KR20220058881A - Organic light emitting display device - Google Patents

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KR20220058881A
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Abstract

According to an embodiment of the present invention, an organic light emitting display device comprises: a first light emitting unit provided between a first electrode and a second electrode and including a first light emitting layer and a first hole transport layer; a second light emitting unit disposed on the first light emitting unit and including a second light emitting layer and a second hole transport layer, wherein the hole mobility of the second hole transport layer is lower than the hole mobility of the first hole transport layer so that the lifetime of the first light emitting unit and the second light emitting unit is improved.

Description

유기발광 표시장치 {ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}Organic light emitting display device {ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}

본 발명은 유기발광 표시장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 발광 효율이나 수명을 향상시킬 수 있는 유기발광 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display device, and more particularly, to an organic light emitting display device capable of improving luminous efficiency or lifespan.

최근 정보화 시대로 접어듦에 따라 전기적 정보신호를 시각적으로 표현하는 디스플레이(display) 분야가 급속도로 발전해 왔고, 이에 부응하여 박형화, 경량화, 저소비전력화의 우수한 성능을 지닌 여러 가지 다양한 표시장치(Display Device)가 개발되고 있다.Recently, as we enter the information age, the field of display that visually expresses electrical information signals has developed rapidly, and in response to this, various display devices with excellent performance such as thinness, weight reduction, and low power consumption have been developed. is being developed

이와 같은 표시장치의 구체적인 예로는 액정표시장치(Liquid Crystal Display device: LCD), 플라즈마 표시장치(Plasma Display Panel device: PDP), 전계방출 표시장치(Field Emission Display device: FED), 유기발광 표시장치(Organic Light Emitting Device: OLED) 등을 들 수 있다.Specific examples of such a display device include a liquid crystal display device (LCD), a plasma display panel device (PDP), a field emission display device (FED), an organic light emitting display device ( Organic Light Emitting Device (OLED), etc. are mentioned.

특히, 유기발광 표시장치는 자발광소자로서 다른 표시 장치에 비해 응답속도가 빠르고 발광 효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있으므로 널리 주목받고 있다.In particular, the organic light emitting diode display is a self-luminous device, and has been receiving widespread attention because it has advantages of a fast response speed, luminous efficiency, luminance, and viewing angle compared to other display devices.

[백색 유기 발광 소자] (특허출원번호 제 10-2007-0053472호)[White organic light emitting device] (Patent Application No. 10-2007-0053472)

유기 발광 소자는 기판 상에 애노드가 형성되어 있고, 애노드 상부에 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 및 캐소드가 형성되어 있는 구조로 구성한다. 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층은 유기 화합물로 이루어진다. 애노드 및 캐소드 사이에 전압을 인가하면, 애노드로부터 주입된 정공은 정공 수송층을 통하여 발광층으로 이동하고, 캐소드로부터 주입된 전자는 전자 수송층을 통하여 발광층으로 이동한다. 캐리어들(정공 및 전자)은 발광층 내에서 재결합하여 여기자(exciton)를 생성하고, 이 여기자가 여기 상태(excited state)에서 기저 상태(ground state)로 변하면서 광이 생성된다.The organic light emitting device has a structure in which an anode is formed on a substrate, and a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and a cathode are formed on the anode. The hole transport layer, the light emitting layer and the electron transport layer are made of an organic compound. When a voltage is applied between the anode and the cathode, holes injected from the anode move to the emission layer through the hole transport layer, and electrons injected from the cathode move to the emission layer through the electron transport layer. Carriers (holes and electrons) recombine in the light emitting layer to generate excitons, and the excitons change from an excited state to a ground state to generate light.

그러나, 정공 수송층을 통하여 전달된 정공과 전자 수송층을 통하여 전달된 전자가 재결합한 여기자가 발광층 내에 생성되지 못하는 문제점이 있다. 이로 인해, 발광층 내에서 정공과 전자가 결합하여 여기자가 되지 못하는 전자가 증가한다. 이러한 전자는 정공 수송층을 그대로 통과하여 애노드 전극으로 전달되어 발광층이 발광에 기여하지 못하므로, 발광 효율이 저하되어 수명이 감소하게 된다. However, there is a problem in that excitons obtained by recombination of holes transferred through the hole transport layer and electrons transferred through the electron transport layer are not generated in the light emitting layer. For this reason, the number of electrons that cannot become excitons due to the combination of holes and electrons in the light emitting layer increases. Since these electrons pass through the hole transport layer as they are and are transferred to the anode electrode, the light emitting layer does not contribute to light emission.

이에 본 발명의 발명자들은 위에서 언급한 문제점들을 인식하고, 발광층의 발광 효율이나 수명을 향상시키기 위한 여러 실험을 하게 되었다. 여러 실험을 통하여 발광 효율이나 수명이 향상될 수 있는 새로운 구조의 유기발광 표시장치를 발명하였다.Accordingly, the inventors of the present invention recognized the above-mentioned problems, and conducted various experiments to improve the luminous efficiency or lifespan of the light emitting layer. Through various experiments, an organic light emitting diode display having a new structure that can improve luminous efficiency or lifespan was invented.

본 발명의 실시예에 따른 해결 과제는 발광층을 포함한 발광부에 정공 이동도가 느린 정공 수송층을 적용함으로써, 발광층의 재결합 영역이 발광층 내에 위치하도록 하여 발광 효율이나 수명을 향상시킬 수 있는 유기발광 표시장치를 제공하는 것이다.An object to be solved according to an embodiment of the present invention is an organic light emitting display device capable of improving luminous efficiency or lifespan by applying a hole transporting layer having a slow hole mobility to a light emitting part including a light emitting layer so that the recombination region of the light emitting layer is located in the light emitting layer is to provide

본 발명의 실시예에 따른 해결 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved according to the embodiment of the present invention are not limited to the problems mentioned above, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치는, 제1 전극과 제2 전극 사이에 있으며, 제1 발광층과 제1 정공 수송층을 포함하는 제1 발광부; 및 상기 제1 발광부 위에 있으며, 제2 발광층과 제2 정공 수송층을 포함하는 제2 발광부를 포함하고, 상기 제2 발광층의 수명이 향상되도록 상기 제2 정공 수송층의 정공 이동도는 상기 제1 정공 수송층의 정공 이동도보다 느린 것을 특징으로 한다. An organic light emitting diode display according to an embodiment of the present invention includes: a first light emitting part disposed between a first electrode and a second electrode and including a first light emitting layer and a first hole transport layer; and a second light emitting part on the first light emitting part and including a second light emitting layer and a second hole transport layer, wherein the hole mobility of the second hole transport layer is the first hole to improve the lifespan of the second light emitting layer. It is characterized in that it is slower than the hole mobility of the transport layer.

상기 제1 발광부 및 상기 제2 발광부의 효율 향상을 위하여 상기 제2 발광층은 상기 제2 전극보다 상기 제1 전극에 근접하게 위치시키는 것을 특징으로 한다. In order to improve the efficiency of the first light emitting unit and the second light emitting unit, the second light emitting layer is positioned closer to the first electrode than to the second electrode.

상기 제2 발광층의 효율이 향상되도록 상기 제2 정공 수송층의 두께는 상기 제1 정공 수송층의 두께보다 작은 것을 특징으로 한다. The thickness of the second hole transport layer is smaller than the thickness of the first hole transport layer to improve the efficiency of the second light emitting layer.

상기 제2 정공 수송층의 두께는 10nm 이하인 것을 특징으로 한다.The thickness of the second hole transport layer is characterized in that 10 nm or less.

상기 제2 정공 수송층의 정공 이동도는 상기 제1 정공 수송층의 정공 이동도보다 half order의 차이를 갖는 것을 특징으로 한다.The hole mobility of the second hole transport layer is characterized in that it has a difference in half order than the hole mobility of the first hole transport layer.

상기 제2 정공 수송층의 정공 이동도는 5.0 X 10-6cm2/Vs 내지 9.0 X 10-5cm2/Vs 범위인 것을 특징으로 한다.The hole mobility of the second hole transport layer is 5.0 X 10 -6 cm 2 /Vs to 9.0 X 10 -5 cm 2 /Vs It is characterized in that the range.

상기 제1 정공 수송층의 정공 이동도는 5.0 X 10-5cm2/Vs 내지 9.0 X 10-4cm2/Vs 범위인 것을 특징으로 한다.The hole mobility of the first hole transport layer is 5.0 X 10 -5 cm 2 /Vs to 9.0 X 10 -4 cm 2 /Vs It is characterized in that the range.

상기 제2 정공 수송층은 상기 제2 발광층으로의 정공의 이동을 조절하며, 상기 제2 발광층의 재결합 영역이 상기 제2 발광층 내에 있도록 하는 것을 특징으로 한다. The second hole transport layer controls the movement of holes to the second light emitting layer, and the recombination region of the second light emitting layer is in the second light emitting layer.

상기 제2 정공 수송층은 전자 전달 특성 치환기를 포함하는 재료로 이루어진 것을 특징으로 한다. The second hole transport layer is characterized in that it is made of a material including an electron transport characteristic substituent.

상기 제2 정공 수송층은 피리딘(pyridine) 계열, 트리아진(triazine) 계열, 이미다졸(imidazole) 계열, 벤즈이미다졸(benzimidazole) 계열, 퀴놀린(quinolone) 계열, 트리아졸(trizole)계열, 페난쓰롤린(phenanthroline) 계열 중 하나로 이루어진 것을 특징으로 한다. The second hole transport layer is a pyridine series, a triazine series, an imidazole series, a benzimidazole series, a quinolone series, a triazole series, and a phenanthroline. (phenanthroline) is characterized in that it consists of one of the series.

상기 제2 발광층은 황색-녹색 발광층 또는 녹색 발광층 중 하나를 포함하는 것을 특징으로 한다. The second light emitting layer may include one of a yellow-green light emitting layer or a green light emitting layer.

상기 제2 발광부 위에는 제3 발광층과 제3 정공 수송층을 포함하는 제3 발광부를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. A third light emitting part including a third light emitting layer and a third hole transport layer is further included on the second light emitting part.

상기 제2 정공 수송층의 두께는 상기 제3 정공 수송층의 두께보다 작은 것을 특징으로 한다. The thickness of the second hole transport layer is characterized in that smaller than the thickness of the third hole transport layer.

상기 제1 정공 수송층의 두께는 상기 제3 정공 수송층의 두께보다 큰 것을 특징으로 한다. A thickness of the first hole transport layer is greater than a thickness of the third hole transport layer.

상기 제2 발광층은 적어도 하나의 호스트와 도펀트를 포함하며, 상기 제2 발광층의 효율이 향상되도록 상기 제2 발광층은 상기 도펀트의 도핑 영역이 서로 다른 적어도 두 개의 영역을 포함하는 것을 특징으로 한다.The second light emitting layer includes at least one host and a dopant, and the second light emitting layer includes at least two regions having different doped regions of the dopant to improve the efficiency of the second light emitting layer.

상기 적어도 두 개의 영역 중 도펀트의 도핑 농도가 높은 영역이 상기 제2 전극보다 상기 제1 전극에 가까운 것을 특징으로 한다.Among the at least two regions, a region having a high dopant doping concentration is closer to the first electrode than to the second electrode.

본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치는, 제1 전극과 제2 전극 사이에 있으며, 제1 발광층과 제1 정공 수송층을 포함하는 제1 발광부; 및 상기 제1 발광부 위에 있으며, 제2 발광층과 제2 정공 수송층을 포함하는 제2 발광부를 포함하고, 상기 제2 발광층의 수명이 향상되도록 상기 제2 정공 수송층의 두께는 상기 제1 정공 수송층의 두께보다 작은 것을 특징으로 한다. An organic light emitting diode display according to an embodiment of the present invention includes: a first light emitting part disposed between a first electrode and a second electrode and including a first light emitting layer and a first hole transport layer; and a second light emitting part on the first light emitting part and including a second light emitting layer and a second hole transport layer, wherein the thickness of the second hole transport layer is that of the first hole transport layer to improve the lifespan of the second light emitting layer It is characterized in that it is smaller than the thickness.

상기 제2 정공 수송층의 두께는 10nm 이하인 것을 특징으로 한다.The thickness of the second hole transport layer is characterized in that 10 nm or less.

상기 제2 정공 수송층의 작은 두께로 인한 상기 제2 발광층으로 정공 과잉이 안 되도록 상기 제2 정공 수송층의 정공 이동도는 상기 제1 정공 수송층의 정공 이동도보다 느린 물질로 이루어진 것을 특징으로 한다.It is characterized in that the hole mobility of the second hole transport layer is made of a material slower than the hole mobility of the first hole transport layer so that holes do not overflow into the second light emitting layer due to the small thickness of the second hole transport layer.

상기 제1 정공 수송층의 정공 이동도는 5.0 X 10-5cm2/Vs 내지 9.0 X 10-4cm2/Vs 범위이며, 상기 제2 정공 수송층의 정공 이동도는 상기 제1 정공 수송층의 정공 이동도보다 half order의 차이를 갖는 것을 특징으로 한다.The hole mobility of the first hole transport layer is 5.0 X 10 -5 cm 2 /Vs to 9.0 X 10 -4 cm 2 /Vs range, the hole mobility of the second hole transport layer is the hole mobility of the first hole transport layer It is characterized by having a difference in half order than the figure.

상기 제2 정공 수송층의 정공 이동도는 5.0 X 10-6cm2/Vs 내지 9.0 X 10-5cm2/Vs 범위인 것을 특징으로 한다.The hole mobility of the second hole transport layer is 5.0 X 10 -6 cm 2 /Vs to 9.0 X 10 -5 cm 2 /Vs It is characterized in that the range.

상기 제2 발광부 위에는 제3 발광층과 제3 정공 수송층을 포함하는 제3 발광부를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. A third light emitting part including a third light emitting layer and a third hole transport layer is further included on the second light emitting part.

본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치는, 제1 전극과 제2 전극 사이에 있으며, 제1 발광층과 제1 정공 수송층을 포함하는 제1 발광부; 및 상기 제1 발광부 위에 있으며, 제2 발광층과 제2 정공 수송층을 포함하는 제2 발광부를 포함하고, 상기 제1 발광부 및 상기 제2 발광부의 효율 향상을 위하여 상기 제2 발광층은 상기 제1 전극에 근접하게 위치하며, 상기 제2 정공 수송층의 두께를 얇게 하면서 상기 제2 발광층으로 정공 과잉이 안 되도록 상기 제2 정공 수송층은 정공 이동도가 느린 물질로 구성된 것을 특징으로 한다.An organic light emitting diode display according to an embodiment of the present invention includes: a first light emitting part disposed between a first electrode and a second electrode and including a first light emitting layer and a first hole transport layer; and a second light emitting unit disposed on the first light emitting unit and including a second light emitting layer and a second hole transport layer, wherein the second light emitting layer is disposed on the first light emitting unit to improve efficiency of the first light emitting unit and the second light emitting unit. The second hole transport layer is located close to the electrode, and the second hole transport layer is made of a material having low hole mobility so that the second hole transport layer does not have an excess of holes in the second light emitting layer while reducing the thickness of the second hole transport layer.

상기 제2 정공 수송층의 정공 이동도는 상기 제1 정공 수송층의 정공 이동도보다 느린 물질로 구성된 것을 특징으로 한다.The hole mobility of the second hole transport layer is characterized in that composed of a material slower than the hole mobility of the first hole transport layer.

상기 제2 발광층은 황색-녹색 발광층 또는 녹색 발광층 중 하나를 포함하는 것을 특징으로 한다. The second light emitting layer may include one of a yellow-green light emitting layer or a green light emitting layer.

상기 제2 정공 수송층의 정공 이동도는 5.0 X 10-6cm2/Vs 내지 9.0 X 10-5cm2/Vs 범위인 것을 특징으로 한다.The hole mobility of the second hole transport layer is 5.0 X 10 -6 cm 2 /Vs to 9.0 X 10 -5 cm 2 /Vs It is characterized in that the range.

상기 정공 이동도가 느린 상기 제2 정공 수송층에 의해 상기 제2 발광층의 재결합 영역이 상기 제2 발광층 내에 있는 것을 특징으로 한다. It is characterized in that the recombination region of the second light emitting layer is in the second light emitting layer by the second hole transport layer having the slow hole mobility.

상기 정공 이동도가 느린 상기 제2 정공 수송층을 포함한 유기발광 표시장치는 상기 정공 이동도가 느린 상기 제2 정공 수송층을 포함하지 않는 유기발광 표시장치와 비교하여 수명이 향상된 것을 특징으로 한다. The organic light emitting diode display including the second hole transport layer having the slow hole mobility has an improved lifespan compared to the organic light emitting display device not including the second hole transport layer having the slow hole mobility.

상기 제2 정공 수송층은 전자 전달 특성 치환기를 포함하는 재료로 이루어진 것을 특징으로 한다. The second hole transport layer is characterized in that it is made of a material including an electron transport characteristic substituent.

상기 제2 정공 수송층은 피리딘(pyridine) 계열, 트리아진(triazine) 계열, 이미다졸(imidazole) 계열, 벤즈이미다졸(benzimidazole) 계열, 퀴놀린(quinolone) 계열, 트리아졸(trizole)계열, 페난쓰롤린(phenanthroline) 계열 중 하나로 이루어진 것을 특징으로 한다. The second hole transport layer is a pyridine series, a triazine series, an imidazole series, a benzimidazole series, a quinolone series, a triazole series, and a phenanthroline. (phenanthroline) is characterized in that it consists of one of the series.

상기 제2 정공 수송층의 두께는 10nm 이하인 것을 특징으로 한다. The thickness of the second hole transport layer is characterized in that 10 nm or less.

상기 제2 정공 수송층의 정공 이동도는 상기 제1 정공 수송층의 정공 이동도보다 half order의 차이를 갖는 것을 특징으로 한다. The hole mobility of the second hole transport layer is characterized in that it has a difference in half order than the hole mobility of the first hole transport layer.

상기 제1 정공 수송층의 정공 이동도는 5.0 X 10-5cm2/Vs 내지 9.0 X 10-4cm2/Vs 범위인 것을 특징으로 한다.The hole mobility of the first hole transport layer is 5.0 X 10 -5 cm 2 /Vs to 9.0 X 10 -4 cm 2 /Vs It is characterized in that the range.

상기 제2 발광부는 전자 수송층을 더 포함하며, 상기 전자 수송층의 전자 이동도는 1.0 X 10-3cm2/Vs 이상인 것을 특징으로 한다.The second light emitting part further includes an electron transport layer, and the electron transport layer has an electron mobility of 1.0 X 10 -3 cm 2 /Vs or more.

상기 제2 발광부는 상기 전자 이동도가 빠른 상기 전자 수송층과 상기 정공 이동도가 느린 제2 정공 수송층에 의해 상기 제2 발광층의 전하 균형을 조절하는 것을 특징으로 한다. The second light emitting part is characterized in that the charge balance of the second light emitting layer is controlled by the electron transport layer having the fast electron mobility and the second hole transport layer having the slow hole mobility.

상기 제2 발광부 위에는 제3 발광층과 제3 정공 수송층을 포함하는 제3 발광부를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. A third light emitting part including a third light emitting layer and a third hole transport layer is further included on the second light emitting part.

상기 제2 정공 수송층의 두께는 상기 제3 정공 수송층의 두께보다 작은 것을 특징으로 한다. The thickness of the second hole transport layer is characterized in that smaller than the thickness of the third hole transport layer.

상기 제1 정공 수송층의 두께는 상기 제3 정공 수송층의 두께보다 큰 것을 특징으로 한다. A thickness of the first hole transport layer is greater than a thickness of the third hole transport layer.

상기 제2 발광층은 적어도 하나의 호스트와 도펀트를 포함하며, 상기 제2 발광층의 효율이 향상되도록 상기 제2 발광층은 상기 도펀트의 도핑 영역이 서로 다른 적어도 두 개의 영역을 포함하는 것을 특징으로 한다.The second light emitting layer includes at least one host and a dopant, and the second light emitting layer includes at least two regions having different doped regions of the dopant to improve the efficiency of the second light emitting layer.

상기 두 개의 영역 중 도펀트의 도핑 농도가 높은 영역이 상기 제1 전극에 가까운 것을 특징으로 한다.Among the two regions, a region having a high dopant doping concentration is closer to the first electrode.

기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

본 발명에서는 유기발광 표시장치의 효율 향상을 위하여 제1 색과 제2 색을 발광하는 두 개 이상의 발광층들 중 제2 색을 발광하는 발광층을 제1 전극에 근접하게 위치시킴으로써, 발광층의 효율이나 수명을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. In the present invention, in order to improve the efficiency of the organic light emitting display device, the light emitting layer emitting the second color among the two or more light emitting layers emitting the first color and the second color is positioned close to the first electrode, thereby improving the efficiency and lifespan of the light emitting layer. has the effect of improving

또한, 본 발명에서는 제1 색과 제2 색을 발광하는 두 개 이상의 발광층들 In addition, in the present invention, two or more light emitting layers emitting light of a first color and a second color are used.

중 제2 색을 발광하는 발광층을 제1 전극에 근접하게 위치시키기 위해서 정공 수송층의 두께를 얇게 하면서도 발광층의 효율이나 수명을 향상시킬 수 있는 유기발광 표시장치를 제공할 수 있다. It is possible to provide an organic light emitting display device capable of improving the efficiency and lifespan of the light emitting layer while reducing the thickness of the hole transport layer in order to position the light emitting layer emitting light of the second color close to the first electrode.

또한, 본 발명에서는 제1 색과 제2 색을 발광하는 두 개 이상의 발광층들 In addition, in the present invention, two or more light emitting layers emitting light of a first color and a second color are used.

중 제2 색을 발광하는 발광층을 제1 전극에 근접하게 위치시키기 위해서 정공 수송층의 두께를 얇게 하면서 발광층으로의 정공 과잉이 안 되도록, 정공 이동도가 느린 물질로 정공 수송층을 구성함으로써, 발광층의 효율이나 수명을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.In order to position the light emitting layer emitting light of the second color in proximity to the first electrode, the hole transport layer is made of a material with low hole mobility so that the hole transport layer is thin and the hole does not overflow into the light emitting layer, thereby improving the efficiency of the light emitting layer It has the effect of improving the lifespan.

또한, 정공 이동도가 느린 물질로 정공 수송층을 구성하여, 전자와 정공이 결합하는 재결합 영역이 발광층 내에 생성되도록 함으로써, 발광층의 효율이나 수명을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, by configuring the hole transport layer with a material having low hole mobility so that a recombination region where electrons and holes are combined is generated in the light emitting layer, there is an effect of improving the efficiency and lifespan of the light emitting layer.

또한, 정공 이동도가 느린 물질로 정공 수송층을 구성하여, 발광층내에서 재결합 영역이 생성되도록 발광층의 전하 균형을 조절하므로, 발광층의 수명을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, since the charge balance of the light emitting layer is adjusted so that a recombination region is generated in the light emitting layer by configuring the hole transport layer with a material having low hole mobility, the lifespan of the light emitting layer can be improved.

또한, 본 발명에서는 적어도 두 개 이상의 발광부로 구성하고, 두 개 이상의 발광부에 포함된 정공 수송층들의 정공 이동도를 서로 다르게 구성함으로써, 전자와 정공이 결합하는 재결합 영역이 발광층 내에 생성되도록 함으로써, 발광층의 효율이나 수명을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. In addition, in the present invention, the light emitting layer is composed of at least two or more light emitting units and the hole mobility of the hole transport layers included in the two or more light emitting units is configured to be different from each other so that a recombination region where electrons and holes are combined is generated in the light emitting layer. It has the effect of improving the efficiency or lifespan of

본 발명의 효과는 이상에서 언급한 효과에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과는 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and other effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

이상에서 해결하고자 하는 과제, 과제 해결 수단, 효과에 기재한 발명의 내용이 청구항의 필수적인 특징을 특정하는 것은 아니므로, 청구항의 권리 범위는 발명의 내용에 기재된 사항에 의하여 제한되지 않는다.Since the content of the invention described in the problem to be solved above, the means for solving the problem, and the effect do not specify the essential characteristics of the claim, the scope of the claim is not limited by the matters described in the content of the invention.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 소자를 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광층들의 발광 위치를 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예 따른 에너지 밴드 다이어그램을 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 소자를 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예 따른 에너지 밴드 다이어그램을 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기 발광 소자를 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 제4 실시예에 따른 유기 발광 소자를 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명의 제4 실시예에 따른 유기 발광 소자를 나타내는 도면이다.
도 9는 비교예 및 본 발명의 실시예에 따른 전압 평가 결과를 나타내는 도면이다.
도 10은 비교예 및 본 발명의 실시예에 따른 효율 평가 결과를 나타내는 도면이다.
도 11은 비교예 및 본 발명의 실시예에 따른 수명 평가 결과를 나타내는 도면이다.
도 12는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치를 나타내는 도면이다.1 is a view showing an organic light emitting device according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a view showing emission positions of emission layers according to the first embodiment of the present invention.
3 is a diagram illustrating an energy band diagram according to a first embodiment of the present invention.
4 is a diagram illustrating an organic light emitting device according to a second exemplary embodiment of the present invention.
5 is a diagram illustrating an energy band diagram according to a second embodiment of the present invention.
6 is a diagram illustrating an organic light emitting device according to a third exemplary embodiment of the present invention.
7 is a diagram illustrating an organic light emitting diode according to a fourth exemplary embodiment of the present invention.
8 is a diagram illustrating an organic light emitting device according to a fourth exemplary embodiment of the present invention.
9 is a diagram illustrating voltage evaluation results according to a comparative example and an embodiment of the present invention.
10 is a view showing an efficiency evaluation result according to a comparative example and an embodiment of the present invention.
11 is a view showing a life evaluation result according to a comparative example and an embodiment of the present invention.
12 is a diagram illustrating an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. Advantages and features of the present invention and methods of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in a variety of different forms, and only these embodiments allow the disclosure of the present invention to be complete, and common knowledge in the technical field to which the present invention belongs It is provided to fully inform the possessor of the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급한 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.The shapes, sizes, proportions, angles, numbers, etc. disclosed in the drawings for explaining the embodiments of the present invention are illustrative and the present invention is not limited to the illustrated matters. Like reference numerals refer to like elements throughout. In addition, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known technology may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. When 'including', 'having', 'consisting', etc. mentioned in this specification are used, other parts may be added unless 'only' is used. When a component is expressed in the singular, the case in which the plural is included is included unless otherwise explicitly stated.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the components, it is construed as including an error range even if there is no separate explicit description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.In the case of a description of the positional relationship, for example, when the positional relationship of two parts is described as 'on', 'on', 'on', 'beside', etc., 'right' Alternatively, one or more other parts may be positioned between two parts unless 'directly' is used.

시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.In the case of a description of a temporal relationship, for example, 'immediately' or 'directly' when a temporal relationship is described with 'after', 'following', 'after', 'before', etc. It may include cases that are not continuous unless this is used.

제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.Although the first, second, etc. are used to describe various elements, these elements are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another. Accordingly, the first component mentioned below may be the second component within the spirit of the present invention.

본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.Each feature of the various embodiments of the present invention can be partially or wholly combined or combined with each other, technically various interlocking and driving are possible, and each of the embodiments may be independently implemented with respect to each other or implemented together in a related relationship. may be

이하, 첨부된 도면 및 실시예를 통해 본 발명의 실시예를 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings and examples.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 소자를 나타내는 도면이다. 1 is a view showing an organic light emitting device according to a first embodiment of the present invention.

도 1에 도시된 유기 발광 소자(100)는 기판(101)과, 제1 전극(102) 및 제2 전극(104)과, 제1 및 제2 전극(102,104) 사이에 제1 발광부(110) 및 제2 발광부(120) 및 제3 발광부(130)를 구비한다. The organic light emitting device 100 illustrated in FIG. 1 includes a substrate 101 , a first electrode 102 and a second electrode 104 , and a first light emitting unit 110 between the first and second electrodes 102 and 104 . ) and a second light emitting unit 120 and a third light emitting unit 130 .

제1 발광부(110)는 제1 전극(102) 위에 제1 정공 수송층(HTL; Hole Transporting Layer)(112), 제1 발광층(EML; Emitting Layer)(114), 제1 전자 수송층(ETL; Electron Transporting Layer)(116)을 포함하여 이루어질 수 있다. The first light emitting unit 110 includes a first hole transporting layer (HTL) 112 , a first emitting layer (EML) 114 , a first electron transporting layer (ETL) on the first electrode 102 ; Electron Transporting Layer) 116 may be included.

제1 발광층(EML)(114)은 청색(Blue) 발광층으로 구성할 수 있다. The first light emitting layer (EML) 114 may be formed of a blue light emitting layer.

제2 발광부(120)는 제2 정공 수송층(HTL)(112), 제2 발광층(EML)(124), 제2 전자 수송층(ETL)(126)을 포함하여 이루어질 수 있다.The second light emitting part 120 may include a second hole transport layer (HTL) 112 , a second emission layer (EML) 124 , and a second electron transport layer (ETL) 126 .

제2 발광층(EML)(124)은 황색-녹색(Yellow-Green) 발광층으로 구성할 수 있다. The second emission layer (EML) 124 may include a yellow-green emission layer.

제1 발광부(110)와 상기 제2 발광부(120) 사이에는 제1 전하 생성층(CGL)(140)이 더 구성될 수 있다. 제1 전하 생성층(CGL)(140)은 상기 제1 발광부(110) 및 제2 발광부(120) 간의 전하 균형을 조절한다. 제1 전하 생성층(CGL)(140)은 N형 전하 생성층(N-CGL)과 P형 전하 생성층(P-CGL)을 포함할 수 있다.A first charge generation layer (CGL) 140 may be further formed between the first light emitting unit 110 and the second light emitting unit 120 . The first charge generating layer (CGL) 140 adjusts the charge balance between the first light emitting unit 110 and the second light emitting unit 120 . The first charge generation layer (CGL) 140 may include an N-type charge generation layer (N-CGL) and a P-type charge generation layer (P-CGL).

상기 제3 발광부(130)는 상기 제2 발광부(120) 위에 제2 정공 수송층(HTL)(132), 제3 발광층(EML)(134) 및 제3 전자 수송층(ETL)(136)을 포함하여 이루어질 수 있다. The third light emitting unit 130 includes a second hole transport layer (HTL) 132 , a third light emitting layer (EML) 134 , and a third electron transport layer (ETL) 136 on the second light emitting unit 120 . can be included.

제3 발광층(EML)(134)은 청색(Blue) 발광층으로 구성할 수 있다.The third light emitting layer (EML) 134 may be formed of a blue light emitting layer.

제2 발광부(120)와 제3 발광부(130) 사이에는 제2 전하 생성층(CGL)(150)이 더 구성될 수 있다. 제2 전하 생성층(150)은 상기 제2 및 제3 발광부(120,130) 간의 전하 균형을 조절한다. 제2 전하 생성층(CGL)(150)은 N형 전하 생성층(N-CGL) 및 P형 전하 생성층(P-CGL)을 포함할 수 있다. A second charge generation layer (CGL) 150 may be further formed between the second light emitting unit 120 and the third light emitting unit 130 . The second charge generation layer 150 adjusts the charge balance between the second and third light emitting units 120 and 130 . The second charge generation layer (CGL) 150 may include an N-type charge generation layer (N-CGL) and a P-type charge generation layer (P-CGL).

그리고, 도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광층들의 발광 위치를 나타내는 도면이다.And, FIG. 2 is a view showing emission positions of the emission layers according to the first embodiment of the present invention.

도 2에서 가로축은 빛의 파장 영역을 나타낸 것이며, 세로축은 유기층들의 두께를 나타낸 것이다. 여기서 제1 전극과 제2 전극 사이에 있는 유기층들의 두께는 0nm 내지 500nm로 도시하였으나, 이 두께가 본 발명의 내용을 제한하는 것은 아니다. 유기층들은 도 1에서 설명한 제1 발광부(110), 제2 발광부(120) 및 제3 발광부(130)를 구성하는 층들을 말한다. 도 2에서는 제1 발광부(110), 제2 발광부(120) 및 제3 발광부(130)를 구성하는 각 유기층들의 두께에 대해서는 도시하지 않았다. 도 2는 contour map(등고선)이라고 할 수 있다. In FIG. 2 , the horizontal axis represents the wavelength region of light, and the vertical axis represents the thickness of the organic layers. Here, the thickness of the organic layers between the first electrode and the second electrode is illustrated as 0 nm to 500 nm, but the thickness does not limit the content of the present invention. The organic layers refer to layers constituting the first light emitting unit 110 , the second light emitting unit 120 , and the third light emitting unit 130 described with reference to FIG. 1 . In FIG. 2 , the thickness of each organic layer constituting the first light emitting unit 110 , the second light emitting unit 120 , and the third light emitting unit 130 is not illustrated. 2 may be referred to as a contour map (contour line).

도 2에 도시한 바와 같이, 제1 발광부(110)를 구성하는 제1 발광층(EML)(114)은 청색(Blue) 발광층이므로, 상기 제1 발광층(EML)(114)의 발광 영역(114E)에 해당하는 발광 피크(Emittance Peak)는 상기 제1 발광층(EML)(114)의 피크 파장(?max)인 440㎚ 내지 480㎚에 위치하게 한다. 이렇게 함으로써, 청색(Blue) 발광층이 440㎚ 내지 480㎚에서 빛을 발광하게 되므로, 청색(Blue) 발광층인 제1 발광층(EML)(114)이 최대 효율을 낼 수 있다.As shown in FIG. 2 , since the first light emitting layer (EML) 114 constituting the first light emitting unit 110 is a blue light emitting layer, the light emitting region 114E of the first light emitting layer (EML) 114 is formed. ), the emission peak is positioned at 440 nm to 480 nm, which is the peak wavelength (?max) of the first emission layer (EML) 114 . In this way, since the blue light emitting layer emits light at 440 nm to 480 nm, the first light emitting layer (EML) 114 that is the blue light emitting layer can achieve maximum efficiency.

그리고, 제2 발광부(120)를 구성하는 제2 발광층(EML)(124)은 황색-녹색(Yellow-Green) 발광층이므로, 상기 제2 발광층(EML)(124)의 발광 영역(124E)에 해당하는 발광 피크(Emittance Peak)는 상기 제2 발광층(EML)(124)의 피크 파장(?max)인 540㎚ 내지 580㎚에 위치하게 한다. 이렇게 함으로써 황색-녹색(Yellow-Green) 발광층이 540㎚ 내지 580㎚에서 빛을 발광하게 되므로, 황색-녹색(Yellow-Green) 발광층인 제2 발광층(EML)(124)이 최대 효율을 낼 수 있다.And, since the second light-emitting layer (EML) 124 constituting the second light-emitting unit 120 is a yellow-green light-emitting layer, in the light-emitting region 124E of the second light-emitting layer (EML) 124 . A corresponding emission peak is positioned at a peak wavelength (?max) of 540 nm to 580 nm of the second emission layer (EML) 124 . In this way, since the yellow-green light emitting layer emits light at 540 nm to 580 nm, the second light emitting layer (EML) 124, which is the yellow-green light emitting layer, can achieve maximum efficiency. .

그리고, 제3 발광부(130)를 구성하는 제3 발광층(EML)(134)은 청색(Blue) 발광층이므로, 상기 제3 발광층(EML)(134)의 발광 영역(134E)에 해당하는 발광 피크(Emittance Peak)가 상기 제3 발광층(EML)(134)의 피크 파장(?max)인 440㎚ 내지 480㎚에 위치하게 한다. 이렇게 함으로써, 청색(Blue) 발광층이 440㎚ 내지 480㎚에서 빛을 발광하게 되므로, 청색(Blue) 발광층인 제3 발광층(EML)(134)이 최대 효율을 낼 수 있다.In addition, since the third light emitting layer (EML) 134 constituting the third light emitting unit 130 is a blue light emitting layer, an emission peak corresponding to the light emitting region 134E of the third light emitting layer (EML) 134 . (Emittance Peak) is positioned at 440 nm to 480 nm, which is the peak wavelength (?max) of the third light emitting layer (EML) 134 . In this way, since the blue light emitting layer emits light at 440 nm to 480 nm, the third light emitting layer (EML) 134 which is the blue light emitting layer can achieve maximum efficiency.

따라서, 청색(Blue) 발광층의 피크 파장(?max)인 440㎚ 내지 480㎚와, 황색-녹색(Yellow-Green) 발광층의 피크 파장(?max)인 540㎚ 내지 580㎚에서 빛이 발광하도록 하여야 발광층들이 최대 효율을 낼 수 있으므로, 유기발광 표시장치의 효율이 향상될 수 있다.Therefore, light should be emitted at 440 nm to 480 nm, which is the peak wavelength (? max) of the blue light emitting layer, and 540 nm to 580 nm, which is the peak wavelength (? max) of the yellow-green light emitting layer. Since the light emitting layers may have maximum efficiency, the efficiency of the organic light emitting diode display may be improved.

여기서 피크 파장(?max)은 EL(ElectroLuminescence)의 최대 파장을 말한다. 발광부를 구성하는 유기물층들이 고유의 빛을 내는 파장을 PL (PhotoLuminescence)이라 하며, 이 PL (PhotoLuminescence)이 광학적 특성인 캐비티 피크(cavity peak)의 영향을 받아 나오는 빛을 EL(ElectroLuminescence)이라 한다. 그리고, 캐비티 피크(cavity peak)는 광학적으로 투과도가 최대가 되는 지점을 말하는 것으로, 일반적으로 두 개의 미러(mirror) 사이에 발생한 빛이 양쪽 미러(본 발명에서는 제2 전극이 반사가 되는 부분임)에서 두께, 발광 영역의 발광 위치를 조절하여 빛의 파장이 보강간섭을 통해 최대가 되는 부분을 찾는 것이다. 또한, 캐비티 피크(cavity peak)는 유기 발광 소자의 전체 두께 및 유기물층들의 PL, 제1 전극의 두께 등에 따라 발광 피크(Emittance Peak)는 달라진다. Here, the peak wavelength (?max) refers to the maximum wavelength of EL (ElectroLuminescence). The wavelength at which the organic material layers constituting the light emitting part emits its own light is called PL (PhotoLuminescence), and the light emitted when this PL (PhotoLuminescence) is affected by the cavity peak, which is an optical characteristic, is called EL (ElectroLuminescence). In addition, the cavity peak refers to a point at which optical transmittance is maximized, and in general, light generated between two mirrors is reflected by both mirrors (in the present invention, the second electrode is a part where the reflection is made) It is to find the part where the wavelength of light is maximized through constructive interference by controlling the thickness and the light emission position of the light emitting area. In addition, as for the cavity peak, the emission peak varies according to the total thickness of the organic light emitting device, PL of the organic material layers, the thickness of the first electrode, and the like.

따라서, 도 2에 도시한 바와 같이, 유기발광 표시장치의 효율이나 수명을 향상시키기 위해서 캐비티 피크(cavity peak)를 고려하여 원하는 파장 영역에서 최대 효율을 낼 수 있도록 발광층들의 발광 영역을 설정하여야 한다.Accordingly, as shown in FIG. 2 , in order to improve the efficiency or lifespan of the organic light emitting diode display, the emission regions of the emission layers must be set in consideration of a cavity peak to achieve maximum efficiency in a desired wavelength region.

본 발명에서는 캐비티 피크를 고려하여 유기 발광 소자의 효율이나 수명을 향상시키기 위해서, 유기 발광 소자의 전체 두께를 설정하고, 이 전체 두께 내에서 발광층들의 발광 영역을 설정한다. 그리고, 각 발광층들의 발광 영역 내에서 제1 발광부(110), 제2 발광부(120), 제3 발광부(130)들을 구성하는 각 유기층들의 두께를 설정한다. 유기 발광 소자의 전체 두께는 제1 전극(102)과 제2 전극(104) 사이에 있는 유기층들의 두께를 말한다. 예를 들어, 유기 발광 소자의 전체 두께는 350nm 내지 500nm 범위로 설정하고, 이 전체 두께 내에서 제1 발광부(110), 제2 발광부(120), 제3 발광부(130)들을 구성하는 각 유기층들의 두께를 설정한다. 여기서 유기층들은 도 1에서 설명한 바와 같이, 정공 수송층, 전자 수송층, 발광층 등일 수 있다.In the present invention, in order to improve the efficiency or lifetime of the organic light emitting diode in consideration of the cavity peak, the total thickness of the organic light emitting element is set, and the light emitting regions of the light emitting layers are set within the total thickness. Then, the thickness of each organic layer constituting the first light emitting unit 110 , the second light emitting unit 120 , and the third light emitting unit 130 is set in the light emitting region of each of the light emitting layers. The total thickness of the organic light emitting device refers to the thickness of the organic layers between the first electrode 102 and the second electrode 104 . For example, the total thickness of the organic light emitting device is set in the range of 350 nm to 500 nm, and the first light emitting unit 110 , the second light emitting unit 120 , and the third light emitting unit 130 are configured within this total thickness. Set the thickness of each organic layer. Here, the organic layers may be a hole transport layer, an electron transport layer, a light emitting layer, and the like, as described with reference to FIG. 1 .

도 2에 도시한 바와 같이, 제1 발광층(EML)(114)의 발광 영역(114E)과 제2 발광층(EML)(124)의 발광 영역(124E)은 가깝게 위치하고 있음을 알 수 있다. 즉, 제2 발광부(120)를 구성하는 제2 발광층(EML)(124)인 황색-녹색 발광층은 제1 전극(102)에 근접하게 위치시켜야 황색-녹색 발광층이 최대 효율을 낼 수 있음을 알 수 있다.As shown in FIG. 2 , it can be seen that the emission region 114E of the first emission layer (EML) 114 and the emission region 124E of the second emission layer (EML) 124 are located close to each other. That is, the yellow-green light emitting layer, which is the second light emitting layer (EML) 124 constituting the second light emitting unit 120, must be positioned close to the first electrode 102 so that the yellow-green light emitting layer can achieve maximum efficiency. Able to know.

따라서, 제2 발광부(120)를 제1 전극(102)에 근접하게 위치시켜야 제2 발광층(EML)(124)이 발광 영역(124E)에서 발광할 수 있으므로 최대 효율을 낼 수 있다. 유기 발광 소자의 전체 두께 내에서 제1 발광층(EML)(114)의 발광 영역, 제2 발광층(EML)(124)의 발광 영역, 제3 발광층(EML)(134)의 발광 영역을 고려하여 각 발광부들에 포함된 유기층들의 두께는 이미 설정하였으므로, 상기 제2 발광층(EML)(124)을 제1 전극(102)에 근접하게 위치시키기 위해서는 제2 발광부(120)에 포함된 유기층들의 두께를 감소시켜야 한다.Accordingly, when the second light emitting unit 120 is positioned close to the first electrode 102 , the second light emitting layer (EML) 124 can emit light in the light emitting region 124E, so that maximum efficiency can be achieved. In consideration of the light emitting area of the first light emitting layer (EML) 114 , the light emitting area of the second light emitting layer (EML) 124 , and the light emitting area of the third light emitting layer (EML) 134 within the entire thickness of the organic light emitting diode, each Since the thickness of the organic layers included in the light emitting units has already been set, the thickness of the organic layers included in the second light emitting unit 120 is adjusted to position the second light emitting layer (EML) 124 close to the first electrode 102 . should be reduced

이에 본 발명의 발명자들은 제2 발광부(120)를 구성하는 유기층들인 제2 정공 수송층(HTL)(122), 제2 발광층(EML)(124), 제2 전자 수송층(ETL)(126), 전자 주입층, 정공 주입층 중에서 발광층의 발광 효율이나 수명에 영향을 주지 않으면서 제2 발광부(120)의 두께를 줄이기 위해서 여러 실험을 하였다. 여러 실험을 통하여, 이들 유기층들 중에서 제2 정공 수송층(HTL)(122)의 두께를 줄이는 것이 제2 발광층(EML)(124)의 수명 향상에 유리함을 알 수 있었다.Accordingly, the inventors of the present invention, the organic layers constituting the second light emitting unit 120, a second hole transport layer (HTL) 122, a second light emitting layer (EML) 124, a second electron transport layer (ETL) 126, In order to reduce the thickness of the second light emitting part 120 without affecting the luminous efficiency or lifetime of the light emitting layer among the electron injection layer and the hole injection layer, various experiments were conducted. Through various experiments, it was found that reducing the thickness of the second hole transport layer (HTL) 122 among these organic layers is advantageous in improving the lifespan of the second light emitting layer (EML) 124 .

따라서, 제2 발광부(120)를 구성하는 유기층들 중 제2 정공 수송층(ETL)(122)의 두께를 줄여 유기 발광 소자를 구성하였다. 제2 정공 수송층(ETL)(122)의 두께를 줄일 경우에 제2 발광층(EML)(124)의 재결합 영역에 대해서 도 3를 참조하여 설명한다.Accordingly, the thickness of the second hole transport layer (ETL) 122 among the organic layers constituting the second light emitting part 120 is reduced to form an organic light emitting device. A recombination region of the second light emitting layer (EML) 124 when the thickness of the second hole transport layer (ETL) 122 is reduced will be described with reference to FIG. 3 .

도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 에너지 밴드 다이어그램을 나타내는 도면이다.3 is a diagram illustrating an energy band diagram according to a first embodiment of the present invention.

도 3에 도시한 바와 같이, 제2 정공 수송층(HTL)(122)에서의 정공 (도면에서는 "h+" 또는 "+"로 표시)이 제2 발광층(EML)(124)으로 이동한다. 그리고, 제2 전극(104)으로부터 생성된 전자(도면에서는 "e-" 또는 "-"로 표시)는 제2 전자 수송층(ETL)(126)에서 제2 발광층(EML)(124)으로 이동하여 제2 발광층(EML)(124) 내에서 정공과 전자가 결합하는 여기자(exciton)를 생성하여야 발광할 수 있다. 그러나, 제2 발광부(120)를 구성하는 유기층들 중 제2 정공 수송층(HTL)(122)의 두께를 줄일 경우, 과잉의 정공이 제2 발광층(EML)(124)으로 주입되거나 제2 전자 수송층(ETL)(126)에 주입된다. 따라서, 제2 발광층(EML)(124) 내에서 정공과 전자가 재결합하는 확률이 낮아진다. 이로 인해 정공과 전자가 결합하는 재결합 영역(RZ1; Recombination Zone)은 제2 발광층(EML)(124) 및 제2 전자 수송층(ETL)(126) 사이의 계면에 생성된다. 따라서, 제2 전자 수송층(ETL)(126)의 열화가 생기므로, 소자의 수명이 감소하는 문제가 생긴다. As shown in FIG. 3 , holes in the second hole transport layer (HTL) 122 (indicated by “h+” or “+” in the drawing) move to the second light emitting layer (EML) 124 . Then, the electrons generated from the second electrode 104 (indicated by “e-” or “-” in the drawing) move from the second electron transport layer (ETL) 126 to the second light emitting layer (EML) 124 , In the second light emitting layer (EML) 124 , an exciton in which holes and electrons combine is generated to emit light. However, when the thickness of the second hole transport layer (HTL) 122 among the organic layers constituting the second light emitting part 120 is reduced, excess holes are injected into the second light emitting layer (EML) 124 or the second electrons It is implanted into the transport layer (ETL) 126 . Accordingly, the probability of recombination of holes and electrons in the second light emitting layer (EML) 124 is reduced. Due to this, a recombination zone (RZ1) in which holes and electrons combine is generated at the interface between the second light emitting layer (EML) 124 and the second electron transport layer (ETL) 126 . Accordingly, since the second electron transport layer (ETL) 126 is deteriorated, there is a problem in that the lifetime of the device is reduced.

이에 본 발명의 발명자들은 제2 발광부의 정공 수송층의 두께를 줄일 경우에 정공의 과잉으로 인해 발광층의 수명이 저하되는 문제점을 해결하기 위해 여러 실험을 진행하였다. 즉, 발광층의 발광 효율을 향상시키기 위해서 제2 발광부의 발광층은 제1 전극에 근접하게 배치하고, 발광층으로의 정공의 과잉을 줄여 발광층 내에 재결합 영역이 있도록 정공 이동도가 느린 정공 수송층을 구성함으로써 발광 효율이나 수명이 향상된 새로운 구조의 유기발광 표시장치를 발명하였다.Accordingly, the inventors of the present invention conducted various experiments in order to solve the problem that the lifespan of the light emitting layer is decreased due to an excess of holes when the thickness of the hole transport layer of the second light emitting part is reduced. That is, in order to improve the light emitting efficiency of the light emitting layer, the light emitting layer of the second light emitting unit is disposed close to the first electrode, and the hole transport layer with low hole mobility is formed so that there is a recombination region in the light emitting layer by reducing the excess of holes into the light emitting layer. An organic light emitting display device having a new structure with improved efficiency or lifespan was invented.

본 발명의 실시예에서는 두 개 이상의 발광부를 포함하는 유기발광 표시장치에서 발광부에 정공 이동도가 느린 정공 수송층을 구성한다. 정공 이동도가 느린 정공 수송층을 포함하는 발광부는 황색-녹색 발광층 또는 녹색 발광층을 포함하는 발광부일 수 있다. 따라서, 황색-녹색 발광층 또는 녹색 발광층의 발광 효율이나 수명이 향상되도록 황색-녹색 발광층 또는 녹색 발광층을 포함하는 발광부에 정공 이동도가 느린 정공 수송층을 구성한다. 이에 대해서는 도 4 내지 도 11을 참조하여 설명한다.In an embodiment of the present invention, in an organic light emitting diode display including two or more light emitting units, a hole transport layer having a slow hole mobility is formed in the light emitting unit. The light emitting part including the hole transport layer having slow hole mobility may be the light emitting part including the yellow-green light emitting layer or the green light emitting layer. Accordingly, a hole transporting layer having a slow hole mobility is configured in the yellow-green light emitting layer or the light emitting part including the green light emitting layer to improve the luminous efficiency or lifetime of the green light emitting layer. This will be described with reference to FIGS. 4 to 11 .

도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 소자를 나타내는 도면이다.4 is a diagram illustrating an organic light emitting device according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도 4에 도시된 유기 발광 소자(200)는 기판(201)과, 제1 전극(202) 및 제2 전극(204)과, 제1 및 제2 전극(202,204) 사이에 제1 발광부(210), 제2 발광부(220) 및 제3 발광부(230)를 구비한다.The organic light emitting diode 200 illustrated in FIG. 4 includes a substrate 201 , first and second electrodes 202 and 204 , and a first light emitting part 210 between the first and second electrodes 202 and 204 . ), a second light emitting unit 220 and a third light emitting unit 230 are provided.

기판(201)은 절연 물질, 또는 유연성(flexibility)을 가지는 재료로 구성될 수 있다. 유리, 금속, 또는 플라스틱 등으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 유기 발광 표시 장치가 플렉서블(flexible) 유기발광 표시장치인 경우에는 플라스틱 등과 같은 유연한 재질로 이루어질 수도 있다.The substrate 201 may be formed of an insulating material or a material having flexibility. It may be made of glass, metal, or plastic, but is not limited thereto. When the organic light emitting display device is a flexible organic light emitting display device, it may be made of a flexible material such as plastic.

제1 전극(202)은 정공(hole)을 공급하는 양극으로 TCO(Transparent Conductive Oxide)와 같은 투명 도전 물질인 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 등으로 형성될 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.The first electrode 202 is an anode for supplying holes, and may be formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), etc., which are transparent conductive materials such as transparent conductive oxide (TCO), but it must be It is not limited.

제2 전극(204)은 전자(electron)를 공급하는 음극으로 금속성 물질인 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 마그네슘(Mg) 등으로 형성되거나, 이들의 합금으로 형성될 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.The second electrode 204 is a cathode for supplying electrons, and is formed of a metallic material such as gold (Au), silver (Ag), aluminum (Al), molybdenum (Mo), magnesium (Mg), or the like. It may be formed of an alloy, but is not necessarily limited thereto.

제1 전극(202)과 제2 전극(204)은 각각 애노드(anode) 또는 캐소드(cathode)로 지칭될 수 있다. 또는, 제1 전극(202)은 투과 전극이고, 제2 전극(204)은 반사 전극으로 구성될 수 있다.The first electrode 202 and the second electrode 204 may be referred to as an anode or a cathode, respectively. Alternatively, the first electrode 202 may be a transmissive electrode and the second electrode 204 may be a reflective electrode.

제1 발광부(210)는 제1 전극(202) 위에 제1 정공 수송층(HTL)(212), 제1 발광층(EML)(214) 및 제1 전자 수송층(ETL)(216)을 포함하여 이루어질 수 있다. The first light emitting part 210 may include a first hole transport layer (HTL) 212 , a first emission layer (EML) 214 , and a first electron transport layer (ETL) 216 on the first electrode 202 . can

정공 주입층(HIL)은 상기 제1 전극(202) 위에 추가로 구성될 수 있으며, 제1 전극(202)으로부터의 정공(hole) 주입을 원활하게 하는 역할을 한다. The hole injection layer HIL may be additionally configured on the first electrode 202 , and serves to facilitate hole injection from the first electrode 202 .

제1 정공 수송층(HTL)(212)은 정공 주입층(HIL)으로부터의 정공을 제1 발광층(EML)(214)에 공급한다. 제1 전자 수송층(ETL)(216)은 제2 전극(204)으로부터의 전자를 제1 발광층(EML)(214)에 공급한다. 따라서, 제1 발광층(EML)(214)에서는 제1 정공 수송층(HTL)(212)을 통해 공급된 정공(hole)과 제1 전자 수송층(ETL)(216)을 통해 공급된 전자(electron)들이 재결합되므로 광이 생성된다. The first hole transport layer (HTL) 212 supplies holes from the hole injection layer (HIL) to the first emission layer (EML) 214 . The first electron transport layer (ETL) 216 supplies electrons from the second electrode 204 to the first light emitting layer (EML) 214 . Accordingly, in the first light emitting layer (EML) 214 , holes supplied through the first hole transport layer (HTL) 212 and electrons supplied through the first electron transport layer (ETL) 216 are separated from each other. As they recombine, light is produced.

제1 전자 수송층(ETL)(216)은 2개 이상의 층이나 2개 이상의 재료를 적용하여 구성할 수 있다. 제1 전자 수송층(ETL)(216) 위에는 전자 주입층(EIL)이 더 구성될 수도 있다. The first electron transport layer (ETL) 216 may be formed by applying two or more layers or two or more materials. An electron injection layer (EIL) may be further formed on the first electron transport layer (ETL) 216 .

제1 발광층(EML)(214) 위에 정공 저지층(HBL)을 추가로 구성할 수 있다. 정공 저지층(HBL)은 제1 발광층(EML)(214)에 주입된 정공이 제1 전자 수송층(ETL)(216)으로 넘어오는 것을 방지함으로써 제1 발광층(EML)(214)에서 전자와 정공의 결합을 향상시켜 제1 발광층(EML)(214)의 발광 효율을 향상시킬 수 있다. 제1 전자 수송층(ETL)(216)과 정공 저지층(HBL)은 하나의 층으로도 구성할 수 있다. A hole blocking layer (HBL) may be additionally formed on the first light emitting layer (EML) 214 . The hole blocking layer (HBL) prevents the holes injected into the first light emitting layer (EML) 214 from flowing into the first electron transport layer (ETL) 216 , thereby forming electrons and holes in the first light emitting layer (EML) 214 . By improving the coupling of the light emitting layer (EML) 214 , the luminous efficiency of the first light emitting layer (EML) 214 may be improved. The first electron transport layer (ETL) 216 and the hole blocking layer (HBL) may be configured as a single layer.

제1 발광층(EML)(214) 아래에 전자 저지층(EBL)을 추가로 구성할 수 있다. 상기 전자 저지층(EBL)은 제1 발광층(EML)(214)에 주입된 전자가 제1 정공 수송층(HTL)(212)으로 넘어오는 것을 방지함으로써 제1 발광층(EML)(214)에서 전자와 정공의 결합을 향상시켜 제1 발광층(EML)(214)의 발광 효율을 향상시킬 수 있다. 제1 정공 수송층(HTL)(212)과 전자 저지층(EBL)은 하나의 층으로도 구성할 수 있다. An electron blocking layer (EBL) may be further formed under the first light emitting layer (EML) 214 . The electron blocking layer (EBL) prevents electrons injected into the first light emitting layer (EML) 214 from passing over to the first hole transport layer (HTL) 212 , thereby preventing electrons from passing through the first light emitting layer (EML) 214 . The luminous efficiency of the first light emitting layer (EML) 214 may be improved by improving hole coupling. The first hole transport layer (HTL) 212 and the electron blocking layer (EBL) may be configured as a single layer.

제1 발광층(EML)(214)은 제1 색을 발광하는 발광층일 수 있다. 즉, 제1 발광층(EML)(214)은 청색(Blue) 발광층, 진청색(Deep Blue) 발광층, 또는 스카이 블루(Sky Blue) 발광층 중 하나를 포함할 수 있다. 제1 발광층(EML)(214)의 발광 영역은 440㎚ 내지 480㎚의 범위일 수 있다.The first emission layer (EML) 214 may be an emission layer that emits a first color. That is, the first emission layer (EML) 214 may include one of a blue emission layer, a deep blue emission layer, or a sky blue emission layer. The emission area of the first emission layer (EML) 214 may be in a range of 440 nm to 480 nm.

제1 발광층(EML)(214)은 다른 색을 발광할 수 있는 보조 발광층을 포함한 청색(Blue) 발광층으로 구성된다. 상기 보조 발광층으로는 황색-녹색(Yellow-Green) 발광층 또는 적색(Red) 발광층 중 하나로 구성되거나 이들의 조합으로 구성될 수 있다. 보조 발광층을 더 구성할 경우 녹색(Green) 발광층이나 적색(Red) 발광층의 발광 효율을 더 개선할 수 있다. 보조 발광층을 포함하여 제1 발광층(EML)(214)을 구성하는 경우, 황색-녹색(Yellow-Green) 발광층 또는 적색(Red) 발광층 또는 녹색(Green) 발광층이 제1 발광층(EML)(214)의 위 또는 아래에 구성하는 것도 가능하다. 또한, 보조 발광층으로 황색-녹색(Yellow-Green) 발광층 또는 적색(Red) 발광층 또는 녹색(Green) 발광층이 제1 발광층(EML)(214)의 위 및 아래에 동일하게 구성하거나 다르게 구성할 수 있다. 발광층의 위치나 수 등은 소자의 구성 및 특성에 따라 선택적으로 배치하는 것이 가능하며, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. The first light emitting layer (EML) 214 includes a blue light emitting layer including an auxiliary light emitting layer capable of emitting light of another color. The auxiliary light emitting layer may be composed of one of a yellow-green light emitting layer, a red light emitting layer, or a combination thereof. When the auxiliary light emitting layer is further configured, the luminous efficiency of the green light emitting layer or the red light emitting layer can be further improved. When configuring the first light emitting layer (EML) 214 by including the auxiliary light emitting layer, a yellow-green light emitting layer or a red light emitting layer or a green light emitting layer is a first light emitting layer (EML) 214 . It is also possible to configure above or below In addition, as the auxiliary light-emitting layer, a yellow-green light-emitting layer or a red light-emitting layer or a green light-emitting layer may be configured identically or differently above and below the first light-emitting layer (EML) 214 . . The position or number of the light emitting layers may be selectively disposed according to the configuration and characteristics of the device, but is not necessarily limited thereto.

제1 발광층(EML)(214)에 상기 보조 발광층을 구성할 경우, 제1 발광층(EML)(214)의 발광 영역은 440㎚ 내지 650㎚ 범위일 수 있다.When the auxiliary emission layer is formed in the first emission layer (EML) 214 , the emission area of the first emission layer (EML) 214 may be in a range of 440 nm to 650 nm.

상기 제1 발광층(EML)(214)은 적어도 하나의 호스트와 도펀트로 구성될 수 있다. 또는 상기 제1 발광층(EML)(214)은 두 개 이상의 호스트가 혼합된 혼합 호스트(mixed host)와 적어도 하나의 도펀트로 구성할 수도 있다. 상기 혼합 호스트는 정공 수송 특성을 가진 호스트와 전자 수송 특성을 가진 호스트가 포함될 수 있다. The first emission layer (EML) 214 may include at least one host and a dopant. Alternatively, the first light emitting layer (EML) 214 may include a mixed host in which two or more hosts are mixed and at least one dopant. The mixed host may include a host having hole transport properties and a host having electron transport properties.

상기 제1 발광부(210)를 구성하는 제1 정공 수송층(HTL)(212), 제1 발광층(EML)(214), 제1 전자 수송층(ETL)(216), 전자 주입층(EIL), 정공 주입층(HIL), 정공 저지층(HBL), 전자 저지층(EBL) 등은 유기층들이라고 할 수 있다.A first hole transport layer (HTL) 212 , a first emission layer (EML) 214 , a first electron transport layer (ETL) 216 , an electron injection layer (EIL) constituting the first light emitting part 210 , The hole injection layer (HIL), the hole blocking layer (HBL), and the electron blocking layer (EBL) may be referred to as organic layers.

제2 발광부(220)는 제2 정공 수송층(HTL)(228), 제2 발광층(EML)(224), 제2 전자 수송층(ETL)(226)을 포함하여 이루어질 수 있다.The second light emitting part 220 may include a second hole transport layer (HTL) 228 , a second emission layer (EML) 224 , and a second electron transport layer (ETL) 226 .

제2 전자 수송층(ETL)(226) 위에 전자 주입층(EIL)을 추가로 구성할 수 있다. 또한, 제2 정공 수송층(HTL)(228) 아래에 정공 주입층(HIL)을 추가로 구성할 수 있다. An electron injection layer (EIL) may be further formed on the second electron transport layer (ETL) 226 . In addition, a hole injection layer (HIL) may be additionally formed under the second hole transport layer (HTL) 228 .

제2 발광층(EML)(224) 위에 정공 저지층(HBL)을 추가로 구성할 수 있다. 정공 저지층(HBL)은 제2 발광층(EML)(224)에 주입된 정공이 제2 전자 수송층(ETL)(224)으로 넘어오는 것을 방지함으로써 제2 발광층(EML)(224)에서 전자와 정공의 결합을 향상시켜 제2 발광층(EML)(224)의 발광 효율을 향상시킬 수 있다. 제2 전자 수송층(ETL)(226)과 정공 저지층(HBL)은 하나의 층으로도 구성할 수 있다. A hole blocking layer (HBL) may be additionally formed on the second light emitting layer (EML) 224 . The hole blocking layer (HBL) prevents the holes injected into the second light emitting layer (EML) 224 from flowing into the second electron transport layer (ETL) 224 , thereby forming electrons and holes in the second light emitting layer (EML) 224 . By improving the coupling of the light emitting layer (EML) 224 , the luminous efficiency of the second light emitting layer (EML) 224 may be improved. The second electron transport layer (ETL) 226 and the hole blocking layer (HBL) may be configured as a single layer.

제2 발광층(EML)(224) 아래에 전자 저지층(EBL)을 추가로 구성할 수 있다. 상기 전자 저지층(EBL)은 제2 발광층(EML)(224)에 주입된 전자가 제2 정공 수송층(HTL)(228)으로 넘어오는 것을 방지함으로써 제2 발광층(EML)(224)에서 전자와 정공의 결합을 향상시켜 제2 발광층(EML)(224)의 발광 효율을 향상시킬 수 있다. 제2 정공 수송층(HTL)(228)과 전자 저지층(EBL)은 하나의 층으로도 구성할 수 있다. An electron blocking layer (EBL) may be further formed under the second light emitting layer (EML) 224 . The electron blocking layer (EBL) prevents electrons injected into the second light emitting layer (EML) 224 from passing over to the second hole transport layer (HTL) 228 , thereby preventing electrons from passing through the second light emitting layer (EML) 224 . The luminous efficiency of the second light emitting layer (EML) 224 may be improved by improving hole coupling. The second hole transport layer (HTL) 228 and the electron blocking layer (EBL) may be configured as a single layer.

상기 제2 발광부(220)를 구성하는 제2 정공 수송층(HTL)(228), 제2 발광층(EML)(224), 제2 전자 수송층(ETL)(226), 전자 주입층(EIL), 정공 주입층(HIL), 정공 저지층(HBL), 전자 저지층(EBL) 등은 유기층들이라고 할 수 있다.A second hole transport layer (HTL) 228 , a second light emitting layer (EML) 224 , a second electron transport layer (ETL) 226 , an electron injection layer (EIL) constituting the second light emitting part 220 , The hole injection layer (HIL), the hole blocking layer (HBL), and the electron blocking layer (EBL) may be referred to as organic layers.

제2 발광층(EML)(224)은 제2 색을 발광하는 발광층일 수 있다. 즉, 제2 발광층(EML)(224)은 황색-녹색(Yellow-Green) 발광층 또는 녹색(Green) 발광층으로 구성한다. 제2 발광층(EML)(224)의 발광 영역은 510㎚ 내지 590㎚ 범위일 수 있다. 상기 제2 발광층(EML)(224)은 적어도 하나의 호스트와 도펀트로 구성될 수 있다. 또는 상기 제2 발광층(EML)(224)은 두 개 이상의 호스트가 혼합된 혼합 호스트(mixed host)와 적어도 하나의 도펀트로 구성할 수도 있다. 상기 혼합 호스트는 정공 수송 특성을 가진 호스트와 전자 수송 특성을 가진 호스트가 포함될 수 있다. The second emission layer (EML) 224 may be an emission layer that emits a second color. That is, the second emission layer (EML) 224 includes a yellow-green emission layer or a green emission layer. The emission area of the second emission layer (EML) 224 may be in a range of 510 nm to 590 nm. The second emission layer (EML) 224 may include at least one host and a dopant. Alternatively, the second light emitting layer (EML) 224 may include a mixed host in which two or more hosts are mixed and at least one dopant. The mixed host may include a host having hole transport properties and a host having electron transport properties.

제1 발광부(210) 및 제2 발광부(220)의 효율 향상 즉, 제2 색을 발광하는 제2 발광층(EML)(224)의 효율 향상을 위하여 제2 발광부(220)는 제1 전극(202)에 근접하게 위치시켜야 한다. 또는, 제1 발광층(EML)(214)과 제2 발광층(EML)(224) 사이에 있는 유기층들의 두께는 제1 전극(202)과 제1 발광층(EML)(214) 사이에 있는 유기층들의 두께보다 작게 구성함으로써, 제2 발광부(220)를 제1 전극(202)에 근접하게 위치시킬 수 있다. 따라서, 제2 발광부(220)가 제1 전극(202)에 근접하게 위치시키기 위해서는, 제2 발광부(220)를 구성하는 제2 정공 수송층(HTL)(228)의 두께를 조절함으로써, 유기 발광 소자의 효율이나 수명을 향상시킬 수 있다. 제2 발광부(220)의 캐비티 피크를 고려하여 제2 정공 수송층(HTL)(228)의 두께는 10nm 이하로 구성할 수 있다. 즉, 제1 발광층(EML)(214)과 제2 발광층(EML)(224) 사이에 있는 유기층들의 두께는 제1 전극(202)과 제1 발광층(EML)(214) 사이에 있는 유기층들의 두께보다 작도록 제2 정공 수송층(HTL)(228)의 두께는 제1 정공 수송층(HTL)(212)의 두께보다 작게 구성할 수 있다. 제1 정공 수송층(HTL)(212)의 두께는 90 내지 110nm 범위로 할 수 있다.In order to improve the efficiency of the first light emitting unit 210 and the second light emitting unit 220 , that is, to improve the efficiency of the second light emitting layer (EML) 224 emitting a second color, the second light emitting unit 220 is configured to It should be positioned close to the electrode 202 . Alternatively, the thickness of the organic layers between the first emission layer (EML) 214 and the second emission layer (EML) 224 is the thickness of the organic layers between the first electrode 202 and the first emission layer (EML) 214 . By making it smaller, the second light emitting part 220 can be positioned close to the first electrode 202 . Therefore, in order to position the second light emitting unit 220 close to the first electrode 202 , by adjusting the thickness of the second hole transport layer (HTL) 228 constituting the second light emitting unit 220 , the organic The efficiency and lifetime of the light emitting device can be improved. In consideration of the cavity peak of the second light emitting part 220 , the thickness of the second hole transport layer (HTL) 228 may be 10 nm or less. That is, the thickness of the organic layers between the first emission layer (EML) 214 and the second emission layer (EML) 224 is the thickness of the organic layers between the first electrode 202 and the first emission layer (EML) 214 . The thickness of the second hole transport layer (HTL) 228 may be smaller than that of the first hole transport layer (HTL) 212 to be smaller. The thickness of the first hole transport layer (HTL) 212 may be in a range of 90 to 110 nm.

그리고, 본 발명에서는 정공 수송층의 두께가 감소함에 따른 발광층으로의 정공의 과잉을 줄이기 위해 정공 수송층의 특성을 조절한 것을 특징으로 한다. 또는, 유기 발광 소자의 효율 향상을 위하여 제2 정공 수송층(HTL)(228)과 제1 정공 수송층(HTL)(212)은 정공 이동도가 서로 다른 물질로 구성할 수 있다. 따라서, 제2 정공 수송층(HTL)(228)은 제1 정공 수송층(HTL)(212)보다 정공 이동도가 느린 물질로 구성할 수 있다.In addition, in the present invention, it is characterized in that the characteristics of the hole transport layer are adjusted in order to reduce the excess of holes in the light emitting layer as the thickness of the hole transport layer decreases. Alternatively, in order to improve the efficiency of the organic light emitting diode, the second hole transport layer (HTL) 228 and the first hole transport layer (HTL) 212 may be formed of materials having different hole mobility. Accordingly, the second hole transport layer (HTL) 228 may be formed of a material having lower hole mobility than the first hole transport layer (HTL) 212 .

즉, 유기 발광 소자의 효율 향상을 위하여 제2 발광층(EML)(224)은 제1 전극(201)에 근접하게 위치하며, 제2 정공 수송층(HTL)(228)의 두께를 얇게 하면서 제2 발광층(EML)(224)으로 정공 과잉이 안 되도록 제2 정공 수송층(HTL)(228)은 정공 이동도가 느린 물질로 구성한 것을 특징으로 한다. That is, in order to improve the efficiency of the organic light emitting device, the second light emitting layer (EML) 224 is positioned close to the first electrode 201 , and while the thickness of the second hole transport layer (HTL) 228 is thinned, the second light emitting layer The second hole transport layer (HTL) 228 is made of a material having low hole mobility so that holes are not excessively formed by the (EML) 224 .

따라서, 상기 제2 정공 수송층(HTL)(228)은 정공 조절층이라고 할 수 있다. 상기 정공 조절층은 제2 발광층(EML)(224)으로의 정공의 이동을 조절하며, 상기 제2 발광층(EML)(224)의 재결합 영역이 제2 발광층(EML)(224)과 제2 전자 수송층(ETL)(226)의 계면이 아닌 상기 제2 발광층(EML)(224) 내에 있도록 하는 것을 특징으로 한다.Accordingly, the second hole transport layer (HTL) 228 may be referred to as a hole control layer. The hole control layer controls the movement of holes to the second light emitting layer (EML) 224 , and the recombination region of the second light emitting layer (EML) 224 is formed between the second light emitting layer (EML) 224 and the second electrons. It is characterized in that it is located in the second light emitting layer (EML) 224 rather than the interface of the transport layer (ETL) 226 .

상기 제2 정공 수송층(HTL)(228)은 정공 이동도가 느린 재료로 구성하여야 하므로, 제2 정공 수송층(HTL)(228)의 정공 수송 물질은 코어(core)에 정공 전달 특성의 치환기보다는 전자 전달 특성의 치환기를 포함하는 화합물로 구성할 수 있다. 전자 전달 특성의 치환기를 포함하는 화합물은 예를 들어, 피리딘(pyridine) 계열, 트리아진(triazine) 계열, 이미다졸(imidazole) 계열, 벤즈이미다졸(benzimidazole) 계열, 퀴놀린(quinolone) 계열, 트리아졸(trizole)계열, 페난쓰롤린(phenanthroline) 계열 중 어느 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. Since the second hole transport layer (HTL) 228 should be made of a material having low hole mobility, the hole transport material of the second hole transport layer (HTL) 228 is an electron rather than a substituent having hole transport properties to the core. It can be composed of a compound containing a substituent of transfer properties. The compound including a substituent having electron transport properties is, for example, a pyridine series, a triazine series, an imidazole series, a benzimidazole series, a quinolone series, and a triazole. (trizole) series and may be any one of phenanthroline series, but is not limited thereto.

구체적으로 예를 들면, 제2 정공 수송층(HTL)(228)은 PY1(3,5-di(pyren-1-yl)pyridine, TmPPPyTz(2,4,6-tris(3'-(pyridine-3-yl)biphenyl-3-yl)-1,3,5-triazine), TPBi(2,2',2"-(1,3,5-benzinetriyl)-tris(1-phenyl-1-H-benzimidazole), TAZ(3-(4-biphenyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole), BPhen(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) 등으로 이루어질 수 있지만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.Specifically, for example, the second hole transport layer (HTL) 228 is PY1(3,5-di(pyren-1-yl)pyridine, TmPPPyTz(2,4,6-tris(3′-(pyridine-3) -yl)biphenyl-3-yl)-1,3,5-triazine), TPBi(2,2',2"-(1,3,5-benzinetriyl)-tris(1-phenyl-1-H-benzimidazole) ), TAZ(3-(4-biphenyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole), BPhen(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), etc. , but is not necessarily limited thereto.

제1 정공 수송층(HTL)(212)은 예를 들면, NPD(N,N'-bis(naphthalene-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-2,2'-dimethylbenzidine)로 이루어질 수 있다.The first hole transport layer (HTL) 212 may be formed of, for example, N,N'-bis(naphthalene-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-2,2'-dimethylbenzidine (NPD). can

그리고, 제1 정공 수송층(HTL)(212)의 정공 이동도는 5.0 X 10-5cm2/Vs 내지 9.0 X 10-4cm2/Vs 범위일 수 있다. 제2 정공 수송층(HTL)(228)의 정공 이동도는 제1 정공 수송층(HTL)(212)의 정공 이동도보다 half order의 차이를 가질 수 있다. 따라서, 제2 정공 수송층(HTL)(228)의 정공 이동도는 5.0 X 10-6cm2/Vs 내지 9.0 X 10-5cm2/Vs 범위일 수 있다. In addition, the hole mobility of the first hole transport layer (HTL) 212 may be in a range of 5.0 X 10 -5 cm 2 /Vs to 9.0 X 10 -4 cm 2 /Vs. The hole mobility of the second hole transport layer (HTL) 228 may have a difference in half order than the hole mobility of the first hole transport layer (HTL) 212 . Accordingly, the hole mobility of the second hole transport layer (HTL) 228 may be in a range of 5.0 X 10 -6 cm 2 /Vs to 9.0 X 10 -5 cm 2 /Vs.

제2 정공 수송층(HTL)(228)의 정공 이동도가 느리므로, 제2 발광층(EML)(224)의 전하 균형(charge balance)을 조절하기 위해서, 제2 전자 수송층(ETL)(226)은 전자 이동도가 빠른 물질로 구성할 수 있다. 제2 전자 수송층(ETL)(226)의 전자 이동도는 1.0 X 10-3cm2/Vs 이상일 수 있다. Since the hole mobility of the second hole transport layer (HTL) 228 is slow, in order to adjust the charge balance of the second light emitting layer (EML) 224 , the second electron transport layer (ETL) 226 is It can be composed of a material with high electron mobility. The electron mobility of the second electron transport layer (ETL) 226 may be 1.0 X 10 -3 cm 2 /Vs or more.

예를 들어, 제2 전자 수송층(ETL)(226)은 PBD(2-(4-biphenyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole), BAlq(Bis(2-methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphenolato)aluminium), Liq(8-hydroxyquinolinolato-lithium)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 따라서, 전자 이동도가 빠른 제2 전자 수송층(ETL)(226)과 정공 이동도가 느린 제2 정공 수송층(HTL)(228)에 의해서 상기 제2 발광층(EML)(224)의 전하 균형을 조절할 수 있다. 상기 제2 발광층(EML)(224)의 전하 균형이 이루어지면, 제2 발광층(EML)(224) 내에 정공과 전자가 결합하는 재결합 영역이 생성될 수 있으므로, 제2 발광층(EML)(224)의 수명이 향상될 수 있다. 즉, 상기 제2 발광층(EML)(224) 내에서 재결합 영역이 생성되도록 제2 발광층(EML)(224)의 전하 균형을 조절하므로, 제2 발광층(EML)(224)의 수명이 향상될 수 있다. 또한, 상기 제2 정공 수송층(HTL)(228)의 두께가 얇음으로 인해서 전하 균형이 상기 제2 전자 수송층(ETL)(226)과 상기 제2 발광층(EML)(224)의 계면에 생성되나, 정공 이동도가 느린 제2 정공 수송층(HTL)(228)에 의해 상기 제2 발광층(EML)(224)으로의 정공의 주입을 늦추므로 제2 발광층(EML)(224)의 전하 균형이 이루어질 수 있다. 따라서, 상기 제2 발광층(EML)(224) 내에서 재결합 영역이 생성되도록 상기 제2 발광층(EML)(224)의 전하 균형을 조절하므로, 제2 발광층(EML)(224)의 수명이 향상될 수 있다.For example, the second electron transport layer (ETL) 226 may include PBD (2-(4-biphenyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole), BAlq (Bis(2- It may consist of any one or more selected from the group consisting of methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphenolato)aluminium) and Liq(8-hydroxyquinolinolato-lithium), but is not limited thereto. Accordingly, the charge balance of the second light emitting layer (EML) 224 is controlled by the second electron transport layer (ETL) 226 having high electron mobility and the second hole transport layer (HTL) 228 having low hole mobility. can When the charge of the second light emitting layer (EML) 224 is balanced, a recombination region in which holes and electrons combine may be generated in the second light emitting layer (EML) 224 , and thus the second light emitting layer (EML) 224 . lifespan can be improved. That is, since the charge balance of the second light emitting layer (EML) 224 is adjusted so that a recombination region is created in the second light emitting layer (EML) 224, the lifespan of the second light emitting layer (EML) 224 can be improved. there is. In addition, due to the thin thickness of the second hole transport layer (HTL) 228, a charge balance is generated at the interface between the second electron transport layer (ETL) 226 and the second light emitting layer (EML) 224, Since injection of holes into the second light emitting layer (EML) 224 is slowed by the second hole transport layer (HTL) 228 having slow hole mobility, the charge balance of the second light emitting layer (EML) 224 can be achieved. there is. Accordingly, since the charge balance of the second light emitting layer (EML) 224 is adjusted so that a recombination region is generated in the second light emitting layer (EML) 224, the lifespan of the second light emitting layer (EML) 224 is improved. can

그리고, 제2 전자 수송층(ETL)(226)은 2개 이상의 층이나 상기 재료 중에서 2개 이상의 재료를 적용하여 구성할 수 있다.In addition, the second electron transport layer (ETL) 226 may be configured by applying two or more layers or two or more materials from among the above materials.

상기 제1 전자 수송층(ETL)(216)은 예를 들면, Alq3(tris(8-hydroxy-quinolinato)aluminium)로 이루어질 수 있다. 상기 제1 전자 수송층(ETL)(216)의 전자 이동도는 1.0 X 10-5cm2/Vs 이상일 수 있다. The first electron transport layer (ETL) 216 may be made of, for example, Alq 3 (tris(8-hydroxy-quinolinato)aluminium). The electron mobility of the first electron transport layer (ETL) 216 may be 1.0 X 10 -5 cm 2 /Vs or more.

제1 발광부(210)와 상기 제2 발광부(220) 사이에는 제1 전하 생성층(CGL)(240)이 더 구성될 수 있다. 제1 전하 생성층(CGL)(240)은 제1 발광부(210) 및 제2 발광부(220) 간의 전하 균형을 조절한다. 제1 전하 생성층(240)은 N형 전하 생성층(N-CGL)과 P형 전하 생성층(P-CGL)을 포함할 수 있다. A first charge generating layer (CGL) 240 may be further formed between the first light emitting unit 210 and the second light emitting unit 220 . The first charge generation layer (CGL) 240 adjusts the charge balance between the first light emitting unit 210 and the second light emitting unit 220 . The first charge generation layer 240 may include an N-type charge generation layer (N-CGL) and a P-type charge generation layer (P-CGL).

N형 전하 생성층(N-CGL)은 제1 발광부(210)로 전자(electron)를 주입해주는 역할을 하며, P형 전하 생성층(P-CGL)은 제2 발광부(220)로 정공(hole)을 주입해주는 역할을 한다. The N-type charge generation layer (N-CGL) serves to inject electrons into the first light-emitting part 210 , and the P-type charge generation layer (P-CGL) serves to inject holes into the second light-emitting part 220 . It plays the role of injecting a hole.

N형 전하 생성층(N-CGL)은 각각 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 또는 세슘(Cs)과 같은 알칼리 금속, 또는 마그네슘(Mg), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba), 또는 라듐(Ra)과 같은 알칼리 토금속으로 도핑된 유기층으로 이루어질 수 있지만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. The N-type charge generation layer (N-CGL) is formed of an alkali metal such as lithium (Li), sodium (Na), potassium (K), or cesium (Cs), respectively, or magnesium (Mg), strontium (Sr), barium ( Ba) or an organic layer doped with an alkaline earth metal such as radium (Ra), but is not necessarily limited thereto.

P형 전하 생성층(P-CGL)은 P형 도펀트가 포함된 유기층으로 이루어질 수 있지만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 전하 생성층(CGL)(240)은 단일층으로 구성할 수도 있다.The P-type charge generation layer (P-CGL) may be formed of an organic layer including a P-type dopant, but is not limited thereto. The first charge generating layer (CGL) 240 may be configured as a single layer.

상기 제3 발광부(230)는 상기 제2 발광부(220) 위에 제3 정공 수송층(HTL)(232), 제3 발광층(EML)(234) 및 제3 전자 수송층(ETL)(236)을 포함하여 이루어질 수 있다. The third light emitting unit 230 includes a third hole transport layer (HTL) 232 , a third light emitting layer (EML) 234 , and a third electron transport layer (ETL) 236 on the second light emitting unit 220 . can be included.

제3 전자 수송층(ETL)(236) 위에 전자 주입층(EIL)을 추가로 구성할 수 있다. 또한, 제3 정공 수송층(HTL)(232) 아래에 정공 주입층(HIL)을 추가로 구성할 수 있다. An electron injection layer (EIL) may be additionally formed on the third electron transport layer (ETL) 236 . In addition, a hole injection layer (HIL) may be additionally formed under the third hole transport layer (HTL) 232 .

제3 정공 수송층(HTL)(232)은 2개 이상의 층이나 2개 이상의 재료를 적용하여 구성할 수 있다. The third hole transport layer (HTL) 232 may be formed by applying two or more layers or two or more materials.

그리고, 유기 발광 소자의 효율 향상을 위하여 제3 정공 수송층(HTL)(232)의 두께는 제2 정공 수송층(HTL)(228)의 두께보다 두껍게 구성한다. 예를 들어, 제3 정공 수송층(HTL)(232)의 두께는 80 내지 100nm 범위로 할 수 있다. 따라서, 제1 정공 수송층(HTL)(212)의 두께가 제3 정공 수송층(HTL)(232)보다 두껍게 구성될 수 있다. In addition, in order to improve the efficiency of the organic light emitting diode, the thickness of the third hole transport layer (HTL) 232 is thicker than that of the second hole transport layer (HTL) 228 . For example, the thickness of the third hole transport layer (HTL) 232 may be in the range of 80 to 100 nm. Accordingly, the thickness of the first hole transport layer (HTL) 212 may be thicker than that of the third hole transport layer (HTL) 232 .

제3 전자 수송층(ETL)(236)은 2개 이상의 층이나 2개 이상의 재료를 적용하여 구성할 수 있다.The third electron transport layer (ETL) 236 may be formed by applying two or more layers or two or more materials.

제3 전자 수송층(ETL)(236)은 벤젠(benzene), 벤족사졸(benzoxazole) 등으로 이루어질 수 있지만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.The third electron transport layer (ETL) 236 may be made of benzene, benzoxazole, or the like, but is not limited thereto.

제3 발광층(EML)(234)은 제1 색과 동일한 색을 발광하는 발광층일 수 있다. 즉, 제3 발광층(EML)(234)은 청색(Blue) 발광층, 진청색(Deep Blue) 발광층, 또는 스카이 블루(Sky Blue) 발광층 중 하나를 포함할 수 있다. 제3 발광층(EML)(234)의 발광 영역은 440㎚ 내지 480㎚의 범위일 수 있다.The third emission layer (EML) 234 may be an emission layer that emits the same color as the first color. That is, the third emission layer (EML) 234 may include one of a blue emission layer, a deep blue emission layer, or a sky blue emission layer. The emission area of the third emission layer (EML) 234 may be in a range of 440 nm to 480 nm.

제3 발광층(EML)(234)은 다른 색을 발광할 수 있는 보조 발광층을 포함한 청색(Blue) 발광층으로 구성된다. 상기 보조 발광층으로는 황색-녹색(Yellow-Green) 발광층 또는 적색(Red) 발광층 중 하나로 구성되거나 이들의 조합으로 구성될 수 있다. 보조 발광층을 더 구성할 경우 녹색(Green) 발광층이나 적색(Red) 발광층의 발광 효율을 더 개선할 수 있다. 보조 발광층을 포함하여 제3 발광층(EML)(234)을 구성하는 경우, 황색-녹색(Yellow-Green) 발광층 또는 적색(Red) 발광층 또는 녹색(Green) 발광층이 제3 발광층(EML)(234)의 위 또는 아래에 구성하는 것도 가능하다. 또한, 보조 발광층으로 황색-녹색(Yellow-Green) 발광층 또는 적색(Red) 발광층 또는 녹색(Green) 발광층이 제3 발광층(EML)(234)의 위 및 아래에 동일하게 구성하거나 다르게 구성할 수 있다. 발광층의 위치나 수 등은 소자의 구성 및 특성에 따라 선택적으로 배치하는 것이 가능하며, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. The third light emitting layer (EML) 234 includes a blue light emitting layer including an auxiliary light emitting layer capable of emitting light of another color. The auxiliary light emitting layer may be composed of one of a yellow-green light emitting layer, a red light emitting layer, or a combination thereof. When the auxiliary light emitting layer is further configured, the luminous efficiency of the green light emitting layer or the red light emitting layer can be further improved. When configuring the third light emitting layer (EML) 234 including the auxiliary light emitting layer, a yellow-green light emitting layer or a red light emitting layer or a green light emitting layer is a third light emitting layer (EML) 234 . It is also possible to configure above or below In addition, as the auxiliary light emitting layer, a yellow-green light emitting layer or a red light emitting layer or a green light emitting layer may be configured identically or differently above and below the third light emitting layer (EML) 234 . . The position or number of the light emitting layers may be selectively disposed according to the configuration and characteristics of the device, but is not necessarily limited thereto.

제3 발광층(EML)(234)에 상기 보조 발광층을 구성할 경우, 제3 발광층(EML)(234)의 발광 영역은 440㎚ 내지 650㎚ 범위일 수 있다.When the auxiliary emission layer is formed in the third emission layer (EML) 234 , the emission area of the third emission layer (EML) 234 may be in a range of 440 nm to 650 nm.

상기 제3 발광층(EML)(234)은 적어도 하나의 호스트와 도펀트로 구성될 수 있다. 또는 상기 제3 발광층(EML)(234)은 두 개 이상의 호스트가 혼합된 혼합 호스트(mixed host)와 적어도 하나의 도펀트로 구성할 수도 있다. 상기 혼합 호스트는 정공 수송 특성을 가진 호스트와 전자 수송 특성을 가진 호스트가 포함될 수 있다. The third emission layer (EML) 234 may include at least one host and a dopant. Alternatively, the third light emitting layer (EML) 234 may include a mixed host in which two or more hosts are mixed and at least one dopant. The mixed host may include a host having hole transport properties and a host having electron transport properties.

제3 발광층(EML)(234) 위에 정공 저지층(HBL)을 추가로 구성할 수 있다. 정공 저지층(HBL)은 제3 발광층(EML)(234)에 주입된 정공이 제3 전자 수송층(ETL)(236)으로 넘어오는 것을 방지함으로써 제3 발광층(EML)(234)에서 전자와 정공의 결합을 향상시켜 제3 발광층(EML)(234)의 발광 효율을 향상시킬 수 있다. 제3 전자 수송층(ETL)(236)과 정공 저지층(HBL)은 하나의 층으로도 구성할 수 있다. A hole blocking layer (HBL) may be additionally formed on the third light emitting layer (EML) 234 . The hole blocking layer (HBL) prevents the holes injected into the third light emitting layer (EML) 234 from flowing into the third electron transport layer (ETL) 236 , thereby forming electrons and holes in the third light emitting layer (EML) 234 . By improving the coupling of the light emitting layer (EML) 234 , the luminous efficiency of the third light emitting layer (EML) 234 may be improved. The third electron transport layer (ETL) 236 and the hole blocking layer (HBL) may be configured as a single layer.

제3 발광층(EML)(234) 아래에 전자 저지층(EBL)을 추가로 구성할 수 있다. 전자 저지층(EBL)은 제3 발광층(EML)(234)에 주입된 전자가 제3 정공 수송층(HTL)(232)으로 넘어오는 것을 방지함으로써 제3 발광층(EML)(234)에서 전자와 정공의 결합을 향상시켜 제3 발광층(EML)(234)의 발광 효율을 향상시킬 수 있다. 제3 정공 수송층(HTL)(232)과 전자 저지층(EBL)은 하나의 층으로도 구성할 수 있다. An electron blocking layer (EBL) may be further formed under the third light emitting layer (EML) 234 . The electron blocking layer (EBL) prevents electrons injected into the third light emitting layer (EML) 234 from flowing into the third hole transport layer (HTL) 232 , thereby forming electrons and holes in the third light emitting layer (EML) 234 . By improving the coupling of the light emitting layer (EML) 234 , the luminous efficiency of the third light emitting layer (EML) 234 may be improved. The third hole transport layer (HTL) 232 and the electron blocking layer (EBL) may be configured as a single layer.

상기 제3 발광부(230)를 구성하는 제3 정공 수송층(HTL)(232), 제3 발광층(EML)(234), 제3 전자 수송층(ETL)(236), 전자 주입층(EIL), 정공 주입층(HIL), 정공 저지층(HBL), 전자 저지층(EBL) 등은 유기층들이라고 할 수 있다.A third hole transport layer (HTL) 232 , a third light emitting layer (EML) 234 , a third electron transport layer (ETL) 236 , an electron injection layer (EIL) constituting the third light emitting part 230 , The hole injection layer (HIL), the hole blocking layer (HBL), and the electron blocking layer (EBL) may be referred to as organic layers.

제2 발광부(220)와 제3 발광부(230) 사이에는 제2 전하 생성층(CGL)(250)이 더 구성될 수 있다. 제2 전하 생성층(250)은 상기 제2 및 제3 발광부(220,230) 간의 전하 균형을 조절한다. 제2 전하 생성층(CGL)(250)은 N형 전하 생성층(N-CGL) 및 P형 전하 생성층(P-CGL)을 포함할 수 있다. A second charge generation layer (CGL) 250 may be further formed between the second light emitting unit 220 and the third light emitting unit 230 . The second charge generation layer 250 adjusts the charge balance between the second and third light emitting units 220 and 230 . The second charge generation layer (CGL) 250 may include an N-type charge generation layer (N-CGL) and a P-type charge generation layer (P-CGL).

N형 전하 생성층(N-CGL)은 제2 발광부(220)로 전자(electron)를 주입해주는 역할을 하며, P형 전하 생성층(P-CGL)은 제3 발광부(230)로 정공(hole)을 주입해주는 역할을 한다. The N-type charge generation layer (N-CGL) serves to inject electrons into the second light-emitting unit 220 , and the P-type charge generation layer (P-CGL) provides holes to the third light-emitting unit 230 . It plays the role of injecting a hole.

N형 전하 생성층(N-CGL)은 각각 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 또는 세슘(Cs)과 같은 알칼리 금속, 또는 마그네슘(Mg), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba), 또는 라듐(Ra)과 같은 알칼리 토금속으로 도핑된 유기층으로 이루어질 수 있지만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. The N-type charge generation layer (N-CGL) is formed of an alkali metal such as lithium (Li), sodium (Na), potassium (K), or cesium (Cs), respectively, or magnesium (Mg), strontium (Sr), barium ( Ba) or an organic layer doped with an alkaline earth metal such as radium (Ra), but is not necessarily limited thereto.

P형 전하 생성층(P-CGL)은 P형 도펀트가 포함된 유기층으로 이루어질 수 있지만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 제2 전하 생성층(CGL)(250)은 제1 전하 생성층(CGL)(240)의 N형 전하 생성층(N-CGL)과 P형 전하 생성층(P-CGL)의 동일한 물질로 이루어질 수 있지만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 그리고, 제2 전하 생성층(CGL)(250)은 단일층으로 형성할 수 있다.The P-type charge generation layer (P-CGL) may be formed of an organic layer including a P-type dopant, but is not limited thereto. The second charge generation layer (CGL) 250 is formed of the same material as the N-type charge generation layer (N-CGL) of the first charge generation layer (CGL) 240 and the P-type charge generation layer (P-CGL). may be, but is not necessarily limited thereto. In addition, the second charge generating layer (CGL) 250 may be formed as a single layer.

본 발명의 제2 실시예에 따른 백색 유기 발광 소자는 하부 발광(Bottom Emission) 방식에 적용할 수 있다. 이에 한정되지 않고, 상부 발광(Top Emission) 방식, 또는 양부 발광(Dual Emission) 방식에 적용하는 것도 가능하다. 상부 발광 방식이나 양부 발광 방식에서는 소자의 특성이나 구조에 따라 발광층들의 위치 등이 달라질 수 있다. The white organic light emitting diode according to the second embodiment of the present invention may be applied to a bottom emission method. The present invention is not limited thereto, and may be applied to a top emission method or a dual emission method. In the top emission type or the positive emission type, the positions of the emission layers may vary depending on the characteristics or structure of the device.

그리고, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 소자를 포함하는 유기발광 표시장치는, 기판(201) 상에 서로 교차하여 각 화소 영역을 정의하는 게이트 배선과 데이터 배선과 이중 어느 하나와 평행하게 연장되는 전원 배선이 위치하며, 각 화소 영역에는 게이트 배선 및 데이터 배선에 연결된 스위칭 박막트랜지스터와 스위칭 박막 트랜지스터에 연결된 구동 박막 트랜지스터가 위치한다. 구동 박막 트랜지스터는 상기 제1 전극(202)에 연결된다.In addition, in the organic light emitting display device including the organic light emitting diode according to the second exemplary embodiment of the present invention, a gate line and a data line that cross each other on a substrate 201 and define each pixel area are parallel to any one of them. An extended power supply line is positioned, and a switching thin film transistor connected to a gate line and a data line and a driving thin film transistor connected to the switching thin film transistor are positioned in each pixel area. The driving thin film transistor is connected to the first electrode 202 .

본 발명의 제2 실시예를 적용한 경우의 제2 발광층(EML)(224)의 재결합 영역에 대해서 도 5를 참조하여 설명한다.A recombination region of the second light emitting layer (EML) 224 when the second embodiment of the present invention is applied will be described with reference to FIG. 5 .

도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 에너지 밴드 다이어그램을 나타내는 도면이다. 5 is a diagram illustrating an energy band diagram according to a second embodiment of the present invention.

도 5에 도시한 바와 같이, 제2 정공 수송층(HTL)(228)에서의 정공 (도면에서는 "h+"로 표시)이 제2 발광층(EML)(224)으로 이동한다. 그리고, 제2 전극(204)으로부터 생성된 전자(도면에서는 "e-"로 표시)는 제2 전자 수송층(ETL)(226)에서 제2 발광층(EML)(224)으로 이동하여 제2 발광층(EML)(224) 내에서 정공과 전자가 결합하여 여기자가 생성됨을 알 수 있다. 따라서, 정공과 전자가 결합하는 재결합 영역(RZ2; Recombination Zone)은 제2 발광층(EML)(224) 내에 생성된다. 따라서, 제2 발광층(EML)(224)이 발광에 기여하므로, 소자의 수명이 향상될 수 있다.As shown in FIG. 5 , holes in the second hole transport layer (HTL) 228 (indicated by “h+” in the drawing) move to the second light emitting layer (EML) 224 . Then, the electrons generated from the second electrode 204 (indicated by “e-” in the drawing) move from the second electron transport layer (ETL) 226 to the second light emitting layer (EML) 224 and move to the second light emitting layer ( It can be seen that in the EML) 224, holes and electrons combine to generate excitons. Accordingly, a recombination zone (RZ2) in which holes and electrons are combined is generated in the second light emitting layer (EML) 224 . Accordingly, since the second light emitting layer (EML) 224 contributes to light emission, the lifespan of the device may be improved.

즉, 유기 발광 소자의 효율 향상을 위하여 제2 발광층(EML)(224)은 제1 전극(201)에 근접하게 위치하며, 제2 정공 수송층(HTL)(222)의 두께를 얇게 하면서 제2 발광층(EML)(224)으로 정공 과잉이 안 되도록 제2 정공 수송층(HTL)(222)은 정공 이동도가 느린 물질로 구성한다, 따라서, 제2 발광층(EML)(224)의 재결합 영역(RZ2)이 제2 정공 수송층(HTL)(222)과 제2 발광층(EML)(224)의 계면에 생성되어 제2 발광층(EML)(224)이 발광에 기여하지 못하여 수명이 저하되는 문제점을 해결할 수 있다. 즉, 제2 발광층(EML)(224)의 재결합 영역(RZ2)이 제2 전자 수송층(ETL)(226)과 제2 발광층(EML)(224)의 계면에 생성되어 제2 전자 수송층(ETL)(226)의 열화로 인한 수명이 저하되는 문제점을 해결할 수 있다. That is, in order to improve the efficiency of the organic light emitting diode, the second light emitting layer (EML) 224 is positioned close to the first electrode 201 , and while the thickness of the second hole transport layer (HTL) 222 is thinned, the second light emitting layer The second hole transporting layer (HTL) 222 is made of a material with low hole mobility so as not to cause excess holes into the (EML) 224 . Therefore, the recombination region RZ2 of the second light emitting layer (EML) 224 is It is generated at the interface between the second hole transport layer (HTL) 222 and the second light emitting layer (EML) 224 , and the second light emitting layer (EML) 224 does not contribute to light emission, thereby reducing the lifespan. . That is, the recombination region RZ2 of the second light emitting layer (EML) 224 is generated at the interface between the second electron transport layer (ETL) 226 and the second light emitting layer (EML) 224 to form a second electron transport layer (ETL). It is possible to solve the problem that the lifetime is reduced due to the deterioration of 226 .

또한, 상기 제2 정공 수송층(HTL)(228)의 두께가 얇음으로 인해서 전하 균형이 상기 제2 전자 수송층(ETL)(226)과 상기 제2 발광층(EML)(224)의 계면에 생성되나, 정공 이동도가 느린 제2 정공 수송층(HTL)(228)에 의해 상기 제2 발광층(EML)(224)으로의 정공의 주입을 늦추므로 제2 발광층(EML)(224)의 전하 균형이 이루어질 수 있다. 따라서, 상기 제2 발광층(EML)(224) 내에서 재결합 영역이 생성되도록 상기 제2 발광층(EML)(224)의 전하 균형을 조절하므로, 제2 발광층(EML)(224)의 수명이 향상될 수 있다. In addition, due to the thin thickness of the second hole transport layer (HTL) 228, a charge balance is generated at the interface between the second electron transport layer (ETL) 226 and the second light emitting layer (EML) 224, Since injection of holes into the second light emitting layer (EML) 224 is slowed by the second hole transport layer (HTL) 228 having slow hole mobility, the charge balance of the second light emitting layer (EML) 224 can be achieved. there is. Accordingly, since the charge balance of the second light emitting layer (EML) 224 is adjusted so that a recombination region is generated in the second light emitting layer (EML) 224, the lifespan of the second light emitting layer (EML) 224 is improved. can

그리고, 제2 발광층(EML)(224)인 황색-녹색 발광층 또는 녹색 발광층은 녹색과 적색을 모두 발광하여야 하므로 녹색 효율 대비 적색 효율이 저하될 수 있다. 따라서, 적색 효율을 향상시키기 위해서 제2 발광층(EML)(224)은 제2 발광층(EML)(224)에 포함된 도펀트의 농도를 다르게 구성한 적어도 두 개의 영역을 포함할 수 있다. 이에 대해서는 도 6을 참조하여 설명한다. In addition, since the yellow-green light emitting layer or the green light emitting layer that is the second light emitting layer (EML) 224 should emit both green and red light, red efficiency compared to green efficiency may be lowered. Accordingly, in order to improve red efficiency, the second emission layer (EML) 224 may include at least two regions in which concentrations of dopants included in the second emission layer (EML) 224 are different. This will be described with reference to FIG. 6 .

도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기 발광 소자를 나타내는 도면이다.6 is a diagram illustrating an organic light emitting device according to a third exemplary embodiment of the present invention.

도 6에 도시된 유기 발광 소자(300)는 기판(301)과, 제1 전극(302) 및 제2 전극(304)과, 제1 및 제2 전극(302,304) 사이에 제1 발광부(310), 제2 발광부(320) 및 제3 발광부(330)를 구비한다. 도 6의 기판(301), 제1 전극(302), 제2 전극(304), 제1 발광부(310), 제2 발광부(320) 및 제3 발광부(330)는 도 4를 결부하여 설명한 기판(201), 제1 전극(202), 제2 전극(204), 제1 발광부(210), 제2 발광부(220) 및 제3 발광부(230)는 실질적으로 동일하다. 따라서, 도 6의 기판(301), 제1 전극(302), 제2 전극(304), 제1 발광부(310), 제2 발광부(320) 및 제3 발광부(330)에 대한 자세한 설명은 생략한다. The organic light emitting diode 300 illustrated in FIG. 6 includes a substrate 301 , first and second electrodes 302 and 304 , and a first light emitting part 310 between the first and second electrodes 302 and 304 . ), a second light emitting unit 320 and a third light emitting unit 330 are provided. The substrate 301 , the first electrode 302 , the second electrode 304 , the first light emitting unit 310 , the second light emitting unit 320 , and the third light emitting unit 330 of FIG. 6 are connected to FIG. 4 . The substrate 201 , the first electrode 202 , the second electrode 204 , the first light emitting unit 210 , the second light emitting unit 220 , and the third light emitting unit 230 described above are substantially the same. Accordingly, details of the substrate 301 , the first electrode 302 , the second electrode 304 , the first light emitting unit 310 , the second light emitting unit 320 , and the third light emitting unit 330 of FIG. 6 . A description is omitted.

제1 발광부(310)는 제1 전극(302) 위에 제1 정공 수송층(HTL)(312), 제1 발광층(EML)(314) 및 제1 전자 수송층(ETL)(316)을 포함하여 이루어질 수 있다. The first light emitting part 310 may include a first hole transport layer (HTL) 312 , a first emission layer (EML) 314 , and a first electron transport layer (ETL) 316 on the first electrode 302 . can

상기 제1 정공 수송층(HTL)(312) 아래에는 정공 주입층(HIL)이 더 구성될 수도 있다. 그리고, 상기 제1 전자 수송층(ETL)(216) 위에는 전자 주입층(EIL)이 더 구성될 수도 있다.A hole injection layer (HIL) may be further formed under the first hole transport layer (HTL) 312 . In addition, an electron injection layer (EIL) may be further formed on the first electron transport layer (ETL) 216 .

제1 발광층(EML)(314)은 제1 색을 발광하는 발광층일 수 있다. 제1 발광층(EML)(314)은 청색(Blue) 발광층, 진청색(Deep Blue) 발광층, 또는 스카이 블루(Sky Blue) 발광층 중 하나를 포함할 수 있다. 제1 발광층(EML)(314)의 발광 영역은 440㎚ 내지 480㎚의 범위일 수 있다. 상기 제1 발광층(EML)(314)은 적어도 하나의 호스트와 도펀트로 구성될 수 있다. 또는 상기 제2 발광층(EML)(314)은 두 개 이상의 호스트가 혼합된 혼합 호스트(mixed host)와 적어도 하나의 도펀트로 구성할 수도 있다. 상기 혼합 호스트는 정공 수송 특성을 가진 호스트와 전자 수송 특성을 가진 호스트가 포함될 수 있다. The first emission layer (EML) 314 may be an emission layer that emits a first color. The first emission layer (EML) 314 may include one of a blue emission layer, a deep blue emission layer, or a sky blue emission layer. The emission area of the first emission layer (EML) 314 may be in a range of 440 nm to 480 nm. The first emission layer (EML) 314 may include at least one host and a dopant. Alternatively, the second light emitting layer (EML) 314 may include a mixed host in which two or more hosts are mixed and at least one dopant. The mixed host may include a host having hole transport properties and a host having electron transport properties.

상기 제1 발광층(EML)(314) 위에 정공 저지층(HBL)을 추가로 구성할 수 있다. 상기 제1 전자 수송층(ETL)(316)과 정공 저지층(HBL)은 하나의 층으로도 구성할 수 있다. 그리고, 상기 제1 발광층(EML)(314) 아래에 전자 저지층(EBL)을 추가로 구성할 수 있다. 상기 제1 정공 수송층(HTL)(312)과 전자 저지층(EBL)은 하나의 층으로도 구성할 수 있다.A hole blocking layer (HBL) may be additionally formed on the first light emitting layer (EML) 314 . The first electron transport layer (ETL) 316 and the hole blocking layer (HBL) may be configured as a single layer. In addition, an electron blocking layer (EBL) may be further formed under the first light emitting layer (EML) 314 . The first hole transport layer (HTL) 312 and the electron blocking layer (EBL) may be configured as a single layer.

상기 제1 발광부(310)를 구성하는 제1 정공 수송층(HTL)(312), 제1 발광층(EML)(314), 제1 전자 수송층(ETL)(316), 전자 주입층(EIL), 정공 주입층(HIL), 정공 저지층(HBL), 전자 저지층(EBL) 등은 유기층들이라고 할 수 있다.A first hole transport layer (HTL) 312 , a first emission layer (EML) 314 , a first electron transport layer (ETL) 316 , an electron injection layer (EIL) constituting the first light emitting part 310 , The hole injection layer (HIL), the hole blocking layer (HBL), and the electron blocking layer (EBL) may be referred to as organic layers.

제2 발광부(320)는 제2 정공 수송층(HTL)(328), 제2 발광층(EML)(324), 제2 전자 수송층(ETL)(326)을 포함하여 이루어질 수 있다.The second light emitting part 320 may include a second hole transport layer (HTL) 328 , a second emission layer (EML) 324 , and a second electron transport layer (ETL) 326 .

상기 제2 정공 수송층(HTL)(328) 아래에는 정공 주입층(HIL)이 더 구성될 수도 있다. 그리고, 상기 제2 전자 수송층(ETL)(326) 위에는 전자 주입층(EIL)이 더 구성될 수도 있다.A hole injection layer (HIL) may be further formed under the second hole transport layer (HTL) 328 . In addition, an electron injection layer (EIL) may be further formed on the second electron transport layer (ETL) 326 .

제2 발광층(EML)(324)은 제2 색을 발광하는 발광층일 수 있다. 제2 발광층(EML)(324)은 황색-녹색(Yellow-Green) 발광층 또는 녹색(Green) 발광층으로 구성할 수 있다. 제2 발광층(EML)(324)의 발광 영역은 510㎚ 내지 590㎚ 범위일 수 있다. 상기 제2 발광층(EML)(324)은 적어도 하나의 호스트와 도펀트로 구성될 수 있다. 또는 상기 제2 발광층(EML)(324)은 두 개 이상의 호스트가 혼합된 혼합 호스트(mixed host)와 적어도 하나의 도펀트로 구성할 수도 있다. 상기 혼합 호스트는 정공 수송 특성을 가진 호스트와 전자 수송 특성을 가진 호스트가 포함될 수 있다. The second emission layer (EML) 324 may be an emission layer that emits a second color. The second emission layer (EML) 324 may include a yellow-green emission layer or a green emission layer. The emission area of the second emission layer (EML) 324 may be in a range of 510 nm to 590 nm. The second light emitting layer (EML) 324 may include at least one host and a dopant. Alternatively, the second light emitting layer (EML) 324 may include a mixed host in which two or more hosts are mixed and at least one dopant. The mixed host may include a host having hole transport properties and a host having electron transport properties.

상기 제2 발광층(EML)(324) 위에 정공 저지층(HBL)을 추가로 구성할 수 있다. 상기 제2 전자 수송층(ETL)(326)과 정공 저지층(HBL)은 하나의 층으로도 구성할 수 있다. 그리고, 상기 제2 발광층(EML)(324) 아래에 전자 저지층(EBL)을 추가로 구성할 수 있다. 상기 제2 정공 수송층(HTL)(328)과 전자 저지층(EBL)은 하나의 층으로도 구성할 수 있다.A hole blocking layer (HBL) may be additionally formed on the second light emitting layer (EML) 324 . The second electron transport layer (ETL) 326 and the hole blocking layer (HBL) may be configured as a single layer. In addition, an electron blocking layer (EBL) may be further formed under the second light emitting layer (EML) 324 . The second hole transport layer (HTL) 328 and the electron blocking layer (EBL) may be configured as a single layer.

상기 제2 발광부(320)를 구성하는 제2 정공 수송층(HTL)(328), 제2 발광층(EML)(324), 제2 전자 수송층(ETL)(326), 전자 주입층(EIL), 정공 주입층(HIL), 정공 저지층(HBL), 전자 저지층(EBL) 등은 유기층들이라고 할 수 있다.A second hole transport layer (HTL) 328 , a second light emitting layer (EML) 324 , a second electron transport layer (ETL) 326 , an electron injection layer (EIL) constituting the second light emitting part 320 , The hole injection layer (HIL), the hole blocking layer (HBL), and the electron blocking layer (EBL) may be referred to as organic layers.

그리고, 유기 발광 소자의 효율 향상을 위하여 제2 색을 발광하는 제2 발광층(EML)(324)은 제1 전극(301)에 근접하게 위치하며, 제2 정공 수송층(HTL)(328)의 두께를 얇게 하면서 제2 발광층(EML)(324)으로 정공 과잉이 안 되도록 제2 정공 수송층(HTL)(328)은 정공 이동도가 느린 물질로 구성한 것을 특징으로 한다. In addition, in order to improve the efficiency of the organic light emitting diode, a second light emitting layer (EML) 324 emitting a second color is located close to the first electrode 301 and has a thickness of the second hole transport layer (HTL) 328 . It is characterized in that the second hole transport layer (HTL) 328 is made of a material having low hole mobility so that holes do not overflow into the second light emitting layer (EML) 324 while thinning the hole.

또는, 제1 발광층(EML)(314)과 제2 발광층(EML)(324) 사이에 있는 유기층들의 두께는 제1 전극(302)과 제1 발광층(EML)(314) 사이에 있는 유기층들의 두께보다 작게 구성함으로써, 제2 발광부(320)를 제1 전극(302)에 근접하게 위치시킬 수 있다. 즉, 제1 발광층(EML)(314)과 제2 발광층(EML)(324) 사이에 있는 유기층들의 두께는 제1 전극(302)과 제1 발광층(EML)(314) 사이에 있는 유기층들의 두께보다 작도록 제2 정공 수송층(HTL)(328)의 두께는 제1 정공 수송층(HTL)(312)의 두께보다 작게 구성할 수 있다. 제2 발광부(320)의 캐비티 피크를 고려하여 제2 정공 수송층(HTL)(328)의 두께는 10nm 이하로 할 수 있다. 그리고, 제1 정공 수송층(HTL)(312)의 두께는 90 내지 110nm 범위로 할 수 있다. Alternatively, the thickness of the organic layers between the first emission layer (EML) 314 and the second emission layer (EML) 324 is the thickness of the organic layers between the first electrode 302 and the first emission layer (EML) 314 . By making it smaller, the second light emitting part 320 can be positioned close to the first electrode 302 . That is, the thickness of the organic layers between the first emission layer (EML) 314 and the second emission layer (EML) 324 is the thickness of the organic layers between the first electrode 302 and the first emission layer (EML) 314 . The thickness of the second hole transport layer (HTL) 328 may be smaller than that of the first hole transport layer (HTL) 312 to be smaller. In consideration of the cavity peak of the second light emitting part 320 , the thickness of the second hole transport layer (HTL) 328 may be less than or equal to 10 nm. In addition, the thickness of the first hole transport layer (HTL) 312 may be in a range of 90 to 110 nm.

그리고, 상기 제2 정공 수송층(HTL)(328)은 정공 조절층이라고 할 수 있다. 상기 정공 조절층은 제2 발광층(EML)(324)으로의 정공의 이동을 조절하며, 상기 제2 발광층(EML)(324)의 재결합 영역이 상기 제2 발광층(EML)(324) 내에 있도록 있는 것을 특징으로 한다. 따라서, 도 5에서 설명한 바와 같이, 상기 제2 발광층(EML)(324) 내에서 재결합 영역이 생성되도록 상기 제2 발광층(EML)(324)의 전하 균형을 조절하므로, 제2 발광층(EML)(324)의 수명이 향상될 수 있다.In addition, the second hole transport layer (HTL) 328 may be referred to as a hole control layer. The hole control layer controls the movement of holes to the second light emitting layer (EML) 324, so that the recombination region of the second light emitting layer (EML) 324 is in the second light emitting layer (EML) 324 characterized in that Therefore, as described in FIG. 5 , since the charge balance of the second light emitting layer (EML) 324 is adjusted so that a recombination region is generated in the second light emitting layer (EML) 324, the second light emitting layer (EML) ( 324) can be improved.

그리고, 유기 발광 소자의 효율 향상을 위하여 제2 정공 수송층(HTL)(328)과 제1 정공 수송층(HTL)(312)은 정공 이동도가 서로 다른 물질로 구성할 수 있다. 즉, 상기 제2 정공 수송층(HTL)(328)은 제1 정공 수송층(HTL)(312)보다 정공 이동도가 느린 재료로 구성할 수 있다. 따라서, 제2 정공 수송층(HTL)(328)은 정공 이동도가 느린 재료로 구성하여야 하므로, 정공 수송 물질은 코어(core)에 정공 전달 특성의 치환기보다는 전자 전달 특성의 치환기를 포함하는 화합물로 구성할 수 있다. 전자 전달 특성의 치환기를 포함하는 화합물은 예를 들어, 피리딘(pyridine) 계열, 트리아진(triazine) 계열, 이미다졸(imidazole) 계열, 벤즈이미다졸(benzimidazole) 계열, 퀴놀린(quinolone) 계열, 트리아졸(trizole)계열, 페난쓰롤린(phenanthroline) 계열 중 어느 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. In addition, in order to improve the efficiency of the organic light emitting diode, the second hole transport layer (HTL) 328 and the first hole transport layer (HTL) 312 may be formed of materials having different hole mobility. That is, the second hole transport layer (HTL) 328 may be formed of a material having a hole mobility slower than that of the first hole transport layer (HTL) 312 . Therefore, since the second hole transport layer (HTL) 328 must be made of a material having low hole mobility, the hole transport material is composed of a compound containing a substituent having electron transport properties rather than a substituent having hole transport properties in the core. can do. The compound including a substituent having electron transport properties is, for example, a pyridine series, a triazine series, an imidazole series, a benzimidazole series, a quinolone series, and a triazole. (trizole) series and may be any one of phenanthroline series, but is not limited thereto.

구체적으로 예를 들면, 제2 정공 수송층(HTL)(328)은 PY1(3,5-di(pyren-1-yl)pyridine, TmPPPyTz(2,4,6-tris(3'-(pyridine-3-yl)biphenyl-3-yl)-1,3,5-triazine), TPBi(2,2',2"-(1,3,5-benzinetriyl)-tris(1-phenyl-1-H-benzimidazole), TAZ(3-(4-biphenyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole), BPhen(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) 등으로 이루어질 수 있지만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.Specifically, for example, the second hole transport layer (HTL) 328 is PY1(3,5-di(pyren-1-yl)pyridine, TmPPPyTz(2,4,6-tris(3′-(pyridine-3) -yl)biphenyl-3-yl)-1,3,5-triazine), TPBi(2,2',2"-(1,3,5-benzinetriyl)-tris(1-phenyl-1-H-benzimidazole) ), TAZ(3-(4-biphenyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole), BPhen(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), etc. , but is not necessarily limited thereto.

제1 정공 수송층(HTL)(312)은 예를 들면, NPD(N,N'-bis(naphthalene-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-2,2'-dimethylbenzidine)로 이루어질 수 있다.The first hole transport layer (HTL) 312 may be formed of, for example, N,N'-bis(naphthalene-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-2,2'-dimethylbenzidine (NPD). can

그리고, 제1 정공 수송층(HTL)(312)의 정공 이동도는 5.0 X 10-5cm2/Vs 내지 9.0 X 10-4cm2/Vs 범위일 수 있다. 제2 정공 수송층(HTL)(328)의 정공 이동도는 제1 정공 수송층(HTL)(312)의 정공 이동도보다 half order의 차이를 가질 수 있다. 따라서, 제2 정공 수송층(HTL)(328)의 정공 이동도는 5.0 X 10-6cm2/Vs 내지 9.0 X 10-5cm2/Vs 범위일 수 있다. In addition, the hole mobility of the first hole transport layer (HTL) 312 may be in a range of 5.0 X 10 -5 cm 2 /Vs to 9.0 X 10 -4 cm 2 /Vs. The hole mobility of the second hole transport layer (HTL) 328 may have a difference in half order than the hole mobility of the first hole transport layer (HTL) 312 . Accordingly, the hole mobility of the second hole transport layer (HTL) 328 may be in a range of 5.0 X 10 -6 cm 2 /Vs to 9.0 X 10 -5 cm 2 /Vs.

제2 정공 수송층(HTL)(328)의 정공 이동도가 느리므로, 제2 발광층(EML)(324)의 전하 균형(charge balance)을 조절하기 위해서, 제2 전자 수송층(ETL)(326)은 전자 이동도가 빠른 물질로 구성할 수 있다. 제2 전자 수송층(ETL)(326)의 전자 이동도는 1.0 X 10-3cm2/Vs 이상일 수 있다. Since the hole mobility of the second hole transport layer (HTL) 328 is slow, in order to adjust the charge balance of the second light emitting layer (EML) 324 , the second electron transport layer (ETL) 326 is It can be composed of a material with high electron mobility. The electron mobility of the second electron transport layer (ETL) 326 may be 1.0 X 10 -3 cm 2 /Vs or more.

예를 들어, 제2 전자 수송층(ETL)(326)은 PBD(2-(4-biphenyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole), BAlq(Bis(2-methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphenolato)aluminium), Liq(8-hydroxyquinolinolato-lithium)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. For example, the second electron transport layer (ETL) 326 may include PBD (2-(4-biphenyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole), BAlq (Bis(2- It may consist of any one or more selected from the group consisting of methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphenolato)aluminium) and Liq(8-hydroxyquinolinolato-lithium), but is not limited thereto.

그리고, 제2 전자 수송층(ETL)(326)은 2개 이상의 층이나 상기 재료 중에서 2개 이상의 재료를 적용하여 구성할 수 있다.In addition, the second electron transport layer (ETL) 326 may be formed by applying two or more layers or two or more materials from among the above materials.

상기 제1 전자 수송층(ETL)(316)은 예를 들면, Alq3(tris(8-hydroxy-quinolinato)aluminium)로 이루어질 수 있다. 상기 제1 전자 수송층(ETL)(316)의 전자 이동도는 1.0 X 10-5cm2/Vs 이상일 수 있다. The first electron transport layer (ETL) 316 may be made of, for example, Alq 3 (tris(8-hydroxy-quinolinato)aluminium). The electron mobility of the first electron transport layer (ETL) 316 may be 1.0 X 10 -5 cm 2 /Vs or more.

따라서, 전자 이동도가 빠른 제2 전자 수송층(ETL)(326)과 정공 이동도가 느린 제2 정공 수송층(HTL)(328)에 의해서 상기 제2 발광층(EML)(324)의 전하 균형을 조절할 수 있다. 상기 제2 발광층(EML)(324)의 전하 균형이 이루어지면, 제2 발광층(EML)(324) 내에 정공과 전자가 결합하는 재결합 영역이 생성될 수 있으므로, 제2 발광층(EML)(324)의 수명이 향상될 수 있다.Accordingly, the charge balance of the second light emitting layer (EML) 324 is controlled by the second electron transport layer (ETL) 326 having high electron mobility and the second hole transport layer (HTL) 328 having low hole mobility. can When the charge of the second light emitting layer (EML) 324 is balanced, a recombination region in which holes and electrons combine may be generated in the second light emitting layer (EML) 324 , and thus the second light emitting layer (EML) 324 . lifespan can be improved.

그리고, 적색 효율을 향상시키기 위해서, 제2 발광층(EML)(324)이 도펀트의 도핑 영역이 서로 다른 두 개의 영역인 제1 영역(321)과 제2 영역(323)으로 구성된다. 제1 전극(302)에 가까운 제1 영역(321)이 도펀트의 도핑 농도는 제2 영역(323)보다 높게 구성하여 적색 효율을 향상시킬 수 있다. 즉, 양극으로 기능하는 제1 전극(302)에서 가까운 제1 영역(321)의 도펀트 도핑 농도를 상기 제1 전극(302)에서 먼 제2 영역(323)의 도펀트 도핑 농도보다 크게 함으로써, 상대적으로 도펀트 도핑 농도가 큰 제1 영역(321)에서 발광된 광의 광효율을 향상시킬 수 있으므로, 적색을 띠는 백색광 방출에 유리할 수 있다. 따라서, 제2 발광층(EML)(324)은 도펀트의 도핑 영역이 서로 다른 적어도 두 개의 영역으로 구성하고, 적어도 두 개의 영역 중 상대적으로 도핑 농도가 큰 영역이 제2 전극(304)보다 제1 전극(302)에 가깝게 위치함으로써, 적색 효율을 향상시킬 수 있다. 여기서는 제2 발광층(EML)(324)이 도펀트의 농도가 다른 두 개의 영역인 제1 영역(321)과 제2 영역(323)으로 구성된 것으로 도시하였으나, 도펀트의 농도가 다른 적어도 두 개 이상의 영역을 포함할 수 있다. 상기 제1 영역(321)에 포함된 도펀트의 도핑 농도는 전체 호스트의 부피에 대해서 10 % 내지 30%일 수 있으며, 제2 영역(323)에 포함된 도펀트의 도핑 농도는 전체 호스트의 부피대해서 0.1% 내지 15%일 수 있으나, 이 범위에 한정되는 것은 아니다. In addition, in order to improve red efficiency, the second light emitting layer (EML) 324 includes a first region 321 and a second region 323 , which are two regions having different dopant doping regions. The doping concentration of the dopant in the first region 321 close to the first electrode 302 may be higher than that of the second region 323 , thereby improving redness efficiency. That is, by making the dopant doping concentration of the first region 321 close to the first electrode 302 serving as an anode greater than the dopant doping concentration of the second region 323 far from the first electrode 302 , it is relatively Since the luminous efficiency of light emitted from the first region 321 having a high dopant doping concentration may be improved, it may be advantageous for emitting white light having a red color. Accordingly, the second light emitting layer (EML) 324 includes at least two regions having different dopant doping regions, and among the at least two regions, a region having a relatively high doping concentration is higher than that of the second electrode 304 . By positioning it close to 302, the red efficiency can be improved. Here, although the second light emitting layer (EML) 324 is illustrated as being composed of two regions, the first region 321 and the second region 323 having different dopant concentrations, at least two regions having different dopant concentrations are used. may include The doping concentration of the dopant included in the first region 321 may be 10% to 30% with respect to the volume of the entire host, and the doping concentration of the dopant included in the second region 323 may be 0.1 with respect to the volume of the entire host. % to 15%, but is not limited to this range.

그리고, 제1 발광부(310)와 상기 제2 발광부(320) 사이에는 제1 전하 생성층(CGL)(340)이 더 구성될 수 있다. 제1 전하 생성층(CGL)(340)은 제1 발광부(310) 및 제2 발광부(320) 간의 전하 균형을 조절한다. 제1 전하 생성층(340)은 N형 전하 생성층(N-CGL)과 P형 전하 생성층(P-CGL)을 포함할 수 있다. N형 전하 생성층(N-CGL)은 제1 발광부(310)로 전자(electron)를 주입해주는 역할을 하며, P형 전하 생성층(P-CGL)은 제2 발광부(320)로 정공(hole)을 주입해주는 역할을 한다.In addition, a first charge generating layer (CGL) 340 may be further formed between the first light emitting part 310 and the second light emitting part 320 . The first charge generation layer (CGL) 340 adjusts the charge balance between the first light emitting unit 310 and the second light emitting unit 320 . The first charge generation layer 340 may include an N-type charge generation layer (N-CGL) and a P-type charge generation layer (P-CGL). The N-type charge generation layer (N-CGL) serves to inject electrons into the first light-emitting part 310 , and the P-type charge generation layer (P-CGL) serves to inject holes into the second light-emitting part 320 . It plays the role of injecting a hole.

상기 제3 발광부(330)는 상기 제2 발광부(320) 위에 제2 정공 수송층(HTL)(332), 제3 발광층(EML)(334) 및 제3 전자 수송층(ETL)(336)을 포함하여 이루어질 수 있다.The third light emitting unit 330 includes a second hole transport layer (HTL) 332 , a third light emitting layer (EML) 334 , and a third electron transport layer (ETL) 336 on the second light emitting unit 320 . can be included.

제3 전자 수송층(ETL)(336) 위에 전자 주입층(EIL)을 추가로 구성할 수 있다. 또한, 제3 정공 수송층(HTL)(332) 아래에 정공 주입층(HIL)을 추가로 구성할 수 있다. An electron injection layer (EIL) may be further formed on the third electron transport layer (ETL) 336 . In addition, a hole injection layer (HIL) may be further formed under the third hole transport layer (HTL) 332 .

그리고, 제3 전자 수송층(ETL)(336)은 2개 이상의 층이나 2개 이상의 재료를 적용하여 구성할 수 있다.In addition, the third electron transport layer (ETL) 336 may be configured by applying two or more layers or two or more materials.

유기 발광 소자의 효율 향상을 위하여 제3 정공 수송층(HTL)(332)의 두께는 제2 정공 수송층(HTL)(328)의 두께보다 두껍게 구성한다. 예를 들어, 제3 정공 수송층(HTL)(332)의 두께는 80 내지 100nm 범위로 할 수 있다. 따라서, 제1 정공 수송층(HTL)(312)의 두께가 제3 정공 수송층(HTL)(332)보다 두껍게 구성될 수 있다.In order to improve the efficiency of the organic light emitting diode, the thickness of the third hole transport layer (HTL) 332 is thicker than that of the second hole transport layer (HTL) 328 . For example, the thickness of the third hole transport layer (HTL) 332 may be in the range of 80 to 100 nm. Accordingly, the thickness of the first hole transport layer (HTL) 312 may be thicker than that of the third hole transport layer (HTL) 332 .

상기 제3 발광층(EML)(334)은 제1 색과 동일한 색을 발광하는 발광층일 수 있다. 즉, 제3 발광층(EML)(334)은 청색(Blue) 발광층, 진청색(Deep Blue) 발광층, 또는 스카이 블루(Sky Blue) 발광층 중 하나를 포함할 수 있다. 제3 발광층(EML)(334)의 발광 영역은 440㎚ 내지 480㎚의 범위일 수 있다. 상기 제3 발광층(EML)(334)은 적어도 하나의 호스트와 도펀트로 구성될 수 있다. 또는 상기 제2 발광층(EML)(334)은 두 개 이상의 호스트가 혼합된 혼합 호스트(mixed host)와 적어도 하나의 도펀트로 구성할 수도 있다. 상기 혼합 호스트는 정공 수송 특성을 가진 호스트와 전자 수송 특성을 가진 호스트가 포함될 수 있다. The third emission layer (EML) 334 may be an emission layer that emits the same color as the first color. That is, the third emission layer (EML) 334 may include one of a blue emission layer, a deep blue emission layer, or a sky blue emission layer. The emission area of the third emission layer (EML) 334 may be in a range of 440 nm to 480 nm. The third emission layer (EML) 334 may include at least one host and a dopant. Alternatively, the second light emitting layer (EML) 334 may include a mixed host in which two or more hosts are mixed and at least one dopant. The mixed host may include a host having hole transport properties and a host having electron transport properties.

상기 제3 발광층(EML)(334) 위에 정공 저지층(HBL)을 추가로 구성할 수 있다. 상기 제3 전자 수송층(ETL)(336)과 정공 저지층(HBL)은 하나의 층으로도 구성할 수 있다. 그리고, 상기 제3 발광층(EML)(334) 아래에 전자 저지층(EBL)을 추가로 3구성할 수 있다. 상기 제3 정공 수송층(HTL)(332)과 전자 저지층(EBL)은 하나의 층으로도 구성할 수 있다.A hole blocking layer (HBL) may be additionally formed on the third light emitting layer (EML) 334 . The third electron transport layer (ETL) 336 and the hole blocking layer (HBL) may be configured as a single layer. In addition, three electron blocking layers (EBL) may be further formed under the third light emitting layer (EML) 334 . The third hole transport layer (HTL) 332 and the electron blocking layer (EBL) may be configured as a single layer.

상기 제3 발광부(330)를 구성하는 제3 정공 수송층(HTL)(332), 제3 발광층(EML)(334), 제3 전자 수송층(ETL)(336), 전자 주입층(EIL), 정공 주입층(HIL), 정공 저지층(HBL), 전자 저지층(EBL) 등은 유기층들이라고 할 수 있다.A third hole transport layer (HTL) 332 , a third light emitting layer (EML) 334 , a third electron transport layer (ETL) 336 , an electron injection layer (EIL) constituting the third light emitting part 330 , The hole injection layer (HIL), the hole blocking layer (HBL), and the electron blocking layer (EBL) may be referred to as organic layers.

제2 발광부(320)와 제3 발광부(330) 사이에는 제2 전하 생성층(CGL)(350)이 더 구성될 수 있다. 제2 전하 생성층(350)은 상기 제2 및 제3 발광부(320,330) 간의 전하 균형을 조절한다. 제2 전하 생성층(CGL)(350)은 N형 전하 생성층(N-CGL) 및 P형 전하 생성층(P-CGL)을 포함할 수 있다. A second charge generation layer (CGL) 350 may be further formed between the second light emitting unit 320 and the third light emitting unit 330 . The second charge generation layer 350 adjusts the charge balance between the second and third light emitting units 320 and 330 . The second charge generation layer (CGL) 350 may include an N-type charge generation layer (N-CGL) and a P-type charge generation layer (P-CGL).

N형 전하 생성층(N-CGL)은 제2 발광부(320)로 전자(electron)를 주입해주는 역할을 하며, P형 전하 생성층(P-CGL)은 제3 발광부(330)로 정공(hole)을 주입해주는 역할을 한다. The N-type charge generation layer (N-CGL) serves to inject electrons into the second light-emitting part 320 , and the P-type charge generation layer (P-CGL) serves to inject holes into the third light-emitting part 330 . It plays the role of injecting a hole.

따라서, 본 발명의 제3 실시예에서는 유기 발광 소자의 효율 향상을 위하여 제2 발광층(EML)(324)은 제1 전극(201)에 근접하게 위치하며, 제2 정공 수송층(HTL)(328)의 두께를 얇게 하면서 제2 발광층(EML)(324)으로 정공 과잉이 안 되도록 제2 정공 수송층(HTL)(328)은 정공 이동도가 느린 물질로 구성한 것을 특징으로 한다. 이렇게 구성함으로써, 제2 발광층(EML)(324)의 발광 효율이나 수명을 향상시킬 수 있으므로, 유기 발광 소자의 효율이나 수명을 향상시킬 수 있다. 그리고, 제2 발광층(EML)(324)은 도펀트의 도핑 영역이 서로 다른 적어도 두 개의 영역으로 구성하고, 적어도 두 개의 영역 중 상대적으로 도핑 농도가 큰 영역이 제2 전극(304)보다 제1 전극(302)에 가깝게 위치함으로써, 적색 효율을 향상시킬 수 있다. Accordingly, in the third embodiment of the present invention, in order to improve the efficiency of the organic light emitting diode, the second light emitting layer (EML) 324 is positioned close to the first electrode 201 , and the second hole transport layer (HTL) 328 . The second hole transport layer (HTL) 328 is characterized in that it is made of a material having low hole mobility so that holes do not overflow into the second light emitting layer (EML) 324 while thinning the thickness of the second hole transport layer (HTL) 328 . By configuring in this way, the luminous efficiency and lifespan of the second light emitting layer (EML) 324 can be improved, so that the efficiency and lifespan of the organic light emitting diode can be improved. In addition, the second light emitting layer (EML) 324 includes at least two regions having different dopant doping regions, and among the at least two regions, a region having a relatively high doping concentration is higher than that of the second electrode 304 . By positioning it close to 302, the red efficiency can be improved.

본 발명의 제3 실시예에 따른 백색 유기 발광 소자는 하부 발광(Bottom Emission) 방식에 적용할 수 있다. 이에 한정되지 않고, 상부 발광(Top Emission) 방식, 또는 양부 발광(Dual Emission) 방식에 적용하는 것도 가능하다. 상부 발광 방식이나 양부 발광 방식에서는 소자의 특성이나 구조에 따라 발광층들의 위치 등이 달라질 수 있다. The white organic light emitting diode according to the third exemplary embodiment of the present invention may be applied to a bottom emission method. The present invention is not limited thereto, and may be applied to a top emission method or a dual emission method. In the top emission type or the positive emission type, the positions of the emission layers may vary depending on the characteristics or structure of the device.

그리고, 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기 발광 소자를 포함하는 유기발광 표시장치는, 기판(301) 상에 서로 교차하여 각 화소 영역을 정의하는 게이트 배선과 데이터 배선과 이중 어느 하나와 평행하게 연장되는 전원 배선이 위치하며, 각 화소 영역에는 게이트 배선 및 데이터 배선에 연결된 스위칭 박막트랜지스터와 스위칭 박막 트랜지스터에 연결된 구동 박막 트랜지스터가 위치한다. 구동 박막 트랜지스터는 상기 제1 전극(302)에 연결된다. In addition, in the organic light emitting display device including the organic light emitting diode according to the third exemplary embodiment of the present invention, a gate line and a data line that cross each other on a substrate 301 and define each pixel area are parallel to any one of them. An extended power supply line is positioned, and a switching thin film transistor connected to a gate line and a data line and a driving thin film transistor connected to the switching thin film transistor are positioned in each pixel area. The driving thin film transistor is connected to the first electrode 302 .

이상에서 설명한 유기 발광 소자는 청색 효율을 향상시키기 위해서 두 개의 발광부 위에 청색 발광층을 포함하는 발광부를 더 구성한 세 개의 발광부를 실시예로 설명하였으나, 이에 본 발명의 내용이 제한되는 것은 아니다. 따라서, 두 개의 발광부 또는 세 개 이상의 발광부를 포함하는 유기 발광 소자에도 적용할 수 있다. 이미 설명한 바와 같이, 적어도 두 개 이상의 발광부들로 구성하고 유기 발광 소자의 효율 향상을 위하여 제2 발광층(EML)은 제1 전극에 근접하게 위치시키며, 정공 수송층(HTL)의 두께를 얇게 하면서 제2 발광층(EML)으로 정공 과잉이 안 되도록 정공 수송층(HTL)은 정공 이동도가 느린 물질로 구성할 수 있다. 이렇게 구성함으로써, 발광층의 발광 효율이나 수명을 향상시킬 수 있으므로, 유기 발광 소자의 효율을 향상시킬 수 있다. 그리고, 제2 발광층(EML)은 도펀트의 도핑 영역이 서로 다른 적어도 두 개의 영역으로 구성하고, 적어도 두 개의 영역 중 상대적으로 도핑 농도가 큰 영역이 제2 전극보다 제1 전극에 가깝게 위치함으로써, 적색 효율을 향상시킬 수 있다. In the organic light emitting device described above, three light emitting units further comprising a light emitting unit including a blue light emitting layer on the two light emitting units in order to improve blue efficiency have been described as an embodiment, but the present invention is not limited thereto. Accordingly, the present invention may be applied to an organic light emitting device including two light emitting units or three or more light emitting units. As described above, the second light emitting layer EML is formed of at least two light emitting units, and the second light emitting layer EML is positioned close to the first electrode in order to improve the efficiency of the organic light emitting diode, and the second light emitting layer HTL is thinned in thickness. The hole transport layer (HTL) may be formed of a material having low hole mobility so that holes do not overflow into the light emitting layer (EML). By configuring in this way, the luminous efficiency and lifetime of the light emitting layer can be improved, and thus the efficiency of the organic light emitting device can be improved. In addition, the second light emitting layer EML is composed of at least two regions having different dopant doping regions, and a region having a relatively high doping concentration among the at least two regions is located closer to the first electrode than to the second electrode. efficiency can be improved.

따라서, 두 개의 발광부를 포함하는 유기 발광 소자에 대해서는 도 7 내지 도 8을 참조하여 설명한다. Accordingly, an organic light emitting device including two light emitting units will be described with reference to FIGS. 7 to 8 .

도 7은 본 발명의 제4 실시예에 따른 유기 발광 소자를 나타내는 도면이다.7 is a diagram illustrating an organic light emitting diode according to a fourth exemplary embodiment of the present invention.

도 7에 도시된 유기 발광 소자(400)는 기판(401)과, 제1 전극(402) 및 제2 전극(404)과, 제1 및 제2 전극(402,404) 사이에 제1 발광부(410) 및 제2 발광부(420)를 구비한다. 도 7의 기판(401), 제1 전극(402), 제2 전극(404), 제1 발광부(410) 및 제2 발광부(420)는 도 4를 결부하여 설명한 기판(201), 제1 전극(202), 제2 전극(204), 제1 발광부(410) 및 제2 발광부(420)는 실질적으로 동일하다. 따라서, 도 7의 기판(401), 제1 전극(402), 제2 전극(404), 제1 발광부(410) 및 제2 발광부(420)에 대한 자세한 설명은 생략한다. The organic light emitting device 400 illustrated in FIG. 7 includes a substrate 401 , first and second electrodes 402 and 404 , and a first light emitting part 410 between the first and second electrodes 402 and 404 . ) and a second light emitting unit 420 . The substrate 401, the first electrode 402, the second electrode 404, the first light emitting part 410, and the second light emitting part 420 of FIG. The first electrode 202 , the second electrode 204 , the first light emitting part 410 , and the second light emitting part 420 are substantially the same. Accordingly, detailed descriptions of the substrate 401 , the first electrode 402 , the second electrode 404 , the first light emitting unit 410 , and the second light emitting unit 420 of FIG. 7 will be omitted.

제1 발광부(410)는 제1 전극(402) 위에 제1 정공 수송층(HTL)(412), 제1 발광층(EML)(414) 및 제1 전자 수송층(ETL)(416)을 포함하여 이루어질 수 있다. The first light emitting part 410 may include a first hole transport layer (HTL) 412 , a first emission layer (EML) 414 , and a first electron transport layer (ETL) 416 on the first electrode 402 . can

제1 전자 수송층(ETL)(416) 위에 전자 주입층(EIL)을 추가로 구성할 수 있다. 또한, 제1 정공 수송층(HTL)(412) 아래에 정공 주입층(HIL)을 추가로 구성할 수 있다.An electron injection layer (EIL) may be additionally formed on the first electron transport layer (ETL) 416 . In addition, a hole injection layer (HIL) may be further formed under the first hole transport layer (HTL) 412 .

제1 발광층(EML)(414)은 제1 색을 발광하는 발광층일 수 있다. 즉, 제1 발광층(EML)(414)은 청색(Blue) 발광층, 진청색(Deep Blue) 발광층, 또는 스카이 블루(Sky Blue) 발광층 중 하나를 포함할 수 있다. 제1 발광층(EML)(414)의 발광 영역은 440㎚ 내지 480㎚의 범위일 수 있다. 그리고, 상기 제1 발광층(EML)(414)은 적어도 하나의 호스트와 도펀트로 구성될 수 있다. 또는, 상기 제1 발광층(EML)(414)은 두 개 이상의 호스트가 혼합된 혼합 호스트(mixed host)와 적어도 하나의 도펀트로 구성할 수도 있다. 상기 혼합 호스트는 정공 수송 특성을 가진 호스트와 전자 수송 특성을 가진 호스트가 포함될 수 있다. The first emission layer (EML) 414 may be an emission layer emitting a first color. That is, the first emission layer (EML) 414 may include one of a blue emission layer, a deep blue emission layer, or a sky blue emission layer. The emission area of the first emission layer (EML) 414 may be in a range of 440 nm to 480 nm. In addition, the first light emitting layer (EML) 414 may include at least one host and a dopant. Alternatively, the first light emitting layer (EML) 414 may be formed of a mixed host in which two or more hosts are mixed and at least one dopant. The mixed host may include a host having hole transport properties and a host having electron transport properties.

상기 제1 발광층(EML)(414) 위에 정공 저지층(HBL)을 추가로 구성할 수 있다. 상기 제1 전자 수송층(ETL)(416)과 정공 저지층(HBL)은 하나의 층으로도 구성할 수 있다. 그리고, 상기 제1 발광층(EML)(414) 아래에 전자 저지층(EBL)을 추가로 구성할 수 있다. 상기 제1 정공 수송층(HTL)(412)과 전자 저지층(EBL)은 하나의 층으로도 구성할 수 있다.A hole blocking layer (HBL) may be additionally formed on the first light emitting layer (EML) 414 . The first electron transport layer (ETL) 416 and the hole blocking layer (HBL) may be configured as a single layer. In addition, an electron blocking layer (EBL) may be further formed under the first light emitting layer (EML) 414 . The first hole transport layer (HTL) 412 and the electron blocking layer (EBL) may be configured as a single layer.

상기 제1 발광부(410)를 구성하는 제1 정공 수송층(HTL)(412), 제1 발광층(EML)(414), 제1 전자 수송층(ETL)(416), 전자 주입층(EIL), 정공 주입층(HIL), 정공 저지층(HBL), 전자 저지층(EBL) 등은 유기층들이라고 할 수 있다.A first hole transport layer (HTL) 412 , a first emission layer (EML) 414 , a first electron transport layer (ETL) 416 , an electron injection layer (EIL) constituting the first light emitting part 410 , The hole injection layer (HIL), the hole blocking layer (HBL), and the electron blocking layer (EBL) may be referred to as organic layers.

제2 발광부(420)는 제2 정공 수송층(HTL)(428), 제2 발광층(EML)(424), 제2 전자 수송층(ETL)(426)을 포함하여 이루어질 수 있다.The second light emitting part 420 may include a second hole transport layer (HTL) 428 , a second emission layer (EML) 424 , and a second electron transport layer (ETL) 426 .

제2 전자 수송층(ETL)(426) 위에 전자 주입층(EIL)을 추가로 구성할 수 있다. 또한, 제2 정공 수송층(HTL)(428) 아래에 정공 주입층(HIL)을 추가로 구성할 수 있다.An electron injection layer (EIL) may be further formed on the second electron transport layer (ETL) 426 . In addition, a hole injection layer (HIL) may be further formed under the second hole transport layer (HTL) 428 .

제2 발광층(EML)(424)은 제2 색을 발광하는 발광층일 수 있다. 제2 발광층(EML)(424)은 황색-녹색(Yellow-Green) 발광층 또는 녹색(Green) 발광층으로 구성할 수 있다. 제2 발광층(EML)(424)의 발광 영역은 510㎚ 내지 590㎚ 범위일 수 있다. . 그리고, 상기 제2 발광층(EML)(424)은 적어도 하나의 호스트와 도펀트로 구성될 수 있다. 또는, 상기 제1 발광층(EML)(424)은 두 개 이상의 호스트가 혼합된 혼합 호스트(mixed host)와 적어도 하나의 도펀트로 구성할 수도 있다. 상기 혼합 호스트는 정공 수송 특성을 가진 호스트와 전자 수송 특성을 가진 호스트가 포함될 수 있다. The second emission layer (EML) 424 may be an emission layer that emits a second color. The second emission layer (EML) 424 may include a yellow-green emission layer or a green emission layer. The emission area of the second emission layer (EML) 424 may be in a range of 510 nm to 590 nm. . In addition, the second light emitting layer (EML) 424 may include at least one host and a dopant. Alternatively, the first light emitting layer (EML) 424 may include a mixed host in which two or more hosts are mixed and at least one dopant. The mixed host may include a host having hole transport properties and a host having electron transport properties.

상기 제2 발광층(EML)(424) 위에 정공 저지층(HBL)을 추가로 구성할 수 있다. 상기 제2 전자 수송층(ETL)(426)과 정공 저지층(HBL)은 하나의 층으로도 구성할 수 있다. 그리고, 상기 제2 발광층(EML)(424) 아래에 전자 저지층(EBL)을 추가로 구성할 수 있다. 상기 제2 정공 수송층(HTL)(428)과 전자 저지층(EBL)은 하나의 층으로도 구성할 수 있다.A hole blocking layer (HBL) may be additionally formed on the second light emitting layer (EML) 424 . The second electron transport layer (ETL) 426 and the hole blocking layer (HBL) may be configured as a single layer. In addition, an electron blocking layer (EBL) may be further formed under the second light emitting layer (EML) 424 . The second hole transport layer (HTL) 428 and the electron blocking layer (EBL) may be configured as a single layer.

상기 제2 발광부(420)를 구성하는 제2 정공 수송층(HTL)(428), 제2 발광층(EML)(424), 제2 전자 수송층(ETL)(426), 전자 주입층(EIL), 정공 주입층(HIL), 정공 저지층(HBL), 전자 저지층(EBL) 등은 유기층들이라고 할 수 있다.A second hole transport layer (HTL) 428 , a second light emitting layer (EML) 424 , a second electron transport layer (ETL) 426 , an electron injection layer (EIL) constituting the second light emitting part 420 , The hole injection layer (HIL), the hole blocking layer (HBL), and the electron blocking layer (EBL) may be referred to as organic layers.

유기 발광 소자의 효율 향상을 위하여 제2 발광층(EML)(424)은 제1 전극(401)에 근접하게 위치하며, 제2 정공 수송층(HTL)(428)의 두께를 얇게 하면서 제2 발광층(EML)(424)으로 정공 과잉이 안 되도록 제2 정공 수송층(HTL)(428)은 정공 이동도가 느린 물질로 구성한 것을 특징으로 한다.In order to improve the efficiency of the organic light emitting diode, the second light emitting layer (EML) 424 is positioned close to the first electrode 401 , and while the thickness of the second hole transport layer (HTL) 428 is thinned, the second light emitting layer (EML) ) (424), the second hole transport layer (HTL) 428 is characterized in that it is made of a material having a slow hole mobility.

그리고, 상기 제2 정공 수송층(HTL)(428)은 정공 조절층이라고 할 수 있다. 상기 정공 조절층은 제2 발광층(EML)(424)으로의 정공의 이동을 조절하며, 상기 제2 발광층(EML)(424)의 재결합 영역이 상기 제2 발광층(EML)(424) 내에 있도록 하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 도 5에서 설명한 바와 같이, 상기 제2 발광층(EML)(424) 내에서 재결합 영역이 생성되도록 상기 제2 발광층(EML)(424)의 전하 균형을 조절하므로, 제2 발광층(EML)(424)의 수명이 향상될 수 있다.In addition, the second hole transport layer (HTL) 428 may be referred to as a hole control layer. The hole control layer controls the movement of holes to the second light emitting layer (EML) 424 , and the recombination region of the second light emitting layer (EML) 424 is in the second light emitting layer (EML) 424 . characterized in that Therefore, as described in FIG. 5 , since the charge balance of the second light-emitting layer (EML) 424 is adjusted so that a recombination region is generated in the second light-emitting layer (EML) 424, the second light-emitting layer (EML) ( 424) can be improved.

즉, 제1 발광층(EML)(414)과 제2 발광층(EML)(424) 사이에 있는 유기층들의 두께는 제1 전극(402)과 제1 발광층(EML)(414) 사이에 있는 유기층들의 두께보다 작도록 제2 정공 수송층(HTL)(428)의 두께는 제1 정공 수송층(HTL)(412)의 두께보다 작게 구성한다. 제2 발광부(420)의 캐비티 피크를 고려하여 제2 정공 수송층(HTL)(428)의 두께는 10nm 이하로 할 수 있다. 그리고, 제1 정공 수송층(HTL)(412)의 두께는 90 내지 110nm 범위로 할 수 있다. That is, the thickness of the organic layers between the first emission layer (EML) 414 and the second emission layer (EML) 424 is the thickness of the organic layers between the first electrode 402 and the first emission layer (EML) 414 . To be smaller, the thickness of the second hole transport layer (HTL) 428 is smaller than the thickness of the first hole transport layer (HTL) 412 . In consideration of the cavity peak of the second light emitting part 420 , the thickness of the second hole transport layer (HTL) 428 may be 10 nm or less. In addition, the thickness of the first hole transport layer (HTL) 412 may be in the range of 90 to 110 nm.

그리고, 유기 발광 소자의 효율 향상을 위하여 제2 정공 수송층(HTL)(428)과 제1 정공 수송층(HTL)(412)은 정공 이동도가 서로 다른 물질로 구성할 수 있다. 즉, 제2 정공 수송층(HTL)(428)은 제1 정공 수송층(HTL)(412)보다 정공 이동도가 느린 재료로 구성할 수 있다. 제2 정공 수송층(HTL)(428)은 정공 이동도가 느린 재료로 구성하여야 하므로, 정공 수송 물질은 코어(core)에 정공 전달 특성의 치환기보다는 전자 전달 특성의 치환기를 포함하는 화합물로 구성할 수 있다. 전자 전달 특성의 치환기를 포함하는 화합물은 예를 들어, 피리딘(pyridine) 계열, 트리아진(triazine) 계열, 이미다졸(imidazole) 계열, 벤즈이미다졸(benzimidazole) 계열, 퀴놀린(quinolone) 계열, 트리아졸(trizole)계열, 페난쓰롤린(phenanthroline) 계열 중 어느 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. In addition, in order to improve the efficiency of the organic light emitting diode, the second hole transport layer (HTL) 428 and the first hole transport layer (HTL) 412 may be formed of materials having different hole mobility. That is, the second hole transport layer (HTL) 428 may be formed of a material having a hole mobility slower than that of the first hole transport layer (HTL) 412 . Since the second hole transport layer (HTL) 428 must be made of a material having low hole mobility, the hole transport material may be composed of a compound containing a substituent having an electron transport characteristic rather than a substituent having a hole transport characteristic in the core. there is. The compound including a substituent having electron transport properties is, for example, a pyridine series, a triazine series, an imidazole series, a benzimidazole series, a quinolone series, and a triazole. (trizole) series and may be any one of phenanthroline series, but is not limited thereto.

구체적으로 예를 들면, 제2 정공 수송층(HTL)(428)은 PY1(3,5-di(pyren-1-yl)pyridine, TmPPPyTz(2,4,6-tris(3'-(pyridine-3-yl)biphenyl-3-yl)-1,3,5-triazine), TPBi(2,2',2"-(1,3,5-benzinetriyl)-tris(1-phenyl-1-H-benzimidazole), TAZ(3-(4-biphenyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole), BPhen(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) 등으로 이루어질 수 있지만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.Specifically, for example, the second hole transport layer (HTL) 428 is PY1(3,5-di(pyren-1-yl)pyridine, TmPPPyTz(2,4,6-tris(3′-(pyridine-3) -yl)biphenyl-3-yl)-1,3,5-triazine), TPBi(2,2',2"-(1,3,5-benzinetriyl)-tris(1-phenyl-1-H-benzimidazole) ), TAZ(3-(4-biphenyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole), BPhen(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), etc. , but is not necessarily limited thereto.

제1 정공 수송층(HTL)(412)은 예를 들면, NPD(N,N'-bis(naphthalene-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-2,2'-dimethylbenzidine)로 이루어질 수 있다.The first hole transport layer (HTL) 412 may be formed of, for example, N,N'-bis(naphthalene-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-2,2'-dimethylbenzidine (NPD). can

그리고, 제1 정공 수송층(HTL)(412)의 정공 이동도는 5.0 X 10-5cm2/Vs 내지 9.0 X 10-4cm2/Vs 범위일 수 있다. 제2 정공 수송층(HTL)(428)의 정공 이동도는 제1 정공 수송층(HTL)(212)의 정공 이동도보다 half order의 차이를 가질 수 있다. 따라서, 제2 정공 수송층(HTL)(428)의 정공 이동도는 5.0 X 10-6cm2/Vs 내지 9.0 X 10-5cm2/Vs 범위일 수 있다. In addition, the hole mobility of the first hole transport layer (HTL) 412 may be in a range of 5.0 X 10 -5 cm 2 /Vs to 9.0 X 10 -4 cm 2 /Vs. The hole mobility of the second hole transport layer (HTL) 428 may have a difference in half order than the hole mobility of the first hole transport layer (HTL) 212 . Accordingly, the hole mobility of the second hole transport layer (HTL) 428 may be in a range of 5.0 X 10 -6 cm 2 /Vs to 9.0 X 10 -5 cm 2 /Vs.

제2 정공 수송층(HTL)(428)의 정공 이동도가 느리므로, 제2 발광층(EML)(424)의 전하 균형(charge balance)을 조절하기 위해서, 제2 전자 수송층(ETL)(426)은 전자 이동도가 빠른 물질로 구성할 수 있다. 제2 전자 수송층(ETL)(426)의 전자 이동도는 1.0 X 10-3cm2/Vs 이상일 수 있다. Since the hole mobility of the second hole transport layer (HTL) 428 is slow, in order to adjust the charge balance of the second light emitting layer (EML) 424 , the second electron transport layer (ETL) 426 is It can be composed of a material with high electron mobility. The electron mobility of the second electron transport layer (ETL) 426 may be 1.0 X 10 -3 cm 2 /Vs or more.

예를 들어, 제2 전자 수송층(ETL)(426)은 PBD(2-(4-biphenyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole), BAlq(Bis(2-methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphenolato)aluminium), Liq(8-hydroxyquinolinolato-lithium)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. For example, the second electron transport layer (ETL) 426 may include PBD (2-(4-biphenyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole), BAlq (Bis(2- It may consist of any one or more selected from the group consisting of methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphenolato)aluminium) and Liq(8-hydroxyquinolinolato-lithium), but is not limited thereto.

그리고, 제2 전자 수송층(ETL)(426)은 2개 이상의 층이나 상기 재료 중에서 2개 이상의 재료를 적용하여 구성할 수 있다.In addition, the second electron transport layer (ETL) 426 may be formed by applying two or more layers or two or more materials from among the above materials.

상기 제1 전자 수송층(ETL)(416)은 예를 들면, Alq3(tris(8-hydroxy-quinolinato)aluminium)로 이루어질 수 있다. 상기 제1 전자 수송층(ETL)(416)의 전자 이동도는 1.0 X 10-5cm2/Vs 이상일 수 있다.The first electron transport layer (ETL) 416 may be formed of, for example, Alq 3 (tris(8-hydroxy-quinolinato)aluminium). The electron mobility of the first electron transport layer (ETL) 416 may be 1.0 X 10 -5 cm 2 /Vs or more.

따라서, 전자 이동도가 빠른 제2 전자 수송층(ETL)(426)과 정공 이동도가 느린 제2 정공 수송층(HTL)(428)에 의해서 상기 제2 발광층(EML)(424)의 전하 균형을 조절할 수 있다. 상기 제2 발광층(EML)(424)의 전하 균형이 이루어지면, 제2 발광층(EML)(424) 내에 정공과 전자가 결합하는 재결합 영역이 생성될 수 있으므로, 제2 발광층(EML)(424)의 수명이 향상될 수 있다.Accordingly, the charge balance of the second light emitting layer (EML) 424 is controlled by the second electron transport layer (ETL) 426 having high electron mobility and the second hole transport layer (HTL) 428 having low hole mobility. can When the charge of the second light emitting layer (EML) 424 is balanced, a recombination region in which holes and electrons combine may be created in the second light emitting layer (EML) 424 , and thus the second light emitting layer (EML) 424 . lifespan can be improved.

제1 발광부(410)와 상기 제2 발광부(420) 사이에는 전하 생성층(CGL)(440)이 더 구성될 수 있다. 전하 생성층(CGL)(440)은 제1 발광부(410) 및 제2 발광부(420) 간의 전하 균형을 조절한다. 전하 생성층(440)은 N형 전하 생성층(N-CGL)과 P형 전하 생성층(P-CGL)을 포함할 수 있다. A charge generation layer (CGL) 440 may be further formed between the first light emitting unit 410 and the second light emitting unit 420 . The charge generation layer (CGL) 440 adjusts the charge balance between the first light emitting unit 410 and the second light emitting unit 420 . The charge generation layer 440 may include an N-type charge generation layer (N-CGL) and a P-type charge generation layer (P-CGL).

N형 전하 생성층(N-CGL)은 제1 발광부(410)로 전자(electron)를 주입해주는 역할을 하며, P형 전하 생성층(P-CGL)은 제2 발광부(420)로 정공(hole)을 주입해주는 역할을 한다. The N-type charge generation layer (N-CGL) serves to inject electrons into the first light-emitting part 410 , and the P-type charge generation layer (P-CGL) serves to inject holes into the second light-emitting part 420 . It plays the role of injecting a hole.

따라서, 본 발명의 제4 실시예에서는 유기 발광 소자의 효율 향상을 위하여 제2 발광층(EML)(424)은 제1 전극(401)에 근접하게 위치하며, 제2 정공 수송층(HTL)(428)의 두께를 얇게 하면서 제2 발광층(EML)(424)으로 정공 과잉이 안 되도록 제2 정공 수송층(HTL)(428)은 정공 이동도가 느린 물질로 구성한 것을 특징으로 한다. 이렇게 구성함으로써, 제2 발광층(EML)(424)의 발광 효율이나 수명을 향상시킬 수 있으므로, 유기 발광 소자의 효율이나 수명을 향상시킬 수 있다. Accordingly, in the fourth embodiment of the present invention, in order to improve the efficiency of the organic light emitting diode, the second light emitting layer (EML) 424 is located close to the first electrode 401 , and the second hole transport layer (HTL) 428 . The second hole transport layer (HTL) 428 is made of a material having low hole mobility so that holes do not overflow into the second light emitting layer (EML) 424 while thinning the thickness of the second hole transport layer (HTL) 428 . By configuring in this way, the luminous efficiency and lifespan of the second light emitting layer (EML) 424 can be improved, and thus the efficiency and lifespan of the organic light emitting device can be improved.

본 발명의 제4 실시예에 따른 백색 유기 발광 소자는 하부 발광(Bottom Emission) 방식에 적용할 수 있다. 이에 한정되지 않고, 상부 발광(Top Emission) 방식, 또는 양부 발광(Dual Emission) 방식에 적용하는 것도 가능하다. 상부 발광 방식이나 양부 발광 방식에서는 소자의 특성이나 구조에 따라 발광층들의 위치 등이 달라질 수 있다. The white organic light emitting diode according to the fourth embodiment of the present invention may be applied to a bottom emission method. The present invention is not limited thereto, and may be applied to a top emission method or a dual emission method. In the top emission type or the positive emission type, the positions of the emission layers may vary depending on the characteristics or structure of the device.

그리고, 본 발명의 제4 실시예에 따른 유기 발광 소자를 포함하는 유기발광 표시장치는, 기판(401) 상에 서로 교차하여 각 화소 영역을 정의하는 게이트 배선과 데이터 배선과 이중 어느 하나와 평행하게 연장되는 전원 배선이 위치하며, 각 화소 영역에는 게이트 배선 및 데이터 배선에 연결된 스위칭 박막트랜지스터와 스위칭 박막 트랜지스터에 연결된 구동 박막 트랜지스터가 위치한다. 구동 박막 트랜지스터는 상기 제1 전극(402)에 연결된다. Further, in the organic light emitting display device including the organic light emitting diode according to the fourth exemplary embodiment of the present invention, a gate line and a data line that cross each other on a substrate 401 and define each pixel area are parallel to any one of them. An extended power supply line is positioned, and a switching thin film transistor connected to a gate line and a data line and a driving thin film transistor connected to the switching thin film transistor are positioned in each pixel area. The driving thin film transistor is connected to the first electrode 402 .

그리고, 제2 발광층(EML)(424)은 녹색과 적색을 모두 발광하여야 하므로 녹색 효율 대비 적색 효율이 저하될 수 있다. 따라서, 적색 효율을 향상시키기 위해서 제2 발광층(EML)(424)은 제2 발광층(EML)(424)에 포함된 도펀트의 농도를 다르게 구성한 적어도 두 개의 영역을 포함할 수 있다. 이에 대해서는 도 8을 참조하여 설명한다. In addition, since the second light emitting layer (EML) 424 should emit both green and red light, red efficiency compared to green efficiency may be reduced. Accordingly, in order to improve red efficiency, the second emission layer (EML) 424 may include at least two regions in which concentrations of dopants included in the second emission layer (EML) 424 are different. This will be described with reference to FIG. 8 .

도 8은 본 발명의 제5 실시예에 따른 유기 발광 소자를 나타내는 도면이다.8 is a diagram illustrating an organic light emitting device according to a fifth embodiment of the present invention.

도 8에 도시된 백색 유기 발광 소자(500)는 기판(501)과, 제1 전극(502) 및 제2 전극(504)과, 제1 및 제2 전극(502,504) 사이에 제1 발광부(510)와 제2 발광부(520)를 구비한다. 도 8의 기판(501), 제1 전극(502), 제2 전극(504), 제1 발광부(510) 및 제2 발광부(520)는 도 4을 결부하여 설명한 기판(201), 제1 전극(202), 제2 전극(204), 제1 발광부(210) 및 제2 발광부(220)는 실질적으로 동일하다. 따라서, 도 8의 기판(501), 제1 전극(502), 제2 전극(504), 제1 발광부(510) 및 제2 발광부(520)에 대한 자세한 설명은 생략한다. The white organic light emitting diode 500 illustrated in FIG. 8 includes a substrate 501, first and second electrodes 502 and 504, and a first light emitting unit between the first and second electrodes 502 and 504. 510 and a second light emitting unit 520 are provided. The substrate 501, the first electrode 502, the second electrode 504, the first light emitting part 510, and the second light emitting part 520 of FIG. The first electrode 202 , the second electrode 204 , the first light emitting part 210 , and the second light emitting part 220 are substantially the same. Accordingly, detailed descriptions of the substrate 501 , the first electrode 502 , the second electrode 504 , the first light emitting unit 510 , and the second light emitting unit 520 of FIG. 8 will be omitted.

제1 발광부(510)는 제1 전극(502) 위에 제1 정공 수송층(HTL)(512), 제1 발광층(EML)(514) 및 제1 전자 수송층(ETL)(516)을 포함하여 이루어질 수 있다. The first light emitting part 510 may include a first hole transport layer (HTL) 512 , a first emission layer (EML) 514 , and a first electron transport layer (ETL) 516 on the first electrode 502 . can

상기 제1 전자 수송층(ETL)(516) 위에 전자 주입층(EIL)을 추가로 구성할 수 있다. 또한, 제1 정공 수송층(HTL)(512) 아래에 정공 주입층(HIL)을 추가로 구성할 수 있다.An electron injection layer (EIL) may be further formed on the first electron transport layer (ETL) 516 . In addition, a hole injection layer (HIL) may be further formed under the first hole transport layer (HTL) 512 .

제1 발광층(EML)(514)은 제1 색을 발광하는 발광층일 수 있다. 제1 발광층(EML)(514)은 청색(Blue) 발광층, 진청색(Deep Blue) 발광층, 또는 스카이 블루(Sky Blue) 발광층 중 하나를 포함할 수 있다. 제1 발광층(EML)(514)의 발광 영역은 440㎚ 내지 480㎚의 범위일 수 있다. 상기 제1 발광층(EML)(514)은 적어도 하나의 호스트와 도펀트로 구성될 수 있다. 또는, 상기 제1 발광층(EML)(514)은 두 개 이상의 호스트가 혼합된 혼합 호스트(mixed host)와 적어도 하나의 도펀트로 구성할 수도 있다. 상기 혼합 호스트는 정공 수송 특성을 가진 호스트와 전자 수송 특성을 가진 호스트가 포함될 수 있다. The first emission layer (EML) 514 may be an emission layer that emits a first color. The first emission layer (EML) 514 may include one of a blue emission layer, a deep blue emission layer, or a sky blue emission layer. The emission area of the first emission layer (EML) 514 may be in a range of 440 nm to 480 nm. The first emission layer (EML) 514 may include at least one host and a dopant. Alternatively, the first light emitting layer (EML) 514 may include a mixed host in which two or more hosts are mixed and at least one dopant. The mixed host may include a host having hole transport properties and a host having electron transport properties.

상기 제1 발광층(EML)(514) 위에 정공 저지층(HBL)을 추가로 구성할 수 있다. 상기 제1 전자 수송층(ETL)(516)과 정공 저지층(HBL)은 하나의 층으로도 구성할 수 있다. 그리고, 상기 제1 발광층(EML)(514) 아래에 전자 저지층(EBL)을 추가로 구성할 수 있다. 상기 제1 정공 수송층(HTL)(512)과 전자 저지층(EBL)은 하나의 층으로도 구성할 수 있다.A hole blocking layer (HBL) may be additionally formed on the first light emitting layer (EML) 514 . The first electron transport layer (ETL) 516 and the hole blocking layer (HBL) may be configured as one layer. In addition, an electron blocking layer (EBL) may be further formed under the first light emitting layer (EML) 514 . The first hole transport layer (HTL) 512 and the electron blocking layer (EBL) may be configured as a single layer.

상기 제1 발광부(510)를 구성하는 제1 정공 수송층(HTL)(512), 제1 발광층(EML)(514), 제1 전자 수송층(ETL)(516), 전자 주입층(EIL), 정공 주입층(HIL), 정공 저지층(HBL), 전자 저지층(EBL) 등은 유기층들이라고 할 수 있다.A first hole transport layer (HTL) 512 , a first light emitting layer (EML) 514 , a first electron transport layer (ETL) 516 , an electron injection layer (EIL) constituting the first light emitting part 510 , The hole injection layer (HIL), the hole blocking layer (HBL), and the electron blocking layer (EBL) may be referred to as organic layers.

제2 발광부(520)는 제2 정공 수송층(HTL)(528), 제2 발광층(EML)(524), 제2 전자 수송층(ETL)(526)을 포함하여 이루어질 수 있다.The second light emitting part 520 may include a second hole transport layer (HTL) 528 , a second emission layer (EML) 524 , and a second electron transport layer (ETL) 526 .

상기 제2 전자 수송층(ETL)(526) 위에 전자 주입층(EIL)을 추가로 구성할 수 있다. 또한, 제2 정공 수송층(HTL)(528) 아래에 정공 주입층(HIL)을 추가로 구성할 수 있다.An electron injection layer (EIL) may be additionally formed on the second electron transport layer (ETL) 526 . In addition, a hole injection layer (HIL) may be further formed under the second hole transport layer (HTL) 528 .

제2 발광층(EML)(524)은 제2 색을 발광하는 발광층일 수 있다. 제2 발광층(EML)(524)은 황색-녹색(Yellow-Green) 발광층 또는 녹색(Green) 발광층으로 구성할 수 있다. 제2 발광층(EML)(524)의 발광 영역은 510㎚ 내지 590㎚ 범위일 수 있다. 상기 제2 발광층(EML)(524)은 적어도 하나의 호스트와 도펀트로 구성될 수 있다. 또는, 상기 제2 발광층(EML)(524)은 두 개 이상의 호스트가 혼합된 혼합 호스트(mixed host)와 적어도 하나의 도펀트로 구성할 수도 있다. 상기 혼합 호스트는 정공 수송 특성을 가진 호스트와 전자 수송 특성을 가진 호스트가 포함될 수 있다. The second emission layer (EML) 524 may be an emission layer emitting a second color. The second emission layer (EML) 524 may include a yellow-green emission layer or a green emission layer. The emission area of the second emission layer (EML) 524 may be in a range of 510 nm to 590 nm. The second emission layer (EML) 524 may include at least one host and a dopant. Alternatively, the second light emitting layer (EML) 524 may include a mixed host in which two or more hosts are mixed and at least one dopant. The mixed host may include a host having hole transport properties and a host having electron transport properties.

상기 제2 발광층(EML)(524) 위에 정공 저지층(HBL)을 추가로 구성할 수 있다. 상기 제2 전자 수송층(ETL)(526)과 정공 저지층(HBL)은 하나의 층으로도 구성할 수 있다. 그리고, 상기 제2 발광층(EML)(524) 아래에 전자 저지층(EBL)을 추가로 구성할 수 있다. 상기 제2 정공 수송층(HTL)(528)과 전자 저지층(EBL)은 하나의 층으로도 구성할 수 있다.A hole blocking layer (HBL) may be additionally formed on the second light emitting layer (EML) 524 . The second electron transport layer (ETL) 526 and the hole blocking layer (HBL) may be configured as a single layer. In addition, an electron blocking layer (EBL) may be further formed under the second light emitting layer (EML) 524 . The second hole transport layer (HTL) 528 and the electron blocking layer (EBL) may be configured as a single layer.

상기 제2 발광부(520)를 구성하는 제2 정공 수송층(HTL)(528), 제2 발광층(EML)(524), 제2 전자 수송층(ETL)(526), 전자 주입층(EIL), 정공 주입층(HIL), 정공 저지층(HBL), 전자 저지층(EBL) 등은 유기층들이라고 할 수 있다.A second hole transport layer (HTL) 528 , a second light emitting layer (EML) 524 , a second electron transport layer (ETL) 526 , an electron injection layer (EIL) constituting the second light emitting part 520 , The hole injection layer (HIL), the hole blocking layer (HBL), and the electron blocking layer (EBL) may be referred to as organic layers.

그리고, 유기 발광 소자의 효율 향상을 위하여 제2 발광층(EML)(524)은 제1 전극(501)에 근접하게 위치하며, 제2 정공 수송층(HTL)(528)의 두께를 얇게 하면서 제2 발광층(EML)(524)으로 정공 과잉이 안 되도록 제2 정공 수송층(HTL)(528)은 정공 이동도가 느린 물질로 구성한 것을 특징으로 한다.In addition, in order to improve the efficiency of the organic light emitting device, the second light emitting layer (EML) 524 is positioned close to the first electrode 501 , and the thickness of the second hole transport layer (HTL) 528 is thinned and the second light emitting layer The second hole transport layer (HTL) 528 is made of a material having low hole mobility so that holes are not excessively formed by the (EML) 524 .

그리고, 상기 제2 정공 수송층(HTL)(528)은 정공 조절층이라고 할 수 있다. 상기 정공 조절층은 제2 발광층(EML)(524)으로의 정공의 이동을 조절하며, 상기 제2 발광층(EML)(524)의 재결합 영역이 상기 제2 발광층(EML)(524) 내에 있도록 하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 도 5에서 설명한 바와 같이, 상기 제2 발광층(EML)(524) 내에서 재결합 영역이 생성되도록 상기 제2 발광층(EML)(524)의 전하 균형을 조절하므로, 제2 발광층(EML)(524)의 수명이 향상될 수 있다.In addition, the second hole transport layer (HTL) 528 may be referred to as a hole control layer. The hole control layer controls the movement of holes to the second light emitting layer (EML) 524 , so that the recombination region of the second light emitting layer (EML) 524 is in the second light emitting layer (EML) 524 . characterized in that Therefore, as described in FIG. 5 , since the charge balance of the second light-emitting layer (EML) 524 is adjusted so that a recombination region is generated in the second light-emitting layer (EML) 524, the second light-emitting layer (EML) ( 524) can be improved.

즉, 제1 발광층(EML)(514)과 제2 발광층(EML)(524) 사이에 있는 유기층들의 두께는 제1 전극(502)과 제1 발광층(EML)(514) 사이에 있는 유기층들의 두께보다 작도록 제2 정공 수송층(HTL)(528)의 두께는 제1 정공 수송층(HTL)(512)의 두께보다 작게 구성한다. 제2 발광부(520)의 캐비티 피크를 고려하여 제2 정공 수송층(HTL)(528)의 두께는 10nm 이하로 할 수 있다. 그리고, 제1 정공 수송층(HTL)(512)의 두께는 90 내지 110nm 범위로 할 수 있다. That is, the thickness of the organic layers between the first light emitting layer (EML) 514 and the second light emitting layer (EML) 524 is the thickness of the organic layers between the first electrode 502 and the first light emitting layer (EML) 514 . To be smaller, the thickness of the second hole transport layer (HTL) 528 is smaller than the thickness of the first hole transport layer (HTL) 512 . In consideration of the cavity peak of the second light emitting part 520 , the thickness of the second hole transport layer (HTL) 528 may be 10 nm or less. In addition, the thickness of the first hole transport layer (HTL) 512 may be in the range of 90 to 110 nm.

그리고, 유기 발광 소자의 효율 향상을 위하여 제2 정공 수송층(HTL)(528)과 제1 정공 수송층(HTL)(512)은 정공 이동도가 서로 다른 물질로 구성할 수 있다. 즉, 제2 정공 수송층(HTL)(528)의 정공 이동도는 제1 정공 수송층(HTL)(512)의 정공 이동도보다 느린 재료로 구성할 수 있다. 제2 정공 수송층(HTL)(528)은 정공 이동도가 느린 재료로 구성하여야 하므로, 정공 수송 물질은 코어(core)에 정공 전달 특성의 치환기보다는 전자 전달 특성의 치환기를 포함하는 화합물로 구성할 수 있다. 전자 전달 특성의 치환기를 포함하는 화합물은 예를 들어, 피리딘(pyridine) 계열, 트리아진(triazine) 계열, 이미다졸(imidazole) 계열, 벤즈이미다졸(benzimidazole) 계열, 퀴놀린(quinolone) 계열, 트리아졸(trizole)계열, 페난쓰롤린(phenanthroline) 계열 중 어느 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. In addition, in order to improve the efficiency of the organic light emitting diode, the second hole transport layer (HTL) 528 and the first hole transport layer (HTL) 512 may be formed of materials having different hole mobility. That is, the hole mobility of the second hole transport layer (HTL) 528 may be formed of a material slower than the hole mobility of the first hole transport layer (HTL) 512 . Since the second hole transport layer (HTL) 528 must be made of a material having low hole mobility, the hole transport material may be composed of a compound containing a substituent having electron transport properties rather than a substituent having hole transport properties in the core. there is. The compound including a substituent having electron transport properties is, for example, a pyridine series, a triazine series, an imidazole series, a benzimidazole series, a quinolone series, and a triazole. (trizole) series and may be any one of phenanthroline series, but is not limited thereto.

구체적으로 예를 들면, 제2 정공 수송층(HTL)(528)은 PY1(3,5-di(pyren-1-yl)pyridine, TmPPPyTz(2,4,6-tris(3'-(pyridine-3-yl)biphenyl-3-yl)-1,3,5-triazine), TPBi(2,2',2"-(1,3,5-benzinetriyl)-tris(1-phenyl-1-H-benzimidazole), TAZ(3-(4-biphenyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole), BPhen(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) 등으로 이루어질 수 있지만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.Specifically, for example, the second hole transport layer (HTL) 528 is PY1(3,5-di(pyren-1-yl)pyridine, TmPPPyTz(2,4,6-tris(3′-(pyridine-3) -yl)biphenyl-3-yl)-1,3,5-triazine), TPBi(2,2',2"-(1,3,5-benzinetriyl)-tris(1-phenyl-1-H-benzimidazole) ), TAZ(3-(4-biphenyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole), BPhen(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), etc. , but is not necessarily limited thereto.

제1 정공 수송층(HTL)(512)은 예를 들면, NPD(N,N'-bis(naphthalene-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-2,2'-dimethylbenzidine)로 이루어질 수 있다.The first hole transport layer (HTL) 512 may be formed of, for example, N,N'-bis(naphthalene-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-2,2'-dimethylbenzidine (NPD). can

그리고, 제1 정공 수송층(HTL)(512)의 정공 이동도는 5.0 X 10-5cm2/Vs 내지 9.0 X 10-4cm2/Vs 범위일 수 있다. 제2 정공 수송층(HTL)(528)의 정공 이동도는 제1 정공 수송층(HTL)(512)의 정공 이동도보다 half order의 차이를 가질 수 있다. 따라서, 제2 정공 수송층(HTL)(528)의 정공 이동도는 5.0 X 10-6cm2/Vs 내지 9.0 X 10-5cm2/Vs 범위일 수 있다. In addition, the hole mobility of the first hole transport layer (HTL) 512 may be in a range of 5.0 X 10 -5 cm 2 /Vs to 9.0 X 10 -4 cm 2 /Vs. The hole mobility of the second hole transport layer (HTL) 528 may have a difference in half order than the hole mobility of the first hole transport layer (HTL) 512 . Accordingly, the hole mobility of the second hole transport layer (HTL) 528 may be in a range of 5.0 X 10 -6 cm 2 /Vs to 9.0 X 10 -5 cm 2 /Vs.

제2 정공 수송층(HTL)(528)의 정공 이동도가 느리므로, 제2 발광층(EML)(524)의 전하 균형(charge balance)을 조절하기 위해서, 제2 전자 수송층(ETL)(526)은 전자 이동도가 빠른 물질로 구성할 수 있다. 제2 전자 수송층(ETL)(526)의 전자 이동도는 1.0 X 10-3cm2/Vs 이상일 수 있다. Since the hole mobility of the second hole transport layer (HTL) 528 is slow, in order to adjust the charge balance of the second light emitting layer (EML) 524 , the second electron transport layer (ETL) 526 is It can be composed of a material with high electron mobility. The electron mobility of the second electron transport layer (ETL) 526 may be 1.0 X 10 -3 cm 2 /Vs or more.

예를 들어, 제2 전자 수송층(ETL)(526)은 PBD(2-(4-biphenyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole), BAlq(Bis(2-methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphenolato)aluminium), Liq(8-hydroxyquinolinolato-lithium)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. For example, the second electron transport layer (ETL) 526 may include PBD (2-(4-biphenyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole), BAlq (Bis(2- It may consist of any one or more selected from the group consisting of methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphenolato)aluminium) and Liq(8-hydroxyquinolinolato-lithium), but is not limited thereto.

그리고, 제2 전자 수송층(ETL)(526)은 2개 이상의 층이나 상기 재료 중에서 2개 이상의 재료를 적용하여 구성할 수 있다.In addition, the second electron transport layer (ETL) 526 may be configured by applying two or more layers or two or more materials from among the above materials.

상기 제1 전자 수송층(ETL)(516)은 예를 들면, Alq3(tris(8-hydroxy-quinolinato)aluminium)로 이루어질 수 있다. 상기 제1 전자 수송층(ETL)(516)의 전자 이동도는 1.0 X 10-5cm2/Vs 이상일 수 있다.The first electron transport layer (ETL) 516 may be formed of, for example, Alq 3 (tris(8-hydroxy-quinolinato)aluminium). The electron mobility of the first electron transport layer (ETL) 516 may be 1.0 X 10 -5 cm 2 /Vs or more.

따라서, 전자 이동도가 빠른 제2 전자 수송층(ETL)(526)과 정공 이동도가 느린 제2 정공 수송층(HTL)(528)에 의해서 상기 제2 발광층(EML)(524)의 전하 균형을 조절할 수 있다. 상기 제2 발광층(EML)(524)의 전하 균형이 이루어지게 되면, 제2 발광층(EML)(524) 내에 정공과 전자가 결합하는 재결합 영역이 생성될 수 있으므로, 제2 발광층(EML)(524)의 수명이 향상될 수 있다.Accordingly, the charge balance of the second light emitting layer (EML) 524 is controlled by the second electron transport layer (ETL) 526 having high electron mobility and the second hole transport layer (HTL) 528 having low hole mobility. can When the charge of the second light emitting layer (EML) 524 is balanced, a recombination region in which holes and electrons combine may be generated in the second light emitting layer (EML) 524 , and thus the second light emitting layer (EML) 524 . ) can be improved.

그리고, 적색 효율을 향상시키기 위해서, 제2 발광층(EML)(524)이 도펀트의 농도가 다른 두 개의 영역인 제1 영역(521)과 제2 영역(523)으로 구성된다. 제1 전극(502)에 가까운 제1 영역(521)이 도펀트의 농도가 제2 영역(523)보다 높게 구성하여 적색 효율을 향상시킬 수 있다. 즉, 양극으로 기능하는 제1 전극(502)에서 가까운 제1 영역(521)의 도펀트 도핑 농도를 상기 제1 전극(502)에서 먼 제2 영역(523)의 도펀트 도핑 농도보다 크게 함으로써, 상대적으로 도펀트 도핑 농도가 큰 제1 영역(521)에서 발광된 광의 광효율을 향상시킬 수 있으므로, 적색을 띠는 백색광 방출에 유리할 수 있다. 따라서, 제2 발광층(EML)(524)은 도펀트의 도핑 영역이 서로 다른 적어도 두 개의 영역으로 구성하고, 적어도 두 개의 영역 중 상대적으로 도핑 농도가 큰 영역이 제2 전극(504)보다 제1 전극(502)에 가깝게 위치함으로써, 적색 효율을 향상시킬 수 있다. 여기서는 제2 발광층(EML)(524)이 도펀트의 농도가 다른 두 개의 영역인 제1 영역(521)과 제2 영역(523)으로 구성된 것으로 도시하였으나, 도펀트의 농도가 다른 적어도 두 개 이상의 영역을 포함할 수 있다. 상기 제1 영역(521)에 포함된 도펀트의 도핑 농도는 전체 호스트의 부피에 대해서 10 % 내지 30%일 수 있으며, 제2 영역(523)에 포함된 도펀트의 도핑 농도는 전체 호스트의 부피에 대해서 0.1% 내지 15%일 수 있으나, 이 범위에 한정되는 것은 아니다.In addition, in order to improve red efficiency, the second light emitting layer (EML) 524 includes a first region 521 and a second region 523 , which are two regions having different dopant concentrations. The first region 521 close to the first electrode 502 may have a higher dopant concentration than the second region 523 , thereby improving redness efficiency. That is, by making the dopant doping concentration of the first region 521 close to the first electrode 502 serving as the anode greater than the dopant doping concentration of the second region 523 far from the first electrode 502 , it is relatively Since the luminous efficiency of light emitted from the first region 521 having a high dopant doping concentration may be improved, it may be advantageous for emitting white light having a red color. Accordingly, the second light emitting layer (EML) 524 includes at least two regions having different dopant doping regions, and among the at least two regions, a region having a relatively high doping concentration is higher than that of the second electrode 504 . By locating close to 502, red efficiency can be improved. Here, although the second light emitting layer (EML) 524 is illustrated as being composed of two regions, the first region 521 and the second region 523 having different dopant concentrations, at least two regions having different dopant concentrations are used. may include The doping concentration of the dopant included in the first region 521 may be 10% to 30% with respect to the volume of the entire host, and the doping concentration of the dopant included in the second region 523 is based on the volume of the entire host. It may be 0.1% to 15%, but is not limited to this range.

그리고, 제1 발광부(510)와 상기 제2 발광부(520) 사이에는 전하 생성층(CGL)(540)이 더 구성될 수 있다. 전하 생성층(CGL)(340)은 제1 발광부(510) 및 제2 발광부(520) 간의 전하 균형을 조절한다. 전하 생성층(540)은 N형 전하 생성층(N-CGL)과 P형 전하 생성층(P-CGL)을 포함할 수 있다. N형 전하 생성층(N-CGL)은 제1 발광부(510)로 전자(electron)를 주입해주는 역할을 하며, P형 전하 생성층(P-CGL)은 제2 발광부(520)로 정공(hole)을 주입해주는 역할을 한다.In addition, a charge generation layer (CGL) 540 may be further formed between the first light emitting unit 510 and the second light emitting unit 520 . The charge generation layer (CGL) 340 adjusts the charge balance between the first light emitting unit 510 and the second light emitting unit 520 . The charge generation layer 540 may include an N-type charge generation layer (N-CGL) and a P-type charge generation layer (P-CGL). The N-type charge generating layer (N-CGL) serves to inject electrons into the first light emitting part 510 , and the P-type charge generating layer (P-CGL) serves to inject holes into the second light emitting part 520 . It plays the role of injecting a hole.

따라서, 본 발명의 제5 실시예에서는 유기 발광 소자의 효율 향상을 위하여 제2 발광층(EML)(524)은 제1 전극(501)에 근접하게 위치하며, 제2 정공 수송층(HTL)(528)의 두께를 얇게 하면서 제2 발광층(EML)(524)으로 정공 과잉이 안 되도록 제2 정공 수송층(HTL)(528)은 정공 이동도가 느린 물질로 구성한 것을 특징으로 한다. 이렇게 구성함으로써, 제2 발광층(EML)(524)의 발광 효율이나 수명을 향상시킬 수 있으므로, 유기 발광 소자의 효율이나 수명을 향상시킬 수 있다. 그리고, 제2 발광층(EML)(524)은 도펀트의 도핑 영역이 서로 다른 적어도 두 개의 영역으로 구성하고, 적어도 두 개의 영역 중 상대적으로 도핑 농도가 큰 영역이 제2 전극(504)보다 제1 전극(502)에 가깝게 위치함으로써, 적색 효율을 향상시킬 수 있다. Accordingly, in the fifth embodiment of the present invention, in order to improve the efficiency of the organic light emitting diode, the second light emitting layer (EML) 524 is located close to the first electrode 501 and the second hole transport layer (HTL) 528 . The second hole transport layer (HTL) 528 is characterized in that it is made of a material having low hole mobility so that holes do not overflow into the second light emitting layer (EML) 524 while reducing the thickness. By configuring in this way, the luminous efficiency and lifespan of the second light emitting layer (EML) 524 can be improved, so that the efficiency and lifespan of the organic light emitting device can be improved. In addition, the second light emitting layer (EML) 524 includes at least two regions having different dopant doping regions, and among the at least two regions, a region having a relatively high doping concentration is higher than that of the second electrode 504 . By positioning it close to 502, the red efficiency can be improved.

본 발명의 제5 실시예에 따른 백색 유기 발광 소자는 하부 발광(Bottom Emission) 방식에 적용할 수 있다. 이에 한정되지 않고, 상부 발광(Top Emission) 방식, 또는 양부 발광(Dual Emission) 방식에 적용하는 것도 가능하다. 상부 발광 방식이나 양부 발광 방식에서는 소자의 특성이나 구조에 따라 발광층들의 위치 등이 달라질 수 있다. The white organic light emitting diode according to the fifth embodiment of the present invention can be applied to a bottom emission method. The present invention is not limited thereto, and may be applied to a top emission method or a dual emission method. In the top emission type or the positive emission type, the positions of the emission layers may vary depending on the characteristics or structure of the device.

그리고, 본 발명의 제5 실시예에 따른 유기 발광 소자를 포함하는 유기발광 표시장치는, 기판(501) 상에 서로 교차하여 각 화소 영역을 정의하는 게이트 배선과 데이터 배선과 이중 어느 하나와 평행하게 연장되는 전원 배선이 위치하며, 각 화소 영역에는 게이트 배선 및 데이터 배선에 연결된 스위칭 박막트랜지스터와 스위칭 박막 트랜지스터에 연결된 구동 박막 트랜지스터가 위치한다. 구동 박막 트랜지스터는 상기 제1 전극(502)에 연결된다. Further, in the organic light emitting display device including the organic light emitting device according to the fifth exemplary embodiment of the present invention, a gate line and a data line which cross each other on a substrate 501 and define each pixel area are parallel to any one of them. An extended power supply line is positioned, and a switching thin film transistor connected to a gate line and a data line and a driving thin film transistor connected to the switching thin film transistor are positioned in each pixel area. The driving thin film transistor is connected to the first electrode 502 .

그리고, 비교예와 본 발명의 실시예에 따른 전압, 효율 및 수명을 평가한 결과를 표 1, 도 9 내지 도 10을 참조하여 설명한다.And, the results of evaluating voltage, efficiency, and lifespan according to Comparative Examples and Examples of the present invention will be described with reference to Table 1 and FIGS. 9 to 10 .

비교예는 도 1에 도시된 유기 발광 소자를 적용한 유기발광 표시장치이다. 본 발명의 실시예는 도 4에 도시된 유기 발광 소자를 적용한 유기발광 표시장치이다. 전류 밀도가 10mA/cm2에서 전압, 효율 및 수명을 평가하였다.A comparative example is an organic light emitting display device to which the organic light emitting diode shown in FIG. 1 is applied. An embodiment of the present invention is an organic light emitting display device to which the organic light emitting diode shown in FIG. 4 is applied. Voltage, efficiency and lifetime were evaluated at a current density of 10 mA/cm 2 .

Figure pat00001
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비교예의 전압, 효율, 양자 효율 및 수명이 100%라고 가정하고 실시예와 비교한 것이다. It is assumed that the voltage, efficiency, quantum efficiency, and lifetime of the comparative example are 100% and compared with the example.

표 1에 나타낸 바와 같이, 전압은 비교예와 비교하여 본 발명와 거의 유사함을 알 수 있다. As shown in Table 1, it can be seen that the voltage is almost similar to that of the present invention compared to the comparative example.

그리고, EQE (External quantum efficiency)는 외부 양자 효율로, 빛이 유기 발광 소자 외부로 나갈 때의 발광 효율을 말한다. 양자 효율은 비교예와 비교하여 본 발명의 실시예와 거의 유사함을 알 수 있다. And, EQE (External quantum efficiency) is external quantum efficiency, and refers to luminous efficiency when light exits the organic light emitting diode. It can be seen that the quantum efficiency is almost similar to the embodiment of the present invention compared to the comparative example.

수명은 초기 발광 휘도의 95% 수준의 발광 휘도를 나타내는데 까지의 시간을 측정한 것이다. 수명은 비교예와 비교하여 본 발명의 실시예가 41% 상승하였음을 알 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예는 정공 수송층의 두께를 얇게 하면서 발광층으로의 정공 과잉이 안 되도록, 정공 이동도가 느린 물질로 정공 수송층을 구성함으로써, 유기 발광 소자의 수명이 향상됨을 알 수 있다. The lifetime is a measure of the time it takes to show the luminance of 95% of the initial luminance. It can be seen that the lifespan of the example of the present invention was increased by 41% compared to the comparative example. Therefore, in the embodiment of the present invention, the lifespan of the organic light emitting device is improved by configuring the hole transport layer with a material having low hole mobility so that the hole transport layer does not have an excess of holes in the light emitting layer while making the thickness of the hole transport layer thin.

도 9는 비교예와 본 발명의 실시예에 따른 전압 평가 결과를 도시한 도면이다. 도 9의 가로축은 전압(V)을 나타내고, 세로축은 전류 밀도(mA/cm2)를 나타낸 것으로, 도 9는 전압에 대한 전류 밀도를 도시한 것이다. 전압 면에서는 비교예와 본 발명의 실시예가 거의 유사함을 알 수 있다. 9 is a diagram illustrating voltage evaluation results according to a comparative example and an embodiment of the present invention. The horizontal axis of FIG. 9 represents the voltage (V), the vertical axis represents the current density (mA/cm 2 ), and FIG. 9 shows the current density with respect to the voltage. In terms of voltage, it can be seen that the comparative example and the embodiment of the present invention are almost similar.

도 10은 비교예와 본 발명의 실시예에 따른 효율 평가 결과를 도시한 도면이다. 도 10의 가로축은 휘도(cd/m2)를 나타내고, 세로축은 효율(%)을 나타내는 것으로, 도 10은 휘도에 대한 효율을 도시한 것이다. 효율 면에서는 비교예가 본 발명의 실시예와 비교하여 거의 유사함을 알 수 있다. 10 is a view showing efficiency evaluation results according to a comparative example and an embodiment of the present invention. The horizontal axis of FIG. 10 indicates luminance (cd/m 2 ), the vertical axis indicates efficiency (%), and FIG. 10 illustrates efficiency with respect to luminance. In terms of efficiency, it can be seen that the comparative example is almost similar to the embodiment of the present invention.

도 11은 비교예와 본 발명의 실시예에 따른 수명 평가 결과를 도시한 도면이다. 도 11의 가로축은 시간(hr)을 나타내고, 세로축은 휘도 감소율(L/L0)을 나타낸다. 초기 발광 휘도의 95% 수준의 발광 휘도를 나타내는데 까지의 시간, 즉 유기 발광 소자의 95% 수명 시간(T95)이 약 80시간의 수준을 나타내었다. 실시예 의 경우는 95% 수명 시간(T95)이 약 120시간의 수준을 나타내므로 수명 면에서는 본 발명의 실시예가 비교예와 비교하여 훨씬 향상하였음을 알 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예에서 발광층(EML) 내에서 재결합 영역이 생성되도록 발광층(EML)의 전하 균형을 조절하므로, 수명이 향상되었음을 알 수 있다. 11 is a view showing a life evaluation result according to a comparative example and an embodiment of the present invention. 11 , the horizontal axis represents time (hr), and the vertical axis represents the luminance decrease rate (L/L0). The time until the emission luminance of 95% of the initial luminance level, that is, the 95% lifetime (T95) of the organic light emitting device, was about 80 hours. In the case of Example, since the 95% life time (T95) represents a level of about 120 hours, it can be seen that the Example of the present invention is much improved compared to the Comparative Example. Accordingly, it can be seen that the lifespan is improved because the charge balance of the emission layer EML is adjusted so that a recombination region is generated in the emission layer EML in the embodiment of the present invention.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에서는 유기발광 표시장치의 효율 향상을 As described above, in the present invention, the efficiency of the organic light emitting display device is improved.

위하여 제1 색과 제2 색을 발광하는 두 개 이상의 발광층들 중 제2 색을 발광하는 발광층을 제1 전극에 근접하게 위치시킴으로써, 발광층의 효율이나 수명을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. For this purpose, by locating the light emitting layer emitting the second color among the two or more light emitting layers emitting the first color and the second color close to the first electrode, there is an effect that the efficiency or lifespan of the light emitting layer can be improved.

또한, 본 발명에서는 제1 색과 제2 색을 발광하는 두 개 이상의 발광층들 중 제2 색을 발광하는 발광층을 제1 전극에 근접하게 위치시키기 위해서 정공 수송층의 두께를 얇게 하면서도 발광층의 효율이나 수명을 향상시킬 수 있는 유기발광 표시장치를 제공할 수 있다. In addition, in the present invention, in order to position the light emitting layer that emits the second color among the two or more light emitting layers that emit light of the first color and the second color close to the first electrode, the thickness of the hole transport layer is thinned while the efficiency or lifespan of the light emitting layer is reduced. It is possible to provide an organic light emitting display device capable of improving the .

또한, 본 발명에서는 제1 색과 제2 색을 발광하는 두 개 이상의 발광층들 중 제2 색을 발광하는 발광층을 제1 전극에 근접하게 위치시키기 위해서 정공 수송층의 두께를 얇게 하면서 발광층으로의 정공 과잉이 안 되도록, 정공 이동도가 느린 물질로 정공 수송층을 구성함으로써, 발광층의 효율이나 수명을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. In addition, in the present invention, in order to position the light emitting layer that emits the second color among the two or more light emitting layers that emit light of the first color and the second color close to the first electrode, the hole transport layer is thinned and the hole overflows into the light emitting layer. To prevent this, by forming the hole transport layer with a material having low hole mobility, there is an effect that the efficiency and lifespan of the light emitting layer can be improved.

또한, 정공 이동도가 느린 물질로 정공 수송층을 구성하여, 전자와 정공이 결합하는 재결합 영역이 발광층 내에 생성되도록 함으로써, 발광층의 효율이나 수명을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. In addition, by configuring the hole transport layer with a material having low hole mobility so that a recombination region where electrons and holes are combined is generated in the light emitting layer, there is an effect of improving the efficiency and lifespan of the light emitting layer.

또한, 정공 이동도가 느린 물질로 정공 수송층을 구성하여, 발광층내에서 재결합 영역이 생성되도록 발광층의 전하 균형을 조절하므로, 발광층의 수명을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, since the charge balance of the light emitting layer is adjusted so that a recombination region is generated in the light emitting layer by configuring the hole transport layer with a material having low hole mobility, the lifespan of the light emitting layer can be improved.

또한, 본 발명에서는 적어도 두 개 이상의 발광부로 구성하고, 각 발광부들에 포함된 정공 수송층들의 정공 이동도를 서로 다르게 구성함으로써, 전자와 정공이 결합하는 재결합 영역이 발광층 내에 생성되도록 함으로써, 발광층의 효율이나 수명을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. In addition, in the present invention, a recombination region where electrons and holes are combined is generated in the light emitting layer by configuring at least two light emitting units and configuring the hole mobility of the hole transport layers included in each light emitting unit differently from each other, thereby increasing the efficiency of the light emitting layer It has the effect of improving the lifespan.

도 12는 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 소자를 포함하는 유기발광 표시장치의 단면도로서, 이는 전술한 본 발명의 제1 실시예 내지 제5 실시예에 따른 유기 발광 소자를 적용한 것이다. 12 is a cross-sectional view of an organic light emitting display device including an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention, which is applied to the organic light emitting diode according to the first to fifth embodiments of the present invention.

도 12에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 유기발광 표시장치(1000)는 기판(201), 박막트랜지스터(TFT), 오버코팅층(1150), 제1 전극(202), 발광부(1180) 및 제2 전극(204)을 포함한다. 박막트랜지스터(TFT)는 게이트 전극(1115), 게이트 절연층(1120), 반도체층(1131), 소스 전극(1133) 및 드레인 전극(1135)을 포함한다.As shown in FIG. 12 , the organic light emitting diode display 1000 according to the present invention includes a substrate 201 , a thin film transistor (TFT), an overcoat layer 1150 , a first electrode 202 , a light emitting unit 1180 and and a second electrode 204 . The thin film transistor TFT includes a gate electrode 1115 , a gate insulating layer 1120 , a semiconductor layer 1131 , a source electrode 1133 , and a drain electrode 1135 .

도 12에서는 박막 트랜지스터(TFT)가 인버티드 스태거드(inverted staggered) 구조로 도시되었으나, 코플라나(coplanar) 구조로 형성할 수도 있다.Although the thin film transistor TFT has an inverted staggered structure in FIG. 12 , it may also have a coplanar structure.

기판(201)은 절연 물질, 또는 유연성(flexibility)을 가지는 재료로 구성될 수 있다. 유리, 금속, 또는 플라스틱 등으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 유기발광 표시장치가 플렉서블(flexible) 유기발광 표시장치인 경우에는 플라스틱 등과 같은 유연한 재질로 이루어질 수도 있다.The substrate 201 may be formed of an insulating material or a material having flexibility. It may be made of glass, metal, or plastic, but is not limited thereto. When the organic light emitting display device is a flexible organic light emitting display device, it may be made of a flexible material such as plastic.

게이트 전극(1115)은 기판(201) 위에 형성되며, 게이트 라인(도시하지 않음)에 연결되어 있다. 상기 게이트 전극(1115)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 다중층일 수 있다.The gate electrode 1115 is formed on the substrate 201 and is connected to a gate line (not shown). The gate electrode 1115 is selected from the group consisting of molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), and copper (Cu). It may be a multilayer made of any one selected or an alloy thereof.

게이트 절연층(1120)은 게이트 전극(1115) 위에 형성되며, 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.The gate insulating layer 1120 is formed on the gate electrode 1115 and may be a silicon oxide layer (SiOx), a silicon nitride layer (SiNx), or a multilayer thereof, but is not limited thereto.

반도체층(1131)은 게이트 절연층(1120) 위에 형성되며, 비정질 실리콘(amorphous silicon, a-Si), 다결정 실리콘(polycrystalline silicon, poly-Si), 산화물(oxide) 반도체 또는 유기물 (organic) 반도체 등으로 형성할 수 있다. 반도체층을 산화물 반도체로 형성할 경우, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), 또는 ITZO(Indium Tin Zinc Oxide) 등으로 형성할 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 그리고, 에치 스토퍼(도시하지 않음)는 상기 반도체층(1131) 위에 형성되어 반도체층(1131)을 보호하는 기능을 할 수 있으나 소자의 구성에 따라서 생략할 수도 있다.The semiconductor layer 1131 is formed on the gate insulating layer 1120, amorphous silicon (a-Si), polycrystalline silicon (poly-Si), an oxide semiconductor or an organic semiconductor, etc. can be formed with When the semiconductor layer is formed of an oxide semiconductor, it may be formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or indium tin zinc oxide (ITZO), but is not limited thereto. An etch stopper (not shown) may be formed on the semiconductor layer 1131 to protect the semiconductor layer 1131 , but may be omitted depending on the configuration of the device.

소스 전극(1133) 및 드레인 전극(1135)은 반도체층(1131) 상에 형성될 수 있다. 소스 전극(1133) 및 드레인 전극(1135)은 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있으며, 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다.The source electrode 1133 and the drain electrode 1135 may be formed on the semiconductor layer 1131 . The source electrode 1133 and the drain electrode 1135 may be formed of a single layer or multiple layers, and may include molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), and nickel (Ni). ), neodymium (Nd) and copper (Cu) may be made of any one selected from the group consisting of, or an alloy thereof.

보호층(1140)은 상기 소스 전극(1133) 및 드레인 전극(1135) 상에 형성되며, 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다중층으로 형성할 수 있다. 또는 아크릴계(acryl) 수지, 폴리이미드(polyimide) 수지 등으로 형성할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The protective layer 1140 is formed on the source electrode 1133 and the drain electrode 1135 , and may be formed of a silicon oxide layer (SiOx), a silicon nitride layer (SiNx), or a multilayer thereof. Alternatively, it may be formed of an acryl resin, a polyimide resin, or the like, but is not limited thereto.

컬러층(1145)은 상기 제1 보호층(1140) 상에 형성되며, 도면에서는 하나의 서브화소만을 도시하였으나, 상기 컬러층(1145)은 적색 서브화소, 청색 서브화소 및 녹색 서브화소의 영역에 형성된다. 상기 컬러층(1145)은 서브화소 별로 패턴 형성된 적색(R) 컬러필터, 녹색(G) 컬러필터, 및 청색(B) 컬러필터를 포함하여 이루어진다. 상기 컬러층(1145)은 상기 발광부(1180)에서 방출되는 백색광 중에서 특정 파장의 광만을 투과시킨다.The color layer 1145 is formed on the first passivation layer 1140, and although only one sub-pixel is shown in the drawing, the color layer 1145 is formed in the regions of the red sub-pixel, the blue sub-pixel, and the green sub-pixel. is formed The color layer 1145 includes a red (R) color filter, a green (G) color filter, and a blue (B) color filter patterned for each sub-pixel. The color layer 1145 transmits only light of a specific wavelength among the white light emitted from the light emitting unit 1180 .

오버코팅층(1150)은 상기 컬러층(1145) 상에 형성되며, 아크릴계(acryl) 수지 또는 폴리이미드(polyimide) 수지, 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.The overcoating layer 1150 is formed on the color layer 1145 and may be an acrylic resin or polyimide resin, an oxide film (SiOx), a silicon nitride film (SiNx), or a multilayer thereof, but is limited thereto. doesn't happen

제1 전극(202)은 상기 오버코팅층(1150) 상에 형성된다. 제1 전극(202)은 상기 보호층(1140)과 오버코팅층(1150)의 소정 영역의 콘택홀(CH)을 통해 상기 드레인 전극(1135)과 전기적으로 연결된다. 도 12에서는 드레인 전극(1135)과 제1 전극(202)이 전기적으로 연결되는 것으로 도시되었으나, 상기 보호층(1140)과 오버코팅층(1150)의 소정 영역의 콘택홀(CH)을 통해 소스 전극(1133)과 제1 전극(302)이 전기적으로 연결되는 것도 가능하다.The first electrode 202 is formed on the overcoat layer 1150 . The first electrode 202 is electrically connected to the drain electrode 1135 through a contact hole CH in a predetermined region of the passivation layer 1140 and the overcoat layer 1150 . In FIG. 12 , the drain electrode 1135 and the first electrode 202 are shown to be electrically connected, but the source electrode ( 1133) and the first electrode 302 may be electrically connected.

뱅크층(1170)은 상기 제1 전극(202) 상에 형성되며, 화소 영역을 정의한다. 즉, 상기 뱅크층(1170)은 복수의 화소들 사이의 경계 영역에 매트릭스 구조로 형성됨으로써, 상기 뱅크층(1170)에 의해서 화소 영역이 정의된다. 뱅크층(1170)은 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene; BCB)계 수지, 아크릴계(acryl) 수지 또는 폴리이미드(polyimide) 수지 등의 유기물로 형성할 수 있다. 또는, 뱅크층(1170)은 검정색 안료를 포함하는 감광제로 형성할 수 있으며, 이 경우에는 뱅크층(1170)은 차광부재의 역할을 하게 된다.A bank layer 1170 is formed on the first electrode 202 and defines a pixel area. That is, the bank layer 1170 is formed in a matrix structure in a boundary region between a plurality of pixels, so that a pixel region is defined by the bank layer 1170 . The bank layer 1170 may be formed of an organic material such as a benzocyclobutene (BCB)-based resin, an acryl-based resin, or a polyimide resin. Alternatively, the bank layer 1170 may be formed of a photosensitive material including a black pigment. In this case, the bank layer 1170 serves as a light blocking member.

발광부(1180)는 상기 뱅크층(1170) 상에 형성된다. 상기 발광부(1180)는 본 발명의 제1 실시예 내지 제5 실시예에서 도시한 바와 같이, 제1 전극(202) 상에 형성된 제1 발광부, 제2 발광부 및 제3 발광부로 이루어진다. 또는, 상기 발광부(1180)는 제1 발광부 및 제2 발광부로 구성될 수 있다.The light emitting part 1180 is formed on the bank layer 1170 . As shown in the first to fifth embodiments of the present invention, the light emitting unit 1180 includes a first light emitting unit, a second light emitting unit, and a third light emitting unit formed on the first electrode 202 . Alternatively, the light emitting unit 1180 may include a first light emitting unit and a second light emitting unit.

제2 전극(204)은 상기 발광부(1180) 상에 형성된다.The second electrode 204 is formed on the light emitting part 1180 .

도 12에 도시되지 않았으나, 봉지부가 상기 제2 전극(204) 상에 구성될 수 있다. 봉지부는 상기 발광부(1180) 내부로 수분이 침투하는 것을 방지하는 역할을 한다. 봉지부는 서로 상이한 무기물이 적층된 복수의 층으로 이루어질 수도 있고, 무기물과 유기물이 교대로 적층된 복수의 층으로 이루어질 수도 있다. 그리고, 봉지 기판이 봉지부 상에 추가로 구성될 수 있다. 봉지 기판은 유리 또는 플라스틱으로 이루어질 수도 있고, 금속으로 이루어질 수도 있다. 봉지 기판은 접착제에 의해서 봉지부에 접착될 수 있다.Although not shown in FIG. 12 , an encapsulation unit may be formed on the second electrode 204 . The encapsulation part serves to prevent moisture from penetrating into the light emitting part 1180 . The encapsulation unit may include a plurality of layers in which different inorganic materials are stacked, or a plurality of layers in which inorganic materials and organic materials are alternately stacked. And, an encapsulation substrate may be additionally configured on the encapsulation unit. The encapsulation substrate may be made of glass or plastic, or may be made of metal. The encapsulation substrate may be adhered to the encapsulation unit by an adhesive.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in more detail with reference to the accompanying drawings, the present invention is not necessarily limited to these embodiments, and various modifications may be made within the scope without departing from the technical spirit of the present invention. . Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical spirit of the present invention, but to explain, and the scope of the technical spirit of the present invention is not limited by these embodiments. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not restrictive. The protection scope of the present invention should be interpreted by the claims, and all technical ideas within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the scope of the present invention.

100, 200, 300, 400, 500: 유기 발광 소자
110, 210, 310, 410, 510: 제1 발광부
120, 220, 320, 420, 520: 제2 발광부
130, 230, 330: 제3 발광부
140, 150, 240, 250, 340, 350, 440, 540: 전하 생성층
112, 122, 132, 212, 228, 232: 정공 수송층
312, 328, 332, 412, 428, 512, 528: 정공 수송층
116, 126, 136, 216, 226, 236: 전자 수송층
316, 326, 336, 416, 426, 516, 526: 전자 수송층
114, 214, 314, 414, 514: 제1 발광층
124, 224, 324, 424, 524: 제2 발광층
134, 234, 334: 제3 발광층100, 200, 300, 400, 500: organic light emitting device
110, 210, 310, 410, 510: first light emitting unit
120, 220, 320, 420, 520: second light emitting unit
130, 230, 330: third light emitting unit
140, 150, 240, 250, 340, 350, 440, 540: charge generation layer
112, 122, 132, 212, 228, 232: hole transport layer
312, 328, 332, 412, 428, 512, 528: hole transport layer
116, 126, 136, 216, 226, 236: electron transport layer
316, 326, 336, 416, 426, 516, 526: electron transport layer
114, 214, 314, 414, 514: first light emitting layer
124, 224, 324, 424, 524: second light emitting layer
134, 234, 334: third light emitting layer

Claims (20)

제1 전극;
상기 제1 전극 상에 형성되며, 제1 발광층과 제1 정공 수송층을 포함하는 제1 발광부;
상기 제1 발광부 상에 형성되며, 제2 발광층과 제2 정공 수송층을 포함하는 제2 발광부;
상기 제2 발광부 상에 형성되며, 제3 발광층과 제3 정공 수송층을 포함하는 제3 발광부; 및
상기 제3 발광부 상에 형성되는 제2 전극을 포함하고,
상기 제1 정공 수송층의 두께는 상기 제2 정공 수송층의 두께보다 크고,
상기 제1 정공 수송층의 두께는 상기 제3 정공 수송층의 두께보다 큰, 유기발광 표시장치.
a first electrode;
a first light emitting part formed on the first electrode and including a first light emitting layer and a first hole transport layer;
a second light emitting unit formed on the first light emitting unit and including a second light emitting layer and a second hole transport layer;
a third light emitting unit formed on the second light emitting unit and including a third light emitting layer and a third hole transport layer; and
a second electrode formed on the third light emitting part;
The thickness of the first hole transport layer is greater than the thickness of the second hole transport layer,
and a thickness of the first hole transport layer is greater than a thickness of the third hole transport layer.
 제1 항에 있어서,
상기 제3 정공 수송층의 두께는 상기 제2 정공 수송층의 두께보다 큰, 유기 발광 표시장치.
According to claim 1,
and a thickness of the third hole transport layer is greater than a thickness of the second hole transport layer.
 제1 항에 있어서,
상기 제1 발광층은 청색 발광층, 황색-녹색 발광층, 적색 발광층 및 녹색 발광층 중 적어도 하나를 포함하는, 유기발광 표시장치.
According to claim 1,
The first light emitting layer includes at least one of a blue light emitting layer, a yellow-green light emitting layer, a red light emitting layer, and a green light emitting layer.
 제1 항에 있어서,
상기 제1 정공 수송층의 정공 이동도는 상기 제2 정공 수송층의 정공 이동도와 상이한, 유기발광 표시장치.
According to claim 1,
and a hole mobility of the first hole transport layer is different from a hole mobility of the second hole transport layer.
 제4 항에 있어서,
상기 제2 정공 수송층의 정공 이동도는 상기 제1 정공 수송층의 정공 이동도보다 느린, 유기발광 표시장치.
5. The method of claim 4,
and a hole mobility of the second hole transport layer is slower than a hole mobility of the first hole transport layer.
 제5 항에 있어서,
상기 제2 정공 수송층의 정공 이동도는 상기 제1 정공 수송층의 정공 이동도보다 half order의 차이를 갖는, 유기발광 표시장치.
6. The method of claim 5,
The organic light emitting diode display device, wherein the hole mobility of the second hole transport layer has a difference in half order than the hole mobility of the first hole transport layer.
 제1 항에 있어서,
상기 제2 발광층은 적어도 하나의 호스트와 도펀트를 포함하며,
상기 제2 발광층은 상기 도펀트의 도핑 농도가 서로 상이한 복수의 영역을 포함하는, 유기발광 표시장치.
According to claim 1,
The second light emitting layer includes at least one host and a dopant,
and the second emission layer includes a plurality of regions having different doping concentrations of the dopant.
 제7 항에 있어서,
상기 복수의 영역은,
상기 제1 전극에 가까운 제1 영역 및 상기 제1 영역 상에 형성된 제2 영역을 포함하며,
상기 제1 영역의 도펀트의 도핑 농도는 상기 제2 영역의 도펀트의 도핑 농도보다 높은, 유기발광 표시장치.
8. The method of claim 7,
The plurality of areas,
a first region close to the first electrode and a second region formed on the first region;
and a doping concentration of the dopant in the first region is higher than a doping concentration of the dopant in the second region.
 기판 상에 형성된 제1 전극;
상기 제1 전극 상에 형성되며, 제1 발광층을 포함하는 제1 발광부;
상기 제1 발광부 상에 형성되며, 제2 발광층을 포함하는 제2 발광부;
상기 제2 발광부 상에 형성되며, 제3 발광층을 포함하는 제3 발광부; 및
상기 제3 발광부 상에 형성되는 제2 전극을 포함하고,
상기 제1 발광층과 상기 제2 발광층 사이에 형성된 유기층들의 두께는 상기 제1 전극과 상기 제1 발광층 사이에 형성된 유기층들의 두께와 다른, 유기발광 표시장치.
a first electrode formed on the substrate;
a first light emitting part formed on the first electrode and including a first light emitting layer;
a second light emitting unit formed on the first light emitting unit and including a second light emitting layer;
a third light emitting unit formed on the second light emitting unit and including a third light emitting layer; and
a second electrode formed on the third light emitting part;
The organic light emitting display device, wherein the thickness of the organic layers formed between the first light emitting layer and the second light emitting layer is different from the thickness of the organic layers formed between the first electrode and the first light emitting layer.
 제9 항에 있어서,
상기 제1 발광층과 상기 제2 발광층 사이에 있는 유기층들의 두께는 상기 제1 전극과 상기 제1 발광층 사이의 유기층들의 두께보다 작은, 유기발광 표시장치.
10. The method of claim 9,
The organic light emitting display device, wherein the thickness of the organic layers between the first light emitting layer and the second light emitting layer is smaller than the thickness of the organic layers between the first electrode and the first light emitting layer.
 제9 항에 있어서,
상기 제1 발광층은 청색 발광층, 황색-녹색 발광층, 적색 발광층 및 녹색 발광층 중 적어도 하나를 포함하는, 유기발광 표시장치.
10. The method of claim 9,
The first light emitting layer includes at least one of a blue light emitting layer, a yellow-green light emitting layer, a red light emitting layer, and a green light emitting layer.
 제9 항에 있어서,
상기 제2 발광층은 황색-녹색 발광층 또는 녹색 발광층인, 유기발광 표시장치.
10. The method of claim 9,
The second light emitting layer is a yellow-green light emitting layer or a green light emitting layer.
 제9 항에 있어서,
상기 제3 발광층은 청색 발광층, 황색-녹색 발광층, 적색 발광층 및 녹색 발광층 중 적어도 하나를 포함하는, 유기발광 표시장치.
10. The method of claim 9,
The third light emitting layer includes at least one of a blue light emitting layer, a yellow-green light emitting layer, a red light emitting layer, and a green light emitting layer.
 제9 항에 있어서,
상기 제1 전극과 상기 제1 발광층 사이의 유기층들은 제1 정공 수송층 및 정공 주입층 중 하나 이상을 포함하고,
상기 제1 발광층과 상기 제2 발광층 사이에 있는 유기층들은 제1 전자 수송층 및 제2 정공 수송층 중 하나 이상을 포함하는, 유기발광 표시장치.
10. The method of claim 9,
The organic layers between the first electrode and the first light emitting layer include at least one of a first hole transport layer and a hole injection layer,
and the organic layers interposed between the first light emitting layer and the second light emitting layer include at least one of a first electron transport layer and a second hole transport layer.
 제14 항에 있어서,
상기 제1 정공 수송층의 두께는 상기 제2 정공 수송층의 두께보다 큰, 유기 발광 표시장치.
15. The method of claim 14,
and a thickness of the first hole transport layer is greater than a thickness of the second hole transport layer.
 제15 항에 있어서,
상기 제2 발광층과 상기 제3 발광층 사이에 형성된 유기층들을 더 포함하고,
상기 유기층들은 제2 전자 수송층 및 제3 정공 수송층 중 하나 이상을 포함하는, 유기발광 표시장치.
16. The method of claim 15,
Further comprising organic layers formed between the second light-emitting layer and the third light-emitting layer,
and the organic layers include at least one of a second electron transport layer and a third hole transport layer.
 제16 항에 있어서,
상기 제1 정공 수송층의 두께는 상기 제3 정공 수송층의 두께보다 큰, 유기 발광 표시장치.
17. The method of claim 16,
and a thickness of the first hole transport layer is greater than a thickness of the third hole transport layer.
 제16 항에 있어서,
상기 제3 정공 수송층의 두께는 상기 제2 정공 수송층의 두께보다 큰, 유기 발광 표시장치.
17. The method of claim 16,
and a thickness of the third hole transport layer is greater than a thickness of the second hole transport layer.
 제9 항에 있어서,
상기 제1 발광부와 상기 제2 발광부 사이에 형성되는 제1 전하 생성층; 및
상기 제2 발광부와 상기 제3 발광부 사이에 형성되는 제2 전하 생성층을 더 포함하는, 유기발광 표시장치.
10. The method of claim 9,
a first charge generation layer formed between the first light emitting part and the second light emitting part; and
and a second charge generation layer formed between the second light emitting unit and the third light emitting unit.
 제9 항에 있어서,
상기 기판 상에 형성되는 박막 트랜지스터;
상기 박막 트랜지스터 상에 형성되는 보호층;
상기 보호층 상에 형성되는 컬러층; 및
상기 제2 전극 상에 형성되는 봉지부를 더 포함하는, 유기발광 표시장치.
10. The method of claim 9,
a thin film transistor formed on the substrate;
a protective layer formed on the thin film transistor;
a color layer formed on the protective layer; and
The organic light emitting display device further comprising an encapsulant formed on the second electrode.
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