KR20220095709A - OLED display device and method for manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

According to one aspect of the present invention, provided is a method for manufacturing an OLED display device, comprising the steps of: preparing a substrate on which thin film transistors and anode electrodes, respectively, corresponding to R, G, and B sub-pixels to be formed are formed; aligning a fine mask for a common layer having patterns, respectively, corresponding to the R, G, and B sub-pixels, and the substrate, and depositing a hole organic layer for each sub-pixel; aligning a fine mask for an R light-emitting layer having a pattern corresponding to the R sub-pixel and the substrate and depositing the R light-emitting layer; aligning a fine mask for a G light-emitting layer having a pattern corresponding to the G sub-pixel and the substrate and depositing the G light-emitting layer; aligning a fine mask for a B light-emitting layer having a pattern corresponding to the B sub-pixel and the substrate and depositing the B light-emitting layer; aligning the substrate and the fine mask for a common layer having patterns, respectively, corresponding to the R, G, and B sub-pixels and depositing an electron organic layer for each sub-pixel; and forming a cathode electrode layer on the substrate. According to the present invention, it is possible to prevent the propagation of pixel defects caused by defects in a cathode layer.

Description

OLED 디스플레이 소자 및 OLED 디스플레이 소자 제조 방법{OLED display device and method for manufacturing the same}An OLED display device and an OLED display device manufacturing method {OLED display device and method for manufacturing the same}

본 발명은 OLED 디스플레이 소자 및 OLED 디스플레이 소자 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to an OLED display device and a method for manufacturing an OLED display device.

유기 전계 발광소자(Organic Luminescence Emitting Device: OLED)는 형광성 유기화합물에 전류가 흐르면 빛을 내는 전계 발광현상을 이용하는 스스로 빛을 내는 자발광소자로서, 비발광소자에 빛을 가하기 위한 백라이트가 필요하지 않기 때문에 경량이고 박형의 평판표시장치를 제조할 수 있다. Organic Luminescence Emitting Device (OLED) is a self-luminous device that emits light by itself using the electroluminescence phenomenon that emits light when a current flows through a fluorescent organic compound. Therefore, it is possible to manufacture a light-weight and thin flat panel display.

이러한 유기 전계 발광소자를 이용한 평판표시장치는 응답속도가 빠르며, 시야각이 넓어 차세대 표시장치로서 대두되고 있다.A flat panel display using such an organic light emitting device has a fast response speed and a wide viewing angle, and thus is emerging as a next-generation display device.

유기 전계 발광 소자는, 애노드 전극 및 캐소드 전극을 제외한 나머지 유기물층인 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 및 전자 주입층 등이 유기 박막으로 되어 있고, 이러한 유기 박막은 진공열증착방법으로 기판 상에 증착하게 된다.In the organic electroluminescent device, the hole injection layer, the hole transport layer, the light emitting layer, the electron transport layer, and the electron injection layer, which are the remaining organic material layers except for the anode electrode and the cathode electrode, are made of an organic thin film, and such an organic thin film is formed on a substrate by a vacuum thermal deposition method. will be deposited on

진공열증착방법은 진공의 챔버 내에 기판을 배치하고, 일정 패턴이 형성된 마스크(mask)를 기판에 정렬시킨 후, 증발원의 도가니를 가열하여 도가니에서 증발되는 증착입자를 기판 상에 증착하는 방식으로 이루어진다.The vacuum thermal deposition method consists of placing a substrate in a vacuum chamber, aligning a mask on which a predetermined pattern is formed on the substrate, and then heating the crucible of the evaporation source to deposit the deposited particles evaporated from the crucible on the substrate. .

정공 주입층, 정공 수송층의 정공 공통층과, 전자 수송층 및 전자 주입층 등의 전자 공통층 등의 공통층은 전면이 오픈된 오픈 메탈 마스크(Open Metal Mask, OMM)를 이용하여 유기물의 증착을 수행하고, 발광층은 R, G, B 서브 픽셀 별 파인 메탈 마스크(Fine Metal Mask, FMM)이용하여 유기물의 증착을 수행하게 되는데, 이에 따라 공통층은 화소 별로 서로 분리되지 않고 기판에 전면적으로 증착되고 발광층은 서브 픽셀 별로 서로 분리되어 증착된다. The common layers, such as the hole injection layer and the hole common layer of the hole transport layer, and the electron common layer such as the electron transport layer and the electron injection layer, use an open metal mask (OMM) to deposit organic materials. The light emitting layer is deposited over the entire surface of the substrate without being separated from each other for each pixel and the light emitting layer is deposited using a fine metal mask (FMM) for each R, G, and B sub-pixel. Silver is deposited separately for each sub-pixel.

이와 같이 공통층이 서로 분리되지 않고 전면적으로 서로 연결되어 있는 경우, 캐소드층의 보조 전극과의 전기적 연결을 위해 공통층의 식각 공정이 필요하고, 사용 시 캐소드층의 불량에 따른 화소 불량의 전파를 야기할 우려가 있다.In this way, when the common layer is not separated from each other but is connected to each other all over, an etching process of the common layer is required for electrical connection with the auxiliary electrode of the cathode layer, and when used, the propagation of pixel defects due to the defect of the cathode layer is prevented. There is a risk of causing

대한민국 등록특허공보 제10-2067968호 (2020.01.20 공고)Republic of Korea Patent Publication No. 10-2067968 (Announcement on 2020.01.20)

본 발명은, 발광층으로 전공 또는 전자를 제공하는 공통층을 서브 픽셀 별로 서로 분리되도록 증착하여 공통층의 식각 공정의 생략과 캐소드층의 불량에 따른 화소 불량의 전파를 방지할 수 있는, OLED 디스플레이 소자 및 OLED 디스플레이 소자 제조 방법을 제공하는 것이다.The present invention is an OLED display device that can prevent the propagation of pixel defects due to the omission of the etching process of the common layer and the defect of the cathode layer by depositing a common layer that provides holes or electrons as a light emitting layer so as to be separated from each other for each sub-pixel. And to provide a method for manufacturing an OLED display device.

본 발명의 일 측면에 따르면, 박막 트랜지스터 및 형성하고자 하는 R, G, B 서브 픽셀에 각각 대응되는 애노드 전극이 형성된 기판을 준비하는 단계와; 상기 R, G, B 서브 픽셀 각각에 대응하는 패턴이 형성된 공통층용 파인 마스크(fine mask)와 상기 기판을 얼라인하고, 상기 서브 픽셀 별로 정공 유기층을 증착하는 단계와; 상기 R 서브 픽셀에 대응하는 패턴이 형성된 R 발광층용 파인 마스크와 상기 기판을 얼라인하고, R 발광층을 증착하는 단계와; 상기 G 서브 픽셀에 대응하는 패턴이 형성된 G 발광층용 파인 마스크와 상기 기판을 얼라인하고, G 발광층을 증착하는 단계와; 상기 B 서브 픽셀에 대응하는 패턴이 형성된 B 발광층용 파인 마스크와 상기 기판을 얼라인하고, B 발광층을 증착하는 단계와; 상기 R, G, B 서브 픽셀 각각에 대응하는 패턴이 형성된 공통층용 파인 마스크와 상기 기판을 얼라인하고, 상기 서브 픽셀 별로 전자 유기층을 증착하는 단계와; 상기 기판에 캐소드 전극층을 형성하는 단계를 포함하는, OLED 디스플레이 소자 제조 방법이 제공된다.According to one aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a thin film transistor comprising: preparing a substrate on which a thin film transistor and an anode electrode corresponding to each of R, G, and B sub-pixels to be formed are formed; aligning the substrate with a fine mask for a common layer having a pattern corresponding to each of the R, G, and B sub-pixels, and depositing a hole organic layer for each of the sub-pixels; aligning the substrate with a fine mask for an R emission layer having a pattern corresponding to the R sub-pixels formed thereon, and depositing an R emission layer; aligning the substrate with a fine mask for a G emission layer having a pattern corresponding to the G sub-pixel formed thereon, and depositing a G emission layer; aligning the substrate with a fine mask for the B light emitting layer having a pattern corresponding to the B sub-pixel formed thereon, and depositing the B light emitting layer; aligning the substrate with a fine mask for a common layer having a pattern corresponding to each of the R, G, and B sub-pixels, and depositing an electron organic layer for each of the sub-pixels; A method for manufacturing an OLED display device is provided, comprising forming a cathode electrode layer on the substrate.

상기 기판에는, 상기 애노드 전극 사이에 보조 전극이 형성될 수 있으며, 이 경우, 상기 캐소드 전극층을 형성하는 단계에서 상기 캐소드 전극층을 형성함에 따라, 상기 보조 전극과 상기 캐소드 전극층이 연결될 수 있다.An auxiliary electrode may be formed on the substrate between the anode electrodes. In this case, as the cathode electrode layer is formed in the step of forming the cathode electrode layer, the auxiliary electrode and the cathode electrode layer may be connected.

상기 애노드 전극층은 투명 전도성 산화막(Indium Tin Oxide: ITO)의 투명 전극이고, 상기 캐소드 전극층은 박막의 금속 전극 또는 전도성 산화막일 수 있다.The anode electrode layer may be a transparent conductive indium tin oxide (ITO) transparent electrode, and the cathode electrode layer may be a thin metal electrode or a conductive oxide film.

상기 기판은, 상기 애노드 전극 사이에 형성되는 보조 전극과; 상기 보조 전극의 양단부에 상기 애노드 전극의 가장 자리와 상기 보조 전극의 가장 자리를 덮는 뱅크(bank)를 더 포함할 수 있다.The substrate may include: an auxiliary electrode formed between the anode electrodes; A bank may further include an edge of the anode electrode and a bank covering the edge of the auxiliary electrode at both ends of the auxiliary electrode.

상기 R, G, B 서브 픽셀 각각은 상기 뱅크 사이의 상기 애노드 전극에 형성될 수 있다.Each of the R, G, and B sub-pixels may be formed on the anode electrode between the banks.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 박막 트랜지스터 및 R, G, B 서브 픽셀에 각각 대응되는 애노드 전극을 포함하는 애노드 전극층이 형성된 기판과; 상기 R 서브 픽셀에 대응되는 애노드 전극 상에 순차적으로 적층되는 정공 유기층, R 발광층, 전자 유기층을 포함하는 R 서브 픽셀과; 상기 R 서브 픽셀과 이격되며, 상기 G 서브 픽셀에 대응되는 애노드 전극 상에 순차적으로 적층되는 정공 유기층, G 발광층, 전자 유기층을 포함하는 G 서브 픽셀과; 상기 R 서브 픽셀, 상기 G 서브 픽셀과 이격되며, 상기 B 서브 픽셀에 대응되는 애노드 전극 상에 순차적으로 적층되는 정공 유기층, B 발광층, 전자 유기층을 포함하는 B 서브 픽셀과; 상기 R 서브 픽셀, 상기 G 서브 픽셀, 상기 B 서브 픽셀 상부에 형성되는 캐소드 전극층을 포함하는, OLED 디스플레이 소자가 제공된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a substrate comprising: a substrate on which an anode electrode layer including a thin film transistor and an anode electrode corresponding to each of the R, G, and B sub-pixels is formed; an R sub-pixel including a hole organic layer, an R emission layer, and an electron organic layer sequentially stacked on an anode electrode corresponding to the R sub-pixel; a G sub-pixel spaced apart from the R sub-pixel and including a hole organic layer, a G emission layer, and an electron organic layer sequentially stacked on an anode electrode corresponding to the G sub-pixel; a B sub-pixel spaced apart from the R sub-pixel and the G sub-pixel and including a hole organic layer, a B emission layer, and an electron organic layer sequentially stacked on an anode electrode corresponding to the B sub-pixel; and a cathode electrode layer formed on the R sub-pixel, the G sub-pixel, and the B sub-pixel.

상기 R 서브 픽셀, G 서브 픽셀 및 B 서브 픽셀 각각의 상기 정공 유기층과 상기 전자 유기층은, 상기 R, G, B 서브 픽셀 각각에 대응하는 패턴이 형성된 공통층용 파인 마스크(Fine mask)을 이용하여 증착되고, 상기 R 서브 픽셀, G 서브 픽셀 및 B 서브 픽셀 각각의 상기 발광층은, 상기 R, G, B 서브 픽셀 중 어느 하나에 대응하는 패턴이 형성된 발광층용 파인 마스크(Fine mask)을 이용하여 증착될 수 있다.The hole organic layer and the electron organic layer of each of the R sub-pixel, G sub-pixel, and B sub-pixel are deposited using a fine mask for a common layer in which a pattern corresponding to each of the R, G, and B sub-pixels is formed. The light emitting layer of each of the R sub-pixel, G sub-pixel, and B sub-pixel may be deposited using a fine mask for the light emitting layer in which a pattern corresponding to any one of the R, G, and B sub-pixels is formed. can

상기 기판에는, 상기 애노드 전극 사이에 보조 전극이 형성되며, 이 경우, 상기 캐소드 전극층을 형성함에 따라, 상기 R 서브 픽셀, 상기 G 서브 픽셀, 상기 B 서브 픽셀 사이의 상기 보조 전극과 상기 캐소드 전극층이 연결될 수 있다.An auxiliary electrode is formed between the anode electrodes on the substrate, and in this case, as the cathode electrode layer is formed, the auxiliary electrode and the cathode electrode layer between the R sub-pixel, the G sub-pixel, and the B sub-pixel can be connected

상기 애노드 전극층은 투명 전도성 산화막(Indium Tin Oxide: ITO)의 투명 전극이고, 상기 캐소드 전극층은 박막의 금속 전극 또는 전도성 산화막일 수 있다.The anode electrode layer may be a transparent conductive indium tin oxide (ITO) transparent electrode, and the cathode electrode layer may be a thin metal electrode or a conductive oxide film.

상기 기판은, 상기 애노드 전극 사이에 형성되는 보조 전극과; 상기 보조 전극의 양단부에 상기 애노드 전극의 가장 자리와 상기 보조 전극의 가장 자리를 덮는 뱅크(bank)를 더 포함할 수 있다.The substrate may include: an auxiliary electrode formed between the anode electrodes; A bank may further include an edge of the anode electrode and a bank covering the edge of the auxiliary electrode at both ends of the auxiliary electrode.

상기 R 서브 픽셀, 상기 G 서브 픽셀 및 상기 B 서브 픽셀 각각은 상기 뱅크 사이의 상기 애노드 전극에 형성될 수 있다.Each of the R sub-pixel, the G sub-pixel, and the B sub-pixel may be formed on the anode electrode between the banks.

본 발명의 실시예에 따르면, 발광층으로 전공 또는 전자를 제공하는 공통층을 서브 픽셀 별로 서로 분리되도록 증착하여 공통층의 식각 공정의 생략과 캐소드층의 불량에 따른 화소 불량의 전파를 방지할 수 있다. According to the embodiment of the present invention, the common layer providing holes or electrons as the light emitting layer is deposited to be separated from each other for each sub-pixel, thereby preventing the omission of the etching process of the common layer and the propagation of pixel defects due to defects in the cathode layer. .

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 OLED 디스플레이 소자 제조 방법의 순서도.
도 2 내지 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 OLED 디스플레이 소자 제조 방법의 흐름도.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 OLED 디스플레이 소자 제조 방법의 기판을 도시한 도면.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 OLED 디스플레이 소자 제조 방법의 공통층용 파인 마스크를 도시한 도면.
도 11 내지 도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 OLED 디스플레이 소자 제조 방법의 발광층 형성 방법을 설명하기 위한 도면.
도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 OLED 디스플레이 소자를 간략히 나타낸 도면.1 is a flowchart of a method of manufacturing an OLED display device according to an embodiment of the present invention.
2 to 8 are flowcharts of a method of manufacturing an OLED display device according to an embodiment of the present invention.
9 is a view showing a substrate of a method for manufacturing an OLED display device according to an embodiment of the present invention.
10 is a view illustrating a fine mask for a common layer in a method of manufacturing an OLED display device according to an embodiment of the present invention.
11 to 13 are views for explaining a method of forming a light emitting layer in a method of manufacturing an OLED display device according to an embodiment of the present invention.
14 is a diagram schematically illustrating an OLED display device according to another embodiment of the present invention.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.Since the present invention can apply various transformations and can have various embodiments, specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description. However, this is not intended to limit the present invention to specific embodiments, and should be understood to include all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. In describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known technology may obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.Terms such as first, second, etc. may be used to describe various elements, but the elements should not be limited by the terms. The above terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.

이하, 본 발명에 따른 OLED 디스플레이 소자 및 OLED 디스플레이 소자 제조 방법의 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, an embodiment of an OLED display device and an OLED display device manufacturing method according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, and in the description with reference to the accompanying drawings, the same or corresponding components are denoted by the same reference numbers. and a redundant description thereof will be omitted.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 OLED 디스플레이 소자 제조 방법의 순서도이고, 도 2 내지 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 OLED 디스플레이 소자 제조 방법의 흐름도이다. 그리고, 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 OLED 디스플레이 소자 제조 방법의 기판을 도시한 도면이고, 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 OLED 디스플레이 소자 제조 방법의 공통층용 파인 마스크를 도시한 도면이다. 그리고, 도 11 내지 도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 OLED 디스플레이 소자 제조 방법의 발광층 형성 방법을 설명하기 위한 도면이다.1 is a flowchart of a method for manufacturing an OLED display device according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 2 to 8 are flowcharts of a method for manufacturing an OLED display device according to an embodiment of the present invention. And, FIG. 9 is a view showing a substrate of a method for manufacturing an OLED display device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 10 is a view showing a fine mask for a common layer of the method for manufacturing an OLED display device according to an embodiment of the present invention. It is a drawing. 11 to 13 are views for explaining a method of forming a light emitting layer in a method of manufacturing an OLED display device according to an embodiment of the present invention.

도 2 내지 도 13에는, 기판(12), 박막 트랜지스터(14), 평탄화층(16), 애노드 전극(18), 애노드 전극층(19), 보조 전극(20), 뱅크(21), 정공 주입층(24), 정공 수송층(25), 정공 유기층(26), R 발광층(28), 전자 수송층(30), 전자 주입층(31), 전자 유기층(32), R 서브 픽셀(33), G 발광층(34), G 서브 픽셀(35), B 발광층(36), B 서브 픽셀(37), 캐소드 전극층(38), 공통층용 파인 마스크(39), R 발광층용 파인 마스크(40), G 발광층용 파인 마스크(42), B 발광층용 파인 마스크(44)가 도시되어 있다.2 to 13, the substrate 12, the thin film transistor 14, the planarization layer 16, the anode electrode 18, the anode electrode layer 19, the auxiliary electrode 20, the bank 21, the hole injection layer 24, hole transport layer 25, hole organic layer 26, R emission layer 28, electron transport layer 30, electron injection layer 31, electron organic layer 32, R sub-pixel 33, G emission layer (34), G sub-pixel 35, B light-emitting layer 36, B sub-pixel 37, cathode electrode layer 38, fine mask for common layer 39, fine mask for R light-emitting layer 40, for G light-emitting layer A fine mask 42 and a fine mask 44 for the B emission layer are shown.

본 실시예에 따른 OLED 디스플레이 소자 제조 방법은, 박막 트랜지스터(14) 및 형성하고자 하는 R, G, B 서브 픽셀(37)에 각각 대응되는 애노드 전극(18)이 형성된 기판(12)을 준비하는 단계와; 상기 R, G, B 서브 픽셀(33, 35, 37) 각각에 대응하는 패턴이 형성된 공통층용 파인 마스크(fine mask)(39)와 상기 기판(12)을 얼라인하고, 상기 서브 픽셀 별로 정공 유기층(26)을 증착하는 단계와; 상기 R 서브 픽셀(33)에 대응하는 패턴이 형성된 R 발광층용 파인 마스크(40)와 상기 기판(12)을 얼라인하고, R 발광층(28)을 증착하는 단계와; 상기 G 서브 픽셀(35)에 대응하는 패턴이 형성된 R 발광층용 파인 마스크(40)와 상기 기판(12)을 얼라인하고, G 발광층(34)을 증착하는 단계와; 상기 B 서브 픽셀(37)에 대응하는 패턴이 형성된 B 발광층용 파인 마스크(44)와 상기 기판(12)을 얼라인하고, B 발광층(36)을 증착하는 단계와; 상기 R, G, B 서브 픽셀(33, 35, 37) 각각에 대응하는 패턴이 형성된 공통층용 파인 마스크(39)와 상기 기판(12)을 얼라인하고, 상기 서브 픽셀 별로 전자 유기층(32)을 증착하는 단계와; 상기 기판(12)에 캐소드 전극층(38)을 형성하는 단계를 포함한다. The method for manufacturing an OLED display device according to the present embodiment includes preparing a substrate 12 on which a thin film transistor 14 and an anode electrode 18 corresponding to the R, G, and B sub-pixels 37 to be formed are formed, respectively. Wow; A fine mask 39 for a common layer having a pattern corresponding to each of the R, G, and B sub-pixels 33, 35, and 37 is aligned with the substrate 12, and a hole organic layer is formed for each sub-pixel. depositing (26); aligning the substrate (12) with the fine mask (40) for the R emitting layer having a pattern corresponding to the R sub-pixel (33) formed thereon, and depositing the R emitting layer (28); aligning the substrate (12) with the fine mask (40) for the R emission layer having a pattern corresponding to the G sub-pixel (35) formed thereon, and depositing the G emission layer (34); aligning the substrate (12) with the fine mask (44) for the B light-emitting layer having a pattern corresponding to the B sub-pixel (37) formed thereon, and depositing the B light-emitting layer (36); A fine mask 39 for a common layer having a pattern corresponding to each of the R, G, and B sub-pixels 33, 35, and 37 is aligned with the substrate 12, and an electronic organic layer 32 is formed for each sub-pixel. depositing; and forming a cathode electrode layer (38) on the substrate (12).

이하에서는 도 2 내지 도 8을 참조하여 OLED 디스플레이 소자 제조 방법에 대해서 자세히 설명하기로 한다.Hereinafter, a method of manufacturing an OLED display device will be described in detail with reference to FIGS. 2 to 8 .

먼저, 도 2에 도시된 바와 같이, 박막 트랜지스터(14) 및 형성하고자 하는 R, G, B 서브 픽셀(33, 35, 37)에 각각 대응되는 애노드 전극(18)이 형성된 기판(12)을 준비한다(S200). 준비된 기판(12)은 증착을 위한 증착 챔버에 로딩될 수 있다.First, as shown in FIG. 2 , a substrate 12 on which a thin film transistor 14 and an anode electrode 18 corresponding to the R, G, and B subpixels 33 , 35 and 37 to be formed is formed is prepared. do (S200). The prepared substrate 12 may be loaded into a deposition chamber for deposition.

본 실시예에 따른 '기판(12)'은, 도 2에 도시된 바와 같이, R, G, B 서브 픽셀(33, 35, 37)에 대한 증착을 수행되기 직전에 준비되는 기판으로서, 유리 기판 상에 박막 트랜지스터(14)(Thin Film Transistor), 평탄화층(16), 박막 트랜지스터(14)에 전기적으로 연결되는 애노드 전극(18) 등이 형성된 기판(12)일 수 있다. As shown in FIG. 2, the 'substrate 12' according to the present embodiment is a substrate prepared immediately before deposition of the R, G, and B sub-pixels 33, 35, and 37 is performed, and is a glass substrate. A thin film transistor 14 (thin film transistor), a planarization layer 16 , an anode electrode 18 electrically connected to the thin film transistor 14 , and the like are formed on the substrate 12 .

애노드 전극(18)은 R, G, B 서브 픽셀(33, 35, 37)에 각각 대응되어 각 서브 픽셀 별로 형성될 수 있다. 이하에서는 각 서브 픽셀 별로 애노드 전극(18)이 형성된 층을 애노드 전극층(19)이라 한다.The anode electrode 18 may correspond to the R, G, and B sub-pixels 33, 35, and 37, respectively, and may be formed for each sub-pixel. Hereinafter, the layer in which the anode electrode 18 is formed for each sub-pixel is referred to as an anode electrode layer 19 .

OLED 디스플레이는 애노드 전극층(19)과 캐소드 전극층(38) 사이에 전압을 걸어줌으로써 서브 픽셀(33, 35, 37)에 에너지의 차이가 형성되어 자발광하는 원리로서, 주입되는 전자와 정공(hole)이 재결합하며 남는 에너지가 빛으로 발생되는 것이다. 이때 유기물의 도펀트의 양에 따라 나오는 빛의 파장을 조절할 수 있고 풀 컬러의 구현이 가능하다. In the OLED display, a difference in energy is formed in the sub-pixels 33 , 35 , 37 by applying a voltage between the anode electrode layer 19 and the cathode electrode layer 38 to emit light, and injected electrons and holes The energy remaining from this recombination is generated as light. In this case, the wavelength of the emitted light can be adjusted according to the amount of the dopant of the organic material, and full color can be realized.

본 실시예에서는, 기판(12) 상에 애노드 전극층(19)으로 투명 전도성 산화막(Indium Tin Oxide: ITO)을 스퍼터링 방법으로 증착하여 형성한 형태를 제시한다.In this embodiment, a form formed by depositing a transparent conductive oxide film (Indium Tin Oxide: ITO) as the anode electrode layer 19 on the substrate 12 by a sputtering method is presented.

본 단계에서는 박막 트랜지스터(14), 애노드 전극(18) 등이 형성되는 기판(12)에 대해 유기물의 증착을 위해 준비한다.In this step, the substrate 12 on which the thin film transistor 14 , the anode electrode 18 , etc. are formed is prepared for deposition of an organic material.

한편, 기판(12)은, 애노드 전극(18) 사이에 형성되는 보조 전극(20)과; 보조 전극(20)의 양단부에 애노드 전극(18)의 가장 자리와 보조 전극(20)의 가장 자리를 덮는 뱅크(21)(bank)를 포함할 수 있다. 기판(12)에 뱅크(21)가 형성된 경우 각 서브 픽셀(33, 35, 37)은 뱅크(21) 사이의 애노드 전극(18) 상에 형성될 수 있다.On the other hand, the substrate 12, the auxiliary electrode 20 formed between the anode electrode 18; A bank 21 (bank) covering the edge of the anode electrode 18 and the edge of the auxiliary electrode 20 may be included at both ends of the auxiliary electrode 20 . When the bank 21 is formed on the substrate 12 , each sub-pixel 33 , 35 , and 37 may be formed on the anode electrode 18 between the banks 21 .

OLED 디스플레이 소자가 풀 컬러를 구현하기 위해서, 빛의 3원색인 빨강(Red, R), 초록(Green, G), 파랑(Blue, B)를 형성하는 R 서브 픽셀(33), G 서브 픽셀(35), B 서브 픽셀(37)의 3개 서브 픽셀로 구성된 단위 픽셀이 일정 간격으로 배열된다. 각 서브 픽셀은, 정공 주입층(24), 정공 수송층(25), 해당 발광층, 전자 수송층(30), 전자 주입층(31)이 순차적으로 증착되어 형성되는 유기물층을 포함한다.In order for the OLED display device to realize full color, the R sub-pixel 33, G sub-pixel ( 35), unit pixels composed of three sub-pixels of the B sub-pixel 37 are arranged at regular intervals. Each sub-pixel includes an organic material layer formed by sequentially depositing a hole injection layer 24 , a hole transport layer 25 , a corresponding emission layer, an electron transport layer 30 , and an electron injection layer 31 .

다음에, 도 3에 도시된 바와 같이, R, G, B 서브 픽셀(33, 35, 37) 각각에 대응하는 패턴이 형성된 공통층용 파인 마스크(39)(fine mask)와 기판(12)을 얼라인하고, 서브 픽셀 별로 정공 유기층(26)을 증착한다(S200). Next, as shown in FIG. 3 , a fine mask 39 for a common layer in which patterns corresponding to each of the R, G, and B sub-pixels 33 , 35 , 37 are formed and the substrate 12 are aligned. Then, a hole organic layer 26 is deposited for each sub-pixel (S200).

도 10에는 본 실시예에 따른 공통층용 파인 마스크(39)가 도시되어 있는데, R, G, B 서브 픽셀(33, 35, 37) 각각에 대응한 개구 패턴이 형성되어 있다. 이러한 공통층용 파인 마스크(39)를 형성하고자 하는 R, G, B 서브 픽셀(37)의 영역에 대응되도록 기판(12)에 얼라인하고 정공 유기층(26)을 증착한다.10 shows a fine mask 39 for a common layer according to the present embodiment, in which opening patterns corresponding to each of the R, G, and B sub-pixels 33, 35, and 37 are formed. A hole organic layer 26 is deposited on the substrate 12 so as to correspond to the regions of the R, G, and B sub-pixels 37 in which the fine mask 39 for the common layer is to be formed.

일반적으로, 정공이 이동하는 정공 유기층 및 전자가 이동하는 전자 유기층은 전면이 오픈된 오픈 마스크(open mask)를 이용하여 기판 상에 증착이 이루어지고, R, G, B 발광층은, 각 서브 픽셀 별로 독립 챔버에서 파인 메탈 마스크(fine metal mask)를 사용하여 각각 증착하여 형성된다.In general, the hole organic layer through which holes move and the electron organic layer through which electrons move are deposited on a substrate using an open mask with an open front surface. Each is formed by deposition in an independent chamber using a fine metal mask.

그런데, 본 실시예에서는 공통층인 정공 유기층(26)과 전자 유기층(32)에 대해서 R, G, B 서브 픽셀(33, 35, 37) 각각에 대응하는 패턴이 형성된 공통층용 파인 마스크(39)를 이용하여 기판(12) 상에 서브 픽셀 별로 분리된 공통층을 형성하는 방식을 제시한다. However, in the present embodiment, a fine mask 39 for a common layer in which a pattern corresponding to each of the R, G, and B sub-pixels 33, 35, 37 is formed with respect to the hole organic layer 26 and the electron organic layer 32, which are common layers. A method of forming a common layer separated for each sub-pixel on the substrate 12 using

즉, 도 10에 도시된 바와 같이, R, G, B 서브 픽셀(33, 35, 37) 각각 대응되는 패턴이 형성된 공통층용 파인 마스크(39)를 이용하여 해당 서브 픽셀에 정공 유기층(26)이나 전자 유기층(32)을 형성하는 형태로서 공통층은 종래와 달리 각 서브 픽셀의 서로 분리된 형태를 띄게 된다. That is, as shown in FIG. 10 , a hole organic layer 26 or a hole organic layer 26 or As a form of forming the electronic organic layer 32 , the common layer is separated from each other in each sub-pixel unlike the conventional one.

본 방식에 따르면 공통층을 포함한 각 서브 픽셀(33, 35, 37)이 서로 분리되어 종래의 공통층의 식각 공정이 생략되고, 캐소드층의 불량에 따른 화소 불량의 전파를 방지할 수 있다.According to this method, each of the sub-pixels 33 , 35 , and 37 including the common layer is separated from each other, so that the conventional etching process of the common layer is omitted, and the propagation of pixel defects due to defects in the cathode layer can be prevented.

정공 유기층(26)은 정공을 발광층으로 주입하는 유기물층으로서, 정공 주입층(24)(Hole Injection Layer, HIL), 정공 수송층(25)(Hole Transport Layer, HTL)으로 구성될 수 있으며, 전자 유기층(32)은 발광층에 전자를 생성하고 주입하는 유기물층으로서, 전자 수송층(30)(Electron Transfer Layer, ETL), 전자 주입층(31)(Electron Injection Layer, EIL)으로 구성될 수 있다. The hole organic layer 26 is an organic material layer for injecting holes into the light emitting layer, and may be composed of a hole injection layer 24 (Hole Injection Layer, HIL), a hole transport layer 25 (Hole Transport Layer, HTL), and an electron organic layer ( 32) is an organic material layer that generates and injects electrons into the emission layer, and may include an electron transport layer 30 (Electron Transfer Layer, ETL) and an electron injection layer 31 (Electron Injection Layer, EIL).

본 실시예에 따르면, 도 3에 도시된 바와 같이, 공통층용 파인 마스크(39)를 이용하여 해당 애노드 전극(18) 상에 정공 주입층(24)(Hole Injection Layer, HIL), 정공 수송층(25)(Hole Transport Layer, HTL)을 순차적으로 증착한다.According to the present embodiment, as shown in FIG. 3 , a hole injection layer 24 (Hole Injection Layer, HIL) and a hole transport layer 25 on the corresponding anode electrode 18 using the fine mask 39 for the common layer. ) (Hole Transport Layer, HTL) is sequentially deposited.

정공 유기층(26)을 형성함에 있어, 하나의 공통층용 파인 마스크(39)를 기판(12)에 얼라인한 후 정공 주입층(24)과 정공 수송층(25)을 순차적으로 증착할 수 있으나, 동일 마스크 사용에 따른 정공 주입층(24)과 정공 수송층(25) 간의 오염을 회피하기 위해 개별적인 공통층용 파인 마스크(39)를 기판(12)에 각각 얼라인하여 정공 주입층(24)과 정공 수송층(25)을 각각 증착하는 것도 가능하다.In forming the hole organic layer 26, after aligning one fine mask 39 for the common layer to the substrate 12, the hole injection layer 24 and the hole transport layer 25 may be sequentially deposited, but the same mask In order to avoid contamination between the hole injection layer 24 and the hole transport layer 25 due to use, fine masks 39 for individual common layers are aligned to the substrate 12, respectively, so that the hole injection layer 24 and the hole transport layer 25 are aligned. It is also possible to deposit each.

다음에, 도 4에 도시된 바와 같이, R 서브 픽셀(33)에 대응하는 패턴이 형성된 R 발광층용 파인 마스크(40)와 기판(12)을 얼라인하고, R 발광층(28)을 증착한다(S300).Next, as shown in FIG. 4 , the fine mask 40 for the R light-emitting layer having a pattern corresponding to the R sub-pixel 33 formed thereon and the substrate 12 are aligned, and the R light-emitting layer 28 is deposited ( S300).

도 11 (a)에는 R 서브 픽셀(33)의 해당 영역에 개구 패턴이 형성된 R 발광층용 파인 마스크(40)가 도시되어 있는데, 정공 유기층(26)이 형성된 기판(12)에 R 발광층용 파인 마스크(40)를 얼라인하고, 도 11 (b)에 도시된 바와 같이, 해당 정공 유기층(26) 위에 R 발광층(28)을 증착한다.11 (a) shows a fine mask 40 for an R emission layer in which an opening pattern is formed in a corresponding region of the R sub-pixel 33. The fine mask for an R emission layer is placed on the substrate 12 on which the hole organic layer 26 is formed. (40) is aligned, and as shown in FIG. 11 (b), an R emission layer 28 is deposited on the hole organic layer 26.

다음에, 도 5에 도시된 바와 같이, G 서브 픽셀(35)에 대응하는 패턴이 형성된 R 발광층용 파인 마스크(40)와 기판(12)을 얼라인하고, G 발광층(34)을 증착한다(S400).Next, as shown in FIG. 5 , the fine mask 40 for the R emission layer having a pattern corresponding to the G sub-pixel 35 formed thereon and the substrate 12 are aligned, and the G emission layer 34 is deposited ( S400).

도 12 (a)에는 G 서브 픽셀(35)의 해당 영역에 개구 패턴이 형성된 G 발광층용 파인 마스크(42)가 도시되어 있는데, 정공 유기층(26)이 형성된 기판(12)에 B 발광층용 파인 마스크(42)를 얼라인하고, 도 12 (b)에 도시된 바와 같이, 해당 정공 유기층(26) 위에 G 발광층(34)을 증착한다.Fig. 12 (a) shows a fine mask 42 for the G emission layer in which an opening pattern is formed in the corresponding region of the G sub-pixel 35. The fine mask for the B emission layer is placed on the substrate 12 on which the hole organic layer 26 is formed. (42) is aligned, and as shown in FIG. 12(b) , a G emission layer 34 is deposited on the hole organic layer 26 .

다음에, 도 6에 도시된 바와 같이, B 서브 픽셀(37)에 대응하는 패턴이 형성된 B 발광층용 파인 마스크(44)와 기판(12)을 얼라인하고, B 발광층(36)을 증착한다(S500).Next, as shown in FIG. 6 , the fine mask 44 for the B light emitting layer on which the pattern corresponding to the B subpixel 37 is formed and the substrate 12 are aligned, and the B light emitting layer 36 is deposited ( S500).

도 13 (a)에는 B 서브 픽셀(37)의 해당 영역에 개구 패턴이 형성된 B 발광층용 파인 마스크(44)가 도시되어 있는데, 정공 유기층(26)이 형성된 기판(12)에 B 발광층용 파인 마스크(44)를 얼라인하고, 도 13 (b)에 도시된 바와 같이, 해당 정공 유기층(26) 위에 B 발광층(36)을 증착한다.Fig. 13 (a) shows a fine mask 44 for the B light emitting layer in which an opening pattern is formed in the corresponding region of the B sub-pixel 37. The fine mask for the B light emitting layer is placed on the substrate 12 on which the hole organic layer 26 is formed. (44) is aligned, and as shown in FIG. 13(b) , a B light-emitting layer 36 is deposited on the hole organic layer 26 .

위 과정을 거치면, 도 13 (b)에 도시된 바와 같이, 해당 정공 유기층(26) 위에 R 발광층(28), G 발광층(34), B 발광층(36)이 형성된다. 본 실시예에서는 R 발광층(28), G 발광층(34), B 발광층(36)의 순서로 발광층을 증착하는 방식을 제시하였으나, 발광층의 증착 순서를 달리 할 수 있다. Through the above process, as shown in FIG. 13(b) , the R emission layer 28 , the G emission layer 34 , and the B emission layer 36 are formed on the hole organic layer 26 . In this embodiment, the method of depositing the light emitting layer in the order of the R light emitting layer 28, the G light emitting layer 34, and the B light emitting layer 36 is presented, but the deposition order of the light emitting layer may be different.

다음에, 도 7에 도시된 바와 같이, R, G, B 서브 픽셀(33, 35, 37) 각각에 대응하는 패턴이 형성된 공통층용 파인 마스크(39)와 기판(12)을 얼라인하고, 서브 픽셀 별로 전자 유기층(32)을 증착한다(S600). 본 단계 또한 정공 유기층(26)의 형성 방법과 마찬가지로, R, G, B 서브 픽셀(33, 35, 37) 각각에 대응하는 패턴이 형성된 공통층용 파인 마스크(39)을 이용하여 전자 유기층(32)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 7 , the fine mask 39 for the common layer on which the pattern corresponding to each of the R, G, and B sub-pixels 33, 35 and 37 is formed and the substrate 12 are aligned, and the sub-pixels 33, 35 and 37 are formed. An electron organic layer 32 is deposited for each pixel (S600). In this step, similar to the method of forming the hole organic layer 26 , the electron organic layer 32 is formed using a fine mask 39 for the common layer in which a pattern corresponding to each of the R, G, and B sub-pixels 33 , 35 , 37 is formed. to form

즉, 도 10에 도시된 바와 같이, R, G, B 서브 픽셀(33, 35, 37) 각각 대응되는 개구 패턴이 형성된 공통층용 파인 마스크(39)를 이용하여 해당 R, G, B 서브 픽셀(33, 35, 37) 별로 전자 유기층(32)을 형성한다.That is, as shown in FIG. 10 , the R, G, and B sub-pixels 33, 35 and 37 are respectively formed using the fine mask 39 for the common layer in which the corresponding opening patterns are formed. 33, 35, 37) to form an electron organic layer 32.

상술한 바와 같이, 전자 유기층(32)은 발광층에 전자를 생성하고 주입하는 유기물층으로서, 공통층용 파인 마스크(39)를 기판(12)에 얼라인한 후 전자 수송층(30)과 전자 주입층(31)을 순차적으로 증착할 수 있다.As described above, the electron organic layer 32 is an organic material layer that generates and injects electrons into the light emitting layer, and after aligning the fine mask 39 for the common layer to the substrate 12 , the electron transport layer 30 and the electron injection layer 31 . can be sequentially deposited.

전자 유기층(32)의 형성에 있어 하나의 공통층용 파인 마스크(39)를 기판(12)에 얼라인한 후 전자 수송층(30)과 전자 주입층(31)을 순차적으로 증착할 수 있으나, 동일 마스크 사용에 따른 전자 수송층(30)과 전자 주입층(31) 간의 오염을 고려하여 개별적인 공통층용 파인 마스크(39)를 기판(12)에 각각 얼라인하여 전자 수송층(30)과 전자 주입층(31)을 각각 증착하는 것도 가능하다. In the formation of the electron organic layer 32, after aligning one fine mask 39 for the common layer to the substrate 12, the electron transport layer 30 and the electron injection layer 31 may be sequentially deposited, but the same mask is used. In consideration of contamination between the electron transport layer 30 and the electron injection layer 31 according to Deposition is also possible.

다음에, 도 8에 도시된 바와 같이, 기판(12)에 캐소드 전극층(38)을 형성한다(S700). 도 8을 참조하면, 해당 애노드 전극(18) 상에 R 발광층(28), G 발광층(34), B 발광층(36)이 형성된 기판(12)의 상부에 캐소드 전극층(38)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 8 , a cathode electrode layer 38 is formed on the substrate 12 ( S700 ). Referring to FIG. 8 , the cathode electrode layer 38 is formed on the substrate 12 on which the R emission layer 28 , the G emission layer 34 , and the B emission layer 36 are formed on the anode electrode 18 .

상기의 애노드 전극층(19)으로 투명 전도성 산화막(Indium Tin Oxide: ITO)을 증착하여 투명한 전극으로 형성한 형태와 대비하여, 본 실시예에서는 캐소드 전극층(38)으로 유기물층 상에 박막의 금속 전극을 증착한 형태를 제시한다. 박막의 금속 전극을 증착함으로써 투명한 캐소드 전극 형성이 가능한데, Mg, Ag, Ca, Mg:Ag, Al:Li 등으로 형성하여 유기물층에서 발생한 빛을 투과시키기 위해서는 200Å 정도의 박막으로 형성될 수 있다. 물론, 캐소드 전극층(38)을 전도성 산화막으로 형성하는 것도 가능하다.In contrast to the form formed as a transparent electrode by depositing a transparent conductive oxide film (Indium Tin Oxide: ITO) as the anode electrode layer 19, in this embodiment, a thin metal electrode is deposited on the organic material layer as the cathode electrode layer 38 present one form. By depositing a thin metal electrode, a transparent cathode electrode can be formed. It can be formed as a thin film of about 200 Å in order to transmit light generated from the organic material layer by forming it with Mg, Ag, Ca, Mg:Ag, Al:Li, etc. Of course, it is also possible to form the cathode electrode layer 38 as a conductive oxide film.

캐소드 전극층(38)이 투명성을 위하여 매우 얇은 박막으로 형성되는 경우, 높은 면 저항으로 인해 정공 생성의 어려워져 휘도가 불균일 해지는 문제가 있다. 이를 위해, 각 서브 픽셀 내에 보조 전극(20)을 두고 이를 캐소드 전극층(38)과 연결함으로써 캐소드 전극의 면 저항을 보완하여 이러한 문제를 해결할 수 있다.When the cathode electrode layer 38 is formed as a very thin thin film for transparency, hole formation becomes difficult due to high sheet resistance, so that there is a problem in that the luminance becomes non-uniform. To this end, by providing the auxiliary electrode 20 in each sub-pixel and connecting the auxiliary electrode 20 to the cathode electrode layer 38, the sheet resistance of the cathode electrode can be supplemented to solve this problem.

종래의 경우, 정공 유기층(26)과 전자 유기층(32)이 오픈 마스크에 의해 기판(12)의 전면에 증착되기 때문에 보조 전극(20)과 캐스드 전극을 연결하기 위해 보조 전극(20) 상부의 유기물층을 제거하거나 별도 격벽을 두어 보조 전극(20)과 캐소드 전극을 연결하였다.In the conventional case, since the hole organic layer 26 and the electron organic layer 32 are deposited on the entire surface of the substrate 12 by an open mask, the upper portion of the auxiliary electrode 20 is formed to connect the auxiliary electrode 20 and the cascade electrode. The auxiliary electrode 20 and the cathode electrode were connected by removing the organic material layer or providing a separate barrier rib.

그런데, 본 실시예에서는 R 서브 픽셀(33), G 서브 픽셀(35) 및 B 서브 픽셀(37)이 개별적으로 증착이 이루어지기 때문에, 캐소드 전극층(38)의 증착에 의해 캐소드 전극이 보조 전극(20)과 바로 연결될 수 있다.However, in the present embodiment, since the R sub-pixel 33 , the G sub-pixel 35 , and the B sub-pixel 37 are individually deposited, the cathode electrode becomes the auxiliary electrode ( 20) can be directly connected.

상기와 같은 방법을 형성된 OLED 디스플레이 소자는 서브 픽셀 별로 유기물층이 분리되어 있어 캐소드 전극 불량이나 단위 픽셀 불량에 따른 인근 픽셀로의 불량 전파를 방지할 수 있다.In the OLED display device formed by the above method, the organic material layer is separated for each sub-pixel, so that the propagation of defects to neighboring pixels due to a cathode electrode defect or a unit pixel defect can be prevented.

도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 OLED 디스플레이 소자를 간략히 나타낸 도면이다.14 is a diagram schematically illustrating an OLED display device according to another embodiment of the present invention.

도 14에는, 기판(12), 박막 트랜지스터(14), 평탄화층(16), 애노드 전극(18), 애노드 전극층(19), 보조 전극(20), 뱅크(21), 정공 주입층(24), 정공 수송층(25), 정공 유기층(26), R 발광층(28), 전자 수송층(30), 전자 주입층(31), 전자 유기층(32), R 서브 픽셀(33), G 발광층(34), G 서브 픽셀(35), B 발광층(36), B 서브 픽셀(37), 캐소드 전극층(38)이 도시되어 있다.In FIG. 14 , a substrate 12 , a thin film transistor 14 , a planarization layer 16 , an anode electrode 18 , an anode electrode layer 19 , an auxiliary electrode 20 , a bank 21 , and a hole injection layer 24 . , hole transport layer 25 , hole organic layer 26 , R emission layer 28 , electron transport layer 30 , electron injection layer 31 , electron organic layer 32 , R sub-pixel 33 , G emission layer 34 ) , G sub-pixel 35 , B light-emitting layer 36 , B sub-pixel 37 , and cathode electrode layer 38 are shown.

본 실시예에 따른 OLED 디스플레이 소자는, 박막 트랜지스터(14) 및 R, G, B 서브 픽셀(33, 35, 37)에 각각 대응되는 애노드 전극(18)을 포함하는 애노드 전극층(19)이 형성된 기판(12)과; 상기 R 서브 픽셀(33)에 대응되는 애노드 전극(18) 상에 순차적으로 적층되는 정공 유기층(26), R 발광층(28), 전자 유기층(32)을 포함하는 R 서브 픽셀(33)과; 상기 R 서브 픽셀(33)과 이격되며, 상기 G 서브 픽셀(35)에 대응되는 애노드 전극(18) 상에 순차적으로 적층되는 정공 유기층(26), G 발광층(34), 전자 유기층(32)을 포함하는 G 서브 픽셀(35)과; 상기 R 서브 픽셀(33), 상기 G 서브 픽셀(35)과 이격되며, 상기 B 서브 픽셀(37)에 대응되는 애노드 전극(18) 상에 순차적으로 적층되는 정공 유기층(26), B 발광층(36), 전자 유기층(32)을 포함하는 B 서브 픽셀(37)과; 상기 R 서브 픽셀(33), 상기 G 서브 픽셀(35), 상기 B 서브 픽셀(37) 상부에 형성되는 캐소드 전극층(38)을 포함한다.The OLED display device according to this embodiment is a substrate on which an anode electrode layer 19 including a thin film transistor 14 and an anode electrode 18 corresponding to the R, G, and B sub-pixels 33, 35, and 37 is formed. (12) and; an R subpixel 33 including a hole organic layer 26 , an R emission layer 28 and an electron organic layer 32 sequentially stacked on the anode electrode 18 corresponding to the R subpixel 33 ; A hole organic layer 26, a G emission layer 34, and an electron organic layer 32 spaced apart from the R sub-pixel 33 and sequentially stacked on the anode electrode 18 corresponding to the G sub-pixel 35 are formed. a G sub-pixel 35 comprising; The hole organic layer 26 and the B emission layer 36 are spaced apart from the R sub-pixel 33 and the G sub-pixel 35 and sequentially stacked on the anode electrode 18 corresponding to the B sub-pixel 37 . ), a B sub-pixel 37 comprising an electron organic layer 32; and a cathode electrode layer 38 formed on the R sub-pixel 33 , the G sub-pixel 35 , and the B sub-pixel 37 .

본 실시예에 따른 '기판(12)'은, 도 2에 도시된 바와 같이, R, G, B 서브 픽셀(33, 35, 37)에 대한 증착을 수행되기 직전에 준비되는 기판으로서, 유리 기판 상에 박막 트랜지스터(14)(Thin Film Transistor), 평탄화층(16), 박막 트랜지스터(14)에 전기적으로 연결되는 애노드 전극(18) 등이 형성된 기판(12)일 수 있다. As shown in FIG. 2, the 'substrate 12' according to the present embodiment is a substrate prepared immediately before deposition of the R, G, and B sub-pixels 33, 35, and 37 is performed, and is a glass substrate. A thin film transistor 14 (thin film transistor), a planarization layer 16 , an anode electrode 18 electrically connected to the thin film transistor 14 , and the like are formed on the substrate 12 .

애노드 전극층(19)으로 투명 전도성 산화막(Indium Tin Oxide: ITO)을 스퍼터링 방법으로 기판(12) 상에 증착하여 투명한 전극으로 형성될 수 있다.A transparent conductive oxide film (Indium Tin Oxide: ITO) as the anode electrode layer 19 may be deposited on the substrate 12 by sputtering to form a transparent electrode.

R 서브 픽셀(33)은, R 서브 픽셀(33)에 대응되는 애노드 전극(18) 상에 순차적으로 적층되는, 정공이 이동하는 정공 유기층(26), R 발광층(28), 전자가 이동하는 전자 유기층(32)을 포함한다.The R sub-pixel 33 is sequentially stacked on the anode electrode 18 corresponding to the R sub-pixel 33, the hole organic layer 26 through which holes move, the R light-emitting layer 28, and the electrons through which the electrons move. an organic layer 32 .

그리고, G 서브 픽셀(35)은, R 서브 픽셀(33)과 이격되며, G 서브 픽셀(35)에 대응되는 애노드 전극(18) 상에 순차적으로 적층되는, 정공이 이동하는 정공 유기층(26), G 발광층(34), 전자가 이동하는 전자 유기층(32)을 포함한다.In addition, the G sub-pixel 35 is spaced apart from the R sub-pixel 33 and sequentially stacked on the anode electrode 18 corresponding to the G sub-pixel 35, the hole organic layer 26 in which holes move. , a G emission layer 34 , and an electron organic layer 32 through which electrons move.

그리고, B 서브 픽셀(37)은, R 서브 픽셀(33), G 서브 픽셀(35)과 이격되며, B 서브 픽셀(37)에 대응되는 애노드 전극(18) 상에 순차적으로 적층되는, 정공이 이동하는 정공 유기층(26), B 발광층(36), 전자가 이동하는 전자 유기층(32)을 포함한다.In addition, the B sub-pixel 37 is spaced apart from the R sub-pixel 33 and the G sub-pixel 35 , and holes are sequentially stacked on the anode electrode 18 corresponding to the B sub-pixel 37 . It includes a hole organic layer 26 which moves, a B light emitting layer 36 , and an electron organic layer 32 through which electrons move.

R 서브 픽셀(33), G 서브 픽셀(35) 및 B 서브 픽셀(37)은, 서로 이격되어 있으며, 이에 따라 각 공통층을 구성하는 정공 유기층(26)과 전자 유기층(32)은 서로 각각 이격된다. 이는, 각 서브 픽셀 별로 서로 독립적인 증착으로 이루어졌음을 의미한다. The R sub-pixel 33 , the G sub-pixel 35 , and the B sub-pixel 37 are spaced apart from each other, and accordingly, the hole organic layer 26 and the electron organic layer 32 constituting each common layer are spaced apart from each other. do. This means that deposition is performed independently of each other for each sub-pixel.

즉, 상술한 바와 같이, R 서브 픽셀(33), G 서브 픽셀(35) 및 B 서브 픽셀(37) 각각의 정공 유기층(26)과 전자 유기층(32)은, R 서브 픽셀(33), G 서브 픽셀(35) 및 B 서브 픽셀(37) 각각에 대응하는 패턴이 형성된 공통층용 파인 마스크(39)(Fine mask)을 이용하여 증착되고, R 서브 픽셀(33), B 서브 픽셀(37)G 서브 픽셀(35) 및 제3 서브 픽셀 각각의 발광층은, R 서브 픽셀(33), G 서브 픽셀(35), B 서브 픽셀(37) 중 어느 하나에 대응하는 패턴이 형성된 발광층용 파인 마스크(40, 42, 44)을 이용하여 증착 됨으로써 각 서브 픽셀이 서로 분리되어 형성될 수 있다.That is, as described above, the hole organic layer 26 and the electron organic layer 32 of each of the R sub-pixel 33 , the G sub-pixel 35 , and the B sub-pixel 37 are formed by the R sub-pixel 33 , the G The sub-pixel 35 and the B sub-pixel 37 are deposited using a fine mask 39 for a common layer in which a pattern corresponding to each is formed, and the R sub-pixel 33 and the B sub-pixel 37G are used. The light-emitting layer of each of the sub-pixel 35 and the third sub-pixel includes a fine mask 40 for the light-emitting layer having a pattern corresponding to any one of the R sub-pixel 33 , the G sub-pixel 35 , and the B sub-pixel 37 . , 42, 44), so that each sub-pixel can be formed separately from each other.

일반적으로, 정공이 이동하는 정공 유기층 및 전자가 이동하는 전자 유기층은 전면이 오픈된 오픈 마스크(open mask)를 이용하여 기판 상에 증착이 이루어지고, R, G, B 발광층은, 각 서브 픽셀 별로 독립 챔버에서 파인 마스크(fine mask)를 사용하여 각각 증착하여 형성된다.In general, the hole organic layer through which holes move and the electron organic layer through which electrons move are deposited on a substrate using an open mask with an open front surface. It is formed by depositing each using a fine mask in an independent chamber.

그런데, 본 실시예에서는 공통층인 정공 유기층(26)과 전자 유기층(32)에 대해서 R, G, B 서브 픽셀(33, 35, 37) 각각에 대응하는 패턴이 형성된 공통층용 파인 마스크(39)를 이용하여 기판(12) 상에 서브 픽셀 별로 공통층을 형성하여 각 서브 픽셀이 서로 분리된 형태를 띄게 된다. However, in the present embodiment, a fine mask 39 for a common layer in which a pattern corresponding to each of the R, G, and B sub-pixels 33, 35, 37 is formed with respect to the hole organic layer 26 and the electron organic layer 32, which are common layers. is used to form a common layer for each sub-pixel on the substrate 12 so that each sub-pixel is separated from each other.

정공 유기층(26)은 정공을 발광층으로 주입하는 유기물층으로서, 정공 주입층(24)(Hole Injection Layer, HIL), 정공 수송층(25)(Hole Transport Layer, HTL)으로 구성될 수 있으며, 전자 유기층(32)은 발광층에 전자를 생성하고 주입하는 유기물층으로서, 전자 수송층(30)(Electron Transfer Layer, ETL), 전자 주입층(31)(Electron Injection Layer, EIL)으로 구성될 수 있다. The hole organic layer 26 is an organic material layer for injecting holes into the light emitting layer, and may be composed of a hole injection layer 24 (Hole Injection Layer, HIL), a hole transport layer 25 (Hole Transport Layer, HTL), and an electron organic layer ( 32) is an organic material layer that generates and injects electrons into the emission layer, and may include an electron transport layer 30 (Electron Transfer Layer, ETL) and an electron injection layer 31 (Electron Injection Layer, EIL).

캐소드 전극층(38)은, R 서브 픽셀(33), 상기 G 서브 픽셀(35), 상기 B 서브 픽셀(37) 상부에 형성된다. The cathode electrode layer 38 is formed on the R sub-pixel 33 , the G sub-pixel 35 , and the B sub-pixel 37 .

상기의 애노드 전극층(19)으로 투명 전도성 산화막(Indium Tin Oxide: ITO)을 증착하여 투명한 전극으로 형성한 형태와 대비하여, 본 실시예에서는 캐소드 전극층(38)으로 유기물층 상에 박막의 금속 전극을 증착한 형태를 제시한다. 박막의 금속 전극을 증착함으로써 투명한 캐소드 전극 형성이 가능한데, Mg, Ag, Ca, Mg:Ag, Al:Li 등으로 형성하여 유기물층에서 발생한 빛을 투과시키기 위해서는 200Å 정도의 박막으로 형성될 수 있다. 물론, 캐소드 전극층(38)을 전도성 산화막으로 형성하는 것도 가능하다.In contrast to the form formed as a transparent electrode by depositing a transparent conductive oxide film (Indium Tin Oxide: ITO) as the anode electrode layer 19, in this embodiment, a thin metal electrode is deposited on the organic material layer as the cathode electrode layer 38 present one form. By depositing a thin metal electrode, a transparent cathode electrode can be formed. It can be formed as a thin film of about 200 Å in order to transmit light generated from the organic material layer by forming it with Mg, Ag, Ca, Mg:Ag, Al:Li, etc. Of course, it is also possible to form the cathode electrode layer 38 as a conductive oxide film.

한편, 기판(12)은, 애노드 전극(18) 사이에 형성되는 보조 전극(20)과; 보조 전극(20)의 양단부에 애노드 전극(18)의 가장 자리와 보조 전극(20)의 가장 자리를 덮는 뱅크(21)(bank)를 포함할 수 있다. 기판(12)에 뱅크(21)가 형성된 경우 각 서브 픽셀에 해당되는 유기물층은 뱅크(21) 사이의 애노드 전극(18) 상에 형성된다.On the other hand, the substrate 12, the auxiliary electrode 20 formed between the anode electrode 18; A bank 21 (bank) covering the edge of the anode electrode 18 and the edge of the auxiliary electrode 20 may be included at both ends of the auxiliary electrode 20 . When the banks 21 are formed on the substrate 12 , an organic material layer corresponding to each sub-pixel is formed on the anode electrode 18 between the banks 21 .

본 실시예에서는 R 서브 픽셀(33), G 서브 픽셀(35) 및 B 서브 픽셀(37)이 서로 분리되어 있기 때문에, 캐소드 전극층(38)의 증착에 의해 캐소드 전극이 전압 강하를 방지하기 위해 형성되는 보조 전극(20)과 바로 연결될 수 있다.In this embodiment, since the R sub-pixel 33 , the G sub-pixel 35 , and the B sub-pixel 37 are separated from each other, the cathode electrode is formed to prevent voltage drop by the deposition of the cathode electrode layer 38 . It can be directly connected to the auxiliary electrode 20 to be used.

상기와 같은 방법을 형성된 OLED 디스플레이 소자는 서브 픽셀 별로 분리되어 있어 캐소드 전극 불량이나 단위 픽셀 불량에 따른 인근 픽셀로의 불량 전파를 방지할 수 있다.Since the OLED display device formed by the above method is separated for each sub-pixel, it is possible to prevent the propagation of defects to neighboring pixels due to a cathode electrode defect or a unit pixel defect.

상기에서는 본 발명의 특정의 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to specific embodiments of the present invention, those of ordinary skill in the art may vary the present invention within the scope without departing from the spirit and scope of the present invention described in the claims below. It will be understood that modifications and changes can be made to

전술한 실시예 외의 많은 실시예들이 본 발명의 특허청구범위 내에 존재한다.Many embodiments other than those described above are within the scope of the claims of the present invention.

12: 기판 14: 박막 트랜지스터
16: 평탄화층 18: 애노드 전극
19: 애노드 전극층 20: 보조 전극
21: 뱅크 24: 정공 주입층
25: 정공 수송층 26: 정공 유기층
28: R 발광층 30: 전자 수송층
31: 전자 주입층 32: 전자 유기층
33: R 서브 픽셀 34: G 발광층
35: G 서브 픽셀 36: B 발광층
37: B 서브 픽셀 38: 캐소드 전극층
39: 공통층용 파인 마스크 40: R 발광층용 파인 마스크
42: G 발광층용 파인 마스크 44: B 발광층용 파인 마스크12: substrate 14: thin film transistor
16: planarization layer 18: anode electrode
19: anode electrode layer 20: auxiliary electrode
21: bank 24: hole injection layer
25: hole transport layer 26: hole organic layer
28: R emission layer 30: electron transport layer
31: electron injection layer 32: electron organic layer
33: R sub-pixel 34: G emitting layer
35: G sub-pixel 36: B light emitting layer
37: B sub-pixel 38: cathode electrode layer
39: fine mask for common layer 40: fine mask for R emission layer
42: fine mask for G light-emitting layer 44: fine mask for B light-emitting layer

Claims (11)

박막 트랜지스터 및 형성하고자 하는 R, G, B 서브 픽셀에 각각 대응되는 애노드 전극이 형성된 기판을 준비하는 단계와;
상기 R, G, B 서브 픽셀 각각에 대응하는 패턴이 형성된 공통층용 파인 마스크(fine mask)와 상기 기판을 얼라인하고, 상기 서브 픽셀 별로 정공 유기층을 증착하는 단계와;
상기 R 서브 픽셀에 대응하는 패턴이 형성된 R 발광층용 파인 마스크와 상기 기판을 얼라인하고, R 발광층을 증착하는 단계와;
상기 G 서브 픽셀에 대응하는 패턴이 형성된 G 발광층용 파인 마스크와 상기 기판을 얼라인하고, G 발광층을 증착하는 단계와;
상기 B 서브 픽셀에 대응하는 패턴이 형성된 B 발광층용 파인 마스크와 상기 기판을 얼라인하고, B 발광층을 증착하는 단계와;
상기 R, G, B 서브 픽셀 각각에 대응하는 패턴이 형성된 공통층용 파인 마스크와 상기 기판을 얼라인하고, 상기 서브 픽셀 별로 전자 유기층을 증착하는 단계와;
상기 기판에 캐소드 전극층을 형성하는 단계를 포함하는, OLED 디스플레이 소자 제조 방법.
preparing a substrate on which a thin film transistor and an anode electrode corresponding to the R, G, and B sub-pixels to be formed are formed;
aligning the substrate with a fine mask for a common layer on which patterns corresponding to the R, G, and B sub-pixels are formed, and depositing a hole organic layer for each of the sub-pixels;
aligning the substrate with a fine mask for an R emission layer having a pattern corresponding to the R sub-pixels formed thereon, and depositing an R emission layer;
aligning the substrate with a fine mask for a G emission layer having a pattern corresponding to the G sub-pixel formed thereon, and depositing a G emission layer;
aligning the substrate with a fine mask for the B light emitting layer having a pattern corresponding to the B sub-pixel formed thereon, and depositing the B light emitting layer;
aligning the substrate with a fine mask for a common layer having a pattern corresponding to each of the R, G, and B sub-pixels, and depositing an electron organic layer for each of the sub-pixels;
A method of manufacturing an OLED display device comprising the step of forming a cathode electrode layer on the substrate.
 제1항에 있어서,
상기 기판에는, 상기 애노드 전극 사이에 보조 전극이 형성되며,
상기 캐소드 전극층을 형성하는 단계에서 상기 캐소드 전극층을 형성함에 따라, 상기 보조 전극과 상기 캐소드 전극층이 연결되는 것을 특징으로 하는, OLED 디스플레이 소자 제조 방법.
According to claim 1,
An auxiliary electrode is formed on the substrate between the anode electrodes,
As the cathode electrode layer is formed in the step of forming the cathode electrode layer, the auxiliary electrode and the cathode electrode layer are connected to each other, an OLED display device manufacturing method.
 제2항에 있어서,
상기 애노드 전극층은 투명 전도성 산화막(Indium Tin Oxide: ITO)의 투명 전극이고,
상기 캐소드 전극층은 박막의 금속 전극 또는 전도성 산화막인 것을 특징으로 하는, OLED 디스플레이 소자 제조 방법.
3. The method of claim 2,
The anode electrode layer is a transparent electrode of a transparent conductive oxide film (Indium Tin Oxide: ITO),
The cathode electrode layer is a thin metal electrode or a conductive oxide film, characterized in that, OLED display device manufacturing method.
 제1항에 있어서,
상기 기판은,
상기 애노드 전극 사이에 형성되는 보조 전극과;
상기 보조 전극의 양단부에 상기 애노드 전극의 가장 자리와 상기 보조 전극의 가장 자리를 덮는 뱅크(bank)를 더 포함하는, OLED 디스플레이 소자 제조 방법.
The method of claim 1,
The substrate is
an auxiliary electrode formed between the anode electrodes;
The method of manufacturing an OLED display device, further comprising a bank (bank) covering an edge of the anode electrode and an edge of the auxiliary electrode at both ends of the auxiliary electrode.
 제4항에 있어서,
상기 R, G, B 서브 픽셀 각각은 상기 뱅크 사이의 상기 애노드 전극에 형성되는 것을 특징으로 하는, OLED 디스플레이 소자 제조 방법.
5. The method of claim 4,
Each of the R, G, and B sub-pixels is formed in the anode electrode between the banks.
 박막 트랜지스터 및 R, G, B 서브 픽셀에 각각 대응되는 애노드 전극을 포함하는 애노드 전극층이 형성된 기판과;
상기 R 서브 픽셀에 대응되는 애노드 전극 상에 순차적으로 적층되는 정공 유기층, R 발광층, 전자 유기층을 포함하는 R 서브 픽셀과;
상기 R 서브 픽셀과 이격되며, 상기 G 서브 픽셀에 대응되는 애노드 전극 상에 순차적으로 적층되는 정공 유기층, G 발광층, 전자 유기층을 포함하는 G 서브 픽셀과;
상기 R 서브 픽셀, 상기 G 서브 픽셀과 이격되며, 상기 B 서브 픽셀에 대응되는 애노드 전극 상에 순차적으로 적층되는 정공 유기층, B 발광층, 전자 유기층을 포함하는 B 서브 픽셀과;
상기 R 서브 픽셀, 상기 G 서브 픽셀, 상기 B 서브 픽셀 상부에 형성되는 캐소드 전극층을 포함하는, OLED 디스플레이 소자.
a substrate on which an anode electrode layer including a thin film transistor and an anode electrode corresponding to each of the R, G, and B sub-pixels is formed;
an R sub-pixel including a hole organic layer, an R emission layer, and an electron organic layer sequentially stacked on an anode electrode corresponding to the R sub-pixel;
a G sub-pixel spaced apart from the R sub-pixel and including a hole organic layer, a G emission layer, and an electron organic layer sequentially stacked on an anode electrode corresponding to the G sub-pixel;
a B sub-pixel spaced apart from the R sub-pixel and the G sub-pixel and including a hole organic layer, a B emission layer, and an electron organic layer sequentially stacked on an anode electrode corresponding to the B sub-pixel;
and a cathode electrode layer formed on the R sub-pixel, the G sub-pixel, and the B sub-pixel.
 제6항에 있어서,
상기 R 서브 픽셀, G 서브 픽셀 및 B 서브 픽셀 각각의 상기 정공 유기층과 상기 전자 유기층은,
상기 R, G, B 서브 픽셀 각각에 대응하는 패턴이 형성된 공통층용 파인 마스크(Fine mask)을 이용하여 증착되고,
상기 R 서브 픽셀, G 서브 픽셀 및 B 서브 픽셀 각각의 상기 발광층은,
상기 R, G, B 서브 픽셀 중 어느 하나에 대응하는 패턴이 형성된 발광층용 파인 마스크(Fine mask)을 이용하여 증착되는 것을 특징으로 하는, OLED 디스플레이 소자.
7. The method of claim 6,
The hole organic layer and the electron organic layer of each of the R sub-pixel, G sub-pixel and B sub-pixel,
It is deposited using a fine mask for a common layer in which a pattern corresponding to each of the R, G, and B sub-pixels is formed,
The light emitting layer of each of the R sub-pixel, G sub-pixel and B sub-pixel comprises:
An OLED display device, characterized in that it is deposited using a fine mask for a light emitting layer in which a pattern corresponding to any one of the R, G, and B sub-pixels is formed.
 제6항에 있어서,
상기 기판에는, 상기 애노드 전극 사이에 보조 전극이 형성되며,
상기 캐소드 전극층을 형성함에 따라, 상기 R 서브 픽셀, 상기 G 서브 픽셀, 상기 B 서브 픽셀 사이의 상기 보조 전극과 상기 캐소드 전극층이 연결되는 것을 특징으로 하는, OLED 디스플레이 소자.
7. The method of claim 6,
An auxiliary electrode is formed on the substrate between the anode electrodes,
As the cathode electrode layer is formed, the auxiliary electrode between the R sub-pixel, the G sub-pixel, and the B sub-pixel is connected to the cathode electrode layer.
 제7항에 있어서,
상기 애노드 전극층은 투명 전도성 산화막(Indium Tin Oxide: ITO)의 투명 전극이고,
상기 캐소드 전극층은 박막의 금속 전극 또는 전도성 산화막인 것을 특징으로 하는, OLED 디스플레이 소자.
8. The method of claim 7,
The anode electrode layer is a transparent electrode of a transparent conductive oxide film (Indium Tin Oxide: ITO),
The cathode electrode layer is a thin metal electrode or a conductive oxide film, characterized in that, OLED display device.
 제6항에 있어서,
상기 기판은,
상기 애노드 전극 사이에 형성되는 보조 전극과;
상기 보조 전극의 양단부에 상기 애노드 전극의 가장 자리와 상기 보조 전극의 가장 자리를 덮는 뱅크(bank)를 더 포함하는, OLED 디스플레이 소자.
7. The method of claim 6,
The substrate is
an auxiliary electrode formed between the anode electrodes;
The OLED display device further comprising a bank (bank) covering an edge of the anode electrode and an edge of the auxiliary electrode at both ends of the auxiliary electrode.
 제10항에 있어서,
상기 R 서브 픽셀, 상기 G 서브 픽셀 및 상기 B 서브 픽셀 각각은 상기 뱅크 사이의 상기 애노드 전극에 형성되는 것을 특징으로 하는, OLED 디스플레이 소자.11. The method of claim 10,
wherein each of the R sub-pixel, the G sub-pixel and the B sub-pixel is formed in the anode electrode between the banks.
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