KR20220099748A - Novel compound and organic light emitting device comprising the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다. The present invention relates to a novel compound and an organic light emitting device comprising the same.
일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 넓은 시야각, 우수한 콘트라스트, 빠른 응답 시간을 가지며, 휘도, 구동 전압 및 응답 속도 특성이 우수하여 많은 연구가 진행되고 있다. In general, the organic light emitting phenomenon refers to a phenomenon in which electric energy is converted into light energy using an organic material. The organic light emitting device using the organic light emitting phenomenon has a wide viewing angle, excellent contrast, fast response time, and excellent luminance, driving voltage, and response speed characteristics, and thus many studies are being conducted.
유기 발광 소자는 일반적으로 양극과 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 상기 유기물층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등으로 이루어질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다. An organic light emitting device generally has a structure including an anode and a cathode and an organic material layer between the anode and the cathode. The organic material layer is often formed of a multi-layered structure composed of different materials in order to increase the efficiency and stability of the organic light emitting device, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and the like. When a voltage is applied between the two electrodes in the structure of the organic light emitting device, holes are injected into the organic material layer from the anode and electrons from the cathode are injected into the organic material layer. When the injected holes and electrons meet, excitons are formed, and the excitons When it falls back to the ground state, it lights up.
상기와 같은 유기 발광 소자에 사용되는 유기물에 대하여 새로운 재료의 개발이 지속적으로 요구되고 있다.The development of new materials for organic materials used in organic light emitting devices as described above is continuously required.
본 발명은 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다. The present invention relates to a novel compound and an organic light emitting device comprising the same.
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다:The present invention provides a compound represented by the following formula (1):
[화학식 1] [Formula 1]
상기 화학식 1에서,In Formula 1,
X는 O 또는 S이고,X is O or S;
L1 내지 L3는 각각 독립적으로 단일 결합; 또는 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴렌이고,L 1 to L 3 are each independently a single bond; Or a substituted or unsubstituted C 6-60 arylene,
Ar1은 치환 또는 비치환된 터페닐릴; 치환 또는 비치환된 쿼터페닐릴; 또는 치환 또는 비치환된 C10-60 다환식 아릴이되, 단, Ar1은 플루오레닐은 아니고,Ar 1 is substituted or unsubstituted terphenylyl; substituted or unsubstituted quaterphenylyl; or substituted or unsubstituted C 10-60 polycyclic aryl, provided that Ar 1 is not fluorenyl,
Ar2는 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴이고,Ar 2 is a substituted or unsubstituted C 6-60 aryl,
R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 C1-60 알킬; 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴; 또는 치환 또는 비치환된 N, O 및 S 중 1개 이상의 헤테로원자를 포함하는 C2-60 헤테로아릴이고,R 1 to R 4 are each independently hydrogen; heavy hydrogen; substituted or unsubstituted C 1-60 alkyl; substituted or unsubstituted C 6-60 aryl; or C 2-60 heteroaryl containing one or more heteroatoms among substituted or unsubstituted N, O and S;
a, b 및 c는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이고,a, b and c are each independently an integer of 0 to 4,
d는 0 내지 3의 정수이고,d is an integer from 0 to 3,
a, b, c 및 d가 각각 2 이상인 경우, 괄호 안의 치환기는 서로 동일하거나 또는 상이하다.When a, b, c and d are each 2 or more, the substituents in parentheses are the same as or different from each other.
또한, 본 발명은 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는, 유기 발광 소자를 제공한다.In addition, the present invention is a first electrode; a second electrode provided to face the first electrode; and at least one organic material layer provided between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic material layers includes the compound represented by Formula 1 above. .
상술한 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자의 유기물층의 재료로서 사용될 수 있으며, 유기 발광 소자에서 효율의 향상, 낮은 구동전압 및/또는 수명 특성을 향상시킬 수 있다. The compound represented by Chemical Formula 1 described above may be used as a material for the organic material layer of the organic light emitting device, and may improve efficiency, low driving voltage and/or lifespan characteristics in the organic light emitting device.
도 1은 기판(1), 양극(2), 정공수송층(3), 발광층(4), 전자주입 및 수송층(5) 및 음극(6)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
도 2는 기판(1), 양극(2), 정공주입층(7), 정공수송층(3), 전자억제층(8), 발광층(4), 정공저지층(9), 전자주입 및 수송층(5) 및 음극(6)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.FIG. 1 shows an example of an organic light emitting device including a
2 is a substrate (1), an anode (2), a hole injection layer (7), a hole transport layer (3), an electron blocking layer (8), a light emitting layer (4), a hole blocking layer (9), an electron injection and transport layer ( 5) and an example of an organic light emitting device composed of a
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, it will be described in more detail to help the understanding of the present invention.
(용어의 정의)(Definition of Terms)
본 명세서에서, 
본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 시아노기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미노기; 포스핀옥사이드기; 알콕시기; 아릴옥시기; 알킬티옥시기; 아릴티옥시기; 알킬술폭시기; 아릴술폭시기; 실릴기; 붕소기; 알킬기; 사이클로알킬기; 알케닐기; 아릴기; 아르알킬기; 아르알케닐기; 알킬아릴기; 알킬아민기; 아랄킬아민기; 헤테로아릴아민기; 아릴아민기; 아릴포스핀기; 또는 N, O 및 S 원자 중 1개 이상을 포함하는 헤테로아릴로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되거나, 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환 또는 비치환된 것을 의미한다. 예컨대, "2 이상의 치환기가 연결된 치환기"는 비페닐기일 수 있다. 즉, 비페닐이기는 아릴기일 수도 있고, 2개의 페닐기가 연결된 치환기로 해석될 수도 있다.As used herein, the term "substituted or unsubstituted" refers to deuterium; halogen group; cyano group; nitro group; hydroxyl group; carbonyl group; ester group; imid; amino group; phosphine oxide group; alkoxy group; aryloxy group; alkyl thiooxy group; arylthioxy group; an alkyl sulfoxy group; arylsulfoxy group; silyl group; boron group; an alkyl group; cycloalkyl group; alkenyl group; aryl group; aralkyl group; aralkenyl group; an alkylaryl group; an alkylamine group; an aralkylamine group; heteroarylamine group; arylamine group; an aryl phosphine group; or N, O, and S atoms, which is substituted or unsubstituted with one or more substituents selected from the group consisting of heteroaryl containing one or more . For example, "a substituent in which two or more substituents are connected" may be a biphenyl group. That is, the biphenyl group may be an aryl group or may be interpreted as a substituent in which two phenyl groups are connected.
본 명세서에서 카보닐기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 40인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the number of carbon atoms of the carbonyl group is not particularly limited, but it is preferably from 1 to 40 carbon atoms. Specifically, it may be a compound having the following structure, but is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 에스테르기는 에스테르기의 산소가 탄소수 1 내지 25의 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄 알킬기 또는 탄소수 6 내지 25의 아릴기로 치환될 수 있다. 구체적으로, 하기 구조식의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, in the ester group, the oxygen of the ester group may be substituted with a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 25 carbon atoms or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms. Specifically, it may be a compound of the following structural formula, but is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 이미드기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 25인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the number of carbon atoms of the imide group is not particularly limited, but it is preferably from 1 to 25 carbon atoms. Specifically, it may be a compound having the following structure, but is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 실릴기는 구체적으로 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다. In the present specification, the silyl group specifically includes a trimethylsilyl group, a triethylsilyl group, a t-butyldimethylsilyl group, a vinyldimethylsilyl group, a propyldimethylsilyl group, a triphenylsilyl group, a diphenylsilyl group, a phenylsilyl group, and the like. However, the present invention is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 붕소기는 구체적으로 트리메틸붕소기, 트리에틸붕소기, t-부틸디메틸붕소기, 트리페닐붕소기, 페닐붕소기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다.In the present specification, the boron group specifically includes a trimethylboron group, a triethylboron group, a t-butyldimethylboron group, a triphenylboron group, a phenylboron group, and the like, but is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드가 있다.In the present specification, examples of the halogen group include fluorine, chlorine, bromine or iodine.
본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 6이다. 알킬기의 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 사이클로펜틸메틸, 사이클로헥틸메틸, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸-프로필, 1,1-디메틸-프로필, 이소헥실, 2-메틸펜틸, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, the alkyl group may be linear or branched, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 1 to 40. According to an exemplary embodiment, the number of carbon atoms in the alkyl group is 1 to 20. According to another exemplary embodiment, the alkyl group has 1 to 10 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the alkyl group has 1 to 6 carbon atoms. Specific examples of the alkyl group include methyl, ethyl, propyl, n-propyl, isopropyl, butyl, n-butyl, isobutyl, tert-butyl, sec-butyl, 1-methyl-butyl, 1-ethyl-butyl, pentyl, n -pentyl, isopentyl, neopentyl, tert-pentyl, hexyl, n-hexyl, 1-methylpentyl, 2-methylpentyl, 4-methyl-2-pentyl, 3,3-dimethylbutyl, 2-ethylbutyl, heptyl , n-heptyl, 1-methylhexyl, cyclopentylmethyl, cyclohexylmethyl, octyl, n-octyl, tert-octyl, 1-methylheptyl, 2-ethylhexyl, 2-propylpentyl, n-nonyl, 2,2 -Dimethylheptyl, 1-ethyl-propyl, 1,1-dimethyl-propyl, isohexyl, 2-methylpentyl, 4-methylhexyl, 5-methylhexyl and the like, but are not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 상기 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 6이다. 구체적인 예로는 비닐, 1-프로페닐, 이소프로페닐, 1-부테닐, 2-부테닐, 3-부테닐, 1-펜테닐, 2-펜테닐, 3-펜테닐, 3-메틸-1-부테닐, 1,3-부타디에닐, 알릴, 1-페닐비닐-1-일, 2-페닐비닐-1-일, 2,2-디페닐비닐-1-일, 2-페닐-2-(나프틸-1-일)비닐-1-일, 2,2-비스(디페닐-1-일)비닐-1-일, 스틸베닐기, 스티레닐기 등이 있으나 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, the alkenyl group may be linear or branched, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 2 to 40. According to an exemplary embodiment, the carbon number of the alkenyl group is 2 to 20. According to another exemplary embodiment, the carbon number of the alkenyl group is 2 to 10. According to another exemplary embodiment, the alkenyl group has 2 to 6 carbon atoms. Specific examples include vinyl, 1-propenyl, isopropenyl, 1-butenyl, 2-butenyl, 3-butenyl, 1-pentenyl, 2-pentenyl, 3-pentenyl, 3-methyl-1- Butenyl, 1,3-butadienyl, allyl, 1-phenylvinyl-1-yl, 2-phenylvinyl-1-yl, 2,2-diphenylvinyl-1-yl, 2-phenyl-2-( Naphthyl-1-yl)vinyl-1-yl, 2,2-bis(diphenyl-1-yl)vinyl-1-yl, stilbenyl group, styrenyl group, and the like, but are not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 사이클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 60인 것이 바람직하며, 일 실시상태에 따르면, 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 30이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 6이다. 구체적으로 사이클로프로필, 사이클로부틸, 사이클로펜틸, 3-메틸사이클로펜틸, 2,3-디메틸사이클로펜틸, 사이클로헥실, 3-메틸사이클로헥실, 4-메틸사이클로헥실, 2,3-디메틸사이클로헥실, 3,4,5-트리메틸사이클로헥실, 4-tert-부틸사이클로헥실, 사이클로헵틸, 사이클로옥틸, 아다만틸 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.In the present specification, the cycloalkyl group is not particularly limited, but preferably has 3 to 60 carbon atoms, and according to an exemplary embodiment, the cycloalkyl group has 3 to 30 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the carbon number of the cycloalkyl group is 3 to 20. According to another exemplary embodiment, the cycloalkyl group has 3 to 6 carbon atoms. Specifically, cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, 3-methylcyclopentyl, 2,3-dimethylcyclopentyl, cyclohexyl, 3-methylcyclohexyl, 4-methylcyclohexyl, 2,3-dimethylcyclohexyl, 3, 4,5-trimethylcyclohexyl, 4-tert-butylcyclohexyl, cycloheptyl, cyclooctyl, adamantyl, and the like, but is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 아릴기는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 6 내지 60인 것이 바람직하며, 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 30이다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 20이다. 상기 아릴기가 단환식 아릴기로는 페닐기, 비페닐이기, 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트릴이기, 페난트릴이기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the aryl group is not particularly limited, but preferably has 6 to 60 carbon atoms, and may be a monocyclic aryl group or a polycyclic aryl group. According to an exemplary embodiment, the carbon number of the aryl group is 6 to 30. According to an exemplary embodiment, the carbon number of the aryl group is 6 to 20. The aryl group may be a monocyclic aryl group such as a phenyl group, a biphenyl group, or a terphenyl group, but is not limited thereto. The polycyclic aryl group may be a naphthyl group, an anthryl group, a phenanthryl group, a pyrenyl group, a perylenyl group, a chrysenyl group, a fluorenyl group, and the like, but is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 플루오레닐기는 치환될 수 있고, 치환기 2개가 서로 결합하여 스피로 구조를 형성할 수 있다. 상기 플루오레닐기가 치환되는 경우, 
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴은 이종 원소로 O, N, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 헤테로아릴로서, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 2 내지 60인 것이 바람직하다. 헤테로아릴의 예로는 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 티아졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 트리아졸기, 피리딜기, 비피리딜기, 피리미딜기, 트리아진기, 아크리딜기, 피리다진기, 피라지닐기, 퀴놀리닐기, 퀴나졸린기, 퀴녹살리닐기, 프탈라지닐기, 피리도 피리미디닐기, 피리도 피라지닐기, 피라지노 피라지닐기, 이소퀴놀린기, 인돌기, 카바졸기, 벤조옥사졸기, 벤조이미다졸기, 벤조티아졸기, 벤조카바졸기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 벤조퓨라닐기, 페난쓰롤린기(phenanthroline), 이소옥사졸릴기, 티아디아졸릴기, 페노티아지닐기 및 디벤조퓨라닐기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.In the present specification, heteroaryl is a heteroaryl containing at least one of O, N, Si and S as a heterogeneous element, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably from 2 to 60 carbon atoms. Examples of heteroaryl include a thiophene group, a furan group, a pyrrole group, an imidazole group, a thiazole group, an oxazole group, an oxadiazole group, a triazole group, a pyridyl group, a bipyridyl group, a pyrimidyl group, a triazine group, an acridyl group, Pyridazine group, pyrazinyl group, quinolinyl group, quinazoline group, quinoxalinyl group, phthalazinyl group, pyridopyrimidinyl group, pyridopyrazinyl group, pyrazinopyrazinyl group, isoquinoline group, indole group, Carbazole group, benzoxazole group, benzoimidazole group, benzothiazole group, benzocarbazole group, benzothiophene group, dibenzothiophene group, benzofuranyl group, phenanthroline group, isoxazolyl group, thiadiazolyl group group, phenothiazinyl group, dibenzofuranyl group, and the like, but is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 아르알킬기, 아르알케닐기, 알킬아릴기, 아릴아민기, 아릴실릴기 중의 아릴기는 전술한 아릴기의 예시와 같다. 본 명세서에 있어서, 아르알킬기, 알킬아릴기, 알킬아민기 중 알킬기는 전술한 알킬기의 예시와 같다. 본 명세서에 있어서, 헤테로아릴아민 중 헤테로아릴은 전술한 헤테로아릴에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서, 아르알케닐기 중 알케닐기는 전술한 알케닐기의 예시와 같다. 본 명세서에 있어서, 아릴렌은 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서, 헤테로아릴렌은 2가기인 것을 제외하고는 전술한 헤테로아릴에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서, 탄화수소 고리는 1가기가 아니고, 2개의 치환기가 결합하여 형성한 것을 제외하고는 전술한 아릴기 또는 사이클로알킬기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서, 헤테로고리는 1가기가 아니고, 2개의 치환기가 결합하여 형성한 것을 제외하고는 전술한 헤테로아릴에 관한 설명이 적용될 수 있다.In the present specification, the aryl group in the aralkyl group, the aralkenyl group, the alkylaryl group, the arylamine group, and the arylsilyl group is the same as the examples of the aryl group described above. In the present specification, the alkyl group among the aralkyl group, the alkylaryl group, and the alkylamine group is the same as the example of the above-described alkyl group. In the present specification, as for heteroaryl among heteroarylamines, the description regarding heteroaryl described above may be applied. In the present specification, the alkenyl group among the aralkenyl groups is the same as the examples of the above-described alkenyl groups. In the present specification, the description of the above-described aryl group may be applied except that arylene is a divalent group. In the present specification, the description of the aforementioned heteroaryl may be applied, except that heteroarylene is a divalent group. In the present specification, the hydrocarbon ring is not a monovalent group, and the description of the above-described aryl group or cycloalkyl group may be applied, except that it is formed by combining two substituents. In the present specification, the heterocycle is not a monovalent group, and the description of the above-described heteroaryl may be applied, except that it is formed by combining two substituents.
(화합물)(compound)
한편, 본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다. On the other hand, the present invention provides a compound represented by the above formula (1).
구체적으로, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 스피로(플루오렌-9,9'-잔텐) 또는 스피로(플루오렌-9,9'-티오잔텐) 코어를 갖는 아민 화합물로, 상기 화합물 내 아미노기는 상기 코어의 4번 탄소와 1,3-페닐렌 또는 1,2-페닐렌 링커로 연결된 구조를 갖는다. 특히, 상기 화합물은 아미노기의 치환기 중 하나로 치환 또는 비치환된 터페닐릴; 치환 또는 비치환된 쿼터페닐릴; 또는 치환 또는 비치환된 C10-60 다환식 아릴을 갖는 것을 특징으로 한다.Specifically, the compound represented by
여기서, "다환식 아릴"이라 함은 2개 이상의 방향족 고리가 축합되어 형성된 아릴기를 의미하는 것으로, 단환식 아릴기이거나 또는 이들이 결합에 의해 연결된 치환기인 페닐, 비페닐릴 및 터페닐릴은 포함하지 않는다. 상기 다환식 아릴의 예로는 나프틸, 안트릴, 페난트릴 등을 들 수 있다. 단, Ar1으로 정의된 "다환식 아릴"은 치환 또는 비치환된 플루오레닐은 포함하지 않는다.Here, the term "polycyclic aryl" refers to an aryl group formed by condensing two or more aromatic rings, and phenyl, biphenylyl and terphenylyl, which are monocyclic aryl groups or substituents connected by bonds, are not included. does not Examples of the polycyclic aryl include naphthyl, anthryl, and phenanthryl. However, "polycyclic aryl" defined as Ar 1 does not include substituted or unsubstituted fluorenyl.
이러한 구조를 갖는 화합물은, ⅰ) 상기 코어의 4번 탄소에 1,4-페닐렌 링커로 아미노기가 연결된 화합물, ⅱ) Ar1으로 페닐, 비페닐릴, 또는 플루오레닐을 갖는 화합물, 및 ⅲ) Ar1 및 Ar2 중 적어도 하나가 헤테로아릴인 화합물에 비하여, 향상된 정공 수송 능력 및 개선된 열안정성을 나타낼 수 있다. 이에 따라 상기 화합물을 채용한 유기 발광 소자는 구동 전압, 효율 및 수명 특성이 개선될 수 있다.A compound having such a structure is, i) a compound in which an amino group is linked to the 4th carbon of the core by a 1,4-phenylene linker, ii) a compound having phenyl, biphenylyl, or fluorenyl as Ar 1 , and iii) ) Compared to the compound in which at least one of Ar 1 and Ar 2 is heteroaryl, it may exhibit improved hole transport ability and improved thermal stability. Accordingly, the organic light emitting device employing the compound may have improved driving voltage, efficiency, and lifespan characteristics.
구체적으로, 상기 화합물은 아미노기의 결합 위치에 따라 하기 화학식 1A 또는 1B로 표시된다:Specifically, the compound is represented by the following formula 1A or 1B depending on the bonding position of the amino group:
[화학식 1A][Formula 1A]
[화학식 1B][Formula 1B]
상기 화학식 1A 및 1B에서,In Formulas 1A and 1B,
X, L1 내지 L3, Ar1, Ar2, R1 내지 R4, a, b, c 및 d는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같다.X, L 1 to L 3 , Ar 1 , Ar 2 , R 1 to R 4 , a, b, c and d are as defined in
일 구현예에서, L1 내지 L3는 단일 결합, 또는 비치환되거나, 또는 중수소로 치환된 C6-20 아릴렌일 수 있다.In one embodiment, L 1 to L 3 may be a single bond, or C 6-20 arylene unsubstituted or substituted with deuterium.
구체적으로, L1 및 L2는 각각 독립적으로 단일 결합, 페닐렌, 비페닐디일, 또는 나프틸렌일 수 있다.Specifically, L 1 and L 2 may each independently be a single bond, phenylene, biphenyldiyl, or naphthylene.
예를 들어, L1 및 L2는 각각 독립적으로 단일 결합, 또는 하기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:For example, L 1 and L 2 may each independently be a single bond, or any one selected from the group consisting of, but is not limited thereto:
일례로, L1은 단일 결합, 
여기서, L1 및 L2는 서로 동일할 수 있다. 또는 L1 및 L2는 상이할 수 있다.Here, L 1 and L 2 may be the same as each other. or L 1 and L 2 may be different.
또한, L3는 단일 결합일 수 있다. Also, L 3 may be a single bond.
또한, 일 구현예에서 Ar1은 터페닐릴, 쿼터페닐릴, 나프틸, 또는 페난트릴이고,Further, in one embodiment, Ar 1 is terphenylyl, quaterphenylyl, naphthyl, or phenanthryl,
여기서, Ar1은 비치환되거나, 또는 페닐, 비페닐릴 및 나프틸로 구성되는 군으로부터 선택되는 1개 이상의 치환기, 예를 들어 1개 또는 2개의 치환기로 치환될 수 있다.Here, Ar 1 may be unsubstituted or substituted with one or more substituents selected from the group consisting of phenyl, biphenylyl and naphthyl, for example, 1 or 2 substituents.
예를 들어, Ar1은 하기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:For example, Ar 1 may be any one selected from the group consisting of, but is not limited thereto:
또한, 일 구현예에서 Ar2는 비치환되거나, 또는 중수소, C1-10 알킬 및 C6-20 아릴로 구성되는 군으로부터 선택되는 1개 이상의 치환기로 치환되는 C6-20 아릴일 수 있다.Also, in one embodiment, Ar 2 may be unsubstituted or C 6-20 aryl substituted with one or more substituents selected from the group consisting of deuterium, C 1-10 alkyl, and C 6-20 aryl.
보다 구체적으로, Ar2는 페닐, 비페닐릴, 터페닐릴, 나프틸, 페난트릴, 트리페닐레닐, 또는 플루오레닐이고, More specifically, Ar 2 is phenyl, biphenylyl, terphenylyl, naphthyl, phenanthryl, triphenylenyl, or fluorenyl,
여기서, Ar2는 비치환되거나, 또는 메틸, 페닐, 비페닐릴 및 나프틸로 구성되는 군으로부터 선택되는 1개 이상의 치환기, 예를 들어 1개 또는 2개의 치환기로 치환될 수 있다.Here, Ar 2 may be unsubstituted or substituted with one or more substituents selected from the group consisting of methyl, phenyl, biphenylyl and naphthyl, for example, 1 or 2 substituents.
예를 들어, Ar2는 페닐, 비페닐릴, 터페닐릴, 나프틸, 페난트릴, 또는 9,9-디메틸플루오레닐일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. For example, Ar 2 may be phenyl, biphenylyl, terphenylyl, naphthyl, phenanthryl, or 9,9-dimethylfluorenyl, but is not limited thereto.
이때, Ar1 및 Ar2는 서로 동일할 수 있다. 다르게는, Ar1 및 Ar2는 상이할 수 있다. In this case, Ar 1 and Ar 2 may be the same as each other. Alternatively, Ar 1 and Ar 2 may be different.
또한, R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소, 중수소, C1-10 알킬, 또는 C6-20 아릴일 수 있다.In addition, R 1 to R 4 may each independently be hydrogen, deuterium, C 1-10 alkyl, or C 6-20 aryl.
보다 구체적으로, R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 메틸, 또는 페닐 일 수 있다. More specifically, R 1 to R 4 may each independently be hydrogen, deuterium, methyl, or phenyl.
일 구현예에서, R1 내지 R4는 모두 동일할 수 있다. 예를 들어, R1 내지 R4는 모두 수소일 수 있다. In one embodiment, all of R 1 to R 4 may be the same. For example, R 1 to R 4 may all be hydrogen.
이때, R1, R2 및 R3의 개수를 각각 의미하는 a, b 및 c는 각각 독립적으로 0, 1, 2, 3, 또는 4일 수 있다. 또한, R4의 개수를 의미하는 d는 0, 1, 2, 또는 3일 수 있다.In this case, a, b, and c, each representing the number of R 1 , R 2 and R 3 , may each independently be 0, 1, 2, 3, or 4. In addition, d, which means the number of R 4 , may be 0, 1, 2, or 3.
또한, 상기 화합물은 하기 1-1 또는 1-2로 표시될 수 있다:In addition, the compound may be represented by the following 1-1 or 1-2:
[화학식 1-1][Formula 1-1]
[화학식 1-2][Formula 1-2]
상기 화학식 1-1 및 1-2에서,In Formulas 1-1 and 1-2,
X, L1 내지 L3, Ar1 및 Ar2는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같다.X, L 1 to L 3 , Ar 1 and Ar 2 are as defined in
한편, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 대표적인 예는 하기와 같다:On the other hand, representative examples of the compound represented by
..
한편, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 일례로 L3가 단일 결합인 경우 하기 반응식 1과 같은 제조 방법으로 제조할 수 있다:Meanwhile, the compound represented by
[반응식 1] [Scheme 1]
상기 반응식 1에서, X'는 할로겐이고, 바람직하게는 브로모, 또는 클로로이고, 다른 치환기에 대한 정의는 앞서 설명한 바와 같다.In
구체적으로, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 아민 치환 반응을 통해 출발물질 SM1 및 SM2가 결합하여 제조된다. 이러한 아민 치환 반응은 팔라듐 촉매와 염기의 존재 하에 수행하는 것이 바람직하며, 상기 반응을 위한 반응기는 적절히 변경될 수 있다. Specifically, the compound represented by
이러한 화학식 1로 표시되는 화합물의 제조 방법은 후술할 제조예에서 보다 구체화될 수 있다.The method for preparing the compound represented by
(유기 발광 소자)(organic light emitting element)
한편, 본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다. 일례로, 본 발명은 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는, 유기 발광 소자를 제공한다. On the other hand, the present invention provides an organic light emitting device including the compound represented by the formula (1). In one example, the present invention provides a first electrode; a second electrode provided to face the first electrode; and at least one organic material layer provided between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic material layers includes the compound represented by
본 발명의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 발명의 유기 발광 소자는 유기물층으로서 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기층을 포함할 수 있다.The organic material layer of the organic light emitting device of the present invention may have a single-layer structure, but may have a multi-layer structure in which two or more organic material layers are stacked. For example, the organic light emitting device of the present invention may have a structure including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, etc. as an organic material layer. However, the structure of the organic light emitting device is not limited thereto and may include a smaller number of organic layers.
일 구현예에서, 상기 유기물층은 발광층을 포함할 수 있고, 이때 상기 화합물을 포함하는 유기물층은 발광층일 수 있다.In one embodiment, the organic material layer may include a light emitting layer, wherein the organic material layer including the compound may be a light emitting layer.
다른 구현예에서, 상기 유기물층은 정공주입층, 정공수송층, 발광층 및 전자주입 및 수송층을 포함할 수 있고, 이때 상기 화합물을 포함하는 유기물층은 정공수송층일 수 있다.In another embodiment, the organic material layer may include a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron injection and transport layer, wherein the organic material layer including the compound may be a hole transport layer.
또 다른 구현예에서, 상기 유기물층은 정공주입층, 정공수송층, 전자억제층, 발광층 및 전자주입 및 수송층을 포함할 수 있고, 이때 상기 화합물을 포함하는 유기물층은 정공수송층 또는 전자억제층일 수 있다.In another embodiment, the organic material layer may include a hole injection layer, a hole transport layer, an electron suppression layer, a light emitting layer and an electron injection and transport layer, wherein the organic material layer including the compound may be a hole transport layer or an electron suppression layer.
또 다른 구현예에서, 상기 유기물층은 정공주입층, 정공수송층, 전자억제층, 발광층, 전자저지층 및 전자주입 및 수송층을 포함할 수 있고, 이때 상기 화합물을 포함하는 유기물층은 정공수송층 또는 전자억제층일 수 있다.In another embodiment, the organic material layer may include a hole injection layer, a hole transport layer, an electron suppression layer, a light emitting layer, an electron blocking layer and an electron injection and transport layer, wherein the organic material layer containing the compound is a hole transport layer or an electron blocking layer can
본 발명의 유기 발광 소자의 유기물 층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 발명의 유기 발광 소자는 유기물 층으로서 발광층 이외에, 상기 제1전극과 상기 발광층 사이의 정공주입층 및 정공수송층, 및 상기 발광층과 상기 제2전극 사이의 전자수송층 및 전자주입층을 더 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수 또는 더 많은 수의 유기층을 포함할 수 있다.The organic material layer of the organic light emitting device of the present invention may have a single-layer structure, but may have a multi-layer structure in which two or more organic material layers are stacked. For example, the organic light emitting device of the present invention further comprises a hole injection layer and a hole transport layer between the first electrode and the light emitting layer, and an electron transport layer and an electron injection layer between the light emitting layer and the second electrode in addition to the light emitting layer as an organic layer can have a structure that However, the structure of the organic light emitting device is not limited thereto and may include a smaller number or a larger number of organic layers.
또한, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는, 상기 제1 전극이 양극이고 상기 제2 전극은 음극인, 기판 상에 양극, 1층 이상의 유기물층 및 음극이 순차적으로 적층된 구조(normal type)의 유기 발광 소자일 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는, 상기 제1 전극이 음극이고 상기 제2 전극은 양극인, 기판 상에 음극, 1층 이상의 유기물층 및 양극이 순차적으로 적층된 역방향 구조(inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다. 예컨대, 본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 소자의 구조는 도 1 및 2에 예시되어 있다.In addition, in the organic light emitting device according to the present invention, an anode, one or more organic material layers and a cathode are sequentially stacked on a substrate, wherein the first electrode is an anode and the second electrode is a cathode. may be small. In addition, in the organic light emitting device according to the present invention, the first electrode is a cathode and the second electrode is an anode, and a cathode, one or more organic material layers and an anode are sequentially stacked on a substrate of an inverted type organic structure. It may be a light emitting device. For example, the structure of the organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention is illustrated in FIGS. 1 and 2 .
도 1은 기판(1), 양극(2), 정공수송층(3), 발광층(4), 전자주입 및 수송층(5) 및 음극(6)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 정공수송층에 포함될 수 있다. FIG. 1 shows an example of an organic light emitting device including a
도 2는 기판(1), 양극(2), 정공주입층(7), 정공수송층(3), 전자억제층(8), 발광층(4), 정공저지층(9), 전자주입 및 수송층(5) 및 음극(6)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 정공주입층, 정공수송층, 또는 전자억제층에 포함될 수 있다.2 is a substrate (1), an anode (2), a hole injection layer (7), a hole transport layer (3), an electron blocking layer (8), a light emitting layer (4), a hole blocking layer (9), an electron injection and transport layer ( 5) and an example of an organic light emitting device composed of a
본 발명에 따른 유기 발광 소자는, 상기 유기물층 중 1층 이상이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다. 또한, 상기 유기 발광 소자가 복수개의 유기물층을 포함하는 경우, 상기 유기물층은 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다. The organic light emitting device according to the present invention may be manufactured using materials and methods known in the art, except that at least one layer of the organic material layer includes the compound represented by
예컨대, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 기판 상에 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극을 순차적으로 적층시켜 제조할 수 있다. 이때, 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical Vapor Deposition)방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자수송층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시켜 제조할 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수 있다. For example, the organic light emitting device according to the present invention may be manufactured by sequentially stacking a first electrode, an organic material layer, and a second electrode on a substrate. At this time, by using a PVD (physical vapor deposition) method such as sputtering or e-beam evaporation, a metal or conductive metal oxide or an alloy thereof is deposited on a substrate to form an anode. and forming an organic material layer including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer and an electron transport layer thereon, and then depositing a material that can be used as a cathode thereon. In addition to this method, an organic light emitting device may be manufactured by sequentially depositing a cathode material, an organic material layer, and an anode material on a substrate.
또한, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥코팅, 닥터 블레이딩, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.In addition, the compound represented by
이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질로부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 제조할 수 있다(WO 2003/012890). 다만, 제조 방법이 이에 한정되는 것은 아니다. In addition to the above method, an organic light emitting device may be manufactured by sequentially depositing an organic material layer and an anode material from a cathode material on a substrate (WO 2003/012890). However, the manufacturing method is not limited thereto.
일례로, 상기 제1 전극은 양극이고, 상기 제2 전극은 음극이거나, 또는 상기 제1 전극은 음극이고, 상기 제2 전극은 양극이다.In one example, the first electrode is an anode, the second electrode is a cathode, or the first electrode is a cathode and the second electrode is an anode.
상기 양극 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 상기 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO2:Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. As the anode material, a material having a large work function is generally preferred so that holes can be smoothly injected into the organic material layer. Specific examples of the anode material include metals such as vanadium, chromium, copper, zinc, gold, or alloys thereof; metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO); combinations of metals and oxides such as ZnO:Al or SnO 2 :Sb; conductive polymers such as poly(3-methylthiophene), poly[3,4-(ethylene-1,2-dioxy)thiophene](PEDOT), polypyrrole, and polyaniline, but are not limited thereto.
상기 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 상기 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. The cathode material is preferably a material having a small work function to facilitate electron injection into the organic material layer. Specific examples of the anode material include metals such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin and lead, or alloys thereof; and a multi-layered material such as LiF/Al or LiO 2 /Al, but is not limited thereto.
상기 정공주입층은 전극으로부터 정공을 주입하는 층으로, 정공 주입 물질로는 정공을 수송하는 능력을 가져 양극에서의 정공 주입효과, 발광층 또는 발광재료에 대하여 우수한 정공 주입 효과를 갖고, 발광층에서 생성된 여기자의 전자주입층 또는 전자주입재료에의 이동을 방지하며, 또한, 박막 형성 능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrin), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone)계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정 되는 것은 아니다. The hole injection layer is a layer for injecting holes from the electrode, and as a hole injection material, it has the ability to transport holes, so it has a hole injection effect at the anode, an excellent hole injection effect on the light emitting layer or the light emitting material, and is produced in the light emitting layer A compound which prevents the movement of excitons to the electron injection layer or the electron injection material and is excellent in the ability to form a thin film is preferred. It is preferable that the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the hole injection material is between the work function of the positive electrode material and the HOMO of the surrounding organic material layer. Specific examples of the hole injection material include metal porphyrin, oligothiophene, arylamine-based organic material, hexanitrile hexaazatriphenylene-based organic material, quinacridone-based organic material, and perylene-based organic material. of organic substances, anthraquinones, polyaniline and polythiophene-based conductive polymers, and the like, but are not limited thereto.
상기 정공수송층은 정공주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층까지 정공을 수송하는 층으로, 정공 수송 물질로는 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 상기 정공 수송 물질로 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 사용하거나, 또는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The hole transport layer is a layer that receives holes from the hole injection layer and transports the holes to the light emitting layer. material is suitable. As the hole transport material, the compound represented by
상기 전자억제층은 상기 정공수송층 상에 형성되어, 바람직하게는 발광층에 접하여 구비되어, 정공이동도를 조절하고, 전자의 과다한 이동을 방지하여 정공-전자간 결합 확률을 높여줌으로써 유기 발광 소자의 효율을 개선하는 역할을 하는 층을 의미한다. 상기 전자억제층은 전자저지물질을 포함하고, 이러한 전자저지물질의 예로 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 사용하거나, 또는 아릴아민 계열의 유기물 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The electron suppression layer is formed on the hole transport layer, preferably provided in contact with the light emitting layer, adjusts hole mobility, prevents excessive movement of electrons, and increases the hole-electron coupling probability, thereby increasing the efficiency of the organic light emitting device It means a layer that plays a role in improving The electron blocking layer includes an electron blocking material, and as an example of the electron blocking material, a compound represented by
상기 발광 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The light emitting material is a material capable of emitting light in the visible ray region by receiving and combining holes and electrons from the hole transport layer and the electron transport layer, respectively, and a material having good quantum efficiency for fluorescence or phosphorescence is preferable. Specific examples include 8-hydroxy-quinoline aluminum complex (Alq 3 ); carbazole-based compounds; dimerized styryl compounds; BAlq; 10-hydroxybenzo quinoline-metal compounds; compounds of the benzoxazole, benzthiazole and benzimidazole series; Poly(p-phenylenevinylene) (PPV)-based polymers; spiro compounds; polyfluorene, rubrene, and the like, but is not limited thereto.
상기 발광층은 상술한 바와 같이 호스트 재료 및 도펀트 재료를 포함할 수 있다. 호스트 재료는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등을 더 포함할 수 있다. 구체적으로 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 카바졸 유도체, 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The light emitting layer may include a host material and a dopant material as described above. The host material may further include a condensed aromatic ring derivative or a heterocyclic compound containing compound. Specifically, condensed aromatic ring derivatives include anthracene derivatives, pyrene derivatives, naphthalene derivatives, pentacene derivatives, phenanthrene compounds, fluoranthene compounds, etc., and heterocyclic-containing compounds include carbazole derivatives, dibenzofuran derivatives, ladder type Furan compounds, pyrimidine derivatives, and the like, but are not limited thereto.
도펀트 재료로는 방향족 아민 유도체, 스트릴아민 화합물, 붕소 착체, 플루오란텐 화합물, 금속 착체 등이 있다. 구체적으로 방향족 아민 유도체로는 치환 또는 비치환된 아릴아미노기를 갖는 축합 방향족환 유도체로서, 아릴아미노기를 갖는 피렌, 안트라센, 크리센, 페리플란텐 등이 있으며, 스티릴아민 화합물로는 치환 또는 비치환된 아릴아민에 적어도 1개의 아릴비닐기가 치환되어 있는 화합물로, 아릴기, 실릴기, 알킬기, 사이클로알킬기 및 아릴아미노기로 이루어진 군에서 1 또는 2 이상 선택되는 치환기가 치환 또는 비치환된다. 구체적으로 스티릴아민, 스티릴디아민, 스티릴트리아민, 스티릴테트라아민 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 금속 착체로는 이리듐 착체, 백금 착체 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of the dopant material include an aromatic amine derivative, a strylamine compound, a boron complex, a fluoranthene compound, and a metal complex. Specifically, the aromatic amine derivative is a condensed aromatic ring derivative having a substituted or unsubstituted arylamino group, and includes pyrene, anthracene, chrysene, and periflanthene having an arylamino group. As the styrylamine compound, a substituted or unsubstituted It is a compound in which at least one arylvinyl group is substituted in the arylamine, and one or two or more substituents selected from the group consisting of an aryl group, a silyl group, an alkyl group, a cycloalkyl group and an arylamino group are substituted or unsubstituted. Specifically, there are styrylamine, styryldiamine, styryltriamine, styryltetraamine, and the like, but is not limited thereto. In addition, the metal complex includes an iridium complex, a platinum complex, and the like, but is not limited thereto.
상기 정공저지층은 발광층 상에 형성되어, 바람직하게는 발광층에 접하여 구비되어, 전자이동도를 조절하고 정공의 과다한 이동을 방지하여 정공-전자간 결합 확률을 높여줌으로써 유기 발광 소자의 효율을 개선하는 역할을 하는 층을 의미한다. 상기 정공저지층은 정공저지물질을 포함하고, 이러한 정공저지물질의 예로 트리아진을 포함한 아진류유도체; 트리아졸 유도체; 옥사디아졸 유도체; 페난트롤린 유도체; 포스핀옥사이드 유도체 등의 전자흡인기가 도입된 화합물을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The hole blocking layer is formed on the light emitting layer, preferably provided in contact with the light emitting layer, to improve the efficiency of the organic light emitting device by controlling electron mobility and preventing excessive movement of holes to increase the hole-electron coupling probability layer that plays a role. The hole blocking layer includes a hole blocking material, and examples of the hole blocking material include azine derivatives including triazine; triazole derivatives; oxadiazole derivatives; phenanthroline derivatives; A compound into which an electron withdrawing group is introduced, such as a phosphine oxide derivative, may be used, but the present invention is not limited thereto.
상기 전자 주입 및 수송층은 전극으로부터 전자를 주입하고, 수취된 전자를 발광층까지 수송하는 전자수송층 및 전자주입층의 역할을 동시에 수행하는 층으로, 상기 발광층 또는 상기 정공저지층 상에 형성된다. 이러한 전자 주입 및 수송물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 전자 주입 및 수송물질의 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al 착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물; 트리아진 유도체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 또는 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 플루오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물, 또는 질소 함유 5원환 유도체 등과 함께 사용할 수도 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The electron injection and transport layer is a layer that simultaneously serves as an electron transport layer and an electron injection layer for injecting electrons from the electrode and transporting the received electrons to the emission layer, and is formed on the emission layer or the hole blocking layer. As the electron injection and transport material, a material capable of receiving electrons from the cathode and transferring them to the light emitting layer is suitable, and a material having high electron mobility is suitable. Specific examples of the electron injection and transport material include Al complex of 8-hydroxyquinoline; complexes comprising Alq 3 ; organic radical compounds; hydroxyflavone-metal complexes; and triazine derivatives, but is not limited thereto. or fluorenone, anthraquinodimethane, diphenoquinone, thiopyran dioxide, oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, perylenetetracarboxylic acid, fluorenylidene methane, anthrone, and derivatives thereof, metal complex compounds , or may be used together with a nitrogen-containing 5-membered ring derivative, and the like, but is not limited thereto.
상기 전자 주입 및 수송층은 전자주입층 및 전자수송층과 같은 별개의 층으로도 형성될 수 있다. 이와 같은 경우, 전자 수송층은 상기 발광층 또는 상기 정공저지층 상에 형성되고, 상기 전자 수송층에 포함되는 전자 수송 물질로는 상술한 전자 주입 및 수송 물질이 사용될 수 있다. 또한, 전자 주입층은 상기 전자 수송층 상에 형성되고, 상기 전자 주입층에 포함되는 전자 주입 물질로는 LiF, NaCl, CsF, Li2O, BaO, 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 플루오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 질소 함유 5원환 유도체 등이 사용될 수 있다.The electron injection and transport layer may be formed as a separate layer such as an electron injection layer and an electron transport layer. In this case, the electron transport layer is formed on the emission layer or the hole blocking layer, and the electron injection and transport material described above may be used as the electron transport material included in the electron transport layer. In addition, the electron injection layer is formed on the electron transport layer, and the electron injection material included in the electron injection layer is LiF, NaCl, CsF, Li 2 O, BaO, fluorenone, anthraquinodimethane, diphenoquinone, Thiopyran dioxide, oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, perylenetetracarboxylic acid, fluorenylidene methane, anthrone and the like, derivatives thereof, metal complex compounds, nitrogen-containing 5-membered ring derivatives, and the like can be used.
상기 금속 착체 화합물로서는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of the metal complex compound include 8-hydroxyquinolinato lithium, bis(8-hydroxyquinolinato)zinc, bis(8-hydroxyquinolinato)copper, bis(8-hydroxyquinolinato)manganese, Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum, tris(2-methyl-8-hydroxyquinolinato)aluminum, tris(8-hydroxyquinolinato)gallium, bis(10-hydroxybenzo[h] Quinolinato) beryllium, bis (10-hydroxybenzo [h] quinolinato) zinc, bis (2-methyl-8-quinolinato) chlorogallium, bis (2-methyl-8-quinolinato) ( o-crezolato)gallium, bis(2-methyl-8-quinolinato)(1-naphtolato)aluminum, bis(2-methyl-8-quinolinato)(2-naphtolato)gallium, etc. However, the present invention is not limited thereto.
본 발명에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.The organic light emitting device according to the present invention may be a top emission type, a back emission type, or a double side emission type depending on the material used.
또한, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자 외에도 유기 태양 전지 또는 유기 트랜지스터에 포함될 수 있다.In addition, the compound represented by
상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자의 제조는 이하 실시예에서 구체적으로 설명한다. 그러나 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명의 범위가 이들에 의하여 한정되는 것은 아니다.The compound represented by
제조예 A: 중간체 화합물 A의 제조Preparation A: Preparation of intermediate compound A
질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 화합물 2-브로모-3''-클로로-1,1':2',1''-터페닐(25.68 g, 74.73 mmol)을 THF 35 ml에 녹이고, 이를 -78℃로 냉각한 후 tert-부틸리튬(t-BuLi) 16.25 mL(2.5 M in pentane)를 적가한 다음 동일 온도에서 40 분 동안 교반하였다. 제조된 용액에 화합물 2-브로모-9H-잔텐-9-온(15.84 g, 74.73 mmol)을 가한 후, 온도를 서서히 상온으로 올려 3 시간 동안 교반하였다. 이후, 디에틸에테르 15 mL와 2N 염산 수용액 25 mL의 혼합 용액에 상기 반응물을 부은 다음 30 분간 교반하여 생성된 고체를 여과하고, 물과 디에틸에테르로 씻은 후 건조하였다. 상기에서 건조된 고체 시료 중 2.5 g을 취하여 50 mL의 아세트산에 녹인 다음 촉매량(10 방울)의 진한 황산을 넣어 3 시간 동안 환류하였다. 이후, 생성된 고체 화합물을 여과하고 아세트산으로 씻어준 후 건조시켜 백색 고체 화합물인 중간체 화합물 A(28.55 g, 수율: 83%)를 얻었다.In a 500 mL round bottom flask under nitrogen atmosphere, the compound 2-bromo-3''-chloro-1,1':2',1''-terphenyl (25.68 g, 74.73 mmol) was dissolved in 35 ml of THF, which was After cooling to -78°C, 16.25 mL (2.5 M in pentane) of tert-butyllithium (t-BuLi) was added dropwise, followed by stirring at the same temperature for 40 minutes. Compound 2-bromo-9H-xanthene-9-one (15.84 g, 74.73 mmol) was added to the prepared solution, and then the temperature was slowly raised to room temperature and stirred for 3 hours. Then, the reaction was poured into a mixed solution of 15 mL of diethyl ether and 25 mL of 2N aqueous hydrochloric acid, stirred for 30 minutes, and the resulting solid was filtered, washed with water and diethyl ether, and dried. 2.5 g of the dried solid sample was taken and dissolved in 50 mL of acetic acid, and then a catalytic amount (10 drops) of concentrated sulfuric acid was added and refluxed for 3 hours. Thereafter, the resulting solid compound was filtered, washed with acetic acid, and dried to obtain an intermediate compound A (28.55 g, yield: 83%) as a white solid compound.
제조예 B: 중간체 화합물 B의 제조Preparation B: Preparation of intermediate compound B
질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 화합물 2-브로모-3''-클로로-1,1':2',1''-터페닐(21.26 g, 59.72 mmol)을 THF 35 mL 에 녹이고, 이를 -78℃로 냉각한 후 tert-부틸리튬(t-BuLi) 13.33 mL( 2.5 M in pentane)를 적가한 다음 동일 온도에서 40 분 동안 교반하였다. 제조된 용액에 화합물 2-브로모-9H-티오잔텐-9-온(14.32 g, 65.69 mmol)을 가한 후, 온도를 서서히 상온으로 올려 3 시간 동안 교반하였다. 이후, 디에틸에테르 15 mL 와 2N 염산 수용액 25 mL 의 혼합 용액에 상기 반응물을 부은 다음 30 분간 교반하여 생성된 고체를 여과하고, 물과 디에틸에테르로 씻은 후 건조하였다. 상기에서 건조된 고체 시료 중 2.5 g을 취하여 50 mL의 아세트산에 녹인 다음 촉매량(10 방울)의 진한 황산을 넣어 3 시간 동안 환류하였다. 이후, 생성된 고체 화합물을 여과하고 아세트산으로 씻어준 후 건조시켜 백색 고체 화합물인 중간체 화합물 B(22.47 g, 수율: 82%)을 얻었다.The compound 2-bromo-3''-chloro-1,1':2',1''-terphenyl (21.26 g, 59.72 mmol) was dissolved in 35 mL of THF in a 500 mL round bottom flask in a nitrogen atmosphere, and this was After cooling to -78°C, 13.33 mL (2.5 M in pentane) of tert-butyllithium (t-BuLi) was added dropwise, followed by stirring at the same temperature for 40 minutes. After adding the compound 2-bromo-9H-thioxanthen-9-one (14.32 g, 65.69 mmol) to the prepared solution, the temperature was slowly raised to room temperature and stirred for 3 hours. Then, the reaction product was poured into a mixed solution of 15 mL of diethyl ether and 25 mL of 2N aqueous hydrochloric acid solution, stirred for 30 minutes, and the resulting solid was filtered, washed with water and diethyl ether, and dried. 2.5 g of the dried solid sample was taken and dissolved in 50 mL of acetic acid, and then a catalytic amount (10 drops) of concentrated sulfuric acid was added and refluxed for 3 hours. Thereafter, the resulting solid compound was filtered, washed with acetic acid, and dried to obtain an intermediate compound B (22.47 g, yield: 82%) as a white solid compound.
제조예 C: 중간체 화합물 C의 제조Preparation C: Preparation of intermediate compound C
상기 제조예 A에서 2-브로모-3''-클로로-1,1':2',1''-터페닐 대신 2-브로모-2''-클로로-1,1':2',1''-터페닐을 사용한 것을 제외하고는, 상기 제조예 A와 동일한 방법을 사용하여 중간체 화합물 C(26.54 g, 수율: 66%)를 얻었다.2-bromo-2''-chloro-1,1':2' instead of 2-bromo-3''-chloro-1,1':2',1''-terphenyl in Preparation Example A, Except for using 1''-terphenyl, an intermediate compound C (26.54 g, yield: 66%) was obtained in the same manner as in Preparation A.
제조예 D: 중간체 화합물 D의 제조Preparation D: Preparation of intermediate compound D
상기 제조예 B에서 2-브로모-3''-클로로-1,1':2',1''-터페닐 대신 2-브로모-2''-클로로-1,1':2',1''-터페닐을 사용한 것을 제외하고는, 상기 제조예 B와 동일한 방법을 사용하여 중간체 화합물 D(24.97 g, 수율: 71%)를 얻었다.2-bromo-2''-chloro-1,1':2' instead of 2-bromo-3''-chloro-1,1':2',1''-terphenyl in Preparation B, Except for using 1''-terphenyl, an intermediate compound D (24.97 g, yield: 71%) was obtained in the same manner as in Preparation Example B.
제조예 1: 화합물 1의 제조Preparation Example 1: Preparation of
질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 화합물 A(8.26 g, 18.65 mmol), 및 화합물 a1(8.14 g, 20.51 mmol)을 자일렌 270 mL에 완전히 녹인 후 소듐 tert-부톡사이드(NaOtBu, 2.69 g, 27.97 mmol)을 첨가하고, 비스(트리-tert-부틸포스핀) 팔라듐(0)(0.19 g, 0.37 mmol)을 넣은 후 5시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 filter하여 base를 제거한 후 자일렌을 감압농축 시키고 에틸아세테이트 350 mL으로 재결정하여 화합물 1(11.67 g, 수율: 78%)을 제조하였다.Compound A (8.26 g, 18.65 mmol) and compound a1 (8.14 g, 20.51 mmol) were completely dissolved in 270 mL of xylene in a 500 mL round bottom flask in a nitrogen atmosphere, and then sodium tert-butoxide (NaOtBu, 2.69 g, 27.97) mmol), and bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.19 g, 0.37 mmol) was added thereto, followed by heating and stirring for 5 hours. After lowering the temperature to room temperature and filtering to remove the base, xylene was concentrated under reduced pressure and recrystallized from 350 mL of ethyl acetate to prepare compound 1 (11.67 g, yield: 78%).
MS[M+H]+= 805MS[M+H] + = 805
제조예 2: 화합물 2의 제조Preparation Example 2: Preparation of
질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 화합물 A(7.55 g, 17.04 mmol), 및 화합물 a2(6.96 g, 18.75 mmol)을 자일렌 240 mL에 완전히 녹인 후 NaOtBu(2.46 g, 25.56 mmol)을 첨가하고, 비스(트리-tert-부틸포스핀) 팔라듐(0)(0.17 g, 0.34 mmol)을 넣은 후 6시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 filter하여 base를 제거한 후 자일렌을 감압농축 시키고 에틸아세테이트 280 mL으로 재결정하여 화합물 2(8.96 g, 수율: 68%)를 제조하였다.Compound A (7.55 g, 17.04 mmol) and compound a2 (6.96 g, 18.75 mmol) were completely dissolved in 240 mL of xylene in a 500 mL round bottom flask in a nitrogen atmosphere, and NaOtBu (2.46 g, 25.56 mmol) was added, Bis (tri-tert-butylphosphine) palladium (0) (0.17 g, 0.34 mmol) was added thereto, followed by heating and stirring for 6 hours. After lowering the temperature to room temperature and filtering to remove the base, xylene was concentrated under reduced pressure and recrystallized from 280 mL of ethyl acetate to prepare compound 2 (8.96 g, yield: 68%).
MS[M+H]+= 778MS[M+H] + = 778
제조예 3: 화합물 3의 제조Preparation Example 3: Preparation of
질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 화합물 A(6.89 g, 15.55 mmol), 및 화합물 a3(6.35 g, 17.11 mmol)을 자일렌 250 mL에 완전히 녹인 후 NaOtBu(2.24g, 23.33 mmol)을 첨가하고, 비스(트리-tert-부틸포스핀) 팔라듐(0)(0.16 g, 0.31 mmol)을 넣은 후 4시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 filter하여 base를 제거한 후 자일렌을 감압농축 시키고 에틸아세테이트 280 mL으로 재결정하여 화합물 3(9.13 g, 수율: 75%)를 제조하였다.Compound A (6.89 g, 15.55 mmol) and compound a3 (6.35 g, 17.11 mmol) were completely dissolved in 250 mL of xylene in a 500 mL round bottom flask in a nitrogen atmosphere, and NaOtBu (2.24 g, 23.33 mmol) was added, Bis (tri-tert-butylphosphine) palladium (0) (0.16 g, 0.31 mmol) was added, followed by heating and stirring for 4 hours. After lowering the temperature to room temperature and filtering to remove the base, xylene was concentrated under reduced pressure and recrystallized from 280 mL of ethyl acetate to prepare compound 3 (9.13 g, yield: 75%).
MS[M+H]+= 778MS[M+H] + = 778
제조예 4: 화합물 4의 제조Preparation Example 4: Preparation of
질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 화합물 A(7.44 g, 16.79 mmol), 및 화합물 a4(6.85g, 18.47 mmol)을 자일렌 270 mL에 완전히 녹인 후 NaOtBu(2.42 g, 25.19 mmol)을 첨가하고, 비스(트리-tert-부틸포스핀) 팔라듐(0)(0.17 g, 0.32 mmol)을 넣은 후 4시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 filter하여 base를 제거한 후 자일렌을 감압농축 시키고 에틸아세테이트 250 mL으로 재결정하여 화합물 4(7.78 g, 수율: 60%)를 제조하였다.Compound A (7.44 g, 16.79 mmol) and compound a4 (6.85 g, 18.47 mmol) were completely dissolved in 270 mL of xylene in a 500 mL round bottom flask in a nitrogen atmosphere, and NaOtBu (2.42 g, 25.19 mmol) was added, Bis (tri-tert-butylphosphine) palladium (0) (0.17 g, 0.32 mmol) was added, followed by heating and stirring for 4 hours. After lowering the temperature to room temperature and filtering to remove the base, xylene was concentrated under reduced pressure and recrystallized from 250 mL of ethyl acetate to prepare compound 4 (7.78 g, yield: 60%).
MS[M+H]+= 778MS[M+H] + = 778
제조예 5: 화합물 5의 제조Preparation Example 5: Preparation of
질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 화합물 A(6.32 g, 14.27 mmol), 및 화합물 a5(5.41 g, 15.69 mmol)을 자일렌 230 mL에 완전히 녹인 후 NaOtBu(2.06 g, 21.40 mmol)을 첨가하고, 비스(트리-tert-부틸포스핀) 팔라듐(0)(0.15 g, 0.29 mmol)을 넣은 후 3시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 filter하여 base를 제거한 후 자일렌을 감압농축 시키고 에틸아세테이트 280 mL으로 재결정하여 화합물 5(8.23 g, 수율: 77%)를 제조하였다.Compound A (6.32 g, 14.27 mmol) and compound a5 (5.41 g, 15.69 mmol) were completely dissolved in 230 mL of xylene in a 500 mL round bottom flask in a nitrogen atmosphere, and NaOtBu (2.06 g, 21.40 mmol) was added, Bis (tri-tert-butylphosphine) palladium (0) (0.15 g, 0.29 mmol) was added, followed by heating and stirring for 3 hours. After lowering the temperature to room temperature and filtering to remove the base, xylene was concentrated under reduced pressure and recrystallized from ethyl acetate 280 mL to prepare compound 5 (8.23 g, yield: 77%).
MS[M+H]+= 752MS[M+H] + = 752
제조예 6: 화합물 6의 제조Preparation Example 6: Preparation of
질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 화합물 A(6.61 g, 14.92 mmol), 및 화합물 a6(6.53 g, 16.41 mmol)을 자일렌 250 mL에 완전히 녹인 후 NaOtBu(2.15 g, 22.38 mmol)을 첨가하고, 비스(트리-tert-부틸포스핀) 팔라듐(0)(0.15 g, 0.30 mmol)을 넣은 후 5시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 filter하여 base를 제거한 후 자일렌을 감압농축 시키고 에틸아세테이트 270 mL으로 재결정하여 화합물 6(9.11 g, 수율: 76%)를 제조하였다.Compound A (6.61 g, 14.92 mmol) and compound a6 (6.53 g, 16.41 mmol) were completely dissolved in 250 mL of xylene in a 500 mL round bottom flask in a nitrogen atmosphere, and NaOtBu (2.15 g, 22.38 mmol) was added, Bis (tri-tert-butylphosphine) palladium (0) (0.15 g, 0.30 mmol) was added, followed by heating and stirring for 5 hours. After lowering the temperature to room temperature and filtering to remove the base, xylene was concentrated under reduced pressure and recrystallized from 270 mL of ethyl acetate to prepare compound 6 (9.11 g, yield: 76%).
MS[M+H]+= 855MS[M+H] + = 855
제조예 7: 화합물 7의 제조Preparation Example 7: Preparation of
질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 화합물 B(8.34 g, 18.17 mmol), 및 화합물 a7(7.95 g, 19.99 mmol)을 자일렌 260 mL에 완전히 녹인 후 NaOtBu(2.62 g, 27.25 mmol)을 첨가하고, 비스(트리-tert-부틸포스핀) 팔라듐(0)(0.19 g, 0.36 mmol)을 넣은 후 4시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 filter하여 base를 제거한 후 자일렌을 감압농축 시키고 에틸아세테이트 310 mL으로 재결정하여 화합물 7(8.87 g, 수율: 59%)를 제조하였다.Compound B (8.34 g, 18.17 mmol) and compound a7 (7.95 g, 19.99 mmol) were completely dissolved in 260 mL of xylene in a 500 mL round bottom flask in a nitrogen atmosphere, and NaOtBu (2.62 g, 27.25 mmol) was added, Bis (tri-tert-butylphosphine) palladium (0) (0.19 g, 0.36 mmol) was added, followed by heating and stirring for 4 hours. After lowering the temperature to room temperature and filtering to remove the base, xylene was concentrated under reduced pressure and recrystallized from 310 mL of ethyl acetate to prepare compound 7 (8.87 g, yield: 59%).
MS[M+H]+= 871MS[M+H] + = 871
제조예 8: 화합물 8의 제조Preparation 8: Preparation of
질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 화합물 B(7.77 g, 16.93 mmol), 및 화합물 a8(6.93 g, 18.62 mmol)을 자일렌 270 mL에 완전히 녹인 후 NaOtBu(2.44 g, 25.39 mmol)을 첨가하고, 비스(트리-tert-부틸포스핀) 팔라듐(0)(0.17 g, 0.34 mmol)을 넣은 후 6시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 filter하여 base를 제거한 후 자일렌을 감압농축 시키고 에틸아세테이트 280 mL으로 재결정하여 화합물 8(6.82 g, 수율: 51%)을 제조하였다.Compound B (7.77 g, 16.93 mmol) and compound a8 (6.93 g, 18.62 mmol) were completely dissolved in 270 mL of xylene in a 500 mL round bottom flask in a nitrogen atmosphere, and NaOtBu (2.44 g, 25.39 mmol) was added, Bis (tri-tert-butylphosphine) palladium (0) (0.17 g, 0.34 mmol) was added, followed by heating and stirring for 6 hours. After lowering the temperature to room temperature and filtering to remove the base, xylene was concentrated under reduced pressure and recrystallized from ethyl acetate 280 mL to prepare compound 8 (6.82 g, yield: 51%).
MS[M+H]+= 795MS[M+H] + = 795
제조예 9: 화합물 9의 제조Preparation Example 9: Preparation of
질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 화합물 C(8.56 g, 19.32 mmol), 및 화합물 a9(8.45 g, 21.26 mmol)를 자일렌 250 mL에 완전히 녹인 후 소듐 tert-부톡사이드(NaOtBu, 2.79 g, 28.98 mmol)을 첨가하고, 비스(트리-tert-부틸포스핀) 팔라듐(0)(0.20 g, 0.38 mmol)을 넣은 후 4시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 filter하여 base를 제거한 후 자일렌을 감압농축 시키고 에틸아세테이트 310 mL으로 재결정하여 화합물 9(9.26 g, 수율: 60%)를 제조하였다.Compound C (8.56 g, 19.32 mmol) and compound a9 (8.45 g, 21.26 mmol) were completely dissolved in 250 mL of xylene in a 500 mL round bottom flask in a nitrogen atmosphere, and then sodium tert-butoxide (NaOtBu, 2.79 g, 28.98) mmol), and bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.20 g, 0.38 mmol) was added thereto, followed by heating and stirring for 4 hours. After lowering the temperature to room temperature and removing the base by filtering, xylene was concentrated under reduced pressure and recrystallized from 310 mL of ethyl acetate to prepare compound 9 (9.26 g, yield: 60%).
MS[M+H]+= 805MS[M+H] + = 805
제조예 10: 화합물 10의 제조Preparation 10: Preparation of compound 10
질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 화합물 D(8.87 g, 20.02 mmol), 및 화합물 a10(9.10 g, 22.02 mmol)을 자일렌 230 mL에 완전히 녹인 후 소듐 tert-부톡사이드(NaOtBu, 2.89 g, 30.03 mmol)을 첨가하고, 비스(트리-tert-부틸포스핀) 팔라듐(0)(0.20 g, 0.40 mmol)을 넣은 후 6시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 filter하여 base를 제거한 후 자일렌을 감압농축 시키고 에틸아세테이트 320 mL으로 재결정하여 화합물 10(11.06 g, 수율: 67%)을 제조하였다.Compound D (8.87 g, 20.02 mmol) and compound a10 (9.10 g, 22.02 mmol) were completely dissolved in 230 mL of xylene in a 500 mL round bottom flask in a nitrogen atmosphere, and then sodium tert-butoxide (NaOtBu, 2.89 g, 30.03) mmol), bis(tri-tert-butylphosphine) palladium (0) (0.20 g, 0.40 mmol) was added thereto, followed by heating and stirring for 6 hours. After lowering the temperature to room temperature and filtering to remove the base, xylene was concentrated under reduced pressure and recrystallized from ethyl acetate 320 mL to prepare compound 10 (11.06 g, yield: 67%).
MS[M+H]+= 821MS[M+H] + = 821
실시예 1-1Example 1-1
ITO(indium tin oxide)가 1,000Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀러포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다.A glass substrate coated with indium tin oxide (ITO) to a thickness of 1,000 Å was placed in distilled water in which detergent was dissolved and washed with ultrasonic waves. At this time, a product manufactured by Fischer Co. was used as the detergent, and distilled water that was secondarily filtered with a filter manufactured by Millipore Co. was used as the distilled water. After washing ITO for 30 minutes, ultrasonic cleaning was performed for 10 minutes by repeating twice with distilled water. After washing with distilled water, ultrasonic washing was performed with a solvent of isopropyl alcohol, acetone, and methanol, and after drying, it was transported to a plasma cleaner. In addition, after cleaning the substrate for 5 minutes using oxygen plasma, the substrate was transported to a vacuum evaporator.
이렇게 준비된 양극인 ITO 투명 전극 위에 하기 화합물 HI1 및 하기 화합물 HI2의 화합물을 98:2(몰비)의 비가 되도록 100Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공주입층을 형성하였다. 상기 정공주입층 위에 하기 화학식 HT1으로 표시되는 화합물(1150Å)을 진공 증착하여 정공수송층을 형성하였다. 이어서, 상기 정공수송층 위에 막 두께 50Å으로 상기 제조예 1에서 제조한 화합물 1을 진공 증착하여 전자억제층을 형성하였다. A hole injection layer was formed by thermally vacuum-depositing a compound of the following compound HI1 and a compound of the following compound HI2 to a thickness of 100 Å in a ratio of 98:2 (molar ratio) on the prepared anode, ITO transparent electrode. A hole transport layer was formed by vacuum-depositing a compound (1150 Å) represented by the following formula HT1 on the hole injection layer. Then, the
이어서, 상기 전자억제층 위에 막 두께 200Å으로 하기 화학식 BH로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 BD로 표시되는 화합물을 25:1의 중량비로 진공증착하여 발광층을 형성하였다. Then, the compound represented by the following formula BH and the compound represented by the following formula BD to a thickness of 200 Å on the electron blocking layer were vacuum-deposited at a weight ratio of 25:1 to form a light emitting layer.
다음으로, 상기 발광층 위에 막 두께 50Å으로 하기 화학식 HB1으로 표시되는 화합물을 진공 증착하여 정공저지층을 형성하였다. 이어서, 상기 정공저지층 위에 하기 화학식 ET1으로 표시되는 화합물과 하기 화학식 LiQ로 표시되는 화합물을 1:1의 중량비로 진공증착하여 310Å의 두께로 전자 주입 및 수송층을 형성하였다. 상기 전자 주입 및 수송층 위에 순차적으로 12Å두께로 리튬플로라이드(LiF)와 1,000Å 두께로 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하였다. Next, a hole blocking layer was formed by vacuum-depositing a compound represented by the following Chemical Formula HB1 to a film thickness of 50 Å on the light emitting layer. Then, on the hole blocking layer, the compound represented by the formula ET1 and the compound represented by the formula LiQ were vacuum-deposited in a weight ratio of 1:1 to form an electron injection and transport layer to a thickness of 310 Å. A cathode was formed by sequentially depositing lithium fluoride (LiF) to a thickness of 12 Å and aluminum to a thickness of 1,000 Å on the electron injection and transport layer.
상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4~0.7Å/sec를 유지하였고, 음극의 리튬플로라이드는 0.3Å/sec, 알루미늄은 2Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 2ⅹ10-7 ~ 5ⅹ10-6 torr를 유지하여, 유기 발광 소자를 제작하였다.In the above process, the deposition rate of the organic material was maintained at 0.4~0.7Å/sec, the deposition rate of lithium fluoride of the negative electrode was maintained at 0.3Å/sec, and the deposition rate of aluminum was maintained at 2Å/sec, and the vacuum degree during deposition was 2×10 -7 ~ By maintaining 5×10 -6 torr, an organic light emitting device was manufactured.
실시예 1-2 내지 실시예 1-10Examples 1-2 to Examples 1-10
제조예 1의 화합물 대신 하기 표 1에 기재된 화합물을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다. 이때, 상기 실시예에 사용된 화합물의 구조를 정리하면 하기와 같다.An organic light emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1-1, except that the compound shown in Table 1 was used instead of the compound of Preparation Example 1. In this case, the structure of the compound used in the above Examples is summarized as follows.
비교예 1-1 내지 1-4Comparative Examples 1-1 to 1-4
제조예 1의 화합물 대신 하기 표 1에 기재된 화합물을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다. 이때, 하기 표 1에서 사용한 화합물 EB1, EB2, EB3 및 EB4의 구조는 하기와 같다.An organic light emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1-1, except that the compound shown in Table 1 was used instead of the compound of Preparation Example 1. In this case, the structures of the compounds EB1, EB2, EB3 and EB4 used in Table 1 are as follows.
실험예 1Experimental Example 1
상기 실시예 및 비교예에서 제조한 유기 발광 소자에 전류를 인가하였을 때, 전압, 효율, 색좌표 및 수명을 측정하고 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다. T95은 휘도가 초기 휘도(1600 nit)에서 95%로 감소되는데 소요되는 시간을 의미한다.When a current was applied to the organic light emitting diodes prepared in Examples and Comparative Examples, voltage, efficiency, color coordinates, and lifetime were measured, and the results are shown in Table 1 below. T95 denotes a time required for the luminance to decrease from the initial luminance (1600 nit) to 95%.
(전자억제층)compound
(electron suppression layer)
(V
@10mA/cm2)Voltage
(V
@10mA/cm 2 )
(cd/A
@10mA/cm2)efficiency
(cd/A
@10mA/cm 2 )
(x,y)color coordinates
(x,y)
(hr)T95
(hr)
상기 표 1을 참조하면, 본 발명의 화합물을 전자억제층으로 사용한 실시예의 유기 발광 소자는, 비교예의 유기 발광 소자에 비하여 동등 수준 이상의 구동 전압을 가지면서, 효율 및 안정성 측면 모두에서 우수한 특성을 나타냄을 알 수 있다.Referring to Table 1, the organic light emitting device of Examples using the compound of the present invention as an electron suppression layer has a driving voltage equal to or higher than that of the organic light emitting device of Comparative Example, and exhibits excellent properties in terms of efficiency and stability. can be known
구체적으로, 상기 실시예의 유기 발광 소자는, 아미노기의 치환기 중 하나로 헤테로아릴을 갖는 화합물 EB1을 채용한 비교예 1-1의 유기 발광 소자, 아미노기의 치환기 중 하나로 터페닐릴, 쿼터페닐릴 및 C10-60 다환식 아릴 중 하나를 갖지 않는 화합물 EB2 및 EB3를 각각 채용한 비교예 1-2 및 1-3의 유기 발광 소자 및 스피로(플루오렌-9,9'-잔텐) 코어에 링커 없이 아미노기가 결합된 화합물 EB4를 채용한 비교예 1-4의 유기 발광 소자 대비, 향상된 효율 및 현저히 긴 수명을 나타내었다. Specifically, the organic light emitting device of the above embodiment, the organic light emitting device of Comparative Example 1-1 employing the compound EB1 having heteroaryl as one of the substituents of the amino group, terphenylyl, quaterphenylyl and C 10 as one of the substituents of the amino group -60 Organic light emitting devices of Comparative Examples 1-2 and 1-3 employing compounds EB2 and EB3 without one of polycyclic aryl, respectively, and spiro (fluorene-9,9'-xanthene) core without a linker Compared to the organic light emitting device of Comparative Examples 1-4 employing the combined compound EB4, it exhibited improved efficiency and significantly longer lifespan.
1: 기판
2: 양극
3: 정공수송층
4: 발광층
5: 전자주입 및 수송층
6: 음극
7: 정공주입층
8: 전자억제층
9: 정공저지층 1: Substrate 2: Anode
3: hole transport layer 4: light emitting layer
5: Electron injection and transport layer 6: Cathode
7: hole injection layer 8: electron suppression layer
9: hole blocking layer
Claims (11)
[화학식 1]
상기 화학식 1에서,
X는 O 또는 S이고,
L1 내지 L3는 각각 독립적으로 단일 결합; 또는 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴렌이고,
Ar1은 치환 또는 비치환된 터페닐릴; 치환 또는 비치환된 쿼터페닐릴; 또는 치환 또는 비치환된 C10-60 다환식 아릴이되, 단, Ar1은 플루오레닐은 아니고,
Ar2는 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴이고,
R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 C1-60 알킬; 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴; 또는 치환 또는 비치환된 N, O 및 S 중 1개 이상의 헤테로원자를 포함하는 C2-60 헤테로아릴이고,
a, b 및 c는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이고,
d는 0 내지 3의 정수이다.
A compound represented by the following formula (1):
[Formula 1]
In Formula 1,
X is O or S;
L 1 to L 3 are each independently a single bond; Or a substituted or unsubstituted C 6-60 arylene,
Ar 1 is substituted or unsubstituted terphenylyl; substituted or unsubstituted quaterphenylyl; or substituted or unsubstituted C 10-60 polycyclic aryl, provided that Ar 1 is not fluorenyl,
Ar 2 is a substituted or unsubstituted C 6-60 aryl,
R 1 to R 4 are each independently hydrogen; heavy hydrogen; substituted or unsubstituted C 1-60 alkyl; substituted or unsubstituted C 6-60 aryl; or C 2-60 heteroaryl containing one or more heteroatoms among substituted or unsubstituted N, O and S;
a, b and c are each independently an integer of 0 to 4,
d is an integer from 0 to 3.
L1 및 L2는 각각 독립적으로 단일 결합, 페닐렌, 비페닐디일, 또는 나프틸렌인,
화합물.
According to claim 1,
L 1 and L 2 are each independently a single bond, phenylene, biphenyldiyl, or naphthylene,
compound.
L3는 단일 결합인,
화합물.
According to claim 1,
L 3 is a single bond,
compound.
Ar1은 터페닐릴, 쿼터페닐릴, 나프틸, 또는 페난트릴이고,
여기서, Ar1은 비치환되거나, 또는 페닐, 비페닐릴 및 나프틸로 구성되는 군으로부터 선택되는 1개 이상의 치환기로 치환되는,
화합물.
According to claim 1,
Ar 1 is terphenylyl, quaterphenylyl, naphthyl, or phenanthryl,
Here, Ar 1 is unsubstituted or substituted with one or more substituents selected from the group consisting of phenyl, biphenylyl and naphthyl,
compound.
Ar1은 하기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나인,
화합물:
5. The method of claim 4,
Ar 1 is any one selected from the group consisting of
compound:
Ar2는 페닐, 비페닐릴, 터페닐릴, 나프틸, 페난트릴, 또는 9,9-디메틸플루오레닐인,
화합물.
According to claim 1,
Ar 2 is phenyl, biphenylyl, terphenylyl, naphthyl, phenanthryl, or 9,9-dimethylfluorenyl;
compound.
R1 내지 R4는 모두 수소인,
화합물.
According to claim 1,
R 1 to R 4 are all hydrogen,
compound.
상기 화합물은 하기 화학식 1-1 또는 1-2로 표시되는,
화합물:
[화학식 1-1]
[화학식 1-2]
상기 화학식 1-1 및 1-2에서,
X, L1 내지 L3, Ar1 및 Ar2는 제1항에서 정의한 바와 같다.
According to claim 1,
The compound is represented by the following formula 1-1 or 1-2,
compound:
[Formula 1-1]
[Formula 1-2]
In Formulas 1-1 and 1-2,
X, L 1 to L 3 , Ar 1 and Ar 2 are as defined in claim 1.
상기 화합물은 하기 화합물로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나인,
화합물:
.
According to claim 1,
The compound is any one selected from the group consisting of the following compounds,
compound:
.
a first electrode; a second electrode provided to face the first electrode; and at least one organic material layer provided between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic material layers contains the compound according to any one of claims 1 to 9 which is an organic light emitting device.
상기 화합물을 포함하는 유기물층은 정공수송층 또는 전자억제층인,
유기 발광 소자.11. The method of claim 10,
The organic layer containing the compound is a hole transport layer or an electron suppression layer,
organic light emitting device.
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000051826A (en) | 1999-01-27 | 2000-08-16 | 성재갑 | New organomattalic complex molecule for the fabrication of organic light emitting diodes |
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