KR20220155217A - Film forming apparatus, program, method of evaluating position detection accuracy, and manufacturing method of electronic device - Google Patents
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 161
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 62
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 317
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 41
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 190
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 67
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims description 33
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 28
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 100
- 239000010408 film Substances 0.000 description 99
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 description 19
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 16
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 12
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 11
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 11
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 8
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
- H01L21/682—Mask-wafer alignment
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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- G—PHYSICS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- Theoretical Computer Science (AREA)
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Abstract
Description
본 발명은 성막 장치, 프로그램, 위치 검지 정밀도의 평가 방법 및 전자 디바이스의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a film forming apparatus, a program, a method for evaluating position detection accuracy, and a method for manufacturing an electronic device.
유기 EL 표시 장치(유기 EL 디스플레이) 등의 제조에 있어서는, 증착용 마스크를 사용하여 증착 재료를 기판에 증착시킬 때에 기판과 마스크의 얼라인먼트가 행해진다. 기판과 마스크의 얼라인먼트는, 기판 또는 마스크에 형성된 얼라인먼트용 마크를 사용하여 행해지는 경우가 있다. 특허문헌 1에는, 기판에 형성된 얼라인먼트용 마크를 촬상한 촬상 화상으로부터, 기판의 위치 및 각도의 기준으로부터의 어긋남을 산출하는 것이 개시되어 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION [0002] In the manufacture of organic EL display devices (organic EL displays) and the like, alignment of the substrate and the mask is performed when depositing an evaporation material onto the substrate using a evaporation mask. Alignment between the substrate and the mask may be performed using an alignment mark formed on the substrate or mask. Patent Literature 1 discloses calculating the displacement of the position and angle of the substrate from a standard from a captured image obtained by capturing an alignment mark formed on the substrate.
상기 종래 기술에서는, 기판 및 마스크의 위치 등의 기준으로부터의 어긋남의 산출 정밀도, 부연하여 말하면 산출에 사용되는 기판 및 마스크의 각각의 위치의 검지 정밀도에 대해서는 검토되고 있지 않다. 이 검지 정밀도가 낮으면, 기판과 마스크의 얼라인먼트 정밀도가 저하되는 경우가 있다. 그 결과로서, 기판에 대한 증착 재료의 증착 위치가 흐트러져, 제품의 품질이 저하될 우려가 있다. 따라서, 얼라인먼트용 마크의 위치의 검지 정밀도를 파악하는 것이 요구된다.In the prior art described above, the calculation accuracy of deviations from standards such as the positions of the substrate and the mask, to put it another way, the detection accuracy of the respective positions of the substrate and mask used for calculation has not been studied. If the detection accuracy is low, the alignment accuracy between the substrate and the mask may decrease. As a result, the evaporation position of the evaporation material relative to the substrate may be disturbed, and the quality of the product may deteriorate. Therefore, grasping the detection accuracy of the position of the mark for alignment is calculated|required.
본 발명은, 얼라인먼트용 마크의 위치의 검지 정밀도를 평가하는 기술을 제공한다.The present invention provides a technique for evaluating the detection accuracy of the alignment mark position.
본 발명에 의하면, 기판에 설치된 기판 마크의 위치 및 마스크에 설치된 마스크 마크의 위치를 검지하는 검지 처리를 실행하는 검지 수단과, 상기 검지 수단에 의한 상기 검지 처리의 결과에 기초하여, 상기 기판 및 상기 마스크의 상대적인 위치 조정을 실행하는 위치 조정 수단과, 상기 기판 및 상기 마스크를 정지시킨 상태로 상기 검지 수단에 의해 실행된 복수 회의 상기 검지 처리의 결과에 대해 통계 처리를 실행하는 연산 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 성막 장치가 제공된다.According to the present invention, detecting means for performing a detection process for detecting the position of a substrate mark provided on a substrate and the position of a mask mark provided on a mask, and based on a result of the detection process by the detection means, the substrate and the Positioning means for adjusting the relative position of the mask, and calculating means for executing statistical processing on the results of the detection process executed a plurality of times by the detection means in a state where the substrate and the mask are stopped. A characterized film forming apparatus is provided.
본 발명에 의하면, 얼라인먼트용 마크의 위치의 검지 정밀도를 평가할 수 있다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the detection precision of the position of the mark for alignment can be evaluated.
도 1은 일 실시형태에 따른 전자 디바이스의 제조 라인의 구성의 일부를 나타내는 모식도이다.
도 2는 일 실시형태에 따른 성막 장치의 개략도이다.
도 3은 도 2의 성막 장치의 하드웨어의 구성예를 나타내는 도면이다.
도 4의 (a) ∼ (c)는 마스크 및 기판의 구성예를 나타내는 평면도이다.
도 5는 성막 장치에 의한 얼라인먼트 공정의 개략을 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 6은 파인 얼라인먼트 공정의 일례를 설명하는 도면이다.
도 7의 (a)는, 마스크 파인 마크의 위치를 특정하기 위한 패턴 매칭의 양태를 설명하는 도면이고, (b)는 모델 마크의 일례를 나타내는 도면이다.
도 8은 처리부의 처리 예를 나타내는 플로우차트이다.
도 9의 (a) 및 (b)는 처리부의 처리 예를 나타내는 플로우차트이다.
도 10은 처리부의 처리 예를 나타내는 플로우차트이다.
도 11의 (a)는 유기 EL 표시 장치의 전체도, (b)는 1화소의 단면 구조를 나타내는 도면이다.1 is a schematic diagram showing a part of the configuration of a manufacturing line for an electronic device according to an embodiment.
2 is a schematic diagram of a film forming apparatus according to an embodiment.
FIG. 3 is a diagram showing an example of a hardware configuration of the film forming apparatus of FIG. 2 .
4(a) to (c) are plan views showing configuration examples of a mask and a substrate.
5 is a diagram schematically showing the outline of an alignment process by a film forming apparatus.
6 is a diagram for explaining an example of a fine alignment process.
Fig. 7 (a) is a diagram illustrating an aspect of pattern matching for specifying the position of a mask fine mark, and (b) is a diagram showing an example of a model mark.
8 is a flowchart showing a processing example of a processing unit.
9(a) and (b) are flowcharts showing processing examples of the processing unit.
10 is a flowchart showing a processing example of a processing unit.
11(a) is an overall view of the organic EL display device, and (b) is a view showing a cross-sectional structure of one pixel.
이하, 첨부 도면을 참조하여 실시형태를 상세하게 설명한다. 한편, 이하의 실시형태는 청구범위에 따른 발명을 한정하는 것이 아니고, 또한 실시형태에서 설명되고 있는 특징의 조합 모두가 발명에 필수적인 것이라고는 할 수 없다. 실시형태에서 설명되고 있는 복수의 특징 중 2개 이상의 특징이 임의로 조합되어도 된다. 또한, 동일 또는 마찬가지의 구성에는 동일한 참조 번호를 붙이고, 중복된 설명은 생략한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment is described in detail with reference to an accompanying drawing. On the other hand, the following embodiments do not limit the invention according to the claims, and it cannot be said that all combinations of features described in the embodiments are essential to the invention. Two or more of the features described in the embodiments may be arbitrarily combined. In addition, the same reference number is attached|subjected to the same or similar structure, and overlapping description is abbreviate|omitted.
<1. 전자 디바이스의 제조 라인><1. Electronic device manufacturing line>
도 1은 일 실시형태에 따른 전자 디바이스의 제조 라인의 구성의 일부를 나타내는 모식도이다. 도 1의 제조 라인은, 예를 들면, 스마트폰용의 유기 EL 표시 장치의 표시 패널의 제조에 사용되는 것으로, 기판(100)이 성막 블록(301)에 순차적으로 반송되어, 기판(100)에 유기 EL의 성막이 행해진다.1 is a schematic diagram showing a part of the configuration of a manufacturing line for an electronic device according to an embodiment. The production line in FIG. 1 is used, for example, for manufacturing a display panel of an organic EL display device for a smartphone, and the
성막 블록(301)에는, 평면에서 보았을 때 팔각형의 형상을 갖는 반송실(302)의 주위에, 후술하는 성막 장치(1)가 설치되어, 기판(100)에 대한 성막 처리가 행해지는 복수의 성막실(303a∼303d)과, 사용 전후의 마스크가 수납되는 마스크 격납실(305)이 배치되어 있다. 반송실(302)에는, 기판(100)을 반송하는 반송 로봇(302a)이 배치되어 있다. 반송 로봇(302a)은, 기판(100)을 보유지지하는 핸드와, 핸드를 수평 방향으로 이동하는 다관절 암을 포함한다. 달리 말하면, 성막 블록(301)은, 반송 로봇(302a)의 주위를 둘러싸도록 복수의 성막실(303a∼303d)이 배치된 클러스터형 성막 유닛이다. 한편, 이하의 설명에서, 성막실(303a∼303d)을 특별히 구별하지 않는 경우, 성막실(303)이라고 칭하는 경우가 있다.In the
기판(100)의 반송 방향(화살표 방향)에서, 성막 블록(301)의 상류측, 하류측에는, 각각, 버퍼실(306), 선회실(307), 패스실(308)이 배치되어 있다. 제조 과정에 있어서, 각 실은 진공 상태로 유지된다. 한편, 도 1에서는 성막 블록(301)을 1개밖에 도시하고 있지 않지만, 본 실시형태에 따른 제조 라인은 복수의 성막 블록(301)을 가지고 있어, 복수의 성막 블록(301)이, 버퍼실(306), 선회실(307), 및 패스실(308)로 구성되는 연결 장치로 연결된 구성을 갖는다. 한편, 연결 장치의 구성은 이로 한정되지 않고, 예를 들면 버퍼실(306) 또는 패스실(308)만으로 구성되어 있어도 된다.A
반송 로봇(302a)은, 상류측의 패스실(308)로부터 반송실(302)로의 기판(100)의 반입, 성막실(303) 사이에서의 기판(100)의 반송, 마스크 격납실(305)과 성막실(303)의 사이에서의 마스크의 반송, 및 반송실(302)로부터 하류측의 버퍼실(306)로의 기판(100)의 반출을 행한다.The
버퍼실(306)은, 제조 라인의 가동 상황에 따라 기판(100)을 일시적으로 격납하기 위한 실이다. 버퍼실(306)에는, 복수 매의 기판(100)을 기판(100)의 피처리면(피성막면)이 중력 방향 하방을 향하는 수평 상태를 유지한 채 수납 가능한 다단 구조의 기판 수납 선반(카세트라고도 불림)과, 기판(100)을 반입 또는 반출하는 단을 반송 위치에 맞추기 위해 기판 수납 선반을 승강시키는 승강 기구가 설치된다. 이에 의해, 버퍼실(306)에는 복수의 기판(100)을 일시적으로 수용하고, 체류시킬 수 있다.The
선회실(307)은, 기판(100)의 방향을 변경하는 장치를 구비하고 있다. 본 실시형태에서는, 선회실(307)은, 선회실(307)에 설치된 반송 로봇에 의해 기판(100)의 방향을 180도 회전시킨다. 선회실(307)에 설치된 반송 로봇은, 버퍼실(306)에서 수취한 기판(100)을 지지한 상태로 180도 선회하여 패스실(308)로 넘겨줌으로써, 버퍼실(306) 내와 패스실(308)에서 기판(100)의 반송 방향(화살표 방향)에 있어서의 앞단과 후단이 서로 바뀐다. 이에 의해, 성막실(303)에 기판(100)을 반입할 때의 방향이, 각 성막 블록(301)에서 동일 방향이 되기 때문에, 기판(100)에 대한 성막의 스캔 방향이나 마스크의 방향을 각 성막 블록(301)에 있어서 일치시킬 수 있다. 이러한 구성으로 함으로써, 각 성막 블록(301)에서 마스크 격납실(305)에 마스크를 설치하는 방향을 일치시킬 수 있어, 마스크의 관리가 간이화되어 사용성을 높일 수 있다.The
패스실(308)은, 선회실(307)의 장치에 의해 반입된 기판(100)을 하류의 성막 블록(301)의 반송 로봇(302a)으로 전달하기 위한 실이다. 본 실시형태에서는, 후술하는 바와 같이, 패스실(308)에 있어서 기판(100)의 얼라인먼트 및 기판(100)에 성막된 막의 막두께 측정을 행한다.The
제조 라인의 제어계는, 호스트 컴퓨터로서 라인 전체를 제어하는 상위 장치(300)와, 각 구성을 제어하는 제어 장치(14a∼14d, 309, 310, 311)를 포함하고, 이들은 유선 또는 무선 통신 회선(300a)을 통해 통신 가능하다. 제어 장치(14a∼14d)는 성막실(303a∼303d)에 대응하여 설치되며, 후술하는 성막 장치(1)를 제어한다. 제어 장치(309)는 반송 로봇(302a)을 제어한다. 제어 장치(310)는 선회실(307)에 설치된 반송 로봇을 제어한다. 제어 장치(311)는, 패스실(308)에 있어서 얼라인먼트나 막두께 측정을 행하는 기기를 제어한다. 상위 장치(300)는, 기판(100)에 관한 정보나 반송 타이밍 등의 지시를 각 제어 장치(14a∼14d, 309, 310, 311)로 송신하고, 각 제어 장치(14a∼14d, 309, 310, 311)는 수신한 지시에 기초하여 각 구성을 제어한다. 한편, 이하의 설명에서, 제어 장치(14a∼14d)를 특별히 구별하지 않는 경우, 제어 장치(14)라고 칭하는 경우가 있다.The control system of the manufacturing line includes a
<2. 성막 장치의 개요><2. Overview of Film Formation Equipment>
도 2는 일 실시형태에 따른 성막 장치(1)의 개략도이다. 성막 장치(1)는 기판(100)에 증착 물질을 성막하는 장치이며, 마스크(101)를 사용하여 소정의 패턴의 증착 물질의 박막을 형성한다. 성막 장치(1)에 의해 성막이 행해지는 기판(100)의 재질은 글래스, 수지, 금속 등의 재료를 적절히 선택 가능하고, 글래스 상에 폴리이미드 등의 수지층이 형성된 것이 바람직하게 사용된다. 증착 물질로서는, 유기 재료, 무기 재료(금속, 금속 산화물 등) 등의 물질을 들 수 있다. 성막 장치(1)는, 예를 들면 표시 장치(플랫 패널 디스플레이 등)나 박막 태양 전지, 유기 광전 변환 소자(유기 박막 촬상 소자) 등의 전자 디바이스나, 광학 부재 등을 제조하는 제조 장치에 적용 가능하고, 특히, 유기 EL 패널을 제조하는 제조 장치에 적용 가능하다. 이하의 설명에서는 성막 장치(1)가 진공 증착에 의해 기판(100)에 성막을 행하는 예에 대해 설명하지만, 성막 방법은 이로 한정되지 않고, 스퍼터나 CVD 등의 각종 성막 방법을 적용 가능하다. 한편, 각 도면에 있어서 화살표 Z는 상하 방향(중력 방향)을 나타내고, 화살표 X 및 화살표 Y는 서로 직교하는 수평 방향을 나타낸다.2 is a schematic diagram of a film forming apparatus 1 according to an embodiment. The film forming apparatus 1 is a device that forms a film of a deposition material on a
성막 장치(1)는 상자형 진공 챔버(3)를 갖는다. 진공 챔버(3)의 내부 공간(3a)은 진공 분위기이거나, 질소 가스 등의 불활성 가스 분위기로 유지되어 있다. 본 실시형태에서는, 진공 챔버(3)는 도시하지 않은 진공 펌프에 접속되어 있다. 한편, 본 명세서에서 「진공」이란, 대기압보다 낮은 압력의 기체로 채워진 상태, 달리 말하면 감압 상태를 말한다. 진공 챔버(3)의 내부 공간(3a)에는, 기판(100)을 수평 자세로 지지하는 기판 지지 유닛(6), 마스크(101)를 지지하는 마스크대(5), 성막 유닛(4), 플레이트 유닛(9)이 배치된다. 마스크(101)는, 기판(100) 상에 형성하는 박막 패턴에 대응하는 개구 패턴을 갖는 메탈 마스크이며, 마스크대(5) 위에 고정되어 있다. 마스크(101)로서는, 프레임 형상의 마스크 프레임에 수㎛∼수십㎛ 정도의 두께의 마스크 박이 용접 고정된 구조를 갖는 마스크를 사용할 수 있다. 마스크(101)의 재질은 특별히 한정되지 않지만, 인바(invar) 재료 등의 열팽창 계수가 작은 금속을 사용하는 것이 바람직하다. 성막 처리는, 기판(100)이 마스크(101) 위에 재치되어, 기판(100)과 마스크(101)가 서로 겹쳐진 상태에서 행해진다.The film forming apparatus 1 has a box-shaped vacuum chamber 3 . The
플레이트 유닛(9)은, 성막시에 기판(100)을 냉각하는 냉각 플레이트(10)와, 자력에 의해 마스크(101)를 끌어당겨 기판(100)과 마스크(101)를 밀착시키는 자석 플레이트(11)를 구비한다. 플레이트 유닛(9)은, 예를 들면 볼 나사 기구 등을 구비한 승강 유닛(13)에 의해 Z 방향으로 승강 가능하게 설치되어 있다.The
성막 유닛(4)은 히터, 셔터, 증발원의 구동 기구, 증발 레이트 모니터 등으로 구성되어, 증착 물질을 기판(100)에 증착하는 증착원이다. 보다 구체적으로는, 본 실시형태에서는, 성막 유닛(4)은 복수의 노즐(도시하지 않음)이 X 방향으로 나란히 배치되고, 각각의 노즐로부터 증착 재료가 방출되는 리니어 증발원이다. 성막 유닛(4)은 증발원 이동 기구(도시하지 않음)에 의해 Y 방향(성막실(303)과 반송실(302)의 접속부로부터 멀어지는 방향)으로 왕복 이동된다.The film formation unit 4 is composed of a heater, a shutter, an evaporation source driving mechanism, an evaporation rate monitor, and the like, and is an evaporation source that deposits a evaporation material on the
또한, 성막 장치(1)는, 기판(100)과 마스크(101)의 얼라인먼트를 행하는 얼라인먼트 장치(2)를 구비한다. 개략적으로, 얼라인먼트 장치(2)는, 제어 장치(14) 및 촬상 유닛(16)에 의해 구성되는 검지 유닛(17)(도 3 참조)에 의해 기판(100) 및 마스크(101)에 형성된 얼라인먼트 마크의 위치를 검지한다. 그리고, 얼라인먼트 장치(2)는, 이 검지 결과에 기초하여 위치 조정 유닛(20)에 의해 기판(100)과 마스크(101)의 상대위치를 조정한다.Further, the film forming apparatus 1 includes an
얼라인먼트 장치(2)는, 검지 유닛(17)을 구성하고, 기판(100) 및 마스크(101)의 얼라인먼트에 사용되는 얼라인먼트 마크를 촬상하는 촬상 유닛(16)을 포함한다. 촬상 유닛(16)은 카메라(160, 161)를 포함한다. 본 실시형태에서는, 성막 장치(1)는, 기판(100) 및 마스크(101)의 얼라인먼트로서, 러프 얼라인먼트 및 파인 얼라인먼트의 2단계의 얼라인먼트를 실행한다. 러프 얼라인먼트는 기판(100) 및 마스크(101)의 대략적인 위치 조정이며, 파인 얼라인먼트는 러프 얼라인먼트보다도 고정밀도의 기판(100) 및 마스크(101)의 위치 조정이다. 다만, 얼라인먼트의 양태는 이에 한정되지 않고, 예를 들면 성막 장치(1)는 파인 얼라인먼트만을 실행해도 된다.The
카메라(160)는 러프 얼라인먼트용의 얼라인먼트 마크를 촬상하고, 카메라(161)는 파인 얼라인먼트용의 얼라인먼트 마크를 촬상한다. 본 실시형태에서는, 검지 유닛(17)은, 카메라(160)를 2대, 카메라(161)를 4대, 각각 포함하고 있다. 이하, 2대의 카메라(160)를 구별하여 설명하는 경우에는, 카메라(1601, 1602)로 표기하는 경우가 있다. 또한, 4대의 카메라(161)를 구별하여 설명하는 경우에는, 카메라(1611∼1614)로 표기하는 경우가 있다. 또한, 이하의 설명에서는, 카메라(160)를 러프 카메라(160)로 표기하고, 카메라(161)를 파인 카메라(161)로 표기하는 경우가 있다. 한편, 카메라(160, 161)의 수는 예시이며 적절히 변경 가능하다.A
얼라인먼트 장치(2)는, 기판(100)의 주연부를 지지하는 기판 지지 유닛(6)을 구비한다. 기판 지지 유닛(6)은, 서로 X 방향으로 이격되어 설치되고, Y 방향으로 연장하는 한 쌍의 베이스부(62)와, 베이스부(62)로부터 내측으로 돌출한 복수의 핑거 형상의 재치부(61)를 구비한다. 한편, 재치부(61)는 「수취 핑거」또는 「핑거」라고도 불리는 경우가 있다. 복수의 재치부(61)는 한 쌍의 베이스부(62)의 각각에 간격을 두고 배치되어 있다. 재치부(61)에는 기판(100)의 주연부의 장변측의 부분이 재치된다. 베이스부(62)는 복수의 지주(支柱)(64)를 통해 보(梁) 부재(222)에 매달아 내려져 있다.The
본 실시형태와 같이 베이스부(62)가 X 방향으로 이격되어 한 쌍으로 기판(100)의 단변측에 베이스부(62)가 형성되지 않은 구성에 의해, 반송 로봇(302a)이 재치부(61)로 기판을 전달할 때의, 반송 로봇(302a)과 베이스부(62)의 간섭을 억제할 수 있다. 그러나, 베이스부(62)는, 기판(100)의 주연부 전체를 둘러싸도록 한 사각형 프레임 형상이어도 된다. 이에 의해, 기판(100)의 반송 및 전달의 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 베이스부(62)는, 부분적으로 절결부가 있는 사각형 프레임 형상이어도 된다. 부분적으로 절결부가 있는 사각형 프레임 형상으로 함으로써, 반송 로봇(302a)이 재치부(61)로 기판을 전달할 때의, 반송 로봇(302a)과 베이스부(62)의 간섭을 억제할 수 있어, 기판(100)의 반송 및 전달의 효율을 향상시킬 수 있다.As in the present embodiment, the
또한, 기판 지지 유닛(6)은, 클램프 유닛(63)을 구비한다. 클램프 유닛(63)은 복수의 클램프부(66)를 구비한다. 각 클램프부(66)는 각 재치부(61)에 대응하여 설치되어 있고, 클램프부(66)와 재치부(61)에 의해 기판(100)의 주연부를 사이에 두고 보유지지하는 것이 가능하다. 클램프 유닛(63)은, 예를 들면 각 클램프부(66)를 기판(100)에 대해 접근 및 이격시키기 위한 액추에이터를 포함한다. 기판(100)의 지지 양태로서는, 이와 같이 클램프부(66)와 재치부(61)에 의해 기판(100)의 주연부를 사이에 두고 보유지지하는 양태 이외에, 클램프부(66)를 설치하지 않고 재치부(61)에 기판(100)을 재치하기만 하는 양태를 채용 가능하다.In addition, the
얼라인먼트 장치(2)는, 기판 지지 유닛(6)에 의해 주연부가 지지된 기판(100)과, 마스크(101)와의 상대위치를 조정하는 위치 조정 유닛(20)을 구비한다. 위치 조정 유닛(20)은, 카메라(160, 161)에 의한 기판(100) 및 마스크(101)에 설치된 얼라인먼트용 마크의 촬상 화상 등에 기초하여 기판 지지 유닛(6)을 X-Y 평면 상에서 변위시킴으로써, 마스크(101)에 대한 기판(100)의 상대위치를 조정한다. 본 실시형태에서는, 마스크(101)의 위치를 고정하고, 기판(100)을 변위시켜 이들의 상대위치를 조정하지만, 마스크(101)를 변위시켜 조정해도 되고, 또는, 기판(100)과 마스크(101)의 쌍방을 변위시켜도 된다. 위치 조정 유닛(20)은, 예를 들면, 볼 나사 기구를 채용한 전동 액추에이터 등을 복수 포함하고, 이들에 의해 기판 지지 유닛(6)을 X―Y 방향으로 이동시키거나, Z축 둘레로 회전시키거나 하도록 구성되어도 된다.The
얼라인먼트 장치(2)는, 기판 지지 유닛(6)을 승강시킴으로써, 기판 지지 유닛(6)에 의해 주연부가 지지된 기판(100)과 마스크(101)를 기판(100)의 두께 방향(Z 방향)으로 접근 및 이격(이간)시키는 접근 이격 유닛(22)을 구비한다. 바꾸어 말하면, 접근 이격 유닛(22)은, 기판(100)과 마스크(101)를 겹치는 방향으로 접근시킬 수 있다. 접근 이격 유닛(22)은, 예를 들면, 볼 나사 기구를 채용한 전동 액추에이터 등을 포함해도 된다.The
<3. 제어 구성><3. Control Configuration>
도 3은 도 2에 나타낸 성막 장치(1)의 하드웨어의 구성예를 나타내는 도면이다. 도 3에서는, 기판(100)과 마스크(101)의 얼라인먼트에 관련되는 구성을 중심으로 나타내고 있다. 예를 들면, 성막 장치(1)는, 제조 라인을 통괄적으로 제어하는 호스트 컴퓨터인 상위 장치(300)로부터의 지시에 기초하여, 소정의 동작을 실행한다.FIG. 3 is a diagram showing an example of a hardware configuration of the film forming apparatus 1 shown in FIG. 2 . In FIG. 3, the structure related to the alignment of the
제어 장치(14)는, 처리부(141)와, 기억부(142)와, I/F부(143)(인터페이스부)를 구비하고, 이들은 서로 도시하지 않은 버스에 의해 접속되어 있다. 처리부(141)는 예를 들면 CPU이다. 처리부(141)는, 기억부(142)에 기억된 프로그램을 실행함으로써, 위치 조정 유닛(20)이나 각종 액추에이터(25)의 구동을 제어한다. 기억부(142)는, 예를 들면, RAM, ROM, 하드 디스크 등이며, 처리부(141)가 실행하는 프로그램 외에, 각종의 데이터가 저장된다. I/F부(143)는, 처리부(141)와 외부 디바이스 간의 신호의 송수신을 중계한다. I/F부(143)는, 예를 들면, 통신 I/F나 입출력 I/F로 구성된다.The
본 실시형태에서는, 전술한 바와 같이 제어 장치(14) 및 촬상 유닛(16)에 의해, 기판(100) 및 마스크(101)에 설치된 얼라인먼트용 마크의 위치를 검지하는 검지 처리를 실행 가능한 검지 유닛(17)이 구성된다. 즉, 제어 장치(14)가 촬상 유닛(16)에 의해 촬상된 촬상 화상을 사용하여 화상 인식 처리를 행함으로써, 기판(100) 및 마스크(101)에 설치된 얼라인먼트용 마크의 위치 또는 각도 등을 검지한다.In this embodiment, as described above, the detection unit ( 17) is composed. That is, the position or angle of the alignment marks provided on the
입력부(18)는 터치 패널이나 하드 키 등이며, 사용자로부터의 입력을 접수한다. 표시부(19)는, 예를 들면, 액정 디스플레이 등이며, 각종 정보를 표시한다. 또한, 각종 액추에이터(25)로서는, 전술한 승강 유닛(13), 위치 조정 유닛(20) 또는 접근 이격 유닛(22)이 갖는 액추에이터 등이 포함되어도 된다.The
<4. 기판 및 마스크><4. Substrates and Masks>
도 4의 (a)∼ (c)는 기판(100) 및 마스크(101)의 구성예를 나타내는 평면도이며, 도 4의 (a)는 마스크(101) 단독, 도 4의 (b)는 기판(100) 단독, 도 4의 (c)는 마스크(101)와 기판(100)이 겹쳐진 상태를 나타내고 있다. 한편, 도 4의 (c)에 있어서, 촬상 영역(R1∼R6)은 각각, 카메라(1611∼1614, 1601, 1602)의 촬상 영역을 나타낸다. 또한, 도 4의 (a)∼(c)에서는, 이해를 쉽게 하기 위해 각 마크를 강조해서 나타내고 있기 때문에, 기판 또는 마스크에 대한 상대적인 사이즈는 실제와 다르다.4(a) to (c) are plan views showing configuration examples of the
마스크(101)는, 원하는 패턴으로 기판(100)에 증착 재료를 증착하기 위한 것이다. 마스크(101)의 기판(100)과 겹치는 영역에는, 소정의 패턴의 개구가 형성되어 있고(도 4의 (a) 등에서는 생략), 기판(100)의 일방의 면이 마스크(101)에 덮여진 상태로 증착을 행함으로써, 개구에 따른 패턴으로 기판(100)에 증착 재료가 증착된다. 한편, 마스크(101)로서는, 프레임 형상의 마스크 프레임에 수 ㎛∼수십 ㎛ 정도의 두께의 마스크 박이 용접 고정된 구조를 갖는 마스크를 사용할 수 있다. 마스크(101)의 재질은 특별히 한정되지 않지만, 인바 재료 등의 열팽창 계수가 작은 금속을 사용하는 것이 바람직하다.The
또한, 마스크(101)에는, 러프 얼라인먼트용의 마스크 마크(1011, 1012) 및 파인 얼라인먼트용의 마스크 마크(1013∼1016)가 설치되어 있다. 마스크 마크(1011, 1012)는 각각, 마스크(101)의 단변의 중앙 부근에 설치되고, 대응하는 카메라(1601, 1602)에 의해 촬상된다. 마스크 마크(1013∼1016)는 각각, 마스크(101)의 코너 부근에 설치되고, 대응하는 카메라(1611∼1614)에 의해 촬상된다. 한편, 이하의 설명에서, 마스크 마크(1011, 1012)를 총칭해서 마스크 러프 마크(1017)라고 부르고, 마스크 마크(1013∼1016)를 총칭해서 마스크 파인 마크(1018)라고 부르는 경우가 있다. 즉, 마스크 러프 마크(1017)는 러프 카메라(160)에 의해 촬상되고, 마스크 파인 마크(1018)는 파인 카메라(161)에 의해 촬상된다.Further, the
기판(100)은, 증착 물질이 증착되는 대상이 되고, 촬상 유닛(16)에 의해 검지되는 광을 투과시키는 투과성이 있는 부재이다. 기판(100)이 반송 로봇(302a)에 의해 진공 챔버(3) 내로 반송되면, 기판(100)이 기판 지지 유닛(6)에 보유지지된 상태로, 위치 조정 유닛(20)에 의해 기판(100)과 마스크(101)의 위치 조정이 행해진다. 또한, 기판(100)은 투과성이 있기 때문에, 마스크(101)와 촬상 유닛(16)의 사이에 기판(100)이 배치되어 있어도 촬상 유닛(16)이 마스크 마크(1017, 1018)를 촬상할 수 있다.The
기판(100)에는, 러프 얼라인먼트용의 기판 마크(1001, 1002) 및 파인 얼라인먼트용의 기판 마크(1003∼1006)가 설치되어 있다. 기판 마크(1001, 1002)는 각각, 기판(100)의 단변의 중앙 부근에 설치되고, 대응하는 카메라(1601, 1602)에 의해 검지된다. 기판 마크(1003∼1006)는 각각, 기판(100)의 코너 부근에 설치되고, 대응하는 카메라(1611∼1614)에 의해 검지된다. 한편, 이하의 설명에서, 기판 마크(1001, 1002)를 총칭해서 기판 러프 마크(1007)라고 부르고, 기판 마크(1003∼1006)를 총칭해서 기판 파인 마크(1008)라고 부르는 경우가 있다. 즉, 기판 러프 마크(1007)는 러프 카메라(160)에 의해 검지되고, 기판 파인 마크(1008)는 파인 카메라(161)에 의해 검지된다.On the
본 실시형태에서는, 기판 마크(1007(1001∼1002), 1008(1003∼1006))는 각각, 위치 검지용 마크(1001a∼1002a, 1003a∼1006a)와 각도 검지용 마크(100lb∼1002b, 1003b∼1006b)에 의해 구성된다. 그러나, 이들이 일체로 된 구성이나 각 기판 마크(1007, 1008)의 위치만이 검지되는 구성도 채용 가능하다. 또는, 기판 파인 마크(1008)는 위치 검지용 마크 및 각도 검지용 마크에 의해 구성되고, 기판 러프 마크(1007)는 위치 검지용 마크에 의해서만 구성되어도 된다. 즉, 기판 마크(1007, 1008) 중 어느 일방은 위치 검지용 마크 및 각도 검지용 마크에 의해 구성되고, 타방은 위치 검지용 마크에 의해서만 구성되어도 된다.In this embodiment, the substrate marks 1007 (1001 to 1002) and 1008 (1003 to 1006) are respectively
또한, 본 실시형태에서는, 러프 얼라인먼트에 있어서는, 기판 러프 마크(1007)와 이들에 대응하는 마스크 러프 마크(1017)의 위치 관계가 소정 조건을 만족하도록 기판(100) 및 마스크(101)의 상대위치가 조정된다. 또한, 파인 얼라인먼트에 있어서는, 기판 파인 마크(1008)와 이들에 대응하는 마스크 파인 마크(1018)의 위치 관계가 소정 조건을 만족하도록 기판(100) 및 마스크(101)에 상대위치가 조정된다.In the present embodiment, in the rough alignment, the relative positions of the
<5. 얼라인먼트 공정의 개략><5. Overview of the alignment process>
도 5는 성막 장치(1)에 의한 얼라인먼트 공정의 개략을 모식적으로 나타내는 도면이다. 상태(ST1∼ST2)는 얼라인먼트 실시 전의 상태, 상태(ST3)은 러프 얼라인먼트가 실행되고 있는 상태, 상태(ST4∼ST8)은 파인 얼라인먼트가 실행되고 있는 상태를 각각 나타내고 있다.FIG. 5 is a diagram schematically illustrating an outline of an alignment process performed by the film forming apparatus 1. As shown in FIG. States ST1 to ST2 indicate a state before alignment, state ST3 a state in which a rough alignment is being executed, and states (ST4 to ST8) a state in which a fine alignment is being executed, respectively.
상태(ST1)은, 기판(100)이 반송 로봇(302a)에 의해 진공 챔버(3) 내로 반입된 상태를 나타내고 있다. 이 상태에서는, 기판(100)은 재치부(61) 상에 재치되어 있지만, 클램프부(66)는 기판(100)의 상방에 이격되어 있다. 따라서, 기판(100)은 협지되어 있지 않다. 또한, 기판(100)은 자중에 의해 중앙 부분이 처져 있다.State ST1 represents a state in which the
상태(ST2)는, 재치부(61)와 클램프부(66)에 의해 기판(100)이 협지된 상태를 나타내고 있다. 구체적으로는, 상태(ST1)로부터, 클램프 유닛(63)이 갖는 액추에이터에 의해 클램프부(66)가 하방으로 이동함으로써 재치부(61)와 클램프부(66)에 의해 기판(100)의 장변을 협지하고 있다.State ST2 represents a state in which the
상태(ST3)은, 러프 얼라인먼트가 실행되고 있는 상태를 나타내고 있다. 구체적으로는, 처리부(141)는, 러프 카메라(160)에 의해, 기판 러프 마크(1007) 및 마스크 러프 마크(1017)를 촬상하고, 그 촬상 화상에 기초하여 각 마크의 위치 및 각도를 특정한다. 그리고, 처리부(141)는, 특정한 각 마크의 위치 및 각도에 기초하여, 위치 조정 유닛(20)에 의해 기판(100)의 XY 방향의 위치 및 Z축 주위의 회전각(θ)을 조정한다. 한편, 위치 조정 유닛(20)에 의한 조정 후, 다시 러프 카메라(160)에 의해 기판 러프 마크(1007) 및 마스크 러프 마크(1017)를 촬상하고, 촬상 화상에 기초하여 특정되는 각 마크의 위치 및 각도가 조건을 만족하지 않는 경우에는 다시 위치 조정 유닛(20)에 의한 위치 조정을 행해도 된다.A state ST3 indicates a state in which the rough alignment is being executed. Specifically, the
상태(ST4) 이후는, 파인 얼라인먼트가 실행되고 있는 상태를 나타내고 있다. 상태(ST4)는, 접근 이격 유닛(22)에 의해 기판 지지 유닛(6)을 하강시켜 파인 카메라(161)에 의해 기판 파인 마크(1008) 및 마스크 파인 마크(1018)의 검지를 행하고 있는 상태를 나타내고 있다. 한편, 촬상 화상에 기초하여 특정되는 각 마크의 위치 및 각도가 조건을 만족하고 있는 경우에는 상태(ST5, ST6)을 생략해도 된다. 여기서, 얼라인먼트에 의한 위치 조정의 정밀도를 향상시키기 위해서는, 촬상 유닛(16)에 의한 각 마크의 검지 정밀도를 향상시키는 것이 요구된다. 그 때문에, 높은 정밀도에서의 위치 조정이 요구되는 파인 얼라인먼트에 있어서 사용되는 파인 카메라(161)로서는, 높은 해상도로 화상을 취득 가능한 카메라를 사용하는 것이 바람직하다. 그러나, 카메라의 해상도를 높이면 피사계 심도가 얕아지기 때문에, 촬영 대상이 되는 기판(100)에 형성되어 있는 마크와 마스크(101)에 형성되어 있는 마크를 동시에 촬영하기 위해 양쪽 마크를 파인 카메라(161)의 광축 방향에 있어서 한층 더 접근시킬 필요가 있다. 이에, 본 실시형태에서는, 파인 얼라인먼트에 있어서 기판 파인 마크(1008) 및 마스크 파인 마크(1018)를 검지할 때에, 기판(100)을, 러프 얼라인먼트에 있어서 기판 러프 마크(1007) 및 마스크 러프 마크(1017)를 검지할 때보다도 마스크(101)에 접근시킨다. 이 때, 도 5의 상태(ST4)에 나타내어지는 바와 같이, 기판(100)은 부분적으로 마스크(101)와 접촉한 상태로 되어도 된다. 기판(100)은 주연 영역이 지지되어 있기 때문에 자중에 의해 중앙부가 처진 상태가 되고, 그 때문에, 전형적으로는, 기판(100)의 중앙부가 부분적으로 마스크(101)와 접촉한 상태가 된다.After state ST4, the state in which fine alignment is being executed is shown. State ST4 is a state in which the
한편, 러프 얼라인먼트에 있어서는 도 5의 상태(ST3)에 나타내는 바와 같이 기판(100)과 마스크(101)가 이격된 상태로, 기판 러프 마크(1007) 및 마스크 러프 마크(1017)의 검지와, 기판(100) 및 마스크(101)의 위치의 조정이 행해진다. 러프 얼라인먼트에 있어서는, 비교적 피사계 심도가 깊은 러프 카메라(160)를 사용함으로써, 기판(100)과 마스크(101)가 이격된 채 얼라인먼트를 행할 수 있다. 본 실시형태에서는 이와 같이, 러프 얼라인먼트에 의해 기판(100)과 마스크(101)를 이격시킨 채 대략적으로 위치의 조정을 행하고 나서, 위치 조정의 정밀도가 보다 높은 파인 얼라인먼트를 행하도록 하고 있다. 이에 의해, 파인 얼라인먼트에 있어서 마크의 검지를 위해 기판(100)과 마스크(101)를 접근시켜 접촉시켰을 때에는, 기판(100)과 마스크(101)는 그 상대위치가 이미 어느 정도 조정되어 있기 때문에, 기판(100) 상에 형성되어 있는 막의 패턴과 마스크(101)의 개구 패턴이 어느 정도 정렬된 상태로 접촉하도록 된다. 그 때문에, 기판(100)과 마스크(101)가 접촉하는 것에 의한 기판(100) 상에 형성되어 있는 막에 대한 손상을 저감할 수 있다. 즉, 본 실시형태와 같이 기판(100)과 마스크(101)를 이격시킨 채 대략적으로 위치 조정을 행하는 러프 얼라인먼트와, 기판(100)과 마스크(101)를 부분적으로 접촉시키는 공정을 포함하는 파인 얼라인먼트를 조합시켜 실행함으로써, 기판(100) 위에 형성되어 있는 막에 대한 손상을 저감하면서 고정밀도의 위치 조정을 실현할 수 있다.On the other hand, in the rough alignment, as shown in the state ST3 of FIG. 5, the substrate
상태(ST5)는, 카메라(161)에 의한 촬상 화상에 기초하여, 기판(100)의 위치 조정을 행하고 있는 상태를 나타내고 있다. 구체적으로는, 접근 이격 유닛(22)에 의해 기판 지지 유닛(6)을 상승시켜 기판(100)을 마스크(101)로부터 이격시킨 후에, 위치 조정 유닛(20)이 기판(100)의 XY 방향의 위치 및 Z축 주위의 회전각(θ)을 조정하고 있다.A state ST5 indicates a state in which position adjustment of the
상태(ST6)은, 기판(100)을 마스크(101)에 다시 접근시켜, 기판(100)이 마스크(101)에 접촉한 상태로 카메라(161)에 의해 기판 파인 마크(1008) 및 마스크 파인 마크(1018)를 촬상하고 있는 상태를 나타내고 있다. 촬상 화상에 기초하여 특정되는 각 마크의 위치 및 각도가 조건을 만족하고 있는 경우에는 상태(ST7)로 진행하고, 조건을 만족하지 않은 경우에는 상태(ST5)로 되돌아간다.In state ST6, the
상태(ST7)은, 기판(100)을 마스크(101) 상에 재치하고, 그 위에 플레이트 유닛(9)을 겹친 상태를 나타내고 있다. 구체적으로는, 접근 이격 유닛(22)에 의해 기판 지지 유닛(6)을 하강시켜 기판(100)을 마스크(101) 상에 재치한 후, 승강 유닛(13)에 의해 냉각 플레이트(10)를 하강시켜 플레이트 유닛(9)을 기판(100)에 접촉시키고 있다.State ST7 shows a state in which the
상태(ST8)은, 카메라(161)에 의한 최종적인 위치 확인을 실행하고 있는 상태를 나타내고 있다. 상태(ST7)에서 기판(100)이 마스크(101)와 냉각 플레이트(10) 사이에 끼워진 상태로 된 후에, 클램프 유닛(63)의 액추에이터에 의해 클램프부(66)가 상방으로 이동함으로써 클램프부(66)가 기판(100)로부터 이격되고, 기판(100)의 장변의 협지 상태가 해제된다. 그 후, 접근 이격 유닛(22)에 의해 기판 지지 유닛(6)을 하강시켜, 기판(100)의 주연 영역과 접촉하고 있었던 재치부(61)를 기판(100)으로부터 이격시킨다. 이에 의해, 기판(100)은 기판 지지 유닛(6)으로부터 이격되고, 마스크(101)와 플레이트 유닛(9)에 의해 협지된 상태가 된다. 이 상태에서, 파인 카메라(161)에 의해 기판 파인 마크(1008) 및 마스크 파인 마크(1018)를 촬상하고, 이들의 위치 관계가 조건을 만족하고 있는지 여부를 확인한다. 이들의 위치 관계가 조건을 만족하고 있으면 기판(100)과 마스크(101)의 얼라인먼트를 종료하고, 조건을 만족하고 있지 않으면 상태(ST5)로 되돌아간다.A state ST8 indicates a state in which the final position confirmation by the
<6. 파인 얼라인먼트에 있어서의 위치 조정><6. Position Adjustment in Fine Alignment>
도 6은 파인 얼라인먼트 공정의 일례를 설명하는 도면이다.6 is a diagram for explaining an example of a fine alignment process.
처리부(141)는, 각 카메라(1611∼1614)의 촬상 화상에 기초하여, 마스크(101)에 설치된 복수의 마스크 마크(1013∼1016)의 위치(P1∼P4)를 취득한다. 본 실시형태에서는, 위치(P1∼P4)는 각각, 원형의 마스크 마크(1013∼1016)의 중심 위치이다. 또한, 본 실시형태에서는, 기억부(142)에는, 각 카메라(1611∼1614)의 각각의 시야 내에서의 좌표계(카메라 좌표계)와, 성막 장치(1)의 전체에 있어서의 좌표계(월드 좌표계)를 관련지은 정보가 기억되어 있다. 처리부(141)는, 각 카메라(1611∼1614)의 각각의 촬상 화상에 기초하여 각각의 카메라 좌표계에 있어서의 마스크 마크(1013∼1016)의 위치(P1∼P4)의 좌표를 산출한다. 처리부(141)는, 전술한 카메라 좌표계와 월드 좌표계를 관련짓는 정보로부터 복수의 마스크 마크(1013∼1016)의 위치(P1∼P4)의 월드 좌표계에 있어서의 좌표를 취득한다.The
또한, 처리부(141)는, 각 카메라(1611∼1614)의 촬상 화상에 기초하여, 기판(100)에 설치된 복수의 기판 마크(1003∼1006)로부터, 마스크 마크(1013∼1016)의 각각에 대응하는 목표 위치(T1∼T4)를 기판(100) 상에 설정한다. 한편, 목표 위치(T1∼T4)에 대해서도 마스크 마크(1013∼1016)의 위치(P1∼P4)와 마찬가지로, 카메라 좌표계와 월드 좌표계를 관련지은 정보에 기초하여, 월드 좌표계에 있어서의 좌표로 설정된다. 본 실시형태에서는, 십자형의 위치 검지용 마크(1003a∼1006a)의 X 방향으로 연장하는 부분으로부터, 소정 거리만큼 기판(100)의 내측의 위치에 목표 위치(T1∼T4)가 설정된다. 한편, 도 6에서는, 위치(P1)와 목표 위치(T1) 간의 거리를 거리(L1)로 나타내고 있다. 위치(P2∼P4)과 목표 위치(T2∼T4)의 사이의 각각의 거리에 대해서도 마찬가지로 거리(L2∼L4)로 나타내고 있다.In addition, the
그리고, 처리부(141)는, 복수의 마스크 마크(1013∼1016)의 위치(P1∼P4)와, 이들에 대응하는 목표 위치(T1∼T4)에 기초하여, 위치 조정 유닛(20)에 의해 기판(100)과 마스크(101)의 상대위치를 조정한다. 일례로서, 먼저, 처리부(141)는, 위치(P1∼P4)의 중심(重心)과, 목표 위치(T1∼T4)의 중심이 일치하도록 위치 조정 유닛(20)에 의해 기판(100)의 위치를 조정한다. 그 후, 처리부(141)는, 거리(L1∼L4)의 제곱 합이 최소가 되도록, 위치(P1∼P4)의 중심과 목표 위치(T1∼T4)의 중심이 일치한 상태를 유지하면서 기판(100)을 위치 조정 유닛(20)에 의해 회전시킨다. 한편, 설명한 얼라인먼트 방법은 예시이며, 다른 주지의 기술을 적용 가능하다.Then, the
<7. 얼라인먼트 마크 위치의 취득><7. Acquisition of alignment mark position>
이하, 얼라인먼트, 특히 파인 얼라인먼트에 있어서의, 얼라인먼트 마크 위치의 취득의 상세에 대해 설명한다.Hereinafter, details of acquisition of alignment mark positions in alignment, particularly fine alignment, will be described.
전술한 바와 같이, 성막 장치(1)에 의한 얼라인먼트에 있어서는, 제어 장치(14) 및 촬상 유닛(16)에 의해 구성되는 검지 유닛(17)이 각 얼라인먼트 마크의 위치를 검지한다. 본 실시형태에서는, 마스크(101)의 마스크 파인 마크(1018)의 위치의 검지를, 마스크 파인 마크(1018)에 대응하도록 준비된 모델 마크(모델 화상)를 사용한 패턴 매칭 방식에 의해 행한다. 부연하여 말하면, 마스크(101)의 마스크 파인 마크(1018)의 검출 및 위치의 특정을 정규화 상관 패턴 매칭에 의해 행한다.As described above, in alignment by the film forming apparatus 1, the
예를 들면, 처리부(141)는, 파인 카메라(161)의 촬상 화상 내에, 준비된 모델 마크와 매칭하는 영역이 존재하는지 여부를 확인하고, 존재하는 경우에는 그 영역이 어디인지에 기초하여, 마스크 파인 마크(1018)의 위치를 특정한다.For example, the
도 7의 (a)는, 마스크 파인 마크(1018)의 위치를 특정하기 위한 패턴 매칭의 양태를 설명하는 도면이다. 도 7의 (a)에서는, 카메라(1611)의 촬상 화상을 사용하는 경우의 예가 나타내어져 있다. 또한, 도 7의 (b)는, 모델 마크(40)의 일례를 나타내는 도면이다.Fig. 7(a) is a diagram for explaining an aspect of pattern matching for specifying the position of the mask
처리부(141)는, 카메라(1611)의 촬상 영역(R1) 내에서 모델 마크(40)와 동일한 사이즈를 갖는 영역(R10)의 화상 데이터(예를 들면, 화소별 휘도 데이터)와 모델 마크(40)의 데이터(예를 들면, 화소별 휘도 데이터)를 서로 비교하고, 이들 화상간의 상관관계값(correlation value)을 산출한다. 상관관계값은, 예를 들면, 모델 마크(40) 및 촬상 영역(R1) 내의 해당 영역의 전체 화소의 휘도 데이터가 일치하는 정도를 나타내는 파라미터의 값이다.The
처리부(141)는, 산출된 상관관계값이 소정의 임계값을 초과하여 충분한 상관관계를 가지고 있는 경우에는, 촬상 영역(R1) 내의 상관관계값을 산출한 영역(R10)의 위치에 모델 마크(40)에 대응하는 얼라인먼트 마크가 존재한다고 판단한다. 한편, 처리부(141)는, 산출된 상관관계값이 소정의 임계값 이하인 경우, 즉 데이터의 일치 정도가 낮은 경우에는, 촬상 영역(R1) 내의 상관관계값을 산출한 영역(R10)의 위치에 모델 마크(40)에 대응하는 얼라인먼트 마크가 존재하지 않는다고 판단한다.When the calculated correlation value exceeds a predetermined threshold and has sufficient correlation, the
처리부(141)는, 마찬가지의 처리를, 촬상 영역(R1) 내에서, 영역(R10)의 위치를 XY 평면 상에서, 예를 들면 1화소씩 이동시키면서 반복하여 행한다. 처리부(141)는, 촬상 영역(R1) 내에 모델 마크(40)와의 상관관계값이 임계값을 초과하는 영역(R10)의 위치가 존재하는 경우에는, 상관관계값이 가장 큰 영역(R10)의 위치를 마스크 파인 마크(1018)의 위치로 특정할 수 있다. 한편, 처리부(141)는, 상관관계값을 산출한 모든 위치에서 상관관계값이 임계값 이하인 경우에는, 마스크 파인 마크(1018)가 검출되지 않았다고 판단한다. 한편, 전술한 정규화 상관 패턴 매칭의 방법은 예시이며, 주지의 방법을 적절히 채용 가능하다.The
한편, 모델 마크(40)의 데이터(예를 들면, 화소별 휘도 데이터)는, 예를 들면 기억부(142)에 기억된다. 부연하여 말하면, 기억부(142)는, 카메라마다, 예를 들면 카메라(1611∼1614)에 대해 따로따로, 대응하는 모델 마크(40)의 데이터를 기억한다.On the other hand, data of the model mark 40 (for example, luminance data for each pixel) is stored in the
또한, 여기서는, 마스크(101)의 마스크 파인 마크(1018)의 위치의 검지에 대해 설명하였지만, 마찬가지의 방법에 의해, 기판(100)의 기판 파인 마크(1008)의 위치가 검지되어도 된다.Incidentally, although the detection of the position of the mask
그런데, 검지 유닛(17)이 카메라(161)의 촬상 화상의 화상 인식에 의해 기판(100) 또는 마스크(101)의 얼라인먼트용 마크의 위치의 검지를 행하는 경우, 카메라(161)의 부착 위치의 어긋남, 초점 어긋남, 그 외의 요인에 의해 검지 결과가 달라지는 경우가 있다. 검지 결과의 편차에 의해, 얼라인먼트 시간의 증가나, 얼라인먼트 정밀도의 저하 등이 생기는 경우가 있다. 이에, 본 실시형태에서는, 이하의 처리에 의해, 검지 유닛(17)에 의한 검지 정밀도의 평가를 행한다.By the way, when the
<8. 처리부(141)의 처리 예><8. Processing example of
(처리 예 1)(Processing Example 1)
도 8은 처리부(141)의 처리 예를 나타내는 플로우차트이다. 본 플로우차트는, 기판(100)과 마스크(101)의 파인 얼라인먼트(S101∼S105), 및 파인 얼라인먼트 후에 필요에 따라 검지 유닛(17)에 의한 위치 검지 정밀도의 평가(S106∼S111)를 행할 때의 처리를 나타내고 있다. 즉, 본 플로우차트는, 러프 얼라인먼트의 실행 후에 실행될 수 있다. 본 플로우차트는, 예를 들면, 처리부(141)가 기억부(142)에 기억되어 있는 프로그램을 판독하여 실행함으로써 실현된다.8 is a flowchart showing a processing example of the
스텝(S101)(이하, 각 스텝에 대해 간단히 S101 등으로 표기함)에서, 처리부(141)는 검지 유닛(17)에 의한 검지 처리를 실행한다. 검지 처리는, 검지 유닛(17)이 기판 파인 마크(1008) 및 마스크 파인 마크(1018)의 위치를 검지하는 처리이다. 처리의 일례를 서술하면, 먼저, 처리부(141)는, 카메라(161)를 제어하여 기판 파인 마크(1008) 및 마스크 파인 마크(1018)의 촬상을 실행시킨다. 다음으로, 처리부(141)는, 카메라(161)의 촬상 화상에 기초하여, 기판 파인 마크(1008) 및 마스크 파인 마크(1018)의 위치를 특정한다. 예를 들면, 처리부(141)는, <7. 얼라인먼트 마크 위치의 취득>에서 설명한 방법에 의해 기판 파인 마크(1008) 및 마스크 파인 마크(1018)의 위치를 특정한다.In step S101 (hereinafter, each step is simply referred to as S101 or the like), the
S102에서, 처리부(141)는 위치 조정 처리를 실행한다. 위치 조정 처리는, 기판(100)과 마스크(101) 간의 상대적인 위치를 조정하는 처리이다. 처리부(141)는, 예를 들면, <6. 파인 얼라인먼트에 있어서의 위치 조정>에서 설명한 방법에 의해, 위치 조정 유닛(20)을 제어하여 위치 조정 처리를 실행한다.In S102, the
S103에서, 처리부(141)는, 다시, 검지 유닛(17)에 의한 검지 처리를 실행한다. 여기서는, 검지 유닛(17)은, S102의 처리에 의해 위치 조정이 행해진 후의 기판 파인 마크(1008) 및 마스크 파인 마크(1018)의 위치를 검지한다.In S103, the
S104에서, 처리부(141)는 오차 판정 처리를 실행한다. 오차 판정 처리는, 얼라인먼트 후의 기판(100)과 마스크(101)의 위치 또는 각도의 오차가 기준값 내에 있는지 여부를 판정하는 처리이다. 예를 들면, 처리부(141)는, S103의 검지 처리의 결과에 기초하여, 기판(100) 및 마스크(101)의 중심 간의 거리 및 각도차가 기준값 이내이면, 오차가 기준값 내라고 판단해도 된다.In S104, the
S105는, S104의 판단 결과에 대한 조건 분기이다. 처리부(141)는, S104에서 오차가 기준값 내라고 판단한 경우에는 S106으로 진행하고, S104에서 오차가 기준값 내가 아니라고 판단한 경우에는 S102로 되돌아간다. 즉, 처리부(141)는, 기판(100) 및 마스크(101)의 위치 또는 각도의 오차가 기준값 내에 들어갈 때까지 S102∼S104의 스텝을 반복한다. 한편, 처리부(141)는, S102∼S104를 소정 횟수 반복하더라도 S104에서 오차가 기준값 내라고 판단되지 않는 경우에는, 얼라인먼트에 관한 에러를 작업자에게 통지해도 된다.S105 is a conditional branch for the judgment result of S104. When the
S106에서, 처리부(141)는, 검지 유닛(17)에 의한 위치 검지의 정밀도 평가의 실행 판단을 실행한다. 예를 들면, 처리부(141)는, 성막 장치(1)의 처리 상황에 따라 S108의 복수 회의 검지 처리를 실행할지 여부를 판단한다. 도 9의 (a)는 처리부(141)의 처리 예를 나타내는 플로우차트로서, 도 8의 S106의 구체적인 처리 예를 나타내고 있다.In S106, the
S161에서, 처리부(141)는, 과거의 얼라인먼트의 재실행 횟수에 관한 정보를 취득한다. 예를 들면, 처리부(141)는, 해당 정보를, 기억부(142)로부터 판독함으로써 취득한다. 본 실시형태에서는, 기억부(142)는, 얼라인먼트 동작의 이력 정보로서, 기판(100)마다, 검지 처리(S101, S103)에 있어서의 검지 결과나, 오차 판정 처리(S104)의 판정 결과를 기억하는 것으로 한다. 예를 들면, 처리부(141)는, 얼라인먼트의 재실행 횟수에 관한 정보로서, 최근의 소정 매수의 기판(100)에 대한 재실행 횟수의 평균값을, 오차 판정 처리의 판정 결과에 기초하여 취득한다.In S161, the
S162는 얼라인먼트의 재실행 횟수에 관한 조건 분기이다. 처리부(141)는, 얼라인먼트의 재실행 횟수가 조건을 만족하는 경우에는 S163으로 진행하고, 그렇지 않은 경우에는 S164로 진행한다. 여기서의 조건은 적절히 설정 가능하지만, 예를 들면 처리부(141)는, 재실행 횟수의 평균값이 임계값 이하인 경우에 재실행 횟수가 조건을 만족한다고 판단해도 된다. S163에서, 처리부(141)는, 정밀도 평가를 실행하지 않는다고 판단하고, 도 8의 플로우차트로 되돌아간다. S164에서, 처리부(141)는, 정밀도 평가를 실행한다고 판단하고, 도 8의 플로우차트로 되돌아간다.S162 is a conditional branch regarding the number of re-execution of alignment. The
얼라인먼트의 재실행 횟수의 평균값이 임계값 이하인 경우 등에는, 얼라인먼트가 일정한 정밀도로 행해지고 있다고 생각할 수 있다. 이에, 본 실시형태에서는, 얼라인먼트의 재실행 횟수가 조건을 만족하지 않는 경우에 위치 검지의 정밀도 평가를 실행한다고 판단함으로써, 얼라인먼트의 정밀도가 저하되어 있다고 생각되는 경우에 위치 검지의 정밀도 평가를 실행할 수 있다.When the average value of the number of times of re-execution of alignment is equal to or less than the threshold value, it can be considered that the alignment is being performed with constant accuracy. Accordingly, in the present embodiment, by judging that the position detection precision evaluation is executed when the number of alignment re-executions does not satisfy the condition, the position detection precision evaluation can be executed when it is considered that the alignment precision has deteriorated. .
도 8의 설명으로 되돌아간다. S107은, S106의 판단 결과에 대한 조건 분기이다. 처리부(141)는, S106에서 정밀도 평가를 실행한다고 판단한 경우에는 S108로 진행하고, 정밀도 평가를 실행하지 않는다고 판단한 경우에는 플로우차트를 종료한다.Return to the description of FIG. 8 . S107 is a conditional branch for the judgment result of S106. The
S108에서, 처리부(141)는, 기판(100) 및 마스크(101)를 정지시킨 상태로, 복수 회의 검지 처리를 실행한다. 처리부(141)는, S101 또는 S103과 마찬가지의 검지 처리를 복수 회 반복한다. 실행하는 검지 처리의 횟수는 적절히 설정 가능하지만, 예를 들면 2∼5000회이어도 되고, 2000∼4000회이어도 되고, 부연하여 말하면 3000회이어도 된다. 본 실시형태에서는, 이 복수 회의 검지 처리가, 위치 조정 유닛(20)에 의한 기판(100) 및 마스크(101)의 위치 조정 후에 행해진다.In S108, the
S109에서, 처리부(141)는, S108의 검지 처리의 결과에 대해 통계 처리를 실행한다. 예를 들면, 처리부(141)는, 기판(100) 및 마스크(101)의 중심 간의 거리의 평균값(μ), 분산(σ2) 또는 표준편차(σ) 등을 연산한다. 또한, 예를 들면, 처리부(141)는, 기판(100) 및 마스크(101)의 중심 간의 거리의 최대값 또는 최소값, 표준편차에 대한 2σ, 3σ 등의 값을 취득해도 된다.In S109, the
S110은, S109의 통계 처리에 대한 조건 분기이다. 처리부(141)는, S109의 통계 처리의 결과가 기준을 만족하는 경우에는 플로우차트를 종료하고, 기준을 만족하지 않는 경우에는 S111의 처리로 진행한다. 여기서의 기준은, 예를 들면, 기판(100) 및 마스크(101)의 중심 간의 거리의 분산(σ2), 표준편차(σ), 2σ, 3σ 등의 값에 관한 것이어도 된다. 즉, 여기서의 기준은, 기판(100) 및 마스크(101)의 중심 간의 거리의 편차에 관한 것이어도 된다.S110 is a conditional branch for statistical processing in S109. The
S111에서, 처리부(141)는, 검지 유닛(17)의 조정을 실행하기 위한 처리인 검지 유닛 조정 처리를 실행한다. S108에서는, 기판(100) 및 마스크(101)를 정지시킨 상태로 복수 회의 검지 처리를 실행하고 있다. 따라서, S110에서 통계 결과가 기준을 만족하지 않는다고 판단된 경우, 검지 유닛(17)에 의한 검지 결과의 편차가 커져 버릴 가능성이 있다. 따라서, 처리부(141)는, 검지 결과의 편차를 억제하기 위해, 검지 유닛(17)의 조정을 실행하기 위한 처리를 실행한다. 예를 들면, 처리부(141)는, 카메라(161)의 Z 방향의 위치나 초점의 조정을 작업자에게 촉구하기 위한 통지를 표시부(19)에 표시시킨다. 또한, 예를 들면, 처리부(141)는, 패턴 매칭에 사용하는 모델 마크(40)의 사이즈 조정을 실행한다. 그 후, 처리부(141)는 S108로 되돌아간다. 즉, 처리부(141)는, S109의 통계 처리의 결과가 기준을 만족할 때까지, 복수 회의 검지 처리와 통계 처리를 반복한다. 한편, 처리부(141)는, 소정 횟수 이들을 반복해도 통계 결과가 기준을 만족하지 않는 경우에는, 작업자에 대해 에러의 통지를 행해도 된다.In S111, the
본 처리 예에 의하면, 복수 회의 검지 처리의 결과에 대해 통계 처리를 실행하므로, 검지 유닛(17)에 의한 검지 정밀도를 평가할 수 있다. 또한, 이 통계 결과에 따라 검지 유닛(17)의 조정을 행하므로, 검지 유닛(17)의 위치의 검지 정밀도의 저하에 기인하는 얼라인먼트 정밀도의 저하를 억제할 수 있다.According to this processing example, since statistical processing is performed on the result of multiple times of detection processing, the detection accuracy by the
한편, 본 처리 예에서는, 과거의 얼라인먼트의 재실행 횟수에 기초하여, 검지 유닛(17)의 위치 검지 정밀도의 평가를 행할지 여부를 판단하고 있지만, 과거의 얼라인먼트의 소요 시간에 기초하여, 해당 평가를 행할지 여부가 판단되어도 된다. 또는, 도 1에서 나타내는 바와 같이 제조 라인에 성막 장치(1)를 갖는 성막실(303)이 복수 배치되는 경우에는, 다른 성막 장치(1)에 있어서의 얼라인먼트의 재실행 횟수 또는 소요 시간과의 비교에 기초하여, 해당 평가를 행할지 여부가 판단되어도 된다. 예를 들면, 제어 장치(14)는, 다른 제어 장치(14)로부터 얼라인먼트의 재실행 횟수에 관한 정보를 취득한다. 그리고, 제어 장치(14)의 처리부(141)는, 최근의 소정 매수의 기판(100)에 대한 얼라인먼트의 평균 재실행 횟수가, 다른 성막 장치(1)의 평균 재실행 횟수의 평균값과 비교해서 일정 비율 이상 큰 경우(예를 들면, 2배 이상)에는, 해당 평가를 행한다고 판단해도 된다.On the other hand, in this example of processing, it is determined whether or not to evaluate the position detection accuracy of the
또한, 본 처리 예에서는, S110의 조건 분기에서 Yes라고 판단된 경우에는 플로우차트를 종료한다. 그러나, S111의 스텝을 거치지 않고 S110의 조건 분기에서 Yes라고 판단되어 플로우차트가 종료된 경우, S106에서 정밀도 평가를 실행한다고 판단되었지만 S109의 통계 처리는 기준을 만족하게 된다. 즉, 이러한 경우에는, 검지 유닛(17) 이외의 요인에 의해 얼라인먼트의 정밀도가 저하되어 있을 가능성이 있다. 이에, 처리부(141)는, 검지 유닛(17) 이외의 요인에 의해 얼라인먼트의 정밀도가 저하되어 있을 가능성이 있다는 취지의 통지를 표시부(19)에 표시해도 된다.In addition, in this processing example, when it is judged to be Yes in the conditional branch of S110, the flowchart ends. However, if Yes is determined in the conditional branch of S110 without going through the step of S111 and the flowchart ends, it is determined that precision evaluation is executed in S106, but the statistical processing in S109 satisfies the standard. That is, in such a case, there is a possibility that the accuracy of the alignment is lowered due to factors other than the
(처리 예 2)(Processing Example 2)
도 9의 (b)는 처리부(141)의 처리 예를 나타내는 플로우차트이다. 본 플로우차트는, 도 8의 S106의 구체적인 처리 예를 나타내고 있다. 전자 디바이스의 제조에 있어서는, 1매의 마스크(101)를 사용하여, 복수 매(1로트분)의 기판(100)에 대한 성막을 행하는 경우가 있다. 본 실시형태와 같이 위치 조정 유닛(20)이 기판(100)을 변위시켜 기판(100) 및 마스크(101)의 위치 조정을 행하는 경우, 동일한 마스크(101)를 사용하고 있는 동안에는 카메라(161)와 마스크(101)의 거리는 일정하게 유지된다. 그러나, 마스크(101)의 교환이 행해지면, 카메라(161)와 마스크(101)의 거리가 변화하여, 그것이 검지 유닛(17)에 의한 위치의 검지 정밀도에 영향을 미치는 경우가 있다. 이에, 본 처리 예에서는, 전자 디바이스의 제조 과정에서 마스크(101)가 교환된 경우에 검지 유닛(17)의 위치의 검지 정밀도의 평가를 행한다.9(b) is a flowchart showing a processing example of the
S261에서, 처리부(141)는, S101∼S105에서 얼라인먼트를 행한 기판(100)에 관한 정보를 취득한다. 예를 들면, 처리부(141)는, S101∼S105의 스텝에서 얼라인먼트가 행하여진 기판(100)에 대한 정보를, 처리부(141)로부터 판독함으로써 기억한다. 본 실시형태에서는, 기억부(142)는, 기판(100)에 관한 정보로서, 기판(100)의 식별 정보 및 속성 정보를 연관시켜 기억하는 것으로 한다. 속성 정보에는, 대상의 기판(100)이 제조용 기판(100)인지 테스트용 기판(100)인지의 정보, 또는 대상의 기판(100)이 동일 로트 내에서 몇 번째로 성막 장치(1)에 반입된 것인지에 대한 정보 등이 포함되어도 된다.In S261, the
S262는, 기판(100)의 속성에 관한 조건 분기이다. 처리부(141)는, S261에서 정보를 취득한 기판(100)이 정밀도 평가의 대상 기판인 경우에는 S263으로 진행하고, 그렇지 않은 경우에는 S264로 진행한다. 여기서, 정밀도 평가의 대상 기판은 적절히 설정 가능하지만, 예를 들면, 마스크(101)의 교환 후에 성막의 성과를 평가하기 위한 성막 평가용의 테스트 기판이어도 된다. 또한, 예를 들면, 정밀도 평가의 대상 기판은, 성막 평가용의 테스트 기판 이후에 검지 유닛(17)의 위치의 검지 정밀도의 평가용으로 반입되는 검지 정밀도 평가용의 테스트 기판이어도 된다. 또한, 예를 들면, 정밀도 평가의 대상 기판은, 동일 로트 내에서 최초로 성막 장치(1)에 반입되는 제조용 기판(100)이어도 된다. S263에서, 처리부(141)는, 정밀도 평가를 실행하지 않는다고 판단하고, 도 8의 플로우차트로 되돌아간다. S264에서, 처리부(141)는, 정밀도 평가를 실행한다고 판단하고, 도 8의 플로우차트로 되돌아간다.S262 is a conditional branch related to the properties of the
본 처리 예에 의하면, 마스크(101)가 교환된 경우에 검지 유닛(17)에 의한 위치의 검지 정밀도의 평가가 실행되게 되므로, 마스크 교환에 의해 카메라(161)와 마스크(101)의 거리가 변화하여 버린 것에 의한 검지 정밀도의 저하 등을 평가할 수 있다.According to this processing example, when the
한편, 전술한 바와 같이 정밀도 평가의 대상 기판은 적절히 설정 가능하지만, 성막 평가용의 테스트 기판 이후에 성막 장치(1)에 반입되는 검지 정밀도 평가용의 테스트 기판을 대상 기판으로 함으로써, 성막의 평가 중에 위치 검지 정밀도의 평가를 실행할 수 있다. 이에 의해, 전자 디바이스의 생산성에 영향을 미치지 않고 검지 유닛(17)의 평가를 실행할 수 있다.On the other hand, as described above, although the target substrate for precision evaluation can be set appropriately, by using the test substrate for detection accuracy evaluation carried into the film deposition apparatus 1 after the test substrate for film formation evaluation as the target substrate, during film formation evaluation. Position detection accuracy can be evaluated. This makes it possible to evaluate the
한편, 성막 평가용의 테스트 기판 또는 동일 로트 내에서 최초로 성막 장치(1)에 반입되는 제조용의 기판(100)을 대상 기판으로 함으로써, 검지 유닛(17)의 위치의 검지 정밀도의 평가에 사용하는 전용 기판(100)이 불필요하게 된다. 따라서, 제조 비용의 증가를 억제할 수 있다.On the other hand, by using a test substrate for film formation evaluation or a
(처리 예 3)(Processing Example 3)
도 10은 처리부(141)의 처리 예를 나타내는 플로우차트이다. 본 플로우차트는, 검지 유닛(17)에 의한 위치 검지 정밀도의 평가를 카메라(161)마다 행하는 경우의 처리 예를 나타내고 있다. 이하, 도 8의 플로우차트와 마찬가지의 스텝에 대해서는 마찬가지의 부호를 붙여 설명을 생략한다.10 is a flowchart showing a processing example of the
도 4의 촬상 영역(R1∼R4)에서 나타내어지는 바와 같이, 각 카메라(1611∼1614)는 각각, 서로 대응하는 기판 파인 마크(1008) 및 마스크 파인 마크(1018)의 세트를 촬상한다. 본 처리 예에서는, 이러한 세트마다, 검지 유닛(17)에 의한 위치의 검지 처리의 결과에 대한 통계 처리가 실행된다.As shown by imaging regions R1 to R4 in FIG. 4 , the respective cameras 1611 to 1614 respectively capture a set of substrate
S101∼S108은 도 8의 플로우차트와 마찬가지이다.Steps S101 to S108 are the same as those of the flowchart in FIG. 8 .
S309에서, 처리부(141)는, 각 카메라(1611∼1614)에 대하여, S108의 복수 회의 검지 처리의 결과에 대한 통계 처리를 실행한다. 예를 들면, 처리부(141)는, 각 카메라(1611∼1614)에 대하여, 거리(L1∼L4)(도 4 참조)의 평균값(μ), 분산(σ2) 또는 표준편차(σ) 등을 연산한다. 또한, 예를 들면, 처리부(141)는, 거리(L1∼L4)의 최대값 또는 최소값, 표준편차에 대한 2σ, 3σ 등의 값을 취득해도 된다.In S309, the
S310은 S309의 통계 처리에 대한 조건 분기이다. 처리부(141)는 S109의 통계 처리의 결과, 모든 카메라(1611∼1614)가 기준을 만족하는 경우에는 플로우차트를 종료하고, 기준을 만족하지 않는 경우에는 S312의 처리로 진행한다. 여기서의 기준은, 예를 들면, 거리(L1∼L4)의 분산(σ2), 표준편차(σ), 2σ, 3σ 등의 값에 관한 것이어도 된다. 즉, 여기서의 기준은, 거리(L1∼L4)의 편차에 관한 것이어도 된다.S310 is a conditional branch for statistical processing in S309. As a result of the statistical processing in S109, the
S312도, S309의 통계 처리에 대한 조건 분기이다. 처리부(141)는, S109의 통계 처리의 결과, 소정 수의 카메라(161)가 기준을 만족하는 경우에는 S313으로 진행하고, 그렇지 않은 경우에는 S311로 진행한다. 예를 들면, 처리부(141)는, 4개 설치되어 있는 카메라(1611∼1614) 중 3개가 기준을 만족하는 경우에는 S313으로 진행해도 된다.S312 is also a conditional branch for statistical processing in S309. As a result of the statistical processing in S109, the
S313에서, 처리부(141)는, 얼라인먼트에서 사용하는 카메라(161)를 변경한다. 예를 들면, S312에 있어서 3개의 카메라(161)가 기준을 만족한다고 판단된 경우, 처리부(141)는, 얼라인먼트에서 사용하는 카메라(161)를, 4개의 카메라(1611∼1614)로부터 기준을 만족한다고 판단된 3개의 카메라(161)로 변경한다. 그 후, 처리부(141)는 플로우차트를 종료한다.In S313, the
예를 들면, 얼라인먼트에서 사용하는 카메라(161)가, 카메라(1611∼1614)로부터 카메라(1611∼1613)로 변경된 경우, 처리부(141)는, 위치(P1∼P3)의 중심과 목표 위치(T1∼T3)의 중심이 일치하도록 기판(100) 및 마스크(101)의 위치가 조정되어도 된다. 그리고, 처리부(141)는, 거리(L1∼L3)의 제곱 합이 최소가 되도록, 위치(P1∼P3)의 중심과 목표 위치(T1∼T3)의 중심이 일치한 상태를 유지하면서, 위치 조정 유닛(20)에 의해 기판(100)을 회전시켜도 된다. 한편, 설명한 방법은 예시이며, 다른 공지의 기술을 적용 가능하다.For example, when the
S311에서, 처리부(141)는, 검지 유닛(17)의 조정을 실행하기 위한 처리인 검지 유닛 조정 처리를 실행한다. 본 처리 예에서는, 처리부(141)는, 카메라(1611∼1614) 중, S312에서 기준을 만족하지 않는다고 판단된 카메라(161)의 조정을 촉구하는 통지를 표시부(19)에 표시시킨다. 그 후, 처리부(141)는 플로우차트를 종료한다.In S311, the
본 처리 예에 의하면, 각 카메라(1611∼1614)에 대하여, 검지 처리의 결과에 대해 통계 처리를 실행하므로, 검지 유닛(17)에 의한 검지 정밀도가 저하되어 있을 가능성이 있는 경우에, 그것이 어느 카메라(161)에 기인하는 것인지를 파악할 수 있다. 또한, 본 처리 예에서는, 검지 유닛(17)에 의한 검지 정밀도의 평가 후의 얼라인먼트를, S312에서 기준을 만족한다고 판단된 카메라(161)에 기초하여 실행한다. 따라서, 기준을 만족하지 않는 카메라(161)가 존재하는 경우라 하더라도, 그 카메라(161)에 의한 정밀도 저하의 가능성을 배제하여 얼라인먼트를 실행할 수 있다.According to this processing example, since statistical processing is executed on the result of the detection processing for each of the cameras 1611 to 1614, if there is a possibility that the detection accuracy by the
한편, 본 처리 예에서는, 각 카메라(1611∼1614)에 대하여, 거리(L1∼L4)에 대한 통계 처리가 행해지고 있지만, 통계 처리의 대상이 되는 항목은 한정되지 않는다. 예를 들면, 처리부(141)는, 각 카메라(1611∼1614)에 대하여, 기판 파인 마크(1008) 또는 마스크 파인 마크(1018)의 인식률을 연산해도 된다. 이 경우, S310에 있어서의 기준은, 각 마크의 인식률이 임계값 이상인지 여부이어도 된다. 또는, 위치(P1∼P4) 및 목표 위치(T1∼T4)(도 6 참조)의 좌표가 통계 처리의 대상이 되어도 된다.On the other hand, in this processing example, statistical processing is performed for the distances L1 to L4 for each of the cameras 1611 to 1614, but the items to be subjected to the statistical processing are not limited. For example, the
한편, 각 처리 예에서 설명한 처리는 적절히 조합 가능하다. 예를 들면, 기판(100) 및 마스크(101)의 중심 간의 거리 및 거리(L1∼L4)의 통계 처리의 결과 중 적어도 어느 하나가 기준을 만족하지 않는 경우에 검지 유닛 조정 처리를 실행해도 된다. 또는, S106의 정밀도 평가의 실행 판단으로서, 도 9의 (a) 및 도 9의 (b)에서 나타내는 플로우차트를 직렬 또는 병렬적으로 실행하고, 어느 하나의 플로우차트에서 정밀도 평가를 실행한다고 판단된 경우에, 정밀도 평가를 실행해도 된다. 즉, 마스크(101)가 교환된 타이밍에서는 검지 유닛(17)의 정밀도 평가를 매회 실행하면서, 동일 로트 내에서 얼라인먼트의 재실행 횟수가 증가되어 온 경우에 재차 검지 유닛(17)의 정밀도 평가가 실행되어도 된다.On the other hand, the processing described in each processing example can be combined appropriately. For example, the detection unit adjustment processing may be executed when at least one of the results of statistical processing of the distance between the center of the
<9. 전자 디바이스의 제조 방법><9. Manufacturing Method of Electronic Device>
다음으로, 전자 디바이스의 제조 방법의 일례를 설명한다. 이하, 전자 디바이스의 예로서 유기 EL 표시 장치의 구성 및 제조 방법을 예시한다. 이 예의 경우, 도 1에 예시한 성막 블록(301)이, 제조 라인 상에, 예를 들면, 3군데, 설치된다.Next, an example of a manufacturing method of an electronic device is described. Hereinafter, the configuration and manufacturing method of an organic EL display device as an example of an electronic device will be illustrated. In the case of this example, the
먼저, 제조하는 유기 EL 표시 장치에 대해 설명한다. 도 11의 (a)는 유기 EL 표시 장치(50)의 전체 도면, 도 11의 (b)는 1화소의 단면 구조를 나타내는 도면이다.First, an organic EL display device to be manufactured will be described. Fig. 11(a) is an overall diagram of the organic
도 11의 (a)에 나타낸 바와 같이, 유기 EL 표시 장치(50)의 표시 영역(51)에는, 발광 소자를 복수 구비하는 화소(52)가 매트릭스 형상으로 복수 개 배치되어 있다. 상세한 것은 나중에 설명하지만, 발광 소자의 각각은, 한 쌍의 전극 사이에 끼워진 유기층을 구비한 구조를 가지고 있다.As shown in (a) of FIG. 11 , in the
한편, 여기서 말하는 화소란, 표시 영역(51)에 있어서 원하는 색의 표시를 가능하게 하는 최소 단위를 지칭한다. 컬러 유기 EL 표시 장치의 경우, 서로 다른 발광을 나타내는 제1 발광 소자(52R), 제2 발광 소자(52G), 및 제3 발광 소자(52B)의 복수의 부화소의 조합에 의해 화소(52)가 구성되어 있다. 화소(52)는, 적색(R) 발광 소자와 녹색(G) 발광 소자와 청색(B) 발광 소자의 3종류의 부화소의 조합으로 구성되는 경우가 많지만, 이에 한정되지 않는다. 화소(52)는 적어도 1종류의 부화소를 포함하면 되고, 2종류 이상의 부화소를 포함하는 것이 바람직하고, 3종류 이상의 부화소를 포함하는 것이 보다 바람직하다. 화소(52)를 구성하는 부화소로서는, 예를 들면, 적색(R) 발광 소자와 녹색(G) 발광 소자와 청색(B) 발광 소자와 황색(Y) 발광 소자의 4종류의 부화소의 조합이어도 된다.On the other hand, the term "pixel" as used herein refers to a minimum unit capable of displaying a desired color in the
도 11의 (b)는, 도 11의 (a)의 A-B 선에 있어서의 부분 단면 모식도이다. 화소(52)는, 기판(100) 상에 제1 전극(양극)(54)과, 정공 수송층(55)과, 적색층(56R)·녹색층(56G)·청색층(56B) 중 어느 하나와, 전자 수송층(57)과, 제2 전극(음극)(58)을 구비하는 유기 EL 소자로 구성되는 복수의 부화소를 가지고 있다. 이들 중 정공 수송층(55), 적색층(56R), 녹색층(56G), 청색층(56B), 전자 수송층(57)이 유기층에 해당한다. 적색층(56R), 녹색층(56G), 청색층(56B)은, 각각 적색, 녹색, 청색을 발하는 발광 소자(유기 EL 소자라고 기술하는 경우도 있음)에 대응하는 패턴으로 형성되어 있다.Fig. 11(b) is a partial cross-sectional schematic view along the line A-B of Fig. 11(a). The
또한, 제1 전극(54)은, 발광 소자마다 분리해서 형성되어 있다. 정공 수송층(55)과 전자 수송층(57)과 제2 전극(58)은, 복수의 발광 소자(52R, 52G, 52B)에 걸쳐 공통으로 형성되어 있어도 되고, 발광 소자마다 형성되어 있어도 된다. 즉, 도 11의 (b)에 나타낸 바와 같이, 정공 수송층(55)이 복수의 부화소 영역에 걸쳐 공통 층으로서 형성된 후에 적색층(56R), 녹색층(56G), 청색층(56B)이 부화소 영역마다 분리해서 형성되고, 나아가 그 위에 전자 수송층(57)과 제2 전극(58)이 복수의 부화소 영역에 걸쳐 공통 층으로서 형성되어 있어도 된다.In addition, the
한편, 근접한 제1 전극(54) 사이에서의 쇼트를 방지하기 위해, 제1 전극(54) 사이에 절연층(59)이 설치되어 있다. 나아가, 유기 EL 층은 수분이나 산소에 의해 열화되기 때문에, 수분이나 산소로부터 유기 EL 소자를 보호하기 위한 보호층(60)이 설치되어 있다.Meanwhile, in order to prevent a short circuit between adjacent
도 11의 (b)에서는 정공 수송층(55)이나 전자 수송층(57)이 하나의 층으로 나타내어져 있지만, 유기 EL 표시 소자의 구조에 따라, 정공 블록층이나 전자 블록층을 갖는 복수의 층으로 형성되어도 된다. 또한, 제1 전극(54)과 정공 수송층(55)의 사이에는 제1 전극(54)으로부터 정공 수송층(55)으로의 정공의 주입이 원활하게 행해지도록 하는 것이 가능한 에너지 밴드 구조를 갖는 정공 주입층을 형성해도 된다. 마찬가지로, 제2 전극(58)과 전자 수송층(57)의 사이에도 전자 주입층을 형성해도 된다.In (b) of FIG. 11, the hole transport layer 55 and the
적색층(56R), 녹색층(56G), 청색층(56B)의 각각은, 단일 발광층으로 형성되어 있어도 되고, 복수의 층을 적층함으로써 형성되어 있어도 된다. 예를 들면, 적색층(56R)을 2층으로 구성하고, 상측의 층을 적색의 발광층으로 형성하고, 하측의 층을 정공 수송층 또는 전자 블록층으로 형성해도 된다. 또는, 하측의 층을 적색의 발광층으로 형성하고, 상측의 층을 전자 수송층 또는 정공 블록층으로 형성해도 된다. 이와 같이 발광층의 하측 또는 상측에 층을 설치함으로써, 발광층에 있어서의 발광 위치를 조정하고, 광로 길이를 조정함으로써, 발광 소자의 색 순도를 향상시키는 효과가 있다.Each of the
한편, 여기서는 적색층(56R)의 예를 나타냈지만, 녹색층(56G)이나 청색층(56B)에서도 마찬가지의 구조를 채용해도 된다. 또한, 적층 수는 2층 이상이어도 된다. 나아가, 발광층과 전자 블록층과 같이 상이한 재료의 층이 적층되어도 되고, 예를 들면 발광층을 2층 이상 적층하는 등, 동일한 재료의 층이 적층되어도 된다.In addition, although the example of the
다음으로, 유기 EL 표시 장치의 제조 방법의 예에 대해 구체적으로 설명한다. 여기서는, 적색층(56R)이 하측 층(56R1)과 상측 층(56R2)의 2층으로 이루어지고, 녹색층(56G)과 청색층(56B)은 단일의 발광층으로 이루어지는 경우를 상정한다.Next, an example of a method for manufacturing an organic EL display device will be described in detail. Here, it is assumed that the
먼저, 유기 EL 표시 장치를 구동하기 위한 회로(도시하지 않음) 및 제1 전극(54)이 형성된 기판(100)을 준비한다. 한편, 기판(100)의 재질은 특별히 한정되지 않고, 유리, 플라스틱, 금속 등으로 구성할 수 있다. 본 실시형태에서는, 기판(100)으로서, 유리 기판 상에 폴리이미드 필름이 적층된 기판을 사용한다.First, a circuit (not shown) for driving an organic EL display device and a
제1 전극(54)이 형성된 기판(100) 위에 아크릴 또는 폴리이미드 등의 수지층을 바 코트나 스핀 코트로 코팅하고, 수지층을 리소그래피법에 의해, 제1 전극(54)이 형성된 부분에 개구가 형성되도록 패터닝하여 절연층(59)을 형성한다. 이 개구부가, 발광 소자가 실제로 발광하는 발광 영역에 상당한다. 한편, 본 실시형태에서는, 절연층(59)의 형성까지는 대형 기판에 대해 처리가 행해지고, 절연층(59)의 형성 이후에, 기판(100)을 분할하는 분할 공정이 실행된다.On the
절연층(59)이 패터닝된 기판(100)을 제1 성막실(303)에 반입하고, 정공 수송층(55)을, 표시 영역의 제1 전극(54) 위에 공통 층으로서 성막한다. 정공 수송층(55)은, 최종적으로 각각의 유기 EL 표시 장치의 패널 부분이 되는 표시 영역(51)마다 개구가 형성된 마스크를 사용하여 성막된다.The
다음으로, 정공 수송층(55)까지 형성된 기판(100)을 제2 성막실(303)에 반입한다. 기판(100)과 마스크의 얼라인먼트를 행하고, 기판을 마스크 위에 재치하고, 정공 수송층(55) 위의, 기판(100)의 적색을 발하는 소자를 배치하는 부분(적색의 부화소를 형성하는 영역)에, 적색층(56R)을 성막한다. 여기서, 제2 성막실에서 사용하는 마스크는, 유기 EL 표시 장치의 부화소가 되는 기판(100) 상에 있어서의 복수의 영역 중, 적색의 부화소가 되는 복수의 영역에만 개구가 형성된 매우 세밀한(고정세) 마스크이다. 이에 의해, 적색 발광층을 포함하는 적색층(56R)은, 기판(100) 상의 복수의 부화소가 되는 영역 중 적색의 부화소가 되는 영역에만 성막된다. 다르게 말하면, 적색층(56R)은, 기판(100) 상의 복수의 부화소가 되는 영역 중 청색 부화소가 되는 영역이나 녹색의 부화소가 되는 영역에는 성막되지 않고, 적색의 부화소가 되는 영역에 선택적으로 성막된다.Next, the
적색층(56R)의 성막과 마찬가지로, 제3 성막실(303)에 있어서 녹색층(56G)을 성막하고, 나아가 제4 성막실(303)에 있어서 청색층(56B)을 성막한다. 적색층(56R), 녹색층(56G), 청색층(56B)의 성막이 완료된 후, 제5 성막실(303)에 있어서 표시 영역(51)의 전체에 전자 수송층(57)을 성막한다. 전자 수송층(57)은 3색의 층(56R, 56G, 56B)에 공통 층으로서 형성된다.Similarly to the film formation of the
전자 수송층(57)까지 형성된 기판을 제6 성막실(303)로 이동시키고, 제2 전극(58)을 성막한다. 본 실시형태에서는, 제1 성막실(303)∼제6 성막실(303)에서는 진공 증착에 의해 각 층의 성막을 행한다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 예를 들면 제6 성막실(303)에 있어서의 제2 전극(58)의 성막은 스퍼터에 의해 성막하도록 해도 된다. 그 후, 제2 전극(58)까지 형성된 기판을 봉지 장치로 이동시켜 플라즈마 CVD에 의해 보호층(60)을 성막하여(봉지 공정), 유기 EL 표시 장치(50)가 완성된다. 한편, 여기서는 보호층(60)을 CVD법에 의해 형성하는 것으로 하였지만, 이에 한정되지 않고, ALD법이나 잉크젯법에 의해 형성해도 된다.The substrate formed up to the
여기서, 제1 성막실(303)∼제6 성막실(303)에서의 성막은, 형성되는 각각의 층의 패턴에 대응한 개구가 형성된 마스크를 사용하여 성막된다. 성막 시에는, 기판(100)과 마스크의 상대적인 위치 조정(얼라인먼트)을 행한 후에, 마스크 위에 기판(100)을 재치하여 성막이 행해진다. 여기서, 각 성막실에 있어서 행해지는 얼라인먼트 공정은, 전술한 얼라인먼트 공정과 같이 행해진다.Here, film formation in the first film formation chamber 303 to the sixth film formation chamber 303 is performed using a mask having openings corresponding to patterns of respective layers to be formed. In film formation, after adjusting (aligning) the relative positions of the
<10. 그 밖의 실시형태><10. Other Embodiments>
상기 실시형태에서는, 기판(100)과 마스크(101)의 파인 얼라인먼트 후에 검지 유닛(17)에 의한 위치 검지 정밀도의 평가를 실행하고 있지만, 다른 구성도 채용 가능하다. 구체적으로는, 촬상 영역(R1∼R4)에, 파인 얼라인먼트용의 기판 마크(1003∼1006) 및 파인 얼라인먼트용의 마스크 마크(1013∼1016)가 각각 위치하고 있으면, 전술한 복수 회의 검지 처리(S108) 및 통계 처리(S109)를 실행 가능하다. 따라서, 처리부(141)는, 러프 얼라인먼트 전 또는 러프 얼라인먼트와 파인 얼라인먼트의 사이 등에 검지 유닛(17)에 의한 위치 검지 정밀도의 평가를 실행해도 된다.In the above embodiment, the position detection accuracy is evaluated by the
본 발명은, 전술한 실시형태의 하나 이상의 기능을 실현하는 프로그램을, 네트워크 또는 기억 매체를 통해 시스템 또는 장치에 공급하고, 그 시스템 또는 장치의 컴퓨터에 있어서의 하나 이상의 프로세서가 프로그램을 판독하여 실행하는 처리에 의해서도 실현 가능하다. 또한, 하나 이상의 기능을 실현하는 회로(예를 들면, ASIC)에 의해서도 실현 가능하다.According to the present invention, a program for realizing one or more functions of the above-described embodiments is supplied to a system or device via a network or a storage medium, and one or more processors in a computer of the system or device reads and executes the program. It can also be realized by processing. It can also be realized by a circuit (eg ASIC) that realizes one or more functions.
발명은 상기 실시형태에 제한되는 것이 아니고, 발명의 요지의 범위 내에서, 다양한 변형 및 변경이 가능하다.The invention is not limited to the above embodiment, and various modifications and changes are possible within the scope of the gist of the invention.
1: 성막 장치
2: 얼라인먼트 장치
14: 제어 장치
17: 검지 유닛
20: 위치 조정 유닛
141: 처리부1: Tabernacle device
2: alignment device
14: control device
17: detection unit
20: position adjustment unit
141: processing unit
Claims (19)
상기 검지 수단에 의한 상기 검지 처리의 결과에 기초하여, 상기 기판 및 상기 마스크의 상대적인 위치 조정을 실행하는 위치 조정 수단과,
상기 기판 및 상기 마스크를 정지시킨 상태로 상기 검지 수단에 의해 실행된 복수 회의 상기 검지 처리의 결과에 대해 통계 처리를 실행하는 연산 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.detection means for executing a detection process for detecting the position of the substrate mark provided on the substrate and the position of the mask mark provided on the mask;
Position adjusting means for adjusting the relative positions of the substrate and the mask based on a result of the detection process by the detection means;
and calculation means for executing statistical processing on results of a plurality of times of the detection processing executed by the detection means in a state where the substrate and the mask are stopped.
상기 결과는, 상기 위치 조정 수단에 의한 상기 위치 조정 후에 상기 검지 수단에 의해 실행된 상기 복수 회의 상기 검지 처리의 결과인 것을 특징으로 하는 성막 장치.According to claim 1,
The film forming apparatus according to claim 1, wherein the result is a result of the plurality of times of the detection processing executed by the detection means after the position adjustment by the position adjustment means.
상기 성막 장치의 처리 상황에 따라 상기 복수 회의 상기 검지 처리를 실행할지 여부를 판단하는 판단 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.According to claim 1 or 2,
The film forming apparatus further comprising judgment means for determining whether to execute the plurality of times of the detection processing according to processing conditions of the film forming apparatus.
상기 검지 수단 및 상기 위치 조정 수단에 의한 얼라인먼트의 재실행 횟수에 관한 정보에 따라, 상기 복수 회의 상기 검지 처리를 실행할지 여부를 판단하는 판단 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.According to claim 1 or 2,
The film forming apparatus according to claim 1, further comprising judgment means for judging whether or not to execute the detection processing a plurality of times based on the information on the number of times of re-execution of alignment by the detection means and the position adjusting means.
상기 성막 장치는, 1매의 상기 마스크를 사용하여 복수 매의 상기 기판에 대해 성막을 행하고,
상기 성막 장치는, 상기 마스크가 교환된 경우에 상기 복수 회의 상기 검지 처리를 실행한다고 판단하는 판단 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.According to claim 1 or 2,
The film forming apparatus performs film formation on a plurality of substrates using one mask;
The film forming apparatus further includes determining means for judging that the plurality of times of the detection processing is executed when the mask is exchanged.
상기 성막 장치는, 상기 마스크의 교환 후에 상기 성막 장치에 반입된 테스트용의 상기 기판에 대해 성막을 실행하고, 상기 테스트용의 상기 기판의 성막 결과의 평가를 행하고,
상기 성막 장치는, 상기 테스트용의 상기 기판의 다음에 상기 성막 장치에 반입된 상기 기판에 대해, 상기 복수 회의 상기 검지 처리를 실행한다고 판단하는 판단 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.According to claim 1 or 2,
the film formation apparatus performs film formation on the substrate for test carried into the film formation apparatus after exchanging the mask, and evaluates a result of film formation on the substrate for test;
The film forming apparatus further includes judgment means for judging that the plurality of times of the detection processing is executed with respect to the substrate carried into the film forming apparatus next to the substrate for the test.
상기 연산 수단에 의한 상기 통계 처리의 결과에 기초하여, 상기 검지 수단의 조정을 실행하는 조정 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.According to claim 1 or 2,
The film forming apparatus according to claim 1, further comprising adjusting means for performing adjustment of the detection means based on a result of the statistical processing by the calculating means.
상기 검지 수단은, 상기 기판 마크 및 상기 마스크 마크를 촬상하는 촬상 수단을 포함하고,
상기 조정은 상기 촬상 수단의 위치의 조정인 것을 특징으로 하는 성막 장치.According to claim 7,
The detecting means includes imaging means for capturing images of the substrate mark and the mask mark;
The film forming apparatus according to claim 1, wherein the adjustment is an adjustment of the position of the imaging means.
상기 검지 수단은, 상기 기판 마크 및 상기 마스크 마크를 촬상하는 촬상 수단을 포함하고,
상기 조정은 상기 촬상 수단의 초점의 조정인 것을 특징으로 하는 성막 장치.According to claim 7,
The detecting means includes imaging means for capturing images of the substrate mark and the mask mark;
The film forming apparatus according to claim 1, wherein the adjustment is an adjustment of the focus of the imaging means.
상기 검지 수단은,
상기 기판 마크 및 상기 마스크 마크를 촬상하는 촬상 수단과,
상기 촬상 수단의 촬영 화상 및 모델 마크를 사용한 패턴 매칭에 의해 상기 기판 마크 및 상기 마스크 마크의 위치를 특정하는 특정 수단을 포함하고,
상기 조정은 상기 모델 마크의 조정인 것을 특징으로 하는 성막 장치.According to claim 7,
The detecting means is
imaging means for capturing images of the substrate mark and the mask mark;
and specifying means for specifying the positions of the substrate mark and the mask mark by pattern matching using a captured image of the imaging means and a model mark,
The film forming apparatus according to claim 1, wherein the adjustment is an adjustment of the model mark.
상기 기판은 복수의 상기 기판 마크를 포함하고,
상기 마스크는 상기 복수의 상기 기판 마크에 각각 대응하는 복수의 상기 마스크 마크를 포함하고,
상기 검지 수단은,
서로 대응하는 복수의 상기 기판 마크 및 상기 마스크 마크의 세트를 각각 촬상하는 복수의 촬상 수단과,
상기 복수의 촬상 수단의 각각의 촬영 화상을 사용하여, 상기 세트를 구성하는 상기 기판 마크의 상기 위치 및 상기 마스크 마크의 상기 위치를 각각 특정하는 특정 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.According to claim 1 or 2,
The substrate includes a plurality of the substrate marks,
The mask includes a plurality of mask marks respectively corresponding to the plurality of substrate marks,
The detecting means is
a plurality of imaging means for respectively imaging a plurality of sets of the substrate marks and the mask marks corresponding to each other;
and specifying means for specifying the position of the substrate mark and the position of the mask mark constituting the set, respectively, using captured images of each of the plurality of imaging means.
상기 통계 처리는 상기 세트마다 실행되고,
상기 위치 조정 수단은, 상기 통계 처리의 결과가 기준을 만족하지 않는 상기 세트에 대한 상기 특정 수단의 특정 결과를 사용하지 않고, 상기 위치 조정을 실행하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.According to claim 11,
the statistical processing is performed for each set;
The position adjustment means performs the position adjustment without using a specific result of the specific means for the set for which a result of the statistical processing does not satisfy a criterion.
상기 기판을 보유지지하는 기판 보유지지 수단과,
상기 마스크를 보유지지하는 마스크 보유지지 수단을 더 구비하고,
상기 검지 수단에 의한 복수 회의 상기 검지 처리 중 하나의 검지 처리가 실행되고 나서부터, 다른 하나의 검지 처리가 실행될 때까지의 동안, 상기 기판 보유지지 수단 및 상기 마스크 보유지지 수단이 정지한 상태로 유지되는 것을 특징으로 하는 성막 장치.According to claim 1 or 2,
substrate holding means for holding the substrate;
further comprising mask holding means for holding the mask;
The substrate holding means and the mask holding means are maintained in a stopped state from the time when one of the plurality of detection processes by the detection means is executed until the other detection process is executed. A film forming apparatus characterized in that it becomes.
상기 통계 처리는, 상기 기판 마크의 위치, 상기 마스크 마크의 위치, 및, 상기 기판 마크의 위치 및 상기 마스크 마크의 위치 중 적어도 일방에 기초하여 산출된 위치, 또는, 이들의 상대위치 또는 상대거리에 대하여, 평균값, 분산, 표준편차, 최대값, 및 최소값의 일부 또는 전부를 산출하는 처리를 포함하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.According to claim 1 or 2,
The statistical processing is performed on the position of the substrate mark, the position of the mask mark, and the position calculated based on at least one of the position of the substrate mark and the position of the mask mark, or their relative positions or relative distances. A film forming apparatus comprising a process of calculating some or all of the average value, variance, standard deviation, maximum value, and minimum value for each of the above values.
상기 검지 수단에 의한 상기 검지 처리의 결과에 기초하여, 상기 기판 및 상기 마스크의 상대적인 위치 조정을 실행하는 위치 조정 수단
을 구비한 성막 장치의 컴퓨터를,
상기 기판 및 상기 마스크를 정지시킨 상태로 상기 검지 수단에 의해 실행된 복수 회의 상기 검지 처리의 결과에 대해 통계 처리를 실행하는 연산 수단으로서 기능시키기 위한 프로그램.detection means for executing a detection process for detecting the position of the substrate mark provided on the substrate and the position of the mask mark provided on the mask;
Positioning means for adjusting the relative positions of the substrate and the mask based on the result of the detection process by the detection means.
A computer of a film forming apparatus having a
A program for causing the substrate and the mask to function as calculating means for executing statistical processing on the results of a plurality of times of the detection processing executed by the detection means in a stopped state.
상기 검지 수단에 의한 상기 검지 처리의 결과에 기초하여, 상기 기판 및 상기 마스크의 위치 조정을 실행하는 위치 조정 수단
을 구비한 성막 장치의 위치 검지 정밀도의 평가 방법으로서,
상기 기판 및 상기 마스크를 정지시킨 상태로 상기 검지 수단에 의해 복수 회의 상기 검지 처리를 실행하는 공정과,
상기 복수 회의 상기 검지 처리의 결과에 대해 통계 처리를 실행하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 위치 검지 정밀도의 평가 방법.detection means for executing a detection process for detecting the position of the substrate mark provided on the substrate and the position of the mask mark provided on the mask;
Positioning means for performing positional adjustment of the substrate and the mask based on the result of the detection process by the detection means.
As a method for evaluating position detection accuracy of a film forming apparatus having
a step of executing the detection processing a plurality of times by the detection means in a state where the substrate and the mask are stopped;
A method for evaluating position detection accuracy, characterized by including a step of performing statistical processing on the results of the plurality of times of the detection processing.
상기 위치 조정 수단에 의해 상기 기판 및 상기 마스크의 상기 위치 조정을 실행하는 공정과,
상기 위치 조정이 실행된 상기 마스크를 통해 상기 기판에 성막을 행하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조 방법.a step of evaluating position detection accuracy of the substrate mark and the mask mark by the position detection accuracy evaluation method according to claim 16;
a step of performing the positional adjustment of the substrate and the mask by the positioning means;
and a step of forming a film on the substrate through the mask on which the position adjustment has been performed.
상기 검지 수단에 의한 상기 검지 처리의 결과에 기초하여, 상기 기판 및 상기 마스크의 위치 조정을 실행하는 위치 조정 수단
을 구비한 성막 장치의 조정 방법으로서,
상기 기판 및 상기 마스크를 정지시킨 상태로 상기 검지 수단에 의해 복수 회의 상기 검지 처리를 실행하는 공정과,
상기 복수 회의 상기 검지 처리의 결과에 대해 통계 처리를 실행하는 공정과,
상기 통계 처리의 결과에 기초하여 상기 검지 수단의 조정을 실행하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 성막 장치의 조정 방법.detection means for executing a detection process for detecting the position of the substrate mark provided on the substrate and the position of the mask mark provided on the mask;
Positioning means for performing positional adjustment of the substrate and the mask based on the result of the detection process by the detection means.
A method for adjusting a film forming apparatus having
a step of executing the detection processing a plurality of times by the detection means in a state where the substrate and the mask are stopped;
a step of performing statistical processing on the results of the plurality of times of the detection processing;
and a step of performing adjustment of the detecting means based on a result of the statistical processing.
상기 위치 조정 수단에 의해 상기 기판 및 상기 마스크의 상기 위치 조정을 실행하는 공정과,
상기 위치 조정이 실행된 상기 마스크를 통해 상기 기판에 성막을 행하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조 방법.a step of adjusting the film forming apparatus by the method for adjusting the film forming apparatus according to claim 18;
a step of performing the positional adjustment of the substrate and the mask by the positioning means;
and a step of forming a film on the substrate through the mask on which the position adjustment has been performed.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2021-082574 | 2021-05-14 | ||
JP2021082574A JP2022175839A (en) | 2021-05-14 | 2021-05-14 | Deposition apparatus, program, evaluation method of position detection accuracy, and manufacturing method of electronic device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20220155217A true KR20220155217A (en) | 2022-11-22 |
Family
ID=83948916
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020220057730A KR20220155217A (en) | 2021-05-14 | 2022-05-11 | Film forming apparatus, program, method of evaluating position detection accuracy, and manufacturing method of electronic device |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2022175839A (en) |
KR (1) | KR20220155217A (en) |
CN (1) | CN115341178A (en) |
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JP2008010504A (en) | 2006-06-27 | 2008-01-17 | Tokki Corp | Device and method of alignment |
-
2021
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-
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- 2022-05-12 CN CN202210516290.XA patent/CN115341178A/en active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008010504A (en) | 2006-06-27 | 2008-01-17 | Tokki Corp | Device and method of alignment |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN115341178A (en) | 2022-11-15 |
JP2022175839A (en) | 2022-11-25 |
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