KR20220119942A - Apparatus and method for supplying organometallic compound - Google Patents

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Abstract

According to the present invention, an apparatus for supplying an organometallic compound comprises: a first canister and a second canister in which an organometallic compound in a solid state is introduced; a first gas tank and a second gas tank in which high-pressure carrier gas is stored; a first inlet pipe for connecting the first gas tank and the first canister and having a first valve and a second valve for opening and closing an internal flow path; a first discharge pipe for connecting the first canister and a deposition chamber and having a third valve and a fourth valve for opening and closing the internal flow path; a second inlet pipe for connecting the second gas tank and the second canister and having a fifth valve and a sixth valve for opening and closing the internal flow path; a second discharge pipe for connecting the second canister and the deposition chamber and having a seventh valve and an eighth valve for opening and closing the internal flow path; a first bypass pipe for connecting a point between the third valve and the fourth valve in the first discharge pipe and a point between the fifth valve and the sixth valve in the second inlet pipe; and a second bypass pipe for connecting a point between the first valve and the second valve in the first inlet pipe and a point between the seventh valve and the eighth valve in the second discharge pipe. Therefore, the present invention has the effects of continuously operating a deposition chamber even while a canister connected to a deposition chamber is replaced, and using all organic metal compounds in the canister.

Description

유기금속화합물 공급장치 및 공급방법 {Apparatus and method for supplying organometallic compound}Organometallic compound supply apparatus and method {Apparatus and method for supplying organometallic compound}

본 발명은 고체상태의 유기금속화합물을 증착챔버로 공급하는 공급장치 및 공급방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 캐니스터 내의 유기금속화합물 잔여량이 적어지더라도 충분한 농도의 유기금속화합물을 증착챔버로 제공할 수 있는 유기금속화합물 공급장치 및 공급방법에 관한 것이다.The present invention relates to a supply apparatus and a supply method for supplying an organometallic compound in a solid state to a deposition chamber, and more particularly, to provide a sufficient concentration of an organometallic compound to the deposition chamber even if the residual amount of the organometallic compound in the canister is small. It relates to an organometallic compound supply device and supply method that can be used.

반도체 장치를 제조하는 데에는 많은 박막을 형성하는 공정이 따르며, 양산성 및 제어성이 우수한 유기금속 기상증착성장법(Metalorganic chemical vapor deposition MOCVD)을 사용하는 경우가 많다.A process of forming many thin films is followed to manufacture a semiconductor device, and metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD), which has excellent mass productivity and controllability, is often used.

이러한 유기금속물을 공급하는 공급장치는 유기금속화합물이 충전되는 캐니스터를 구비하고, 유기금속화합물이 담긴 캐니스터로 캐리어가스를 공급하여 승화된 유기금속화합물을 함유하는 캐리어가스를 생성한 후 이를 증착챔버로 공급한다. 즉 일반적으로 유기금속화합물 공급장치는, 유기금속화합물이 충전된 캐니스터에 캐리어가스를 흘림으로써, 캐니스터의 유기금속화합물이 증기 상태로 캐리어가스에 혼입된 후 증착챔버로 공급되도록 구성된다.The supply device for supplying such an organometallic material includes a canister filled with an organometallic compound, and supplies the carrier gas to the canister containing the organometallic compound to generate a carrier gas containing the sublimated organometallic compound, and then transfers the carrier gas to the deposition chamber. supplied with That is, in general, the organometallic compound supply device is configured to flow the carrier gas to the canister filled with the organometallic compound, so that the organometallic compound in the canister is mixed into the carrier gas in a vapor state and then supplied to the deposition chamber.

통상적으로 고체 유기금속화합물은 유동성이 나쁘기 때문에 캐리어가스와 직접 접촉하는 부분이 다른 부위보다 우선적으로 소비된다. 따라서 상기 캐니스터 내의 유기금속화합물 표면 중 캐리어가스가 1차적으로 직접 접촉되는 부위의 소비가 촉진되는바, 상기 유기금속화합물의 표면에는 캐리어가스가 흐르기 쉬운 유로가 형성된다. 이와 같은 캐리어가스 유로가 형성되면, 캐리어가스와 유기금속화합물의 접촉면적이 저하되고 캐니스터로부터 배출되는 캐리어가스 중의 유기금속화합물 농도가 낮아지면서 증기압 또한 떨어진다. 그 결과 유기금속화합물은 기상 증착챔버에 안정적으로 공급을 할 수 없는 문제가 발생된다. 따라서 캐리어가스 중의 유기금속화합물 농도가 저하된 시점에서 유기금속화합물의 사용이 정지되고 소비되지 않은 고체 유기금속화합물은 캐니스터에 남은 상태에서 교체가 이루어진다.In general, since the solid organometallic compound has poor fluidity, the part in direct contact with the carrier gas is preferentially consumed over other parts. Accordingly, consumption of a portion of the surface of the organometallic compound in the canister to which the carrier gas is in direct contact is promoted, and a flow path through which the carrier gas easily flows is formed on the surface of the organometallic compound. When such a carrier gas flow path is formed, the contact area between the carrier gas and the organometallic compound is lowered, and the concentration of the organometallic compound in the carrier gas discharged from the canister is lowered and the vapor pressure is also lowered. As a result, there is a problem that the organometallic compound cannot be stably supplied to the vapor deposition chamber. Therefore, when the concentration of the organometallic compound in the carrier gas decreases, the use of the organometallic compound is stopped, and the unconsumed solid organometallic compound is replaced while remaining in the canister.

그러나 상기와 같이 유기금속화합물이 아직 남아 있는 캐니스터를 새것으로 교체하게 되면 고체 유기금속화합물의 사용 효율이 떨어질 뿐만 아니라, 캐니스터 교체주기가 짧아짐으로 인해 증착챔버의 PM(Productive Maintenance)과정 역시 자주 수행되어야 하는바 증착챔버의 가동시간이 감소되고, 이에 따라 생산성이 현저히 떨어지게 된다는 문제점이 있다.However, as described above, when the canister containing the organometallic compound is replaced with a new one, not only the efficiency of using the solid organometallic compound is reduced, but also the PM (Productive Maintenance) process of the deposition chamber must be frequently performed due to the shortened canister replacement cycle. However, there is a problem in that the operation time of the deposition chamber is reduced, and thus productivity is significantly reduced.

캐니스터를 교체하는 동안에도 증착챔버를 지속적으로 사용할 수 있도록, 하나의 증착챔버에 두 개의 캐니스터가 병렬로 설치되는 '소스 공급 장치 및 방법 (대한민국 공개특허 10-2006-0118239호)'이 제안된바 있다. 이와 같은 종래의 소스 공급 장치는 어느 하나의 캐니스터를 사용하다가 수명이 다 된 캐니스터를 교체하는 동안 다른 하나의 캐니스터를 사용하도록 구성되어 있는바, 캐니스터를 교체하는 동안에도 증착챔버를 지속적으로 가동시킬 수 있다는 장점이 있다.A 'source supply apparatus and method (Korean Patent Application Laid-Open No. 10-2006-0118239)' in which two canisters are installed in parallel in one deposition chamber has been proposed so that the deposition chamber can be continuously used even while the canister is replaced. have. Such a conventional source supply device is configured to use one canister while replacing the expired canister, so that the deposition chamber can be continuously operated even while the canister is replaced. There is an advantage that

그러나 이와 같은 종래의 소스 공급 장치 및 방법을 이용하더라도, 캐니스터 내의 유기금속화합물 잔여량이 기준 미만인 경우에는 증착챔버로 공급되는 유기금속화합물의 농도가 기준치 미만으로 떨어지므로, 유기금속화합물의 사용 효율이 떨어진다는 문제점 즉, 증착챔버로 공급되지 못하고 버려지는 유기금속화합물이 발생한다는 문제점이 남아있게 된다.However, even with such a conventional source supply apparatus and method, when the residual amount of the organometallic compound in the canister is less than the standard, the concentration of the organometallic compound supplied to the deposition chamber falls below the reference value, so the use efficiency of the organometallic compound is reduced. is a problem, that is, a problem that an organometallic compound that is not supplied to the deposition chamber and is discarded is generated.

KR 10-2006-0118239 AKR 10-2006-0118239 A

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 증착챔버에 연결된 캐니스터를 교체하는 동안에도 증착챔버를 지속적으로 가동시킬 수 있고, 캐니스터 내의 유기금속화합물을 모두 사용할 수 있는 유기금속화합물 공급장치 및 공급방법을 제공하는데 목적이 있다.The present invention has been proposed to solve the above problems, and the deposition chamber can be continuously operated even while the canister connected to the deposition chamber is replaced, and the organometallic compound supply device capable of using all of the organometallic compounds in the canister And it aims to provide a supply method.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 유기금속화합물 공급장치는,An organometallic compound supply device according to the present invention for achieving the above object,

고체상태의 유기금속화합물이 내방된 제1 캐니스터 및 제2 캐니스터;a first canister and a second canister to which an organometallic compound in a solid state is inside;

고압의 캐리어가스가 저장된 제1 가스탱크 및 제2 가스탱크;a first gas tank and a second gas tank storing high-pressure carrier gas;

상기 제1 가스탱크와 상기 제1 캐니스터를 연결하되, 내부유로를 개폐하는 제1 밸브와 제2 밸브를 구비하는 제1 인입관;a first inlet pipe connecting the first gas tank and the first canister, the first inlet pipe having a first valve and a second valve for opening and closing an internal flow path;

상기 제1 캐니스터와 증착챔버를 연결하되, 내부유로를 개폐하는 제3 밸브와 제4 밸브를 구비하는 제1 방출관;a first discharge pipe connecting the first canister and the deposition chamber, the first discharge pipe having a third valve and a fourth valve for opening and closing an internal flow path;

상기 제2 가스탱크와 상기 제2 캐니스터를 연결하되, 내부유로를 개폐하는 제5 밸브와 제6 밸브를 구비하는 제2 인입관;a second inlet pipe connecting the second gas tank and the second canister, the second inlet pipe having a fifth valve and a sixth valve for opening and closing an internal flow path;

상기 제2 캐니스터와 상기 증착챔버를 연결하되, 내부유로를 개폐하는 제7 밸브와 제8 밸브를 구비하는 제2 방출관;a second discharge pipe connecting the second canister and the deposition chamber, the second discharge pipe having a seventh valve and an eighth valve for opening and closing an internal flow path;

상기 제1 방출관 중 상기 제3 밸브와 제4 밸브 사이의 지점과 상기 제2 인입관 중 상기 제5 밸브와 제6 밸브 사이의 지점을 연결하되, 내부유로를 개폐하는 제1 바이패스밸브를 구비하는 제1 바이패스관;A first bypass valve connecting a point between the third valve and the fourth valve of the first discharge pipe and a point between the fifth valve and the sixth valve of the second inlet pipe, and opening and closing the internal flow path; A first bypass pipe provided;

상기 제1 인입관 중 상기 제1 밸브와 제2 밸브 사이의 지점과 상기 제2 방출관 중 상기 제7 밸브와 제8 밸브 사이의 지점을 연결하되, 내부유로를 개폐하는 제2 바이패스밸브를 구비하는 제2 바이패스관을 포함하여 구성된다.A second bypass valve connecting the point between the first valve and the second valve of the first inlet pipe and the point between the seventh valve and the eighth valve of the second discharge pipe, and opening and closing the internal flow path; It is configured to include a second bypass pipe provided.

상기 제1 인입관과 상기 제1 방출관은 상기 제1 캐니스터에 착탈 가능한 구조로 결합되고, The first inlet pipe and the first discharge pipe are coupled to the first canister in a detachable structure,

상기 제1 캐니스터는, 상기 제1 인입관과 연결되는 지점의 유로를 개폐시키는 제1 유입밸브와, 상기 제1 방출관과 연결되는 지점의 유로를 개폐시키는 제1 유출밸브를 구비한다.The first canister includes a first inlet valve for opening and closing a flow path at a point connected to the first inlet pipe, and a first outlet valve for opening and closing a flow path at a point connected to the first discharge pipe.

상기 제2 인입관과 상기 제2 방출관은 상기 제2 캐니스터에 착탈 가능한 구조로 결합되고, The second inlet pipe and the second discharge pipe are coupled to the second canister in a detachable structure,

상기 제2 캐니스터는, 상기 제2 인입관과 연결되는 지점의 유로를 개폐시키는 제2 유입밸브와, 상기 제2 방출관과 연결되는 지점의 유로를 개폐시키는 제2 유출밸브를 구비한다.The second canister includes a second inlet valve for opening and closing a flow path at a point connected to the second inlet pipe, and a second outlet valve for opening and closing a flow path at a point connected to the second discharge pipe.

상기 제1 바이패스밸브는, 상기 제1 바이패스관 중 상기 제1 방출관에 연결된 측과 상기 제2 인입관과 연결된 측에 각각 하나씩 구비되고,One of the first bypass valves is provided on a side connected to the first discharge pipe and a side connected to the second inlet pipe, respectively, of the first bypass pipe,

상기 제2 바이패스밸브는, 상기 제2 바이패스관 중 상기 제1 인입관에 연결된 측과 상기 제2 방출관과 연결된 측에 각각 하나씩 구비된다.One of the second bypass valves is provided at a side connected to the first inlet pipe and a side connected to the second discharge pipe among the second bypass pipes.

진공압을 발생시키는 제1 진공펌프 및 제2 진공펌프;a first vacuum pump and a second vacuum pump for generating vacuum pressure;

상기 제1 진공펌프와 상기 제1 인입관을 연결하는 제1 공급퍼지관;a first supply purge pipe connecting the first vacuum pump and the first inlet pipe;

상기 제1 진공펌프와 상기 제1 방출관을 연결하는 제1 방출퍼지관;a first discharge purge pipe connecting the first vacuum pump and the first discharge pipe;

상기 제2 진공펌프와 상기 제2 인입관을 연결하는 제2 공급퍼지관;a second supply purge pipe connecting the second vacuum pump and the second inlet pipe;

상기 제2 진공펌프와 상기 제2 방출관을 연결하는 제2 방출퍼지관;a second discharge purge pipe connecting the second vacuum pump and the second discharge pipe;

을 더 포함한다.further includes

상기 증착챔버로 투입되는 가스의 유기금속화합물 농도를 감지하는 감지부를 더 포함한다.It further includes a sensing unit for detecting the concentration of the organometallic compound of the gas injected into the deposition chamber.

본 발명에 의한 유기금속화합물 공급방법은 상기와 같이 구성되는 유기금속화합물 공급장치를 이용하여 증착챔버로 유기금속화합물을 공급하는 방법으로서,The method for supplying an organometallic compound according to the present invention is a method of supplying an organometallic compound to a deposition chamber using the organometallic compound supply device configured as described above,

상기 제1 가스탱크 내의 캐리어가스가 상기 제1 캐니스터를 거친 후 상기 증착챔버로 투입되도록 하는 제1 단계;a first step of introducing the carrier gas in the first gas tank into the deposition chamber after passing through the first canister;

상기 증착챔버로 공급되는 가스의 유기금속화합물의 농도가 기준치 이상이면 상기 제1 단계로 되돌아가고, 상기 증착챔버로 공급되는 가스의 유기금속화합물의 농도가 기준치 미만이면 다음단계로 넘어가는 제2 단계;The second step of returning to the first step if the concentration of the organometallic compound in the gas supplied to the deposition chamber is greater than or equal to the reference value, and proceeding to the next step if the concentration of the organometallic compound in the gas supplied to the deposition chamber is less than the reference value ;

상기 증착챔버로 공급되는 가스의 유기금속화합물의 농도가 기준치 미만이면, 상기 제1 캐니스터로 공급된 캐리어가스가 상기 제2 캐니스터를 거친 후 상기 증착챔버로 투입되도록 하는 제3 단계;a third step of introducing the carrier gas supplied to the first canister into the deposition chamber after passing through the second canister when the concentration of the organometallic compound in the gas supplied to the deposition chamber is less than a reference value;

를 포함한다.includes

상기 제1 캐니스터 내의 유기금속화합물이 기준치를 초과하도록 잔존하면 상기 제3 단계로 되돌아가고, 상기 제1 캐니스터 내의 유기금속화합물이 기준치 이상 소진되면 다음단계로 넘어가는 제4 단계;a fourth step of returning to the third step when the organometallic compound in the first canister remains to exceed the reference value, and proceeding to the next step when the organometallic compound in the first canister is consumed more than the reference value;

상기 제1 캐니스터 내의 유기금속화합물이 기준치 이상 소진되면, 상기 제1 캐니스터의 유로를 차단한 후 새로운 제1 캐니스터로 교체하는 제5 단계;a fifth step of blocking the flow path of the first canister and replacing the first canister with a new first canister when the organometallic compound in the first canister is consumed more than a reference value;

상기 제2 가스탱크 내의 캐리어가스가 상기 제2 캐니스터를 거친 후 상기 증착챔버로 투입되도록 하는 제6 단계;a sixth step of introducing the carrier gas in the second gas tank into the deposition chamber after passing through the second canister;

상기 증착챔버로 공급되는 가스의 유기금속화합물의 농도가 기준치 이상이면 상기 제6 단계로 되돌아가고, 상기 증착챔버로 공급되는 가스의 유기금속화합물의 농도가 기준치 미만이면 다음단계로 넘어가는 제7 단계;A seventh step of returning to the sixth step if the concentration of the organometallic compound in the gas supplied to the deposition chamber is greater than or equal to the reference value, and proceeding to the next step if the concentration of the organometallic compound in the gas supplied to the deposition chamber is less than the reference value ;

상기 증착챔버로 공급되는 가스의 유기금속화합물의 농도가 기준치 미만이면, 상기 제2 캐니스터로 공급된 캐리어가스가 상기 제1 캐니스터를 거친 후 상기 증착챔버로 투입되도록 하는 제8 단계;an eighth step of introducing the carrier gas supplied to the second canister into the deposition chamber after passing through the first canister when the concentration of the organometallic compound in the gas supplied to the deposition chamber is less than a reference value;

를 더 포함한다.further includes

상기 제2 캐니스터 내의 유기금속화합물이 기준치를 초과하도록 잔존하면 상기 제8 단계로 되돌아가고, 상기 제2 캐니스터 내의 유기금속화합물이 기준치 이상 소진되면 다음단계로 넘어가는 제9 단계;a ninth step of returning to the eighth step when the organometallic compound in the second canister remains to exceed the reference value, and proceeding to the next step when the organometallic compound in the second canister is consumed more than the reference value;

상기 제2 캐니스터 내의 유기금속화합물이 기준치 이상 소진되면, 상기 제2 캐니스터의 유로를 차단한 후 새로운 제2 캐니스터로 교체하는 제10 단계;a tenth step of blocking the flow path of the second canister and replacing the second canister with a new second canister when the organometallic compound in the second canister is consumed more than a reference value;

상기 제1 가스탱크 내의 캐리어가스가 상기 제1 캐니스터를 거친 후 상기 증착챔버로 투입되도록 하는 제11 단계;an eleventh step of introducing the carrier gas in the first gas tank into the deposition chamber after passing through the first canister;

상기 증착챔버의 가동 여부를 판단하여, 상기 증착챔버가 가동중이면 상기 제1 단계로 되돌아가고, 상기 증착챔버의 가동이 중지되면 모든 단계를 종료하는 제12단계;a twelfth step of determining whether the deposition chamber is in operation, returning to the first step if the deposition chamber is in operation, and terminating all steps when the deposition chamber is stopped;

를 더 포함한다.further includes

본 발명에 의한 유기금속화합물 공급장치 및 공급방법을 이용하면, 증착챔버에 연결된 캐니스터를 교체하는 동안에도 증착챔버를 지속적으로 가동시킬 수 있어 생산성이 향상되고, 캐니스터 내의 유기금속화합물을 모두 사용할 수 있어 경제성이 향상된다는 장점이 있다.By using the organometallic compound supply apparatus and supply method according to the present invention, the deposition chamber can be continuously operated even while the canister connected to the deposition chamber is replaced, thereby improving productivity, and using all of the organometallic compound in the canister. It has the advantage of improving economic efficiency.

도 1은 본 발명에 의한 유기금속화합물 공급장치의 개략도이다.
도 2는 본 발명에 의한 유기금속화합물 공급방법의 순서도이다.
도 3 내지 도 8은 본 발명에 의한 유기금속화합물 공급장치의 사용상태도이다.
도 9는 본 발명에 의한 유기금속화합물 공급장치 제2 실시예의 개략도이다.1 is a schematic diagram of an organometallic compound supply device according to the present invention.
2 is a flowchart of a method for supplying an organometallic compound according to the present invention.
3 to 8 are diagrams showing the use of the organometallic compound supply device according to the present invention.
9 is a schematic diagram of a second embodiment of an organometallic compound supply device according to the present invention.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 의한 유기금속화합물 공급장치 및 공급방법의 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the organometallic compound supply apparatus and supply method according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 의한 유기금속화합물 공급장치의 개략도이다.1 is a schematic diagram of an organometallic compound supply device according to the present invention.

본 발명에 의한 유기금속화합물 공급장치는 캐니스터를 통과하는 과정에서 유기금속화합물이 혼합되어 있는 캐리어가스를 증착챔버(100)로 투입하여 상기 증착챔버(100)에 유기금속화합물을 공급하기 위한 장치로서, 캐니스터 내의 유기금속화합물의 잔존량이 기준치 미만으로 떨어져 증착챔버(100)로 투입되는 유기금속화합물 농도가 낮아지는 경우 캐리어 가스가 두 개의 캐니스터를 통과한 후 증착챔버(100)로 투입되도록 함으로써, 상기 증착챔버(100)로 공급되는 유기금속화합물의 농도를 기준치 이상으로 유지시킬 수 있도록 구성된다는 점에 구성상의 가장 큰 특징이 있다.The organometallic compound supply device according to the present invention is a device for supplying an organometallic compound to the deposition chamber 100 by injecting a carrier gas in which an organometallic compound is mixed into the deposition chamber 100 while passing through a canister. , when the residual amount of the organometallic compound in the canister falls below the reference value and the concentration of the organometallic compound injected into the deposition chamber 100 is lowered, the carrier gas passes through the two canisters and then is introduced into the deposition chamber 100. The biggest feature in the configuration is that it is configured to maintain the concentration of the organometallic compound supplied to the deposition chamber 100 above a reference value.

즉, 본 발명에 의한 유기금속화합물 공급장치는, 고체상태의 유기금속화합물이 내방된 제1 캐니스터(210) 및 제2 캐니스터(220)와, 캐리어가스가 저장된 제1 가스탱크(310) 및 제2 가스탱크(320)와, 상기 제1 가스탱크(310)의 캐리어가스를 상기 제1 캐니스터(210)로 공급하기 위한 제1 인입관(410)과, 상기 제2 가스탱크(320)의 캐리어가스를 상기 제2 캐니스터(220)로 공급하기 위한 제2 인입관(420)과, 상기 제1 캐니스터(210)의 유기금속화합물을 증착챔버(100)로 공급하기 위한 제1 방출관(430)과, 상기 제2 캐니스터(220)의 유기금속화합물을 증착챔버(100)로 공급하기 위한 제2 방출관(440)과, 상기 제1 방출관(430)과 상기 제2 인입관(420)을 연통시키는 제1 바이패스관(510)과, 상기 제1 인입관(410)과 상기 제2 방출관(440)을 연통시키는 제2 바이패스관(520)을 기본 구성요소로 구비한다.That is, the organometallic compound supply apparatus according to the present invention includes the first canister 210 and the second canister 220 in which the solid organometallic compound is inside, the first gas tank 310 and the second canister 220 in which the carrier gas is stored. 2 gas tank 320 , a first inlet pipe 410 for supplying the carrier gas of the first gas tank 310 to the first canister 210 , and a carrier of the second gas tank 320 . A second inlet pipe 420 for supplying gas to the second canister 220 , and a first discharge pipe 430 for supplying the organometallic compound of the first canister 210 to the deposition chamber 100 . and a second discharge pipe 440 for supplying the organometallic compound of the second canister 220 to the deposition chamber 100 , and the first discharge pipe 430 and the second inlet pipe 420 . A first bypass pipe 510 that communicates with each other and a second bypass pipe 520 that communicates between the first inlet pipe 410 and the second discharge pipe 440 are provided as basic components.

이때, 상기 제1 인입관(410)에는 내부유로를 개폐시키는 제1 밸브(610) 및 제2 밸브(620)가 구비되고, 상기 제1 방출관(430)에는 내부유로를 개폐시키는 제3 밸브(630) 및 제4 밸브(640)가 구비되며, 상기 제2 인입관(420)에는 내부유로를 개폐시키는 제5 밸브(650) 및 제6 밸브(660)가 구비되고, 상기 제2 방출관(440)에는 내부유로를 개폐시키는 제7 밸브(670) 및 제8 밸브(680)가 구비된다.At this time, the first inlet pipe 410 is provided with a first valve 610 and a second valve 620 for opening and closing the internal flow path, the first discharge pipe 430 has a third valve for opening and closing the internal flow path 630 and a fourth valve 640 are provided, and the second inlet pipe 420 is provided with a fifth valve 650 and a sixth valve 660 for opening and closing an internal flow path, and the second discharge pipe A seventh valve 670 and an eighth valve 680 for opening and closing the internal flow path are provided at 440 .

한편, 상기 제1 바이패스관(510)은, 상기 제1 방출관(430) 중 상기 제3 밸브(630)와 제4 밸브(640) 사이의 지점과 상기 제2 인입관(420) 중 상기 제5 밸브(650)와 제6 밸브(660) 사이의 지점을 연결하도록 구성되되, 내부유로를 개폐하는 제1 바이패스밸브(511)를 구비한다. 또한 상기 제2 바이패스관(520)은, 상기 제1 인입관(410) 중 상기 제1 밸브(610)와 제2 밸브(620) 사이의 지점과 상기 제2 방출관(440) 중 상기 제7 밸브(670)와 제8 밸브(680) 사이의 지점을 연결하도록 구성되되, 내부유로를 개폐하는 제2 바이패스밸브(521)를 구비한다.On the other hand, the first bypass pipe 510 is a point between the third valve 630 and the fourth valve 640 of the first discharge pipe 430 and the second inlet pipe 420 of the A first bypass valve 511 configured to connect a point between the fifth valve 650 and the sixth valve 660 is provided for opening and closing an internal flow path. In addition, the second bypass pipe 520 is a point between the first valve 610 and the second valve 620 of the first inlet pipe 410 and the second outlet pipe 440 of the second outlet pipe 440 . A second bypass valve 521 configured to connect a point between the seventh valve 670 and the eighth valve 680 is provided, which opens and closes the internal flow path.

이때, 상기 제1 바이패스밸브(511)와 제2 바이패스밸브(521)가 제1 바이패스관(510)과 제2 바이패스관(520)의 중단에 각각 하나씩만 구비되면, 상기 제1 바이패스밸브(511)와 제2 바이패스밸브(521)가 닫히더라도 상기 제1 바이패스관(510)과 제2 바이패스관(520)의 중단까지 가스가 불필요하게 유입될 수 있다. 따라서 상기 제1 바이패스밸브(511)는 상기 제1 바이패스관(510) 중 상기 제1 방출관(430)에 연결된 측과 상기 제2 인입관(420)과 연결된 측에 각각 하나씩 구비되고, 상기 제2 바이패스밸브(521)는 상기 제2 바이패스관(520) 중 상기 제1 인입관(410)에 연결된 측과 상기 제2 방출관(440)과 연결된 측에 각각 하나씩 구비됨이 바람직하다.At this time, if only one of the first bypass valve 511 and the second bypass valve 521 is provided at the middle of the first bypass pipe 510 and the second bypass pipe 520 , the first Even when the bypass valve 511 and the second bypass valve 521 are closed, gas may be unnecessarily introduced until the first bypass pipe 510 and the second bypass pipe 520 are stopped. Accordingly, one of the first bypass valves 511 is provided on a side connected to the first discharge pipe 430 and a side connected to the second inlet pipe 420 of the first bypass pipe 510, respectively, Preferably, one of the second bypass valves 521 is provided on a side connected to the first inlet pipe 410 and a side connected to the second discharge pipe 440 of the second bypass pipe 520 , respectively. do.

이와 같이 제1 바이패스관(510)과 제2 바이패스관(520)이 구비되면 제1 가스탱크(310) 및 제2 가스탱크(320)로부터 공급된 캐리어가스가 각 밸브들의 개폐 여부에 따라 제1 캐니스터(210) 또는 제2 캐니스터(220)만을 통과한 후 증착챔버(100)로 공급되거나, 제1 캐니스터(210)와 제2 캐니스터(220)를 모두 통과한 후 증착챔버(100)로 공급되도록 유동방향이 제어될 수 있게된다. 이와 같이 각 밸브들의 개폐에 따라 캐리어가스의 유동방향이 변경되는 패턴과, 이에 따른 효과에 대해서는 이하 도 2 내지 도 8을 참조하여 상세히 설명한다.As such, when the first bypass pipe 510 and the second bypass pipe 520 are provided, the carrier gas supplied from the first gas tank 310 and the second gas tank 320 is supplied according to whether each valve is opened or closed. It is supplied to the deposition chamber 100 after passing only the first canister 210 or the second canister 220 , or passes through both the first canister 210 and the second canister 220 and then into the deposition chamber 100 . The flow direction can be controlled to be supplied. As described above, the pattern in which the flow direction of the carrier gas is changed according to the opening and closing of each valve and the effect thereof will be described in detail below with reference to FIGS. 2 to 8 .

도 2는 본 발명에 의한 유기금속화합물 공급방법의 순서도이고, 도 3 내지 도 8은 본 발명에 의한 유기금속화합물 공급장치의 사용상태도이다.2 is a flowchart of a method for supplying an organometallic compound according to the present invention, and FIGS. 3 to 8 are diagrams of a state of use of the organometallic compound supplying apparatus according to the present invention.

본 발명에 의한 유기금속화합물 공급방법은 상기와 같이 구성되는 유기금속화합물 공급장치를 이용하여 증착챔버(100)로 유기금속화합물을 공급하는 방법으로서, 최초에는 상기 제1 가스탱크(310) 내의 캐리어가스가 상기 제1 캐니스터(210)를 거친 후 상기 증착챔버(100)로 투입되도록 한다(S10).The organometallic compound supply method according to the present invention is a method of supplying an organometallic compound to the deposition chamber 100 by using the organometallic compound supply device configured as described above. Initially, the carrier in the first gas tank 310 is After the gas passes through the first canister 210 , the gas is introduced into the deposition chamber 100 ( S10 ).

즉, 도 3에 도시된 바와 같이 제1 가스탱크(310)로부터 공급된 캐리어가스는 제1 인입관(410)을 통해 제1 캐니스터(210) 내부로 유입되어, 상기 제1 캐니스터(210)에 저장되어 있는 고체 상태의 유기금속화합물과 접촉되는 과정을 통해 유기금속화합물의 성분이 함유된다. 이와 같이 유기금속화합물이 함유된 캐리어가스는 제1 방출관(430)을 통해 증착챔버(100)로 유입되는데, 상기 제1 인입관(410) 내부를 흐르던 가스가 제2 바이패스관(520)으로 유입되거나 제1 방출관(430) 내부를 흐르던 가스가 제1 바이패스관(510)으로 유입되지 못하도록, 상기 제1 바이패스밸브(511) 및 제2 바이패스밸브(521)는 폐쇄된다(폐쇄된 밸브는 검정색으로 표시). 또한, 증착챔버(100)로 투입되던 가스가 제2 캐니스터(220)로 유입되지 못하도록 상기 제2 방출관(440)의 제8 밸브(680) 역시 폐쇄됨이 바람직하다. That is, as shown in FIG. 3 , the carrier gas supplied from the first gas tank 310 flows into the first canister 210 through the first inlet pipe 410 , and enters the first canister 210 . The components of the organometallic compound are contained through the process of contacting the stored solid organometallic compound. As described above, the carrier gas containing the organometallic compound is introduced into the deposition chamber 100 through the first discharge pipe 430 , and the gas flowing inside the first inlet pipe 410 is discharged through the second bypass pipe 520 . The first bypass valve 511 and the second bypass valve 521 are closed ( Closed valves are marked in black). In addition, it is preferable that the eighth valve 680 of the second discharge pipe 440 is also closed so that the gas introduced into the deposition chamber 100 does not flow into the second canister 220 .

도 3에 도시된 공정이 진행되는 동안에는 제1 캐니스터(210)의 유기금속화합물이 점진적으로 소모되므로, 상기 증착챔버(100)로 투입되는 가스의 유기금속화합물의 농도가 점차적으로 낮아지게 된다. 따라서 도 3에 도시된 공정이 수행되는 동안 상기 증착챔버(100)로 투입되는 가스의 유기금속화합물 농도를 감지하여, 유기금속화합물의 농도가 기준치 이상을 유지하는 동안에는 도 3에 도시된 공정이 지속적으로 수행되도록 하고, 유기금속화합물의 농도가 기준치 미만이면 다음단계로 넘어가게 된다(S11). 이와 같이 증착챔버(100)로 투입되는 가스의 유기금속화합물 농도가 기준치 이상인지 또는 미만인지를 판단할 수 있도록, 본 발명에 의한 유기금속화합물 공급장치는 상기 증착챔버(100)로 투입되는 가스의 유기금속화합물 농도를 감지하는 감지부(미도시)를 추가로 구비할 수 있다. 이와 같은 감지부는 본원발명이 해당하는 기술분야에서 다양한 구조로 상용화되어 있는바, 상기 감지부의 내부구성 및 작동원리에 대한 상세한 설명은 생략한다.Since the organometallic compound of the first canister 210 is gradually consumed during the process shown in FIG. 3 , the concentration of the organometallic compound in the gas injected into the deposition chamber 100 is gradually decreased. Therefore, while the process shown in FIG. 3 is performed, the concentration of the organometallic compound in the gas injected into the deposition chamber 100 is sensed, and the process shown in FIG. 3 is continuously maintained while the concentration of the organometallic compound is maintained above the reference value. , and if the concentration of the organometallic compound is less than the reference value, it goes to the next step (S11). In order to determine whether the concentration of the organometallic compound in the gas injected into the deposition chamber 100 is greater than or less than a reference value as described above, the organometallic compound supply apparatus according to the present invention provides A sensing unit (not shown) for detecting the concentration of the organometallic compound may be additionally provided. Since such a sensing unit has been commercialized in various structures in the technical field to which the present invention pertains, a detailed description of the internal configuration and operating principle of the sensing unit will be omitted.

상기 증착챔버(100)로 공급되는 가스의 유기금속화합물의 농도가 기준치 미만이 되면 제4 밸브(640)와 제5 밸브(650)와 제2 바이패스밸브(521)만 폐쇄시키고 나머지 밸브는 개방시킴으로써, 도 4에 도시된 바와 같이 제1 캐니스터(210)를 지난 가스가 제1 바이패스관(510)을 통해 제2 캐니스터(220)를 통과한 후 제2 방출관(440)을 통해 증착챔버(100)로 투입되도록 한다(S12).When the concentration of the organometallic compound in the gas supplied to the deposition chamber 100 is less than the reference value, only the fourth valve 640, the fifth valve 650, and the second bypass valve 521 are closed, and the remaining valves are opened. As shown in FIG. 4 , the gas passing through the first canister 210 passes through the second canister 220 through the first bypass tube 510 and then through the second discharge tube 440 through the deposition chamber. (100) to be input (S12).

제1 캐니스터(210)를 통과한 가스의 유기금속화합물 농도가 기준치 미만이더라도 제2 캐니스터(220)를 통과하는 동안 상기 제2 캐니스터(220)에 채워진 유기금속화합물이 추가적으로 함유되는바, 증착챔버(100)로 투입되는 가스는 기준치 이상의 유기금속화합물 농도를 갖게 된다. 이와 같이 캐리어가스가 제1 캐니스터(210)와 제2 캐니스터(220)를 순차적으로 통과하는 과정은 상기 제1 캐니스터(210) 내의 유기금속화합물이 모두 소진될 때까지 지속되다가, 제1 캐니스터(210) 내의 유기금속화합물이 모두 소진되면 제1 캐니스터(210)를 교체하는 과정으로 넘어가게 된다(S13).Even if the concentration of the organometallic compound in the gas that has passed through the first canister 210 is less than the reference value, the organometallic compound filled in the second canister 220 while passing through the second canister 220 is additionally contained, and the deposition chamber ( 100) has an organometallic compound concentration higher than the standard value. As described above, the process in which the carrier gas sequentially passes through the first canister 210 and the second canister 220 continues until all the organometallic compounds in the first canister 210 are exhausted, and then the first canister 210 ), when all of the organometallic compound is exhausted, the process proceeds to replacing the first canister 210 (S13).

제1 캐니스터(210)를 교체하고자 할 때에는 제1 캐니스터(210)를 유기금속화합물 공급장치로부터 차단하는 과정을 선행한다. 즉, 도 5에 도시된 바와 같이 제4 밸브(640)를 닫아 제1 캐니스터(210)와 증착챔버(100)를 차단하고 제1 바이패스밸브(511)와 제2 바이패스밸브(521)를 닫아 제1 바이패스관(510)과 제2 바이패스관(520)이 폐쇄되도록 한 후, 제2 인입관(420)을 통해 제2 가스탱크(320) 내의 캐리어가스를 제2 캐니스터(220)로 공급한다. 제2 캐니스터(220)를 통과하면서 유기금속화합물이 함유된 가스는 제2 방출관(440)을 통해 증착챔버(100)로 투입되는데, 상기 제2 캐니스터(220)에는 충분한 양의 유기금속화합물이 저장되어 있으므로 상기 증착챔버(100)로 투입되는 가스의 유기금속화합물 농도는 기준치 이상으로 높게 유지될 수 있다.When the first canister 210 is to be replaced, the process of blocking the first canister 210 from the organometallic compound supply device is preceded. That is, as shown in FIG. 5 , the fourth valve 640 is closed to block the first canister 210 and the deposition chamber 100 , and the first bypass valve 511 and the second bypass valve 521 are closed. After closing the first bypass pipe 510 and the second bypass pipe 520 to close the second canister 220 , the carrier gas in the second gas tank 320 is discharged through the second inlet pipe 420 . supplied with While passing through the second canister 220, the gas containing the organometallic compound is introduced into the deposition chamber 100 through the second discharge pipe 440. The second canister 220 contains a sufficient amount of the organometallic compound. Since it is stored, the concentration of the organometallic compound in the gas injected into the deposition chamber 100 may be maintained higher than the reference value.

이와 같이 제1 캐니스터(210)의 차단이 완료되면 제1 캐니스터(210)를 유기금속화합물 공급장치로부터 분리시킨다. 이때, 상기 제1 인입관(410)과 상기 제1 방출관(430)은 상기 제1 캐니스터(210)에 착탈 가능한 구조로 결합되고, 상기 제1 캐니스터(210)는 상기 제1 인입관(410)과 연결되는 지점의 유로를 개폐시키는 제1 유입밸브(211)와 상기 제1 방출관(430)과 연결되는 지점의 유로를 개폐시키는 제1 유출밸브(212)를 구비한다. 따라서 상기 제1 캐니스터(210)를 교체할 때에는 도 6에 도시된 바와 같이, 제1 캐니스터(210) 내의 물질이 외부로 유출되지 아니하도록 제1 캐니스터(210)의 제1 유입밸브(211)와 제1 유출밸브(212)를 모두 닫고, 제1 인입관(410)과 제1 방출관(430) 내의 가스가 외부로 유출되지 아니하도록 제2 밸브(620)와 제3 밸브(630)를 폐쇄시킨 후 제1 캐니스터(210)를 탈거한다(S14).As such, when the blocking of the first canister 210 is completed, the first canister 210 is separated from the organometallic compound supply device. At this time, the first inlet pipe 410 and the first discharge pipe 430 are coupled to the first canister 210 in a detachable structure, and the first canister 210 is the first inlet pipe 410 . ) and a first inlet valve 211 for opening and closing a flow path at a point connected to and a first outlet valve 212 for opening and closing a flow path at a point connected to the first discharge pipe 430 . Therefore, when replacing the first canister 210, as shown in FIG. 6, the first inlet valve 211 of the first canister 210 and Close all of the first outlet valves 212, and close the second valve 620 and the third valve 630 so that the gas in the first inlet pipe 410 and the first discharge pipe 430 does not flow to the outside. After this, the first canister 210 is removed (S14).

이와 같이 제1 캐니스터(210)가 탈거되는 동안에도 증착챔버(100)로는 유기금속화합물이 함유된 가스가 지속적으로 공급되므로, 상기 증착챔버(100)를 정상적으로 가동시킬 수 있고, 이에 따라 PM(Productive Maintenance)의 주기를 늘려 기상 증착 장치의 가동시간을 확보하여 전체적인 생산성을 향상시킬 수 있게 된다.As described above, even while the first canister 210 is removed, since the gas containing the organometallic compound is continuously supplied to the deposition chamber 100 , the deposition chamber 100 can be operated normally, and accordingly, the Maintenance) period is increased to secure the operation time of the vapor deposition apparatus, thereby improving overall productivity.

또한, 상기 언급한 바와 같이 본 발명에 의한 유기금속화합물 공급장치는 제1 캐니스터(210)의 유기금속화합물이 일정 수준 소모되었을 때 상기 제1 캐니스터(210)를 새것으로 교체하는 것이 아니라, 제1 캐니스터(210)의 유기금속화합물이 완전히 소진된 이후 상기 제1 캐니스터(210)를 새것으로 교체하도록 구성되는바, 유기금속화합물의 낭비를 방지하여 유지비용을 절감시킬 수 있을 뿐만 아니라 제1 캐니스터(210)의 교체주기를 연장시켜 사용 편의성을 증대시킬 수 있다는 장점도 있다.In addition, as mentioned above, in the organometallic compound supply device according to the present invention, when the organometallic compound in the first canister 210 is consumed at a certain level, the first canister 210 is not replaced with a new one, but the first It is configured to replace the first canister 210 with a new one after the organometallic compound of the canister 210 is completely exhausted, so it is possible to reduce the maintenance cost by preventing the waste of the organometallic compound as well as the first canister ( 210) to extend the replacement cycle, there is also an advantage in that the convenience of use can be increased.

제2 캐니스터(220)에 유기금속화합물이 충분히 남아 있는 동안에는 제2 가스탱크(320)로부터 공급된 캐리어가스가 제2 캐니스터(220)만을 통과한 후 증착챔버(100)로 투입되도록 하되(S15), 증착챔버(100)로 투입되는 가스의 유기금속화합물의 농도를 감지하여 유기금속화합물의 농도가 기준치 이상을 유지하는 동안에는 제2 캐니스터(220)만을 이용하는 공정이 지속적으로 수행되도록 하고, 유기금속화합물의 농도가 기준치 미만이면 다음단계로 넘어가게 된다(S16).While the organometallic compound is sufficiently left in the second canister 220, the carrier gas supplied from the second gas tank 320 passes only through the second canister 220 and then is introduced into the deposition chamber 100 (S15) , by detecting the concentration of the organometallic compound in the gas injected into the deposition chamber 100 so that the process using only the second canister 220 is continuously performed while the concentration of the organometallic compound is maintained above the reference value, and the organometallic compound If the concentration of is less than the reference value, it goes to the next step (S16).

즉, 상기 증착챔버(100)로 공급되는 가스의 유기금속화합물의 농도가 기준치 미만이 되면 제1 밸브(610)와 제8 밸브(680)와 제1 바이패스밸브(511)만 폐쇄시키고 나머지 밸브는 개방시킴으로써, 도 7에 도시된 바와 같이 제2 캐니스터(220)를 지난 가스가 제2 바이패스관(520)을 통해 제1 캐니스터(210)를 통과한 후 제1 방출관(430)을 통해 증착챔버(100)로 투입되도록 한다(S17).That is, when the concentration of the organometallic compound in the gas supplied to the deposition chamber 100 is less than the reference value, only the first valve 610 , the eighth valve 680 , and the first bypass valve 511 are closed and the remaining valves are closed. by opening, as shown in FIG. 7 , the gas passing through the second canister 220 passes through the first canister 210 through the second bypass pipe 520 and then through the first discharge pipe 430 . It is introduced into the deposition chamber 100 (S17).

제2 캐니스터(220)를 통과한 가스의 유기금속화합물 농도가 기준치 미만이더라도 제1 캐니스터(210)를 통과하는 동안 상기 제1 캐니스터(210)에 채워진 유기금속화합물이 추가적으로 함유되는바, 증착챔버(100)로 투입되는 가스는 기준치 이상의 유기금속화합물 농도를 갖게 된다. 이와 같이 캐리어가스가 제2 캐니스터(220)와 제1 캐니스터(210)를 순차적으로 통과하는 과정은 상기 제2 캐니스터(220) 내의 유기금속화합물이 모두 소진될 때까지 지속되다가, 제2 캐니스터(220) 내의 유기금속화합물이 모두 소진되면 제2 캐니스터(220)를 교체하는 과정으로 넘어가게 된다(S18).Even if the concentration of the organometallic compound in the gas that has passed through the second canister 220 is less than the reference value, the organometallic compound filled in the first canister 210 while passing through the first canister 210 is additionally contained, and the deposition chamber ( 100) has an organometallic compound concentration higher than the standard value. As described above, the process in which the carrier gas sequentially passes through the second canister 220 and the first canister 210 continues until all the organometallic compounds in the second canister 220 are exhausted, and then the second canister 220 ), when all of the organometallic compound is exhausted, the process proceeds to replace the second canister 220 (S18).

제2 캐니스터(220)를 교체하고자 할 때에는 제2 캐니스터(220)를 유기금속화합물 공급장치로부터 차단하는 과정을 선행한다. 즉, 도 8에 도시된 바와 같이 제8 밸브(680)를 닫아 제1 캐니스터(210)와 증착챔버(100)를 차단하고 제1 바이패스밸브(511)와 제2 바이패스밸브(521)를 닫아 제1 바이패스관(510)과 제2 바이패스관(520)이 폐쇄되도록 한 후, 제1 가스탱크(310) 내의 캐리어가스를 제1 인입관(410)을 통해 제1 캐니스터(210)로 공급한다. 제1 캐니스터(210)를 통과하면서 유기금속화합물이 함유된 가스는 제1 방출관(430)을 통해 증착챔버(100)로 투입되는데, 상기 제1 캐니스터(210)에는 충분한 양의 유기금속화합물이 저장되어 있으므로 상기 증착챔버(100)로 투입되는 가스는 유기금속화합물 농도가 기준치 이상으로 높게 유지될 수 있다.When the second canister 220 is to be replaced, the process of blocking the second canister 220 from the organometallic compound supply device is preceded. That is, as shown in FIG. 8 , the eighth valve 680 is closed to block the first canister 210 and the deposition chamber 100 , and the first bypass valve 511 and the second bypass valve 521 are closed. After closing the first bypass pipe 510 and the second bypass pipe 520 to close the carrier gas in the first gas tank 310 through the first inlet pipe 410, the first canister 210 supplied with While passing through the first canister 210 , the gas containing the organometallic compound is introduced into the deposition chamber 100 through the first discharge pipe 430 . The first canister 210 contains a sufficient amount of the organometallic compound. Since it is stored, the concentration of the organometallic compound in the gas injected into the deposition chamber 100 may be maintained higher than the reference value.

이와 같이 제2 캐니스터(220)의 차단이 완료되면 제2 캐니스터(220)를 유기금속화합물 공급장치로부터 분리시킨다. 이때, 상기 제2 인입관(420)과 상기 제2 방출관(440)은 상기 제2 캐니스터(220)에 착탈 가능한 구조로 결합되고, 상기 제2 캐니스터(220)는 상기 제2 인입관(420)과 연결되는 지점의 유로를 개폐시키는 제2 유입밸브(221)와 상기 제2 방출관(440)과 연결되는 지점의 유로를 개폐시키는 제2 유출밸브(222)를 구비한다. 따라서 상기 제2 캐니스터(220)를 교체할 때에는 도 8에 도시된 바와 같이, 제2 캐니스터(220) 내의 물질이 외부로 유출되지 아니하도록 제2 캐니스터(220)의 제2 유입밸브(221)와 제2 유출밸브(222)를 모두 닫고, 제2 인입관(420)과 제2 방출관(440) 내의 가스가 외부로 유출되지 아니하도록 제6 밸브(660)와 제7 밸브(670)를 폐쇄시킨 후 제2 캐니스터(220)를 탈거한다.When the blocking of the second canister 220 is completed in this way, the second canister 220 is separated from the organometallic compound supply device. In this case, the second inlet pipe 420 and the second discharge pipe 440 are coupled to the second canister 220 in a detachable structure, and the second canister 220 is the second inlet pipe 420 . ) and a second inlet valve 221 for opening and closing the flow path at a point connected to and a second outlet valve 222 for opening and closing the flow path at a point connected to the second discharge pipe 440 . Therefore, when replacing the second canister 220, as shown in FIG. 8, the second inlet valve 221 of the second canister 220 and Close both the second outlet valve 222 and close the sixth valve 660 and the seventh valve 670 so that the gas in the second inlet pipe 420 and the second discharge pipe 440 does not flow to the outside. After this, the second canister 220 is removed.

이와 같이 제2 캐니스터(220)가 새것으로 교체된 이후에는 제1 캐니스터(210)에 충분한 양의 유기금속화합물이 저장되어 있으므로, 도 3에 도시된 바와 같이 제1 캐니스터(210)만을 이용하여 증착챔버(100)로 유기금속화합물을 공급하는 상태로 되돌아가게 된다(S20). 이때, 증착챔버(100)의 가동이 지속되는지 또는 종료되는지를 판단하여, 상기 증착챔버(100)가 가동중이면 도 3에 도시된 과정으로 되돌아가고, 상기 증착챔버(100)의 가동이 중지되면 모든 단계를 종료하는 단계(S21)를 추가할 수 있다.In this way, after the second canister 220 is replaced with a new one, since a sufficient amount of the organometallic compound is stored in the first canister 210, deposition is performed using only the first canister 210 as shown in FIG. It returns to the state of supplying the organometallic compound to the chamber 100 (S20). At this time, it is determined whether the operation of the deposition chamber 100 is continued or terminated, and if the deposition chamber 100 is in operation, the process returns to the process shown in FIG. 3 , and when the operation of the deposition chamber 100 is stopped A step S21 of terminating all steps may be added.

도 9는 본 발명에 의한 유기금속화합물 공급장치 제2 실시예의 개략도이다.9 is a schematic diagram of a second embodiment of an organometallic compound supply device according to the present invention.

본 발명에 의한 유기금속화합물 공급장치는 제1 인입관(410)과 제1 방출관(430)과 제2 인입관(420)과 제2 방출관(440)을 퍼지시킬 수 있도록 구성될 수 있다.The organometallic compound supply apparatus according to the present invention may be configured to purge the first inlet pipe 410 , the first discharge pipe 430 , the second inlet pipe 420 , and the second discharge pipe 440 . .

즉, 본 발명에 의한 유기금속화합물 공급장치는 도 9에 도시된 바와 같이, 진공압을 발생시키는 제1 진공펌프(710) 및 제2 진공펌프(720)와, 상기 제1 진공펌프(710)와 상기 제1 인입관(410)을 연결하는 제1 공급퍼지관(810)과, 상기 제1 진공펌프(710)와 상기 제1 방출관(430)을 연결하는 제1 방출퍼지관(820)과, 상기 제2 진공펌프(720)와 상기 제2 인입관(420)을 연결하는 제2 공급퍼지관(840)과, 상기 제2 진공펌프(720)와 상기 제2 방출관(440)을 연결하는 제2 방출퍼지관(830)을 더 포함할 수 있다. 이때 상기 제1 공급퍼지관(810)에 구비된 제1 공급퍼지밸브(811)와, 제1 방출퍼지관(820)에 구비된 제1 방출퍼지밸브(821)와, 제2 방출퍼지관(830)에 구비된 제2 방출퍼지밸브(831)와 제2 공급퍼지관(840)에 구비된 제2 공급퍼지밸브(841)는 평소에는 닫혀 있다가 퍼지가 수행되는 동안에만 개방된다.That is, the organometallic compound supply apparatus according to the present invention includes a first vacuum pump 710 and a second vacuum pump 720 for generating a vacuum pressure, and the first vacuum pump 710 as shown in FIG. and a first supply purge pipe 810 connecting the first inlet pipe 410 and a first discharge purge pipe 820 connecting the first vacuum pump 710 and the first discharge pipe 430 to each other. and a second supply purge pipe 840 connecting the second vacuum pump 720 and the second inlet pipe 420 , and the second vacuum pump 720 and the second discharge pipe 440 . It may further include a second discharge purge pipe 830 for connecting. At this time, the first supply purge valve 811 provided in the first supply purge pipe 810, the first discharge purge valve 821 provided in the first discharge purge pipe 820, and the second discharge purge pipe ( The second discharge purge valve 831 provided in the 830 and the second supply purge valve 841 provided in the second supply purge pipe 840 are normally closed and open only while the purge is performed.

이와 같이 진공펌프(710, 720) 및 퍼지관(810~840)이 구비되면, 운전자는 제1 캐니스터(210)만을 사용하는 동안 제2 인입관(420) 및 제2 방출관(440)을 퍼지할 수 있고, 제2 캐니스터(220)만을 사용하는 동안 제1 인입관(410) 및 제1 방출관(430)을 퍼지할 수 있으므로, 증착챔버(100)의 가동 여부에 상관 없이 각 배관 내부를 자유롭게 퍼지할 수 있게 된다는 장점이 있다.As such, when the vacuum pumps 710 and 720 and the purge pipes 810 to 840 are provided, the driver purges the second inlet pipe 420 and the second discharge pipe 440 while using only the first canister 210 . Since the first inlet pipe 410 and the first discharge pipe 430 can be purged while only the second canister 220 is used, the inside of each pipe can be cleaned regardless of whether the deposition chamber 100 is in operation. It has the advantage of being able to purge freely.

이상, 본 발명을 바람직한 실시예를 사용하여 상세히 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시예에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 특허청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 이 기술분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다.As mentioned above, although the present invention has been described in detail using preferred embodiments, the scope of the present invention is not limited to specific embodiments, and should be interpreted by the appended claims. In addition, those skilled in the art should understand that many modifications and variations are possible without departing from the scope of the present invention.

100 : 증착챔버 210 : 제1 캐니스터
211 : 제1 유입밸브 212 : 제1 유출밸브
220 : 제2 캐니스터 221 : 제2 유입밸브
222 : 제2 유출밸브 310 : 제1 가스탱크
320 : 제2 가스탱크 410 : 제1 인입관
420 : 제2 인입관 430 : 제1 방출관
440 : 제2 방출관 510 : 제1 바이패스관
511 : 제1 바이패스밸브 520 : 제2 바이패스관
521 : 제2 바이패스밸브 610 : 제1 밸브
620 : 제2 밸브 630 : 제3 밸브
640 : 제4 밸브 650 : 제5 밸브
660 : 제6 밸브 670 : 제7 밸브
680 : 제8 밸브 710 : 제1 진공펌프
720 : 제2 진공펌프 810 : 제1 공급퍼지관
811 : 제1 공급퍼지밸브 820 : 제1 방출퍼지관
821 : 제1 방출퍼지밸브 830 : 제2 방출퍼지관
831 : 제2 방출퍼지밸브 840 : 제2 공급퍼지관
841 : 제2 공급퍼지밸브100: deposition chamber 210: first canister
211: first inlet valve 212: first outlet valve
220: second canister 221: second inlet valve
222: second outlet valve 310: first gas tank
320: second gas tank 410: first inlet pipe
420: second inlet pipe 430: first discharge pipe
440: second discharge tube 510: first bypass tube
511: first bypass valve 520: second bypass pipe
521: second bypass valve 610: first valve
620: second valve 630: third valve
640: fourth valve 650: fifth valve
660: sixth valve 670: seventh valve
680: eighth valve 710: first vacuum pump
720: second vacuum pump 810: first supply purge pipe
811: first supply purge valve 820: first discharge purge pipe
821: first discharge purge valve 830: second discharge purge pipe
831: second discharge purge valve 840: second supply purge pipe
841: second supply purge valve

Claims (9)

고체상태의 유기금속화합물이 내방된 제1 캐니스터(210) 및 제2 캐니스터(220);
고압의 캐리어가스가 저장된 제1 가스탱크(310) 및 제2 가스탱크(320);
상기 제1 가스탱크(310)와 상기 제1 캐니스터(210)를 연결하되, 내부유로를 개폐하는 제1 밸브(610)와 제2 밸브(620)를 구비하는 제1 인입관(410);
상기 제1 캐니스터(210)와 증착챔버(100)를 연결하되, 내부유로를 개폐하는 제3 밸브(630)와 제4 밸브(640)를 구비하는 제1 방출관(430);
상기 제2 가스탱크(320)와 상기 제2 캐니스터(220)를 연결하되, 내부유로를 개폐하는 제5 밸브(650)와 제6 밸브(660)를 구비하는 제2 인입관(420);
상기 제2 캐니스터(220)와 상기 증착챔버(100)를 연결하되, 내부유로를 개폐하는 제7 밸브(670)와 제8 밸브(680)를 구비하는 제2 방출관(440);
상기 제1 방출관(430) 중 상기 제3 밸브(630)와 제4 밸브(640) 사이의 지점과 상기 제2 인입관(420) 중 상기 제5 밸브(650)와 제6 밸브(660) 사이의 지점을 연결하되, 내부유로를 개폐하는 제1 바이패스밸브(511)를 구비하는 제1 바이패스관(510);
상기 제1 인입관(410) 중 상기 제1 밸브(610)와 제2 밸브(620) 사이의 지점과 상기 제2 방출관(440) 중 상기 제7 밸브(670)와 제8 밸브(680) 사이의 지점을 연결하되, 내부유로를 개폐하는 제2 바이패스밸브(521)를 구비하는 제2 바이패스관(520)을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 유기금속화합물 공급장치.
The first canister 210 and the second canister 220 to which the solid organometallic compound is inside;
a first gas tank 310 and a second gas tank 320 storing high-pressure carrier gas;
a first inlet pipe 410 connecting the first gas tank 310 and the first canister 210 and having a first valve 610 and a second valve 620 for opening and closing an internal flow path;
a first discharge pipe 430 connecting the first canister 210 and the deposition chamber 100 and having a third valve 630 and a fourth valve 640 for opening and closing an internal flow path;
a second inlet pipe 420 connecting the second gas tank 320 and the second canister 220 and having a fifth valve 650 and a sixth valve 660 for opening and closing an internal flow path;
a second discharge pipe 440 connecting the second canister 220 and the deposition chamber 100 and having a seventh valve 670 and an eighth valve 680 for opening and closing an internal flow path;
A point between the third valve 630 and the fourth valve 640 of the first discharge pipe 430 and the fifth valve 650 and the sixth valve 660 of the second inlet pipe 420 a first bypass pipe 510 connecting the points therebetween and having a first bypass valve 511 for opening and closing the internal flow path;
A point between the first valve 610 and the second valve 620 in the first inlet pipe 410 and the seventh valve 670 and the eighth valve 680 in the second discharge pipe 440 . Organometallic compound supply apparatus, characterized in that it comprises a second bypass pipe (520) connecting the points between the but having a second bypass valve (521) for opening and closing the internal flow path.
 제1항에 있어서,
상기 제1 인입관(410)과 상기 제1 방출관(430)은 상기 제1 캐니스터(210)에 착탈 가능한 구조로 결합되고,
상기 제1 캐니스터(210)는, 상기 제1 인입관(410)과 연결되는 지점의 유로를 개폐시키는 제1 유입밸브(211)와, 상기 제1 방출관(430)과 연결되는 지점의 유로를 개폐시키는 제1 유출밸브(212)를 구비하는 것을 특징으로 하는 유기금속화합물 공급장치.
According to claim 1,
The first inlet pipe 410 and the first discharge pipe 430 are coupled to the first canister 210 in a detachable structure,
The first canister 210 includes a first inlet valve 211 that opens and closes a flow path at a point connected to the first inlet pipe 410 and a flow path at a point connected to the first discharge pipe 430 . Organometallic compound supply device, characterized in that it has a first outlet valve (212) to open and close.
 제1항에 있어서,
상기 제2 인입관(420)과 상기 제2 방출관(440)은 상기 제2 캐니스터(220)에 착탈 가능한 구조로 결합되고,
상기 제2 캐니스터(220)는, 상기 제2 인입관(420)과 연결되는 지점의 유로를 개폐시키는 제2 유입밸브(221)와, 상기 제2 방출관(440)과 연결되는 지점의 유로를 개폐시키는 제2 유출밸브(222)를 구비하는 것을 특징으로 하는 유기금속화합물 공급장치.
According to claim 1,
The second inlet pipe 420 and the second discharge pipe 440 are coupled to the second canister 220 in a detachable structure,
The second canister 220 includes a second inlet valve 221 that opens and closes a flow path at a point connected to the second inlet pipe 420 and a flow path at a point connected to the second discharge pipe 440 . Organometallic compound supply device, characterized in that it has a second outlet valve (222) to open and close.
 제1항에 있어서,
상기 제1 바이패스밸브(511)는, 상기 제1 바이패스관(510) 중 상기 제1 방출관(430)에 연결된 측과 상기 제2 인입관(420)과 연결된 측에 각각 하나씩 구비되고,
상기 제2 바이패스밸브(521)는, 상기 제2 바이패스관(520) 중 상기 제1 인입관(410)에 연결된 측과 상기 제2 방출관(440)과 연결된 측에 각각 하나씩 구비되는 것을 특징으로 하는 유기금속화합물 공급장치.
According to claim 1,
The first bypass valve 511 is provided on a side connected to the first discharge pipe 430 and a side connected to the second inlet pipe 420 of the first bypass pipe 510, respectively,
The second bypass valve 521 is provided on a side connected to the first inlet pipe 410 and a side connected to the second discharge pipe 440 of the second bypass pipe 520, respectively. Organometallic compound supply device, characterized in that.
 제1항에 있어서,
진공압을 발생시키는 제1 진공펌프(710) 및 제2 진공펌프(720);
상기 제1 진공펌프(710)와 상기 제1 인입관(410)을 연결하는 제1 공급퍼지관(810);
상기 제1 진공펌프(710)와 상기 제1 방출관(430)을 연결하는 제1 방출퍼지관(820);
상기 제2 진공펌프(720)와 상기 제2 인입관(420)을 연결하는 제2 공급퍼지관(840);
상기 제2 진공펌프(720)와 상기 제2 방출관(440)을 연결하는 제2 방출퍼지관(830);
을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기금속화합물 공급장치.
According to claim 1,
A first vacuum pump 710 and a second vacuum pump 720 for generating a vacuum pressure;
a first supply purge pipe 810 connecting the first vacuum pump 710 and the first inlet pipe 410;
a first discharge purge pipe 820 connecting the first vacuum pump 710 and the first discharge pipe 430;
a second supply purge pipe 840 connecting the second vacuum pump 720 and the second inlet pipe 420;
a second discharge purge pipe 830 connecting the second vacuum pump 720 and the second discharge pipe 440;
Organometallic compound supply device, characterized in that it further comprises.
 제1항에 있어서,
상기 증착챔버(100)로 투입되는 가스의 유기금속화합물 농도를 감지하는 감지부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기금속화합물 공급장치.
According to claim 1,
Organometallic compound supply apparatus, characterized in that it further comprises a sensing unit for detecting the concentration of the organometallic compound of the gas injected into the deposition chamber (100).
 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 의한 유기금속화합물 공급장치를 이용하여 증착챔버(100)로 유기금속화합물을 공급하는 방법으로서,
상기 제1 가스탱크(310) 내의 캐리어가스가 상기 제1 캐니스터(210)를 거친 후 상기 증착챔버(100)로 투입되도록 하는 제1 단계;
상기 증착챔버(100)로 공급되는 가스의 유기금속화합물의 농도가 기준치 이상이면 상기 제1 단계로 되돌아가고, 상기 증착챔버(100)로 공급되는 가스의 유기금속화합물의 농도가 기준치 미만이면 다음단계로 넘어가는 제2 단계;
상기 증착챔버(100)로 공급되는 가스의 유기금속화합물의 농도가 기준치 미만이면, 상기 제1 캐니스터(210)로 공급된 캐리어가스가 상기 제2 캐니스터(220)를 거친 후 상기 증착챔버(100)로 투입되도록 하는 제3 단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기금속화합물 공급방법.
A method of supplying an organometallic compound to the deposition chamber 100 using the organometallic compound supply device according to any one of claims 1 to 6,
a first step of allowing the carrier gas in the first gas tank 310 to pass through the first canister 210 and then to be introduced into the deposition chamber 100 ;
If the concentration of the organometallic compound in the gas supplied to the deposition chamber 100 is greater than or equal to the reference value, the process returns to the first step, and if the concentration of the organometallic compound in the gas supplied to the deposition chamber 100 is less than the reference value, the next step a second step of moving to
When the concentration of the organometallic compound in the gas supplied to the deposition chamber 100 is less than the reference value, the carrier gas supplied to the first canister 210 passes through the second canister 220 and then the deposition chamber 100 . a third step to be put into the;
Organometallic compound supply method comprising a.
 제7항에 있어서,
상기 제1 캐니스터(210) 내의 유기금속화합물이 기준치를 초과하도록 잔존하면 상기 제3 단계로 되돌아가고, 상기 제1 캐니스터(210) 내의 유기금속화합물이 기준치 이상 소진되면 다음단계로 넘어가는 제4 단계;
상기 제1 캐니스터(210) 내의 유기금속화합물이 기준치 이상 소진되면, 상기 제1 캐니스터(210)의 유로를 차단한 후 새로운 제1 캐니스터(210)로 교체하는 제5 단계;
상기 제2 가스탱크(320) 내의 캐리어가스가 상기 제2 캐니스터(220)를 거친 후 상기 증착챔버(100)로 투입되도록 하는 제6 단계;
상기 증착챔버(100)로 공급되는 가스의 유기금속화합물의 농도가 기준치 이상이면 상기 제6 단계로 되돌아가고, 상기 증착챔버(100)로 공급되는 가스의 유기금속화합물의 농도가 기준치 미만이면 다음단계로 넘어가는 제7 단계;
상기 증착챔버(100)로 공급되는 가스의 유기금속화합물의 농도가 기준치 미만이면, 상기 제2 캐니스터(220)로 공급된 캐리어가스가 상기 제1 캐니스터(210)를 거친 후 상기 증착챔버(100)로 투입되도록 하는 제8 단계;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기금속화합물 공급방법.
8. The method of claim 7,
If the organometallic compound in the first canister 210 remains to exceed the reference value, the process returns to the third step, and when the organometallic compound in the first canister 210 is consumed more than the reference value, the fourth step proceeds to the next step ;
a fifth step of blocking the flow path of the first canister 210 and replacing the first canister 210 with a new first canister 210 when the organometallic compound in the first canister 210 is consumed more than a reference value;
a sixth step of allowing the carrier gas in the second gas tank 320 to pass through the second canister 220 and then to be introduced into the deposition chamber 100;
If the concentration of the organometallic compound in the gas supplied to the deposition chamber 100 is greater than or equal to the reference value, the process returns to the sixth step, and if the concentration of the organometallic compound in the gas supplied to the deposition chamber 100 is less than the reference value, the next step a seventh step of moving to ;
When the concentration of the organometallic compound in the gas supplied to the deposition chamber 100 is less than the reference value, the carrier gas supplied to the second canister 220 passes through the first canister 210 and then in the deposition chamber 100 . an eighth step to be introduced into the;
Organometallic compound supply method, characterized in that it further comprises.
 제8항에 있어서,
상기 제2 캐니스터(220) 내의 유기금속화합물이 기준치를 초과하도록 잔존하면 상기 제8 단계로 되돌아가고, 상기 제2 캐니스터(220) 내의 유기금속화합물이 기준치 이상 소진되면 다음단계로 넘어가는 제9 단계;
상기 제2 캐니스터(220) 내의 유기금속화합물이 기준치 이상 소진되면, 상기 제2 캐니스터(220)의 유로를 차단한 후 새로운 제2 캐니스터(220)로 교체하는 제10 단계;
상기 제1 가스탱크(310) 내의 캐리어가스가 상기 제1 캐니스터(210)를 거친 후 상기 증착챔버(100)로 투입되도록 하는 제11 단계;
상기 증착챔버(100)의 가동 여부를 판단하여, 상기 증착챔버(100)가 가동중이면 상기 제1 단계로 되돌아가고, 상기 증착챔버(100)의 가동이 중지되면 모든 단계를 종료하는 제12단계;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기금속화합물 공급방법.9. The method of claim 8,
If the organometallic compound in the second canister 220 remains to exceed the reference value, the process returns to the eighth step, and when the organometallic compound in the second canister 220 is consumed more than the reference value, the ninth step proceeds to the next step ;
a tenth step of blocking the flow path of the second canister 220 and replacing the second canister 220 with a new second canister 220 when the organometallic compound in the second canister 220 is consumed more than a reference value;
an eleventh step of allowing the carrier gas in the first gas tank 310 to pass through the first canister 210 and then to be introduced into the deposition chamber 100 ;
A twelfth step of determining whether the deposition chamber 100 is in operation, returning to the first step if the deposition chamber 100 is in operation, and ending all steps when the deposition chamber 100 is stopped ;
Organometallic compound supply method, characterized in that it further comprises.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20060118239A (en) 2005-05-16 2006-11-23 주성엔지니어링(주) Apparatus and method for supplying source
KR102203976B1 (en) * 2020-09-14 2021-01-18 포이스주식회사 The system of supplying a chemical enabling removal of air-pocket and the method thereof

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