KR20220145179A - Substrate process device with heating jacket - Google Patents

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KR20220145179A
KR20220145179A KR1020210051924A KR20210051924A KR20220145179A KR 20220145179 A KR20220145179 A KR 20220145179A KR 1020210051924 A KR1020210051924 A KR 1020210051924A KR 20210051924 A KR20210051924 A KR 20210051924A KR 20220145179 A KR20220145179 A KR 20220145179A
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서동원
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이백주
황재순
이규범
강동석
신정섭
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Abstract

The present invention is a substrate processing apparatus comprising: a chamber for processing a substrate; a gas supply source storing a plurality of gases for processing the substrate and supplying the gases to the chamber; a gas supply pipe having one end connected to the gas supply source and the other end connected to the chamber; and a heating jacket surrounding the outer circumference of the gas supply pipe, wherein the temperature of gas passing through the gas supply pipe may be higher downstream of the heating jacket than upstream thereof. According to the present invention, a gas supply pipe, which may have various shapes for the designed positions, can be effectively heated.

Description

히팅 재킷을 구비한 기판 처리 장치{Substrate process device with heating jacket}Substrate process device with heating jacket

본 발명은 가스 공급관을 가열하는 히팅 재킷을 구비한 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus having a heating jacket for heating a gas supply pipe.

ALD 또는 PEALD 공정에서는, 막 처리를 위해 소스 가스, 반응 가스, 퍼지 가스, 처리 가스 중 적어도 하나가 챔버에 공급될 수 있다. In the ALD or PEALD process, at least one of a source gas, a reactant gas, a purge gas, and a processing gas may be supplied to the chamber for film processing.

챔버에 공급되는 가스는 챔버에 가까운 가스 공급관의 하류로 갈수록 온도가 점점 높아질 수 있다. The gas supplied to the chamber may gradually increase in temperature as it goes downstream of the gas supply pipe close to the chamber.

본 발명은 기판 처리 장치로서, 챔버에 ALD 또는 PEALD 공정을 위한 가스를 공급하는 경우, 가스 공급관에는 온도 구배가 생길 수 있고, 설계 위치에 따라 다양하게 형태를 가질 수 있는 가스 공급관을 효율적으로 가열하고자 한다.The present invention is a substrate processing apparatus, and when gas for an ALD or PEALD process is supplied to a chamber, a temperature gradient may occur in the gas supply pipe, and in order to efficiently heat the gas supply pipe, which may have various shapes depending on a design location, do.

본 발명은 기판 처리 장치로서, 기판을 처리하는 챔버; 상기 기판 처리를 위한 복수의 가스를 저장하고 상기 챔버에 공급하는 가스 공급원; 일단은 상기 가스 공급원에 연결되고, 타단은 상기 챔버에 연결되는 가스 공급관; 상기 가스 공급관의 외부 둘레를 감싸는 히팅 재킷; 을 포함할 수 있고, 가스 공급관을 통과하는 가스의 온도가 상기 히팅 재킷의 상류보다 하류에서 더 높을 수 있다. The present invention provides a substrate processing apparatus, comprising: a chamber for processing a substrate; a gas supply source for storing a plurality of gases for processing the substrate and supplying the plurality of gases to the chamber; a gas supply pipe having one end connected to the gas supply source and the other end connected to the chamber; a heating jacket surrounding the outer periphery of the gas supply pipe; may include, and the temperature of the gas passing through the gas supply pipe may be higher downstream than upstream of the heating jacket.

가스 공급관을 통과하는 가스의 온도가 저하되는 불연속 구간이 발생할 수 있고, 불연속 구간에 인접한 상기 히팅 재킷 일측의 온도가 상기 인접한 히팅 재킷의 다른 부분의 온도보다 높을 수 있다. A discontinuous section in which the temperature of the gas passing through the gas supply pipe is lowered may occur, and the temperature of one side of the heating jacket adjacent to the discontinuous section may be higher than the temperature of the other portion of the adjacent heating jacket.

히팅 재킷이 상기 가스 공급관을 따라 연속적으로 배열되고, 연속된 히팅 재킷 사이에 불연속 구간이 발생하며, 불연속 구간에는 상기 가스 공급관과 다른 장비가 연결되는 연결 부분, 상기 가스 공급관의 방향 전환을 위한 엣지 부분, 밸브 설치 부분중 적어도 어느 하나가 포함될 수 있다. A heating jacket is continuously arranged along the gas supply pipe, and a discontinuous section occurs between the continuous heating jackets, and in the discontinuous section, a connection part for connecting the gas supply pipe and other equipment is connected, and an edge part for changing the direction of the gas supply pipe , at least one of the valve installation parts may be included.

가스 공급관이 외부와 접촉하여 열 손실이 발생하는 연결 부위가 생성될 수 있고, 가스 공급관의 정밀한 가스의 흐름을 제어하는 유량 조절부가 마련되며, 상기 가스가 상기 챔버에 투입되는 투입구가 구비될 수 있다. A connection portion in which the gas supply pipe is in contact with the outside and heat loss occurs may be created, a flow rate control unit controlling the precise flow of gas in the gas supply pipe may be provided, and an inlet through which the gas is introduced into the chamber may be provided. .

연결 부위에는, 상기 가스 공급관과 상기 유량 조절부 사이, 상기 가스 공급관과 상기 투입구 사이, 및 상기 각각 다른 가스 공급원을 가지는 가스 공급관이 서로 합쳐지는 경우 상기 다른 가스 공급관이 합쳐지는 부분중 적어도 어느 하나가 포함될 수 있다. At the connection portion, between the gas supply pipe and the flow rate control unit, between the gas supply pipe and the inlet, and when the gas supply pipes having different gas sources are merged with each other, at least one of the parts where the other gas supply pipes are combined may be included.

히팅 재킷에는 열선이 마련될 수 있고, 열선은 스파이럴 형상으로 상기 가스 공급관을 감싸고 연장될 수 있으며, 열선 간의 간격이 동일하여, 상기 히팅 재킷을 통과하는 가스의 온도가 상기 히팅 재킷의 수에 따라 비례하여 증가할 수 있다. The heating jacket may be provided with a heating wire, and the heating wire may extend around the gas supply pipe in a spiral shape, and the spacing between the heating wires is the same, so that the temperature of the gas passing through the heating jacket is proportional to the number of the heating jackets can increase by

열선 간의 간격은 상기 히팅 재킷의 부분에 따라 다를 수 있고, 히팅 재킷의 상류에서 하류로 갈수록 상기 열선의 권선수가 증가할 수 있다. The interval between the heating wires may vary depending on the portion of the heating jacket, and the number of turns of the heating wire may increase from upstream to downstream of the heating jacket.

가스 공급관은 제1 구간 및 제2 구간을 포함할 수 있고, 제1 구간에는 제1 히팅 재킷, 상기 제2 구간에는 제2 히팅 재킷이 마련될 수 있다. The gas supply pipe may include a first section and a second section, a first heating jacket may be provided in the first section, and a second heating jacket may be provided in the second section.

상기 제1 히팅 재킷과 제2 히팅 재킷 사이에는 상기 히팅 재킷으로 커버되지 않는 불연속 구간이 발생할 수 있고, 제1 히팅 재킷 또는 상기 제2 히팅 재킷중 상기 불연속 구간에 인접한 부분의 상기 열선의 권선수가 증가할 수 있다. A discontinuous section not covered by the heating jacket may occur between the first heating jacket and the second heating jacket, and the number of turns of the heating wire in a portion adjacent to the discontinuous section of the first heating jacket or the second heating jacket increases can do.

가스 공급관 내의 가스의 온도를 감지하는 온도 감지부가 마련될 수 있고, 온도 감지부에 의해서 측정된 온도 신호를 수신받고 전기 공급선을 통해 상기 히팅 재킷에 전기 공급 여부를 결정하는 제어부가 구비될 수 있으며, 전기 공급선은 상기 히팅 재킷의 수와 동일하게 마련될 수 있다. A temperature sensing unit for sensing the temperature of the gas in the gas supply pipe may be provided, and a control unit for receiving a temperature signal measured by the temperature sensing unit and determining whether to supply electricity to the heating jacket through an electricity supply line may be provided, Electricity supply lines may be provided equal to the number of the heating jackets.

ALD 또는 PEALD 공정이 수행되는 챔버에는 다양한 가스가 가스 공급관을 통해 공급될 수 있다. 가스 공급관은 챔버에 가까워질수록 점점 온도가 증가하는 온도 구배를 형성할 수 있고, 이를 위해 가스 공급관의 외주면을 감싸며 가스 공급관의 길이 방향으로 연장되는 히팅 재킷이 마련될 수 있다. Various gases may be supplied to the chamber in which the ALD or PEALD process is performed through a gas supply pipe. The gas supply pipe may form a temperature gradient in which the temperature gradually increases as it approaches the chamber, and for this purpose, a heating jacket extending in the longitudinal direction of the gas supply pipe and surrounding the outer circumferential surface of the gas supply pipe may be provided.

히팅 재킷은 내부에 가스 공급관을 스파이럴 형태로 감싸며 연장되는 열선을 포함할 수 있다. The heating jacket may include a heating wire extending inside the gas supply pipe in a spiral shape.

공정 설비 설계상, 가스 공급관은 통과하는 가스의 온도의 불연속 구간이 발생할 수 있다. Due to the design of the process equipment, a discontinuous section of the temperature of the gas passing through the gas supply pipe may occur.

불연속 구간의 가스의 열 손실을 방지하기 위해, 불연속 구간에 인접한 히팅 재킷의 열선의 권선수를 증가시켜,불연속 구간을 통과하는 가스의 온도 구배를 일정하게 유지할 수 있다. In order to prevent heat loss of the gas in the discontinuous section, by increasing the number of turns of the heating wire of the heating jacket adjacent to the discontinuous section, it is possible to maintain a constant temperature gradient of the gas passing through the discontinuous section.

또한, 열선의 권선수 조절로 가스 공급관의 온도 구배를 조절할 수 있기에 열선간의 간격이 일정한 히팅 재킷의 경우보다 필요로 하는 히팅 재킷의 수가 줄어들 수 있다. 마련되는 히팅 재킷의 수의 감소로 인해, 가스 공급관 내의 온도를 감지하는 온도 감지부와 히팅 재킷으로 전기를 공급하는 전기 공급선의 수도 줄어들 수 있다. In addition, since the temperature gradient of the gas supply pipe can be adjusted by adjusting the number of turns of the heating wire, the number of heating jackets required can be reduced compared to the case of the heating jacket having a constant interval between the heating wires. Due to the decrease in the number of heating jackets provided, the number of the temperature sensing unit for sensing the temperature in the gas supply pipe and the electricity supply line for supplying electricity to the heating jacket may also be reduced.

히팅 재킷을 위한 전체 전력 용량 산출시, 히팅 재킷의 최대 용량으로 전체 전력 용량을 산출하기에 구비되는 히팅 재킷의 수가 증가할수록 허수의 전력 용량이 증가할 수 있다. When calculating the total power capacity for the heating jacket, the imaginary power capacity may increase as the number of heating jackets provided to calculate the total power capacity as the maximum capacity of the heating jacket increases.

따라서, 가스 공급관에 마련되는 히팅 재킷의 수의 감소는 낭비되는 전력 용량이 줄어들어 과도한 전력 용량 설계를 회피할 수 있다. Accordingly, a reduction in the number of heating jackets provided in the gas supply pipe reduces wasted power capacity, thereby avoiding excessive power capacity design.

도 1은 본 발명의 기판 처리 장치의 설명도이다.
도 2는 도 1의 일부를 나타낸 설명도이다.
도 3은 본 발명의 히팅 재킷의 일 실시 예이다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is explanatory drawing of the substrate processing apparatus of this invention.
Fig. 2 is an explanatory view showing a part of Fig. 1;
3 is an embodiment of the heating jacket of the present invention.

본 발명의 기판 처리 장치는 원자막 증착(Atomic Layer Deposition, ALD) 장치일 수 있다. 기판 처리 장치는 기판의 막이 증착되는 공정이 진행되는 챔버(200)를 포함할 수 있다. The substrate processing apparatus of the present invention may be an atomic layer deposition (ALD) apparatus. The substrate processing apparatus may include a chamber 200 in which a process for depositing a film of a substrate is performed.

챔버(200)는 기판(W)을 지지하는 기판 지지대(220), 기판 처리 장치에서 공급되는 가스를 챔버(200) 내 공간에 제공하는 샤워 헤드(210)를 포함할 수 있다. The chamber 200 may include a substrate support 220 supporting the substrate W, and a shower head 210 that provides a gas supplied from the substrate processing apparatus to a space within the chamber 200 .

ALD 또는 PEALD 공정이 수행되는 챔버(200)에는 복수의 가스가 공급될 필요가 있다. 복수의 가스를 챔버(200)에 공급할 수 있는 복수의 가스 공급원이 마련될 수 있다. 가스 공급원은 소스 가스, 퍼지 가스, 반응 가스, 처리 가스중 적어도 하나일 수 있고, 가스 공급관(140)은 소스 가스, 퍼지 가스, 반응 가스, 처리 가스중 적어도 어느 하나가 지나가는 관일 수 있다. A plurality of gases need to be supplied to the chamber 200 in which the ALD or PEALD process is performed. A plurality of gas sources capable of supplying a plurality of gases to the chamber 200 may be provided. The gas source may be at least one of a source gas, a purge gas, a reaction gas, and a processing gas, and the gas supply pipe 140 may be a pipe through which at least one of the source gas, the purge gas, the reaction gas, and the processing gas passes.

가스 공급관(140)의 일단은 가스 공급원(110)과 연결될 수 있고, 가스 공급관(140)의 타단은 챔버(200)와 가스 공급관(140)을 연결하는 투입구(230)와 연결될 수 있다. 가스 공급원(110)으로부터 챔버(200)에 공급되는 가스량을 정밀하게 조절할 수 있는 유량 조절부(120)가 마련될 수 있고, 각 가스의 시분할적인 공급 스케쥴에 맞춰 열리는 밸브(130)가 구비될 수 있다.One end of the gas supply pipe 140 may be connected to the gas source 110 , and the other end of the gas supply pipe 140 may be connected to the inlet 230 connecting the chamber 200 and the gas supply pipe 140 . A flow rate control unit 120 capable of precisely adjusting the amount of gas supplied to the chamber 200 from the gas supply source 110 may be provided, and a valve 130 that opens according to a time-division supply schedule of each gas may be provided. have.

유량 조절부(120)는 매스플로우 컨트롤러(MFC)에 의해 구성될 수 있다. The flow rate controller 120 may be configured by a mass flow controller (MFC).

가스가 챔버(200)에서 기판(W)을 처리하기 위해서는, 고온의 상태로 가열되어 챔버(200)에 공급될 필요가 있다. 가스 공급관(140)을 통과하는 과정에서 가스는 가열될 수 있다. In order for the gas to process the substrate W in the chamber 200 , it needs to be heated to a high temperature and supplied to the chamber 200 . The gas may be heated while passing through the gas supply pipe 140 .

가스 공급관(140)은 외주면을 따라 가스 공급관(140)을 감싸는 히팅 재킷(300)이 마련될 수 있다. 히팅 재킷(300)은 가스 공급관(140)을 따라 가스 공급 방향으로 연장되게 배열될 수 있다. The gas supply pipe 140 may be provided with a heating jacket 300 surrounding the gas supply pipe 140 along the outer circumferential surface. The heating jacket 300 may be arranged to extend in the gas supply direction along the gas supply pipe 140 .

가스 공급관(140)을 통과하는 가스는 대응하여 통과하는 히팅 재킷(300)의 수에 따라 온도가 상승할 수 있다. 가스 공급관(140)의 위치중 가스 공급원(110)에 가까운 위치를 상류, 투입구(230)와 가까운 위치를 하류라고 할 수 있다. 따라서, 가스는 가스 공급관(140)의 하류에 가까울수록 상대적으로 상류보다 온도가 더 높을 수 있다. The temperature of the gas passing through the gas supply pipe 140 may increase according to the number of the heating jacket 300 passing correspondingly. Among the positions of the gas supply pipe 140 , a position close to the gas supply source 110 may be referred to as an upstream position, and a position close to the inlet port 230 may be referred to as a downstream position. Accordingly, the closer the gas is to the downstream of the gas supply pipe 140 , the higher the temperature may be compared to the upstream.

가스 공급관(140)에 열을 공급하는 히팅 재킷(300)이 가스 공급관(140)의 외주면을 감싸는 형상인 경우, 가스 공급관(140) 또는 히팅 재킷(300)이 한정된 공간에 폐쇄되지 않는다면 열 손실이 발생할 수 있다. When the heating jacket 300 for supplying heat to the gas supply pipe 140 has a shape surrounding the outer circumferential surface of the gas supply pipe 140, if the gas supply pipe 140 or the heating jacket 300 is not closed in a limited space, heat loss is can occur

히팅 재킷(300)은 뜨거운 물 또는 전기 등에 의해서 가열될 수 있다. 히팅 재킷(300)이 소정의 온도를 유지하지 못한다면 외부에서 전기를 계속 공급해야 할 수 있다. 가스 공급관(140)을 감산 히팅 재킷(300)은 공간적으로 밀폐되어야 외부로의 열손실이 줄 수 있다. The heating jacket 300 may be heated by hot water or electricity. If the heating jacket 300 does not maintain a predetermined temperature, it may be necessary to continuously supply electricity from the outside. The heating jacket 300 by subtracting the gas supply pipe 140 must be spatially sealed to reduce heat loss to the outside.

따라서, 가스 박스(150)가 마련될 수 있다. 가스 박스(150)는 유량 조절부(120), 가스 공급관(140), 히팅 재킷(300), 밸브(130)중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 또한, 가스 공급원(110)의 크기가 충분히 작은 경우에는 가스 박스(150)에 포함될 수 있다. Accordingly, the gas box 150 may be provided. The gas box 150 may include at least one of a flow rate controller 120 , a gas supply pipe 140 , a heating jacket 300 , and a valve 130 . In addition, when the size of the gas source 110 is sufficiently small, it may be included in the gas box 150 .

유량 조절부(120)에서 투입구(230)까지 가스 공급관(140)을 따라 히팅 재킷(300)이 배열될 수 있고, 구간(S)을 형성할 수 있다. 예를 들어, 제1 구간(S1) 내지 제7 구간(S7)으로 분별될 수 있다. 각 구간에는 하나의 히팅 재킷(300)이 마련될 수 있다. 예를 들어, 7개의 구간(S)에는 7개의 히팅 재킷(300)이 구비될 수 있다. The heating jacket 300 may be arranged along the gas supply pipe 140 from the flow rate control unit 120 to the inlet 230 , and a section S may be formed. For example, it may be classified into a first section ( S1 ) to a seventh section ( S7 ). One heating jacket 300 may be provided in each section. For example, seven heating jackets 300 may be provided in the seven sections (S).

제1 구간(S1)에서 제7 구간(S7)으로 갈수록 통과하는 가스 공급관(140) 내의 가스 온도는 점점 상승할 수 있다. The gas temperature in the gas supply pipe 140 passing from the first section S1 to the seventh section S7 may gradually increase.

히팅 재킷(300)은 열선(160)을 포함할 수 있고, 히팅 재킷(300)이 외부에서 전기를 공급 받는 경우 열선(160)이 가열될 수 있다. 히팅 재킹이 가스 공급관(140)의 외부를 따라 감싸기에 열선(160)도 스파이럴 형상으로 가스 공급관(140)을 감싸며 연장될 수 있다. The heating jacket 300 may include a heating wire 160 , and when the heating jacket 300 receives electricity from the outside, the heating wire 160 may be heated. Since the heating jacking wraps around the outside of the gas supply pipe 140 , the heating wire 160 may also extend while surrounding the gas supply pipe 140 in a spiral shape.

가스 공급관(140)이 일직선으로 상류에서 하류로 가스를 챔버(200)에 공급하는 경우에는, 히팅 재킷(300)의 수만큼 순서대로 가스가 가열되리라 예상할 수 있다. When the gas supply pipe 140 supplies the gas to the chamber 200 from the upstream to the downstream in a straight line, it can be expected that the gas is heated in order by the number of the heating jackets 300 .

그러나, 실제 설비 마련시에는 가스 공급관(140)은 굽혀지는 엣지 부분(B)이 형성될 수 있고, 각각 다른 설비의 연결 부분(A)이 형성될 수 있으며, 밸브(130) 설치시 밸브 설치 부분(C)이 형성될 수 있다. However, when the actual equipment is provided, the gas supply pipe 140 may be formed with a bent edge portion (B), a connection portion (A) of different equipment may be formed, respectively, and when the valve 130 is installed, the valve installation portion (C) may be formed.

도 1 및 도 2를 참조하면, 가스 공급 또는 배출과 관련된 설비를 특정 위치로 집중시켜 처리할 수 있다. 예를 들어, 챔버(200)의 배기구(240)와 투입구(230)는 챔버(200)의 상,하에 마련될 수 있고, 이러한 구조에서 엣지 부분(B)은 발생할 수 있다. Referring to FIGS. 1 and 2 , it is possible to concentrate and process facilities related to gas supply or discharge to a specific location. For example, the exhaust port 240 and the inlet 230 of the chamber 200 may be provided above and below the chamber 200, and in this structure, the edge portion B may occur.

가스 공급관(140)의 엣지 부분(B)에서는 인접한 히팅 재킷(300)사이에 히팅 재킷(300)으로 감싸지지 않을 수 있고, 히팅 재킷(300)으로 감싸진 다른 가스 공급관(140)의 부분보다 열 손실이 높아질 수 있다. In the edge portion B of the gas supply pipe 140 , the heating jacket 300 may not be wrapped between the adjacent heating jackets 300 , and it is warmer than the portion of the other gas supply pipe 140 covered by the heating jacket 300 . losses can be high.

엣지 부분(B)에서는 가스 공급관(140)과 외부 공기가 바로 접촉할 수 있고, 가스 공급관(140)의 열은 외부 공기로 곧바로 열방사되어 온도가 낮아질 수 있다. 따라서 이러한 가스 공급관(140)의 엣지 부분(B)을 포함하는 일부 구간에서 다른 구간보다 온도가 낮은 콜드 스팟(Cold spot)이 발생할 수 있다. 콜드 스팟에 의해 챔버(200)에 공급되는 가스는 온도 변화가 생길 수 있고, 이로 인해 이물질이 챔버(200)로 투입되어 공정시 불량이 발생할 수 있다. At the edge portion B, the gas supply pipe 140 and the outside air may directly contact, and the heat of the gas supply pipe 140 may be directly radiated to the outside air to lower the temperature. Therefore, in some sections including the edge portion B of the gas supply pipe 140 , a cold spot having a lower temperature than other sections may occur. The gas supplied to the chamber 200 by the cold spot may have a temperature change, which may cause foreign substances to be introduced into the chamber 200, thereby causing a defect in the process.

연결 부분(A)은 각각 다른 가스관이 만나는 지점에서 발생할 수 있다. The connection part (A) may occur at a point where different gas pipes meet.

예를 들어, 챔버(200)에 소스 가스를 공급한 후 제1 퍼지 가스를 공급하고, 반응 가스를 공급한 후 제2 퍼지 가스를 공급하여 일련의 ALD 공정이 일어날 수 있다. 소스 가스 또는 반응 가스 공급 후 다음 화학 반응을 위해 공급되는 퍼지 가스는 투입구(230) 전에 소스 가스 또는 반응 가스를 공급하는 가스 관과 동일한 가스 관으로 공급될 수 있다. For example, a series of ALD processes may occur by supplying a source gas to the chamber 200, supplying a first purge gas, supplying a reaction gas, and then supplying a second purge gas. After supplying the source gas or the reaction gas, the purge gas supplied for the next chemical reaction may be supplied through the same gas tube as the gas tube for supplying the source gas or the reaction gas before the inlet 230 .

예를 들어, 소스 가스가 제1 가스 공급관(141)(141)으로 공급될 수 있고, 퍼지 가스는 제2 가스 공급관(142)(142)으로 공급될 수 있다. 이 경우, 제1 가스 공급관(141)(141) 및 제2 가스 공급관(142)(142)은 유량 조절부(120)와 제1 투입구(231)사이에 위치한 어느 위치에서 합쳐질 수 있다. For example, the source gas may be supplied to the first gas supply pipes 141 and 141 , and the purge gas may be supplied to the second gas supply pipes 142 and 142 . In this case, the first gas supply pipe 141 , 141 and the second gas supply pipe 142 , 142 may be combined at any position located between the flow rate controller 120 and the first inlet 231 .

이는, 제1 가스 공급관(141)(141) 및 제2 가스 공급관(142)(142)이 개별로 챔버(200)에 투입되는 경우에 비해서, 소스 가스 투입후 퍼지 가스 공급시 제2 가스 공급관(142)(142)의 제1 퍼지 가스가 제1 가스 공급관(141)(141)에 남은 소스 가스의 잔여 가스를 같이 퍼지 시킬 수 있다. 이로 인해 반복적으로 연속되는 사이클중 각 가스관내에 남은 잔여 가스로 인한 오염을 막아 기판(W)의 막 처리의 불량률을 낮출 수 있다. This is compared to the case where the first gas supply pipes 141 and 141 and the second gas supply pipes 142 and 142 are individually introduced into the chamber 200, when the source gas is input and then the purge gas is supplied when the second gas supply pipe ( The first purge gas of 142 and 142 may also purge residual gas of the source gas remaining in the first gas supply pipe 141 and 141 . Due to this, it is possible to prevent contamination due to residual gas remaining in each gas pipe during repeated and continuous cycles, thereby reducing the defect rate of the film treatment of the substrate W.

따라서, 이러한 각 가스 공급관은 필요에 따라 상기와 같은 가스관 간의 연결로 인한 연결 부분(A)이 발생할 수 있고, 이러한 연결 부분(A)은 엣지 부분(B)과 마찬가지로 히팅 재킷(300)에 의한 열 손실 방지가 부족할 수 있다. Accordingly, each of these gas supply pipes may have a connection part (A) due to the connection between the gas pipes as described above, if necessary, and this connection part (A) is heated by the heating jacket 300 like the edge part (B). Loss protection may be lacking.

또한, 연결 부분(A)은 가스 공급관과 연결되는 다른 종류의 설비간에 발생할 수 있다. 예를 들어, 연결 부분(A)은 가스 공급원(110) 또는 유량 조절부(120)와 가스 공급관이 연결되는 부분, 가스 공급관과 투입구(230)가 연결되는 부분을 포함할 수 있다. Also, the connection part A may occur between different types of equipment connected to the gas supply pipe. For example, the connection portion A may include a portion in which the gas supply source 110 or the flow rate controller 120 is connected to the gas supply pipe, and a portion in which the gas supply pipe and the inlet 230 are connected.

다른 종류의 장치간에 연결되는 곳은 가스 공급관에 연속적으로 히팅 재킷(300)이 배열되는 곳에 비해서 열 손실이 발생하기 쉬울 수 있다. 예를 들어, 연결 부분(A)은 제1 구간(S1)과 유량 조절부(120) 사이, 제7 구간(S7)과 투입구(230) 사이에 발생할 수 있다. Where different types of devices are connected, heat loss may be more likely to occur than where the heating jacket 300 is continuously arranged in the gas supply pipe. For example, the connection portion A may occur between the first section S1 and the flow rate control unit 120 , and between the seventh section S7 and the inlet 230 .

따라서, 제1 구간(S1) 내지 제4 구간(S4)의 각 사이 부분 및 제5 구간(S5) 내지 제7 구간(S7)의 각 사이 부분은 제4 구간(S4)과 제5 구간(S5) 사이의 엣지 부분(B)과, 제1 구간(S1)과 유량 조절부(120) 사이, 제7 구간(S7)과 투입구(230) 사이의 연결 부분(A)보다 열 손실이 적을 수 있다. Accordingly, the portion between each of the first section S1 to the fourth section S4 and the portion between each of the fifth section S5 to the seventh section S7 are the fourth section S4 and the fifth section S5 ) between the edge portion (B), between the first section (S1) and the flow rate control unit 120, and between the seventh section (S7) and the inlet 230, the heat loss may be less than the connection portion (A) .

유량 조절부(120)와 투입구(230) 사이에는 밸브(130)가 마련될 수 있다. 밸브(130)의 개폐는 각 가스의 챔버(200) 투입 스케쥴에 맞춰 이루어질 수 있다. 밸브(130)가 설치되면 밸브(130)에 의해 가스 공급관의 히팅 재킷(300) 설치에 불연속지점이 발생할 수 있다. A valve 130 may be provided between the flow rate controller 120 and the inlet 230 . The opening and closing of the valve 130 may be performed according to an input schedule of the chamber 200 of each gas. When the valve 130 is installed, a discontinuous point may occur in the installation of the heating jacket 300 of the gas supply pipe by the valve 130 .

따라서, 밸브 설치 부분(C)은 연결 부분(A), 엣지 부분(B)과 마찬가지로 히팅 재킷(300)의 불연속 위치를 발생시킬 수 있고, 이로 인해 열 손실이 발생할 수 있다. 넓은 의미에서 밸브 설치 부분(C)은 연결 부분(A)에 포함될 수 있다. Accordingly, the valve installation portion (C) may generate a discontinuous position of the heating jacket 300 like the connection portion (A) and the edge portion (B), which may result in heat loss. In a broad sense, the valve installation part (C) may be included in the connection part (A).

가스 공급관의 온도의 불연속 구간은 연결 부분(A), 엣지 부분(B), 밸브 설치 부분(C)중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. The discontinuous section of the temperature of the gas supply pipe may include at least one of a connection portion (A), an edge portion (B), and a valve installation portion (C).

히팅 재킷(300)은 가스 공급관(140)을 감싸는 형태일 수 있다. 예를 들어, 가스 공급관(140)이 원통 형상인 경우, 히팅 재킷(300)은 원통 가스 공급관(140)을 감싸는 중공이 구비된 원통 형상일 수 있다. The heating jacket 300 may have a shape surrounding the gas supply pipe 140 . For example, when the gas supply pipe 140 has a cylindrical shape, the heating jacket 300 may have a cylindrical shape with a hollow surrounding the cylindrical gas supply pipe 140 .

히팅 재킷(300)은 내부에 열선(160)을 포함할 수 있고, 열선(160)은 스프링 형태로 가스 공급관(140)을 감싸며 연장될 수 있다. The heating jacket 300 may include a heating wire 160 therein, and the heating wire 160 may extend to surround the gas supply pipe 140 in the form of a spring.

열선(160)의 간격은 동일하게 마련될 수 있다. The spacing between the heating wires 160 may be the same.

열선(160)의 간격이 동일하고, 히팅 재킷(300)의 연장 길이가 동일하면 단일 히팅 재킷(300)을 통과하는 가스는 특정 온도만 상승할 수 있다. 예를 들어, 단일의 히팅 재킷(300) 하나를 통과하면 가스가 5도 상승하는 경우, 히팅 재킷(300)이 불연속 부분없이 연속적으로 4개 배열되면, 통과 가스는 20도의 온도가 상승할 수 있다. If the spacing of the heating wires 160 is the same and the extension length of the heating jacket 300 is the same, only a specific temperature of the gas passing through the single heating jacket 300 may be increased. For example, if the gas passes through a single heating jacket 300 and the gas rises by 5 degrees, if four heating jackets 300 are arranged in succession without discontinuous parts, the temperature of the passing gas may rise by 20 degrees .

단일 히팅 재킷(300)에 의한 온도 상승은 사용자가 히킹 재킷에 감은 열선(160)의 권선수에 비례할 수 있다. The temperature increase by the single heating jacket 300 may be proportional to the number of turns of the heating wire 160 wound around the heating jacket by the user.

예를 들어, 분할된 가스 공급관(140)의 제2 구간(S2) 및 제3 구간(S3)을 더한 부분(P)을 설명한다. 제2 구간(S2) 및 제3 구간(S3)에는 각각 제1 히팅 재킷(310) 및 제2 히팅 재킷(320)이 마련될 수 있다. 제1 히팅 재킷(310)과 제2 히팅 재킷(320)의 연장 길이는 동일할 수 있고, 통과 가스의 온도도 동일하게 5도 상승할 수 있다. For example, a portion P obtained by adding the second section S2 and the third section S3 of the divided gas supply pipe 140 will be described. A first heating jacket 310 and a second heating jacket 320 may be provided in the second section S2 and the third section S3, respectively. The extension length of the first heating jacket 310 and the second heating jacket 320 may be the same, and the temperature of the passing gas may also increase by 5 degrees.

열선(160)간의 가스 흐름 방향의 길이(d)는 모든 히팅 재킷간에 동일할 수 있다. The length d in the gas flow direction between the heating wires 160 may be the same between all heating jackets.

단일 히팅 재킷이 동일한 열선(160) 간격과 동일한 길이를 가지는 경우, 불연속 부분인 연결 부분(A), 엣지 부분(B), 밸브 설치 부분(C)에서는 통과하는 가스의 온도 불연속이 발생할 수 있다. When a single heating jacket has the same spacing and the same length as the heating wires 160, a temperature discontinuity of the passing gas may occur in the discontinuous portions of the connection portion (A), the edge portion (B), and the valve installation portion (C).

단일 히팅 재킷이 감싸는 가스 공급관(140)의 영역마다 온도 감지부(310)가 마련될 수 있다. 예를 들어, 제1 구간(S1) 내지 제 7 구간(S7)에는 7개의 온도 감지부(310)가 구비될 수 있다. 각 온도 감지부(310)에 의한 신호는 제어부(320)로 보내질 수 있다. A temperature sensing unit 310 may be provided in each area of the gas supply pipe 140 surrounded by a single heating jacket. For example, seven temperature sensing units 310 may be provided in the first section S1 to the seventh section S7 . A signal by each temperature sensing unit 310 may be sent to the control unit 320 .

각 온도 감지부(310)에서 보낸 신호를 바탕으로 감지한 온도가 목표한 온도와 차이를 보이는 경우, 제어부(320)는 전기 공급선(330)을 통해 해당 히팅 재킷(300)으로 전기를 공급하거나 공급 중단할 수 있다. When the temperature detected based on the signal sent from each temperature sensing unit 310 is different from the target temperature, the control unit 320 supplies or supplies electricity to the heating jacket 300 through the electricity supply line 330 . can stop

예를 들어, 가스 공급원(110)을 통해 유량 조절부(120)에서 공급되는 가스가 100도인 경우, 각 구간을 통과한 가스는 5도씩 상승할 수 있고, 제1 구간(S1)을 통과한 가스는 105도일 수 있다. 이 경우, 각 구간의 온도를 감지하는 부분이 5도의 온도 상승을 측정하기 위해서는 각 구간의 가장 하류에 위치해야할 수 있어 도면상 100도와 105도 사이일 수 있으나, 편의상 정상적인 온도 상승을 거친 가스는 5도 상승이 측정되는 것으로 가정할 수 있다. For example, when the gas supplied from the flow rate controller 120 through the gas supply source 110 is 100 degrees, the gas passing through each section may rise by 5 degrees, and the gas passing through the first section S1 may be 105 degrees. In this case, the part that senses the temperature of each section may have to be located at the most downstream of each section to measure the temperature rise of 5 degrees, so it may be between 100 and 105 degrees in the drawing, but for convenience, the gas that has undergone a normal temperature rise is 5 It can be assumed that the degree rise is measured.

따라서, 제1 온도 감지부(311)는 110도를 감지할 수 있고, 제2 온도 감지부(312)는 115도를 감지할 수 있다. 제1 온도 감지부(311)가 110도 보다 낮은 온도를 측정한 경우, 제어부(320)는 제1 전기 공급선(331)을 통해 전기를 제1 히팅 재킷(310)으로 보낼 수 있고, 제어부(320)는 제1 온도 감지부(311)에 의한 온도 감지가 110도가 될때까지 계속 전기를 공급할 수 있다. Accordingly, the first temperature sensing unit 311 may sense 110 degrees, and the second temperature sensing unit 312 may sense 115 degrees. When the first temperature sensing unit 311 measures a temperature lower than 110 degrees, the control unit 320 may send electricity to the first heating jacket 310 through the first electricity supply line 331 , and the control unit 320 . ) may continue to supply electricity until the temperature sensing by the first temperature sensing unit 311 reaches 110 degrees.

동일 열선(160) 간격 및 길이를 가진 규격화된 단일 히팅 재킷으로 전체 가스 공급관을 가열하는 경우, 히팅 재킷(300)의 수만큼 온도 감지부(310) 및 전기 공급선(330)이 마련될 수 있다. When the entire gas supply pipe is heated with a standardized single heating jacket having the same spacing and length of the heating wires 160 , the temperature sensing unit 310 and the electricity supply wire 330 may be provided as many as the number of the heating jackets 300 .

따라서, 연결 부분(A), 엣지 부분(B), 밸브 설치 부분(C)중 적어도 하나가 발생하는 경우, 히팅 재킷(300)을 추가로 설치할 수 있고, 공급하는 가스의 종류를 다양하게 구성될수록 필요로하는 히팅 재킷(300)의 수는 기하급수적으로 늘어날 수 있다. Therefore, when at least one of the connection part (A), the edge part (B), and the valve installation part (C) occurs, the heating jacket 300 can be additionally installed, and the more the type of gas to be supplied is configured in various ways The number of required heating jackets 300 may increase exponentially.

따라서, 늘어난 히팅 재킷의 수만큼 온도 감지부(310) 및 전기 공급선(330)도 늘어날 수 있고, 이는 제어해야될 부품이 너무 많아져 전체 시스템을 관리하는 것이 복잡해질 수 있다. 또한, 복수의 정밀한 장치로 인한 비용 증가도 필연적일 수 있고, 설비 관리면에서도 빈번한 오작동 발생으로 인한 전체 온도 관리가 어려워질 수 있다. Accordingly, the temperature sensing unit 310 and the electric supply line 330 may be increased by the number of the increased heating jackets, which may make it complicated to manage the entire system because there are too many parts to be controlled. In addition, an increase in cost due to a plurality of precise devices may be inevitable, and overall temperature management may be difficult due to frequent malfunctions in facility management.

불연속 구간의 미세한 온도 조정은 규격화된 단일 히팅 재킷으로 힘들 수 있다. 예를 들어, 단일 히팅 재킷의 온도 상승은 5도 또는 10도로 고정될 수 있고, 불연속 구간에서는 필요한 온도 상승은 3도 또는 13도인 경우, 히팅 재킷(300)의 추가로는 원하는 온도로 제어할 수 없다. Fine temperature adjustment in discontinuous sections can be difficult with a single standardized heating jacket. For example, the temperature rise of a single heating jacket may be fixed at 5 degrees or 10 degrees, and in the discontinuous section, if the required temperature rise is 3 degrees or 13 degrees, the desired temperature can be controlled by the addition of the heating jacket 300 none.

따라서, 상기의 경우, 열선(160)의 권선수 또는 길이를 구간에 따라 다르게 할 수 있다. 예를 들어, 제2 구간 및 제3 구간을 합한 통합 구간(S') 전체에 하나의 히팅 재킷(300)이 마련될 수 있다. 온도를 상승시키고자 하는 구간에 열선(160)의 권선수를 증가시킴으로서 온도 증가를 조절할 수 있다. Accordingly, in the above case, the number of windings or the length of the hot wire 160 may be varied according to the section. For example, one heating jacket 300 may be provided in the entire integrated section (S') in which the second section and the third section are combined. The increase in temperature can be controlled by increasing the number of turns of the heating wire 160 in the section where the temperature is to be increased.

통합 구간(S')의 하류는 상대적으로 챔버(200)에 더 가깝기에 상류보다 온도가 더 높아지게 마련될 수 있다. 통합 구간(S')의 상류에서의 열선(160)의 간격(d1), 중류의 열선(160)의 간격(d2), 하류의 열선(160)의 간격(d3)은 순서대로 점점 간격이 좁아질 수 있다. Since the downstream of the integration section S' is relatively closer to the chamber 200, the temperature may be higher than that of the upstream. The interval d1 of the heating wire 160 in the upstream of the integration section S', the interval d2 of the midstream heating wire 160, and the interval d3 of the downstream heating wire 160 in the sequence are gradually narrower. can get

또한, 통합 구간(S')의 하류에 온도 감지부(310)가 마련될 수 있고, 측정된 온도 정보는 제어부(320)로 보내질 수 있다. 제어부(320)는 측정된 온도에 따라 전기 공급선(330)을 통해 히팅 재킷(300)에 대한 전기 공급 여부를 결정할 수 있다. In addition, the temperature sensing unit 310 may be provided downstream of the integrated section S', and the measured temperature information may be sent to the control unit 320 . The control unit 320 may determine whether to supply electricity to the heating jacket 300 through the electricity supply line 330 according to the measured temperature.

도 3을 참조하면, 히팅 재킷의 일 실시 예로, 제1 구간(S1)과 제2 구간(S2)을 통합하였으나, 불연속 구간사이의 연속 구간은 상기 권선수가 변할 수 있는 단일의 히팅 재킷으로 승온이 충분할 수 있다. 온도 불연속 구간을 기준으로 권선수가 변할 수 있는 히팅 재킷(300)을 인접하게 배열할 수 있다. Referring to Figure 3, as an embodiment of the heating jacket, the first section (S1) and the second section (S2) are integrated, but the continuous section between the discontinuous sections is a single heating jacket in which the number of turns can be changed. may be sufficient. The heating jacket 300 in which the number of windings can be changed based on the temperature discontinuous section may be arranged adjacently.

예를 들어, 제1 구간(S1) 내지 제4 구간(S4)을 통합하는 제1 통합 구간(S1')에 제1 통합 히팅 재킷이 마련될 수 있고, 제5 구간(S5) 내지 제7 구간(S7)을 통합하는 제2 통합 구간(S2')에 제2 통합 히팅 재킷이 구비될 수 있다. 즉, 권선수가 동일한 7개의 히팅 재킷이 2개의 권선수가 변동하는 통합 히팅 재킷으로 대체될 수 있다. For example, the first integrated heating jacket may be provided in the first integrated section (S1') integrating the first section (S1) to the fourth section (S4), the fifth section (S5) to the seventh section A second integrated heating jacket may be provided in the second integrated section (S2') integrating (S7). That is, seven heating jackets with the same number of turns can be replaced with an integrated heating jacket with two different number of turns.

또한, 권선수가 길이를 따라 변동 가능한 통합 히팅 재킷은 불연속 구간에 인접한 경우, 권선수를 높임으로서 불연속 구간을 통과하는 가스의 온도를 일정하게 유지할 수 있다. In addition, when the number of windings is variable along the length of the integrated heating jacket is adjacent to the discontinuous section, by increasing the number of turns, it is possible to maintain a constant temperature of the gas passing through the discontinuous section.

예를 들어, 엣지 부분(B)에 인접한 제1 통합 히팅 재킷의 하류와 제2 통합 히팅 재킷의 상류는 권선수를 높여 엣지 부분(B)을 통한 열 손실을 방지할 수 있다. 통합 히팅 재킷은 연결 부분(A)인 유량 조절부(120)와 가스 공급관 사이, 투입구(230) 부근에서 권선수를 높여 열 손실을 방지할 수 있고, 밸브 설치 부분(C)의 인근에서도 권선수를 높여 열 손실을 방지할 수 있다. For example, the downstream of the first integrated heating jacket adjacent to the edge portion (B) and the upstream of the second integrated heating jacket may increase the number of turns to prevent heat loss through the edge portion (B). The integrated heating jacket can prevent heat loss by increasing the number of turns in the vicinity of the inlet 230 between the flow control unit 120 and the gas supply pipe, which is the connection part (A), and also in the vicinity of the valve installation part (C). to prevent heat loss.

통합 히팅 재킷의 경우, 필요로 하는 온도 감지부(310) 또는 전기 공급선(330)의 수도 줄어들 수 있어 설치, 관리 , 유지의 비용이 줄어들 수 있다. 통합 구간(S')의 길이가 긴 경우, 상류와 하류 사이에 소정의 간격으로 온도 감지부(310)가 추가로 마련되어 온도의 변화를 정확히 감지할 수 있다. In the case of the integrated heating jacket, the number of required temperature sensing unit 310 or electricity supply line 330 can be reduced, so that the cost of installation, management, and maintenance can be reduced. When the length of the integration section S' is long, the temperature sensing unit 310 may be additionally provided at a predetermined interval between the upstream and the downstream to accurately detect a change in temperature.

따라서, 위치에 따라 열선(160)의 권선수가 다른 히팅 재킷은 복수의 히팅 재킷으로 구현할 수 있는 온도 구배를 단일한 히팅 재킷으로 구현한 것일 수 있다. 이는 단지 히팅 재킷의 수를 줄여 설계를 간소화한 것뿐 아니라 전체 전력 용량 산정의 효율도 상승시킬 수 있다. Accordingly, the heating jacket having a different number of turns of the heating wire 160 according to the location may be one in which a temperature gradient that can be implemented by a plurality of heating jackets is implemented with a single heating jacket. This not only simplifies the design by reducing the number of heating jackets, but also increases the efficiency of total power capacity estimation.

히팅 재킷(300)의 전력 용량 산정시, 히팅 재킷(300)의 최대 용량을 기준으로 전체 전력 용량을 산정할 수 있다. 즉, 실제는 각 가스의 공급 또는 배출이 시분할로 분별되어 작동될 수 있지만, 전체 설비 준비시에는 모든 장치가 동시에 작동되는 경우도 포함하여 전체 전력 용량을 산정할 수 있다. When calculating the power capacity of the heating jacket 300 , the total power capacity may be calculated based on the maximum capacity of the heating jacket 300 . That is, in reality, the supply or discharge of each gas may be operated in a time-shared manner, but when preparing the entire facility, the total power capacity may be calculated including a case in which all devices are operated simultaneously.

또한, 만약의 경우를 대비하여 최대 필요한 전력 용량보다 여유분을 가지게 전력 용량을 산정하기 때문에, 히팅 재킷(300)의 수에 따라 허수의 전력 용량이 비례하여 증가할 수 있다. In addition, since the power capacity is calculated to have a margin greater than the maximum required power capacity in case of an emergency, the imaginary power capacity may be proportionally increased according to the number of the heating jacket 300 .

따라서, 권선수가 위치에 따라 변화되는 히팅 재킷(300)은 동일한 열선(160) 간격을 가지는 히팅 재킷(300)에 비해 낭비되는 허수의 전력 용량이 줄어들어 과도한 전력 용량 설계를 방지할 수 있다. Therefore, in the heating jacket 300 in which the number of windings is changed according to the position, the amount of wasted imaginary power is reduced compared to the heating jacket 300 having the same spacing of the heating wires 160, thereby preventing excessive power capacity design.

복수의 히팅 재킷(300)이 마련된 경우, 각 히팅 재킷(300)마다 온도 감지부(310)가 구비될 수 있고, 각 온도 감지부(310)가 감지한 온도 정보는 제어부(320)로 전송될 수 있다. 상기 제어부(320)는 온도 감지부(310) 및 가스 공급관(140)이 히팅 재킷(300)마다 마련되는 것에 비해, 모든 히팅 재킷의 정보가 하나의 제어부로 보내지어 관리된다는 의미로 통합제어부라 지칭할 수 있다. When a plurality of heating jackets 300 are provided, a temperature sensing unit 310 may be provided for each heating jacket 300 , and the temperature information sensed by each temperature sensing unit 310 is transmitted to the control unit 320 . can The control unit 320 is referred to as an integrated control unit in the sense that the temperature sensing unit 310 and the gas supply pipe 140 are provided for each heating jacket 300, meaning that information on all heating jackets is sent to and managed by one control unit. can do.

통합제어부는 각 온도 감지부(310)의 온도 정보로부터 가스 공급관(140)의 열손실 부분을 판단할 수 있다. 통합제어부가 열손실이 발생한 것으로 판단한 히팅 재킷에 전기 공급선(330)을 통해 전기를 공급할 수 있다. The integrated control unit may determine the heat loss portion of the gas supply pipe 140 from the temperature information of each temperature sensing unit 310 . The integrated control unit may supply electricity through the electricity supply line 330 to the heating jacket determined that the heat loss has occurred.

전기 공급선(330)의 일단은 통합제어부에 연결될 수 있고, 타단은 히팅 재킷(300)에 연결될 수 있으며, 전기 공급선(330)에는 히팅 재킷(300)에 전압 또는 전류를 조정할 수 있는 조정 장치가 마련될 수 있다. One end of the electric supply line 330 may be connected to the integrated control unit, the other end may be connected to the heating jacket 300 , and the electric supply line 330 is provided with an adjustment device capable of adjusting the voltage or current to the heating jacket 300 . can be

ALD 또는 PEALD 공정을 수행하는 기판 처리 장치의 과정을 전체적으로 살펴 본다. The entire process of a substrate processing apparatus performing an ALD or PEALD process is looked at.

원자막 증착을 위해 소스 가스가 마련될 수 있고, 소스 가스와 화학 반응을 하는 반응 가스가 구비될 수 있다. 소스 가스와 반응 가스가 화학 반응하여 원하는 원자막 층이 형성될 수 있고, 반응 후 남겨진 성분들을 챔버(200)내에서 배기구(240)로 제거하기 위한 챔버(200)로 퍼지 가스가 투입될 수 있다. A source gas may be provided for atomic film deposition, and a reactive gas that chemically reacts with the source gas may be provided. A desired atomic film layer may be formed by a chemical reaction between the source gas and the reaction gas, and a purge gas may be introduced into the chamber 200 for removing components remaining after the reaction through the exhaust port 240 in the chamber 200 . .

기판 처리 장치로부터 소스 가스가 챔버(200) 내에 투입될 수 있고, 소스 가스는 기판에 한층이 증착될 수 있다. 기판(W)에 불필요한 소스 가스의 적층을 방지하기 위해 소정의 시간 후 퍼지 가스를 챔버(200)에 투입할 수 있다. 퍼지 가스는 소스 가스 또는 반응 가스와의 화학 반응 수준이 낮아야 하기에 퍼지 가스는 다른 화학종과 반응성이 낮은 성분으로 구비될 수 있다.A source gas may be introduced into the chamber 200 from the substrate processing apparatus, and the source gas may be deposited on a substrate in one layer. In order to prevent unnecessary deposition of the source gas on the substrate W, the purge gas may be introduced into the chamber 200 after a predetermined time. Since the purge gas should have a low level of chemical reaction with the source gas or the reactant gas, the purge gas may be provided as a component having low reactivity with other chemical species.

퍼지 가스 투입으로 챔버(200)내의 소스 가스의 농도가 낮아진 후 반응 가스를 챔버(200)에 투입할 수 있다. 투입된 반응 가스는 기판에 증착된 소스 가스의 증착 성분과 화학 반응을 할 수 있다. 소스 가스와 반응 가스의 화학 반응에 의해서 생성된 성분으로 소스 가스의 원자막은 치환될 수 있다. 상기의 새롭게 치환된 막 성분이 기판(W)에 증착되기 목표한 성분일 수 있다. 목표 막이 증착되면 나머지 반응에 사용되고 남은 성분들은 다시 퍼지 가스에 의해 챔버(200)에서 배기될 수 있다. After the concentration of the source gas in the chamber 200 is lowered by the input of the purge gas, the reaction gas may be introduced into the chamber 200 . The input reaction gas may have a chemical reaction with a deposition component of the source gas deposited on the substrate. An atomic layer of the source gas may be replaced with a component generated by a chemical reaction between the source gas and the reactant gas. The newly substituted film component may be a component targeted to be deposited on the substrate (W). When the target layer is deposited, the remaining components used in the remaining reaction may be evacuated from the chamber 200 again by the purge gas.

따라서, 증착막 1층을 형성하는 1 사이클은 소스 가스 투입, 제1 퍼지 가스 투입, 반응 가스 투입, 제2 퍼지 가스 투입을 포함할 수 있다. 이러한 방식으로, 1 싸이클당 하나의 원자 증착막 1층이 쌓여질 수 있고, 사용자가 원하는 두께로 증착 막의 두께를 조절할 수 있다. Accordingly, one cycle of forming the first deposition layer may include input of a source gas, input of a first purge gas, input of a reactive gas, and input of a second purge gas. In this way, one atomic deposition layer can be stacked per cycle, and the thickness of the deposition layer can be adjusted to a desired thickness by a user.

퍼지 가스는 1 싸이클동안 계속적으로 공급되거나, 소스 가스가 투입되는 동안에만 잠시 공급이 중단되거나, 반응 가스가 투입되는 동안에만 잠시 공급이 중단되거나, 소스 가스가 투입된 직후 투입 되거나 반응 가스가 투입된 직후 투입될 수 있다. 소스 가스 이후에 공급되는 제1 퍼지 가스와 반응 가스 이후에 공급되는 제2 퍼지 가스는 다른 종류의 가스일 수 있다. The purge gas is continuously supplied for one cycle, the supply is temporarily interrupted while the source gas is being supplied, the supply is temporarily stopped while the reactive gas is being supplied, or the purge gas is introduced immediately after the source gas is input or is introduced immediately after the reactive gas is input can be The first purge gas supplied after the source gas and the second purge gas supplied after the reaction gas may be different types of gases.

도 1을 참조하면, 일 실시 예로, 소스 가스는 가스 A, 제1 퍼지 가스는 가스 B, 반응 가스는 가스 C, 제2 퍼지 가스는 가스 D, 처리 가스는 가스 E일 수 있다. Referring to FIG. 1 , in an embodiment, the source gas may be gas A, the first purge gas may be gas B, the reaction gas may be gas C, the second purge gas may be gas D, and the processing gas may be gas E. Referring to FIG.

처리 가스는 소스 가스와 반응 가스의 주 화학반응 후에 남는 물질을 챔버(200)에서 제거할 수 있다. 예를 들어, 남는 물질은 Cl일 수 있고, 처리 가스는 수소 가스일 수 있다. The process gas may remove substances remaining after a main chemical reaction between the source gas and the reactant gas from the chamber 200 . For example, the remaining material may be Cl, and the processing gas may be hydrogen gas.

배기구(240)에는 배출되는 배기 가스의 압력을 조절하고, 배기 가스를 일정 압력으로 유지할 수 있도록 하는 배기 압력 조절부가 마련될 수 있다.The exhaust port 240 may be provided with an exhaust pressure adjusting unit that adjusts the pressure of the exhaust gas and maintains the exhaust gas at a constant pressure.

배기 압력 조절부는 공지의 가스 배출용 레귤레이터일 수 있고, 압력을 조절할 수 있는 외부 안전 밸브를 포함할 수 있다. The exhaust pressure adjusting unit may be a known gas discharge regulator, and may include an external safety valve capable of adjusting the pressure.

막 증착 공정의 일 실시 예를 단계별로 살펴보면, 한 층의 원자막 층이 증착되는 단계는 5단계로 형성될 수 있다. Looking at an embodiment of the film deposition process step by step, the step of depositing one atomic layer layer may be formed in five steps.

제1 단계에서는, 제1 가스 공급원(111)과 연결된 제1 가스 공급관(141)의 제1 밸브(131)가 열리고 소스 가스(가스 A)가 챔버(200) 내로 투입되어 기판에 증착될 수 있다. In the first step, the first valve 131 of the first gas supply pipe 141 connected to the first gas supply source 111 is opened, and the source gas (gas A) is introduced into the chamber 200 to be deposited on the substrate. .

제2 단계에서는, 제1 가스 공급관(141)의 제1 밸브(131)가 닫히고, 제1 퍼지 가스(가스 B)가 제1 투입구(231)를 통해 챔버(200) 내로 투입될 수 있다. 챔버(200)로 투입된 제1 퍼지 가스(가스 B)는 챔버(200)내의 소스 가스(가스 A)를 배기구(240)를 통해 외부로 배출시킬 수 있다. In the second step, the first valve 131 of the first gas supply pipe 141 may be closed, and the first purge gas (gas B) may be introduced into the chamber 200 through the first inlet 231 . The first purge gas (gas B) injected into the chamber 200 may exhaust the source gas (gas A) in the chamber 200 to the outside through the exhaust port 240 .

제1 가스 공급관(141)의 제1 밸브(131)가 닫힌 후, 제2 가스 공급원(112)과 연결된 제2 가스 공급관(142)의 제2 밸브(132)가 열릴 수 있다. 또는, 제2 밸브(132)는 제1 밸브(131)가 열린 동안에만 닫힐 수 있고, 제1 밸브(131)가 닫힌 나머지 공정 시간에는 계속 열릴 수 있다.After the first valve 131 of the first gas supply pipe 141 is closed, the second valve 132 of the second gas supply pipe 142 connected to the second gas supply source 112 may be opened. Alternatively, the second valve 132 may be closed only while the first valve 131 is opened, and may continue to be opened during the remaining process time when the first valve 131 is closed.

제3 단계에서는, 제3 가스 공급원(113)과 연결된 제3 가스 공급관(143)의 제3 밸브(133)가 열리고 반응 가스(가스 C)가 챔버(200)로 투입될 수 있고, 소스 가스(가스 A)와 반응 가스(가스 C)는 화학 반응을 하여 원하는 막 성분으로 치환될 수 있다. In the third step, the third valve 133 of the third gas supply pipe 143 connected to the third gas supply source 113 is opened and a reaction gas (gas C) may be introduced into the chamber 200 , and the source gas ( The gas A) and the reactant gas (gas C) may undergo a chemical reaction to be substituted with a desired film component.

제5 가스 공급원(115)단계에서는, 증착막을 형성하는 화학반응후 남은 성분을 효과적으로 제거하기 위하여 수소 가스가 제5 밸브(135)를 통해 챔버(200)에 투입될 수 있다.In the fifth gas supply source 115 step, hydrogen gas may be introduced into the chamber 200 through the fifth valve 135 in order to effectively remove the remaining components after the chemical reaction forming the deposition film.

제5 단계에서는 제3 가스 공급원(113)과 연결된 제3 가스 공급관(143)의 제3 밸브(133)가 닫히고, 퍼지 가스(가스 C)가 제2 투입구(232)를 통해 챔버(200)로 투입될 수 있다. 챔버(200)로 투입된 퍼지 가스는 반응 가스를 배기구(240)를 통해 외부로 배출할 수 있다. In the fifth step, the third valve 133 of the third gas supply pipe 143 connected to the third gas supply source 113 is closed, and the purge gas (gas C) is introduced into the chamber 200 through the second inlet 232 . can be put in The purge gas introduced into the chamber 200 may discharge the reaction gas to the outside through the exhaust port 240 .

제5 가스 공급원(115)단계와 제5 단계의 순서는 퍼지 가스의 투입 시간에 따라 결정될 수 있다. The order of the fifth gas supply source 115 step and the fifth step may be determined according to an input time of the purge gas.

퍼지 가스가 소스 가스 공급 후 또는, 반응 가스 공급 후 간헐적으로만 공급되는 경우, 소스 가스와 반응 가스의 막 형성후, 남은 성분은 제2 퍼지 가스에 의해서 제거되어야만 이어지는 다음 사이클에 영향을 주지 않을 수 있다. When the purge gas is supplied only intermittently after supplying the source gas or after supplying the reactant gas, after the film is formed between the source gas and the reactant gas, the remaining components must be removed by the second purge gas so as not to affect the subsequent cycle. have.

따라서, 퍼지 가스가 간헐적으로 공급되는 경우, 제5 가스 공급원(115)단계 이후에 제5 단계가 수행될 수 있다. Accordingly, when the purge gas is intermittently supplied, the fifth step may be performed after the fifth gas supplying step 115 .

그러나, 챔버(200)내의 일정한 기체 압력 유지를 위해, 퍼지 가스가 사이클내 특정 시간을 제외한 대부분의 시간동안 챔버(200)에 공급되는 경우, 제5 단계 이후에 제5 가스 공급원(115)단계가 올수도 있다. However, in order to maintain a constant gas pressure in the chamber 200, when the purge gas is supplied to the chamber 200 for most of the time except for a specific time in the cycle, the fifth gas supply step 115 is performed after the fifth step. may come

제1 단계 내지 제5 단계를 통해 균일한 1 싸이클의 증착막 과정이 완성될 수 있다. 제4 단계는 효과적으로 염소를 제거하기 위한 과정이므로 공정 설계상, 수 차례의 증착막 형성후 수소 가스에 의한 제거로 충분한 경우에는 제4 단계는 단속적으로 시행될 수 있다. A uniform deposition film process of one cycle may be completed through the first to fifth steps. Since the fourth step is a process for effectively removing chlorine, the fourth step may be intermittently performed if the removal by hydrogen gas is sufficient after the formation of several deposition layers in the design of the process.

110... 가스 공급원(111 내지 115)
120... 유량 조절부(121 내지 125)
130... 밸브(131 내지 135)
140... 가스 공급관(141 내지 145)
150... 가스 박스 160... 열선
200... 챔버 210... 샤워 헤드
220... 기판 지지대 230... 투입구(231 내지 233)
240... 배기구 300... 히팅 재킷(310, 320)
310... 온도 감지부(311, 312) 320... 제어부
330... 전기 공급선(331, 332)
W... 기판 A... 연결 부분
B... 엣지 부분 C... 밸브 설치 부분
S... 구간(S1 내지 S7) S'... 통합 구간
110... gas source (111 to 115)
120... flow control unit (121 to 125)
130... valves (131 to 135)
140... gas supply pipe (141 to 145)
150... gas box 160... heated wire
200...chamber 210...shower head
220... substrate support 230... inlet (231 to 233)
240... exhaust vent 300... heated jacket (310, 320)
310... temperature sensing unit (311, 312) 320... control unit
330... electrical supply lines (331, 332)
W... Board A... Connection
B... Edge part C... Valve mounting part
S... section (S1 to S7) S'... integrated section

Claims (10)

기판을 처리하는 챔버;
상기 기판 처리를 위한 복수의 가스를 저장하고 상기 챔버에 공급하는 가스 공급원;
일단은 상기 가스 공급원에 연결되고, 타단은 상기 챔버에 연결되는 가스 공급관;
상기 가스 공급관의 외부 둘레를 감싸는 히팅 재킷; 을 포함하고,
상기 가스 공급관을 통과하는 가스의 온도가 상기 히팅 재킷의 상류보다 하류에서 더 높은 기판 처리 장치.
a chamber for processing the substrate;
a gas supply source for storing a plurality of gases for processing the substrate and supplying the plurality of gases to the chamber;
a gas supply pipe having one end connected to the gas supply source and the other end connected to the chamber;
a heating jacket surrounding the outer periphery of the gas supply pipe; including,
A substrate processing apparatus in which a temperature of the gas passing through the gas supply pipe is higher downstream than upstream of the heating jacket.
제1 항에 있어서,
상기 가스 공급관을 통과하는 가스의 온도가 저하되는 불연속 구간이 발생하고,
상기 불연속 구간에 인접한 상기 히팅 재킷 일측의 온도가 상기 인접한 히팅 재킷의 다른 부분의 온도보다 높은 기판 처리 장치.
The method of claim 1,
A discontinuous section occurs in which the temperature of the gas passing through the gas supply pipe is lowered,
A substrate processing apparatus in which a temperature of one side of the heating jacket adjacent to the discontinuous section is higher than a temperature of another portion of the adjacent heating jacket.
제1 항에 있어서,
상기 히팅 재킷이 상기 가스 공급관을 따라 연속적으로 배열되고,
상기 연속된 히팅 재킷 사이에 불연속 구간이 발생하며,
상기 불연속 구간에는 상기 가스 공급관과 다른 장비가 연결되는 연결 부분, 상기 가스 공급관의 방향 전환을 위한 엣지 부분, 밸브 설치 부분중 적어도 어느 하나가 포함되는 기판 처리 장치.
The method of claim 1,
The heating jacket is continuously arranged along the gas supply pipe,
A discontinuous section occurs between the successive heating jackets,
The discontinuous section includes at least any one of a connection part for connecting the gas supply pipe and other equipment, an edge part for changing a direction of the gas supply pipe, and a valve installation part.
제1 항에 있어서,
상기 가스 공급관이 외부와 접촉하여 열 손실이 발생하는 연결 부위가 생성되고,
상기 가스 공급관의 정밀한 가스의 흐름을 제어하는 유량 조절부가 마련되며, 상기 가스가 상기 챔버에 투입되는 투입구가 구비되고,
상기 연결 부위에는, 상기 가스 공급관과 상기 유량 조절부 사이, 상기 가스 공급관과 상기 투입구 사이, 및 상기 각각 다른 가스 공급원을 가지는 가스 공급관이 서로 합쳐지는 경우 상기 다른 가스 공급관이 합쳐지는 부분중 적어도 어느 하나가 포함되는 기판 처리 장치.
The method of claim 1,
A connection portion in which the gas supply pipe is in contact with the outside and heat loss occurs is created,
A flow rate control unit for controlling the precise flow of gas in the gas supply pipe is provided, and an inlet through which the gas is introduced into the chamber is provided,
In the connection portion, between the gas supply pipe and the flow rate control unit, between the gas supply pipe and the inlet, and when the gas supply pipes each having the different gas supply sources are merged with each other, at least one of the parts where the other gas supply pipes are merged. A substrate processing apparatus comprising a.
제1 항에 있어서,
상기 히팅 재킷에는 열선이 마련되고,
상기 열선은 스파이럴 형상으로 상기 가스 공급관을 감싸고 연장되며,
상기 열선 간의 간격은 상기 히팅 재킷의 위치에 따라 다르고,
상기 히팅 재킷의 상류에서 하류로 갈수록 상기 열선의 권선수가 증가하는 기판 처리 장치.
The method of claim 1,
The heating jacket is provided with a heating wire,
The heating wire wraps around the gas supply pipe in a spiral shape and extends,
The spacing between the heating wires varies depending on the location of the heating jacket,
A substrate processing apparatus in which the number of windings of the heating wire increases from upstream to downstream of the heating jacket.
제1 항에 있어서,
상기 가스 공급관은 복수의 구간으로 분별되고,
제1 구간에는 제1 히팅 재킷이 마련되고, 제2 구간에는 제2 히팅 재킷이 구비되며,
상기 제1 히팅 재킷과 제2 히팅 재킷 사이에는 상기 히팅 재킷으로 커버되지 않는 불연속 구간이 발생하고,
상기 제1 히팅 재킷 또는 상기 제2 히팅 재킷중 상기 불연속 구간에 인접한 부분의 상기 열선의 권선수가 증가하는 기판 처리 장치.
The method of claim 1,
The gas supply pipe is divided into a plurality of sections,
A first heating jacket is provided in the first section, and a second heating jacket is provided in the second section,
A discontinuous section not covered by the heating jacket occurs between the first heating jacket and the second heating jacket,
The number of turns of the hot wire in a portion adjacent to the discontinuous section of the first heating jacket or the second heating jacket increases.
제1 항에 있어서,
상기 가스 공급관 내의 가스의 온도를 감지하는 온도 감지부가 마련되고,
상기 온도 감지부에 의해서 측정된 온도 신호를 수신받고 전기 공급선을 통해 상기 히팅 재킷에 전기 공급 여부를 결정하는 제어부가 구비되며,
상기 전기 공급선은 상기 히팅 재킷의 수와 동일하게 마련되는 기판 처리 장치.
The method of claim 1,
A temperature sensing unit for sensing the temperature of the gas in the gas supply pipe is provided,
A control unit for receiving the temperature signal measured by the temperature sensing unit and determining whether to supply electricity to the heating jacket through an electricity supply line is provided,
The substrate processing apparatus is provided with the number of the electric supply lines equal to the number of the heating jackets.
제1 항에 있어서,
상기 히팅 재킷의 내부에는 상기 가스 공급관의 둘레를 감싸고 열을 공급하는 열선이 마련되고,
상기 제1 히팅 재킷은 상기 가스 공급관의 길이 방향을 따라 상기 열선의 권선수가 일정하며, 상기 제2 히팅 재킷은 상기 가스 공급관의 길이 방향을 따라 상기 열선의 권선수가 변화하고,
상기 가스 공급관을 감싸는 상기 제1 히팅 재킷의 총 개수는 상기 제2 히팅 재킷의 총 개수보다 많은 기판 처리 장치.
The method of claim 1,
A heating wire is provided inside the heating jacket to surround the periphery of the gas supply pipe and supply heat,
In the first heating jacket, the number of windings of the heating wire is constant in the longitudinal direction of the gas supply pipe, and in the second heating jacket, the number of windings of the heating wire is changed in the longitudinal direction of the gas supply pipe,
The total number of the first heating jackets surrounding the gas supply pipe is greater than the total number of the second heating jackets.
제1 항에 있어서,
상기 히팅 재킷이 복수로 마련되고, 상기 복수의 히팅 재킷마다 온도 감지부가 구비되며,
상기 복수의 온도 감지부가 감지한 온도 정보가 전송되는 통합제어부가 마련되고,
상기 통합제어부는 상기 각 온도 감지부의 온도 정보로부터 상기 가스 공급관의 열 손실이 발생한 히팅 재킷을 판별하여 각 히팅 재킷마다 마련된 전기 공급선을 통해 전기를 공급하며,
상기 전기 공급선의 일단은 상기 통합제어부에 연결되고, 상기 전기 공급선의 타단은 상기 히팅 재킷에 연결되며, 상기 전기 공급선상에는 전압 또는 전류를 조정하는 조정 장치가 마련되는 기판 처리 장치.
The method of claim 1,
A plurality of the heating jackets are provided, and a temperature sensing unit is provided for each of the plurality of heating jackets,
An integrated control unit to which temperature information sensed by the plurality of temperature sensing units is transmitted is provided;
The integrated control unit determines the heating jacket in which the heat loss of the gas supply pipe has occurred from the temperature information of each temperature sensing unit, and supplies electricity through an electricity supply line provided for each heating jacket,
One end of the electric supply line is connected to the integrated control unit, the other end of the electric supply line is connected to the heating jacket, and an adjustment device for adjusting voltage or current is provided on the electric supply line.
제1 항에 있어서,
상기 복수의 가스는 소스 가스, 반응 가스, 퍼지 가스, 처리 가스중 적어도 어느 하나를 포함하고,
상기 소스 가스와 반응 가스는 상기 기판에 막이 증착되는 화학 반응을 하며,
상기 소스 가스 또는 상기 반응 가스가 상기 챔버에 분사된 후, 상기 퍼지 가스는 상기 챔버에 분사되고,
상기 처리 가스는 상기 소스 가스와 반응 가스의 반응후 남은 물질을 상기 챔버에서 제거하는 기판 처리 장치.
The method of claim 1,
The plurality of gases include at least one of a source gas, a reactive gas, a purge gas, and a processing gas,
The source gas and the reaction gas undergo a chemical reaction in which a film is deposited on the substrate,
After the source gas or the reaction gas is injected into the chamber, the purge gas is injected into the chamber,
The processing gas is a substrate processing apparatus to remove a material remaining after the reaction of the source gas and the reaction gas from the chamber.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH11236673A (en) * 1998-02-20 1999-08-31 Mitsubishi Electric Corp Chemical vapor growth device
JP2005079141A (en) * 2003-08-28 2005-03-24 Asm Japan Kk Plasma cvd system
KR100541814B1 (en) * 2003-09-15 2006-01-11 삼성전자주식회사 Chemical vapor deposition equipment
KR101113704B1 (en) * 2010-05-14 2012-03-09 (주) 유앤아이솔루션 Insulating heater jacket

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