KR20220107234A - Substrate liquid processing device - Google Patents

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KR20220107234A
KR20220107234A KR1020227021391A KR20227021391A KR20220107234A KR 20220107234 A KR20220107234 A KR 20220107234A KR 1020227021391 A KR1020227021391 A KR 1020227021391A KR 20227021391 A KR20227021391 A KR 20227021391A KR 20220107234 A KR20220107234 A KR 20220107234A
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liquid
nozzles
processing
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KR1020227021391A
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Inventor
히로후미 다케구치
유스케 하시모토
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 개시의 일 양태에 따른 기판 액 처리 장치(16)는, 컵(30)과, 복수의 노즐 순환 시스템(40)과, 제2 노즐(61)과, 수용부(70)를 구비한다. 컵(30)은, 기판의 주연을 둘러싼다. 복수의 노즐 순환 시스템(40)은, 제1 노즐(41)과, 컵(30)의 외측에 배치되고, 제1 노즐(41)로부터 토출된 처리액을 받는 수액조(42)와, 수액조(42)로 받은 처리액을 제1 노즐(41)로 되돌리는 순환부(43)를 각각 포함한다. 제2 노즐(61)은, 노즐 순환 시스템(40)을 구성하지 않는 노즐이다. 수용부(70)는, 컵(30), 복수의 노즐 순환 시스템(40)이 갖는 복수의 제1 노즐(41) 그리고 복수의 수액조(42) 및 제2 노즐(61)을 수용한다. 또한, 제2 노즐(61)은, 수용부(70)가 갖는 제1 측벽(71b)과 컵(30) 사이에 배치되고, 복수의 제1 노즐(41)은, 수용부(70)가 갖는 제1 측벽(71b)과는 다른 제2 측벽(71a)과 컵(30) 사이에 배치된다.The substrate liquid processing apparatus 16 according to an aspect of the present disclosure includes a cup 30 , a plurality of nozzle circulation systems 40 , a second nozzle 61 , and a accommodating part 70 . The cup 30 surrounds the periphery of the substrate. The plurality of nozzle circulation systems 40 include a first nozzle 41 , an infusion tank 42 disposed outside the cup 30 and receiving the treatment liquid discharged from the first nozzle 41 , and an infusion tank Each of the circulation units 43 for returning the treatment liquid received at (42) to the first nozzle (41) is included. The second nozzle 61 is a nozzle that does not constitute the nozzle circulation system 40 . The accommodating part 70 accommodates the cup 30 , the plurality of first nozzles 41 included in the plurality of nozzle circulation systems 40 , and the plurality of infusion tanks 42 and second nozzles 61 . In addition, the second nozzle 61 is disposed between the cup 30 and the first sidewall 71b of the accommodating part 70 , and the plurality of first nozzles 41 are provided in the accommodating part 70 . It is disposed between the cup 30 and a second sidewall 71a different from the first sidewall 71b.

Figure P1020227021391
Figure P1020227021391

Description

기판 액 처리 장치Substrate liquid processing device

본 개시의 실시 형태는, 기판 액 처리 장치에 관한 것이다.An embodiment of the present disclosure relates to a substrate liquid processing apparatus.

종래, 반도체 웨이퍼 등의 기판을 액 처리하는 기판 액 처리 장치에 있어서, 액 처리에 사용되지 않은 노즐을 기판의 외측에 설치된 수액조의 상방에서 대기시키고, 이러한 노즐로부터 수액조에 처리액을 토출시키는 기술이 알려져 있다(특허문헌 1 참조).Conventionally, in a substrate liquid processing apparatus for liquid processing a substrate such as a semiconductor wafer, there is a technology in which a nozzle not used for liquid processing is placed on standby above an IV receiver installed outside the substrate, and the processing liquid is discharged from the nozzle to the IV container. It is known (refer patent document 1).

일본 특허 공개 평10-74725호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 10-74725

본 개시는, 처리액의 성분이 수액조로부터 누설되었다고 해도, 수용부 내의 분위기를 용이하게 제어할 수 있는 기술을 제공한다.The present disclosure provides a technique capable of easily controlling the atmosphere in the accommodating part even if the components of the processing liquid leak from the receiving tank.

본 개시의 일 양태에 따른 기판 액 처리 장치는, 컵과, 복수의 노즐 순환 시스템과, 제2 노즐과, 수용부를 구비한다. 컵은 기판의 주연을 둘러싼다. 복수의 노즐 순환 시스템의 각각은, 제1 노즐과, 컵의 외측에 배치되고, 제1 노즐로부터 토출된 처리액을 받는 수액조와, 수액조로 받은 처리액을 제1 노즐로 되돌리는 순환부를 포함한다. 제2 노즐은, 노즐 순환 시스템을 구성하지 않는 노즐이다. 수용부는, 컵, 복수의 노즐 순환 시스템이 갖는 복수의 제1 노즐 그리고 복수의 수액조 및 제2 노즐을 수용한다. 또한, 제2 노즐은, 수용부가 갖는 제1 측벽과 컵 사이에 배치되고, 복수의 제1 노즐은, 수용부가 갖는 제1 측벽과는 다른 제2 측벽과 컵의 사이에 배치된다.A substrate liquid processing apparatus according to an aspect of the present disclosure includes a cup, a plurality of nozzle circulation systems, a second nozzle, and an accommodating part. The cup surrounds the periphery of the substrate. Each of the plurality of nozzle circulation systems includes a first nozzle, an infusion tank disposed outside the cup and receiving the treatment liquid discharged from the first nozzle, and a circulation unit returning the treatment liquid received to the infusion tank to the first nozzle. . A 2nd nozzle is a nozzle which does not comprise a nozzle circulation system. The accommodating unit accommodates the cup, the plurality of first nozzles included in the plurality of nozzle circulation systems, and the plurality of infusion tanks and second nozzles. Moreover, the 2nd nozzle is arrange|positioned between the cup and the 1st side wall which the accommodation part has, and a some 1st nozzle is arrange|positioned between the cup and the 2nd side wall different from the 1st side wall which the accommodation part has.

본 개시에 의하면, 처리액의 성분이 수액조로부터 누설되었다고 해도, 수용부 내의 분위기를 용이하게 제어할 수 있다.According to the present disclosure, even if a component of the processing liquid leaks from the receiving tank, the atmosphere in the accommodating part can be easily controlled.

도 1은, 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 구성을 나타내는 도면이다.
도 2는, 실시 형태에 따른 처리 유닛의 구성을 나타내는 도면이다.
도 3은, 실시 형태에 따른 노즐 순환 시스템의 구성을 나타내는 도면이다.
도 4는, 실시 형태에 따른 노즐 순환 시스템에 있어서의 처리액의 흐름을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는, 실시 형태에 따른 노즐 순환 시스템에 있어서의 처리액의 흐름을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은, 인접하는 2개의 제1 노즐 간에 있어서의 온도 간섭의 조사 결과를 나타내는 그래프이다.
도 7은, 인접하는 2개의 제1 노즐 간에 있어서의 온도 간섭의 조사 결과를 나타내는 그래프이다.
도 8은, 실시 형태에 따른 노즐 버스의 배기 구성을 나타내는 도면이다.
도 9는, 실시 형태에 따른 배기 덕트가 구비하는 세정실의 구성을 나타내는 도면이다.
도 10은, 실시 형태에 따른 배기 덕트의 변형예를 나타내는 도면이다.
도 11은, 실시 형태에 따른 노즐 이동 기구의 제1 변형예를 나타내는 도면이다.
도 12는, 제1 변형예에 있어서의 복수의 제1 노즐 및 복수의 노즐 버스의 다른 배치예를 나타내는 도면이다.
도 13은, 실시 형태에 따른 노즐 이동 기구의 제2 변형예를 나타내는 도면이다.
도 14는, 실시 형태에 따른 노즐 이동 기구의 제3 변형예를 나타내는 도면이다.
도 15는, 실시 형태에 따른 노즐 이동 기구의 제3 변형예를 나타내는 도면이다.
도 16은, 실시 형태에 따른 노즐 이동 기구의 제3 변형예를 나타내는 도면이다.
도 17은, 실시 형태에 따른 노즐 이동 기구의 제3 변형예를 나타내는 도면이다.
도 18은, 제3 변형예에 있어서의 노즐 버스의 구성예를 나타내는 도면이다.
도 19는, 실시 형태에 따른 노즐 이동 기구의 제4 변형예를 나타내는 도면이다.
도 20은, 실시 형태에 따른 노즐 이동 기구의 제4 변형예를 나타내는 도면이다.
도 21은, 실시 형태에 따른 노즐 이동 기구의 제4 변형예를 나타내는 도면이다.
도 22는, 실시 형태에 따른 노즐 이동 기구의 제4 변형예를 나타내는 도면이다.
도 23은, 실시 형태에 따른 노즐 이동 기구의 제4 변형예를 나타내는 도면이다.1 is a diagram illustrating a configuration of a substrate processing system according to an embodiment.
2 is a diagram illustrating a configuration of a processing unit according to an embodiment.
3 : is a figure which shows the structure of the nozzle circulation system which concerns on embodiment.
4 is a diagram for explaining the flow of a processing liquid in the nozzle circulation system according to the embodiment.
5 is a diagram for explaining the flow of a processing liquid in the nozzle circulation system according to the embodiment.
6 : is a graph which shows the investigation result of the temperature interference in two adjacent 1st nozzles.
7 : is a graph which shows the investigation result of the temperature interference in two adjacent 1st nozzles.
8 is a diagram showing an exhaust configuration of a nozzle bus according to an embodiment.
9 is a diagram showing the configuration of a cleaning chamber included in the exhaust duct according to the embodiment.
It is a figure which shows the modified example of the exhaust duct which concerns on embodiment.
11 : is a figure which shows the 1st modified example of the nozzle moving mechanism which concerns on embodiment.
12 is a diagram showing another arrangement example of the plurality of first nozzles and the plurality of nozzle buses in the first modification.
13 : is a figure which shows the 2nd modified example of the nozzle moving mechanism which concerns on embodiment.
It is a figure which shows the 3rd modified example of the nozzle moving mechanism which concerns on embodiment.
It is a figure which shows the 3rd modified example of the nozzle moving mechanism which concerns on embodiment.
It is a figure which shows the 3rd modified example of the nozzle moving mechanism which concerns on embodiment.
17 : is a figure which shows the 3rd modified example of the nozzle moving mechanism which concerns on embodiment.
Fig. 18 is a diagram showing a configuration example of a nozzle bus according to a third modification.
19 : is a figure which shows the 4th modified example of the nozzle moving mechanism which concerns on embodiment.
20 : is a figure which shows the 4th modified example of the nozzle moving mechanism which concerns on embodiment.
It is a figure which shows the 4th modified example of the nozzle moving mechanism which concerns on embodiment.
It is a figure which shows the 4th modified example of the nozzle moving mechanism which concerns on embodiment.
23 : is a figure which shows the 4th modified example of the nozzle moving mechanism which concerns on embodiment.

이하에, 본 개시에 따른 기판 액 처리 장치를 실시하기 위한 형태(이하, 「실시 형태」라고 기재함)에 대하여 도면을 참조하면서 상세히 설명한다. 또한, 이 실시 형태에 의해 본 개시에 따른 기판 액 처리 장치가 한정되는 것은 아니다. 또한, 각 실시 형태는, 처리 내용을 모순시키지 않는 범위에서 적절히 조합하는 것이 가능하다. 또한, 이하의 각 실시 형태에 있어서 동일한 부위에는 동일한 부호를 부여하고, 중복되는 설명은 생략된다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A form (hereinafter, referred to as an "embodiment") for implementing the substrate liquid processing apparatus according to the present disclosure will be described in detail with reference to the drawings. In addition, the substrate liquid processing apparatus according to the present disclosure is not limited by this embodiment. In addition, each embodiment can be combined suitably in the range which does not contradict a process content. In addition, in each following embodiment, the same code|symbol is attached|subjected to the same site|part, and overlapping description is abbreviate|omitted.

또한, 이하 참조하는 각 도면에서는, 설명을 이해하기 쉽게 하기 위해서, 서로 직교하는 X축 방향, Y축 방향 및 Z축 방향을 규정하고, Z축 정방향을 연직 상향 방향으로 하는 직교 좌표계를 나타내는 경우가 있다. 또한, 연직축을 회전 중심으로 하는 회전 방향을 θ 방향으로 칭하는 경우가 있다.In addition, in each of the drawings referenced below, in order to make the description easy to understand, the case where the X-axis direction, the Y-axis direction, and the Z-axis direction orthogonal to each other are defined, and a Cartesian coordinate system in which the positive Z-axis direction is a vertically upward direction is indicated. have. In addition, the rotation direction which makes a vertical axis|shaft as a rotation center is called the (theta) direction in some cases.

또한, 이하에 나타내는 실시 형태에서는, 「일정」, 「직교」, 「수직」 혹은 「평행」과 같은 표현이 사용되는 경우가 있지만, 이들 표현은 엄밀하게 「일정」, 「직교」, 「수직」 혹은 「평행」일 것을 요하지 않는다. 즉, 상기한 각 표현은 제조 정밀도, 설치 정밀도 등의 어긋남을 허용하기로 한다.In addition, in the embodiment shown below, although expressions such as "constant", "orthogonal", "vertical" or "parallel" are sometimes used, these expressions are strictly "constant", "orthogonal", "vertical" Or "parallel" is not required. That is, each of the above expressions allows deviations in manufacturing precision, installation precision, and the like.

기판 액 처리 장치에 있어서, 액 처리에 사용되지 않는 대기 상태의 노즐을 기판의 외측에 설치된 노즐 버스의 상방에 배치시키고, 이러한 노즐로부터 노즐 버스로 처리액을 토출하는 처리가 알려져 있다. 이 처리는, 예를 들어 액 처리를 행하기 전에 또는 정기적으로, 노즐 내에 잔존하는 오래된 처리액을 노즐 버스에 버림으로써, 액 처리의 안정성을 향상시키기 위해서 행해진다.In a substrate liquid processing apparatus, a process of disposing a nozzle in a standby state not used for liquid processing above a nozzle bus provided outside a substrate, and discharging the processing liquid from the nozzle to the nozzle bus is known. This treatment is performed in order to improve the stability of the liquid treatment, for example, before performing the liquid treatment or periodically, by disposing of the old treatment liquid remaining in the nozzle to the nozzle bus.

한편, 실시 형태에 따른 기판 액 처리 장치에서는, 노즐로부터 노즐 버스로 처리액을 상시 계속해서 토출함과 함께, 노즐 버스에 토출된 처리액을 순환시켜 노즐로 되돌리는 노즐 순환 처리가 행해진다. 노즐 순환 처리는, 예를 들어 온도 조정된 처리액을 노즐 내부에 항상 유통시킴으로써, 노즐 내부(특히 선단 부분)의 온도를 안정화시키기 위해서 행해진다.On the other hand, in the substrate liquid processing apparatus according to the embodiment, a nozzle circulation process is performed in which the processing liquid is constantly continuously discharged from the nozzle to the nozzle bus, and the processing liquid discharged to the nozzle bus is circulated and returned to the nozzle. The nozzle circulation treatment is performed, for example, in order to stabilize the temperature inside the nozzle (especially the tip portion) by constantly circulating the temperature-controlled processing liquid inside the nozzle.

이러한 노즐 순환 처리에 의하면, 예를 들어 복수의 웨이퍼를 연속 처리하는 경우에 1매째의 웨이퍼의 에칭양이 다른 웨이퍼보다도 낮아지는 것을 억제할 수 있다. 즉, 노즐 순환 처리에 의하면, 복수의 웨이퍼 간에 있어서의 액 처리의 균일성을 향상시킬 수 있다.According to this nozzle circulation process, for example, when a plurality of wafers are continuously processed, it is possible to suppress the etching amount of the first wafer from being lower than that of the other wafers. That is, according to the nozzle circulation process, the uniformity of the liquid process between a plurality of wafers can be improved.

그러나, 예를 들어 노즐 버스가 개방계의 개구부를 갖고 있는 경우, 처리액에 함유되는 성분이 노즐 버스로부터 챔버 내로 누출되어 챔버 내의 분위기에 영향을 미칠 우려가 있다. 노즐 버스로부터 누출된 처리액의 성분은, 예를 들어 챔버 내의 웨이퍼를 오염시키거나, 챔버 내의 기기를 열화시키거나 할 우려가 있다.However, for example, when the nozzle bus has an open opening, there is a fear that components contained in the processing liquid leak from the nozzle bus into the chamber and affect the atmosphere in the chamber. Components of the processing liquid leaked from the nozzle bus may, for example, contaminate the wafer in the chamber or deteriorate the equipment in the chamber.

특히, 노즐 순환 처리는, 노즐로부터 노즐 버스로 처리액을 상시 계속해서 토출시키기 때문에, 처리액의 성분이 노즐 버스로부터 누설된 경우의 영향이 크다. 그래서, 노즐 순환 처리를 행하는 기판 액 처리 장치에 있어서는, 처리액의 성분이 노즐 버스로부터 누설되었다고 해도, 챔버 내의 분위기를 용이하게 제어할 수 있는 기술이 기대되고 있다.In particular, since the nozzle circulation process continuously continuously discharges the processing liquid from the nozzle to the nozzle bus, the effect when the component of the processing liquid leaks from the nozzle bus is large. Therefore, in a substrate liquid processing apparatus that performs nozzle circulation processing, a technique capable of easily controlling the atmosphere in a chamber even if a component of the processing liquid leaks from the nozzle bus is expected.

<기판 처리 시스템의 개요><Outline of substrate processing system>

실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1)의 구성에 대하여 도 1을 참조하여 설명한다. 도 1은, 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1)의 구성을 나타내는 도면이다.A configuration of the substrate processing system 1 according to the embodiment will be described with reference to FIG. 1 . 1 : is a figure which shows the structure of the substrate processing system 1 which concerns on embodiment.

도 1에 도시한 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)은, 반입출 스테이션(2)과, 처리 스테이션(3)을 구비한다. 반입출 스테이션(2)과 처리 스테이션(3)은 인접해서 마련된다.As shown in FIG. 1 , the substrate processing system 1 includes a loading/unloading station 2 and a processing station 3 . The carrying-in/out station 2 and the processing station 3 are provided adjacently.

반입출 스테이션(2)은, 캐리어 적재부(11)와, 반송부(12)를 구비한다. 캐리어 적재부(11)에는, 복수매의 기판, 실시 형태에서는 반도체 웨이퍼(W)(이하, '웨이퍼(W)'라고 호칭함)를 수평 상태에서 수용하는 복수의 캐리어(C)가 적재된다.The loading/unloading station 2 includes a carrier loading unit 11 and a conveying unit 12 . A plurality of carriers C for accommodating a plurality of substrates and semiconductor wafers W (hereinafter referred to as 'wafers W') in a horizontal state are mounted on the carrier loading unit 11 .

반송부(12)는, 캐리어 적재부(11)에 인접해서 마련되고, 내부에 기판 반송 장치(13)와, 전달부(14)를 구비한다. 기판 반송 장치(13)는, 웨이퍼(W)를 보유 지지하는 웨이퍼 보유 지지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(13)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 그리고 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하며, 웨이퍼 보유 지지 기구를 사용하여 캐리어(C)와 전달부(14) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.The conveyance part 12 is provided adjacent to the carrier mounting part 11, and is equipped with the board|substrate conveyance apparatus 13 and the delivery part 14 inside. The substrate transfer apparatus 13 includes a wafer holding mechanism that holds the wafer W. In addition, the substrate transfer apparatus 13 can move in horizontal and vertical directions and pivot about a vertical axis, and use a wafer holding mechanism to hold the wafer (C) between the carrier (C) and the transfer unit (14). W) is conveyed.

처리 스테이션(3)은, 반송부(12)에 인접해서 마련된다. 처리 스테이션(3)은 반송부(15)와, 복수의 처리 유닛(16)을 구비한다. 복수의 처리 유닛(16)은, 반송부(15)의 양측에 나란히 마련된다.The processing station 3 is provided adjacent to the transport unit 12 . The processing station 3 includes a conveying unit 15 and a plurality of processing units 16 . The plurality of processing units 16 are provided side by side on both sides of the conveyance unit 15 .

반송부(15)는, 내부에 기판 반송 장치(17)를 구비한다. 기판 반송 장치(17)는, 웨이퍼(W)를 보유 지지하는 웨이퍼 보유 지지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(17)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 그리고 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하며, 웨이퍼 보유 지지 기구를 사용하여 전달부(14)와 처리 유닛(16) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.The transfer unit 15 includes a substrate transfer device 17 therein. The substrate transfer apparatus 17 is provided with a wafer holding mechanism that holds the wafer W . In addition, the substrate transfer apparatus 17 is capable of moving in horizontal and vertical directions and pivoting about a vertical axis, and is positioned between the transfer unit 14 and the processing unit 16 by using a wafer holding mechanism. (W) is conveyed.

처리 유닛(16)은, 기판 반송 장치(17)에 의해 반송되는 웨이퍼(W)에 대하여 소정의 기판 처리를 행한다.The processing unit 16 performs predetermined substrate processing on the wafer W conveyed by the substrate transfer apparatus 17 .

또한, 기판 처리 시스템(1)은, 제어 장치(4)를 구비한다. 제어 장치(4)는, 예를 들어 컴퓨터이며, 제어부(18)와 기억부(19)를 구비한다. 기억부(19)에는, 기판 처리 시스템(1)에 있어서 실행되는 각종 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(18)는, 기억부(19)에 기억된 프로그램을 판독해서 실행함으로써 기판 처리 시스템(1)의 동작을 제어한다.Further, the substrate processing system 1 includes a control device 4 . The control device 4 is, for example, a computer, and includes a control unit 18 and a storage unit 19 . In the storage unit 19 , a program for controlling various processes executed in the substrate processing system 1 is stored. The control unit 18 controls the operation of the substrate processing system 1 by reading and executing the program stored in the storage unit 19 .

또한, 이러한 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것으로서, 그 기억 매체로부터 제어 장치(4)의 기억부(19)에 인스톨된 것이어도 된다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체로서는, 예를 들어 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그네트 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.In addition, such a program may have been recorded in a computer-readable storage medium, and may be installed in the storage unit 19 of the control device 4 from the storage medium. Examples of the computer-readable storage medium include a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnetic optical disk (MO), and a memory card.

상기와 같이 구성된 기판 처리 시스템(1)에서는, 우선, 반입출 스테이션(2)의 기판 반송 장치(13)가, 캐리어 적재부(11)에 적재된 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 취출하고, 취출한 웨이퍼(W)를 전달부(14)에 적재한다. 전달부(14)에 적재된 웨이퍼(W)는, 처리 스테이션(3)의 기판 반송 장치(17)에 의해 전달부(14)로부터 취출되어, 처리 유닛(16)으로 반입된다.In the substrate processing system 1 configured as described above, first, the substrate transport device 13 of the loading/unloading station 2 takes out the wafer W from the carrier C loaded on the carrier loading unit 11 , , the taken out wafer W is placed on the transfer unit 14 . The wafer W loaded on the transfer unit 14 is taken out from the transfer unit 14 by the substrate transfer device 17 of the processing station 3 , and loaded into the processing unit 16 .

처리 유닛(16)으로 반입된 웨이퍼(W)는, 처리 유닛(16)에 의해 처리된 후, 기판 반송 장치(17)에 의해 처리 유닛(16)으로부터 반출되어, 전달부(14)에 적재된다. 그리고, 전달부(14)에 적재된 처리가 끝난 웨이퍼(W)는, 기판 반송 장치(13)에 의해 캐리어 적재부(11)의 캐리어(C)로 되돌아간다.The wafer W carried into the processing unit 16 is processed by the processing unit 16 , and then unloaded from the processing unit 16 by the substrate transfer apparatus 17 and loaded on the transfer unit 14 . . Then, the processed wafer W loaded on the transfer unit 14 is returned to the carrier C of the carrier mounting unit 11 by the substrate transfer device 13 .

<처리 유닛의 구성><Configuration of processing unit>

다음으로, 처리 유닛(16)의 구성에 대하여, 도 2를 참조하면서 설명한다. 도 2는, 실시 형태에 따른 처리 유닛(16)의 구성을 나타내는 도면이다. 처리 유닛(16)은, 기판 액 처리 장치의 일례이다.Next, the structure of the processing unit 16 is demonstrated, referring FIG. 2 is a diagram showing the configuration of the processing unit 16 according to the embodiment. The processing unit 16 is an example of a substrate liquid processing apparatus.

도 2에 도시한 바와 같이, 처리 유닛(16)은, 기판 보유 지지 기구(20)와, 컵(30)과, 복수의 노즐 순환 시스템(40)과, 노즐 이동 기구(50)와, 제2 처리액 공급부(60)와, 기체 공급부(80)와, 챔버(70)를 구비한다.As shown in FIG. 2 , the processing unit 16 includes a substrate holding mechanism 20 , a cup 30 , a plurality of nozzle circulation systems 40 , a nozzle moving mechanism 50 , and a second A processing liquid supply unit 60 , a gas supply unit 80 , and a chamber 70 are provided.

기판 보유 지지 기구(20)는, 웨이퍼(W)를 수평하게 보유 지지하는 보유 지지부(21)를 구비한다. 보유 지지부(21)는, 예를 들어 웨이퍼(W)의 이면을 흡착 보유 지지하는 배큠 척이다. 또한, 보유 지지부(21)는, 웨이퍼(W)의 주연부를 파지하는 메커니컬 척이어도 된다. 보유 지지부(21)는, 도시하지 않은 지주부에 접속된다. 지주부는, 연직 방향으로 연장되는 부재이며, 선단부에 있어서 보유 지지부(21)를 수평하게 지지한다. 또한, 지주부는, 기단부에 있어서 도시하지 않은 구동부에 접속된다. 구동부는, 지주부를 연직축 둘레로 회전시킨다.The substrate holding mechanism 20 includes a holding unit 21 for horizontally holding the wafer W . The holding unit 21 is, for example, a vacuum chuck that adsorbs and holds the back surface of the wafer W. In addition, the holding part 21 may be a mechanical chuck which grips the periphery of the wafer W. As shown in FIG. The holding part 21 is connected to a support|pillar part which is not shown in figure. The support part is a member extending in a vertical direction, and supports the holding part 21 horizontally in the front-end|tip part. Moreover, the support|pillar part is connected to the drive part (not shown) in the base end part. The drive part rotates the support part about a vertical axis|shaft.

이러한 기판 보유 지지 기구(20)는, 구동부를 사용하여 지주부를 회전시킴으로써 지주부에 지지된 보유 지지부(21)를 회전시키고, 이에 의해, 보유 지지부(21)에 보유 지지된 웨이퍼(W)를 회전시킨다.Such a substrate holding mechanism 20 rotates the holding unit 21 supported by the supporting unit by rotating the supporting unit using a driving unit, thereby rotating the wafer W held by the holding unit 21 . make it

컵(30)은, 보유 지지부(21)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 주연을 둘러싸도록 배치되고, 보유 지지부(21)의 회전에 의해 웨이퍼(W)로부터 비산하는 처리액을 포집한다. 컵(30)의 저부에는, 컵(30)에 의해 포집된 처리액을 배출하는 배출구가 마련된다. 또한, 컵(30)의 저부에는, 후술하는 FFU(Fan Filter Unit)로부터 공급되는 기체를 처리 유닛(16)의 외부로 배출하는 배기구가 형성된다.The cup 30 is disposed so as to surround the periphery of the wafer W held by the holding unit 21 , and collects the processing liquid scattered from the wafer W by the rotation of the holding unit 21 . An outlet for discharging the processing liquid collected by the cup 30 is provided at the bottom of the cup 30 . In addition, an exhaust port for discharging gas supplied from a fan filter unit (FFU), which will be described later, to the outside of the processing unit 16 is formed at the bottom of the cup 30 .

노즐 순환 시스템(40)은, 제1 노즐(41)과, 컵(30)의 외측에 배치되고, 제1 노즐(41)로부터 토출된 처리액을 받는 노즐 버스(42)와, 노즐 버스(42)로 받은 처리액을 제1 노즐(41)로 되돌리는 순환부(43)를 포함한다.The nozzle circulation system 40 includes a first nozzle 41 , a nozzle bus 42 disposed outside the cup 30 and receiving the processing liquid discharged from the first nozzle 41 , and a nozzle bus 42 . ) and a circulation unit 43 for returning the treatment liquid to the first nozzle 41 .

각 노즐 순환 시스템(40)은, 각각 다른 처리액을 순환시킨다. 일례로서, 도 2에 도시한 3개의 노즐 순환 시스템(40) 중 2개는, 산계 처리액을 순환시키고, 나머지 1개는 알칼리계 처리액을 순환시킨다. 산계 처리액으로서는, 예를 들어BHF(불산과 불화암모늄 용액의 혼합액), DHF(희불산), H2SO4(황산) 등이 사용된다. 또한, 알칼리성 처리액으로서는, 예를 들어 SC1(암모니아, 과산화수소 및 물의 혼합액), 희석 암모니아수 등이 사용된다.Each nozzle circulation system 40 circulates a different treatment liquid. As an example, two of the three nozzle circulation systems 40 shown in FIG. 2 circulate an acid-type treatment liquid, and the other one circulates an alkali-type treatment liquid. As the acid-based treatment liquid, for example, BHF (a mixture of hydrofluoric acid and ammonium fluoride solution), DHF (dilute hydrofluoric acid), H 2 SO 4 (sulfuric acid), and the like are used. As the alkaline treatment liquid, for example, SC1 (a mixture of ammonia, hydrogen peroxide and water), diluted aqueous ammonia, and the like are used.

제1 노즐(41)은, 처리액의 토출구(411)를 하부에 갖고, 토출구(411)로부터 연직 하향으로 처리액을 토출한다. 노즐 버스(42)는, 컵(30)의 외측에 설정된 제1 노즐(41)의 대기 영역에 배치된다. 구체적으로는, 노즐 버스(42)는, 대기 영역에 배치된 제1 노즐(41)의 토출구(411)의 바로 아래에 배치되고, 제1 노즐(41)로부터 토출된 처리액을 받는다.The first nozzle 41 has a discharge port 411 of the processing liquid at a lower portion, and discharges the processing liquid vertically downward from the discharge port 411 . The nozzle bus 42 is arranged in the waiting area of the first nozzle 41 set outside the cup 30 . Specifically, the nozzle bus 42 is disposed directly below the discharge port 411 of the first nozzle 41 disposed in the standby region, and receives the processing liquid discharged from the first nozzle 41 .

본 실시 형태에 있어서, 복수의 노즐 버스(42)는, 버스 유닛(420)으로서 일체적으로 구성되는 것으로 하지만, 이것에 한정되지 않고, 별체여도 된다.In the present embodiment, the plurality of nozzle buses 42 are integrally constituted as the bus unit 420, but the present invention is not limited thereto, and may be separate.

순환부(43)는, 탱크 및 펌프 등을 포함하여 구성되는, 노즐 버스(42)로부터 배출된 처리액을 순환시켜 다시 제1 노즐(41)로 되돌아간다.The circulation unit 43 circulates the processing liquid discharged from the nozzle bus 42 , which includes a tank and a pump, and returns to the first nozzle 41 again.

여기서, 노즐 순환 시스템(40)의 구성예에 대하여 도 3을 참조하여 설명한다. 도 3은, 실시 형태에 따른 노즐 순환 시스템(40)의 구성을 나타내는 도면이다.Here, the structural example of the nozzle circulation system 40 is demonstrated with reference to FIG. 3 : is a figure which shows the structure of the nozzle circulation system 40 which concerns on embodiment.

도 3에 도시한 바와 같이, 실시 형태에 따른 노즐 순환 시스템(40)은, 제1 노즐(41)과, 노즐 버스(42)와, 순환부(43)와, 공급로(44)와, 배출로(45)를 구비한다. 또한, 순환부(43)는, 처리액 공급부(101)와, 탱크(102)와, 순환로(103)를 구비한다. 또한, 노즐 순환 시스템(40)의 동작은, 제어부(18)(도 1 참조)에 의해 제어된다.As shown in FIG. 3 , the nozzle circulation system 40 according to the embodiment includes a first nozzle 41 , a nozzle bus 42 , a circulation unit 43 , a supply path 44 , and discharge. A furnace (45) is provided. In addition, the circulation unit 43 includes a processing liquid supply unit 101 , a tank 102 , and a circulation path 103 . In addition, the operation of the nozzle circulation system 40 is controlled by the control unit 18 (see FIG. 1 ).

처리액 공급부(101)는, 처리액 공급원(101a)과, 밸브(101b)와, 유량조정기(101c)를 구비한다. 처리액 공급원(101a)은, 밸브(101b) 및 유량조정기(101c)를 통해 탱크(102)에 접속된다. 이에 의해, 처리액 공급부(101)는, 처리액 공급원(101a)으로부터 탱크(102)로 처리액을 공급한다.The processing liquid supply unit 101 includes a processing liquid supply source 101a , a valve 101b , and a flow rate regulator 101c . The processing liquid supply source 101a is connected to the tank 102 through a valve 101b and a flow rate regulator 101c. Accordingly, the processing liquid supply unit 101 supplies the processing liquid from the processing liquid supply source 101a to the tank 102 .

탱크(102)는 처리액을 저류한다. 탱크(102)는, 드레인부 DR에 접속되어 있으며, 탱크(102)에 저류되는 처리액을 드레인부 DR로 배출할 수 있다.The tank 102 stores the treatment liquid. The tank 102 is connected to the drain part DR, and the processing liquid stored in the tank 102 can be discharged to the drain part DR.

순환로(103)는, 탱크(102)로부터 나와 이 탱크(102)로 되돌아가는 순환로이다. 순환로(103)에는, 탱크(102)를 기준(최상류)으로 하여, 상류측부터 순서대로 펌프(103a)와, 필터(103b)와, 온도 조정부(103c)와, 온도 검지부(103d)가 마련된다.The circulation path 103 is a circulation path exiting the tank 102 and returning to the tank 102 . In the circuit 103, a pump 103a, a filter 103b, a temperature adjusting unit 103c, and a temperature detecting unit 103d are provided in this order from the upstream side with the tank 102 as a reference (upstream). .

펌프(103a)는, 탱크(102)로부터 나와 순환로(103)를 통과하고, 탱크(102)로 되돌아가는 처리액의 순환류를 형성한다. 필터(103b)는, 순환로(103) 내를 순환하는 처리액에 포함되는 파티클 등의 오염 물질을 제거한다. 온도 조정부(103c)는, 예를 들어 히터 등의 가열부 또는 쿨링 코일 등의 냉각부이며, 순환로(103) 내를 순환하는 처리액의 온도를 조정한다. 온도 검지부(103d)는, 예를 들어 열전대이며, 순환로(103) 내를 순환하는 처리액의 온도를 검지한다. 제어부(18)는, 온도 조정부(103c) 및 온도 검지부(103d)를 사용함으로써, 순환로(103) 내를 순환하는 처리액의 온도를 제어할 수 있다.The pump 103a forms a circulating flow of the treatment liquid leaving the tank 102 , passing through the circulation path 103 , and returning to the tank 102 . The filter 103b removes contaminants such as particles contained in the processing liquid circulating in the circulation path 103 . The temperature adjusting unit 103c is, for example, a heating unit such as a heater or a cooling unit such as a cooling coil, and adjusts the temperature of the processing liquid circulating in the circulation path 103 . The temperature detection unit 103d is, for example, a thermocouple, and detects the temperature of the processing liquid circulating in the circulation path 103 . The control unit 18 can control the temperature of the processing liquid circulating in the circulation path 103 by using the temperature adjusting unit 103c and the temperature detecting unit 103d.

탱크(102)를 기준(최상류)으로 하여, 온도 검지부(103d)보다도 하류측의 순환로(103)에는 접속 영역(104)이 설정된다. 접속 영역(104)에는, 1개 또는 복수의 공급로(44)가 접속되어 있다. 각 공급로(44)는, 처리 유닛(16)의 제1 노즐(41)에 접속되어 있으며, 순환로(103)를 흐르는 처리액을 제1 노즐(41)에 공급한다. 각 공급로(44)에는, 밸브(44a) 외에, 유량조정기 및 레귤레이터 등이 마련된다.Using the tank 102 as a reference (upstream), a connection region 104 is set in the circulation path 103 on the downstream side of the temperature detection unit 103d. One or a plurality of supply paths 44 are connected to the connection region 104 . Each supply path 44 is connected to the first nozzle 41 of the processing unit 16 , and supplies the processing liquid flowing through the circulation path 103 to the first nozzle 41 . In each supply path 44, in addition to the valve 44a, a flow regulator, a regulator, and the like are provided.

이와 같이, 노즐 순환 시스템(40)에 있어서, 탱크(102)에 저류된 처리액은, 순환로(103) 및 공급로(44)를 통과하여 제1 노즐(41)에 공급되고, 제1 노즐(41)로부터 노즐 버스(42)로 토출된다.As described above, in the nozzle circulation system 40 , the processing liquid stored in the tank 102 passes through the circulation path 103 and the supply path 44 , and is supplied to the first nozzle 41 , and the first nozzle ( 41 ) to the nozzle bus 42 .

각 처리 유닛(16)의 노즐 버스(42)는 배출로(45)에 접속된다. 구체적으로는, 배출로(45)는, 각 노즐 버스(42)에 접속되는 개별 배출로(45a)와, 복수의 개별 배출로(45a)가 합류하는 합류 배출로(45b)를 갖는다. 합류 배출로(45b)는, 탱크(102)에 접속되어 있으며, 노즐 버스(42)로부터 개별 배출로(45a)를 통해 배출된 처리액을 탱크(102)로 되돌린다. 각 개별 배출로(45a)에는, 밸브(45c)가 마련되어 있다. 또한, 합류 배출로(45b)는, 드레인부 DR에 접속되고, 이러한 합류 배출로(45b)를 통과하는 처리액을 드레인부 DR로 배출할 수 있다.The nozzle bus 42 of each processing unit 16 is connected to the discharge path 45 . Specifically, the discharge path 45 has an individual discharge path 45a connected to each nozzle bus 42, and a merge discharge path 45b into which a plurality of individual discharge paths 45a join. The combined discharge path 45b is connected to the tank 102 , and returns the treatment liquid discharged from the nozzle bus 42 through the individual discharge path 45a to the tank 102 . A valve 45c is provided in each individual discharge path 45a. In addition, the combined discharge path 45b is connected to the drain unit DR, and the processing liquid passing through the combined discharge path 45b can be discharged to the drain unit DR.

계속해서, 노즐 순환 시스템(40)에 있어서의 처리액의 흐름에 대하여, 도 4 및 도 5를 참조하여 설명한다. 도 4 및 도 5는, 실시 형태에 따른 노즐 순환 시스템(40)에 있어서의 처리액의 흐름을 설명하기 위한 도면이다.Next, the flow of the processing liquid in the nozzle circulation system 40 is demonstrated with reference to FIGS. 4 and 5 . 4 and 5 are diagrams for explaining the flow of the processing liquid in the nozzle circulation system 40 according to the embodiment.

도 4에 도시한 바와 같이, 우선, 처리 유닛(16)은, 제1 노즐(41)을 노즐 버스(42)의 상방에 위치시킨다. 계속해서, 처리 유닛(16)은, 개별 배출로(45a)에 마련된 밸브(45c)를 개방한다.4 , first, the processing unit 16 positions the first nozzle 41 above the nozzle bus 42 . Then, the processing unit 16 opens the valve 45c provided in the individual discharge path 45a.

그리고, 처리 유닛(16)은, 공급로(44)에 마련된 밸브(44a)를 개방한다. 이에 의해, 도 4의 굵은 파선으로 나타낸 바와 같이, 제1 노즐(41), 노즐 버스(42), 배출로(45), 순환부(43)(탱크(102) 및 순환로(103)) 및 공급로(44)를 순차 통과하는 경로에서 처리액을 순환시킬 수 있다.Then, the processing unit 16 opens the valve 44a provided in the supply path 44 . Thereby, as shown by the thick broken line in FIG. 4, the 1st nozzle 41, the nozzle bus 42, the discharge path 45, the circulation part 43 (tank 102 and the circulation path 103) and supply The treatment liquid may be circulated in a path sequentially passing through the furnace 44 .

한편, 제1 노즐(41)을 액 처리에 사용하는 경우, 도 5에 도시한 바와 같이, 처리 유닛(16)은, 웨이퍼(W)의 상방으로 제1 노즐(41)을 이동시킨다. 그 때, 처리 유닛(16)은, 배출로(45)의 밸브(45c)를 페쇄한다. 이에 의해, 배출로(45) 내의 분위기와 웨이퍼(W) 주위의 분위기가 섞이는 것을 억제할 수 있다.On the other hand, when the first nozzle 41 is used for liquid processing, the processing unit 16 moves the first nozzle 41 above the wafer W as shown in FIG. 5 . At that time, the processing unit 16 closes the valve 45c of the discharge path 45 . Thereby, mixing of the atmosphere in the discharge path 45 with the atmosphere around the wafer W can be suppressed.

즉, 실시 형태에서는, 제1 노즐(41)을 노즐 버스(42)로부터 이탈시킨 경우에, 밸브(45c)를 폐쇄함으로써, 도 4에 있어서 굵은 파선으로 나타낸 경로 내의 분위기와 웨이퍼(W) 주위의 분위기가 섞이는 것을 억제할 수 있다.That is, in the embodiment, when the first nozzle 41 is detached from the nozzle bus 42 , the valve 45c is closed, so that the atmosphere in the path indicated by the thick dashed line in FIG. It is possible to suppress the mixing of atmospheres.

계속해서, 처리 유닛(16)은 밸브(44a)를 개방한다. 이에 의해, 도 5의 굵은 파선으로 나타낸 바와 같이, 공급로(44) 및 제1 노즐(41)을 통해 웨이퍼(W)로 처리액이 토출된다.Subsequently, the processing unit 16 opens the valve 44a. Accordingly, as indicated by the thick broken line in FIG. 5 , the processing liquid is discharged to the wafer W through the supply path 44 and the first nozzle 41 .

이와 같이, 노즐 순환 시스템(40)은, 제1 노즐(41)의 대기 중에 있어서, 원하는 온도로 조정된 처리액을 제1 노즐(41)로부터 계속해서 더미 디스펜스함으로써, 제1 노즐(41)의 온도를 안정화시킬 수 있다. 즉, 제1 노즐(41)의 온도가 처리액의 온도로부터 어긋나는 것을 억제할 수 있다. 이에 의해, 제1 노즐(41)을 사용한 액 처리를 행하는 경우에, 토출 개시 시부터 원하는 온도의 처리액을 웨이퍼(W)로 토출할 수 있다. 따라서, 온도 변화에 의한 변동이 적은 안정된 액 처리를 실현할 수 있다.As described above, the nozzle circulation system 40 continuously dummy dispenses the processing liquid adjusted to a desired temperature from the first nozzle 41 in the atmosphere of the first nozzle 41 , thereby temperature can be stabilized. That is, it is possible to suppress the deviation of the temperature of the first nozzle 41 from the temperature of the processing liquid. Accordingly, when the liquid processing using the first nozzle 41 is performed, the processing liquid having a desired temperature can be discharged to the wafer W from the start of the discharge. Therefore, it is possible to realize stable liquid treatment with little fluctuation due to temperature change.

또한, 노즐 순환 시스템(40)에 의하면, 제1 노즐(41)이 노즐 버스(42)로 더미 디스펜스 처리하는 경우에, 더미 디스펜스된 처리액을 모두 탱크(102)에 회수할 수 있다. 따라서, 처리액의 소비량을 저감시킬 수 있다.Also, according to the nozzle circulation system 40 , when the first nozzle 41 performs the dummy dispensing process by the nozzle bus 42 , all of the dummy dispensed processing liquid can be recovered to the tank 102 . Therefore, the consumption amount of the processing liquid can be reduced.

도 2로 되돌아가서, 노즐 이동 기구(50)에 대하여 설명한다. 노즐 이동 기구(50)는, 챔버(70) 내에 배치된 복수의 제1 노즐(41)과 별개로 마련되고, 복수의 제1 노즐(41) 중 액 처리에 사용되는 제1 노즐(41)을 보유 지지하여 웨이퍼(W)의 상방으로 이동시킨다.Returning to FIG. 2, the nozzle moving mechanism 50 is demonstrated. The nozzle moving mechanism 50 is provided separately from the plurality of first nozzles 41 disposed in the chamber 70 , and among the plurality of first nozzles 41 , a first nozzle 41 used for liquid processing is disposed. It is held and moved upward of the wafer W.

구체적으로는, 노즐 이동 기구(50)는, 암(51)과, 암(51)의 기단부에 마련되고, 암(51)을 선회 및 승강시키는 선회 승강 기구(52)와, 암(51)의 선단부에 마련되고, 제1 노즐(41)을 보유 지지하는 노즐 보유 지지부(53)를 구비한다.Specifically, the nozzle moving mechanism 50 includes an arm 51 , a swing lifting mechanism 52 provided at the proximal end of the arm 51 , for turning and raising and lowering the arm 51 , and the arm 51 . It is provided in the front-end|tip part, and the nozzle holding part 53 which holds the 1st nozzle 41 is provided.

이러한 노즐 이동 기구(50)는, 우선, 선회 승강 기구(52)를 사용하여 암(51)을 선회시킴으로써, 보유 지지하는 제1 노즐(41)의 상방에 노즐 보유 지지부(53)를 배치시킨다. 복수의 제1 노즐(41)은, 노즐 보유 지지부(53)의 선회 궤도상에 배치되어 있으며, 노즐 이동 기구(50)는, 암(51)을 선회시킴으로써, 임의의 제1 노즐(41)의 상방에 노즐 보유 지지부(53)를 배치시킬 수 있다.Such a nozzle moving mechanism 50 arrange|positions the nozzle holding part 53 above the 1st nozzle 41 hold|maintained by first turning the arm 51 using the turning raising/lowering mechanism 52. As shown in FIG. The plurality of first nozzles 41 are arranged on the orbit of the nozzle holding part 53 , and the nozzle moving mechanism 50 rotates the arm 51 , so that the arbitrary first nozzles 41 are moved. The nozzle holding part 53 can be arrange|positioned above.

계속해서, 노즐 이동 기구(50)는, 선회 승강 기구(52)를 사용하여 암(51)을 강하시키고, 노즐 보유 지지부(53)를 사용하여 제1 노즐(41)을 보유 지지한다. 또한, 노즐 보유 지지부(53)의 구성으로서는, 어떠한 종래 기술을 이용해도 상관없다. 일례로서, 노즐 보유 지지부(53)는, 일본 특허 공개 제2012-54406호 공보에 기재된 노즐 보유 지지부와 같이, 제1 노즐(41)과 걸림 결합함으로써 제1 노즐(41)을 보유 지지하는 것이어도 된다. 또한, 노즐 보유 지지부(53)에 의해 보유 지지되는 제1 노즐(41)의 수는 복수여도 된다.Then, the nozzle moving mechanism 50 lowers|falls the arm 51 using the swing raising/lowering mechanism 52, and holds the 1st nozzle 41 using the nozzle holding part 53. As shown in FIG. In addition, as a structure of the nozzle holding part 53, you may use any conventional technique. As an example, the nozzle holding part 53 holds the 1st nozzle 41 by engaging the 1st nozzle 41 like the nozzle holding part described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2012-54406. do. In addition, the number of the 1st nozzles 41 hold|maintained by the nozzle holding part 53 may be plural.

그 후, 노즐 이동 기구(50)는, 선회 승강 기구(52)를 사용하여 암(51)을 상승 및 선회시키고, 노즐 보유 지지부(53)에 보유 지지된 제1 노즐(41)을 웨이퍼(W) 상방의 처리 위치에 배치시킨다.Thereafter, the nozzle moving mechanism 50 raises and turns the arm 51 using the swing lifting mechanism 52 , and moves the first nozzle 41 held by the nozzle holder 53 to the wafer W ) to be placed in the upper processing position.

이와 같이, 처리 유닛(16)은, 복수의 제1 노즐(41) 중 액 처리에 사용되는 제1 노즐(41)만을 노즐 이동 기구(50)를 사용하여 웨이퍼(W) 상방의 처리 위치로 이동시킬 수 있다. 따라서, 처리 유닛(16)에 의하면, 제1 노즐(41)을 사용한 액 처리 중에, 나머지 제1 노즐(41)에 대한 노즐 순환 처리를 계속할 수 있다.In this way, the processing unit 16 moves only the first nozzle 41 used for liquid processing among the plurality of first nozzles 41 to the processing position above the wafer W using the nozzle moving mechanism 50 . can do it Accordingly, according to the processing unit 16 , the nozzle circulation processing for the remaining first nozzles 41 can be continued during the liquid processing using the first nozzle 41 .

제2 처리액 공급부(60)는, 복수(여기서는, 2개)의 제2 노즐(61)과, 복수의 제2 노즐(61)을 일체적으로 선회 및 승강시키는 선회 승강 기구(62)를 구비한다. 제2 노즐(61)은, 수평 방향(도 2에서는 Y축 방향)으로 연장되는 연장부(61a)와, 연장부(61a)의 선단에 위치하고, 연직 하향으로 개구하는 토출구(61b)를 갖는다.The second processing liquid supply unit 60 includes a plurality of (here, two) second nozzles 61 , and a turning lifting mechanism 62 for integrally turning and raising and lowering the plurality of second nozzles 61 . do. The second nozzle 61 has an extension portion 61a extending in the horizontal direction (the Y-axis direction in FIG. 2 ), and a discharge port 61b positioned at the tip of the extension portion 61a and opened vertically downward.

각 제2 노즐(61)은, 각각 다른 처리액 공급원에 접속된다. 예를 들어, 도 2에 도시한 2개의 노즐 중 한쪽은, DIW(탈이온수)를 공급하는 DIW 공급원에 접속되고, 다른 쪽은, IPA(이소프로필알코올)를 공급하는 IPA 공급원에 접속된다.Each of the second nozzles 61 is connected to a different processing liquid supply source, respectively. For example, one of the two nozzles shown in Fig. 2 is connected to a DIW supply source for supplying DIW (deionized water), and the other is connected to an IPA supply source for supplying IPA (isopropyl alcohol).

선회 승강 기구(62)는, 복수의 제2 노즐(61)에 있어서의 연장부(61a)의 기단부를 지지하고, 웨이퍼(W) 상방의 처리 위치와, 웨이퍼(W) 외측의 대기 위치 사이에서 복수의 제2 노즐(61)을 일체적으로 이동시킨다.The turning raising/lowering mechanism 62 supports the proximal ends of the extension parts 61a of the plurality of second nozzles 61 , and is positioned between a processing position above the wafer W and a standby position outside the wafer W . The plurality of second nozzles 61 are moved integrally.

기체 공급부(80)는, 액 처리 후의 웨이퍼(W)에 대하여 기체를 공급함으로써 웨이퍼(W)를 건조시킨다. 기체 공급부(80)는, 제3 노즐(81)과, 제3 노즐(81)을 선회 및 승강시키는 선회 승강 기구(82)를 구비한다. 제3 노즐(81)은, 수평 방향(도 2에서는 X축 방향)으로 연장되는 연장부(81a)와, 연장부(81a)의 선단에 위치하는 토출구(81b)를 갖는다. 제3 노즐(81)은, 예를 들어 N2 가스나 드라이 에어 등의 기체를 공급하는 기체 공급원에 접속된다.The gas supply unit 80 dries the wafer W by supplying a gas to the wafer W after the liquid treatment. The gas supply part 80 is equipped with the 3rd nozzle 81, and the swing raising/lowering mechanism 82 which turns and raises the 3rd nozzle 81. The third nozzle 81 has an extended portion 81a extending in the horizontal direction (X-axis direction in FIG. 2 ), and a discharge port 81b positioned at the tip of the extended portion 81a . The third nozzle 81 is connected to a gas supply source that supplies a gas such as N 2 gas or dry air, for example.

선회 승강 기구(82)는, 제3 노즐(81)에 있어서의 연장부(81a)의 기단부를 지지하고, 웨이퍼(W) 상방의 처리 위치와, 웨이퍼(W) 외측의 대기 위치 사이에서 제3 노즐(81)을 이동시킨다.The swing raising/lowering mechanism 82 supports the proximal end of the extension 81a of the third nozzle 81 , and is disposed between a processing position above the wafer W and a standby position outside the wafer W. The nozzle 81 is moved.

기체 공급부(80)는, 복수의 제3 노즐(81)을 구비하고 있어도 된다. 예를 들어, 기체 공급부(80)는, 웨이퍼(W)에 대하여 수직으로 기체를 토출하는 제3 노즐(81)과, 웨이퍼(W)에 대하여 비스듬히 기체를 토출하는 제3 노즐(81)을 구비하고 있어도 된다.The gas supply unit 80 may include a plurality of third nozzles 81 . For example, the gas supply unit 80 includes a third nozzle 81 for discharging gas perpendicular to the wafer W, and a third nozzle 81 for discharging gas obliquely with respect to the wafer W. may be doing

챔버(70)는, 예를 들어 평면에서 보아 직사각 형상의 하우징이며, 복수(여기서는 4개)의 측벽(71a 내지 71d)을 갖는다. 챔버(70)의 내부에는, 기판 보유 지지 기구(20), 컵(30), 복수의 노즐 순환 시스템(40)이 갖는 복수의 제1 노즐(41) 그리고 복수의 노즐 버스(42), 노즐 이동 기구(50), 제2 처리액 공급부(60) 및 기체 공급부(80)가 수용된다.The chamber 70 is, for example, a rectangular-shaped housing in plan view, and has a plurality of side walls 71a to 71d (here, four). Inside the chamber 70 , the substrate holding mechanism 20 , the cup 30 , the plurality of first nozzles 41 included in the plurality of nozzle circulation systems 40 , the plurality of nozzle buses 42 , and nozzle movement The apparatus 50 , the second treatment liquid supply unit 60 , and the gas supply unit 80 are accommodated therein.

챔버(70)의 저면에는, 복수의 배기구(72)가 마련되어 있다. 복수의 배기구(72)는, 예를 들어 챔버(70)의 각 측벽(71a 내지 71d)의 근방에 배치된다. 복수의 배기구(72)는, 배기관(72a)에 접속되어 있으며, 챔버(70) 내의 분위기는, 복수의 배기구(72)나 배기관(72a)을 통해 챔버(70)의 외부로 배출된다.A plurality of exhaust ports 72 are provided on the bottom surface of the chamber 70 . The plurality of exhaust ports 72 are arranged, for example, in the vicinity of each side wall 71a to 71d of the chamber 70 . The plurality of exhaust ports 72 are connected to the exhaust pipe 72a, and the atmosphere in the chamber 70 is discharged to the outside of the chamber 70 through the plurality of exhaust ports 72 or the exhaust pipe 72a.

또한, 챔버(70)의 천장부에는, 도시하지 않은 FFU가 마련된다. FFU는, 챔버(70) 내에 다운 플로우를 형성한다. 이러한 FFU에 의해 챔버 내의 분위기는, 예를 들어 질소 가스 등의 불활성 가스 분위기, 혹은 클린 드라이 에어 등의 청정 가스 분위기로 유지된다. 그 밖에, 챔버(70)에는, 웨이퍼(W)를 반입출하기 위한 반입 출구 및 반입 출구를 개폐하는 셔터 등이 마련된다.In addition, an FFU (not shown) is provided on the ceiling of the chamber 70 . The FFU forms a down flow in the chamber 70 . By such FFU, the atmosphere in the chamber is maintained, for example, in an inert gas atmosphere such as nitrogen gas, or a clean gas atmosphere such as clean dry air. In addition, the chamber 70 is provided with a carry-in outlet for carrying in and out of the wafer W, and a shutter for opening and closing the carrying-in outlet.

상기와 같이 구성된 처리 유닛(16)에 있어서, 각 노즐 순환 시스템(40)을 구성하는 복수의 제1 노즐(41)은, 챔버(70) 내의 한군데로 모여 있고, 노즐 순환 시스템(40)을 구성하지 않는 복수의 제2 노즐(61)로부터 격리된다.In the processing unit 16 configured as described above, the plurality of first nozzles 41 constituting each nozzle circulation system 40 are gathered at one place in the chamber 70 and constitute the nozzle circulation system 40 . It is isolated from the plurality of second nozzles 61 that are not used.

구체적으로는, 복수의 제1 노즐(41)은 컵(30)에 대하여, 복수의 제2 노즐(61)이 배치되는 측과는 다른 측에 모여 배치된다. 즉, 챔버(70)를 평면에서 본 경우에, 복수의 제2 노즐(61)은, 챔버(70)의 X축 정방향측의 측벽(71b)과 컵(30) 사이에 배치되는 데 반하여, 복수의 제1 노즐(41)은, 챔버(70)의 X축 부방향측의 측벽(71a)과 컵(30) 사이에 배치된다.Specifically, the plurality of first nozzles 41 are arranged in a cluster on a side different from the side on which the plurality of second nozzles 61 are arranged with respect to the cup 30 . That is, when the chamber 70 is viewed in a plan view, the plurality of second nozzles 61 are disposed between the cup 30 and the side wall 71b on the positive X-axis side of the chamber 70 , whereas the plurality of second nozzles 61 are disposed between the cup 30 . The first nozzle 41 of the chamber 70 is disposed between the side wall 71a on the negative X-axis direction side of the chamber 70 and the cup 30 .

이와 같이, 실시 형태에 따른 처리 유닛(16)에서는, 각 노즐 순환 시스템(40)을 구성하는 복수의 제1 노즐(41)을 챔버(70) 내에 있어서 집중 배치하는 것으로 하였다. 다시 말해, 복수의 제1 노즐(41)에 대응하는 복수의 노즐 버스(42)를 챔버(70) 내의 한군데에 집중 배치하는 것으로 하였다. 따라서, 처리액의 성분이 노즐 버스(42)로부터 누설되었다고 해도, 누설 개소가 한군데로 모여 있기 때문에, 챔버(70) 내의 분위기 제어가 용이하다.In this way, in the processing unit 16 according to the embodiment, the plurality of first nozzles 41 constituting each nozzle circulation system 40 are centrally arranged in the chamber 70 . In other words, the plurality of nozzle buses 42 corresponding to the plurality of first nozzles 41 are centrally arranged in one place in the chamber 70 . Therefore, even if a component of the processing liquid leaks from the nozzle bus 42 , since the leakage points are gathered in one place, it is easy to control the atmosphere in the chamber 70 .

또한, 제1 노즐(41)로부터 토출되는 처리액의 온도가 제1 노즐(41)마다 다른 경우, 집중 배치된 복수의 제1 노즐(41)로부터 각각 상이한 온도의 처리액을 더미 디스펜스하게 된다. 본원 발명자는, 이와 같은 경우라도, 제1 노즐(41) 사이의 온도 간섭은 발생하지 않는다는 것을 확인하였다.In addition, when the temperature of the processing liquid discharged from the first nozzles 41 is different for each of the first nozzles 41 , the processing liquids having different temperatures are dummy dispensed from the plurality of first nozzles 41 that are centrally arranged. The inventor of the present application confirmed that temperature interference between the first nozzles 41 did not occur even in such a case.

이 점에 대하여 도 6 및 도 7을 참조하여 구체적으로 설명한다. 도 6 및 도 7은, 인접하는 2개의 제1 노즐(41) 사이에 있어서의 온도 간섭의 조사 결과를 나타내는 그래프이다.This point will be described in detail with reference to FIGS. 6 and 7 . 6 and 7 are graphs showing the results of investigation of temperature interference between the adjacent two first nozzles 41 .

본원 발명자는, 70℃로 설정된 IPA를 토출하는 제1 노즐(41)(이하, 「노즐 A」라고 기재함)과, 25℃로 설정된 DHF를 토출하는 제1 노즐(41)(이하, 「노즐 B」라고 기재함)을 근접 배치시켰다. 그리고, 본원 발명자는, 한쪽의 노즐 B로부터의 DHF의 토출을 정지시킨 상태에서 노즐 A로부터 IPA를 120초간 토출시켰다(케이스1). 또한, 본원 발명자는, 노즐 B로부터 DHF를 120초간 토출시키고, 이와 동시에, 노즐 A로부터도 IPA를 120초간 토출시켰다(케이스 2).The inventors of the present application have a first nozzle 41 (hereinafter referred to as "nozzle A") for discharging IPA set at 70°C, and a first nozzle 41 for discharging DHF set at 25°C (hereinafter referred to as “nozzle A”). B") were placed adjacent to each other. Then, the inventor of the present application discharged IPA from nozzle A for 120 seconds in a state in which discharge of DHF from one nozzle B was stopped (Case 1). In addition, the inventor of the present application discharged DHF from the nozzle B for 120 seconds and, at the same time, also discharged IPA from the nozzle A for 120 seconds (case 2).

그리고, 본원 발명자는, 노즐 B의 내부에 설치된 열전대를 사용하여, 각 케이스 1, 2에 있어서의 노즐 B의 온도를 측정하였다. 케이스 1의 측정 결과를 도 6에, 케이스 2의 측정 결과를 도 7에 각각 나타내었다. 도 6 및 도 7에는, IPA의 토출을 개시하고 나서의 경과 시간을 횡축에 취하고, 노즐 B의 온도(노즐 B 내의 DHF의 온도)를 종축에 취한 그래프를 나타내고 있다.And this inventor measured the temperature of the nozzle B in each case 1, 2 using the thermocouple provided inside the nozzle B. The measurement result of case 1 is shown in FIG. 6, and the measurement result of case 2 is shown in FIG. 7, respectively. 6 and 7, graphs are shown in which the elapsed time after starting discharging of IPA is taken on the horizontal axis, and the temperature of the nozzle B (the temperature of DHF in the nozzle B) is taken on the vertical axis.

도 6 및 도 7에 도시한 바와 같이, IPA의 토출 종료 시점에 있어서의 노즐 B의 설정 온도(25℃)로부터의 어긋남은, 도 6에 도시한 케이스 1의 쪽이 크고, 도 7에 도시한 케이스 2에 있어서는, 온도 변화는 거의 보이지 않았다.As shown in FIGS. 6 and 7, the deviation from the set temperature (25° C.) of the nozzle B at the end of IPA discharge is larger in case 1 shown in FIG. In case 2, the temperature change was hardly seen.

이들 결과로부터, 노즐 순환 처리에 있어서 제1 노즐(41)로부터 노즐 버스(42)로 처리액을 계속해서 더미 디스펜스함으로써, 복수의 제1 노즐(41)을 집중 배치시킨 경우라도, 제1 노즐(41) 사이의 온도 간섭이 발생하지 않는다는 것을 알 수 있다.From these results, even when a plurality of first nozzles 41 are centrally disposed by continuously dummy dispensing the processing liquid from the first nozzle 41 to the nozzle bus 42 in the nozzle circulation process, the first nozzle ( It can be seen that there is no temperature interference between 41).

<노즐 버스의 배기 구성><Exhaust configuration of nozzle bus>

다음으로, 노즐 버스(42)의 배기 구성에 대하여 도 8을 참조하여 설명한다. 도 8은, 실시 형태에 따른 노즐 버스(42)의 배기 구성을 나타내는 도면이다.Next, the exhaust configuration of the nozzle bus 42 will be described with reference to FIG. 8 . 8 is a diagram showing an exhaust configuration of the nozzle bus 42 according to the embodiment.

도 8에 도시한 바와 같이, 처리 유닛(16)은, 복수의 노즐 버스(42)에 공통의 배기 덕트(200)를 구비한다. 상술한 바와 같이, 실시 형태에 따른 처리 유닛(16)에서는, 복수의 제1 노즐(41)이 한군데로 모여 배치되는 데에 수반하여, 복수의 노즐 버스(42)도 한군데로 모여 배치된다. 따라서, 복수의 노즐 버스(42)에 공통의 배기 덕트(200)를 마련하는 것이 용이하다.As shown in FIG. 8 , the processing unit 16 is provided with an exhaust duct 200 common to the plurality of nozzle buses 42 . As described above, in the processing unit 16 according to the embodiment, the plurality of first nozzles 41 are gathered and arranged in one place, and the plurality of nozzle buses 42 are also arranged in one place. Accordingly, it is easy to provide the common exhaust duct 200 for the plurality of nozzle buses 42 .

배기 덕트(200)는, 복수의 배기 도입구(201)와, 복수의 배기 도입구(201)에 연통하는 세정실(202)과, 세정실(202)보다도 하류측에 마련된 기액 분리부(203)와, 세정실(202)과 기액 분리부(203)를 접속하는 접속 유로(204)를 구비한다.The exhaust duct 200 includes a plurality of exhaust inlet 201 , a cleaning chamber 202 communicating with the plurality of exhaust inlet 201 , and a gas-liquid separation unit 203 provided on a downstream side of the cleaning chamber 202 . ) and a connection flow path 204 for connecting the cleaning chamber 202 and the gas-liquid separation unit 203 .

복수의 배기 도입구(201)는, 버스 유닛(420)의 주위에 있어서의 챔버(70)의 바닥면(73)에 마련된다. 예를 들어, 복수의 배기 도입구(201)의 일부는, 챔버(70)의 측벽(71a)(도 2 참조)과 버스 유닛(420) 사이에 마련된다. 또한, 복수의 배기 도입구(201)의 다른 일부는, 컵(30)과 버스 유닛(420) 사이에 마련된다.The plurality of exhaust inlet ports 201 are provided on the bottom surface 73 of the chamber 70 around the bus unit 420 . For example, a part of the plurality of exhaust inlet ports 201 is provided between the side wall 71a (refer to FIG. 2 ) of the chamber 70 and the bus unit 420 . Another part of the plurality of exhaust inlet ports 201 is provided between the cup 30 and the bus unit 420 .

실시 형태에 따른 처리 유닛(16)에 의하면, 복수의 노즐 버스(42)로부터 누출된 처리액의 성분을, 버스 유닛(420)의 주위에 형성된 복수의 배기 도입구(201)로부터 모아서 배출할 수 있다. 이 때문에, 예를 들어 복수의 노즐 버스(42)가 분산해서 배치되는 경우에 비하여, 배기 경로의 구성을 간략화시킬 수 있다.According to the processing unit 16 according to the embodiment, the components of the processing liquid leaked from the plurality of nozzle buses 42 can be collected and discharged from the plurality of exhaust inlets 201 formed around the bus unit 420 . have. For this reason, compared with the case where the several nozzle bus 42 is disperse|distributed and arrange|positioned, the structure of an exhaust path can be simplified, for example.

세정실(202)은, 예를 들어 버스 유닛(420)의 하부(바닥 아래)에 배치된다. 세정실(202)에서는, 복수의 배기 도입구(201)로부터 도입된 배기로부터 처리액의 성분을 제거하는 처리가 행해진다.The cleaning chamber 202 is disposed, for example, under the bus unit 420 (under the floor). In the cleaning chamber 202 , a process for removing components of the processing liquid from the exhaust gas introduced from the plurality of exhaust inlet ports 201 is performed.

여기서, 세정실(202)의 구성에 대하여 도 9를 참조하여 설명한다. 도 9는, 실시 형태에 따른 배기 덕트(200)가 구비하는 세정실(202)의 구성을 나타내는 도면이다.Here, the configuration of the cleaning chamber 202 will be described with reference to FIG. 9 . 9 is a diagram showing the configuration of a cleaning chamber 202 included in the exhaust duct 200 according to the embodiment.

도 9에 도시한 바와 같이, 세정실(202)의 내부에는, 세정실(202)의 내부에 세정액을 공급하는 세정액 공급부(210)가 배치된다.As shown in FIG. 9 , a cleaning liquid supply unit 210 for supplying a cleaning liquid to the interior of the cleaning chamber 202 is disposed inside the cleaning chamber 202 .

세정액 공급부(210)는, 제1 토출부(211)와, 제2 토출부(212)를 구비한다. 제1 토출부(211)는, 예를 들어 세정실(202)의 천장에 마련되고, 세정실(202) 내의 공간에 대하여 세정액을 샤워형으로 토출한다. 또한, 제2 토출부(212)는, 예를 들어 세정실(202) 내의 벽면에 대하여 세정액을 샤워형으로 토출한다. 또한, 제2 토출부(212)는, 세정실(202) 내에 복수 마련되어도 된다. 이 경우, 복수의 제2 토출부(212)는, 세정실(202) 내의 다른 벽면에 대하여 세정액을 토출한다.The cleaning liquid supply unit 210 includes a first discharge unit 211 and a second discharge unit 212 . The first discharge unit 211 is provided, for example, on the ceiling of the cleaning chamber 202 , and discharges the cleaning liquid into the space in the cleaning chamber 202 in a shower type. In addition, the second discharge unit 212 discharges the cleaning liquid in a shower type, for example, to the wall surface in the cleaning chamber 202 . In addition, a plurality of second discharge units 212 may be provided in the cleaning chamber 202 . In this case, the plurality of second discharge units 212 discharge the cleaning liquid to other wall surfaces in the cleaning chamber 202 .

제1 토출부(211)는, 세정액 공급원(211a)과, 밸브(211b)와, 유량조정기(211c)를 구비한다. 또한, 제2 토출부(212)는, 세정액 공급원(212a)과, 밸브(212b)와, 유량조정기(212c)를 구비한다. 즉, 세정액 공급부(210)는, 제1 토출부(211)로부터의 세정액의 토출과 제2 토출부(212)로부터의 세정액의 토출을 독립적으로 행할 수 있다. 또한, 세정액은, 예를 들어 DIW이다.The first discharge unit 211 includes a cleaning liquid supply source 211a, a valve 211b, and a flow rate regulator 211c. In addition, the second discharge unit 212 includes a cleaning liquid supply source 212a, a valve 212b, and a flow rate regulator 212c. That is, the cleaning liquid supply unit 210 can independently discharge the cleaning liquid from the first discharge unit 211 and discharge the cleaning liquid from the second discharge unit 212 . In addition, the cleaning liquid is, for example, DIW.

세정액 공급부(210)는, 제어부(18)에 의해 제어된다. 제어부(18)는, 세정액 공급부(210)를 제어함으로써, 제1 유량이고 또한 제1 처리 시간에 제1 토출부(211)로부터 세정액을 토출시킨다.The cleaning liquid supply unit 210 is controlled by the control unit 18 . The control unit 18 controls the cleaning liquid supply unit 210 to discharge the cleaning liquid from the first discharge unit 211 at the first flow rate and at the first processing time.

예를 들어, 제어부(18)는, 제1 토출부(211)로부터의 세정액의 토출을, 처리 유닛(16)의 가동 중에 있어서 상시 행하게 한다. 세정실(202) 내의 공간에 제1 토출부(211)로부터 세정액이 공급됨으로써, 세정실(202)을 유통하는 배기에 포함되는 처리액의 성분(산 성분이나 알칼리 성분)이 세정액에 용해된다. 이에 의해, 세정실(202)을 유통하는 배기로부터 처리액의 성분을 제거할 수 있다.For example, the control unit 18 continuously discharges the cleaning liquid from the first discharge unit 211 while the processing unit 16 is in operation. When the cleaning liquid is supplied from the first discharge unit 211 to the space in the cleaning chamber 202 , components (acid components and alkali components) of the processing liquid contained in the exhaust gas flowing through the cleaning chamber 202 are dissolved in the cleaning liquid. Thereby, components of the processing liquid can be removed from the exhaust gas flowing through the cleaning chamber 202 .

또한, 제어부(18)는, 세정액 공급부(210)를 제어함으로써, 제1 유량보다도 많은 제2 유량이고 또한 제1 처리 시간보다도 짧은 제2 처리 시간에 제2 토출부(212)로부터 세정액을 토출시킨다.Further, by controlling the cleaning liquid supply unit 210 , the control unit 18 discharges the cleaning liquid from the second discharge unit 212 at a second flow rate greater than the first flow rate and a second processing time shorter than the first processing time. .

예를 들어, 제어부(18)는, 제2 토출부(212)로부터 일정 시간마다 세정액을 토출시킨다. 제2 토출부(212)는, 세정실(202) 내의 벽면에 대하여, 제1 토출부(211)보다도 많은 유량으로, 다시 말해, 제1 토출부(211)보다도 높은 압력으로 세정액을 토출한다. 이에 의해, 세정실(202) 내에 부착된 결정물 등의 이물을 세정액에 의해 씻어낼 수 있다.For example, the control unit 18 discharges the cleaning liquid from the second discharge unit 212 at regular intervals. The second discharge unit 212 discharges the cleaning liquid to the wall surface in the cleaning chamber 202 at a flow rate greater than that of the first discharge unit 211 , that is, at a pressure higher than that of the first discharge unit 211 . Thereby, foreign substances such as crystals adhering in the cleaning chamber 202 can be washed away with the cleaning liquid.

복수의 배기 도입구(201)로부터 세정실(202)로 도입된 배기 및 세정액 공급부(210)에 의해 세정실(202) 내에 공급된 세정액은, 접속 유로(204)를 통해 기액 분리부(203)에 공급된다. 기액 분리부(203)는, 예를 들어 상방으로 연장되는 배기관(203a)과, 배기관(203a)보다도 하방에 위치하는 배액관(203b)을 갖고 있다. 기액 분리부(203)에 도달한 배기 및 세정액 중, 배기는 배기관(203a)을 통과하여 외부로 배출되고, 세정액은 배액관(203b)을 통과하여 외부로 배출된다. 배기관(203a)은, 챔버(70)의 바닥면에 마련된 복수의 배기구(72)에 접속되는 배기관(72a)에 합류한다.The exhaust gas introduced into the cleaning chamber 202 from the plurality of exhaust inlet ports 201 and the cleaning liquid supplied into the cleaning chamber 202 by the cleaning liquid supply unit 210 is passed through the connection passage 204 to the gas-liquid separation unit 203 . is supplied to The gas-liquid separation unit 203 includes, for example, an exhaust pipe 203a extending upward and a drain pipe 203b positioned below the exhaust pipe 203a. Of the exhaust and the cleaning liquid that have reached the gas-liquid separation unit 203 , the exhaust is discharged to the outside through the exhaust pipe 203a , and the cleaning liquid is discharged through the drain pipe 203b to the outside. The exhaust pipe 203a joins the exhaust pipe 72a connected to the plurality of exhaust ports 72 provided on the bottom surface of the chamber 70 .

이와 같이, 실시 형태에 따른 처리 유닛(16)은, 챔버(70)의 바닥면(73)에 마련된 배기구(72)와는 별도로, 버스 유닛(420)의 주위의 분위기를 집중적으로 배기하기 위한 배기 덕트(200)를 구비한다. 따라서, 실시 형태에 따른 처리 유닛(16)에 의하면, 복수의 노즐 버스(42)로부터 처리액의 성분이 누설된 경우라도, 이러한 처리액의 성분을 포함한 배기를 챔버(70)로부터 효율적으로 배출할 수 있다.In this way, the processing unit 16 according to the embodiment is an exhaust duct for intensively exhausting the atmosphere around the bus unit 420 separately from the exhaust port 72 provided on the bottom surface 73 of the chamber 70 . (200) is provided. Therefore, according to the processing unit 16 according to the embodiment, even when components of the processing liquid leak from the plurality of nozzle buses 42 , exhaust gas containing the components of the processing liquid can be efficiently discharged from the chamber 70 . can

<노즐 버스의 배기 구성의 변형예><Modified example of exhaust configuration of nozzle bus>

다음으로, 상술한 배기 덕트(200)의 변형예에 대하여 도 10을 참조하여 설명한다. 도 10은, 실시 형태에 따른 배기 덕트의 변형예를 나타내는 도면이다.Next, a modified example of the exhaust duct 200 described above will be described with reference to FIG. 10 . It is a figure which shows the modified example of the exhaust duct which concerns on embodiment.

도 10에 도시한 바와 같이, 처리 유닛(16A)은, 산계 처리액을 받는 노즐 버스(42A1)를 갖는 산계 버스 유닛(420A1)과, 알칼리계 처리액을 받는 노즐 버스(42A2)를 갖는 알칼리계 버스 유닛(420A2)을 구비한다. 산계 버스 유닛(420A1)과 알칼리계 버스 유닛(420A2)은 별체이며, 노즐 보유 지지부(53)의 선회 궤도상에 있어서 소정의 간격을 두고 인접해서 배치된다.As shown in Fig. 10 , the processing unit 16A includes an acid-based bus unit 420A1 having a nozzle bus 42A1 that receives an acid-based processing liquid, and an alkali-based system having a nozzle bus 42A2 that receives an alkaline-based processing liquid. A bus unit 420A2 is provided. The acid-based bus unit 420A1 and the alkaline-based bus unit 420A2 are separate, and are disposed adjacent to each other at a predetermined interval on the orbit of the nozzle holder 53 .

처리 유닛(16A)은, 산계 배기 덕트(200A1)와, 알칼리계 배기 덕트(200A2)를 구비한다. 산계 배기 덕트(200A1)는, 산계 버스 유닛(420A1)의 주위에 복수의 배기 도입구(201A1)를 갖는다. 또한, 알칼리계 배기 덕트(200A2)는, 알칼리계 버스 유닛(420A2)의 주위에 복수의 배기 도입구(201A2)를 갖는다.The processing unit 16A includes an acid exhaust duct 200A1 and an alkali exhaust duct 200A2 . The mountain system exhaust duct 200A1 has a plurality of exhaust inlet ports 201A1 around the mountain system bus unit 420A1. Further, the alkaline exhaust duct 200A2 has a plurality of exhaust inlet 201A2 around the alkaline bus unit 420A2.

또한, 산계 배기 덕트(200A1)는, 산계 버스 유닛(420A1)의 하부(바닥 아래)에 배치되고, 복수의 배기 도입구(201A1)에 연통하는 세정실(202A1)을 갖는다. 세정실(202A1)은, 세정액 공급부를 내부에 가짐과 함께, 접속로(204A1)을 통해 도시하지 않은 기액 분리부에 접속된다. 또한, 알칼리계 배기 덕트(200A2)는, 알칼리계 버스 유닛(420A2)의 하부(바닥 아래)에 배치되고, 복수의 배기 도입구(201A2)에 연통하는 세정실(202A2)을 갖는다. 세정실(202A2)은, 세정액 공급부를 내부에 가짐과 함께, 접속로(204A2)를 통해 도시하지 않은 기액 분리부에 접속된다.Further, the mountain system exhaust duct 200A1 is disposed below (under the floor) of the mountain system bus unit 420A1 and has a cleaning chamber 202A1 communicating with the plurality of exhaust inlet ports 201A1 . The cleaning chamber 202A1 has a cleaning liquid supply unit therein and is connected to a gas-liquid separation unit (not shown) through a connection path 204A1. Further, the alkaline exhaust duct 200A2 is disposed below (under the floor) of the alkaline bus unit 420A2 and has a cleaning chamber 202A2 communicating with the plurality of exhaust inlet ports 201A2. The cleaning chamber 202A2 has a cleaning liquid supply unit therein and is connected to a gas-liquid separation unit (not shown) through a connection path 204A2.

이와 같이, 복수의 노즐 버스(42A1, 42A2)의 배기 경로는, 산계의 배기 경로(산계 배기 덕트(200A1))와 알칼리계의 배기 경로(알칼리계 배기 덕트(200A2))로 나뉘어 있어도 된다. 이와 같이 구성함으로써, 산계 처리액에 포함되는 산 성분과 알칼리계 처리액에 포함되는 알칼리 성분이 서로 섞이는 것에 따른 결정물(염)의 생성을 억제할 수 있다.In this way, the exhaust path of the plurality of nozzle buses 42A1 and 42A2 may be divided into an acid system exhaust path (acid exhaust duct 200A1) and an alkaline exhaust path (alkaline exhaust duct 200A2). By configuring in this way, it is possible to suppress the formation of crystals (salts) due to mixing of the acid component contained in the acid treatment liquid and the alkali component contained in the alkali treatment liquid.

<노즐 이동 기구의 변형예><Modified example of nozzle moving mechanism>

다음으로, 상술한 노즐 이동 기구(50)의 변형예에 대하여 설명한다. 도 11은, 실시 형태에 따른 노즐 이동 기구의 제1 변형예를 나타내는 도면이다. 또한, 도 12는, 제1 변형예에 있어서의 복수의 제1 노즐(41) 및 복수의 노즐 버스(42)의 다른 배치예를 나타내는 도면이다.Next, the modified example of the nozzle moving mechanism 50 mentioned above is demonstrated. 11 : is a figure which shows the 1st modified example of the nozzle moving mechanism which concerns on embodiment. 12 is a diagram showing another arrangement example of the plurality of first nozzles 41 and the plurality of nozzle buses 42 in the first modification.

도 11에 도시한 바와 같이, 노즐 이동 기구(50B)는, 암(51B)과, 선회 승강 기구(52)와, 노즐 보유 지지부(53)를 구비한다.As shown in FIG. 11 , the nozzle moving mechanism 50B includes an arm 51B, a swing raising/lowering mechanism 52 , and a nozzle holding part 53 .

암(51B)은, 제1 암(51Ba)과, 제2 암(51Bb)과, 관절부(51Bc)를 구비한다. 제1 암(51Ba) 및 제2 암(51Bb)은, 모두 수평 방향으로 연장된다. 제1 암(51Ba)의 기단부는 선회 승강 기구(52)에 접속되고, 제2 암(51Bb)의 선단부에는 노즐 보유 지지부(53)가 마련된다. 관절부(51Bc)는, 제1 암(51Ba)과 제2 암(51Bb) 사이에 배치되고, 제1 암(51Ba)과 제2 암(51Bb)을 접속한다. 관절부(51Bc)는, 모터 등의 회전 구동부를 갖고 있으며, 제1 암(51Ba)에 대하여 제2 암(51Bb)을 연직축 둘레로 선회시킬 수 있다.The arm 51B includes a first arm 51Ba, a second arm 51Bb, and a joint portion 51Bc. The first arm 51Ba and the second arm 51Bb both extend in the horizontal direction. The proximal end of the first arm 51Ba is connected to the swing raising/lowering mechanism 52 , and the nozzle holding portion 53 is provided at the distal end of the second arm 51Bb . The joint portion 51Bc is disposed between the first arm 51Ba and the second arm 51Bb, and connects the first arm 51Ba and the second arm 51Bb. The joint part 51Bc has a rotation drive part, such as a motor, and can make the 2nd arm 51Bb rotate about a vertical axis with respect to the 1st arm 51Ba.

이와 같이, 노즐 이동 기구(50B)는, 관절부(51Bc)를 갖는 암(51B)을 구비하는 구성이어도 된다. 이러한 구성으로 함으로써, 복수의 제1 노즐(41) 및 복수의 노즐 버스(42)의 배치의 자유도를 높일 수 있다.In this way, the nozzle moving mechanism 50B may be configured to include the arm 51B having the joint portion 51Bc. By setting it as such a structure, the freedom degree of arrangement|positioning of the some 1st nozzle 41 and the some nozzle bus 42 can be raised.

예를 들어, 도 11에는, 복수의 제1 노즐(41) 및 복수의 노즐 버스(42)가 수평 방향으로 직선적으로 배열되는 예를 나타내고 있다.For example, FIG. 11 shows an example in which the plurality of first nozzles 41 and the plurality of nozzle buses 42 are linearly arranged in the horizontal direction.

또한, 도 12에 도시한 바와 같이, 복수의 제1 노즐(41)의 일부를 노즐 이동 기구(50B)의 선회 승강 기구(52)의 한쪽측(예를 들어, Y축 정방향측)에 배치하고, 다른 일부를 노즐 이동 기구(50B)의 선회 승강 기구(52)의 다른 쪽측(예를 들어, Y축 부방향측)에 배치해도 된다. 이 경우, 복수의 노즐 버스(42)도 선회 승강 기구(52)의 한쪽측과 다른 쪽측으로 나누어 배치되게 된다. 따라서, 예를 들어 선회 승강 기구(52)의 한쪽측에 산계 처리액을 받는 노즐 버스(42)를 배치하고, 다른 쪽측에 알칼리계 처리액을 받는 노즐 버스(42)를 배치함으로써, 산계 처리액의 성분과 알칼리계 처리액의 성분이 서로 섞이는 것을 억제할 수 있다. 또한, 이것에 한정하지 않고, 예를 들어 선회 승강 기구(52)의 한쪽측에 고온 처리액을 받는 노즐 버스(42)를 배치하고, 다른 쪽측에 저온 처리액을 받는 노즐 버스(42)를 배치해도 된다.Further, as shown in Fig. 12, a part of the plurality of first nozzles 41 is disposed on one side (for example, the Y-axis positive direction side) of the turning lifting mechanism 52 of the nozzle moving mechanism 50B, , you may arrange another part on the other side (for example, Y-axis negative direction side) of the turning raising/lowering mechanism 52 of the nozzle moving mechanism 50B. In this case, the some nozzle bus 42 is also divided into one side and the other side of the turning raising/lowering mechanism 52, and is arrange|positioned. Therefore, for example, by arranging the nozzle bus 42 for receiving the acid-based processing liquid on one side of the turning lifting mechanism 52 and arranging the nozzle bus 42 for receiving the alkali-based processing liquid on the other side of the swinging raising/lowering mechanism 52 , the acid-based processing liquid It is possible to suppress mixing of the components of the alkali-based treatment liquid with each other. In addition, it is not limited to this, For example, the nozzle bus 42 which receives a high temperature processing liquid is arrange|positioned on one side of the turning raising/lowering mechanism 52, and the nozzle bus 42 which receives a low temperature processing liquid is arrange|positioned on the other side. You can do it.

도 13은, 실시 형태에 따른 노즐 이동 기구의 제2 변형예를 나타내는 도면이다. 도 13에 도시한 바와 같이, 노즐 이동 기구(50C)는, 암(51C)과, 암 이동부(52C)와, 노즐 보유 지지부(53)와, 보유 지지부 이동부(54)를 구비한다.13 : is a figure which shows the 2nd modified example of the nozzle moving mechanism which concerns on embodiment. As shown in FIG. 13 , the nozzle moving mechanism 50C includes an arm 51C, an arm moving unit 52C, a nozzle holding unit 53 , and a holding unit moving unit 54 .

암(51C)은, 수평 방향(예를 들어, Y축 방향)으로 연장된다. 암 이동부(52C)는, 암(51C)의 연장 방향과 직교하는 수평 방향(예를 들어, X축 방향)으로 연장되는 레일(51C1)과, 암(51C)을 수평하게 지지함과 함께, 레일(52C1)을 따라 이동 가능한 구동부(52C2)를 구비한다. 보유 지지부 이동부(54)는, 하방에 있어서 노즐 보유 지지부(53)를 지지함과 함께, 암(51C)을 따라 이동 가능하다.The arm 51C extends in the horizontal direction (eg, the Y-axis direction). The arm moving part 52C horizontally supports the rail 51C1 extending in a horizontal direction (eg, X-axis direction) perpendicular to the extending direction of the arm 51C, and the arm 51C, A driving unit 52C2 movable along the rail 52C1 is provided. The holding part moving part 54 is movable along the arm 51C while supporting the nozzle holding part 53 in the downward direction.

이와 같이, 노즐 이동 기구(50C)는, 서로 직교하는 2개의 수평 방향(X축 방향 및 Y축 방향)을 따라 노즐 보유 지지부(53)를 이동시키는 구성이어도 된다. 이러한 구성으로 함으로써, 복수의 제1 노즐(41) 및 복수의 노즐 버스(42)의 배치의 자유도를 높일 수 있다.In this way, the nozzle moving mechanism 50C may be configured to move the nozzle holder 53 along two horizontal directions (X-axis direction and Y-axis direction) orthogonal to each other. By setting it as such a structure, the freedom degree of arrangement|positioning of the some 1st nozzle 41 and the some nozzle bus 42 can be raised.

예를 들어, 도 13에는, 복수의 제1 노즐(41) 및 복수의 노즐 버스(42)가 암(51C)의 연장 방향 즉 Y축 방향을 따라서 직선적으로 배열되는 예를 나타내고 있다. 이것에 한정하지 않고, 복수의 제1 노즐(41) 및 복수의 노즐 버스(42)는, 레일(52C1)의 연장 방향 즉 X축 방향을 따라서 직선적으로 배열되어도 된다. 또한, 복수의 제1 노즐(41) 및 복수의 노즐 버스(42)는, 반드시 직선적으로 배열될 것을 요하지는 않는다.For example, FIG. 13 shows an example in which the plurality of first nozzles 41 and the plurality of nozzle buses 42 are linearly arranged along the extending direction of the arm 51C, that is, the Y-axis direction. It is not limited to this, The some 1st nozzle 41 and the some nozzle bus 42 may be linearly arranged along the extending direction of the rail 52C1, ie, the X-axis direction. In addition, the plurality of first nozzles 41 and the plurality of nozzle buses 42 are not necessarily linearly arranged.

도 14 내지 도 17은, 실시 형태에 따른 노즐 이동 기구의 제3 변형예를 나타내는 도면이다. 도 14 및 도 15에 도시한 바와 같이, 노즐 이동 기구(50D)는, 축부(56)와, 구동부(57)와, 복수의 암(58)과, 복수의 전환부(59)를 구비한다.14 to 17 are views showing a third modified example of the nozzle moving mechanism according to the embodiment. 14 and 15 , the nozzle moving mechanism 50D includes a shaft portion 56 , a drive portion 57 , a plurality of arms 58 , and a plurality of switching portions 59 .

축부(56)는, 연직 방향(Z축 방향)을 따라 연장된다. 구동부(57)는, 예를 들어 축부(56)의 기단부에 마련되고, 축부(56)를 연직축 Ax 둘레로 회전시킨다. 또한, 구동부(57)는 축부(56)를 승강시킬 수 있다.The shaft portion 56 extends along the vertical direction (Z-axis direction). The drive part 57 is provided in the base end of the shaft part 56, for example, and rotates the shaft part 56 about the vertical axis|shaft Ax. In addition, the driving unit 57 may elevate the shaft unit 56 .

복수의 암(58)은, 기단부가 축부(56)에 축지지되고, 선단부에 있어서 제1 노즐(41)을 지지한다. 복수의 암(58)은, 다른 높이 위치에 있어서 축부(56)에 지지되어 있으며, 복수의 제1 노즐(41)의 각각을 다른 높이 위치에서 보유 지지한다. 이에 의해, 복수의 제1 노즐(41)은, 연직 방향에 있어서 서로 중복되지 않은 높이 위치에 배치된다.As for the some arm 58, the base end part is pivotally supported by the shaft part 56, and the 1st nozzle 41 is supported in the front-end|tip part. The some arms 58 are supported by the shaft part 56 in different height positions, and hold|maintain each of the some 1st nozzle 41 at different height positions. Thereby, the some 1st nozzle 41 is arrange|positioned at the height position which does not mutually overlap in a vertical direction.

전환부(59)는, 예를 들어 전자 클러치, 메커니컬 클러치 등이며, 복수의 암(58) 중 축부(56)와 함께 선회하는 암(58)을 전환한다.The switching part 59 is, for example, an electromagnetic clutch, a mechanical clutch, etc., and switches the arm 58 which turns together with the shaft part 56 among the several arms 58.

예를 들어, 도 16에 도시한 바와 같이, 전환부(59)는, 아마추어(59a)와, 로터(59b)와, 전자석(59c)을 구비한다. 아마추어(59a)는, 암(58)의 기단부(58a)에 판 스프링 등의 가압 부재(59a1)를 통해 설치된다. 가압 부재(59a1)는, 아마추어(59a)를 암(58)의 기단부(58a) 측에 가압한다. 로터(59b)는, 아마추어(59a)와 간격을 두고 대향 배치되고, 축부(56)와 함께 회전한다. 전자석(59c)은, 로터(59b)에 내장된다.For example, as shown in FIG. 16, the switching part 59 is equipped with the armature 59a, the rotor 59b, and the electromagnet 59c. The armature 59a is attached to the base end 58a of the arm 58 via a pressing member 59a1 such as a leaf spring. The pressing member 59a1 presses the armature 59a to the side of the proximal end 58a of the arm 58 . The rotor 59b is disposed to face the armature 59a with a gap therebetween, and rotates together with the shaft portion 56 . The electromagnet 59c is incorporated in the rotor 59b.

도 16의 상측 도면에 도시한 바와 같이, 전자석(59c)에 대한 통전이 행해지지 않을 때, 전환부(59)와 암(58)의 기단부(58a)는 이격된 상태로 되어 있다. 이 경우, 암(58)에는, 축부(56)의 동력은 전달되지 않는다. 따라서, 암(58)은 선회하지 않는다.As shown in the upper drawing of Fig. 16, when the electromagnet 59c is not energized, the switching portion 59 and the proximal end 58a of the arm 58 are separated from each other. In this case, the power of the shaft portion 56 is not transmitted to the arm 58 . Accordingly, the arm 58 does not pivot.

한편, 도 17의 하측 도면에 도시한 바와 같이, 전자석(59c)에 대한 통전이 행해지면, 아마추어(59a)가 전자석(59c)에 끌어 당겨져 로터(59b)와 밀착한다. 이에 의해, 축부(56)의 동력이 로터(59b) 및 아마추어(59a)를 통해 암(58)에 전달되고, 암(58)이 선회한다.On the other hand, as shown in the lower drawing of Fig. 17, when the electromagnet 59c is energized, the armature 59a is attracted to the electromagnet 59c and comes into close contact with the rotor 59b. Thereby, the motive power of the shaft part 56 is transmitted to the arm 58 via the rotor 59b and the armature 59a, and the arm 58 turns.

이와 같이, 노즐 이동 기구(50D)에 의하면, 복수의 제1 노즐(41) 중 액 처리에 사용하는 제1 노즐(41)을 선택적으로 이동시킬 수 있다. 이 때문에, 예를 들어 도 17에 도시한 바와 같이, 복수의 제1 노즐(41) 중 중단의 제1 노즐(41)을 액 처리에 사용하는 경우, 노즐 이동 기구(50D)는, 중단의 제1 노즐(41)만을 선회시켜서 웨이퍼(W) 상방의 처리 위치로 이동시킬 수 있다.In this way, according to the nozzle moving mechanism 50D, it is possible to selectively move the first nozzle 41 used for liquid processing among the plurality of first nozzles 41 . For this reason, for example, as shown in FIG. 17 , when the middle first nozzle 41 among the plurality of first nozzles 41 is used for liquid processing, the nozzle moving mechanism 50D is It is possible to move only one nozzle 41 to a processing position above the wafer W by turning it.

도 18은, 제3 변형예에 있어서의 노즐 버스의 구성예를 나타내는 도면이다. 도 18에 도시한 바와 같이, 버스 유닛(420D)은, 복수의 노즐 버스(42D)를 갖는다. 복수의 노즐 버스(42D)는, 대응하는 제1 노즐(41)의 높이 위치에 따른 높이 위치에 개구부(42D1)를 갖는다. 즉, 복수의 노즐 버스(42D)는, 각각 다른 높이 위치에 개구부(42D1)를 갖는다. 이에 의해, 복수의 제1 노즐(41)이 높이가 다르게 배치되는 경우라도, 복수의 제1 노즐(41)로부터 토출된 처리액의 성분이 노즐 버스(42D)로부터 누설되는 것을 적절하게 억제할 수 있다.Fig. 18 is a diagram showing a configuration example of a nozzle bus according to a third modification. As shown in FIG. 18 , the bus unit 420D has a plurality of nozzle buses 42D. The plurality of nozzle buses 42D have openings 42D1 at height positions corresponding to the height positions of the corresponding first nozzles 41 . That is, the plurality of nozzle buses 42D have openings 42D1 at different height positions, respectively. Accordingly, even when the plurality of first nozzles 41 are arranged at different heights, it is possible to appropriately suppress the leakage of the processing liquid components discharged from the plurality of first nozzles 41 from the nozzle bus 42D. have.

도 19는, 실시 형태에 따른 노즐 이동 기구의 제4 변형예를 나타내는 도면이다. 도 19에 도시한 바와 같이, 노즐 이동 기구(50E)는, 축부(56)와, 구동부(57)와, 복수의 암(58E)과, 전환부(59E)를 구비한다.19 : is a figure which shows the 4th modified example of the nozzle moving mechanism which concerns on embodiment. As shown in FIG. 19 , the nozzle moving mechanism 50E includes a shaft portion 56 , a drive portion 57 , a plurality of arms 58E and a switching portion 59E.

복수의 암(58E)은, 축부(56)와 별개로 마련된다. 또한, 복수의 암(58E)은, 기단부(58Ea)를 축부(56)를 향한 상태에서, 축부(56)의 선회 중심인 연직축 Ax를 중심으로 방사형으로 배치된다. 또한, 복수의 암(58E)은, 다른 높이 위치에 배치되어도 되고, 동일한 높이 위치에 배치되어도 된다.The plurality of arms 58E are provided separately from the shaft portion 56 . Moreover, the some arm 58E is radially arrange|positioned centering on the vertical axis|shaft Ax which is the turning center of the shaft part 56 in the state which faces the base end part 58Ea of the shaft part 56. As shown in FIG. In addition, the some arm 58E may be arrange|positioned at different height positions, and may be arrange|positioned at the same height position.

전환부(59E)는, 예를 들어 축부(56)의 외주부에 하나 마련된다. 전환부(59E)는, 예를 들어 전자 클러치이며, 암(58E)의 기단부(58Ea)를 전자력에 의해 끌어 당겨져 축부(56)에 접속한다. 이에 의해, 축부(56)의 동력이 암(58E)에 전달되고, 암(58E)이 축부(56)와 함께 선회한다.One switching part 59E is provided in the outer peripheral part of the shaft part 56, for example. The switching portion 59E is, for example, an electromagnetic clutch, and the base end portion 58Ea of the arm 58E is pulled by electromagnetic force to connect to the shaft portion 56 . Thereby, the motive power of the shaft part 56 is transmitted to the arm 58E, and the arm 58E turns together with the shaft part 56. As shown in FIG.

이와 같이, 노즐 이동 기구(50E)는, 축부(56)와 별개로 마련된 복수의 암(58E)을 전환부(59E)를 사용하여 축부(56)와 접속하는 구성이어도 된다. 또한, 전환부(59E)는, 전자 클러치에 한정되지 않고, 메커니컬 클러치여도 된다.In this way, the nozzle moving mechanism 50E may have a configuration in which a plurality of arms 58E provided separately from the shaft portion 56 are connected to the shaft portion 56 using the switching portion 59E. In addition, the switching part 59E is not limited to an electromagnetic clutch, A mechanical clutch may be sufficient as it.

도 20 내지 도 23은, 실시 형태에 따른 노즐 이동 기구의 제4 변형예를 나타내는 도면이다. 도 20에 도시한 바와 같이, 노즐 이동 기구(50F)는, 제1 내지 제3 축부(56F1 내지 56F3)와, 제1 내지 제3 구동부(57F1 내지 57F3)와, 제1 내지 제3 암(58F1 내지 58F3)을 구비한다. 또한, 노즐 이동 기구(50F)가 구비하는 축부, 구동부 및 암의 수는 3개에 한정되지는 않는다.20 to 23 are diagrams illustrating a fourth modified example of the nozzle moving mechanism according to the embodiment. As shown in FIG. 20 , the nozzle moving mechanism 50F includes first to third shaft portions 56F1 to 56F3, first to third drive portions 57F1 to 57F3, and first to third arms 58F1. to 58F3). In addition, the number of the shaft part, a drive part, and the arm with which the nozzle moving mechanism 50F is equipped is not limited to three.

제1 축부(56F1) 및 제2 축부(56F2)는, 원통형의 부재이다. 이 중, 제2 축부(56F2)는, 제1 축부(56F1)의 내부에 배치된다. 또한, 제3 축부(56F3)는, 원기둥형의 부재이며, 제2 축부(56F2)의 내부에 배치된다. 제1 내지 제3 구동부(57F1 내지 57F3)는, 제1 축부(56F1) 내지 제3 축부(56F3)에 일대일로 마련되고, 제1 축부(56F1) 내지 제3 축부(56F3)를 승강시킴과 함께 동일한 연직축 Ax 둘레로 선회시킨다.The first shaft portion 56F1 and the second shaft portion 56F2 are cylindrical members. Among these, the 2nd shaft part 56F2 is arrange|positioned inside the 1st shaft part 56F1. In addition, the 3rd shaft part 56F3 is a cylindrical member, and is arrange|positioned inside the 2nd shaft part 56F2. The first to third driving units 57F1 to 57F3 are provided on a one-to-one basis to the first shaft portion 56F1 to the third shaft portion 56F3, and the first shaft portion 56F1 to the third shaft portion 56F3 are raised and lowered. Turn around the same vertical axis Ax.

제1 내지 제3 암(58F1 내지 58F3)은, 기단부가 각각 제1 내지 제3 축부(56F1 내지 56F3)에 지지되고, 선단부에 있어서 제1 노즐(41)을 지지한다. 제1 내지 제3 암(58F1 내지 58F3)은, 연직축 Ax를 중심으로 방사형으로 배치된다. 또한, 제1 내지 제3 암(58F1 내지 58F3)은, 예를 들어 동일한 높이 위치에 배치된다.Each of the first to third arms 58F1 to 58F3 has a proximal end supported by the first to third shaft portions 56F1 to 56F3, and supports the first nozzle 41 at its distal end. The first to third arms 58F1 to 58F3 are radially arranged about the vertical axis Ax. In addition, the first to third arms 58F1 to 58F3 are disposed, for example, at the same height position.

제1 축부(56F1)는, 제1 구동부(57F1)에 의해 제1 축부(56F1)가 승강했을 때, 대기 상태의 제2 암(58F2)을 통과시키는 통과부(562F1) 및 대기 상태의 제3 암(58F3)을 통과시키는 통과부(563F1)를 갖는다. 통과부(562F1, 563F1)의 상단 및 하단은 개방되어 있다. 이 때문에, 도 21에 도시한 바와 같이, 제1 축부(56F1)는, 제2 암(58F2) 및 제3 암(58F3)과 간섭하지 않고 상승할 수 있다.The first shaft portion 56F1 is a passage portion 562F1 through which the second arm 58F2 in the standby state passes when the first shaft portion 56F1 is raised and lowered by the first drive portion 57F1, and the third in the standby state. It has a passage portion 563F1 through which the arm 58F3 passes. The upper ends and lower ends of the passage portions 562F1 and 563F1 are open. For this reason, as shown in FIG. 21, the 1st axial part 56F1 can raise without interfering with the 2nd arm 58F2 and the 3rd arm 58F3.

또한, 제1 축부(56F1)를 상승시킴으로써, 제1 축부(56F1)는, 상하 방향뿐만 아니라 둘레 방향에 있어서도 제2 암(58F2) 및 제3 암(58F3)과 간섭하지 않게 된다. 이에 의해, 제1 축부(56F1)를 제2 암(58F2) 및 제3 암(58F3)과 간섭하지 않고 선회시키는 것이 가능해진다. 즉, 제1 암(58F1)만을 선택적으로 선회시킬 수 있다.In addition, by raising the first shaft portion 56F1, the first shaft portion 56F1 does not interfere with the second arm 58F2 and the third arm 58F3 not only in the vertical direction but also in the circumferential direction. Thereby, it becomes possible to make the 1st axial part 56F1 rotate, without interfering with the 2nd arm 58F2 and the 3rd arm 58F3. That is, only the first arm 58F1 can be selectively pivoted.

제2 축부(56F2)는, 제2 구동부(57F2)에 의해 제2 축부(56F2)가 승강했을 때, 대기 상태의 제3 암(58F3)을 통과시키는 통과부(563F2)를 갖는다. 통과부(563F2)의 상단 및 하단은 개방되어 있다. 이 때문에, 도 22에 도시한 바와 같이, 제2 축부(56F2)는, 제3 암(58F3)과 간섭하지 않고 상승할 수 있다. 또한, 상술한 바와 같이, 제1 축부(56F1)에는, 통과부(562F1)가 마련되어 있기 때문에, 제2 암(58F2)은, 제1 축부(56F1)와 간섭하지 않고 상승할 수 있다.The 2nd shaft part 56F2 has the passage part 563F2 which allows the 3rd arm 58F3 in a standby state to pass, when the 2nd shaft part 56F2 raises/lowers by the 2nd drive part 57F2. The upper end and lower end of the passage portion 563F2 are open. For this reason, as shown in FIG. 22, the 2nd axial part 56F2 can raise without interfering with the 3rd arm 58F3. Moreover, as mentioned above, since the passage part 562F1 is provided in the 1st axial part 56F1, the 2nd arm 58F2 can raise without interfering with the 1st axial part 56F1.

또한, 제2 축부(56F2)를 상승시킴으로써, 제2 축부(56F2)는, 둘레 방향에 있어서 제1 암(58F1) 및 제3 암(58F3)과 간섭하지 않게 된다. 이 때문에, 제2 축부(56F2)를 제1 암(58F1) 및 제3 암(58F3)과 간섭하지 않고 선회시키는 것이 가능해진다. 즉, 제2 암(58F2)만을 선택적으로 선회시킬 수 있다.In addition, by raising the second shaft portion 56F2, the second shaft portion 56F2 does not interfere with the first arm 58F1 and the third arm 58F3 in the circumferential direction. For this reason, it becomes possible to make the 2nd axial part 56F2 rotate, without interfering with the 1st arm 58F1 and the 3rd arm 58F3. That is, only the second arm 58F2 can be selectively pivoted.

또한, 상술한 바와 같이, 제1 축부(56F1) 및 제2 축부(56F2)에는 각각 통과부(563F1, 563F2)가 마련되어 있다. 이 때문에, 도 23에 도시한 바와 같이, 제3 암(58F3)은, 제1 축부(56F1) 및 제2 축부(56F2)과 간섭하지 않고 상승할 수 있다.Moreover, as mentioned above, the passage parts 563F1 and 563F2 are provided in the 1st axial part 56F1 and the 2nd axial part 56F2, respectively. For this reason, as shown in FIG. 23, the 3rd arm 58F3 can raise without interfering with the 1st axial part 56F1 and the 2nd axial part 56F2.

그리고, 제3 축부(56F3)를 상승시킴으로써, 제3 축부(56F3)는, 둘레 방향에 있어서 제1 암(58F1) 및 제2 암(58F2)과 간섭하지 않게 된다. 이 때문에, 제3 축부(56F3)를 제1 암(58F1) 및 제2 암(58F2)과 간섭하지 않고 선회시키는 것이 가능해진다. 즉, 제3 암(58F3)만을 선택적으로 선회시킬 수 있다.And by raising the 3rd axial part 56F3, the 3rd axial part 56F3 stops interfering with the 1st arm 58F1 and the 2nd arm 58F2 in the circumferential direction. For this reason, it becomes possible to make the 3rd axial part 56F3 rotate without interfering with the 1st arm 58F1 and the 2nd arm 58F2. That is, only the third arm 58F3 can be selectively pivoted.

이와 같이, 이러한 노즐 이동 기구(50F)에 의하면, 제1 내지 제3 암(58F1 내지 58F3) 중 하나만을 승강 및 선회시킬 수 있다.In this way, according to this nozzle moving mechanism 50F, only one of the first to third arms 58F1 to 58F3 can be raised/lowered and rotated.

상술해 온 바와 같이, 실시 형태에 따른 기판 액 처리 장치(일례로서, 처리 유닛(16))는, 컵(일례로서, 컵(30))과, 복수의 노즐 순환 시스템(일례로서, 노즐 순환 시스템(40))과, 제2 노즐(일례로서, 제2 노즐(61))과, 수용부(일례로서, 챔버(70))를 구비한다. 컵은, 기판(일례로서, 웨이퍼(W))의 주연을 둘러싼다. 복수의 노즐 순환 시스템은, 제1 노즐(일례로서, 제1 노즐(41))과, 컵의 외측에 배치되고, 제1 노즐로부터 토출된 처리액을 받는 수액조(일례로서, 노즐 버스(42))와, 수액조로 받은 처리액을 제1 노즐로 되돌리는 순환부(일례로서, 순환부(43))를 각각 포함한다. 제2 노즐은, 노즐 순환 시스템을 구성하지 않는 노즐이다. 수용부는, 컵, 복수의 노즐 순환 시스템이 갖는 복수의 제1 노즐 그리고 복수의 수액조 및 제2 노즐을 수용한다. 또한, 제2 노즐은, 수용부가 갖는 제1 측벽(일례로서, 측벽(71b))과 컵 사이에 배치되고, 복수의 제1 노즐은, 수용부가 갖는 제1 측벽과는 다른 제2 측벽(일례로서, 측벽(71a))과 컵 사이에 배치된다.As described above, the substrate liquid processing apparatus (eg, the processing unit 16 ) according to the embodiment includes a cup (eg, the cup 30 ) and a plurality of nozzle circulation systems (eg, a nozzle circulation system). 40), a second nozzle (as an example, the second nozzle 61), and a accommodating portion (as an example, a chamber 70). The cup surrounds the periphery of the substrate (eg, the wafer W). The plurality of nozzle circulation systems include a first nozzle (eg, the first nozzle 41 ), and an infusion tank (eg, a nozzle bus 42 ) disposed outside the cup and receiving the processing liquid discharged from the first nozzle. )) and a circulation unit (eg, the circulation unit 43 ) for returning the treatment liquid received to the infusion tank to the first nozzle. A 2nd nozzle is a nozzle which does not comprise a nozzle circulation system. The accommodating unit accommodates the cup, the plurality of first nozzles included in the plurality of nozzle circulation systems, and the plurality of infusion tanks and second nozzles. Moreover, the 2nd nozzle is arrange|positioned between the cup and the 1st side wall (for example, side wall 71b) which the accommodating part has, and the some 1st nozzle has a 2nd side wall (an example) different from the 1st side wall which the accommodating part has. As a result, it is disposed between the sidewall 71a) and the cup.

따라서, 실시 형태에 따른 기판 액 처리 장치에 의하면, 처리액의 성분이 수액조로부터 누설되었다고 해도, 누설 개소가 한군데로 모여 있기 때문에, 수용부 내의 분위기 제어가 용이하다.Therefore, according to the substrate liquid processing apparatus according to the embodiment, even if the components of the processing liquid leak from the receiving tank, the leaking points are gathered in one place, so it is easy to control the atmosphere in the accommodating part.

실시 형태에 따른 기판 액 처리 장치는, 복수의 수액조에 공통의 배기 덕트(일례로서, 배기 덕트(200))를 구비하고 있어도 된다. 복수의 제1 노즐이 한군데로 모여 배치되는 데에 수반하여, 복수의 수액조도 한군데로 모여 배치된다. 따라서, 복수의 수액조에 공통의 배기 덕트를 마련하는 것이 용이하다.The substrate liquid processing apparatus according to the embodiment may include an exhaust duct (eg, the exhaust duct 200 ) common to a plurality of infusion tanks. As the plurality of first nozzles are arranged in one place, the plurality of infusion tanks are also arranged in one place. Therefore, it is easy to provide a common exhaust duct for a plurality of infusion tanks.

실시 형태에 따른 기판 액 처리 장치는, 복수의 수액조를 갖는 조 유닛(일례로서, 버스 유닛(420))을 구비하고 있어도 된다. 이 경우, 배기 덕트는, 조 유닛의 주위에 있어서의 수용부의 바닥면(일례로서, 바닥면(73))에, 복수의 배기 도입구(일례로서, 배기 도입구(201))를 갖고 있어도 된다. 이에 의해, 복수의 수액조로부터 처리액의 성분이 누설된 경우라도, 이러한 처리액의 성분을 포함한 배기를 수용부로부터 효율적으로 배출할 수 있다.The substrate liquid processing apparatus according to the embodiment may include a tank unit (eg, a bus unit 420 ) having a plurality of infusion tanks. In this case, the exhaust duct may have a plurality of exhaust inlets (as an example, exhaust inlet 201) on the bottom surface (as an example, the bottom surface 73) of the accommodating part in the periphery of the tank unit. . Accordingly, even when components of the treatment liquid leak from the plurality of receiving tanks, exhaust gas containing the components of the treatment liquid can be efficiently discharged from the accommodating unit.

실시 형태에 따른 기판 액 처리 장치는, 배기 덕트의 내부에 세정액을 공급하는 세정액 공급부(일례로서, 세정액 공급부(210))를 구비하고 있어도 된다. 이에 의해, 배기 덕트의 내부를 세정할 수 있다.The substrate liquid processing apparatus according to the embodiment may include a cleaning liquid supply unit (eg, the cleaning liquid supply unit 210 ) that supplies the cleaning liquid to the inside of the exhaust duct. Thereby, the inside of an exhaust duct can be wash|cleaned.

실시 형태에 따른 기판 액 처리 장치는, 세정액 공급부를 제어하는 제어부를 구비하고 있어도 된다. 또한, 세정액 공급부는, 세정액을 토출하는 제1 토출부 및 제2 토출부를 구비하고 있어도 된다. 이 경우, 제어부는, 세정액 공급부를 제어하여, 제1 유량이고 또한 제1 처리 시간에 제1 토출부로부터 세정액을 토출시키고, 제1 유량보다도 많은 제2 유량이고 또한 제1 처리 시간보다도 짧은 제2 처리 시간에 제2 토출부로부터 세정액을 토출시켜도 된다.The substrate liquid processing apparatus according to the embodiment may include a control unit that controls the cleaning liquid supply unit. Further, the cleaning liquid supply unit may include a first discharge unit and a second discharge unit for discharging the cleaning liquid. In this case, the control unit controls the cleaning liquid supply unit to discharge the cleaning liquid from the first discharge unit at the first flow rate and at the first processing time, and at a second flow rate greater than the first flow rate and shorter than the first processing time. During the processing time, the cleaning liquid may be discharged from the second discharge unit.

이에 의해, 도입한 배기로부터 처리액의 성분을 제거할 수 있다. 또한, 배기 덕트 내에 부착된 결정물 등의 이물을 세정액에 의해 씻어낼 수 있다. Thereby, components of the treatment liquid can be removed from the introduced exhaust gas. In addition, foreign substances such as crystals adhering in the exhaust duct can be washed away with the cleaning liquid.

실시 형태에 따른 기판 액 처리 장치는, 산계 조 유닛(일례로서, 산계 버스 유닛(420A1))과, 알칼리계 조 유닛(일례로서, 알칼리계 버스 유닛(420A2))과, 산계 배기 덕트(일례로서, 산계 배기 덕트(200A1))와, 알칼리계 배기 덕트(일례로서, 알칼리계 배기 덕트(200A2))를 구비하고 있어도 된다. 산계 조 유닛은, 복수의 수액조 중 산계의 처리액을 받는 수액조를 갖는다. 알칼리계 조 유닛은, 복수의 수액조 중 알칼리계의 처리액을 받는 수액조를 갖는다. 산계 배기 덕트는, 산계 조 유닛의 주위에 배기 도입구를 갖는다. 알칼리계 배기 덕트는, 알칼리계 조 유닛의 주위에 배기 도입구를 갖는다. 산계 처리액에 포함되는 산 성분과 알칼리계 처리액에 포함되는 알칼리 성분이 서로 섞이는 것에 따른 결정물의 생성을 억제할 수 있다.A substrate liquid processing apparatus according to the embodiment includes an acid-based tank unit (as an example, an acid-based bus unit 420A1), an alkali-based tank unit (as an example, an alkaline-based bus unit 420A2), and an acid-based exhaust duct (as an example) , acid exhaust duct 200A1) and alkali exhaust duct (as an example, alkaline exhaust duct 200A2) may be provided. The acidic tank unit has an infusion tank that receives the acidic treatment liquid among the plurality of infusion tanks. The alkali-based tank unit has an infusion tank that receives an alkaline treatment liquid among the plurality of infusion tanks. The mountain system exhaust duct has an exhaust gas inlet in the periphery of the mountain system unit. The alkali-based exhaust duct has an exhaust inlet around the alkaline-based tank unit. It is possible to suppress the generation of crystals due to mixing of the acid component contained in the acid treatment liquid and the alkali component contained in the alkali treatment liquid.

실시 형태에 따른 기판 액 처리 장치는, 복수의 제1 노즐 중 액 처리에 사용되는 제1 노즐을 선택적으로 이동시키는 노즐 이동 기구(일례로서, 노즐 이동 기구(50, 50B 내지 50F))를 구비하고 있어도 된다. 이에 의해, 제1 노즐을 사용한 액처리 중에, 나머지 제1 노즐에 대한 노즐 순환 처리를 계속할 수 있다.A substrate liquid processing apparatus according to an embodiment includes a nozzle movement mechanism (eg, nozzle movement mechanisms 50, 50B to 50F) for selectively moving a first nozzle used for liquid processing among a plurality of first nozzles, there may be Accordingly, during the liquid processing using the first nozzle, the nozzle circulation processing for the remaining first nozzles can be continued.

노즐 이동 기구는, 축부(일례로서, 축부(56))와, 구동부(일례로서, 축부(57))와, 복수의 암(일례로서, 축부(58))과, 전환부(일례로서, 전환부(59))를 구비한다. 축부는, 연직 방향을 따라 연장된다. 구동부는, 축부를 연직축 둘레로 회전시킨다. 복수의 암은, 축부를 중심으로 선회 가능하며, 복수의 제1 노즐의 각각을 다른 높이 위치에서 보유 지지한다. 전환부는, 복수의 암 중 축부와 함께 선회하는 암을 전환한다. 이에 의해, 복수의 제1 노즐 중 액 처리에 사용하는 제1 노즐을 선택적으로 이동시킬 수 있다.The nozzle moving mechanism includes a shaft portion (as an example, the shaft portion 56), a drive unit (as an example, the shaft portion 57), a plurality of arms (as an example, the shaft portion 58), and a switching unit (as an example, switching). portion 59). The shaft portion extends along the vertical direction. The drive part rotates the shaft part about a vertical axis|shaft. The plurality of arms are pivotable around the shaft portion and hold each of the plurality of first nozzles at different height positions. A switching part switches the arm which turns with a shaft part among several arms. Accordingly, it is possible to selectively move the first nozzle used for liquid processing among the plurality of first nozzles.

복수의 수액조(일례로서, 노즐 버스(42D))의 각각은, 대응하는 제1 노즐의 높이 위치에 따른 높이 위치에 개구부(일례로서, 개구부(42D1))를 갖고 있어도 된다. 이에 의해, 복수의 제1 노즐로부터 토출된 처리액의 성분이 수액조로부터 누설되는 것을 억제할 수 있다.Each of the plurality of infusion tanks (eg, the nozzle bus 42D) may have an opening (eg, the opening 42D1) at a height position corresponding to the height position of the corresponding first nozzle. Thereby, it can suppress that the component of the processing liquid discharged from the some 1st nozzle leaks from an infusion tank.

복수의 제1 노즐은, 각각 상이한 온도의 처리액을 토출해도 된다. 복수의 제1 노즐을 집중 배치한 경우라도, 대기 중의 제1 노즐로부터 수액조에 처리액을 계속해서 토출함으로써, 제1 노즐 간의 온도 간섭을 억제할 수 있다.The plurality of first nozzles may discharge processing liquids of different temperatures, respectively. Even when a plurality of first nozzles are centrally disposed, temperature interference between the first nozzles can be suppressed by continuously discharging the treatment liquid from the first nozzle in the air to the receiving tank.

이상, 본 개시의 실시 형태에 대하여 설명하였지만, 본 개시는 상기 실시 형태에 한정되는 것이 아니라, 그 취지를 일탈하지 않는 한 다양한 변경이 가능하다.As mentioned above, although embodiment of this indication was described, this indication is not limited to the said embodiment, Various changes are possible unless it deviates from the meaning.

금회 개시된 실시 형태는 모든 점에서 예시이지 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 실제로, 상기 실시 형태는 다양한 형태로 구현될 수 있다. 또한, 상기 실시 형태는, 첨부의 청구범위 및 그 취지를 일탈하지 않고, 다양한 형태에서 생략, 치환, 변경되어도 된다.It should be considered that embodiment disclosed this time is an illustration in all points, and is not restrictive. Indeed, the above embodiment may be implemented in various forms. In addition, the said embodiment may abbreviate|omit, substitute, and change in various forms, without deviating from an attached claim and the meaning.

1: 기판 처리 시스템
3: 처리 스테이션
4: 제어 장치
18: 제어부
19: 기억부
20: 기판 보유 지지 기구
21: 보유 지지부
30: 컵
40: 노즐 순환 시스템
41: 제1 노즐
42: 노즐 버스
43: 순환부
50: 노즐 이동 기구
60: 제2 처리액 공급부
61: 제2 노즐
W: 웨이퍼1: Substrate processing system
3: processing station
4: control unit
18: control
19: memory
20: substrate holding mechanism
21: holding part
30: cup
40: nozzle circulation system
41: first nozzle
42: nozzle bus
43: circulation part
50: nozzle moving mechanism
60: second processing liquid supply unit
61: second nozzle
W: Wafer

Claims (10)

기판의 주연을 둘러싸는 컵과,
제1 노즐과, 상기 컵의 외측에 배치되고, 상기 제1 노즐로부터 토출된 처리액을 받는 수액조와, 상기 수액조로 받은 상기 처리액을 상기 제1 노즐로 되돌리는 순환부를 포함하는 복수의 노즐 순환 시스템과,
상기 노즐 순환 시스템을 구성하지 않는 제2 노즐과,
상기 컵, 상기 복수의 노즐 순환 시스템이 갖는 복수의 상기 제1 노즐 그리고 복수의 상기 수액조 및 상기 제2 노즐을 수용하는 수용부
를 구비하고,
상기 제2 노즐은, 상기 수용부가 갖는 제1 측벽과 상기 컵 사이에 배치되고,
복수의 상기 제1 노즐은, 상기 수용부가 갖는 상기 제1 측벽과는 다른 제2 측벽과 상기 컵 사이에 배치되는, 기판 액 처리 장치.a cup surrounding the periphery of the substrate;
A plurality of nozzle circulation including a first nozzle, an infusion tank disposed outside the cup and receiving the treatment liquid discharged from the first nozzle, and a circulation unit returning the treatment liquid received from the infusion tank to the first nozzle system and
a second nozzle that does not constitute the nozzle circulation system;
The cup, the plurality of first nozzles included in the plurality of nozzle circulation system, and an accommodation unit for accommodating the plurality of infusion tanks and the second nozzles
to provide
The second nozzle is disposed between the cup and the first sidewall of the accommodating part,
The plurality of first nozzles are disposed between the cup and a second sidewall different from the first sidewall included in the accommodating portion and the cup. 제1항에 있어서,
복수의 상기 수액조에 공통의 배기 덕트
를 구비하는, 기판 액 처리 장치.According to claim 1,
Exhaust duct common to a plurality of said receiving tanks
A substrate liquid processing apparatus comprising: 제2항에 있어서,
복수의 상기 수액조를 갖는 조 유닛
을 구비하고,
상기 배기 덕트는,
상기 조 유닛의 주위에 있어서의 상기 수용부의 바닥면에, 복수의 배기 도입구를 갖는, 기판 액 처리 장치.3. The method of claim 2,
A tank unit having a plurality of said infusion tanks
to provide
The exhaust duct is
A substrate liquid processing apparatus having a plurality of exhaust inlet ports on a bottom surface of the accommodating part around the tank unit. 제2항 또는 제3항에 있어서,
상기 배기 덕트의 내부에 세정액을 공급하는 세정액 공급부
를 구비하는, 기판 액 처리 장치.4. The method of claim 2 or 3,
A cleaning liquid supply unit for supplying a cleaning liquid to the inside of the exhaust duct
A substrate liquid processing apparatus comprising: 제4항에 있어서,
상기 세정액 공급부를 제어하는 제어부
를 구비하고,
상기 세정액 공급부는,
상기 세정액을 토출하는 제1 토출부 및 제2 토출부
를 구비하고,
상기 제어부는,
상기 세정액 공급부를 제어하여, 제1 유량이고 또한 제1 처리 시간에 상기 제1 토출부로부터 상기 세정액을 토출시키고, 상기 제1 유량보다도 많은 제2 유량이고 또한 상기 제1 처리 시간보다도 짧은 제2 처리 시간에 상기 제2 토출부로부터 상기 세정액을 토출시키는, 기판 액 처리 장치.5. The method of claim 4,
A control unit for controlling the cleaning solution supply unit
to provide
The cleaning solution supply unit,
A first discharge unit and a second discharge unit for discharging the cleaning liquid
to provide
The control unit is
Controlling the cleaning liquid supply unit, discharging the cleaning liquid from the first discharge unit at a first flow rate and in a first processing time, a second processing at a second flow rate greater than the first flow rate and shorter than the first processing time and discharging the cleaning liquid from the second discharging unit at a time. 제1항에 있어서,
복수의 상기 수액조 중 산계의 처리액을 받는 수액조를 갖는 산계 조 유닛과,
복수의 상기 수액조 중 알칼리계의 처리액을 받는 수액조를 갖는 알칼리계 조 유닛과,
상기 산계 조 유닛의 주위에 배기 도입구를 갖는 산계 배기 덕트와,
상기 알칼리계 조 유닛의 주위에 배기 도입구를 갖는 알칼리계 배기 덕트
를 구비하는, 기판 액 처리 장치.According to claim 1,
an acid-based tank unit having an infusion tank receiving an acid-based treatment liquid from among the plurality of infusion tanks;
an alkali-based tank unit having a receiving tank receiving an alkali-based treatment liquid from among the plurality of receiving tanks;
an acid-based exhaust duct having an exhaust inlet around the acid-based tank unit;
An alkaline exhaust duct having an exhaust inlet around the alkaline tank unit
A substrate liquid processing apparatus comprising: 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
복수의 상기 제1 노즐 중 액 처리에 사용되는 제1 노즐을 선택적으로 이동시키는 노즐 이동 기구
를 구비하는, 기판 액 처리 장치.7. The method according to any one of claims 1 to 6,
A nozzle moving mechanism for selectively moving a first nozzle used for liquid processing among a plurality of the first nozzles
A substrate liquid processing apparatus comprising: 제7항에 있어서,
상기 노즐 이동 기구는,
연직 방향을 따라서 연장되는 축부와,
상기 축부를 연직축 둘레로 회전시키는 구동부와,
상기 축부를 중심으로 선회 가능하며, 복수의 상기 제1 노즐의 각각을 다른 높이 위치에서 보유 지지하는 복수의 암과,
상기 복수의 암 중 상기 축부와 함께 선회하는 암을 전환하는 전환부
를 구비하는, 기판 액 처리 장치.8. The method of claim 7,
The nozzle moving mechanism,
A shaft portion extending along the vertical direction,
a driving part for rotating the shaft part around a vertical axis;
a plurality of arms rotatable about the shaft portion and holding each of the plurality of first nozzles at different height positions;
A switching unit for switching an arm that pivots together with the shaft among the plurality of arms
A substrate liquid processing apparatus comprising: 제8항에 있어서,
복수의 상기 수액조의 각각은,
대응하는 상기 제1 노즐의 높이 위치에 따른 높이 위치에 개구부를 갖는, 기판 액 처리 장치.9. The method of claim 8,
Each of the plurality of infusion tanks,
and an opening at a height position corresponding to a height position of the first nozzle corresponding thereto. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
복수의 상기 제1 노즐은,
각각 상이한 온도의 처리액을 토출하는, 기판 액 처리 장치.10. The method according to any one of claims 1 to 9,
A plurality of the first nozzles,
A substrate liquid processing apparatus for discharging processing liquids of different temperatures, respectively.
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