KR20220063813A - 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 - Google Patents
발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20220063813A KR20220063813A KR1020200148904A KR20200148904A KR20220063813A KR 20220063813 A KR20220063813 A KR 20220063813A KR 1020200148904 A KR1020200148904 A KR 1020200148904A KR 20200148904 A KR20200148904 A KR 20200148904A KR 20220063813 A KR20220063813 A KR 20220063813A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- light emitting
- disposed
- antioxidant
- transport region
- Prior art date
Links
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 title 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 claims abstract description 120
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 claims abstract description 120
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims abstract description 83
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims abstract description 72
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 59
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 49
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 37
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 32
- -1 amine compound Chemical class 0.000 claims description 29
- 230000003064 anti-oxidating effect Effects 0.000 claims description 23
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 23
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 18
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 13
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 357
- 239000000463 material Substances 0.000 description 29
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 19
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 19
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 17
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 12
- 102100025492 CUGBP Elav-like family member 3 Human genes 0.000 description 11
- 101710170319 CUGBP Elav-like family member 3 Proteins 0.000 description 11
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 11
- 102100033210 CUGBP Elav-like family member 2 Human genes 0.000 description 10
- 101710170321 CUGBP Elav-like family member 2 Proteins 0.000 description 10
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 10
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 8
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 8
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 6
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 5
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 5
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Inorganic materials [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 101100410782 Arabidopsis thaliana PXG1 gene Proteins 0.000 description 4
- 101100410783 Arabidopsis thaliana PXG2 gene Proteins 0.000 description 4
- NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N Butylhydroxytoluene Chemical compound CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N diphenylamine Chemical class C=1C=CC=CC=1NC1=CC=CC=C1 DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- JYBNOVKZOPMUFI-UHFFFAOYSA-N n-(3-hydroxy-2-methyl-3,4-diphenylbutyl)-n-methylpropanamide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(O)(C(C)CN(C)C(=O)CC)CC1=CC=CC=C1 JYBNOVKZOPMUFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001931 thermography Methods 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007648 laser printing Methods 0.000 description 3
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IRFSXVIRXMYULF-UHFFFAOYSA-N 1,2-dihydroquinoline Chemical class C1=CC=C2C=CCNC2=C1 IRFSXVIRXMYULF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATTVYRDSOVWELU-UHFFFAOYSA-N 1-diphenylphosphoryl-2-(2-diphenylphosphorylphenoxy)benzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(C=1C(=CC=CC=1)OC=1C(=CC=CC=1)P(=O)(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)(=O)C1=CC=CC=C1 ATTVYRDSOVWELU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n-diphenyl-4-n,4-n-bis[4-(n-phenylanilino)phenyl]benzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZNRLMGFXSPUZNR-UHFFFAOYSA-N 2,2,4-trimethyl-1h-quinoline Chemical compound C1=CC=C2C(C)=CC(C)(C)NC2=C1 ZNRLMGFXSPUZNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 3-(4-tert-butylphenyl)-4-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C(N1C=2C=CC=CC=2)=NN=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AOQKGYRILLEVJV-UHFFFAOYSA-N 4-naphthalen-1-yl-3,5-diphenyl-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C(N1C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)=NN=C1C1=CC=CC=C1 AOQKGYRILLEVJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017115 AlSb Inorganic materials 0.000 description 2
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004262 HgTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KEQFTVQCIQJIQW-UHFFFAOYSA-N N-Phenyl-2-naphthylamine Chemical compound C=1C=C2C=CC=CC2=CC=1NC1=CC=CC=C1 KEQFTVQCIQJIQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052956 cinnabar Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile Chemical compound C12=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=C1N=C(C#N)C(C#N)=N2 DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 description 2
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N isocyanuric acid Chemical compound OC1=NC(O)=NC(O)=N1 ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMKMFBIYHXBKRX-UHFFFAOYSA-M lithium;quinoline-2-carboxylate Chemical compound [Li+].C1=CC=CC2=NC(C(=O)[O-])=CC=C21 IMKMFBIYHXBKRX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- FSWDLYNGJBGFJH-UHFFFAOYSA-N n,n'-di-2-butyl-1,4-phenylenediamine Chemical compound CCC(C)NC1=CC=C(NC(C)CC)C=C1 FSWDLYNGJBGFJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000005002 naphthylamines Chemical class 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004986 phenylenediamines Chemical class 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 2
- FGDZQCVHDSGLHJ-UHFFFAOYSA-M rubidium chloride Chemical compound [Cl-].[Rb+] FGDZQCVHDSGLHJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RSJKGSCJYJTIGS-UHFFFAOYSA-N undecane Chemical compound CCCCCCCCCCC RSJKGSCJYJTIGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MIOPJNTWMNEORI-GMSGAONNSA-N (S)-camphorsulfonic acid Chemical compound C1C[C@@]2(CS(O)(=O)=O)C(=O)C[C@@H]1C2(C)C MIOPJNTWMNEORI-GMSGAONNSA-N 0.000 description 1
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- VNQNXQYZMPJLQX-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-tris[(3,5-ditert-butyl-4-hydroxyphenyl)methyl]-1,3,5-triazinane-2,4,6-trione Chemical compound CC(C)(C)C1=C(O)C(C(C)(C)C)=CC(CN2C(N(CC=3C=C(C(O)=C(C=3)C(C)(C)C)C(C)(C)C)C(=O)N(CC=3C=C(C(O)=C(C=3)C(C)(C)C)C(C)(C)C)C2=O)=O)=C1 VNQNXQYZMPJLQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JUHXTONDLXIGGK-UHFFFAOYSA-N 1-n,4-n-bis(5-methylheptan-3-yl)benzene-1,4-diamine Chemical compound CCC(C)CC(CC)NC1=CC=C(NC(CC)CC(C)CC)C=C1 JUHXTONDLXIGGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- APTGHASZJUAUCP-UHFFFAOYSA-N 1-n,4-n-di(octan-2-yl)benzene-1,4-diamine Chemical compound CCCCCCC(C)NC1=CC=C(NC(C)CCCCCC)C=C1 APTGHASZJUAUCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWNBRRGFUVBTQG-UHFFFAOYSA-N 1-n,4-n-di(propan-2-yl)benzene-1,4-diamine Chemical group CC(C)NC1=CC=C(NC(C)C)C=C1 PWNBRRGFUVBTQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AIMXDOGPMWDCDF-UHFFFAOYSA-N 1-n,4-n-dicyclohexylbenzene-1,4-diamine Chemical compound C1CCCCC1NC(C=C1)=CC=C1NC1CCCCC1 AIMXDOGPMWDCDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VETPHHXZEJAYOB-UHFFFAOYSA-N 1-n,4-n-dinaphthalen-2-ylbenzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(NC=3C=CC(NC=4C=C5C=CC=CC5=CC=4)=CC=3)=CC=C21 VETPHHXZEJAYOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SPDPTFAJSFKAMT-UHFFFAOYSA-N 1-n-[4-[4-(n-[4-(3-methyl-n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]anilino)phenyl]phenyl]-4-n,4-n-bis(3-methylphenyl)-1-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 SPDPTFAJSFKAMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZRMMVODKVLXCBB-UHFFFAOYSA-N 1-n-cyclohexyl-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound C1CCCCC1NC(C=C1)=CC=C1NC1=CC=CC=C1 ZRMMVODKVLXCBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KGRVJHAUYBGFFP-UHFFFAOYSA-N 2,2'-Methylenebis(4-methyl-6-tert-butylphenol) Chemical compound CC(C)(C)C1=CC(C)=CC(CC=2C(=C(C=C(C)C=2)C(C)(C)C)O)=C1O KGRVJHAUYBGFFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DXCHWXWXYPEZKM-UHFFFAOYSA-N 2,4-ditert-butyl-6-[1-(3,5-ditert-butyl-2-hydroxyphenyl)ethyl]phenol Chemical compound C=1C(C(C)(C)C)=CC(C(C)(C)C)=C(O)C=1C(C)C1=CC(C(C)(C)C)=CC(C(C)(C)C)=C1O DXCHWXWXYPEZKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FLSKKFALEYBSJE-UHFFFAOYSA-N 2,6-ditert-butyl-4-[1-(3,5-ditert-butyl-4-hydroxyphenyl)butyl]phenol Chemical compound C=1C(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=CC=1C(CCC)C1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 FLSKKFALEYBSJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMCKNCBUBGMWAY-UHFFFAOYSA-N 2,6-ditert-butyl-4-[[4-(3,5-ditert-butyl-4-hydroxyphenoxy)-6-octylsulfanyl-1,3,5-triazin-2-yl]oxy]phenol Chemical compound N=1C(OC=2C=C(C(O)=C(C=2)C(C)(C)C)C(C)(C)C)=NC(SCCCCCCCC)=NC=1OC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 JMCKNCBUBGMWAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSRJVOOOWGXUDY-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[2-[3-(3-tert-butyl-4-hydroxy-5-methylphenyl)propanoyloxy]ethoxy]ethoxy]ethyl 3-(3-tert-butyl-4-hydroxy-5-methylphenyl)propanoate Chemical compound CC(C)(C)C1=C(O)C(C)=CC(CCC(=O)OCCOCCOCCOC(=O)CCC=2C=C(C(O)=C(C)C=2)C(C)(C)C)=C1 QSRJVOOOWGXUDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 2-[3,5-bis(1-phenylbenzimidazol-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical group C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXIQYSLFEXIOAV-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-4-(5-tert-butyl-4-hydroxy-2-methylphenyl)sulfanyl-5-methylphenol Chemical compound CC1=CC(O)=C(C(C)(C)C)C=C1SC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C=C1C HXIQYSLFEXIOAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PFANXOISJYKQRP-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-4-[1-(5-tert-butyl-4-hydroxy-2-methylphenyl)butyl]-5-methylphenol Chemical compound C=1C(C(C)(C)C)=C(O)C=C(C)C=1C(CCC)C1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C=C1C PFANXOISJYKQRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CINYXYWQPZSTOT-UHFFFAOYSA-N 3-[3-[3,5-bis(3-pyridin-3-ylphenyl)phenyl]phenyl]pyridine Chemical compound C1=CN=CC(C=2C=C(C=CC=2)C=2C=C(C=C(C=2)C=2C=C(C=CC=2)C=2C=NC=CC=2)C=2C=C(C=CC=2)C=2C=NC=CC=2)=C1 CINYXYWQPZSTOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PRWJPWSKLXYEPD-UHFFFAOYSA-N 4-[4,4-bis(5-tert-butyl-4-hydroxy-2-methylphenyl)butan-2-yl]-2-tert-butyl-5-methylphenol Chemical compound C=1C(C(C)(C)C)=C(O)C=C(C)C=1C(C)CC(C=1C(=CC(O)=C(C=1)C(C)(C)C)C)C1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C=C1C PRWJPWSKLXYEPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VSAWBBYYMBQKIK-UHFFFAOYSA-N 4-[[3,5-bis[(3,5-ditert-butyl-4-hydroxyphenyl)methyl]-2,4,6-trimethylphenyl]methyl]-2,6-ditert-butylphenol Chemical compound CC1=C(CC=2C=C(C(O)=C(C=2)C(C)(C)C)C(C)(C)C)C(C)=C(CC=2C=C(C(O)=C(C=2)C(C)(C)C)C(C)(C)C)C(C)=C1CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 VSAWBBYYMBQKIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZZMVLMVFYMGSMY-UHFFFAOYSA-N 4-n-(4-methylpentan-2-yl)-1-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC(NC(C)CC(C)C)=CC=C1NC1=CC=CC=C1 ZZMVLMVFYMGSMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JQTYAZKTBXWQOM-UHFFFAOYSA-N 4-n-octan-2-yl-1-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC(NC(C)CCCCCC)=CC=C1NC1=CC=CC=C1 JQTYAZKTBXWQOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JJHKARPEMHIIQC-UHFFFAOYSA-N 4-octadecoxy-2,6-diphenylphenol Chemical compound C=1C(OCCCCCCCCCCCCCCCCCC)=CC(C=2C=CC=CC=2)=C(O)C=1C1=CC=CC=C1 JJHKARPEMHIIQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C2=CC3=CC=CC=C3C=C2)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C=CC=C2)C2=C1 VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZYDBGLUVPLRKR-UHFFFAOYSA-N 9-(3-carbazol-9-ylphenyl)carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC(N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)=CC=C1 MZYDBGLUVPLRKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 9-phenylcarbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N Borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-] BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000283690 Bos taurus Species 0.000 description 1
- KESRRRLHHXXBRW-UHFFFAOYSA-N C1=CC=NC2=C3C(O)=CC=CC3=CC=C21 Chemical compound C1=CC=NC2=C3C(O)=CC=CC3=CC=C21 KESRRRLHHXXBRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004611 CdZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020599 Co 3 O 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003321 CoFe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002521 CoMn Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000764773 Inna Species 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N Li2O Inorganic materials [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 description 1
- UTGQNNCQYDRXCH-UHFFFAOYSA-N N,N'-diphenyl-1,4-phenylenediamine Chemical compound C=1C=C(NC=2C=CC=CC=2)C=CC=1NC1=CC=CC=C1 UTGQNNCQYDRXCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XQVWYOYUZDUNRW-UHFFFAOYSA-N N-Phenyl-1-naphthylamine Chemical compound C=1C=CC2=CC=CC=C2C=1NC1=CC=CC=C1 XQVWYOYUZDUNRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OUBMGJOQLXMSNT-UHFFFAOYSA-N N-isopropyl-N'-phenyl-p-phenylenediamine Chemical compound C1=CC(NC(C)C)=CC=C1NC1=CC=CC=C1 OUBMGJOQLXMSNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005642 SnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003363 ZnMgO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006501 ZrSiO Inorganic materials 0.000 description 1
- IORUEKDKNHHQAL-UHFFFAOYSA-N [2-tert-butyl-6-[(3-tert-butyl-2-hydroxy-5-methylphenyl)methyl]-4-methylphenyl] prop-2-enoate Chemical compound CC(C)(C)C1=CC(C)=CC(CC=2C(=C(C=C(C)C=2)C(C)(C)C)OC(=O)C=C)=C1O IORUEKDKNHHQAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- WDJHALXBUFZDSR-UHFFFAOYSA-M acetoacetate Chemical compound CC(=O)CC([O-])=O WDJHALXBUFZDSR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002490 anilino group Chemical group [H]N(*)C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Inorganic materials [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LPTWEDZIPSKWDG-UHFFFAOYSA-N benzenesulfonic acid;dodecane Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1.CCCCCCCCCCCC LPTWEDZIPSKWDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001045 blue dye Substances 0.000 description 1
- 239000001055 blue pigment Substances 0.000 description 1
- XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N butyl pbd Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVVVSJAMVJMZRF-UHFFFAOYSA-N c1cncc(c1)-c1cccc(c1)-c1cccc(c1)-c1nc(nc(n1)-c1cccc(c1)-c1cccc(c1)-c1cccnc1)-c1cccc(c1)-c1cccc(c1)-c1cccnc1 Chemical compound c1cncc(c1)-c1cccc(c1)-c1cccc(c1)-c1nc(nc(n1)-c1cccc(c1)-c1cccc(c1)-c1cccnc1)-c1cccc(c1)-c1cccc(c1)-c1cccnc1 YVVVSJAMVJMZRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Inorganic materials [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 238000007385 chemical modification Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M dilithium;hydroxide Chemical compound [Li+].[Li+].[OH-] XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 229940060296 dodecylbenzenesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- DECIPOUIJURFOJ-UHFFFAOYSA-N ethoxyquin Chemical compound N1C(C)(C)C=C(C)C2=CC(OCC)=CC=C21 DECIPOUIJURFOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019285 ethoxyquin Nutrition 0.000 description 1
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000001046 green dye Substances 0.000 description 1
- 239000001056 green pigment Substances 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- VASIZKWUTCETSD-UHFFFAOYSA-N manganese(II) oxide Inorganic materials [Mn]=O VASIZKWUTCETSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- ZLUHLPGJUZHFAR-UHFFFAOYSA-N n-[4-(2,4,4-trimethylpentan-2-yl)phenyl]naphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC(C(C)(C)CC(C)(C)C)=CC=C1NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 ZLUHLPGJUZHFAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CVVFFUKULYKOJR-UHFFFAOYSA-N n-phenyl-4-propan-2-yloxyaniline Chemical compound C1=CC(OC(C)C)=CC=C1NC1=CC=CC=C1 CVVFFUKULYKOJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NYLGUNUDTDWXQE-UHFFFAOYSA-N n-phenyl-n-prop-2-enylaniline Chemical compound C=1C=CC=CC=1N(CC=C)C1=CC=CC=C1 NYLGUNUDTDWXQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 239000002121 nanofiber Substances 0.000 description 1
- 239000002064 nanoplatelet Substances 0.000 description 1
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000001054 red pigment Substances 0.000 description 1
- WFUBYPSJBBQSOU-UHFFFAOYSA-M rubidium iodide Inorganic materials [Rb+].[I-] WFUBYPSJBBQSOU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000004054 semiconductor nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L terephthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=C(C([O-])=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 150000001651 triphenylamine derivatives Chemical class 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- BNEMLSQAJOPTGK-UHFFFAOYSA-N zinc;dioxido(oxo)tin Chemical compound [Zn+2].[O-][Sn]([O-])=O BNEMLSQAJOPTGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
- H10K50/165—Electron transporting layers comprising dopants
-
- H01L51/5072—
-
- H01L27/3246—
-
- H01L51/502—
-
- H01L51/5056—
-
- H01L51/5088—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
- H10K50/171—Electron injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
-
- H01L2251/303—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자 및 표시 장치는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치된 정공 수송 영역, 상기 정공 수송 영역 상에 배치되고, 양자점을 포함하는 발광층, 상기 발광층 상에 배치되는 전자 수송 영역, 및 상기 전자 수송 영역 상에 배치된 제2 전극을 포함하고, 상기 정공 수송 영역 및 상기 전자 수송 영역 중 적어도 하나는 항산화제를 포함하여, 개선된 발광 효율 특성을 나타낼 수 있다.
Description
본 발명은 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 발광 효율 및 수명이 향상된 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.
텔레비전, 휴대 전화, 태블릿 컴퓨터, 내비게이션, 게임기 등과 같은 멀티 미디어 장치에 사용되는 다양한 표시 장치들이 개발되고 있다. 이러한 표시 장치에서는 유기 화합물을 포함하는 발광 재료를 발광시켜서 표시를 실현하는 소위 자발광형의 표시 소자를 사용하고 있다.
또한, 표시 장치의 색재현성을 개선하기 위하여 양자점을 발광 재료로 사용한 발광 소자에 대한 개발이 진행되고 있으며, 양자점을 이용한 발광 소자의 신뢰성 및 수명을 개선하는 것이 요구되고 있다.
본 발명은 발광 효율 및 수명이 개선된 발광 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 다른 목적은 발광 효율 및 수명이 개선된 발광 소자를 포함하는 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
일 실시예에서, 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치된 정공 수송 영역, 상기 정공 수송 영역 상에 배치되고, 양자점을 포함하는 발광층, 상기 발광층 상에 배치된 전자 수송 영역, 및 상기 전자 수송 영역 상에 배치된 제2 전극을 포함하고, 상기 정공 수송 영역 및 상기 전자 수송 영역 중 적어도 하나는 항산화제를 포함하는 발광 소자를 제공한다.
상기 항산화제는 페놀계 화합물 또는 아민계 화합물을 포함할 수 있다.
상기 전자 수송 영역은 상기 발광층 상에 배치되는 전자 수송층, 및 상기 전자 수송층 상에 배치되는 전자 주입층을 포함하고, 상기 전자 수송층 및 상기 전자 주입층 중 적어도 하나가 상기 항산화제를 포함할 수 있다.
상기 전자 수송층은 아연 산화물 및 상기 항산화제를 포함하고, 상기 전자 수송층은 상기 발광층 상에 직접 배치될 수 있다.
상기 정공 수송 영역은 상기 제1 전극 상에 배치되는 정공 주입층, 및 상기 정공 주입층 상에 배치되는 정공 수송층을 포함하고, 상기 정공 주입층 및 상기 정공 수송층 중 적어도 하나가 상기 항산화제를 포함할 수 있다.
상기 발광층은 상기 항산화제를 포함하고, 상기 양자점의 총 중량을 기준으로 상기 항산화제의 함량은 0.1 질량% 내지 10 질량%일 수 있다.
상기 전자 수송 영역과 상기 발광층 사이에 배치되고, 상기 항산화제를 포함하는 제1 산화방지층을 더 포함할 수 있다.
상기 정공 수송 영역과 상기 발광층 사이에 배치되고, 상기 항산화제를 포함하는 제2 산화방지층을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치된 정공 수송 영역, 상기 정공 수송 영역 상에 배치되고, 양자점을 포함하는 발광층, 상기 발광층 상에 배치된 전자 수송 영역, 상기 전자 수송 영역 상에 배치된 제2 전극, 및 상기 정공 수송 영역 상에 배치되는 산화방지층을 포함하고, 상기 산화방지층은 항산화제를 포함하는 발광 소자를 제공한다.
상기 전자 수송 영역은 아연 산화물을 포함하고, 상기 산화방지층은 상기 전자 수송 영역과 상기 발광층 사이에 배치되고, 상기 항산화제는 아민계 화합물을 포함할 수 있다.
상기 산화방지층은 상기 정공 수송 영역과 상기 발광층 사이에 배치되는 것일 수 있다.
상기 산화방지층은 상기 전자 수송 영역과 상기 제2 전극 사이에 배치되는 것일 수 있다.
상기 산화방지층은 상기 제2 전극 상에 배치되는 것일 수 있다.
일 실시예에서, 베이스층 및 상기 베이스층 상에 배치되는 복수의 발광 소자들을 포함하는 표시 패널, 및 상기 표시 패널 상에 배치되는 광학 부재를 포함하고, 상기 복수의 발광 소자들 각각은 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치되는 정공 수송 영역, 상기 정공 수송 영역 상에 배치되고, 양자점을 포함하는 발광층, 상기 발광층 상에 배치되는 전자 수송 영역, 및 상기 전자 수송 영역 상에 배치되는 제2 전극을 포함하고, 상기 정공 수송 영역 및 상기 전자 수송 영역 중 적어도 하나는 항산화제를 포함하는 표시 장치를 제공한다.
상기 복수의 발광 소자들은 제1 광을 방출하는 제1 양자점을 포함하는 제1 발광 소자, 상기 제1 광 보다 장파장인 제2 광을 방출하는 제2 양자점을 포함하는 제2 발광 소자, 및 상기 제1 광 및 상기 제2 광 보다 장파장인 제3 광을 방출하는 제3 양자점을 포함하는 제3 발광 소자를 포함할 수 있다.
상기 광학 부재는 컬러필터층을 포함하고, 상기 컬러필터층은 상기 제1 광을 투과시키는 제1 필터, 상기 제2 광을 투과시키는 제2 필터, 및 상기 제3 광을 투과시키는 제3 필터를 포함할 수 있다.
상기 전자 수송 영역과 상기 발광층 사이에 배치되고, 상기 항산화제를 포함하는 제1 산화방지층, 또는 상기 정공 수송 영역과 상기 발광층 사이에 배치되고, 상기 항산화제를 포함하는 제2 산화방지층을 더 포함할 수 있다.
상기 전자 수송 영역은 아연 산화물을 포함하고, 상기 항산화제는 아민계 화합물을 포함할 수 있다.
상기 표시 패널은 상기 베이스층 상에 배치되고, 상기 복수의 발광 소자들 각각에 대응하는 복수의 개구부들이 정의된 화소정의막, 및 상기 화소정의막 상에 배치되고, 상기 항산화제를 포함하는 제5 산화방지층을 더 포함할 수 있다.
상기 표시 패널은 상기 베이스층 상에 배치되고, 상기 복수의 발광 소자 각각에 대응하는 복수의 개구부들이 정의된 화소정의막을 더 포함하고, 상기 화소정의막은 상기 항산화제를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자 및 표시 장치는 항산화제를 포함하여 개선된 발광 효율을 나타낼 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 항산화제를 포함하는 산화방지층을 포함하여 개선된 발광 효율을 나타낼 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예의 전자 장치의 결합 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예의 전자 장치의 분해 사시도이다.
도 3은 도 2의 I-I'선에 대응하는 본 발병의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 4 내지 도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자의 단면도들이다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 16 및 도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도들이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예의 전자 장치의 분해 사시도이다.
도 3은 도 2의 I-I'선에 대응하는 본 발병의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 4 내지 도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자의 단면도들이다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 16 및 도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도들이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 "상에 있다", "연결 된다", 또는 "결합된다"고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.
한편, 본 출원에서 "직접 배치"된다는 것은 층, 막, 영역, 판 등의 부분과 다른 부분 사이에 추가되는 층, 막, 영역, 판 등이 없는 것을 의미하는 것일 수 있다. 예를 들어, "직접 배치"된다는 것은 두 개의 층 또는 두 개의 부재들 사이에 접착 부재 등의 추가 부재를 사용하지 않고 배치하는 것을 의미하는 것일 수 있다.
동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.
"및/또는"은 연관된 구성들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
또한, "아래에", "하측에", "위에", "상측에" 등의 용어는 도면에 도시된 구성들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.
다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 이상적인 또는 지나치게 형식적인 의미로 해석되지 않는 한, 명시적으로 여기에서 정의된 것으로 해석된다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치에 대하여 설명한다.
도 1은 전자 장치(EA)의 이 실시예를 나타낸 사시도이다. 도 2는 일 실시예의 전자 장치(EA)의 분해 사시도이다. 도 3은 일 실시예의 표시 장치(DD)에 대한 단면도이다.
일 실시예에서 전자 장치(EA)는 텔레비전, 모니터, 또는 외부 광고판과 같은 대형 전자 장치일 수 있다. 또한, 전자 장치(EA)는 퍼스널 컴퓨터, 노트북 컴퓨터, 개인 디지털 단말기, 자동차 내비게이션 유닛, 게임기, 스마트폰, 태블릿, 및 카메라와 같은 중소형 전자 장치일 수 있다. 또한, 이것들은 단지 실시예로서 제시된 것들로서, 본 발명의 개념에서 벗어나지 않은 이상 다른 전자 장치로도 채용될 수 있다. 본 실시예에서, 전자 장치(EA)는 스마트 폰으로 예시적으로 도시되었다.
전자 장치(EA)는 표시 장치(DD) 및 하우징(HAU)을 포함하는 것일 수 있다. 표시 장치(DD)는 표시면(IS)를 통해 이미지(IM)를 표시할 수 있다. 도 1에서는 표시면(IS)이 제1 방향(DR1) 및 제1 방향(DR1)과 교차하는 제2 방향(DR2)이 정의하는 면과 평행한 것으로 도시하였다. 하지만, 이는 예시적인 것으로, 다른 실시예에서 표시 장치(DD)의 표시면(IS)는 휘어진 형상을 가질 수 있다.
표시면(IS)의 법선 방향, 즉 표시 장치(DD)의 두께 방향 중 이미지(IM)가 표시되는 방향은 제3 방향(DR3)이 지시한다. 각 부재들의 전면(또는 상면)과 배면(또는 하면)은 제3 방향(DR3)에 의해 구분될 수 있다.
제4 방향(DR4, 도 15 참조)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2) 사이의 방향일 수 있다. 제4 방향(DR4)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)이 정의하는 면과 나란한 면상에 위치하는 것일 수 있다. 한편, 제1 내지 제4 방향들(DR1, DR2, DR3, DR4)이 지시하는 방향은 상대적인 개념으로서 다른 방향으로 변환될 수 있다.
전자 장치(EA)에서 이미지(IM)가 표시되는 표시면(FS)은 표시 장치(DD)의 전면(front surface)과 대응될 수 있으며, 윈도우(WP)의 전면(FS)과 대응될 수 있다. 이하, 전자 장치(EA)의 표시면, 전면, 및 윈도우(WP)의 전면은 동일한 참조부호를 사용하기로 한다. 이미지(IM)는 동적인 이미지는 물론 정지 이미지를 포함할 수 있다. 한편, 도면에 도시되지는 않았으나 전자 장치(EA)는 폴딩 영역과 비폴딩 영역을 포함하는 폴더블 표시 장치, 또는 적어도 하나의 벤딩부를 포함한 벤딩 표시 장치 등을 포함하는 것일 수 있다.
하우징(HAU)은 표시 장치(DD)를 수납하는 것일 수 있다. 하우징(HAU)은 표시 장치(DD)의 표시면(IS)인 상부면이 노출되도록 표시 장치(DD)를 커버하며 배치될 수 있다. 하우징(HAU)은 표시 장치(DD)의 측면과 바닥면을 커버하며, 상부면 전체를 노출시키는 것일 수 있다. 다만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 하우징(HAU)은 표시 장치(DD)의 측면과 바닥면뿐 아니라 상부면의 일부를 커버하는 것일 수 있다.
일 실시예의 전자 장치(EA)에서 윈도우(WP)는 광학적으로 투명한 절연 물질을 포함할 수 있다. 윈도우(WP)는 투과 영역(TA) 및 베젤 영역(BZA)을 포함할 수 있다. 투과 영역(TA) 및 베젤 영역(BZA)을 포함한 윈도우(WP)의 전면(FS)는 전자 장치(EA)의 전면(FS)에 해당한다. 사용자는 전자 장치(EA)의 전면(FS)에 해당하는 투과 영역(TA)을 통해 제공되는 이미지를 시인할 수 있다.
도 1 및 도 2에서, 투과 영역(TA)은 꼭지점들이 둥근 사각 형상으로 도시되었다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 투과 영역(TA)은 다양한 형상을 가질 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
투과 영역(TA)은 광학적으로 투명한 영역일 수 있다. 베젤 영역(BZA)은 투과 영역(TA)에 비해 상대적으로 광 투과율이 낮은 영역일 수 있다. 베젤 영역(BZA)은 소정의 컬러를 가질 수 있다. 베젤 영역(BZA)은 투과 영역(TA)에 인접하며, 투과 영역(TA)을 에워쌀 수 있다. 베젤 영역(BZA)은 투과 영역(TA)의 형상을 정의할 수 있다. 다만, 실시예가 도시된 것에 한정되는 것은 아니며 베젤 영역(BZA)은 투과 영역(TA)의 일측에만 인접하여 배치될 수도 있고, 일 부분이 생략될 수도 있다.
표시 장치(DD)는 윈도우(WP) 아래에 배치될 수 있다. 본 명세서에서 "아래"는 표시 장치(DD)가 이미지를 제공하는 방향의 반대 방향을 의미할 수 있다.
일 실시예에서, 표시 장치(DD)는 실질적으로 이미지(IM)를 생성하는 구성일 수 있다. 표시 장치(DD)에서 생성하는 이미지(IM)는 표시면(IS)에 표시되고, 투과 영역(TA)을 통해 외부에서 사용자에게 시인된다. 표시 장치(DD)는 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)을 포함한다. 표시 영역(DA)은 전기적 신호에 따라 활성화되는 영역일 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 베젤 영역(BZA)에 의해 커버되는 영역일 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)에 인접한다. 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)을 에워쌀 수 있다.
표시 장치(DD)는 표시 패널(DP) 및 표시 패널(DP) 상에 배치된 광학 부재(PP)를 포함할 수 있다. 표시 패널(DP)은 표시 소자층(DP-EL)을 포함할 수 있다. 표시 소자층(DP-EL)은 발광 소자(ED)를 포함한다.
표시 장치(DD)는 복수 개의 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3, 도 16)을 포함할 수 있다. 광학 부재(PP)는 표시 패널(DP) 상에 배치되어 외부광에 의한 표시 패널(DP)에서의 반사광을 제어할 수 있다. 광학 부재(PP)는 예를 들어, 편광층을 포함하는 것이거나 또는 컬러필터층을 포함하는 것일 수 있다.
일 실시예의 표시 장치(DD)에서 표시 패널(DP)은 발광형 표시 패널일 수 있다. 예를 들어, 표시 패널(DP)은 양자점 발광 소자를 포함하는 양자점 발광 표시 패널일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 제한되는 것은 아니고, 표시 패널(DP)은 유기 전계 발광 소자를 포함하는 유기 발광 표시 패널일 수 있다.
표시 패널(DP)은 베이스 기판(BS), 베이스 기판(BS) 상에 배치된 회로층(DP-CL), 및 회로층(DP-CL) 상에 배치된 표시 소자층(DP-EL)을 포함하는 것일 수 있다.
베이스 기판(BS)은 표시 소자층(DP-EL)이 배치되는 베이스 면을 제공하는 부재일 수 있다. 베이스 기판(BS)은 유리기판, 금속기판, 플라스틱기판 등일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 베이스 기판(BS)은 무기층, 유기층 또는 복합재료층일 수 있다. 베이스 기판(BS)은 용이하게 벤딩되거나 폴딩될 수 있는 플렉서블(flexible) 기판일 수 있다.
일 실시예에서 회로층(DP-CL)은 베이스 기판(BS) 상에 배치되고, 회로층(DP-CL)은 복수의 트랜지스터들(미도시)을 포함하는 것일 수 있다. 예를 들어, 회로층(DP-CL)은 표시 소자층(DP-EL)의 발광 소자를 구동하기 위한 스위칭 트랜지스터 및 구동 트랜지스터를 포함하는 것일 수 있다.
도 4 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자의 단면도들이다.
도 4를 참조하면, 일 실시예에 따른 발광 소자(ED)는 제1 전극(EL1), 제1 전극(EL1)과 마주하는 제2 전극(EL2), 및 제1 전극(EL1)과 제2 전극(EL2) 사이에 배치되고 발광층(EML)을 포함하는 복수의 기능층들을 포함한다.
복수의 기능층들은 제1 전극(EL1)과 발광층(EML) 사이에 배치된 정공 수송 영역(HTR) 및 발광층(EML)과 제2 전극(EL2) 사이에 배치된 전자 수송 영역(ETR)을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따른 발광 소자(ED)는 정공 수송 영역(HTR) 및 전자 수송 영역(ETR) 중 적어도 하나에 후술하는 일 실시예의 항산화제를 포함할 수 있다. 예를 들어, 일 실시예의 발광 소자(ED)는 발광층(EML) 상에 직접 배치되는 전자 수송 영역(ETR) 및/또는 정공 수송 영역(HTR)에 후술하는 일 실시예에 따른 항산화제를 포함할 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 일 실시예의 발광 소자(ED)는 발광층(EML)에 후술하는 일 실시예에 따른 항산화제를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따른 발광 소자(ED)에서 제1 전극(EL1)은 도전성을 갖는다. 제1 전극(EL1)은 금속 합금 또는 도전성 화합물로 형성될 수 있다. 제1 전극(EL1)은 애노드(anode)일 수 있다. 제1 전극(EL1)은 화소 전극일 수 있다.
일 실시예에 따른 발광 소자(ED)에서 제1 전극(EL1)은 반사형 전극일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제1 전극(EL1)은 투과형 전극 또는 반투과형 전극 등일 수 있다. 제1 전극(EL1)이 반투과형 전극 또는 반사형 전극인 경우, 제1 전극(EL1)은 Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Mo, Ti 또는 이들의 화합물이나 혼합물(예를 들어, Ag와 Mg의 혼합물)을 포함할 수 있다. 또는 상기의 예시된 물질로 형성된 반사막이나 반투과막 및 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 형성된 투명 도전막을 포함하는 복수의 층 구조일 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(EL1)은 다층 금속막일 수 있으며 ITO/Ag/ITO의 금속막이 적층된 구조일 수 있다.
정공 수송 영역(HTR)은 제1 전극(EL1) 상에 제공된다. 도 5를 참조하면, 정공 수송 영역(HTR)은 정공 주입층(HIL) 및 정공 수송층(HTL)을 포함할 수 있다. 또한, 도 6을 참조하면, 정공 수송 영역(HTR)은 전자 저지층(EBL)을 더 포함할 수 있다. 전자 저지층(EBL)은 전자 수송 영역(ETR)으로부터 정공 수송 영역(HTR)으로의 전자 주입을 방지하는 역할을 하는 층이다.
또한 도시하지 않았으나, 정공 수송 영역(HTR)은 정공 버퍼층(미도시)을 더 포함할 수 있다. 정공 버퍼층(미도시)은 발광층(EML)에서 방출되는 광의 파장에 따른 공진 거리를 보상하여 광 방출 효율을 증가시킬 수 있다. 정공 버퍼층(미도시)에 포함되는 물질로는 정공 수송 영역(HTR)에 포함될 수 있는 물질이 사용될 수 있다.
일 실시예에서, 정공 수송 영역(HTR)은 후술하는 일 실시예에 따른 항산화제를 포함할 수 있다. 예를 들어, 정공 주입층(HIL) 및 정공 수송층(HTL) 중 적어도 하나가 후술하는 일 실시예에 따른 항산화제를 포함할 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않고, 전자 저지층(EBL) 또는 정공 버퍼층(미도시)에 후술하는 일 실시예에 따른 항산화제가 포함될 수도 있다.
정공 수송 영역(HTR)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 정공 수송 영역(HTR)은, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층들의 구조를 갖거나, 제1 전극(EL1)으로부터 차례로 적층된 정공 주입층(HIL)/정공 수송층(HTL), 정공 주입층(HIL)/정공 수송층(HTL)/정공 버퍼층(미도시), 정공 주입층(HIL)/정공 버퍼층(미도시), 정공 수송층(HTL)/정공 버퍼층(미도시) 또는 정공 주입층(HIL)/정공 수송층(HTL)/전자 저지층(EBL) 등의 구조를 가질 수 있으나, 실시예가 한정되는 것은 아니다.
정공 수송 영역(HTR)은 잉크젯 프린팅법으로 제공하여 형성될 수 있다. 하지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 정공 수송 영역(HTR)은 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다.
정공 주입층(HIL)은 예를 들어, 구리프탈로시아닌(copper phthalocyanine) 등의 프탈로시아닌(phthalocyanine) 화합물, DNTPD(N,N'-diphenyl-N,N'-bis-[4-(phenyl-m-tolyl-amino)-phenyl]-biphenyl-4,4'-diamine), m-MTDATA(4,4',4"-[tris(3-methylphenyl)phenylamino] triphenylamine), TDATA(4,4'4"-Tris(N,N-diphenylamino)triphenylamine), 2-TNATA(4,4',4"-tris{N,-(2-naphthyl)-N-phenylamino}-triphenylamine), PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate)), PANI/DBSA(Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid), PANI/CSA(Polyaniline/Camphor sulfonicacid), PANI/PSS(Polyaniline/Poly(4-styrenesulfonate)), NPD(N,N'-di(naphthalene-l-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine), 트리페닐아민을 포함하는 폴리에테르케톤(TPAPEK), 4-Isopropyl-4'-methyldiphenyliodonium [Tetrakis(pentafluorophenyl)borate], HAT-CN(dipyrazino[2,3-f: 2',3'-h] quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile) 등을 포함할 수도 있다.
정공 수송층(HTL)은 당 기술분야에 알려진 일반적인 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, N-페닐카바졸, 폴리비닐카바졸 등의 카바졸계 유도체, 플루오렌(fluorene)계 유도체, TPD(N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1-biphenyl]-4,4'-diamine), TCTA(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine) 등과 같은 트리페닐아민계 유도체, NPD(N,N'-di(naphthalene-l-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine), TAPC(4,4′-Cyclohexylidene bis[N,N-bis(4-methylphenyl)benzenamine]), HMTPD(4,4'-Bis[N,N'-(3-tolyl)amino]-3,3'-dimethylbiphenyl), mCP(1,3-Bis(N-carbazolyl)benzene) 등을 더 포함할 수도 있다.
정공 수송 영역(HTR)의 두께는 약 5nm 내지 약 15,00nm, 예를 들어, 약 10nm내지 약 500nm일 수 있다. 정공 주입층(HIL)의 두께는, 예를 들어, 약 3nm 내지 약 100nm이고, 정공 수송층(HTL)의 두께는 약 3nm 내지 약 100nm 일 수 있다. 예를 들어, 전자 저지층(EBL)의 두께는 약 1nm 내지 약 100nm일 수 있다. 정공 수송 영역(HTR), 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL) 및 전자 저지층(EBL)의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승 없이 만족스러운 정도의 정공 수송 특성을 얻을 수 있다.
발광층(EML)은 정공 수송 영역(HTR) 상에 제공된다. 일 실시예에 따른 발광 소자(ED)에서 발광층(EML)은 양자점을 포함하는 것일 수 있다.
일 실시예의 발광층(EML)에 포함된 양자점은 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물 및 이들의 조합에서 선택될 수 있는 반도체 나노 결정일 수 있다.
II-VI족 화합물은 CdSe, CdTe, CdS, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
III-VI족 화합물은 In2S3, In2Se3 등과 같은 이원소 화합물, InGaS3, InGaSe3 등과 같은 삼원소 화합물, 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
I-III-VI족 화합물은 AgInS, AgInS2, CuInS, CuInS2, AgGaS2, CuGaS2 CuGaO2, AgGaO2, AgAlO2 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물, 또는 AgInGaS2, CuInGaS2 등의 사원소 화합물로부터 선택될 수 있다.
III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물, GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InGaP, InAlP, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물, 및 GaAlNP, GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 한편, III-V족 화합물은 II족 금속을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, III- II-V족 화합물로 InZnP 등이 선택될 수 있다.
IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 원소로는 Si, Ge 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 화합물로는 SiC, SiGe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물일 수 있다.
이때, 이원소 화합물, 삼원소 화합물 또는 사원소 화합물은 균일한 농도로 입자 내에 존재하거나, 농도 분포가 부분적으로 다른 상태로 나누어져 동일 입자 내에 존재하는 것일 수 있다. 또한 하나의 양자점이 다른 양자점을 둘러싸는 코어/쉘 구조를 가질 수도 있다. 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 코어로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다.
몇몇 실시예에서, 양자점은 전술한 나노 결정을 포함하는 코어 및 상기 코어를 둘러싸는 쉘을 포함하는 코어-쉘 구조를 가질 수 있다. 상기 양자점의 쉘은 상기 코어의 화학적 변성을 방지하여 반도체 특성을 유지하기 위한 보호층 역할 및/또는 양자점에 전기 영동 특성을 부여하기 위한 차징층(charging layer)의 역할을 수행할 수 있다. 상기 쉘은 단층 또는 다중층일 수 있다. 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 코어로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다. 상기 양자점의 쉘의 예로는 금속 또는 비금속의 산화물, 반도체 화합물 또는 이들의 조합 등을 들 수 있다.
예를 들어, 상기 금속 또는 비금속의 산화물은 SiO2, Al2O3, TiO2, ZnO, MnO, Mn2O3, Mn3O4, CuO, FeO, Fe2O3, Fe3O4, CoO, Co3O4, NiO 등의 이원소 화합물, 또는 MgAl2O4, CoFe2O4, NiFe2O4, CoMn2O4등의 삼원소 화합물을 예시할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
또, 상기 반도체 화합물은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnSeS, ZnTeS, GaAs, GaP, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InP, InGaP, InSb, AlAs, AlP, AlSb등을 예시할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
양자점은 약 45nm 이하, 바람직하게는 약 40nm 이하, 더욱 바람직하게는 약 30nm 이하의 발광 파장 스펙트럼의 반치폭(full width of half maximum, FWHM)을 가질 수 있으며, 이 범위에서 색순도나 색재현성을 향상시킬 수 있다. 또한 이러한 양자점을 통해 발광되는 광은 전 방향으로 방출되는바, 광 시야각이 향상될 수 있다.
또한, 양자점의 형태는 당 분야에서 일반적으로 사용하는 형태의 것으로 특별히 한정하지 않지만, 보다 구체적으로 구형, 피라미드형, 다중 가지형(multi-arm), 또는 입방체(cubic)의 나노 입자, 나노 튜브, 나노와이어, 나노 섬유, 나노 판상 입자 등의 형태의 것을 사용할 수 있다.
양자점은 입자 크기에 따라 방출하는 광의 색상을 조절 할 수 있으며, 이에 따라 양자점은 청색, 적색, 녹색 등 다양한 발광 색상을 가질 수 있다.
발광층(EML)은 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 발광층(EL-B, EL-G, EL-R)은 일 실시예의 양자점(QD1, QD2, QD3)을 포함한 양자점 조성물을 잉크젯 프린팅법으로 제공하여 형성될 수 있다.
일 실시예의 발광 소자(ED)에서, 전자 수송 영역(ETR)은 발광층(EML) 상에 제공된다. 도 5를 참조하면, 전자 수송 영역(ETR)은 전자 주입층(EIL) 및 전자 수송층(ETL)을 포함할 수 있다. 또한, 도 6을 참조하면, 전자 수송 영역(ETR)은 정공 저지층(HBL)을 더 포함할 수 있다. 정공 저지층(HBL)은 정공 수송 영역(HTR)으로부터 전자 수송 영역(ETR)으로의 정공 주입을 방지하는 역할을 하는 층이다.
또한 도시하지 않았으나, 전자 수송 영역(ETR)은 전자 버퍼층(미도시)을 더 포함할 수 있다. 전자 버퍼층(미도시)은 발광층(EML)에서 방출되는 광의 파장에 따른 공진 거리를 보상하여 광 방출 효율을 증가시킬 수 있다. 전자 버퍼층(미도시)에 포함되는 물질로는 전자 수송 영역(ETR)에 포함될 수 있는 물질이 사용될 수 있다.
일 실시예에서, 전자 수송 영역(ETR)은 후술하는 일 실시예에 따른 항산화제를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 주입층(EIL) 및 전자 수송층(ETL) 중 적어도 하나가 후술하는 일 실시예에 따른 항산화제를 포함할 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않고, 정공 저지층(HBL) 또는 전자 버퍼층(미도시)에 후술하는 일 실시예에 따른 항산화제가 포함될 수도 있다.
전자 수송 영역(ETR)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.
예를 들어, 전자 수송 영역(ETR)은 전자 주입층(EIL) 또는 전자 수송층(ETL)의 단일층의 구조를 가질 수도 있고, 전자 주입 물질과 전자 수송 물질로 이루어진 단일층 구조를 가질 수도 있다. 또한, 전자 수송 영역(ETR)은, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층의 구조를 갖거나, 발광층(EML)으로부터 차례로 적층된 전자 수송층(ETL)/전자 주입층(EIL), 정공 저지층(HBL)/전자 수송층(ETL)/전자 주입층(EIL) 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 전자 수송 영역(ETR)의 두께는 예를 들어, 약 20nm 내지 약 150nm인 것일 수 있다.
전자 수송 영역(ETR)은, 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 전자 수송 영역(ETR)은 잉크젯 프린팅법으로 제공하여 형성될 수 있다.
전자 수송 영역(ETR)은 아연 산화물을 더 포함할 수 있다. 아연 산화물의 종류는 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, ZnO, ZnMgO, 또는 이들의 조합일 수 있고, Mg 외에도 Li 및 Y 등이 도핑될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 전자 주입층(EIL) 및/또는 정공 저지층(HBL)에 아연 산화물이 포함될 수 있다. 또는, 전자 수송 영역(ETR)에 포함된 층들 중 2 이상의 층에 아연 산화물이 포함될 수도 있다.
또한, 아연 산화물 이외에 무기 재료로 TiO2, SiO2, SnO2, WO3, Ta2O3, BaTiO3, BaZrO3, ZrO2, HfO2, Al2O3, Y2O3, ZrSiO4 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
일 실시예에서, 도 5와 같이 발광층(EML) 상에 전자 수송층(ETL)이 직접 배치될 때, 전자 수송층(ETL)은 아연 산화물 및 후술하는 항산화제를 포함하는 것일 수 있다. 바람직하게는 전자 수송 영역(ETR)이 아연 산화물 및 아민계 화합물을 포함하는 항산화제를 포함할 수 있다.
전자 수송 영역(ETR)에 아연 산화물을 포함하는 경우, 아연 산화물의 나노 입자 표면은 결함으로 인해 트랩 준위(trap state)가 발생할 수 있다. 이 때, 아연과 높은 결합 친화력(binding affinity)을 가지는 아민계 화합물이 나노 입자의 표면 결함을 메워 트랩 준위를 줄일 수 있고, 궁극적으로 발광 소자의 안정성 및 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
일 실시예에서, 전자 수송 영역(ETR)은 공지의 무기 재료 또는 공지의 유기 재료가 포함될 수 있다.
일 실시예에서, 전자 수송층(ETL)은 안트라센계 화합물을 포함하는 것일 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 전자 수송 영역은 예를 들어, Alq3(Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum), 1,3,5-tri[(3-pyridyl)-phen-3-yl]benzene, 2,4,6-tris(3'-(pyridin-3-yl)biphenyl-3-yl)-1,3,5-triazine, DPEPO(bis[2-(diphenylphosphino)phenyl]ether oxide), 2-(4-(N-phenylbenzoimidazolyl-1-ylphenyl)-9,10-dinaphthylanthracene, TPBi(1,3,5-Tri(1-phenyl-1H-benzo[d]imidazol-2-yl)phenyl), BCP(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), Bphen(4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline), TAZ(3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole), NTAZ(4-(Naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole), tBu-PBD(2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole), BAlq(Bis(2-methyl-8-quinolinolato-N1,O8)-(1,1'-Biphenyl-4-olato)aluminum), Bebq2(berylliumbis(benzoquinolin-10-olate), ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene) 또는 이들의 혼합물을 포함하는 것일 수 있다.
일 실시예에서, 전자 주입층(EIL)은 LiF, NaCl, CsF, RbCl, RbI와 같은 할로겐화 금속, Yb와 같은 란타넘족 금속, Li2O, BaO 와 같은 금속 산화물, 또는 LiQ(Lithium quinolate) 등이 사용될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 전자 주입층(EIL)은 또한 전자 수송 물질과 절연성의 유기 금속염(organo metal salt)이 혼합된 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 유기 금속염은 금속 아세테이트(metal acetate), 금속 벤조에이트(metal benzoate), 금속 아세토아세테이트(metal acetoacetate), 금속 아세틸아세토네이트(metal acetylacetonate) 또는 금속 스테아레이트(stearate)를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 정공 저지층(HBL)은 예를 들어, BCP(2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) 및 Bphen(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제2 전극(EL2)은 전자 수송 영역(ETR) 상에 제공된다. 제2 전극(EL2)은 공통 전극 또는 음극일 수 있다. 제2 전극(EL2)은 투과형 전극, 반투과형 전극 또는 반사형 전극일 수 있다. 제2 전극(EL2)가 투과형 전극인 경우, 제2 전극(EL2)은 투명 금속 산화물, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 이루어질 수 있다.
제2 전극(EL2)이 반투과형 전극 또는 반사형 전극인 경우, 제2 전극(EL2)은 Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Mo, Ti, Yb, W 또는 이들을 포함하는 화합물이나 혼합물(예를 들어, AgMg, AgYb, 또는 MgAg)을 포함할 수 있다. 또는 제2 전극(EL2)은 상기 물질로 형성된 반사막이나 반투과막 및 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 형성된 투명 도전막을 포함하는 복수의 층 구조일 수 있다. 예를 들어, 제2 전극(EL2)은 상술한 금속재료, 상술한 금속재료들 중 선택된 2종 이상의 금속재료들의 조합, 또는 상술한 금속재료들의 산화물 등을 포함하는 것일 수 있다.
도시하지는 않았으나, 제2 전극(EL2)은 보조 전극과 연결될 수 있다. 제2 전극(EL2)이 보조 전극과 연결되면, 제2 전극(EL2)의 저항이 감소될 수 있다.
도 7을 참조하면, 제2 전극(EL2) 상에 캡핑층(CPL)이 더 배치될 수도 있다. 일 실시예에서, 캡핑층(CPL)은 후술하는 일 실시예에 따른 항산화제를 포함할 수도 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자(ED)는 항산화제를 포함하는 정공 수송 영역(HTR) 및/또는 전자 수송 영역(ETR)을 포함한다. 양자점을 포함하는 발광 소자의 경우, 소자 제작 및 구동 시 수분이나 산소에 지속적으로 노출될 수 있으며, 이로 인해 소자는 열화될 가능성이 높다. 특히, 양자점이 장기간 산소에 노출될 경우, 표면에 트랩 준위(trap state)인 결함(defect)이 형성될 수 있다. 이 경우, 소자 내 전하가 트랩되어 퀀칭(quenching)되므로 소자의 발광 효율 및 수명이 감소할 수 있다. 본 발명에서는 양자점을 발광 물질로 포함하는 발광 소자에 항산화제를 포함하여 양자점의 산화를 방지할 수 있고, 그 결과 발광 소자의 발광 특성이 향상될 수 있다.
양자점의 산화를 방지할 수 있는 항산화제라면 그 종류는 특별히 제한되지 않으나, 바람직하게는 항산제는 페놀계 화합물 및/또는 아민계 화합물을 포함하는 것일 수 있다. 예를 들어, 항산화제는 페놀계 화합물 및 아민계 화합물로 이루어진 일 군으로부터 선택된 적어도 하나의 화합물을 포함할 수 있다. 항산화제가 두 개 이상의 화합물을 포함하는 경우, 페놀계 화합물 및 아민계 화합물을 포함하거나, 페놀계 화합물 또는 아민계 화합물만 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 페놀계 화합물은 2,6-디-t-부틸-p-크레졸, 2,6-디페닐-4-옥타데실옥시페놀, 스테아릴(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트, 디스테아릴(3,5-디-t-부틸-4-히드록시벤질)포스포네이트, 트리데실·3,5-디제3부틸-4-히드록시벤질티오아세테이트, 티오디에틸렌비스[(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트], 4,4'-티오비스(6--t-부틸-m-크레졸), 2-옥틸티오-4,6-디(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페녹시)-s-트리아진, 2,2'-메틸렌비스(4-메틸-6-t-부틸페놀), 비스[3,3-비스(4-히드록시-3--t-부틸페닐)부티릭크애시드]글리콜에스테르, 4,4'-부틸리덴비스(2,6-디-t-부틸페놀), 4,4'-부틸리덴비스(6-t-부틸-3-메틸페놀), 2,2'-에틸리덴비스(4,6-디-t-부틸페놀), 1,1,3-트리스(2-메틸-4-히드록시-5-t-부틸페닐)부탄, 비스[2-제3부틸-4-메틸-6-(2-히드록시-3-t-부틸-5-메틸벤질)페닐]테레프탈레이트, 1,3,5-트리스(2,6-디메틸-3-히드록시-4-t-부틸벤질)이소시아눌레이트, 1,3,5-트리스(3,5-디-t-부틸-4-히드록시벤질)이소시아눌레이트, 1,3,5-트리스(3,5-디-t-부틸-4-히드록시벤질)-2,4,6-트리메틸벤젠, 1,3,5-트리스[(3,5-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피오닐옥시에틸]이소시아눌레이트, 테트라키스[메틸렌-3-(3', 5'-디-t-부틸-4'-히드록시페닐)프로피오네이트]메탄, 2-t-부틸-4-메틸-6-(2-아크릴로일옥시-3-t-부틸-5-메틸벤질)페놀, 3,9-비스[2-(3-t-부틸-4-히드록시-5-메틸히드로신나모일옥시)-1,1-디메틸에틸]-2,4,8,10-테트라옥사스피로[5.5]운데칸, 트리에틸렌글리콜비스[β-(3-t-부틸-4-히드록시-5-메틸페닐)프로피오네이트], 및 토코페놀 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다.
일 실시예에서, 아민계 화합물은 디페닐아민 유도체, 나프틸아민 유도체, 1,2-디히드로퀴놀린 유도체, 및 페닐렌디아민 유도체 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다.
디페닐아민 유도체는 디페닐아민, N-알릴디페닐아민, 및 4-이소프로폭시디페닐아민 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다.
나프틸아민 유도체는 N-페닐 1-나프틸아민, N-(4-삼차옥틸페닐)-1-나프틸아민, 및 N-페닐-2-나프틸아민 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다.
페닐렌디아민 유도체는 N,N'-디-이소프로필-p-페닐렌디아민, N,N'-디-이차부틸-p-페닐렌디아민, N,N'- 비스(1,4-디메틸펜틸)-p-페닐렌디아민, N,N'-비스(1-에틸-3-메틸펜틸)-p-페닐렌디아민, N,N'-비스(1-메틸헵틸)- p-페닐렌디아민, N,N'-디시클로헥실-p-페닐렌디아민, N,N'-디페닐-p-페닐렌디아민, N,N'-비스(2-나프틸)-p-페닐 렌디아민, N-이소프로필-N'-페닐-p-페닐렌디아민, N-(1,3-디메틸부틸)-N'-페닐-p-페닐렌디아민, N-(1-메틸헵 틸)-N'-페닐-p-페닐렌디아민, N-시클로헥실-N'-페닐-p-페닐렌디아민, 4-(p-톨루엔술파모일)-디페닐아민, 및 N,N'- 디메틸-N,N'-디-이차부틸-p-페닐렌디아민 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다.
1,2-디히드로퀴놀린 유도체는 2,2,4-트리메틸-1,2-디히드로퀴놀린, 6-에톡시-2,2,4-트리메틸-1,2-디히드로퀴놀린, 및 6-도데실-2,2,4-트리메틸-1,2-디히이드로퀴놀린 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다.
도 8 내지 도 14는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 발광 소자(ED1, ED2, ED3, ED4, ED5, ED6, ED7)를 나타낸 단면도들이다. 이하, 도 8 내지 도 14를 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 소자에 대해 설명한다. 도 4 내지 도 7에서 앞서 설명한 구성에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하고 전술한 내용은 생략한다.
도 8 내지 도 14를 참조하면, 일 실시예에 따른 발광 소자(ED1, ED2, ED3, ED4, ED5, ED6, ED7)는 산화방지층(AOL-1, AOL-2, AOL-3, AOL-4, AOL-6, AOL-7)를 더 포함할 수 있다. 산화방지층(AOL-1, AOL-2, AOL-3, AOL-4, AOL-6, AOL-7)은 전술한 항산화제를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따른 발광 소자(ED1, ED2, ED3, ED4, ED5, ED6, ED7)는 산화방지층(AOL-1, AOL-2, AOL-3, AOL-4, AOL-6, AOL-7)을 더 포함하여 발광 소자의 발광 효율 및 수명이 향상될 수 있다. 본 발명에서는 양자점을 발광 물질로 포함하는 발광 소자에 항산화제를 포함하는 산화방지층(AOL-1, AOL-2, AOL-3, AOL-4, AOL-6, AOL-7)을 도입하여 양자점의 산화를 방지할 수 있고, 그 결과 발광 소자의 발광 특성이 향상될 수 있다.
도 8을 참조하면, 일 실시예에 따른 발광 소자(ED1)는 제1 산화방지층(AOL-1)을 더 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 산화방지층(AOL-1)은 전자 수송 영역(ETR)과 발광층(EML)사이에 배치될 수 있다. 제1 산화방지층(AOL-1)은 발광층(EML) 상에 직접 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 전자 수송 영역(ETR)은 아연 산화물을 포함하고, 제1 산화방지층(AOL-1)은 전자 수송 영역(ETR)과 발광층(EML) 사이에 배치될 수 있다. 예를 들어, 전자 수송층(ETL)은 아연 산화물을 포함하고, 전자 수송층(ETL)과 발광층(EML) 사이에 제1 산화방지층(AOL-1)이 배치될 수 있다. 이 경우, 제1 산화방지층(AOL-1)은 아연과 결합 친화력이 큰 아민계 화합물을 포함할 수 있다.
제1 산화방지층(AOL-1)이 아민계 화합물을 포함할 경우 발광층에 포함된 양자점의 산화를 방지함과 동시에 아연 산화물을 포함하는 전자 수송층(ETL)의 표면 안정화를 이룰 수 있어 소자의 발광 효율이 더욱 향상될 수 있다.
도 9를 참조하면, 일 실시예에 따른 발광 소자(ED2)는 제2 산화방지층(AOL-2)을 더 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제2 산화방지층(AOL-2)은 정공 수송 영역(HTR)과 발광층(EML) 사이에 배치될 수 있다. 제2 산화방지층(AOL-2)은 발광층(EML) 하에 직접 배치될 수 있다.
도 10을 참조하면, 일 실시예에 따른 발광 소자(ED3)는 제1 산화방지층(AOL-1) 및 제2 산화방지층(AOL-2)을 더 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 산화방지층(AOL-1)은 전자 수송 영역(ETR)과 발광층(EML) 사이에 배치될 수 있다. 제2 산화방지층(AOL-2)은 정공 수송 영역(HTR)과 발광층(EML) 사이에 배치될 수 있다. 제1 산화방지층(AOL-1) 및 제2 산화방지층(AOL-2)은 각각 발광층(EML)과 직접 배치될 수 있다.
도 11을 참조하면, 일 실시예에 따른 발광 소자(ED4)는 제3 산화방지층(AOL-3)을 더 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제3 산화방지층(AOL-3)은 전자 수송 영역(ETR)과 제2 전극(EL2)사이에 배치될 수 있다.
도 12를 참조하면, 일 실시예에 따른 발광 소자(ED5)는 제4 산화방지층(AOL-4)을 더 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제4 산화방지층(AOL-4)는 제2 전극(EL2) 상에 배치될 수 있다.
한편, 화소 정의막(PDL, 도 17 참조) 상에 제5 산화방지층(AOL-5)이 배치될 수도 있다.
도 13를 참조하면, 일 실시예에 따른 발광 소자(ED6)는 제6 산화방지층(AOL-6)을 더 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제6 산화방지층(AOL-6)은 전자 주입층(EIL)과 전자 수송층(ETL) 사이에 배치될 수 있다.
도 14를 참조하면, 일 실시예에 따른 발광 소자(ED7)은 제7 산화방지층(AOL-7)을 더 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제7 산화방지층(AOL-7)은 정공 주입층(HIL)과 정공 수송층(HTL) 사이에 배치될 수 있다.
한편, 도 8, 9, 11 내지 14, 및 17에서, 발광 소자는 제1 내지 제7 산화방지층을 단독으로 포함하는 것으로 도시하였으나, 이에 제한되지 않으며 목적에 따라 발광 소자는 2개 이상의 산화방지층을 동시에 포함할 수 있다.
도 15는 일 실시예에 따른 표시 장치(DD)를 나타낸 평면도이다. 도 16는 일 실시예의 표시 장치(DD)의 단면도이다. 도 16은 도 15의 II-II'선에 대응하는 단면도이다. 도 15 및 도 16에 도시된 일 실시예에 따른 표시 장치(DD)에 대한 설명에 있어서, 도 1 내지 도 7에서 앞서 설명한 구성에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하고 전술한 내용은 생략한다.
도 15 및 도 16을 참조하면, 일 실시예의 표시 장치(DD)는 복수 개의 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)을 포함하고, 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)은 양자점(QD1, QD2, QD3)를 포함한 발광층(EL-B, EL-G, EL-R)을 포함한다.
또한, 일 실시예의 표시 장치(DD)는 복수 개의 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)을 포함하는 표시 패널(DP) 및 표시 패널(DP) 상에 배치된 광학 부재(PP)를 포함하는 것일 수 있다. 한편, 도면에 도시된 바와 달리 일 실시예의 표시 장치(DD)에서 광학 부재(PP)는 생략될 수 있다.
표시 패널(DP)은 베이스 기판(BS), 베이스 기판(BS) 상에 제공된 회로층(DP-CL) 및 표시 소자층(DP-EL)을 포함하고, 표시 소자층(DP-EL)은 화소 정의막(PDL), 화소 정의막(PDL) 사이에 배치된 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3), 및 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3) 상에 배치된 봉지층(TFE)을 포함할 수 있다.
표시 장치(DD)는 주변 영역(NPXA) 및 발광 영역들(PXA-B, PXA-G, PXA-R)을 포함할 수 있다. 발광 영역들(PXA-B, PXA-G, PXA-R) 각각은 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3) 각각에서 생성된 광이 방출되는 영역일 수 있다. 발광 영역들(PXA-B, PXA-G, PXA-R)은 평면 상에서 서로 이격된 것일 수 있다.
발광 영역들(PXA-B, PXA-G, PXA-R)은 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)에서 생성되는 광의 컬러에 따라 복수 개의 그룹으로 구분될 수 있다. 도 15 및 도 16에 도시된 일 실시예의 표시 장치(DD)에는 청색광, 녹색광, 및 적색광을 발광하는 3개의 발광 영역들(PXA-B, PXA-G, PXA-R)을 예시적으로 도시하였다. 예를 들어, 일 실시예의 표시 장치(DD)는 서로 구분되는 청색 발광 영역(PXA-B), 녹색 발광 영역(PXA-G), 및 적색 발광 영역(PXA-R)을 포함할 수 있다.
복수 개의 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)은 서로 상이한 파장 영역의 광을 방출하는 것일 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에서 표시 장치(DD)는 제1 광인 청색광을 방출하는 제1 발광 소자(ED-1), 제2 광인 녹색광을 방출하는 제2 발광 소자(ED-2), 및 제3 광인 적색광을 방출하는 제3 발광 소자(ED-3)을 포함할 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 제1 내지 제3 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)은 동일한 파장 영역의 광을 방출하는 것이거나 적어도 하나가 상이한 파장 영역의 광을 방출하는 것일 수 있다.
예를 들어, 표시 장치(DD)의 청색 발광 영역(PXA-B), 녹색 발광 영역(PXA-G), 및 적색 발광 영역(PXA-R)은 각각 제1 발광 소자(ED-1), 제2 발광 소자(ED-2), 및 제3 발광 소자(ED-3)에 대응할 수 있다.
제1 발광 소자(ED-1)의 제1 발광층(EL-B)은 제1 양자점(QD1)을 포함할 수 있다. 제2 발광 소자(ED-2)의 제2 발광층(EL-G)은 제2 양자점(QD2)을 포함할 수 있다. 제3 발광 소자(ED-3)의 제3 발광층(EL-R)은 제3 양자점(QD3)을 포함할 수 있다. 제1 양자점(QD1)은 제1 광인 청색광을 방출하고, 제2 양자점(QD2)은 제2 광인 녹색광을 방출하고, 제3 양자점(QD3)은 제3 광인 적색광을 방출하는 것일 수 있다. 일 실시예에서, 제1 광은 410nm 내지 480nm 파장 영역에서 중심파장을 가지는 광이고, 제2 광은 500nm 내지 570nm 파장 영역에서 중심파장을 가지는 광이고, 제3 광은 625nm 내지 675nm 파장 영역에서 중심파장을 가지는 광일 수 있다.
양자점(QD1, QD2, QD3)은 입자 크기에 따라 방출하는 광의 색상을 조절 할 수 있으며, 이에 따라 양자점(QD1, QD2, QD3)은 청색, 적색, 녹색 등 다양한 발광 색상을 가질 수 있다. 양자점(QD1, QD2, QD3)의 입자 크기가 작을수록 단파장 영역의 광을 발광하는 것일 수 있다. 예를 들어, 동일한 코어를 갖는 양자점(QD1, QD2, QD3)에서 녹색광을 방출하는 제2 양자점(QD2)의 입자 크기는 적색광을 방출하는 제3 양자점(QD3)의 입자 크기 보다 작은 것일 수 있다. 또한, 동일한 코어를 갖는 양자점(QD1, QD2, QD3)에서 청색광을 방출하는 제1 양자점(QD1)의 입자 크기는 녹색광을 방출하는 제2 양자점(QD2)의 입자 크기 보다 작은 것일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 동일한 코어를 갖는 양자점(QD1, QD2, QD3)에서도 쉘의 형성 재료 및 쉘 두께 등에 따라 입자 크기가 조절될 수 있다. 한편, 양자점(QD1, QD2, QD3)이 청색, 적색, 녹색 등 다양한 발광 색상을 가질 경우 상이한 발광 색을 갖는 양자점(QD1, QD2, QD3)은 코어의 재료가 서로 상이한 것일 수도 있다.
일 실시예의 복수의 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)에서 발광층(EL-B, EL-G, EL-R)은 호스트 및 도펀트를 포함하는 것일 수 있다. 일 실시예에서 발광층(EL-B, EL-G, EL-R)은 양자점(QD1, QD2, QD3)을 도펀트 재료로 포함하는 것일 수 있다. 또한, 일 실시예에서 발광층(EL-B, EL-G, EL-R)은 호스트 재료를 더 포함할 수 있다. 한편, 일 실시예의 복수의 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)에서 발광층(EL-B, EL-G, EL-R)은 형광 발광하는 것일 수 있다. 예를 들어, 양자점(QD1, QD2, QD3)은 형광 도펀트 재료로 사용될 수 있다.
도시하지는 않았으나, 제1 내지 제3 양자점들(QD1, QD2, QD3) 각각은 양자점 표면에 분산성 향상을 위한 리간드 등이 결합한 것일 수도 있다.
일 실시예에서, 표시 장치(DD)에 포함되는 발광층(EML-B, EML-G, EML-R)중 적어도 하나는 전술한 항산화제를 더 포함할 수 있다. 양자점을 포함하는 발광 소자의 제조 공정이나 구동에 있어 외부 환경에 노출되는 경우 수분 및 산소가 소자에 지속적으로 영향을 끼쳐 소자의 열화 가능성이 높아질 수 있다. 또한, 양자점의 경우 장기간 산소에 노출되면 표면 결함이 형성되어 이로 인해 소자의 발광 효율 및 수명이 떨어질 수 있다. 본 발명의 실시예에 따른 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)의 경우 발광층(EML)에 항산화제를 더 포함하여 양자점의 산화를 방지할 수 있고, 궁극적으로 소자의 발광 특성을 향상시킬 수 있다.
일 실시예에서 발광층(EML-B, EML-G, EML-R)이 항산화제를 더 포함하는 경우, 항산화제는 양자점의 총 중량을 기준으로 1 질량% 내지 20 질량% 일 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 15 및 도 16에 도시된 일 실시예의 표시 장치(DD)에서, 발광 영역들(PXA-B, PXA-G, PXA-R) 각각의 면적은 서로 상이할 수 있다. 이때 면적은 제1 방향(DR1)과 제2 방향(DR2)이 정의하는 평면 상에서 보았을 때의 면적을 의미할 수 있다.
발광 영역들(PXA-B, PXA-G, PXA-R)은 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)의 발광층(EL-B, EL-G, EL-R)에서 발광하는 컬러에 따라 다른 면적을 가질 수 있다. 예를 들어, 도 15 및 도 16을 참조하면, 일 실시예의 표시 장치(DD)에서는 청색광을 방출하는 제1 발광 소자(ED-1)에 대응하는 청색 발광 영역(PXA-B)이 가장 큰 면적을 갖고, 녹색광을 생성하는 제2 발광 소자(ED-2)에 대응하는 녹색 발광 영역(PXA-G)이 가장 작은 면적을 가질 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 발광 영역들(PXA-B, PXA-G, PXA-R)은 청색광, 녹색광, 적색광 이외의 다른 색의 광을 발광하는 것이거나, 또는 발광 영역들(PXA-B, PXA-G, PXA-R)은 동일한 면적을 가지거나, 또는 도 15에서 도시된 것과 다른 면적 비율로 발광 영역들(PXA-B, PXA-G, PXA-R)이 제공될 수 있다.
발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 각각은 화소 정의막(PDL)으로 구분되는 영역일 수 있다. 주변 영역들(NPXA)은 이웃하는 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)사이의 영역들로 화소 정의막(PDL)과 대응하는 영역일 수 있다. 한편, 본 명세서에서 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 각각은 화소(Pixel)에 대응하는 것일 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)을 구분하는 것일 수 있다. 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)의 발광층(EL-B, EL-G, EL-R)은 화소 정의막(PDL)에 정의되는 개구부(OH)에 배치되어 구분될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 발광 소자(ED-1)의 제1 발광층(EL-B)은 제1 개구부(OH1) 내에 배치되고, 제2 발광 소자(ED-2)의 제2 발광층(EL-G)은 제2 개구부(OH2) 내에 배치되고, 제3 발광 소자(ED-3)의 제3 발광층(EL-R)은 제3 개구부(OH3) 내에 배치될 수 있다.
화소 정의막(PDL)은 고분자 수지로 형성될 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(PDL)은 폴리아크릴레이트(Polyacrylate)계 수지 또는 폴리이미드(Polyimide)계 수지를 포함하여 형성될 수 있다. 또한, 화소 정의막(PDL)은 고분자 수지 이외에 무기물을 더 포함하여 형성될 수 있다. 한편, 화소 정의막(PDL)은 광흡수 물질을 포함하여 형성되거나, 블랙 안료 또는 블랙 염료를 포함하여 형성될 수 있다. 블랙 안료 또는 블랙 염료를 포함하여 형성된 화소 정의막(PDL)은 블랙 화소 정의막을 구현할 수 있다. 화소 정의막(PDL) 형성 시 블랙 안료 또는 블랙 염료로는 카본 블랙 등이 사용될 수 있으나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 일 실시예에서 화소 정의막(PDL)은 전술한 항산화제를 더 포함하는 것일 수 있다.
또한, 화소 정의막(PDL)은 무기물로 형성될 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(PDL)은 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx), 질산화규소(SiOxNy), 산질화규소(SiNxOy) 등을 포함하여 형성되는 것일 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 발광 영역들(PXA-B, PXA-G, PXA-R)을 정의하는 것일 수 있다. 화소 정의막(PDL)에 의해 발광 영역들(PXA-B, PXA-G, PXA-R)과 주변 영역(NPXA)이 구분될 수 있다.
발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3) 각각은 제1 전극(EL1), 제1 전극(EL1) 상에 배치되는 정공 수송 영역(HTR-1, HTR-2, HTR-3), 정공 수송 영역(HTR-1, HTR-2, HTR-3) 상에 배치되는 발광층(EL-B, EL-G, EL-R), 발광층(EL-B, EL-G, EL-R) 상애 배치되는 전자 수송 영역(ETR-1, ETR-2, ETR-3), 및 전자 수송 영역(ETR-1, ETR-2, ETR-3) 상에 배치되는 제2 전극(EL2)을 포함할 수 있다. 한편, 도시하지 않았으나, 일 실시예에 따른 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3) 각각은 도 8 내지 14에 따른 산화방지층 중 하나 이상을 더 포함할 수 있다.
발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3) 각각에 포함된 정공 수송 영역(HTR-1, HTR-2, HTR-3) 및 전자 수송 영역(ETR-1, ETR-2, ETR-3)은 각각 화소 정의막(PDL)에 정의되는 개구부(OH1, OH2, OH3)에 배치되어 구분될 수 있다.
예를 들어, 제1 발광 소자(ED-1) 내에 포함된 제1 정공 수송 영역(HTR-1)과 제1 전자 수송 영역(ETR-1)은 제1 발광층(EL-B)에 인접하게 배치되고, 제1 발광층(EL-B)이 배치된 제1 개구부(OH1) 내지 패터닝되어 배치될 수 있다. 제2 발광 소자(ED-2) 내에 포함된 제2 정공 수송 영역(HTR-2)과 제2 전자 수송 영역(ETR-2)은 제2 발광층(EL-G)에 인접하게 배치되고, 제2 발광층(EL-G)이 배치된 제2 개구부(OH2) 내에 패터닝되어 배치될 수 있다. 제3 발광 소자(ED-3)에 포함된 제3 정공 수송 영역(HTR-3)과 제3 전자 수송 영역(ETR-3)은 제3 발광층(EL-R)에 인접하게 배치되고, 제3 발광층(EL-R)이 배치된 제3 개구부(OH3) 내에 패터닝되어 배치될 수 있다. 다만 이에 제한되는 것은 아니며, 정공 수송 영역(HTR-1, HTR-2, HTR-3) 및 전자 수송 영역(ETR-1, ETR-2, ETR-3)은 화소 영역들(PXA-B, PXA-G, PXA-R)과 주변 영역(NPXA)에 공통으로 배치되는 공통층으로 제공될 수도 있다.
일 실시예에서, 정공 수송 영역(HTR-1, HTR-2, HTR-3)과 전자 수송 영역(ETR-1, ETR-2, ETR-3) 각각은 화소 정의막(PDL)에 정의되는 개구부(OH) 내에 프린팅 공정을 통해 제공될 수 있다.
봉지층(TFE)은 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)을 커버하는 것일 수 있다. 봉지층(TFE)은 표시 소자층(DP-EL)을 밀봉하는 것일 수 있다. 봉지층(TFE)은 박막 봉지층일 수 있다. 봉지층(TFE)은 하나의 층 또는 복수의 층들이 적층된 것일 수 있다. 봉지층(TFE)은 적어도 하나의 절연층을 포함한다. 일 실시예에 따른 봉지층(TFE)은 적어도 하나의 무기막(이하, 봉지 무기막)을 포함할 수 있다. 또한, 일 실시예에 따른 봉지층(TFE)은 적어도 하나의 유기막(이하, 봉지 유기막) 및 적어도 하나의 봉지 무기막을 포함할 수 있다.
봉지 무기막은 수분/산소로부터 표시 소자층(DP-EL)을 보호하고, 봉지 유기막은 먼지 입자와 같은 이물질로부터 표시 소자층(DP-EL)을 보호한다. 봉지 무기막은 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시 나이트라이드, 실리콘 옥사이드, 티타늄옥사이드, 또는 알루미늄옥사이드 등을 포함할 수 있고, 이에 특별히 제한되지 않는다. 봉지 유기막은 아크릴계 화합물, 에폭시계 화합물 등을 포함하는 것일 수 있다. 봉지 유기막은 광중합 가능한 유기물질을 포함하는 것일 수 있으며 특별히 제한되지 않는다.
봉지층(TFE)은 제2 전극(EL2) 상에 배치되고, 개구부(OH)를 채우고 배치될 수 있다.
한편, 도 16에 도시된 일 실시예의 표시 장치(DD)에서는 제1 내지 제3 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)의 발광층들(EL-B, EL-G, EL-R)의 두께가 모두 유사한 것을 도시하였으나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 일 실시예에서 제1 내지 제3 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)의 발광층(EL-B, EL-G, EL-R)들의 두께는 서로 상이한 것일 수 있다. 또한, 제1 내지 제3 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)의 정공 수송 영역(HTR-1, HTR-2, HTR-3) 및 전자 수송 영역(ETR-1, ETR-2, ETR-3)의 두께 또한 서로 상이한 것일 수 있다.
도 15를 참조하면, 청색 발광 영역들(PXA-B)과 적색 발광 영역들(PXA-R)은 제1 방향(DR1)을 따라 번갈아 배열되어 제1 그룹(PXG1)을 구성할 수 있다. 녹색 발광 영역들(PXA-G)은 제1 방향(DR1)을 따라 배열되어 제2 그룹(PXG2)을 구성할 수 있다.
제1 그룹(PXG1)은 제2 그룹(PXG2)과 제2 방향(DR2)으로 이격되어 배치될 수 있다. 제1 그룹(PXG1) 및 제2 그룹(PXG2) 각각은 복수로 제공될 수 있다. 제1 그룹들(PXG1)과 제2 그룹들(PXG2)은 제2 방향(DR2)을 따라 서로 번갈아 배열될 수 있다.
하나의 녹색 발광 영역(PXA-G)은 하나의 청색 발광 영역(PXA-B) 또는 하나의 적색 발광 영역(PXA-R)으로부터 제4 방향(DR4)으로 이격되어 배치될 수 있다. 제4 방향(DR4)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2) 사이의 방향일 수 있다.
도 15에 도시된 발광 영역들(PXA-B, PXA-G, PXA-R)의 배열 구조는 펜타일 구조라 명칭될 수 있다. 다만, 일 실시예에 따른 표시 장치(DD)에서의 발광 영역들(PXA-B, PXA-G, PXA-R)의 배열 구조는 도 15에 도시된 배열 구조에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 일 실시예에서 발광 영역들(PXA-B, PXA-G, PXA-R)은 제1 방향(DR1)을 따라, 청색 발광 영역(PXA-B), 녹색 발광 영역(PXA-G), 및 적색 발광 영역(PXA-R)이 순차적으로 번갈아 가며 배열되는 스트라이프 구조를 가질 수도 있다.
도 3 및 도 16을 참조하면, 일 실시예의 표시 장치(DD)는 광학 부재(PP)를 더 포함할 수 있다. 광학 부재(PP)는 표시 장치(DD) 외부에서 표시 패널(DP)로 제공되는 외부광을 차단하는 것일 수 있다. 광학 부재(PP)는 외부광 중 일부를 차단할 수 있다. 광학 부재(PP)는 외부광에 의한 반사를 최소화하는 반사 방지 기능을 하는 것일 수 있다.
도 16에 도시된 일 실시예에서 광학 부재(PP)는 컬러필터층(CFL)을 포함하는 것일 수 있다. 즉, 일 실시예의 표시 장치(DD)는 표시 패널(DP)의 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3) 상에 배치된 컬러필터층(CFL)을 더 포함할 수 있다.
일 실시예의 표시 장치(DD)에서 광학 부재(PP)는 베이스층(BL) 및 컬러필터층(CFL)을 포함하는 것일 수 있다.
베이스층(BL)은 컬러필터층(CFL) 등이 배치되는 베이스 면을 제공하는 부재일 수 있다. 베이스층(BL)은 유리기판, 금속기판, 플라스틱기판 등일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 베이스층(BL)은 무기층, 유기층 또는 복합재료층일 수 있다.
컬러필터층(CFL)은 차광부(BM) 및 컬러필터부(CF)를 포함하는 것일 수 있다. 컬러필터부(CF)는 복수 개의 필터들(CF-B, CF-G, CF-R)을 포함할 수 있다. 즉, 컬러필터층(CFL)은 제1 광을 투과시키는 제1 필터(CF-B), 제2 광을 투과시키는 제2 필터(CF-G), 및 제3 광을 투과시키는 제3 필터(CF-R)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 필터(CF-B)는 청색 필터, 제2 필터(CF-G)는 녹색 필터이고, 제3 필터(CF-R)는 적색 필터일 수 있다.
필터들(CF-B, CF-G, CF-R) 각각은 고분자 감광수지와 안료 또는 염료를 포함하는 것일 수 있다. 제1 필터(CF-B)는 청색 안료 또는 염료를 포함하고, 제2 필터(CF-G)는 녹색 안료 또는 염료를 포함하며, 제3 필터(CF-R)는 적색 안료 또는 염료를 포함하는 것일 수 있다.
한편, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 제1 필터(CF-B)는 안료 또는 염료를 포함하지 않는 것일 수 있다. 제1 필터(CF-B)는 고분자 감광수지를 포함하고 안료 또는 염료를 미포함하는 것일 수 있다. 제1 필터(CF-B)는 투명한 것일 수 있다. 제1 필터(CF-B)는 투명 감광수지로 형성된 것일 수 있다.
차광부(BM)는 블랙 매트릭스일 수 있다. 차광부(BM)는 흑색 안료 또는 흑색염료를 포함하는 유기 차광 물질 또는 무기 차광 물질을 포함하여 형성될 수 있다. 차광부(BM)는 빛샘 현상을 방지하고, 인접하는 필터들(CF-B, CF-G, CF-R) 사이의 경계를 구분하는 것일 수 있다.
컬러필터층(CFL)은 버퍼층(BFL)을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(BFL)은 필터들(CF-B, CF-G, CF-R을 보호하는 보호층일 수 있다. 버퍼층(BFL)은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 실리콘 산질화물 중 적어도 하나의 무기물을 포함하는 무기물층일 수 있다. 버퍼층(BFL)은 단일층 또는 복수의 층으로 이루어질 수 있다.
도 16에 도시된 일 실시예에서 컬러필터층(CFL)의 제1 필터(CF-B)는 제2 필터(CF-G) 및 제3 필터(CF-R)와 중첩하는 것으로 도시되었으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제1 내지 제3 필터(CF-B, CF-G, CF-R)는 차광부(BM)에 의해 구분되고 서로 비중첩할 수 있다. 한편, 일 실시예에서 제1 내지 제3 필터(CF-B, CF-G, CF-R) 각각은 청색 발광 영역(PXA-B), 녹색 발광 영역(PXA-G), 및 적색 발광 영역(PXA-R) 각각에 대응하여 배치될 수 있다.
도 16 등에 도시된 바와 달리, 일 실시예의 표시 장치(DD)는 광학 부재(PP)로 컬러필터층(CFL)을 대신하여 편광층(미도시)를 포함하는 것일 수 있다. 편광층(미도시)은 외부에서 표시 패널(DP)로 제공되는 외부광을 차단하는 것일 수 있다. 편광층(미도시)은 외부광 중 일부를 차단할 수 있다.
또한, 편광층(미도시)은 외부광에 의해 표시 패널(DP)에서 발생하는 반사광을 저감시키는 것일 수 있다. 예를 들어, 편광층(미도시)은 표시 장치(DD)의 외부에서 제공되는 광이 표시 패널(DP)로 입사되어 다시 출사되는 경우의 반사광을 차단하는 기능을 하는 것일 수 있다. 편광층(미도시)은 반사 방지 기능을 갖는 원편광자이거나 또는 편광층(미도시)은 선편광자와 λ/4 위상 지연자를 포함하는 것일 수 있다. 한편, 편광층(미도시)은 베이스층(BL) 상에 배치되어 노출되는 것이거나, 또는 편광층(미도시)은 베이스층(BL) 하부에 배치되는 것일 수 있다.
도면에 도시하지는 않았으나, 일 실시예의 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)은 역구조를 가질 수도 있다. 즉, 일 실시예의 복수의 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3) 각각은 제1 전극(EL1), 제1 전극(EL1) 상에 배치되는 전자 수송 영역(ETR-1, ETR-2, ETR-3), 전자 수송 영역(ETR-1, ETR-2, ETR-3) 상에 배치되는 발광층(EML-B, EML-G, EML-R), 발광층(EML-B, EML-G, EML-R) 상에 배치되는 정공 수송 영역(HTR-1, HTR-2, HTR-3), 정공 수송 영역(HTR-1, HTR-2, HTR-3) 상에 배치되는 제2 전극(EL2)을 포함할 수 있다.
도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(DD-1)를 나타낸 단면도이다. 도 17에 도시된 일 실시예에 따른 표시 장치(DD-1)에 대한 설명에 있어서, 도 16에서 앞서 설명한 구성에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하고 전술한 내용은 생략한다.
도 17에 도시된 일 실시예의 표시 장치(DD-1)은 복수 개의 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)을 포함하는 표시 패널(DP) 및 광학 부재(PP)를 포함하는 것일 수 있다. 도 17에 도시된 표시 장치(DD-1)에 포함된 베이스 기판(BS), 회로층(DP-CL), 및 광학 부재(PP)에 대하여는 상술한 도 16에서 설명한 내용과 동일한 내용이 적용될 수 있다.
도 17에 도시된 일 실시예의 표시 장치(DD-1)는 도 16에 도시된 일 실시예의 표시 장치(DD)와 비교하여 표시 소자층(DP-EL)에 있어서 차이가 있다. 도 17에 도시된 일 실시예의 표시 장치(DD-1)에 포함된 표시 소자층(DP-EL)은 제5 산화방지층(AOL-5)을 더 포함하는 것일 수 있다.
즉, 일 실시예에서 표시 소자층(DP-EL)은 화소 정의막(PDL), 화소 정의막(PDL) 상에 배치된 제5 산화방지층(AOL-5), 화소 정의막(PDL) 사이에 배치된 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3), 및 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3) 상에 배치된 봉지층(TFE)을 포함할 수 있다.
화소 정의막(PDL) 상면에는 양자점 산화를 방지하기 위해 제5 산화방지층(AOL-5)이 형성될 수 있다. 제5 산화방지층(AOL-5)은 복수의 개구부들(OH1, OH2, OH3)이 정의된 화소 정의막(PDL) 상에 배치되고, 적어도 일부가 제2 전극(EL2)과 접촉할 수 있다.
제5 산화방지층(AOL-5)은 전술한 일 실시예의 항산화제를 포함할 수 있다. 따라서, 제5 산화방지층(AOL-5)는 외부 환경에 의한 양자점의 산화를 방지하는 것일 수 있다. 예를 들어, 발광 소자의 패턴화 공정 및 소자 구동시 산소나 수분에 의해 발생할 수 있는 양자점 표면 결함을 방지하는 기능을 하는 것일 수 있다.
한편, 도시하지는 않았지만, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(DD-1)는 도 8 및 도 14에서 전술한 바와 같이 화소 정의막(PDL) 상면 이외에 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)에 포함되는 다른 기능층들 사이에 산화방지층이 배치될 수도 있다. 예를 들어, 전자 수송 영역(ETR-1, ETR-2, ETR-3)과 발광층(EML-B, EML-G, EML-R) 사이, 발광층(EML-B, EML-G, EML-R)과 정공 수송 영역(HTR-1, HTR-2, HTR-3) 사이, 발광층(EML-B, EML-G, EML-R)과 제2 전극(EL2) 사이, 제2 전극(EL2) 상면 중 적어도 어느 하나에 산화방지층이 배치될 수 있다.
다만, 이에 한정되지 않고 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)에서 전자 수송 영역(ETR-1, ETR-2, ETR-3)은 전자 주입층 및 전자 수송층을 더 포함할 수 있고, 전자 주입층과 전자 수송층 사이에 산화방지층이 더 배치될 수도 있다. 또한, 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)에서 정공 수송 영역(HTR-1, HTR-2, HTR-3)은 정공 주입층 및 정공 수송층를 더 포함할 수 있고, 정공 주입층과 정공 수송층 사이에 산화방지층이 더 배치될 수도 있다.
이하, 구체적인 실시예 및 비교예를 통해 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다. 하기 실시예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 예시에 불과하며, 본 발명의 범위가 이에 한정되는 것은 아니다.
(소자 작성예)
실시예 및 비교예에 따른 발광 소자의 특성을 평가하기 위하여 일 실시예의 발광 소자를 아래의 방법으로 제조하였다. 항산화제로서 2,6-디-t-부틸-p-크레졸을 전자 수송층에 첨가하여 실시예 1의 발광 소자를 제작하였다. 비교예 1의 발광 소자는 전자 수송층에 항산화제를 포함하지 않은 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 제작하였다.
실시예 1
ITO 유리 기판(25 × 25 mm)을 증류수 및 이소프로판올을 사용하여 초음파 세척을 순차적으로 실시한 후, UV 오존 세정을 30분간 실시하였다. 세정 후의 기판 위에 PEDOT-PSS(clevios AI4083)을 잉크젯을 이용하여 적하한 후, 30분 간 110℃의 온도로 베이킹함으로써 200nm 두께의 정공 주입층을 형성하였다. 폴리비닐카바졸을 클로로벤젠에 1.1 중량%로 녹인 폴리비닐카바졸 용액을 제조한 뒤, 상기 용액을 잉크젯을 이용하여 상기 정공주입층 상에 적하한 후, 이를 질소 분위기 하의 글러브 박스에서 30분간 150℃의 온도로 베이킹함으로써 40nm의 정공 수송층을 형성하였다.
제조된 QD를 잉크젯을 이용하여 상기 정공 수송층 상에 적하한 후, 질소 분위기 하의 글러브 박스에서 30분간 110℃의 온도로 베이킹하여 20nm의 두께를 갖는 발광층을 형성하였다. 이어서, 에탄올에 ZnO 나노입자를 2.0 중량%로 분산시킨 분산액을 제조한 뒤, 상기 분산액에 항산화제로 2,6-디-t-부틸-p-크레졸을 ZnO 대비 10wt% 첨가하여 제조한 잉크 용액을 상기 발광층 상에 잉크젯을 이용하여 적하한 뒤, 이를 질소 분위기 하의 글러브 박스에서 30분간 110℃의 온도로 베이킹함으로써 60nm 두께의 전자 수송층을 형성하였다. 상기 전자 수송층 상에 열 증착법을 통해 알루미늄(Al)을 100nm의 두께로 증착하여 음극을 형성하였다.
비교예 1
상기 실시예 1 중, 항산화제인 2,6-디-t-부틸-p-크레졸을 사용하지 않은 점을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 발광 소자를 제조하였다.
(발광 소자의 특성 평가)
실시예 및 비교예에 따른 발광 소자의 특성을 평가하기 위하여 발광 효율, 양자 효율, 및 구동전압을 측정하였다. 표 1에서는 제작된 발광 소자에 대하여 전류 밀도 10mA/cm2, 휘도 520cd/m2 때의 발광 효율(cd/A), 양자 효율(%), 및 구동전압(V)을 나타내었다.
| 발광 효율 (cd/A) |
전압 (V) |
|
| 실시예 1 | 7.1 | 3.1 |
| 비교예 1 | 6.7 | 3.2 |
표 1의 결과를 참조하면, 항산화제를 포함하는 실시예 1의 경우, 항산화제를 포함하지 않는 비교예 1과 비교하여 상대적으로 높은 발광 효율 및 저 구동 전압을 나타내는 것을 확인할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자는 항산화제를 포함함으로써 높은 발광 효율 및 저 구동 전압을 구현할 수 있다.
이상, 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징으로 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
DD, DD-1 : 표시 장치
ED : 발광 소자 EL1 : 제1 전극
EL2 : 제2 전극 HTR : 정공 수송 영역
EML : 발광층 ETR : 전자 수송 영역
AOL-1 : 제1 산화방지층 AOL-2 : 제2 산화방지층
AOL-3 : 제3 산화방지층 AOL-4 : 제4 산화방지층
AOL-5 : 제5 산화방지층 AOL-6 : 제6 산화방지층
AOL-7 : 제7 산화방지층
ED : 발광 소자 EL1 : 제1 전극
EL2 : 제2 전극 HTR : 정공 수송 영역
EML : 발광층 ETR : 전자 수송 영역
AOL-1 : 제1 산화방지층 AOL-2 : 제2 산화방지층
AOL-3 : 제3 산화방지층 AOL-4 : 제4 산화방지층
AOL-5 : 제5 산화방지층 AOL-6 : 제6 산화방지층
AOL-7 : 제7 산화방지층
Claims (20)
- 제1 전극;
상기 제1 전극 상에 배치된 정공 수송 영역;
상기 정공 수송 영역 상에 배치되고, 양자점을 포함하는 발광층;
상기 발광층 상에 배치된 전자 수송 영역; 및
상기 전자 수송 영역 상에 배치된 제2 전극; 을 포함하고,
상기 정공 수송 영역 및 상기 전자 수송 영역 중 적어도 하나는 항산화제를 포함하는 발광 소자. - 제1 항에 있어서,
상기 항산화제는 페놀계 화합물 또는 아민계 화합물을 포함하는 발광 소자. - 제1 항에 있어서,
상기 전자 수송 영역은
상기 발광층 상에 배치되는 전자 수송층; 및
상기 전자 수송층 상에 배치되는 전자 주입층; 을 포함하고,
상기 전자 수송층 및 상기 전자 주입층 중 적어도 하나가 상기 항산화제를 포함하는 발광 소자. - 제3 항에 있어서,
상기 전자 수송층은 아연 산화물 및 상기 항산화제를 포함하고,
상기 전자 수송층은 상기 발광층 상에 직접 배치되는 발광 소자. - 제1 항에 있어서,
상기 정공 수송 영역은
상기 제1 전극 상에 배치되는 정공 주입층; 및
상기 정공 주입층 상에 배치되는 정공 수송층; 을 포함하고,
상기 정공 주입층 및 상기 정공 수송층 중 적어도 하나가 상기 항산화제를 포함하는 발광 소자. - 제1 항에 있어서,
상기 발광층은 상기 항산화제를 포함하고,
상기 양자점의 총 중량을 기준으로 상기 항산화제의 함량은 0.1 질량% 내지 10 질량%인 발광 소자. - 제1 항에 있어서,
상기 전자 수송 영역과 상기 발광층 사이에 배치되고, 상기 항산화제를 포함하는 제1 산화방지층을 더 포함하는 발광 소자. - 제1 항에 있어서,
상기 정공 수송 영역과 상기 발광층 사이에 배치되고, 상기 항산화제를 포함하는 제2 산화방지층을 더 포함하는 발광 소자. - 제1 전극;
상기 제1 전극 상에 배치된 정공 수송 영역;
상기 정공 수송 영역 상에 배치되고, 양자점을 포함하는 발광층;
상기 발광층 상에 배치된 전자 수송 영역;
상기 전자 수송 영역 상에 배치된 제2 전극; 및
상기 정공 수송 영역 상에 배치되는 산화방지층; 을 포함하고,
상기 산화방지층은 항산화제를 포함하는 발광 소자. - 제9 항에 있어서,
상기 전자 수송 영역은 아연 산화물을 포함하고,
상기 산화방지층은 상기 전자 수송 영역과 상기 발광층 사이에 배치되고,
상기 항산화제는 아민계 화합물을 포함하는 발광 소자. - 제9 항에 있어서,
상기 산화방지층은 상기 정공 수송 영역과 상기 발광층 사이에 배치되는 것인 발광 소자. - 제9 항에 있어서,
상기 산화방지층은 상기 전자 수송 영역과 상기 제2 전극 사이에 배치되는 것인 발광 소자. - 제9 항에 있어서,
상기 산화방지층은 상기 제2 전극 상에 배치되는 것인 발광 소자. - 베이스층 및 상기 베이스층 상에 배치되는 복수의 발광 소자들을 포함하는 표시 패널; 및
상기 표시 패널 상에 배치되는 광학 부재; 를 포함하고,
상기 복수의 발광 소자들 각각은
제1 전극;
상기 제1 전극 상에 배치되는 정공 수송 영역;
상기 정공 수송 영역 상에 배치되고, 양자점을 포함하는 발광층;
상기 발광층 상에 배치되는 전자 수송 영역; 및
상기 전자 수송 영역 상에 배치되는 제2 전극; 을 포함하고,
상기 정공 수송 영역 및 상기 전자 수송 영역 중 적어도 하나는 항산화제를 포함하는 표시 장치. - 제14 항에 있어서,
상기 복수의 발광 소자들은
제1 광을 방출하는 제1 양자점을 포함하는 제1 발광 소자;
상기 제1 광 보다 장파장인 제2 광을 방출하는 제2 양자점을 포함하는 제2 발광 소자; 및
상기 제1 광 및 상기 제2 광 보다 장파장인 제3 광을 방출하는 제3 양자점을 포함하는 제3 발광 소자; 를 포함하는 표시 장치. - 제15 항에 있어서,
상기 광학 부재는 컬러필터층을 포함하고,
상기 컬러필터층은
상기 제1 광을 투과시키는 제1 필터;
상기 제2 광을 투과시키는 제2 필터; 및
상기 제3 광을 투과시키는 제3 필터; 를 포함하는 표시 장치. - 제14 항에 있어서,
상기 전자 수송 영역과 상기 발광층 사이에 배치되고, 상기 항산화제를 포함하는 제1 산화방지층; 또는
상기 정공 수송 영역과 상기 발광층 사이에 배치되고, 상기 항산화제를 포함하는 제2 산화방지층; 을 더 포함하는 표시 장치. - 제17 항에 있어서,
상기 전자 수송 영역은 아연 산화물을 포함하고,
상기 항산화제는 아민계 화합물을 포함하는 표시 장치. - 제14 항에 있어서,
상기 표시 패널은
상기 베이스층 상에 배치되고, 상기 복수의 발광 소자들 각각에 대응하는 복수의 개구부들이 정의된 화소정의막; 및
상기 화소정의막 상에 배치되고, 상기 항산화제를 포함하는 제5 산화방지층; 을 더 포함하는 표시 장치. - 제14 항에 있어서,
상기 표시 패널은 상기 베이스층 상에 배치되고, 상기 복수의 발광 소자 각각에 대응하는 복수의 개구부들이 정의된 화소정의막을 더 포함하고,
상기 화소정의막은 상기 항산화제를 포함하는 표시 장치.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020200148904A KR20220063813A (ko) | 2020-11-09 | 2020-11-09 | 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| CN202111019823.5A CN114464741A (zh) | 2020-11-09 | 2021-09-01 | 发光元件以及包括该发光元件的显示装置 |
| US17/450,827 US20220149306A1 (en) | 2020-11-09 | 2021-10-13 | Light emitting element and display device including the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020200148904A KR20220063813A (ko) | 2020-11-09 | 2020-11-09 | 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20220063813A true KR20220063813A (ko) | 2022-05-18 |
Family
ID=81406610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020200148904A KR20220063813A (ko) | 2020-11-09 | 2020-11-09 | 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20220149306A1 (ko) |
| KR (1) | KR20220063813A (ko) |
| CN (1) | CN114464741A (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2024033997A1 (ja) * | 2022-08-09 | 2024-02-15 | シャープディスプレイテクノロジー株式会社 | 発光素子およびその製造方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201805404A (zh) * | 2016-03-24 | 2018-02-16 | ３Ｍ新設資產公司 | 量子點組成物及量子點物品 |
| KR20180054262A (ko) * | 2016-11-15 | 2018-05-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 양자점 발광다이오드 및 이를 이용한 발광 표시장치 |
| KR20180071844A (ko) * | 2016-12-20 | 2018-06-28 | 서울대학교산학협력단 | 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
| CN109494307B (zh) * | 2017-09-12 | 2021-06-08 | 乐金显示有限公司 | 量子点发光二极管以及包括该量子点发光二极管的量子点显示设备 |
| KR102452650B1 (ko) * | 2017-12-19 | 2022-10-06 | 삼성전자주식회사 | 전계 발광 소자, 및 표시 장치 |
| US11005060B2 (en) * | 2018-03-19 | 2021-05-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electroluminescent device, and display device comprising thereof |
-
2020
- 2020-11-09 KR KR1020200148904A patent/KR20220063813A/ko active Search and Examination
-
2021
- 2021-09-01 CN CN202111019823.5A patent/CN114464741A/zh active Pending
- 2021-10-13 US US17/450,827 patent/US20220149306A1/en active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN114464741A (zh) | 2022-05-10 |
| US20220149306A1 (en) | 2022-05-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP3772534A1 (en) | Quantum dot composition, light emitting diode and display device including the light emitting diode | |
| KR102643651B1 (ko) | 발광 소자, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치 | |
| US11737294B2 (en) | Quantum dot composition, light emitting diode and display device including the light emitting diode | |
| KR20210149971A (ko) | 양자점 조성물, 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 | |
| KR20210031027A (ko) | 양자점 조성물, 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 | |
| KR20210149968A (ko) | 양자점 조성물, 발광 소자 및 이의 제조방법 | |
| CN116113253A (zh) | 发光装置和包括其的显示设备 | |
| KR20210149950A (ko) | 양자점 조성물, 발광 소자 및 이의 제조 방법 | |
| CN113755159A (zh) | 量子点组合物、发光元件及用于制造发光元件的方法 | |
| US20220149306A1 (en) | Light emitting element and display device including the same | |
| EP3754735A1 (en) | Light emitting device and display device including the same | |
| US20210013440A1 (en) | Light emitting device and display panel including same | |
| KR20210149975A (ko) | 양자점 조성물, 발광 소자 및 이의 제조방법 | |
| KR20210106037A (ko) | 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치 | |
| US11765954B2 (en) | Display device and method for manufacturing the same | |
| US20220064527A1 (en) | Quantum dot, lighting emitting element and display device including the same | |
| US20210189233A1 (en) | Method for producing quantum dot composition and method for manufacturing light emitting element including the same | |
| US20230084087A1 (en) | Light emitting device and display apparatus including the same | |
| US20240121975A1 (en) | Light emitting device and display apparatus including the same | |
| US20220169878A1 (en) | Ink composition and method for manufacturing light emitting element | |
| KR20220099150A (ko) | 발광 소자, 이를 포함하는 표시 장치, 및 그 발광 소자의 제조 방법 | |
| KR20230003731A (ko) | 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination |