KR20210123963A - OLED display device and method for manufacturing the same - Google Patents

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KR20210123963A
KR20210123963A KR1020200050099A KR20200050099A KR20210123963A KR 20210123963 A KR20210123963 A KR 20210123963A KR 1020200050099 A KR1020200050099 A KR 1020200050099A KR 20200050099 A KR20200050099 A KR 20200050099A KR 20210123963 A KR20210123963 A KR 20210123963A
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김혜동
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주식회사 선익시스템
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Abstract

Disclosed is an OLED display device and a method for manufacturing the same, capable of minimizing damage to a substrate due to frequent mask replacement. According to one aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing an OLED display device, which includes the steps of: preparing a substrate on which a thin film transistor and an anode electrode corresponding to each of the first, second, and third sub-pixels are formed; forming a first organic material layer by aligning a first fine mask on which a pattern corresponding to the first sub-pixel is formed with the substrate, and sequentially depositing a hole organic layer through which holes move, a first sub-pixel emission layer, and an electron organic layer through which electrons move; forming a second organic material layer by aligning a second fine mask on which a pattern corresponding to the second sub-pixel is formed with the substrate, and sequentially depositing a hole organic layer through which holes move, a second sub-pixel emission layer, and an electron organic layer through which electrons move; forming a third organic material layer by aligning a third fine mask on which a pattern corresponding to the second sub-pixel is formed with the substrate on which the first and second organic material layers are formed, and sequentially depositing a hole organic layer through which holes move, a third sub-pixel emission layer, and an electron organic layer through which electrons move; and forming a cathode electrode layer on the substrate on which the first organic material layer, the second organic material layer, and the third organic material layer are formed.

Description

OLED 디스플레이 소자 및 OLED 디스플레이 소자 제조 방법{OLED display device and method for manufacturing the same}An OLED display device and an OLED display device manufacturing method {OLED display device and method for manufacturing the same}

본 발명은 OLED 디스플레이 소자 및 OLED 디스플레이 소자 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 발광층의 서브 픽셀에 대응되는 파인 마스크를 이용하여 나머지 유기물층을 형성함으로써 마스크의 잦은 교체에 따른 기판의 손상을 최소화할 수 있는 OLED 디스플레이 소자 및 OLED 디스플레이 소자 제조 방법을 제공하는 것이다.The present invention relates to an OLED display device and a method for manufacturing an OLED display device. More specifically, it is to provide an OLED display device and a method of manufacturing an OLED display device capable of minimizing damage to a substrate due to frequent replacement of the mask by forming the remaining organic material layer using a fine mask corresponding to the sub-pixel of the light emitting layer.

유기 전계 발광소자(Organic Luminescence Emitting Device: OLED)는 형광성 유기화합물에 전류가 흐르면 빛을 내는 전계 발광현상을 이용하는 스스로 빛을 내는 자발광소자로서, 비발광소자에 빛을 가하기 위한 백라이트가 필요하지 않기 때문에 경량이고 박형의 평판표시장치를 제조할 수 있다. Organic Luminescence Emitting Device (OLED) is a self-luminous device that emits light by itself using the electroluminescence phenomenon that emits light when a current flows through a fluorescent organic compound. Therefore, a lightweight and thin flat panel display device can be manufactured.

이러한 유기 전계 발광소자를 이용한 평판표시장치는 응답속도가 빠르며, 시야각이 넓어 차세대 표시장치로서 대두되고 있다.A flat panel display using such an organic electroluminescent device has a fast response speed and a wide viewing angle, and thus is emerging as a next-generation display device.

유기 전계 발광 소자는, 애노드 전극 및 캐소드 전극을 제외한 나머지 유기물층인 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층 등이 유기 박막으로 되어 있고, 이러한 유기 박막은 진공열증착방법으로 기판 상에 증착하게 된다.In the organic electroluminescent device, the remaining organic material layers excluding the anode electrode and the cathode electrode, such as a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer and an electron injection layer, are made of an organic thin film, and this organic thin film is formed on a substrate by a vacuum thermal deposition method. will be deposited on

진공열증착방법은 진공의 챔버 내에 기판을 배치하고, 일정 패턴이 형성된 마스크(mask)를 기판에 정렬시킨 후, 증발원의 도가니를 가열하여 도가니에서 증발되는 증착입자를 기판 상에 증착하는 방식으로 이루어진다.The vacuum thermal deposition method consists of placing a substrate in a vacuum chamber, aligning a mask on which a predetermined pattern is formed on the substrate, and then heating the crucible of the evaporation source to deposit the deposited particles evaporated from the crucible on the substrate. .

그런데, 정공 주입층, 정공 수송층의 정공 공통층과, 전자 수송층 및 전자 주입층 등의 전자 공통층 등은 전면이 오픈된 오픈 메탈 마스크(Open Metal Mask, OMM)를 이용하여 유기물의 증착을 수행하고, 발광층은 R, G, B 서브 화소 별 파인 메탈 마스크(Fine Metal Mask, FMM)이용하여 유기물의 증착을 수행하게 되는데, 각 유기물의 증착 과정에 따른 마스크의 잦은 교체 과정에서 기판에 스크래치 등이 발생하여 불량 화소가 발생할 우려가 있다.By the way, the hole injection layer, the hole common layer of the hole transport layer, and the electron common layer such as the electron transport layer and the electron injection layer are deposited using an open metal mask (OMM) with an open front surface, and , the light emitting layer is deposited using a fine metal mask (FMM) for each R, G, and B sub-pixel. As a result, there is a risk that defective pixels may be generated.

대한민국 등록특허공보 제10-2067968호 (2020.01.20 공고)Republic of Korea Patent Publication No. 10-2067968 (Announcement on 2020.01.20)

본 발명은, 발광층의 서브 픽셀에 대응되는 파인 마스크를 이용하여 유기물층을 형성함으로써 마스크의 잦은 교체에 따른 기판의 손상을 최소화할 수 있는 OLED 디스플레이 소자 및 OLED 디스플레이 소자 제조 방법을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide an OLED display device and a method of manufacturing an OLED display device capable of minimizing damage to a substrate due to frequent replacement of a mask by forming an organic material layer using a fine mask corresponding to a sub-pixel of a light emitting layer.

본 발명의 일 측면에 따르면, 박막 트랜지스터 및 제1, 제2, 제3 서브 픽셀에 각각 대응되는 애노드 전극이 형성된 기판을 준비하는 단계와; 상기 제1 서브 픽셀에 상응하는 패턴이 형성된 제1 파인 마스크(Fine mask)와 상기 기판을 얼라인하고, 정공이 이동하는 정공 유기층, 제1 서브 픽셀 발광층, 전자가 이동하는 전자 유기층을 순차적으로 증착하여 제1 유기물층을 형성하는 단계와; 상기 제2 서브 픽셀에 상응하는 패턴이 형성된 제2 파인 마스크(Fine mask)와 상기 제1 유기물층이 형성된 상기 기판을 얼라인하고, 정공이 이동하는 정공 유기층, 제2 서브 픽셀 발광층, 전자가 이동하는 전자 유기층을 순차적으로 증착하여 제2 유기물층을 형성하는 단계와; 상기 제3 서브 픽셀에 상응하는 패턴이 형성된 제3 파인 마스크(Fine mask)와 상기 제1 유기물층 및 상기 제2 유기물층이 형성된 상기 기판을 얼라인하고, 정공이 이동하는 정공 유기층, 제3 서브 픽셀 발광층, 전자가 이동하는 전자 유기층을 순차적으로 증착하여 제3 유기물층을 형성하는 단계와; 상기 제1 유기물층, 상기 제2 유기물층, 상기 제3 유기물층이 형성된 상기 기판에 캐소드 전극층을 형성하는 단계를 포함하는, OLED 디스플레이 소자 제조 방법이 제공된다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a thin film transistor, comprising: preparing a substrate on which a thin film transistor and an anode electrode corresponding to the first, second, and third sub-pixels are formed; A first fine mask on which a pattern corresponding to the first sub-pixel is formed is aligned with the substrate, and a hole organic layer through which holes move, a first sub-pixel emission layer, and an electron organic layer through which electrons move are sequentially deposited to form a first organic material layer; A second fine mask on which a pattern corresponding to the second sub-pixel is formed is aligned with the substrate on which the first organic material layer is formed, and a hole organic layer in which holes move, a second sub-pixel light emitting layer, and electrons are moved forming a second organic material layer by sequentially depositing an electron organic layer; A third fine mask on which a pattern corresponding to the third sub-pixel is formed and the substrate on which the first organic material layer and the second organic material layer are formed are aligned, and a hole organic layer through which holes move, and a third sub-pixel emission layer , forming a third organic material layer by sequentially depositing an electron organic layer through which electrons move; A method of manufacturing an OLED display device is provided, comprising forming a cathode electrode layer on the substrate on which the first organic material layer, the second organic material layer, and the third organic material layer are formed.

상기 기판에는, 상기 애노드 전극 사이에 보조 전극이 형성되며, 상기 캐소드 전극층을 형성하는 단계에서 상기 캐소드 전극층을 형성함에 따라, 상기 제1 유기물층, 상기 제2 유기물층, 상기 제3 유기물층 사이의 상기 보조 전극과 상기 캐소드 전극층이 연결될 수 있다.An auxiliary electrode is formed between the anode electrodes on the substrate, and as the cathode electrode layer is formed in the step of forming the cathode electrode layer, the auxiliary electrode between the first organic material layer, the second organic material layer, and the third organic material layer and the cathode electrode layer may be connected to each other.

상기 애노드 전극층은 투명 전도성 산화막(Indium Tin Oxide: ITO)의 투명 전극이고, 상기 캐소드 전극층은 박막의 금속 전극일 수 있다.The anode electrode layer may be a transparent conductive indium tin oxide (ITO) transparent electrode, and the cathode electrode layer may be a thin metal electrode.

상기 기판은, 상기 애노드 전극 사이에 형성되는 보조 전극과; 상기 보조 전극의 양단부에 상기 애노드 전극의 가장 자리와 상기 보조 전극의 가장 자리를 덮는 뱅크(bank)를 더 포함할 수 있다.The substrate may include: an auxiliary electrode formed between the anode electrodes; A bank may be further included at both ends of the auxiliary electrode to cover an edge of the anode electrode and an edge of the auxiliary electrode.

상기 제1 유기물층, 상기 제2 유기물층, 상기 제3 유기물층 각각은 상기 뱅크 사이의 상기 애노드 전극에 형성될 수 있다.Each of the first organic material layer, the second organic material layer, and the third organic material layer may be formed on the anode electrode between the banks.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 박막 트랜지스터 및 R, G, B 서브 픽셀에 각각 대응되는 애노드 전극을 포함하는 애노드 전극층이 형성된 기판과; 상기 R 서브 픽셀에 대응되는 애노드 전극 상에 순차적으로 적층되는 정공이 이동하는 정공 유기층, R 서브 픽셀 발광층, 전자가 이동하는 전자 유기층을 포함하는 R 유기물층과; 상기 R 유기물층과 이격되며, 상기 G 서브 픽셀에 대응되는 애노드 전극 상에 순차적으로 적층되는 정공이 이동하는 정공 유기층, G 서브 픽셀 발광층, 전자가 이동하는 전자 유기층을 포함하는 G 유기물층과; 상기 R 유기물층, 상기 G 유기물층과 이격되며, 상기 B 서브 픽셀에 대응되는 애노드 전극 상에 순차적으로 적층되는 정공이 이동하는 정공 유기층, B 서브 픽셀 발광층, 전자가 이동하는 전자 유기층을 포함하는 B 유기물층과; 상기 R 유기물층, 상기 G 유기물층, 상기 B 유기물층 상부에 형성되는 캐소드 전극층을 포함하는, OLED 디스플레이 소자가 제공된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a substrate comprising: a substrate on which an anode electrode layer including a thin film transistor and an anode electrode corresponding to each of the R, G, and B sub-pixels is formed; an R organic layer including a hole organic layer in which holes move, an R sub-pixel emission layer, and an electron organic layer in which electrons move, which are sequentially stacked on the anode electrode corresponding to the R sub-pixel; a G organic layer that is spaced apart from the R organic layer and includes a hole organic layer in which holes move, a G subpixel light emitting layer, and an electron organic layer in which electrons move, which are sequentially stacked on the anode electrode corresponding to the G sub-pixel; The R organic material layer, the G organic material layer and the B organic material layer comprising a hole organic layer in which holes move, a B sub-pixel light emitting layer, and an electron organic layer in which electrons move, which are sequentially stacked on the anode electrode corresponding to the B sub-pixel ; An OLED display device is provided, including a cathode electrode layer formed on the R organic layer, the G organic layer, and the B organic layer.

상기 R 유기물층, 상기 G 유기물층 및 상기 B 유기물층 각각은, 각 서브 픽셀에 상응하는 패턴이 형성된 파인 마스크(Fine mask)을 이용하여, 상기 정공 유기층, 서브 픽셀 발광층, 전자 유기층이 순차적으로 증착되어 형성될 수 있다.Each of the R organic layer, the G organic layer and the B organic layer is formed by sequentially depositing the hole organic layer, the sub-pixel light emitting layer, and the electron organic layer using a fine mask having a pattern corresponding to each sub-pixel. can

상기 기판에는, 상기 애노드 전극 사이에 보조 전극이 형성되며, 상기 캐소드 전극층을 형성함에 따라, 상기 R 유기물층, 상기 G 유기물층, 상기 B 유기물층 사이의 상기 보조 전극과 상기 캐소드 전극층이 연결될 수 있다.An auxiliary electrode is formed between the anode electrodes on the substrate, and as the cathode electrode layer is formed, the auxiliary electrode and the cathode electrode layer between the R organic material layer, the G organic material layer, and the B organic material layer may be connected.

상기 애노드 전극층은 투명 전도성 산화막(Indium Tin Oxide: ITO)의 투명 전극이고, 상기 캐소드 전극층은 박막의 금속 전극일 수 있다.The anode electrode layer may be a transparent conductive indium tin oxide (ITO) transparent electrode, and the cathode electrode layer may be a thin metal electrode.

상기 기판은, 상기 애노드 전극 사이에 형성되는 보조 전극과; 상기 보조 전극의 양단부에 상기 애노드 전극의 가장 자리와 상기 보조 전극의 가장 자리를 덮는 뱅크(bank)를 더 포함할 수 있다.The substrate may include: an auxiliary electrode formed between the anode electrodes; A bank may be further included at both ends of the auxiliary electrode to cover an edge of the anode electrode and an edge of the auxiliary electrode.

상기 R 유기물층, 상기 G 유기물층, 상기 B 유기물층 각각은 상기 뱅크 사이의 상기 애노드 전극에 형성될 수 있다.Each of the R organic material layer, the G organic material layer, and the B organic material layer may be formed on the anode electrode between the banks.

본 발명의 실시예에 따르면, 발광층의 서브 픽셀에 대응되는 파인 마스크를 이용하여 유기물층을 형성함으로써 마스크의 잦은 교체에 따른 기판의 손상을 최소화할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, damage to the substrate due to frequent replacement of the mask can be minimized by forming the organic material layer using a fine mask corresponding to the sub-pixel of the light emitting layer.

그리고, 캐소드 전극층의 증착에 의해 캐소드 전극이 전압 강하를 방지하기 위해 형성되는 보조 전극과 직접 접촉되기 때문에 격벽 형성, 유기물층 제거 등의 공정을 생략할 수 있다.In addition, since the cathode electrode is in direct contact with the auxiliary electrode formed to prevent voltage drop by deposition of the cathode electrode layer, processes such as forming a barrier rib and removing the organic material layer may be omitted.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 OLED 디스플레이 소자 제조 방법의 순서도.
도 2 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 OLED 디스플레이 소자 제조 방법의 흐름도.
도 7 내지 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 OLED 디스플레이 소자 제조 방법의 증착 과정을 설명하기 위한 도면.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 OLED 디스플레이 소자를 간략히 나타낸 도면.1 is a flowchart of a method for manufacturing an OLED display device according to an embodiment of the present invention.
2 to 6 are flowcharts of a method of manufacturing an OLED display device according to an embodiment of the present invention.
7 to 9 are views for explaining a deposition process of a method for manufacturing an OLED display device according to an embodiment of the present invention.
10 is a diagram schematically illustrating an OLED display device according to another embodiment of the present invention.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.Since the present invention can apply various transformations and can have various embodiments, specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description. However, this is not intended to limit the present invention to specific embodiments, and it should be understood to include all modifications, equivalents and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. In describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known technology may obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.Terms such as first, second, etc. may be used to describe various elements, but the elements should not be limited by the terms. The above terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.

이하, 본 발명에 따른 OLED 디스플레이 소자 및 OLED 디스플레이 소자 제조 방법의 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, an embodiment of an OLED display device and an OLED display device manufacturing method according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, and in the description with reference to the accompanying drawings, the same or corresponding components are denoted by the same reference numerals. and a redundant description thereof will be omitted.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 OLED 디스플레이 소자 제조 방법의 순서도이고, 도 2 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 OLED 디스플레이 소자 제조 방법의 흐름도이다. 그리고, 도 7 내지 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 OLED 디스플레이 소자 제조 방법의 증착 과정을 설명하기 위한 도면이다.1 is a flowchart of a method for manufacturing an OLED display device according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 2 to 6 are flowcharts of a method for manufacturing an OLED display device according to an embodiment of the present invention. 7 to 9 are diagrams for explaining a deposition process of a method for manufacturing an OLED display device according to an embodiment of the present invention.

도 2 내지 도 9에는, 유리 기판(12), 박막 트랜지스터(14), 평탄화층(16), 애노드 전극(18), 애노드 전극층(19), 보조 전극(20), 뱅크(21), 기판(22), 정공 주입층(24), 정공 수송층(25), 정공 유기층(26), R 서브 픽셀 발광층(28), 전자 수송층(30), 전자 주입층(31), 전자 유기층(32), R 유기물층(33), G 서브 픽셀 발광층(34), G 유기물층(35), B 서브 픽셀 발광층(36), B 유기물층(37), 캐소드 전극층(38), R 서브 픽셀용 파인 마스크(40), G 서브 픽셀용 파인 마스크(42), B 서브 픽셀용 파인 마스크(44)가 도시되어 있다.2 to 9, the glass substrate 12, the thin film transistor 14, the planarization layer 16, the anode electrode 18, the anode electrode layer 19, the auxiliary electrode 20, the bank 21, the substrate ( 22), hole injection layer 24, hole transport layer 25, hole organic layer 26, R sub-pixel emission layer 28, electron transport layer 30, electron injection layer 31, electron organic layer 32, R Organic material layer 33, G sub-pixel light-emitting layer 34, G organic material layer 35, B sub-pixel light-emitting layer 36, B organic material layer 37, cathode electrode layer 38, R sub-pixel fine mask 40, G A fine mask 42 for sub-pixels and a fine mask 44 for B sub-pixels are shown.

본 실시예에 따른 OLED 디스플레이 소자 제조 방법은, 박막 트랜지스터(14) 및 제1, 제2, 제3 서브 픽셀에 각각 대응되는 애노드 전극(18)이 형성된 기판(22)을 준비하는 단계(S100)와; 제1 서브 픽셀에 상응하는 패턴이 형성된 제1 파인 마스크(Fine mask)와 기판(22)을 얼라인하고, 정공이 이동하는 정공 유기층(26), 제1 서브 픽셀 발광층, 전자가 이동하는 전자 유기층(32)을 순차적으로 증착하여 제1 유기물층을 형성하는 단계(S200)와; 제2 서브 픽셀에 상응하는 패턴이 형성된 제2 파인 마스크(Fine mask)와 제1 유기물층이 형성된 기판(22)을 얼라인하고, 정공이 이동하는 정공 유기층(26), 제2 서브 픽셀 발광층, 전자가 이동하는 전자 유기층(32)을 순차적으로 증착하여 제2 유기물층을 형성하는 단계(S300)와; 제3 서브 픽셀에 상응하는 패턴이 형성된 제3 파인 마스크(Fine mask)와 제1 유기물층 및 제2 유기물층이 형성된 기판(22)을 얼라인하고, 정공이 이동하는 정공 유기층(26), 제3 서브 픽셀 발광층, 전자가 이동하는 전자 유기층(32)을 순차적으로 증착하여 제3 유기물층을 형성하는 단계(S400)와; 제1 유기물층, 제2 유기물층, 제3 유기물층이 형성된 기판(22)에 캐소드 전극층(38)을 형성하는 단계(S500)를 포함한다.The method of manufacturing an OLED display device according to the present embodiment includes preparing a substrate 22 on which a thin film transistor 14 and anode electrodes 18 corresponding to the first, second, and third sub-pixels are formed ( S100 ). Wow; A first fine mask on which a pattern corresponding to the first sub-pixel is formed is aligned with the substrate 22, and a hole organic layer 26 through which holes move, a first sub-pixel emission layer, and an electron organic layer through which electrons move depositing (32) sequentially to form a first organic material layer (S200); A second fine mask on which a pattern corresponding to the second sub-pixel is formed and the substrate 22 on which the first organic material layer is formed are aligned, and the hole organic layer 26 through which holes move, the second sub-pixel emission layer, and the electrons forming a second organic material layer by sequentially depositing the electron organic layer 32 on which the moving electrons move (S300); A third fine mask on which a pattern corresponding to the third sub-pixel is formed and the substrate 22 on which the first organic material layer and the second organic material layer are formed are aligned, and the hole organic layer 26 through which holes move, the third sub forming a third organic material layer by sequentially depositing a pixel emission layer and an electron organic layer 32 through which electrons move (S400); and forming the cathode electrode layer 38 on the substrate 22 on which the first organic material layer, the second organic material layer, and the third organic material layer are formed (S500).

이하에서는 도 2 내지 도 6, 도 7 내지 도 9를 참조하여 OLED 디스플레이 소자 제조 방법에 대해서 자세히 설명하기로 한다.Hereinafter, a method of manufacturing an OLED display device will be described in detail with reference to FIGS. 2 to 6 and 7 to 9 .

먼저, 도 2에 도시된 바와 같이, 박막 트랜지스터(14) 및 제1, 제2, 제3 서브 픽셀에 각각 대응되는 애노드 전극(18)이 형성된 기판(22)을 준비한다(S200). 준비된 기판(22)은 아래의 증착을 위한 증착 챔버에 로딩될 수 있다.First, as shown in FIG. 2 , the substrate 22 on which the thin film transistor 14 and the anode electrode 18 corresponding to the first, second, and third sub-pixels are formed is prepared ( S200 ). The prepared substrate 22 may be loaded into a deposition chamber for subsequent deposition.

본 실시예에 따른 '기판(22)'은, 도 1에 도시된 바와 같이, 유기물층(33, 35, 37)에 대한 증착을 수행되기 직전에 준비되는 기판(22)으로서, 유리 기판(12) 상에 박막 트랜지스터(14)(Thin Film Transistor), 평탄화층(16), 박막 트랜지스터(14)에 전기적으로 연결되는 애노드 전극(18) 등이 형성된 기판일 수 있다. The 'substrate 22' according to this embodiment, as shown in FIG. 1, is a substrate 22 prepared just before performing deposition on the organic material layers 33, 35, 37, and a glass substrate 12. A thin film transistor 14 (thin film transistor), a planarization layer 16 , an anode electrode 18 electrically connected to the thin film transistor 14 , etc. may be formed on the substrate.

애노드 전극(18)은 제1, 제2, 제3 서브 픽셀에 각각 대응되어 각 서브 픽셀 별로 형성될 수 있다. 이하에서는 각 서브 픽셀 별로 애노드 전극(18)이 형성된 층을 애노드 전극층(19)이라 한다.The anode electrode 18 may correspond to the first, second, and third sub-pixels, respectively, and may be formed for each sub-pixel. Hereinafter, the layer in which the anode electrode 18 is formed for each sub-pixel is referred to as an anode electrode layer 19 .

OLED 디스플레이는 애노드 전극층(19)과 캐소드 전극층(38) 사이에 전압을 걸어줌으로써 유기물층(33, 35, 37)에 에너지의 차이가 형성되어 자발광하는 원리로서, 주입되는 전자와 정공(hole)이 재결합하며 남는 에너지가 빛으로 발생되는 것이다. 이때 유기물의 도펀트의 양에 따라 나오는 빛의 파장을 조절할 수 있고 풀 컬러의 구현이 가능하다. In the OLED display, a difference in energy is formed in the organic material layers 33, 35, and 37 by applying a voltage between the anode electrode layer 19 and the cathode electrode layer 38 to emit light. The injected electrons and holes The energy remaining after recombination is generated as light. In this case, the wavelength of the emitted light can be adjusted according to the amount of the dopant of the organic material, and full color can be realized.

본 실시예에서는, 투명 기판(12) 상에 애노드 전극층(19)으로 투명 전도성 산화막(Indium Tin Oxide: ITO)을 스퍼터링 방법으로 증착하여 형성한 형태를 제시한다.In this embodiment, a form formed by depositing a transparent conductive oxide film (Indium Tin Oxide: ITO) as the anode electrode layer 19 on the transparent substrate 12 by a sputtering method is presented.

본 단계에서는 박막 트랜지스터(14), 애노드 전극(18) 등이 형성되는 기판(22)에 대해 유기물의 증착을 위해 준비한다.In this step, the substrate 22 on which the thin film transistor 14 , the anode electrode 18 , etc. are formed is prepared for deposition of an organic material.

OLED 디스플레이 소자가 풀 컬러를 구현하기 위해서, 빛의 3원색인 빨강(Red, R), 초록(Green, G), 파랑(Blue, B)를 형성하는 R 서브 픽셀, G 서브 픽셀, B 서브 픽셀의 3개 서브 픽셀로 구성된 단위 픽셀이 일정 간격으로 배열되어 발광층을 형성하게 된다. In order for an OLED display device to realize full color, the R sub-pixel, G sub-pixel, and B sub-pixel that form the three primary colors of light: red (Red, R), green (Green, G), and blue (Blue, B). A unit pixel composed of three sub-pixels is arranged at regular intervals to form a light emitting layer.

본 실시예에 있어서 제1 서브 픽셀, 제2 서브 픽셀, 제3 서브 픽셀 각각은, R 서브 픽셀, G 서브 픽셀, B 서브 픽셀 중 어느 하나에 각각 해당되는데, 제1 서브 픽셀은 R 서브 픽셀, G 서브 픽셀, B 서브 픽셀 중 어느 하나에 해당되고, 제2 서브 픽셀은, 제1 서브 픽셀에 해당되는 서브 픽셀 이외의 나머지 둘 중 어느 하나의 서브 픽셀에 해당되며, 제3 서브 픽셀은 제1 서브 픽셀과 제2 서브 픽셀에 해당되지 않는 나머지 하나의 서브 픽셀에 해당된다. 예를 들면, 제1 서브 픽셀이 R 서브 픽셀에 해당된다면, 제2 서브 픽셀은 G 서브 픽셀, B 서브 픽셀 중 하나인 G 서브 픽셀에 해당될 수 있고, 제3 서브 픽셀은 나머지 하나인 B 서브 픽셀에 해당된다.In the present embodiment, each of the first sub-pixel, the second sub-pixel, and the third sub-pixel corresponds to any one of the R sub-pixel, the G sub-pixel, and the B sub-pixel, the first sub-pixel being the R sub-pixel; The second sub-pixel corresponds to any one of the G sub-pixel and the B sub-pixel, the second sub-pixel corresponds to any one of the other sub-pixels other than the sub-pixel corresponding to the first sub-pixel, and the third sub-pixel corresponds to the first It corresponds to the other sub-pixel that does not correspond to the sub-pixel and the second sub-pixel. For example, if the first sub-pixel corresponds to the R sub-pixel, the second sub-pixel may correspond to the G sub-pixel which is one of the G sub-pixel and the B sub-pixel, and the third sub-pixel corresponds to the other B sub-pixel. corresponds to the pixel.

본 실시예에 있어서, 제1 서브 픽셀은 'R'서브 픽셀에 해당되고, 제2 서브 픽셀은 'G'서브 픽셀에 해당되며, 제3 서브 픽셀은 'B'서브 픽셀에 해당되는데, 이하에서는 이를 중심으로 설명한다. In this embodiment, the first sub-pixel corresponds to the 'R' sub-pixel, the second sub-pixel corresponds to the 'G' sub-pixel, and the third sub-pixel corresponds to the 'B' sub-pixel. This will be mainly explained.

다음에, 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 서브 픽셀에 상응하는 패턴이 형성된 제1 파인 마스크(Fine mask)와 기판(22)을 얼라인하고, 정공이 이동하는 정공 유기층(26), 제1 서브 픽셀 발광층, 전자가 이동하는 전자 유기층(32)을 순차적으로 증착하여 제1 유기물층을 형성한다(S200). Next, as shown in FIG. 3 , the first fine mask on which the pattern corresponding to the first sub-pixel is formed and the substrate 22 are aligned, and the hole organic layer 26 through which holes move, the second A first organic material layer is formed by sequentially depositing one sub-pixel light emitting layer and an electron organic layer 32 through which electrons move ( S200 ).

상술한 바와 같이, 제1 서브 픽셀은 R 서브 픽셀에 해당되고, 따라서 제1 서브 픽셀 발광층은 R 서브 픽셀 발광층(28)을 의미하고, 제1 파인 마스크는 R 서브 픽셀용 파인 마스크(40)를 의미한다.As described above, the first sub-pixel corresponds to the R sub-pixel, so the first sub-pixel light-emitting layer means the R sub-pixel light-emitting layer 28, and the first fine mask is the fine mask 40 for the R sub-pixel. it means.

일반적으로, 정공이 이동하는 정공 유기층 및 전자가 이동하는 전자 유기층은 전면이 오픈된 오픈 마스크(open mask)를 이용하여 기판 상에 증착이 이루어지고, R, G, B 서브 픽셀로 이루어진 발광층은, 각 서브 픽셀 별로 독립 챔버에서 파인 마스크(fine mask)를 사용하여 각각 증착하여 형성된다.In general, the hole organic layer through which holes move and the electron organic layer through which electrons move are deposited on a substrate using an open mask with an open front surface. Each sub-pixel is formed by depositing in an independent chamber using a fine mask.

그런데, 본 실시예에서는 하나의 서브 픽셀에 해당되는 패턴이 형성된 파인 마스크만을 이용하여 정공 유기층(26), 해당 서브 픽셀 발광층, 전자 유기층(32)을 순차적으로 적층하여 마스크의 교체를 최소화한다. However, in the present embodiment, the hole organic layer 26 , the corresponding sub-pixel emission layer, and the electron organic layer 32 are sequentially stacked using only a fine mask having a pattern corresponding to one sub-pixel to minimize mask replacement.

여기서, 유기물층은 정공 유기층, 발광층, 전자 유기층 등의 유기물이 증착된 전체 층을 지칭하는 것으로서, 하나의 파인 마스크를 이용하여 서브 픽셀 별로 전체 유기물층을 형성한다.Here, the organic material layer refers to an entire layer on which organic materials such as a hole organic layer, a light emitting layer, and an electron organic layer are deposited, and the entire organic material layer is formed for each sub-pixel by using a single fine mask.

보다 자세히는, 도 7의 (b)에 도시된 바와 같이 R 서브 픽셀에 상응하는 패턴이 형성된 R 서브 픽셀용 파인 마스크(40)(Fine mask)를 기판(22)에 얼라인하고, 정공이 이동하는 정공 유기층(26), R 서브 픽셀 발광층(28), 전자가 이동하는 전자 유기층(32)을 순차적으로 증착하여 R 유기물층(33)을 형성하는 것이다. In more detail, as shown in (b) of FIG. 7 , a fine mask 40 (fine mask) for R sub-pixels in which a pattern corresponding to the R sub-pixels is formed is aligned with the substrate 22, and holes are moved The hole organic layer 26 , the R sub-pixel emission layer 28 , and the electron organic layer 32 through which electrons move are sequentially deposited to form the R organic material layer 33 .

정공 유기층(26)은 정공을 발광층으로 주입하는 유기물층으로서, 정공 주입층(24)(Hole Injection Layer, HIL), 정공 수송층(25)(Hole Transport Layer, HTL)으로 구성될 수 있으며, 전자 유기층(32)은 발광층에 전자를 생성하고 주입하는 유기물층으로서, 전자 수송층(30)(Electron Transfer Layer, ETL), 전자 주입층(31)(Electron Injection Layer, EIL)으로 구성될 수 있다. The hole organic layer 26 is an organic material layer for injecting holes into the light emitting layer, and may be composed of a hole injection layer 24 (Hole Injection Layer, HIL), a hole transport layer 25 (Hole Transport Layer, HTL), and an electron organic layer ( 32) is an organic material layer that generates and injects electrons into the emission layer, and may include an electron transport layer 30 (Electron Transfer Layer, ETL) and an electron injection layer 31 (Electron Injection Layer, EIL).

본 실시예에 따르면, 도 3에 도시된 바와 같이, R 서브 픽셀용 파인 마스크(40)를 이용하여 해당 애노드 전극(18) 상에 정공 주입층(24)(Hole Injection Layer, HIL), 정공 수송층(25)(Hole Transport Layer, HTL)을 순차적으로 증착하고, 그 위에 R 서브 픽셀용 파인 마스크(40)을 그대로 이용하여 정공 유기층(26) 상에 R 서브 픽셀 발광층(28)을 증착한 후, 그 위에 바로 전자 수송층(30)(Electron Transfer Layer, ETL), 전자 주입층(31)(Electron Injection Layer, EIL)을 순차적으로 증착함으로써 R 서브 픽셀에 대응되는 R 유기물층(33)을 형성한다.According to this embodiment, as shown in FIG. 3 , a hole injection layer 24 (Hole Injection Layer, HIL) and a hole transport layer are formed on the anode 18 using the fine mask 40 for the R sub-pixel. (25) (Hole Transport Layer, HTL) is sequentially deposited, and the R sub-pixel emission layer 28 is deposited on the hole organic layer 26 using the fine mask 40 for the R sub-pixel as it is, An R organic material layer 33 corresponding to the R sub-pixel is formed by sequentially depositing an electron transport layer 30 (Electron Transfer Layer, ETL) and an electron injection layer 31 (EIL) directly thereon.

도 7의 (a)에는 애노드 전극(18)이 형성된 기판(22)이 도시되어 있고, 도 7의 (b)에는 R 서브 픽셀에 상응하는 패턴이 형성된 R 서브 픽셀용 파인 마스크(40)(Fine mask)이 도시되어 있는데, 애노드 전극(18)이 형성된 기판(22)에 R 서브 픽셀용 파인 마스크(40)(Fine mask)을 얼라인하고 정공 유기층(26), R 서브 픽셀 발광층(28), 전자 유기층(32)을 순차적으로 증착하면 도 7(c)에 도시된 R 유기물층(33)이 형성된 기판(22)을 얻을 수 있다.FIG. 7(a) shows a substrate 22 on which an anode electrode 18 is formed, and FIG. 7(b) shows a fine mask 40 for R sub-pixels on which a pattern corresponding to the R sub-pixels is formed (Fine). mask) is shown, by aligning a fine mask 40 (Fine mask) for the R sub-pixel to the substrate 22 on which the anode electrode 18 is formed, the hole organic layer 26, the R sub-pixel light emitting layer 28, When the electron organic layer 32 is sequentially deposited, the substrate 22 on which the R organic material layer 33 shown in FIG. 7(c) is formed can be obtained.

다음에, 도 4에 도시된 바와 같이, 제2 서브 픽셀에 상응하는 패턴이 형성된 제2 파인 마스크(Fine mask)와 제1 유기물층이 형성된 기판(22)을 얼라인하고, 정공이 이동하는 정공 유기층(26), 제2 서브 픽셀 발광층, 전자가 이동하는 전자 유기층(32)을 순차적으로 증착하여 제2 유기물층을 형성한다(S300).Next, as shown in FIG. 4 , the second fine mask on which the pattern corresponding to the second sub-pixel is formed and the substrate 22 on which the first organic material layer is formed are aligned, and the hole organic layer through which holes move (26), a second organic material layer is formed by sequentially depositing the second sub-pixel emission layer and the electron organic layer 32 through which electrons move (S300).

상술한 바와 같이, 제2 서브 픽셀은 G 서브 픽셀에 해당되고, 따라서 제2 서브 픽셀 발광층은 G 서브 픽셀 발광층(34)을 의미하고, 제2 파인 마스크는 G 서브 픽셀용 파인 마스크(42)를 의미한다.As described above, the second sub-pixel corresponds to the G sub-pixel, so the second sub-pixel light-emitting layer means the G sub-pixel light-emitting layer 34, and the second fine mask is the fine mask 42 for the G sub-pixel. it means.

R 유기물층(33)을 형성하는 방법과 마찬가지로, R 유기물층(33)이 형성된 기판(22) 상에 G 서브 픽셀에 대응되는 G 유기물층(35)을 형성한다. 보다 자세히는, 도 8의 (a)에 도시된 바와 같이, G 서브 픽셀에 상응하는 패턴이 형성된 G 서브 픽셀용 파인 마스크(42)(Fine mask)를 R 유기물층(33)이 형성된 기판(22)에 얼라인하고, 도 4에 도시된 바와 같이, 해당 애노드 전극(18) 상에 정공 주입층(24)(Hole Injection Layer, HIL), 정공 수송층(25)(Hole Transport Layer, HTL)을 순차적으로 증착하고, 그 위에 G 서브 픽셀용 파인 마스크(42)을 그대로 이용하여 정공 유기층(26) 상에 G 서브 픽셀 발광층(34)을 증착한 후, 그 위에 바로 전자 수송층(30)(Electron Transfer Layer, ETL), 전자 주입층(31)(Electron Injection Layer, EIL)을 순차적으로 증착함으로써 G 서브 픽셀에 대응되는 G 유기물층(35)을 형성한다.Similarly to the method of forming the R organic layer 33 , the G organic layer 35 corresponding to the G sub-pixel is formed on the substrate 22 on which the R organic layer 33 is formed. In more detail, as shown in (a) of FIG. 8, a fine mask 42 (fine mask) for G sub-pixels having a pattern corresponding to the G sub-pixels formed on the substrate 22 on which the R organic material layer 33 is formed 4, a hole injection layer 24 (Hole Injection Layer, HIL) and a hole transport layer 25 (Hole Transport Layer, HTL) are sequentially formed on the corresponding anode electrode 18 as shown in FIG. After depositing, the G sub-pixel emission layer 34 is deposited on the hole organic layer 26 using the fine mask 42 for the G sub-pixel as it is, and then the electron transport layer 30 (Electron Transfer Layer, ETL) and an electron injection layer 31 (Electron Injection Layer, EIL) are sequentially deposited to form the G organic material layer 35 corresponding to the G sub-pixel.

도 8의 (b)에는 G 서브 픽셀에 상응하는 패턴이 형성된 G 서브 픽셀용 파인 마스크(42)(Fine mask)이 도시되어 있는데, 도 7의 (c)의 R 유기물층(33)이 형성된 기판(22)에 G 서브 픽셀용 파인 마스크(42)(Fine mask)을 얼라인하고, 정공 유기층(26), G 서브 픽셀 발광층(34), 전자 유기층(32)을 순차적으로 증착하면 도 8의 (b)에 도시된 R 유기물층(33)과 G 유기물층(35)이 형성된 기판(22)을 얻을 수 있다.In (b) of FIG. 8, a fine mask 42 (fine mask) for the G sub-pixel on which a pattern corresponding to the G sub-pixel is formed is shown. 22) by aligning a fine mask 42 for the G sub-pixel, and sequentially depositing the hole organic layer 26, the G sub-pixel emission layer 34, and the electron organic layer 32, as shown in FIG. 8(b). ), the substrate 22 on which the R organic material layer 33 and the G organic material layer 35 are formed can be obtained.

다음에, 제3 서브 픽셀에 상응하는 패턴이 형성된 제3 파인 마스크(Fine mask)와 제1 유기물층 및 제2 유기물층이 형성된 기판(22)을 얼라인하고, 정공이 이동하는 정공 유기층(26), 제3 서브 픽셀 발광층, 전자가 이동하는 전자 유기층(32)을 순차적으로 증착하여 제3 유기물층을 형성한다(S400).Next, the third fine mask on which the pattern corresponding to the third sub-pixel is formed and the substrate 22 on which the first organic material layer and the second organic material layer are formed are aligned, and the hole organic layer 26 through which holes move; A third organic material layer is formed by sequentially depositing the third sub-pixel emission layer and the electron organic layer 32 through which electrons move (S400).

상술한 바와 같이, 제3 서브 픽셀은 B 서브 픽셀에 해당되고, 따라서 제3 서브 픽셀 발광층은 B 서브 픽셀 발광층(36)을 의미하고, 제3 파인 마스크는 B 서브 픽셀용 파인 마스크(44)를 의미한다.As described above, the third sub-pixel corresponds to the B sub-pixel, so the third sub-pixel light-emitting layer means the B sub-pixel light-emitting layer 36, and the third fine mask is a fine mask 44 for the B sub-pixel. it means.

R 유기물층(33), G 유기물층(35)을 형성하는 방법과 마찬가지로, R 유기물층(33)과 G 유기물층(35)이 형성된 기판(22) 상에 B 서브 픽셀에 대응되는 B 유기물층(37)을 형성한다. Similarly to the method of forming the R organic layer 33 and the G organic layer 35 , the B organic layer 37 corresponding to the B sub-pixel is formed on the substrate 22 on which the R organic layer 33 and the G organic layer 35 are formed. do.

보다 자세히는, 도 9의 (a)에 도시된 바와 같이, B 서브 픽셀에 상응하는 패턴이 형성된 B 서브 픽셀용 파인 마스크(44)(Fine mask)를 R 유기물층(33), G 유기물층(35)이 형성된 기판(22)에 얼라인하고, 도 5에 도시된 바와 같이, 해당 애노드 전극(18) 상에 정공 주입층(24)(Hole Injection Layer, HIL), 정공 수송층(25)(Hole Transport Layer, HTL)을 순차적으로 증착하고, 그 위에 B 서브 픽셀용 파인 마스크(44)을 그대로 이용하여 정공 유기층(26) 상에 B 서브 픽셀 발광층(36)을 증착한 후, 그 위에 바로 전자 수송층(30)(Electron Transfer Layer, ETL), 전자 주입층(31)(Electron Injection Layer, EIL)을 순차적으로 증착함으로써 B 서브 픽셀에 대응되는 B 유기물층(37)을 형성한다.In more detail, as shown in (a) of FIG. 9 , a fine mask 44 (Fine mask) for the B sub-pixel having a pattern corresponding to the B sub-pixel is applied to the R organic material layer 33 and the G organic material layer 35 . Aligned to the formed substrate 22, as shown in FIG. 5, a hole injection layer 24 (Hole Injection Layer, HIL) on the corresponding anode electrode 18, a hole transport layer 25 (Hole Transport Layer) , HTL) are sequentially deposited, and a B sub-pixel emission layer 36 is deposited on the hole organic layer 26 using the fine mask 44 for the B sub-pixel as it is, and then the electron transport layer 30 is directly thereon. ) (Electron Transfer Layer, ETL) and an electron injection layer 31 (Electron Injection Layer, EIL) are sequentially deposited to form the B organic material layer 37 corresponding to the B sub-pixel.

도 9의 (b)에는 B 서브 픽셀에 상응하는 패턴이 형성된 B 서브 픽셀용 파인 마스크(44)(Fine mask)가 도시되어 있는데, 도 8의 (b)의 R 유기물층(33)과 G 유기물층(35)이 형성된 기판(22)에 B 서브 픽셀용 파인 마스크(44)을 얼라인하고, 정공 유기층(26), B 서브 픽셀 발광층(36), 전자 유기층(32)을 순차적으로 증착하면 도 9의 (b)에 도시된 R 유기물층(33), G 유기물층(35) 및 B 유기물층(37)이 형성된 기판(22)을 얻을 수 있다.FIG. 9(b) shows a fine mask 44 (fine mask) for sub-pixel B having a pattern corresponding to the sub-pixel B. In FIG. 8(b), the R organic material layer 33 and the G organic material layer ( When the fine mask 44 for the B sub-pixel is aligned on the substrate 22 on which 35) is formed, and the hole organic layer 26, the B sub-pixel emission layer 36, and the electron organic layer 32 are sequentially deposited, as shown in FIG. The substrate 22 on which the R organic material layer 33 , the G organic material layer 35 , and the B organic material layer 37 shown in (b) are formed can be obtained.

본 실시예에서 R 유기물층(33), G 유기물층(35), B 유기물층(37) 순서로 유기물층을 증착하였으나 그 순서를 달리할 수 있음은 물론이다.In the present embodiment, the organic material layer is deposited in the order of R organic material layer 33, G organic material layer 35, and B organic material layer 37, but of course, the order may be changed.

종래의 경우, 정공 유기층(26)과 전자 유기층(32)은 오픈 마스크에 의해 증착이 이루어지기 때문에 서브 픽셀 발광층의 특성과 무관하게 동일한 유기물로 증착을 수행하였으나, 본 실시예의 경우 각 서브 픽셀 별로 유기물층을 형성할 수 있기 때문에 각 서브 픽셀의 발광층의 특성에 맞게 정공 유기층(26) 및 전자 유기층(32)을 선택할 수 있어 디스플레이의 칼라를 보다 정밀하게 구현할 수 있다. 그리고, 서브 픽셀 발광층의 특성에 따라 정공 유기층(26) 및 전자 유기층(32)의 종류와 적층 개수를 달리할 수 있음은 물론이다.In the conventional case, since the hole organic layer 26 and the electron organic layer 32 are deposited by an open mask, deposition is performed with the same organic material regardless of the characteristics of the sub-pixel emission layer. can be formed, the hole organic layer 26 and the electron organic layer 32 can be selected according to the characteristics of the light emitting layer of each sub-pixel, so that the color of the display can be more precisely realized. Of course, the type and number of layers of the hole organic layer 26 and the electron organic layer 32 may be different according to the characteristics of the sub-pixel emission layer.

다음에, 제1 유기물층, 제2 유기물층, 제3 유기물층이 형성된 기판(22)에 캐소드 전극층(38)을 형성한다(S00). 도 6을 참조하면, 해당 애노드 전극 상에 R 유기물층(33), G 유기물층(35), B 유기물층(37)이 형성된 기판(22)의 상부에 캐소드 전극층(38)을 형성한다.Next, the cathode electrode layer 38 is formed on the substrate 22 on which the first organic material layer, the second organic material layer, and the third organic material layer are formed (S00). Referring to FIG. 6 , the cathode electrode layer 38 is formed on the substrate 22 on which the R organic material layer 33 , the G organic material layer 35 , and the B organic material layer 37 are formed on the corresponding anode electrode.

상기의 애노드 전극층(19)으로 투명 전도성 산화막(Indium Tin Oxide: ITO)을 증착하여 투명한 전극으로 형성한 형태와 대비하여, 본 실시예에서는 캐소드 전극층(38)으로 유기물층 상에 박막의 금속 전극을 증착한 형태를 제시한다. 박막의 금속 전극을 증착함으로써 투명한 캐소드 전극 형성이 가능한데, Mg, Ag, Ca, Mg:Ag, Al:Li 등으로 형성하여 유기물층에서 발생한 빛을 투과시키기 위해서는 200Å 정도의 박막으로 형성될 수 있다.In contrast to the form in which a transparent conductive oxide film (Indium Tin Oxide: ITO) is deposited as the anode electrode layer 19 to form a transparent electrode, in this embodiment, a thin metal electrode is deposited on the organic material layer as the cathode electrode layer 38 . present one form. By depositing a thin metal electrode, a transparent cathode electrode can be formed. It can be formed as a thin film of about 200 Å in order to transmit light generated from the organic material layer by forming it with Mg, Ag, Ca, Mg:Ag, Al:Li, etc.

한편, 상술한 기판(22)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 애노드 전극(18) 사이에 형성되는 보조 전극(20)과, 보조 전극(20)의 양단부에 애노드 전극(18)의 가장 자리와 보조 전극(20)의 가장 자리를 덮는 뱅크(21)(bank)를 포함할 수 있다. 기판(22)에 뱅크(21)가 형성된 경우 각 서브 픽셀에 해당되는 유기물층은 뱅크(21) 사이의 애노드 전극(18) 상에 형성된다.On the other hand, as shown in FIG. 2 , the above-described substrate 22 includes the auxiliary electrode 20 formed between the anode electrodes 18 and the edges of the anode electrode 18 at both ends of the auxiliary electrode 20 . and a bank 21 covering the edge of the auxiliary electrode 20 . When the banks 21 are formed on the substrate 22 , an organic material layer corresponding to each sub-pixel is formed on the anode electrode 18 between the banks 21 .

캐소드 전극층(38)이 투명성을 위하여 매우 얇은 박막으로 형성되는 경우, 높은 면 저항으로 인해 정공 생성의 어려워져 휘도가 불균일 해지는 문제가 있다. 이를 위해, 각 서브 화소 내에 보조 전극(20)을 두고 이를 캐소드 전극층(38)과 연결함으로써 캐소드 전극의 면 저항을 보완하여 이러한 문제를 해결할 수 있다.When the cathode electrode layer 38 is formed as a very thin thin film for transparency, there is a problem in that the luminance becomes non-uniform due to difficulty in hole formation due to high sheet resistance. To this end, by providing the auxiliary electrode 20 in each sub-pixel and connecting it to the cathode electrode layer 38, the sheet resistance of the cathode electrode can be supplemented to solve this problem.

종래의 경우, 정공 유기층(26)과 전자 유기층(32)이 오픈 마스크에 의해 기판(22)의 전면에 증착되기 때문에 보조 전극(20)과 캐스드 전극을 연결하기 위해 보조 전극(20) 상부의 유기물층을 제거하거나 별도 격벽을 두어 보조 전극(20)과 캐소드 전극을 연결하였다.In the conventional case, since the hole organic layer 26 and the electron organic layer 32 are deposited on the entire surface of the substrate 22 by an open mask, the upper portion of the auxiliary electrode 20 is formed to connect the auxiliary electrode 20 and the cascade electrode. The auxiliary electrode 20 and the cathode electrode were connected by removing the organic material layer or by providing a separate barrier rib.

그런데, 본 실시예에서는 R 유기물층(33), G 유기물층(35) 및 B 유기물층(37)이 개별적으로 증착이 이루어지기 때문에, 캐소드 전극층(38)의 증착에 의해 캐소드 전극이 보조 전극(20)과 바로 연결될 수 있다.However, in this embodiment, since the R organic material layer 33, the G organic material layer 35, and the B organic material layer 37 are individually deposited, the cathode electrode is formed with the auxiliary electrode 20 and the cathode electrode layer 38 by deposition. can be connected directly.

상기와 같은 방법을 형성된 OLED 디스플레이 소자는 서브 픽셀 별로 유기물층이 분리되어 있어 캐소드 전극 불량이나 단위 픽셀 불량에 따른 인근 픽셀로의 불량 전파를 방지할 수 있다.In the OLED display device formed by the above method, since the organic material layer is separated for each sub-pixel, it is possible to prevent the propagation of defects to neighboring pixels due to a cathode electrode defect or a unit pixel defect.

도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 OLED 디스플레이 소자를 간략히 나타낸 도면이다.10 is a diagram schematically illustrating an OLED display device according to another embodiment of the present invention.

도 10에는, 유리 기판(12), 박막 트랜지스터(14), 평탄화층(16), 애노드 전극(18), 애노드 전극층(19), 보조 전극(20), 뱅크(21), 기판(22), 정공 주입층(24), 정공 수송층(25), 정공 유기층(26), R 서브 픽셀 발광층(28), 전자 수송층(30), 전자 주입층(31), 전자 유기층(32), R 유기물층(33), G 서브 픽셀 발광층(34), G 유기물층(35), B 서브 픽셀 발광층(36), B 유기물층(37), 캐소드 전극층(38)이 도시되어 있다.10, a glass substrate 12, a thin film transistor 14, a planarization layer 16, an anode electrode 18, an anode electrode layer 19, an auxiliary electrode 20, a bank 21, a substrate 22, Hole injection layer 24 , hole transport layer 25 , hole organic layer 26 , R sub-pixel emission layer 28 , electron transport layer 30 , electron injection layer 31 , electron organic layer 32 , R organic layer 33 ), G sub-pixel light-emitting layer 34 , G organic material layer 35 , B sub-pixel light-emitting layer 36 , B organic material layer 37 , and cathode electrode layer 38 are shown.

본 실시예에 따른 OLED 디스플레이 소자는, 박막 트랜지스터(14) 및 R, G, B 서브 픽셀에 각각 대응되는 애노드 전극(18)을 포함하는 애노드 전극층(19)이 형성된 기판(22)과; R 서브 픽셀에 대응되는 애노드 전극(18) 상에 순차적으로 적층되는 정공이 이동하는 정공 유기층(26), R 서브 픽셀 발광층(28), 전자가 이동하는 전자 유기층(32)을 포함하는 R 유기물층(33)과; R 유기물층(33)과 이격되며, G 서브 픽셀에 대응되는 애노드 전극(18) 상에 순차적으로 적층되는 정공이 이동하는 정공 유기층(26), G 서브 픽셀 발광층(34), 전자가 이동하는 전자 유기층(32)을 포함하는 G 유기물층(35)과; R 유기물층(33), G 유기물층(35)과 이격되며, B 서브 픽셀에 대응되는 애노드 전극(18) 상에 순차적으로 적층되는 정공이 이동하는 정공 유기층(26), B 서브 픽셀 발광층(36), 전자가 이동하는 전자 유기층(32)을 포함하는 B 유기물층(37)과; R 유기물층(33), G 유기물층(35), B 유기물층(37) 상부에 형성되는 캐소드 전극층(38)을 포함하는, OLED 디스플레이 소자가 제공된다.The OLED display device according to the present embodiment includes: a substrate 22 on which an anode electrode layer 19 including a thin film transistor 14 and an anode electrode 18 corresponding to each of the R, G, and B sub-pixels is formed; An R organic layer including a hole organic layer 26 in which holes move, an R sub-pixel emission layer 28, and an electron organic layer 32 in which electrons move, sequentially stacked on the anode electrode 18 corresponding to the R sub-pixel ( 33) and; A hole organic layer 26, which is spaced apart from the R organic material layer 33, and sequentially stacked on the anode 18 corresponding to the G sub-pixel, in which holes move, the G sub-pixel emission layer 34, and an electron organic layer in which electrons move G organic layer 35 including (32) and; A hole organic layer 26 spaced apart from the R organic material layer 33 and the G organic material layer 35 and sequentially stacked on the anode electrode 18 corresponding to the B sub-pixel, in which holes move, the B sub-pixel light emitting layer 36, a B organic material layer 37 including an electron organic layer 32 through which electrons move; An OLED display device is provided, including a cathode electrode layer 38 formed on the R organic layer 33 , the G organic layer 35 , and the B organic layer 37 .

본 실시예에 따른 '기판(22)'은, 도 1에 도시된 바와 같이, 유기물층(33, 35, 37)에 대한 증착을 수행되기 직전에 준비되는 기판(22)으로서, 유리 기판(12) 상에 박막 트랜지스터(14)(Thin Film Transistor), 평탄화층(16), 박막 트랜지스터(14)에 전기적으로 연결되는 애노드 전극(18) 등이 형성된 기판일 수 있다. The 'substrate 22' according to this embodiment, as shown in FIG. 1, is a substrate 22 prepared just before performing deposition on the organic material layers 33, 35, 37, and a glass substrate 12. The thin film transistor 14 (thin film transistor), the planarization layer 16 , the anode electrode 18 electrically connected to the thin film transistor 14 , etc. may be formed on the substrate.

애노드 전극층(19)으로 투명 전도성 산화막(Indium Tin Oxide: ITO)을 스퍼터링 방법으로 투명 기판(12) 상에 증착하여 투명한 전극으로 형성될 수 있다.As the anode electrode layer 19, a transparent conductive oxide film (Indium Tin Oxide: ITO) may be deposited on the transparent substrate 12 by a sputtering method to form a transparent electrode.

R 유기물층(33)은, R 서브 픽셀에 대응되는 애노드 전극(18) 상에 순차적으로 적층되는, 정공이 이동하는 정공 유기층(26), R 서브 픽셀 발광층(28), 전자가 이동하는 전자 유기층(32)을 포함한다.The R organic material layer 33 is sequentially stacked on the anode electrode 18 corresponding to the R sub-pixel, the hole organic layer 26 in which holes move, the R sub-pixel light emitting layer 28, and the electron organic layer in which the electrons move ( 32).

그리고, G 유기물층(35)은, R 유기물층(33)과 이격되며, G 서브 픽셀에 대응되는 애노드 전극(18) 상에 순차적으로 적층되는, 정공이 이동하는 정공 유기층(26), G 서브 픽셀 발광층(34), 전자가 이동하는 전자 유기층(32)을 포함한다.In addition, the G organic layer 35 is spaced apart from the R organic layer 33 and sequentially stacked on the anode electrode 18 corresponding to the G sub-pixel, the hole organic layer 26 in which holes move, and the G sub-pixel emission layer (34), an electron organic layer (32) through which electrons move.

그리고, B 유기물층(37)은, R 유기물층(33), G 유기물층(35)과 이격되며, B 서브 픽셀에 대응되는 애노드 전극(18) 상에 순차적으로 적층되는, 정공이 이동하는 정공 유기층(26), B 서브 픽셀 발광층(36), 전자가 이동하는 전자 유기층(32)을 포함한다.In addition, the organic layer B 37 is spaced apart from the organic layer R 33 and the organic layer G 35 and sequentially stacked on the anode electrode 18 corresponding to the sub-pixel B, the organic layer 26 for holes in which holes move. ), a B sub-pixel light emitting layer 36 , and an electron organic layer 32 through which electrons move.

여기서, 유기물층은 정공 유기층, 발광층, 전자 유기층 등의 유기물이 증착된 전체 층을 지칭하는 것으로서, 하나의 파인 마스크를 이용하여 서브 픽셀 별로 전체 유기물층을 형성할 수 있다.Here, the organic material layer refers to an entire layer on which organic materials such as a hole organic layer, a light emitting layer, and an electron organic layer are deposited, and the entire organic material layer may be formed for each sub-pixel by using a single fine mask.

R 유기물층(33), G 유기물층(35) 및 B 유기물층(37)은, 서로 이격되어 있으며, 이에 따라 각 유기물층을 구성하는 정공 유기층(26)과 전자 유기층(32)은 서로 각각 이격된다. 이는, 각 유기물층이 서로 독립적인 증착으로 이루어졌음을 의미한다. The R organic layer 33 , the G organic layer 35 , and the B organic layer 37 are spaced apart from each other, and accordingly, the hole organic layer 26 and the electron organic layer 32 constituting each organic layer are spaced apart from each other. This means that each organic material layer was deposited independently of each other.

예를 들어, R 유기물층(33), 상기 G 유기물층(35) 및 상기 B 유기물층(37) 각각은, 상술한 방법에 따라, 각 서브 픽셀에 상응하는 패턴이 형성된 파인 마스크(Fine mask)을 이용하여, 정공 유기층(26), 해당 서브 픽셀 발광층, 전자 유기층(32)이 순차적으로 증착되어 형성될 수 있다.For example, each of the R organic material layer 33 , the G organic material layer 35 , and the B organic material layer 37 is formed using a fine mask in which a pattern corresponding to each sub-pixel is formed according to the method described above. , the hole organic layer 26 , the sub-pixel light emitting layer, and the electron organic layer 32 may be sequentially deposited to be formed.

일반적으로, 정공이 이동하는 정공 유기층 및 전자가 이동하는 전자 유기층은 전면이 오픈된 오픈 마스크(open mask)를 이용하여 기판 상에 증착이 이루어지고, R, G, B 서브 픽셀로 이루어진 발광층은, 각 서브 픽셀 별로 독립 챔버에서 파인 마스크(fine mask)를 사용하여 각각 증착하여 형성된다.In general, the hole organic layer through which holes move and the electron organic layer through which electrons move are deposited on a substrate using an open mask with an open front surface. Each sub-pixel is formed by depositing in an independent chamber using a fine mask.

그런데, 본 실시예에서는 하나의 서브 픽셀에 해당되는 패턴이 형성된 파인 마스크만을 이용하여 정공 유기층(26), 해당 서브 픽셀 발광층, 전자 유기층(32)을 순차적으로 적층하여 마스크의 교체를 최소화할 수 있다. However, in the present embodiment, the hole organic layer 26, the corresponding sub-pixel emission layer, and the electron organic layer 32 are sequentially stacked using only the fine mask in which the pattern corresponding to one sub-pixel is formed to minimize mask replacement. .

정공 유기층(26)은 정공을 발광층으로 주입하는 유기물층으로서, 정공 주입층(24)(Hole Injection Layer, HIL), 정공 수송층(25)(Hole Transport Layer, HTL)으로 구성될 수 있으며, 전자 유기층(32)은 발광층에 전자를 생성하고 주입하는 유기물층으로서, 전자 수송층(30)(Electron Transfer Layer, ETL), 전자 주입층(31)(Electron Injection Layer, EIL)으로 구성될 수 있다. The hole organic layer 26 is an organic material layer for injecting holes into the light emitting layer, and may be composed of a hole injection layer 24 (Hole Injection Layer, HIL), a hole transport layer 25 (Hole Transport Layer, HTL), and an electron organic layer ( 32) is an organic material layer that generates and injects electrons into the emission layer, and may include an electron transport layer 30 (Electron Transfer Layer, ETL) and an electron injection layer 31 (Electron Injection Layer, EIL).

캐소드 전극층(38)은, R 유기물층(33), 상기 G 유기물층(35), 상기 B 유기물층(37) 상부에 형성된다. The cathode electrode layer 38 is formed on the R organic material layer 33 , the G organic material layer 35 , and the B organic material layer 37 .

상기의 애노드 전극층(19)으로 투명 전도성 산화막(Indium Tin Oxide: ITO)을 증착하여 투명한 전극으로 형성한 형태와 대비하여, 본 실시예에서는 캐소드 전극층(38)으로 유기물층 상에 박막의 금속 전극을 증착한 형태를 제시한다. 박막의 금속 전극을 증착함으로써 투명한 캐소드 전극 형성이 가능한데, Mg, Ag, Ca, Mg:Ag, Al:Li 등으로 형성하여 유기물층에서 발생한 빛을 투과시키기 위해서는 200Å 정도의 박막으로 형성될 수 있다.In contrast to the form in which a transparent conductive oxide film (Indium Tin Oxide: ITO) is deposited as the anode electrode layer 19 to form a transparent electrode, in this embodiment, a thin metal electrode is deposited on the organic material layer as the cathode electrode layer 38 . present one form. By depositing a thin metal electrode, a transparent cathode electrode can be formed. It can be formed as a thin film of about 200 Å in order to transmit light generated from the organic material layer by forming it with Mg, Ag, Ca, Mg:Ag, Al:Li, etc.

한편, 기판(22)은, 애노드 전극(18) 사이에 형성되는 보조 전극(20)과; 보조 전극(20)의 양단부에 애노드 전극(18)의 가장 자리와 보조 전극(20)의 가장 자리를 덮는 뱅크(21)(bank)를 포함할 수 있다. 기판(22)에 뱅크(21)가 형성된 경우 각 서브 픽셀에 해당되는 유기물층은 뱅크(21) 사이의 애노드 전극(18) 상에 형성된다.On the other hand, the substrate 22, the auxiliary electrode 20 formed between the anode electrode 18; A bank 21 (bank) covering the edge of the anode electrode 18 and the edge of the auxiliary electrode 20 may be included at both ends of the auxiliary electrode 20 . When the banks 21 are formed on the substrate 22 , an organic material layer corresponding to each sub-pixel is formed on the anode electrode 18 between the banks 21 .

본 실시예에서는 R 유기물층(33), G 유기물층(35) 및 B 유기물층(37)이 개별적으로 증착이 이루어지기 때문에, 캐소드 전극층(38)의 증착에 의해 캐소드 전극이 전압 강하를 방지하기 위해 형성되는 보조 전극(20)과 바로 연결될 수 있다.In this embodiment, since the R organic layer 33, the G organic layer 35, and the B organic layer 37 are individually deposited, the cathode electrode is formed to prevent voltage drop by the deposition of the cathode electrode layer 38. It may be directly connected to the auxiliary electrode 20 .

상기와 같은 방법을 형성된 OLED 디스플레이 소자는 서브 픽셀 별로 유기물층이 분리되어 있어 캐소드 전극 불량이나 단위 픽셀 불량에 따른 인근 픽셀로의 불량 전파를 방지할 수 있다.In the OLED display device formed by the above method, since the organic material layer is separated for each sub-pixel, it is possible to prevent the propagation of defects to neighboring pixels due to a cathode electrode defect or a unit pixel defect.

상기에서는 본 발명의 특정의 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to specific embodiments of the present invention, those of ordinary skill in the art may vary the present invention within the scope without departing from the spirit and scope of the present invention described in the claims below. It will be understood that modifications and changes may be made to

전술한 실시예 외의 많은 실시예들이 본 발명의 특허청구범위 내에 존재한다.Many embodiments other than those described above are within the scope of the claims of the present invention.

12: 유리 기판 14: 박막 트랜지스터
16: 평탄화층 18: 애노드 전극
19: 애노드 전극층 20: 보조 전극
21: 뱅크 22: 기판
24: 정공 주입층 25: 정공 수송층
26: 정공 유기층 28: R 서브 픽셀 발광층
30: 전자 수송층 31: 전자 주입층
32: 전자 유기층 33: R 유기물층
34: G 서브 픽셀 발광층 35: G 유기물층
36: B 서브 픽셀 발광층 37: B 유기물층
38: 캐소드 전극층 40: R 서브 픽셀용 파인 마스크
42: G 서브 픽셀용 파인 마스크 44: B 서브 픽셀용 파인 마스크12: glass substrate 14: thin film transistor
16: planarization layer 18: anode electrode
19: anode electrode layer 20: auxiliary electrode
21: bank 22: board
24: hole injection layer 25: hole transport layer
26: hole organic layer 28: R sub-pixel light emitting layer
30: electron transport layer 31: electron injection layer
32: electron organic layer 33: R organic layer
34: G sub-pixel light emitting layer 35: G organic layer
36: B sub-pixel light emitting layer 37: B organic material layer
38: cathode electrode layer 40: fine mask for R sub-pixel
42: fine mask for G sub-pixel 44: fine mask for B sub-pixel

Claims (11)

박막 트랜지스터 및 제1, 제2, 제3 서브 픽셀에 각각 대응되는 애노드 전극이 형성된 기판을 준비하는 단계와;
상기 제1 서브 픽셀에 상응하는 패턴이 형성된 제1 파인 마스크(Fine mask)와 상기 기판을 얼라인하고, 정공이 이동하는 정공 유기층, 제1 서브 픽셀 발광층, 전자가 이동하는 전자 유기층을 순차적으로 증착하여 제1 유기물층을 형성하는 단계와;
상기 제2 서브 픽셀에 상응하는 패턴이 형성된 제2 파인 마스크(Fine mask)와 상기 제1 유기물층이 형성된 상기 기판을 얼라인하고, 정공이 이동하는 정공 유기층, 제2 서브 픽셀 발광층, 전자가 이동하는 전자 유기층을 순차적으로 증착하여 제2 유기물층을 형성하는 단계와;
상기 제3 서브 픽셀에 상응하는 패턴이 형성된 제3 파인 마스크(Fine mask)와 상기 제1 유기물층 및 상기 제2 유기물층이 형성된 상기 기판을 얼라인하고, 정공이 이동하는 정공 유기층, 제3 서브 픽셀 발광층, 전자가 이동하는 전자 유기층을 순차적으로 증착하여 제3 유기물층을 형성하는 단계와;
상기 제1 유기물층, 상기 제2 유기물층, 상기 제3 유기물층이 형성된 상기 기판에 캐소드 전극층을 형성하는 단계를 포함하는, OLED 디스플레이 소자 제조 방법.
preparing a substrate on which a thin film transistor and an anode electrode corresponding to each of the first, second, and third sub-pixels are formed;
A first fine mask on which a pattern corresponding to the first sub-pixel is formed is aligned with the substrate, and a hole organic layer through which holes move, a first sub-pixel light emitting layer, and an electron organic layer through which electrons move are sequentially deposited to form a first organic material layer;
A second fine mask on which a pattern corresponding to the second sub-pixel is formed is aligned with the substrate on which the first organic material layer is formed, and a hole organic layer in which holes move, a second sub-pixel light emitting layer, and electrons are moved forming a second organic material layer by sequentially depositing an electron organic layer;
A third fine mask on which a pattern corresponding to the third sub-pixel is formed and the substrate on which the first organic material layer and the second organic material layer are formed are aligned, and a hole organic layer through which holes move, and a third sub-pixel emission layer , forming a third organic material layer by sequentially depositing an electron organic layer through which electrons move;
and forming a cathode electrode layer on the substrate on which the first organic material layer, the second organic material layer, and the third organic material layer are formed.
 제1항에 있어서,
상기 기판에는, 상기 애노드 전극 사이에 보조 전극이 형성되며,
상기 캐소드 전극층을 형성하는 단계에서 상기 캐소드 전극층을 형성함에 따라, 상기 제1 유기물층, 상기 제2 유기물층, 상기 제3 유기물층 사이의 상기 보조 전극과 상기 캐소드 전극층이 연결되는 것을 특징으로 하는, OLED 디스플레이 소자 제조 방법.
According to claim 1,
An auxiliary electrode is formed on the substrate between the anode electrodes,
As the cathode electrode layer is formed in the step of forming the cathode electrode layer, the auxiliary electrode between the first organic material layer, the second organic material layer, and the third organic material layer is connected to the cathode electrode layer, characterized in that the OLED display element manufacturing method.
 제2항에 있어서,
상기 애노드 전극층은 투명 전도성 산화막(Indium Tin Oxide: ITO)의 투명 전극이고,
상기 캐소드 전극층은 박막의 금속 전극인 것을 특징으로 하는, OLED 디스플레이 소자 제조 방법.
3. The method of claim 2,
The anode electrode layer is a transparent electrode of a transparent conductive oxide film (Indium Tin Oxide: ITO),
The cathode electrode layer is a thin film metal electrode, characterized in that, OLED display device manufacturing method.
 제1항에 있어서,
상기 기판은,
상기 애노드 전극 사이에 형성되는 보조 전극과;
상기 보조 전극의 양단부에 상기 애노드 전극의 가장 자리와 상기 보조 전극의 가장 자리를 덮는 뱅크(bank)를 더 포함하는, OLED 디스플레이 소자 제조 방법.
According to claim 1,
The substrate is
an auxiliary electrode formed between the anode electrodes;
The method of manufacturing an OLED display device, further comprising a bank (bank) covering an edge of the anode electrode and an edge of the auxiliary electrode at both ends of the auxiliary electrode.
 제4항에 있어서,
상기 제1 유기물층, 상기 제2 유기물층, 상기 제3 유기물층 각각은 상기 뱅크 사이의 상기 애노드 전극에 형성되는 것을 특징으로 하는, OLED 디스플레이 소자 제조 방법.
5. The method of claim 4,
Each of the first organic material layer, the second organic material layer, and the third organic material layer is formed on the anode electrode between the banks, an OLED display device manufacturing method.
 박막 트랜지스터 및 R, G, B 서브 픽셀에 각각 대응되는 애노드 전극을 포함하는 애노드 전극층이 형성된 기판과;
상기 R 서브 픽셀에 대응되는 애노드 전극 상에 순차적으로 적층되는 정공이 이동하는 정공 유기층, R 서브 픽셀 발광층, 전자가 이동하는 전자 유기층을 포함하는 R 유기물층과;
상기 R 유기물층과 이격되며, 상기 G 서브 픽셀에 대응되는 애노드 전극 상에 순차적으로 적층되는 정공이 이동하는 정공 유기층, G 서브 픽셀 발광층, 전자가 이동하는 전자 유기층을 포함하는 G 유기물층과;
상기 R 유기물층, 상기 G 유기물층과 이격되며, 상기 B 서브 픽셀에 대응되는 애노드 전극 상에 순차적으로 적층되는 정공이 이동하는 정공 유기층, B 서브 픽셀 발광층, 전자가 이동하는 전자 유기층을 포함하는 B 유기물층과;
상기 R 유기물층, 상기 G 유기물층, 상기 B 유기물층 상부에 형성되는 캐소드 전극층을 포함하는, OLED 디스플레이 소자.
a substrate on which an anode electrode layer including a thin film transistor and an anode electrode corresponding to each of the R, G, and B sub-pixels is formed;
an R organic material layer including a hole organic layer in which holes move, an R sub-pixel emission layer, and an electron organic layer in which electrons move, which are sequentially stacked on the anode electrode corresponding to the R sub-pixel;
a G organic layer spaced apart from the R organic layer and including a hole organic layer in which holes move, a G subpixel light emitting layer, and an electron organic layer in which electrons move, which are sequentially stacked on the anode electrode corresponding to the G sub-pixel;
The R organic material layer, the G organic material layer and the B organic material layer comprising a hole organic layer in which holes move, a B subpixel light emitting layer, and an electron organic layer in which electrons move, which are sequentially stacked on the anode electrode corresponding to the B sub-pixel ;
An OLED display device comprising a cathode electrode layer formed on the R organic material layer, the G organic material layer, and the B organic material layer.
 제6항에 있어서,
상기 R 유기물층, 상기 G 유기물층 및 상기 B 유기물층 각각은,
각 서브 픽셀에 상응하는 패턴이 형성된 파인 마스크(Fine mask)을 이용하여, 상기 정공 유기층, 서브 픽셀 발광층, 전자 유기층이 순차적으로 증착되어 형성되는 것을 특징으로 하는, OLED 디스플레이 소자.
7. The method of claim 6,
Each of the R organic layer, the G organic layer and the B organic layer,
An OLED display device, characterized in that the hole organic layer, the sub-pixel light emitting layer, and the electron organic layer are sequentially deposited and formed using a fine mask in which a pattern corresponding to each sub-pixel is formed.
 제6항에 있어서,
상기 기판에는, 상기 애노드 전극 사이에 보조 전극이 형성되며,
상기 캐소드 전극층을 형성함에 따라, 상기 R 유기물층, 상기 G 유기물층, 상기 B 유기물층 사이의 상기 보조 전극과 상기 캐소드 전극층이 연결되는 것을 특징으로 하는, OLED 디스플레이 소자.
7. The method of claim 6,
An auxiliary electrode is formed on the substrate between the anode electrodes,
As the cathode electrode layer is formed, the auxiliary electrode and the cathode electrode layer between the R organic material layer, the G organic material layer, and the B organic material layer are connected.
 제7항에 있어서,
상기 애노드 전극층은 투명 전도성 산화막(Indium Tin Oxide: ITO)의 투명 전극이고,
상기 캐소드 전극층은 박막의 금속 전극인 것을 특징으로 하는, OLED 디스플레이 소자.
8. The method of claim 7,
The anode electrode layer is a transparent electrode of a transparent conductive oxide film (Indium Tin Oxide: ITO),
The cathode electrode layer is a thin metal electrode, characterized in that, OLED display device.
 제6항에 있어서,
상기 기판은,
상기 애노드 전극 사이에 형성되는 보조 전극과;
상기 보조 전극의 양단부에 상기 애노드 전극의 가장 자리와 상기 보조 전극의 가장 자리를 덮는 뱅크(bank)를 더 포함하는, OLED 디스플레이 소자.
7. The method of claim 6,
The substrate is
an auxiliary electrode formed between the anode electrodes;
The OLED display device further comprising a bank (bank) covering an edge of the anode electrode and an edge of the auxiliary electrode at both ends of the auxiliary electrode.
 제10항에 있어서,
상기 R 유기물층, 상기 G 유기물층, 상기 B 유기물층 각각은 상기 뱅크 사이의 상기 애노드 전극에 형성되는 것을 특징으로 하는, OLED 디스플레이 소자.11. The method of claim 10,
The R organic layer, the G organic layer, and the B organic layer are each formed on the anode electrode between the banks, OLED display device.
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