KR20220124028A - 센서를 포함하는 전자 장치 및 전자 장치의 동작 인식 방법 - Google Patents

Abstract

다양한 실시예에 따른 전자 장치는 전자 장치에 결합된 케이스의 자성부재를 감지하는 홀 센서(hall sensor) 및 홀 센서와 작동적으로 연결되는 프로세서를 포함하고, 홀 센서는 제1회로 및 제1회로와 인접하여 제1방향으로 형성된 제2회로를 포함하며, 프로세서는 홀 센서의 제1회로 및 제2회로의 자기장 인식 정보를 기반으로 자성부재의 이동 방향을 판단하고, 자성부재의 이동 방향에 기반하여, 케이스의 동작을 판단하도록 설정될 수 있다.
이 외에 다양한 실시 예들이 가능할 수 있다.

Description

센서를 포함하는 전자 장치 및 전자 장치의 동작 인식 방법{ELECTRONIC DEVICE INCLUDING SENSOR AND METHOD FOR RECOGNIZING MOTION USING SENSOR}

본 문서는 전자 장치에 관한 것이며, 예를 들어 센서(sensor)를 통해 외부 장치(예: 보호 커버)의 OPEN 동작 또는 슬라이딩 동작을 인식할 수 있는 전자 장치 및 전자 장치의 동작 인식 방법에 관한 것이다.

스마트폰과 같은 전자 장치는 외관을 보호하고, 우수한 그립감을 제공하며, 심미감 향상을 위하여 별도의 보호 커버가 장착될 수 있다. 이러한 보호 커버는 대체적으로 우수한 질감의 소재가 사용되며, 전자 장치의 적어도 일부를 보호하도록 착탈 가능하게 장착될 수 있다. 최근에는 전자 장치의 외관을 보호하는 기능 이외에도 부가적인 다양한 기능을 포함할 수 있다.

보호 커버의 상대 위치 변화를 결정하기 위하여 홀 센서(hall sensor)가 사용될 수 있다. 홀 센서는 홀 효과(hall effect)를 이용한 센서이다. 홀 센서는 홀 효과에 의한 자기장 변화를 측정할 수 있으며, 전자 장치는 홀 센서를 이용해 자석의 자력 유/무를 판단하는 방식으로 외부 커버의 열리고 닫힘을 인식할 수 있다. 이 경우, 사용자의 의도와 상관없이 사용자의 움직임 또는 외부 진동에 의해 커버 움직임(커버 열림이 아닌 어긋남 또는 슬라이딩)이 발생하면 자석과 홀 센서의 간격이 멀어져 사용자의 의도와 상관없이 전자 장치가 구동될 수 있다.

본 문서에 개시된 다양한 실시예에 따른 전자 장치는, 복수의 홀 센서(예: omnipolar detection hall IC 및/또는 bipolar latch hall IC)를 사용하여 외부 커버의 움직임을 정확하게 인식할 수 있다. .

본 개시에서 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

다양한 실시예에 따른 전자 장치는 전자 장치에 결합된 케이스의 자성부재를 감지하는 홀 센서(hall sensor) 및 홀 센서와 작동적으로 연결되는 프로세서를 포함하고, 홀 센서는 제1회로 및 제1회로와 인접하여 제1방향으로 형성된 제2회로를 포함하며, 프로세서는 홀 센서의 제1회로 및 제2회로의 자기장 인식 정보를 기반으로 자성부재의 이동 방향을 판단하고, 자성부재의 이동 방향에 기반하여, 케이스의 동작을 판단하도록 설정될 수 있다.

다양한 실시예에 따른 전자 장치의 동작 인식 방법은 홀 센서의 제1회로 및 제2회로의 자기장 인식 정보를 기반으로 자성부재의 이동방향을 판단하는 동작 및 자성부재의 이동 방향에 기반하여, 케이스의 움직임을 결정하는 동작을 포함할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 전자 장치가 외부 장치의 열림/닫힘과 이동 방향을 구분하도록 구현할 수 있다. 또한, 사용자의 의도와 상관없는 사용자의 움직임이나 외부 진동에 의해 커버 움직임(커버 열림이 아닌 어긋남 또는 슬라이딩)이 발생하여 사용자의 의도와 상관없이 전자 장치가 구동되는 것을 방지할 수 있다.

도 1은 다양한 실시예들에 따른, 네트워크 환경 내의 전자 장치의 블록도이다.
도 2 및 도 3은 다양한 실시 예에 따른 외부 장치가 연결된 전자 장치를 나타낸 것이다.
도 4a 및 도 4b는 다양한 실시 예에 따른 센서를 포함하는 전자 장치의 회전 동작 동작을 나타낸 것이다.
도 4c 및 4d는 다양한 실시 예에 따른 센서를 포함하는 전자 장치의 열림 동작 동작을 나타낸 것이다.
도 5는 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 구성을 나타낸 블럭도를 도시한 것이다.
도 6a 및 6b는 다양한 실시 예에 따른 자석부의 이동에 따른 홀 엘리먼트와의 거리 변화를 도시한다.
도 7은, 다양한 실시예에 따른 자성 부재의 사시도이다.
도 8은 다양한 실시예에 따른, 전자 장치 및 외부 장치를 인식하는 전자 장치의 센서를 나타낸 것이다.
도 9 내지 도 11은 전자 장치의 홀 센서의 동작 인식 동작을 나타낸 것이다.
도 12는 다양한 실시예에 따른, 전자 장치 및 외부 장치를 인식하는 전자 장치의 센서를 나타낸 것이다.
도 13은 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 외부 장치 인식 센서를 나타낸 것이다.
도 14 내지 도 15는 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 외부 장치 움직임 인식 동작을 나타낸 것이다.
도 16은 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 외부 장치 인식 센서를 나타낸 것이다.
도 17 내지 도 19는 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 외부 장치 움직임 인식 동작을 나타낸 것이다.
도 20은 다양한 실시예에 따른 전자 장치를 통한 외부 장치의 움직임 인식 결과를 나타낸 것이다.
도 21은 다양한 실시예에 따른 전자 장치를 통한 외부 장치의 움직임 인식 결과를 나타낸 것이다.
도 22는 다양한 실시예에 따른 전자 장치를 통한 외부 장치의 움직임 인식 결과를 나타낸 것이다.
도 23은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 동작 인식 방법의 흐름도이다.

도 1은, 다양한 실시예들에 따른, 네트워크 환경(100) 내의 전자 장치(101)의 블록도이다. 도 1을 참조하면, 네트워크 환경(100)에서 전자 장치(101)는 제 1 네트워크(198)(예: 근거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(102)와 통신하거나, 또는 제 2 네트워크(199)(예: 원거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(104) 또는 서버(108) 중 적어도 하나와 통신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 서버(108)를 통하여 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 프로세서(120), 메모리(130), 입력 모듈(150), 음향 출력 모듈(155), 디스플레이 모듈(160), 오디오 모듈(170), 센서 모듈(176), 인터페이스(177), 연결 단자(178), 햅틱 모듈(179), 카메라 모듈(180), 전력 관리 모듈(188), 배터리(189), 통신 모듈(190), 가입자 식별 모듈(196), 또는 안테나 모듈(197)을 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 전자 장치(101)에는, 이 구성요소들 중 적어도 하나(예: 연결 단자(178))가 생략되거나, 하나 이상의 다른 구성요소가 추가될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 이 구성요소들 중 일부들(예: 센서 모듈(176), 카메라 모듈(180), 또는 안테나 모듈(197))은 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160))로 통합될 수 있다.

프로세서(120)는, 예를 들면, 소프트웨어(예: 프로그램(140))를 실행하여 프로세서(120)에 연결된 전자 장치(101)의 적어도 하나의 다른 구성요소(예: 하드웨어 또는 소프트웨어 구성요소)를 제어할 수 있고, 다양한 데이터 처리 또는 연산을 수행할 수 있다. 일실시예에 따르면, 데이터 처리 또는 연산의 적어도 일부로서, 프로세서(120)는 다른 구성요소(예: 센서 모듈(176) 또는 통신 모듈(190))로부터 수신된 명령 또는 데이터를 휘발성 메모리(132)에 저장하고, 휘발성 메모리(132)에 저장된 명령 또는 데이터를 처리하고, 결과 데이터를 비휘발성 메모리(134)에 저장할 수 있다. 일실시예에 따르면, 프로세서(120)는 메인 프로세서(121)(예: 중앙 처리 장치 또는 어플리케이션 프로세서) 또는 이와는 독립적으로 또는 함께 운영 가능한 보조 프로세서(123)(예: 그래픽 처리 장치, 신경망 처리 장치(NPU: neural processing unit), 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)가 메인 프로세서(121) 및 보조 프로세서(123)를 포함하는 경우, 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)보다 저전력을 사용하거나, 지정된 기능에 특화되도록 설정될 수 있다. 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.

보조 프로세서(123)는, 예를 들면, 메인 프로세서(121)가 인액티브(예: 슬립) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)를 대신하여, 또는 메인 프로세서(121)가 액티브(예: 어플리케이션 실행) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)와 함께, 전자 장치(101)의 구성요소들 중 적어도 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160), 센서 모듈(176), 또는 통신 모듈(190))와 관련된 기능 또는 상태들의 적어도 일부를 제어할 수 있다. 일실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 이미지 시그널 프로세서 또는 커뮤니케이션 프로세서)는 기능적으로 관련 있는 다른 구성요소(예: 카메라 모듈(180) 또는 통신 모듈(190))의 일부로서 구현될 수 있다. 일실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 신경망 처리 장치)는 인공지능 모델의 처리에 특화된 하드웨어 구조를 포함할 수 있다. 인공지능 모델은 기계 학습을 통해 생성될 수 있다. 이러한 학습은, 예를 들어, 인공지능 모델이 수행되는 전자 장치(101) 자체에서 수행될 수 있고, 별도의 서버(예: 서버(108))를 통해 수행될 수도 있다. 학습 알고리즘은, 예를 들어, 지도형 학습(supervised learning), 비지도형 학습(unsupervised learning), 준지도형 학습(semi-supervised learning) 또는 강화 학습(reinforcement learning)을 포함할 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은, 복수의 인공 신경망 레이어들을 포함할 수 있다. 인공 신경망은 심층 신경망(DNN: deep neural network), CNN(convolutional neural network), RNN(recurrent neural network), RBM(restricted boltzmann machine), DBN(deep belief network), BRDNN(bidirectional recurrent deep neural network), 심층 Q-네트워크(deep Q-networks) 또는 상기 중 둘 이상의 조합 중 하나일 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은 하드웨어 구조 이외에, 추가적으로 또는 대체적으로, 소프트웨어 구조를 포함할 수 있다.

메모리(130)는, 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소(예: 프로세서(120) 또는 센서 모듈(176))에 의해 사용되는 다양한 데이터를 저장할 수 있다. 데이터는, 예를 들어, 소프트웨어(예: 프로그램(140)) 및, 이와 관련된 명령에 대한 입력 데이터 또는 출력 데이터를 포함할 수 있다. 메모리(130)는, 휘발성 메모리(132) 또는 비휘발성 메모리(134)를 포함할 수 있다.

프로그램(140)은 메모리(130)에 소프트웨어로서 저장될 수 있으며, 예를 들면, 운영 체제(142), 미들 웨어(144) 또는 어플리케이션(146)을 포함할 수 있다.

입력 모듈(150)은, 전자 장치(101)의 구성요소(예: 프로세서(120))에 사용될 명령 또는 데이터를 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로부터 수신할 수 있다. 입력 모듈(150)은, 예를 들면, 마이크, 마우스, 키보드, 키(예: 버튼), 또는 디지털 펜(예: 스타일러스 펜)을 포함할 수 있다.

음향 출력 모듈(155)은 음향 신호를 전자 장치(101)의 외부로 출력할 수 있다. 음향 출력 모듈(155)은, 예를 들면, 스피커 또는 리시버를 포함할 수 있다. 스피커는 멀티미디어 재생 또는 녹음 재생과 같이 일반적인 용도로 사용될 수 있다. 리시버는 착신 전화를 수신하기 위해 사용될 수 있다. 일실시예에 따르면, 리시버는 스피커와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.

디스플레이 모듈(160)은 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로 정보를 시각적으로 제공할 수 있다. 디스플레이 모듈(160)은, 예를 들면, 디스플레이, 홀로그램 장치, 또는 프로젝터 및 해당 장치를 제어하기 위한 제어 회로를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 디스플레이 모듈(160)은 터치를 감지하도록 설정된 터치 센서, 또는 상기 터치에 의해 발생되는 힘의 세기를 측정하도록 설정된 압력 센서를 포함할 수 있다.

오디오 모듈(170)은 소리를 전기 신호로 변환시키거나, 반대로 전기 신호를 소리로 변환시킬 수 있다. 일실시예에 따르면, 오디오 모듈(170)은, 입력 모듈(150)을 통해 소리를 획득하거나, 음향 출력 모듈(155), 또는 전자 장치(101)와 직접 또는 무선으로 연결된 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))(예: 스피커 또는 헤드폰)를 통해 소리를 출력할 수 있다.

센서 모듈(176)은 전자 장치(101)의 작동 상태(예: 전력 또는 온도), 또는 외부의 환경 상태(예: 사용자 상태)를 감지하고, 감지된 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 일실시예에 따르면, 센서 모듈(176)은, 예를 들면, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 근접 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서를 포함할 수 있다.

인터페이스(177)는 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 직접 또는 무선으로 연결되기 위해 사용될 수 있는 하나 이상의 지정된 프로토콜들을 지원할 수 있다. 일실시예에 따르면, 인터페이스(177)는, 예를 들면, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다.

연결 단자(178)는, 그를 통해서 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 물리적으로 연결될 수 있는 커넥터를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 연결 단자(178)는, 예를 들면, HDMI 커넥터, USB 커넥터, SD 카드 커넥터, 또는 오디오 커넥터(예: 헤드폰 커넥터)를 포함할 수 있다.

햅틱 모듈(179)은 전기적 신호를 사용자가 촉각 또는 운동 감각을 통해서 인지할 수 있는 기계적인 자극(예: 진동 또는 움직임) 또는 전기적인 자극으로 변환할 수 있다. 일실시예에 따르면, 햅틱 모듈(179)은, 예를 들면, 모터, 압전 소자, 또는 전기 자극 장치를 포함할 수 있다.

카메라 모듈(180)은 정지 영상 및 동영상을 촬영할 수 있다. 일실시예에 따르면, 카메라 모듈(180)은 하나 이상의 렌즈들, 이미지 센서들, 이미지 시그널 프로세서들, 또는 플래시들을 포함할 수 있다.

전력 관리 모듈(188)은 전자 장치(101)에 공급되는 전력을 관리할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전력 관리 모듈(188)은, 예를 들면, PMIC(power management integrated circuit)의 적어도 일부로서 구현될 수 있다.

배터리(189)는 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소에 전력을 공급할 수 있다. 일실시예에 따르면, 배터리(189)는, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 재충전 가능한 2차 전지 또는 연료 전지를 포함할 수 있다.

통신 모듈(190)은 전자 장치(101)와 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102), 전자 장치(104), 또는 서버(108)) 간의 직접(예: 유선) 통신 채널 또는 무선 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 통신 수행을 지원할 수 있다. 통신 모듈(190)은 프로세서(120)(예: 어플리케이션 프로세서)와 독립적으로 운영되고, 직접(예: 유선) 통신 또는 무선 통신을 지원하는 하나 이상의 커뮤니케이션 프로세서를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 통신 모듈(190)은 무선 통신 모듈(192)(예: 셀룰러 통신 모듈, 근거리 무선 통신 모듈, 또는 GNSS(global navigation satellite system) 통신 모듈) 또는 유선 통신 모듈(194)(예: LAN(local area network) 통신 모듈, 또는 전력선 통신 모듈)을 포함할 수 있다. 이들 통신 모듈 중 해당하는 통신 모듈은 제 1 네트워크(198)(예: 블루투스, WiFi(wireless fidelity) direct 또는 IrDA(infrared data association)와 같은 근거리 통신 네트워크) 또는 제 2 네트워크(199)(예: 레거시 셀룰러 네트워크, 5G 네트워크, 차세대 통신 네트워크, 인터넷, 또는 컴퓨터 네트워크(예: LAN 또는 WAN)와 같은 원거리 통신 네트워크)를 통하여 외부의 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 이런 여러 종류의 통신 모듈들은 하나의 구성요소(예: 단일 칩)로 통합되거나, 또는 서로 별도의 복수의 구성요소들(예: 복수 칩들)로 구현될 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 가입자 식별 모듈(196)에 저장된 가입자 정보(예: 국제 모바일 가입자 식별자(IMSI))를 이용하여 제 1 네트워크(198) 또는 제 2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크 내에서 전자 장치(101)를 확인 또는 인증할 수 있다.

무선 통신 모듈(192)은 4G 네트워크 이후의 5G 네트워크 및 차세대 통신 기술, 예를 들어, NR 접속 기술(new radio access technology)을 지원할 수 있다. NR 접속 기술은 고용량 데이터의 고속 전송(eMBB(enhanced mobile broadband)), 단말 전력 최소화와 다수 단말의 접속(mMTC(massive machine type communications)), 또는 고신뢰도와 저지연(URLLC(ultra-reliable and low-latency communications))을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은, 예를 들어, 높은 데이터 전송률 달성을 위해, 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 고주파 대역에서의 성능 확보를 위한 다양한 기술들, 예를 들어, 빔포밍(beamforming), 거대 배열 다중 입출력(massive MIMO(multiple-input and multiple-output)), 전차원 다중입출력(FD-MIMO: full dimensional MIMO), 어레이 안테나(array antenna), 아날로그 빔형성(analog beam-forming), 또는 대규모 안테나(large scale antenna)와 같은 기술들을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 전자 장치(101), 외부 전자 장치(예: 전자 장치(104)) 또는 네트워크 시스템(예: 제 2 네트워크(199))에 규정되는 다양한 요구사항을 지원할 수 있다. 일실시예에 따르면, 무선 통신 모듈(192)은 eMBB 실현을 위한 Peak data rate(예: 20Gbps 이상), mMTC 실현을 위한 손실 Coverage(예: 164dB 이하), 또는 URLLC 실현을 위한 U-plane latency(예: 다운링크(DL) 및 업링크(UL) 각각 0.5ms 이하, 또는 라운드 트립 1ms 이하)를 지원할 수 있다.

안테나 모듈(197)은 신호 또는 전력을 외부(예: 외부의 전자 장치)로 송신하거나 외부로부터 수신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 서브스트레이트(예: PCB) 위에 형성된 도전체 또는 도전성 패턴으로 이루어진 방사체를 포함하는 안테나를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다. 이런 경우, 제 1 네트워크(198) 또는 제 2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크에서 사용되는 통신 방식에 적합한 적어도 하나의 안테나가, 예를 들면, 통신 모듈(190)에 의하여 상기 복수의 안테나들로부터 선택될 수 있다. 신호 또는 전력은 상기 선택된 적어도 하나의 안테나를 통하여 통신 모듈(190)과 외부의 전자 장치 간에 송신되거나 수신될 수 있다. 어떤 실시예에 따르면, 방사체 이외에 다른 부품(예: RFIC(radio frequency integrated circuit))이 추가로 안테나 모듈(197)의 일부로 형성될 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 mmWave 안테나 모듈을 형성할 수 있다. 일실시예에 따르면, mmWave 안테나 모듈은 인쇄 회로 기판, 상기 인쇄 회로 기판의 제 1 면(예: 아래 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 지정된 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있는 RFIC, 및 상기 인쇄 회로 기판의 제 2 면(예: 윗 면 또는 측 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 상기 지정된 고주파 대역의 신호를 송신 또는 수신할 수 있는 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다.

상기 구성요소들 중 적어도 일부는 주변 기기들간 통신 방식(예: 버스, GPIO(general purpose input and output), SPI(serial peripheral interface), 또는 MIPI(mobile industry processor interface))을 통해 서로 연결되고 신호(예: 명령 또는 데이터)를 상호간에 교환할 수 있다.

일실시예에 따르면, 명령 또는 데이터는 제 2 네트워크(199)에 연결된 서버(108)를 통해서 전자 장치(101)와 외부의 전자 장치(104)간에 송신 또는 수신될 수 있다. 외부의 전자 장치(102, 또는 104) 각각은 전자 장치(101)와 동일한 또는 다른 종류의 장치일 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)에서 실행되는 동작들의 전부 또는 일부는 외부의 전자 장치들(102, 104, 또는 108) 중 하나 이상의 외부의 전자 장치들에서 실행될 수 있다. 예를 들면, 전자 장치(101)가 어떤 기능이나 서비스를 자동으로, 또는 사용자 또는 다른 장치로부터의 요청에 반응하여 수행해야 할 경우에, 전자 장치(101)는 기능 또는 서비스를 자체적으로 실행시키는 대신에 또는 추가적으로, 하나 이상의 외부의 전자 장치들에게 그 기능 또는 그 서비스의 적어도 일부를 수행하라고 요청할 수 있다. 상기 요청을 수신한 하나 이상의 외부의 전자 장치들은 요청된 기능 또는 서비스의 적어도 일부, 또는 상기 요청과 관련된 추가 기능 또는 서비스를 실행하고, 그 실행의 결과를 전자 장치(101)로 전달할 수 있다. 전자 장치(101)는 상기 결과를, 그대로 또는 추가적으로 처리하여, 상기 요청에 대한 응답의 적어도 일부로서 제공할 수 있다. 이를 위하여, 예를 들면, 클라우드 컴퓨팅, 분산 컴퓨팅, 모바일 에지 컴퓨팅(MEC: mobile edge computing), 또는 클라이언트-서버 컴퓨팅 기술이 이용될 수 있다. 전자 장치(101)는, 예를 들어, 분산 컴퓨팅 또는 모바일 에지 컴퓨팅을 이용하여 초저지연 서비스를 제공할 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 외부의 전자 장치(104)는 IoT(internet of things) 기기를 포함할 수 있다. 서버(108)는 기계 학습 및/또는 신경망을 이용한 지능형 서버일 수 있다. 일실시예에 따르면, 외부의 전자 장치(104) 또는 서버(108)는 제 2 네트워크(199) 내에 포함될 수 있다. 전자 장치(101)는 5G 통신 기술 및 IoT 관련 기술을 기반으로 지능형 서비스(예: 스마트 홈, 스마트 시티, 스마트 카, 또는 헬스 케어)에 적용될 수 있다.

본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 전자 장치는 다양한 형태의 장치가 될 수 있다. 전자 장치는, 예를 들면, 휴대용 통신 장치(예: 스마트폰), 컴퓨터 장치, 휴대용 멀티미디어 장치, 휴대용 의료 기기, 카메라, 웨어러블 장치, 또는 가전 장치를 포함할 수 있다. 본 문서의 실시예에 따른 전자 장치는 전술한 기기들에 한정되지 않는다.

본 문서의 다양한 실시예들 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술적 특징들을 특정한 실시예들로 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시예의 다양한 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 또는 관련된 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다. 아이템에 대응하는 명사의 단수 형은 관련된 문맥상 명백하게 다르게 지시하지 않는 한, 상기 아이템 한 개 또는 복수 개를 포함할 수 있다. 본 문서에서, "A 또는 B", "A 및 B 중 적어도 하나", "A 또는 B 중 적어도 하나", "A, B 또는 C", "A, B 및 C 중 적어도 하나", 및 "A, B, 또는 C 중 적어도 하나"와 같은 문구들 각각은 그 문구들 중 해당하는 문구에 함께 나열된 항목들 중 어느 하나, 또는 그들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. "제 1", "제 2", 또는 "첫째" 또는 "둘째"와 같은 용어들은 단순히 해당 구성요소를 다른 해당 구성요소와 구분하기 위해 사용될 수 있으며, 해당 구성요소들을 다른 측면(예: 중요성 또는 순서)에서 한정하지 않는다. 어떤(예: 제 1) 구성요소가 다른(예: 제 2) 구성요소에, "기능적으로" 또는 "통신적으로"라는 용어와 함께 또는 이런 용어 없이, "커플드" 또는 "커넥티드"라고 언급된 경우, 그것은 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로(예: 유선으로), 무선으로, 또는 제 3 구성요소를 통하여 연결될 수 있다는 것을 의미한다.

본 문서의 다양한 실시예들에서 사용된 용어 "모듈"은 하드웨어, 소프트웨어 또는 펌웨어로 구현된 유닛을 포함할 수 있으며, 예를 들면, 로직, 논리 블록, 부품, 또는 회로와 같은 용어와 상호 호환적으로 사용될 수 있다. 모듈은, 일체로 구성된 부품 또는 하나 또는 그 이상의 기능을 수행하는, 상기 부품의 최소 단위 또는 그 일부가 될 수 있다. 예를 들면, 일실시예에 따르면, 모듈은 ASIC(application-specific integrated circuit)의 형태로 구현될 수 있다.

본 문서의 다양한 실시예들은 기기(machine)(예: 전자 장치(101)) 의해 읽을 수 있는 저장 매체(storage medium)(예: 내장 메모리(136) 또는 외장 메모리(138))에 저장된 하나 이상의 명령어들을 포함하는 소프트웨어(예: 프로그램(140))로서 구현될 수 있다. 예를 들면, 기기(예: 전자 장치(101))의 프로세서(예: 프로세서(120))는, 저장 매체로부터 저장된 하나 이상의 명령어들 중 적어도 하나의 명령을 호출하고, 그것을 실행할 수 있다. 이것은 기기가 상기 호출된 적어도 하나의 명령어에 따라 적어도 하나의 기능을 수행하도록 운영되는 것을 가능하게 한다. 상기 하나 이상의 명령어들은 컴파일러에 의해 생성된 코드 또는 인터프리터에 의해 실행될 수 있는 코드를 포함할 수 있다. 기기로 읽을 수 있는 저장 매체는, 비일시적(non-transitory) 저장 매체의 형태로 제공될 수 있다. 여기서, '비일시적'은 저장 매체가 실재(tangible)하는 장치이고, 신호(signal)(예: 전자기파)를 포함하지 않는다는 것을 의미할 뿐이며, 이 용어는 데이터가 저장 매체에 반영구적으로 저장되는 경우와 임시적으로 저장되는 경우를 구분하지 않는다.

일실시예에 따르면, 본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 방법은 컴퓨터 프로그램 제품(computer program product)에 포함되어 제공될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 상품으로서 판매자 및 구매자 간에 거래될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체(예: compact disc read only memory(CD-ROM))의 형태로 배포되거나, 또는 어플리케이션 스토어(예: 플레이 스토어TM)를 통해 또는 두 개의 사용자 장치들(예: 스마트 폰들) 간에 직접, 온라인으로 배포(예: 다운로드 또는 업로드)될 수 있다. 온라인 배포의 경우에, 컴퓨터 프로그램 제품의 적어도 일부는 제조사의 서버, 어플리케이션 스토어의 서버, 또는 중계 서버의 메모리와 같은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체에 적어도 일시 저장되거나, 임시적으로 생성될 수 있다.

다양한 실시예들에 따르면, 상기 기술한 구성요소들의 각각의 구성요소(예: 모듈 또는 프로그램)는 단수 또는 복수의 개체를 포함할 수 있으며, 복수의 개체 중 일부는 다른 구성요소에 분리 배치될 수도 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 전술한 해당 구성요소들 중 하나 이상의 구성요소들 또는 동작들이 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 구성요소들 또는 동작들이 추가될 수 있다. 대체적으로 또는 추가적으로, 복수의 구성요소들(예: 모듈 또는 프로그램)은 하나의 구성요소로 통합될 수 있다. 이런 경우, 통합된 구성요소는 상기 복수의 구성요소들 각각의 구성요소의 하나 이상의 기능들을 상기 통합 이전에 상기 복수의 구성요소들 중 해당 구성요소에 의해 수행되는 것과 동일 또는 유사하게 수행할 수 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 모듈, 프로그램 또는 다른 구성요소에 의해 수행되는 동작들은 순차적으로, 병렬적으로, 반복적으로, 또는 휴리스틱하게 실행되거나, 상기 동작들 중 하나 이상이 다른 순서로 실행되거나, 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 동작들이 추가될 수 있다.

도 2 및 도3은 다양한 실시예에 따른 외부 장치가 연결된 전자 장치를 나타낸 것이다.

도 2 및 도3을 참조하면, 전자 장치(10)는 사용자 편의 또는 기능 확장 등을 위해 외부 장치(50)에 물리적 또는 전기적으로 연결될 수 있다. 전자 장치(10)는 스마트폰, 또는 태블릿 PC와 같은 장치를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전자 장치(10)는 외부 장치(50)(예: 플립 커버)의 적어도 일부가 지정된 거리 이내 위치하는지 검출할 수 있다. 전자 장치(10)는 외부 장치(50)의 근접 여부에 따라 전자 장치(10)의 지정된 기능(예: 디스플레이 턴온, 지정된 UX 표시, 또는 지정된 어플리케이션 수행)을 수행할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(10)(예: 도 1의 전자 장치(101))는 홀 센서(20)를 이용하여 외부 장치(50)의 자석부(60)의 자기장을 인식하여, 외부 장치(50)가 열림 또는 닫힘을 인식할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전자 장치(10)는 외부 장치(50)의 동작(예: 이동 거리 또는 열림 각도 등)을 인식하여 활용할 수 있다. 예를 들어, 도 2 에서 외부 장치(50)는 플립 커버일 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 전자 장치(10)는 자기장을 인식할 수 있는 홀 센서(20)을 포함할 수 있다. 홀 센서(20)는 외부 장치(50)에 포함된 자석부(60)와 대응하는 지점(또는 인접하는 지점)에 배치될 수 있다. 예를 들어, 홀 센서(20)는 전자 장치(10)의 전면 상단 또는 하단의 일부에 배치될 수 있다. 또 다른 예로, 홀 센서(20)는 전자 장치(10)의 측면 또는 후면에 배치되어 자석부(60)에서 발생하는 자기장을 인식할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 홀 센서(20)(예: 홀 센서)는 복수의 홀 엘리먼트들(hall elements)을 포함하여 자석부(60)에서 발생하는 자기장을 인식할 수 있다. 홀 엘리먼트들에서 인식된 자기장에 대한 정보는 외부 장치(50)의 동작(예: 이동 거리 또는 열림 각도)을 결정하는데 활용될 수 있다. 홀 엘리먼트(hall element)는 홀 효과를 이용하여 자기장의 방향과 크기를 인식하는 소자일 수 있다. 홀 효과는 도체에 자기장을 인가하면 전류와 자기장에 수직 방향으로 전압이 발생하는 효과로서, 홀 효과에 의해 발생된 전압은 인가된 전류와 자기장의 세기에 비례할 수 있다. 자기장 내에서 움직이는 전하는 자기장 방향 및 전하가 움직이는 방향의 수직 방향으로 힘을 받는다. 이러한 힘을 로렌츠 힘(Lorentz force)이라 한다. 로렌츠 힘에 의해 전하는 자기장 내에서 한쪽 방향으로 쏠리게 되는데 쏠림에 의해 전하 밀도가 달라져 전위차가 형성된다. 홀 효과는 로렌츠 힘에 의한 전하 쏠림에 의해 형성되는 전위차를 의미할 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 외부 장치(50)는 사용자 편의 또는 기능 확장 등을 위해 전자 장치(10)에 연결되어 사용될 수 있다. 예를 들어, 외부 장치(50)는 플립 커버를 포함할 수 있다. 다양한 실시 예에서, 외부 장치(50)는 전자 장치(10)에 전기적 물리적으로 직접 연결되지 않더라도 인접하여 배치되는 장치일 수 있다. 외부 장치(50)는 별도의 연결 모듈(예: 장치 연결 커버)을 통해 전자 장치(10)에 연결될 수 있다. 전자 장치(10)는 인접 배치된 외부 장치(50)의 이동 또는 각도 변화 등을 감지할 수 있다. 외부 장치(50)는 전자 장치(10)에 직접 연결될 수도 있고, 인접하여 배치될 수도 있다.

다양한 실시 예에 따르면, 외부 장치(50)는 전자 장치(10)에 일체형으로 연결되어 구현될 수 있다. 전자 장치(10)와 외부 장치(50)가 일체로 구현되는 경우, 전자 장치(10)는 제1 본체를 형성하고, 외부 장치(50)는 제2 본체를 형성할 수 있다. 예를 들어, 태블릿 PC의 경우, 전자 장치(10)는 디스플레이를 포함하는 제1 본체에 해당하고, 외부 장치(50)는 디스플레이를 커버하는 제2 본체에 해당할 수 있다. 이하에서는 외부 장치(50)가 전자 장치(10)와 별개로 형성된 경우에 대해 설명하지만, 이에 한정되는 것은 아니며 일체로 형성되는 경우에도 다양한 실시 예들이 적용될 수 있다.

다양한 실시 예에 따르면, 외부 장치(50)는 자기장을 발생시키는 자석부(60)를 포함할 수 있다. 자석부(60)는 외부 장치(50)의 일부분에 배치되어 자기장을 발생시킬 수 있다. 다양한 실시 예에서, 자석부(60)는 외부 장치(50)에서 전자 장치(10)로 향하는 면에서 홀 센서(20)와 대응하는 위치에 배치될 수 있다. 예를 들어, 외부 장치(50)가 플립 커버인 경우, 자석부(60)는 플립 커버를 전자 장치(10)에 덮었을 경우, 홀 센서(20)와 오버랩 될 수 있는 플립 커버 상의 지점에 배치될 수 있다. 다만, 자석부(60)는 홀 센서(20)와 전체로서 오버랩 될 필요는 없으며, 일부만 겹치도록 배치될 수 있다. 또 다른 예로, 자석부(60)는 홀 엘리먼트에서 자기장을 인식 가능한 범위에서 홀 센서(20)에 인접하여 배치되는 것도 가능할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 자석부(60)는 서로 이격된 복수의 자석을 포함할 수 있다.

다양한 실시 예에 따르면, 자석부(60)는 외부 장치(50)상에 배치되는 위치, 차지 면적, 또는 홀 센서(20)와 인접한 면의 극성 또는 배치 형태(예: 수평/수직 배치) 등에 따라 다양한 형태로 구현될 수 있다.

도 4a 및 도 4b는 다양한 실시 예에 따른 센서를 포함하는 전자 장치의 회전 동작 동작을 나타낸 것이다.

도 4a 및 도 4b를 참고하면, 회전 이벤트가 베젤(b1)의 터치 감지 영역에 대한 회전 이동인 경우가 예시될 수 있다. 회전 이벤트는 터치 감지 영역의 한 지점에서 회전을 시작하여 다른 지점으로 이동하여 휠을 회전시키는 움직임을 의미할 수 있다. 프로세서(120)는 회전 이벤트를 감지하고 사용자 명령으로 인식할 수 있으며, 사용자 명령은 회전 방향에 따라 다르게 판단되도록 설정될 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 회전 방향이 반시계 방향인 경우(D1) 회전 이벤트는 화면(B2)의 확대 명령에 대응할 수 있고, 회전 방향이 시계 방향인 경우(D2) 회전 이벤트는 화면(B2)의 축소 명령에 대응할 수 있다. 회전 방향에 따른 대응 명령은 이에 한정되는 것은 아니며, 전자 장치(101) 및 사용자의 설정에 따라 대응 명령은 달라질 수 있다. 프로세서(120)가 회전 이벤트를 인식하고 이에 대응하는 명령을 수행하기 위해서는 회전 방향 인식을 할 수 있다. 회전 방향의 인식은 홀 센서에 의하여 수행될 수 있으며, 홀 센서에 의한 회전 방향 인식 동작에 대해서는 도 16 내지 도 19를 통하여 설명할 것이다.

도 4c 및 도 4d는 다양한 실시 예에 따른 센서를 포함하는 전자 장치의 열림 동작을 나타낸 것이다.

다양한 실시 예에 따르면, 전자 장치(10)는 자기장을 인식할 수 있는 홀 센서(20)을 포함할 수 있다. 홀 센서(20)는 외부 장치(50)에 포함된 자석부(60)와 대응하는 지점(또는 인접하는 지점)에 배치될 수 있다. 도 4c에 표시된 홀 센서(20)의 배치는 예시일 뿐이며, 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 홀 센서(20)는 전자 장치(10)의 전면 상단 또는 하단의 일부에 배치될 수 있다. 또한, 홀 센서(20)는 전자 장치(10)의 측면 또는 후면에 배치되어 자석부(60)에서 발생하는 자기장을 인식할 수 있다.

다양한 실시 예에 따르면, 홀 센서(20)(예: 홀 센서)는 복수의 홀 엘리먼트들(hall elements)을 포함하여 자석부(60)에서 발생하는 자기장을 인식할 수 있다. 홀 엘리먼트들에서 인식된 자기장에 대한 정보는 외부 장치(50)의 동작(예: 이동 거리 또는 열림 각도)을 결정하는데 활용될 수 있다. 전자 장치(101)의 프로세서(120)는 외부 장치의 열림(open) 동작을 판단할 수 있으며, 반대로 외부 장치(50)의 닫힘(close) 동작도 판단할 수 있다. 도 14 내지 도 16에서는 외부 장치(50)가 열릴 때 외부 장치(50)가 어긋나는 동작과 비교하여 이를 열림 동작으로 판단하는 동작에 대하여 서술할 것이다.

도 5는 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 구성을 나타낸 블록도이다.

다양한 실시예에 따르면, 전자 장치(500)는 홀 센서(510), 프로세서(520), 또는 메모리(530)를 포함할 수 있다. 홀 센서(510)는 제1회로(501), 또는 제2회로(502)를 포함할 수 있으며, 2개 이상의 회로를 포함할 수도 있다. 또 다른 예로, 도시된 구성 중 일부가 생략 또는 치환 될 수도 있다. 전자 장치(500)는 도 1의 전자 장치(101)의 구성 및/또는 기능 중 적어도 일부를 더 포함할 수 있다. 도시된(또는 도시되지 않은) 전자 장치(500)의 구성 중 적어도 일부는 상호 작동적으로(operatively), 기능적으로(functionally) 및/또는 전기적으로 (electrically) 연결될 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 홀 센서(510)는 자성 부재(555)에서 발생하는 자기장을 인식할 수 있다. 홀 센서(510) 내부에 포함된 제1회로(501) 및 제2회로(502)는 홀 효과를 이용하여 자기장의 방향과 크기를 인식하는 회로일 수 있다. 일 실시 예에서, 제1회로(501) 및/또는 제2회로(502)는 omnipolar detection hall IC(integrated circuit) 또는 bipolar latch hall IC(integrated circuit) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. omnipolar detection hall IC는 자성 부재(555)의 위치에 따른 자기장의 유무를 판단할 수 있다. bipolar latch hall IC는 자성 부재(555)의 극성 변화를 인식할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 홀 센서(510)는 자성 부재(555)와의 거리에 따라 다른 자기장의 세기를 인식할 수 있다. 예를 들어, 제1회로(501)가 자성부재(555)로부터 R1의 거리에 있고, 제2회로(502)가 자성부재(555)로부터 R1 거보다 먼 R2의 거리에 있는 경우, 제1회로(501)에서 측정된 자기장의 세기는 제2회로(502)에서 측정된 장기장의 세기보다 클 수 있다. 홀 센서(510)는 측정한 자기장의 세기 또는 방향 등의 인식 정보를 프로세서(520)에 제공할 수 있다. 제공된 인식 정보는 외부 장치(550)의 동작(예: 위치, 각도 또는 이동 거리 등)을 결정하는데 이용될 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 프로세서(520)는 전자 장치(500)의 구성 요소들의 제어 및/또는 통신에 관한 연산이나 데이터 처리를 수행할 수 있는 구성으로써, 하나 이상의 프로세서들을 포함할 수 있다. 프로세서(520)는 도 1의 프로세서(120)의 구성 및/또는 기능 중 적어도 일부를 포함할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 프로세서(520)가 전자 장치(500) 상에서 구현할 수 있는 연산 및 데이터 처리 기능에는 한정됨이 없을 것이나, 이하에서는 홀 센서(510)의 제어 및 외부장치(550)의 동작 판단과 관련된 특징에 대해 설명하기로 한다. 프로세서(520)의 동작들은 메모리(530)에 저장된 인스트럭션들을 로딩(loading)함으로써 수행될 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 프로세서(520)는 홀 센서(510)에서 측정된 인식 정보를 기반으로 외부 장치(550)의 동작(예: 위치, 각도 또는 이동 거리 등)을 결정할 수 있다. 프로세서(520)는 홀 센서(510)에서 측정된 인식 정보를 기반으로 자성부재(555)의 위치 또는 이동 방향 등을 결정할 수 있다. 프로세서(520)는 자성부재(555)의 동작에 관한 정보를 기반으로 외부 장치(550)의 이동(예: 좌우 밀림 이동, 회전 밀림 이동, 열림 또는 닫힘 동작 등) 또는 열림 각도 등을 결정할 수 있다. 프로세서(520)는 각각의 회로에서 측정된 인식 정보의 차이, 비율 또는 변화 패턴 등을 기반으로 자성부재(555)의 위치 또는 이동 방향 등을 결정할 수 있다. 다양한 실시예에 따르면, 프로세서(520)는 홀 센서(510)의 제1회로(501) 내지 제n회로(50N)가 자성부재(555)로부터 지정된 거리 이내에 있는 것으로 판단되는 경우, 검출 신호를 출력 할 수 있다. 예를 들어 제1회로(501)가 자성부재(501)로부터 지정된 거리 이내에 위치하는 경우 H(High)신호를 출력할 수 있다. 다양한 실시예에 따르면, 프로세서(520)는 홀 센서(510)의 제1회로(501) 내지 제n회로(50N)가 자성부재(555)로부터 지정된 거리 이내에 존재하고 극성이 변경된 것으로 판단되는 경우, 검출 신호를 변경하여 출력 할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 홀 센서(510)는 적어도 하나 이상의 홀 엘리먼트, 증폭부, 변환부(ADC)를 포함할 수 있다. 증폭부는 홀 엘리먼트는 인식 정보(예: Hall 엘리먼트의 출력 전압 또는 전류)를 증폭할 수 있다. 증폭부는 PGA(programmable gain amplifier)로 구현될 수 있으며, 이에 한정되지는 않는다. 변환부는 홀 엘리먼트 또는 증폭부의 출력 신호를 변환 또는 처리하여 프로세서(230)에 제공할 수 있다.

다양한 실시 예에 따르면, 프로세서(520)는 감지된 외부 장치(550)의 움직임 타입을 판단할 수 있다. 프로세서(520)는 외부 장치(550)의 움직임에 기반하여 전자 장치(10)의 디스플레이를 턴 온(turn on) 또는 턴 오프(turn off)시키거나 지정된 기능(예: 지정된 UX의 실행, 또는 지정된 어플리케이션의 실행 등)을 실행할 수 있다.

다양한 실시 예에 따르면, 프로세서(520)는 메모리(530)와 전기적으로 연결될 수 있다. 전자 장치(500)는 하나 이상의 메모리(530)를 포함할 수 있으며, 메모리(530)는 예를 들어, 메인 메모리(main memory) 및/또는 스토리지(storage)를 포함할 수 있다. 메인 메모리는 DRAM(dynamic random access memory), SRAM(static RAM), 또는 SDRAM(synchronous dynamic RAM)와 같은 휘발성 메모리를 포함할 수 있다. 스토리지(storage)는 예를 들어, OTPROM(one time programmable ROM), PROM, EPROM, EEPROM, mask ROM, flash ROM, 플래시 메모리, 하드 드라이브, 또는 솔리드 스테이트 드라이브 (SSD) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 메모리(530)는 외부 장치(550)의 동작 인식과 관련된 정보를 저장할 수 있다. 예를 들어, 메모리(530)는 외부 장치(550)의 자석 감지 여부 및/또는 감지되는 자석의 극성(N극 또는 S극), 자석의 세기에 따라 홀 센서에서 출력하는 신호에 관한 참조 테이블을 저장할 수 있다. 또 다른 예로, 메모리(530)는 자성부재(555)의 극성, 위치 또는 자기장의 세기에 관한 정보를 포함할 수 있다.

도 6a 및 6b는 다양한 실시 예에 따른 자석부의 이동에 따른 홀 엘리먼트와의 거리 변화를 도시한다.

도 6a는 자석부(60)의 수평 이동(예: 플립 커버의 좌우 밀림 이동 또는 회전 밀림 이동)에 따른 홀 엘리먼트와의 거리 변화를 나타낸다. 홀 엘리먼트는 도 5의 홀센서에 포함된 제1회로(501) 내지 제n회로(50N) 중 적어도 하나의 회로를 포함할 수 있으며, 또는 제1회로(501) 내지 제n회로(50N)에 포함된 구성요소 중 일부를 포함할 수 있다. 또는 홀 엘리먼트는 하나의 홀 센서(IC)를 의미할 수 있다. 도 6a를 참조하면, 자석부(60)가 X축 방향 또는 Y축 방향으로 이동하는 경우, 홀 엘리먼트 610A 내지 610D와 자석부(60)와의 거리 R1 내지 R4는 해당 이동에 따라 변화할 수 있다. 예를 들어, 자석부(60)가 홀 센서(20)와 전체로서 오버랩된 상태에서 X축의 (+) 방향으로 이동하는 경우, 거리 R1 내지 R4는 모두 커질 수 있다. 이 경우, 홀 엘리먼트 610A 내지 610D에서 인식되는 자기장의 세기는 모두 작아질 수 있다. 다만, 거리 R2 또는 R3의 변화는 거리 R1 또는 R4의 변화보다 상대적으로 클 수 있다. 이에 따라, 홀 엘리먼트 610B 또는 610C에서 인식하는 자기장 세기의 변화는 홀 엘리먼트 610A 또는 610D에서 인식하는 자기장 세기의 변화보다 상대적으로 클 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 프로세서(520)는 홀 엘리먼트 610A 내지 610D에서 발생하는 자기장의 변화를 기반으로 외부 장치(50)의 이동 방향 또는 이동 거리를 결정할 수 있다. 일 실시 예에서, 프로세서(520)는 외부 장치(50)의 이동 방향 또는 이동 거리가 결정되면, 그에 따라 전자 장치(10)의 지정된 기능을 실행할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(520)는 자석부(60)의 X축 방향 또는 Y축 방향으로의 이동이 지정된 범위 이내인 경우 전자 장치(10)을 턴 오프 상태로 유지하고, 지정된 범위를 벗어난 경우 턴 온시키거나 지정된 알림 실행하여 사용자에게 인지시킬 수 있다.

도 6b는 자석부(60)의 수직 이동(예: 플립 커버의 열림 또는 닫힘)에 따른 홀 엘리먼트와의 거리 변화를 나타낸다. 도 6b를 참조하면, 자석부(60)가 Z축 방향으로 이동하는 경우, 홀 엘리먼트 610A 내지 610D와 자석부(60)와의 거리 R1 내지 R4는 해당 이동에 따라 변화할 수 있다. 예를 들어, 자석부(60)가 Z축의 (+) 방향으로 이동하는 경우, 거리 R1 내지 R4는 모두 커질 수 있다. 이 경우, 홀 엘리먼트 610A 내지 610D에서 인식되는 자기장의 세기는 모두 작아질 수 있다. 다만, 자석부(60)가 플립 커버와 같은 외부 장치(50)에 연결되어 이동되는 경우, Z(+) 방향 이동에 따라 R2 또는 R3의 변화는 R1 또는 R4의 변화보다 상대적으로 클 수 있다. 이에 따라, 홀 엘리먼트 610B 또는 610C에서의 자기장 세기의 변화는 홀 엘리먼트 610A 또는 610D에서의 자기장 세기의 변화보다 상대적으로 클 수 있다.

일 실시 예에 따르면, 프로세서(520)는 홀 엘리먼트 610A 내지 610D에서 발생하는 자기장의 변화를 기반으로 외부 장치(50)의 동작을 결정하고, 그에 따라 전자 장치(10)의 지정된 기능을 실행할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(520)는 자석부(60)의 Z축 방향으로 이동이 지정된 범위 이내인 경우 전자 장치(10)을 턴 오프 상태로 유지하고, 지정된 범위를 벗어난 경우 턴 온시킬 수 있다.

도 7은, 다양한 실시예에 따른 자성 부재의 사시도이다.

다양한 실시예에 따르면, 홀 센서(510)(hall sensor)는 자기장(magnetic field)을 감지하는 센서일 수 있다. 홀 센서는 홀 효과(hall effect)를 이용하여 자기장을 전기적 신호로 변환하는 센서일 수 있다. 홀 센서(510)는 홀 효과에 의해 형성되는 전위차를 측정하는 센서이다. 자기장의 세기가 클수록 큰 전위차가 형성될 수 있다. 예컨대, 자기장의 세기는 홀 효과에 의한 전위차와 비례한다. 홀 센서(510)는 홀 효과에 의한 전류를 측정하므로 자기장의 세기를 감지할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 외부 장치(예: 도 3의 외부 장치(50))에 포함된 자성 부재(720)와 전자 장치(예: 도 3의 전자 장치(10))에 포함된 홀 센서(510)는 외부 장치의 위치 변화를 측정하는데 사용될 수 있다. 예를 들어, 자성 부재(720)와 홀 센서(510)를 이용하여 전자 장치와 전자 장치에 대해 상대 이동하는 외부 장치 사이의 거리 변화 또는 전자 장치에 대한 외부 장치의 상대 위치를 측정할 수 있다.

일 실시예에서 홀 센서(510)는 제1 방향의 자기장, 제1 방향과 수직한 제2 방향의 자기장, 제1 방향 및 제2 방향과 모두 수직한 제3 방향의 자기장을 측정할 수 있다. 예를 들어, 제1 방향은 도 7을 기준으로 X 축 방향을 의미할 수 있다. 제2 방향은 도 7을 기준으로 Y 축 방향을 의미할 수 있다. 제3 방향은 도 7을 기준으로 Z 방향을 의미할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 자성 부재(720)는 홀 센서(510) 주변에 자기장을 형성할 수 있다. 자성 부재(720)는 홀 센서(510)와 대면하는 위치에 배치될 수 있다. 예를 들어, 홀 센서(510)가 전자 장치에 배치되면, 자성 부재(720)는 홀 센서(510)와 대면하는 위치에서 전자 장치에 대해 상대 이동하는 외부 장치에 배치될 수 있다. 또 다른 예로, 홀 센서(510)가 외부 장치에 배치되면, 자성 부재(720)는 홀 센서(510)와 대면하는 위치에서 전자 장치에 배치될 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 자성 부재(720)는 길이 방향으로 연장되어 형성되는 몸체부(721)와 몸체부(721)에 적어도 하나의 자석(예: 제1 자석(722-1) 및/또는 제2 자석(722-2))을 포함할 수 있다. 예를 들어, 몸체부(721)는 하나의 자석(예: 제1 자석(722-1) 및/또는 제2 자석(722-2))으로 형성되고, 길이 방향(예: X 방향)의 각각의 말단에 N극과 S극이 형성될 수 있다. 다른 예를 들어, 몸체부(721)는 하나의 자석(예: 제1 자석(722-1) 또는 제2 자석(722-2))을 길이 방향(예: X 방향)의 말단에 포함할 수 있다. 도 7에서는 설명의 편의를 위해 제1 자석(722-1) 및 제2 자석(722-2)의 극을 서로 다른 형태로 도시하였다.

도 7에 도시된 것과 같이, 전자 장치와 외부 장치의 상대 이동에 의하여 홀 센서와 자성 부재(720)가 상대 이동될 수 있다. 예를 들어, 도 2의 외부 장치(50)가 open 되는 경우 외부 장치(50)의 자석부(60)는 전자 장치(10)의 홀 센서(20)에 대해 z축 또는 y축 방향으로 상대 이동될 수 있다. 반대로, 홀 센서(20)가 자석부(60)에 대해 상대 이동할 수도 있다. 또한 도 2의 외부 장치(50)가 슬라이딩되는 경우 외부 장치(50)의 자석부(60)는 전자 장치(10)의 홀 센서(20)에 대해 x축 방향으로 상대 이동될 수 있다. 반대로, 홀 센서(20)가 자석부(60)에 대해 상대 이동할 수도 있다.

홀 센서(510)는 자성 부재(720)에 의해 형성되는 자기장의 세기를 검출할 수 있다. 홀 센서(510)는 자기장의 세기와 비례하는 물리량인 자속의 크기를 검출할 수 있다. 앞서 설명한 것과 같이, 몸체부(721)의 양 말단에서 중앙 부분으로 갈수록 유기되는 자속의 크기가 감소할 수 있다. 또한, 몸체부(721)의 양 말단은 서로 다른 극성으로 자화되므로 유기되는 자속의 방향이 서로 반대일 수 있다. 홀 센서(510)와 자성 부재(720)의 상대 위치와 홀 센서(510)에서 검출되는 자속의 값이 일대일로 매칭될 수 있다. 홀 센서(510)가 자성 부재(720)의 말단에서 자성 부재(720)의 중앙 부분에 인접한 위치로 이동할수록 자속의 값은 0에 가까워질 수 있다.

도 7을 기준으로, 홀 센서(510)가 몸체부(721)의 한쪽 말단에 인접한 위치에서 몸체부(721)의 반대쪽 말단으로 이동되는 경우, 홀 센서(510)에서 검출되는 자속의 값은 양의 값에서 점차 0으로 줄어들고 다시 음의 값으로 증가할 수 있다. 이처럼 홀 센서가 몸체부(721)를 따라 이동되도록 홀 센서(510)와 몸체부(721)의 상대 위치가 변경되는 동안, 홀 센서에서 검출되는 자속의 값은 선형적으로 변할 수 있다. 홀 센서(510)와 몸체부(721)의 상대 위치와 그 상대 위치에서 검출되는 자속이 일대일로 매칭되므로 지정된 자속에 따른 전자 장치와 외부 장치의 상대 위치를 측정할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치와 외부 장치의 상대 위치에 따른 자속의 값을 테이블 또는 그래프와 같은 형식으로 저장해두고 홀 센서(510)에서 검출되는 자속을 저장된 테이블에서 확인함으로써, 전자 장치와 외부 장치의 상대 위치를 측정할 수 있다.

도 8은 다양한 실시예에 따른, 전자 장치 및 외부 장치를 인식하는 전자 장치의 센서를 나타낸 것이다.

일 실시 예에 따르면, 전자 장치(810)(예: 도 1의 전자 장치(101))의 디스플레이를 보호하기 위해 외부 커버(820)가 사용될 수 있다. 예를 들어, 사용자는 전자 장치(810) 사용 시 외부 커버(820)를 열고, 전자 장치(810)를 사용하지 않는 경우 외부 커버(820)를 닫은 상태를 유지할 수 있다. 이 때 외부 커버(820)를 닫은 경우 전력 소모를 방지하기 위해 전자 장치(810)는 sleep 모드를 유지할 수 있으며, 외부 커버(820)가 열리는 경우 wake up 모드로 전환하여 빠르게 전자 장치(810)를 구동시킬 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(810)는 wake up 모드에서 sleep 모드로 전환 시 디스플레이, 프로세서(520)를 포함하는 적어도 일부 구성을 비활성화 할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 전자 장치(810)는 적어도 하나의 홀 센서(801)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 홀 센서(801)는 omnipolar detection hall IC를 포함할 수 있다. 이는 앞선 도 7에서 설명한 자성을 이용하여 외부 커버(820)의 수직 동작(상/하 개폐)을 인식할 수 있으며, 자동으로 전자 장치(810)를 sleep 모드에서 wake up모드로 구동할 수 있다. 홀 센서(801)의 수직 동작 인식에 대해서는 앞선 도 5b에서 설명한 바 있다.

다양한 실시예에 따르면, 전자 장치(810)의 홀 센서(801)는 bipolar latch hall IC를 포함할 수 있다. bipolar latch hall IC는 자력 극성 변화 방향을 확인하여 회전 방향 또는 슬라이딩 방향을 인식할 수 있다. 예를 들어, 확장가능한 슬라이더블 디스플레이 영역을 포함하는 전자 장치(810)에 있어서 슬라이딩 방향을 인식하고, 디스플레이의 슬라이딩에 따른 수평적인 동작(좌/우 개폐)을 인식할 수 있다.

도 9 내지 도 11은 전자 장치의 홀 센서의 동작 인식 동작을 나타낸 것이다.

도 9 내지 11을 참조하면, 전자 장치의 센싱부(901)은 적어도 하나의 홀 센서를 포함할 수 있다. 예를 들어, 홀 센서는 두 극성의 자기장을 검출하는 omnipolar 홀 센서 일 수 있다. 다른 예를 들어, 홀 센서는 하나의 극성의 자기장을 검출하는 bipolar 홀 센서 일 수 있다.

도 9에 따르면, omnipolar detection hall IC(901)은 omnipolar 의 약자인 O가 기록된 블록으로 표현되어 있으며, 외부 커버(820)에 부착된 자석(magnet)은 N,S 블록으로 표현되어 있다. 초기 상태에서 omnipolar detection hall IC(901) 근처에는 N극이 위치하고, 표(902)에 따르면 이 때 홀 센서의 값은 H를 나타냄을 알 수 있다. 홀 센서의 값은 주변에 N극, S극이 존재하는지 또는 접점이 없는지에 따라 H 또는 L을 나타낼 수 있다.

도 10은 자성체의 움직임에 따라 외부 커버(820)의 움직임을 구분하는 동작을 나타낸 것이다. 다양한 실시예에 따르면, omnipolar detection hall IC의 위에 외부 커버의 N극 자석이 위치한 상태에서 omnipolar detection hall IC 근처로 자석이 화살표 방향으로 수평하게 지나가는 경우(1011), 외부 커버(820)가 소정 거리만큼 이동하게 되면 omnipolar detection hall IC의 위에 S극 자석이 위치하게 되고, 소정 거리만큼 추가로 이동하게 되면 omnipolar detection hall IC의 위에 자석이 위치하지 않는다. 1011에서 omnipolar detection hall IC의 위에 N극 자석이 위치하다가 화살표 방향으로 외부 커버가 이동하여 S극 자석이 위치하는 경우 magnet은 N -> S를 기록할 수 있다. 이후 화살표 방향으로 외부 커버가 이동하여 omnipolar detection hall IC의 위에 자석이 위치하지 않게 된 경우 magnet은 S -> X를 기록할 수 있다. magnet이 S -> X로 변경되는 경우 ominpolar detection은 high에서 low로 값이 변경될 수 있다(1012).

다양한 실시예에 따르면, ominpolar detection hall IC의 위에 외부 커버 자석의 N극이 위치한 상태에서 외부 커버가 수직으로 open되는 경우(1021), 자석은 화살표 방향으로 이동할 수 있다. 이 때, N 극은 ominpolar detection hall IC에서 멀어질 수 있으며, ominpolar detection hall IC와 자석의 인접하지 않아 수평이동의 상황과는 다르게 magnet이 N -> S로 변경되는 것이 아니라 N -> X로 변경될 수 있다. magnet이 N -> X로 변경되는 경우 ominpolar detection은 high 에서 low로 값이 변경될 수 있다(1022).

다양할 실시예에 따르면, 두 가지 경우 모두 전자 장치(810)의 wake up 모드가 가동될 수 있다. 다만, 외부 커버(820) open의 경우 전자 장치(810)의 wake up모드를 가동하는 것이 사용자의 의도에 부합할 수 있으나, 외부 커버(820)의 슬라이딩 또는 어긋남이 발생하는 경우 전자 장치(810)의 wake up모드를 가동하는 것은 사용자의 의도와 다를 수 있다. sleep 모드에서 wake up모드로의 전환이 잦아지면 전력 소모가 심할 수 있으며, 사용자가 의도하지 않은 전자 장치(810)의 모드 전환으로 인해 사용자는 배터리 소모가 심하다고 느낄 수 있다. 이러한 이유로 외부 커버의 open과 슬라이딩을 구분해서 open일 경우 전자 장치를 구동(Wake up mode)하나, 슬라이딩 동작으로 판단될 경우 전자 장치를 절전 모드 또는 저전력 모드(sleep mode)로 구동하는 것이 효율적일 수 있다. 그러나 도 11을 보면 외부 커버(820)가 슬라이딩하거나 또는 open 하거나 omnipolar detection값(1112 및 1122)은 동일함을 알 수 있다. 그래서 omnipolar detection hall IC만 사용하는 경우 외부 커버(820)의 움직임만 알 수 있을 뿐, 외부 커버(820)를 open한 것인지, 사용자의 의도와 관계없는 어긋남 또는 슬라이딩 동작인지 구분하기 어려울 수 있다. 이로 인해 사용자가 의도하지 않은 경우에도 전자 장치의 wake up이 발생할 수 있다.

도 12는 다양한 실시예에 따른, 전자 장치 및 외부 장치를 인식하는 전자 장치의 센서를 나타낸 것이다.

전자 장치(1210) 및 전자 장치(1210)를 보호하기 위한 외부 커버(1220)에 대해서는 앞선 도 8에서 설명한바 있다. 전자 장치(1210)의 홀 센서(801)는 omnipolar detection hall IC 또는 bipolar latch hall IC를 포함할 수 있으며 단일 홀 센서(801)를 사용할 때 발생할 수 있는 문제점에 대해서도 앞선 도 11에서 상세히 설명한 바 있다.

다양한 실시예에 따르면, omnipolar detection hall IC 및 bipolar latch hall IC 모두를 사용하여 홀 센서(1210)를 형성할 수 있으며(1201), 이를 통해 외부 커버(1220)의 움직임을 구분하고, 사용자의 의도에 맞는 전자 장치(1210)의 wake up 모드 전환을 이룰 수 있다. 도 13내지 도 15에서는 이러한 홀 센서(1210)의 동작에 대해 설명할 것이다.

도 13은 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 외부 장치 인식 센서를 나타낸 것이다.

다양한 실시예에 따르면, 전자 장치(1210)는 전자 장치(1210)에 결합된 외부 커버(1220)의 자성부재를 감지하는 홀 센서(hall sensor)(1201) 및 홀 센서(1201)와 작동적으로 연결되는 프로세서(520)를 포함할 수 있다. 홀 센서(1201)는 제1회로(1310) 및 제1회로(1310)와 인접하여 제1방향으로 형성된 제2회로(1320)를 포함할 수 있으며, 제1회로(1310)는 omnipolar detection hall IC(integrated circuit)를 포함할 수 있고, 제2회로(1320)는 omnipolar detection hall IC(integrated circuit) 또는 bipolar latch hall IC(integrated circuit) 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 프로세서(520)는 홀 센서(1201)의 제1회로(1310) 및 제2회로(1320)의 자기장 인식 정보를 기반으로 자성부재의 이동 방향을 판단하고, 자성부재의 이동 방향에 기반하여, 케이스의 동작을 결정하도록 설정될 수 있다.

홀 센서(1201)는 omnipolar detection hall IC 및 bipolar latch hall IC를 모두 포함하여 O,B로 표시된 블록에 해당하며, 자성체(magnet)가 홀 센서에 인접한 상태로 존재할 수 있다(1301).

이 때 omnipolar detection hall IC 와 인접하는 magnet은 N극이며, bipolar latch 값은 H, omnipolar detection 값 역시 H를 나타냄을 알 수 있다(1302). 도 10의 홀 센서는 omnipolar detection 값만 존재했던 것과 달리 도 13의 홀 센서는 omnipolar detection 값 외에도 bipolar latch 에 대한 값을 가지고 있는 차이가 있다. bipolar latch 에 대한 값을 이용하여 외부 커버(1220)의 움직임을 구분하는 동작에 대해 도 14 및 도 15에서 상세히 설명할 것이다.

도 14 내지 도 15는 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 외부 장치 움직임 인식 동작을 나타낸 것이다.

다양한 실시예에 따르면, 홀 센서(1201)의 제1회로(1310) 및 제2회로(1320)에서 수집된 자기장 인식 정보를 이용하여 전자 장치(1210)에 대한 외부 커버(1220)의 상대 위치를 결정할 수 있다. 자기장 인식 정보는 자성 부재의 극성 또는 자기장의 유무 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, omnipolar detection hall IC는 자성 부재의 위치에 따른 자기장의 유무를 판단할 수 있고, bipolar latch hall IC는 자성 부재의 극성 변화를 인식할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 홀 센서(1201)는 omnipolar detection hall IC 및 bipolar latch hall IC를 모두 포함할 수 있으며, 초기 상태에서 N극과 인접한 상태로 존재할 수 있다(1401). 외부 커버(1220)의 움직임에 따라 자성체(magnet) 역시 움직일 수 있으며, 외부 커버(1220)가 슬라이딩 하는 경우 자성체 역시 슬라이딩할 수 있으며(1411), 외부 커버(1220)가 open되는 경우 자성체는 홀 센서에서 분리될 수 있다(1421).

다양한 실시예에 따르면, 메모리(240)는 자성 부재의 자력 유무 및 상기 자성 부재의 극성 변화에 따른 홀 센서(1201)의 omnipolar detection값 및 bipolar latch값 변화를 저장할 수 있다. 프로세서(520)는 메모리(240)로부터 홀 센서의 omnipolar detection값 및 bipolar latch값을 전달 받아 외부 커버(1220)의 움직임을 판단할 수 있다.

예를 들어, 홀 센서(1201)는 자성체의 움직임에 따라 bipolar latch 및 omnipolar detection을 메모리(240)에 저장할 수 있으며 이는 아래 표 3과 같다(1402).

[표 3]

예를 들어, 홀 센서(1201) 근처의 자성체가 N극이었다가 S극으로 변하는 경우 omnipolar detection값은 H를 유지하나, bipolar latch 값은 H에서 L로 변할 수 있다.

이 동작에 따라, 외부 커버(1220)의 움직임(슬라이딩/오픈)에 따른 홀 센서(1201)의 기록값을 살펴보면 다음과 같다.

1511에 따르면, 외부 커버(1220)가 화살표 방향(1511)으로 슬라이딩하는 경우 홀 센서(1201)에 인접하여 존재하던 N극이 화살표 방향(1511)으로 지나가고 그 후 S극을 거쳐 접점이 없어짐을 알 수 있다. 이 경우 magnet은 N ->S 를 거쳐 S -> X가 저장될 수 있다. 1512의 표를 참고하면 bipolar latch 값은 N ->S일 경우, H에서 L로 변경될 수 있다. 또한 S -> X일 경우, L값을 유지할 수 있다. omnipolar detection 값은 N ->S일 경우, H 값을 가질 수 있다. 또한 S -> X일 경우, L값으로 변함을 알 수 있다.

1521에 따르면, 외부 커버(1220)가 열리는(open) 경우 홀 센서(1201)에 인접하여 N극이 존재하다가 화살표 방향(1521)으로 멀어지며 자석과의 인접점이 없어짐을 알 수 있다. 이 경우 magnet은 N -> X가 기록될 수 있다. 1522의 표를 참고하면 bipolar latch 값은 N -> X일 경우 H를 유지하며, omnipolar detection 값은 N -> X일 경우 H에서 L로 변함을 알 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 전자 장치(1210)의 프로세서(520)는 제1회로(1310)와 인접하여 있던 자성부재의 N극이 제1방향으로부터 수직으로 멀어지는 경우, 외부 커버(1220)의 움직임을 사용자의 의도에 따른 외부 커버(1220)의 열림(open)으로 판단할 수 있다. 이 경우 프로세서(520)는 외부 커버 (1220)의 움직임을 인식하고 전자 장치(1210)의 상태를 Wake up 모드로 제어할 수 있으며, wake up 모드는 전자 장치(1210)의 일반적인 구동 모드에 해당할 수 있다. 또 다른 예로, 이러한 동작을 거쳐 반대로 close되는 경우도 인식할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 프로세서(520)는 제1회로(1310)와 인접하여 있던 자성부재의 N극이 제1방향으로 이동하여 제2회로(1320)와 인접 후 계속 제1방향으로 멀어지고, 자성부재의 S극 역시 N극과 마찬가지로 제1방향으로 이동하여 제1회로(1310) 및 제2회로(1320)와 인접 후 계속 제1방향으로 멀어지는 경우, 외부 커버(1220)의 움직임을 사용자의 의도와는 상관없는 외부 커버(1220)의 어긋남 또는 슬라이딩(sliding)으로 판단할 수 있다. 이 경우 프로세서(520)는 외부 커버(1220)의 움직임을 인식하고 전자 장치(1210)의 상태를 sleep 모드로 제어할 수 있으며, sleep 모드는 전자 장치의 절전 모드 또는 저전력 모드에 해당할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, bipolar latch 값 및 omnipolar detection 값을 (B,L)과 같은 형식으로 정리할 경우 슬라이딩 상태에서 (L,L)이 되며, open 상태에서는 (H,L)이 됨을 알 수 있다. 앞선 도 10의 경우와는 달리 bipolar latch 값이 추가되어 슬라이딩 상태와 open 상태를 구분할 수 있으며, 사용자의 의도와 달리 외부 커버(1220)가 움직인 경우 전자 장치(1210)의 sleep 상태를 유지하고, 외부 커버(1220)를 open하는 경우에만 wake up 상태로 전환함으로써 전력 소모를 방지할 수 있다.

도 16은 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 외부 장치 인식 센서를 나타낸 것이다.

다양한 실시예에 따르면, 전자 장치는 전자 장치에 결합된 케이스의 자성부재를 감지하는 홀 센서(hall sensor)(1201) 및 홀 센서(1201)와 작동적으로 연결되는 프로세서를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 홀 센서(1201)는 제1회로(1610), 제1회로(1610)와 인접하여 제1방향으로 형성된 제2회로(1620) 및 상기 제1회로(1610)와 인접하여 상기 제1방향과 반대 방향으로 형성된 제3회로(1630)를 포함할 수 있다. 제1회로(1610)는 omnipolar detection hall IC(Integrated Circuit)를 포함할 수 있으며, 제2회로(1620) 및 제3회로(1630)는 omnipolar detection hall IC(Integrated Circuit) 또는 bipolar latch hall IC(Integrated Circuit) 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 프로세서(520)는 홀 센서(1201)의 제1회로(1610), 제2회로(1620) 및 제3회로(1630)의 자기장 인식 정보를 기반으로 자성부재의 이동 방향을 판단할 수 있고, 자성부재의 이동 방향에 기반하여, 외부 커버(1220)의 움직임을 결정할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 홀 센서(1201)는 omnipolar detection hall IC 및 bipolar latch hall IC를 모두 포함할 수 있다. 앞선 도 13과는 달리 도 16은 3개의 회로가 인접하여 B, O, B로 표시된 블록에 해당할 수 있으며, 자성체(magnet)가 홀 센서에 인접한 상태로 존재할 수 있다(1601).

다양한 실시예에 따르면, omnipolar detection hall IC 와 인접하는 magnet은 N극이며, bipolar latch hall IC와 인접하는 magnet은 S극에 해당할 수 있다. bipolar latch 값은 H, omnipolar detection 값 역시 H를 나타냄을 알 수 있다(1602). 도 10의 홀 센서(1201)는 omnipolar detection 값만 존재했던 것과 달리 도 16의 홀 센서(1201)는 omnipolar detection 값 외에도 bipolar latch 에 대한 값을 가지고 있는 차이가 있다. omnipolar latch 및 bipolar latch 에 대한 값을 이용하여 외부 커버(122)의 움직임을 구분하는 동작에 대해 도 17 내지 도 20에서 설명할 것이다.

도 17 내지 도 19는 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 외부 장치 움직임 인식 동작을 나타낸 것이다.

다양한 실시예에 따르면, 홀 센서(1201)의 제1회로(1610), 제2회로(1620) 및 제3회로(1630)에서 수집된 자기장 인식 정보를 이용하여 전자 장치(예: 도 12의 전자 장치(1210))에 대한 외부 커버(1220)의 상대 위치를 결정할 수 있다. 자기장 인식 정보는 자성 부재(예: 도 7의 자성부재(720))의 극성 또는 자기장의 유무 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, omnipolar detection hall IC는 자성 부재의 위치에 따른 자기장의 유무를 판단할 수 있고, bipolar latch hall IC는 자성 부재의 극성 변화를 인식할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 프로세서(520)는 제1회로(1610)와 인접하여 있던 자성부재의 N극이 제1방향으로 이동하여 제2회로(1620)와 인접한 후 계속 제1방향으로 멀어지고, 자성부재의 S극 역시 N극과 마찬가지로 제1방향으로 이동하여 제1회로(1610) 및 제2회로(1620)와 인접 후 계속 제1방향으로 멀어지는 경우, 외부 커버(1220)의 움직임을 시계 방향으로의 회전으로 판단할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 프로세서(520)는 제1회로(1610)와 인접하여 있던 자성부재의 N극이 제1방향과 반대 방향으로 이동하여 제3회로(1630)와 인접 후 계속 제1방향과 반대 방향으로 멀어지고, 자성부재의 S극 역시 N극과 마찬가지로 제1방향과 반대 방향으로 이동하여 제3회로(1630)와 인접 후 계속 상기 제1방향과 반대 방향으로 멀어지는 경우, 외부 커버(1220)의 움직임을 반시계 방향으로의 회전으로 판단할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 프로세서(520)는 제1회로(1610)와 인접하여 있던 자성부재의 N극이 상기 제1방향으로부터 수직으로 멀어지는 경우, 외부 커버(1220)의 움직임을 사용자의 의도에 따른 외부 커버(1220)의 열림(open)으로 판단할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 메모리(240)는 자성 부재의 자력 유무 및 자성 부재의 극성 변화에 따른 홀 센서(1201)의 omnipolar detection값 및 bipolar latch값 변화를 저장할 수 있다. 프로세서(520)는 메모리(240)로부터 홀 센서(1201)의 omnipolar detection값 및 bipolar latch값을 전달 받아 외부 커버(1220)의 움직임을 판단할 수 있다.

예를 들어, 홀 센서(1201)는 자성체의 움직임에 따라 bipolar latch 및 omnipolar detection을 메모리에 기록할 수 있으며 이는 아래 표 3과 같다(1602).

[표 3]

예를 들어, 홀 센서(1201) 근처의 자성체가 N극이었다가 S극으로 변하는 경우 omnipolar detection값은 H를 유지하나, bipolar latch 값은 H에서 L로 변할 수 있다.

이 동작에 따라, 외부 커버(1220)의 움직임(슬라이딩/오픈)에 따른 홀 센서의 기록값을 살펴보면 다음과 같다.

도 17에 따르면, 외부 커버(1220)가 화살표 방향으로 슬라이딩하는 경우 또는 시계 방향으로 회전하는 경우 홀 센서(1201)에 인접한 자석은 S극에서 시작하여 N극을 거쳐 접점이 없어짐을 알 수 있다. 이 경우 magnet은 S -> N 및 N -> X를 기록할 수 있다. bipolar latch 값은 S -> N인 경우 L에서 H로 변할 수 있으며, N -> X인 경우 H상태를 유지할 수 있다. 또 다른 예로, omnipolar detection 값은 S -> N인 경우 H상태를 유지할 수 있으며, N -> X인 경우 H에서 L로 변할 수 있다. 결국 시계방향 회전 또는 화살표 방향으로의 슬라이딩 시 최종 (B - O - B) 값은 (H,L,H)가 되는 것을 확인할 수 있다.

도 18에 따르면, 외부 커버(1220)가 화살표 방향으로 슬라이딩하는 경우 또는 반시계 방향으로 회전하는 경우 홀 센서(1201)에 인접한 자석은 N극에서 시작하여 S극을 거쳐 접점이 없어짐을 알 수 있다. 이 경우 magnet은 N -> S 및 S -> X를 저장할 수 있다. bipolar latch 값은 N -> S인 경우 H에서 L로 변할 수 있으며, S -> X인 경우 L상태를 유지할 수 있다. 또한, omnipolar detection 값은 N -> S인 경우 H상태를 유지할 수 있으며, S -> X인 경우 H에서 L로 변할 수 있다. 결국 반시계방향 회전 또는 화살표 방향으로의 슬라이딩 시 최종 (B - O - B) 값은 (L,L,L)가 되는 것을 확인할 수 있다.

도 19에 따르면, 외부 커버(1220)가 열리는(open) 경우 제2회로(1620) 근처에는 S극이 존재하다가 접점이 없어짐을 알 수 있다. 이 때 magnet은 S -> X를 저장할 수 있다. 또한, 제1회로(1610) 및 제3회로(1630) 근처에는 N극이 존재하다가 접점이 없어짐을 알 수 있다. 이 때 magnet은 N -> X를 기록할 수 있다. 이 경우 제2회로(1620)의 bipolar latch 값은 magnet이 S -> X일 때 L상태를 유지할 수 있다. 제1회로(1610)의 omnipolar detection 값은 magnet이 N -> X일 때 H에서 L로 변할 수 있다. 또한, 제3회로(1630)의 bipolar latch 값은 magnet이 N -> X일 때 H를 유지할 수 있다. 결국 커버 오픈(open)시의 최종 (B - O - B) 값은 (L,L,H)가 되는 것을 확인할 수 있다.

도 20은 다양한 실시예에 따른 전자 장치를 통한 외부 장치의 움직임 인식 결과를 나타낸 것이다.

다양한 실시예에 따르면, 메모리(240)는 자성 부재의 자력 유무 및 상기 자성 부재의 극성 변화에 따른 홀 센서(1201)의 omnipolar detection값 및 bipolar latch값 변화를 기록할 수 있다. 프로세서(520)는 메모리(240)로부터 홀 센서(1201)의 omnipolar detection값 및 bipolar latch값을 전달 받아 외부 커버(1220)의 움직임을 판단할 수 있다.

앞선 도 17내지 도 19에 따르면, 외부 커버(1220)가 위로 슬라이딩하는 경우 또는 시계 방향으로 회전하는 경우 최종 (B - O - B) 값은 (H,L,H)가 될 수 있으며, 외부 커버(1220)가 아래로 슬라이딩하는 경우 또는 반시계 방향으로 회전하는 경우 최종 (B - O - B) 값은 (L,L,L)이 될 수 있으며, 외부 커버(1220)가 열리는(open) 경우 최종 (B - O - B) 값은 (L,L,H)가 되는 것을 확인할 수 있다. 이는 도 20의 표를 통하여 확인할 수 있다. 앞선 도 9 와는 달리 외부 장치(1220)의 시계방향 회전, 반시계 방향 회전 및 열림(open)을 포함한 3가지 동작을 구별할 수 있으며, 이를 통하여 프로세서(520)는 전자 장치(1210)의 구동 모드(예: wake up 모드, 또는 sleep 모드)를 제어할 수 있다. 또한, 시계 방향 또는 반시계 방향의 움직임을 구분하여 방향에 따라 반대되는 동작(예: 볼륨을 키우고 줄임, 조도를 늘리고 줄임, 또는 화면을 왼쪽 또는 오른쪽으로 넘김)을 수행할 수 있다.

도 21은 다양한 실시예에 따른 전자 장치를 통한 외부 장치의 움직임 인식 결과를 정리한 테이블이다.

도 17 내지 도 19에서 설명한 것처럼 외부 장치(예: 플립 커버)(1220)는 수평이동과 함께 수직 이동을 할 수 있다. 수평이동에 대해서는 도 17 및 도 18에서 설명한 바 있으며 3차원 상에서는 X축 방향 또는 Y축 방향으로 구분할 수 있다. 도 17 및 도 18은 Y축 방향으로의 수평이동을 나타낸 것이라면 도 21의 수평이동은 X축 방향으로의 수평이동을 의미할 수 있다. 전자 장치(1210)의 인식 동작은 앞선 도 17 내지 도 19와 같다.

또한 도 19에서는 외부 장치(1220)의 수직 이동에 대해 설명한 바 있다. 수직이동은 X축, Y축으로 구분되는 것은 아닐 수 있으며, 도 19와 같이 전자 장치(1210)의 홀 센서(1201)가 Y축 방향으로 위치하는 경우 X축으로의 이동이 수직 이동이 될 수 있다. 또한, 도 21과 같이 전자 장치(1210)의 홀 센서(1201)가 X축 방향으로 위치하는 경우 Y축으로의 이동이 수직 이동이 될 수 있다. 외부 커버의 수직 이동은 open으로 인식될 수 있으며, 외부 커버의 open에 대한 인식 동작은 앞선 도 19에서 설명한 바 있다. 도 21에서는 omnipolar detection hall IC를 중심으로 하여 좌우로 bipolar latch hall IC가 배치되는 경우를 설명하고 있으나, bipolar latch hall IC로 한정되는 것은 아니며 bipolar latch hall IC는 omnipolar detection hall IC로 대체될 수 있다.

도 22는 다양한 실시예에 따른 전자 장치를 통한 외부 장치의 움직임 인식 결과를 정리한 테이블이다.

도 22에 따르면, 전자 장치(1210)의 홀 센서(1201)는 수평 방향 및 수직 방향을 포함하여 상하좌우로 배치될 수 있다. 이 때 omnipolar detection hall IC를 중심으로 하여 상하좌우로 다른 회로가 배치될 수 있다. 도 22에서는 omnipolar detection hall IC를 중심으로 bipolar latch hall IC가 배치되는 경우를 설명하고 있으나, bipolar latch hall IC로 한정되는 것은 아니며 bipolar latch hall IC는 omnipolar detection hall IC로 대체될 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 외부 장치(1220)는 X축 방향 또는 Y축 방향으로 이동할 수 있으며, 수직 이동을 할 수도 있다. 이 경우 도 22의 테이블에 따르면 (By-1,Bx-1,O,Bx1,By1)값은 외부 장치(1220)의 움직임에 따라 달라질 수 있다.

수평이동은 X축 수평이동과 Y축 수평이동으로 구분할 수 있다. X축 수평이동의 경우 화살표 방향에 따라 좌, 우로 구분될 수 있으며, Y축 수평이동의 경우 화살표 방향에 따라 상,하로 구분될 수 있다. X축 또는 Y축으로 자석이 이동하며 magnet을 기록하는 동작은 앞선 도 17 내지 도 18과 같다. 다만 도 17 내지 도 18은 Y축 방향의 움직임을 구분하는 동작인 반면, 도 22의 경우 omnipolar detection hall IC의 좌우로 bipolar latch hall IC를 추가하여 총 5개의 회로를 사용하고 있음을 알 수 있다. 추가된 회로를 통하여 X축 방향의 움직임을 구분할 수 있으며, 이 동작은 다음과 같다.

자석이 X축을 기준으로 좌측으로 수평 이동하는 경우 magnet은 N -> S를 거쳐 S -> X가 기록될 수 있다. 이 경우 bipolar latch값은 Bx-1의 경우 H를 거쳐 최종적으로 L값을 기록할 수 있다. Bx1의 경우 계속하여 자석과의 접점이 존재하지 않았으므로 초기 값인 H를 유지할 수 있다. By1 및 By-1의 경우 S극이 인접하여 존재하다가 자석의 좌측 이동으로 접점 없음 상태로 전환되어 magnet은 S -> X가 기록될 수 있다. 이 경우 By1 및 By-1 모두 H에서 L로 값이 변경되어 기록될 수 있다. 결국 좌측 수평이동의 (By-1,Bx-1,O,Bx1,By1)값은 (L,L,L,H,L)이 기록될 수 있다.

자석이 X축을 기준으로 우측으로 수평 이동하는 경우 magnet은 S -> N을 거쳐 N -> X가 기록될 수 있다. 이 경우 bipolar latch값은 Bx1의 경우 S -> N을 거치면서 L값이 H로 변하고, N -> X에서 H값을 유지하여 최종적으로 H값을 기록할 수 있다. Bx-1의 경우 N극이 인접하여 존재하다가 이후 자석과의 접점이 존재하지 않았으므로 N -> X 상태에서 초기 값인 H를 유지할 수 있다. By1 및 By-1의 경우 S극이 인접하여 존재하다가 자석의 우측 이동으로 N극이 인접하여 존재하다가 접점 없음 상태로 전환되어 magnet은 S -> N 및 N -> X가 기록될 수 있다. 이 경우 By1 및 By-1 모두 L에서 H로 값이 변경되어 기록될 수 있다. 결국 우측 수평이동의 (By-1,Bx-1,O,Bx1,By1)값은 (H,H,L,H,H)이 기록될 수 있다.

Y축 수평이동은 도 17 내지 도 18에서 설명한 것과 동일한 동작을 거쳐 상측 이동(H,H,L,H,H), 하측 이동(L,L,L,L,L) 값을 얻어낼 수 있다. 수직이동은 외부 커버의 open을 의미할 수 있으며 이는 도 19에서 설명한 것과 실질적으로 동일한 동작을 거쳐 (L,H,L,H,L) 값을 얻어낼 수 있다.

정리하면 좌측 이동(L,L,L,H,L), 우측 이동(H,H,L,H,L), 상측 이동(H,H,L,H,H), 하측 이동(L,L,L,L,L), 수직 이동(L,H,L,H,L)의 경우로 분류할 수 있으며, 각각의 값이 모두 다르므로 전자 장치(1210)는 외부 장치(1220)의 움직임을 구분할 수 있다. 외부 장치(1220)의 움직임을 구분하여 사용자가 의도한 동작인 경우 wake up 모드로 변환하고, 그렇지 않은 경우 sleep 모드로 유지하는 동작에 대해서는 앞선 도 13 내지 도 15에서 설명한 바 있다.

앞서 도 17 내지 도 19를 통하여 외부 장치(1220)의 수평이동, 회전이동 및 수직이동을 설명한 바 있으며, 도 21을 통하여 외부 장치(1220)의 이동을 종합적으로 설명한 바 있다. 도 9의 전자 장치(910)는 1개의 회로를 사용하여 open/sliding을 구분하지 못하는 한계를 가진 바 있다. 도 12의 전자 장치(1210)는 2개의 회로를 사용하여 2가지의 움직임(open/슬라이딩)을 구분하는 효과를 가져올 수 있다. 도 16의 경우 3개의 회로를 사용하여 3가지의 움직임(open, 시계방향 회전, 또는 반시계 방향 회전)을 구분하는 효과를 가져올 수 있다. 도 22는 5개의 회로를 이용하여 5가지의 움직임(open, X축 기준 이동 2가지, 또는 Y축 기준 이동 2가지)을 구분하는 효과를 가져올 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 전자 장치(예: 도 5의 전자 장치(500))는 전자 장치에 결합된 케이스(예: 도 5의 외부 장치(550))의 자성부재(예: 도 5의 자성부재(555))를 감지하는 홀 센서(hall sensor) (예: 도 5의 홀 센서(510)) 및 홀 센서와 작동적으로 연결되는 프로세서(예: 도 5의 프로세서(520))를 포함하고, 홀 센서는 제1회로(예: 도 5의 제1회로(501)) 및 제1회로와 인접하여 제1방향으로 형성된 제2회로(예: 도 5의 제2회로(502))를 포함하며, 프로세서는 홀 센서의 제1회로 및 제2회로의 자기장 인식 정보를 기반으로 자성부재의 이동 방향을 판단하고, 자성부재의 이동 방향에 기반하여, 케이스의 동작을 판단하도록 설정할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 제1회로 및 제2회로는 omnipolar detection hall IC(Integrated Circuit) 또는 bipolar latch hall IC(Integrated Circuit) 중 어느 하나를 포함하며, 프로세서는 홀 센서의 제1회로 및 제2회로에서 수집된 자기장 인식 정보를 이용하여 전자 장치에 대한 케이스의 상대 위치를 결정할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 자기장 인식 정보는 자성부재의 극성 또는 자기장의 유무 중 적어도 하나를 포함하며, omnipolar detection hall IC는 자성 부재의 위치에 따른 자기장의 유무를 판단할 수 있고, bipolar latch hall IC는 자성 부재의 극성 변화를 인식할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 프로세서는 자기장 인식 정보를 바탕으로 자성 부재의 상대 위치를 결정하고, 자성부재의 상대 위치를 기반으로 케이스의 위치, 이동 방향 및 이동 각도를 결정하며, 케이스에 대한 정보를 바탕으로 케이스의 움직임을 판단할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 프로세서는 제1회로와 인접하여 있던 자성부재의 N극이 제1방향으로부터 수직으로 멀어지는 경우, 케이스의 움직임을 사용자의 의도에 따른 케이스의 열림(open)으로 판단할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 프로세서는 케이스의 움직임을 인식하고 전자 장치의 상태를 wake up 모드로 제어하며 wake up 모드는 전자 장치의 일반적인 구동 모드에 해당할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 프로세서는 제1회로와 인접하여 있던 자성부재의 N극이 제1방향으로 이동하여 제2회로와 인접 후 계속 제1방향으로 멀어지고, 자성부재의 S극 역시 N극과 마찬가지로 제1방향으로 이동하여 제1회로 및 제2회로와 인접 후 계속 제1방향으로 멀어지는 경우, 케이스의 움직임을 사용자의 의도와는 상관없는 케이스의 어긋남 또는 슬라이딩(sliding)으로 판단할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 프로세서는 케이스의 움직임을 인식하고 전자 장치의 상태를 sleep 모드로 제어하며, sleep 모드는 전자 장치의 절전 모드 또는 저전력 모드에 해당할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 메모리를 더 포함하며 메모리는 자성 부재의 자력 유무 및 자성부재의 극성 변화에 따른 홀 센서의 omnipolar detection값 및 bipolar latch값 변화를 기록할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 프로세서는 메모리로부터 홀 센서의 omnipolar detection값 및 bipolar latch값을 전달 받아 케이스의 움직임을 판단할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 제1방향은 제1회로에 대하여 수평 방향 또는 수직방향을 포함하며, 홀 센서는 전자 장치의 전면에 수평 방향 또는 수직 방향으로 배치될 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 전자 장치는 전자 장치에 결합된 케이스의 자성부재를 감지하는 홀 센서(hall sensor) 및 홀 센서와 작동적으로 연결되는 프로세서를 포함하고, 홀 센서는 제1회로, 제1회로와 인접하여 제1방향으로 형성된 제2회로 및 제1회로와 인접하여 제1방향과 반대 방향으로 형성된 제3회로를 포함하며, 제1회로는 omnipolar detection hall IC(Integrated Circuit)를 포함하며, 제2회로 및 제3회로는 omnipolar detection hall IC(Integrated Circuit) 또는 bipolar latch hall IC(Integrated Circuit) 중 어느 하나를 포함하며, 프로세서는 홀 센서의 제1회로, 제2회로 및 제3회로의 자기장 인식 정보를 기반으로 자성부재의 이동 방향을 판단하고, 자성부재의 이동 방향에 기반하여, 케이스의 움직임을 결정할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 프로세서는 제1회로와 인접하여 있던 자성부재의 N극이 제1방향으로부터 수직으로 멀어지는 경우, 케이스의 움직임을 사용자의 의도에 따른 케이스의 열림(open)으로 판단할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 프로세서는 제1회로와 인접하여 있던 자성부재의 N극이 제1방향으로 이동하여 제2회로와 인접한 후 계속 제1방향으로 멀어지고, 자성부재의 S극 역시 N극과 마찬가지로 제1방향으로 이동하여 제1회로 및 제2회로와 인접 후 계속 제1방향으로 멀어지는 경우, 케이스의 움직임을 시계 방향으로의 회전으로 판단할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 프로세서는 제1회로와 인접하여 있던 자성부재의 N극이 제1방향과 반대 방향으로 이동하여 제3회로와 인접 후 계속 제1방향과 반대 방향으로 멀어지고, 자성부재의 S극 역시 N극과 마찬가지로 제1방향과 반대 방향으로 이동하여 제3회로와 인접 후 계속 제1방향과 반대 방향으로 멀어지는 경우, 케이스의 움직임을 반시계 방향으로의 회전으로 판단할 수 있다.

도 23은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 동작 인식 방법의 흐름도이다.

다양한 실시예에 따르면, 전자 장치의 동작 인식 방법은 홀 센서의 제1회로 및 제2회로의 자기장 인식 정보를 기반으로 자성부재의 이동방향을 판단하는 동작 및 자성부재의 이동 방향에 기반하여, 케이스의 움직임을 결정하는 동작을 포함할 수 있다.

동작 2310에서, 전자 장치의 홀 센서는 외부 장치의 움직임에 따른 자기장의 변화를 감지할 수 있다. 이 때 외부 장치의 움직임은 사용자의 의도가 담긴 외부 커버의 open일 수도 있고, 사용자의 의도와는 상관없이 외부 충격에 의한 어긋남 또는 슬라이딩에 해당할 수도 있다. 외부 장치의 움직임이 open 이나 슬라이딩이나 관계없이 외부 장치의 움직임이 감지되면 omnipolar detection 값이 H 에서 L로 변화될 수 있다. 이러한 omnipolar detection 값의 변화가 없다면, 프로세서는 외부 장치의 움직임이 없는 것으로 판단하고 전자 장치를 계속 sleep mode로 구동시킬 수 있다. 하지만, omnipolar detection 값의 변화가 발생한 경우 프로세서는 bipolar latch 값에 따라 전자 장치의 상태를 wake up mode로 변경시킬 수 있다.

동작 2320에서, 자기장의 변화에 따라 홀 센서는 bipolar latch 값 및 omnipolar detection 값을 산출할 수 있으며, 이는 H 또는 L 중 하나로 표시될 수 있다. 이 때, bipolar latch hall IC를 함께 사용하는 경우 bipolar latch 값에 따라 외부장치의 움직임을 구분할 수 있다. 예를 들어, bipolar latch 값이 H에 해당하는 경우 프로세서(520)는 외부 장치의 움직임을 사용자의 의도가 담긴 외부 커버의 open으로 판단할 수 있다(2321). 이 경우 프로세서(520)는 전자 장치를 wake up 상태로 제어할 수 있다. bipolar latch 값이 H가 아닌 경우 프로세서(520)는 외부 장치의 움직임을 사용자의 의도와 관련이 없는 외부 커버의 슬라이딩 또는 어긋남으로 판단할 수 있다(2322). 이 경우 프로세서(520)는 전자 장치를 sleep 상태로 제어할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 전자 장치(예: 도 5의 전자 장치(500))의 동작 인식 방법은 홀 센서(예: 도 5의 홀 센서(510))의 제1회로(예: 도 5의 제1회로(501)) 및 제2회로(예: 도 5의 제2회로(502))의 자기장 인식 정보를 기반으로 자성부재(예: 도 5의 자성부재(555))의 이동방향을 판단하는 동작 및 자성부재의 이동 방향에 기반하여, 케이스(예: 도 5의 외부 장치(550))의 움직임을 결정하는 동작을 포함할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 홀 센서의 제1회로 및 제2회로의 자기장 인식 정보를 기반으로 자성부재의 이동방향을 판단하는 동작은 홀 센서의 제1회로 및 제2회로에서 수집한 자기장 인식 정보를 이용하여 전자 장치에 대한 케이스의 상대 위치를 결정하는 동작을 포함할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 자성부재의 이동 방향에 기반하여, 케이스의 움직임을 결정하는 동작은 자기장 인식 정보를 바탕으로 자성 부재의 상대 위치를 결정하는 동작, 자성부재의 상대 위치를 기반으로 케이스의 위치, 이동 방향 및 이동 각도를 결정하는 동작 및 케이스에 대한 정보를 바탕으로 케이스의 움직임을 결정하는 동작을 포함할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 홀 센서의 제1회로 및 제2회로의 자기장 인식 정보를 기반으로 자성부재의 이동방향을 판단하는 동작은 자성부재의 극성 변화, 자성 부재의 극성 변화에 따른 홀 센서의 omnipolar detection값 및 bipolar latch값을 기록하는 동작을 포함할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 자성부재의 이동 방향에 기반하여, 케이스의 움직임을 결정하는 동작은 홀 센서의 omnipolar detection값 및 bipolar latch값을 전달 받아 케이스의 움직임을 판단하는 동작을 포함할 수 있다.

Claims (20)

1. 전자 장치에 있어서,
   상기 전자 장치에 결합된 케이스의 자성부재를 감지하는 홀 센서(hall sensor);및
   상기 홀 센서와 작동적으로 연결되는 프로세서를 포함하고,
   상기 홀 센서는
   제1회로 및 상기 제1회로와 인접하여 제1방향으로 형성된 제2회로를 포함하며,
   상기 프로세서는
   상기 홀 센서의 상기 제1회로 및 상기 제2회로의 자기장 인식 정보를 기반으로 상기 자성부재의 이동 방향을 판단하고,
   상기 자성부재의 이동 방향에 기반하여, 상기 케이스의 동작을 판단하도록 설정된 전자 장치.
   
2. 제 1항에 있어서,
   상기 제1회로 및 상기 제2회로는
   omnipolar detection hall IC(Integrated Circuit) 또는 bipolar latch hall IC(Integrated Circuit) 중 어느 하나를 포함하며,
   상기 프로세서는
   상기 홀 센서의 상기 제1회로 및 상기 제2회로에서 수집된 자기장 인식 정보를 이용하여 상기 전자 장치에 대한 상기 케이스의 상대 위치를 결정하는 전자 장치.
   
3. 제 1항에 있어서,
   상기 자기장 인식 정보는
   상기 자성부재의 극성 또는 자기장의 유무 중 적어도 하나를 포함하며,
   상기 omnipolar detection hall IC는 상기 자성 부재의 위치에 따른 자기장의 유무를 판단할 수 있고,
   상기 bipolar latch hall IC는 상기 자성 부재의 극성 변화를 인식할 수 있는 전자 장치.
   
4. 제 1항에 있어서,
   상기 프로세서는
   상기 자기장 인식 정보를 바탕으로 상기 자성 부재의 상대 위치를 결정하고,
   상기 자성부재의 상대 위치를 기반으로 상기 케이스의 위치, 이동 방향 및 이동 각도를 결정하며,
   상기 케이스에 대한 정보를 바탕으로 상기 케이스의 움직임을 판단하는 전자 장치.
   
5. 제 1항에 있어서,
   상기 프로세서는
   상기 제1회로와 인접하여 있던 상기 자성부재의 N극이 상기 제1방향으로부터 수직으로 멀어지는 경우,
   상기 케이스의 움직임을 사용자의 의도에 따른 상기 케이스의 열림(open)으로 판단하는 전자 장치.
   
6. 제 5항에 있어서,
   상기 프로세서는
   상기 케이스의 움직임을 인식하고 상기 전자 장치의 상태를 wake up 모드로 제어하며
   상기 wake up 모드는 상기 전자 장치의 일반적인 구동 모드에 해당하는 전자 장치.
   
7. 제 1항에 있어서,
   상기 프로세서는
   상기 제1회로와 인접하여 있던 상기 자성부재의 N극이 상기 제1방향으로 이동하여 상기 제2회로와 인접 후 계속 상기 제1방향으로 멀어지고,
   상기 자성부재의 S극 역시 상기 N극과 마찬가지로 상기 제1방향으로 이동하여 상기 제1회로 및 상기 제2회로와 인접 후 계속 상기 제1방향으로 멀어지는 경우,
   상기 케이스의 움직임을 사용자의 의도와는 상관없는 상기 케이스의 어긋남 또는 슬라이딩(sliding)으로 판단하는 전자 장치.
   
8. 제 7항에 있어서,
   상기 프로세서는
   상기 케이스의 움직임을 인식하고 상기 전자 장치의 상태를 sleep 모드로 제어하며,
   상기 sleep 모드는 상기 전자 장치의 절전 모드 또는 저전력 모드에 해당하는 전자 장치.
   
9. 제 1항에 있어서,
   메모리를 더 포함하며
   상기 메모리는
   상기 자성 부재의 자력 유무 및 상기 자성부재의 극성 변화에 따른 상기 홀 센서의 omnipolar detection값 및 bipolar latch값 변화를 기록하는 전자 장치.
   
10. 제 9항에 있어서,
    상기 프로세서는
    상기 메모리로부터 상기 홀 센서의 omnipolar detection값 및 bipolar latch값을 전달 받아 상기 케이스의 움직임을 판단하는 전자 장치.
    
11. 제 1항에 있어서,
    상기 제1방향은
    상기 제1회로에 대하여 수평 방향 또는 수직방향을 포함하며,
    상기 홀 센서는
    상기 전자 장치의 전면에 수평 방향 또는 수직 방향으로 배치되는 전자 장치.
    
12. 전자 장치에 있어서,
    상기 전자 장치에 결합된 케이스의 자성부재를 감지하는 홀 센서(hall sensor);및
    상기 홀 센서와 작동적으로 연결되는 프로세서를 포함하고,
    상기 홀 센서는
    제1회로, 상기 제1회로와 인접하여 제1방향으로 형성된 제2회로 및 상기 제1회로와 인접하여 상기 제1방향과 반대 방향으로 형성된 제3회로를 포함하며,
    상기 제1회로는
    omnipolar detection hall IC(Integrated Circuit)를 포함하며,
    상기 제2회로 및 상기 제3회로는
    omnipolar detection hall IC(Integrated Circuit) 또는 bipolar latch hall IC(Integrated Circuit) 중 어느 하나를 포함하며,
    상기 프로세서는
    상기 홀 센서의 상기 제1회로, 상기 제2회로 및 상기 제3회로의 자기장 인식 정보를 기반으로 상기 자성부재의 이동 방향을 판단하고,
    상기 자성부재의 이동 방향에 기반하여, 상기 케이스의 움직임을 결정하도록 설정된 전자 장치.
    
13. 제 12항에 있어서,
    상기 프로세서는
    상기 제1회로와 인접하여 있던 상기 자성부재의 N극이 상기 제1방향으로부터 수직으로 멀어지는 경우,
    상기 케이스의 움직임을 사용자의 의도에 따른 상기 케이스의 열림(open)으로 판단하는 전자 장치.
    
14. 제 12항에 있어서,
    상기 프로세서는
    상기 제1회로와 인접하여 있던 상기 자성부재의 N극이 상기 제1방향으로 이동하여 상기 제2회로와 인접한 후 계속 상기 제1방향으로 멀어지고,
    상기 자성부재의 S극 역시 상기 N극과 마찬가지로 상기 제1방향으로 이동하여 상기 제1회로 및 상기 제2회로와 인접 후 계속 상기 제1방향으로 멀어지는 경우,
    상기 케이스의 움직임을 시계 방향으로의 회전으로 판단하는 전자 장치.
    
15. 제 12항에 있어서,
    상기 프로세서는
    상기 제1회로와 인접하여 있던 상기 자성부재의 N극이 상기 제1방향과 반대 방향으로 이동하여 상기 제3회로와 인접 후 계속 상기 제1방향과 반대 방향으로 멀어지고,
    상기 자성부재의 S극 역시 상기 N극과 마찬가지로 상기 제1방향과 반대 방향으로 이동하여 상기 제3회로와 인접 후 계속 상기 제1방향과 반대 방향으로 멀어지는 경우,
    상기 케이스의 움직임을 반시계 방향으로의 회전으로 판단하는 전자 장치.
    
16. 전자 장치의 동작 인식 방법에 있어서,
    상기 전자 장치는 상기 전자 장치에 결합된 케이스의 자성부재를 감지하는 홀 센서(hall sensor)를 포함하고
    상기 홀 센서는
    제1회로 및 상기 제1회로와 인접하여 제1방향으로 형성된 제2회로를 포함하며,
    상기 제1회로는
    omnipolar detection hall IC(Integrated Circuit)를 포함하며,
    상기 제2회로는
    omnipolar detection hall IC(Integrated Circuit) 또는 bipolar latch hall IC(Integrated Circuit) 중 어느 하나를 포함하며,
    상기 전자 장치의 동작 인식 방법은
    상기 홀 센서의 상기 제1회로 및 상기 제2회로의 자기장 인식 정보를 기반으로 상기 자성부재의 이동방향을 판단하는 동작;및
    상기 자성부재의 이동 방향에 기반하여, 상기 케이스의 움직임을 결정하는 동작을 포함하는 방법.
    
17. 제 16항에 있어서,
    상기 홀 센서의 상기 제1회로 및 상기 제2회로의 자기장 인식 정보를 기반으로 상기 자성부재의 이동방향을 판단하는 동작은
    상기 홀 센서의 상기 제1회로 및 상기 제2회로에서 수집한 자기장 인식 정보를 이용하여 상기 전자 장치에 대한 상기 케이스의 상대 위치를 결정하는 동작을 포함하는 방법.
    
18. 제 16항에 있어서
    상기 자성부재의 이동 방향에 기반하여, 상기 케이스의 움직임을 결정하는 동작은
    상기 자기장 인식 정보를 바탕으로 상기 자성 부재의 상대 위치를 결정하는 동작;
    상기 자성부재의 상대 위치를 기반으로 상기 케이스의 위치, 이동 방향 및 이동 각도를 결정하는 동작;및
    상기 케이스에 대한 정보를 바탕으로 상기 케이스의 움직임을 결정하는 동작을 포함하는 방법.
    
19. 제 16항에 있어서,
    상기 홀 센서의 상기 제1회로 및 상기 제2회로의 자기장 인식 정보를 기반으로 상기 자성부재의 이동방향을 판단하는 동작은
    상기 자성부재의 극성 변화, 상기 자성 부재의 극성 변화에 따른 상기 홀 센서의 omnipolar detection값 및 bipolar latch값을 기록하는 동작을 포함하는 방법.
    
20. 제 19항에 있어서,
    상기 자성부재의 이동 방향에 기반하여, 상기 케이스의 움직임을 결정하는 동작은
    상기 홀 센서의 omnipolar detection값 및 bipolar latch값을 전달 받아 상기 케이스의 움직임을 판단하는 동작을 포함하는 방법.
    

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