KR20220093599A - Display apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 복수의 발광 소자에서 발광된 광이 혼색되는 것을 개선할 수 있는 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a display device, and more particularly, to a display device capable of improving color mixing of light emitted from a plurality of light emitting devices.
현재 본격적인 정보화 시대로 접어들면서 전기적 정보신호를 시각적으로 표시하는 표시 장치 분야가 급속도로 발전하고 있으며, 여러 가지 표시 장치에 대해 박형화, 경량화 및 저소비 전력화 등의 성능을 개발시키기 위한 연구가 계속되고 있다.Currently, as we enter the information age, the field of display devices that visually display electrical information signals is rapidly developing, and research to develop performance such as thinness, weight reduction, and low power consumption for various display devices is continuing.
이러한 다양한 표시 장치 중, 유기 표시 장치는 자체 발광형 표시 장치로서, 액정 표시 장치와는 달리 별도의 광원이 필요하지 않아 경량 박형으로 제조 가능하다. 또한, 유기 표시 장치는 저전압 구동에 의해 소비 전력 측면에서 유리할 뿐만 아니라, 색상 구현, 응답 속도, 시야각, 명암 대비비(contrast ratio; CR)도 우수하여, 차세대 디스플레이로서 연구되고 있다.Among these various display devices, an organic display device is a self-emission type display device, and unlike a liquid crystal display device, it does not require a separate light source, and thus can be manufactured in a lightweight and thin form. In addition, the organic display device is not only advantageous in terms of power consumption due to low voltage driving, but also has excellent color realization, response speed, viewing angle, and contrast ratio (CR), and thus is being studied as a next-generation display.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 표시 장치 구동 시, 누설 전류를 최소화할 수 있는 표시 장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a display device capable of minimizing leakage current when the display device is driven.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 공통 유기층을 갖는 복수의 발광 소자 중 일부 발광 소자가 누설 전류에 의해 발광하는 것을 최소화한 표시 장치를 제공하는 것이다. Another object of the present invention is to provide a display device in which emission of light due to leakage current from some light emitting devices among a plurality of light emitting devices having a common organic layer is minimized.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 저계조에서 영상표시 품질을 향상시킬 수 있는 표시 장치를 제공하는 것이다.Another problem to be solved by the present invention is to provide a display device capable of improving image display quality in low grayscale.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems of the present invention are not limited to the problems mentioned above, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는, 복수의 서브 화소가 정의된 기판, 복수의 서브 화소에 배치되고, 공통 유기층 및 캐소드를 공유하고, 각각 분리된 발광층을 갖는 복수의 발광 소자, 복수의 발광 소자 각각의 사이에서 캐소드 아래에 배치된 뱅크, 및 복수의 발광 소자 사이에서 뱅크와 캐소드 사이에 배치되고, 발광층보다 낮은 저항을 갖는 저-저항층을 포함한다. 따라서, 저-저항층이 인접한 서로 다른 발광층 사이에 흐르는 누설 전류(lateral current)의 경로와 다른 경로를 생성하여 누설 전류에 의한 의도하지 않은 발광 소자의 발광을 억제하여 표시 품질 저하를 최소화할 수 있다. A display device according to an embodiment of the present invention includes a plurality of light emitting devices disposed on a substrate on which a plurality of sub-pixels are defined, a plurality of sub-pixels, sharing a common organic layer and a cathode, and each having separate light-emitting layers; and a bank disposed under the cathode between each of the light emitting devices, and a low-resistance layer disposed between the bank and the cathode between the plurality of light emitting devices, the low-resistance layer having a lower resistance than that of the light emitting layer. Accordingly, the low-resistance layer generates a path different from that of a leakage current flowing between adjacent light emitting layers, thereby suppressing unintentional light emission of the light emitting device due to leakage current, thereby minimizing display quality degradation. .
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.
본 발명은 복수의 발광 소자의 공통 유기층을 통해 전류가 누설되는 것을 개선할 수 있다.The present invention can improve current leakage through a common organic layer of a plurality of light emitting devices.
본 발명은 표시 장치 구동 시, 의도하지 않은 발광 소자의 발광을 최소화하여, 색 재현율을 향상시킬 수 있다.According to the present invention, color reproducibility can be improved by minimizing unintentional light emission from a light emitting device when driving a display device.
본 발명은 저계조의 영상을 표시할 때, 얼룩이나 색 이상이 시인되는 것을 최소화하여, 표시 품질을 향상시킬 수 있다. According to the present invention, it is possible to improve display quality by minimizing the recognition of spots or color abnormalities when displaying a low grayscale image.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 발명 내에 포함되어 있다.The effect according to the present invention is not limited by the contents exemplified above, and more various effects are included in the present invention.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 구성도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 서브 화소의 회로도이다.
도 3는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 확대 평면도이다.
도 4는 도 3의 IIIb-IIIb'에 따른 단면도이다.
도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제3 서브 화소의 제1 발광부의 개략적인 단면도이다.
도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 저-저항층을 설명하기 위한의 개략적인 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 효과를 설명하기 위한 등가 회로도이다.
도 7a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제3 서브 화소의 제1 발광부 및 제2 발광부의 개략적인 단면도이다.
도 7b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 저-저항층의 개략적인 단면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 저-저항층의 개략적인 단면도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 확대 평면도이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 확대 평면도이다.1 is a schematic configuration diagram of a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
2 is a circuit diagram of a sub-pixel of a display device according to an exemplary embodiment.
3 is an enlarged plan view of a display device according to an exemplary embodiment.
4 is a cross-sectional view taken along line IIIb-IIIb' of FIG. 3 .
5A is a schematic cross-sectional view of a first light emitting part of a third sub-pixel of a display device according to an exemplary embodiment.
5B is a schematic cross-sectional view illustrating a low-resistance layer of a display device according to an exemplary embodiment.
6 is an equivalent circuit diagram illustrating an effect of a display device according to an exemplary embodiment.
7A is a schematic cross-sectional view of a first light emitting part and a second light emitting part of a third sub-pixel of a display device according to another exemplary embodiment of the present invention.
7B is a schematic cross-sectional view of a low-resistance layer of a display device according to another exemplary embodiment.
8 is a schematic cross-sectional view of a low-resistance layer of a display device according to another exemplary embodiment.
9 is a cross-sectional view of a display device according to another exemplary embodiment.
10 is an enlarged plan view of a display device according to another exemplary embodiment.
11 is an enlarged plan view of a display device according to another exemplary embodiment.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고, 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 제한되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형상으로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Advantages and features of the present invention, and a method of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in a variety of different shapes, only these embodiments allow the disclosure of the present invention to be complete, and common knowledge in the technical field to which the present invention pertains It is provided to fully inform those who have the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 면적, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 제한되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 발명 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.The shapes, areas, ratios, angles, numbers, etc. disclosed in the drawings for explaining the embodiments of the present invention are illustrative and the present invention is not limited to the illustrated matters. Like reference numerals refer to like elements throughout. In addition, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known technology may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. When 'includes', 'have', 'consists of', etc. mentioned in the present invention are used, other parts may be added unless 'only' is used. When a component is expressed in the singular, the case in which the plural is included is included unless otherwise explicitly stated.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다. In interpreting the components, it is construed as including an error range even if there is no separate explicit description.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.In the case of a description of the positional relationship, for example, when the positional relationship of two parts is described as 'on', 'on', 'on', 'beside', etc., 'right' Alternatively, one or more other parts may be positioned between two parts unless 'directly' is used.
소자 또는 층이 다른 소자 또는 층 "위 (on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다.Reference to a device or layer “on” another device or layer includes any intervening layer or other device directly on or in the middle of the other device or layer.
또한 제 1, 제 2 등이 다양한 구성 요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성 요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제 1 구성 요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제 2 구성 요소일 수도 있다.Also, although the first, second, etc. are used to describe various components, these components are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another. Accordingly, the first component mentioned below may be the second component within the spirit of the present invention.
명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Like reference numerals refer to like elements throughout.
도면에서 나타난 각 구성의 면적 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 면적 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.The area and thickness of each component shown in the drawings are illustrated for convenience of description, and the present invention is not necessarily limited to the area and thickness of the illustrated component.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.Each feature of the various embodiments of the present invention may be partially or wholly combined or combined with each other, technically various interlocking and driving are possible, and each of the embodiments may be independently implemented with respect to each other or implemented together in a related relationship. may be
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예들을 상세히 설명한다.Hereinafter, various embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 구성도이다. 도 1에서는 설명의 편의를 위해 표시 장치(100)의 다양한 구성 요소 중 표시 패널(PN), 게이트 드라이버(GD), 데이터 드라이버(DD) 및 타이밍 컨트롤러(TC)만을 도시하였다.1 is a schematic configuration diagram of a display device according to an exemplary embodiment of the present invention. In FIG. 1 , only the display panel PN, the gate driver GD, the data driver DD, and the timing controller TC are illustrated among various components of the
도 1을 참조하면, 표시 장치(100)는 복수의 서브 화소(SP)를 포함하는 표시 패널(PN), 표시 패널(PN)에 각종 신호를 공급하는 게이트 드라이버(GD) 및 데이터 드라이버(DD), 게이트 드라이버(GD)와 데이터 드라이버(DD)를 제어하는 타이밍 컨트롤러(TC)를 포함한다. Referring to FIG. 1 , the
게이트 드라이버(GD)는 타이밍 컨트롤러(TC)로부터 제공된 복수의 게이트 제어 신호(GCS)에 따라 복수의 스캔 배선(SL)에 복수의 스캔 신호를 공급한다. 복수의 스캔 신호는 제1 스캔 신호(SCAN1) 및 제2 스캔 신호(SCAN2)를 포함할 수 있다. 도 1에서는 하나의 게이트 드라이버(GD)가 표시 패널(PN)의 일 측에 이격되어 배치된 것으로 도시하였으나, 게이트 드라이버(GD)는 GIP(Gate In Panel) 방식으로 배치될 수도 있으며, 게이트 드라이버(GD)의 개수 및 배치는 이에 제한되지 않는다. The gate driver GD supplies the plurality of scan signals to the plurality of scan lines SL according to the plurality of gate control signals GCS provided from the timing controller TC. The plurality of scan signals may include a first scan signal SCAN1 and a second scan signal SCAN2. In FIG. 1 , one gate driver GD is illustrated as being spaced apart from one side of the display panel PN, but the gate driver GD may be disposed in a GIP (Gate In Panel) method. The number and arrangement of GD) are not limited thereto.
데이터 드라이버(DD)는 타이밍 컨트롤러(TC)로부터 제공된 복수의 데이터 제어 신호(DCS)에 따라 타이밍 컨트롤러(TC)로부터 입력되는 영상 데이터(RGB)를 기준 감마 전압을 이용하여 데이터 신호로 변환한다. 그리고 데이터 드라이버(DD)는 변환된 데이터 신호를 복수의 데이터 배선(DL)에 공급할 수 있다. The data driver DD converts the image data RGB input from the timing controller TC into a data signal using a reference gamma voltage according to a plurality of data control signals DCS provided from the timing controller TC. In addition, the data driver DD may supply the converted data signal to the plurality of data lines DL.
타이밍 컨트롤러(TC)는 외부로부터 입력된 영상 데이터(RGB)를 정렬하여 데이터 드라이버(DD)에 공급한다. 타이밍 컨트롤러(TC)는 외부로부터 입력되는 동기 신호(SYNC), 예를 들어 도트 클럭 신호, 데이터 인에이블 신호, 수평/수직 동기 신호를 이용해 게이트 제어 신호(GCS) 및 데이터 제어 신호(DCS)를 생성할 수 있다. 그리고 타이밍 컨트롤러(TC)는 생성된 게이트 제어 신호(GCS) 및 데이터 제어 신호(DCS)를 게이트 드라이버(GD) 및 데이터 드라이버(DD)에 각각 공급하여 게이트 드라이버(GD) 및 데이터 드라이버(DD)를 제어할 수 있다. The timing controller TC aligns the image data RGB input from the outside and supplies it to the data driver DD. The timing controller TC generates a gate control signal GCS and a data control signal DCS using an externally input synchronization signal SYNC, for example, a dot clock signal, a data enable signal, and a horizontal/vertical synchronization signal. can do. In addition, the timing controller TC supplies the generated gate control signal GCS and the data control signal DCS to the gate driver GD and the data driver DD, respectively, to control the gate driver GD and the data driver DD. can be controlled
표시 패널(PN)은 사용자에게 영상을 표시하기 위한 구성으로, 복수의 서브 화소(SP)를 포함한다. 표시 패널(PN)에서 복수의 스캔 배선(SL) 및 복수의 데이터 배선(DL)이 서로 교차되고, 복수의 서브 화소(SP) 각각은 스캔 배선(SL) 및 데이터 배선(DL)에 연결된다. 이 외에도 도면에 도시되지는 않았으나 복수의 서브 화소(SP) 각각은 고전위 전원 배선, 저전위 전원 배선, 초기화 신호 배선, 발광 제어 신호 배선 등에 연결될 수 있다. The display panel PN is configured to display an image to a user and includes a plurality of sub-pixels SP. In the display panel PN, the plurality of scan lines SL and the plurality of data lines DL cross each other, and each of the plurality of sub-pixels SP is connected to the scan line SL and the data line DL. In addition, although not shown in the drawings, each of the plurality of sub-pixels SP may be connected to a high potential power wiring, a low potential power wiring, an initialization signal wiring, a light emission control signal wiring, and the like.
복수의 서브 화소(SP)는 화면을 구성하는 최소 단위로, 복수의 서브 화소(SP) 각각은 발광 소자 및 이를 구동하기 위한 화소 회로를 포함한다. 복수의 발광 소자는 표시 패널(PN)의 종류에 따라 상이하게 정의될 수 있으며, 예를 들어, 표시 패널(PN)이 유기 발광 표시 패널인 경우, 발광 소자(120)는 애노드(ANO), 유기층(121) 및 캐소드(CAT)를 포함하는 유기 발광 소자일 수 있다. 이외에도 발광 소자로 퀀텀닷(Quantum dot, QD)이 포함된 퀀텀닷 발광 소자(Quantum dot light-emitting diode, QLED) 등이 더 사용될 수도 있다. 이하에서는 발광 소자가 유기 발광 소자인 것으로 가정하여 설명하기로 하나, 발광 소자의 종류는 이에 제한되지 않는다. The plurality of sub-pixels SP is a minimum unit constituting a screen, and each of the plurality of sub-pixels SP includes a light emitting device and a pixel circuit for driving the plurality of sub-pixels. The plurality of light emitting devices may be defined differently depending on the type of the display panel PN. For example, when the display panel PN is an organic light emitting display panel, the
화소 회로는 발광 소자의 구동을 제어하기 위한 회로이다. 화소 회로는 예를 들어, 복수의 트랜지스터 및 커패시터를 포함하여 구성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The pixel circuit is a circuit for controlling the driving of the light emitting element. The pixel circuit may include, for example, a plurality of transistors and capacitors, but is not limited thereto.
이하에서는 도 2를 참조하여 서브 화소(SP)의 화소 회로에 대하여 보다 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, the pixel circuit of the sub-pixel SP will be described in more detail with reference to FIG. 2 .
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 서브 화소의 회로도이다. 2 is a circuit diagram of a sub-pixel of a display device according to an exemplary embodiment.
도 2를 참조하면, 복수의 서브 화소(SP)의 화소 회로는 제1 내지 제6 트랜지스터(T1, T2, T3, T4, T5, T6) 및 커패시터(Cst)를 포함한다.Referring to FIG. 2 , the pixel circuit of the plurality of sub-pixels SP includes first to sixth transistors T1 , T2 , T3 , T4 , T5 , and T6 and a capacitor Cst.
제1 트랜지스터(T1)는 제2 스캔 배선과 연결되어, 제2 스캔 배선을 통해 공급되는 제2 스캔 신호(SCAN2)에 의해 제어될 수 있다. 그리고 제1 트랜지스터(T1)는 데이터 신호(Vdata)를 공급하는 데이터 배선과 커패시터(Cst) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)는 제2 스캔 배선을 통해 턴-온 레벨의 제2 스캔 신호(SCAN2)가 인가되면 데이터 배선으로부터의 데이터 신호(Vdata)를 커패시터(Cst)로 전달한다. 이러한 제1 트랜지스터(T1)는 커패시터(Cst)에 데이터 신호(Vdata)가 인가되는 타이밍을 제어하는 스위칭 트랜지스터로 지칭될 수 있다.The first transistor T1 may be connected to the second scan line and be controlled by the second scan signal SCAN2 supplied through the second scan line. In addition, the first transistor T1 may be electrically connected between the data line supplying the data signal Vdata and the capacitor Cst. When the second scan signal SCAN2 of the turn-on level is applied through the second scan line, the first transistor T1 transfers the data signal Vdata from the data line to the capacitor Cst. The first transistor T1 may be referred to as a switching transistor that controls the timing at which the data signal Vdata is applied to the capacitor Cst.
제2 트랜지스터(T2)는 고전위 전원 신호(EVDD)가 공급되는 고전위 전원 배선과 제5 트랜지스터(T5) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다. 그리고 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극은 커패시터(Cst)와 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 트랜지스터(T2)는 게이트 전극에 인가된 전압에 따라 발광 소자(120)로 흐르는 전류를 제어하여 발광 소자(120)의 휘도를 제어하는 구동 트랜지스터로 지칭될 수 있다.The second transistor T2 may be electrically connected between the high potential power line to which the high potential power signal EVDD is supplied and the fifth transistor T5 . In addition, the gate electrode of the second transistor T2 may be electrically connected to the capacitor Cst. The second transistor T2 may be referred to as a driving transistor that controls the luminance of the
제3 트랜지스터(T3)는 제1 스캔 배선을 통해 공급되는 제1 스캔 신호(SCAN1)에 의해 제어될 수 있다. 그리고 제3 트랜지스터(T3)는 제3 트랜지스터(T3)의 타입에 따라 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극과 드레인 전극 사이 또는 게이트 전극과 소스 전극 사이에 전기적으로 연결될 수 있다.The third transistor T3 may be controlled by the first scan signal SCAN1 supplied through the first scan line. In addition, the third transistor T3 may be electrically connected between the gate electrode and the drain electrode of the second transistor T2 or between the gate electrode and the source electrode according to the type of the third transistor T3 .
한편, 구동 트랜지스터인 제2 트랜지스터(T2)는 서브 화소(SP)에 인가되는 데이터 신호(Vdata)에 따라 발광 소자(120)로 흐르는 전류를 제어해야 하나, 서브 화소(SP)마다 배치된 제2 트랜지스터(T2)의 문턱 전압 편차로 인해 서브 화소(SP) 각각에 배치된 발광 소자(120)의 휘도 편차가 발생할 수 있다. Meanwhile, the second transistor T2 serving as the driving transistor should control the current flowing to the
이때, 제3 트랜지스터(T3)를 배치하여 제2 트랜지스터(T2)의 문턱 전압을 보상할 수 있고, 제3 트랜지스터(T3)는 보상 트랜지스터로 지칭될 수 있다. 예를 들어, 제3 트랜지스터(T3)를 턴-온 시키는 제1 스캔 신호(SCAN1)가 인가된 경우, 고전위 전원 신호(EVDD)에서 제2 트랜지스터(T2)의 문턱 전압이 감해진 전압이 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극으로 인가된다. 그리고 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극에 문턱 전압이 감해진 고전위 전원 신호(EVDD)가 인가된 상태에서 커패시터(Cst)에 데이터 신호(Vdata)가 인가되도록 하여, 제2 트랜지스터(T2)의 문턱 전압을 보상할 수 있다. In this case, the threshold voltage of the second transistor T2 may be compensated by disposing the third transistor T3 , and the third transistor T3 may be referred to as a compensation transistor. For example, when the first scan signal SCAN1 for turning on the third transistor T3 is applied, the voltage obtained by subtracting the threshold voltage of the second transistor T2 from the high potential power signal EVDD is the first 2 is applied to the gate electrode of the transistor T2. Then, the data signal Vdata is applied to the capacitor Cst while the high potential power signal EVDD with the reduced threshold voltage is applied to the gate electrode of the second transistor T2. The threshold voltage can be compensated.
한편, 제3 트랜지스터(T3)는 제1 트랜지스터(T1)와 서로 다른 스캔 배선으로부터 다른 스캔 신호(SCAN1, SCAN2)를 전달받는 것으로 도시하였으나, 제3 트랜지스터(T3)와 제1 트랜지스터(T1)는 동일한 스캔 배선에 연결되어 동일한 스캔 신호(SCAN1, SCAN2)를 전달받을 수도 있으며, 이에 제한되지 않는다.Meanwhile, although the third transistor T3 is illustrated as receiving different scan signals SCAN1 and SCAN2 from scan lines different from the first transistor T1, the third transistor T3 and the first transistor T1 are It may be connected to the same scan line to receive the same scan signals SCAN1 and SCAN2, but is not limited thereto.
제4 트랜지스터(T4)는 커패시터(Cst)와 초기화 신호(Vini)가 공급되는 초기화 신호 배선에 전기적으로 연결될 수 있다. 그리고 제4 트랜지스터(T4)는 발광 제어 신호 배선을 통해 공급되는 발광 제어 신호(EM)에 의해 제어될 수 있다. 제4 트랜지스터(T4)는 발광 제어 신호 배선을 통해 턴-온 레벨의 발광 제어 신호(EM)가 인가되면 커패시터(Cst)의 전압을 초기화하거나, 커패시터(Cst)에 인가된 데이터 신호(Vdata)를 서서히 방전시키며 데이터 신호(Vdata)에 따른 전류가 발광 소자(120)에 흐르도록 할 수 있다. The fourth transistor T4 may be electrically connected to the initialization signal line to which the capacitor Cst and the initialization signal Vini are supplied. In addition, the fourth transistor T4 may be controlled by the emission control signal EM supplied through the emission control signal line. The fourth transistor T4 initializes the voltage of the capacitor Cst when the light emission control signal EM of the turn-on level is applied through the light emission control signal line or the data signal Vdata applied to the capacitor Cst. By gradually discharging, a current according to the data signal Vdata may flow through the
제5 트랜지스터(T5)는 제2 트랜지스터(T2)와 발광 소자(120) 사이에 전기적으로 연결되고, 발광 제어 신호 배선을 통해 공급되는 발광 제어 신호(EM)에 의해 제어될 수 있다. 제5 트랜지스터(T5)는 커패시터(Cst)에 데이터 신호(Vdata)가 인가되고, 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극에 문턱 전압이 보상된 고전위 전원 신호(EVDD)가 인가된 상태에서, 턴-온 레벨의 발광 제어 신호(EM)가 인가되면 턴-온 되어 발광 소자(120)에 전류가 흐르도록 할 수 있다.The fifth transistor T5 is electrically connected between the second transistor T2 and the
제6 트랜지스터(T6)는 초기화 신호(Vini)가 공급되는 초기화 신호 배선과 발광 소자의 애노드(ANO) 사이에 전기적으로 연결되고, 제1 스캔 배선을 통해 공급되는 제1 스캔 신호(SCAN1)에 의해 제어될 수 있다. 제6 트랜지스터(T6)는 제1 스캔 배선을 통해 턴-온 레벨의 제1 스캔 신호(SCAN1)가 인가되면 초기화 신호(Vini)로 발광 소자의 애노드(ANO)나, 제2 트랜지스터(T2)와 제5 트랜지스터(T5) 사이의 노드를 초기화할 수 있다. The sixth transistor T6 is electrically connected between the initialization signal line to which the initialization signal Vini is supplied and the anode ANO of the light emitting device, and is electrically connected to the first scan signal SCAN1 supplied through the first scan line. can be controlled. When the first scan signal SCAN1 of the turn-on level is applied through the first scan line, the sixth transistor T6 is the anode ANO of the light emitting device or the second transistor T2 as an initialization signal Vini. A node between the fifth transistors T5 may be initialized.
커패시터(Cst)는 구동 트랜지스터인 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극에 인가되는 전압을 저장하는 저장 커패시터(Cst)일 수 있다. 여기서, 커패시터(Cst)는 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극과 발광 소자(120)의 애노드(ANO) 사이에 전기적으로 연결된다. 따라서, 커패시터(Cst)는 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극의 전압과 발광 소자(120)의 애노드(ANO)에 공급되는 전압의 차이를 저장할 수 있다. The capacitor Cst may be a storage capacitor Cst that stores a voltage applied to the gate electrode of the second transistor T2 serving as a driving transistor. Here, the capacitor Cst is electrically connected between the gate electrode of the second transistor T2 and the anode ANO of the
본 명세서에서는 복수의 서브 화소(SP)의 화소 회로가 제1 내지 제6 트랜지스터(T1, T2, T3, T4, T5, T6) 및 커패시터(Cst)를 포함하는 것으로 설명하였으나, 설계에 따라 트랜지스터 및 커패시터의 개수는 변경될 수 있다.In this specification, it has been described that the pixel circuit of the plurality of sub-pixels SP includes the first to sixth transistors T1, T2, T3, T4, T5, and T6 and the capacitor Cst. The number of capacitors may be changed.
이하에서는 도 3 및 도 4를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)의 서브 화소(SP)를 보다 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, the sub-pixel SP of the
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 확대 평면도이다. 도 4는 도 3의 IIIb-IIIb'에 따른 단면도이다.3 is an enlarged plan view of a display device according to an exemplary embodiment. 4 is a cross-sectional view taken along line IIIb-IIIb' of FIG. 3 .
도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)는 기판(110), 버퍼층(111), 게이트 절연층(112), 층간 절연층(113), 패시베이션층(114), 평탄화층(115), 뱅크(116), 고전위 전원 배선(PL), 복수의 스캔 배선(SL), 데이터 배선(DL), 초기화 신호 배선(IL), 발광 제어 신호 배선(EL), 제5 트랜지스터(T5), 발광 소자, 스페이서(130), 복수의 제1 저-저항층(LRL1)을 포함한다. 도 3에서는 설명의 편의를 위해 발광 소자(120)의 구성 중 애노드(ANO)만을 도시하였다. 그리고 도 4에서는 설명의 편의를 위해 화소 회로의 복수의 트랜지스터(T1, T2, T3, T4, T5, T6) 및 커패시터(Cst) 중 제5 트랜지스터(T5)만을 도시하였다.3 and 4 , the
도 3을 참조하면, 복수의 서브 화소(SP)는 빛을 발광하는 개별 단위로, 복수의 서브 화소(SP) 각각에는 발광 소자가 배치된다. 복수의 서브 화소(SP)는 서로 다른 색상의 광을 발광하는 제1 서브 화소(SP1), 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3)를 포함한다. 예를 들어, 제1 서브 화소(SP1)는 청색 서브 화소이고, 제2 서브 화소(SP2)는 녹색 서브 화소이며, 제3 서브 화소(SP3)는 적색 서브 화소일 수 있다. Referring to FIG. 3 , the plurality of sub-pixels SP is an individual unit emitting light, and a light emitting device is disposed in each of the plurality of sub-pixels SP. The plurality of sub-pixels SP includes a first sub-pixel SP1 , a second sub-pixel SP2 , and a third sub-pixel SP3 that emit light of different colors. For example, the first sub-pixel SP1 may be a blue sub-pixel, the second sub-pixel SP2 may be a green sub-pixel, and the third sub-pixel SP3 may be a red sub-pixel.
복수의 제1 서브 화소(SP1)는 복수의 열을 이루며 배치될 수 있다. 즉, 복수의 제1 서브 화소(SP1)는 동일한 열에 배치될 수 있다. 그리고 복수의 제2 서브 화소(SP2) 및 복수의 제3 서브 화소(SP3)는 복수의 제1 서브 화소(SP1)가 배치된 복수의 열 각각의 사이에 배치될 수 있다. 예를 들어, 하나의 열에 복수의 제1 서브 화소(SP1)가 배치되고, 이웃한 열에 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3)가 함께 배치될 수 있다. 그리고 복수의 제2 서브 화소(SP2)와 복수의 제3 서브 화소(SP3)는 동일한 열에서 교대로 배치될 수 있다. 다만, 본 명세서에서는 복수의 서브 화소(SP)가 제1 서브 화소(SP1), 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3)를 포함하는 것으로 설명하였으나, 복수의 서브 화소(SP)의 배치, 개수 및 색상 조합은 설계에 따라 다양하게 변경될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.The plurality of first sub-pixels SP1 may be arranged in a plurality of columns. That is, the plurality of first sub-pixels SP1 may be arranged in the same column. In addition, the plurality of second sub-pixels SP2 and the plurality of third sub-pixels SP3 may be disposed between each of the plurality of columns in which the plurality of first sub-pixels SP1 are disposed. For example, the plurality of first sub-pixels SP1 may be disposed in one column, and the second sub-pixel SP2 and the third sub-pixel SP3 may be disposed together in an adjacent column. In addition, the plurality of second sub-pixels SP2 and the plurality of third sub-pixels SP3 may be alternately disposed in the same column. However, in the present specification, the plurality of sub-pixels SP has been described as including the first sub-pixel SP1 , the second sub-pixel SP2 , and the third sub-pixel SP3 , but the plurality of sub-pixels SP The arrangement, number, and color combination of the elements may be variously changed depending on the design, but is not limited thereto.
복수의 서브 화소(SP) 사이에 열 방향으로 연장된 고전위 전원 배선(PL)이 배치된다. 복수의 고전위 전원 배선(PL)은 복수의 서브 화소(SP) 각각으로 고전위 전원 신호(EVDD)를 전달하는 배선이다. 복수의 고전위 전원 배선(PL) 각각은 제1 서브 화소(SP1)와 제2 서브 화소(SP2) 사이이자 제1 서브 화소(SP1)와 제3 서브 화소(SP3) 사이에 배치될 수 있다. A high potential power wiring PL extending in a column direction is disposed between the plurality of sub-pixels SP. The plurality of high potential power lines PL are lines that transmit the high potential power signal EVDD to each of the plurality of sub-pixels SP. Each of the plurality of high potential power lines PL may be disposed between the first sub-pixel SP1 and the second sub-pixel SP2 and between the first sub-pixel SP1 and the third sub-pixel SP3 .
복수의 고전위 전원 배선(PL)과 동일하게 열 방향으로 연장된 복수의 데이터 배선(DL)이 배치된다. 복수의 데이터 배선(DL)은 복수의 서브 화소(SP) 각각으로 데이터 신호(Vdata)를 전달하는 배선이다. 복수의 데이터 배선(DL) 각각은 제2 서브 화소(SP2)와 고전위 전원 배선(PL) 사이이자 제3 서브 화소(SP3)와 고전위 전원 배선(PL) 사이에 배치될 수 있다. 다만, 복수의 데이터 배선(DL)은 복수의 고전위 전원 배선(PL)과 제1 서브 화소(SP1) 사이에 배치될 수도 있으며, 이에 제한되지 않는다. A plurality of data lines DL extending in the same column direction as the plurality of high potential power lines PL are disposed. The plurality of data lines DL are lines that transmit the data signal Vdata to each of the plurality of sub-pixels SP. Each of the plurality of data lines DL may be disposed between the second sub-pixel SP2 and the high-potential power line PL and between the third sub-pixel SP3 and the high-potential power line PL. However, the plurality of data lines DL may be disposed between the plurality of high potential power lines PL and the first sub-pixel SP1, but is not limited thereto.
행 방향으로 연장된 복수의 스캔 배선(SL)이 배치된다. 복수의 스캔 배선(SL)은 복수의 서브 화소(SP) 각각으로 스캔 신호(SCAN1, SCAN2)를 전달하는 배선이다. 복수의 스캔 배선(SL)은 제1 스캔 배선(SL1) 및 제2 스캔 배선(SL2)을 포함한다. 제1 스캔 배선(SL1)은 제2 서브 화소(SP2)와 제3 서브 화소(SP3) 사이에서 행 방향으로 연장되어 배치되고, 제2 스캔 배선(SL2)은 제3 서브 화소(SP3)를 가로질러 행 방향으로 연장되어 배치될 수 있다. A plurality of scan lines SL extending in the row direction are disposed. The plurality of scan lines SL are lines that transmit scan signals SCAN1 and SCAN2 to each of the plurality of sub-pixels SP. The plurality of scan lines SL include a first scan line SL1 and a second scan line SL2 . The first scan line SL1 is disposed to extend in the row direction between the second sub-pixel SP2 and the third sub-pixel SP3 , and the second scan line SL2 crosses the third sub-pixel SP3 . It may be arranged to extend in the row direction.
복수의 서브 화소(SP) 사이에 복수의 스캔 배선(SL)과 동일하게 행 방향으로 연장된 복수의 초기화 신호 배선(IL)이 배치된다. 복수의 초기화 신호 배선(IL)은 복수의 서브 화소(SP) 각각으로 초기화 신호(Vini)를 전달하는 배선이다. 복수의 초기화 신호 배선(IL) 각각은 제2 서브 화소(SP2)와 제3 서브 화소(SP3) 사이에 배치될 수 있다. 복수의 초기화 신호 배선(IL)은 제1 스캔 배선(SL1)과 제2 스캔 배선(SL2) 사이에 배치될 수 있다. A plurality of initialization signal lines IL extending in the row direction in the same manner as the plurality of scan lines SL are disposed between the plurality of sub-pixels SP. The plurality of initialization signal lines IL are wirings that transmit the initialization signal Vini to each of the plurality of sub-pixels SP. Each of the plurality of initialization signal lines IL may be disposed between the second sub-pixel SP2 and the third sub-pixel SP3 . The plurality of initialization signal lines IL may be disposed between the first scan line SL1 and the second scan line SL2 .
복수의 스캔 배선(SL)과 동일하게 행 방향으로 연장된 복수의 발광 제어 신호 배선(EL)이 배치된다. 복수의 발광 제어 신호 배선(EL)은 복수의 서브 화소(SP) 각각으로 발광 제어 신호(EM)를 전달하는 배선이다. 복수의 발광 제어 신호 배선(EL)은 복수의 제2 스캔 배선(SL2)과 이웃하게 배치될 수 있다. 복수의 발광 제어 신호 배선(EL)은 제3 서브 화소(SP3)를 가로질러 행 방향으로 연장되어 배치될 수 있다. 복수의 발광 제어 신호 배선(EL)과 복수의 초기화 신호 배선(IL) 사이에 제2 스캔 배선(SL2)이 배치될 수 있다.A plurality of light emission control signal lines EL extending in the row direction in the same manner as the plurality of scan lines SL are disposed. The plurality of light emission control signal lines EL are lines that transmit the light emission control signal EM to each of the plurality of sub-pixels SP. The plurality of light emission control signal lines EL may be disposed adjacent to the plurality of second scan lines SL2 . The plurality of light emission control signal lines EL may be disposed to cross the third sub-pixel SP3 and extend in a row direction. A second scan line SL2 may be disposed between the plurality of light emission control signal lines EL and the plurality of initialization signal lines IL.
한편, 복수의 배선은 직류 신호를 전달하는 직류 배선과 교류 신호를 전달하는 교류 배선으로 분류할 수 있다. 복수의 배선 중 직류 신호인 고전위 전원 신호(EVDD) 또는 초기화 신호(Vini)를 전달하는 고전위 전원 배선(PL)과 초기화 신호 배선(IL)은 직류 배선에 포함될 수 있다. 그리고 복수의 배선 중 교류 신호인 스캔 신호(SCAN1, SCAN2) 및 데이터 신호(Vdata) 등을 전달하는 스캔 배선(SL) 및 데이터 배선(DL)은 교류 배선에 포함될 수 있다. Meanwhile, the plurality of wirings may be classified into a DC wiring transmitting a DC signal and an AC wiring transmitting an AC signal. Among the plurality of wirings, the high potential power supply line PL and the initialization signal line IL transmitting the high potential power signal EVDD or the initialization signal Vini, which are DC signals, may be included in the DC wiring. Also, among the plurality of wires, the scan wires SL and DL that transmit the scan signals SCAN1 and SCAN2 and the data signal Vdata that are AC signals may be included in the AC wire.
복수의 서브 화소(SP) 사이에 복수의 스페이서(130)가 배치된다. 복수의 서브 화소(SP)에 발광 소자(120)를 형성할 때, 증착 마스크인 FMM(Fine metal mask)을 사용할 수 있다. 이때, 증착 마스크와 접촉하여 발생될 수 있는 손상을 방지하고, 증착 마스크와 기판(110) 사이의 일정한 거리를 유지하기 위해, 복수의 스페이서(130)가 배치될 수 있다. A plurality of
복수의 서브 화소(SP) 사이에 복수의 제1 저-저항층(LRL1)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 저-저항층(LRL1)은 제1 서브 화소(SP1)와 제3 서브 화소(SP3) 사이에 배치될 수 있다. 또한, 제1 저-저항층(LRL1)은 제1 서브 화소(SP1)와 제2 서브 화소(SP2) 사이에 추가로 배치될 수 있다. 이는 턴-온 전압이 가장 큰 제1 서브 화소(SP1)로부터 발생된 누설 전류에 의한 제2 서브 화소(SP2) 또는 제3 서브 화소(SP3)의 저계조 발광을 최소화하기 위함이다.A plurality of first low-resistance layers LRL1 may be disposed between the plurality of sub-pixels SP. For example, the first low-resistance layer LRL1 may be disposed between the first sub-pixel SP1 and the third sub-pixel SP3 . Also, the first low-resistance layer LRL1 may be additionally disposed between the first sub-pixel SP1 and the second sub-pixel SP2 . This is to minimize low grayscale emission of the second sub-pixel SP2 or the third sub-pixel SP3 due to a leakage current generated from the first sub-pixel SP1 having the largest turn-on voltage.
복수의 제1 저-저항층(LRL1)은 제3 서브 화소(SP3)에 배치된 제1 발광층(EML1)보다 작은 저항을 가질 수 있다. 이는 제1 저-저항층(LRL1)이 제3 서브 화소(SP3)에 배치된 제1 발광층(EML1)의 밴드갭 에너지보다 작은 밴드갭 에너지를 가져 제1 서브 화소(SP1)로부터의 누설 전류가 제2 서브 화소(SP2) 또는 제3 서브 화소(SP3)로 흐르는 것보다 제1 저-저항층(LRL1)을 거쳐 캐소드(CAT)로 흐르는 것이 용이하기 때문이다. 제1 저-저항층(LRL1)에 대한 구체적인 설명은 후술한다.The plurality of first low-resistance layers LRL1 may have a lower resistance than that of the first emission layer EML1 disposed in the third sub-pixel SP3 . This is because the first low-resistance layer LRL1 has a bandgap energy smaller than the bandgap energy of the first light emitting layer EML1 disposed on the third sub-pixel SP3, so that the leakage current from the first sub-pixel SP1 is reduced. This is because it is easier to flow to the cathode CAT through the first low-resistance layer LRL1 than to flow to the second sub-pixel SP2 or the third sub-pixel SP3 . A detailed description of the first low-resistance layer LRL1 will be described later.
도 4를 참조하면, 기판(110)은 표시 장치(100)의 다른 구성 요소를 지지하기 위한 지지 부재로, 절연 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 기판(110)은 유리 또는 수지 등으로 이루어질 수 있다. 또한, 기판(110)은 고분자 또는 폴리이미드(Polyimide, PI) 등과 같은 플라스틱을 포함하여 이루어질 수도 있고, 플렉서빌리티(flexibility)를 갖는 물질로 이루어질 수도 있다.Referring to FIG. 4 , a
기판(110) 상에 버퍼층(111)이 배치된다. 버퍼층(111)은 기판(110)을 통한 수분 또는 불순물의 침투를 저감할 수 있다. 버퍼층(111)은 예를 들어, 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)의 단일층 또는 복층으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 다만, 버퍼층(111)은 기판(110)의 종류나 트랜지스터의 종류에 따라 생략될 수도 있으며, 이에 제한되지 않는다.A
버퍼층(111) 상에 제5 트랜지스터(T5)가 배치된다. 제5 트랜지스터(T5)는 액티브층(ACT), 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함한다. A fifth transistor T5 is disposed on the
액티브층(ACT)은 산화물 반도체, 비정질 실리콘 또는 폴리 실리콘 등과 같은 반도체 물질로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 예를 들어, 액티브층(ACT)이 산화물 반도체로 형성된 경우, 액티브층(ACT)은 채널 영역, 소스 영역 및 드레인 영역으로 이루어지고, 소스 영역 및 드레인 영역은 도체화된 영역일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.The active layer ACT may be made of a semiconductor material such as an oxide semiconductor, amorphous silicon, or polysilicon, but is not limited thereto. For example, when the active layer ACT is formed of an oxide semiconductor, the active layer ACT includes a channel region, a source region, and a drain region, and the source region and the drain region may be a conductive region, but is limited thereto. doesn't happen
액티브층(ACT) 상에 게이트 절연층(112)이 배치된다. 게이트 절연층(112)은 액티브층(ACT)과 게이트 전극(GE)을 절연시키기 위한 절연층으로, 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)의 단일층 또는 복층으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.A
게이트 절연층(112) 상에 게이트 전극(GE)이 배치된다. 게이트 전극(GE)은 도전성 물질, 예를 들어, 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 크롬(Cr) 또는 이에 대한 합금으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.A gate electrode GE is disposed on the
게이트 전극(GE) 상에 층간 절연층(113)이 배치된다. 층간 절연층(113)에는 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE) 각각이 액티브층(ACT)에 접속하기 위한 컨택홀이 형성된다. 층간 절연층(113)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)의 단일층 또는 복층으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.An interlayer insulating
층간 절연층(113) 상에 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)이 배치된다. 서로 이격되어 배치된 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 액티브층(ACT)과 전기적으로 연결될 수 있다. 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 도전성 물질, 예를 들어, 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 크롬(Cr) 또는 이에 대한 합금으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. A source electrode SE and a drain electrode DE are disposed on the
층간 절연층(113) 상에 고전위 전원 배선(PL) 및 데이터 배선(DL)이 배치된다. 고전위 전원 배선(PL) 및 데이터 배선(DL)은 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)과 동일 층에 배치되어, 동일한 도전성 물질로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 예를 들어, 고전위 전원 배선(PL) 및 데이터 배선(DL)은 도전성 물질, 예를 들어, 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 크롬(Cr) 또는 이에 대한 합금으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.A high potential power line PL and a data line DL are disposed on the
고전위 전원 배선(PL), 데이터 배선(DL), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE) 상에 패시베이션층(114)이 배치된다. 패시베이션층(114)은 패시베이션층(114) 하부의 구성을 보호하기 위한 절연층이다. 예를 들어, 패시베이션층(114)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)의 단일층 또는 복층으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 또한, 패시베이션층(114)은 실시예에 따라 생략될 수도 있다.A
패시베이션층(114) 상에 평탄화층(115)이 배치된다. 평탄화층(115)은 기판(110)의 상부를 평탄화하는 절연층이다. 평탄화층(115)은 유기 물질로 이루어질 수 있고, 예를 들어, 폴리이미드(Polyimide) 또는 포토아크릴(Photo Acryl)의 단일층 또는 복층으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.A
평탄화층(115) 상에서 복수의 서브 화소(SP) 각각에 복수의 발광 소자(120)가 배치된다. 발광 소자(120)는 애노드(ANO), 유기층(121) 및 캐소드(CAT)를 포함한다.A plurality of light emitting
평탄화층(115) 상에 애노드(ANO)가 배치된다. 애노드(ANO)는 화소 회로의 트랜지스터, 예를 들어, 제2 트랜지스터(T2) 및 제5 트랜지스터(T5)와 전기적으로 연결되어, 구동 전류를 공급받을 수 있다. 애노드(ANO)는 유기층(121)에 정공을 공급하므로, 일함수가 높은 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 애노드(ANO)는 예를 들어, 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zin Oxide, IZO) 등과 같은 투명 도전성 물질로 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.An anode ANO is disposed on the
한편, 표시 장치(100)는 탑 에미션(Top Emission) 또는 바텀 에미션(Bottom Emission) 방식으로 구현될 수 있다. 탑 에미션 방식인 경우, 유기층(121)으로부터 발광된 광이 애노드(ANO)에 반사되어 상부 방향, 즉, 캐소드(CAT) 측을 향하도록, 애노드(ANO)의 하부에 반사 효율이 우수한 금속 물질, 예를 들어, 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)과 같은 물질로 이루어진 반사층이 추가될 수 있다. 반대로, 표시 장치(100)가 바텀 에미션 방식인 경우, 애노드(ANO)는 투명 도전성 물질로만 이루어질 수 있다. 이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)가 탑 에미션 방식인 것으로 가정하여 설명하기로 한다.Meanwhile, the
애노드(ANO) 및 평탄화층(115) 상에 뱅크(116)가 배치된다. 뱅크(116)는 복수의 서브 화소(SP)를 구분하기 위해, 복수의 서브 화소(SP) 사이에 배치된 절연층이다. 뱅크(116)는 애노드(ANO)의 일부를 노출시키는 개구부를 포함한다. 뱅크(116)는 애노드(ANO)의 엣지 또는 가장자리 부분을 덮도록 배치된 유기 절연 물질일 수 있다. 뱅크(116)는 예를 들어, 폴리이미드(polyimide), 아크릴(acryl) 또는 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB)계 수지로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.A
뱅크(116) 상에 스페이서(130)가 배치된다. 스페이서(130)는 발광 소자(120)를 형성할 때, 증착 마스크와 일정 거리를 유지하기 위해 뱅크(116) 상에 배치된다. 스페이서(130)에 의해 증착 마스크와 스페이서(130) 아래의 뱅크(116) 및 애노드(ANO)는 증착 마스크와 일정 거리를 유지할 수 있고, 접촉으로 인한 손상을 방지할 수 있다. 이때, 복수의 스페이서(130)는 증착 마스크와 접촉하는 면적을 최소화하도록, 상부로 갈수록 폭이 좁아지는 형태, 예를 들어, 테이퍼 형상으로 이루어질 수 있다.A
애노드(ANO), 뱅크(116) 및 스페이서(130) 상에 유기층(121)이 배치된다. 유기층(121)은 제1 발광층(EML1) 및 공통 유기층(HIL, HTL1, ETL1)을 포함한다. 제1 발광층(EML1)은 특정 색상의 광을 발광하기 위한 유기층으로, 제1 서브 화소(SP1), 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3) 각각에 서로 다른 제1 발광층(EML1)이 배치될 수도 있고, 복수의 서브 화소(SP) 전체에 동일한 제1 발광층(EML1)이 배치될 수도 있다. 예를 들어, 복수의 서브 화소(SP) 각각에 서로 다른 제1 발광층(EML1)이 배치된 경우, 제1 서브 화소(SP1)에 배치되는 제1 발광층(EML1)은 청색 발광층이고, 제2 서브 화소(SP2)에 배치되는 제1 발광층(EML1)은 녹색 발광층이며, 제3 서브 화소(SP3)에 배치되는 제1 발광층(EM1)은 적색 발광층일 수 있다. 또한, 복수의 서브 화소(SP)의 제1 발광층(EML1)은 서로 연결되어 복수의 서브 화소(SP)에 걸쳐 하나의 층으로 형성될 수 있고, 예를 들어, 복수의 서브 화소(SP) 전체에 제1 발광층(EML1)이 배치되고, 제1 발광층(EML1)으로부터의 광은 별도의 광변환층, 컬러 필터 등을 통해 다양한 색상의 광으로 변환될 수도 있다.An
공통 유기층(HIL, HTL1, ETL1)은 제1 발광층(EML1)의 발광 효율을 개선하기 위해 배치되는 층이다. 공통 유기층(HIL, HTL1, ETL1)은 복수의 서브 화소(SP)에 걸쳐 하나의 층으로 형성되어, 복수의 발광 소자(120)가 서로 공유할 수 있다. 즉, 복수의 서브 화소(SP) 각각의 공통 유기층(HIL, HTL1, ETL1)은 서로 연결되어 일체로 이루어질 수 있다. 공통 유기층(HIL, HTL1, ETL1)은 제1 정공 주입층(HIL), 제1 정공 수송층(HTL1), 제1 전자 수송층(ETL1) 등을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. The common organic layers HIL, HTL1, and ETL1 are layers disposed to improve light emission efficiency of the first light emitting layer EML1. The common organic layers HIL, HTL1, and ETL1 are formed as a single layer over the plurality of sub-pixels SP, so that the plurality of light emitting
유기층(121) 상에 캐소드(CAT)가 배치된다. 캐소드(CAT)는 유기층(121)에 전자를 공급하므로, 일함수가 낮은 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 캐소드(CAT)는 복수의 서브 화소(SP)에 걸쳐 하나의 층으로 형성될 수 있다. 즉, 복수의 서브 화소(SP) 각각의 캐소드(CAT)는 서로 연결되어 공유하는 방식으로 일체로 이루어질 수 있다. 캐소드(CAT)는 예를 들어, 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zin Oxide, IZO) 등과 같은 투명 도전성 물질 또는 MgAg와 같은 금속 합금이나 이테르븀(Yb) 합금 등으로 형성될 수 있고, 금속 도핑층이 더 포함될 수도 있으며, 이에 제한되지 않는다. 한편, 도면에 도시되지는 않았으나, 캐소드(CAT)는 저전위 전원 배선과 전기적으로 연결되어 저전위 전원 신호(EVSS)를 공급받을 수 있다. A cathode CAT is disposed on the
뱅크(116)에 복수의 제1 저-저항층(LRL1)이 배치된다. 복수의 제1 저-저항층(LRL1)은 뱅크(116) 상에서 유기층(121)의 제1 발광층(EML1)과 일정 간격 이격되도록 배치될 수 있다. 즉, 도 4를 참조하면, 제1 발광층(EML1)의 끝단은 뱅크 상에 배치될 수 있고, 제1 저-저항층(LRL1)은 서로 인접하는 서브 화소(SP) 사이에서 제1 발광층(EML1) 사이에 제1 발광층(EML1)과 이격되도록 배치될 수 있다. 이에, 제1 발광층(EML1)과 제1 저-저항층(LRL1)은 모두 동일 평면, 즉, 제1 정공 수송층(HTL1) 상에 형성될 수 있다. A plurality of first low-resistance layers LRL1 are disposed in the
이하에서는, 제1 저-저항층(LRL1)에 대한 보다 상세한 설명을 위해 도 5a 및 도 5b를 함께 참조한다.Hereinafter, for a more detailed description of the first low-resistance layer LRL1, FIGS. 5A and 5B are referred to together.
도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제3 서브 화소의 제1 발광부의 개략적인 단면도이다. 도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제1 저-저항층(LRL1)을 설명하기 위한의 개략적인 단면도이다. 도 5b에서는 도시의 편의를 위해 서로 인접하는 서브 화소(SP) 사이에 배치된 뱅크(116)와 캐소드(CAT) 사이의 층들만을 도시하였다. 5A is a schematic cross-sectional view of a first light emitting part of a third sub-pixel of a display device according to an exemplary embodiment. 5B is a schematic cross-sectional view illustrating a first low-resistance layer LRL1 of a display device according to an exemplary embodiment. In FIG. 5B , only the layers between the
도 5a를 참조하면, 제1 발광부(E1)는 공통 유기층(HIL, HTL1, ETL1) 및 도펀트-호스트(dopant-host) 구조의 제1 발광층(EML1)으로 이루어진다. 구체적으로 제1 발광부(E1)는 제1 정공 주입층(HIL), 제1 정공 수송층(HTL1), 제1 발광층(EML1) 및 제1 전자 수송층(ETL1)의 순서로 적층된 구조를 가질 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고, 발광 소자(120)의 구조나 설계에 따라 다른 유기층들이 더 포함되거나 생략될 수도 있다. 여기서 제1 발광층(EML1)은 높은 여기 에너지의 호스트로부터 낮은 여기 에너지의 도펀트로의 에너지 전이를 이용하는 것으로서, 도펀트 종류에 따라 다양한 색상의 빛이 발광될 수 있다. Referring to FIG. 5A , the first light emitting part E1 includes common organic layers HIL, HTL1, and ETL1 and a first light emitting layer EML1 having a dopant-host structure. Specifically, the first light emitting part E1 may have a structure in which a first hole injection layer HIL, a first hole transport layer HTL1, a first emission layer EML1, and a first electron transport layer ETL1 are stacked in this order. have. However, the present invention is not limited thereto, and other organic layers may be further included or omitted according to the structure or design of the
도 5b를 참조하면, 서로 인접하는 서브 화소(SP) 사이에서 뱅크(116)와 캐소드(CAT) 사이에 공통 유기층(HIL, HTL1, ETL1) 및 제1 정공 수송층(HTL1)과 제1 전자 수송층(ETL1) 사이의 제1 저-저항층(LRL1)이 배치된다. Referring to FIG. 5B , the common organic layers HIL, HTL1, ETL1 and the first hole transport layer HTL1 and the first electron transport layer between the
제1 저-저항층(LRL1)은 제1 발광층(EML1)에 포함된 호스트보다 저항이 낮은 물질로 이루어진다. 즉, 제1 저-저항층(LRL1)은 제3 서브 화소(SP3)의 제1 발광층(EML1)의 밴드갭 에너지보다 작은 밴드갭 에너지를 가질 수 있다. 예를 들어, 제3 서브 화소(SP3)의 제1 발광층(EML1)의 밴드갭 에너지는 약 2.89 eV이고, 제1 저-저항층(LRL1)의 밴드갭 에너지는 약 2.61 eV일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 이때, 제1 저-저항층(LRL1)은 일반적으로 사용되는 적색 발광층보다 밴드갭 에너지가 낮은 물질로 CBP, TCTA, TAZ, TPBi, Balq, Bebp2 등일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The first low-resistance layer LRL1 is made of a material having a lower resistance than the host included in the first emission layer EML1 . That is, the first low-resistance layer LRL1 may have a bandgap energy smaller than the bandgap energy of the first emission layer EML1 of the third sub-pixel SP3 . For example, the bandgap energy of the first emission layer EML1 of the third sub-pixel SP3 may be about 2.89 eV, and the bandgap energy of the first low-resistance layer LRL1 may be about 2.61 eV. It is not limited. In this case, the first low-resistance layer LRL1 is a material having a lower bandgap energy than a generally used red light emitting layer, and may be CBP, TCTA, TAZ, TPBi, Balq, Bebp2, etc., but is not limited thereto.
이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 효과 및 원리를 설명하기 위해 도 6을 함께 참조한다.Hereinafter, in order to explain the effect and principle of the display device according to an embodiment of the present invention, reference is also made to FIG. 6 .
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 효과를 설명하기 위한 등가 회로도이다. 도 6에서는 서로 인접하는 제1 서브 화소(SP1) 및 제3 서브 화소(SP3)의 제5 트랜지스터(T5), 발광 소자의 등가 저항(R120-1, R120-3), 제1 서브 화소(SP1) 및 제3 서브 화소(SP3) 사이의 공통 유기층(HIL, HTL1, ETL1)에 대한 등가 저항(RL), 제1 저-저항층(LRL1)의 등가 저항(RLRL1)을 이용하여 등가 회로도를 도시하였다. 도 6에서는 제1 서브 화소(SP1)의 제5 트랜지스터(T5)는 턴-온된 상태인 반면, 제3 서브 화소(SP3)의 제5 트랜지스터(T5)는 턴-오프된 상태인 경우를 도시하였다.6 is an equivalent circuit diagram illustrating an effect of a display device according to an exemplary embodiment. In FIG. 6 , the fifth transistor T5 of the first sub-pixel SP1 and the third sub-pixel SP3 adjacent to each other, the equivalent resistances R 120-1 and R 120-3 of the light emitting device, and the first sub-pixel Using the equivalent resistance R L of the common organic layer HIL, HTL1, and ETL1 between SP1 and the third sub-pixel SP3 and the equivalent resistance R LRL1 of the first low-resistance layer LRL1 An equivalent circuit diagram is shown. 6 illustrates a case in which the fifth transistor T5 of the first sub-pixel SP1 is turned on while the fifth transistor T5 of the third sub-pixel SP3 is turned off. .
도 6을 참조하면, 이상적으로는 턴-온 전압이 작은 제3 서브 화소(SP3)의 제5 트랜지스터(T5)가 턴-오프되었으므로, 제3 서브 화소(SP3)의 발광 소자의 등가 저항에는 전류가 흐르지 않아야 한다. 그러나, 제1 서브 화소(SP1)와 제3 서브 화소(SP3) 사이에 위치하는 공통 유기층(HIL, HTL1, ETL1)을 통해 제1 서브 화소(SP1)로부터 제3 서브 화소(SP3)로 누설 전류가 흐를 수 있다. 그러나, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)에서는 제1 저-저항층(LRL1)의 저항(RLRL1)이 제3 서브 화소(SP3)의 발광 소자의 저항(R120-3) 보다 작다. 따라서, 제1 서브 화소(SP1)와 제3 서브 화소(SP3) 사이에 위치하는 공통 유기층(HIL, HTL1, ETL1)을 통해 제1 서브 화소(SP1)로부터 제3 서브 화소(SP3)로 흐르는 누설 전류는 상대적으로 저항이 작은 제1 저-저항층(LRL1)을 통해 캐소드(CAT)로 흐를 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)에서는 인접한 발광 소자(120) 사이에 배치되는 제1 저-저항층(LRL1)에 의해 누설 전류를 저감시킬 수 있다.Referring to FIG. 6 , ideally, since the fifth transistor T5 of the third sub-pixel SP3 having a low turn-on voltage is turned off, the equivalent resistance of the light emitting device of the third sub-pixel SP3 includes a current should not flow. However, leakage current from the first sub-pixel SP1 to the third sub-pixel SP3 through the common organic layers HIL, HTL1, and ETL1 positioned between the first sub-pixel SP1 and the third sub-pixel SP3 can flow However, in the
복수의 발광 소자(120)의 공통 유기층(HIL, HTL1, ETL1)은 복수의 서브 화소(SP) 전체에 걸쳐 하나의 층으로 형성된다. 이때, 복수의 서브 화소(SP)의 발광 소자가 공통 유기층(HIL, HTL1, ETL1)을 공유하는 구조로 형성됨에 따라, 특정 서브 화소(SP)의 발광 소자(120)를 발광시킬 때 이웃한 서브 화소(SP)의 발광 소자(120)로 전류가 흐르는 현상, 즉 전류 누설 현상이 발생할 수 있다. 전류 누설 현상은 의도치 않은 다른 서브 화소(SP)의 발광 소자(120)가 발광하게 되어, 복수의 서브 화소(SP) 간의 혼색을 유발하고 소비 전력을 증가시킬 수 있다. 또한, 누설 전류에 의해 색 이상 및 얼룩 등이 시인되어 표시 품질이 저하될 수 있다. 예를 들어, 복수의 서브 화소(SP) 중 제1 서브 화소(SP1)만 발광하는 경우, 제1 서브 화소(SP1)의 발광 소자(120)를 구동하기 위해 공급된 전류 중 일부가 공통 유기층(HIL, HTL1, ETL1)을 통해 인접한 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3)로 누설될 수 있다. The common organic layers HIL, HTL1, and ETL1 of the plurality of light emitting
그리고 복수의 서브 화소(SP) 별로 분리되어 배치된 제1 발광층(EML1)은 서로 상이한 턴-온 전압을 갖는다. 예를 들어, 청색 발광층이 배치된 제1 서브 화소(SP1)를 구동하기 위한 턴-온 전압이 가장 크고, 적색 발광층이 배치된 제3 서브 화소(SP3)를 구동하기 위한 턴-온 전압은 가장 작을 수 있다. 그리고 턴-온 전압이 가장 큰 제1 서브 화소(SP1)보다 턴-온 전압이 작은 제2 서브 화소(SP2) 또는 제3 서브 화소(SP3)에서 전류가 흐를 수 있는 장벽이 낮으므로, 공통 유기층(HIL, HTL1, ETL1)을 통해 누설된 전류는 턴-온 전압이 큰 제1 서브 화소(SP1)에서 턴-온 전압이 작은 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3)로 쉽게 흐를 수 있고, 제1 서브 화소(SP1) 구동 시 턴-온 전압이 작은 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3)가 함께 발광할 수 있다. In addition, the first emission layer EML1 arranged separately for each of the plurality of sub-pixels SP has turn-on voltages different from each other. For example, the turn-on voltage for driving the first sub-pixel SP1 on which the blue emission layer is disposed is the largest, and the turn-on voltage for driving the third sub-pixel SP3 on which the red emission layer is disposed is the highest. can be small In addition, since the barrier through which current can flow is lower in the second sub-pixel SP2 or the third sub-pixel SP3 having a smaller turn-on voltage than the first sub-pixel SP1 having the largest turn-on voltage, the common organic layer The current leaked through (HIL, HTL1, ETL1) is easily transferred from the first sub-pixel SP1 having a large turn-on voltage to the second sub-pixel SP2 and the third sub-pixel SP3 having a low turn-on voltage. flow, and when the first sub-pixel SP1 is driven, the second sub-pixel SP2 and the third sub-pixel SP3 having a small turn-on voltage may emit light together.
특히, 저계조 구동 시, 구동되는 서브 화소(SP)에서 발광된 광의 휘도가 낮아, 이웃한 서브 화소(SP)에서 발광된 광이 보다 쉽게 인지될 수 있다. 즉, 저계조 구동 시, 누설 전류로 인한 색 이상 및 얼룩 불량이 더욱 쉽게 인지될 수 있어 표시 품질 저하가 심각하게 발생할 수 있다. 또한, 저계조의 백색 광을 표시할 때, 공통 유기층(HIL, HTL1, ETL1)을 통해 가장 낮은 턴-온 전압을 갖는 제1 서브 화소(SP1)에서 가장 먼저 광을 발광하므로, 순수한 백색이 아닌 붉은 빛을 갖는 백색이 표시되는 레디쉬(redish) 현상이 발생할 수도 있다. In particular, during low grayscale driving, the luminance of light emitted from the driven sub-pixel SP is low, so that the light emitted from the neighboring sub-pixel SP can be more easily recognized. That is, when the low gray level is driven, color abnormalities and unevenness due to leakage current may be more easily recognized, and thus display quality may be seriously deteriorated. In addition, when displaying low grayscale white light, the first sub-pixel SP1 having the lowest turn-on voltage through the common organic layers HIL, HTL1, and ETL1 emits light first, so that the light is not pure white. A redish phenomenon in which white with red light is displayed may occur.
이에, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)에서는 제1 서브 화소(SP1)와 제3 서브 화소(SP3) 사이 및 제1 서브 화소(SP1)와 제2 서브 화소(SP2) 사이에 제1 발광층(EML1)과 일정 간격으로 이격된 제1 저-저항층(LRL1)을 배치하여 발광 소자(120)의 공통 유기층(HIL, HTL1, ETL1)을 통해 누설 전류가 최소화될 수 있다. 구체적으로, 제1 저-저항층(LRL1)의 저항은 턴-온 전압이 가장 작은 제3 서브 화소(SP3)의 제1 발광층(EML1)의 저항보다 작을 수 있다. 즉, 제1 저-저항층(LRL1)이 제3 서브 화소(SP3)에 배치된 제1 발광층(EML1)의 밴드갭 에너지보다 작은 밴드갭 에너지를 가져 제1 서브 화소(SP1)로부터의 누설 전류가 제2 서브 화소(SP2) 또는 제3 서브 화소(SP3)로 흐르는 것보다 제1 저-저항층(LRL1)을 거쳐 캐소드(CAT)로 흐르는 것이 용이할 수 있다. 따라서, 제1 서브 화소(SP1)로부터의 누설 전류가 제2 서브 화소(SP2) 또는 제3 서브 화소(SP3)로 흐르는 것이 제1 저-저항층(LRL1)에 의해 차단될 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)에서는 제1 서브 화소(SP1)와 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3) 사이에 복수의 제1 저-저항층(LRL1)을 배치하여, 턴-온 전압이 가장 큰 제1 서브 화소(SP1)로부터의 누설 전류가 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3)으로 흐르는 것을 저감시키고, 혼색이나 얼룩, 색 이상 등으로 인해 표시 품질이 저하되는 것을 최소화할 수 있다. Accordingly, in the
도 7a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제3 서브 화소의 캐소드와 애노드 사이의 단면도이다. 도 7b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 인접한 서브 화소 사이에 저-저항층이 배치된 영역의 캐소드와 뱅크 사이의 단면도이다. 도 7b에서는 도시의 편의를 위해 서로 인접하는 서브 화소 (SP)사이에 배치된 뱅크(116)와 캐소드(CAT) 사이의 층들만을 도시하였다. 도 7a 및 도 7b의 표시 장치는 도 1 내지 도 6의 표시 장치(100)와 비교하여 유기층(221) 및 저-저항층(LRL)만이 상이할 뿐, 다른 구성은 실질적으로 동일하므로, 중복 설명은 생략한다. 7A is a cross-sectional view between a cathode and an anode of a third sub-pixel of a display device according to another exemplary embodiment of the present invention. 7B is a cross-sectional view between a cathode and a bank in a region in which a low-resistance layer is disposed between adjacent sub-pixels of a display device according to another exemplary embodiment of the present invention. 7B illustrates only the layers between the
도 7a를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치에서 유기층(221)은 제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2) 및 공통 유기층(HIL, HTL1, ETL1, CGL, HTL2, ETL2)을 포함한다. 제1 발광층(EML1) 및 제2 발광층(EML2)은 특정 색상의 광을 발광하기 위한 유기층(221)으로, 제1 서브 화소(SP1), 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3) 각각에 서로 다른 제1 발광층(EML1) 및 제2 발광층(EML2)이 배치될 수도 있다. 예를 들어, 제1 서브 화소(SP1)에 배치되는 제1 발광층(EML1) 및 제2 발광층(EML2)은 청색 발광층이고, 제2 서브 화소(SP2)에 배치되는 제1 발광층(EML1) 및 제2 발광층(EML2)은 녹색 발광층이며, 제3 서브 화소(SP3)에 배치되는 제1 발광층(EML1) 및 제2 발광층(EML2)은 적색 발광층일 수 있다.Referring to FIG. 7A , in the display device according to another exemplary embodiment, the organic layer 221 includes a first emission layer EML1, a second emission layer EML2, and common organic layers HIL, HTL1, ETL1, CGL, HTL2, ETL2. ) is included. The first emission layer EML1 and the second emission layer EML2 are organic layers 221 for emitting light of a specific color, and include the first sub-pixel SP1 , the second sub-pixel SP2 , and the third sub-pixel SP3 . ), different first light emitting layers EML1 and second light emitting layers EML2 may be disposed respectively. For example, the first emission layer EML1 and the second emission layer EML2 disposed in the first sub-pixel SP1 are blue emission layers, and the first emission layer EML1 and the second emission layer EML1 disposed in the second sub-pixel SP2 are The second emission layer EML2 may be a green emission layer, and the first emission layer EML1 and the second emission layer EML2 disposed in the third sub-pixel SP3 may be a red emission layer.
공통 유기층(HIL, HTL1, ETL1, CGL, HTL2, ETL2)은 제1 발광층(EML1) 및 제2 발광층(EML2)의 발광 효율을 개선하기 위해 배치되는 층이다. 공통 유기층(HIL, HTL1, ETL1, CGL, HTL2, ETL2)은 복수의 서브 화소(SP)에 걸쳐 하나의 층으로 형성되어, 복수의 발광 소자(120)가 서로 공유할 수 있다. 즉, 복수의 서브 화소(SP) 각각의 공통 유기층(HIL, HTL1, ETL1, CGL, HTL2, ETL2)은 서로 연결되어 일체로 이루어질 수 있다. 공통 유기층(HIL, HTL1, ETL1, CGL, HTL2, ETL2)은 제1 정공 주입층(HIL), 제1 정공 수송층(HTL1), 제1 전자 수송층(ETL1), 전하 생성층(CGL), 제2 정공 수송층(HTL2) 및 제2 전자 주입층(ETL2) 등을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. The common organic layers HIL, HTL1, ETL1, CGL, HTL2, and ETL2 are layers disposed to improve the luminous efficiency of the first light emitting layer EML1 and the second light emitting layer EML2. The common organic layers HIL, HTL1, ETL1, CGL, HTL2, and ETL2 may be formed as one layer over the plurality of sub-pixels SP, and may be shared by the plurality of light emitting
전하 생성층(Charge Generation Layer, CGL)은 복수의 발광층(EML1, EML2) 사이에 배치되어, 복수의 발광층(EML1, EML2) 각각으로 전자 또는 정공을 원활하게 공급할 수 있다. 예를 들어, 2개의 청색 발광층 사이, 2개의 녹색 발광층 사이, 2개의 적색 발광층 사이에 전하 생성층(CGL)이 배치될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.The charge generation layer (CGL) may be disposed between the plurality of emission layers EML1 and EML2 to smoothly supply electrons or holes to each of the plurality of emission layers EML1 and EML2 . For example, the charge generation layer CGL may be disposed between two blue light emitting layers, between two green light emitting layers, and between two red light emitting layers, but is not limited thereto.
도 7a를 참조하면, 제1 발광부(E1) 및 제2 발광부(E2)는 전하 생성층(CGL)을 경계로 구분할 수 있다. 제1 발광부(E1)는 공통 유기층(HIL, HTL1, ETL1) 및 도펀트-호스트 구조의 제1 발광층(EML1)으로 이루어지고, 제2 발광부(E2)는 공통 유기층(HTL2, ETL2) 및 도펀트-호스트 구조의 제2 발광층(EML2)으로 이루어진다. 구체적으로 제1 발광부(E1)는 제1 정공 주입층(HIL), 제1 정공 수송층(HTL1), 제1 발광층(EML1) 및 제1 전자 수송층(ETL1)의 순서로 적층된 구조를 가질 수 있다. 또한, 제2 발광부(E2)는 제2 정공 수송층(HTL2), 제2 발광층(EML2) 및 제2 전자 수송층(ETL2)이 적층된 구조를 가질 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고, 발광 소자(120)의 구조나 설계에 따라 다른 유기층들이 더 포함되거나 생략될 수도 있다. Referring to FIG. 7A , the first light emitting part E1 and the second light emitting part E2 may be divided by the charge generating layer CGL as a boundary. The first light emitting part E1 includes the common organic layers HIL, HTL1, and ETL1 and the first light emitting layer EML1 having a dopant-host structure, and the second light emitting part E2 includes the common organic layers HTL2 and ETL2 and a dopant. - Consists of a second light emitting layer EML2 having a host structure. Specifically, the first light emitting part E1 may have a structure in which a first hole injection layer HIL, a first hole transport layer HTL1, a first emission layer EML1, and a first electron transport layer ETL1 are stacked in this order. have. In addition, the second light emitting part E2 may have a structure in which a second hole transport layer HTL2 , a second emission layer EML2 , and a second electron transport layer ETL2 are stacked. However, the present invention is not limited thereto, and other organic layers may be further included or omitted according to the structure or design of the
도 7b를 참조하면, 서로 인접하는 서브 화소(SP) 사이에서 뱅크(116)와 캐소드(CAT) 사이에 공통 유기층(HIL, HTL1, ETL1, CGL, HTL2, ETL2), 제1 정공 수송층(HTL1)과 제1 전자 수송층(ETL1) 사이의 제1 저-저항층(LRL1) 및 제2 정공 수송층(HTL2)과 제2 전자 수송층(ETL2) 사이의 제2 저-저항층(LRL2)이 배치된다. Referring to FIG. 7B , common organic layers HIL, HTL1, ETL1, CGL, HTL2, ETL2, and a first hole transport layer HTL1 between the
제1 저-저항층(LRL1)은 제1 발광층(EML1)에 포함된 호스트보다 저항이 낮은 물질로 이루어진다. 즉, 제1 저-저항층(LRL1)은 제3 서브 화소(SP3)의 제1 발광층(EML1)의 밴드갭 에너지보다 작은 밴드갭 에너지를 가질 수 있다. 또한, 제2 저-저항층(LRL2)은 제2 발광층(EML2)에 포함된 호스트보다 저항이 낮은 물질로 이루어진다. 즉, 제2 저-저항층(LRL2)은 제3 서브 화소(SP3)의 제2 발광층(EML2)의 밴드갭 에너지보다 작은 밴드갭 에너지를 가질 수 있다.The first low-resistance layer LRL1 is made of a material having a lower resistance than the host included in the first emission layer EML1 . That is, the first low-resistance layer LRL1 may have a bandgap energy smaller than the bandgap energy of the first emission layer EML1 of the third sub-pixel SP3 . In addition, the second low-resistance layer LRL2 is made of a material having a lower resistance than the host included in the second emission layer EML2 . That is, the second low-resistance layer LRL2 may have a bandgap energy smaller than the bandgap energy of the second emission layer EML2 of the third sub-pixel SP3 .
이하에서는 실험을 통해 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 효과를 확인한 결과를 [표 1]로 정리하였다.Hereinafter, the results of confirming the effect of the display device according to another embodiment of the present invention through an experiment are summarized in [Table 1].
실시예는 도 7a 및 도 7b에 도시된 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치이고, 비교예는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치에서 저-저항층(LRL)이 생략된 구조이다. 실험에서는 비교예 및 실시예에서 제1 서브 화소(SP1)는 턴-온시키고 제3 서브 화소(SP3)는 턴-오프시킨 상태에서 제3 서브 화소(SP3)에 흐르는 누설 전류를 측정하였다.The embodiment is a display device according to another embodiment of the present invention illustrated in FIGS. 7A and 7B , and the comparative example has a structure in which the low-resistance layer LRL is omitted from the display device according to another embodiment of the present invention. In the experiment, the leakage current flowing through the third sub-pixel SP3 was measured while the first sub-pixel SP1 was turned on and the third sub-pixel SP3 was turned off in Comparative Examples and Examples.
비교예의 누설 전류를 기준으로 제1 저-저항층(LRL1) 및 제2 저-저항층(LRL2)이 포함된 실시예의 누설 전류가 약 60%까지 감소한 것을 확인하였다. 이는 제1 서브 화소(SP1)로부터 제3 서브 화소(SP3)로의 누설 전류가 제3 서브 화소(SP3)로 흐르지 않고 제1 서브 화소(SP1)와 제3 서브 화소(SP3) 사이의 저-저항층(LRL)을 통해 캐소드(CAT)로 흐른 것을 의미한다.It was confirmed that the leakage current of the example including the first low-resistance layer LRL1 and the second low-resistance layer LRL2 was reduced by about 60% based on the leakage current of the comparative example. This is because leakage current from the first sub-pixel SP1 to the third sub-pixel SP3 does not flow to the third sub-pixel SP3, and the low-resistance between the first sub-pixel SP1 and the third sub-pixel SP3 is It means flowing through the layer (LRL) to the cathode (CAT).
이에 따라, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치에서는 제1 서브 화소(SP1)와 제3 서브 화소(SP3) 사이 및 제1 서브 화소(SP1)와 제2 서브 화소(SP2) 사이에 저-저항층(LRL)을 배치한다. 따라서, 턴-온 전압이 가장 큰 제1 서브 화소(SP1)로부터의 누설 전류가 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3)으로 흐르는 것을 저감시키고, 혼색이나 얼룩, 색 이상 등으로 인해 표시 품질이 저하되는 것을 최소화할 수 있다. Accordingly, in the display device according to another exemplary embodiment of the present invention, a low-low-rate pixel is disposed between the first sub-pixel SP1 and the third sub-pixel SP3 and between the first sub-pixel SP1 and the second sub-pixel SP2. A resistive layer LRL is disposed. Accordingly, the leakage current from the first sub-pixel SP1 having the largest turn-on voltage flowing to the second sub-pixel SP2 and the third sub-pixel SP3 is reduced, and color mixture, unevenness, color abnormality, etc. are reduced. It is possible to minimize deterioration of display quality due to this.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 인접한 서브 화소 사이에 제1 저-저항층이 배치된 캐소드와 뱅크 사이의 단면도이다. 도 8에서는 도시의 편의를 위해 서로 인접하는 서브 화소(SP) 사이에 배치된 뱅크(116)와 캐소드(CAT) 사이의 층들만을 도시하였다. 도 8의 표시 장치는 도 7a 내지 도 7b의 표시 장치와 비교하여 서로 인접하는 서브 화소(SP) 사이에 배치된 뱅크(116)와 캐소드(CAT) 사이의 층들만이 상이할 뿐, 다른 구성은 실질적으로 동일하므로, 중복 설명은 생략한다. 8 is a cross-sectional view between a cathode and a bank in which a first low-resistance layer is disposed between adjacent sub-pixels of a display device according to another exemplary embodiment of the present invention. In FIG. 8 , only the layers between the
도 8을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치에서는 서로 인접하는 서브 화소(SP) 사이에서 뱅크(116)와 캐소드(CAT) 사이에 공통 유기층(HIL, HTL1, ETL1) 및 제1 정공 수송층(HTL1)과 제1 전자 수송층(ETL1) 사이의 제1 저-저항층(LRL1)이 배치된다. Referring to FIG. 8 , in the display device according to another exemplary embodiment of the present invention, the common organic layers HIL, HTL1, ETL1 and the second layer are disposed between the
제1 저-저항층(LRL1)은 제1 발광층(EML1)에 포함된 호스트보다 저항이 낮은 물질로 이루어진다. 즉, 제1 저-저항층(LRL1)은 제3 서브 화소(SP3)의 제1 발광층(EML1)의 밴드갭 에너지보다 작은 밴드갭 에너지를 가질 수 있다. 예를 들어, 제3 서브 화소(SP3)의 제1 발광층(EML1)의 밴드갭 에너지는 약 2.89 eV이고, 제1 저-저항층(LRL1)의 밴드갭 에너지는 약 2.61 eV일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The first low-resistance layer LRL1 is made of a material having a lower resistance than the host included in the first emission layer EML1 . That is, the first low-resistance layer LRL1 may have a bandgap energy smaller than the bandgap energy of the first emission layer EML1 of the third sub-pixel SP3 . For example, the bandgap energy of the first emission layer EML1 of the third sub-pixel SP3 may be about 2.89 eV, and the bandgap energy of the first low-resistance layer LRL1 may be about 2.61 eV. It is not limited.
몇몇 실시예에서, 서로 인접하는 서브 화소(SP) 사이에서 뱅크(116)와 캐소드(CAT) 사이에 공통 유기층(HIL, HTL2, ETL2) 및 제2 정공 수송층(HTL2)과 제2 전자 수송층(ETL2) 사이의 제2 저-저항층(LRL2)이 배치될 수도 있다. 이때, 제2 저-저항층(LRL2)은 제2 발광층(EML2)에 포함된 호스트보다 저항이 낮은 물질로 이루어질 수 있다.In some embodiments, the common organic layers HIL, HTL2, ETL2 and the second hole transport layer HTL2 and the second electron transport layer ETL2 between the
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치에서는 제1 서브 화소(SP1), 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3) 각각에 2개의 발광부가 배치되는 반면, 서로 인접하는 서브 화소(SP) 사이에서 뱅크(116)와 캐소드(CAT) 사이에 공통 유기층(HIL, HTL1, ETL1) 및 제1 정공 수송층(HTL1)과 제1 전자 수송층(ETL1) 사이의 제1 저-저항층(LRL1)을 배치한다. 서로 인접하는 서브 화소(SP) 사이에서의 제1 저-저항층(LRL1)의 저항은 2개의 발광부에서의 제1 발광층(EML1) 및 제2 발광층(EML2)의 저항보다 작을 수 있다. 따라서, 턴-온 전압이 가장 큰 제1 서브 화소(SP1)로부터의 누설 전류가 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3)으로 흐르는 것을 저감시키고, 혼색이나 얼룩, 색 이상 등으로 인해 표시 품질이 저하되는 것을 최소화할 수 있다. In the display device according to another embodiment of the present invention, two light emitting units are disposed in each of the first sub-pixel SP1 , the second sub-pixel SP2 , and the third sub-pixel SP3 , while the sub-pixels adjacent to each other Between the
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다. 도 9의 표시 장치(400)는 도 1 내지 도 5b의 표시 장치(100)와 비교하여 제1 저-저항층(LRL1)만이 상이할 뿐, 다른 구성은 실질적으로 동일하므로, 중복 설명은 생략한다. 9 is a cross-sectional view of a display device according to another exemplary embodiment. The
도 9를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(400)에서는 제1 저-저항층(LRL1)은 인접한 서브 화소(SP)의 제1 발광층(EML1) 끝단과 중첩하도록 배치될 수 있다. 구체적으로, 제1 서브 화소(SP1) 및 제3 서브 화소(SP3)의 제1 발광층(EML1)의 끝단은 뱅크(116) 상에 배치될 수 있고, 제1 저-저항층(LRL1)은 서로 인접하는 제1 서브 화소(SP1) 및 제3 서브 화소(SP3) 사이에서 제1 발광층(EML1) 사이에 제1 발광층(EML1) 끝단과 접촉되거나 중첩되도록 배치될 수 있다. Referring to FIG. 9 , in the
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(400)에서는 제1 서브 화소(SP1)와 제3 서브 화소(SP3) 사이 및 제1 서브 화소(SP1)와 제2 서브 화소(SP2) 사이에 제1 발광층(EML1)의 끝단과 중첩된 제1 저-저항층(LRL1)을 배치하여 발광 소자(120)의 공통 유기층(HIL, HTL1, ETL1)을 통해 누설된 누설 전류가 최소화될 수 있다. 따라서, 혼색이나 얼룩, 색 이상 등으로 인해 표시 품질이 저하되는 것을 최소화할 수 있다. 또한, 제1 저-저항층(LRL1)을 제1 발광층(EML1)의 끝단과 중첩하도록 배치하여, 서브 화소(SP) 사이의 공간을 최소화하여, 누설 전류를 최소화함과 동시에 고해상도에 적합한 표시 장치(400)를 제공할 수 있다.In the
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 확대 평면도이다. 10 is an enlarged plan view of a display device according to another exemplary embodiment.
도 10의 표시 장치(500)는 도 1 내지 도 5b의 표시 장치(100)와 비교하여 제1 저-저항층(LRL1)만이 상이할 뿐, 다른 구성은 실질적으로 동일하므로, 중복 설명은 생략한다. 도 10에서는 설명의 편의를 위해 발광 소자(120)의 구성 중 애노드(ANO)만을 도시하였다.The
도 10을 참조하면, 복수의 서브 화소(SP) 사이에 복수의 제1 저-저항층(LRL1)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 저-저항층(LRL1)은 제1 서브 화소(SP1)와 제3 서브 화소(SP3) 사이, 제1 서브 화소(SP1)와 제2 서브 화소(SP2) 사이 및 제2 서브 화소(SP2)와 제3 서브 화소(SP3) 사이에 배치될 수 있다. 이에, 제1 저-저항층(LRL1)은 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3) 각각을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 이때, 제1 저-저항층(RLR1)은 동일한 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소(SP3) 각각의 사이에는 배치되지 않을 수 있다. 동일한 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소(SP1) 각각의 턴-온 전압은 실질적으로 동일하므로, 하나의 제1 서브 화소(SP1) 구동 시 인접한 제1 서브 화소(SP1)에서 누설 전류로 인해 발광 문제가 발생하기 어렵고, 오히려 제1 서브 화소(SP1)에서의 누설 전류로 인해 턴-온 전압이 상대적으로 낮은 제2 서브 화소(SP2) 또는 제3 서브 화소(SP3)가 발광하거나, 제2 서브 화소(SP2)에서의 누설 전류로 인해 턴-온 전압이 상대적으로 낮은 제3 서브 화소(SP3)가 발광하는 문제점이 발생할 수 있다. 이에, 제1 저-저항층(LRL1)은 턴-온 전압이 상이한 복수의 서브 화소(SP) 사이를 따라 배치될 수 있고, 턴-온 전압이 실질적으로 동일한 서브 화소(SP) 사이에는 배치되지 않을 수도 있다. Referring to FIG. 10 , a plurality of first low-resistance layers LRL1 may be disposed between the plurality of sub-pixels SP. For example, the first low-resistance layer LRL1 may be formed between the first sub-pixel SP1 and the third sub-pixel SP3 , between the first sub-pixel SP1 and the second sub-pixel SP2 , and the second It may be disposed between the sub-pixel SP2 and the third sub-pixel SP3 . Accordingly, the first low-resistance layer LRL1 may be disposed to surround each of the second sub-pixel SP2 and the third sub-pixel SP3 . In this case, the first low-resistance layer RLR1 may not be disposed between each of the plurality of first sub-pixels SP3 disposed in the same column. Since the turn-on voltage of each of the plurality of first sub-pixels SP1 arranged in the same column is substantially the same, when one first sub-pixel SP1 is driven, the adjacent first sub-pixel SP1 emits light due to leakage current A problem is unlikely to occur, and rather, the second sub-pixel SP2 or the third sub-pixel SP3 having a relatively low turn-on voltage emits light or the second sub-pixel SP1 emits light due to the leakage current in the first sub-pixel SP1 . Due to the leakage current in the pixel SP2 , the third sub-pixel SP3 having a relatively low turn-on voltage may emit light. Accordingly, the first low-resistance layer LRL1 may be disposed between the plurality of sub-pixels SP having different turn-on voltages, and may not be disposed between the sub-pixels SP having substantially the same turn-on voltages. It may not be.
복수의 제1 저-저항층(LRL1)은 제3 서브 화소(SP3)에 배치된 제1 발광층(EML1)보다 작은 저항을 가질 수 있다. 이는 제1 저-저항층(LRL1)이 제3 서브 화소(SP3)에 배치된 제1 발광층(EML1)의 밴드갭 에너지보다 작은 밴드갭 에너지를 가져 제1 서브 화소(SP1)로부터의 누설 전류가 제2 서브 화소(SP2) 또는 제2 서브 화소(SP3)로 흐르는 것보다 제1 저-저항층(LRL1)을 거쳐 캐소드(CAT)로 흐르는 것이 용이하기 때문이다. The plurality of first low-resistance layers LRL1 may have a lower resistance than that of the first emission layer EML1 disposed in the third sub-pixel SP3 . This is because the first low-resistance layer LRL1 has a bandgap energy smaller than the bandgap energy of the first light emitting layer EML1 disposed on the third sub-pixel SP3, so that the leakage current from the first sub-pixel SP1 is reduced. This is because it is easier to flow to the cathode CAT through the first low-resistance layer LRL1 than to flow to the second sub-pixel SP2 or the second sub-pixel SP3 .
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(500)에서는 서로 다른 인접한 서브 화소(SP) 사이에 복수의 제1 저-저항층(LRL1)을 배치하며, 구체적으로 턴-온 전압이 가장 작은 제3 서브 화소(SP3)를 둘러싸도록 제1 저-저항층(LRL1)을 배치한다. 이에 따라, 턴-온 전압이 상대적으로 큰 제1 서브 화소(SP1) 및 제2 서브 화소(SP2)로부터 턴-온 전압이 가장 작은 제3 서브 화소(SP3)로 누설 전류가 흐르는 것을 억제하여 혼색이나 얼룩, 색 이상 등으로 인해 표시 품질이 저하되는 것을 최소화할 수 있다. In the
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 확대 평면도이다. 도 11의 표시 장치(600)는 도 10의 표시 장치(500)와 비교하여 복수의 서브 화소(SP), 복수의 배선, 복수의 제1 저-저항층(LRL1)만이 상이할 뿐, 다른 구성은 실질적으로 동일하므로 중복 설명은 생략한다. 11 is an enlarged plan view of a display device according to another exemplary embodiment. The
도 11을 참조하면, 복수의 서브 화소(SP)는 제1 서브 화소(SP1), 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3)를 포함한다. Referring to FIG. 11 , the plurality of sub-pixels SP includes a first sub-pixel SP1 , a second sub-pixel SP2 , and a third sub-pixel SP3 .
복수의 제1 서브 화소(SP1)와 복수의 제3 서브 화소(SP3)는 동일한 열 또는 동일한 행에서 교대로 배치될 수 있다. 예를 들어, 동일한 열에서 제1 서브 화소(SP1)와 제3 서브 화소(SP3)는 교대로 배치되고, 동일한 행에서 제1 서브 화소(SP1)와 제3 서브 화소(SP3)는 교대로 배치될 수 있다. The plurality of first sub-pixels SP1 and the plurality of third sub-pixels SP3 may be alternately disposed in the same column or in the same row. For example, the first sub-pixel SP1 and the third sub-pixel SP3 are alternately arranged in the same column, and the first sub-pixel SP1 and the third sub-pixel SP3 are alternately arranged in the same row can be
복수의 제2 서브 화소(SP2)는 복수의 제1 서브 화소(SP1) 및 복수의 제3 서브 화소(SP3)와 서로 다른 열 및 서로 다른 행에 배치된다. 예를 들어, 하나의 행에 복수의 제2 서브 화소(SP2)가 배치되고, 하나의 행에 이웃한 행에 복수의 제1 서브 화소(SP1)와 복수의 제3 서브 화소(SP3)가 교대로 배치될 수 있다. 하나의 열에 복수의 제2 서브 화소(SP2)가 배치되고, 하나의 열에 이웃한 열에 복수의 제1 서브 화소(SP1)와 복수의 제3 서브 화소(SP3)가 교대로 배치될 수 있다. 복수의 제1 서브 화소(SP1)와 제2 서브 화소(SP2)는 대각선 방향으로 마주하고, 복수의 제3 서브 화소(SP3)와 제2 서브 화소(SP2) 또한 대각선 방향으로 마주할 수 있다. 따라서, 복수의 서브 화소(SP)는 격자 형상으로 배치될 수 있다. The plurality of second sub-pixels SP2 are disposed in different columns and different rows from the plurality of first sub-pixels SP1 and the plurality of third sub-pixels SP3 . For example, a plurality of second sub-pixels SP2 are arranged in one row, and a plurality of first sub-pixels SP1 and a plurality of third sub-pixels SP3 are alternately arranged in a row adjacent to one row. can be placed as A plurality of second sub-pixels SP2 may be disposed in one column, and a plurality of first sub-pixels SP1 and a plurality of third sub-pixels SP3 may be alternately disposed in a column adjacent to one column. The plurality of first sub-pixels SP1 and the second sub-pixels SP2 may face each other in a diagonal direction, and the plurality of third sub-pixels SP3 and the second sub-pixels SP2 may also face each other in a diagonal direction. Accordingly, the plurality of sub-pixels SP may be arranged in a grid shape.
다만, 도 11에서는 복수의 제1 서브 화소(SP1) 및 복수의 제3 서브 화소(SP3)가 동일 열 및 동일 행에 배치되고, 복수의 제2 서브 화소(SP2)는 복수의 제1 서브 화소(SP1) 및 복수의 제3 서브 화소(SP3)와는 다른 열 및 다른 행에 배치된 것으로 도시하였으나, 복수의 서브 화소(SP)의 배치는 이에 제한되지 않는다.However, in FIG. 11 , the plurality of first sub-pixels SP1 and the plurality of third sub-pixels SP3 are disposed in the same column and in the same row, and the plurality of second sub-pixels SP2 includes the plurality of first sub-pixels. Although it is illustrated that the plurality of sub-pixels SP are disposed in different columns and different rows from those of SP1 and the plurality of third sub-pixels SP3, the arrangement of the plurality of sub-pixels SP is not limited thereto.
복수의 서브 화소(SP) 각각의 사이에서 열 방향으로 연장된 복수의 고전위 전원 배선(PL)이 배치된다. 고전위 전원 배선(PL)은 복수의 제2 서브 화소(SP2)가 배치된 열과 복수의 제1 서브 화소(SP1) 및 복수의 제3 서브 화소(SP3)가 배치된 열 사이에 배치될 수 있다. 예를 들어, 고전위 전원 배선(PL)은 복수의 제2 서브 화소(SP2)의 양측이자, 복수의 제1 서브 화소(SP1) 및 복수의 제3 서브 화소(SP3) 양측에 배치될 수 있다. A plurality of high potential power lines PL extending in a column direction are disposed between each of the plurality of sub-pixels SP. The high potential power line PL may be disposed between a column in which the plurality of second sub-pixels SP2 are disposed and a column in which the plurality of first sub-pixels SP1 and a plurality of third sub-pixels SP3 are disposed. . For example, the high potential power wiring PL may be disposed on both sides of the plurality of second sub-pixels SP2 , and on both sides of the plurality of first sub-pixels SP1 and the plurality of third sub-pixels SP3 . .
복수의 고전위 전원 배선(PL) 각각의 사이에서 열 방향으로 연장된 복수의 데이터 배선(DL)이 배치된다. 즉, 복수의 고전위 전원 배선(PL)과 복수의 데이터 배선(DL)은 교대로 배치될 수 있다. 복수의 데이터 배선(DL) 중 일부는 동일한 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소(SP2)에 중첩하도록 배치되고, 복수의 데이터 배선(DL) 중 다른 일부는 동일한 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소(SP1) 및 복수의 제3 서브 화소(SP3)에 중첩하도록 배치될 수 있다. A plurality of data lines DL extending in a column direction are disposed between each of the plurality of high potential power lines PL. That is, the plurality of high potential power lines PL and the plurality of data lines DL may be alternately disposed. Some of the plurality of data lines DL are disposed to overlap the plurality of second sub-pixels SP2 disposed in the same column, and other portions of the plurality of data lines DL are disposed to overlap with the plurality of first sub-pixels disposed in the same column. It may be disposed to overlap SP1 and the plurality of third sub-pixels SP3 .
복수의 서브 화소(SP) 각각의 사이에서 행 방향으로 연장된 복수의 초기화 신호 배선(IL)이 배치된다. 초기화 신호 배선(IL)은 복수의 제2 서브 화소(SP2)가 배치된 행과 복수의 제1 서브 화소(SP1) 및 복수의 제3 서브 화소(SP3)가 배치된 행 사이에 배치될 수 있다. 예를 들어, 초기화 신호 배선(IL)은 복수의 제2 서브 화소(SP2)의 양측이자, 복수의 제1 서브 화소(SP1) 및 복수의 제3 서브 화소(SP3) 양측에 배치될 수 있다.A plurality of initialization signal lines IL extending in the row direction are disposed between each of the plurality of sub-pixels SP. The initialization signal line IL may be disposed between a row in which the plurality of second sub-pixels SP2 are disposed and a row in which the plurality of first sub-pixels SP1 and a plurality of third sub-pixels SP3 are disposed. . For example, the initialization signal line IL may be disposed on both sides of the plurality of second sub-pixels SP2 and on both sides of the plurality of first sub-pixels SP1 and the plurality of third sub-pixels SP3 .
복수의 초기화 신호 배선(IL) 각각의 사이에서 행 방향으로 연장된 복수의 스캔 배선(SL) 및 복수의 발광 제어 신호 배선(EL)이 배치된다. 예를 들어, 복수의 스캔 배선(SL) 중 제1 스캔 배선(SL1)은 복수의 제2 서브 화소(SP2)에 중첩하도록 배치되고, 복수의 스캔 배선(SL) 중 제2 스캔 배선(SL2)은 복수의 제1 서브 화소(SP1)와 복수의 제3 서브 화소(SP3)에 중첩하도록 배치될 수 있다. 그리고 복수의 발광 제어 신호 배선(EL) 각각은 제1 스캔 배선(SL1)과 이웃하게 배치되어, 제2 서브 화소(SP2) 각각에 중첩하도록 배치될 수 있다. 다만, 도 11에서는 복수의 배선 중 일부는 복수의 서브 화소(SP) 사이에 배치되고, 다른 일부는 복수의 서브 화소(SP)에 중첩하는 것으로 도시하였으나, 복수의 배선의 배치는 이에 제한되지 않는다.A plurality of scan lines SL and a plurality of light emission control signal lines EL extending in the row direction are disposed between the plurality of initialization signal lines IL, respectively. For example, the first scan line SL1 of the plurality of scan lines SL is disposed to overlap the plurality of second sub-pixels SP2 , and the second scan line SL2 of the plurality of scan lines SL is disposed to overlap the plurality of second sub-pixels SP2 . may be disposed to overlap the plurality of first sub-pixels SP1 and the plurality of third sub-pixels SP3 . In addition, each of the plurality of emission control signal lines EL may be disposed adjacent to the first scan line SL1 to overlap each of the second sub-pixels SP2 . However, in FIG. 11 , some of the plurality of wires are disposed between the plurality of sub-pixels SP and others overlap with the plurality of sub-pixels SP, but the arrangement of the plurality of wires is not limited thereto. .
도 11을 참조하면, 제1 저-저항층(LRL1)은 복수의 서브 화소(SP)를 둘러싸는 폐곡선 형태로 배치된다. 예를 들어, 복수의 제1 저-저항층(LRL1)은 제1 서브 화소(SP1) 각각의 평면 형상과 대응되도록 폐곡선 형태로 이루어질 수 있다. 다만, 도 11은 제1 서브 화소(SP1)가 턴-온 전압이 가장 높아 제1 서브 화소(SP1)로부터 발생하는 누설 전류에 의한 제2 서브 화소(SP2) 또는 제3 서브 화소(SP3)의 의도치 않은 발광이 일어날 가능성이 높으므로, 복수의 제1 저-저항층(LRL1)이 복수의 제1 서브 화소(SP1) 각각을 둘러싸도록 배치된 것으로 도시하였으나, 복수의 제1 저-저항층(LRL1)은 제1 서브 화소(SP1) 대신 턴-온 전압이 가장 낮은 제3 서브 화소(SP3)를 둘러싸도록 배치될 수도 있고, 복수의 서브 화소(SP) 모두를 둘러싸도록 배치될 수도 있다.Referring to FIG. 11 , the first low-resistance layer LRL1 is disposed in a closed curve shape surrounding the plurality of sub-pixels SP. For example, the plurality of first low-resistance layers LRL1 may have a closed curve shape to correspond to the planar shape of each of the first sub-pixels SP1 . However, in FIG. 11 , the first sub-pixel SP1 has the highest turn-on voltage, and thus the second sub-pixel SP2 or the third sub-pixel SP3 is caused by leakage current generated from the first sub-pixel SP1. Since unintentional light emission is highly likely, the plurality of first low-resistance layers LRL1 are illustrated as being disposed to surround each of the plurality of first sub-pixels SP1 , but the plurality of first low-resistance layers The LRL1 may be disposed to surround the third sub-pixel SP3 having the lowest turn-on voltage instead of the first sub-pixel SP1 , or may be disposed to surround all of the plurality of sub-pixels SP.
복수의 제1 저-저항층(LRL1)은 제3 서브 화소(SP3)에 배치된 제1 발광층보다 작은 저항을 가질 수 있다. 이는 제1 저-저항층(LRL1)이 제3 서브 화소(SP3)에 배치된 제1 발광층의 밴드갭 에너지보다 작은 밴드갭 에너지를 가져 제1 서브 화소(SP1)로부터의 누설 전류가 제2 서브 화소(SP2) 또는 제2 서브 화소(SP3)로 흐르는 것보다 제1 저-저항층(LRL1)을 거쳐 캐소드(CAT)로 흐르는 것이 용이하기 때문이다. The plurality of first low-resistance layers LRL1 may have a lower resistance than that of the first emission layer disposed in the third sub-pixel SP3 . This is because the first low-resistance layer LRL1 has a bandgap energy smaller than the bandgap energy of the first emission layer disposed in the third sub-pixel SP3, so that the leakage current from the first sub-pixel SP1 is reduced in the second sub-pixel SP3. This is because it is easier to flow to the cathode CAT through the first low-resistance layer LRL1 than to flow to the pixel SP2 or the second sub-pixel SP3 .
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(600)에서는 복수의 제1 서브 화소(SP1) 각각을 둘러싸도록 복수의 제1 저-저항층(LRL1)을 배치한다. 따라서, 표시 장치(600) 구동 시 누설 전류가 의도하지 않은 서브 화소(SP)로 전달되는 것을 최소화할 수 있다. 예를 들어 누설 전류의 경로는 턴-온 전압이 높은 제1 서브 화소(SP1)로부터 턴-온 전압이 낮은 제2 서브 화소(SP2) 또는 제3 서브 화소(SP3)로 형성되는데, 발광층의 저항보다 낮은 저항의 제1 저-저항층(LRL1)이 복수의 서브 화소(SP)를 둘러싸도록 배치될 경우 누설 전류의 경로가 제1 저-저항층(LRL1)에 의해 차단될 수 있다. 따라서, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(600)에서는 턴-온 전압이 가장 큰 제1 서브 화소(SP1)로부터의 누설 전류가 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3)으로 흐르는 것을 저감시키고, 혼색이나 얼룩, 색 이상 등으로 인해 표시 품질이 저하되는 것을 최소화할 수 있다. In the
본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치는 다음과 같이 설명될 수 있다.Display devices according to embodiments of the present invention may be described as follows.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 복수의 서브 화소가 정의된 기판, 복수의 서브 화소에 배치되고, 공통 유기층 및 캐소드를 공유하고, 각각 분리된 발광층을 갖는 복수의 발광 소자, 복수의 발광 소자 각각의 사이에서 캐소드 아래에 배치된 뱅크 및 복수의 발광 소자 사이에서 뱅크와 캐소드 사이에 배치되고, 발광층보다 낮은 저항을 갖는 저-저항층을 포함한다.A display device according to an exemplary embodiment includes a plurality of light emitting devices disposed on a substrate on which a plurality of sub-pixels are defined, a plurality of sub-pixels, sharing a common organic layer and a cathode, and each having separate light-emitting layers, and a plurality of light-emitting devices and a bank disposed below the cathode between each of the devices and a low-resistance layer disposed between the bank and the cathode between the plurality of light emitting devices, the low-resistance layer having a lower resistance than that of the light emitting layer.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 복수의 발광 소자 각각은 제1 발광부를 포함하고, 공통 유기층은 제1 정공 주입층, 제1 정공 수송층 및 제1 전자 수송층을 포함하고, 제1 발광부는 제1 정공 주입층, 제1 정공 수송층, 발광층 및 제1 전자 수송층의 순서로 적층된 구조를 갖고, 저-저항층은 복수의 발광 소자 사이에서 제1 정공 수송층과 제1 전자 수송층 사이에 배치될 수 있다.According to another feature of the present invention, each of the plurality of light emitting devices includes a first light emitting part, the common organic layer includes a first hole injection layer, a first hole transport layer and a first electron transport layer, and the first light emitting part includes a first hole It has a structure in which an injection layer, a first hole transport layer, a light emitting layer, and a first electron transport layer are stacked in this order, and the low-resistance layer may be disposed between the first hole transport layer and the first electron transport layer between the plurality of light emitting devices.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 발광 소자 각각은 제1 발광부 및 제1 발광부 상의 제2 발광부를 포함하고, 공통 유기층은 제1 정공 주입층, 제1 정공 수송층, 제1 전자 수송층, 전하 생성층, 제2 정공 수송층 및 제2 전자 수송층을 포함하고, 발광층은 동일 색의 광을 발광하는 제1 발광층 및 제2 발광층을 포함하고, 제1 발광부는 제1 정공 주입층, 제2 정공 수송층, 제1 발광층 및 제1 전자 수송층의 순서로 적층된 구조를 갖고, 제2 발광부는 제2 정공 수송층, 제2 발광층 및 제2 전자 수송층의 순서로 적층된 구조를 갖고, 전하 생성층은 제1 발광부와 제2 발광부 사이에 위치하고, 저-저항층은 복수의 발광 소자 사이에서 제1 정공 수송층과 제1 전자 수송층 사이에 배치되는 제1 저-저항층 및 제2 정공 수송층과 제2 전자 수송층 사이에 배치되는 제2 저-저항층을 포함할 수 있다.According to another feature of the present invention, each of the plurality of light emitting devices includes a first light emitting part and a second light emitting part on the first light emitting part, and the common organic layer includes a first hole injection layer, a first hole transport layer, and a first electron transport layer. , a charge generating layer, a second hole transport layer, and a second electron transport layer, wherein the light emitting layer includes a first light emitting layer and a second light emitting layer that emit light of the same color, and the first light emitting unit includes a first hole injection layer, a second The hole transport layer, the first light emitting layer and the first electron transport layer have a stacked structure in this order, the second light emitting unit has a second hole transport layer, the second light emitting layer and the second electron transport layer have a stacked structure in this order, and the charge generating layer includes The first low-resistance layer and the second hole transport layer are disposed between the first light emitting part and the second light emitting part, and the low-resistance layer is disposed between the first hole transport layer and the first electron transport layer between the plurality of light emitting devices. and a second low-resistance layer disposed between the two electron transport layers.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 서브 화소는 서로 다른 색상의 광을 발광하는 제1 서브 화소, 제2 서브 화소 및 제3 서브 화소를 포함하고, 제1 서브 화소, 제2 서브 화소 및 제3 서브 화소의 순서로 턴-온 전압이 감소하고, 저-저항층은 제1 서브 화소와 제3 서브 화소 사이에 배치될 수 있다.According to another feature of the present invention, the plurality of sub-pixels include a first sub-pixel, a second sub-pixel, and a third sub-pixel that emit light of different colors, the first sub-pixel, the second sub-pixel, and A turn-on voltage may decrease in the order of the third sub-pixels, and the low-resistance layer may be disposed between the first sub-pixel and the third sub-pixel.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 서브 화소는 청색 서브 화소이고, According to another feature of the present invention, the first sub-pixel is a blue sub-pixel,
제2 서브 화소는 녹색 서브 화소이며, 제3 서브 화소는 적색 서브 화소일 수 있다.The second sub-pixel may be a green sub-pixel, and the third sub-pixel may be a red sub-pixel.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 저-저항층은 제1 서브 화소를 둘러싸도록 배치될 수 있다.According to another feature of the present invention, the low-resistance layer may be disposed to surround the first sub-pixel.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 저-저항층은 제1 서브 화소와 제2 서브 화소 사이에 더 배치될 수 있다.According to another feature of the present invention, the low-resistance layer may be further disposed between the first sub-pixel and the second sub-pixel.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 저-저항층은 제1 서브 화소에 배치된 발광층 보다 작은 저항을 가질 수 있다.According to another feature of the present invention, the low-resistance layer may have a lower resistance than the light emitting layer disposed in the first sub-pixel.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 저-저항층은 제1 서브 화소에 배치된 발광층의 밴드갭 에너지 보다 작은 밴드갭 에너지를 가질 수 있다.According to another feature of the present invention, the low-resistance layer may have a bandgap energy smaller than a bandgap energy of the light emitting layer disposed in the first sub-pixel.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 저-저항층은 제1 서브 화소에 배치된 발광층에 포함된 호스트보다 저항이 낮은 물질로 이루어질 수 있다.According to another feature of the present invention, the low-resistance layer may be made of a material having a lower resistance than the host included in the emission layer disposed in the first sub-pixel.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 저-저항층은 서로 인접하는 서브 화소의 발광층 사이에 배치될 수 있다.According to another feature of the present invention, the low-resistance layer may be disposed between the emission layers of the sub-pixels adjacent to each other.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 저-저항층은 서로 인접하는 서브 화소의 발광층의 끝단과 중첩하도록 배치될 수 있다.According to another feature of the present invention, the low-resistance layer may be disposed to overlap the ends of the emission layers of the sub-pixels adjacent to each other.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 제한하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 제한되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 제한적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in more detail with reference to the accompanying drawings, the present invention is not necessarily limited to these embodiments, and various modifications may be made within the scope without departing from the technical spirit of the present invention. . Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical spirit of the present invention, but to explain, and the scope of the technical spirit of the present invention is not limited by these embodiments. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not restrictive. The protection scope of the present invention should be construed by the following claims, and all technical ideas within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the scope of the present invention.
100, 400, 500, 600: 표시 장치
110: 기판
111: 버퍼층
112: 게이트 절연층
113: 층간 절연층
114: 패시베이션층
115: 평탄화층
116: 뱅크
120, 620: 발광 소자
ANO: 애노드
121, 221, 621: 유기층
HIL: 정공 주입층
HTL1: 제1 정공 수송층
HTL2: 제2 정공 수송층
ETL1: 제1 전자 수송층
ETL2: 제2 전자 수송층
CGL: 전하 생성층
LRL: 저-저항층
LRL1: 제1 저-저항층
LRL2: 제2 저-저항층
EML1: 제1 발광층
EML2: 제2 발광층
CAT: 캐소드
130, 630: 스페이서
PN: 표시 패널
GD: 게이트 드라이버
DD: 데이터 드라이버
TC: 타이밍 컨트롤러
SP: 서브 화소
SP1: 제1 서브 화소
SP2: 제2 서브 화소
SP3: 제3 서브 화소
SL: 스캔 배선
SL1: 제1 스캔 배선
SL2: 제2 스캔 배선
DL: 데이터 배선
PL: 고전위 전원 배선
EL: 발광 제어 신호 배선
IL: 초기화 신호 배선
DPL: 더미 배선
Cst: 커패시터
T1: 제1 트랜지스터
T2: 제2 트랜지스터
T3: 제3 트랜지스터
T4: 제4 트랜지스터
T5: 제5 트랜지스터
T6: 제6 트랜지스터
ACT: 액티브층
GE: 게이트 전극
DE: 드레인 전극
SE: 소스 전극
CE: 연결 전극
RGB: 영상 데이터
GCS: 게이트 제어 신호
DCS: 데이터 제어 신호
SYNC: 동기 신호
EVDD: 고전위 전원 신호
EVSS: 저전위 전원 신호
SCAN1: 제1 스캔 신호
SCAN2: 제2 스캔 신호
Vdata: 데이터 신호
EM: 발광 제어 신호
Vini: 초기화 신호
RLRL1: 제1 저-저항층의 저항
R120-1: 제1 서브 화소의 발광 소자의 저항
R120-3: 제3 서브 화소의 발광 소자의 저항
RL: 제 1 서브 화소와 제3 서브 화소 사이에 연결된 공통 유기층의 저항
E1: 제1 발광부
E2: 제2 발광부100, 400, 500, 600: display device
110: substrate
111: buffer layer
112: gate insulating layer
113: interlayer insulating layer
114: passivation layer
115: planarization layer
116: bank
120, 620: light emitting device
ANO: anode
121, 221, 621: organic layer
HIL: hole injection layer
HTL1: first hole transport layer
HTL2: second hole transport layer
ETL1: first electron transport layer
ETL2: second electron transport layer
CGL: charge generation layer
LRL: low-resistance layer
LRL1: first low-resistance layer
LRL2: second low-resistance layer
EML1: first light emitting layer
EML2: second light emitting layer
CAT: cathode
130, 630: spacer
PN: display panel
GD: gate driver
DD: data driver
TC: Timing Controller
SP: sub pixel
SP1: first sub-pixel
SP2: second sub-pixel
SP3: third sub-pixel
SL: scan wiring
SL1: first scan wiring
SL2: second scan wiring
DL: data wiring
PL: high potential power wiring
EL: Light emission control signal wiring
IL: Initialization signal wiring
DPL: Dummy Wiring
Cst: capacitor
T1: first transistor
T2: second transistor
T3: third transistor
T4: fourth transistor
T5: fifth transistor
T6: sixth transistor
ACT: active layer
GE: gate electrode
DE: drain electrode
SE: source electrode
CE: connecting electrode
RGB: image data
GCS: gate control signal
DCS: data control signal
SYNC: Sync signal
EVDD: high potential power signal
EVSS: low potential power signal
SCAN1: first scan signal
SCAN2: second scan signal
Vdata: data signal
EM: light emission control signal
Vini: initialization signal
R LRL1 : Resistance of the first low-resistance layer
R 120-1 : resistance of the light emitting device of the first sub-pixel
R 120-3 : resistance of the light emitting element of the third sub-pixel
R L : resistance of the common organic layer connected between the first sub-pixel and the third sub-pixel
E1: first light emitting part
E2: second light emitting part
Claims (12)
상기 복수의 서브 화소에 배치되고, 공통 유기층 및 캐소드를 공유하고, 각각 분리된 발광층을 갖는 복수의 발광 소자;
상기 복수의 발광 소자 각각의 사이에서 상기 캐소드 아래에 배치된 뱅크; 및
상기 복수의 발광 소자 사이에서 상기 뱅크와 상기 캐소드 사이에 배치되고, 상기 발광층보다 낮은 저항을 갖는 저-저항층을 포함하는, 표시 장치.a substrate on which a plurality of sub-pixels are defined;
a plurality of light emitting devices disposed in the plurality of sub-pixels, sharing a common organic layer and a cathode, and each having separate light emitting layers;
a bank disposed below the cathode between each of the plurality of light emitting devices; and
and a low-resistance layer disposed between the bank and the cathode between the plurality of light emitting elements and having a lower resistance than that of the light emitting layer.
상기 복수의 발광 소자 각각은 제1 발광부를 포함하고,
상기 공통 유기층은 제1 정공 주입층, 제1 정공 수송층 및 제1 전자 수송층을 포함하고,
상기 제1 발광부는 상기 제1 정공 주입층, 상기 제1 정공 수송층, 상기 발광층 및 상기 제1 전자 수송층의 순서로 적층된 구조를 갖고,
상기 저-저항층은 상기 복수의 발광 소자 사이에서 상기 제1 정공 수송층과 상기 제1 전자 수송층 사이에 배치되는, 표시 장치.According to claim 1,
Each of the plurality of light emitting devices includes a first light emitting unit,
The common organic layer includes a first hole injection layer, a first hole transport layer, and a first electron transport layer,
The first light emitting part has a structure in which the first hole injection layer, the first hole transport layer, the light emitting layer, and the first electron transport layer are stacked in this order,
and the low-resistance layer is disposed between the first hole transport layer and the first electron transport layer between the plurality of light emitting devices.
상기 복수의 발광 소자 각각은 제1 발광부 및 상기 제1 발광부 상의 제2 발광부를 포함하고,
상기 공통 유기층은 제1 정공 주입층, 제1 정공 수송층, 제1 전자 수송층, 전하 생성층, 제2 정공 수송층 및 제2 전자 수송층을 포함하고,
상기 발광층은 동일 색의 광을 발광하는 제1 발광층 및 제2 발광층을 포함하고,
상기 제1 발광부는 상기 제1 정공 주입층, 상기 제1 정공 수송층, 상기 제1 발광층 및 상기 제1 전자 수송층의 순서로 적층된 구조를 갖고,
상기 제2 발광부는 상기 제2 정공 수송층, 상기 제2 발광층 및 상기 제2 전자 수송층의 순서로 적층된 구조를 갖고,
상기 전하 생성층은 상기 제1 발광부와 상기 제2 발광부 사이에 위치하고,
상기 저-저항층은 상기 복수의 발광 소자 사이에서 상기 제1 정공 수송층과 상기 제1 전자 수송층 사이에 배치되는 제1 저-저항층 및 상기 제2 정공 수송층과 상기 제2 전자 수송층 사이에 배치되는 제2 저-저항층을 포함하는, 표시 장치.According to claim 1,
Each of the plurality of light emitting devices includes a first light emitting unit and a second light emitting unit on the first light emitting unit,
The common organic layer includes a first hole injection layer, a first hole transport layer, a first electron transport layer, a charge generation layer, a second hole transport layer, and a second electron transport layer,
The light emitting layer includes a first light emitting layer and a second light emitting layer emitting light of the same color,
The first light emitting part has a structure in which the first hole injection layer, the first hole transport layer, the first light emitting layer and the first electron transport layer are stacked in this order,
The second light emitting unit has a structure in which the second hole transport layer, the second light emitting layer, and the second electron transport layer are stacked in this order,
The charge generation layer is located between the first light emitting part and the second light emitting part,
wherein the low-resistance layer is disposed between the first low-resistance layer and the second hole transport layer and the second electron transport layer disposed between the first hole transport layer and the first electron transport layer between the plurality of light emitting devices A display device comprising a second low-resistance layer.
상기 복수의 서브 화소는 서로 다른 색상의 광을 발광하는 제1 서브 화소, 제2 서브 화소 및 제3 서브 화소를 포함하고,
상기 제1 서브 화소, 상기 제2 서브 화소 및 상기 제3 서브 화소의 순서로 턴-온 전압이 감소하고,
상기 저-저항층은 상기 제1 서브 화소와 상기 제3 서브 화소 사이에 배치되는, 표시 장치.According to claim 1,
The plurality of sub-pixels include a first sub-pixel, a second sub-pixel, and a third sub-pixel that emit light of different colors;
a turn-on voltage decreases in the order of the first sub-pixel, the second sub-pixel, and the third sub-pixel;
and the low-resistance layer is disposed between the first sub-pixel and the third sub-pixel.
상기 제1 서브 화소는 청색 서브 화소이고,
상기 제2 서브 화소는 녹색 서브 화소이며,
상기 제3 서브 화소는 적색 서브 화소인, 표시 장치.5. The method of claim 4,
the first sub-pixel is a blue sub-pixel;
the second sub-pixel is a green sub-pixel;
and the third sub-pixel is a red sub-pixel.
상기 저-저항층은 상기 제1 서브 화소를 둘러싸도록 배치되는, 표시 장치.5. The method of claim 4,
The low-resistance layer is disposed to surround the first sub-pixel.
상기 저-저항층은 상기 제1 서브 화소와 상기 제2 서브 화소 사이에 더 배치되는, 표시 장치.7. The method of claim 6,
and the low-resistance layer is further disposed between the first sub-pixel and the second sub-pixel.
상기 저-저항층은 상기 제3 서브 화소에 배치된 발광층 보다 작은 저항을 갖는, 표시 장치.5. The method of claim 4,
and the low-resistance layer has a lower resistance than a light emitting layer disposed in the third sub-pixel.
상기 저-저항층은 상기 제3 서브 화소에 배치된 발광층의 밴드갭 에너지 보다 작은 밴드갭 에너지를 갖는, 표시 장치.5. The method of claim 4,
The low-resistance layer has a bandgap energy smaller than a bandgap energy of the light emitting layer disposed in the third sub-pixel.
상기 저-저항층은 상기 제3 서브 화소에 배치된 발광층에 포함된 호스트보다 저항이 낮은 물질로 이루어지는, 표시 장치.5. The method of claim 4,
The low-resistance layer is made of a material having a lower resistance than a host included in the emission layer disposed in the third sub-pixel.
상기 저-저항층은 서로 인접하는 서브 화소의 발광층 사이에 배치되는, 표시 장치.According to claim 1,
and the low-resistance layer is disposed between light emitting layers of sub-pixels adjacent to each other.
상기 저-저항층은 서로 인접하는 서브 화소의 발광층의 끝단과 중첩하도록 배치되는, 표시 장치.According to claim 1,
The low-resistance layer is disposed to overlap with ends of the emission layers of the sub-pixels adjacent to each other.
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