KR20220122527A - Substrate accommodating device and processing system - Google Patents

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KR20220122527A
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마사히로 도고메
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

It is possible to reduce the footprint of the entire system. A substrate accommodating device that accommodates a substrate transported by a transport device having an end effector for holding a substrate and a member including consumable parts provided in a substrate processing device that processes the substrate, includes a container. A first opening part through which the end effector holding the substrate passes is formed on the side wall of a container. Further, a concave part into which the tip of the end effector is inserted is formed on a surface facing the first opening part on the inner side of the container.

Description

기판 수용 장치 및 처리 시스템{SUBSTRATE ACCOMMODATING DEVICE AND PROCESSING SYSTEM}SUBSTRATE ACCOMMODATING DEVICE AND PROCESSING SYSTEM

본 개시된 여러 가지의 측면 및 실시형태는 기판 수용 장치 및 처리 시스템에 관한 것이다.Various aspects and embodiments of the present disclosure relate to substrate receiving apparatus and processing systems.

예를 들어, 하기 특허문헌 1에는, 기판뿐만이 아니라, 처리 장치 내의 소모 부품도 반송하는 반송 장치가 개시되어 있다. 이에 의해, 처리 장치의 챔버를 대기 개방하는 일 없이 소모 부품의 교환이 가능하게 되기 때문에, 저압으로 처리를 실행하는 처리 장치에 있어서의 정지 시간을 짧게 할 수가 있다.For example, the conveying apparatus which conveys not only a board|substrate but the consumables in a processing apparatus is disclosed by the following patent document 1, too. Thereby, since replacement|exchange of a consumable part becomes possible without opening the chamber of a processing apparatus to the atmosphere, the stop time in the processing apparatus which performs a process at low pressure can be shortened.

일본 특허 공개 제 2020-96149 호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2020-96149

본 개시는 시스템 전체의 풋프린트를 삭감할 수가 있는 기판 수용 장치 및 처리 시스템을 제공한다.The present disclosure provides a substrate receiving apparatus and processing system capable of reducing the overall footprint of the system.

본 개시된 일 측면은, 기판 및 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 마련되는 소모 부품을 포함하는 부재를 보지하는 엔드 이펙터를 갖는 반송 장치에 의해 반송되는 기판을 수용하는 기판 수용 장치에 있어서, 용기를 구비한다. 용기의 측벽에는, 기판을 보지한 엔드 이펙터가 통과하는 제 1 개구부가 형성되어 있다. 또한, 용기의 내측에 있어서의 제 1 개구부와 대향하는 면에는, 엔드 이펙터의 선단이 삽입되는 오목부가 형성되어 있다.An aspect of the present disclosure is a substrate accommodating apparatus for accommodating a substrate conveyed by a conveying apparatus having an end effector for holding a substrate and a member including a consumable component provided in the substrate processing apparatus for processing the substrate, the apparatus including a container do. A first opening through which the end effector holding the substrate passes is formed in the sidewall of the container. Further, a concave portion into which the tip of the end effector is inserted is formed on a surface opposite to the first opening on the inner side of the container.

본 개시된 여러 가지의 측면 및 실시형태에 의하면, 시스템 전체의 풋프린트의 증대를 억제할 수가 있다.According to the various aspects and embodiments disclosed herein, it is possible to suppress an increase in the footprint of the entire system.

도 1은 일 실시형태에 있어서의 처리 시스템의 일례를 도시하는 평면도이다.
도 2는 처리 모듈의 일례를 도시하는 개략 단면도이다.
도 3은 제 1 실시형태에 있어서의 애싱 모듈의 일례를 도시하는 횡단면도이다.
도 4는 제 1 실시형태에 있어서의 로드록 모듈의 일례를 도시하는 횡단면도이다.
도 5는 엔드 이펙터의 일례를 도시하는 평면도이다.
도 6은 엔드 이펙터의 일례를 도시하는 측면도이다.
도 7은 에지 링을 반송할 때의 엔드 이펙터의 일례를 도시하는 평면도이다.
도 8은 에지 링을 반송할 때의 엔드 이펙터의 일례를 도시하는 측면도이다.
도 9는 기판을 반송할 때의 엔드 이펙터의 일례를 도시하는 평면도이다.
도 10은 기판을 반송할 때의 엔드 이펙터의 일례를 도시하는 측면도이다.
도 11은 비교예에 있어서, 기판이 애싱 모듈 내에 반입될 때의 엔드 이펙터와 애싱 모듈의 위치 관계의 일례를 도시하는 도면이다.
도 12는 제 1 실시형태에 있어서, 기판이 애싱 모듈 내에 반입될 때의 엔드 이펙터와 애싱 모듈의 위치 관계의 일례를 도시하는 도면이다.
도 13은 제 1 실시형태에 있어서, 진공 반송 모듈과 로드록 모듈 사이로 기판이 반송될 때의 엔드 이펙터와 로드록 모듈의 위치 관계의 일례를 도시하는 도면이다.
도 14는 제 1 실시형태에 있어서, 대기 반송 모듈과 로드록 모듈 사이로 기판이 반송될 때의 엔드 이펙터와 로드록 모듈의 위치 관계의 일례를 도시하는 도면이다.
도 15는 제 2 실시형태에 있어서의 애싱 모듈의 일례를 도시하는 횡단면도이다.
도 16은 제 2 실시형태에 있어서, 기판이 애싱 모듈 내에 반입될 때의 엔드 이펙터와 애싱 모듈의 위치 관계의 일례를 도시하는 도면이다.
도 17은 제 2 실시형태에 있어서의 로드록 모듈의 일례를 도시하는 횡단면도이다.
도 18은 제 2 실시형태에 있어서, 진공 반송 모듈과 로드록 모듈 사이로 기판이 반송될 때의 엔드 이펙터와 로드록 모듈의 위치 관계의 일례를 도시하는 도면이다.
도 19는 제 2 실시형태에 있어서, 대기 반송 모듈과 로드록 모듈 사이로 기판이 반송될 때의 엔드 이펙터와 로드록 모듈의 위치 관계의 일례를 도시하는 도면이다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a top view which shows an example of the processing system in one Embodiment.
2 is a schematic cross-sectional view showing an example of a processing module.
3 is a cross-sectional view showing an example of an ashing module according to the first embodiment.
Fig. 4 is a cross-sectional view showing an example of the loadlock module according to the first embodiment.
5 is a plan view showing an example of an end effector.
6 is a side view showing an example of an end effector.
Fig. 7 is a plan view showing an example of an end effector when an edge ring is conveyed.
Fig. 8 is a side view showing an example of an end effector when an edge ring is conveyed.
9 is a plan view showing an example of an end effector when a substrate is conveyed.
Fig. 10 is a side view showing an example of an end effector when a substrate is conveyed.
11 is a diagram showing an example of a positional relationship between an end effector and an ashing module when a substrate is loaded into an ashing module in a comparative example.
Fig. 12 is a diagram showing an example of the positional relationship between the end effector and the ashing module when the substrate is loaded into the ashing module in the first embodiment.
Fig. 13 is a diagram showing an example of the positional relationship between the end effector and the load-lock module when the substrate is transferred between the vacuum transfer module and the load-lock module in the first embodiment.
Fig. 14 is a diagram showing an example of the positional relationship between the end effector and the load-lock module when the substrate is transferred between the standby transfer module and the load-lock module in the first embodiment;
15 is a cross-sectional view showing an example of an ashing module according to the second embodiment.
Fig. 16 is a diagram showing an example of the positional relationship between the end effector and the ashing module when the substrate is loaded into the ashing module according to the second embodiment.
Fig. 17 is a cross-sectional view showing an example of a loadlock module according to the second embodiment.
Fig. 18 is a diagram showing an example of the positional relationship between the end effector and the load-lock module when the substrate is transferred between the vacuum transfer module and the load-lock module in the second embodiment.
Fig. 19 is a diagram showing an example of the positional relationship between the end effector and the load-lock module when the substrate is transferred between the standby transfer module and the load-lock module in the second embodiment;

이하에, 기판 수용 장치 및 처리 시스템의 실시형태에 대해서, 도면에 근거하여 상세하게 설명한다. 또한, 이하의 실시형태에 의해, 개시되는 기판 수용 장치 및 처리 시스템이 한정되는 것은 아니다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Below, embodiment of a board|substrate accommodation apparatus and a processing system is demonstrated in detail based on drawing. In addition, the board|substrate accommodation apparatus and processing system which are disclosed by the following embodiment are not limited.

그런데, 기판이나 소모 부품이 반송되는 경우, 기판이나 소모 부품은 그 기준 위치(예를 들면, 중심)가 로봇 아암의 선단에 마련된 엔드 이펙터 상의 사전 결정된 위치가 되도록, 엔드 이펙터 상에 탑재된다. 소모 부품이 에지 링 등과 같이 기판보다 큰 링 형상의 부품인 경우, 소모 부품이 탑재되는 위치를 엔드 이펙터의 선단측에 너무 가까이 하면, 엔드 이펙터의 이동에 수반하여 소모 부품이 엔드 이펙터로부터 낙하하는 경우가 있다. 그 때문에, 소모 부품이 탑재되는 위치는 엔드 이펙터의 선단측에 너무 가까이하지 않도록 할 필요가 있다. 이에 의해, 소모 부품은 소모 부품의 기준 위치가 엔드 이펙터의 선단으로부터 떨어진 위치가 되도록 엔드 이펙터 상에 탑재된다.By the way, when a board|substrate or a consumable part is conveyed, the board|substrate or a consumable part is mounted on the end effector so that its reference position (for example, a center) may become a predetermined position on the end effector provided at the front-end|tip of a robot arm. When the consumable part is a ring-shaped part larger than the board, such as an edge ring, if the position where the consumable part is mounted is too close to the tip side of the end effector, the consumable part falls from the end effector as the end effector moves there is Therefore, it is necessary to prevent the position at which the consumable parts are mounted too close to the tip side of the end effector. Thereby, the consumable part is mounted on the end effector so that the reference position of the consumable part is a position away from the tip of the end effector.

한편, 소모 부품보다 작은 외형의 기판을 반송하는 경우, 소모 부품을 반송할 때의 소모 부품의 기준 위치와 기판의 기준 위치가 동일 위치가 되도록 기판이 엔드 이펙터 상에 탑재되면, 엔드 이펙터의 선단이 기판의 하부의 영역으로부터 돌출하게 된다. 기판의 하부의 영역으로부터 초과한 엔드 이펙터의 부분이 크면, 소모 부품을 수용하는 스페이스가 확보되지 않은 장치 내에 기판을 반송할 때에, 엔드 이펙터가 방해가 되어서, 기판을 장치 내의 사전 결정된 위치까지 반입하는 것이 어렵다.On the other hand, in the case of transporting a board having an outer shape smaller than the consumable part, if the board is mounted on the end effector so that the reference position of the consumable part and the reference position of the board are the same when transporting the consumable part, the tip of the end effector is It protrudes from the area below the substrate. If the portion of the end effector that exceeds from the region below the substrate is large, the end effector becomes obstructed when transferring the substrate into an apparatus in which a space for accommodating the consumable parts is not secured, so that the substrate is carried to a predetermined position in the apparatus. it is difficult

엔드 이펙터가 방해가 되지 않고 기판을 장치 내의 사전 결정된 위치까지 반입하기 위해서, 소모 부품을 수용하는 스페이스가 확보되지 않은 장치 내의 공간을 넓히는 것도 생각된다. 그러나 그 경우, 그러한 장치의 풋프린트가 커져서, 시스템 전체의 풋프린트가 커져 버린다.In order to carry the board|substrate to a predetermined position in an apparatus without an end effector interfering, it is also conceivable to widen the space in the apparatus in which the space for accommodating a consumable part is not secured. However, in that case, the footprint of such an apparatus becomes large, and the footprint of the whole system becomes large.

그래서, 본 개시는 시스템 전체의 풋프린트의 증대를 억제할 수가 있는 기술을 제공한다.Therefore, the present disclosure provides a technique capable of suppressing an increase in the overall footprint of the system.

(제 1 실시형태)(First embodiment)

[처리 시스템(1)의 구성][Configuration of processing system 1]

도 1은 일 실시형태에 있어서의 처리 시스템(1)의 구성의 일례를 도시하는 평면도이다. 도 1에서는, 편의적으로 일부의 장치의 내부의 구성요소가 보이도록 도시되어 있다. 처리 시스템(1)은 본체(10)와, 본체(10)를 제어하는 제어부(100)를 구비한다.1 : is a top view which shows an example of the structure of the processing system 1 in one Embodiment. In FIG. 1 , for convenience, the internal components of some devices are shown to be visible. The processing system 1 includes a body 10 and a control unit 100 for controlling the body 10 .

본체(10)는 진공 반송 모듈(11), 복수의 처리 모듈(12), 복수의 애싱 모듈(13), 복수의 로드록 모듈(14), 및 대기 반송 모듈(15)을 구비한다. 진공 반송 모듈(11)의 측벽에는, 게이트 밸브(G1)를 거쳐서 복수의 처리 모듈(12)이 접속되어 있다. 처리 모듈(12)은 기판 처리 장치의 일례이다. 또한, 도 1의 예에서는, 진공 반송 모듈(11)에 8개의 처리 모듈(12)이 접속되어 있지만, 진공 반송 모듈(11)에 접속되는 처리 모듈(12)의 수는, 7개 이하여도 좋고, 9개 이상이어도 좋다.The main body 10 includes a vacuum transfer module 11 , a plurality of processing modules 12 , a plurality of ashing modules 13 , a plurality of load-lock modules 14 , and an atmospheric transfer module 15 . A plurality of processing modules 12 are connected to the sidewall of the vacuum transfer module 11 via a gate valve G1 . The processing module 12 is an example of a substrate processing apparatus. In the example of FIG. 1 , eight processing modules 12 are connected to the vacuum transfer module 11 , but the number of processing modules 12 connected to the vacuum transfer module 11 may be seven or less. , may be 9 or more.

각각의 처리 모듈(12)은 처리 대상이 되는 기판(W)에 대해서, 에칭이나 성막 등이 처리를 실시한다. 처리 모듈(12)은 기판 처리 장치의 일례이다. 도 2는 처리 모듈(12)의 일례를 도시하는 개략 단면도이다. 본 실시형태에 있어서, 처리 모듈(12)은 예를 들면, 용량 결합 플라즈마 처리 장치이다. 처리 모듈(12)은 플라즈마 처리 챔버(1210), 가스 공급부(1220), 전원(1230), 및 배기 시스템(1240)을 포함한다. 또한, 처리 모듈(12)은 기판 지지부(1211) 및 가스 도입부를 포함한다. 가스 도입부는 적어도 1개의 처리 가스를 플라즈마 처리 챔버(1210) 내에 도입하도록 구성된다. 가스 도입부는 샤워 헤드(1213)를 포함한다. 기판 지지부(1211)는 플라즈마 처리 챔버(1210) 내에 배치된다. 샤워 헤드(1213)는 기판 지지부(1211)의 상방에 배치된다. 일 실시형태에 있어서, 샤워 헤드(1213)는 플라즈마 처리 챔버(1210)의 천정부(ceiling) 중 적어도 일부를 구성한다. 플라즈마 처리 챔버(1210)는 샤워 헤드(1213), 플라즈마 처리 챔버(1210)의 측벽(1210a), 및 기판 지지부(1211)에 의해 규정된 플라즈마 처리 공간(1210s)을 갖는다. 플라즈마 처리 챔버(1210)는 적어도 1개의 처리 가스를 플라즈마 처리 공간(1210s)에 공급하기 위한 적어도 1개의 가스 공급구와, 플라즈마 처리 공간으로부터 가스를 배출하기 위한 적어도 1개의 가스 배출구를 갖는다. 측벽(1210a)은 접지된다. 샤워 헤드(1213) 및 기판 지지부(1211)와, 플라즈마 처리 챔버(1210) 하우징과는 전기적으로 절연된다.Each processing module 12 performs processing such as etching or film formation on the substrate W to be processed. The processing module 12 is an example of a substrate processing apparatus. 2 is a schematic cross-sectional view showing an example of the processing module 12 . In this embodiment, the processing module 12 is, for example, a capacitively coupled plasma processing apparatus. The processing module 12 includes a plasma processing chamber 1210 , a gas supply 1220 , a power source 1230 , and an exhaust system 1240 . The processing module 12 also includes a substrate support 1211 and a gas inlet. The gas introduction unit is configured to introduce at least one processing gas into the plasma processing chamber 1210 . The gas inlet includes a shower head 1213 . The substrate support 1211 is disposed in the plasma processing chamber 1210 . The shower head 1213 is disposed above the substrate support 1211 . In one embodiment, the shower head 1213 constitutes at least a portion of a ceiling of the plasma processing chamber 1210 . The plasma processing chamber 1210 has a shower head 1213 , a sidewall 1210a of the plasma processing chamber 1210 , and a plasma processing space 1210s defined by a substrate support 1211 . The plasma processing chamber 1210 has at least one gas supply port for supplying at least one processing gas to the plasma processing space 1210s and at least one gas exhaust port for exhausting the gas from the plasma processing space. The sidewall 1210a is grounded. The shower head 1213 and the substrate support 1211 are electrically insulated from the plasma processing chamber 1210 housing.

기판 지지부(1211)는 본체부(12111) 및 링 조립체(12112)를 포함한다. 본체부(12111)는 기판(웨이퍼)(W)을 지지하기 위한 중앙 영역(기판 지지면)(12111a)과, 링 조립체(12112)를 지지하기 위한 환상 영역(링 지지면)(12111b)을 갖는다. 본체부(12111)의 환상 영역(12111b)은 평면에서 바라볼 때 본체부(12111)의 중앙 영역(12111a)을 둘러싸고 있다. 기판(W)은 본체부(12111)의 중앙 영역(12111a) 상에 배치되고, 링 조립체(12112)는 본체부(12111)의 중앙 영역(12111a) 상의 기판(W)을 둘러싸도록 본체부(12111)의 환상 영역(12111b) 상에 배치된다. 일 실시형태에 있어서, 본체부(12111)는 기대 및 정전 척을 포함한다. 기대는 도전성 부재를 포함한다. 기대의 도전성 부재는 하부 전극으로서 기능한다. 정전 척은 기대 위에 배치된다. 정전 척의 상면은 기판 지지면(12111a)을 갖는다. 링 조립체(12112)는 1개 또는 복수의 환상 부재를 포함한다. 1개 또는 복수의 환상 부재 중 적어도 1개는 에지 링이다. 또한, 도시는 생략하지만, 기판 지지부(1211)는 정전 척, 링 조립체(12112), 및 기판 중 적어도 1개를 타겟 온도로 조절하도록 구성되는 온도 조절 모듈을 포함해도 좋다. 온도 조절 모듈은 히터, 전열 매체, 유로, 또는 이들의 조합을 포함해도 좋다. 유로에는, 브라인(brine)이나 가스와 같은 전열 유체가 흐른다. 또한, 기판 지지부(1211)는 기판(W)의 이면과 기판 지지면(12111a) 사이에 전열 가스를 공급하도록 구성된 전열 가스 공급부를 포함해도 좋다.The substrate support 1211 includes a body 12111 and a ring assembly 12112 . The body portion 12111 has a central region (substrate supporting surface) 12111a for supporting the substrate (wafer) W, and an annular region (ring supporting surface) 12111b for supporting the ring assembly 12112 . . The annular region 12111b of the body portion 12111 surrounds the central region 12111a of the body portion 12111 when viewed in a plan view. The substrate W is disposed on the central region 12111a of the body portion 12111 , and the ring assembly 12112 surrounds the substrate W on the central region 12111a of the body portion 12111 . ) on the annular region 12111b. In one embodiment, the body portion 12111 includes a base and an electrostatic chuck. The reclining includes a conductive member. The conductive member of the base functions as a lower electrode. An electrostatic chuck is placed on the base. A top surface of the electrostatic chuck has a substrate support surface 12111a. Ring assembly 12112 includes one or more annular members. At least one of the one or the plurality of annular members is an edge ring. Also, although not shown, the substrate support 1211 may include an electrostatic chuck, a ring assembly 12112, and a temperature control module configured to adjust at least one of the substrates to a target temperature. The temperature control module may include a heater, a heat transfer medium, a flow path, or a combination thereof. In the flow path, a heat transfer fluid such as brine or gas flows. In addition, the substrate support part 1211 may include a heat transfer gas supply part configured to supply a heat transfer gas between the back surface of the substrate W and the substrate support surface 12111a.

샤워 헤드(1213)는 가스 공급부(1220)로부터의 적어도 1개의 처리 가스를 플라즈마 처리 공간(1210s) 내에 도입하도록 구성된다. 샤워 헤드(1213)는 적어도 1개의 가스 공급구(1213a), 적어도 1개의 가스 확산실(1213b), 및 복수의 가스 도입구(1213c)를 갖는다. 가스 공급구(1213a)에 공급된 처리 가스는 가스 확산실(1213b)을 통과하여 복수의 가스 도입구(1213c)로부터 플라즈마 처리 공간(1210s) 내에 도입된다. 또한, 샤워 헤드(1213)는 도전성 부재를 포함한다. 샤워 헤드(1213)의 도전성 부재는 상부 전극으로서 기능한다. 또한, 가스 도입부는 샤워 헤드(1213)에 더하여, 측벽(1210a)에 형성된 1개 또는 복수의 개구부에 장착되는 1개 또는 복수의 사이드 가스 주입부(SGI; Side Gas Injector)를 포함해도 좋다.The shower head 1213 is configured to introduce at least one processing gas from the gas supply unit 1220 into the plasma processing space 1210s. The shower head 1213 has at least one gas supply port 1213a , at least one gas diffusion chamber 1213b , and a plurality of gas introduction ports 1213c . The processing gas supplied to the gas supply port 1213a passes through the gas diffusion chamber 1213b and is introduced into the plasma processing space 1210s from the plurality of gas introduction ports 1213c. Also, the shower head 1213 includes a conductive member. The conductive member of the shower head 1213 functions as an upper electrode. Further, in addition to the shower head 1213 , the gas introduction unit may include one or a plurality of side gas injectors (SGIs) mounted in one or a plurality of openings formed in the side wall 1210a.

가스 공급부(1220)는 적어도 1개의 가스 소스(1221) 및 적어도 1개의 유량 제어기(1222)를 포함해도 좋다. 일 실시형태에 있어서, 가스 공급부(1220)는 적어도 1개의 처리 가스를, 각각에 대응하는 가스 소스(1221)로부터 각각에 대응하는 유량 제어기(1222)를 거쳐서 샤워 헤드(1213)에 공급하도록 구성된다. 각각의 유량 제어기(1222)는 예를 들면, 매스 플로우 컨트롤러 또는 압력 제어식의 유량 제어기를 포함해도 좋다. 게다가, 가스 공급부(1220)는 적어도 1개의 처리 가스의 유량을 변조 또는 펄스화하는 1개 또는 그 이상의 유량 변조 디바이스를 포함해도 좋다.The gas supply unit 1220 may include at least one gas source 1221 and at least one flow controller 1222 . In one embodiment, the gas supply 1220 is configured to supply at least one process gas from a corresponding gas source 1221 to the shower head 1213 via a respective flow controller 1222 . . Each flow controller 1222 may include, for example, a mass flow controller or a pressure-controlled flow controller. In addition, the gas supply 1220 may include one or more flow rate modulation devices for modulating or pulsing the flow rate of at least one process gas.

전원(1230)은 적어도 1개의 임피던스 정합 회로를 거쳐서 플라즈마 처리 챔버(1210)에 결합되는 RF 전원(1231)을 포함한다. RF 전원(1231)은 소스 RF 신호 및 바이어스 RF 신호와 같은 적어도 1개의 RF 신호(RF 전력)를, 기판 지지부(1211)의 도전성 부재, 샤워 헤드(1213)의 도전성 부재, 또는 그 양방에 공급하도록 구성된다. 이에 의해, 플라즈마 처리 공간(1210s)에 공급된 적어도 1개의 처리 가스로부터 플라즈마가 형성된다. 따라서, RF 전원(1231)은 플라즈마 처리 챔버(1210)에 대해 1개 또는 그 이상의 처리 가스로부터 플라즈마를 생성하도록 구성되는 플라즈마 생성부의 적어도 일부로서 기능할 수 있다. 또한, 바이어스 RF 신호를 기판 지지부(1211)의 도전성 부재에 공급하는 것에 의해, 기판(W)에 바이어스 전위가 발생하고, 형성된 플라즈마 중 이온 성분을 기판(W)에 인입할 수가 있다.The power source 1230 includes an RF power source 1231 coupled to the plasma processing chamber 1210 via at least one impedance matching circuit. The RF power source 1231 supplies at least one RF signal (RF power), such as a source RF signal and a bias RF signal, to the conductive member of the substrate support 1211 , the conductive member of the shower head 1213 , or both. is composed As a result, plasma is formed from at least one processing gas supplied to the plasma processing space 1210s. Accordingly, the RF power source 1231 may function as at least a portion of a plasma generator configured to generate a plasma from one or more processing gases for the plasma processing chamber 1210 . In addition, by supplying the bias RF signal to the conductive member of the substrate support portion 1211 , a bias potential is generated in the substrate W, and an ion component in the plasma formed can be introduced into the substrate W.

일 실시형태에 있어서, RF 전원(1231)은 제 1 RF 생성부(1231a) 및 제 2 RF 생성부(1231b)를 포함한다. 제 1 RF 생성부(1231a)는 적어도 1개의 임피던스 정합 회로를 거쳐서 기판 지지부(1211)의 도전성 부재, 샤워 헤드(1213)의 도전성 부재, 또는 그 양방에 결합된다. 또한, 제 1 RF 생성부(1231a)는 플라즈마 생성용의 소스 RF 신호(소스 RF 전력)를 생성하도록 구성된다. 일 실시형태에 있어서, 소스 RF 신호는 예를 들면, 13㎒ 내지 150㎒의 범위 내의 주파수를 갖는다. 일 실시형태에 있어서, 제 1 RF 생성부(1231a)는 상이한 주파수를 갖는 복수의 소스 RF 신호를 생성하도록 구성되어도 좋다. 생성된 1개 또는 복수의 소스 RF 신호는, 기판 지지부(1211)의 도전성 부재, 샤워 헤드(1213)의 도전성 부재, 또는 그 양방에 공급된다. 제 2 RF 생성부(1231b)는 적어도 1개의 임피던스 정합 회로를 거쳐서 기판 지지부(1211)의 도전성 부재에 결합되고, 바이어스 RF 신호(바이어스 RF 전력)를 생성하도록 구성된다. 일 실시형태에 있어서, 바이어스 RF 신호는 소스 RF 신호보다 낮은 주파수를 갖는다. 일 실시형태에 있어서, 바이어스 RF 신호는 예를 들면, 400㎑ 내지 13.56㎒의 범위 내의 주파수를 갖는다. 일 실시형태에 있어서, 제 2 RF 생성부(1231b)는 상이한 주파수를 갖는 복수의 바이어스 RF 신호를 생성하도록 구성되어도 좋다. 생성된 1개 또는 복수의 바이어스 RF 신호는 기판 지지부(1211)의 도전성 부재에 공급된다. 또한, 여러 가지의 실시형태에 있어서, 소스 RF 신호 및 바이어스 RF 신호 중 적어도 1개가 펄스화되어도 좋다.In an embodiment, the RF power source 1231 includes a first RF generator 1231a and a second RF generator 1231b. The first RF generator 1231a is coupled to the conductive member of the substrate support 1211 , the conductive member of the shower head 1213 , or both through at least one impedance matching circuit. Further, the first RF generator 1231a is configured to generate a source RF signal (source RF power) for plasma generation. In one embodiment, the source RF signal has a frequency in the range of, for example, 13 MHz to 150 MHz. In one embodiment, the first RF generator 1231a may be configured to generate a plurality of source RF signals having different frequencies. The generated one or more source RF signals are supplied to the conductive member of the substrate support 1211 , the conductive member of the shower head 1213 , or both. The second RF generator 1231b is coupled to the conductive member of the substrate support 1211 via at least one impedance matching circuit and is configured to generate a bias RF signal (bias RF power). In one embodiment, the bias RF signal has a lower frequency than the source RF signal. In one embodiment, the bias RF signal has a frequency in the range of, for example, 400 kHz to 13.56 MHz. In one embodiment, the second RF generator 1231b may be configured to generate a plurality of bias RF signals having different frequencies. One or more generated bias RF signals are supplied to the conductive member of the substrate support 1211 . Further, in various embodiments, at least one of the source RF signal and the bias RF signal may be pulsed.

또한, 전원(1230)은 플라즈마 처리 챔버(1210)에 결합되는 DC 전원(1232)을 포함해도 좋다. DC 전원(1232)은 제 1 DC 생성부(1232a) 및 제 2 DC 생성부(1232b)를 포함한다. 일 실시형태에 있어서, 제 1 DC 생성부(1232a)는 기판 지지부(1211)의 도전성 부재에 접속되고, 제 1 DC 신호를 생성하도록 구성된다. 생성된 제 1 바이어스 DC 신호는 기판 지지부(1211)의 도전성 부재에 인가된다. 일 실시형태에 있어서, 제 1 DC 신호가 정전 척 내의 전극과 같은 다른 전극에 인가되어도 좋다. 일 실시형태에 있어서, 제 2 DC 생성부(1232b)는 샤워 헤드(1213)의 도전성 부재에 접속되고, 제 2 DC 신호를 생성하도록 구성된다. 생성된 제 2 DC 신호는 샤워 헤드(1213)의 도전성 부재에 인가된다. 여러 가지의 실시형태에 있어서, 제 1 및 제 2 DC 신호 중 적어도 1개가 펄스화되어도 좋다. 또한, 제 1 DC 생성부(1232a) 및 제 2 DC 생성부(1232b)는 RF 전원(1231)에 더하여 마련되어도 좋고, 제 1 DC 생성부(1232a)가 제 2 RF 생성부(1231b)에 대신에 마련되어도 좋다.Power supply 1230 may also include a DC power supply 1232 coupled to plasma processing chamber 1210 . The DC power supply 1232 includes a first DC generator 1232a and a second DC generator 1232b. In one embodiment, the first DC generator 1232a is connected to the conductive member of the substrate support 1211 and is configured to generate a first DC signal. The generated first bias DC signal is applied to the conductive member of the substrate support 1211 . In one embodiment, the first DC signal may be applied to another electrode, such as an electrode in an electrostatic chuck. In one embodiment, the second DC generator 1232b is connected to the conductive member of the shower head 1213 and is configured to generate a second DC signal. The generated second DC signal is applied to the conductive member of the shower head 1213 . In various embodiments, at least one of the first and second DC signals may be pulsed. In addition, the first DC generator 1232a and the second DC generator 1232b may be provided in addition to the RF power source 1231, and the first DC generator 1232a is replaced with the second RF generator 1231b. It may be provided in

배기 시스템(1240)은 예를 들면, 플라즈마 처리 챔버(1210)의 바닥부에 마련된 가스 배출구(1210e)에 접속될 수 있다. 배기 시스템(1240)은 압력 조정 밸브 및 진공 펌프를 포함해도 좋다. 압력 조정 밸브에 의해서, 플라즈마 처리 공간(1210s) 내의 압력이 조정된다. 진공 펌프는 터보 분자 펌프, 드라이 펌프, 또는 이들의 조합을 포함해도 좋다.The exhaust system 1240 may be connected to, for example, a gas outlet 1210e provided at the bottom of the plasma processing chamber 1210 . The exhaust system 1240 may include a pressure regulating valve and a vacuum pump. The pressure in the plasma processing space 1210s is adjusted by the pressure regulating valve. The vacuum pump may include a turbo molecular pump, a dry pump, or a combination thereof.

도 1에 돌아와서 설명을 계속한다. 진공 반송 모듈(11)의 다른 측벽에는, 게이트 밸브(G2)를 거쳐서 복수의 애싱 모듈(13)이 접속되어 있다. 애싱 모듈(13)은 처리 모듈(12)에 의해 처리가 실행된 후의 기판(W)에 잔존하여 있는 마스크 등을 애싱에 의해 제거한다. 또한, 도 1의 예에서는, 진공 반송 모듈(11)에 2개의 애싱 모듈(13)이 접속되어 있지만, 진공 반송 모듈(11)에 접속되는 애싱 모듈(13)의 수는, 1개여도 좋고, 3개 이상이어도 좋다.Returning to FIG. 1, the description continues. A plurality of ashing modules 13 are connected to the other side wall of the vacuum transfer module 11 via a gate valve G2. The ashing module 13 removes a mask or the like remaining on the substrate W after the processing is performed by the processing module 12 by ashing. In addition, in the example of FIG. 1, although two ashing modules 13 are connected to the vacuum conveying module 11, the number of the ashing modules 13 connected to the vacuum conveying module 11 may be one, Three or more may be sufficient.

도 3은 제 1 실시형태에 있어서의 애싱 모듈(13)의 일례를 도시하는 도면이다. 애싱 모듈(13)은 용기(130)를 갖는다. 용기(130) 내에는, 기판(W)이 탑재되는 스테이지(131)가 마련되어 있다. 스테이지(131)의 기준 위치(예를 들면, 중심)를, 위치(P0)라고 정의한다. 용기(130)의 측벽(132)에는, 기판(W) 등을 보지한 엔드 이펙터(21)가 통과하는 개구부(132b)가 형성되어 있다. 개구부(132b)는 제 1 개구부의 일례이다. 개구부(132b)는 게이트 밸브(G2)에 의해 개폐된다.3 : is a figure which shows an example of the ashing module 13 in 1st Embodiment. The ashing module 13 has a container 130 . In the container 130 , a stage 131 on which the substrate W is mounted is provided. A reference position (eg, center) of the stage 131 is defined as a position P0. An opening 132b through which the end effector 21 holding the substrate W or the like passes is formed in the sidewall 132 of the container 130 . The opening 132b is an example of the first opening. The opening 132b is opened and closed by the gate valve G2.

또한, 용기(130)의 내측에 있어서의 개구부(132b)와 대향하는 면(132a)에는, 엔드 이펙터(21)의 선단이 삽입되는 오목부(133)가 형성되어 있다. 도 3의 예에서는, 오목부(133)는 개구부(132b)와 대향하는 용기(130)의 측벽(132)의 면(132a)에 형성되어 있다. 애싱 모듈(13)은 기판 수용 장치의 일례이다.Further, a concave portion 133 into which the tip of the end effector 21 is inserted is formed on the surface 132a opposite to the opening portion 132b on the inner side of the container 130 . In the example of FIG. 3 , the recess 133 is formed in the surface 132a of the side wall 132 of the container 130 opposite the opening 132b. The ashing module 13 is an example of a substrate receiving apparatus.

도 1에 돌아와서 설명을 계속한다. 진공 반송 모듈(11)의 다른 측벽에는, 게이트 밸브(G3)를 거쳐서 복수의 로드록 모듈(14)이 접속되어 있다. 도 1의 예에서는, 진공 반송 모듈(11)에 2개의 로드록 모듈(14)이 접속되어 있지만, 진공 반송 모듈(11)에 접속되는 로드록 모듈(14)의 수는, 1개여도 좋고, 3개 이상이어도 좋다. 또한, 2개의 로드록 모듈(14) 중 적어도 1개는 기판(W)을 수용 가능하고, 2개의 로드록 모듈(14) 중 적어도 1개는 에지 링(ER)을 수용 가능하다. 에지 링(ER)은 소모 부품의 일례이다.Returning to FIG. 1, the description continues. A plurality of load-lock modules 14 are connected to the other side wall of the vacuum transfer module 11 via a gate valve G3. In the example of FIG. 1 , two load-lock modules 14 are connected to the vacuum transfer module 11, but the number of load-lock modules 14 connected to the vacuum transfer module 11 may be one; Three or more may be sufficient. In addition, at least one of the two load-lock modules 14 can accommodate the substrate W, and at least one of the two load-lock modules 14 can accommodate the edge ring ER. The edge ring ER is an example of a consumable part.

도 4는 제 1 실시형태에 있어서의 로드록 모듈(14)의 일례를 도시하는 도면이다. 본 실시형태에서는, 기판(W)을 일시적으로 수용하는 로드록 모듈(14)과, 에지 링(ER) 등의 소모 부품을 일시적으로 수용하는 로드록 모듈(14)이 나뉘어져 있다. 도 4에는, 기판(W)이 일시적으로 수용되는 로드록 모듈(14)이 도시되어 있다. 또한, 로드록 모듈(14)은 기판(W) 및 에지 링(ER)의 양방을 일시적으로 수용해도 좋다. 로드록 모듈(14)은 용기(140)를 갖는다. 용기(140) 내에는, 기판(W)이 탑재되는 스테이지(141)가 마련되어 있다. 스테이지(141)의 기준 위치(예를 들면, 중심(重心))을, 위치(P1)라고 정의한다. 용기(140)의 측벽에는, 기판(W) 등을 보지한 엔드 이펙터(21)가 통과하는 개구부(140a) 및 개구부(140b)가 형성되어 있다. 개구부(140a)는 제 1 개구부의 일례이며, 개구부(140b)는 제 2 개구부의 일례이다. 개구부(140a)는 게이트 밸브(G3)에 의해 개폐되고, 개구부(140b)는 게이트 밸브(G4)에 의해 개폐된다.4 is a diagram showing an example of the loadlock module 14 in the first embodiment. In this embodiment, the load-lock module 14 which temporarily accommodates the board|substrate W, and the load-lock module 14 which temporarily accommodates consumable parts, such as the edge ring ER, are divided. 4, the load lock module 14 in which the substrate W is temporarily accommodated is shown. In addition, the load lock module 14 may temporarily accommodate both the board|substrate W and the edge ring ER. The load lock module 14 has a container 140 . In the container 140 , a stage 141 on which the substrate W is mounted is provided. A reference position (eg, center of gravity) of the stage 141 is defined as a position P1 . An opening 140a and an opening 140b through which the end effector 21 holding the substrate W or the like passes are formed on the sidewall of the container 140 . The opening 140a is an example of the first opening, and the opening 140b is an example of the second opening. The opening 140a is opened and closed by the gate valve G3 , and the opening 140b is opened and closed by the gate valve G4 .

또한, 게이트 밸브(G3)에 있어서의 용기(140)의 내측의 면(142)에는, 개구부(140b)를 거쳐서 용기(140) 내에 진입한 엔드 이펙터(21)의 선단이 삽입되는 오목부(143)가 형성되어 있다. 또한, 게이트 밸브(G4)에 있어서의 용기(140)의 내측의 면(144)에는, 개구부(140a)를 거쳐서 용기(140) 내에 진입한 엔드 이펙터(21)의 선단이 삽입되는 오목부(145)가 형성되어 있다. 로드록 모듈(14)은 기판 수용 장치의 일례이며, 게이트 밸브(G4)는 제 2 개구부를 개폐하는 문의 일례이다.Further, in the inner surface 142 of the container 140 of the gate valve G3, a recess 143 into which the tip of the end effector 21 entering the container 140 through the opening 140b is inserted. ) is formed. Further, in the inner surface 144 of the container 140 of the gate valve G4, a recess 145 into which the tip of the end effector 21 entering the container 140 through the opening 140a is inserted. ) is formed. The load-lock module 14 is an example of a board|substrate accommodation apparatus, and the gate valve G4 is an example of the door which opens and closes the 2nd opening part.

도 1에 돌아와서 설명을 계속한다. 진공 반송 모듈(11) 내에는, 반송 로봇(20)이 배치되어 있다. 반송 로봇(20)은 엔드 이펙터(21) 및 아암(22)을 갖는다. 엔드 이펙터(21)는 부재를 보지한다. 본 실시형태에 있어서, 엔드 이펙터(21)가 보지하는 부재는 예를 들면, 기판(W) 및 에지 링(ER) 등이다. 이하에서는, 기판(W) 및 에지 링(ER) 등의 부재를, 통합하여 기판(W) 등으로 기재한다. 아암(22)은 엔드 이펙터(21)를 이동시킨다. 반송 로봇(20)은 진공 반송 모듈(11) 내에 마련된 가이드 레일(110)을 따라 진공 반송 모듈(11) 내를 이동하고, 처리 모듈(12), 애싱 모듈(13), 및 로드록 모듈(14) 사이에서 기판(W) 등을 반송한다. 또한, 반송 로봇(20)은 진공 반송 모듈(11) 내의 사전 결정된 위치에 고정되고, 진공 반송 모듈(11) 내를 이동하지 않는 구성이어도 좋다. 반송 로봇(20)은 반송 장치의 일례이다. 진공 반송 모듈(11) 내는 대기압보다 낮은 압력 분위기로 유지되고 있다.Returning to FIG. 1, the description continues. In the vacuum transfer module 11 , a transfer robot 20 is disposed. The transfer robot 20 has an end effector 21 and an arm 22 . The end effector 21 holds the member. In the present embodiment, the members held by the end effector 21 are, for example, the substrate W and the edge ring ER. Hereinafter, members such as the substrate W and the edge ring ER are collectively referred to as the substrate W or the like. The arm 22 moves the end effector 21 . The transfer robot 20 moves in the vacuum transfer module 11 along a guide rail 110 provided in the vacuum transfer module 11 , and the processing module 12 , the ashing module 13 , and the load lock module 14 . ) to transport the substrate W or the like. In addition, the conveyance robot 20 is fixed at a predetermined position in the vacuum conveyance module 11, and the structure which does not move in the vacuum conveyance module 11 may be sufficient. The transport robot 20 is an example of a transport device. The inside of the vacuum transfer module 11 is maintained in a pressure atmosphere lower than atmospheric pressure.

각각의 로드록 모듈(14)의 하나의 측벽에는, 게이트 밸브(G3)를 거쳐서 진공 반송 모듈(11)이 접속되어 있고, 다른 1개의 측벽에는, 게이트 밸브(G4)를 거쳐서 대기 반송 모듈(15)이 접속되어 있다. 게이트 밸브(G4)를 거쳐서 대기 반송 모듈(15)로부터 로드록 모듈(14) 내에 기판(W) 등이 반입되었을 경우, 게이트 밸브(G4)가 폐쇄되고, 로드록 모듈(14) 내의 압력이 대기압으로부터 사전 결정된 압력까지 낮아진다. 그리고, 게이트 밸브(G3)가 개방되고, 로드록 모듈(14) 내의 기판(W) 등이 반송 로봇(20)에 의해 진공 반송 모듈(11) 내로 반출된다.A vacuum transfer module 11 is connected to one side wall of each load lock module 14 via a gate valve G3, and to the other side wall, a standby transfer module 15 via a gate valve G4. ) is connected. When the substrate W or the like is loaded into the load lock module 14 from the atmospheric transfer module 15 via the gate valve G4, the gate valve G4 is closed, and the pressure in the load lock module 14 is atmospheric pressure. from to a predetermined pressure. And the gate valve G3 is opened, and the board|substrate W etc. in the load-lock module 14 are carried out into the vacuum transfer module 11 by the transfer robot 20. As shown in FIG.

또한, 로드록 모듈(14) 내가 대기압보다 낮은 압력으로 되어 있는 상태로, 반송 로봇(20)에 의해 게이트 밸브(G3)를 거쳐서 진공 반송 모듈(11)로부터 로드록 모듈(14) 내에 기판(W) 등이 반입되고, 게이트 밸브(G3)가 폐쇄된다. 그리고, 로드록 모듈(14) 내의 압력이 대기압까지 올라간다. 그리고, 게이트 밸브(G4)가 개방되고, 로드록 모듈(14) 내의 기판(W) 등이 대기 반송 모듈(15) 내로 반출된다.Further, in a state where the pressure inside the load lock module 14 is lower than atmospheric pressure, the substrate W is moved from the vacuum transfer module 11 through the gate valve G3 by the transfer robot 20 into the load lock module 14 by the transfer robot 20 . ) and the like are brought in, and the gate valve G3 is closed. Then, the pressure in the load lock module 14 rises to atmospheric pressure. And the gate valve G4 is opened, and the board|substrate W etc. in the load-lock module 14 are carried out into the standby|standby conveyance module 15. As shown in FIG.

게이트 밸브(G4)가 마련된 대기 반송 모듈(15)의 측벽과 반대측의 대기 반송 모듈(15)의 측벽에는, 복수의 로드 포트(16)가 마련되어 있다. 각각의 로드 포트(16)에는, 복수의 기판(W) 등을 수용 가능한 FOUP(Front Opening Unified Pod) 등의 용기가 접속된다. 또한, 대기 반송 모듈(15)에는, 기판(W)의 방향을 변경하는 얼라이너 모듈 등이 마련되어도 좋다. 또한, 복수의 로드 포트(16) 중 어느 하나에는, 에지 링(ER)을 수용 가능한 용기가 접속된다.A plurality of load ports 16 are provided on the side wall of the atmospheric transport module 15 on the opposite side to the side wall of the atmospheric transport module 15 in which the gate valve G4 is provided. A container such as a FOUP (Front Opening Unified Pod) capable of accommodating a plurality of substrates W and the like is connected to each load port 16 . Moreover, the aligner module etc. which change the direction of the board|substrate W may be provided in the air|standby conveyance module 15. In addition, a container capable of accommodating the edge ring ER is connected to any one of the plurality of load ports 16 .

대기 반송 모듈(15) 내에는, 반송 로봇(20)이 마련되어 있고, 반송 로봇(20)은 엔드 이펙터(21) 및 아암(22)을 갖는다. 대기 반송 모듈(15) 내의 압력은 대기압이다. 대기 반송 모듈(15) 내의 반송 로봇(20)은, 가이드 레일(150)을 따라 대기 반송 모듈(15) 내를 이동하고, 로드록 모듈(14)과 로드 포트(16)에 접속된 용기 사이에 기판(W) 등을 반송한다. 또한, 반송 로봇(20)은 대기 반송 모듈(15) 내의 사전 결정된 위치에 고정되고, 대기 반송 모듈(15) 내를 이동하지 않는 구성이어도 좋다. 대기 반송 모듈(15)의 상부에는, FFU(Fan Filter Unit) 등이 마련되어 있고, 파티클 등이 제거된 공기가 상부로부터 대기 반송 모듈(15) 내에 공급되고, 대기 반송 모듈(15) 내에 다운플로우가 형성된다. 또한, 본 실시형태에 있어서, 대기 반송 모듈(15) 내는 대기압 분위기이지만, 다른 형태로서, 대기 반송 모듈(15) 내의 압력은 양압이 되도록 제어되어도 좋다. 이에 의해, 외부로부터 대기 반송 모듈(15) 내에의 파티클 등의 침입을 억제할 수가 있다.A transfer robot 20 is provided in the standby transfer module 15 , and the transfer robot 20 has an end effector 21 and an arm 22 . The pressure in the atmospheric conveying module 15 is atmospheric pressure. The transfer robot 20 in the standby transfer module 15 moves in the standby transfer module 15 along the guide rail 150 , and is located between the load lock module 14 and the container connected to the load port 16 . The board|substrate W etc. are conveyed. In addition, the transfer robot 20 may be fixed at a predetermined position in the standby transfer module 15 and may have a configuration that does not move in the standby transfer module 15 . A Fan Filter Unit (FFU) or the like is provided on the upper part of the atmospheric transport module 15 , and air from which particles are removed is supplied into the atmospheric transport module 15 from the top, and a downflow in the atmospheric transport module 15 is performed. is formed In addition, in this embodiment, although the inside of the atmospheric|air-transfer module 15 is atmospheric pressure atmosphere, as another aspect, the pressure in the atmospheric|air-transport module 15 may be controlled so that it may become a positive pressure. In this way, it is possible to suppress the intrusion of particles or the like into the atmospheric transport module 15 from the outside.

제어부(100)는 본 개시에 있어서 진술되는 여러 가지의 공정을 본체(10)에 실행시키는 컴퓨터 실행 가능한 명령을 처리한다. 제어부(100)는 본 명세서에서 진술되는 여러 가지의 공정을 실행하도록 본체(10)의 각 요소를 제어하도록 구성될 수 있다. 일 실시형태에 있어서, 제어부(100)의 일부 또는 전부가 본체(10)가 갖는 몇 개의 모듈에 포함되어도 좋다. 제어부(100)는 예를 들면, 컴퓨터(100a)를 포함해도 좋다. 컴퓨터(100a)는 예를 들면, 처리부(CPU:Central Processing Unit)(100a1), 기억부(100a2), 및 통신 인터페이스(100a3)를 포함해도 좋다. 처리부(100a1)는 기억부(100a2)에 저장된 프로그램에 근거하여 여러 가지의 제어 동작을 실행하도록 구성될 수 있다. 기억부(100a2)는 RAM(Random Access Memory), ROM(Read Only Memory), HDD(Hard Disk Drive), SSD(Solid State Drive), 또는 이들의 조합을 포함해도 좋다. 통신 인터페이스(100a3)는 LAN(Local Area Network) 등의 통신 회선을 거쳐서 본체(10)와의 사이에서 통신해도 좋다.The control unit 100 processes computer-executable instructions for causing the main body 10 to execute various processes described in the present disclosure. The control unit 100 may be configured to control each element of the main body 10 to execute various processes described herein. In one embodiment, a part or all of the control unit 100 may be included in several modules included in the main body 10 . The control unit 100 may include, for example, the computer 100a. The computer 100a may include, for example, a processing unit (CPU: Central Processing Unit) 100a1 , a storage unit 100a2 , and a communication interface 100a3 . The processing unit 100a1 may be configured to execute various control operations based on the program stored in the storage unit 100a2 . The storage unit 100a2 may include a random access memory (RAM), a read only memory (ROM), a hard disk drive (HDD), a solid state drive (SSD), or a combination thereof. The communication interface 100a3 may communicate with the main body 10 via a communication line such as a LAN (Local Area Network).

[엔드 이펙터(21)의 상세][Details of the end effector 21]

도 5는 엔드 이펙터(21)의 일례를 도시하는 평면도이다. 엔드 이펙터(21)의 상면에는, 예를 들면, 도 5에 도시되는 바와 같이, 복수의 제 1 보지부(211) 및 복수의 제 2 보지부(212)가 마련된다. 각각의 제 1 보지부(211)는 예를 들면, 고무 등의 탄성 부재로 형성되고, 에지 링(ER)을 보지한다. 또한, 각각의 제 2 보지부(212)는 예를 들면, 고무 등의 탄성 부재로 형성되고, 기판(W)을 보지한다. 또한, 대기 반송 모듈(15) 내에 마련되는 반송 로봇(20)에 있어서, 제 1 보지부(211) 및 제 2 보지부(212)는 공기를 흡인하는 것에 의해 부재를 흡착 보지하는 진공 패드여도 좋다.5 is a plan view showing an example of the end effector 21 . On the upper surface of the end effector 21 , for example, as shown in FIG. 5 , a plurality of first holding parts 211 and a plurality of second holding parts 212 are provided. Each of the first holding portions 211 is formed of an elastic member such as rubber, for example, and holds the edge ring ER. In addition, each of the second holding portions 212 is formed of an elastic member such as rubber, for example, and holds the substrate W. As shown in FIG. In addition, in the transfer robot 20 provided in the atmospheric transfer module 15, the 1st holding part 211 and the 2nd holding part 212 may be a vacuum pad which suction-holds a member by sucking air. .

에지 링(ER)이 엔드 이펙터(21) 상에 탑재되는 경우, 에지 링(ER)의 외형의 위치는 예를 들면, 원(C1)과 같이 된다. 에지 링(ER)이 엔드 이펙터(21) 상에 탑재되는 경우, 에지 링(ER)은 에지 링(ER)의 중심(중심)의 위치가 위치(P2)가 되도록 엔드 이펙터(21) 상에 탑재된다. 위치(P2)는 엔드 이펙터(21)의 선단으로부터 거리(d1)의 위치에 있다.When the edge ring ER is mounted on the end effector 21 , the position of the outer shape of the edge ring ER becomes, for example, the circle C1 . When the edge ring ER is mounted on the end effector 21, the edge ring ER is mounted on the end effector 21 so that the position of the center (center) of the edge ring ER becomes the position P2. do. The position P2 is at a distance d1 from the tip of the end effector 21 .

기판(W)이 엔드 이펙터(21) 상에 탑재되는 경우, 기판(W)의 외형의 위치는 예를 들면, 원(C2)과 같이 된다. 기판(W)이 엔드 이펙터(21) 상에 탑재되는 경우, 기판(W)은, 기판(W)의 중심(중심(中心))의 위치가 위치(P2)가 되도록 엔드 이펙터(21) 상에 탑재된다. 즉, 에지 링(ER) 및 기판(W)은 중심이 위치(P2)가 되도록 엔드 이펙터(21) 상에 보지된다.When the substrate W is mounted on the end effector 21 , the position of the outer shape of the substrate W is, for example, a circle C2 . When the substrate W is mounted on the end effector 21 , the substrate W is placed on the end effector 21 so that the position of the center (center) of the substrate W becomes the position P2 . is mounted That is, the edge ring ER and the substrate W are held on the end effector 21 so that the center is at the position P2 .

도 6은 엔드 이펙터(21)의 일례를 도시하는 측면도이다. 본 실시형태에 있어서, 제 2 보지부(212)의 높이는 제 1 보지부(211)의 높이보다 높다. 에지 링(ER)이 반송되는 경우, 반송되는 에지 링(ER)에는, 반응 부생성물(소위 데포)이 부착하여 있는 경우가 있다. 그 때문에, 데포가 부착한 에지 링(ER)이 반송되는 경우, 에지 링(ER)에 부착하여 있는 데포가 파티클이 되어서 제 1 보지부(211)나 엔드 이펙터(21) 상에 낙하하는 경우가 있다.6 is a side view showing an example of the end effector 21 . In the present embodiment, the height of the second holding part 212 is higher than the height of the first holding part 211 . When the edge ring ER is conveyed, a reaction by-product (so-called depot) may adhere to the conveyed edge ring ER. Therefore, when the edge ring ER to which the deformable is attached is conveyed, the case where the deformed attached to the edge ring ER becomes particles and falls on the first holding part 211 or the end effector 21 . have.

제 1 보지부(211)에 기판(W)이 보지된다고 하면, 제 1 보지부(211)에 낙하한 파티클로 기판(W)이 오염되는 경우가 있다. 이에 대해, 본 실시형태에서는, 에지 링(ER)이 보지되는 제 1 보지부(211)에는, 기판(W)이 보지되지 않기 때문에, 기판(W)의 오염을 억제할 수가 있다.If the substrate W is held by the first holding unit 211 , the substrate W may be contaminated with particles that have fallen on the first holding unit 211 . On the other hand, in this embodiment, since the board|substrate W is not held by the 1st holding part 211 by which the edge ring ER is held, contamination of the board|substrate W can be suppressed.

또한, 제 2 보지부(212)의 높이가 제 1 보지부(211)의 높이가 동등하거나 낮은 경우, 기판(W)을 반송할 때에, 에지 링(ER)으로부터 제 1 보지부(211)나 엔드 이펙터(21)에 낙하한 파티클이 기판(W)에 재부착하는 경우가 있다. 이에 대해, 본 실시형태에서는, 기판(W)을 보지하는 제 2 보지부(212)의 높이는, 에지 링(ER)을 보지하는 제 1 보지부(211)의 높이보다 높다. 그 때문에, 기판(W)에 제 1 보지부(211)나 엔드 이펙터(21) 상의 파티클이 재부착하는 것을 억제할 수가 있다.In addition, when the height of the second holding part 212 is equal to or lower than that of the first holding part 211 , when the substrate W is transported, the first holding part 211 or the Particles that have fallen on the end effector 21 may be re-attached to the substrate W. On the other hand, in this embodiment, the height of the 2nd holding part 212 which holds the board|substrate W is higher than the height of the 1st holding part 211 which holds the edge ring ER. Therefore, it is possible to suppress the re-adhesion of particles on the first holding portion 211 or the end effector 21 to the substrate W .

에지 링(ER)이 반송되는 경우, 에지 링(ER)은 예를 들면, 도 7 및 도 8에 도시되는 바와 같이 엔드 이펙터(21) 상에 탑재된다. 도 7은 에지 링(ER)을 반송할 때의 엔드 이펙터(21)의 일례를 도시하는 평면도이다. 도 8은 에지 링(ER)을 반송할 때의 엔드 이펙터(21)의 일례를 도시하는 측면도이다. 에지 링(ER)의 직경은 기판(W)의 직경보다 크기 때문에, 에지 링(ER)은 엔드 이펙터(21)의 선단까지 사용하여 엔드 이펙터(21)에 보지된다. 그 때문에, 에지 링(ER)이 엔드 이펙터(21)에 보지되어 있는 상태에서는, 에지 링(ER)의 최외주는 엔드 이펙터(21)의 선단과 동일한 위치이거나, 또는 예를 들면, 도 8에 도시되는 바와 같이, 엔드 이펙터(21)의 선단보다 외측으로 돌출되어 있다.When the edge ring ER is conveyed, the edge ring ER is mounted on the end effector 21 as shown in FIGS. 7 and 8, for example. 7 is a plan view showing an example of the end effector 21 when the edge ring ER is conveyed. 8 is a side view showing an example of the end effector 21 when the edge ring ER is conveyed. Since the diameter of the edge ring ER is larger than the diameter of the substrate W, the edge ring ER is held by the end effector 21 using up to the tip of the end effector 21 . Therefore, in the state where the edge ring ER is held by the end effector 21 , the outermost periphery of the edge ring ER is at the same position as the tip of the end effector 21 , or, for example, as shown in FIG. 8 . As shown, it protrudes outward from the tip of the end effector 21 .

또한, 기판(W)이 반송되는 경우, 기판(W)은 예를 들면, 도 9 및 도 10에 도시되는 바와 같이, 엔드 이펙터(21) 상에 탑재된다. 도 9는 기판(W)을 반송할 때의 엔드 이펙터(21)의 일례를 도시되는 평면도이며, 도 10은 기판(W)을 반송할 때의 엔드 이펙터(21)의 일례를 도시되는 측면도이다. 본 실시형태에서는, 기판(W) 및 에지 링(ER)은 중심의 위치가 엔드 이펙터(21)에 있어서의 위치(P2)에 위치하도록 엔드 이펙터(21)에 보지되고, 기판(W)의 직경은 에지 링(ER)의 직경보다 작다. 그 때문에, 기판(W)이 엔드 이펙터(21)에 보지되어 있는 상태에서는, 예를 들면, 도 9 및 도 10에 도시되는 바와 같이, 엔드 이펙터(21)의 선단은 기판(W)의 최외주로부터 거리(d2)만큼 돌출되어 있다.Further, when the substrate W is conveyed, the substrate W is mounted on the end effector 21 as shown in FIGS. 9 and 10 , for example. 9 is a plan view showing an example of the end effector 21 when the substrate W is conveyed, and FIG. 10 is a side view showing an example of the end effector 21 when the substrate W is conveyed. In this embodiment, the substrate W and the edge ring ER are held by the end effector 21 so that the center position is located at the position P2 in the end effector 21, and the diameter of the substrate W is smaller than the diameter of the edge ring ER. Therefore, in the state where the substrate W is held by the end effector 21 , for example, as shown in FIGS. 9 and 10 , the tip of the end effector 21 is the outermost periphery of the substrate W . It protrudes from it by a distance d2.

본 명세서에서, 예를 들면, 도 11에 도시되는 바와 같이, 용기(130)의 내측에 있어서의 개구부(132b)와 대향하는 면(132a)에 오목부(133)가 형성되지 않은 애싱 모듈(13)을 비교예로서 고려한다. 도 11은 비교예에 있어서, 기판(W)이 애싱 모듈(13) 내에 반입될 때의 엔드 이펙터(21)와 애싱 모듈(13)의 위치 관계의 일례를 도시하는 도면이다. 본 실시형태에서는, 기판(W)이 엔드 이펙터(21)에 보지되어 있는 상태에서는, 엔드 이펙터(21)의 선단(21a)이 기판(W)의 최외주로부터 거리(d2) 돌출되어 있다. 그 때문에, 엔드 이펙터(21)의 선단(21a)이 애싱 모듈(13)의 측벽에 접촉하고, 위치(P2)에 있는 기판(W)의 중심이 스테이지(131)의 기준 위치(P0)에 일치하도록, 기판(W)을 애싱 모듈(13) 내에 반입하는 것이 어렵다. 기판(W)을 애싱 모듈(13) 내에 반입할 때에, 엔드 이펙터(21)의 선단(21a)이 애싱 모듈(13)의 측벽에 접촉하도록 하기 위해서, 애싱 모듈(13)의 측벽(132)을 스테이지(131)로부터 떨어진 위치에 마련하는 일도 고려된다. 그러나, 그 경우, 용기(130)가 전체적으로 대형화하고, 처리 시스템(1)의 풋프린트의 증대를 초래한다.In this specification, for example, as shown in FIG. 11, the ashing module 13 in which the recessed part 133 is not formed in the surface 132a opposite to the opening part 132b in the inner side of the container 130. ) is considered as a comparative example. 11 is a diagram showing an example of the positional relationship between the end effector 21 and the ashing module 13 when the substrate W is loaded into the ashing module 13 in the comparative example. In the present embodiment, in a state in which the substrate W is held by the end effector 21 , the tip 21a of the end effector 21 protrudes from the outermost periphery of the substrate W by a distance d2 . Therefore, the tip 21a of the end effector 21 contacts the sidewall of the ashing module 13 , and the center of the substrate W at the position P2 coincides with the reference position P0 of the stage 131 . It is difficult to carry the substrate W into the ashing module 13 so as to do so. When the substrate W is loaded into the ashing module 13 , the side wall 132 of the ashing module 13 is moved so that the tip 21a of the end effector 21 comes into contact with the sidewall of the ashing module 13 . It is also considered to be provided at a position away from the stage 131 . However, in that case, the container 130 as a whole becomes enlarged, resulting in an increase in the footprint of the processing system 1 .

이에 대해, 본 실시형태에서는, 예를 들면, 도 12에 도시되는 바와 같이, 용기(130)의 내측에 있어서의 개구부(132b)와 대향하는 면(132a)에 오목부(133)가 형성되어 있다. 도 12는 제 1 실시형태에 있어서, 기판(W)이 애싱 모듈(13) 내에 반입될 때의 엔드 이펙터(21)와 애싱 모듈(13)의 위치 관계의 일례를 도시하는 도면이다. 이에 의해, 기판(W)을 애싱 모듈(13) 내에 반입할 때에, 엔드 이펙터(21)의 선단(21a)이 오목부(133) 내에 삽입된다. 이에 의해, 예를 들면, 도 12에 도시되는 바와 같이, 위치(P2)에 있는 기판(W)의 중심이 스테이지(131)의 기준 위치(P0)에 일치하도록, 기판(W)을 애싱 모듈(13) 내에 반입하는 것이 가능하게 된다. 이에 의해, 기판(W)을 애싱 모듈(13) 내에 반입할 때에, 엔드 이펙터(21)의 선단(21a)이 애싱 모듈(13)의 측벽에 접촉하지 않도록 하기 위해서, 측벽(132)의 면(132a)을 스테이지(131)로부터 떨어진 위치에 배치할 필요가 없어진다. 이에 의해, 용기(130)의 대형화를 억제하고, 처리 시스템(1)의 풋프린트의 증대를 억제할 수가 있다.On the other hand, in this embodiment, as shown in FIG. 12, the recessed part 133 is formed in the surface 132a opposite to the opening part 132b in the inner side of the container 130, for example. . 12 is a diagram showing an example of the positional relationship between the end effector 21 and the ashing module 13 when the substrate W is loaded into the ashing module 13 in the first embodiment. Accordingly, when the substrate W is loaded into the ashing module 13 , the tip 21a of the end effector 21 is inserted into the recess 133 . Thereby, for example, as shown in FIG. 12 , the substrate W is placed in the ashing module ( 13) It becomes possible to bring it in. Accordingly, when the substrate W is loaded into the ashing module 13, in order to prevent the tip 21a of the end effector 21 from coming into contact with the sidewall of the ashing module 13, the sidewall 132 is There is no need to arrange the 132a at a position away from the stage 131 . Thereby, enlargement of the container 130 can be suppressed and the increase of the footprint of the processing system 1 can be suppressed.

또한, 본 실시형태의 로드록 모듈(14)에서는, 예를 들면, 도 4에 도시된 바와 같이, 게이트 밸브(G4)에 있어서의 용기(140)의 내측의 면(144)에 오목부(145)가 형성되어 있다. 이에 의해, 진공 반송 모듈(11)로부터 로드록 모듈(14) 내에 기판(W)이 반입될 때에, 예를 들면, 도 13에 도시되는 바와 같이, 엔드 이펙터(21)의 선단(21a)이 게이트 밸브(G4)의 오목부(145) 내에 삽입된다. 도 13은 제 1 실시형태에 있어서, 진공 반송 모듈(11)과 로드록 모듈(14) 사이에서 기판(W)이 반송될 때의 엔드 이펙터(21)와 로드록 모듈(14)의 위치 관계의 일례를 도시하는 도면이다.Moreover, in the load lock module 14 of this embodiment, as shown in FIG. 4, for example, the recessed part 145 in the inner surface 144 of the container 140 in the gate valve G4. ) is formed. Accordingly, when the substrate W is loaded into the load lock module 14 from the vacuum transfer module 11 , for example, as shown in FIG. 13 , the tip 21a of the end effector 21 is gated. It is inserted into the recess 145 of the valve G4. 13 is a diagram of the positional relationship between the end effector 21 and the load-lock module 14 when the substrate W is transferred between the vacuum transfer module 11 and the load-lock module 14 in the first embodiment. It is a figure which shows an example.

이에 의해, 진공 반송 모듈(11)로부터 로드록 모듈(14) 내에 기판(W)이 반입될 때에, 기판(W)의 중심이 스테이지(141)의 기준 위치(P1)에 일치하도록, 기판(W)을 로드록 모듈(14) 내에 반입하는 것이 가능하게 된다. 이에 의해, 기판(W)을 로드록 모듈(14) 내에 반입할 때에, 엔드 이펙터(21)의 선단(21a)이 게이트 밸브(G4)에 접촉하지 않도록 하기 위해서, 게이트 밸브(G4)를 스테이지(141)로부터 떨어진 위치에 마련할 필요가 없어진다. 이에 의해, 용기(140)의 대형화를 억제하고, 처리 시스템(1)의 풋프린트의 증대를 억제할 수가 있다.Accordingly, when the substrate W is loaded into the load lock module 14 from the vacuum transfer module 11 , the substrate W is positioned so that the center of the substrate W coincides with the reference position P1 of the stage 141 . ) can be imported into the loadlock module 14 . Accordingly, when the substrate W is loaded into the load lock module 14, in order to prevent the tip 21a of the end effector 21 from contacting the gate valve G4, the gate valve G4 is 141), there is no need to provide it at a location away from it. Thereby, enlargement of the container 140 can be suppressed, and the increase of the footprint of the processing system 1 can be suppressed.

또한, 본 실시형태에서는, 예를 들면, 도 4에 도시되는 바와 같이, 게이트 밸브(G3)에 있어서의 용기(140)의 내측의 면(142)에 오목부(143)이 형성되어 있다. 이에 의해, 대기 반송 모듈(15)로부터 로드록 모듈(14) 내에 기판(W)이 반입될 때에, 예를 들면, 도 14에 도시되는 바와 같이, 엔드 이펙터(21)의 선단(21a)이 게이트 밸브(G3)의 오목부(143) 내에 삽입된다. 도 14은 제 1 실시형태에 있어서, 대기 반송 모듈(15)과 로드록 모듈(14) 사이에서 기판(W)이 반송될 때의 엔드 이펙터(21)와 로드록 모듈(14)의 위치 관계의 일례를 도시하는 도면이다.In addition, in this embodiment, as shown in FIG. 4, the recessed part 143 is formed in the inner side surface 142 of the container 140 in the gate valve G3. Accordingly, when the substrate W is loaded into the load lock module 14 from the standby transfer module 15, for example, as shown in FIG. 14 , the tip 21a of the end effector 21 is gated. It is inserted into the recess 143 of the valve G3. 14 is a diagram of the positional relationship between the end effector 21 and the load-lock module 14 when the substrate W is transferred between the standby transfer module 15 and the load-lock module 14 in the first embodiment. It is a figure which shows an example.

이에 의해, 대기 반송 모듈(15)로부터 로드록 모듈(14) 내에 기판(W)이 반입될 때에, 기판(W)의 중심이 스테이지(141)의 기준 위치(P1)에 일치하도록, 기판(W)을 로드록 모듈(14) 내에 반입하는 것이 가능하게 된다. 이에 의해, 기판(W)을 로드록 모듈(14) 내에 반입할 때에, 엔드 이펙터(21)의 선단(21a)이 게이트 밸브(G3)에 접촉하지 않도록 하기 위해서, 게이트 밸브(G3)를 스테이지(141)로부터 떨어진 위치에 마련할 필요가 없어진다. 이에 의해, 용기(140)의 대형화를 억제하고, 처리 시스템(1)의 풋프린트의 증대를 억제할 수가 있다.As a result, when the substrate W is loaded into the load lock module 14 from the standby transfer module 15 , the substrate W is positioned so that the center of the substrate W coincides with the reference position P1 of the stage 141 . ) can be imported into the loadlock module 14 . Accordingly, when the substrate W is loaded into the load lock module 14, in order to prevent the tip 21a of the end effector 21 from contacting the gate valve G3, the gate valve G3 is 141), there is no need to provide it at a location away from it. Thereby, enlargement of the container 140 can be suppressed, and the increase of the footprint of the processing system 1 can be suppressed.

이상, 제 1 실시형태에 대해서 설명하였다. 상기한 바와 같이, 본 실시형태에 있어서의 처리 시스템(1)은 처리 모듈(12)과 반송 로봇(20)과, 애싱 모듈(13)을 구비한다. 처리 모듈(12)은 기판(W)을 처리한다. 반송 로봇(20)은 기판(W) 및 처리 모듈(12)에 마련되는 에지 링(ER)을 포함하는 부재를 보지하는 엔드 이펙터(21)를 갖고, 부재를 반송한다. 애싱 모듈(13)은 기판을 일시 보관한다. 애싱 모듈(13)은 용기(130)를 갖는다. 용기(130)의 측벽(132)에는, 기판(W)을 보지한 엔드 이펙터(21)가 통과하는 개구부(132b)가 형성되어 있다. 또한, 용기(130)의 내측에 있어서의 개구부(132b)와 대향하는 면(132a)에는, 엔드 이펙터(21)의 선단(21a)이 삽입되는 오목부(133)가 형성되어 있다. 이러한 구성에 의해, 애싱 모듈(13)의 대형화를 억제하고, 처리 시스템(1)의 풋프린트의 증대를 억제할 수가 있다.As mentioned above, 1st Embodiment was demonstrated. As described above, the processing system 1 in the present embodiment includes the processing module 12 , the transfer robot 20 , and the ashing module 13 . The processing module 12 processes the substrate W. The transfer robot 20 has an end effector 21 that holds a member including an edge ring ER provided on the substrate W and the processing module 12 , and transports the member. The ashing module 13 temporarily stores the substrate. The ashing module 13 has a container 130 . An opening 132b through which the end effector 21 holding the substrate W passes is formed in the sidewall 132 of the container 130 . Further, a concave portion 133 into which the tip 21a of the end effector 21 is inserted is formed in the surface 132a opposite to the opening 132b on the inner side of the container 130 . With such a configuration, it is possible to suppress an increase in the size of the ashing module 13 and to suppress an increase in the footprint of the processing system 1 .

또한, 상기한 실시형태에 있어서, 오목부(133)는 개구부(132b)와 대향하는 용기(130)의 측벽(132)의 면(132a)에 형성되어 있다. 이에 의해, 애싱 모듈(13)의 대형화를 억제하고, 처리 시스템(1)의 풋프린트의 증대를 억제할 수가 있다.Further, in the above-described embodiment, the concave portion 133 is formed in the surface 132a of the side wall 132 of the container 130 opposite to the opening 132b. Thereby, the enlargement of the ashing module 13 can be suppressed and the increase of the footprint of the processing system 1 can be suppressed.

또한, 상기한 실시형태에 있어서, 기판 수용 장치는 로드록 모듈(14)이어도 좋다. 예를 들어, 로드록 모듈(14)에 있어서, 로드록 모듈(14)의 개구부(140a)와 대향하는 용기(140)의 측벽에는, 기판(W)을 보지한 다른 엔드 이펙터(21)가 통과하는 개구부(140b)가 형성되어 있다. 개구부(140b)에는, 개구부(140b)를 개폐하는 게이트 밸브(G4)가 마련되어 있다. 엔드 이펙터(21)의 선단(21a)이 삽입되는 오목부(145)는, 게이트 밸브(G4)에 있어서의 용기(140)의 내측의 면(144)에 형성되어 있다. 이러한 구성에 의해, 로드록 모듈(14)의 대형화를 억제하고, 처리 시스템(1)의 풋프린트의 증대를 억제할 수가 있다.In addition, in the above-described embodiment, the substrate receiving apparatus may be the load lock module 14 . For example, in the load lock module 14 , another end effector 21 holding the substrate W passes through the side wall of the container 140 opposite to the opening 140a of the load lock module 14 . An opening 140b is formed. The opening 140b is provided with a gate valve G4 that opens and closes the opening 140b. A recess 145 into which the tip 21a of the end effector 21 is inserted is formed on the inner surface 144 of the container 140 of the gate valve G4. With this configuration, it is possible to suppress an increase in the size of the load lock module 14 and to suppress an increase in the footprint of the processing system 1 .

(제 2 실시형태)(Second Embodiment)

상기한 제 1 실시형태에서는, 개구부(132b)를 거쳐서 기판(W)이 애싱 모듈(13) 내에 반입되는 경우, 개구부(132b)와 대향하는 면(132a)에 대해서 예를 들면, 직교하는 방향을 따라 기판(W)이 애싱 모듈(13) 내에 반입된다. 이에 대해, 본 실시형태에서는, 개구부(132b)와 대향하는 면(132a)에 대해서 경사의 방향을 따라 기판(W)이 애싱 모듈(13) 내에 반입된다. 이에 의해, 기판(W)의 이동 거리를 짧게 할 수가 있고, 기판(W)을 애싱 모듈(13) 내에 반입하는데 필요로 하는 시간을 단축할 수가 있다. 또한, 반송 로봇(20)의 아암(22)을 짧게 할 수가 있으므로, 반송 로봇(20)을 소형화할 수가 있다.In the first embodiment described above, when the substrate W is loaded into the ashing module 13 through the opening 132b, a direction perpendicular to the surface 132a facing the opening 132b is, for example. Accordingly, the substrate W is loaded into the ashing module 13 . On the other hand, in this embodiment, the board|substrate W is carried in into the ashing module 13 along the direction of inclination with respect to the surface 132a opposite to the opening part 132b. Thereby, the moving distance of the board|substrate W can be shortened, and the time required for carrying in the board|substrate W into the ashing module 13 can be shortened. Further, since the arm 22 of the transport robot 20 can be shortened, the transport robot 20 can be downsized.

도 15는 제 2 실시형태에 있어서의 애싱 모듈(13)의 일례를 도시하는 횡단면도이다. 또한, 도 15에 있어서, 도 3과 동일한 부호가 부여된 구성은, 도 3에 있어서 설명된 구성과 동일 또는 마찬가지이기 때문에, 설명을 생략한다. 본 실시형태의 애싱 모듈(13)에 있어서, 측벽(132)에는, 벽면(136), 벽면(137), 테이퍼부(138), 및 테이퍼부(139)가 형성되어 있다. 테이퍼부(138) 및 테이퍼부(139)는 개구부(132b) 부근의 측벽(132)에, 개구부(132b)와 대향하는 면(132a)에 대해서 경사져서 형성되어 있다.15 is a cross-sectional view showing an example of the ashing module 13 in the second embodiment. In addition, in FIG. 15, since the structure to which the code|symbol same as FIG. 3 was attached|subjected is the same as or the same as the structure demonstrated in FIG. 3, description is abbreviate|omitted. In the ashing module 13 of the present embodiment, a wall surface 136 , a wall surface 137 , a tapered portion 138 , and a tapered portion 139 are formed on the sidewall 132 . The tapered portion 138 and the tapered portion 139 are formed on the sidewall 132 in the vicinity of the opening 132b to be inclined with respect to the surface 132a facing the opening 132b.

기판(W)이 애싱 모듈(13) 내에 반송되는 경우, 예를 들면, 도 16에 도시되는 바와 같이, 기판(W)을 보지하고 있는 엔드 이펙터(21)는, 테이퍼부(138) 및 테이퍼부(139)를 따라 용기(130) 내에 진입한다. 도 16은 제 2 실시형태에 있어서, 기판(W)이 애싱 모듈(13) 내에 반입될 때의 엔드 이펙터(21)와 애싱 모듈(13)의 위치 관계의 일례를 도시하는 도면이다.When the substrate W is conveyed in the ashing module 13 , for example, as shown in FIG. 16 , the end effector 21 holding the substrate W has a tapered portion 138 and a tapered portion. Enters vessel 130 along 139 . 16 is a diagram showing an example of the positional relationship between the end effector 21 and the ashing module 13 when the substrate W is loaded into the ashing module 13 in the second embodiment.

본 실시형태에서는, 면(132a)에 대해서 경사의 방향을 따라 기판(W)이 애싱 모듈(13) 내에 반입되기 때문에, 면(132a)에 직교하는 방향에 있어서, 기판(W)과 선단(21a)의 거리가 제 1 실시형태의 경우에 비해 길어진다. 그 때문에, 본 실시형태에서는, 위치(P2)에 있는 기판(W)의 중심이 스테이지(131)의 기준 위치(P0)에 일치하도록, 기판(W)을 애싱 모듈(13) 내에 반입하는 것이, 제 1 실시형태의 경우에 비해 더 어려워진다.In this embodiment, since the board|substrate W is carried in in the ashing module 13 along the direction of inclination with respect to the surface 132a, in the direction orthogonal to the surface 132a, WHEREIN: The board|substrate W and the front-end|tip 21a ) becomes longer than in the case of the first embodiment. Therefore, in this embodiment, loading the substrate W into the ashing module 13 so that the center of the substrate W at the position P2 coincides with the reference position P0 of the stage 131, It becomes more difficult compared to the case of the first embodiment.

이에 대해서, 본 실시형태의 애싱 모듈(13)에 있어서도, 예를 들면, 도 16에 도시되는 바와 같이, 용기(130)의 내측에 있어서의 개구부(132b)와 대향하는 면(132a)에 오목부(133)가 형성되어 있다. 이에 의해, 기판(W)을 애싱 모듈(13) 내에 반입할 때에, 엔드 이펙터(21)의 선단(21a)이 오목부(133) 내에 삽입된다. 그 때문에, 예를 들면, 도 16에 도시되는 바와 같이, 위치(P2)에 있는 기판(W)의 중심이 스테이지(131)의 기준 위치(P0)에 일치하도록, 기판(W)을 애싱 모듈(13) 내에 반입하는 것이 가능하게 된다. 따라서, 도 15와 같이, 개구부(132b)와 대향하는 면(132a)에 대해서 경사지게 형성되어 있는 테이퍼부(138) 및 테이퍼부(139)를 갖는 애싱 모듈(13)에 대해서는, 면(132a)에 오목부(133)가 형성되어 있는 것은 특히 유효하다.On the other hand, also in the ashing module 13 of this embodiment, as shown, for example in FIG. 16, the recessed part in the surface 132a opposite to the opening part 132b in the inner side of the container 130. (133) is formed. Accordingly, when the substrate W is loaded into the ashing module 13 , the tip 21a of the end effector 21 is inserted into the recess 133 . Therefore, for example, as shown in FIG. 16 , the substrate W is placed in the ashing module ( 13) It becomes possible to bring it in. Accordingly, as shown in FIG. 15 , for the ashing module 13 having the tapered portion 138 and the tapered portion 139 that are formed to be inclined with respect to the surface 132a facing the opening 132b, the surface 132a is It is especially effective that the recessed part 133 is formed.

또한, 본 실시형태에서는, 로드록 모듈(14)의 게이트 밸브(G4)에 대해서 경사의 방향을 따라 기판(W)이 로드록 모듈(14) 내에 반입된다. 이에 의해, 기판(W)의 이동 거리를 짧게 할 수가 있고, 기판(W)을 진공 반송 모듈(11)로부터 로드록 모듈(14)에 반입하는데 필요로 하는 시간을 단축할 수가 있다. 또한, 반송 로봇(20)의 아암(22)을 짧게 할 수가 있으므로, 반송 로봇(20)을 소형화할 수가 있다.Moreover, in this embodiment, the board|substrate W is carried in into the load-lock module 14 along the direction of an inclination with respect to the gate valve G4 of the load-lock module 14. As shown in FIG. Thereby, the movement distance of the board|substrate W can be shortened, and the time required for carrying in the board|substrate W from the vacuum transfer module 11 to the load-lock module 14 can be shortened. Further, since the arm 22 of the transport robot 20 can be shortened, the transport robot 20 can be downsized.

도 17은 제 2 실시형태에 있어서의 로드록 모듈(14)의 일례를 도시하는 횡단면도이다. 또한, 도 17에 있어서, 도 4와 동일한 부호가 부여된 구성은 도 4에 대해 설명된 구성과 동일 또는 마찬가지이기 때문에 설명을 생략한다. 본 실시형태의 로드록 모듈(14)에 있어서, 측벽(146)의 개구부(140a) 부근에는, 테이퍼부(148)가 형성되어 있고, 측벽(147)의 개구부(140a) 부근에는, 테이퍼부(149)가 형성되어 있다. 테이퍼부(148) 및 테이퍼부(149)는 개구부(140a)와 대향하는 게이트 밸브(G4)의 면(144)에 대해서 경사지게 형성되어 있다.Fig. 17 is a cross-sectional view showing an example of the load lock module 14 in the second embodiment. In addition, in FIG. 17, since the structure to which the code|symbol same as FIG. 4 was attached|subjected is the same as that of the structure demonstrated with respect to FIG. 4, description is abbreviate|omitted. In the load lock module 14 of the present embodiment, a tapered portion 148 is formed in the vicinity of the opening 140a of the sidewall 146, and a tapered portion ( 149) is formed. The tapered portion 148 and the tapered portion 149 are formed to be inclined with respect to the surface 144 of the gate valve G4 facing the opening 140a.

기판(W)이 진공 반송 모듈(11)로부터 로드록 모듈(14) 내에 반송되는 경우, 예를 들면, 도 18에 도시되는 바와 같이, 기판(W)을 보지하고 있는 엔드 이펙터(21)는 테이퍼부(148) 및 테이퍼부(149)를 따라 용기(140) 내에 진입한다. 도 18은 제 2 실시형태에 있어서, 진공 반송 모듈(11)과 로드록 모듈(14) 사이에서 기판(W)이 반송될 때의 엔드 이펙터(21)와 로드록 모듈(14)의 위치 관계의 일례를 도시하는 도면이다.When the substrate W is transferred from the vacuum transfer module 11 into the load lock module 14, for example, as shown in FIG. 18 , the end effector 21 holding the substrate W tapers. It enters the vessel 140 along the portion 148 and the tapered portion 149 . Fig. 18 shows the positional relationship between the end effector 21 and the load-lock module 14 when the substrate W is transferred between the vacuum transfer module 11 and the load-lock module 14 in the second embodiment. It is a figure which shows an example.

본 실시형태에서는, 게이트 밸브(G4)의 면(144)에 대해서 경사의 방향을 따라 기판(W)이 로드록 모듈(14) 내에 반입되기 때문에, 게이트 밸브(G4)의 면(144)에 직교하는 방향에 있어서, 기판(W)과 선단(21a)의 거리가 제 1 실시형태의 경우에 비해 길어진다. 그 때문에, 본 실시형태에서는, 위치(P2)에 있는 기판(W)의 중심이 스테이지(141)의 기준 위치(P1)에 일치하도록, 기판(W)을 로드록 모듈(14) 내에 반입하는 것이, 제 1 실시형태의 경우에 비해 더욱 어려워진다.In this embodiment, since the substrate W is loaded into the load lock module 14 along the direction of the inclination with respect to the face 144 of the gate valve G4, it is orthogonal to the face 144 of the gate valve G4. direction WHEREIN: The distance between the board|substrate W and the front-end|tip 21a becomes long compared with the case of 1st Embodiment. Therefore, in the present embodiment, loading the substrate W into the load lock module 14 is preferred so that the center of the substrate W at the position P2 coincides with the reference position P1 of the stage 141 . , it becomes more difficult compared to the case of the first embodiment.

이에 대해서, 본 실시형태의 로드록 모듈(14)에 있어서도, 예를 들면, 도 18에 도시되는 바와 같이, 용기(140)의 내측에 있어서의 개구부(140a)와 대향하는 게이트 밸브(G4)의 면(144)에 오목부(145)가 형성되어 있다. 이에 의해, 기판(W)을 진공 반송 모듈(11)로부터 로드록 모듈(14) 내에 반입할 때에, 엔드 이펙터(21)의 선단(21a)이 오목부(145) 내에 삽입된다. 그 때문에, 예를 들면, 도 18에 도시되는 바와 같이, 위치(P2)에 있는 기판(W)의 중심을 스테이지(141)의 기준 위치(P1)에 일치하도록, 기판(W)을 로드록 모듈(14) 내에 반입하는 것이 가능하게 된다. 따라서, 개구부(140a)와 대향하는 게이트 밸브(G4)의 면(144)에 대해서 경사지게 형성되어 있는 테이퍼부(148 및 149)를 갖는 로드록 모듈(14)에 있어서는, 게이트 밸브(G4)의 면(144)에 오목부(145)가 형성되어 있는 것은 특히 유효하다.On the other hand, also in the load lock module 14 of the present embodiment, for example, as shown in FIG. 18 , the gate valve G4 facing the opening 140a inside the container 140 is closed. A recess 145 is formed in the face 144 . Accordingly, when the substrate W is loaded from the vacuum transfer module 11 into the load lock module 14 , the tip 21a of the end effector 21 is inserted into the recess 145 . Therefore, for example, as shown in FIG. 18 , the substrate W is loaded into the load-lock module so that the center of the substrate W at the position P2 coincides with the reference position P1 of the stage 141 . (14) It becomes possible to bring in inside. Therefore, in the load lock module 14 having the taper portions 148 and 149 that are formed to be inclined with respect to the surface 144 of the gate valve G4 facing the opening 140a, the surface of the gate valve G4 is It is particularly effective that the concave portion 145 is formed at 144 .

또한, 기판(W)이 대기 반송 모듈(15)로부터 로드록 모듈(14) 내에 반송되는 경우, 예를 들면, 도 19에 도시되는 바와 같이, 기판(W)을 보지하고 있는 엔드 이펙터(21)는 게이트 밸브(G3)의 면(142)을 향하는 방향을 따라 용기(140) 내에 진입한다. 도 19는 제 2 실시형태에 있어서, 대기 반송 모듈(15)과 로드록 모듈(14) 사이에서 기판(W)이 반송될 때의 엔드 이펙터(21)와 로드록 모듈(14)의 위치 관계의 일례를 도시하는 도면이다. 기판(W)이 대기 반송 모듈(15)로부터 로드록 모듈(14) 내에 반송되는 경우는 제 1 실시형태와 마찬가지로, 엔드 이펙터(21)의 선단(21a)이 게이트 밸브(G3)의 오목부(143) 내에 삽입된다. 이에 의해, 대기 반송 모듈(15)로부터 로드록 모듈(14) 내에 기판(W)이 반입될 때에, 기판(W)의 중심이 스테이지(141)의 기준 위치(P1)에 일치하도록, 기판(W)을 로드록 모듈(14) 내에 반입하는 것이 가능하게 된다.Further, when the substrate W is transferred from the standby transfer module 15 into the load lock module 14 , for example, as shown in FIG. 19 , the end effector 21 holding the substrate W . enters the container 140 along the direction toward the face 142 of the gate valve G3. 19 shows the positional relationship between the end effector 21 and the load lock module 14 when the substrate W is transferred between the standby transfer module 15 and the load lock module 14 in the second embodiment. It is a figure which shows an example. When the substrate W is transferred from the standby transfer module 15 into the load lock module 14, similarly to the first embodiment, the tip 21a of the end effector 21 is disposed in the recess of the gate valve G3 ( 143) is inserted. As a result, when the substrate W is loaded into the load lock module 14 from the standby transfer module 15 , the substrate W is positioned so that the center of the substrate W coincides with the reference position P1 of the stage 141 . ) can be imported into the loadlock module 14 .

또한, 금회 개시된 실시형태는 모든 점에서 예시이며 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 하는 것이다. 실제로, 상기한 실시형태는 다양한 형태로 구현될 수 있다. 또한, 상기의 실시형태는 첨부의 특허청구범위 및 그 취지를 일탈하는 일 없이, 여러가지 형태로 생략, 치환, 변경되어도 좋다.In addition, it should be thought that embodiment disclosed this time is an illustration in every point and is not restrictive. Indeed, the above-described embodiment may be embodied in various forms. In addition, said embodiment may be abbreviate|omitted, substituted, and may be changed in various forms, without deviating from the attached claim and the meaning.

ER : 에지 링
G1 : 게이트 밸브
G2 : 게이트 밸브
G3 : 게이트 밸브
G4 : 게이트 밸브
P0 : 위치
P1 : 위치
P2 : 위치
W : 기판
1 : 처리 시스템
10 : 본체
100 : 제어부
11 : 진공 반송 모듈
12 : 처리 모듈
13 : 애싱 모듈
130 : 용기
131 : 스테이지
132 : 측벽
132a : 면
132b : 개구부
133 : 오목부
136 : 벽면
137 : 벽면
138 : 테이퍼부
139 : 테이퍼부
14 : 로드록 모듈
140 : 용기
140a : 개구부
140b : 개구부
141 : 스테이지
142 : 면
143 : 오목부
144 : 면
145 : 오목부
146 : 측벽
147 : 측벽
148 : 테이퍼부
149 : 테이퍼부
15 : 대기 반송 모듈
16 : 로드 포트
20 : 반송 로봇
21 : 엔드 이펙터
ER: edge ring
G1 : gate valve
G2 : gate valve
G3 : gate valve
G4 : gate valve
P0: position
P1: position
P2: position
W: substrate
1: processing system
10: body
100: control unit
11: vacuum transfer module
12: processing module
13: Ashing module
130: courage
131: stage
132: side wall
132a: cotton
132b: opening
133: concave
136: wall
137: wall
138: taper part
139: taper part
14: loadlock module
140: courage
140a: opening
140b: opening
141: stage
142: cotton
143: concave
144: cotton
145: concave
146: side wall
147: side wall
148: taper part
149: taper part
15: standby transfer module
16: load port
20: transport robot
21: end effector

Claims (5)

기판 및 상기 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 마련되는 소모 부품을 포함하는 부재를 보지하는 엔드 이펙터를 갖는 반송 장치에 의해 반송되는 기판을 수용하는 기판 수용 장치에 있어서,
용기를 구비하고,
상기 용기의 측벽에는, 상기 기판을 보지한 엔드 이펙터가 통과하는 제 1 개구부가 형성되어 있고,
상기 용기의 내측에 있어서의 상기 제 1 개구부와 대향하는 면에는, 상기 엔드 이펙터의 선단이 삽입되는 오목부가 형성되어 있는
기판 수용 장치.
A substrate accommodating apparatus for accommodating a substrate conveyed by a conveying apparatus having an end effector for holding a substrate and a member including a consumable component provided in a substrate processing apparatus for processing the substrate, the substrate receiving apparatus comprising:
have a container,
A first opening is formed in the sidewall of the container through which the end effector holding the substrate passes;
A concave portion into which the tip of the end effector is inserted is formed on a surface of the inner side of the container opposite to the first opening.
substrate receiving device.
제 1 항에 있어서,
상기 오목부는 상기 제 1 개구부와 대향하는 상기 용기의 측벽에 형성되어 있는
기판 수용 장치.
The method of claim 1,
The concave portion is formed in a side wall of the container opposite to the first opening.
substrate receiving device.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 개구부와 대향하는 상기 용기의 측벽에는, 상기 기판을 보지한 다른 엔드 이펙터가 통과하는 제 2 개구부가 형성되어 있고,
상기 제 2 개구부에는, 상기 제 2 개구부를 개폐하는 문이 마련되어 있고,
상기 오목부는 상기 문에 있어서의 상기 용기의 내측의 면에 형성되어 있는
기판 수용 장치.
The method of claim 1,
A second opening through which another end effector holding the substrate passes is formed in a sidewall of the container opposite to the first opening,
A door for opening and closing the second opening is provided in the second opening,
The said recessed part is formed in the inner surface of the said container in the said door,
substrate receiving device.
제 3 항에 있어서,
상기 기판 수용 장치는 로드록 모듈인
기판 수용 장치.
4. The method of claim 3,
The substrate receiving device is a load lock module
substrate receiving device.
기판을 처리하는 기판 처리 장치와,
상기 기판 및 상기 기판 처리 장치에 마련되는 소모 부품을 포함하는 부재를 보지하는 엔드 이펙터를 갖고, 상기 부재를 반송하는 반송 장치와,
상기 기판을 일시 보관하는 기판 수용 장치를 구비하고,
상기 기판 수용 장치는, 용기를 갖고,
상기 용기의 측벽에는, 상기 기판을 보지한 상기 엔드 이펙터가 통과하는 개구부가 형성되어 있고,
상기 용기의 내측에 있어서의 상기 개구부와 대향하는 면에는, 상기 엔드 이펙터의 선단이 삽입되는 오목부가 형성되어 있는
처리 시스템.
a substrate processing apparatus for processing the substrate;
a conveying apparatus having an end effector for holding the substrate and a member including a consumable component provided in the substrate processing apparatus, and conveying the member;
and a substrate accommodating device for temporarily storing the substrate;
The substrate receiving device has a container,
An opening through which the end effector holding the substrate passes is formed in the sidewall of the container;
A concave portion into which the tip of the end effector is inserted is formed on a surface opposite to the opening on the inner side of the container.
processing system.
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