JP2024014768A - Substrate transfer system and transfer module - Google Patents

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JP2024014768A JP2023110061A JP2023110061A JP2024014768A JP 2024014768 A JP2024014768 A JP 2024014768A JP 2023110061 A JP2023110061 A JP 2023110061A JP 2023110061 A JP2023110061 A JP 2023110061A JP 2024014768 A JP2024014768 A JP 2024014768A
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俊明 豊巻
Toshiaki Toyomaki
紀彦 網倉
Norihiko Amikura
精一 貝瀬
Seiichi Kaise
正知 北
Masatomo Kita
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Abstract

To reduce the footprint of a substrate processing system.SOLUTION: A substrate transfer system has a load lock module, an atmosphere transfer module, a first load port, and a second load port. The atmosphere transfer module has a first sidewall, a second sidewall, and a third sidewall. The first sidewall extends along the first direction and is connected to the load lock module. The second sidewall extends along a second direction orthogonal to the first direction. The third sidewall is on the opposite side of the second sidewall. The first load port extends outwardly from the second sidewall along the first direction. The second load port extends outwardly along the first direction from the third sidewall.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本開示の種々の側面および実施形態は、基板搬送システムおよび搬送モジュールに関する。 Various aspects and embodiments of the present disclosure relate to substrate transport systems and transport modules.

複数の処理モジュール(PM)と、真空搬送モジュール(VTM)と、ロードロックモジュール(LLM)と、機器フロントエンドモジュール(EFEM)と、ロードポート(LP)とを備える基板処理システムが知られている(例えば下記特許文献1参照)。それぞれのPMは、基板にプラズマ等を用いて処理を施す。VTMは、低圧環境下で、基板をそれぞれのPMへ搬送する。LLMは、VTMとEFEMとの間で圧力変換を行う。LPは、EFEMに設けられ、複数の基板が収容された容器が接続される。EFEMは、LPに接続された容器とLLMとの間で基板を搬送する。 Substrate processing systems are known that include a plurality of processing modules (PM), a vacuum transfer module (VTM), a load lock module (LLM), an equipment front end module (EFEM), and a load port (LP). (For example, see Patent Document 1 below). Each PM processes the substrate using plasma or the like. The VTM transports the substrates to their respective PMs under a low pressure environment. The LLM performs pressure conversion between the VTM and the EFEM. The LP is provided in the EFEM and connected to a container containing a plurality of substrates. The EFEM transports substrates between a container connected to the LP and the LLM.

特開2021-141136号公報JP 2021-141136 Publication

本開示は、基板処理システムの設置面積を削減することができる基板搬送システムおよび搬送モジュールを提供する。 The present disclosure provides a substrate transport system and transport module that can reduce the footprint of a substrate processing system.

本開示の一側面における基板搬送システムは、ロードロックモジュールと、大気搬送モジュールと、第1のロードポートと、第2のロードポートと、を備える。大気搬送モジュールは、第1の側壁、第2の側壁及び第3の側壁を有する。第1の側壁は、第1の方向に沿って延在し、ロードロックモジュールに接続される。第2の側壁は、第1の方向と直交する第2の方向に沿って延在する。第3の側壁は、第2の側壁の反対側にある。第1のロードポートは、第2の側壁から第1の方向に沿って外方に延在する。第2のロードポートは、第3の側壁から第1の方向に沿って外方に延在する。 A substrate transfer system according to one aspect of the present disclosure includes a load lock module, an atmospheric transfer module, a first load port, and a second load port. The atmospheric transport module has a first sidewall, a second sidewall and a third sidewall. The first sidewall extends along the first direction and is connected to the loadlock module. The second side wall extends along a second direction orthogonal to the first direction. The third sidewall is opposite the second sidewall. A first load port extends outwardly from the second sidewall along the first direction. A second load port extends outwardly from the third sidewall along the first direction.

本開示の種々の側面および実施形態によれば、基板処理システムの設置面積を削減することができる。 According to various aspects and embodiments of the present disclosure, the footprint of a substrate processing system can be reduced.

図1は、第1の実施形態における基板処理システムの一例を示す概略平面図である。FIG. 1 is a schematic plan view showing an example of a substrate processing system according to the first embodiment. 図2は、PMの一例を示す概略断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing an example of PM. 図3は、図1に例示されたEFEMおよびLPのA-A断面の一例を示す概略断面図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing an example of the AA cross section of the EFEM and LP illustrated in FIG. 図4は、図3に例示されたEFEMのB-B断面の一例を示す概略断面図である。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing an example of the BB cross section of the EFEM illustrated in FIG. 図5Aは、LPの移動部に載せられた容器がEFEMに接続される過程の一例を示す図である。FIG. 5A is a diagram showing an example of a process in which a container placed on the moving part of the LP is connected to the EFEM. 図5Bは、LPの移動部に載せられた容器がEFEMに接続される過程の一例を示す図である。FIG. 5B is a diagram showing an example of a process in which a container placed on the moving part of the LP is connected to the EFEM. 図5Cは、LPの移動部に載せられた容器がEFEMに接続される過程の一例を示す図である。FIG. 5C is a diagram showing an example of a process in which a container placed on the moving part of the LP is connected to the EFEM. 図6は、第2の実施形態におけるEFEMおよびLPの一例を示す概略平面図である。FIG. 6 is a schematic plan view showing an example of the EFEM and LP in the second embodiment. 図7は、図6に例示されたEFEMおよびLPのA-A断面の一例を示す概略断面図である。FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing an example of the AA cross section of the EFEM and LP illustrated in FIG. 図8は、図7に例示されたEFEMのB-B断面の一例を示す概略断面図である。FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing an example of the BB cross section of the EFEM illustrated in FIG. 図9Aは、LPの移動部に載せられた容器がEFEMに接続される過程の一例を示す図である。FIG. 9A is a diagram showing an example of a process in which a container placed on the moving part of the LP is connected to the EFEM. 図9Bは、LPの移動部に載せられた容器がEFEMに接続される過程の一例を示す図である。FIG. 9B is a diagram showing an example of a process in which a container placed on the moving part of the LP is connected to the EFEM. 図9Cは、LPの移動部に載せられた容器がEFEMに接続される過程の一例を示す図である。FIG. 9C is a diagram showing an example of a process in which a container placed on the moving part of the LP is connected to the EFEM. 図9Dは、LPの移動部に載せられた容器がEFEMに接続される過程の一例を示す図である。FIG. 9D is a diagram showing an example of a process in which a container placed on the moving part of the LP is connected to the EFEM. 図10は、第3の実施形態におけるEFEMおよびLPの一例を示す概略平面図である。FIG. 10 is a schematic plan view showing an example of an EFEM and LP in the third embodiment. 図11は、図10に例示されたEFEMおよびLPのA-A断面の一例を示す概略断面図である。FIG. 11 is a schematic sectional view showing an example of the AA cross section of the EFEM and LP illustrated in FIG. 10. 図12は、図11に例示されたEFEMのB-B断面の一例を示す概略断面図である。FIG. 12 is a schematic cross-sectional view showing an example of the BB cross section of the EFEM illustrated in FIG. 図13は、第4の実施形態におけるEFEMおよびLPの一例を示す概略平面図である。FIG. 13 is a schematic plan view showing an example of the EFEM and LP in the fourth embodiment. 図14は、図13に例示されたEFEMおよびLPのA-A断面の一例を示す概略断面図である。FIG. 14 is a schematic cross-sectional view showing an example of the AA cross section of the EFEM and LP illustrated in FIG. 13. 図15は、図14に例示されたEFEMのB-B断面の一例を示す概略断面図である。FIG. 15 is a schematic sectional view showing an example of the BB cross section of the EFEM illustrated in FIG. 14. 図16は、第5の実施形態におけるEFEMおよびLPの一例を示す概略平面図である。FIG. 16 is a schematic plan view showing an example of the EFEM and LP in the fifth embodiment. 図17は、図16に例示されたEFEMのA-A断面の一例を示す概略断面図である。FIG. 17 is a schematic cross-sectional view showing an example of the AA cross section of the EFEM illustrated in FIG. 16. 図18は、図17に例示されたEFEMのB-B断面の一例を示す概略断面図である。FIG. 18 is a schematic sectional view showing an example of the BB cross section of the EFEM illustrated in FIG. 17.

以下に、基板搬送システムおよび搬送モジュールの実施形態について、図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の実施形態により、開示される基板搬送システムおよび搬送モジュールが限定されるものではない。 Below, embodiments of a substrate transport system and a transport module will be described in detail based on the drawings. Note that the disclosed substrate transport system and transport module are not limited to the following embodiments.

ところで、単位時間あたりに処理可能な基板の数を増やすためには、基板に対するPMを増やすことが考えられる。PMが増えると、複数のPM、VTM、LLM、およびEFEM等を含む基板処理システムが大型化する。基板処理システムが大型化すると、クリーンルーム等の設備内での基板処理システムの設置面積(フットプリント)が大きくなり、複数の基板処理システムを配置することが難しくなる。そのため、基板処理システムの設置面積の削減が求められている。 By the way, in order to increase the number of substrates that can be processed per unit time, it is conceivable to increase the amount of PM for the substrates. As the number of PM increases, the substrate processing system including multiple PMs, VTMs, LLMs, EFEMs, etc. becomes larger. As the substrate processing system becomes larger, the installation area (footprint) of the substrate processing system within equipment such as a clean room becomes larger, making it difficult to arrange multiple substrate processing systems. Therefore, there is a need to reduce the installation area of substrate processing systems.

そこで、本開示は、基板処理システムの設置面積を削減することができる技術を提供する。 Therefore, the present disclosure provides a technique that can reduce the installation area of a substrate processing system.

(第1の実施形態)
[基板処理システム1の構成]
図1は、第1の実施形態における基板処理システム1の構成の一例を示す平面図である。図1では、便宜的に一部の装置の内部の構成要素が透過するように図示されている。基板処理システム1は、VTM(Vacuum Transfer Module)11、複数のPM(Process Module)12、複数のLLM(Load Lock Module)13、およびEFEM(Equipment Front End Module)14を備える。EFEM14は、搬送モジュールの一例である。図1の例では、VTM11、LLM13、およびEFEM14は、図1のy軸方向に沿って並べて配置されている。
(First embodiment)
[Configuration of substrate processing system 1]
FIG. 1 is a plan view showing an example of the configuration of a substrate processing system 1 according to the first embodiment. In FIG. 1, for convenience, some of the internal components of the device are shown transparently. The substrate processing system 1 includes a Vacuum Transfer Module (VTM) 11 , a plurality of Process Modules (PM) 12 , a Load Lock Module (LLM) 13 , and an Equipment Front End Module (EFEM) 14 . EFEM 14 is an example of a transport module. In the example of FIG. 1, the VTM 11, LLM 13, and EFEM 14 are arranged side by side along the y-axis direction of FIG.

VTM11の側壁には、ゲートバルブG1を介して複数のPM12が接続されている。それぞれのPM12は、処理対象となる基板Wに対して、エッチングや成膜等の処理を施す。なお、図1の例では、VTM11に6個のPM12が接続されているが、VTM11に接続されるPM12の数は、6台より多くてもよく、6台より少なくてもよい。 A plurality of PMs 12 are connected to the side wall of the VTM 11 via a gate valve G1. Each PM 12 performs a process such as etching or film formation on the substrate W to be processed. In the example of FIG. 1, six PMs 12 are connected to the VTM 11, but the number of PMs 12 connected to the VTM 11 may be more than six or less than six.

図2は、PM12の一例を示す概略断面図である。本実施形態において、PM12は、例えば容量結合型のプラズマ処理装置である。PM12は、プラズマ処理チャンバ120、ガス供給部124、電源125、および排気システム128を含む。また、PM12は、基板支持部121およびガス導入部を含む。ガス導入部は、少なくとも1つの処理ガスをプラズマ処理チャンバ120内に導入するように構成されている。ガス導入部は、シャワーヘッド123を含む。基板支持部121は、プラズマ処理チャンバ120内に配置されている。シャワーヘッド123は、基板支持部121の上方に配置されている。一実施形態において、シャワーヘッド123は、プラズマ処理チャンバ120の天部(Ceiling)の少なくとも一部を構成する。プラズマ処理チャンバ120は、シャワーヘッド123、プラズマ処理チャンバ120の側壁120a、および基板支持部121により規定されたプラズマ処理空間120sを有する。プラズマ処理チャンバ120は、少なくとも1つの処理ガスをプラズマ処理空間120sに供給するための少なくとも1つのガス供給口と、プラズマ処理空間120sからガスを排出するための少なくとも1つのガス排出口とを有する。プラズマ処理チャンバ120は接地されている。シャワーヘッド123および基板支持部121は、プラズマ処理チャンバ120の筐体とは電気的に絶縁されている。プラズマ処理チャンバ120の側壁120aには、基板Wの搬入および搬出を行うための開口部120bが形成されている。開口部120bは、ゲートバルブG1によって開閉される。 FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing an example of the PM 12. In this embodiment, the PM 12 is, for example, a capacitively coupled plasma processing device. PM 12 includes a plasma processing chamber 120, a gas supply 124, a power source 125, and an exhaust system 128. Further, the PM 12 includes a substrate support section 121 and a gas introduction section. The gas inlet is configured to introduce at least one processing gas into the plasma processing chamber 120. The gas introduction section includes a shower head 123. Substrate support 121 is located within plasma processing chamber 120 . The shower head 123 is arranged above the substrate support section 121. In one embodiment, showerhead 123 forms at least a portion of the ceiling of plasma processing chamber 120 . The plasma processing chamber 120 has a plasma processing space 120s defined by a shower head 123, a side wall 120a of the plasma processing chamber 120, and a substrate support 121. The plasma processing chamber 120 has at least one gas supply port for supplying at least one processing gas to the plasma processing space 120s, and at least one gas outlet for discharging gas from the plasma processing space 120s. Plasma processing chamber 120 is grounded. The shower head 123 and the substrate support section 121 are electrically insulated from the casing of the plasma processing chamber 120. An opening 120b is formed in the side wall 120a of the plasma processing chamber 120 for loading and unloading the substrate W. The opening 120b is opened and closed by a gate valve G1.

基板支持部121は、本体部1211およびリングアセンブリ1212を含む。本体部1211は、基板Wを支持するための中央領域1211aと、リングアセンブリ1212を支持するための環状領域1211bとを有する。ウェハは、基板Wの一例である。本体部1211の環状領域1211bは、平面視で本体部1211の中央領域1211aを囲んでいる。基板Wは、本体部1211の中央領域1211a上に配置され、リングアセンブリ1212は、本体部1211の中央領域1211a上の基板Wを囲むように本体部1211の環状領域1211b上に配置されている。中央領域1211aは、基板Wを支持するための基板支持面とも呼ばれ、環状領域1211bは、リングアセンブリ1212を支持するためのリング支持面とも呼ばれる。 The substrate support section 121 includes a main body section 1211 and a ring assembly 1212. The main body portion 1211 has a central region 1211a for supporting the substrate W and an annular region 1211b for supporting the ring assembly 1212. A wafer is an example of a substrate W. The annular region 1211b of the main body 1211 surrounds the central region 1211a of the main body 1211 in plan view. The substrate W is arranged on the central region 1211a of the main body 1211, and the ring assembly 1212 is arranged on the annular region 1211b of the main body 1211 so as to surround the substrate W on the central region 1211a of the main body 1211. The central region 1211a is also referred to as a substrate support surface for supporting the substrate W, and the annular region 1211b is also referred to as a ring support surface for supporting the ring assembly 1212.

一実施形態において、本体部1211は、基台12110および静電チャック12111を含む。基台12110は、導電性部材を含む。基台12110の導電性部材は下部電極として機能し得る。静電チャック12111は、基台12110の上に配置されている。静電チャック12111は、セラミック部材12111aとセラミック部材12111a内に配置される静電電極12111bとを含む。セラミック部材12111aは、中央領域1211aを有する。一実施形態において、セラミック部材12111aは、環状領域1211bも有する。なお、環状静電チャックや環状絶縁部材のような、静電チャック12111を囲む他の部材が環状領域1211bを有してもよい。この場合、リングアセンブリ1212は、環状静電チャックまたは環状絶縁部材の上に配置されてもよく、静電チャック12111と環状絶縁部材の両方の上に配置されてもよい。また、後述するRF(Radio Frequency)電源126および/またはDC(Direct Current)電源127に結合される少なくとも1つのRF/DC電極がセラミック部材12111a内に配置されてもよい。この場合、少なくとも1つのRF/DC電極が下部電極として機能する。後述するバイアスRF信号および/またはDC信号が少なくとも1つのRF/DC電極に供給される場合、RF/DC電極はバイアス電極とも呼ばれる。なお、基台12110の導電性部材と少なくとも1つのRF/DC電極とが複数の下部電極として機能してもよい。また、静電電極12111bが下部電極として機能してもよい。基板支持部121は、少なくとも1つの下部電極を含む。 In one embodiment, body portion 1211 includes a base 12110 and an electrostatic chuck 12111. Base 12110 includes a conductive member. The conductive member of the base 12110 can function as a bottom electrode. Electrostatic chuck 12111 is placed on base 12110. Electrostatic chuck 12111 includes a ceramic member 12111a and an electrostatic electrode 12111b disposed within ceramic member 12111a. Ceramic member 12111a has a central region 1211a. In one embodiment, ceramic member 12111a also has an annular region 1211b. Note that another member surrounding the electrostatic chuck 12111, such as an annular electrostatic chuck or an annular insulating member, may have the annular region 1211b. In this case, the ring assembly 1212 may be placed on the annular electrostatic chuck or the annular insulation member, or may be placed on both the electrostatic chuck 12111 and the annular insulation member. Furthermore, at least one RF/DC electrode coupled to an RF (Radio Frequency) power source 126 and/or a DC (Direct Current) power source 127, which will be described later, may be disposed within the ceramic member 12111a. In this case, at least one RF/DC electrode functions as a bottom electrode. An RF/DC electrode is also referred to as a bias electrode if at least one RF/DC electrode is supplied with a bias RF signal and/or a DC signal as described below. Note that the conductive member of the base 12110 and at least one RF/DC electrode may function as a plurality of lower electrodes. Further, the electrostatic electrode 12111b may function as a lower electrode. Substrate support 121 includes at least one lower electrode.

リングアセンブリ1212は、1または複数の環状部材を含む。一実施形態において、1または複数の環状部材は、1または複数のエッジリングと少なくとも1つのカバーリングとを含む。エッジリングは、導電性材料または絶縁材料で形成され、カバーリングは、絶縁材料で形成される。 Ring assembly 1212 includes one or more annular members. In one embodiment, the one or more annular members include one or more edge rings and at least one cover ring. The edge ring is formed of a conductive or insulating material, and the cover ring is formed of an insulating material.

また、基板支持部121は、静電チャック12111、リングアセンブリ1212、および基板Wのうち少なくとも1つをターゲット温度に調節するように構成される温調モジュールを含んでもよい。温調モジュールは、ヒータ、伝熱媒体、流路12110a、またはこれらの組み合わせを含んでもよい。流路12110aには、ブラインやガスのような伝熱流体が流れる。一実施形態において、流路12110aが基台12110内に形成され、1または複数のヒータが静電チャック12111のセラミック部材12111a内に配置される。また、基板支持部121は、基板Wの裏面と中央領域1211aとの間の間隙に伝熱ガスを供給するように構成された伝熱ガス供給部を含んでもよい。 Further, the substrate support unit 121 may include a temperature control module configured to adjust at least one of the electrostatic chuck 12111, the ring assembly 1212, and the substrate W to a target temperature. The temperature control module may include a heater, a heat transfer medium, a flow path 12110a, or a combination thereof. A heat transfer fluid such as brine or gas flows through the flow path 12110a. In one embodiment, a flow path 12110a is formed within the base 12110 and one or more heaters are disposed within the ceramic member 12111a of the electrostatic chuck 12111. Further, the substrate support section 121 may include a heat transfer gas supply section configured to supply heat transfer gas to the gap between the back surface of the substrate W and the central region 1211a.

シャワーヘッド123は、ガス供給部124からの少なくとも1つの処理ガスをプラズマ処理空間120s内に導入するように構成されている。シャワーヘッド123は、少なくとも1つのガス供給口123a、少なくとも1つのガス拡散室123b、および複数のガス導入口123cを有する。ガス供給口123aに供給された処理ガスは、ガス拡散室123bを通過して複数のガス導入口123cからプラズマ処理空間120s内に導入される。また、シャワーヘッド123は、少なくとも1つの上部電極を含む。なお、シャワーヘッド123の下面には、上部電極プレートが着脱可能に設けられてもよい。また、ガス導入部は、シャワーヘッド123に加えて、側壁120aに形成された1または複数の開口部に取り付けられる1または複数のサイドガス注入部(SGI:Side Gas Injector)を含んでもよい。 The shower head 123 is configured to introduce at least one processing gas from the gas supply section 124 into the plasma processing space 120s. Shower head 123 has at least one gas supply port 123a, at least one gas diffusion chamber 123b, and multiple gas introduction ports 123c. The processing gas supplied to the gas supply port 123a passes through the gas diffusion chamber 123b and is introduced into the plasma processing space 120s from the plurality of gas introduction ports 123c. The showerhead 123 also includes at least one upper electrode. Note that an upper electrode plate may be removably provided on the lower surface of the shower head 123. Further, in addition to the shower head 123, the gas introduction section may include one or more side gas injectors (SGI) attached to one or more openings formed in the side wall 120a.

ガス供給部124は、少なくとも1つのガスソース1240および少なくとも1つの流量制御器1241を含んでもよい。一実施形態において、ガス供給部124は、少なくとも1つの処理ガスを、それぞれに対応のガスソース1240からそれぞれに対応の流量制御器1241を介してシャワーヘッド123に供給するように構成されている。各流量制御器1241は、例えばマスフローコントローラまたは圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。さらに、ガス供給部124は、少なくとも1つの処理ガスの流量を変調またはパルス化する1またはそれ以上の流量変調デバイスを含んでもよい。 Gas supply 124 may include at least one gas source 1240 and at least one flow controller 1241. In one embodiment, gas supply 124 is configured to supply at least one process gas from respective gas sources 1240 to showerhead 123 via respective flow controllers 1241 . Each flow controller 1241 may include, for example, a mass flow controller or a pressure-controlled flow controller. Additionally, gas supply 124 may include one or more flow modulation devices that modulate or pulse the flow rate of at least one process gas.

電源125は、少なくとも1つのインピーダンス整合回路を介してプラズマ処理チャンバ120に結合されるRF電源126を含む。RF電源126は、少なくとも1つのRF信号(RF電力)を少なくとも1つの下部電極および/または少なくとも1つの上部電極に供給するように構成される。これにより、プラズマ処理空間120sに供給された少なくとも1つの処理ガスからプラズマが形成される。従って、RF電源126は、プラズマ処理チャンバ120において1またはそれ以上の処理ガスからプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部の少なくとも一部として機能し得る。また、バイアスRF信号を少なくとも1つの下部電極に供給することにより、基板Wにバイアス電位が発生し、形成されたプラズマ中のイオン成分を基板Wに引き込むことができる。 Power source 125 includes an RF power source 126 coupled to plasma processing chamber 120 via at least one impedance matching circuit. RF power source 126 is configured to provide at least one RF signal (RF power) to at least one bottom electrode and/or at least one top electrode. Thereby, plasma is formed from at least one processing gas supplied to the plasma processing space 120s. Accordingly, RF power source 126 may function as at least part of a plasma generation unit configured to generate a plasma from one or more process gases in plasma processing chamber 120. Further, by supplying a bias RF signal to at least one lower electrode, a bias potential is generated in the substrate W, and ion components in the formed plasma can be drawn into the substrate W.

一実施形態において、RF電源1261は、第1のRF生成部126aおよび第2のRF生成部126bを含む。第1のRF生成部126aは、少なくとも1つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも1つの下部電極および/または少なくとも1つの上部電極に結合され、プラズマ生成用のソースRF信号(ソースRF電力)を生成するように構成される。一実施形態において、ソースRF信号は、10MHz~150MHzの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第1のRF生成部126aは、異なる周波数を有する複数のソースRF信号を生成するように構成されてもよい。生成された1または複数のソースRF信号は、少なくとも1つの下部電極および/または少なくとも1つの上部電極に供給される。 In one embodiment, RF power supply 1261 includes a first RF generator 126a and a second RF generator 126b. The first RF generation section 126a is coupled to at least one lower electrode and/or at least one upper electrode via at least one impedance matching circuit, and generates a source RF signal (source RF power) for plasma generation. It is configured as follows. In one embodiment, the source RF signal has a frequency within the range of 10 MHz to 150 MHz. In one embodiment, the first RF generator 126a may be configured to generate multiple source RF signals having different frequencies. The generated one or more source RF signals are provided to at least one bottom electrode and/or at least one top electrode.

第2のRF生成部126bは、少なくとも1つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも1つの下部電極に結合され、バイアスRF信号(バイアスRF電力)を生成するように構成される。バイアスRF信号の周波数は、ソースRF信号の周波数と同じであってもよく、異なっていてもよい。一実施形態において、バイアスRF信号は、ソースRF信号の周波数よりも低い周波数を有する。一実施形態において、バイアスRF信号は、100kHz~60MHzの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第2のRF生成部126bは、異なる周波数を有する複数のバイアスRF信号を生成するように構成されてもよい。生成された1または複数のバイアスRF信号は、少なくとも1つの下部電極に供給される。また、種々の実施形態において、ソースRF信号およびバイアスRF信号のうち少なくとも1つがパルス化されてもよい。 The second RF generator 126b is coupled to at least one lower electrode via at least one impedance matching circuit and configured to generate a bias RF signal (bias RF power). The frequency of the bias RF signal may be the same as or different from the frequency of the source RF signal. In one embodiment, the bias RF signal has a lower frequency than the frequency of the source RF signal. In one embodiment, the bias RF signal has a frequency within the range of 100kHz to 60MHz. In one embodiment, the second RF generator 126b may be configured to generate multiple bias RF signals having different frequencies. The generated one or more bias RF signals are provided to at least one bottom electrode. Also, in various embodiments, at least one of the source RF signal and the bias RF signal may be pulsed.

また、電源125は、プラズマ処理チャンバ120に結合されるDC電源127を含んでもよい。DC電源127は、第1のDC生成部127aおよび第2のDC生成部127bを含む。一実施形態において、第1のDC生成部127aは、少なくとも1つの下部電極に接続され、第1のDC信号を生成するように構成される。生成された第1のバイアスDC信号は、少なくとも1つの下部電極に印加される。一実施形態において、第2のDC生成部127bは、少なくとも1つの上部電極に接続され、第2のDC信号を生成するように構成される。生成された第2のDC信号は、少なくとも1つの上部電極に印加される。 Power source 125 may also include a DC power source 127 coupled to plasma processing chamber 120 . DC power supply 127 includes a first DC generation section 127a and a second DC generation section 127b. In one embodiment, the first DC generator 127a is connected to the at least one bottom electrode and configured to generate the first DC signal. The generated first bias DC signal is applied to the at least one bottom electrode. In one embodiment, the second DC generator 127b is connected to the at least one upper electrode and configured to generate the second DC signal. The generated second DC signal is applied to the at least one top electrode.

種々の実施形態において、第1および第2のDC信号のうち少なくとも1つがパルス化されてもよい。この場合、電圧パルスのシーケンスが少なくとも1つの下部電極および/または少なくとも1つの上部電極に印加される。電圧パルスは、矩形、台形、三角形、またはこれらの組み合わせのパルス波形を有してもよい。一実施形態において、DC信号から電圧パルスのシーケンスを生成するための波形生成部が第1のDC生成部127aと少なくとも1つの下部電極との間に接続される。従って、第1のDC生成部127aおよび波形生成部は、電圧パルス生成部を構成する。第2のDC生成部127bおよび波形生成部が電圧パルス生成部を構成する場合、電圧パルス生成部は、少なくとも1つの上部電極に接続される。電圧パルスは、正の極性を有してもよく、負の極性を有してもよい。また、電圧パルスのシーケンスは、1周期内に1または複数の正極性電圧パルスと1または複数の負極性電圧パルスとを含んでもよい。なお、第1のDC生成部127aおよび第2のDC生成部127bは、RF電源126に加えて設けられてもよく、第1のDC生成部127aが第2のRF生成部126bに代えて設けられてもよい。 In various embodiments, at least one of the first and second DC signals may be pulsed. In this case, a sequence of voltage pulses is applied to at least one bottom electrode and/or at least one top electrode. The voltage pulse may have a pulse waveform that is rectangular, trapezoidal, triangular, or a combination thereof. In one embodiment, a waveform generator for generating a sequence of voltage pulses from a DC signal is connected between the first DC generator 127a and the at least one bottom electrode. Therefore, the first DC generating section 127a and the waveform generating section constitute a voltage pulse generating section. When the second DC generation section 127b and the waveform generation section constitute a voltage pulse generation section, the voltage pulse generation section is connected to at least one upper electrode. The voltage pulse may have positive polarity or negative polarity. Further, the sequence of voltage pulses may include one or more positive voltage pulses and one or more negative voltage pulses within one cycle. Note that the first DC generation section 127a and the second DC generation section 127b may be provided in addition to the RF power source 126, or the first DC generation section 127a may be provided in place of the second RF generation section 126b. It's okay to be hit.

排気システム128は、例えばプラズマ処理チャンバ120の底部に設けられたガス排出口120eに接続され得る。排気システム128は、圧力調整弁および真空ポンプを含んでもよい。圧力調整弁によって、プラズマ処理空間120s内の圧力が調整される。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、ドライポンプ、またはこれらの組み合わせを含んでもよい。 Exhaust system 128 may be connected to a gas outlet 120e provided at the bottom of plasma processing chamber 120, for example. Evacuation system 128 may include a pressure regulating valve and a vacuum pump. The pressure within the plasma processing space 120s is adjusted by the pressure adjustment valve. The vacuum pump may include a turbomolecular pump, a dry pump, or a combination thereof.

図1に戻って説明を続ける。VTM11の他の側壁には、ゲートバルブG2を介して複数のLLM13が接続されている。図1の例では、VTM11に2台のLLM13が接続されているが、VTM11に接続されるLLM13の数は、2台より多くてもよく、2台より少なくてもよい。 Returning to FIG. 1, the explanation will be continued. A plurality of LLMs 13 are connected to the other side wall of the VTM 11 via a gate valve G2. In the example of FIG. 1, two LLMs 13 are connected to the VTM 11, but the number of LLMs 13 connected to the VTM 11 may be more than two or less than two.

VTM11内には、搬送ロボット110が配置されている。搬送ロボット110は、VTM11内に設けられたガイドレール111に沿ってVTM11内を移動し、PM12とLLM13との間で基板Wを搬送する。基板Wは、被搬送物の一例である。なお、搬送ロボット110は、VTM11内の予め定められた位置に固定され、VTM11内を移動しない構成であってもよい。VTM11内は、大気圧よりも低い圧力雰囲気に保たれている。 A transfer robot 110 is arranged within the VTM 11 . The transport robot 110 moves within the VTM 11 along guide rails 111 provided within the VTM 11 and transports the substrate W between the PM 12 and the LLM 13. The substrate W is an example of an object to be transported. Note that the transfer robot 110 may be fixed at a predetermined position within the VTM 11 and not move within the VTM 11. The inside of the VTM 11 is maintained at a pressure atmosphere lower than atmospheric pressure.

それぞれのLLM13の1つの側壁には、ゲートバルブG2を介してVTM11が接続されており、他の1つの側壁には、ゲートバルブG3を介してEFEM14が接続されている。LLM13では、ゲートバルブG3を介してEFEM14からLLM13内に基板Wが搬入された場合、ゲートバルブG3が閉じられる。そして、LLM13内の圧力が予め定められた第1の圧力(例えば大気圧)から予め定められた第2の圧力(例えば所定の真空度の圧力)まで下げられる。そして、ゲートバルブG2が開かれ、LLM13内の基板Wが搬送ロボット110によってVTM11内へ搬出される。 The VTM 11 is connected to one side wall of each LLM 13 via a gate valve G2, and the EFEM 14 is connected to the other side wall of each LLM 13 via a gate valve G3. In the LLM 13, when the substrate W is carried into the LLM 13 from the EFEM 14 via the gate valve G3, the gate valve G3 is closed. Then, the pressure inside the LLM 13 is lowered from a predetermined first pressure (for example, atmospheric pressure) to a predetermined second pressure (for example, a pressure at a predetermined degree of vacuum). Then, the gate valve G2 is opened, and the substrate W in the LLM 13 is carried out into the VTM 11 by the transfer robot 110.

また、LLM13内が第2の圧力となっている状態で、搬送ロボット110によってゲートバルブG2を介してVTM11からLLM13内に基板Wが搬入され、ゲートバルブG2が閉じられる。そして、LLM13内の圧力が第2の圧力から第1の圧力まで上げられる。そして、ゲートバルブG3が開かれ、LLM13内の基板WがEFEM14内へ搬出される。 Further, while the inside of the LLM 13 is at the second pressure, the transfer robot 110 carries the substrate W from the VTM 11 into the LLM 13 via the gate valve G2, and the gate valve G2 is closed. Then, the pressure inside the LLM 13 is increased from the second pressure to the first pressure. Then, the gate valve G3 is opened, and the substrate W inside the LLM 13 is carried out into the EFEM 14.

EFEM14は、側壁147、側壁148-1、および側壁148-2を有する。EFEM14において、LLM13が接続されるEFEM14の側壁147の反対側にある側壁148-1および側壁148-2に、複数のLP(Load Port)15がそれぞれ設けられている。図1の例において、側壁147は、x軸方向に沿って延在し、LLM13に接続される。側壁148-1は、x軸方向と直交するy軸方向に沿って延在する。側壁148-2は、側壁148-1の反対側に設けられている。側壁148-1には、側壁148-1からx軸方向に沿って外方に延在するLP15が設けられており、側壁148-2には、側壁148-2からx軸方向に沿って外方に延在するLP15が設けられている。 EFEM 14 has sidewall 147, sidewall 148-1, and sidewall 148-2. In the EFEM 14, a plurality of LPs (Load Ports) 15 are respectively provided on a side wall 148-1 and a side wall 148-2 on the opposite side of the side wall 147 of the EFEM 14 to which the LLM 13 is connected. In the example of FIG. 1, the side wall 147 extends along the x-axis direction and is connected to the LLM 13. The side wall 148-1 extends along the y-axis direction orthogonal to the x-axis direction. Side wall 148-2 is provided on the opposite side of side wall 148-1. The side wall 148-1 is provided with an LP 15 that extends outward from the side wall 148-1 along the x-axis direction, and the side wall 148-2 is provided with an LP 15 that extends outward from the side wall 148-2 along the x-axis direction. An LP 15 is provided that extends in the direction.

側壁147は第1の側壁の一例であり、側壁148-1は第2の側壁の一例であり、側壁148-2は第3の側壁の一例である。また、側壁148-1に設けられたLP15は第1のロードポートの一例であり、側壁148-2に設けられたLP15は第2のロードポートの一例である。また、x軸方向は第1の方向の一例であり、y軸方向は第2の方向の一例である。 The side wall 147 is an example of a first side wall, the side wall 148-1 is an example of a second side wall, and the side wall 148-2 is an example of a third side wall. Furthermore, the LP15 provided on the side wall 148-1 is an example of a first load port, and the LP15 provided on the side wall 148-2 is an example of a second load port. Further, the x-axis direction is an example of a first direction, and the y-axis direction is an example of a second direction.

それぞれのLP15には、複数の基板Wを収容可能なFOUP(Front Opening Unified Pod)等の容器が載せられる移動部150が設けられている。側壁148-1に設けられたLP15に設けられた移動部150は第1の基板キャリアステージの一例であり、側壁148-2に設けられたLP15に設けられた移動部150は第2の基板キャリアステージの一例である。FOUP等の容器は、例えばOHT(Overhead Hoist Transport)等の容器搬送機構によって搬送され、移動部150の上に載せられる。 Each LP 15 is provided with a moving section 150 on which a container such as a FOUP (Front Opening Unified Pod) capable of accommodating a plurality of substrates W is placed. The moving section 150 provided on the LP15 provided on the side wall 148-1 is an example of a first substrate carrier stage, and the moving section 150 provided on the LP15 provided on the side wall 148-2 is an example of a second substrate carrier. This is an example of a stage. A container such as a FOUP is transported by a container transport mechanism such as an OHT (Overhead Hoist Transport), and placed on the moving unit 150.

このように、本実施形態では、LLM13が接続されるEFEM14の側壁147の反対側にある側壁以外の側壁148-1および側壁148-2に、複数のLP15が設けられている。これにより、側壁147に対向する側壁に複数のLP15が設けられる場合に比べて、y軸に沿う方向における基板処理システム1の長さを短くすることができる。これにより、基板処理システム1の設置面積を削減することができる。 Thus, in this embodiment, a plurality of LPs 15 are provided on the side walls 148-1 and 148-2 other than the side wall on the opposite side of the side wall 147 of the EFEM 14 to which the LLM 13 is connected. This allows the length of the substrate processing system 1 in the direction along the y-axis to be shorter than when a plurality of LPs 15 are provided on the side wall facing the side wall 147. Thereby, the installation area of the substrate processing system 1 can be reduced.

EFEM14内には搬送ロボット140が設けられている。搬送ロボット140は、搬送装置の一例である。また、EFEM14内にはアライメント室142が設けられており、アライメント室142内には、基板Wの向きを調整するアライナユニット1420が配置されている。搬送ロボット140は、EFEM14内に設けられたガイドレール141に沿って鉛直方向にEFEM14内を移動し、LP15にセットされた容器とアライメント室142とLLM13との間で基板Wを搬送する。なお、搬送ロボット140は、EFEM14内の予め定められた位置に固定され、EFEM14内を移動しない構成であってもよい。 A transfer robot 140 is provided within the EFEM 14. The transport robot 140 is an example of a transport device. Further, an alignment chamber 142 is provided within the EFEM 14, and an aligner unit 1420 for adjusting the orientation of the substrate W is disposed within the alignment chamber 142. The transport robot 140 moves vertically within the EFEM 14 along guide rails 141 provided within the EFEM 14 and transports the substrate W between the container set in the LP 15, the alignment chamber 142, and the LLM 13. Note that the transfer robot 140 may be fixed at a predetermined position within the EFEM 14 and not move within the EFEM 14 .

本実施形態において、EFEM14は気密に構成されており、EFEM14内には図示しないガス供給部から窒素ガスや希ガス等の不活性ガスが供給され、不活性ガスはEFEM14内を循環している。EFEM14の上部には、FFU(Fan Filter Unit)が設けられており、パーティクル等が除去された不活性ガスが上部からEFEM14内に供給され、EFEM14内にダウンフローが形成される。なお、本実施形態において、EFEM14内の圧力は大気圧であるが、他の形態として、EFEM14内の圧力は、陽圧となるように制御されてもよい。これにより、外部からEFEM14内へのパーティクル等の侵入を抑制することができる。 In this embodiment, the EFEM 14 is configured to be airtight, and an inert gas such as nitrogen gas or rare gas is supplied into the EFEM 14 from a gas supply section (not shown), and the inert gas is circulated within the EFEM 14. An FFU (Fan Filter Unit) is provided in the upper part of the EFEM 14, and inert gas from which particles and the like have been removed is supplied into the EFEM 14 from the upper part, and a downflow is formed in the EFEM 14. In this embodiment, the pressure inside the EFEM 14 is atmospheric pressure, but in another embodiment, the pressure inside the EFEM 14 may be controlled to be positive pressure. Thereby, it is possible to suppress particles and the like from entering into the EFEM 14 from the outside.

基板処理システム1は、制御部10によって制御される。制御部10は、メモリ、プロセッサ、および入出力インターフェイスを有する。メモリ内には、レシピ等のデータやプログラム等が格納される。メモリは、例えばRAM(Random Access Memory)、ROM(Read Only Memory)、HDD(Hard Disk Drive)、またはSSD(Solid State Drive)等である。プロセッサは、メモリから読み出されたプログラムを実行することにより、メモリ内に格納されたレシピ等のデータに基づいて、入出力インターフェイスを介して基板処理システム1の各部を制御する。プロセッサは、CPU(Central Processing Unit)またはDSP(Digital Signal Processor)等である。 The substrate processing system 1 is controlled by a controller 10. The control unit 10 has a memory, a processor, and an input/output interface. Data such as recipes, programs, etc. are stored in the memory. The memory is, for example, RAM (Random Access Memory), ROM (Read Only Memory), HDD (Hard Disk Drive), or SSD (Solid State Drive). The processor controls each part of the substrate processing system 1 via the input/output interface based on data such as a recipe stored in the memory by executing a program read from the memory. The processor is a CPU (Central Processing Unit), a DSP (Digital Signal Processor), or the like.

[EFEM14およびLP15の詳細]
図3は、図1に例示されたEFEM14およびLP15のA-A断面の一例を示す概略断面図であり、図4は、図3に例示されたEFEM14のB-B断面の一例を示す概略断面図である。図3では、ガイドレール141も併せて図示されている。
[Details of EFEM14 and LP15]
3 is a schematic sectional view showing an example of the AA cross section of the EFEM 14 and the LP 15 illustrated in FIG. 1, and FIG. 4 is a schematic sectional view showing an example of the BB cross section of the EFEM 14 illustrated in FIG. It is a diagram. In FIG. 3, the guide rail 141 is also illustrated.

EFEM14は、筐体149を有する。EFEM14には、例えば図3および図4に示されるように、アライメント室142が設けられており、アライメント室142内にはアライナユニット1420が配置されている。EFEM14の上部には、FFU143が設けられている。LLM13が接続されるEFEM14の側壁147には、LLM13に連通する開口部144が形成されている。開口部144は、第1の開口部の一例である。アライナユニット1420は、例えば図4に示されるように、LLM13の上方に配置されている。 EFEM 14 has a housing 149. The EFEM 14 is provided with an alignment chamber 142, as shown in FIGS. 3 and 4, for example, and an aligner unit 1420 is disposed within the alignment chamber 142. An FFU 143 is provided above the EFEM 14. An opening 144 communicating with the LLM 13 is formed in a side wall 147 of the EFEM 14 to which the LLM 13 is connected. The opening 144 is an example of a first opening. The aligner unit 1420 is arranged above the LLM 13, as shown in FIG. 4, for example.

ガイドレール141は、開口部144が設けられたEFEM14の側壁147に対向する側壁に、当該側壁に沿って上下方向に延在するように配置されている。搬送ロボット140は、EFEM14内をガイドレール141に沿って上下方向に移動する。EFEM14の下部には、処理前および処理後の基板Wを一時的に格納するストレージユニット145が配置されている。 The guide rail 141 is arranged on a side wall opposite to a side wall 147 of the EFEM 14 provided with an opening 144 so as to extend vertically along the side wall. The transfer robot 140 moves vertically within the EFEM 14 along a guide rail 141. A storage unit 145 is arranged below the EFEM 14 to temporarily store the substrates W before and after processing.

LLM13が接続される開口部144が形成されている側壁147に対向する側壁以外の側壁148-1および側壁148-2には、例えば図3および図4に示されるように、LP15に載せられた容器が接続される開口部146が形成されている。開口部146は、第2の開口部の一例である。 For example, as shown in FIGS. 3 and 4, side walls 148-1 and 148-2 other than the side wall 147 opposite to the side wall 147 in which the opening 144 to which the LLM 13 is connected are provided with a An opening 146 is formed to which the container is connected. Opening 146 is an example of a second opening.

[LP15の動作]
図5A~図5Cは、LP15の移動部150に載せられた容器16がEFEM14に接続される過程の一例を示す図である。図5A~図5Cでは、側壁148-1に接続されたLP15が図示されている。
[Operation of LP15]
5A to 5C are diagrams showing an example of a process in which the container 16 placed on the moving part 150 of the LP 15 is connected to the EFEM 14. 5A-5C, LP 15 is shown connected to sidewall 148-1.

複数の基板Wが収容されたFOUP等の容器16は、例えばOHT等の搬送機構によって搬送され、移動部150に載せられる。容器16は、例えば図5Aに示されるように、ドア160が設けられた開口部161の面が、EFEM14の側壁147に対向する側壁の面に沿う方向(図5Aの例では、x軸に沿う方向)の向きとなるように移動部150上に載せられる。容器16の開口部161は、第1の開口部の一例である。 A container 16 such as a FOUP containing a plurality of substrates W is transported by a transport mechanism such as an OHT, and placed on the moving unit 150. For example, as shown in FIG. 5A, the container 16 has a surface of an opening 161 provided with a door 160 in a direction along the surface of the side wall opposite to the side wall 147 of the EFEM 14 (in the example of FIG. 5A, along the x-axis). direction) on the moving unit 150. The opening 161 of the container 16 is an example of a first opening.

次に、移動部150は、例えば図5Bに示されるように、開口部161の面が、EFEM14の側壁148-1に沿う向き(図5Bの例では、y軸方向に沿う向き)となるように、容器16の向きを変更する。 Next, as shown in FIG. 5B, for example, the moving unit 150 is configured so that the surface of the opening 161 is oriented along the side wall 148-1 of the EFEM 14 (in the example of FIG. 5B, along the y-axis direction). Then, change the orientation of the container 16.

次に、移動部150は、ガイドレール151上を移動することにより、例えば図5Cに示されるように、容器16の開口部161とEFEM14の側壁147に形成された開口部146とが近付くように容器16を移動させる。その後、ドア160およびゲートバルブG4が開かれることにより、容器16とEFEM14とが接続される。 Next, the moving unit 150 moves on the guide rail 151 so that the opening 161 of the container 16 and the opening 146 formed in the side wall 147 of the EFEM 14 approach each other, as shown in FIG. 5C, for example. Move the container 16. Thereafter, the container 16 and the EFEM 14 are connected by opening the door 160 and the gate valve G4.

以上、第1の実施形態について説明した。上記したように、本実施形態におけるEFEM14は、筐体149と、筐体149内に配置され、被搬送物の一例である基板Wを搬送する搬送ロボット140とを備える。筐体149は、LLM13に連通する開口部144を有する側壁147と、側壁147の反対側にある側壁以外の側壁148-1であり、側壁148-1は、LP15に接続され、少なくとも1つの開口部146を有する側壁148-1とを有する。これにより、基板処理システム1の設置面積を削減することができる。 The first embodiment has been described above. As described above, the EFEM 14 in this embodiment includes a housing 149 and a transport robot 140 that is disposed within the housing 149 and transports a substrate W, which is an example of an object to be transported. The housing 149 includes a side wall 147 having an opening 144 communicating with the LLM 13, and a side wall 148-1 other than the side wall on the opposite side of the side wall 147. The side wall 148-1 is connected to the LP 15 and has at least one opening. A side wall 148-1 having a portion 146. Thereby, the installation area of the substrate processing system 1 can be reduced.

また、上記した実施形態において、LP15は、移動部150を有する。移動部150は、容器16容器を搬送する容器搬送機構によって開口部161が形成された容器16の面がEFEM14の側壁147に対向する側壁の面に沿う向きとなるように配置された容器16を、容器16の開口部161と側壁148-1の開口部146とが連通する位置および向きとなるように容器16の位置および向きを変更する。これにより、容器搬送機構によって搬送された容器16をEFEM14に接続することができる。 Furthermore, in the embodiment described above, the LP 15 includes the moving section 150. The moving unit 150 moves the container 16 arranged so that the surface of the container 16 in which the opening 161 is formed is oriented along the surface of the side wall opposite to the side wall 147 of the EFEM 14 by the container transport mechanism that transports the container 16. , the position and orientation of the container 16 are changed so that the opening 161 of the container 16 and the opening 146 of the side wall 148-1 are in communication with each other. Thereby, the container 16 transported by the container transport mechanism can be connected to the EFEM 14.

また、上記した実施形態において、EFEM14は、筐体149内に配置されるアライナユニット1420を備える。これにより、EFEM14内の空間を有効活用することができる。 Further, in the embodiment described above, the EFEM 14 includes an aligner unit 1420 disposed within the housing 149. Thereby, the space within the EFEM 14 can be effectively utilized.

また、上記した実施形態において、EFEM14は、筐体149内に配置されるストレージユニット145を備える。これにより、EFEM14内の空間を有効活用することができる。 Furthermore, in the embodiment described above, the EFEM 14 includes a storage unit 145 disposed within the housing 149. Thereby, the space within the EFEM 14 can be effectively utilized.

また、上記した実施形態において、EFEM14は、筐体149内に不活性ガスを循環供給するガス供給部をさらに備える。これにより、EFEM14内を通過する基板Wにおいて、酸化等の基板Wの変質を抑制することができる。 Furthermore, in the embodiment described above, the EFEM 14 further includes a gas supply section that circulates and supplies inert gas into the housing 149. Thereby, in the substrate W passing through the EFEM 14, deterioration of the quality of the substrate W such as oxidation can be suppressed.

(第2の実施形態)
第1の実施形態では、EFEM14の側壁148-1および側壁148-2のそれぞれに容器16が1つずつ接続されるが、本実施形態では、EFEM14の側壁148-1および側壁148-2のそれぞれに複数の容器16が接続される点が、第1の実施形態とは異なる。以下では、第1の実施形態と異なる点を中心に説明する。
(Second embodiment)
In the first embodiment, one container 16 is connected to each of the side wall 148-1 and the side wall 148-2 of the EFEM 14, but in this embodiment, the container 16 is connected to each of the side wall 148-1 and the side wall 148-2 of the EFEM 14. This embodiment differs from the first embodiment in that a plurality of containers 16 are connected to each other. In the following, points different from the first embodiment will be mainly explained.

図6は、第2の実施形態におけるEFEM14よびLP15の一例を示す概略平面図である。図7は、図6に例示されたEFEM14およびLP15のA-A断面の一例を示す概略断面図である。図8は、図7に例示されたEFEM14のB-B断面の一例を示す概略断面図である。本実施形態におけるLP15には、例えば図6および図7に示されるように、複数の移動部150aおよび移動部150bが設けられている。複数の移動部150aおよび移動部150bは、EFEM14の側壁147に対向する側壁の面に沿う方向(例えば図6のx軸に沿う方向)に並べて配置されている。本実施形態において、複数の移動部150aおよび移動部150bの間隔ΔL1は、例えばSEMI(Semiconductor Equipment and Materials International)規格に準拠した505mmである。 FIG. 6 is a schematic plan view showing an example of the EFEM 14 and LP 15 in the second embodiment. FIG. 7 is a schematic sectional view showing an example of the AA cross section of the EFEM 14 and LP 15 illustrated in FIG. FIG. 8 is a schematic sectional view showing an example of the BB cross section of the EFEM 14 illustrated in FIG. The LP 15 in this embodiment is provided with a plurality of moving parts 150a and a plurality of moving parts 150b, as shown in FIGS. 6 and 7, for example. The plurality of moving parts 150a and moving parts 150b are arranged side by side in the direction along the surface of the side wall opposite to the side wall 147 of the EFEM 14 (for example, the direction along the x-axis in FIG. 6). In this embodiment, the interval ΔL1 between the plurality of moving parts 150a and the moving parts 150b is, for example, 505 mm in accordance with the SEMI (Semiconductor Equipment and Materials International) standard.

また、EFEM14の側壁148-1および側壁148-2のそれぞれには、LP15に載せられた容器16が接続される複数の開口部146aおよび開口部146bが形成されている。本実施形態において、複数の開口部146aおよび開口部146bは、例えば図6および図8に示されるように、EFEM14の側壁148-1および側壁148-2のそれぞれの面に沿う方向(例えば図6および図8のy軸に沿う方向)に並べて配置されている。図6および図8の例では、複数の開口部146aおよび開口部146bは、EFEM14の側壁148-1および側壁148-2のそれぞれの面に沿って横方向に配列されている。開口部146aはゲートバルブG4aによって開閉され、開口部146bはゲートバルブG4bによって開閉される。 Furthermore, a plurality of openings 146a and openings 146b to which the container 16 placed on the LP 15 is connected are formed in the side wall 148-1 and the side wall 148-2 of the EFEM 14, respectively. In this embodiment, the plurality of openings 146a and the openings 146b are arranged in a direction along the respective surfaces of the side wall 148-1 and the side wall 148-2 of the EFEM 14 (for example, as shown in FIGS. 6 and 8). and the direction along the y-axis in FIG. 8). In the examples of FIGS. 6 and 8, the plurality of openings 146a and openings 146b are arranged laterally along the respective surfaces of the sidewalls 148-1 and 148-2 of the EFEM 14. The opening 146a is opened and closed by a gate valve G4a, and the opening 146b is opened and closed by a gate valve G4b.

また、本実施形態のEFEM14において、LLM13が接続される開口部144と、容器16が接続される開口部146bとは、例えば図7および図8に示されるように、異なる高さの位置に形成されている。また、例えば図8に示されるように、側壁148-1および側壁148-2に交差する方向から見た場合に、側壁147の面が側壁148-1および側壁148-2の領域内に迫り出している。換言すれば、例えば図8に示されるように、EFEM14において、複数の開口部146aおよび開口部146bが形成されている高さにおける側壁148-1および側壁148-2の幅は、開口部144が形成されている高さにおける側壁148-1および側壁148-2の幅よりも広い。なお、開口部146aは、開口部146bまたは開口部144と同じ高さの位置に形成されていてもよく、開口部146bおよび開口部144と異なる高さの位置に形成されていてもよい。 Furthermore, in the EFEM 14 of this embodiment, the opening 144 to which the LLM 13 is connected and the opening 146b to which the container 16 is connected are formed at different heights, as shown in FIGS. 7 and 8, for example. has been done. Further, as shown in FIG. 8, for example, when viewed from a direction intersecting the side walls 148-1 and 148-2, the surface of the side wall 147 protrudes into the area of the side walls 148-1 and 148-2. ing. In other words, as shown in FIG. 8, for example, in the EFEM 14, the width of the side wall 148-1 and the side wall 148-2 at the height where the plurality of openings 146a and the openings 146b are formed is equal to It is wider than the width of side wall 148-1 and side wall 148-2 at the formed height. Note that the opening 146a may be formed at the same height as the opening 146b or the opening 144, or may be formed at a different height from the opening 146b and the opening 144.

なお、図6~図8の例では、EFEM14の側壁148-1および側壁148-2のそれぞれに2つの開口部146aおよび開口部146bが設けられ、LP15に2つの移動部150aおよび移動部150bが設けられるが、開示の技術はこれに限られない。他の形態として、例えば、EFEM14の側壁148-1および側壁148-2のそれぞれに3つ以上の開口部146が設けられ、LP15に3つ以上の移動部150が設けられてもよい。 In the example of FIGS. 6 to 8, two openings 146a and 146b are provided in the side wall 148-1 and side wall 148-2 of the EFEM 14, respectively, and two moving parts 150a and 150b are provided in the LP15. However, the disclosed technology is not limited thereto. As another form, for example, three or more openings 146 may be provided in each of the side walls 148-1 and 148-2 of the EFEM 14, and three or more moving parts 150 may be provided in the LP 15.

[LP15の動作]
図9A~図9Dは、LP15の移動部150aおよび移動部150bに載せられた容器16がEFEM14に接続される過程の一例を示す図である。図9A~図9Dでは、側壁148-1に接続されたLP15が図示されている。
[Operation of LP15]
9A to 9D are diagrams showing an example of a process in which the containers 16 placed on the moving part 150a and the moving part 150b of the LP 15 are connected to the EFEM 14. 9A-9D, LP 15 is shown connected to sidewall 148-1.

複数の基板Wが収容されたFOUP等の容器16aおよび容器16bは、例えばOHT等の搬送機構によって搬送され、移動部150aおよび移動部150bの上にそれぞれ載せられる。このとき、容器16aおよび容器16bは、開口部161の面がEFEM14の側壁147に対向する側壁の面に沿う方向(図9Aの例では、x軸に沿う方向)となる向きで移動部150aおよび移動部150bの上にそれぞれ載せられる。 Containers 16a and 16b such as FOUPs containing a plurality of substrates W are transported by a transport mechanism such as OHT, and placed on moving section 150a and moving section 150b, respectively. At this time, the container 16a and the container 16b are oriented so that the surface of the opening 161 is along the surface of the side wall opposite to the side wall 147 of the EFEM 14 (in the example of FIG. 9A, the direction along the x-axis). Each is placed on the moving part 150b.

次に、移動部150aは、例えば図9Bに示されるように、開口部161の面が、EFEM14の側壁148-1に沿う向き(図9Bの例では、y軸方向に沿う向き)となるように、容器16aの向きを変更する。また、移動部150bは、例えば図9Bに示されるように、EFEM14の側壁148-1に沿って(例えば図9Bのy軸方向へ)容器16bを移動させる。 Next, as shown in FIG. 9B, for example, the moving unit 150a is configured so that the surface of the opening 161 is oriented along the side wall 148-1 of the EFEM 14 (in the example of FIG. 9B, along the y-axis direction). Then, change the orientation of the container 16a. Furthermore, as shown in FIG. 9B, for example, the moving unit 150b moves the container 16b along the side wall 148-1 of the EFEM 14 (for example, in the y-axis direction in FIG. 9B).

次に、移動部150aは、ガイドレール151a上を移動することにより、例えば図9Cに示されるように、容器16aの開口部161とEFEM14の開口部146aとが近付くように容器16aを移動させる。また、移動部150bは、例えば図9Cに示されるように、開口部161の面が、EFEM14の側壁148-1に沿う向き(図9Cの例では、y軸方向に沿う向き)となるように、容器16bの向きを変更する。 Next, by moving on the guide rail 151a, the moving unit 150a moves the container 16a so that the opening 161 of the container 16a and the opening 146a of the EFEM 14 approach each other, as shown in FIG. 9C, for example. Furthermore, as shown in FIG. 9C, for example, the moving unit 150b is configured such that the surface of the opening 161 is oriented along the side wall 148-1 of the EFEM 14 (in the example of FIG. 9C, along the y-axis direction). , change the orientation of the container 16b.

次に、移動部150bは、ガイドレール151b上を移動することにより、例えば図9Dに示されるように、容器16bの開口部161とEFEM14の開口部146bとが近付くように容器16bを移動させる。その後、ドア160およびゲートバルブG4が開かれることにより、容器16aおよび容器16bとEFEM14とが接続される。これにより、複数の容器16aおよび容器16bが、EFEM14の側壁に沿って横方向に並ぶようにEFEM14に接続される。 Next, the moving unit 150b moves the container 16b so that the opening 161 of the container 16b and the opening 146b of the EFEM 14 approach each other by moving on the guide rail 151b, for example, as shown in FIG. 9D. Thereafter, by opening the door 160 and the gate valve G4, the containers 16a and 16b are connected to the EFEM 14. Thereby, the plurality of containers 16a and containers 16b are connected to the EFEM 14 so as to be lined up laterally along the side wall of the EFEM 14.

ここで、図9Dに示されるように、EFEM14に接続された状態における容器16aと容器16bとの間隔ΔL2は、図6および図9Aに例示された間隔ΔL1よりも短い。本実施形態において、間隔ΔL2は、例えば400mmである。これにより、y軸に沿う方向におけるEFEM14の長さを短くすることができ、基板処理システム1の設置面積を小さくすることができる。 Here, as shown in FIG. 9D, the distance ΔL2 between the container 16a and the container 16b in the state where they are connected to the EFEM 14 is shorter than the distance ΔL1 illustrated in FIGS. 6 and 9A. In this embodiment, the interval ΔL2 is, for example, 400 mm. Thereby, the length of the EFEM 14 in the direction along the y-axis can be shortened, and the installation area of the substrate processing system 1 can be reduced.

以上、第2の実施形態について説明した。上記したように、本実施形態において、EFEM14の側壁148-1および側壁148-2のそれぞれには、複数の開口部146aおよび開口部146bが、側壁148-1または側壁148-2の面に沿って横方向に並ぶように形成されている。これにより、より多くの容器16をEFEM14に接続することができる。 The second embodiment has been described above. As described above, in this embodiment, each of the side wall 148-1 and the side wall 148-2 of the EFEM 14 has a plurality of openings 146a and a plurality of openings 146b along the surface of the side wall 148-1 or the side wall 148-2. They are formed so that they are lined up horizontally. This allows more containers 16 to be connected to the EFEM 14.

また、上記した実施形態において、EFEM14の側壁147には、LLM13に連通する開口部144が形成されており、開口部144と開口部146とは、異なる高さの位置に形成されている。これにより、開口部144を介する基板Wの搬送と、開口部146を介する基板Wの搬送とを互いに干渉することなく実行することができる。 Further, in the embodiment described above, an opening 144 communicating with the LLM 13 is formed in the side wall 147 of the EFEM 14, and the opening 144 and the opening 146 are formed at different heights. Thereby, the substrate W can be transported through the opening 144 and the substrate W can be transported through the opening 146 without interfering with each other.

また、上記した実施形態において、EFEM14の側壁148-1および側壁148-2の面に交差する方向から見た場合に、開口部144が形成された側壁147の面が、側壁148-1および側壁148-2の領域内に迫り出している。これにより、容器16と接続するための複数の開口部146の領域を側壁148-1および側壁148-2のそれぞれに確保しつつ、EFEM14を小型化することができる。 Further, in the embodiment described above, when viewed from a direction intersecting the surfaces of the side wall 148-1 and the side wall 148-2 of the EFEM 14, the surface of the side wall 147 in which the opening 144 is formed is the same as that of the side wall 148-1 and the side wall 148-2. It is looming within the area of 148-2. Thereby, the EFEM 14 can be made smaller while ensuring areas for a plurality of openings 146 for connection with the container 16 in each of the side walls 148-1 and 148-2.

(第3の実施形態)
第2の実施形態では、EFEM14の側壁148-1および側壁148-2のそれぞれに、複数の容器16が横方向に並ぶように接続される。これに対し、本実施形態では、EFEM14の側壁148-1および側壁148-2のそれぞれに複数の容器16が上下方向(縦方向)に並ぶように接続される点が、第2の実施形態とは異なる。以下では、第2の実施形態と異なる点を中心に説明する。
(Third embodiment)
In the second embodiment, a plurality of containers 16 are connected to each of the side walls 148-1 and 148-2 of the EFEM 14 so as to be lined up laterally. In contrast, this embodiment differs from the second embodiment in that a plurality of containers 16 are connected to each of the side walls 148-1 and 148-2 of the EFEM 14 so as to be lined up in the vertical direction (vertical direction). is different. In the following, points different from the second embodiment will be mainly explained.

図10は、第3の実施形態におけるEFEM14およびLP15の一例を示す概略平面図である。図11は、図10に例示されたEFEM14およびLP15のA-A断面の一例を示す概略断面図である。図12は、図11に例示されたEFEM14のB-B断面の一例を示す概略断面図である。本実施形態では、例えば図10および図11に示されるように、EFEM14の側壁148-1および側壁148-2の面に沿って、上下方向(縦方向)に複数のLP15aおよびLP15bが設けられている。LP15aには移動部150aが設けられており、LP15bには移動部150bが設けられている。図11の例では、LP15aは、LP15bの上方において側壁148-1または側壁148-2からx軸方向に沿って外方に延在している。また、移動部150aおよび移動部150bは、平面視で異なる位置に配置されている。側壁148-1に設けられたLP15bは第1のロードポートの一例であり、側壁148-1に設けられたLP15aは第3のロードポートの一例である。また、側壁148-2に設けられたLP15bは第2のロードポートの一例であり、側壁148-2に設けられたLP15aは第4のロードポートの一例である。また、側壁148-1に設けられたLP15bに設けられた移動部150bは第1の基板キャリアステージの一例であり、側壁148-1に設けられたLP15aに設けられた移動部150bは第3の基板キャリアステージの一例である。また、側壁148-2に設けられたLP15bに設けられた移動部150bは第2の基板キャリアステージの一例であり、側壁148-2に設けられたLP15aに設けられた移動部150bは第4の基板キャリアステージの一例である。また、本実施形態では、1つの側壁148-1または側壁148-2に設けられているLP15aおよびLP15bにおいて、移動部150aと移動部150bとの間隔ΔL1は、平面視において、例えばSEMI規格に準拠した505mmである。 FIG. 10 is a schematic plan view showing an example of the EFEM 14 and LP 15 in the third embodiment. FIG. 11 is a schematic sectional view showing an example of the AA cross section of the EFEM 14 and LP 15 illustrated in FIG. FIG. 12 is a schematic sectional view showing an example of the BB cross section of the EFEM 14 illustrated in FIG. In this embodiment, as shown in FIGS. 10 and 11, for example, a plurality of LPs 15a and LPs 15b are provided in the vertical direction (vertical direction) along the surfaces of the side walls 148-1 and 148-2 of the EFEM 14. There is. The LP 15a is provided with a moving section 150a, and the LP 15b is provided with a moving section 150b. In the example of FIG. 11, the LP 15a extends outward along the x-axis direction from the side wall 148-1 or the side wall 148-2 above the LP 15b. Moreover, the moving part 150a and the moving part 150b are arranged at different positions in plan view. The LP 15b provided on the side wall 148-1 is an example of a first load port, and the LP 15a provided on the side wall 148-1 is an example of a third load port. Further, the LP 15b provided on the side wall 148-2 is an example of a second load port, and the LP 15a provided on the side wall 148-2 is an example of a fourth load port. Furthermore, the moving section 150b provided on the LP 15b provided on the side wall 148-1 is an example of the first substrate carrier stage, and the moving section 150b provided on the LP 15a provided on the side wall 148-1 is an example of the third substrate carrier stage. This is an example of a substrate carrier stage. Furthermore, the moving section 150b provided on the LP 15b provided on the side wall 148-2 is an example of a second substrate carrier stage, and the moving section 150b provided on the LP 15a provided on the side wall 148-2 is an example of a fourth substrate carrier stage. This is an example of a substrate carrier stage. Furthermore, in the present embodiment, in the LP15a and LP15b provided on one side wall 148-1 or 148-2, the distance ΔL1 between the moving part 150a and the moving part 150b is compliant with, for example, the SEMI standard in plan view. It is 505mm.

側壁148-1および側壁148-2のそれぞれには、例えば図11および図12に示されるように、上下方向に複数の開口部146aおよび開口部146bが形成されている。本実施形態において、複数の開口部146aおよび開口部146bの中の少なくとも1つ(図11および図12の例では、開口部146a)は、LLM13が接続される開口部144よりも上方の位置に形成される。また、複数の開口部146aおよび開口部146bの中の少なくとも他の1つ(図11および図12の例では、開口部146b)は、LLM13が接続される開口部144よりも下方の位置に形成される。 As shown in FIGS. 11 and 12, for example, a plurality of openings 146a and a plurality of openings 146b are formed in the side wall 148-1 and the side wall 148-2 in the vertical direction. In this embodiment, at least one of the plurality of openings 146a and openings 146b (in the examples of FIGS. 11 and 12, the opening 146a) is located at a position above the opening 144 to which the LLM 13 is connected. It is formed. Furthermore, at least one of the plurality of openings 146a and openings 146b (in the examples of FIGS. 11 and 12, the opening 146b) is formed at a position below the opening 144 to which the LLM 13 is connected. be done.

これにより、LLM13から容器16へ搬出される際の基板Wの移動距離を短くすることができ、基板Wの搬送に要する時間を短縮することができる。なお、アライナユニット1420も、開口部146aと開口部146bの間の高さの位置に配置されることが好ましい。これにより、容器16からアライナユニット1420へ搬送される際の基板Wの移動距離を短くすることができる。 Thereby, the moving distance of the substrate W when being carried out from the LLM 13 to the container 16 can be shortened, and the time required for transporting the substrate W can be shortened. Note that the aligner unit 1420 is also preferably arranged at a height between the openings 146a and 146b. Thereby, the moving distance of the substrate W when being transported from the container 16 to the aligner unit 1420 can be shortened.

また、本実施形態において、側壁148-1および側壁148-2のそれぞれに形成されている複数の開口部146aおよび開口部146bは、例えば図11および図12に示されるように、側壁148-1または側壁148-2の同一の面に形成されている。これにより、側壁148-1および側壁148-2の凹凸を少なくすることができ、EFEM14の筐体149内で不活性ガスをスムーズに循環させることができる。これにより、筐体149内でガスだまりの発生を抑制することができる。なお、他の形態として、複数の開口部146aおよび開口部146bは、平面視において、側壁148-1および側壁148-2のそれぞれの異なる位置に形成されていてもよい。 In addition, in this embodiment, the plurality of openings 146a and openings 146b formed in the sidewall 148-1 and the sidewall 148-2, as shown in FIGS. 11 and 12, for example, the sidewall 148-1 Alternatively, they are formed on the same surface of the side wall 148-2. Thereby, unevenness of the side walls 148-1 and 148-2 can be reduced, and inert gas can be smoothly circulated within the casing 149 of the EFEM 14. This makes it possible to suppress the occurrence of gas pools within the casing 149. Note that, as another form, the plurality of openings 146a and the plurality of openings 146b may be formed at different positions of the sidewall 148-1 and the sidewall 148-2 in plan view.

LP15aが設けられた位置の側壁148-1および側壁148-2には、開口部146aが形成されている。開口部146aは、ゲートバルブG4aによって開閉される。また、LP15bが設けられた位置の側壁148-1および側壁148-2には、開口部146bが形成されている。開口部146bは、ゲートバルブG4bによって開閉される。移動部150aおよび移動部150bの動作は、図5A~図5Cを用いて説明された第1の実施形態における移動部150の動作と同様であるため、説明を省略する。 An opening 146a is formed in the side wall 148-1 and the side wall 148-2 at the position where the LP 15a is provided. The opening 146a is opened and closed by a gate valve G4a. Further, an opening 146b is formed in the side wall 148-1 and the side wall 148-2 at the position where the LP 15b is provided. The opening 146b is opened and closed by a gate valve G4b. The operations of the moving unit 150a and the moving unit 150b are similar to the operations of the moving unit 150 in the first embodiment described using FIGS. 5A to 5C, and therefore the description thereof will be omitted.

なお、図10~図12の例では、EFEM14の側壁148-1および側壁148-2のそれぞれに2つの開口部146aおよび開口部146bが設けられ、2つのLP15aおよびLP15bが設けられるが、開示の技術はこれに限られない。他の形態として、例えば、EFEM14の側壁148-1および側壁148-2のそれぞれに3つ以上の開口部146およびLP15がそれぞれ設けられてもよい。 Note that in the example of FIGS. 10 to 12, two openings 146a and 146b are provided in the side wall 148-1 and side wall 148-2 of the EFEM 14, and two LPs 15a and LP15b are provided, but the disclosed The technology is not limited to this. As another form, for example, three or more openings 146 and LP15 may be provided in each of side wall 148-1 and side wall 148-2 of EFEM 14, respectively.

以上、第3の実施形態について説明した。上記したように、本実施形態において、EFEM14の側壁148-1および側壁148-2のそれぞれには、複数の開口部146aおよび開口部146bが上下方向に並ぶように形成されている。これにより、EFEM14により多くの容器16を接続することができる。 The third embodiment has been described above. As described above, in the present embodiment, a plurality of openings 146a and a plurality of openings 146b are formed in each of the sidewalls 148-1 and 148-2 of the EFEM 14 so as to be aligned in the vertical direction. Thereby, more containers 16 can be connected to the EFEM 14.

また、上記した実施形態において、EFEM14の側壁147には、LLM13に連通する開口部144が形成されており、EFEM14の側壁148-1および側壁148-2のそれぞれには、LP15に載せられた容器16に形成された開口部161に連通する複数の開口部146が形成されている。複数の開口部146の中の少なくとも一つは、開口部144よりも上方の位置に形成され、複数の開口部146の中の少なくとも他の一つは、開口部144よりも下方の位置に形成されている。これにより、基板Wの搬送に要する時間を短縮することができる。 Further, in the embodiment described above, the side wall 147 of the EFEM 14 is formed with an opening 144 that communicates with the LLM 13, and the side wall 148-1 and the side wall 148-2 of the EFEM 14 are each formed with a container placed on the LP 15. A plurality of openings 146 are formed that communicate with the opening 161 formed in the opening 16 . At least one of the plurality of openings 146 is formed at a position above the opening 144, and at least one other among the plurality of openings 146 is formed at a position below the opening 144. has been done. Thereby, the time required to transport the substrate W can be shortened.

(第4の実施形態)
第2の実施形態では、EFEM14の側壁148-1および側壁148-2のそれぞれに、複数の容器16が横方向に並ぶように接続され、第3の実施形態では、EFEM14の側壁148-1および側壁148-2のそれぞれに、複数の容器16が上下方向に並ぶように接続される。これに対し、本実施形態では、EFEM14の側壁148-1および側壁148-2のそれぞれに複数の容器16が横方向および上下方向に並ぶように接続される点が、第2および第3の実施形態とは異なる。以下では、第2および第3の実施形態と異なる点を中心に説明する。
(Fourth embodiment)
In the second embodiment, a plurality of containers 16 are connected to the side walls 148-1 and 148-2 of the EFEM 14 so as to be lined up in the horizontal direction, and in the third embodiment, the containers 16 are connected to the side walls 148-1 and 148-2 of the EFEM 14 so as to be lined up in the horizontal direction. A plurality of containers 16 are connected to each of the side walls 148-2 so as to be vertically lined up. In contrast, in the present embodiment, a plurality of containers 16 are connected to each of the side wall 148-1 and the side wall 148-2 of the EFEM 14 so as to be lined up laterally and vertically, unlike the second and third embodiments. It is different from the form. In the following, points different from the second and third embodiments will be mainly explained.

図13は、第4の実施形態におけるEFEM14およびLP15の一例を示す概略平面図である。図14は、図13に例示されたEFEM14およびLP15のA-A断面の一例を示す概略断面図である。図15は、図14に例示されたEFEM14のB-B断面の一例を示す概略断面図である。EFEM14の側壁148-1および側壁148-2のそれぞれには、例えば図13~図15に示されるように、複数の開口部146a1および開口部146a2が側壁148-1および側壁148-2のそれぞれの面に沿って横方向(例えば図13~図15のy軸に沿う方向)に並ぶように形成されている。また、EFEM14の側壁148-1および側壁148-2のそれぞれには、例えば図13~図15に示されるように、複数の開口部146b1および開口部146b2が側壁148-1および側壁148-2のそれぞれの面に沿って横方向(例えば図13~図15のy軸に沿う方向)に並ぶように形成されている。また、側壁148-1および側壁148-2のそれぞれには、例えば図13~図15に示されるように、複数の開口部146a1および開口部146b1と、複数の開口部146a2および開口部146b2とが側壁148-1および側壁148-2のそれぞれの面に沿って上下方向(例えば図13~図15のz軸に沿う方向)に並ぶように形成されている。 FIG. 13 is a schematic plan view showing an example of the EFEM 14 and LP 15 in the fourth embodiment. FIG. 14 is a schematic sectional view showing an example of the AA cross section of the EFEM 14 and LP 15 illustrated in FIG. 13. FIG. 15 is a schematic sectional view showing an example of the BB cross section of the EFEM 14 illustrated in FIG. Each of the side walls 148-1 and 148-2 of the EFEM 14 has a plurality of openings 146a1 and a plurality of openings 146a2, as shown in FIGS. 13 to 15, respectively. They are formed so as to be lined up laterally along the plane (for example, in the direction along the y-axis in FIGS. 13 to 15). Further, each of the side wall 148-1 and the side wall 148-2 of the EFEM 14 has a plurality of openings 146b1 and a plurality of openings 146b2, as shown in FIGS. 13 to 15, respectively. They are formed so as to be lined up in the lateral direction (for example, the direction along the y-axis in FIGS. 13 to 15) along each surface. Further, each of the side wall 148-1 and the side wall 148-2 has a plurality of openings 146a1 and an opening 146b1, and a plurality of openings 146a2 and an opening 146b2, as shown in FIGS. 13 to 15, for example. They are formed to be aligned in the vertical direction (for example, the direction along the z-axis in FIGS. 13 to 15) along the respective surfaces of the side wall 148-1 and the side wall 148-2.

また、本実施形態では、例えば図13~図15に示されるように、EFEM14の側壁148-1および側壁148-2のそれぞれに沿って、上下方向に複数のLP15aおよびLP15bが設けられている。LP15aには移動部150a1および移動部150a2が設けられており、LP15bには移動部150b1および移動部150b2が設けられている。側壁148-1および側壁148-2のそれぞれに設けられているLP15aおよびLP15bにおいて、移動部150a1、移動部150a2、移動部150b1、および移動部150b2の間隔ΔL1は、平面視において、例えばSEMI規格に準拠した505mmである。 Furthermore, in this embodiment, as shown in FIGS. 13 to 15, for example, a plurality of LPs 15a and LPs 15b are provided in the vertical direction along each of the side walls 148-1 and 148-2 of the EFEM 14. The LP15a is provided with a moving section 150a1 and a moving section 150a2, and the LP15b is provided with a moving section 150b1 and a moving section 150b2. In the LP15a and LP15b provided on the side wall 148-1 and the side wall 148-2, respectively, the interval ΔL1 between the moving part 150a1, the moving part 150a2, the moving part 150b1, and the moving part 150b2 is in accordance with, for example, the SEMI standard in plan view. It is 505mm in compliance.

開口部146a1は、ゲートバルブG4a1によって開閉され、開口部146a2は、ゲートバルブG4a2によって開閉される。また、開口部146b1は、ゲートバルブG4b1によって開閉され、開口部146b2は、ゲートバルブG4b2によって開閉される。 The opening 146a1 is opened and closed by a gate valve G4a1, and the opening 146a2 is opened and closed by a gate valve G4a2. Furthermore, the opening 146b1 is opened and closed by a gate valve G4b1, and the opening 146b2 is opened and closed by a gate valve G4b2.

また、本実施形態のEFEM14において、LLM13が接続される開口部144と、容器16が接続される開口部146a2および開口部146b2とは、例えば図15に示されるように、異なる高さの位置に形成されている。また、例えば図15に示されるように、側壁148-1および側壁148-2に交差する方向から見た場合に、LLM13が接続される側壁147の面が側壁148-1および側壁148-2の領域内に迫り出している。換言すれば、例えば図15に示されるように、EFEM14において、複数の開口部146a1~146b2が形成されている高さにおける側壁148-1および側壁148-2の幅は、開口部144が形成されている高さにおける側壁148-1および側壁148-2の幅よりも広い。 Furthermore, in the EFEM 14 of this embodiment, the opening 144 to which the LLM 13 is connected and the openings 146a2 and 146b2 to which the container 16 is connected are located at different heights, for example, as shown in FIG. It is formed. Further, as shown in FIG. 15, for example, when viewed from a direction intersecting the side walls 148-1 and 148-2, the surface of the side wall 147 to which the LLM 13 is connected is the same as that of the side walls 148-1 and 148-2. It's looming into the area. In other words, as shown in FIG. 15, for example, in the EFEM 14, the width of the side wall 148-1 and the side wall 148-2 at the height where the plurality of openings 146a1 to 146b2 are formed is the same as that at which the opening 144 is formed. The width of the side walls 148-1 and 148-2 is wider than the width of the side walls 148-1 and 148-2 at the height.

移動部150a1、移動部150a2、移動部150b1、および移動部150b2の動作は、図9A~図9Dを用いて説明された第2の実施形態における移動部150aおよび移動部150bの動作と同様であるため、説明を省略する。 The operations of moving unit 150a1, moving unit 150a2, moving unit 150b1, and moving unit 150b2 are similar to the operations of moving unit 150a and moving unit 150b in the second embodiment described using FIGS. 9A to 9D. Therefore, the explanation will be omitted.

なお、図13~図15の例では、1つのLP15に2つの移動部150が設けられているが、1つのLP15には、3つ以上の移動部150が設けられていてもよい。また、図13~図15の例では、側壁148-1および側壁148-2のそれぞれに2つのLP15が設けられているが、側壁148-1および側壁148-2のそれぞれには、3つ以上のLP15が設けられていてもよい。 Note that in the examples of FIGS. 13 to 15, one LP 15 is provided with two moving sections 150, but one LP 15 may be provided with three or more moving sections 150. Further, in the examples of FIGS. 13 to 15, two LPs 15 are provided on each of the side wall 148-1 and the side wall 148-2, but three or more LPs 15 are provided on each of the side wall 148-1 and the side wall 148-2. LP15 may be provided.

以上、第4の実施形態について説明した。本実施形態においても、基板処理システム1の設置面積を削減することができる。 The fourth embodiment has been described above. Also in this embodiment, the installation area of the substrate processing system 1 can be reduced.

(第5の実施形態)
第1~第4の実施形態では、LLM13が接続されるEFEM14の側壁147と、容器16が接続されるEFEM14の側壁148-1および側壁148-2とは異なる側壁である。これに対し、本実施形態では、側壁147と側壁148とが同じ側壁である点が、第1~第4の実施形態とは異なる。以下では、第1~第4の実施形態と異なる点を中心に説明する。
(Fifth embodiment)
In the first to fourth embodiments, the side wall 147 of the EFEM 14 to which the LLM 13 is connected and the side walls 148-1 and 148-2 of the EFEM 14 to which the container 16 is connected are different side walls. In contrast, this embodiment differs from the first to fourth embodiments in that the side wall 147 and the side wall 148 are the same side wall. In the following, points different from the first to fourth embodiments will be mainly explained.

図16は、第5の実施形態におけるEFEM14およびLP15の一例を示す概略平面図である。図17は、図16に例示されたEFEM14のA-A断面の一例を示す概略断面図である。図18は、図17に例示されたEFEM14のB-B断面の一例を示す概略断面図である。例えば図18に示されるように、LLM13が接続されるEFEM14の側壁147には、開口部146が設けられている。本実施形態において、LLM13が接続される側壁147と、容器16が接続される側壁148は、同じ側壁である。また、容器16が接続される開口部146は、側壁147において、LLM13に連通する開口部144の上方に形成されている。例えば、容器16が接続される側壁148は、LLM13が接続される側壁147を含む平面に沿って配置される。側壁147は第1の側壁の一例であり、側壁148は第2の側壁の一例である。このような構成であっても、図16~図18のy軸に沿う方向における基板処理システム1の長さを短くすることができる。これにより、基板処理システム1の設置面積を削減することができる。 FIG. 16 is a schematic plan view showing an example of the EFEM 14 and LP 15 in the fifth embodiment. FIG. 17 is a schematic cross-sectional view showing an example of the AA cross section of the EFEM 14 illustrated in FIG. 16. FIG. 18 is a schematic sectional view showing an example of the BB cross section of the EFEM 14 illustrated in FIG. 17. For example, as shown in FIG. 18, an opening 146 is provided in a side wall 147 of the EFEM 14 to which the LLM 13 is connected. In this embodiment, the side wall 147 to which the LLM 13 is connected and the side wall 148 to which the container 16 is connected are the same side wall. Further, an opening 146 to which the container 16 is connected is formed in the side wall 147 above the opening 144 communicating with the LLM 13. For example, side wall 148 to which container 16 is connected is arranged along a plane that includes side wall 147 to which LLM 13 is connected. Side wall 147 is an example of a first side wall, and side wall 148 is an example of a second side wall. Even with this configuration, the length of the substrate processing system 1 in the direction along the y-axis in FIGS. 16 to 18 can be shortened. Thereby, the installation area of the substrate processing system 1 can be reduced.

本実施形態では、アライメント室142は、LLM13の上方に配置されている。また、本実施形態において、アライメント室142は、容器16が接続される開口部146よりも低く、かつ、LLM13が接続される開口部144よりも高い位置に設けられている。これにより、容器16からアライメント室142へ搬入されアライナユニット1420によって向きが調整された基板WがLLM13内に搬入される際の基板Wの移動距離を短くすることができる。なお、アライナユニット1420が配置されるアライメント室142は、開口部146よりも高い位置、または、開口部144よりも低い位置に設けられてもよい。 In this embodiment, the alignment chamber 142 is arranged above the LLM 13. Furthermore, in this embodiment, the alignment chamber 142 is provided at a position lower than the opening 146 to which the container 16 is connected and higher than the opening 144 to which the LLM 13 is connected. Thereby, it is possible to shorten the movement distance of the substrate W when the substrate W is carried into the alignment chamber 142 from the container 16 and whose orientation is adjusted by the aligner unit 1420 and is carried into the LLM 13. Note that the alignment chamber 142 in which the aligner unit 1420 is arranged may be provided at a position higher than the opening 146 or lower than the opening 144.

なお、今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲およびその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。 Note that the embodiments disclosed this time should be considered to be illustrative in all respects and not restrictive. Indeed, the embodiments described above may be implemented in various forms. Further, the above-described embodiments may be omitted, replaced, or modified in various forms without departing from the scope and spirit of the appended claims.

例えば、上記した各実施形態では、被搬送物の一例として基板Wを搬送するVTM11およびEFEM14を用いて説明したが、開示の技術はこれに限られない。例えば、他の形態として、エッジリング、カバーリング、上部電極プレート、および静電チャック等の基板W以外の被搬送物を搬送するVTM11およびEFEM14に対しても、開示の技術を適用することができる。 For example, in each of the embodiments described above, the VTM 11 and the EFEM 14 that transport the substrate W are used as an example of the object to be transported, but the disclosed technology is not limited thereto. For example, as another form, the disclosed technology can also be applied to the VTM 11 and EFEM 14 that transport objects other than the substrate W, such as edge rings, cover rings, upper electrode plates, and electrostatic chucks. .

また、上記した各実施形態において、平面視におけるEFEM14の形状は矩形状であるが、開示の技術はこれに限られない。他の形態として、平面視におけるEFEM14の形状は、三角形または五角形以上の多角形の形状であってもよく、四角形の場合、台形状、平行四辺形、または菱形等であってもよい。また、平面視におけるEFEM14の形状は、複数の辺の少なくとも1つが曲線状になっていてもよい。 Further, in each of the embodiments described above, the shape of the EFEM 14 in plan view is rectangular, but the disclosed technology is not limited to this. As another form, the shape of the EFEM 14 in plan view may be a triangle or a polygon of pentagon or more, and in the case of a quadrangle, it may be a trapezoid, a parallelogram, a rhombus, or the like. Moreover, the shape of the EFEM 14 in plan view may have at least one of the plurality of sides curved.

また、上記した各実施形態では、プラズマ源の一例として、容量結合型プラズマ(CCP)を用いて処理を行うPM12を説明したが、プラズマ源はこれに限られない。容量結合型プラズマ以外のプラズマ源としては、例えば、誘導結合プラズマ(ICP)、マイクロ波励起表面波プラズマ(SWP)、電子サイクロトン共鳴プラズマ(ECP)、およびヘリコン波励起プラズマ(HWP)等が挙げられる。 Further, in each of the embodiments described above, the PM 12 that performs processing using capacitively coupled plasma (CCP) has been described as an example of a plasma source, but the plasma source is not limited to this. Examples of plasma sources other than capacitively coupled plasma include inductively coupled plasma (ICP), microwave excited surface wave plasma (SWP), electron cycloton resonance plasma (ECP), and helicon wave excited plasma (HWP). It will be done.

また、上記の実施形態に関し、さらに以下の付記を開示する。 Further, regarding the above embodiment, the following additional notes are further disclosed.

(付記1)
ロードロックモジュールと、
第1の側壁、第2の側壁及び第3の側壁を有する大気搬送モジュールであり、前記第1の側壁は、第1の方向に沿って延在し、前記ロードロックモジュールに接続され、前記第2の側壁は、前記第1の方向と直交する第2の方向に沿って延在し、前記第3の側壁は、前記第2の側壁の反対側にある、大気搬送モジュールと、
前記第2の側壁から前記第1の方向に沿って外方に延在する第1のロードポートと、
前記第3の側壁から前記第1の方向に沿って外方に延在する第2のロードポートと、
を備える、基板搬送システム。
(付記2)
前記第1のロードポートは、第1の基板キャリアステージを含み、
前記第2のロードポートは、第2の基板キャリアステージを含む、付記1に記載の基板搬送システム。
(付記3)
前記第1のロードポートの上方において前記第2の側壁から前記第1の方向に沿って外方に延在する第3のロードポートをさらに備え、
前記第3のロードポートは、第3の基板キャリアステージを含み、
前記第1の基板キャリアステージ及び前記第3の基板キャリアステージは、平面視で異なる位置に配置される、付記2に記載の基板搬送システム。
(付記4)
前記第2のロードポートの上方において前記第3の側壁から前記第1の方向に沿って外方に延在する第4のロードポートをさらに備え、
前記第4のロードポートは、第4の基板キャリアステージを含み、
前記第2の基板キャリアステージ及び前記第4の基板キャリアステージは、平面視で異なる位置に配置される、付記2または3に記載の基板搬送システム。
(付記5)
筐体と、
前記筐体内に配置される搬送装置と
を備え、
前記筐体は、
ロードロックモジュールに連通する第1の開口部を有する第1の側壁と、
前記第1の側壁の反対側にある側壁以外の第2の側壁であり、前記第2の側壁は、ロードポートに接続され、少なくとも1つの第2の開口部を有する第2の側壁と
を備える、搬送モジュール。
(付記6)
前記少なくとも1つの第2の開口部は、横方向に沿って配列される複数の第2の開口部を有する、付記5に記載の搬送モジュール。
(付記7)
前記第1の開口部は、前記少なくとも1つの第2の開口部とは異なる高さに形成されている、付記5または6に記載の搬送モジュール。
(付記8)
前記第2の側壁の面に交差する方向から見た場合に、前記第3の開口部が形成された前記第1の側壁の面が、前記第2の側壁の領域内に迫り出している、付記7に記載の搬送モジュール。
(付記9)
前記少なくとも1つの第2の開口部は、縦方向に沿って配列される複数の第2の開口部を有する、付記5に記載の搬送モジュール。
(付記10)
前記複数の第2の開口部の中の少なくとも一つは、前記第1の開口部よりも高い位置に形成され、前記複数の第2の開口部の中の少なくとも他の一つは、前記第1の開口部よりも低い位置に形成される、付記9に記載の搬送モジュール。
(付記11)
前記複数の第2の開口部は、同一平面上に形成されている、付記10に記載の搬送モジュール。
(付記12)
前記第2の側壁には、同じ高さの位置に、さらに複数の前記第2の開口部が、前記第2の側壁の面に沿って横方向に並ぶように形成されている、付記10または11に記載の搬送モジュール。
(付記13)
前記第2の側壁の面に交差する方向から見た場合に、前記第3の開口部が形成された前記第1の側壁の面が、前記第2の側壁の領域内に迫り出している、付記12に記載の搬送モジュール。
(付記14)
前記筐体内に配置されるアライナユニットをさらに備える、付記5から13のいずれか一つに記載の搬送モジュール。
(付記15)
前記筐体内に配置されるストレージユニットをさらに備える、付記5から14のいずれか一つに記載の搬送モジュール。
(付記16)
前記筐体内に不活性ガスを循環供給するように構成されるガス供給部をさらに備える、付記5から15のいずれか一つに記載の搬送モジュール。
(付記17)
筐体と、
前記筐体内に配置される搬送装置と
を備え、
前記筐体は、
ロードロックモジュールに連通する第1の開口部を有する第1の側壁と、
前記第1の側壁を含む平面に沿って配置される第2の側壁であり、前記第2の側壁は、ロードポートに接続される、少なくとも1つの第2の開口部を有する、第2の側壁と
を備える、搬送モジュール。
(Additional note 1)
load lock module,
an atmospheric transport module having a first sidewall, a second sidewall and a third sidewall, the first sidewall extending along a first direction and connected to the load lock module; a second side wall extending along a second direction perpendicular to the first direction, and the third side wall being on an opposite side of the second side wall;
a first load port extending outward from the second sidewall along the first direction;
a second load port extending outward from the third side wall along the first direction;
A board transport system equipped with
(Additional note 2)
the first load port includes a first substrate carrier stage;
The substrate transport system according to appendix 1, wherein the second load port includes a second substrate carrier stage.
(Additional note 3)
further comprising a third load port extending outward along the first direction from the second side wall above the first load port,
the third load port includes a third substrate carrier stage;
The substrate transport system according to appendix 2, wherein the first substrate carrier stage and the third substrate carrier stage are arranged at different positions in a plan view.
(Additional note 4)
further comprising a fourth load port extending outward along the first direction from the third side wall above the second load port,
the fourth load port includes a fourth substrate carrier stage;
The substrate transport system according to appendix 2 or 3, wherein the second substrate carrier stage and the fourth substrate carrier stage are arranged at different positions in a plan view.
(Appendix 5)
A casing and
and a transport device disposed within the housing,
The casing is
a first sidewall having a first opening communicating with the loadlock module;
a second sidewall other than the sidewall opposite the first sidewall, the second sidewall being connected to a load port and having at least one second opening; , transport module.
(Appendix 6)
The transport module according to appendix 5, wherein the at least one second opening has a plurality of second openings arranged along the lateral direction.
(Appendix 7)
The transport module according to appendix 5 or 6, wherein the first opening is formed at a different height from the at least one second opening.
(Appendix 8)
When viewed from a direction intersecting a surface of the second side wall, a surface of the first side wall in which the third opening is formed protrudes into a region of the second side wall. The transport module according to appendix 7.
(Appendix 9)
The transport module according to appendix 5, wherein the at least one second opening has a plurality of second openings arranged along the longitudinal direction.
(Appendix 10)
At least one of the plurality of second openings is formed at a higher position than the first opening, and at least another one of the plurality of second openings is formed at a higher position than the first opening. 1. The transport module according to Supplementary note 9, which is formed at a position lower than the opening of No. 1.
(Appendix 11)
The transport module according to appendix 10, wherein the plurality of second openings are formed on the same plane.
(Appendix 12)
Supplementary note 10, wherein the second side wall has a plurality of second openings formed at the same height so as to be arranged laterally along the surface of the second side wall. 12. The transport module according to 11.
(Appendix 13)
When viewed from a direction intersecting the surface of the second side wall, the surface of the first side wall in which the third opening is formed protrudes into the area of the second side wall. The transport module according to appendix 12.
(Appendix 14)
The transport module according to any one of Supplementary Notes 5 to 13, further comprising an aligner unit disposed within the housing.
(Additional note 15)
15. The transport module according to any one of Supplementary Notes 5 to 14, further comprising a storage unit disposed within the housing.
(Appendix 16)
16. The transport module according to any one of Supplementary Notes 5 to 15, further comprising a gas supply section configured to circulately supply an inert gas into the housing.
(Appendix 17)
A casing and
and a transport device disposed within the housing,
The casing is
a first sidewall having a first opening communicating with the loadlock module;
a second side wall disposed along a plane including the first side wall, the second side wall having at least one second opening connected to a load port; A transport module comprising:

G ゲートバルブ
W 基板
1 基板処理システム
10 制御部
11 VTM
110 搬送ロボット
111 ガイドレール
12 PM
13 LLM
14 EFEM
140 搬送ロボット
141 ガイドレール
142 アライメント室
1420 アライナユニット
143 FFU
144 開口部
145 ストレージユニット
146 開口部
147 側壁
148 側壁
149 筐体
15 LP
150 移動部
151 ガイドレール
16 容器
160 ドア
161 開口部
G Gate valve W Substrate 1 Substrate processing system 10 Control unit 11 VTM
110 Transfer robot 111 Guide rail 12 PM
13 LLM
14 EFEM
140 Transfer robot 141 Guide rail 142 Alignment chamber 1420 Aligner unit 143 FFU
144 Opening 145 Storage unit 146 Opening 147 Side wall 148 Side wall 149 Housing 15 LP
150 Moving part 151 Guide rail 16 Container 160 Door 161 Opening part

Claims (17)

ロードロックモジュールと、
第1の側壁、第2の側壁及び第3の側壁を有する大気搬送モジュールであり、前記第1の側壁は、第1の方向に沿って延在し、前記ロードロックモジュールに接続され、前記第2の側壁は、前記第1の方向と直交する第2の方向に沿って延在し、前記第3の側壁は、前記第2の側壁の反対側にある、大気搬送モジュールと、
前記第2の側壁から前記第1の方向に沿って外方に延在する第1のロードポートと、
前記第3の側壁から前記第1の方向に沿って外方に延在する第2のロードポートと、
を備える、基板搬送システム。
load lock module,
an atmospheric transport module having a first sidewall, a second sidewall and a third sidewall, the first sidewall extending along a first direction and connected to the load lock module; a second side wall extending along a second direction perpendicular to the first direction, and the third side wall being on an opposite side of the second side wall;
a first load port extending outward from the second sidewall along the first direction;
a second load port extending outward from the third side wall along the first direction;
A board transport system equipped with
前記第1のロードポートは、第1の基板キャリアステージを含み、
前記第2のロードポートは、第2の基板キャリアステージを含む、請求項1に記載の基板搬送システム。
the first load port includes a first substrate carrier stage;
2. The substrate transport system of claim 1, wherein the second load port includes a second substrate carrier stage.
前記第1のロードポートの上方において前記第2の側壁から前記第1の方向に沿って外方に延在する第3のロードポートをさらに備え、
前記第3のロードポートは、第3の基板キャリアステージを含み、
前記第1の基板キャリアステージ及び前記第3の基板キャリアステージは、平面視で異なる位置に配置される、請求項2に記載の基板搬送システム。
further comprising a third load port extending outward along the first direction from the second side wall above the first load port,
the third load port includes a third substrate carrier stage;
The substrate transport system according to claim 2, wherein the first substrate carrier stage and the third substrate carrier stage are arranged at different positions in a plan view.
前記第2のロードポートの上方において前記第3の側壁から前記第1の方向に沿って外方に延在する第4のロードポートをさらに備え、
前記第4のロードポートは、第4の基板キャリアステージを含み、
前記第2の基板キャリアステージ及び前記第4の基板キャリアステージは、平面視で異なる位置に配置される、請求項3に記載の基板搬送システム。
further comprising a fourth load port extending outward along the first direction from the third side wall above the second load port,
the fourth load port includes a fourth substrate carrier stage;
The substrate transport system according to claim 3, wherein the second substrate carrier stage and the fourth substrate carrier stage are arranged at different positions in a plan view.
筐体と、
前記筐体内に配置される搬送装置と
を備え、
前記筐体は、
ロードロックモジュールに連通する第1の開口部を有する第1の側壁と、
前記第1の側壁の反対側にある側壁以外の第2の側壁であり、前記第2の側壁は、ロードポートに接続され、少なくとも1つの第2の開口部を有する第2の側壁と
を備える、搬送モジュール。
A casing and
and a transport device disposed within the housing,
The casing is
a first sidewall having a first opening communicating with the loadlock module;
a second sidewall other than the sidewall opposite the first sidewall, the second sidewall being connected to a load port and having at least one second opening; , transport module.
前記少なくとも1つの第2の開口部は、横方向に沿って配列される複数の第2の開口部を有する、請求項5に記載の搬送モジュール。 The transport module according to claim 5, wherein the at least one second opening has a plurality of second openings arranged along the lateral direction. 前記第1の開口部は、前記少なくとも1つの第2の開口部とは異なる高さに形成されている、請求項5または6に記載の搬送モジュール。 The transport module according to claim 5 or 6, wherein the first opening is formed at a different height than the at least one second opening. 前記第2の側壁の面に交差する方向から見た場合に、前記第1の開口部が形成された前記第1の側壁の面が、前記第2の側壁の領域内に迫り出している、請求項7に記載の搬送モジュール。 When viewed from a direction intersecting a surface of the second side wall, a surface of the first side wall in which the first opening is formed protrudes into a region of the second side wall. The transport module according to claim 7. 前記少なくとも1つの第2の開口部は、縦方向に沿って配列される複数の第2の開口部を有する、請求項5に記載の搬送モジュール。 The transport module according to claim 5, wherein the at least one second opening has a plurality of second openings arranged along the longitudinal direction. 前記複数の第2の開口部の中の少なくとも一つは、前記第1の開口部よりも高い位置に形成され、前記複数の第2の開口部の中の少なくとも他の一つは、前記第1の開口部よりも低い位置に形成される、請求項9に記載の搬送モジュール。 At least one of the plurality of second openings is formed at a higher position than the first opening, and at least another one of the plurality of second openings is formed at a higher position than the first opening. The transport module according to claim 9, wherein the transport module is formed at a position lower than the first opening. 前記複数の第2の開口部は、同一平面上に形成されている、請求項10に記載の搬送モジュール。 The transport module according to claim 10, wherein the plurality of second openings are formed on the same plane. 前記第2の側壁には、同じ高さの位置に、さらに複数の前記第2の開口部が、前記第2の側壁の面に沿って横方向に並ぶように形成されている、請求項10または11に記載の搬送モジュール。 10. The second side wall further includes a plurality of second openings formed at the same height so as to be arranged laterally along the surface of the second side wall. Or the conveyance module according to 11. 前記第2の側壁の面に交差する方向から見た場合に、前記第1の開口部が形成された前記第1の側壁の面が、前記第2の側壁の領域内に迫り出している、請求項12に記載の搬送モジュール。 When viewed from a direction intersecting a surface of the second side wall, a surface of the first side wall in which the first opening is formed protrudes into a region of the second side wall. The transport module according to claim 12. 前記筐体内に配置されるアライナユニットをさらに備える、請求項5に記載の搬送モジュール。 The transport module according to claim 5, further comprising an aligner unit disposed within the housing. 前記筐体内に配置されるストレージユニットをさらに備える、請求項5に記載の搬送モジュール。 The transport module according to claim 5, further comprising a storage unit disposed within the housing. 前記筐体内に不活性ガスを循環供給するように構成されるガス供給部をさらに備える、請求項5に記載の搬送モジュール。 The transport module according to claim 5, further comprising a gas supply section configured to circulately supply an inert gas into the housing. 筐体と、
前記筐体内に配置される搬送装置と
を備え、
前記筐体は、
ロードロックモジュールに連通する第1の開口部を有する第1の側壁と、
前記第1の側壁を含む平面に沿って配置される第2の側壁であり、前記第2の側壁は、ロードポートに接続される、少なくとも1つの第2の開口部を有する、第2の側壁と
を備える、搬送モジュール。
A casing and
and a transport device disposed within the housing,
The casing is
a first sidewall having a first opening communicating with the loadlock module;
a second side wall disposed along a plane including the first side wall, the second side wall having at least one second opening connected to a load port; A transport module comprising:
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