JP2024014768A - Substrate transfer system and transfer module - Google Patents
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Abstract
Description
本開示の種々の側面および実施形態は、基板搬送システムおよび搬送モジュールに関する。 Various aspects and embodiments of the present disclosure relate to substrate transport systems and transport modules.
複数の処理モジュール(PM)と、真空搬送モジュール(VTM)と、ロードロックモジュール(LLM)と、機器フロントエンドモジュール(EFEM)と、ロードポート(LP)とを備える基板処理システムが知られている(例えば下記特許文献1参照)。それぞれのPMは、基板にプラズマ等を用いて処理を施す。VTMは、低圧環境下で、基板をそれぞれのPMへ搬送する。LLMは、VTMとEFEMとの間で圧力変換を行う。LPは、EFEMに設けられ、複数の基板が収容された容器が接続される。EFEMは、LPに接続された容器とLLMとの間で基板を搬送する。
Substrate processing systems are known that include a plurality of processing modules (PM), a vacuum transfer module (VTM), a load lock module (LLM), an equipment front end module (EFEM), and a load port (LP). (For example, see
本開示は、基板処理システムの設置面積を削減することができる基板搬送システムおよび搬送モジュールを提供する。 The present disclosure provides a substrate transport system and transport module that can reduce the footprint of a substrate processing system.
本開示の一側面における基板搬送システムは、ロードロックモジュールと、大気搬送モジュールと、第1のロードポートと、第2のロードポートと、を備える。大気搬送モジュールは、第1の側壁、第2の側壁及び第3の側壁を有する。第1の側壁は、第1の方向に沿って延在し、ロードロックモジュールに接続される。第2の側壁は、第1の方向と直交する第2の方向に沿って延在する。第3の側壁は、第2の側壁の反対側にある。第1のロードポートは、第2の側壁から第1の方向に沿って外方に延在する。第2のロードポートは、第3の側壁から第1の方向に沿って外方に延在する。 A substrate transfer system according to one aspect of the present disclosure includes a load lock module, an atmospheric transfer module, a first load port, and a second load port. The atmospheric transport module has a first sidewall, a second sidewall and a third sidewall. The first sidewall extends along the first direction and is connected to the loadlock module. The second side wall extends along a second direction orthogonal to the first direction. The third sidewall is opposite the second sidewall. A first load port extends outwardly from the second sidewall along the first direction. A second load port extends outwardly from the third sidewall along the first direction.
本開示の種々の側面および実施形態によれば、基板処理システムの設置面積を削減することができる。 According to various aspects and embodiments of the present disclosure, the footprint of a substrate processing system can be reduced.
以下に、基板搬送システムおよび搬送モジュールの実施形態について、図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の実施形態により、開示される基板搬送システムおよび搬送モジュールが限定されるものではない。 Below, embodiments of a substrate transport system and a transport module will be described in detail based on the drawings. Note that the disclosed substrate transport system and transport module are not limited to the following embodiments.
ところで、単位時間あたりに処理可能な基板の数を増やすためには、基板に対するPMを増やすことが考えられる。PMが増えると、複数のPM、VTM、LLM、およびEFEM等を含む基板処理システムが大型化する。基板処理システムが大型化すると、クリーンルーム等の設備内での基板処理システムの設置面積(フットプリント)が大きくなり、複数の基板処理システムを配置することが難しくなる。そのため、基板処理システムの設置面積の削減が求められている。 By the way, in order to increase the number of substrates that can be processed per unit time, it is conceivable to increase the amount of PM for the substrates. As the number of PM increases, the substrate processing system including multiple PMs, VTMs, LLMs, EFEMs, etc. becomes larger. As the substrate processing system becomes larger, the installation area (footprint) of the substrate processing system within equipment such as a clean room becomes larger, making it difficult to arrange multiple substrate processing systems. Therefore, there is a need to reduce the installation area of substrate processing systems.
そこで、本開示は、基板処理システムの設置面積を削減することができる技術を提供する。 Therefore, the present disclosure provides a technique that can reduce the installation area of a substrate processing system.
(第1の実施形態)
[基板処理システム1の構成]
図1は、第1の実施形態における基板処理システム1の構成の一例を示す平面図である。図1では、便宜的に一部の装置の内部の構成要素が透過するように図示されている。基板処理システム1は、VTM(Vacuum Transfer Module)11、複数のPM(Process Module)12、複数のLLM(Load Lock Module)13、およびEFEM(Equipment Front End Module)14を備える。EFEM14は、搬送モジュールの一例である。図1の例では、VTM11、LLM13、およびEFEM14は、図1のy軸方向に沿って並べて配置されている。
(First embodiment)
[Configuration of substrate processing system 1]
FIG. 1 is a plan view showing an example of the configuration of a
VTM11の側壁には、ゲートバルブG1を介して複数のPM12が接続されている。それぞれのPM12は、処理対象となる基板Wに対して、エッチングや成膜等の処理を施す。なお、図1の例では、VTM11に6個のPM12が接続されているが、VTM11に接続されるPM12の数は、6台より多くてもよく、6台より少なくてもよい。
A plurality of
図2は、PM12の一例を示す概略断面図である。本実施形態において、PM12は、例えば容量結合型のプラズマ処理装置である。PM12は、プラズマ処理チャンバ120、ガス供給部124、電源125、および排気システム128を含む。また、PM12は、基板支持部121およびガス導入部を含む。ガス導入部は、少なくとも1つの処理ガスをプラズマ処理チャンバ120内に導入するように構成されている。ガス導入部は、シャワーヘッド123を含む。基板支持部121は、プラズマ処理チャンバ120内に配置されている。シャワーヘッド123は、基板支持部121の上方に配置されている。一実施形態において、シャワーヘッド123は、プラズマ処理チャンバ120の天部(Ceiling)の少なくとも一部を構成する。プラズマ処理チャンバ120は、シャワーヘッド123、プラズマ処理チャンバ120の側壁120a、および基板支持部121により規定されたプラズマ処理空間120sを有する。プラズマ処理チャンバ120は、少なくとも1つの処理ガスをプラズマ処理空間120sに供給するための少なくとも1つのガス供給口と、プラズマ処理空間120sからガスを排出するための少なくとも1つのガス排出口とを有する。プラズマ処理チャンバ120は接地されている。シャワーヘッド123および基板支持部121は、プラズマ処理チャンバ120の筐体とは電気的に絶縁されている。プラズマ処理チャンバ120の側壁120aには、基板Wの搬入および搬出を行うための開口部120bが形成されている。開口部120bは、ゲートバルブG1によって開閉される。
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing an example of the
基板支持部121は、本体部1211およびリングアセンブリ1212を含む。本体部1211は、基板Wを支持するための中央領域1211aと、リングアセンブリ1212を支持するための環状領域1211bとを有する。ウェハは、基板Wの一例である。本体部1211の環状領域1211bは、平面視で本体部1211の中央領域1211aを囲んでいる。基板Wは、本体部1211の中央領域1211a上に配置され、リングアセンブリ1212は、本体部1211の中央領域1211a上の基板Wを囲むように本体部1211の環状領域1211b上に配置されている。中央領域1211aは、基板Wを支持するための基板支持面とも呼ばれ、環状領域1211bは、リングアセンブリ1212を支持するためのリング支持面とも呼ばれる。
The
一実施形態において、本体部1211は、基台12110および静電チャック12111を含む。基台12110は、導電性部材を含む。基台12110の導電性部材は下部電極として機能し得る。静電チャック12111は、基台12110の上に配置されている。静電チャック12111は、セラミック部材12111aとセラミック部材12111a内に配置される静電電極12111bとを含む。セラミック部材12111aは、中央領域1211aを有する。一実施形態において、セラミック部材12111aは、環状領域1211bも有する。なお、環状静電チャックや環状絶縁部材のような、静電チャック12111を囲む他の部材が環状領域1211bを有してもよい。この場合、リングアセンブリ1212は、環状静電チャックまたは環状絶縁部材の上に配置されてもよく、静電チャック12111と環状絶縁部材の両方の上に配置されてもよい。また、後述するRF(Radio Frequency)電源126および/またはDC(Direct Current)電源127に結合される少なくとも1つのRF/DC電極がセラミック部材12111a内に配置されてもよい。この場合、少なくとも1つのRF/DC電極が下部電極として機能する。後述するバイアスRF信号および/またはDC信号が少なくとも1つのRF/DC電極に供給される場合、RF/DC電極はバイアス電極とも呼ばれる。なお、基台12110の導電性部材と少なくとも1つのRF/DC電極とが複数の下部電極として機能してもよい。また、静電電極12111bが下部電極として機能してもよい。基板支持部121は、少なくとも1つの下部電極を含む。
In one embodiment,
リングアセンブリ1212は、1または複数の環状部材を含む。一実施形態において、1または複数の環状部材は、1または複数のエッジリングと少なくとも1つのカバーリングとを含む。エッジリングは、導電性材料または絶縁材料で形成され、カバーリングは、絶縁材料で形成される。
また、基板支持部121は、静電チャック12111、リングアセンブリ1212、および基板Wのうち少なくとも1つをターゲット温度に調節するように構成される温調モジュールを含んでもよい。温調モジュールは、ヒータ、伝熱媒体、流路12110a、またはこれらの組み合わせを含んでもよい。流路12110aには、ブラインやガスのような伝熱流体が流れる。一実施形態において、流路12110aが基台12110内に形成され、1または複数のヒータが静電チャック12111のセラミック部材12111a内に配置される。また、基板支持部121は、基板Wの裏面と中央領域1211aとの間の間隙に伝熱ガスを供給するように構成された伝熱ガス供給部を含んでもよい。
Further, the
シャワーヘッド123は、ガス供給部124からの少なくとも1つの処理ガスをプラズマ処理空間120s内に導入するように構成されている。シャワーヘッド123は、少なくとも1つのガス供給口123a、少なくとも1つのガス拡散室123b、および複数のガス導入口123cを有する。ガス供給口123aに供給された処理ガスは、ガス拡散室123bを通過して複数のガス導入口123cからプラズマ処理空間120s内に導入される。また、シャワーヘッド123は、少なくとも1つの上部電極を含む。なお、シャワーヘッド123の下面には、上部電極プレートが着脱可能に設けられてもよい。また、ガス導入部は、シャワーヘッド123に加えて、側壁120aに形成された1または複数の開口部に取り付けられる1または複数のサイドガス注入部(SGI:Side Gas Injector)を含んでもよい。
The
ガス供給部124は、少なくとも1つのガスソース1240および少なくとも1つの流量制御器1241を含んでもよい。一実施形態において、ガス供給部124は、少なくとも1つの処理ガスを、それぞれに対応のガスソース1240からそれぞれに対応の流量制御器1241を介してシャワーヘッド123に供給するように構成されている。各流量制御器1241は、例えばマスフローコントローラまたは圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。さらに、ガス供給部124は、少なくとも1つの処理ガスの流量を変調またはパルス化する1またはそれ以上の流量変調デバイスを含んでもよい。
電源125は、少なくとも1つのインピーダンス整合回路を介してプラズマ処理チャンバ120に結合されるRF電源126を含む。RF電源126は、少なくとも1つのRF信号(RF電力)を少なくとも1つの下部電極および/または少なくとも1つの上部電極に供給するように構成される。これにより、プラズマ処理空間120sに供給された少なくとも1つの処理ガスからプラズマが形成される。従って、RF電源126は、プラズマ処理チャンバ120において1またはそれ以上の処理ガスからプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部の少なくとも一部として機能し得る。また、バイアスRF信号を少なくとも1つの下部電極に供給することにより、基板Wにバイアス電位が発生し、形成されたプラズマ中のイオン成分を基板Wに引き込むことができる。
一実施形態において、RF電源1261は、第1のRF生成部126aおよび第2のRF生成部126bを含む。第1のRF生成部126aは、少なくとも1つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも1つの下部電極および/または少なくとも1つの上部電極に結合され、プラズマ生成用のソースRF信号(ソースRF電力)を生成するように構成される。一実施形態において、ソースRF信号は、10MHz~150MHzの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第1のRF生成部126aは、異なる周波数を有する複数のソースRF信号を生成するように構成されてもよい。生成された1または複数のソースRF信号は、少なくとも1つの下部電極および/または少なくとも1つの上部電極に供給される。
In one embodiment, RF power supply 1261 includes a
第2のRF生成部126bは、少なくとも1つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも1つの下部電極に結合され、バイアスRF信号(バイアスRF電力)を生成するように構成される。バイアスRF信号の周波数は、ソースRF信号の周波数と同じであってもよく、異なっていてもよい。一実施形態において、バイアスRF信号は、ソースRF信号の周波数よりも低い周波数を有する。一実施形態において、バイアスRF信号は、100kHz~60MHzの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第2のRF生成部126bは、異なる周波数を有する複数のバイアスRF信号を生成するように構成されてもよい。生成された1または複数のバイアスRF信号は、少なくとも1つの下部電極に供給される。また、種々の実施形態において、ソースRF信号およびバイアスRF信号のうち少なくとも1つがパルス化されてもよい。
The
また、電源125は、プラズマ処理チャンバ120に結合されるDC電源127を含んでもよい。DC電源127は、第1のDC生成部127aおよび第2のDC生成部127bを含む。一実施形態において、第1のDC生成部127aは、少なくとも1つの下部電極に接続され、第1のDC信号を生成するように構成される。生成された第1のバイアスDC信号は、少なくとも1つの下部電極に印加される。一実施形態において、第2のDC生成部127bは、少なくとも1つの上部電極に接続され、第2のDC信号を生成するように構成される。生成された第2のDC信号は、少なくとも1つの上部電極に印加される。
種々の実施形態において、第1および第2のDC信号のうち少なくとも1つがパルス化されてもよい。この場合、電圧パルスのシーケンスが少なくとも1つの下部電極および/または少なくとも1つの上部電極に印加される。電圧パルスは、矩形、台形、三角形、またはこれらの組み合わせのパルス波形を有してもよい。一実施形態において、DC信号から電圧パルスのシーケンスを生成するための波形生成部が第1のDC生成部127aと少なくとも1つの下部電極との間に接続される。従って、第1のDC生成部127aおよび波形生成部は、電圧パルス生成部を構成する。第2のDC生成部127bおよび波形生成部が電圧パルス生成部を構成する場合、電圧パルス生成部は、少なくとも1つの上部電極に接続される。電圧パルスは、正の極性を有してもよく、負の極性を有してもよい。また、電圧パルスのシーケンスは、1周期内に1または複数の正極性電圧パルスと1または複数の負極性電圧パルスとを含んでもよい。なお、第1のDC生成部127aおよび第2のDC生成部127bは、RF電源126に加えて設けられてもよく、第1のDC生成部127aが第2のRF生成部126bに代えて設けられてもよい。
In various embodiments, at least one of the first and second DC signals may be pulsed. In this case, a sequence of voltage pulses is applied to at least one bottom electrode and/or at least one top electrode. The voltage pulse may have a pulse waveform that is rectangular, trapezoidal, triangular, or a combination thereof. In one embodiment, a waveform generator for generating a sequence of voltage pulses from a DC signal is connected between the
排気システム128は、例えばプラズマ処理チャンバ120の底部に設けられたガス排出口120eに接続され得る。排気システム128は、圧力調整弁および真空ポンプを含んでもよい。圧力調整弁によって、プラズマ処理空間120s内の圧力が調整される。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、ドライポンプ、またはこれらの組み合わせを含んでもよい。
図1に戻って説明を続ける。VTM11の他の側壁には、ゲートバルブG2を介して複数のLLM13が接続されている。図1の例では、VTM11に2台のLLM13が接続されているが、VTM11に接続されるLLM13の数は、2台より多くてもよく、2台より少なくてもよい。
Returning to FIG. 1, the explanation will be continued. A plurality of
VTM11内には、搬送ロボット110が配置されている。搬送ロボット110は、VTM11内に設けられたガイドレール111に沿ってVTM11内を移動し、PM12とLLM13との間で基板Wを搬送する。基板Wは、被搬送物の一例である。なお、搬送ロボット110は、VTM11内の予め定められた位置に固定され、VTM11内を移動しない構成であってもよい。VTM11内は、大気圧よりも低い圧力雰囲気に保たれている。
A
それぞれのLLM13の1つの側壁には、ゲートバルブG2を介してVTM11が接続されており、他の1つの側壁には、ゲートバルブG3を介してEFEM14が接続されている。LLM13では、ゲートバルブG3を介してEFEM14からLLM13内に基板Wが搬入された場合、ゲートバルブG3が閉じられる。そして、LLM13内の圧力が予め定められた第1の圧力(例えば大気圧)から予め定められた第2の圧力(例えば所定の真空度の圧力)まで下げられる。そして、ゲートバルブG2が開かれ、LLM13内の基板Wが搬送ロボット110によってVTM11内へ搬出される。
The
また、LLM13内が第2の圧力となっている状態で、搬送ロボット110によってゲートバルブG2を介してVTM11からLLM13内に基板Wが搬入され、ゲートバルブG2が閉じられる。そして、LLM13内の圧力が第2の圧力から第1の圧力まで上げられる。そして、ゲートバルブG3が開かれ、LLM13内の基板WがEFEM14内へ搬出される。
Further, while the inside of the
EFEM14は、側壁147、側壁148-1、および側壁148-2を有する。EFEM14において、LLM13が接続されるEFEM14の側壁147の反対側にある側壁148-1および側壁148-2に、複数のLP(Load Port)15がそれぞれ設けられている。図1の例において、側壁147は、x軸方向に沿って延在し、LLM13に接続される。側壁148-1は、x軸方向と直交するy軸方向に沿って延在する。側壁148-2は、側壁148-1の反対側に設けられている。側壁148-1には、側壁148-1からx軸方向に沿って外方に延在するLP15が設けられており、側壁148-2には、側壁148-2からx軸方向に沿って外方に延在するLP15が設けられている。
側壁147は第1の側壁の一例であり、側壁148-1は第2の側壁の一例であり、側壁148-2は第3の側壁の一例である。また、側壁148-1に設けられたLP15は第1のロードポートの一例であり、側壁148-2に設けられたLP15は第2のロードポートの一例である。また、x軸方向は第1の方向の一例であり、y軸方向は第2の方向の一例である。
The
それぞれのLP15には、複数の基板Wを収容可能なFOUP(Front Opening Unified Pod)等の容器が載せられる移動部150が設けられている。側壁148-1に設けられたLP15に設けられた移動部150は第1の基板キャリアステージの一例であり、側壁148-2に設けられたLP15に設けられた移動部150は第2の基板キャリアステージの一例である。FOUP等の容器は、例えばOHT(Overhead Hoist Transport)等の容器搬送機構によって搬送され、移動部150の上に載せられる。
Each
このように、本実施形態では、LLM13が接続されるEFEM14の側壁147の反対側にある側壁以外の側壁148-1および側壁148-2に、複数のLP15が設けられている。これにより、側壁147に対向する側壁に複数のLP15が設けられる場合に比べて、y軸に沿う方向における基板処理システム1の長さを短くすることができる。これにより、基板処理システム1の設置面積を削減することができる。
Thus, in this embodiment, a plurality of
EFEM14内には搬送ロボット140が設けられている。搬送ロボット140は、搬送装置の一例である。また、EFEM14内にはアライメント室142が設けられており、アライメント室142内には、基板Wの向きを調整するアライナユニット1420が配置されている。搬送ロボット140は、EFEM14内に設けられたガイドレール141に沿って鉛直方向にEFEM14内を移動し、LP15にセットされた容器とアライメント室142とLLM13との間で基板Wを搬送する。なお、搬送ロボット140は、EFEM14内の予め定められた位置に固定され、EFEM14内を移動しない構成であってもよい。
A
本実施形態において、EFEM14は気密に構成されており、EFEM14内には図示しないガス供給部から窒素ガスや希ガス等の不活性ガスが供給され、不活性ガスはEFEM14内を循環している。EFEM14の上部には、FFU(Fan Filter Unit)が設けられており、パーティクル等が除去された不活性ガスが上部からEFEM14内に供給され、EFEM14内にダウンフローが形成される。なお、本実施形態において、EFEM14内の圧力は大気圧であるが、他の形態として、EFEM14内の圧力は、陽圧となるように制御されてもよい。これにより、外部からEFEM14内へのパーティクル等の侵入を抑制することができる。
In this embodiment, the
基板処理システム1は、制御部10によって制御される。制御部10は、メモリ、プロセッサ、および入出力インターフェイスを有する。メモリ内には、レシピ等のデータやプログラム等が格納される。メモリは、例えばRAM(Random Access Memory)、ROM(Read Only Memory)、HDD(Hard Disk Drive)、またはSSD(Solid State Drive)等である。プロセッサは、メモリから読み出されたプログラムを実行することにより、メモリ内に格納されたレシピ等のデータに基づいて、入出力インターフェイスを介して基板処理システム1の各部を制御する。プロセッサは、CPU(Central Processing Unit)またはDSP(Digital Signal Processor)等である。
The
[EFEM14およびLP15の詳細]
図3は、図1に例示されたEFEM14およびLP15のA-A断面の一例を示す概略断面図であり、図4は、図3に例示されたEFEM14のB-B断面の一例を示す概略断面図である。図3では、ガイドレール141も併せて図示されている。
[Details of EFEM14 and LP15]
3 is a schematic sectional view showing an example of the AA cross section of the
EFEM14は、筐体149を有する。EFEM14には、例えば図3および図4に示されるように、アライメント室142が設けられており、アライメント室142内にはアライナユニット1420が配置されている。EFEM14の上部には、FFU143が設けられている。LLM13が接続されるEFEM14の側壁147には、LLM13に連通する開口部144が形成されている。開口部144は、第1の開口部の一例である。アライナユニット1420は、例えば図4に示されるように、LLM13の上方に配置されている。
ガイドレール141は、開口部144が設けられたEFEM14の側壁147に対向する側壁に、当該側壁に沿って上下方向に延在するように配置されている。搬送ロボット140は、EFEM14内をガイドレール141に沿って上下方向に移動する。EFEM14の下部には、処理前および処理後の基板Wを一時的に格納するストレージユニット145が配置されている。
The
LLM13が接続される開口部144が形成されている側壁147に対向する側壁以外の側壁148-1および側壁148-2には、例えば図3および図4に示されるように、LP15に載せられた容器が接続される開口部146が形成されている。開口部146は、第2の開口部の一例である。
For example, as shown in FIGS. 3 and 4, side walls 148-1 and 148-2 other than the
[LP15の動作]
図5A~図5Cは、LP15の移動部150に載せられた容器16がEFEM14に接続される過程の一例を示す図である。図5A~図5Cでは、側壁148-1に接続されたLP15が図示されている。
[Operation of LP15]
5A to 5C are diagrams showing an example of a process in which the
複数の基板Wが収容されたFOUP等の容器16は、例えばOHT等の搬送機構によって搬送され、移動部150に載せられる。容器16は、例えば図5Aに示されるように、ドア160が設けられた開口部161の面が、EFEM14の側壁147に対向する側壁の面に沿う方向(図5Aの例では、x軸に沿う方向)の向きとなるように移動部150上に載せられる。容器16の開口部161は、第1の開口部の一例である。
A
次に、移動部150は、例えば図5Bに示されるように、開口部161の面が、EFEM14の側壁148-1に沿う向き(図5Bの例では、y軸方向に沿う向き)となるように、容器16の向きを変更する。
Next, as shown in FIG. 5B, for example, the moving
次に、移動部150は、ガイドレール151上を移動することにより、例えば図5Cに示されるように、容器16の開口部161とEFEM14の側壁147に形成された開口部146とが近付くように容器16を移動させる。その後、ドア160およびゲートバルブG4が開かれることにより、容器16とEFEM14とが接続される。
Next, the moving
以上、第1の実施形態について説明した。上記したように、本実施形態におけるEFEM14は、筐体149と、筐体149内に配置され、被搬送物の一例である基板Wを搬送する搬送ロボット140とを備える。筐体149は、LLM13に連通する開口部144を有する側壁147と、側壁147の反対側にある側壁以外の側壁148-1であり、側壁148-1は、LP15に接続され、少なくとも1つの開口部146を有する側壁148-1とを有する。これにより、基板処理システム1の設置面積を削減することができる。
The first embodiment has been described above. As described above, the
また、上記した実施形態において、LP15は、移動部150を有する。移動部150は、容器16容器を搬送する容器搬送機構によって開口部161が形成された容器16の面がEFEM14の側壁147に対向する側壁の面に沿う向きとなるように配置された容器16を、容器16の開口部161と側壁148-1の開口部146とが連通する位置および向きとなるように容器16の位置および向きを変更する。これにより、容器搬送機構によって搬送された容器16をEFEM14に接続することができる。
Furthermore, in the embodiment described above, the
また、上記した実施形態において、EFEM14は、筐体149内に配置されるアライナユニット1420を備える。これにより、EFEM14内の空間を有効活用することができる。
Further, in the embodiment described above, the
また、上記した実施形態において、EFEM14は、筐体149内に配置されるストレージユニット145を備える。これにより、EFEM14内の空間を有効活用することができる。
Furthermore, in the embodiment described above, the
また、上記した実施形態において、EFEM14は、筐体149内に不活性ガスを循環供給するガス供給部をさらに備える。これにより、EFEM14内を通過する基板Wにおいて、酸化等の基板Wの変質を抑制することができる。
Furthermore, in the embodiment described above, the
(第2の実施形態)
第1の実施形態では、EFEM14の側壁148-1および側壁148-2のそれぞれに容器16が1つずつ接続されるが、本実施形態では、EFEM14の側壁148-1および側壁148-2のそれぞれに複数の容器16が接続される点が、第1の実施形態とは異なる。以下では、第1の実施形態と異なる点を中心に説明する。
(Second embodiment)
In the first embodiment, one
図6は、第2の実施形態におけるEFEM14よびLP15の一例を示す概略平面図である。図7は、図6に例示されたEFEM14およびLP15のA-A断面の一例を示す概略断面図である。図8は、図7に例示されたEFEM14のB-B断面の一例を示す概略断面図である。本実施形態におけるLP15には、例えば図6および図7に示されるように、複数の移動部150aおよび移動部150bが設けられている。複数の移動部150aおよび移動部150bは、EFEM14の側壁147に対向する側壁の面に沿う方向(例えば図6のx軸に沿う方向)に並べて配置されている。本実施形態において、複数の移動部150aおよび移動部150bの間隔ΔL1は、例えばSEMI(Semiconductor Equipment and Materials International)規格に準拠した505mmである。
FIG. 6 is a schematic plan view showing an example of the
また、EFEM14の側壁148-1および側壁148-2のそれぞれには、LP15に載せられた容器16が接続される複数の開口部146aおよび開口部146bが形成されている。本実施形態において、複数の開口部146aおよび開口部146bは、例えば図6および図8に示されるように、EFEM14の側壁148-1および側壁148-2のそれぞれの面に沿う方向(例えば図6および図8のy軸に沿う方向)に並べて配置されている。図6および図8の例では、複数の開口部146aおよび開口部146bは、EFEM14の側壁148-1および側壁148-2のそれぞれの面に沿って横方向に配列されている。開口部146aはゲートバルブG4aによって開閉され、開口部146bはゲートバルブG4bによって開閉される。
Furthermore, a plurality of
また、本実施形態のEFEM14において、LLM13が接続される開口部144と、容器16が接続される開口部146bとは、例えば図7および図8に示されるように、異なる高さの位置に形成されている。また、例えば図8に示されるように、側壁148-1および側壁148-2に交差する方向から見た場合に、側壁147の面が側壁148-1および側壁148-2の領域内に迫り出している。換言すれば、例えば図8に示されるように、EFEM14において、複数の開口部146aおよび開口部146bが形成されている高さにおける側壁148-1および側壁148-2の幅は、開口部144が形成されている高さにおける側壁148-1および側壁148-2の幅よりも広い。なお、開口部146aは、開口部146bまたは開口部144と同じ高さの位置に形成されていてもよく、開口部146bおよび開口部144と異なる高さの位置に形成されていてもよい。
Furthermore, in the
なお、図6~図8の例では、EFEM14の側壁148-1および側壁148-2のそれぞれに2つの開口部146aおよび開口部146bが設けられ、LP15に2つの移動部150aおよび移動部150bが設けられるが、開示の技術はこれに限られない。他の形態として、例えば、EFEM14の側壁148-1および側壁148-2のそれぞれに3つ以上の開口部146が設けられ、LP15に3つ以上の移動部150が設けられてもよい。
In the example of FIGS. 6 to 8, two
[LP15の動作]
図9A~図9Dは、LP15の移動部150aおよび移動部150bに載せられた容器16がEFEM14に接続される過程の一例を示す図である。図9A~図9Dでは、側壁148-1に接続されたLP15が図示されている。
[Operation of LP15]
9A to 9D are diagrams showing an example of a process in which the
複数の基板Wが収容されたFOUP等の容器16aおよび容器16bは、例えばOHT等の搬送機構によって搬送され、移動部150aおよび移動部150bの上にそれぞれ載せられる。このとき、容器16aおよび容器16bは、開口部161の面がEFEM14の側壁147に対向する側壁の面に沿う方向(図9Aの例では、x軸に沿う方向)となる向きで移動部150aおよび移動部150bの上にそれぞれ載せられる。
次に、移動部150aは、例えば図9Bに示されるように、開口部161の面が、EFEM14の側壁148-1に沿う向き(図9Bの例では、y軸方向に沿う向き)となるように、容器16aの向きを変更する。また、移動部150bは、例えば図9Bに示されるように、EFEM14の側壁148-1に沿って(例えば図9Bのy軸方向へ)容器16bを移動させる。
Next, as shown in FIG. 9B, for example, the moving
次に、移動部150aは、ガイドレール151a上を移動することにより、例えば図9Cに示されるように、容器16aの開口部161とEFEM14の開口部146aとが近付くように容器16aを移動させる。また、移動部150bは、例えば図9Cに示されるように、開口部161の面が、EFEM14の側壁148-1に沿う向き(図9Cの例では、y軸方向に沿う向き)となるように、容器16bの向きを変更する。
Next, by moving on the
次に、移動部150bは、ガイドレール151b上を移動することにより、例えば図9Dに示されるように、容器16bの開口部161とEFEM14の開口部146bとが近付くように容器16bを移動させる。その後、ドア160およびゲートバルブG4が開かれることにより、容器16aおよび容器16bとEFEM14とが接続される。これにより、複数の容器16aおよび容器16bが、EFEM14の側壁に沿って横方向に並ぶようにEFEM14に接続される。
Next, the moving
ここで、図9Dに示されるように、EFEM14に接続された状態における容器16aと容器16bとの間隔ΔL2は、図6および図9Aに例示された間隔ΔL1よりも短い。本実施形態において、間隔ΔL2は、例えば400mmである。これにより、y軸に沿う方向におけるEFEM14の長さを短くすることができ、基板処理システム1の設置面積を小さくすることができる。
Here, as shown in FIG. 9D, the distance ΔL2 between the
以上、第2の実施形態について説明した。上記したように、本実施形態において、EFEM14の側壁148-1および側壁148-2のそれぞれには、複数の開口部146aおよび開口部146bが、側壁148-1または側壁148-2の面に沿って横方向に並ぶように形成されている。これにより、より多くの容器16をEFEM14に接続することができる。
The second embodiment has been described above. As described above, in this embodiment, each of the side wall 148-1 and the side wall 148-2 of the
また、上記した実施形態において、EFEM14の側壁147には、LLM13に連通する開口部144が形成されており、開口部144と開口部146とは、異なる高さの位置に形成されている。これにより、開口部144を介する基板Wの搬送と、開口部146を介する基板Wの搬送とを互いに干渉することなく実行することができる。
Further, in the embodiment described above, an
また、上記した実施形態において、EFEM14の側壁148-1および側壁148-2の面に交差する方向から見た場合に、開口部144が形成された側壁147の面が、側壁148-1および側壁148-2の領域内に迫り出している。これにより、容器16と接続するための複数の開口部146の領域を側壁148-1および側壁148-2のそれぞれに確保しつつ、EFEM14を小型化することができる。
Further, in the embodiment described above, when viewed from a direction intersecting the surfaces of the side wall 148-1 and the side wall 148-2 of the
(第3の実施形態)
第2の実施形態では、EFEM14の側壁148-1および側壁148-2のそれぞれに、複数の容器16が横方向に並ぶように接続される。これに対し、本実施形態では、EFEM14の側壁148-1および側壁148-2のそれぞれに複数の容器16が上下方向(縦方向)に並ぶように接続される点が、第2の実施形態とは異なる。以下では、第2の実施形態と異なる点を中心に説明する。
(Third embodiment)
In the second embodiment, a plurality of
図10は、第3の実施形態におけるEFEM14およびLP15の一例を示す概略平面図である。図11は、図10に例示されたEFEM14およびLP15のA-A断面の一例を示す概略断面図である。図12は、図11に例示されたEFEM14のB-B断面の一例を示す概略断面図である。本実施形態では、例えば図10および図11に示されるように、EFEM14の側壁148-1および側壁148-2の面に沿って、上下方向(縦方向)に複数のLP15aおよびLP15bが設けられている。LP15aには移動部150aが設けられており、LP15bには移動部150bが設けられている。図11の例では、LP15aは、LP15bの上方において側壁148-1または側壁148-2からx軸方向に沿って外方に延在している。また、移動部150aおよび移動部150bは、平面視で異なる位置に配置されている。側壁148-1に設けられたLP15bは第1のロードポートの一例であり、側壁148-1に設けられたLP15aは第3のロードポートの一例である。また、側壁148-2に設けられたLP15bは第2のロードポートの一例であり、側壁148-2に設けられたLP15aは第4のロードポートの一例である。また、側壁148-1に設けられたLP15bに設けられた移動部150bは第1の基板キャリアステージの一例であり、側壁148-1に設けられたLP15aに設けられた移動部150bは第3の基板キャリアステージの一例である。また、側壁148-2に設けられたLP15bに設けられた移動部150bは第2の基板キャリアステージの一例であり、側壁148-2に設けられたLP15aに設けられた移動部150bは第4の基板キャリアステージの一例である。また、本実施形態では、1つの側壁148-1または側壁148-2に設けられているLP15aおよびLP15bにおいて、移動部150aと移動部150bとの間隔ΔL1は、平面視において、例えばSEMI規格に準拠した505mmである。
FIG. 10 is a schematic plan view showing an example of the
側壁148-1および側壁148-2のそれぞれには、例えば図11および図12に示されるように、上下方向に複数の開口部146aおよび開口部146bが形成されている。本実施形態において、複数の開口部146aおよび開口部146bの中の少なくとも1つ(図11および図12の例では、開口部146a)は、LLM13が接続される開口部144よりも上方の位置に形成される。また、複数の開口部146aおよび開口部146bの中の少なくとも他の1つ(図11および図12の例では、開口部146b)は、LLM13が接続される開口部144よりも下方の位置に形成される。
As shown in FIGS. 11 and 12, for example, a plurality of
これにより、LLM13から容器16へ搬出される際の基板Wの移動距離を短くすることができ、基板Wの搬送に要する時間を短縮することができる。なお、アライナユニット1420も、開口部146aと開口部146bの間の高さの位置に配置されることが好ましい。これにより、容器16からアライナユニット1420へ搬送される際の基板Wの移動距離を短くすることができる。
Thereby, the moving distance of the substrate W when being carried out from the
また、本実施形態において、側壁148-1および側壁148-2のそれぞれに形成されている複数の開口部146aおよび開口部146bは、例えば図11および図12に示されるように、側壁148-1または側壁148-2の同一の面に形成されている。これにより、側壁148-1および側壁148-2の凹凸を少なくすることができ、EFEM14の筐体149内で不活性ガスをスムーズに循環させることができる。これにより、筐体149内でガスだまりの発生を抑制することができる。なお、他の形態として、複数の開口部146aおよび開口部146bは、平面視において、側壁148-1および側壁148-2のそれぞれの異なる位置に形成されていてもよい。
In addition, in this embodiment, the plurality of
LP15aが設けられた位置の側壁148-1および側壁148-2には、開口部146aが形成されている。開口部146aは、ゲートバルブG4aによって開閉される。また、LP15bが設けられた位置の側壁148-1および側壁148-2には、開口部146bが形成されている。開口部146bは、ゲートバルブG4bによって開閉される。移動部150aおよび移動部150bの動作は、図5A~図5Cを用いて説明された第1の実施形態における移動部150の動作と同様であるため、説明を省略する。
An
なお、図10~図12の例では、EFEM14の側壁148-1および側壁148-2のそれぞれに2つの開口部146aおよび開口部146bが設けられ、2つのLP15aおよびLP15bが設けられるが、開示の技術はこれに限られない。他の形態として、例えば、EFEM14の側壁148-1および側壁148-2のそれぞれに3つ以上の開口部146およびLP15がそれぞれ設けられてもよい。
Note that in the example of FIGS. 10 to 12, two
以上、第3の実施形態について説明した。上記したように、本実施形態において、EFEM14の側壁148-1および側壁148-2のそれぞれには、複数の開口部146aおよび開口部146bが上下方向に並ぶように形成されている。これにより、EFEM14により多くの容器16を接続することができる。
The third embodiment has been described above. As described above, in the present embodiment, a plurality of
また、上記した実施形態において、EFEM14の側壁147には、LLM13に連通する開口部144が形成されており、EFEM14の側壁148-1および側壁148-2のそれぞれには、LP15に載せられた容器16に形成された開口部161に連通する複数の開口部146が形成されている。複数の開口部146の中の少なくとも一つは、開口部144よりも上方の位置に形成され、複数の開口部146の中の少なくとも他の一つは、開口部144よりも下方の位置に形成されている。これにより、基板Wの搬送に要する時間を短縮することができる。
Further, in the embodiment described above, the
(第4の実施形態)
第2の実施形態では、EFEM14の側壁148-1および側壁148-2のそれぞれに、複数の容器16が横方向に並ぶように接続され、第3の実施形態では、EFEM14の側壁148-1および側壁148-2のそれぞれに、複数の容器16が上下方向に並ぶように接続される。これに対し、本実施形態では、EFEM14の側壁148-1および側壁148-2のそれぞれに複数の容器16が横方向および上下方向に並ぶように接続される点が、第2および第3の実施形態とは異なる。以下では、第2および第3の実施形態と異なる点を中心に説明する。
(Fourth embodiment)
In the second embodiment, a plurality of
図13は、第4の実施形態におけるEFEM14およびLP15の一例を示す概略平面図である。図14は、図13に例示されたEFEM14およびLP15のA-A断面の一例を示す概略断面図である。図15は、図14に例示されたEFEM14のB-B断面の一例を示す概略断面図である。EFEM14の側壁148-1および側壁148-2のそれぞれには、例えば図13~図15に示されるように、複数の開口部146a1および開口部146a2が側壁148-1および側壁148-2のそれぞれの面に沿って横方向(例えば図13~図15のy軸に沿う方向)に並ぶように形成されている。また、EFEM14の側壁148-1および側壁148-2のそれぞれには、例えば図13~図15に示されるように、複数の開口部146b1および開口部146b2が側壁148-1および側壁148-2のそれぞれの面に沿って横方向(例えば図13~図15のy軸に沿う方向)に並ぶように形成されている。また、側壁148-1および側壁148-2のそれぞれには、例えば図13~図15に示されるように、複数の開口部146a1および開口部146b1と、複数の開口部146a2および開口部146b2とが側壁148-1および側壁148-2のそれぞれの面に沿って上下方向(例えば図13~図15のz軸に沿う方向)に並ぶように形成されている。
FIG. 13 is a schematic plan view showing an example of the
また、本実施形態では、例えば図13~図15に示されるように、EFEM14の側壁148-1および側壁148-2のそれぞれに沿って、上下方向に複数のLP15aおよびLP15bが設けられている。LP15aには移動部150a1および移動部150a2が設けられており、LP15bには移動部150b1および移動部150b2が設けられている。側壁148-1および側壁148-2のそれぞれに設けられているLP15aおよびLP15bにおいて、移動部150a1、移動部150a2、移動部150b1、および移動部150b2の間隔ΔL1は、平面視において、例えばSEMI規格に準拠した505mmである。
Furthermore, in this embodiment, as shown in FIGS. 13 to 15, for example, a plurality of
開口部146a1は、ゲートバルブG4a1によって開閉され、開口部146a2は、ゲートバルブG4a2によって開閉される。また、開口部146b1は、ゲートバルブG4b1によって開閉され、開口部146b2は、ゲートバルブG4b2によって開閉される。 The opening 146a1 is opened and closed by a gate valve G4a1, and the opening 146a2 is opened and closed by a gate valve G4a2. Furthermore, the opening 146b1 is opened and closed by a gate valve G4b1, and the opening 146b2 is opened and closed by a gate valve G4b2.
また、本実施形態のEFEM14において、LLM13が接続される開口部144と、容器16が接続される開口部146a2および開口部146b2とは、例えば図15に示されるように、異なる高さの位置に形成されている。また、例えば図15に示されるように、側壁148-1および側壁148-2に交差する方向から見た場合に、LLM13が接続される側壁147の面が側壁148-1および側壁148-2の領域内に迫り出している。換言すれば、例えば図15に示されるように、EFEM14において、複数の開口部146a1~146b2が形成されている高さにおける側壁148-1および側壁148-2の幅は、開口部144が形成されている高さにおける側壁148-1および側壁148-2の幅よりも広い。
Furthermore, in the
移動部150a1、移動部150a2、移動部150b1、および移動部150b2の動作は、図9A~図9Dを用いて説明された第2の実施形態における移動部150aおよび移動部150bの動作と同様であるため、説明を省略する。
The operations of moving unit 150a1, moving unit 150a2, moving unit 150b1, and moving unit 150b2 are similar to the operations of moving
なお、図13~図15の例では、1つのLP15に2つの移動部150が設けられているが、1つのLP15には、3つ以上の移動部150が設けられていてもよい。また、図13~図15の例では、側壁148-1および側壁148-2のそれぞれに2つのLP15が設けられているが、側壁148-1および側壁148-2のそれぞれには、3つ以上のLP15が設けられていてもよい。
Note that in the examples of FIGS. 13 to 15, one
以上、第4の実施形態について説明した。本実施形態においても、基板処理システム1の設置面積を削減することができる。
The fourth embodiment has been described above. Also in this embodiment, the installation area of the
(第5の実施形態)
第1~第4の実施形態では、LLM13が接続されるEFEM14の側壁147と、容器16が接続されるEFEM14の側壁148-1および側壁148-2とは異なる側壁である。これに対し、本実施形態では、側壁147と側壁148とが同じ側壁である点が、第1~第4の実施形態とは異なる。以下では、第1~第4の実施形態と異なる点を中心に説明する。
(Fifth embodiment)
In the first to fourth embodiments, the
図16は、第5の実施形態におけるEFEM14およびLP15の一例を示す概略平面図である。図17は、図16に例示されたEFEM14のA-A断面の一例を示す概略断面図である。図18は、図17に例示されたEFEM14のB-B断面の一例を示す概略断面図である。例えば図18に示されるように、LLM13が接続されるEFEM14の側壁147には、開口部146が設けられている。本実施形態において、LLM13が接続される側壁147と、容器16が接続される側壁148は、同じ側壁である。また、容器16が接続される開口部146は、側壁147において、LLM13に連通する開口部144の上方に形成されている。例えば、容器16が接続される側壁148は、LLM13が接続される側壁147を含む平面に沿って配置される。側壁147は第1の側壁の一例であり、側壁148は第2の側壁の一例である。このような構成であっても、図16~図18のy軸に沿う方向における基板処理システム1の長さを短くすることができる。これにより、基板処理システム1の設置面積を削減することができる。
FIG. 16 is a schematic plan view showing an example of the
本実施形態では、アライメント室142は、LLM13の上方に配置されている。また、本実施形態において、アライメント室142は、容器16が接続される開口部146よりも低く、かつ、LLM13が接続される開口部144よりも高い位置に設けられている。これにより、容器16からアライメント室142へ搬入されアライナユニット1420によって向きが調整された基板WがLLM13内に搬入される際の基板Wの移動距離を短くすることができる。なお、アライナユニット1420が配置されるアライメント室142は、開口部146よりも高い位置、または、開口部144よりも低い位置に設けられてもよい。
In this embodiment, the
なお、今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲およびその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。 Note that the embodiments disclosed this time should be considered to be illustrative in all respects and not restrictive. Indeed, the embodiments described above may be implemented in various forms. Further, the above-described embodiments may be omitted, replaced, or modified in various forms without departing from the scope and spirit of the appended claims.
例えば、上記した各実施形態では、被搬送物の一例として基板Wを搬送するVTM11およびEFEM14を用いて説明したが、開示の技術はこれに限られない。例えば、他の形態として、エッジリング、カバーリング、上部電極プレート、および静電チャック等の基板W以外の被搬送物を搬送するVTM11およびEFEM14に対しても、開示の技術を適用することができる。
For example, in each of the embodiments described above, the
また、上記した各実施形態において、平面視におけるEFEM14の形状は矩形状であるが、開示の技術はこれに限られない。他の形態として、平面視におけるEFEM14の形状は、三角形または五角形以上の多角形の形状であってもよく、四角形の場合、台形状、平行四辺形、または菱形等であってもよい。また、平面視におけるEFEM14の形状は、複数の辺の少なくとも1つが曲線状になっていてもよい。
Further, in each of the embodiments described above, the shape of the
また、上記した各実施形態では、プラズマ源の一例として、容量結合型プラズマ(CCP)を用いて処理を行うPM12を説明したが、プラズマ源はこれに限られない。容量結合型プラズマ以外のプラズマ源としては、例えば、誘導結合プラズマ(ICP)、マイクロ波励起表面波プラズマ(SWP)、電子サイクロトン共鳴プラズマ(ECP)、およびヘリコン波励起プラズマ(HWP)等が挙げられる。
Further, in each of the embodiments described above, the
また、上記の実施形態に関し、さらに以下の付記を開示する。 Further, regarding the above embodiment, the following additional notes are further disclosed.
(付記1)
ロードロックモジュールと、
第1の側壁、第2の側壁及び第3の側壁を有する大気搬送モジュールであり、前記第1の側壁は、第1の方向に沿って延在し、前記ロードロックモジュールに接続され、前記第2の側壁は、前記第1の方向と直交する第2の方向に沿って延在し、前記第3の側壁は、前記第2の側壁の反対側にある、大気搬送モジュールと、
前記第2の側壁から前記第1の方向に沿って外方に延在する第1のロードポートと、
前記第3の側壁から前記第1の方向に沿って外方に延在する第2のロードポートと、
を備える、基板搬送システム。
(付記2)
前記第1のロードポートは、第1の基板キャリアステージを含み、
前記第2のロードポートは、第2の基板キャリアステージを含む、付記1に記載の基板搬送システム。
(付記3)
前記第1のロードポートの上方において前記第2の側壁から前記第1の方向に沿って外方に延在する第3のロードポートをさらに備え、
前記第3のロードポートは、第3の基板キャリアステージを含み、
前記第1の基板キャリアステージ及び前記第3の基板キャリアステージは、平面視で異なる位置に配置される、付記2に記載の基板搬送システム。
(付記4)
前記第2のロードポートの上方において前記第3の側壁から前記第1の方向に沿って外方に延在する第4のロードポートをさらに備え、
前記第4のロードポートは、第4の基板キャリアステージを含み、
前記第2の基板キャリアステージ及び前記第4の基板キャリアステージは、平面視で異なる位置に配置される、付記2または3に記載の基板搬送システム。
(付記5)
筐体と、
前記筐体内に配置される搬送装置と
を備え、
前記筐体は、
ロードロックモジュールに連通する第1の開口部を有する第1の側壁と、
前記第1の側壁の反対側にある側壁以外の第2の側壁であり、前記第2の側壁は、ロードポートに接続され、少なくとも1つの第2の開口部を有する第2の側壁と
を備える、搬送モジュール。
(付記6)
前記少なくとも1つの第2の開口部は、横方向に沿って配列される複数の第2の開口部を有する、付記5に記載の搬送モジュール。
(付記7)
前記第1の開口部は、前記少なくとも1つの第2の開口部とは異なる高さに形成されている、付記5または6に記載の搬送モジュール。
(付記8)
前記第2の側壁の面に交差する方向から見た場合に、前記第3の開口部が形成された前記第1の側壁の面が、前記第2の側壁の領域内に迫り出している、付記7に記載の搬送モジュール。
(付記9)
前記少なくとも1つの第2の開口部は、縦方向に沿って配列される複数の第2の開口部を有する、付記5に記載の搬送モジュール。
(付記10)
前記複数の第2の開口部の中の少なくとも一つは、前記第1の開口部よりも高い位置に形成され、前記複数の第2の開口部の中の少なくとも他の一つは、前記第1の開口部よりも低い位置に形成される、付記9に記載の搬送モジュール。
(付記11)
前記複数の第2の開口部は、同一平面上に形成されている、付記10に記載の搬送モジュール。
(付記12)
前記第2の側壁には、同じ高さの位置に、さらに複数の前記第2の開口部が、前記第2の側壁の面に沿って横方向に並ぶように形成されている、付記10または11に記載の搬送モジュール。
(付記13)
前記第2の側壁の面に交差する方向から見た場合に、前記第3の開口部が形成された前記第1の側壁の面が、前記第2の側壁の領域内に迫り出している、付記12に記載の搬送モジュール。
(付記14)
前記筐体内に配置されるアライナユニットをさらに備える、付記5から13のいずれか一つに記載の搬送モジュール。
(付記15)
前記筐体内に配置されるストレージユニットをさらに備える、付記5から14のいずれか一つに記載の搬送モジュール。
(付記16)
前記筐体内に不活性ガスを循環供給するように構成されるガス供給部をさらに備える、付記5から15のいずれか一つに記載の搬送モジュール。
(付記17)
筐体と、
前記筐体内に配置される搬送装置と
を備え、
前記筐体は、
ロードロックモジュールに連通する第1の開口部を有する第1の側壁と、
前記第1の側壁を含む平面に沿って配置される第2の側壁であり、前記第2の側壁は、ロードポートに接続される、少なくとも1つの第2の開口部を有する、第2の側壁と
を備える、搬送モジュール。
(Additional note 1)
load lock module,
an atmospheric transport module having a first sidewall, a second sidewall and a third sidewall, the first sidewall extending along a first direction and connected to the load lock module; a second side wall extending along a second direction perpendicular to the first direction, and the third side wall being on an opposite side of the second side wall;
a first load port extending outward from the second sidewall along the first direction;
a second load port extending outward from the third side wall along the first direction;
A board transport system equipped with
(Additional note 2)
the first load port includes a first substrate carrier stage;
The substrate transport system according to
(Additional note 3)
further comprising a third load port extending outward along the first direction from the second side wall above the first load port,
the third load port includes a third substrate carrier stage;
The substrate transport system according to appendix 2, wherein the first substrate carrier stage and the third substrate carrier stage are arranged at different positions in a plan view.
(Additional note 4)
further comprising a fourth load port extending outward along the first direction from the third side wall above the second load port,
the fourth load port includes a fourth substrate carrier stage;
The substrate transport system according to appendix 2 or 3, wherein the second substrate carrier stage and the fourth substrate carrier stage are arranged at different positions in a plan view.
(Appendix 5)
A casing and
and a transport device disposed within the housing,
The casing is
a first sidewall having a first opening communicating with the loadlock module;
a second sidewall other than the sidewall opposite the first sidewall, the second sidewall being connected to a load port and having at least one second opening; , transport module.
(Appendix 6)
The transport module according to appendix 5, wherein the at least one second opening has a plurality of second openings arranged along the lateral direction.
(Appendix 7)
The transport module according to appendix 5 or 6, wherein the first opening is formed at a different height from the at least one second opening.
(Appendix 8)
When viewed from a direction intersecting a surface of the second side wall, a surface of the first side wall in which the third opening is formed protrudes into a region of the second side wall. The transport module according to appendix 7.
(Appendix 9)
The transport module according to appendix 5, wherein the at least one second opening has a plurality of second openings arranged along the longitudinal direction.
(Appendix 10)
At least one of the plurality of second openings is formed at a higher position than the first opening, and at least another one of the plurality of second openings is formed at a higher position than the first opening. 1. The transport module according to Supplementary note 9, which is formed at a position lower than the opening of No. 1.
(Appendix 11)
The transport module according to
(Appendix 12)
(Appendix 13)
When viewed from a direction intersecting the surface of the second side wall, the surface of the first side wall in which the third opening is formed protrudes into the area of the second side wall. The transport module according to
(Appendix 14)
The transport module according to any one of Supplementary Notes 5 to 13, further comprising an aligner unit disposed within the housing.
(Additional note 15)
15. The transport module according to any one of Supplementary Notes 5 to 14, further comprising a storage unit disposed within the housing.
(Appendix 16)
16. The transport module according to any one of Supplementary Notes 5 to 15, further comprising a gas supply section configured to circulately supply an inert gas into the housing.
(Appendix 17)
A casing and
and a transport device disposed within the housing,
The casing is
a first sidewall having a first opening communicating with the loadlock module;
a second side wall disposed along a plane including the first side wall, the second side wall having at least one second opening connected to a load port; A transport module comprising:
G ゲートバルブ
W 基板
1 基板処理システム
10 制御部
11 VTM
110 搬送ロボット
111 ガイドレール
12 PM
13 LLM
14 EFEM
140 搬送ロボット
141 ガイドレール
142 アライメント室
1420 アライナユニット
143 FFU
144 開口部
145 ストレージユニット
146 開口部
147 側壁
148 側壁
149 筐体
15 LP
150 移動部
151 ガイドレール
16 容器
160 ドア
161 開口部
G Gate
110
13 LLM
14 EFEM
140
144
150
Claims (17)
第1の側壁、第2の側壁及び第3の側壁を有する大気搬送モジュールであり、前記第1の側壁は、第1の方向に沿って延在し、前記ロードロックモジュールに接続され、前記第2の側壁は、前記第1の方向と直交する第2の方向に沿って延在し、前記第3の側壁は、前記第2の側壁の反対側にある、大気搬送モジュールと、
前記第2の側壁から前記第1の方向に沿って外方に延在する第1のロードポートと、
前記第3の側壁から前記第1の方向に沿って外方に延在する第2のロードポートと、
を備える、基板搬送システム。 load lock module,
an atmospheric transport module having a first sidewall, a second sidewall and a third sidewall, the first sidewall extending along a first direction and connected to the load lock module; a second side wall extending along a second direction perpendicular to the first direction, and the third side wall being on an opposite side of the second side wall;
a first load port extending outward from the second sidewall along the first direction;
a second load port extending outward from the third side wall along the first direction;
A board transport system equipped with
前記第2のロードポートは、第2の基板キャリアステージを含む、請求項1に記載の基板搬送システム。 the first load port includes a first substrate carrier stage;
2. The substrate transport system of claim 1, wherein the second load port includes a second substrate carrier stage.
前記第3のロードポートは、第3の基板キャリアステージを含み、
前記第1の基板キャリアステージ及び前記第3の基板キャリアステージは、平面視で異なる位置に配置される、請求項2に記載の基板搬送システム。 further comprising a third load port extending outward along the first direction from the second side wall above the first load port,
the third load port includes a third substrate carrier stage;
The substrate transport system according to claim 2, wherein the first substrate carrier stage and the third substrate carrier stage are arranged at different positions in a plan view.
前記第4のロードポートは、第4の基板キャリアステージを含み、
前記第2の基板キャリアステージ及び前記第4の基板キャリアステージは、平面視で異なる位置に配置される、請求項3に記載の基板搬送システム。 further comprising a fourth load port extending outward along the first direction from the third side wall above the second load port,
the fourth load port includes a fourth substrate carrier stage;
The substrate transport system according to claim 3, wherein the second substrate carrier stage and the fourth substrate carrier stage are arranged at different positions in a plan view.
前記筐体内に配置される搬送装置と
を備え、
前記筐体は、
ロードロックモジュールに連通する第1の開口部を有する第1の側壁と、
前記第1の側壁の反対側にある側壁以外の第2の側壁であり、前記第2の側壁は、ロードポートに接続され、少なくとも1つの第2の開口部を有する第2の側壁と
を備える、搬送モジュール。 A casing and
and a transport device disposed within the housing,
The casing is
a first sidewall having a first opening communicating with the loadlock module;
a second sidewall other than the sidewall opposite the first sidewall, the second sidewall being connected to a load port and having at least one second opening; , transport module.
前記筐体内に配置される搬送装置と
を備え、
前記筐体は、
ロードロックモジュールに連通する第1の開口部を有する第1の側壁と、
前記第1の側壁を含む平面に沿って配置される第2の側壁であり、前記第2の側壁は、ロードポートに接続される、少なくとも1つの第2の開口部を有する、第2の側壁と
を備える、搬送モジュール。 A casing and
and a transport device disposed within the housing,
The casing is
a first sidewall having a first opening communicating with the loadlock module;
a second side wall disposed along a plane including the first side wall, the second side wall having at least one second opening connected to a load port; A transport module comprising:
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