KR20220130508A - Light source generating device - Google Patents

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KR20220130508A
KR20220130508A KR1020210035499A KR20210035499A KR20220130508A KR 20220130508 A KR20220130508 A KR 20220130508A KR 1020210035499 A KR1020210035499 A KR 1020210035499A KR 20210035499 A KR20210035499 A KR 20210035499A KR 20220130508 A KR20220130508 A KR 20220130508A
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Abstract

The present invention relates to a light source generating device. According to one aspect of the present invention, the light source generating device comprises: a laser generator which emits a laser light source having a predetermined repetition rate; a branching unit which branches the laser light source emitted from the laser generator into a first laser and a second laser; a photoelectron gun which is irradiated with the first laser, and emits an electron beam generated by the first laser; and a light source generator which emits a light source by colliding the electron beam emitted from the photoelectron gun and the second laser branched from the branching unit.

Description

광원 발생 장치{LIGHT SOURCE GENERATING DEVICE}Light source generator {LIGHT SOURCE GENERATING DEVICE}

본 발명은 광원 발생 장치에 관한 것으로, 연속형 광전자총을 이용하여 고출력의 초소형 광원을 발생시킬 수 있는 광원 발생 장치에 대한 발명이다.The present invention relates to a light source generating device, and is an invention to a light source generating device capable of generating a high-output, ultra-small light source using a continuous photoelectron gun.

반도체 공정에서 극자외선(EUV, Extreme Ultraviolet)을 이용하여 리소그래피 기술이 필수적으로 이용된다. 이러한 극자외선 리소그래피는 매우 짧은 파장인 약 13nm의 광원을 이용하는 리소그래피 기술이다.In a semiconductor process, a lithography technique using extreme ultraviolet (EUV) is essential. Such extreme ultraviolet lithography is a lithography technique using a light source of about 13 nm, which is a very short wavelength.

이러한 극자외선 광원은 고온 및 고밀도의 플라즈마를 이용하여 발생시키는 것이 일반적이지만, 플라즈마를 이용하여 극자외선 광원을 발생시키는 것은, 전력 소모가 매우 크고, 광원의 세기에 한계가 있는 문제가 있다. 또한, 플라즈마를 이용하여 극자외선 광원을 발생시키는 기술은 해외에 의존하고 있는 문제가 있다.The extreme ultraviolet light source is generally generated using high temperature and high density plasma, but generating the extreme ultraviolet light source using plasma has a problem in that power consumption is very large and the intensity of the light source is limited. In addition, there is a problem in that the technology for generating an extreme ultraviolet light source using plasma is dependent on foreign countries.

이러한 플라즈마 기반의 극자외선 광원 기술을 대체하기 위해 전자가속기에서 발생한 고에너지 전자빔이 자기장 속에서 진행 방향이 변화할 때 발생하는 방사광을 이용하여 극자외선 광원이 발생될 수 있다. 하지만, 원형방사광가속기는 매우 거대하고 막대한 비용이 필요한 시설이므로, 이러한 원형방사광가속기를 이용하여 극자외선 광원을 생산하는 것은 효율적이지 않은 문제가 있다.In order to replace the plasma-based EUV light source technology, an EUV light source can be generated using radiation generated when a high-energy electron beam generated from an electron accelerator changes its traveling direction in a magnetic field. However, since the circular radiation light accelerator is a very large and costly facility, it is not efficient to produce an extreme ultraviolet light source using such a circular radiation light accelerator.

본 발명의 실시예들은 상기와 같은 배경에서 발명된 것으로서, 소형이면서 저렴하니 비용으로 고출력의 극자외선 광원을 발생시킬 수 있는 광원 발생 장치를 제공하고자 한다.Embodiments of the present invention were invented in the background as described above, and it is intended to provide a light source generating device capable of generating a high-output extreme ultraviolet light source at a low cost because it is small and inexpensive.

본 발명의 일 측면에 따르면, 소정의 반복율을 가지는 레이저 광원을 방출하는 레이저 발생기; 상기 레이저 발생기에서 방출된 상기 레이저 광원을 제1 레이저 및 제2 레이저로 분기하는 분기부; 상기 제1 레이저가 조사되며, 상기 제1 레이저에 의해 발생되는 전자빔을 방출하는 광전자총; 및 상기 분기부에서 분기된 상기 제2 레이저 및 상기 광전자총에서 방출된 전자빔이 충돌하여 광원을 방출하는 광원 발생기를 포함하는, 광원 발생 장치가 제공될 수 있다.According to an aspect of the present invention, a laser generator for emitting a laser light source having a predetermined repetition rate; a branching unit for branching the laser light source emitted from the laser generator into a first laser and a second laser; a photoelectron gun irradiated with the first laser and emitting an electron beam generated by the first laser; and a light source generator in which the electron beam emitted from the second laser branched from the branching unit and the photoelectron gun collide to emit a light source, a light source generating device may be provided.

본 발명의 일 실시예는, 종래의 전력소모가 매우 큰 플라즈마를 이용하여 극자외선 광원을 발생시키는 기술을 대체하여 저렴한 비용으로 고출력 초소형 극자외선 광원을 이용할 수 있다.An embodiment of the present invention can use a high-power ultra-small extreme ultraviolet light source at a low cost by replacing the conventional technology of generating an extreme ultraviolet light source using plasma, which consumes a lot of power.

또한, 필요에 따라 레이저 발생기와 광전자총을 이용하여 다양한 종류의 광원을 발생시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, there is an effect that various types of light sources can be generated using a laser generator and a photoelectron gun if necessary.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 광원 발생 장치를 개략적으로 도시한 블록도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 광원 발생 장치를 도시한 개략도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 광원 발생 장치의 광원 발생기에서 전자빔과 레이저가 충돌하여 극자외선 광원이 발생하는 것을 설명하기 위한 도면이다.
1 is a block diagram schematically illustrating an apparatus for generating a light source according to an embodiment of the present invention.
2 is a schematic diagram illustrating an apparatus for generating a light source according to an embodiment of the present invention.
3 is a view for explaining that an electron beam and a laser collide to generate an extreme ultraviolet light source in the light source generator of the light source generating device according to an embodiment of the present invention.

이하에서는 본 발명을 구현하기 위한 구체적인 실시예에 대하여 도면을 참조하여 상세히 설명하도록 한다. Hereinafter, specific embodiments for implementing the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

아울러 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다.In addition, in the description of the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known configuration or function may obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

또한, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 '연결', '지지', '접속', '공급', '전달', '접촉'된다고 언급된 때에는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결, 지지, 접속, 공급, 전달, 접촉될 수도 있지만 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.In addition, when it is said that a component is 'connected', 'supported', 'connected', 'supplied', 'transferred', or 'contacted' to another component, it is directly connected, supported, connected, It should be understood that supply, delivery, and contact may occur, but other components may exist in between.

본 명세서에서 사용된 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로 본 발명을 한정하려는 의도로 사용된 것은 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함한다.The terminology used herein is only used to describe specific embodiments and is not intended to limit the present invention. The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise.

또한, 본 명세서에서 상측, 하측, 측면 등의 표현은 도면에 도시를 기준으로 설명한 것이며 해당 대상의 방향이 변경되면 다르게 표현될 수 있음을 미리 밝혀둔다. 마찬가지의 이유로 첨부 도면에 있어서 일부 구성요소는 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었으며, 각 구성요소의 크기는 실제 크기를 전적으로 반영하는 것이 아니다.In addition, in the present specification, the expressions of the upper side, the lower side, the side surface, etc. are described with reference to the drawings in the drawings, and it is disclosed in advance that if the direction of the corresponding object is changed, it may be expressed differently. For the same reason, some components are exaggerated, omitted, or schematically illustrated in the accompanying drawings, and the size of each component does not fully reflect the actual size.

또한, 제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 해당 구성요소들은 이와 같은 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 이 용어들은 하나의 구성요소들을 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.Also, terms including an ordinal number such as 1st, 2nd, etc. may be used to describe various components, but the components are not limited by these terms. These terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.

명세서에서 사용되는 "포함하는"의 의미는 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소 및/또는 성분을 구체화하며, 다른 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소, 성분 및/또는 군의 존재나 부가를 제외시키는 것은 아니다.The meaning of "comprising," as used herein, specifies a particular characteristic, region, integer, step, operation, element and/or component, and other specific characteristic, region, integer, step, operation, element, component, and/or group. It does not exclude the existence or addition of

도 1 내지 도 3을 참조하여, 본 발명의 광원 발생 장치(10)에 대해 설명한다. 광원 발생 장치(10)는, 광전자총(300)에서 방출되는 전자빔(310)과 레이저 발생기(100)에서 방출되는 레이저 광원(110)을 이용하여 고출력의 광원을 발생시키기 위한 장치이다. 이러한 광원 발생 장치(10)는, 레이저 발생기(100), 분기부(200), 광전자총(300) 및 광원 발생기(400)를 포함한다.1 to 3, the light source generating device 10 of the present invention will be described. The light source generator 10 is a device for generating a high-power light source using the electron beam 310 emitted from the photoelectron gun 300 and the laser light source 110 emitted from the laser generator 100 . The light source generating device 10 includes a laser generator 100 , a branching unit 200 , a photoelectron gun 300 , and a light source generator 400 .

레이저 발생기(100)는, 레이저 광원(110)을 방출한다. 레이저 발생기(100)에서 방출되는 레이저 광원(110)은 MHz 또는 GHz 급의 주파수를 갖고, 테라 와트(TW) 급의 고출력 레이저를 발생시킨다.The laser generator 100 emits a laser light source 110 . The laser light source 110 emitted from the laser generator 100 has a frequency of MHz or GHz class, and generates a high-power laser of terawatt (TW) class.

분기부(200)는 레이저 발생기(100)에서 방출되는 레이저 광원(110)을 두 개로 분기한다. 이를 위해 분기부(200)는 레이저 발생기(100)에서 방출되는 레이저 광원(110)이 조사되며, 하프 미러 및 미러 등을 이용하여 레이저 광원(110)을 분기시켜 제1 레이저(210) 및 제2 레이저(220)를 외부로 방출할 수 있다.The branching unit 200 branches the laser light source 110 emitted from the laser generator 100 into two. To this end, the branching unit 200 is irradiated with the laser light source 110 emitted from the laser generator 100, and splits the laser light source 110 using a half mirror, a mirror, etc. to form a first laser 210 and a second laser beam. The laser 220 may be emitted to the outside.

여기서, 제1 레이저(210)는 광전자총(300)을 향해 방출되고, 제2 레이저(220)는 광원 발생기(400)를 향해 방출된다. 그리고 제1 레이저(210) 및 제2 레이저(220)는 레이저 발생기(100)에서 방출된 레이저 광원(110)이 분기된 것으로, 레이저 광원(110)과 동일한 주파수 및 파워를 가질 수 있다.Here, the first laser 210 is emitted toward the photoelectron gun 300 , and the second laser 220 is emitted toward the light source generator 400 . In addition, the first laser 210 and the second laser 220 are branches of the laser light source 110 emitted from the laser generator 100 , and may have the same frequency and power as the laser light source 110 .

광전자총(300)은, 레이저가 조사되어 조사된 레이저에 의해 전자빔(310)을 발생시켜 방출한다. 이러한 광전자총(300)은 분기부(200)에서 방출된 제1 레이저(210)가 조사되며, 제1 레이저(210)에 의해 제1 레이저(210)와 동일한 주파수를 갖는 전자빔(310)이 발생된다. 이렇게 발생된 전자빔(310)은 가속관 및 전송라인을 거쳐 MeV 급으로 가속될 수 있다. 즉, 광전자총(300)은 소형 전자 가속기일 수 있으며, 전자빔(310)을 가속하여 MeV 급의 전자빔(310)을 외부로 방출할 수 있다.The photoelectron gun 300 is irradiated with a laser to generate and emit an electron beam 310 by the irradiated laser. The photoelectron gun 300 is irradiated with a first laser 210 emitted from the branching unit 200 , and an electron beam 310 having the same frequency as that of the first laser 210 is generated by the first laser 210 . do. The electron beam 310 generated in this way may be accelerated to the MeV level through an acceleration tube and a transmission line. That is, the photoelectron gun 300 may be a small electron accelerator, and may emit the electron beam 310 of the MeV class to the outside by accelerating the electron beam 310 .

광원 발생기(400)는, 분기부(200)로부터 제2 레이저(220)가 조사되고, 광전자총(300)에서 발생된 전자빔(310)이 조사될 수 있다. 이러한 광원 발생기(400)는, 제2 레이저(220) 및 전자빔(310)이 충돌할 수 있는 공간을 제공한다. 예컨대, 광원 발생기(400)는, 제2 레이저(220) 및 전자빔(310)이 조사되어 극자외선 광원(410)이 발생되는 챔버일 수 있다.The light source generator 400 may be irradiated with the second laser 220 from the branching unit 200 and the electron beam 310 generated from the photoelectron gun 300 may be irradiated. The light source generator 400 provides a space where the second laser 220 and the electron beam 310 can collide. For example, the light source generator 400 may be a chamber in which the extreme ultraviolet light source 410 is generated by irradiating the second laser 220 and the electron beam 310 .

광원 발생기(400) 내에서 제2 레이저(220) 및 전자빔(310)은 서로 충돌하여 레이저 콤프톤 스캐터링(Laser Compton Scattering) 반응이 발생할 수 있다. 이러한 레이저 콤프톤 스캐터링 반응은 레이저가 전자빔(310)과 충돌하여 에너지를 얻는 반응일 수 있다. In the light source generator 400 , the second laser 220 and the electron beam 310 collide with each other to generate a Laser Compton Scattering reaction. This laser Compton scattering reaction may be a reaction in which a laser collides with the electron beam 310 to obtain energy.

즉, 광원 발생기(400)에서 제2 레이저(220)는 전자빔(310)과 충돌하여 에너지를 얻으며, 이렇게 광원 발생기(400)를 통과한 광원(410)을 이루는 광자의 에너지 또는 파장은 레이저 콤프톤 스캐터링 반응에 의해 원하는 값으로 조절될 수 있다.That is, in the light source generator 400 , the second laser 220 collides with the electron beam 310 to obtain energy, and the energy or wavelength of a photon constituting the light source 410 passing through the light source generator 400 is the laser compton. It can be adjusted to a desired value by a scattering reaction.

여기서, 제2 레이저(220)는 전자빔(310)과 정면으로 충돌하는 경우, 충돌의 충격에 의해 반사되어 분기부(200)나 레이저 발생기(100)가 손상될 수 있다. 그에 따라 도 3에 도시된 바와 같이, 전자빔(310)의 진행 방향에 소정의 각도(θ)를 가지도록 제2 레이저(220)가 조사되어 제2 레이저(220)와 전자빔(310)은 서로 충돌될 수 있다. 제2 레이저(220)와 전자빔(310)의 충돌 각도(θ)는 필요에 따라 다양하게 조절될 수 있다. 예컨대, 제2 레이저(220)와 전자빔(310)의 충돌 각도(θ)는 90도 초과 180도 미만일 수 있다.Here, when the second laser 220 collides head-on with the electron beam 310 , it is reflected by the impact of the collision, and thus the branching unit 200 or the laser generator 100 may be damaged. Accordingly, as shown in FIG. 3 , the second laser 220 is irradiated to have a predetermined angle θ in the traveling direction of the electron beam 310 so that the second laser 220 and the electron beam 310 collide with each other. can be The collision angle θ between the second laser 220 and the electron beam 310 may be variously adjusted as needed. For example, the collision angle θ between the second laser 220 and the electron beam 310 may be greater than 90 degrees and less than 180 degrees.

이렇게 제2 레이저(220)와 전자빔(310)이 충돌하여 제2 레이저(220)가 레이저 콤프톤 스캐터링 반응이 일어남에 따라 극자외선 광원(410)이 발생할 수 있다. 발생된 극자외선 광원(410)을 이루는 광자는 작업자가 원하는 에너지를 가질 수 있도록 조절될 수 있다. 예컨대, 극자외선 광원(410)은 제2 레이저(220)의 파장과 전자빔(310)의 에너지가 최적화된 고출력의 단일 에너지에 가까운 극자외선(EUV) 광원일 수 있다.In this way, as the second laser 220 and the electron beam 310 collide and the second laser 220 undergoes a laser Compton scattering reaction, the extreme ultraviolet light source 410 may be generated. Photons constituting the generated extreme ultraviolet light source 410 may be adjusted so that the operator can have a desired energy. For example, the extreme ultraviolet light source 410 may be an extreme ultraviolet (EUV) light source close to a single energy of high output in which the wavelength of the second laser 220 and the energy of the electron beam 310 are optimized.

그리고 제2 레이저(220)와 전자빔(310)이 충돌하여 레이저 콤프톤 스캐터링 반응이 이루어지는데, 이때, 제2 레이저(220)가 전자빔(310)으로부터 에너지를 얻어 생성된 극자외선 광원(410)의 파장은 수학식 1을 통해 표현될 수 있다.Then, the second laser 220 and the electron beam 310 collide to cause a laser Compton scattering reaction. At this time, the second laser 220 obtains energy from the electron beam 310 to generate an extreme ultraviolet light source 410 . The wavelength of can be expressed through Equation (1).

[수학식 1][Equation 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

여기서,

Figure pat00002
는 레이저 콤프톤 스캐터링 반응에 의해 생산되는 광자의 파장이고,
Figure pat00003
는 전자빔(310)의 로렌츠 인자이다. 그리고
Figure pat00004
는 입사하는 제2 레이저(220)의 에너지이며,
Figure pat00005
는 레이저의 파동으로 인해 발생(Undulator)하는 자기장과 출력으로 결정되는 인자이다.
Figure pat00006
및 e는 전자의 질량 및 전하량이며,
Figure pat00007
는 광속이고,
Figure pat00008
는 제2 레이저(220)의 강도(Intensity)이다. 또한, 레이저 발생기는, 매우 작은 주기(period)를 갖는 자계 분포를 갖고, 소정의 파장을 갖는 레이저를 방출하는 언줄레이터(Undulator)일 수 있는데, 이를 레이저 언줄레이터라 할 수 있다. 여기서,
Figure pat00009
는 레이저 언줄레이터의 피크 자기장이다.here,
Figure pat00002
is the wavelength of the photon produced by the laser Compton scattering reaction,
Figure pat00003
is the Lorentz factor of the electron beam 310 . and
Figure pat00004
is the energy of the incident second laser 220,
Figure pat00005
is a factor determined by the magnetic field and output generated by the wave of the laser (Undulator).
Figure pat00006
and e is the mass and charge of the electron,
Figure pat00007
is the speed of light,
Figure pat00008
is the intensity of the second laser 220 . In addition, the laser generator may be an undulator that has a magnetic field distribution having a very small period and emits a laser having a predetermined wavelength, which may be referred to as a laser undulator. here,
Figure pat00009
is the peak magnetic field of the laser undulator.

본 실시예에서, 레이저와 전자빔(310)이 서로 충돌하여 극자외선 광원(410)이 발생하는 것에 대해 설명하지만, 발생되는 광원은 극자외선 광원(410)에 국한되지 않을 수 있다. 레이저의 주파수 및 파워, 전자빔(310)의 에너지 또는 레이저와 전자빔(310)의 충돌 각도 등과 같은 다양한 조건들을 조절하여 필요한 성능의 광원을 발생시킬 수 있다.In the present embodiment, it is described that the laser and the electron beam 310 collide with each other to generate the extreme ultraviolet light source 410 , but the generated light source may not be limited to the extreme ultraviolet light source 410 . A light source having a required performance may be generated by controlling various conditions such as the frequency and power of the laser, the energy of the electron beam 310 or the collision angle of the laser and the electron beam 310 .

이상 본 발명의 실시예들을 구체적인 실시 형태로서 설명하였으나, 이는 예시에 불과한 것으로서, 본 발명은 이에 한정되지 않는 것이며, 본 명세서에 개시된 실시예들에 따르는 최광의 범위를 갖는 것으로 해석되어야 한다. 당업자는 개시된 실시형태들을 조합/치환하여 적시되지 않은 형상의 패턴을 실시할 수 있으나, 이 역시 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 것이다. 이외에도 당업자는 본 명세서에 기초하여 개시된 실시형태를 용이하게 변경 또는 변형할 수 있으며, 이러한 변경 또는 변형도 본 발명의 권리범위에 속함은 명백하다.Although the embodiments of the present invention have been described as specific embodiments, this is merely an example, and the present invention is not limited thereto, and should be construed as having the widest scope according to the embodiments disclosed herein. A person skilled in the art may implement a pattern of a shape not specified by combining/substituting the disclosed embodiments, without departing from the scope of the present invention. In addition, those skilled in the art can easily change or modify the disclosed embodiments based on the present specification, and it is clear that such changes or modifications also fall within the scope of the present invention.

10: 광원 발생 장치
100: 레이저 발생기 110: 레이저 광원
200: 분기부
210: 제1 레이저 220: 제2 레이저
300: 광전자총 310: 전자빔
400: 광원 발생기 410: 극자외선 광원
10: light source generator
100: laser generator 110: laser light source
200: branch
210: first laser 220: second laser
300: photoelectron gun 310: electron beam
400: light source generator 410: extreme ultraviolet light source

Claims (9)

소정의 반복율을 가지는 레이저 광원을 방출하는 레이저 발생기;
상기 레이저 발생기에서 방출된 상기 레이저 광원을 제1 레이저 및 제2 레이저로 분기하는 분기부;
상기 제1 레이저가 조사되며, 상기 제1 레이저에 의해 발생되는 전자빔을 방출하는 광전자총; 및
상기 분기부에서 분기된 상기 제2 레이저 및 상기 광전자총에서 방출된 전자빔이 충돌하여 광원을 방출하는 광원 발생기를 포함하는,
광원 발생 장치.
a laser generator emitting a laser light source having a predetermined repetition rate;
a branching unit for branching the laser light source emitted from the laser generator into a first laser and a second laser;
a photoelectron gun irradiated with the first laser and emitting an electron beam generated by the first laser; and
and a light source generator in which the electron beam emitted from the second laser branched from the branching unit and the photoelectron gun collides to emit a light source,
light source generator.
제 1 항에 있어서,
상기 광전자총은 상기 제1 레이저의 주파수와 동일한 전자빔을 발생시키는,
광원 발생 장치.
The method of claim 1,
The photoelectron gun generates an electron beam equal to the frequency of the first laser,
light source generator.
제 1 항에 있어서,
상기 레이저 광원은 MHz급 또는 GHz급 주파수를 갖는,
광원 발생 장치.
The method of claim 1,
The laser light source has a MHz class or GHz class frequency,
light source generator.
제 1 항에 있어서,
상기 광원 발생기에서 발생된 광원은, 상기 제2 레이저가 상기 전자빔과 충돌하여 레이저 콤프톤 스캐터링(Laser Compton Scattering) 반응에 의해 발생하는,
광원 발생 장치.
The method of claim 1,
The light source generated by the light source generator is generated by a laser Compton scattering reaction when the second laser collides with the electron beam,
light source generator.
제 4 항에 있어서,
상기 광원의 파장은 상기 제2 레이저의 에너지에 비례하고, 상기 전자빔의 로렌츠 인자의 제곱 반비례하는,
광원 발생 장치.
5. The method of claim 4,
The wavelength of the light source is proportional to the energy of the second laser, and inversely proportional to the square of the Lorentz factor of the electron beam,
light source generator.
제 1 항에 있어서,
상기 광원 발생기에서 발생된 광원은 상기 제2 레이저가 상기 전자빔의 에너지를 받아 발생된 광원인,
광원 발생 장치.
The method of claim 1,
The light source generated by the light source generator is a light source generated by the second laser receiving the energy of the electron beam,
light source generator.
제 1 항에 있어서,
상기 제2 레이저 및 상기 전자빔은 소정의 각도를 가지며 충돌되는,
광원 발생 장치.
The method of claim 1,
The second laser and the electron beam collide at a predetermined angle,
light source generator.
제 7 항에 있어서,
상기 제2 레이저와 상기 전자빔의 충돌 각도는 90도 초과 180도 미만인,
광원 발생 장치.
8. The method of claim 7,
The collision angle of the second laser and the electron beam is greater than 90 degrees and less than 180 degrees,
light source generator.
제 1 항에 있어서,
상기 레이저 발생기는, 레이저 언줄레이터(Laser Undulator)인,
광원 발생 장치.
The method of claim 1,
The laser generator is a laser undulator (Laser Undulator),
light source generator.
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