KR20220124089A - Chuck, substrate holding apparatus, substrate processing apparatus, and article manufacturing method - Google Patents

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KR20220124089A
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캐논 가부시끼가이샤
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Abstract

Provided is a chuck capable of reducing the deformation of a substrate by setting the heights of the convex portions on the inner peripheral side and the convex portions on the outer peripheral side in a predetermined relationship. The chuck for adsorbing and holding the substrate includes: a plurality of convex portions abutting against the back surface of the substrate to be adsorbed and held; an annular partition wall; and a bottom portion on which the plurality of convex portions and the partition wall are arranged. The plurality of convex portions are formed of a plurality of groups, wherein one group includes a first convex portion arranged outside the partition wall and a second convex portion arranged inside the partition wall and at a position adjacent to the first convex portion with the partition wall interposed therebetween. When the height of the first convex portions included in each of the plurality of groups is set to ho, and the height of the second convex portions included in each of the plurality of groups is set to hi, the relation of hi > ho is satisfied.

Description

척, 기판 유지장치, 기판 처리장치, 및 물품의 제조방법{CHUCK, SUBSTRATE HOLDING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, AND ARTICLE MANUFACTURING METHOD}Chuck, substrate holding device, substrate processing device, and manufacturing method of an article {CHUCK, SUBSTRATE HOLDING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, AND ARTICLE MANUFACTURING METHOD}

본 발명은, 척, 기판 유지장치, 기판 처리장치, 및 물품의 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a chuck, a substrate holding apparatus, a substrate processing apparatus, and a method of manufacturing an article.

최근, 반도체 소자 제조 등에 사용되는 축소 투영 노광장치는, 소자의 미세화에 대응하기 위한 고 NA화가 진행되고 있다. 고 NA화에 의해 해상력은 향상되지만, 유효한 초점심도는 감소해 버린다. 따라서, 해상력은 유지하고 또한, 충분한 실용 심도를 확보하기 위해, 투영 광학계의 상면 만곡의 경감이나, 웨이퍼(기판)의 두께 불균일이나 웨이퍼를 흡착 유지하기 위한 척의 평면 정밀도의 향상 등 웨이퍼 플랫니스(flatness)(기판 표면의 평면도)의 개선이 도모되어 왔다. BACKGROUND ART In recent years, reduction projection exposure apparatuses used for manufacturing semiconductor elements and the like have progressed toward higher NA in order to cope with element miniaturization. Although the resolution improves by increasing the NA, the effective depth of focus decreases. Therefore, in order to maintain resolution and ensure sufficient practical depth of field, wafer flatness, such as reduction of field curvature of the projection optical system, unevenness of wafer (substrate) thickness, and improvement of flatness precision of a chuck for holding and holding the wafer ) (flatness of the substrate surface) has been improved.

기판 표면의 평면도를 저하시키는 원인으로서, 척과 기판 사이의 이물질 끼워넣음이 있다. 이물질을 끼워넣으면 끼워넣어진 부분의 기판은 부풀어오르도록 변형하여, 기판에 형성할 패턴의 형성 불량을 일으켜 수율이 저하하는 경우가 있다. 이러한 이물질에 의한 수율의 저하를 확률적으로 회피하기 위해, 척과 기판의 접촉률을 대폭 감소시킨, 소위 핀(볼록부)을 사용한 핀 콘택 척(핀 척)이 사용되고 있다. As a cause of lowering the flatness of the substrate surface, there is a foreign matter sandwiched between the chuck and the substrate. When a foreign material is inserted, the board|substrate of the inserted part deform|transforms so that it may swell, and it may cause the formation defect of the pattern to be formed on a board|substrate, and a yield may fall. In order to probabilistically avoid a decrease in yield due to such foreign substances, a so-called pin contact chuck (pin chuck) using a so-called pin (convex portion), which greatly reduces the contact rate between the chuck and the substrate, is used.

이 핀 척을 사용한 경우, 기판이 볼록부 사이에서 진공 흡인력에 의해 변형하여 휨으로써(일그러짐으로써) 기판이 변형하여 버려, 기판 표면의 평면도가 저하하는 경우도 있어, 이것을 개선하기 위한 다양한 제안이 행해지고 있다. When this pin chuck is used, the substrate is deformed by bending (distorting) due to the deformation of the substrate by the vacuum suction force between the convex portions, and the flatness of the surface of the substrate may decrease, and various proposals for improving this may be made. have.

예를 들면, 일본국 특허 4298078호 공보에 있어서는, 복수의 볼록부를 둘러싸도록 고리 형상의 격벽(제방)을 핀 척에 설치하도록 하고 있고, 이 격벽을 외주측의 볼록부와 외주측의 볼록부와 인접하는 볼록부인 내주측의 볼록부 사이에 배치하고 있다. 그리고, 이 격벽의 배치 위치로서 가능한 한 외주부측의 볼록부에 근접하도록 배치하고 있다. For example, in Japanese Patent No. 4298078, an annular partition wall (bank) is provided in a pin chuck so as to surround a plurality of convex portions, and the partition wall is formed with a convex portion on the outer periphery and a convex portion on the outer periphery. It is arrange|positioned between the convex parts on the inner peripheral side which are adjacent convex parts. And it is arrange|positioned so that it may approach the convex part on the outer peripheral part side as much as possible as an arrangement position of this partition.

또한, 일본국 특개 2001-185607호 공보에서는, 격벽을 가장 외주측에 배치된 볼록부보다 외측의 위치, 또는 가장 외주측의 볼록부와 가장 외주측의 볼록부와 인접하는 내주측의 볼록부 사이에 배치하고 있다. 이 격벽의 배치 위치로서, 격벽을 가장 외주측의 볼록부와, 가장 외주측의 볼록부와 인접하는 내주측의 볼록부에 있어서의 거리의 중심으로부터 외주 방향의 소정의 범위 내의 위치에 배치하고 있다. Further, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-185607, a partition wall is positioned outside the convex portion arranged on the outermost side, or between the convex portion on the outermost periphery side and the convex portion on the inner periphery side adjacent to the convex portion on the outermost periphery side. is placed in As the arrangement position of the partition wall, the partition wall is disposed within a predetermined range in the outer circumferential direction from the center of the distance between the convex portion on the outermost side and the convex portion on the inner circumference side adjacent to the convex portion on the outermost side. .

기판을 진공흡착하면, 격벽의 내측은, 거의 진공압으로 유지되어 흡착력이 발생하지만, 격벽의 외측이 대기압이 되어 흡착력이 거의 발생하지 않는다. 일본국 특허 4298078호 공보 및 일본국 특개 2001-185607호 공보에서는, 흡착력을 가능한 한 기판의 외측까지 작용시키기 위해 격벽을 외주측 볼록부에 가까운 위치에 배치하고 있다. 그러나, 기판의 외측까지 흡착력이 작용하기 때문에, 기판 표면의 평면도가 저하해 버려, 기판의 변형(디스토션)은 커져 버리는 문제가 있다. When the substrate is vacuum-adsorbed, the inside of the barrier rib is maintained at substantially vacuum pressure to generate an adsorption force, but the outside of the barrier rib becomes atmospheric pressure, so that the adsorption force is hardly generated. In Japanese Patent No. 4298078 and Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-185607, the barrier rib is disposed at a position close to the outer peripheral side convex portion in order to apply the suction force to the outer side of the substrate as far as possible. However, since the adsorption|suction force acts to the outer side of a board|substrate, the flatness of the board|substrate surface falls and there exists a problem that distortion (distortion) of a board|substrate becomes large.

본 발명에서는, 예를 들면, 내주측의 볼록부와 외주측의 볼록부의 높이를 소정의 관계로 함으로써, 기판의 변형을 감소시키는 것이 가능한 척을 제공하는 것을 목적으로 하는 것이다. An object of the present invention is to provide a chuck capable of reducing deformation of a substrate by, for example, setting the height of the convex portion on the inner peripheral side and the convex portion on the outer periphery side into a predetermined relationship.

본 발명의 일측면으로서의 척은, 흡착 유지된 기판의 이면에 당접하는 복수의 볼록부와, 고리 형상의 격벽과, 복수의 볼록부와 격벽이 배치된 바닥부를 포함하고, 복수의 볼록부는, 격벽의 외측에 배치된 제1 볼록부, 및 격벽의 내측이며 격벽을 사이에 끼워 제1 볼록부와 인접하는 위치에 배치된 제2 볼록부를 1개의 그룹으로 하는 복수의 그룹으로 구성되고, 복수의 그룹의 각각에 포함되는 제1 볼록부의 높이를 ho, 복수의 그룹의 각각에 포함되는 제2 볼록부의 높이를 hi로 할 때, hi>ho를 만족하는 것을 특징으로 한다. A chuck according to an aspect of the present invention includes a plurality of convex portions abutting on a back surface of a substrate adsorbed and held, a ring-shaped partition wall, and a bottom portion on which the plurality of convex portions and the partition wall are disposed, and the plurality of convex portions include a partition wall. a plurality of groups including a first convex portion disposed outside the partition wall and a second projection portion disposed inside the partition wall and disposed adjacent to the first projection portion with the partition wall interposed therebetween, a plurality of groups It is characterized in that hi>ho is satisfied when the height of the first convex portion included in each of ho is ho and the height of the second convex portion included in each of the plurality of groups is hi.

본 발명의 또 다른 특징은 첨부도면을 참조하는 이하의 실시형태의 설명으로부터 명백해질 것이다. Further features of the present invention will become apparent from the following description of embodiments with reference to the accompanying drawings.

도1은, 실시예 1의 노광장치의 구성을 예시한 개략도다.
도2는, 등분포 하중을 받는 편측 고정에서 편측 자유의 대들보의 재료역학 모델을 예시한 도면이다.
도3a 및 도3b는, 실시예 1의 기판 유지장치를 예시한 도면이다.
도4는, 외팔보에 있어서의 재료역학 모델을 예시하고 있는 도면이다.
도5는, 실시예 1의 척의 단면도를 예시하고 있는 도면이다.
도6a 및 도6b는, 실시예 3의 기판 유지장치를 예시한 도면이다.
도7은, 디바이스의 제조 프로세스를 예시하는 플로우차트다.
도8은, 웨이퍼 프로세스를 예시하는 플로우차트다.
도9a 및 도9b는, 일반적인 기판 유지장치에서 사용하는 핀 척을 예시한 도면이다. Fig. 1 is a schematic diagram illustrating the configuration of an exposure apparatus according to a first embodiment.
Fig. 2 is a diagram illustrating a material mechanics model of a one-sided free girder in a one-sided fixation subjected to a uniformly distributed load.
3A and 3B are views illustrating a substrate holding apparatus according to the first embodiment.
Fig. 4 is a diagram illustrating a material mechanics model in a cantilever beam.
Fig. 5 is a diagram illustrating a cross-sectional view of the chuck according to the first embodiment.
6A and 6B are views illustrating a substrate holding apparatus according to the third embodiment.
7 is a flowchart illustrating a manufacturing process of the device.
8 is a flowchart illustrating a wafer process.
9A and 9B are diagrams illustrating a pin chuck used in a general substrate holding apparatus.

이하에서, 첨부도면을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시형태에 대해 실시예와 도면을 사용하여 설명한다. 이때, 각 도면에 있어서, 동일한 부재 또는 요소에 대해서는 동일한 참조번호를 붙이고, 중복하는 설명은 생략 또는 간략화한다. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, preferred embodiments of the present invention will be described using examples and drawings. In this case, in each drawing, the same reference numerals are assigned to the same members or elements, and overlapping descriptions are omitted or simplified.

(실시예 1)(Example 1)

도1은, 실시예 1의 노광장치(100)의 구성을 개략적으로 예시하는 구성도이다. 노광장치(100)는, 광원으로부터 조사된 빛(노광 광)을 레지스트에 대해 조사해서 경화시켜, 레티클(104)에 형성된 패턴이 전사된 경화물의 패턴을 형성할 수 있는 장치이다. 1 is a configuration diagram schematically illustrating the configuration of an exposure apparatus 100 according to a first embodiment. The exposure apparatus 100 is an apparatus capable of forming a pattern of a cured product onto which the pattern formed on the reticle 104 is transferred by irradiating light (exposure light) irradiated from a light source to the resist and curing it.

또한, 이하에서는, 기판(110) 위의 레지스트에 대해 조사하는 빛의 광축에 평행한 방향을 Z축 방향으로 하고, Z축 방향에 수직한 평면 내에서 서로 직교하는 2 방향을 X축 방향 및 Y축 방향으로 한다. 실시예 1의 노광장치(100)는, 복수의 패턴 형성 영역(노광 영역)에 순차 포커스 구동을 행하는 장치 및 순차 노광을 행하는 장치(투영 노광장치, 기판 처리장치) 등에 적용가능하다. 이하, 실시예 1의 노광장치(100)를, 도1을 참조해서 설명한다. 이때, 실시예 1의 노광장치(100)는, 스텝 앤드 리피트 방식의 노광장치로서 설명한다. Hereinafter, a direction parallel to the optical axis of the light irradiated to the resist on the substrate 110 is the Z-axis direction, and two directions orthogonal to each other in a plane perpendicular to the Z-axis direction are the X-axis direction and the Y-axis direction. in the axial direction. The exposure apparatus 100 of the first embodiment is applicable to an apparatus for sequentially performing focus driving on a plurality of pattern formation regions (exposure regions), an apparatus for sequentially performing exposure (projection exposure apparatus, substrate processing apparatus), and the like. Hereinafter, the exposure apparatus 100 of Example 1 is demonstrated with reference to FIG. At this time, the exposure apparatus 100 of Example 1 is demonstrated as an exposure apparatus of a step-and-repeat method.

기판(웨이퍼)(110)은, 표면에 노광 광에 의해 화학반응을 효과적으로 일으키는 감광제(레지스트)가 도포되어 있는 피처리 기판이다. 기판(110)은, 글래스, 세라믹, 금속, 실리콘, 수지 등이 사용되고, 필요에 따라, 그것의 표면에 기판(110)과는 다른 재료로 이루어진 부재가 형성되어 있어도 된다. 또한 기판(110)은, 갈륨 비소 웨이퍼, 복합 접착 웨이퍼, 석영을 재료에 포함하는 글래스 웨이퍼, 액정 패널 기판, 레티클 등 각종 기판이어도 된다. 또한, 외형 형상도 원형 뿐만 아니라 사각형 등이어도 되고, 그 경우, 척의 외형도 기판 외형에 맞춘 형상으로 하면 된다. The substrate (wafer) 110 is a to-be-processed substrate on which a photosensitive agent (resist) that effectively causes a chemical reaction by exposure light is coated on the surface. For the substrate 110 , glass, ceramic, metal, silicon, resin, or the like is used, and if necessary, a member made of a material different from that of the substrate 110 may be formed on the surface thereof. The substrate 110 may be various substrates such as a gallium arsenide wafer, a composite adhesive wafer, a glass wafer containing quartz as a material, a liquid crystal panel substrate, and a reticle. In addition, the external shape may be not only circular but also a quadrangle etc., and in that case, what is necessary is just to make the external shape of a chuck|zipper into a shape matching the external shape of a board|substrate.

레티클(원판)(104)은, 투영 광학계(106)의 광축에 직교하는 평면 내 및 이 광축 방향으로 이동가능한 구성으로 되어 있는 레티클 스테이지(103) 위에 재치되어 있다. 레티클(104)은, 사각형의 외주 형상을 갖고, 기판(110)에 대향하는 면(패턴 면)에 3차원 형상으로 형성된 패턴(회로 패턴 등의 기판에 전사해야 할 요철 패턴)을 구비한 패턴부를 갖는다. 레티클(104)은, 빛을 투과시키는 것이 가능한 재료, 예를 들면, 석영으로 구성된다. A reticle (original plate) 104 is mounted on a reticle stage 103 configured to be movable in and in a plane orthogonal to the optical axis of the projection optical system 106 and in the optical axis direction. The reticle 104 has a rectangular outer periphery shape, and a pattern portion having a pattern (a concave-convex pattern to be transferred to a substrate such as a circuit pattern) formed in a three-dimensional shape on a surface (pattern surface) opposite to the substrate 110 . have The reticle 104 is made of a material capable of transmitting light, for example, quartz.

실시예 1의 노광장치(100)는 기판 처리장치로서도 기능하고, 기판 유지장치(101)와, 기판 스테이지(102)와, 레티클 스테이지(103)와, 조명 광학계(105)와, 투영 광학계(106)와, 오프-액시스 스코프(107)와, 계측부(108)와, 제어부(109)를 포함한다. The exposure apparatus 100 of the first embodiment also functions as a substrate processing apparatus, and includes a substrate holding apparatus 101 , a substrate stage 102 , a reticle stage 103 , an illumination optical system 105 , and a projection optical system 106 . ), an off-axis scope 107 , a measurement unit 108 , and a control unit 109 .

기판 유지장치(101)는, 기판(110)을 흡착 유지하기 위한 척(1)과, 기판(110)의 이면과 척(1) 사이의 공간을 흡인(배기)하는 진공원인 미도시의 흡인부와, 흡인부를 제어하는 미도시의 제어부를 포함한다. 실시예 1에 있어서 기판 유지장치(101)의 상세한 내용은 후술한다. The substrate holding device 101 includes a chuck 1 for adsorbing and holding the substrate 110 , and a suction unit (not shown) that is a vacuum source for sucking (exhausting) the space between the back surface of the substrate 110 and the chuck 1 . and a control unit (not shown) for controlling the suction unit. The details of the substrate holding apparatus 101 in the first embodiment will be described later.

기판 스테이지(102)는, 기판 유지장치(101)를 통해 기판(110)을 유지하는 θZ 틸트 스테이지와, θZ 틸트 스테이지를 지지하는 미도시의 XY 스테이지와, XY 스테이지를 지지하는 미도시의 베이스를 구비하고 있다. 기판 스테이지(102)는 리니어 모터 등의 구동장치(미도시)에 의해 구동된다. 구동장치는 X, Y, Z, θX, θY, θZ의 6축 방향으로 구동가능하고, 후술하는 제어부(109)에 의해 제어된다. 이때, 구동장치는, 6축 방향으로 구동 가능한 것으로 했지만, 1축 방향으로부터 6축 방향의 어느 한 개에서 구동가능한 것으로 해도 된다. The substrate stage 102 includes a θZ tilt stage for holding the substrate 110 through the substrate holding device 101, an XY stage not shown for supporting the θZ tilt stage, and a base not shown for supporting the XY stage. are being prepared The substrate stage 102 is driven by a driving device (not shown) such as a linear motor. The driving device can be driven in the six-axis directions of X, Y, Z, θX, θY, and θZ, and is controlled by a control unit 109 to be described later. At this time, although the driving device is capable of being driven in the six-axis direction, it may be driven in any one of the six-axis direction from the one-axis direction.

레티클 스테이지(103)는, 예를 들면, 후술하는 투영 광학계(106)의 광축에 수직한 평면 내, 즉 XY 평면 내에서 이동 가능 및 θZ 방향으로 회전 가능하게 구성된다. 레티클 스테이지(103)는 리니어 모터 등의 구동장치(미도시)에 의해 구동되고, 구동장치는 X, Y, θZ의 3축 방향으로 구동가능하고, 후술하는 제어부(109)에 의해 제어된다. 이때, 구동장치는, 3축 방향으로 구동 가능한 것으로 했지만, 1축 방향으로부터 6축 방향의 어느 한개에서 구동가능한 것으로 해도 된다. The reticle stage 103 is configured to be movable in the plane perpendicular to the optical axis of the projection optical system 106 described later, that is, in the XY plane, and rotatable in the θZ direction, for example. The reticle stage 103 is driven by a driving device (not shown) such as a linear motor, and the driving device is capable of being driven in three directions of X, Y, and θZ, and is controlled by a control unit 109 to be described later. At this time, although the driving device is capable of being driven in the three-axis direction, it may be driven in any one of the six-axis direction from the one-axis direction.

조명 광학계(105)는, 미도시의 광원을 구비하고, 전사용의 회로 패턴(레티클 패턴)이 형성된 레티클(104)을 조명한다. 광원에 포함되는 광원으로서는, 예를 들면, 레이저를 사용한다. 사용가능한 레이저는, 파장 약 193nm의 ArF 엑시머 레이저, 파장 약 248nm의 KrF 엑시머 레이저, 파장 약 157nm의 F2 엑시머 레이저 등이다. 이때, 레이저의 종류는, 엑시머 레이저에 한정되지 않고, 예를 들면, YAG 레이저를 사용해도 되고, 레이저의 개수도 한정되지 않는다. 또한, 광원부에 레이저가 사용되는 경우, 레이저 광원으로부터의 평행 광속을 원하는 빔 형상으로 정형하는 광속 정형 광학계, 코히런트한 레이저를 인코히런트화하는 인코히런트 광학계를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 사용가능한 광원은, 레이저에 한정되는 것은 아니고, 1 또는 복수의 수은 램프나 크세논 램프 등의 램프도 사용가능하다. The illumination optical system 105 is provided with a light source (not shown), and illuminates the reticle 104 on which a circuit pattern for transcription (reticle pattern) is formed. As a light source contained in a light source, a laser is used, for example. Usable lasers include an ArF excimer laser with a wavelength of about 193 nm, a KrF excimer laser with a wavelength of about 248 nm, and an F2 excimer laser with a wavelength of about 157 nm. At this time, the type of laser is not limited to an excimer laser, for example, a YAG laser may be used, and the number of lasers is not limited, either. In addition, when a laser is used in the light source unit, it is preferable to use a beam shaping optical system that shapes a parallel beam from the laser light source into a desired beam shape, and an incoherent optical system that makes a coherent laser incoherent. Incidentally, the usable light source is not limited to a laser, and lamps such as one or more mercury lamps and xenon lamps can also be used.

또한, 조명 광학계(105)는, 미도시이지만, 렌즈, 미러, 라이트 인테그레이터, 및 조리개 등을 포함한다. 일반적으로, 내부의 광학계는, 콘덴서 렌즈, 플라이아이 렌즈, 개구 조리개, 콘덴서 렌즈, 슬릿, 결상 광학계의 순서로 정렬한다. 이 경우, 라이트 인테그레이터는, 플라이아이 렌즈나 2세트의 실린드리컬 렌즈 어레이 판을 중첩함으로써 구성되는 인테그레이터 등을 포함한다. In addition, although not shown, the illumination optical system 105 includes a lens, a mirror, a light integrator, and a stop. In general, the internal optical system is arranged in the order of a condenser lens, a fly's eye lens, an aperture stop, a condenser lens, a slit, and an imaging optical system. In this case, the light integrator includes a fly-eye lens, an integrator constituted by overlapping two sets of cylindrical lens array plates, and the like.

투영 광학계(106)는, 조명 광학계(105)로부터의 노광 광으로 조명된 레티클(104) 위의 패턴의 회절광을 소정 배율(예를 들면, 1/2, 1/4, 또는 1/5)로 기판(110) 위에 결상, 간섭시킨다. 기판(110) 위에 형성된 간섭 상은, 레티클 패턴과 거의 같은 상을 형성한다. 이 간섭 상은 일반적으로 광학 상으로 불리고, 광학 상의 형상이 기판(110)에 형성되는 선폭을 결정한다. 투영 광학계(106)는, 복수의 광학 요소 만으로 구성되는 광학계나, 복수의 광학 요소와 적어도 1매의 오목면 거울로 구성되는 광학계(카타디옵트릭 광학계)가 채용가능하다. 또는, 투영 광학계(106)로서, 복수의 광학 요소와 적어도 1매의 키노폼 등의 회절 광학 요소로 구성되는 광학계나, 전미러형의 광학계 등도 채용가능하다. The projection optical system 106 converts the diffracted light of the pattern on the reticle 104 illuminated with the exposure light from the illumination optical system 105 at a predetermined magnification (eg, 1/2, 1/4, or 1/5). It forms an image on the furnace substrate 110 and interferes with it. The interference image formed on the substrate 110 forms a substantially identical image to the reticle pattern. This interference image is generally referred to as an optical image, and the shape of the optical image determines the line width formed on the substrate 110 . As the projection optical system 106, an optical system composed of only a plurality of optical elements or an optical system (catadioptric optical system) composed of a plurality of optical elements and at least one concave mirror is employable. Alternatively, as the projection optical system 106, an optical system composed of a plurality of optical elements and at least one diffractive optical element such as kinoform, an all-mirror optical system, or the like is also employable.

오프-액시스 스코프(107)는, 기판(110)의 위치결정, 및 기판(110)의 복수의 패턴 형성 영역의 위치를 검출하기 위해서 사용된다. 기판 스테이지(102)에 배치된 기준 마크와, 기판 스테이지(102)에 탑재되어 있는 기판(110)에 형성된 마크와의 상대 위치를 검출하여 계측할 수 있다. 계측부(면 위치 계측수단)(108)는, 투영 광학계(106)의 초점을 기판(110)의 노광 대상 영역에 맞출 수 있는 계측장치로서, 투영 광학계(106)의 초점을 기판 표면에 맞추는 초점맞춤 장치를 구성하고 있다. The off-axis scope 107 is used for positioning of the substrate 110 and detecting positions of a plurality of pattern forming regions of the substrate 110 . The relative position between the reference mark disposed on the substrate stage 102 and the mark formed on the substrate 110 mounted on the substrate stage 102 can be detected and measured. The measuring unit (plane position measuring means) 108 is a measuring device capable of focusing the projection optical system 106 on an exposure target area of the substrate 110 , and focusing the projection optical system 106 on the substrate surface. configuring the device.

제어부(109)는, CPU와 메모리(기억부) 등을 포함하고, 적어도 1개의 컴퓨터로 구성되고, 노광장치(100)의 각 구성요소에 회선을 거쳐 접속된다. 또한, 제어부(109)는, 메모리에 격납된 프로그램에 따라 노광장치(100) 전체의 각 구성요소의 동작 및 조정 등을 총괄적으로 제어한다. 또한, 제어부(109)는, 노광장치(100)의 다른 부분과 일체로 (공통의 케이스 내에) 구성해도 되고, 노광장치(100)의 다른 부분과는 별체로(다른 케이스 내에) 구성해도 되고, 노광장치(100)와는 다른 장소에 설치하고 원격으로 제어해도 된다. The control unit 109 includes a CPU, a memory (storage unit), and the like, is constituted by at least one computer, and is connected to each component of the exposure apparatus 100 via a line. In addition, the control unit 109 collectively controls the operation and adjustment of each component of the exposure apparatus 100 in accordance with the program stored in the memory. In addition, the control unit 109 may be configured integrally with other parts of the exposure apparatus 100 (in a common case) or may be configured separately from other parts of the exposure apparatus 100 (in a different case), It may be installed in a place different from the exposure apparatus 100 and controlled remotely.

여기에서, 노광장치(100)의 노광 시퀀스를 이하에서 설명한다. 이때, 해당 노광 시퀀스에서 나타내는 각 동작(처리)은, 제어부(109)가 컴퓨터 프로그램을 실행함으로써 제어된다. 노광 시퀀스를 개시함에 있어서, 기판(110)이 노광장치(100)에 자동적으로 혹은 작업자의 손에 의해 세팅된 상태로부터, 노광 개시 지령에 의해 노광장치(100)의 동작이 개시된다. Here, the exposure sequence of the exposure apparatus 100 will be described below. At this time, each operation (process) shown in the exposure sequence is controlled by the control unit 109 executing a computer program. In starting the exposure sequence, from a state in which the substrate 110 is set in the exposure apparatus 100 automatically or by an operator's hand, the operation of the exposure apparatus 100 is started by an exposure start command.

우선, 최초에 노광할 1매째의 기판(110)이 미도시의 반송 기구에 의해 노광장치(100) 내의 기판 캐리어에 반입된다(반입공정). 다음에 기판(110)은, 반송 기구에 의해 기판 스테이지(102) 위에 탑재된 척(1) 위로 보내지고, 기판 유지장치(101)에 의해 흡착 유지된다(기판 유지공정). First, the first substrate 110 to be initially exposed is loaded into the substrate carrier in the exposure apparatus 100 by a transport mechanism (not shown) (carrying-in step). Next, the substrate 110 is sent onto the chuck 1 mounted on the substrate stage 102 by a transfer mechanism, and is held by the substrate holding apparatus 101 (substrate holding step).

다음에, 노광장치(100)에 탑재된 오프-액시스 스코프(107)에 의해 기판(110) 위에 형성된 마크를 복수개 검출해서 기판(110)의 배율, 회전, X축 및 Y축 방향의 어긋남 량을 확정하고, 위치 보정을 행한다(위치맞춤 공정). Next, a plurality of marks formed on the substrate 110 are detected by the off-axis scope 107 mounted on the exposure apparatus 100 to determine the magnification, rotation, and displacement of the substrate 110 in the X-axis and Y-axis directions. It is confirmed, and a position correction is performed (alignment process).

다음에, 기판 스테이지(102)는, 탑재한 기판(110)의 최초에 노광을 행할 소정의 패턴 형성 영역이 노광장치(100)의 노광 위치에 맞도록 기판(110)을 이동한다. 다음에, 계측부(108)에 의해 초점맞춤후, 광원으로부터 빛을 조사하고, 조명 광학계(105) 및 레티클(패턴 형성부)(104)을 거쳐, 투영 광학계(106)에 의해 소정의 배율로 축소된 후에, 기판(110) 위에 도포된 레지스트에 대해 조사된다. 소정의 패턴 형성 영역 내에 도포되어 있는 레지스트에 대해 소정의 시간 노광을 행한다(노광공정). 이때, 노광 시간은 예를 들면 약 0.2초 정도이다. Next, the substrate stage 102 moves the substrate 110 so that a predetermined pattern formation area to be initially exposed on the mounted substrate 110 matches the exposure position of the exposure apparatus 100 . Next, after focusing by the measurement unit 108 , light is irradiated from the light source, passes through the illumination optical system 105 and the reticle (pattern forming unit) 104 , and is reduced to a predetermined magnification by the projection optical system 106 . After that, the resist applied on the substrate 110 is irradiated. The resist coated in the predetermined pattern formation area is exposed for a predetermined time (exposure step). At this time, the exposure time is, for example, about 0.2 seconds.

다음에, 기판 스테이지(102)는, 기판(1110) 위에서 다음의 패턴 형성 영역에 기판(110)을 이동(스텝 이동)해서 상기 와 마찬가지로 노광한다. 노광을 할 모든 패턴 형성 영역에서 노광이 완료할 때까지, 동일한 패턴 형성 처리를 순차 반복한다. 이에 따라, 1매의 기판(110) 위에 레티클(104)에 형성된 패턴을 형성할 수 있다. 그리고, 척(1) 위로부터 미도시의 회수 반송 핸드에 건네받은 기판(110)은, 노광장치(100) 내의 기판 캐리어로 되돌려진다(반출공정). 이때, 기판(110)의 반출 처리후에는, 해당 기판(110)에 대해, 예를 들면, 에칭 등의 처리를 행하여, 기판(110)을 가공하고(가공공정), 해당 가공된 기판(110)으로부터 불필요한 경화물 등을 제거함으로써 물품을 제조할 수 있다. Next, the substrate stage 102 moves (steps) the substrate 110 to the next pattern formation area on the substrate 1110 and exposes it in the same manner as above. The same pattern forming process is sequentially repeated until exposure is completed in all the pattern forming areas to be exposed. Accordingly, a pattern formed on the reticle 104 may be formed on one substrate 110 . Then, the substrate 110 passed from the chuck 1 to a collection transfer hand (not shown) is returned to the substrate carrier in the exposure apparatus 100 (carrying out step). At this time, after carrying out the substrate 110 , the substrate 110 is processed, for example, by etching, processing the substrate 110 (processing step), and the processed substrate 110 . An article can be manufactured by removing an unnecessary cured product or the like from it.

실시예 1에서는 상기 한 바와 같이 스텝 앤드 리피트 방식의 노광장치를 상정하고 있지만, 이것에 한정되지 않고, 주사형 노광장치에 적용하는 것도 가능하다. 주사형 노광장치에 적용하는 경우에는 레티클(104)과 기판(110)은 노광 배율에 근거하여 동기해서 스캔되고, 스캔중에 노광이 행해진다. In Example 1, the exposure apparatus of the step-and-repeat method is assumed as described above, but it is not limited to this, and application to a scanning exposure apparatus is also possible. When applied to a scanning exposure apparatus, the reticle 104 and the substrate 110 are scanned synchronously based on the exposure magnification, and exposure is performed during the scan.

이때, 실시예 1의 기판 유지장치(101)는, 노광장치(100)에 있어서의 사용에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 임프린트 장치(리소그래피 장치) 등을 포함하는 기판 처리장치, 액정 기판 제 장치, 자기헤드 제조 장치, 반도체 검사장치, 액정 기판 검사장치, 자기헤드 검사장치, 및 마이크로머신의 제조 등에 있어서도 사용할 수 있다. In this case, the substrate holding apparatus 101 of the first embodiment is not limited to use in the exposure apparatus 100 . For example, it can be used in substrate processing apparatus including imprint apparatus (lithography apparatus), etc., liquid crystal substrate manufacturing apparatus, magnetic head manufacturing apparatus, semiconductor inspection apparatus, liquid crystal substrate inspection apparatus, magnetic head inspection apparatus, manufacturing of micromachines, etc. can

여기에서, 척(1)에 기판(110)을 흡착 유지시킬 때에, 기판(110)과 척(1) 사이에 이물질을 끼워넣는 일이 있다. 예를 들면, 수 ㎛ 정도의 이물질이라도, 해당 이물질을 끼워넣으면, 끼워넣은 부분의 기판(110)은 변형하고, 일부가 부풀어올라 버려, 패턴 성형 불량을 일으키는 경우도 있다. 일례로서는, 유효한 초점심도가 1㎛ 이하인 경우 등에 발생할 수 있다. Here, when the substrate 110 is adsorbed and held by the chuck 1 , a foreign material may be sandwiched between the substrate 110 and the chuck 1 . For example, even if the foreign material is about several micrometers, if the foreign material is inserted, the board|substrate 110 of the inserted part will deform|transform, and a part will swell up, and pattern molding may occur. As an example, it may occur when the effective depth of focus is 1 µm or less.

이러한 이물질에 의한 끼워넣음을 회피하기 위해, 기판(110)의 이면에 당접시킬 개소를 핀 형상의 볼록부로서 형성한 소위 핀 콘택 척(이하, 척)을 사용하여, 기판(110)과의 접촉 면적을 대폭 감소시키고 있다. 이하에서, 종래 사용되고 있는 일반적인 기판 유지장치에서 사용하는 척에 대해 도9를 참조해서 설명한다. In order to avoid pinching by such foreign substances, a so-called pin contact chuck (hereinafter referred to as a chuck) in which a portion to be brought into contact with the back surface of the substrate 110 is formed as a pin-shaped convex portion is used to contact the substrate 110 . area is greatly reduced. Hereinafter, a chuck used in a conventionally used general substrate holding apparatus will be described with reference to FIG. 9 .

도9는, 일반적인 기판 유지장치에서 사용하는 척(200)을 예시한 도면이다. 도9a는, 척(200)을 +Z방향에서 본 경우의 평면도다. 도9b는, 도9a에서 나타낸 척(200)의 부분 단면도다. 도9에 예시하고 있는 기판 유지장치는, 척(200), 볼록부(201), 격벽(204), 흡인구(205)에 의해 구성된다. 9 is a diagram illustrating a chuck 200 used in a general substrate holding apparatus. Fig. 9A is a plan view of the chuck 200 when viewed from the +Z direction. Fig. 9B is a partial cross-sectional view of the chuck 200 shown in Fig. 9A. The substrate holding apparatus illustrated in FIG. 9 includes a chuck 200 , a convex portion 201 , a partition wall 204 , and a suction port 205 .

볼록부(201)는, 기판(110)의 이면에 접촉시키는 당접면(기판을 재치한 후 지지하는 지지면)으로서 기능한다. 복수의 핀 형상의 볼록부(201)는, 핀 형상의 볼록부(외주측 볼록부) 202, 핀 형상의 볼록부(내주측 볼록부) 203, 및 외주측 볼록부(202)와 내주측 볼록부(203)와는 다른 복수의 핀 형상의 볼록부를 포함한다. The convex portion 201 functions as a contact surface (a support surface supported after the substrate is placed) that is brought into contact with the back surface of the substrate 110 . The plurality of fin-shaped convex portions 201 include a fin-shaped convex portion (outer peripheral side convex portion) 202, a pin-shaped convex portion (inner peripheral side convex portion) 203 , and an outer peripheral side convex portion 202 and an inner peripheral side convex portion. It includes a plurality of pin-shaped convex portions different from the portion 203 .

격벽(204)은, 외주측 볼록부(202)보다 내측이 되도록 척(200)의 바닥부에 고리 형상으로 설치되어 있다. 격벽(204)의 높이는, 외주측 볼록부(202)의 상부면에 대해 1∼2㎛ 정도 낮게 형성되어 있다. 흡인구(205)는, 척(200)의 바닥부에 형성되는 관통 구멍이며, 미도시의 진공원(흡인부)으로부터 연통하는 배관 등으로 형성되는 유로와 접속된다. The partition wall 204 is provided in an annular shape at the bottom of the chuck 200 so as to be inside the outer peripheral side convex portion 202 . The height of the partition wall 204 is formed to be about 1 to 2 µm lower than the upper surface of the outer peripheral side convex portion 202 . The suction port 205 is a through hole formed in the bottom portion of the chuck 200 , and is connected to a flow path formed by a pipe or the like that communicates with a vacuum source (suction unit) (not shown).

외주측 볼록부(202)는, 기판(110)의 외주 방향의 이면에 당접시키기 위해, 격벽(204)보다 외측에 배치된다. 외주측 볼록부(202)는, 기판(110)과 같은 반경의 외주 위에 복수 배치되어 있다. 도9에 예시하고 있는 외주측 볼록부(202)는, 척(200)의 가장 외주측(최외주)에 배치되어 있는 볼록부다. 내주측 볼록부(203)는, 기판(110)의 내주 방향의 이면에 당접시키기 위해, 격벽(204)보다 내측에 배치된다. 내주측 볼록부(203)는, 기판(110)과 같은 반경의 내주 위에 복수 배치되어 있다. 도9에 예시하고 있는 내주측 볼록부(203)는, 가장 외주측의 바닥부에 배치되는 외주측 볼록부(202)로부터 격벽(204)을 사이에 끼워 옆에 배치되어 있다. 또한, 척(200)에 있어서의 복수의 핀 형상의 볼록부(201)는, 소정의 거리(간격, 주기, 폭)로 격자 형상으로 배치된다. 또한, 격벽(204)의 외측에 배치된 외주측 볼록부(202), 및 격벽(204)의 내측이며 격벽(204)을 사이에 끼워 외주측 볼록부(202)와 인접하는 위치에 배치된 내주측 볼록부(203)를 1개의 그룹으로서 각각 구성한다. 그리고, 외주측 볼록부(202)와 내주측 볼록부(203)로 구성되는 복수의 볼록부를, 각각의 그룹을 포함하는 복수의 그룹으로 구성되도록 한다. The outer peripheral side convex portion 202 is disposed outside the partition wall 204 so as to abut against the back surface of the substrate 110 in the outer peripheral direction. The outer peripheral side convex part 202 is arrange|positioned on the outer periphery of the same radius as the board|substrate 110. As shown in FIG. The outer peripheral side convex part 202 illustrated in FIG. 9 is a convex part arrange|positioned at the outermost peripheral side (outermost periphery) of the chuck 200. As shown in FIG. The inner circumferential side convex portion 203 is disposed inside the partition wall 204 so as to abut against the inner circumferential rear surface of the substrate 110 . A plurality of inner convex portions 203 are disposed on the inner periphery of the same radius as the substrate 110 . The inner peripheral side convex part 203 illustrated in FIG. 9 is arrange|positioned next to the partition 204 sandwiched|interposed from the outer peripheral side convex part 202 arrange|positioned at the bottom part on the most outer peripheral side. In addition, the plurality of pin-shaped convex portions 201 in the chuck 200 are arranged in a lattice shape with a predetermined distance (interval, period, width). Further, the outer peripheral side convex portion 202 disposed on the outside of the partition wall 204, and the inner periphery disposed inside the partition 204 and adjacent to the outer peripheral side projection 202 with the partition wall 204 interposed therebetween. The side convex portions 203 are each constituted as one group. Then, the plurality of convex portions composed of the outer peripheral side convex portion 202 and the inner peripheral side convex portion 203 are constituted by a plurality of groups including each group.

상기 한 것과 같이 구성된 척(200)으로 기판(110)을 흡착하는 방법을 이하에서 설명한다. 우선, 기판(110)을 척(200)의 볼록부(201) 위에 재치한다. 이에 따라, 복수의 볼록부(201) 위에 기판(110)의 이면이 당접한다. 다음에, 미도시의 진공원의 작동에 의해 흡인구(205)를 통해 기판(110)이 진공흡인됨으로써, 기판(110)은, 척(200)의 볼록부(201)에 지지되어 흡착 유지된다. 이때, 기판(110)은, 볼록부(201) 사이에서 진공흡착력에 의해 변형하여, 휘어져 버린다. 기판(110)이 휘는 것에 의해, 기판(110)의 평면도가 저하하여, 소위 웨이퍼 디스토션(이하, 디스토션)이 발생한다. 이에 따라, 기판(110)의 평면도가 저하한다. A method of adsorbing the substrate 110 with the chuck 200 configured as described above will be described below. First, the substrate 110 is placed on the convex portion 201 of the chuck 200 . Accordingly, the back surface of the substrate 110 is in contact with the plurality of convex portions 201 . Next, the substrate 110 is vacuum-sucked through the suction port 205 by the operation of a vacuum source (not shown), whereby the substrate 110 is supported by the convex portion 201 of the chuck 200 and held by suction. . At this time, the substrate 110 deforms between the convex portions 201 by the vacuum adsorption force and is warped. When the substrate 110 is warped, the flatness of the substrate 110 is lowered, and so-called wafer distortion (hereinafter, distortion) occurs. Accordingly, the flatness of the substrate 110 is reduced.

도9b에 예시하고 있는, 격벽(204)의 배치 위치를 일례로 하여, 외주측 볼록부(202)에 있어서의 기판(110)의 평면도 및 디스토션의 발생량을 재료역학 상의 모델로부터 도2를 참조해서 이하에서 설명한다. 도2는, 등분포 하중을 받는 편측 고정이며 편측 자유의 대들보의 재료역학 모델을 예시한 도면이다. 그리고, 척(200)의 외주 영역(외주부)에 있어서의 기판(110)의 휘어짐의 상태의 재료역학 상의 모델은, 도2에 예시하는 모델에 해당한다. 이때, 도9b에서 예시하고 있는 것 같이 격벽(204)은, 내주측 볼록부(203)보다 외주측 볼록부(202)에 가까운 위치에 배치되어 있다. Taking the arrangement position of the partition wall 204 illustrated in FIG. 9B as an example, the plan view of the substrate 110 in the outer peripheral side convex portion 202 and the amount of distortion generated are obtained from the material mechanics model with reference to FIG. 2 . It will be described below. Fig. 2 is a diagram illustrating a material mechanics model of a one-sided fixed and one-sided free girder subjected to a uniformly distributed load. The material mechanics model of the warpage state of the substrate 110 in the outer peripheral region (outer peripheral portion) of the chuck 200 corresponds to the model illustrated in FIG. 2 . At this time, as illustrated in FIG. 9B , the partition wall 204 is disposed at a position closer to the outer peripheral side convex portion 202 than the inner peripheral side convex portion 203 .

기판(110)의 영률을 E, 기판(110)의 두께를 h로 한다. 다음에, 전술한 복수의 그룹에 포함되는 외주측 볼록부(202)와 내주측 볼록부(203) 사이의 거리를 L로 한다. 더구나 단위길이당 작용력을 w, 휘어짐을 y, 내주측 볼록부(203) 기준의 직경 방향 위치를 x로 한다. 이때, 거리 L은, 복수의 그룹에 포함되는 각각의 그룹의 외주측 볼록부(202)와 내주측 볼록부(203) 사이의 거리를 평균값으로 한 것을 사용해도 된다. Let the Young's modulus of the substrate 110 be E and the thickness of the substrate 110 be h. Next, the distance between the outer peripheral side convex portion 202 and the inner peripheral side convex portion 203 included in the plurality of groups described above is L. Moreover, the operating force per unit length is w, the bending is y, and the radial position of the inner peripheral side convex portion 203 is x. At this time, you may use what made the distance between the outer peripheral side convex part 202 and the inner peripheral side convex part 203 of each group included in a plurality of groups as the average value of the distance L.

Figure pat00001
Figure pat00001

상기 식 (1)에 있어서의 경사 dy/dx는, x=L에서 최대가 되어 이하의 식 (2)으로 표시된다. The inclination dy/dx in the said Formula (1) becomes the maximum at x=L, and is represented by the following Formula (2).

Figure pat00002
Figure pat00002

여기에서, 상기 식 (2)에 있어서, 마이너스 표기는 경사 dy/dx가 반시계 회전(CCW)의 회전 방향인 것을 나타내고 있다. 진공원에 의한 흡인 압력을 흡인 압력 Pv로 하고, 깊이 치수를 b로 하면, 단위길이당의 작용력 w는, 이하의 식 (3)으로 표시된다. Here, in the formula (2), the minus sign indicates that the inclination dy/dx is the rotation direction of the counterclockwise rotation (CCW). When the suction pressure by the vacuum source is the suction pressure Pv and the depth dimension is b, the operating force w per unit length is expressed by the following formula (3).

Figure pat00003
Figure pat00003

여기에서, 편측 자유의 대들보에 있어서의 단면 2차 모멘트 E=1/12bh3로 하여, 상기 식 (3)을 상기한 식 (2)에 대입하면, 이하의 식 (4)가 얻어진다.Here, when the cross-sectional secondary moment E=1/12bh 3 in the cross-beam of one-sided freedom is substituted for said Formula (3) into said Formula (2), the following Formula (4) will be obtained.

Figure pat00004
Figure pat00004

그리고, 디스토션 dx는 이하의 식 (5)로 표시된다. Then, the distortion dx is expressed by the following formula (5).

Figure pat00005
Figure pat00005

이때, 엄밀하게는, 외주측 볼록부(202)는, 흡인 등에 의해 기판(110)에 하중이 걸렸을 때에 기판(110)의 변형에 의해, 해당 외주측 볼록부(202)의 중심부(외주측 볼록부의 중심축 상에 있어서의 지지면)가 아니라, 중심부로부터 어긋난 모서리부에서 기판(110)을 지지하게 된다. 그 때문에, 이 경우의 상기 거리 L(mm)은, 엄밀하게는 해당 외주측 볼록부(202)의 기판(110)의 중심 방향에 대해 외주측 볼록부(202)의 모서리부로부터 격벽(204)을 사이에 끼워 해당 외주측 볼록부의 옆에 배치되는 내주측 볼록부(203)의 중심축까지의 거리가 된다. 상기 디스토션을 산출하기 위해서는, 거리 L에 있어서의 거리가 긴 쪽이 디스토션은 커지기 때문에, 디스토션의 산출에는 상기한 거리 L을 채용하고 있다. At this time, strictly speaking, the outer peripheral side convex portion 202 is the central portion (outer peripheral side convex portion) of the outer peripheral side convex portion 202 due to deformation of the substrate 110 when a load is applied to the substrate 110 by suction or the like. The substrate 110 is supported at the corners deviated from the center instead of the supporting surface on the negative central axis). Therefore, the distance L (mm) in this case is strictly the partition wall 204 from the edge of the outer peripheral side convex portion 202 with respect to the center direction of the substrate 110 of the outer peripheral side convex portion 202 . It becomes the distance to the central axis of the inner peripheral side convex part 203 arrange|positioned next to the said outer peripheral side convex part by pinching|interposing. In order to calculate the distortion, the longer the distance in the distance L, the greater the distortion. Therefore, the above distance L is employed for calculating the distortion.

여기에서, 일례로서 일반적인 척의 설계값에서, E=160GPa, Pv=0.1MPa, L=2mm, h=0.7mm을 상기 식 (5)에 대입하면, dx=1.29nm가 얻어진다. 예를 들면, 이상적인 수평의 기준에 대한 오버레이의 오차의 허용량이 1.5nm을 예로 하면, 해당 허용량이 0.29nm 밖에 남지 않게 된다. 더구나, 예를 들면, 이상적인 수평의 기준에 대한 오버레이의 오차의 허용량이 예를 들면, 3nm나 5nm 등이라도, 1.29nm의 디스토션은 기판(110)에 패턴을 형성하는 처리를 실시함에 있어서 영향이 크다. 그 때문에, 기판(110)을 흡착 유지후, 패턴 형성 등의 처리를 실시해 가기 위해서는, 디스토션을 감소시킨 상태에서 기판(110)을 흡착 유지할 필요가 있다. Here, by substituting E = 160 GPa, Pv = 0.1 MPa, L = 2 mm, and h = 0.7 mm in Equation (5) for general chuck design values as an example, dx = 1.29 nm is obtained. For example, if the allowable amount of overlay error with respect to the ideal horizontal reference is 1.5 nm as an example, the allowable amount remains only 0.29 nm. Further, for example, even if the allowable amount of overlay error with respect to the ideal horizontal reference is, for example, 3 nm or 5 nm, the distortion of 1.29 nm has a large influence in performing the process for forming a pattern on the substrate 110 . . Therefore, in order to perform a process such as pattern formation after adsorbing and holding the substrate 110 , it is necessary to adsorb and hold the substrate 110 in a state in which distortion is reduced.

따라서, 실시예 1에서는, 후술하는 내주측 볼록부(4)와 외주측 볼록부(3)의 높이를 소정의 관계로 함으로써, 디스토션을 감소시키는 것이 가능한 척을 제공할 수 있다. 이하에서, 실시예 1의 기판 유지장치(101)에 대해 도3, 도4, 및 도5를 참조해서 상세하게 설명한다. Accordingly, in the first embodiment, it is possible to provide a chuck capable of reducing distortion by setting the heights of the inner peripheral side convex portion 4 and the outer peripheral side convex portion 3 to be described later in a predetermined relationship. Hereinafter, the substrate holding apparatus 101 of the first embodiment will be described in detail with reference to Figs. 3, 4, and 5. Figs.

도3은, 실시예 1의 기판 유지장치(101)를 예시하는 도면이다. 도3a는 기판 유지장치(101)를 +Z방향에서 본 평면도다. 도3b는, 도3a의 기판 유지장치(101)의 부분 단면도다. 이하, 도3을 참조해서 실시예 1의 기판 유지장치(101)를 상세하게 설명한다. 실시예 1의 기판 유지장치(101)는, 척(1)과 미도시의 흡인부, 및 제어부를 포함한다. Fig. 3 is a diagram illustrating the substrate holding apparatus 101 of the first embodiment. Fig. 3A is a plan view of the substrate holding apparatus 101 seen from the +Z direction. Fig. 3B is a partial cross-sectional view of the substrate holding apparatus 101 of Fig. 3A. Hereinafter, with reference to FIG. 3, the board|substrate holding apparatus 101 of Example 1 is demonstrated in detail. The substrate holding apparatus 101 of the first embodiment includes a chuck 1, a suction unit (not shown), and a control unit.

척(1)은, 기판(110)보다 작은 직경으로 원형 형상으로 구성되고, 복수의 핀 형상의 볼록부(2)와, 격벽(제1 격벽)(5)과, 흡인구(제1 흡인구)(6)를 포함한다. 또한, 척(1)은, 기판 스테이지(102) 위에 배치된다. The chuck 1 has a smaller diameter than the substrate 110 and has a circular shape, and includes a plurality of pin-shaped convex portions 2 , a partition wall (first partition wall) 5 , and a suction port (first suction port). ) (6). Further, the chuck 1 is disposed on the substrate stage 102 .

볼록부(2)는, 척(1)의 바닥부에 복수 배치되는 핀 형상의 볼록부로서, 기판(110)을 척(1) 위에 재치했을 때에는, 볼록부(2)의 상면에 기판(110)의 이면이 당접된다. 볼록부(2)는, 척(1)의 바닥부에 소정의 거리 L(mm)로 격자 형상으로 바닥부에 배치된다. 볼록부(2)의 직경은 척(1)의 사양에 따라 다양하지만, 일반적인 직경은 φ0.2mm 정도이다. 또한, 볼록부(2)의 배열로서는 격자 형상의 배열 이외 The convex part 2 is a pin-shaped convex part arranged in plurality at the bottom of the chuck 1 , and when the substrate 110 is placed on the chuck 1 , the substrate 110 is placed on the upper surface of the convex part 2 . ) is facing the other side. The convex parts 2 are arranged on the bottom part of the chuck 1 in a grid shape at a predetermined distance L (mm). Although the diameter of the convex part 2 varies according to the specification of the chuck 1, the general diameter is about ?0.2 mm. In addition, as an arrangement|sequence of the convex part 2, other than a grid|lattice arrangement|sequence

도, 동심원 형상으로 배열할 수도 있고, 각도를 갖는 배열, 예를 들면, 60도의 지그재그로 격자형 배열하도록 하여도 된다. 또한, 랜덤 배열로 할 수도 있고, 또는 그것들을 조합한 배열이어도 된다.It may also be arranged in a concentric circle shape, or may be arranged in an angular arrangement, for example, a lattice arrangement of 60 degrees zigzag. Moreover, it may be set as a random arrangement|sequence, or the arrangement|sequence which combined them may be sufficient.

볼록부(2)는, 복수의 핀 형상의 볼록부(외주측 볼록부, 제1 볼록부) 3 및 복수의 핀 형상의 볼록부(내주측 볼록부, 제2 볼록부) 4, 및 외주측 볼록부(3)와 내주측 볼록부(4)와는 다른 복수의 핀 형상의 볼록부(제3 볼록부)를 포함한다. 외주측 볼록부(3)는, 기판(110)의 외주 방향의 이면에 당접시키기 위해, 격벽(5)보다 외측에 배치된다. 외주측 볼록부(3)는, 기판(110)과 같은 반경의 외주 위에 복수 배치되어 있는 볼록부다. 도3에 예시하고 있는 외주측 볼록부(3)는, 척(1)의 가장 외주측(최외주)에 배치되어 있다. 내주측 볼록부(4)는, 기판(110)의 내주 방향의 이면에 당접시키기 위해, 격벽(5)보다 내측에 배치된다. 내주측 볼록부(4)는, 기판(110)과 같은 반경의 내주 위에 복수 배치되어 있다. 또한, 내주측 볼록부(4)는, 가장 외주측의 바닥부에 배치되는 외주측 볼록부(3)로부터 격벽(5)을 사이에 끼워 옆에 배치되어 있다. 실시예 1에서는, 제3 볼록부를 제외한 복수의 볼록부(2)를, 격벽(5)의 외측에 배치된 외주측 볼록부(3), 및 격벽(5)의 내측이며 격벽(5)을 사이에 끼워 외주측 볼록부(3)와 인접하는 위치에 배치된 내주측 볼록부(4)를 1개의 그룹으로 하는 복수의 그룹으로 구성되도록 한다. 후술하지만, 해당 복수의 그룹의 각각에 포함되는 외주측 볼록부(3)는 내주측 볼록부(4)보다 낮은 높이로 한다. The convex portion 2 includes a plurality of fin-shaped convex portions (outer peripheral-side convex portions, first convex portions) 3 and a plurality of fin-shaped convex portions (inner peripheral-side convex portions, second convex portions) 4, and an outer peripheral side. It includes a plurality of fin-shaped convex parts (third convex parts) different from the convex part 3 and the inner peripheral side convex part 4 . The outer peripheral side convex part 3 is arrange|positioned outside the partition 5 in order to make contact with the back surface of the outer peripheral direction of the board|substrate 110. As shown in FIG. The outer peripheral side convex part 3 is a convex part arrange|positioned on the outer periphery of the same radius as the board|substrate 110 . The outer peripheral side convex part 3 illustrated in FIG. 3 is arrange|positioned at the outermost peripheral side (outermost periphery) of the chuck 1 . The inner circumferential side convex portion 4 is disposed inside the partition wall 5 in order to abut against the back surface of the substrate 110 in the inner circumferential direction. The inner peripheral side convex part 4 is arrange|positioned in multiple numbers on the inner periphery of the same radius as the board|substrate 110. As shown in FIG. Moreover, the inner peripheral side convex part 4 is arrange|positioned next to the partition 5 pinched|interposed from the outer peripheral side convex part 3 arrange|positioned at the bottom part of the most outer peripheral side. In the first embodiment, the plurality of convex portions 2 excluding the third convex portion are interposed between the outer peripheral-side convex portion 3 disposed outside the partition 5 and the partition 5 inside the partition 5 . The inner peripheral side convex portion 4 disposed at a position adjacent to the outer peripheral side convex portion 3 is formed into a plurality of groups as one group. Although described later, the outer peripheral side convex portion 3 included in each of the plurality of groups is set to have a lower height than the inner peripheral side convex portion 4 .

격벽(5)은, 복수의 볼록부(2)의 일부를 둘러싸도록 원환 형상으로 척(1)의 바닥부에 적어도 1개 배치된다. 흡인구(6)는, 척(1)에 형성된 관통 구멍으로서, 실시예 1에서는, 후술하는 흡인부가 기판(110)의 이면과 척(1) 사이의 공간을 흡인(배기)할 때의 흡인구로서 기능한다. 이때, 흡인구(6)는, 도3에서는 1개 밖에 설치되어 있지 않지만, 이것에 한정되지 않고 1개 이상의 흡인구(6)를 척(1)에 형성하도록 하여도 된다. At least one partition 5 is arranged at the bottom of the chuck 1 in an annular shape so as to surround a part of the plurality of convex portions 2 . The suction port 6 is a through hole formed in the chuck 1 , and in the first embodiment, a suction port for suctioning (exhausting) the space between the back surface of the substrate 110 and the chuck 1 by a suction unit, which will be described later. function as At this time, although only one suction port 6 is provided in FIG. 3 , the chuck 1 may be provided with one or more suction ports 6 without being limited thereto.

흡인부는, 기판(110)의 이면과 척(1) 사이의 공간을 진공흡인 등으로 흡인 가능하게 구성되는 미도시의 진공원이다. 흡인부는 제어부(109)로부터의 신호에 의해 동작을 개시하여, 흡인부에 접속되어 있는 배관 등의 유로와 흡인구(6)를 거쳐, 기판(110)의 이면과 척(1) 사이의 공간을 흡인하여, 기판(110)을 척(1)에 대해 흡착시킬 수 있다. 이때, 흡인부는 기판 유지장치(101)에 배치되는 것에 한정되지 않고, 기판 유지장치(101)의 외부 또는 노광장치(100)의 외부에 배치되어 있어도 된다. The suction unit is a vacuum source (not shown) configured to be able to suction the space between the back surface of the substrate 110 and the chuck 1 by vacuum suction or the like. The suction unit starts operation in response to a signal from the control unit 109, and passes through the suction port 6 and the flow path such as a pipe connected to the suction unit, to remove the space between the back surface of the substrate 110 and the chuck 1 . By suction, the substrate 110 may be adsorbed to the chuck 1 . At this time, the suction part is not limited to being disposed on the substrate holding device 101 , and may be disposed outside the substrate holding device 101 or the exposure device 100 .

다음에, 전술한 복수의 그룹(이하, 복수의 그룹)의 각각에 포함되는 외주측 볼록부(3)의 높이를 ho로 한다. 그리고, 복수의 그룹의 각각에 포함되는 내주측 볼록부(4)의 높이를 hi로 하여, 바람직한 ho의 값에 대해 도4 및 도5를 참조해서 이하에서 설명한다. 이때, 실시예 1에서는, ho는 복수의 그룹의 각각에 포함되는 외주측 볼록부(3)의 평균의 높이로 하고, hi는 복수의 그룹의 각각에 포함되는 내주측 볼록부(4)의 평균의 높이로 한다. 도4는, 실시예 1의 외주측 볼록부(3)를 없앤 경우의 외팔보에 있어서의 재료역학 모델을 예시하고 있는 도면이다. 도5는, 실시예 1의 척(1)의 단면도를 예시하고 있는 도면이다. Next, let ho be the height of the outer peripheral side convex part 3 contained in each of a plurality of groups (hereinafter, a plurality of groups) described above. Then, a preferable value of ho is described below with reference to Figs. 4 and 5 with the height of the inner peripheral side convex portion 4 included in each of the plurality of groups being hi. At this time, in Example 1, let ho be the average height of the outer peripheral side convex parts 3 contained in each of several groups, hi is the average of the inner peripheral side convex parts 4 contained in each of a plurality of groups. to the height of Fig. 4 is a diagram illustrating a material mechanics model of a cantilever beam in the case where the outer peripheral side convex part 3 of Example 1 is removed. Fig. 5 is a diagram illustrating a cross-sectional view of the chuck 1 of the first embodiment.

도5에서는, 도4에 나타내고 있는 것 같은 외주측 볼록부(3)를 없앤 경우의 기판(110)의 휘어짐의 모델 2min과, ho=hi일 때의 기판(110)의 휘어짐 모델 2j를 나타내고 있다. In Fig. 5, the warpage model 2min of the substrate 110 in the case where the outer peripheral side convex portion 3 as shown in Fig. 4 is removed, and the warpage model 2j of the substrate 110 when ho=hi are shown. .

여기에서, 도5에 예시하고 있는 휘어짐 모델의 경사를 dy/dx, 휘어짐을 y, 내주측 볼록부(4) 기준의 직경 방향 위치를 x, 복수의 그룹의 각각에 포함되는 외주측 볼록부(3)와 내주측 볼록부(4) 사이의 거리를 L로고 한다. 이에 따라, u=x/L에 대한 경사 dy/dx를 이하의 식 (6), 휘어짐 y를 이하의 식 (7)로 표시할 수 있다. Here, the inclination of the warpage model illustrated in Fig. 5 is dy/dx, the warpage is y, the radial position of the inner peripheral side convex portion 4 is x, and the outer peripheral side convex portion ( Let the distance between 3) and the inner peripheral side convex part 4 be L logo. Accordingly, the inclination dy/dx with respect to u=x/L can be expressed by the following equation (6), and the curvature y can be expressed by the following equation (7).

Figure pat00006
Figure pat00006

그리고, u=1로 하였을 때, ymax는, 이하의 식 (8)로 표시할 수 있다. Then, when u=1, y max can be expressed by the following formula (8).

Figure pat00007
Figure pat00007

상기 식 (8)은, ho를 hi-(PvL4)/(Eh3)보다도 작게 하면, 기판(110)의 이면이 외주측 볼록부(3)의 지지면에 접촉하지 않게 되는 것을 나타내고 있다. 그 때문에, 이하의 식 (9)을 만족시킴으로써, hi=ho로 했을 때보다도 경사 dy/dx를 저감할 수 있어, 디스토션을 저감할 수 있다.Equation (8) above indicates that when ho is made smaller than hi-(PvL 4 )/(Eh 3 ), the back surface of the substrate 110 does not come into contact with the support surface of the outer peripheral side convex portion 3 . Therefore, by satisfying the following formula (9), the inclination dy/dx can be reduced more than when hi = ho, and distortion can be reduced.

Figure pat00008
Figure pat00008

또한, 격벽(5)의 높이는, 복수의 그룹의 각각에 포함되는 내주측 볼록부(4)보다는 낮게 하고, 또한, 복수의 그룹의 각각에 포함되는 외주측 볼록부(3) 이하의 높이로 한다. 격벽(5)을 복수의 그룹의 각각에 포함되는 외주측 볼록부(3)보다 높게 해버리면, 격벽(5)이 복수의 그룹의 각각에 포함되는 외주측 볼록부(3)와 같은 기능을 해버리기 때문이다. 이때, 격벽(5)은, 복수의 그룹의 각각에 포함되는 내주측 볼록부(4)보다도 복수의 그룹의 각각에 포함되는 외주측 볼록부(3)에 가까운 위치에 배치된다. 이때의 격벽(5)의 배치 위치는 복수의 그룹의 각각에 포함되는 볼록부의 위치의 평균값끼리를 비교한 후에 배치된다. 또한, 격벽(5)은 복수의 그룹에 포함되는 외주측 볼록부(3)에 가능한 한 가까운 위치에 배치하는 것이 바람직하고, 실시예 1에 있어서는, u≒1이 되도록 격벽(5)을 배치한다. In addition, the height of the partition 5 is made lower than the inner peripheral side convex part 4 contained in each of a plurality of groups, and it is set as the height below the outer peripheral side convex part 3 contained in each of a plurality of groups. . When the partition wall 5 is made higher than the outer peripheral side convex portion 3 included in each of the plurality of groups, the partition 5 functions as the outer peripheral side projection 3 included in each of the plurality of groups. because it's ri At this time, the partition 5 is arrange|positioned at the position closer to the outer peripheral side convex part 3 contained in each of several groups rather than the inner peripheral side convex part 4 contained in each of several groups. The arrangement position of the partition wall 5 at this time is arrange|positioned after comparing the average values of the positions of the convex part contained in each of a some group. In addition, it is preferable to arrange|position the partition 5 at the position as close as possible to the outer peripheral side convex part 3 contained in several groups, and in Example 1, the partition 5 is arrange|positioned so that it may become u≒1. .

이상, 실시예 1에서는, hi-ho<(PvL4)/Eh3을 만족하도록, ho에 대해 hi의 높이를 설정함으로써, 디스토션을 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 패턴 형성 등의 처리를 실시해 감에 있어서, 최적의 상태에서 기판(110)을 흡착 유지하는 것이 가능한 척을 제공할 수 있다.As mentioned above, in Example 1, distortion can be reduced by setting the height of hi with respect to ho so that hi-ho<(PvL 4 )/Eh 3 is satisfied. Accordingly, it is possible to provide a chuck capable of adsorbing and holding the substrate 110 in an optimal state during processing such as pattern formation.

이때, 예를 들면, 상기 식 (8)에, Pv=0.1013MPa, L=2mm, E=160GPa를 대입하면, h=0.7mm일 때, ymax=44.3nm이 된다. 이 경우에는, hi-ho는 예를 들면, 45nm 정도보다 작게 설계함으로써 디스토션을 감소시킬 수 있다. At this time, for example, when Pv = 0.1013 MPa, L = 2 mm, and E = 160 GPa are substituted in the above formula (8), when h = 0.7 mm, y max = 44.3 nm. In this case, distortion can be reduced by designing hi-ho to be smaller than, for example, about 45 nm.

(실시예 2)(Example 2)

실시예 2의 기판 유지장치(101)는, 실시예 1에서 나타낸 복수의 그룹(이하, 복수의 그룹)의 각각에 포함되는 외주측 볼록부(3)의 단면적을, 복수의 그룹의 각각에 포함되는 내주측 볼록부(4)의 단면적보다 작게 한 기판 유지장치이다. 이때, 기판 유지장치(101)의 구성은, 실시예 1의 기판 유지장치(101)와 유사한 구성이기 때문에 중복하는 개소에 대해서는 설명을 생략한다. The substrate holding apparatus 101 of the second embodiment includes, in each of the plurality of groups, the cross-sectional area of the outer peripheral side convex portion 3 included in each of the plurality of groups (hereinafter, the plurality of groups) shown in the first embodiment. It is a board|substrate holding apparatus made smaller than the cross-sectional area of the inner peripheral side convex part 4 used. At this time, since the structure of the board|substrate holding apparatus 101 is a structure similar to the board|substrate holding apparatus 101 of Example 1, description about overlapping location is abbreviate|omitted.

실시예 2에서는, 복수의 그룹의 각각에 포함되는 외주측 볼록부(3)의 단면적을 So, 복수의 그룹의 각각에 포함되는 내주측 볼록부(4)의 단면적을 Si로 한 경우, Si>So가 되도록 외주측 볼록부(3)와 내주측 볼록부(4)를 설계하여, 가공을 행한다. 이에 따라, 가공시에 외주측 볼록부(3)의 가공 저항이 감소하여, 볼록부의 가공이 용이해진다. 이때, 실시예 2에서는, So는 복수의 그룹의 각각에 포함되는 외주측 볼록부(3)의 단면적의 평균값으로 하고, Si는 복수의 그룹의 각각에 포함되는 내주측 볼록부(4)의 단면적의 평균값으로 한다. In Example 2, when the cross-sectional area of the outer peripheral-side convex portion 3 included in each of the plurality of groups is So and the cross-sectional area of the inner peripheral-side convex portion 4 included in each of the plurality of groups is Si, Si> The outer peripheral side convex part 3 and the inner peripheral side convex part 4 are designed and processed so that it may become So. Thereby, the machining resistance of the outer peripheral side convex part 3 decreases at the time of a process, and the process of a convex part becomes easy. At this time, in Example 2, So is the average value of the cross-sectional areas of the outer peripheral side convex parts 3 included in each of a plurality of groups, and Si is the cross-sectional area of the inner peripheral side convex parts 4 included in each of the plurality of groups. be the average value of

더구나, 가공 저항이 감소함으로써, 복수의 그룹의 각각에 포함되는 외주측 볼록부(3)의 제거량이 많아지고, 결과적으로, hi>ho에 기여한다. 더구나 복수의 그룹의 각각에 포함되는 외주측 볼록부(3)의 연직 방향의 강성이 복수의 그룹의 각각에 포함되는 내주측 볼록부(4)의 그것보다도 작아진다. 이에 따라, 흡인부에서 흡인했을 때에 기판(110)의 연직 방향의 압축량이 증가하고, 결과적으로 hi>ho에 기여한다. 이때, 볼록부(2)의 가공으로서는 예를 들면 래핑가공에 의한 가공이 생각되지만, 이것에 한정되지 않고, Si>So가 되도록 가공을 행할 수 있는 방법이면 다른 방법을 사용해서 가공해도 된다. Moreover, as the machining resistance decreases, the removal amount of the outer peripheral side convex portion 3 included in each of the plurality of groups increases, and consequently contributes to hi>ho. Moreover, the rigidity in the vertical direction of the outer peripheral side convex portion 3 included in each of the plurality of groups is smaller than that of the inner peripheral side convex portion 4 included in each of the plurality of groups. Accordingly, the amount of compression in the vertical direction of the substrate 110 increases when suction is performed by the suction unit, and as a result, it contributes to hi>ho. At this time, as processing of the convex part 2, for example, although processing by lapping processing is considered, it is not limited to this, As long as it is a method which processing can be performed so that Si>So, you may process using another method.

이상, 실시예 2에서는, Si>So가 되도록 복수의 그룹의 각각에 포함되는 외주측 볼록부(3)와 복수의 그룹의 각각에 포함되는 내주측 볼록부(4)의 가공을 행한다. 이에 따라, 가공 정밀도의 향상과 가공시간의 단축을 도모할 수 있다. 더구나, 실시예 1과 마찬가지로 디스토션을 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 패턴 형성 등의 처리를 실시해 감에 있어서, 최적의 상태에서 기판(110)을 흡착 유지하는 것이 가능한 척을 제공할 수 있다. As mentioned above, in Example 2, the outer peripheral side convex part 3 included in each of a plurality of groups and the inner peripheral side convex part 4 included in each of a plurality of groups are processed so that Si>So. Accordingly, it is possible to improve the machining accuracy and shorten the machining time. Moreover, as in Example 1, distortion can be reduced. Accordingly, it is possible to provide a chuck capable of adsorbing and holding the substrate 110 in an optimal state during processing such as pattern formation.

(실시예 3)(Example 3)

실시예 3의 기판 유지장치(101)는, 실시예 1의 척(1)에 있어서의 격벽(5)과는 다른 격벽으로서 보조 격벽(제2 격벽)(7)과, 흡인구 6과는 다른 흡인구인 흡인구(제2 흡인구) 8을 더 설치한 기판 유지장치이다. 즉, 실시예 3에서는 제1 격벽은 인접하는 2중의 격벽으로 구성되도록 구성하고 있고, 2중의 격벽 중의 외측의 격벽을 여기에서는 보조 격벽(제2 격벽)으로 부른다. 이하에서, 도6을 참조해서 실시예 3의 기판 유지장치(101)를 설명한다. 도6은, 실시예 3의 기판 유지장치(101)를 예시하는 도면이다. 도6a는 기판 유지장치(101)를 +Z방향에서 본 평면도다. 도6b는, 도6a의 기판 유지장치(101)의 부분 단면도다. 이때, 실시예 3의 기판 유지장치(101)의 구성은, 실시예 1의 기판 유지장치(101)와 유사한 구성이기 때문에 중복하는 개소에 대해서는 설명을 생략한다. The substrate holding apparatus 101 of Example 3 is a partition wall different from the partition wall 5 in the chuck 1 of Example 1, and is different from the auxiliary partition wall (second partition wall) 7 and the suction port 6 It is a board|substrate holding apparatus which further provided the suction port (2nd suction port) 8 which is a suction port. That is, in the third embodiment, the first barrier rib is constituted by adjacent double barrier ribs, and the outer barrier rib among the double barrier ribs is referred to as an auxiliary barrier rib (second barrier rib). Hereinafter, the substrate holding apparatus 101 of Example 3 will be described with reference to FIG. 6 is a diagram illustrating a substrate holding apparatus 101 according to the third embodiment. Fig. 6A is a plan view of the substrate holding apparatus 101 viewed from the +Z direction. Fig. 6B is a partial cross-sectional view of the substrate holding apparatus 101 of Fig. 6A. At this time, since the structure of the board|substrate holding apparatus 101 of Example 3 is a structure similar to the board|substrate holding apparatus 101 of Example 1, description is abbreviate|omitted about the overlapping location.

실시예 3의 척(1)은, 실시예 1과 마찬가지로 복수의 핀 형상의 볼록부(2), 격벽(5), 흡인구 6을 포함하고, 보조 격벽(7) 및 흡인구 8을 더 포함한다. The chuck 1 of Example 3 includes a plurality of pin-shaped convex portions 2 , partition walls 5 , and suction ports 6 , and further includes auxiliary partition walls 7 and suction ports 8 , similarly to Example 1. do.

보조 격벽(7)은, 격벽(5)과, 격벽(5)의 내주측의 옆에 배치된 내주측 볼록부(4) 사이에 배치된다. 보조 격벽(7)은, 거리 L의 중심 위치보다 격벽(5)의 내주측의 옆에 배치된 내주측 볼록부(4)에 가까운 위치에 배치하는 것이 바람직하다. 예를 들면, u<0.5를 만족시키도록 배치한다. 이때, 격벽(5)의 배치 위치로서는, u≒1이 되도록 배치하는 것은 실시예 1과 같다. The auxiliary partition wall 7 is disposed between the partition wall 5 and the inner peripheral side convex portion 4 disposed next to the inner peripheral side of the partition wall 5 . It is preferable to arrange|position the auxiliary|assistant partition 7 at the position closer to the inner peripheral side convex part 4 arrange|positioned beside the inner peripheral side of the partition 5 rather than the center position of the distance L. For example, it is arranged so that u<0.5 is satisfied. At this time, as an arrangement position of the partition wall 5, arrangement|positioning so that it may become u≒1 is the same as that of Example 1.

보조 격벽(7)의 높이는, 복수의 그룹의 각각에 포함되는 내주측 볼록부(4)의 높이보다도 낮게 형성된다. 복수의 그룹의 각각에 포함되는 내주측 볼록부(4)의 높이는, 예를 들면 평균의 높이이다. 또한, 특정한 내주측 볼록부(4)의 높이, 예를 들면, 복수의 그룹의 각각에 포함되는 내주측 볼록부(4) 중 가장 높이가 낮은 외주측 볼록부(3)보다 낮게 해도 된다. 또한, 보조 격벽(7)의 높이를, 복수의 볼록부(2)의 상면으로부터 1∼2㎛ 정도 낮게 형성해도 된다. 1∼2㎛ 정도 낮게 형성했다고 하더라도, 1∼2㎛ 정도의 틈에서는, 흡인부에 의한 기판(110)의 이면과 척(1)과의 공간(영역)을 흡인해서 기판(110)을 흡착 유지할 때의 진공압의 저하는 약간으로 문제가 되지 않는다. 또한, 1∼2㎛ 정도의 차이보다도 작은 직경의 먼지나 파티클 등의 이물질이 보조 격벽(7)에 부착되어도, 부착된 이물질이 기판(110)의 이면에 접촉할 확률은 매우 낮다. 그 때문에, 보조 격벽(7)의 높이를 복수의 볼록부(2)의 상면으로부터 1∼2㎛ 정도 낮게 형성해도 문제가 되지 않는다. The height of the auxiliary partition wall 7 is formed to be lower than the height of the inner peripheral side convex part 4 included in each of a plurality of groups. The height of the inner peripheral side convex portion 4 included in each of the plurality of groups is, for example, an average height. In addition, the height of the specific inner peripheral side convex part 4, for example, you may make it lower than the outer peripheral side convex part 3 with the lowest height among the inner peripheral side convex parts 4 included in each of a plurality of groups. In addition, you may form the height of the auxiliary|assistant partition 7 lower about 1-2 micrometers from the upper surface of the some convex part 2 . Even if it is formed as low as about 1 to 2 µm, in a gap of about 1 to 2 µm, the space (region) between the back surface of the substrate 110 and the chuck 1 is sucked by the suction unit to hold the substrate 110 by suction. A slight drop in vacuum pressure at the time is not a problem. In addition, even if foreign substances such as dust or particles having a diameter smaller than the difference of about 1 to 2 μm adhere to the auxiliary partition wall 7 , the probability that the adhered foreign substances come into contact with the back surface of the substrate 110 is very low. Therefore, it does not pose a problem even if the height of the auxiliary|assistant partition 7 is formed 1 to 2 micrometers lower from the upper surface of the some convex part 2 .

흡인구 8은, 실시예 1의 흡인구 6과 같은 기능을 갖고, 격벽(5)과 보조 격벽(7) 사이에 형성된다. 흡인구 8은, 실시예 1의 흡인구 6과 마찬가지로 배관 등의 유로에 의해 흡인부와 접속되어 있다. 더구나 실시예 3의 기판 유지장치(101)에 있어서의 흡인부는, 흡인을 위한 유로의 개폐를 하는 미도시의 밸브(전환 밸브)를, 흡인구 6 및 흡인구 8과 흡인부를 접속하는 유로에 각각 구비한다. 실시예 3에서는, 흡인구 6과 흡인부 사이에 배치되는 밸브를 제1 밸브, 흡인구 8과 흡인부 사이에 배치되는 밸브를 제2 밸브로 한다. The suction port 8 has the same function as the suction port 6 of the first embodiment, and is formed between the partition wall 5 and the auxiliary partition wall 7 . The suction port 8 is connected to the suction part by a flow path, such as a pipe, similarly to the suction port 6 of Example 1. Further, in the substrate holding apparatus 101 of the third embodiment, the suction unit has a valve (switching valve), not shown, which opens and closes the flow path for suction, and connects the suction port 6 and the suction port 8 to the suction unit, respectively. be prepared In Example 3, the valve disposed between the suction port 6 and the suction portion is the first valve, and the valve disposed between the suction port 8 and the suction portion is the second valve.

실시예 3에서는, 기판(110)을 척(1)에 흡착 유지시킬 때에, 흡인구 6 및 흡인구 8을 통해 흡인한다. 이하에서, 실시예 3에 있어서의 기판(110)의 흡인 처리에 대해 설명한다. 이때, 흡인 처리는 기판 유지장치(101)의 미도시의 제어부가 컴퓨터 프로그램을 실행함으로써 제어된다. In the third embodiment, when the substrate 110 is held by the chuck 1 by suction, it is sucked through the suction ports 6 and 8 . Hereinafter, the suction process of the board|substrate 110 in Example 3 is demonstrated. At this time, the suction process is controlled by a control unit (not shown) of the substrate holding apparatus 101 executing a computer program.

우선, 미도시의 제어부는, 흡인부에 대해 동작 지령을 송신해서 흡인(배기)을 개시시킨다. 흡인부가 흡인을 개시함으로써, 흡인구 6 및 흡인구 8을 통해, 기판(110)의 이면과 척(1)과의 공간을 흡인한다. 이에 따라, 격벽(5)보다 기판(110)의 내측의 면적이 흡인 면적이 되어, 보다 큰 흡인력을 발생시켜, 휘어짐이 큰 기판이라도 휘어짐을 교정하는 것이 가능해진다. 이때, 기판(110)의 휘어짐이 교정되어 흡인이 완료한 시점에서 디스토션이 발생하고 있다. First, a control unit (not shown) transmits an operation command to the suction unit to start suction (exhaust). When the suction unit starts suction, the space between the back surface of the substrate 110 and the chuck 1 is sucked through the suction port 6 and the suction port 8 . Thereby, the area inside the board|substrate 110 rather than the partition 5 becomes an attraction|suction area, generate|occur|produces a larger attraction|suction force, and it becomes possible to correct a warp even if it is a board|substrate with a large warp. At this time, the distortion of the substrate 110 is corrected when the suction is completed.

다음에, 미도시의 제어부는, 제2 밸브를 제어하여, 흡인구 8을 통한 영역의 흡인을 정지한다. 이에 따라, 흡인구 8로부터 격벽(5)과 보조 격벽(7) 사이의 공간이 대기 개방되고, 흡인되어 있는 영역이, 흡인구 6을 통한 영역인 보조 격벽(7)보다 기판(110)의 내측의 영역으로 천이하여, 디스토션이 저감한다. 이때, 이들 흡인 처리에 있어서의 각종 제어는 제어부(109)에 의해 행해져도 된다. Next, a control unit (not shown) controls the second valve to stop suction of the region through the suction port 8 . Accordingly, the space between the partition wall 5 and the auxiliary partition wall 7 from the suction port 8 is opened to the atmosphere, and the area being sucked is inside the substrate 110 rather than the auxiliary partition wall 7 which is the area through the suction port 6 . transition to the region of , the distortion is reduced. At this time, various controls in these suction processing may be performed by the control part 109.

한번 교정된 기판(110)은, 기판(110)의 외주측(외주부)의 흡인을 정지 또는 흡인력을 줄였다고 하더라도, 원래로 되돌아갈 확률은 낮다. 따라서, 디스토션은 작은 채로 유지된다. The substrate 110, once calibrated, has a low probability of returning to its original state even if the suction of the outer peripheral side (outer peripheral portion) of the substrate 110 is stopped or the suction force is reduced. Thus, the distortion remains small.

이상, 실시예 3에서는, 실시예 1과 마찬가지로, 디스토션의 감소 이외에, 기판(110)의 휘어짐을 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 패턴 형성 등의 처리를 실시해 감에 있어서, 최적의 상태에서 기판(110)을 흡착 유지하는 것이 가능한 척을 제공할 수 있다. As described above, in the third embodiment, as in the first embodiment, in addition to the reduction of the distortion, the warpage of the substrate 110 can be reduced. Accordingly, it is possible to provide a chuck capable of adsorbing and holding the substrate 110 in an optimal state during processing such as pattern formation.

또한, 일부의 휘어짐이 큰 기판(110)에서는 흡인구 8을 대기 개방했을 때에 휘어짐이 되돌아오는 경우도 적지 않게 있다. 이 경우에는, 기판(110)의 휘어짐의 상황에 의해 흡인구 8을 통해 α×마이너스 1기압(α은 1보다 작은 정수) 정도의 부압을 흡인부에 의해 부가하도록 하면 된다. 또는, 흡인부에 의해 기판(110)의 이면과 척(1)과의 공간을 흡인하기 전에 흡인구 8로부터의 압력을 마이너스 1기압 정도의 부압으로 하고, 흡인구 8로부터의 압력을 α×마이너스 1기압(α은 1보다 작은 정수)의 부압으로 한다. 이에 따라, 기판(110)의 교정 전후의 전환을 할 필요가 없어지고, 휘어짐이 되돌아오는 일은 없어진다. Moreover, in the case of the board|substrate 110 with a large partial curvature, when the suction port 8 is released to the atmosphere, there are not a few cases where the curvature returns. In this case, a negative pressure of about α×minus 1 atm (α is an integer less than 1) may be applied by the suction unit through the suction port 8 depending on the bending state of the substrate 110 . Alternatively, before the suction unit sucks the space between the back surface of the substrate 110 and the chuck 1, the pressure from the suction port 8 is set to a negative pressure of about -1 atm, and the pressure from the suction port 8 is α×minus. The negative pressure is 1 atm (α is an integer less than 1). This eliminates the need for switching before and after calibration of the substrate 110, and no return of warpage.

또한, 예를 들면, 실시예 3과 실시예 2의 기판 유지장치(101)를 조합하도록 해도 되고, 실시예 2와 실시예 3의 기판 유지장치(101)를 조합하도록 해도 된다. Further, for example, the substrate holding apparatus 101 of the third embodiment and the second embodiment may be combined, or the substrate holding apparatus 101 of the second embodiment and the third embodiment may be combined.

이때, 상기 각 실시예에 있어서는, 볼록부(2)는, 척(1)의 바닥부에 소정의 거리로 격자 형상으로 바닥부에 배치되어 있지만, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면, 기판(110)의 내주측과 외주측 각각에 있어서 볼록부(2) 사이의 거리를 임의로 설정해도 된다. 더구나, 볼록부(2)의 거리는 균일한 거리일 필요는 없고, 불균일한 거리로 해도 된다. At this time, in each of the above embodiments, the convex portions 2 are disposed on the bottom portion of the chuck 1 in a grid shape at a predetermined distance from the bottom portion, but the present invention is not limited thereto. For example, you may set the distance between the convex parts 2 arbitrarily in each of the inner peripheral side and outer peripheral side of the board|substrate 110. As shown in FIG. Moreover, the distance between the convex portions 2 does not need to be a uniform distance, but may be a non-uniform distance.

또한, 상기 각 실시예에 있어서의 척(1)은, 진공 흡착 방식의 것으로 하고 있지만, 이것에 한정되지 않고, 예를 들면, 정전 척 방식의 것이어도 되고, 진공 흡착 방식과 정전 척 방식 등 다른 방식을 병용하는 것이어도 된다. 이들의 경우, 각 실시예의 진공압 P는, 다른 방식의 흡착력, 또는 그것에 진공압을 더한 것으로 치환하면 된다. In addition, although the chuck 1 in each of the above embodiments is of the vacuum suction method, it is not limited to this, for example, it may be of an electrostatic chuck method, and other types such as a vacuum suction method and an electrostatic chuck method are used. Methods may be used together. In these cases, the vacuum pressure P in each example may be replaced with an adsorption force of another method or a vacuum pressure added thereto.

또한, 상기 각 실시예에 있어서의 척(1)은, 핀 척을 사용하고 있지만, 이것에 한정되지 않고, 그 밖의 형상이어도 된다. 예를 들면, 흡착 홈인 동심원 형상의 고리 형상 오목부와 기판 지지면으로 되는 동심원 형상의 고리 형상 볼록부가 교대로 구성된, 소위 링 형상 척이어도 된다. 또한, 격벽은, 격벽(5)과 보조 격벽(7) 만에 한정되지 않고, 격벽(5)과 보조 격벽(7) 이외의 격벽을 척(1)에 배치하도록 해도 된다. In addition, although the chuck 1 in each said Example uses a pin chuck, it is not limited to this, Other shapes may be sufficient. For example, a so-called ring-shaped chuck may be used in which concentric annular concave portions serving as suction grooves and concentric annular convex portions serving as substrate support surfaces are alternately configured. In addition, the partition is not limited to only the partition 5 and the auxiliary|assistant partition 7, You may make it arrange|position the partition other than the partition 5 and the auxiliary|assistant partition 7 to the chuck|zipper 1 .

(물품 제조방법의 실시형태)(Embodiment of article manufacturing method)

다음에, 전술한 각 실시예의 노광장치(100)를 이용한 디바이스의 제조방법의 실시예를 설명한다. 도7은, 미소 디바이스(IC나 LSI 등의 반도체 칩, 액정 패널, CCD, 박막 자기헤드, 마이크로머신 등)의 제조의 플로우를 나타낸 것이다. 스텝 1(회로 설계)에서는 디바이스의 패턴 설계를 행한다. Next, an embodiment of a device manufacturing method using the exposure apparatus 100 of each of the above-described embodiments will be described. Fig. 7 shows a manufacturing flow of a micro device (a semiconductor chip such as an IC or LSI, a liquid crystal panel, a CCD, a thin-film magnetic head, a micromachine, etc.). In step 1 (circuit design), a device pattern is designed.

스텝 2(마스크 제작)에서는 설계한 패턴을 형성한 마스크(몰드, 형틀)를 제작한다. 한편, 스텝 3(웨이퍼 제조)에서는 실리콘이나 글래스 등의 재료를 사용해서 웨이퍼(기판)를 제조한다. 스텝 4(웨이퍼 프로세스)는 전공정으로 불리며, 상기 준비한 마스크와 웨이퍼를 사용하여, 리소그래피 기술에 의해 웨이퍼 위에 실제의 회로를 형성한다. In step 2 (mask fabrication), a mask (mold, formwork) in which the designed pattern is formed is produced. On the other hand, in step 3 (wafer manufacturing), a wafer (substrate) is manufactured using a material such as silicon or glass. Step 4 (wafer process) is called a pre-process, and an actual circuit is formed on the wafer by lithography using the mask and wafer prepared above.

다음의 스텝 5(조립)는 후공정으로 불리며, 스텝 4에 의해 제작된 웨이퍼를 사용해서 반도체 칩하는 공정이며, 어셈블리 공정(다이싱, 본딩), 패키징 공정(칩 봉입) 등의 공정을 포함한다. 스텝 6(검사)에서는 스텝 5에서 제작된 반도체 디바이스의 동작 확인 테스트, 내구성 테스트 등의 검사를 행한다. 이러한 공정을 거쳐 반도체 디바이스가 완성되고, 이것이 출하(스텝 7)된다. The following step 5 (assembly) is called a post-process, and is a process of forming a semiconductor chip using the wafer produced in step 4, and includes processes such as an assembly process (dicing, bonding) and a packaging process (chip encapsulation). . In step 6 (inspection), the semiconductor device manufactured in step 5 is inspected for operation confirmation test and durability test. Through these steps, a semiconductor device is completed and shipped (step 7).

도8은, 상기 웨이퍼 프로세스의 상세한 플로우를 나타낸 것이다. 스텝 11(산화)에서는 웨이퍼의 표면을 산화시킨다. 스텝 12(CVD)에서는 웨이퍼 표면에 절연막을 형성한다. 스텝 13(전극형성)에서는 웨이퍼 위에 전극을 증착에 의해 형성한다. 스텝 14(이온주입)에서는 웨이퍼에 이온을 주입한다. 스텝 15(레지스트 처리)에서는 웨이퍼에 레지스트를 도포한다. 스텝 16(노광)에서는 전술한 투영 노광장치에 의해 마스크의 회로 패턴을 웨이퍼의 복수의 패턴 형성 영역에 정렬하여 인화하여 노광한다. 스텝 17(현상)에서는 노광한 웨이퍼를 현상한다. 스텝 18(에칭)에서는 현상한 레지스트 상 이외의 부분을 깎아낸다. 스텝 19(레지스트 박리)에서는 에칭이 끝나 불필요하게 된 레지스트를 제거한다. 이들 스텝을 반복하여 행함으로써, 웨이퍼 위에 다중으로 회로 패턴이 형성된다. Fig. 8 shows a detailed flow of the wafer process. In step 11 (oxidation), the surface of the wafer is oxidized. In step 12 (CVD), an insulating film is formed on the wafer surface. In step 13 (electrode formation), an electrode is formed on the wafer by vapor deposition. In step 14 (ion implantation), ions are implanted into the wafer. In step 15 (resist process), a resist is applied to the wafer. In step 16 (exposure), the circuit pattern of the mask is aligned with the plurality of pattern formation regions of the wafer by the above-described projection exposure apparatus, printed and exposed. In step 17 (development), the exposed wafer is developed. In step 18 (etching), portions other than the developed resist image are scraped off. In step 19 (resist stripping), the resist that has been etched and has become unnecessary is removed. By repeating these steps, multiple circuit patterns are formed on the wafer.

이와 같이, 본 실시예의 척(1)을 사용한 디바이스의 제조방법에 따르면, 기판의 변형이나 휘어짐이 억제되기 때문에, 디바이스의 정밀도나 수율 등이 향상하므로, 종래에는 제조가 곤란하였던 고집적도의 디바이스를 안정적으로 저코스트로 제조할 수 있다. As described above, according to the device manufacturing method using the chuck 1 of the present embodiment, since deformation or warpage of the substrate is suppressed, the precision and yield of the device are improved, so that a high-integration device, which has been difficult to manufacture in the past, can be manufactured. It can be manufactured stably and at low cost.

이상, 본 발명을 그것의 바람직한 실시예에 근거하여 상세히 설명해 왔지만, 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 주지에 근거하여 다양한 변형이 가능하며, 그것들을 본 발명의 범위에서 제외하는 것은 아니다. As mentioned above, although the present invention has been described in detail based on preferred embodiments thereof, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications are possible based on the gist of the present invention, and they are excluded from the scope of the present invention. it is not doing

또한, 상기 실시예에 있어서의 제어의 일부 또는 전부를 전술한 실시예의 기능을 실현하는 컴퓨터 프로그램을 네트워크 또는 각종 기억매체를 거쳐 기판 유지장치(101)이나 기판 처리장치 등에 공급하도록 하여도 된다. 그리고 그 기판 유지장치(101)나 기판 처리장치 등에 있어서의 컴퓨터(또는 CPU나 MPU 등)가 프로그램을 판독해서 실행하도록 하여도 된다. 그 경우, 그 프로그램, 및 이 프로그램을 기억한 기억매체는 본 발명을 구성하게 된다. In addition, part or all of the control in the above embodiment may be made to be supplied to the substrate holding apparatus 101, the substrate processing apparatus, or the like via a network or various storage media with a computer program for realizing the functions of the above-described embodiment. Further, the computer (or CPU, MPU, etc.) in the substrate holding apparatus 101 or the substrate processing apparatus may read and execute the program. In that case, the program and the storage medium storing the program constitute the present invention.

예시적인 실시형태들을 참조하여 본 발명을 설명하였지만, 본 발명이 이러한 실시형태에 한정되지 않는다는 것은 자명하다. 이하의 청구범위의 보호범위는 가장 넓게 해석되어 모든 변형, 동등물 구조 및 기능을 포괄하여야 한다. While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to these embodiments. The protection scope of the following claims should be construed in the broadest possible manner to cover all modifications, equivalent structures and functions.

본 출원은 2021년 3월 2일자 출원된 일본국 특허출원 2021-032667호의 우선권을 주장하며, 이 출원의 발명내용은 전체가 참조를 위해 본 출원에 포함된다. This application claims priority to Japanese Patent Application No. 2021-032667, filed on March 2, 2021, the content of which is incorporated herein by reference in its entirety.

Claims (17)

기판을 흡착 유지하기 위한 척으로서,
흡착 유지된 상기 기판의 이면에 당접하는 복수의 볼록부와,
고리 형상의 격벽과,
상기 복수의 볼록부와 상기 격벽이 배치된 바닥부를 포함하고,
상기 복수의 볼록부는, 상기 격벽의 외측에 배치된 제1 볼록부, 및 상기 격벽의 내측이며 상기 격벽을 사이에 끼워 상기 제1 볼록부와 인접하는 위치에 배치된 제2 볼록부를 1개의 그룹으로 하는 복수의 그룹으로 구성되고,
상기 복수의 그룹의 각각에 포함되는 상기 제1 볼록부의 높이를 ho, 상기 복수의 그룹의 각각에 포함되는 상기 제2 볼록부의 높이를 hi로 할 때,
hi>ho
를 만족하는 것을 특징으로 하는 척.
A chuck for adsorbing and holding a substrate, comprising:
a plurality of convex portions in contact with the back surface of the substrate adsorbed and held;
ring-shaped bulkhead;
and a bottom portion on which the plurality of convex portions and the partition wall are disposed,
The plurality of convex portions may include a first convex portion disposed on the outside of the partition wall, and a second convex portion disposed inside the partition wall and adjacent to the first convex portion with the partition wall interposed therebetween. It is composed of a plurality of groups that
When the height of the first convex portion included in each of the plurality of groups is ho and the height of the second convex portion included in each of the plurality of groups is hi,
hi>ho
Pretend characterized in that it is satisfied.
 제 1항에 있어서,
상기 복수의 그룹의 각각에 포함되는 상기 제1 볼록부는, 상기 바닥부에 배치된 상기 복수의 볼록부 중의 가장 외주측에 배치되는 볼록부인 것을 특징으로 하는 척.
The method of claim 1,
The first convex portion included in each of the plurality of groups is a convex portion disposed on the outermost side among the plurality of convex portions disposed on the bottom portion.
 제 1항에 있어서,
상기 격벽의 높이는, 상기 복수의 그룹의 각각에 포함되는 상기 제2 볼록부의 높이보다도 낮은 것을 특징으로 하는 척.
The method of claim 1,
A height of the partition wall is lower than a height of the second convex portion included in each of the plurality of groups.
 제 1항에 있어서,
상기 격벽의 높이는, 상기 복수의 그룹의 각각에 포함되는 상기 제2 볼록부의 높이 이하인 것을 특징으로 하는 척.
The method of claim 1,
The height of the partition wall is less than or equal to the height of the second convex portion included in each of the plurality of groups.
 제 1항에 있어서,
상기 복수의 그룹의 각각에 포함되는 상기 제1 볼록부의 단면적을 So, 상기 복수의 그룹의 각각에 포함되는 상기 제2 볼록부의 단면적을 Si로 할 때,
Si>So
를 만족하는 것을 특징으로 하는 척.
The method of claim 1,
When the cross-sectional area of the first convex portion included in each of the plurality of groups is So and the cross-sectional area of the second convex portion included in each of the plurality of groups is Si,
Si>So
Pretend characterized in that it is satisfied.
 제 1항에 있어서,
상기 격벽은, 상기 복수의 그룹의 각각에 포함되는 상기 제2 볼록부보다도 상기 복수의 그룹의 각각에 포함되는 상기 제1 볼록부에 가까운 위치에 배치되는 것을 특징으로 하는 척.
The method of claim 1,
The chuck is characterized in that the partition wall is disposed at a position closer to the first convex portion included in each of the plurality of groups than the second convex portion included in each of the plurality of groups.
 제 1항에 있어서,
상기 격벽은 인접하는 2중의 격벽으로 구성되는 것을 특징으로 하는 척.
The method of claim 1,
The partition wall is a chuck characterized in that it is composed of two adjacent partition walls.
 제 7항에 있어서,
상기 2중의 격벽 중의 외측의 격벽은, 상기 복수의 그룹의 각각에 포함되는 상기 제2 볼록부보다도 낮은 높이인 것을 특징으로 하는 척.
8. The method of claim 7,
The chuck according to claim 1, wherein an outer barrier rib among the double barrier ribs has a height lower than that of the second convex portion included in each of the plurality of groups.
 제 4항에 있어서,
상기 격벽의 내주측을 흡인하기 위한 제1 흡인구를 상기 바닥부에 구비한 것을 특징으로 하는 척.
5. The method of claim 4,
and a first suction port for sucking the inner peripheral side of the partition wall is provided at the bottom portion.
 제 7항에 있어서,
상기 2중의 격벽 사이의 영역을 흡인하기 위한 제2 흡인구를 상기 바닥부에 구비한 것을 특징으로 하는 척.
8. The method of claim 7,
and a second suction port for sucking the area between the double partition walls is provided at the bottom portion.
 제 1항에 있어서,
상기 격벽은 상기 기판의 직경보다 작은 직경인 것을 특징으로 하는 척.
The method of claim 1,
The partition wall is chuck, characterized in that the diameter smaller than the diameter of the substrate.
 제 1항에 있어서,
상기 복수의 볼록부와는 다른 볼록부인 제3 볼록부를 갖는 것을 특징으로 하는 척.
The method of claim 1,
A chuck according to claim 1, wherein the chuck has a third convex portion which is a convex portion different from the plurality of convex portions.
 청구항 1에 기재된 상기 척을 갖고, 상기 척을 사용해서 상기 격벽의 내주의 영역을 흡인함으로써, 상기 기판을 흡착 유지하는 것을 특징으로 하는 기판 유지장치.
A substrate holding apparatus having the chuck according to claim 1, wherein the substrate is adsorbed and held by sucking a region of the inner periphery of the partition wall using the chuck.
 제 13항에 있어서,
상기 격벽의 내주의 영역을 흡인하기 위한 유로의 개폐를 하는 밸브와, 상기 밸브를 제어하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 하는 기판 유지장치.
14. The method of claim 13,
A substrate holding apparatus comprising: a valve for opening and closing a flow path for sucking an inner peripheral region of the partition; and a control unit for controlling the valve.
 제 13항에 있어서,
상기 복수의 그룹의 각각에 포함되는 상기 제1 볼록부의 높이를 ho, 상기 복수의 그룹의 각각에 포함되는 상기 제2 볼록부의 높이를 hi, 상기 기판의 영률을 E, 상기 기판의 두께를 h, 상기 기판에 대한 흡인 압력을 Pv, 상기 복수의 그룹의 각각에 포함되는 상기 제1 볼록부와 상기 제2 볼록부 사이의 거리를 L로 할 때,
hi-ho<PvL4/Eh3
를 만족하는 것을 특징으로 하는 기판 유지장치.
14. The method of claim 13,
ho is the height of the first convex portion included in each of the plurality of groups, hi is the height of the second convex portion included in each of the plurality of groups, E is the Young's modulus of the substrate, h is the thickness of the substrate, When the suction pressure to the substrate is Pv and the distance between the first convex portion and the second convex portion included in each of the plurality of groups is L,
hi-ho<PvL 4 /Eh 3
A substrate holding device, characterized in that it satisfies.
 청구항 13에 기재된 기판 유지장치에 의해 흡착 유지된 상기 기판에 패턴을 형성하는 패턴 형성부를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
A substrate processing apparatus comprising: a pattern forming unit for forming a pattern on the substrate adsorbed and held by the substrate holding apparatus according to claim 13;
 청구항 16에 기재된 기판 처리장치를 사용해서 상기 기판을 처리함으로써 상기 기판에 패턴을 형성하는 패턴 형성공정과,
상기 패턴 형성공정에서 상기 패턴이 형성된 후에, 상기 기판을 가공하는 가공공정과,
상기 가공공정에서 가공된 상기 기판으로부터 물품을 제조하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 물품의 제조방법.A pattern forming step of forming a pattern on the substrate by processing the substrate using the substrate processing apparatus according to claim 16;
A processing step of processing the substrate after the pattern is formed in the pattern forming step;
and manufacturing an article from the substrate processed in the processing step.
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