KR20220122154A - Support unit and substrate treating apparatus including the same - Google Patents

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KR20220122154A
KR20220122154A KR1020210026407A KR20210026407A KR20220122154A KR 20220122154 A KR20220122154 A KR 20220122154A KR 1020210026407 A KR1020210026407 A KR 1020210026407A KR 20210026407 A KR20210026407 A KR 20210026407A KR 20220122154 A KR20220122154 A KR 20220122154A
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KR1020210026407A
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Inventor
이재경
이제희
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세메스 주식회사
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Abstract

A support unit according to an embodiment of the present invention is disclosed. The support unit includes a plurality of heaters arranged in a matrix form in an electrostatic chuck to heat a substrate; a power supply part for supplying power to the plurality of heaters; and a first line connecting the plurality of heaters and the power supply unit. The first line may be branched from a diode board disposed under the electrostatic chuck.

Description

지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치{SUPPORT UNIT AND SUBSTRATE TREATING APPARATUS INCLUDING THE SAME}SUPPORT UNIT AND SUBSTRATE TREATING APPARATUS INCLUDING THE SAME

본 발명은 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 발명이다.The present invention relates to a support unit and a substrate processing apparatus including the same.

종래의 마이크로 히터를 이용한 온도 제어 방법의 경우, 타겟으로 삼은 히터에 대한 전압과 전류를 센싱하고, 센싱한 값으로부터 각각의 히터의 저항값을 계산하여 히터로 인가되는 출력전력을 조정하는 방식을 사용하였다. In the case of the conventional temperature control method using a micro-heater, the voltage and current for the target heater are sensed, and the resistance value of each heater is calculated from the sensed value to adjust the output power applied to the heater. did.

이 때, 기존의 히터의 경우, 행/열을 따라 복수의 히터존이 배치되며, 히터존과 냉각판 사이의 가열판 영역에서 히터존과 어레이 방식으로 연결되는 전력공급라인 및 전력복귀라인이 개시된다. At this time, in the case of the conventional heater, a plurality of heater zones are arranged along rows/columns, and a power supply line and a power return line connected to the heater zone in an array manner in the heating plate area between the heater zone and the cooling plate are started. .

한국 등록특허 1643800Korean registered patent 1643800

본 발명에 따르면 역전류 및 히터 간섭을 방지할 수 있는 히터 구조를 제안하고자 한다.According to the present invention, an object of the present invention is to propose a heater structure capable of preventing reverse current and heater interference.

본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problem to be solved by the present invention is not limited to the above-mentioned problems, and the problems not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs from the present specification and the accompanying drawings. .

본 발명의 일 예시에 따른 지지 유닛이 개시된다.A support unit according to an example of the present invention is disclosed.

상기 지지 유닛은, 정전 척 내에 매트릭스 형태로 배치되어, 기판을 가열하는 복수의 히터; 상기 복수의 히터에 전력을 공급하는 전원 공급부; 및 상기 복수의 히터와 상기 전원 공급부를 연결하는 제1 라인; 을 포함하고, 상기 제1 라인은 상기 정전 척의 하부에 배치되는 다이오드 보드에서 분기될 수 있다. The support unit may include a plurality of heaters disposed in a matrix in the electrostatic chuck to heat the substrate; a power supply unit for supplying power to the plurality of heaters; and a first line connecting the plurality of heaters to the power supply. The first line may be branched from a diode board disposed under the electrostatic chuck.

일 예시에 따르면, 상기 제1 라인은 상기 복수의 히터의 행의 개수에 대응되는 개수로 제공되며, 상기 제1 라인은 상기 다이오드 보드에서 상기 복수의 히터의 열의 개수에 대응되는 개수로 각각 분기될 수 있다. According to an example, the first lines are provided in a number corresponding to the number of rows of the plurality of heaters, and the first lines are each branched in a number corresponding to the number of columns of the plurality of heaters in the diode board. can

일 예시에 따르면, 상기 다이오드 보드는 상기 복수의 히터의 개수에 대응하는 개수의 다이오드를 포함할 수 있다. According to an example, the diode board may include a number of diodes corresponding to the number of the plurality of heaters.

일 예시에 따르면, 상기 지지 유닛은, 상기 히터의 하부 층에 제공되는 도전판;을 더 포함할 수 있다. According to an example, the support unit may further include a conductive plate provided on a lower layer of the heater.

일 예시에 따르면, 상기 도전판은 상기 복수의 히터 중 적어도 2개 이상과 전기적으로 연결될 수 있다.According to an example, the conductive plate may be electrically connected to at least two or more of the plurality of heaters.

일 예시에 따르면, 상기 도전판과 연결되는 제2 라인;을 더 포함할 수 있다. According to one example, a second line connected to the conductive plate; may further include.

일 예시에 따르면, 상기 제2 라인의 개수는 상기 복수의 히터의 열의 개수에 대응될 수 있다. According to an example, the number of the second lines may correspond to the number of rows of the plurality of heaters.

본 발명의 다른 일 예시에 따른 기판 처리 장치가 개시된다. A substrate processing apparatus according to another exemplary embodiment of the present invention is disclosed.

처리 공간을 가지는 공정 챔버; 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛; 상기 처리 공간으로 처리 가스를 공급하는 가스 공급 유닛; 및 상기 처리 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스;를 포함하는 기판 처리 장치에 있어서, 상기 지지 유닛은, 정전 척 내에 매트릭스 형태로 배치되어, 기판을 가열하는 복수의 히터; 상기 복수의 히터에 전력을 공급하는 전원 공급부; 및 상기 복수의 히터와 상기 전원 공급부를 연결하는 제1 라인; 을 포함하고, 상기 제1 라인은 상기 정전 척의 하부에 배치되는 다이오드 보드에서 분기될 수 있다. a process chamber having a processing space; a support unit for supporting the substrate in the processing space; a gas supply unit supplying a processing gas to the processing space; and a plasma source generating plasma from the processing gas, wherein the support unit includes: a plurality of heaters disposed in a matrix in the electrostatic chuck to heat the substrate; a power supply unit for supplying power to the plurality of heaters; and a first line connecting the plurality of heaters to the power supply. The first line may be branched from a diode board disposed under the electrostatic chuck.

본 발명의 일 실시 예에 따르면, 역전류 및 히터 간섭을 방지할 수 있는 히터 구조가 개시된다. According to an embodiment of the present invention, a heater structure capable of preventing reverse current and heater interference is disclosed.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and the effects not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs from the present specification and accompanying drawings.

도 1a 내지 도 1b는 본 발명의 일 예시에 따른 챔버의 개략적인 구성을 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 예시에 따른 기판 처리 장치의 구성을 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 예시에 따른 지지 유닛을 보다 상세히 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 예시에 따른 히터의 연결 구조를 설명하기 위한 도면이다. 1A to 1B are diagrams illustrating a schematic configuration of a chamber according to an exemplary embodiment of the present invention.
2 is a diagram illustrating a configuration of a substrate processing apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention.
3 is a view showing in more detail a support unit according to an exemplary embodiment of the present invention.
4 is a view for explaining a connection structure of a heater according to an exemplary embodiment of the present invention.

본 발명의 다른 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술 되는 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Other advantages and features of the present invention, and a method of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be implemented in various different forms, and only this embodiment serves to complete the disclosure of the present invention, and to obtain common knowledge in the technical field to which the present invention pertains. It is provided to fully inform the possessor of the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims.

만일 정의되지 않더라도, 여기서 사용되는 모든 용어들(기술 혹은 과학 용어들을 포함)은 이 발명이 속한 종래 기술에서 보편적 기술에 의해 일반적으로 수용되는 것과 동일한 의미를 가진다. 일반적인 사전들에 의해 정의된 용어들은 관련된 기술 그리고/혹은 본 출원의 본문에 의미하는 것과 동일한 의미를 갖는 것으로 해석될 수 있고, 그리고 여기서 명확하게 정의된 표현이 아니더라도 개념화되거나 혹은 과도하게 형식적으로 해석되지 않을 것이다.Even if not defined, all terms (including technical or scientific terms) used herein have the same meaning as commonly accepted by common technology in the prior art to which this invention belongs. Terms defined by general dictionaries may be interpreted as having the same meaning as in the related description and/or in the text of the present application, and shall not be interpreted conceptually or excessively formally, even if not expressly defined herein. won't

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.Terms such as first, second, etc. may be used to describe various elements, but the elements should not be limited by the terms. The above terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, a first component may be referred to as a second component, and similarly, a second component may also be referred to as a first component.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise. In addition, the shapes and sizes of elements in the drawings may be exaggerated for clearer description.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시 예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다' 및/또는 이 동사의 다양한 활용형들 예를 들어, '포함', '포함하는', '포함하고', '포함하며' 등은 언급된 조성, 성분, 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 조성, 성분, 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 본 명세서에서 '및/또는' 이라는 용어는 나열된 구성들 각각 또는 이들의 다양한 조합을 가리킨다.The terminology used herein is for the purpose of describing the embodiments and is not intended to limit the present invention. In this specification, the singular also includes the plural, unless specifically stated otherwise in the phrase. As used in the specification, 'comprise' and/or the various conjugations of this verb, eg, 'comprising', 'comprising', 'comprising', 'comprising', etc., refer to the stated composition, ingredient, component, Steps, acts and/or elements do not exclude the presence or addition of one or more other compositions, components, components, steps, acts and/or elements. As used herein, the term 'and/or' refers to each of the listed components or various combinations thereof.

본 명세서 전체에서 사용되는 '~부'는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위로서, 예를 들어 소프트웨어, FPGA 또는 ASIC과 같은 하드웨어 구성요소를 의미할 수 있다. 그렇지만 '~부'가 소프트웨어 또는 하드웨어에 한정되는 의미는 아니다. '~부'는 어드레싱할 수 있는 저장 매체에 있도록 구성될 수도 있고 하나 또는 그 이상의 프로세서들을 재생시키도록 구성될 수도 있다.As used throughout this specification, '~ unit' is a unit that processes at least one function or operation, and may refer to, for example, a hardware component such as software, FPGA, or ASIC. However, '~part' is not meant to be limited to software or hardware. '~unit' may be configured to reside on an addressable storage medium or may be configured to refresh one or more processors.

일 예로서 '~부'는 소프트웨어 구성요소들, 객체지향 소프트웨어 구성요소들, 클래스 구성요소들 및 태스크 구성요소들과 같은 구성요소들과, 프로세스들, 함수들, 속성들, 프로시저들, 서브루틴들, 프로그램 코드의 세그먼트들, 드라이버들, 펌웨어, 마이크로 코드, 회로, 데이터, 데이터베이스, 데이터 구조들, 테이블들, 어레이들 및 변수들을 포함할 수 있다. 구성요소와 '~부'에서 제공하는 기능은 복수의 구성요소 및 '~부'들에 의해 분리되어 수행될 수도 있고, 다른 추가적인 구성요소와 통합될 수도 있다.As an example, '~ part' denotes components such as software components, object-oriented software components, class components, and task components, processes, functions, properties, procedures, sub It may include routines, segments of program code, drivers, firmware, microcode, circuitry, data, databases, data structures, tables, arrays, and variables. A function provided by a component and '~ unit' may be performed separately by a plurality of components and '~ unit', or may be integrated with other additional components.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art. Accordingly, the shapes of elements in the drawings are exaggerated to emphasize a clearer description.

도 1a 내지 도 1b는 본 발명의 일 예시에 따른 챔버의 개략적인 구성을 나타내는 도면이다.1A to 1B are diagrams illustrating a schematic configuration of a chamber according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 1a 및 도 1b에 도시된 바와 같이, 플라즈마 챔버(100)는 RF 신호가 인가되는 전극(110a, 110b)을 포함할 수 있다. 전극(110a, 110b)은 챔버로 유입되는 기체가 이온화되어 플라즈마 상태로 변화하도록 챔버에 전기에너지를 전달할 수 있다. 도 1a에 도시된 전극(110a, 110b)은 챔버 내부에서 두 개의 전극판이 서로 마주보도록 배치된 용량 결합형 플라즈마 (CCP, Capacitively Coupled Plasma) 소스의 일 예를 나타낸다. 상기 용량 결합형 플라즈마 소스는 축전 전기장을 이용하여 챔버 내에 유입되는 기체의 전자에 전기에너지를 전달할 수 있다. 상기 용량 결합형 플라즈마 소스는 두 개의 전극판에 각각 RF 전원이 연결된 형태를 가질 수 있으나, 실시예에 따라 두 개의 전극판 중 상 측 전극판에만 RF 전원이 연결될 수도 있다. 도 1b에 도시된 전극(110c)은 챔버(100) 외부에 감긴 유도코일로 이루어진 유도 결합형 플라즈마(ICP, Inductively Coupled Plasma) 소스의 일 예를 나타낸다. 상기 유도 결합형 플라즈마 소스는 챔버 상부에 플라즈마 발생 장치가 별도로 결합되어, 챔버 내로 유입된 기체를 플라즈마 상태로 변화시키고, 상기 플라즈마를 다운스트림 방식으로 챔버에 제공할 수 있다. 1A and 1B , the plasma chamber 100 may include electrodes 110a and 110b to which an RF signal is applied. The electrodes 110a and 110b may transmit electrical energy to the chamber so that the gas flowing into the chamber is ionized and changed into a plasma state. The electrodes 110a and 110b shown in FIG. 1A represent an example of a capacitively coupled plasma (CCP) source in which two electrode plates are disposed to face each other in a chamber. The capacitively coupled plasma source may transfer electrical energy to electrons of a gas flowing into the chamber by using a capacitive electric field. The capacitively coupled plasma source may have a form in which RF power is connected to two electrode plates, respectively, but according to an embodiment, RF power may be connected only to an upper electrode plate among the two electrode plates. The electrode 110c shown in FIG. 1B shows an example of an inductively coupled plasma (ICP) source made of an induction coil wound outside the chamber 100 . In the inductively coupled plasma source, a plasma generating device is separately coupled to an upper portion of the chamber to change the gas introduced into the chamber into a plasma state, and the plasma may be provided to the chamber in a downstream manner.

도 2는 본 발명의 일 예시에 따른 기판 처리 장치의 구성을 나타내는 도면이다. 2 is a diagram illustrating a configuration of a substrate processing apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 기판처리장치(10)는 플라즈마를 이용하여 기판(S)을 처리한다. 예를 들어, 기판처리장치(10)는 기판(S)에 대하여 식각 공정을 수행할 수 있다. 기판 처리 장치(10)는 챔버(100), 기판 지지 유닛(200), 플라즈마 발생 유닛(300), 가스 공급 유닛(400) 및 배플 유닛(500)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2 , the substrate processing apparatus 10 processes the substrate S using plasma. For example, the substrate processing apparatus 10 may perform an etching process on the substrate S. The substrate processing apparatus 10 may include a chamber 100 , a substrate support unit 200 , a plasma generating unit 300 , a gas supply unit 400 , and a baffle unit 500 .

챔버(100)는 내부에 기판 처리 공정이 수행되는 처리 공간을 제공할 수 있다. 챔버(100)는 내부에 처리 공간을 가지고, 밀폐된 형상으로 제공될 수 있다. 챔버(100)는 금속 재질로 제공될 수 있다. 챔버(100)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 챔버(100)는 접지될 수 있다. 챔버(100)의 바닥면에는 배기홀(102)이 형성될 수 있다. 배기홀(102)은 배기 라인(151)과 연결될 수 있다. 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 챔버의 내부 공간에 머무르는 가스는 배기 라인(151)을 통해 외부로 배출될 수 있다. 배기 과정에 의해 챔버(100)의 내부는 소정 압력으로 감압될 수 있다.The chamber 100 may provide a processing space in which a substrate processing process is performed. The chamber 100 may have a processing space therein and may be provided in a closed shape. The chamber 100 may be made of a metal material. The chamber 100 may be made of an aluminum material. The chamber 100 may be grounded. An exhaust hole 102 may be formed in the bottom surface of the chamber 100 . The exhaust hole 102 may be connected to the exhaust line 151 . Reaction by-products generated during the process and gas remaining in the internal space of the chamber may be discharged to the outside through the exhaust line 151 . The interior of the chamber 100 may be decompressed to a predetermined pressure by the exhaust process.

일 예에 의하면, 챔버(100) 내부에는 라이너(130)가 제공될 수 있다. 라이너(130)는 상면 및 하면이 개방된 원통 형상을 가질 수 있다. 라이너(130)는 챔버(100)의 내측면과 접촉하도록 제공될 수 있다. 라이너(130)는 챔버(100)의 내측벽을 보호하여 챔버(100)의 내측벽이 아크 방전으로 손상되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 기판 처리 공정 중에 발생한 불순물이 챔버(100)의 내측벽에 증착 되는 것을 방지할 수 있다.According to an example, the liner 130 may be provided inside the chamber 100 . The liner 130 may have a cylindrical shape with open top and bottom surfaces. The liner 130 may be provided to contact the inner surface of the chamber 100 . The liner 130 may protect the inner wall of the chamber 100 to prevent the inner wall of the chamber 100 from being damaged by arc discharge. In addition, it is possible to prevent impurities generated during the substrate processing process from being deposited on the inner wall of the chamber 100 .

챔버(100)의 내부에는 기판 지지 유닛(200)이 위치할 수 있다. 기판 지지 유닛(200)은 기판(S)을 지지할 수 있다. 기판지지 유닛(200)은 정전기력을 이용하여 기판(S)을 흡착하는 정전척(210)을 포함할 수 있다. 이와 달리, 기판지지 유닛(200)은 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(S)을 지지할 수도 있다. 이하에서는 정전 척(210)을 포함하는 기판지지 유닛(200)에 대하여 설명한다.The substrate support unit 200 may be positioned inside the chamber 100 . The substrate support unit 200 may support the substrate S. The substrate support unit 200 may include an electrostatic chuck 210 for adsorbing the substrate S using electrostatic force. Alternatively, the substrate support unit 200 may support the substrate S in various ways such as mechanical clamping. Hereinafter, the substrate support unit 200 including the electrostatic chuck 210 will be described.

기판지지 유닛(200)은 정전척(210), 하부커버(250) 그리고 플레이트(270)를 포함할 수 있다. 기판지지 유닛(200)는 챔버(100) 내부에서 챔버(100)의 바닥면으로부터 상부로 이격 되어 위치할 수 있다.The substrate support unit 200 may include an electrostatic chuck 210 , a lower cover 250 , and a plate 270 . The substrate support unit 200 may be located inside the chamber 100 while being spaced apart from the bottom surface of the chamber 100 upwardly.

정전 척(210)은 유전판(220), 몸체(230) 그리고 포커스링(240)을 포함할 수 있다. 정전척(210)은 기판(S)을 지지할 수 있다. 유전판(220)은 정전 척(210)의 상단에 위치할 수 있다. 유전판(220)은 원판 형상의 유전체(dielectric substance)로 제공될 수 있다. 유전판(220)의 상면에는 기판(S)이 놓일 수 있다. 유전판(220)의 상면은 기판(S)보다 작은 반경을 가질 수 있다. 때문에, 기판(S)의 가장자리 영역은 유전판(220)의 외측에 위치할 수 있다.The electrostatic chuck 210 may include a dielectric plate 220 , a body 230 , and a focus ring 240 . The electrostatic chuck 210 may support the substrate S. The dielectric plate 220 may be positioned on the top of the electrostatic chuck 210 . The dielectric plate 220 may be provided as a disk-shaped dielectric substance. A substrate S may be placed on the upper surface of the dielectric plate 220 . The upper surface of the dielectric plate 220 may have a smaller radius than the substrate S. Therefore, the edge region of the substrate S may be located outside the dielectric plate 220 .

유전판(220)은 내부에 제1 전극(223), 히터(225) 그리고 제1 공급 유로(221)를 포함할 수 있다. 제1 공급 유로(221)는 유전판(210)의 상면으로부터 저면으로 제공될 수 있다. 제1 공급 유로(221)는 서로 이격하여 복수 개 형성되며, 기판(S)의 저면으로 열전달 매체가 공급되는 통로로 제공될 수 있다.The dielectric plate 220 may include a first electrode 223 , a heater 225 , and a first supply passage 221 therein. The first supply passage 221 may be provided from an upper surface to a lower surface of the dielectric plate 210 . A plurality of first supply passages 221 may be formed to be spaced apart from each other, and may be provided as passages through which the heat transfer medium is supplied to the bottom surface of the substrate S.

제1 전극(223)은 제1 전원(223a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 전원(223a)은 직류 전원을 포함할 수 있다. 제1 전극(223)과 제1 전원(223a) 사이에는 스위치(223b)가 설치될 수 있다. 제1 전극(223)은 스위치(223b)의 온/오프(ON/OFF)에 의해 제1 전원(223a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 스위치(223b)가 온(ON)되면, 제1 전극 (223)에는 직류 전류가 인가될 수 있다. 제1 전극(223)에 인가된 전류에 의해 제1 전극(223)과 기판(S) 사이에는 정전기력이 작용하며, 정전기력에 의해 기판(S)은 유전판(220)에 흡착될 수 있다. 히터(225)는 제1 전극(223)의 하부에 위치할 수 있다. 히터(225)는 제2 전원(225a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 히터(225)는 제2 전원(225a)에서 인가된 전류에 저항함으로써 열을 발생시킬 수 있다. 발생된 열은 유전판(220)을 통해 기판(S)으로 전달될 수 있다. 히터(225)에서 발생된 열에 의해 기판(S)은 소정 온도로 유지될 수 있다. 히터(225)는 나선 형상의 코일을 포함할 수 있다.The first electrode 223 may be electrically connected to the first power source 223a. The first power source 223a may include a DC power source. A switch 223b may be installed between the first electrode 223 and the first power source 223a. The first electrode 223 may be electrically connected to the first power source 223a by ON/OFF of the switch 223b. When the switch 223b is turned on, a direct current may be applied to the first electrode 223 . An electrostatic force acts between the first electrode 223 and the substrate S by the current applied to the first electrode 223 , and the substrate S may be adsorbed to the dielectric plate 220 by the electrostatic force. The heater 225 may be positioned under the first electrode 223 . The heater 225 may be electrically connected to the second power source 225a. The heater 225 may generate heat by resisting the current applied from the second power source 225a. The generated heat may be transferred to the substrate S through the dielectric plate 220 . The substrate S may be maintained at a predetermined temperature by the heat generated by the heater 225 . The heater 225 may include a spiral-shaped coil.

유전판(220)의 하부에는 몸체(230)가 위치할 수 있다. 유전판(220)의 저면과 몸체(230)의 상면은 접착제(236)에 의해 접착될 수 있다. 몸체(230)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 몸체(230)의 상면은 중심 영역이 가장자리 영역보다 높게 위치되도록 단차질 수 있다. 몸체(230)의 상면 중심 영역은 유전판(220)의 저면에 상응하는 면적을 가지며, 유전판(220)의 저면과 접착될 수 있다. 몸체(230)는 내부에 제1 순환 유로(231), 제2 순환 유로(232) 그리고 제2 공급 유로(233)가 형성될 수 있다.The body 230 may be positioned under the dielectric plate 220 . The bottom surface of the dielectric plate 220 and the top surface of the body 230 may be bonded by an adhesive 236 . The body 230 may be made of an aluminum material. The upper surface of the body 230 may be stepped so that the central region is higher than the edge region. The central region of the top surface of the body 230 has an area corresponding to the bottom surface of the dielectric plate 220 , and may be adhered to the bottom surface of the dielectric plate 220 . The body 230 may have a first circulation passage 231 , a second circulation passage 232 , and a second supply passage 233 formed therein.

제1 순환 유로(231)는 열전달 매체가 순환하는 통로로 제공될 수 있다. 제1 순환 유로(231)는 몸체(230) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 제1 순환 유로(231)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 제1 순환 유로(231)들은 서로 연통될 수 있다. 제1 순환 유로(231)들은 동일한 높이에 형성될 수 있다.The first circulation passage 231 may be provided as a passage through which the heat transfer medium circulates. The first circulation passage 231 may be formed in a spiral shape inside the body 230 . Alternatively, the first circulation passage 231 may be arranged such that ring-shaped passages having different radii have the same center. Each of the first circulation passages 231 may communicate with each other. The first circulation passages 231 may be formed at the same height.

제2 순환 유로(232)는 냉각 유체가 순환하는 통로로 제공될 수 있다. 제2 순환 유로(232)는 몸체(230) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 제2 순환 유로(232)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 제2 순환 유로(232)들은 서로 연통될 수 있다. 제2 순환 유로(232)는 제1 순환 유로(231)보다 큰 단면적을 가질 수 있다. 제2 순환 유로(232)들은 동일한 높이에 형성될 수 있다. 제2 순환 유로(232)는 제1 순환 유로(231)의 하부에 위치될 수 있다.The second circulation passage 232 may be provided as a passage through which the cooling fluid circulates. The second circulation passage 232 may be formed in a spiral shape inside the body 230 . Alternatively, the second circulation passage 232 may be arranged so that ring-shaped passages having different radii have the same center. Each of the second circulation passages 232 may communicate with each other. The second circulation passage 232 may have a larger cross-sectional area than the first circulation passage 231 . The second circulation passages 232 may be formed at the same height. The second circulation passage 232 may be located below the first circulation passage 231 .

제2 공급 유로(233)는 제1 순환 유로(231)부터 상부로 연장되며, 몸체(230)의 상면으로 제공될 수 있다. 제2 공급 유로(243)는 제1 공급 유로(221)에 대응하는 개수로 제공되며, 제1 순환 유로(231)와 제1 공급 유로(221)를 연결할 수 있다.The second supply passage 233 extends upward from the first circulation passage 231 and may be provided on the upper surface of the body 230 . The second supply passage 243 is provided in a number corresponding to the first supply passage 221 , and may connect the first circulation passage 231 and the first supply passage 221 .

제1 순환 유로(231)는 열전달 매체 공급라인(231b)을 통해 열전달 매체 저장부(231a)와 연결될 수 있다. 열전달 매체 저장부(231a)에는 열전달 매체가 저장될 수 있다. 열전달 매체는 불활성 가스를 포함할 수 있다. 실시예에 의하면, 열전달 매체는 헬륨(He) 가스를 포함할 수 있다. 헬륨 가스는 공급 라인(231b)을 통해 제1 순환 유로(231)에 공급되며, 제2 공급 유로(233)와 제1 공급 유로(221)를 순차적으로 거쳐 기판(S) 저면으로 공급될 수 있다. 헬륨 가스는 플라즈마에서 기판(S)으로 전달된 열이 정전 척(210)으로 전달되는 매개체 역할을 할 수 있다.The first circulation passage 231 may be connected to the heat transfer medium storage unit 231a through the heat transfer medium supply line 231b. A heat transfer medium may be stored in the heat transfer medium storage unit 231a. The heat transfer medium may include an inert gas. According to an embodiment, the heat transfer medium may include helium (He) gas. The helium gas may be supplied to the first circulation passage 231 through the supply line 231b, and may be supplied to the bottom surface of the substrate S through the second supply passage 233 and the first supply passage 221 sequentially. . The helium gas may serve as a medium through which heat transferred from the plasma to the substrate S is transferred to the electrostatic chuck 210 .

제2 순환 유로(232)는 냉각 유체 공급 라인(232c)을 통해 냉각 유체 저장부(232a)와 연결될 수 있다. 냉각 유체 저장부(232a)에는 냉각 유체가 저장될 수 있다. 냉각 유체 저장부(232a) 내에는 냉각기(232b)가 제공될 수 있다. 냉각기(232b)는 냉각 유체를 소정 온도로 냉각시킬 수 있다. 이와 달리, 냉각기(232b)는 냉각 유체 공급 라인(232c) 상에 설치될 수 있다. 냉각 유체 공급 라인(232c)을 통해 제2 순환 유로(232)에 공급된 냉각 유체는 제2 순환 유로(232)를 따라 순환하며 몸체(230)를 냉각할 수 있다. 몸체(230)는 냉각되면서 유전판(220)과 기판(S)을 함께 냉각시켜 기판(S)을 소정 온도로 유지시킬 수 있다.The second circulation passage 232 may be connected to the cooling fluid storage unit 232a through the cooling fluid supply line 232c. A cooling fluid may be stored in the cooling fluid storage unit 232a. A cooler 232b may be provided in the cooling fluid storage unit 232a. The cooler 232b may cool the cooling fluid to a predetermined temperature. Alternatively, the cooler 232b may be installed on the cooling fluid supply line 232c. The cooling fluid supplied to the second circulation passage 232 through the cooling fluid supply line 232c circulates along the second circulation passage 232 to cool the body 230 . As the body 230 cools, the dielectric plate 220 and the substrate S are cooled together to maintain the substrate S at a predetermined temperature.

몸체(230)는 금속판을 포함할 수 있다. 일 예에 의하면, 몸체(230) 전체가 금속판으로 제공될 수 있다. 몸체(230)는 제3 전원(235a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제3 전원(235a)은 고주파 전력을 발생시키는 고주파 전원으로 제공될 수 있다. 고주파 전원은 RF 전원을 포함할 수 있다. 몸체(230)는 제3 전원(235a)으로부터 고주파 전력을 인가받을 수 있다. 이로 인하여 몸체(230)는 전극, 즉 하부 전극으로서 기능할 수 있다.The body 230 may include a metal plate. According to an example, the entire body 230 may be provided as a metal plate. The body 230 may be electrically connected to the third power source 235a. The third power source 235a may be provided as a high frequency power source for generating high frequency power. The high-frequency power source may include an RF power source. The body 230 may receive high-frequency power from the third power source 235a. Due to this, the body 230 may function as an electrode, that is, a lower electrode.

링부재(240)는 정전 척(210)의 가장자리 영역에 배치될 수 있다. 링부재(240)는 환형의 링 형상을 가지며, 유전판(220)의 둘레를 따라 배치될 수 있다. 특히 링부재(240)는 포커스링을 포함하는 다수의 링으로 구성될 수 있다. 특히 링부재(240)의 상면은 외측부(240a)가 내측부(240b)보다 높도록 단차질 수 있다. 링부재(240)의 상면 내측부(240b)는 유전판(220)의 상면과 동일 높이에 위치될 수 있다. 링부재(240)의 상면 내측부(240b)는 유전판(220)의 외측에 위치된 기판(S)의 가장자리 영역을 지지할 수 있다. 링부재(240)의 외측부(240a)는 기판(S)의 가장자리 영역을 둘러싸도록 제공될 수 있다. 링부재(240)는 기판(S)의 전체 영역에서 플라즈마의 밀도가 균일하게 분포하도록 전자기장을 제어할 수 있다. 이에 의해, 기판(S)의 전체 영역에 걸쳐 플라즈마가 균일하게 형성되어 기판(S)의 각 영역이 균일하게 식각될 수 있다.The ring member 240 may be disposed on an edge region of the electrostatic chuck 210 . The ring member 240 has an annular ring shape and may be disposed along the circumference of the dielectric plate 220 . In particular, the ring member 240 may be composed of a plurality of rings including a focus ring. In particular, the upper surface of the ring member 240 may be stepped so that the outer portion 240a is higher than the inner portion 240b. The inner portion 240b of the upper surface of the ring member 240 may be positioned at the same height as the upper surface of the dielectric plate 220 . The inner portion 240b of the upper surface of the ring member 240 may support an edge region of the substrate S positioned outside the dielectric plate 220 . The outer portion 240a of the ring member 240 may be provided to surround an edge region of the substrate S. The ring member 240 may control the electromagnetic field so that the density of plasma is uniformly distributed over the entire area of the substrate S. Accordingly, plasma is uniformly formed over the entire area of the substrate S, so that each area of the substrate S may be etched uniformly.

하부 커버(250)는 기판지지 유닛(200)의 하단부에 위치할 수 있다. 하부 커버(250)는 챔버(100)의 바닥면에서 상부로 이격되어 위치할 수 있다. 하부 커버(250)는 상면이 개방된 공간(255)이 내부에 형성될 수 있다. 하부 커버(250)의 외부 반경은 몸체(230)의 외부 반경과 동일한 길이로 제공될 수 있다. 하부 커버(250)의 내부 공간(255)에는 반송되는 기판(S)을 외부의 반송 부재로부터 정전 척(210)으로 이동시키는 리프트 핀 모듈(미도시) 등이 위치할 수 있다. 리프트 핀 모듈(미도시)은 하부 커버(250)로부터 일정 간격 이격되어 위치할 수 있다. 하부 커버(250)의 저면은 금속 재질로 제공될 수 있다. 하부 커버(250)의 내부 공간(255)은 공기가 제공될 수 있다. 공기는 절연체보다 유전율이 낮으므로 기판지지 유닛(200) 내부의 전자기장을 감소시키는 역할을 할 수 있다.The lower cover 250 may be located at the lower end of the substrate support unit 200 . The lower cover 250 may be spaced apart from the bottom surface of the chamber 100 upwardly. The lower cover 250 may have a space 255 having an open upper surface formed therein. The outer radius of the lower cover 250 may be provided to have the same length as the outer radius of the body 230 . A lift pin module (not shown) for moving the transferred substrate S from an external transfer member to the electrostatic chuck 210 may be positioned in the inner space 255 of the lower cover 250 . The lift pin module (not shown) may be positioned to be spaced apart from the lower cover 250 by a predetermined distance. A bottom surface of the lower cover 250 may be made of a metal material. Air may be provided in the inner space 255 of the lower cover 250 . Since air has a lower dielectric constant than the insulator, it may serve to reduce the electromagnetic field inside the substrate support unit 200 .

하부 커버(250)는 연결 부재(253)를 가질 수 있다. 연결 부재(253)는 하부 커버(250)의 외측면과 챔버(100)의 내측벽을 연결할 수 있다. 연결 부재(253)는 하부 커버(250)의 외측면에 일정한 간격으로 복수 개 제공될 수 있다. 연결 부재(253)는 기판지지 유닛(200)를 챔버(100) 내부에서 지지할 수 있다. 또한, 연결 부재(253)는 챔버(100)의 내측벽과 연결됨으로써 하부 커버(250)가 전기적으로 접지되도록 할 수 있다. 제1 전원(223a)과 연결되는 제1 전원라인(223c), 제2 전원(225a)과 연결되는 제2 전원라인(225c), 제3 전원(235a)과 연결되는 제3 전원라인(235c), 열전달 매체 저장부(231a)와 연결된 열전달 매체 공급라인(231b) 그리고 냉각 유체 저장부(232a)와 연결된 냉각 유체 공급 라인(232c) 등은 연결 부재(253)의 내부 공간(255)을 통해 하부 커버(250) 내부로 연장 될 수 있다.The lower cover 250 may have a connecting member 253 . The connecting member 253 may connect the outer surface of the lower cover 250 and the inner wall of the chamber 100 . A plurality of connection members 253 may be provided on the outer surface of the lower cover 250 at regular intervals. The connection member 253 may support the substrate support unit 200 in the chamber 100 . In addition, the connection member 253 may be connected to the inner wall of the chamber 100 so that the lower cover 250 is electrically grounded. A first power line 223c connected to the first power source 223a, a second power line 225c connected to the second power source 225a, and a third power line 235c connected to the third power source 235a , the heat transfer medium supply line 231b connected to the heat transfer medium storage unit 231a and the cooling fluid supply line 232c connected to the cooling fluid storage unit 232a are connected to the lower part through the internal space 255 of the connection member 253 . It may extend into the cover 250 .

정전 척(210)과 하부 커버(250)의 사이에는 플레이트(270)가 위치할 수 있다. 플레이트(270)는 하부 커버(250)의 상면을 덮을 수 있다. 플레이트(270)는 몸체(230)에 상응하는 단면적으로 제공될 수 있다. 플레이트(270)는 절연체를 포함할 수 있다. 일 예에 의하면, 플레이트(270)는 하나 또는 복수 개가 제공될 수 있다. 플레이트(270)는 몸체(230)와 하부 커버(250)의 전기적 거리를 증가시키는 역할을 할 수 있다.A plate 270 may be positioned between the electrostatic chuck 210 and the lower cover 250 . The plate 270 may cover the upper surface of the lower cover 250 . The plate 270 may be provided with a cross-sectional area corresponding to the body 230 . The plate 270 may include an insulator. According to an example, one or a plurality of plates 270 may be provided. The plate 270 may serve to increase the electrical distance between the body 230 and the lower cover 250 .

플라즈마 발생 유닛(300)은 챔버(100) 내 공정 가스를 플라즈마 상태로 여기시킬 수 있다. 상기 플라즈마 발생 유닛(300)은 용량 결합형 플라즈마 타입의 플라즈마 소스를 사용할 수 있다. CCP 타입의 플라즈마 소스가 사용되는 경우, 챔버(100)에 상부 전극(330) 및 하부 전극(230), 즉 몸체가 포함될 수 있다. 상부 전극(330) 및 하부 전극(230)은 처리 공간을 사이에 두고 서로 평행하게 상하로 배치될 수 있다. 하부 전극(230)뿐만 아니라 상부 전극(330)도 RF 전원(310)에 의해 RF 신호를 인가받아 플라즈마를 생성하기 위한 에너지를 공급받을 수 있으며, 각 전극에 인가되는 RF 신호의 수는 도시된 바와 같이 하나로 제한되지는 않는다. 양 전극 간의 공간에는 전기장이 형성되고, 이 공간에 공급되는 공정 가스는 플라즈마 상태로 여기될 수 있다. 이 플라즈마를 이용하여 기판 처리 공정이 수행된다. 본 명세서에 있어서 설명되는 용량 결합형 플라즈마(CCP: Capacitively coupled plasma) 타입으로 설명되었으나, 이에 제한되지 않으며 플라즈마 발생 유닛(600)은 유도 결합형 플라즈마(ICP: inductively coupled plasma) 타입으로 구성될 수도 있다.The plasma generating unit 300 may excite the process gas in the chamber 100 into a plasma state. The plasma generating unit 300 may use a capacitively coupled plasma type plasma source. When a CCP type plasma source is used, the chamber 100 may include an upper electrode 330 and a lower electrode 230 , that is, a body. The upper electrode 330 and the lower electrode 230 may be vertically disposed in parallel to each other with a processing space therebetween. The lower electrode 230 as well as the upper electrode 330 may receive an RF signal by the RF power source 310 to receive energy for generating plasma, and the number of RF signals applied to each electrode is as shown. are not limited to one. An electric field is formed in the space between the electrodes, and the process gas supplied to the space may be excited into a plasma state. A substrate processing process is performed using this plasma. Although described as a capacitively coupled plasma (CCP) type described herein, it is not limited thereto and the plasma generating unit 600 may be configured as an inductively coupled plasma (ICP) type. .

플라즈마 발생 유닛(300)은 가스분산판이 구비될 수 있다. 도면에는 도시하지 않았지만, 가스분산판은 챔버 (100)의 상면으로부터 일정거리 이격되어 배치될 수 있다. 가스분산판은 챔버(100)의 상면 가장자리에 형성되는 지지부에 의해 고정될 수 있다. 가스분산판은 두께가 일정한 판 형상으로 제공될 수 있다. 가스분산판의 저면은 플라즈마에 의한 아크 발생을 방지하기 위해 표면이 양극화 처리될 수 있다. 가스분산판의 단면적은 기판 지지 유닛(200)의 단면적과 동일하게 제공될 수 있다. 가스분산판은 복수개의 분사홀을 포함한다. 분사홀은 가스분산판의 상면과 하면을 수직 방향으로 관통할 수 있다. 가스분산판(310)은 금속재질을 포함할 수 있다. 금속재질의 가스분산판(310)은 상부 전극으로의 기능을 수행할 수 있다.The plasma generating unit 300 may be provided with a gas distribution plate. Although not shown in the drawings, the gas distribution plate may be disposed to be spaced apart from the upper surface of the chamber 100 by a predetermined distance. The gas distribution plate may be fixed by a support formed at an edge of the upper surface of the chamber 100 . The gas distribution plate may be provided in a plate shape having a constant thickness. The bottom surface of the gas distribution plate may be anodized to prevent arcing by plasma. The cross-sectional area of the gas distribution plate may be the same as the cross-sectional area of the substrate support unit 200 . The gas distribution plate includes a plurality of injection holes. The injection hole may penetrate the upper and lower surfaces of the gas distribution plate in a vertical direction. The gas distribution plate 310 may include a metal material. The metal gas distribution plate 310 may function as an upper electrode.

가스 공급 유닛(400)은 챔버(100) 내부에 공정 가스를 공급할 수 있다. 가스 공급 유닛(400)은 가스 공급 노즐(410), 가스 공급 라인(420), 그리고 가스 저장부(430)를 포함할 수 있다. 가스 공급 노즐(410)은 챔버(100)의 상면 중앙부에 설치될 수 있다. 가스 공급 노즐(410)의 저면에는 분사구가 형성될 수 있다. 분사구는 챔버(100) 내부로 공정 가스를 공급할 수 있다. 가스 공급 라인(420)은 가스 공급 노즐(410)과 가스 저장부(430)를 연결할 수 있다. 가스 공급 라인(420)은 가스 저장부(430)에 저장된 공정 가스를 가스 공급 노즐(410)에 공급할 수 있다. 가스 공급 라인(420)에는 밸브(421)가 설치될 수 있다. 밸브(421)는 가스 공급 라인(420)을 개폐하며, 가스 공급 라인(420)을 통해 공급되는 공정 가스의 유량을 조절할 수 있다.The gas supply unit 400 may supply a process gas into the chamber 100 . The gas supply unit 400 may include a gas supply nozzle 410 , a gas supply line 420 , and a gas storage unit 430 . The gas supply nozzle 410 may be installed in the center of the upper surface of the chamber 100 . An injection hole may be formed on a bottom surface of the gas supply nozzle 410 . The injection hole may supply a process gas into the chamber 100 . The gas supply line 420 may connect the gas supply nozzle 410 and the gas storage unit 430 . The gas supply line 420 may supply the process gas stored in the gas storage unit 430 to the gas supply nozzle 410 . A valve 421 may be installed in the gas supply line 420 . The valve 421 may open and close the gas supply line 420 and control the flow rate of the process gas supplied through the gas supply line 420 .

배플 유닛(500)은 챔버(100)의 내측벽과 기판지지 유닛(200)의 사이에 위치될 수 있다. 배플(510)은 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다. 배플(510)에는 복수의 관통홀(511)들이 형성될 수 있다. 챔버(100) 내에 제공된 공정 가스는 배플(510)의 관통홀(511)들을 통과하여 배기홀(102)로 배기될 수 있다. 배플(510)의 형상 및 관통홀(511)들의 형상에 따라 공정 가스의 흐름이 제어될 수 있다.The baffle unit 500 may be positioned between the inner wall of the chamber 100 and the substrate support unit 200 . The baffle 510 may be provided in an annular ring shape. A plurality of through holes 511 may be formed in the baffle 510 . The process gas provided in the chamber 100 may be exhausted to the exhaust hole 102 through the through holes 511 of the baffle 510 . The flow of the process gas may be controlled according to the shape of the baffle 510 and the shape of the through holes 511 .

도 3은 본 발명의 일 예시에 따른 지지 유닛을 보다 상세히 나타내는 도면이다. 3 is a view showing in more detail a support unit according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 3에 따른 지지 유닛(200)에서, 도 2의 지지 유닛(200)에서 이미 서술한 구성요소에 대해서는 설명을 생략한다. 도 3에 따르면, 본 발명에 따른 지지 유닛(200)은 도전판(226), 다이오드 보드(280), 제어 보드(290), 제1 라인(L1), 제2 라인(L2)을 더 포함할 수 있다. In the support unit 200 of FIG. 3 , the description of the components already described in the support unit 200 of FIG. 2 will be omitted. According to FIG. 3 , the support unit 200 according to the present invention may further include a conductive plate 226 , a diode board 280 , a control board 290 , a first line L1 , and a second line L2 . can

본 발명에 따른 제어 보드(290)는 본 발명에 따른 지지 유닛(200)에 포함된 매트릭스 구조의 히터(225)에 연결된 스위치(미도시)를 제어할 수 있다. 일 예시에 따르면 본 발명에 따른 제어 보드(290)는 PMC일 수 있다. 제어 보드(290)는 본 발명에 따른 지지 유닛에 포함된 매트릭스 구조의 히터(225)에 연결된 스위치(미도시)들을 제어하기 위한 제어 신호를 생성하고, 이를 인가할 수 있다. 제어 신호는 디지털 신호, 예를 들어, 온/오프 신호(on/off signal)일 수 있다. 제어 보드(290)는 하드웨어, 소프트웨어 또는 이들의 조합을 이용하여 컴퓨터 또는 이와 유사한 장치로 구현될 수 있다.The control board 290 according to the present invention may control a switch (not shown) connected to the heater 225 having a matrix structure included in the support unit 200 according to the present invention. According to an example, the control board 290 according to the present invention may be a PMC. The control board 290 may generate and apply a control signal for controlling switches (not shown) connected to the heater 225 having a matrix structure included in the support unit according to the present invention. The control signal may be a digital signal, for example, an on/off signal. The control board 290 may be implemented as a computer or a similar device using hardware, software, or a combination thereof.

하드웨어적으로 제어 보드(290)는 ASICs(application specific integrated circuits), DSPs(digital signal processors), DSPDs(digital signal processing devices), PLDs(programmable logic devices), FPGAs(field programmable gate arrays), 프로세서(processors), 마이크로 콘트롤러(micro-controllers), 마이크로 프로세서(microprocessors)나 이들과 유사한 제어 기능을 수행하는 전기 장치로 구현될 수 있다.In hardware, the control board 290 is ASICs (application specific integrated circuits), DSPs (digital signal processors), DSPDs (digital signal processing devices), PLDs (programmable logic devices), FPGAs (field programmable gate arrays), processors (processors) ), micro-controllers, microprocessors, or an electrical device that performs a control function similar thereto.

소프트웨어적으로 제어 보드(290)는 하나 또는 복수의 프로그램 언어에 따른 소프트웨어 코드 또는 소프트웨어 어플리케이션으로 구현될 수 있다. 소프트웨어는 하드웨어적으로 구현된 제어기에 의해 실행될 수 있다. 또한 소프트웨어는 서버 등의 외부 기기로부터 상술한 하드웨어적인 구성으로 송신되어 설치될 수 있다. In software, the control board 290 may be implemented as a software code or software application according to one or a plurality of programming languages. The software may be executed by a controller implemented in hardware. In addition, the software may be transmitted and installed in the above-described hardware configuration from an external device such as a server.

일 예시에 따르면, 다이오드 보드(280)는 히터(225)를 포함하는 정전 척(210)과 제어 보드(290)의 사이에 배치될 수 있다. 다이오드 보드(280)는 복수의 다이오드를 포함할 수 있다. 일 예시에 따르면 제1 라인(L1) 및 제2 라인(L2)은 히터(225)와 제어 보드(290), 그리고 다이오드 보드(280)를 전기적으로 연결할 수 있다. 제1 라인(L1)은 히터(225)와 다이오드 보드(280)를 전기적으로 연결할 수 있고, 제2 라인(L2)은 도전판(226)과 제어 보드(290)를 전기적으로 연결할 수 있다. 제2 라인(L2)의 개수는 복수의 히터의 열의 개수에 대응되는 개수만큼 제공될 수 있다. 도전판(226)은 히터(225)의 하부 층에 제공될 수 있다. 도전판(226)은 유전판(220)의 내부에 제공될 수 있다. 도전판(226)은 복수의 히터 중 적어도 2개 이상과 전기적으로 연결될 수 있다. According to an example, the diode board 280 may be disposed between the electrostatic chuck 210 including the heater 225 and the control board 290 . The diode board 280 may include a plurality of diodes. According to an example, the first line L1 and the second line L2 may electrically connect the heater 225 , the control board 290 , and the diode board 280 . The first line L1 may electrically connect the heater 225 and the diode board 280 , and the second line L2 may electrically connect the conductive plate 226 and the control board 290 . The number of second lines L2 may be provided as many as the number of rows of the plurality of heaters. The conductive plate 226 may be provided on a lower layer of the heater 225 . The conductive plate 226 may be provided inside the dielectric plate 220 . The conductive plate 226 may be electrically connected to at least two or more of the plurality of heaters.

도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 지지 유닛은 정전 척 내에 매트릭스 형태로 배치되어, 기판을 가열하는 복수의 히터(225), 상기 복수의 히터에 전력을 공급하는 전원 공급부(225a), 및 상기 복수의 히터와 상기 전원 공급부를 연결하는 제1 라인(L1)을 포함할 수 있다. 이 때, 제1 라인(L1)은 정전 척의 하부에 배치되는 다이오드 보드에서 분기될 수 있다. 제1 라인은 전력 공급 라인일 수 있다. 제2 라인(L2)은 전력 복귀 라인일 수 있다.Referring to FIG. 3 , the support unit according to the present invention is disposed in a matrix form in the electrostatic chuck, a plurality of heaters 225 for heating a substrate, a power supply unit 225a for supplying power to the plurality of heaters, and the It may include a first line (L1) connecting the plurality of heaters and the power supply. In this case, the first line L1 may be branched from the diode board disposed under the electrostatic chuck. The first line may be a power supply line. The second line L2 may be a power return line.

일 예시에 따르면, 제1 라인(L1)은 복수의 히터(225)의 행의 개수에 대응되는 개수로 제공되며, 제1 라인(L1)은 다이오드 보드(280)에서 복수의 히터(225)의 열의 개수에 대응되는 개수로 각각 분기될 수 있다. 즉 제1 라인은 1차적으로 분기되지 않은 상태로 복수의 히터(225)의 행의 개수에 대응되는 개수로 제공될 수 있고, 2차적으로 다이오드 보드(280)에서 복수의 히터(225)의 열의 개수에 대응되는 개수로 각각 분기되어 각각의 히터(225)와 연결될 수 있다.According to an example, the first line L1 is provided in a number corresponding to the number of rows of the plurality of heaters 225 , and the first line L1 is the number of the plurality of heaters 225 in the diode board 280 . Each branch may be divided into a number corresponding to the number of columns. That is, the first line may be provided in a number corresponding to the number of rows of the plurality of heaters 225 in an unbranched state, and secondarily, the number of rows of the plurality of heaters 225 in the diode board 280 is Each branch may be connected to each heater 225 by a number corresponding to the number.

이 때, 다이오드 보드(280)는 복수의 히터(225)의 개수에 대응하는 개수의 다이오드를 포함할 수 있다. 이를 통해 복수의 히터 각각에 인가되는 전력 공급을 다이오드를 통해 조절할 수 있고, 다이오드 보드(280)에서 분기가 되도록 처리함으로써 역전류 현상 및 히터 간의 간섭을 미리 방지할 수 있는 효과가 있다.In this case, the diode board 280 may include a number of diodes corresponding to the number of the plurality of heaters 225 . Through this, the power supply applied to each of the plurality of heaters can be controlled through the diode, and the reverse current phenomenon and interference between the heaters can be prevented in advance by processing the diode board 280 to branch.

본 발명에 따르면, 기존과 달리 전력 공급 라인인 L1이 분기되는 위치가 가열판이 아닌 다이오드 보드(280)에서 분기될 수 있다. 또한 전력 복귀 라인인 L2는 정전척(210) 내의 도전판(226)에서 분기될 수 있다.According to the present invention, unlike the prior art, the branching position of the power supply line L1 may be branched from the diode board 280 rather than the heating plate. In addition, the power return line L2 may be branched from the conductive plate 226 in the electrostatic chuck 210 .

도 4는 본 발명의 일 예시에 따른 히터(225)의 연결 구조를 설명하기 위한 도면이다. 4 is a view for explaining a connection structure of the heater 225 according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 본 발명의 일 예시에 따른 히터(225)가 4X4의 16개(16Z)로 제공되는 경우를 가정한다. 이 때, 복수의 히터(225) 각각은 4X4의 매트릭스 구조로 배치되어, 복수의 전력 공급 라인(L1)과 각각 연결될 수 있다. 즉, 복수의 히터(225)의 총 개수와 전력 공급 라인(L1)의 개수는 동일할 수 있다. 이 때, 복수의 전력 공급 라인(L1)은 다이오드 보드(280)에서 각각의 다이오드와 연결되며 분기되어 제공될 수 있다.Referring to FIG. 4 , it is assumed that the heater 225 according to an example of the present invention is provided in 16 pieces (16Z) of 4X4. In this case, each of the plurality of heaters 225 may be arranged in a 4X4 matrix structure, and may be respectively connected to the plurality of power supply lines L1 . That is, the total number of the plurality of heaters 225 and the number of power supply lines L1 may be the same. In this case, the plurality of power supply lines L1 may be connected to each diode in the diode board 280 and may be branched.

도 4의 일 예시에 따르면 16개의 히터(225)는 4개의 전력공급 라인(L1)과 4개의 전력복귀라인(L2)를 이용하여 16개의 존의 히터의 온도를 제어할 수 있다.According to an example of FIG. 4 , the 16 heaters 225 may control the temperature of the heaters in 16 zones using four power supply lines L1 and four power return lines L2 .

도시되지는 않았으나, 4개의 전력공급라인 및 4개의 전력복귀라인 각각에는 스위치가 연결되어 선택된 히터(225)의 영역에 교류 전원을 인가할 수 있다. Although not shown, a switch is connected to each of the four power supply lines and the four power return lines to apply AC power to the selected region of the heater 225 .

이 때, 4개의 전력 공급 라인 각각은 다이오드 보드(280)에서 4개로 분기되어 총 16개의 전력공급라인이 정전 척의 히터의 16개의 존에 각각 연결될 수 있다. At this time, each of the four power supply lines is branched into four from the diode board 280 , so that a total of 16 power supply lines may be respectively connected to 16 zones of the heater of the electrostatic chuck.

또한 복수의 히터(225)의 하부에 배치되는 복수의 도전판 각각은 복수의 히터 중 적어도 2개 이상과 연결되어, 전기적으로 연결될 수 있다. 복수의 도전판은 복수의 전력 복귀 라인들(L2)과 각각 연결될 수 있다. 이 때, 복수의 히터(225) 개수는 전력 복귀 라인(L2)의 개수보다 많을 수 있다. 전력 복귀 라인(L2)은 분기되지 아니하고 제공될 수 있다.In addition, each of the plurality of conductive plates disposed under the plurality of heaters 225 may be electrically connected to at least two or more of the plurality of heaters. The plurality of conductive plates may be respectively connected to the plurality of power return lines L2 . In this case, the number of the plurality of heaters 225 may be greater than the number of the power return lines L2 . The power return line L2 may be provided without being branched.

도 4를 참조하면, 히터(225)의 개수에 대응하는 16개의 다이오드가 다이오드 보드(280) 내에 위치하고, 이를 통해 역전류 및 히터 간의 간섭을 방지할 수 있는 효과가 있다.Referring to FIG. 4 , 16 diodes corresponding to the number of heaters 225 are located in the diode board 280 , thereby preventing reverse current and interference between heaters.

일 예시에 따르면, 제어 보드(290)와 다이오드 보드(280) 사이에는 필터가 배치될 수도 있다. 일 예시에 따르면 필터는 RF 필터일 수 있다. 일 예시에 따르면 필터는 고조파 차단 필터일 수 있다. According to an example, a filter may be disposed between the control board 290 and the diode board 280 . According to an example, the filter may be an RF filter. According to an example, the filter may be a harmonic blocking filter.

이상의 실시 예들은 본 발명의 이해를 돕기 위하여 제시된 것으로, 본 발명의 범위를 제한하지 않으며, 이로부터 다양한 변형 가능한 실시 예들도 본 발명의 범위에 속하는 것임을 이해하여야 한다. 본 발명에서 제공되는 도면은 본 발명의 최적의 실시예를 도시한 것에 불과하다. 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이며, 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 문언적 기재 그 자체로 한정되는 것이 아니라 실질적으로는 기술적 가치가 균등한 범주의 발명까지 미치는 것임을 이해하여야 한다.The above embodiments are presented to help the understanding of the present invention, and do not limit the scope of the present invention, and it should be understood that various modified embodiments therefrom also fall within the scope of the present invention. The drawings provided in the present invention merely show an optimal embodiment of the present invention. The technical protection scope of the present invention should be determined by the technical spirit of the claims, and the technical protection scope of the present invention is not limited to the literal description of the claims itself, but is substantially equivalent to the technical value. It should be understood that it extends to the invention of

225: 히터
226: 도전판
280: 다이오드 보드
L1: 제1 라인
L2: 제2 라인225: heater
226: conductive plate
280: diode board
L1: first line
L2: second line

Claims (14)

정전 척 내에 매트릭스 형태로 배치되어, 기판을 가열하는 복수의 히터;
상기 복수의 히터에 전력을 공급하는 전원 공급부; 및
상기 복수의 히터와 상기 전원 공급부를 연결하는 제1 라인; 을 포함하고,
상기 제1 라인은 상기 정전 척의 하부에 배치되는 다이오드 보드에서 분기되는 지지 유닛. a plurality of heaters disposed in a matrix in the electrostatic chuck to heat the substrate;
a power supply unit for supplying power to the plurality of heaters; and
a first line connecting the plurality of heaters to the power supply; including,
The first line is a support unit branched from a diode board disposed under the electrostatic chuck. 제1항에 있어서,
상기 제1 라인은 상기 복수의 히터의 행의 개수에 대응되는 개수로 제공되며,
상기 제1 라인은 상기 다이오드 보드에서 상기 복수의 히터의 열의 개수에 대응되는 개수로 각각 분기되는 지지 유닛. The method of claim 1,
The first line is provided in a number corresponding to the number of rows of the plurality of heaters,
The first lines are respectively branched in a number corresponding to the number of rows of the plurality of heaters in the diode board. 제2항에 있어서,
상기 다이오드 보드는 상기 복수의 히터의 개수에 대응하는 개수의 다이오드를 포함하는 지지 유닛. 3. The method of claim 2,
The diode board is a support unit including a number of diodes corresponding to the number of the plurality of heaters. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 지지 유닛은, 상기 히터의 하부 층에 제공되는 도전판;을 더 포함하는 지지 유닛. 4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The support unit may further include a conductive plate provided on a lower layer of the heater. 제4항에 있어서,
상기 도전판은 상기 복수의 히터 중 적어도 2개 이상과 전기적으로 연결되는 지지 유닛. 5. The method of claim 4,
The conductive plate is a support unit electrically connected to at least two or more of the plurality of heaters. 제5항에 있어서,
상기 도전판과 연결되는 제2 라인;을 더 포함하는 지지 유닛. 6. The method of claim 5,
A support unit further comprising a; second line connected to the conductive plate. 제6항에 있어서,
상기 제2 라인의 개수는 상기 복수의 히터의 열의 개수에 대응되는 지지 유닛. 7. The method of claim 6,
The number of the second lines corresponds to the number of rows of the plurality of heaters. 처리 공간을 가지는 공정 챔버;
처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛;
상기 처리 공간으로 처리 가스를 공급하는 가스 공급 유닛; 및
상기 처리 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스;를 포함하는 기판 처리 장치에 있어서,
상기 지지 유닛은,
정전 척 내에 매트릭스 형태로 배치되어, 기판을 가열하는 복수의 히터;
상기 복수의 히터에 전력을 공급하는 전원 공급부; 및
상기 복수의 히터와 상기 전원 공급부를 연결하는 제1 라인; 을 포함하고,
상기 제1 라인은 상기 정전 척의 하부에 배치되는 다이오드 보드에서 분기되는 기판 처리 장치. a process chamber having a processing space;
a support unit for supporting the substrate in the processing space;
a gas supply unit supplying a processing gas to the processing space; and
In the substrate processing apparatus comprising a; plasma source for generating plasma from the processing gas,
The support unit is
a plurality of heaters disposed in a matrix in the electrostatic chuck to heat the substrate;
a power supply unit for supplying power to the plurality of heaters; and
a first line connecting the plurality of heaters to the power supply; including,
The first line is branched from a diode board disposed under the electrostatic chuck. 제8항에 있어서,
상기 제1 라인은 상기 복수의 히터의 행의 개수에 대응되는 개수로 제공되며,
상기 제1 라인은 상기 다이오드 보드에서 상기 복수의 히터의 열의 개수에 대응되는 개수로 각각 분기되는 기판 처리 장치.9. The method of claim 8,
The first line is provided in a number corresponding to the number of rows of the plurality of heaters,
The first line is each branched in a number corresponding to the number of rows of the plurality of heaters in the diode board. 제9항에 있어서,
상기 다이오드 보드는 상기 복수의 히터의 개수에 대응하는 개수의 다이오드를 포함하는 기판 처리 장치.10. The method of claim 9,
The diode board includes a number of diodes corresponding to the number of the plurality of heaters. 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 지지 유닛은, 상기 히터의 하부 층에 제공되는 도전판;을 더 포함하는 기판 처리 장치. 11. The method according to any one of claims 8 to 10,
The support unit may further include a conductive plate provided on a lower layer of the heater. 제11항에 있어서,
상기 도전판은 상기 복수의 히터 중 적어도 2개 이상과 전기적으로 연결되는 기판 처리 장치.12. The method of claim 11,
The conductive plate is electrically connected to at least two or more of the plurality of heaters. 제12항에 있어서,
상기 도전판과 연결되는 제2 라인;을 더 포함하는 기판 처리 장치.13. The method of claim 12,
and a second line connected to the conductive plate. 제13항에 있어서,
상기 제2 라인의 개수는 상기 복수의 히터의 열의 개수에 대응되는 기판 처리 장치.
14. The method of claim 13,
The number of the second lines corresponds to the number of rows of the plurality of heaters.
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