KR20220117560A - A photomask with a pellicle structure that prevents growth of growable residue and haze - Google Patents

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KR20220117560A
KR20220117560A KR1020210021053A KR20210021053A KR20220117560A KR 20220117560 A KR20220117560 A KR 20220117560A KR 1020210021053 A KR1020210021053 A KR 1020210021053A KR 20210021053 A KR20210021053 A KR 20210021053A KR 20220117560 A KR20220117560 A KR 20220117560A
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Abstract

The present invention relates to a photomask of a pellicle structure and a manufacturing method thereof, capable of exhibiting the same level of performance as that of a quartz (quartz) substrate while the photomask is manufactured using a relatively low-cost sodalime substrate, and in particular, capable of minimizing an occurrence of haze caused by growth type foreign matters such as sodium (Na+), calcium (Ca2+) and magnesium (Mg2+) protruding from the inside of the sodalime substrate to a surface thereof due to a Yake phenomenon during a photomask exposure process. The photomask according to the present invention can improve an antifouling performance of a substrate due to a coating layer formed on the substrate, while preventing in advance repetitive detachments of pellicle for cleaning the substrate due to generation of the growth type foreign matters, thereby improving economics of a process. According to the present invention, the manufacturing method of a photomask comprises the steps of: forming a mask pattern on a substrate of a sodalime material; individually forming a coating layer on upper and lower surfaces of the substrate with a composition comprising at least one selected from silicon dioxide (SiO2 ) and fluorine (fluorine); and forming a pellicle membrane on the substrate to be supported by a pellicle frame and spaced apart from the substrate at a predetermined interval.

Description

성장성 이물 및 헤이즈 발생이 억제된 펠리클 구조의 포토마스크{A photomask with a pellicle structure that prevents growth of growable residue and haze}A photomask with a pellicle structure that prevents growth of growable residue and haze

본 발명은 성장성 이물 및 헤이즈 발생이 억제된 펠리클 구조의 포토마스크에 관한 것이다. The present invention relates to a photomask having a pellicle structure in which growth of foreign substances and haze is suppressed.

반도체 소자를 웨이퍼(wafer) 상에 집적시키기 위해 리소그래피 과정이 수행된다. 리소그래피 과정은 웨이퍼 상에 형성하고자 하는 회로 패턴의 레이아웃(layout)을 설계하고, 설계된 회로 패턴의 레이아웃을 따르는 마스크 패턴(mask pattern)을 투명한 석영 기판 상에 구현하는 포토마스크 제조 과정을 포함하여 수행된다. 제조된 포토마스크를 이용하여 노광 과정을 수행하여 마스크 패턴을 웨이퍼 상의 포토레지스트(photoresist) 층에 패턴 전사하고 있다. A lithography process is performed to integrate a semiconductor device onto a wafer. The lithography process is performed including a photomask manufacturing process of designing a layout of a circuit pattern to be formed on a wafer, and implementing a mask pattern conforming to the layout of the designed circuit pattern on a transparent quartz substrate. . The mask pattern is transferred to the photoresist layer on the wafer by performing an exposure process using the manufactured photomask.

한편, 노광 과정에서 보다 작은 선폭의 패턴을 전사하고자 보다 짧은 파장대의 노광 광원이 이용되고 있으며, 보다 짧은 파장대의 노광 광원이 도입됨에 따라, 짧은 파장대의 광원이 가지는 상대적으로 높은 노광 에너지(energy)에 의해 포토마스크 표면에 성장성 이물 또는 헤이즈(haze) 발생이 보다 빈번하게 유발되고 있다. On the other hand, an exposure light source of a shorter wavelength band is used to transfer a pattern of a smaller line width during the exposure process, and as the exposure light source of a shorter wavelength band is introduced, the relatively high exposure energy of the light source of the short wavelength band is reduced. Thus, growth of foreign substances or haze is caused more frequently on the surface of the photomask.

일반적으로 포토마스크에서 사용되는 석영(쿼츠) 기판의 경우 비용이 상대적으로 고가이므로, 보다 저렴한 비용의 소다라임(sodalime) 기판들을 사용하여 생산 비용을 다운시키는 한편, 석영(쿼츠) 기판과 동등한 수준의 성능을 발휘시키기 위한 연구가 이루어지고 있다. 이러한 소다라임 글래스의 구성 성분은 산화규소(SiO2) 약 73%, 산화나트륨 (Na2O) 약 14%, 산화칼슘(CaO) 약 9%, 산화마그네슘(MgO) 약 3%, 잔량으로 산화알루미늄(Al2O3) 등을 포함하는 것으로 알려져 있고, 이러한 소다라임 기판을 사용하는 경우 노광 공정 수행 간 야크(Yake) 현상이 발생하여, 소다라임 기판 내에 포함된 성분으로서 나트륨(Na+) 이온, 칼슘(Ca2+) 이온, 마그네슘(Mg2+) 이온 등이 기판 표면으로 튀어나와 표면에서 성장함으로써, 성장성 이물을 이루고 이에 따라 포토마스크 사용 간 헤이즈(Haze)를 발생시키는 문제가 있다. In the case of a quartz (quartz) substrate generally used in a photomask, since the cost is relatively high, the production cost is reduced by using less expensive sodalime substrates, while at the same time as the quartz (quartz) substrate. Research is being done to demonstrate its performance. The components of this soda lime glass are about 73% of silicon oxide (SiO 2 ), about 14% of sodium oxide (Na 2 O), about 9% of calcium oxide (CaO), about 3% of magnesium oxide (MgO), and the remaining amount is oxidized. It is known to contain aluminum (Al 2 O 3 ) and the like, and when such a soda-lime substrate is used, a yake phenomenon occurs between exposure processes, and sodium (Na + ) ions as a component included in the soda-lime substrate , Calcium (Ca 2+ ) ions, magnesium (Mg 2+ ) ions, etc. protrude from the surface of the substrate and grow on the surface, thereby forming a growthable foreign material and thus generating haze between use of the photomask.

또한, 포토마스크의 사용 수명 및 세정 주기를 연장시키고 포토마스크를 보호하기 위해 널리 사용되는 펠리클(pellicle)은 펠리클 프레임을 통해 포토마스크 전면에 부착되게 되는데, 상술한 성장성 이물 또는 헤이즈가 발생하게 되는 경우, 기판 세정을 위한 펠리클의 반복적인 탈착이 불가피하게 되므로, 사용 상의 어려움이 크다. 또한, 성장성 이물 또는 헤이즈는 주변 투과도를 저하시켜, 실제 패턴이 존재하지 않는 부분에 패턴 부분이 형성되는 패턴 결함을 유도하며, 이러한 패턴 결함이 웨이퍼 상에 유발될 경우, 회피 패턴들이 원치않게 연결되는 브릿지(bridge) 결함이 발생될 수 있으므로, 이러한 성장성 이물 또는 헤이즈에 의한 패턴 결함을 방지하고자 하는 노력이 계속되고 있다.In addition, a pellicle widely used to extend the service life and cleaning cycle of the photomask and to protect the photomask is attached to the front surface of the photomask through the pellicle frame. , since repeated detachment of the pellicle for cleaning the substrate becomes inevitable, the difficulty in use is great. In addition, the growth foreign material or haze lowers the peripheral transmittance, and induces a pattern defect in which a pattern portion is formed in a portion where an actual pattern does not exist. Since bridge defects may occur, efforts are being made to prevent pattern defects caused by such growth foreign substances or haze.

한편, 포토마스크 기판의 헤이즈 억제와 관련된 내용을 제시하는 종래 문헌으로는 한국 공개특허 제10-2009-0074558호(2009.07.07)가 있으나, 상기 공개특허에서는 석영(쿼츠) 기판 사용과 관련, 황산화물(SOx), 질산화물(NOx), 이산화탄소 또는 수분 등의 반응 물질이 포토마스크 세정 시 잔류하는 물질과 결합하는 것을 방지하고, 성장성 이물이 고착되는 것을 방지하여 헤이즈 내성을 증가시키는 내용에 관해서 개시하고 있을 뿐, 소다라임(sodalime) 기판 사용의 경우 및 소다라임 기판 사용으로 인한 기판 내부로부터 튀어나오는 성장성 이물을 방지하기 위한 제시가 없다는 한계가 있다. On the other hand, as a conventional document that presents contents related to haze suppression of a photomask substrate, there is Korean Patent Application Laid-Open No. 10-2009-0074558 (July 7, 2009). Regarding the content of increasing haze resistance by preventing reactants such as cargo (SO x ), nitroxide (NO x ), carbon dioxide or moisture from combining with materials remaining during photomask cleaning, and preventing growth foreign substances from adhering Although only disclosed, there is a limitation in that there is no suggestion for preventing a growing foreign material protruding from the inside of the substrate due to the use of the sodalime substrate and the use of the soda lime substrate.

선행문헌 1: 대한민국 공개특허 제10-2009-0074558호(2009.07.07.)Prior Document 1: Republic of Korea Patent Publication No. 10-2009-0074558 (2009.07.07.)

본 발명은 위와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여, 상대적으로 저렴한 비용의 소다라임(sodalime) 기판을 사용하여 포토마스크를 제조하면서도, 석영(쿼츠) 기판과 동등한 수준의 성능을 발휘할 수 있으며, 특히, 포토마스크 노광 과정에서 야크(Yake) 현상에 의해 소다라임 기판 내부에서 표면으로 튀어나오는 나트륨(Na+), 칼슘(Ca2+), 마그네슘(Mg2+) 등과 같은 성장성 이물로 인한 헤이즈(haze) 발생을 최소한으로 억제할 수 있는, 펠리클 구조를 가지는 포토마스크 및 그 제조방법을 제공하고자 한다.In order to solve the problems of the prior art, the present invention can exhibit the same level of performance as that of a quartz (quartz) substrate while manufacturing a photomask using a relatively low-cost sodalime substrate. , haze caused by growing foreign substances such as sodium (Na + ), calcium (Ca 2+ ), magnesium (Mg 2+ ), etc. that protrude from the inside of the soda lime substrate to the surface by the yake phenomenon during the photomask exposure process ), to provide a photomask having a pellicle structure and a method for manufacturing the same, which can minimize the occurrence.

또한, 본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.In addition, the technical problems to be solved by the present invention are not limited to the technical problems mentioned above, and other technical problems not mentioned are clearly to those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs from the description below. can be understood

본 명세서에서는, a) 소다라임(sodalime) 재질의 기판 상에 마스크 패턴을 형성하는 단계; b) 상기 기판의 상면 및 하면 각각에 이산화규소(SiO2) 및 플루오린(Fluorine) 중 선택되는 1종 이상을 포함하는 조성물로 코팅층을 형성하는 단계; 및 c) 상기 기판 상에, 펠리클 프레임으로 지지되며 기판과 소정 간격 이격된 펠리클 멤브레인막(pellicle membrane)을 형성하는 단계; 를 포함하는 포토마스크 제조 방법을 제공한다.In the present specification, a) forming a mask pattern on a substrate of soda lime (sodalime) material; b) forming a coating layer on each of the upper and lower surfaces of the substrate with a composition comprising at least one selected from among silicon dioxide (SiO 2 ) and fluorine; and c) forming, on the substrate, a pellicle membrane supported by a pellicle frame and spaced apart from the substrate by a predetermined distance; It provides a photomask manufacturing method comprising a.

또한, 본 명세서에서, 상기 b 단계의 코팅층 형성 단계는 스프레이 코팅 및 스퍼터링 중 선택되는 1종 이상의 방법을 통해 수행되는, 포토마스크 제조방법을 제공한다. In addition, in the present specification, the coating layer forming step of step b is performed through one or more methods selected from spray coating and sputtering, to provide a photomask manufacturing method.

또한, 본 명세서에서, 상기 코팅층은 100 내지 800 Å 두께 범위로 형성되는, 포토마스크 제조방법을 제공한다. In addition, in the present specification, the coating layer is formed in a thickness range of 100 to 800 Å, provides a photomask manufacturing method.

본 명세서에서는, 상기 방법에 따라 제조되는 포토마스크로서, 마스크 패턴이 형성된 소다라임(sodalime) 재질의 기판; 상기 기판의 상면 및 하면을 각각 커버하며, 이산화규소(SiO2) 및 플루오린(Fluorine) 중 선택되는 1종 이상을 포함하는 코팅층; 및 상기 기판 상에, 펠리클 프레임으로 지지되며 기판과 소정 간격 이격되어 형성되는 펠리클 멤브레인막(pellicle membrane)을 포함하는, 포토마스크를 제공한다.In the present specification, a photomask manufactured according to the above method, comprising: a substrate made of a sodalime material on which a mask pattern is formed; a coating layer covering the upper and lower surfaces of the substrate, respectively, and comprising at least one selected from silicon dioxide (SiO 2 ) and fluorine; and a pellicle membrane supported on the substrate by a pellicle frame and spaced apart from the substrate by a predetermined distance.

또한, 본 명세서에서 상기 코팅층의 두께는 100 내지 800 Å 두께 범위를 가지는, 포토마스크를 제공한다.In addition, the thickness of the coating layer in the present specification provides a photomask having a thickness range of 100 to 800 Å.

또한, 본 명세서에서 상기 기판 상면의 코팅층은 이산화규소(SiO2) 및 플루오린(Fluorine)이 100 : 10 내지 20 중량부 비로 포함되고 300 내지 400 Å 두께 범위로 형성되고, 상기 기판 하면의 코팅층은 이산화규소(SiO2) 및 플루오린(Fluorine)이 100 : 80 내지 120 중량부 비로 포함되고 100 내지 200 Å 두께 범위로 형성되는, 포토마스크를 제공한다. In addition, in the present specification, the coating layer on the upper surface of the substrate includes silicon dioxide (SiO 2 ) and fluorine in a ratio of 100: 10 to 20 parts by weight and is formed in a thickness range of 300 to 400 Å, and the coating layer on the lower surface of the substrate is Silicon dioxide (SiO 2 ) and fluorine (Fluorine) is included in a ratio of 100: 80 to 120 parts by weight and is formed in a thickness range of 100 to 200 Å, to provide a photomask.

또한, 본 명세서에서 상기 포토마스크는 노광 시 소다라임 기판과 UV 광원 간 반응에 의한 야크(Yake) 현상으로 형성된 나트륨(Na+), 칼슘(Ca2+) 및 마그네슘(Mg2+) 계열 중 선택되는 1종 이상의 성장성 이물로 인한 헤이즈(Haze) 발생을 억제하는, 포토마스크를 제공한다.In addition, in the present specification, the photomask is selected from sodium (Na + ), calcium (Ca 2+ ) and magnesium (Mg 2+ ) series formed by a yake phenomenon by a reaction between a soda lime substrate and a UV light source during exposure To provide a photomask that suppresses the occurrence of haze due to one or more growth-prone foreign substances.

또한, 본 명세서에서 상기 포토마스크는 436㎚ 파장에서 광투과율은 88 내지 90% 범위, 광반사율은 8.0 ± 5.0% 범위인, 포토마스크를 제공한다. In addition, in the present specification, the photomask has a light transmittance of 88 to 90% at a wavelength of 436 nm, and a light reflectance of 8.0 ± 5.0%, providing a photomask.

본 발명에 따라 제조되는 포토마스크는 상대적으로 저렴한 비용의 소다라임(sodalime) 기판을 사용하여 포토마스크를 제조하면서도, 석영(쿼츠) 기판과 동등한 수준의 광투과율, 광반사율 등의 성능을 발휘한다. The photomask manufactured according to the present invention exhibits performances such as light transmittance and light reflectance equivalent to those of a quartz substrate while manufacturing the photomask using a relatively low-cost sodalime substrate.

또한, 본 발명에 따라 제조되는 포토마스크는 노광 과정에서 야크(Yake) 현상에 의해 소다라임 기판 내부에서 표면으로 튀어나오는 나트륨(Na+) 이온, 칼슘(Ca2+) 또는 마그네슘(Mg2+) 등과 같은 성장성 이물로 인한 헤이즈(haze) 발생으로 최소한으로 억제할 수 있다. In addition, the photomask manufactured according to the present invention is sodium (Na + ) ions, calcium (Ca 2+ ) or magnesium (Mg 2+ ) that protrude from the inside of the soda-lime substrate to the surface by the Yake phenomenon during the exposure process. It can be suppressed to a minimum by the occurrence of haze due to growth-prone foreign substances such as.

또한, 본 발명에 따른 포토마스크는 기판에 형성되는 코팅층으로 인하여 기판의 방오 성능을 향상시키는 한편, 성장성 이물 발생으로 인해 기판 세정을 위한 펠리클의 반복적인 탈착을 미연에 방지할 수 있으므로, 공정의 경제성이 향상된다. In addition, the photomask according to the present invention improves the antifouling performance of the substrate due to the coating layer formed on the substrate, and on the other hand, it is possible to prevent in advance the repeated detachment of the pellicle for cleaning the substrate due to the generation of growth foreign substances, so the economic feasibility of the process This is improved.

도 1은 본 발명의 일구현예에 따른 펠리클 구조를 포함하는 포토마스크를 개략적으로 도시한 것이다.
도 2는 본 발명의 일구현예에 따른 펠리클 구조를 포함하는 포토마스크의 노광 공정 시 빛 경로를 나타낸 것이다.
도 3은 본 발명의 비교예에 따라 소다라임 기판 상에 코팅층을 형성하지 않은 경우, 야크(Yake) 현상에 의해 기판 표면 상에 성장성 이물이 성장하게 되는 메커니즘을 개략적으로 나타낸 것이다.
1 schematically illustrates a photomask including a pellicle structure according to an embodiment of the present invention.
2 illustrates a light path during an exposure process of a photomask including a pellicle structure according to an embodiment of the present invention.
Figure 3 schematically shows a mechanism by which a growthable foreign material is grown on the surface of the substrate by the yak phenomenon when the coating layer is not formed on the soda lime substrate according to the comparative example of the present invention.

본 명세서에서 사용되는 용어는 단지 예시적인 실시예들을 설명하기 위해 사용된 것으로, 발명을 한정하려는 의도는 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다", "구비하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 실시된 특징, 단계, 구성 요소 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 단계, 구성 요소, 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. The terminology used herein is used to describe exemplary embodiments only, and is not intended to limit the invention. The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise. In the present specification, terms such as "comprise", "comprising" or "having" are intended to designate the presence of an embodied feature, step, component, or a combination thereof, but one or more other features or steps; It should be understood that the possibility of the presence or addition of components, or combinations thereof, is not precluded in advance.

또한, 본 발명에 있어서, 각 층 또는 요소가 각 층들 또는 요소들의 "상에" 또는 "위에" 형성되는 것으로 언급되는 경우에는 각 층 또는 요소가 직접 각 층들 또는 요소들의 위에 형성되는 것을 의미하거나, 다른 층 또는 요소가 각 층 사이, 대상체, 기재 상에 추가적으로 형성될 수 있음을 의미한다. Further, in the present invention, when it is said that each layer or element is formed "on" or "over" each layer or element, it means that each layer or element is formed directly on each layer or element, or It means that other layers or elements may additionally be formed between each layer, on the object, on the substrate.

발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 예시하고 하기에서 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. Since the invention may have various changes and may have various forms, specific embodiments will be illustrated and described in detail below. However, this is not intended to limit the invention to the specific disclosed form, it should be understood to include all modifications, equivalents and substitutes included in the spirit and scope of the invention.

상술한 바와 같이, 포토마스크의 사용 수명 및 세정 주기를 연장시키고 포토마스크를 보호하기 위해 포토마스크 전면에 부착되는 펠리클(pellicle)이 널리 사용되고 있다. 한편, 일반적으로 포토마스크에서 사용되는 석영(쿼츠) 기판의 경우 비용이 상대적으로 고가이므로, 보다 저렴한 비용의 소다라임(sodalime) 기판들을 사용하여 생산 비용을 다운시키는 한편, 석영(쿼츠) 기판과 동등한 수준의 성능을 발휘시키기 위한 연구가 이루어지고 있으나, 이러한 소다라임 기판을 사용하는 경우 노광 공정 수행 간 야크(Yake) 현상이 발생하여, 소다라임 기판 내에 포함된 성분으로서 나트륨(Na+) 이온, 칼슘(Ca2+) 이온, 마그네슘(Mg2+) 이온 등이 기판 표면으로 튀어나와 표면에서 성장함으로써, 성장성 이물을 이루고 이에 따라 포토마스크 사용 간 헤이즈(Haze)를 발생시키는 문제가 있다.As described above, a pellicle attached to the front surface of the photomask is widely used to extend the service life and cleaning cycle of the photomask and to protect the photomask. On the other hand, in the case of a quartz (quartz) substrate generally used in a photomask, since the cost is relatively high, the production cost is reduced by using less expensive sodalime substrates, while the equivalent to the quartz (quartz) substrate Although research is being conducted to demonstrate the level of performance, when such a soda-lime substrate is used, a yake phenomenon occurs between exposure processes, and sodium (Na + ) ions, calcium, as components included in the soda-lime substrate (Ca 2+ ) ions, magnesium (Mg 2+ ) ions, and the like protrude from the surface of the substrate and grow on the surface, thereby forming a growthable foreign material and thus generating haze between use of the photomask.

본 발명자들은, 마스크 패턴이 형성된 소다라임(sodalime) 재질 기판의 상면 및 하면 각각에 이산화규소(SiO2) 및 플루오린(Fluorine)이 특정 중량부 비로 포함된 조성물로 코팅층을 형성하는 경우, 포토마스크 노광 과정에서 야크(Yake) 현상에 의해 소다라임 기판 내부에서 표면으로 튀어나오는 나트륨(Na+), 칼슘(Ca2+), 마그네슘(Mg2+) 등과 같은 성장성 이물로 인한 헤이즈(haze) 발생을 최소한으로 억제할 수 있다는 점, 상대적으로 저렴한 비용의 소다라임(sodalime) 기판을 사용하여 포토마스크를 제조하면서도, 석영(쿼츠) 기판과 동등한 수준의 광투과율, 광반사율 등의 성능을 발휘할 수 있다는 점 및 기판에 형성되는 코팅층으로 인하여 기판의 방오 성능을 향상시키는 한편, 성장성 이물 발생으로 인해 기판 세정을 위한 펠리클의 반복적인 탈착을 미연에 방지할 수 있으므로, 공정의 경제성이 향상된다는 점을 실험을 통하여 확인하고 본 발명을 완성하게 되었다. The present inventors, when forming a coating layer with a composition containing silicon dioxide (SiO 2 ) and fluorine in a specific weight part ratio on each of the upper and lower surfaces of the sodalime material substrate on which the mask pattern is formed, the photomask In the exposure process, haze caused by growth foreign substances such as sodium (Na + ), calcium (Ca 2+ ), magnesium (Mg 2+ ), etc. It can be suppressed to a minimum, and a photomask can be manufactured using a relatively low-cost sodalime substrate, while exhibiting the same level of light transmittance and light reflectance as that of a quartz substrate. And the coating layer formed on the substrate improves the antifouling performance of the substrate, while the repeated detachment of the pellicle for cleaning the substrate can be prevented in advance due to the occurrence of growth foreign substances, so that the economic feasibility of the process is improved. It was confirmed and the present invention was completed.

이하, 본 발명의 구체적인 실시예에 따른 포토마스크 및 그 제조방법에 대해서 상세하게 설명한다. Hereinafter, a photomask and a manufacturing method thereof according to a specific embodiment of the present invention will be described in detail.

펠리클 구조를 포함하는 포토마스크 제조방법Photomask manufacturing method including pellicle structure

본 발명의 일구현예에 따른, 포토마스크 제조 방법은 a) 소다라임(sodalime) 재질의 기판 상에 마스크 패턴을 형성하는 단계; b) 상기 기판의 상면 및 하면 각각에 이산화규소(SiO2) 및 플루오린(Fluorine) 중 선택되는 1종 이상을 포함하는 조성물로 코팅층을 형성하는 단계; 및 c) 상기 기판 상에, 펠리클 프레임으로 지지되며 기판과 소정 간격 이격된 펠리클 멤브레인막(pellicle membrane)을 형성하는 단계; 를 포함한다.According to one embodiment of the present invention, a photomask manufacturing method includes the steps of: a) forming a mask pattern on a substrate made of a sodalime material; b) forming a coating layer on each of the upper and lower surfaces of the substrate with a composition comprising at least one selected from among silicon dioxide (SiO 2 ) and fluorine; and c) forming, on the substrate, a pellicle membrane supported by a pellicle frame and spaced apart from the substrate by a predetermined distance; includes

먼저, 소다라임(sodalime) 재질의 기판 상에 마스크 패턴을 형성한다(단계 a).First, a mask pattern is formed on a substrate made of sodalime (step a).

소다라임(sodalime)은 산화나트륨(Na2O)과 산화칼슘(CaO)이 다량 포함된 글래스(glass)로서, 구체적으로 산화규소(SiO2) 약 73%, 산화나트륨 (Na2O) 약 14%, 산화칼슘(CaO) 약 9%, 산화마그네슘(MgO) 약 3%, 잔량으로 산화알루미늄(Al2O3-) 등을 포함하는 것일 수 있다. 한편, 소다라임은 석영(쿼츠) 대비 가격이 상대적으로 저렴한 장점이 있으나, 석영(quartz) 기판과 달리 산화나트륨, 산화칼슘 등과 같은 불순물을 다수 포함하므로, 노광 과정에서 기판 내부에서 표면으로 나트륨(Na+), 칼슘(Ca2+), 마그네슘(Mg2+) 등과 같은 성장성 이물이 튀어나오는 문제점이 있다(도 3 참조). Sodalime is a glass containing a large amount of sodium oxide (Na 2 O) and calcium oxide (CaO), specifically silicon oxide (SiO 2 ) about 73%, sodium oxide (Na 2 O) about 14 %, about 9% of calcium oxide (CaO), about 3% of magnesium oxide (MgO), and the remaining amount may include aluminum oxide (Al 2 O 3 - ). On the other hand, soda lime has the advantage of being relatively inexpensive compared to quartz, but unlike a quartz substrate, it contains a number of impurities such as sodium oxide and calcium oxide. + ), calcium (Ca 2+ ), magnesium (Mg 2+ ), etc., there is a problem that the growth of foreign matter protrudes (see FIG. 3).

한편, 본원 발명에서는 후술하는 b 단계에서와 같이, 기판 표면, 즉 기판의 상면 및 하면 상에 각각 코팅층을 형성함으로써, 포토마스크 노광 과정에서 높은 노광 에너지로 인한 야크(Yake) 현상에 의해 소다라임 기판 내부에서 표면으로 튀어나오는 나트륨(Na+), 칼슘(Ca2+) 및 마그네슘(Mg2+)등 계열의 성장성 이물 발생 및 이로 인한 헤이즈(haze) 발생을 최소한으로 억제할 수 있게 된다.On the other hand, in the present invention, as in step b to be described later, by forming a coating layer on the surface of the substrate, that is, on the upper and lower surfaces of the substrate, respectively, the soda lime substrate is caused by a yak phenomenon due to high exposure energy in the photomask exposure process. It is possible to minimize the occurrence of growth-generating foreign substances such as sodium (Na + ), calcium (Ca 2+ ) and magnesium (Mg 2+ ) that protrude from the inside to the surface and the occurrence of haze.

보다 상세하게 설명하면, 야크(Yake) 현상은 소다라임(sodalime) 재질의 글래스에서 발생하는 현상으로서, 포토마스크 노광 시 발생하는 높은 노광 에너지로 인해 기판 온도가 상승하고, 상승된 온도 및 수분량, 이산화탄소(CO2)의 양 등에 의해 기판이 열화됨으로써, 소다라임 기판 내부에 존재하는 불순물로서 나트륨(Na+), 칼슘(Ca2+) 및 마그네슘(Mg2+)등이 기판 외표면으로 튀어나와, 입자를 이루면서 성장하는 것을 의미한다. 한편, 본원 발명에 따라 기판 표면 상에 코팅층을 형성하는 경우, 해당 불순물들이 기판 열화 시 표면으로 튀어나오게 될 때, 상기 코팅층이 물리적 장벽으로 작용하게 되므로, 해당 현상을 효과적으로 방지하게 된다. In more detail, the yake phenomenon is a phenomenon that occurs in soda-lime glass, and the substrate temperature rises due to high exposure energy generated during photomask exposure, and the elevated temperature and moisture content, carbon dioxide As the substrate deteriorates due to the amount of (CO 2 ), etc., sodium (Na + ), calcium (Ca 2+ ), and magnesium (Mg 2+ ) as impurities present inside the soda-lime substrate protrude from the outer surface of the substrate, It means growing by forming particles. On the other hand, when the coating layer is formed on the surface of the substrate according to the present invention, when the impurities protrude to the surface when the substrate is deteriorated, the coating layer acts as a physical barrier, thereby effectively preventing the phenomenon.

한편, 상기 소다라임 기판 상에 형성되는 마스크 패턴은 일례로 기판 상에 형성된 오목부 및 볼록부를 포함한 요철 패턴일 수 있으며, 상기 볼록부는 크롬층 및 산화크롬층이 순차 적층된 구성을 가지는 것일 수 있다. 한편, 상기 오목부는 소다라임 기판 만이 있는 구성일 수 있다. 한편, 상기 마스크 패턴은 당해 기술분야에서 일반적으로 사용되는 방법으로 형성되는 것일 수 있고, 상기 형성되는 크롬층은 일례로, 90 내지 100 ㎚ 두께로, 산화크롬층은 일례로, 10 내지 20 ㎚ 두께로 형성되는 것일 수 있다. Meanwhile, the mask pattern formed on the soda-lime substrate may be, for example, an uneven pattern including concave and convex portions formed on the substrate, and the convex portion may have a configuration in which a chromium layer and a chromium oxide layer are sequentially stacked. . On the other hand, the concave portion may be configured with only a soda lime substrate. Meanwhile, the mask pattern may be formed by a method generally used in the art, and the formed chromium layer is, for example, 90 to 100 nm thick, and the chromium oxide layer is, for example, 10 to 20 nm thick. may be formed with

다음으로, 상기 기판의 상면 및 하면 각각에 이산화규소(SiO2) 및 플루오린(Fluorine) 중 선택되는 1종 이상을 포함하는 조성물로 코팅층을 형성한다(단계 b).Next, a coating layer is formed on each of the upper and lower surfaces of the substrate with a composition including at least one selected from silicon dioxide (SiO 2 ) and fluorine (step b).

상기 단계는 소다라임 재질의 기판으로 제작된 포토마스크를 노광 작업에 사용했을 때 야크(Yake) 현상에 의해 소다라임 기판 내부에서 표면으로 튀어나오는 나트륨(Na+), 칼슘(Ca2+) 또는 마그네슘(Mg2+) 등과 같은 성장성 이물을 사전 차단함으로써, 해당 성장성 이물로 인한 헤이즈(haze) 발생을 억제하는 코팅층을 형성하는 단계에 해당한다(도 1 참조).In the above step, sodium (Na + ), calcium (Ca 2+ ) or magnesium protruding from the inside of the soda lime substrate to the surface due to the yake phenomenon when a photomask made of a substrate made of soda lime is used for exposure. (Mg 2+ ) By blocking the growth foreign material in advance, it corresponds to the step of forming a coating layer that suppresses the occurrence of haze due to the growth foreign material (see FIG. 1).

상기 단계는 스프레이 코팅 및 스퍼터링 중 선택되는 1종 이상의 방법을 통해 수행되는 것일 수 있고, 코팅층을 형성하는 조성물은 후술하는 바와 같이, 이산화규소(SiO2) 및 플루오린(Fluorine) 중 선택되는 1종 이상을 포함하는 것일 수 있다. The step may be performed through one or more methods selected from spray coating and sputtering, and the composition for forming the coating layer is silicon dioxide (SiO 2 ) and one selected from fluorine (Fluorine), as will be described later. It may include more than one.

한편, 본 발명의 일실시예에서 상기 코팅층은 100 내지 800 Å 두께 범위로 형성되는 것일 수 있다.Meanwhile, in an embodiment of the present invention, the coating layer may be formed in a thickness range of 100 to 800 Å.

일례로, 마스크 패턴이 형성된 기판의 상면에는 이산화규소(SiO2) 및 플루오린(Fluorine)이 100 : 10 내지 20 중량부 비로 포함된 조성물을 이용하여 300 내지 400 Å 두께 범위로 코팅층을 형성할 수 있으며, 기판의 하면에는 이산화규소(SiO2) 및 플루오린(Fluorine)이 100 : 80 내지 120 중량부 비로 포함된 조성물을 이용하여 100 내지 200 Å 두께 범위로 각각 형성되는 것일 수 있다.For example, on the upper surface of the substrate on which the mask pattern is formed, a coating layer may be formed in a thickness range of 300 to 400 Å using a composition containing silicon dioxide (SiO 2 ) and fluorine in a ratio of 100: 10 to 20 parts by weight. And, silicon dioxide (SiO 2 ) and fluorine (Fluorine) on the lower surface of the substrate may be formed in a thickness range of 100 to 200 Å using a composition containing 100: 80 to 120 parts by weight.

한편, 기판의 상면에 형성되는 코팅층은 상기 두께 범위 및 조성비 내에서 뛰어난 배리어 효과 및 방오 성능을 발휘하는 효과가 있고, 특히, 상면에 형성되는 코팅층의 두께 범위 및 조성비 범위가 상기 범위 내인 경우 야크 현상에 의한, 성장성 이물 및 헤이즈 발생을 효과적으로 억제하는 동시에, 향상된 방오 성능을 확보하게 된다. On the other hand, the coating layer formed on the upper surface of the substrate has the effect of exhibiting excellent barrier effect and antifouling performance within the thickness range and composition ratio, and, in particular, the thickness range and composition ratio range of the coating layer formed on the upper surface is within the above range, yak phenomenon By effectively suppressing the growth of foreign substances and haze, and at the same time securing improved antifouling performance.

한편, 기판의 하면에 형성되는 코팅층은 펠리클 구조 내부에 구비되는 상면 코팅층과 달리 외부로 노출된 상태로 유지되는 바, 상기 두께 범위 및 조성비 내에서 향상된 방오 성능을 확보하는 한편, 대기 중과 글래스(glass)의 굴절율 차이로 발생하는 2차 굴절을 최소화하여 펠리클을 사용하지 않는 일반 포토마스크의 노광 빛 경로와 실질적으로 동등한 수준의 빛 경로를 가질 수 있게 된다(도 2 참조).On the other hand, the coating layer formed on the lower surface of the substrate is maintained in a state exposed to the outside unlike the upper surface coating layer provided inside the pellicle structure. ), it is possible to have a light path substantially equivalent to that of an exposure light path of a general photomask that does not use a pellicle by minimizing secondary refraction caused by a difference in refractive index (see FIG. 2 ).

한편, 상기 b 단계의 코팅층 형성 단계는 스프레이 코팅 및 스퍼터링을 통해 수행되는 것일 수 있으며, 일례로, 70 ~ 150 ℃, 진공도 3.0 * 10-3 ~ 5.0 * 10-5 Torr, Ar: 5 ~ 10 sccm, O2: 5 ~ 10 sccm, 파워 270 ~ 290 mA, Rate 2 ~ 10 Å/sec의 건식 조건으로 각각 스퍼터링 하여 수행될 수 있다. On the other hand, the coating layer forming step of step b may be performed through spray coating and sputtering, for example, 70 ~ 150 ℃, vacuum 3.0 * 10 -3 ~ 5.0 * 10 -5 Torr, Ar: 5 ~ 10 sccm , O 2 : 5 ~ 10 sccm, power 270 ~ 290 mA, Rate 2 ~ 10 Å / sec under dry conditions, each sputtering can be performed.

다음으로, 상기 기판 상에, 펠리클 프레임으로 지지되며 기판과 소정 간격 이격된 펠리클 멤브레인막(pellicle membrane)을 형성한다(단계 c).Next, a pellicle membrane supported by a pellicle frame and spaced apart from the substrate by a predetermined distance is formed on the substrate (step c).

상기 펠리클은 마스크를 보호하기 위한 구성으로서, 펠리클 프레임과 펠리클 멤브레인막을 포함할 수 있다. 한편, 펠리클 멤브레인막은 마스크의 노광 에이리어(area)를 커버하는 것으로서, 일례로 원형, 타원형, 다각형 등 평면 형상을 가질 수 있으나, 특별히 제한되는 것은 아니다. 한편, 펠리클 멤브레인은 탄소 함유 박막일 수 있으며, 일례로, 그래핀, 그라파이트(graphite), 또는 탄소나노튜브(carbon nanotube)를 포함하는 것일 수 있으며, 탄소나노튜브는 SWCNT(Single wall carbon nanotube), MWCNT(Multiwall CNT) 또는 이들의 조합일 수 있다. 한편, 상기 펠리클은 탄소 함유 박막 표면에 코팅된 강화층을 추가로 더 포함할 수 있으며, 강화층은 일례로, 붕소(B) 함유 물질, 실리콘(Si) 함유 물질, 또는 전이 금속으로 이루어지는 것일 수 있다. 한편, 상기 펠리클 멤브레인막은 약 1 내지 200 ㎚ 일 수 있다. The pellicle is a component for protecting the mask, and may include a pellicle frame and a pellicle membrane. Meanwhile, the pellicle membrane covers the exposure area of the mask, and may have, for example, a planar shape such as a circle, an ellipse, or a polygon, but is not particularly limited. On the other hand, the pellicle membrane may be a carbon-containing thin film, for example, graphene, graphite, or may include a carbon nanotube (carbon nanotube), the carbon nanotube SWCNT (Single wall carbon nanotube), It may be a multiwall CNT (MWCNT) or a combination thereof. Meanwhile, the pellicle may further include a reinforcing layer coated on the surface of the carbon-containing thin film, and the reinforcing layer may be made of, for example, a boron (B)-containing material, a silicon (Si)-containing material, or a transition metal. have. Meanwhile, the pellicle membrane may have a thickness of about 1 to 200 nm.

한편, 펠리클 프레임은 금속 또는 고분자로 이루어지는 것일 수 있으며, 일례로, 카본, DLC(Diamond like Carbon), 알루미늄, 스테인레스, 또는 폴리에틸렌 재질일 수 있다. 한편, 펠리클 프레임은 검은색일 수 있고, 이 경우 노광광의 반사를 방지함과 함께 부착된 이물 등의 유무 검사를 쉽게 수행할 수 있다. 한편, 상기 펠리클 프레임과 기판 사이에는 접착을 위한 접착층이 추가로 구비될 수 있으며, 일례로, 아크릴 수지, 에폭시 수지, 실리콘 수지 또는 불소 수지 등과 같은 접착제를 사용하여 형성된 것일 수 있다. Meanwhile, the pellicle frame may be made of a metal or a polymer, and for example, may be made of carbon, diamond like carbon (DLC), aluminum, stainless steel, or polyethylene. On the other hand, the pellicle frame may be black, and in this case, it is possible to prevent reflection of exposure light and easily perform an inspection for the presence or absence of an attached foreign material. On the other hand, an adhesive layer for adhesion may be additionally provided between the pellicle frame and the substrate, and for example, may be formed using an adhesive such as an acrylic resin, an epoxy resin, a silicone resin, or a fluorine resin.

상술한 방법에 의해 제조되는 본 발명의 일구현예에 따른 포토마스크는 마스크 패턴이 형성된 소다라임(sodalime) 재질의 기판; 상기 기판의 상면 및 하면을 각각 커버하며, 이산화규소(SiO2) 및 플루오린(Fluorine) 중 선택되는 1종 이상을 포함하는 코팅층; 및 상기 기판 상에, 펠리클 프레임으로 지지되며 기판과 소정 간격 이격되어 형성되는 펠리클 멤브레인막(pellicle membrane)을 포함할 수 있다(도 1 참조).The photomask according to an embodiment of the present invention manufactured by the above-described method includes a substrate made of a sodalime material on which a mask pattern is formed; a coating layer covering the upper and lower surfaces of the substrate, respectively, and comprising at least one selected from silicon dioxide (SiO 2 ) and fluorine; and a pellicle membrane supported on the substrate by a pellicle frame and spaced apart from the substrate by a predetermined distance (see FIG. 1 ).

상술한 바와 같이, 각각의 코팅층은 100 내지 800 Å 두께 범위로 형성되는 것일 수 있고, 일례로, 기판 상면의 코팅층은 이산화규소(SiO2) 및 플루오린(Fluorine)이 100 : 10 내지 20 중량부 비로 포함되며, 300 내지 400 Å 두께 범위로 형성된 것, 상세하게는 100 : 15 중량부 비로 포함되며, 350 Å 두께로 형성될 수 있다. 또한, 기판 하면의 코팅층은 이산화규소(SiO2) 및 플루오린(Fluorine)이 100 : 80 내지 120 중량부 비로 포함되며, 100 내지 200 Å 두께 범위로 형성된 것, 상세하게는 100 : 100 중량부 비로 포함되며, 150 Å 두께로 형성될 수 있다.As described above, each coating layer may be formed in a thickness range of 100 to 800 Å, for example, the coating layer on the upper surface of the substrate is silicon dioxide (SiO 2 ) and fluorine (Fluorine) 100: 10 to 20 parts by weight It is included in a ratio, and is formed in a thickness range of 300 to 400 Å, specifically 100: 15 parts by weight, and may be formed to a thickness of 350 Å. In addition, the coating layer on the lower surface of the substrate contains silicon dioxide (SiO 2 ) and fluorine in a ratio of 100: 80 to 120 parts by weight, and is formed in a thickness range of 100 to 200 Å, specifically 100: 100 parts by weight. included, and may be formed to a thickness of 150 Å.

한편, 기판의 상면에 형성되는 코팅층은 상기 두께 범위 및 조성비 내에서 뛰어난 배리어 효과 및 방오 성능을 발휘하는 효과가 있고, 특히, 상면에 형성되는 코팅층의 두께 범위 및 조성비 범위가 상기 범위 내인 경우 야크 현상에 의한, 성장성 이물 및 헤이즈 발생을 효과적으로 억제하는 동시에, 향상된 방오 성능을 확보하게 된다. On the other hand, the coating layer formed on the upper surface of the substrate has the effect of exhibiting excellent barrier effect and antifouling performance within the thickness range and composition ratio, and, in particular, the thickness range and composition ratio range of the coating layer formed on the upper surface is within the above range, yak phenomenon By effectively suppressing the growth of foreign substances and haze, and at the same time securing improved antifouling performance.

한편, 기판의 하면에 형성되는 코팅층은 펠리클 구조 내부에 구비되는 상면 코팅층과 달리 외부로 노출된 상태로 유지되는 바, 상기 두께 범위 및 조성비 내에서 향상된 방오 성능을 확보하는 한편, 대기 중과 글래스(glass)의 굴절율 차이로 발생하는 2차 굴절을 최소화하여 펠리클을 사용하지 않는 일반 포토마스크의 노광 빛 경로와 실질적으로 동등한 수준의 빛 경로를 가질 수 있게 된다(도 2 참조).On the other hand, the coating layer formed on the lower surface of the substrate is maintained in a state exposed to the outside unlike the upper surface coating layer provided inside the pellicle structure. ), it is possible to have a light path substantially equivalent to that of an exposure light path of a general photomask that does not use a pellicle by minimizing secondary refraction caused by a difference in refractive index (see FIG. 2 ).

한편, 상기와 같은 코팅층 형성으로 인하여, 노광 과정에서 야크(Yake) 현상에 의해 소다라임 기판 내부에서 표면으로 튀어나오는 나트륨(Na+), 칼슘(Ca2+) 또는 마그네슘(Mg2+) 등과 같은 성장성 이물로 인한 헤이즈(haze) 발생을 최소한으로 억제하는 한편, 상대적으로 저렴한 비용의 소다라임(sodalime) 기판을 사용하여 포토마스크를 제조하면서도, 석영(쿼츠) 기판과 동등한 수준의 광투과율, 광반사율 등의 성능을 발휘하게 되고, 또한, 코팅층으로 인하여 기판의 방오 성능을 향상시키는 한편, 성장성 이물 발생으로 인해 기판 세정을 위한 펠리클의 반복적인 탈착을 미연에 방지할 수 있으므로, 공정의 경제성이 향상된다. On the other hand, due to the formation of the coating layer as described above, sodium (Na + ), calcium (Ca 2+ ) or magnesium (Mg 2+ ), etc. While minimizing the occurrence of haze due to growth-prone foreign substances, and manufacturing a photomask using a relatively low-cost sodalime substrate, the light transmittance and light reflectance equivalent to those of a quartz substrate etc., and also improves the antifouling performance of the substrate due to the coating layer, while the repeated detachment of the pellicle for cleaning the substrate can be prevented in advance due to the occurrence of growth foreign substances, so the economic feasibility of the process is improved. .

한편, 본 발명의 일실시예에 따른 상기 포토마스크는 436㎚ 파장에서 광투과율은 88 내지 90% 범위, 광반사율은 8.0 ± 5.0% 범위 내로서, 석영(쿼츠) 기판 대비 상대적으로 저렴한 소다라임 기판을 사용하면서도, 석영(쿼츠) 기판과 동등한 수준의 광투과율 및 광반사율 성능을 구현하는 효과가 있다.On the other hand, the photomask according to an embodiment of the present invention has a light transmittance in the range of 88 to 90% and a light reflectance in the range of 8.0 ± 5.0% at a wavelength of 436 nm, a soda lime substrate that is relatively inexpensive compared to a quartz (quartz) substrate It has the effect of realizing the same level of light transmittance and light reflectance performance as that of a quartz (quartz) substrate.

이하 발명의 구체적인 실시예를 통해 발명의 작용, 효과를 보다 구체적으로 설명하기로 한다. 다만, 이는 발명의 예시로서 제시된 것으로 이에 의해 발명의 권리 범위가 어떠한 의미로든 한정되는 것은 아니다. Hereinafter, the operation and effect of the invention will be described in more detail through specific examples of the invention. However, this is presented as an example of the invention and the scope of the invention is not limited in any way by this.

[실시예] [Example]

실시예 1Example 1

크롬층, 및 산화크롬층이 순차 적층된 기판으로서, 산화규소(SiO2) 약 73%, 산화나트륨 (Na2O) 약 14%, 산화칼슘(CaO) 약 9%, 산화마그네슘(MgO) 약 3%, 잔량으로 산화알루미늄(Al2O3) 등을 포함하는 20인치 × 24인치 크기의 소다라임(Sodalime) 재질의 유리 기판)을 준비하고, 상기 포토마스크 기판 상면 및 하면에 각각 70 ~ 150 ℃, 진공도 3.0 * 10-3 ~ 5.0 * 10-5 Torr, Ar: 5 ~ 10 sccm, O2: 5 ~ 10 sccm, 파워 270 ~ 290 mA, Rate 2 ~ 10 Å/sec의 건식 조건으로 스퍼터링 하여 코팅층을 형성하였으며, 이때, 기판 상면에는 이산화규소 및 플루오린을 100 : 15 중량부 비로 하여 350 Å 두께 범위로 코팅층을 형성하였으며, 기판 하면에는 이산화규소 및 플루오린을 100 : 100 중량부 비로 하여 150 Å 두께 범위로 코팅층을 형성하였다. 다음으로, 상기 포토마스크 기판 상면에 면하는 프레임 형상의 펠리클 프레임 및 카본 재질의 펠리클 멤브레인막을 형성하였다. As a substrate in which a chromium layer and a chromium oxide layer are sequentially stacked, silicon oxide (SiO 2 ) about 73%, sodium oxide (Na 2 O) about 14%, calcium oxide (CaO) about 9%, magnesium oxide (MgO) about A glass substrate of 20 inch × 24 inch size containing aluminum oxide (Al 2 O 3 ), etc., including 3%, the remaining amount, etc., is prepared, and 70 to 150 respectively on the upper and lower surfaces of the photomask substrate ℃, vacuum 3.0 * 10 -3 ~ 5.0 * 10 -5 Torr, Ar: 5 ~ 10 sccm, O 2 : 5 ~ 10 sccm, power 270 ~ 290 mA, Rate 2 ~ 10 Å/sec A coating layer was formed, and at this time, a coating layer was formed on the upper surface of the substrate to a thickness of 350 Å using silicon dioxide and fluorine in a ratio of 100: 15 parts by weight, and silicon dioxide and fluorine were added to a ratio of 100: 150 parts by weight on the lower surface of the substrate. A coating layer was formed in a thickness range of Å. Next, a frame-shaped pellicle frame facing the upper surface of the photomask substrate and a carbon pellicle membrane were formed.

비교예 1Comparative Example 1

실시예 1과 동일한 방법으로 포토마스크를 제조하되, 소다라임 재질의 유리 기판이 아닌 쿼츠(quartz) 기판을 사용하고, 코팅층을 별도로 형성하지 않은 것만 달리하였다. A photomask was manufactured in the same manner as in Example 1, except that a quartz substrate was used instead of a glass substrate made of soda lime, and a coating layer was not separately formed.

비교예 2-1, 2-2, 2-3 Comparative Examples 2-1, 2-2, 2-3

실시예 1과 동일한 방법으로 포토마스크를 제조하되, 코팅층을 별도로 형성하지 않은 것(비교예 2-1), 상면 코팅층을 형성하지 않은 것(비교예 2-2), 하면 코팅층을 형성하지 않은 것(비교예 2-3)만 달리하였다. A photomask was prepared in the same manner as in Example 1, but the coating layer was not separately formed (Comparative Example 2-1), the upper surface coating layer was not formed (Comparative Example 2-2), and the lower surface coating layer was not formed Only (Comparative Example 2-3) was different.

비교예 3-1 내지 3-4Comparative Examples 3-1 to 3-4

상기 실시예 1과 동일한 방법으로 포토마스크를 제조하되, 상면 코팅층 두께를 250 Å으로 형성한 것(비교예 3-1), 상면 코팅층 두께를 450 Å으로 형성한 것(비교예 3-2), 하면 코팅층 두께를 50 Å으로 형성한 것(비교예 3-3), 및 하면 코팅층 두께를 250 Å 두께 범위로 형성한 것만 달리하였다. A photomask was prepared in the same manner as in Example 1, but the thickness of the top coating layer was formed to be 250 Å (Comparative Example 3-1), the thickness of the top coating layer was formed to be 450 Å (Comparative Example 3-2), Only that the thickness of the lower surface coating layer was formed to be 50 Å (Comparative Example 3-3), and the thickness of the lower surface coating layer was formed to be in the range of 250 Å.

비교예 4-1, 4-2, 4-3, 4-4 등Comparative Examples 4-1, 4-2, 4-3, 4-4, etc.

상기 실시예 1과 동일한 방법으로 포토마스크를 제조하되, 상면 코팅층 형성 시 이산화규소 및 플루오린을 100 : 5 중량부 비로 포함한 것(비교예 4-1), 이산화규소 및 플루오린을 100 : 25 중량부 비로 포함한 것(비교예 4-2), 하면 코팅층 형성 시 이산화규소 및 플루오린을 100 : 60 중량부 비로 포함한 것(비교예 4-3), 이산화규소 및 플루오린을 100 : 130 중량부 비로 포함한 것(비교예 4-4)만 달리하였다. A photomask was prepared in the same manner as in Example 1, but containing silicon dioxide and fluorine in a ratio of 100: 5 parts by weight (Comparative Example 4-1), silicon dioxide and fluorine at 100: 25 weight when forming the upper coating layer One including part ratio (Comparative Example 4-2), one containing silicon dioxide and fluorine in a ratio of 100:60 parts by weight when forming the lower surface coating layer (Comparative Example 4-3), and one containing silicon dioxide and fluorine in a ratio of 100:130 parts by weight Only those included (Comparative Example 4-4) were different.

상면 코팅층 조성 및 두께Composition and thickness of top coating layer 하면 코팅층 조성 및 두께Lower surface coating layer composition and thickness SiO2 (중량부)SiO 2 (parts by weight) Fluorine
(중량부)
Fluorine
(parts by weight)
두께(Å)Thickness (Å) SiO2
(중량부)
SiO 2
(parts by weight)
Fluorine
(중량부)
Fluorine
(parts by weight)
두께(Å)Thickness (Å)
실시예 1Example 1 100100 1515 350350 100100 9595 150150 비교예 1Comparative Example 1 -- -- -- -- -- -- 비교예 2-1Comparative Example 2-1 -- -- -- -- -- -- 비교예 2-2Comparative Example 2-2 -- -- -- 100100 9595 150150 비교예 2-3Comparative Example 2-3 100100 1515 350350 -- -- -- 비교예 3-1Comparative Example 3-1 100100 1515 250250 100100 9595 150150 비교예 3-2Comparative Example 3-2 100100 1515 450450 100100 9595 150150 비교예 3-3Comparative Example 3-3 100100 1515 350350 100100 9595 100100 비교예 3-4Comparative Example 3-4 100100 1515 350350 100100 9595 250250 비교예 4-1Comparative Example 4-1 100100 55 350350 100100 9595 150150 비교예 4-2Comparative Example 4-2 100100 2525 350350 100100 9595 150150 비교예 4-3Comparative Example 4-3 100100 1515 350350 100100 6060 150150 비교예 4-4Comparative Example 4-4 100100 1515 350350 100100 130130 150150

[실험 1: 성장성 이물(헤이즈 발생 여부) 확인 및 접촉각 측정 실험][Experiment 1: Confirmation of growth-prone foreign matter (haze occurrence) and contact angle measurement experiment]

상기 실시예 1 내지 비교예들에 의해 제조된 포토마스크를 접촉식 노광 공정에 100회 적용 후, 성장성 이물로 인한 헤이즈가 발생하였는지 여부를 KS M ISO 14782 방법에 의거하여 측정하였다. 또한, 증류수에 대한 초기 접촉각은 KS L 2110 방법에 의해 측정하고, 방오 성능을 측정하기 위하여 무진천을 대상으로 250g, 40 rpm, 5,000회를 실시한 다음, 재차 접촉각을 측정하여, 그 결과 값을 표 2에서 나타내었다. After applying the photomasks prepared in Examples 1 to Comparative Examples 100 times in the contact exposure process, whether haze was generated due to the growthable foreign matter was measured according to the KS M ISO 14782 method. In addition, the initial contact angle with respect to distilled water was measured by the KS L 2110 method, and 250 g, 40 rpm, 5,000 times were performed on Mujincheon to measure the antifouling performance, and then the contact angle was measured again, and the results are shown in Table 2 shown in

[실험 2: 포토마스크 투과율 및 반사율 확인 실험][Experiment 2: Photomask Transmittance and Reflectance Confirmation Experiment]

실시예 1 및 비교예들에 따라 포토마스크를 제조하는 경우, 최종적으로 제조된 포토마스크 제품의 전 면적에 걸쳐 균일한 투과율 및 반사율을 얻을 수 있는지 여부를 확인하기 위하여, 투과율을 10회 반복 측정하고 편차를 측정하여 종합한 결과를 아래에 나타내었다. 구체적으로 광투과율은 KS M ISO 9211-3 방법에 의거하여 측정하였으며 그 결과를 표 2에서 나타내었다. When a photomask is manufactured according to Example 1 and Comparative Examples, the transmittance is repeatedly measured 10 times in order to check whether uniform transmittance and reflectance can be obtained over the entire area of the finally manufactured photomask product, and The results obtained by measuring the deviation are shown below. Specifically, the light transmittance was measured according to the KS M ISO 9211-3 method, and the results are shown in Table 2.

구분division 헤이즈(%)Haze (%) 초기 접촉각(°)Initial contact angle (°) 내마모 시험 후 접촉각(°)Contact angle after wear test (°) 436 nm에서의
광 투과율
(Transmittance)
at 436 nm
light transmittance
(Transmittance)
436 nm에서의
광 반사율
(Reflectance)
at 436 nm
light reflectance
(Reflectance)
실시예 1Example 1 0.07 ± 0.010.07 ± 0.01 118.7°118.7° 115.6 ± 1.2°115.6 ± 1.2° 89 ± 1.0%89 ± 1.0% 8.0 ± 5.0%8.0 ± 5.0% 비교예 1Comparative Example 1 0.06 ± 0.030.06 ± 0.03 118.9°118.9° 116.4 ± 1.5°116.4 ± 1.5° 89 ± 1.5%89 ± 1.5% 8.0 ± 5.0%8.0 ± 5.0% 비교예 2-1Comparative Example 2-1 4.07 ± 0.204.07 ± 0.20 115.4°115.4° 94.2 ± 1.5°94.2 ± 1.5° 87 ± 1.0% 87 ± 1.0% 8.0 ± 7.0%8.0 ± 7.0% 비교예 2-2Comparative Example 2-2 4.06 ± 0.154.06 ± 0.15 115.7°115.7° 96.1 ± 1.5°96.1 ± 1.5° 87 ± 1.5%87 ± 1.5% 8.0 ± 7.0%8.0 ± 7.0% 비교예 2-3Comparative Example 2-3 0.07 ± 0.020.07 ± 0.02 117.8°117.8° 112.6 ± 1.8° 112.6 ± 1.8° 88 ± 2.0%88 ± 2.0% 8.0 ± 7.0%8.0 ± 7.0% 비교예 3-1Comparative Example 3-1 0.07 ± 0.030.07 ± 0.03 118.8°118.8° 114.6 ± 1.0°114.6 ± 1.0° 89 ± 1.0%89 ± 1.0% 8.0 ± 6.0%8.0 ± 6.0% 비교예 3-2Comparative Example 3-2 0.07 ± 0.040.07 ± 0.04 118.7°118.7° 115.5 ± 1.2°115.5 ± 1.2° 87 ± 1.5%87 ± 1.5% 8.0 ± 7.0%8.0 ± 7.0% 비교예 3-3Comparative Example 3-3 0.08 ± 0.150.08 ± 0.15 117.9°117.9° 112.3 ± 1.5°112.3 ± 1.5° 89 ± 1.5%89 ± 1.5% 8.0 ± 6.0%8.0 ± 6.0% 비교예 3-4Comparative Example 3-4 0.07 ± 0.150.07 ± 0.15 118.5°118.5° 113.1 ± 1.2°113.1 ± 1.2° 87 ± 1.2%87 ± 1.2% 8.0 ± 7.0%8.0 ± 7.0% 비교예 4-1Comparative Example 4-1 0.07 ± 0.050.07 ± 0.05 118.5°118.5° 111.1 ± 1.2°111.1 ± 1.2° 88 ± 1.0%88 ± 1.0% 8.0 ± 6.0%8.0 ± 6.0% 비교예 4-2Comparative Example 4-2 0.07 ± 0.020.07 ± 0.02 118.6°118.6° 115.8 ± 1.2°115.8 ± 1.2° 87 ± 1.5%87 ± 1.5% 8.0 ± 7.0%8.0 ± 7.0% 비교예 4-3Comparative Example 4-3 0.07 ± 0.020.07 ± 0.02 118.7°118.7° 114.6 ± 1.5°114.6 ± 1.5° 88 ± 1.5%88 ± 1.5% 8.0 ± 6.0%8.0 ± 6.0% 비교예 4-4Comparative Example 4-4 0.07 ± 0.010.07 ± 0.01 118.9°118.9° 115.1 ± 1.2°115.1 ± 1.2° 87 ± 1.2%87 ± 1.2% 8.0 ± 7.0%8.0 ± 7.0%

상기 표 2의 결과를 참고하면, 실시예 1에 따라 제조된 포토마스크는 비교예들 대비 성장성 이물 발생에 따른 헤이즈 발생이 현저히 억제되면서, 우수한 방오 성능을 가지며, 쿼츠 기판과 동등한 수준의 광 투과율 및 광 반사율 성능을 나타내는 것을 확인할 수 있었으며, 상면 코팅층이 형성되지 않는 경우, 성장성 이물로 인한 헤이즈가 발생하는 것을 확인할 수 있었다. 또한, 포토마스크 제조 시 코팅층이 본 발명에 따른 조성비 및 두께 범위를 가지는 경우, 상술한 바와 같이, 헤이즈 발생 억제 및 우수한 방오 성능 확보와 함께, 광 투과율 및 광 반사율의 편차가 현저히 적어지고, 우수한 광 투과 및 반사 특성을 가질 수 있다는 점을 확인할 수 있었다. Referring to the results of Table 2, the photomask manufactured according to Example 1 has excellent antifouling performance while significantly suppressing haze generation due to growth of foreign substances compared to Comparative Examples, and has a light transmittance equivalent to that of a quartz substrate and It could be confirmed that the light reflectance performance was exhibited, and when the top coating layer was not formed, it was confirmed that haze due to the growth foreign matter occurred. In addition, when the coating layer has the composition ratio and thickness range according to the present invention when manufacturing the photomask, as described above, the variation in light transmittance and light reflectance is significantly reduced, and the variation in light transmittance and light reflectance is significantly reduced, while suppressing haze generation and securing excellent antifouling performance, as described above. It was confirmed that it can have transmission and reflection characteristics.

앞에서, 본 발명의 특정한 실시예가 설명되고 도시되었지만 본 발명은 기재된 실시예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 일이다. 따라서, 그러한 수정예 또는 변형예들은 본 발명의 기술적 사상이나 관점으로부터 개별적으로 이해되어서는 안되며, 변형된 실시예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 하여야 할 것이다.In the foregoing, specific embodiments of the present invention have been described and illustrated, but it is common knowledge in the art that the present invention is not limited to the described embodiments, and that various modifications and variations can be made without departing from the spirit and scope of the present invention. It is self-evident to those who have Accordingly, such modifications or variations should not be individually understood from the technical spirit or point of view of the present invention, and modified embodiments should be said to belong to the claims of the present invention.

100: 소다라임 기판
200: 코팅층
300: 펠리클
310: 펠리클 멤브레인막
320: 펠리클 프레임
330: 접착층
100: soda lime substrate
200: coating layer
300: pellicle
310: pellicle membrane membrane
320: pellicle frame
330: adhesive layer

Claims (8)

a) 소다라임(sodalime) 재질의 기판 상에 마스크 패턴을 형성하는 단계;
b) 상기 기판의 상면 및 하면 각각에 이산화규소(SiO2) 및 플루오린(Fluorine)중 선택되는 1종 이상을 포함하는 조성물로 코팅층을 형성하는 단계; 및
c) 상기 기판 상에, 펠리클 프레임으로 지지되며 기판과 소정 간격 이격된 펠리클 멤브레인막(pellicle membrane)을 형성하는 단계; 를 포함하는 포토마스크 제조 방법.
a) forming a mask pattern on a substrate made of a sodalime material;
b) forming a coating layer on each of the upper and lower surfaces of the substrate with a composition comprising at least one selected from silicon dioxide (SiO 2 ) and fluorine; and
c) forming, on the substrate, a pellicle membrane supported by a pellicle frame and spaced apart from the substrate by a predetermined distance; A photomask manufacturing method comprising a.
제 1 항에 있어서,
상기 b 단계의 코팅층 형성 단계는 스프레이 코팅 및 스퍼터링 중 선택되는 1종 이상의 방법을 통해 수행되는, 포토마스크 제조방법.
The method of claim 1,
The coating layer forming step of step b is performed through one or more methods selected from spray coating and sputtering, a photomask manufacturing method.
제 1 항에 있어서,
상기 코팅층은 100 내지 800 Å 두께 범위로 형성되는, 포토마스크 제조방법.
The method of claim 1,
The coating layer is formed in a thickness range of 100 to 800 Å, a photomask manufacturing method.
제 1 항의 방법에 따라 제조되는 포토마스크로서,
마스크 패턴이 형성된 소다라임(sodalime) 재질의 기판;
상기 기판의 상면 및 하면을 각각 커버하며, 이산화규소(SiO2) 및 플루오린(Fluorine) 중 선택되는 1종 이상을 포함하는 코팅층; 및
상기 기판 상에, 펠리클 프레임으로 지지되며 기판과 소정 간격 이격되어 형성되는 펠리클 멤브레인막(pellicle membrane)을 포함하는, 포토마스크.
A photomask manufactured according to the method of claim 1, comprising:
a substrate made of a sodalime material on which a mask pattern is formed;
a coating layer covering the upper and lower surfaces of the substrate, respectively, and comprising at least one selected from silicon dioxide (SiO 2 ) and fluorine; and
A photomask comprising a pellicle membrane supported on the substrate by a pellicle frame and spaced apart from the substrate by a predetermined distance.
제 4 항에 있어서,
상기 코팅층의 두께는 100 내지 800 Å 두께 범위를 가지는, 포토마스크.
5. The method of claim 4,
The thickness of the coating layer has a thickness ranging from 100 to 800 Å, a photomask.
제 4 항에 있어서,
상기 기판 상면의 코팅층은 이산화규소(SiO2) 및 플루오린(Fluorine)이 100 : 10 내지 20 중량부 비로 포함되고 300 내지 400 Å 두께 범위로 형성되고,
상기 기판 하면의 코팅층은 이산화규소(SiO2) 및 플루오린(Fluorine)이 100 : 80 내지 120 중량부 비로 포함되고 100 내지 200 Å 두께 범위로 형성되는, 포토마스크.
5. The method of claim 4,
The coating layer on the upper surface of the substrate contains silicon dioxide (SiO 2 ) and fluorine in a ratio of 100: 10 to 20 parts by weight and is formed in a thickness range of 300 to 400 Å,
The coating layer on the lower surface of the substrate includes silicon dioxide (SiO 2 ) and fluorine in a ratio of 100: 80 to 120 parts by weight and is formed in a thickness range of 100 to 200 Å.
제 4 항에 있어서,
상기 포토마스크는 노광 시 소다라임 기판과 UV 광원 간 반응에 의한 야크(Yake) 현상으로 형성된 나트륨(Na+), 칼슘(Ca2+) 및 마그네슘(Mg2+) 계열 중 선택되는 1종 이상의 성장성 이물로 인한 헤이즈(Haze) 발생을 억제하는, 포토마스크.
5. The method of claim 4,
The photomask is one or more selected from sodium (Na + ), calcium (Ca 2+ ), and magnesium (Mg 2+ ) series formed by a Yake phenomenon by a reaction between a soda lime substrate and a UV light source during exposure. A photomask that suppresses haze caused by foreign substances.
제 4 항에 있어서,
상기 포토마스크는 436㎚ 파장에서 광투과율은 88 내지 90% 범위, 광반사율은 8.0 ± 5.0% 범위인, 포토마스크.
5. The method of claim 4,
The photomask has a light transmittance of 88 to 90% at a wavelength of 436 nm, and a light reflectance of 8.0 ± 5.0%, a photomask.
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