KR20220137759A - 표본 상의 어레이 영역에서의 결함 검출 - Google Patents
표본 상의 어레이 영역에서의 결함 검출 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20220137759A KR20220137759A KR1020227031593A KR20227031593A KR20220137759A KR 20220137759 A KR20220137759 A KR 20220137759A KR 1020227031593 A KR1020227031593 A KR 1020227031593A KR 20227031593 A KR20227031593 A KR 20227031593A KR 20220137759 A KR20220137759 A KR 20220137759A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- page break
- region
- specimen
- array
- center
- Prior art date
Links
- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims abstract description 117
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 84
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims abstract description 152
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 77
- 238000013461 design Methods 0.000 claims abstract description 55
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 19
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 18
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 12
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 10
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 27
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 21
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 19
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 14
- 230000006870 function Effects 0.000 description 13
- 208000013715 atelosteogenesis type I Diseases 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 8
- 238000013450 outlier detection Methods 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 238000001433 helium-ion microscopy Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 235000006719 Cassia obtusifolia Nutrition 0.000 description 1
- 235000014552 Cassia tora Nutrition 0.000 description 1
- 244000201986 Cassia tora Species 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012938 design process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- AWSBQWZZLBPUQH-UHFFFAOYSA-N mdat Chemical compound C1=C2CC(N)CCC2=CC2=C1OCO2 AWSBQWZZLBPUQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000003909 pattern recognition Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/225—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/225—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
- G01N23/2251—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion using incident electron beams, e.g. scanning electron microscopy [SEM]
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
- G06T7/0004—Industrial image inspection
- G06T7/0008—Industrial image inspection checking presence/absence
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
- G06T7/0004—Industrial image inspection
- G06T7/001—Industrial image inspection using an image reference approach
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
- G01N2021/8887—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges based on image processing techniques
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
- G01N2223/40—Imaging
- G01N2223/401—Imaging image processing
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
- G01N2223/60—Specific applications or type of materials
- G01N2223/611—Specific applications or type of materials patterned objects; electronic devices
- G01N2223/6116—Specific applications or type of materials patterned objects; electronic devices semiconductor wafer
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/10—Image acquisition modality
- G06T2207/10056—Microscopic image
- G06T2207/10061—Microscopic image from scanning electron microscope
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
- G06T2207/30108—Industrial image inspection
- G06T2207/30148—Semiconductor; IC; Wafer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
표본 상의 어레이 영역에서 결함을 검출하기 위한 방법 및 시스템이 제공된다. 하나의 방법은 검사 서브시스템에 의해 표본에 대해 생성된 출력에서 어레이 영역 내의 페이지 나누기 중심을 결정하는 단계를 포함한다. 페이지 나누기는 어레이 영역에서 셀 영역을 분할하고, 셀 영역은 반복되는 패턴화된 피처를 포함한다. 방법은 또한 출력에서의 페이지 나누기 중심과 표본에 대한 설계에서의 페이지 나누기 중심 사이의 오프셋을 결정하는 단계, 및 오프셋에 기초하여 어레이 영역에서 관리 영역에 대응하는 출력 부분을 식별하는 단계를 포함한다. 또한, 방법은 관리 영역에 대응하는 출력 부분에 결함 검출 방법을 적용함으로써 어레이 영역에서 결함을 검출하는 단계를 포함한다.
Description
본 발명은 일반적으로 반도체 분야에서 표본 상의 어레이 영역에서 결함을 검출하기 위한 방법 및 시스템에 관한 것이다.
다음 설명 및 예는 이 섹션에 포함되어 있기 때문에 선행 기술로 인정되지 않는다.
로직 및 메모리 디바이스와 같은 반도체 디바이스를 제조하는 것은 통상적으로 다수의 반도체 제조 공정 사용하여 반도체 웨이퍼와 같은 표본을 처리하여 반도체 디바이스의 다양한 피처 및 다수의 레벨을 형성하는 것을 포함한다. 예를 들어, 리소그래피는 통상적으로 반도체 웨이퍼 상에 배열된 레지스트에 패턴을 전사하는 것을 포함하는 반도체 제조 공정이다. 반도체 제조 공정의 추가적인 예는, 화학적 기계적 연마, 에칭, 증착, 및 이온 주입을 포함하지만 이에 제한되지 않는다. 다수의 반도체 디바이스가 반도체 웨이퍼 상에 정렬되어 제조될 수 있고, 그리고 나서 개별적인 반도체 디바이스로 분리될 수 있다.
광학 또는 전자 빔 이미징을 사용하는 검사는 반도체 제조 공정을 디버깅하고 공정 변동을 모니터링하며 반도체 산업에서 생산 수율을 향상시키는 데 중요한 기술이다. 최신 집적 회로(IC)의 규모가 계속 줄어들고 제조 공정의 복잡성이 증가함에 따라, 검사가 점점 더 어려워지고 있다.
반도체 웨이퍼에 대해 수행되는 각각의 처리 단계에서, 동일한 회로 패턴이 각각의 다이에 인쇄된다. 대부분의 웨이퍼 검사 시스템은 이 사실을 사용하고 비교적 간단한 다이 대 다이 비교를 사용하여 웨이퍼 상의 결함을 검출한다. 그러나, 각각의 다이의 인쇄 회로는 DRAM, SRAM 또는 FLASH 영역과 같이 x 또는 y 방향으로 반복되는 패턴화된 피처의 많은 영역을 포함할 수 있다. 이러한 유형의 영역은 일반적으로 "어레이 영역"으로 지칭된다(나머지 영역을 "랜덤" 또는 "로직 영역"이라고 함). 더 양호한 감도를 달성하기 위해, 고급 검사 시스템은 어레이 영역과 랜덤 또는 로직 영역을 검사하기 위해 상이한 전략을 사용한다.
어레이 검출 알고리즘은 셀 영역의 반복성을 사용하여 DRAM 셀 영역에 대해 비교적 높은 감도를 달성하도록 설계되었다. 예를 들어, 어레이 영역 검사를 위해 구성된 검사 시스템은 종종 동일한 다이에 있는 어레이 영역 내의 상이한 셀의 이미지를 서로 차감하고 결함에 대해 그 차이를 검사하는 셀 간 비교를 수행한다. 이러한 어레이 검사 전략은 다이 간 변동으로 인한 노이즈를 피하기 때문에 랜덤 검사(일반적으로, 한 다이의 이미지를 다른 다이의 이미지에서 차감함으로써 수행됨)보다 어레이 영역에서 훨씬 더 높은 감도를 달성할 수 있다.
DRAM 셀 영역의 경우, 셀 영역 내 셀의 반복성이 셀에서 결함을 검출하는 데 성공적으로 사용될 수 있도록 하기 위해 일반적으로 사용되는 두 가지 방법이 있다. 제1 방법으로, 검사는 설계에 검사 이미지를 정렬하는 레거시 검사를 사용한다. 이러한 방법에서 단계 불확실성을 극복하기 위해, 어레이 관리 영역(array care areas)은 일반적으로 어레이 관리 영역 내의 픽셀이 반복되도록 하기 위해 특정 양만큼 축소된다. 셀 에지 영역의 경우, 랜덤 관리 영역과 랜덤 유형 검사가 검출에 사용된다. 다른 방법에서, 설계에 대한 정렬(예를 들어, 설계에 대한 픽셀 정렬(pixel to design alignment; PDA))을 사용하여 관리 영역을 배치한다. 페이지 나누기(page break) 상의 정렬 타겟이 정렬에 사용되며, 어레이 관리 영역은 반복하는 패턴 영역 상에 정확히 배치될 수 있다. 이 방법에서, 양호한 PDA 정렬 성능을 위해서는 양호한 타겟이 필요하다.
그러나, 위에서 설명된 어레이 검출 방법에는 몇 가지 단점이 있다. 예를 들어, 랜덤 검출 알고리즘과 비교하여, 어레이 검출은 1) 동일한 다이 상의 인접 영역이 일반적으로 인접 다이 이미지(랜덤 검출을 위한 기준 이미지에 사용됨)와 비교하여 유사한 처리를 가지므로 더 적은 노이즈가 유입되고, 2) 테스트 이미지와 기준 이미지가 동일한 이미지 프레임에서 나올 수 있으므로 정렬이 필요하지 않기 때문에 훨씬 더 높은 감도를 갖는다. 그러나, 어레이 검출은 관리 영역 내의 픽셀이 표본 상의 x 방향으로 반복되는 패턴화된 피처에 응답해야 한다. 레거시 관리 영역 배치 정확도는 단계 불확실성에 의해 결정된다. 어레이 관리 영역은 관리 영역 배치 정확도가 요구 사항을 충족할 수 없을 때 반복되지 않는 페이지 나누기 영역에 의해 내부 셀 결함 검출이 오염되는 것을 방지하기 위해 셀 영역보다 특정 양만큼 작아야 한다. 결과적으로, DRAM 층에서, 셀 에지 픽셀은 더 강력한 어레이 검출 대신 랜덤 검사 알고리즘으로만 검사될 수 있다. 그 결과, DRAM 셀 에지에서 감도가 떨어진다. PDA 정렬은 로직 층의 단계 불확실성을 보정하는 데 도움이 될 수 있다. 그러나, DRAM 층의 경우, 정렬에 적합한 패턴이 충분하지 않아 현재 설계 기반 정렬은 일부 층에서 작동하지 않을 수 있다.
따라서, 위에서 설명된 단점 중 하나 이상을 갖지 않는 표본 상의 어레이 영역 검사를 위한 시스템 및 방법을 개발하는 것이 유리할 것이다.
다양한 실시예에 대한 다음 설명은 첨부된 청구범위의 주제를 제한하는 것으로 어떤 식으로든 해석되어서는 안 된다.
일 실시예는 표본 상의 어레이 영역에서 결함을 검출하도록 구성된 시스템에 관한 것이다. 시스템은 적어도 에너지 소스 및 검출기를 포함하는 검사 서브시스템을 포함한다. 에너지 소스는 표본으로 지향되는 에너지를 생성하도록 구성되고, 검출기는 표본으로부터 에너지를 검출하고 검출된 에너지에 응답하여 출력을 생성하도록 구성된다. 시스템은 또한 표본에 대해 생성된 출력에서 어레이 영역 내의 페이지 나누기 중심을 결정하도록 구성된 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템을 포함한다. 페이지 나누기는 어레이 영역에서 셀 영역을 분할하고, 셀 영역은 반복되는 패턴화된 피처를 포함한다. 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템은 또한 출력에서의 페이지 나누기 중심과 표본에 대한 설계에서의 페이지 나누기 중심 사이의 오프셋을 결정하고, 오프셋에 기초하여 어레이 영역에서 관리 영역에 대응하는 출력 부분을 식별하도록 구성된다. 또한, 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템은 관리 영역에 대응하는 출력 부분에 결함 검출 방법을 적용함으로써 어레이 영역에서 결함을 검출하도록 구성된다. 시스템은 또한 본 명세서에 설명된 바와 같이 구성될 수 있다.
다른 실시예는 표본 상의 어레이 영역에서 결함을 검출하기 위한 컴퓨터 구현 방법에 관한 것이다. 이 방법은 검사 서브시스템에 의해 표본에 대해 생성된 출력에서 어레이 영역 내의 페이지 나누기 중심을 결정하는 단계를 포함한다. 페이지 나누기는 어레이 영역에서 셀 영역을 분할하고, 셀 영역은 반복되는 패턴화된 피처를 포함한다. 검사 서브시스템은 위에서 설명된 바와 같이 구성된다. 방법은 또한 위에서 설명된 오프셋을 결정하고, 부분을 식별하고, 결함을 검출하는 단계를 포함한다. 중심을 결정하고, 오프셋을 결정하고, 부분을 식별하고, 결함을 검출하는 단계는 검사 서브시스템에 결합된 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템에 의해 수행된다. 위에서 설명된 방법의 각각의 단계는 본 명세서에서 추가로 설명된 바와 같이 수행될 수 있다. 또한, 위에서 설명된 방법 실시예는 본 명세서에 설명된 임의의 다른 방법(들)의 임의의 다른 단계(들)를 포함할 수 있다. 위에서 설명된 방법은 본 명세서에서 설명된 임의의 시스템에 의해 수행될 수 있다.
다른 실시예는 표본 상의 어레이 영역에서 결함을 검출하기 위한 컴퓨터 구현 방법을 수행하기 위한 컴퓨터 시스템 상에서 실행 가능한 프로그램 명령어를 저장하는 비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체에 관한 것이다. 컴퓨터 구현 방법은 위에서 설명된 방법의 단계를 포함한다. 컴퓨터 판독 가능 매체는 또한 본 명세서에서 설명된 바와 같이 구성될 수 있다. 컴퓨터 구현 방법의 단계는 본 명세서에서 추가로 설명된 바와 같이 수행될 수 있다. 또한, 프로그램 명령어가 실행 가능한 컴퓨터 구현 방법은 본 명세서에 설명된 임의의 다른 방법(들)의 임의의 다른 단계(들)를 포함할 수 있다.
본 발명의 추가 장점은 바람직한 실시예에 대한 다음의 상세한 설명의 이점과 첨부 도면을 참조하여 당업자에게 명백해질 것이다.
도 1 및 도 1a는 본 명세서에서 설명된 바와 같이 구성된 시스템 실시예의 측면도를 도시하는 개략도이다.
도 2 내지 도 3 및 도 5 내지 도 7은 표본 상의 어레이 영역에서 결함을 검출하기 위해 수행될 수 있는 단계의 실시예를 도시하는 흐름도이다.
도 4는 관리 영역에서 셀 영역의 에지에 대한 관심 영역의 근접성에 기초하여 정의된 빈(bins)의 일례의 평면도를 도시하는 개략도이다.
도 8은 컴퓨터 시스템으로 하여금 본 명세서에 설명된 컴퓨터 구현 방법을 수행하게 하기 위한 프로그램 명령어를 저장하는 비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체의 일 실시예를 도시하는 블록도이다.
본 발명은 다양한 수정 및 대안적인 형태가 가능하지만, 본 발명의 특정한 실시예가 도면에 예로서 도시되고 본 명세서에서 상세하게 설명된다. 도면은 실척도가 아닐 수 있다. 그러나, 도면 및 상세한 설명은 본 발명을 개시된 특정 형태로 제한하려는 것이 아니라, 첨부된 청구범위에 의해 정의된 바와 같이 본 발명의 사상 및 범위 내에 있는 모든 수정, 등가물 및 대안을 포함하기 위한 것임을 이해해야 한다.
도 1 및 도 1a는 본 명세서에서 설명된 바와 같이 구성된 시스템 실시예의 측면도를 도시하는 개략도이다.
도 2 내지 도 3 및 도 5 내지 도 7은 표본 상의 어레이 영역에서 결함을 검출하기 위해 수행될 수 있는 단계의 실시예를 도시하는 흐름도이다.
도 4는 관리 영역에서 셀 영역의 에지에 대한 관심 영역의 근접성에 기초하여 정의된 빈(bins)의 일례의 평면도를 도시하는 개략도이다.
도 8은 컴퓨터 시스템으로 하여금 본 명세서에 설명된 컴퓨터 구현 방법을 수행하게 하기 위한 프로그램 명령어를 저장하는 비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체의 일 실시예를 도시하는 블록도이다.
본 발명은 다양한 수정 및 대안적인 형태가 가능하지만, 본 발명의 특정한 실시예가 도면에 예로서 도시되고 본 명세서에서 상세하게 설명된다. 도면은 실척도가 아닐 수 있다. 그러나, 도면 및 상세한 설명은 본 발명을 개시된 특정 형태로 제한하려는 것이 아니라, 첨부된 청구범위에 의해 정의된 바와 같이 본 발명의 사상 및 범위 내에 있는 모든 수정, 등가물 및 대안을 포함하기 위한 것임을 이해해야 한다.
본 명세서에 사용된 "방해물"(때로는 "방해 결함"과 상호 교환적으로 사용됨)이라는 용어는 일반적으로 사용자가 신경 쓰지 않는 결함 및/또는 표본 상에서 검출되지만 실제로 표본 상의 실제 결함이 아닌 이벤트로 정의된다. 실제 결함이 아닌 방해물은 표본 상의 비결함 노이즈 소스(예를 들어, 표본 상의 금속 라인의 입자, 표본 상의 하부 층 또는 재료의 신호, 라인 에지 거칠기(line edge roughness; LER), 패턴 속성의 비교적 작은 임계 치수(critical dimension; CD) 변동, 두께 변동 등) 및/또는 검사 시스템 자체 또는 검사에 사용되는 구성의 한계로 인해 이벤트로 검출될 수 있다.
본 명세서에 사용된 "관심 결함(defects of interest; DOI)"이라는 용어는 표본 상에서 검출되고 실제로 표본 상의 실제 결함인 결함으로 정의된다. 따라서, 사용자는 일반적으로 검사되는 표본 상의 실제 결함의 수 및 종류를 신경 쓰기 때문에 DOI는 사용자의 관심 대상이다. 일부 상황에서, "DOI"라는 용어는 표본 상의 모든 실제 결함의 서브세트를 나타내는 데 사용되며, 이는 사용자가 신경 쓰는 실제 결함만 포함한다. 예를 들어, 주어진 표본 상에 여러 유형의 DOI가 있을 수 있으며, 그 중 하나 이상이 하나 이상의 다른 유형보다 사용자의 더 큰 관심 대상일 수 있다. 그러나, 본 명세서에 설명된 실시예의 맥락에서, "DOI"라는 용어는 표본 상의 임의의 그리고 모든 실제 결함을 지칭하는 데 사용된다.
본 명세서에서 사용된 "설계", 및 "설계 데이터"라는 용어는 일반적으로 IC의 물리적 설계(레이아웃) 및 복잡한 시뮬레이션 또는 단순한 기하학적 연산 및 불(Boolean) 연산을 통해 물리적 설계로부터 도출된 데이터를 나타낸다. 또한, 레티클 검사 시스템 및/또는 그 파생물에 의해 획득된 레티클 이미지는 설계를 위한 "프록시" 또는 "프록시들"로 사용될 수 있다. 이러한 레티클 이미지 또는 그 파생물은 설계를 사용하는 본 명세서에 설명된 임의의 실시예에서 설계 레이아웃의 대체물의 역할을 할 수 있다. 설계는 Zafar 등에게 2009년 8월 4일자에 허여된 공동 소유의 미국 특허 제 7,570,796 호 및 Kulkarni 등에게 2010년 3월 9일자에 허여된 미국 특허 제 7,676,077 호에 설명된 임의의 다른 설계 데이터 또는 설계 데이터 프록시를 포함할 수 있으며, 상기 미국 특허 모두는 본 명세서에서 완전히 설명된 것처럼 참조로 포함된다. 또한, 설계 데이터는 표준 셀 라이브러리 데이터, 통합 레이아웃 데이터, 하나 이상의 층에 대한 설계 데이터, 설계 데이터의 파생물, 및 전체 또는 부분 칩 설계 데이터일 수 있다.
그러나, 일반적으로, 웨이퍼 검사 시스템으로 웨이퍼를 이미징하여 설계 정보나 데이터를 생성할 수 없다. 예를 들어, 웨이퍼 상에 형성된 설계 패턴은 웨이퍼에 대한 설계를 정확하게 나타내지 않을 수 있으며, 웨이퍼 검사 시스템은 이미지가 웨이퍼 설계에 대한 정보를 결정하는 데 사용될 수 있도록 충분한 해상도로 웨이퍼 상에 형성된 설계 패턴의 이미지를 생성할 수 없다. 따라서, 일반적으로, 물리적인 웨이퍼를 사용하여 설계 정보나 설계 데이터를 생성할 수 없다. 또한, 본 명세서에서 설명된 "설계", 및 "설계 데이터"는 설계 공정에서 반도체 디바이스 설계자에 의해 생성되는 정보 및 데이터를 나타내며, 따라서 임의의 물리적 웨이퍼 상에 설계를 인쇄하기 훨씬 앞서서 본 명세서에 설명된 실시예에서 사용할 수 있다.
이제 도면을 참조하면, 도면은 실척도가 아님을 유념한다. 특히, 도면의 일부 요소의 축척은 요소의 특성을 강조하기 위해 크게 과장되어 있다. 또한, 도면은 동일한 축척으로 그려지지 않음을 유념한다. 유사하게 구성될 수 있는 하나 이상의 도면에 도시된 요소는 동일한 참조 번호를 사용하여 표시되었다. 본 명세서에서 달리 언급하지 않는 한, 설명되고 도시된 임의의 요소는 임의의 적절한 상업적으로 입수 가능한 요소를 포함할 수 있다.
일반적으로, 본 명세서에 설명된 실시예는 표본 상의 어레이 영역에서 결함을 검출하도록 구성된다. 일부 실시예는 DRAM 에지 셀 감도 개선을 위한 비닝 기반 솔루션(binning-based solutions)을 위해 구성된다. 실시예는 또한 일반적으로 포화된 페이지 나누기를 사용하는 DRAM 검사를 위한 위치 기반 셀 영역 비닝 방법에 관한 것일 수 있다. 일부 실시예가 동적 랜덤 액세스 메모리(dynamic random access memory; DRAM) 디바이스와 관련하여 본 명세서에서 설명되지만, 본 명세서에서 설명된 실시예는 임의의 유형의 메모리 디바이스 및/또는 메모리 영역을 포함하는 디바이스의 검사에 사용될 수 있다.
DRAM과 같은 반도체 메모리 디바이스를 형성하는 데 사용되는 제조 공정은 일반적으로 내부 셀 영역보다 DRAM 에지 셀 영역에서 더 나쁜 성능을 보이며, 이는 제조 공정이 일반적으로 내부 셀 영역에 비해 에지 셀 영역에서 더 많은 결함을 초래한다는 것을 의미한다. 일부 층에서, 중요한 DOI는 DRAM 제조업체의 피드백을 기반으로 셀 경계에 비교적 가깝게 위치될 수 있다.
검사 도구의 단계 불확실성으로 인해, 어레이 관리 영역은 이미지에서 반복되는 DRAM 셀 영역 상에 실질적으로 정확하게 배치될 수 없으며, 관리 영역은 관리 영역 내부의 감도를 보장하기 위해 축소되어야 한다. 어레이 관리 영역은 일반적으로 메모리 디바이스의 어레이 영역에 대한 관리 영역으로 정의될 수 있으며, 여기서 어레이 영역은, 적어도 일부 반복되지 않는 패턴화된 구조물을 포함하는 로직 영역과 비교하여, 실질적으로 작은 반복 셀에 배열된 패턴화된 구조물만을 포함하는 반도체 디바이스의 영역으로 정의된다. 따라서, 에지 셀 영역의 검사 감도는 희생된다.
본 명세서에 설명된 실시예는 어레이 관리 영역의 실질적으로 정확한 배치를 가능하게 하고 전체 셀 영역에 대해 어레이 검출 알고리즘을 가능하게 함으로써 에지 셀 영역 검사 감도를 개선하는 방법을 제공한다. 또한, 본 명세서에 설명된 실시예는 전체 셀 영역 픽셀을 상이한 빈으로 분리하여 상이한 노이즈 레벨 영역에 대해 상이한 감도를 독립적으로 설정할 수 있는 유연성을 사용자에게 제공할 수 있다.
일부 실시예에서, 표본은 웨이퍼이다. 웨이퍼는 반도체 분야에 공지된 임의의 웨이퍼를 포함할 수 있다. 일부 실시예는 웨이퍼 또는 웨이퍼들과 관련하여 본 명세서에서 설명될 수 있지만, 실시예는 이들이 사용될 수 있는 표본으로 제한되지 않는다. 예를 들어, 본 명세서에 설명된 실시예는 레티클, 평면 패널, 개인용 컴퓨터(PC) 보드, 및 기타 반도체 표본과 같은 표본에 사용될 수 있다.
표본 상의 어레이 영역에서 결함을 검출하도록 구성된 시스템의 일 실시예가 도 1에 도시되어 있다. 시스템은 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템(102)에 결합된 검사 서브시스템(100)을 포함한다. 도 1에 도시된 실시예에서, 검사 서브시스템은 광 기반 검사 서브시스템으로서 구성된다. 그러나, 본 명세서에 설명된 다른 실시예에서, 검사 서브시스템은 전자 빔 또는 하전 입자 빔 기반 검사 서브시스템으로서 구성된다.
일반적으로, 본 명세서에 설명된 검사 서브시스템은 적어도 에너지 소스 및 검출기를 포함한다. 에너지 소스는 표본으로 지향되는 에너지를 생성하도록 구성된다. 검출기는 표본으로부터 에너지를 검출하고 검출된 에너지에 응답하여 출력을 생성하도록 구성된다.
광 기반 검사 서브시스템에서, 표본으로 지향된 에너지는 광을 포함하고, 표본으로부터 검출된 에너지는 광을 포함한다. 예를 들어, 도 1에서 도시된 시스템 실시예에서, 검사 서브시스템은 광을 표본(14)으로 지향시키도록 구성된 조명 서브시스템을 포함한다. 조명 서브시스템은 적어도 하나의 광원을 포함한다. 예를 들어, 도 1에 도시된 바와 같이, 조명 서브시스템은 광원(16)을 포함한다. 일 실시예에서, 조명 서브시스템은 하나 이상의 경사각 및/또는 하나 이상의 수직각을 포함할 수 있는 하나 이상의 입사각으로 광을 표본으로 지향시키도록 구성된다. 예를 들어, 도 1에 도시된 바와 같이, 광원(16)으로부터의 광은 광학 요소(18)를 통해 그런 다음 렌즈(20)를 거쳐서 경사 입사각으로 표본(14)으로 지향된다. 경사 입사각은 임의의 적절한 경사 입사각을 포함할 수 있으며, 이는 예를 들어 표본의 특성 및 표본 상에서 검출될 결함에 따라 달라질 수 있다.
조명 서브시스템은 상이한 시간에 상이한 입사각으로 광을 표본으로 지향시키도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 검사 서브시스템은 광이 도 1에 도시된 것과는 상이한 입사각으로 표본으로 지향될 수 있도록 조명 서브시스템의 하나 이상의 요소의 하나 이상의 특성을 변경하도록 구성될 수 있다. 하나의 이러한 예에서, 검사 서브시스템은 광이 상이한 경사 입사각 또는 수직(또는 거의 수직) 입사각으로 표본으로 지향되도록 광원(16), 광학 요소(18), 및 렌즈(20)를 이동시키도록 구성될 수 있다.
일부 예에서, 검사 서브시스템은 동시에 하나 이상의 입사각으로 광을 표본으로 지향시키도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 조명 서브시스템은 하나 이상의 조명 채널을 포함할 수 있고, 조명 채널 중 하나는 도 1에 도시된 바와 같이 광원(16), 광학 요소(18), 및 렌즈(20)를 포함할 수 있고, 조명 채널 중 다른 하나(도시되지 않음)는 상이하게 또는 동일하게 구성될 수 있는 유사한 요소를 포함할 수 있거나, 적어도 광원 및 가능하게는 본 명세서에서 추가로 설명되는 것과 같은 하나 이상의 다른 구성 요소를 포함할 수 있다. 이러한 광이 다른 광과 동시에 표본으로 지향되는 경우, 상이한 입사각으로 표본으로 지향된 광의 하나 이상의 특성(예를 들어, 파장, 편광 등)이 상이할 수 있으므로 상이한 입사각으로 표본을 조명함으로써 생기는 광은 검출기(들)에서 서로 구별될 수 있다.
다른 예에서, 조명 서브시스템은 단지 하나의 광원(예를 들어, 도 1에 도시된 광원(16))을 포함할 수 있고, 그 광원으로부터의 광은 조명 서브시스템의 하나 이상의 광학 요소(도시되지 않음)에 의해 (예를 들어, 파장, 편광 등에 기초하여) 상이한 광학 경로로 분리될 수 있다. 그런 다음, 각각의 상이한 광학 경로의 광이 표본으로 지향될 수 있다. 다수의 조명 채널은 동시에 또는 상이한 시간에 (예를 들어, 상이한 조명 채널이 순차적으로 표본을 조명하는 데 사용되는 경우) 광을 표본으로 지향시키도록 구성될 수 있다. 다른 예에서, 동일한 조명 채널은 상이한 시간에 상이한 특성을 갖는 광을 표본으로 지향시키도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 일부 예에서, 광학 요소(18)는 스펙트럼 필터로서 구성될 수 있으며, 스펙트럼 필터의 특성은 상이한 파장의 광이 상이한 시간에 표본으로 지향될 수 있도록 다양한 상이한 방식으로(예를 들어, 하나의 스펙트럼 필터를 다른 것으로 바꿈으로써) 변경될 수 있다. 조명 서브시스템은 상이하거나 또는 동일한 특성을 갖는 광을 상이하거나 또는 동일한 입사각으로 순차적으로 또는 동시에 표본으로 지향시키기 위해 당업계에 공지된 임의의 다른 적절한 구성을 가질 수 있다.
광원(16)은 광대역 플라즈마(broadband plasma; BBP) 광원을 포함할 수 있다. 이러한 방식으로, 광원에 의해 생성되어 표본으로 지향되는 광은 광대역 광을 포함할 수 있다. 그러나, 광원은 레이저와 같은 임의의 다른 적절한 광원을 포함할 수 있다. 레이저는 당업계에 공지된 임의의 적절한 레이저를 포함할 수 있고, 당업계에 공지된 임의의 적절한 파장(들)에서 광을 생성하도록 구성될 수 있다. 또한, 레이저는 단색 또는 거의 단색인 광을 생성하도록 구성될 수 있다. 이러한 방식으로, 레이저는 협대역 레이저일 수 있다. 광원은 또한 다수의 개별 파장 또는 파장대역에서의 광을 생성하는 다색 광원을 포함할 수 있다.
광학 요소(18)로부터의 광은 렌즈(20)에 의해 표본(14)에 포커싱될 수 있다. 렌즈(20)가 단일 굴절 광학 요소로서 도 1에 도시되어 있지만, 실제로, 렌즈(20)는 광학 요소로부터 표본으로의 광을 조합하여 포커싱하는 다수의 굴절 및/또는 반사 광학 요소를 포함할 수 있다. 도 1에 도시되고 본 명세서에 설명된 조명 서브시스템은 임의의 다른 적절한 광학 요소(도시되지 않음)를 포함할 수 있다. 이러한 광학 요소의 예는 편광 구성 요소(들), 스펙트럼 필터(들), 공간 필터(들), 반사 광학 요소(들), 아포다이저(들), 빔 스플리터(들), 조리개(들) 등을 포함하지만 이에 제한되지 않으며, 당업계에 공지된 임의의 적절한 광학 요소를 포함할 수 있다. 또한, 시스템은 검사에 사용될 조명 유형에 기초하여 조명 서브시스템의 하나 이상의 요소를 변경하도록 구성될 수 있다.
검사 서브시스템은 또한 광이 지향되고 광이 검출되는 표본 상의 위치를 변경하고 가능하게는 광이 표본 위를 스캐닝하도록 구성된 스캐닝 서브시스템을 포함할 수 있다. 예를 들어, 검사 서브시스템은 검사 동안 표본(14)이 배치되는 스테이지(22)를 포함할 수 있다. 스캐닝 서브시스템은 광이 표본 상의 상이한 위치로 지향되고 검출될 수 있도록 표본을 이동시키도록 구성될 수 있는 임의의 적절한 기계적 및/또는 로봇식 어셈블리(스테이지(22)를 포함함)를 포함할 수 있다. 추가로 또는 대안적으로, 검사 서브시스템은 광이 표본 상의 상이한 위치로 지향되고 검출될 수 있도록 검사 서브시스템의 하나 이상의 광학 요소가 표본 위를 광으로 스캐닝을 수행하도록 구성될 수 있다. 광이 표본 위를 스캐닝하는 경우, 광은 구불구불한 경로 경로 또는 나선형 경로와 같은 임의의 적절한 방식으로 표본 위를 스캐닝할 수 있다.
검사 서브시스템은 하나 이상의 검출 채널을 더 포함한다. 검출 채널(들) 중 적어도 하나는 시스템에 의한 표본의 조명으로 인한 표본으로부터의 광을 검출하고 검출된 광에 응답하여 출력을 생성하도록 구성된 검출기를 포함한다. 예를 들어, 도 1에 도시된 검사 서브시스템은 2개의 검출 채널을 포함하는데, 그 중 하나의 검출 채널은 수집기(24), 요소(26), 및 검출기(28)에 의해 형성되고, 다른 하나의 검출 채널은 수집기(30), 요소(32), 및 검출기(34)에 의해 형성된다. 도 1에 도시된 바와 같이, 2개의 검출 채널은 상이한 수집 각도에서 광을 수집하고 검출하도록 구성된다. 일부 예에서, 양자 모두의 검출 채널은 산란 광을 검출하도록 구성되고, 검출 채널은 표본으로부터 상이한 각도로 산란되는 광을 검출하도록 구성된다. 그러나, 검출 채널 중 하나 이상이 표본으로부터 다른 유형의 광(예를 들어, 반사 광)을 검출하도록 구성될 수 있다.
도 1에 또한 도시된 바와 같이, 양자 모두의 검출 채널은 종이의 평면 내에 배치된 것으로 도시되어 있고, 조명 서브시스템은 또한 종이의 평면 내에 배치된 것으로 도시되어 있다. 그러므로, 이 실시예에서, 양자 모두의 검출 채널은 입사면에 배치된다(예를 들어, 이의 중심에 위치한다). 그러나, 검출 채널 중 하나 이상이 입사면 밖에 배치될 수 있다. 예를 들어, 수집기(30), 요소(32), 및 검출기(34)에 의해 형성된 검출 채널은 입사면 밖으로 산란되는 광을 수집하고 검출하도록 구성될 수 있다. 그러므로, 이러한 검출 채널은 일반적으로 "측면" 채널로 지칭될 수 있으며, 이러한 측면 채널은 입사면에 실질적으로 수직인 평면의 중심에 위치될 수 있다.
도 1이 2개의 검출 채널을 포함하는 검사 서브시스템의 실시예를 도시하지만, 검사 서브시스템은 상이한 수의 검출 채널(예를 들어, 단지 하나의 검출 채널 또는 2개 이상의 검출 채널)을 포함할 수 있다. 하나의 이러한 예에서, 수집기(30), 요소(32), 및 검출기(34)에 의해 형성된 검출 채널은 위에서 설명된 바와 같이 하나의 측면 채널을 형성할 수 있고, 검사 서브시스템은 입사면의 대향 측면 상에 배치되는 다른 측면 채널로서 형성된 추가 검출 채널(도시되지 않음)을 포함할 수 있다. 따라서, 검사 서브시스템은 수집기(24), 요소(26), 및 검출기(28)를 포함하고, 입사면의 중심에 있으며, 표본 표면에 수직인 또는 이에 가까운 산란 각(들)으로 광을 수집하고 검출하도록 구성된 검출 채널을 포함할 수 있다. 따라서, 이 검출 채널은 일반적으로 "상부" 채널로 지칭될 수 있으며, 검사 서브시스템은 또한 위에서 설명된 바와 같이 구성된 2개 이상의 측면 채널을 포함할 수 있다. 이와 같이, 검사 서브시스템은 적어도 3개의 채널(즉, 1개의 상부 채널 및 2개의 측면 채널)을 포함할 수 있고, 적어도 3개의 채널 각각은 그 자신의 수집기를 가지며, 각각의 수집기는 각각의 다른 수집기와 상이한 산란 각으로 광을 수집하도록 구성된다.
위에서 추가로 설명된 바와 같이, 검사 서브시스템에 포함된 각각의 검출 채널은 산란 광을 검출하도록 구성될 수 있다. 따라서, 도 1에 도시된 검사 서브시스템은 표본의 암시야(dark field; DF) 검사를 위해 구성될 수 있다. 그러나, 검사 서브시스템은 또한 또는 대안적으로 표본의 명시야(bright field; BF) 검사를 위해 구성되는 검출 채널(들)을 포함할 수 있다. 다시 말해서, 검사 서브시스템은 표본으로부터 정반사된 광을 검출하도록 구성되는 적어도 하나의 검출 채널을 포함할 수 있다. 따라서, 본 명세서에 설명된 검사 서브시스템은 DF 단독, BF 단독, 또는 DF 및 BF 검사 모두를 위해 구성될 수 있다. 각각의 수집기가 단일 굴절 광학 요소로서 도 1에 도시되어 있지만, 각각의 수집기는 하나 이상의 굴절 광학 요소(들) 및/또는 하나 이상의 반사 광학 요소(들)를 포함할 수 있음을 이해해야 한다.
하나 이상의 검출 채널은 당업계에 공지된 임의의 적절한 검출기를 포함할 수 있다. 예를 들어, 검출기는 광전자 증배관(photo-multiplier tube; PMT), 전하 결합 소자(charge coupled device; CCD), 및 시간 지연 통합(time delay integration; TDI) 카메라를 포함할 수 있다. 검출기는 또한 비-이미징 검출기 또는 이미징 검출기를 포함할 수 있다. 검출기가 비-이미징 검출기인 경우, 각각의 검출기는 강도와 같은 산란 광의 특정 특성을 검출하도록 구성될 수 있지만, 이미징 평면 내의 위치 함수로서 이러한 특성을 검출하도록 구성되지 않을 수 있다. 이와 같이, 각각의 검출 채널에 포함된 각각의 검출기에 의해 생성되는 출력은 신호 또는 데이터일 수 있지만, 이미지 신호 또는 이미지 데이터는 아닐 수 있다. 이러한 예에서, 검사 서브시스템과 함께 검사 시스템의 일부를 형성하는 컴퓨터 서브시스템(36)과 같은 컴퓨터 서브시스템은 검출기의 비-이미징 출력으로부터 표본의 이미지를 생성하도록 구성될 수 있다. 그러나, 다른 예에서, 검출기는 이미지 신호 또는 이미지 데이터를 생성하도록 구성되는 이미징 검출기로서 구성될 수 있다. 따라서, 검사 서브시스템은 다양한 방식으로 이미지를 생성하도록 구성될 수 있다.
도 1은 본 명세서에 설명된 시스템 실시예에 포함될 수 있는 검사 서브시스템의 구성을 일반적으로 도시하기 위해 본 명세서에 제공된 것임을 유념한다. 분명하게도, 본 명세서에 설명된 검사 서브시스템 구성은 상업적 검사 시스템을 설계할 때 일반적으로 수행되는 바와 같이 검사 서브시스템의 성능을 최적화하도록 변경될 수 있다. 또한, 본 명세서에 설명된 시스템은 캘리포니아주 밀피타스에 소재한 KLA로부터 상업적으로 입수 가능한 29xx/39xx 시리즈 도구와 같은 기존 검사 시스템을 사용하여 (예컨대, 본 명세서에 설명된 기능을 기존 검사 시스템에 추가함으로써) 구현될 수 있다. 이러한 일부 시스템의 경우, 본 명세서에 설명된 방법은 (예를 들어, 검사 시스템의 다른 기능에 더하여) 검사 시스템의 선택적 기능으로서 제공될 수 있다. 대안적으로, 본 명세서에 설명된 검사 시스템은 완전히 새로운 검사 시스템을 제공하기 위해 "처음부터" 설계될 수 있다.
컴퓨터 서브시스템(36)은 컴퓨터 서브시스템이 검출기에 의해 생성된 출력을 수신할 수 있도록 임의의 적절한 방식으로 (예를 들어, "유선" 및/또는 "무선" 전송 매체를 포함할 수 있는 하나 이상의 전송 매체를 통해) 검사 서브시스템의 검출기에 결합될 수 있다. 컴퓨터 서브시스템(36)은 본 명세서에서 추가로 설명된 바와 같이 검출기의 출력을 사용하여 다수의 기능을 수행하도록 구성될 수 있다. 검사 서브시스템에 결합된 컴퓨터 서브시스템은 본 명세서에 설명된 바와 같이 추가로 구성될 수 있다.
검사 서브시스템에 결합된 컴퓨터 서브시스템(및 본 명세서에 설명된 다른 컴퓨터 서브시스템)은 또한 본 명세서에서 컴퓨터 시스템(들)으로 지칭될 수 있다. 본 명세서에 설명된 컴퓨터 서브시스템(들) 또는 시스템(들) 각각은 개인용 컴퓨터 시스템, 이미지 컴퓨터, 메인 프레임 컴퓨터 시스템, 워크스테이션, 네트워크 기기, 인터넷 기기, 또는 다른 디바이스를 포함하는 다양한 형태를 취할 수 있다. 일반적으로, "컴퓨터 시스템"이라는 용어는 메모리 매체로부터 명령어를 실행하는 하나 이상의 프로세서를 갖는 임의의 디바이스를 포함하도록 광범위하게 정의될 수 있다. 컴퓨터 서브시스템(들) 또는 시스템(들)은 또한 병렬 프로세서와 같은 당업계에 공지된 임의의 적절한 프로세서를 포함할 수 있다. 또한, 컴퓨터 서브시스템(들) 또는 시스템(들)은 고속 처리 및 소프트웨어를 갖는 컴퓨터 플랫폼을 독립형 또는 네트워크형 도구로서 포함할 수 있다.
시스템이 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템을 포함하는 경우, 상이한 컴퓨터 서브시스템은 이미지, 데이터, 정보, 명령어 등이 컴퓨터 서브시스템 간에 전송될 수 있도록 서로 결합될 수 있다. 예를 들어, 컴퓨터 서브시스템(36)은 당업계에 공지된 임의의 적절한 유선 및/또는 무선 전송 매체를 포함할 수 있는 임의의 적절한 전송 매체에 의해 도 1에서 점선으로 도시된 바와 같이 컴퓨터 시스템(들)(102)에 결합될 수 있다. 2개 이상의 이러한 컴퓨터 서브시스템이 또한 공유된 컴퓨터 판독 가능 저장 매체(도시되지 않음)에 의해 효과적으로 결합될 수 있다.
검사 서브시스템이 광학 또는 광 기반 검사 서브시스템인 것으로 위에서 설명되었지만, 다른 실시예에서, 검사 서브시스템은 전자 빔 기반 검사 서브시스템으로서 구성된다. 전자 빔 기반 검사 서브시스템에서, 표본으로 지향된 에너지는 전자를 포함하고, 표본으로부터 검출된 에너지는 전자를 포함한다. 도 1a에 도시된 하나의 이러한 실시예에서, 검사 서브시스템은 전자 칼럼(122)을 포함하고, 시스템은 검사 서브시스템에 결합된 컴퓨터 서브시스템(124)을 포함한다. 컴퓨터 서브시스템(124)은 위에서 설명된 바와 같이 구성될 수 있다. 또한, 이러한 검사 서브시스템은 위에서 설명되고 도 1에 도시된 동일한 방식으로 하나 이상의 다른 컴퓨터 서브시스템에 결합될 수 있다.
또한 도 1a에 도시된 바와 같이, 전자 칼럼은 하나 이상의 요소(130)에 의해 표본(128)에 포커싱되는 전자를 생성하도록 구성된 전자 빔 소스(126)를 포함한다. 전자 빔 소스는, 예를 들어, 캐소드 소스 또는 이미터 팁을 포함할 수 있으며, 하나 이상의 요소(130)는, 예를 들어, 건 렌즈, 애노드, 빔 제한 조리개, 게이트 밸브, 빔 전류 선택 조리개, 대물 렌즈, 및 스캐닝 서브시스템을 포함할 수 있으며, 이들 모두는 당업계에 공지된 임의의 적절한 요소를 포함할 수 있다.
표본으로부터 반환된 전자(예를 들어, 2차 전자)가 하나 이상의 요소(132)에 의해 검출기(134)에 포커싱될 수 있다. 하나 이상의 요소(132)는, 예를 들어, 요소(들)(130)에 포함된 동일한 스캐닝 서브시스템일 수 있는 스캐닝 서브시스템을 포함할 수 있다.
전자 칼럼은 당업계에 공지된 임의의 다른 적절한 요소를 포함할 수 있다. 또한, 전자 칼럼은 Jiang 등에게 2014년 4월 4일자에 허여된 미국 특허 제 8,664,594 호, Kojima 등에게 2014년 4월 8일자에 허여된 미국 특허 제 8,692,204 호, Gubbens 등에게 2014년 4월 15일자에 허여된 미국 특허 제 8,698,093 호, 및 MacDonald 등에게 2014년 5월 6일자에 허여된 미국 특허 제 8,716,662 호에 설명된 바와 같이 추가로 구성될 수 있으며, 상기 미국 특허들은 본 명세서에서 완전히 설명된 것처럼 참조로 포함된다.
도 1a에서는 전자가 경사 입사각으로 표본으로 지향되고 다른 경사각으로 표본으로부터 산란되도록 전자 칼럼이 구성되어 있는 것으로서 도시되고 있지만, 전자 빔은 임의의 적절한 각도로 표본으로 지향되고 표본로부터 산란될 수 있다. 또한, 전자 빔 검사 서브시스템은 본 명세서에 추가로 설명된 바와 같이 표본의 이미지를 생성하기 위해 다중 모드(예를 들어, 상이한 조명 각도, 수집 각도 등)를 사용하도록 구성될 수 있다. 전자 빔 검사 서브시스템의 다중 모드는 검사 서브시스템의 임의의 출력 생성 파라미터에서 상이할 수 있다.
컴퓨터 서브시스템(124)은 위에서 설명된 바와 같이 검출기(134)에 결합될 수 있다. 검출기는 표본의 표면으로부터 반환된 전자를 검출하여 표본의 전자 빔 이미지(또는 다른 출력)를 형성할 수 있다. 전자 빔 이미지는 임의의 적절한 전자 빔 이미지를 포함할 수 있다. 컴퓨터 서브시스템(124)은 본 명세서에 설명된 임의의 단계(들)를 수행하도록 구성될 수 있다. 도 1a에 도시된 검사 서브시스템을 포함하는 시스템은 본 명세서에서 설명된 바와 같이 추가로 구성될 수 있다.
도 1a는 본 명세서에 설명된 시스템에 포함될 수 있는 전자 빔 검사 서브시스템의 구성을 일반적으로 도시하기 위해 본 명세서에 제공된 것임을 유념한다. 위에서 설명된 광학 검사 서브시스템과 같이, 본 명세서에 설명된 전자 빔 검사 서브시스템 구성은 상업적 검사 시스템을 설계할 때 일반적으로 수행되는 바와 같이 검사 서브시스템의 성능을 최적화하도록 변경될 수 있다. 또한, 본 명세서에 설명된 시스템은 KLA로부터 상업적으로 입수 가능한 도구와 같은 기존 검사 시스템을 사용하여 (예컨대, 본 명세서에 설명된 기능을 기존 검사 시스템에 추가함으로써) 구현될 수 있다. 이러한 일부 시스템의 경우, 본 명세서에 설명된 방법은 (예를 들어, 시스템의 다른 기능에 더하여) 시스템의 선택적 기능으로서 제공될 수 있다. 대안적으로, 본 명세서에 설명된 시스템은 완전히 새로운 시스템을 제공하기 위해 "처음부터" 설계될 수 있다.
검사 서브시스템이 광 또는 전자 빔 검사 서브시스템인 것으로 위에서 설명되었지만, 검사 서브시스템은 이온 빔 검사 서브시스템일 수 있다. 이러한 검사 서브시스템은 전자 빔 소스가 당업계에 공지된 임의의 적절한 이온 빔 소스로 대체될 수 있다는 것을 제외하고는 도 1a에 도시된 바와 같이 구성될 수 있다. 또한, 검사 서브시스템은 상업적으로 입수 가능한 포커싱 이온 빔(focused ion beam; FIB) 시스템, 헬륨 이온 현미경(helium ion microscopy; HIM) 시스템, 및 2차 이온 질량 분광기(secondary ion mass spectroscopy; SIMS) 시스템 내에 포함된 것과 같은 임의의 다른 적절한 이온 빔 시스템을 포함할 수 있다.
위에서 추가로 언급된 바와 같이, 검사 서브시스템은 다중 모드를 갖도록 구성될 수 있다. 일반적으로, "모드"는 표본의 출력을 생성하는 데 사용되는 검사 서브시스템의 파라미터 값으로 정의될 수 있다. 따라서, 상이한 모드는 검사 서브시스템의 광학 또는 전자 빔 파라미터 중 적어도 하나에 대한 값에서 상이할 수 있다(출력이 생성되는 표본 상의 위치 제외). 예를 들어, 광 기반 검사 서브시스템의 경우, 상이한 모드는 상이한 파장의 광을 사용할 수 있다. 모드는 상이한 모드에 대해 본 명세서에서 추가로 설명된 바와 같이 (예를 들어, 상이한 광원, 상이한 스펙트럼 필터 등을 사용함으로써) 표본으로 지향되는 광의 파장에서 상이할 수 있다. 다른 실시예에서, 상이한 모드는 상이한 조명 채널을 사용할 수 있다. 예를 들어, 위에서 언급한 바와 같이, 검사 서브시스템은 1개 이상의 조명 채널을 포함할 수 있다. 이와 같이, 상이한 조명 채널이 상이한 모드에 사용될 수 있다.
다중 모드는 또한 조명 및/또는 수집/검출에서 상이할 수 있다. 예를 들어, 위에서 추가로 설명된 바와 같이, 검사 서브시스템은 다수의 검출기를 포함할 수 있다. 따라서, 검출기 중 하나는 하나의 모드에 사용될 수 있고, 검출기 중 다른 하나는 다른 모드에 사용될 수 있다. 더욱이, 모드는 본 명세서에 설명된 하나 이상의 방식으로 서로 상이할 수 있다(예를 들어, 상이한 모드는 하나 이상의 상이한 조명 파라미터 및 하나 이상의 상이한 검출 파라미터를 가질 수 있다). 검사 서브시스템은, 예를 들어, 동시에 표본을 스캔하기 위해 다중 모드를 사용하는 능력에 따라, 동일한 스캔 또는 상이한 스캔에서 상이한 모드로 표본을 스캔하도록 구성될 수 있다.
하나 이상의 컴퓨터 서브시스템은 표본에 대해 생성된 출력에서 어레이 영역 내의 페이지 나누기 중심을 결정하도록 구성된다. 페이지 나누기는 어레이 영역에서 셀 영역을 분할하고, 셀 영역은 반복되는 패턴화된 피처를 포함한다. 예를 들어, "페이지 나누기"는 일반적으로 물리적 메모리의 실질적으로 연속적인 영역을 분리하는 다이의 영역으로 당업계에서 정의된다. 물리적 메모리의 각각의 연속적인 영역은 일반적으로 "페이지 프레임"으로 지칭될 수 있다. 각각의 페이지 프레임은 하나 이상의 셀 영역을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 어레이 영역은 표본 상에 제조되는 메모리 디바이스의 일부를 형성한다. 메모리 디바이스는 DRAM을 포함하여 당업계에 공지된 임의의 메모리 디바이스를 포함할 수 있다. 예를 들어, DRAM 검사 동안, 컴퓨터 서브시스템(들)은 광 기반 페이지 나누기 중심을 계산할 수 있다.
일 실시예에서, 페이지 나누기에 대응하는 출력은 포화된다. 다시 말해서, 페이지 나누기와 그들이 둘러싸는 셀 영역의 패턴화된 구조물 간의 차이로 인해, 페이지 나누기에 대해 생성된 출력은 셀 영역에 대해 생성된 출력과 실질적으로 상이할 수 있다. 또한, 검사 서브시스템의 구성 및 페이지 나누기와 셀 영역 간의 차이로 인해 검출기(들)가 페이지 나누기에서 검출한 광은 포화될 수 있다. 예를 들어, 검사 서브시스템이 페이지 나누기 및 페이지 나누기에 포함된 패턴화된 피처를 이미징할 수 있더라도, 검사 서브시스템은 페이지 나누기보다 셀 영역의 출력을 생성하도록 최적화되므로. 페이지 나누기와 셀 영역 간의 차이로 인해 페이지 나누기의 출력이 포화될 수 있다. 이러한 방식으로, 페이지 나누기 내에 또는 페이지 나누기에 의해 형성된 임의의 패턴화된 피처는 검사 서브시스템에 의해 생성된 이미지에서 검출되지 않을 수 있다. 이와 같이, 검출기(들)가 포화될 때, 검출기(들)는 패턴 검출 및/또는 정렬에 사용될 수 있는 출력을 산출하지 못할 수 있다. 다시 말해서, 페이지 나누기에 대해 생성된 출력은 포화되어 페이지 나누기 내에 또는 페이지 나누기에 의해 형성된 임의의 가능한 정렬 피처 또는 구조물에 응답하지 않는 출력을 만들 수 있다.
일부 실시예에서, 어레이 영역에서 생성된 출력은 이미지 정렬에 적합한 페이지 나누기의 임의의 피처에 응답하지 않으며, 셀 영역은 이미지 정렬에 적합한 임의의 피처를 포함하지 않는다. 예를 들어, 위에서 설명된 바와 같이, 페이지 나누기에 대해 생성된 출력이 포화될 수 있기 때문에, 출력은 페이지 나누기 내에 또는 페이지 나누기에 의해 형성된 임의의 정렬 패턴 또는 피처에 응답하지 않을 수 있다. 또한, 셀 영역은 패턴 정렬에 일반적으로 부적합한 반복되는 패턴화된 피처를 포함하는데, 이는 다른 패턴화된 피처로부터의 고유한 간격과 같은 하나 이상의 고유한 특성을 갖는 패턴 또는 충분히 고유한 패턴을 포함하지 않기 때문이다. 따라서, 어레이 영역에서, 페이지 나누기가 포화될 때 정렬에 사용될 수 있는 패턴에 응답하여 출력을 생성하지 못할 수 있다.
그러나, 본 명세서에서 추가로 설명된 바와 같이, 정렬 목적을 위해 페이지 나누기 중심을 결정한다. 예를 들어, 본 명세서에 설명된 페이지 나누기 중심 기반 정렬은 기존 PDA에 충분한 패턴을 사용할 수 없는 경우에 대해 PDA(설계에 대한 픽셀 정렬)를 가능하게 한다. 이러한 방식으로, 본 명세서에 설명된 실시예는 패턴 결함 정렬 경우에 대해 관리 영역을 정확하게 배치함으로써 감도를 개선하는 본 명세서에 추가로 설명된 DRAM 비닝 방법을 가능하게 한다.
페이지 나누기 중심은 본 명세서에 추가로 설명된 바와 같이 결정될 수 있고, 페이지 나누기 중심이 결정되는 출력은 표본 이미지 또는 본 명세서에 설명된 임의의 다른 출력을 포함할 수 있다. 출력은 표본에 대해 생성된 임의의 테스트(또는 검사) 이미지를 포함하여 표본에 대해 생성된 임의의 출력을 포함할 수 있다. 또한, 페이지 나누기 중심을 결정하는 것은 단일 표본에 대해 여러 번 (예를 들어, 표본에 대해 생성된 모든 테스트 이미지에 대해, 표본 상의 어레이 영역에 대해서만 생성된 모든 테스트 이미지에 대해, 표본 상의 어레이 영역에 대해 생성된 2개 이상의 테스트 이미지에 대해 등) 수행될 수 있다. 일부 예에서, 페이지 나누기 중심을 결정하는 것은 표본 상의 어레이 영역에서 생성된 모든 테스트 이미지에 대해 수행될 수 있다. 다른 예에서, 페이지 나누기 중심은 모든 테스트 이미지보다 더 적은 수의 이미지에서 결정될 수 있고, 페이지 나누기 중심에 기초하여 결정된 오프셋은 다수의 테스트 이미지에 대해 본 명세서에 설명된 바와 같이 사용될 수 있다.
일 실시예에서, 설정 단계 동안, 컴퓨터 서브시스템(들)은 검사 서브시스템에 의해 표본 또는 다른 표본에 대해 획득된 설정 이미지에서 하나 이상의 페이지 나누기 타겟을 식별하고, 표본에 대한 설계로부터 하나 이상의 페이지 나누기 타겟에 대한 정보를 획득하고, 정보로부터 하나 이상의 페이지 나누기 타겟의 하나 이상의 특성을 결정하고, 식별된 하나 이상의 페이지 나누기 타겟 및 하나 이상의 페이지 나누기 타겟의 결정된 하나 이상의 특성을 저장 매체에 저장하도록 구성된다. 예를 들어, 본 명세서에 설명된 실시예에 의해 수행되는 전체 절차는 DRAM 설정 및 검사를 포함할 수 있다. DRAM 설정 동안, 컴퓨터 서브시스템(들)은 설정 광학 이미지에서 페이지 나누기 타겟(들)을 찾을 수 있으며, 이는 본 명세서에 설명된 임의의 방식으로 수행될 수 있다. 설정 단계에서 사용되는 표본은 검사될 표본 또는 다른 표본, 즉 검사 시의 표본 상에 형성된 층(들)과 동일한 층(들)이 그 위에 형성된 설정 표본일 수 있다. 그런 다음, 컴퓨터 서브시스템(들)은 당업계에 공지된 임의의 적절한 방식으로 수행될 수 있는 페이지 나누기의 설계 정보를 획득할 수 있고, 페이지 나누기 중심의 설계 위치, 페이지 나누기 너비, 및 페이지 나누기 높이와 같은 페이지 나누기의 하나 이상의 특성을 계산할 수 있으며, 이는 또한 당업계에 공지된 임의의 적절한 방식으로 수행될 수 있다. 컴퓨터 서브시스템(들)은 타겟(들) 및 대응하는 페이지 나누기 정보를 PDA 데이터베이스 또는 본 명세서에 설명되거나 당업계에 공지된 임의의 적절한 저장 매체에 임의의 적절한 포맷을 갖는 다른 적절한 파일에 추가로 저장할 수 있다.
설정 이미지에서 하나 이상의 페이지 나누기 타겟을 식별하는 것은 설정 이미지의 라인 또는 영역을 축에 투사하고, 페이지 나누기가 축에 실질적으로 수직인 방향으로 연장됨에 따라 축에 투사된 라인 또는 영역의 불연속성을 결정하는 것을 포함할 수 있다. 이러한 방식으로, 방법은 투사를 사용하여 페이지 나누기 타겟을 식별하는 것을 포함할 수 있다. 하나 이상의 페이지 나누기 타겟을 식별하는 것은 페이지 나누기 타겟에 대응하지 않는 이미지의 부분이 셀 영역에 대응한다는 가정에 기초하여 셀 영역을 간접적으로 식별하기 위해 사용될 수 있다. 이러한 방식으로, 이 방법은 (방법이 수직 또는 수평 페이지 나누기를 각각 식별하는지에 따라) 수평 또는 수직 축에 픽셀의 라인 또는 스와스를 투사하고, 그런 다음 라인 또는 스와스에서 불연속성을 찾는 것을 포함할 수 있다.
다른 실시예에서, 설정 이미지의 페이지 나누기 타겟(들)은 투사 없이 식별될 수 있다. 예를 들어, 실시예는 설정 이미지에서 반복되는 패턴을 포함하는 영역 사이의 공간을 페이지 나누기 타겟(들)으로 검출하기 위해 패턴 인식 알고리즘과 같은 알고리즘을 설정 이미지에 적용하여 이에 의해 어레이 영역에서 셀 영역을 효과적으로 식별하는 것을 포함할 수 있다.
일부 실시예에서, 페이지 나누기 중심을 결정하는 것은 페이지 나누기의 제1 차원을 따라 제1 페이지 나누기 중심을 결정하고, 제1 차원에 직교하는 페이지 나누기의 제2 차원을 따라 제2 페이지 나누기 중심을 결정하는 것을 포함한다. 이러한 방식으로, 페이지 나누기 중심은 2개의 직교 차원에서 결정될 수 있다. 그런 다음, 페이지 나누기의 상이한 차원의 제1 및 제2 페이지 나누기 중심은 2개의 차원의 페이지 나누기 교차점에서 페이지 나누기 중심을 결정하기 위해 사용될 수 있다. 따라서, 페이지 나누기 중심은 페이지 나누기가 2개의 직교 차원에서 연장되는 페이지 나누기 중심으로 결정될 수 있다. 이와 같이, 본 명세서에서 정렬에 사용되는 피처는 본 명세서에서 설명된 어레이 영역에 대해 생성된 이미지에서 최상의 정렬 후보인 교차 타겟과 매우 유사할 수 있으며, 본 명세서에서 설명된 실시예에 의해 수행되는 단계에서 자동으로 선택될 수 있다. 제1 및 제2 차원의 페이지 나누기 중심은 본 명세서에서 추가로 설명된 바와 같이 결정될 수 있다.
다른 실시예에서, 페이지 나누기 중심을 결정하는 것은 서로 직교하는 제1 및 제2 차원에서의 표본에 대한 이미지 투사를 포함한다. 도 6은 DRAM 비닝 기반 결함 검출의 일 실시예를 도시한다. 이 방법에서, 컴퓨터 서브시스템(들)은 단계(600)에 도시된 바와 같이 설계 정보를 사용하여 프레임 이미지 및 타겟을 획득할 수 있다. 컴퓨터 서브시스템(들)은 또한 단계(602)에 도시된 바와 같이 2개의 방향으로 이미지 투사를 수행할 수 있다. 특히, 이미지 투사는 종이의 평면 내에 있고 서로 직교하는 x 및 y 방향으로 수행될 수 있다. 도 6에 도시된 바와 같이, x 방향으로의 투사는 x 방향으로 연장되는 픽셀의 라인 또는 스와스의 신호, 강도, 또는 신호 대 잡음비와 같은 하나 이상의 특성의 플롯(602a)을 x 방향의 위치 함수로서 생성하는 것을 포함할 수 있다. 페이지 나누기와 셀 영역에서의 광의 차이는 픽셀이 페이지 나누기에서 광에 반응하는 것에서 셀 영역에서 광에 반응하는 것으로 전환될 때 플롯에 극적인 이동을 야기한다. 이러한 방식으로, 이러한 플롯에 도시된 피크의 에지는 반대 방향으로 연장되는 페이지 나누기의 에지로 지정될 수 있다. 유사한 방식으로, y 방향으로의 투사는 y 방향으로 연장되는 픽셀의 라인 또는 스와스의 위에서 설명된 특성 중 하나 이상의 플롯(602b)을 y 방향의 위치 함수로서 생성하는 것을 포함할 수 있다. 이러한 플롯에 도시된 피크의 에지는 반대 방향으로 연장되는 페이지 나누기의 에지로 지정될 수 있다.
컴퓨터 서브시스템(들)은 단계(604)에 도시된 바와 같이 페이지 나누기 중심을 식별할 수 있다. 위에서 설명된 바와 같이, 컴퓨터 서브시스템(들)은 상이한 방향으로 연장되는 페이지 나누기의 상이한 부분에 대해 상이한 페이지 나누기 중심을 결정할 수 있다. 예를 들어, 컴퓨터 서브시스템(들)은 x 방향으로 연장되는 페이지 나누기 부분의 중심, 및 y 방향으로 연장되는 페이지 나누기 부분의 중심을 결정할 수 있다. 그런 다음, 이러한 중심을 사용하여 페이지 나누기가 2개의 차원에서 연장되는 페이지 나누기 교차점의 중심을 결정할 수 있다. 또한, 페이지 나누기 중심은 이미지에서 페이지 나누기 교차점마다 결정될 수 있다. 예를 들어, 단계(600 및 602)에 도시된 페이지 나누기의 경우, 2개의 페이지 나누기 중심이 결정될 수 있으며, 하나는 이미지의 왼쪽에 있는 페이지 나누기 교차점에 대한 것이고 다른 하나는 이미지의 오른쪽에 있는 페이지 나누기 교차점에 대한 것이다. 또한, 단계(604)에 도시된 바와 같이, 투사에 의해 생성된 플롯(602a 및 602b)에서의 픽셀의 특성은 값과 같은 단차 함수를 나타내지 않을 수 있다. 따라서, 중심은 피크 높이에 걸쳐 여러 위치에서 결정될 수 있으며, 그런 다음, 예를 들어 상이한 중심 위치의 평균 또는 중앙값을 찾는 것과 같은 방식으로 결합되어 피크의 전체 중심 및 이 방향에서의 페이지 나누기 중심을 찾을 수 있다. 이러한 페이지 나누기 중심은 본 명세서에 설명된 다른 단계에 사용될 수 있다.
본 명세서에 설명된 실시예와 달리, 1차원을 따른 투사는 2차원 이미지에서 1차원 피처를 추출하기 위한 전처리 단계로 적용되었다. 이러한 투사는 노이즈를 줄이는 데 도움이 되며 더 적은 계산이 필요하다. 대조적으로, 본 명세서에 설명된 실시예에서, 페이지 나누기 중심은 정렬 목적을 위해 표본 이미지와 설계 사이의 오프셋을 계산하기 위해 앵커 포인트(또는 정렬 타겟)로 사용된다. 단계(602 및 604)에 도시된 바와 같이 단일 절단선 대신 다중 절단선에서 페이지 나누기 중심을 결정하면 정렬 결과가 더 강력해진다.
또한, 투사가 표본 이미지에서 어레이 영역을 식별하는 데 사용될 수 있는 현재 사용되는 일부 시스템과 달리, 본 명세서에 설명된 투사는 어레이 영역을 식별하는 데 사용되지 않고 정렬 목적을 위해 후속 단계에서 사용되는 페이지 나누기 중심을 식별하는 데 사용된다. 이 차이는 포화된 페이지 나누기 이미지의 경우에 중요하다. 예를 들어, 페이지 나누기에 가장 가까운 셀 영역 부분에 비교적 높은 노이즈가 있고 페이지 나누기 이미지가 포화된 경우, 셀 영역의 에지와 페이지 나누기를 검출하기가 특히 어려울 수 있다. 또한, 페이지 나누기가 포화되고 셀 영역이 정렬에 적합한 패턴화된 피처를 포함하지 않은 경우, 이미지에서 셀 영역 에지를 제외하고 정렬에 사용할 수 있는 피처가 없을 수 있다. 이와 같이, 설계에 대한 표본 이미지 또는 다른 어레이 영역 이미지(예를 들어, 시뮬레이션에서 렌더링된 이미지)의 패턴 일치를 사용한 정렬은 페이지 나누기 및 셀 영역의 에지를 식별하기 어려울 수 있기 때문에 특히 어렵거나 심지어 불가능할 수 있다. 이러한 어려움은 검사 이미지에 대한 관리 영역의 오정렬 및/또는 다른 검사 이미지에 대한 검사 이미지의 오정렬을 야기할 만큼 정렬 공정에 충분한 오차를 유발할 수 있다. 따라서, 이러한 정렬 오차로 인해 상당한 수의 방해물이 검출될 수 있으며 검사 공정이 완전히 실패할 수도 있다(오정렬이 충분히 심각한 경우). 검출된 방해물의 상당수는 방해물을 DOI에서 분리할 수 없는 경우 검사 결과를 본질적으로 쓸모없게 만들 수 있다. 그러나, 페이지 나누기 에지 근처의 노이즈는 임의의 한 방향에서 페이지 나누기의 대칭축의 양측에서 실질적으로 동일할 것으로 예상되기 때문에, 본 발명자들은 페이지 나누기 중심이 투사 또는 다른 기술을 사용하여 비교적 쉽고 반복적으로 발견될 수 있고 따라서 본 명세서에 설명된 검사 유형에 대한 정렬 타겟으로 사용하기에 특히 적합하다는 것을 발견했다.
하나 이상의 컴퓨터 서브시스템은 또한 출력에서의 페이지 나누기 중심과 표본에 대한 설계에서의 페이지 나누기 중심 사이의 오프셋을 결정하도록 구성된다. 따라서, 이 오프셋은 검사 서브시스템에 의해 표본에 대해 생성된 출력과 표본에 대한 설계 사이의 오프셋이라는 점에서 본 명세서에서 PDA 오프셋으로 지칭될 수 있다. 컴퓨터 서브시스템(들)은 출력 및 설계 기반 페이지 나누기 중심으로부터 PDA 오프셋을 임의의 적절한 방식으로 결정할 수 있고, PDA 오프셋은 임의의 적절한 방식(예를 들어, 데카르트 오프셋, 2차원 함수 등)으로 표현될 수 있다. 이러한 방식으로, 광학 이미지 또는 다른 이미지는 설계 및 표본 이미지의 페이지 나누기 중심 위치에 기초하여 설계와 정렬되며, 이는 본 명세서에 추가로 설명된 바와 같이 표본 이미지에 설계 기반 관리 영역의 실질적으로 정확한 배치를 가능하게 한다. 설계의 렌더링된 이미지와 웨이퍼 광학 이미지를 정렬하는 것을 포함하는 현재 사용되는 방법은 페이지 나누기 포화로 인해 정렬을 위한 피처가 제한된 상황에서 허용 가능한 정확도를 달성할 수 없다.
하나 이상의 컴퓨터 서브시스템은 또한 오프셋에 기초하여 어레이 영역에서 관리 영역에 대응하는 출력 부분을 식별하도록 구성된다. 예를 들어, 컴퓨터 서브시스템(들)은 PDA 오프셋에 기초하여 관리 영역을 배치할 수 있다. PDA 오프셋에 기초하여 관리 영역을 배치하는 것은 표본에 대해 생성된 이미지 프레임마다 수행될 수 있다. 도 2는 포화된 페이지 나누기를 사용하여 표본 이미지 정렬 및 관리 영역 배치를 위해 수행될 수 있는 단계의 일 실시예를 도시한다. 도 2에 도시된 바와 같이, 컴퓨터 서브시스템(들)은 설계(200)를 획득할 수 있으며, 이는 당업계에 공지된 임의의 적절한 포맷을 갖는 칩 설계 파일일 수 있다. 검사 서브시스템(202)이 표본(204)에 대한 출력을 생성할 수 있으며, 이는 본 명세서에 설명된 바와 같이 또는 당업계에 공지된 임의의 다른 적절한 방식으로 수행될 수 있다. 검사 서브시스템(202)은 본 명세서에 설명된 임의의 구성을 가질 수 있다. 컴퓨터 서브시스템(들)은 설계에서의 페이지 나누기 중심 위치(206) 및 검사 서브시스템 출력(예를 들어, 표본 이미지)에서의 페이지 나누기 중심 위치(208)를 결정할 수 있으며, 이는 본 명세서에 설명된 바와 같이 수행될 수 있다. 그런 다음, 컴퓨터 서브시스템(들)은 설계 및 검사 시스템 출력에서의 페이지 나누기 중심 위치로부터 페이지 나누기 중심 오프셋(210)을 결정할 수 있으며, 이는 본 명세서에 추가로 설명된 바와 같이 수행될 수 있다. 또한, 컴퓨터 서브시스템(들)은 페이지 나누기 중심 오프셋(210)에 기초하여 정렬(212)을 수행할 수 있다.
정렬(212)은 표본 이미지 및 관리 영역 정렬을 포함할 수 있다. 특히, 표본에 대한 설계와 관련하여 관리 영역 위치(들)는 반드시 공지될 것이다(설계에서 셀 영역의 위치가 공지되고 셀 영역과 관련하여 관리 영역의 위치가 미리 결정될 것이기 때문). 따라서, 해당 정보는 표본 이미지 내에서 관리 영역의 위치를 결정하기 위해 본 명세서에 설명된 바와 같이 결정된 오프셋과 조합하여 사용될 수 있다. 이러한 방식으로, 관리 영역은 표본 이미지에 정렬되어 관리 영역에 대응하는 이미지 부분을 식별할 것이다. 도 6에 도시된 단계(606)는 또한 관리 영역을 배치하기 위해 설계와 표본 이미지 페이지 나누기 사이의 오프셋을 사용하는 컴퓨터 서브시스템(들)을 도시한다.
일 실시예에서, 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템은 또한 관리 영역에서 셀 영역의 에지에 대한 관심 영역(areas of interest; AOI)의 근접성에 기초하여 정의된 빈에 식별된 출력 부분의 픽셀을 할당하도록 구성된다. 예를 들어, 위에서 설명된 바와 같이 셀 영역 관리 영역을 배치한 후, 각각의 셀 영역은 상이한 노이즈 레벨 영역에 대응하는 페이지 나누기로부터의 거리에 기초하여 소수(2개 이상) 영역으로 분할될 수 있다. 이러한 방식으로, 셀 영역에 걸쳐 예상되는 노이즈(본 명세서에 설명된 투사를 포함하는 임의의 적절한 방식으로 실험적으로 또는 이론적으로 결정될 수 있음)에 기초하여, 셀 영역에 대한 관리 영역은 상이한 AOI로 분리될 수 있으며, 노이즈가 더 높은 영역이 하나의 AOI에 있고 노이즈가 낮은 영역이 다른 AOI에 있도록 한다. 일반적으로, 본 명세서에 설명된 표본 및 검사 서브시스템의 경우, 검사 서브시스템은 셀 영역의 중심보다 셀 영역의 에지 근처에서 더 노이즈가 많은 출력을 생성한다. 따라서, 이에 기초하여 정의되는 AOI 및 빈은 셀 영역의 적어도 하나의 에지에 인접하거나, 근처에 있거나, 연장되는 제1 AOI 및 셀 영역의 에지로부터 이격된 제2 AOI를 포함할 수 있다. 이러한 AOI 및 이들의 대응하는 빈은 본 명세서에 설명된 바와 같이 추가로 구성될 수 있다.
컴퓨터 서브시스템(들)은 관리 영역과 각각의 빈의 특성(예를 들어, 크기, 위치 등)에 기초하여 마스크를 생성할 수도 있다. 그런 다음, 컴퓨터 서브시스템(들)은 각각의 빈의 픽셀을 상이한 그룹에 매핑하여, 이에 의해 식별된 출력 부분의 픽셀을 빈에 할당할 수 있으며, 본 명세서에서 추가로 설명된 바와 같이 신호/잡음 특성에 기초하여 상이한 검출을 적용할 수 있다. 본 명세서에서 추가로 설명된 바와 같이, 이러한 비닝은 상이한 빈에 대해 상이한 검출 감도의 설정을 가능하게 하고 궁극적으로 결함 검출을 개선함으로써 사용자에게 더 많은 유연성을 제공할 수 있다.
도 3은 셀 영역 비닝에 대한 일 실시예를 도시한다. 이 실시예는 셀 영역 비닝 단계(300)에 더하여 도 2에 도시된 단계를 포함한다. 도 6은 또한 컴퓨터 서브시스템(들)이 셀의 상이한 영역을 상이한 AOI로 비닝하는 단계(608)를 도시한다.
이러한 일 실시예에서, AOI는 적어도 셀 영역의 에지 영역을 포함하는 제1 AOI 및 셀 영역의 중심 영역을 포함하는 제2 AOI를 포함한다. 도 4는 본 명세서에 설명된 셀 영역 비닝 단계에 의해 생성될 수 있는 셀 영역 빈의 일례를 도시한다. 이 예에서, 도 4는 어레이 영역 부분(400)을 도시한다. 어레이 영역 부분은 다양한 셀 영역(404)을 분리하는 페이지 나누기(402)를 포함한다. 셀 영역은 셀 영역에서 셀 영역의 에지에 대한 관심 영역의 근접성에 기초하여 여러 빈으로 분리된다. 예를 들어, 도 4에 도시된 바와 같이, Bin 0은 셀 영역의 중심 영역에 대응하는 AOI에 기초하여 정의되며, 이는 셀 영역의 에지로부터 이격된다. 빈은 또한 중심 영역보다 셀 영역의 에지, 즉 에지 셀 영역에 더 가까운 AOI에 대한 빈을 포함한다. 다시 말해서, 에지 셀 영역은 중심 영역과 셀 영역의 에지 사이에 배치된다. 도 4에 도시된 예에서, 각각의 셀 영역의 중심 영역과 각각의 에지 사이에는 2개의 에지 셀 영역이 있지만, 셀 영역의 중심 영역과 에지 사이에는 상이한 수의 에지 셀 영역(예를 들어, 1개의 에지 셀 영역, 3개의 에지 셀 영역 등)이 있을 수 있다. 이 예에서, 에지 셀 영역은 y 방향을 따라 연장되는 셀 영역의 에지에 대해 상이한 공간 관계를 갖는 상이한 AOI에 기초하여 정의된 Bin 1 및 3, 및 x 방향으로 연장되는 셀 영역의 에지에 대해 상이한 공간 관계를 갖는 상이한 AOI에 기초하여 정의된 Bin 2 및 4를 포함한다. 도 4에 도시된 바와 같이, Bin 1 및 2는 셀 영역의 에지로부터 안쪽으로 셀 영역의 중심으로 연장될 수 있고, Bin 3 및 4는 각각 Bin 1 및 2의 폭만큼 셀 영역의 에지로부터 이격될 수 있고 Bin 1 및 2의 에지로부터 각각 안쪽으로 셀 영역의 중심으로 연장될 수 있다.
일부 실시예에서, 적어도 제1 및 제2 AOI의 하나 이상의 특성은 셀 영역에서 생성된 출력의 하나 이상의 예상되는 노이즈 특성에 기초하여 결정된다. 따라서, 본 명세서에 설명된 비닝은 셀 영역의 상이한 노이즈 레벨 영역에 대해 상이한 감도 설정을 허용하는 방법을 제공한다. 예를 들어, 도 4에 도시된 상이한 빈은 예상되는 노이즈 특성에 기초하여 정의될 수 있다. 특히, 셀 영역의 중심 영역에 대응하는 Bin 0은 셀 영역에서 가장 낮은 노이즈를 나타낼 것으로 예상될 수 있다. Bin 1 및 2는 셀 영역의 에지에 인접해 있기 때문에 가장 높은 노이즈를 나타낼 것으로 예상될 수 있다. Bin 3 및 4는 에지로부터 이격되어 있기 때문에 셀 영역의 에지에 가장 가까운 빈보다 낮은 노이즈를 나타낼 것으로 예상될 수 있지만 이러한 빈은 에지에 더 가깝기 때문에 중심 영역보다 더 높은 노이즈를 나타낼 것으로 예상될 수 있다. 에지 영역 빈은 비교적 좁을 수 있고 셀 영역의 전체 에지를 따라 또는 거의 전체 에지를 따라 연장될 수 있는데, 셀 영역의 에지 근처의 노이즈는 일반적으로 에지 가장 근처에서 비교적 높으며 셀 영역 에지로부터의 거리의 함수로 빠르게 변할 수 있기 때문이다. 따라서, 셀 영역의 에지 근처의 비교적 좁은 영역만이 비교적 노이즈가 많을 수 있지만 셀 영역의 상당한 중심 부분은 비교적 안정될 수 있다.
도 4는 셀 영역의 각각의 에지 근처에 또는 인접하여 정의된 2개의 에지 셀 영역 빈을 도시하지만, 셀 영역 에지의 일부 또는 전부 근처에 또는 인접하여 임의의 수의 에지 셀 영역 빈이 컴퓨터 서브시스템(들)에 의해 정의될 수 있다. 예를 들어, 노이즈가 실질적으로 높고 비교적 균일한 비교적 좁은 영역만이 셀 영역의 에지 근처에서 예상되는 경우, 해당 AOI에 대해 단 하나의 에지 셀 영역 빈이 정의될 수 있다. 그러나, 에지로부터의 거리가 증가함에 따라 노이즈에 약간의(또는 심지어 상당한) 변동이 있는 경우, 상이한 에지 셀 영역이 상이한 노이즈 범위에 대응하도록 해당 에지에 대해 2개 이상의 에지 셀 영역이 정의될 수 있다. 또한, 셀 영역은 상이한 에지 근처에서 상이한 노이즈 특성을 가질 수 있다. 따라서, 상이한 에지에 대해 상이한 빈이 정의될 수 있다. 예를 들어, y 방향의 모든 에지에 대해 비교적 좁은 빈이 하나만 있을 수 있지만, x 방향의 모든 에지에 대해 비교적 좁은 2개의 빈이 있을 수 있다. 이와 같이, 상이한 에지에 대해 상이한 수의 에지 셀 영역 빈이 있을 수 있다.
하나 이상의 컴퓨터 서브시스템은 또한 관리 영역에 대응하는 출력 부분에 결함 검출 방법을 적용함으로써 어레이 영역에서 결함을 검출하도록 구성된다. 출력 부분에 결함 검출 방법을 적용하는 것은 본 명세서에 추가로 설명된 바와 같이 또는 당업계에 공지된 임의의 다른 방식으로 수행될 수 있다. 또한, 결함 검출 방법은 MDAT와 같은 당업계에 공지된 임의의 결함 검출 방법, KLA로부터 상업적으로 입수 가능한 일부 검사 시스템에 의해 사용되는 결함 검출 알고리즘, 또는 다른 적합한 상업적으로 입수 가능한 결함 검출 방법 및/또는 알고리즘을 포함할 수 있다.
다른 실시예에서, 결함 검출 방법은 셀 영역 내의 상이한 셀에 대해 생성된 출력을 서로 비교하는 것을 포함하고, 상이한 셀은 동일한 다이에 위치된다. 상이한 셀을 서로 비교하는 것은 차분 이미지를 생성하는 것을 포함할 수 있다. 예를 들어, 검사 서브시스템 또는 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템은 출력(500)을 생성할 수 있으며, 이는 검사 이미지에서 기준 이미지를 차감함으로써 생성된 차분 이미지로 도 5에 도시되어 있다(이에 의해 본질적으로 두 이미지를 비교함). 차감될 검사 이미지 및 기준 이미지는 모두 표본 상의 동일한 셀 영역에 대해 생성될 수 있다(따라서 표본 상의 동일한 다이에 반드시 위치될 것임). 예를 들어, 기준 이미지 및 검사 이미지는 동일한 셀 영역 내의 상이한 셀에 대한 이미지일 수 있다. 기준 이미지 및 검사 이미지는 또한 하나의 다이가 다수의 셀 영역을 포함할 때 상이한 셀 영역 내의 상이한 셀에 대한 이미지일 수 있다. 그러나, 바람직하게는 기준 이미지 및 검사 이미지는 상이한 다이 내의 셀 영역에 대한 이미지가 아닌데, 이는 결함 검출에 노이즈를 도입할 수 있기 때문이다(상이한 다이는 동일한 다이 내의 셀 또는 셀 영역보다 훨씬 더 멀리 이격되기 때문에, 표본에 걸친 변화는 비교에서 노이즈를 유발할 수 있으며, 상이한 다이는 리소그래피 노광과 같은 하나 이상의 단계에서 별도로 처리될 수 있으며, 이는 또한 비교에서 노이즈를 생성할 수 있는 다이의 차이를 유발할 수도 있음).
추가 실시예에서, 결함 검출 방법은 픽셀이 할당된 빈에 따라 하나 이상의 상이한 파라미터를 사용하여 결함 검출 단계를 수행하도록 구성된다. 이러한 일 실시예에서, 하나 이상의 상이한 파라미터는 검출이 수행되는 감도를 변경한다. 도 5는 이상치 검출 알고리즘(outlier detection algorithm)을 위한 피처 축을 분할하기 위해 비닝 결과를 사용하는 일 실시예를 도시한다. 도 5에 도시된 바와 같이, 방법은 도 3에 도시된 단계를 포함할 수 있다. 컴퓨터 서브시스템(들)은 셀 영역 비닝(300) 및 차분 이미지(500)에 의해 생성된 결과를 사용하여 이상치 검출(502)을 수행할 수 있다. 이러한 방식으로, 도 5는 비닝 결과가 적용된 결함 검출을 도시한다.
이상치 검출은 차분 이미지에 임계값을 적용하고 임계값 이상의 값을 갖는 차분 이미지 내의 임의의 픽셀이 이상치에 대응하는 반면, 임계값 미만의 값을 갖는 차분 이미지 내의 임의의 픽셀은 이상치에 대응하지 않는 것으로 결정하는 것을 포함할 수 있다. 이상치 검출은 또한 관리 영역에 대응하는 출력 부분에 임의의 적절한 결함 검출 방법 또는 알고리즘을 적용하는 것을 포함할 수 있다.
이상치 검출은 상이한 빈에 대해 별도로 수행될 수 있다. 예를 들어, 차분 이미지는 상이한 빈 각각에 대해 동일한 방식으로 생성될 수 있지만, 차분 이미지는 동일한 빈의 이미지로만 생성될 수 있다. 하나의 이러한 예에서, Bin 0에 대응하는 AOI에서 생성된 테스트 이미지 및 기준 이미지만이 Bin 0에 대한 차분 이미지를 생성하는 데 사용될 수 있으며, Bin 1에 대응하는 AOI에서 생성된 테스트 이미지 및 기준 이미지만이 Bin 1에 대한 차분 이미지를 생성하는 데 사용될 수 있는 식이다. 이러한 방식으로, 유사한 노이즈 특성을 갖는 테스트 이미지 및 기준 이미지를 서로 차감하여 차분 이미지를 생성할 수 있으며, 이는 전체적으로 더 안정된 차분 이미지를 생성할 수 있다(유사한 노이즈 특성을 가진 이미지를 차감하면 일반적으로 차분 이미지에서 노이즈가 적기 때문이다). 또한, 상이한 빈에 대해 수행되는 결함 검출은 하나 이상의 파라미터에서 상이할 수 있다. 예를 들어, 차분 이미지가 동일한 방식으로 생성되더라도(비록 상이한 검사 이미지 및 기준 이미지를 사용하더라도), 임계값과 같은 결함 검출의 하나 이상의 파라미터는 상이한 빈에 대해 상이할 수 있다. 하나의 이러한 예에서, 셀 영역의 중심 영역이 에지 영역에 비해 실질적으로 안정될 수 있기 때문에, 에지 영역보다 중심 영역에 대해 생성된 차분 이미지에 더 낮은 임계값이 적용될 수 있으므로 중심 영역에서 보다 민감한 검사를 허용할 수 있다. 유사한 방식으로, 에지 영역에 대해 생성된 차분 이미지에 더 높은 임계값을 적용하면 에지 영역에서 덜 민감한 검사가 발생하지만 더 낮은 임계값으로 검출될 수 있는 엄청나게 높은 수준의 방해는 없다.
임의의 빈의 임의의 출력에 적용되는 결함 검출의 파라미터(들)는 임의의 적절한 방식으로 결정될 수 있다. 일부 경우에, 파라미터(들)는 사용자에 의해 제공될 수 있고, 시스템은 사용자로부터 파라미터(들)를 수신하기 위한 일부 방법 또는 시스템을 포함할 수 있다. 파라미터(들)는 또한 본 명세서에 설명된 실시예에 의해 결정될 수 있다. 그러나, 일반적으로, 본 명세서에 설명된 임의의 결함 검출에 사용되는 파라미터(들)는 당업계에 공지된 임의의 적절한 방식으로 결정될 수 있다.
이상치 검출(502)의 결과는 결함(504)을 포함할 수 있다. 이상치 자체가 결함으로 보고될 수 있다. 또는 검출된 이상치는 결함 후보일 수 있고, 결함 검출은 결함 후보를 결함 및 방해물로 분리하기 위해 결함 후보에 대해 일부 필터링 또는 방해 필터링을 수행하는 것을 포함할 수 있다. 그런 다음, 결함은 본 명세서에 추가로 설명된 바와 같이 보고될 수 있다.
일 실시예에서, 관리 영역은 출력에서 전체 셀 영역에 대응하고, 출력 중 결함 검출 방법이 적용되는 부분은 관리 영역에 대응하는 전체 부분을 포함한다. 본 명세서에 추가로 설명된 바와 같이, 현재 사용되는 일부 방법에서, 셀 에지에 가장 가까운 셀 영역의 부분은 검사에서 완전히 제외되거나 나머지 셀 영역과 상이한 결함 검출 방법으로 검사된다(예를 들어, 다이 대 다이 비교 유형 랜덤 검사에서와 같이). 그러나, 전체 셀 영역은 전체 셀 영역에 걸친 노이즈 특성에 따라 다수의 AOI로 분리될 수 있고, 동일한 결함 검출 방법의 상이한 파라미터가 상이한 AOI에서 생성되는 출력에 적용될 수 있기 때문에, 전체 셀 영역이 관리 영역에 포함될 수 있고 본 명세서에 설명된 실시예에 의해 검사될 수 있다.
다른 실시예에서, 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템은 적어도 제1 및 제2 AOI에서 검출된 결함을 단일 결함 집단으로서 보고하도록 구성된다. 예를 들어, 도 6은 컴퓨터 서브시스템(들)이 각각의 AOI에 대해 별도로 결함을 검출하는 결함 검출(610)을 도시한다. 이러한 결함 검출은 도 7에 보다 상세히 도시되어 있다. 특히, 도 7에 도시된 바와 같이, 결함 검출(706)은 빈(700)에 대해 수행될 수 있고, 결함 검출(708)은 빈(702)에 대해 수행될 수 있고, …, 결함 검출(710)은 빈(704)에 대해 수행될 수 있다. 이러한 방식으로, 결함 검출은 각각의 빈에 할당된 출력 부분에 대해 별도로 수행될 수 있다. 상이한 빈에 대해 별도로 수행되는 결함 검출은 임계값과 같은 하나 이상의 상이한 파라미터를 사용하여 수행될 수 있어 결함이 상이한 감도로 상이한 빈에서 검출된다.
그런 다음, 모든 결함 검출에서 검출된 모든 결함은 결함(712)으로서 보고될 수 있다. 예를 들어, 본 명세서에 설명된 검사는 결함이 셀 영역의 에지에 얼마나 가까운지를 기반으로 결함을 보고하기 위해 반드시 수행되는 것은 아니다. 대신에, 본 명세서에 설명된 검사는 일반적으로 셀 영역 내의 다양한 노이즈 레벨에도 불구하고 전체 셀 영역에서 결함을 검출하기 위해 수행된다. 따라서, 셀 영역 내의 일부 AOI에서 결함이 별도로 검출될 수 있지만, 모든 AOI에서 검출된 결함은 단일 결함 집단으로 보고될 수 있다. 물론, 해당 단일 결함 집단은 사용자가 원하는 경우 컴퓨터 서브시스템(들)이 셀 영역 내 위치에 기초하여 결함을 하위 집단으로 분리할 수 있도록 셀 영역 내 위치, 결함이 위치된 AOI, 셀 에지에 대한 근접성 등과 같은 결함에 대한 정보와 함께 보고될 수 있다.
컴퓨터 서브시스템(들)은 검출된 결함에 대한 정보를 임의의 적절한 컴퓨터 판독 가능 저장 매체에 저장하도록 구성될 수 있다. 정보는 본 명세서에 설명된 임의의 결과와 함께 저장될 수 있으며, 당업계에 공지된 임의의 방식으로 저장될 수 있다. 저장 매체는 본 명세서에 설명된 임의의 저장 매체 또는 당업계에 공지된 임의의 다른 적절한 저장 매체를 포함할 수 있다. 정보가 저장된 후, 저장 매체의 정보는 액세스될 수 있고, 본 명세서에 설명된 임의의 방법 또는 시스템 실시예에 의해 사용될 수 있고, 사용자에게 디스플레이하기 위해 서식이 만들어 질 수 있으며, 다른 소프트웨어 모듈, 방법, 또는 시스템 등에 의해 사용될 수 있다.
검출된 결함에 대한 정보는 검출된 결함의 경계 상자의 결함 ID, 위치 등의 정보, 크기, 검출 점수, 클래스 라벨 또는 ID와 같은 결함 분류에 대한 정보, 또는 당업계에 공지된 임의의 적절한 정보를 포함할 수 있다. 결함에 대한 결과는 임의의 적절한 방식으로 컴퓨터 서브시스템(들)에 의해 생성될 수 있다. 결함에 대한 결과는 표준 파일 형식과 같은 임의의 적절한 형태 또는 포맷을 가질 수 있다. 컴퓨터 서브시스템(들)은 결과를 생성하고 저장할 수 있어 결과는 컴퓨터 서브시스템(들) 및/또는 다른 시스템 또는 방법에서 표본 또는 동일한 유형의 다른 표본에 대해 하나 이상의 기능을 수행하는 데 사용될 수 있다. 이러한 기능은 피드백 방식으로 표본 상에 수행된 제조 공정 또는 단계와 같은 공정 변경, 피드포워드 방식으로 표본 상에 수행될 제조 공정 또는 단계와 같은 공정 변경을 포함하지만 이에 제한되지 않는다.
본 명세서에 설명된 실시예는 표본 상의 어레이 영역에서 결함을 검출하기 위한 다른 방법 및 시스템에 비해 많은 이점을 가지고 있다. 예를 들어, 본 명세서에 설명된 실시예는 정렬 목적을 위해 충분한 패턴이 사용 가능하지 않은 DRAM 층에 PDA 방법을 도입한다. 본 명세서에 설명된 실시예를 사용하여, 셀 영역 관리 영역이 정확하게 배치될 수 있고, 어레이 검출 알고리즘이 에지 셀 영역의 감도를 개선하기 위해 에지 셀 영역에 사용될 수 있다. 본 명세서에 설명된 실시예는 또한 셀 영역 내의 상이한 노이즈 레벨 영역에 대해 상이한 감도 설정을 가능하게 하는 비닝 방법을 도입하여 상이한 영역에서 검사의 감도를 제어할 수 있는 더 많은 유연성을 사용자에게 제공한다.
위에서 설명된 시스템 실시예 각각은 하나의 단일 실시예로 함께 결합될 수 있다. 다시 말해서, 본 명세서에서 달리 언급되지 않는 한, 시스템 실시예 중 어느 것도 다른 시스템 실시예와 상호 배타적이지 않다.
다른 실시예는 표본 상의 어레이 영역에서 결함을 검출하기 위한 컴퓨터 구현 방법에 관한 것이다. 이 방법은 검사 서브시스템에 의해 어레이 영역에 대해 생성된 출력에서 페이지 나누기 중심을 결정하는 단계를 포함한다. 페이지 나누기는 어레이 영역에서 셀 영역을 분할하고, 셀 영역은 반복되는 패턴화된 피처를 포함한다. 검사 서브시스템은 위에서 설명된 바와 같이 구성된다. 방법은 또한 위에서 설명된 오프셋을 결정하고, 부분을 식별하고, 결함을 검출하는 단계를 포함한다. 단계는 본 명세서에 설명된 임의의 실시예에 따라 구성될 수 있는 검사 서브시스템에 결합된 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템에 의해 수행된다.
방법의 각각의 단계는 본 명세서에서 추가로 설명된 바와 같이 수행될 수 있다. 방법은 또한 본 명세서에 설명된 검사 서브시스템 및/또는 컴퓨터 서브시스템(들)에 의해 수행될 수 있는 임의의 다른 단계(들)를 포함할 수 있다. 게다가, 위에서 설명된 방법은 본 명세서에 설명된 임의의 시스템 실시예에 의해 수행될 수 있다.
추가 실시예는 표본 상의 어레이 영역에서 결함을 검출하기 위한 컴퓨터 구현 방법을 수행하기 위한 컴퓨터 시스템 상에서 실행 가능한 프로그램 명령어를 저장하는 비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체에 관한 것이다. 이러한 하나의 실시예가 도 8에 도시되어 있다. 특히, 도 8에 도시된 바와 같이, 비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체(800)는 컴퓨터 시스템(804) 상에서 실행 가능한 프로그램 명령어(802)를 포함한다. 컴퓨터 구현 방법은 본 명세서에 설명된 임의의 방법(들)의 임의의 단계(들)를 포함할 수 있다.
본 명세서에 설명된 것과 같은 방법을 구현하는 프로그램 명령어(802)는 컴퓨터 판독 가능 매체(800) 상에 저장될 수 있다. 컴퓨터 판독 가능 매체는 자기 또는 광 디스크, 자기 테이프와 같은 저장 매체, 또는 당업계에 공지된 임의의 다른 적절한 비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체일 수 있다.
프로그램 명령어는 특히 절차 기반 기술, 컴포넌트 기반 기술 및/또는 객체 지향 기술을 포함하는 임의의 다양한 방식으로 구현될 수 있다. 예를 들어, 프로그램 명령어는 원하는 바에 따라, 액티브 X 컨트롤(ActiveX control), C++ 객체, 자바빈(JavaBean), 마이크로소프트 파운데이션 클래스(Microsoft Foundation Classe; MFC), SSE(Streaming SIMD Extension) 또는 다른 기술 또는 방법론을 사용하여 구현될 수 있다.
컴퓨터 시스템(804)은 본 명세서에 설명된 임의의 실시예에 따라 구성될 수 있다.
본 발명의 다양한 양태들의 추가 수정 및 대안적인 실시예는 이 설명을 고려하여 당업자에게 명백할 것이다. 예를 들어, 표본 상의 어레이 영역에서 결함을 검출하기 위한 방법 및 시스템이 제공된다. 따라서, 이 설명은 단지 예시적인 것으로 해석되어야 하며, 본 발명을 수행하는 일반적인 방식을 당업자에게 교시하기 위한 것이다. 본 명세서에 도시되고 설명된 본 발명의 형태는 현재 바람직한 실시예로서 간주되어야 함을 이해해야 한다. 요소 및 재료는 본 명세서에 도시되고 설명된 것으로 대체될 수 있으며, 부품 및 공정은 뒤바뀔 수 있으며, 본 발명의 특정 속성은 독립적으로 활용될 수 있으며, 이 모두는 본 발명의 이러한 설명의 이점을 얻은 후 당업자에게 자명할 것이다. 다음의 청구범위에 설명된 바와 같이 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 본 명세서에 설명된 요소는 변경될 수 있다.
Claims (20)
- 표본 상의 어레이 영역에서 결함을 검출하도록 구성된 시스템에 있어서,
적어도 에너지 소스 및 검출기를 포함하는 검사 서브시스템으로서, 상기 에너지 소스는 표본으로 지향되는 에너지를 생성하도록 구성되고, 상기 검출기는 상기 표본으로부터 에너지를 검출하고 상기 검출된 에너지에 응답하여 출력을 생성하도록 구성되는 것인, 상기 검사 서브시스템; 및
하나 이상의 컴퓨터 서브시스템으로서,
상기 표본에 대해 생성된 출력에서 어레이 영역 내의 페이지 나누기 중심을 결정하고 - 상기 페이지 나누기는 상기 어레이 영역에서 셀 영역을 분할하고, 상기 셀 영역은 반복되는 패턴화된 피처를 포함함 - ;
상기 출력에서의 상기 페이지 나누기 중심과 상기 표본에 대한 설계에서의 페이지 나누기 중심 사이의 오프셋을 결정하고;
상기 오프셋에 기초하여 상기 어레이 영역에서 관리 영역에 대응하는 출력 부분을 식별하며;
상기 관리 영역에 대응하는 상기 출력 부분에 결함 검출 방법을 적용함으로써 상기 어레이 영역에서 결함을 검출하도록 구성되는 것인, 상기 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템
을 포함하는, 표본 상의 어레이 영역에서 결함을 검출하도록 구성된 시스템. - 제1항에 있어서, 상기 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템은 또한, 상기 관리 영역에서 상기 셀 영역의 에지에 대한 관심 영역의 근접성에 기초하여 정의된 빈에 상기 식별된 출력 부분의 픽셀을 할당하도록 구성되는 것인, 시스템.
- 제2항에 있어서, 상기 관심 영역은 적어도 상기 셀 영역의 에지 영역을 포함하는 제1 관심 영역 및 상기 셀 영역의 중심 영역을 포함하는 제2 관심 영역을 포함하는 것인, 시스템.
- 제3항에 있어서, 적어도 상기 제1 관심 영역 및 상기 제2 관심 영역의 하나 이상의 특성은, 상기 셀 영역에서 생성된 출력의 하나 이상의 예상되는 노이즈 특성에 기초하여 결정되는 것인, 시스템.
- 제3항에 있어서, 상기 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템은 또한, 적어도 상기 제1 관심 영역 및 상기 제2 관심 영역에서 검출된 결함을 단일 결함 집단으로서 보고하도록 구성되는 것인, 시스템.
- 제2항에 있어서, 상기 결함 검출 방법은 상기 픽셀이 할당된 상기 빈에 따라 하나 이상의 상이한 파라미터로 상기 결함을 검출하는 것을 수행하도록 구성되는 것인, 시스템.
- 제6항에 있어서, 상기 하나 이상의 상이한 파라미터는 상기 검출이 수행되는 감도를 변경하는 것인, 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 관리 영역은 상기 출력에서 상기 셀 영역 전체에 대응하고, 상기 결함 검출 방법이 적용되는 상기 출력 부분은 상기 관리 영역에 대응하는 부분 전체를 포함하는 것인, 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 결함 검출 방법은 상기 셀 영역 내의 상이한 셀에 대해 생성된 출력을 서로 비교하는 단계를 포함하고, 상기 상이한 셀은 동일한 다이에 위치되는 것인, 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 페이지 나누기에 대응하는 출력은 포화되는 것인, 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 어레이 영역에서 생성된 출력은 이미지 정렬에 적합한 상기 페이지 나누기의 임의의 피처에 응답하지 않고, 상기 셀 영역은 상기 이미지 정렬에 적합한 임의의 피처를 포함하지 않는 것인, 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 페이지 나누기 중심을 결정하는 것은 상기 페이지 나누기의 제1 차원을 따라 제1 페이지 나누기 중심을 결정하고, 상기 제1 차원에 직교하는 상기 페이지 나누기의 제2 차원을 따라 제2 페이지 나누기 중심을 결정하는 것을 포함하는 것인, 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 페이지 나누기 중심을 결정하는 것은 서로 직교하는 제1 차원 및 제2 차원에서의 상기 표본 상의 이미지 투사를 포함하는 것인, 시스템.
- 제1항에 있어서, 설정 단계 동안, 상기 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템은 또한, 상기 검사 서브시스템에 의해 상기 표본 또는 다른 표본에 대해 획득된 설정 이미지에서 하나 이상의 페이지 나누기 타겟을 식별하고, 상기 표본에 대한 설계로부터 상기 하나 이상의 페이지 나누기 타겟에 대한 정보를 획득하고, 상기 정보로부터 상기 하나 이상의 페이지 나누기 타겟의 하나 이상의 특성을 결정하며, 상기 식별된 하나 이상의 페이지 나누기 타겟 및 상기 하나 이상의 페이지 나누기 타겟의 결정된 하나 이상의 특성을 저장 매체에 저장하도록 구성되는 것인, 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 어레이 영역은 상기 표본 상에 제조되는 메모리 디바이스의 일부를 형성하는 것인, 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 표본은 웨이퍼를 포함하는 것인, 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 검사 서브시스템은 광 기반 검사 서브시스템으로서 구성되는 것인, 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 검사 서브시스템은 전자 빔 기반 검사 서브시스템으로서 구성되는 것인, 시스템.
- 표본 상의 어레이 영역에서 결함을 검출하기 위한 컴퓨터 구현 방법을 수행하기 위한 컴퓨터 시스템 상에서 실행 가능한 프로그램 명령어를 저장하는 비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체에 있어서, 상기 컴퓨터 구현 방법은,
검사 서브시스템에 의해 표본에 대해 생성된 출력에서 어레이 영역 내의 페이지 나누기 중심을 결정하는 단계 - 상기 페이지 나누기는 상기 어레이 영역에서 셀 영역을 분할하고, 상기 셀 영역은 반복되는 패턴화된 피처를 포함하고, 상기 검사 서브시스템은 적어도 에너지 소스 및 검출기를 포함하고, 상기 에너지 소스는 표본으로 지향되는 에너지를 생성하도록 구성되며, 상기 검출기는 상기 표본으로부터 에너지를 검출하고 상기 검출된 에너지에 응답하여 출력을 생성하도록 구성됨 - ;
상기 출력에서의 상기 페이지 나누기 중심과 상기 표본에 대한 설계에서의 페이지 나누기 중심 사이의 오프셋을 결정하는 단계;
상기 오프셋에 기초하여 상기 어레이 영역에서 관리 영역에 대응하는 출력 부분을 식별하는 단계; 및
상기 관리 영역에 대응하는 상기 출력 부분에 결함 검출 방법을 적용함으로써 상기 어레이 영역에서 결함을 검출하는 단계 - 상기 중심을 결정하는 단계, 상기 오프셋을 결정하는 단계, 상기 부분을 식별하는 단계, 및 상기 결함을 검출하는 단계는 상기 컴퓨터 시스템에 의해 수행됨 -
를 포함하는 것인, 비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체. - 표본 상의 어레이 영역에서 결함을 검출하기 위한 컴퓨터 구현 방법에 있어서,
검사 서브시스템에 의해 표본에 대해 생성된 출력에서 어레이 영역 내의 페이지 나누기 중심을 결정하는 단계 - 상기 페이지 나누기는 상기 어레이 영역에서 셀 영역을 분할하고, 상기 셀 영역은 반복되는 패턴화된 피처를 포함하고, 상기 검사 서브시스템은 적어도 에너지 소스 및 검출기를 포함하고, 상기 에너지 소스는 표본으로 지향되는 에너지를 생성하도록 구성되며, 상기 검출기는 상기 표본으로부터 에너지를 검출하고 상기 검출된 에너지에 응답하여 출력을 생성하도록 구성됨 - ;
상기 출력에서의 상기 페이지 나누기 중심과 상기 표본에 대한 설계에서의 페이지 나누기 중심 사이의 오프셋을 결정하는 단계;
상기 오프셋에 기초하여 상기 어레이 영역에서 관리 영역에 대응하는 출력 부분을 식별하는 단계; 및
상기 관리 영역에 대응하는 상기 출력 부분에 결함 검출 방법을 적용함으로써 상기 어레이 영역에서 결함을 검출하는 단계 - 상기 중심을 결정하는 단계, 상기 오프셋을 결정하는 단계, 상기 부분을 식별하는 단계, 및 상기 결함을 검출하는 단계는 상기 검사 서브시스템에 결합된 하나 이상의 컴퓨터 시스템에 의해 수행됨 -
를 포함하는, 표본 상의 어레이 영역에서 결함을 검출하기 위한 컴퓨터 구현 방법.
Applications Claiming Priority (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US202062976945P | 2020-02-14 | 2020-02-14 | |
| US62/976,945 | 2020-02-14 | ||
| US202063061735P | 2020-08-05 | 2020-08-05 | |
| US63/061,735 | 2020-08-05 | ||
| US17/003,452 | 2020-08-26 | ||
| US17/003,452 US11494895B2 (en) | 2020-02-14 | 2020-08-26 | Detecting defects in array regions on specimens |
| PCT/US2021/016115 WO2021162884A1 (en) | 2020-02-14 | 2021-02-01 | Detecting defects in array regions on specimens |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20220137759A true KR20220137759A (ko) | 2022-10-12 |
Family
ID=77272959
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020227031593A KR20220137759A (ko) | 2020-02-14 | 2021-02-01 | 표본 상의 어레이 영역에서의 결함 검출 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11494895B2 (ko) |
| KR (1) | KR20220137759A (ko) |
| CN (1) | CN115066604B (ko) |
| IL (1) | IL295043A (ko) |
| WO (1) | WO2021162884A1 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20230134909A1 (en) * | 2021-11-04 | 2023-05-04 | SK Hynix Inc. | Defect inspection system and semiconductor fabrication apparatus including a defect inspection apparatus using the same |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7155052B2 (en) | 2002-06-10 | 2006-12-26 | Tokyo Seimitsu (Israel) Ltd | Method for pattern inspection |
| US7570796B2 (en) | 2005-11-18 | 2009-08-04 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data |
| US7676077B2 (en) | 2005-11-18 | 2010-03-09 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data |
| US7711177B2 (en) * | 2006-06-08 | 2010-05-04 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for detecting defects on a specimen using a combination of bright field channel data and dark field channel data |
| JP4928862B2 (ja) * | 2006-08-04 | 2012-05-09 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査方法及びその装置 |
| US8698093B1 (en) | 2007-01-19 | 2014-04-15 | Kla-Tencor Corporation | Objective lens with deflector plates immersed in electrostatic lens field |
| US7894659B2 (en) | 2007-02-28 | 2011-02-22 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods for accurate identification of an edge of a care area for an array area formed on a wafer and methods for binning defects detected in an array area formed on a wafer |
| US8611639B2 (en) * | 2007-07-30 | 2013-12-17 | Kla-Tencor Technologies Corp | Semiconductor device property extraction, generation, visualization, and monitoring methods |
| US8155428B2 (en) | 2007-09-07 | 2012-04-10 | Kla-Tencor Corporation | Memory cell and page break inspection |
| CN101719477B (zh) * | 2008-10-09 | 2013-04-24 | 联华电子股份有限公司 | 对准标记及缺陷检测方法 |
| US9076798B2 (en) * | 2009-05-11 | 2015-07-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Dicing structures for semiconductor substrates and methods of fabrication thereof |
| US8559001B2 (en) * | 2010-01-11 | 2013-10-15 | Kla-Tencor Corporation | Inspection guided overlay metrology |
| JP5525336B2 (ja) * | 2010-06-08 | 2014-06-18 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査方法および欠陥検査装置 |
| WO2012016243A2 (en) | 2010-07-30 | 2012-02-02 | Kla-Tencor Corporation | Region based virtual fourier filter |
| JP5419837B2 (ja) * | 2010-09-28 | 2014-02-19 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 検査装置、検査方法及びプログラム |
| US8664594B1 (en) | 2011-04-18 | 2014-03-04 | Kla-Tencor Corporation | Electron-optical system for high-speed and high-sensitivity inspections |
| US8692204B2 (en) | 2011-04-26 | 2014-04-08 | Kla-Tencor Corporation | Apparatus and methods for electron beam detection |
| US8716662B1 (en) | 2012-07-16 | 2014-05-06 | Kla-Tencor Corporation | Methods and apparatus to review defects using scanning electron microscope with multiple electron beam configurations |
| US8948495B2 (en) * | 2012-08-01 | 2015-02-03 | Kla-Tencor Corp. | Inspecting a wafer and/or predicting one or more characteristics of a device being formed on a wafer |
| US9053527B2 (en) | 2013-01-02 | 2015-06-09 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer |
| US11308606B2 (en) * | 2019-08-16 | 2022-04-19 | Kla Corporation | Design-assisted inspection for DRAM and 3D NAND devices |
-
2020
- 2020-08-26 US US17/003,452 patent/US11494895B2/en active Active
-
2021
- 2021-02-01 CN CN202180012492.4A patent/CN115066604B/zh active Active
- 2021-02-01 KR KR1020227031593A patent/KR20220137759A/ko not_active Application Discontinuation
- 2021-02-01 WO PCT/US2021/016115 patent/WO2021162884A1/en active Application Filing
- 2021-02-01 IL IL295043A patent/IL295043A/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20210256675A1 (en) | 2021-08-19 |
| CN115066604B (zh) | 2023-06-02 |
| CN115066604A (zh) | 2022-09-16 |
| US11494895B2 (en) | 2022-11-08 |
| WO2021162884A1 (en) | 2021-08-19 |
| IL295043A (en) | 2022-09-01 |
| TW202146888A (zh) | 2021-12-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102303670B1 (ko) | 프로세스 윈도우 특성묘사를 위한 가상 검사 시스템 | |
| US9767548B2 (en) | Outlier detection on pattern of interest image populations | |
| US10393671B2 (en) | Intra-die defect detection | |
| KR102652164B1 (ko) | 멀티 이미징 모드 이미지 정렬 | |
| US9702827B1 (en) | Optical mode analysis with design-based care areas | |
| US11416982B2 (en) | Controlling a process for inspection of a specimen | |
| US11619592B2 (en) | Selecting defect detection methods for inspection of a specimen | |
| US10151706B1 (en) | Inspection for specimens with extensive die to die process variation | |
| KR20220137759A (ko) | 표본 상의 어레이 영역에서의 결함 검출 | |
| CN115280479B (zh) | 使用检验工具以确定用于样本的类计量的信息 | |
| TW202225676A (zh) | 設置樣本之檢查 | |
| US11887296B2 (en) | Setting up care areas for inspection of a specimen |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E902 | Notification of reason for refusal |