KR20220136250A - Bond ply, circuit board using this, and strip line - Google Patents

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Abstract

Provided is a bond ply capable of achieving both low dielectric loss tangent and dimensional stability. The bond ply includes a first adhesive layer, a polyimide layer, and a second adhesive layer, and satisfies: a) the total thickness of the bond ply is within a range of 50 μm or more and 300 μm or less, and a ratio of the thickness of the polyimide layer to the total thickness of the bond ply is within a range of 0.2 or more and 0.9 or less; b) after drying at 80 ℃ for 1 hour, a moisture absorption rate measured after 24 hours of humidity control at constant temperature and humidity of 23 ℃ and 50 %RH is 0.4 % by weight or less; and c) the storage modulus of the first adhesive layer and the second adhesive layer at 50 ℃ is each independently 1,800 MPa or less, and the maximum value of the storage modulus thereof at 180-260 ℃ is each independently 800 MPa or less. Accordingly, reliability and yield can be improved.

Description

본드 플라이, 이것을 사용하는 회로기판 및 스트립 라인{BOND PLY, CIRCUIT BOARD USING THIS, AND STRIP LINE}BOND PLY, CIRCUIT BOARD USING THIS, AND STRIP LINE

본 발명은, 전자부품재료로서 유용한 본드 플라이, 이것을 사용하는 회로기판 및 스트립 라인에 관한 것이다.The present invention relates to a bond ply useful as an electronic component material, a circuit board and a strip line using the same.

최근에 전자기기의 소형화, 경량화, 공간절약화의 진전에 따라, 얇고 경량이며 가요성을 구비하고 굴곡이 반복되어도 우수한 내구성을 가지는 플렉시블 프린트 배선판(FPC; Flexible Printed Circuits)의 수요가 증가하고 있다. FPC는, 한정된 공간에서도 입체적으로 또한 고밀도로 실장이 가능하기 때문에, 예를 들면 HDD, DVD, 스마트폰 등의 전자기기의 가동부분의 배선이나, 케이블, 커넥터 등의 부품으로 그 용도가 확대되고 있다.Recently, with the progress of miniaturization, weight reduction, and space saving of electronic devices, the demand for flexible printed circuit boards (FPCs) is increasing, which is thin, light, flexible, and has excellent durability even when bending is repeated. Since FPC can be mounted three-dimensionally and at high density even in a limited space, its use is expanding to wiring of movable parts of electronic devices such as HDD, DVD, and smart phone, and parts such as cables and connectors. .

고밀도화에 더하여, 기기의 고성능화가 진행하는 것 때문에 전송신호의 고주파화에 대한 대응도 필요하게 되었다. 고주파신호를 전송할 때에 전송경로에 있어서의 전송손실이 클 경우, 전기신호의 손실이나 신호의 지연시간이 길어지는 등의 단점이 발생한다. 그 때문에 FPC에 사용하는 복수의 수지층의 재료로서, 유전정접이 낮은 폴리이미드를 사용하는 것이 제안되어 있다(예를 들면 특허문헌1, 2).In addition to increasing the density, it is also necessary to cope with the increase in the frequency of the transmission signal due to the progress of higher performance of the equipment. When a high-frequency signal is transmitted, if the transmission loss in the transmission path is large, there are disadvantages such as a loss of an electric signal or a long delay time of the signal. Therefore, as a material of a plurality of resin layers used for FPC, it is proposed to use a polyimide having a low dielectric loss tangent (for example, Patent Documents 1 and 2).

5G(제5세대 이동통신 시스템)에 대한 대응을 도모하기 위해서, FPC의 하나의 태양인, RF케이블 등의 전송로로서 적용되는 스트립 라인에 관해서도 GHz대역의 주파수에서의 전송손실을 억제하는 것이 강하게 요구되고 있다. 스트립 라인의 전송손실을 억제하기 위해서는, i)수지재료의 저유전정접화를 도모하는 것, ii)수지층 전체의 두께를 두껍게 하는 것이 효과적이다. ii)에 대해서는, 스트립 라인에 내장된 본딩시트에 의한 층(접착성 수지층)의 두께를 두껍게 한다고 하는 어프로치가 유효하다. 그러나 본딩시트에는, 유연하고 글라스 전이온도가 낮고 열팽창계수가 큰 수지재료가 사용되는 것으로부터, 그 두께를 두껍게 하면, 치수안정성이 저하할 염려가 있고, 또한 레이저 가공에 의해 비아홀(관통구멍) 등을 형성하는 공정에서 접착성 수지층이 깎여 도려내지는 등의 손상이 발생하거나, 납땜공정 등에서 열에 의해 수지의 유출이 발생하거나 한다고 하는 문제가 있었다. 그 때문에 본딩시트의 두께를 두껍게 하는 어프로치에는 한계가 있다.In order to cope with 5G (fifth generation mobile communication system), it is strongly required to suppress transmission loss in the GHz band even for strip lines applied as transmission paths such as RF cables, which are one aspect of FPC. is becoming In order to suppress the transmission loss of the strip line, it is effective to i) achieve a low dielectric loss tangent of the resin material, and ii) increase the thickness of the entire resin layer. Regarding ii), the approach of thickening the thickness of the layer (adhesive resin layer) by the bonding sheet built into the strip line is effective. However, since a resin material that is flexible and has a low glass transition temperature and a large coefficient of thermal expansion is used for the bonding sheet, if the thickness is increased, dimensional stability may decrease. In the step of forming the adhesive resin layer, there is a problem that damage occurs, such as cut out, or that the resin leaks due to heat in the soldering step or the like. Therefore, there is a limit to the approach of thickening the thickness of the bonding sheet.

일본국 공개특허 특개2018-170417호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2018-170417 일본국 공개특허 특개2020-55186호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2020-55186

본딩시트의 상기 결점을 보충하는 것으로서, 접착성 수지층의 사이에 비교적 내열성이 높은 수지층을 삽입한 본드 플라이가 사용된다. 그러나 본드 플라이에 사용되는 수지재료에 대해서, 저유전정접화와 치수안정성과의 양립을 도모하기 위한 검토는 지금까지 거의 이루어지지 않고 있었다.In order to compensate for the above-mentioned drawbacks of the bonding sheet, a bond ply in which a resin layer having relatively high heat resistance is inserted between the adhesive resin layers is used. However, with respect to the resin material used for the bond ply, there have been few studies so far for achieving both low dielectric loss tangent and dimensional stability.

본 발명의 목적은, 첫 번째, 저유전정접화와 치수안정성의 양립이 가능한 본드 플라이를 제공하는 것이며, 두 번째, 이 본드 플라이를 사용함으로써 고주파신호의 전송손실이 작고 치수안정성이 우수하고 신뢰성이 높은 스트립 라인 등의 회로기판을 제공하는 것이다.An object of the present invention is, first, to provide a bond ply that can achieve both low dielectric loss tangent and dimensional stability. Second, by using this bond ply, transmission loss of high-frequency signals is small, dimensional stability is excellent, and reliability is high. It is to provide a circuit board such as a high strip line.

본 발명자들은, 예의 연구를 거듭한 결과, 접착성 수지층의 사이에 폴리이미드층을 삽입한 구조의 본드 플라이에 있어서, 접착성 수지층으로서 저장탄성률이 낮은 수지를 사용함과 아울러 각 층의 두께 비율과 전체의 흡습률을 고려함으로써, 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 찾아내어, 본 발명을 완성하게 되었다.As a result of repeated research, the present inventors have used a resin having a low storage modulus as an adhesive resin layer in the bond ply having a structure in which a polyimide layer is inserted between the adhesive resin layers, and the thickness ratio of each layer By considering the moisture absorption rate of the whole, it found that the said subject was solvable, and came to complete this invention.

즉 본 발명의 본드 플라이는,That is, the bond ply of the present invention is

폴리이미드층과,a polyimide layer;

상기 폴리이미드층의 한 쪽에 적층된 제1접착제층과,a first adhesive layer laminated on one side of the polyimide layer;

상기 폴리이미드층의 상기 제1접착제층과는 반대측에 적층된 제2접착제층A second adhesive layer laminated on the opposite side of the polyimide layer to the first adhesive layer

을 구비한 본드 플라이이다.It is a bond ply with

그리고 본 발명의 본드 플라이는,And the bond ply of the present invention,

하기의 조건a∼c;The following conditions a to c;

a)본드 플라이 전체의 두께가 50μm 이상 300μm 이하의 범위내이며, 본드 플라이 전체의 두께에 대한 상기 폴리이미드층의 두께의 비율이 0.2 이상 0.9 이하의 범위내인 것;a) the total thickness of the bond ply is in the range of 50 μm or more and 300 μm or less, and the ratio of the thickness of the polyimide layer to the thickness of the entire bond ply is in the range of 0.2 or more and 0.9 or less;

b)80℃로 1시간 건조 후에, 23℃, 50%RH의 항온항습하에서 24시간 조습 후에 측정되는 흡습률이 0.4중량% 이하인 것;b) After drying at 80°C for 1 hour, the moisture absorption measured after 24 hours under constant temperature and humidity at 23°C and 50%RH is 0.4% by weight or less;

c)상기 제1접착제층 및 상기 제2접착제층의 50℃에 있어서의 저장탄성률이, 각각 독립적으로 1800MPa 이하이며, 180∼260℃에 있어서의 저장탄성률의 최대값이, 각각 독립적으로 800MPa 이하인 것;c) The storage modulus of the first adhesive layer and the second adhesive layer at 50 ° C. are each independently 1800 MPa or less, and the maximum value of the storage modulus at 180 to 260 ° C. are each independently 800 MPa or less. ;

를 충족시키는 것을 특징으로 한다.characterized in that it satisfies

본 발명의 본드 플라이는, 또한 하기의 조건d;The bond ply of the present invention is further subjected to the following conditions d;

d)23℃, 50%RH의 항온항습조건(보통의 상태)하에서 24시간 조습 후에 스플릿 포스트 유전체 공진기(SPDR)에 의해 측정되는 10GHz에 있어서의 유전정접이 0.004 이하인 것:d) Dielectric loss tangent at 10 GHz measured by a split post dielectric resonator (SPDR) of 0.004 or less after 24 hours of humidity control under constant temperature and humidity conditions (normal conditions) of 23°C and 50%RH:

를 충족시키는 것이면 좋다.It is good if it satisfies

본 발명의 본드 플라이에 있어서, 상기 제1접착제층 및 상기 제2접착제층은, 각각 글라스 전이온도(Tg)가 180℃ 이하이더라도 좋다.In the bond ply of the present invention, each of the first adhesive layer and the second adhesive layer may have a glass transition temperature (Tg) of 180° C. or less.

본 발명의 본드 플라이는, 상기 제1접착제층 및 상기 제2접착제층이, 수지성분으로서 폴리이미드를 함유하고, 상기 폴리이미드가 테트라카르복시산무수물 성분으로부터 유도되는 산무수물 잔기 및 디아민 성분으로부터 유도되는 디아민 잔기를 함유하는 것이면 좋고, 다이머산의 2개의 말단 카르복시산기가 1급 아미노메틸기 또는 아미노기로 치환되어 이루어지는 다이머디아민을 주성분으로 하는 다이머디아민 조성물에서 유래하는 디아민 잔기를 50몰% 이상 함유하는 것이어도 좋다.In the bond ply of the present invention, the first adhesive layer and the second adhesive layer contain a polyimide as a resin component, and the polyimide is an acid anhydride residue derived from a tetracarboxylic acid anhydride component and a diamine derived from a diamine component. What is necessary is just to contain a residue, and it may contain 50 mol% or more of diamine residues derived from the dimerdiamine composition which has dimerdiamine as a main component which consists of two terminal carboxylic acid groups of a dimer acid substituted by primary aminomethyl group or an amino group.

본 발명의 본드 플라이는, 상기 폴리이미드층의 열팽창계수가 1ppm/K이상 30ppm/K 이하의 범위내이더라도 좋다.In the bond ply of the present invention, the coefficient of thermal expansion of the polyimide layer may be within the range of 1 ppm/K or more and 30 ppm/K or less.

본 발명의 본드 플라이는, 상기 폴리이미드층에 있어서, 23℃, 50%RH의 항온항습조건(보통의 상태)하에서 24시간 조습 후에 스플릿 포스트 유전체 공진기(SPDR)에 의해 측정되는 10GHz에 있어서의 유전정접이 0.006 이하여도 좋다.The bond ply of the present invention is, in the polyimide layer, the dielectric at 10 GHz measured by a split post dielectric resonator (SPDR) after 24 hours of humidity control under a constant temperature and humidity condition (normal condition) of 23° C. and 50% RH. The tangent may be 0.006 or less.

본 발명의 본드 플라이는, 상기 폴리이미드층을 구성하는 폴리이미드가, 테트라카르복시산 잔기 및 디아민 잔기를 포함하고 있어도 좋고, 전체 디아민 잔기에 대하여, 하기 일반식(A1)으로 나타내는 디아민 화합물로부터 유도되는 디아민 잔기의 함유량이 50몰% 이상이더라도 좋다.In the bond ply of the present invention, the polyimide constituting the polyimide layer may contain a tetracarboxylic acid residue and a diamine residue, and with respect to all the diamine residues, a diamine derived from a diamine compound represented by the following general formula (A1) The content of the residue may be 50 mol% or more.

Figure pat00001
Figure pat00001

[식(A1)에 있어서, 연결기Z는 단결합 또는 -COO-를 나타내고, Y는 독립적으로, 할로겐 원자 또는 페닐기로 치환되어도 좋은 탄소수 1∼3의 1가의 탄화수소, 또는 탄소수 1∼3의 알콕시기, 또는 탄소수 1∼3의 퍼플루오로알킬기, 또는 알케닐기를 나타내고, n은 0∼2의 정수를 나타내고, p 및 q는 독립적으로 0∼4의 정수를 나타낸다.][In the formula (A1), the linking group Z represents a single bond or -COO-, and Y is independently a monovalent hydrocarbon having 1 to 3 carbon atoms which may be substituted with a halogen atom or a phenyl group, or an alkoxy group having 1 to 3 carbon atoms. , or a C1-C3 perfluoroalkyl group or an alkenyl group, n represents an integer of 0-2, p and q independently represent an integer of 0-4.]

본 발명의 회로기판은, 상기한 어느 하나의 본드 플라이를 포함하는 것이다.The circuit board of the present invention includes any one of the above-described bond ply.

본 발명의 스트립 라인은,The strip line of the present invention comprises:

제1금속층과,a first metal layer;

상기 제1금속층의 한 쪽의 면에 적층된 단층 또는 복수층으로 이루어지는 제1절연수지층과,a first insulating resin layer comprising a single layer or a plurality of layers laminated on one side of the first metal layer;

상기 제1절연수지층에 접촉해서 형성된 배선층과,a wiring layer formed in contact with the first insulating resin layer;

제2금속층과,a second metal layer;

상기 제2금속층의 한 쪽의 면에 적층된 단층 또는 복수층으로 이루어지는 제2절연수지층과,a second insulating resin layer comprising a single layer or a plurality of layers laminated on one side of the second metal layer;

상기 제1절연수지층과 상기 제2절연수지층의 사이에 삽입해서 적층되어 있는 중간수지층An intermediate resin layer interposed between the first insulating resin layer and the second insulating resin layer and stacked

을 구비하고,to provide

상기 중간수지층이 상기 중의 어느 하나의 본드 플라이로 이루어짐과 아울러 상기 배선층이 상기 제1접착제층 또는 상기 제2접착제층에 의해 덮여 있는 것이다.The intermediate resin layer is made of any one of the above bond ply and the wiring layer is covered by the first adhesive layer or the second adhesive layer.

본 발명의 본드 플라이는, 저유전정접화와 치수안정성의 양립이 도모되어 있기 때문에, GHz대역(예를 들면, 1∼50GHz)의 고주파신호를 전송하는 스트립 라인 등의 회로기판에 적용하였을 경우에, 고주파신호의 전송손실을 효과적으로 감소시킬 수 있음과 함께 우수한 치수안정성에 의하여 신뢰성과 수율의 향상을 도모할 수 있다.Since the bond ply of the present invention achieves both low dielectric loss tangent and dimensional stability, when applied to a circuit board such as a strip line for transmitting high-frequency signals in the GHz band (eg, 1 to 50 GHz) , it is possible to effectively reduce the transmission loss of high-frequency signals and to improve reliability and yield by excellent dimensional stability.

도1은, 본 발명의 하나의 실시형태의 본드 플라이의 단면구조를 나타내는 모식도이다.
도2는, 본 발명의 바람직한 실시형태의 스트립 라인의 구성을 나타내는 모식적인 단면도이다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic diagram which shows the cross-sectional structure of the bond ply of one Embodiment of this invention.
Fig. 2 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of a strip line according to a preferred embodiment of the present invention.

본 발명의 실시형태에 대해서, 적절하게 도면을 참조하여 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Embodiment of this invention is suitably demonstrated with reference to drawings.

[본드 플라이][bond fly]

도1은, 본 발명의 하나의 실시형태에 관한 본드 플라이의 단면의 구성을 나타내는 모식도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic diagram which shows the structure of the cross section of the bond ply which concerns on one Embodiment of this invention.

본 실시형태의 본드 플라이(100)는, 폴리이미드층(10)과, 이 폴리이미드층(10)의 한 쪽에 적층된 제1접착제층(20A)과, 폴리이미드층(10)의 제1접착제층(20A)과는 반대측에 적층된 제2접착제층(20B)을 구비하고 있다. 즉, 본드 플라이(100)는, 제1접착제층(20A)과 폴리이미드층(10)과 제2접착제층(20B)이 이 순서로 적층된 구조를 구비한다.The bond ply 100 of the present embodiment includes a polyimide layer 10 , a first adhesive layer 20A laminated on one side of the polyimide layer 10 , and a first adhesive agent of the polyimide layer 10 . A second adhesive layer 20B laminated on the opposite side to the layer 20A is provided. That is, the bond ply 100 has a structure in which the first adhesive layer 20A, the polyimide layer 10, and the second adhesive layer 20B are laminated in this order.

본 실시형태의 본드 플라이(100)는, 하기의 조건a∼c를 충족시키는 것이다.The bond ply 100 of the present embodiment satisfies the following conditions a to c.

조건a) 본드 플라이(100) 전체의 두께(T1)가 50μm 이상 300μm 이하의 범위내이며, 본드 플라이(100) 전체의 두께(T1)에 대한 폴리이미드층(10)의 두께(T2)의 비율(T2/T1)이 0.2 이상 0.9 이하의 범위내인 것.Condition a) The overall thickness (T1) of the bond ply 100 is within the range of 50 μm or more and 300 μm or less, and the ratio of the thickness (T2) of the polyimide layer (10) to the thickness (T1) of the entire bond ply (100) (T2/T1) is within the range of 0.2 or more and 0.9 or less.

본드 플라이(100) 전체의 두께(T1)가 50μm 미만에서는, 스트립 라인에 적용하였을 경우에 수지층 전체의 두께를 두껍게 할 수 없기 때문에, 전송손실을 저하시키는 효과가 불충분하고, 300μm를 넘으면, FPC로서 필요한 굴곡성을 담보할 수 없는 우려가 있다. 이러한 관점으로부터, 본드 플라이(100) 전체의 두께(T1)는, 50μm 이상 300μm 이하의 범위내, 50μm 이상 150μm 이하의 범위내가 더 바람직하다.If the overall thickness T1 of the bond ply 100 is less than 50 μm, the overall thickness of the resin layer cannot be thickened when applied to a strip line, so the effect of lowering the transmission loss is insufficient. As such, there is a fear that the required flexibility cannot be guaranteed. From this viewpoint, the thickness T1 of the whole bond ply 100 is more preferably in the range of 50 µm or more and 300 µm or less, and more preferably in the range of 50 µm or more and 150 µm or less.

또한 본드 플라이(100) 전체의 두께(T1)에 대한 폴리이미드층(10)의 두께(T2)의 비율(T2/T1)이 0.2 미만에서는 치수안정성이 저하되고, 0.9를 넘으면 제1접착제층(20A) 및 제2접착제층(20B)이 지나치게 얇아져버려 본딩시트로서 필요한 접착성이나 회로충전성이 담보되기 어려워진다. 이러한 관점으로부터, 두께 비율(T2/T1)은, 0.2∼0.9의 범위내가 바람직하다.In addition, when the ratio (T2/T1) of the thickness (T2) of the polyimide layer 10 to the overall thickness (T1) of the bond ply 100 is less than 0.2, dimensional stability is reduced, and when it exceeds 0.9, the first adhesive layer ( 20A) and the second adhesive layer 20B become too thin, and it becomes difficult to ensure the adhesiveness and circuit filling properties required for the bonding sheet. From this viewpoint, the thickness ratio (T2/T1) is preferably in the range of 0.2 to 0.9.

조건b) 80℃로 1시간 건조 후에, 23℃, 50%RH의 항온항습하에서 24시간 조습(調濕) 후에 측정되는 흡습률이 0.4중량% 이하인 것.Condition b) After drying at 80° C. for 1 hour, moisture absorption measured after 24 hours of humidity control at 23° C. and 50% RH under constant temperature and humidity is 0.4 wt% or less.

상기 흡습률이 0.4중량%를 넘으면, 본드 플라이(100) 전체의 유전정접이 커지고, 스트립 라인에 적용하였을 경우에 전송손실이 증대한다. 이러한 관점으로부터, 흡습률은 0.4중량% 이하인 것이 바람직하다. 또 본드 플라이(100) 전체의 흡습률은, 폴리이미드층(10), 제1접착제층(20A) 및 제2접착제층(20B)의 각각의 흡습률 및 두께 비율에 의해 조정할 수 있다.When the moisture absorption exceeds 0.4% by weight, the dielectric loss tangent of the entire bond ply 100 increases, and transmission loss increases when applied to a strip line. From such a viewpoint, it is preferable that the moisture absorption is 0.4 weight% or less. Moreover, the moisture absorption rate of the whole bond ply 100 can be adjusted by each moisture absorption rate and thickness ratio of the polyimide layer 10, the 1st adhesive agent layer 20A, and the 2nd adhesive agent layer 20B.

조건c) 제1접착제층(20A) 및 제2접착제층(20B)의 50℃에 있어서의 저장탄성률이, 각각 독립적으로 1800MPa 이하이며, 180∼260℃에 있어서의 저장탄성률의 최대값이 각각 독립적으로 800MPa 이하인 것.Condition c) The storage modulus of the first adhesive layer 20A and the second adhesive layer 20B at 50° C. are each independently 1800 MPa or less, and the maximum values of the storage modulus at 180 to 260° C. are each independently with 800 MPa or less.

제1접착제층(20A) 및 제2접착제층(20B)이 이러한 저장탄성률을 구비함으로써, 본드 플라이(100)를 열압착할 때의 내부응력을 완화하고, 스트립 라인에 적용한 후의 치수안정성을 유지할 수 있다. 제1접착제층(20A) 및 제2접착제층(20B)의 50℃에 있어서의 저장탄성률이 1800MPa를 넘으면, 치수안정성이 손상된다. 이러한 관점으로부터, 제1접착제층(20A) 및 제2접착제층(20B)의 50℃에 있어서의 저장탄성률은, 1800MPa 이하인 것이 바람직하다.Since the first adhesive layer 20A and the second adhesive layer 20B have such storage modulus, the internal stress when thermocompression bonding the bond ply 100 is relieved, and dimensional stability after application to the strip line can be maintained. have. When the storage modulus of the first adhesive layer 20A and the second adhesive layer 20B at 50°C exceeds 1800 MPa, dimensional stability is impaired. From such a viewpoint, it is preferable that the storage modulus in 50 degreeC of the 1st adhesive bond layer 20A and the 2nd adhesive bond layer 20B is 1800 MPa or less.

또한 제1접착제층(20A) 및 제2접착제층(20B)의 180℃∼260℃의 온도영역에서의 저장탄성률의 최대값이 각각 800MPa 이하인 것에 의하여, 회로가공 후의 납땜 리플로우 공정을 실시한 후에 있어서도 휘어짐이 발생하기 어렵다. 제1접착제층(20A) 및 제2접착제층(20B)의 180℃∼260℃의 온도영역에서의 저장탄성률의 최대값은, 각각 800MPa 이하인 것이 바람직하다.In addition, since the maximum values of the storage modulus of the first adhesive layer 20A and the second adhesive layer 20B in the temperature range of 180°C to 260°C are 800 MPa or less, respectively, even after performing the solder reflow step after circuit processing It is difficult to generate warpage. It is preferable that the maximum value of the storage modulus of the 1st adhesive agent layer 20A and the 2nd adhesive agent layer 20B in the temperature range of 180 degreeC - 260 degreeC is 800 MPa or less, respectively.

본 실시형태의 본드 플라이(100)는, 또한 하기의 조건d를 충족시키는 것이 바람직하다.It is preferable that the bond ply 100 of this embodiment also satisfy|fills the following condition d.

조건d) 23℃, 50%RH의 항온항습조건(보통의 상태)하에서 24시간 조습 후에 스플릿 포스트 유전체 공진기(SPDR)에 의해 측정되는 10GHz에 있어서의 유전정접이 0.004 이하인 것.Condition d) Dielectric loss tangent at 10 GHz measured by a split post dielectric resonator (SPDR) after 24 hours of humidity control under constant temperature and humidity conditions (normal condition) of 23°C and 50%RH is 0.004 or less.

본드 플라이(100) 전체의 10GHz에 있어서의 유전정접이 0.004를 넘으면, 스트립 라인에 적용하였을 경우에 고주파신호의 전송경로상에서 전기신호의 손실이 발생하기 쉬워진다. 이러한 관점으로부터, 본드 플라이(100) 전체의 10GHz에 있어서의 유전정접은 0.003 이하인 것이 더 바람직하다. 또 본드 플라이(100) 전체의 10GHz에 있어서의 유전정접의 하한치는 특별히 제한되지 않는다.When the dielectric loss tangent at 10 GHz of the entire bond ply 100 exceeds 0.004, when applied to a strip line, loss of an electric signal is likely to occur on a transmission path of a high-frequency signal. From this point of view, it is more preferable that the dielectric loss tangent at 10 GHz of the entire bond ply 100 is 0.003 or less. Moreover, the lower limit of the dielectric loss tangent in 10 GHz of the whole bond ply 100 is not restrict|limited in particular.

본 실시형태의 본드 플라이(100)는, 또한 하기의 조건e를 충족시키는 것이 바람직하다.It is preferable that the bond ply 100 of this embodiment also satisfy|fills the following condition e.

조건e) 폴리이미드층(10)의 인장탄성률이 5.0GPa 이상인 것.Condition e) The tensile modulus of elasticity of the polyimide layer 10 is 5.0 GPa or more.

폴리이미드층(10)이 이러한 인장탄성률을 구비함으로써, 제1접착제층(20A) 및 제2접착제층(20B)의 열팽창계수의 영향을 억제할 수 있고, 스트립 라인에 적용한 후의 치수안정성을 더 높일 수 있다. 또한 폴리이미드층(10)의 인장탄성률을 상기 범위내로 함으로써, 상대적으로 폴리이미드층(10)의 두께 비율을 작게, 제1접착제층(20A) 및 제2접착제층(20B)의 두께 비율을 크게 하는 것이 가능하기 때문에 접착성의 확보라고 하는 관점에서 유리해진다. 폴리이미드층(10)의 인장탄성률은 7.0GPa 이상인 것이 더 바람직하다.By having the polyimide layer 10 having such a tensile modulus of elasticity, the influence of the coefficient of thermal expansion of the first adhesive layer 20A and the second adhesive layer 20B can be suppressed, and dimensional stability after application to a strip line can be further improved. can In addition, by setting the tensile modulus of elasticity of the polyimide layer 10 within the above range, the thickness ratio of the polyimide layer 10 is relatively small, and the thickness ratio of the first adhesive layer 20A and the second adhesive layer 20B is increased. Since it is possible to do it, it becomes advantageous from a viewpoint of ensuring adhesiveness. The tensile modulus of elasticity of the polyimide layer 10 is more preferably 7.0 GPa or more.

(폴리이미드층)(Polyimide layer)

폴리이미드층(10)은, 바람직하게는 수지성분의 주성분으로서, 더 바람직하게는 수지성분의 70중량% 이상, 더욱 바람직하게는 수지성분의 90중량% 이상, 가장 바람직하게는 수지성분의 전부로서 비열가소성 폴리이미드를 함유한다. 수지성분의 주성분이란, 전체 수지성분에 대하여 50중량%를 초과하여 포함되는 성분을 의미한다. 또 「비열가소성 폴리이미드」란, 일반적으로 가열해도 연화, 접착성을 나타내지 않는 폴리이미드이지만, 본 발명에서는, 동적점탄성 측정장치(DMA)를 사용해서 측정한, 30℃에 있어서의 저장탄성률이 1.0×109Pa 이상이며, 350℃에 있어서의 저장탄성률이 1.0×108Pa 이상인 폴리이미드를 말한다. 또한 「열가소성 폴리이미드」란, 일반적으로 글라스 전이온도(Tg)를 명확하게 확인할 수 있는 폴리이미드이지만, 본 발명에서는, DMA를 사용해서 측정한, 30℃에 있어서의 저장탄성률이 1.0×109Pa 이상이며, 350℃에 있어서의 저장탄성률이 1.0×108Pa 미만인 폴리이미드를 말한다. 또한 본 발명에서 폴리이미드라고 할 경우에, 폴리이미드 외에, 폴리아미드이미드, 폴리에테르이미드, 폴리에스테르이미드, 폴리실록산이미드, 폴리벤즈이미다졸이미드 등, 분자구조 중에 이미드기를 구비하는 폴리머로 이루어지는 수지를 의미한다.The polyimide layer 10 is preferably a main component of the resin component, more preferably 70% by weight or more of the resin component, more preferably 90% by weight or more of the resin component, and most preferably all of the resin component. Contains non-thermoplastic polyimide. The main component of the resin component means a component contained in an amount exceeding 50% by weight based on the total resin component. In addition, although "non-thermoplastic polyimide" is a polyimide which generally does not show softening or adhesiveness even when heated, in the present invention, the storage modulus at 30°C measured using a dynamic viscoelasticity measuring device (DMA) is 1.0. It is x10 9 Pa or more, and refers to the polyimide whose storage modulus in 350 degreeC is 1.0 x 10 8 Pa or more. In addition, although "thermoplastic polyimide" is a polyimide whose glass transition temperature (Tg) can be clearly confirmed in general, in the present invention, the storage modulus at 30°C measured using DMA is 1.0×10 9 Pa As mentioned above, the storage modulus in 350 degreeC says the polyimide which is less than 1.0x10< 8 >Pa. In the present invention, when referring to polyimide, in addition to polyimide, polyamideimide, polyetherimide, polyesterimide, polysiloxaneimide, polybenzimidazolimide, etc. are composed of a polymer having an imide group in the molecular structure. means resin.

폴리이미드층(10)을 구성하는 비열가소성 폴리이미드는, 테트라카르복시산 잔기 및 디아민 잔기를 포함하는 것이다. 본 발명에 있어서, 테트라카르복시산 잔기란, 테트라카르복시산이무수물로부터 유도되는 4가의 기를 나타내고, 디아민 잔기란, 디아민 화합물로부터 유도되는 2가의 기를 나타낸다. 원료인 테트라카르복시산이무수물 및 디아민 화합물을 거의 등몰로 반응시킨 경우에는, 원료의 종류와 몰비에 대하여, 폴리이미드 중에 포함되는 테트라카르복시산 잔기 및 디아민 잔기의 종류와 몰비를 거의 대응시킬 수 있다.The non-thermoplastic polyimide constituting the polyimide layer 10 contains a tetracarboxylic acid residue and a diamine residue. In the present invention, the tetracarboxylic acid residue represents a tetravalent group derived from tetracarboxylic dianhydride, and the diamine residue represents a divalent group derived from a diamine compound. When the raw material tetracarboxylic dianhydride and the diamine compound are reacted in substantially equimolar amounts, the types and molar ratios of the tetracarboxylic acid residues and diamine residues contained in the polyimide can be substantially matched to the type and molar ratio of the raw material.

(테트라카르복시산 잔기)(tetracarboxylic acid residue)

폴리이미드층(10)을 구성하는 비열가소성 폴리이미드는, 테트라카르복시산 잔기로서, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복시산이무수물(BPDA) 및 1,4-페닐렌비스(트리멜리트산모노에스테르)이무수물(TAHQ)의 적어도 1종으로부터 유도되는 테트라카르복시산 잔기, 및 피로멜리트산이무수물(PMDA) 및 2,3,6,7-나프탈렌테트라카르복시산이무수물(NTCDA)의 적어도 1종으로부터 유도되는 테트라카르복시산 잔기를 함유하는 것이 바람직하다.The non-thermoplastic polyimide constituting the polyimide layer 10 is 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA) and 1,4-phenylenebis(trimelli) as tetracarboxylic acid residues. Triacid monoester) tetracarboxylic acid residues derived from at least one dianhydride (TAHQ), and at least one of pyromellitic dianhydride (PMDA) and 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride (NTCDA) It is preferable to contain a tetracarboxylic acid residue derived from

BPDA로부터 유도되는 테트라카르복시산 잔기(이하, 「BPDA 잔기」라고도 한다) 및 TAHQ로부터 유도되는 테트라카르복시산 잔기(이하, 「TAHQ 잔기」라고도 한다)는, 폴리머의 질서구조를 형성하기 쉬워, 분자의 운동억제에 의해 유전정접이나 흡습성을 저하시킬 수 있다. BPDA 잔기는, 폴리이미드 전구체인 폴리아미드산으로서의 겔막(gel膜)의 자기지지성(自己支持性)을 부여할 수 있지만, 한편으로는 이미드화 후의 CTE를 증대시킴과 아울러 글라스 전이온도를 낮게 해서 내열성을 저하시키는 경향이 있다. 이러한 관점으로부터, 폴리이미드층(10)을 구성하는 비열가소성 폴리이미드가, 전체 테트라카르복시산 잔기에 대하여 BPDA 잔기 및 TAHQ 잔기의 합계를 바람직하게는 20몰% 이상 60몰% 이하의 범위내, 더 바람직하게는 40몰% 이상 50몰% 이하의 범위내로 함유하도록 제어하는 것이 좋다. BPDA 잔기 및 TAHQ 잔기의 합계가 20몰% 미만에서는, 폴리머의 질서구조의 형성이 불충분해지고 내흡습성이 저하되거나 유전정접의 감소가 불충분해지고, 60몰%를 넘으면, CTE의 증가나 면내 리타데이션(RO)의 변화량의 증대 외에, 내열성이 저하되거나 할 우려가 있다.The tetracarboxylic acid residues derived from BPDA (hereinafter also referred to as “BPDA residues”) and tetracarboxylic acid residues derived from TAHQ (hereinafter also referred to as “TAHQ residues”) tend to form an ordered structure of the polymer, thereby inhibiting molecular motion. This may reduce the dielectric loss tangent or hygroscopicity. The BPDA residue can impart self-supporting properties of the gel film as polyamic acid, which is a polyimide precursor, but on the other hand, it increases the CTE after imidization and lowers the glass transition temperature. It tends to reduce heat resistance. From this point of view, the non-thermoplastic polyimide constituting the polyimide layer 10 is preferably within the range of 20 mol% or more and 60 mol% or less of the total of BPDA residues and TAHQ residues with respect to all tetracarboxylic acid residues, more preferably It is preferable to control so that it is contained within the range of 40 mol% or more and 50 mol% or less. If the total of the BPDA residues and TAHQ residues is less than 20 mol%, the formation of an ordered structure of the polymer becomes insufficient, the hygroscopic resistance decreases or the decrease in dielectric loss tangent becomes insufficient. In addition to the increase in the amount of change of RO), there is a possibility that the heat resistance may decrease.

또한 피로멜리트산이무수물로부터 유도되는 테트라카르복시산 잔기(이하, 「PMDA 잔기」라고도 한다) 및 2,3,6,7-나프탈렌테트라카르복시산이무수물로부터 유도되는 테트라카르복시산 잔기(이하, 「NTCDA 잔기」라고도 한다)는, 강직성(剛直性)을 가지기 때문에, 면내 배향성을 높여 CTE를 낮게 억제함과 아울러 면내 리타데이션(RO)의 제어나 글라스 전이온도의 제어의 역할을 담당하는 잔기이다. 한편 PMDA 잔기는, 분자량이 작기 때문에, 그 양이 지나치게 많아지면, 폴리머의 이미드기 농도가 높아져 극성기가 증가해서 흡습성이 커져버려, 분자사슬 내부의 수분의 영향에 의해 유전정접이 증가한다. 또한 NTCDA 잔기는, 강직성이 높은 나프탈렌 골격에 의해 필름이 취약해지기 쉬워, 탄성률을 증대시키는 경향이 있다. 그 때문에 폴리이미드층(10)을 구성하는 비열가소성 폴리이미드는, 전체 테트라카르복시산 잔기에 대하여 PMDA 잔기 및 NTCDA 잔기의 합계를 바람직하게는 40몰% 이상 80몰% 이하의 범위내, 더 바람직하게는 50몰% 이상 60몰% 이하의 범위내, 더욱 바람직하게는 50∼55몰%의 범위내로 함유하는 것이 좋다. PMDA 잔기 및 NTCDA 잔기의 합계가 40몰% 미만에서는, CTE가 증가하거나 내열성이 저하되거나 할 우려가 있고, 80몰%를 넘으면, 폴리머의 이미드기 농도가 높아져 극성기가 증가해서 저흡습성이 손상되어 유전정접이 증가할 우려나 필름이 취약해져 필름의 자기지지성이 저하할 우려가 있다.In addition, a tetracarboxylic acid residue derived from pyromellitic dianhydride (hereinafter also referred to as “PMDA residue”) and a tetracarboxylic acid residue derived from 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride (hereinafter also referred to as “NTCDA residue”) ) is a residue responsible for controlling in-plane retardation (RO) and controlling glass transition temperature while suppressing low CTE by increasing in-plane orientation because it has rigidity. On the other hand, since the molecular weight of PMDA residues is small, if the amount thereof is excessively large, the imide group concentration of the polymer increases, polar groups increase, and hygroscopicity increases, and the dielectric loss tangent increases under the influence of moisture in the molecular chain. Moreover, the NTCDA residue tends to make a film brittle by a naphthalene skeleton with high rigidity, and there exists a tendency for an elasticity modulus to increase. Therefore, in the non-thermoplastic polyimide constituting the polyimide layer 10, the total of PMDA residues and NTCDA residues with respect to all tetracarboxylic acid residues is preferably within the range of 40 mol% or more and 80 mol% or less, more preferably It is preferable to contain it within the range of 50 mol% or more and 60 mol% or less, and more preferably within the range of 50-55 mol%. When the total of PMDA residues and NTCDA residues is less than 40 mol%, there is a risk that CTE increases or heat resistance may decrease. There is a fear that the tangent increases or the film becomes brittle and the self-supporting property of the film may decrease.

또한 BPDA 잔기 및 TAHQ 잔기의 적어도 1종 및 PMDA 잔기 및 NTCDA 잔기의 적어도 1종의 합계가, 전체 테트라카르복시산 잔기에 대하여 80몰% 이상, 바람직하게는 90몰% 이상인 것이 좋다.Moreover, it is good that the sum of at least 1 type of BPDA residue and TAHQ residue, and at least 1 type of PMDA residue and NTCDA residue is 80 mol% or more with respect to all the tetracarboxylic-acid residues, Preferably it is 90 mol% or more.

폴리이미드층(10)을 구성하는 비열가소성 폴리이미드에 포함되는, 상기 BPDA 잔기, TAHQ 잔기, PMDA 잔기, NTCDA 잔기 이외의 테트라카르복시산 잔기로서는, 예를 들면 3,3',4,4'-디페닐술폰테트라카르복시산이무수물, 4,4'-옥시디프탈산무수물, 2,3',3,4'-비페닐테트라카르복시산이무수물, 2,2',3,3'-, 2,3,3',4'- 또는 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복시산이무수물, 2,3',3,4'-디페닐에테르테트라카르복시산이무수물, 비스(2,3-디카르복시페닐)에테르이무수물, 3,3'',4,4''-, 2,3,3'',4''- 또는 2,2'',3,3''-p-테르페닐테트라카르복시산이무수물, 2,2-비스(2,3- 또는 3,4-디카르복시페닐)-프로판이무수물, 비스(2,3- 또는 3,4-디카르복시페닐)메탄이무수물, 비스(2,3- 또는 3,4-디카르복시페닐)술폰이무수물, 1,1-비스(2,3- 또는 3,4-디카르복시페닐)에탄이무수물, 1,2,7,8-, 1,2,6,7- 또는 1,2,9,10-페난트렌-테트라카르복시산이무수물, 2,3,6,7-안트라센테트라카르복시산이무수물, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)테트라플루오로프로판이무수물, 2,3,5,6-시클로헥산이무수물, 1,2,5,6-나프탈렌테트라카르복시산이무수물, 1,4,5,8-나프탈렌테트라카르복시산이무수물, 4,8-디메틸-1,2,3,5,6,7-헥사히드로나프탈렌-1,2,5,6-테트라카르복시산이무수물, 2,6- 또는 2,7-디클로로나프탈렌-1,4,5,8-테트라카르복시산이무수물, 2,3,6,7-(또는 1,4,5,8-)테트라클로로나프탈렌-1,4,5,8-(또는 2,3,6,7-)테트라카르복시산이무수물, 2,3,8,9-, 3,4,9,10-, 4,5,10,11- 또는 5,6,11,12-페릴렌-테트라카르복시산이무수물, 시클로펜탄-1,2,3,4-테트라카르복시산이무수물, 피라진-2,3,5,6-테트라카르복시산이무수물, 피롤리딘-2,3,4,5-테트라카르복시산이무수물, 티오펜-2,3,4,5-테트라카르복시산이무수물, 4,4'-비스(2,3-디카르복시페녹시)디페닐메탄이무수물, 에틸렌글리콜비스안히드로트리멜리테이트 등의 방향족 테트라카르복시산이무수물로부터 유도되는 테트라카르복시산 잔기를 들 수 있다.Examples of tetracarboxylic acid residues other than the BPDA residue, TAHQ residue, PMDA residue, and NTCDA residue contained in the non-thermoplastic polyimide constituting the polyimide layer 10 include 3,3',4,4'-di Phenylsulfone tetracarboxylic dianhydride, 4,4'-oxydiphthalic anhydride, 2,3',3,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2',3,3'-, 2,3,3 ',4'- or 3,3',4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 2,3',3,4'-diphenyl ether tetracarboxylic dianhydride, bis(2,3-dicarboxyphenyl ) ether dianhydride, 3,3'',4,4''-, 2,3,3'',4''- or 2,2'',3,3''-p-terphenyltetracarboxylic dianhydride , 2,2-bis(2,3- or 3,4-dicarboxyphenyl)-propanedianhydride, bis(2,3- or 3,4-dicarboxyphenyl)methandianhydride, bis(2,3- or 3,4-dicarboxyphenyl)sulfondianhydride, 1,1-bis(2,3- or 3,4-dicarboxyphenyl)ethanedianhydride, 1,2,7,8-, 1,2,6 ,7- or 1,2,9,10-phenanthrene-tetracarboxylic dianhydride, 2,3,6,7-anthracenetetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis(3,4-dicarboxyphenyl)tetrafluoro Ropropane dianhydride, 2,3,5,6-cyclohexane dianhydride, 1,2,5,6-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,4,5,8-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 4,8- Dimethyl-1,2,3,5,6,7-hexahydronaphthalene-1,2,5,6-tetracarboxylic dianhydride, 2,6- or 2,7-dichloronaphthalene-1,4,5,8 -tetracarboxylic dianhydride, 2,3,6,7- (or 1,4,5,8-) tetrachloronaphthalene-1,4,5,8- (or 2,3,6,7-) tetracarboxylic acid dianhydride, 2,3,8,9-, 3,4,9,10-, 4,5,10,11- or 5,6,11,12-perylene-tetracarboxylic dianhydride, cyclopentane-1 ,2,3,4-tetracarboxylic dianhydride, pyrazine-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride, pyrrolidine-2,3,4, 5-tetracarboxylic dianhydride, thiophene-2,3,4,5-tetracarboxylic dianhydride, 4,4'-bis(2,3-dicarboxyphenoxy)diphenylmethane dianhydride, ethylene glycol bisanhydro and tetracarboxylic acid residues derived from aromatic tetracarboxylic dianhydrides such as trimellitate.

(디아민 잔기)(diamine residues)

폴리이미드층(10)을 구성하는 비열가소성 폴리이미드에 포함되는 디아민 잔기로서는, 일반식(A1)로 나타내는 디아민 화합물로부터 유도되는 디아민 잔기가 바람직하다.As a diamine residue contained in the non-thermoplastic polyimide which comprises the polyimide layer 10, the diamine residue derived from the diamine compound represented by General formula (A1) is preferable.

Figure pat00002
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식(A1)에 있어서, 연결기Z는 단결합(單結合) 또는 -COO-를 나타내고, Y는 독립적으로, 할로겐 원자 또는 페닐기로 치환되어도 좋은 탄소수 1∼3의 1가의 탄화수소, 또는 탄소수 1∼3의 알콕시기, 또는 탄소수 1∼3의 퍼플루오로알킬기, 또는 알케닐기를 나타내고, n은 0∼2의 정수를 나타내고, p 및 q는 독립적으로 0∼4의 정수를 나타낸다. 여기에서 「독립적으로」란, 상기 식(A1)에 있어서 복수의 치환기Y 및 정수p, q가, 동일하여도 좋고 달라도 좋은 것을 의미한다. 또 상기 식(A1)에 있어서, 말단의 2개의 아미노기에 있어서의 수소원자는 치환되어 있어도 좋고, 예를 들면 -NR2R3(여기에서 R2, R3은 독립적으로 알킬기 등의 임의의 치환기를 의미한다)이어도 좋다.In the formula (A1), the linking group Z represents a single bond or -COO-, and Y is independently a monovalent hydrocarbon having 1 to 3 carbon atoms which may be substituted with a halogen atom or a phenyl group, or a monovalent hydrocarbon having 1 to 3 carbon atoms. represents an alkoxy group, a C1-C3 perfluoroalkyl group, or an alkenyl group, n represents an integer of 0-2, p and q independently represent an integer of 0-4. Here, "independently" means that a plurality of substituents Y and integers p and q in the formula (A1) may be the same or different. Further, in the formula (A1), the hydrogen atoms in the two amino groups at the terminals may be substituted, for example, -NR 2 R 3 (wherein R 2 and R 3 are independently arbitrary substituents such as an alkyl group) means) may be

일반식(A1)로 나타내는 디아민 화합물(이하, 「디아민(A1)」이라고 기재하는 경우가 있다)은, 1개 내지 3개의 벤젠고리를 구비하는 방향족 디아민이다. 디아민(A1)은, 강직구조(剛直構造)를 구비하고 있기 때문에 폴리머 전체에 질서구조를 부여하는 작용을 하고 있다. 그 때문에, 가스투과성이 낮고 저흡습성인 폴리이미드를 얻을 수 있고, 분자사슬 내부의 수분을 저감시킬 수 있기 때문에 유전정접을 낮출 수 있다. 여기에서 연결기Z로서는, 단결합이 바람직하다.The diamine compound represented by the general formula (A1) (hereinafter, may be described as "diamine (A1)") is an aromatic diamine having 1 to 3 benzene rings. Since the diamine (A1) has a rigid structure, it is acting to impart an ordered structure to the entire polymer. Therefore, a polyimide having low gas permeability and low hygroscopicity can be obtained, and since moisture in the molecular chain can be reduced, the dielectric loss tangent can be lowered. Here, as the linking group Z, a single bond is preferable.

디아민(A1)로서는, 예를 들면 1,4-디아미노벤젠(p-PDA; 파라페닐렌디아민), 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐(m-TB), 2,2'-n-프로필-4,4'-디아미노비페닐(m-NPB), 4-아미노페닐-4'-아미노벤조에이트(APAB) 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐(m-TB)이 가장 바람직하다.Examples of the diamine (A1) include 1,4-diaminobenzene (p-PDA; paraphenylenediamine), 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl (m-TB), 2 and 2'-n-propyl-4,4'-diaminobiphenyl (m-NPB) and 4-aminophenyl-4'-aminobenzoate (APAB). Among these, 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl (m-TB) is the most preferable.

폴리이미드층(10)을 구성하는 비열가소성 폴리이미드는, 디아민(A1)로부터 유도되는 디아민 잔기를, 전체 디아민 잔기에 대하여, 바람직하게는 50몰% 이상, 더 바람직하게는 80몰% 이상, 더욱 바람직하게는 85몰% 이상 함유하는 것이 좋다. 디아민(A1)을 상기 범위내의 양으로 사용함으로써, 모노머 유래의 강직구조에 의하여 폴리머 전체에 질서구조가 형성되기 쉬워져, 가스투과성이 낮고 저흡습성이고 또한 저유전정접인 비열가소성 폴리이미드가 얻어지기 쉽다. 이러한 관점으로부터, 전체 디아민 잔기에 대하여, 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐(m-TB)로부터 유도되는 잔기를 90∼100몰%의 범위내로 함유하는 것이 가장 바람직하다.The non-thermoplastic polyimide constituting the polyimide layer 10 contains the diamine residues derived from the diamine (A1) with respect to the total diamine residues, preferably 50 mol% or more, more preferably 80 mol% or more, further Preferably, it is good to contain 85 mol% or more. By using the diamine (A1) in an amount within the above range, an ordered structure is easily formed throughout the polymer due to the rigid structure derived from the monomer, and a non-thermoplastic polyimide having low gas permeability, low hygroscopicity and low dielectric loss tangent can be obtained. easy. From this point of view, it is most preferable to contain the residues derived from 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl (m-TB) within the range of 90 to 100 mol% with respect to the total diamine residues. .

폴리이미드층(10)을 구성하는 비열가소성 폴리이미드에 포함되는 그 외의 디아민 잔기로서는, 폴리이미드의 원료로서 사용되는 디아민 화합물로부터 유도되는 잔기이면 특별한 제한은 없지만, 예를 들면 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠(TPE-R), 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠(APB), 4,4'-[2-메틸-(1,3-페닐렌)비스옥시]비스아닐린, 4,4'-[4-메틸-(1,3-페닐렌)비스옥시]비스아닐린, 4,4'-[5-메틸-(1,3-페닐렌)비스옥시]비스아닐린, 2,2-비스-[4-(3-아미노페녹시)페닐]프로판, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]술폰, 비스[4-(3-아미노페녹시)]비페닐, 비스[1-(3-아미노페녹시)]비페닐, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]메탄, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]에테르, 비스[4-(3-아미노페녹시)]벤조페논, 9,9-비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]플루오렌, 2,2-비스-[4-(4-아미노페녹시)페닐]헥사플루오로프로판, 2,2-비스-[4-(3-아미노페녹시)페닐]헥사플루오로프로판, 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 4,4'-메틸렌디-o-톨루이딘, 4,4'-메틸렌디-2,6-크실리딘, 4,4'-메틸렌-2,6-디에틸아닐린, 3,3'-디아미노디페닐에탄, 3,3'-디아미노비페닐, 3,3'-디메톡시벤지딘, 3,3''-디아미노-p-테르페닐, 4,4'-[1,4-페닐렌비스(1-메틸에틸리덴)]비스아닐린, 4,4'-[1,3-페닐렌비스(1-메틸에틸리덴)]비스아닐린, 비스(p-아미노시클로헥실)메탄, 비스(p-β-아미노-t-부틸페닐)에테르, 비스(p-β-메틸-δ-아미노펜틸)벤젠, p-비스(2-메틸-4-아미노펜틸)벤젠, p-비스(1,1-디메틸-5-아미노펜틸)벤젠, 1,5-디아미노나프탈렌, 2,6-디아미노나프탈렌, 2,4-비스(β-아미노-t-부틸)톨루엔, 2,4-디아미노톨루엔, m-크실렌-2,5-디아민, p-크실렌-2,5-디아민, m-크실릴렌디아민, p-크실릴렌디아민, 2,6-디아미노피리딘, 2,5-디아미노피리딘, 2,5-디아미노-1,3,4-옥사디아졸, 피페라진, 2'-메톡시-4,4'-디아미노벤즈아닐리드, 4,4'-디아미노벤즈아닐리드, 1,3-비스[2-(4-아미노페닐)-2-프로필]벤젠, 6-아미노-2-(4-아미노페녹시)벤조옥사졸 등의 방향족 디아민 화합물로부터 유도되는 디아민 잔기, 다이머산의 2개의 말단 카르복시산기가 1급의 아미노메틸기 또는 아미노기로 치환되어 이루어지는 다이머산형 디아민 등의 지방족 디아민 화합물로부터 유도되는 디아민 잔기를 들 수 있다.The other diamine residues contained in the non-thermoplastic polyimide constituting the polyimide layer 10 are not particularly limited as long as they are residues derived from the diamine compound used as a raw material of the polyimide. For example, 1,3-bis ( 4-Aminophenoxy)benzene (TPE-R), 1,3-bis(3-aminophenoxy)benzene (APB), 4,4'-[2-methyl-(1,3-phenylene)bisoxy ]bisaniline, 4,4'-[4-methyl-(1,3-phenylene)bisoxy]bisaniline, 4,4'-[5-methyl-(1,3-phenylene)bisoxy]bis Aniline, 2,2-bis-[4-(3-aminophenoxy)phenyl]propane, bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl]sulfone, bis[4-(3-aminophenoxy)]bi Phenyl, bis[1-(3-aminophenoxy)]biphenyl, bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl]methane, bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl]ether, bis[4 -(3-aminophenoxy)]benzophenone, 9,9-bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl]fluorene, 2,2-bis-[4-(4-aminophenoxy)phenyl] Hexafluoropropane, 2,2-bis-[4-(3-aminophenoxy)phenyl]hexafluoropropane, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 4,4'- Methylenedi-o-toluidine, 4,4'-methylenedi-2,6-xylidine, 4,4'-methylene-2,6-diethylaniline, 3,3'-diaminodiphenylethane, 3 , 3'-diaminobiphenyl, 3,3'-dimethoxybenzidine, 3,3''-diamino-p-terphenyl, 4,4'-[1,4-phenylenebis (1-methyl to thylidene)]bisaniline, 4,4'-[1,3-phenylenebis(1-methylethylidene)]bisaniline, bis(p-aminocyclohexyl)methane, bis(p-β-amino- t-Butylphenyl)ether, bis(p-β-methyl-δ-aminopentyl)benzene, p-bis(2-methyl-4-aminopentyl)benzene, p-bis(1,1-dimethyl-5-aminophen) tyl)benzene, 1,5-diaminonaphthalene, 2,6-diaminonaphthalene, 2,4-bis(β-amino-t-butyl)toluene, 2,4-diaminotoluene, m-xylene-2, 5-diamine, p-xylene-2,5-diamine, m-xylylenediamine, p-xylylenedia Min, 2,6-diaminopyridine, 2,5-diaminopyridine, 2,5-diamino-1,3,4-oxadiazole, piperazine, 2'-methoxy-4,4'-dia Minobenzanilide, 4,4'-diaminobenzanilide, 1,3-bis[2-(4-aminophenyl)-2-propyl]benzene, 6-amino-2-(4-aminophenoxy)benzoxa Diamine residues derived from aromatic diamine compounds such as sol, diamine residues derived from aliphatic diamine compounds such as dimer acid-type diamine in which two terminal carboxylic acid groups of dimer acid are substituted with primary aminomethyl groups or amino groups.

비열가소성 폴리이미드에 있어서, 상기 테트라카르복시산 잔기 및 디아민 잔기의 종류나, 2종 이상의 테트라카르복시산 잔기 또는 디아민 잔기를 적용하는 경우의 각각의 몰비를 선정함으로써 열팽창계수, 저장탄성률, 인장탄성률 등을 제어할 수 있다. 또한 비열가소성 폴리이미드에 있어서, 폴리이미드의 구조단위를 복수 구비하는 경우에는, 블록으로서 존재하여도 좋고, 랜덤하게 존재하고 있어도 좋지만, 랜덤하게 존재하는 것이 바람직하다.In the non-thermoplastic polyimide, the thermal expansion coefficient, storage modulus of elasticity, tensile modulus of elasticity, etc. can be controlled by selecting the types of the tetracarboxylic acid residues and diamine residues, or the molar ratios in the case of applying two or more types of tetracarboxylic acid residues or diamine residues. can Moreover, nonthermoplastic polyimide WHEREIN: When providing two or more structural units of polyimide, it may exist as a block and may exist at random, but it is preferable to exist randomly.

비열가소성 폴리이미드에 포함되는 테트라카르복시산 잔기 및 디아민 잔기를 모두 방향족기로 함으로써, 폴리이미드 필름의 고온환경하에서의 치수정밀도를 향상시킬 수 있기 때문에 바람직하다.When both the tetracarboxylic acid residue and the diamine residue contained in the non-thermoplastic polyimide are aromatic groups, it is preferable because the dimensional accuracy of the polyimide film can be improved in a high-temperature environment.

(폴리이미드의 합성)(Synthesis of polyimide)

비열가소성 폴리이미드는, 상기 산무수물 및 디아민을 용매 중에서 반응시켜 전구체 수지를 생성한 뒤에 가열폐환(加熱閉環)시킴으로써 제조할 수 있다. 예를 들면 산무수물 성분과 디아민 성분을 거의 등몰로 유기용매 중에 용해시켜서, 0∼100℃의 범위내의 온도에서 30분∼24시간 교반(攪拌)하여 중합반응시킴으로써 폴리이미드의 전구체인 폴리아미드산이 얻어진다. 반응에 있어서는, 생성되는 전구체가 유기용매 중에 5∼30중량%의 범위내, 바람직하게는 10∼20중량%의 범위내가 되도록 반응성분을 용해한다. 중합반응에 사용하는 유기용매로서는, 예를 들면 N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드(DMAc), N-메틸-2-피롤리돈, 2-부타논, 디메틸술폭시드, 황산디메틸, 시클로헥사논, 디옥산, 테트라하이드로퓨란, 디글라임, 트리글라임 등을 들 수 있다. 이들 용매를 2종 이상 병용해서 사용할 수도 있고, 또 크실렌, 톨루엔과 같은 방향족 탄화수소와의 병용도 가능하다. 또한 이러한 유기용매의 사용량으로서는 특별히 제한되는 것은 아니지만, 중합반응에 의해 얻어지는 폴리아미드산 용액(폴리이미드 전구체 용액)의 농도가 5∼30중량% 정도가 되는 사용량으로 조정해서 사용하는 것이 바람직하다.The non-thermoplastic polyimide can be produced by reacting the acid anhydride and diamine in a solvent to produce a precursor resin, followed by heating and ring closure. For example, by dissolving an acid anhydride component and a diamine component in an organic solvent in approximately equimolar amounts, stirring at a temperature within the range of 0 to 100° C. for 30 minutes to 24 hours, followed by polymerization to obtain polyamic acid, a precursor of polyimide lose In the reaction, the reactant components are dissolved in the organic solvent so that the resulting precursor is in the range of 5 to 30% by weight, preferably in the range of 10 to 20% by weight. Examples of the organic solvent used in the polymerization reaction include N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide (DMAc), N-methyl-2-pyrrolidone, 2-butanone, dimethylsulfoxide, Dimethyl sulfate, cyclohexanone, dioxane, tetrahydrofuran, diglyme, triglyme, etc. are mentioned. Two or more of these solvents can be used in combination, and also can be used in combination with an aromatic hydrocarbon such as xylene or toluene. In addition, the amount of the organic solvent used is not particularly limited, but it is preferable to adjust the amount so that the concentration of the polyamic acid solution (polyimide precursor solution) obtained by the polymerization reaction is about 5 to 30% by weight.

폴리이미드의 합성에 있어서 상기 산무수물 및 디아민은 각각, 그 1종만을 사용하여도 좋고 2종 이상을 병용할 수도 있다. 산무수물 및 디아민의 종류나, 2종 이상의 산무수물 또는 디아민을 사용하는 경우의 각각의 몰비를 선정함으로써, 유전특성, 열팽창성, 글라스 전이온도 등을 제어할 수 있다.In the synthesis|combination of a polyimide, the said acid anhydride and diamine may use only 1 type, respectively, and may use 2 or more types together. Dielectric properties, thermal expansibility, glass transition temperature, etc. can be controlled by selecting the types of acid anhydrides and diamines or molar ratios of two or more types of acid anhydrides or diamines.

합성된 전구체는, 보통 반응용매용액으로서 사용하는 것이 유리하지만, 필요에 따라 농축, 희석 또는 다른 유기용매로 치환할 수 있다. 또한 전구체는 일반적으로 용매가용성이 우수하므로 유리하게 사용된다. 전구체를 이미드화시키는 방법은, 특별히 제한되지 않고, 예를 들면 상기 용매 중에서 80∼400℃의 범위내의 온도조건에서 1∼24시간에 걸쳐서 가열한다고 하는 열처리가 적합하게 채용된다.The synthesized precursor is usually advantageously used as a reaction solvent, but may be concentrated, diluted, or substituted with another organic solvent if necessary. In addition, the precursor is generally used advantageously because it has excellent solvent solubility. The method for imidizing the precursor is not particularly limited, and for example, a heat treatment in which the precursor is heated in the solvent at a temperature within the range of 80 to 400° C. over 1 to 24 hours is preferably employed.

비열가소성 폴리이미드의 이미드기 농도는, 37중량% 이하인 것이 바람직하고, 33중량% 이하인 것이 더 바람직하고, 32중량% 이하인 것이 더욱 바람직하다. 여기에서 「이미드기 농도」는, 폴리이미드 중의 이미드기부(-(CO)2-N-)의 분자량을, 폴리이미드의 구조 전체의 분자량으로 나눈 값을 의미한다. 이미드기 농도가 37중량%를 넘으면, 수지 자체의 분자량이 작아짐과 아울러 극성기의 증가에 의해 저흡습성도 악화한다. 상기 산무수물과 디아민 화합물의 조합을 선택하는 것에 의하여, 비열가소성 폴리이미드 중의 분자의 배향성을 제어함으로써, 이미드기 농도 저하에 수반하는 CTE의 증가를 억제하여 저흡습성을 담보하고 있다.It is preferable that it is 37 weight% or less, and, as for the imide group density|concentration of a non-thermoplastic polyimide, it is more preferable that it is 33 weight% or less, It is more preferable that it is 32 weight% or less. Here, "imide group concentration" means the value obtained by dividing the molecular weight of the imide group moiety (-(CO) 2 -N-) in the polyimide by the molecular weight of the entire structure of the polyimide. When the imide group concentration exceeds 37% by weight, the molecular weight of the resin itself decreases and the low hygroscopicity also deteriorates due to an increase in polar groups. By selecting the combination of the acid anhydride and the diamine compound, the molecular orientation in the non-thermoplastic polyimide is controlled, thereby suppressing an increase in CTE accompanying a decrease in the imide group concentration and ensuring low hygroscopicity.

비열가소성 폴리이미드의 중량평균분자량은, 예를 들면 10,000∼400,000의 범위내가 바람직하고, 50,000∼350,000의 범위내가 더 바람직하다. 중량평균분자량이 10,000 미만이면, 본드 플라이(100)의 강도가 저하하기 쉬운 경향이 있다. 한편, 중량평균분자량이 400,000을 넘으면, 과도하게 점도가 증가해서 도포작업시에 필름두께의 불균일, 줄무늬 등의 불량이 발생하기 쉬운 경향이 있다.The weight average molecular weight of the non-thermoplastic polyimide is, for example, preferably in the range of 10,000 to 400,000, more preferably in the range of 50,000 to 350,000. When the weight average molecular weight is less than 10,000, the strength of the bond ply 100 tends to decrease. On the other hand, when the weight average molecular weight exceeds 400,000, the viscosity is excessively increased, and defects such as unevenness of film thickness and streaks tend to occur during coating operation.

폴리이미드층(10)의 두께는, 본드 플라이(100)에 있어서의 베이스층으로서, 절연성, 기계적 강도유지 등의 기능을 담보하고 또한 본드 플라이(100)를 제조할 때의 반송성(搬送性)의 관점으로부터, 10μm 이상 135μm 이하의 범위내인 것이 바람직하고, 12μm 이상 50μm 이하의 범위내가 더 바람직하다. 폴리이미드층(10)의 두께가 상기한 하한값 미만일 경우에, 전기절연성이나 핸들링성이 불충분해지고, 상한값을 넘으면 생산성이 저하한다.The thickness of the polyimide layer 10, as a base layer in the bond ply 100, guarantees functions such as insulation and mechanical strength maintenance, and has transportability when manufacturing the bond ply 100. From the viewpoint of When the thickness of the polyimide layer 10 is less than the above lower limit, electrical insulation and handling properties become insufficient, and when the thickness exceeds the upper limit, productivity decreases.

폴리이미드층(10)은, 내열성의 관점으로부터, 글라스 전이온도(Tg)가 280℃ 이상인 것이 바람직하다. 폴리이미드층(10)의 글라스 전이온도(Tg)가 280℃ 이상인 것에 의하여 납땜공정 등에서의 가열시에 치수안정성을 유지할 수 있다.From the viewpoint of heat resistance, the polyimide layer 10 preferably has a glass transition temperature (Tg) of 280°C or higher. When the glass transition temperature (Tg) of the polyimide layer 10 is 280° C. or higher, dimensional stability can be maintained during heating in a soldering process or the like.

폴리이미드층(10)의 열팽창계수는, 본드 플라이(100)의 치수안정성을 높임과 아울러 휘어짐을 억제하는 관점으로부터, 바람직하게는 1ppm/K 이상 30ppm/K 이하의 범위내, 더 바람직하게는 1ppm/K 이상 25ppm/K 이하의 범위내, 더욱 바람직하게는 15ppm/K 이상 25ppm/K 이하의 범위내에 있는 것이 좋다.The coefficient of thermal expansion of the polyimide layer 10 is preferably within the range of 1 ppm/K or more and 30 ppm/K or less, more preferably 1 ppm from the viewpoint of improving the dimensional stability of the bond ply 100 and suppressing warpage. It is good to be in the range of /K or more and 25 ppm/K or less, and more preferably, it is in the range of 15 ppm/K or more and 25 ppm/K or less.

폴리이미드층(10)은, 23℃, 50%RH의 항온항습조건(보통의 상태)하에서 24시간 조습 후에 스플릿 포스트 유전체 공진기(SPDR)에 의해 측정되는 10GHz에 있어서의 유전정접이 0.006 이하인 것이 바람직하다. 폴리이미드층(10)의 10GHz에 있어서의 유전정접이 0.006 이하인 것에 의하여 본드 플라이(100) 전체의 유전정접을 낮출 수 있다. 폴리이미드층(10)의 10GHz에 있어서의 유전정접이 0.006을 넘으면, 본드 플라이(100) 전체의 유전정접을 낮게 억제하는 것이 곤란해진다.The polyimide layer 10 preferably has a dielectric loss tangent of 0.006 or less at 10 GHz as measured by a split post dielectric resonator (SPDR) after 24 hours of humidity control under a constant temperature and humidity condition (normal condition) of 23° C. and 50% RH. do. When the polyimide layer 10 has a dielectric loss tangent at 10 GHz of 0.006 or less, it is possible to lower the dielectric loss tangent of the entire bond ply 100 . When the dielectric loss tangent at 10 GHz of the polyimide layer 10 exceeds 0.006, it becomes difficult to suppress the dielectric loss tangent of the entire bond ply 100 low.

폴리이미드층(10)에는, 임의성분으로서, 예를 들면 가소제, 에폭시 수지 등의 다른 경화수지성분, 경화제, 경화촉진제, 커플링제, 충전제, 난연제 등을 적절하게 배합할 수 있다.In the polyimide layer 10, as an optional component, for example, a plasticizer, another cured resin component such as an epoxy resin, a curing agent, a curing accelerator, a coupling agent, a filler, a flame retardant, etc. can be appropriately blended.

(제1접착제층ㆍ제2접착제층)(1st adhesive layer, 2nd adhesive layer)

제1접착제층(20A) 및 제2접착제층(20B)은, 조건c를 충족시키는 한에 있어서, 그 재질에 특별한 제한은 없고, 각각 독립적으로 열가소성 수지 또는 열경화성 수지로 구성되어도 좋다. 그러한 수지로서는, 예를 들면 폴리이미드 수지, 폴리아미드 수지, 에폭시 수지, 페녹시 수지, 아크릴 수지, 폴리우레탄 수지, 스티렌 수지, 폴리에스테르 수지(액정 폴리에스테르 수지를 포함한다), 페놀 수지, 폴리술폰 수지, 폴리에테르술폰 수지, 폴리페닐렌설파이드 수지, 폴리에틸렌 수지, 폴리프로필렌 수지, 실리콘 수지, 폴리에테르케톤 수지, 폴리비닐알코올 수지, 폴리비닐부티랄 수지, 스티렌-말레이미드 공중합체, 말레이미드-비닐화합물 공중합체, 또는 (메타)아크릴 공중합체, 벤조옥사진 수지, 비스말레이미드 수지, 시아네이트에스테르 수지 등의 수지를 들 수 있다. 이들 중에서 조건c를 충족시키는 것을 선택하거나 또는 조건c를 충족시키도록 설계하거나 하여, 제1접착제층(20A) 및 제2접착제층(20B)으로서 사용할 수 있다. 제1접착제층(20A) 및 제2접착제층(20B)이 열경화성 수지일 경우에, 유기과산화물, 경화제, 경화촉진제 등을 함유하여도 좋고, 필요에 따라 경화제와 경화촉진제, 또는 촉매와 조촉매를 병용하여도 좋다. 조건c를 충족시킬 수 있는 범위에서, 경화제, 경화촉진제, 촉매, 조촉매 및 유기과산화물의 첨가량 및 첨가의 유무를 판단하면 좋다.The material of the first adhesive layer 20A and the second adhesive layer 20B is not particularly limited as long as the condition c is satisfied, and they may each independently be composed of a thermoplastic resin or a thermosetting resin. Examples of such resins include polyimide resins, polyamide resins, epoxy resins, phenoxy resins, acrylic resins, polyurethane resins, styrene resins, polyester resins (including liquid crystalline polyester resins), phenol resins, and polysulfone resins. Resin, polyether sulfone resin, polyphenylene sulfide resin, polyethylene resin, polypropylene resin, silicone resin, polyether ketone resin, polyvinyl alcohol resin, polyvinyl butyral resin, styrene-maleimide copolymer, maleimide-vinyl Resin, such as a compound copolymer or a (meth)acrylic copolymer, benzoxazine resin, bismaleimide resin, and cyanate ester resin, is mentioned. It can be used as the 1st adhesive agent layer 20A and the 2nd adhesive agent layer 20B by selecting the thing which satisfies the condition c from among these, or designing so that it may satisfy the condition c. When the first adhesive layer 20A and the second adhesive layer 20B are thermosetting resins, an organic peroxide, a curing agent, a curing accelerator, etc. may be contained, and if necessary, a curing agent and a curing accelerator, or a catalyst and a cocatalyst You may use it together. Within the range that can satisfy condition c, the amount of the curing agent, the curing accelerator, the catalyst, the co-catalyst and the organic peroxide added and the presence or absence of the addition may be determined.

제1접착제층(20A) 및 제2접착제층(20B)을 구성하는 수지로서는, 수지성분의 주성분으로서 폴리이미드를 함유하는 수지가 바람직하고, 더 바람직하게는 수지성분의 70중량% 이상, 더욱 바람직하게는 수지성분의 90중량% 이상, 가장 바람직하게는 수지성분의 전부로서 폴리이미드를 함유하는 것이 좋다. 또 수지성분의 주성분이란, 전체 수지성분에 대하여 50중량%를 넘어서 포함되는 성분을 의미한다. 조건c를 충족시키는 동시에, 제1접착제층(20A) 및 제2접착제층(20B)의 형성에 사용하는 바람직한 폴리이미드로서는, 테트라카르복시산무수물 성분으로부터 유도되는 산무수물 잔기 및 디아민 성분으로부터 유도되는 디아민 잔기를 함유함과 아울러, 전체 디아민 잔기에 대하여, 다이머산의 2개의 말단 카르복시산기가 1급 아미노메틸기 또는 아미노기로 치환되어 이루어지는 다이머디아민을 주성분으로 하는 다이머디아민 조성물에서 유래하는 디아민 잔기를 50몰% 이상 함유하는 폴리이미드(이하, 「접착성 폴리이미드」라고 기재하는 경우가 있다)가 좋다. 바꾸어 말하면, 접착성 폴리이미드는, 전체 디아민 성분에 대하여, 다이머산의 2개의 말단 카르복시산기가 1급 아미노메틸기 또는 아미노기로 치환되어 이루어지는 다이머디아민을 주성분으로 하는 다이머디아민 조성물을 50몰% 이상 함유하는 원료를 사용함으로써 얻어진다. 전체 디아민 잔기에 대하여, 다이머디아민 조성물에서 유래하는 디아민 잔기의 함유량을 바람직하게는 50몰% 이상, 더 바람직하게는 70몰% 이상, 더욱 바람직하게는 80∼99몰%의 범위내로 함으로써, 조건c를 충족시킴과 아울러 비유전율 및 유전정접을 저하시킬 수 있다. 즉, 다이머디아민 조성물에서 유래하는 디아민 잔기를 상기한 양으로 함유함으로써, 폴리이미드의 글라스 전이온도의 저온화(저Tg화)에 의한 열압착 특성의 개선 및 저탄성률화에 의한 내부응력의 완화가 가능해진다. 또한 다이머디아민 조성물에서 유래하는 디아민 잔기의 함유량이 50몰% 미만에서는, 상대적으로 폴리이미드 중에 포함되는 극성기가 증가함으로써 비유전율 및 유전정접이 상승하기 쉬워진다.As the resin constituting the first adhesive layer 20A and the second adhesive layer 20B, a resin containing polyimide as a main component of the resin component is preferable, more preferably 70% by weight or more of the resin component, still more preferably Preferably, it is preferable to contain polyimide as 90% by weight or more of the resin component, and most preferably as the whole of the resin component. In addition, the main component of the resin component means a component contained in excess of 50% by weight with respect to the total resin component. As a preferable polyimide used for the formation of the first adhesive layer 20A and the second adhesive layer 20B while satisfying the condition c, an acid anhydride residue derived from a tetracarboxylic acid anhydride component and a diamine residue derived from a diamine component Containing 50 mol% or more of diamine residues derived from a dimer diamine composition containing as a main component dimer diamine in which two terminal carboxylic acid groups of dimer acid are substituted with primary aminomethyl groups or amino groups with respect to the total diamine residues Polyimide (hereinafter, sometimes referred to as "adhesive polyimide") is preferable. In other words, the adhesive polyimide is a raw material containing 50 mol% or more of a dimer diamine composition mainly containing dimer diamine in which two terminal carboxylic acid groups of dimer acid are substituted with primary aminomethyl groups or amino groups with respect to the total diamine component. is obtained by using With respect to the total diamine residues, the content of the diamine residues derived from the dimer diamine composition is preferably 50 mol% or more, more preferably 70 mol% or more, and still more preferably 80 to 99 mol%, so that condition c In addition to satisfying the , the relative permittivity and dielectric loss tangent can be reduced. That is, by containing the diamine residue derived from the dimerdiamine composition in the above amount, the improvement of thermocompression bonding properties by lowering the glass transition temperature (lower Tg) of the polyimide and the relaxation of internal stress by lowering the modulus of elasticity becomes possible Further, when the content of the diamine residue derived from the dimerdiamine composition is less than 50 mol%, the relative permittivity and dielectric loss tangent are likely to rise because the polar groups contained in the polyimide relatively increase.

다이머디아민 조성물은, 하기의 성분(a)를 주성분으로서 함유함과 아울러 성분(b) 및 (c)의 양이 제어되고 있는 정제물(精製物)이다.The dimerdiamine composition is a purified product in which the amounts of the components (b) and (c) are controlled while containing the following component (a) as a main component.

(a)다이머디아민;(a) dimerdiamine;

(a)성분의 다이머디아민은, 다이머산의 2개의 말단 카르복시산기(-COOH)가 1급 아미노메틸기(-CH2-NH2) 또는 아미노기(-NH2)로 치환되어 이루어지는 디아민을 의미한다. 다이머산은, 불포화지방산의 분자간 중합반응에 의해 얻어지는 이미 알고 있는 2염기산이며, 그 공업적 제조 프로세스는 업계에서 거의 표준화되어 있어, 탄소수가 11∼22인 불포화지방산을 점토촉매 등에 의하여 이량화해서 얻어진다. 공업적으로 얻어지는 다이머산은, 올레인산이나 리놀레산, 리놀렌산 등의 탄소수 18의 불포화지방산을 이량화함으로써 얻어지는 탄소수 36의 2염기산이 주성분이지만, 정제의 정도에 따라 임의의 양의 모노머산(탄소수 18), 트리머산(탄소수 54), 탄소수 20∼54 외의 중합지방산을 함유한다. 또한 다이머화 반응 후에는 이중결합이 잔존하지만, 본 발명에서는, 수소첨가반응하여 불포화도를 저하시킨 것도 또한 다이머산에 포함시키는 것으로 한다. (a)성분의 다이머디아민은, 탄소수 18∼54의 범위내, 바람직하게는 22∼44의 범위내에 있는 2염기산 화합물의 말단 카르복시산기를 1급 아미노메틸기 또는 아미노기로 치환해서 얻어지는 디아민 화합물이라고 정의할 수 있다.(a) The dimer diamine of component means the diamine formed by replacing two terminal carboxylic acid groups (-COOH) of a dimer acid with a primary aminomethyl group (-CH 2 -NH 2 ) or an amino group (-NH 2 ). Dimer acid is a known dibasic acid obtained by intermolecular polymerization of unsaturated fatty acids, and its industrial production process is almost standardized in the industry. lose The industrially obtained dimer acid is mainly composed of a dibasic acid having 36 carbon atoms obtained by dimerizing an unsaturated fatty acid having 18 carbon atoms, such as oleic acid, linoleic acid, and linolenic acid. Polymeric fatty acids other than acid (C54) and C20-54 are contained. Although double bonds remain after the dimerization reaction, in the present invention, the dimer acid also includes those whose unsaturation is reduced by hydrogenation reaction. The dimer diamine of component (a) is defined as a diamine compound obtained by substituting a primary aminomethyl group or an amino group for the terminal carboxylic acid group of a dibasic acid compound having 18 to 54 carbon atoms, preferably 22 to 44 carbon atoms. can

다이머디아민의 특징으로서, 다이머산의 골격에서 유래하는 특성을 부여할 수 있다. 즉, 다이머디아민은, 분자량 약 560∼620의 거대분자의 지방족이므로, 분자의 몰부피를 크게 하여 폴리이미드의 극성기를 상대적으로 감소시킬 수 있다. 이러한 다이머산형 디아민의 특징은, 폴리이미드의 내열성의 저하를 억제하면서, 비유전율과 유전정접을 작게 해서 유전특성을 향상시키는 것에 기여하는 것으로 생각된다. 또한 2개의 자유롭게 움직이는 탄소수 7∼9의 소수쇄와, 탄소수 18에 가까운 길이를 가지는 2개의 쇄상(鎖狀)의 지방족 아미노기를 구비하기 때문에, 폴리이미드에 유연성을 부여할 뿐만 아니라 폴리이미드를 비대칭적인 화학구조나 비평면적인 화학구조로 할 수 있어, 폴리이미드의 저유전율화를 도모할 수 있다고 생각된다.As a characteristic of dimerdiamine, the characteristic derived from the backbone of a dimer acid can be provided. That is, since dimerdiamine is an aliphatic macromolecule having a molecular weight of about 560 to 620, the polar group of the polyimide can be relatively reduced by increasing the molar volume of the molecule. The characteristics of such dimer acid type diamine are considered to contribute to improving dielectric properties by reducing the relative permittivity and dielectric loss tangent while suppressing a decrease in the heat resistance of the polyimide. In addition, since it has two freely moving minor chains having 7 to 9 carbon atoms and two chain aliphatic amino groups having a length close to 18 carbon atoms, it not only gives flexibility to the polyimide but also makes the polyimide asymmetrical. It can be set as a chemical structure or a non-planar chemical structure, and it is thought that low dielectric constant of a polyimide can be aimed at.

다이머디아민 조성물은, 분자증류 등의 정제방법에 의해 (a)성분의 다이머디아민 함유량을 96중량% 이상, 바람직하게는 97중량% 이상, 더 바람직하게는 98중량% 이상까지 높인 것을 사용하는 것이 좋다. (a)성분의 다이머디아민 함유량을 96중량% 이상으로 함으로써 폴리이미드의 분자량 분포의 확산을 억제할 수 있다. 또 기술적으로 가능하다면, 다이머디아민 조성물의 전부(100중량%)가, (a)성분의 다이머디아민으로 구성되어 있는 것이 가장 좋다.As the dimer diamine composition, the dimer diamine content of component (a) is increased to 96% by weight or more, preferably 97% by weight or more, more preferably 98% by weight or more by a purification method such as molecular distillation. . (a) Dimerdiamine content of a component shall be 96 weight% or more, and the diffusion of molecular weight distribution of a polyimide can be suppressed. In addition, if technically possible, it is best that all (100% by weight) of the dimerdiamine composition is composed of the dimerdiamine of component (a).

(b)탄소수 10∼40의 범위내에 있는 1염기산 화합물의 말단 카르복시산기를 1급 아미노메틸기 또는 아미노기로 치환해서 얻어지는 모노아민 화합물;(b) a monoamine compound obtained by substituting a terminal carboxylic acid group of a monobasic acid compound having 10 to 40 carbon atoms with a primary aminomethyl group or an amino group;

탄소수 10∼40의 범위내에 있는 1염기산 화합물은, 다이머산의 원료에서 유래하는 탄소수 10∼20의 범위내에 있는 1염기성 불포화 지방산 및 다이머산의 제조시의 부생성물인 탄소수 21∼40의 범위내에 있는 1염기산 화합물의 혼합물이다. 모노아민 화합물은, 이들의 1염기산 화합물의 말단 카르복시산기를 1급 아미노메틸기 또는 아미노기로 치환해서 얻어지는 것이다.The monobasic acid compound in the range of 10 to 40 carbon atoms is a monobasic unsaturated fatty acid in the range of 10 to 20 carbon atoms derived from the raw material of dimer acid, and a by-product in the production of dimer acid in the range of 21 to 40 carbon atoms. It is a mixture of monobasic acid compounds. The monoamine compound is obtained by substituting the terminal carboxylic acid group of these monobasic acid compounds with a primary aminomethyl group or an amino group.

(b)성분의 모노아민 화합물은, 폴리이미드의 분자량 증가를 억제하는 성분이다. 폴리아미드산 또는 폴리이미드의 중합시에, 상기 모노아민 화합물의 단관능의 아미노기가 폴리아미드산 또는 폴리이미드의 말단 산무수물기와 반응함으로써 말단 산무수물기가 실링되어, 폴리아미드산 또는 폴리이미드의 분자량 증가를 억제한다.(b) The monoamine compound of a component is a component which suppresses the molecular weight increase of a polyimide. During polymerization of polyamic acid or polyimide, the monofunctional amino group of the monoamine compound reacts with the terminal acid anhydride group of the polyamic acid or polyimide to seal the terminal acid anhydride group, increasing the molecular weight of the polyamic acid or polyimide suppress

(c)탄소수 41∼80의 범위내에 있는 탄화수소기를 구비하는 다염기산 화합물의 말단 카르복시산기를 1급 아미노메틸기 또는 아미노기로 치환해서 얻어지는 아민 화합물(단, 상기 다이머디아민을 제외);(c) an amine compound obtained by substituting a terminal carboxylic acid group of a polybasic acid compound having a hydrocarbon group within the range of 41 to 80 carbon atoms with a primary aminomethyl group or an amino group (provided that the dimerdiamine is excluded);

탄소수 41∼80의 범위내에 있는 탄화수소기를 구비하는 다염기산 화합물은, 다이머산의 제조시의 부생성물인 탄소수 41∼80의 범위내에 있는 3염기산 화합물을 주성분으로 하는 다염기산 화합물이다. 또한 탄소수 41∼80의 다이머산 이외의 중합지방산을 포함하고 있어도 좋다. 아민 화합물은, 이들의 다염기산 화합물의 말단 카르복시산기를 1급 아미노메틸기 또는 아미노기로 치환해서 얻어지는 것이다.The polybasic acid compound having a hydrocarbon group in the range of 41 to 80 carbon atoms is a polybasic acid compound mainly comprising a tribasic acid compound in the range of 41 to 80 carbon atoms, which is a by-product in the production of dimer acid. Moreover, you may contain polymeric fatty acids other than a C41-C80 dimer acid. The amine compound is obtained by substituting a terminal carboxylic acid group of these polybasic acid compounds with a primary aminomethyl group or an amino group.

(c)성분의 아민 화합물은, 폴리이미드의 분자량 증가를 조장하는 성분이다. 트리머산을 유래로 하는 트리아민체를 주성분으로 하는 3관능 이상의 아미노기가, 폴리아미드산 또는 폴리이미드의 말단 산무수물기와 반응하여 폴리이미드의 분자량을 급격하게 증가시킨다. 또한 탄소수 41∼80의 다이머산 이외의 중합지방산으로부터 유도되는 아민 화합물도 폴리이미드의 분자량을 증가시켜, 폴리아미드산 또는 폴리이미드의 겔화의 원인이 된다.(c) The amine compound of a component is a component which promotes the molecular weight increase of a polyimide. A trifunctional or higher amino group containing a triamine derived from trimer acid as a main component reacts with a terminal acid anhydride group of a polyamic acid or polyimide to rapidly increase the molecular weight of the polyimide. In addition, amine compounds derived from polymerized fatty acids other than dimer acids having 41 to 80 carbon atoms also increase the molecular weight of the polyimide, causing gelation of the polyamic acid or polyimide.

겔침투 크로마토그래피(GPC)를 사용한 측정에 의해 각 성분을 정량(定量)하는 경우에, 다이머디아민 조성물의 각 성분의 피크스타트, 피크톱 및 피크엔드의 확인을 쉽게 하기 위해서, 다이머디아민 조성물을 무수아세트산 및 피리딘으로 처리한 샘플을 사용하고, 또 내부표준물질로서 시클로헥사논을 사용한다. 이렇게 조제한 샘플을 사용하여 GPC의 크로마토그램의 면적 퍼센트로 각 성분을 정량한다. 각 성분의 피크스타트 및 피크엔드는, 각 피크곡선의 극소값으로 하고 이것을 기준으로 크로마토그램의 면적 퍼센트의 산출을 할 수 있다.When each component is quantified by measurement using gel permeation chromatography (GPC), in order to facilitate identification of the peak start, peak top and peak end of each component of the dimerdiamine composition, the dimerdiamine composition is dried A sample treated with acetic acid and pyridine is used, and cyclohexanone is used as an internal standard. Using the thus prepared sample, each component is quantified by area percent of the chromatogram of GPC. The peak start and peak end of each component are taken as the minimum value of each peak curve, and the area percent of the chromatogram can be calculated based on this.

또한 다이머디아민 조성물은, GPC측정에 의해 얻어지는 크로마토그램의 면적 퍼센트에서, 성분(b) 및 (c)의 합계가 4% 이하, 바람직하게는 4% 미만이 좋다. 성분(b) 및 (c)의 합계를 4% 이하로 함으로써 폴리이미드의 분자량 분포의 확산을 억제할 수 있다.Further, in the dimerdiamine composition, the sum of the components (b) and (c) is 4% or less, preferably less than 4%, in the area percent of the chromatogram obtained by GPC measurement. Diffusion of molecular weight distribution of a polyimide can be suppressed by making the sum total of components (b) and (c) 4 % or less.

또한 (b)성분의 크로마토그램의 면적 퍼센트는, 바람직하게는 3% 이하, 더 바람직하게는 2% 이하, 더욱 바람직하게는 1% 이하가 좋다. 이러한 범위로 함으로써 폴리이미드의 분자량의 저하를 억제할 수 있고, 또한 테트라카르복시산무수물 성분 및 디아민 성분의 투입의 몰비의 범위를 넓힐 수 있다. 또 (b)성분은, 다이머디아민 조성물 중에 포함되어 있지 않아도 좋다.Moreover, as for the area percent of the chromatogram of (b) component, Preferably it is 3 % or less, More preferably, it is 2 % or less, More preferably, 1 % or less is good. By setting it as such a range, the fall of the molecular weight of a polyimide can be suppressed and the range of the molar ratio of preparation of a tetracarboxylic anhydride component and a diamine component can be expanded. Moreover, (b) component does not need to be contained in the dimer diamine composition.

또한 (c)성분의 크로마토그램의 면적 퍼센트는, 2% 이하이며, 바람직하게는 1.8% 이하, 더 바람직하게는 1.5% 이하가 좋다. 이러한 범위로 함으로써 폴리이미드의 분자량의 급격한 증가를 억제할 수 있고, 또한 수지필름의 광역의 주파수에서의 유전정접의 상승을 억제할 수 있다. 또 (c)성분은, 다이머디아민 조성물 중에 포함되어 있지 않아도 좋다.Moreover, the area percent of the chromatogram of (c) component is 2 % or less, Preferably it is 1.8 % or less, More preferably, 1.5 % or less is good. By setting it as such a range, the rapid increase of the molecular weight of a polyimide can be suppressed and also the raise of the dielectric loss tangent in the frequency range of a resin film can be suppressed. Moreover, (c) component does not need to be contained in the dimer diamine composition.

또한 성분(b) 및 (c)의 크로마토그램의 면적 퍼센트의 비율(b/c)이 1이상일 경우에, 테트라카르복시산무수물 성분 및 디아민 성분의 몰비(테트라카르복시산무수물 성분/디아민 성분)는, 바람직하게는 0.97 이상 1.0 미만으로 하는 것이 좋고, 이러한 몰비로 함으로써 폴리이미드의 분자량의 제어가 보다 용이해진다.Further, when the ratio (b/c) of the area percent of the chromatograms of the components (b) and (c) is 1 or more, the molar ratio of the tetracarboxylic acid anhydride component and the diamine component (tetracarboxylic acid anhydride component/diamine component) is preferably It is good to set it as 0.97 or more and less than 1.0, and control of the molecular weight of a polyimide becomes easier by setting it as such a molar ratio.

또한 성분(b) 및 (c)의 상기 크로마토그램의 면적 퍼센트의 비율(b/c)이 1미만일 경우에, 테트라카르복시산무수물 성분 및 디아민 성분의 몰비(테트라카르복시산무수물 성분/디아민 성분)는, 바람직하게는 0.97 이상 1.1 이하로 하는 것이 좋고, 이러한 몰비로 함으로써 폴리이미드의 분자량의 제어가 보다 용이해진다.Further, when the ratio (b/c) of the area percent in the chromatogram of the components (b) and (c) is less than 1, the molar ratio of the tetracarboxylic anhydride component and the diamine component (tetracarboxylic acid anhydride component/diamine component) is preferably Preferably, it is good to set it as 0.97 or more and 1.1 or less, and control of the molecular weight of a polyimide becomes easier by setting it as such a molar ratio.

다이머디아민 조성물은, 시판품을 이용할 수 있고, (a)성분의 다이머디아민 이외의 성분을 감소시킬 목적으로 정제하는 것이 바람직하고, 예를 들면, (a)성분을 96면적% 이상으로 하는 것이 바람직하다. 정제방법으로서는, 특별히 제한되지 않지만, 증류법이나 침전정제 등의 공지의 방법이 바람직하다. 다이머디아민 조성물의 시판품으로서는, 예를 들면 크로다재팬(Croda Japan)사 제품의 PRIAMINE 1073(상품명), 동(同) PRIAMINE 1074(상품명), 동(同) PRIAMINE 1075(상품명) 등을 들 수 있다.The dimerdiamine composition can use a commercial item, and it is preferable to refine|purify for the purpose of reducing components other than dimerdiamine of (a) component, For example, it is preferable to make (a) component 96 area% or more. . Although it does not restrict|limit especially as a purification method, Well-known methods, such as a distillation method and precipitation purification, are preferable. As a commercial item of a dimerdiamine composition, Croda Japan (Croda Japan) PRIAMINE 1073 (brand name), the same PRIAMINE 1074 (brand name), the same PRIAMINE 1075 (brand name), etc. are mentioned, for example. .

접착성 폴리이미드의 합성은, 상기 비열가소성 폴리이미드에서 설명한 방법에 준해서 실시할 수 있다.Synthesis of the adhesive polyimide can be carried out according to the method described for the non-thermoplastic polyimide.

접착성 폴리이미드는, 분자내에 케톤기를 구비하는 경우에, 상기 케톤기와, 적어도 2개의 제1급의 아미노기를 관능기로서 구비하는 아미노 화합물(이하, 「가교형성용 아미노 화합물」이라고 기재하는 경우가 있다)의 아미노기를 반응시켜서, C=N결합을 형성시킴으로써 가교구조를 형성할 수 있다. 이러한 가교구조를 형성한 폴리이미드(이하, 「가교 폴리이미드」라고 기재하는 경우가 있다)는, 접착성 폴리이미드의 응용예이고 바람직한 형태가 된다. 가교구조의 형성에 의하여 접착성 폴리이미드의 내열성을 향상시킬 수 있다. 케톤기를 구비하는 접착성 폴리이미드를 형성하기 위한 바람직한 테트라카르복시산이무수물로서는, 예를 들면 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복시산이무수물(BTDA)을, 디아민 화합물로서는, 예를 들면 4,4'―비스(3-아미노페녹시)벤조페논(BABP), 1,3-비스[4-(3-아미노페녹시)벤조일]벤젠(BABB) 등의 방향족 디아민을 들 수 있다. 가교구조를 형성시키는 목적에 있어서, 특히, 전체 테트라카르복시산 잔기에 대하여 BTDA로부터 유도되는 BTDA 잔기를, 바람직하게는 50몰% 이상, 더 바람직하게는 60몰% 이상 함유하는 상기한 접착성 폴리이미드에 대하여, 가교형성용 아미노 화합물을 작용시키는 것이 바람직하다. 또 본 발명에 있어서 「BTDA 잔기」란, BTDA로부터 유도된 4가의 기를 의미한다.When the adhesive polyimide has a ketone group in its molecule, it is an amino compound having the ketone group and at least two primary amino groups as functional groups (hereinafter referred to as “amino compound for crosslinking” in some cases). ), by reacting the amino group to form a C=N bond, a crosslinked structure can be formed. A polyimide having such a crosslinked structure (hereinafter, may be referred to as "crosslinked polyimide") is an application example of an adhesive polyimide and is a preferred form. By forming a cross-linked structure, the heat resistance of the adhesive polyimide can be improved. As a preferable tetracarboxylic dianhydride for forming an adhesive polyimide having a ketone group, for example, 3,3',4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride (BTDA), and as a diamine compound, for example, and aromatic diamines such as 4,4'-bis(3-aminophenoxy)benzophenone (BABP) and 1,3-bis[4-(3-aminophenoxy)benzoyl]benzene (BABB). For the purpose of forming a crosslinked structure, in particular, the above-described adhesive polyimide containing BTDA residues derived from BTDA, preferably 50 mol% or more, more preferably 60 mol% or more, based on the total tetracarboxylic acid residues. In contrast, it is preferable to act with an amino compound for crosslinking. In the present invention, "BTDA residue" means a tetravalent group derived from BTDA.

가교형성용 아미노 화합물로서는, (I)디히드라지드 화합물, (II)방향족 디아민, (III)지방족 아민 등을 예시할 수 있다. 이들 중에서도, 디히드라지드 화합물이 바람직하다. 디히드라지드 화합물 이외의 지방족 아민은, 실온에서도 가교구조를 형성하기 쉽고, 바니시의 보존안정성의 염려가 있고, 한편, 방향족 디아민은, 가교구조의 형성을 위하여 고온으로 할 필요가 있다. 이와 같이 디히드라지드 화합물을 사용하였을 경우에는, 바니시의 보존안정성과 경화시간의 단축화를 양립시킬 수 있다. 디히드라지드 화합물로서는, 예를 들면, 옥살산디히드라지드, 말론산디히드라지드, 호박산디히드라지드, 글루타르산디히드라지드, 아디핀산디히드라지드, 피멜산디히드라지드, 수베르산디히드라지드, 아젤라산디히드라지드, 세바스산디히드라지드, 도데칸이산디히드라지드, 말레인산디히드라지드, 푸마르산디히드라지드, 디글리콜산디히드라지드, 주석산디히드라지드, 사과산디히드라지드, 프탈산디히드라지드, 이소프탈산디히드라지드, 테레프탈산디히드라지드, 2,6-나프토에산디히드라지드, 4,4-비스벤젠디히드라지드, 1,4-나프토에산디히드라지드, 2,6-피리딘이산디히드라지드, 이타콘산디히드라지드 등의 디히드라지드 화합물이 바람직하다. 이상의 디히드라지드 화합물은, 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상 혼합해서 사용할 수도 있다.Examples of the amino compound for crosslinking include (I) dihydrazide compounds, (II) aromatic diamines, (III) aliphatic amines, and the like. Among these, a dihydrazide compound is preferable. Aliphatic amines other than the dihydrazide compound easily form a crosslinked structure even at room temperature, and there is a concern about storage stability of the varnish. When the dihydrazide compound is used in this way, it is possible to achieve both storage stability of the varnish and shortening of the curing time. As the dihydrazide compound, for example, oxalic acid dihydrazide, malonic acid dihydrazide, succinic acid dihydrazide, glutaric acid dihydrazide, adipic acid dihydrazide, pimelic acid dihydrazide, suberic acid dihydrazide, and azelaic acid dihydrazide. hydrazide, sebacic acid dihydrazide, dodecane diacid dihydrazide, maleic acid dihydrazide, fumaric acid dihydrazide, diglycolic acid dihydrazide, tartrate dihydrazide, malic acid dihydrazide, phthalic acid dihydrazide, isophthalic acid dihydrazide hydrazide, terephthalic acid dihydrazide, 2,6-naphthoic acid dihydrazide, 4,4-bisbenzene dihydrazide, 1,4-naphthoeic acid dihydrazide, 2,6-pyridine diacid dihydrazide, Dihydrazide compounds, such as itaconic acid dihydrazide, are preferable. The above dihydrazide compounds may be used independently and may be used in mixture of 2 or more types.

또한 상기 (I)디히드라지드 화합물, (II)방향족 디아민, (III)지방족 아민 등의 아미노 화합물은, 예를 들면, (I)과 (II)의 조합, (I)과 (III)의 조합, (I)과 (II)와 (III)의 조합과 같이, 카테고리를 넘어서 2종 이상 조합시켜서 사용할 수도 있다.In addition, amino compounds such as (I) dihydrazide compound, (II) aromatic diamine, and (III) aliphatic amine are, for example, a combination of (I) and (II), and a combination of (I) and (III). , like a combination of (I) and (II) and (III), it can also be used in combination of two or more types beyond categories.

또한 가교형성용 아미노 화합물에 의한 가교에 의하여 형성되는 망상(網狀(그물코 모양))의 구조를 보다 촘촘하게 하는 관점으로부터, 본 발명에서 사용하는 가교형성용 아미노 화합물은, 그 분자량(가교형성용 아미노 화합물이 올리고머인 경우에는 중량평균분자량)이 5,000 이하인 것이 바람직하고, 더 바람직하게는 90∼2,000, 더욱 바람직하게는 100∼1,500이 좋다. 이 중에서도 100∼1,000의 분자량을 가지는 가교형성용 아미노 화합물이 특히 바람직하다. 가교형성용 아미노 화합물의 분자량이 90 미만이 되면, 가교형성용 아미노 화합물의 1개의 아미노기가 접착성 폴리이미드의 케톤기와 C=N결합을 형성하는 것에 그치고, 나머지의 아미노기의 주변이 입체적으로 부피가 커지기 때문에 나머지의 아미노기는 C=N결합을 형성하기 어려운 경향이 있다.In addition, from the viewpoint of making the structure of the network formed by crosslinking with the amino compound for crosslinking more dense, the amino compound for crosslinking used in the present invention has a molecular weight (amino for crosslinking) When the compound is an oligomer, the weight average molecular weight) is preferably 5,000 or less, more preferably 90 to 2,000, still more preferably 100 to 1,500. Among these, amino compounds for crosslinking having a molecular weight of 100 to 1,000 are particularly preferable. When the molecular weight of the amino compound for crosslinking is less than 90, one amino group of the amino compound for crosslinking only forms a C=N bond with the ketone group of the adhesive polyimide, and the periphery of the remaining amino group becomes sterically bulky. Since it becomes large, the remaining amino group tends to be difficult to form a C=N bond.

접착성 폴리이미드 중의 케톤기와 가교형성용 아미노 화합물을 가교형성 시키는 경우에는, 접착성 폴리이미드를 포함하는 수지용액에 상기 가교형성용 아미노 화합물을 가하여, 접착성 폴리이미드 중의 케톤기와 가교형성용 아미노 화합물의 제1급 아미노기를 축합반응시킨다. 이 축합반응에 의하여 수지용액은 경화해서 경화물이 된다. 이 경우에, 가교형성용 아미노 화합물의 첨가량은, 케톤기 1몰에 대하여, 제1급 아미노기가 합계로 0.004몰∼1.5몰, 바람직하게는 0.005몰∼1.2몰, 더 바람직하게는 0.03몰∼0.9몰, 가장 바람직하게는 0.04몰∼0.6몰로 할 수 있다. 케톤기 1몰에 대하여 제1급 아미노기가 합계로 0.004몰 미만이 되도록 하는 가교형성용 아미노 화합물의 첨가량에서는, 가교형성용 아미노 화합물에 의한 가교가 충분하지 않기 때문에, 경화 후의 내열성이 발현되기 어려운 경향이 있고, 가교형성용 아미노 화합물의 첨가량이 1.5몰을 넘으면 미반응의 가교형성용 아미노 화합물이 열가소제로서 작용하여 접착제층으로서의 내열성을 저하시키는 경향이 있다.When the ketone group in the adhesive polyimide is crosslinked with the amino compound for crosslinking, the amino compound for crosslinking is added to the resin solution containing the adhesive polyimide, and the ketone group in the adhesive polyimide is crosslinked with the amino compound for crosslinking. Condensation reaction of the primary amino group of By this condensation reaction, the resin solution hardens and becomes a cured product. In this case, the addition amount of the amino compound for crosslinking is 0.004 to 1.5 moles, preferably 0.005 to 1.2 moles, more preferably 0.03 to 0.9 moles of primary amino groups in total with respect to 1 mole of the ketone group. mole, most preferably 0.04 mole to 0.6 mole. When the amount of the amino compound for crosslinking is added so that the total of the primary amino groups is less than 0.004 moles per mole of the ketone group, the crosslinking by the amino compound for crosslinking is insufficient, so that heat resistance after curing is difficult to develop. When the amount of the amino compound for crosslinking exceeds 1.5 mol, the unreacted amino compound for crosslinking acts as a thermoplastic and tends to decrease the heat resistance as an adhesive layer.

가교형성을 위한 축합반응의 조건은, 접착성 폴리이미드에 있어서의 케톤기와 상기 가교형성용 아미노 화합물의 제1급 아미노기가 반응해서 이민결합(C=N결합)을 형성하는 조건이면, 특별히 제한되지 않는다. 가열축합의 온도는, 축합에 의해 생성되는 물을 계(系) 외(外)로 방출시키기 위해서, 또는 접착성 폴리이미드의 합성 후에 연속해서 가열축합반응을 실시하는 경우에 상기 축합공정을 간략화하기 위해서 등의 이유로, 예를 들면 120∼220℃의 범위내가 바람직하고, 140∼200℃의 범위내가 더 바람직하다. 반응시간은, 30분∼24시간 정도가 바람직하다. 반응의 종점은, 예를 들면 푸리에 변환 적외분광광도계(시판품: 일본분광(JASCO Corporation) 제품 FT/IR620)를 사용하여 적외선 흡수 스펙트럼을 측정함으로써, 1670cm-1 부근의 폴리이미드 수지에 있어서의 케톤기에서 유래하는 흡수피크의 감소 또는 소실, 및 1635cm-1 부근의 이민기에서 유래하는 흡수피크의 출현에 의해 확인할 수 있다.The conditions of the condensation reaction for crosslinking are not particularly limited as long as the ketone group in the adhesive polyimide reacts with the primary amino group of the amino compound for crosslinking to form an imine bond (C=N bond). does not The temperature of heat condensation is set to simplify the condensation process in order to release water generated by condensation to the outside, or in the case of continuously carrying out heat condensation reaction after synthesis of the adhesive polyimide. For this reason, for example, in the range of 120-220 degreeC is preferable, and the inside of the range of 140-200 degreeC is more preferable. The reaction time is preferably about 30 minutes to 24 hours. The end point of the reaction is, for example, by measuring an infrared absorption spectrum using a Fourier transform infrared spectrophotometer (commercial product: FT/IR620 manufactured by JASCO Corporation), a ketone group in the polyimide resin in the vicinity of 1670 cm -1 . It can be confirmed by the decrease or disappearance of the absorption peak derived from , and the appearance of the absorption peak derived from the imine group in the vicinity of 1635 cm -1 .

접착성 폴리이미드의 케톤기와 상기 가교형성용 아미노 화합물의 제1급의 아미노기와의 가열축합은, 예를 들면,Heat condensation between the ketone group of the adhesive polyimide and the primary amino group of the amino compound for crosslinking is, for example,

(1)접착성 폴리이미드의 합성(이미드화)에 이어서 가교형성용 아미노 화합물을 첨가해서 가열하는 방법,(1) A method of heating by adding an amino compound for crosslinking after synthesis (imidization) of the adhesive polyimide;

(2)디아민 성분으로서 미리 과잉량의 아미노 화합물을 넣어 두고, 접착성 폴리이미드의 합성(이미드화)에 이어서 이미드화 또는 아미드화에 관여하지 않는 나머지의 아미노 화합물을 가교형성용 아미노 화합물로서 이용해서 접착성 폴리이미드와 함께 가열하는 방법, 또는(2) Put an excess amount of amino compound as a diamine component in advance and use the remaining amino compound not involved in imidation or amidation as an amino compound for crosslinking following synthesis (imidization) of the adhesive polyimide. heating with adhesive polyimide, or

(3)상기의 가교형성용 아미노 화합물을 첨가한 접착성 폴리이미드의 조성물을 소정의 형상으로 가공한 후(예를 들면, 임의의 기재에 도포한 후나 필름모양으로 형성한 후)에 가열하는 방법(3) A method of heating the adhesive polyimide composition to which the amino compound for crosslinking has been added after processing it into a predetermined shape (for example, after coating on an arbitrary substrate or after forming into a film shape)

등에 의해 실시할 수 있다.etc. can be carried out.

접착성 폴리이미드의 내열성 부여를 위하여, 이민결합의 형성에 의해 가교구조로 하는 가교 폴리이미드의 예를 들어서 설명했지만, 이에 한정되는 것은 아니고, 폴리이미드의 경화방법으로서, 예를 들면 에폭시 수지, 에폭시 수지 경화제, 말레이미드, 활성화 에스테르 수지, 스티렌 골격을 구비하는 수지 등의 불포화결합을 구비하는 화합물 등을 배합해 경화시킬 수도 있다.In order to impart heat resistance to the adhesive polyimide, an example of a crosslinked polyimide having a crosslinked structure by the formation of an imine bond was given and described, but it is not limited thereto. A compound having an unsaturated bond such as a resin curing agent, maleimide, an activated ester resin, or a resin having a styrene skeleton may be blended and cured.

제1접착제층(20A) 및 제2접착제층(20B)은, 각각 글라스 전이온도(Tg)가 180℃ 이하이며, 바람직하게는 160℃ 이하의 범위내인 것이 좋다. 제1접착제층(20A) 및 제2접착제층(20B)의 Tg를 180℃ 이하로 함으로써, 저온에서의 열압착이 가능해지기 때문에, 적층시에 발생하는 내부응력을 완화하고 회로가공 후의 치수변화를 억제할 수 있다. 제1접착제층(20A) 및 제2접착제층(20B)의 Tg가 180℃를 넘으면, 스트립 라인에 적용하기 위해서 절연수지층의 사이에 삽입시켜서 접착할 때의 온도가 높아져, 스트립 라인의 치수안정성을 손상시킬 우려가 있다.Each of the first adhesive layer 20A and the second adhesive layer 20B has a glass transition temperature (Tg) of 180° C. or less, preferably 160° C. or less. By setting the Tg of the first adhesive layer 20A and the second adhesive layer 20B to 180° C. or less, thermocompression bonding at low temperature is possible, so internal stress generated during lamination is relieved and dimensional change after circuit processing is reduced. can be suppressed When the Tg of the first adhesive layer 20A and the second adhesive layer 20B exceeds 180° C., the temperature at the time of bonding by inserting between the insulating resin layers for application to the strip line increases, and the dimensional stability of the strip line may be damaged.

제1접착제층(20A) 및 제2접착제층(20B)은, 23℃, 50%RH의 항온항습조건(보통의 상태)하에서 24시간 조습 후에 스플릿 포스트 유전체 공진기(SPDR)에 의해 측정되는 10GHz에 있어서의 유전정접이 0.004 이하인 것이 바람직하다. 제1접착제층(20A) 및 제2접착제층(20B)의 10GHz에 있어서의 유전정접이 0.004 이하인 것에 의하여 본드 플라이(100) 전체의 유전정접을 낮출 수 있다. 폴리이미드층(10)의 10GHz에 있어서의 유전정접이 0.004를 넘으면, 본드 플라이(100) 전체의 유전정접을 낮게 억제하는 것이 곤란해진다.The first adhesive layer 20A and the second adhesive layer 20B were heated to 10 GHz measured by a split post dielectric resonator (SPDR) after 24 hours of humidity control under constant temperature and humidity conditions (normal conditions) of 23° C. and 50% RH. It is preferable that the dielectric loss tangent in this is 0.004 or less. When the dielectric loss tangent of the first adhesive layer 20A and the second adhesive layer 20B at 10 GHz is 0.004 or less, it is possible to lower the dielectric loss tangent of the entire bond ply 100 . When the dielectric loss tangent at 10 GHz of the polyimide layer 10 exceeds 0.004, it becomes difficult to suppress the dielectric loss tangent of the entire bond ply 100 low.

제1접착제층(20A) 및 제2접착제층(20B)에는, 임의성분으로서, 예를 들면 가소제, 에폭시 수지 등의 다른 경화수지 성분, 경화제, 경화촉진제, 커플링제, 충전제, 난연제 등을 적절하게 배합할 수 있다.In the first adhesive layer 20A and the second adhesive layer 20B, as an optional component, for example, a plasticizer, another cured resin component such as an epoxy resin, a curing agent, a curing accelerator, a coupling agent, a filler, a flame retardant, etc. can be combined.

본드 플라이(100)는, 예를 들면 이하의 방법1 또는 방법2에 의해 제조할 수 있다.The bond ply 100 can be manufactured by the following method 1 or method 2, for example.

[방법1][Method 1]

본드 플라이(100)를 구성하는 폴리이미드층(10)에 상당하는 폴리이미드 필름과, 제1접착제층(20A) 및 제2접착제층(20B)에 상당하는 접착제 필름을 각각 별개로 준비한다. 다음에 2매의 접착제 필름의 사이에 폴리이미드 필름이 삽입되도록 배치하고, 예를 들면 제1접착제층(20A) 및 제2접착제층(20B)을 구성하는 수지의 글라스 전이온도를 넘는 온도로 열압착함으로써, 3층이 적층된 구조의 본드 플라이(100)를 제조할 수 있다.A polyimide film corresponding to the polyimide layer 10 constituting the bond ply 100 and an adhesive film corresponding to the first adhesive layer 20A and the second adhesive layer 20B are separately prepared. Next, the polyimide film is disposed so that the polyimide film is inserted between the two adhesive films, for example, heated to a temperature exceeding the glass transition temperature of the resin constituting the first adhesive layer 20A and the second adhesive layer 20B. By pressing, it is possible to manufacture the bond ply 100 having a structure in which three layers are stacked.

[방법2][Method 2]

우선, 폴리이미드층(10)에 상당하는 폴리이미드 필름을 보통의 방법에 의해 조제하고, 그 한 쪽의 면에 제1접착제층(20A)를 구성하는 수지용액을 소정의 두께로 도포한 후에, 도포막을 가열함으로써 제1접착제층(20A)을 형성한다. 다음에 폴리이미드 필름의 다른 면에 제2접착제층(20B)을 구성하는 수지용액을 소정의 두께로 도포한 후에, 도포막을 가열건조해서 제2접착제층(20B)을 형성함으로써, 3층이 적층된 구조의 본드 플라이(100)를 제조할 수 있다.First, a polyimide film corresponding to the polyimide layer 10 is prepared by a normal method, and a resin solution constituting the first adhesive layer 20A is applied to one surface to a predetermined thickness, The first adhesive layer 20A is formed by heating the coating film. Next, a resin solution constituting the second adhesive layer 20B is applied to the other side of the polyimide film to a predetermined thickness, and then the coating film is dried by heating to form a second adhesive layer 20B, whereby three layers are laminated. It is possible to manufacture the bond ply 100 of the structure.

상기 방법1, 2에서 사용하는 폴리이미드 필름이나 접착제 필름은, 예를 들면 임의의 지지기재에 수지용액을 도포ㆍ건조한 후에, 지지기재로부터 벗겨서 필름화 함으로써 제조할 수 있다. 또한 수지용액을 지지기재나 폴리이미드 필름 상에 도포하는 방법은 특별히 제한되지 않으나, 예를 들면 콤마, 다이, 나이프, 립 등의 코터에 의하여 도포할 수 있다.The polyimide film or adhesive film used in Methods 1 and 2 can be produced, for example, by coating and drying a resin solution on an arbitrary supporting substrate, then peeling it off the supporting substrate to form a film. In addition, the method of applying the resin solution on the supporting substrate or the polyimide film is not particularly limited, but may be applied by a coater such as a comma, die, knife, or lip, for example.

[회로기판][circuit board]

본드 플라이(100)는, 주로 FPC, 리지드ㆍ플렉스 회로기판 등의 회로기판재료로서 유용하다. 예를 들면, 절연수지층과 금속층을 구비하는 금속박적층판이나, 상기 금속박적층판의 금속층을 보통의 방법에 의해 패턴모양으로 가공해서 배선층을 형성한 회로기판을 준비하고, 2개 이상의 금속박적층판 및/또는 회로기판의 사이에, 본드 플라이(100)를 삽입해서 열압착해서 일체화시킴으로써 다층구조의 회로기판을 제조할 수 있다. 그러한 회로기판의 일례로서, 고주파전송로로서 사용되는 스트립 라인을 들 수 있다.The bond ply 100 is mainly useful as a material for circuit boards such as FPC and rigid/flex circuit boards. For example, a metal clad laminate having an insulating resin layer and a metal layer, or a circuit board on which a wiring layer is formed by processing the metal layer of the metal clad laminate by a normal method into a pattern shape is prepared, and two or more metal clad laminates and/or A circuit board having a multi-layer structure can be manufactured by inserting the bond ply 100 between the circuit boards and integrating them by thermocompression bonding. An example of such a circuit board is a strip line used as a high-frequency transmission path.

(스트립 라인)(strip line)

도2는, 본 발명의 회로기판의 바람직한 형태로서의 스트립 라인의 단면구조를 설명하는 모식도이다. 도2에 나타내는 스트립 라인(200)은, 제1금속층(30A)과, 이 제1금속층(30A)의 한 쪽의 면에 적층된 단층 또는 복수층으로 이루어지는 제1절연수지층(40A)과, 제1절연수지층(40A)을 접해서 형성된 배선층(50)을 구비하고 있다. 여기에서 제1금속층(30A)과 제1절연수지층(40A)과 배선층(50)은, 제1적층체(60A)를 형성하고 있다.Fig. 2 is a schematic diagram for explaining the cross-sectional structure of a strip line as a preferred form of the circuit board of the present invention. The strip line 200 shown in Fig. 2 includes a first metal layer 30A and a first insulating resin layer 40A formed of a single layer or a plurality of layers laminated on one side of the first metal layer 30A; A wiring layer (50) formed in contact with the first insulating resin layer (40A) is provided. Here, the first metal layer 30A, the first insulating resin layer 40A, and the wiring layer 50 form a first laminate 60A.

또한 스트립 라인(200)은, 제2금속층(30B)과, 제2금속층(30B)의 한 쪽의 면에 적층된 단층 또는 복수층으로 이루어지는 제2절연수지층(40B)을 구비하고 있다. 여기에서 제2금속층(30B)과 제2절연수지층(40B)은, 제2적층체(60B)를 형성하고 있다.Further, the strip line 200 includes a second metal layer 30B and a second insulating resin layer 40B formed of a single layer or a plurality of layers laminated on one side of the second metal layer 30B. Here, the second metal layer 30B and the second insulating resin layer 40B form a second laminate 60B.

또한 스트립 라인(200)은, 제1절연수지층(40A)과 제2절연수지층(40B)의 사이에 삽입하여 적층된 중간수지층(101)을 구비하고 있다.In addition, the strip line 200 is provided with an intermediate resin layer 101 interposed between the first insulating resin layer 40A and the second insulating resin layer 40B and laminated therebetween.

스트립 라인(200)은, 중간수지층(101)이 본드 플라이(100)에 의해 형성되어 있는 것이다. 즉, 제1적층체(60A)와 제2적층체(60B)의 사이에, 본드 플라이(100)로 이루어지는 중간수지층(101)이 삽입되어 있어, 본드 플라이(100)의 제1접착제층(20A)이 제1적층체(60A)의 제1절연수지층(40A) 및 배선층(50)에 접하고, 본드 플라이(100)의 제2접착제층(20B)이 제2적층체(60B)의 제2절연수지층(40B)에 접해서 적층되어 있다. 본드 플라이(100)의 제1접착제층(20A)은 배선층(50)을 덮고 있다. 즉, 제1절연수지층(40A) 상에 돌출해서 형성되어 있는 배선층(50)은, 제1접착제층(20A) 중에 삽입되어 형성되어 있다.The strip line 200 is one in which the intermediate resin layer 101 is formed by the bond ply 100 . That is, the intermediate resin layer 101 made of the bond ply 100 is inserted between the first laminate 60A and the second laminate 60B, and the first adhesive layer ( 20A) is in contact with the first insulating resin layer 40A and the wiring layer 50 of the first laminate 60A, and the second adhesive layer 20B of the bond ply 100 is the second laminate 60B. It is laminated|stacked in contact with the 2 insulating resin layer 40B. The first adhesive layer 20A of the bond ply 100 covers the wiring layer 50 . That is, the wiring layer 50 protruding on the first insulating resin layer 40A is formed by being inserted into the first adhesive layer 20A.

스트립 라인(200)에 있어서, 제1금속층(30A) 및 제2금속층(30B)은, 그라운드층 혹은 실드층으로서 기능한다. 또한 스트립 라인(200)에 있어서, 배선층(50)은, 패턴형성되어 있고 신호선으로서 기능한다. 제1금속층(30A), 제2금속층(30B) 및 배선층(50)의 재질로서는, 특별한 제한은 없지만, 예를 들면 구리, 스테인리스, 철, 니켈, 베릴륨, 알루미늄, 아연, 인듐, 은, 금, 주석, 지르코늄, 탄탈, 티타늄, 납, 마그네슘, 망간 및 이들의 합금 등을 들 수 있다. 이 중에서도, 특히 구리 또는 구리합금이 바람직하다. 또 동박을 사용하는 경우에는 압연동박이어도 좋고 전해동박이어도 좋다.In the strip line 200, the first metal layer 30A and the second metal layer 30B function as a ground layer or a shield layer. Further, in the strip line 200, the wiring layer 50 is patterned and functions as a signal line. The material of the first metal layer 30A, the second metal layer 30B, and the wiring layer 50 is not particularly limited, but for example, copper, stainless steel, iron, nickel, beryllium, aluminum, zinc, indium, silver, gold, and tin, zirconium, tantalum, titanium, lead, magnesium, manganese, and alloys thereof. Among these, copper or copper alloy is especially preferable. Moreover, when using copper foil, a rolled copper foil may be sufficient and an electrodeposited copper foil may be sufficient.

스트립 라인(200)에 있어서, 제1절연수지층(40A) 및 제2절연수지층(40B)으로서는, 전기적 절연성을 구비하는 수지에 의해 구성되는 것이면 특별하게 한정은 없고, 각각 독립적으로 열가소성 수지 또는 열경화성 수지로 구성되어도 좋다. 그러한 수지로서는, 예를 들면, 폴리이미드 수지, 폴리아미드 수지, 에폭시 수지, 페녹시 수지, 아크릴 수지, 폴리우레탄 수지, 스티렌 수지, 폴리에스테르 수지(액정 폴리에스테르 수지를 포함한다), 페놀 수지, 폴리술폰 수지, 폴리에테르술폰 수지, 폴리페닐렌설파이드 수지, 폴리에틸렌 수지, 폴리프로필렌 수지, 실리콘 수지, 폴리에테르케톤 수지, 폴리비닐알코올 수지, 폴리비닐부티랄 수지, 스티렌-말레이미드 공중합체, 말레이미드-비닐 화합물 공중합체, 또는 (메타)아크릴 공중합체, 벤조옥사진 수지, 비스말레이미드 수지, 시아네이트에스테르 수지 등의 수지를 들 수 있다.In the strip line 200, the first insulating resin layer 40A and the second insulating resin layer 40B are not particularly limited as long as they are made of a resin having electrical insulation, and each independently a thermoplastic resin or It may be comprised from a thermosetting resin. As such resin, for example, polyimide resin, polyamide resin, epoxy resin, phenoxy resin, acrylic resin, polyurethane resin, styrene resin, polyester resin (including liquid crystalline polyester resin), phenol resin, poly Sulfone resin, polyether sulfone resin, polyphenylene sulfide resin, polyethylene resin, polypropylene resin, silicone resin, polyether ketone resin, polyvinyl alcohol resin, polyvinyl butyral resin, styrene-maleimide copolymer, maleimide- Resin, such as a vinyl compound copolymer or a (meth)acrylic copolymer, benzoxazine resin, bismaleimide resin, and cyanate ester resin, is mentioned.

또한 제1절연수지층(40A) 및 제2절연수지층(40B)은, 단층에 한하지 않고, 복수의 수지층이 적층된 것이어도 좋다.The first insulating resin layer 40A and the second insulating resin layer 40B are not limited to a single layer, and a plurality of resin layers may be laminated.

스트립 라인(200)을 구성하는 각 층의 두께나 두께 비율은, 목적에 따라 적절하게 설정할 수 있는데, 치수안정성이 우수하고 저흡습성 그리고 저유전정접인 본드 플라이(100)를 포함함으로써, 높은 치수안정성에 의거하는 신뢰성 향상과 함께 고주파신호의 전송손실의 억제가 가능해진다. 특히 스트립 라인(200)에서는, 배선층(50)의 주위를 덮도록 제1접착제층(20A)이 충전되어 있고, 이러한 특징적 구조에 의하여, 제1접착제층(20A)으로서 유전정접이 낮은 수지재료(예를 들면, 상기 접착성 폴리이미드 등)를 사용하는 경우에 우수한 전송손실의 감소효과를 기대할 수 있다. 또한 스트립 라인(200)은, 본드 플라이(100)를 포함함으로써, 본딩시트를 사용하는 경우와 달리, 레이저 가공시에 깎여 도려내지는 등의 손상이 발생하거나, 납땜공정 등에서 수지의 유출이 발생하거나 하는 문제도 회피할 수 있다.The thickness or thickness ratio of each layer constituting the strip line 200 can be appropriately set according to the purpose. It becomes possible to suppress transmission loss of high-frequency signals along with improved reliability based on the In particular, in the strip line 200, the first adhesive layer 20A is filled to cover the periphery of the wiring layer 50. Due to this characteristic structure, a resin material having a low dielectric loss tangent as the first adhesive layer 20A ( For example, in the case of using the adhesive polyimide, etc.), an excellent effect of reducing transmission loss can be expected. In addition, the strip line 200, by including the bond ply 100, is different from the case of using a bonding sheet, damage such as being cut and cut out during laser processing, or leakage of resin in the soldering process, etc. The problem can be avoided.

스트립 라인(200)은, 제1적층체(60A)와 제2적층체(60B)를, 보통의 방법에 의해 각각 제조하고 별도로 준비한 본드 플라이(100)를 사용해서 접합시킴으로써 제조할 수 있다. 즉, 제1적층체(60A)의 제1절연수지층(40A) 및 배선층(50)이, 본드 플라이(100)의 제1접착제층(20A)에 대향하고, 제2적층체(60B)의 제2절연수지층(40B)이 본드 플라이(100)의 제2접착제층(20B)에 대향하도록 배치하고, 예를 들면, 본드 플라이(100)의 제1접착제층(20A) 및 제2접착제층(20B)을 구성하는 수지의 글라스 전이온도를 넘는 온도에서 열압착함으로써 제조할 수 있다.The strip line 200 can be manufactured by bonding the first laminated body 60A and the second laminated body 60B to each other using a separately prepared bond ply 100 manufactured by a normal method. That is, the first insulating resin layer 40A and the wiring layer 50 of the first laminate 60A face the first adhesive layer 20A of the bond ply 100, and the second laminate 60B The second insulating resin layer 40B is disposed to face the second adhesive layer 20B of the bond ply 100, for example, the first adhesive layer 20A and the second adhesive layer of the bond ply 100 It can be manufactured by thermocompression bonding at a temperature exceeding the glass transition temperature of the resin constituting (20B).

(실시예)(Example)

이하, 본 발명을 실시예에 의하여 더 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 의해 조금도 한정되지 않는다. 또 이하의 실시예에 있어서, 특별한 언급이 없는 한 각종 측정, 평가는 하기에 의한 것이다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples, but the present invention is not limited in any way by these Examples. In addition, in the following examples, various measurements and evaluations are based on the following unless otherwise stated.

[아민가의 측정방법][Method for measuring amine value]

약 2g의 다이머디아민 조성물을 200∼250mL의 삼각 플라스크에 칭량하고, 지시약으로서 페놀프탈레인을 사용하여, 용액이 옅은 핑크색을 띨 때까지 0.1mol/L의 에탄올성 수산화칼륨 용액을 적하하고, 중화를 실시한 부탄올 약 100mL에 용해시킨다. 거기에 3∼7방울의 페놀프탈레인 용액을 가하여 샘플의 용액이 옅은 핑크색으로 변할 때까지, 0.1mol/L의 에탄올성 수산화칼륨 용액으로 교반하면서 적정한다. 거기에 브로모페놀블루 용액을 5방울 가하여 샘플용액이 황색으로 변할 때까지, 0.2mol/L의 염산/이소프로판올 용액으로 교반하면서 적정한다.About 2 g of dimerdiamine composition is weighed into a 200-250 mL Erlenmeyer flask, and using phenolphthalein as an indicator, 0.1 mol/L ethanolic potassium hydroxide solution is added dropwise until the solution takes on a pale pink color, and neutralized butanol Dissolve in about 100 mL. Add 3 to 7 drops of a phenolphthalein solution thereto, and titrate with stirring with 0.1 mol/L ethanolic potassium hydroxide solution until the sample solution turns pale pink. Add 5 drops of bromophenol blue solution thereto and titrate with stirring with 0.2 mol/L hydrochloric acid/isopropanol solution until the sample solution turns yellow.

아민가는, 다음의 식(1)에 의해 산출한다.The amine titer is calculated by the following formula (1).

아민가 = {(V2×C2) - (V1×C1)} × MKOH/m ㆍㆍㆍ(1)Amine value = {(V 2 ×C 2 ) - (V 1 ×C 1 )} × M KOH /m ㆍㆍㆍ (1)

여기에서 아민가는 mg-KOH/g로 나타내는 값이며, MKOH는 수산화칼륨의 분자량 56.1이다. 또한 V, C는 각각 적정에 사용한 용액의 부피와 농도이며, 첨자의 1, 2는 각각 0.1mol/L의 에탄올성 수산화칼륨 용액, 0.2mol/L의 염산/이소프로판올 용액을 나타낸다. 또한 m은 그램으로 나타내는 샘플중량이다.Here, the amine value is a value expressed in mg-KOH/g, and M KOH is the molecular weight of potassium hydroxide 56.1. In addition, V and C are the volume and concentration of the solution used for titration, respectively, and the subscripts 1 and 2 represent 0.1 mol/L ethanolic potassium hydroxide solution and 0.2 mol/L hydrochloric acid/isopropanol solution, respectively. In addition, m is a sample weight expressed in grams.

[GPC 및 크로마토그램의 면적 퍼센트의 산출][Calculation of area percent of GPC and chromatogram]

(a)다이머디아민(a) dimerdiamine

(b)탄소수 10∼40의 범위내에 있는 1염기산 화합물의 말단 카르복시산기를 1급 아미노메틸기 또는 아미노기로 치환해서 얻어지는 모노아민 화합물(b) a monoamine compound obtained by substituting a terminal carboxylic acid group of a monobasic acid compound having 10 to 40 carbon atoms with a primary aminomethyl group or an amino group

(c)탄소수 41∼80의 범위내에 있는 탄화수소기를 구비하는 다염기산 화합물의 말단 카르복시산기를 1급 아미노메틸기 또는 아미노기로 치환해서 얻어지는 아민 화합물(단, 상기 다이머디아민을 제외한다)(c) an amine compound obtained by substituting a primary aminomethyl group or an amino group for the terminal carboxylic acid group of a polybasic acid compound having a hydrocarbon group within the range of 41 to 80 carbon atoms (however, the dimerdiamine is excluded)

GPC는, 20mg의 다이머디아민 조성물을 200μL의 무수아세트산, 200μL의 피리딘 및 2mL의 THF로 전처리(前處理)한 100mg의 용액을, 10mL의 THF(1000ppm의 시클로헥사논을 함유)로 희석하여, 샘플을 조제하였다. 조제한 샘플을 도소(주)(Tosoh Corporation) 제품, 상품명 ; HLC-8220GPC를 사용하여 칼럼 : TSK-gel G2000HXL, G1000HXL, 플로우량 : 1mL/min, 칼럼(오븐)온도 : 40℃, 주입량 : 50μL의 조건으로 측정하였다. 또한 시클로헥사논은 유출시간의 보정을 위하여 표준물질로서 취급하였다.GPC is a 20 mg dimerdiamine composition pretreated with 200 µL of acetic anhydride, 200 µL of pyridine, and 2 mL of THF, 100 mg of a solution is diluted with 10 mL of THF (containing 1000 ppm of cyclohexanone), and the sample was prepared. The prepared sample is a product of Tosoh Corporation, a trade name; Measurements were made using HLC-8220GPC under the following conditions: column: TSK-gel G2000HXL, G1000HXL, flow rate: 1 mL/min, column (oven) temperature: 40°C, injection amount: 50 µL. In addition, cyclohexanone was treated as a standard material for the correction of the runoff time.

이 때에, 시클로헥사논의 메인피크의 피크톱이 보존시간(retention time) 27분에서 31분이 되도록, 또한 상기 시클로헥사논의 메인피크의 피크스타트로부터 피크엔드가 2분이 되도록 조정하고, 시클로헥사논의 피크를 제외한 메인피크의 피크톱이 18분에서 19분이 되도록 하고, 또 상기 시클로헥사논의 피크를 제외한 메인피크의 피크스타트로부터 피크엔드까지가 2분부터 4분 30초가 되는 조건으로, 상기한 각 성분(a)∼(c)로서,At this time, the peak top of the main peak of cyclohexanone is adjusted so that the retention time is 27 minutes to 31 minutes, and the peak end is 2 minutes from the peak start of the main peak of cyclohexanone, and the peak of cyclohexanone is Each component (a ) to (c),

(a)메인피크로 나타내지는 성분;(a) a component represented by a main peak;

(b)메인피크에 있어서의 보존시간이 느린 시간측의 극소값을 기준으로 하고, 그것보다 느린 시간에 검출되는 GPC 피크로 나타내지는 성분;(b) a component represented by a GPC peak detected at a time slower than the local minimum on the time side of the slow retention time in the main peak as a reference;

(c)메인피크에 있어서의 보존시간이 빠른 시간측의 극소값을 기준으로 하고, 그것보다 빠른 시간에 검출되는 GPC 피크로 나타내지는 성분;(c) a component represented by a GPC peak detected at a time earlier than the local minimum on the time side of the earlier retention time in the main peak as a reference;

을 검출하였다.was detected.

[중량평균분자량(Mw)의 측정][Measurement of weight average molecular weight (Mw)]

중량평균분자량은, 겔침투 크로마토그래피(도소(주) 제품, HLC-8220GPC를 사용)에 의해 측정하였다. 표준물질로서 폴리스티렌을 사용하고, 전개용매로 테트라하이드로퓨란(THF)을 사용하였다.The weight average molecular weight was measured by gel permeation chromatography (HLC-8220GPC manufactured by Tosoh Corporation). Polystyrene was used as a standard material, and tetrahydrofuran (THF) was used as a developing solvent.

[점도의 측정][Measurement of viscosity]

E형 점도계(브룩필드(Brookfield)사 제품, 상품명; DV-II+Pro)를 사용하여 25℃에 있어서의 점도를 측정하였다. 토크가 10%∼90%가 되도록 회전수를 설정하고, 측정을 시작하고나서 2분 경과 후에 점도가 안정된 때의 값을 읽어들였다.The viscosity in 25 degreeC was measured using the E-type viscometer (The Brookfield company make, brand name; DV-II+Pro). The rotation speed was set so that the torque might be 10% to 90%, and the value when the viscosity was stable 2 minutes after starting the measurement was read.

[열팽창계수(CTE)의 측정][Measurement of coefficient of thermal expansion (CTE)]

3mm×20mm의 사이즈의 폴리이미드 필름을, 써모메카니컬애널라이저(Bruker사 제품, 상품명; 4000SA)를 사용하여, 5.0g의 하중을 가하면서 일정한 승온속도로 30℃에서 265℃까지 20℃/분의 속도로 승온시키고, 또한 그 온도에서 10분 홀딩한 후에, 5℃/분의 속도로 냉각시켜, 250℃에서 100℃까지의 평균열팽창계수(열팽창계수)를 구하였다.Using a thermomechanical analyzer (manufactured by Bruker, trade name; 4000SA), a polyimide film having a size of 3 mm × 20 mm was applied with a load of 5.0 g and a constant temperature increase rate from 30° C. to 265° C. at a rate of 20° C./min. After the temperature was raised to a furnace and held at that temperature for 10 minutes, it was cooled at a rate of 5°C/min to obtain an average coefficient of thermal expansion (coefficient of thermal expansion) from 250°C to 100°C.

[비유전율(Dk) 및 유전정접(Df)의 측정][Measurement of dielectric constant (Dk) and dielectric loss tangent (Df)]

벡터 네트워크 애널라이저(Agilent사 제품, 상품명; E8363C) 및 SPDR 공진기를 사용하여, 10GHz에 있어서의 수지시트(접착제 필름, 수지적층체)의 비유전율 및 유전정접을 측정하였다. 또 측정에 사용한 재료는, 온도; 20∼26℃, 습도 45∼55%RH의 조건하에서 24시간 방치한 것이다.Using a vector network analyzer (manufactured by Agilent, trade name; E8363C) and an SPDR resonator, the dielectric constant and dielectric loss tangent of the resin sheet (adhesive film, resin laminate) at 10 GHz were measured. In addition, the material used for the measurement was temperature; It was left to stand for 24 hours under the conditions of 20-26 degreeC, and a humidity of 45-55%RH.

[저장탄성률 및 글라스 전이온도(Tg)의 측정][Measurement of storage modulus and glass transition temperature (Tg)]

5mm×20mm로 샘플을 잘라내고, 동적점탄성장치(DMA:유·비·엠(UBM)사 제품, 상품명; E4000F)를 사용하여 승온속도 4℃/분으로 30℃에서 400℃까지 단계적으로 가열하고, 주파수 11Hz로 측정을 하였다. 또한 측정 중의 Tanδ의 값이 최대가 되는 최대온도를 Tg로서 정의하였다.Cut the sample to 5mm × 20mm, and using a dynamic viscoelasticity device (DMA: UBM (UBM), trade name; E4000F), heated stepwise from 30°C to 400°C at a temperature increase rate of 4°C/min, and , was measured at a frequency of 11 Hz. In addition, the maximum temperature at which the value of Tanδ during the measurement becomes the maximum was defined as Tg.

[흡습률의 측정][Measurement of moisture absorption]

A4사이즈(TD: 210mm × MD: 297mm)의 시료(폴리이미드 필름 또는 본드 플라이)를, 80℃의 열풍오븐에서 1시간 건조시켜서 건조 후의 중량을 측정하고, 이것을 건조중량(W1)으로 하였다. 건조중량을 측정한 시료를 23℃, 50%RH의 항온항습하에서 24시간 흡습시킨 후에, 그 중량을 측정해서 흡습 후의 중량(W2)으로 하였다. 측정된 중량에 의거하여 하기 식에 대입해서 흡습률을 계산하였다.A sample (polyimide film or bond ply) of A4 size (TD: 210 mm x MD: 297 mm) was dried in a hot air oven at 80 ° C. for 1 hour, and the weight after drying was measured, and this was set as the dry weight (W1). After the sample whose dry weight was measured was made to absorb moisture for 24 hours under constant temperature and humidity of 23 degreeC and 50%RH, the weight was measured and it was set as the weight after moisture absorption (W2). Based on the measured weight, the moisture absorption rate was calculated by substituting the following formula.

흡습률(중량%) = [(W2-W1)/W1] × 100Moisture absorption (wt%) = [(W2-W1)/W1] × 100

[치수변화율의 측정][Measurement of dimensional change rate]

본드 플라이의 양면에 전해동박(후쿠다금속박분공업사(Fukuda Metal Foil & Powder Co., Ltd.) 제품, 상품명; T49A-DS-HD2, 두께; 12μm)을 포개어, 글라스 전이온도가 160℃ 미만인 접착제 필름에 대해서는 온도;160℃, 압력;4MPa의 조건으로 40분간 열프레스 하고, 글라스 전이온도가 300℃ 이상인 접착제 필름에 대해서는 온도;390℃, 압력;4MPa의 조건으로 40분간 열프레스 하여, 동박부착 본드 플라이를 얻은 후에, 150mm×150mm로 절단한 시험편을 사용하여, 100mm 간격으로 드라이 필름 레지스트를 노광, 현상함으로써, 위치 측정용 타겟을 형성한다. 온도 23±2℃, 상대습도 50±5%의 분위기 중에서 에칭 전(보통의 상태)의 치수를 측정한 후에, 시험편의 타겟 이외의 구리를 에칭(액온 40℃ 이하, 시간 10분 이내)에 의해 제거한다. 온도 23±2℃, 상대습도 50±5%의 분위기 중에서 24±4시간 정치 후, 에칭 후의 치수를 측정한다. MD방향(길이방향) 및 TD방향(폭방향)의 각 3군데의 보통의 상태에 대한 치수변화율을 산출하고, 각각의 평균값을 에칭 후의 치수변화율로 한다. 에칭 후 치수변화율은 하기 수식에 의해 산출하였다.Electrolytic copper foil (product of Fukuda Metal Foil & Powder Co., Ltd., trade name; T49A-DS-HD2, thickness; 12μm) is superimposed on both sides of the bond ply, and the glass transition temperature is less than 160℃. For an adhesive film with a glass transition temperature of 300°C or higher, heat press for 40 minutes under the conditions of temperature; 160°C, pressure; 4 MPa, temperature; 390° C., pressure; 4 MPa, for 40 minutes After obtaining, a target for position measurement is formed by exposing and developing a dry film resist at intervals of 100 mm using a test piece cut to 150 mm × 150 mm. After measuring the dimensions before etching (normal state) in an atmosphere with a temperature of 23±2°C and a relative humidity of 50±5%, the copper other than the target of the test piece is etched by etching (liquid temperature of 40°C or less, time within 10 minutes). Remove. After standing still for 24±4 hours in an atmosphere with a temperature of 23±2°C and a relative humidity of 50±5%, the dimensions after etching are measured. The dimensional change rate for each of three normal states in the MD direction (longitudinal direction) and TD direction (width direction) is calculated, and the average value of each is taken as the dimensional change rate after etching. The dimensional change rate after etching was calculated by the following formula.

에칭 후 치수변화율(%) = [(B-A)/A] × 100Dimensional change after etching (%) = [(B-A)/A] × 100

A; 에칭전의 타겟간 거리A; Distance between targets before etching

B; 에칭후의 타겟간 거리B; Distance between targets after etching

본 실시예에서 사용한 약호는 다음의 화합물을 나타낸다.The abbreviations used in this Example represent the following compounds.

PMDA: 피로멜리트산이무수물PMDA: pyromellitic dianhydride

BPDA: 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복시산이무수물BPDA: 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride

BTDA: 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복시산이무수물BTDA: 3,3',4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride

m-TB: 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐m-TB: 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl

TPE-R: 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠TPE-R: 1,3-bis(4-aminophenoxy)benzene

p-PDA: 파라페닐렌디아민p-PDA: paraphenylenediamine

BAPP: 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판BAPP: 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane

APB: 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠APB: 1,3-bis(3-aminophenoxy)benzene

NMP: N-메틸-2-피롤리돈NMP: N-methyl-2-pyrrolidone

DMAc: N,N-디메틸아세트아미드DMAc: N,N-dimethylacetamide

DDA: 탄소수 36의 지방족 디아민(크로다재팬(주) 제품, 상품명; PRIAMINE 1074를 증류정제한 것, 아민가; 210mgKOH/g, 환상구조 및 쇄상구조의 다이머디아민의 혼합물, 성분(a); 97.9%, 성분(b); 0.3%, 성분(c); 1.8%)DDA: C36 aliphatic diamine (Croda Japan Co., Ltd. product, trade name; PRIAMINE 1074 distilled and purified, amine value; 210 mgKOH/g, mixture of cyclic and chain dimer diamines, component (a); 97.9% , component (b); 0.3%, component (c); 1.8%)

N-12: 도데칸이산디히드라지드N-12: dodecane diacid dihydrazide

OP935: 유기포스핀산 알루미늄염(클라리언트재팬(Clariant Japan)사 제품, 상품명; Exolit OP935)OP935: organic phosphinic acid aluminum salt (Clariant Japan, brand name; Exolit OP935)

또 상기 DDA에 있어서, 성분(a), 성분(b), 성분(c)의 「%」는, GPC측정에 있어서의 크로마토그램의 면적 퍼센트를 의미한다. 또한 상기 DDA의 분자량은 다음 식에 의해 산출하였다.Moreover, in the said DDA, "%" of component (a), component (b), and component (c) means the area percent of the chromatogram in GPC measurement. In addition, the molecular weight of the said DDA was computed by the following formula.

분자량 = 56.1×2×1000/아민가Molecular weight = 56.1 × 2 × 1000 / amine number

(합성예1)(Synthesis Example 1)

질소기류하에서, 반응층에, 12.745g의 m-TB(0.0599몰) 및 1.947g의 TPE-R(0.0066몰) 및 중합 후의 고형분 농도가 15중량%가 되는 양의 DMAc를 투입하고, 실온에서 교반해서 용해시켰다. 다음에 11.447g의 PMDA(0.0525몰) 및 3.86g의 BPDA(0.0131몰)를 첨가한 후에, 실온에서 3시간 교반을 계속하고 중합반응을 실시하여, 폴리아미드산 용액1(점도; 16,500cps)을 조제하였다.Under a nitrogen stream, 12.745 g of m-TB (0.0599 mol) and 1.947 g of TPE-R (0.0066 mol) and DMAc in an amount such that the solid content concentration after polymerization is 15% by weight were added to the reaction layer and stirred at room temperature. so it was dissolved. Next, 11.447 g of PMDA (0.0525 mol) and 3.86 g of BPDA (0.0131 mol) were added, stirring was continued at room temperature for 3 hours, polymerization was carried out, and polyamic acid solution 1 (viscosity; 16,500 cps) was obtained. prepared.

(합성예2)(Synthesis Example 2)

질소기류하에서, 반응층에, 13.780g의 m-TB(0.0643몰) 및 중합 후의 고형분 농도가 15중량%가 되는 양의 DMAc를 투입하고, 실온에서 교반해서 용해시켰다. 다음에 6.903g의 PMDA(0.0317몰) 및 9.317g의 BPDA(0.0317몰)를 첨가한 후에, 실온에서 3시간 교반을 계속하고 중합반응을 실시하여, 폴리아미드산 용액2(점도; 12,500cps)를 조제하였다.Under a nitrogen stream, 13.780 g of m-TB (0.0643 mol) and DMAc in an amount such that the solid content concentration after polymerization was 15% by weight were added to the reaction layer, and the reaction layer was dissolved by stirring at room temperature. Next, 6.903 g of PMDA (0.0317 mol) and 9.317 g of BPDA (0.0317 mol) were added, followed by polymerization at room temperature for 3 hours, followed by polyamic acid solution 2 (viscosity; 12,500 cps). prepared.

(합성예3)(Synthesis Example 3)

질소기류하에서, 반응층에, 7.715g의 m-TB(0.0363몰), 3.694g의 p-PDA(0.0363몰), 중합 후의 고형분 농도가 15중량%가 되는 양의 DMAc, 7.797g의 PMDA(0.0375몰) 및 10.524g의 BPDA(0.0375몰)를 첨가한 후에, 실온에서 3시간 교반을 계속하고 중합반응을 실시하여, 폴리아미드산 용액3(점도; 9,600cps)을 조제하였다.In the reaction layer under a nitrogen stream, 7.715 g of m-TB (0.0363 mol), 3.694 g of p-PDA (0.0363 mol), DMAc in an amount such that the solid content concentration after polymerization is 15% by weight, 7.797 g of PMDA (0.0375) mol) and 10.524 g of BPDA (0.0375 mol), stirring was continued for 3 hours at room temperature, polymerization was carried out, and polyamic acid solution 3 (viscosity; 9,600 cps) was prepared.

(합성예4)(Synthesis Example 4)

질소기류하에서, 반응층에, 9.061g의 p-PDA(0.0830몰)와 중합 후의 고형분 농도가 15중량%가 되는 양의 DMAc를 투입하고, 실온에서 교반해서 용해시켰다. 다음에 8.9112g의 PMDA(0.0409몰) 및 12.0275g의 BPDA(0.0409몰)를 첨가한 후에, 실온에서 3시간 교반을 계속하고 중합반응을 실시하여, 폴리아미드산 용액4(점도; 11,000cps)를 조제하였다.Under a nitrogen stream, 9.061 g of p-PDA (0.0830 mol) and DMAc in an amount such that the solid content concentration after polymerization was 15% by weight were added to the reaction layer, and the reaction layer was dissolved by stirring at room temperature. Next, 8.9112 g of PMDA (0.0409 mol) and 12.0275 g of BPDA (0.0409 mol) were added, stirring was continued at room temperature for 3 hours, polymerization was carried out, and polyamic acid solution 4 (viscosity; 11,000 cps) was obtained. prepared.

(합성예5)(Synthesis Example 5)

질소유입관, 교반기, 열전대, 딘 스타크 트랩(Dean-Stark Trap), 냉각관을 부착한 500mL의 4구 플라스크에, 44.92g의 BTDA(0.139몰), 75.08g의 DDA(0.141몰), 168g의 NMP 및 112g의 크실렌을 장입(裝入)하고, 40℃로 30분간 혼합하여 폴리아미드산 용액을 조제하였다. 이 폴리아미드산 용액을 190℃로 승온시켜 4시간 가열하며 교반하고, 유출(溜出)하는 물 및 크실렌을 계 외로 제거하였다. 그 후에 100℃까지 냉각시키고, 112g의 크실렌을 가해 교반하고 또한 30℃까지 냉각시킴으로써, 이미드화를 완결한 폴리이미드 용액5(고형분;29.5중량%, 중량평균분자량; 75,700)를 조제하였다.In a 500 mL four-neck flask equipped with a nitrogen inlet tube, stirrer, thermocouple, Dean-Stark Trap, and cooling tube, 44.92 g of BTDA (0.139 mol), 75.08 g of DDA (0.141 mol), 168 g of NMP and 112 g of xylene were charged and mixed at 40°C for 30 minutes to prepare a polyamic acid solution. The polyamic acid solution was heated to 190°C, heated and stirred for 4 hours, and water and xylene flowing out were removed from the system. Thereafter, the mixture was cooled to 100° C., stirred with 112 g of xylene, and further cooled to 30° C. to prepare polyimide solution 5 (solid content: 29.5 wt%, weight average molecular weight; 75,700) in which imidization was completed.

(합성예6)(Synthesis Example 6)

질소유입관, 교반기, 열전대, 딘 스타크 트랩, 냉각관을 부착한 500mL의 4구 플라스크에, 47.67g의 BTDA(0.148몰), 46.3969g의 DDA(0.085몰), 16.601g의 APB(0.05679몰), 155g의 NMP 및 103g의 크실렌을 장입하고, 40℃로 30분간 혼합하여 폴리아미드산 용액을 조제했다. 이 폴리아미드산 용액을 190℃로 승온시키고, 4시간 가열, 교반하고, 유출하는 물 및 크실렌을 계 외로 제거했다. 그 후에 100℃까지 냉각시키고, 112g의 크실렌을 가해 교반하고 또 30℃까지 냉각시킴으로써, 이미드화를 완결한 폴리이미드 용액 6(고형분; 29.5중량%, 중량평균분자량; 85,200)을 조제했다.In a 500 mL four-neck flask equipped with a nitrogen inlet tube, stirrer, thermocouple, Dean Stark trap, and cooling tube, 47.67 g BTDA (0.148 mole), 46.3969 g DDA (0.085 mole), 16.601 g APB (0.05679 mole) , 155 g of NMP and 103 g of xylene were charged and mixed at 40°C for 30 minutes to prepare a polyamic acid solution. This polyamic acid solution was heated up to 190 degreeC, heated and stirred for 4 hours, and flowing-out water and xylene were removed out of the system. After that, it was cooled to 100 ° C., 112 g of xylene was added, stirred, and further cooled to 30 ° C. to prepare polyimide solution 6 (solid content; 29.5 wt %, weight average molecular weight; 85,200) in which imidization was completed.

(합성예7)(Synthesis Example 7)

질소기류하에서, 반응층에, 18.574g의 BAPP(0.0453몰)와 중합 후의 고형분농도가 15중량%가 되는 양의 DMAc, 9.7354g의 PMDA(0.0446몰)를 첨가한 후, 실온에서 3시간 교반을 계속하고 중합반응을 실시하여, 폴리아미드산 용액7(점도; 5,300cps)을 조제했다.Under a nitrogen stream, 18.574 g of BAPP (0.0453 mol), DMAc in an amount such that the solid content concentration after polymerization is 15% by weight, and 9.7354 g of PMDA (0.0446 mol) were added to the reaction layer, followed by stirring at room temperature for 3 hours. The polymerization reaction was continued and polyamic acid solution 7 (viscosity; 5,300 cps) was prepared.

(제작예1)(Production Example 1)

동박1(전해동박, 두께; 12μm, 수지층측의 표면조도Rz; 0.6μm) 상에, 폴리아미드산 용액1을 경화 후의 두께가 약 50μm가 되도록 균일하게 도포한 후에, 120℃로 가열건조하여 용매를 제거하였다. 그 후에 120℃에서 360℃까지 단계적인 열처리를 실시하여 이미드화를 완결하여, 편면 금속박적층판1을 조제하였다. 염화제2철수용액을 사용해서 편면 금속박적층판1의 동박1을 에칭으로 제거하고 폴리이미드 필름1(두께; 50μm, CTE; 12ppm/K, Dk; 3.3, Df; 0.0056, 흡습률; 0.77중량%, Tg; 378℃)을 조제하였다.On copper foil 1 (electrolytic copper foil, thickness; 12 μm, surface roughness Rz on the resin layer side; 0.6 μm), the polyamic acid solution 1 is uniformly coated so that the thickness after curing becomes about 50 μm, and then heated and dried at 120° C. to obtain a solvent. was removed. Thereafter, stepwise heat treatment was performed from 120° C. to 360° C. to complete imidization, and a single-sided metal clad laminate 1 was prepared. Copper foil 1 of single-sided metal clad laminate 1 was removed by etching using a ferric chloride solution, and polyimide film 1 (thickness; 50 μm, CTE; 12 ppm/K, Dk; 3.3, Df; 0.0056, moisture absorption; 0.77 wt %; Tg; 378° C.) was prepared.

(제작예2)(Production Example 2)

폴리아미드산 용액2를 사용한 것 이외에는, 제작예1과 동일하게 하여 폴리이미드 필름2(두께; 50μm, CTE; 16.4ppm/K, Dk; 3.4, Df; 0.0036, 흡습률; 0.63중량%, Tg; 332℃)를 조제하였다.Polyimide film 2 (thickness; 50 µm, CTE; 16.4 ppm/K, Dk; 3.4, Df; 0.0036, moisture absorption rate; 0.63 wt%, Tg; 332° C.) was prepared.

(제작예3)(Production Example 3)

폴리아미드산 용액3을 사용한 것 이외에는, 제작예1과 동일하게 하여 폴리이미드 필름3(두께; 50μm, CTE; 22.4ppm/K, Dk; 3.6, Df; 0.0051, 흡습률; 0.65중량%)을 조제하였다.Polyimide film 3 (thickness; 50 µm, CTE; 22.4 ppm/K, Dk; 3.6, Df; 0.0051, moisture absorption rate; 0.65 wt%) was prepared in the same manner as in Production Example 1 except that polyamic acid solution 3 was used. did.

(제작예4)(Production Example 4)

폴리아미드산 용액4를 사용한 것 이외에는, 제작예1과 동일하게 하여 폴리이미드 필름4(두께; 50μm, CTE; 15.8ppm/K, Dk; 3.8, Df; 0.0122, 흡습률; 1.66중량%, Tg>400℃)를 조제하였다.Polyimide film 4 (thickness; 50 µm, CTE; 15.8 ppm/K, Dk; 3.8, Df; 0.0122, moisture absorption rate; 1.66 wt%, Tg> 400° C.) was prepared.

(제작예5)(Production Example 5)

폴리아미드산 용액2를 사용하고 경화 후의 두께가 약 25μm가 되도록 한 것 이외에는, 제작예1과 동일하게 하여 폴리이미드 필름5(두께; 25μm, CTE; 11.4ppm/K, Dk; 3.4, Df; 0.0038, 흡습률; 0.64중량%)를 조제하였다.Polyimide film 5 (thickness; 25 µm, CTE; 11.4 ppm/K, Dk; 3.4, Df; 0.0038) was carried out in the same manner as in Production Example 1, except that polyamic acid solution 2 was used and the thickness after curing was about 25 µm. , moisture absorption rate; 0.64 wt%) was prepared.

(제작예6)(Production Example 6)

폴리이미드 용액5의 169.49g(고형분으로서 50g)에 1.8g의 N-12(0.0036몰) 및 12.5g의 OP935를 배합하고, 6.485g의 NMP와 19.345g의 크실렌을 가하고 희석하여, 폴리이미드 바니시1을 조제하였다.To 169.49 g (50 g as solid content) of polyimide solution 5, 1.8 g of N-12 (0.0036 mol) and 12.5 g of OP935 were blended, 6.485 g of NMP and 19.345 g of xylene were added and diluted, and polyimide varnish 1 was prepared.

폴리이미드 바니시1을 건조 후의 두께가 50μm가 되도록 이형기재1(세로×가로×두께 = 320mm×240mm×25μm)의 실리콘 처리면에 도포한 후에, 80℃로 15분간 가열건조하고, 이형기재1 상으로부터 박리함으로써 접착제 필름1(두께; 50μm, CTE; 113ppm/K, Dk; 2.7, Df; 0.0024)을 조제하였다. 또 접착제 필름1의 경화 후의 50℃에 있어서의 저장탄성률 및 급구배온도영역 180℃∼260℃의 저장탄성률의 최대값은, 각각 5.0×102MPa, 3.0MPa이었다. 또한 접착제 필름1의 글라스 전이온도는 54℃이었다.After applying polyimide varnish 1 to the silicone-treated surface of release substrate 1 (length × width × thickness = 320 mm × 240 mm × 25 μm) so that the thickness after drying becomes 50 μm, heat and dry at 80° C. for 15 minutes, and release substrate 1 phase By peeling from the adhesive film 1 (thickness; 50 µm, CTE; 113 ppm/K, Dk; 2.7, Df; 0.0024) was prepared. In addition, the maximum values of the storage modulus at 50° C. and the storage modulus at a rapid gradient temperature range of 180° C. to 260° C. after curing of the adhesive film 1 were 5.0×10 2 MPa and 3.0 MPa, respectively. In addition, the glass transition temperature of the adhesive film 1 was 54°C.

(제작예7)(Production Example 7)

폴리이미드 용액6의 169.49g(고형분으로서 50g)에 1.8g의 N-12(0.0036몰) 및 12.5g의 OP935를 배합하고, 6.485g의 NMP와 19.345g의 크실렌을 가하고 희석하여, 폴리이미드 바니시2를 조제했다.169.49 g (50 g as solid content) of polyimide solution 6 was mixed with 1.8 g of N-12 (0.0036 mol) and 12.5 g of OP935, 6.485 g of NMP and 19.345 g of xylene were added and diluted, and polyimide varnish 2 was prepared

폴리이미드 바니시2를 사용한 것 이외에는, 제작예6과 동일하게 하여 접착제 필름2(두께; 50μm, CTE; 78ppm/K, Dk; 2.7, Df; 0.0028)를 조제했다. 또 접착제 필름2의 경화 후의 50℃에 있어서의 저장탄성률 및 급구배온도영역 180℃∼260℃의 저장탄성률의 최대값은, 각각 15.0×102MPa, 12.0MPa이었다. 또한 접착제 필름2의 글라스 전이온도는 120℃이었다.Adhesive film 2 (thickness; 50 µm, CTE; 78 ppm/K, Dk; 2.7, Df; 0.0028) was prepared in the same manner as in Production Example 6 except that the polyimide varnish 2 was used. In addition, the maximum values of the storage modulus at 50° C. and the storage modulus at a rapid gradient temperature range of 180° C. to 260° C. after curing of the adhesive film 2 were 15.0×10 2 MPa and 12.0 MPa, respectively. In addition, the glass transition temperature of the adhesive film 2 was 120 °C.

(제작예8)(Production Example 8)

동박1 상에, 폴리아미드산 용액7을 경화 후의 두께가 약 50μm가 되도록 균일하게 도포한 후에, 120℃로 가열건조하여 용매를 제거했다. 그 후에 120℃에서 360℃까지 단계적인 열처리를 실시하고 이미드화를 완결 하여, 편면 금속박적층판2를 조제했다. 염화제2철 수용액을 사용해서 편면 금속박적층판2의 동박1을 에칭제거해서 접착제 필름3(두께; 50μm, CTE; 58ppm/K, Dk; 3.4, Df; 0.0059)을 조제했다. 또 접착제 필름3의 경화 후의 50℃에 있어서의 저장탄성률 및 급구배온도영역 180℃∼260℃의 저장탄성률의 최대값은, 각각 29.0×102MPa, 21.0×102MPa이었다. 또한 접착제 필름3의 글라스 전이온도는 326℃이었다.On the copper foil 1, the polyamic acid solution 7 was uniformly applied to a thickness of about 50 µm after curing, and then the solvent was removed by heating and drying at 120°C. After that, stepwise heat treatment was performed from 120°C to 360°C to complete imidization, and a single-sided metal clad laminate 2 was prepared. An adhesive film 3 (thickness; 50 µm, CTE; 58 ppm/K, Dk; 3.4, Df; 0.0059) was prepared by etching off the copper foil 1 of the single-sided metal clad laminate 2 using a ferric chloride aqueous solution. In addition, the maximum values of the storage modulus at 50° C. and the storage modulus at a rapid gradient temperature range of 180° C. to 260° C. after curing of the adhesive film 3 were 29.0×10 2 MPa and 21.0×10 2 MPa, respectively. In addition, the glass transition temperature of the adhesive film 3 was 326°C.

(제작예9)(Production Example 9)

폴리아미드산 용액2를 사용하여 경화 후의 두께가 약 12μm가 되도록 한 것 이외에는, 제작예1과 동일하게 하여 폴리이미드 필름6(두께; 12μm, CTE; 28.6ppm/K, Dk; 3.4, Df; 0.0038, 흡습률; 0.6중량%)을 조제했다.Polyimide film 6 (thickness; 12 μm, CTE; 28.6 ppm/K, Dk; 3.4, Df; 0.0038) was carried out in the same manner as in Production Example 1, except that the polyamic acid solution 2 was used so that the thickness after curing was about 12 μm. , moisture absorption rate; 0.6 wt%) was prepared.

[실시예1][Example 1]

폴리이미드 바니시1을 건조 후의 두께가 25μm가 되도록 폴리이미드 필름2 상에 도포한 후에, 80℃로 15분간 가열건조하였다. 계속하여 도포한 반대의 면에도 마찬가지로 폴리이미드 바니시1을 건조 후의 두께가 25μm가 되도록 도포하고, 80℃, 15분간 가열건조하여, 본드 플라이1을 얻었다. 본드 플라이1의 평가결과를 표1에 나타낸다.After applying the polyimide varnish 1 on the polyimide film 2 so that the thickness after drying might become 25 micrometers, it heat-dried at 80 degreeC for 15 minutes. Subsequently, the polyimide varnish 1 was similarly applied to the opposite side of the coating so that the thickness after drying was 25 µm, and then dried by heating at 80° C. for 15 minutes to obtain a bond ply 1. Table 1 shows the evaluation results of the bond ply 1.

[실시예2][Example 2]

폴리이미드 바니시1의 건조 후 두께를 50μm로 한 것 이외에는 실시예1과 동일하게 제작하여, 본드 플라이2를 얻었다. 본드 플라이2의 평가결과를 표1에 나타낸다.A bond ply 2 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the polyimide varnish 1 after drying was set to 50 μm. Table 1 shows the evaluation results of Bond Ply 2.

[실시예3][Example 3]

폴리이미드 필름2 대신에 폴리이미드 필름5를 사용한 것 이외에는 실시예2와 동일하게 제작하여, 본드 플라이3을 얻었다. 본드 플라이3의 평가결과를 표1에 나타낸다.A bond ply 3 was obtained in the same manner as in Example 2 except that the polyimide film 5 was used instead of the polyimide film 2. Table 1 shows the evaluation results of Bond Ply 3.

[실시예4][Example 4]

폴리이미드 필름2 대신에 폴리이미드 필름1을 사용한 것 이외에는 실시예2와 동일하게 제작하여, 본드 플라이4를 얻었다. 본드 플라이4의 평가결과를 표1에 나타낸다.A bond ply 4 was obtained in the same manner as in Example 2 except that the polyimide film 1 was used instead of the polyimide film 2. Table 1 shows the evaluation results of Bond Ply 4.

[실시예5][Example 5]

폴리이미드 필름2 대신에 폴리이미드 필름3을 사용한 것 이외에는 실시예2와 동일하게 제작하여, 본드 플라이5를 얻었다. 본드 플라이5의 평가결과를 표1에 나타낸다.A bond ply 5 was obtained in the same manner as in Example 2 except that the polyimide film 3 was used instead of the polyimide film 2. Table 1 shows the evaluation results of Bond Ply 5.

비교예1Comparative Example 1

폴리이미드 필름2 대신에 폴리이미드 필름4를 사용한 것 이외에는 실시예2와 동일하게 제작하여, 본드 플라이6을 얻었다. 본드 플라이6의 평가결과를 표1에 나타낸다.A bond ply 6 was obtained in the same manner as in Example 2 except that the polyimide film 4 was used instead of the polyimide film 2. Table 1 shows the evaluation results of Bond Ply 6.

[실시예6][Example 6]

폴리이미드 바니시1 대신에 폴리이미드 바니시2를 사용한 것 이외에는 실시예4와 동일하게 제작하여, 본드 플라이7을 얻었다. 본드 플라이7의 평가결과를 표1에 나타낸다.A bond ply 7 was obtained in the same manner as in Example 4 except that the polyimide varnish 2 was used instead of the polyimide varnish 1. Table 1 shows the evaluation results of Bond Ply 7.

비교예2Comparative Example 2

폴리이미드 필름2 상에, 폴리아미드산 용액7을 경화 후의 두께가 약 50μm가 되도록 균일하게 도포한 후에, 120℃로 가열건조해 용매를 제거했다. 그 후에 폴리이미드 필름2의 반대면에도 마찬가지로 폴리아미드산 용액7을 경화 후의 두께가 약 50μm가 되도록 균일하게 도포한 후에, 120℃로 가열건조해 용매를 제거했다. 120℃부터 360℃까지 단계적인 열처리를 실시하고 이미드화를 완결하여, 본드 플라이8을 얻었다. 본드 플라이8의 평가결과를 표1에 나타낸다.On the polyimide film 2, the polyamic acid solution 7 was uniformly applied to a thickness of about 50 µm after curing, and then the solvent was removed by heating and drying at 120°C. After that, the polyamic acid solution 7 was uniformly applied to the opposite side of the polyimide film 2 so that the thickness after curing was about 50 µm, and then the solvent was removed by heating and drying at 120°C. Stepwise heat treatment was performed from 120° C. to 360° C. to complete imidization, thereby obtaining Bond Ply 8. Table 1 shows the evaluation results of Bond Ply 8.

비교예3Comparative Example 3

폴리이미드 필름2 대신에 폴리이미드 필름6을 사용한 것 이외에는 실시예2와 동일하게 제작하여, 본드 플라이9를 얻었다. 본드 플라이9의 평가결과를 표1에 나타낸다.A bond ply 9 was obtained in the same manner as in Example 2 except that the polyimide film 6 was used instead of the polyimide film 2. Table 1 shows the evaluation results of Bond Ply 9.

[실시예7][Example 7]

폴리이미드 필름2의 양면에 접착제 시트(닛칸공업(Nikkan Industries)사 제품, 상품명; NIKAFLEX SAFY, 두께; 50μm)를 포개고, 온도; 160℃, 압력; 4MPa의 조건으로 40분간 열프레스 하여, 본드 플라이10을 얻었다. 본드 플라이10의 평가결과를 표1에 나타낸다.An adhesive sheet (manufactured by Nikkan Industries, trade name; NIKAFLEX SAFY, thickness; 50 µm) was superposed on both surfaces of the polyimide film 2, and the temperature was adjusted; 160°C, pressure; It hot-pressed under the conditions of 4 MPa for 40 minutes, and the bond ply 10 was obtained. Table 1 shows the evaluation results of the bond ply 10.

이상의 결과를 정리하여 표1에 나타낸다.Table 1 summarizes the above results.

본드 플라이bond fly 종류type 두께
[μm]
thickness
[μm]
두께비율thickness ratio 치수변화율
[%]
dimensional change rate
[%]
흡습률
[중량%]
moisture absorption
[weight%]
유전특성dielectric properties
MDMDD TDTDD DfDf 실시예1Example 1 1 100100 0.50.5 0.030.03 0.020.02 0.350.35 0.00290.0029 실시예2Example 2 2 150150 0.30.3 0.040.04 0.020.02 0.300.30 0.00280.0028 실시예3Example 3 3 125125 0.20.2 0.050.05 0.040.04 0.200.20 0.00260.0026 실시예4Example 4 150150 0.30.3 0.090.09 0.070.07 0.260.26 0.00350.0035 실시예5Example 5 5 150150 0.30.3 -0.03-0.03 -0.05-0.05 0.250.25 0.00330.0033 비교예1Comparative Example 1 150150 0.30.3 0.060.06 0.030.03 0.420.42 0.00570.0057 실시예6Example 6 7 150150 0.30.3 -0.08-0.08 -0.09-0.09 0.330.33 0.00380.0038 비교예2Comparative Example 2 150150 0.30.3 0.240.24 0.200.20 0.560.56 0.00520.0052 비교예3Comparative Example 3 9 112112 0.10.1 0.140.14 0.110.11 0.110.11 0.00250.0025 실시예7Example 7 1010 150150 0.30.3 0.050.05 0.020.02 0.270.27 0.00390.0039

표1에 나타나 있는 바와 같이 실시예1∼7의 본드 플라이는, 저유전정접화와 치수안정성의 양립이 도모되어 있다. 그 때문에 GHz대역(예를 들면, 1∼50GHz)의 고주파신호를 전송하는 스트립 라인 등의 회로기판에 적용하였을 경우에, 고주파신호의 전송손실을 효과적으로 저감시킬 수 있으며 또한 우수한 치수안정성에 의하여 신뢰성과 수율의 향상을 도모하는 것이 기대된다.As shown in Table 1, the bond plies of Examples 1 to 7 achieve both low dielectric loss tangent and dimensional stability. Therefore, when applied to a circuit board such as a strip line that transmits a high-frequency signal in the GHz band (for example, 1 to 50 GHz), the transmission loss of the high-frequency signal can be effectively reduced, and reliability and improved dimensional stability are achieved. It is expected to improve the yield.

[실시예8][Example 8]

편면 동박적층판(닛테츠케미컬앤드머티어리얼(Nippon Steel)사 제품, 상품명; ESPANEX M시리즈)의 동박에, 서브트랙티브법에 의한 에칭가공에 의하여 복수의 직선도체패턴(회로도체폭/스페이스폭 = 100μm/100μm)을 형성하고, 배선기판1을 제작했다.A plurality of straight conductor patterns (circuit conductor width/space width) by etching processing by subtractive method on copper foil of single-sided copper clad laminate (Nippon Steel, product name; ESPANEX M series) = 100 µm/100 µm), and a wiring board 1 was produced.

이 배선기판1을 2매 준비했다. 배선기판1의 회로가공면에 본드 플라이2를 배치하고, 또한 그 위에 또 한장의 배선기판1의 회로가공면이 외측이 되도록 배치하고, 온도; 160℃, 압력; 4MPa의 조건으로 40분간 열프레스 하여 다층회로기판1{적층 구성; 배선기판1(회로면이 내측)/본드 플라이2/배선기판1(회로면이 외측)}을 얻었다.Two of this wiring board 1 were prepared. The bond ply 2 is arranged on the circuit processing surface of the wiring board 1, and arranged so that the circuit processing surface of the wiring board 1 is on the outside, and the temperature; 160°C, pressure; Multilayer circuit board 1 {laminated configuration; Wiring board 1 (circuit side inside)/bond ply 2/wiring board 1 (circuit side outside)} was obtained.

[실시예9][Example 9]

2개의 배선기판1의 회로가공면이 외측이 되도록 배치하고, 또 이 2개의 배선기판1의 사이에 본드 플라이2를 삽입하도록 적층한 것 이외에는 실시예8과 동일하게 하여, 다층회로기판2{적층 구성; 배선기판1(회로면이 외측)/본드 플라이2/배선기판1(회로면이 외측)}를 얻었다.In the same manner as in Example 8, except that the circuit processing surfaces of the two wiring boards 1 were arranged so as to be outside, and the bonding ply 2 was inserted between the two wiring boards 1, in the same manner as in Example 8, the multilayer circuit board 2 {laminated composition; Wiring board 1 (circuit side outside)/bond ply 2/wiring board 1 (circuit side outside)} was obtained.

[실시예10][Example 10]

양면 동박적층판(닛테츠케미컬앤드머티어리얼사 제품, 상품명; ESPANEX M시리즈)의 일방의 동박에, 서브트랙티브법에 의한 에칭가공에 의하여 복수의 직선도체패턴(회로도체폭/스페이스폭 = 100μm/100μm)을 형성하고, 배선기판2를 제작했다.A plurality of straight conductor patterns (circuit conductor width/space width = 100 μm) by etching processing by a subtractive method on one copper foil of a double-sided copper clad laminate (Nittetsu Chemical & Materials, trade name; ESPANEX M series) /100 µm), and a wiring board 2 was produced.

배선기판2의 회로가공면에 본드 플라이2를 배치하고, 또 그 위에 편면 동박적층판의 동박의 면이 외측이 되도록 배치한 것 이외에는 실시예8과 동일하게 하여, 다층회로기판3{적층 구성; 배선기판2(동박면이 외측, 회로면이 내측)/본드 플라이2/편면 동박적층판(동박면이 외측)}을 얻었다.In the same manner as in Example 8, except that the bond ply 2 was disposed on the circuit processing surface of the wiring board 2, and the copper foil side of the single-sided copper clad laminate was disposed thereon, the multilayer circuit board 3 {laminated configuration; Wiring board 2 (copper foil side outside, circuit side inside)/bond ply 2/single-sided copper clad laminate (copper foil side outside)} was obtained.

[실시예11][Example 11]

양면 동박적층판의 양방의 동박에, 서브트랙티브법에 의한 에칭가공에 의하여 복수의 직선도체패턴(회로도체폭/스페이스폭 = 100μm/100μm)을 형성하고, 배선기판3을 제작했다.A plurality of straight conductor patterns (circuit conductor width/space width = 100 µm/100 µm) were formed on the copper foils on both sides of the double-sided copper clad laminate by subtractive etching, and a wiring board 3 was produced.

배선기판2 대신에 배선기판3을 사용한 것 이외에는 실시예10과 동일하게 하여, 다층회로기판4{적층 구성; 배선기판3/본드 플라이2/편면 동박적층판(동박면이 외측)}를 얻었다.In the same manner as in Example 10 except that the wiring board 3 was used instead of the wiring board 2, the multilayer circuit board 4 {laminated configuration; Wiring board 3/bond ply 2/single-sided copper clad laminate (copper foil side is the outer side)} was obtained.

[실시예12][Example 12]

편면 동박적층판 대신에 배선기판1을 사용하고 배선기판1의 회로가공면이 외측이 되도록 배치한 것 이외에는 실시예10과 동일하게 하여, 다층회로기판5{적층 구성; 배선기판2(동박면이 외측, 회로면이 내측)/본드 플라이2/배선기판1(회로면이 외측)}를 얻었다.Multilayer circuit board 5 {laminated configuration; Wiring board 2 (the copper foil side is outside, the circuit side is inside)/bond ply 2/wiring board 1 (the circuit side is outside)} was obtained.

[실시예13][Example 13]

배선기판2 대신에 배선기판3을 사용한 것 이외에는 실시예12와 동일하게 하여, 다층회로기판6{적층 구성; 배선기판3/본드 플라이2/배선기판1(회로면이 외측)}을 얻었다.In the same manner as in Example 12, except that the wiring board 3 was used instead of the wiring board 2, the multilayer circuit board 6 {laminated configuration; Wiring board 3/bond ply 2/wiring board 1 (circuit surface outside)} was obtained.

[실시예14][Example 14]

편면 동박적층판을 2매, 본드 플라이2를 2매 및 배선기판1을 준비하고, 적층 구성이 편면 동박적층판(동박면이 외측)/본드 플라이2/배선기판1(회로면의 방향은 지정 없음)/본드 플라이2/편면 동박적층판(동박면이 외측)이 되도록 적층하고, 온도; 160℃, 압력; 4MPa의 조건으로 40분간 열프레스 하여 다층회로기판7을 얻었다.Prepare 2 single-sided copper clad laminates, 2 bond ply 2 sheets, and wiring board 1, with a single-sided copper clad laminate (copper side facing out)/bond ply 2/wiring board 1 (the direction of the circuit side is not specified) /bond ply 2/single-sided copper clad laminate (copper foil side is the outer side), laminated so that the temperature; 160°C, pressure; A multilayer circuit board 7 was obtained by hot pressing under the conditions of 4 MPa for 40 minutes.

이상, 본 발명의 실시형태를 예시의 목적으로 상세하게 설명했지만, 본 발명은 상기 실시형태에 제약되지 않고 여러가지의 변형이 가능하다.As mentioned above, although embodiment of this invention was described in detail for the purpose of illustration, this invention is not restrict|limited to the said embodiment, and various deformation|transformation is possible.

10…폴리이미드층
20A…제1접착제층
20B…제2접착제층
30A…제1금속층
30B…제2금속층
40A…제1절연수지층
40B…제2절연수지층
50…배선층
60A…제1적층체
100…본드 플라이
101…중간수지층
200…스트립 라인
10… polyimide layer
20A… first adhesive layer
20B… second adhesive layer
30A… first metal layer
30B… second metal layer
40A… 1st insulating resin layer
40B… 2nd insulating resin layer
50… wiring layer
60A… first laminate
100… bond fly
101… middle resin layer
200… strip line

Claims (9)

폴리이미드층과,
상기 폴리이미드층의 한 쪽에 적층된 제1접착제층과,
상기 폴리이미드층의 상기 제1접착제층과는 반대측에 적층된 제2접착제층
을 구비하는 본드 플라이로서,
하기의 조건a∼c;
a)본드 플라이 전체의 두께가 50μm 이상 300μm 이하의 범위내이며, 본드 플라이 전체의 두께에 대한 상기 폴리이미드층의 두께의 비율이 0.2 이상 0.9 이하의 범위내인 것;
b)80℃로 1시간 건조 후에, 23℃, 50%RH의 항온항습하에서 24시간 조습 후에 측정되는 흡습률이 0.4중량% 이하인 것;
c)상기 제1접착제층 및 상기 제2접착제층의 50℃에 있어서의 저장탄성률이, 각각 독립적으로 1800MPa 이하이며, 180∼260℃에 있어서의 저장탄성률의 최대값이, 각각 독립적으로 800MPa 이하인 것;
를 충족시키는 것을 특징으로 하는 본드 플라이.
a polyimide layer;
a first adhesive layer laminated on one side of the polyimide layer;
A second adhesive layer laminated on the opposite side of the polyimide layer to the first adhesive layer
As a bond ply having a,
The following conditions a to c;
a) the total thickness of the bond ply is in the range of 50 μm or more and 300 μm or less, and the ratio of the thickness of the polyimide layer to the thickness of the entire bond ply is in the range of 0.2 or more and 0.9 or less;
b) After drying at 80°C for 1 hour, the moisture absorption measured after 24 hours under constant temperature and humidity at 23°C and 50%RH is 0.4% by weight or less;
c) The storage modulus of the first adhesive layer and the second adhesive layer at 50 ° C. are each independently 1800 MPa or less, and the maximum value of the storage modulus at 180 to 260 ° C. are each independently 800 MPa or less. ;
Bond ply characterized in that it satisfies.
제1항에 있어서,
하기의 조건d;
d)23℃, 50%RH의 항온항습조건(보통의 상태)하에서 24시간 조습 후에 스플릿 포스트 유전체 공진기(SPDR)에 의해 측정되는 10GHz에 있어서의 유전정접이 0.004 이하인 것:
를 더 충족시키는 본드 플라이.
According to claim 1,
the following conditions d;
d) Dielectric loss tangent at 10 GHz measured by a split post dielectric resonator (SPDR) of 0.004 or less after 24 hours of humidity control under constant temperature and humidity conditions (normal conditions) of 23°C and 50%RH:
Bond fly that meets more.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제1접착제층 및 상기 제2접착제층은, 각각 글라스 전이온도(Tg)가 180℃ 이하인 본드 플라이.
3. The method of claim 1 or 2,
The first adhesive layer and the second adhesive layer is a bond ply having a glass transition temperature (Tg) of 180° C. or less, respectively.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제1접착제층 및 상기 제2접착제층이, 수지성분으로서 폴리이미드를 함유하고,
상기 폴리이미드가 테트라카르복시산무수물 성분으로부터 유도되는 산무수물 잔기 및 디아민 성분으로부터 유도되는 디아민 잔기를 함유함과 아울러, 다이머산의 2개의 말단 카르복시산기가 1급 아미노메틸기 또는 아미노기로 치환되어 이루어지는 다이머디아민을 주성분으로 하는 다이머디아민 조성물에서 유래하는 디아민 잔기를 50몰% 이상 함유하는 것인 본드 플라이.
3. The method of claim 1 or 2,
The first adhesive layer and the second adhesive layer contain polyimide as a resin component,
The polyimide contains an acid anhydride residue derived from a tetracarboxylic acid anhydride component and a diamine residue derived from a diamine component, and two terminal carboxylic acid groups of the dimer acid are substituted with a primary aminomethyl group or an amino group. A bond ply that contains 50 mol% or more of diamine residues derived from the dimerdiamine composition.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 폴리이미드층의 열팽창계수가 1ppm/K 이상 30ppm/K 이하의 범위내인 본드 플라이.
3. The method of claim 1 or 2,
A bond ply in which the coefficient of thermal expansion of the polyimide layer is within the range of 1 ppm/K or more and 30 ppm/K or less.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 폴리이미드층에 있어서, 23℃, 50%RH의 항온항습조건(보통의 상태)하에서 24시간 조습 후에 스플릿 포스트 유전체 공진기(SPDR)에 의해 측정되는 10GHz에 있어서의 유전정접이 0.006 이하인 본드 플라이.
3. The method of claim 1 or 2,
In the polyimide layer, the dielectric loss tangent at 10 GHz measured by a split post dielectric resonator (SPDR) after 24 hours of humidity control under a constant temperature and humidity condition (normal condition) of 23° C. and 50% RH is 0.006 or less.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 폴리이미드층을 구성하는 폴리이미드가, 테트라카르복시산 잔기 및 디아민 잔기를 포함하고, 전체 디아민 잔기에 대하여, 하기 일반식(A1)로 나타내는 디아민 화합물로부터 유도되는 디아민 잔기의 함유량이 50몰% 이상인 것을 특징으로 하는 본드 플라이.
Figure pat00003

[식(A1)에 있어서, 연결기Z는 단결합 또는 -COO-를 나타내고, Y는 독립적으로, 할로겐 원자 또는 페닐기로 치환되어도 좋은 탄소수 1∼3의 1가의 탄화수소, 또는 탄소수 1∼3의 알콕시기, 또는 탄소수 1∼3의 퍼플루오로알킬기, 또는 알케닐기를 나타내고, n은 0∼2의 정수를 나타내고, p 및 q는 독립적으로 0∼4의 정수를 나타낸다.]
3. The method of claim 1 or 2,
The polyimide constituting the polyimide layer contains a tetracarboxylic acid residue and a diamine residue, and the content of the diamine residue derived from the diamine compound represented by the following general formula (A1) with respect to all the diamine residues is 50 mol% or more Characterized by Bond Fly.
Figure pat00003

[In the formula (A1), the linking group Z represents a single bond or -COO-, and Y is independently a monovalent hydrocarbon having 1 to 3 carbon atoms which may be substituted with a halogen atom or a phenyl group, or an alkoxy group having 1 to 3 carbon atoms. , or a C1-C3 perfluoroalkyl group or an alkenyl group, n represents an integer of 0-2, p and q independently represent an integer of 0-4.]
제1항 또는 제2항의 본드 플라이를 포함하는 회로기판.
A circuit board comprising the bond ply of claim 1 or 2.
제1금속층과,
상기 제1금속층의 한 쪽의 면에 적층된 단층 또는 복수층으로 이루어지는 제1절연수지층과,
상기 제1절연수지층에 접해서 형성된 배선층과,
제2금속층과,
상기 제2금속층의 한 쪽의 면에 적층된 단층 또는 복수층으로 이루어지는 제2절연수지층과,
상기 제1절연수지층과 상기 제2절연수지층의 사이에 삽입되어 적층되어 있는 중간수지층
을 구비하고,
상기 중간수지층이, 제1항 또는 제2항의 본드 플라이로 이루어지고 또한 상기 배선층이 상기 제1접착제층 또는 상기 제2접착제층에 의해 덮여져 있는 스트립 라인.
a first metal layer;
a first insulating resin layer comprising a single layer or a plurality of layers laminated on one side of the first metal layer;
a wiring layer formed in contact with the first insulating resin layer;
a second metal layer;
a second insulating resin layer comprising a single layer or a plurality of layers laminated on one side of the second metal layer;
An intermediate resin layer inserted and stacked between the first insulating resin layer and the second insulating resin layer
to provide
A strip line in which the intermediate resin layer is made of the bond ply of claim 1 or 2 and the wiring layer is covered by the first or second adhesive layer.
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