KR20220081866A - Control program, container, load port module and semiconductor device manufacturing system for charging of wafer type sensor and auto teaching - Google Patents
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Abstract
본 발명은 웨이퍼형 센서의 충전 및 오토 티칭을 위한 제어 장치, 제어 장치에 의해 실행되는 제어 프로그램, 웨이퍼형 센서 보관 장치, 웨이퍼형 센서 충전 장치 및 반도체 소자 제조 설비를 제공한다. 상기 제어 프로그램은, 프로세서가 탑재된 제어 장치에 의해 실행되는 프로그램으로서, 웨이퍼형 센서를 이용하여 반도체 소자 제조 설비 및 그 부품을 모니터링하며, 웨이퍼형 센서의 배터리 잔량을 모니터링한다.The present invention provides a control apparatus for charging and auto-teaching of a wafer-type sensor, a control program executed by the control apparatus, a wafer-type sensor storage apparatus, a wafer-type sensor charging apparatus, and a semiconductor device manufacturing facility. The control program is a program executed by a processor-mounted control device, and monitors a semiconductor device manufacturing facility and its components using a wafer-type sensor, and monitors the remaining battery capacity of the wafer-type sensor.
Description
본 발명은 웨이퍼형 센서 제어 장치, 상기 제어 장치에 의해 실행되는 제어 프로그램, 웨이퍼형 센서 보관 장치(컨테이너), 웨이퍼형 센서 충전 장치(로드 포트 모듈) 및 상기 웨이퍼형 센서 충전 장치를 구비하는 반도체 소자 제조 설비에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 웨이퍼형 센서의 충전 및 오토 티칭을 위한 제어 장치, 제어 프로그램, 컨테이너, 로드 포트 모듈 및 반도체 소자 제조 설비에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer type sensor control device, a control program executed by the control device, a wafer type sensor storage device (container), a wafer type sensor charging device (load port module), and a semiconductor device including the wafer type sensor charging device It relates to manufacturing equipment. More particularly, it relates to a control device, a control program, a container, a load port module, and a semiconductor device manufacturing facility for charging and auto-teaching of a wafer-type sensor.
반도체 소자 제조 공정은 반도체 소자 제조 설비 내에서 연속적으로 수행될 수 있으며, 전공정 및 후공정으로 구분될 수 있다. 반도체 제조 설비는 반도체 소자를 제조하기 위해 팹(FAB)으로 정의되는 공간 내에 설치될 수 있다.The semiconductor device manufacturing process may be continuously performed in a semiconductor device manufacturing facility, and may be divided into a pre-process and a post-process. The semiconductor manufacturing facility may be installed in a space defined as a FAB to manufacture semiconductor devices.
전공정은 기판(예를 들어, 웨이퍼(Wafer)) 상에 회로 패턴을 형성하여 칩(Chip)을 완성하는 공정을 말한다. 이러한 전공정은 기판 상에 박막을 형성하는 증착 공정(Deposition Process), 포토 마스크(Photo Mask)를 이용하여 박막 상에 포토 레지스트(Photo Resist)를 전사하는 노광 공정(Photo Lithography Process), 기판 상에 원하는 회로 패턴을 형성하기 위해 화학 물질이나 반응성 가스를 이용하여 필요 없는 부분을 선택적으로 제거하는 식각 공정(Etching Process), 식각 후에 남아있는 포토 레지스트를 제거하는 에싱 공정(Ashing Process), 회로 패턴과 연결되는 부분에 이온을 주입하여 전자 소자의 특성을 가지도록 하는 이온 주입 공정(Ion Implantation Process), 기판 상에서 오염원을 제거하는 세정 공정(Cleaning Process) 등을 포함할 수 있다.The pre-process refers to a process of forming a circuit pattern on a substrate (eg, a wafer) to complete a chip. These previous processes include a deposition process for forming a thin film on a substrate, a photo lithography process for transferring a photo resist onto a thin film using a photo mask, and a In order to form a circuit pattern, an etching process that selectively removes unnecessary parts using a chemical or reactive gas, an ashing process that removes the photoresist remaining after etching, and the It may include an ion implantation process for implanting ions into a portion to have characteristics of an electronic device, a cleaning process for removing contamination sources from the substrate, and the like.
후공정은 전공정을 통해 완성된 제품의 성능을 평가하는 공정을 말한다. 후공정은 기판 상의 각각의 칩에 대해 동작 여부를 검사하여 우량품과 불량품을 선별하는 기판 검사 공정, 다이싱(Dicing), 다이 본딩(Die Bonding), 와이어 본딩(Wire Bonding), 몰딩(Molding), 마킹(Marking) 등을 통해 각각의 칩을 절단 및 분리하여 제품의 형상을 갖추도록 하는 패키지 공정(Package Process), 전기적 특성 검사, 번인(Burn In) 검사 등을 통해 제품의 특성과 신뢰성을 최종적으로 검사하는 최종 검사 공정 등을 포함할 수 있다.The post-process refers to the process of evaluating the performance of the finished product through the pre-process. The post process is a board inspection process that selects good and bad products by inspecting whether each chip on the board operates, dicing, die bonding, wire bonding, molding, The product characteristics and reliability are finally checked through the package process, electrical characteristic inspection, and burn-in inspection, which cuts and separates each chip through marking and separates it to have the shape of the product. It may include a final inspection process for inspection, and the like.
반도체 소자 제조 공정에서, 식각 설비(Etching Chamber)는 기판 상에 원하는 회로 패턴을 형성하기 위해 사용될 수 있다. 이러한 식각 설비는 플라즈마를 이용하여 기판을 식각할 수 있다.In a semiconductor device manufacturing process, an etching chamber may be used to form a desired circuit pattern on a substrate. Such an etching facility may etch the substrate using plasma.
식각 설비는 플라즈마를 이용하는 경우, 하부 전극으로 활용하기 위해 정전 척(ESC; Electro Static Chuck)을 기판 지지 유닛으로 설치할 수 있다. 이때, 플라즈마에 의해 정전 척의 측면이 손상되는 것을 방지하고 기판 식각의 효율성을 높이기 위해, 정전 척의 주변에 링 어셈블리(Ring Assembly)가 형성될 수 있다.When the etching facility uses plasma, an electrostatic chuck (ESC) may be installed as a substrate support unit to be used as a lower electrode. In this case, a ring assembly may be formed around the electrostatic chuck in order to prevent damage to the side surface of the electrostatic chuck by plasma and to increase substrate etching efficiency.
그런데, 링 어셈블리는 사용 시간에 따라 점차 식각되는 소모품이므로, 주기적으로 위치 보정하거나 교체하여 주지 않으면 기판 처리 공정에 나쁜 영향을 미칠 수 있다.However, since the ring assembly is a consumable that is gradually etched over time, it may adversely affect the substrate processing process if the position is not periodically corrected or replaced.
본 발명에서 해결하고자 하는 과제는, 웨이퍼형 센서를 이용하여 반도체 소자 제조 설비 및 그 부품을 모니터링하는 오토 티칭 시스템과 이에 포함되는 제어 장치 및 상기 제어 장치에 의해 실행되는 제어 프로그램을 제공하는 것이다.An object to be solved by the present invention is to provide an automatic teaching system for monitoring a semiconductor device manufacturing facility and its components using a wafer-type sensor, a control device included therein, and a control program executed by the control device.
또한, 본 발명에서 해결하고자 하는 과제는, 유사시 원활한 사용을 위해 상기 웨이퍼형 센서를 자동으로 충전시키는 오토 티칭 시스템과 이에 포함되는 웨이퍼형 센서 보관 장치(컨테이너), 웨이퍼형 센서 충전 장치(로드 포트 모듈) 및 반도체 소자 제조 설비를 제공하는 것이다.In addition, the problem to be solved by the present invention is an auto teaching system that automatically charges the wafer-type sensor for smooth use in case of emergency, and a wafer-type sensor storage device (container) included therein, and a wafer-type sensor charging device (load port module) ) and semiconductor device manufacturing facilities.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems of the present invention are not limited to the problems mentioned above, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 제어 프로그램의 일 면(aspect)은, 프로세서가 탑재된 제어 장치에 의해 실행되는 프로그램으로서, 웨이퍼형 센서를 이용하여 반도체 소자 제조 설비 및 그 부품을 모니터링하며, 상기 웨이퍼형 센서의 배터리 잔량을 모니터링한다.One aspect of the control program of the present invention for achieving the above object is a program executed by a control device equipped with a processor, and monitors a semiconductor device manufacturing facility and its components using a wafer-type sensor, Monitors the battery level of the wafer-type sensor.
상기 프로그램은 소모성 부품이 기판 처리 장치 내에서 센터링되어 있는지를 모니터링할 수 있다.The program may monitor whether the consumable part is centered within the substrate processing apparatus.
상기 프로그램은 상기 소모성 부품이 교체되면 상기 소모성 부품이 센터링되어 있는지를 모니터링할 수 있다.The program may monitor whether the consumable part is centered when the consumable part is replaced.
상기 웨이퍼형 센서는 상기 소모성 부품과 척 사이의 간격을 측정할 수 있다.The wafer-type sensor may measure a gap between the consumable part and the chuck.
상기 프로그램은 상기 소모성 부품이 센터링되어 있지 않으면, 센터링과 관련된 보정 정보를 기초로 트랜스퍼 로봇을 이용하여 상기 소모성 부품의 위치를 보정할 수 있다.If the consumable part is not centered, the program may correct the position of the consumable part using a transfer robot based on correction information related to centering.
상기 프로그램은 상기 웨이퍼형 센서의 배터리 잔량이 기준값 미만이면, 로드 포트 모듈(LPM)에 설치된 배터리 충전 장치를 이용하여 상기 웨이퍼형 센서를 충전시킬 수 있다.The program may charge the wafer type sensor using a battery charging device installed in the load port module (LPM) when the remaining battery level of the wafer type sensor is less than a reference value.
상기 프로그램은 상기 웨이퍼형 센서를 충전시키는 경우, 상기 웨이퍼형 센서를 컨테이너에 탑재시킬 수 있다.When charging the wafer-type sensor, the program may mount the wafer-type sensor in a container.
상기 프로그램은 상기 웨이퍼형 센서를 충전시키는 경우, 상기 웨이퍼형 센서가 탑재된 상기 컨테이너를 상기 로드 포트 모듈 상에 안착시킬 수 있다.When charging the wafer-type sensor, the program may seat the container in which the wafer-type sensor is mounted on the load port module.
상기 프로그램은 상기 웨이퍼형 센서의 배터리 잔량이 기준값 미만이면, 상기 웨이퍼형 센서를 충전시킨 후 반도체 소자 제조 설비 및 그 부품을 모니터링할 수 있다.The program may monitor a semiconductor device manufacturing facility and its components after charging the wafer type sensor when the remaining battery level of the wafer type sensor is less than a reference value.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 웨이퍼형 센서 보관 장치(컨테이너)의 일 면은, 웨이퍼형 센서를 탑재하며, 배터리 충전 장치를 구비하는 로드 포트 모듈을 이용하여 상기 웨이퍼형 센서를 충전시킨다.One side of the wafer-type sensor storage device (container) of the present invention for achieving the above object mounts a wafer-type sensor, and charges the wafer-type sensor using a load port module having a battery charging device.
상기 컨테이너는 상기 웨이퍼형 센서가 탑재되면 상기 웨이퍼형 센서를 충전시킬 수 있다.The container may charge the wafer-type sensor when the wafer-type sensor is mounted.
상기 웨이퍼형 센서는 충전시 상기 컨테이너에 탑재될 수 있다.The wafer-type sensor may be mounted on the container during charging.
상기 컨테이너는 상기 컨테이너의 내부에서 상하 방향으로 설치되는 복수 개의 슬롯을 포함할 수 있다.The container may include a plurality of slots installed in the vertical direction inside the container.
상기 컨테이너는, 상기 컨테이너의 내부에 설치되는 제1 슬롯; 및 상기 제1 슬롯의 아래에 설치되는 제2 슬롯을 포함하며, 상기 제1 슬롯 및 상기 제2 슬롯에는 서로 다른 물건이 탑재될 수 있다.The container may include: a first slot installed inside the container; and a second slot installed under the first slot, wherein different objects may be mounted in the first slot and the second slot.
상기 웨이퍼형 센서는 상기 제1 슬롯에 탑재될 수 있다.The wafer-type sensor may be mounted in the first slot.
상기 컨테이너는 상기 웨이퍼형 센서의 배터리 잔량 모니터링 결과를 기초로 상기 웨이퍼형 센서를 충전시킬 수 있다.The container may charge the wafer-type sensor based on a battery level monitoring result of the wafer-type sensor.
상기 컨테이너는 FOUP일 수 있다.The container may be a FOUP.
상기 컨테이너는 자기 공진 방식 및 전자기 유도 방식 중 적어도 하나의 방식을 이용하여 상기 웨이퍼형 센서를 충전시킬 수 있다.The container may charge the wafer-type sensor using at least one of a magnetic resonance method and an electromagnetic induction method.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 웨이퍼형 센서 충전 장치(로드 포트 모듈)의 일 면은, 배터리 충전 장치를 구비하며, 상기 배터리 충전 장치를 이용하여 컨테이너에 탑재된 웨이퍼형 센서를 충전시킨다.One side of the wafer-type sensor charging device (load port module) of the present invention for achieving the above object includes a battery charging device, and using the battery charging device to charge the wafer-type sensor mounted in the container.
상기 배터리 충전 장치는, 제1 전력을 공급하는 전원 공급 모듈; 상기 로드 포트 모듈의 내부에 설치되며, 상기 제1 전력을 제2 전력으로 변환하는 전력 변환 모듈; 및 상기 로드 포트 모듈의 상부에 설치되며, 상기 컨테이너의 커넥터와 접속되는 전원 출력 단자를 포함할 수 있다.The battery charging device may include: a power supply module for supplying first power; a power conversion module installed inside the load port module and converting the first power into second power; and a power output terminal installed on the load port module and connected to a connector of the container.
상기 배터리 충전 장치는 상기 컨테이너가 상기 로드 포트 모듈의 상부에 안착되면 상기 웨이퍼형 센서를 충전시킬 수 있다.The battery charging device may charge the wafer-type sensor when the container is seated on the load port module.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 반도체 소자 제조 설비의 일 면은, 전방 단부 모듈(FEM)로 설치되는 로드 포트 모듈; 상기 로드 포트 모듈에 인접하여 설치되며, 상기 로드 포트 모듈 상의 컨테이너에 탑재된 기판을 반송하는 제1 반송 로봇을 구비하는 인덱스 모듈; 상기 기판을 처리하며, 복수 개 설치되는 공정 챔버; 및 상기 공정 챔버에 인접하여 설치되며, 상기 제1 반송 로봇에 의해 반송된 미처리 기판을 상기 공정 챔버로 반입하거나, 기처리 기판을 상기 공정 챔버로부터 반출하는 제2 반송 로봇을 구비하는 트랜스퍼 챔버를 포함하며, 상기 로드 포트 모듈은 배터리 충전 장치를 구비하고, 상기 배터리 충전 장치를 이용하여 상기 컨테이너에 탑재된 웨이퍼형 센서를 충전시킨다.One side of the semiconductor device manufacturing facility of the present invention for achieving the above object, a load port module installed as a front end module (FEM); an index module installed adjacent to the load port module and including a first transfer robot for transferring a substrate mounted on a container on the load port module; a plurality of process chambers for processing the substrate; and a transfer chamber installed adjacent to the process chamber and including a second transfer robot for loading unprocessed substrates transferred by the first transfer robot into the process chamber or for unloading pre-processed substrates from the process chamber and the load port module includes a battery charging device, and charges the wafer-type sensor mounted in the container using the battery charging device.
상기 로드 포트 모듈은 복수 개일 수 있다.The load port module may be plural.
각각의 로드 포트 모듈 상에 안착되는 각각의 컨테이너는 서로 다른 물건을 탑재할 수 있다.Each container seated on each load port module can load different objects.
상기 각각의 컨테이너 중 어느 하나의 컨테이너는 상기 웨이퍼형 센서를 탑재하고, 다른 하나의 컨테이너는 상기 기판을 탑재할 수 있다.One of the containers may mount the wafer-type sensor, and the other container may mount the substrate.
복수 개의 공정 챔버는 클러스터 플랫폼, 쿼드 플랫폼 및 인라인 플랫폼 중 어느 하나의 구조에 따라 배치될 수 있다.The plurality of process chambers may be disposed according to any one structure of a cluster platform, a quad platform, and an inline platform.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.The details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 오토 티칭 시스템의 내부 구성을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 오토 티칭 시스템을 구성하는 기판 처리 장치의 내부 구조를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 오토 티칭 시스템을 구성하는 웨이퍼형 센서의 내부 구성을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 오토 티칭 시스템을 구성하는 웨이퍼형 센서의 역할을 설명하기 위한 제1 예시도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 오토 티칭 시스템을 구성하는 웨이퍼형 센서의 역할을 설명하기 위한 제2 예시도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 오토 티칭 시스템을 구성하는 제어 장치의 작동 방법을 예시적으로 설명하기 위한 제1 흐름도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 오토 티칭 시스템을 구성하는 제어 장치의 작동 방법을 예시적으로 설명하기 위한 제2 흐름도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 오토 티칭 시스템을 구성하는 제어 장치의 작동 방법을 예시적으로 설명하기 위한 제3 흐름도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 오토 티칭 시스템을 구성하는 보관 장치의 내부 구조를 개략적으로 도시한 제1 예시도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 오토 티칭 시스템을 구성하는 보관 장치의 내부 구조를 개략적으로 도시한 제2 예시도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 오토 티칭 시스템을 구성하는 보관 장치의 내부 구조를 개략적으로 도시한 제3 예시도이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 오토 티칭 시스템을 구성하는 로드 포트 모듈의 내부 구조를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 13은 도 12의 로드 포트 모듈을 구성하는 전원 출력 단자의 구조를 개략적으로 도시한 예시도이다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 오토 티칭 시스템을 구성하는 보관 장치의 미사용시 보관 방법을 설명하기 위한 예시도이다.
도 15는 로드 포트 모듈을 포함하는 반도체 소자 제조 설비의 제1 실시 형태에 따른 예시도이다.
도 16은 로드 포트 모듈을 포함하는 반도체 소자 제조 설비의 제2 실시 형태에 따른 예시도이다.
도 17은 로드 포트 모듈을 포함하는 반도체 소자 제조 설비의 제3 실시 형태에 따른 예시도이다.1 is a diagram schematically illustrating an internal configuration of an auto teaching system according to an embodiment of the present invention.
2 is a diagram schematically illustrating an internal structure of a substrate processing apparatus constituting an auto teaching system according to an embodiment of the present invention.
3 is a diagram schematically illustrating an internal configuration of a wafer-type sensor constituting an auto-teaching system according to an embodiment of the present invention.
4 is a first exemplary view for explaining the role of the wafer-type sensor constituting the auto teaching system according to an embodiment of the present invention.
5 is a second exemplary view for explaining the role of the wafer-type sensor constituting the auto-teaching system according to an embodiment of the present invention.
6 is a first flowchart for exemplarily explaining a method of operating a control device constituting an auto teaching system according to an embodiment of the present invention.
7 is a second flowchart for illustratively explaining a method of operating a control device constituting an auto teaching system according to an embodiment of the present invention.
8 is a third flowchart illustrating an operation method of a control device constituting an auto teaching system according to an embodiment of the present invention.
9 is a first exemplary diagram schematically illustrating an internal structure of a storage device constituting an auto-teaching system according to an embodiment of the present invention.
10 is a second exemplary diagram schematically illustrating an internal structure of a storage device constituting an auto-teaching system according to an embodiment of the present invention.
11 is a third exemplary diagram schematically illustrating an internal structure of a storage device constituting an auto-teaching system according to an embodiment of the present invention.
12 is a diagram schematically illustrating an internal structure of a load port module constituting an auto teaching system according to an embodiment of the present invention.
13 is an exemplary diagram schematically illustrating a structure of a power output terminal constituting the load port module of FIG. 12 .
14 is an exemplary view for explaining a storage method when not in use of a storage device constituting an auto teaching system according to an embodiment of the present invention.
15 is an exemplary view of a semiconductor device manufacturing facility including a load port module according to the first embodiment.
16 is an exemplary view of a semiconductor device manufacturing facility including a load port module according to a second embodiment.
17 is an exemplary view according to a third embodiment of a semiconductor device manufacturing facility including a load port module.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 게시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 게시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Advantages and features of the present invention, and a method for achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments published below, but may be implemented in various different forms, and only these embodiments allow the publication of the present invention to be complete, and common knowledge in the technical field to which the present invention pertains It is provided to fully inform the possessor of the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.Reference to an element or layer “on” or “on” another element or layer includes not only directly on the other element or layer, but also with other layers or other elements intervening. include all On the other hand, reference to an element "directly on" or "directly on" indicates that no intervening element or layer is interposed.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)" 또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.Spatially relative terms "below", "beneath", "lower", "above", "upper", etc. It can be used to easily describe the correlation between an element or components and other elements or components. The spatially relative terms should be understood as terms including different orientations of the device during use or operation in addition to the orientation shown in the drawings. For example, when an element shown in the figures is turned over, an element described as "beneath" or "beneath" another element may be placed "above" the other element. Accordingly, the exemplary term “below” may include both directions below and above. The device may also be oriented in other orientations, and thus spatially relative terms may be interpreted according to orientation.
비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.It should be understood that although first, second, etc. are used to describe various elements, components, and/or sections, these elements, components, and/or sections are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one element, component, or sections from another. Accordingly, it goes without saying that the first element, the first element, or the first section mentioned below may be the second element, the second element, or the second section within the spirit of the present invention.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of describing the embodiments and is not intended to limit the present invention. In this specification, the singular also includes the plural unless specifically stated otherwise in the phrase. As used herein, "comprises" and/or "comprising" refers to the presence of one or more other components, steps, operations and/or elements mentioned. or addition is not excluded.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms (including technical and scientific terms) used herein may be used with the meaning commonly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs. In addition, terms defined in a commonly used dictionary are not to be interpreted ideally or excessively unless clearly defined in particular.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, and in the description with reference to the accompanying drawings, the same or corresponding components are given the same reference numbers regardless of reference numerals, A description will be omitted.
본 발명은 반도체 소자를 제조하는 데에 이용되는 반도체 소자 제조 설비 및 그 부품을 검사하는 데에 적용되는 오토 티칭 시스템(Auto Teaching System)에 관한 것이다. 본 발명에 따른 오토 티칭 시스템은 웨이퍼형 센서를 이용하여 반도체 소자 제조 설비 및 그 부품을 모니터링할 수 있으며, 웨이퍼형 센서를 자동으로 충전할 수 있다.The present invention relates to a semiconductor device manufacturing facility used for manufacturing a semiconductor device and an auto teaching system applied to inspecting parts thereof. The auto teaching system according to the present invention can monitor a semiconductor device manufacturing facility and its components using a wafer-type sensor, and can automatically charge the wafer-type sensor.
구체적으로, 오토 티칭 시스템을 구성하는 제어 장치 및 제어 장치에 의해 실행되는 프로그램을 이용하여 반도체 소자 제조 설비 및 그 부품을 모니터링할 수 있으며, 유사시 원활한 사용을 위해 오토 티칭 시스템을 구성하는 보관 장치 및 충전 장치를 이용하여 웨이퍼형 센서를 자동 충전할 수 있다.Specifically, a semiconductor device manufacturing facility and its parts can be monitored using a control device constituting the auto teaching system and a program executed by the control device, and storage device and charging device constituting the auto teaching system for smooth use in case of emergency The device can be used to automatically charge wafer-type sensors.
이하에서는 도면 등을 참조하여 본 발명을 자세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to drawings and the like.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 오토 티칭 시스템의 내부 구성을 개략적으로 도시한 도면이다.1 is a diagram schematically illustrating an internal configuration of an auto teaching system according to an embodiment of the present invention.
오토 티칭 시스템(100)은 반도체 소자 제조 설비에 적용되는 것으로서, 오토 티칭 완전 자동화(Auto Teaching Full Automation)를 위한 시스템이다.The
도 1에 따르면, 오토 티칭 시스템(100)은 기판 처리 장치(110), 웨이퍼형 센서(120), 제어 장치(130), 보관 장치(140) 및 충전 장치(150)를 포함하여 구성될 수 있다.Referring to FIG. 1 , the
기판 처리 장치(110)는 기판(예를 들어, 웨이퍼(Wafer))을 처리하는 장치이다. 기판 처리 장치(110)는 예를 들어, 기판에 대해 식각 공정(Etching Process)을 수행하는 챔버(Etching Process Chamber), 기판에 대해 세정 공정(Cleaning Process)을 수행하는 챔버(Cleaning Process Chamber) 등으로 구현될 수 있다.The
기판 처리 장치(110)는 식각 공정 챔버, 세정 공정 챔버 등으로 구현되는 경우, 도 2에 도시된 바와 같이 하우징(210), 기판 지지 유닛(220), 플라즈마 생성 유닛(230) 및 샤워 헤드 유닛(240)을 포함하여 구성될 수 있다.When the
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 오토 티칭 시스템을 구성하는 기판 처리 장치의 내부 구조를 개략적으로 도시한 도면이다. 이하 설명은 도 2를 참조한다.2 is a diagram schematically illustrating an internal structure of a substrate processing apparatus constituting an auto teaching system according to an embodiment of the present invention. The following description refers to FIG. 2 .
기판 처리 장치(110)는 진공 환경에서 건식 식각 공정 및/또는 건식 세정 공정을 이용하여 기판(W)을 처리할 수 있다. 기판 처리 장치(110)는 예를 들어, 플라즈마 공정(Plasma Process)을 이용하여 기판(W)을 처리할 수 있다.The
하우징(210)은 플라즈마 공정이 수행되는 공간을 제공하는 것이다. 하우징(210)은 그 측벽에 기판(W)이 출입하는 통로로 제공되는 개구부(미도시)를 포함할 수 있다.The
기판 지지 유닛(220)은 하우징(210)의 내부 하측 영역에 설치되는 것으로서, 정전기력을 이용하여 기판(W)을 지지할 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 기판 지지 유닛(220)은 기계적 클램핑(Mechanical Clamping), 진공(Vacuum) 등과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지하는 것도 가능하다.The
기판 지지 유닛(220)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 지지하는 경우, 베이스(221) 및 정전 척(ESC; Electro Static Chuck)(222)을 포함하여 구성될 수 있다.When the substrate W is supported by using an electrostatic force, the
정전 척(222)은 정전기력을 이용하여 그 상부에 안착되는 기판(W)을 지지하는 기판 지지 부재이다. 이러한 정전 척(222)은 세라믹 재질로 제공될 수 있으며, 베이스(221) 상에 고정되도록 베이스(221)와 결합될 수 있다.The
링 어셈블리(223)는 정전 척(222)의 테두리를 감싸도록 제공되는 것이다. 이러한 링 어셈블리(223)는 링 형상으로 제공되어, 기판(W)의 테두리 영역을 지지하도록 구성될 수 있다. 링 어셈블리(223)는 포커스 링(Focus Ring; 223a) 및 에지 링(Edge Ring; 223b)을 포함하여 구성될 수 있다.The
포커스 링(223a)은 에지 링(223b)의 내측에 형성되며, 정전 척(222)을 감싸도록 제공된다. 포커스 링(223a)은 실리콘 재질로 제공될 수 있으며, 플라즈마 공정시 생성된 이온을 기판(W) 위로 집중시킬 수 있다.The
에지 링(223b)은 포커스 링(223a)의 외측에 형성되며, 포커스 링(223a)을 감싸도록 제공된다. 에지 링(223b)은 쿼츠(Quartz) 재질로 제공될 수 있으며, 플라즈마에 의해 정전 척(222)의 측면이 손상되는 것을 방지하기 위해 형성될 수 있다.The
가열 부재(224) 및 냉각 부재(225)는 하우징(210)의 내부에서 식각 공정이 진행되고 있을 때에 기판(W)이 공정 온도를 유지할 수 있도록 제공되는 것이다. 가열 부재(224) 및 냉각 부재(225)는 예를 들어, 정전 척(222)의 내부 및 베이스(221)의 내부에 각각 설치될 수 있다.The
플라즈마 생성 유닛(230)은 방전 공간에 잔류하는 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 것이다. 여기서, 방전 공간은 하우징(210)의 내부 공간 중에서 기판 지지 유닛(220)의 상부에 위치하는 공간을 의미한다.The
플라즈마 생성 유닛(230)은 유도 결합형 플라즈마(ICP; Inductively Coupled Plasma) 소스를 이용하여 하우징(210) 내부의 방전 공간에 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 이 경우, 플라즈마 생성 유닛(230)은 상부 모듈(250)에 설치되는 안테나 유닛(Antenna Unit; 251)을 상부 전극으로 이용하고, 정전 척(222)을 하부 전극으로 이용할 수 있다.The
그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 플라즈마 생성 유닛(230)은 용량 결합형 플라즈마(CCP; Capacitively Coupled Plasma) 소스를 이용하여 하우징(210) 내부의 방전 공간에 플라즈마를 발생시키는 것도 가능하다. 이 경우, 플라즈마 생성 유닛(230)은 샤워 헤드 유닛(240)을 상부 전극으로 이용하고, 정전 척(222)을 하부 전극으로 이용할 수 있다.However, the present embodiment is not limited thereto. The
플라즈마 생성 유닛(230)은 상부 전극, 하부 전극, 상부 전원(231) 및 하부 전원(232)을 포함하여 구성될 수 있다.The
상부 전원(231)은 상부 전극에 전력을 인가하는 것이다. 상부 전원(231)은 플라즈마의 특성을 제어하도록 제공될 수 있다. 상부 전원(231)은 예를 들어, 이온 충격 에너지(Ion Bombardment Energy)를 조절하도록 제공될 수 있다.The
하부 전원(232)은 하부 전극에 전력을 인가하는 것이다. 하부 전원(232)은 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스 역할을 하거나, 상부 전원(231)과 더불어 플라즈마의 특성을 제어하는 역할을 할 수 있다.The
샤워 헤드 유닛(Shower Head Unit; 240)은 하우징(210)의 내부에서 정전 척(222)과 상하 방향(제3 방향(30))으로 대향되도록 설치될 수 있다. 샤워 헤드 유닛(240)은 하우징(210)의 내부로 가스를 분사하기 위해 복수 개의 가스 분사 홀(Gas Feeding Hole)을 구비할 수 있으며, 정전 척(222)보다 더 큰 직경을 가지도록 제공될 수 있다. 샤워 헤드 유닛(240)은 실리콘 재질로 제공되거나, 금속 재질로 제공될 수 있다.The
이상의 설명에서는 오토 티칭 시스템(100)에 포함되는 것으로 기판 처리 장치(110)에 대하여 설명하였으나, 본 실시예에서 오토 티칭 시스템(100)은 기판 처리 장치(110) 대신 반도체 소자 제조 설비를 포함하여 구성되는 것도 가능하다. 반도체 소자 제조 설비는 기판 처리 장치(110)를 포함하는 것으로서 이에 대해서는 후술할 것이며, 반도체 소자 제조 설비를 구성하는 공정 챔버가 기판 처리 장치(110)에 해당될 수 있다. 한편, 본 실시예에서는 오토 티칭 시스템(100) 자체가 반도체 소자 제조 설비일 수도 있다.In the above description, the
다시 도 1을 참조하여 설명한다.It will be described again with reference to FIG. 1 .
웨이퍼형 센서(Wafer Type Sensor; 120)는 반도체 소자 제조 설비 및 그 부품을 검사하는 데에 적용되는 것이다. 이러한 웨이퍼형 센서(120)는 반도체 소자 제조 설비 및 그 부품에 대한 오토 티칭(Auto Teaching), 반도체 소자 제조 설비 내에서 기판 반송에 사용되는 로봇 모니터링(예를 들어, 로봇과 관련된 진동, 토크, Encoder, 기울기, 위치 등 모니터링), 반도체 소자 제조 설비 내 온도 및 압력 측정 등에 적용될 수 있다.The wafer type sensor (Wafer Type Sensor) 120 is applied to inspect a semiconductor device manufacturing facility and its components. The wafer-
웨이퍼형 센서(120)는 상기와 같은 기능을 수행하기 위해 도 3에 도시된 바와 같이 센싱 모듈(310), 제1 통신 모듈(320), 저장 모듈(330), 전원 모듈(340) 및 제1 제어 모듈(350)을 포함하여 구성될 수 있다.The wafer-
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 오토 티칭 시스템을 구성하는 웨이퍼형 센서의 내부 구성을 개략적으로 도시한 도면이다. 이하 설명은 도 3을 참조한다.3 is a diagram schematically illustrating an internal configuration of a wafer-type sensor constituting an auto-teaching system according to an embodiment of the present invention. The following description refers to FIG. 3 .
센싱 모듈(310)은 반도체 소자 제조 설비 및 그 부품을 검사하는 데에 필요한 각종 신호 및 정보를 검출하는 것이다. 센싱 모듈(310)은 본 실시예에서 영상 신호 검출기(Image Detector, 예를 들어 Camera), 광 신호 검출기(Light Detector, 예를 들어 Laser Beam Detector) 등을 포함할 수 있다.The
또한, 센싱 모듈(310)은 예를 들어, 가속도 정보 검출기(Accelerometer), 경사 정보 검출기(Inclinometer), 방향 정보 탐지기(Directional Compass), 자계 방향 검출기(Magnetic Field Directional Detector), 자기장 세기 검출기(Magnetic Field Strength Detector), 온도 정보 검출기(Thermometer), 압력 정보 검출기(Pressure Detector), 습도 검출기(Humidity Detector), 음파 검출기(Acoustic Detector), 산도 검출기(Acidity Detector), 화학적 성분 활성화 검출기(Chemical Moiety Activity Detector) 등을 더 포함하는 것도 가능하다.In addition, the
제1 통신 모듈(320)은 센싱 모듈(310)에 의해 검출된 신호 및 정보를 외부로 송신하는 것이다. 제1 통신 모듈(320)은 예를 들어, 검출 신호 및 정보를 제어 장치(130)로 송신할 수 있다.The
제1 통신 모듈(320)은 검출 신호 및 정보를 무선 방식으로 송신할 수 있다. 이 경우, 제1 통신 모듈(320)은 와이파이(WIFI)를 무선 방식으로 이용할 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 본 실시예에서는 데이터를 무선으로 송수신하는 것이 가능한 방식이라면 그 어떠한 방식도 채택하여 적용할 수 있다. 한편, 제1 통신 모듈(320)은 검출 신호 및 정보를 유선 방식으로 송신하는 것도 가능하다.The
한편, 제1 통신 모듈(320)은 외부로부터 특정의 신호 및 정보를 수신하는 것도 가능하다.On the other hand, the
저장 모듈(330)은 센싱 모듈(310)에 의해 검출된 신호 및 정보, 제1 통신 모듈(320)에 의해 외부로부터 수신된 신호 및 정보 등을 저장하는 것이다. 저장 모듈(330)은 적어도 하나의 메모리 칩을 포함하여 구성될 수 있다.The
전원 모듈(340)은 웨이퍼형 센서(120)를 구성하는 각각의 구성요소 즉, 센싱 모듈(310), 제1 통신 모듈(320), 저장 모듈(330), 제1 제어 모듈(350) 등이 원활하게 작동할 수 있도록 전원을 공급하는 것이다. 이러한 전원 모듈(340)은 적어도 하나의 배터리를 포함하여 구성될 수 있다.The
제1 제어 모듈(350)은 웨이퍼형 센서(120)를 구성하는 각각의 구성요소 즉, 센싱 모듈(310), 제1 통신 모듈(320), 저장 모듈(330), 전원 모듈(340) 등의 전체 작동을 제어하는 것이다. 이러한 제1 제어 모듈(350)은 주 처리 장치(MPU; Main Processing Unit)로서, CPU(Central Processing Unit), MPU(Micro Processing Unit) 등의 프로세서로 구현될 수 있으며, 본 실시예에서는 DSP(Digital Signal Processor) 등을 포함하는 개념으로 이해될 수도 있다.The
한편, 웨이퍼형 센서(120)는 이외에도 A/D 컨버터(Analog to Digital Converter), 전원 ON/OFF 스위치, 복수의 발광 다이오드(LED; Light Emitting Diode)를 포함하는 조명 모듈 등을 더 포함하여 구성되는 것도 가능하다.On the other hand, the wafer-
앞서, 센싱 모듈(310)이 영상 신호 검출기를 포함하여 구성될 수 있음을 설명하였다. 이 경우, 웨이퍼형 센서(120)는 예를 들어, 카메라 모듈(Camera Module)이 내장되어 있는 기판인 비전 웨이퍼(Vision Wafer)로 구현될 수 있다.Previously, it has been described that the
웨이퍼형 센서(120)가 카메라 모듈(310a)이 내장되어 있는 비전 웨이퍼로 구현되는 경우, 도 4에 도시된 바와 같이 기판 처리 장치(110) 내에서 척 부재(260)와 소모성 부품(270) 사이의 간격(Gap; K)을 측정하는 데에 이용될 수 있다. 상기에서, 소모성 부품(270)은 기판(W)을 둘러싸도록 기판 처리 장치(110) 내에 배치되는 링 형태의 부재일 수 있다. 소모성 부품(270)은 예를 들어, 포커스 링(223a) 또는 에지 링(223b)일 수 있다. 한편, 척 부재(260)는 정전 척(222)일 수 있다. 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 오토 티칭 시스템을 구성하는 웨이퍼형 센서의 역할을 설명하기 위한 제1 예시도이다.When the wafer-
한편, 웨이퍼형 센서(120)가 척 부재(260)와 소모성 부품(270) 사이의 간격(K)을 측정하는 경우, 도 5의 예시에서 보는 바와 같이 척 부재(260)의 각 측에서 소모성 부품(270)과의 간격에 대한 정보(예를 들어, K1, K2, K3, K4)를 복수 개 획득할 수 있다.On the other hand, when the wafer-
이와 같이 획득된 척 부재(260)와 소모성 부품(270) 사이의 간격(K1, K2, K3, K4)은 척 부재(260)를 기준으로 소모성 부품(270)을 센터링(Centering)하는 데에 활용될 수 있다. 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 오토 티칭 시스템을 구성하는 웨이퍼형 센서의 역할을 설명하기 위한 제2 예시도이다.The distances K1, K2, K3, and K4 between the
한편, 웨이퍼형 센서(120)가 비전 웨이퍼로 구현되는 경우, 반도체 소자 제조 설비 또는 기판 처리 장치 내 부품에 대한 영상 정보를 획득하는 데에 이용될 수도 있다.On the other hand, when the wafer-
한편, 센싱 모듈(310)은 광 신호 검출기, 예를 들어 레이저 빔 검출기를 포함하여 구성될 수 있으며, 이 경우 웨이퍼형 센서(120)는 소모성 부품(270)의 높이를 측정하는 데에 이용될 수 있다.Meanwhile, the
다시 도 1을 참조하여 설명한다.It will be described again with reference to FIG. 1 .
제어 장치(130)는 웨이퍼형 센서(120)를 이용하여 기판 처리 장치(110)를 비롯한 반도체 소자 제조 설비 및 그 부품을 검사하는 것이다. 제어 장치(130)는 예를 들어, 웨이퍼형 센서(120)를 이용하여 설비 모니터링을 수행하는 클러스터 툴 컨트롤러(CTC; Cluster Tool Controller)로 구현될 수 있다.The
앞서 설명하였지만, 웨이퍼형 센서(120)는 새 것으로 교체된 소모성 부품(270)이 척 부재(260)에 제대로 안착되었는지 여부를 판별하기 위해 척 부재(260)와 소모성 부품(270) 사이의 간격을 측정할 수 있다. 이 경우, 제어 장치(130)는 웨이퍼형 센서(120)에 의해 획득된 정보(즉, 척 부재(260)와 소모성 부품(270) 사이의 간격에 대한 정보)를 기반으로 소모성 부품(270)을 척 부재(260)의 주위에 안착시키는 VTR(Vacuum Transfer Robot)을 보정한다. 그러면, VTR은 제어 장치(130)의 제어에 따라 척 부재(260)의 둘레에 소모성 부품(270)을 교체 설치할 때에, 척 부재(260)를 기준으로 소모성 부품(270)을 센터링할 수 있다.As described above, the wafer-
제어 장치(130)는 웨이퍼형 센서(120)의 배터리 잔량을 모니터링할 수 있다. 구체적으로, 제어 장치(130)는 웨이퍼형 센서(120)의 배터리 잔량과 기준값을 비교하여 웨이퍼형 센서(120)의 배터리 잔량이 기준값 미만인 것으로 판별되면, 웨이퍼형 센서(120)가 충전될 수 있도록 제어하는 역할을 할 수 있다.The
이하에서는 도면을 참조하여 제어 장치(130)의 다양한 역할에 대해 좀더 구체적으로 설명하기로 한다.Hereinafter, various roles of the
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 오토 티칭 시스템을 구성하는 제어 장치의 작동 방법을 예시적으로 설명하기 위한 제1 흐름도이다. 이하 설명은 도 6을 참조한다.6 is a first flowchart for exemplarily explaining a method of operating a control device constituting an auto teaching system according to an embodiment of the present invention. The following description refers to FIG. 6 .
먼저, 제어 장치(130)는 기판 처리 장치(110) 내에서 소모성 부품(270)이 센터링되어 있는지 여부를 판별한다. 제어 장치(130)는 예를 들어, 소모성 부품(270)이 척 부재(260)를 기준으로 센터링되어 있는지 여부를 판별한다.First, the
상기의 경우, 웨이퍼형 센서(120)가 기판 처리 장치(110) 내에서 척 부재(260)와 소모성 부품(270) 사이의 간격을 측정한다(S410). 이때, 웨이퍼형 센서(120)는 척 부재(260) 테두리의 각 측에 대해 소모성 부품(270)과의 간격을 측정하여 복수 개의 간격 정보(예를 들어, 도 5에 도시된 K1, K2, K3, K4)를 획득할 수 있다. 웨이퍼형 센서(120)는 소모성 부품(270)이 새 것으로 교체된 경우, 상기의 기능을 수행할 수 있다.In this case, the wafer-
웨이퍼형 센서(120)에 의해 척 부재(260)와 소모성 부품(270) 간 복수 개의 간격 정보가 획득되면, 제어 장치(130)는 복수 개의 간격 정보를 상호 비교하여(S420) 소모성 부품(270)이 척 부재(260)를 기준으로 센터링되어 있는지 여부를 판별한다(S430).When a plurality of gap information is obtained between the
구체적으로, 제어 장치(130)는 복수 개의 간격 정보가 상호 동일한지 여부를 기초로 소모성 부품(270)이 척 부재(260)를 기준으로 센터링되어 있는지 여부를 판별할 수 있으며, 복수 개의 간격 정보가 상호 동일하지 않더라도 오차 범위 이내인지 여부를 기초로 소모성 부품(270)이 척 부재(260)를 기준으로 센터링되어 있는지 여부를 판별하는 것도 가능하다.Specifically, the
소모성 부품(270)이 척 부재(260)를 기준으로 센터링되어 있지 않은 것으로 판별되면, 제어 장치(130)는 복수 개의 간격 정보를 비교하여 얻은 정보를 토대로 소모성 부품(270)의 센터링과 관련된 보정 정보를 생성하여(S440) 트랜스퍼 로봇(예를 들어, VTR)에 제공한다(S450).If it is determined that the
이후, 트랜스퍼 로봇은 보정 정보를 기초로 소모성 부품(270)의 위치를 보정하며(즉, 소모성 부품(270)을 척 부재(260)의 둘레에 다시 설치하며)(S460), S410 단계 내지 S460 단계는 소모성 부품(270)이 척 부재(260)를 기준으로 센터링될 때까지 반복적으로 수행될 수 있다.Thereafter, the transfer robot corrects the position of the
이상 도 6을 참조하여 설명한 방법은 웨이퍼형 센서(120)를 이용하여 소모성 부품(270)을 센터링하는 경우의 예시이다. 다음으로, 웨이퍼형 센서(120)의 배터리 잔량을 모니터링하는 경우의 예시에 대하여 설명한다.The method described above with reference to FIG. 6 is an example of centering the
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 오토 티칭 시스템을 구성하는 제어 장치의 작동 방법을 예시적으로 설명하기 위한 제2 흐름도이다. 이하 설명은 도 7을 참조한다.7 is a second flowchart for illustratively explaining a method of operating a control device constituting an auto teaching system according to an embodiment of the present invention. The following description refers to FIG. 7 .
먼저, 제어 장치(130)가 웨이퍼형 센서(120)와 통신하여 웨이퍼형 센서(120)의 배터리 잔량에 대한 정보를 획득한다(S510).First, the
이후, 제어 장치(130)는 웨이퍼형 센서(120)의 배터리 잔량과 기준값을 비교하여(S520) 배터리 잔량이 기준값(예를 들어, 총 충전 가능량의 30%) 미만인지 여부를 판별한다(S530).Thereafter, the
배터리 잔량이 기준값 미만인 것으로 판별되면, 제어 장치(130)는 웨이퍼형 센서(120)가 충전될 수 있도록 제어한다(S540). 본 실시예에서는 웨이퍼형 센서(120)가 반도체 소자 제조 설비 내 로드 포트 모듈(LPM; Load Port Module)에서 FOUP(Front Opening Unified Pod)으로 제공되는 전력으로 충전될 수 있다. 구체적으로, 웨이퍼형 센서(120)는 FOUP(Front Opening Unified Pod)에 내장된 상태로 반도체 소자 제조 설비 내 로드 포트 모듈(LPM; Load Port Module) 상에 안착되어 충전될 수 있다. 이와 관련하여 보다 자세한 설명은 후술하기로 한다.If it is determined that the remaining battery level is less than the reference value, the
한편, 웨이퍼형 센서(120)는 배터리 잔량이 기준값 미만이면 제1 제어 모듈(350)의 제어에 따라 제1 통신 모듈(320)을 통해 충전 요청 신호를 제어 장치(130)로 송출할 수 있으며, 제어 장치(130)는 웨이퍼형 센서(120)의 충전 요청 신호가 수신되면 웨이퍼형 센서(120)가 충전될 수 있도록 제어하는 것도 가능하다.On the other hand, the wafer-
또한, 웨이퍼형 센서(120)는 배터리 잔량이 기준값 미만이면 경고음을 송출할 수 있으며, 제어 장치(130)는 웨이퍼형 센서(120)의 경고음을 인식하여 웨이퍼형 센서(120)가 충전될 수 있도록 제어하는 것도 가능하다. 웨이퍼형 센서(120)는 상기의 경우, 경고음을 송출하기 위한 도 3에 도시되어 있는 구성요소들에 더하여 음성/음향 출력 모듈을 더 포함할 수 있다.In addition, the wafer-
다음으로, 웨이퍼형 센서(120)를 이용하여 소모성 부품(270)을 센터링하는 경우와 웨이퍼형 센서(120)의 배터리 잔량을 모니터링하는 경우가 혼합된 예시에 대하여 설명한다.Next, a mixed example of the case of centering the
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 오토 티칭 시스템을 구성하는 제어 장치의 작동 방법을 예시적으로 설명하기 위한 제3 흐름도이다. 이하 설명은 도 8을 참조한다.8 is a third flowchart illustrating an operation method of a control device constituting an auto teaching system according to an embodiment of the present invention. The following description refers to FIG. 8 .
기판 처리 장치(110) 내에서 소모성 부품(270)이 새 것으로 교체되면(S610), 제어 장치(130)는 웨이퍼형 센서(120)로부터 배터리 잔량에 대한 정보를 획득한다(S620).When the
이후, 제어 장치(130)는 웨이퍼형 센서(120)의 배터리 잔량과 기준값을 비교하여 배터리 잔량이 기준값 미만인지 여부를 판별한다(S630). 배터리 잔량이 기준값 미만인 것으로 판단되면, 제어 장치(130)는 웨이퍼형 센서(120)가 충전될 수 있도록 제어한다(S640).Thereafter, the
배터리 잔량이 기준값 이상인 것으로 판별되거나 웨이퍼형 센서(120)가 충전되면, 제어 장치(130)는 소모성 부품(270)이 기판 처리 장치(110) 내에서 센터링되어 있는지 여부를 판별한다.When it is determined that the remaining amount of the battery is equal to or greater than the reference value or the wafer-
예를 들어 소모성 부품(270)이 척 부재(260)를 기준으로 센터링되어 있는지 여부를 판별하는 경우, 웨이퍼형 센서(120)는 척 부재(260)와 소모성 부품(270) 간 복수 개의 간격 정보를 획득한다(S650). 웨이퍼형 센서(120)의 이러한 기능은 제어 장치(130)의 제어에 따라 트랜스퍼 로봇이 웨이퍼형 센서(120)를 기판 처리 장치(110) 내에 반입 및 반출할 때에 이루어질 수 있다.For example, when determining whether the
이후, 제어 장치(130)는 복수 개의 간격 정보를 상호 비교하여 소모성 부품(270)이 척 부재(260)를 기준으로 센터링되어 있는지 여부를 판별한다(S660).Thereafter, the
소모성 부품(270)이 척 부재(260)를 기준으로 센터링되어 있지 않은 것으로 판별되면, 제어 장치(130)는 복수 개의 간격 정보를 비교하여 얻은 정보를 토대로 소모성 부품(270)의 센터링과 관련된 보정 정보를 생성하여 트랜스퍼 로봇에 제공한다(S670).If it is determined that the
이후, 트랜스퍼 로봇은 보정 정보를 기초로 정전 척(222)의 둘레에서 소모성 부품(270)의 위치를 보정하며(S680), S610 단계 내지 S680 단계는 소모성 부품(270)이 척 부재(260)를 기준으로 센터링될 때까지 반복적으로 수행될 수 있다.Thereafter, the transfer robot corrects the position of the
한편, 제어 장치(130)는 웨이퍼형 센서(120)의 배터리 잔량을 수시로 모니터링할 수 있으며, 웨이퍼형 센서(120)의 배터리 잔량이 기준값 미만인 것으로 판별되면 현재 단계를 일시 중지한 후, VTR, ATR 등을 제어하여 웨이퍼형 센서(120)를 FOUP으로 반송하여 웨이퍼형 센서(120)를 충전시킬 수 있다. 진행 중이던 단계는 웨이퍼형 센서(120)를 충전한 후에 이어서 진행될 수 있다.On the other hand, the
이상 도 6 내지 도 8을 참조하여 설명한 방법은 제어 장치(130)에 의해 수행될 수 있다. 이러한 제어 장치(130)는 웨이퍼형 센서(120)와 통신을 하는 통신 모듈, 전원 공급을 하는 전원 모듈, 연산 및 제어 기능을 하는 제어 모듈 등을 포함하여 구성될 수 있다.The method described above with reference to FIGS. 6 to 8 may be performed by the
제어 장치(130)는 프로세서가 탑재된 컴퓨터로 구현될 수 있다. 이 경우, 도 6 내지 도 8을 참조하여 설명한 방법은 제어 장치(130)에 의해 실행되는 프로그램(또는 소프트웨어(SW))으로 제공될 수 있다. 또한, 프로그램은 기록 매체에 저장된 상태로 제공되는 것도 가능하다. 기록 매체는 프로세서에 의해 실행 가능한 프로그램 코드를 저장하는 저장 매체로서, 예를 들어, HDD(Hard Disk Drive), SSD(Solid State Drive), USB(Universal Serial Bus) 등이 이에 해당될 수 있다.The
다시 도 1을 참조하여 설명한다.It will be described again with reference to FIG. 1 .
보관 장치(140)는 웨이퍼형 센서(120)를 보관하는 것이며, 충전 장치(150)는 웨이퍼형 센서(120)를 충전시키는 것이다. 본 실시예에서는 웨이퍼형 센서(120)가 보관 장치(140)에 수납된 상태로 충전 장치(150) 상에 안착되어 충전될 수 있다.The
상기에서, 보관 장치(140)는 예를 들어, 컨테이너 형태의 FOUP으로 구현될 수 있다. 또한, 충전 장치(150)는 예를 들어, 로드 포트 모듈(LPM)로 구현될 수 있다.In the above, the
보관 장치(140)는 그 내부에 상하 방향(제3 방향(30))으로 복수 개의 슬롯(Slot)을 포함할 수 있다. 보관 장치(140)는 예를 들어, 도 9에 도시된 바와 같이 커버 부재(710) 내 상부에 배치되는 제1 슬롯(720)과 커버 부재(710) 내 하부에 배치되는 제2 슬롯(730)을 포함할 수 있다.The
보관 장치(140)가 이와 같이 제1 슬롯(720) 및 제2 슬롯(730)을 포함하는 경우, 웨이퍼형 센서(120)는 제1 슬롯(720)에 탑재될 수 있으며, 제2 슬롯(730)에는 소모성 부품(270)이나 기판(예를 들어, 웨이퍼(Wafer))이 탑재될 수 있다. 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 오토 티칭 시스템을 구성하는 보관 장치의 내부 구조를 개략적으로 도시한 제1 예시도이다.When the
웨이퍼형 센서(120)는 전원 ON/OFF 스위치를 구비할 수 있다. 이 경우, 웨이퍼형 센서(120)는 사용자에 의해 전원이 ON/OFF될 수 있다.The
그런데, 오토 티칭(Auto Teaching)을 진행할 때에 사용자가 웨이퍼형 센서(120)의 전원을 ON/OFF시켜야 하며, 이에 따라 항상 수동으로 오토 티칭을 진행해야 하는 불편이 있었다.However, when performing auto teaching, the user has to turn on/off the power of the wafer-
또한, 웨이퍼형 센서(120)가 완전 충전(또는 만 충전)되지 않은 경우, 오토 티칭을 진행하는 도중에 전원이 OFF될 수 있다. 따라서, 오토 티칭을 진행하기 전에 웨이퍼형 센서(120)를 별도의 보관함에 저장하여 충전을 완료시켜야 하기 때문에, 작업 시간이 지연되는 불편도 있었다.In addition, when the wafer-
본 실시예에서는 이러한 문제점을 해결하기 위해, 웨이퍼형 센서(120)가 보관 장치(140)에 저장되면, 보관 장치(140)는 웨이퍼형 센서(120)에 대해 자동으로 충전을 실시할 수 있다. 이때, 제어 장치(130)는 웨이퍼형 센서(120)의 충전 상태를 모니터링하며, 모니터링 결과를 토대로 보관 장치(140)가 상기의 기능(즉, 웨이퍼형 센서(120)를 자동 충전시킴)을 수행할 수 있도록 제어할 수 있다.In this embodiment, in order to solve this problem, when the wafer-
한편, 제어 장치(130)는 웨이퍼형 센서(120)의 충전이 완료된 후에도 웨이퍼형 센서(120)의 충전 상태를 계속적으로 모니터링하여 웨이퍼형 센서(120)를 관리할 수 있다.Meanwhile, the
본 실시예에서는 상기와 같은 문제 해결 방안을 통해 오토 티칭 시스템(100)의 Full Auto Teaching을 구현할 수 있으며, OHT(Over Head Transport)를 이용한 웨이퍼형 센서(120)의 보관성 및 작업 효율을 극대화할 수 있다.In this embodiment, it is possible to implement Full Auto Teaching of the
보관 장치(140)는 웨이퍼형 센서(120)의 배터리를 충전하기 위해 배터리 충전 모듈을 구비할 수 있다. 이하에서는 이에 대해 자세하게 설명한다.The
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 오토 티칭 시스템을 구성하는 보관 장치의 내부 구조를 개략적으로 도시한 제2 예시도이다.10 is a second exemplary diagram schematically illustrating an internal structure of a storage device constituting an auto-teaching system according to an embodiment of the present invention.
도 10에 따르면, 보관 장치(140)는 커버 부재(710), 도어 부재(740), 커넥팅 모듈(Connector; 750) 및 전력 송신 모듈(760)을 포함하여 구성될 수 있다.Referring to FIG. 10 , the
보관 장치(140)는 앞서 설명한 바와 같이, 웨이퍼형 센서(120)를 충전할 수 있다. 보관 장치(140)는 예를 들어, 충전 시스템이 탑재된 비전 웨이퍼 전용 FOUP으로 구현될 수 있다.As described above, the
커버 부재(710)는 보관 장치(140)의 외형을 구성하는 것이다. 이러한 커버 부재(710)의 적어도 일측에는 그 내부에 웨이퍼형 센서(120)를 보관할 수 있도록 개폐 가능한 도어 부재(740)가 설치될 수 있다.The
도어 부재(740)가 개방되면, 웨이퍼형 센서(120)는 커버 부재(710)의 내부에 보관될 수 있다. 커버 부재(710)의 내부 공간에는 적어도 하나의 웨이퍼형 센서(120)가 보관될 수 있으며, 이때 각각의 웨이퍼형 센서(120)를 지지할 수 있도록 슬롯(예를 들어, 도 9의 제1 슬롯(720))이 마련될 수 있다.When the
커넥팅 모듈(750)은 외부로부터 전력을 공급받는 것이다. 커넥팅 모듈(750)은 외부로부터 전력이 공급되면, 전력 송신 모듈(760)에 유무선 방식으로 전력을 전달할 수 있다.The connecting
전력 송신 모듈(760)은 커넥팅 모듈(750)로부터 전달받은 전력을 웨이퍼형 센서(120)에 전송하는 것이다. 전력 송신 모듈(760)은 이를 통해 웨이퍼형 센서(120)가 충전되도록 할 수 있다.The
본 실시예에서 보관 장치(140)는 전력 송신 모듈(760)을 이용하여 웨이퍼형 센서(120)를 무선 충전할 수 있다. 이때, 보관 장치(140)는 자기 공진 방식을 이용하여 웨이퍼형 센서(120)를 무선 충전할 수 있다. 이 경우, 보관 장치(140)는 자기 공진 방식의 충전을 지원하기 위한 코일을 포함할 수 있다.In this embodiment, the
그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 보관 장치(140)는 전자기 유도 방식을 이용하여 웨이퍼형 센서(120)를 무선 충전하는 것도 가능하다.However, the present embodiment is not limited thereto. The
한편, 보관 장치(140)는 자기 공진 방식 및 전자기 유도 방식 중 어느 하나의 방식을 선택하여 웨이퍼형 센서(120)를 무선 충전하는 것도 가능하다. 이 경우, 보관 장치(140)는 전력 송신 모듈(760) 및 웨이퍼형 센서(120) 사이의 거리를 기초로 자기 공진 방식 및 전자기 유도 방식 중 어느 하나의 방식을 선택하여 웨이퍼형 센서(120)를 무선 충전할 수 있다.Meanwhile, the
예를 들어, 전력 송신 모듈(760) 및 웨이퍼형 센서(120) 사이의 거리가 기준 거리 미만이면, 보관 장치(140)는 전자기 유도 방식을 이용하여 웨이퍼형 센서(120)를 무선 충전하며, 전력 송신 모듈(760) 및 웨이퍼형 센서(120) 사이의 거리가 기준 거리 초과이면, 보관 장치(140)는 자기 공진 방식을 이용하여 웨이퍼형 센서(120)를 무선 충전할 수 있다.For example, if the distance between the
한편, 전력 송신 모듈(760) 및 웨이퍼형 센서(120) 사이의 거리가 기준 거리와 동일하면, 보관 장치(140)는 전자기 유도 방식과 자기 공진 방식 중 어느 하나를 이용할 수 있다.Meanwhile, when the distance between the
한편, 본 실시예에서 보관 장치(140)는 웨이퍼형 센서(120)를 유선 충전하는 것도 가능하다.Meanwhile, in the present embodiment, the
보관 장치(140)는 그 내부에 웨이퍼형 센서(120)가 탑재되면, 웨이퍼형 센서(120)에 대해 자동적으로 충전을 실시할 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 보관 장치(140)는 웨이퍼형 센서(120)의 충전 상태 모니터링 결과에 따라 웨이퍼형 센서(120)를 충전하는 것도 가능하다.The
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 오토 티칭 시스템을 구성하는 보관 장치의 내부 구조를 개략적으로 도시한 제3 예시도이다.11 is a third exemplary diagram schematically illustrating an internal structure of a storage device constituting an auto-teaching system according to an embodiment of the present invention.
도 11에 따르면, 보관 장치(140)는 커버 부재(710), 도어 부재(740), 커넥팅 모듈(750), 전력 송신 모듈(760), 제2 통신 모듈(770) 및 제2 제어 모듈(780)을 포함하여 구성될 수 있다.11 , the
커버 부재(710), 도어 부재(740), 커넥팅 모듈(750) 및 전력 송신 모듈(760)에 대해서는 도 10을 참조하여 전술하였는 바, 여기서는 그 자세한 설명을 생략한다.The
제2 통신 모듈(770)은 웨이퍼형 센서(120)의 충전 상태에 대한 정보를 제어 장치(130)에 전송하는 것이다. 이러한 제2 통신 모듈(770)은 제2 제어 모듈(780)의 제어에 따라 상기의 기능을 수행할 수 있다.The
제어 장치(130)는 웨이퍼형 센서(120)의 충전 상태에 따라 보관 장치(140)에 웨이퍼형 센서(120)의 충전을 명령할 수 있다. 예를 들어, 웨이퍼형 센서(120)의 충전값이 기준값(예를 들어, 완전 충전 대비 30%, 완전 충전 대비 50% 등) 미만이면, 제어 장치(130)는 보관 장치(140)에 웨이퍼형 센서(120)의 충전을 명령할 수 있다. 이 경우, 전력 송신 모듈(760)은 제2 제어 모듈(780)의 제어에 따라 웨이퍼형 센서(120)에 전력을 공급할 수 있다.The
또한, 웨이퍼형 센서(120)의 충전값이 기준값 이상이면, 제어 장치(130)는 보관 장치(140)에 웨이퍼형 센서(120)의 충전을 명령하지 않을 수 있다. 이 경우, 보관 장치(140)는 웨이퍼형 센서(120)를 충전하지 않고 대기할 수 있다.In addition, when the charging value of the wafer-
한편, 본 실시예에서는 제2 제어 모듈(780)이 웨이퍼형 센서(120)에 대한 충전을 실시할지 여부를 결정하는 것도 가능하다.Meanwhile, in this embodiment, it is also possible for the
커넥팅 모듈(750)은 앞서 설명한 바와 같이, 외부로부터 전력이 공급되면, 전력 송신 모듈(760)에 전력을 전달할 수 있다. 예를 들어, 커넥팅 모듈(750)은 도 12에 도시된 바와 같이 보관 장치(140)가 컨테이너 이송 장치(810)(예를 들어, OHT(Overhead Hoist Transport))에 의해 이동되어 반도체 소자 제조 설비 내 로드 포트 모듈(LPM; 820) 상에 안착되면, 로드 포트 모듈(820) 내에 설치되어 있는 스위칭 모듈(822)(예를 들어, Relay Module) 및 전력 변환 모듈(823)을 통해 전원 공급 모듈(821)(예를 들어, Power Box)로부터 전력을 공급받을 수 있다.As described above, when power is supplied from the outside, the connecting
또한, 본 실시예에서는 보관 장치(140)가 로드 포트 모듈(820) 상에 안착되면, 제어 장치(130)가 보관 장치(140) 내 웨이퍼형 센서(120)에 대해 충전 상태를 모니터링하며, 모니터링 결과에 따라 전원 공급 모듈(821), 스위칭 모듈(822) 및 전력 변환 모듈(823)을 제어할 수 있다. 이 경우, SFEM, EFEM 등의 프론트 엔드 모듈(FEM; Front End Module)(830)이 제어 장치(130)의 역할을 수행할 수 있다.In addition, in this embodiment, when the
상기에서, 전원 공급 모듈(821)은 전원을 공급하는 역할을 한다. 전원 공급 모듈(821)은 로드 포트 모듈(820) 내에 설치될 수 있으나, 로드 포트 모듈(820)의 외부에 설치되어도 무방하다.In the above, the
스위칭 모듈(822)은 전원 공급 모듈(821)에 의해 공급되는 전력의 흐름을 제어하는 것이며, 전력 변환 모듈(823)은 전원 공급 모듈(821)에 의해 공급되는 AC 전력을 DC 전력으로 변환하는 것이다. 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 오토 티칭 시스템을 구성하는 로드 포트 모듈의 내부 구조를 개략적으로 도시한 도면이다.The
한편, 로드 포트 모듈(820)은 보관 장치(140)가 그 상부에 안착되면, 보관 장치(140)의 커넥팅 모듈(750)과 전기적으로 연결될 수 있도록 그 상부에 전원 출력 단자(824)를 포함할 수 있다. 전원 출력 단자(824)는 DC 전원 출력 PIN(825) 및 커넥팅 모듈(750)이 접속될 수 있는 FOUP 얼라인(Align) PIN(826)을 포함할 수 있다. FOUP 얼라인 PIN(826)은 예를 들어, 3개소로 구성될 수 있다. 도 13은 도 12의 로드 포트 모듈을 구성하는 전원 출력 단자의 구조를 개략적으로 도시한 예시도이다.On the other hand, the
상기에서는 웨이퍼형 센서(120)의 배터리를 충전시키기 위해 로드 포트 모듈(820)에 설치되는 것으로 전원 공급 모듈(821), 스위칭 모듈(822), 전력 변환 모듈(823) 및 전원 출력 단자(824)에 대하여 설명하였다. 본 실시예에서는 배터리 충전 장치를 전원 공급 모듈(821), 스위칭 모듈(822), 전력 변환 모듈(823) 및 전원 출력 단자(824)를 포함하는 개념으로 정의할 수 있다.In the above, a
한편, 웨이퍼형 센서(120)를 사용하지 않는 경우, 보관 장치(140)는 도 14에 도시된 바와 같이 별도로 마련된 랙(Rack; 840) 상에 보관될 수 있다. 랙(840)은 FOUP 전용 보관 Rack으로 구현될 수 있으며, 복수 개의 보관 장치(140a, 140b, …, 140n)를 보관할 수 있다. 보관 장치(140a, 140b, …, 140n) 내의 웨이퍼형 센서(120)는 랙(840)을 통해 공급되는 DC 전원을 이용하여 충전될 수 있다. 도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 오토 티칭 시스템을 구성하는 보관 장치의 미사용시 보관 방법을 설명하기 위한 예시도이다.On the other hand, when the
본 실시예에서는 이상 설명한 바와 같이 웨이퍼형 센서(120)가 보관 장치(140) 즉, FOUP 내에 탑재된 상태로 충전 장치(150) 즉, 로드 포트 모듈(820) 상에서 충전될 수 있다. 이때, 로드 포트 모듈(820)은 FOUP 내에 웨이퍼형 센서(120)를 충전시키기 위한 전력을 제공할 수 있다.In the present embodiment, as described above, the wafer-
이하에서는 로드 포트 모듈(LPM)을 포함하는 반도체 소자 제조 설비에 대하여 설명한다.Hereinafter, a semiconductor device manufacturing facility including the load port module (LPM) will be described.
도 15는 로드 포트 모듈을 포함하는 반도체 소자 제조 설비의 제1 실시 형태에 따른 예시도이다.15 is an exemplary view of a semiconductor device manufacturing facility including a load port module according to the first embodiment.
도 15에 따르면, 반도체 소자 제조 설비(900)는 로드 포트 모듈(LPM; 820), 인덱스 모듈(910), 로드락 챔버(Load-Lock Chamber; 920), 트랜스퍼 챔버(Transfer Chamber; 930) 및 공정 챔버(Pocess Chamber; 940)를 포함하여 구성될 수 있다.15 , a semiconductor
반도체 소자 제조 설비(900)는 식각 공정(Etching Process), 세정 공정(Cleaning Process) 등 다양한 공정을 거쳐 복수 개의 기판(예를 들어, 웨이퍼(Wafer))을 처리하는 시스템이다. 이러한 반도체 소자 제조 설비(900)는 기판 이송을 담당하는 반송 로봇(911, 931)과 그 주위에 마련되는 기판 처리 모듈인 복수 개의 공정 챔버(940)를 포함하는 멀티 챔버형 기판 처리 시스템으로 구현될 수 있다.The semiconductor
로드 포트 모듈(820)은 복수 개의 기판이 탑재된 컨테이너(950)(예를 들어, FOUP(Front Opening Unified Pod))가 안착되는 것이다. 이러한 로드 포트 모듈(820)은 인덱스 모듈(910)의 전방에 복수 개 배치될 수 있다. 상기에서, 컨테이너(950)는 도면번호만 다를 뿐, 보관 장치(140)와 실질적으로 동일한 개념이다.In the
로드 포트 모듈(820)이 인덱스 모듈(910)의 전방에 복수 개 배치되는 경우, 각각의 로드 포트 모듈(820) 상에 안착되는 컨테이너(950)는 서로 다른 물건을 탑재할 수 있다. 로드 포트 모듈(820)이 예를 들어, 인덱스 모듈(910)의 전방에 세 개 배치되는 경우, 좌측의 제1 로드 포트(820a) 상에 안착되는 제1 컨테이너(950a)는 웨이퍼형 센서(120)를 탑재할 수 있으며, 가운데측의 제2 로드 포트(820b) 상에 안착되는 제2 컨테이너(950b)는 기판(웨이퍼)을 탑재할 수 있고, 우측의 제3 로드 포트(820c) 상에 안착되는 제3 컨테이너(950c)는 소모성 부품(270)을 탑재할 수 있다.When a plurality of
그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 각각의 로드 포트(820a, 820b, 820c) 상에 안착되는 컨테이너(950a, 950b, 950c)는 동일한 물건을 탑재하는 것도 가능하다. 예를 들어, 각각의 컨테이너(950a, 950b, 950c)는 웨이퍼형 센서(120), 기판, 소모품 등을 탑재할 수 있다.However, the present embodiment is not limited thereto. The
한편, 몇몇의 로드 포트 상에 안착되는 컨테이너는 동일한 물건을 탑재하고, 다른 몇몇의 로드 포트 상에 안착되는 컨테이너는 다른 물건을 탑재하는 것도 가능하다. 예를 들어, 제1 컨테이너(950a) 및 제2 컨테이너(950b)는 웨이퍼형 센서(120), 기판 등을 탑재하고, 제3 컨테이너(950c)는 소모품을 탑재할 수 있다.On the other hand, it is also possible that containers seated on several load ports load the same object, and containers seated on several load ports may load different objects. For example, the
인덱스 모듈(910)은 로드 포트 모듈(820)과 로드락 챔버(920) 사이에 배치되어, 로드 포트 모듈(820) 상의 컨테이너(950)와 로드락 챔버(920) 간에 기판을 이송하도록 인터페이스하는 것이다. 이러한 인덱스 모듈(910)은 SFEM, EFEM 등의 전방 단부 모듈(FEM; Front End Module)로 구현될 수 있다.The
인덱스 모듈(910)은 기판 이송을 담당하는 제1 반송 로봇(911)을 구비할 수 있다. 이러한 제1 반송 로봇(911)은 대기압 환경에서 동작하며, 컨테이너(950)와 로드락 챔버(920) 사이에서 기판을 이송할 수 있다.The
로드락 챔버(920)는 반도체 소자 제조 설비(900) 상의 입력 포트와 출력 포트 사이에서 버퍼 역할을 하는 것이다. 이러한 로드락 챔버(920)는 그 내부에 기판이 임시 대기하는 버퍼 스테이지를 구비할 수 있다.The
로드락 챔버(920)는 인덱스 모듈(910)과 트랜스퍼 챔버(930) 사이에 복수 개 구비될 수 있다. 본 실시예에서는 예를 들어, 제1 로드락 챔버(921)와 제2 로드락 챔버(922) 등 두 개의 로드락 챔버(921, 922)가 인덱스 모듈(910)과 트랜스퍼 챔버(930) 사이에 구비될 수 있다.A plurality of
제1 로드락 챔버(921)와 제2 로드락 챔버(922)는 인덱스 모듈(910)과 트랜스퍼 챔버(930) 사이에서 제1 방향(10)으로 배치될 수 있다. 이 경우, 제1 로드락 챔버(921)와 제2 로드락 챔버(922)는 좌우 방향으로 나란하게 배치되는 상호 대칭형 단층 구조로 제공될 수 있다. 상기에서, 제1 방향(10)은 인덱스 모듈(910)과 트랜스퍼 챔버(930)의 배열 방향에 대해 수평 방향을 의미한다.The first
그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 로드락 챔버(921)와 제2 로드락 챔버(922)는 인덱스 모듈(910)과 트랜스퍼 챔버(930) 사이에서 제3 방향(30)으로 배치되는 것도 가능하다. 이 경우, 제1 로드락 챔버(921)와 제2 로드락 챔버(922)는 상하 방향으로 배치되는 복층 구조로 제공될 수 있다. 상기에서, 제3 방향(30)은 인덱스 모듈(910)과 트랜스퍼 챔버(930)의 배열 방향에 대해 수직 방향을 의미한다.However, the present embodiment is not limited thereto. The first
제1 로드락 챔버(921)는 인덱스 모듈(910)로부터 트랜스퍼 챔버(930)로 기판을 이송하고, 제2 로드락 챔버(922)는 트랜스퍼 챔버(930)로부터 인덱스 모듈(910)로 기판을 이송할 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 로드락 챔버(921)는 트랜스퍼 챔버(930)로부터 인덱스 모듈(910)로 기판을 이송하고, 제2 로드락 챔버(922)는 인덱스 모듈(910)로부터 트랜스퍼 챔버(930)로 기판을 이송하는 것도 가능하다.The first
로드락 챔버(920)는 트랜스퍼 챔버(930)의 제2 반송 로봇(931)에 의해 기판이 로딩되거나 언로딩될 수 있다. 로드락 챔버(920)는 인덱스 모듈(910)의 제1 반송 로봇(911)에 의해 기판이 로딩되거나 언로딩될 수도 있다.In the
로드락 챔버(920)는 게이트 밸브 등을 이용하여 그 내부를 진공 환경과 대기압 환경으로 변화시키면서 압력을 유지할 수 있다. 로드락 챔버(920)는 이를 통해 트랜스퍼 챔버(930)의 내부 기압 상태가 변화되는 것을 방지할 수 있다.The
구체적으로 설명하면, 로드락 챔버(920)는 제2 반송 로봇(931)에 의해 기판이 로딩되거나 언로딩되는 경우, 그 내부를 트랜스퍼 챔버(930)의 경우와 동일한(또는 근접한) 진공 환경으로 형성할 수 있다. 또한 로드락 챔버(920)는 제1 반송 로봇(911)에 의해 기판이 로딩되거나 언로딩되는 경우(즉, 제1 반송 로봇(911)으로부터 미(未) 가공된 기판을 공급받거나, 기(旣) 가공된 기판을 인덱스 모듈(910)로 이송하는 경우), 그 내부를 대기압 환경으로 형성할 수 있다.Specifically, when a substrate is loaded or unloaded by the
트랜스퍼 챔버(930)는 로드락 챔버(920)와 공정 챔버(940) 사이에서 기판을 이송하는 것이다. 트랜스퍼 챔버(930)는 이를 위해 적어도 하나의 제2 반송 로봇(931)을 구비할 수 있다.The
제2 반송 로봇(931)은 미(未)처리 기판을 로드락 챔버(920)에서 공정 챔버(940)로 이송하거나, 기(旣)처리 기판을 공정 챔버(940)에서 로드락 챔버(920)로 이송한다. 트랜스퍼 챔버(930)의 각 변은 이를 위해 로드락 챔버(920) 및 복수 개의 공정 챔버(940)와 연결될 수 있다.The
한편, 제2 반송 로봇(931)은 진공 환경에서 동작하며, 회동이 자유롭게 마련될 수 있다.Meanwhile, the
공정 챔버(940)는 기판을 처리하는 것이다. 이러한 공정 챔버(940)는 식각 공정을 이용하여 기판을 처리하는 식각 챔버로 구현될 수 있으며, 예를 들어 플라즈마 공정을 이용하여 기판을 식각 처리하는 플라즈마 반응 챔버(Plasma Reaction Chamber)로 구현될 수 있다.The
공정 챔버(940)는 트랜스퍼 챔버(930)의 둘레에 복수 개 배치될 수 있다. 이 경우, 각각의 공정 챔버(940)는 트랜스퍼 챔버(930)로부터 기판을 공급받아 기판을 공정 처리하며, 공정 처리된 기판을 트랜스퍼 챔버(930)로 제공할 수 있다.A plurality of
공정 챔버(940)는 원통 형상으로 형성될 수 있다. 이러한 공정 챔버(940)는 표면이 양극 산화막이 형성된 알루마이트(alumite)로 이루어질 수 있으며, 그 내부는 기밀하게 구성될 수 있다. 한편, 공정 챔버(940)는 본 실시예에서 원통 형상 외의 다른 형상으로 형성되는 것도 가능하다.The
반도체 소자 제조 설비(900)는 클러스터 플랫폼(Cluster Platform)을 갖는 구조로 형성될 수 있다. 이 경우, 복수 개의 공정 챔버(940)는 트랜스퍼 챔버(930)를 기준으로 클러스터 방식으로 배치될 수 있으며, 복수 개의 로드락 챔버(920)는 제1 방향(10)으로 배치될 수 있다.The semiconductor
그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 반도체 소자 제조 설비(900)는 도 16에 도시된 바와 같이 쿼드 플랫폼(Quad Platform)을 갖는 구조로 형성되는 것도 가능하다. 이 경우, 복수 개의 공정 챔버(940)는 트랜스퍼 챔버(930)를 기준으로 쿼드 방식으로 배치될 수 있다. 도 16은 로드 포트 모듈을 포함하는 반도체 소자 제조 설비의 제2 실시 형태에 따른 예시도이다.However, the present embodiment is not limited thereto. The semiconductor
한편, 반도체 소자 제조 설비(900)는 도 17에 도시된 바와 같이 인라인 플랫폼(In-Line Platform)을 갖는 구조로 형성되는 것도 가능하다. 이 경우, 복수 개의 공정 챔버(940)는 트랜스퍼 챔버(930)를 기준으로 인라인 방식으로 배치될 수 있으며, 각각의 트랜스퍼 챔버(930)의 양측에 한 쌍의 공정 챔버(940)가 직렬로 배치될 수 있다. 도 17은 로드 포트 모듈을 포함하는 반도체 소자 제조 설비의 제3 실시 형태에 따른 예시도이다.Meanwhile, the semiconductor
이상과 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although embodiments of the present invention have been described with reference to the above and the accompanying drawings, those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains can practice the present invention in other specific forms without changing its technical spirit or essential features. You will understand that there is Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not restrictive.
100: 오토 티칭 시스템
110: 기판 처리 장치
120: 웨이퍼형 센서
130: 제어 장치
140: 보관 장치
150: 충전 장치
210: 하우징
220: 기판 지지 유닛
221: 베이스
222: 정전 척
223: 링 어셈블리
223a: 포커스 링
223b: 에지 링
224: 가열 부재
225: 냉각 부재
230: 플라즈마 생성 유닛
231: 상부 전원
232: 하부 전원
240: 샤워 헤드 유닛
250: 상부 모듈
251: 안테나 유닛
260: 척 부재
270: 소모성 부품
310: 센싱 모듈
320: 제1 통신 모듈
330: 저장 모듈
340: 전원 모듈
350: 제1 제어 모듈
710: 커버 부재
720: 제1 슬롯
730: 제2 슬롯
740: 도어 부재
750: 커넥팅 모듈
760: 전력 송신 모듈
770: 제2 통신 모듈
780: 제2 제어 모듈
810: 컨테이너 이송 장치
820: 로드 포트 모듈
820a: 제1 로드 포트
820b: 제2 로드 포트
820c: 제3 로드 포트
821: 전원 공급 모듈
822: 스위칭 모듈
823: 전력 변환 모듈
824: 전원 출력 단자
840: 랙
900: 반도체 소자 제조 설비
910: 인덱스 모듈
911: 제1 반송 로봇
920: 로드락 챔버
930: 트랜스퍼 챔버
931: 제2 반송 로봇
940: 공정 챔버
950: 컨테이너100: auto teaching system 110: substrate processing device
120: wafer type sensor 130: control device
140: storage device 150: charging device
210: housing 220: substrate support unit
221: base 222: electrostatic chuck
223:
223b: edge ring 224: heating element
225: cooling member 230: plasma generating unit
231: upper power 232: lower power
240: shower head unit 250: upper module
251: antenna unit 260: chuck member
270: consumable part 310: sensing module
320: first communication module 330: storage module
340: power module 350: first control module
710: cover member 720: first slot
730: second slot 740: door member
750: connecting module 760: power transmission module
770: second communication module 780: second control module
810: container transport device 820: load port module
820a:
820c: third load port 821: power supply module
822: switching module 823: power conversion module
824: power output terminal 840: rack
900: semiconductor device manufacturing equipment 910: index module
911: first transfer robot 920: load lock chamber
930: transfer chamber 931: second transfer robot
940: process chamber 950: container
Claims (26)
웨이퍼형 센서를 이용하여 반도체 소자 제조 설비 및 그 부품을 모니터링하며,
상기 웨이퍼형 센서의 배터리 잔량을 모니터링하는 제어 프로그램.A program executed by a control device equipped with a processor, the program comprising:
A wafer-type sensor is used to monitor semiconductor device manufacturing facilities and their parts,
A control program for monitoring the remaining battery level of the wafer-type sensor.
상기 프로그램은 소모성 부품이 기판 처리 장치 내에서 센터링되어 있는지를 모니터링하는 제어 프로그램.The method of claim 1,
The program is a control program for monitoring whether the consumable parts are centered in the substrate processing apparatus.
상기 프로그램은 상기 소모성 부품이 교체되면 상기 소모성 부품이 센터링되어 있는지를 모니터링하는 제어 프로그램.3. The method of claim 2,
The program is a control program for monitoring whether the consumable parts are centered when the consumable parts are replaced.
상기 웨이퍼형 센서는 상기 소모성 부품과 척 사이의 간격을 측정하는 제어 프로그램.3. The method of claim 2,
The wafer-type sensor is a control program for measuring a gap between the consumable part and the chuck.
상기 프로그램은 상기 소모성 부품이 센터링되어 있지 않으면, 센터링과 관련된 보정 정보를 기초로 트랜스퍼 로봇을 이용하여 상기 소모성 부품의 위치를 보정하는 제어 프로그램.3. The method of claim 2,
If the program is not centered, the control program for correcting the position of the consumable parts by using a transfer robot based on the correction information related to centering.
상기 프로그램은 상기 웨이퍼형 센서의 배터리 잔량이 기준값 미만이면, 로드 포트 모듈(LPM)에 설치된 배터리 충전 장치를 이용하여 상기 웨이퍼형 센서를 충전시키는 제어 프로그램.The method of claim 1,
The program is a control program for charging the wafer type sensor using a battery charging device installed in a load port module (LPM) when the remaining battery level of the wafer type sensor is less than a reference value.
상기 프로그램은 상기 웨이퍼형 센서를 충전시키는 경우, 상기 웨이퍼형 센서를 컨테이너에 탑재시키는 제어 프로그램.7. The method of claim 6,
The program is a control program for mounting the wafer-type sensor in a container when charging the wafer-type sensor.
상기 프로그램은 상기 웨이퍼형 센서를 충전시키는 경우, 상기 웨이퍼형 센서가 탑재된 상기 컨테이너를 상기 로드 포트 모듈 상에 안착시키는 제어 프로그램.8. The method of claim 7,
The program is a control program for seating the container in which the wafer-type sensor is mounted on the load port module when charging the wafer-type sensor.
상기 프로그램은 상기 웨이퍼형 센서의 배터리 잔량이 기준값 미만이면, 상기 웨이퍼형 센서를 충전시킨 후 반도체 소자 제조 설비 및 그 부품을 모니터링하는 제어 프로그램.The method of claim 1,
The program is a control program for monitoring a semiconductor device manufacturing facility and its components after charging the wafer type sensor when the remaining battery level of the wafer type sensor is less than a reference value.
배터리 충전 장치를 구비하는 로드 포트 모듈을 이용하여 상기 웨이퍼형 센서를 충전시키는 컨테이너.It is equipped with a wafer type sensor,
A container for charging the wafer-type sensor using a load port module having a battery charging device.
상기 컨테이너는 상기 웨이퍼형 센서가 탑재되면 상기 웨이퍼형 센서를 충전시키는 컨테이너.11. The method of claim 10,
The container is a container for charging the wafer-type sensor when the wafer-type sensor is mounted.
상기 컨테이너는 상기 컨테이너의 내부에서 상하 방향으로 설치되는 복수 개의 슬롯을 포함하는 컨테이너.11. The method of claim 10,
The container includes a plurality of slots installed in the vertical direction inside the container.
상기 컨테이너는,
상기 컨테이너의 내부에 설치되는 제1 슬롯; 및
상기 제1 슬롯의 아래에 설치되는 제2 슬롯을 포함하며,
상기 제1 슬롯 및 상기 제2 슬롯에는 서로 다른 물건이 탑재되는 컨테이너.11. The method of claim 10,
The container is
a first slot installed inside the container; and
It includes a second slot installed under the first slot,
A container in which different objects are mounted in the first slot and the second slot.
상기 웨이퍼형 센서는 상기 제1 슬롯에 탑재되는 컨테이너.14. The method of claim 13,
The wafer-type sensor is a container mounted in the first slot.
상기 컨테이너는 상기 웨이퍼형 센서의 배터리 잔량 모니터링 결과를 기초로 상기 웨이퍼형 센서를 충전시키는 컨테이너.11. The method of claim 10,
The container is a container for charging the wafer-type sensor based on a battery remaining amount monitoring result of the wafer-type sensor.
상기 컨테이너는 FOUP인 컨테이너.11. The method of claim 10,
The container is a FOUP container.
상기 컨테이너는 자기 공진 방식 및 전자기 유도 방식 중 적어도 하나의 방식을 이용하여 상기 웨이퍼형 센서를 충전시키는 컨테이너.11. The method of claim 10,
The container is a container for charging the wafer-type sensor using at least one of a magnetic resonance method and an electromagnetic induction method.
상기 웨이퍼형 센서는 충전시 상기 컨테이너에 탑재되는 컨테이너.11. The method of claim 10,
The wafer-type sensor is a container mounted on the container when charging.
상기 배터리 충전 장치를 이용하여 컨테이너에 탑재된 웨이퍼형 센서를 충전시키는 로드 포트 모듈.A battery charging device is provided;
A load port module for charging a wafer-type sensor mounted on a container using the battery charging device.
상기 배터리 충전 장치는,
제1 전력을 공급하는 전원 공급 모듈;
상기 로드 포트 모듈의 내부에 설치되며, 상기 제1 전력을 제2 전력으로 변환하는 전력 변환 모듈; 및
상기 로드 포트 모듈의 상부에 설치되며, 상기 컨테이너의 커넥터와 접속되는 전원 출력 단자를 포함하는 로드 포트 모듈.20. The method of claim 19,
The battery charging device,
a power supply module for supplying first power;
a power conversion module installed inside the load port module and converting the first power into second power; and
A load port module installed on the load port module and including a power output terminal connected to a connector of the container.
상기 배터리 충전 장치는 상기 컨테이너가 상기 로드 포트 모듈의 상부에 안착되면 상기 웨이퍼형 센서를 충전시키는 로드 포트 모듈.20. The method of claim 19,
The battery charging device is a load port module for charging the wafer type sensor when the container is seated on the upper portion of the load port module.
상기 로드 포트 모듈에 인접하여 설치되며, 상기 로드 포트 모듈 상의 컨테이너에 탑재된 기판을 반송하는 제1 반송 로봇을 구비하는 인덱스 모듈;
상기 기판을 처리하며, 복수 개 설치되는 공정 챔버; 및
상기 공정 챔버에 인접하여 설치되며, 상기 제1 반송 로봇에 의해 반송된 미처리 기판을 상기 공정 챔버로 반입하거나, 기처리 기판을 상기 공정 챔버로부터 반출하는 제2 반송 로봇을 구비하는 트랜스퍼 챔버를 포함하며,
상기 로드 포트 모듈은 배터리 충전 장치를 구비하고, 상기 배터리 충전 장치를 이용하여 상기 컨테이너에 탑재된 웨이퍼형 센서를 충전시키는 반도체 소자 제조 설비.a load port module installed as a front end module (FEM);
an index module installed adjacent to the load port module and including a first transfer robot for transferring a substrate mounted on a container on the load port module;
a process chamber for processing the substrate and provided with a plurality of process chambers; and
and a transfer chamber installed adjacent to the process chamber and having a second transfer robot for loading unprocessed substrates transferred by the first transfer robot into the process chamber or for unloading pre-processed substrates from the process chamber; ,
The load port module includes a battery charging device, and a semiconductor device manufacturing facility for charging a wafer-type sensor mounted in the container using the battery charging device.
상기 로드 포트 모듈은 복수 개인 반도체 소자 제조 설비.23. The method of claim 22,
The load port module is a plurality of semiconductor device manufacturing equipment.
각각의 로드 포트 모듈 상에 안착되는 각각의 컨테이너는 서로 다른 물건을 탑재하는 반도체 소자 제조 설비.24. The method of claim 23,
Each container seated on each load port module is a semiconductor device manufacturing facility in which different objects are mounted.
상기 각각의 컨테이너 중 어느 하나의 컨테이너는 상기 웨이퍼형 센서를 탑재하고, 다른 하나의 컨테이너는 상기 기판을 탑재하는 반도체 소자 제조 설비.25. The method of claim 24,
A semiconductor device manufacturing facility in which any one of the containers mounts the wafer-type sensor, and the other container mounts the substrate.
복수 개의 공정 챔버는 클러스터 플랫폼, 쿼드 플랫폼 및 인라인 플랫폼 중 어느 하나의 구조에 따라 배치되는 반도체 소자 제조 설비.23. The method of claim 22,
A semiconductor device manufacturing facility in which the plurality of process chambers are disposed according to any one structure of a cluster platform, a quad platform, and an inline platform.
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Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020066201A (en) * | 2001-02-09 | 2002-08-14 | 가부시끼가이샤 도시바 | Method for Manufacturing Semiconductor Apparatus Utilizing Wafer Transfer Container with Environmental Control Unit |
| KR20060135926A (en) * | 2004-04-29 | 2006-12-29 | 센스어레이 코포레이션 | Integrated process condition sensing wafer and data analysis system |
| KR20140105051A (en) | 2013-02-21 | 2014-09-01 | 주식회사 신성에프에이 | Auto teaching system of stoker |
| KR20170022907A (en) * | 2015-08-21 | 2017-03-02 | 램 리써치 코포레이션 | Wear detection of consumable part in semiconductor manufacturing equipment |
| KR20190011617A (en) * | 2017-07-25 | 2019-02-07 | (주)제이디 | sensor mounted wafer, and apparatus for storaging thereof |
| KR20190072669A (en) * | 2016-11-14 | 2019-06-25 | 램 리써치 코포레이션 | Edge ring centering method using ring dynamic alignment data |
-
2021
- 2021-03-23 KR KR1020210037356A patent/KR102591723B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020066201A (en) * | 2001-02-09 | 2002-08-14 | 가부시끼가이샤 도시바 | Method for Manufacturing Semiconductor Apparatus Utilizing Wafer Transfer Container with Environmental Control Unit |
| KR20060135926A (en) * | 2004-04-29 | 2006-12-29 | 센스어레이 코포레이션 | Integrated process condition sensing wafer and data analysis system |
| KR20140105051A (en) | 2013-02-21 | 2014-09-01 | 주식회사 신성에프에이 | Auto teaching system of stoker |
| KR20170022907A (en) * | 2015-08-21 | 2017-03-02 | 램 리써치 코포레이션 | Wear detection of consumable part in semiconductor manufacturing equipment |
| KR20190072669A (en) * | 2016-11-14 | 2019-06-25 | 램 리써치 코포레이션 | Edge ring centering method using ring dynamic alignment data |
| KR20190011617A (en) * | 2017-07-25 | 2019-02-07 | (주)제이디 | sensor mounted wafer, and apparatus for storaging thereof |
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