KR20220097338A - Method for Preparing Continuous-phase Geometric phase Diffractive Optical Elements from Discrete-phase Geometric phase Diffractive Optical Elements - Google Patents

Method for Preparing Continuous-phase Geometric phase Diffractive Optical Elements from Discrete-phase Geometric phase Diffractive Optical Elements Download PDF

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KR20220097338A
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지광환
송석호
김학진
이승민
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

In the present disclosure, a discontinuous low-resolution geometric phase diffractive optical element manufactured by applying (or coating) an anisotropic medium to a grating pixel array is used as a mask, and described is a method for mass-manufacturing high-resolution geometric phase diffractive optical elements having high phase freedom and continuous high-resolution polarization patterns generated by interference of beams polarized in left and right circles.

Description

불연속적인 기하학적 위상 회절광학소자로부터 연속적인 기하학적 위상 회절 광학소자를 제조하는 방법{Method for Preparing Continuous-phase Geometric phase Diffractive Optical Elements from Discrete-phase Geometric phase Diffractive Optical Elements}Method for Preparing Continuous-phase Geometric phase Diffractive Optical Elements from Discrete-phase Geometric phase Diffractive Optical Elements

본 개시 내용은 불연속적인 기하학적 위상 회절광학소자(geometric phase diffractive optical elements; GP-DOE)로부터 연속적인 기하학적 위상 회절 광학소자를 제조하는 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 개시 내용은 회절 격자 배열(grating pixel array)에 비등방성 매질을 도포(또는 코팅)하여 제조된 불연속적인 저분해능의 기하학적 위상 회절 광학 소자를 마스크로 이용하되, 좌원 및 우원으로 편광된 빔이 간섭함에 따라 발생하는 편광 패턴을 통하여 위상 자유도가 높고 연속적인 고분해능의 기하학적 위상 회절광학소자를 대량으로 제조할 수 있는 방법에 관한 것이다.The present disclosure relates to a method of fabricating a continuous geometric phase diffractive optical element from discrete geometric phase diffractive optical elements (GP-DOE). More specifically, the present disclosure uses a discontinuous low-resolution geometric phase diffraction optical element manufactured by applying (or coating) an anisotropic medium to a grating pixel array as a mask, but polarized in left and right circles. The present invention relates to a method for mass-manufacturing a high-resolution geometric phase diffraction optical element with a high degree of phase freedom and continuous high-resolution through a polarization pattern generated as a result of the interference of a beam.

회절광학소자(DOE)는 광학 시스템에 있어서 광을 조절하기 위하여 굴절 또는 반사보다는 주기 구조에 의한 회절 현상을 이용하는 소자이다. 이의 구현 원리로는 단일 파면을 복수 개의 작은 파면으로 분할하는 경우에 합쳐지는 파면의 광로 정차가 파장의 정수배에 해당되면 상호 보강 간섭을 일으키는 현상을 기반으로 한다. 회절광학소자는 kinoform(위상조절 면이 연속적인 변화를 나타냄), binary optics(이진 광학; 위상조절 면이 불연속의 변화를 나타냄), computergenerated holograms(위상 또는 크기 마스크 시리즈로 계산되는 간섭 패턴을 저감함으로써 제조됨), HOE(holographic optical elements; 광학적 구성 요소를 생성하기 위하여, 통상적으로 5 내지 30 ㎛ 정도의 두꺼운 감광 물질 내에 2개의 파면의 간섭 무늬를 기록하여 제조됨), 회절격자(diffraction gratings)등과 같은 다양한 형태가 보고된 바 있다.A diffractive optical element (DOE) is an element that uses a diffraction phenomenon by a periodic structure rather than refraction or reflection to control light in an optical system. The implementation principle is based on a phenomenon in which, when a single wavefront is divided into a plurality of small wavefronts, mutual constructive interference occurs when the optical path stop of the merged wavefronts corresponds to an integer multiple of the wavelength. Diffraction optics can be used in kinoform (the phase control plane shows continuous changes), binary optics (binary optics; the phase control plane shows discontinuous changes), and computergenerated holograms (by reducing the interference pattern calculated as a series of phase or magnitude masks). manufactured), HOE (holographic optical elements; manufactured by recording the interference fringes of two wavefronts in a photosensitive material that is typically 5 to 30 μm thick to create an optical component), diffraction gratings, etc. Various forms have been reported.

종래에 회절광학소자를 제조하는 방법으로서, 크게 표면부조 회절광학소자(surface relief diffractive optical element) 및 기하학적 위상 회절광학소자의 제조 방식이 알려져 있다.Conventionally, as a method of manufacturing a diffractive optical element, a method of manufacturing a surface relief diffractive optical element and a geometric phase diffractive optical element is largely known.

전자의 경우, 기계 가공방법으로 표면에 형상을 형성하는 바, 이러한 기하학적 위상 회절광학소자는 마하-젠더 간섭(Mach-Zehnder interferometry), 직접 기록(direct-writing) 방식 등에 의하여 광축 방향을 배향함으로써 제조되는 것이 일반적이다. 다만, 표면부조 회절광학소자에서는 기계 가공의 정밀도 한계, 리소그래피공정의 안정성 등과 같은 가공 상의 이유로 인하여 제작 영역이 근축 영역으로 제한되고, 공정에 따른 효율 감소 및 고차 잡음이 문제시되고 있다.In the former case, a shape is formed on the surface by a machining method. Such a geometric phase diffraction optical device is manufactured by orienting the optical axis direction by Mach-Zehnder interferometry, direct-writing method, etc. it is common to be However, in the surface relief diffraction optical device, the manufacturing area is limited to the paraxial region due to processing reasons such as the precision limit of machining and the stability of the lithography process, and the efficiency reduction and high-order noise according to the process are problematic.

특히, 마하-젠더 간섭 방식은 2개의 광 경로를 각각 서로 수직을 형성하는 편광 빔이 투과하도록 하고, 광 경로 중 하나에 설계된 위상 분포를 배치하여 샘플에서 광축 회전을 제어함으로써 패턴을 형성한다. 해당 방식은 1회의 노광으로 패턴을 형성할 수 있기 때문에 생산성 면에서 우수한 반면, 구현 가능한 광축 회전 패턴이 제작 가능한 대상의 위상 분포로 제한되므로 임의의 위상 분포를 자유롭게 구현할 수 없다.In particular, the Mach-Zehnder interference method forms a pattern by allowing a polarized beam to pass through two optical paths perpendicular to each other, and controlling the optical axis rotation in the sample by placing a designed phase distribution in one of the optical paths. This method is excellent in terms of productivity because a pattern can be formed by one exposure, but an arbitrary phase distribution cannot be freely implemented because the achievable optical axis rotation pattern is limited to the phase distribution of the object that can be manufactured.

한편, 직접 기록 방식의 경우, 스테이지로 샘플을 이동시키면서 하나의 픽셀 위치를 지나갈 때 마다 각각 상이한 편광 빔을 샘플 상에 조사함으로써 광축 회전을 제어하는 방식인 바, 각각의 픽셀 위치마다 다른 위상을 형성하기 때문에 위상 분포의 자유도는 양호하나, 샘플 상의 모든 위치를 순차적으로 가공하기 때문에 면적에 따라 가공 시간이 매우 길어지는 한계가 있다.On the other hand, in the case of the direct recording method, the optical axis rotation is controlled by irradiating different polarized beams onto the sample each time it passes one pixel position while moving the sample to the stage, and a different phase is formed at each pixel position. Therefore, the degree of freedom of the phase distribution is good, but since all positions on the sample are processed sequentially, there is a limitation in that the processing time becomes very long depending on the area.

전술한 표면부조 회절광학소자의 단점을 해결할 수 있는 방안으로 복굴절 물질의 배열 방향에 따라 위상차를 형성하여 표면 요철을 요하지 않는 소자인 기하학적 위상 회절광학소자(GP-DOE)에 대한 연구가 진행되고 있다.As a solution to the above-mentioned disadvantages of the surface relief diffraction optical device, a study on a geometric phase diffraction optical device (GP-DOE), which is a device that does not require surface irregularities by forming a phase difference according to the arrangement direction of the birefringent material, is in progress. .

기하학적 위상은 표면부조 회절광학소자에서와 같이 구조적인 형태에 따라 투과되는 광의 경로 차이가 발생하는 것이 아닌 비등방성(anisotropic) 매질 또는 물질에서 광축 방향의 차이로 인하여 추가적으로 위상 변화가 발생하는 현상이다. 이러한 기하학적 위상을 이용한 광학소자를 기하학적 위상 회절광학소자라고 지칭하고 있다. 이와 관련하여, 기하학적 위상은 원형 편광의 광이 입사하는 조건에서 비등방성 물질의 광축이 일정 각도로 회전되어 있고 높이 조건이 반파장판(half-wave plate)을 만족할 경우, 광축 회전 각도에 2배 만큼 위상 지연이 일어남에 따라 원형 편광의 방향이 반대로 바뀌는 현상을 의미한다.The geometric phase is a phenomenon in which a phase change additionally occurs due to a difference in the optical axis direction in an anisotropic medium or material, rather than a difference in the path of transmitted light depending on the structural shape as in the surface relief diffraction optical device. An optical element using such a geometric phase is referred to as a geometric phase diffraction optical element. In this regard, the geometric phase is twice the rotation angle of the optical axis when the optical axis of the anisotropic material is rotated at a certain angle under the condition that circularly polarized light is incident and the height condition satisfies the half-wave plate. This refers to a phenomenon in which the direction of circularly polarized light is reversed as the phase delay occurs.

기하학적 위상 회절광학소자의 경우, 두께가 수 μm로 매우 얇고,모든 위치에서 두께가 동일한 완전 평면 구조인 장점을 갖고 있는 바, 소형화 및 경량화가 요구되는 분야에서 유용하다.In the case of a geometric phase diffraction optical device, it is very thin with a thickness of several μm, and has the advantage of a perfectly planar structure with the same thickness at all locations, and is useful in fields requiring miniaturization and weight reduction.

그러나, 현재까지 연구된 기하학적 위상 회절광학소자는 많은 장점에도 불구하고 여전히 종래 기술이 갖는 문제점, 예를 들면 생산성 개선 한계 등과 같은 제조공정 상의 문제점을 갖고 있는 바, 이에 대한 해결 방안이 요구된다.However, in spite of many advantages, the geometric phase diffraction optical device studied so far still has problems in the manufacturing process, such as problems of the prior art, for example, limitations in productivity improvement, and a solution to this is required.

본 개시 내용의 일 실시예에서는 종래기술에서 문제시된 제조 공정 상의 한계를 극복할 수 있을 뿐만 아니라, 연속적이면서 고분해능을 갖는 기하학적 위상 회절광학소자를 대량으로 복제할 수 있는 제조방법을 제공하고자 한다.In one embodiment of the present disclosure, it is intended to provide a manufacturing method capable of overcoming the limitations of the manufacturing process problematic in the prior art, and capable of mass replicating a geometric phase diffraction optical element having continuous and high resolution.

본 명세서의 실시예에 따른 해결 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved according to the embodiments of the present specification are not limited to the problems mentioned above, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

본 개시 내용의 제1 면에 따르면,According to the first aspect of the present disclosure,

a) 회절 격자 배열에 의하여 형성된 불연속적인 저분해능의 광축 회전 패턴 마스터를 제조하는 단계;a) manufacturing a discontinuous low-resolution optical axis rotation pattern master formed by a diffraction grating arrangement;

b) 상기 저분해능의 불연속적인 광축 회전 패턴 마스터에 비등방성 매질을 배향하여 제1 분해능의 불연속적인 기하학적 위상 회절광학소자를 제조하는 단계;b) manufacturing a discontinuous geometric phase diffraction optical element of a first resolution by orienting an anisotropic medium to the low-resolution discontinuous optical axis rotation pattern master;

c) 제1 광-정렬 물질이 도포된 기판 상에 소정의 이격 거리를 두고 배치된 상기 제1 분해능의 불연속적인 기하학적 위상 회절광학소자를 마스크로 사용하여, 이에 선형 편광된 빔을 입사시켜 주기가 1/2로 축소된 편광 패턴을 상기 제1 광-정렬 물질에 새김으로써 제2 분해능의 연속적인 광축 회전 패턴 마스터를 제조하는 단계; 및c) using the discontinuous geometric phase diffraction optical element of the first resolution disposed at a predetermined distance on the substrate coated with the first photo-alignment material as a mask, and the period by which the linearly polarized beam is incident thereon manufacturing a continuous optical axis rotation pattern master of a second resolution by engraving a polarization pattern reduced in half into the first light-aligning material; and

d) 상기 제2 분해능의 연속적인 광축 회전 패턴 마스터에 비등방성 매질을 도포하여 제2 분해능의 연속적인 기하학적 위상 회절광학소자를 제조하는 단계;를 포함하며,d) applying an anisotropic medium to the continuous optical axis rotation pattern master of the second resolution to manufacture a continuous geometric phase diffraction optical element of the second resolution;

이때, 제2 분해능은 제1 분해능에 비하여 증가된 값을 가지는, 불연속적인 기하학적 위상 회절광학소자로부터 연속적인 기하학적 위상 회절광학소자의 제조방법이 제공된다.In this case, a method of manufacturing a continuous geometric phase diffractive optical element from a discontinuous geometric phase diffractive optical element is provided, wherein the second resolution has an increased value compared to the first resolution.

예시적 실시예에 따르면, 상기 b) 단계 및 상기 d) 단계에서, 상기 비등방성 매질은 반파장판 두께가 되도록 도포될 수 있다.According to an exemplary embodiment, in step b) and step d), the anisotropic medium may be applied to have a thickness of half a wave plate.

예시적 실시예에 따르면, 상기 c) 단계에서, 상기 제1 분해능의 불연속적인 기하학적 위상 회절광학소자와 상기 제1 광-정렬 물질이 도포된 기판 사이의 이격 거리는 수학식 According to an exemplary embodiment, in the step c), the separation distance between the discontinuous geometric phase diffraction optical element of the first resolution and the substrate to which the first photo-alignment material is applied is the formula

Figure pat00001
Figure pat00001

(Z는 이격 거리, λ는 조사하는 UV 광의 중심 파장, Λ는 광축 회전 패턴 마스터의 패턴 주기, N은 한 주기에 포함되어 있는 회절 격자의 수, 그리고 A는 90 이상이고 110 이하)에 의해 결정될 수 있다. (Z is the separation distance, λ is the center wavelength of the irradiated UV light, Λ is the pattern period of the optical axis rotation pattern master, N is the number of diffraction gratings included in one period, and A is 90 or more and 110 or less) can

예시적 실시예에 따르면, 상기 비등방성 매질은 액정으로서 반응성 메조겐일 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니고, 경우에 따라 비등방성 매질은 반응성 메조겐을 포함할 수 있다. 예를 들어, 비등방성 매질은 반응성 메조겐 및 비등방성의 다른 물질을 포함할 수 있다.According to an exemplary embodiment, the anisotropic medium may be a reactive mesogen as a liquid crystal. However, the present invention is not limited thereto, and in some cases, the anisotropic medium may include a reactive mesogen. For example, the anisotropic medium may contain reactive mesogens and other materials that are anisotropic.

예시적 실시예에 따르면,According to an exemplary embodiment,

e) 상기 제2 광-정렬 물질이 도포된 기판 상에 소정의 이격 거리를 두고 배치된 상기 제2 분해능의 연속적인 기하학적 위상 회절광학소자를 마스크로 사용하여, 이에 선형 편광된 빔을 입사시켜 주기가 1/2로 축소된 편광 패턴을 상기 제2 광-정렬 물질에 새김으로써 제3 분해능의 연속적인 광축 회전 패턴 마스터를 제조하는 단계; 및e) using, as a mask, the continuous geometric phase diffraction optical element of the second resolution disposed at a predetermined distance on the substrate coated with the second light-aligning material, and injecting a linearly polarized beam thereto manufacturing a continuous optical axis rotation pattern master of a third resolution by engraving a polarization pattern reduced by ½ to the second light-aligning material; and

f) 상기 제3 분해능의 연속적인 광축 회전 패턴 마스터에 비등방성 매질을 도포하여 제3 분해능의 연속적인 기하학적 위상 회절광학소자를 제조하는 단계;를 더 포함하며,f) applying an anisotropic medium to the continuous optical axis rotation pattern master of the third resolution to manufacture a continuous geometric phase diffraction optical element of the third resolution; further comprising,

상기 제3 분해능은 상기 제2 분해능에 비하여 증가된 값을 가질 수 있다. The third resolution may have an increased value compared to the second resolution.

기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어있다.Details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

본 개시 내용에 따른 연속적인 고분해능의 기하학적 위상 회절광학소자의 제조방법은 종래의 제조방식인 마하-젠더 간섭 방식, 직접 기록 방식 등이 갖는 단점들을 극복하여 위상 분포의 자유도가 높은 연속적인 기하학적 위상 회절광학소자를 대량으로 제조할 수 있으며, 특히 높은 광효율을 나타내는 연속적인 기하학적 위상 회절광학소자를 이용하여 제품의 집적화가 중요한 디스플레이, AR 글라스 등 다양한 분야에 적용하여 집적화 및 소형화를 달성할 수 있다. 특히, 비교적 간단한 제조 방식을 채택함으로써 상용화에 유리하다.The method of manufacturing a continuous high-resolution geometric phase diffraction optical device according to the present disclosure overcomes the disadvantages of the conventional manufacturing methods, such as the Mach-Zehnder interference method, the direct recording method, etc. Optical devices can be mass-produced, and in particular, by using a continuous geometric phase diffraction optical device that exhibits high light efficiency, integration and miniaturization can be achieved by applying it to various fields such as displays and AR glass, where product integration is important. In particular, it is advantageous for commercialization by adopting a relatively simple manufacturing method.

도 1은 일 실시예에 따라 불연속적인 기하학적 위상 회절광학소자로부터 연속적인 기하학적 위상 회절광학소자를 제조하는 공정에 관한 전체적인 개략도이고;
도 2는 예시적 실시예에 있어서, 나노임프린팅 테크닉을 이용하여 불연속적인 저분해능의 광축 회전 패턴 마스터를 제조하는 프로세스를 도시하는 순서도이고;
도 3은 예시적 실시예에 있어서, 제1 분해능의 불연속적인 기하학적 위상 회절광학소자를 개략적으로 도시하는 도면이고;
도 4는 상이한 원형 편광된 광이 기하학적 위상 회절광학소자에 입사하는 경우의 위상 지연을 나타내는 도면이고;
도 5는 선형 편광된 광이 기하학적 위상 회절광학소자에 입사하는 경우, 거리에 따른 선형 편광의 방향을 나타내는 도면이고; 그리고,
도 6은 연속적인 편광 간섭 무늬를 얻기 위한 이격 거리에 대한 전산모사 결과를 나타낸다.
1 is an overall schematic diagram of a process for manufacturing a continuous geometric phase diffractive optical element from a discontinuous geometric phase diffractive optical element according to an embodiment;
2 is a flow chart illustrating a process for fabricating a discontinuous, low-resolution optical axis rotation pattern master using nanoimprinting techniques, in an exemplary embodiment;
Fig. 3 is a diagram schematically showing a discontinuous geometric phase diffractive optical element of a first resolution in an exemplary embodiment;
Fig. 4 is a diagram showing the phase delay when different circularly polarized light is incident on a geometric phase diffraction optical element;
Fig. 5 is a diagram showing the direction of linearly polarized light according to a distance when linearly polarized light is incident on a geometric phase diffraction optical element; and,
6 shows the computational simulation results for the separation distance for obtaining a continuous polarization interference fringe.

본 발명은 하기의 설명에 의하여 모두 달성될 수 있다. 하기의 설명은 본 발명의 바람직한 실시예를 기술하는 것으로 이해되어야 하며, 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 첨부된 도면은 이해를 돕기 위한 것으로, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 개별 구성에 관한 세부 사항은 후술하는 관련 기재의 구체적 취지에 의하여 적절히 이해될 수 있다.The present invention can all be achieved by the following description. It should be understood that the following description describes preferred embodiments of the present invention, but the present invention is not necessarily limited thereto. In addition, the accompanying drawings are provided to aid understanding, and the present invention is not limited thereto, and details regarding individual configurations may be properly understood by the specific purpose of the related description to be described later.

본 명세서에 있어서 사용되는 용어는 하기와 같이 정의될 수 있다.Terms used in this specification may be defined as follows.

"액정"은 유동성을 가지면서도 비등방성 결정과 같은 특성을 지니는 물질을 의미할 수 있다.“Liquid crystal” may refer to a material having properties such as anisotropic crystals while having fluidity.

"파장판(wave plate)"은 이를 통과하는 광의 편광 상태를 변화시키는 광학 소자를 의미할 수 있다. 전자기파가 파장판을 통과하면 편광 방향이 광축에 평행하거나 수직인 2개의 성분(정상광선 및 이상광선)의 합이 되고, 파장판의 복굴절 및 두께에 따라 2개의 성분의 벡터합이 변하므로 통과한 후의 편광 방향이 변화하게 된다. 이때, 광의 편광 방향을 90° 변화시키는 것을 반파장판, 그리고 180° 변화시키는 것을 한파장판으로 부를 수 있다. A “wave plate” may refer to an optical element that changes the polarization state of light passing therethrough. When an electromagnetic wave passes through the wave plate, the polarization direction becomes the sum of two components (normal ray and extraordinary ray) that are parallel or perpendicular to the optical axis, and the vector sum of the two components changes depending on the birefringence and thickness of the wave plate. The later polarization direction is changed. In this case, a half-wave plate that changes the polarization direction of light by 90° may be referred to as a half-wave plate, and a plate that changes the polarization direction by 180° can be called a cold-wave plate.

"접촉한다"는 협의로는 2개의 대상 간의 직접적인 접촉을 의미하기는 하나, 광의로는 임의의 추가 구성 요소가 개재될 수 있는 것으로 이해될 수 있다.Although "contacting" in a narrow sense means direct contact between two objects, it may be understood that any additional element may be interposed in a broad sense.

"상에" 및 "위에"라는 표현은 상대적인 위치 개념을 언급하기 위하여 사용되는 것으로 이해될 수 있다. 따라서, 언급된 층에 다른 구성 요소 또는 층이 직접적으로 존재하는 경우뿐만 아니라, 그 사이에 다른 층(중간층) 또는 구성 요소가 개재되거나 존재할 수도 있다. 이와 유사하게, "하측에", "하부에" 및 "아래에"라는 표현 및 "사이에"라는 표현 역시 위치에 대한 상대적 개념으로 이해될 수 있을 것이다. 또한, "순차적으로"라는 표현 역시 상대적인 위치 개념으로 이해될 수 있다.It may be understood that the expressions “on” and “on” are used to refer to the concept of relative position. Accordingly, not only the case where other components or layers are directly present in the mentioned layers, but also other layers (intermediate layers) or components may be interposed or present therebetween. Similarly, the expressions “under”, “under” and “below” and “between” may also be understood as relative concepts with respect to location. Also, the expression “sequentially” may be understood as a concept of relative position.

본 명세서에 있어서, 어떠한 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 별도의 언급이 없는 한, 다른 구성 요소 및/또는 단계를 더 포함할 수 있음을 의미한다.In the present specification, when a component is "included", it means that other components and/or steps may be further included, unless otherwise specified.

본 개시 내용의 일 실시예에 따르면, 종래의 기하학적 위상 회절광학소자의 제조 기술에 비하여 높은 자유도의 위상 분포 및 높은 생산성을 동시에 확보할 수 있는 방법이 제공된다.According to an embodiment of the present disclosure, there is provided a method capable of simultaneously securing a phase distribution with a high degree of freedom and high productivity compared to a conventional manufacturing technique of a geometric phase diffraction optical device.

일 실시예에 따라 불연속적인 기하학적 위상 회절광학소자로부터 연속적인 기하학적 위상 회절광학소자를 제조하는 공정의 개략적인 구현 원리는 도 1에 도시된 바와 같다.A schematic implementation principle of a process for manufacturing a continuous geometric phase diffractive optical element from a discontinuous geometric phase diffractive optical element according to an embodiment is shown in FIG. 1 .

상기 도면을 참조하면, 먼저 기판 상에 회절 격자 배열(grating pixel array)이 형성된 불연속적인 광축 회전 패턴 마스터 상에 비등방성 매질이 배향되어 있는 불연속적인 저분해능의 기하학적 위상 회절광학소자가 제조된다.Referring to the drawings, first, a discontinuous low-resolution geometric phase diffraction optical element in which an anisotropic medium is oriented on a discontinuous optical axis rotation pattern master in which a grating pixel array is formed on a substrate is manufactured.

도시된 실시예에 따르면, 기판은 UV 파장 대역의 광이 투과 가능한 특성(구체적으로, 투명성)을 갖는 종류에서 선정할 수 있는 바, 예를 들면 UV 투과 글라스(Quartz, Sodalime), 투명한 플렉서블 기판(예를 들면, 박형 유리 또는 플라스틱 기판) 등일 수 있다.According to the illustrated embodiment, the substrate can be selected from a type having characteristics (specifically, transparency) through which light in the UV wavelength band can be transmitted, for example, UV transmission glass (Quartz, Sodalime), a transparent flexible substrate ( For example, it may be a thin glass or a plastic substrate) or the like.

또한, 예시적 실시예에 따르면, 기판의 두께는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 기판 두께가 증가할수록 UV 파장 대역의 투과율이 감소하므로 기판의 UV 흡수율에 따라, 예를 들면 수백 ㎛에서 수 mm까지, 구체적으로 약 01 내지 10 mm의 범위에서 정하여질 수 있다. 이외에도, 회절 격자 배열은 격자에 의한 LC 배향력 및 제작하고자 하는 위상 분포를 고려하여 설계할 수 있다. In addition, according to the exemplary embodiment, the thickness of the substrate is not particularly limited, but as the substrate thickness increases, the transmittance of the UV wavelength band decreases, so depending on the UV absorption rate of the substrate, for example, from several hundred μm to several mm, specifically It may be determined in the range of about 01 to 10 mm. In addition, the diffraction grating array may be designed in consideration of the LC alignment force by the grating and the phase distribution to be fabricated.

예시적 실시예에 따르면, 한 격자의 가로 및 세로(Px, Py)의 치수가 작을수록 위상 분포를 세밀하게 표현할 수 있어 소자 구현에 유리하다. 일 예로서, 격자의 치수는 대략 1 ㎛에서 수십 ㎛까지의 범위, 예를 들면 약 1 내지 30 ㎛의 범위에서 정하여질 수 있다. 이러한 격자의 주기 및 높이는 액정의 배향력과 관련이 있는 바, 격자의 높이가 크고, 주기가 작을수록 액정의 배향력이 강해지기 때문에 액정 배향의 결점이 작은 소자를 제작할 수 있다.According to an exemplary embodiment, as the horizontal and vertical (Px, Py) dimensions of one grid are smaller, the phase distribution can be expressed in detail, which is advantageous for device implementation. As an example, the size of the grating may be set in a range of approximately 1 μm to several tens of μm, for example, in a range of about 1 to 30 μm. Since the period and height of the lattice are related to the alignment force of the liquid crystal, the higher the lattice height and the smaller the period, the stronger the alignment force of the liquid crystal.

다만, 회절 격자의 높이가 클수록 액정에 대한 효과보다는 회절 격자에 의한 효과가 크게 발생하므로 무조건 높게 설정하는 것은 바람직하지 않다. 예를 들면, 격자의 높이는 100 nm보다 작게 설정하여 액정 높이의 대략 약 1/20보다 작게 하고, 또한 격자 주기는 약 수백 nm 범위, 구체적으로 약 200 내지 800 nm의 범위에서 배향력에 따라 정할 수 있다.However, as the height of the diffraction grating increases, the effect of the diffraction grating rather than the effect on the liquid crystal occurs, so it is not preferable to set it unconditionally high. For example, the height of the grating is set to be less than 100 nm to be less than about 1/20 of the height of the liquid crystal, and the grating period can be set according to the orientation force in the range of about several hundred nm, specifically, in the range of about 200 to 800 nm. have.

한편, 본 실시예의 장점 중 하나는 당업계에 알려진 통상의 테크닉을 이용하여 기판 상에 회절 격자 배열을 형성하여 저분해능의 불연속적인 광축 회전 패턴 마스터를 제작할 수 있다는 것이다.Meanwhile, one of the advantages of this embodiment is that it is possible to fabricate a low-resolution, discontinuous optical axis rotation pattern master by forming a diffraction grating array on a substrate using a conventional technique known in the art.

이와 관련하여, 나노임프린팅 테크닉을 이용하여 불연속적인 저분해능의 광축 회전 패턴 마스터를 제조하는 개략적인 공정은 도 2에 도시된 바와 같다.In this regard, a schematic process for manufacturing a discontinuous low-resolution optical axis rotation pattern master using the nanoimprinting technique is shown in FIG. 2 .

투과형 소자를 제조하기 위하여, 먼저 불투과성의 기판, 예를 들면 실리콘 웨이퍼 상에 격자 도트 배열(grating dot array)을 형성한다. 이때, 격자 도트 배열은 당업계에서 공지된 방법, 예를 들면 다이어몬드 터닝 머신을 사용한 기계적인 방법, 전자빔(E-beam) 리소그래피, 간섭 리소그래피 등을 이용하여 제작할 수 있다. 특정 실시예에 있어서, 간섭 리소그래피를 적용할 수 있는 바, 이는 대면적화 및 고속화 측면에서 양호하기 때문이다. 격자 도트 배열의 형성에 관한 기술적 사항은 당업계에서 널리 알려진 만큼, 세부적인 기재는 생략하기로 한다.In order to manufacture a transmissive device, a grating dot array is first formed on an opaque substrate, for example, a silicon wafer. In this case, the grid dot arrangement may be manufactured using a method known in the art, for example, a mechanical method using a diamond turning machine, electron beam (E-beam) lithography, interference lithography, or the like. In a specific embodiment, interference lithography can be applied because it is good in terms of large area and high speed. Since the technical details regarding the formation of the lattice dot arrangement are widely known in the art, the detailed description will be omitted.

도 2를 참조하면, 불투과성 격자 도트 배열이 형성된 불투과성의 기판 상에 스탬프 레진(녹색)을 떨어뜨리고 스탬프 필름을 부착한다. 이때, 스탬프 레진으로, 예를 들면 아크릴계 레진, 비닐-에테르 레진 등을 사용할 수 있고, 스탬프 필름으로 PET 필름과 같은 플렉서블 소재를 사용할 수 있다. 그 다음, 스탬프 레진에 새겨진 격자 도트 배열이 필름에 부착될 수 있도록 자외선에 노출시켜 1차적으로 경화시킬 수 있다. 이때, 자외선 출력은, 예를 들면 약 5 내지 30 mW, 구체적으로 약 10 내지 20 mW 범위일 수 있고, 노출 시간은, 예를 들면 약 1 내지 10초, 구체적으로 약 3 내지 8초 범위 내에서 조절 가능하다. 후속적으로, 스탬프용 레진이 전사된 필름을 탈리시킨 후에 1차 경화 과정에서 사용된 자외선 조사 조건 및/또는 베이킹 조건 하에서 2차 경화를 수행할 수 있다. 일 예로서, 자외선 조사는, 예를 들면 약 2 내지 8 시간, 구체적으로 약 3 내지 7 시간 동안 수행될 수 있고, 베이킹은, 예를 들면 약 70 내지 95℃ 구체적으로 약 75 내지 90℃에서 약 0.5 내지 4 시간, 구체적으로 약 1 내지 3 시간에 걸쳐 수행할 수 있다. 그 결과, 전사된 스탬프를 제조할 수 있다.Referring to FIG. 2 , a stamp resin (green) is dropped on an opaque substrate on which an opaque grid dot arrangement is formed, and a stamp film is attached. In this case, as the stamp resin, for example, an acrylic resin, a vinyl-ether resin, etc. may be used, and a flexible material such as a PET film may be used as the stamp film. Then, the lattice dot arrangement engraved on the stamp resin can be primarily cured by exposing it to ultraviolet light so that it can be attached to the film. In this case, the UV output may be, for example, about 5 to 30 mW, specifically about 10 to 20 mW, and the exposure time is, for example, about 1 to 10 seconds, specifically about 3 to 8 seconds within the range. Adjustable. Subsequently, after the resin for stamping is detached from the transferred film, secondary curing may be performed under UV irradiation conditions and/or baking conditions used in the primary curing process. As an example, UV irradiation may be performed for, for example, about 2 to 8 hours, specifically, about 3 to 7 hours, and baking is performed, for example, at about 70 to 95° C., specifically at about 75 to 90° C. It may be carried out over 0.5 to 4 hours, specifically, about 1 to 3 hours. As a result, a transferred stamp can be manufactured.

이후, 전사된 스탬프를 이용하여 투과성 기판(예를 들면, 글라스 기판) 상에 형성된 몰드형 레진(푸른색)에 대하여 임프린팅을 수행하고, 다시 1차 경화 및 2차 경화를 수행함으로써 불투과성 기판 상에 형성된 격자 도트 배열 구조가 투과성 기판 상에 재현될 수 있다.Thereafter, imprinting is performed on the molded resin (blue color) formed on the transmissive substrate (eg, glass substrate) using the transferred stamp, and again primary curing and secondary curing are performed on the impermeable substrate. The lattice dot arrangement structure formed on the lattice can be reproduced on the transmissive substrate.

상술한 광축 회전 패턴 마스터를 제조하는 공정 및 조건은 예시적 취지로 제공되는 바, 본 개시 내용이 이에 한정되는 것은 아니다. 다만, 격자 무늬 방향 조절을 통하여 높은 자유도의 광축 회전 패턴을 형성할 수 있으며, 특히 통상의 기술인 나노임프린팅 테크닉을 적용함으로써 대면적화 및 대량 생산에 유리하다는 점은 주목할 만하다. 그러나, 이러한 마스터는 위상 분포가 불연속이고, 분해능은 낮은 수준이다.The process and conditions for manufacturing the optical axis rotation pattern master described above are provided for illustrative purposes, and the present disclosure is not limited thereto. However, it is noteworthy that an optical axis rotation pattern with a high degree of freedom can be formed by adjusting the direction of the grid pattern, and in particular, it is advantageous for large-area and mass production by applying the conventional nanoimprinting technique. However, this master has a discontinuous phase distribution and low resolution.

일 실시예에 따르면, 불연속적인 저분해능의 광축 회전 패턴 마스터 상에 비등방성 매질을 배향하여 저분해능(제1 분해능)의 불연속적인 기하학적 위상 회절광학소자를 제조하는 단계가 수행된다. 이와 관련하여, 저분해능의 불연속적인 기하학적 위상 회절광학소자의 예는 도 3에 도시된 바와 같다.According to an embodiment, manufacturing a low-resolution (first-resolution) discontinuous geometric phase diffraction optical device by orienting an anisotropic medium on a discontinuous low-resolution optical axis rotation pattern master is performed. In this regard, an example of a low-resolution discontinuous geometric phase diffraction optical element is shown in FIG. 3 .

도시된 실시예에서 비등방성 매질은 붉은색으로 표시되고, 소정 두께 및 방향으로 배향되어 있다. 예시적 실시예에 있어서, 비등방성 매질은 복굴절 물질로서 액정일 수 있고, 구체적으로는 반응성 메조겐(reactive mesogen; RM)일 수 있다. 반응성 메조겐은 메조겐성 분자의 말단에 광 또는 열에 반응하는 작용기를 갖는 물질, 즉 메조겐성 비닐 단량체를 지칭할 수 있으며, 구체적으로 적어도 하나의 메조겐기 및 이에 결합된 적어도 하나의 중합 가능한 관능기를 포함하는 분자를 의미할 수 있다. 반응성 메조겐은 특정 파장의 광(예를 들면, 자외선)이 조사될 경우에 중합 반응과 같은 화학적 반응이 일어남으로써 광학적 이방성을 고정할 수 있다. 따라서, 배향 후 자외선 경화 등이 수행될 수 있다. 예시적 실시예에 따르면, 반응성 메조겐은, 예를 들면 칼라미틱(calamitic) 메조겐, 디스코틱(discotic) 메조겐 등으로부터 선택되는 적어도 하나의 화합물일 수 있다.In the illustrated embodiment, the anisotropic medium is colored red and oriented in a given thickness and direction. In an exemplary embodiment, the anisotropic medium may be a liquid crystal as a birefringent material, and specifically may be a reactive mesogen (RM). Reactive mesogen may refer to a material having a functional group that responds to light or heat at the terminal of the mesogenic molecule, that is, a mesogenic vinyl monomer, and specifically includes at least one mesogenic group and at least one polymerizable functional group bonded thereto It can mean a molecule that When the reactive mesogen is irradiated with light of a specific wavelength (eg, ultraviolet light), a chemical reaction such as a polymerization reaction occurs, thereby fixing optical anisotropy. Therefore, ultraviolet curing or the like can be performed after orientation. According to an exemplary embodiment, the reactive mesogen may be, for example, at least one compound selected from calamitic mesogen, discotic mesogen, and the like.

이와 관련하여, 비등방성 매질이 광축으로부터 Φ만큼 회전됨에 따라 비등방성 매질을 통과한 광은 2Φ 만큼의 기하학적 위상 지연(geometricalphase delay)을 유도한다. 즉, 편광된 빛이 격자 방향으로 배열된 반응성 메조겐을 통과할 경우, 0°와 90° 방향 사이에 π 만큼의 위상 지연이 일어날 수 있다.In this regard, as the anisotropic medium is rotated by ? from the optical axis, light passing through the anisotropic medium induces a geometricalphase delay by 2?. That is, when the polarized light passes through the reactive mesogens arranged in the grating direction, a phase delay of π may occur between the 0° and 90° directions.

구체적으로 설명하면, 등방성 매질의 x축 및 y축면에 대하여 수직인 광이 입사되면 매질의 x축 및 y축 방향에 대한 굴절률 차이가 없기 때문에 일반적인 위상 지연만 일어나게 된다(동적 위상 지연) 반면, 비등방성 매질에 광이 입사되면 매질의 장축 방향과 단축 방향에 대하여 굴절률의 차이가 일어나고, 이러한 축이 회전된 정도에 따라 동적 위상과 관련한 항뿐만 아니라 기하학적 위상과 관련한 항 역시 발생하게 된다. 이때, 동적 위상에 관한 항이 π 값을 갖는 경우, 입사된 편광의 방향을 90° 만큼 전환시키는 반파장판(half-wave plate) 역할을 하게 된다. 반파장판의 Jones 매트릭스는 하기 수학식 1과 같이 표현된다.Specifically, when light perpendicular to the x-axis and y-axis planes of an isotropic medium is incident, only a general phase delay occurs because there is no difference in refractive index with respect to the x-axis and y-axis directions of the medium (dynamic phase delay). When light is incident on an isotropic medium, a difference in refractive index occurs with respect to the major axis direction and the minor axis direction of the medium, and a term related to a dynamic phase as well as a term related to a geometric phase occurs according to the degree of rotation of these axes. In this case, when the dynamic phase term has a π value, it serves as a half-wave plate that converts the direction of the incident polarized light by 90°. The Jones matrix of the half-wave plate is expressed as in Equation 1 below.

[수학식 1][Equation 1]

Figure pat00002
Figure pat00002

반파장판 기능을 수행하는 비등방성 매질의 장축 방향이 y축으로부터 Φ만큼 회전되어 있다면, 비등방성 매질의 특성(

Figure pat00003
)을 하기 수학식 4와 같이 수학식 3으로 표시되는 회전 매트릭스와 수학식 1로 표시되는 반파장판의 Jones 매트릭스의 곱으로 표현할 수 있기 때문에 매질을 통과한 광이 2Φ 만큼의 추가적인 위상 지연을 겪게 된다.If the long axis direction of the anisotropic medium performing the half-wave plate function is rotated by Φ from the y-axis, the characteristics of the anisotropic medium (
Figure pat00003
) can be expressed as the product of the rotation matrix represented by Equation 3 and the Jones matrix of the half-wave plate represented by Equation 1 as in Equation 4 below, so that the light passing through the medium experiences an additional phase delay of 2Φ. .

[수학식 2][Equation 2]

Figure pat00004
Figure pat00004

[수학식 3][Equation 3]

Figure pat00005
Figure pat00005

[수학식 4][Equation 4]

Figure pat00006
Figure pat00006

예시적 실시예에 따르면, 전술한 광축 회전 패턴 마스터에 비등방성 매질 또는 물질을 반파장판 두께가 되도록 도포하여 배향함으로써 하기 수학식 5에 따라 저분해능(제1 분해능)의 불연속적인 기하학적 위상 회절광학소자를 제조할 수 있다.According to an exemplary embodiment, a discontinuous geometric phase diffraction optical element of low resolution (first resolution) according to Equation 5 below by applying an anisotropic medium or material to the above-described optical axis rotation pattern master to have a thickness of half a wave plate and orienting it can be manufactured.

[수학식 4][Equation 4]

Figure pat00007
Figure pat00007

상기 식에서, δ는 위상지연이며, n0는 비등방성 매질의 장축 방향 굴절률, ne는 비등방성 매질의 단축 방향 굴절률, 그리고 d는 비등방성 매질의 물리적 두께이다.In the above formula, δ is the phase delay, n 0 is the refractive index in the long axis direction of the anisotropic medium, ne is the refractive index in the short axis direction of the anisotropic medium, and d is the physical thickness of the anisotropic medium.

예시적 실시예에 따르면, 비등방성 매질의 배향은 마이크로러빙 테크닉을 적용하여 수행될 수 있는 바, 도 3에 도시된 바와 같이 미세 홈 구조물(micro groove) 사이에 비등방성 매질(구체적으로 반응성 메조겐)이 위치할 때 미세 홈 구조물이 비등방성 매질에 가하는 물리적 힘에 의하여 비등방성 매질이 한 방향으로 정렬된다. 이후, 비등방성 매질이 반응성 메조겐인 경우, 도포 및 정렬 후에 광 중합(또는 가교)와 같은 화학적 반응이 수행될 수 있다. 예시적으로, 비등방성 매질의 광 중합 반응 중 조사되는 광(구체적으로, 자외선)의 파장은, 예를 들면 대략 300 내지 380 nm 범위에서 정하여질 수 있고, 또한 조사 광의 출력은 물질마다 상이하기는 하나, 예를 들면 수은등(예를 들면, 대략 20 mW)을 1분 내로 조사할 수 있다. 다만, 이러한 조사 조건은 예시적 취지로 이해될 수 있다.According to an exemplary embodiment, the orientation of the anisotropic medium can be performed by applying the microrubbing technique, and as shown in FIG. 3 , the anisotropic medium (specifically, reactive mesogen) is interposed between the microgroove structures. ), the anisotropic medium is aligned in one direction by the physical force applied by the microgroove structure to the anisotropic medium. Then, when the anisotropic medium is a reactive mesogen, a chemical reaction such as photopolymerization (or crosslinking) may be performed after application and alignment. Illustratively, the wavelength of light (specifically, ultraviolet light) irradiated during the photopolymerization reaction of an anisotropic medium may be set, for example, in the range of approximately 300 to 380 nm, and the output of the irradiated light is different for each material. One, for example, a mercury lamp (eg, approximately 20 mW) can be irradiated in less than one minute. However, these investigation conditions may be understood as illustrative.

일 예로서, 비등방성 매질, 구체적으로 반응성 메조겐의 장축 방향 및 단축 방향 각각의 굴절률이 각각 1.680 및 1.543이고, 투과하는 광의 파장이 532 nm라고 할 때, 수학식 5를 이용하여 반파장판으로 기능하기 위하여는 비등방성 매질의 두께(d)가 대략 194 ㎛일 수 있다.As an example, when the refractive index of the anisotropic medium, specifically, the long-axis direction and the short-axis direction of the reactive mesogen is 1.680 and 1.543, respectively, and the wavelength of the transmitted light is 532 nm, using Equation 5 to function as a half-wave plate In order to do this, the thickness d of the anisotropic medium may be approximately 194 μm.

일 실시예에 따르면, 상술한 바와 같이 제작된 불연속적인 저분해능(제1 분해능)의 기하학적 위상 회절광학소자를 마스크(위상 마스크)로 사용하고, 편광된 빔에 반응하는 광-정렬(photo-aligning) 물질이 코팅된 기판을 소정 높이(이격 거리)를 두고 배치한 후, 선형 평광된 빔을 입사시켜 노광하는 단계가 수행된다. 이때, 도 1에 도시된 바와 같이, 광-정렬 물질이 코팅된 기판의 경우, 비등방성 흡수능을 갖는 광감성 유기층이 기판 상에 코팅되어 있다. 예시적으로, 기판은 투과성 재질로 이루어질 수 있는 바, 예를 들면 UV 투과 글라스(Quartz, Sodalime), 투명한 플렉서블 기판(예를 들면, 박형 유리 또는 플라스틱 기판.) 등일 수 있다.According to an embodiment, the discontinuous low-resolution (first-resolution) geometric phase diffraction optical element manufactured as described above is used as a mask (phase mask), and photo-aligning responding to a polarized beam ) After arranging the substrate coated with the material at a predetermined height (separation distance), the step of exposing the substrate by inputting a linearly polarized beam is performed. In this case, as shown in FIG. 1 , in the case of a substrate coated with a photo-alignment material, a photosensitive organic layer having anisotropic absorption ability is coated on the substrate. Illustratively, the substrate may be made of a transparent material, for example, UV-transmissive glass (Quartz, Sodalime), a transparent flexible substrate (eg, thin glass or plastic substrate.), and the like.

예시적 실시예에 따르면, 광-정렬 물질은 당업계에서 알려진 재료, 예를 들면 아조-벤젠계 물질 등을 사용할 수 있다. 예시적인 광-정렬 물질은 하기 화학식 1로 표시될 수 있다.According to an exemplary embodiment, the photo-alignment material may use a material known in the art, for example, an azo-benzene-based material. An exemplary photo-alignment material may be represented by Formula 1 below.

[화학식 1][Formula 1]

Figure pat00008
Figure pat00008

상술한 광-정렬 물질은 상품명 Brilliant Yellow (Tokyo Chemical Industry), LIA-CO01(DIC corp) PAAD-22 (Beam co) 등으로 시판 중에 있다.The above-described light-aligning material is commercially available under trade names Brilliant Yellow (Tokyo Chemical Industry), LIA-CO01 (DIC corp) PAAD-22 (Beam co), and the like.

예시적 실시예에 있어서, 기판 상에 도포된 광-정렬층의 두께는 배향력 및 물질의 특성을 고려하여 정하여질 수 있는 바, 예를 들면 약 10 내지 500 nm 범위일 수 있다.In an exemplary embodiment, the thickness of the photo-alignment layer applied on the substrate may be determined in consideration of the orientation force and the properties of the material, for example, may be in the range of about 10 to 500 nm.

이외에도, 광-정렬 물질은 스프레이, 스핀 코팅, 스프레이 코팅, 딥 코팅 등과 같이 당업계에서 공지된 방식을 이용하여 코팅될 수 있다.In addition, the light-aligning material may be coated using methods known in the art, such as spray, spin coating, spray coating, dip coating, and the like.

도시된 실시예에 따르면, 앞서 제조된 불연속적인 저분해능의 기하학적 위상 회절광학소자에 선형 편광 빔을 조사하여 투과시키는 바, 그 결과 불연속적인 저분해능의 기하학적 위상 회절광학소자의 비등방성 매질의 정렬 방향이 편광 방향에 수직 또는 평행하도록 광-정렬 층에 새겨질 수 있다. 일 예로서, 반파장 조건 하에서 투과된 광이 광-정렬에 사용되며, 파장판의 정렬 방향이 광-정렬층의 표면에 전사될 수 있다. 즉, 선형 편광된 빔이 불연속적인 저분해능의 기하학적 위상 회절광학소자를 통과함에 따라 좌원 및 우원으로 편광된 빔이 간섭하게 되고, 이에 의하여 형성된 편광 패턴이 광-정렬층에 형성될 수 있는 것이다.According to the illustrated embodiment, the linearly polarized beam is irradiated and transmitted to the discontinuous low-resolution geometric phase diffraction optical element manufactured above, and as a result, the alignment direction of the anisotropic medium of the discontinuous low-resolution geometric phase diffraction optical element It can be inscribed in the light-aligning layer to be perpendicular or parallel to this polarization direction. As an example, light transmitted under a half-wavelength condition is used for photo-alignment, and the alignment direction of the wave plate may be transferred to the surface of the light-alignment layer. That is, as the linearly polarized beam passes through the discontinuous low-resolution geometric phase diffraction optical element, the left-circle and right-circle polarized beams interfere, and the polarization pattern formed thereby can be formed in the light-alignment layer.

예시적 실시예에 따르면, 선형 편광된 빔은 레이저 빔일 수 있는 바, 파장은, 예를 들면 약 300 내지 380 nm, 구체적으로 약 320 내지 370 nm 범위일 수 있다, 예시적으로, Nd:YAG 레이저, 또는 밴드 패스 필터를 사용하는 수은등일 수 있다. 또한, 선형 편광된 빔의 세기는 광-정렬층의 물질의 필요 에너지에 따라 출력 파워 및 조사 시간을 조절할 수 있다.According to an exemplary embodiment, the linearly polarized beam may be a laser beam, the wavelength may be, for example, in the range of about 300 to 380 nm, specifically about 320 to 370 nm, for example, an Nd:YAG laser , or a mercury lamp using a band pass filter. In addition, the intensity of the linearly polarized beam may adjust the output power and the irradiation time according to the required energy of the material of the light-aligning layer.

도시된 실시예에 있어서, 불연속적인 저분해능의 기하학적 위상 회절광학소자와 소정 이격 거리(또는 높이)를 두고 광-정렬층에 새겨진 편광 패턴은 연속적이고 광축 회전 각도의 2배만큼의 위상 지연이 나타나는 기하학적 특성으로 인하여 주기가 1/2로 축소 복사된다. 그 결과, 광-정렬 층에 축소된 패턴 주기, 구체적으로 1/2 주기 편광 패턴이 새겨지고, 이때 새겨진 패턴은 연속적이고 제1 분해능에 비하여 개선된 분해능(제2 분해능)을 나타낼 수 있다. 이와 같이 선형 편광 빔에 의하여 특정 패턴이 새겨진 광-정렬된 기판은 연속적인 광축 회전 패턴 마스터로 사용할 수 있다.In the illustrated embodiment, the polarization pattern engraved on the light-alignment layer with a predetermined separation distance (or height) from the discontinuous low-resolution geometric phase diffraction optical element is continuous and a phase delay of twice the optical axis rotation angle appears. Due to its geometrical nature, the period is reduced by 1/2. As a result, a reduced pattern period, specifically, a half period polarization pattern is engraved on the light-aligning layer, wherein the engraved pattern is continuous and may exhibit improved resolution (second resolution) compared to the first resolution. As such, the light-aligned substrate engraved with a specific pattern by the linearly polarized beam can be used as a continuous optical axis rotation pattern master.

이후, 제2 분해능을 갖는 연속적인 광축 회전 패턴 마스터에 비등방성 매질을 반파장판 두께가 되도록 도포하는 단계가 수행되며, 그 결과 고분해능(제2 분해능)의 연속적인 위상 분포를 갖는 기하학적 위상 회절광학소자를 제조할 수 있게 된다. 또한, 사용되는 비등방성 매질은 앞서 나열된 종류에서 선정될 수 있으며, 이때 제1 분해능의 불연속적인 기하학적 위상 회절광학소자의 제조에 사용된 비등방성 매질과 동일하거나 상이할 수 있다. 또한, 패턴화된 광-정렬 층 상에 형성되는 비등방성 매질의 두께는 복굴절률을 고려하여 반파장판으로 기능하는 높이로 정하여질 수 있고, 후속적으로 광 중합(또는 가교) 반응이 수행될 수 있다.After that, the step of applying an anisotropic medium to the continuous optical axis rotation pattern master having a second resolution to have a thickness of a half-wave plate is performed, as a result, a geometric phase diffraction optical element having a continuous phase distribution of high resolution (second resolution) can be manufactured. In addition, the anisotropic medium used may be selected from the types listed above, and in this case, it may be the same as or different from the anisotropic medium used for manufacturing the discontinuous geometric phase diffraction optical element of the first resolution. In addition, the thickness of the anisotropic medium formed on the patterned light-aligning layer can be set to a height that functions as a half-wave plate in consideration of the birefringence, and a photopolymerization (or crosslinking) reaction can be subsequently performed. have.

예시적 실시예에 따르면, 제2 분해능의 연속적인 기하학적 위상 회절광학소자는 그 자체로 원하는 용도에 적용될 수도 있고, 택일적으로 이를 마스크로 사용하여 추가적인 광-정렬 프로세스를 수행함으로써 보다 개선된 분해능을 가지면서 연속적인 기하학적 위상 회절광학소자를 제조할 수도 있다. 구체적으로, 제2 분해능의 연속적인 기하학적 위상 회절광학소자를 마스크로 사용하고, 이에 선형 편광된 빔을 입사시켜 1/2 주기 편광 패턴을 광-정렬 물질이 도포된 기판에 새김으로써 제3 분해능(제2 분해능에 비하여 개선된 분해능)의 연속적인 광축 회전 패턴 마스터를 제조할 수 있다. 후속적으로, 비등방성 매질을 도포하여 제3 분해능의 연속적인 기하학적 위상 회절광학소자를 제조할 수 있다.According to an exemplary embodiment, the continuous geometric phase diffraction optical element of the second resolution may be applied to a desired application by itself, or alternatively, a more improved resolution may be obtained by performing an additional photo-alignment process using it as a mask. It is also possible to manufacture a continuous geometric phase diffraction optical element with Specifically, the third resolution ( It is possible to manufacture a continuous optical axis rotation pattern master with improved resolution compared to the second resolution). Subsequently, a continuous geometric phase diffraction optical device having a third resolution may be manufactured by applying an anisotropic medium.

더 나아가, 제3 분해능의 연속적인 기하학적 위상 회절광학소자를 마스크로 사용하여 전술한 광-정렬 물질에 1/2 주기 편광 패턴을 새기는 단계 및 비등방성 매질을 도포하는 단계를 n회 반복할 수 있는 바, n-1회에 비하여 n회에서 제조된 연속적인 기하학적 위상 회절광학소자의 분해능은 증가하게 된다. 이때, n은 예를 들면 목표하는 위상의 분포에 따라 횟수가 정해지며, 광-정렬 물질 및 비등방성 물질의 제한에 따라 구현할 수 있는 주기가 제한된다. Furthermore, using a continuous geometric phase diffraction optical element of third resolution as a mask, the steps of engraving a half-period polarization pattern on the above-described photo-alignment material and applying an anisotropic medium can be repeated n times. Bar, the resolution of the continuous geometric phase diffraction optical element manufactured in n times is increased compared to n-1 times. In this case, the number of n is determined according to, for example, distribution of a target phase, and a period that can be implemented is limited according to restrictions of the photo-alignment material and the anisotropic material.

한편, 본 실시예에 있어서, 마스크(위상 마스크)로 사용되는 불연속적인 저분해능의 기하학적 위상 회절광학소자(또는 고분해능의 연속적인 기하학적 위상 회절광학소자)는 편광 간섭 효과가 잘 발생할 수 있는 가간섭 거리 내에서 불연속적인 간섭 무늬가 연속적인 간섭 무늬로 형성되는 특정 거리만큼 광-정렬층이 형성된 기판에 이격되는 것이 요구될 수 있다.On the other hand, in this embodiment, the discontinuous low-resolution geometric phase diffraction optical element (or high-resolution continuous geometric phase diffractive optical element) used as a mask (phase mask) has a coherence distance at which the polarization interference effect can occur well. It may be required to be spaced apart from the substrate on which the light-aligning layer is formed by a certain distance in which the discontinuous interference fringes are formed as continuous interference fringes.

이와 관련하여, 이격 거리는 광원의 가간섭 거리와 프라운호퍼 회절과 관련한 원리를 이용하여 정하여질 수 있다.In this regard, the separation distance may be determined using the principle related to the coherence distance of the light source and the Fraunhofer diffraction.

편광 간섭은 광원의 가간섭 내에서 발생하므로 이격 거리는 가간섭 거리 내에 있어야 하는데, 이격 거리가 작을수록 간섭성이 높아지기 때문에 뚜렷한 형태 간섭 무늬가 형성된다. 그러나, 이격 거리가 작을 경우에는 불연속적인 저분해능의 기하학적 위상 회절광학소자를 통과하고 발생하는 편광 간섭이 불연속적으로 형성된다. 따라서, 연속적인 편광 간섭무늬가 되기 위하여는 적절한 회절 전파 거리가 요구된다. 만일, 이격 거리가 적당한 회절 전파 거리보다 짧은 경우에는 불연속 편광 간섭 무늬가 발생하는 반면, 이격 거리가 적당한 회절 전파 거리보다 긴 경우에는 간섭성이 작아지며 지나치게 길어지는 회절 전파에 의하여 간섭 무늬의 신호 대 잡음비가 낮아진다. 이처럼, 원하는 뚜렷한 편광 간섭을 확보하기 위하여 적절한 이격 거리 선택이 필요하다.Since polarization interference occurs within the coherence of the light source, the separation distance must be within the coherence distance. The smaller the separation distance, the higher the coherence. However, when the separation distance is small, the polarization interference generated by passing through the discontinuous low-resolution geometric phase diffraction optical element is discontinuously formed. Therefore, in order to become a continuous polarization interference fringe, an appropriate diffraction propagation distance is required. If the separation distance is shorter than the proper diffraction propagation distance, a discontinuous polarization interference fringe is generated, whereas if the separation distance is longer than the proper diffraction propagation distance, the coherence becomes small and the signal of the interference fringe is reduced due to the excessively long diffraction propagation distance. noise ratio is lowered. As such, it is necessary to select an appropriate separation distance in order to secure a desired distinct polarization interference.

이와 관련하여, 연속적인 위상에 적합한 이격 거리 지점은 하기 수학식 6에 나타낸 바와 같이 파원으로부터 충분이 멀어 구면파의 곡률이 평면파로 해석될 수 있는 프라운호퍼 회절 식을 응용하여 표현할 수 있다.In this regard, a separation distance point suitable for a continuous phase can be expressed by applying the Fraunhofer diffraction equation in which the curvature of a spherical wave can be interpreted as a plane wave because it is sufficiently far from the wave source as shown in Equation 6 below.

[수학식 6][Equation 6]

Figure pat00009
Figure pat00009

상기 식에서, Z는 이격 거리, λ는 조사하는 UV 광의 중심 파장, Λ는 주기(도 4 참고), N은 한 주기에 포함되어 있는 회절 격자의 수, 그리고 A는 상수 값이다.In the above formula, Z is the separation distance, λ is the center wavelength of the irradiated UV light, Λ is a period (refer to FIG. 4), N is the number of diffraction gratings included in one period, and A is a constant value.

특히, 수학식 6에 있어서, A가 전형적으로 약 100(90 이상이고 110 이하)에서 불연속적인 위상 면이 연속적인 위상을 형성하게 된다. 다만, 광학계의 광 정렬 정도에 따라 A는 약간의 변화가 있을 수 있다. In particular, in Equation (6), a discontinuous phase plane forms a continuous phase at A is typically about 100 (more than 90 and less than or equal to 110). However, depending on the degree of light alignment of the optical system, A may have a slight change.

도 6은 연속적인 편광 간섭 무늬를 얻기 위한 이격 거리에 대한 전산모사 결과를 나타낸다. 6 shows the computational simulation results for the separation distance for obtaining a continuous polarization interference fringe.

Virtual Lab을 이용하여 수학식 6에 있어서 λ = 313nm이고, Λ = 20 μm이고, N = 4 또는 8인 경우에 대해 A 값을 달리하면서 편광 간섭 무늬를 얻었다.In Equation 6 using Virtual Lab, polarization interference fringes were obtained while varying A values for λ = 313 nm, Λ = 20 μm, and N = 4 or 8.

A = 0인 경우, 이격거리가 0이며, 불연속적인 편광 간섭 무늬가 생성되었다.When A = 0, the separation distance is 0, and a discontinuous polarization interference fringe is generated.

A = 50인 경우, A = 0인 경우에 비해 편광 간섭 무늬가 연속적으로 변하지만 불연속적인 부분이 여전히 남아 있다.In the case of A = 50, compared with the case of A = 0, the polarization interference fringes change continuously, but a discontinuous portion still remains.

A = 100인 경우, 연속적인 편광 간섭 무늬가 생성되었다.When A = 100, a continuous polarization interference fringe was generated.

A = 150인 경우, A = 100인 경우와 마찬가지로, 연속적인 편광 간섭 무늬가 생성되었다. 하지만, 신호 대 잡음비 측면에서, A = 100인 경우가 더 높은 편광 간섭 무늬의 신호 대 잡음비를 얻을 수 있다. When A = 150, as in the case of A = 100, a continuous polarization interference fringe was generated. However, in terms of the signal-to-noise ratio, when A = 100, a higher signal-to-noise ratio of a polarized interference fringe can be obtained.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서의 실시예들을 상세하게 설명하였으나, 본 명세서는 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 그 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 명세서에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 통상의 기술자에 의해 기술적으로 다양하게 연동 및 구동될 수 있으며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시되거나 연관 관계로 함께 실시될 수도 있다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the embodiments of the present specification have been described in detail with reference to the accompanying drawings, the present specification is not necessarily limited to these embodiments, and various modifications may be made without departing from the technical spirit thereof. Therefore, the embodiments disclosed in the present specification are for explanation rather than limiting the technical spirit of the present invention, and the scope of the technical spirit of the present invention is not limited by these embodiments. Each feature of the various embodiments of the present invention may be partially or wholly combined or combined with each other, and may be technically variously linked and driven by those skilled in the art, and each embodiment may be implemented independently with respect to each other or related to each other may be carried out together. The protection scope of the present invention should be construed by the following claims, and all technical ideas within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the scope of the present invention.

Claims (5)

a) 회절 격자 배열에 의하여 형성된 불연속적인 저분해능의 광축 회전 패턴 마스터를 제조하는 단계;
b) 상기 저분해능의 불연속적인 광축 회전 패턴 마스터에 비등방성 매질을 배향하여 제1 분해능의 불연속적인 기하학적 위상 회절광학소자를 제조하는 단계;
c) 제1 광-정렬 물질이 도포된 기판 상에 소정의 이격 거리를 두고 배치된 상기 제1 분해능의 불연속적인 기하학적 위상 회절광학소자를 마스크로 사용하여, 이에 선형 편광된 빔을 입사시켜 주기가 1/2로 축소된 편광 패턴을 상기 제1 광-정렬 물질에 새김으로써 제2 분해능의 연속적인 광축 회전 패턴 마스터를 제조하는 단계; 및
d) 상기 제2 분해능의 연속적인 광축 회전 패턴 마스터에 비등방성 매질을 도포하여 제2 분해능의 연속적인 기하학적 위상 회절광학소자를 제조하는 단계;를 포함하며,
상기 제2 분해능은 상기 제1 분해능에 비하여 증가된 값을 가지는,
불연속적인 기하학적 위상 회절광학소자로부터 연속적인 기하학적 위상 회절광학소자를 제조하는 방법.
a) manufacturing a discontinuous low-resolution optical axis rotation pattern master formed by a diffraction grating arrangement;
b) manufacturing a discontinuous geometric phase diffraction optical element of a first resolution by orienting an anisotropic medium to the low-resolution discontinuous optical axis rotation pattern master;
c) using the discontinuous geometric phase diffraction optical element of the first resolution disposed at a predetermined distance on the substrate coated with the first photo-alignment material as a mask, and the period by injecting a linearly polarized beam thereto manufacturing a continuous optical axis rotation pattern master of a second resolution by engraving a polarization pattern reduced in half into the first light-aligning material; and
d) applying an anisotropic medium to the continuous optical axis rotation pattern master of the second resolution to manufacture a continuous geometric phase diffraction optical element of the second resolution;
The second resolution has an increased value compared to the first resolution,
A method of manufacturing a continuous geometric phase diffractive optical element from a discontinuous geometric phase diffractive optical element.
제1항에 있어서,
상기 b) 단계 및 상기 d) 단계에서, 상기 비등방성 매질은 반파장판 두께가 되도록 도포되는, 불연속적인 기하학적 위상 회절광학소자로부터 연속적인 기하학적 위상 회절광학소자를 제조하는 방법.
According to claim 1,
A method for manufacturing a continuous geometric phase diffractive optical element from a discontinuous geometric phase diffractive optical element, wherein in the b) and d) steps, the anisotropic medium is applied to have a thickness of half a wave plate.
제1항에 있어서,
상기 c) 단계에서, 상기 제1 분해능의 불연속적인 기하학적 위상 회절광학소자와 상기 제1 광-정렬 물질이 도포된 기판 사이의 이격 거리는 수학식
Figure pat00010

(Z는 이격 거리, λ는 조사하는 UV 광의 중심 파장, Λ는 광축 회전 패턴 마스터의 패턴 주기, N은 한 주기에 포함되어 있는 회절 격자의 수, 그리고 A는 90 이상이고 110 이하)에 의해 결정 되는,
불연속적인 기하학적 위상 회절광학소자로부터 연속적인 기하학적 위상 회절광학소자를 제조하는 방법.
According to claim 1,
In step c), the separation distance between the discontinuous geometric phase diffraction optical element of the first resolution and the substrate on which the first light-aligning material is applied is the formula
Figure pat00010

(Z is the separation distance, λ is the center wavelength of the irradiated UV light, Λ is the pattern period of the optical axis rotation pattern master, N is the number of diffraction gratings included in one period, and A is 90 or more and 110 or less) felled,
A method of manufacturing a continuous geometric phase diffractive optical element from a discontinuous geometric phase diffractive optical element.
제1항에 있어서, 상기 비등방성 매질은 반응성 메조겐을 포함하는,
불연속적인 기하학적 위상 회절광학소자로부터 연속적인 기하학적 위상 회절광학소자를 제조하는 방법.
The method of claim 1 , wherein the anisotropic medium comprises reactive mesogen.
A method of manufacturing a continuous geometric phase diffractive optical element from a discontinuous geometric phase diffractive optical element.
제1항에 있어서,
e) 상기 제2 광-정렬 물질이 도포된 기판 상에 소정의 이격 거리를 두고 배치된 상기 제2 분해능의 연속적인 기하학적 위상 회절광학소자를 마스크로 사용하여, 이에 선형 편광된 빔을 입사시켜 주기가 1/2로 축소된 편광 패턴을 상기 제2 광-정렬 물질에 새김으로써 제3 분해능의 연속적인 광축 회전 패턴 마스터를 제조하는 단계; 및
f) 상기 제3 분해능의 연속적인 광축 회전 패턴 마스터에 비등방성 매질을 도포하여 제3 분해능의 연속적인 기하학적 위상 회절광학소자를 제조하는 단계;를 더 포함하며,
상기 제3 분해능은 상기 제2 분해능에 비하여 증가된 값을 가지는,
불연속적인 기하학적 위상 회절광학소자로부터 연속적인 기하학적 위상 회절광학소자를 제조하는 방법.

According to claim 1,
e) using, as a mask, the continuous geometric phase diffraction optical element of the second resolution disposed at a predetermined distance on the substrate coated with the second light-aligning material, and injecting the linearly polarized beam thereto manufacturing a continuous optical axis rotation pattern master of a third resolution by engraving a polarization pattern reduced by ½ to the second light-aligning material; and
f) applying an anisotropic medium to the continuous optical axis rotation pattern master of the third resolution to manufacture a continuous geometric phase diffraction optical element of the third resolution; further comprising,
The third resolution has an increased value compared to the second resolution,
A method of manufacturing a continuous geometric phase diffractive optical element from a discontinuous geometric phase diffractive optical element.

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