KR20220122527A - Substrate accommodating device and processing system - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 193
- 239000012636 effector Substances 0.000 claims abstract description 108
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 53
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 33
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 229920000742 Cotton Polymers 0.000 description 3
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 238000005513 bias potential Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000012267 brine Substances 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 239000013529 heat transfer fluid Substances 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M sodium;chloride;hydrate Chemical compound O.[Na+].[Cl-] HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
- B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
- B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
- B25J15/00—Gripping heads and other end effectors
- B25J15/0014—Gripping heads and other end effectors having fork, comb or plate shaped means for engaging the lower surface on a object to be transported
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
- B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
- B25J21/00—Chambers provided with manipulation devices
- B25J21/005—Clean rooms
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67201—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
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Abstract
Description
본 개시된 여러 가지의 측면 및 실시형태는 기판 수용 장치 및 처리 시스템에 관한 것이다.Various aspects and embodiments of the present disclosure relate to substrate receiving apparatus and processing systems.
예를 들어, 하기 특허문헌 1에는, 기판뿐만이 아니라, 처리 장치 내의 소모 부품도 반송하는 반송 장치가 개시되어 있다. 이에 의해, 처리 장치의 챔버를 대기 개방하는 일 없이 소모 부품의 교환이 가능하게 되기 때문에, 저압으로 처리를 실행하는 처리 장치에 있어서의 정지 시간을 짧게 할 수가 있다.For example, the conveying apparatus which conveys not only a board|substrate but the consumables in a processing apparatus is disclosed by the following
본 개시는 시스템 전체의 풋프린트를 삭감할 수가 있는 기판 수용 장치 및 처리 시스템을 제공한다.The present disclosure provides a substrate receiving apparatus and processing system capable of reducing the overall footprint of the system.
본 개시된 일 측면은, 기판 및 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 마련되는 소모 부품을 포함하는 부재를 보지하는 엔드 이펙터를 갖는 반송 장치에 의해 반송되는 기판을 수용하는 기판 수용 장치에 있어서, 용기를 구비한다. 용기의 측벽에는, 기판을 보지한 엔드 이펙터가 통과하는 제 1 개구부가 형성되어 있다. 또한, 용기의 내측에 있어서의 제 1 개구부와 대향하는 면에는, 엔드 이펙터의 선단이 삽입되는 오목부가 형성되어 있다.An aspect of the present disclosure is a substrate accommodating apparatus for accommodating a substrate conveyed by a conveying apparatus having an end effector for holding a substrate and a member including a consumable component provided in the substrate processing apparatus for processing the substrate, the apparatus including a container do. A first opening through which the end effector holding the substrate passes is formed in the sidewall of the container. Further, a concave portion into which the tip of the end effector is inserted is formed on a surface opposite to the first opening on the inner side of the container.
본 개시된 여러 가지의 측면 및 실시형태에 의하면, 시스템 전체의 풋프린트의 증대를 억제할 수가 있다.According to the various aspects and embodiments disclosed herein, it is possible to suppress an increase in the footprint of the entire system.
도 1은 일 실시형태에 있어서의 처리 시스템의 일례를 도시하는 평면도이다.
도 2는 처리 모듈의 일례를 도시하는 개략 단면도이다.
도 3은 제 1 실시형태에 있어서의 애싱 모듈의 일례를 도시하는 횡단면도이다.
도 4는 제 1 실시형태에 있어서의 로드록 모듈의 일례를 도시하는 횡단면도이다.
도 5는 엔드 이펙터의 일례를 도시하는 평면도이다.
도 6은 엔드 이펙터의 일례를 도시하는 측면도이다.
도 7은 에지 링을 반송할 때의 엔드 이펙터의 일례를 도시하는 평면도이다.
도 8은 에지 링을 반송할 때의 엔드 이펙터의 일례를 도시하는 측면도이다.
도 9는 기판을 반송할 때의 엔드 이펙터의 일례를 도시하는 평면도이다.
도 10은 기판을 반송할 때의 엔드 이펙터의 일례를 도시하는 측면도이다.
도 11은 비교예에 있어서, 기판이 애싱 모듈 내에 반입될 때의 엔드 이펙터와 애싱 모듈의 위치 관계의 일례를 도시하는 도면이다.
도 12는 제 1 실시형태에 있어서, 기판이 애싱 모듈 내에 반입될 때의 엔드 이펙터와 애싱 모듈의 위치 관계의 일례를 도시하는 도면이다.
도 13은 제 1 실시형태에 있어서, 진공 반송 모듈과 로드록 모듈 사이로 기판이 반송될 때의 엔드 이펙터와 로드록 모듈의 위치 관계의 일례를 도시하는 도면이다.
도 14는 제 1 실시형태에 있어서, 대기 반송 모듈과 로드록 모듈 사이로 기판이 반송될 때의 엔드 이펙터와 로드록 모듈의 위치 관계의 일례를 도시하는 도면이다.
도 15는 제 2 실시형태에 있어서의 애싱 모듈의 일례를 도시하는 횡단면도이다.
도 16은 제 2 실시형태에 있어서, 기판이 애싱 모듈 내에 반입될 때의 엔드 이펙터와 애싱 모듈의 위치 관계의 일례를 도시하는 도면이다.
도 17은 제 2 실시형태에 있어서의 로드록 모듈의 일례를 도시하는 횡단면도이다.
도 18은 제 2 실시형태에 있어서, 진공 반송 모듈과 로드록 모듈 사이로 기판이 반송될 때의 엔드 이펙터와 로드록 모듈의 위치 관계의 일례를 도시하는 도면이다.
도 19는 제 2 실시형태에 있어서, 대기 반송 모듈과 로드록 모듈 사이로 기판이 반송될 때의 엔드 이펙터와 로드록 모듈의 위치 관계의 일례를 도시하는 도면이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a top view which shows an example of the processing system in one Embodiment.
2 is a schematic cross-sectional view showing an example of a processing module.
3 is a cross-sectional view showing an example of an ashing module according to the first embodiment.
Fig. 4 is a cross-sectional view showing an example of the loadlock module according to the first embodiment.
5 is a plan view showing an example of an end effector.
6 is a side view showing an example of an end effector.
Fig. 7 is a plan view showing an example of an end effector when an edge ring is conveyed.
Fig. 8 is a side view showing an example of an end effector when an edge ring is conveyed.
9 is a plan view showing an example of an end effector when a substrate is conveyed.
Fig. 10 is a side view showing an example of an end effector when a substrate is conveyed.
11 is a diagram showing an example of a positional relationship between an end effector and an ashing module when a substrate is loaded into an ashing module in a comparative example.
Fig. 12 is a diagram showing an example of the positional relationship between the end effector and the ashing module when the substrate is loaded into the ashing module in the first embodiment.
Fig. 13 is a diagram showing an example of the positional relationship between the end effector and the load-lock module when the substrate is transferred between the vacuum transfer module and the load-lock module in the first embodiment.
Fig. 14 is a diagram showing an example of the positional relationship between the end effector and the load-lock module when the substrate is transferred between the standby transfer module and the load-lock module in the first embodiment;
15 is a cross-sectional view showing an example of an ashing module according to the second embodiment.
Fig. 16 is a diagram showing an example of the positional relationship between the end effector and the ashing module when the substrate is loaded into the ashing module according to the second embodiment.
Fig. 17 is a cross-sectional view showing an example of a loadlock module according to the second embodiment.
Fig. 18 is a diagram showing an example of the positional relationship between the end effector and the load-lock module when the substrate is transferred between the vacuum transfer module and the load-lock module in the second embodiment.
Fig. 19 is a diagram showing an example of the positional relationship between the end effector and the load-lock module when the substrate is transferred between the standby transfer module and the load-lock module in the second embodiment;
이하에, 기판 수용 장치 및 처리 시스템의 실시형태에 대해서, 도면에 근거하여 상세하게 설명한다. 또한, 이하의 실시형태에 의해, 개시되는 기판 수용 장치 및 처리 시스템이 한정되는 것은 아니다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Below, embodiment of a board|substrate accommodation apparatus and a processing system is demonstrated in detail based on drawing. In addition, the board|substrate accommodation apparatus and processing system which are disclosed by the following embodiment are not limited.
그런데, 기판이나 소모 부품이 반송되는 경우, 기판이나 소모 부품은 그 기준 위치(예를 들면, 중심)가 로봇 아암의 선단에 마련된 엔드 이펙터 상의 사전 결정된 위치가 되도록, 엔드 이펙터 상에 탑재된다. 소모 부품이 에지 링 등과 같이 기판보다 큰 링 형상의 부품인 경우, 소모 부품이 탑재되는 위치를 엔드 이펙터의 선단측에 너무 가까이 하면, 엔드 이펙터의 이동에 수반하여 소모 부품이 엔드 이펙터로부터 낙하하는 경우가 있다. 그 때문에, 소모 부품이 탑재되는 위치는 엔드 이펙터의 선단측에 너무 가까이하지 않도록 할 필요가 있다. 이에 의해, 소모 부품은 소모 부품의 기준 위치가 엔드 이펙터의 선단으로부터 떨어진 위치가 되도록 엔드 이펙터 상에 탑재된다.By the way, when a board|substrate or a consumable part is conveyed, the board|substrate or a consumable part is mounted on the end effector so that its reference position (for example, a center) may become a predetermined position on the end effector provided at the front-end|tip of a robot arm. When the consumable part is a ring-shaped part larger than the board, such as an edge ring, if the position where the consumable part is mounted is too close to the tip side of the end effector, the consumable part falls from the end effector as the end effector moves there is Therefore, it is necessary to prevent the position at which the consumable parts are mounted too close to the tip side of the end effector. Thereby, the consumable part is mounted on the end effector so that the reference position of the consumable part is a position away from the tip of the end effector.
한편, 소모 부품보다 작은 외형의 기판을 반송하는 경우, 소모 부품을 반송할 때의 소모 부품의 기준 위치와 기판의 기준 위치가 동일 위치가 되도록 기판이 엔드 이펙터 상에 탑재되면, 엔드 이펙터의 선단이 기판의 하부의 영역으로부터 돌출하게 된다. 기판의 하부의 영역으로부터 초과한 엔드 이펙터의 부분이 크면, 소모 부품을 수용하는 스페이스가 확보되지 않은 장치 내에 기판을 반송할 때에, 엔드 이펙터가 방해가 되어서, 기판을 장치 내의 사전 결정된 위치까지 반입하는 것이 어렵다.On the other hand, in the case of transporting a board having an outer shape smaller than the consumable part, if the board is mounted on the end effector so that the reference position of the consumable part and the reference position of the board are the same when transporting the consumable part, the tip of the end effector is It protrudes from the area below the substrate. If the portion of the end effector that exceeds from the region below the substrate is large, the end effector becomes obstructed when transferring the substrate into an apparatus in which a space for accommodating the consumable parts is not secured, so that the substrate is carried to a predetermined position in the apparatus. it is difficult
엔드 이펙터가 방해가 되지 않고 기판을 장치 내의 사전 결정된 위치까지 반입하기 위해서, 소모 부품을 수용하는 스페이스가 확보되지 않은 장치 내의 공간을 넓히는 것도 생각된다. 그러나 그 경우, 그러한 장치의 풋프린트가 커져서, 시스템 전체의 풋프린트가 커져 버린다.In order to carry the board|substrate to a predetermined position in an apparatus without an end effector interfering, it is also conceivable to widen the space in the apparatus in which the space for accommodating a consumable part is not secured. However, in that case, the footprint of such an apparatus becomes large, and the footprint of the whole system becomes large.
그래서, 본 개시는 시스템 전체의 풋프린트의 증대를 억제할 수가 있는 기술을 제공한다.Therefore, the present disclosure provides a technique capable of suppressing an increase in the overall footprint of the system.
(제 1 실시형태)(First embodiment)
[처리 시스템(1)의 구성][Configuration of processing system 1]
도 1은 일 실시형태에 있어서의 처리 시스템(1)의 구성의 일례를 도시하는 평면도이다. 도 1에서는, 편의적으로 일부의 장치의 내부의 구성요소가 보이도록 도시되어 있다. 처리 시스템(1)은 본체(10)와, 본체(10)를 제어하는 제어부(100)를 구비한다.1 : is a top view which shows an example of the structure of the
본체(10)는 진공 반송 모듈(11), 복수의 처리 모듈(12), 복수의 애싱 모듈(13), 복수의 로드록 모듈(14), 및 대기 반송 모듈(15)을 구비한다. 진공 반송 모듈(11)의 측벽에는, 게이트 밸브(G1)를 거쳐서 복수의 처리 모듈(12)이 접속되어 있다. 처리 모듈(12)은 기판 처리 장치의 일례이다. 또한, 도 1의 예에서는, 진공 반송 모듈(11)에 8개의 처리 모듈(12)이 접속되어 있지만, 진공 반송 모듈(11)에 접속되는 처리 모듈(12)의 수는, 7개 이하여도 좋고, 9개 이상이어도 좋다.The
각각의 처리 모듈(12)은 처리 대상이 되는 기판(W)에 대해서, 에칭이나 성막 등이 처리를 실시한다. 처리 모듈(12)은 기판 처리 장치의 일례이다. 도 2는 처리 모듈(12)의 일례를 도시하는 개략 단면도이다. 본 실시형태에 있어서, 처리 모듈(12)은 예를 들면, 용량 결합 플라즈마 처리 장치이다. 처리 모듈(12)은 플라즈마 처리 챔버(1210), 가스 공급부(1220), 전원(1230), 및 배기 시스템(1240)을 포함한다. 또한, 처리 모듈(12)은 기판 지지부(1211) 및 가스 도입부를 포함한다. 가스 도입부는 적어도 1개의 처리 가스를 플라즈마 처리 챔버(1210) 내에 도입하도록 구성된다. 가스 도입부는 샤워 헤드(1213)를 포함한다. 기판 지지부(1211)는 플라즈마 처리 챔버(1210) 내에 배치된다. 샤워 헤드(1213)는 기판 지지부(1211)의 상방에 배치된다. 일 실시형태에 있어서, 샤워 헤드(1213)는 플라즈마 처리 챔버(1210)의 천정부(ceiling) 중 적어도 일부를 구성한다. 플라즈마 처리 챔버(1210)는 샤워 헤드(1213), 플라즈마 처리 챔버(1210)의 측벽(1210a), 및 기판 지지부(1211)에 의해 규정된 플라즈마 처리 공간(1210s)을 갖는다. 플라즈마 처리 챔버(1210)는 적어도 1개의 처리 가스를 플라즈마 처리 공간(1210s)에 공급하기 위한 적어도 1개의 가스 공급구와, 플라즈마 처리 공간으로부터 가스를 배출하기 위한 적어도 1개의 가스 배출구를 갖는다. 측벽(1210a)은 접지된다. 샤워 헤드(1213) 및 기판 지지부(1211)와, 플라즈마 처리 챔버(1210) 하우징과는 전기적으로 절연된다.Each
기판 지지부(1211)는 본체부(12111) 및 링 조립체(12112)를 포함한다. 본체부(12111)는 기판(웨이퍼)(W)을 지지하기 위한 중앙 영역(기판 지지면)(12111a)과, 링 조립체(12112)를 지지하기 위한 환상 영역(링 지지면)(12111b)을 갖는다. 본체부(12111)의 환상 영역(12111b)은 평면에서 바라볼 때 본체부(12111)의 중앙 영역(12111a)을 둘러싸고 있다. 기판(W)은 본체부(12111)의 중앙 영역(12111a) 상에 배치되고, 링 조립체(12112)는 본체부(12111)의 중앙 영역(12111a) 상의 기판(W)을 둘러싸도록 본체부(12111)의 환상 영역(12111b) 상에 배치된다. 일 실시형태에 있어서, 본체부(12111)는 기대 및 정전 척을 포함한다. 기대는 도전성 부재를 포함한다. 기대의 도전성 부재는 하부 전극으로서 기능한다. 정전 척은 기대 위에 배치된다. 정전 척의 상면은 기판 지지면(12111a)을 갖는다. 링 조립체(12112)는 1개 또는 복수의 환상 부재를 포함한다. 1개 또는 복수의 환상 부재 중 적어도 1개는 에지 링이다. 또한, 도시는 생략하지만, 기판 지지부(1211)는 정전 척, 링 조립체(12112), 및 기판 중 적어도 1개를 타겟 온도로 조절하도록 구성되는 온도 조절 모듈을 포함해도 좋다. 온도 조절 모듈은 히터, 전열 매체, 유로, 또는 이들의 조합을 포함해도 좋다. 유로에는, 브라인(brine)이나 가스와 같은 전열 유체가 흐른다. 또한, 기판 지지부(1211)는 기판(W)의 이면과 기판 지지면(12111a) 사이에 전열 가스를 공급하도록 구성된 전열 가스 공급부를 포함해도 좋다.The
샤워 헤드(1213)는 가스 공급부(1220)로부터의 적어도 1개의 처리 가스를 플라즈마 처리 공간(1210s) 내에 도입하도록 구성된다. 샤워 헤드(1213)는 적어도 1개의 가스 공급구(1213a), 적어도 1개의 가스 확산실(1213b), 및 복수의 가스 도입구(1213c)를 갖는다. 가스 공급구(1213a)에 공급된 처리 가스는 가스 확산실(1213b)을 통과하여 복수의 가스 도입구(1213c)로부터 플라즈마 처리 공간(1210s) 내에 도입된다. 또한, 샤워 헤드(1213)는 도전성 부재를 포함한다. 샤워 헤드(1213)의 도전성 부재는 상부 전극으로서 기능한다. 또한, 가스 도입부는 샤워 헤드(1213)에 더하여, 측벽(1210a)에 형성된 1개 또는 복수의 개구부에 장착되는 1개 또는 복수의 사이드 가스 주입부(SGI; Side Gas Injector)를 포함해도 좋다.The
가스 공급부(1220)는 적어도 1개의 가스 소스(1221) 및 적어도 1개의 유량 제어기(1222)를 포함해도 좋다. 일 실시형태에 있어서, 가스 공급부(1220)는 적어도 1개의 처리 가스를, 각각에 대응하는 가스 소스(1221)로부터 각각에 대응하는 유량 제어기(1222)를 거쳐서 샤워 헤드(1213)에 공급하도록 구성된다. 각각의 유량 제어기(1222)는 예를 들면, 매스 플로우 컨트롤러 또는 압력 제어식의 유량 제어기를 포함해도 좋다. 게다가, 가스 공급부(1220)는 적어도 1개의 처리 가스의 유량을 변조 또는 펄스화하는 1개 또는 그 이상의 유량 변조 디바이스를 포함해도 좋다.The
전원(1230)은 적어도 1개의 임피던스 정합 회로를 거쳐서 플라즈마 처리 챔버(1210)에 결합되는 RF 전원(1231)을 포함한다. RF 전원(1231)은 소스 RF 신호 및 바이어스 RF 신호와 같은 적어도 1개의 RF 신호(RF 전력)를, 기판 지지부(1211)의 도전성 부재, 샤워 헤드(1213)의 도전성 부재, 또는 그 양방에 공급하도록 구성된다. 이에 의해, 플라즈마 처리 공간(1210s)에 공급된 적어도 1개의 처리 가스로부터 플라즈마가 형성된다. 따라서, RF 전원(1231)은 플라즈마 처리 챔버(1210)에 대해 1개 또는 그 이상의 처리 가스로부터 플라즈마를 생성하도록 구성되는 플라즈마 생성부의 적어도 일부로서 기능할 수 있다. 또한, 바이어스 RF 신호를 기판 지지부(1211)의 도전성 부재에 공급하는 것에 의해, 기판(W)에 바이어스 전위가 발생하고, 형성된 플라즈마 중 이온 성분을 기판(W)에 인입할 수가 있다.The
일 실시형태에 있어서, RF 전원(1231)은 제 1 RF 생성부(1231a) 및 제 2 RF 생성부(1231b)를 포함한다. 제 1 RF 생성부(1231a)는 적어도 1개의 임피던스 정합 회로를 거쳐서 기판 지지부(1211)의 도전성 부재, 샤워 헤드(1213)의 도전성 부재, 또는 그 양방에 결합된다. 또한, 제 1 RF 생성부(1231a)는 플라즈마 생성용의 소스 RF 신호(소스 RF 전력)를 생성하도록 구성된다. 일 실시형태에 있어서, 소스 RF 신호는 예를 들면, 13㎒ 내지 150㎒의 범위 내의 주파수를 갖는다. 일 실시형태에 있어서, 제 1 RF 생성부(1231a)는 상이한 주파수를 갖는 복수의 소스 RF 신호를 생성하도록 구성되어도 좋다. 생성된 1개 또는 복수의 소스 RF 신호는, 기판 지지부(1211)의 도전성 부재, 샤워 헤드(1213)의 도전성 부재, 또는 그 양방에 공급된다. 제 2 RF 생성부(1231b)는 적어도 1개의 임피던스 정합 회로를 거쳐서 기판 지지부(1211)의 도전성 부재에 결합되고, 바이어스 RF 신호(바이어스 RF 전력)를 생성하도록 구성된다. 일 실시형태에 있어서, 바이어스 RF 신호는 소스 RF 신호보다 낮은 주파수를 갖는다. 일 실시형태에 있어서, 바이어스 RF 신호는 예를 들면, 400㎑ 내지 13.56㎒의 범위 내의 주파수를 갖는다. 일 실시형태에 있어서, 제 2 RF 생성부(1231b)는 상이한 주파수를 갖는 복수의 바이어스 RF 신호를 생성하도록 구성되어도 좋다. 생성된 1개 또는 복수의 바이어스 RF 신호는 기판 지지부(1211)의 도전성 부재에 공급된다. 또한, 여러 가지의 실시형태에 있어서, 소스 RF 신호 및 바이어스 RF 신호 중 적어도 1개가 펄스화되어도 좋다.In an embodiment, the
또한, 전원(1230)은 플라즈마 처리 챔버(1210)에 결합되는 DC 전원(1232)을 포함해도 좋다. DC 전원(1232)은 제 1 DC 생성부(1232a) 및 제 2 DC 생성부(1232b)를 포함한다. 일 실시형태에 있어서, 제 1 DC 생성부(1232a)는 기판 지지부(1211)의 도전성 부재에 접속되고, 제 1 DC 신호를 생성하도록 구성된다. 생성된 제 1 바이어스 DC 신호는 기판 지지부(1211)의 도전성 부재에 인가된다. 일 실시형태에 있어서, 제 1 DC 신호가 정전 척 내의 전극과 같은 다른 전극에 인가되어도 좋다. 일 실시형태에 있어서, 제 2 DC 생성부(1232b)는 샤워 헤드(1213)의 도전성 부재에 접속되고, 제 2 DC 신호를 생성하도록 구성된다. 생성된 제 2 DC 신호는 샤워 헤드(1213)의 도전성 부재에 인가된다. 여러 가지의 실시형태에 있어서, 제 1 및 제 2 DC 신호 중 적어도 1개가 펄스화되어도 좋다. 또한, 제 1 DC 생성부(1232a) 및 제 2 DC 생성부(1232b)는 RF 전원(1231)에 더하여 마련되어도 좋고, 제 1 DC 생성부(1232a)가 제 2 RF 생성부(1231b)에 대신에 마련되어도 좋다.
배기 시스템(1240)은 예를 들면, 플라즈마 처리 챔버(1210)의 바닥부에 마련된 가스 배출구(1210e)에 접속될 수 있다. 배기 시스템(1240)은 압력 조정 밸브 및 진공 펌프를 포함해도 좋다. 압력 조정 밸브에 의해서, 플라즈마 처리 공간(1210s) 내의 압력이 조정된다. 진공 펌프는 터보 분자 펌프, 드라이 펌프, 또는 이들의 조합을 포함해도 좋다.The
도 1에 돌아와서 설명을 계속한다. 진공 반송 모듈(11)의 다른 측벽에는, 게이트 밸브(G2)를 거쳐서 복수의 애싱 모듈(13)이 접속되어 있다. 애싱 모듈(13)은 처리 모듈(12)에 의해 처리가 실행된 후의 기판(W)에 잔존하여 있는 마스크 등을 애싱에 의해 제거한다. 또한, 도 1의 예에서는, 진공 반송 모듈(11)에 2개의 애싱 모듈(13)이 접속되어 있지만, 진공 반송 모듈(11)에 접속되는 애싱 모듈(13)의 수는, 1개여도 좋고, 3개 이상이어도 좋다.Returning to FIG. 1, the description continues. A plurality of
도 3은 제 1 실시형태에 있어서의 애싱 모듈(13)의 일례를 도시하는 도면이다. 애싱 모듈(13)은 용기(130)를 갖는다. 용기(130) 내에는, 기판(W)이 탑재되는 스테이지(131)가 마련되어 있다. 스테이지(131)의 기준 위치(예를 들면, 중심)를, 위치(P0)라고 정의한다. 용기(130)의 측벽(132)에는, 기판(W) 등을 보지한 엔드 이펙터(21)가 통과하는 개구부(132b)가 형성되어 있다. 개구부(132b)는 제 1 개구부의 일례이다. 개구부(132b)는 게이트 밸브(G2)에 의해 개폐된다.3 : is a figure which shows an example of the
또한, 용기(130)의 내측에 있어서의 개구부(132b)와 대향하는 면(132a)에는, 엔드 이펙터(21)의 선단이 삽입되는 오목부(133)가 형성되어 있다. 도 3의 예에서는, 오목부(133)는 개구부(132b)와 대향하는 용기(130)의 측벽(132)의 면(132a)에 형성되어 있다. 애싱 모듈(13)은 기판 수용 장치의 일례이다.Further, a
도 1에 돌아와서 설명을 계속한다. 진공 반송 모듈(11)의 다른 측벽에는, 게이트 밸브(G3)를 거쳐서 복수의 로드록 모듈(14)이 접속되어 있다. 도 1의 예에서는, 진공 반송 모듈(11)에 2개의 로드록 모듈(14)이 접속되어 있지만, 진공 반송 모듈(11)에 접속되는 로드록 모듈(14)의 수는, 1개여도 좋고, 3개 이상이어도 좋다. 또한, 2개의 로드록 모듈(14) 중 적어도 1개는 기판(W)을 수용 가능하고, 2개의 로드록 모듈(14) 중 적어도 1개는 에지 링(ER)을 수용 가능하다. 에지 링(ER)은 소모 부품의 일례이다.Returning to FIG. 1, the description continues. A plurality of load-
도 4는 제 1 실시형태에 있어서의 로드록 모듈(14)의 일례를 도시하는 도면이다. 본 실시형태에서는, 기판(W)을 일시적으로 수용하는 로드록 모듈(14)과, 에지 링(ER) 등의 소모 부품을 일시적으로 수용하는 로드록 모듈(14)이 나뉘어져 있다. 도 4에는, 기판(W)이 일시적으로 수용되는 로드록 모듈(14)이 도시되어 있다. 또한, 로드록 모듈(14)은 기판(W) 및 에지 링(ER)의 양방을 일시적으로 수용해도 좋다. 로드록 모듈(14)은 용기(140)를 갖는다. 용기(140) 내에는, 기판(W)이 탑재되는 스테이지(141)가 마련되어 있다. 스테이지(141)의 기준 위치(예를 들면, 중심(重心))을, 위치(P1)라고 정의한다. 용기(140)의 측벽에는, 기판(W) 등을 보지한 엔드 이펙터(21)가 통과하는 개구부(140a) 및 개구부(140b)가 형성되어 있다. 개구부(140a)는 제 1 개구부의 일례이며, 개구부(140b)는 제 2 개구부의 일례이다. 개구부(140a)는 게이트 밸브(G3)에 의해 개폐되고, 개구부(140b)는 게이트 밸브(G4)에 의해 개폐된다.4 is a diagram showing an example of the
또한, 게이트 밸브(G3)에 있어서의 용기(140)의 내측의 면(142)에는, 개구부(140b)를 거쳐서 용기(140) 내에 진입한 엔드 이펙터(21)의 선단이 삽입되는 오목부(143)가 형성되어 있다. 또한, 게이트 밸브(G4)에 있어서의 용기(140)의 내측의 면(144)에는, 개구부(140a)를 거쳐서 용기(140) 내에 진입한 엔드 이펙터(21)의 선단이 삽입되는 오목부(145)가 형성되어 있다. 로드록 모듈(14)은 기판 수용 장치의 일례이며, 게이트 밸브(G4)는 제 2 개구부를 개폐하는 문의 일례이다.Further, in the
도 1에 돌아와서 설명을 계속한다. 진공 반송 모듈(11) 내에는, 반송 로봇(20)이 배치되어 있다. 반송 로봇(20)은 엔드 이펙터(21) 및 아암(22)을 갖는다. 엔드 이펙터(21)는 부재를 보지한다. 본 실시형태에 있어서, 엔드 이펙터(21)가 보지하는 부재는 예를 들면, 기판(W) 및 에지 링(ER) 등이다. 이하에서는, 기판(W) 및 에지 링(ER) 등의 부재를, 통합하여 기판(W) 등으로 기재한다. 아암(22)은 엔드 이펙터(21)를 이동시킨다. 반송 로봇(20)은 진공 반송 모듈(11) 내에 마련된 가이드 레일(110)을 따라 진공 반송 모듈(11) 내를 이동하고, 처리 모듈(12), 애싱 모듈(13), 및 로드록 모듈(14) 사이에서 기판(W) 등을 반송한다. 또한, 반송 로봇(20)은 진공 반송 모듈(11) 내의 사전 결정된 위치에 고정되고, 진공 반송 모듈(11) 내를 이동하지 않는 구성이어도 좋다. 반송 로봇(20)은 반송 장치의 일례이다. 진공 반송 모듈(11) 내는 대기압보다 낮은 압력 분위기로 유지되고 있다.Returning to FIG. 1, the description continues. In the
각각의 로드록 모듈(14)의 하나의 측벽에는, 게이트 밸브(G3)를 거쳐서 진공 반송 모듈(11)이 접속되어 있고, 다른 1개의 측벽에는, 게이트 밸브(G4)를 거쳐서 대기 반송 모듈(15)이 접속되어 있다. 게이트 밸브(G4)를 거쳐서 대기 반송 모듈(15)로부터 로드록 모듈(14) 내에 기판(W) 등이 반입되었을 경우, 게이트 밸브(G4)가 폐쇄되고, 로드록 모듈(14) 내의 압력이 대기압으로부터 사전 결정된 압력까지 낮아진다. 그리고, 게이트 밸브(G3)가 개방되고, 로드록 모듈(14) 내의 기판(W) 등이 반송 로봇(20)에 의해 진공 반송 모듈(11) 내로 반출된다.A
또한, 로드록 모듈(14) 내가 대기압보다 낮은 압력으로 되어 있는 상태로, 반송 로봇(20)에 의해 게이트 밸브(G3)를 거쳐서 진공 반송 모듈(11)로부터 로드록 모듈(14) 내에 기판(W) 등이 반입되고, 게이트 밸브(G3)가 폐쇄된다. 그리고, 로드록 모듈(14) 내의 압력이 대기압까지 올라간다. 그리고, 게이트 밸브(G4)가 개방되고, 로드록 모듈(14) 내의 기판(W) 등이 대기 반송 모듈(15) 내로 반출된다.Further, in a state where the pressure inside the
게이트 밸브(G4)가 마련된 대기 반송 모듈(15)의 측벽과 반대측의 대기 반송 모듈(15)의 측벽에는, 복수의 로드 포트(16)가 마련되어 있다. 각각의 로드 포트(16)에는, 복수의 기판(W) 등을 수용 가능한 FOUP(Front Opening Unified Pod) 등의 용기가 접속된다. 또한, 대기 반송 모듈(15)에는, 기판(W)의 방향을 변경하는 얼라이너 모듈 등이 마련되어도 좋다. 또한, 복수의 로드 포트(16) 중 어느 하나에는, 에지 링(ER)을 수용 가능한 용기가 접속된다.A plurality of
대기 반송 모듈(15) 내에는, 반송 로봇(20)이 마련되어 있고, 반송 로봇(20)은 엔드 이펙터(21) 및 아암(22)을 갖는다. 대기 반송 모듈(15) 내의 압력은 대기압이다. 대기 반송 모듈(15) 내의 반송 로봇(20)은, 가이드 레일(150)을 따라 대기 반송 모듈(15) 내를 이동하고, 로드록 모듈(14)과 로드 포트(16)에 접속된 용기 사이에 기판(W) 등을 반송한다. 또한, 반송 로봇(20)은 대기 반송 모듈(15) 내의 사전 결정된 위치에 고정되고, 대기 반송 모듈(15) 내를 이동하지 않는 구성이어도 좋다. 대기 반송 모듈(15)의 상부에는, FFU(Fan Filter Unit) 등이 마련되어 있고, 파티클 등이 제거된 공기가 상부로부터 대기 반송 모듈(15) 내에 공급되고, 대기 반송 모듈(15) 내에 다운플로우가 형성된다. 또한, 본 실시형태에 있어서, 대기 반송 모듈(15) 내는 대기압 분위기이지만, 다른 형태로서, 대기 반송 모듈(15) 내의 압력은 양압이 되도록 제어되어도 좋다. 이에 의해, 외부로부터 대기 반송 모듈(15) 내에의 파티클 등의 침입을 억제할 수가 있다.A
제어부(100)는 본 개시에 있어서 진술되는 여러 가지의 공정을 본체(10)에 실행시키는 컴퓨터 실행 가능한 명령을 처리한다. 제어부(100)는 본 명세서에서 진술되는 여러 가지의 공정을 실행하도록 본체(10)의 각 요소를 제어하도록 구성될 수 있다. 일 실시형태에 있어서, 제어부(100)의 일부 또는 전부가 본체(10)가 갖는 몇 개의 모듈에 포함되어도 좋다. 제어부(100)는 예를 들면, 컴퓨터(100a)를 포함해도 좋다. 컴퓨터(100a)는 예를 들면, 처리부(CPU:Central Processing Unit)(100a1), 기억부(100a2), 및 통신 인터페이스(100a3)를 포함해도 좋다. 처리부(100a1)는 기억부(100a2)에 저장된 프로그램에 근거하여 여러 가지의 제어 동작을 실행하도록 구성될 수 있다. 기억부(100a2)는 RAM(Random Access Memory), ROM(Read Only Memory), HDD(Hard Disk Drive), SSD(Solid State Drive), 또는 이들의 조합을 포함해도 좋다. 통신 인터페이스(100a3)는 LAN(Local Area Network) 등의 통신 회선을 거쳐서 본체(10)와의 사이에서 통신해도 좋다.The
[엔드 이펙터(21)의 상세][Details of the end effector 21]
도 5는 엔드 이펙터(21)의 일례를 도시하는 평면도이다. 엔드 이펙터(21)의 상면에는, 예를 들면, 도 5에 도시되는 바와 같이, 복수의 제 1 보지부(211) 및 복수의 제 2 보지부(212)가 마련된다. 각각의 제 1 보지부(211)는 예를 들면, 고무 등의 탄성 부재로 형성되고, 에지 링(ER)을 보지한다. 또한, 각각의 제 2 보지부(212)는 예를 들면, 고무 등의 탄성 부재로 형성되고, 기판(W)을 보지한다. 또한, 대기 반송 모듈(15) 내에 마련되는 반송 로봇(20)에 있어서, 제 1 보지부(211) 및 제 2 보지부(212)는 공기를 흡인하는 것에 의해 부재를 흡착 보지하는 진공 패드여도 좋다.5 is a plan view showing an example of the
에지 링(ER)이 엔드 이펙터(21) 상에 탑재되는 경우, 에지 링(ER)의 외형의 위치는 예를 들면, 원(C1)과 같이 된다. 에지 링(ER)이 엔드 이펙터(21) 상에 탑재되는 경우, 에지 링(ER)은 에지 링(ER)의 중심(중심)의 위치가 위치(P2)가 되도록 엔드 이펙터(21) 상에 탑재된다. 위치(P2)는 엔드 이펙터(21)의 선단으로부터 거리(d1)의 위치에 있다.When the edge ring ER is mounted on the
기판(W)이 엔드 이펙터(21) 상에 탑재되는 경우, 기판(W)의 외형의 위치는 예를 들면, 원(C2)과 같이 된다. 기판(W)이 엔드 이펙터(21) 상에 탑재되는 경우, 기판(W)은, 기판(W)의 중심(중심(中心))의 위치가 위치(P2)가 되도록 엔드 이펙터(21) 상에 탑재된다. 즉, 에지 링(ER) 및 기판(W)은 중심이 위치(P2)가 되도록 엔드 이펙터(21) 상에 보지된다.When the substrate W is mounted on the
도 6은 엔드 이펙터(21)의 일례를 도시하는 측면도이다. 본 실시형태에 있어서, 제 2 보지부(212)의 높이는 제 1 보지부(211)의 높이보다 높다. 에지 링(ER)이 반송되는 경우, 반송되는 에지 링(ER)에는, 반응 부생성물(소위 데포)이 부착하여 있는 경우가 있다. 그 때문에, 데포가 부착한 에지 링(ER)이 반송되는 경우, 에지 링(ER)에 부착하여 있는 데포가 파티클이 되어서 제 1 보지부(211)나 엔드 이펙터(21) 상에 낙하하는 경우가 있다.6 is a side view showing an example of the
제 1 보지부(211)에 기판(W)이 보지된다고 하면, 제 1 보지부(211)에 낙하한 파티클로 기판(W)이 오염되는 경우가 있다. 이에 대해, 본 실시형태에서는, 에지 링(ER)이 보지되는 제 1 보지부(211)에는, 기판(W)이 보지되지 않기 때문에, 기판(W)의 오염을 억제할 수가 있다.If the substrate W is held by the
또한, 제 2 보지부(212)의 높이가 제 1 보지부(211)의 높이가 동등하거나 낮은 경우, 기판(W)을 반송할 때에, 에지 링(ER)으로부터 제 1 보지부(211)나 엔드 이펙터(21)에 낙하한 파티클이 기판(W)에 재부착하는 경우가 있다. 이에 대해, 본 실시형태에서는, 기판(W)을 보지하는 제 2 보지부(212)의 높이는, 에지 링(ER)을 보지하는 제 1 보지부(211)의 높이보다 높다. 그 때문에, 기판(W)에 제 1 보지부(211)나 엔드 이펙터(21) 상의 파티클이 재부착하는 것을 억제할 수가 있다.In addition, when the height of the
에지 링(ER)이 반송되는 경우, 에지 링(ER)은 예를 들면, 도 7 및 도 8에 도시되는 바와 같이 엔드 이펙터(21) 상에 탑재된다. 도 7은 에지 링(ER)을 반송할 때의 엔드 이펙터(21)의 일례를 도시하는 평면도이다. 도 8은 에지 링(ER)을 반송할 때의 엔드 이펙터(21)의 일례를 도시하는 측면도이다. 에지 링(ER)의 직경은 기판(W)의 직경보다 크기 때문에, 에지 링(ER)은 엔드 이펙터(21)의 선단까지 사용하여 엔드 이펙터(21)에 보지된다. 그 때문에, 에지 링(ER)이 엔드 이펙터(21)에 보지되어 있는 상태에서는, 에지 링(ER)의 최외주는 엔드 이펙터(21)의 선단과 동일한 위치이거나, 또는 예를 들면, 도 8에 도시되는 바와 같이, 엔드 이펙터(21)의 선단보다 외측으로 돌출되어 있다.When the edge ring ER is conveyed, the edge ring ER is mounted on the
또한, 기판(W)이 반송되는 경우, 기판(W)은 예를 들면, 도 9 및 도 10에 도시되는 바와 같이, 엔드 이펙터(21) 상에 탑재된다. 도 9는 기판(W)을 반송할 때의 엔드 이펙터(21)의 일례를 도시되는 평면도이며, 도 10은 기판(W)을 반송할 때의 엔드 이펙터(21)의 일례를 도시되는 측면도이다. 본 실시형태에서는, 기판(W) 및 에지 링(ER)은 중심의 위치가 엔드 이펙터(21)에 있어서의 위치(P2)에 위치하도록 엔드 이펙터(21)에 보지되고, 기판(W)의 직경은 에지 링(ER)의 직경보다 작다. 그 때문에, 기판(W)이 엔드 이펙터(21)에 보지되어 있는 상태에서는, 예를 들면, 도 9 및 도 10에 도시되는 바와 같이, 엔드 이펙터(21)의 선단은 기판(W)의 최외주로부터 거리(d2)만큼 돌출되어 있다.Further, when the substrate W is conveyed, the substrate W is mounted on the
본 명세서에서, 예를 들면, 도 11에 도시되는 바와 같이, 용기(130)의 내측에 있어서의 개구부(132b)와 대향하는 면(132a)에 오목부(133)가 형성되지 않은 애싱 모듈(13)을 비교예로서 고려한다. 도 11은 비교예에 있어서, 기판(W)이 애싱 모듈(13) 내에 반입될 때의 엔드 이펙터(21)와 애싱 모듈(13)의 위치 관계의 일례를 도시하는 도면이다. 본 실시형태에서는, 기판(W)이 엔드 이펙터(21)에 보지되어 있는 상태에서는, 엔드 이펙터(21)의 선단(21a)이 기판(W)의 최외주로부터 거리(d2) 돌출되어 있다. 그 때문에, 엔드 이펙터(21)의 선단(21a)이 애싱 모듈(13)의 측벽에 접촉하고, 위치(P2)에 있는 기판(W)의 중심이 스테이지(131)의 기준 위치(P0)에 일치하도록, 기판(W)을 애싱 모듈(13) 내에 반입하는 것이 어렵다. 기판(W)을 애싱 모듈(13) 내에 반입할 때에, 엔드 이펙터(21)의 선단(21a)이 애싱 모듈(13)의 측벽에 접촉하도록 하기 위해서, 애싱 모듈(13)의 측벽(132)을 스테이지(131)로부터 떨어진 위치에 마련하는 일도 고려된다. 그러나, 그 경우, 용기(130)가 전체적으로 대형화하고, 처리 시스템(1)의 풋프린트의 증대를 초래한다.In this specification, for example, as shown in FIG. 11, the
이에 대해, 본 실시형태에서는, 예를 들면, 도 12에 도시되는 바와 같이, 용기(130)의 내측에 있어서의 개구부(132b)와 대향하는 면(132a)에 오목부(133)가 형성되어 있다. 도 12는 제 1 실시형태에 있어서, 기판(W)이 애싱 모듈(13) 내에 반입될 때의 엔드 이펙터(21)와 애싱 모듈(13)의 위치 관계의 일례를 도시하는 도면이다. 이에 의해, 기판(W)을 애싱 모듈(13) 내에 반입할 때에, 엔드 이펙터(21)의 선단(21a)이 오목부(133) 내에 삽입된다. 이에 의해, 예를 들면, 도 12에 도시되는 바와 같이, 위치(P2)에 있는 기판(W)의 중심이 스테이지(131)의 기준 위치(P0)에 일치하도록, 기판(W)을 애싱 모듈(13) 내에 반입하는 것이 가능하게 된다. 이에 의해, 기판(W)을 애싱 모듈(13) 내에 반입할 때에, 엔드 이펙터(21)의 선단(21a)이 애싱 모듈(13)의 측벽에 접촉하지 않도록 하기 위해서, 측벽(132)의 면(132a)을 스테이지(131)로부터 떨어진 위치에 배치할 필요가 없어진다. 이에 의해, 용기(130)의 대형화를 억제하고, 처리 시스템(1)의 풋프린트의 증대를 억제할 수가 있다.On the other hand, in this embodiment, as shown in FIG. 12, the recessed
또한, 본 실시형태의 로드록 모듈(14)에서는, 예를 들면, 도 4에 도시된 바와 같이, 게이트 밸브(G4)에 있어서의 용기(140)의 내측의 면(144)에 오목부(145)가 형성되어 있다. 이에 의해, 진공 반송 모듈(11)로부터 로드록 모듈(14) 내에 기판(W)이 반입될 때에, 예를 들면, 도 13에 도시되는 바와 같이, 엔드 이펙터(21)의 선단(21a)이 게이트 밸브(G4)의 오목부(145) 내에 삽입된다. 도 13은 제 1 실시형태에 있어서, 진공 반송 모듈(11)과 로드록 모듈(14) 사이에서 기판(W)이 반송될 때의 엔드 이펙터(21)와 로드록 모듈(14)의 위치 관계의 일례를 도시하는 도면이다.Moreover, in the
이에 의해, 진공 반송 모듈(11)로부터 로드록 모듈(14) 내에 기판(W)이 반입될 때에, 기판(W)의 중심이 스테이지(141)의 기준 위치(P1)에 일치하도록, 기판(W)을 로드록 모듈(14) 내에 반입하는 것이 가능하게 된다. 이에 의해, 기판(W)을 로드록 모듈(14) 내에 반입할 때에, 엔드 이펙터(21)의 선단(21a)이 게이트 밸브(G4)에 접촉하지 않도록 하기 위해서, 게이트 밸브(G4)를 스테이지(141)로부터 떨어진 위치에 마련할 필요가 없어진다. 이에 의해, 용기(140)의 대형화를 억제하고, 처리 시스템(1)의 풋프린트의 증대를 억제할 수가 있다.Accordingly, when the substrate W is loaded into the
또한, 본 실시형태에서는, 예를 들면, 도 4에 도시되는 바와 같이, 게이트 밸브(G3)에 있어서의 용기(140)의 내측의 면(142)에 오목부(143)이 형성되어 있다. 이에 의해, 대기 반송 모듈(15)로부터 로드록 모듈(14) 내에 기판(W)이 반입될 때에, 예를 들면, 도 14에 도시되는 바와 같이, 엔드 이펙터(21)의 선단(21a)이 게이트 밸브(G3)의 오목부(143) 내에 삽입된다. 도 14은 제 1 실시형태에 있어서, 대기 반송 모듈(15)과 로드록 모듈(14) 사이에서 기판(W)이 반송될 때의 엔드 이펙터(21)와 로드록 모듈(14)의 위치 관계의 일례를 도시하는 도면이다.In addition, in this embodiment, as shown in FIG. 4, the recessed
이에 의해, 대기 반송 모듈(15)로부터 로드록 모듈(14) 내에 기판(W)이 반입될 때에, 기판(W)의 중심이 스테이지(141)의 기준 위치(P1)에 일치하도록, 기판(W)을 로드록 모듈(14) 내에 반입하는 것이 가능하게 된다. 이에 의해, 기판(W)을 로드록 모듈(14) 내에 반입할 때에, 엔드 이펙터(21)의 선단(21a)이 게이트 밸브(G3)에 접촉하지 않도록 하기 위해서, 게이트 밸브(G3)를 스테이지(141)로부터 떨어진 위치에 마련할 필요가 없어진다. 이에 의해, 용기(140)의 대형화를 억제하고, 처리 시스템(1)의 풋프린트의 증대를 억제할 수가 있다.As a result, when the substrate W is loaded into the
이상, 제 1 실시형태에 대해서 설명하였다. 상기한 바와 같이, 본 실시형태에 있어서의 처리 시스템(1)은 처리 모듈(12)과 반송 로봇(20)과, 애싱 모듈(13)을 구비한다. 처리 모듈(12)은 기판(W)을 처리한다. 반송 로봇(20)은 기판(W) 및 처리 모듈(12)에 마련되는 에지 링(ER)을 포함하는 부재를 보지하는 엔드 이펙터(21)를 갖고, 부재를 반송한다. 애싱 모듈(13)은 기판을 일시 보관한다. 애싱 모듈(13)은 용기(130)를 갖는다. 용기(130)의 측벽(132)에는, 기판(W)을 보지한 엔드 이펙터(21)가 통과하는 개구부(132b)가 형성되어 있다. 또한, 용기(130)의 내측에 있어서의 개구부(132b)와 대향하는 면(132a)에는, 엔드 이펙터(21)의 선단(21a)이 삽입되는 오목부(133)가 형성되어 있다. 이러한 구성에 의해, 애싱 모듈(13)의 대형화를 억제하고, 처리 시스템(1)의 풋프린트의 증대를 억제할 수가 있다.As mentioned above, 1st Embodiment was demonstrated. As described above, the
또한, 상기한 실시형태에 있어서, 오목부(133)는 개구부(132b)와 대향하는 용기(130)의 측벽(132)의 면(132a)에 형성되어 있다. 이에 의해, 애싱 모듈(13)의 대형화를 억제하고, 처리 시스템(1)의 풋프린트의 증대를 억제할 수가 있다.Further, in the above-described embodiment, the
또한, 상기한 실시형태에 있어서, 기판 수용 장치는 로드록 모듈(14)이어도 좋다. 예를 들어, 로드록 모듈(14)에 있어서, 로드록 모듈(14)의 개구부(140a)와 대향하는 용기(140)의 측벽에는, 기판(W)을 보지한 다른 엔드 이펙터(21)가 통과하는 개구부(140b)가 형성되어 있다. 개구부(140b)에는, 개구부(140b)를 개폐하는 게이트 밸브(G4)가 마련되어 있다. 엔드 이펙터(21)의 선단(21a)이 삽입되는 오목부(145)는, 게이트 밸브(G4)에 있어서의 용기(140)의 내측의 면(144)에 형성되어 있다. 이러한 구성에 의해, 로드록 모듈(14)의 대형화를 억제하고, 처리 시스템(1)의 풋프린트의 증대를 억제할 수가 있다.In addition, in the above-described embodiment, the substrate receiving apparatus may be the
(제 2 실시형태)(Second Embodiment)
상기한 제 1 실시형태에서는, 개구부(132b)를 거쳐서 기판(W)이 애싱 모듈(13) 내에 반입되는 경우, 개구부(132b)와 대향하는 면(132a)에 대해서 예를 들면, 직교하는 방향을 따라 기판(W)이 애싱 모듈(13) 내에 반입된다. 이에 대해, 본 실시형태에서는, 개구부(132b)와 대향하는 면(132a)에 대해서 경사의 방향을 따라 기판(W)이 애싱 모듈(13) 내에 반입된다. 이에 의해, 기판(W)의 이동 거리를 짧게 할 수가 있고, 기판(W)을 애싱 모듈(13) 내에 반입하는데 필요로 하는 시간을 단축할 수가 있다. 또한, 반송 로봇(20)의 아암(22)을 짧게 할 수가 있으므로, 반송 로봇(20)을 소형화할 수가 있다.In the first embodiment described above, when the substrate W is loaded into the
도 15는 제 2 실시형태에 있어서의 애싱 모듈(13)의 일례를 도시하는 횡단면도이다. 또한, 도 15에 있어서, 도 3과 동일한 부호가 부여된 구성은, 도 3에 있어서 설명된 구성과 동일 또는 마찬가지이기 때문에, 설명을 생략한다. 본 실시형태의 애싱 모듈(13)에 있어서, 측벽(132)에는, 벽면(136), 벽면(137), 테이퍼부(138), 및 테이퍼부(139)가 형성되어 있다. 테이퍼부(138) 및 테이퍼부(139)는 개구부(132b) 부근의 측벽(132)에, 개구부(132b)와 대향하는 면(132a)에 대해서 경사져서 형성되어 있다.15 is a cross-sectional view showing an example of the
기판(W)이 애싱 모듈(13) 내에 반송되는 경우, 예를 들면, 도 16에 도시되는 바와 같이, 기판(W)을 보지하고 있는 엔드 이펙터(21)는, 테이퍼부(138) 및 테이퍼부(139)를 따라 용기(130) 내에 진입한다. 도 16은 제 2 실시형태에 있어서, 기판(W)이 애싱 모듈(13) 내에 반입될 때의 엔드 이펙터(21)와 애싱 모듈(13)의 위치 관계의 일례를 도시하는 도면이다.When the substrate W is conveyed in the
본 실시형태에서는, 면(132a)에 대해서 경사의 방향을 따라 기판(W)이 애싱 모듈(13) 내에 반입되기 때문에, 면(132a)에 직교하는 방향에 있어서, 기판(W)과 선단(21a)의 거리가 제 1 실시형태의 경우에 비해 길어진다. 그 때문에, 본 실시형태에서는, 위치(P2)에 있는 기판(W)의 중심이 스테이지(131)의 기준 위치(P0)에 일치하도록, 기판(W)을 애싱 모듈(13) 내에 반입하는 것이, 제 1 실시형태의 경우에 비해 더 어려워진다.In this embodiment, since the board|substrate W is carried in in the
이에 대해서, 본 실시형태의 애싱 모듈(13)에 있어서도, 예를 들면, 도 16에 도시되는 바와 같이, 용기(130)의 내측에 있어서의 개구부(132b)와 대향하는 면(132a)에 오목부(133)가 형성되어 있다. 이에 의해, 기판(W)을 애싱 모듈(13) 내에 반입할 때에, 엔드 이펙터(21)의 선단(21a)이 오목부(133) 내에 삽입된다. 그 때문에, 예를 들면, 도 16에 도시되는 바와 같이, 위치(P2)에 있는 기판(W)의 중심이 스테이지(131)의 기준 위치(P0)에 일치하도록, 기판(W)을 애싱 모듈(13) 내에 반입하는 것이 가능하게 된다. 따라서, 도 15와 같이, 개구부(132b)와 대향하는 면(132a)에 대해서 경사지게 형성되어 있는 테이퍼부(138) 및 테이퍼부(139)를 갖는 애싱 모듈(13)에 대해서는, 면(132a)에 오목부(133)가 형성되어 있는 것은 특히 유효하다.On the other hand, also in the
또한, 본 실시형태에서는, 로드록 모듈(14)의 게이트 밸브(G4)에 대해서 경사의 방향을 따라 기판(W)이 로드록 모듈(14) 내에 반입된다. 이에 의해, 기판(W)의 이동 거리를 짧게 할 수가 있고, 기판(W)을 진공 반송 모듈(11)로부터 로드록 모듈(14)에 반입하는데 필요로 하는 시간을 단축할 수가 있다. 또한, 반송 로봇(20)의 아암(22)을 짧게 할 수가 있으므로, 반송 로봇(20)을 소형화할 수가 있다.Moreover, in this embodiment, the board|substrate W is carried in into the load-
도 17은 제 2 실시형태에 있어서의 로드록 모듈(14)의 일례를 도시하는 횡단면도이다. 또한, 도 17에 있어서, 도 4와 동일한 부호가 부여된 구성은 도 4에 대해 설명된 구성과 동일 또는 마찬가지이기 때문에 설명을 생략한다. 본 실시형태의 로드록 모듈(14)에 있어서, 측벽(146)의 개구부(140a) 부근에는, 테이퍼부(148)가 형성되어 있고, 측벽(147)의 개구부(140a) 부근에는, 테이퍼부(149)가 형성되어 있다. 테이퍼부(148) 및 테이퍼부(149)는 개구부(140a)와 대향하는 게이트 밸브(G4)의 면(144)에 대해서 경사지게 형성되어 있다.Fig. 17 is a cross-sectional view showing an example of the
기판(W)이 진공 반송 모듈(11)로부터 로드록 모듈(14) 내에 반송되는 경우, 예를 들면, 도 18에 도시되는 바와 같이, 기판(W)을 보지하고 있는 엔드 이펙터(21)는 테이퍼부(148) 및 테이퍼부(149)를 따라 용기(140) 내에 진입한다. 도 18은 제 2 실시형태에 있어서, 진공 반송 모듈(11)과 로드록 모듈(14) 사이에서 기판(W)이 반송될 때의 엔드 이펙터(21)와 로드록 모듈(14)의 위치 관계의 일례를 도시하는 도면이다.When the substrate W is transferred from the
본 실시형태에서는, 게이트 밸브(G4)의 면(144)에 대해서 경사의 방향을 따라 기판(W)이 로드록 모듈(14) 내에 반입되기 때문에, 게이트 밸브(G4)의 면(144)에 직교하는 방향에 있어서, 기판(W)과 선단(21a)의 거리가 제 1 실시형태의 경우에 비해 길어진다. 그 때문에, 본 실시형태에서는, 위치(P2)에 있는 기판(W)의 중심이 스테이지(141)의 기준 위치(P1)에 일치하도록, 기판(W)을 로드록 모듈(14) 내에 반입하는 것이, 제 1 실시형태의 경우에 비해 더욱 어려워진다.In this embodiment, since the substrate W is loaded into the
이에 대해서, 본 실시형태의 로드록 모듈(14)에 있어서도, 예를 들면, 도 18에 도시되는 바와 같이, 용기(140)의 내측에 있어서의 개구부(140a)와 대향하는 게이트 밸브(G4)의 면(144)에 오목부(145)가 형성되어 있다. 이에 의해, 기판(W)을 진공 반송 모듈(11)로부터 로드록 모듈(14) 내에 반입할 때에, 엔드 이펙터(21)의 선단(21a)이 오목부(145) 내에 삽입된다. 그 때문에, 예를 들면, 도 18에 도시되는 바와 같이, 위치(P2)에 있는 기판(W)의 중심을 스테이지(141)의 기준 위치(P1)에 일치하도록, 기판(W)을 로드록 모듈(14) 내에 반입하는 것이 가능하게 된다. 따라서, 개구부(140a)와 대향하는 게이트 밸브(G4)의 면(144)에 대해서 경사지게 형성되어 있는 테이퍼부(148 및 149)를 갖는 로드록 모듈(14)에 있어서는, 게이트 밸브(G4)의 면(144)에 오목부(145)가 형성되어 있는 것은 특히 유효하다.On the other hand, also in the
또한, 기판(W)이 대기 반송 모듈(15)로부터 로드록 모듈(14) 내에 반송되는 경우, 예를 들면, 도 19에 도시되는 바와 같이, 기판(W)을 보지하고 있는 엔드 이펙터(21)는 게이트 밸브(G3)의 면(142)을 향하는 방향을 따라 용기(140) 내에 진입한다. 도 19는 제 2 실시형태에 있어서, 대기 반송 모듈(15)과 로드록 모듈(14) 사이에서 기판(W)이 반송될 때의 엔드 이펙터(21)와 로드록 모듈(14)의 위치 관계의 일례를 도시하는 도면이다. 기판(W)이 대기 반송 모듈(15)로부터 로드록 모듈(14) 내에 반송되는 경우는 제 1 실시형태와 마찬가지로, 엔드 이펙터(21)의 선단(21a)이 게이트 밸브(G3)의 오목부(143) 내에 삽입된다. 이에 의해, 대기 반송 모듈(15)로부터 로드록 모듈(14) 내에 기판(W)이 반입될 때에, 기판(W)의 중심이 스테이지(141)의 기준 위치(P1)에 일치하도록, 기판(W)을 로드록 모듈(14) 내에 반입하는 것이 가능하게 된다.Further, when the substrate W is transferred from the
또한, 금회 개시된 실시형태는 모든 점에서 예시이며 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 하는 것이다. 실제로, 상기한 실시형태는 다양한 형태로 구현될 수 있다. 또한, 상기의 실시형태는 첨부의 특허청구범위 및 그 취지를 일탈하는 일 없이, 여러가지 형태로 생략, 치환, 변경되어도 좋다.In addition, it should be thought that embodiment disclosed this time is an illustration in every point and is not restrictive. Indeed, the above-described embodiment may be embodied in various forms. In addition, said embodiment may be abbreviate|omitted, substituted, and may be changed in various forms, without deviating from the attached claim and the meaning.
ER : 에지 링
G1 : 게이트 밸브
G2 : 게이트 밸브
G3 : 게이트 밸브
G4 : 게이트 밸브
P0 : 위치
P1 : 위치
P2 : 위치
W : 기판
1 : 처리 시스템
10 : 본체
100 : 제어부
11 : 진공 반송 모듈
12 : 처리 모듈
13 : 애싱 모듈
130 : 용기
131 : 스테이지
132 : 측벽
132a : 면
132b : 개구부
133 : 오목부
136 : 벽면
137 : 벽면
138 : 테이퍼부
139 : 테이퍼부
14 : 로드록 모듈
140 : 용기
140a : 개구부
140b : 개구부
141 : 스테이지
142 : 면
143 : 오목부
144 : 면
145 : 오목부
146 : 측벽
147 : 측벽
148 : 테이퍼부
149 : 테이퍼부
15 : 대기 반송 모듈
16 : 로드 포트
20 : 반송 로봇
21 : 엔드 이펙터ER: edge ring
G1 : gate valve
G2 : gate valve
G3 : gate valve
G4 : gate valve
P0: position
P1: position
P2: position
W: substrate
1: processing system
10: body
100: control unit
11: vacuum transfer module
12: processing module
13: Ashing module
130: courage
131: stage
132: side wall
132a: cotton
132b: opening
133: concave
136: wall
137: wall
138: taper part
139: taper part
14: loadlock module
140: courage
140a: opening
140b: opening
141: stage
142: cotton
143: concave
144: cotton
145: concave
146: side wall
147: side wall
148: taper part
149: taper part
15: standby transfer module
16: load port
20: transport robot
21: end effector
Claims (5)
용기를 구비하고,
상기 용기의 측벽에는, 상기 기판을 보지한 엔드 이펙터가 통과하는 제 1 개구부가 형성되어 있고,
상기 용기의 내측에 있어서의 상기 제 1 개구부와 대향하는 면에는, 상기 엔드 이펙터의 선단이 삽입되는 오목부가 형성되어 있는
기판 수용 장치.A substrate accommodating apparatus for accommodating a substrate conveyed by a conveying apparatus having an end effector for holding a substrate and a member including a consumable component provided in a substrate processing apparatus for processing the substrate, the substrate receiving apparatus comprising:
have a container,
A first opening is formed in the sidewall of the container through which the end effector holding the substrate passes;
A concave portion into which the tip of the end effector is inserted is formed on a surface of the inner side of the container opposite to the first opening.
substrate receiving device.
상기 오목부는 상기 제 1 개구부와 대향하는 상기 용기의 측벽에 형성되어 있는
기판 수용 장치.The method of claim 1,
The concave portion is formed in a side wall of the container opposite to the first opening.
substrate receiving device.
상기 제 1 개구부와 대향하는 상기 용기의 측벽에는, 상기 기판을 보지한 다른 엔드 이펙터가 통과하는 제 2 개구부가 형성되어 있고,
상기 제 2 개구부에는, 상기 제 2 개구부를 개폐하는 문이 마련되어 있고,
상기 오목부는 상기 문에 있어서의 상기 용기의 내측의 면에 형성되어 있는
기판 수용 장치.The method of claim 1,
A second opening through which another end effector holding the substrate passes is formed in a sidewall of the container opposite to the first opening,
A door for opening and closing the second opening is provided in the second opening,
The said recessed part is formed in the inner surface of the said container in the said door,
substrate receiving device.
상기 기판 수용 장치는 로드록 모듈인
기판 수용 장치.4. The method of claim 3,
The substrate receiving device is a load lock module
substrate receiving device.
상기 기판 및 상기 기판 처리 장치에 마련되는 소모 부품을 포함하는 부재를 보지하는 엔드 이펙터를 갖고, 상기 부재를 반송하는 반송 장치와,
상기 기판을 일시 보관하는 기판 수용 장치를 구비하고,
상기 기판 수용 장치는, 용기를 갖고,
상기 용기의 측벽에는, 상기 기판을 보지한 상기 엔드 이펙터가 통과하는 개구부가 형성되어 있고,
상기 용기의 내측에 있어서의 상기 개구부와 대향하는 면에는, 상기 엔드 이펙터의 선단이 삽입되는 오목부가 형성되어 있는
처리 시스템.a substrate processing apparatus for processing the substrate;
a conveying apparatus having an end effector for holding the substrate and a member including a consumable component provided in the substrate processing apparatus, and conveying the member;
and a substrate accommodating device for temporarily storing the substrate;
The substrate receiving device has a container,
An opening through which the end effector holding the substrate passes is formed in the sidewall of the container;
A concave portion into which the tip of the end effector is inserted is formed on a surface opposite to the opening on the inner side of the container.
processing system.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2021-029958 | 2021-02-26 | ||
JP2021029958A JP2022131159A (en) | 2021-02-26 | 2021-02-26 | Substrate housing apparatus and processing system |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20220122527A true KR20220122527A (en) | 2022-09-02 |
Family
ID=82975974
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020220023652A KR20220122527A (en) | 2021-02-26 | 2022-02-23 | Substrate accommodating device and processing system |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11969879B2 (en) |
JP (1) | JP2022131159A (en) |
KR (1) | KR20220122527A (en) |
CN (1) | CN114975172A (en) |
TW (1) | TW202249143A (en) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020096149A (en) | 2018-12-12 | 2020-06-18 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing system, transfer method, transfer program and holding tool |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9881820B2 (en) * | 2015-10-22 | 2018-01-30 | Lam Research Corporation | Front opening ring pod |
US20190122870A1 (en) * | 2016-07-14 | 2019-04-25 | Tokyo Electron Limited | Focus ring replacement method and plasma processing system |
JP2020126949A (en) * | 2019-02-06 | 2020-08-20 | 東京エレクトロン株式会社 | Transportation device and jig |
-
2021
- 2021-02-26 JP JP2021029958A patent/JP2022131159A/en active Pending
-
2022
- 2022-02-14 TW TW111105181A patent/TW202249143A/en unknown
- 2022-02-18 CN CN202210149177.2A patent/CN114975172A/en active Pending
- 2022-02-23 KR KR1020220023652A patent/KR20220122527A/en unknown
- 2022-02-28 US US17/682,754 patent/US11969879B2/en active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020096149A (en) | 2018-12-12 | 2020-06-18 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing system, transfer method, transfer program and holding tool |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202249143A (en) | 2022-12-16 |
CN114975172A (en) | 2022-08-30 |
US20220274260A1 (en) | 2022-09-01 |
JP2022131159A (en) | 2022-09-07 |
US11969879B2 (en) | 2024-04-30 |
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