KR20220155217A - Film forming apparatus, program, method of evaluating position detection accuracy, and manufacturing method of electronic device - Google Patents

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Abstract

The present invention is to evaluate the detection accuracy of a position of a mark for alignment. A film forming device is provided. A detection means performs a detection process of detecting a position of a substrate mark installed on a substrate and a position of a mask mark installed on a mask. A position adjustment means performs a relative position adjustment of the substrate and the mask based on a result of the detection process by the detection means. A calculation means performs a statistical process on the result of the detection process performed a plurality of times by the detection means in a state in which the substrate and the mask are stopped.

Description

성막 장치, 프로그램, 위치 검지 정밀도의 평가 방법 및 전자 디바이스의 제조 방법{FILM FORMING APPARATUS, PROGRAM, METHOD OF EVALUATING POSITION DETECTION ACCURACY, AND MANUFACTURING METHOD OF ELECTRONIC DEVICE}Film forming apparatus, program, evaluation method of position detection accuracy, and manufacturing method of electronic device

본 발명은 성막 장치, 프로그램, 위치 검지 정밀도의 평가 방법 및 전자 디바이스의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a film forming apparatus, a program, a method for evaluating position detection accuracy, and a method for manufacturing an electronic device.

유기 EL 표시 장치(유기 EL 디스플레이) 등의 제조에 있어서는, 증착용 마스크를 사용하여 증착 재료를 기판에 증착시킬 때에 기판과 마스크의 얼라인먼트가 행해진다. 기판과 마스크의 얼라인먼트는, 기판 또는 마스크에 형성된 얼라인먼트용 마크를 사용하여 행해지는 경우가 있다. 특허문헌 1에는, 기판에 형성된 얼라인먼트용 마크를 촬상한 촬상 화상으로부터, 기판의 위치 및 각도의 기준으로부터의 어긋남을 산출하는 것이 개시되어 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION [0002] In the manufacture of organic EL display devices (organic EL displays) and the like, alignment of the substrate and the mask is performed when depositing an evaporation material onto the substrate using a evaporation mask. Alignment between the substrate and the mask may be performed using an alignment mark formed on the substrate or mask. Patent Literature 1 discloses calculating the displacement of the position and angle of the substrate from a standard from a captured image obtained by capturing an alignment mark formed on the substrate.

특허문헌 1: 일본특허공개 제2008-010504호 공보Patent Document 1: Japanese Unexamined Patent Publication No. 2008-010504

상기 종래 기술에서는, 기판 및 마스크의 위치 등의 기준으로부터의 어긋남의 산출 정밀도, 부연하여 말하면 산출에 사용되는 기판 및 마스크의 각각의 위치의 검지 정밀도에 대해서는 검토되고 있지 않다. 이 검지 정밀도가 낮으면, 기판과 마스크의 얼라인먼트 정밀도가 저하되는 경우가 있다. 그 결과로서, 기판에 대한 증착 재료의 증착 위치가 흐트러져, 제품의 품질이 저하될 우려가 있다. 따라서, 얼라인먼트용 마크의 위치의 검지 정밀도를 파악하는 것이 요구된다.In the prior art described above, the calculation accuracy of deviations from standards such as the positions of the substrate and the mask, to put it another way, the detection accuracy of the respective positions of the substrate and mask used for calculation has not been studied. If the detection accuracy is low, the alignment accuracy between the substrate and the mask may decrease. As a result, the evaporation position of the evaporation material relative to the substrate may be disturbed, and the quality of the product may deteriorate. Therefore, grasping the detection accuracy of the position of the mark for alignment is calculated|required.

본 발명은, 얼라인먼트용 마크의 위치의 검지 정밀도를 평가하는 기술을 제공한다.The present invention provides a technique for evaluating the detection accuracy of the alignment mark position.

본 발명에 의하면, 기판에 설치된 기판 마크의 위치 및 마스크에 설치된 마스크 마크의 위치를 검지하는 검지 처리를 실행하는 검지 수단과, 상기 검지 수단에 의한 상기 검지 처리의 결과에 기초하여, 상기 기판 및 상기 마스크의 상대적인 위치 조정을 실행하는 위치 조정 수단과, 상기 기판 및 상기 마스크를 정지시킨 상태로 상기 검지 수단에 의해 실행된 복수 회의 상기 검지 처리의 결과에 대해 통계 처리를 실행하는 연산 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 성막 장치가 제공된다.According to the present invention, detecting means for performing a detection process for detecting the position of a substrate mark provided on a substrate and the position of a mask mark provided on a mask, and based on a result of the detection process by the detection means, the substrate and the Positioning means for adjusting the relative position of the mask, and calculating means for executing statistical processing on the results of the detection process executed a plurality of times by the detection means in a state where the substrate and the mask are stopped. A characterized film forming apparatus is provided.

본 발명에 의하면, 얼라인먼트용 마크의 위치의 검지 정밀도를 평가할 수 있다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the detection precision of the position of the mark for alignment can be evaluated.

도 1은 일 실시형태에 따른 전자 디바이스의 제조 라인의 구성의 일부를 나타내는 모식도이다.
도 2는 일 실시형태에 따른 성막 장치의 개략도이다.
도 3은 도 2의 성막 장치의 하드웨어의 구성예를 나타내는 도면이다.
도 4의 (a) ∼ (c)는 마스크 및 기판의 구성예를 나타내는 평면도이다.
도 5는 성막 장치에 의한 얼라인먼트 공정의 개략을 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 6은 파인 얼라인먼트 공정의 일례를 설명하는 도면이다.
도 7의 (a)는, 마스크 파인 마크의 위치를 특정하기 위한 패턴 매칭의 양태를 설명하는 도면이고, (b)는 모델 마크의 일례를 나타내는 도면이다.
도 8은 처리부의 처리 예를 나타내는 플로우차트이다.
도 9의 (a) 및 (b)는 처리부의 처리 예를 나타내는 플로우차트이다.
도 10은 처리부의 처리 예를 나타내는 플로우차트이다.
도 11의 (a)는 유기 EL 표시 장치의 전체도, (b)는 1화소의 단면 구조를 나타내는 도면이다.
1 is a schematic diagram showing a part of the configuration of a manufacturing line for an electronic device according to an embodiment.
2 is a schematic diagram of a film forming apparatus according to an embodiment.
FIG. 3 is a diagram showing an example of a hardware configuration of the film forming apparatus of FIG. 2 .
4(a) to (c) are plan views showing configuration examples of a mask and a substrate.
5 is a diagram schematically showing the outline of an alignment process by a film forming apparatus.
6 is a diagram for explaining an example of a fine alignment process.
Fig. 7 (a) is a diagram illustrating an aspect of pattern matching for specifying the position of a mask fine mark, and (b) is a diagram showing an example of a model mark.
8 is a flowchart showing a processing example of a processing unit.
9(a) and (b) are flowcharts showing processing examples of the processing unit.
10 is a flowchart showing a processing example of a processing unit.
11(a) is an overall view of the organic EL display device, and (b) is a view showing a cross-sectional structure of one pixel.

이하, 첨부 도면을 참조하여 실시형태를 상세하게 설명한다. 한편, 이하의 실시형태는 청구범위에 따른 발명을 한정하는 것이 아니고, 또한 실시형태에서 설명되고 있는 특징의 조합 모두가 발명에 필수적인 것이라고는 할 수 없다. 실시형태에서 설명되고 있는 복수의 특징 중 2개 이상의 특징이 임의로 조합되어도 된다. 또한, 동일 또는 마찬가지의 구성에는 동일한 참조 번호를 붙이고, 중복된 설명은 생략한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment is described in detail with reference to an accompanying drawing. On the other hand, the following embodiments do not limit the invention according to the claims, and it cannot be said that all combinations of features described in the embodiments are essential to the invention. Two or more of the features described in the embodiments may be arbitrarily combined. In addition, the same reference number is attached|subjected to the same or similar structure, and overlapping description is abbreviate|omitted.

<1. 전자 디바이스의 제조 라인><1. Electronic device manufacturing line>

도 1은 일 실시형태에 따른 전자 디바이스의 제조 라인의 구성의 일부를 나타내는 모식도이다. 도 1의 제조 라인은, 예를 들면, 스마트폰용의 유기 EL 표시 장치의 표시 패널의 제조에 사용되는 것으로, 기판(100)이 성막 블록(301)에 순차적으로 반송되어, 기판(100)에 유기 EL의 성막이 행해진다.1 is a schematic diagram showing a part of the configuration of a manufacturing line for an electronic device according to an embodiment. The production line in FIG. 1 is used, for example, for manufacturing a display panel of an organic EL display device for a smartphone, and the substrate 100 is sequentially conveyed to the film formation block 301, and the substrate 100 is organically Film formation of EL is performed.

성막 블록(301)에는, 평면에서 보았을 때 팔각형의 형상을 갖는 반송실(302)의 주위에, 후술하는 성막 장치(1)가 설치되어, 기판(100)에 대한 성막 처리가 행해지는 복수의 성막실(303a∼303d)과, 사용 전후의 마스크가 수납되는 마스크 격납실(305)이 배치되어 있다. 반송실(302)에는, 기판(100)을 반송하는 반송 로봇(302a)이 배치되어 있다. 반송 로봇(302a)은, 기판(100)을 보유지지하는 핸드와, 핸드를 수평 방향으로 이동하는 다관절 암을 포함한다. 달리 말하면, 성막 블록(301)은, 반송 로봇(302a)의 주위를 둘러싸도록 복수의 성막실(303a∼303d)이 배치된 클러스터형 성막 유닛이다. 한편, 이하의 설명에서, 성막실(303a∼303d)을 특별히 구별하지 않는 경우, 성막실(303)이라고 칭하는 경우가 있다.In the film formation block 301, a film formation apparatus 1 described later is installed around a transfer chamber 302 having an octagonal shape in plan view, and a plurality of film formation processes for the substrate 100 are performed. Chambers 303a to 303d and a mask storage chamber 305 in which masks before and after use are stored are arranged. In the transfer room 302 , a transfer robot 302a that transfers the substrate 100 is disposed. The transport robot 302a includes a hand that holds the substrate 100 and an articulated arm that horizontally moves the hand. In other words, the film formation block 301 is a cluster type film formation unit in which a plurality of film formation chambers 303a to 303d are arranged so as to surround the transfer robot 302a. Incidentally, in the following description, the film formation chambers 303a to 303d may be referred to as the film formation chamber 303 unless otherwise distinguished.

기판(100)의 반송 방향(화살표 방향)에서, 성막 블록(301)의 상류측, 하류측에는, 각각, 버퍼실(306), 선회실(307), 패스실(308)이 배치되어 있다. 제조 과정에 있어서, 각 실은 진공 상태로 유지된다. 한편, 도 1에서는 성막 블록(301)을 1개밖에 도시하고 있지 않지만, 본 실시형태에 따른 제조 라인은 복수의 성막 블록(301)을 가지고 있어, 복수의 성막 블록(301)이, 버퍼실(306), 선회실(307), 및 패스실(308)로 구성되는 연결 장치로 연결된 구성을 갖는다. 한편, 연결 장치의 구성은 이로 한정되지 않고, 예를 들면 버퍼실(306) 또는 패스실(308)만으로 구성되어 있어도 된다.A buffer chamber 306 , a turning chamber 307 , and a pass chamber 308 are disposed on the upstream side and the downstream side of the film formation block 301 in the transport direction of the substrate 100 (direction of the arrow), respectively. During the manufacturing process, each seal is kept under vacuum. On the other hand, although only one film formation block 301 is shown in FIG. 1 , the production line according to the present embodiment has a plurality of film formation blocks 301, and the plurality of film formation blocks 301 include a buffer chamber ( 306), the turning chamber 307, and the pass chamber 308 are connected by a connecting device. On the other hand, the configuration of the connection device is not limited to this, and may be configured only of the buffer chamber 306 or the pass chamber 308, for example.

반송 로봇(302a)은, 상류측의 패스실(308)로부터 반송실(302)로의 기판(100)의 반입, 성막실(303) 사이에서의 기판(100)의 반송, 마스크 격납실(305)과 성막실(303)의 사이에서의 마스크의 반송, 및 반송실(302)로부터 하류측의 버퍼실(306)로의 기판(100)의 반출을 행한다.The transfer robot 302a carries the substrate 100 from the pass chamber 308 on the upstream side to the transfer chamber 302, transfers the substrate 100 between the film formation chambers 303, and performs mask storage 305. and the film formation chamber 303, the mask is conveyed, and the substrate 100 is carried out from the conveyance chamber 302 to the buffer chamber 306 on the downstream side.

버퍼실(306)은, 제조 라인의 가동 상황에 따라 기판(100)을 일시적으로 격납하기 위한 실이다. 버퍼실(306)에는, 복수 매의 기판(100)을 기판(100)의 피처리면(피성막면)이 중력 방향 하방을 향하는 수평 상태를 유지한 채 수납 가능한 다단 구조의 기판 수납 선반(카세트라고도 불림)과, 기판(100)을 반입 또는 반출하는 단을 반송 위치에 맞추기 위해 기판 수납 선반을 승강시키는 승강 기구가 설치된다. 이에 의해, 버퍼실(306)에는 복수의 기판(100)을 일시적으로 수용하고, 체류시킬 수 있다.The buffer room 306 is a room for temporarily storing the substrate 100 according to the operating conditions of the production line. In the buffer chamber 306, a substrate storage shelf (also referred to as a cassette) having a multi-stage structure capable of storing a plurality of substrates 100 while maintaining a horizontal state with the surface to be processed (film-formation surface) of the substrate 100 facing downward in the direction of gravity. ), and a lifting mechanism for lifting the substrate storage shelf so as to align the stage for loading or unloading the substrate 100 to the transport position. Thus, the plurality of substrates 100 can be temporarily accommodated and retained in the buffer chamber 306 .

선회실(307)은, 기판(100)의 방향을 변경하는 장치를 구비하고 있다. 본 실시형태에서는, 선회실(307)은, 선회실(307)에 설치된 반송 로봇에 의해 기판(100)의 방향을 180도 회전시킨다. 선회실(307)에 설치된 반송 로봇은, 버퍼실(306)에서 수취한 기판(100)을 지지한 상태로 180도 선회하여 패스실(308)로 넘겨줌으로써, 버퍼실(306) 내와 패스실(308)에서 기판(100)의 반송 방향(화살표 방향)에 있어서의 앞단과 후단이 서로 바뀐다. 이에 의해, 성막실(303)에 기판(100)을 반입할 때의 방향이, 각 성막 블록(301)에서 동일 방향이 되기 때문에, 기판(100)에 대한 성막의 스캔 방향이나 마스크의 방향을 각 성막 블록(301)에 있어서 일치시킬 수 있다. 이러한 구성으로 함으로써, 각 성막 블록(301)에서 마스크 격납실(305)에 마스크를 설치하는 방향을 일치시킬 수 있어, 마스크의 관리가 간이화되어 사용성을 높일 수 있다.The turning chamber 307 has a device for changing the direction of the substrate 100 . In this embodiment, the turning chamber 307 rotates the direction of the board|substrate 100 by 180 degrees by the transfer robot installed in the turning chamber 307. The transfer robot installed in the turning room 307 rotates the substrate 100 received in the buffer room 306 in a supported state by 180 degrees and passes it to the pass room 308, thereby moving the substrate 100 into the buffer room 306 and into the pass room. In 308, the front end and the rear end in the conveying direction (arrow direction) of the substrate 100 are exchanged. As a result, since the direction in which the substrate 100 is loaded into the film formation chamber 303 becomes the same direction in each film formation block 301, the film formation scanning direction and the mask direction for the substrate 100 are respectively set. In the film formation block 301, they can be matched. With this structure, it is possible to match the direction in which the masks are installed in the mask storage chamber 305 in each film formation block 301, simplify mask management, and improve usability.

패스실(308)은, 선회실(307)의 장치에 의해 반입된 기판(100)을 하류의 성막 블록(301)의 반송 로봇(302a)으로 전달하기 위한 실이다. 본 실시형태에서는, 후술하는 바와 같이, 패스실(308)에 있어서 기판(100)의 얼라인먼트 및 기판(100)에 성막된 막의 막두께 측정을 행한다.The pass chamber 308 is a chamber for conveying the substrate 100 carried in by the apparatus of the turning chamber 307 to the transfer robot 302a of the downstream film formation block 301 . In this embodiment, as will be described later, alignment of the substrate 100 and measurement of the film thickness of the film formed on the substrate 100 are performed in the pass chamber 308 .

제조 라인의 제어계는, 호스트 컴퓨터로서 라인 전체를 제어하는 상위 장치(300)와, 각 구성을 제어하는 제어 장치(14a∼14d, 309, 310, 311)를 포함하고, 이들은 유선 또는 무선 통신 회선(300a)을 통해 통신 가능하다. 제어 장치(14a∼14d)는 성막실(303a∼303d)에 대응하여 설치되며, 후술하는 성막 장치(1)를 제어한다. 제어 장치(309)는 반송 로봇(302a)을 제어한다. 제어 장치(310)는 선회실(307)에 설치된 반송 로봇을 제어한다. 제어 장치(311)는, 패스실(308)에 있어서 얼라인먼트나 막두께 측정을 행하는 기기를 제어한다. 상위 장치(300)는, 기판(100)에 관한 정보나 반송 타이밍 등의 지시를 각 제어 장치(14a∼14d, 309, 310, 311)로 송신하고, 각 제어 장치(14a∼14d, 309, 310, 311)는 수신한 지시에 기초하여 각 구성을 제어한다. 한편, 이하의 설명에서, 제어 장치(14a∼14d)를 특별히 구별하지 않는 경우, 제어 장치(14)라고 칭하는 경우가 있다.The control system of the manufacturing line includes a host device 300 that controls the entire line as a host computer and control devices 14a to 14d, 309, 310, and 311 that control each component, and these are wired or wireless communication lines ( 300a), communication is possible. The control devices 14a to 14d are installed corresponding to the film formation chambers 303a to 303d, and control the film formation apparatus 1 described later. The control device 309 controls the transfer robot 302a. The control device 310 controls the transfer robot installed in the turning chamber 307 . The control device 311 controls devices that perform alignment and film thickness measurement in the pass chamber 308 . The host device 300 transmits information about the substrate 100 and instructions such as conveyance timing to the respective control devices 14a to 14d, 309, 310, and 311, and the respective control devices 14a to 14d, 309, and 310 , 311) controls each configuration based on the received instructions. On the other hand, in the following description, the control devices 14a to 14d may be referred to as the control device 14 unless otherwise distinguished.

<2. 성막 장치의 개요><2. Overview of Film Formation Equipment>

도 2는 일 실시형태에 따른 성막 장치(1)의 개략도이다. 성막 장치(1)는 기판(100)에 증착 물질을 성막하는 장치이며, 마스크(101)를 사용하여 소정의 패턴의 증착 물질의 박막을 형성한다. 성막 장치(1)에 의해 성막이 행해지는 기판(100)의 재질은 글래스, 수지, 금속 등의 재료를 적절히 선택 가능하고, 글래스 상에 폴리이미드 등의 수지층이 형성된 것이 바람직하게 사용된다. 증착 물질로서는, 유기 재료, 무기 재료(금속, 금속 산화물 등) 등의 물질을 들 수 있다. 성막 장치(1)는, 예를 들면 표시 장치(플랫 패널 디스플레이 등)나 박막 태양 전지, 유기 광전 변환 소자(유기 박막 촬상 소자) 등의 전자 디바이스나, 광학 부재 등을 제조하는 제조 장치에 적용 가능하고, 특히, 유기 EL 패널을 제조하는 제조 장치에 적용 가능하다. 이하의 설명에서는 성막 장치(1)가 진공 증착에 의해 기판(100)에 성막을 행하는 예에 대해 설명하지만, 성막 방법은 이로 한정되지 않고, 스퍼터나 CVD 등의 각종 성막 방법을 적용 가능하다. 한편, 각 도면에 있어서 화살표 Z는 상하 방향(중력 방향)을 나타내고, 화살표 X 및 화살표 Y는 서로 직교하는 수평 방향을 나타낸다.2 is a schematic diagram of a film forming apparatus 1 according to an embodiment. The film forming apparatus 1 is a device that forms a film of a deposition material on a substrate 100 and forms a thin film of a deposition material in a predetermined pattern using a mask 101 . As the material of the substrate 100 on which the film is formed by the film forming apparatus 1, a material such as glass, resin, or metal can be appropriately selected, and a resin layer formed on glass such as polyimide is preferably used. Substances, such as an organic material and an inorganic material (metal, metal oxide, etc.), are mentioned as a deposition material. The film forming apparatus 1 can be applied to, for example, electronic devices such as display devices (flat panel displays, etc.), thin-film solar cells, organic photoelectric conversion elements (organic thin-film imaging elements), manufacturing apparatuses for manufacturing optical members, etc. And, in particular, it is applicable to a manufacturing apparatus for manufacturing an organic EL panel. In the following description, an example in which the film forming apparatus 1 forms a film on the substrate 100 by vacuum deposition is described, but the film forming method is not limited to this, and various film forming methods such as sputtering and CVD can be applied. On the other hand, in each drawing, an arrow Z indicates a vertical direction (direction of gravity), and an arrow X and an arrow Y indicate horizontal directions orthogonal to each other.

성막 장치(1)는 상자형 진공 챔버(3)를 갖는다. 진공 챔버(3)의 내부 공간(3a)은 진공 분위기이거나, 질소 가스 등의 불활성 가스 분위기로 유지되어 있다. 본 실시형태에서는, 진공 챔버(3)는 도시하지 않은 진공 펌프에 접속되어 있다. 한편, 본 명세서에서 「진공」이란, 대기압보다 낮은 압력의 기체로 채워진 상태, 달리 말하면 감압 상태를 말한다. 진공 챔버(3)의 내부 공간(3a)에는, 기판(100)을 수평 자세로 지지하는 기판 지지 유닛(6), 마스크(101)를 지지하는 마스크대(5), 성막 유닛(4), 플레이트 유닛(9)이 배치된다. 마스크(101)는, 기판(100) 상에 형성하는 박막 패턴에 대응하는 개구 패턴을 갖는 메탈 마스크이며, 마스크대(5) 위에 고정되어 있다. 마스크(101)로서는, 프레임 형상의 마스크 프레임에 수㎛∼수십㎛ 정도의 두께의 마스크 박이 용접 고정된 구조를 갖는 마스크를 사용할 수 있다. 마스크(101)의 재질은 특별히 한정되지 않지만, 인바(invar) 재료 등의 열팽창 계수가 작은 금속을 사용하는 것이 바람직하다. 성막 처리는, 기판(100)이 마스크(101) 위에 재치되어, 기판(100)과 마스크(101)가 서로 겹쳐진 상태에서 행해진다.The film forming apparatus 1 has a box-shaped vacuum chamber 3 . The inner space 3a of the vacuum chamber 3 is maintained in a vacuum atmosphere or an inert gas atmosphere such as nitrogen gas. In this embodiment, the vacuum chamber 3 is connected to a vacuum pump not shown. On the other hand, in this specification, "vacuum" refers to a state filled with gas at a pressure lower than atmospheric pressure, in other words, a reduced pressure state. In the inner space 3a of the vacuum chamber 3, a substrate support unit 6 for supporting the substrate 100 in a horizontal position, a mask stand 5 for supporting the mask 101, a film forming unit 4, and a plate Unit 9 is placed. The mask 101 is a metal mask having an opening pattern corresponding to the thin film pattern formed on the substrate 100, and is fixed on the mask stand 5. As the mask 101, a mask having a structure in which a mask foil having a thickness of about several micrometers to several tens of micrometers is welded and fixed to a frame-shaped mask frame can be used. The material of the mask 101 is not particularly limited, but it is preferable to use a metal having a small coefficient of thermal expansion such as an invar material. The film forming process is performed in a state where the substrate 100 is placed on the mask 101 and the substrate 100 and the mask 101 overlap each other.

플레이트 유닛(9)은, 성막시에 기판(100)을 냉각하는 냉각 플레이트(10)와, 자력에 의해 마스크(101)를 끌어당겨 기판(100)과 마스크(101)를 밀착시키는 자석 플레이트(11)를 구비한다. 플레이트 유닛(9)은, 예를 들면 볼 나사 기구 등을 구비한 승강 유닛(13)에 의해 Z 방향으로 승강 가능하게 설치되어 있다.The plate unit 9 includes a cooling plate 10 that cools the substrate 100 during film formation, and a magnet plate 11 that attracts the mask 101 by magnetic force to bring the substrate 100 and mask 101 into close contact. ) is provided. The plate unit 9 is installed so that it can be moved up and down in the Z direction by a lift unit 13 equipped with a ball screw mechanism or the like, for example.

성막 유닛(4)은 히터, 셔터, 증발원의 구동 기구, 증발 레이트 모니터 등으로 구성되어, 증착 물질을 기판(100)에 증착하는 증착원이다. 보다 구체적으로는, 본 실시형태에서는, 성막 유닛(4)은 복수의 노즐(도시하지 않음)이 X 방향으로 나란히 배치되고, 각각의 노즐로부터 증착 재료가 방출되는 리니어 증발원이다. 성막 유닛(4)은 증발원 이동 기구(도시하지 않음)에 의해 Y 방향(성막실(303)과 반송실(302)의 접속부로부터 멀어지는 방향)으로 왕복 이동된다.The film formation unit 4 is composed of a heater, a shutter, an evaporation source driving mechanism, an evaporation rate monitor, and the like, and is an evaporation source that deposits a evaporation material on the substrate 100 . More specifically, in this embodiment, the film formation unit 4 is a linear evaporation source in which a plurality of nozzles (not shown) are arranged side by side in the X direction, and evaporation materials are discharged from each nozzle. The film formation unit 4 is reciprocally moved in the Y direction (direction away from the connection portion between the film formation chamber 303 and the transfer chamber 302) by an evaporation source moving mechanism (not shown).

또한, 성막 장치(1)는, 기판(100)과 마스크(101)의 얼라인먼트를 행하는 얼라인먼트 장치(2)를 구비한다. 개략적으로, 얼라인먼트 장치(2)는, 제어 장치(14) 및 촬상 유닛(16)에 의해 구성되는 검지 유닛(17)(도 3 참조)에 의해 기판(100) 및 마스크(101)에 형성된 얼라인먼트 마크의 위치를 검지한다. 그리고, 얼라인먼트 장치(2)는, 이 검지 결과에 기초하여 위치 조정 유닛(20)에 의해 기판(100)과 마스크(101)의 상대위치를 조정한다.Further, the film forming apparatus 1 includes an alignment apparatus 2 that aligns the substrate 100 and the mask 101 . Schematically, the alignment device 2 has an alignment mark formed on a substrate 100 and a mask 101 by a detection unit 17 (see Fig. 3) constituted by a control device 14 and an imaging unit 16. detect the location of And the alignment device 2 adjusts the relative position of the board|substrate 100 and the mask 101 by the position adjustment unit 20 based on this detection result.

얼라인먼트 장치(2)는, 검지 유닛(17)을 구성하고, 기판(100) 및 마스크(101)의 얼라인먼트에 사용되는 얼라인먼트 마크를 촬상하는 촬상 유닛(16)을 포함한다. 촬상 유닛(16)은 카메라(160, 161)를 포함한다. 본 실시형태에서는, 성막 장치(1)는, 기판(100) 및 마스크(101)의 얼라인먼트로서, 러프 얼라인먼트 및 파인 얼라인먼트의 2단계의 얼라인먼트를 실행한다. 러프 얼라인먼트는 기판(100) 및 마스크(101)의 대략적인 위치 조정이며, 파인 얼라인먼트는 러프 얼라인먼트보다도 고정밀도의 기판(100) 및 마스크(101)의 위치 조정이다. 다만, 얼라인먼트의 양태는 이에 한정되지 않고, 예를 들면 성막 장치(1)는 파인 얼라인먼트만을 실행해도 된다.The alignment device 2 includes an imaging unit 16 that constitutes a detection unit 17 and captures an image of an alignment mark used for alignment of the substrate 100 and the mask 101 . The imaging unit 16 includes cameras 160 and 161 . In the present embodiment, the film forming apparatus 1 performs two-step alignment of the rough alignment and the fine alignment as the alignment of the substrate 100 and the mask 101 . Rough alignment is rough alignment of the substrate 100 and mask 101, and fine alignment is higher-precision alignment of the substrate 100 and mask 101 than rough alignment. However, the aspect of alignment is not limited to this, and the film forming apparatus 1 may perform only fine alignment, for example.

카메라(160)는 러프 얼라인먼트용의 얼라인먼트 마크를 촬상하고, 카메라(161)는 파인 얼라인먼트용의 얼라인먼트 마크를 촬상한다. 본 실시형태에서는, 검지 유닛(17)은, 카메라(160)를 2대, 카메라(161)를 4대, 각각 포함하고 있다. 이하, 2대의 카메라(160)를 구별하여 설명하는 경우에는, 카메라(1601, 1602)로 표기하는 경우가 있다. 또한, 4대의 카메라(161)를 구별하여 설명하는 경우에는, 카메라(1611∼1614)로 표기하는 경우가 있다. 또한, 이하의 설명에서는, 카메라(160)를 러프 카메라(160)로 표기하고, 카메라(161)를 파인 카메라(161)로 표기하는 경우가 있다. 한편, 카메라(160, 161)의 수는 예시이며 적절히 변경 가능하다.A camera 160 captures an image of an alignment mark for rough alignment, and a camera 161 captures an image of an alignment mark for fine alignment. In this embodiment, the detection unit 17 includes two cameras 160 and four cameras 161, respectively. Hereinafter, when the two cameras 160 are described separately, they may be expressed as cameras 1601 and 1602. Note that, when the four cameras 161 are described separately, they may be described as cameras 1611 to 1614. In addition, in the following description, the camera 160 may be described as a rough camera 160, and the camera 161 may be described as a fine camera 161. Meanwhile, the number of cameras 160 and 161 is an example and can be changed appropriately.

얼라인먼트 장치(2)는, 기판(100)의 주연부를 지지하는 기판 지지 유닛(6)을 구비한다. 기판 지지 유닛(6)은, 서로 X 방향으로 이격되어 설치되고, Y 방향으로 연장하는 한 쌍의 베이스부(62)와, 베이스부(62)로부터 내측으로 돌출한 복수의 핑거 형상의 재치부(61)를 구비한다. 한편, 재치부(61)는 「수취 핑거」또는 「핑거」라고도 불리는 경우가 있다. 복수의 재치부(61)는 한 쌍의 베이스부(62)의 각각에 간격을 두고 배치되어 있다. 재치부(61)에는 기판(100)의 주연부의 장변측의 부분이 재치된다. 베이스부(62)는 복수의 지주(支柱)(64)를 통해 보(梁) 부재(222)에 매달아 내려져 있다.The alignment device 2 includes a substrate support unit 6 that supports the periphery of the substrate 100 . The substrate support unit 6 includes a pair of base portions 62 spaced apart from each other in the X direction and extending in the Y direction, and a plurality of finger-shaped mounting portions protruding inward from the base portion 62 ( 61) is provided. On the other hand, the mounting unit 61 is sometimes called a "receiving finger" or a "finger". The plurality of mounting portions 61 are arranged at intervals on each of the pair of base portions 62 . The part on the long side of the periphery of the substrate 100 is placed on the mounting portion 61 . The base portion 62 is hung down from the beam member 222 via a plurality of pillars 64 .

본 실시형태와 같이 베이스부(62)가 X 방향으로 이격되어 한 쌍으로 기판(100)의 단변측에 베이스부(62)가 형성되지 않은 구성에 의해, 반송 로봇(302a)이 재치부(61)로 기판을 전달할 때의, 반송 로봇(302a)과 베이스부(62)의 간섭을 억제할 수 있다. 그러나, 베이스부(62)는, 기판(100)의 주연부 전체를 둘러싸도록 한 사각형 프레임 형상이어도 된다. 이에 의해, 기판(100)의 반송 및 전달의 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 베이스부(62)는, 부분적으로 절결부가 있는 사각형 프레임 형상이어도 된다. 부분적으로 절결부가 있는 사각형 프레임 형상으로 함으로써, 반송 로봇(302a)이 재치부(61)로 기판을 전달할 때의, 반송 로봇(302a)과 베이스부(62)의 간섭을 억제할 수 있어, 기판(100)의 반송 및 전달의 효율을 향상시킬 수 있다.As in the present embodiment, the transfer robot 302a has a configuration in which the base portions 62 are spaced apart in the X direction and the base portions 62 are not formed on the short side of the substrate 100 as a pair, so that the transfer robot 302a is placed on the mounting portion 61 ), it is possible to suppress interference between the transfer robot 302a and the base portion 62 at the time of transferring the substrate. However, the base portion 62 may have a rectangular frame shape so as to surround the entire periphery of the substrate 100 . As a result, the efficiency of transportation and transfer of the substrate 100 can be improved. Also, the base portion 62 may have a rectangular frame shape with a partially cutout portion. By partially forming a rectangular frame shape with notches, interference between the transfer robot 302a and the base portion 62 can be suppressed when the transfer robot 302a transfers the substrate to the mounting unit 61, and the substrate The efficiency of transport and delivery of (100) can be improved.

또한, 기판 지지 유닛(6)은, 클램프 유닛(63)을 구비한다. 클램프 유닛(63)은 복수의 클램프부(66)를 구비한다. 각 클램프부(66)는 각 재치부(61)에 대응하여 설치되어 있고, 클램프부(66)와 재치부(61)에 의해 기판(100)의 주연부를 사이에 두고 보유지지하는 것이 가능하다. 클램프 유닛(63)은, 예를 들면 각 클램프부(66)를 기판(100)에 대해 접근 및 이격시키기 위한 액추에이터를 포함한다. 기판(100)의 지지 양태로서는, 이와 같이 클램프부(66)와 재치부(61)에 의해 기판(100)의 주연부를 사이에 두고 보유지지하는 양태 이외에, 클램프부(66)를 설치하지 않고 재치부(61)에 기판(100)을 재치하기만 하는 양태를 채용 가능하다.In addition, the substrate support unit 6 includes a clamp unit 63 . The clamp unit 63 has a plurality of clamp parts 66 . Each clamp part 66 is provided corresponding to each mounting part 61, and it is possible to hold the board|substrate 100 with the periphery of the board|substrate 100 interposed by the clamp part 66 and the mounting part 61. The clamp unit 63 includes an actuator for bringing each clamp part 66 closer to and away from the substrate 100, for example. As an aspect of supporting the substrate 100, other than the aspect in which the periphery of the substrate 100 is held with the periphery of the substrate 100 interposed therebetween by the clamp portion 66 and the placing portion 61 as described above, the clamp portion 66 is not provided. An aspect in which the substrate 100 is only placed on the portion 61 can be adopted.

얼라인먼트 장치(2)는, 기판 지지 유닛(6)에 의해 주연부가 지지된 기판(100)과, 마스크(101)와의 상대위치를 조정하는 위치 조정 유닛(20)을 구비한다. 위치 조정 유닛(20)은, 카메라(160, 161)에 의한 기판(100) 및 마스크(101)에 설치된 얼라인먼트용 마크의 촬상 화상 등에 기초하여 기판 지지 유닛(6)을 X-Y 평면 상에서 변위시킴으로써, 마스크(101)에 대한 기판(100)의 상대위치를 조정한다. 본 실시형태에서는, 마스크(101)의 위치를 고정하고, 기판(100)을 변위시켜 이들의 상대위치를 조정하지만, 마스크(101)를 변위시켜 조정해도 되고, 또는, 기판(100)과 마스크(101)의 쌍방을 변위시켜도 된다. 위치 조정 유닛(20)은, 예를 들면, 볼 나사 기구를 채용한 전동 액추에이터 등을 복수 포함하고, 이들에 의해 기판 지지 유닛(6)을 X―Y 방향으로 이동시키거나, Z축 둘레로 회전시키거나 하도록 구성되어도 된다.The alignment device 2 includes a position adjusting unit 20 that adjusts the relative positions of the substrate 100 whose periphery is supported by the substrate holding unit 6 and the mask 101 . The position adjustment unit 20 displaces the substrate holding unit 6 on the X-Y plane based on the captured images of the substrate 100 by the cameras 160 and 161 and the alignment marks provided on the mask 101, etc. The relative position of the substrate 100 with respect to (101) is adjusted. In this embodiment, the position of the mask 101 is fixed and the relative positions of the substrate 100 are adjusted by displacing them, but the mask 101 may be displaced and adjusted, or the substrate 100 and the mask ( 101) may be displaced. The position adjustment unit 20 includes, for example, a plurality of electric actuators employing a ball screw mechanism and the like, which move the substrate support unit 6 in the X-Y direction or rotate around the Z axis. It may be configured to do so.

얼라인먼트 장치(2)는, 기판 지지 유닛(6)을 승강시킴으로써, 기판 지지 유닛(6)에 의해 주연부가 지지된 기판(100)과 마스크(101)를 기판(100)의 두께 방향(Z 방향)으로 접근 및 이격(이간)시키는 접근 이격 유닛(22)을 구비한다. 바꾸어 말하면, 접근 이격 유닛(22)은, 기판(100)과 마스크(101)를 겹치는 방향으로 접근시킬 수 있다. 접근 이격 유닛(22)은, 예를 들면, 볼 나사 기구를 채용한 전동 액추에이터 등을 포함해도 된다.The alignment device 2 raises and lowers the substrate support unit 6 so that the substrate 100 and the mask 101 whose periphery is supported by the substrate support unit 6 are moved in the thickness direction (Z direction) of the substrate 100. It is provided with an approach and separation unit 22 that approaches and separates (separates). In other words, the approach and separation unit 22 can bring the substrate 100 and the mask 101 closer in an overlapping direction. The approach and separation unit 22 may also include, for example, an electric actuator employing a ball screw mechanism.

<3. 제어 구성><3. Control Configuration>

도 3은 도 2에 나타낸 성막 장치(1)의 하드웨어의 구성예를 나타내는 도면이다. 도 3에서는, 기판(100)과 마스크(101)의 얼라인먼트에 관련되는 구성을 중심으로 나타내고 있다. 예를 들면, 성막 장치(1)는, 제조 라인을 통괄적으로 제어하는 호스트 컴퓨터인 상위 장치(300)로부터의 지시에 기초하여, 소정의 동작을 실행한다.FIG. 3 is a diagram showing an example of a hardware configuration of the film forming apparatus 1 shown in FIG. 2 . In FIG. 3, the structure related to the alignment of the substrate 100 and the mask 101 is mainly shown. For example, the film forming apparatus 1 executes a predetermined operation based on an instruction from the host apparatus 300, which is a host computer that collectively controls the production line.

제어 장치(14)는, 처리부(141)와, 기억부(142)와, I/F부(143)(인터페이스부)를 구비하고, 이들은 서로 도시하지 않은 버스에 의해 접속되어 있다. 처리부(141)는 예를 들면 CPU이다. 처리부(141)는, 기억부(142)에 기억된 프로그램을 실행함으로써, 위치 조정 유닛(20)이나 각종 액추에이터(25)의 구동을 제어한다. 기억부(142)는, 예를 들면, RAM, ROM, 하드 디스크 등이며, 처리부(141)가 실행하는 프로그램 외에, 각종의 데이터가 저장된다. I/F부(143)는, 처리부(141)와 외부 디바이스 간의 신호의 송수신을 중계한다. I/F부(143)는, 예를 들면, 통신 I/F나 입출력 I/F로 구성된다.The control device 14 includes a processing unit 141, a storage unit 142, and an I/F unit 143 (interface unit), which are connected to each other by a bus not shown. The processing unit 141 is, for example, a CPU. The processing unit 141 controls driving of the position adjustment unit 20 and various actuators 25 by executing the program stored in the storage unit 142 . The storage unit 142 is, for example, RAM, ROM, a hard disk, or the like, and various data other than programs executed by the processing unit 141 are stored. The I/F unit 143 relays transmission and reception of signals between the processing unit 141 and an external device. The I/F section 143 is composed of, for example, a communication I/F and an input/output I/F.

본 실시형태에서는, 전술한 바와 같이 제어 장치(14) 및 촬상 유닛(16)에 의해, 기판(100) 및 마스크(101)에 설치된 얼라인먼트용 마크의 위치를 검지하는 검지 처리를 실행 가능한 검지 유닛(17)이 구성된다. 즉, 제어 장치(14)가 촬상 유닛(16)에 의해 촬상된 촬상 화상을 사용하여 화상 인식 처리를 행함으로써, 기판(100) 및 마스크(101)에 설치된 얼라인먼트용 마크의 위치 또는 각도 등을 검지한다.In this embodiment, as described above, the detection unit ( 17) is composed. That is, the position or angle of the alignment marks provided on the substrate 100 and the mask 101 is detected by the control device 14 performing an image recognition process using a captured image captured by the imaging unit 16. do.

입력부(18)는 터치 패널이나 하드 키 등이며, 사용자로부터의 입력을 접수한다. 표시부(19)는, 예를 들면, 액정 디스플레이 등이며, 각종 정보를 표시한다. 또한, 각종 액추에이터(25)로서는, 전술한 승강 유닛(13), 위치 조정 유닛(20) 또는 접근 이격 유닛(22)이 갖는 액추에이터 등이 포함되어도 된다.The input unit 18 is a touch panel, a hard key, or the like, and receives input from a user. The display unit 19 is, for example, a liquid crystal display or the like, and displays various types of information. In addition, as various types of actuators 25, actuators and the like possessed by the lifting unit 13, the position adjusting unit 20, or the proximity and separation unit 22 described above may be included.

<4. 기판 및 마스크><4. Substrates and Masks>

도 4의 (a)∼ (c)는 기판(100) 및 마스크(101)의 구성예를 나타내는 평면도이며, 도 4의 (a)는 마스크(101) 단독, 도 4의 (b)는 기판(100) 단독, 도 4의 (c)는 마스크(101)와 기판(100)이 겹쳐진 상태를 나타내고 있다. 한편, 도 4의 (c)에 있어서, 촬상 영역(R1∼R6)은 각각, 카메라(1611∼1614, 1601, 1602)의 촬상 영역을 나타낸다. 또한, 도 4의 (a)∼(c)에서는, 이해를 쉽게 하기 위해 각 마크를 강조해서 나타내고 있기 때문에, 기판 또는 마스크에 대한 상대적인 사이즈는 실제와 다르다.4(a) to (c) are plan views showing configuration examples of the substrate 100 and the mask 101, FIG. 4(a) shows the mask 101 alone, and FIG. 4(b) shows the substrate ( 100) alone, FIG. 4(c) shows a state in which the mask 101 and the substrate 100 are overlapped. On the other hand, in FIG. 4(c), imaging regions R1 to R6 indicate imaging regions of cameras 1611 to 1614, 1601, and 1602, respectively. In Fig. 4(a) to (c), since each mark is highlighted for ease of understanding, the size relative to the substrate or mask is different from the actual one.

마스크(101)는, 원하는 패턴으로 기판(100)에 증착 재료를 증착하기 위한 것이다. 마스크(101)의 기판(100)과 겹치는 영역에는, 소정의 패턴의 개구가 형성되어 있고(도 4의 (a) 등에서는 생략), 기판(100)의 일방의 면이 마스크(101)에 덮여진 상태로 증착을 행함으로써, 개구에 따른 패턴으로 기판(100)에 증착 재료가 증착된다. 한편, 마스크(101)로서는, 프레임 형상의 마스크 프레임에 수 ㎛∼수십 ㎛ 정도의 두께의 마스크 박이 용접 고정된 구조를 갖는 마스크를 사용할 수 있다. 마스크(101)의 재질은 특별히 한정되지 않지만, 인바 재료 등의 열팽창 계수가 작은 금속을 사용하는 것이 바람직하다.The mask 101 is for depositing a deposition material on the substrate 100 in a desired pattern. A predetermined pattern of openings is formed in a region of the mask 101 overlapping the substrate 100 (omitted in FIG. 4A , etc.), and one surface of the substrate 100 is covered with the mask 101 By performing the vapor deposition in the dark state, the vapor deposition material is deposited on the substrate 100 in a pattern along the opening. On the other hand, as the mask 101, a mask having a structure in which a mask foil having a thickness of about several micrometers to several tens of micrometers is welded and fixed to a frame-shaped mask frame can be used. The material of the mask 101 is not particularly limited, but it is preferable to use a metal having a small thermal expansion coefficient such as an invar material.

또한, 마스크(101)에는, 러프 얼라인먼트용의 마스크 마크(1011, 1012) 및 파인 얼라인먼트용의 마스크 마크(1013∼1016)가 설치되어 있다. 마스크 마크(1011, 1012)는 각각, 마스크(101)의 단변의 중앙 부근에 설치되고, 대응하는 카메라(1601, 1602)에 의해 촬상된다. 마스크 마크(1013∼1016)는 각각, 마스크(101)의 코너 부근에 설치되고, 대응하는 카메라(1611∼1614)에 의해 촬상된다. 한편, 이하의 설명에서, 마스크 마크(1011, 1012)를 총칭해서 마스크 러프 마크(1017)라고 부르고, 마스크 마크(1013∼1016)를 총칭해서 마스크 파인 마크(1018)라고 부르는 경우가 있다. 즉, 마스크 러프 마크(1017)는 러프 카메라(160)에 의해 촬상되고, 마스크 파인 마크(1018)는 파인 카메라(161)에 의해 촬상된다.Further, the mask 101 is provided with mask marks 1011 and 1012 for rough alignment and mask marks 1013 to 1016 for fine alignment. Mask marks 1011 and 1012 are provided near the center of the short side of the mask 101, respectively, and are imaged by corresponding cameras 1601 and 1602. The mask marks 1013 to 1016 are provided near corners of the mask 101, respectively, and images are captured by corresponding cameras 1611 to 1614. On the other hand, in the following description, the mask marks 1011 and 1012 are collectively referred to as mask rough marks 1017, and the mask marks 1013 to 1016 are collectively referred to as mask fine marks 1018 in some cases. That is, the mask rough mark 1017 is imaged by the rough camera 160, and the mask fine mark 1018 is imaged by the fine camera 161.

기판(100)은, 증착 물질이 증착되는 대상이 되고, 촬상 유닛(16)에 의해 검지되는 광을 투과시키는 투과성이 있는 부재이다. 기판(100)이 반송 로봇(302a)에 의해 진공 챔버(3) 내로 반송되면, 기판(100)이 기판 지지 유닛(6)에 보유지지된 상태로, 위치 조정 유닛(20)에 의해 기판(100)과 마스크(101)의 위치 조정이 행해진다. 또한, 기판(100)은 투과성이 있기 때문에, 마스크(101)와 촬상 유닛(16)의 사이에 기판(100)이 배치되어 있어도 촬상 유닛(16)이 마스크 마크(1017, 1018)를 촬상할 수 있다.The substrate 100 is an object on which a deposition material is deposited and is a transmissive member that transmits light detected by the imaging unit 16 . When the substrate 100 is transported into the vacuum chamber 3 by the transfer robot 302a, the substrate 100 is held by the substrate holding unit 6, and the substrate 100 is moved by the positioning unit 20. ) and position adjustment of the mask 101 is performed. In addition, since the substrate 100 is transparent, even if the substrate 100 is disposed between the mask 101 and the imaging unit 16, the imaging unit 16 can image the mask marks 1017 and 1018. have.

기판(100)에는, 러프 얼라인먼트용의 기판 마크(1001, 1002) 및 파인 얼라인먼트용의 기판 마크(1003∼1006)가 설치되어 있다. 기판 마크(1001, 1002)는 각각, 기판(100)의 단변의 중앙 부근에 설치되고, 대응하는 카메라(1601, 1602)에 의해 검지된다. 기판 마크(1003∼1006)는 각각, 기판(100)의 코너 부근에 설치되고, 대응하는 카메라(1611∼1614)에 의해 검지된다. 한편, 이하의 설명에서, 기판 마크(1001, 1002)를 총칭해서 기판 러프 마크(1007)라고 부르고, 기판 마크(1003∼1006)를 총칭해서 기판 파인 마크(1008)라고 부르는 경우가 있다. 즉, 기판 러프 마크(1007)는 러프 카메라(160)에 의해 검지되고, 기판 파인 마크(1008)는 파인 카메라(161)에 의해 검지된다.On the substrate 100, substrate marks 1001 and 1002 for rough alignment and substrate marks 1003 to 1006 for fine alignment are provided. Substrate marks 1001 and 1002 are provided near the center of the short side of the substrate 100, respectively, and are detected by corresponding cameras 1601 and 1602, respectively. Substrate marks 1003 to 1006 are respectively provided near corners of the substrate 100 and are detected by corresponding cameras 1611 to 1614 . On the other hand, in the following description, substrate marks 1001 and 1002 are collectively referred to as substrate rough marks 1007, and substrate marks 1003 to 1006 are collectively referred to as substrate fine marks 1008 in some cases. That is, the substrate rough mark 1007 is detected by the rough camera 160, and the substrate fine mark 1008 is detected by the fine camera 161.

본 실시형태에서는, 기판 마크(1007(1001∼1002), 1008(1003∼1006))는 각각, 위치 검지용 마크(1001a∼1002a, 1003a∼1006a)와 각도 검지용 마크(100lb∼1002b, 1003b∼1006b)에 의해 구성된다. 그러나, 이들이 일체로 된 구성이나 각 기판 마크(1007, 1008)의 위치만이 검지되는 구성도 채용 가능하다. 또는, 기판 파인 마크(1008)는 위치 검지용 마크 및 각도 검지용 마크에 의해 구성되고, 기판 러프 마크(1007)는 위치 검지용 마크에 의해서만 구성되어도 된다. 즉, 기판 마크(1007, 1008) 중 어느 일방은 위치 검지용 마크 및 각도 검지용 마크에 의해 구성되고, 타방은 위치 검지용 마크에 의해서만 구성되어도 된다.In this embodiment, the substrate marks 1007 (1001 to 1002) and 1008 (1003 to 1006) are respectively position detection marks 1001a to 1002a and 1003a to 1006a and angle detection marks 100lb to 1002b and 1003b to 1006b). However, a structure in which these are integrated or a structure in which only the positions of the respective substrate marks 1007 and 1008 are detected is also usable. Alternatively, the substrate fine mark 1008 may be constituted by a mark for position detection and a mark for angle detection, and the substrate rough mark 1007 may be constituted only by a mark for position detection. That is, either one of the substrate marks 1007, 1008 may be constituted by a mark for position detection and a mark for angle detection, and the other may be constituted only by a mark for position detection.

또한, 본 실시형태에서는, 러프 얼라인먼트에 있어서는, 기판 러프 마크(1007)와 이들에 대응하는 마스크 러프 마크(1017)의 위치 관계가 소정 조건을 만족하도록 기판(100) 및 마스크(101)의 상대위치가 조정된다. 또한, 파인 얼라인먼트에 있어서는, 기판 파인 마크(1008)와 이들에 대응하는 마스크 파인 마크(1018)의 위치 관계가 소정 조건을 만족하도록 기판(100) 및 마스크(101)에 상대위치가 조정된다.In the present embodiment, in the rough alignment, the relative positions of the substrate 100 and the mask 101 are such that the positional relationship between the substrate rough marks 1007 and the corresponding mask rough marks 1017 satisfies a predetermined condition. is adjusted In fine alignment, the relative positions of the substrate 100 and the mask 101 are adjusted so that the positional relationship between the substrate fine marks 1008 and the corresponding mask fine marks 1018 satisfies a predetermined condition.

<5. 얼라인먼트 공정의 개략><5. Overview of the alignment process>

도 5는 성막 장치(1)에 의한 얼라인먼트 공정의 개략을 모식적으로 나타내는 도면이다. 상태(ST1∼ST2)는 얼라인먼트 실시 전의 상태, 상태(ST3)은 러프 얼라인먼트가 실행되고 있는 상태, 상태(ST4∼ST8)은 파인 얼라인먼트가 실행되고 있는 상태를 각각 나타내고 있다.FIG. 5 is a diagram schematically illustrating an outline of an alignment process performed by the film forming apparatus 1. As shown in FIG. States ST1 to ST2 indicate a state before alignment, state ST3 a state in which a rough alignment is being executed, and states (ST4 to ST8) a state in which a fine alignment is being executed, respectively.

상태(ST1)은, 기판(100)이 반송 로봇(302a)에 의해 진공 챔버(3) 내로 반입된 상태를 나타내고 있다. 이 상태에서는, 기판(100)은 재치부(61) 상에 재치되어 있지만, 클램프부(66)는 기판(100)의 상방에 이격되어 있다. 따라서, 기판(100)은 협지되어 있지 않다. 또한, 기판(100)은 자중에 의해 중앙 부분이 처져 있다.State ST1 represents a state in which the substrate 100 is carried into the vacuum chamber 3 by the transfer robot 302a. In this state, the substrate 100 is placed on the mounting portion 61, but the clamp portion 66 is spaced above the substrate 100. Thus, the substrate 100 is not pinched. In addition, the central portion of the substrate 100 sags due to its own weight.

상태(ST2)는, 재치부(61)와 클램프부(66)에 의해 기판(100)이 협지된 상태를 나타내고 있다. 구체적으로는, 상태(ST1)로부터, 클램프 유닛(63)이 갖는 액추에이터에 의해 클램프부(66)가 하방으로 이동함으로써 재치부(61)와 클램프부(66)에 의해 기판(100)의 장변을 협지하고 있다.State ST2 represents a state in which the substrate 100 is clamped by the mounting portion 61 and the clamp portion 66 . Specifically, from the state ST1, the actuator of the clamp unit 63 moves the clamp part 66 downward, so that the long side of the substrate 100 is clamped by the mounting part 61 and the clamp part 66. are interfering

상태(ST3)은, 러프 얼라인먼트가 실행되고 있는 상태를 나타내고 있다. 구체적으로는, 처리부(141)는, 러프 카메라(160)에 의해, 기판 러프 마크(1007) 및 마스크 러프 마크(1017)를 촬상하고, 그 촬상 화상에 기초하여 각 마크의 위치 및 각도를 특정한다. 그리고, 처리부(141)는, 특정한 각 마크의 위치 및 각도에 기초하여, 위치 조정 유닛(20)에 의해 기판(100)의 XY 방향의 위치 및 Z축 주위의 회전각(θ)을 조정한다. 한편, 위치 조정 유닛(20)에 의한 조정 후, 다시 러프 카메라(160)에 의해 기판 러프 마크(1007) 및 마스크 러프 마크(1017)를 촬상하고, 촬상 화상에 기초하여 특정되는 각 마크의 위치 및 각도가 조건을 만족하지 않는 경우에는 다시 위치 조정 유닛(20)에 의한 위치 조정을 행해도 된다.A state ST3 indicates a state in which the rough alignment is being executed. Specifically, the processing unit 141 captures images of the substrate rough mark 1007 and the mask rough mark 1017 with the rough camera 160, and specifies the position and angle of each mark based on the captured images. . Then, the processing unit 141 adjusts the position of the substrate 100 in the XY direction and the rotation angle θ around the Z axis by the position adjustment unit 20 based on the position and angle of each specific mark. On the other hand, after the adjustment by the position adjusting unit 20, the substrate rough mark 1007 and the mask rough mark 1017 are imaged again by the rough camera 160, and the position of each mark specified based on the captured image and If the angle does not satisfy the condition, position adjustment by the position adjustment unit 20 may be performed again.

상태(ST4) 이후는, 파인 얼라인먼트가 실행되고 있는 상태를 나타내고 있다. 상태(ST4)는, 접근 이격 유닛(22)에 의해 기판 지지 유닛(6)을 하강시켜 파인 카메라(161)에 의해 기판 파인 마크(1008) 및 마스크 파인 마크(1018)의 검지를 행하고 있는 상태를 나타내고 있다. 한편, 촬상 화상에 기초하여 특정되는 각 마크의 위치 및 각도가 조건을 만족하고 있는 경우에는 상태(ST5, ST6)을 생략해도 된다. 여기서, 얼라인먼트에 의한 위치 조정의 정밀도를 향상시키기 위해서는, 촬상 유닛(16)에 의한 각 마크의 검지 정밀도를 향상시키는 것이 요구된다. 그 때문에, 높은 정밀도에서의 위치 조정이 요구되는 파인 얼라인먼트에 있어서 사용되는 파인 카메라(161)로서는, 높은 해상도로 화상을 취득 가능한 카메라를 사용하는 것이 바람직하다. 그러나, 카메라의 해상도를 높이면 피사계 심도가 얕아지기 때문에, 촬영 대상이 되는 기판(100)에 형성되어 있는 마크와 마스크(101)에 형성되어 있는 마크를 동시에 촬영하기 위해 양쪽 마크를 파인 카메라(161)의 광축 방향에 있어서 한층 더 접근시킬 필요가 있다. 이에, 본 실시형태에서는, 파인 얼라인먼트에 있어서 기판 파인 마크(1008) 및 마스크 파인 마크(1018)를 검지할 때에, 기판(100)을, 러프 얼라인먼트에 있어서 기판 러프 마크(1007) 및 마스크 러프 마크(1017)를 검지할 때보다도 마스크(101)에 접근시킨다. 이 때, 도 5의 상태(ST4)에 나타내어지는 바와 같이, 기판(100)은 부분적으로 마스크(101)와 접촉한 상태로 되어도 된다. 기판(100)은 주연 영역이 지지되어 있기 때문에 자중에 의해 중앙부가 처진 상태가 되고, 그 때문에, 전형적으로는, 기판(100)의 중앙부가 부분적으로 마스크(101)와 접촉한 상태가 된다.After state ST4, the state in which fine alignment is being executed is shown. State ST4 is a state in which the substrate support unit 6 is lowered by the approach and separation unit 22 and the substrate fine mark 1008 and the mask fine mark 1018 are detected by the fine camera 161. indicates On the other hand, when the position and angle of each mark specified based on the captured image satisfy the conditions, the states ST5 and ST6 may be omitted. Here, in order to improve the accuracy of position adjustment by alignment, it is required to improve the detection accuracy of each mark by the imaging unit 16 . Therefore, it is preferable to use a camera capable of acquiring images with high resolution as the fine camera 161 used in fine alignment requiring high-precision position adjustment. However, since the depth of field becomes shallow when the resolution of the camera is increased, the camera 161 that cuts both marks in order to simultaneously photograph the mark formed on the substrate 100 and the mark formed on the mask 101 to be photographed It is necessary to bring them closer together in the optical axis direction of . Accordingly, in the present embodiment, when detecting the substrate fine mark 1008 and the mask fine mark 1018 in fine alignment, the substrate 100 is set to the substrate rough mark 1007 and the mask rough mark ( 1017) is brought closer to the mask 101 than when it is detected. At this time, as shown in state ST4 of FIG. 5 , the substrate 100 may be brought into contact with the mask 101 partially. Since the peripheral region of the substrate 100 is supported, the central portion is in a state of sagging due to its own weight, and therefore, typically, the central portion of the substrate 100 is in a state of partially contacting the mask 101 .

한편, 러프 얼라인먼트에 있어서는 도 5의 상태(ST3)에 나타내는 바와 같이 기판(100)과 마스크(101)가 이격된 상태로, 기판 러프 마크(1007) 및 마스크 러프 마크(1017)의 검지와, 기판(100) 및 마스크(101)의 위치의 조정이 행해진다. 러프 얼라인먼트에 있어서는, 비교적 피사계 심도가 깊은 러프 카메라(160)를 사용함으로써, 기판(100)과 마스크(101)가 이격된 채 얼라인먼트를 행할 수 있다. 본 실시형태에서는 이와 같이, 러프 얼라인먼트에 의해 기판(100)과 마스크(101)를 이격시킨 채 대략적으로 위치의 조정을 행하고 나서, 위치 조정의 정밀도가 보다 높은 파인 얼라인먼트를 행하도록 하고 있다. 이에 의해, 파인 얼라인먼트에 있어서 마크의 검지를 위해 기판(100)과 마스크(101)를 접근시켜 접촉시켰을 때에는, 기판(100)과 마스크(101)는 그 상대위치가 이미 어느 정도 조정되어 있기 때문에, 기판(100) 상에 형성되어 있는 막의 패턴과 마스크(101)의 개구 패턴이 어느 정도 정렬된 상태로 접촉하도록 된다. 그 때문에, 기판(100)과 마스크(101)가 접촉하는 것에 의한 기판(100) 상에 형성되어 있는 막에 대한 손상을 저감할 수 있다. 즉, 본 실시형태와 같이 기판(100)과 마스크(101)를 이격시킨 채 대략적으로 위치 조정을 행하는 러프 얼라인먼트와, 기판(100)과 마스크(101)를 부분적으로 접촉시키는 공정을 포함하는 파인 얼라인먼트를 조합시켜 실행함으로써, 기판(100) 위에 형성되어 있는 막에 대한 손상을 저감하면서 고정밀도의 위치 조정을 실현할 수 있다.On the other hand, in the rough alignment, as shown in the state ST3 of FIG. 5, the substrate rough mark 1007 and the mask rough mark 1017 are detected in a state where the substrate 100 and the mask 101 are spaced apart, and the substrate (100) and adjustment of the position of the mask 101 is performed. In the rough alignment, alignment can be performed while the substrate 100 and the mask 101 are spaced apart by using the rough camera 160 having a relatively deep depth of field. In the present embodiment, rough alignment is performed in this way with the substrate 100 and the mask 101 spaced apart from each other, and then fine alignment with higher accuracy of position adjustment is performed. As a result, when the substrate 100 and the mask 101 are brought into contact with each other for mark detection in fine alignment, since the relative positions of the substrate 100 and the mask 101 have already been adjusted to some extent, The pattern of the film formed on the substrate 100 and the opening pattern of the mask 101 come into contact with each other in a somewhat aligned state. Therefore, damage to the film formed on the substrate 100 due to contact between the substrate 100 and the mask 101 can be reduced. That is, as in the present embodiment, rough alignment in which the substrate 100 and the mask 101 are roughly adjusted while leaving them spaced apart, and fine alignment including a step in which the substrate 100 and the mask 101 are partially brought into contact with each other. By executing these in combination, high-accuracy position adjustment can be realized while reducing damage to the film formed on the substrate 100.

상태(ST5)는, 카메라(161)에 의한 촬상 화상에 기초하여, 기판(100)의 위치 조정을 행하고 있는 상태를 나타내고 있다. 구체적으로는, 접근 이격 유닛(22)에 의해 기판 지지 유닛(6)을 상승시켜 기판(100)을 마스크(101)로부터 이격시킨 후에, 위치 조정 유닛(20)이 기판(100)의 XY 방향의 위치 및 Z축 주위의 회전각(θ)을 조정하고 있다.A state ST5 indicates a state in which position adjustment of the substrate 100 is performed based on an image captured by the camera 161 . Specifically, after the substrate 100 is separated from the mask 101 by lifting the substrate support unit 6 by the approach separation unit 22, the positioning unit 20 moves the substrate 100 in the XY direction. You are adjusting the position and rotation angle (θ) around the Z axis.

상태(ST6)은, 기판(100)을 마스크(101)에 다시 접근시켜, 기판(100)이 마스크(101)에 접촉한 상태로 카메라(161)에 의해 기판 파인 마크(1008) 및 마스크 파인 마크(1018)를 촬상하고 있는 상태를 나타내고 있다. 촬상 화상에 기초하여 특정되는 각 마크의 위치 및 각도가 조건을 만족하고 있는 경우에는 상태(ST7)로 진행하고, 조건을 만족하지 않은 경우에는 상태(ST5)로 되돌아간다.In state ST6, the substrate 100 is brought close to the mask 101 again, and the substrate fine mark 1008 and the mask fine mark are made by the camera 161 in a state where the substrate 100 is in contact with the mask 101. A state in which 1018 is being imaged is shown. If the position and angle of each mark specified based on the captured image satisfies the condition, the process proceeds to state ST7, and if the condition is not satisfied, it returns to state ST5.

상태(ST7)은, 기판(100)을 마스크(101) 상에 재치하고, 그 위에 플레이트 유닛(9)을 겹친 상태를 나타내고 있다. 구체적으로는, 접근 이격 유닛(22)에 의해 기판 지지 유닛(6)을 하강시켜 기판(100)을 마스크(101) 상에 재치한 후, 승강 유닛(13)에 의해 냉각 플레이트(10)를 하강시켜 플레이트 유닛(9)을 기판(100)에 접촉시키고 있다.State ST7 shows a state in which the substrate 100 is placed on the mask 101 and the plate unit 9 is overlaid thereon. Specifically, after the substrate 100 is placed on the mask 101 by lowering the substrate support unit 6 by the approach separation unit 22, the cooling plate 10 is lowered by the lifting unit 13. to bring the plate unit 9 into contact with the substrate 100.

상태(ST8)은, 카메라(161)에 의한 최종적인 위치 확인을 실행하고 있는 상태를 나타내고 있다. 상태(ST7)에서 기판(100)이 마스크(101)와 냉각 플레이트(10) 사이에 끼워진 상태로 된 후에, 클램프 유닛(63)의 액추에이터에 의해 클램프부(66)가 상방으로 이동함으로써 클램프부(66)가 기판(100)로부터 이격되고, 기판(100)의 장변의 협지 상태가 해제된다. 그 후, 접근 이격 유닛(22)에 의해 기판 지지 유닛(6)을 하강시켜, 기판(100)의 주연 영역과 접촉하고 있었던 재치부(61)를 기판(100)으로부터 이격시킨다. 이에 의해, 기판(100)은 기판 지지 유닛(6)으로부터 이격되고, 마스크(101)와 플레이트 유닛(9)에 의해 협지된 상태가 된다. 이 상태에서, 파인 카메라(161)에 의해 기판 파인 마크(1008) 및 마스크 파인 마크(1018)를 촬상하고, 이들의 위치 관계가 조건을 만족하고 있는지 여부를 확인한다. 이들의 위치 관계가 조건을 만족하고 있으면 기판(100)과 마스크(101)의 얼라인먼트를 종료하고, 조건을 만족하고 있지 않으면 상태(ST5)로 되돌아간다.A state ST8 indicates a state in which the final position confirmation by the camera 161 is being performed. After the substrate 100 is sandwiched between the mask 101 and the cooling plate 10 in state ST7, the actuator of the clamp unit 63 moves the clamp portion 66 upward, so that the clamp portion ( 66) is separated from the substrate 100, and the state of holding the long side of the substrate 100 is released. Thereafter, the substrate holding unit 6 is lowered by the approach and separation unit 22 to separate the mounting portion 61 from the substrate 100 , which has been in contact with the peripheral region of the substrate 100 . As a result, the substrate 100 is separated from the substrate holding unit 6 and is held by the mask 101 and the plate unit 9 . In this state, the substrate fine mark 1008 and the mask fine mark 1018 are imaged by the fine camera 161, and it is checked whether or not their positional relationship satisfies the condition. If these positional relationships satisfy the conditions, the alignment of the substrate 100 and the mask 101 is terminated, and if the conditions are not satisfied, the state returns to ST5.

<6. 파인 얼라인먼트에 있어서의 위치 조정><6. Position Adjustment in Fine Alignment>

도 6은 파인 얼라인먼트 공정의 일례를 설명하는 도면이다.6 is a diagram for explaining an example of a fine alignment process.

처리부(141)는, 각 카메라(1611∼1614)의 촬상 화상에 기초하여, 마스크(101)에 설치된 복수의 마스크 마크(1013∼1016)의 위치(P1∼P4)를 취득한다. 본 실시형태에서는, 위치(P1∼P4)는 각각, 원형의 마스크 마크(1013∼1016)의 중심 위치이다. 또한, 본 실시형태에서는, 기억부(142)에는, 각 카메라(1611∼1614)의 각각의 시야 내에서의 좌표계(카메라 좌표계)와, 성막 장치(1)의 전체에 있어서의 좌표계(월드 좌표계)를 관련지은 정보가 기억되어 있다. 처리부(141)는, 각 카메라(1611∼1614)의 각각의 촬상 화상에 기초하여 각각의 카메라 좌표계에 있어서의 마스크 마크(1013∼1016)의 위치(P1∼P4)의 좌표를 산출한다. 처리부(141)는, 전술한 카메라 좌표계와 월드 좌표계를 관련짓는 정보로부터 복수의 마스크 마크(1013∼1016)의 위치(P1∼P4)의 월드 좌표계에 있어서의 좌표를 취득한다.The processing part 141 acquires the positions (P1-P4) of the some mask mark 1013-1016 provided in the mask 101 based on the captured image of each camera 1611-1614. In this embodiment, the positions P1 to P4 are the center positions of the circular mask marks 1013 to 1016, respectively. Further, in the present embodiment, the storage unit 142 includes a coordinate system (camera coordinate system) within each field of view of each of the cameras 1611 to 1614 and a coordinate system (world coordinate system) of the film forming apparatus 1 as a whole. Information associated with is stored. The processing part 141 calculates the coordinates of the positions P1-P4 of the mask marks 1013-1016 in each camera coordinate system based on each captured image of each camera 1611-1614. The processing unit 141 acquires the coordinates in the world coordinate system of the positions (P1 to P4) of the plurality of mask marks 1013 to 1016 from information relating the camera coordinate system and the world coordinate system described above.

또한, 처리부(141)는, 각 카메라(1611∼1614)의 촬상 화상에 기초하여, 기판(100)에 설치된 복수의 기판 마크(1003∼1006)로부터, 마스크 마크(1013∼1016)의 각각에 대응하는 목표 위치(T1∼T4)를 기판(100) 상에 설정한다. 한편, 목표 위치(T1∼T4)에 대해서도 마스크 마크(1013∼1016)의 위치(P1∼P4)와 마찬가지로, 카메라 좌표계와 월드 좌표계를 관련지은 정보에 기초하여, 월드 좌표계에 있어서의 좌표로 설정된다. 본 실시형태에서는, 십자형의 위치 검지용 마크(1003a∼1006a)의 X 방향으로 연장하는 부분으로부터, 소정 거리만큼 기판(100)의 내측의 위치에 목표 위치(T1∼T4)가 설정된다. 한편, 도 6에서는, 위치(P1)와 목표 위치(T1) 간의 거리를 거리(L1)로 나타내고 있다. 위치(P2∼P4)과 목표 위치(T2∼T4)의 사이의 각각의 거리에 대해서도 마찬가지로 거리(L2∼L4)로 나타내고 있다.In addition, the processing unit 141 corresponds to each of the mask marks 1013 to 1016 from the plurality of substrate marks 1003 to 1006 provided on the substrate 100 based on the captured images of the respective cameras 1611 to 1614. Target positions T1 to T4 are set on the substrate 100 . On the other hand, the target positions (T1 to T4) are set as coordinates in the world coordinate system based on information relating the camera coordinate system and the world coordinate system, similarly to the positions (P1 to P4) of the mask marks 1013 to 1016. . In this embodiment, target positions T1 to T4 are set at positions inside the substrate 100 by a predetermined distance from the portions extending in the X direction of the cross-shaped marks for position detection 1003a to 1006a. Meanwhile, in FIG. 6 , the distance between the position P1 and the target position T1 is represented by a distance L1. The respective distances between the positions P2 to P4 and the target positions T2 to T4 are similarly expressed as distances L2 to L4.

그리고, 처리부(141)는, 복수의 마스크 마크(1013∼1016)의 위치(P1∼P4)와, 이들에 대응하는 목표 위치(T1∼T4)에 기초하여, 위치 조정 유닛(20)에 의해 기판(100)과 마스크(101)의 상대위치를 조정한다. 일례로서, 먼저, 처리부(141)는, 위치(P1∼P4)의 중심(重心)과, 목표 위치(T1∼T4)의 중심이 일치하도록 위치 조정 유닛(20)에 의해 기판(100)의 위치를 조정한다. 그 후, 처리부(141)는, 거리(L1∼L4)의 제곱 합이 최소가 되도록, 위치(P1∼P4)의 중심과 목표 위치(T1∼T4)의 중심이 일치한 상태를 유지하면서 기판(100)을 위치 조정 유닛(20)에 의해 회전시킨다. 한편, 설명한 얼라인먼트 방법은 예시이며, 다른 주지의 기술을 적용 가능하다.Then, the processing unit 141, based on the positions (P1 to P4) of the plurality of mask marks 1013 to 1016 and the target positions (T1 to T4) corresponding to these, the substrate by the position adjustment unit 20 The relative positions of (100) and mask (101) are adjusted. As an example, first, the processing unit 141 positions the substrate 100 by the position adjusting unit 20 so that the centers of the positions P1 to P4 coincide with the centers of the target positions T1 to T4. Adjust the Thereafter, the processing unit 141 moves the substrate ( 100) is rotated by the position adjusting unit 20. On the other hand, the alignment method described is an example, and other well-known techniques are applicable.

<7. 얼라인먼트 마크 위치의 취득><7. Acquisition of alignment mark position>

이하, 얼라인먼트, 특히 파인 얼라인먼트에 있어서의, 얼라인먼트 마크 위치의 취득의 상세에 대해 설명한다.Hereinafter, details of acquisition of alignment mark positions in alignment, particularly fine alignment, will be described.

전술한 바와 같이, 성막 장치(1)에 의한 얼라인먼트에 있어서는, 제어 장치(14) 및 촬상 유닛(16)에 의해 구성되는 검지 유닛(17)이 각 얼라인먼트 마크의 위치를 검지한다. 본 실시형태에서는, 마스크(101)의 마스크 파인 마크(1018)의 위치의 검지를, 마스크 파인 마크(1018)에 대응하도록 준비된 모델 마크(모델 화상)를 사용한 패턴 매칭 방식에 의해 행한다. 부연하여 말하면, 마스크(101)의 마스크 파인 마크(1018)의 검출 및 위치의 특정을 정규화 상관 패턴 매칭에 의해 행한다.As described above, in alignment by the film forming apparatus 1, the detection unit 17 constituted by the control device 14 and the imaging unit 16 detects the position of each alignment mark. In this embodiment, detection of the position of the mask fine mark 1018 on the mask 101 is performed by a pattern matching method using a model mark (model image) prepared to correspond to the mask fine mark 1018. In other words, the detection and positioning of the mask fine marks 1018 of the mask 101 are performed by normalized correlation pattern matching.

예를 들면, 처리부(141)는, 파인 카메라(161)의 촬상 화상 내에, 준비된 모델 마크와 매칭하는 영역이 존재하는지 여부를 확인하고, 존재하는 경우에는 그 영역이 어디인지에 기초하여, 마스크 파인 마크(1018)의 위치를 특정한다.For example, the processing unit 141 checks whether or not a region matching the prepared model mark exists in the captured image of the fine camera 161, and if it exists, based on where the region is, the mask fine The position of the mark 1018 is specified.

도 7의 (a)는, 마스크 파인 마크(1018)의 위치를 특정하기 위한 패턴 매칭의 양태를 설명하는 도면이다. 도 7의 (a)에서는, 카메라(1611)의 촬상 화상을 사용하는 경우의 예가 나타내어져 있다. 또한, 도 7의 (b)는, 모델 마크(40)의 일례를 나타내는 도면이다.Fig. 7(a) is a diagram for explaining an aspect of pattern matching for specifying the position of the mask fine mark 1018. In (a) of FIG. 7, an example in the case of using the captured image of the camera 1611 is shown. 7(b) is a diagram showing an example of the model mark 40. As shown in FIG.

처리부(141)는, 카메라(1611)의 촬상 영역(R1) 내에서 모델 마크(40)와 동일한 사이즈를 갖는 영역(R10)의 화상 데이터(예를 들면, 화소별 휘도 데이터)와 모델 마크(40)의 데이터(예를 들면, 화소별 휘도 데이터)를 서로 비교하고, 이들 화상간의 상관관계값(correlation value)을 산출한다. 상관관계값은, 예를 들면, 모델 마크(40) 및 촬상 영역(R1) 내의 해당 영역의 전체 화소의 휘도 데이터가 일치하는 정도를 나타내는 파라미터의 값이다.The processing unit 141 captures image data (e.g., luminance data per pixel) of an area R10 having the same size as the model mark 40 in the imaging area R1 of the camera 1611 and the model mark 40. ) of data (eg, luminance data for each pixel) is compared with each other, and a correlation value between these images is calculated. The correlation value is, for example, a value of a parameter representing the degree to which the model mark 40 and the luminance data of all pixels of the corresponding region in the imaging region R1 coincide.

처리부(141)는, 산출된 상관관계값이 소정의 임계값을 초과하여 충분한 상관관계를 가지고 있는 경우에는, 촬상 영역(R1) 내의 상관관계값을 산출한 영역(R10)의 위치에 모델 마크(40)에 대응하는 얼라인먼트 마크가 존재한다고 판단한다. 한편, 처리부(141)는, 산출된 상관관계값이 소정의 임계값 이하인 경우, 즉 데이터의 일치 정도가 낮은 경우에는, 촬상 영역(R1) 내의 상관관계값을 산출한 영역(R10)의 위치에 모델 마크(40)에 대응하는 얼라인먼트 마크가 존재하지 않는다고 판단한다.When the calculated correlation value exceeds a predetermined threshold and has sufficient correlation, the processing unit 141 places a model mark ( It is determined that an alignment mark corresponding to 40) exists. On the other hand, the processing unit 141, when the calculated correlation value is equal to or less than a predetermined threshold value, that is, when the degree of matching of the data is low, is located in the region R10 where the correlation value is calculated in the imaging region R1. It is determined that there is no alignment mark corresponding to the model mark 40 .

처리부(141)는, 마찬가지의 처리를, 촬상 영역(R1) 내에서, 영역(R10)의 위치를 XY 평면 상에서, 예를 들면 1화소씩 이동시키면서 반복하여 행한다. 처리부(141)는, 촬상 영역(R1) 내에 모델 마크(40)와의 상관관계값이 임계값을 초과하는 영역(R10)의 위치가 존재하는 경우에는, 상관관계값이 가장 큰 영역(R10)의 위치를 마스크 파인 마크(1018)의 위치로 특정할 수 있다. 한편, 처리부(141)는, 상관관계값을 산출한 모든 위치에서 상관관계값이 임계값 이하인 경우에는, 마스크 파인 마크(1018)가 검출되지 않았다고 판단한다. 한편, 전술한 정규화 상관 패턴 매칭의 방법은 예시이며, 주지의 방법을 적절히 채용 가능하다.The processing unit 141 repeatedly performs the same processing while moving the position of the region R10 on the XY plane, for example, one pixel at a time within the imaging region R1. The processing unit 141, when there is a position of the region R10 in which the correlation value with the model mark 40 exceeds the threshold value exists in the imaging region R1, the region R10 having the largest correlation value The position can be specified as the position of the mask fine mark 1018. On the other hand, the processing unit 141 determines that the mask fine mark 1018 is not detected when the correlation value is equal to or less than the threshold value at all positions where the correlation value is calculated. On the other hand, the method of normalized correlation pattern matching described above is an example, and a well-known method can be appropriately employed.

한편, 모델 마크(40)의 데이터(예를 들면, 화소별 휘도 데이터)는, 예를 들면 기억부(142)에 기억된다. 부연하여 말하면, 기억부(142)는, 카메라마다, 예를 들면 카메라(1611∼1614)에 대해 따로따로, 대응하는 모델 마크(40)의 데이터를 기억한다.On the other hand, data of the model mark 40 (for example, luminance data for each pixel) is stored in the storage unit 142, for example. In other words, the storage unit 142 stores the data of the corresponding model mark 40 separately for each camera, for example, for the cameras 1611 to 1614 .

또한, 여기서는, 마스크(101)의 마스크 파인 마크(1018)의 위치의 검지에 대해 설명하였지만, 마찬가지의 방법에 의해, 기판(100)의 기판 파인 마크(1008)의 위치가 검지되어도 된다.Incidentally, although the detection of the position of the mask fine mark 1018 of the mask 101 has been described here, the position of the substrate fine mark 1008 of the substrate 100 may be detected by the same method.

그런데, 검지 유닛(17)이 카메라(161)의 촬상 화상의 화상 인식에 의해 기판(100) 또는 마스크(101)의 얼라인먼트용 마크의 위치의 검지를 행하는 경우, 카메라(161)의 부착 위치의 어긋남, 초점 어긋남, 그 외의 요인에 의해 검지 결과가 달라지는 경우가 있다. 검지 결과의 편차에 의해, 얼라인먼트 시간의 증가나, 얼라인먼트 정밀도의 저하 등이 생기는 경우가 있다. 이에, 본 실시형태에서는, 이하의 처리에 의해, 검지 유닛(17)에 의한 검지 정밀도의 평가를 행한다.By the way, when the detection unit 17 detects the position of the alignment mark on the substrate 100 or the mask 101 by image recognition of the captured image of the camera 161, the camera 161 attachment position shifts , out of focus, or other factors may cause the detection result to change. Due to variations in detection results, an increase in alignment time or a decrease in alignment accuracy may occur. Therefore, in this embodiment, the detection accuracy by the detection unit 17 is evaluated by the following process.

<8. 처리부(141)의 처리 예><8. Processing example of processing unit 141>

(처리 예 1)(Processing Example 1)

도 8은 처리부(141)의 처리 예를 나타내는 플로우차트이다. 본 플로우차트는, 기판(100)과 마스크(101)의 파인 얼라인먼트(S101∼S105), 및 파인 얼라인먼트 후에 필요에 따라 검지 유닛(17)에 의한 위치 검지 정밀도의 평가(S106∼S111)를 행할 때의 처리를 나타내고 있다. 즉, 본 플로우차트는, 러프 얼라인먼트의 실행 후에 실행될 수 있다. 본 플로우차트는, 예를 들면, 처리부(141)가 기억부(142)에 기억되어 있는 프로그램을 판독하여 실행함으로써 실현된다.8 is a flowchart showing a processing example of the processing unit 141. In this flowchart, the fine alignment between the substrate 100 and the mask 101 (S101 to S105) and the evaluation of the position detection accuracy by the detection unit 17 as necessary after the fine alignment (S106 to S111) are performed. represents the processing of That is, this flowchart can be executed after execution of rough alignment. This flowchart is realized by, for example, the processing unit 141 reading and executing a program stored in the storage unit 142.

스텝(S101)(이하, 각 스텝에 대해 간단히 S101 등으로 표기함)에서, 처리부(141)는 검지 유닛(17)에 의한 검지 처리를 실행한다. 검지 처리는, 검지 유닛(17)이 기판 파인 마크(1008) 및 마스크 파인 마크(1018)의 위치를 검지하는 처리이다. 처리의 일례를 서술하면, 먼저, 처리부(141)는, 카메라(161)를 제어하여 기판 파인 마크(1008) 및 마스크 파인 마크(1018)의 촬상을 실행시킨다. 다음으로, 처리부(141)는, 카메라(161)의 촬상 화상에 기초하여, 기판 파인 마크(1008) 및 마스크 파인 마크(1018)의 위치를 특정한다. 예를 들면, 처리부(141)는, <7. 얼라인먼트 마크 위치의 취득>에서 설명한 방법에 의해 기판 파인 마크(1008) 및 마스크 파인 마크(1018)의 위치를 특정한다.In step S101 (hereinafter, each step is simply referred to as S101 or the like), the processing unit 141 executes detection processing by the detection unit 17. The detection process is a process in which the detection unit 17 detects the positions of the substrate fine mark 1008 and the mask fine mark 1018 . To describe an example of the processing, first, the processing unit 141 controls the camera 161 to capture images of the substrate fine marks 1008 and the mask fine marks 1018 . Next, the processing unit 141 specifies the positions of the substrate fine mark 1008 and the mask fine mark 1018 based on the captured image of the camera 161 . For example, the processing unit 141 performs <7. The positions of the substrate fine mark 1008 and the mask fine mark 1018 are specified by the method described in Acquisition of Alignment Mark Position>.

S102에서, 처리부(141)는 위치 조정 처리를 실행한다. 위치 조정 처리는, 기판(100)과 마스크(101) 간의 상대적인 위치를 조정하는 처리이다. 처리부(141)는, 예를 들면, <6. 파인 얼라인먼트에 있어서의 위치 조정>에서 설명한 방법에 의해, 위치 조정 유닛(20)을 제어하여 위치 조정 처리를 실행한다.In S102, the processing unit 141 executes position adjustment processing. The position adjustment process is a process of adjusting the relative position between the substrate 100 and the mask 101 . The processing unit 141, for example, <6. Position adjustment in fine alignment> controls the position adjustment unit 20 to execute position adjustment processing.

S103에서, 처리부(141)는, 다시, 검지 유닛(17)에 의한 검지 처리를 실행한다. 여기서는, 검지 유닛(17)은, S102의 처리에 의해 위치 조정이 행해진 후의 기판 파인 마크(1008) 및 마스크 파인 마크(1018)의 위치를 검지한다.In S103, the processing unit 141 executes detection processing by the detection unit 17 again. Here, the detection unit 17 detects the positions of the substrate fine mark 1008 and the mask fine mark 1018 after position adjustment has been performed by the process of S102.

S104에서, 처리부(141)는 오차 판정 처리를 실행한다. 오차 판정 처리는, 얼라인먼트 후의 기판(100)과 마스크(101)의 위치 또는 각도의 오차가 기준값 내에 있는지 여부를 판정하는 처리이다. 예를 들면, 처리부(141)는, S103의 검지 처리의 결과에 기초하여, 기판(100) 및 마스크(101)의 중심 간의 거리 및 각도차가 기준값 이내이면, 오차가 기준값 내라고 판단해도 된다.In S104, the processing unit 141 executes error judgment processing. The error determination processing is a processing for determining whether or not the error in the position or angle between the substrate 100 and the mask 101 after alignment is within a reference value. For example, based on the result of the detection process in S103, the processing unit 141 may determine that the error is within the reference value if the distance and angle difference between the centers of the substrate 100 and the mask 101 are within the reference value.

S105는, S104의 판단 결과에 대한 조건 분기이다. 처리부(141)는, S104에서 오차가 기준값 내라고 판단한 경우에는 S106으로 진행하고, S104에서 오차가 기준값 내가 아니라고 판단한 경우에는 S102로 되돌아간다. 즉, 처리부(141)는, 기판(100) 및 마스크(101)의 위치 또는 각도의 오차가 기준값 내에 들어갈 때까지 S102∼S104의 스텝을 반복한다. 한편, 처리부(141)는, S102∼S104를 소정 횟수 반복하더라도 S104에서 오차가 기준값 내라고 판단되지 않는 경우에는, 얼라인먼트에 관한 에러를 작업자에게 통지해도 된다.S105 is a conditional branch for the judgment result of S104. When the processing unit 141 determines that the error is within the reference value in S104, it proceeds to S106, and when it is determined that the error is not within the reference value in S104, it returns to S102. That is, the processing unit 141 repeats the steps of S102 to S104 until the error in the position or angle of the substrate 100 and the mask 101 falls within the reference value. On the other hand, if the processing unit 141 does not determine that the error is within the reference value in S104 even after repeating S102 to S104 a predetermined number of times, it may notify the operator of an alignment-related error.

S106에서, 처리부(141)는, 검지 유닛(17)에 의한 위치 검지의 정밀도 평가의 실행 판단을 실행한다. 예를 들면, 처리부(141)는, 성막 장치(1)의 처리 상황에 따라 S108의 복수 회의 검지 처리를 실행할지 여부를 판단한다. 도 9의 (a)는 처리부(141)의 처리 예를 나타내는 플로우차트로서, 도 8의 S106의 구체적인 처리 예를 나타내고 있다.In S106, the processing unit 141 executes execution judgment of the position detection precision evaluation by the detection unit 17. For example, the processing unit 141 determines whether to execute the detection processing a plurality of times in S108 according to the processing conditions of the film forming apparatus 1 . Fig. 9(a) is a flowchart showing a processing example of the processing unit 141, and shows a specific processing example of S106 in Fig. 8 .

S161에서, 처리부(141)는, 과거의 얼라인먼트의 재실행 횟수에 관한 정보를 취득한다. 예를 들면, 처리부(141)는, 해당 정보를, 기억부(142)로부터 판독함으로써 취득한다. 본 실시형태에서는, 기억부(142)는, 얼라인먼트 동작의 이력 정보로서, 기판(100)마다, 검지 처리(S101, S103)에 있어서의 검지 결과나, 오차 판정 처리(S104)의 판정 결과를 기억하는 것으로 한다. 예를 들면, 처리부(141)는, 얼라인먼트의 재실행 횟수에 관한 정보로서, 최근의 소정 매수의 기판(100)에 대한 재실행 횟수의 평균값을, 오차 판정 처리의 판정 결과에 기초하여 취득한다.In S161, the processing unit 141 acquires information about the number of re-execution of alignment in the past. For example, the processing unit 141 acquires the information by reading it from the storage unit 142 . In this embodiment, the storage unit 142 stores the detection results in the detection processing (S101, S103) and the judgment result in the error determination processing (S104) for each substrate 100 as history information of the alignment operation. do it by doing For example, the processing unit 141 acquires, as information on the number of times of re-execution of alignment, an average value of the number of times of re-execution for the latest predetermined number of substrates 100 based on the determination result of the error determination process.

S162는 얼라인먼트의 재실행 횟수에 관한 조건 분기이다. 처리부(141)는, 얼라인먼트의 재실행 횟수가 조건을 만족하는 경우에는 S163으로 진행하고, 그렇지 않은 경우에는 S164로 진행한다. 여기서의 조건은 적절히 설정 가능하지만, 예를 들면 처리부(141)는, 재실행 횟수의 평균값이 임계값 이하인 경우에 재실행 횟수가 조건을 만족한다고 판단해도 된다. S163에서, 처리부(141)는, 정밀도 평가를 실행하지 않는다고 판단하고, 도 8의 플로우차트로 되돌아간다. S164에서, 처리부(141)는, 정밀도 평가를 실행한다고 판단하고, 도 8의 플로우차트로 되돌아간다.S162 is a conditional branch regarding the number of re-execution of alignment. The processing unit 141 proceeds to S163 when the number of times of re-execution of alignment satisfies the condition, and proceeds to S164 otherwise. Although the conditions here can be set appropriately, for example, the processing unit 141 may determine that the number of times of re-execution satisfies the condition when the average value of the number of times of re-execution is equal to or less than a threshold value. In S163, the processing unit 141 determines not to execute the precision evaluation, and returns to the flowchart of FIG. 8. In S164, the processing unit 141 determines that the accuracy evaluation is to be executed, and returns to the flowchart of FIG. 8.

얼라인먼트의 재실행 횟수의 평균값이 임계값 이하인 경우 등에는, 얼라인먼트가 일정한 정밀도로 행해지고 있다고 생각할 수 있다. 이에, 본 실시형태에서는, 얼라인먼트의 재실행 횟수가 조건을 만족하지 않는 경우에 위치 검지의 정밀도 평가를 실행한다고 판단함으로써, 얼라인먼트의 정밀도가 저하되어 있다고 생각되는 경우에 위치 검지의 정밀도 평가를 실행할 수 있다.When the average value of the number of times of re-execution of alignment is equal to or less than the threshold value, it can be considered that the alignment is being performed with constant accuracy. Accordingly, in the present embodiment, by judging that the position detection precision evaluation is executed when the number of alignment re-executions does not satisfy the condition, the position detection precision evaluation can be executed when it is considered that the alignment precision has deteriorated. .

도 8의 설명으로 되돌아간다. S107은, S106의 판단 결과에 대한 조건 분기이다. 처리부(141)는, S106에서 정밀도 평가를 실행한다고 판단한 경우에는 S108로 진행하고, 정밀도 평가를 실행하지 않는다고 판단한 경우에는 플로우차트를 종료한다.Return to the description of FIG. 8 . S107 is a conditional branch for the judgment result of S106. The processing unit 141 proceeds to S108 when it is determined that the precision evaluation is to be executed in S106, and when it is determined that the precision evaluation is not to be executed, the flowchart is terminated.

S108에서, 처리부(141)는, 기판(100) 및 마스크(101)를 정지시킨 상태로, 복수 회의 검지 처리를 실행한다. 처리부(141)는, S101 또는 S103과 마찬가지의 검지 처리를 복수 회 반복한다. 실행하는 검지 처리의 횟수는 적절히 설정 가능하지만, 예를 들면 2∼5000회이어도 되고, 2000∼4000회이어도 되고, 부연하여 말하면 3000회이어도 된다. 본 실시형태에서는, 이 복수 회의 검지 처리가, 위치 조정 유닛(20)에 의한 기판(100) 및 마스크(101)의 위치 조정 후에 행해진다.In S108, the processing unit 141 executes the detection processing a plurality of times in a state where the substrate 100 and the mask 101 are stopped. The processing unit 141 repeats the detection processing similar to S101 or S103 a plurality of times. The number of times of detection processing to be executed can be set appropriately, but may be, for example, 2 to 5000 times, 2000 to 4000 times, or, in other words, 3000 times. In this embodiment, this multiple times of detection process is performed after position adjustment of the board|substrate 100 and the mask 101 by the position adjustment unit 20.

S109에서, 처리부(141)는, S108의 검지 처리의 결과에 대해 통계 처리를 실행한다. 예를 들면, 처리부(141)는, 기판(100) 및 마스크(101)의 중심 간의 거리의 평균값(μ), 분산(σ2) 또는 표준편차(σ) 등을 연산한다. 또한, 예를 들면, 처리부(141)는, 기판(100) 및 마스크(101)의 중심 간의 거리의 최대값 또는 최소값, 표준편차에 대한 2σ, 3σ 등의 값을 취득해도 된다.In S109, the processing unit 141 executes statistical processing on the result of the detection processing in S108. For example, the processing unit 141 calculates an average value (μ), a variance (σ2), or a standard deviation (σ) of the distance between the center of the substrate 100 and the mask 101. Further, for example, the processing unit 141 may acquire the maximum or minimum value of the distance between the center of the substrate 100 and the mask 101, and values such as 2σ and 3σ for the standard deviation.

S110은, S109의 통계 처리에 대한 조건 분기이다. 처리부(141)는, S109의 통계 처리의 결과가 기준을 만족하는 경우에는 플로우차트를 종료하고, 기준을 만족하지 않는 경우에는 S111의 처리로 진행한다. 여기서의 기준은, 예를 들면, 기판(100) 및 마스크(101)의 중심 간의 거리의 분산(σ2), 표준편차(σ), 2σ, 3σ 등의 값에 관한 것이어도 된다. 즉, 여기서의 기준은, 기판(100) 및 마스크(101)의 중심 간의 거리의 편차에 관한 것이어도 된다.S110 is a conditional branch for statistical processing in S109. The processing unit 141 ends the flowchart if the result of the statistical processing in S109 satisfies the criteria, and proceeds to the processing in S111 if the criteria are not satisfied. The criterion here may relate to values such as variance (σ2), standard deviation (σ), 2σ, and 3σ of the distance between the centers of the substrate 100 and the mask 101, for example. That is, the criterion here may relate to the deviation of the distance between the centers of the substrate 100 and the mask 101 .

S111에서, 처리부(141)는, 검지 유닛(17)의 조정을 실행하기 위한 처리인 검지 유닛 조정 처리를 실행한다. S108에서는, 기판(100) 및 마스크(101)를 정지시킨 상태로 복수 회의 검지 처리를 실행하고 있다. 따라서, S110에서 통계 결과가 기준을 만족하지 않는다고 판단된 경우, 검지 유닛(17)에 의한 검지 결과의 편차가 커져 버릴 가능성이 있다. 따라서, 처리부(141)는, 검지 결과의 편차를 억제하기 위해, 검지 유닛(17)의 조정을 실행하기 위한 처리를 실행한다. 예를 들면, 처리부(141)는, 카메라(161)의 Z 방향의 위치나 초점의 조정을 작업자에게 촉구하기 위한 통지를 표시부(19)에 표시시킨다. 또한, 예를 들면, 처리부(141)는, 패턴 매칭에 사용하는 모델 마크(40)의 사이즈 조정을 실행한다. 그 후, 처리부(141)는 S108로 되돌아간다. 즉, 처리부(141)는, S109의 통계 처리의 결과가 기준을 만족할 때까지, 복수 회의 검지 처리와 통계 처리를 반복한다. 한편, 처리부(141)는, 소정 횟수 이들을 반복해도 통계 결과가 기준을 만족하지 않는 경우에는, 작업자에 대해 에러의 통지를 행해도 된다.In S111, the processing unit 141 executes detection unit adjustment processing, which is processing for executing adjustment of the detection unit 17. In S108, the detection process is executed a plurality of times with the substrate 100 and the mask 101 still. Therefore, when it is determined in S110 that the statistical results do not satisfy the criterion, there is a possibility that the variation in the detection results by the detection unit 17 increases. Accordingly, the processing unit 141 executes processing for adjusting the detection unit 17 in order to suppress variations in detection results. For example, the processing unit 141 displays a notification on the display unit 19 to prompt the operator to adjust the position and focus of the camera 161 in the Z direction. Further, for example, the processing unit 141 adjusts the size of the model mark 40 used for pattern matching. After that, the processing unit 141 returns to S108. That is, the processing unit 141 repeats the detection processing and the statistical processing a plurality of times until the result of the statistical processing in S109 satisfies the standard. On the other hand, the processing unit 141 may notify the operator of an error if the statistical result does not satisfy the criterion even after repeating these a predetermined number of times.

본 처리 예에 의하면, 복수 회의 검지 처리의 결과에 대해 통계 처리를 실행하므로, 검지 유닛(17)에 의한 검지 정밀도를 평가할 수 있다. 또한, 이 통계 결과에 따라 검지 유닛(17)의 조정을 행하므로, 검지 유닛(17)의 위치의 검지 정밀도의 저하에 기인하는 얼라인먼트 정밀도의 저하를 억제할 수 있다.According to this processing example, since statistical processing is performed on the result of multiple times of detection processing, the detection accuracy by the detection unit 17 can be evaluated. Further, since the detection unit 17 is adjusted according to the statistical result, it is possible to suppress a decrease in alignment accuracy due to a decrease in the detection accuracy of the position of the detection unit 17 .

한편, 본 처리 예에서는, 과거의 얼라인먼트의 재실행 횟수에 기초하여, 검지 유닛(17)의 위치 검지 정밀도의 평가를 행할지 여부를 판단하고 있지만, 과거의 얼라인먼트의 소요 시간에 기초하여, 해당 평가를 행할지 여부가 판단되어도 된다. 또는, 도 1에서 나타내는 바와 같이 제조 라인에 성막 장치(1)를 갖는 성막실(303)이 복수 배치되는 경우에는, 다른 성막 장치(1)에 있어서의 얼라인먼트의 재실행 횟수 또는 소요 시간과의 비교에 기초하여, 해당 평가를 행할지 여부가 판단되어도 된다. 예를 들면, 제어 장치(14)는, 다른 제어 장치(14)로부터 얼라인먼트의 재실행 횟수에 관한 정보를 취득한다. 그리고, 제어 장치(14)의 처리부(141)는, 최근의 소정 매수의 기판(100)에 대한 얼라인먼트의 평균 재실행 횟수가, 다른 성막 장치(1)의 평균 재실행 횟수의 평균값과 비교해서 일정 비율 이상 큰 경우(예를 들면, 2배 이상)에는, 해당 평가를 행한다고 판단해도 된다.On the other hand, in this example of processing, it is determined whether or not to evaluate the position detection accuracy of the detection unit 17 based on the number of re-runs of alignment in the past, but based on the required time for alignment in the past, the evaluation is performed. It may be judged whether or not to do so. Alternatively, as shown in FIG. 1 , when a plurality of film formation chambers 303 having film formation apparatuses 1 are arranged in a production line, for comparison with the number of re-execution of alignment or the required time in other film formation apparatuses 1 Based on this, it may be determined whether or not to perform the evaluation. For example, the control device 14 acquires information about the number of times the alignment is re-executed from the other control devices 14 . Then, the processing unit 141 of the control device 14 determines that the average number of re-execution of alignment for a predetermined number of recent substrates 100 is equal to or greater than a certain ratio compared to the average value of the average number of re-executions of the other film forming apparatuses 1 . When it is large (for example, twice or more), it may be judged that the evaluation is performed.

또한, 본 처리 예에서는, S110의 조건 분기에서 Yes라고 판단된 경우에는 플로우차트를 종료한다. 그러나, S111의 스텝을 거치지 않고 S110의 조건 분기에서 Yes라고 판단되어 플로우차트가 종료된 경우, S106에서 정밀도 평가를 실행한다고 판단되었지만 S109의 통계 처리는 기준을 만족하게 된다. 즉, 이러한 경우에는, 검지 유닛(17) 이외의 요인에 의해 얼라인먼트의 정밀도가 저하되어 있을 가능성이 있다. 이에, 처리부(141)는, 검지 유닛(17) 이외의 요인에 의해 얼라인먼트의 정밀도가 저하되어 있을 가능성이 있다는 취지의 통지를 표시부(19)에 표시해도 된다.In addition, in this processing example, when it is judged to be Yes in the conditional branch of S110, the flowchart ends. However, if Yes is determined in the conditional branch of S110 without going through the step of S111 and the flowchart ends, it is determined that precision evaluation is executed in S106, but the statistical processing in S109 satisfies the standard. That is, in such a case, there is a possibility that the accuracy of the alignment is lowered due to factors other than the detection unit 17 . Accordingly, the processing unit 141 may display on the display unit 19 a notification to the effect that there is a possibility that the alignment accuracy may be reduced due to a factor other than the detection unit 17 .

(처리 예 2)(Processing Example 2)

도 9의 (b)는 처리부(141)의 처리 예를 나타내는 플로우차트이다. 본 플로우차트는, 도 8의 S106의 구체적인 처리 예를 나타내고 있다. 전자 디바이스의 제조에 있어서는, 1매의 마스크(101)를 사용하여, 복수 매(1로트분)의 기판(100)에 대한 성막을 행하는 경우가 있다. 본 실시형태와 같이 위치 조정 유닛(20)이 기판(100)을 변위시켜 기판(100) 및 마스크(101)의 위치 조정을 행하는 경우, 동일한 마스크(101)를 사용하고 있는 동안에는 카메라(161)와 마스크(101)의 거리는 일정하게 유지된다. 그러나, 마스크(101)의 교환이 행해지면, 카메라(161)와 마스크(101)의 거리가 변화하여, 그것이 검지 유닛(17)에 의한 위치의 검지 정밀도에 영향을 미치는 경우가 있다. 이에, 본 처리 예에서는, 전자 디바이스의 제조 과정에서 마스크(101)가 교환된 경우에 검지 유닛(17)의 위치의 검지 정밀도의 평가를 행한다.9(b) is a flowchart showing a processing example of the processing unit 141. This flowchart shows a specific processing example of S106 in FIG. 8 . In the manufacture of electronic devices, there are cases where film formation is performed on a plurality of substrates (one lot) of substrates 100 using one mask 101 . When the position adjustment unit 20 displaces the substrate 100 to adjust the position of the substrate 100 and the mask 101 as in the present embodiment, the camera 161 and the camera 161 are in use while the same mask 101 is being used. The distance of the mask 101 is kept constant. However, when the mask 101 is exchanged, the distance between the camera 161 and the mask 101 changes, which may affect the detection accuracy of the position by the detection unit 17. Therefore, in this processing example, the detection accuracy of the position of the detection unit 17 is evaluated when the mask 101 is exchanged in the manufacturing process of the electronic device.

S261에서, 처리부(141)는, S101∼S105에서 얼라인먼트를 행한 기판(100)에 관한 정보를 취득한다. 예를 들면, 처리부(141)는, S101∼S105의 스텝에서 얼라인먼트가 행하여진 기판(100)에 대한 정보를, 처리부(141)로부터 판독함으로써 기억한다. 본 실시형태에서는, 기억부(142)는, 기판(100)에 관한 정보로서, 기판(100)의 식별 정보 및 속성 정보를 연관시켜 기억하는 것으로 한다. 속성 정보에는, 대상의 기판(100)이 제조용 기판(100)인지 테스트용 기판(100)인지의 정보, 또는 대상의 기판(100)이 동일 로트 내에서 몇 번째로 성막 장치(1)에 반입된 것인지에 대한 정보 등이 포함되어도 된다.In S261, the processing unit 141 acquires information about the substrate 100 aligned in S101 to S105. For example, the processing unit 141 stores the information about the substrate 100 that has been aligned in steps S101 to S105 by reading it from the processing unit 141 . In this embodiment, the storage unit 142 stores identification information and attribute information of the substrate 100 in association with each other as information about the substrate 100 . The attribute information includes information on whether the target substrate 100 is the substrate 100 for production or the substrate 100 for testing, or the number of times the target substrate 100 is brought into the film forming apparatus 1 within the same lot. It may also include information about whether or not it is.

S262는, 기판(100)의 속성에 관한 조건 분기이다. 처리부(141)는, S261에서 정보를 취득한 기판(100)이 정밀도 평가의 대상 기판인 경우에는 S263으로 진행하고, 그렇지 않은 경우에는 S264로 진행한다. 여기서, 정밀도 평가의 대상 기판은 적절히 설정 가능하지만, 예를 들면, 마스크(101)의 교환 후에 성막의 성과를 평가하기 위한 성막 평가용의 테스트 기판이어도 된다. 또한, 예를 들면, 정밀도 평가의 대상 기판은, 성막 평가용의 테스트 기판 이후에 검지 유닛(17)의 위치의 검지 정밀도의 평가용으로 반입되는 검지 정밀도 평가용의 테스트 기판이어도 된다. 또한, 예를 들면, 정밀도 평가의 대상 기판은, 동일 로트 내에서 최초로 성막 장치(1)에 반입되는 제조용 기판(100)이어도 된다. S263에서, 처리부(141)는, 정밀도 평가를 실행하지 않는다고 판단하고, 도 8의 플로우차트로 되돌아간다. S264에서, 처리부(141)는, 정밀도 평가를 실행한다고 판단하고, 도 8의 플로우차트로 되돌아간다.S262 is a conditional branch related to the properties of the substrate 100. The processing unit 141 proceeds to S263 if the substrate 100 for which information has been acquired in S261 is a target substrate for precision evaluation, and otherwise proceeds to S264. Here, the target substrate for precision evaluation can be set appropriately, but may be, for example, a test substrate for film formation evaluation for evaluating the film formation performance after the mask 101 is replaced. Further, for example, the target substrate for precision evaluation may be a test substrate for detection accuracy evaluation carried in for evaluation of the detection accuracy of the position of the detection unit 17 after the test substrate for film formation evaluation. Further, for example, the target substrate for precision evaluation may be the substrate for production 100 that is initially carried into the film forming apparatus 1 within the same lot. In S263, the processing unit 141 determines not to execute the precision evaluation, and returns to the flowchart of FIG. 8. In S264, the processing unit 141 determines that the accuracy evaluation is to be executed, and returns to the flowchart of FIG. 8.

본 처리 예에 의하면, 마스크(101)가 교환된 경우에 검지 유닛(17)에 의한 위치의 검지 정밀도의 평가가 실행되게 되므로, 마스크 교환에 의해 카메라(161)와 마스크(101)의 거리가 변화하여 버린 것에 의한 검지 정밀도의 저하 등을 평가할 수 있다.According to this processing example, when the mask 101 is exchanged, the detection unit 17 evaluates the detection accuracy of the position, so the distance between the camera 161 and the mask 101 changes due to the mask exchange. It is possible to evaluate the decrease in detection accuracy due to the failure.

한편, 전술한 바와 같이 정밀도 평가의 대상 기판은 적절히 설정 가능하지만, 성막 평가용의 테스트 기판 이후에 성막 장치(1)에 반입되는 검지 정밀도 평가용의 테스트 기판을 대상 기판으로 함으로써, 성막의 평가 중에 위치 검지 정밀도의 평가를 실행할 수 있다. 이에 의해, 전자 디바이스의 생산성에 영향을 미치지 않고 검지 유닛(17)의 평가를 실행할 수 있다.On the other hand, as described above, although the target substrate for precision evaluation can be set appropriately, by using the test substrate for detection accuracy evaluation carried into the film deposition apparatus 1 after the test substrate for film formation evaluation as the target substrate, during film formation evaluation. Position detection accuracy can be evaluated. This makes it possible to evaluate the detection unit 17 without affecting the productivity of the electronic device.

한편, 성막 평가용의 테스트 기판 또는 동일 로트 내에서 최초로 성막 장치(1)에 반입되는 제조용의 기판(100)을 대상 기판으로 함으로써, 검지 유닛(17)의 위치의 검지 정밀도의 평가에 사용하는 전용 기판(100)이 불필요하게 된다. 따라서, 제조 비용의 증가를 억제할 수 있다.On the other hand, by using a test substrate for film formation evaluation or a production substrate 100 first brought into the film formation apparatus 1 within the same lot as a target substrate, dedicated use for evaluating the detection accuracy of the position of the detection unit 17 The substrate 100 becomes unnecessary. Therefore, an increase in manufacturing cost can be suppressed.

(처리 예 3)(Processing Example 3)

도 10은 처리부(141)의 처리 예를 나타내는 플로우차트이다. 본 플로우차트는, 검지 유닛(17)에 의한 위치 검지 정밀도의 평가를 카메라(161)마다 행하는 경우의 처리 예를 나타내고 있다. 이하, 도 8의 플로우차트와 마찬가지의 스텝에 대해서는 마찬가지의 부호를 붙여 설명을 생략한다.10 is a flowchart showing a processing example of the processing unit 141. This flowchart shows a processing example in the case where the position detection accuracy of the detection unit 17 is evaluated for each camera 161 . Hereinafter, the same reference numerals are assigned to the same steps as those in the flowchart of Fig. 8, and descriptions thereof are omitted.

도 4의 촬상 영역(R1∼R4)에서 나타내어지는 바와 같이, 각 카메라(1611∼1614)는 각각, 서로 대응하는 기판 파인 마크(1008) 및 마스크 파인 마크(1018)의 세트를 촬상한다. 본 처리 예에서는, 이러한 세트마다, 검지 유닛(17)에 의한 위치의 검지 처리의 결과에 대한 통계 처리가 실행된다.As shown by imaging regions R1 to R4 in FIG. 4 , the respective cameras 1611 to 1614 respectively capture a set of substrate fine marks 1008 and mask fine marks 1018 corresponding to each other. In this processing example, for each such set, statistical processing for the result of the detection processing of the position by the detection unit 17 is executed.

S101∼S108은 도 8의 플로우차트와 마찬가지이다.Steps S101 to S108 are the same as those of the flowchart in FIG. 8 .

S309에서, 처리부(141)는, 각 카메라(1611∼1614)에 대하여, S108의 복수 회의 검지 처리의 결과에 대한 통계 처리를 실행한다. 예를 들면, 처리부(141)는, 각 카메라(1611∼1614)에 대하여, 거리(L1∼L4)(도 4 참조)의 평균값(μ), 분산(σ2) 또는 표준편차(σ) 등을 연산한다. 또한, 예를 들면, 처리부(141)는, 거리(L1∼L4)의 최대값 또는 최소값, 표준편차에 대한 2σ, 3σ 등의 값을 취득해도 된다.In S309, the processing unit 141 executes statistical processing on the result of the multiple detection processing in S108 for each of the cameras 1611 to 1614. For example, the processing unit 141 calculates the average value μ, the variance σ2, the standard deviation σ, or the like of the distances L1 to L4 (see Fig. 4) for each of the cameras 1611 to 1614. do. Further, for example, the processing unit 141 may obtain the maximum value or minimum value of the distances L1 to L4 and values such as 2σ and 3σ for the standard deviation.

S310은 S309의 통계 처리에 대한 조건 분기이다. 처리부(141)는 S109의 통계 처리의 결과, 모든 카메라(1611∼1614)가 기준을 만족하는 경우에는 플로우차트를 종료하고, 기준을 만족하지 않는 경우에는 S312의 처리로 진행한다. 여기서의 기준은, 예를 들면, 거리(L1∼L4)의 분산(σ2), 표준편차(σ), 2σ, 3σ 등의 값에 관한 것이어도 된다. 즉, 여기서의 기준은, 거리(L1∼L4)의 편차에 관한 것이어도 된다.S310 is a conditional branch for statistical processing in S309. As a result of the statistical processing in S109, the processing unit 141 ends the flowchart when all the cameras 1611 to 1614 satisfy the criteria, and proceeds to the process in S312 when the criteria are not satisfied. The criterion here may relate to values such as variance (σ2), standard deviation (σ), 2σ, and 3σ of the distances L1 to L4, for example. That is, the criterion here may relate to the variation of the distances L1 to L4.

S312도, S309의 통계 처리에 대한 조건 분기이다. 처리부(141)는, S109의 통계 처리의 결과, 소정 수의 카메라(161)가 기준을 만족하는 경우에는 S313으로 진행하고, 그렇지 않은 경우에는 S311로 진행한다. 예를 들면, 처리부(141)는, 4개 설치되어 있는 카메라(1611∼1614) 중 3개가 기준을 만족하는 경우에는 S313으로 진행해도 된다.S312 is also a conditional branch for statistical processing in S309. As a result of the statistical processing in S109, the processing unit 141 proceeds to S313 when a predetermined number of cameras 161 satisfy the criterion, and otherwise proceeds to S311. For example, the processing unit 141 may proceed to S313 when three of the four installed cameras 1611 to 1614 satisfy the criteria.

S313에서, 처리부(141)는, 얼라인먼트에서 사용하는 카메라(161)를 변경한다. 예를 들면, S312에 있어서 3개의 카메라(161)가 기준을 만족한다고 판단된 경우, 처리부(141)는, 얼라인먼트에서 사용하는 카메라(161)를, 4개의 카메라(1611∼1614)로부터 기준을 만족한다고 판단된 3개의 카메라(161)로 변경한다. 그 후, 처리부(141)는 플로우차트를 종료한다.In S313, the processing part 141 changes the camera 161 used by alignment. For example, when it is determined in S312 that the three cameras 161 satisfy the criteria, the processing unit 141 selects the cameras 161 used in the alignment from the four cameras 1611 to 1614 that satisfy the criteria. It is changed to the three cameras 161 determined to be so. After that, the processing unit 141 ends the flowchart.

예를 들면, 얼라인먼트에서 사용하는 카메라(161)가, 카메라(1611∼1614)로부터 카메라(1611∼1613)로 변경된 경우, 처리부(141)는, 위치(P1∼P3)의 중심과 목표 위치(T1∼T3)의 중심이 일치하도록 기판(100) 및 마스크(101)의 위치가 조정되어도 된다. 그리고, 처리부(141)는, 거리(L1∼L3)의 제곱 합이 최소가 되도록, 위치(P1∼P3)의 중심과 목표 위치(T1∼T3)의 중심이 일치한 상태를 유지하면서, 위치 조정 유닛(20)에 의해 기판(100)을 회전시켜도 된다. 한편, 설명한 방법은 예시이며, 다른 공지의 기술을 적용 가능하다.For example, when the camera 161 used for alignment is changed from the cameras 1611 to 1614 to the cameras 1611 to 1613, the processing unit 141 determines the center of the positions P1 to P3 and the target position T1. The positions of the substrate 100 and the mask 101 may be adjusted so that the centers of -T3) coincide. Then, the processing unit 141 adjusts the position while maintaining a state in which the centers of the positions P1 to P3 coincide with the centers of the target positions T1 to T3 so that the sum of squares of the distances L1 to L3 is minimized. The substrate 100 may be rotated by the unit 20 . Meanwhile, the described method is an example, and other known technologies can be applied.

S311에서, 처리부(141)는, 검지 유닛(17)의 조정을 실행하기 위한 처리인 검지 유닛 조정 처리를 실행한다. 본 처리 예에서는, 처리부(141)는, 카메라(1611∼1614) 중, S312에서 기준을 만족하지 않는다고 판단된 카메라(161)의 조정을 촉구하는 통지를 표시부(19)에 표시시킨다. 그 후, 처리부(141)는 플로우차트를 종료한다.In S311, the processing unit 141 executes detection unit adjustment processing, which is processing for executing adjustment of the detection unit 17. In this processing example, the processing unit 141 causes the display unit 19 to display a notification prompting adjustment of the camera 161 determined not to satisfy the standard among the cameras 1611 to 1614 in S312. After that, the processing unit 141 ends the flowchart.

본 처리 예에 의하면, 각 카메라(1611∼1614)에 대하여, 검지 처리의 결과에 대해 통계 처리를 실행하므로, 검지 유닛(17)에 의한 검지 정밀도가 저하되어 있을 가능성이 있는 경우에, 그것이 어느 카메라(161)에 기인하는 것인지를 파악할 수 있다. 또한, 본 처리 예에서는, 검지 유닛(17)에 의한 검지 정밀도의 평가 후의 얼라인먼트를, S312에서 기준을 만족한다고 판단된 카메라(161)에 기초하여 실행한다. 따라서, 기준을 만족하지 않는 카메라(161)가 존재하는 경우라 하더라도, 그 카메라(161)에 의한 정밀도 저하의 가능성을 배제하여 얼라인먼트를 실행할 수 있다.According to this processing example, since statistical processing is executed on the result of the detection processing for each of the cameras 1611 to 1614, if there is a possibility that the detection accuracy by the detection unit 17 is reduced, which camera is it? (161). In addition, in this processing example, the alignment after evaluation of the detection accuracy by the detection unit 17 is performed based on the camera 161 determined to satisfy the standard in S312. Therefore, even if there is a camera 161 that does not satisfy the criteria, alignment can be performed by excluding the possibility of a decrease in accuracy due to the camera 161.

한편, 본 처리 예에서는, 각 카메라(1611∼1614)에 대하여, 거리(L1∼L4)에 대한 통계 처리가 행해지고 있지만, 통계 처리의 대상이 되는 항목은 한정되지 않는다. 예를 들면, 처리부(141)는, 각 카메라(1611∼1614)에 대하여, 기판 파인 마크(1008) 또는 마스크 파인 마크(1018)의 인식률을 연산해도 된다. 이 경우, S310에 있어서의 기준은, 각 마크의 인식률이 임계값 이상인지 여부이어도 된다. 또는, 위치(P1∼P4) 및 목표 위치(T1∼T4)(도 6 참조)의 좌표가 통계 처리의 대상이 되어도 된다.On the other hand, in this processing example, statistical processing is performed for the distances L1 to L4 for each of the cameras 1611 to 1614, but the items to be subjected to the statistical processing are not limited. For example, the processing unit 141 may calculate the recognition rate of the substrate fine mark 1008 or the mask fine mark 1018 for each of the cameras 1611 to 1614 . In this case, the criterion in S310 may be whether or not the recognition rate of each mark is equal to or higher than the threshold value. Alternatively, the coordinates of the positions P1 to P4 and target positions T1 to T4 (see Fig. 6) may be subjected to statistical processing.

한편, 각 처리 예에서 설명한 처리는 적절히 조합 가능하다. 예를 들면, 기판(100) 및 마스크(101)의 중심 간의 거리 및 거리(L1∼L4)의 통계 처리의 결과 중 적어도 어느 하나가 기준을 만족하지 않는 경우에 검지 유닛 조정 처리를 실행해도 된다. 또는, S106의 정밀도 평가의 실행 판단으로서, 도 9의 (a) 및 도 9의 (b)에서 나타내는 플로우차트를 직렬 또는 병렬적으로 실행하고, 어느 하나의 플로우차트에서 정밀도 평가를 실행한다고 판단된 경우에, 정밀도 평가를 실행해도 된다. 즉, 마스크(101)가 교환된 타이밍에서는 검지 유닛(17)의 정밀도 평가를 매회 실행하면서, 동일 로트 내에서 얼라인먼트의 재실행 횟수가 증가되어 온 경우에 재차 검지 유닛(17)의 정밀도 평가가 실행되어도 된다.On the other hand, the processing described in each processing example can be combined appropriately. For example, the detection unit adjustment processing may be executed when at least one of the results of statistical processing of the distance between the center of the substrate 100 and the mask 101 and the distances L1 to L4 does not satisfy the standard. Alternatively, as the determination of execution of the precision evaluation in S106, it is judged that the flowcharts shown in FIGS. In some cases, precision evaluation may be performed. That is, at the timing when the mask 101 is exchanged, while the accuracy evaluation of the detection unit 17 is executed each time, even if the accuracy evaluation of the detection unit 17 is executed again when the number of re-execution of alignment increases within the same lot do.

<9. 전자 디바이스의 제조 방법><9. Manufacturing Method of Electronic Device>

다음으로, 전자 디바이스의 제조 방법의 일례를 설명한다. 이하, 전자 디바이스의 예로서 유기 EL 표시 장치의 구성 및 제조 방법을 예시한다. 이 예의 경우, 도 1에 예시한 성막 블록(301)이, 제조 라인 상에, 예를 들면, 3군데, 설치된다.Next, an example of a manufacturing method of an electronic device is described. Hereinafter, the configuration and manufacturing method of an organic EL display device as an example of an electronic device will be illustrated. In the case of this example, the film formation block 301 illustrated in FIG. 1 is installed, for example, in three places on the production line.

먼저, 제조하는 유기 EL 표시 장치에 대해 설명한다. 도 11의 (a)는 유기 EL 표시 장치(50)의 전체 도면, 도 11의 (b)는 1화소의 단면 구조를 나타내는 도면이다.First, an organic EL display device to be manufactured will be described. Fig. 11(a) is an overall diagram of the organic EL display device 50, and Fig. 11(b) is a diagram showing a cross-sectional structure of one pixel.

도 11의 (a)에 나타낸 바와 같이, 유기 EL 표시 장치(50)의 표시 영역(51)에는, 발광 소자를 복수 구비하는 화소(52)가 매트릭스 형상으로 복수 개 배치되어 있다. 상세한 것은 나중에 설명하지만, 발광 소자의 각각은, 한 쌍의 전극 사이에 끼워진 유기층을 구비한 구조를 가지고 있다.As shown in (a) of FIG. 11 , in the display area 51 of the organic EL display device 50, a plurality of pixels 52 having a plurality of light emitting elements are arranged in a matrix form. Although details will be described later, each of the light emitting elements has a structure including an organic layer sandwiched between a pair of electrodes.

한편, 여기서 말하는 화소란, 표시 영역(51)에 있어서 원하는 색의 표시를 가능하게 하는 최소 단위를 지칭한다. 컬러 유기 EL 표시 장치의 경우, 서로 다른 발광을 나타내는 제1 발광 소자(52R), 제2 발광 소자(52G), 및 제3 발광 소자(52B)의 복수의 부화소의 조합에 의해 화소(52)가 구성되어 있다. 화소(52)는, 적색(R) 발광 소자와 녹색(G) 발광 소자와 청색(B) 발광 소자의 3종류의 부화소의 조합으로 구성되는 경우가 많지만, 이에 한정되지 않는다. 화소(52)는 적어도 1종류의 부화소를 포함하면 되고, 2종류 이상의 부화소를 포함하는 것이 바람직하고, 3종류 이상의 부화소를 포함하는 것이 보다 바람직하다. 화소(52)를 구성하는 부화소로서는, 예를 들면, 적색(R) 발광 소자와 녹색(G) 발광 소자와 청색(B) 발광 소자와 황색(Y) 발광 소자의 4종류의 부화소의 조합이어도 된다.On the other hand, the term "pixel" as used herein refers to a minimum unit capable of displaying a desired color in the display area 51 . In the case of a color organic EL display device, a pixel 52 is formed by a combination of a plurality of subpixels of the first light emitting element 52R, the second light emitting element 52G, and the third light emitting element 52B exhibiting different light emission. is composed of The pixel 52 is often composed of a combination of three types of sub-pixels: a red (R) light emitting element, a green (G) light emitting element, and a blue (B) light emitting element, but is not limited thereto. The pixel 52 just needs to include at least one type of subpixel, preferably includes two or more types of subpixels, and more preferably includes three or more types of subpixels. As the subpixels constituting the pixel 52, for example, a combination of four types of subpixels: a red (R) light emitting element, a green (G) light emitting element, a blue (B) light emitting element, and a yellow (Y) light emitting element. may be continued

도 11의 (b)는, 도 11의 (a)의 A-B 선에 있어서의 부분 단면 모식도이다. 화소(52)는, 기판(100) 상에 제1 전극(양극)(54)과, 정공 수송층(55)과, 적색층(56R)·녹색층(56G)·청색층(56B) 중 어느 하나와, 전자 수송층(57)과, 제2 전극(음극)(58)을 구비하는 유기 EL 소자로 구성되는 복수의 부화소를 가지고 있다. 이들 중 정공 수송층(55), 적색층(56R), 녹색층(56G), 청색층(56B), 전자 수송층(57)이 유기층에 해당한다. 적색층(56R), 녹색층(56G), 청색층(56B)은, 각각 적색, 녹색, 청색을 발하는 발광 소자(유기 EL 소자라고 기술하는 경우도 있음)에 대응하는 패턴으로 형성되어 있다.Fig. 11(b) is a partial cross-sectional schematic view along the line A-B of Fig. 11(a). The pixel 52 includes a first electrode (anode) 54, a hole transport layer 55, and any one of a red layer 56R, a green layer 56G, and a blue layer 56B on the substrate 100. and an electron transport layer 57 and a plurality of sub-pixels composed of organic EL elements including a second electrode (cathode) 58. Among them, the hole transport layer 55, the red layer 56R, the green layer 56G, the blue layer 56B, and the electron transport layer 57 correspond to organic layers. The red layer 56R, the green layer 56G, and the blue layer 56B are each formed in a pattern corresponding to a light emitting element emitting red, green, and blue (sometimes described as an organic EL element).

또한, 제1 전극(54)은, 발광 소자마다 분리해서 형성되어 있다. 정공 수송층(55)과 전자 수송층(57)과 제2 전극(58)은, 복수의 발광 소자(52R, 52G, 52B)에 걸쳐 공통으로 형성되어 있어도 되고, 발광 소자마다 형성되어 있어도 된다. 즉, 도 11의 (b)에 나타낸 바와 같이, 정공 수송층(55)이 복수의 부화소 영역에 걸쳐 공통 층으로서 형성된 후에 적색층(56R), 녹색층(56G), 청색층(56B)이 부화소 영역마다 분리해서 형성되고, 나아가 그 위에 전자 수송층(57)과 제2 전극(58)이 복수의 부화소 영역에 걸쳐 공통 층으로서 형성되어 있어도 된다.In addition, the 1st electrode 54 is formed separately for each light emitting element. The hole transport layer 55, the electron transport layer 57, and the second electrode 58 may be formed commonly over a plurality of light emitting elements 52R, 52G, and 52B, or may be formed for each light emitting element. That is, as shown in (b) of FIG. 11, after the hole transport layer 55 is formed as a common layer over a plurality of sub-pixel regions, the red layer 56R, the green layer 56G, and the blue layer 56B are formed as sub-pixel regions. It may be formed separately for each pixel region, and furthermore, the electron transport layer 57 and the second electrode 58 may be formed as a common layer over a plurality of sub-pixel regions.

한편, 근접한 제1 전극(54) 사이에서의 쇼트를 방지하기 위해, 제1 전극(54) 사이에 절연층(59)이 설치되어 있다. 나아가, 유기 EL 층은 수분이나 산소에 의해 열화되기 때문에, 수분이나 산소로부터 유기 EL 소자를 보호하기 위한 보호층(60)이 설치되어 있다.Meanwhile, in order to prevent a short circuit between adjacent first electrodes 54, an insulating layer 59 is provided between the first electrodes 54. Furthermore, since the organic EL layer is degraded by moisture or oxygen, a protective layer 60 is provided to protect the organic EL element from moisture or oxygen.

도 11의 (b)에서는 정공 수송층(55)이나 전자 수송층(57)이 하나의 층으로 나타내어져 있지만, 유기 EL 표시 소자의 구조에 따라, 정공 블록층이나 전자 블록층을 갖는 복수의 층으로 형성되어도 된다. 또한, 제1 전극(54)과 정공 수송층(55)의 사이에는 제1 전극(54)으로부터 정공 수송층(55)으로의 정공의 주입이 원활하게 행해지도록 하는 것이 가능한 에너지 밴드 구조를 갖는 정공 주입층을 형성해도 된다. 마찬가지로, 제2 전극(58)과 전자 수송층(57)의 사이에도 전자 주입층을 형성해도 된다.In (b) of FIG. 11, the hole transport layer 55 and the electron transport layer 57 are shown as one layer, but depending on the structure of the organic EL display element, a plurality of layers having a hole blocking layer or an electron blocking layer are formed. It can be. Further, between the first electrode 54 and the hole transport layer 55, a hole injection layer having an energy band structure capable of smoothly injecting holes from the first electrode 54 into the hole transport layer 55 is performed. may form Similarly, an electron injection layer may also be formed between the second electrode 58 and the electron transport layer 57 .

적색층(56R), 녹색층(56G), 청색층(56B)의 각각은, 단일 발광층으로 형성되어 있어도 되고, 복수의 층을 적층함으로써 형성되어 있어도 된다. 예를 들면, 적색층(56R)을 2층으로 구성하고, 상측의 층을 적색의 발광층으로 형성하고, 하측의 층을 정공 수송층 또는 전자 블록층으로 형성해도 된다. 또는, 하측의 층을 적색의 발광층으로 형성하고, 상측의 층을 전자 수송층 또는 정공 블록층으로 형성해도 된다. 이와 같이 발광층의 하측 또는 상측에 층을 설치함으로써, 발광층에 있어서의 발광 위치를 조정하고, 광로 길이를 조정함으로써, 발광 소자의 색 순도를 향상시키는 효과가 있다.Each of the red layer 56R, the green layer 56G, and the blue layer 56B may be formed as a single light emitting layer, or may be formed by laminating a plurality of layers. For example, the red layer 56R may be composed of two layers, the upper layer may be formed of a red light emitting layer, and the lower layer may be formed of a hole transport layer or an electron blocking layer. Alternatively, the lower layer may be formed of a red light emitting layer, and the upper layer may be formed of an electron transport layer or a hole blocking layer. By providing the layer below or above the light emitting layer in this way, there is an effect of improving the color purity of the light emitting element by adjusting the light emitting position in the light emitting layer and adjusting the optical path length.

한편, 여기서는 적색층(56R)의 예를 나타냈지만, 녹색층(56G)이나 청색층(56B)에서도 마찬가지의 구조를 채용해도 된다. 또한, 적층 수는 2층 이상이어도 된다. 나아가, 발광층과 전자 블록층과 같이 상이한 재료의 층이 적층되어도 되고, 예를 들면 발광층을 2층 이상 적층하는 등, 동일한 재료의 층이 적층되어도 된다.In addition, although the example of the red layer 56R was shown here, the same structure may be employed also in the green layer 56G or the blue layer 56B. Also, the number of layers may be two or more. Further, layers of different materials such as a light emitting layer and an electron blocking layer may be laminated, or layers of the same material may be laminated, for example, two or more light emitting layers may be laminated.

다음으로, 유기 EL 표시 장치의 제조 방법의 예에 대해 구체적으로 설명한다. 여기서는, 적색층(56R)이 하측 층(56R1)과 상측 층(56R2)의 2층으로 이루어지고, 녹색층(56G)과 청색층(56B)은 단일의 발광층으로 이루어지는 경우를 상정한다.Next, an example of a method for manufacturing an organic EL display device will be described in detail. Here, it is assumed that the red layer 56R is composed of two layers, a lower layer 56R1 and an upper layer 56R2, and the green layer 56G and the blue layer 56B are composed of a single light emitting layer.

먼저, 유기 EL 표시 장치를 구동하기 위한 회로(도시하지 않음) 및 제1 전극(54)이 형성된 기판(100)을 준비한다. 한편, 기판(100)의 재질은 특별히 한정되지 않고, 유리, 플라스틱, 금속 등으로 구성할 수 있다. 본 실시형태에서는, 기판(100)으로서, 유리 기판 상에 폴리이미드 필름이 적층된 기판을 사용한다.First, a circuit (not shown) for driving an organic EL display device and a substrate 100 on which a first electrode 54 is formed are prepared. Meanwhile, the material of the substrate 100 is not particularly limited, and may be made of glass, plastic, metal, or the like. In this embodiment, as the substrate 100, a substrate in which a polyimide film is laminated on a glass substrate is used.

제1 전극(54)이 형성된 기판(100) 위에 아크릴 또는 폴리이미드 등의 수지층을 바 코트나 스핀 코트로 코팅하고, 수지층을 리소그래피법에 의해, 제1 전극(54)이 형성된 부분에 개구가 형성되도록 패터닝하여 절연층(59)을 형성한다. 이 개구부가, 발광 소자가 실제로 발광하는 발광 영역에 상당한다. 한편, 본 실시형태에서는, 절연층(59)의 형성까지는 대형 기판에 대해 처리가 행해지고, 절연층(59)의 형성 이후에, 기판(100)을 분할하는 분할 공정이 실행된다.On the substrate 100 on which the first electrode 54 is formed, a resin layer such as acrylic or polyimide is coated with a bar coat or spin coat, and the resin layer is formed by lithography to open an opening in the portion where the first electrode 54 is formed. An insulating layer 59 is formed by patterning to form. This opening corresponds to a light emitting region in which the light emitting element actually emits light. On the other hand, in the present embodiment, processing is performed on a large-size substrate until the formation of the insulating layer 59, and a division process of dividing the substrate 100 is executed after the formation of the insulating layer 59.

절연층(59)이 패터닝된 기판(100)을 제1 성막실(303)에 반입하고, 정공 수송층(55)을, 표시 영역의 제1 전극(54) 위에 공통 층으로서 성막한다. 정공 수송층(55)은, 최종적으로 각각의 유기 EL 표시 장치의 패널 부분이 되는 표시 영역(51)마다 개구가 형성된 마스크를 사용하여 성막된다.The substrate 100 on which the insulating layer 59 is patterned is carried into the first film formation chamber 303, and the hole transport layer 55 is formed as a common layer over the first electrode 54 in the display area. The hole transport layer 55 is formed into a film using a mask in which openings are formed for each display area 51 that will eventually become a panel portion of each organic EL display device.

다음으로, 정공 수송층(55)까지 형성된 기판(100)을 제2 성막실(303)에 반입한다. 기판(100)과 마스크의 얼라인먼트를 행하고, 기판을 마스크 위에 재치하고, 정공 수송층(55) 위의, 기판(100)의 적색을 발하는 소자를 배치하는 부분(적색의 부화소를 형성하는 영역)에, 적색층(56R)을 성막한다. 여기서, 제2 성막실에서 사용하는 마스크는, 유기 EL 표시 장치의 부화소가 되는 기판(100) 상에 있어서의 복수의 영역 중, 적색의 부화소가 되는 복수의 영역에만 개구가 형성된 매우 세밀한(고정세) 마스크이다. 이에 의해, 적색 발광층을 포함하는 적색층(56R)은, 기판(100) 상의 복수의 부화소가 되는 영역 중 적색의 부화소가 되는 영역에만 성막된다. 다르게 말하면, 적색층(56R)은, 기판(100) 상의 복수의 부화소가 되는 영역 중 청색 부화소가 되는 영역이나 녹색의 부화소가 되는 영역에는 성막되지 않고, 적색의 부화소가 되는 영역에 선택적으로 성막된다.Next, the substrate 100 formed up to the hole transport layer 55 is carried into the second film formation chamber 303 . Align the substrate 100 and the mask, place the substrate on the mask, and place the substrate 100 on the hole transport layer 55 in a portion of the substrate 100 where a red-emitting element is disposed (a region where red sub-pixels are formed). , the red layer 56R is formed. Here, the mask used in the second film formation chamber is a very fine mask in which openings are formed only in a plurality of regions serving as red subpixels among a plurality of regions on the substrate 100 serving as subpixels of the organic EL display device ( fixed tax) is a mask. As a result, the red layer 56R including the red light emitting layer is formed only in the region to be the red sub-pixel among the regions to be the plurality of sub-pixels on the substrate 100 . In other words, the red layer 56R is not formed in an area serving as a blue sub-pixel or a region serving as a green sub-pixel among regions serving as a plurality of sub-pixels on the substrate 100, but in an area serving as a red sub-pixel. It is formed selectively.

적색층(56R)의 성막과 마찬가지로, 제3 성막실(303)에 있어서 녹색층(56G)을 성막하고, 나아가 제4 성막실(303)에 있어서 청색층(56B)을 성막한다. 적색층(56R), 녹색층(56G), 청색층(56B)의 성막이 완료된 후, 제5 성막실(303)에 있어서 표시 영역(51)의 전체에 전자 수송층(57)을 성막한다. 전자 수송층(57)은 3색의 층(56R, 56G, 56B)에 공통 층으로서 형성된다.Similarly to the film formation of the red layer 56R, the green layer 56G is formed in the third film formation chamber 303, and further, the blue layer 56B is formed in the fourth film formation chamber 303. After the film formation of the red layer 56R, the green layer 56G, and the blue layer 56B is completed, the electron transport layer 57 is formed over the entire display area 51 in the fifth film formation chamber 303 . The electron transport layer 57 is formed as a layer common to the three color layers 56R, 56G, and 56B.

전자 수송층(57)까지 형성된 기판을 제6 성막실(303)로 이동시키고, 제2 전극(58)을 성막한다. 본 실시형태에서는, 제1 성막실(303)∼제6 성막실(303)에서는 진공 증착에 의해 각 층의 성막을 행한다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 예를 들면 제6 성막실(303)에 있어서의 제2 전극(58)의 성막은 스퍼터에 의해 성막하도록 해도 된다. 그 후, 제2 전극(58)까지 형성된 기판을 봉지 장치로 이동시켜 플라즈마 CVD에 의해 보호층(60)을 성막하여(봉지 공정), 유기 EL 표시 장치(50)가 완성된다. 한편, 여기서는 보호층(60)을 CVD법에 의해 형성하는 것으로 하였지만, 이에 한정되지 않고, ALD법이나 잉크젯법에 의해 형성해도 된다.The substrate formed up to the electron transport layer 57 is moved to the sixth film formation chamber 303, and the second electrode 58 is formed. In this embodiment, in the first film formation chamber 303 to the sixth film formation chamber 303, film formation of each layer is performed by vacuum deposition. However, the present invention is not limited to this, and for example, the second electrode 58 in the sixth film formation chamber 303 may be formed by sputtering. Thereafter, the substrate formed up to the second electrode 58 is moved to a sealing device, and the protective layer 60 is formed by plasma CVD (sealing step), and the organic EL display device 50 is completed. On the other hand, although the protective layer 60 is formed here by the CVD method, it is not limited thereto, and may be formed by the ALD method or the inkjet method.

여기서, 제1 성막실(303)∼제6 성막실(303)에서의 성막은, 형성되는 각각의 층의 패턴에 대응한 개구가 형성된 마스크를 사용하여 성막된다. 성막 시에는, 기판(100)과 마스크의 상대적인 위치 조정(얼라인먼트)을 행한 후에, 마스크 위에 기판(100)을 재치하여 성막이 행해진다. 여기서, 각 성막실에 있어서 행해지는 얼라인먼트 공정은, 전술한 얼라인먼트 공정과 같이 행해진다.Here, film formation in the first film formation chamber 303 to the sixth film formation chamber 303 is performed using a mask having openings corresponding to patterns of respective layers to be formed. In film formation, after adjusting (aligning) the relative positions of the substrate 100 and the mask, the substrate 100 is placed on the mask to form the film. Here, the alignment process performed in each film formation chamber is performed in the same way as the alignment process described above.

<10. 그 밖의 실시형태><10. Other Embodiments>

상기 실시형태에서는, 기판(100)과 마스크(101)의 파인 얼라인먼트 후에 검지 유닛(17)에 의한 위치 검지 정밀도의 평가를 실행하고 있지만, 다른 구성도 채용 가능하다. 구체적으로는, 촬상 영역(R1∼R4)에, 파인 얼라인먼트용의 기판 마크(1003∼1006) 및 파인 얼라인먼트용의 마스크 마크(1013∼1016)가 각각 위치하고 있으면, 전술한 복수 회의 검지 처리(S108) 및 통계 처리(S109)를 실행 가능하다. 따라서, 처리부(141)는, 러프 얼라인먼트 전 또는 러프 얼라인먼트와 파인 얼라인먼트의 사이 등에 검지 유닛(17)에 의한 위치 검지 정밀도의 평가를 실행해도 된다.In the above embodiment, the position detection accuracy is evaluated by the detection unit 17 after the fine alignment of the substrate 100 and the mask 101, but other configurations can also be employed. Specifically, if the substrate marks 1003 to 1006 for fine alignment and the mask marks 1013 to 1016 for fine alignment are located in the imaging regions R1 to R4, respectively, the above-described plurality of times of detection processing (S108) and statistical processing (S109). Accordingly, the processing unit 141 may evaluate the position detection accuracy by the detection unit 17 before the rough alignment or between the rough alignment and the fine alignment.

본 발명은, 전술한 실시형태의 하나 이상의 기능을 실현하는 프로그램을, 네트워크 또는 기억 매체를 통해 시스템 또는 장치에 공급하고, 그 시스템 또는 장치의 컴퓨터에 있어서의 하나 이상의 프로세서가 프로그램을 판독하여 실행하는 처리에 의해서도 실현 가능하다. 또한, 하나 이상의 기능을 실현하는 회로(예를 들면, ASIC)에 의해서도 실현 가능하다.According to the present invention, a program for realizing one or more functions of the above-described embodiments is supplied to a system or device via a network or a storage medium, and one or more processors in a computer of the system or device reads and executes the program. It can also be realized by processing. It can also be realized by a circuit (eg ASIC) that realizes one or more functions.

발명은 상기 실시형태에 제한되는 것이 아니고, 발명의 요지의 범위 내에서, 다양한 변형 및 변경이 가능하다.The invention is not limited to the above embodiment, and various modifications and changes are possible within the scope of the gist of the invention.

1: 성막 장치
2: 얼라인먼트 장치
14: 제어 장치
17: 검지 유닛
20: 위치 조정 유닛
141: 처리부
1: Tabernacle device
2: alignment device
14: control device
17: detection unit
20: position adjustment unit
141: processing unit

Claims (19)

기판에 설치된 기판 마크의 위치 및 마스크에 설치된 마스크 마크의 위치를 검지하는 검지 처리를 실행하는 검지 수단과,
상기 검지 수단에 의한 상기 검지 처리의 결과에 기초하여, 상기 기판 및 상기 마스크의 상대적인 위치 조정을 실행하는 위치 조정 수단과,
상기 기판 및 상기 마스크를 정지시킨 상태로 상기 검지 수단에 의해 실행된 복수 회의 상기 검지 처리의 결과에 대해 통계 처리를 실행하는 연산 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
detection means for executing a detection process for detecting the position of the substrate mark provided on the substrate and the position of the mask mark provided on the mask;
Position adjusting means for adjusting the relative positions of the substrate and the mask based on a result of the detection process by the detection means;
and calculation means for executing statistical processing on results of a plurality of times of the detection processing executed by the detection means in a state where the substrate and the mask are stopped.
제1항에 있어서,
상기 결과는, 상기 위치 조정 수단에 의한 상기 위치 조정 후에 상기 검지 수단에 의해 실행된 상기 복수 회의 상기 검지 처리의 결과인 것을 특징으로 하는 성막 장치.
According to claim 1,
The film forming apparatus according to claim 1, wherein the result is a result of the plurality of times of the detection processing executed by the detection means after the position adjustment by the position adjustment means.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 성막 장치의 처리 상황에 따라 상기 복수 회의 상기 검지 처리를 실행할지 여부를 판단하는 판단 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
According to claim 1 or 2,
The film forming apparatus further comprising judgment means for determining whether to execute the plurality of times of the detection processing according to processing conditions of the film forming apparatus.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 검지 수단 및 상기 위치 조정 수단에 의한 얼라인먼트의 재실행 횟수에 관한 정보에 따라, 상기 복수 회의 상기 검지 처리를 실행할지 여부를 판단하는 판단 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
According to claim 1 or 2,
The film forming apparatus according to claim 1, further comprising judgment means for judging whether or not to execute the detection processing a plurality of times based on the information on the number of times of re-execution of alignment by the detection means and the position adjusting means.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 성막 장치는, 1매의 상기 마스크를 사용하여 복수 매의 상기 기판에 대해 성막을 행하고,
상기 성막 장치는, 상기 마스크가 교환된 경우에 상기 복수 회의 상기 검지 처리를 실행한다고 판단하는 판단 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
According to claim 1 or 2,
The film forming apparatus performs film formation on a plurality of substrates using one mask;
The film forming apparatus further includes determining means for judging that the plurality of times of the detection processing is executed when the mask is exchanged.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 성막 장치는, 상기 마스크의 교환 후에 상기 성막 장치에 반입된 테스트용의 상기 기판에 대해 성막을 실행하고, 상기 테스트용의 상기 기판의 성막 결과의 평가를 행하고,
상기 성막 장치는, 상기 테스트용의 상기 기판의 다음에 상기 성막 장치에 반입된 상기 기판에 대해, 상기 복수 회의 상기 검지 처리를 실행한다고 판단하는 판단 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
According to claim 1 or 2,
the film formation apparatus performs film formation on the substrate for test carried into the film formation apparatus after exchanging the mask, and evaluates a result of film formation on the substrate for test;
The film forming apparatus further includes judgment means for judging that the plurality of times of the detection processing is executed with respect to the substrate carried into the film forming apparatus next to the substrate for the test.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 연산 수단에 의한 상기 통계 처리의 결과에 기초하여, 상기 검지 수단의 조정을 실행하는 조정 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
According to claim 1 or 2,
The film forming apparatus according to claim 1, further comprising adjusting means for performing adjustment of the detection means based on a result of the statistical processing by the calculating means.
제7항에 있어서,
상기 검지 수단은, 상기 기판 마크 및 상기 마스크 마크를 촬상하는 촬상 수단을 포함하고,
상기 조정은 상기 촬상 수단의 위치의 조정인 것을 특징으로 하는 성막 장치.
According to claim 7,
The detecting means includes imaging means for capturing images of the substrate mark and the mask mark;
The film forming apparatus according to claim 1, wherein the adjustment is an adjustment of the position of the imaging means.
제7항에 있어서,
상기 검지 수단은, 상기 기판 마크 및 상기 마스크 마크를 촬상하는 촬상 수단을 포함하고,
상기 조정은 상기 촬상 수단의 초점의 조정인 것을 특징으로 하는 성막 장치.
According to claim 7,
The detecting means includes imaging means for capturing images of the substrate mark and the mask mark;
The film forming apparatus according to claim 1, wherein the adjustment is an adjustment of the focus of the imaging means.
제7항에 있어서,
상기 검지 수단은,
상기 기판 마크 및 상기 마스크 마크를 촬상하는 촬상 수단과,
상기 촬상 수단의 촬영 화상 및 모델 마크를 사용한 패턴 매칭에 의해 상기 기판 마크 및 상기 마스크 마크의 위치를 특정하는 특정 수단을 포함하고,
상기 조정은 상기 모델 마크의 조정인 것을 특징으로 하는 성막 장치.
According to claim 7,
The detecting means is
imaging means for capturing images of the substrate mark and the mask mark;
and specifying means for specifying the positions of the substrate mark and the mask mark by pattern matching using a captured image of the imaging means and a model mark,
The film forming apparatus according to claim 1, wherein the adjustment is an adjustment of the model mark.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 기판은 복수의 상기 기판 마크를 포함하고,
상기 마스크는 상기 복수의 상기 기판 마크에 각각 대응하는 복수의 상기 마스크 마크를 포함하고,
상기 검지 수단은,
서로 대응하는 복수의 상기 기판 마크 및 상기 마스크 마크의 세트를 각각 촬상하는 복수의 촬상 수단과,
상기 복수의 촬상 수단의 각각의 촬영 화상을 사용하여, 상기 세트를 구성하는 상기 기판 마크의 상기 위치 및 상기 마스크 마크의 상기 위치를 각각 특정하는 특정 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
According to claim 1 or 2,
The substrate includes a plurality of the substrate marks,
The mask includes a plurality of mask marks respectively corresponding to the plurality of substrate marks,
The detecting means is
a plurality of imaging means for respectively imaging a plurality of sets of the substrate marks and the mask marks corresponding to each other;
and specifying means for specifying the position of the substrate mark and the position of the mask mark constituting the set, respectively, using captured images of each of the plurality of imaging means.
제11항에 있어서,
상기 통계 처리는 상기 세트마다 실행되고,
상기 위치 조정 수단은, 상기 통계 처리의 결과가 기준을 만족하지 않는 상기 세트에 대한 상기 특정 수단의 특정 결과를 사용하지 않고, 상기 위치 조정을 실행하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
According to claim 11,
the statistical processing is performed for each set;
The position adjustment means performs the position adjustment without using a specific result of the specific means for the set for which a result of the statistical processing does not satisfy a criterion.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 기판을 보유지지하는 기판 보유지지 수단과,
상기 마스크를 보유지지하는 마스크 보유지지 수단을 더 구비하고,
상기 검지 수단에 의한 복수 회의 상기 검지 처리 중 하나의 검지 처리가 실행되고 나서부터, 다른 하나의 검지 처리가 실행될 때까지의 동안, 상기 기판 보유지지 수단 및 상기 마스크 보유지지 수단이 정지한 상태로 유지되는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
According to claim 1 or 2,
substrate holding means for holding the substrate;
further comprising mask holding means for holding the mask;
The substrate holding means and the mask holding means are maintained in a stopped state from the time when one of the plurality of detection processes by the detection means is executed until the other detection process is executed. A film forming apparatus characterized in that it becomes.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 통계 처리는, 상기 기판 마크의 위치, 상기 마스크 마크의 위치, 및, 상기 기판 마크의 위치 및 상기 마스크 마크의 위치 중 적어도 일방에 기초하여 산출된 위치, 또는, 이들의 상대위치 또는 상대거리에 대하여, 평균값, 분산, 표준편차, 최대값, 및 최소값의 일부 또는 전부를 산출하는 처리를 포함하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
According to claim 1 or 2,
The statistical processing is performed on the position of the substrate mark, the position of the mask mark, and the position calculated based on at least one of the position of the substrate mark and the position of the mask mark, or their relative positions or relative distances. A film forming apparatus comprising a process of calculating some or all of the average value, variance, standard deviation, maximum value, and minimum value for each of the above values.
기판에 설치된 기판 마크의 위치 및 마스크에 설치된 마스크 마크의 위치를 검지하는 검지 처리를 실행하는 검지 수단과,
상기 검지 수단에 의한 상기 검지 처리의 결과에 기초하여, 상기 기판 및 상기 마스크의 상대적인 위치 조정을 실행하는 위치 조정 수단
을 구비한 성막 장치의 컴퓨터를,
상기 기판 및 상기 마스크를 정지시킨 상태로 상기 검지 수단에 의해 실행된 복수 회의 상기 검지 처리의 결과에 대해 통계 처리를 실행하는 연산 수단으로서 기능시키기 위한 프로그램.
detection means for executing a detection process for detecting the position of the substrate mark provided on the substrate and the position of the mask mark provided on the mask;
Positioning means for adjusting the relative positions of the substrate and the mask based on the result of the detection process by the detection means.
A computer of a film forming apparatus having a
A program for causing the substrate and the mask to function as calculating means for executing statistical processing on the results of a plurality of times of the detection processing executed by the detection means in a stopped state.
기판에 설치된 기판 마크의 위치 및 마스크에 설치된 마스크 마크의 위치를 검지하는 검지 처리를 실행하는 검지 수단과,
상기 검지 수단에 의한 상기 검지 처리의 결과에 기초하여, 상기 기판 및 상기 마스크의 위치 조정을 실행하는 위치 조정 수단
을 구비한 성막 장치의 위치 검지 정밀도의 평가 방법으로서,
상기 기판 및 상기 마스크를 정지시킨 상태로 상기 검지 수단에 의해 복수 회의 상기 검지 처리를 실행하는 공정과,
상기 복수 회의 상기 검지 처리의 결과에 대해 통계 처리를 실행하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 위치 검지 정밀도의 평가 방법.
detection means for executing a detection process for detecting the position of the substrate mark provided on the substrate and the position of the mask mark provided on the mask;
Positioning means for performing positional adjustment of the substrate and the mask based on the result of the detection process by the detection means.
As a method for evaluating position detection accuracy of a film forming apparatus having
a step of executing the detection processing a plurality of times by the detection means in a state where the substrate and the mask are stopped;
A method for evaluating position detection accuracy, characterized by including a step of performing statistical processing on the results of the plurality of times of the detection processing.
제16항에 기재된 위치 검지 정밀도의 평가 방법에 의해 상기 기판 마크 및 상기 마스크 마크의 위치 검지의 정밀도를 평가하는 공정과,
상기 위치 조정 수단에 의해 상기 기판 및 상기 마스크의 상기 위치 조정을 실행하는 공정과,
상기 위치 조정이 실행된 상기 마스크를 통해 상기 기판에 성막을 행하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조 방법.
a step of evaluating position detection accuracy of the substrate mark and the mask mark by the position detection accuracy evaluation method according to claim 16;
a step of performing the positional adjustment of the substrate and the mask by the positioning means;
and a step of forming a film on the substrate through the mask on which the position adjustment has been performed.
기판에 설치된 기판 마크의 위치 및 마스크에 설치된 마스크 마크의 위치를 검지하는 검지 처리를 실행하는 검지 수단과,
상기 검지 수단에 의한 상기 검지 처리의 결과에 기초하여, 상기 기판 및 상기 마스크의 위치 조정을 실행하는 위치 조정 수단
을 구비한 성막 장치의 조정 방법으로서,
상기 기판 및 상기 마스크를 정지시킨 상태로 상기 검지 수단에 의해 복수 회의 상기 검지 처리를 실행하는 공정과,
상기 복수 회의 상기 검지 처리의 결과에 대해 통계 처리를 실행하는 공정과,
상기 통계 처리의 결과에 기초하여 상기 검지 수단의 조정을 실행하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 성막 장치의 조정 방법.
detection means for executing a detection process for detecting the position of the substrate mark provided on the substrate and the position of the mask mark provided on the mask;
Positioning means for performing positional adjustment of the substrate and the mask based on the result of the detection process by the detection means.
A method for adjusting a film forming apparatus having
a step of executing the detection processing a plurality of times by the detection means in a state where the substrate and the mask are stopped;
a step of performing statistical processing on the results of the plurality of times of the detection processing;
and a step of performing adjustment of the detecting means based on a result of the statistical processing.
제18항에 기재된 성막 장치의 조정 방법에 의해 성막 장치를 조정하는 공정과,
상기 위치 조정 수단에 의해 상기 기판 및 상기 마스크의 상기 위치 조정을 실행하는 공정과,
상기 위치 조정이 실행된 상기 마스크를 통해 상기 기판에 성막을 행하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조 방법.
a step of adjusting the film forming apparatus by the method for adjusting the film forming apparatus according to claim 18;
a step of performing the positional adjustment of the substrate and the mask by the positioning means;
and a step of forming a film on the substrate through the mask on which the position adjustment has been performed.
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