システムの電力に応じて可変変圧器で調整することができる。 The voltage is not particularly limited, but can be adjusted with a variable transformer depending on the power of the system.
ＭＯＳＦＥＴ（ｍｅｔａｌ－ｏｘｉｄｅ－ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｆｉｅｌｄ－ｅｆｆｅｃｔ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）は、１００万分の１秒から数百万分の１秒の間、電子が負荷に向かって回路を進むことを阻害し、電子が円筒の筐体を満たした後、ＭＯＳＦＥＴはグランドへの回路を開き、負荷への回路を閉じる。 A MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) blocks electrons from traveling through a circuit toward a load for millionths to millionths of a second. Then, after the electrons have filled the cylindrical housing, the MOSFET opens the circuit to ground and closes the circuit to the load.
負荷への経路には、電子が閾値電圧を超えてのみ通過することを可能にするダイオードが存在する。次に、電子はコンデンサに到達し、コンデンサが負荷に電子を放出する。この２回目のサイクルは、１回目のサイクルと同じように、１００万分の１秒から数百万分の１秒の間で行われる。 In the path to the load there is a diode that allows electrons to pass only above the threshold voltage. The electrons then reach the capacitor, which releases them into the load. This second cycle, like the first cycle, takes place between millionths of a second and millionths of a second.
ＭＯＳＦＥＴは、ＮＰＮトランジスタによって操縦され、１～３ＭＨｚの周波数を制御する周波数発生器によって充電される。ＮＰＮトランジスタは、１０００オーム、１Ｖの抵抗と１００オーム、７Ｖの抵抗との間に配置される。第１の抵抗は、ＮＰＮトランジスタと周波数発生器との間に、第２の抵抗は、ＮＰＮトランジスタと２４Ｖのバッテリとの間に配置される。ＮＰＮトランジスタとＭＯＳＦＥＴのもう一方の端の間には４Ｖのバッテリが配置される。実際、周波数発生器は、ＭＯＳＦＥＴ－スイッチに必要な特性を正確に備えた電流を供給することができないので、高圧でＭＯＳＦＥＴ－スイッチを正しく操縦するために、周波数発生器の信号を増幅するエミッタ共通接続のＮＰＮトランジスタが必要であり、正しく動作させるためには、完全導通時の２０Ｖから完全阻止時の－４Ｖまでの圧変動が必要である。ＭＯＳＦＥＴ－スイッチの入力インピーダンスは２００ｐＦとほぼ純粋な容量性である。 The MOSFET is steered by an NPN transistor and charged by a frequency generator that controls the frequency from 1-3 MHz. The NPN transistor is placed between the 1000 ohm, 1V resistor and the 100 ohm, 7V resistor. A first resistor is placed between the NPN transistor and the frequency generator and a second resistor is placed between the NPN transistor and the 24V battery. A 4V battery is placed between the NPN transistor and the other end of the MOSFET. In fact, since the frequency generator cannot supply a current with exactly the characteristics required for the MOSFET-switches, in order to correctly steer the MOSFET-switches at high voltages, a common emitter is used to amplify the signal of the frequency generator. An NPN transistor in the connection is required, and for proper operation a voltage swing of 20V when fully conducting to -4V when fully blocked is required. The input impedance of the MOSFET-switch is almost purely capacitive at 200 pF.
ＮＰＮトランジスタの回路は、ＮＰＮトランジスタのベース電流を制限するために、１０００オームの抵抗で完成させる。周波数発生器の信号が約１０Ｖのとき、ＮＰＮトランジスタのベースには約９．４ｍＡの電流が流れると、ＮＰＮトランジスタは導通し（飽和状態）、ＭＯＳＦＥＴのゲートに接続されたコレクタはほぼ接地され、ＶＣＥ（ｓａｔ）は数十分の１Ｖとなるため、ＭＯＳＦＥＴは遮断される。周波数発生器の信号が０Ｖ又は－１～－２Ｖのとき、ＮＰＮトランジスタは導通せず、１００Ωの抵抗により、ＭＯＳＦＥＴのゲートは急速に２０Ｖになる。 The NPN transistor circuit is completed with a 1000 ohm resistor to limit the base current of the NPN transistor. When the signal of the frequency generator is about 10 V, a current of about 9.4 mA flows through the base of the NPN transistor, the NPN transistor becomes conductive (saturated state), and the collector connected to the gate of the MOSFET is nearly grounded. Since VCE(sat) is several tenths of 1V, the MOSFET is cut off. When the frequency generator signal is 0V or -1 to -2V, the NPN transistor does not conduct and the 100Ω resistor quickly pulls the gate of the MOSFET to 20V.
ｔａｕ＝ Ｒ × Ｃ
ここで、Ｒ＝１００オーム（Ω）、Ｃ＝２００ｐＦ
tau=R×C
where R=100 ohms (Ω) and C=200 pF
コンデンサは、ＭＯＳＦＥＴのブレークダウン電圧までの低い電圧で維持されなければならず、その容量は導電性の筐体とＭＯＳＦＥＴを合わせた容量よりも大きくなければならない。 The capacitor must be maintained at a low voltage up to the breakdown voltage of the MOSFET and its capacitance must be greater than the combined capacitance of the conductive housing and MOSFET.
操作の開始前に、筐体が一定の真空程度で密閉された状態に維持されていない限り、導電性の筐体内部を高真空にする。 A high vacuum is applied to the interior of the conductive enclosure, unless the enclosure has been kept sealed at a constant vacuum prior to the start of operation.
熱的に絶縁された二重壁の熱交換器が、システムによって放散された熱を回収する。このような熱交換器は、気体又は液体の媒体を冷却剤として使用することができる。 A thermally insulated double-walled heat exchanger recovers the heat dissipated by the system. Such heat exchangers can use gaseous or liquid media as coolant.
適正な真空度に達したら、真空度を上げ、アルゴン等のガスを所定の真空度になるまで強制的に注入し、この時点で筐体を密閉することができる。 Once the proper degree of vacuum is reached, the degree of vacuum is increased and a gas such as argon is forcibly injected to the desired degree of vacuum, at which point the enclosure can be sealed.
すべての電源と電気エネルギ発生装置のシステムの構成要素は、オムニバスグランドに接続される。 All power sources and electrical energy generator system components are connected to the omnibus ground.
Ｇａ－Ｉｎ－Ｐ－Ａｓ－Ｇｅ－Ａｕ－Ｂｉの合金は、反応器の内壁に沿って、カソードとアノードとの間に発生するプラズマの周りに層状に配置される。 An alloy of Ga--In--P--As--Ge--Au--Bi is layered along the inner wall of the reactor and around the plasma generated between the cathode and the anode.
この電気エネルギ発生装置の動作は、人工知能システムによって制御されており、アンペア、ボルト、ワットの比率は、アンペアが増加したときに電力が二次的に増加するという、オームの方程式に基づいている。 The operation of this electrical energy generator is controlled by an artificial intelligence system, and the ratio of amperes, volts, and watts is based on Ohm's equation, where power increases quadratically as amperes increase. .
Ｉ ＝ Ａ＾２ × Ｒ I = A^2 x R
重要な応用例として、この電気エネルギ発生装置とＬＥＤランプとの組み合わせが挙げられる。実験では、グリッドから電気エネルギ発生装置に供給される４ワットの電気エネルギで２０００００ルーメンに達した。これは、全世界で発生する電気エネルギの５８％を照明が奪っているという事実からも、非常に重要なことである。 An important application is the combination of this electrical energy generating device with an LED lamp. Experiments have reached 200,000 lumens with 4 watts of electrical energy supplied from the grid to the electrical energy generator. This is very important given the fact that lighting takes 58% of the electrical energy generated worldwide.
また、この電気エネルギ発生装置を電気自動車のバッテリの充電に使用することもできる。電気自動車の走行中にバッテリに電気を供給し、自動車の自律性を大幅に向上させることができる。その際、発生する電気の電圧をバッテリのモジュールの電圧（通常３．７Ｖ）に合わせる。 This electrical energy generator can also be used to charge the battery of an electric vehicle. Electricity can be supplied to the battery while the electric vehicle is running, significantly increasing the vehicle's autonomy. At that time, the voltage of the generated electricity is adjusted to the voltage of the battery module (usually 3.7V).
本発明の一実施形態を図１に示す。その構成要素は以下の通りである。
１－ タングステン・ハフニウム合金製のカソードとアノードを備えた真空チャンバ
２－ 導電性金属からなる筐体（一定の真空度で密閉されている）
３－ 真空ポンプバルブ
４－ 磁石
５－ 電子銃とグリッドとの間のＤＣ電源
６－ 電子銃とグランドとの間のＤＣ電源（Ｖ６＞Ｖ５）
７－ 可変変圧器（Ｖａｒｉａｃ：バリアック）
８－ 電源
９－ ダイオード
１０－コンデンサ
１１－負荷
１２－ＭＯＳＦＥＴ／スイッチ
１３－ヒートシンク＋ファン
１４－バッテリ
１５－バッテリ
１６－ＮＰＮトランジスタ
１７－抵抗
１８－周波数発生器のＢＮＣコネクタ
１９－周波数発生器
２０－接地母線
２１－絶縁体
２２－抵抗
２３－真空ポンプ
２４－ＡＣ電源コンセント
２５－グリッド
２６－熱交換器
２７－変圧器
２８－ツェナ
２９－フォトカプラ
３０－電子銃
３１－オシロスコープ
３２－フレネルレンズ
３３－ガリウム、インジウム、リン、ヒ素、ゲルマニウム、金、ビスマスの合金で層状になったプラズマの周囲の囲い
３４－符号３３に記載した合金の層
One embodiment of the invention is shown in FIG. Its components are as follows.
1- Vacuum chamber with cathode and anode made of tungsten-hafnium alloy 2- Enclosure made of conductive metal (sealed at a constant vacuum)
3- Vacuum pump valve 4- Magnet 5- DC power supply between electron gun and grid 6- DC power supply between electron gun and ground (V6 > V5)
7- Variable Transformer (Variac)
8- power supply 9- diode 10- capacitor 11- load 12- MOSFET/switch 13- heat sink + fan 14- battery 15- battery 16- NPN transistor 17- resistor 18- frequency generator BNC connector 19- frequency generator 20- Ground bus 21-insulator 22-resistor 23-vacuum pump 24-AC power outlet 25-grid 26-heat exchanger 27-transformer 28-zener 29-photocoupler 30-electron gun 31-oscilloscope 32-fresnel lens 33- A surround 34 of the plasma layered with an alloy of gallium, indium, phosphorus, arsenic, germanium, gold, bismuth - a layer of the alloy mentioned in 33
上記構成要素の値や特性は、本発明の有効性を損なうことなく、システムの電力、筐体の導電性金属の種類、筐体の内壁にある層の合金等に応じて、適宜変更することができる。 The values and characteristics of the above components can be changed as appropriate according to the power of the system, the type of conductive metal of the housing, the alloy of the layers on the inner walls of the housing, etc., without impairing the effectiveness of the present invention. can be done.
図１及び図２に示す実施形態及び本明細書に記載と同じ設定で、一連の実験を行った。 A series of experiments were performed with the embodiment shown in FIGS. 1 and 2 and the same set-up as described herein.
その結果、高真空によるインピーダンスの低下と、それに伴う空間電荷の発生とにより、エネルギの増加が見られた。また、電気エネルギ発生装置からの残光を測定したところ、光ファイバによってどこにでも拡散して使用するのに適していることがわかった。 As a result, an increase in energy was observed due to a drop in impedance due to the high vacuum and the accompanying generation of space charges. Also, when the afterglow from the electric energy generator was measured, it was found to be suitable for use by diffusing it anywhere with an optical fiber.
この実験は、フロリダ州マイアミビーチ（米国）とローマ（イタリア）にあるレオナルド社の研究所で行われた。 The experiments were performed at Leonardo's laboratories in Miami Beach, Florida (USA) and Rome (Italy).
図１及び図２に示す実施形態において、図に記載されている数字の他に、下記コードを以下の通りに説明する。 In the embodiment shown in FIGS. 1 and 2, in addition to the numbers shown in the figures, the following codes are explained as follows.
図１について
Ｒ１は、１ｋＷの抵抗性負荷である。
Ｒ２は、ＮＰＮトランジスタを分極する。８２０オーム１／２Ｗ
Ｒ３は、ツェナＺ１を分極する。４．７Ｖ，１０Ｗ
Ｒ４は、１００オーム、７Ｗであり、Ｔ１が遮断されている場合、ＭＯＳＦＥＴのゲートをソースに対して＋２０Ｖにする。
Ｒ５は、８２０オーム、１Ｗであり、フォトカプラ内部のＬＥＤに流れる電流を制限する。
ＲＴＥＳＴは、１オーム１／２Ｗであり、オシロスコープでＭＯＳＦＥＴのドレイン電流を監視する。
R1 for FIG. 1 is a resistive load of 1 kW.
R2 polarizes the NPN transistor. 820 ohm 1/2W
R3 polarizes zener Z1. 4.7V, 10W
R4 is 100 ohms, 7W and pulls the gate of the MOSFET to +20V with respect to the source when T1 is blocked.
R5 is 820 ohms, 1 W and limits the current through the LED inside the optocoupler.
RTEST is 1
コンデンサは、すべてセラミックである：
Ｃ１は、０．１５ｎＦ １７００Ｖのコンデンサである。
Ｃ２は、ツェナの動作インピーダンスを下げ、ノイズを低減するための１００ｎＦ ５０Ｖのコンデンサである。
Ｃ３は、２４Ｖバッテリのバイパス用の１００ｎＦのコンデンサである。
Ｃ４は、１００ｎＦのコンデンサであり、フォトカプラから要求される低電圧のものである。フォトカプラの接続部４と６の近くに接続される。
Ｃ５は、５０ｎＦのコンデンサであり、カソードのバイパス用の低電圧のものである。
Capacitors are all ceramic:
C1 is a 0.15nF 1700V capacitor.
C2 is a 100nF 50V capacitor to lower the Zener's operating impedance and reduce noise.
C3 is a 100nF capacitor for 24V battery bypass.
C4 is a 100 nF capacitor, the low voltage required by the optocoupler. It is connected near the
C5 is a 50 nF capacitor, a low voltage one for cathode bypass.
Ｚ１は、ツェナで、電圧が到達したときに電流が逆方向に進むようにする。
Ｄ１は、高電圧、高速のダイオードである。
Ｕ１は、スイッチ回路のシグレントを分離するためのフォトカプラである。
Ｔ１は、ＮＰＮトランジスタである。
Ｔ２は、システムの２つのモードを交互に切り替えるスイッチであるＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴである。
ＰＨは、半導体のチップである。
ＡＩは、Ａ／Ｖ比と動力とのバランスをとる人工知能である。
ＨＸは、プラズマから照射された熱を回収する熱交換器である。
Ｌは、Ａｕ、Ｇｅ、Ｐ、Ｇａ、Ｉｎ、Ａｓ、Ｂｉの合金の層である。
Z1 is a zener that causes the current to go in the opposite direction when the voltage is reached.
D1 is a high voltage, high speed diode.
U1 is an optocoupler for isolating the signature of the switch circuit.
T1 is an NPN transistor.
T2 is a SiC-MOSFET that is a switch that alternates between the two modes of the system.
PH is a semiconductor chip.
AI is artificial intelligence that balances A/V ratio and power.
HX is a heat exchanger that recovers the heat irradiated from the plasma.
L is an alloy layer of Au, Ge, P, Ga, In, As, and Bi.
スイッチ回路全体は、オムニバスのグランドから十分に絶縁される。
バッテリに表示されている接続部２が、正極である。
周波数発生器（Ｓｉｇｒｅｎｔ：シグレント）は、矩形波＋５ Ｖ ＨＩ ０Ｖ ＬＯＷ、５０％デューティサイクル、周波数１～５ＭＨｚを出力するように調整される。
各トランジスタは、ヒートシンクから十分に分離される。
The entire switch circuit is well isolated from the omnibus ground.
The connection 2 indicated on the battery is the positive electrode.
The frequency generator (Sigrent) is tuned to output a square wave +5 V HI 0 V LOW, 50% duty cycle, frequency 1-5 MHz.
Each transistor is well isolated from the heat sink.
図２について
図２は、アノードとインダクタを接続したもので、カソードとアノードとの間で放出された電子が濃縮されることにより、プラズマの負の抵抗を利用して、一連のコンデンサとインダクタで回路内にＲＬＣ振動を起こす。
About FIG. 2 FIG. 2 is a series of capacitors and inductors connected to an anode and an inductor, where electrons emitted between the cathode and anode are concentrated to take advantage of the negative resistance of the plasma. Causes RLC oscillations in the circuit.
図１及び２に示す回路図の構成要素は、同じ原理で動作すれば、当業者が適宜変更することができる。 The components of the circuit diagrams shown in FIGS. 1 and 2 can be modified appropriately by those skilled in the art if they operate on the same principle.
本出願の英語表記を以下表１に示す。 The English notation of this application is shown in Table 1 below.
Claims (31)
電子が反対側のターゲットに当たると共に、磁石が前記電子をターゲットに向かって直線的に走らせ、前記筐体は中空が飽和するまで接地され、飽和するとＭＯＳＦＥＴが、前記電子がグランドへ向かうことを阻害し、ダイオードが前記電子をコンデンサに、コンデンサから負荷に導く、前記電気エネルギ発生装置。 It is formed of a conductive hollow housing made of metal or quartz containing a conductor, connected to a power source for driving an electron gun made of a tungsten-hafnium alloy, and having a grid on the electric gun. In an electrical energy generator,
As electrons hit the target on the opposite side, a magnet causes the electrons to run straight toward the target, and the housing is grounded until the cavity saturates, at which point the MOSFET blocks the electrons from going to ground. , said electrical energy generator, wherein a diode directs said electrons to a capacitor and from the capacitor to a load.
電子が反対側のターゲットに当たると共に、磁石が前記電子をターゲットに向かって直線的に走らせ、前記筐体は中空が飽和するまで接地され、飽和するとＭＯＳＦＥＴが、前記電子がグランドへ向かうことを阻害し、ダイオードが前記電子をコンデンサに、コンデンサから負荷に導く、前記方法。 A device formed of a conductive hollow housing made of metal or quartz containing conductors, connected to a power source for driving an electron gun made of tungsten-hafnium alloy, and having a grid over the gun. In a method of generating electrical energy using
As electrons hit the target on the opposite side, a magnet causes the electrons to run straight toward the target, and the housing is grounded until the cavity saturates, at which point the MOSFET blocks the electrons from going to ground. , a diode directing said electrons to a capacitor and from the capacitor to a load.
Starting from "point zero energy", we generate a high dV with a ratio of dV/dT that enhances the Zitterbewegung and Aharonov-Bohm effects of electrons, modifies the phase of electrons and arranges them into clusters with phase coherence. , producing lower entropy, lower heat capacity and fewer degrees of freedom, transferring such excess energy to electrons that are not phase coherent, resulting in excess photon emission. A method according to any one of paragraphs.
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