KR20220121033A - 나노재료를 복합화 하기 위한 마이크로웨이브 장치 - Google Patents

나노재료를 복합화 하기 위한 마이크로웨이브 장치 Download PDF

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Abstract

챔버, 상기 챔버 내에 배치되어 전원 공급에 의하여 마이크로웨이브를 발생하는 마이크로웨이브 발생기 및 상기 챔버와 연통되도록 배치되어 가스가 이동될 수 있는 연결관을 포함하는 마이크로웨이브 장치가 개시된다.

Description

나노재료를 복합화 하기 위한 마이크로웨이브 장치{MICROWAVE APPARATUS FOR COMPOSITING NAO-MATERIALS}
본 발명은 나노 재료와 복합화 하기 위한 마이크로웨이브 장치에 관한 것이다.
[과제고유번호] 1425147763
[과제번호] S2867557
[부처명] 중소벤처기업부
[과제관리(전문)기관명] 한국산업기술진흥원
[연구사업명] 지역주력산업육성
[연구과제명] 탄소열충격 기반 탄소/나노 실리콘 복합재를 이용한 15분이내 쾌속충전이 가능한 700 mAh/g급 저가 리튬이차전지 음극소재 개발
[기여율] 100%
[과제수행기관명] ㈜에이치피케이
[연구기간] 2020. 05. 01. ~ 2021. 12. 31
신소재로서 극미세 분말 재료(Nanostructured Powder Materials)의 기술 개발은 나노 분야의 기술로 응용될 수 있기 때문에 매우 중요하게 인식되고 있다.
극미세분말 재료는 재료 구조의 미세화(100nm 이하)와 이에 따른 표면적의 증가로 인하여 기존의 재료에서는 얻을 수 없는 특이한 전ㆍ자기적, 기계적 및 촉매 특성을 나타낼 수 있으므로, 초고강도 부품, 자성 부품, 열전, 센서, 필터, 촉매 등의 차세대 기능성 소재로 산업 전반에 걸쳐 새로운 수요를 창출할 것이 기대되고 있다.
이와 함께 최근에는 리튬이온 이차전지에 대한 관심이 급증되고 있다.
리튬이온 전지는 리튬 이온의 저장에 해당하는 충전과 리튬이온의 방출에 해당하는 방전이 핵심기술이며, 이를 위한 주요 구성은 전극이라 할 수 있다. 이러한 전극 중에 음극재가 있으며, 수명과 안정성면에서 우수한 흑연계 재료가 리튬이차전지의 음극 소재로 주로 사용되어 왔다.
하지만 리튬 이온 전지는 낮은 이론 충전용량을 가지고 있는 단점이 있으며, 이를 해결하기 위한 방안으로는 충전용량이 높은 다양한 실리콘 합금 재료가 언급되고 있다. 이 실리콘 합금 재료를 리튬이온 전지에 응용하기 위하여 실리콘을 나노 크기로 제조해야 하지만 그 공정비가 높아 재료 가격의 상승으로 상용화가 어렵다.
예를 들어 실리콘은 용융점이 1414 ℃이고 용융하면 물처럼 고체일때보다 액체일 때 밀도가 더 증가하는 현상을 나타낸다. 흑연은 구조 중에 존재하는 π전자를 마이크로파 (파장, 1m~1mm; 주파수 300MHz-300GHz)를 이용해서 음(-)과 양(+)으로 번갈아 유도하면 급격하게 열을 발생하는 특성을 보인다.
이러한 현상을 응용하여 흑연에 비해서 용융점이 낮은 Si를 용융 가공할 수 있으며 급격한 열충격으로 급격하게 엔트로피를 증가시켜 비표면적이 증가된 Si나노 재료로 제조 가능해진다. 따라서 나노 Si이 복합된 흑연을 제조할 수 있다.
국내 공개특허 출원번호 "10-2013-0020572"
이 특허는 마이크로웨이브를 이용해서 다양한 종류의 나노 재료를 복합하는 목적으로 이용되는 마이크로웨이브 장치(발생기)를 포함한다.
본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위한 것으로 실리콘 또는 그와 유사한 고온의 열처리가 필요한 대상체를 고온으로 열처리할 수 있는 마이크로웨이브 장치를 제공하는데 목적이 있다.
일 실시예에 의한 마이크로웨이브 장치는 챔버, 상기 챔버 내에 배치되어 전원 공급에 의하여 마이크로웨이브를 발생하는 마이크로웨이브 발생기 및 상기 챔버와 연통되도록 배치되어 가스가 이동될 수 있는 연결관을 포함한다.
상기 마이크로웨이브 발생기는 상기 챔버의 상측면과 일측면에 복수개가 배치되는 것을 특징으로 한다.
상기 연결관은 상기 챔버의 측면에 배치되는 제1연결관과, 상기 제1연결관과 이격된 제2연결관 및 상기 챔버의 상측면에 배치되는 제3연결관을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 연결관은 상기 챔버의 측면에 배치되어 전원 공급에 의하여 밸브가 오픈되어 상기 챔버 내 가스를 외부로 배출하는 제4연결관을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 챔버의 하측면은 개폐되도록 형성된 것을 특징으로 한다.
상기 챔버의 하측면은 나사산이 형성된 플레이트와 상기 플레이트의 나사산과 맞닿으며, 축을 중심으로 회전되는 이동기어를 포함하여서 상기 이동기어가 회전되면 상기 플레이트는 일측으로 이동될 수 있는 것을 특징으로 한다.
상기 마이크로웨이브 발생 장치는 상기 챔버 내에 위치될 수 있는 보조챔버를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 챔버의 하측에는 실린더가 배치되며, 상기 보조챔버는 상기 실린더에 배치되어 상기 챔버의 하측이 오픈되면 상기 실린더가 동작되어 상기 보조챔버가 상기 챔버 내로 배치될 수 있는 것을 특징으로 한다.
전술한 일 실시예에 의한 본 발명인 마이크로웨이브 장치는 챔버 내부의 내부 온도를 600 ~ 2500도 사이로 만들어 대상체를 열처리할 수 있다.
또한, 일 실시예에 의한 본 발명은 보조챔버를 챔버 내로 자동으로 공급할 수 있어, 안전성, 편의성이 도모될 수 있다.
또한, 일 실시예에 의한 본 발명은 다양한 공급관을 활용하여 챔버 내부에 다양한 가스를 주입 및 방출할 수 있다.
도 1은 일 실시예에 의한 본 발명인 나노재료를 복합화 하기 위한 마이크로웨이브 장치의 정면도이다.
도 2a, 2b, 2c는 일 실시예에 의한 본 발명인 나노재료를 복합화 하기 위한 마이크로웨이브 장치의 챔버의 하측이 오픈되어 보조챔버가 인입되는 것을 순차적으로 도시한 것이다.
도 3은 또 다른 실시예에 의한 챔버의 하측면을 도시한 것이다.
도 4는 일 실시예에 의한 본 발명인 나노재료를 복합화 하기 위한 마이크로웨이브 장치의 전체 정면도이다.
이하, 본 발명의 일 실시예를 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다. 그러나 이는 본 발명의 범위를 한정하려고 의도된 것은 아니다.
각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
또한, 도면에 도시된 구성요소의 크기나 형상 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시될 수 있다. 또한, 본 발명의 구성 및 작용을 고려하여 특별히 정의된 용어들은 본 발명의 실시예를 설명하기 위한 것일 뿐이고, 본 발명의 범위를 한정하는 것이 아니다.
도 1은 일 실시예에 의한 본 발명인 나노재료를 복합화 하기 위한 마이크로웨이브 장치의 정면도이다.
이하에서 대상체라고 명명되는 것은 고온으로 가열되어야 하는 대상(예를 들어, 실리콘 등)물질을 지칭하는 것일 수 있다.
본 발명인 나노재료를 복합화 하기 위한 마이크로웨이브 장치는 챔버(100)를 중심으로, 복수의 마이크로웨이브 발생기(200) 및 연결관이 배치된 것을 특징으로 한다. 또한 챔버(100)에는 온도센서(700)가 추가로 배치될 수 있다.
그리고 마이크로웨이브 발생기(200), 연결관을 컨트롤하는 밸브, 그리고 온도센서(700)는 각각 제어부와 연결될 수 있다. 또한, 전술하여 언급되지는 않았으나, 제어신호에 따라 동작되는 각각의 구성도 제어부에 연결될 수 있다.
이하에서는 본 발명의 각각의 구성에 대하여 상세하게 설명하도록 하겠다.
챔버(100)는 대상체가 배치될 수 있는 내부공간이 형성되어 있다. 챔버(100)는 일측과 타측, 상측, 하측 및 후측이 폐쇄될 수 있다. 챔버(100)의 전측은 챔버게이트가 배치될 수 있다. 따라서 챔버(100)는 챔버게이트가 설치되면 전면이 폐쇄될 수 있다.
챔버(100)의 전측에는 둘레를 따라서 고정홀이 형성될 수 있다. 챔버게이트도 고정홀을 포함한다. 챔버게이트가 정렬되어 챔버(100)의 전측에 배치되면, 챔버(100)의 고정홀과 챔버게이트의 고정홀을 대응되며 배치될 수 있다. 챔버(100)버(100)의 전측에는 둘레를 따라서 고정홀이 형성될 수 있다. 챔버게이트와 챔버게이트의 고정홀에는 고정체가 배치될 수 있다. 고정체는 챔버(100)와 챔버게이트의 고정홀에 인입되어 챔버게이트가 챔버(100)를 폐쇄하도록 할 수 있다.
일례로 챔버(100)와 챔버게이트의 각각의 고정홀에는 나사산이 형성되어 있으며, 나사산이 형성되어 있으며, 고정체는 설정된 길이를 가지며, 둘레에 나사산을 가져서 고정홀에 나사산 간 결합이 수행되는 형태로 형성될 수 있다.
챔버(100)는 상측면과 일측면에 마이크로웨이브 발생기(200)가 배치될 수 있다. 여기서 마이크로웨이브 발생기(200)는 복수개가 구성될 수 있다. 일례로 마이크로웨이브 발생기(200)는 1kW의 고출력 마이크로파를 생성하는 마그네트론일 수 있다.
마이크로웨이브 발생기(200)는 챔버(100)에 적어도 15개 이상이 챔버(100)의 상측면, 일측면, 그리고 후측면에 배치될 수 있다. 일례로 마이크로웨이브 발생기(200)는 챔버(100)의 상측면에 8개, 후측면에 3개, 일측면에 4개가 설치될 수 있다. 제어부는 각각의 마이크로웨이브 발생기(200)와 연결되어 각각의 마이크로웨이브 발생기(200)에 전원을 공급하여 챔버(100)의 내부 온도를 증가시킬 수 있다.
여기서, 제어부는 마이크로웨이브 발생기(200)를 모두 동작시키거나 일부의 마이크로웨이브 발생기(200)만을 동작시켜, 챔버(100) 내부의 온도를 조절할 수 있다. 마이크로웨이브 발생기(200)가 모두 동작되면 챔버(100) 내의 온도는 약 2500도 이상으로 올라갈 수 있다.
또한, 챔버(100)는 복수의 연결관과 연통될 수 있다.
연결관은 챔버(100)와 연통되어 챔버(100) 내로 가스를 공급할 수 있다. 연결관은 제1연결관(300), 제2연결관(400), 제3연결관(500), 제4연결관(600)을 포함할 수 있다. 각각의 연결관은 그 역할이 상이하며, 각각 제1밸브(310), 제2밸브(410), 제3밸브(510), 제4밸브가 각각의 연결관에 대응되어 연결될 수 있다.
제1연결관(300)과 제2연결관(400)은 타측면에 배치될 수 있다.
제1연결관(300)의 일측은 공기탱크와 연결되어 있으며, 타측은 챔버(100)의 타측면과 연결되어 있다. 따라서 제어부는 제1밸브(310)를 동작시켜 제1연결관(300)의 유로를 오픈하여 챔버(100) 내에 공기를 공급할 수 있다. 제어부는 반대의 동작도 가능할 것이다.
제2연결관(400)의 일측은 비활성가스탱크와 연결되어 있으며, 타측은 챔버(100)의 타측면과 연결되어 있을 수 있다. 따라서 제어부는 제2밸브(410)를 동작시켜 제2연결관(400)의 유로를 오픈하여 챔버(100) 내에 비활성가스(헬륨가스, 아르곤가스, 질소가스 등)를 공급할 수 있다. 제어부는 역시 반대로 동작할 수 있다.
제3연결관(500)의 일측은 냉각가스탱크와 연결되어 있으며, 타측은 챔버(100)의 상측면과 연결되어 있을 수 있다. 따라서 제어부는 제3밸브(510)를 동작시켜, 제3연결관(500)의 유로를 오픈하여 챔버(100) 내의 냉각가스를 공급할 수 있다. 제어부는 역시 반대로도 동작할 수 있다.
제4연결관(600)의 일측은 외측에 타측은 챔버(100)의 후측면에 연결될 수 있다. 제4연결관(600)은 챔버(100) 내의 공기를 방출하는 역할을 한다. 제4연결관(600)에는 제4밸브와 함께 펌프가 연결될 수 있다(도 1에서 제4밸브와 펌프는 후측으로 연장되어 도시하지 않았음). 제어부는 제4밸브를 동작하여 챔버(100) 내의 가스를 외부로 배출하여 챔버(100) 내 가스를 제거할 수 있다. 또한, 제어부는 펌프를 동작시킬 수 있다. 따라서 챔버(100) 내를 음압으로 형성할 수도 있다. 제어부는 제4밸브를 동작하여 제4밸브 내의 유로를 폐쇄할 수도 있으며, 펌프의 동작을 중단시킬 수 있음도 당연할 것이다.
이와 같이 챔버(100)는 제1연결관(300), 제2연결관(400), 제3연결관(500), 그리고 제4연결관(600)과 각각 연결되어 공기를 주입받거나, 비활성가스를 주입받을 수 있다. 따라서 챔버(100) 내의 압력을 높일 수 있다. 또는 챔버(100)는 제4연결관(600)에 의하여 챔버(100) 내의 공기 또는 가스들이 제거되어 음압이 될 수 있다. 또는, 챔버(100)는 제3연결관(500)에 의하여 냉매가스를 공급받아 내부의 온도를 낮출 수 있다.
여기서 제1연결관(300), 제2연결관(400), 제3연결관(500)을 이동하는 가스는 약 2 ~ 50 slm의 속도로 공급됨이 바람직하다.
추가적으로 제3연결관(500)은 유로가 분기될 수 있다. 제3연결관(500)은 제1유로, 제2유로로 구성될 수 있다. 여기서, 제1유로에는 제3밸브(510)가 배치될 수 있으며, 제2유로에는 제3-2밸브가 배치될 수 있다. 제3연결관(500)의 타측은 챔버(100)와 연결되나, 제3연결관(500)의 제1유로의 일측은 전술한 냉각가스탱크와 연결되어 있을 수 있고, 제2유로의 일측은 수소가스탱크와 연결되어 있을 수 있다.
따라서 제3연결관(500)은 선택적으로 가스를 공급할 수 있다. 즉, 제어부가 제3밸브(510)를 동작시키지 않고, 제3-2밸브를 동작시키는 경우 수소가 챔버(100) 내로 공급될 수 있으며, 그렇지 않고, 제3연결관(500)의 제3밸브(510)를 동작시켜 냉각가스만을 공급할 수 있다.
온도센서(700)는 적외선 온도센서(700)일 수 있다. 챔버(100)의 상측면 중 일부분은 특수한 유리로 구성되고, 온도센서(700)는 이 위치에 위치되어 적외선을 이용하여 챔버(100) 내의 온도를 측정할 수 있다. 제어부는 온도센서(700)와 연결되어 챔버(100) 내부의 온도를 확인할 수 있다. 이와 같이 온도센서(700)는 챔버(100)의 외부에 배치되어 고온으로 가열되지 않으며 파손되지 않을 수 있다.
제어부는 온도센서(700)가 송신하는 챔버(100) 내부의 온도값을 수신하고, 마이크로웨이브 발생기(200)의 동작되는 개수를 점진적으로 증가시킬 수 있다.
도 2a, 2b, 2c는 본 발명인 나노재료를 복합화 하기 위한 마이크로웨이브 장치의 챔버의 하측이 오픈되어 보조챔버가 인입되는 것을 순차적으로 도시한 것이다.
본 발명의 챔버(100)의 하측면은 개폐 가능하도록 구성될 수 있다. 따라서 챔버(100)의 하측면을 통하여 대상체를 챔버(100) 내로 자동으로 공급할 수 있으며, 또는 챔버(100) 내로 보조챔버(150)를 공급할 수 있다.
챔버(100)의 하측면은 일례로 슬라이드되어 오픈될 수 있다.
일례로 챔버(100)의 하측면은 모터의 샤프트에 연결된 이동기어(120)와 이동기어(120)의 회전에 따라 슬라이드 이동될 수 있는 나사산이 형성된 플레이트(110)로 구성될 수 있다. 제어부가 모터에 신호를 인가하여 샤프트를 회전시키면 이동기어(120)는 일방향으로 회전되고, 그에 따라 플레이트(110)는 일방향으로 이동될 수 있다. 그럼으로 인하여 챔버(100)의 하측면은 개방될 수 있다. 제어부가 모터에 신호를 인가하여 이동기어(120)가 타방향으로 회전하면 반대 방향으로 이동되어 챔버(100)의 하측면은 폐쇄될 수 있다.
챔버(100)의 일측면에는 플레이트(110)의 일측면이 인입될 수 있는 수용홈이 형성될 수 있다. 따라서 플레이트(110)의 돌기가 수용홈에 위치되게 되고, 그로인하여 챔버(100)의 하측면은 플레이트(110)의 이동에도 불구하고 안정적으로 밀착될 수 있다.
도 3은 또 다른 실시예에 의한 챔버의 하측면을 도시한 것이다.
또 다른 실시예로는 챔버(100)의 하측면은 제1플레이트(111)와 제2플레이트(112)로 구성될 수 있다. 제1플레이트(111)의 일측면은 제2플레이트(112)의 타측면과 맞닿도록 형성된다.
여기서, 제1플레이트(111)의 타측면은 제1경사부(115)를 포함하도록 형성된다. 그리고 제2플레이트(112)의 일측면은 제1플레이트(111)의 제2경사부(116)와 대응되는 경사를 갖도록 제2경사부(116)를 포함한다. 따라서 제1플레이트(111)의 타측면이 제2플레이트(112)의 일측면과 맞닿게 되는 경우 제1플레이트(111)의 타측면의 제1경사부(115)가 제2플레이트(112)의 일측면의 제2경사부(116)와 맞닿게 되어 챔버(100)의 하측면을 밀폐할 수 있다.
여기서 제1플레이트(111)와 제2플레이트(112) 각각에는 나사산이 형성되어 있으며, 각각의 플레이트(110)는 각각의 이동기어(120)와 맞닿도록 구성된다. 즉, 제1플레이트(111)는 제1이동기어(121)와 맞닿고, 제2플레이트(112)는 제2이동기어(122)와 맞닿을 수 있다. 제어부는 제1이동기어(121)와 제2이동기어(122)가 타방향으로 회전되도록 각각의 모터를 제어할 수 있다.
따라서 제1플레이트(111)와 제2플레이트(112)는 상호 반대로 움직여 챔버(100)의 하측을 폐쇄 및 개방할 수 있다.
챔버(100)의 하측면에는 실린더(800)가 배치될 수 있다. 실린더(800)는 평평한면을 가지는 피스톤을 구비할 수 있다. 실린더(800)의 피스톤에는 대상체가 배치되거나 또는 보조챔버(150)가 배치될 수 있다. 보조챔버(150)는 챔버(100)의 크기보다 작은 크기의 챔버(100)일 수 있으며, 내부에 가열의 대상이 되는 대상체가 위치될 수 있다.
제어부는 실린더(800)와 연결되고 신호를 인가하여 대상체 또는 보조챔버(150)를 챔버(100) 내로 인입 시킬 수 있다.
일례로 이동기어(120)가 동작되어 챔버(100)의 하측이 개방된 경우, 제어부는 실린더(800)를 동작시켜 챔버(100) 내로 피스톤의 평평한면에 배치된 보조챔버(150)를 챔버(100) 내로 인입시킬 수 있다. 이후 제어부는 이동기어(120)를 다시 동작시켜 챔버(100)의 하측면이 일부 폐쇄되도록 할 수 있다. 그후 제어부는 실린더(800)를 다시 동작시켜 피스톤이 원래의 위치로 복원되도록 할 수 있다.
실린더(800)의 피스톤이 챔버(100) 외로 위치되면 제어부는 다시 이동기어(120)를 동작시켜, 챔버(100)의 남은 부분을 폐쇄할 수 있다.
이와 같이 본 발명은 챔버(100)의 하측이 개방되도록 하여, 챔버게이트를 오픈하지 않고, 대상체를 챔버(100) 내로 인입시킬 수 있으며, 고온으로 가열된 대상체를 역시 챔버게이트를 오픈하지 않고 외부로 배출할 수 있다.
대상체를 외부로 반출하는 방안은 전술한 동작에서 이동기어(120)를 동작시켜 플레이트(110)를 일부 움직여 개방된 부분을 만들고, 개방된 부분에 실린더(800)의 피스톤을 인입시켜 실린더(800)의 피스톤이 대상체 또는 보조챔버(150)를 들어 플레이트(110)와 맞닿지 않도록 하고, 이후 이동기어(120)가 다시 동작된 후, 피스톤이 원래의 위치로 복원되면 가능할 것이다.
한편, 전술한 플레이트(110)의 일측면과 챔버의 수용홈과 제1경사부(115)와 제2경사부(116)에는 도시되지 않았으나 실링을 위한 실링부재가 배치될 수도 있다.
도 4는 일 실시예에 의한 본 발명인 나노재료를 복합화 하기 위한 마이크로웨이브 장치의 전체 정면도이다.
당연하게도 본 발명인 나노재료를 복합화 하기 위한 마이크로웨이브 장치는 케이스를 포함할 수 있다.
정면에서 본 발명인 나노재료를 복합화 하기 위한 마이크로웨이브 장치를 관찰하면 챔버게이트 이외에 다른 부분은 관찰되지 않을 수 있다. (도 4에서는 본 발명의 구성의 특징을 설명하기 위하여 챔버게이트가 생략된 채 내부의 구조를 도시하였음에 유의하여야 한다.)
나노재료를 복합화 하기 위한 마이크로웨이브 장치의 케이스는 챔버(100)와 각각의 관들이 위치되어 있으며, 각각의 구성을 전자적으로 제어할 수 있는 제어부가 챔버(100)의 일측에 위치될 수 있다.
그리고 케이스의 하부는 오픈 가능하게 형성되고, 그 위치에 실린더(800)가 위치될 수 있다. 작업자는 케이스의 하부를 오픈하여 대상체 또는 보조챔버(150)를 실린더(800)의 피스톤에 위치시키면, 챔버(100)를 오픈하지 않고, 챔버(100) 내로 대상체를 위치시킬 수 있으며, 고온으로 대상체를 가열할 수 있을 것이다.
본 발명은 특정한 실시 예에 관련하여 도시하고 설명하였지만, 이하의 특허청구범위에 의해 제공되는 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 한도 내에서, 본 발명이 다양하게 개량 및 변화될 수 있다는 것은 당 업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 자명할 것이다.
100 : 챔버
110 : 플레이트
111 : 제1플레이트
112 : 제2플레이트
115 : 제1경사부
116 : 제2경사부
120 : 이동기어
121 : 제1이동기어
122 : 제2이동기어
150 : 보조챔버
200 : 마이크로웨이브 발생기
300 : 제1연결관
310 : 제1밸브
400 : 제2연결관
410 : 제2밸브
500 : 제3연결관
510 : 제3밸브
600 : 제4연결관
700 : 온도센서
800 : 실린더

Claims (8)

  1. 챔버;
    상기 챔버 내에 배치되어 전원 공급에 의하여 마이크로웨이브를 발생하는 마이크로웨이브 발생기; 및
    상기 챔버와 연통되도록 배치되어 가스가 이동될 수 있는 연결관
    을 포함하는 마이크로웨이브 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 마이크로웨이브 발생기는 상기 챔버의 상측면과 일측면 각각에 복수개가 배치되는 것
    을 특징으로 하는 마이크로웨이브 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 연결관은
    상기 챔버의 측면에 배치되는 제1연결관과, 상기 제1연결관과 이격된 제2연결관 및 상기 챔버의 상측면에 배치되는 제3연결관을 포함하는 것
    을 특징으로 하는 마이크로웨이브 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 연결관은
    상기 챔버의 측면에 배치되어 전원 공급에 의하여 밸브가 오픈되어 상기 챔버내 가스를 외부로 배출하는 제4연결관을 포함하는 것
    을 특징으로 하는 마이크로웨이브 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 챔버의 하측면은 개폐되도록 형성된 것
    을 특징으로 하는 마이크로웨이브 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 챔버의 하측면은
    나사산이 형성된 플레이트와 상기 플레이트의 나사산과 맞닿으며, 축을 중심으로 회전되는 이동기어를 포함하여서 상기 이동기어가 회전되면 상기 플레이트는 일측으로 이동될 수 있는 것
    을 특징으로 하는 마이크로웨이브 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 마이크로웨이브 장치는
    상기 챔버 내에 위치될 수 있는 보조챔버를 포함하는 것
    을 특징으로 하는 마이크로웨이브 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 챔버의 하측에는 실린더가 배치되며, 상기 보조챔버는 상기 실린더에 배치되어 상기 챔버의 하측이 오픈되면 상기 실린더가 동작되어 상기 보조챔버가 상기 챔버 내로 배치될 수 있는 것
    을 특징으로 하는 마이크로웨이브 장치.
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KR20130020572A (ko) 2011-08-17 2013-02-27 재팬 디스프레이 웨스트 인코포레이트 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20190137152A (ko) * 2017-04-19 2019-12-10 나노텍 인스트러먼츠, 인코포레이티드 마이크로파 시스템 및 그래핀을 생산하기 위한 방법
KR102199451B1 (ko) * 2019-02-01 2021-01-07 주식회사 이노파우더 마이크로웨이브를 이용한 나노분말 제조장치

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